JP7170509B2 - 半導体装置及びその製造方法、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置並びに移動体 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 35
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 183
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 111
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 46
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 26
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 claims description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 6
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 5
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 25
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 24
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008360 acrylonitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- DNXDYHALMANNEJ-UHFFFAOYSA-N furan-2,3-dicarboxylic acid Chemical class OC(=O)C=1C=COC=1C(O)=O DNXDYHALMANNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
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Description
図1を参照して、第1実施形態に係る有機発光装置100の構成例について説明する。有機発光装置100の1つの画素回路PXは、図1に示す断面構造を有する。ガラス基板又はシリコン基板などである基板101の上に、不図示のトランジスタ及び配線パターンが配置されている。トランジスタ及び配線パターンの上に無機絶縁膜102が配置されている。無機絶縁膜102は、例えば酸化シリコン又は窒化シリコン等によって形成される。
図6を参照して、第2実施形態に係る有機発光装置600の構成例について説明する。図6は、図1に対応する位置における有機発光装置600の断面を示す。有機発光装置600は、保護膜107と平坦化膜108との間に保護膜601と保護膜602とをさらに有する点で有機発光装置100と異なる。保護膜601は、保護膜107の上に配置されている。保護膜602は、保護膜601の上に配置されている。保護膜107、保護膜601及び保護膜602によって保護構造603が構成される。
図7~図12を参照して、上述の有機発光装置100又は600を利用した様々な実施形態について説明する。以下では有機発光装置100を例として説明するが、有機発光装置100の代わりに有機発光装置600が用いられてもよい。有機発光装置100は、光を発生する任意の装置に組み込まれうる。例えば、有機発光装置100は、表示装置や照明装置の構成部材として用いられてもよい。その他、電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライト、白色光源にカラーフィルタを有する発光装置等に用いられてもよい。有機発光装置100は、タッチパネル機能を有するデバイスの一部であってもよい。このタッチパネル機能の駆動方式は、赤外線方式、静電容量方式、抵抗膜方式及び電磁誘導方式のいずれであってもよい。また、有機発光装置100はマルチファンクションプリンタの表示部として用いられてもよい。
上述の有機発光装置100を含む表示装置700の実施例について以下に説明する。基板101をシリコンで形成した。無機絶縁膜102を酸化シリコンで形成した。上述の例のように、電極103を、Ti層103a、TiN層103b、AlCu層103c及びTi層103dの積層構造で形成した。上述の例のように、絶縁体104を、TEOS-SiO層104a、HDP-SiO層104b及びTEOS-SiO層104cの積層構造で形成した。絶縁体104の開口の斜面の角度を65°とし、開口の径を0.7μmとし、開口の深さ(高さ)を0.12μmとした。
Claims (14)
- 半導体素子と、
前記半導体素子の上に配置され、シリコン原子と窒素原子とを含有する保護膜と、を有する半導体装置であって、
前記保護膜において1個のシリコン原子に結合する窒素原子の平均個数が1.25以上かつ1.35以下であることを特徴とする半導体装置。 - 前記保護膜のX線光電子分光法におけるSi2pスペクトルの結合エネルギーの重心が100.2eV以上100.6eV以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記保護膜において、1個のシリコン原子に結合する窒素原子の平均個数を、シリコン原子に対する窒素原子の組成比で割った量が、1.2以上1.55以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記保護膜のX線光電子分光法におけるSi2pスペクトルの結合エネルギーの重心が100.2eV以上100.6eV以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記保護膜は、第1保護膜であり、
前記半導体装置は、前記第1保護膜の上に配置された第2保護膜をさらに有し、
前記第2保護膜は、酸化アルミニウムを含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記保護膜の下面は凹凸を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極及び前記第2電極の間に配置された有機化合物膜とを有する有機発光素子であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 請求項7に記載の半導体装置と、
前記半導体装置の前記有機発光素子を駆動するための駆動回路と、を有することを特徴とする表示装置。 - 光を電気信号に変換する光電変換素子と、
前記光電変換素子によって得られた電気信号に基づく画像を表示する表示部と、を有し、
前記表示部は、請求項7に記載の半導体装置を含むことを特徴とする光電変換装置。 - 請求項7に記載の半導体装置を含む表示部と、
前記表示部が設けられた筐体と、
前記筐体に設けられ、外部の装置と通信する通信部と、
を有することを特徴とする電子機器。 - 請求項7に記載の半導体装置を含む光源と、
前記光源が発する光を透過する光拡散部又は光学フィルムと、
を有することを特徴とする照明装置。 - 請求項7に記載の半導体装置を含む灯具と、
前記灯具が設けられた機体と、
を有することを特徴とする移動体。 - 半導体装置の製造方法であって、
半導体素子の上に、シリコン原子と窒素原子とを含有する保護膜を形成する工程を有し、
前記保護膜において1個のシリコン原子に結合する窒素原子の平均個数が1.25以上かつ1.35以下であることを特徴とする製造方法。 - 前記保護膜のX線光電子分光法におけるSi2pスペクトルの結合エネルギーの重心が100.2eV以上100.6eV以下であることと、
前記保護膜において、1個のシリコン原子に結合する窒素原子の平均個数を、シリコン原子に対する窒素原子の組成比で割った量が、1.2以上1.55以下であることと、
前記保護膜を形成する工程において、圧力(Pa)/RFパワー(W)の値が0.72以上であることと、
のうちの少なくとも1つを満たすことを特徴とする請求項13に記載の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018212482A JP7170509B2 (ja) | 2018-11-12 | 2018-11-12 | 半導体装置及びその製造方法、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置並びに移動体 |
US16/669,963 US11765927B2 (en) | 2018-11-12 | 2019-10-31 | Semiconductor device, method of manufacturing the same, display device, photoelectric conversion device, electronic device, illumination device, and mobile object |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018212482A JP7170509B2 (ja) | 2018-11-12 | 2018-11-12 | 半導体装置及びその製造方法、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置並びに移動体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020080232A JP2020080232A (ja) | 2020-05-28 |
JP7170509B2 true JP7170509B2 (ja) | 2022-11-14 |
Family
ID=70551837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018212482A Active JP7170509B2 (ja) | 2018-11-12 | 2018-11-12 | 半導体装置及びその製造方法、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置並びに移動体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11765927B2 (ja) |
JP (1) | JP7170509B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20240011807A (ko) * | 2021-05-27 | 2024-01-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 표시 장치의 제작 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000077183A (ja) | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
JP2009018568A (ja) | 2007-06-11 | 2009-01-29 | Fujifilm Corp | ガスバリアフィルムおよびこれを用いた有機デバイス |
JP2013131339A (ja) | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Canon Inc | 有機発光装置及びその製造方法 |
WO2014188731A1 (ja) | 2013-05-24 | 2014-11-27 | パナソニック株式会社 | 封止膜、有機elデバイス、可撓性基板、および、封止膜の製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3170542B2 (ja) * | 1993-12-08 | 2001-05-28 | 出光興産株式会社 | 有機el素子 |
KR100635066B1 (ko) * | 2004-06-03 | 2006-10-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
JP2007123174A (ja) | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US7382515B2 (en) * | 2006-01-18 | 2008-06-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture |
US8101288B2 (en) | 2007-06-11 | 2012-01-24 | Fujifilm Corporation | Gas barrier film and organic device using the same |
US9142804B2 (en) * | 2010-02-09 | 2015-09-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device including barrier layer and method of manufacturing the same |
US20130105806A1 (en) * | 2011-11-01 | 2013-05-02 | Guojun Liu | Structures incorporating silicon nanoparticle inks, densified silicon materials from nanoparticle silicon deposits and corresponding methods |
KR20140017728A (ko) * | 2012-07-31 | 2014-02-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR20160047673A (ko) * | 2014-10-22 | 2016-05-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 |
KR102648617B1 (ko) * | 2016-06-30 | 2024-03-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그의 제조방법 |
TWI652534B (zh) * | 2017-12-21 | 2019-03-01 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構與顯示面板 |
-
2018
- 2018-11-12 JP JP2018212482A patent/JP7170509B2/ja active Active
-
2019
- 2019-10-31 US US16/669,963 patent/US11765927B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000077183A (ja) | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
JP2009018568A (ja) | 2007-06-11 | 2009-01-29 | Fujifilm Corp | ガスバリアフィルムおよびこれを用いた有機デバイス |
JP2013131339A (ja) | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Canon Inc | 有機発光装置及びその製造方法 |
WO2014188731A1 (ja) | 2013-05-24 | 2014-11-27 | パナソニック株式会社 | 封止膜、有機elデバイス、可撓性基板、および、封止膜の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020080232A (ja) | 2020-05-28 |
US11765927B2 (en) | 2023-09-19 |
US20200152911A1 (en) | 2020-05-14 |
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