CN114078937A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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赵显德
金成旻
朴弘祚
安致旭
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Abstract

本发明涉及显示装置及其制造方法。该显示装置包括：基板；设置在基板上面并且包括显示元件的显示层；在显示层上面的封装层；在封装层上面的下遮光层；在平面图中与下遮光层至少部分地重叠并且设置在下遮光层上面的上遮光层；以及设置在下遮光层与上遮光层之间并且将下遮光层与上遮光层彼此分开的有机层。

Description

显示装置及其制造方法
本申请要求2020年8月19日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0104188号和2021年2月8日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0017868号的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种显示装置和一种制造该显示装置的方法。
背景技术
随着显示装置已经变得更薄并且更轻，其用途也已经稳步地多样化和扩展。此外，随着显示装置用于各种领域，对提供高质量图像的显示装置的需求已经增加。
包括在显示装置中的显示元件可以发光并且显示图像。从显示装置发射的光可以在与显示装置的前表面垂直的方向上行进，或者可以在与显示装置的前表面倾斜的方向上行进。
发明内容
当由显示元件发射的光在与显示装置的前表面倾斜的方向上行进时，从显示元件发射的光不仅可以到达使用显示装置的用户，而且可以到达在该用户周围的另一人。因此，由显示装置提供的信息可能与该另一人共享。
一个或多个实施例包括其中可以减少从显示元件发射的光在与显示装置的前表面倾斜的方向上的行进的一种显示装置和一种制造该显示装置的方法。
本公开的附加方面将在随后的描述中部分地阐述并且部分地将从该描述中显而易见，或者可以通过本文描述的本公开的实施例的实践而习得。
根据实施例，一种显示装置，包括：基板；设置在基板上面并且包括显示元件的显示层；在显示层上面的封装层；在封装层上面的下遮光层；在平面图中与下遮光层至少部分地重叠并且设置在下遮光层上面的上遮光层；以及设置在下遮光层与上遮光层之间并且将下遮光层和上遮光层彼此分开的有机层。
显示装置可以进一步包括：在上遮光层与有机层之间的无机层。
有机层的厚度可以大于无机层的厚度。
封装层可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层，并且有机层的厚度可以大于至少一个有机封装层的厚度。
显示装置可以进一步包括：在封装层上面的触摸导电层，并且下遮光层可以覆盖触摸导电层。
显示装置可以进一步包括：下遮光层与有机层之间的触摸绝缘层。
有机层的厚度可以大于触摸绝缘层的厚度。
在平面图中，触摸导电层可以限定与显示元件重叠的导电层孔。
显示元件可以包括像素电极、发射层和对电极，在平面图中，显示层可以包括像素限定层，像素限定层覆盖像素电极的边缘并且限定与像素电极的中央部分重叠的开口，并且在平面图中，下遮光层和上遮光层中的至少一个可以与像素限定层重叠。
显示装置可以进一步包括：覆盖上遮光层的平坦化层。
根据另一实施例，一种显示装置，包括：基板；设置在基板上面并且包括显示元件的显示层；设置在显示层上面并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的封装层；设置在封装层上面并且具有大于至少一个有机封装层的厚度的厚度的有机层；在有机层上面的无机层；以及设置在封装层与有机层之间的下遮光层和设置在无机层上面的上遮光层中的至少一个。
显示装置可以进一步包括：在封装层与有机层之间的触摸导电层以及覆盖触摸导电层的触摸绝缘层。
下遮光层可以覆盖触摸导电层，并且触摸绝缘层可以覆盖下遮光层。
显示元件可以包括像素电极、发射层和对电极，在平面图中，显示层可以包括像素限定层，像素限定层覆盖像素电极的边缘并且限定与像素电极的中央部分重叠的开口，并且在平面图中，下遮光层和上遮光层中的至少一个可以与像素限定层重叠。
显示装置可以进一步包括：覆盖上遮光层的平坦化层。
根据另一实施例，一种显示装置，包括：基板，包括第一显示区域以及与第一显示区域邻近的第二显示区域；显示层，包括：包括设置在第一显示区域中的第一像素电极的第一显示元件、包括设置在第二显示区域中的第二像素电极的第二显示元件以及在平面图中限定分别与第一像素电极和第二像素电极重叠的第一开口和第二开口的像素限定层；封装层，设置在显示层上面并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；以及第一遮光图案，设置在至少一个无机封装层上面、在平面图中与第一显示区域和第二显示区域中的一个重叠并且在平面图中限定与第一显示元件和第二显示元件中的一个重叠的第一孔。
第一遮光图案可以被设置在第一显示区域中，在平面图中，第一孔可以与第一显示元件重叠，并且第一开口的宽度可以等于第一孔的宽度。
显示装置可以进一步包括：第一上遮光图案，设置在第一遮光图案上面并且在平面图中限定与第一孔重叠的第一上孔。
封装层可以包括顺序地堆叠的第一无机封装层、第一有机封装层、第二无机封装层、第三无机封装层、第二有机封装层和第四无机封装层，并且第一遮光图案可以被设置在第二无机封装层与第三无机封装层之间。
显示装置可以进一步包括：第二遮光图案，设置在至少一个无机封装层上面、在平面图中与第一显示区域和第二显示区域中的另一个重叠并且在平面图中限定与第一显示元件和第二显示元件中的另一个重叠的第二孔，并且第一孔的宽度与第一开口的宽度的比率可以小于第二孔的宽度与第二开口的宽度的比率。
根据另一实施例，一种制造显示装置的方法，包括：制备显示基板，其中，显示基板包括：包括显示区域和显示区域外面的焊盘区域的基板、设置在显示区域中并且包括显示元件的显示层以及设置在焊盘区域中的焊盘；形成与显示层重叠的有机层；在有机层和焊盘上面形成无机层；在无机层上面形成上遮光层；以及去除设置在焊盘上面的无机层。
上遮光层的形成可以包括：在无机层上面形成第一光刻胶层；将第一掩模放置在第一光刻胶层上面并且将第一光刻胶层的至少一部分暴露于光；以及去除设置在焊盘区域中的第一光刻胶层。
该方法可以进一步包括：形成覆盖上遮光层的平坦化层。
平坦化层的形成可以包括：在上遮光层和无机层上面形成第二光刻胶层；将第二掩模放置在第二光刻胶层上面并且将第二光刻胶层的至少一部分暴露于光；以及去除设置在焊盘区域中的第二光刻胶层。设置在焊盘上面的无机层的去除可以包括：将第二掩模放置在设置在焊盘上面的无机层上面并且蚀刻设置在焊盘上面的无机层。
有机层可以通过喷墨印刷工艺形成。
附图说明
从结合附图的以下描述中，本公开的实施例的以上和其它方面、特征和优点将变得更加显而易见，其中：
图1是示意性地图示根据实施例的显示装置的透视图；
图2A和图2B是示意性地图示根据实施例的显示装置的截面图；
图3是示意性地图示根据实施例的子像素的等效电路图；
图4是示意性地图示根据实施例的显示面板的平面图；
图5是示意性地图示根据实施例的功能层的部分的平面图；
图6是根据实施例的图5中的区域的放大平面图；
图7是示意性地图示根据实施例的显示面板的截面图；
图8是图示根据实施例的显示面板和从有机发光二极管发射的光的截面图；
图9A是示意性地图示根据另一实施例的显示面板的截面图；
图9B是示意性地图示根据又一实施例的显示面板的截面图；
图10是示意性地图示根据实施例的沿着图4中的线B-B'截取的显示面板的截面图；
图11A至图11H是图示根据实施例的制造显示装置的方法的截面图；
图12是示意性地图示根据另一实施例的显示面板的平面图；
图13A和图13B是根据各种实施例的显示面板的截面图；并且
图14A至图14C是根据各种实施例的显示面板的截面图。
具体实施方式
现在将详细地参考实施例，实施例的示例在附图中被图示，其中，在整个本公开中，相同的附图标记指代相同的元件。在这一点上，当前实施例可以具有不同的形式和配置，并且不应被解释为限于本文阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图描述实施例以说明本公开的各方面。如本文所使用的，除非内容另外清楚地指示，否则单数形式“一”和“该”旨在包括：包括“至少一个”的复数形式。“至少一个”不应被解释为限制“一”。“或”意味着“和/或”。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或其任何变体。
因为本公开可以具有多种修改的实施例，所以在附图中图示了实施例，并且相对于实施例进行描述。通过参考参照附图描述的实施例，本公开的效果和特征以及实现它们的方法将是显而易见的。然而，本公开可以以许多不同的形式和配置体现，并且不应被解释为限于本文阐述的实施例。
下面将参考附图更详细地描述本公开的一个或多个实施例。相同或彼此对应的部件被与图号无关地给予相同的附图标记，并且省略冗余的说明。
虽然诸如“第一”、“第二”等的术语可以用于描述各种部件，但是这些部件不限于以上术语。以上术语仅用于区分一个部件和另一部件。
除非上下文另外明确地指示，否则以单数使用的表述包括复数的表述。
将理解，本文使用的术语“包括”和/或“包含”指定所陈述的特征或元件的存在，但是不排除一个或多个其它特征或元件的存在或添加。
将进一步理解，当层、区域或元件被称为“形成在”另一层、区域或元件“上”时，它可以直接或间接形成在另一层、区域或元件上。也就是说，例如，可以在其之间存在一个或多个居间的层、区域或元件。
为了便于说明，可能会夸大或缩小附图中元件的尺寸。换句话说，因为为了便于说明而任意地图示了附图中部件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。
当可以不同地实现某个实施例时，可以与所述顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所述顺序相反的顺序执行两个连续地描述的工艺。
将理解，当层、区域或部件被称为连接到另一层、区域或部件时，它可以直接或间接连接到另一层、区域或部件。也就是说，例如，可以存在居间的层、区域或部件。例如，当层、区域或元件等被称为“电连接”时，它们可以直接电连接，或者层、区域或元件可以间接电连接并且在其之间可以存在居间的层、区域或部件等。
显示装置显示图像并且可以是诸如游戏机、多媒体装置和微型个人计算机(PC)的便携式移动装置。稍后下面要描述的显示装置可以包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机电致发光(EL)显示器、场发射显示器、表面传导电子发射器显示器、量子点显示器、等离子体显示器、阴极射线显示器等。在下文中，将描述根据实施例的作为显示装置的示例的有机发光显示器，但是在实施例中可以使用如上所述的各种类型的显示装置。
图1是示意性地图示根据实施例的显示装置1的透视图。
参考图1，显示装置1可以包括显示区域DA和外围区域PA。子像素P可以被设置在显示区域DA中。在实施例中，子像素P可以被设置在显示装置1的前表面FS1上。
在实施例中，多个子像素P可以被设置在显示区域DA中。子像素P可以包括显示元件。显示装置1可以使用由子像素P发射的光来提供图像。在实施例中，由子像素P发射的光可以在与显示装置1的前表面FS1垂直的方向(例如，z方向)上和/或与显示装置1的前表面FS1基本垂直的方向上行进。在实施例中，由子像素P发射的光可以在与显示装置1的前表面FS1倾斜的方向(例如，相对于z方向倾斜的方向)上行进。
在实施例中，子像素P可以经由显示元件发射红光、绿光和蓝光中的一种。在实施例中，子像素P可以经由显示元件发射红光、绿光、蓝光和白光中的一种。在本公开中，子像素P可以由如上所述的发射红光、绿光、蓝光和白光中的一种的显示元件的发射区域限定。
子像素P可以包括作为能够发射一颜色的光的显示元件的发光二极管。发光二极管可以包括：包括作为发射层的有机材料的有机发光二极管。在一些实施例中，发光二极管可以包括无机发光二极管。在一些实施例中，发光二极管可以包括作为发射层的量子点。为了便于描述，下面将主要描述发光二极管包括有机发光二极管的情况。
外围区域PA可以是不提供图像的区域。外围区域PA可以至少部分地围绕显示区域DA。在实施例中，外围区域PA可以完全地围绕显示区域DA。用于将电信号或电力提供到子像素P等的驱动器可以被设置在外围区域PA中。此外，外围区域PA可以包括其中设置了焊盘的焊盘区域。
图2A和图2B是示意性地图示根据实施例的显示装置1的截面图。
参考图2A，显示装置1可以包括显示面板10和覆盖窗20。显示面板10可以包括基板100、显示层200、封装层300、功能层400和防反射层500。
基板100可以包括玻璃或聚合物树脂，聚合物树脂诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素或乙酸丙酸纤维素等。在实施例中，基板100可以具有包括基底层和阻挡层(未示出)的多层结构，基底层包括上述聚合物树脂。包括聚合物树脂的基板100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。
显示层200可以被设置在基板100上面。显示层200可以包括像素电路层210和显示元件层220。像素电路层210可以包括多个像素电路。显示元件层220可以包括分别连接到多个像素电路的多个显示元件。显示元件层220中提供的显示元件中的每一个可以限定子像素。像素电路层210可以包括多个薄膜晶体管和多个存储电容。
封装层300可以被设置在显示层200上面。在实施例中，封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。至少一个无机封装层可以包括氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化锌(ZnO)、氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNX)和氮氧化硅(SiON)之中的一种或多种无机材料。至少一个有机封装层可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。在实施例中，至少一个有机封装层可以包括丙烯酸酯。
在另一实施例中，封装层300可以具有其中基板100和作为透明构件的上基板通过封装构件彼此耦接以使基板100与上基板之间的内部空间被密封的结构。在这种情况下，吸湿剂、填充物等可以位于内部空间中。封装构件可以包括密封剂，并且在另一实施例中，可以包括由激光固化的材料。例如，封装构件可以包括玻璃料。例如，封装构件可以包括作为有机密封剂的氨基甲酸乙酯类树脂、环氧类树脂和丙烯酸类树脂或者作为无机密封剂的硅等。例如，氨基甲酸乙酯类树脂可以包括聚氨酯丙烯酸酯等。例如，丙烯酸类树脂可以包括丙烯酸丁酯、丙烯酸乙基己酯等。此外，封装构件可以包括由热固化的材料。
功能层400可以被设置在封装层300上面。功能层400可以包括第一层400a和第二层400b。在实施例中，第一层400a和第二层400b中的至少一个可以包括触摸传感器层。触摸传感器层感测用户的触摸输入并且可以通过使用诸如电阻膜式方法或电容式方法等的各种触摸方法中的至少一种来检测用户的触摸输入。在实施例中，第一层400a和第二层400b中的至少一个可以包括光学层。光学层可以具有用于控制从显示元件发射的光的方向的结构。在实施例中，光学层可以包括遮光层。
在实施例中，可以提供功能层400以使触摸传感器层的一些元件和光学层的一些元件彼此共享。换句话说，功能层400可以包括能够感测触摸输入的触摸传感器层和能够改善光学性能的光学层。功能层400可以包括用于感测触摸输入的感测电极和用于调整从显示元件发射的光的方向的遮光层。
防反射层500可以被设置在功能层400上面。防反射层500可以降低从外面向显示面板10入射的光(外部光)的反射率。
在一些实施例中，防反射层500可以包括偏振膜。偏振膜可以包括诸如线性偏振板和四分之一波(λ/4)板的相位延迟膜。相位延迟膜可以被设置在功能层400上面，而线性偏振板可以被设置在相位延迟膜上面。
在一些实施例中，防反射层500可以包括：包括黑矩阵和滤色器的滤光层。可以通过考虑由子像素中的每一个发射的光的颜色来设置滤色器。例如，滤光层可以包括红色滤色器、绿色滤色器或蓝色滤色器。
在实施例中，如图2B中所示，当防反射层500包括黑矩阵和滤色器时，防反射层500可以被设置在第一层400a与第二层400b之间。在这种情况下，防反射层500的元件和光学层的元件可以至少部分地彼此共享。
覆盖窗20可以被设置在显示面板10上面。在实施例中，覆盖窗20可以通过使用光学透明粘合剂(OCA)粘附到其下面的元件中的至少一个，例如，防反射层500和功能层400。覆盖窗20可以保护显示面板10。覆盖窗20可以包括玻璃、蓝宝石和塑料中的至少一种。例如，覆盖窗20可以包括超薄玻璃(UTG)或无色聚酰亚胺(CPI)。
图3是示意性地图示根据实施例的子像素P的等效电路图。
参考图3，子像素P可以包括像素电路PC和作为显示元件的有机发光二极管OLED。
像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。例如，每个子像素P可以从有机发光二极管OLED发射红光、绿光和蓝光中的一种，或者可以从有机发光二极管OLED发射红光、绿光、蓝光和白光中的一种。
开关薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以根据经由扫描线SL接收的扫描信号或开关电压而将经由数据线DL接收的数据信号或数据电压传输到驱动薄膜晶体管T1。存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与经由开关薄膜晶体管T2接收的电压与施加到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的电压差相对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以控制与存储在存储电容器Cst中的电压相对应的、从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。
图4是示意性地图示根据实施例的显示面板10的平面图。
参考图4，显示面板10可以包括基板100和在基板100上面的多层膜。显示区域DA和外围区域PA可以被限定在基板100和/或多层膜中。例如，基板100可以包括显示区域DA和外围区域PA。下面将主要详细描述显示区域DA和外围区域PA被限定在基板100中的情况。
子像素P可以被设置在显示区域DA中，并且多个子像素P可以显示图像。子像素P中的每一个可以连接到在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸的扫描线SL和在第二方向(例如，y方向或-y方向)上延伸的数据线DL。
外围区域PA可以被设置在显示区域DA外面。外围区域PA可以至少部分地围绕显示区域DA。在实施例中，外围区域PA可以完全地围绕显示区域DA。将扫描信号提供到子像素P中的每一个的扫描驱动器(未示出)可以被设置在外围区域PA中。将数据信号提供到子像素P的数据驱动器(未示出)可以被设置在外围区域PA中。外围区域PA可以包括焊盘区域PADA。
焊盘区域PADA可以被设置在显示区域DA外面。在实施例中，焊盘PAD可以被设置在焊盘区域PADA中。焊盘PAD可以通过不被绝缘层覆盖而暴露，并且电连接到印刷电路板或驱动器集成芯片(IC)。经由焊盘PAD从印刷电路板或驱动器IC接收的信号和/或电压可以通过连接到焊盘PAD的线(未示出)传输到设置在显示区域DA中的子像素P。
图5是示意性地图示根据实施例的功能层400的部分的平面图。图6是图5中的区域A的放大平面图。图5示意性地图示了包括在功能层400中的触摸电极。
参考图5，功能层400可以包括在第一方向上设置的多个第一感测电极SP1和在与第一方向(例如，x方向或-x方向)交叉的第二方向上设置的多个第二感测电极SP2。在实施例中，第一方向和第二方向可以形成锐角。在实施例中，第一方向和第二方向可以形成直角或钝角。下面将主要详细描述第一方向(例如，x方向或-x方向)和第二方向(例如，y方向或-y方向)彼此垂直的情况。
彼此邻近的第一感测电极SP1可以通过第一连接电极CP1彼此电连接。彼此邻近的第二感测电极SP2可以通过第二连接电极CP2彼此电连接。
第一感测电极SP1和第二感测电极SP2中的每一个包括：可以包括金属层和/或透明导电层的导电层。
金属层可以包括钼(Mo)、银(Ag)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)及其任何合金。透明导电层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)等的透明导电氧化物。此外，透明导电层可以包括诸如聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)的导电聚合物、金属纳米线、碳纳米管或石墨烯等。第一连接电极CP1和第二连接电极CP2中的每一个可以包括诸如上述金属层或透明导电层的导电氧化物。
参考图6，感测电极和连接电极中的每一个可以具有限定多个电极孔的网格结构。例如，第一感测电极SP1中的每一个可以形成在触摸导电层CTL上。触摸导电层CTL可以限定多个导电层孔CTL-H和主体部分。主体部分可以至少部分地围绕导电层孔CTL-H中的每一个。主体部分可以限定导电层孔CTL-H中的每一个。因此，主体部分可以彼此连接并且形成网格结构。类似地，第二感测电极SP2中的每一个、第一连接电极CP1中的每一个和第二连接电极CP2中的每一个也可以具有网格结构。
触摸导电层CTL的导电层孔CTL-H中的每一个可以与每个显示元件的发射区域重叠。例如，导电层孔CTL-H中的每一个可以与发射红光的显示元件的发射区域EA-R、发射绿光的显示元件的发射区域EA-G或发射蓝光的显示元件的发射区域EA-B重叠。
如图6中所示，多个导电层孔CTL-H中的至少一个可以被触摸导电层CTL的主体部分部分地围绕，并且相邻的导电层孔CTL-H可以在空间上彼此连接。与所示出的不同，导电层孔CTL-H中的至少一个可以完全被主体部分围绕，并且可以在空间上不彼此连接。
图7是示意性地图示根据实施例的显示面板10的截面图。图8是图示根据实施例的显示面板10和从有机发光二极管OLED发射的光的截面图。在图7中，与图2A的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且将省略其冗余描述。
参考图7，显示面板10可以包括基板100、显示层200、封装层300和功能层400。显示层200可以包括像素电路层210和显示元件层220。
像素电路层210可以被设置在基板100上面。像素电路层210可以包括缓冲层211、第一栅绝缘层213、第二栅绝缘层215、层间绝缘层217、有机绝缘层219和像素电路PC。像素电路PC可以包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。
缓冲层211可以被设置在基板100上面。缓冲层211可以包括诸如SiNX、SiON和SiO2的无机绝缘材料，并且可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act，并且半导体层Act可以被设置在缓冲层211上面。半导体层Act可以包括多晶硅。在一些实施例中，半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体、有机半导体等。半导体层Act可以包括沟道区、漏区和源区。漏区和源区分别被设置在沟道区的相对侧处。
在平面图中，栅电极GE可以与沟道区重叠。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括：包括Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以具有包括上述导电材料的多层或单层。
半导体层Act与栅电极GE之间的第一栅绝缘层213可以包括诸如SiO2、SiNX、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、氧化铪(HfO2)或ZnO的无机绝缘材料。
第二栅绝缘层215可以覆盖栅电极GE。类似于第一栅绝缘层213，第二栅绝缘层215可以包括诸如SiO2、SiNX、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO的无机绝缘材料。
存储电容器Cst的上电极CE2可以被设置在第二栅绝缘层215上。上电极CE2可以与其下面的栅电极GE重叠。在这种情况下，在平面图中，彼此重叠的栅电极GE和上电极CE2与在其之间的第二栅绝缘层215可以构成存储电容器Cst。换句话说，栅电极GE可以用作存储电容器Cst的下电极CE1。
如上所述，存储电容器Cst和薄膜晶体管TFT可以彼此重叠。在一些实施例中，在平面图中，存储电容器Cst与薄膜晶体管TFT可以彼此不重叠。
上电极CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、Ag、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
层间绝缘层217可以覆盖上电极CE2。层间绝缘层217可以包括SiO2、SiNX、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO。层间绝缘层217可以具有包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
漏电极DE和源电极SE中的每一个可以位于层间绝缘层217上。漏电极DE和源电极SE中的每一个可以包括具有良好导电性的材料。漏电极DE和源电极SE中的每一个可以包括：包括Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以具有包括上述导电材料的多层或单层。在实施例中，漏电极DE和源电极SE中的每一个可以具有Ti层、Al层和另一Ti层的多层结构。
有机绝缘层219可以覆盖漏电极DE和源电极SE。有机绝缘层219可以包括有机绝缘材料，例如，诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其任何混合物。在一些实施例中，有机绝缘层219可以包括第一有机绝缘层和第二有机绝缘层。
显示元件层220可以被设置在像素电路层210上面。显示元件层220可以被设置在有机绝缘层219上面。显示元件层220可以包括作为显示元件的有机发光二极管OLED、像素限定层225和隔离物227。
有机发光二极管OLED可以被设置在有机绝缘层219上。有机发光二极管OLED可以发射红光、绿光和蓝光中的一种，或者可以发射红光、绿光、蓝光和白光中的一种。有机发光二极管OLED可以包括像素电极221、中间层222和对电极223。
像素电极221可以被设置在有机绝缘层219上。像素电极221可以通过限定在有机绝缘层219中的接触孔而电连接到源电极SE或漏电极DE。像素电极221可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。在另一实施例中，像素电极221可以包括：包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其任何化合物的反射膜。在另一实施例中，像素电极221可以进一步包括在上述反射膜上面/下面的、包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。例如，像素电极221可以具有ITO层、Ag层和另一ITO层的多层结构。
限定暴露像素电极221的中央部分的开口225OP的像素限定层225可以被设置在像素电极221上。像素限定层225可以覆盖像素电极221的边缘。像素限定层225可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。开口225OP可以限定由有机发光二极管OLED发射的光的发射区域EA。例如，开口225OP的宽度可以与发射区域EA的宽度相对应。
隔离物227可以被设置在像素限定层225上面。隔离物227可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。在一些实施例中，隔离物227可以包括诸如SiNX或SiO2的无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
在实施例中，隔离物227可以包括与像素限定层225的材料不同的材料。在另一实施例中，隔离物227可以包括与像素限定层225相同的材料，并且在这种情况下，像素限定层225和隔离物227可以在使用半色调掩模等的掩模工艺中一起形成。
中间层222可以被设置在像素限定层225上面。中间层222可以包括像素限定层225的开口225OP中的发射层222b。发射层222b可以包括发射一颜色的光的聚合物或低分子量有机材料。
第一功能层222a和第二功能层222c可以分别设置在发射层222b下面和上面。例如，第一功能层222a可以包括空穴传输层(HTL)，或者可以包括HTL和空穴注入层(HIL)。第二功能层222c是在发射层222b上面的元件，并且可以省略。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。类似于下面要描述的对电极223，第一功能层222a和/或第二功能层222c可以是形成为完全覆盖基板100的公共层。
对电极223可以包括具有低功函数的导电材料。例如，对电极223可以包括：包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其任何合金的(半)透明层。在一些实施例中，对电极223可以进一步包括：在包括上述材料的(半)透明层上面的、包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
在一些实施例中，覆盖层(未示出)可以进一步被设置在对电极223上面。覆盖层可以包括氟化锂(LiF)、无机材料和/或有机材料。
封装层300可以被设置在显示层200上面。封装层300可以覆盖有机发光二极管OLED。在实施例中，封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在图7中，封装层300包括顺序地堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每一个可以包括Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO、SiO2和SiON之中的一种或多种无机材料。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺或聚乙烯等。在实施例中，有机封装层320可以包括丙烯酸酯。
功能层400可以被设置在封装层300上面。功能层400可以包括触摸缓冲层401、第一触摸绝缘层403、第二触摸绝缘层405、有机层407、无机层409、平坦化层411、第一触摸导电层CTL1、第二触摸导电层CTL2、下遮光层LLBL和上遮光层ULBL。
触摸缓冲层401可以被设置在封装层300上面。在实施例中，触摸缓冲层401可以直接形成在封装层300上面。触摸缓冲层401可以防止对封装层300的损坏并且阻挡在功能层400作为触摸传感器层被驱动时可能出现的干扰信号。触摸缓冲层401包括诸如SiO2、SiNX和SiON的无机绝缘材料，并且可以具有单层或多层。在一些实施例中，可以省略触摸缓冲层401。
第一触摸导电层CTL1可以被设置在触摸缓冲层401上面。在平面图中，第一触摸绝缘层403可以覆盖第一触摸导电层CTL1并且可以限定暴露第一触摸导电层CTL1的至少一部分的接触孔403H。第二触摸导电层CTL2可以被设置在第一触摸绝缘层403上面。第二触摸导电层CTL2可以通过限定在第一触摸绝缘层403中的接触孔403H而电连接到第一触摸导电层CTL1。如图7中所示，参考图5描述的第一感测电极SP1和第二感测电极SP2中的每一个可以具有通过第一触摸绝缘层403的接触孔403H而彼此电连接的第一触摸导电层CTL1和第二触摸导电层CTL2的两层结构。
在平面图中，第一触摸导电层CTL1和第二触摸导电层CTL2中的至少一个可以限定与有机发光二极管OLED的发射区域EA重叠的导电层孔。在实施例中，第一触摸导电层CTL1可以限定与发射区域EA重叠的第一导电层孔CTLH1。在实施例中，在平面图中，第二触摸导电层CTL2可以限定与发射区域EA重叠的第二导电层孔CTLH2。
第一触摸绝缘层403可以包括无机材料或有机材料。无机材料可以是氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种。有机材料可以是丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂和苝类树脂中的至少一种。
第一触摸导电层CTL1和第二触摸导电层CTL2中的至少一个可以包括金属层或透明导电层，并且金属层可以包括Mo、Ag、Ti、Cu、Al或其任何合金。透明导电层可以包括诸如ITO、IZO、ZnO或ITZO等的透明导电氧化物。此外，透明导电层可以包括诸如PEDOT的导电聚合物、金属纳米线、碳纳米管或石墨烯等。在实施例中，第一触摸导电层CTL1和第二触摸导电层CTL2中的每一个可以具有Ti层、Al层和Ti层的三层结构。
下遮光层LLBL可以被设置在封装层300上面。在实施例中，下遮光层LLBL可以覆盖第一触摸导电层CTL1和第二触摸导电层CTL2中的至少一个。例如，下遮光层LLBL可以覆盖第二触摸导电层CTL2。在另一示例中，下遮光层LLBL可以覆盖第一触摸导电层CTL1。在另一示例中，下遮光层LLBL可以覆盖第一触摸导电层CTL1和第二触摸导电层CTL2两者。
下遮光层LLBL可以被设置在像素限定层225上面。下遮光层LLBL可以与发射区域EA间隔开。因此，光可以从有机发光二极管OLED发射到外面。
下遮光层LLBL可以包括黑色颜料。下遮光层LLBL可以至少部分地吸收外部光或内部反射光。下遮光层LLBL可以包括黑矩阵。
在实施例中，滤色器可以进一步被设置在第一触摸绝缘层403上。在平面图中，滤色器可以与发射区域EA重叠。在这种情况下，下遮光层LLBL和滤色器可以用作防反射层500(参见图2B)。
第二触摸绝缘层405可以被设置在第一触摸绝缘层403上面。在实施例中，第二触摸绝缘层405可以覆盖第二触摸导电层CTL2。在实施例中，第二触摸绝缘层405可以覆盖下遮光层LLBL。在这种情况下，第二触摸绝缘层405可以被设置在下遮光层LLBL与有机层407之间。第二触摸绝缘层405可以覆盖并且保护第一触摸导电层CTL1和第二触摸导电层CTL2。
在实施例中，第二触摸绝缘层405可以包括光刻胶。在这种情况下，第二触摸绝缘层405可以通过将光刻胶涂覆到整个封装层300上并且曝光和显影光刻胶而形成。在实施例中，第二触摸绝缘层405可以包括平坦的上表面。在另一实施例中，在平面图中，第二触摸绝缘层405可以限定与发射区域EA重叠的开口。
在实施例中，第二触摸绝缘层405可以包括丙烯酸类树脂(例如，聚(甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、丙烯酸乙基己酯、五氟丙基丙烯酸酯、聚(乙二醇)二甲基丙烯酸酯或乙二醇二甲基丙烯酸酯)。在一些实施例中，第二触摸绝缘层405可以进一步包括诸如环氧树脂的热固化剂和/或光固化剂。
有机层407可以被设置在第二触摸绝缘层405上面。有机层407可以被设置在下遮光层LLBL上面。在实施例中，在平面图中，当第二触摸绝缘层405限定与发射区域EA重叠的开口时，有机层407可以填充第二触摸绝缘层405的开口。
在实施例中，有机层407的厚度407d可以大于第二触摸绝缘层405的厚度405d。在实施例中，有机层407在厚度方向(即，z方向)上的厚度407d可以大于有机封装层320的厚度320d。有机层407的厚度407d可以与有机层407的上表面和有机层407的下表面之间在第三方向(例如，z方向或-z方向)上的距离相对应。第二触摸绝缘层405的厚度405d可以与第二触摸绝缘层405的上表面和第二触摸绝缘层405的下表面之间在第三方向(例如，z方向或-z方向)上的距离相对应。有机封装层320的厚度320d可以与第一无机封装层310的上表面和有机封装层320的上表面之间在第三方向(例如，z方向或-z方向)上的距离相对应。在实施例中，有机层407的厚度407d可以是大约20微米(μm)或更大。
在实施例中，有机层407可以包括丙烯酸类有机材料和硅氧烷类有机材料。在实施例中，有机层407可以包括聚二芳基硅氧烷、甲基三甲氧基硅烷或四甲氧基硅烷。在实施例中，有机层407可以通过用喷墨印刷涂覆有机材料并且然后固化有机材料而形成。在另一实施例中，有机层407可以通过蒸发工艺形成。
在实施例中，诸如ZnO、TiO2、氧化锆(ZrO2)和钛酸钡(BaTiO3)的金属氧化物颗粒可以被分散在有机层407中。在实施例中，有机层407可以通过使用喷墨涂覆有机材料而形成，有机材料包括金属氧化物颗粒。在实施例中，有机层407的折射率可以大于第二触摸绝缘层405的折射率。
无机层409可以被设置在有机层407上面。无机层409的厚度409d可以小于有机层407在第三方向(即，z方向)上的厚度407d。无机层409的厚度409d可以与无机层409的上表面和无机层409的下表面之间在第三方向(例如，z方向或-z方向)上的距离相对应。在实施例中，无机层409的厚度409d可以是大约0.05μm至大约0.5μm。无机层409可以包括诸如SiO2、SiNX、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO的无机绝缘材料。当上遮光层ULBL形成在无机层409上面时，无机层409可以防止或减少对设置在无机层409下面的有机层407的损坏。
上遮光层ULBL可以被设置在无机层409上面。上遮光层ULBL可以被设置在像素限定层225上面。上遮光层ULBL可以与发射区域EA间隔开。因此，光可以从有机发光二极管OLED发射到外面。
在实施例中，在平面图中，上遮光层ULBL可以与下遮光层LLBL重叠。例如，上遮光层ULBL可以与下遮光层LLBL至少部分地重叠。上遮光层ULBL可以被设置在下遮光层LLBL上面。在实施例中，上遮光层ULBL可以与下遮光层LLBL间隔开。在实施例中，上遮光层ULBL可以通过有机层407与下遮光层LLBL间隔开。
类似于下遮光层LLBL，上遮光层ULBL可以包括黑色颜料。上遮光层ULBL可以至少部分地吸收外部光或内部反射光。上遮光层ULBL可以包括黑矩阵。
平坦化层411可以被设置在无机层409和上遮光层ULBL上面。平坦化层411可以覆盖上遮光层ULBL。平坦化层411的上表面可以是近似平坦的，并且可以包括诸如丙烯酸、苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料。
下遮光层LLBL和上遮光层ULBL可以减少由有机发光二极管OLED发射的光在与显示面板10的前表面倾斜的方向上的行进。
参考图8，由有机发光二极管OLED发射的光可能在与基板100的前表面垂直的第三方向(例如，z方向或-z方向)上发射。另外，由于各种原因，由有机发光二极管OLED发射的光可能在与基板100的前表面倾斜的方向上发射。例如，由有机发光二极管OLED发射的光可能由于折射和/或反射而在与基板100的前表面倾斜的方向上行进。这里，倾斜方向可以是其相对于第三方向(例如，z方向或-z方向)的角度大于0度且小于90度的方向。在这种情况下，由有机发光二极管OLED发射的光不仅可以到达使用显示装置的用户，而且可以到达在该用户周围的另一人。因此，由显示装置提供的信息可能与该另一人共享。
下遮光层LLBL和上遮光层ULBL中的至少一个可以减少由有机发光二极管OLED发射的光在与基板100和/或显示面板10的前表面倾斜的方向上的发射。例如，下遮光层LLBL和上遮光层ULBL中的至少一个可以至少部分地吸收由有机发光二极管OLED发射的光之中在与基板100的前表面倾斜的方向上行进的光。
在实施例中，有机层407的厚度407d可以大于第二触摸绝缘层405的厚度405d或有机封装层320的厚度320d。因此，上遮光层ULBL可以更远离有机发光二极管OLED。在这种情况下，上遮光层ULBL可以减少由有机发光二极管OLED发射的光在与基板100或显示面板10的前表面倾斜的方向上的发射。因此，可以至少部分地去除由有机发光二极管OLED发射的光之中在相对于第三方向(例如，z方向或-z方向)倾斜的方向上行进的光，并且从显示面板10发射的光可以基本上在第三方向(例如，z方向或-z方向)上行进。
有机层407可以将下遮光层LLBL和上遮光层ULBL彼此分开。在实施例中，主要地，下遮光层LLBL可以至少部分地吸收在相对于第三方向(例如，z方向或-z方向)倾斜的方向上行进的光。此外，次要地，上遮光层ULBL可以吸收在相对于第三方向(例如，z方向或-z方向)倾斜的方向上行进的光。因此，从显示面板10发射的光可以基本上在第三方向(例如，z方向或-z方向)上行进。
图9A是示意性地图示根据另一实施例的显示面板10-1的截面图。在图9A中，与图7的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且将省略其冗余描述。参考图9A描述的实施例与参考图7描述的实施例的不同之处在于，省略了下遮光层LLBL。
参照图9A，显示面板10-1可以包括基板100、显示层200、封装层300和功能层400-1。显示层200可以包括像素电路层210和显示元件层220。
功能层400-1可以被设置在封装层300上面。功能层400-1可以包括触摸缓冲层401、第一触摸绝缘层403、第二触摸绝缘层405、有机层407、无机层409、平坦化层411、第一触摸导电层CTL1、第二触摸导电层CTL2和上遮光层ULBL。
第二触摸绝缘层405可以被设置在第一触摸绝缘层403上面。在实施例中，第二触摸绝缘层405可以覆盖第二触摸导电层CTL2。在这种情况下，第二触摸绝缘层405可以被设置在第一触摸绝缘层403与有机层407之间。
上遮光层ULBL可以被设置在无机层409上面。上遮光层ULBL可以被设置在像素限定层225上面。上遮光层ULBL可以与发射区域EA间隔开。因此，光可以从有机发光二极管OLED发射到外面。上遮光层ULBL可以减少由有机发光二极管OLED发射的光在与基板100和/或显示面板10-1的前表面倾斜的方向上的行进。
图9B是示意性地图示根据另一实施例的显示面板10-2的截面图。在图9B中，与图7的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且将省略其冗余描述。参考图9B描述的实施例与参考图7描述的实施例的不同之处在于，省略了上遮光层ULBL。
参考图9B，显示面板10-2可以包括基板100、显示层200、封装层300和功能层400-2。显示层200可以包括像素电路层210和显示元件层220。
功能层400-2可以被设置在封装层300上面。功能层400-2可以包括触摸缓冲层401、第一触摸绝缘层403、第二触摸绝缘层405、有机层407、无机层409、平坦化层411、第一触摸导电层CTL1、第二触摸导电层CTL2和下遮光层LLBL。
下遮光层LLBL可以被设置在封装层300上面。在实施例中，下遮光层LLBL可以覆盖第一触摸导电层CTL1和第二触摸导电层CTL2中的至少一个。下遮光层LLBL可以减少由有机发光二极管OLED发射的光在与基板100和/或显示面板10-2的前表面倾斜的方向上的行进。
第二触摸绝缘层405可以被设置在第一触摸绝缘层403上面。在实施例中，第二触摸绝缘层405可以覆盖第二触摸导电层CTL2。在实施例中，第二触摸绝缘层405可以覆盖下遮光层LLBL。
有机层407可以被设置在第二触摸绝缘层405上面。有机层407可以被设置在下遮光层LLBL上面。在一些实施例中，可以省略有机层407。
无机层409可以被设置在有机层407上面。无机层409的厚度409d可以小于有机层407在第三方向(即，z方向)上的厚度407d。在一些实施例中，可以省略无机层409。
平坦化层411可以被设置在无机层409上面。平坦化层411可以覆盖无机层409。
图10是示意性地图示根据实施例的沿着图4中的线B-B'截取的显示面板的截面图。图10是示意性地图示显示面板的焊盘区域PADA的截面图。在图10中，与图7的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且将省略其冗余描述。
参考图10，焊盘PAD可以被设置在焊盘区域PADA中。例如，缓冲层211、第一栅绝缘层213、第二栅绝缘层215、层间绝缘层217、触摸缓冲层401和第一触摸绝缘层403中的至少一个可以被设置在基板100上面。
焊盘PAD可以被设置在基板100上面。焊盘PAD可以通过不被焊盘区域PADA中的绝缘层覆盖而暴露。焊盘PAD可以电连接到印刷电路板和/或驱动器IC。多个焊盘PAD可以被提供在焊盘区域PADA中。多个焊盘PAD可以彼此间隔开。
在实施例中，焊盘PAD可以包括金属层或透明导电层，并且金属层可以包括Mo、Ag、Ti、Cu、Al及其任何合金。透明导电层可以包括诸如ITO、IZO、ZnO或ITZO等的透明导电氧化物。此外，透明导电层可以包括诸如PEDOT的导电聚合物、金属纳米线、碳纳米管或石墨烯等。在实施例中，焊盘PAD可以具有Ti层、Al层和另一Ti层的三层结构。
在实施例中，当形成参考图7描述的第一触摸导电层CTL1和第二触摸导电层CTL2中的一个时，可以同时形成焊盘PAD。在实施例中，当形成上面参考图7描述的源电极SE和漏电极DE中的至少一个时，可以同时形成焊盘PAD。
图11A至图11H是图示根据实施例的制造显示装置的方法的截面图。在图11A至图11H中，与图7和图10的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且将省略其冗余描述。
参考图11A，可以制备显示基板DS。显示基板DS可以包括正在制造的显示面板和/或显示装置。显示基板DS可以包括基板100、显示层200、封装层300和焊盘PAD。基板100可以包括显示区域DA和显示区域DA外面的焊盘区域PADA。
显示层200可以被设置在显示区域DA中。显示层200可以包括像素电路层210和在像素电路层210上面的显示元件层220。
封装层300可以被设置在显示层200上面。封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，封装层300可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
触摸缓冲层401、第一触摸绝缘层403、第一触摸导电层CTL1和第二触摸导电层CTL2可以被设置在封装层300上面。
下遮光层LLBL可以被设置在封装层300上面。在实施例中，下遮光层LLBL可以覆盖第一触摸导电层CTL1和第二触摸导电层CTL2中的至少一个。
下遮光层LLBL可以通过涂覆光刻胶层并且曝光和显影光刻胶层而形成。下遮光层LLBL以与形成稍后下面要描述的上遮光层的方法类似的方式形成，并且因此，将提供关于形成上遮光层的方法的详细描述。在一些实施例中，可以省略下遮光层LLBL。
第二触摸绝缘层405可以被设置在第一触摸绝缘层403上面。在实施例中，第二触摸绝缘层405可以覆盖第二触摸导电层CTL2。在实施例中，第二触摸绝缘层405可以覆盖下遮光层LLBL。
焊盘PAD可以被设置在焊盘区域PADA中。
参考图11B，可以形成有机层407。在平面图中，有机层407可以与显示层200重叠。在实施例中，有机层407可以通过喷墨印刷工艺形成。例如，有机层407可以通过将墨水排放到第二触摸绝缘层405上而形成，墨水包括有机材料。在另一实施例中，有机层407可以通过蒸发工艺形成。
在实施例中，有机层407的厚度407d可以大于第二触摸绝缘层405的厚度405d。在实施例中，有机层407的厚度407d可以大于有机封装层320的厚度320d。
参考图11C，无机层409可以形成在基板100的前表面上。无机层409可以形成在有机层407和焊盘PAD上面。无机层409可以覆盖焊盘PAD。无机层409的厚度409d可以小于有机层407在厚度方向上的厚度407d。
在实施例中，无机层409可以通过化学气相沉积(CVD)形成。在实施例中，无机层409可以通过物理气相沉积形成。在实施例中，无机层409可以通过原子层沉积形成。
参考图11D，第一光刻胶层PRL1可以形成在无机层409上面。第一光刻胶层PRL1可以被选择为正型或负型并且形成在无机层409上面。在正型光刻胶层中，暴露于光的区域在随后的显影工艺中被蚀刻，而在负型光刻胶层中，除了暴露于光的区域之外的其余区域被蚀刻。下面将主要详细描述第一光刻胶层PRL1是正型光刻胶层的情况。
第一光刻胶层PRL1可以通过用诸如旋涂、狭缝涂布、喷涂或浸渍的各种方法在无机层409上涂覆光刻胶溶液(未示出)而形成。
此外，在第一光刻胶层PRL1被涂覆到无机层409的上表面之前，可以进一步执行对无机层409的要在其上形成第一光刻胶层PRL1的上表面进行抛光的工艺。
第一掩模M1可以被设置在第一光刻胶层PRL1上面。第一掩模M1可以包括透光部分TP和遮光部分BP。透光部分TP可以透射光的大部分。第一掩模M1的透光部分TP可以与第一掩模M1的开口相对应。遮光部分BP可以屏蔽光的大部分。第一掩模M1的遮光部分BP可以与第一掩模M1的主体部分相对应。
在实施例中，第一掩模M1的透光部分TP可以被设置在焊盘区域PADA中。第一掩模M1的透光部分TP和第一掩模M1的遮光部分BP可以被设置在显示区域DA中。
然后，第一光刻胶层PRL1的至少一部分可以被暴露于光。第一光刻胶层PRL1的在平面图中与第一掩模M1的透光部分TP重叠的区域可以被暴露于光。
然后，可以去除第一光刻胶层PRL1的该部分。可以通过显影工艺去除第一光刻胶层PRL1的该部分。在第一光刻胶层PRL1中使用了正型光刻胶溶液，并且因此，当第一光刻胶层PRL1经历显影工艺时，可以去除第一光刻胶层PRL1的暴露于光的区域。在实施例中，可以去除第一光刻胶层PRL1的在平面图中与第一掩模M1的透光部分TP重叠的区域。在实施例中，可以去除设置在焊盘区域PADA中的第一光刻胶层PRL1。
然后，可以固化保留在显示基板DS上的第一光刻胶层PRL1。
参考图11E，上遮光层ULBL可以形成在无机层409上面。在实施例中，在平面图中，上遮光层ULBL可以与下遮光层LLBL重叠。例如，上遮光层ULBL可以与下遮光层LLBL至少部分地重叠。上遮光层ULBL可以被设置在下遮光层LLBL上面。在实施例中，上遮光层ULBL可以与下遮光层LLBL间隔开。换句话说，上遮光层ULBL可以通过有机层407与下遮光层LLBL间隔开。
焊盘区域PADA中的无机层409可以被暴露于外面。设置在焊盘区域PADA中的焊盘PAD可以由无机层409保护。换句话说，通过无机层409，可以保护焊盘PAD免受其中第一光刻胶层PRL1形成、暴露于光和显影的工艺的影响。
参考图11F，第二光刻胶层PRL2可以形成在基板100上面。第二光刻胶层PRL2可以形成在显示区域DA和焊盘区域PADA中。第二光刻胶层PRL2可以形成在无机层409和上遮光层ULBL上面。第二光刻胶层PRL2以与形成第一光刻胶层PRL1的方法类似的方式形成，并且因此将省略其详细描述。
参考图11G，第二掩模M2可以被设置在第二光刻胶层PRL2上面。第二掩模M2可以包括透光部分TP-1和遮光部分BP-1。透光部分TP-1可以透射光的大部分。第二掩模M2的透光部分TP-1可以与第二掩模M2的开口相对应。遮光部分BP-1可以屏蔽光的大部分。第二掩模M2的遮光部分BP-1可以与第二掩模M2的主体部分相对应。
在实施例中，第二掩模M2的透光部分TP-1可以被设置在焊盘区域PADA中。第二掩模M2的遮光部分BP-1可以被设置在显示区域DA中。
然后，第二光刻胶层PRL2的至少一部分可以被暴露于光。第二光刻胶层PRL2的在平面图中与第二掩模M2的透光部分TP-1重叠的区域可以被暴露于光。在实施例中，第二光刻胶层PRL2的与焊盘区域PADA重叠的区域可以被暴露于光。
然后，可以去除第二光刻胶层PRL2的该部分。第二光刻胶层PRL2的该部分可以通过显影工艺去除。在实施例中，可以去除第二光刻胶层PRL2的在平面图中与第二掩模M2的透光部分TP-1重叠的区域。在实施例中，可以去除设置在焊盘区域PADA中的第二光刻胶层PRL2。
因此，平坦化层411可以被设置在上遮光层ULBL上面。平坦化层411可以覆盖上遮光层ULBL。
焊盘区域PADA中的无机层409可以暴露于外面。设置在焊盘区域PADA中的焊盘PAD可以由无机层409保护。换句话说，通过无机层409，可以保护焊盘PAD免受其中第二光刻胶层PRL2形成、暴露于光和显影的工艺的影响。
参考图11H，第二掩模M2可以被设置在无机层409上面。在平面图中，第二掩模M2的透光部分TP-1可以与焊盘区域PADA重叠。第二掩模M2的遮光部分BP-1可以与显示区域DA重叠。
然后，可以去除设置在焊盘区域PADA中的无机层409。在实施例中，无机层409可以被干蚀刻。因此，设置在焊盘区域PADA中的焊盘PAD可以暴露于外面。
在本实施例中，用于将第二光刻胶层PRL2暴露于光的第二掩模M2也可以用于对设置在焊盘区域PADA中的无机层409执行干蚀刻工艺。因此，可以改善制造显示装置的方法的效率。
图12是示意性地图示根据另一实施例的显示面板10的平面图。在图12中，与图4的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且将省略其冗余描述。
参考图12，显示面板10可以包括基板100和在基板100上的多层膜。显示区域DA和外围区域PA可以被限定在基板100和/或多层膜中。例如，基板100可以包括显示区域DA和外围区域PA。
子像素P可以被设置在显示区域DA中，并且多个子像素P可以显示图像。子像素P中的每一个可以连接到在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸的扫描线SL和在第二方向(例如，y方向或-y方向)上延伸的数据线DL。
显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。在实施例中，第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可以彼此邻近。第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可以是相邻的区域。尽管未示出，但是在一些实施例中，可以提供多个第一显示区域DA1，并且多个第一显示区域DA1可以围绕第二显示区域DA2。尽管未示出，但是在一些实施例中，可以提供多个第二显示区域DA2，并且多个第二显示区域DA2可以围绕第一显示区域DA1。
外围区域PA可以被设置在显示区域DA外面。外围区域PA可以至少部分地围绕显示区域DA。在实施例中，外围区域PA可以完全地围绕显示区域DA。将扫描信号提供到子像素P中的每一个的扫描驱动器(未示出)可以被设置在外围区域PA中。将数据信号提供到子像素P的数据驱动器(未示出)可以被设置在外围区域PA中。外围区域PA可以包括焊盘区域(未示出)。
图13A和图13B是根据各种实施例的显示面板10的截面图。图13A和图13B分别是沿着图12中的线C-C'和线D-D'截取的显示面板10的截面图。在图13A和图13B中，与图7的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且将省略其冗余描述。
参考图13A和图13B，显示面板10可以包括基板100、像素电路层210、显示元件层220、封装层300、第一遮光图案LBP1和平坦化层PLL。
像素电路层210可以被设置在基板100上面。像素电路层210可以包括缓冲层211、第一栅绝缘层213、第二栅绝缘层215、层间绝缘层217、有机绝缘层219、第一像素电路PC1和第二像素电路PC2。第一像素电路PC1可以包括第一薄膜晶体管TFT1和第一存储电容器Cst1。第一薄膜晶体管TFT1可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。第二像素电路PC2可以包括第二薄膜晶体管TFT2和第二存储电容器Cst2。图13A和图13B的第一像素电路PC1和第二像素电路PC2与图7中的像素电路PC类似，并且将省略其冗余描述。
显示元件层220可以被设置在像素电路层210上面。显示元件层220可以被设置在有机绝缘层219上面。显示元件层220可以包括作为第一显示元件的第一有机发光二极管OLED1、作为第二显示元件的第二有机发光二极管OLED2和像素限定层225。
第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2可以被设置在有机绝缘层219上面。第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2中的每一个可以发射红光、绿光和蓝光中的一种，或者可以发射红光、绿光、蓝光和白光中的一种。
第一有机发光二极管OLED1可以包括第一像素电极221A、第一中间层222A和对电极223。第一有机发光二极管OLED1可以实现第一子像素P1。第二有机发光二极管OLED2可以包括第二像素电极221B、第二中间层222B和对电极223。第二有机发光二极管OLED2可以实现第二子像素P2。
第一像素电极221A和第二像素电极221B可以被设置在基板100上面。第一像素电极221A和第二像素电极221B可以被设置在有机绝缘层219上面。在平面图中，第一像素电极221A可以与第一显示区域DA1重叠。第二像素电极221B可以与第二显示区域DA2重叠。
第一像素电极221A和第二像素电极221B可以通过有机绝缘层219的接触孔而分别电连接到第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2。第一像素电极221A和第二像素电极221B中的至少一个可以包括诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO的导电氧化物。在另一实施例中，第一像素电极221A和第二像素电极221B中的至少一个可以包括：包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其任何化合物的反射膜。在另一实施例中，第一像素电极221A和第二像素电极221B中的至少一个可以进一步包括在上述反射膜上面/下面的、包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的膜。例如，第一像素电极221A和第二像素电极221B中的至少一个可以具有ITO层、Ag层和另一ITO层的多层结构。
像素限定层225可以覆盖第一像素电极221A的边缘和第二像素电极221B的边缘。像素限定层225可以限定第一开口OP1和第二开口OP2。第一开口OP1可以暴露第一像素电极221A的中央部分。第一开口OP1可以限定由第一有机发光二极管OLED1发射的光的发射区域。在实施例中，第一开口OP1的尺寸可以是第一子像素P1的尺寸。第一开口OP1的宽度OPw1可以是第一子像素P1的宽度w1。第一开口OP1的宽度OPw1可以被定义为像素限定层225的限定第一开口OP1的侧表面之间的最短距离。
第二开口OP2可以暴露第二像素电极221B的中央部分。第二开口OP2可以限定由第二有机发光二极管OLED2发射的光的发射区域。在实施例中，第二开口OP2的尺寸可以是第二子像素P2的尺寸。第二开口OP2的宽度OPw2可以是第二子像素P2的宽度w2。第二开口OP2的宽度OPw2可以被定义为像素限定层225的限定第二开口OP2的侧表面之间的最短距离。
第一中间层222A可以包括第一功能层222a、第一发射层222b1和第二功能层222c。第二中间层222B可以包括第一功能层222a、第二发射层222b2和第二功能层222c。第一发射层222b1和第二发射层222b2中的每一个可以包括发射一颜色的光的聚合物或低分子量有机材料。
在实施例中，第一功能层222a和第二功能层222c中的至少一个可以是被整个设置在显示区域中的公共层。例如，第一功能层222a可以包括空穴传输层(HTL)，或者可以包括HTL和空穴注入层(HIL)。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。在一些实施例中，可以省略第二功能层222c。
对电极223可以被设置在第一发射层222b1和第二发射层222b2上面。对电极223可以包括具有低功函数的导电材料。例如，对电极223可以包括：包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其任何合金的(半)透明层。在一些实施例中，对电极223可以进一步包括：在包括上述材料的(半)透明层上面的、包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
在一些实施例中，覆盖层(未示出)可以进一步被设置在对电极223上面。覆盖层可以包括LiF、无机材料和/或有机材料。
封装层300可以被设置在显示元件层220上面。封装层300可以覆盖第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2。在实施例中，封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
在图13A和图13B中，封装层300包括顺序地堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。在实施例中，第一无机封装层310可以包括无机材料。例如，第一无机封装层310可以包括SiON。在实施例中，第二无机封装层330可以包括无机材料。例如，第二无机封装层330可以包括SiNX。
在实施例中，有机封装层320的厚度可以是大约20μm。有机封装层320的厚度可以是第一无机封装层310的上表面与第二无机封装层330的下表面之间的距离，在平面图中，第一无机封装层310和第二无机封装层330与第一开口OP1或第二开口OP2重叠。在实施例中，有机封装层320的厚度可以大于大约20μm。在实施例中，有机封装层320的厚度可以小于大约20μm。
至少一个无机封装层可以包括Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO、SiO2、SiNX和SiON之中的一种或多种无机材料。在实施例中，第一无机封装层310可以包括SiON。第二无机封装层330可以包括SiNX。
至少一个有机封装层可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。在实施例中，至少一个有机封装层可以包括丙烯酸酯。
第一遮光图案LBP1可以被设置在显示元件层220上面。在实施例中，第一遮光图案LBP1可以被设置在至少一个无机封装层上面。在实施例中，第一遮光图案LBP1可以被设置在第二无机封装层330上面。在平面图中，第一遮光图案LBP1可以与像素限定层225重叠。
第一遮光图案LBP1可以与第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的一个重叠。例如，第一遮光图案LBP1可以与第一显示区域DA1重叠而可以不与第二显示区域DA2重叠。在另一示例中，在平面图中，第一遮光图案LBP1可以不与第一显示区域DA1重叠并且可以与第二显示区域DA2重叠。下面主要详细描述第一遮光图案LBP1与第一显示区域DA1重叠而不与第二显示区域DA2重叠的情况。
第一遮光图案LBP1可以限定与作为第一显示元件的第一有机发光二极管OLED1和作为第二显示元件的第二有机发光二极管OLED2中的一个重叠的第一孔H1。例如，第一遮光图案LBP1可以限定与第一有机发光二极管OLED1重叠的第一孔H1。换句话说，第一孔H1可以与第一子像素P1重叠。在平面图中，第一孔H1可以与第一像素电极221A重叠。第一孔H1可以穿过第一遮光图案LBP1。
在实施例中，第一开口OP1的尺寸可以等于第一孔H1的尺寸。第一孔H1的尺寸可以被定义为第一孔H1的面积。在实施例中，第一开口OP1和第一孔H1可以具有基本相同的尺寸。在实施例中，第一开口OP1的宽度Opw1可以等于第一孔H1的宽度Hw1。第一孔H1的宽度Hw1可以是第一遮光图案LBP1的限定第一孔H1的部分之间的最短距离。
由第一有机发光二极管OLED1发射的光可以在第三方向(例如，z方向或-z方向)上发射。由第一有机发光二极管OLED1发射的光可以到达显示装置的用户，但是不能到达在该用户周围的另一人。换句话说，显示装置可以在第一显示区域DA1中提供窄视角。
由第二有机发光二极管OLED2发射的光可以在第三方向(例如，z方向或-z方向)上发射。另外，由第二有机发光二极管OLED2发射的光可以在与第三方向(例如，z方向或-z方向)倾斜的方向上发射，并且作为在没有图像质量失真的情况下以其识别或观看图像的角度的视角可以在第三方向(例如，z方向或-z方向)周围增大。
平坦化层PLL可以被设置在至少一个无机封装层上面。平坦化层PLL的上表面可以是近似平坦的，并且可以包括诸如丙烯酸、BCB或HMDSO的有机材料。在实施例中，平坦化层PLL可以包括第一平坦化层PLL1和在第一平坦化层PLL1上面的第二平坦化层PLL2。在实施例中，在平面图中，第一平坦化层PLL1和第二平坦化层PLL2可以与第一显示区域DA1和第二显示区域DA2重叠。
在实施例中，第一平坦化层PLL1可以被设置在第一遮光图案LBP1与至少一个无机封装层之间。换句话说，第一平坦化层PLL1可以被设置在至少一个无机封装层上面，并且第一遮光图案LBP1可以被设置在第一平坦化层PLL1上面。例如，第一平坦化层PLL1可以被设置在第二无机封装层330上面，并且第一遮光图案LBP1可以被设置在第一平坦化层PLL1上面。在一些实施例中，可以省略第一平坦化层PLL1。
第二平坦化层PLL2可以被设置在第一遮光图案LBP1上面。第二平坦化层PLL2可以填充第一遮光图案LBP1的第一孔H1。
参考图13B，显示面板10可以进一步包括第二遮光图案LBP2。在平面图中，第二遮光图案LBP2可以与第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的另一个重叠。例如，第二遮光图案LBP2可以不与第一显示区域DA1重叠而可以与第二显示区域DA2重叠。换句话说，当第一遮光图案LBP1与第一显示区域DA1重叠时，第二遮光图案LBP2可以与第二显示区域DA2重叠。
在平面图中，第二遮光图案LBP2可以限定与作为第一显示元件的第一有机发光二极管OLED1和作为第二显示元件的第二有机发光二极管OLED2中的另一个重叠的第二孔H2。例如，第二遮光图案LBP2可以限定与第二有机发光二极管OLED2重叠的第二孔H2。换句话说，第二孔H2可以与第二子像素P2重叠。第二孔H2可以与第二像素电极221B重叠。第二孔H2可以穿过第二遮光图案LBP2。
第一孔H1的尺寸(即，面积)与第一子像素P1的尺寸的比率可以小于第二孔H2的尺寸与第二子像素P2的尺寸的比率。当第一子像素P1的尺寸是X并且第一孔H1的尺寸是Y时，第一孔H1的尺寸与第一子像素P1的尺寸的比率可以是Y/X。当第二子像素P2的尺寸是Z并且第二孔H2的尺寸是W时，第二孔H2的尺寸与第二子像素P2的尺寸的比率可以是W/Z。在平面图中，第二孔H2的尺寸可以被定义为第二孔H2的面积。
在第一方向(即，x方向)上的第一孔H1的宽度Hw1与第一子像素P1的宽度w1的比率可以小于第二孔H2的宽度Hw2与第二子像素P2的宽度w2的比率。当第一子像素P1的宽度w1是X并且第一孔H1的宽度Hw1是Y时，第一孔H1的宽度Hw1与第一子像素P1的宽度w1的比率可以是Y/X。当第二子像素P2在第一方向(即，x方向)上的宽度w2是Z并且第二孔H2的宽度Hw2是W时，第二孔H2的宽度Hw2与第二子像素P2的宽度w2的比率可以是W/Z。第二孔H2的宽度Hw2可以被定义为第二遮光图案LBP2的限定第二孔H2的部分之间的最短距离。
在实施例中，第一子像素P1的尺寸可以等于第一孔H1的尺寸。在实施例中，第一子像素P1的宽度w1可以等于第一孔H1的宽度Hw1。
由第一子像素P1发射的光可以在第三方向(例如，z方向或-z方向)和/或与第三方向(例如，z方向或-z方向)基本相同的方向上发射。由第一子像素P1发射的光可以到达显示装置的用户，但是不能到达在该用户周围的另一人。换句话说，显示装置可以在第一显示区域DA1中提供窄视角。
第二子像素P2的尺寸可以小于第二孔H2的尺寸。在实施例中，第二子像素P2可以被设置在第二孔H2内部。在实施例中，第二子像素P2的宽度w2可以小于第二孔H2的宽度Hw2。
因为第二子像素P2的尺寸小于第二孔H2的尺寸，所以由第二子像素P2发射的光可以在与第一方向(例如，x方向或-x方向)和第二方向(例如，y方向或-y方向)垂直的第三方向(例如，z方向或-z方向)上发射。此外，由第二子像素P2发射的光可以在与第三方向(例如，z方向或-z方向)倾斜的方向上发射。因此，作为在没有图像质量失真的情况下以其识别或观看图像的角度的视角可以在第三方向(例如，z方向或-z方向)周围增大。
在实施例中，仅设置在第一显示区域DA1中的第一有机发光二极管OLED1发光，而设置在第二显示区域DA2中的第二有机发光二极管OLED2可以不发光。在这种情况下，从显示装置发射的光不能到达在显示装置的用户周围的另一人。在实施例中，设置在第一显示区域DA1中的第一有机发光二极管OLED1和设置在第二显示区域DA2中的第二有机发光二极管OLED2中的每一个都可以发光。在这种情况下，从显示装置发射的光也可以到达在显示装置的用户周围的另一人。
第一平坦化层PLL1可以被设置在至少一个无机封装层上面，并且第一遮光图案LBP1和第二遮光图案LBP2可以被设置在第一平坦化层PLL1上面。例如，第一平坦化层PLL1可以被设置在第二无机封装层330上面，并且第一遮光图案LBP1和第二遮光图案LBP2可以被设置在第一平坦化层PLL1上面。
第二平坦化层PLL2可以被设置在第一遮光图案LBP1和第二遮光图案LBP2上面。第二平坦化层PLL2可以填充第一遮光图案LBP1的第一孔H1和第二遮光图案LBP2的第二孔H2。
图14A至图14C是根据各种实施例的显示面板10的截面图。图14A至图14C是沿着图12中的线C-C'和线D-D'截取的显示面板的截面图。在图14A和图14C中，与图13B的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且将省略其冗余描述。
参考图14A至图14C，显示面板10可以包括基板100、像素电路层210、显示元件层220、封装层300、第一遮光图案LBP1、第二遮光图案LBP2、下平坦化层LPLL和上平坦化层UPLL。
参考图14A至图14C，封装层300可以包括顺序地堆叠的第一无机封装层310、第一有机封装层321、第二无机封装层330、第三无机封装层340、第二有机封装层350和第四无机封装层360。第一无机封装层310、第一有机封装层321和第二无机封装层330可以顺序地堆叠在显示元件层220上面。
在实施例中，第一无机封装层310可以包括无机材料。例如，第一无机封装层310可以包括SiON。在实施例中，第二无机封装层330可以包括无机材料。例如，第二无机封装层330可以包括SiNX。
在实施例中，第一有机封装层321的厚度可以是大约8.8μm。第一有机封装层321的厚度可以与第一无机封装层310的上表面与第二无机封装层330的下表面之间的距离相对应，在平面图中，第一无机封装层310和第二无机封装层330与第一开口OP1或第二开口OP2重叠。在实施例中，第一有机封装层321的厚度可以大于大约8.8μm。在实施例中，第一有机封装层321的厚度可以小于大约8.8μm。
在实施例中，第一遮光图案LBP1可以被设置在至少一个无机封装层上面。例如，第一遮光图案LBP1可以被设置在第二无机封装层330与第三无机封装层340之间。
在平面图中，第一遮光图案LBP1可以与第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之中的一个重叠。例如，第一遮光图案LBP1可以与第一显示区域DA1重叠而可以不与第二显示区域DA2重叠。
第二遮光图案LBP2可以与第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之中的另一个重叠。例如，第二遮光图案LBP2可以不与第一显示区域DA1重叠而可以与第二显示区域DA2重叠。换句话说，在平面图中，当第一遮光图案LBP1与第一显示区域DA1重叠时，第二遮光图案LBP2可以与第二显示区域DA2重叠。在一些实施例中，可以省略第二遮光图案LBP2。
下平坦化层LPLL可以被设置在至少一个无机封装层上面。在实施例中，下平坦化层LPLL可以被设置在第二无机封装层330与第三无机封装层340之间。
下平坦化层LPLL的上表面可以是近似平坦的，并且可以包括诸如BCB或HMDSO的无机材料。在实施例中，下平坦化层LPLL可以包括第一下平坦化层LPLL1和在第一下平坦化层LPLL1上面的第二下平坦化层LPLL2。
在实施例中，第一下平坦化层LPLL1可以被设置在第一遮光图案LBP1与第二无机封装层330之间。换句话说，第一下平坦化层LPLL1可以被设置在第二无机封装层330上面，并且第一遮光图案LBP1和第二遮光图案LBP2可以被设置在第一下平坦化层LPLL1上面。在一些实施例中，可以省略第一下平坦化层LPLL1。
第二下平坦化层LPLL2可以被设置在第一遮光图案LBP1和第二遮光图案LBP2上面。第二下平坦化层LPLL2可以填充第一遮光图案LBP1的第一孔H1和第二遮光图案LBP2的第二孔H2。
第三无机封装层340、第二有机封装层350和第四无机封装层360可以顺序地堆叠在第二下平坦化层LPLL2上面。在实施例中，第三无机封装层340可以包括无机材料。例如，第三无机封装层340可以包括SiON。在实施例中，第四无机封装层360可以包括无机材料。例如，第四无机封装层360可以包括SiNX。
在实施例中，第二有机封装层350的厚度可以是大约8.8μm。第二有机封装层350的厚度可以与第三无机封装层340的上表面与第四无机封装层360的下表面之间的距离相对应。在实施例中，第二有机封装层350的厚度可以大于大约8.8μm。在实施例中，第二有机封装层350的厚度可以小于大约8.8μm。
第一上遮光图案ULBP1可以被设置在第四无机封装层360上面。第一上遮光图案ULBP1可以至少部分地吸收外部光或内部反射光。第一上遮光图案ULBP1可以包括黑色颜料。第一上遮光图案ULBP1可以包括黑矩阵。第一上遮光图案ULBP1可以被设置在第一显示区域DA1中。第一上遮光图案ULBP1可以被设置在第一遮光图案LBP1上面。在实施例中，第一上遮光图案ULBP1可以不被设置在第二显示区域DA2中。
第一上遮光图案ULBP1可以限定第一上孔UH1。第一上孔UH1可以穿过第一上遮光图案ULBP1。在平面图中，第一上孔UH1可以与第一显示区域DA1重叠。第一上孔UH1可以与第一孔H1重叠。
第一上遮光图案ULBP1可以被设置为比第一遮光图案LBP1更远离第一有机发光二极管OLED1。在这种情况下，第一上遮光图案ULBP1可以减少由第一有机发光二极管OLED1发射的光在相对于第三方向(例如，z方向或-z方向)倾斜的方向上的行进。因此，可以至少部分地去除从第一有机发光二极管OLED1在相对于第三方向(例如，z方向或-z方向)倾斜的方向上行进的光。由第一有机发光二极管OLED1发射的光可以到达显示装置的用户，但是不能到达在该用户周围的另一人。换句话说，显示面板10和/或显示装置可以在第一显示区域DA1中提供窄视角。
参考图14A，第一上孔UH1的尺寸可以大于第一孔H1的尺寸。第一上孔UH1的尺寸可以被定义为被第一上孔UH1占据的面积。第一上孔UH1的宽度UHw1可以大于第一孔H1的宽度Hw1。第一上孔UH1的宽度UHw1可以被定义为第一上遮光图案ULBP1的限定第一上孔UH1的部分之间的最短距离。
在本实施例中，第一上孔UH1的尺寸大于第一孔H1的尺寸，并且因此，可以减小显示装置在第一显示区域DA1中的反射率与显示装置在第二显示区域DA2中的反射率之间的反射率差。
参考图14B，第一上孔UH1的尺寸可以小于或等于第一孔H1的尺寸。第一上孔UH1的宽度UHw1可以小于或等于第一孔H1的宽度Hw1。在这种情况下，显示装置可以在第一显示区域DA1中提供更窄的视角。
上平坦化层UPLL可以被设置在至少一个无机封装层上面。上平坦化层UPLL的上表面可以是近似平坦的，并且可以包括诸如丙烯酸、BCB或HMDSO的无机材料。在实施例中，上平坦化层UPLL可以包括第一上平坦化层UPLL1和在第一上平坦化层UPLL1上面的第二上平坦化层UPLL2。在实施例中，在平面图中，第一上平坦化层UPLL1和第二上平坦化层UPLL2可以与第一显示区域DA1和第二显示区域DA2重叠。
在实施例中，第一上平坦化层UPLL1可以被设置在第四无机封装层360与第一上遮光图案ULBP1之间。换句话说，第一上平坦化层UPLL1可以被设置在第四无机封装层360上面，并且第一上遮光图案ULBP1可以被设置在第一上平坦化层UPLL1上面。在一些实施例中，可以省略第一上平坦化层UPLL1。
第二上平坦化层UPLL2可以被设置在第一上遮光图案ULBP1上面。第二上平坦化层UPLL2可以填充第一上遮光图案ULBP1的第一上孔UH1。
参考图14C，第二上遮光图案ULBP2可以被设置在第四无机封装层360上面。第二上遮光图案ULBP2可以至少部分地吸收外部光或内部反射光。第二上遮光图案ULBP2可以包括黑色颜料。第二上遮光图案ULBP2可以包括黑矩阵。第二上遮光图案ULBP2可以不被设置在第一显示区域DA1中。在实施例中，第二上遮光图案ULBP2可以被设置在第二显示区域DA2中。
第二上遮光图案ULBP2可以限定第二上孔UH2。第二上孔UH2可以穿过第二上遮光图案ULBP2。在平面图中，第二上孔UH2可以与第二显示区域DA2重叠。第二上孔UH2可以与第二孔H2重叠。
第二上孔UH2的尺寸可以大于或等于第二孔H2的尺寸。第二上孔UH2的尺寸可以被定义为被第二上孔UH2占据的面积。第二上孔UH2的宽度UHw2可以大于第二孔H2的宽度Hw2。第二上孔UH2的宽度UHw2可以被定义为第二上遮光图案ULBP2的限定第二上孔UH2的部分之间的最短距离。因此，第二显示区域DA2可以保持宽视角。
在本实施例中，第二上遮光图案ULBP2被设置在第二显示区域DA2中，并且因此，可以减小显示装置在第一显示区域DA1中的反射率与显示装置在第二显示区域DA2中的反射率之间的反射率差。
第一上平坦化层UPLL1可以被设置在第四无机封装层360上面，并且第一上遮光图案ULBP1和第二上遮光图案ULBP2可以被设置在第一上平坦化层UPLL1上面。
第二上平坦化层UPLL2可以被设置在第一上遮光图案ULBP1和第二上遮光图案ULBP2上面。第二上平坦化层UPLL2可以填充第一上遮光图案ULBP1的第一上孔UH1和第二上遮光图案ULBP2的第二上孔UH2。
如上所述，本公开的实施例包括被设置在封装层上面的下遮光层和上遮光层中的至少一个，并且因此，可以减少由显示元件发射的光在与显示装置的前表面倾斜的方向上的行进。
此外，在本公开的实施例中，无机层形成在有机层上面，并且因此，可以防止或减少在形成上遮光层时对有机层的损坏。
应当理解，本文描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，而不是为了限制的目的。实施例中的每一个内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参考各图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离包括所附权利要求书的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (25)

1.一种显示装置，包括：
基板；
设置在所述基板上面并且包括显示元件的显示层；
在所述显示层上面的封装层；
在所述封装层上面的下遮光层；
在平面图中与所述下遮光层至少部分地重叠并且设置在所述下遮光层上面的上遮光层；以及
设置在所述下遮光层与所述上遮光层之间并且将所述下遮光层与所述上遮光层彼此分开的有机层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：在所述上遮光层与所述有机层之间的无机层。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述有机层的厚度大于所述无机层的厚度。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述封装层包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层，并且
所述有机层的厚度大于所述至少一个有机封装层的厚度。
5.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：在所述封装层上面的触摸导电层，
其中，所述下遮光层覆盖所述触摸导电层。
6.根据权利要求5所述的显示装置，进一步包括：在所述下遮光层与所述有机层之间的触摸绝缘层。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述有机层的厚度大于所述触摸绝缘层的厚度。
8.根据权利要求5所述的显示装置，其中，在所述平面图中，所述触摸导电层限定与所述显示元件重叠的导电层孔。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示元件包括像素电极、发射层和对电极，
在所述平面图中，所述显示层包括像素限定层，所述像素限定层覆盖所述像素电极的边缘并且限定与所述像素电极的中央部分重叠的开口，并且
在所述平面图中，所述下遮光层和所述上遮光层中的至少一个与所述像素限定层重叠。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的显示装置，进一步包括：覆盖所述上遮光层的平坦化层。
11.一种显示装置，包括：
基板；
设置在所述基板上面并且包括显示元件的显示层；
设置在所述显示层上面并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的封装层；
设置在所述封装层上面并且具有大于所述至少一个有机封装层的厚度的厚度的有机层；
在所述有机层上面的无机层；以及
设置在所述封装层与所述有机层之间的下遮光层和设置在所述无机层上面的上遮光层中的至少一个。
12.根据权利要求11所述的显示装置，进一步包括：
在所述封装层与所述有机层之间的触摸导电层；以及
覆盖所述触摸导电层的触摸绝缘层。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述下遮光层覆盖所述触摸导电层，并且
所述触摸绝缘层覆盖所述下遮光层。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述显示元件包括像素电极、发射层和对电极，
在平面图中，所述显示层包括像素限定层，所述像素限定层覆盖所述像素电极的边缘并且限定与所述像素电极的中央部分重叠的开口，并且
在所述平面图中，所述下遮光层和所述上遮光层中的至少一个与所述像素限定层重叠。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的显示装置，进一步包括：覆盖所述上遮光层的平坦化层。
16.一种显示装置，包括：
基板，包括第一显示区域以及与所述第一显示区域邻近的第二显示区域；
显示层，包括：包括设置在所述第一显示区域中的第一像素电极的第一显示元件、包括设置在所述第二显示区域中的第二像素电极的第二显示元件以及在平面图中限定分别与所述第一像素电极和所述第二像素电极重叠的第一开口和第二开口的像素限定层；
封装层，设置在所述显示层上面并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；以及
第一遮光图案，设置在所述至少一个无机封装层上面、在所述平面图中与所述第一显示区域和所述第二显示区域中的一个重叠并且在所述平面图中限定与所述第一显示元件和所述第二显示元件中的一个重叠的第一孔。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第一遮光图案被设置在所述第一显示区域中，
在所述平面图中，所述第一孔与所述第一显示元件重叠，并且
所述第一开口的宽度等于所述第一孔的宽度。
18.根据权利要求16所述的显示装置，进一步包括：
第一上遮光图案，设置在所述第一遮光图案上面并且在所述平面图中限定与所述第一孔重叠的第一上孔。
19.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述封装层包括顺序地堆叠的第一无机封装层、第一有机封装层、第二无机封装层、第三无机封装层、第二有机封装层和第四无机封装层，并且
所述第一遮光图案被设置在所述第二无机封装层与所述第三无机封装层之间。
20.根据权利要求16至19中任一项所述的显示装置，进一步包括：
第二遮光图案，设置在所述至少一个无机封装层上面、在所述平面图中与所述第一显示区域和所述第二显示区域中的另一个重叠并且在所述平面图中限定与所述第一显示元件和所述第二显示元件中的另一个重叠的第二孔，并且
其中，所述第一孔的宽度与所述第一开口的宽度的比率小于所述第二孔的宽度与所述第二开口的宽度的比率。
21.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
制备显示基板，其中，所述显示基板包括：包括显示区域和所述显示区域外面的焊盘区域的基板、设置在所述显示区域中并且包括显示元件的显示层以及设置在所述焊盘区域中的焊盘；
形成与所述显示层重叠的有机层；
在所述有机层和所述焊盘上面形成无机层；
在所述无机层上面形成上遮光层；以及
去除设置在所述焊盘上面的所述无机层。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述上遮光层的所述形成包括：
在所述无机层上面形成第一光刻胶层；
将第一掩模放置在所述第一光刻胶层上面并且将所述第一光刻胶层的至少一部分暴露于光；以及
去除设置在所述焊盘区域中的所述第一光刻胶层。
23.根据权利要求21所述的方法，进一步包括：形成覆盖所述上遮光层的平坦化层。
24.根据权利要求23所述的方法，其中，所述平坦化层的所述形成包括：
在所述上遮光层和所述无机层上面形成第二光刻胶层；
将第二掩模放置在所述第二光刻胶层上面并且将所述第二光刻胶层的至少一部分暴露于光；以及
去除设置在所述焊盘区域中的所述第二光刻胶层，并且
其中，设置在所述焊盘上面的所述无机层的所述去除包括：将所述第二掩模放置在设置在所述焊盘上面的所述无机层上面并且蚀刻设置在所述焊盘上面的所述无机层。
25.根据权利要求21至24中任一项所述的方法，其中，所述有机层通过喷墨印刷工艺形成。
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