JP5119865B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 - Google Patents
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 395
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 121
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 116
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 115
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 44
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 40
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 31
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 30
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 112
- 239000010408 film Substances 0.000 description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 description 46
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 23
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 16
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 15
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 8
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCOCC1CO1 AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 3
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 3
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 3
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- XPEKVUUBSDFMDR-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound CC1C=CCC2C(=O)OC(=O)C12 XPEKVUUBSDFMDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000285 Polydioctylfluorene Polymers 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- FNQJDLTXOVEEFB-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-benzothiadiazole Chemical compound C1=CC=C2SN=NC2=C1 FNQJDLTXOVEEFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZWLRLIAVLSBQU-UHFFFAOYSA-N 1,2-dioctyl-9h-fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(CCCCCCCC)C(CCCCCCCC)=C3CC2=C1 PZWLRLIAVLSBQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical class NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005964 Acibenzolar-S-methyl Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 1
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 description 1
- OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N diphenyliodanium Chemical class C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021331 inorganic silicon compound Inorganic materials 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013035 low temperature curing Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920003216 poly(methylphenylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 1
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003459 sulfonic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical class C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10K59/10—OLED displays
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Description
この構成によれば、ガスバリア層を、複数の発光素子を画素ごとに分離する隔壁や配線に由来する凹凸を緩和する機能を備える有機緩衝層の上に形成することができる。そのため、形成するガスバリア層に凹凸が少なくなり、凹凸部での応力集中によるガスバリア層の破損を抑制することができる。したがって、ガスバリア層による水分の浸入防止を確実に行うことが可能となる。
この構成によれば、第1接続配線上を更に電極保護層にて覆うことにより、第1接続配線からの水分の浸入を更に効果的に抑制することができる。
この構成によれば、保護基板によりガスバリア層の破損を防ぎ、ガスバリア層による装置内部への水分浸入防止の機能を担保することができる。また、保護基板自体により水分浸入を防ぐことができる。
この構成によれば、接着層を用いて基板と保護基板とを強固に貼りあわせることで有機EL装置の装置全体の剛性が上がり、装置全体の変形などによるガスバリア層の破損を防ぐことが出来る。そのため、ガスバリア層による第1接続配線の被覆を確実に行うことができ、水分浸入を防止することができる。
この構成によれば、有機緩衝層の周辺端部において、有機緩衝層を覆って形成されるガスバリア層が急峻な角度を備えて形成されないため、有機緩衝層の周辺端部でのガスバリア層の損傷を抑制することが可能となる。したがって、ガスバリア層による第1接続配線の被覆を確実なものとすることができる。
この構成によれば、有機緩衝層の周辺端部において、有機緩衝層とガスバリア層との熱膨張率の差などに由来するガスバリア層に加わる応力を緩和し、ガスバリア層にクラックや剥離等の損傷を起こすことを抑制することができる。そのため、ガスバリア層による第1接続配線の被覆を確実なものとし、第1接続配線を介する水分の浸入を防止することができる。
シール層や接着層を構成する材料に粒子状の充填材が混合されていると、保護基板を接着する際に充填材を介して接着時の圧力がガスバリア層に伝わり、ガスバリア層が破損するおそれがある。しかし本発明においては、シール層や接着層を形成する材料には、これら充填材を含まないこととしているため、圧着時におけるガスバリア層の破損を防ぐことができ、ガスバリア層の第1接続配線への水分浸入防止機能を担保することができる。
エポキシ樹脂は、様々な基材に対しての接着力に優れ、且つ他の樹脂と比べて低透湿性と耐熱性、透明性に優れる。また、パネルの構造体を形成するこれらの樹脂成分に同じ材料系を用いることで、膨張率や弾性率を近づけることができ、特に熱衝撃による上記のガスバリア層の損傷を防ぐ効果がある。
窒化シリコンまたは酸窒化シリコンなどの無機ケイ素化合物は透明でかつ耐熱性と耐腐食性が高く、構造が緻密であるために防湿性が極めて高いため、ガスバリア層として必要な防湿性を十分に確保し、優れたガスバリア層を形成することができる。
この構成によれば、第1接続配線が屈曲または湾曲することで、接続端子部からITOに浸透する水分が発光素子までの到達時間を遅延することができる。また、さらに第1接続配線と電気的に接続する第2接続配線を介して接続端子部を設けることで、上記の遅延効果をさらに高めると共に、陰極配線の積層化により陰極配線の電気抵抗を下げることができるため、額縁部の陰極配線幅をさらに狭めることで額縁部をさらに狭める効果が期待できる。
スクリーン印刷法ではスキージによる摩擦により配置した材料の表面が強制的に平坦化されるため、他の材料配置方法と比較すると、容易に配置する材料の表面を平坦にすることができる。また、有機緩衝層の形成材料を、材料を配置する領域の端部にまで行き渡らせることが容易である。このような特徴を有するスクリーン印刷法を用いて有機緩衝層の形成材料を配置することで、形成する有機緩衝層により複数の発光素子を画素ごとに分離する隔壁や配線に由来する凹凸を効率的に緩和することができる。そのため、凹凸部での応力集中によるガスバリア層の破損を抑制することが可能となる。したがって、第1接続配線からの水分の浸入防止をガスバリア層により確実に行うことができる。またこの方法によれば、減圧下において有機緩衝層の形成材料を取り扱うため、有機緩衝層に気泡が混入することを防ぐことができ、合わせて、有機緩衝層の形成材料が含む水分を除きながら有機緩衝層の形成を行うことができる。そのため、水分や気泡を含まない高品質の有機緩衝層を形成することができ、有機緩衝層から直接または第1接続配線を介して有機発光層に水分が浸入することを防ぐことが可能となる。
この構成によれば、表示不良が少なく高品質であり且つ長寿命である電子機器とすることができる。
以下、図1〜図7を参照しながら、本発明の第1実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置(有機EL装置)について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
素子基板20Aは、基板本体20と、基板本体20上に前述した各種配線やTFT素子と、これらの配線やTFT素子等を覆う無機絶縁膜14と、を備えている。基板本体20は、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム(プラスチックフィルム)などが挙げられる。透明基板としては、例えばガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物や、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機高分子(樹脂)を用いることができる。また、光透過性を備えるならば、前記材料を積層または混合して形成された複合材料を用いることもできる。本実施形態では、基板本体20の材料としてガラスを用いる。
素子基板20A上には、配置されている発光素子21を覆って全面に複数の保護層が積層して層構造を形成している。この保護層として、本実施形態の有機EL装置1は、電極保護層17と有機緩衝層18とガスバリア層19とを備えている。以下、素子基板20A上に形成されている各層について説明する。
ガスバリア層19が形成された素子基板20Aには、保護基板31が対向配置されている。保護基板13は、ガスバリア層19を保護する機能と光透過性を備えた基板であり、例えばガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物や、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリオレフィン樹脂等の有機高分子(樹脂)を用いて形成することができる。また、光透過性を備えるならば、前記材料を積層または混合して形成された複合材料を用いることもできる。中でも、透明性と防湿性が高く、耐熱性を付与するのに素子基板との熱膨張率を合わせるため、特にガラス基板が好適に用いられる。
素子基板20Aと保護基板31とは、素子基板20Aの外周部近傍に配置されるシール層33と、シール層33に囲まれた領域内で素子基板20Aと保護基板31とに挟持された接着層34と、によって貼り合わされている。
続いて、図3に示す拡大断面図を参照して、有機EL装置1の周辺部の断面構造を説明する。図3は図2の要部(丸で囲んだA部)を示す図である。
この構成によれば、第1接続配線22Aが屈曲または湾曲することで、接続端子部23からITOに浸透する水分が発光素子までの到達時間を遅延することで、発光素子21を長寿命化することが可能となる。また、さらに第1接続配線22Aと電気的に接続する第2接続配線22Bを介して接続端子部を設けることで、上記の遅延効果をさらに高めると共に、陰極配線の積層化により陰極配線の電気抵抗を下げることができ、額縁部の陰極配線幅をさらに狭めることで額縁部をさらに狭めた狭額縁構造のパネルの作成が可能となる。
その場合は、シール層33と両基板とに囲まれる中空部分にシール層33を介して浸入する水分を捕集する乾燥剤を備えていることが望ましい。
その場合、酸化シリコンは窒化シリコンや酸窒化シリコンと比べると透湿性が高いため、窒化シリコンや酸窒化シリコンを用いて形成するガスバリア層19よりも厚く成膜することが望ましい。
次に、図5から図7を参照して本実施形態における有機EL装置1の製造方法を説明する。ここで、図5は有機EL装置1の素子基板20Aに各種保護層を積層させた層構造を形成する工程図であり、図6は保護基板31にシール層および接着層の形成材料を配置する工程図であり、図7は保護基板31と素子基板20Aとを貼りあわせる有機EL装置1とするまでの工程図である。
図8は、本発明の第2実施形態に係る有機EL装置2の説明図である。本実施形態の有機EL装置2は、第1実施形態の有機EL装置1と一部共通している。異なるのは、第1実施形態の有機EL装置1がいわゆる「トップエミッション方式」の有機EL装置であったのに対し、本実施形態における有機EL装置2がいわゆる「ボトムエミッション方式」の有機EL装置で点である。また、第1実施形態の有機EL装置1では、発光素子21から射出される白色光をカラーフィルタ層32で変調して各色の光としていたところ、本実施形態の有機EL装置2ではカラーフィルタ層を用いず、発光素子の備える発光層に赤色発光層、緑色発光層および青色発光層を用い、各色の光を射出する点も相違している。本実施形態において第1実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
次に、前記実施形態の有機EL装置を備えた電子機器の例について説明する。図9(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図9(a)において、携帯電話50は表示部51を備えている。表示部51には、本発明に係る有機EL装置を備えている。
Claims (11)
- 基板と、
一対の電極間に有機発光層を挟持した複数の発光素子と、
前記発光素子が複数配置された基板上の表示領域の周囲に配置され且つ前記一対の電極のうちの一方の電極と接続されている、表面に酸化物導電膜が形成された第1接続配線と、
一端が前記第1接続配線と接続された第2接続配線と、
前記第2接続配線の他端に設けられた接続端子を含む実装端子と、
前記第1接続配線の端面を覆い、前記第1接続配線、前記第2接続配線、前記複数の発光素子、および前記実装端子の端部を除いた前記基板全面に形成されたガスバリア層と、を備え、
前記第1接続配線は、平面視において、前記基板の外周をなす3辺に沿って延在して前記表示領域を囲んでおり、
前記第2接続配線は、平面視において、前記3辺とは異なる1の辺と前記表示領域との間にL字型に形成されており、
前記実装端子は、平面視において、前記1の辺と前記表示領域との間であって前記1の辺の中央部に設けられ、かつ前記第1接続配線と前記1の辺との間には設けられておらず、
前記第2接続配線は、平面視において、前記1の辺の延在方向において、前記実装端子と前記第1接続配線との間に設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記複数の発光素子の表面及び側面を覆い、前記複数の発光素子と前記ガスバリア層との間で、かつ前記側面が前記ガスバリア層の内側に収まるように形成される有機緩衝層を備えていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記有機緩衝層の周辺端部における接触角度が、20度以下となるように形成されていることを特徴とする請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記第1接続配線の端面を覆い、前記第1接続配線と前記複数の発光素子との表面を覆って全面に形成された電極保護層を、前記複数の発光素子と前記有機緩衝層との間に備えていることを特徴とする請求項2または3に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記ガスバリア層および前記電極保護層は、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンを用いて形成されていることを特徴とする請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記ガスバリア層に対向して接着される保護基板が設けられていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記基板と前記保護基板とは、前記表示領域の周囲に配置されるシール層と、前記シール層に囲まれた領域に配置される接着層と、を用いて接着されていることを特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記シール層は、前記有機緩衝層の周辺端部に平面的に重なって配置されていることを特徴とする請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記シール層および前記接着層の形成材料は、粒子状の充填材を含まないことを特徴とする請求項7または8に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記有機緩衝層、前記シール層および前記接着層は、エポキシ樹脂を用いて形成されることを特徴とする請求項7から9のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えていることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007286400A JP5119865B2 (ja) | 2007-11-02 | 2007-11-02 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 |
US12/208,757 US7902751B2 (en) | 2007-11-02 | 2008-09-11 | Organic electroluminescent device, method for producing the same, and electronic apparatus |
KR1020080102544A KR20090045847A (ko) | 2007-11-02 | 2008-10-20 | 유기 일렉트로루미네센스 장치 및 그 제조 방법, 전자 기기 |
CN2008101730171A CN101425533B (zh) | 2007-11-02 | 2008-10-29 | 有机电致发光装置及其制造方法、电子设备 |
TW097142049A TW200930137A (en) | 2007-11-02 | 2008-10-31 | Organic electroluminescent device, method for producing the same, and electronic apparatus |
US13/018,927 US8324805B2 (en) | 2007-11-02 | 2011-02-01 | Organic electroluminescent device, method for producing the same, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007286400A JP5119865B2 (ja) | 2007-11-02 | 2007-11-02 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009117079A JP2009117079A (ja) | 2009-05-28 |
JP5119865B2 true JP5119865B2 (ja) | 2013-01-16 |
Family
ID=40587399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007286400A Active JP5119865B2 (ja) | 2007-11-02 | 2007-11-02 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7902751B2 (ja) |
JP (1) | JP5119865B2 (ja) |
KR (1) | KR20090045847A (ja) |
CN (1) | CN101425533B (ja) |
TW (1) | TW200930137A (ja) |
Families Citing this family (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101002659B1 (ko) * | 2008-12-23 | 2010-12-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JPWO2011016126A1 (ja) * | 2009-08-06 | 2013-01-10 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
TWI413443B (zh) * | 2009-09-24 | 2013-10-21 | Innolux Corp | 影像顯示系統 |
JP5341701B2 (ja) | 2009-10-02 | 2013-11-13 | キヤノン株式会社 | 表示装置およびデジタルカメラ |
JP5611811B2 (ja) | 2009-12-31 | 2014-10-22 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | バリア・フィルム複合体及びこれを含む表示装置 |
JP5611812B2 (ja) * | 2009-12-31 | 2014-10-22 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP5290268B2 (ja) | 2009-12-31 | 2013-09-18 | 三星ディスプレイ株式會社 | バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置、バリア・フィルム複合体の製造方法、及びこれを含む表示装置の製造方法 |
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KR101845480B1 (ko) | 2010-06-25 | 2018-04-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
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TWI588718B (zh) * | 2012-03-28 | 2017-06-21 | 友達光電股份有限公司 | 觸控面板及其製造方法 |
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KR101473309B1 (ko) | 2012-11-29 | 2014-12-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
KR101473311B1 (ko) * | 2012-12-20 | 2014-12-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
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KR102158771B1 (ko) * | 2013-08-08 | 2020-09-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102093393B1 (ko) * | 2013-08-14 | 2020-03-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP6223070B2 (ja) | 2013-08-29 | 2017-11-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 |
KR101727887B1 (ko) * | 2013-09-30 | 2017-04-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전자장치의 제조 방법 |
KR102102911B1 (ko) * | 2013-11-29 | 2020-04-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그의 제조방법 |
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JP7105543B2 (ja) | 2017-05-26 | 2022-07-25 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機表示素子 |
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CN109429571B (zh) * | 2017-06-27 | 2020-08-18 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el设备的制造方法 |
KR101976832B1 (ko) * | 2017-11-06 | 2019-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
JP6542931B2 (ja) * | 2018-02-27 | 2019-07-10 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機elデバイスの製造方法 |
CN109300938B (zh) * | 2018-08-30 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
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KR102252416B1 (ko) * | 2018-10-30 | 2021-05-14 | 에이피시스템 주식회사 | 유기발광장치 및 박막 봉지층 제조방법 |
CN113224252A (zh) * | 2020-01-21 | 2021-08-06 | 海信视像科技股份有限公司 | 一种有机发光显示面板的制作方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4004709B2 (ja) | 2000-03-30 | 2007-11-07 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 |
JP2003045652A (ja) | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Oledディスプレイ |
EP1296384B1 (en) * | 2001-09-21 | 2008-09-03 | FUJIFILM Corporation | Organic light-emitting device |
US7038377B2 (en) * | 2002-01-16 | 2006-05-02 | Seiko Epson Corporation | Display device with a narrow frame |
JP3778176B2 (ja) * | 2002-05-28 | 2006-05-24 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP3933169B2 (ja) * | 2002-05-28 | 2007-06-20 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP4138672B2 (ja) | 2003-03-27 | 2008-08-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
JP2005116483A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP4678124B2 (ja) | 2003-11-10 | 2011-04-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
JP2005293946A (ja) | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機el表示装置 |
JP2006150592A (ja) | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Seiko Epson Corp | 光ラインヘッドおよびこれを用いた画像形成装置 |
JP4552656B2 (ja) | 2005-01-12 | 2010-09-29 | セイコーエプソン株式会社 | ラインヘッド、及び画像形成装置 |
JP2006222071A (ja) | 2005-01-17 | 2006-08-24 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2007035549A (ja) | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Optrex Corp | 有機elパネルおよびその製造方法 |
JP4742835B2 (ja) * | 2005-12-05 | 2011-08-10 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP4539547B2 (ja) * | 2005-12-08 | 2010-09-08 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
-
2007
- 2007-11-02 JP JP2007286400A patent/JP5119865B2/ja active Active
-
2008
- 2008-09-11 US US12/208,757 patent/US7902751B2/en active Active
- 2008-10-20 KR KR1020080102544A patent/KR20090045847A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-10-29 CN CN2008101730171A patent/CN101425533B/zh active Active
- 2008-10-31 TW TW097142049A patent/TW200930137A/zh unknown
-
2011
- 2011-02-01 US US13/018,927 patent/US8324805B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200930137A (en) | 2009-07-01 |
US20090115321A1 (en) | 2009-05-07 |
JP2009117079A (ja) | 2009-05-28 |
US8324805B2 (en) | 2012-12-04 |
US20110121276A1 (en) | 2011-05-26 |
KR20090045847A (ko) | 2009-05-08 |
CN101425533A (zh) | 2009-05-06 |
US7902751B2 (en) | 2011-03-08 |
CN101425533B (zh) | 2012-09-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110922 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20111128 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120605 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120806 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120925 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121008 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5119865 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |