JP2021015597A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】高品質のイメージを提供することができる表示装置を提供する。【解決手段】基板と、基板上に配置された表示要素と、表示要素上に配置されながら、少なくとも１層の無機封止層、及び少なくとも１層の有機封止層を含む封止層と、封止層上に配置されるタッチセンシング層と、を含むが、該タッチセンシング層は、封止層の上面に対して傾いた側面を具備し、有機物を含む第１絶縁層と、センシング電極を含む導電層と、導電層をカバーし、第１絶縁層と異なる屈折率の第２絶縁層と、含む表示装置である。【選択図】図７

Description

本発明は、表示装置に関する。
最近、表示装置の用途が多様になっている。また、表示装置の厚さが薄くなり、重さが軽く、その使用の範囲が広範囲になっている、表示装置が多様な分野に活用されることにより、高品質のイメージを提供する表示装置の需要が高まっている。
表示装置に具備されたイメージを提供するために、所定色相の光を放出する表示要素を含む。表示要素上には、表示要素を保護する、または、表示装置に所定機能を付加するための構成要素が配置され、表示要素上の構成要素により、表示要素それぞれから放出された光は、その効率が低下してしまう。
韓国公開特許第１０−２０１９−０００４８６３号公報 米国特許出願公開第２０１９／００１３４９５号明細書 米国特許第７５３５６４６号明細書 米国特許第９１４２８０２号明細書 米国特許出願公開第２０１５／０３３３１０８号明細書 米国特許第６０７２４５０号明細書 米国特許出願公開第２０１６／００４３１４５号明細書 米国特許出願公開第２０１６／００６４６９４号明細書 米国特許出願公開第２０１８／００１２９４０号明細書 韓国公開特許第１０−２０１４−０１４３９１６号公報 米国特許第９３６８７５７号明細書 韓国公開特許第１０−２０１３−０００８６６０号公報 米国特許第８８２３２５４号明細書 韓国公開特許第１０−２０１４−０１３５５６８号公報 米国特許出願公開第２０１４／０３３９５０９号明細書 特開２０１２−１０９２１４号公報 米国特許出願公開第２０１２／０１０４３６８号明細書 米国特許出願公開第２０１９／０１９８７８２号明細書 韓国公開特許第１０−２０１９−００８７６８９号公報 米国特許出願公開第２０１９／０２２１７７８号明細書 韓国公開特許第１０−２０１８−０００５３２７号公報 米国特許第１０３３８４４９号明細書 韓国公開特許第１０−２０１８−００１４３９８号公報 米国特許出願公開第２０１８／００３３８３０号明細書 韓国公開特許第１０−２０１８−０００５３２３号公報 米国特許第１０２２４３７７号明細書 特開２００９−１１０８７３号公報 特許第５５２３３５４号公報 米国特許第８９０１５８７号明細書 特許第４９３３５５３号公報 米国特許第８６８７２７３号明細書 特許第５３７３０５４号公報 米国特許第８８２３２５４号明細書
本発明は、前述の問題点を含み、さまざまな問題点を解決するためのものであり、高品質のイメージを提供することができる表示装置を提供するものである。しかし、そのような課題は、例示的なものであり、それにより、本発明の範囲が限定されるものではない。
本発明の一実施形態は、基板と、前記基板上に配置された表示要素と、前記表示要素上に配置され、少なくとも１層の無機封止層、及び少なくとも１層の有機封止層を含む封止層と、前記封止層上に配置されるタッチセンシング層と、を含み、前記タッチセンシング層は、前記封止層の上面に対して傾いた側面を具備し、有機物を含む第１絶縁層と、センシング電極を含む導電層と、前記導電層をカバーし、前記第１絶縁層と異なる屈折率の第２絶縁層と、を含む表示装置を開示する。
前記第１絶縁層の少なくとも一部は、前記封止層の上面と直接接触してもよい。
前記封止層は、順次に積層された第１無機封止層、有機封止層及び第２無機封止層を含み、前記第１絶縁層の少なくとも一部は、前記第２無機封止層と直接接触してもよい。
前記第１絶縁層は、フォトレジストを含んでもよい。
前記第１絶縁層は、前記表示要素の発光領域と重畳し、前記側面によって定義される第１開口を含み、前記第２絶縁層は、前記第１開口を少なくとも部分的に充填してもよい。
前記第２絶縁層の屈折率は、前記第１絶縁層の屈折率よりも大きい。
前記表示要素は、画素電極と、前記画素電極のエッジをカバーし、前記画素電極と重畳する第２開口を含む画素定義膜と、前記第２開口に位置する発光層と、前記発光層をカバーする対向電極と、を含み、前記第１絶縁層のボディ部分は、前記画素定義膜と重畳してもよい。
前記第１開口の幅は、前記発光領域の幅より広くてもよい。
前記第１絶縁層は、前記表示要素の発光領域と重畳し、前記発光領域の幅より広幅を有してもよい。
前記第１絶縁層の前記側面は、前記封止層から遠くなる方向に逆テーパ状の傾斜面を含んでもよい。
前記表示要素は、画素電極と、前記画素電極のエッジをカバーし、前記画素電極と重畳する第２開口を含む画素定義膜と、前記第２開口と重畳するように位置する発光層と、前記発光層をカバーする対向電極と、を含み、前記第１絶縁層の中央部分は、前記第２開口に重畳し、エッジ部分は、前記画素定義膜と重畳してもよい。
前記第１絶縁層の屈折率は、前記第２絶縁層の屈折率よりも大きくてもよい。
本発明の他の実施形態は、基板と、前記基板上の画素電極と、前記画素電極と重畳する開口を含み、発光領域を定義する画素定義膜と、前記開口に位置する発光層と、前記発光層上の対向電極と、前記対向電極上に位置し、少なくとも１層の無機封止層、及び少なくとも１層の有機封止層を含む封止層と、前記封止層上に位置し、センシング電極を含む導電層と、前記封止層の上面と傾斜をなす側面を含む第１有機絶縁層と、前記第１有機絶縁層及び前記導電層をカバーし、前記第１有機絶縁層と屈折率が異なる第２有機絶縁層と、を含む表示装置を開示する。
第１有機絶縁層は、フォトレジストを含んでもよい。
前記封止層は、順次に積層された第１無機封止層、有機封止層及び第２無機封止層を含み、前記第１有機絶縁層の少なくとも一部は、前記第２無機封止層と直接接触してもよい。
前記第１有機絶縁層は、前記画素定義膜の前記開口と重畳する第１開口と、前記画素定義膜のボディ部分と重畳するボディ部分と、を含んでもよい。
前記第１開口の幅は、前記画素定義膜の前記開口の幅よりも広くてもよい。
前記第２有機絶縁層は、前記第１開口を少なくとも部分的に充填し、前記第２有機絶縁層の屈折率は、前記第１有機絶縁層の屈折率よりも大きくてもよい。
前記第１有機絶縁層は、前記画素定義膜の開口と重畳するボディ部分を含み、前記第１有機絶縁層の前記側面は、前記封止層から遠くなる方向に逆テーパ状の傾斜面を含み、前記第２有機絶縁層の屈折率は、前記第１有機絶縁層の屈折率よりも小さくてもよい。
前記第１有機絶縁層のエッジ部分は、前記画素定義膜のボディ部分の一部と重畳してもよい。
本発明の実施形態は、封止層上に位置する機能層の第１絶縁層及び第２絶縁層を利用するので、層数を減らすことができ、工程を単純にすることができる。また、層数が少なくなることにより、表示要素から放出された光が外部ユーザに視認されるまでの光学的性能、例えば、表示装置自体の透過率を向上させることができる。また、タッチセンシングの機能、及び光学的性能を向上させる機能を備えた機能層を具備することにより、製造効率及びコストを大きく改善させることができる。
ここで、そのような効果により、本発明の範囲が限定されるものではないということは言うまでもない。
本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示した平面図である。 本発明の一実施形態による表示装置のいずれか１つの画素に具備された表示要素、及びそれに接続された画素回路を示す図面である。 本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示した断面図である。 本発明の一実施形態による機能層の平面図であり、機能層に含まれたタッチ電極を概略的に示す図面である。 本発明の一実施形態による機能層の平面図であり、図４のＶ部分を拡大した平面図である。 本発明の一実施形態による機能層の平面図であり、図４のＶ部分を拡大した平面図である。 本発明の一実施形態による表示装置において、いずれか１つの画素を示した平面図である。 本発明の一実施形態による表示装置において、いずれか１つの画素を示した断面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置を図示した断面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置を図示した断面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置を図示した断面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置を示した断面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置を示した平面図である。 本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示した断面図である。
本発明は、多様な変更を加えることができ、さまざまな実施形態を有することができる。以下において、複数の実施形態を図面に例示し、詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する装置または方法は、以下において図面と共に詳細に説明されている実施形態を参照することで、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態で具現可能である。
以下において、添付された図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明するが、図面を参照して説明するとき、同一または対応する構成要素は、同一の符号を付し、それについての重複する説明は、省略する。
以下の実施形態において、第１、第２のような用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的に使用される。
以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に異なることを意味しない限り、複数の表現を含む。
以下の実施形態において、「含む」または「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴または構成要素が存在するということを意味するものであり、一以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性をあらかじめ排除するものではない。
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素のような部分が異なる部分の上または上部にあるとするとき、他の部分の真上にある場合だけではなく、間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。
図面においては、説明の便宜上、構成要素の大きさが誇張または縮小される場合がある。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜上、任意に示されているので、本発明は、必ずしも図示されたところに限定されるものではない。
ある実施形態が異なって具現可能である場合、特定の工程順序は、説明される順序と異なるように行われてもよい。例えば、連続して説明される２つの工程が実質的に同時に行われてもよく、説明される順序と反対の順序に進められてもよい。
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などが接続されているとするとき、膜、領域、構成要素が直接接続されている場合だけではなく、膜、領域、構成要素の間に、他の膜、領域、構成要素が介在し、間接的に接続されている場合も含む。例えば、本明細書において、膜、領域、構成要素などが電気的に接続されているとするとき、膜、領域、構成要素などが直接電気的に接続されている場合だけではなく、間に、他の膜、領域、構成要素などが介在され、間接的に電気的接続されている場合も含む。
以下の実施形態において、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、直交座標系上の三軸に限定されず、それを含む広い意味にも解釈される。例えば、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、互いに直交してもよいが、互いに直交せずに、互いに異なる方向を指すこともある。
本明細書において、「Ａ及び／またはＢ」は、Ａであるか、Ｂであるか、あるいはＡとＢとである場合を示す。
図１は、本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示した平面図である。
図１を参照すれば、表示装置１０は、表示領域ＤＡ、及び表示領域ＤＡに隣接した非表示領域ＮＤＡを含んでもよい。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡを取り囲むことができる。
表示装置１０は、表示領域ＤＡに配置された複数の画素Ｐを含む。各画素Ｐには、所定の色相の光を放出することができる表示要素が具備され、該表示要素は、スキャンラインＳＬ及びデータラインＤＬにも電気的に接続される。図１は、表示装置１０において、基板１００の様子とも理解される。例えば、基板１００が、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを有するとも理解される。
非表示領域ＮＤＡには、スキャンラインＳＬを介して、各画素Ｐにスキャン信号を提供するスキャンドライバ１１００、データラインＤＬを介して、各画素Ｐに具備された表示要素にデータ信号を提供するデータドライバ１２００、及び第１電源電圧及び第２電源電圧を提供するための第１メイン電源配線及び第２メイン電源配線が配置されてもよい。
図１は、データドライバ１２００が、基板１００上に配置されたところを図示するが、他の実施形態として、データドライバ１２００は、表示装置１０の一側に配置されたパッドと電気的に接続されたＦＰＣＢ（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）上にも配置される。
本発明の実施形態による表示装置１０は、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ）、無機ＥＬ表示装置（ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｄｉｓｐｌａｙ）、量子ドット表示装置（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ ｄｉｓｐｌａｙ）、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）などを含んでもよい。以下では、本発明の一実施形態による表示装置として、有機発光表示装置を例に挙げて説明するが、本発明の表示装置は、それに制限されるものではなく、後述する特徴は、前述のような多様な方式の表示装置にも適用される。
図２は、本発明の一実施形態による表示装置のいずれか１つの画素に具備された表示要素、及びそれに接続された画素回路を示す。
図２を参照すれば、表示要素である有機発光ダイオードＯＬＥＤは、回路ＰＣに接続される。回路ＰＣは、第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２及びストレージキャパシタＣｓｔを含んでもよい。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、例えば、赤色、緑色または青色の光を放出するか、あるいは赤色、緑色、青色または白色の光を放出することができる。
第２薄膜トランジスタＴ２は、スイッチング薄膜トランジスタであり、スキャンラインＳＬ及びデータラインＤＬに接続され、スキャンラインＳＬから入力されるスイッチング電圧により、データラインＤＬから入力されたデータ電圧を、第１薄膜トランジスタＴ１に伝達することができる。ストレージキャパシタＣｓｔは、第２薄膜トランジスタＴ２と駆動電圧線ＰＬとに接続され、第２薄膜トランジスタＴ２から伝達された電圧と、駆動電圧線ＰＬに供給される第１電源電圧ＥＬＶＤＤとの差に該当する電圧を保存することができる。
第１薄膜トランジスタＴ１は、駆動薄膜トランジスタであり、駆動電圧線ＰＬとストレージキャパシタＣｓｔとに接続され、ストレージキャパシタＣｓｔに保存された電圧値に対応し、駆動電圧線ＰＬから有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる駆動電流を制御することができる。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動電流により、所定輝度を有する光を放出することができる。有機発光ダイオードＯＬＥＤの対向電極（例：カソード）は、第２電源電圧ＥＬＶＳＳを供給される。
図２は、回路ＰＣが、２個の薄膜トランジスタと、１個のストレージキャパシタとを含むように説明しているが、他の実施形態において、薄膜トランジスタの個数、またはストレージキャパシタの個数は、回路ＰＣの設計により、多様に変更されるということは言うまでもない。
図３は、本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示した断面図であり、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ’線による断面に該当する。
図３を参照すれば、基板１００上に、表示層２００が配置され、表示層２００上には、封止層３００及び機能層４００が配置される。
基板１００は、高分子樹脂またはガラス材を含んでもよい。高分子樹脂を含む基板１００は、フレキシブル、ローラブルまたはベンダブルな特性を有することができる。表示層２００は、複数の表示要素を含む表示要素層２２０、及び表示要素それぞれに接続された画素回路を含む画素回路層２１０を含んでもよい。表示要素層２２０に具備された表示要素それぞれは、画素を定義することができ、画素回路層２１０は、複数のトランジスタ及びストレージキャパシタを含んでもよい。
封止層３００は、表示層２００上に配置される。封止層３００は、表示要素が、水分のような外部異物によって損傷されることを防止することができる。封止層３００は、少なくとも１層の無機封止層、及び少なくとも１層の有機封止層を含んでもよい。
機能層４００は、封止層３００上に配置される。機能層４００は、タッチ入力をセンシングするタッチセンシング層（ｔｏｕｃｈ-ｓｅｎｓｉｎｇ ｌａｙｅｒ）であり、機能層４００に含まれた絶縁層は、表示要素から放出された光の出光効率を向上させるための構造を含む。すなわち、機能層４００は、タッチ入力をセンシングすることができるタッチセンシング層であると共に、光学的性能を向上させることができる光学層でもある。機能層４００は、タッチ入力をセンシングするために、センシング電極を具備することができ、光学的性能を向上させるために、屈折率が異なる２層を含んでもよい。
図４は、本発明の一実施形態による機能層の平面図であり、機能層４００に含まれたタッチ電極を概略的に示し、図５Ａ及び図５Ｂは、それぞれ本発明の一実施形態による機能層の平面図であり、図４のＶ部分を拡大したものである。
図４を参照すれば、機能層４００は、第１方向（例：ｘ方向）に沿って配列された複数の第１センシング電極ＳＰ１、及び第１方向に交差する第２方向（例：ｙ方向）に沿って配列された複数の第２センシング電極ＳＰ２を含む。第１方向と第２方向は、垂直に交差することができる。隣接第１センシング電極ＳＰ１は、第１接続電極ＣＰ１を介して、互いに電気的に接続され、隣接第２センシング電極ＳＰ２は、第２接続電極ＣＰ２を介して、互いに電気的にも接続される。
第１センシング電極ＳＰ１及び第２センシング電極ＳＰ２は、導電層を含むが、該導電層は、金属層または透明導電層を含んでもよい。該金属層は、モリブデン（Ｍｏ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、及びそれらの合金を含んでもよい。該透明導電層は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）のような透明な伝導性酸化物を含んでもよい。それ以外に、該透明導電層は、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）のような伝導性高分子、金属ナノワイヤ、炭素ナノチューブ、グラフェン（ｇｒａｐｈｅｎｅ）などを含んでもよい。第１接続電極ＣＰ１及び第２接続電極ＣＰ２も、それぞれ前述のような金属層または透明導電層のような導電層を含んでもよい。
センシング電極及び接続電極は、それぞれ複数の開口を含むメッシュ構造を有することができる。例えば、図５Ａ及び図５Ｂに図示されているように、それぞれの第１センシング電極ＳＰ１は、導電層ＣＴＬにも形成される。導電層ＣＴＬは、複数の開口ＣＴＬ−ＯＰ、及びそれぞれの開口ＣＴＬ−ＯＰを少なくとも部分的に取り囲み、それぞれの開口ＣＴＬ−ＯＰを定義するボディ部分を含み、該ボディ部分が互いに接続されながら、メッシュ構造を形成することができる。同様に、それぞれの第２センシング電極ＳＰ２、それぞれの第１接続電極ＣＰ１、及びそれぞれの第２接続電極ＣＰ２も、メッシュ構造を有することができる。
導電層ＣＴＬの各開口ＣＴＬ−ＯＰは、各画素の発光領域と重畳することができる。例えば、それぞれの開口ＣＴＬ−ＯＰは、赤色光が放出される発光領域ＥＡ−Ｒ、緑色光が放出される発光領域ＥＡ−Ｇ、または青色光が放出される発光領域ＥＡ−Ｂと重畳するようにも配置される。
開口ＣＴＬ−ＯＰそれぞれは、図５Ａに図示されているように、導電層ＣＴＬのボディ部分によって全体的に取り囲まれ、互いに空間的に接続されていなくともよい。または、複数の開口ＣＴＬ−ＯＰのうち少なくともいずれか１つの開口ＣＴＬ−ＯＰは、導電層ＣＴＬのボディ部分によって部分的に取り囲まれ、その場合、図５Ｂに図示されているように、隣接開口ＣＴＬ−ＯＰは、互いに空間的にも接続される。
機能層４００は、導電層ＣＴＬの上及び／または下に配置される第１絶縁層４２０を含んでもよく、図５Ａ及び図５Ｂは、導電層ＣＴＬと重畳する第１絶縁層４２０を図示する。第１絶縁層４２０は、それぞれ発光領域と対応する第１開口４２０ＯＰを含む。第１絶縁層４２０の第１開口４２０ＯＰは、第１絶縁層４２０の一部分を露光して現像する工程を介して除去して形成することができる。第１開口４２０ＯＰは、第１絶縁層４２０の上面と底面とを貫通して形成することができる。平面上において、第１開口４２０ＯＰそれぞれは、それぞれの第１開口４２０ＯＰと対応する発光領域の形状と同様でもある。例えば、赤色発光領域ＥＡ−Ｒ及び青色発光領域ＥＡ−Ｂ、及びそれらと対応する第１開口４２０ＯＰは、それぞれが四角形または略四角形の形状を有することができ、緑色発光領域ＥＡ−Ｇ、及びそれと対応する第１開口４２０ＯＰは、それぞれが六角形または八角形の形状を有するというように、互いに同様な形状を有することができる。本明細書において、対応するというのは、重畳するとも理解することができる。他の実施形態において、平面上において、第１開口４２０ＯＰは、発光領域の形状と互いに異なってもよい。例えば、赤色発光領域ＥＡ−Ｒ、青色発光領域ＥＡ−Ｂ及び緑色発光領域ＥＡ−Ｇが多角形状であるのに対し、第１開口４２０ＯＰそれぞれは、円形であるというように、互いに異なる形状を有することができる。
図６は、本発明の一実施形態による表示装置において、いずれか１つの画素を示した平面図であり、図７は、本発明の一実施形態による表示装置において、いずれか１つの画素を示した断面図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ’線による断面に該当する。
図６を参照すれば、導電層ＣＴＬの開口ＣＴＬ−ＯＰ、第１絶縁層４２０の第１開口４２０ＯＰ、及び発光領域ＥＡは、互いに重畳する。導電層ＣＴＬの開口ＣＴＬ−ＯＰの大きさは、第１絶縁層４２０の第１開口４２０ＯＰの大きさよりも大きく、第１絶縁層４２０の第１開口４２０ＯＰの大きさは、発光領域ＥＡの大きさよりも大きい。例えば、発光領域ＥＡの第１幅Ｗ１は、第１絶縁層４２０の第１開口４２０ＯＰの第２幅Ｗ２より狭く、第２幅Ｗ２は、導電層ＣＴＬの開口ＣＴＬ−ＯＰの第３幅Ｗ３より狭い。
導電層ＣＴＬのボディ部分は、第１絶縁層４２０、例えば、第１絶縁層４２０のボディ部分と重畳することができる。導電層ＣＴＬは、複数のサブ層を含んでもよいが、一実施形態として、図７は、導電層ＣＴＬが、第１サブ導電層ＣＴＬ１及び第２サブ導電層ＣＴＬ２を含むように図示する。
第１サブ導電層ＣＴＬ１及び第２サブ導電層ＣＴＬ２は、それぞれ第１絶縁層４２０を挟み、下と上とに配置され、第１サブ導電層ＣＴＬ１及び第２サブ導電層ＣＴＬ２の下には、基板１００、有機発光ダイオードＯＬＥＤを具備する表示層、及び封止層３００が配置される。
図７を参照すれば、基板１００は、ガラス材の単一層でもある。または、基板１００は、高分子樹脂を含んでもよい。該高分子樹脂を含む基板１００は、高分子樹脂を含む層、及び無機層が積層された構造を有することができる。該高分子樹脂は、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（Ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）またはセルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）などを含んでもよい。
薄膜トランジスタＴＦＴは、非晶質シリコン、多結晶シリコンまたは有機半導体物質を含む半導体層ＡＣＴ、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥを含んでもよい。半導体層ＡＣＴとゲート電極ＧＥとの絶縁性を確保するために、シリコン酸化物、シリコン窒化物及び／またはシリコン酸窒化物などの無機物を含むゲート絶縁層２０３が半導体層ＡＣＴとゲート電極ＧＥとの間にも介在される。同時に、ゲート電極ＧＥの上部には、シリコン酸化物、シリコン窒化物及び／またはシリコン酸窒化物などの無機物を含む層間絶縁層２０５が配置され、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、前述の層間絶縁層２０５上にも配置される。無機物を含む絶縁層は、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはＡＬＤ（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて形成される。
ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、多様な導電性物質からも形成される。ゲート電極ＧＥは、モリブデンまたはアルミニウムを含んでもよく、必要であれば、多層構造を取ることもできる。例えば、ゲート電極ＧＥは、モリブデンの単一層でもあり、モリブデン層、アルミニウム層及びモリブデン層を含む３層構造でもある。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、チタンまたはアルミニウムを含んでもよく、必要であれば、多層構造を取ることもできる。例えば、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、チタン層、アルミニウム層及びチタン層を含む３層構造でもある。
そのような構造の薄膜トランジスタＴＦＴと基板１００との間には、シリコン酸化物、シリコン窒化物及び／またはシリコン酸窒化物のような無機物を含むバッファ層２０１が介在されてもよい。そのようなバッファ層２０１は、基板１００の上面の平滑性を高め、基板１００などからの不純物が、薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層ＡＣＴに浸透することを防止し、基板１００などからの不純物を最小化させる役割を行うことができる。
薄膜トランジスタＴＦＴ上には、平坦化絶縁層２０７が配置されてもよい。平坦化絶縁層２０７は、例えば、アクリル、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）またはヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）のような有機物を用いて形成される。図７においては、平坦化絶縁層２０７が単層に図示されているが、多層であってもよい。
画素電極２２１は、平坦化絶縁層２０７上に配置される。画素電極２２１は、各画素に配置される。隣接画素それぞれに対応する画素電極２２１は、相互に離隔されて配置される。
画素電極２２１は、反射電極でもある。一部の実施形態において、画素電極２２１は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びそれらの化合物などによって形成された反射膜と、該反射膜上に形成された透明または半透明の電極層と、を具備することができる。透明または半透明の電極層は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、インジウム酸化物（Ｉｎ２Ｏ３）、インジウムガリウム酸化物（ＩＧＯ）及びアルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）を含むグループのうちから選択された少なくとも１以上を具備することができる。一部の実施形態において、画素電極２２１は、ＩＴＯ層、Ａｇ層、ＩＴＯ層の３層構造でもよい。
画素電極２２１上には、画素定義膜２０９が配置される。画素定義膜２０９は、各画素電極２２１の中心部分を露出させる第２開口２０９ＯＰを有する。画素定義膜２０９は、画素電極２２１のエッジをカバーし、画素電極２２１のエッジと、対向電極２２３との距離を増大させ、画素電極２２１のエッジにおけるアークなどの発生を防止することができる。画素定義膜２０９は、ポリイミド、ポリアミド（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）及びフェノール樹脂のような有機絶縁物質を材料として用いて、スピンコーティングのような方法によって形成されてもよい。または、画素定義膜２０９は、無機絶縁物質から形成されてもよい。または、画素定義膜２０９は、無機絶縁物質と有機絶縁物質とを含む多層構造を有することができる。
スペーサ２１１は、画素定義膜２０９上にも配置される。スペーサ２１１は、後述する発光層２２２ｂを形成する工程で使用されるマスクにより、基板１００とスペーサ２１１との間に介在される層が損傷されることを防止することができる。スペーサ２１１は、画素定義膜２０９と同一物質を含んでもよい。
画素定義膜２０９の第２開口２０９ＯＰには、発光層２２２ｂが配置されてもよい。発光層２２２ｂは、赤色光、緑色光または赤色光を放出することができる蛍光物質またはリン光物質を含む有機物でもよい。前述の有機物は、低分子有機物または高分子有機物でもよい。
発光層２２２ｂの下及び上には、それぞれ第１機能層２２２ａ及び第２機能層２２２ｃが配置されてもよい。第１機能層２２２ａは、例えば、ホール輸送層（ＨＴＬ：ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）を含むか、あるいはホール輸送層及びホール注入層（ＨＩＬ：ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）を含んでもよい。第２機能層２２２ｃは、発光層２２２ｂ上に配置される構成要素であり、電子輸送層（ＥＴＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）及び／または電子注入層（ＥＩＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）を含んでもよい。第２機能層２２２ｃは、選択的（ｏｐｔｉｏｎａｌ）に設けられてもよい。一部の実施形態において、第２機能層２２２ｃは、具備されない。
発光層２２２ｂが、画素定義膜２０９の第２開口２０９ＯＰに対応するように、各画素に配置されるのに対し、第１機能層２２２ａ及び第２機能層２２２ｃは、それぞれ後述する対向電極２２３と同様に、基板１００を全体的にカバーするように、例えば、基板１００の表示領域を全体的にカバーするように一体に形成された共通層でもよい。
対向電極２２３は、第１機能層２２２ａ、発光層２２２ｂ及び第２機能層２２２ｃを含む中間層２２２上にも配置される。
対向電極２２３は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロミウム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、またはそれらの合金などを含む（半）透明層を含んでもよい。または、対向電極２２３は、前述の物質を含む（半）透明層上に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３のような層をさらに含んでもよい。一実施形態において、対向電極２２３は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との合金を含んでもよい。
封止層３００は、少なくとも１層の無機封止層、及び少なくとも１層の有機封止層を含んでもよい。例えば、封止層３００は、図７に図示されているように、第１無機封止層３１０、有機封止層３２０及び第２無機封止層３３０を含んでもよい。
第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０は、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化亜鉛、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物のうちから選択された１以上の無機絶縁物を含んでもよい。第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０は、前述の無機絶縁物を含む単一層構造または多層構造を有することができる。
有機封止層３２０は、第１無機封止層３１０及び／または第２無機封止層３３０の内部ストレスを緩和させることができる。有機封止層３２０は、ポリマー系の物質を含んでもよい。該ポリマー系の素材においては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレンソルホネート、ポリオキシメチレン、ポリアリレート、ヘキサメチルジシロキサン、アクリル系樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリル酸など）、またはそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
有機封止層３２０は、フロー性を有するモノマーを塗布した後、熱や、紫外線のような光を利用し、モノマー層を硬化させることによって形成することができる。または、有機封止層３２０は、前述のポリマー系の物質を塗布して形成することができる。
機能層４００は、封止層３００上に配置される。機能層４００は、第１サブ導電層ＣＴＬ１及び第２サブ導電層ＣＴＬ２、第１絶縁層４２０、並びに第２絶縁層４４０を含むが、第１サブ導電層ＣＴＬ１と第２サブ導電層ＣＴＬ２は、第１絶縁層４２０の下及び上にも配置される。第１サブ導電層ＣＴＬ１と第２サブ導電層ＣＴＬ２は、第１絶縁層４２０に形成されたコンタクトホール４２０ｃｔを介しても接続される。先に、図５Ａ及び図５Ｂを参照して説明した第１センシング電極ＳＰ１及び第２センシング電極ＳＰ２それぞれは、図７に図示されているように、コンタクトホール４２０ｃｔを介して接続された第１サブ導電層ＣＴＬ１と第２サブ導電層ＣＴＬ２との２層構造によって形成されてもよい。
第１サブ導電層ＣＴＬ１と第２サブ導電層ＣＴＬ２は、金属層または透明導電層を含んでもよく、該金属層は、モリブデン（Ｍｏ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、及びそれらの合金を含んでもよい。該透明導電層は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＩＴＺＯのような透明な伝導性酸化物を含んでもよい。それ以外に、透明導電層は、ＰＥＤＯＴのような伝導性高分子、金属ナノワイヤ、炭素ナノチューブ、グラフェンなどを含んでもよい。一実施形態において、第１サブ導電層ＣＴＬ１と第２サブ導電層ＣＴＬ２とのそれぞれは、チタン層、アルミニウム層及びチタン層の３層構造を有することができる。
第１絶縁層４２０は、発光領域ＥＡと重畳する第１開口４２０ＯＰを含んでもよい。発光領域ＥＡは、画素定義膜２０９の第２開口２０９ＯＰによって定義される。例えば、画素定義膜２０９の第２開口２０９ＯＰの幅が、発光領域ＥＡの幅（第１幅）Ｗ１である。第１絶縁層４２０の第１開口４２０ＯＰは、画素定義膜２０９の第２開口２０９ＯＰと重畳するが、第１開口４２０ＯＰの第２幅Ｗ２は、画素定義膜２０９の第２開口２０９ＯＰの幅（第１幅）Ｗ１より広い。第１開口４２０ＯＰを定義する第１絶縁層４２０のボディ部分は、画素定義膜２０９のボディ部分と重畳することができる。例えば、第１絶縁層４２０のボディ部分は、画素定義膜２０９のボディ部分にだけ重畳することができる。第１絶縁層４２０のボディ部分は、第１絶縁層４２０の第１開口４２０ＯＰと区別される部分であり、所定ボリュームを有している部分を意味する。同様に、画素定義膜２０９のボディ部分は、画素定義膜２０９の第２開口２０９ＯＰと区別されるものであり、所定のボリュームを有している部分を示す。
第１絶縁層４２０は、フォトレジストを含んでもよい。第１絶縁層４２０は、封止層３００上に、フォトレジストを全体的に塗布した後、露光して現像することによって形成されてもよい。
第２絶縁層４４０は、第１絶縁層４２０上に配置され、第１絶縁層４２０の第１開口４２０ＯＰを、少なくとも部分的に充填することができる。例えば、第２絶縁層４４０は、第１開口４２０ＯＰを全体的に充填することができる。第２絶縁層４４０は、偏平または略偏平な上面を含み、第１開口４２０ＯＰに重畳する第２絶縁層４４０部分の厚みは、他の部分（例えば、第１絶縁層４２０の上面と重畳する部分）の厚みよりも厚い。
第２絶縁層４４０は、第１開口４２０ＯＰを定義する第１絶縁層４２０の側面４２０Ｓ及び上面と直接接触することができる。また、第２絶縁層４４０は、第１開口４２０ＯＰを介して、封止層３００と直接接触することができ、一実施形態において、図７は、第２絶縁層４４０が第１開口４２０ＯＰを介して、第２無機封止層３３０と直接接触しているところを図示する。
第１絶縁層４２０の側面４２０Ｓは、傾斜面を含んでもよい。封止層３００の上面（例えば、第２無機封止層の上面）と、第１絶縁層４２０の側面４２０Ｓとの間の劣角（ｍｉｎｏｒ ａｎｇｌｅ）θ（以下、傾斜角という）は、少なくとも７０°以上でもよい。例えば、傾斜角度θは、７０°≦θ＜９０°でもよい。または、傾斜角度θは、７０°≦θ≦８７°でもよく、７０°≦θ≦８５°でもよく、７０°≦θ≦８３°でもよく、７０°≦θ≦８０°でもよい。
第１絶縁層４２０の側面４２０Ｓが封止層３００の上面に対して順方向にテーパ状傾斜面を含むことにより、第１開口４２０ＯＰは、基板１００の上面に垂直である方向（ｚ方向）に沿って、基板１００から遠くなるほど、その幅が徐々に増大する。第１開口４２０ＯＰの上部（ｕｐｐｅｒ ｐｏｒｔｉｏｎ）の幅は、下部（ｌｏｗｅｒ ｐｏｒｔｉｏｎ）の幅よりも広く、このとき、前述の第１開口４２０ＯＰの第２幅Ｗ２は、下部幅に該当する。
第２絶縁層４４０は、機能層４００に含まれた導電層、例えば、第１サブ導電層ＣＴＬ１及び第２サブ導電層ＣＴＬ２をカバーすることにより、前述の導電層を保護することができる。
第２絶縁層４４０は、第１絶縁層４２０より屈折率が大きい材料、例えば、高屈折率の有機物を含んでもよい。第２絶縁層４４０は、ＵＶによって硬化される物質を含んでもよい。有機発光ダイオードＯＬＥＤから放出され、基板１００の上面に、垂直方向（ｚ方向）に対して斜めな方向に進む光Ｌは、第１絶縁層４２０の側面４２０Ｓで全反射され、表示装置の外部に進むことができるため、有機発光ダイオードＯＬＥＤの出光効率が向上され、輝度が上昇する。
図７においては、機能層４００に含まれた導電層が、第１サブ導電層ＣＴＬ１及び第２サブ導電層ＣＴＬ２のコンタクトホールを介して接続された二重層構造を含み、第１センシング電極ＳＰ１及び第２センシング電極ＳＰ２（図４）がそれぞれ前述の二重層構造の導電層によっても形成されたと説明したが、本発明は、それに限定されるものではない。機能層４００は、第１絶縁層４２０の下または上に配置される単一（ｓｉｎｇｌｅ ｂｏｄｙ）の導電層を含んでもよく、第１センシング電極ＳＰ１及び第２センシング電極ＳＰ２は、それぞれ単一の導電層によって形成されてもよい。
図８ないし図１０は、それぞれ本発明の他の実施形態による表示装置を図示した断面図である。図８ないし図１０の表示装置を参照すれば、基板１００から封止層３００までの積層構造は、先に図７を参照して説明したところと同様であるので、以下では、機能層４００の構造を中心に説明する。
図８ないし図１０を参照すれば、機能層４００は、単一の導電層ＣＴＬを含んでもよい。導電層ＣＴＬは、第１絶縁層４２０の上、例えば、第１絶縁層４２０と第２絶縁層４４０との間にも配置される（図８）。または、導電層ＣＴＬは、第１絶縁層４２０の下にも配置され、例えば、図９に図示されているように、第１絶縁層４２０にカバーされるように、封止層３００と第１絶縁層４２０との間にも配置される。または、図１０に図示されているように、導電層ＣＴＬは、封止層３００上に配置され、第１絶縁層４２０によってカバーされない。機能層４００において、導電層ＣＴＬの位置を除いた他の特徴は、先に図７を参照して説明した通りである。
図１１は、本発明の他の実施形態による表示装置を示した断面図であり、図１２は、本発明の他の実施形態による表示装置を示した平面図である。
図１１の表示装置において、基板１００から封止層３００までの構造は、先に図７を参照して説明したところと同一であるので、以下では、機能層４００’を中心に説明する。
機能層４００’は、導電層ＣＴＬ、第１絶縁層４２０’及び第２絶縁層４４０’を含み、第１絶縁層４２０’は、封止層３００の上面、例えば、第２無機封止層３３０の上面と接触することができる。
第１絶縁層４２０’は、図１１及び図１２に図示されているように、発光領域ＥＡをカバーすることができる。第１絶縁層４２０’は、各画素の発光領域ＥＡに対応しても配置される。例えば、隣接発光領域ＥＡにそれぞれ配置された第１絶縁層４２０’は、互いに離隔されて配置されてもよい。言い換えれば、第１絶縁層４２０’のボディ部分は、各画素の発光領域ＥＡと重畳するように位置し、隣接画素に配置されたボディ部分の間には、第１絶縁層４２０’の一部が除去されながら形成された除去部分（または、開口部分）が位置すると理解することができる。
先に図７を参照して説明した第１絶縁層４２０は、画素定義膜２０９と重畳するように配置され、順方向テーパ状側面４２０Ｓを有する台形の断面を有していたが、図１１に図示された第１絶縁層４２０’は、発光領域ＥＡと重畳するように配置され、逆テーパ状側面４２０’Ｓを有する逆台形の断面を有することができる。
第１絶縁層４２０’の側面４２０’Ｓは、傾斜面、例えば、封止層３００から遠くなる方向に沿って、逆テーパ状の傾斜面を含んでもよい。封止層３００の上面（例えば、第２無機封止層の上面）と第１絶縁層４２０’の側面４２０’Ｓとの劣角θ（傾斜角度）は、少なくとも７０°以上でもよい。例えば、傾斜角度θは、７０°≦θ＜９０°でもよい。または、傾斜角度θは、７０°≦θ≦８７°でもよく、７０°≦θ≦８５°でもよく、７０°≦θ≦８３°でもよく、７０°≦θ≦８０°でもよい。
第１絶縁層４２０’の幅Ｗ２’は、発光領域ＥＡの第１幅Ｗ１’よりも広い。ここで、発光領域ＥＡの第１幅Ｗ１’は、前述のように、画素定義膜２０９の第２開口２０９ＯＰの幅に該当する。第１絶縁層４２０’の側面４２０’Ｓが逆テーパ状の傾斜面を含むことにより、第１絶縁層４２０’、例えば、第１絶縁層４２０’のボディ部分は、基板１００の上面に垂直である方向（ｚ方向）に沿って、基板１００から遠くなるほど、その幅が徐々に増大し、このとき、前述の第１絶縁層４２０’の幅Ｗ２’は、下部の幅に該当する。先に図５Ａ及び図５Ｂを参照して説明したように、導電層ＣＴＬは、開口ＣＴＬ−ＯＰを含むが、開口ＣＴＬ−ＯＰの第３幅Ｗ３は、第１絶縁層４２０’の幅Ｗ２’よりも広い。
第１絶縁層４２０’は、露光工程及び現象工程などを介しても形成され、フォトレジストを含んでもよい。第１絶縁層４２０’は、第２絶縁層４４０’にカバーされるが、第２絶縁層４４０’は、第１絶縁層４２０’の側面４２０’Ｓ及び上面にそれぞれ接触することができる。
第２絶縁層４４０’は、第１絶縁層４２０’より屈折率が小さい材料、例えば、低屈折率の有機物を含んでもよい。有機発光ダイオードＯＬＥＤから放出され、基板１００の上面に垂直した方向（ｚ方向）に対し、斜めな方向に進行する光は、第１絶縁層４２０’の側面４２０’Ｓで反射され、表示装置の外部に進むことができるが、有機発光ダイオードＯＬＥＤの出光効率が向上し、輝度が上昇することができる。
図１３は、本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示した断面図である。
表示領域ＤＡには、各画素に表示要素が配置される。例えば、図１３に図示されているように、基板１００上の表示層２００は、第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１及び第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２を含む。第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１及び第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２は、それぞれ薄膜トランジスタＴＦＴに電気的に接続され、表示層２００の具体的構造は、先に図７を参照して説明した通りである。
第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１は、第１色相の光を放出し、第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２は、第２色相の光が放出される。第１発光領域ＥＡ１から放出された定義された第１色相の光Ｌｃ１、及び第２発光領域ＥＡ２から放出された第２色相の光Ｌｃ２は、それぞれ、第１絶縁層４２０の側面４２０Ｓで全反射され、外部に向けて進むことができる。第１色相と第２色相は、互いに異なる色相である。
図１３は、機能層４００が、図７を参照して説明した構造を有するように図示されているが、本発明は、それに限定されるものではない。他の実施形態において、機能層４００は、図８ないし図１０を参照して説明した実施形態において、いずれか１つの実施形態、または図１１を参照して説明した実施形態、または前述の実施形態から派生される実施形態による構造を有することができるということは言うまでもない。
図１４は、本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示した断面図である。
図１４を参照すれば、表示領域ＤＡは、所定の色相を光を放出する発光領域ＥＡ及び透過領域ＴＡを含んでもよい。発光領域ＥＡに対応して配置された有機発光ダイオードＯＬＥＤから放出された光Ｌｃは、機能層４００に具備された第１絶縁層４２０及び第２絶縁層４４０の構造を介して、出光効率が向上するということは、前述の通りである。
透過領域ＴＡは、表示装置では生じない外部の光Ｌｅが、基板１００の背面から機能層４００に向ける方向に沿い（または、その反対方向に沿う）、表示装置を貫通して進む領域である。透過領域ＴＡの透過度を向上させるために、表示層２００に含まれた層のうち少なくとも１層は、透過領域ＴＡに対応する部分が除去される。例えば、対向電極２２３は、透過領域ＴＡに位置する開口部２２３ＯＰを含み、透過領域ＴＡにおける透過度を向上させることができる。
透過領域ＴＡには、有機発光ダイオードのような表示要素が配置されないので、有機発光ダイオードＯＬＥＤから放出された光の出光効率を向上させるための構造、例えば、傾いた側面４２０Ｓを有する第１絶縁層４２０の構造が透過領域ＴＡに配置されない。
図１４は、機能層４００が図７を参照して説明した構造を有するように図示されているが、本発明は、それに限定されるものではない。他の実施形態において、機能層４００は、図８ないし図１０を参照して説明した実施形態において、いずれか１つの実施形態、または図１１を参照して説明した実施形態、または前述の実施形態から派生される実施形態による構造を有することができるということは言うまでもない。
以上、本発明は、図面に図示された一実施形態を参照して説明したが、それらは、例示的なものに過ぎず、当該分野において当業者であるならば、それらから多様な変更、及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められるものである。
１００ 基板
２００ 表示層
２０９ 画素定義膜
２０９ＯＰ 画素定義膜の開口（第２開口）
２２１ 画素電極
２２２ 中間層
２２３ 対向電極
３００ 封止層
３１０ 第１無機封止層
３２０ 有機封止層
３３０ 第２無機封止層
４００，４００’ 機能層（タッチセンシング層）
４２０，４２０’ 第１絶縁層（第１有機絶縁層）
４２０Ｓ，４２０’Ｓ 側面
４２０ＯＰ，４２０’ＯＰ 第１開口
４４０，４４０’ 第２絶縁層（第２有機絶縁層）

Claims (20)

  1. 基板と、
    前記基板上に配置された表示要素と、
    前記表示要素上に配置され、少なくとも１層の無機封止層、及び少なくとも１層の有機封止層を含む封止層と、
    前記封止層上に配置されるタッチセンシング層と、を含み、
    前記タッチセンシング層は、
    前記封止層の上面に対して傾いた側面を具備し、有機物を含む第１絶縁層と、
    センシング電極を含む導電層と、
    前記導電層をカバーし、前記第１絶縁層と異なる屈折率の第２絶縁層と、を含む表示装置。
  2. 前記第１絶縁層の少なくとも一部は、前記封止層の上面と直接接触することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記封止層は、順次に積層された第１無機封止層、有機封止層及び第２無機封止層を含み、前記第１絶縁層の少なくとも一部は、前記第２無機封止層と直接接触することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
  4. 前記第１絶縁層は、フォトレジストを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  5. 前記第１絶縁層は、前記表示要素の発光領域と重畳し、前記側面によって定義される第１開口を含み、
    前記第２絶縁層は、前記第１開口を少なくとも部分的に充填することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  6. 前記第２絶縁層の屈折率は、前記第１絶縁層の屈折率より大きいことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
  7. 前記表示要素は、
    画素電極と、
    前記画素電極のエッジをカバーし、前記画素電極と重畳する第２開口を含む画素定義膜と、
    前記第２開口に位置する発光層と、
    前記発光層をカバーする対向電極と、を含み、
    前記第１絶縁層のボディ部分は、前記画素定義膜と重畳することを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
  8. 前記第１開口の幅は、前記第２開口の幅より広いことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
  9. 前記第１絶縁層は、前記表示要素の発光領域と重畳し、前記発光領域の幅より広幅を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  10. 前記第１絶縁層の前記側面は、前記封止層から遠くなる方向に逆テーパ状の傾斜面を含むことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
  11. 前記表示要素は、
    画素電極と、
    前記画素電極のエッジをカバーし、前記画素電極と重畳する第２開口を含む画素定義膜と、
    前記第２開口と重畳するように位置する発光層と、
    前記発光層をカバーする対向電極と、を含み、
    前記第１絶縁層の中央部分は、前記第２開口に重畳し、エッジ部分は、前記画素定義膜と重畳することを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
  12. 前記第１絶縁層の屈折率は、前記第２絶縁層の屈折率より大きいことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
  13. 基板と、
    前記基板上の画素電極と、
    前記画素電極と重畳する開口を含み、発光領域を定義する画素定義膜と、
    前記開口に位置する発光層と、
    前記発光層上の対向電極と、
    前記対向電極上に位置し、少なくとも１層の無機封止層、及び少なくとも１層の有機封止層を含む封止層と、
    前記封止層上に位置し、センシング電極を含む導電層と、
    前記封止層の上面と傾斜をなす側面を含む第１有機絶縁層と、
    前記第１有機絶縁層及び前記導電層をカバーし、前記第１有機絶縁層と屈折率が異なる第２有機絶縁層と、を含む表示装置。
  14. 第１有機絶縁層は、フォトレジストを含むことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
  15. 前記封止層は、順次に積層された第１無機封止層、有機封止層及び第２無機封止層を含み、前記第１有機絶縁層の少なくとも一部は、前記第２無機封止層と直接接触することを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
  16. 前記第１有機絶縁層は、
    前記画素定義膜の前記開口と重畳する第１開口と、
    前記画素定義膜のボディ部分と重畳するボディ部分と、を含むことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
  17. 前記第１開口の幅は、前記画素定義膜の前記開口の幅より広いことを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
  18. 前記第２有機絶縁層は、前記第１開口を少なくとも部分的に充填し、前記第２有機絶縁層の屈折率は、前記第１有機絶縁層の屈折率より大きいことを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
  19. 前記第１有機絶縁層は、前記画素定義膜の開口と重畳するボディ部分を含み、前記第１有機絶縁層の前記側面は、前記封止層から遠くなる方向に逆テーパ状の傾斜面を含み、
    前記第２有機絶縁層の屈折率は、前記第１有機絶縁層の屈折率より小さいことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
  20. 前記第１有機絶縁層のエッジ部分は、前記画素定義膜のボディ部分の一部と重畳することを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
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WO2022175774A1 (ja) * 2021-02-19 2022-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および表示装置の作製方法

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