CN101425533B - 有机电致发光装置及其制造方法、电子设备 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 123
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 375
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 129
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 104
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 64
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 41
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 8
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 112
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 18
- -1 triphenyl diamines Chemical class 0.000 description 18
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000002585 base Substances 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 7
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 7
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 5
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- PZWLRLIAVLSBQU-UHFFFAOYSA-N 1,2-dioctyl-9h-fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(CCCCCCCC)C(CCCCCCCC)=C3CC2=C1 PZWLRLIAVLSBQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YURNCBVQZBJDAJ-UHFFFAOYSA-N 2-heptenoic acid Chemical compound CCCCC=CC(O)=O YURNCBVQZBJDAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JBFHTYHTHYHCDJ-UHFFFAOYSA-N gamma-caprolactone Chemical compound CCC1CCC(=O)O1 JBFHTYHTHYHCDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 3
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical compound N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYDQIZKZTQHYIY-UHFFFAOYSA-N OC(=O)C1(C)CC(C(O)=O)=CC=C1 Chemical compound OC(=O)C1(C)CC(C(O)=O)=CC=C1 AYDQIZKZTQHYIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HPNSNYBUADCFDR-UHFFFAOYSA-N chromafenozide Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C(=O)N(NC(=O)C=2C(=C3CCCOC3=CC=2)C)C(C)(C)C)=C1 HPNSNYBUADCFDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical class NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- QAZYYQMPRQKMAC-FDGPNNRMSA-L calcium;(z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Ca+2].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O QAZYYQMPRQKMAC-FDGPNNRMSA-L 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N diazinon Chemical compound CCOP(=S)(OCC)OC1=CC(C)=NC(C(C)C)=N1 FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021331 inorganic silicon compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 238000011176 pooling Methods 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical class C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
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Abstract
本发明的目的在于,提供防止水分经由连接布线的浸入且劣化少的有机EL装置、该装置的制造方法、具有该装置的电子设备。该有机EL装置的特征在于,具有元件基板(20A)、在一对电极间夹持有发光层(12)的多个发光元件(21)、在元件基板(20A)上配置多个发光元件(21)而形成的显示区域、第1连接布线(22A)和阻气层(19),所述第1连接布线配置于元件基板(20A)上的显示区域的周围,并且与阴极(11)相连接,在表面的整个面形成有透明导电层;所述阻气层(19)被覆第1连接布线(22A)的端面以及第1连接布线(22A)和发光元件(21)的表面而形成。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光装置及其制造方法、电子设备。
背景技术
近年来,随着信息机器的多样化等,耗电量少且轻量化的平面显示装置的需求增加。作为这样的平面显示装置之一,已知具备有机发光层的有机电致发光装置(以下称为“有机EL装置”)。
有机EL装置具有由含有有机材料的材料形成的发光元件。作为基本的构成,该发光元件的构成为在阳极和阴极之间夹持有有机发光层(发光层)。进而,大多为具有如下构成的有机EL装置,即,除了这些基本构成,还对发光元件附加了发挥各种功能的功能层,如为了更容易从阳极注入空穴而在阳极和发光层之间配置的空穴注入层、为了更容易从阴极注入电子而在阴极和发光层之间配置的电子注入层等,通过这些功能层的效果来实现更高亮度、高发光效率。
这些发光层、空穴注入层、电子注入层等各层中使用的材料大多易与大气中的水分、氧反应而劣化。如果这些层劣化,会在有机EL装置中形成被称为所谓“黑点”的不发光区域,作为发光元件的性能下降。因此,在有机EL装置中,为了防止水分、氧等浸入,提出了用防潮性优异的薄膜、封闭件等阻气层来封闭发光元件的结构(例如,参照专利文献1~4)。
专利文献1:特开2001-284041号公报
专利文献2:特开2005-293946号公报
专利文献3:特开2006-150592号公报
专利文献4:特开2007-35549号公报
发明内容
然而,便携机器的显示部中使用的中小型显示装置中,由于功能性、设计性的问题,一般采用将配置于被称为“框部”的显示区域周边部的非显示区域(框架部分)设为2mm以下、扩大有效显示区域的构成。因此,便携机器中使用的有机EL装置必须采用具有狭窄框部的窄框结构。另一方面,为了防止水分向装置内部浸入,如上所述使用透湿性低的材料来形成阻气层(封闭层)是有效的,作为封闭层的形成位置,较合适的是框部的最外部。然而,在面板设计上难以仅用封闭层来占据框区域,因此在配置有封闭层的区域,层合具有各种功能的其它构成部件而配置。作为如此部件的一例,可以列举阴极布线。
阴极布线与构成显示区域的发光元件的电极(阴极)相连,是为了进行直至连接端子部的电连通而形成的。因此,较理想的是阴极布线的电阻比发光元件具有的阴极的电阻低而易通电,为了增大导体截面积而降低电阻,阴极布线一般采用形成宽大的构成。此外,阴极布线在发光元件附近形成,为了获得与发光元件的阴极的连通,多以包围配置有发光元件的显示区域的方式形成框部。
该阴极布线通常使用导电性高的铝、钛、钼、钽、银、铜等金属或它们组合而成的合金材料而形成,一般以被覆阴极布线的方式层合像素阳极中使用的ITO(氧化铟锡导电膜)而形成。在制造工序中,光刻工序中利用蚀刻进行的图案形成工序在布线的形成、像素部的形成等中是不可或缺的工序,但存在上述阴极布线被作为下一工序的像素电极(ITO)的图案形成中使用的蚀刻液(氯化铁/盐酸体系、硝酸/硫酸体系等强酸性溶液)腐蚀的问题。该问题通过用ITO层和残存ITO的光刻层来被覆阴极布线的整个面来解决,但结果是ITO不仅在像素电极上形成,也在阴极布线的上面形成。
然而,本发明人详细研究了框部的构成和防潮性能,得知有时因形成方法而使ITO具有透湿性,水分可能通过阴极布线上的ITO而浸入装置内部。由于迄今为止从未想到布线能成为水分的浸入途径,因此以往的装置构成中阴极布线多在框部露出。此外,基于上述的理由,阴极布线一般比其他布线宽度大,形成至发光元件的附近。因此,一旦容许水分从阴极布线浸入,水分就容易到达发光元件,可能使发光元件劣化。在上述专利文献中,均未记载这样的水分介由布线浸入的可能,因此也并未记载任何对策。
本发明鉴于上述情况而完成,其目的在于提供通过形成被覆配置于框部的布线的阻气层,来防止水分经由布线浸入的高品质的有机电致发光装置。此外,其目的还在于提供这样在布线上形成有阻气层的有机电致发光装置的制造方法。进而,其目的还在于提供通过具有本发明的有机电致发光装置而能够实现高品质、寿命长的电子设备。
为了解决上述课题,本发明的有机电致发光装置的特征在于,具有基板、多个发光元件、显示区域、第1连接布线和阻气层,所述发光元件在一对电极之间夹持有有机发光层;所述显示区域在俯视下是与所述基板重叠的区域,并配置有所述多个发光元件;所述第1连接布线配置于所述显示区域的周围,并且与所述一对电极中的一方的电极相连接,在表面形成有透明导电层;所述阻气层被覆所述第1连接布线的端面、所述第1连接布线的表面以及所述多个发光元件的表面而形成。
在第1连接布线的表面形成的透明导电层具有透湿性。因此,第1连接布线暴露于外部环境时,外部环境的水分可能沿着第1连接布线而浸入装置内部。但是,根据本发明的构成,由于第1连接布线被阻气层所被覆,因此能够防止水分介由第1连接布线浸入装置内部,能够制成因发光元件的劣化所致的显示性能下降少的有机电致发光装置。
在本发明中,较理想的是具有有机缓冲层,该有机缓冲层在所述多个发光元件和所述阻气层之间,以被覆所述多个发光元件的表面和侧面,并且侧面容纳于所述阻气层内侧的方式形成。
根据该构成,能够在具有消减凹凸功能的有机缓冲层上形成阻气层,所述凹凸由按像素分隔多个发光元件的隔壁、布线所引起。因此,形成的阻气层中凹凸变少,能够抑制因在凹凸部的应力集中所致的阻气层破损。因此,能够通过阻气层可靠地防止水分的浸入。
在本发明中,较理想的是,在所述多个发光元件和所述有机缓冲层之间,具有被覆所述第1连接布线的端面、所述第1连接布线的表面和所述多个发光元件的表面而在整个面形成的电极保护层。
根据该构成,通过进一步用电极保护层被覆在第1连接布线上,能够更有效抑制水分从第1连接布线浸入。
在本发明中,较理想的是,与所述阻气层对向地设有粘合于所述阻气层的保护基板。
根据该构成,通过保护基板能够防止阻气层的破损,能够确保基于阻气层的防止水分向装置内部浸入的功能。此外,能够通过保护基板自身来防止水分浸入。
在本发明中,较理想的是,所述基板和所述保护基板使用配置于所述显示区域周围的密封层和配置于由所述密封层所围成的区域的粘合层而粘合。
根据该构成,通过使用粘合层使基板和保护基板牢固地粘合,有机EL装置整个装置的刚性提高,能够防止因整个装置的变形等引起的阻气层的破损。因此,能够可靠地利用阻气层被覆第1连接布线,能够防止水分浸入。
在本发明中,较理想的是,所述有机缓冲层的周边端部的接触角度形成为20度以下。
根据该构成,在有机缓冲层的周边端部,被覆有机缓冲层而形成的阻气层没有以陡峭的角度形成,因此能够抑制有机缓冲层的周边端部上的阻气层损伤。因此,能够可靠地利用阻气层被覆第1连接布线。
在本发明中,较理想的是,所述密封层以与所述有机缓冲层的周边端部呈平面重叠的方式配置。
根据该构成,在有机缓冲层的周边端部,能够消减由有机缓冲层和阻气层的热膨胀率的差等所引起的施加于阻气层的应力,并能够抑制在阻气层中产生断裂、剥离等损伤。因此,能够可靠地利用阻气层被覆第1连接布线,防止水分介由第1连接布线浸入。
在本发明中,较理想的是,所述密封层和所述粘合层的形成材料不含粒状的填充材料。
构成密封层、粘合层的材料中混合有粒状的填充材料时,粘合保护基板时,粘合时的压力通过填充材料传到阻气层,阻气层可能破损。但是在本发明中,在形成密封层、粘合层的材料中不含这些填充材料,因此能够防止压接时的阻气层破损,能够保证基于阻气层的防止水分向第1连接布线浸入的功能。
在本发明中,较理想的是,所述有机缓冲层、所述密封层和所述粘合层使用环氧树脂来形成。
环氧树脂对各种基材的粘合力优异,并且与其他树脂相比透湿性低且耐热性、透明性优异。此外,通过在形成面板的结构体的这些树脂成分中使用相同的材料系,能够使膨胀率、弹性模量相接近,尤其具有防止由热冲击所致的上述阻气层的损伤的效果。
在本发明中,较理想的是,所述阻气层使用氮化硅或氮氧化硅来形成。
氮化硅或氮氧化硅等无机硅化合物透明且耐热性耐腐蚀性高,结构致密,所以防潮性极高,因此能够充分确保作为阻气层所必须的防潮性,能够形成优异的阻气层。
在本发明中,较理想的是,所述第1连接布线被所述阻气层被覆的部分中的至少一部分经屈曲或弯曲而形成,而且,还具有与所述第1连接布线电连接的第2连接布线,除了在所述第2连接布线的一端部形成的连接端子部之外,所述第2连接布线的端面和表面均被所述阻气层被覆。
根据该构成,通过使第1连接布线屈曲或弯曲,能够延迟从连接端子部浸透至ITO的水分到达发光元件的时间。此外,还通过在与第1连接布线电连接的第2连接布线上设置连接端子部,能够进一步提高上述延迟效果,并且能够通过层合阴极布线的来降低阴极布线的电阻,因此可以期待通过进一步缩窄框部的阴极布线宽度来进一步缩窄框部的效果。
本发明的有机电致发光装置的制造方法其特征在于,是上述有机电致发光装置的制造方法,具有以下工序:在减压气氛下,通过丝网印刷法将所述有机缓冲层的形成材料配置于所述多个发光元件的表面,形成有机缓冲层的工序;以及以被覆所述第1连接布线的端面、所述第1连接布线的表面、所述多个发光元件的表面和所述有机缓冲层的表面的方式形成阻气层的工序。
在丝网印刷法中,通过橡皮刮板产生的摩擦使配置的材料表面强制性地平坦化,因此与其他的材料配置方法相比,能够容易地使配置的材料表面平坦。此外,容易使有机缓冲层的形成材料遍布配置材料的区域的端部。通过使用具有这样特征的丝网印刷法来配置有机缓冲层的形成材料,能够通过形成的有机缓冲层来有效消减由按像素分隔多个发光元件的隔壁、布线所引起的凹凸。因此,能够抑制因在凹凸部的应力集中所致的阻气层的破损。因此,能够通过阻气层可靠地防止水分从第1连接布线浸入。此外,根据该方法,在减压下处理有机缓冲层的形成材料,因此能够防止气泡混入有机缓冲层,并且,能够一边除去有机缓冲层的形成材料所含的水分一边进行有机缓冲层的形成。因此,能够形成不含水分、气泡的高品质有机缓冲层,能够防止水分从有机缓冲层直接或介由第1连接布线浸入有机发光层。
本发明的电子设备,其特征在于,具有上述有机电致发光装置。
根据该构成,能够制成显示缺陷少、高品质且寿命长的电子设备。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式的有机EL装置的布线结构的示意图。
图2是模式化地表示本发明第1实施方式的有机EL装置的构成的截面图。
图3是图2所示的A部的放大截面图。
图4是模式化地表示本发明第1实施方式的有机EL装置的结构的俯视图。
图5是本发明第1实施方式的有机EL装置1的制造工序图。
图6是本发明第1实施方式的有机EL装置1的制造工序图。
图7是本发明第1实施方式的有机EL装置1的制造工序图。
图8是模式化地表示本发明第2实施方式的有机EL装置的构成的截面图。
图9是表示本发明的实施方式的电子设备的图。
符号说明
1,2...有机电致发光装置3...显示区域10...阳极(电极)11...阴极(电极)12...发光层(有机发光层)18...有机缓冲层19...阻气层20A...元件基板(基板)20...基板主体21...发光元件22A...第1阴极布线(第1连接布线)22B...第2阴极布线(第2连接布线)23...连接端子部31...保护基板33...密封层34...粘合层35...有机缓冲层的周边端部50...手机(电子设备)60...信息处理装置(电子设备)70...表(电子设备)θ...接触角度。
具体实施方式
[第1实施方式]
以下,参照图1~图7,对本发明第1实施方式的有机电致发光装置(有机EL装置)进行说明。此外,在以下的全部附图中,为了易于观察附图,适当地改变了各构成要素的膜厚、尺寸的比例等。
图1是表示本发明实施方式的有机EL装置的布线结构的示意图。该有机EL装置1是使用薄膜晶体管(Thin Film Transistor,以下称为TFT)作为开关元件的有源矩阵式的有机EL装置,具有由多个扫描线101、沿着与各扫描线101垂直交叉的方向延伸的多个信号线102和与各信号线102并列延伸的多个电源线103组成的布线结构,在扫描线101和信号线102的各交叉点附近形成了亚像素X。根据本发明的技术思想,未必是使用TFT等的有源矩阵式,使用简单矩阵所适用的元件基板来实施本发明,即使是进行简单矩阵驱动也可以用低成本得到完全相同的效果。
信号线102连接有具备移位寄存器、电平转换器、视频线路以及模拟开关的数据线驱动电路100。此外,扫描线101连接有具备移位寄存器和电平转换器的扫描线驱动电路80。
进而,各个亚像素X分别设有:介由扫描线101将扫描信号供给至栅极的开关用TFT(开关元件)112、介由该开关用TFT112保持由信号线102供给的像素信号的保持电容113、将由该保持电容113所保持的像素信号供给至栅极的驱动用TFT(开关元件)123、介由该驱动用TFT123在与电源线103电连接时从该电源线103流入驱动电流的阳极10、以及在该阳极10和阴极11之间夹持的发光层(有机发光层)12。
根据该有机EL装置1,驱动扫描线101,开关用TFT112变为开的状态时,这时的信号线102的电势保持在保持电容113中,根据该保持电容113的状态,决定驱动用TFT123的开、关状态。然后,介由驱动用TFT123的通道,电流从电源线103流至阳极10,进而电流介由发光层12流至阴极11。发光层12根据流过它的电量来发光。
下面,参照图2~图4说明本实施方式的有机EL装置1的具体方式。这里,图2是模式化地表示有机EL装置1的截面图。图3是表示图2的关键部分(A部分)的图,是用于说明有机EL装置1的周边部的构成的放大截面图。图4是模式化地表示有机EL装置1的构成的俯视图。
首先,参照图2和图3说明有机EL装置1的截面结构。本实施方式中的有机EL装置1是所谓“顶部发光方式”的有机EL装置。顶部发光方式并非将光从元件基板侧输出,而是从对向基板侧输出,因此,不受配置于元件基板的各种电路大小的影响,具有能够确保广大发光面积的效果。因此,可以控制电压和电流并确保亮度,能够长时间地维持发光元件的寿命。
该有机EL装置1设有配置有多个发光元件21的元件基板20A;被覆多个发光元件21经层合而形成的电极保护层17、有机缓冲层18和阻气层19各层;以及与该元件基板20A的、配置有多个发光元件21的面对向配置的保护基板31,这些元件基板20A和保护基板31通过密封层33和粘合层34粘合。在以下的说明中,将配置有元件基板20A之侧作为下侧,配置有保护基板31之侧作为上侧,表示各构成的上下关系、层合关系。以下,对于各构成要素按顺序进行说明。
(元件基板)
元件基板20A具有基板主体20、基板主体20上的上述各种布线和TFT元件、以及被覆这些布线和TFT元件等的无机绝缘膜14。基板主体20可以使用透明基板和不透明基板中的任一种。作为不透明基板,可以列举例如氧化铝等陶瓷、对不锈钢等金属片实施了表面氧化等绝缘处理的基板,还可以列举热固性树脂、热塑性树脂、及它们的膜(塑料膜)等。作为透明基板,可以使用例如玻璃、石英玻璃、氮化硅等无机物;丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂等有机高分子(树脂)。此外,只要具有透光性,还可以使用将所述材料层合或混合而形成的复合材料。本实施方式中,使用玻璃作为基板主体20的材料。
在基板主体20上,形成有上述驱动用TFT123、未图示的各种布线,被覆这些结构而在基板主体20表面的整个面形成无机绝缘膜14。无机绝缘膜14例如由氮化硅构成。
在元件基板20A上,形成有平坦化层16和金属反射层15,所述平坦化层16用于消减由元件基板20A所具有的布线、TFT元件等所引起的表面凹凸,所述金属反射层15内装于平坦化层16中,具有将从配置的发光元件21照射的光反射至保护基板31侧的功能。平坦化膜16由绝缘性树脂材料形成,形成方法使用光刻法,因此材料使用例如感光性的丙烯酸树脂、环烯烃树脂等。
金属反射层15兼用与布线相同的制造工序而形成,因此用与布线材料相同、例如铝、钛、钼、银、铜等金属或将它们组合而成的合金材料形成,具有反射光的性质。在本实施方式中用铝形成。金属反射层15在后述的发光元件21和基板主体20之间以与发光元件21平面重叠的方式配置。
在平坦化膜16上、与金属反射层15平面重叠的区域中,配置有发光元件21,邻接的发光元件21之间和发光元件21与基板主体20的端部之间形成有隔壁13。隔壁13与平坦化膜16同样由绝缘性树脂材料形成,形成方法使用光刻法,因此材料使用例如感光性的丙烯酸树脂、环烯烃树脂等。
发光元件21由阳极10和阴极11夹持发光层12而形成。构成发光元件21的阳极10在平坦化膜16上形成,与具有元件基板20A的驱动用TFT123相连接。此外,阳极10适合使用功函数为5eV以上的空穴注入效果好的材料。作为这样的空穴注入效果好的材料,可以列举例如ITO(Indium Thin Oxide:氧化铟锡)等金属氧化物。在本实施方式中使用ITO。此外,可以通过控制上述金属反射层15和发光层12的距离来提高RGB的发光效率,因此优选控制每个RGB像素的膜厚,来控制反射的距离。此外,本实施方式的有机EL装置1是顶部发光方式的发光方法,因此阳极10不必一定具有透光性,可以设置铝等不透光的金属电极。这时,阳极10反射光而兼具上述金属反射层15的功能,因此可以不设置金属反射层15。
发光层12采用发出白色光的白色发光层。本实施方式中,该白色发光层使用低分子系的发光材料,采用真空蒸镀法形成。作为白色发光材料,可以列举使在苯乙烯基胺系发光层中掺杂有蒽系掺杂剂的层(蓝色)和在苯乙烯基胺系发光层中掺杂有红荧烯系掺杂剂的层(黄色)同时发光,从而实现发白色光的发光材料。这里使用低分子系的发光材料,但也可以使用高分子系的发光材料来形成发光层。此外,还可以采用改变各层的构成,从而使红色、绿色、蓝色这三色同时发光而输出白色光的3层结构。
此外,优选采用如下的构成:在阳极10和发光层12之间分别形成三芳基胺多聚物(ATP)层(空穴注入层)、三苯基二胺系衍生物(TPD)层(空穴输送层),在发光层12和阴极11之间分别成膜为羟基喹啉铝(Alq3)层(电子注入层)、LiF(电子注入缓冲层),从而易于从各电极注入电子和空穴。
阴极11被覆发光元件12和隔壁13的表面,延伸至配置于最外侧(与元件基板20A的外周部接近之侧)的隔壁13的头顶部而形成。阴极11的形成材料适合使用电子注入效果好(功函数为4eV以下)的材料。例如,钙、镁、钠、锂金属或它们的金属化合物。作为金属化合物,适合使用氟化钙等金属氟化物、氧化锂等金属氧化物、乙酰丙酮钙等有机金属配合物。使用这些材料时,金属材料可以使用真空蒸镀法,金属化合物可以使用ECR等离子体溅射法、离子镀法、对向靶溅射法等高密度等离子体成膜法,来形成阴极11。
此外,仅使用这些材料时,由于电阻大而不能发挥作为电极的功能,因此为了避开发光部分,可以将铝、金、银、铜等金属层形成图案,或者也可以与ITO、氧化锡等透明金属氧化物导电层的层合体组合起来使用。此外,在本实施方式中,将镁-银合金(MgAg)调整为可以得到透明性的20nm以下的膜厚后使用。阴极11的膜厚约为10nm。
此外,在元件基板20A上,在元件基板20A的外周部附近未形成平坦化膜16的区域形成有第1连接布线(第1阴极布线)22A,第1阴极布线22A与阴极11通过辅助阴极布线24相连接而连通。
第1阴极布线22A是为了使阴极11通电至未图示的电源而形成的,主要设于元件基板20A的外周部附近。第1阴极布线22A的形成材料使用导电性高的铝、钛、钼、钽、银、铜等金属或它们组合而成的合金,使用将这些材料形成单层或层合为多层而形成的材料。此外,第1阴极布线22A的最外层形成与阳极10相同的材料ITO。通过在形成阳极10的同时也预先在第1阴极布线22A的最外层形成ITO,可以防止第1阴极布线22A在制造工序的光刻工序中被腐蚀。第1阴极布线22A的厚度为300nm~800nm左右,宽度为0.5mm~1.5mm左右。但是,由于有机EL装置1大小不同,可形成的第1阴极布线22A的宽度也不同,因此第1阴极布线22A的宽度并不限于该值。在本实施方式中,形成了1mm宽度的第1阴极布线22A。
辅助阴极布线24为了辅助阴极11与第1阴极布线22A的通电而设于阴极11的端部。辅助阴极布线24的形成材料使用铝等导电性高的金属,介由掩模采用真空蒸镀法、溅射法成膜而形成。辅助阴极布线24的膜厚优选为100nm~500nm左右。在本实施方式中,形成了膜厚300nm的辅助阴极布线24。
(保护层)
在元件基板20A上,被覆配置的发光元件21而在整个面层合有多个保护层,形成层结构。作为该保护层,本实施方式的有机EL装置1具有电极保护层17、有机缓冲层18和阻气层19。以下,对于元件基板20A上形成的各层进行说明。
在元件基板20A上,被覆第1阴极布线22A的端面,并被覆第1阴极布线22A、辅助阴极布线24、阴极11的表面而在整个面形成有电极保护层17。通过该电极保护层17,能够防止极薄至20nm以下的阴极11及其下的发光层12的破损。此外,还兼具有作为防止水分向发光元件21浸入的阻气层的功能。
电极保护层17采用ECR溅射法、离子镀法等高密度等离子体成膜法来形成。在形成前,优选进行氧等离子体处理来提高形成的膜的密合性。
考虑到透明性、密合性、耐水性、绝缘性以及阻气性,电极保护层17较理想的是用氮氧化硅、氮化硅等硅化合物来构成。其中,氮氧化硅能够通过改变所含的氧和氮的比例而维持高防潮性,并且能够抑制膜应力,制成无色透明的膜,因而优选。本实施方式中,使用氮氧化硅形成了电极保护层17。
此外,电极保护层17的膜厚优选为100nm以上,为了防止因被覆隔壁13而产生的应力所致的断裂的发生,膜厚的上限优选设定为200nm以下。此外,在本实施方式中,以单层形成电极保护层17,但也可以层合多层。例如,可以用低弹性模量的下层和高耐水性的上层来构成电极保护层17。
在电极保护层17上,在电极保护层17的内侧形成有机缓冲层18。有机缓冲层18以填埋受隔壁13形状的影响而形成为凹凸状的电极保护层17的凹凸部分的方式配置,进而,其上表面大致平坦地形成。该有机缓冲层18具有消减由元件基板20A的翘曲、体积膨胀所产生的应力,从而防止电极保护层17从隔壁13剥离的功能。此外,由于有机缓冲层18的上表面被大致平坦化,因此在有机缓冲层18上形成的由硬被膜构成的后述阻气层19也被平坦化。因此,应力集中的部位消失,由此能够防止在阻气层19发生断裂。
作为有机缓冲层18的形成材料,优选流动性优异、没有溶剂和挥发成分、并且全部由高分子骨架作为原料的有机化合物材料形成,作为这样的形成材料,可以适当地使用具有环氧基、分子量3000以下的环氧单体/寡聚物。这里,分子量1000以下的原料为单体;分子量1000~3000的原料为寡聚物。例如有双酚A型环氧寡聚物、双酚F型环氧寡聚物、酚醛清漆型环氧寡聚物、聚乙二醇二缩水甘油醚、烷基缩水甘油醚、3,4-环氧环己烯基甲基-3’,4’-环氧环己烯羧酸酯、ε-己内酯改性3,4-环氧环己基甲基-3’,4’-环氧环己烷羧酸酯等,这些可以单独使用或多个组合使用。
此外,有机缓冲层18的形成材料中,含有与环氧单体/寡聚物反应的固化剂。作为这样的固化剂,适合使用能形成电绝缘性和粘合性优异、且硬度高、强韧、耐热性优异的固化被膜的固化剂,优选透明性优异、且固化不均少的加成聚合型。优选例如3-甲基-1,2,3,6-四氢邻苯二甲酸酐、甲基-3,6-桥亚甲基-1,2,3,6-四氢邻苯二甲酸酐、1,2,4,5-苯四甲酸二酐、3,3’,4,4’-二苯甲酮四甲酸二酐等酸酐系固化剂。添加有这些固化剂的有机缓冲层18的形成材料作为优异的热固性树脂而起作用。
进而,通过少量添加作为促进酸酐反应(开环)的反应促进剂的1,6-己二醇等分子量大且不易挥发的醇类、氨基酚等胺化合物,易进行低温固化。它们的固化通过在60~100℃范围的加热来进行,其固化被膜成为具有酯键的高分子。
此外,也可以使用经常用于缩短固化时间的阳离子释放型的光聚合引发剂,但以不使固化收缩急剧进行的反应较慢的聚合引发剂为好。另外,优选为了使之能够在涂布后的加热所引起的低粘度下发生平坦化而最终通过热固化形成的固化物。还可以混合提高与阴极11、阻气层19的密合性的硅烷偶联剂、异氰酸酯化合物等干燥剂(捕水剂)、防止固化时的收缩的微粒等添加剂。
这些各原料的粘度优选为1000mPa·s(室温:25℃)以上。这是为了在涂布后立即向发光层12渗透,不产生被称为黑点的不发光区域。此外,作为这些原料混合而成的缓冲层形成材料的粘度,优选500~20000mPa·s,特别优选2000~10000mPa·s(室温)。此外,优选含水量调整至10ppm以下的材料。
此外,作为有机缓冲层18的最适膜厚,优选2~5μm。这是因为,有机缓冲层18的膜厚较厚的话虽然可在异物混入等情况下防止阻气层19的破损,但如果合并了有机缓冲层18的层厚超过5μm,则后述着色层32a和发光层12的距离增大,逃逸至侧面的光增加,因此输出光的效率下降。
在有机缓冲层18上,形成了被覆包括有机缓冲层18的端部的整个面、且被覆电极保护层17的整个面的阻气层19。阻气层19是用于防止氧、水分浸入的层,由此能够抑制发光元件21因氧、水分而发生的劣化等。考虑到透明性、阻气性、耐水性,阻气层19优选使用含氮的硅化合物,即氮化硅、氮氧化硅等形成。本实施方式中,使用氮氧化硅形成阻气层19。
阻气层19可以用ECR溅射法、离子镀法等高密度等离子体成膜法来形成。在形成前,优选对形成面进行氧等离子体处理来提高形成的膜的密合性。此外,为了防止阻气层19的破损、确保阻气性,阻气层19的膜厚优选为100nm以上。此外,在被覆有机缓冲层18的端部、第1阴极布线22A等的凹凸部时,为了防止断裂,阻气层19的膜厚优选为800nm以下。此外,在本实施方式中,以单层形成阻气层19,但也可以层合多层。
本实施方式的有机EL装置1中,电极保护层17和阻气层19被覆第1阴极布线22A而形成。如上所述,在第1阴极布线22A的表面形成有阳极10中使用的ITO(氧化物导电膜)。该ITO在成膜的过程中为多结晶柱状结构,因此间隙多,水分易浸入。此外,如果为了提高ITO的导电性而进行加热处理,则结晶凝聚、生长,因此间隙变得更多。因此,如果第1阴极布线22A露出,则外部环境的水蒸气等水分就可能介由第1阴极布线22A表面的ITO而浸入有机EL装置1的装置内部,但在本实施方式中,由于利用由透湿性低的硅化合物形成的层被覆第1阴极布线22A,因此能够防止水分从第1阴极布线22A浸入。进而,由于阻气层19还完全被覆有机缓冲层18,因此还能够防止水分介由有机缓冲层18浸入。
(保护基板)
在形成有阻气层19的元件基板20A上,对向配置有保护基板31。保护基板13是具有保护阻气层19的功能和透光性的基板,可以使用例如玻璃、石英玻璃、氮化硅等无机物;丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚烯烃树脂等有机高分子(树脂)来形成。此外,只要具有透光性,就可以使用将所述材料层合或混合而形成的复合材料。其中,由于透明性和防潮性高,且为了赋予耐热性而与元件基板的热膨胀率相配合,因此尤其适合使用玻璃基板。
在保护基板31与元件基板20A相对向的面上,形成有滤色器层32。在滤色器层32中,以矩阵状排列形成有将透射光调节为红色(R),绿色(G),蓝色(B)中的任一种光的着色层32a。各个着色层32a与在阳极10上形成的白色发光层12对向地配置。由此,从发光层12射出的光分别透过各个着色层32a,作为红色光、绿色光、蓝色光而射出至观察者侧,从而进行彩色显示。
此外,在邻接的着色层32a之间和着色层32a的周围,形成有能够防止光泄漏而提高可见性的黑色矩阵层32b。黑色矩阵层32b的一部分延伸至与密封层33平面重叠的区域而形成。因此,能够有效防止光从装置侧面泄漏,提高画质。
此外,除了滤色器层32以外,保护基板31上还可以设有阻挡或吸收紫外线的层、防反射膜、散热层等功能层。
(密封层和粘合层)
元件基板20A和保护基板31通过密封层33和粘合层34而粘合,所述密封层33配置于元件基板20A的外周部附近,所述粘合层34在由密封层33所围成的区域内被元件基板20A和保护基板31所夹持。
密封层33除了具有防止水分向装置内部浸入的功能以外,还具有提高元件基板20A和保护基板31的粘合位置精度以及防止粘合层34露出的堤坝功能。密封层33的形成材料由经紫外线固化而使粘度提高的树脂材料构成。优选使用具有环氧基的分子量3000以下的环氧单体/寡聚物。例如有双酚A型环氧寡聚物、双酚F型环氧寡聚物、酚醛清漆型环氧寡聚物、聚乙二醇二缩水甘油醚、烷基缩水甘油醚、3,4-环氧环己烯基甲基-3’,4’-环氧环己烯羧酸酯、ε-己内酯改性3,4-环氧环己基甲基-3’,4’-环氧环己烷羧酸酯等,这些可以单独或多个组合使用。
此外,密封层33的形成材料中,含有与环氧单体/寡聚物反应的固化剂。作为该固化剂,适合使用重氮盐、二苯基碘鎓盐、三苯基锍盐、磺酸酯、铁芳烃配合物、硅烷醇/铝配合物等引发阳离子聚合反应的光反应型引发剂。加入了这些固化剂的密封层33的形成材料作为光(紫外线)固化性树脂而起作用。
密封层33的形成材料涂布时的粘度优选为30~100mPa·s(室温)。此外,使用在紫外线照射后使得粘度逐渐上升的被称为阳离子保持剂(cation hold)的添加剂时,能够省去粘合后的光照射工序,而且密封层33的形成材料变得不易流动,因此粘合工序变得容易。进而,即使在1mm以下的细密封宽度下也能够防止密封层33的断裂,能够防止粘合后的粘合层34的露出,因而优选。此外,优选含水量调整至1000ppm以下的材料。
通常,用于形成密封层33的材料中,多混合有用于控制基板间的距离的规定粒径的球状粒子(隔离物),用于调整粘度的鳞片状、块状的无机材料(无机填料)等填充物。但是,由于这些填充物可能在粘合压接时损伤阻气层19,因此在本实施方式中使用未混入这些填充物的密封层形成材料。作为密封层33的膜厚,优选10~20μm。
粘合层34没有间隙地填充于密封层33所围成的有机EL装置1的内部,固定与元件基板20A对向配置的保护基板31,并且对来自外部的机械性冲击具有缓冲功能,具有保护发光层12、阻气层19的功能。
作为粘合层34的形成材料的主要成分,必须是流动性优异、且不含有溶剂之类的挥发成分的有机化合物材料,优选使用具有环氧基的分子量3000以下的环氧单体/寡聚物。例如有双酚A型环氧寡聚物、双酚F型环氧寡聚物、酚醛清漆型环氧寡聚物、聚乙二醇二缩水甘油醚、烷基缩水甘油醚、3,4-环氧环己烯基甲基-3’,4’-环氧环己烯羧酸酯、ε-己内酯改性3,4-环氧环己基甲基-3’,4’-环氧环己烷羧酸酯等,这些可以单独或多个组合使用。
此外,粘合层34的形成材料中,含有与环氧单体/寡聚物反应的固化剂。作为该固化剂,适合使用能形成电绝缘性优异、且强韧、耐热性优异的固化被膜的固化剂,较好的是透明性优异、且固化不均少的加成聚合型。优选例如3-甲基-1,2,3,6-四氢邻苯二甲酸酐、甲基-3,6-桥亚甲基-1,2,3,6-四氢邻苯二甲酸酐、1,2,4,5-苯四甲酸二酐、3,3’,4,4’-二苯甲酮四甲酸二酐或这些聚合物等的酸酐系固化剂。添加有这些固化剂的粘合层34的形成材料作为热固性树脂而起作用。
粘合层34的形成材料的固化通过在60~100℃的范围下加热来进行,其固化被膜成为与氮氧化硅的密合性优异的具有酯键的高分子。进而,可以使用芳香胺、脂肪胺等胺固化剂。此外,基于与密封层的形成材料同样的理由,粘合层34的形成材料也使用未混入隔离物、无机填料等填充剂的材料。
粘合层34的形成材料涂布时的粘度优选为200~1000mPa·s(室温)。其理由是,考虑到材料对粘合后空间的填充性,所以优选刚加热后一旦粘度下降就开始固化的材料。此外,优选含水量调整至1000ppm以下的材料。
作为粘合层34的膜厚,优选3~10μm。粘合层34具有该程度的厚度时,粘合层34的膜厚与上述的有机缓冲层18等各保护层的膜厚的合计最大为15μm左右。该合计膜厚超过15μm时,滤色器层32与发光元件21之间的距离过大,从发光元件21射出的光中逃逸至装置侧面的光的比例增加,因此光输出效率变差。该膜厚的控制通过控制配置的粘合层34的形成材料的量来进行。
(周边部的截面结构)
下面,参照图3所示的放大截面图,说明有机EL装置1的周边部的截面结构。图3是表示图2的关键部分(以圆圈围出的A部)的图。
如图3所示,该有机EL装置1的周边部具有以下构成:在上述元件基板20A和保护基板31之间,依次层合有第1阴极布线22A、辅助阴极布线24、电极保护层17、有机缓冲层18、阻气层19、密封层33。此外,密封层33在比形成于接近装置最外侧位置的隔壁13还外侧形成。
有机缓冲层18在周边部以消减主要由隔壁13和平坦化膜16引起的凹凸形状的方式形成。在有机缓冲层18的周边部,隔壁13和平坦化膜16形成阶梯状的形状,有机缓冲层18顺着该阶梯状的基底形状,下部形成为阶梯状。此外,有机缓冲层18以从装置中央部向周边端部35变薄变小的方式形成。有机缓冲层18的周边端部35相对于元件基板20A的水平方向的仰角(接触角度)θ,优选形成为20度以下,特别优选形成为10度左右。由此,能够防止被覆有机缓冲层18的周边端部35的阻气层19因应力集中所致的断裂、剥离等损伤。本实施方式中,仰角θ为10度。进而,由于在有机缓冲层18的周边部顺着阶梯状的基底形状形成有机缓冲层18,因此从周边端部35至隔壁13的上部,有机缓冲层18的表面斜面相对于水平方向的仰角不会急剧增大地形成。
在此,如上所述,电极保护层17和阻气层19以完全被覆第1阴极布线22A的方式形成。此外,形成的阻气层19比有机缓冲层18更大,以使得完全被覆有机缓冲层18,在该阻气层19上配置有密封层33。进而,形成以下结构:有机缓冲层18的周边端部35的突出部分36位于密封层33的宽度d内。
有机缓冲层18和其上形成的阻气层19使用不同的材料形成,常用热膨胀率不同的材料形成。如果这些层的温度因环境变化、装置的驱动所引起的发热而变化,则阻气层19可能因热膨胀率之差而破损。这样的破损易在阻气层19的形状变化的有机缓冲层18的端部发生。但是,像本实施方式这样,以与有机缓冲层18的周边端部35重叠的方式形成密封层33,并以有机材料夹持阻气层19时,能够防止阻气层19因应力集中而引起的断裂、剥离等损伤。因此,能够防止水分介由第1阴极布线22A、有机缓冲层18而到达发光元件21,防止黑点的产生。
此外,虽然本实施方式中的阻气层19形成为比密封层33的外周大,但不必一定形成为比密封层33大。即,阻气层19的周边端部38可以形成为比有机缓冲层18的周边端部35大,且必须以被覆第1阴极布线22A的方式形成,也可以与有机缓冲层18的周边端部35同样地在密封层33的宽度d内形成。此外,电极保护层17的宽度也形成为比有机缓冲层18大,通常,由于使用与阻气层19同样的掩模形成,因此形成为与阻气层19同样的宽度。
此外,该有机EL装置1的周边部是作为非发光部分的框部。该框部例如配置于从设于元件基板20A上最端部的隔壁13的顶部至元件基板20A的端部之间。该框部的宽度D例如为2mm,密封层33的宽度d例如为1mm。
接着,使用图4的俯视示意图说明有机EL装置1的平面结构。元件基板20A具有俯视为矩形的形状,具有配置于基板主体20的中央部的显示区域3和配置于显示区域3周围的框部4。
显示区域3具有俯视为矩形的区域形状,以矩阵状配置有图1所示的亚像素X。亚像素X中分别配置有发光元件21,具有输出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)中的任一种光的构成。这些发出各种颜色的亚像素X在图中的短边方向以同一颜色排列,构成所谓的条纹配置。此外,亚像素X发出的RGB成为一体,构成单元像素,该单元像素使发出RGB的光混色而进行全彩显示。显示区域3的大小以对角计约为4英寸。
框部4中,具有俯视为矩形的阴极11、第1阴极布线22A、第2阴极布线22B和带状的辅助阴极布线24,所述阴极11被覆显示区域3,形成为比显示区域3大的面积(直至露出框部4),所述第1阴极布线22A包围阴极11的周围而形成,所述第2阴极布线22B与第1阴极布线22A相连接而形成,所述辅助阴极布线24配置于阴极11的两短边,连接阴极11和第1阴极布线22A。此外,元件基板20A的长边中的一方的边21,在其中央部具有使元件基板20A与其它部件电连接时使用的安装端子40。
第1阴极布线22A以俯视U型而配置,与阴极11的两短边及边21侧相反侧的阴极11的长边均为对向地配置。此外,第2阴极布线22B具有俯视L型,第1阴极布线22A的两端部分别各连接一个第2阴极布线22B的一端部。此外,各第2阴极布线22B的另一端部设有连接端子部23,连接端子部23构成安装端子40的一部分,以与边21抵接的方式设置。
第1阴极布线22A以与阴极11连通而降低电阻为目的,因此不必一定为俯视U型,若至少在一处(一边)与阴极11相连接即可。这时,可以考虑例如如下的方式:即,第1阴极布线22A与阴极11的一边对向而配置,从第1阴极布线的端部至边21形成第2阴极布线22B的方式。不言而喻,连接部越多则电阻越相应地降低,因此可以在与阴极11相对的二边对向地配置2根第1阴极布线22A,在各边连接阴极11和第1阴极布线。进而,在本实施方式中采用俯视U型的第1阴极布线22A,但第1阴极布线22A可以是将阴极11的周围围起来而俯视为闭合环的结构。
安装端子40与有机EL装置1具有的各种布线以未图示的回路布线相连接。安装端子40在使有机EL装置1和其他部件电连接时使用。安装端子40可以根据需要采用金、银等导电性高的金属进行镀敷,从而提高安装端子40中的导电性。
在这些各种布线中除了安装端子40的端部外,均形成阻气层19。在未被阻气层19被覆的部分(露出部分)中,还含有构成安装端子40的一部分的连接端子部23。此外,第2阴极布线22B具有的屈曲部被阻气层19被覆。
根据如上构成的有机EL装置1,第1阴极布线22A被阻气层19被覆,因此能够防止水分介由在第1阴极布线22A的表面形成的ITO浸入装置内部,能够避免因发光元件21的劣化所致的显示性能的下降,并维持显示性能。
此外,本实施方式中,具有在多个发光元件21和阻气层19之间形成的有机缓冲层18。因此,形成的阻气层19的凹凸少,能够抑制因凹凸部中的应力集中所致的阻气层19的破损。因此,能够通过阻气层19可靠地防止水分的浸入。
此外,本实施方式中,在有机缓冲层18和多个发光元件21之间形成电极保护层17,电极保护层17被覆第1阴极布线22A。通过进一步用电极保护层17被覆在第1阴极布线22A上,能够更有效抑制水分从第1阴极布线22A浸入。
此外,本实施方式中,与阻气层19对向地设有保护基板31。因此,能够通过保护基板31防止阻气层19的破损,能够维持基于阻气层19的防止水分向装置内部浸入的功能。此外,能够通过保护基板31自身来防止水分浸入。
此外,本实施方式中,元件基板20A和保护基板31使用配置于显示区域3周围的密封层33和配置于由密封层33所围成的区域的粘合层34而粘合。通过使用粘合层34使元件基板20A和保护基板31牢固地粘合,有机EL装置1整个装置的刚性提高,能够防止因整个装置的变形等引起的阻气层19的破损。此外,通过用密封层33将粘合层34的周围围起来,能够防止水分向粘合层34浸入,能够消除水分介由粘合层34而向发光元件浸入的可能性。进而,由于使用具有透光性的粘合层34来粘合,因此能够维持显示区域3所显示的图像的画质。
此外,本实施方式中,有机缓冲层18的周边端部35的接触角度θ为10度。因此,在有机缓冲层18的周边端部35,被覆有机缓冲层18而形成的阻气层19在不具有与基底形状对应的陡峭角度的情况下形成,因此能够抑制有机缓冲层18的周边端部35中阻气层19的损伤。
此外,本实施方式中,密封层33以与有机缓冲层18的周边端部35呈平面重叠的方式配置。因此,在有机缓冲层18的周边端部35,能够抑制由热膨胀率差等引起而施加于阻气层19的应力所导致的阻气层19的断裂、剥离等损伤。
此外,本实施方式中,密封层33和粘合层34的形成材料中不含隔离物、无机填料等粒状的填充材料。因此,在压接元件基板20A和保护基板31时,能够避免压接的应力通过填充剂传导至阻气层19,使阻气层19破损。
此外,本实施方式中,有机缓冲层18、密封层33和粘合层34使用环氧树脂形成。与其他树脂相比,不仅透湿性低,且耐热性、透明性优异,而且通过在形成面板结构体的这些树脂成分中使用相同的材料系,能够使膨胀率、弹性模量相接近,尤其能够防止热冲击所致的上述阻气层的损伤,能够有效防止发光元件21的劣化。
此外,本实施方式中,阻气层19使用氮氧化硅形成。氮氧化硅透湿性极低,因此能够形成可以可靠防止外部环境的水分浸入第1阴极布线22A的高品质阻气层19。此外,电极保护层17也使用氮氧化硅形成,因此同样能够防止水分向第1阴极布线22A浸入。
此外,本实施方式中,采用如下的构成:第1连接布线22A被阻气层被覆的部分中的至少一部分屈曲或弯曲而形成,而且,具有与第1连接布线22A电连接的第2连接布线22B,除了在第2连接布线22B的一端部形成的连接端子部以外,第2连接布线22B的端面和表面均被所述阻气层19被覆。就得到了仅连接端子部23未被阻气层19被覆的构成,因此,要使未被阻气层19被覆而可能成为水分浸入口的露出部分尽可能地小。
根据该构成,通过第1连接布线22A屈曲或弯曲,能够延迟从连接端子部23浸透至ITO的水分到达发光元件的时间,从而延长发光元件21的寿命。此外,还介由与第1连接布线22A电连接的第2连接布线22B设有连接端子部,能够进一步提高上述延迟效果,并且能够通过阴极布线的层合化来降低阴极布线的电阻,能够通过进一步缩窄框部的阴极布线宽度来制作出进一步缩窄了框部的窄框结构面板。
此外,在本实施方式中,使用粘合层34来使元件基板20A和保护基板31粘合,但也可以是不使用粘合层34、仅以密封层33粘合两基板的中空结构。
这时,较理想的是在由密封层33和两基板所围成的中空部分中具有捕集介由密封层33而浸入的水分的干燥剂。
此外,在本实施方式中,密封层33和粘合层34的形成材料中不含粒状的填充材料,但也可以在不损伤阻气层19的程度下混合弹性模量小的有机材料的球状粒子。
此外,在本实施方式中,阻气层19使用氮化硅或氮氧化硅,但也可以使用氧化硅。
在这种情况下,由于氧化硅与氮化硅、氮氧化硅相比透湿性高,因此较理想的是所成的膜比使用氮化硅、氮氧化硅形成的阻气层19厚。
此外,本实施方式中,显示区域3的大小以对角计约为4英寸,但本发明也可以应用在更大的有机EL装置中。这时,由于随着显示区域3的大型化,阴极11变大,因此阴极11所具有的电阻也变大。因此,例如根据阴极11的端部和中央部这样的位置的不同,发光时机不同。该发光时机的不同成为图像浮动(闪烁)等的原因而引起画质的下降。因此,可以设置多个连接配置在阴极11两端的辅助阴极布线24之间的辅助布线,以辅助降低显示区域3内的阴极11的电阻。
(有机EL装置的制造方法)
下面,参照图5~图7说明本实施方式的有机EL装置1的制造方法。这里,图5是形成在有机EL装置1的元件基板20A上,层合各种保护层的层结构的工序图;图6是在保护基板31上配置密封层和粘合层的形成材料的工序图;图7是直到粘合保护基板31和元件基板20A而制成有机EL装置1的工序图。
首先,如图5(a)所示,在直至层合有阴极11的元件基板20A上形成电极保护层17。例如,如上所述,将氮化硅、氮氧化硅等通过ECR溅射法、离子镀法等高密度等离子体成膜法来成膜。此外,可以将作为透明无机材料的氧化硅等无机氧化物、LiF、MgF2等碱金属卤化物通过真空蒸镀法、高密度等离子体成膜法进行层合,制成电极保护层18。
然后,如图5(b)所示,在电极保护层17上形成有机缓冲层18。具体来说,首先在减压气氛下通过丝网印刷法配置有机缓冲层18的形成材料。通过在减压气氛下配置有机缓冲层18的形成材料,能够尽量除去有机缓冲层18的形成材料、网眼中所含的挥发性杂质、水分。此外,在丝网印刷法中,通过橡皮刮板产生的摩擦使配置的材料表面强制性地平坦化,因此与其他的材料配置方法相比,能够使材料表面平坦。为了兼顾采用丝网印刷法的涂布的容易性和成膜精度,有机缓冲层18的形成材料的粘度优选3000~7000mPa·s(室温)。在本实施方式中,有机缓冲层18的形成材料的粘度为5000mPa·s。此外,预先将含水量调整至1000ppm以下时,可抑制减压环境下的发泡,使作业变得容易,因而优选。
接着,将配置的有机缓冲层18的形成材料加热至60~100℃的范围使之固化。该加热固化在于大气压的水分被控制在10ppm以下的氮气氛下进行。这时,从刚加热后至反应开始的期间,有机缓冲层18的形成材料的粘度暂时下降,因此形成材料可能透过电极保护层17、阴极11而浸透至发光层12,从而产生黑点。因此,优选在60~80℃的低温下固化直到完成一定程度的固化,在反应进行一定程度而高粘度化时提高温度至80度以上,使之完全固化。
接着,如图5(c)所示,在有机缓冲层18上形成阻气层19。具体来说,用ECR溅射法、离子镀法等高密度等离子体成膜法形成。此外,在形成前,通过氧等离子体处理则密合性和可靠性提高,因而优选。此外,制造时,使用同一材料形成阻气层19和电极保护层17时,能够谋求制造工序、制造装置的简略化。在这样的情况下,形成阻气层19时使用的掩模和形成电极保护层17时使用的掩模可以使用共同的掩模。
另一方面,在保护基板31侧,如图6(a)所示,在形成有滤色器层32的保护基板31的周边部配置密封层33的形成材料。具体来说,通过针管分配(needle dispense)法,将上述的密封层33的形成材料涂布在保护基板31的周围。此外,该涂布方法可以使用丝网印刷法。本实施方式的密封层33的形成材料涂布时的粘度为50mPa·s(室温)。含水量预先调整至1000ppm以下。
然后,如图6(b)所示,在由配置于保护基板31的密封层33的形成材料所围成的内部配置粘合层34的形成材料。作为配置方法,使用喷射分配(jet dispense)法来进行涂布。此外,粘合层34的形成材料不必一定涂布在保护基板31的整个面,可以将必要量分别涂布在保护基板31上的多处。本实施方式的粘合层34的形成材料涂布时的粘度为500mPa·s(室温)。密封层33的形成材料的粘度比粘合层34的形成材料的粘度足够的高,因此密封层33的形成材料能够发挥作为防止粘合层34的形成材料露出的堤坝功能。
然后,如图6(c)所示,对涂布有密封层33和粘合层34的保护基板31进行紫外线照射。例如,对在保护基板31上配置的各形成材料照射照度30mW/cm2、光通量2000mJ/cm2的紫外线。这样,含有光反应型引发剂的密封层33的形成材料优先进行反应而开始固化,因此密封层33的形成材料的粘度上升。
然后,如图7(a)所示,将图5(c)所示的、直至形成有阻气层19的元件基板20A与图6(c)所示的、密封层33的固化已开始的保护基板31进行粘合。这时,以密封层33完全被覆元件基板20A上形成的有机缓冲层18的周边端部35的方式进行配置。该粘合工序在真空度为1Pa的减压气氛下进行,在加压600N下保持200秒使其压接。
然后,如图7(b)所示,将压接而粘合的有机EL装置1在大气中进行加热,使密封层33和粘合层34的形成材料的固化完成。由此,能够得到上述的本实施方式中所期望的有机EL装置1。
在如上构成的有机EL装置1的制造方法中,由于使用丝网印刷法配置有机缓冲层18的形成材料,因此能够通过形成的有机缓冲层18来有效消减由发光元件21、布线引起的凹凸。因此,能够抑制因在凹凸部中的应力集中所致的阻气层19的破损。因此,能够通过阻气层19可靠阻断从粘合层34、密封层33浸入的水分。此外,根据该方法,由于在减压下处理有机缓冲层18的形成材料,因此能够一边防止在有机缓冲层18的形成时发生的气泡、水分的混入,一边进行有机缓冲层18的形成。因此,能够形成不含水分、气泡的高品质有机缓冲层18,能够防止水分从有机缓冲层18直接或通过第1阴极布线22A浸入发光层12。
[第2实施方式]
图8是本发明的第2实施方式的有机EL装置2的说明图。本实施方式的有机EL装置2与第1实施方式的有机EL装置1一部分相同。不同点在于,第1实施方式的有机EL装置1是所谓“顶部发光方式”的有机EL装置,而本实施方式的有机EL装置2是所谓“底部发光方式”的有机EL装置。此外,第1实施方式的有机EL装置1中,从发光元件21射出的白色光用滤色器层32调制后成为各色的光,而本实施方式的有机EL装置2中不使用滤色器层,发光元件具有的发光层使用红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层来射出各色的光,在这一点上也是不同的。在本实施方式中,对与第1实施方式相同的构成要件标记相同的符号,并省略详细的说明。
如图8所示,有机EL装置2具有与第1实施方式同样构成的元件基板20A,在该元件基板20A上,形成有平坦化膜16和隔壁13,在平坦化膜16上、由隔壁13所围成的区域中,配置有射出红色、绿色、蓝色各色光的发光元件21r、21g、21b。此外,“r”“g”“b”分别表示红色、绿色、蓝色。各发光元件21r、21g、21b中,分别在阳极10和阴极11这一对电极之间夹持有红色发光层12r、绿色发光层12g、蓝色发光层12b。
作为用于形成本实施方式中的各发光层的材料,使用能发出荧光或磷光的公知发光材料。此外,通过在多个阳极10分别设置红色发光层12r、绿色发光层12g、蓝色发光层12b,能够进行全彩显示。
作为各发光层的形成材料,高分子材料、低分子材料均可使用。例如,作为高分子材料,适合使用聚烯烃衍生物(PF)、聚对苯撑乙烯衍生物(PPV)、聚苯撑衍生物(PP)、聚对苯撑衍生物(PPP)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚噻吩衍生物、聚甲基苯基硅烷(PMPS)等聚硅烷系等。此外,这些高分子材料中,还可以掺杂使用苝系色素、香豆素系色素、若丹明系色素等高分子系材料;红荧烯、苝、9,10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼罗红、香豆素6,喹吖啶酮等低分子材料。
另外,作为红色发光层12r的形成材料,有时使用例如MEHPPV(聚(2-甲氧基-5-(2′-乙基己基氧基)对苯撑乙烯);作为绿色发光层12g的形成材料,有时使用例如聚二辛基芴和F8BT(二辛基芴和苯并噁二唑的交替共聚物)的混合溶液;作为蓝色发光层12b的形成材料,有时使用例如聚二辛基芴。对于这些发光层,对其厚度没有特别限制,可以按各颜色调节成理想的膜厚。
关于其他的构成,由于本实施方式的有机EL装置2采用底部发光方式,与第1实施方式的有机EL装置1有几处变化。
由于本实施方式的有机EL装置2采用底部发光方式,阳极10必须具有透光性。本实施方式中,阳极10由ITO形成。
阴极11具有反射光的性质,采用将从各发光层发出的光向着元件基板20A侧进行反射的反射膜和兼具低电阻、电子注入效果的材料和膜厚形成。本实施方式中,使用镁-银合金(MgAg),为了具有与金属反射层15相同的光反射效果且降低电阻,使用所成的膜为50nm~200nm。
此外,阴极11上层部的构成除了不具有滤色器层以外,其余与第1实施方式相同。此外,本实施方式的有机EL装置2为底部发光方式,为了将从各发光层射出的光从元件基板20A侧输出,上层部不必一定为具有透光性的材料。
在如上的有机EL装置2中,发光元件和发光元件周边的布线构成与第1实施方式的有机EL装置1不同,但第1阴极布线22A周边的结构与有机EL装置1相比不变。因此,由本发明的主旨,即,通过用阻气层19被覆第1阴极布线22A,防止水分介由在第1阴极布线22A的表面形成的ITO浸入装置内部,可知本实施方式的有机EL2也能够防止各发光元件的劣化,维持显示性能。
如上所述,本发明在采用顶部发光方式或底部发光方式中的任一方式的有机EL装置中均有效。
[电子设备]
下面,对具有所述实施方式的有机EL装置的电子设备的例子进行说明。图9(a)是表示手机的一例的立体图。在图9(a)中,手机50具有显示部51。显示部51具有本发明的有机EL装置。
图9(b)是表示文字处理器、个人电脑等携带型信息处理装置的一例的立体图。在图9(b)中,信息处理装置60具有键盘等输入部61、显示部62、框体63。此外,显示部62具有本发明的有机EL装置。
图9(c)是表示手表型电子设备的一例的立体图。在图9(c)中,表70具有显示部71。显示部71具有本发明的有机EL装置。
图9(a)~(c)所示的电子设备均具有上述的实施方式中示出的有机EL装置,能制成显示缺陷少、高品质且寿命长的电子设备。
此外,作为电子设备,不限于所述电子设备,可以在各种电子设备中应用。例如可以用于台式电脑、液晶投影仪、适于多媒体的个人电脑(PC)和工程工作站(EWS)、寻呼机、文字处理器、电视机、寻像(view finding)型或监视器直视型磁带录像机、电子笔记本、台式电子计算器、车辆导航装置、POS终端、具备触摸面板的装置等电子设备。
以上,参照附图对本发明的优选实施方式进行了说明,但不言而喻的是,本发明并不限于所述的例子。上述例中所示的各构成部件的各种形状、组合等为一个例子,可以在不脱离本发明的主旨的范围内,基于设计要求等进行各种变化。
Claims (14)
1.一种有机电致发光装置,其特征在于,具有基板、多个发光元件、显示区域、第1连接布线和阻气层,
所述发光元件在一对电极之间夹持有有机发光层,
所述显示区域在俯视下是与所述基板重叠的区域,并配置有所述多个发光元件,
所述第1连接布线配置于所述显示区域的周围,并且与所述一对电极中的一方的电极相连接,在表面形成有透明导电层,
所述阻气层被覆所述第1连接布线的端面、所述第1连接布线的表面以及所述多个发光元件的表面而形成。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,具有有机缓冲层,该有机缓冲层在所述多个发光元件和所述阻气层之间,以被覆所述多个发光元件的表面和侧面,并且有机缓冲层的侧面容纳于所述阻气层内侧的方式形成。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光装置,其特征在于,在所述多个发光元件和所述有机缓冲层之间,具有被覆所述第1连接布线的端面、所述第1连接布线的表面和所述多个发光元件的表面而形成的电极保护层。
4.根据权利要求2或3所述的有机电致发光装置,其特征在于,与所述阻气层对向地设有粘合于所述阻气层的保护基板。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述基板和所述保护基板使用配置于所述显示区域周围的密封层和配置于由所述密封层所围成的区域的粘合层而粘合。
6.根据权利要求2所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述有机缓冲层的周边端部的接触角度设置为20度以下。
7.根据权利要求5所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述密封层以与所述有机缓冲层的周边端部重叠的方式配置。
8.根据权利要求5所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述密封层和所述粘合层的形成材料不含粒状的填充材料。
9.根据权利要求5所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述有机缓冲层、所述密封层和所述粘合层使用环氧树脂形成。
10.根据权利要求5所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述阻气层和所述电极保护层使用氮化硅或氮氧化硅形成。
11.根据权利要求2或3所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述第1连接布线被所述阻气层被覆的部分中的至少一部分经屈曲而形成。
12.根据权利要求2或3所述的有机电致发光装置,其特征在于,具有与所述第1连接布线电连接的第2连接布线,除了在所述第2连接布线的一端部形成的连接端子部之外,所述第2连接布线的端面和表面均被所述阻气层被覆。
13.一种有机电致发光装置的制造方法,其特征在于,是权利要求2~12中任一项所述的有机电致发光装置的制造方法,具有以下工序:
在减压气氛下,通过丝网印刷法将所述有机缓冲层的形成材料配置于所述多个发光元件的表面,形成有机缓冲层的工序;以及
以被覆所述第1连接布线的端面、所述第1连接布线的表面、所述多个发光元件的表面和所述有机缓冲层表面的方式形成阻气层的工序。
14.一种电子设备,其特征在于,具有权利要求1~12中任一项所述的有机电致发光装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007-286400 | 2007-11-02 | ||
JP2007286400A JP5119865B2 (ja) | 2007-11-02 | 2007-11-02 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 |
JP2007286400 | 2007-11-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101425533A CN101425533A (zh) | 2009-05-06 |
CN101425533B true CN101425533B (zh) | 2012-09-05 |
Family
ID=40587399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008101730171A Active CN101425533B (zh) | 2007-11-02 | 2008-10-29 | 有机电致发光装置及其制造方法、电子设备 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7902751B2 (zh) |
JP (1) | JP5119865B2 (zh) |
KR (1) | KR20090045847A (zh) |
CN (1) | CN101425533B (zh) |
TW (1) | TW200930137A (zh) |
Families Citing this family (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101002659B1 (ko) * | 2008-12-23 | 2010-12-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JPWO2011016126A1 (ja) * | 2009-08-06 | 2013-01-10 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
TWI413443B (zh) * | 2009-09-24 | 2013-10-21 | Innolux Corp | 影像顯示系統 |
JP5341701B2 (ja) * | 2009-10-02 | 2013-11-13 | キヤノン株式会社 | 表示装置およびデジタルカメラ |
JP5290268B2 (ja) | 2009-12-31 | 2013-09-18 | 三星ディスプレイ株式會社 | バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置、バリア・フィルム複合体の製造方法、及びこれを含む表示装置の製造方法 |
JP5611811B2 (ja) | 2009-12-31 | 2014-10-22 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | バリア・フィルム複合体及びこれを含む表示装置 |
JP5611812B2 (ja) | 2009-12-31 | 2014-10-22 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置及び表示装置の製造方法 |
US8421064B2 (en) * | 2010-04-09 | 2013-04-16 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Organic-light-emitting-diode flat-panel light-source apparatus |
JP5471774B2 (ja) | 2010-04-27 | 2014-04-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 |
WO2011152496A1 (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 照明装置 |
KR101845480B1 (ko) * | 2010-06-25 | 2018-04-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |