CN111697029A - 显示装置及制造该显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置及制造该显示装置的方法。所述显示装置包括：基底，包括显示区域和传感器区域，传感器区域包括透射光的透射部分；多个第一显示器件，布置在显示区域中；显示器件组，包括多个第二显示器件，显示器件组布置在传感器区域中；以及钝化层，覆盖显示器件组并具有对应于透射部分的第一孔。

Description

显示装置及制造该显示装置的方法
本申请要求于2019年3月12日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0028378号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明的方面涉及一种显示装置和一种制造该显示装置的方法。
背景技术
传统显示装置的应用已经多样化。此外，显示装置的使用范围已经部分地由于显示装置的相对小的厚度和相对轻的重量而增加。
显示装置的显示区域所占有的面积已经增加，并且连接或链接到显示装置的各种功能已经被添加到显示装置。为了增大显示区域并且为了添加各种功能，已经研究出能够使各种组件布置在显示区域中的显示装置。
发明内容
一些实施例的方面涉及一种显示装置和一种制造该显示装置的方法，所述显示装置在显示区域内部包括可以在其中布置传感器等的传感器区域。附加方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者可以通过所呈现的实施例的实践来获知。
根据一些实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括显示区域和传感器区域，传感器区域包括透射光的透射部分；多个第一显示器件，布置在显示区域中；显示器件组，包括多个第二显示器件，显示器件组布置在传感器区域中；以及钝化层，覆盖显示器件组并具有对应于透射部分的第一孔。
在一些实施例中，所述多个第二显示器件中的每个包括像素电极、在像素电极上的发射层以及在发射层上的对电极。
在一些实施例中，钝化层在对电极上，并且其中，对电极具有对应于透射部分的第二孔，并且第二孔的区域比第一孔的区域大。
在一些实施例中，钝化层覆盖显示器件组，并且具有彼此隔开的且使第一孔位于第一图案之间的第一图案，其中，对电极对应于显示器件组，并且具有彼此隔开的且使第二孔位于第二图案之间的第二图案，并且其中，第一图案中的一个的在第一孔的一侧上的端部覆盖第二图案中的一个的在第二孔的一侧上的端部。
在一些实施例中，显示装置还包括：有机绝缘层，在基底与像素电极之间；以及像素限定层，在有机绝缘层与对电极之间并且具有暴露像素电极的至少一部分的开口。
在一些实施例中，像素限定层具有对应于透射部分的第三孔，并且其中，有机绝缘层具有对应于透射部分的第四孔。
在一些实施例中，显示装置还包括在基底与有机绝缘层之间的多个绝缘层，其中，所述多个绝缘层在第四孔下方并且具有对应于透射部分的第五孔。
在一些实施例中，显示装置还包括钝化层上的封装层，封装层覆盖所述多个第一显示器件和所述多个第二显示器件，并且包括无机封装层和有机封装层。
在一些实施例中，钝化层包括与无机封装层相同的材料。
在一些实施例中，显示装置还包括在钝化层上的封装基底，封装基底覆盖所述多个第一显示器件和所述多个第二显示器件并且与基底相对。
在一些实施例中，显示装置还包括填充在钝化层与封装基底之间的填充材料，其中，填充材料具有介于钝化层的折射率与封装基底的折射率之间的折射率。
在一些实施例中，基底还包括被显示区域围绕的开口区域，并且其中，开口区域包括具有比透射部分大的尺寸的孔。
根据一些实施例，提供了一种制造显示装置的方法，所述显示装置包括多个第一显示器件、包括多个第二显示器件的显示器件组以及透射光的透射部分，所述方法包括下述步骤：在包括显示区域和传感器区域的基底上形成多个像素电极，所述多个第一显示器件布置在显示区域中，显示器件组和透射部分布置在传感器区域中；在所述多个像素电极上形成像素限定层，像素限定层具有使所述多个像素电极中的每个的至少一部分暴露的开口和对应于透射部分的孔；在像素限定层上形成牺牲层；将牺牲层图案化，使得显示器件组的像素电极中的至少一些被暴露并且孔被覆盖；在图案化的牺牲层上形成钝化层；以及通过去除图案化的牺牲层在钝化层中形成对应于透射部分的第一孔，其中，钝化层覆盖显示器件组，并且具有彼此隔开的且使第一孔位于第一图案之间的第一图案。
在一些实施例中，牺牲层的图案化步骤包括：在牺牲层上形成光致抗蚀剂层；以及将光致抗蚀剂层图案化以对应于透射部分，其中，通过使用图案化的光致抗蚀剂层来形成图案化的牺牲层，使得牺牲层的与透射部分对应的部分保留。
在一些实施例中，图案化的牺牲层的形成步骤包括形成图案化的牺牲层和图案化的光致抗蚀剂层的底切剖面。
在一些实施例中，在图案化的牺牲层上形成钝化层的步骤包括：在所述多个像素电极和图案化的牺牲层上形成发射层；在发射层上形成对电极；以及在对电极上形成钝化层。
在一些实施例中，所述方法还包括在形成所述多个像素电极之前通过去除形成在基底上的多个绝缘层中的至少一个绝缘层的部分来形成下孔，所述部分对应于透射部分。
在一些实施例中，所述方法还包括在钝化层上形成包括无机封装层和有机封装层的封装层，其中，封装层覆盖显示区域和传感器区域。
在一些实施例中，所述方法还包括在钝化层上布置与基底相对的封装基底，其中，封装基底覆盖显示区域和传感器区域。
在一些实施例中，所述方法还包括形成填充在钝化层和封装基底之间的填充材料，其中，填充材料具有介于钝化层的折射率与封装基底的折射率之间的折射率。
附图说明
通过以下结合附图的对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显和更容易理解，在附图中：
图1是根据本发明的示例实施例的显示装置的示意性透视图；
图2是沿着图1的线A-A'截取的剖视图；
图3是根据实施例的显示装置的示意性平面图；
图4是沿着图3的线B-B'截取的剖视图；
图5是图3的传感器区域的一部分的示意性平面图；
图6是沿着图5的线C-C'截取的剖视图；
图7是根据本发明的另一示例实施例的显示装置的示意性剖视图；
图8是根据本发明的另一示例实施例的显示装置的示意性剖视图；
图9是根据本发明的另一示例实施例的显示装置的示意性剖视图；
图10A至图10I是用于描述根据本发明的示例实施例的制造显示装置的方法的剖视图；
图11A是根据本发明的另一示例实施例的显示装置的示意性平面图；
图11B是根据本发明的另一示例实施例的显示装置的示意性平面图；并且
图12是沿着图11A的线D-D'和线E-E'截取的剖视图。
具体实施方式
由于发明考虑到各种合适的改变和许多实施例，因此具体的实施例将在图中被示出并在书面描述中被详细地描述。然而，这并不旨在将本发明限于具体的实践模式，并且将理解的是，不脱离本发明的精神和技术范围的所有改变、所有等同物和所有替代物被包含在本发明中。在本发明的以下描述中，如果所公开的技术的详细描述被认为使发明的特征变得模糊，则将不提供对所公开的技术的详细描述。
下面将参照附图更详细地描述一个或更多个实施例。不管图号，基本上相同或对应的那些组件用相同的附图标记来标记，并且可以省略多余的说明。在图中，若干层和区域的厚度被放大，以清楚地表达层和区域。在图中，为了便于说明，一些层和区域的厚度被夸大。
图1是根据实施例的显示装置1的示意性透视图。
参照图1，显示装置1包括显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。显示装置1可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个主像素Pm发射的光来提供主图像。
显示装置1包括传感器区域SA。如稍后将参照图2描述的，传感器区域SA可以是具有其中布置有诸如使用红外光、可见光或声音的传感器的组件的下部的区域。传感器区域SA可以包括能够透射从组件输出到外部或从外部朝向组件行进的光或/和声音的透射部分TA。根据实施例，当红外光透射通过传感器区域SA时，传感器区域SA中的红外光透射率可以大约为10％或更大，例如，20％或更大、25％或更大、50％或更大、85％或更大或者90％或更大。
根据本实施例，多个辅助像素Pa可以布置在传感器区域SA中，并且可以使用由多个辅助像素Pa发射的光来提供特定图像。由传感器区域SA提供的图像是辅助图像，因此可以具有比由显示区域DA提供的图像低的分辨率。换句话说，因为传感器区域SA包括能够透射光或/和声音的透射部分TA，所以布置在单位区域上的辅助像素Pa的数量可以少于布置在显示区域DA中的单位区域上的主像素Pm的数量。
传感器区域SA可以被显示区域DA至少部分地围绕。根据实施例，图1示出了被显示区域DA完全围绕的传感器区域SA。
尽管现在将示出并描述有机发光显示器作为显示装置1，但是显示装置1不限于此。根据另一实施例，可以使用诸如无机发光显示器和量子点发光显示器的各种类型的显示装置。
尽管在图1中传感器区域SA布置在具有矩形形状的显示区域DA的一侧(例如，右上侧)上，但是实施例不限于此。显示区域DA的形状可以是圆形、椭圆形或者诸如三角形或五边形的多边形，并且传感器区域SA的位置和传感器区域SA的数量可以变化。
图2是沿着图1的线A-A'截取的剖视图。
参照图2，显示装置1可以包括包含显示元件的显示面板10以及对应于传感器区域SA的组件20。
显示面板10可以包括基底100、设置在基底100上的显示元件层200以及作为密封显示元件层200的封装构件的封装层300。显示面板10还可以包括布置在基底100下方的下保护膜175。
基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。当基底100包括聚合物树脂时，基底100可以具有柔性、可卷曲或可弯曲的特性。基底100可以具有包括包含聚合物树脂的层和无机层的多层结构。
显示元件层200可以包括包含主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'的电路层、作为显示元件的主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'以及绝缘层IL和IL'。
在显示区域DA中，可以布置包括主薄膜晶体管TFT和连接到主薄膜晶体管TFT的主有机发光二极管OLED的主像素Pm。在传感器区域SA中，可以布置包括辅助薄膜晶体管TFT'和连接到辅助薄膜晶体管TFT'的辅助有机发光二极管OLED'的辅助像素Pa以及布线。
在传感器区域SA中，可以布置在其中不具有辅助薄膜晶体管TFT'并且不布置显示元件的透射部分TA。透射部分TA可以被理解为透射由组件20发射的光/信号或入射在组件20上的光/信号的透射区域。
组件20可以位于传感器区域SA中。组件20可以是使用光或声音的电子元件。例如，组件20可以是像红外传感器一样的接收并使用光的传感器、输出并感测光或声音以测量距离或识别指纹等的传感器、输出光的小灯、或者输出声音的扬声器。使用光的电子元件可以使用各种波段的光，诸如可见光、红外光和紫外光。多个组件20可以布置在传感器区域SA中。例如，作为组件20的发光器件和光接收器件可以都被包括在单个传感器区域SA中。在一些示例中，发光部分和光接收部分都可以被包括在单个组件20中。
下电极层BSM可以布置在传感器区域SA中以对应于辅助像素Pa。换句话说，下电极层BSM可以布置到辅助薄膜晶体管TFT'下方的区域。下电极层BSM可以防止或基本上防止外部光到达包括辅助薄膜晶体管TFT'等的辅助像素Pa。例如，下电极层BSM可以防止或基本上防止从组件20发射的光到达辅助像素Pa。向下电极层BSM施加静态电压或信号，因此下电极层BSM可以防止或基本上防止像素电路被静电放电损坏。
封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。关于这一点，图2示出了第一无机封装层310和第二无机封装层330以及处于第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括至少一种无机绝缘材料，诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅、和/或氮氧化硅等。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
下保护膜175可以附着到基底100的下表面，并且可以支撑和保护基底100。下保护膜175可以包括对应于传感器区域SA的开口175OP。下保护膜175可以通过包括开口175OP来改善传感器区域SA的透光率。下保护膜175可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)。
传感器区域SA可以具有比其中布置有组件20的区域大的区域。因此，包括在下保护膜175中的开口175OP的面积可以不与传感器区域SA的面积相同。例如，开口175OP的面积可以小于传感器区域SA的面积。
诸如用于感测触摸输入的输入感测构件、包括偏振器和延迟器或者滤色器和黑色矩阵的防反射构件以及透明窗的(一个或多个)组件可以布置在显示面板10上。
根据本实施例，封装层300用作密封显示元件层200的封装构件，但是实施例不限于此。例如，通过密封剂或玻璃料与基底100结合的封装基底可以用作密封显示元件层200的构件。
图3是根据实施例的显示面板10的示意性平面图。
参照图3，显示面板10布置在显示区域DA中，并且包括多个主像素Pm。主像素Pm中的每个可以包括诸如有机发光二极管的显示元件。主像素Pm中的每个可以经由有机发光二极管发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在此使用的主像素Pm可以被理解为发射如上所述的红光、绿光、蓝光和白光之一的像素。显示区域DA可以通过被上面参照图2描述的封装构件覆盖而被保护免受环境空气或湿气的影响。
传感器区域SA可以布置在显示区域DA内部，并且多个辅助像素Pa布置在传感器区域SA中。辅助像素Pa中的每个可以包括诸如有机发光二极管的显示元件。辅助像素Pa中的每个可以经由有机发光二极管发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在此使用的辅助像素Pa可以被理解为发射如上所述的红光、绿光、蓝光和白光之一的像素。在传感器区域SA中，可以包括布置在辅助像素Pa之间的透射部分TA。
根据实施例，一个主像素Pm和一个辅助像素Pa可以包括相同的像素电路。然而，实施例不限于此。主像素Pm和辅助像素Pa可以包括不同的像素电路。
因为传感器区域SA包括透射部分TA，所以传感器区域SA可以具有比显示区域DA小的分辨率。例如，传感器区域SA的分辨率可以是显示区域DA的分辨率的大约1/2。根据一些实施例，显示区域DA可以具有400ppi或更大的分辨率，并且传感器区域SA可以具有大约200ppi的分辨率。
主像素Pm和辅助像素Pa中的每个可以电连接到布置在非显示区域NDA中的外部电路。在非显示区域NDA中，可以布置第一扫描驱动电路110、第二扫描驱动电路120、端子140、数据驱动电路150、第一电源线160和第二电源线170。
例如，第一扫描驱动电路110可以经由扫描线SLi向主像素Pm和辅助像素Pa中的每个提供扫描信号。第一扫描驱动电路110可以经由发光控制线EL向每个像素提供发光控制信号。第二扫描驱动电路120可以与第一扫描驱动电路110并排布置并使显示区域DA处于第二扫描驱动电路120与第一扫描驱动电路110之间。布置在显示区域DA中的主像素Pm和辅助像素Pa中的一些像素可以电连接到第一扫描驱动电路110，并且其它的像素可以电连接到第二扫描驱动电路120。根据另一实施例，可以不包括第二扫描驱动电路120。
端子140可以设置在基底100的一侧上。端子140可以被暴露而不是被绝缘层覆盖，并且可以电连接到印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子PCB-P可以电连接到显示面板10的端子140。印刷电路板PCB将控制器的信号或电力传输到显示面板10。由控制器产生的控制信号可以经由印刷电路板PCB被传输到第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120中的每个。控制器可以经由第一连接线161和第二连接线171向第一电源线160和第二电源线170分别提供第一电源电压(ELVDD)和第二电源电压(ELVSS)。第一电源电压(ELVDD)可以经由连接到第一电源线160的驱动电压线PL被提供给主像素Pm和辅助像素Pa中的每个的像素电极，并且第二电源电压(ELVSS)可以被提供给连接到第二电源线170的主像素Pm和辅助像素Pa中的每个的对电极。
数据驱动电路150电连接到数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以经由连接到端子140的连接线151和连接到连接线151的数据线DL被提供给主像素Pm和辅助像素Pa中的每个。在图3中，数据驱动电路150布置在印刷电路板PCB上。然而，根据另一实施例，数据驱动电路150可以布置在基底100上。例如，数据驱动电路150可以在端子140与第一电源线160之间。
第一电源线160可以包括均沿x方向延伸以彼此平行并使显示区域DA处于其间的第一子布线162和第二子布线163。第二电源线170可以通过具有其一侧敞开的环形形状而部分地围绕显示区域DA。
图4是沿着图3的线B-B'截取的剖视图。
参照图4，主薄膜晶体管TFT、主存储电容器Cst以及电连接到主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst的像素电极221布置在基底100的显示区域DA中。
基底100可以包括聚合物树脂或玻璃。例如，基底100可以包括诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚烯丙基化物、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和/或乙酸丙酸纤维素等的聚合物树脂。因此，基底100可以是柔性的。上述聚合物树脂可以是透明的。
基底100可以包括多层。例如，除了包括上述聚合物树脂的层之外，基底100还可以包括防止或基本上防止异物的渗透的阻挡层。阻挡层可以是包括诸如氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx)的无机材料的单层或多层。
根据另一实施例，基底100可以包括含有SiO2作为主要成分的玻璃材料，或者可以包括诸如增强塑料的树脂。基底100可以是刚性的。基底100可以具有其中阻挡层堆叠在包括上述聚合物树脂的层上的结构。在这种情况下，基底100可以具有改善的柔性。阻挡层可以包括例如氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)和/或氧化硅(SiOx)。
用于防止或基本上防止杂质渗透到主薄膜晶体管TFT的半导体层A1中的缓冲层111可以布置在基底100上。缓冲层111可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅、氧化硅等的无机绝缘材料，并且可以是包括无机绝缘材料的单层或多层。缓冲层111可以包括第一缓冲层111a和第二缓冲层111b，第一缓冲层111a和第二缓冲层111b中的一者堆叠在另一者上。
包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst的像素电路定位在缓冲层111上。主薄膜晶体管TFT可以包括半导体层A1、栅电极G1、源电极S1和漏电极D1。图4的主薄膜晶体管TFT可以对应于驱动薄膜晶体管或发光控制薄膜晶体管。根据本实施例，主薄膜晶体管TFT是其中栅电极G1布置在半导体层A1上并使第一栅极绝缘层112处于栅电极G1与半导体层A1之间的顶栅型。然而，根据另一实施例，主薄膜晶体管TFT可以是底栅型。
半导体层A1可以包括多晶硅。在一些示例中，半导体层A1可以包括例如非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。栅电极G1可以包括低电阻金属材料。栅电极G1可以包括包含例如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)等的导电材料，并且可以形成为包括上述材料的多层或单层。
半导体层A1与栅电极G1之间的第一栅极绝缘层112可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和/或氧化铪等的无机绝缘材料。第一栅极绝缘层112可以是包括上述材料的单层或多层。
源电极S1和漏电极D1可以包括高导电材料。源电极S1和漏电极D1中的每个可以包括包含例如Mo、Al、Cu和/或Ti等的导电材料，并且可以是包括上述材料的多层或单层。根据实施例，源电极S1和漏电极D1中的每个可以形成为Ti/Al/Ti的多层。
主存储电容器Cst包括下电极CE1和上电极CE2并使第二栅极绝缘层113处于下电极CE1与上电极CE2之间。下电极CE1和上电极CE2彼此叠置。主存储电容器Cst可以与主薄膜晶体管TFT叠置。关于这一点，图4示出了其中主薄膜晶体管TFT的栅电极G1是主存储电容器Cst的下电极CE1的情况。根据另一实施例，主存储电容器Cst可以不与主薄膜晶体管TFT叠置。主存储电容器Cst可以被层间绝缘层115覆盖。
第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和/或氧化铪等的无机绝缘材料。第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115可以是包括上述材料的单层或多层。
包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst的像素电路可以被平坦化层117覆盖。平坦化层117的上表面可以包括近似平坦的表面。平坦化层117可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、丙烯酰醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的共混物的有机绝缘材料。根据实施例，平坦化层117可以包括聚酰亚胺。在一些示例中，平坦化层117可以包括无机绝缘材料或者可以包括无机绝缘材料和有机绝缘材料。
像素电极221可以在平坦化层117上。像素电极221可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)等的导电氧化物。根据另一实施例，像素电极221可以包括包含例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)和/或铬(Cr)等或者这些材料的混合物的反射层。根据另一实施例，像素电极221还可以包括在上述反射层上方/下方由ITO、IZO、ZnO和/或In2O3等形成的膜。
像素限定层119可以布置在像素电极221上。像素限定层119可以包括通过其使像素电极221的上表面暴露的开口OP1，并且可以覆盖像素电极221的边缘。像素限定层119可以包括有机绝缘材料。在一些示例中，像素限定层119可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)或氧化硅(SiOx)等的无机绝缘材料。在一些示例中，像素限定层119可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
中间层222包括发射层。中间层222可以包括处于发射层下方的第一功能层和/或处于发射层上方的第二功能层。发射层可以包括发射特定颜色的光的低分子有机材料或高分子有机材料。
第一功能层可以是单层或多层。例如，当第一功能层由高分子量材料形成时，第一功能层是具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可以包括聚-(3，4)-乙烯-二氧噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。另一方面，当第一功能层由低分子量材料形成时，第一功能层可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。
第二功能层可以是可选的。例如，当第一功能层和发射层由高分子量材料形成时，可以形成第二功能层。第二功能层可以是单层或多层。第二功能层可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
中间层222的第一功能层和第二功能层可以共同形成在所有像素中。中间层222的发射层可以针对显示区域DA中的每个像素单独地布置。发射层可以布置在像素限定层119的开口OP1内。
对电极223可以由具有低功函数的导电材料形成。例如，对电极223可以包括包含例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)和/或钙(Ca)等或这些材料的合金的(半)透明层。在一些示例中，对电极223还可以包括处于包括任何上述材料的(半)透明层上的层(诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3等)。对电极223可以针对所有像素共同形成，并且可以布置在图1的显示区域DA和传感器区域SA中。可以经由热沉积形成中间层222和对电极223。
图5是图3的传感器区域SA的一部分的示意性平面图，图6是沿着图5的线C-C'截取的剖视图。
参照图5，辅助像素Pa和透射部分TA布置在根据实施例的显示装置1的传感器区域SA中。在这种情况下，在辅助像素Pa中的每个中，图6的电连接到图6的辅助薄膜晶体管TFT'和图6的辅助存储电容器Cst'的辅助有机发光二极管OLED'可以被布置为第二显示器件。
某些辅助像素Pa可以连续地布置以构成单个像素组Pg。换句话说，一个或更多个辅助像素Pa可以被包括在像素组Pg中，并且像素组Pg可以被理解为包括在辅助像素Pa中的第二显示器件的组合的显示器件组。
图5示出了在一个像素组Pg内以两行布置的四个辅助像素Pa。然而，实施例不限于此。包括在每个像素组Pg中的辅助像素Pa的数量和辅助像素Pa的布置可以变化。例如，布置在一行中的三个辅助像素Pa可以被包括在每个像素组Pg中。
因为在每个透射部分TA中没有布置显示元件，所以每个透射部分TA是具有高透光率的区域，多个透射部分TA可以被包括在传感器区域SA中。透射部分TA可以在第一方向(x方向)和/或第二方向(y方向)上与像素组Pg交替。在一些示例中，透射部分TA可以被布置为围绕像素组Pg。在一些示例中，辅助像素Pa可以被布置为围绕透射部分TA。
根据本实施例，覆盖辅助像素Pa的钝化层310布置在传感器区域SA中。钝化层310可以具有彼此间隔开的并使第一孔H1处于其间的第一图案310p，并且第一图案310p中的每个可以针对每个像素组Pg布置以覆盖对应的像素组Pg。
钝化层310保护辅助像素Pa免受环境空气或湿气的影响和/或防止或基本上防止在后续工艺中在辅助像素Pa中产生损坏。
参照图6，多个辅助像素Pa和多个透射部分TA可以布置在根据实施例的显示装置1的传感器区域SA中。
每个辅助像素Pa可以包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'，并且还可以包括作为第二显示器件的辅助有机发光二极管OLED'。每个透射部分TA可以包括对应于透射部分TA的透射孔TAH。
作为每个辅助像素Pa的组件的辅助薄膜晶体管TFT'、辅助存储电容器Cst'和辅助有机发光二极管OLED'的结构与上面参照图4描述的作为每个主像素Pm的组件的主薄膜晶体管TFT、主存储电容器Cst和主有机发光二极管OLED的结构相同或类似。例如，现在将关注并描述辅助像素Pa的组件与主像素Pm的组件之间的差异。
在传感器区域SA中，下电极层BSM可以位于第一缓冲层111a与第二缓冲层111b之间。根据另一实施例，下电极层BSM可以位于基底100与第一缓冲层111a之间。下电极层BSM可以位于辅助薄膜晶体管TFT'的下方，并且可以防止辅助薄膜晶体管TFT'的特性由于例如从组件20发射的光而劣化。
下电极层BSM可以通过接触孔连接到布置在不同层上的布线(例如驱动电压线PL)。下电极层BSM可以从驱动电压线PL接收静态电压或信号。例如，下电极层BSM可以接收第一电源电压(ELVDD)或扫描信号。由于下电极层BSM接收静态电压或信号，所以发生静电放电的可能性会显著降低。下电极层BSM可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)等。下电极层BSM可以是包括上述材料的单层或多层。
下电极层BSM可以与半导体层A1'叠置并使第二缓冲层111b处于下电极层BSM与半导体层A1'之间。根据实施例，半导体层A1'的宽度可以小于下电极层BSM的宽度。因此，当在垂直于基底100的方向上进行投影时，半导体层A1'可以与下电极层BSM完全叠置。
平坦化层117可以具有对应于每个透射部分TA的第四孔H4。第四孔H4可以形成为暴露层间绝缘层115的上表面。根据实施例，平坦化层117可以是包括有机材料的有机绝缘层。
除了具有使每个像素电极221'的至少一部分暴露的开口OP2之外，像素限定层119还可以具有对应于每个透射部分TA的第三孔H3，以限定每个像素的发光区域。因此，平坦化层117的第四孔H4位于像素限定层119的第三孔H3的下方。根据实施例，像素限定层119可以包括有机绝缘材料。
包括有机发射层的中间层222'可以布置在像素电极221'上，并且对电极223可以布置在中间层222'上。
对电极223被布置为覆盖平坦化层117的第四孔H4的内侧壁的至少一部分和像素限定层119的第三孔H3的内侧壁的至少一部分，并且因此对电极223可以具有对应于透射部分TA的第二孔H2。
对电极223的第二孔H2可以因对电极223覆盖第四孔H4和第三孔H3而具有的厚度位于第四孔H4和第三孔H3的内部。与第四孔H4类似，第二孔H2可以暴露层间绝缘层115的上表面。
对电极223可以被布置为覆盖包括多个辅助像素Pa的像素组Pg。例如，对电极223可以具有彼此间隔开并使第二孔H2处于其间的第二图案223p，并且第二图案223p中的每个可以针对每个像素组Pg布置以覆盖对应的像素组Pg。
对电极223的覆盖像素组Pg的第二图案223p可以形成为具有在朝向第二图案223p的端部的方向上(即，在朝向层间绝缘层115的上表面的方向上)减小的厚度。
钝化层310可以布置在对电极223的第二图案223p上。钝化层310被布置为覆盖对电极223的第二孔H2的内侧壁，并且因此具有对应于透射部分TA的第一孔H1。
钝化层310的第一孔H1可以因钝化层310覆盖第二孔H2的内侧壁而具有的厚度位于第二孔H2的内部。与对电极223的第二孔H2和平坦化层117的第四孔H4类似，第一孔H1可以暴露层间绝缘层115的上表面。根据本实施例，钝化层310的第一孔H1可以是透射部分TA的透射孔TAH。
类似于对电极223，钝化层310可以被布置为覆盖包括多个辅助像素Pa的像素组Pg。例如，钝化层310可以具有彼此间隔开的并使第一孔H1处于其间的第一图案310p，并且第一图案310p中的每个可以针对每个像素组Pg布置以覆盖对应的像素组Pg。
钝化层310的覆盖像素组Pg的第一图案310p可以形成为具有在朝向第一图案310p的端部的方向上(即，在朝向层间绝缘层115的上表面的方向上)减小的厚度。
如上面参照图5描述的，钝化层310可以保护辅助像素Pa免受外部环境或后续工艺的环境的影响。为此，钝化层310可以被布置为覆盖与均包括有机材料的像素限定层119的第三孔H3和平坦化层117的第四孔H4的内侧壁的整个表面对应的区域。钝化层310的第一图案310p的在第一孔H1的一侧上的端部可以形成为覆盖对电极223的第二图案223p的在第二孔H2的一侧上的端部，因此可以防止或基本上减少例如湿气或杂质经由第二孔H2的一侧上的端部渗透到中间层222'中。
如上所述，由于在像素限定层119中形成第三孔H3并且在平坦化层117中形成第四孔H4，因此可以从透射部分TA的区域去除包括有机材料的绝缘层，并且因此可以改善透射部分TA中的透光率。
包括无机封装层和有机封装层的封装层300可以布置在钝化层310上。关于这一点，图6示出了具有其中堆叠有第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330的结构的封装层300以及用作作为封装层300的最下层的第一无机封装层310的钝化层310。根据另一实施例，有机封装层的数量、无机封装层的数量以及有机封装层和无机封装层堆叠所按的顺序可以变化，并且钝化层310也可以包括多个层。
根据本实施例，用作第一无机封装层310的钝化层310可以包括至少一种无机绝缘材料(诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种)，并且可以经由化学气相沉积(CVD)等形成。
与第一无机封装层310对应的钝化层310、有机封装层320和第二无机封装层330可以一体地形成为覆盖图3的传感器区域SA和显示区域DA。由于有机封装层320布置在钝化层310与第二无机封装层330之间，因此有机封装层320可以布置在透射孔TAH内。
根据另一实施例，有机封装层320可以一体形成为覆盖显示区域DA和传感器区域SA，但是可以不存在于透射部分TA中。换句话说，有机封装层320可以包括对应于透射部分TA的孔。在这种情况下，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在透射孔TAH内彼此接触。
图7是根据另一实施例的显示装置的示意性剖视图。
除了对应于透射部分TA的透射孔TAH的深度增大之外，图7的实施例具有与图6的实施例相同的结构或类似的结构。因此，现在将通过关注与图6的实施例的差异来详细描述图7的实施例。
参照图7，第四孔H4可以形成在平坦化层117中，第三孔H3可以形成在像素限定层119中，第三孔H3和第四孔H4的位置和形状如上面参照图6所描述的。
然而，根据本实施例，与均能够包括有机材料的像素限定层119和平坦化层117一样，诸如第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115的无机绝缘层IL也可以包括对应于每个透射部分TA的孔。位于无机绝缘层IL下方的缓冲层111也可以包括对应于每个透射部分TA的孔。
根据实施例，无机绝缘层IL和缓冲层111可以具有对应于每个透射部分TA的第五孔H5。无机绝缘层IL和缓冲层111可以被同时穿孔，并且因此可以经由单道工艺形成第五孔H5。干法蚀刻等可以用作单道工艺。
因此，第五孔H5可以位于平坦化层117的第四孔H4下方，并且可以暴露基底100的上表面或者基底100与缓冲层111之间的阻挡层的上表面。
然而，第五孔H5不限于从缓冲层111经由第一栅极绝缘层112和第二栅极绝缘层113穿透到层间绝缘层115的孔，并且第五孔H5可以是从第四孔H4延伸到层间绝缘层115、第二栅极绝缘层113、第一栅极绝缘层112、第二缓冲层111b和第一缓冲层111a中的至少一个的孔。
根据本实施例，对电极223被布置为覆盖平坦化层117的第四孔H4、像素限定层119的第三孔H3以及无机绝缘层IL和缓冲层111的第五孔H5的内侧壁的至少一部分，并且因此对电极223可以具有对应于透射部分TA的第二孔H2。
对电极223可以具有彼此间隔开的并且使第二孔H2处于其间的第二图案223p，并且第二图案223p中的每个可以针对每个像素组Pg布置以覆盖对应的像素组Pg。
对电极223的覆盖像素组Pg的第二图案223p可以形成为具有在朝向第二图案223p的端部的方向上(即，在朝向层间绝缘层115的上表面的方向上)减小的厚度。
钝化层310可以被布置在对电极223的第二图案223p上。钝化层310被布置为覆盖对电极223的第二孔H2的内侧壁，并且因此具有对应于透射部分TA的第一孔H1。另外，根据本实施例，钝化层310的第一孔H1可以是透射部分TA的透射孔TAH。
类似于对电极223，钝化层310可以具有彼此间隔开的并使第一孔H1处于其间的第一图案310p，并且第一图案310p中的每个可以针对每个像素组Pg布置以覆盖对应的像素组Pg。
钝化层310的覆盖像素组Pg的第一图案310p可以形成为具有在朝向第一图案310p的端部的方向上(即，在朝向基底100的上表面的方向上)减小的厚度。
钝化层310可以被布置为覆盖包括有机材料的像素限定层119的第三孔H3和包括有机材料的平坦化层117的第四孔H4的整个区域以及形成在无机绝缘层IL和缓冲层111中的第五孔H5的整个区域。
根据本实施例，由于在像素限定层119、平坦化层117以及无机绝缘层IL和缓冲层111中形成孔，因此可以从透射部分TA的区域去除除了基底100之外的基底100上的大部分层，并且因此可以改善透射部分TA中的透光率。
图8和图9是根据其它实施例的显示装置的示意性剖视图。
除了代替封装层300的封装基底300a封装图3的显示区域DA和传感器区域SA之外，图8的实施例具有与图6的实施例相同的结构或类似的结构。因此，现在将通过关注与图6的实施例的差异来详细描述图8的实施例。
参照图8，图3的显示区域DA中的图4的主有机发光二极管OLED和图3的传感器区域SA中的图6的辅助有机发光二极管OLED'可以被封装基底300a覆盖。封装基底300a包括透明材料。例如，封装基底300a可以包括玻璃材料。在一些示例中，封装基底300a可以包括例如聚合物树脂。封装基底300a可以防止或基本上减少外部湿气或异物渗透到主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'中。
诸如密封剂的密封材料可以被布置在其上形成有主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'的基底100与封装基底300a之间。密封材料可以阻挡可能在基底100与封装基底300a之间渗透的外部湿气或异物。
根据本实施例，空的空间可以形成在钝化层310与封装基底300a之间，并且因此可以在显示装置的整个区域上进一步包括间隔件等，使得可以恒定地保持基底100与封装基底300a之间的距离。
除了用填充材料300b填充钝化层310与封装基底300a之外，图9的实施例具有与图8的实施例相同的结构或类似的结构。因此，现在将通过关注与图8的实施例的差异来详细描述图9的实施例。
参照图9，填充材料300b可以填充钝化层310与封装基底300a之间的空间。
填充材料300b可以具有各种功能。根据实施例，填充材料300b可以减少从辅助有机发光二极管OLED'发射的光被封装基底300a的下表面(与基底100相对的表面)的反射。为此，填充材料300b可以具有介于钝化层310的折射率与封装基底300a的折射率之间的折射率。
根据实施例，填充材料300b可以是硅基树脂，并且可以具有大约1.5至大约1.6的折射率。
此外，填充材料300b可以用作防止或基本上防止辅助有机发光二极管OLED'等被外部冲击损坏的缓冲材料。在这种情况下，可以不包括诸如包括在图8的实施例中的间隔件的组件。
填充材料300b可以一体地形成为覆盖图3的传感器区域SA和显示区域DA。由于填充材料300b布置在钝化层310与封装基底300a之间，所以填充材料300b可以布置在透射孔TAH内。
根据另一实施例，填充材料300b可以形成为覆盖图3的除了显示区域DA之外的传感器区域SA。
根据另一实施例，填充材料300b可以形成为覆盖传感器区域SA，但是可以不存在于透射部分TA中。换句话说，填充材料300b可以包括对应于透射部分TA的孔。
现在将参照图10A至图10I详细描述制造根据图6的实施例的显示装置1的方法。
图10A至图10I是用于描述根据实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
首先，如图10A中所示，准备对应于图1的显示装置1的传感器区域SA的背板。背板可以被理解为包括至少基底100、形成在基底100上的像素电极221'以及暴露像素电极221'中的每个的至少一部分的像素限定层119，其中，所述至少一部分包括中心部分。像素限定层119可以相对于基底100比像素电极221'突出得远。
例如，在平坦化层117上形成像素电极221'，并且在像素电极221'和平坦化层117上形成像素限定层119，使得从平坦化层117到像素限定层119的上表面的高度大于从平坦化层117到像素电极221'的上表面的高度。
在像素限定层119中形成暴露像素电极221'中的每个的至少一部分的开口OP2和对应于图6的透射部分TA的第三孔H3。可以在像素限定层119下方的平坦化层117中形成对应于图6的透射部分TA的第四孔H4。可以通过使用若干方法中的任一种在像素限定层119中形成第三孔H3和在平坦化层117中形成第四孔H4，若干方法中的一种方法是稍后将参照图10C至图10E描述的光致抗蚀剂工艺。
除了具有与图6的透射部分TA对应的第三孔H3的像素限定层119和与图6的透射部分TA对应的第四孔H4的平坦化层117之外，在平坦化层117下方的层(例如，层间绝缘层115、第二栅极绝缘层113、第一栅极绝缘层112、第二缓冲层111b和第一缓冲层111a)之中的至少一个层也可以具有对应于图6的透射部分TA的孔。
在背板中，可以在基底100上形成辅助薄膜晶体管TFT'或辅助存储电容器Cst'。背板还可以包括例如用于防止杂质渗透到辅助薄膜晶体管TFT'的半导体层A1'中的缓冲层111、用于使辅助薄膜晶体管TFT'的半导体层A1'与栅电极G1'绝缘的第一栅极绝缘层112和第二栅极绝缘层113、用于使辅助薄膜晶体管TFT'的源电极S1'和漏电极D1'与其栅电极G1'绝缘的层间绝缘层115以及用于覆盖辅助薄膜晶体管TFT'并具有近似平坦的上表面的平坦化层117。
尽管在图10A中背板对应于基底100的传感器区域SA，但是背板可以是对基底100的图1的显示区域DA的延伸。换句话说，可以经由同一工艺形成布置在传感器区域SA中的辅助像素Pa的背板和布置在图1的显示区域DA中的图1的主像素Pm的背板。
接下来，如图10B中所示，形成牺牲层SL以对应于像素电极221'和像素限定层119。如图10C中所示，在牺牲层SL上形成光致抗蚀剂层PR。
牺牲层SL可以包括含有20wt％至60wt％氟的高氟化树脂或氟化聚合物(或含氟聚合物)。该材料可以具有不与包括在图6的中间层222'中的发射层的材料发生物理/化学反应的显著量的氟化碳。因此，当图6的包括发射层的中间层222'在随后工艺期间形成(见图10F)时，该材料不会损坏图6的中间层222'，或者，即使发生损坏，也可以减小或最小化损坏的程度。可以通过例如涂覆、印刷或沉积在基底100上形成牺牲层SL。
接下来，如图10D中所示，使用光掩模等对图10C的形成在牺牲层SL上的光致抗蚀剂层PR进行局部曝光和显影，从而形成图案化的光致抗蚀剂层(也称为图案化光致抗蚀剂层)PRa。
在该操作中，图10C的光致抗蚀剂层PR的与图6的透射部分TA对应的部分保留，图10C的光致抗蚀剂层PR的与辅助像素Pa对应的部分被去除。图案化光致抗蚀剂层PRa可以形成为在x方向上具有比图6的透射部分TA大的宽度。
接下来，如图10E中所示，使用图案化光致抗蚀剂层PRa作为掩膜来图案化图10D的牺牲层SL，从而形成图案化的牺牲层(也称为图案化牺牲层)SLa。
类似于前一操作(见图10D)，在该操作中，图10D的牺牲层SL的与图6的透射部分TA对应的部分保留，图10D的牺牲层SL的与辅助像素Pa对应的部分被去除。此时，多个辅助像素Pa形成像素组Pg。图案化牺牲层SLa的沿x方向的宽度可以与图6的透射孔TAH的沿x方向的宽度几乎相同。
当去除图10D的牺牲层SL时，可以使用能够蚀刻包括在图10D的牺牲层SL中的含氟聚合物的溶剂。溶剂的示例可以包括氢氟醚(HFE)。
在该操作中形成的图案化牺牲层SLa和位于图案化牺牲层SLa上的图案化光致抗蚀剂层PRa形成底切剖面UC。例如，图案化光致抗蚀剂层PRa可以形成为在x方向上具有比图案化牺牲层SLa大的宽度，并且因此底切剖面UC可以形成在图案化光致抗蚀剂层PRa与图案化牺牲层SLa之间的边界处。作为另一示例，图案化牺牲层SLa的上部可以形成为在x方向上具有比图案化牺牲层SLa的下部大的宽度，并且因此图案化牺牲层SLa本身可以形成底切剖面UC。
图案化牺牲层SLa可以形成为暴露由辅助像素Pa构成的像素组Pg的至少一部分并且覆盖包括在像素限定层119中的第三孔H3或包括在平坦化层117中的第四孔H4。
接下来，如图10F中所示，在图10E的图案化牺牲层SLa和图案化光致抗蚀剂层PRa上形成包括发射层的中间层222'。
在该操作中，中间层222'不仅形成在对应于图6的透射部分TA的区域中，而且还形成为对应于布置在传感器区域SA中的辅助像素Pa中的每个和布置在图1的显示区域DA中的图1的主像素Pm中的每个。
中间层222'的发射层可以以各种方式(例如，真空沉积)形成。
接下来，如图10G中所示，在与图6的透射部分TA对应的区域和与像素组Pg对应的区域中形成对电极223p和223p'，并且在对电极223p和223p'上形成钝化层310p和310p'。
在该操作中，形成在基底100的整个表面上的对电极223p和223p'以及钝化层310p和310p'在形成于前一操作(见图10E)中的图案化光致抗蚀剂层PRa和图案化牺牲层SLa的图10E的底切剖面UC周围是不连贯的。
因此，对电极223p和223p'彼此间隔开并使第二孔H2处于其间，以形成覆盖像素组Pg的第二图案223p，钝化层310p和310p'彼此间隔开并使第一孔H1处于其间，以形成覆盖像素组Pg的第一图案310p。
钝化层310的第一图案310p的在第一孔H1的一侧上的端部可以形成为覆盖对电极223的第二图案223p的在第二孔H2的一侧上的端部，并且第一图案310p和第二图案223p可以形成为具有在朝向其各自端部的方向上减小的各自的厚度。
对电极223p和223p'以及钝化层310p和310p'可以形成为延伸到基底100的图1的显示区域DA。换句话说，布置在传感器区域SA中的对电极223p和223p'和布置在图4的显示区域DA中的图4的主像素Pm的对电极223可以经由同一工艺形成，并且布置在传感器区域SA中的钝化层310p和310p'和布置在图4的显示区域DA中的图4的主像素Pm的第一无机封装层310可以经由同一工艺形成。
接下来，如图10H中所示，去除图案化牺牲层SLa以在透射部分TA中形成透射孔TAH。
在该操作中，如上面参照图10E描述的，使用能够蚀刻含氟聚合物的诸如HFE的溶剂来完全去除图案化牺牲层SLa。
与图10E中使用的溶剂相同的溶剂可以用作用于去除牺牲层的溶剂，但是实施例不限于此。可以使用与图10E中使用的溶剂不同的溶剂。在该操作中，可以使用与包括在中间层222'中的发射层具有低反应性的溶剂。
通过如上面描述的去除图案化牺牲层SLa，可以容易地去除直接位于图案化牺牲层SLa上的图案化光致抗蚀剂层PRa、中间层222'、对电极223p'和钝化层310p'。
接下来，如图10I中所示，在钝化层310的第一图案310p上形成包括无机封装层和有机封装层的封装层300。
当以图10I的实施例作为示例时，每个第一图案310p可以用作覆盖像素组Pg的第一无机封装层310，可以在第一图案310p上形成有机封装层320，并且可以在有机封装层320上形成第二无机封装层330。
然而，与图10I的实施例相比，可以在钝化层310上形成代替封装层300的图8的封装基底300a或者图9的封装基底300a和图9的填充材料300b的组合。
通过图10A至图10I的工艺，可以减小或最小化对发射层等的影响，并且还可以由于易于去除位于透射部分TA中的有机绝缘层和/或无机绝缘层而改善透射部分TA的透光率。
图11A是根据另一实施例的显示装置2的示意性平面图。图11B是根据另一实施例的显示装置3的示意性平面图。
参照图11A，显示装置2还可以包括开口区域OA。
开口区域OA可以是其中组件30布置在开口区域OA下面的区域。开口区域OA可以被理解为能够透射从组件30输出到外部或从外部朝向组件30行进的光或/和声音的透射区域。根据实施例，当光透射穿过开口区域OA时，开口区域OA中的透光率可以大约为50％或更大，更详细地，70％或更大、75％或更大、80％或更大、85％或更大、或者90％或更大。开口区域OA是其中没有布置显示元件的区域，因此可以不提供图像。根据本实施例，开口区域OA可以布置在显示区域DA的内部，并且可以被主像素围绕。
也可以在传感器区域SA的下部中布置组件20。传感器区域SA可以包括布置在其中的辅助像素，并且因此可以提供特定图像。
根据一些实施例，开口区域OA的透光率可以大于传感器区域SA的透光率。因此，受益于高透光率的组件30(例如，照相机)可以布置在开口区域OA中，并且感测红外光的传感器可以布置在传感器区域SA中。
参照图11B，显示装置3的传感器区域SA可以包括其中布置有组件20的区域，并且因此可以布置在显示区域DA的一侧上。传感器区域SA可以布置为对应于显示区域DA的一侧，并且多个组件20可以布置在传感器区域SA中。
因为传感器区域SA包括辅助像素Pa和透射部分TA，所以传感器区域SA可以提供具有比显示区域DA的分辨率低的分辨率的图像。
开口区域OA可以被包括在传感器区域SA的内部。因为开口区域OA与传感器区域SA相比具有高透光率，所以对光敏感的组件30可以布置在开口区域OA中。开口区域OA可以被辅助像素Pa和透射部分TA围绕。开口区域OA可以具有比透射部分TA大的面积。
图12是沿着图11A的线D-D'和线E-E'截取的剖视图。
参照图12，开口区域OA可以包括对应于开口区域OA的开口孔OAH。开口孔OAH的在x方向上的宽度Wo可以大于透射孔TAH的在x方向上的宽度Wt。开口孔OAH可以与每个组件30的整个区域叠置，而透射孔TAH可以与每个组件20的一部分叠置。
开口区域OA可以包括穿透基底100的基底孔100H。因为开口区域OA包括基底孔100H，所以开口区域OA的透光率可以大于传感器区域SA的透光率。因此，受益于高透光率的组件30可以布置在开口区域OA的下部中。
在传感器区域SA的下部中，可以布置组件20。组件20可以是透射/接收红外(IR)光的IR传感器。因为透射部分TA布置在传感器区域SA中，所以透射部分TA可以透射向组件20发送的/从组件20接收的IR信号。例如，从组件20发射的光可以在z方向上经由透射部分TA行进，并且由显示装置外部产生的并且入射在组件20上的光可以在-z方向上经由透射部分TA行进。
如上所述，根据本公开的实施例，具有改善的透光率的像素部分和透射部分布置在对应于诸如传感器的组件的传感器区域中，并且因此可以建立其中组件可操作的环境，并且还可以在与组件叠置的区域中实现图像。
因此，可以提供具有各种功能和改善的质量的显示装置。
然而，本公开的范围不受此效果的限制。
将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在此可以用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，上面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分而不脱离发明构思的精神和范围。
为了易于描述，在此可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一(另一些)元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语除了包含在图中描绘的方位之外还旨在包含设备在使用中或操作中的不同方位。例如，如果图中的设备被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以包括上方和下方两种方位。设备可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位)并且应该相应地解释在此使用的空间相对描述语。此外，也将理解的是，当层被称为是“在”两个层“之间”时，它可以是这两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。
在此使用的术语是为了描述特定实施例的目的，而不旨在成为发明构思的限制。如在此使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一个(种/者)”也旨在包括复数形式。还将理解的是，当术语“包括”及其变型、“包含”及其变型用在该说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z、或者X、Y和Z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任意组合(诸如，以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例)。
此外，在描述发明构思的实施例时“可以”的使用指“发明构思的一个或更多个实施例”。另外，术语“示例性”旨在指示例或图示。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”、“结合到”或“邻近”另一元件或层时，它可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到、直接结合到或直接邻近所述另一元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或层。当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”、“直接结合到”或“直接邻近”另一元件或层时，不存在中间元件或层。
如在此使用的，术语“基本上”、“大约”和类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且旨在说明将由本领域的普通技术人员所认识到的测量值或计算值中的固有变化。此外，在本书面描述或权利要求书中所述的特定量或特定范围也可以包括将由本领域普通技术人员所认识到的测量值或计算值中的固有变化。
如在此使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。
另外，在此所述的任何数值范围旨在包括包含在所述范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所述最小值1.0与所述最大值10.0之间(并且包括所述最小值1.0和所述最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如，以2.4至7.6为例。在此所述的任何最大数值限制旨在包括其中所包含的所有数值下限，并且在本说明书中所述的任何最小数值限制旨在包括其中所包含的所有数值上限。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确叙述包含在此处明确叙述的范围内的任何子范围。所有这些范围在本说明书中旨在是被内在描述的。
可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的合适组合来实现在此描述的根据本发明的实施例的显示装置和/或任何其它相关设备或组件。例如，显示装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或形成在单独的IC芯片上。此外，显示装置的各种组件可以在柔性印刷电路膜、载带封装件(TCP)、印刷电路板(PCB)上实现，或者形成在同一基底上。此外，显示装置的各种组件可以是在用于执行在此描述的各种功能的执行计算机程序指令并与其它系统组件交互的一个或更多个计算设备中，在一个或更多个处理器上运行的进程或线程。计算机程序指令存储在可以使用诸如以随机存取存储器(RAM)为例的标准存储器器件的计算设备中实现的存储器中。计算机程序指令还可以存储在诸如以CD-ROM或闪速驱动器等为例的其它非瞬时计算机可读介质中。另外，本领域的技术人员应该认识到，在不脱离本发明的示例性实施例的范围的情况下，各种计算设备的功能可以被组合或被集成到单个计算设备中，或者特定计算设备的功能可以分布在一个或更多个其它计算设备。
在以上示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，而是可以在更广泛的意义上来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
虽然已经参照发明构思的示例性实施例具体地示出和描述了发明构思，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和传感器区域，所述传感器区域包括透射光的透射部分；
多个第一显示器件，布置在所述显示区域中；
显示器件组，包括多个第二显示器件，所述显示器件组布置在所述传感器区域中；以及
钝化层，覆盖所述显示器件组并具有对应于所述透射部分的第一孔。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个第二显示器件中的每个包括像素电极、位于所述像素电极上的发射层以及位于所述发射层上的对电极。
3.根据权利要求2所述的显示装置，
其中，所述钝化层位于所述对电极上，并且
其中，所述对电极具有对应于所述透射部分的第二孔，并且所述第二孔的区域比所述第一孔的区域大。
4.根据权利要求3所述的显示装置，
其中，所述钝化层覆盖所述显示器件组，并且具有第一图案，所述第一图案彼此隔开且使所述第一孔位于所述第一图案之间，
其中，所述对电极对应于所述显示器件组，并且具有第二图案，所述第二图案彼此隔开且使所述第二孔位于所述第二图案之间，并且
其中，所述第一图案中的一个的在所述第一孔的一侧上的端部覆盖所述第二图案中的一个的在所述第二孔的一侧上的端部。
5.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：
有机绝缘层，位于所述基底与所述像素电极之间；以及
像素限定层，位于所述有机绝缘层与所述对电极之间，并且具有使所述像素电极的至少一部分暴露的开口。
6.根据权利要求5所述的显示装置，
其中，所述像素限定层具有对应于所述透射部分的第三孔，并且
其中，所述有机绝缘层具有对应于所述透射部分的第四孔。
7.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述基底与所述有机绝缘层之间的多个绝缘层，
其中，所述多个绝缘层位于所述第四孔下方，并且具有对应于所述透射部分的第五孔。
8.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述钝化层上的封装层，所述封装层覆盖所述多个第一显示器件和所述多个第二显示器件并且包括无机封装层和有机封装层。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述钝化层包括与所述无机封装层相同的材料。
10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述钝化层上的封装基底，所述封装基底覆盖所述多个第一显示器件和所述多个第二显示器件并与所述基底相对。
11.根据权利要求10所述的显示装置，所述显示装置还包括填充在所述钝化层与所述封装基底之间的填充材料，
其中，所述填充材料具有介于所述钝化层的折射率与所述封装基底的折射率之间的折射率。
12.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述基底还包括被所述显示区域围绕的开口区域，并且
其中，所述开口区域包括具有比所述透射部分大的尺寸的孔。
13.一种制造显示装置的方法，所述显示装置包括多个第一显示器件、包括多个第二显示器件的显示器件组以及透射光的透射部分，所述方法包括下述步骤：
在基底上形成多个像素电极，所述基底包括其中布置有所述多个第一显示器件的显示区域和其中布置有所述显示器件组和所述透射部分的传感器区域；
在所述多个像素电极上形成像素限定层，所述像素限定层具有使所述多个像素电极中的每个的至少一部分暴露的开口和对应于所述透射部分的孔；
在所述像素限定层上形成牺牲层；
图案化所述牺牲层，使得所述显示器件组的所述多个像素电极中的至少一些被暴露并且所述孔被覆盖；
在图案化的所述牺牲层上形成钝化层；以及
通过去除图案化的所述牺牲层在所述钝化层中形成对应于所述透射部分的第一孔，
其中，所述钝化层覆盖所述显示器件组，并且具有第一图案，所述第一图案彼此隔开且使所述第一孔位于所述第一图案之间。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述图案化所述牺牲层的步骤包括：
在所述牺牲层上形成光致抗蚀剂层；以及
图案化所述光致抗蚀剂层以对应于所述透射部分，
其中，通过使用图案化的所述光致抗蚀剂层来形成图案化的所述牺牲层，使得所述牺牲层的与所述透射部分对应的部分保留。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述形成图案化的所述牺牲层的步骤包括形成图案化的所述牺牲层和图案化的所述光致抗蚀剂层的底切剖面。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述在图案化的所述牺牲层上形成所述钝化层的步骤包括：
在所述多个像素电极和图案化的所述牺牲层上形成发射层；
在所述发射层上形成对电极；以及
在所述对电极上形成所述钝化层。
17.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：在形成所述多个像素电极的步骤之前，通过去除形成在所述基底上的多个绝缘层中的至少一个绝缘层的部分来形成下孔，所述部分对应于所述透射部分。
18.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括在所述钝化层上形成包括无机封装层和有机封装层的封装层，
其中，所述封装层覆盖所述显示区域和所述传感器区域。
19.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括在所述钝化层上布置与所述基底相对的封装基底，
其中，所述封装基底覆盖所述显示区域和所述传感器区域。
20.根据权利要求19所述的方法，所述方法还包括形成填充在所述钝化层与所述封装基底之间的填充材料，
其中，所述填充材料具有介于所述钝化层的折射率与所述封装基底的折射率之间的折射率。
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