TWI652534B - 畫素結構與顯示面板 - Google Patents
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Abstract
一種畫素結構，配置於具有畫素感測區以及畫素感測區旁的畫素顯示區的基板上，且畫素結構包括畫素定義層、發光二極體元件、畫素驅動電路以及感測元件。畫素定義層配置於基板上且具有位於畫素顯示區中的一元件容納部。發光二極體元件配置於元件容納部中，其中發光二極體元件的面積小於元件容納部的面積。畫素驅動電路配置於基板上，且電性連接發光二極體元件，且包括覆蓋元件容納部的一畫素電極。發光二極體元件接合於畫素電極上。感測元件配置於畫素定義層與基板之間且位於畫素感測區中。
Description
本發明是有關於一種畫素結構與顯示面板，且特別是有關於一種具有感測元件的畫素結構與顯示面板。
智慧型手機、智慧手錶或是平板電腦等電子裝置常會設置感測元件以應用於電子裝置的擴充功能。舉例來說，電子裝置可設置外界光感測元件（ambient light sensor，ALS），便能夠根據周遭環境光源的變化及時調整裝置螢幕的亮度。或是可設置指紋（fingerprint）感測元件，便能夠作為保護電子裝置的資訊安全之憑證。目前的趨勢是將感測元件直接設置在顯示面板的顯示區域中，藉此可不佔用電子裝置額外的區域來設置感測元件。
然而，以目前的顯示面板（例如是液晶面板或有機發光二極體面板）而言，若是在畫素結構內再設置感測元件將會壓縮到畫素結構內原有的顯示區域大小，例如液晶面板的開口率，或是有機發光二極體面板中有機發光二極體的發光面積，進而影響到顯示面板的發光效率。
本發明提供一種畫素結構，其包括感測元件且發光二極體元件仍具有理想的發光效率。
本發明提供一種顯示面板，包括上述的畫素結構，其發光二極體元件的發光效率較不受畫素顯示區大小的影響。
本發明的畫素結構，配置於基板上，基板具有畫素感測區以及畫素感測區旁的畫素顯示區，且畫素結構包括畫素定義層、發光二極體元件、畫素驅動電路以及感測元件。畫素定義層配置於基板上，其中畫素定義層具有一元件容納部，且元件容納部位於畫素顯示區中。發光二極體元件配置於元件容納部中，其中發光二極體元件的面積小於元件容納部的面積。畫素驅動電路配置於基板上且電性連接發光二極體元件，其中畫素驅動電路包括一畫素電極，畫素電極覆蓋元件容納部且發光二極體元件接合於畫素電極上。感測元件配置於畫素定義層與基板之間，且感測元件位於畫素感測區中。
依據本發明的一實施例，上述的畫素驅動電路還包括畫素主動元件，畫素主動元件配置於畫素電極與基板之間且電性連接畫素電極。
依據本發明的一實施例，上述的畫素結構更包括保護層，覆蓋畫素電極與元件容納部且環繞發光二極體元件。
依據本發明的一實施例，上述的畫素結構更包括對向電極，電性連接發光二極體元件，其中對向電極與畫素電極連接於發光二極體元件的相對兩側且藉由保護層彼此隔離。
依據本發明的一實施例，上述的對向電極具有開口，開口位於畫素感測區中。
依據本發明的一實施例，上述的感測元件包括依序堆疊的第一導電層、富矽材料層與第二導電層。
依據本發明的一實施例，上述的畫素結構更包括補償電路結構，電性連接畫素驅動電路且位於畫素感測區中，其中補償電路結構位於富矽材料層與基板之間。
依據本發明的一實施例，上述的感測元件還包括感測驅動電路，電性連接於第一導電層。
依據本發明的一實施例，上述的感測驅動電路包括感測主動元件，感測主動元件位於畫素感測區中並包括半導體層以及閘極，半導體層具有通道區以及位於通道區兩側的兩源/汲極區，且通道區位於閘極與基板之間。
依據本發明的一實施例，上述的畫素驅動電路還包括畫素主動元件，畫素主動元件位於畫素顯示區中並包括半導體層以及閘極，半導體層具有通道區以及位於通道區兩側的兩源/汲極區，且通道區位於閘極與基板之間，其中畫素主動元件的通道區與感測主動元件的通道區為相同膜層，且畫素主動元件的閘極與感測主動元件的閘極為相同膜層。
依據本發明的一實施例，上述的畫素結構還包括層間絕緣層，配置於基板與畫素定義層之間，其中畫素驅動電路還包括畫素主動元件以及導體連接層，畫素主動元件位於層間絕緣層與基板之間，導體連接層配置於層間絕緣層上以連接於畫素主動元件與畫素電極之間，且導體連接層與感測元件的第一導電層為相同膜層。
依據本發明的一實施例，上述的畫素電極與感測元件的第二導電層為相同膜層。
依據本發明的一實施例，上述的發光二極體元件包括依序疊置的第一半導體層、無機發光層與第二半導體層。
依據本發明的一實施例，上述的發光二極體元件藉由導電接合層接合於畫素驅動電路的畫素電極。
依據本發明的一實施例，上述的發光二極體元件的寬度與元件容納部的寬度的比值為小於等於1，且大於等於0.01。
本發明的顯示面板，具有第一感測區與第二感測區，顯示面板包括多個畫素結構，配置於第一感測區及第二感測區中，且各畫素結構包括發光二極體元件以及感測元件，其中位於第一感測區的畫素結構中的感測元件進行第一感測模式，位於第二感測區的畫素結構中的感測元件進行第二感測模式，且第一感測模式與第二感測模式感測不同參數。
依據本發明的一實施例，上述的第一感測模式進行指紋辨識、可見光感測、紫外光感測與紅外光感測中的一者，而第二感測模式進行另一者。
依據本發明的一實施例，上述的第一感測區與第二感測區不重疊。
依據本發明的一實施例，上述的各畫素結構配置於基板上，基板具有畫素感測區以及畫素感測區旁的畫素顯示區，且各畫素結構還包括畫素定義層以及畫素驅動電路。畫素定義層配置於基板上，其中畫素定義層具有一元件容納部，元件容納部位於畫素顯示區中。畫素驅動電路配置於基板上，且電性連接發光二極體元件，其中畫素驅動電路包括一畫素電極，畫素電極覆蓋元件容納部，其中發光二極體元件配置於元件容納部中並接合於畫素電極上，發光二極體元件的面積小於元件容納部的面積，感測元件配置於畫素定義層與基板之間，且感測元件位於畫素感測區中。
依據本發明的一實施例，上述的感測元件包括依序堆疊的第一導電層、富矽材料層與第二導電層。
基於上述，本發明的畫素結構包括畫素定義層、發光二極體元件、畫素驅動電路以及感測元件。發光二極體元件配置於畫素定義層的元件容納部中，其中發光二極體元件的面積小於元件容納部的面積。也就是說，發光二極體元件所需佔據的面積較小，因此即使在畫素結構中設置感測元件而壓縮到畫素顯示區的大小，也較不影響畫素結構的發光效率。本發明的顯示面板因包括上述畫素結構，其發光效率亦較不受畫素顯示區大小的影響。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1是依照本發明的第一實施例的一種畫素結構的剖面示意圖。圖2是圖1的畫素結構的上視示意圖。參照圖1與圖2，畫素結構100配置於基板10上，基板10具有畫素感測區SR以及畫素感測區SR旁的畫素顯示區DR，且畫素結構100包括畫素定義層110、發光二極體元件120、畫素驅動電路130以及感測元件140。畫素定義層110配置於基板10上，其中畫素定義層110具有一元件容納部112，且元件容納部112位於畫素顯示區DR中。發光二極體元件120配置於元件容納部112中，其中發光二極體元件120所佔據的面積A1（標示於圖2）小於元件容納部112所圍繞的面積A2（標示於圖2）。在本實施例中，發光二極體元件120的寬度D1（標示於圖2）與元件容納部112的寬度D2（標示於圖2）的比值例如是小於等於1，且大於等於0.01，然本發明不以此為限。
在本實施例中，發光二極體元件120例如是微發光二極體（micro light-emitting diode，μLED），其尺寸大小例如是落在微米等級的尺寸大小。舉例來說，本實施例的發光二極體元件120的對角線長度大小例如是大於等於1微米且小於等於100微米，但並不以此為限，在其他實施例中，發光二極體元件120也可以具有更小或是更大的尺寸大小。在本實施例中，由於微發光二極體的發光效率很高且微發光二極體所需佔據的面積較小，因此即使在畫素結構100中設置感測元件140而壓縮到畫素顯示區DR的大小，也較不影響畫素結構100的發光效率。
在本實施例中，發光二極體元件120包括由下至上依序疊置的第一半導體層122、無機發光層124與第二半導體層126。第一半導體層122例如是P型摻雜半導體層，第二半導體層126例如是N型摻雜半導體層。或者，第一半導體層122例如是N型摻雜半導體層，第二半導體層126例如是P型摻雜半導體層。無機發光層124的結構例如是多層量子井（multiple quantum well，MQW）結構，多層量子井結構包括以重複的方式交替設置的多個量子井（quantum well）層和多個量子阻障（quantum barrier）層。舉例來說，P型摻雜半導體層的材料例如是P型氮化鎵（p-GaN），N型摻雜半導體層的材料例如是N型氮化鎵（n-GaN），多層量子井結構的材料例如是包括多層交替堆疊的氮化銦鎵（InGaN）以及氮化鎵（GaN），然本發明並不以此為限。
此處，發光二極體元件120例如是具有傾斜的側壁128，且側壁128例如是由發光二極體元件120的頂部向外延伸至發光二極體元件120的底部。在其他實施例中（未繪示），發光二極體元件120的側壁128也可以是由發光二極體元件120的頂部向內延伸至發光二極體元120件的底部，或者發光二極體元件120也可以是具有垂直的側壁128，然本發明並不以此為限。
再參照圖1，畫素驅動電路130配置於基板10上且電性連接發光二極體元件120，其中畫素驅動電路130包括一畫素電極132，畫素電極132覆蓋元件容納部112且發光二極體元件120接合於畫素電極132上。畫素結構100可更包括保護層150以及對向電極160。保護層150覆蓋畫素電極132與元件容納部112且環繞發光二極體元件120。對向電極160電性連接發光二極體元件120，其中對向電極160與畫素電極132連接於發光二極體元件120的相對兩側且藉由保護層150彼此隔離。在本實施例中，發光二極體元件120例如是藉由導電接合層170接合於畫素驅動電路130的畫素電極132。導電接合層170例如是導電凸塊，其材質例如是選自銦（In）、錫（Sn）或其合金（In/Sn），然本發明並不以此為限。導電接合層170的寬度例如是小於發光二極體元件120底部的寬度，使導電接合層170在進行回焊（reflow）步驟時，熔融的導電接合層170較不易溢流至發光二極體元件120的側壁128而接觸到發光二極體元件120的無機發光層124，以避免發生短路之情況。
感測元件140配置於畫素定義層110與基板10之間，且感測元件140位於畫素感測區SR中。在本實施例中，感測元件140包括由下至上依序堆疊的第一導電層142、富矽（silicon-rich）材料層144與第二導電層146，其中第一導電層142與富矽材料層144更由絕緣層140I覆蓋，絕緣層140I位於第一導電層142與第二導電層146之間並具有暴露富矽材料層144的開口，且第二導電層146透過絕緣層140I的開口連接富矽材料層144。此處，當材料中的矽的化學計量（stoichiometry）大於1時，則定義此材料為富矽材料。在本實施例中，第一導電層142例如是金屬導電層，舉例來說，第一導電層142例如是包括鈦/鋁/鈦（Ti/Al/Ti）層，但不以此為限。在其他實施例中，第二導電層146也可以是透明導電層，其材料例如是銦錫氧化物（indium tin oxide，ITO）、銦鋅氧化物（indium zinc oxide，IZO）或鋁鋅氧化物（aluminum zinc oxide，AZO），但不以此為限。富矽材料層144的材料例如是富矽氧化矽（silicon-rich silicon oxide，SiO
x）、富矽氮化矽（silicon-rich silicon nitride，SiN
y）、富矽氮氧化矽（silicon-rich silicon oxynitride，SiO
xN
y）、富矽碳化矽（silicon-rich silicon carbide，SiC
w）、富矽碳氧化矽（silicon-rich silicon oxycarbide，SiC
wO
x）或其組合，其中0.01＜x＜2，0.01＜y＜1.67，0.0l＜w＜l，但不以此為限。在其他實施例中，富矽材料層144的材料也可以是氫化富矽氧化矽（hydrogenated silicon-rich silicon oxide，SiO
xH
z）、氫化富矽氮化矽（hydrogenated silicon-rich silicon nitride，SiN
yH
z）、氫化富矽氮氧化矽（hydrogenated silicon-rich silicon oxynitride，SiO
xN
yH
z）、氫化富矽碳氧化矽（hydrogenated silicon-rich silicon oxycarbide，SiC
wO
xH
z）或其組合，其中0.0l ＜x＜2，0.0l ＜y＜1.67，0.01＜z＜1，0.0l＜w＜l，但不以此為限。第二導電層146例如是透明導電層，其材料例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物，但不以此為限。
當光源照射至感測元件140的富矽材料層144時，富矽材料層144受到激發而產生電子電洞對（electron-hole pair），而電子電洞對受到第一導電層142與第二導電層146之間的電場作用後分離而形成光電流輸出。因此，本實施例的感測元件140可作為光感測元件，其例如是應用在指紋辨識、可見光感測、紫外光感測與紅外光感測的其中一者，然本發明並不以此為限。此處，對向電極160可具有開口162，且開口162位於畫素感測區SR中，並且設置於富矽材料層144的上方。藉由開口162的設置，可避免部分波長的光源在入射至富矽材料層144前被位於富矽材料層14上方的材料吸收，因此感測元件140可接受到較完整的波長範圍的光，使感測元件140的應用可更多元化。
此外，在其他實施例中（未繪示），感測元件可更包括一介面層，設置於第一導電層142與富矽材料層144之間。介面層可有不同的形成方式，例如是藉由電漿氣體對第一導電層142進行電漿表面處理（plasma surface treatment）的方式來形成，而上述電漿氣體例如是氧氣、氮氣、一氧化二氮或其組合，因此介面層的材質例如是氧化物、氮化物、氮氧化物或其組合，但並不以此為限。舉例來說，以第一導電層142的表面為鈦金屬為例，則介面層的材料可以是氧化鈦、氮化鈦、氮氧化鈦或其組合，但並不以此為限。此處，具有此介面層的感測元件，其光電流與光強度之間具有較強的線性關係，有利於感測元件的精準度。
在本實施例中，感測元件140還包括感測驅動電路148，配置於基板10上且電性連接於第一導電層142。感測驅動電路148包括感測主動元件148’，感測主動元件148’ 配置於富矽材料層144與基板10之間且電性連接富矽材料層144。感測主動元件148’位於畫素感測區SR中並包括半導體層148a以及閘極148b，半導體層148a具有通道區148a1以及位於通道區148a1兩側的兩源/汲極區148a2，且通道區148a1位於閘極148b與基板10之間。
畫素驅動電路130還包括畫素主動元件134，畫素主動元件134配置於畫素電極132與基板10之間且電性連接畫素電極132。畫素主動元件134位於畫素顯示區DR中並包括半導體層134a以及閘極134b，半導體層134a具有通道區134a1以及位於通道區134a1兩側的兩源/汲極區134a2，且通道區134a1位於閘極134b與基板10之間。
在本實施例中，畫素結構100更包括補償電路結構180與層間絕緣層190，補償電路結構180配置於層間絕緣層190與基板10之間且電性連接畫素驅動電路130，層間絕緣層190配置於基板10與畫素定義層110之間。補償電路結構180位於畫素顯示區DR中且位於畫素驅動電路130與感測驅動電路148之間。補償電路結構180包括補償元件182以及導體連接層184，補償元件182包括半導體層182a以及閘極182b，半導體層182a具有通道區182a1以及位於通道區182a1兩側的兩源/汲極區182a2，且通道區182a1位於閘極182b與基板10之間。導體連接層184配置於層間絕緣層190上以電性連接於補償電路結構180與畫素驅動電路130之間。在本實施例中，畫素驅動電路130還包括導體連接層136。導體連接層136配置於層間絕緣層190上以連接於畫素主動元件134與畫素電極132之間，且畫素主動元件134位於層間絕緣層190與基板10之間。
在本實施例中，畫素驅動電路130的導體連接層136、補償電路結構180的導體連接層184與感測元件140的第一導電層142可為相同膜層，並經過圖案化製程而個別形成畫素驅動電路130的導體連接層136、補償電路結構180的導體連接層184與感測元件140的第一導電層142。另外，畫素主動元件134的通道區134a1、感測主動元件148’的通道區148a1以及補償元件182的通道區182a1也可為相同膜層，並經過圖案化製程而個別形成畫素主動元件134的通道區134a1、感測主動元件148’的通道區148a1以及補償元件182的通道區182a1。同理，畫素主動元件134的閘極134b、感測主動元件148’的閘極148b以及補償元件182的閘極182b也可為相同膜層，並經過圖案化製程而個別形成畫素主動元件134的閘極134b、感測主動元件148’的閘極148b以及補償元件182的閘極182b。另外，畫素主動元件134、感測主動元件148’ 以及補償元件182也可共用同一層閘極介電層210，閘極介電層210設置於感測主動元件148’的閘極148b與通道區148a1之間、畫素主動元件134的閘極134b與通道區134a1之間以及補償元件182的閘極182b與通道區182a1之間。
在本實施例中，畫素結構100可更包括由下至上依序疊置於基板10上的不透明層220、第一緩衝層230以及第二緩衝層240。不透明層220可防止光線由基板10的一側入射至畫素結構100而影響位於上方的畫素驅動電路130、補償電路結構180以及感測元件140。具體來說，不透明層220的面積對應於主動元件134的通道區134a1、感測主動元件148’的通道區148a1以及補償元件182的通道區182a1，有助於避免這些通道區因為外界的光線照射導致的漏電流。
再參照圖2，每個發光二極體元件120與其驅動電路可以構成一個子畫素SP，且畫素結構100可具有多個子畫素SP（圖2是以三個子畫素SP為例，在其他實施例中，子畫素SP的數量也可為兩個、四個或其他數量）。各子畫素SP包括一個發光二極體元件120以及用以驅動這個發光二極體元件120的相關電路。多個子畫素SP位於畫素顯示區DR中且各子畫素SP可進一步劃分出顯示元件配置區S1（發光二極體元件120的設置區）與補償電路配置區S2（補償電路結構180的設置區）。用以設置感測元件140的畫素感測區SR則對應於三個子畫素SP。因此，本實施例的畫素結構100中感測元件140的數量與子畫素SP（或是發光二極體元件120）的數量並不相等，且感測元件140的數量小於子畫素SP（或是發光二極體元件120）的數量，但不以此為限。
詳細來說，要構成一個具有感測元件140的畫素結構100，需要同時設置顯示元件配置區S1、補償電路配置區S2以及畫素感測區SR。因此，顯示元件配置區S1所佔據的面積將受到壓縮。然而，由於本實施例的發光二極體元件120可為一微發光二極體，其所需佔據的面積較小，且發光效率足夠高，因此即使在畫素結構100中設置感測元件140而壓縮到元件配置區S1的大小，仍具有理想的發光效率。
圖3是依照本發明的第二實施例的一種畫素結構的剖面示意圖。參照圖3，畫素結構200與第一實施例的畫素結構100大致上相似，其主要差異在於畫素結構200還包括一絕緣層250，設置於第一導電層142與層間絕緣層190之間，使感測元件140的第一導電層142與補償電路結構180可以設置在不同層中。因此，補償電路結構180可以設置於畫素感測區SR中且位於感測元件140的第一導電層142與基板10之間。
另外，在本實施例中，畫素電極232可不覆蓋元件容納部112的側壁，而是僅覆蓋元件容納部112的底部，且畫素電極132與感測元件140的第二導電層146可為相同膜層，並經過圖案化製程而個別形成畫素電極132與第二導電層146。應注意的是，本實施例的畫素電極232也可以具有如圖1所示的畫素電極132的配置方式。第一實施例中的畫素電極132也可以具有如圖3所示的畫素電極232的配置方式。
圖4是圖3的畫素結構的上視示意圖。參照圖4，每個發光二極體元件120與其驅動電路可以構成一個子畫素SP’，且畫素結構200可具有多個子畫素SP’（圖4是以三個子畫素SP’為例，在其他實施例中，子畫素SP’的數量也可為兩個、四個或其他數量）。各子畫素SP’包括一個發光二極體元件120以及用以驅動這個發光二極體元件120的相關電路。各子畫素SP’可進一步劃分出顯示元件配置區S1（發光二極體元件120的設置區）與補償電路配置區S2（補償電路結構180的設置區）。其中顯示元件配置區S1位於畫素顯示區DR，而補償電路配置區S2位於畫素感測區SR。用以設置感測元件140的畫素感測區SR則對應於三個子畫素SP’。因此，本實施例的畫素結構200中感測元件140的數量與子畫素SP’（或是發光二極體元件120）的數量並不相等，且感測元件140的數量小於子畫素SP’（或是發光二極體元件120）的數量，但不以此為限。詳細來說，由於本實施例的畫素結構200包括絕緣層250，使感測元件140的富矽材料層144與補償電路結構180可以設置在不同層中。因此，畫素結構200的補償電路配置區S2可以是配置在畫素感測區SR中，而不是如同第一實施例的補償電路配置區S2是配置在畫素顯示區DR中（如圖2所示）。在本實施例中，感測元件140的面積與補償電路結構180的面積重疊，因此畫素結構200的整體面積為感測元件140的面積與顯示元件配置區S1的面積的總和。相較於圖2的畫素結構100的整體面積來說，畫素結構200的整體面積較小而可在相同尺寸的顯示裝置中以較高密度排列而達到較高的解析度。
圖5是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的上視示意圖。參照圖5，顯示面板1000具有第一感測區SR1、第二感測區SR2、第三感測區SR3以及第四感測區SR4，且第一感測區SR1、第二感測區SR2、第三感測區SR3以及第四感測區SR4不互相重疊。顯示面板1000包括多個前述的第一實施例的畫素結構100（或第二實施例的畫素結構200），配置於第一感測區SR1、第二感測區SR2、第三感測區SR3以及第四感測區SR4，且各畫素結構100（或畫素結構200）包括發光二極體元件120以及感測元件140，其中位於第一感測區SR1的畫素結構100（或畫素結構200）中的感測元件140進行第一感測模式，位於第二感測區SR2的畫素結構100（或畫素結構200）中的感測元件140進行第二感測模式，位於第三感測區SR3的畫素結構100（或畫素結構200）中的感測元件140進行第三感測模式，位於第四感測區SR4的畫素結構100（或畫素結構200）中的感測元件140進行第四感測模式，且第一感測模式、第二感測模式、第三感測模式以及第四感測模式分別感測不同參數。其中，第一感測模式可進行指紋辨識、可見光感測、紫外光感測與紅外光感測中的一者，第二感測模式可進行另一者，而第三感測模式與第四感測模式可分別進行其餘兩者之一。舉例來說，第一感測模式可進行指紋辨識，第二感測模式可進行紫外光感測，第三感測模式可進行紅外光感測，第四感測模式可進行可見光感測，然本發明不以此為限。
應注意的是，此處提到的感測區的數量以及感測區所進行的感測模式僅為舉例說明，而非用以限定本發明，在其他實施例中，感測區的數量可為一個、兩個或其他任意數量。此外，不同的感測區所進行的感測模式可以相同，也可以不相同。
綜上所述，本發明的畫素結構包括畫素定義層、發光二極體元件、畫素驅動電路以及感測元件。發光二極體元件配置於畫素定義層的元件容納部中，其中發光二極體元件的面積小於元件容納部的面積。也就是說，發光二極體元件所需佔據的面積較小，因此即使在畫素結構中設置感測元件而壓縮到畫素顯示區的大小，也不影響畫素結構的發光效率。本發明的顯示面板因包括上述畫素結構，其發光效率亦較不受畫素顯示區大小的影響。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧基板
100、200‧‧‧畫素結構
1000‧‧‧顯示面板
110‧‧‧畫素定義層
112‧‧‧元件容納部
120‧‧‧發光二極體元件
122‧‧‧第一半導體層
124‧‧‧無機發光層
126‧‧‧第二半導體層
128‧‧‧側壁
130‧‧‧畫素驅動電路
132、232‧‧‧畫素電極
134‧‧‧畫素主動元件
134a、148a、182a‧‧‧半導體層
134a1、148a1、182a1‧‧‧通道區
134a2、148a2、182a2‧‧‧源/汲極區
134b、148b、182b‧‧‧閘極
136、184‧‧‧導體連接層
140‧‧‧感測元件
140I、250‧‧‧絕緣層
142‧‧‧第一導電層
144‧‧‧富矽材料層
146‧‧‧第二導電層
148‧‧‧感測驅動電路
148’‧‧‧感測主動元件
150‧‧‧保護層
160‧‧‧對向電極
162‧‧‧開口
170‧‧‧導電接合層
180‧‧‧補償電路結構
182‧‧‧補償元件
190‧‧‧層間絕緣層
210‧‧‧閘極介電層
220‧‧‧不透明層
230‧‧‧第一緩衝層
240‧‧‧第二緩衝層
SR‧‧‧畫素感測區
DR‧‧‧畫素顯示區
A1、A2‧‧‧面積
D1、D2‧‧‧寬度
SP、SP’‧‧‧子畫素
S1‧‧‧顯示元件配置區
S2‧‧‧補償電路配置區
SR1‧‧‧第一感測區
SR2‧‧‧第二感測區
SR3‧‧‧第三感測區
SR4‧‧‧第四感測區
圖1是依照本發明的第一實施例的一種畫素結構的剖面示意圖。 圖2是圖1的畫素結構的上視示意圖。 圖3是依照本發明的第二實施例的一種畫素結構的剖面示意圖。 圖4是圖3的畫素結構的上視示意圖。 圖5是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的上視示意圖。
Claims (19)
- 一種畫素結構，配置於基板上，該基板具有畫素感測區以及該畫素感測區旁的畫素顯示區，且該畫素結構包括：畫素定義層，配置於該基板上，其中該畫素定義層具有元件容納部，且該元件容納部位於該畫素顯示區中；發光二極體元件，配置於該元件容納部中，其中該發光二極體元件的面積小於該元件容納部的面積；畫素驅動電路，配置於該基板上且電性連接該發光二極體元件，其中該畫素驅動電路包括畫素電極，該畫素電極覆蓋該元件容納部且該發光二極體元件接合於該畫素電極上；補償電路結構，電性連接該畫素驅動電路且位於該畫素感測區中；以及感測元件，配置於該畫素定義層與該基板之間，且該感測元件位於該畫素感測區中，其中該感測元件包括富矽材料層，該補償電路結構位於該富矽材料層與該基板之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該畫素驅動電路還包括畫素主動元件，該畫素主動元件配置於該畫素電極與該基板之間且電性連接該畫素電極。
- 如申請專利範圍第2項所述的畫素結構，更包括保護層，覆蓋該畫素電極與該元件容納部且環繞該發光二極體元件。
- 如申請專利範圍第3項所述的畫素結構，更包括對向電極，電性連接該發光二極體元件，其中該對向電極與該畫素電極連接於該發光二極體元件的相對兩側且藉由該保護層彼此隔離。
- 如申請專利範圍第4項所述的畫素結構，其中該對向電極具有開口，該開口位於該畫素感測區中。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該感測元件更包括第一導電層與第二導電層，且該第一導電層、該富矽材料層及該第二導電層依序堆疊。
- 如申請專利範圍第6項所述的畫素結構，其中該感測元件還包括感測驅動電路，電性連接於該第一導電層。
- 如申請專利範圍第7項所述的畫素結構，其中該感測驅動電路包括感測主動元件，該感測主動元件位於該畫素感測區中並包括半導體層以及閘極，該半導體層具有通道區以及位於該通道區兩側的兩源/汲極區，且該通道區位於該閘極與該基板之間。
- 如申請專利範圍第8項所述的畫素結構，其中該畫素驅動電路還包括畫素主動元件，該畫素主動元件位於該畫素顯示區中並包括半導體層以及閘極，該半導體層具有通道區以及位於該通道區兩側的兩源/汲極區，且該通道區位於該閘極與該基板之間，其中該畫素主動元件的該通道區與該感測主動元件的該通道區為相同膜層，且該畫素主動元件的該閘極與該感測主動元件的該閘極為相同膜層。
- 如申請專利範圍第6項所述的畫素結構，還包括層間絕緣層，配置於該基板與該畫素定義層之間，其中該畫素驅動電路還包括畫素主動元件以及導體連接層，該畫素主動元件位於該層間絕緣層與該基板之間，該導體連接層配置於該層間絕緣層上以連接於該畫素主動元件與該畫素電極之間，且該導體連接層與該感測元件的該第一導電層為相同膜層。
- 如申請專利範圍第6項所述的畫素結構，其中該畫素電極與該感測元件的該第二導電層為相同膜層。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該發光二極體元件包括依序疊置的第一半導體層、無機發光層與第二半導體層。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該發光二極體元件藉由導電接合層接合於該畫素驅動電路的該畫素電極。
- 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該發光二極體元件的寬度與該元件容納部的寬度的比值為小於等於1，且大於等於0.01。
- 一種顯示面板，具有第一感測區與第二感測區，該顯示面板包括多個畫素結構，配置於該第一感測區及該第二感測區中，且各該畫素結構包括：發光二極體元件；畫素驅動電路，配置於基板上，且電性連接該發光二極體元件，其中該基板具有畫素感測區；補償電路結構，電性連接該畫素驅動電路且位於該畫素感測區中；以及感測元件，具有富矽材料層，該補償電路結構位於該富矽材料層與該基板之間，其中：位於該第一感測區的畫素結構中的感測元件進行第一感測模式，位於該第二感測區的畫素結構中的感測元件進行第二感測模式，且該第一感測模式與該第二感測模式感測不同參數。
- 如申請專利範圍第15項所述的顯示面板，其中該第一感測模式進行指紋辨識、可見光感測、紫外光感測與紅外光感測中的一者，而該第二感測模式進行另一者。
- 如申請專利範圍第15項所述的顯示面板，其中該第一感測區與該第二感測區不重疊。
- 如申請專利範圍第15項所述的顯示面板，其中各該畫素結構配置於基板上，該基板還具有該畫素感測區旁的畫素顯示區，且各該畫素結構還包括：畫素定義層，配置於該基板上，其中該畫素定義層具有一元件容納部，該元件容納部位於該畫素顯示區中，其中該畫素驅動電路包括一畫素電極，該畫素電極覆蓋該元件容納部該發光二極體元件配置於該元件容納部中並接合於該畫素電極上，該發光二極體元件的面積小於該元件容納部的面積，該感測元件配置於該畫素定義層與該基板之間，且該感測元件位於該畫素感測區中。
- 如申請專利範圍第18項所述的顯示面板，其中該感測元件更包括第一導電層與第二導電層，且該第一導電層、該富矽材料層及該第二導電層依序堆疊。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI754543B (zh) * | 2021-02-08 | 2022-02-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
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Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109065587A (zh) * | 2018-08-07 | 2018-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
| CN110112199B (zh) * | 2018-08-10 | 2021-04-16 | 友达光电股份有限公司 | 影像感测显示装置以及影像处理方法 |
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| KR20200062863A (ko) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 및 제조 방법 |
| KR20200109435A (ko) * | 2019-03-12 | 2020-09-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20210016161A (ko) * | 2019-08-01 | 2021-02-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN111580269A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-08-25 | 昆山梦显电子科技有限公司 | 基于眼球追踪技术的显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN113078192A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
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Family Cites Families (28)
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|---|---|---|---|---|
| TW451099B (en) * | 1998-01-23 | 2001-08-21 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device |
| US20060038752A1 (en) * | 2004-08-20 | 2006-02-23 | Eastman Kodak Company | Emission display |
| US7791270B2 (en) * | 2004-09-17 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Light-emitting device with reduced deterioration of periphery |
| JP2008123956A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Canon Inc | 画像表示装置 |
| CN101216626B (zh) * | 2008-01-03 | 2010-06-09 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示面板 |
| TWI333275B (en) * | 2008-05-09 | 2010-11-11 | Au Optronics Corp | Method for fabricating light sensor |
| US8736587B2 (en) * | 2008-07-10 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI382554B (zh) | 2008-10-30 | 2013-01-11 | Au Optronics Corp | 光感測元件及其製作方法 |
| KR100964234B1 (ko) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| TWI389329B (zh) | 2009-06-29 | 2013-03-11 | Au Optronics Corp | 平面顯示面板、紫外光感測器及其製造方法 |
| TWI394071B (zh) | 2009-08-14 | 2013-04-21 | Au Optronics Corp | 有機發光二極體觸控面板及其製作方法 |
| CN101635276A (zh) | 2009-08-26 | 2010-01-27 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光二极管触控面板及其制作方法 |
| WO2011074394A1 (en) | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including optical sensor and driving method thereof |
| US9159700B2 (en) | 2012-12-10 | 2015-10-13 | LuxVue Technology Corporation | Active matrix emissive micro LED display |
| US9310843B2 (en) | 2013-01-02 | 2016-04-12 | Apple Inc. | Electronic devices with light sensors and displays |
| EP2973715B1 (en) * | 2013-03-15 | 2021-10-27 | Apple Inc. | Light emitting diode display with redundancy scheme |
| US8791474B1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-07-29 | LuxVue Technology Corporation | Light emitting diode display with redundancy scheme |
| KR102140235B1 (ko) | 2013-05-31 | 2020-08-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 구동 방법 |
| CN104009067A (zh) * | 2014-06-16 | 2014-08-27 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 集成触控功能的有机发光二极管显示装置及其制作方法 |
| TWI601301B (zh) | 2015-07-31 | 2017-10-01 | 友達光電股份有限公司 | 光學偵測裝置及其製作方法 |
| KR102471115B1 (ko) * | 2016-01-06 | 2022-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102608421B1 (ko) * | 2016-02-23 | 2023-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102562627B1 (ko) * | 2016-03-21 | 2023-08-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| US20170308194A1 (en) * | 2016-04-20 | 2017-10-26 | Atmel Corporation | Touch Sensor Mesh Designs |
| CN108604296B (zh) * | 2016-04-28 | 2022-05-27 | 韩国科泰高科株式会社 | 发光指纹识别面板及包括其的指纹识别显示装置 |
| CN105867696B (zh) * | 2016-06-03 | 2020-11-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触控显示面板、柔性显示面板以及显示装置 |
| US10121710B2 (en) * | 2016-06-14 | 2018-11-06 | Innolux Corporation | Methods for manufacturing a display device |
| KR102670056B1 (ko) * | 2016-11-18 | 2024-05-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
-
2017
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-
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI754543B (zh) * | 2021-02-08 | 2022-02-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
| US11869270B2 (en) | 2022-04-28 | 2024-01-09 | AUO Corporation | Sensing device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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