KR20240011807A - 표시 장치 및 표시 장치의 제작 방법 - Google Patents
표시 장치 및 표시 장치의 제작 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20240011807A KR20240011807A KR1020237044618A KR20237044618A KR20240011807A KR 20240011807 A KR20240011807 A KR 20240011807A KR 1020237044618 A KR1020237044618 A KR 1020237044618A KR 20237044618 A KR20237044618 A KR 20237044618A KR 20240011807 A KR20240011807 A KR 20240011807A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- light
- organic layer
- film
- organic
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 47
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 1167
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 326
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 230
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 150
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 150
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 108
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 19
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 46
- 238000004040 coloring Methods 0.000 abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 478
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 176
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 167
- 230000006870 function Effects 0.000 description 141
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 84
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 58
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 53
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 52
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 41
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 40
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 40
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 37
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 36
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 35
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 33
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 31
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 31
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 31
- -1 etc.) Substances 0.000 description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 23
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 21
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 19
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 18
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 17
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 15
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 15
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 12
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 12
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 12
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 11
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- 210000001508 eye Anatomy 0.000 description 11
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 11
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 11
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 10
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 8
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 8
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 6
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 6
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 6
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 6
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 5
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 5
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 5
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 5
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 5
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 5
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 5
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical class C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 4
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000001341 grazing-angle X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical group [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- XESMNQMWRSEIET-UHFFFAOYSA-N 2,9-dinaphthalen-2-yl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC(C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=C(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)N=C21 XESMNQMWRSEIET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 3
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical group [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 3
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 3
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical group [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 3
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical group [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical group [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 3
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 3
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 3
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical group [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical class N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004838 Heat curing adhesive Substances 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016001 MoSe Inorganic materials 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000004373 Pullulan Substances 0.000 description 2
- 229920001218 Pullulan Polymers 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical group 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 150000004826 dibenzofurans Chemical class 0.000 description 2
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical class C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 2
- 150000002240 furans Chemical class 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002390 heteroarenes Chemical class 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical class [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000010985 leather Substances 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- PSAFWEIHLJUJOI-UHFFFAOYSA-M lithium;2-pyridin-2-ylphenolate Chemical compound [Li+].[O-]C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 PSAFWEIHLJUJOI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 125000002971 oxazolyl group Chemical class 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- 235000019423 pullulan Nutrition 0.000 description 2
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 2
- 125000002943 quinolinyl group Chemical class N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 2
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000007979 thiazole derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical class C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical group C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDDGNMXIOGQCCH-UHFFFAOYSA-N 3-fluoro-n,n-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC(F)=C1 SDDGNMXIOGQCCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEJARLYXNFRVLK-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,3-triazole Chemical group C1C=NN=N1 AEJARLYXNFRVLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWBHNEZMQMERHA-UHFFFAOYSA-N 5,6,11,12,17,18-hexaazatrinaphthylene Chemical compound C1=CC=C2N=C3C4=NC5=CC=CC=C5N=C4C4=NC5=CC=CC=C5N=C4C3=NC2=C1 JWBHNEZMQMERHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSRXYYMFVWHYBW-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(methylcarbamoyl)perylene-3,4-dicarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(=O)NC)C2=C1C3=CC=C2C(=O)NC RSRXYYMFVWHYBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000002925 A-like Anatomy 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- AZSFNTBGCTUQFX-UHFFFAOYSA-N C12=C3C(C4=C5C=6C7=C8C9=C(C%10=6)C6=C%11C=%12C%13=C%14C%11=C9C9=C8C8=C%11C%15=C%16C=%17C(C=%18C%19=C4C7=C8C%15=%18)=C4C7=C8C%15=C%18C%20=C(C=%178)C%16=C8C%11=C9C%14=C8C%20=C%13C%18=C8C9=%12)=C%19C4=C2C7=C2C%15=C8C=4C2=C1C12C3=C5C%10=C3C6=C9C=4C32C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C12=C3C(C4=C5C=6C7=C8C9=C(C%10=6)C6=C%11C=%12C%13=C%14C%11=C9C9=C8C8=C%11C%15=C%16C=%17C(C=%18C%19=C4C7=C8C%15=%18)=C4C7=C8C%15=C%18C%20=C(C=%178)C%16=C8C%11=C9C%14=C8C%20=C%13C%18=C8C9=%12)=C%19C4=C2C7=C2C%15=C8C=4C2=C1C12C3=C5C%10=C3C6=C9C=4C32C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 AZSFNTBGCTUQFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910012294 LiPP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 241000700605 Viruses Species 0.000 description 1
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBVMFXMAMOEEKB-UHFFFAOYSA-N [Zn][Ti][In] Chemical compound [Zn][Ti][In] FBVMFXMAMOEEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004847 absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 229940054051 antipsychotic indole derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 210000001367 artery Anatomy 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- WVMYSOZCZHQCSG-UHFFFAOYSA-N bis(sulfanylidene)zirconium Chemical compound S=[Zr]=S WVMYSOZCZHQCSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 210000005252 bulbus oculi Anatomy 0.000 description 1
- YVVVSJAMVJMZRF-UHFFFAOYSA-N c1cncc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1nc(nc(n1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1 Chemical compound c1cncc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1nc(nc(n1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1 YVVVSJAMVJMZRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001907 coumarones Chemical class 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 125000005331 diazinyl group Chemical group N1=NC(=CC=C1)* 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 210000000744 eyelid Anatomy 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000001061 forehead Anatomy 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- BIXHRBFZLLFBFL-UHFFFAOYSA-N germanium nitride Chemical compound N#[Ge]N([Ge]#N)[Ge]#N BIXHRBFZLLFBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- NRJVMVHUISHHQB-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);disulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[Hf+4] NRJVMVHUISHHQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- BDVZHDCXCXJPSO-UHFFFAOYSA-N indium(3+) oxygen(2-) titanium(4+) Chemical compound [O-2].[Ti+4].[In+3] BDVZHDCXCXJPSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002475 indoles Chemical class 0.000 description 1
- VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N indolo[3,2-c]carbazole Chemical class C1=CC=CC2=NC3=C4C5=CC=CC=C5N=C4C=CC3=C21 VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002361 inverse photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000002649 leather substitute Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- NMFYNYFBVADWSC-UHFFFAOYSA-M lithium 2-pyridin-2-ylpyridin-3-olate Chemical compound N1=C(C=CC=C1)C1=NC=CC=C1[O-].[Li+] NMFYNYFBVADWSC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- MHWZQNGIEIYAQJ-UHFFFAOYSA-N molybdenum diselenide Chemical compound [Se]=[Mo]=[Se] MHWZQNGIEIYAQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920005548 perfluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical class C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Chemical class 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 150000004059 quinone derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Chemical class 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- HVEIXSLGUCQTMP-UHFFFAOYSA-N selenium(2-);zirconium(4+) Chemical compound [Se-2].[Se-2].[Zr+4] HVEIXSLGUCQTMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910021428 silicene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N tungsten disulfide Chemical compound S=[W]=S ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K65/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element and at least one organic radiation-sensitive element, e.g. organic opto-couplers
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/60—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation in which radiation controls flow of current through the devices, e.g. photoresistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
- H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
촬상 기능을 갖는 표시 장치를 제공한다. 개구율이 높은 표시 장치를 제공한다. 표시 장치는 제 1 발광 소자와, 수광 소자와, 제 1 착색층을 갖고, 제 1 발광 소자는 제 1 화소 전극과, 제 1 화소 전극 위의 제 1 유기층과, 제 1 유기층 위의 공통 전극을 갖고, 수광 소자는 제 2 화소 전극과, 제 2 화소 전극 위의 제 2 유기층과, 제 2 유기층 위의 공통 전극을 갖고, 제 1 유기층은 제 1 발광층을 포함하고, 제 2 유기층은 광전 변환층을 포함하고, 제 1 착색층은 제 1 발광 소자에 중첩되어 배치되고, 광전 변환층은 제 1 착색층이 투과시키는 광의 파장 영역에 감도를 갖는다.
Description
본 발명의 일 형태는 표시 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 형태는 촬상 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 형태는 촬상 기능을 갖는 표시 장치에 관한 것이다.
또한 본 발명의 일 형태는 상기 기술분야에 한정되지 않는다. 본 명세서 등에서 개시(開示)하는 본 발명의 일 형태의 기술분야로서는 반도체 장치, 표시 장치, 발광 장치, 축전 장치, 기억 장치, 전자 기기, 조명 장치, 입력 장치, 입출력 장치, 이들의 구동 방법, 또는 이들의 제조 방법을 일례로서 들 수 있다. 반도체 장치란 반도체 특성을 이용함으로써 기능할 수 있는 장치 전반을 가리킨다.
근년, 표시 장치는 고해상도의 화상을 표시하기 위하여 고정세화(高精細化)가 요구되고 있다. 또한 스마트폰, 태블릿형 단말기, 또는 노트북형 PC(퍼스널 컴퓨터) 등의 정보 단말 기기에서 표시 장치는 고정세화에 더하여 저소비 전력화가 요구되고 있다. 또한 터치 패널로서의 기능 또는 인증을 위하여 지문을 촬상하는 기능 등, 화상을 표시할 뿐만 아니라, 다양한 기능이 부가된 표시 장치가 요구되고 있다.
표시 장치로서는 예를 들어 발광 소자를 포함하는 발광 장치가 개발되고 있다. 일렉트로루미네선스(Electroluminescence, 이하 EL이라고 표기함) 현상을 이용한 발광 소자(EL 소자라고도 표기함)는 박형 경량화가 용이하고, 입력 신호에 대하여 고속 응답이 가능하고, 직류 정전압 전원을 사용한 구동이 가능하다는 등의 특징을 갖고, 표시 장치에 응용되고 있다. 예를 들어 특허문헌 1에는 유기 EL 소자가 적용된 가요성을 갖는 발광 장치가 개시되어 있다.
본 발명의 일 형태는 촬상 기능을 갖는 표시 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 또는 고정세의 촬상 장치 또는 표시 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 또는 개구율이 높은 표시 장치 또는 촬상 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 또는 고감도 촬상을 수행할 수 있는 촬상 장치 또는 표시 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 또는 표시 품질이 높은 촬상 장치 또는 표시 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 또는 지문 등의 생체 정보를 취득할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 또는 터치 패널로서의 기능을 갖는 표시 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 또는 상기 표시 장치의 생산성이 높은 제작 방법을 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다.
본 발명의 일 형태는 신뢰성이 높은 표시 장치, 촬상 장치, 또는 전자 기기를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 본 발명의 일 형태는 신규 구성을 갖는 표시 장치, 촬상 장치, 또는 전자 기기 등을 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 본 발명의 일 형태는 선행 기술의 문제점 중 적어도 하나를 적어도 경감하는 것을 과제 중 하나로 한다.
또한 이들 과제의 기재는 다른 과제의 존재를 방해하는 것은 아니다. 또한 본 발명의 일 형태는 이들 과제 모두를 해결할 필요는 없는 것으로 한다. 또한 이들 이외의 과제는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재에서 추출할 수 있다.
본 발명의 일 형태는 제 1 발광 소자와, 수광 소자와, 제 1 착색층을 갖고, 제 1 발광 소자는 제 1 화소 전극과, 제 1 화소 전극 위의 제 1 유기층과, 제 1 유기층 위의 공통 전극을 갖고, 수광 소자는 제 2 화소 전극과, 제 2 화소 전극 위의 제 2 유기층과, 제 2 유기층 위의 공통 전극을 갖고, 제 1 유기층은 제 1 발광층을 포함하고, 제 2 유기층은 광전 변환층을 포함하고, 제 1 착색층은 제 1 발광 소자에 중첩되어 배치되고, 광전 변환층은 제 1 착색층이 투과시키는 광의 파장 영역에 감도를 갖는 표시 장치이다.
또한 상기에서, 제 1 유기층과 제 2 유기층 사이의 거리가 8μm 이하인 영역을 갖는 것이 바람직하다.
또한 상기에서, 수지층을 갖고, 수지층은 제 1 발광 소자와 수광 소자 사이의 영역에 위치하고, 제 1 유기층의 측면과 제 2 유기층의 측면은 수지층을 끼워 대향하는 것이 바람직하다.
또한 상기에서, 절연층을 갖고, 절연층은 제 1 발광 소자와 수광 소자 사이에 위치하고, 절연층은 제 1 유기층의 측면 및 제 2 유기층의 측면에 접하는 것이 바람직하다.
또한 상기에서, 제 2 발광 소자와 제 2 착색층을 갖고, 제 2 발광 소자는 제 3 화소 전극과, 제 3 화소 전극 위의 제 3 유기층과, 제 3 유기층 위의 공통 전극을 갖고, 제 3 유기층은 제 2 발광층을 포함하고, 제 2 착색층은 제 2 발광 소자에 중첩되어 배치되고, 제 2 착색층이 투과시키는 광의 파장 영역은 제 1 착색층이 투과시키는 광의 파장 영역과는 다른 것이 바람직하다. 또한 상기에서, 제 1 발광층은 제 2 발광층과 동일한 재료를 갖는 것이 바람직하다.
또한 상기에서, 제 1 유기층은 제 1 화소 전극 위의 제 1 발광 유닛과, 제 1 발광 유닛 위의 제 1 전하 발생층과, 제 1 전하 발생층 위의 제 2 발광 유닛을 갖고, 제 3 유기층은 제 3 화소 전극 위의 제 3 발광 유닛과, 제 3 발광 유닛 위의 제 2 전하 발생층과, 제 2 전하 발생층 위의 제 4 발광 유닛을 갖는 것이 바람직하다.
또한 상기에서, 제 1 발광 유닛은 제 3 발광 유닛과 동일한 재료를 갖고, 제 1 전하 발생층은 제 2 전하 발생층과 동일한 재료를 갖고, 제 2 발광 유닛은 제 4 발광 유닛과 동일한 재료를 갖는 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 다른 일 형태는 제 1 화소 전극 및 제 2 화소 전극을 형성하고, 제 1 화소 전극 및 제 2 화소 전극을 덮어 제 1 유기막을 성막하고, 제 1 유기막 위에 제 1 희생막을 성막하고, 제 1 희생막 위에 제 1 화소 전극에 중첩시켜 제 1 레지스트 마스크를 형성하고, 제 1 레지스트 마스크를 사용하여 제 1 희생막을 섬 형상의 제 1 희생층으로 가공하고, 제 1 희생층을 마스크로서 사용하여 제 1 유기막을 섬 형상의 제 1 유기층으로 가공하고, 제 1 유기층 및 제 2 화소 전극을 덮어 제 2 유기막을 성막하고, 제 2 유기막 위에 제 2 희생막을 성막하고, 제 2 희생막 위에 제 2 화소 전극에 중첩시켜 제 2 레지스트 마스크를 형성하고, 제 2 레지스트 마스크를 사용하여 제 2 희생막을 섬 형상의 제 2 희생층으로 가공하고, 제 2 희생층을 마스크로서 사용하여 제 2 유기막을 섬 형상의 제 2 유기층으로 가공하고, 제 1 유기층 위에 중첩시켜 착색층이 배치되고, 제 1 유기층은 발광성 유기 화합물을 포함하고, 제 2 유기층은 광전 변환 재료를 포함하는 표시 장치의 제작 방법이다.
또한 본 발명의 다른 일 형태는 제 1 화소 전극 및 제 2 화소 전극을 형성하고, 제 1 화소 전극 및 제 2 화소 전극을 덮어 제 1 유기막을 성막하고, 제 1 유기막 위에 제 1 희생막을 성막하고, 제 1 희생막 위에 제 1 화소 전극에 중첩시켜 제 1 레지스트 마스크를 형성하고, 제 1 레지스트 마스크를 사용하여 제 1 희생막을 섬 형상의 제 1 희생층으로 가공하고, 제 1 희생층을 마스크로서 사용하여 제 1 유기막을 섬 형상의 제 1 유기층으로 가공하고, 제 1 유기층 및 제 2 화소 전극을 덮어 제 2 유기막을 성막하고, 제 2 유기막 위에 제 2 희생막을 성막하고, 제 2 희생막 위에 제 2 화소 전극에 중첩시켜 제 2 레지스트 마스크를 형성하고, 제 2 레지스트 마스크를 사용하여 제 2 희생막을 섬 형상의 제 2 희생층으로 가공하고, 제 2 희생층을 마스크로서 사용하여 제 2 유기막을 섬 형상의 제 2 유기층으로 가공하고, 제 2 유기층 위에 중첩시켜 착색층이 배치되고, 제 1 유기층은 광전 변환 재료를 포함하고, 제 2 유기층은 발광성 유기 화합물을 포함하는 표시 장치의 제작 방법이다.
또한 상기에서, 제 2 유기층을 형성한 후, 제 1 유기층 및 제 2 유기층을 덮어 절연막을 성막하는 것이 바람직하다. 또한 상기에서, 절연막을 원자층 퇴적법을 사용하여 성막하는 것이 바람직하다.
또한 상기에서, 제 1 유기층과 제 2 유기층 사이의 영역에서 절연막 위에 수지층을 형성하는 것이 바람직하다. 또한 상기에서, 수지층으로서 감광성 유기 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 형태에 따르면, 촬상 기능을 갖는 표시 장치를 제공할 수 있다. 또는 고정세의 촬상 장치 또는 표시 장치를 제공할 수 있다. 또는 개구율이 높은 표시 장치 또는 촬상 장치를 제공할 수 있다. 또는 고감도 촬상을 수행할 수 있는 촬상 장치 또는 표시 장치를 제공할 수 있다. 또는 표시 품질이 높은 촬상 장치 또는 표시 장치를 제공할 수 있다. 또는 지문 등의 생체 정보를 취득할 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다. 또는 상기 표시 장치의 생산성이 높은 제작 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 형태에 따르면 신뢰성이 높은 표시 장치, 촬상 장치, 또는 전자 기기를 제공할 수 있다. 또는 신규 구성을 갖는 표시 장치, 촬상 장치, 또는 전자 기기 등을 제공할 수 있다. 또는 선행 기술의 문제점 중 적어도 하나를 적어도 경감할 수 있다.
또한 이들 효과의 기재는 다른 효과의 존재를 방해하는 것이 아니다. 또한 본 발명의 일 형태는 이들 효과 모두를 반드시 가질 필요는 없다. 또한 이들 이외의 효과는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재에서 추출할 수 있다.
도 1의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 2의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 3의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 4의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 5의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 6의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 7의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 8의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 도면이다.
도 9의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 도면이다.
도 10의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 도면이다.
도 11의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 도면이다.
도 12의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 도면이다.
도 13의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 도면이다.
도 14의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 도면이다.
도 15의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 도면이다.
도 16의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 도면이다.
도 17은 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 18의 (A)는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다. 도 18의 (B)는 트랜지스터의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 19는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 20의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 21은 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 22는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 23은 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 24는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 25는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 26의 (A), (B), 및 (D)는 표시 장치의 예를 나타낸 단면도이다. 도 26의 (C), (E)는 화상의 예를 나타낸 도면이다. 도 26의 (F) 내지 (H)는 화소의 예를 나타낸 상면도이다.
도 27의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 28의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 29의 (A) 내지 (E)는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 30의 (A) 내지 (C)는 화소의 예를 나타낸 도면이다. 도 30의 (D) 및 (E)는 화소의 회로도의 예를 나타낸 도면이다.
도 31의 (A) 내지 (J)는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 32의 (A) 및 (B)는 전자 기기의 일례를 나타낸 도면이다.
도 33의 (A) 내지 (D)는 전자 기기의 일례를 나타낸 도면이다.
도 34의 (A) 내지 (F)는 전자 기기의 일례를 나타낸 도면이다.
도 35의 (A) 내지 (F)는 전자 기기의 일례를 나타낸 도면이다.
도 2의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 3의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 4의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 5의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 6의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 7의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 8의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 도면이다.
도 9의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 도면이다.
도 10의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 도면이다.
도 11의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 도면이다.
도 12의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 도면이다.
도 13의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 도면이다.
도 14의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 도면이다.
도 15의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 도면이다.
도 16의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 도면이다.
도 17은 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 18의 (A)는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다. 도 18의 (B)는 트랜지스터의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 19는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 20의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 21은 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 22는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 23은 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 24는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 25는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 26의 (A), (B), 및 (D)는 표시 장치의 예를 나타낸 단면도이다. 도 26의 (C), (E)는 화상의 예를 나타낸 도면이다. 도 26의 (F) 내지 (H)는 화소의 예를 나타낸 상면도이다.
도 27의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 28의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 29의 (A) 내지 (E)는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 30의 (A) 내지 (C)는 화소의 예를 나타낸 도면이다. 도 30의 (D) 및 (E)는 화소의 회로도의 예를 나타낸 도면이다.
도 31의 (A) 내지 (J)는 표시 장치의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 32의 (A) 및 (B)는 전자 기기의 일례를 나타낸 도면이다.
도 33의 (A) 내지 (D)는 전자 기기의 일례를 나타낸 도면이다.
도 34의 (A) 내지 (F)는 전자 기기의 일례를 나타낸 도면이다.
도 35의 (A) 내지 (F)는 전자 기기의 일례를 나타낸 도면이다.
이하에서 실시형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 다만 실시형태는 많은 상이한 형태로 실시할 수 있고, 취지 및 그 범위에서 벗어남이 없이 그 형태 및 자세한 사항을 다양하게 변경할 수 있다는 것은 통상의 기술자라면 용이하게 이해할 수 있다. 따라서 본 발명은 이하의 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다.
또한 이하에서 설명하는 발명의 구성에서, 동일한 부분 또는 같은 기능을 갖는 부분에는 동일한 부호를 상이한 도면 사이에서 공통적으로 사용하고, 그 반복 설명은 생략한다. 또한 같은 기능을 갖는 부분을 가리키는 경우에는 해치 패턴을 동일하게 하고, 특별히 부호를 붙이지 않는 경우가 있다.
또한 본 명세서에서 설명하는 각 도면에서, 각 구성 요소의 크기, 층의 두께, 또는 영역은 명료화를 위하여 과장되어 있는 경우가 있다. 따라서 그 스케일에 반드시 한정되는 것은 아니다.
또한 본 명세서 등에서의 "제 1", "제 2" 등의 서수사는 구성 요소의 혼동을 피하기 위하여 붙이는 것이며, 수적으로 한정하는 것이 아니다.
또한 이하에서 "위", "아래" 등의 방향을 나타내는 표현은 기본적으로 도면의 방향에 맞추어 사용하는 것으로 한다. 그러나 설명을 용이하게 하는 등의 목적으로 명세서 중의 "위" 또는 "아래"가 의미하는 방향이 도면과 일치하지 않는 경우가 있다. 일례로서는 적층체 등의 적층 순서(또는 형성 순서) 등을 설명하는 경우에, 도면에서 상기 적층체가 제공되는 측의 면(피형성면, 지지면, 접착면, 평탄면 등)이 상기 적층체보다 위쪽에 위치하여도, 그 방향을 아래, 이와 반대의 방향을 위 등이라고 표현하는 경우가 있다.
또한 본 명세서 등에서 "막"이라는 용어와 "층"이라는 용어는 서로 바꿀 수 있다. 예를 들어 "도전층" 또는 "절연층"이라는 용어는 "도전막" 또는 "절연막"이라는 용어로 서로 바꿀 수 있는 경우가 있다.
또한 본 명세서에서, EL층이란 발광 소자의 한 쌍의 전극 사이에 제공되고, 적어도 발광성 물질을 포함하는 층(발광층이라고도 함) 또는 발광층을 포함하는 적층체를 의미하는 것으로 한다.
본 명세서 등에서, 표시 장치의 일 형태인 표시 패널은 표시면에 화상 등을 표시(출력)하는 기능을 갖는다. 따라서 표시 패널은 출력 장치의 일 형태이다.
또한 본 명세서 등에서는, 표시 패널의 기판에 예를 들어 FPC(Flexible Printed Circuit) 또는 TCP(Tape Carrier Package) 등의 커넥터가 장착된 것, 혹은 기판에 COG(Chip On Glass) 방식 등에 의하여 IC(Integrated Circuit)가 실장된 것을 표시 패널 모듈, 표시 모듈, 또는 단순히 표시 패널 등이라고 부르는 경우가 있다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치의 구성예 및 표시 장치의 제작 방법의 예에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 형태는 발광 소자(발광 디바이스라고도 함)와 수광 소자(수광 디바이스라고도 함)를 갖는 표시 장치이다. 발광 소자는 한 쌍의 전극과, 그 사이의 EL층을 갖는다. 수광 소자는 한 쌍의 전극과, 그 사이의 활성층을 갖는다. 발광 소자는 백색광을 방출하는 유기 EL 소자(유기 전계 발광 소자)인 것이 바람직하다. 수광 소자는 유기 포토다이오드(유기 광전 변환 소자)인 것이 바람직하다.
또한 표시 장치에서 각 화소는 백색광을 방출하는 발광 소자와, 이 발광 소자와 중첩되는 착색층을 갖는다. 각 화소에 제공된 부화소에서 다른 색의 가시광을 투과시키는 착색층을 사용함으로써, 표시 장치는 풀 컬러 표시를 수행할 수 있다. 또한 각 화소에 사용되는 발광 소자는 동일한 재료를 사용하여 형성할 수 있기 때문에, 제조 공정을 간략화하고 제조 비용을 절감할 수 있다.
본 발명의 일 형태는 복수의 수광 소자에 의하여 촬상을 수행할 수 있기 때문에 촬상 장치로서 기능한다. 이때 발광 소자는 촬상을 위한 광원으로서 사용할 수 있다. 또한 본 발명의 일 형태는 복수의 발광 소자에 의하여 화상을 표시할 수 있기 때문에 표시 장치로서 기능한다. 따라서 본 발명의 일 형태는 촬상 기능을 갖는 표시 장치, 또는 표시 기능을 갖는 촬상 장치라고 할 수 있다.
예를 들어 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 표시부에 발광 소자가 매트릭스로 배치되고, 또한 표시부에는 수광 소자가 매트릭스로 배치된다. 그러므로 표시부는 화상을 표시하는 기능과, 수광부로서의 기능을 갖는다. 표시부에 제공되는 복수의 수광 소자에 의하여 화상을 촬상할 수 있기 때문에 표시 장치는 이미지 센서 또는 터치 패널 등으로서 기능할 수 있다. 즉, 표시부에 의하여 화상을 촬상하거나 대상물의 접근 또는 대상물의 접촉을 검출할 수 있다. 또한 표시부에 제공되는 발광 소자는 수광 시에 광원으로서 이용할 수 있기 때문에, 표시 장치와 별도로 광원을 제공할 필요가 없어 전자 부품의 부품 점수를 늘리지 않고 기능성이 높은 표시 장치를 실현할 수 있다.
본 발명의 일 형태는 발광 소자로부터 방출되고 착색층을 통과한 광을 대상물이 반사하였을 때에 수광 소자가 그 반사광을 검출할 수 있기 때문에, 어두운 환경에서도 촬상 또는 터치(비접촉을 포함함)의 검출 등을 수행할 수 있다.
또한 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 표시부에 손가락, 손바닥 등이 접촉한 경우에 지문 또는 장문 등을 촬상할 수 있다. 그러므로 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 갖는 전자 기기는 촬상한 지문 또는 장문 등의 화상을 사용하여 개인 인증을 실행할 수 있다. 이에 의하여, 지문 인증 또는 장문 인증 등을 위한 촬상 장치를 별도로 제공할 필요가 없어 전자 기기의 부품 점수를 삭감할 수 있다. 또한 표시부에는 매트릭스로 수광 소자가 배치되어 있기 때문에, 표시부의 어느 곳에서도 지문 또는 장문 등의 촬상을 수행할 수 있으므로, 편리성이 우수한 전자 기기를 실현할 수 있다.
여기서, 각 화소의 발광 소자를 백색 발광의 유기 EL 소자를 사용하여 형성하는 경우, 각 화소에서 발광층을 구분 형성할 필요가 없다. 따라서 발광 소자에 포함되는 화소 전극 이외의 층(예를 들어 발광층 등)을 각 화소에서 공유할 수 있다. 그러나 발광 소자에 포함되는 층에는 도전성이 비교적 높은 층도 있고, 도전성이 높은 층이 각 화소에서 공유되도록 제공됨으로써 화소 간에서 누설 전류(사이드 누설, 또는 사이드 누설 전류라고도 함)가 발생하는 경우가 있다. 특히, 표시 장치의 정세도가 높아지거나 개구율이 높아져 화소들 사이의 거리가 짧아지면, 상기 누설 전류는 무시할 수 없을 정도로 커진다. 이에 의하여, 휘도 저하, 콘트라스트 저하 등이 발생하여 표시 품질이 저하된다. 또한 누설 전류는 전력 효율, 소비 전력 등에 악영향을 미친다.
또한 발광 소자와 수광 소자 간에서 상기와 같은 누설 전류가 발생하는 경우에는, 이 누설 전류는 수광 소자로 촬상을 수행할 때의 노이즈의 요인이 되기 때문에, 촬상의 감도(예를 들어 신호 대 잡음비(S/N비))가 저하될 우려가 있다.
그러므로 본 발명의 일 형태에서는, 포토리소그래피법에 의하여 각 화소에서 발광 소자의 적어도 일부를 가공하고, 각 화소에서 수광 소자의 적어도 일부를 섬 형상으로 가공한다. 또한 먼저 수광 소자의 적어도 일부를 섬 형상으로 가공한 후에, 발광 소자의 적어도 일부를 가공하는 구성으로 하여도 좋다. 여기서, 상기 발광 소자에서 섬 형상으로 형성하는 부분에는, 발광 소자가 갖는 발광성 화합물을 포함한 층(발광층이라고도 함)이 포함되는 것으로 한다. 또한 상기 수광 소자에서 섬 형상으로 형성하는 부분에는, 수광 소자가 갖는 광전 변환 재료를 포함한 층(활성층 또는 광전 변환층이라고도 함)이 포함되는 것으로 한다.
이와 같은 구성으로 함으로써, 발광 소자와 수광 소자 사이의 전류의 누설 경로(리크 패스)를 분단할 수 있다. 이에 의하여, 발광 소자와 수광 소자 사이의 누설 전류가 억제되어, 신호 대 잡음비(S/N비)가 높은, 정밀도가 높은 촬상을 수행할 수 있다. 그러므로 미약한 광이어도 선명한 촬상이 가능하다. 그러므로 촬상 시에는 광원으로서 사용하는 발광 소자의 휘도를 낮게 할 수 있기 때문에 소비 전력을 절감할 수 있다.
또한 인접한 2개의 발광 소자 사이에서 전류의 누설 경로를 분단하여 누설 전류를 억제할 수 있다. 그러므로 휘도 향상, 콘트라스트 향상, 표시 품질 향상, 전력 효율 향상, 또는 소비 전력 절감 등이 가능하다.
또한 에칭에 의하여 노출된 유기 적층막의 측면을 보호하기 위하여 절연층을 형성하는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 표시 장치의 신뢰성을 높일 수 있다.
상이한 색의 발광 소자 사이에서 발광층을 구분 형성하는 경우, 메탈 마스크 또는 FMM(파인 메탈 마스크, 고정세의 메탈 마스크) 등의 섀도 마스크를 사용한 증착법을 사용하는 것이 알려져 있다. 또한 본 명세서 등에서, 메탈 마스크 또는 FMM을 사용하여 제작되는 디바이스를 MM(메탈 마스크) 구조의 디바이스라고 부르는 경우가 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 형태에서는, 메탈 마스크 등의 섀도 마스크를 사용하지 않고, 포토리소그래피법에 의하여 발광층을 포함한 유기층 및 활성층을 포함한 유기층에 대하여 미세한 패터닝을 수행한다. 또한 본 명세서 등에서 메탈 마스크 또는 FMM을 사용하지 않고 제작되는 디바이스를 MML(메탈 마스크리스) 구조의 디바이스라고 부르는 경우가 있다. MML 구조로 형성함으로써, 그동안 실현이 어려웠던 높은 정세도와 큰 개구율을 갖는 표시 장치를 실현할 수 있다.
화소들 사이의 거리는, 예를 들어 메탈 마스크를 사용한 형성 방법으로는 10μm 미만으로 하는 것은 어렵지만, 상기 방법으로는 8μm 이하, 3μm 이하, 2μm 이하, 또는 1μm 이하까지 좁힐 수 있다. 여기서, 화소들 사이의 거리는 인접한 화소 전극의 대향하는 단부 사이의 거리로 규정할 수 있다. 또는 화소들 사이의 거리는 인접한, 발광층을 포함한 유기층 및 활성층을 포함한 유기층의 대향하는 단부 사이의 거리로 규정할 수 있다.
상술한 바와 같이 화소들 사이의 간격을 좁힘으로써, 2개의 발광 소자 사이에 존재할 수 있는 비발광 영역의 면적을 크게 축소할 수 있고, 개구율을 100%에 가깝게 할 수 있다. 예를 들어 50% 이상, 60% 이상, 70% 이상, 80% 이상, 나아가서는 90% 이상이며 100% 미만의 개구율을 실현할 수도 있다.
이하에서는 본 발명의 일 형태의 표시 장치의 구성예 및 제작 방법의 예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
[구성예 1]
도 1의 (A)는 표시 장치(100)의 상면 개략도이다. 또한 도 1의 (B), (C)는 각각 도 1의 (A)에서의 일점쇄선 A1-A2 및 일점쇄선 C1-C2에 대응하는 단면 개략도이다. 표시 장치(100)는 복수의 화소(103)가 매트릭스로 배치된 표시부를 갖는다.
도 1의 (A)에 나타낸 화소(103)에는 매트릭스 배열이 적용된다. 도 1의 (A)에 나타낸 화소(103)는 4개의 부화소(부화소(103R, 103G, 103B, 103S))로 구성된다. 또한 도 1의 (A)에서는, 각 부화소를 쉽게 구별하기 위하여, 각 부화소의 영역 내에 R, G, B, S의 부호를 붙였다.
부화소(103R, 103G, 103B)는 백색 발광하는 발광 소자(110R, 110G, 110B)(이하, 통틀어 발광 소자(110)라고 부르는 경우가 있음)를 갖는다. 발광 소자(110R, 110G, 110B)와 중첩하여 제공된 착색층(129R, 129G, 129B)(이하, 통틀어 착색층(129)이라고 부르는 경우가 있음)에 의하여, 각 부화소가 다른 색의 광을 방출한다. 또한 도 1의 (B)에는 도시하지 않았지만, 착색층(129B)도 착색층(129R, 129G)과 같은 식으로 제공된다. 부화소(103R, 103G, 103B)로서는 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 3색의 부화소를 제공하면 좋다. 또한 이에 한정되지 않고, 부화소로서 황색(Y), 시안(C), 및 마젠타(M)의 3색의 부화소를 제공하여도 좋다.
도 1의 (A)에는 2개의 부화소가 한 방향으로 번갈아 배열되는 구성을 나타내었다. 또한 부화소의 배열 방법은 이에 한정되지 않고, 스트라이프 배열, S 스트라이프 배열, 델타 배열, 베이어(Bayer) 배열, 지그재그 배열 등의 배열 방법을 적용하여도 좋고, 펜타일 배열, 다이아몬드 배열 등을 사용할 수도 있다.
발광 소자(110R, 110G, 110B)로서는 OLED(Organic Light Emitting Diode) 등의 EL 소자를 사용하는 것이 바람직하다. EL 소자가 갖는 발광 물질로서는 형광을 방출하는 물질(형광 재료), 인광을 방출하는 물질(인광 재료), 무기 화합물(퀀텀닷(quantum dot) 재료 등), 열 활성화 지연 형광을 나타내는 물질(열 활성화 지연 형광(TADF: Thermally activated delayed fluorescence) 재료) 등을 들 수 있다.
부화소(103S)는 수광 소자(110S)를 갖는다. 수광 소자(110S)로서는 예를 들어 pn형 또는 pin형 포토다이오드를 사용할 수 있다. 수광 소자(110S)는 수광 소자(110S)에 입사하는 광을 검출하여 전하를 발생시키는 광전 변환 소자로서 기능한다. 광전 변환 소자는 입사하는 광의 양에 따라 발생하는 전하량이 결정된다. 특히 수광 소자(110S)로서, 유기 화합물을 포함하는 층을 갖는 유기 포토다이오드를 사용하는 것이 바람직하다. 유기 포토다이오드는 박형화, 경량화, 및 대면적화가 용이하고, 형상 및 디자인의 자유도가 높기 때문에, 다양한 장치에 적용할 수 있다.
또한 도 1의 (A)에는 공통 전극(113)에 전기적으로 접속되는 접속 전극(111C)을 나타내었다. 접속 전극(111C)에는 공통 전극(113)에 공급하기 위한 전위(예를 들어 애노드 전위 또는 캐소드 전위)가 공급된다. 접속 전극(111C)은 발광 소자(110R) 등이 배열되는 표시 영역의 외부에 제공된다. 또한 도 1의 (A)에서는 공통 전극(113)을 파선으로 나타내었다.
접속 전극(111C)은 표시 영역의 외주를 따라 제공될 수 있다. 예를 들어 표시 영역의 외주의 한 변을 따라 제공되어도 좋고, 표시 영역의 외주의 두 변 이상을 따라 제공되어도 좋다. 즉 표시 영역의 상면 형상이 장방형인 경우에는, 접속 전극(111C)의 상면 형상은 띠 형상, L자 형상, ㄷ자 형상(각괄호 형상), 또는 사각형 등으로 할 수 있다.
도 1의 (B)에 나타낸 바와 같이, 표시 장치(100)는 기판(101) 위에 발광 소자(110R), 발광 소자(110G), 발광 소자(110B)(미도시), 및 수광 소자(110S)가 제공되고, 이들을 덮도록 보호층(121)이 제공되어 있다. 여기서, 기판(101)에는 배선, 트랜지스터, 전극 등(미도시)이 제공되어 있고, 가장 위쪽 부분에는 절연층이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한 도 1의 (B)에는 부화소(103B)를 도시하지 않았지만, 부화소(103B)에 포함되는 구성 요소에 대해서도 부화소(103R) 및 부화소(103G)에 포함되는 구성 요소와 같은 식으로 제공할 수 있다. 보호층(121) 위에는 수지층(122)이 제공되어 있다. 또한 그 위에 수지층(122)에 의하여 기판(102)이 접합되어 있다. 또한 기판(102)에는 착색층(129R), 착색층(129G), 착색층(129B)(미도시)이 제공되어 있다. 또한 인접한 발광 소자 또는 수광 소자 사이의 영역에는 절연층(125)과, 절연층(125) 위의 수지층(126)이 제공되어 있다.
발광 소자(110R)는 화소 전극(111R), 화소 전극(111R) 위의 유기층(112R), 유기층(112R) 위의 유기층(114), 및 유기층(114) 위의 공통 전극(113)을 갖는다. 발광 소자(110G)는 화소 전극(111G), 화소 전극(111G) 위의 유기층(112G), 유기층(112G) 위의 유기층(114), 및 유기층(114) 위의 공통 전극(113)을 갖는다. 수광 소자(110S)는 화소 전극(111S), 화소 전극(111S) 위의 유기층(155), 유기층(155) 위의 유기층(114), 및 유기층(114) 위의 공통 전극(113)을 갖는다. 발광 소자(110R, 110G, 110B) 및 수광 소자(110S)는 섬 형상으로 패턴 형성되어 있는 것이 바람직하다. 유기층(114)과 공통 전극(113)은 발광 소자(110R), 발광 소자(110G), 수광 소자(110S), 및 발광 소자(110B)에서 공유되는 막으로서 제공된다. 유기층(114)은 공통층이라고 할 수도 있다.
유기층(112R), 유기층(112G), 및 유기층(112B)(미도시)은 백색(W)의 광을 방출하는 것이 바람직하다. 유기층(112R), 유기층(112G), 및 유기층(112B)은 적어도 발광층을 포함한 층이다. 유기층(112R), 유기층(112G), 및 유기층(112B) 위에, 상이한 색의 광을 투과시키는 착색층(129R), 착색층(129G), 및 착색층(129B)(미도시)을 제공함으로써, 상이한 색의 광을 방출하는 부화소(103R), 부화소(103G), 및 부화소(103B)를 형성할 수 있다. 또한 본 실시형태의 발광 소자의 구성은 특별히 제한되지 않고, 싱글 구조를 가져도 좋고 탠덤 구조를 가져도 좋다. 또한 발광 소자의 구성예에 대해서는 후술한다.
수광 소자(110S)가 갖는 유기층(155)은 가시광 또는 적외광의 파장 영역에 감도를 갖는 광전 변환 재료를 갖는다. 유기층(155)이 갖는 광전 변환 재료가 감도를 갖는 파장 영역에는, 착색층(129R)이 투과시키는 광의 파장 영역, 착색층(129G)이 투과시키는 광의 파장 영역, 및 착색층(129B)이 투과시키는 광의 파장 영역 중 하나 이상이 포함되는 것이 바람직하다. 유기층(155)은 활성층 또는 광전 변환층이라고도 부를 수 있다.
이하에서 발광 소자(110R), 발광 소자(110G), 및 발광 소자(110B)에 공통되는 사항에 대하여 설명하는 경우에는, 발광 소자(110)라고 통틀어 설명하는 경우가 있다. 마찬가지로, 유기층(112R), 유기층(112G), 및 유기층(112B) 등, 알파벳으로 구별하는 구성 요소에서 이들에 공통되는 사항에 대하여 설명하는 경우에는, 알파벳을 생략한 부호를 사용하여 설명하는 경우가 있다.
또한 도 1의 (B)에 나타낸 바와 같이, 유기층(112) 및 유기층(155)이 화소 전극(111)을 덮는 구성으로 하는 것이 바람직하다. 이 경우, 유기층(112) 및 유기층(155)의 측면 단부는 화소 전극(111)의 측면 단부보다 외측에 위치한다. 또한 유기층(112) 및 유기층(155)의 화소 전극(111)과 중첩되지 않은 영역은 기판(101) 상면에 접한다. 이에 의하여, 화소 전극(111)을 노출시키지 않고 유기층(112) 및 유기층(155)의 형성 공정 등을 수행할 수 있다. 따라서 상기 공정에서, 화소 전극(111)의 손상을 저감할 수 있으므로, 발광 소자(110) 및 수광 소자(110S)의 수율을 향상시킬 수 있어, 발광 소자(110)의 표시 품질의 향상 및 수광 소자(110S)에 의한 고감도의 촬상이 가능하게 된다.
각 발광 소자에서 화소 전극과 공통 전극(113) 사이에 위치하는 적층막을 EL(Electroluminescence)층이라고 부를 수 있다. 즉 유기층(112)과 유기층(114)을 통틀어 EL층이라고 부를 수 있다. 또한 수광 소자(110S)에서 화소 전극(111S)과 공통 전극(113) 사이에 위치하는 적층막을 PD(Photodiode)층이라고 부를 수 있다. 즉 유기층(155)과 유기층(114)을 통틀어 PD층이라고 부를 수 있다.
유기층(112), 유기층(155), 및 유기층(114)은 발광층 및 수광층 이외의 층으로서, 각각 독립적으로 전자 주입층, 전자 수송층, 전자 차단층, 정공 차단층, 정공 주입층, 및 정공 수송층 중 하나 이상을 가질 수 있다. 예를 들어 유기층(112)이 화소 전극(111) 측으로부터 정공 주입층과 정공 수송층의 적층 구조를 갖고, 발광층 또는 수광층 위에 전자 수송층을 갖고, 유기층(114)이 전자 주입층을 가질 수 있다. 또는 유기층(112)이 화소 전극(111) 측으로부터 전자 주입층과 전자 수송층의 적층 구조를 갖고, 발광층 또는 수광층 위에 정공 수송층을 갖고, 유기층(114)이 정공 주입층을 가질 수 있다.
또한 유기층(112), 유기층(114), 유기층(155) 등, 발광 소자 또는 수광 소자(110S)의 한 쌍의 전극 사이에 위치하는 층에 대하여 유기층이라는 명칭을 사용하지만, 이는 유기 EL 소자 또는 유기 광전 변환 소자를 구성하는 층을 의미하는 것이며, 유기 화합물을 반드시 포함할 필요는 없다. 예를 들어 유기층(112), 유기층(114), 및 유기층(155)으로서는 각각 유기 화합물을 포함하지 않고, 무기 화합물 또는 무기물만을 포함하는 막을 사용할 수도 있다.
화소 전극(111R), 화소 전극(111G), 및 화소 전극(111B)(미도시)은 각각 발광 소자마다 제공되어 있다. 또한 공통 전극(113) 및 유기층(114)은 각 발광 소자 및 수광 소자(110S)에서 공유되는 하나의 층으로서 제공되어 있다. 각 화소 전극 및 공통 전극(113) 중 어느 한쪽에 가시광에 대하여 투광성을 갖는 도전막을 사용하고, 다른 쪽에 반사성을 갖는 도전막을 사용한다. 각 화소 전극에 투광성을 부여하고, 공통 전극(113)에 반사성을 부여함으로써, 하면 방출형(보텀 이미션(bottom-emission)형)의 표시 장치로 할 수 있고, 반대로 각 화소 전극에 반사성을 부여하고, 공통 전극(113)에 투광성을 부여함으로써, 상면 방출형(톱 이미션(top-emission)형)의 표시 장치로 할 수 있다. 또한 각 화소 전극과 공통 전극(113)의 양쪽에 투광성을 부여함으로써, 양면 방출형(듀얼 이미션(dual-emission)형)의 표시 장치로 할 수도 있다.
공통 전극(113) 위에는 발광 소자(110R), 발광 소자(110G), 수광 소자(110S), 및 발광 소자(110B)(미도시)를 덮어 보호층(121)이 제공되어 있다. 보호층(121)은 위쪽으로부터 각 발광 소자로 물 등의 불순물이 확산되는 것을 방지하는 기능을 갖는다.
인접한 발광 소자와 수광 소자(110S) 사이 및 인접한 2개의 발광 소자 사이에는 슬릿(120)이 제공되어 있다. 슬릿(120)은 인접한 발광 소자와 수광 소자(110S) 사이 또는 인접한 2개의 발광 소자 사이에 위치하는 유기층(112) 또는 유기층(155)을 에칭한 부분에 상당한다.
여기서, 유기층(112) 및 유기층(155)을 포토리소그래피법을 사용하여 가공함으로써, 슬릿(120)에 의하여 이격되어 있는 각 화소들 사이의 거리를 8μm 이하, 3μm 이하, 2μm 이하, 또는 1μm 이하까지 좁힐 수 있다. 여기서, 각 화소들 사이의 거리는 예를 들어 각 유기층(112)의 대향하는 단부 사이의 거리, 유기층(112)과 유기층(155)의 대향하는 단부 사이의 거리, 및 각 유기층(155)의 대향하는 단부 사이의 거리로 규정할 수 있다. 또는 인접한 화소 전극(111)의 대향하는 단부 사이의 거리로 규정할 수 있다. 이와 같이, 각 화소들 사이의 거리를 좁힘으로써, 정세도가 높고 개구율이 높은 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한 인접한 유기층(112)과 유기층(155)을 슬릿(120)에 의하여 이격시킴으로써, 유기층(112)과 유기층(155) 사이의 전류의 누설 경로를 분단할 수 있다. 이에 의하여, 유기층(112)과 유기층(155) 사이의 누설 전류가 억제되어, 신호 대 잡음비(S/N비)가 높은, 정밀도가 높은 촬상을 수행할 수 있다. 그러므로 미약한 광이어도 선명한 촬상이 가능하다. 그러므로 촬상 시에는 광원으로서 사용하는 발광 소자의 휘도를 낮게 할 수 있기 때문에 소비 전력을 절감할 수 있다.
또한 인접한 유기층(112)을 슬릿(120)에 의하여 이격시킴으로써, 인접한 유기층(112) 사이에서 전류의 누설 경로를 분단하여, 누설 전류를 억제할 수 있다. 이에 의하여, 발광 소자에서, 휘도 향상, 콘트라스트 향상, 표시 품질 향상, 전력 효율 향상, 또는 소비 전력 절감 등이 가능하다.
슬릿(120)에는 절연층(125)과 수지층(126)이 제공되어 있다. 절연층(125)은 슬릿(120)의 측벽 및 밑면을 따라 제공되어 있다. 그러므로 절연층(125)은 유기층(112)의 측면 및 유기층(155)의 측면에 접한다. 또한 수지층(126)은 절연층(125) 위에 제공되고, 슬릿(120)의 오목부를 메운다. 따라서 수지층(126)은 유기층(112)의 측면들 사이 또는 유기층(112)의 측면과 유기층(155)의 측면 사이에 위치한다. 바꿔 말하면, 유기층(112)의 측면들 또는 유기층(112)의 측면과 유기층(155)의 측면은 수지층(126)을 사이에 끼워 대향한다. 또한 수지층(126)은 슬릿(120)의 오목부를 메움으로써, 그 상면을 평탄하게 하는 기능을 갖는다. 수지층(126)에 의하여 슬릿(120)의 오목부를 평탄화함으로써, 유기층(114), 공통 전극(113), 및 보호층(121)의 피복성을 높일 수 있다.
또한 슬릿(120)은 접속 전극(111C) 등의 외부 접속 단자의 개구부의 형성과 동시에 형성할 수 있기 때문에, 공정을 늘리지 않고 이들을 형성할 수 있다. 또한 슬릿(120)은 절연층(125) 및 수지층(126)을 포함하기 때문에, 화소 전극(111)과 공통 전극(113) 사이의 단락을 방지하는 효과를 갖는다. 또한 수지층(126)은 유기층(114)의 밀착성을 향상시키는 효과를 갖는다. 즉 수지층(126)을 제공하면 유기층(114)의 밀착성이 향상되기 때문에, 유기층(114)의 막 박리를 억제할 수 있다.
절연층(125)은 유기층(예를 들어 유기층(112), 유기층(155) 등)의 측면에 접하여 제공되기 때문에, 상기 유기층과 수지층(126)이 접하지 않도록 할 수 있다. 상기 유기층과 수지층(126)이 접하면, 수지층(126)에 포함되는 유기 용매 등에 의하여 유기층이 용해될 가능성이 있다. 그러므로 본 실시형태에서 나타내는 바와 같이, 유기층과 수지층(126) 사이에 절연층(125)을 제공함으로써, 유기층의 측면을 보호할 수 있다. 또한 슬릿(120)은 적어도 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 차단층, 발광층, 활성층, 정공 차단층, 전자 수송층, 및 전자 주입층 중 어느 하나 또는 복수를 분단할 수 있는 구성을 가지면 좋다.
절연층(125)은 무기 재료를 포함한 절연층으로 할 수 있다. 절연층(125)으로서는 예를 들어 산화 절연막, 질화 절연막, 산화질화 절연막, 및 질화산화 절연막 등의 무기 절연막을 사용할 수 있다. 절연층(125)은 단층 구조를 가져도 좋고, 적층 구조를 가져도 좋다. 산화 절연막으로서는 산화 실리콘막, 산화 알루미늄막, 산화 마그네슘막, 인듐 갈륨 아연 산화물막, 산화 갈륨막, 산화 저마늄막, 산화 이트륨막, 산화 지르코늄막, 산화 란타넘막, 산화 네오디뮴막, 산화 하프늄막, 및 산화 탄탈럼막 등을 들 수 있다. 질화 절연막으로서는 질화 실리콘막 및 질화 알루미늄막 등을 들 수 있다. 산화질화 절연막으로서는 산화질화 실리콘막, 산화질화 알루미늄막 등을 들 수 있다. 질화산화 절연막으로서는 질화산화 실리콘막, 질화산화 알루미늄막 등을 들 수 있다. 특히 원자층 퇴적(ALD: Atomic Layer Deposition)법으로 형성한 산화 알루미늄막, 산화 하프늄막 등의 산화 금속막, 또는 산화 실리콘막 등의 무기 절연막을 절연층(125)에 적용함으로써, 핀홀이 적고, EL층을 보호하는 기능이 우수한 절연층(125)을 형성할 수 있다.
또한 본 명세서 등에서 산화질화물이란 그 조성에서 질소보다 산소의 함유량이 많은 재료를 가리키고, 질화산화물이란 그 조성에서 산소보다 질소의 함유량이 많은 재료를 가리킨다. 예를 들어 산화질화 실리콘이라고 기재한 경우에는, 그 조성에서 질소보다 산소의 함유량이 많은 재료를 가리키고, 질화산화 실리콘이라고 기재한 경우에는, 그 조성에서 산소보다 질소의 함유량이 많은 재료를 가리킨다.
절연층(125)의 형성에는 스퍼터링법, CVD(Chemical Vapor Deposition)법, PLD(Pulsed Laser Deposition)법, ALD법 등을 사용할 수 있다. 절연층(125)은 피복성이 양호한 ALD법을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다.
수지층(126)으로서는 유기 재료를 포함한 절연층을 적합하게 사용할 수 있다. 예를 들어 수지층(126)에는 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지, 이미드 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드아마이드 수지, 실리콘(silicone) 수지, 실록세인 수지, 벤조사이클로뷰텐계 수지, 페놀 수지, 및 이들 수지의 전구체 등을 적용할 수 있다. 또한 수지층(126)에는 폴리바이닐알코올(PVA), 폴리바이닐뷰티랄, 폴리바이닐피롤리돈, 폴리에틸렌글라이콜, 폴리글리세린, 풀루란, 수용성 셀룰로스, 또는 알코올 가용성 폴리아마이드 수지 등의 유기 재료를 사용하여도 좋다.
또한 수지층(126)에는 감광성 수지를 사용할 수 있다. 감광성 수지로서는 포토레지스트를 사용하여도 좋다. 감광성 수지로서는 포지티브형 재료 또는 네거티브형 재료를 사용할 수 있다.
또한 수지층(126)에 착색된 재료(예를 들어 흑색의 안료를 포함한 재료 등)를 사용함으로써, 인접한 화소로부터의 미광을 차단하고 혼색을 억제하는 기능을 부여하여도 좋다.
또한 절연층(125)과 수지층(126) 사이에 반사막(예를 들어 은, 팔라듐, 구리, 타이타늄, 및 알루미늄 등 중에서 선택되는 하나 또는 복수를 포함한 금속막)을 제공하고, 발광층으로부터 방출되는 광을 상기 반사막에 의하여 반사함으로써 광 추출 효율을 향상시키는 기능을 부여하여도 좋다.
수지층(126)의 상면은 평탄할수록 바람직하지만, 표면이 완만한 곡면 형상을 갖는 경우가 있다. 도 1의 (B) 등에서는, 수지층(126)의 상면이 오목부와 볼록부를 갖는 파형 형상을 갖는 예를 나타내었지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어 수지층(126)의 상면은 볼록면, 오목면, 또는 평면이어도 좋다.
보호층(121)은 예를 들어 적어도 무기 절연막을 포함하는 단층 구조 또는 적층 구조를 가질 수 있다. 무기 절연막으로서는, 예를 들어 산화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 질화산화 실리콘막, 질화 실리콘막, 산화 알루미늄막, 산화질화 알루미늄막, 산화 하프늄막 등의 산화물막 또는 질화물막이 있다. 또는 보호층(121)에 인듐 갈륨 산화물, 인듐 갈륨 아연 산화물 등의 반도체 재료를 사용하여도 좋다.
도 1의 (C)에는 접속 전극(111C)과 공통 전극(113)이 전기적으로 접속되는 접속부(130)를 나타내었다. 접속부(130)에서는 접속 전극(111C) 위에 유기층(114)을 개재(介在)하여 공통 전극(113)이 제공되어 있다. 또한 접속 전극(111C)의 측면에 접하여 절연층(125)이 제공되고, 상기 절연층(125) 위에 수지층(126)이 제공되어 있다.
또한 접속부(130)에는 유기층(114)을 제공하지 않아도 된다. 이 경우, 접속부(130)에서는 접속 전극(111C) 위에 공통 전극(113)이 접하여 제공되고, 공통 전극(113)을 덮어 보호층(121)이 제공된다.
보호층(121)으로서는 무기 절연막과 유기 절연막의 적층막을 사용할 수도 있다. 예를 들어 한 쌍의 무기 절연막 사이에 유기 절연막을 끼운 구성이 바람직하다. 또한 유기 절연막이 평탄화막으로서 기능하는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 유기 절연막의 상면을 평탄하게 할 수 있기 때문에, 그 위의 무기 절연막의 피복성이 향상되어, 배리어성을 높일 수 있다. 또한 보호층(121)의 상면이 평탄하게 되기 때문에 보호층(121)의 위쪽에 구조물(예를 들어 컬러 필터, 터치 센서의 전극, 렌즈, 또는 렌즈 어레이 등)을 제공하는 경우에 아래쪽의 구조에 기인하는 요철 형상의 영향을 경감할 수 있어 바람직하다.
보호층(121) 위에는 수지층(122)이 제공된다. 수지층(122)에는, 자외선 경화형 등의 광 경화형 접착제, 반응 경화형 접착제, 열 경화형 접착제, 혐기형 접착제 등 각종 경화형 접착제를 사용할 수 있다. 이들 접착제로서는 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 이미드 수지, PVC(폴리바이닐클로라이드) 수지, PVB(폴리바이닐뷰티랄) 수지, EVA(에틸렌바이닐아세테이트) 수지 등을 들 수 있다. 특히 에폭시 수지 등의 투습성이 낮은 재료가 바람직하다. 또한 2액 혼합형 수지를 사용하여도 좋다. 또한 접착 시트 등을 사용하여도 좋다.
수지층(122)과 기판(102) 사이에 착색층(129)(착색층(129R), 착색층(129G), 및 착색층(129B)(미도시))이 제공된다. 착색층(129R)은 발광 소자(110R)와 중첩되는 영역을 갖고, 착색층(129G)은 발광 소자(110G)와 중첩되는 영역을 갖고, 착색층(129B)은 발광 소자(110B)(미도시)와 중첩되는 영역을 갖는다. 착색층(129R, 129G, 129B)은 적어도 각 발광 소자(110)의 발광층과 중첩되는 영역을 갖는다.
착색층(129R), 착색층(129G), 및 착색층(129B)은 서로 다른 파장 영역의 광을 투과시키는 기능을 갖는다. 예를 들어 착색층(129R)은 적색의 파장 영역에 강도를 갖는 광을 투과시키는 기능을 갖고, 착색층(129G)은 녹색의 파장 영역에 강도를 갖는 광을 투과시키는 기능을 갖고, 착색층(129B)은 청색의 파장 영역에 강도를 갖는 광을 투과시키는 기능을 갖는다. 이에 의하여, 표시 장치(100)는 풀 컬러 표시를 할 수 있다. 또한 착색층(129)은 시안, 마젠타, 및 황색 중 어느 색의 광을 투과시키는 기능을 가져도 좋다.
여기서 인접한 착색층(129)은 서로 중첩되는 영역을 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 발광 소자(110)와 중첩되지 않은 영역에서, 인접한 착색층(129)이 서로 중첩되는 영역을 갖는 것이 바람직하다. 상이한 색의 광을 투과시키는 착색층(129)이 서로 중첩되면, 착색층(129)이 서로 중첩되는 영역에서, 착색층(129)을 차광층으로서 기능시킬 수 있다. 따라서 발광 소자(110)가 방출하는 광이 인접한 부화소에 누설되는 것을 억제할 수 있다. 예를 들어 착색층(129R)과 중첩되는 발광 소자(110R)가 방출하는 광이 착색층(129G)에 입사하는 것을 억제할 수 있다. 따라서 표시 장치에 표시되는 화상의 콘트라스트를 높일 수 있어, 표시 품질이 높은 표시 장치를 실현할 수 있다.
또한 인접한 착색층(129)은 서로 중첩되는 영역을 갖지 않아도 된다. 이 경우, 발광 소자(110)와 중첩되지 않은 영역에 차광층을 제공하는 것이 바람직하다. 차광층을 예를 들어 기판(102)의 수지층(122) 측의 면에 제공할 수 있다.
또한 위에서는 유기층(112) 및 유기층(155)이 화소 전극(111)을 덮는 구성을 나타내었지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 도 2의 (A)에 나타낸 바와 같이, 유기층(112) 및 유기층(155)이 화소 전극(111)의 평탄부 위에만 형성되고, 화소 전극(111)의 단부를 넘어서는 형성되지 않는 구성으로 하여도 좋다. 여기서, 도 2의 (A)는 도 1의 (A)의 일점쇄선 A1-A2에 대응하는 단면 개략도이다. 이러한 구성으로 함으로써, 유기층(112) 및 유기층(155)에 화소 전극(111)의 단차에 기인한 단절이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한 상기 단절로 인하여 유기층(114) 및 공통 전극(113)에도 단절이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한 도 2의 (B)에 나타낸 바와 같이, 유기층(112) 및 유기층(155)의 측면과 화소 전극(111)의 측면이 실질적으로 일치하는 구성으로 하여도 좋다. 여기서, 도 2의 (B)는 도 1의 (A)의 일점쇄선 A1-A2에 대응하는 단면 개략도이다.
또한 도 2의 (C)에 나타낸 바와 같이, 착색층(129)을 보호층(121)의 상면에 접하여 제공하는 구성으로 하여도 좋다. 이 경우, 수지층(122)은 착색층(129) 및 보호층(121)을 덮어 제공된다. 보호층(121) 위에 착색층(129)을 형성함으로써 각 발광 소자와 각 착색층(129)의 위치 맞춤이 용이하게 되어, 정세도가 매우 높은 표시 장치를 실현할 수 있다.
다음으로, 슬릿(120) 및 그 근방의 바람직한 구성에 대하여 자세히 설명한다. 도 3의 (A)는 도 1의 (B)에서의 발광 소자(110R)의 일부, 발광 소자(110G)의 일부, 및 이들 사이의 영역을 포함하는 단면 개략도이다.
도 3의 (A)에 나타낸 바와 같이, 화소 전극(111)의 단부는 테이퍼 형상을 갖는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 유기층(112)의 단차 피복성을 높일 수 있다. 또한 본 명세서 등에서 "대상물의 단부가 테이퍼 형상을 갖는다"란, 그 단부의 영역에서 표면과 피형성면이 이루는 각도가 0°보다 크고 90° 미만이고, 단부로부터 두께가 연속적으로 증가하는 단면 형상을 갖는 것을 말한다. 또한 여기서는 화소 전극(111R) 등이 단층 구조를 갖는 경우를 나타내었지만, 복수의 층을 적층하여도 좋다.
화소 전극(111R)을 덮어 유기층(112R)이 제공되어 있다. 또한 화소 전극(111G)을 덮어 유기층(112G)이 제공되어 있다. 이들 유기층(112)은 하나의 연속적인 막이 슬릿(120)으로 분단됨으로써 형성되어 있다.
절연층(125)은 슬릿(120)의 내부에 제공되고, 유기층(112R)의 측면 및 유기층(112G)의 측면에 접하여 제공된다. 또한 절연층(125)은 기판(101)의 상면을 덮어 제공된다.
수지층(126)은 절연층(125)의 상면 및 측면에 접하여 제공되어 있다. 수지층(126)은 유기층(114)의 피형성면의 오목부를 평탄하게 하는 기능을 갖는다.
유기층(112R), 유기층(112G), 절연층(125), 및 수지층(126)의 상면을 덮어 유기층(114), 공통 전극(113), 및 보호층(121)이 이 순서대로 형성되어 있다. 또한 유기층(114)은 불필요하면 제공하지 않아도 된다.
도 3의 (B)에는 발광 소자(110G)의 일부, 수광 소자(110S)의 일부, 및 이들 사이에 위치하는 슬릿(120)의 단면 개략도를 나타내었다.
화소 전극(111G)을 덮어 유기층(112G)이 제공되어 있다. 또한 화소 전극(111S)을 덮어 유기층(155)이 제공되어 있다. 유기층(112G)이 유기층(155)은 슬릿(120)에 의하여 분단되어 있다.
도 3의 (A) 및 (B)에서는 발광 소자(110R)와 발광 소자(110G) 사이의 영역 및 발광 소자(110G)와 수광 소자(110S) 사이의 영역을 확대도로 나타내었지만 발광 소자(110R)와 발광 소자(110B) 사이, 발광 소자(110G)와 발광 소자(110B) 사이, 발광 소자(110R)와 수광 소자(110S) 사이, 발광 소자(110B)와 수광 소자(110S) 사이에서도 같은 구성을 갖는다.
도 4의 (A) 및 (B)는 각각 절연층(125)을 갖지 않는 경우의 단면 개략도이다. 도 4의 (A)에서, 수지층(126)은 유기층(112R)의 측면 및 유기층(112G)의 측면에 접하여 제공된다. 또한 도 4의 (B)에서, 수지층(126)은 유기층(155)의 측면 및 유기층(112G)의 측면에 접하여 제공된다.
이때 수지층(126)이 되는 막의 형성 시에 사용하는 용매에 의하여 EL층 또는 PD층의 일부가 용해되는 경우가 있다. 그러므로 절연층(125)을 제공하지 않는 경우에는, 수지층(126)의 용매로서 물 또는 에틸 알코올, 메틸 알코올, 아이소프로필 알코올(IPA), 또는 글리세린 등의 알코올을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 이들에 한정되지 않고, EL층 및 PD층이 용해되지 않거나 용해되기 어려운 용매를 사용하면 좋다.
이와 같이, 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 화소 전극의 단부를 덮는 절연물이 제공되지 않는 구조로 할 수 있다. 바꿔 말하면, 화소 전극과 EL층 사이에 절연물이 제공되지 않는 구성이다. 상기 구성으로 함으로써, EL층으로부터의 발광을 효율적으로 추출할 수 있기 때문에, 시야각 의존성을 매우 작게 할 수 있다. 예를 들어 본 발명의 일 형태의 표시 장치에서는, 시야각(비스듬한 방향으로부터 화면을 봤을 때 일정한 콘트라스트비가 유지되는 최대 각도)을 100° 이상 180° 미만, 바람직하게는 150° 이상 170° 이하의 범위로 할 수 있다. 또한 상술한 시야각은 상하 및 좌우 각각에 적용할 수 있다. 본 발명의 일 형태의 표시 장치로 함으로써 시야각 특성이 향상되고 화상의 시인성을 높일 수 있다.
[변형예]
도 5의 (A) 및 (B)는 각각 도 3의 (A), (B)의 변형예이다. 도 5의 (A), (B)에서는 화소 전극의 단부를 덮는 절연층(131)이 제공되는 경우의 예를 나타내었다.
절연층(131)은 유기층(112)의 피형성면을 평탄하게 하는 기능을 갖는다. 절연층(131)의 단부는 테이퍼 형상을 갖는 것이 바람직하다. 또한 절연층(131)에 유기 수지를 사용함으로써, 그 표면을 완만한 곡면으로 할 수 있다. 그러므로 절연층(131) 위에 형성되는 막의 피복성을 높일 수 있다. 또한 절연층(131)은 인접한 2개의 화소 전극(111)이 의도치 않게 전기적으로 단락되는 것을 방지하는 기능을 갖는다.
절연층(131)에 사용할 수 있는 재료로서는 예를 들어 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드아마이드 수지, 실록세인 수지, 벤조사이클로뷰텐계 수지, 페놀 수지, 및 이들 수지의 전구체 등이 있다.
도 5의 (A) 및 (B)에 나타낸 바와 같이, 절연층(131)은 슬릿(120)과 중첩된 영역에 오목부를 가져도 좋다. 이 오목부는 슬릿(120)을 형성하기 위한 에칭 시에 절연층(131)의 상부의 일부가 에칭됨으로써 형성될 수 있다. 절연층(125)의 일부는 절연층(131)의 상기 오목부에 꼭 맞도록 형성되기 때문에, 이들의 밀착성을 높일 수 있다. 여기서 슬릿(120)은 절연층(131)과 중첩된 영역에 제공된다.
도 6의 (A), (B)에는 절연층(131) 위에 절연층(132)을 제공한 경우의 예를 나타내었다.
절연층(132)은 절연층(131)을 개재하여 화소 전극(111)의 단부와 중첩된다. 또한 절연층(132)은 절연층(131)의 단부를 덮어 제공된다. 또한 절연층(132)은 화소 전극(111)의 상면과 접하는 부분을 갖는다.
절연층(132)은 그 단부가 테이퍼 형상을 갖는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 절연층(132)의 단부를 덮어 제공되는 EL층 등, 절연층(132) 위에 형성되는 막의 단차 피복성을 높일 수 있다.
또한 절연층(132)의 두께는 절연층(131)의 두께보다 얇은 것이 바람직하다. 절연층(132)을 얇게 형성함으로써, 절연층(132) 위에 형성되는 막의 단차 피복성을 높일 수 있다.
절연층(132)에 사용할 수 있는 무기 절연 재료로서는, 예를 들어 산화 실리콘, 산화질화 실리콘, 질화산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화 알루미늄, 산화질화 알루미늄, 또는 산화 하프늄 등의 산화물 또는 질화물을 사용할 수 있다. 또한 산화 이트륨, 산화 지르코늄, 산화 갈륨, 산화 탄탈럼, 산화 마그네슘, 산화 란타넘, 산화 세륨, 및 산화 네오디뮴 등을 사용하여도 좋다.
또한 절연층(132)은 상기 무기 절연 재료를 포함하는 막의 적층이어도 좋다. 예를 들어 질화 실리콘막 위에 산화 실리콘막 또는 산화질화 실리콘막을 적층한 적층 구조, 산화 알루미늄막 위에 산화 실리콘막 또는 산화질화 실리콘막을 적층한 적층 구조 등을 적용할 수 있다. 산화 실리콘막 및 산화질화 실리콘막은 특히 에칭되기 어려운 막이기 때문에, 위쪽에 배치하는 것이 바람직하다. 또한 질화 실리콘막 및 산화 알루미늄막은 물, 수소, 산소 등이 확산되기 어려운 막이기 때문에, 절연층(131) 측에 배치함으로써 절연층(131)으로부터 이탈되는 가스가 발광 소자로 확산되는 것을 방지하는 배리어층으로서 기능한다.
여기서, 슬릿(120)은 절연층(132)과 중첩된 영역에 제공된다. 절연층(132)을 제공함으로써, 슬릿(120)의 형성 시에 절연층(131)의 상면이 에칭되는 것을 방지할 수 있다.
[구성예 2]
이하에서는, 더 구체적인 구성예에 대하여 설명한다.
도 7의 (A)는 이하에서 예시하는 표시 장치의 단면 개략도이다. 도 7의 (A)에서는 발광 소자(110R), 발광 소자(110G), 발광 소자(110B), 수광 소자(110S), 및 접속부(130)를 포함한 영역의 단면을 나타내었다. 또한 도 7의 (B)는 발광 소자(110R)와 발광 소자(110G) 사이에 위치하는 슬릿(120) 및 그 근방을 확대한 단면 개략도이다.
발광 소자(110B)는 화소 전극(111B), 유기층(112B), 유기층(114), 및 공통 전극(113)을 갖는다. 또한 발광 소자(110B) 위에 중첩되어 착색층(129B)이 제공된다. 발광 소자(110R) 및 발광 소자(110G)도 같은 구성을 갖는다.
화소 전극(111)의 아래쪽에는 도전층(161), 도전층(162), 및 수지층(163)이 제공되어 있다.
도전층(161)은 절연층(105) 위에 제공되어 있다. 여기서, 절연층(105)은 기판(101) 위에 제공된 절연층이고, 기판(101)에는 배선, 트랜지스터, 또는 전극 등(미도시)이 제공되어 있다. 도전층(161)은 절연층(105)에 제공된 개구에서 절연층(105)을 관통하는 부분을 갖는다. 도전층(161)은 절연층(105)의 아래쪽에 위치하는 배선, 트랜지스터, 또는 전극 등(미도시)과 화소 전극(111)을 전기적으로 접속하는 배선 또는 전극으로서 기능한다.
도전층(161)에서는 절연층(105)의 개구에 위치하는 부분에 오목부가 형성된다. 수지층(163)은 상기 오목부를 매립하도록 제공되고 평탄화막으로서 기능한다. 수지층(163)의 상면은 평탄할수록 바람직하지만, 표면이 완만한 곡면 형상을 갖는 경우가 있다. 도 7의 (A) 등에서는, 수지층(163)의 상면이 오목부와 볼록부를 갖는 파형 형상을 갖는 예를 나타내었지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어 수지층(163)의 상면은 볼록면, 오목면, 또는 평면이어도 좋다.
도전층(161) 및 수지층(163) 위에 도전층(162)이 제공되어 있다. 도전층(162)은 도전층(161)과 화소 전극(111)을 전기적으로 접속하는 전극으로서의 기능을 갖는다.
여기서, 발광 소자(110)를 상면 방출형 발광 소자로 하는 경우에는, 도전층(162)으로서 가시광에 대하여 반사성을 갖는 막을 사용하고, 화소 전극(111)으로서 가시광에 대하여 투과성을 갖는 막을 사용함으로써, 도전층(162)을 반사 전극으로서 기능시킬 수 있다. 또한 절연층(105)의 개구부(콘택트부라고도 함)의 상부에도 수지층(163)을 개재하여 도전층(162) 및 화소 전극(111)을 제공할 수 있기 때문에, 콘택트부와 중첩된 부분도 발광 영역으로 할 수 있다. 그러므로 개구율을 높일 수 있다.
마찬가지로, 수광 소자(110S)를 위쪽으로부터의 광을 수광하는 광전 변환 소자로 하는 경우에는, 도전층(162)에 반사성의 막을 사용하고 화소 전극(111)에 투광성의 막을 사용할 수 있다. 또한 콘택트부도 수광 영역으로서 기능시킬 수 있기 때문에 수광 면적이 확대되어 수광 감도를 높일 수 있다.
또한 각 화소 전극(111)의 두께는 서로 달라도 좋다. 이때 화소 전극(111)을 마이크로캐비티를 위한 광학 조정층으로서 사용할 수 있다. 마이크로캐비티를 채용하는 경우에는 공통 전극으로서 투과성 및 반사성을 갖는 막을 사용한다.
도 7의 (A) 및 (B)의 예에서는, 수지층(126)의 형상이 도 1의 (B) 등과 다르다.
도 7의 (B)에 나타낸 바와 같이, 수지층(126)의 상부는 슬릿(120)보다 폭이 넓은 형상을 갖는다. 나중에 설명하지만, 절연층(125)은 수지층(126)을 에칭 마스크로서 사용하여 가공되기 때문에, 절연층(125)의 일부에서 수지층(126)으로 덮이는 부분이 잔존한다. 또한 표시 장치의 제작 공정에서 사용하는 희생층(145)의 일부도 같은 이유로 잔존한다. 구체적으로는, 슬릿(120)의 근방에서 유기층(112) 위에 희생층(145)이 제공된다. 또한 절연층(125)의 일부는 희생층(145)의 상면을 덮어 제공되어 있다. 또한 희생층(145)과 절연층(125)을 덮어 수지층(126)이 제공되어 있다. 또한 본 명세서 등에서 희생층을 마스크층이라고 하여도 좋다.
이때 절연층(125)의 단부와 희생층(145)의 단부는 각각 테이퍼 형상을 갖는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 유기층(114) 등의 단차 피복성을 높일 수 있다.
[제작 방법의 예]
이하에서는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치의 제작 방법의 일례에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 여기서는 상기 도 7의 (A)에 나타낸 표시 장치를 예로 들어 설명한다. 도 8의 (A) 내지 도 12의 (C)는 이하에서 예시하는 표시 장치의 제작 방법의 예의 각 공정에서의 단면 개략도이다. 또한 도 8의 (A) 등에서는 오른쪽에 접속부(130) 및 그 근방의 단면 개략도를 함께 나타내었다.
또한 표시 장치를 구성하는 박막(절연막, 반도체막, 도전막 등)은 스퍼터링법, 화학 기상 퇴적(CVD)법, 진공 증착법, 펄스 레이저 퇴적(PLD)법, ALD법 등을 사용하여 형성할 수 있다. CVD법으로서는 플라스마 화학 기상 퇴적(PECVD: Plasma Enhanced CVD)법 또는 열 CVD법 등이 있다. 또한 열 CVD법 중 하나로서 유기 금속 화학 기상 퇴적(MOCVD: Metal Organic CVD)법이 있다.
또한 표시 장치를 구성하는 박막(절연막, 반도체막, 도전막 등)은 스핀 코팅, 디핑(dipping), 스프레이 코팅, 잉크젯, 디스펜싱, 스크린 인쇄, 오프셋 인쇄, 닥터 나이프법, 슬릿 코팅, 롤 코팅, 커튼 코팅, 나이프 코팅 등의 방법으로 형성할 수 있다.
또한 표시 장치를 구성하는 박막을 가공하는 경우에는, 포토리소그래피법 등을 사용할 수 있다. 이 외에, 나노임프린트법, 샌드블라스트법, 리프트 오프법 등에 의하여 박막을 가공하여도 좋다. 또한 메탈 마스크 등의 차폐 마스크를 사용하는 성막 방법으로 섬 형상의 박막을 직접 형성하여도 좋다.
포토리소그래피법에는 대표적으로는 다음 두 가지 방법이 있다. 하나는 가공하려고 하는 박막 위에 레지스트 마스크를 형성하고, 에칭 등에 의하여 상기 박막을 가공하고, 레지스트 마스크를 제거하는 방법이다. 다른 하나는 감광성을 갖는 박막을 성막한 후에, 노광, 현상을 수행하여 상기 박막을 원하는 형상으로 가공하는 방법이다.
포토리소그래피법에서 노광에 사용하는 광으로서는 예를 들어 i선(파장 365nm), g선(파장 436nm), h선(파장 405nm), 또는 이들을 혼합한 광을 사용할 수 있다. 이들 외에, 자외선, KrF 레이저 광, 또는 ArF 레이저 광 등을 사용할 수도 있다. 또한 액침 노광 기술에 의하여 노광을 수행하여도 좋다. 또한 노광에 사용하는 광으로서는 극자외(EUV: Extreme Ultra-violet)광, X선 등을 사용하여도 좋다. 또한 노광에 사용하는 광 대신 전자 빔을 사용할 수도 있다. 극자외광, X선, 또는 전자 빔을 사용하면, 매우 미세한 가공을 수행할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한 전자 빔 등의 빔을 주사하여 노광을 수행하는 경우에는 포토마스크를 사용하지 않아도 된다.
박막의 에칭에는 드라이 에칭법, 웨트 에칭법, 샌드블라스트법 등을 사용할 수 있다.
[기판(101)의 준비]
기판(101)으로서는 적어도 나중에 수행되는 열처리에 견딜 수 있을 정도의 내열성을 갖는 기판을 사용할 수 있다. 기판(101)으로서 절연성 기판을 사용하는 경우에는 유리 기판, 석영 기판, 사파이어 기판, 세라믹 기판, 유기 수지 기판 등을 사용할 수 있다. 또한 실리콘, 탄소화 실리콘 등을 재료로서 사용한 단결정 반도체 기판 또는 다결정 반도체 기판, 실리콘 저마늄 등으로 이루어지는 화합물 반도체 기판, SOI(Silicon On Insulator) 기판 등의 반도체 기판을 사용할 수 있다.
특히 기판(101)으로서는, 트랜지스터 등의 반도체 소자를 포함한 반도체 회로가 상기 반도체 기판 또는 상기 절연성 기판 위에 형성된 기판을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 반도체 회로는 예를 들어 화소 회로, 게이트선 구동 회로(게이트 드라이버), 소스선 구동 회로(소스 드라이버) 등을 구성하는 것이 바람직하다. 또한 상기에 더하여 연산 회로, 기억 회로 등이 구성되어도 좋다.
기판(101)의 최상부에는 절연층(105)을 제공한다. 절연층(105)에는 기판(101)에 제공된 트랜지스터, 배선, 또는 전극 등에 도달하는 개구를 복수로 제공한다. 상기 개구는 포토리소그래피법에 의하여 형성할 수 있다.
절연층(105)에는 무기 절연 재료 또는 유기 절연 재료를 사용할 수 있다.
[도전층(161), 수지층(163), 도전층(162), 화소 전극(111)의 형성]
절연층(105) 위에 도전층(161)이 되는 도전막을 성막한다. 이때 절연층(105)의 개구에 기인하여 도전막에는 오목부가 형성된다.
이어서, 상기 도전막의 오목부에 수지층(163)을 형성한다.
수지층(163)에는 감광성 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 먼저 수지막을 성막한 후, 포토마스크를 통하여 수지막을 노광한 다음에, 현상 처리를 수행함으로써 수지층(163)을 형성할 수 있다. 그 후, 수지층(163)의 상면의 높이를 조정하기 위하여 애싱 등에 의하여 수지층(163)의 상부를 에칭하여도 좋다.
또한 수지층(163)에 비감광성 수지를 사용하는 경우에는, 수지막을 성막한 후에, 두께가 최적이 되도록, 애싱 등에 의하여 도전층(161)이 되는 도전막의 표면이 노출될 때까지 수지막의 상부를 에칭함으로써, 수지층(163)을 형성할 수 있다.
이어서, 도전층(161)이 되는 도전막 및 수지층(163) 위에 도전층(162)이 되는 도전막을 성막한다. 또한 도전층(162)이 되는 도전막 위에 화소 전극(111) 및 접속 전극(111C)이 되는 도전막을 성막한다. 그 후, 3층의 도전막 위에 포토리소그래피법에 의하여 레지스트 마스크를 형성하고, 도전막의 불필요한 부분을 에칭에 의하여 제거한다. 그 후, 레지스트 마스크를 제거함으로써, 도전층(161), 도전층(162), 화소 전극(111), 및 접속 전극(111C)을 동일한 공정에서 형성할 수 있다(도 8의 (A)).
또한 여기서는 도전층(161)과 도전층(162)을 동일한 포토마스크를 사용하여 동일한 공정에서 형성하였지만, 도전층(161)과 도전층(162)은 서로 다른 포토마스크를 사용하여 개별적으로 형성하여도 좋다. 이때 평면에서 보았을 때 도전층(161)이 도전층(162)의 윤곽보다 내측에 포함되도록 도전층(161)과 도전층(162)을 가공하는 것이 바람직하다.
또한 먼저 도전층(161) 및 도전층(162)을 형성한 후에 화소 전극(111) 및 접속 전극(111C)을 형성하여도 좋다. 이 경우, 도전층(161) 및 도전층(162)을 덮어 화소 전극(111) 및 접속 전극(111C)이 되는 도전막을 형성하고, 상기 도전막의 일부를 에칭에 의하여 제거함으로써, 화소 전극(111) 및 접속 전극(111C)을 형성한다. 또한 이때 도전층(161) 및 도전층(162)을 덮도록 화소 전극(111) 및 접속 전극(111C)을 형성하면, 도전층(161) 및 도전층(162)이 화소 전극(111) 등의 형성 시에 에칭 분위기에 노출되지 않기 때문에 바람직하다.
[유기막(112f)의 성막]
이어서, 화소 전극(111) 및 접속 전극(111C)을 덮어 유기막(112f)을 성막한다(도 8의 (B)). 유기막(112f)은 이후의 공정에서 유기층(112)으로 가공되는 막이고, 상술한 유기층(112)에 적용할 수 있는 재료를 사용하면 좋다. 유기막(112f)은 바람직하게는 진공 증착법으로 성막할 수 있다. 또한 이에 한정되지 않고, 스퍼터링법 또는 잉크젯법 등으로 성막할 수도 있다. 또한 상술한 성막 방법을 적절히 사용할 수 있다.
또한 도 8의 (B)에서는 접속 전극(111C)을 덮어 유기막(112f)을 제공하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어 성막 영역을 규정하기 위한 마스크(파인 메탈 마스크와 구별하기 위하여, 에어리어 마스크 또는 러프 메탈 마스크 등이라고도 함)를 사용함으로써, 유기막(112f)의 성막 영역을 접속부(130)보다 내측에 한정하여, 접속 전극(111C)과 유기막(112f)이 중첩되지 않도록 하여도 좋다. 이에 의하여, 접속 전극(111C)이 유기막(112f)에 접하는 것을 방지할 수 있다.
또한 유기막(112f)은 파인 메탈 마스크를 사용하여 구분 성막하여도 좋다. 이 경우, 유기막(112f)은 화소 전극(111R, 111G, 111B)만을 덮고, 화소 전극(111S) 및 접속 전극(111C)은 덮지 않는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 화소 전극(111S) 및 접속 전극(111C)이 유기막(112f)에 접하는 것을 방지할 수 있다.
[희생막(144)의 성막]
이어서, 유기막(112f)을 덮어 희생막(144)을 성막한다. 또한 본 명세서 등에서 희생막을 마스크막이라고 불러도 좋다.
희생막(144)으로서는 유기층(112)의 에칭 처리에 대한 내성이 높은 막, 즉 에칭 선택비가 높은 막을 사용할 수 있다. 또한 희생막(144)으로서는 후술하는 희생막(146) 등의 희생막에 대한 에칭 선택비가 높은 막을 사용할 수 있다. 또한 희생막(144)으로서는 유기층(112)에 대한 대미지가 적은 웨트 에칭법으로 제거할 수 있는 막을 사용하는 것이 특히 바람직하다.
희생막(144)으로서는 예를 들어 금속막, 합금막, 금속 산화물막, 반도체막, 무기 절연막 등의 무기막을 적합하게 사용할 수 있다. 희생막(144)은 스퍼터링법, 증착법, CVD법, ALD법 등의 각종 성막 방법으로 형성할 수 있다.
특히 ALD법은 피형성층에 대한 성막 대미지가 적기 때문에, 유기막(112f) 위에 직접 형성하는 희생막(144)은 ALD법을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다.
희생막(144)에는, 예를 들어 금, 은, 백금, 마그네슘, 니켈, 텅스텐, 크로뮴, 몰리브데넘, 철, 코발트, 구리, 팔라듐, 타이타늄, 알루미늄, 이트륨, 지르코늄, 및 탄탈럼 등의 금속 재료, 또는 상기 금속 재료를 포함한 합금 재료를 사용할 수 있다. 특히 알루미늄 또는 은 등의 저융점 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
또한 희생막(144)에는, 인듐 갈륨 아연 산화물(In-Ga-Zn 산화물, IGZO라고도 표기함) 등의 금속 산화물을 사용할 수 있다. 또한 산화 인듐, 인듐 아연 산화물(In-Zn 산화물), 인듐 주석 산화물(In-Sn 산화물), 인듐 타이타늄 산화물(In-Ti 산화물), 인듐 주석 아연 산화물(In-Sn-Zn 산화물), 인듐 타이타늄 아연 산화물(In-Ti-Zn 산화물), 인듐 갈륨 주석 아연 산화물(In-Ga-Sn-Zn 산화물) 등을 사용할 수 있다. 또는 실리콘을 포함한 인듐 주석 산화물 등을 사용할 수도 있다.
또한 상기 갈륨 대신에 원소 M(M은 알루미늄, 실리콘, 붕소, 이트륨, 구리, 바나듐, 베릴륨, 타이타늄, 철, 니켈, 저마늄, 지르코늄, 몰리브데넘, 란타넘, 세륨, 네오디뮴, 하프늄, 탄탈럼, 텅스텐, 및 마그네슘 중에서 선택된 1종류 또는 복수 종류)을 사용한 경우에도 적용할 수 있다.
또한 희생막(144)에는 산화 알루미늄, 산화 하프늄, 산화 실리콘 등의 산화물, 질화 실리콘, 질화 알루미늄 등의 질화물, 또는 산화질화 실리콘 등의 산질화물을 사용할 수 있다. 이러한 무기 절연 재료는 스퍼터링법, CVD법, 또는 ALD법 등의 성막 방법을 사용하여 형성할 수 있다.
또한 희생막(144)에 유기 재료를 사용하여도 좋다. 예를 들어 유기 재료로서 유기막(112f)에 대하여 화학적으로 안정된 용매에 용해될 수 있는 재료를 사용하여도 좋다. 특히 물 또는 알코올에 용해되는 재료를 희생막(144)에 적합하게 사용할 수 있다. 희생막(144)을 성막하는 경우에는, 물 또는 알코올 등의 용매에 용해된 재료를 습식의 성막 방법으로 도포한 후에, 용매를 증발시키기 위한 가열 처리를 수행하는 것이 바람직하다. 이때 감압 분위기하에서 가열 처리를 수행하면, 저온에서 단시간에 용매를 제거할 수 있기 때문에, EL층에 대한 열적 대미지를 저감할 수 있어 바람직하다.
희생막(144)의 형성에 사용할 수 있는 습식의 성막 방법으로서는 스핀 코팅, 디핑, 스프레이 코팅, 잉크젯, 디스펜싱, 스크린 인쇄, 오프셋 인쇄, 닥터 나이프법, 슬릿 코팅, 롤 코팅, 커튼 코팅, 또는 나이프 코팅 등이 있다.
희생막(144)에는 폴리바이닐알코올(PVA), 폴리바이닐뷰티랄, 폴리바이닐피롤리돈, 폴리에틸렌글라이콜, 폴리글리세린, 풀루란, 수용성 셀룰로스, 또는 알코올 가용성 폴리아마이드 수지 등의 유기 수지를 사용할 수 있다. 또한 희생막(144)에 퍼플루오로폴리머 등의 플루오린 수지를 사용하여도 좋다.
[희생막(146)의 성막]
이어서, 희생막(144) 위에 희생막(146)을 성막한다(도 8의 (C)).
희생막(146)은 나중에 희생막(144)을 에칭할 때 하드 마스크로서 사용되는 막이다. 또한 나중에 희생막(146)을 가공할 때 희생막(144)이 노출된다. 따라서 희생막(144)과 희생막(146)에는 이들 사이의 에칭 선택비가 높은 막의 조합을 선택한다. 그러므로 희생막(144)의 에칭 조건 및 희생막(146)의 에칭 조건에 따라 희생막(146)에 사용할 수 있는 막을 선택할 수 있다.
희생막(146)의 재료는 희생막(144)의 에칭 조건 및 희생막(146)의 에칭 조건에 따라 다양한 재료 중에서 선택할 수 있다. 예를 들어 상기 희생막(144)에 사용할 수 있는 막 중에서 선택할 수 있다.
예를 들어 희생막(146)으로서는 산화물막을 사용할 수 있다. 대표적으로는, 산화 실리콘, 산화질화 실리콘, 산화 알루미늄, 산화질화 알루미늄, 산화 하프늄, 산화질화 하프늄 등의 산화물막 또는 산화질화물막을 사용할 수 있다.
또한 희생막(146)으로서는 예를 들어 질화물막을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 질화 실리콘, 질화 알루미늄, 질화 하프늄, 질화 타이타늄, 질화 탄탈럼, 질화 텅스텐, 질화 갈륨, 질화 저마늄 등의 질화물을 사용할 수도 있다.
예를 들어 희생막(144)에 ALD법으로 형성한 산화 알루미늄, 산화 하프늄, 산화 실리콘 등의 무기 절연 재료를 사용하고, 희생막(146)에 스퍼터링법으로 형성한 IGZO 등의 인듐을 포함한 금속 산화물을 사용하는 것이 바람직하다. 또는 희생막(146)에는 텅스텐, 몰리브데넘, 구리, 알루미늄, 타이타늄, 및 탄탈럼 등의 금속 또는 상기 금속을 포함한 합금을 사용하는 것이 바람직하다.
또한 예를 들어 희생막(144)으로서 증착법 또는 상기 습식의 성막 방법 중 어느 것을 사용하여 형성한 유기막(예를 들어 PVA막)을 사용하고, 희생막(146)으로서 스퍼터링법을 사용하여 형성한 무기막(예를 들어 산화 실리콘막 또는 질화 실리콘막 등)을 사용할 수 있다.
또한 희생막(146)으로서, 유기층(112) 등으로서 사용할 수 있는 유기막을 사용하여도 좋다. 예를 들어 유기층(112)으로서 사용하는 유기막과 같은 막을 희생막(146)으로서 사용할 수 있다. 이러한 유기막을 사용함으로써, 유기층(112) 등을 위한 성막 장치를 공통적으로 사용할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한 나중에 희생층을 마스크로서 사용하여 유기층(112) 등을 에칭할 때 동시에 제거할 수 있기 때문에 공정을 간략화할 수 있다.
[레지스트 마스크(143)의 형성]
이어서, 희생막(146) 위에서 화소 전극(111R), 화소 전극(111G), 및 화소 전극(111B) 각각과 중첩된 위치에 레지스트 마스크(143)를 형성한다(도 9의 (A)). 이때 화소 전극(111S) 및 접속 전극(111C)과 중첩된 위치에는 레지스트 마스크를 형성하지 않는다.
레지스트 마스크(143)에는 포지티브형 레지스트 재료 또는 네거티브형 레지스트 재료 등, 감광성 수지를 포함한 레지스트 재료를 사용할 수 있다.
여기서, 희생막(146)을 갖지 않고 희생막(144) 위에 레지스트 마스크(143)를 형성하는 경우, 희생막(144)에 핀홀 등의 결함이 존재하면, 레지스트 재료의 용매로 인하여 유기막(112f) 등이 용해될 우려가 있다. 희생막(146)을 사용함으로써 이러한 문제를 방지할 수 있다.
또한 레지스트 재료의 용매에, 유기막(112f)을 용해시키지 않는 재료를 사용하는 경우 등에는, 희생막(146)을 사용하지 않고 희생막(144) 위에 레지스트 마스크(143)를 직접 형성하여도 좋은 경우가 있다.
[희생막(146)의 에칭]
이어서, 레지스트 마스크(143)로 덮이지 않은 희생막(146)의 일부를 에칭에 의하여 제거함으로써 섬 형상의 희생층(147)을 형성한다.
희생막(146)을 에칭할 때, 희생막(144)이 상기 에칭에 의하여 제거되지 않도록 선택비가 높은 에칭 조건을 사용하는 것이 바람직하다. 희생막(146)의 에칭에는 웨트 에칭 또는 드라이 에칭을 사용할 수 있지만, 드라이 에칭을 사용하면 희생층(147)의 패턴이 축소되는 것을 억제할 수 있다.
[레지스트 마스크(143)의 제거]
이어서, 레지스트 마스크(143)를 제거한다.
레지스트 마스크(143)의 제거는 웨트 에칭 또는 드라이 에칭에 의하여 수행할 수 있다. 특히 산소 가스를 에칭 가스로서 사용한 드라이 에칭(플라스마 애싱이라고도 함)에 의하여 레지스트 마스크(143)를 제거하는 것이 바람직하다.
이때 레지스트 마스크(143)의 제거는 유기막(112f)이 희생막(144)으로 덮인 상태에서 수행되기 때문에, 유기막(112f)에 대한 영향이 억제된다. 특히 유기막(112f)은 산소에 노출되면, 전기 특성에 악영향을 미치는 경우가 있기 때문에, 플라스마 애싱 등 산소 가스를 사용한 에칭을 수행하는 경우에 적합하다. 또한 레지스트 마스크(143)를 웨트 에칭에 의하여 제거하는 경우에도, 유기막(112f)이 약액에 노출되지 않기 때문에 유기막(112f)이 용해되는 것을 방지할 수 있다.
[희생막(144)의 에칭]
이어서, 희생층(147)을 하드 마스크로서 사용하여 희생막(144)의 일부를 에칭에 의하여 제거함으로써 섬 형상의 희생층(145)을 형성한다(도 9의 (B)).
희생막(144)의 에칭에는 웨트 에칭 또는 드라이 에칭을 사용할 수 있지만, 드라이 에칭을 사용하면 패턴의 축소를 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.
[유기막(112f)의 에칭]
이어서, 희생층(145)으로 덮이지 않은 유기막(112f)의 일부를 에칭에 의하여 제거함으로써, 섬 형상의 유기층(112R), 섬 형상의 유기층(112G), 섬 형상의 유기층(112B)을 형성한다(도 9의 (C)). 또한 각 유기층(112) 사이에 슬릿(120)이 형성된다. 이때 동시에 화소 전극(111S) 및 접속 전극(111C)의 상면이 노출된다.
특히 유기막(112f)의 에칭에는 산소를 주성분으로서 포함하지 않는 에칭 가스를 사용한 드라이 에칭을 사용하는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 유기막(112f)의 변질을 억제하여 신뢰성이 높은 표시 장치를 실현할 수 있다. 산소를 주성분으로서 포함하지 않는 에칭 가스로서는 예를 들어 CF4, C4F8, SF6, CHF3, Cl2, H2O, BCl3, H2, 또는 He 등의 비활성 기체가 있다. 또한 상기 가스와, 산소를 포함하지 않는 희석 가스의 혼합 가스를 에칭 가스로서 사용할 수 있다.
또한 유기막(112f)의 에칭은 상술한 것에 한정되지 않고 다른 가스를 사용한 드라이 에칭에 의하여 수행하여도 좋고, 웨트 에칭에 의하여 수행하여도 좋다.
또한 유기막(112f)의 에칭에, 산소 가스 또는 산소 가스를 포함하는 혼합 가스를 에칭 가스로서 사용한 드라이 에칭을 사용하면, 에칭 속도를 높일 수 있다. 그러므로 충분히 빠른 에칭 속도를 유지하면서 낮은 파워로 에칭을 수행할 수 있기 때문에, 에칭으로 인한 대미지를 저감할 수 있다. 또한 에칭 시에 생기는 반응 생성물의 부착 등의 문제를 억제할 수 있다. 예를 들어 상기 산소를 주성분으로서 포함하지 않는 에칭 가스에 산소 가스를 첨가한 혼합 가스를 에칭 가스로서 사용할 수 있다.
상술한 바와 같이, 유기층(112)을 포토리소그래피법을 사용하여 가공함으로써, 슬릿(120)에 의하여 이격되어 있는 각 화소들 사이의 거리를 8μm 이하, 3μm 이하, 2μm 이하, 또는 1μm 이하까지 좁힐 수 있다. 이와 같이, 각 화소들 사이의 거리를 좁힘으로써, 정세도가 높고 개구율이 높은 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한 인접한 유기층(112)을 슬릿(120)에 의하여 이격시킴으로써, 인접한 유기층(112) 사이에서 전류의 누설 경로를 분단하여, 누설 전류를 억제할 수 있다. 이에 의하여, 발광 소자에서, 휘도 향상, 콘트라스트 향상, 표시 품질 향상, 전력 효율 향상, 또는 소비 전력 절감 등이 가능하다.
또한 상기 공정에 의하여, 발광 소자(110R, 110G, 110B)에 대응하는 유기층(112R, 112G, 112B)을 한번에 형성할 수 있다. 이에 의하여, 적색, 녹색, 청색의 발광 소자를 구분 형성하는 경우보다, 유기층의 패터닝 횟수가 3분의 1로 저감된다. 이와 같이, 상기 방법을 사용함으로써 제조 공정을 간략화하여 본 발명의 일 형태의 표시 장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한 유기막(112f)을 에칭할 때 절연층(105)이 노출된다. 그러므로 절연층(105)으로서는 유기막(112f)의 에칭에 대한 내성이 높은 막을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 유기막(112f)을 에칭할 때 절연층(105)의 상부가 에칭되어 유기층(112)으로 덮이지 않은 부분이 얇아지는 경우가 있다.
[유기막(155f)의 성막]
이어서, 화소 전극(111) 및 접속 전극(111C)을 덮어 유기막(155f)을 성막한다(도 10의 (A)). 유기막(155f)은 이후의 공정에서 유기층(155)으로 가공되는 막이고, 상술한 유기층(155)에 적용할 수 있는 재료를 사용하면 좋다. 유기막(155f)은 바람직하게는 진공 증착법으로 성막할 수 있다. 또한 이에 한정되지 않고, 스퍼터링법 또는 잉크젯법 등으로 성막할 수도 있다. 또한 상술한 성막 방법을 적절히 사용할 수 있다.
여기서, 유기층(112) 위에는 희생층(145) 및 희생층(147)이 제공되어 있기 때문에 유기층(112)의 상면이 유기막(155f)에 접하는 것을 방지할 수 있다.
또한 유기막(155f)의 성막에도 에어리어 마스크를 사용함으로써, 유기막(155f)의 성막 영역을 접속부(130)보다 내측에 한정하여, 접속 전극(111C)과 유기막(155f)이 중첩되지 않도록 하여도 좋다. 이에 의하여, 접속 전극(111C)이 유기막(155f)에 접하는 것을 방지할 수 있다.
[희생막(174)의 성막]
이어서, 유기막(155f)을 덮어 희생막(174)을 성막한다.
희생막(174)으로서는 유기층(155)의 에칭 처리에 대한 내성이 높은 막, 즉 에칭 선택비가 높은 막을 사용할 수 있다. 또한 희생막(174)으로서는 후술하는 희생막(176) 등의 희생막에 대한 에칭 선택비가 높은 막을 사용할 수 있다. 또한 희생막(174)으로서는 유기층(155)에 대한 대미지가 적은 웨트 에칭법에 의하여 제거할 수 있는 막을 사용하는 것이 특히 바람직하다.
희생막(174)으로서는 상술한 희생막(144)에 사용할 수 있는 재료를 적합하게 사용할 수 있다. 희생막(174)은 스퍼터링법, 증착법, CVD법, ALD법 등의 각종 성막 방법으로 형성할 수 있다. 특히 ALD법은 피형성층에 대한 성막 대미지가 적기 때문에, 유기막(155f) 위에 직접 형성하는 희생막(174)은 ALD법을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다.
[희생막(176)의 성막]
이어서, 희생막(174) 위에 희생막(176)을 성막한다(도 10의 (B)).
희생막(176)은 나중에 희생막(174)을 에칭할 때 하드 마스크로서 사용되는 막이다. 또한 나중에 희생막(176)을 가공할 때 희생막(174)이 노출된다. 따라서 희생막(174)과 희생막(176)에는 이들 사이의 에칭 선택비가 높은 막의 조합을 선택한다. 그러므로 희생막(174)의 에칭 조건 및 희생막(176)의 에칭 조건에 따라 희생막(176)에 사용할 수 있는 막을 선택할 수 있다.
희생막(176)의 재료는 희생막(174)의 에칭 조건 및 희생막(176)의 에칭 조건에 따라 다양한 재료 중에서 선택할 수 있다. 예를 들어 상기 희생막(144)에 사용할 수 있는 막 중에서 선택할 수 있다.
예를 들어 희생막(174)에 ALD법으로 형성한 산화 알루미늄, 산화 하프늄, 산화 실리콘 등의 무기 절연 재료를 사용하고, 희생막(176)에 스퍼터링법으로 형성한 IGZO 등의 인듐을 포함한 금속 산화물을 사용하는 것이 바람직하다. 또는 희생막(176)에는 텅스텐, 몰리브데넘, 구리, 알루미늄, 타이타늄, 및 탄탈럼 등의 금속 또는 상기 금속을 포함한 합금을 사용하는 것이 바람직하다.
[레지스트 마스크(173)의 형성]
이어서, 희생막(176) 위에서 화소 전극(111S)과 중첩된 위치에 레지스트 마스크(173)를 형성한다(도 10의 (C)). 이때 화소 전극(111R, 111G, 111B) 및 접속 전극(111C)과 중첩된 위치에는 레지스트 마스크를 형성하지 않는다.
레지스트 마스크(173)에는 레지스트 마스크(143)에 사용할 수 있는 재료를 사용하면 좋다.
[희생막(176)의 에칭]
이어서, 레지스트 마스크(173)로 덮이지 않은 희생막(176)의 일부를 에칭에 의하여 제거함으로써 섬 형상의 희생층(177)을 형성한다.
희생막(176)을 에칭할 때, 희생막(174)이 상기 에칭에 의하여 제거되지 않도록 선택비가 높은 에칭 조건을 사용하는 것이 바람직하다. 희생막(176)의 에칭에는 웨트 에칭 또는 드라이 에칭을 사용할 수 있지만, 드라이 에칭을 사용하면 희생층(177)의 패턴이 축소되는 것을 억제할 수 있다.
[레지스트 마스크(173)의 제거]
이어서, 레지스트 마스크(173)를 제거한다. 레지스트 마스크(173)의 제거는 레지스트 마스크(143)의 제거와 같은 방법으로 수행할 수 있다.
[희생막(174)의 에칭]
이어서, 희생층(177)을 하드 마스크로서 사용하여 희생막(174)의 일부를 에칭에 의하여 제거함으로써 섬 형상의 희생층(175)을 형성한다(도 11의 (A)).
희생막(174)의 에칭에는 웨트 에칭 또는 드라이 에칭을 사용할 수 있지만, 드라이 에칭을 사용하면 패턴의 축소를 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.
[유기막(155f)의 에칭]
이어서, 희생층(175)으로 덮이지 않은 유기막(155f)의 일부를 에칭에 의하여 제거함으로써 섬 형상의 유기층(155)을 형성한다(도 11의 (B)). 또한 유기층(155)과 유기층(112) 사이에 슬릿(120)이 형성된다. 이때 동시에 희생층(147) 및 접속 전극(111C)의 상면이 노출된다.
유기막(155f)의 에칭은 상술한 유기막(112f)의 에칭과 같은 방법으로 수행할 수 있다.
상술한 바와 같이, 유기층(112) 및 유기층(155)을 포토리소그래피법을 사용하여 가공함으로써, 슬릿(120)에 의하여 이격되어 있는 각 화소들 사이의 거리를 8μm 이하, 3μm 이하, 2μm 이하, 또는 1μm 이하까지 좁힐 수 있다. 이와 같이, 각 화소들 사이의 거리를 좁힘으로써, 정세도가 높고 개구율이 높은 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한 유기층(112)과 유기층(155)을 슬릿(120)에 의하여 이격시킴으로써, 인접한 유기층(112)과 유기층(155) 사이의 전류의 누설 경로를 분단할 수 있다. 이와 같이, 유기층(112)과 유기층(155) 사이의 누설 전류가 억제되어, 신호 대 잡음비(S/N비)가 높은, 정밀도가 높은 촬상을 수행할 수 있다. 그러므로 미약한 광이어도 선명한 촬상이 가능하다. 그러므로 촬상 시에는 광원으로서 사용하는 발광 소자의 휘도를 낮게 할 수 있기 때문에 소비 전력을 절감할 수 있다.
또한 상기 공정에 의하여, 발광 소자와 수광 소자의 양쪽이 탑재된 표시 장치에서, 유기층의 패터닝을 2번에 끝낼 수 있다. 이와 같이, 상기 방법을 사용함으로써 제조 공정을 간략화하여 본 발명의 일 형태의 표시 장치의 생산성 향상을 도모할 수 있다.
또한 유기막(155f)을 에칭할 때 절연층(105)이 노출된다. 그러므로 절연층(105)으로서는 유기막(155f)의 에칭에 대한 내성이 높은 막을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 유기막(155f)을 에칭할 때 절연층(105)의 상부가 에칭되어 유기층(155)으로 덮이지 않은 부분이 얇아지는 경우가 있다.
[희생층의 제거]
이어서, 희생층(147) 및 희생층(177)을 제거함으로써 희생층(145) 및 희생층(175)의 상면을 노출시킨다(도 11의 (C)). 이때 희생층(145) 및 희생층(175)은 잔존시키는 것이 바람직하다. 또한 이때에 희생층(147) 및 희생층(177)을 제거하지 않는 구성으로 하여도 좋다.
[절연막(125f)의 형성]
이어서, 희생층(145), 희생층(175), 및 슬릿(120)을 덮어 절연막(125f)을 성막한다.
절연막(125f)은 물 등의 불순물이 EL층 및 PD층으로 확산되는 것을 방지하는 배리어층으로서 기능한다. 절연막(125f)은 단차 피복성이 우수한 ALD법으로 형성되면, EL층의 측면을 적합하게 덮을 수 있기 때문에 바람직하다.
절연막(125f)과 희생층(145) 및 희생층(175)에 같은 막을 사용하면, 나중의 공정에서 동시에 에칭할 수 있기 때문에 바람직하다. 예를 들어 절연막(125f), 희생층(145), 및 희생층(175)에 ALD법으로 형성한 산화 알루미늄, 산화 하프늄, 또는 산화 실리콘 등의 무기 절연 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
또한 절연막(125f)에 사용할 수 있는 재료는 이들에 한정되지 않고, 상기 희생막(144)에 사용할 수 있는 재료를 적절히 사용할 수 있다.
[수지층(126)의 형성]
이어서, 슬릿(120)과 중첩된 영역에 수지층(126)을 형성한다(도 12의 (A)). 수지층(126)은 수지층(163)과 같은 방법으로 형성할 수 있다. 예를 들어 감광성 수지를 형성한 후에 노광 및 현상을 수행함으로써 수지층(126)을 형성할 수 있다. 전체에 수지를 형성한 후에 애싱 등에 의하여 수지의 일부를 에칭함으로써 수지층(126)을 형성하여도 좋다.
여기서는, 수지층(126)의 폭을 슬릿(120)의 폭보다 넓게 형성한 경우의 예를 나타낸다. 또한 수지층(126)은 접속 전극(111C)을 덮지 않도록 제공한다.
[절연막(125f), 희생층(145), 및 희생층(175)의 에칭]
이어서, 절연막(125f), 희생층(145), 및 희생층(175)에서 수지층(126)으로 덮이지 않은 부분을 에칭에 의하여 제거함으로써 유기층(112) 및 유기층(155)의 상면을 노출시킨다. 이에 의하여, 수지층(126)으로 덮이는 영역에 희생층(145) 또는 희생층(175)과 절연층(125)이 형성된다(도 12의 (B)).
절연막(125f), 희생층(145), 및 희생층(175)의 에칭은 동일한 공정에서 수행하는 것이 바람직하다. 특히 희생층(145) 및 희생층(175)의 에칭은 유기층(112) 및 유기층(155)에 대한 에칭 대미지가 적은 웨트 에칭에 의하여 수행하는 것이 바람직하다. 예를 들어 수산화 테트라메틸 암모늄(TMAH) 수용액, 희석된 플루오린화 수소산, 옥살산, 인산, 아세트산, 질산, 또는 이들의 혼합 액체를 사용한 웨트 에칭을 사용하는 것이 바람직하다.
또는 절연막(125f), 희생층(145), 및 희생층(175) 중 적어도 하나를 물 또는 알코올 등의 용매에 용해시킴으로써 제거하는 것이 바람직하다. 여기서 절연막(125f), 희생층(145), 및 희생층(175)을 용해시킬 수 있는 알코올로서는 에틸 알코올, 메틸 알코올, 아이소프로필 알코올(IPA), 또는 글리세린 등 다양한 알코올을 사용할 수 있다.
절연막(125f), 희생층(145), 및 희생층(175)을 제거한 후, 유기층(112) 및 유기층(155) 등의 내부에 포함되는 물 및 표면에 흡착된 물을 제거하기 위하여 건조 처리를 수행하는 것이 바람직하다. 예를 들어 불활성 가스 분위기 또는 감압 분위기하에서 가열 처리를 수행하는 것이 바람직하다. 가열 처리는 50℃ 이상 200℃ 이하, 바람직하게는 60℃ 이상 150℃ 이하, 더 바람직하게는 70℃ 이상 120℃ 이하의 기판 온도에서 수행할 수 있다. 감압 분위기하에서 수행하면, 더 낮은 온도에서 건조를 수행할 수 있기 때문에 바람직하다.
절연막(125f), 희생층(145), 및 희생층(175)을 제거함으로써 접속 전극(111C)의 상면도 노출된다.
[유기층(114)의 형성]
이어서, 유기층(112), 유기층(155), 절연층(125), 희생층(145), 희생층(175), 및 수지층(126) 등을 덮어 유기층(114)을 성막한다.
유기층(114)은 유기막(112f) 등과 같은 방법으로 성막할 수 있다. 증착법으로 유기층(114)을 성막하는 경우에는, 유기층(114)이 접속 전극(111C) 위에 성막되지 않도록 에어리어 마스크를 사용하여 성막하여도 좋다.
[공통 전극(113)의 형성]
이어서, 유기층(114)을 덮어 공통 전극(113)을 형성한다.
공통 전극(113)은 증착법 또는 스퍼터링법 등의 성막 방법으로 형성할 수 있다. 또는 증착법으로 형성한 막과 스퍼터링법으로 형성한 막을 적층하여도 좋다.
공통 전극(113)은 유기층(114)이 성막되는 영역을 덮도록 형성되는 것이 바람직하다. 즉 유기층(114)의 단부가 공통 전극(113)과 중첩되는 구성을 얻을 수 있다. 공통 전극(113)은 에어리어 마스크를 사용하여 형성되어도 좋다.
도 12의 (C)에서는, 접속부(130)에서 접속 전극(111C)과 공통 전극(113) 사이에 유기층(114)이 끼워지는 예를 나타내었다. 이때 유기층(114)에는 전기 저항이 최대한 낮은 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 또는 최대한 얇게 형성함으로써 유기층(114)의 두께 방향의 전기 저항을 감소시키는 것이 바람직하다. 예를 들어 두께가 1nm 이상 5nm 이하, 바람직하게는 1nm 이상 3nm 이하인 전자 주입성 재료 또는 정공 주입성 재료를 유기층(114)에 사용함으로써, 접속 전극(111C)과 공통 전극(113) 사이의 전기 저항을 무시할 수 있을 정도로 작게 할 수 있는 경우가 있다.
[보호층의 형성]
다음으로, 공통 전극(113) 위에 보호층(121)을 형성한다(도 12의 (C)). 보호층(121)에 사용하는 무기 절연막의 성막에는 스퍼터링법, PECVD법, 또는 ALD법을 사용하는 것이 바람직하다. 특히 ALD법은 단차 피복성이 우수하고, 핀홀 등의 결함이 발생하기 어렵기 때문에 바람직하다. 또한 유기 절연막의 성막에 잉크젯법을 사용하면 원하는 영역에 균일한 막을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.
[대향 기판의 형성]
이어서, 수지층(122)을 사용하여 보호층(121) 위에 기판(102)을 접합한다. 여기서, 기판(102)에는 착색층(129R, 129G, 129B)이 제공되어 있고, 착색층(129R, 129G, 129B)이 화소 전극(111R, 111G, 111B)과 중첩되도록 접합을 수행한다.
착색층(129R, 129G, 129B)은 잉크젯법, 포토리소그래피법을 사용한 에칭 방법 등으로 각각 원하는 위치에 형성할 수 있다. 구체적으로는, 화소마다 다른 착색층(129)(착색층(129R), 착색층(129G), 또는 착색층(129B))을 형성할 수 있다.
이와 같이, 도 7의 (A)에 나타낸 표시 장치를 제작할 수 있다.
또한 위에서는 유기층(112), 유기층(155)의 순서로 형성하였지만, 형성 순서는 이에 한정되지 않는다. 도 13의 (A) 내지 도 15의 (C)에 나타낸 바와 같이, 유기층(155), 유기층(112)의 순서로 형성하는 구성으로 하여도 좋다. 이하에서는, 유기층(155), 유기층(112)의 순서로 형성하는 방법에 대하여 설명한다.
도 8의 (A)에 나타낸 바와 같이, 화소 전극을 형성하고, 화소 전극(111R, 111G, 111B, 111S) 및 접속 전극(111C)을 덮어 유기막(155f)을 성막한다(도 13의 (A)). 유기막(155f)의 성막에 대해서는 도 10의 (A)에 따른 기재를 참작할 수 있다.
이어서, 유기막(155f)을 덮어 희생막(174)을 성막한다. 그 후, 희생막(174) 위에 희생막(176)을 성막한다(도 13의 (B)). 희생막(174) 및 희생막(176)의 성막에 대해서는 도 10의 (B)에 따른 기재를 참작할 수 있다.
이어서, 희생막(176) 위에서 화소 전극(111S)과 중첩된 위치에 레지스트 마스크(173)를 형성한다(도 13의 (C)). 레지스트 마스크(173)의 형성에 대해서는 도 10의 (C)에 따른 기재를 참작할 수 있다.
이어서, 레지스트 마스크(173)로 덮이지 않은 희생막(176)의 일부를 에칭에 의하여 제거함으로써 희생층(177)을 형성한다. 그 후 레지스트 마스크(173)를 제거한다. 이어서, 희생층(177)을 하드 마스크로서 사용하여 희생막(174)의 일부를 에칭에 의하여 제거함으로써 희생층(175)을 형성한다(도 14의 (A)). 희생층(177) 및 희생층(175)의 형성에 대해서는 도 11의 (A)에 따른 기재를 참작할 수 있다.
이어서, 희생층(175)으로 덮이지 않은 유기막(155f)의 일부를 에칭에 의하여 제거함으로써 유기층(155)을 형성한다(도 14의 (B)). 유기층(155)의 형성에 대해서는 도 11의 (B)에 따른 기재를 참작할 수 있다.
이어서, 화소 전극(111R, 111G, 111B), 희생층(177), 및 접속 전극(111C)을 덮어 유기막(112f)을 성막한다(도 14의 (C)). 유기막(112f)의 성막에 대해서는 도 8의 (B)에 따른 기재를 참작할 수 있다.
이어서, 유기막(112f)을 덮어 희생막(144)을 성막한다. 그 후, 희생막(144) 위에 희생막(146)을 성막한다(도 15의 (A)). 희생막(144) 및 희생막(146)의 성막에 대해서는 도 10의 (C)에 따른 기재를 참작할 수 있다.
이어서, 희생막(146) 위에서 화소 전극(111R, 111G, 111B)과 중첩된 위치에 레지스트 마스크(143)를 형성한다(도 15의 (B)). 레지스트 마스크(143)의 형성에 대해서는 도 9의 (A)에 따른 기재를 참작할 수 있다.
이어서, 레지스트 마스크(143)로 덮이지 않은 희생막(146)의 일부를 에칭에 의하여 제거함으로써 희생층(147)을 형성한다. 그 후 레지스트 마스크(143)를 제거한다. 이어서, 희생층(147)을 하드 마스크로서 사용하여 희생막(144)의 일부를 에칭에 의하여 제거함으로써 희생층(145)을 형성한다(도 15의 (C)). 희생층(147) 및 희생층(145)의 형성에 대해서는 도 9의 (B)에 따른 기재를 참작할 수 있다.
이어서, 희생층(145)으로 덮이지 않은 유기막(112f)의 일부를 에칭에 의하여 제거함으로써, 유기층(112R, 112G, 112B)을 형성한다. 유기층(112R, 112G, 112B)의 형성에 대해서는 도 9의 (C)에 따른 기재를 참작할 수 있다. 상술한 바와 같이 하여, 도 11의 (B)와 같은 구성을 갖는 표시 장치를 형성할 수 있다. 이후, 도 11의 (C) 이후와 같은 프로세스를 거침으로써, 도 7의 (A)에 나타낸 표시 장치를 제작할 수 있다.
또한 앞에서는 수지층(126)의 폭을 슬릿(120)의 폭보다 넓게 형성한 경우의 예를 제시하였지만, 수지층(126)의 폭과 슬릿(120)의 폭이 일치하도록 형성하여도 좋다.
도 16의 (A)는 절연막(125f)을 형성한 후에 수지층(126)을 형성한 시점의 단면 개략도이다.
예를 들어 도 12의 (A)에 나타낸 바와 같이, 슬릿(120)보다 폭이 넓은 수지층(126)을 형성한 후에, 애싱 등에 의하여 수지층(126)의 상부를 에칭함으로써, 슬릿(120)의 내부에만 수지층(126)을 형성할 수 있다. 이때 수지층(126)의 상면의 높이와, 인접한 유기층(112) 또는 유기층(155)의 상면의 높이를 최대한 가깝게 하는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 슬릿(120)과 중첩된 부분과, 그 양쪽 단부의 단차를 저감할 수 있기 때문에, 유기층(112) 또는 유기층(155)의 단차 피복성을 향상시킬 수 있다.
이어서, 상술한 바와 같이 절연막(125f), 희생층(145), 및 희생층(175)을 에칭한다(도 16의 (B)). 이때 희생층(145) 및 희생층(175)에는 수지층(126)으로 덮인 부분이 없기 때문에, 희생층(145) 및 희생층(175)은 조각이 잔존하지 않고 제거된다.
다음으로, 유기층(114), 공통 전극(113), 및 보호층(121)을 상기와 같은 방법으로 형성한다(도 16의 (C)). 또한 기판(102)을 상기와 같은 방법으로 접합함으로써, 표시 장치를 제작할 수 있다.
여기까지가 표시 장치의 제작 방법의 예에 대한 설명이다.
본 실시형태는 적어도 그 일부를 본 명세서에 기재된 다른 실시형태와 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치의 구성예에 대하여 설명한다. 여기서는 화상을 표시할 수 있는 표시 장치로서 설명하지만, 발광 소자를 광원으로서 사용함으로써 표시 장치로서 사용할 수 있다.
또한 본 실시형태의 표시 장치는 고해상도 표시 장치 또는 대형 표시 장치로 할 수 있다. 따라서 본 실시형태의 표시 장치는 예를 들어 텔레비전 장치, 데스크톱형 또는 노트북형 퍼스널 컴퓨터, 컴퓨터용 등의 모니터, 디지털 사이니지, 파친코기 등의 대형 게임기 등 비교적 큰 화면을 갖는 전자 기기 외에, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, 디지털 액자, 휴대 전화기, 휴대용 게임기, 스마트폰, 손목시계형 단말기, 태블릿 단말기, 휴대 정보 단말기, 음향 재생 장치의 표시부에 사용할 수도 있다.
[표시 장치(400)]
도 17은 표시 장치(400)의 사시도이고, 도 18의 (A)는 표시 장치(400)의 단면도이다.
표시 장치(400)는 기판(454)과 기판(453)이 접합된 구성을 갖는다. 도 17에서는 기판(454)을 파선으로 명시하였다.
표시 장치(400)는 표시부(462), 회로(464), 배선(465) 등을 갖는다. 도 17에는 표시 장치(400)에 IC(473) 및 FPC(472)가 실장된 예를 나타내었다. 그러므로 도 18에 나타낸 구성은 표시 장치(400), IC(집적 회로), 및 FPC를 포함하는 표시 모듈이라고도 할 수 있다.
회로(464)로서는 예를 들어 주사선 구동 회로를 사용할 수 있다.
배선(465)은 표시부(462) 및 회로(464)에 신호 및 전력을 공급하는 기능을 갖는다. 상기 신호 및 전력은 외부로부터 FPC(472)를 통하여 배선(465)에 입력되거나 IC(473)로부터 배선(465)에 입력된다.
도 17에는 COG(Chip On Glass) 방식 또는 COF(Chip On Film) 방식 등에 의하여 기판(453)에 IC(473)가 제공된 예를 나타내었다. IC(473)로서는 예를 들어 주사선 구동 회로 또는 신호선 구동 회로 등을 포함한 IC를 적용할 수 있다. 또한 표시 장치(400) 및 표시 모듈에는 IC가 제공되지 않아도 된다. 또한 IC를 COF 방식 등에 의하여 FPC에 실장하여도 좋다.
도 18의 (A)는 표시 장치(400) 중 FPC(472)를 포함한 영역의 일부, 회로(464)의 일부, 표시부(462)의 일부, 및 접속부를 포함한 영역의 일부를 각각 절단한 경우의 단면의 일례를 나타낸 것이다. 도 18의 (A)에는 표시부(462) 중 특히 녹색의 광(G)을 방출하는 발광 소자(430b)와 반사광(L)을 받는 수광 소자(440)를 포함한 영역을 절단한 경우의 단면의 일례를 나타내었다.
도 18의 (A)에 나타낸 표시 장치(400)는 기판(453)과 기판(454) 사이에 트랜지스터(252), 트랜지스터(260), 트랜지스터(258), 발광 소자(430b), 착색층(418), 및 수광 소자(440) 등을 갖는다.
여기서, 발광 소자(430b)로서 실시형태 1에 나타낸 발광 소자(110G)를 사용하고, 착색층(418)으로서 실시형태 1에 나타낸 착색층(129G)을 사용하고, 수광 소자(440)로서 실시형태 1에 나타낸 수광 소자(110S)를 사용할 수 있다. 또한 도 18의 (A)에는 발광 소자(110R, 110B) 등에 대응하는 발광 소자를 나타내지 않았지만, 발광 소자(430b)와 같은 식으로 제공할 수 있다. 또한 도 18의 (A)에는 착색층(129R, 129B) 등에 대응하는 착색층은 나타내지 않았지만, 착색층(418)과 같은 식으로 제공할 수 있다.
여기서, 표시 장치의 화소가 서로 다른 색의 광을 투과시키는 착색층을 갖는 부화소를 3종류 갖는 경우, 상기 3종류의 부화소로서는 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)의 3색의 부화소, 황색(Y), 시안(C), 및 마젠타(M)의 3색의 부화소 등을 들 수 있다. 상기 부화소를 4종류 갖는 경우, 상기 4종류의 부화소로서는 R, G, B, 백색(W)의 4색의 부화소, R, G, B, Y의 4색의 부화소 등을 들 수 있다.
또한 수광 소자(440)로서는, 적색, 녹색, 또는 청색의 파장 영역의 광에 감도를 갖는 광전 변환 소자, 혹은 적외광의 파장 영역의 광에 감도를 갖는 광전 변환 소자를 사용할 수 있다.
기판(454)과 보호층(416)은 접착층(442)에 의하여 접착되어 있다. 접착층(442)은 발광 소자(430b) 및 수광 소자(440)와 각각 중첩되어 제공되어 있고, 표시 장치(400)에는 고체 밀봉 구조가 적용되어 있다. 기판(454)에는 차광층(417)이 제공되어 있다.
발광 소자(430b), 수광 소자(440)는 화소 전극으로서 도전층(411a), 도전층(411b), 및 도전층(411c)을 갖는다. 도전층(411b)은 가시광에 대하여 반사성을 갖고, 반사 전극으로서 기능한다. 도전층(411c)은 가시광에 대하여 투과성을 갖고, 광학 조정층으로서 기능한다. 또한 공통 전극(413)도 가시광에 대하여 투과성을 갖는다.
발광 소자(430b)에 포함되는 도전층(411a)은 절연층(294)에 제공된 개구를 통하여 트랜지스터(260)에 포함되는 도전층(272b)에 접속되어 있다. 트랜지스터(260)는 발광 소자의 구동을 제어하는 기능을 갖는다. 한편, 수광 소자(440)에 포함되는 도전층(411a)은 트랜지스터(258)에 포함되는 도전층(272b)에 전기적으로 접속되어 있다. 트랜지스터(258)는 수광 소자(440)를 사용한 노광의 타이밍 등을 제어하는 기능을 갖는다.
화소 전극을 덮어 EL층(412G) 또는 PD층(412S)이 제공되어 있다. EL층(412G)의 측면 및 PD층(412S)의 측면과 접하여 절연층(421)이 제공되고, 절연층(421)의 오목부를 메우도록 수지층(422)이 제공되어 있다. EL층(412G) 및 PD층(412S)을 덮어 유기층(414), 공통 전극(413), 및 보호층(416)이 제공되어 있다. 발광 소자를 덮는 보호층(416)을 제공함으로써, 발광 소자에 물 등의 불순물이 들어가는 것을 억제하여, 발광 소자의 신뢰성을 높일 수 있다.
발광 소자(430b)로부터 방출되는 광(G)은 착색층(418)을 투과하여 기판(454) 측에 방출된다. 수광 소자(440)는 기판(454)을 통하여 입사한 광(L)을 받고 전기 신호로 변환한다. 여기서, 광(L)에는 광(G) 중 기판(454) 외측에서 반사된 광도 포함된다. 기판(454)에는 가시광 투과성이 높은 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
트랜지스터(252), 트랜지스터(260), 및 트랜지스터(258)는 모두 기판(453) 위에 형성되어 있다. 이들 트랜지스터는 동일한 재료를 사용하여 동일한 공정으로 제작할 수 있다.
또한 트랜지스터(252), 트랜지스터(260), 및 트랜지스터(258)는 서로 다른 구성을 갖도록 구분 형성되어도 좋다. 예를 들어 백 게이트를 갖는 트랜지스터와 백 게이트를 갖지 않는 트랜지스터를 구분 형성하여도 좋고, 반도체, 게이트 전극, 게이트 절연층, 소스 전극, 및 드레인 전극의 재료 및 두께 중 한쪽 또는 양쪽이 다른 트랜지스터를 구분 형성하여도 좋다.
기판(453)과 절연층(262)은 접착층(455)에 의하여 접합되어 있다.
표시 장치(400)의 제작 방법으로서는, 먼저 절연층(262), 각 트랜지스터, 각 발광 소자, 수광 소자 등이 제공된 제작 기판과, 차광층(417)이 제공된 기판(454)을 접착층(442)에 의하여 접합한다. 그리고 제작 기판을 박리하여 노출된 면에 기판(453)을 접합함으로써, 제작 기판 위에 형성된 각 구성 요소를 기판(453)으로 전치한다. 기판(453) 및 기판(454)은 각각 가요성을 갖는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 표시 장치(400)의 가요성을 높일 수 있다.
기판(453)에서 기판(454)이 중첩되지 않은 영역에는 접속부(254)가 제공되어 있다. 접속부(254)에서는 배선(465)이 도전층(466) 및 접속층(292)을 통하여 FPC(472)에 전기적으로 접속되어 있다. 도전층(466)은 화소 전극과 동일한 도전막을 가공하여 얻을 수 있다. 이에 의하여, 접속부(254)와 FPC(472)를 접속층(292)을 통하여 전기적으로 접속할 수 있다.
트랜지스터(252), 트랜지스터(260), 및 트랜지스터(258)는 게이트로서 기능하는 도전층(271), 게이트 절연층으로서 기능하는 절연층(261), 채널 형성 영역(281i) 및 한 쌍의 저저항 영역(281n)을 포함한 반도체층(281), 한 쌍의 저저항 영역(281n) 중 한쪽에 접속되는 도전층(272a), 한 쌍의 저저항 영역(281n) 중 다른 쪽에 접속되는 도전층(272b), 게이트 절연층으로서 기능하는 절연층(275), 게이트로서 기능하는 도전층(273), 그리고 도전층(273)을 덮는 절연층(265)을 갖는다. 절연층(261)은 도전층(271)과 채널 형성 영역(281i) 사이에 위치한다. 절연층(275)은 도전층(273)과 채널 형성 영역(281i) 사이에 위치한다.
도전층(272a) 및 도전층(272b)은 각각 절연층(265)에 제공된 개구를 통하여 저저항 영역(281n)에 접속된다. 도전층(272a) 및 도전층(272b) 중 한쪽은 소스로서 기능하고, 다른 쪽은 드레인으로서 기능한다.
도 18의 (A)에는 절연층(275)이 반도체층의 상면 및 측면을 덮는 예를 나타내었다. 도전층(272a) 및 도전층(272b)은 각각 절연층(275) 및 절연층(265)에 제공된 개구를 통하여 저저항 영역(281n)에 접속된다.
한편, 도 18의 (B)에 나타낸 트랜지스터(259)에서는 절연층(275)은 반도체층(281)의 채널 형성 영역(281i)과 중첩되고, 저저항 영역(281n)과는 중첩되지 않는다. 예를 들어 도전층(273)을 마스크로서 사용하여 절연층(275)을 가공함으로써, 도 18의 (B)에 나타낸 구조를 제작할 수 있다. 도 18의 (B)에서는 절연층(275) 및 도전층(273)을 덮어 절연층(265)이 제공되고, 절연층(265)의 개구를 통하여 도전층(272a) 및 도전층(272b)이 각각 저저항 영역(281n)에 접속되어 있다. 또한 트랜지스터를 덮는 절연층(268)을 제공하여도 좋다.
본 실시형태의 표시 장치에 포함되는 트랜지스터의 구조는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 플레이너(planar)형 트랜지스터, 스태거형 트랜지스터, 역스태거형 트랜지스터 등을 사용할 수 있다. 또한 톱 게이트형 트랜지스터로 하여도 좋고, 보텀 게이트형 트랜지스터로 하여도 좋다. 또는 채널이 형성되는 반도체층의 상하에 게이트가 제공되어도 좋다.
트랜지스터(252), 트랜지스터(260), 및 트랜지스터(258)에는 채널이 형성되는 반도체층을 2개의 게이트로 끼우는 구성이 적용되어 있다. 2개의 게이트를 접속하고, 이들에 동일한 신호를 공급함으로써 트랜지스터를 구동하여도 좋다. 또는 2개의 게이트 중 한쪽에 문턱 전압을 제어하기 위한 전위를 공급하고, 다른 쪽에 구동을 위한 전위를 공급함으로써, 트랜지스터의 문턱 전압을 제어하여도 좋다.
트랜지스터의 반도체층에 사용하는 반도체 재료의 결정성에 대해서도 특별히 한정되지 않고, 비정질 반도체, 단결정 반도체, 및 단결정 이외의 결정성을 갖는 반도체(미결정 반도체, 다결정 반도체, 또는 일부에 결정 영역을 갖는 반도체) 중 어느 것을 사용하여도 좋다. 단결정 반도체 또는 결정성을 갖는 반도체를 사용하면, 트랜지스터 특성의 열화를 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.
트랜지스터의 반도체층은 금속 산화물(산화물 반도체라고도 함)을 포함하는 것이 바람직하다. 즉 본 실시형태의 표시 장치에서는 금속 산화물을 채널 형성 영역에 사용한 트랜지스터(이하, OS 트랜지스터)를 사용하는 것이 바람직하다.
트랜지스터의 반도체층에 사용하는 금속 산화물의 밴드 갭은 2eV 이상인 것이 바람직하고, 2.5eV 이상인 것이 더 바람직하다. 밴드 갭이 큰 금속 산화물을 사용함으로써, OS 트랜지스터의 오프 전류를 저감할 수 있다.
금속 산화물은 적어도 인듐 또는 아연을 포함하는 것이 바람직하고, 인듐 및 아연을 포함하는 것이 더 바람직하다. 예를 들어 금속 산화물은 인듐과, M(M은 갈륨, 알루미늄, 이트륨, 주석, 실리콘, 붕소, 구리, 바나듐, 베릴륨, 타이타늄, 철, 니켈, 저마늄, 지르코늄, 몰리브데넘, 란타넘, 세륨, 네오디뮴, 하프늄, 탄탈럼, 텅스텐, 마그네슘, 및 코발트 중에서 선택된 1종류 또는 복수 종류)과, 아연을 포함하는 것이 바람직하다. 특히 M은 갈륨, 알루미늄, 이트륨, 및 주석 중에서 선택된 1종류 또는 복수 종류인 것이 바람직하고, 갈륨인 것이 더 바람직하다. 또한 인듐과, M과, 아연을 포함한 금속 산화물을 이하에서는 In-M-Zn 산화물이라고 부르는 경우가 있다.
금속 산화물이 In-M-Zn 산화물인 경우, 상기 In-M-Zn 산화물에서의 In의 원자수비는 M의 원자수비 이상인 것이 바람직하다. 이러한 In-M-Zn 산화물의 금속 원소의 원자수비로서는 In:M:Zn=1:1:1 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=1:1:1.2 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=2:1:3 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=3:1:2 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=4:2:3 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=4:2:4.1 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=5:1:3 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=5:1:6 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=5:1:7 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=5:1:8 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=6:1:6 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=5:2:5 또는 그 근방의 조성 등을 들 수 있다. 또한 근방의 조성이란, 원하는 원자수비의 ±30%의 범위를 포함한 것이다. 금속 산화물 내의 인듐의 원자수비를 높게 함으로써, 트랜지스터의 온 전류 또는 전계 효과 이동도 등을 높일 수 있다.
예를 들어 원자수비가 In:Ga:Zn=4:2:3 또는 그 근방의 조성이라고 기재된 경우, In을 4로 하였을 때, Ga이 1 이상 3 이하이고, Zn이 2 이상 4 이하인 경우를 포함한다. 또한 원자수비가 In:Ga:Zn=5:1:6 또는 그 근방의 조성이라고 기재된 경우, In을 5로 하였을 때, Ga이 0.1보다 크고 2 이하이고, Zn이 5 이상 7 이하인 경우를 포함한다. 또한 원자수비가 In:Ga:Zn=1:1:1 또는 그 근방의 조성이라고 기재된 경우, In을 1로 하였을 때, Ga이 0.1보다 크고 2 이하이고, Zn이 0.1보다 크고 2 이하인 경우를 포함한다.
또한 In-M-Zn 산화물에서의 In의 원자수비는 M의 원자수비 미만이어도 좋다. 이러한 In-M-Zn 산화물의 금속 원소의 원자수비로서, In:M:Zn=1:3:2 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=1:3:3 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=1:3:4 또는 그 근방의 조성 등을 들 수 있다. 금속 산화물 내의 M의 원자수비를 높게 함으로써, In-M-Zn 산화물의 밴드 갭을 더 크게 하여, 광 네거티브 바이어스 스트레스 시험에 대한 내성을 높일 수 있다. 구체적으로는, 트랜지스터의 NBTIS(Negative Bias Temperature Illumination Stress) 시험에서 측정되는 문턱 전압의 변화량 또는 시프트 전압(Vsh)의 변화량을 작게 할 수 있다. 또한 시프트 전압(Vsh)은 트랜지스터의 드레인 전류(Id)-게이트 전압(Vg) 커브에서, 커브의 경사가 최대인 점에서의 접선이 Id=1pA의 직선과 교차하는 Vg로 정의된다.
또는 트랜지스터의 반도체층은 실리콘을 포함하여도 좋다. 실리콘으로서는 비정질 실리콘, 결정성 실리콘(저온 폴리실리콘(LTPS라고도 함), 단결정 실리콘 등) 등을 들 수 있다.
특히 저온 폴리실리콘은 이동도가 비교적 높고, 유리 기판 위에 형성할 수 있기 때문에, 표시 장치에 적합하게 사용할 수 있다. 예를 들어 구동 회로에 포함되는 트랜지스터(252) 등에 저온 폴리실리콘을 반도체층에 사용한 트랜지스터(LTPS 트랜지스터)를 적용하고, 화소에 제공되는 트랜지스터(260), 트랜지스터(258) 등에 산화물 반도체를 반도체층에 사용한 트랜지스터(OS 트랜지스터)를 적용할 수 있다. LTPS 트랜지스터와 OS 트랜지스터의 양쪽을 사용함으로써, 소비 전력이 낮고 구동 능력이 높은 표시 장치를 실현할 수 있다. 또한 LTPS 트랜지스터와 OS 트랜지스터를 조합한 구성을 LTPO라고 부르는 경우가 있다. 또한 더 바람직한 예로서는, 배선들 사이의 도통, 비도통을 제어하기 위한 스위치로서 기능하는 트랜지스터 등으로서 OS 트랜지스터를 적용하고, 전류를 제어하는 트랜지스터 등으로서 LTPS 트랜지스터를 적용한다.
또는 트랜지스터의 반도체층은 반도체로서 기능하는 층상 물질을 포함하여도 좋다. 층상 물질이란 층상의 결정 구조를 갖는 재료군의 총칭이다. 층상의 결정 구조에서는, 공유 결합 또는 이온 결합에 의하여 형성되는 층이 판데르발스력(Van der Waals force)과 같은 공유 결합 또는 이온 결합보다 약한 결합에 의하여 적층되어 있다. 층상 물질은 단위 층(monolayer) 내에서의 전기 전도성이 높고, 즉 2차원 전기 전도성이 높다. 반도체로서 기능하고, 2차원 전기 전도성이 높은 재료를 채널 형성 영역에 사용함으로써, 온 전류가 큰 트랜지스터를 제공할 수 있다.
상기 층상 물질로서는 예를 들어 그래핀, 실리센, 칼코제나이드 등이 있다. 칼코제나이드는 칼코젠(16족에 속하는 원소)을 포함한 화합물이다. 또한 칼코제나이드로서는 전이 금속 칼코제나이드, 13족 칼코제나이드 등을 들 수 있다. 트랜지스터의 반도체층에 적용할 수 있는 전이 금속 칼코제나이드로서는, 구체적으로는 황화 몰리브데넘(대표적으로는 MoS2), 셀레늄화 몰리브데넘(대표적으로는 MoSe2), 몰리브데넘 텔루륨(대표적으로는 MoTe2), 황화 텅스텐(대표적으로는 WS2), 셀레늄화 텅스텐(대표적으로는 WSe2), 텅스텐 텔루륨(대표적으로는 WTe2), 황화 하프늄(대표적으로는 HfS2), 셀레늄화 하프늄(대표적으로는 HfSe2), 황화 지르코늄(대표적으로는 ZrS2), 셀레늄화 지르코늄(대표적으로는 ZrSe2) 등을 들 수 있다.
또한 도 18의 (A)에 나타낸 표시 장치는 OS 트랜지스터를 갖고 발광 소자 사이의 공통층이 분리된 구성을 갖는다. 상기 구성으로 함으로써, 트랜지스터에 흐를 수 있는 누설 전류 및 인접한 발광 소자 사이에 흐를 수 있는 누설 전류(가로 누설 전류, 사이드 누설 전류 등이라고도 함)를 매우 낮게 할 수 있다. 또한 상기 구성으로 함으로써, 표시 장치에 화상을 표시한 경우에 관찰자가 화상의 선명함, 화상의 날카로움, 높은 채도, 및 높은 콘트라스트비 중 어느 하나 또는 복수를 느낄 수 있다. 또한 트랜지스터에 흐를 수 있는 누설 전류 및 발광 소자 간의 가로 누설 전류가 매우 낮은 구성으로 함으로써, 흑색 표시 시에 발생할 수 있는 광 누설(소위 검은 화상이 하얗게 보이는 현상) 등이 최대한 억제된 표시(짙은 흑색 표시라고도 함)로 할 수 있다.
특히 MML 구조의 발광 디바이스에 색 구분 도포 구조(SBS 구조)를 적용함으로써, 발광 소자 사이에 제공되는 층(예를 들어 발광 소자 사이에서 공통적으로 사용하는 유기층, 공통층이라고도 함)이 분단된 구성이 되기 때문에, 사이드 누설이 없거나 사이드 누설이 매우 적은 표시로 할 수 있다.
회로(464)에 포함되는 트랜지스터와 표시부(462)에 포함되는 트랜지스터는 같은 구조를 가져도 좋고, 다른 구조를 가져도 좋다. 회로(464)에 포함되는 복수의 트랜지스터에는 하나의 구조를 채용하여도 좋고, 2종류 이상의 구조를 채용하여도 좋다. 마찬가지로, 표시부(462)에 포함되는 복수의 트랜지스터에는 하나의 구조를 채용하여도 좋고, 2종류 이상의 구조를 채용하여도 좋다.
트랜지스터를 덮는 절연층 중 적어도 하나에 물 및 수소 등의 불순물이 확산되기 어려운 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 상기 절연층을 배리어층으로서 기능시킬 수 있다. 이러한 구성으로 함으로써, 외부로부터 트랜지스터로 불순물이 확산되는 것을 효과적으로 억제할 수 있어, 표시 장치의 신뢰성을 높일 수 있다.
절연층(261), 절연층(262), 절연층(265), 절연층(268), 및 절연층(275)으로서는 각각 무기 절연막을 사용하는 것이 바람직하다. 무기 절연막으로서는 예를 들어 질화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 산화 실리콘막, 질화산화 실리콘막, 산화 알루미늄막, 질화 알루미늄막 등을 사용할 수 있다. 또한 산화 하프늄막, 산화 이트륨막, 산화 지르코늄막, 산화 갈륨막, 산화 탄탈럼막, 산화 마그네슘막, 산화 란타넘막, 산화 세륨막, 및 산화 네오디뮴막 등을 사용하여도 좋다. 또한 상술한 무기 절연막을 2개 이상 적층하여 사용하여도 좋다.
평탄화층으로서 기능하는 절연층(294)에는 유기 절연막이 적합하다. 유기 절연막에 사용할 수 있는 재료로서는, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드아마이드 수지, 실록세인 수지, 벤조사이클로뷰텐계 수지, 페놀 수지, 및 이들 수지의 전구체 등을 들 수 있다.
여기서, 유기 절연막은 무기 절연막보다 배리어성이 낮은 경우가 많다. 그러므로 유기 절연막은 표시 장치(400)의 단부 근방에 개구를 갖는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 표시 장치(400)의 단부로부터 유기 절연막을 통하여 불순물이 들어가는 것을 억제할 수 있다. 또는 유기 절연막의 단부가 표시 장치(400)의 단부보다 내측에 위치하도록 유기 절연막을 형성하여, 표시 장치(400)의 단부에서 유기 절연막이 노출되지 않도록 하여도 좋다.
기판(454)의 기판(453) 측의 면에는 차광층(417)을 제공하는 것이 바람직하다. 또한 기판(454)의 기판(453) 측의 면에 착색층(418) 등을 제공하여도 좋다. 도 18의 (A)에서는 기판(454)을 기준으로 간주한 경우, 착색층(418)이 차광층(417)의 일부를 덮도록 제공되어 있다.
또한 기판(454)의 외측에는 각종 광학 부재를 배치할 수 있다. 광학 부재로서는 편광판, 위상차판, 광 확산층(확산 필름 등), 반사 방지층, 및 집광 필름 등을 들 수 있다. 또한 기판(454)의 외측에는 먼지의 부착을 억제하는 대전 방지막, 오염이 부착되기 어렵게 하는 발수막, 사용에 따른 손상의 발생을 억제하는 하드 코트막, 충격 흡수층 등을 배치하여도 좋다.
도 18의 (A)에는 접속부(278)를 나타내었다. 접속부(278)에서 공통 전극(413)과 배선이 전기적으로 접속된다. 도 18의 (A)에는 상기 배선이 화소 전극과 동일한 적층 구조를 갖는 경우의 예를 나타내었다.
기판(453) 및 기판(454)에는 각각 유리, 석영, 세라믹, 사파이어, 수지, 금속, 합금, 반도체 등을 사용할 수 있다. 발광 소자로부터의 광이 추출되는 측의 기판에는 상기 광을 투과시키는 재료를 사용한다. 기판(453) 및 기판(454)에 가요성을 갖는 재료를 사용하면, 표시 장치의 가요성이 높아져, 플렉시블 디스플레이를 실현할 수 있다. 또한 기판(453) 또는 기판(454)으로서 편광판을 사용하여도 좋다.
기판(453) 및 기판(454)에는 각각 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스터 수지, 폴리아크릴로나이트릴 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리메틸메타크릴레이트 수지, 폴리카보네이트(PC) 수지, 폴리에터설폰(PES) 수지, 폴리아마이드 수지(나일론, 아라미드 등), 폴리실록세인 수지, 사이클로올레핀 수지, 폴리스타이렌 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리염화 바이닐 수지, 폴리염화 바이닐리덴 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 수지, ABS 수지, 셀룰로스 나노 섬유 등을 사용할 수 있다. 기판(453) 및 기판(454) 중 한쪽 또는 양쪽으로서 가요성을 가질 정도의 두께를 갖는 유리를 사용하여도 좋다.
또한 표시 장치에 원편광판을 중첩시키는 경우, 표시 장치에 포함되는 기판으로서는 광학 등방성이 높은 기판을 사용하는 것이 바람직하다. 광학 등방성이 높은 기판은 복굴절이 작다(복굴절량이 적다고도 할 수 있음).
광학 등방성이 높은 기판의 위상차(retardation)의 절댓값은 30nm 이하가 바람직하고, 20nm 이하가 더 바람직하고, 10nm 이하가 더 바람직하다.
광학 등방성이 높은 필름으로서는, 트라이아세틸셀룰로스(TAC, 셀룰로스트라이아세테이트라고도 함) 필름, 사이클로올레핀 폴리머(COP) 필름, 사이클로올레핀 공중합체(COC) 필름, 및 아크릴 필름 등을 들 수 있다.
또한 기판으로서 필름을 사용하는 경우, 필름이 물을 흡수하면 주름이 생기는 등 표시 패널에 형상 변화가 일어날 우려가 있다. 그러므로 기판으로서는 물 흡수율이 낮은 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어 물 흡수율이 바람직하게는 1% 이하, 더 바람직하게는 0.1% 이하, 더 바람직하게는 0.01% 이하인 필름을 사용한다.
접착층에는, 자외선 경화형 등의 광 경화형 접착제, 반응 경화형 접착제, 열 경화형 접착제, 혐기형 접착제 등 각종 경화형 접착제를 사용할 수 있다. 이들 접착제로서는 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 이미드 수지, PVC(폴리바이닐클로라이드) 수지, PVB(폴리바이닐뷰티랄) 수지, EVA(에틸렌바이닐아세테이트) 수지 등을 들 수 있다. 특히 에폭시 수지 등의 투습성이 낮은 재료가 바람직하다. 또한 2액 혼합형 수지를 사용하여도 좋다. 또한 접착 시트 등을 사용하여도 좋다.
접속층(292)으로서는 이방성 도전 필름(ACF: Anisotropic Conductive Film), 이방성 도전 페이스트(ACP: Anisotropic Conductive Paste) 등을 사용할 수 있다.
트랜지스터의 게이트, 소스, 및 드레인 외에, 표시 장치를 구성하는 각종 배선 및 전극 등의 도전층에 사용할 수 있는 재료로서는 알루미늄, 타이타늄, 크로뮴, 니켈, 구리, 이트륨, 지르코늄, 몰리브데넘, 은, 탄탈럼, 및 텅스텐 등의 금속, 그리고 상기 금속을 주성분으로서 포함한 합금 등을 들 수 있다. 이들 재료를 포함한 막을 단층으로 또는 적층 구조로 사용할 수 있다.
또한 광 투과성을 갖는 도전 재료로서는 산화 인듐, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 산화 아연, 갈륨을 포함한 산화 아연 등의 도전성 산화물 또는 그래핀을 사용할 수 있다. 또는 금, 은, 백금, 마그네슘, 니켈, 텅스텐, 크로뮴, 몰리브데넘, 철, 코발트, 구리, 팔라듐, 및 타이타늄 등의 금속 재료 또는 상기 금속 재료를 포함한 합금 재료를 사용할 수 있다. 또는 상기 금속 재료의 질화물(예를 들어 질화 타이타늄) 등을 사용하여도 좋다. 또한 금속 재료 또는 합금 재료(또는 이들의 질화물)를 사용하는 경우에는, 광 투과성을 가질 정도로 얇게 하는 것이 바람직하다. 또한 상기 재료의 적층막을 도전층으로서 사용할 수 있다. 예를 들어 은과 마그네슘의 합금과, 인듐 주석 산화물의 적층막 등을 사용하면, 도전성을 높일 수 있기 때문에 바람직하다. 이들은 표시 장치를 구성하는 각종 배선 및 전극 등의 도전층, 그리고 발광 소자에 포함되는 도전층(화소 전극 또는 공통 전극으로서 기능하는 도전층)에도 사용할 수 있다.
각 절연층에 사용할 수 있는 절연 재료로서는 예를 들어 아크릴 수지, 에폭시 수지 등의 수지, 산화 실리콘, 산화질화 실리콘, 질화산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화 알루미늄 등의 무기 절연 재료가 있다.
도 18의 (A)에는 톱 이미션형 표시 장치를 나타내었지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 도 19에 나타낸 바와 같이, 보텀 이미션형 표시 장치로 하여도 좋다. 도 19에 나타낸 표시 장치(400)는 주로 보텀 이미션형 구조를 갖는 점에서 도 18의 (A)의 표시 장치(400)와 다르다. 또한 도 18의 (A)의 표시 장치(400)와 같은 부분에 대해서는 설명을 생략한다.
발광 소자(430b)로부터 방출되는 광(G)은 착색층(418)을 투과하여 기판(453) 측에 방출된다. 수광 소자(440)는 기판(453)을 통하여 입사한 광(L)을 받고 전기 신호로 변환한다. 기판(453)에는 가시광 투과성이 높은 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 한편 기판(454)에 사용하는 재료의 투광성에 대해서는 불문한다.
또한 도 19에 나타낸 표시 장치(400)는 도전층(411a, 411b, 411c)이 가시광을 투과시키는 재료를 포함하고, 공통 전극(413)이 가시광을 반사하는 재료를 포함한다. 여기서 도전층(411a, 411b)과 같은 도전막을 가공하여 얻어지는 도전층(466) 및 접속층(292)도 가시광을 투과시키는 재료를 포함한다.
기판(453)과 트랜지스터(260) 사이, 기판(453)과 트랜지스터(252) 사이에는 차광층(417)을 형성하는 것이 바람직하다. 도 19에는, 접착층(455) 위에 차광층(417)이 제공되고, 차광층(417) 위에 절연층(262)이 제공되고, 절연층(262) 위에 트랜지스터(260, 252) 등이 제공된 예를 나타내었다.
또한 도 19에 나타낸 표시 장치(400)에서는, 절연층(294)과 절연층(265) 사이에 착색층(418)이 제공되어 있다. 착색층(418)은 단부가 차광층(417)과 중첩되는 것이 바람직하다.
본 실시형태에서 예시한 구성예 및 이들에 대응하는 도면 등은, 적어도 그 일부를 다른 구성예 또는 도면 등과 적절히 조합할 수 있다.
본 실시형태는 적어도 그 일부를 본 명세서에 기재된 다른 실시형태와 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치에 대하여 도 20 내지 도 25를 사용하여 설명한다.
본 실시형태의 표시 장치는 고정세의 표시 장치로 할 수 있다. 따라서 본 실시형태의 표시 장치는 예를 들어 손목시계형, 팔찌형 등의 정보 단말기(웨어러블 기기), 그리고 헤드 마운트 디스플레이 등의 VR(Virtual Reality)용 기기, 안경형 AR(Augmented Reality)용 기기 등, 두부에 장착할 수 있는 웨어러블 기기의 표시부에 사용할 수 있다.
[표시 모듈]
도 20의 (A)에 표시 모듈(1280)의 사시도를 도시하였다. 표시 모듈(1280)은 표시 장치(100C)와 FPC(1290)를 갖는다. 또한 표시 모듈(1280)이 갖는 표시 장치는 표시 장치(100C)에 한정되지 않고 후술하는 표시 장치(100D) 내지 표시 장치(100G) 중 어느 것이어도 좋다.
표시 모듈(1280)은 기판(1291) 및 기판(1292)을 갖는다. 표시 모듈(1280)은 표시부(1281)를 갖는다. 표시부(1281)는 표시 모듈(1280)에서의 화상을 표시하는 영역이고, 후술하는 화소부(1284)에 제공되는 각 화소로부터의 광을 시인할 수 있는 영역이다.
도 20의 (B)에 기판(1291) 측의 구성을 모식적으로 도시한 사시도를 도시하였다. 기판(1291) 위에는 회로부(1282)와, 회로부(1282) 위의 화소 회로부(1283)와, 화소 회로부(1283) 위의 화소부(1284)가 적층되어 있다. 또한 기판(1291) 위에서 화소부(1284)와 중첩되지 않은 부분에 FPC(1290)와 접속하기 위한 단자부(1285)가 제공되어 있다. 단자부(1285)와 회로부(1282)는 복수의 배선으로 구성되는 배선부(1286)에 의하여 전기적으로 접속되어 있다.
화소부(1284)는 주기적으로 배열된 복수의 화소(1284a)를 갖는다. 도 20의 (B)의 오른쪽에 하나의 화소(1284a)의 확대도를 나타내었다. 화소(1284a)는 부화소(103R), 부화소(103G), 부화소(103B), 및 부화소(103S)를 갖는다. 부화소(103R), 부화소(103G), 부화소(103B), 및 부화소(103S) 그리고 그 주위의 구성에 대해서는 앞의 실시형태를 참작할 수 있다. 복수의 부화소는 도 20의 (B)에 도시된 바와 같이 매트릭스 배열로 배치할 수 있다. 또한 델타 배열 또는 펜타일 배열 등 다양한 부화소의 배열 방법을 적용할 수 있다.
화소 회로부(1283)는 주기적으로 배열된 복수의 화소 회로(1283a)를 갖는다.
하나의 화소 회로(1283a)는 하나의 화소(1284a)가 갖는 3개의 발광 디바이스의 발광을 제어하는 회로이다. 하나의 화소 회로(1283a)는 하나의 발광 디바이스의 발광을 제어하는 회로가 3개 제공되는 구성으로 하여도 좋다. 예를 들어 화소 회로(1283a)는 하나의 발광 디바이스마다 하나의 선택 트랜지스터와, 하나의 전류 제어용 트랜지스터(구동 트랜지스터)와, 용량 소자를 적어도 갖는 구성으로 할 수 있다. 이때 선택 트랜지스터의 게이트에는 게이트 신호가, 소스 및 드레인 중 한쪽에는 소스 신호가 각각 입력된다. 이로써 액티브 매트릭스형 표시 장치가 실현된다.
회로부(1282)는 화소 회로부(1283)의 각 화소 회로(1283a)를 구동하는 회로를 갖는다. 예를 들어 게이트선 구동 회로 및 소스선 구동 회로 중 한쪽 또는 양쪽을 갖는 것이 바람직하다. 이 이외에, 연산 회로, 메모리 회로, 및 전원 회로 등 중 적어도 하나를 가져도 좋다.
FPC(1290)는 외부로부터 회로부(1282)에 비디오 신호 또는 전원 전위 등을 공급하기 위한 배선으로서 기능한다. 또한 FPC(1290) 위에 IC가 실장되어 있어도 좋다.
표시 모듈(1280)은 화소부(1284)의 아래쪽에 화소 회로부(1283) 및 회로부(1282) 중 한쪽 또는 양쪽이 적층된 구성으로 할 수 있기 때문에, 표시부(1281)의 개구율(유효 표시 면적비)을 매우 높게 할 수 있다. 예를 들어 표시부(1281)의 개구율은 40% 이상 100% 미만으로, 바람직하게는 50% 이상 95% 이하로, 더 바람직하게는 60% 이상 95% 이하로 할 수 있다. 또한 화소(1284a)를 매우 높은 밀도로 배치할 수 있고, 표시부(1281)의 정세도를 매우 높게 할 수 있다. 예를 들어 표시부(1281)에는 2000ppi 이상, 바람직하게는 3000ppi 이상, 더 바람직하게는 5000ppi 이상, 더 바람직하게는 6000ppi 이상이고, 20000ppi 이하 또는 30000ppi 이하의 정세도로 화소(1284a)가 배치되는 것이 바람직하다.
이러한 표시 모듈(1280)은 매우 고정세하기 때문에, 헤드 마운트 디스플레이 등의 VR용 기기, 또는 안경형 AR용 기기에 적합하게 사용할 수 있다. 예를 들어 렌즈를 통하여 표시 모듈(1280)의 표시부를 시인하는 구성이어도, 표시 모듈(1280)은 매우 고정세한 표시부(1281)를 갖기 때문에, 렌즈로 표시부가 확대되어도 화소가 시인되지 않고, 몰입감이 높은 표시를 수행할 수 있다. 또한 표시 모듈(1280)은 이에 한정되지 않고, 비교적 소형의 표시부를 갖는 전자 기기에 적합하게 사용할 수 있다. 예를 들어 손목시계 등의 장착형 전자 기기의 표시부에 적합하게 사용할 수 있다.
[표시 장치(100C)]
도 21에 도시된 표시 장치(100C)는 기판(1301), 부화소(103R), 부화소(103G), 부화소(103S), 용량 소자(1240), 및 트랜지스터(1310)를 갖는다. 부화소(103R)는 발광 소자(110R) 및 착색층(129R)을 갖고, 부화소(103G)는 발광 소자(110G) 및 착색층(129G)을 갖고, 부화소(103S)는 수광 소자(110S)를 갖는다. 또한 도 21에는 부화소(103B)를 나타내지 않았지만, 부화소(103B)는 부화소(103R) 및 부화소(103G)와 같은 구성을 갖도록 제공할 수 있다.
기판(1301)은 도 20의 (A) 및 (B)에서의 기판(1291)에 상당한다. 기판(1301)으로부터 절연층(1255b)까지의 적층 구조가 실시형태 1에서의 기판(101)에 상당한다.
트랜지스터(1310)는 기판(1301)에 채널 형성 영역을 갖는 트랜지스터이다. 기판(1301)으로서는 예를 들어 단결정 실리콘 기판 등의 반도체 기판을 사용할 수 있다. 트랜지스터(1310)는 기판(1301)의 일부, 도전층(1311), 저저항 영역(1312), 절연층(1313), 및 절연층(1314)을 갖는다. 도전층(1311)은 게이트 전극으로서 기능한다. 절연층(1313)은 기판(1301)과 도전층(1311) 사이에 위치하고, 게이트 절연층으로서 기능한다. 저저항 영역(1312)은 기판(1301)에 불순물이 도핑된 영역이고, 소스 및 드레인 중 한쪽으로서 기능한다. 절연층(1314)은 도전층(1311)의 측면을 덮어 제공된다.
또한 기판(1301)에 매립되도록, 인접한 2개의 트랜지스터(1310) 사이에 소자 분리층(1315)이 제공되어 있다.
또한 트랜지스터(1310)를 덮어 절연층(1261)이 제공되고, 절연층(1261) 위에 용량 소자(1240)가 제공되어 있다.
용량 소자(1240)는 도전층(1241)과, 도전층(1245)과, 이들 사이에 위치하는 절연층(1243)을 갖는다. 도전층(1241)은 용량 소자(1240)의 한쪽 전극으로서 기능하고, 도전층(1245)은 용량 소자(1240)의 다른 쪽 전극으로서 기능하고, 절연층(1243)은 용량 소자(1240)의 유전체로서 기능한다.
도전층(1241)은 절연층(1261) 위에 제공되고, 절연층(1254)에 매립되어 있다. 도전층(1241)은 절연층(1261)에 매립된 플러그(1271)에 의하여 트랜지스터(1310)의 소스 및 드레인 중 한쪽과 전기적으로 접속되어 있다. 절연층(1243)은 도전층(1241)을 덮어 제공된다. 도전층(1245)은 절연층(1243)을 개재하여 도전층(1241)과 중첩되는 영역에 제공되어 있다.
용량 소자(1240)를 덮어 절연층(1255a)이 제공되고, 절연층(1255a) 위에 절연층(1255b)이 제공되고, 절연층(1255b) 위에 발광 소자(110R, 110G) 및 수광 소자(110S) 등이 제공되어 있다. 본 실시형태에서는, 발광 소자(110R, 110G) 및 수광 소자(110S)가 도 2의 (C)에 나타낸 적층 구조를 갖는 예를 나타낸다. 다만, 화소 전극(111)의 단부는 도 2의 (B)와 같이 유기층(112)의 단부 또는 유기층(155)의 단부와 실질적으로 일치한다. 화소 전극(111R, 111G, 111S), 유기층(112R, 112G), 및 유기층(155)의 측면은 각각 절연층(125) 및 수지층(126)으로 덮여 있다. 유기층(112R, 112G), 유기층(155), 절연층(125), 및 수지층(126) 위에 유기층(114)이 제공되고, 유기층(114) 위에 공통 전극(113)이 제공되어 있다. 또한 발광 소자(110R, 110G), 및 수광 소자(110S) 위에는 보호층(121)이 제공되어 있다. 보호층(121) 위에는 착색층(129R, 129G)이 제공되어 있다. 착색층(129R, 129G) 위에는 수지층(122)에 의하여 기판(102)이 접합되어 있다. 발광 디바이스로부터 기판(102)까지의 구성 요소의 자세한 내용에 대해서는 실시형태 1을 참조할 수 있다. 기판(102)은 도 20의 (A)에서의 기판(1292)에 상당한다.
절연층(1255a), 절연층(1255b)으로서는 각각 산화 절연막, 질화 절연막, 산화질화 절연막, 및 질화산화 절연막 등의 각종 무기 절연막을 적합하게 사용할 수 있다. 절연층(1255a)으로서는 산화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 산화 알루미늄막 등의 산화 절연막 또는 산화질화 절연막을 사용하는 것이 바람직하다. 절연층(1255b)으로서는 질화 실리콘막, 질화산화 실리콘막 등의 질화 절연막 또는 질화산화 절연막을 사용하는 것이 바람직하다. 더 구체적으로는, 절연층(1255a)으로서 산화 실리콘막을 사용하고, 절연층(1255b)으로서 질화 실리콘막을 사용하는 것이 바람직하다. 절연층(1255b)은 에칭 보호막으로서의 기능을 갖는 것이 바람직하다. 또는 절연층(1255a)으로서 질화 절연막 또는 질화산화 절연막을 사용하고, 절연층(1255b)으로서 산화 절연막 또는 산화질화 절연막을 사용하여도 좋다. 본 실시형태에서는 절연층(1255b)에 오목부가 제공되어 있는 예를 나타내지만 절연층(1255b)에 오목부가 제공되지 않아도 된다.
발광 디바이스의 화소 전극은 절연층(1255a, 1255b)에 매립된 플러그(1256), 절연층(1254)에 매립된 도전층(1241), 및 절연층(1261)에 매립된 플러그(1271)를 통하여 트랜지스터(1310)의 소스 및 드레인 중 한쪽과 전기적으로 접속되어 있다. 절연층(1255b)의 상면의 높이와 플러그(1256)의 상면의 높이는 일치하거나 실질적으로 일치한다. 플러그에는 각종 도전 재료를 사용할 수 있다.
[표시 장치(100D)]
도 22에 도시된 표시 장치(100D)는 트랜지스터의 구성이 상이한 점에서 표시 장치(100C)와 주로 상이하다. 또한 표시 장치(100C)와 같은 부분에 대해서는 설명을 생략하는 경우가 있다.
트랜지스터(1320)는 채널이 형성되는 반도체층에 금속 산화물(산화물 반도체라고도 함)이 적용된 트랜지스터(OS 트랜지스터)이다.
트랜지스터(1320)는 반도체층(1321), 절연층(1323), 도전층(1324), 한 쌍의 도전층(1325), 절연층(1326), 및 도전층(1327)을 갖는다.
기판(1331)은 도 20의 (A) 및 (B)에서의 기판(1291)에 상당한다. 기판(1331)으로부터 절연층(1255b)까지의 적층 구조가 기판(101)에 상당한다. 기판(1331)으로서는 절연성 기판 또는 반도체 기판을 사용할 수 있다.
기판(1331) 위에 절연층(1332)이 제공되어 있다. 절연층(1332)은 기판(1331)으로부터 물 또는 수소 등의 불순물이 트랜지스터(1320)로 확산되는 것, 및 반도체층(1321)으로부터 절연층(1332) 측에 산소가 이탈되는 것을 방지하는 배리어층으로서 기능한다. 절연층(1332)으로서는 예를 들어 산화 알루미늄막, 산화 하프늄막, 질화 실리콘막 등, 산화 실리콘막보다 수소 또는 산소가 확산되기 어려운 막을 사용할 수 있다.
절연층(1332) 위에 도전층(1327)이 제공되고, 도전층(1327)을 덮어 절연층(1326)이 제공되어 있다. 도전층(1327)은 트랜지스터(1320)의 제 1 게이트 전극으로서 기능하고, 절연층(1326)의 일부는 제 1 게이트 절연층으로서 기능한다. 절연층(1326)에서 적어도 반도체층(1321)과 접촉하는 부분에는 산화 실리콘막 등의 산화물 절연막을 사용하는 것이 바람직하다. 절연층(1326)의 상면은 평탄화되어 있는 것이 바람직하다.
반도체층(1321)은 절연층(1326) 위에 제공된다. 반도체층(1321)은 반도체 특성을 갖는 금속 산화물(산화물 반도체라고도 함)막을 갖는 것이 바람직하다. 반도체층(1321)에 적합하게 사용할 수 있는 재료의 자세한 사항에 대해서는 후술한다.
한 쌍의 도전층(1325)은 반도체층(1321) 위에 접촉하여 제공되고 소스 전극 및 드레인 전극으로서 기능한다.
또한 한 쌍의 도전층(1325)의 상면 및 측면, 그리고 반도체층(1321)의 측면 등을 덮어 절연층(1328)이 제공되고, 절연층(1328) 위에 절연층(1264)이 제공되어 있다. 절연층(1328)은 절연층(1264) 등으로부터 반도체층(1321)으로 물 또는 수소 등의 불순물이 확산되는 것, 및 반도체층(1321)으로부터 산소가 이탈되는 것을 방지하는 배리어층으로서 기능한다. 절연층(1328)으로서는 상기 절연층(1332)과 같은 절연막을 사용할 수 있다.
절연층(1328) 및 절연층(1264)에, 반도체층(1321)에 도달하는 개구가 제공되어 있다. 상기 개구의 내부에는, 절연층(1264), 절연층(1328), 및 도전층(1325)의 측면, 그리고 반도체층(1321)의 상면과 접촉하는 절연층(1323)과, 도전층(1324)이 매립되어 있다. 도전층(1324)은 제 2 게이트 전극으로서 기능하고, 절연층(1323)은 제 2 게이트 절연층으로서 기능한다.
도전층(1324)의 상면, 절연층(1323)의 상면, 및 절연층(1264)의 상면은 각각 높이가 일치하거나 실질적으로 일치하도록 평탄화 처리되고, 이들을 덮어 절연층(1329) 및 절연층(1265)이 제공되어 있다.
절연층(1264) 및 절연층(1265)은 층간 절연층으로서 기능한다. 절연층(1329)은 절연층(1265) 등으로부터 트랜지스터(1320)로 물 또는 수소 등의 불순물이 확산되는 것을 방지하는 배리어층으로서 기능한다. 절연층(1329)으로서는 상기 절연층(1328) 및 절연층(1332)과 같은 절연막을 사용할 수 있다.
한 쌍의 도전층(1325) 중 한쪽과 전기적으로 접속되는 플러그(1274)는 절연층(1265), 절연층(1329), 및 절연층(1264)에 매립되도록 제공되어 있다. 여기서 플러그(1274)는 절연층(1265), 절연층(1329), 절연층(1264), 및 절연층(1328) 각각의 개구의 측면 및 도전층(1325)의 상면의 일부를 덮는 도전층(1274a)과, 도전층(1274a)의 상면과 접촉하는 도전층(1274b)을 갖는 것이 바람직하다. 이때, 도전층(1274a)으로서 수소 및 산소가 확산되기 어려운 도전 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
표시 장치(100D)에서의 절연층(1254)으로부터 기판(102)까지의 구성은 표시 장치(100C)와 같다.
[표시 장치(100E)]
도 23에 도시된 표시 장치(100E)는 기판(1301)에 채널이 형성되는 트랜지스터(1310)와, 채널이 형성되는 반도체층에 금속 산화물을 포함하는 트랜지스터(1320)가 적층된 구성을 갖는다. 또한 표시 장치(100C), 표시 장치(100D)와 같은 부분에 대해서는 설명을 생략하는 경우가 있다.
트랜지스터(1310)를 덮어 절연층(1261)이 제공되고, 절연층(1261) 위에 도전층(1251)이 제공되어 있다. 또한 도전층(1251)을 덮어 절연층(1262)이 제공되고, 절연층(1262) 위에 도전층(1252)이 제공되어 있다. 도전층(1251) 및 도전층(1252)은 각각 배선으로서 기능한다. 또한 도전층(1252)을 덮어 절연층(1263) 및 절연층(1332)이 제공되고, 절연층(1332) 위에 트랜지스터(1320)가 제공되어 있다. 또한 트랜지스터(1320)를 덮어 절연층(1265)이 제공되고, 절연층(1265) 위에 용량 소자(1240)가 제공되어 있다. 용량 소자(1240)와 트랜지스터(1320)는 플러그(1274)에 의하여 전기적으로 접속되어 있다.
트랜지스터(1320)는 화소 회로를 구성하는 트랜지스터로서 사용될 수 있다. 또한 트랜지스터(1310)는 화소 회로를 구성하는 트랜지스터 또는 상기 화소 회로를 구동하기 위한 구동 회로(게이트선 구동 회로, 소스선 구동 회로)를 구성하는 트랜지스터로서 사용될 수 있다. 또한 트랜지스터(1310) 및 트랜지스터(1320)는 연산 회로 또는 기억 회로 등의 각종 회로를 구성하는 트랜지스터로서 사용될 수 있다.
이러한 구성으로 함으로써, 발광 디바이스 직하에 화소 회로뿐만 아니라 구동 회로 등도 형성할 수 있기 때문에, 표시 영역의 주변에 구동 회로를 제공하는 경우에 비하여 표시 장치를 소형화할 수 있다.
[표시 장치(100F)]
도 24에 도시된 표시 장치(100F)는 각각 반도체 기판에 채널이 형성되는 트랜지스터(1310A)와 트랜지스터(1310B)가 적층된 구성을 갖는다.
표시 장치(100F)는 트랜지스터(1310B), 용량 소자(1240), 및 각 발광 디바이스가 제공된 기판(1301B)과, 트랜지스터(1310A)가 제공된 기판(1301A)이 접합된 구성을 갖는다.
여기서 기판(1301B)의 하면에 절연층(1345)을 제공하는 것이 바람직하다. 또한 기판(1301A) 위에 제공된 절연층(1261) 위에 절연층(1346)을 제공하는 것이 바람직하다. 절연층(1345), 절연층(1346)은 보호층으로서 기능하는 절연층이고, 기판(1301B) 및 기판(1301A)으로 불순물이 확산되는 것을 억제할 수 있다. 절연층(1345), 절연층(1346)으로서는, 보호층(121) 또는 절연층(1332)에 사용할 수 있는 무기 절연막을 사용할 수 있다.
기판(1301B)에는 기판(1301B) 및 절연층(1345)을 관통하는 플러그(1343)가 제공된다. 여기서 플러그(1343)의 측면을 덮어 절연층(1344)을 제공하는 것이 바람직하다. 절연층(1344)은 보호층으로서 기능하는 절연층이고, 기판(1301B)으로 불순물이 확산되는 것을 억제할 수 있다. 절연층(1344)으로서는, 보호층(121) 또는 절연층(1332)에 사용할 수 있는 무기 절연막을 사용할 수 있다.
또한 기판(1301B)의 이면(기판(102)과는 반대 측의 표면) 측에서 절연층(1345) 아래에 도전층(1342)이 제공된다. 도전층(1342)은 절연층(1335)에 매립되도록 제공되는 것이 바람직하다. 또한 도전층(1342)의 하면과 절연층(1335)의 하면은 평탄화되어 있는 것이 바람직하다. 여기서 도전층(1342)은 플러그(1343)와 전기적으로 접속되어 있다.
한편 기판(1301A)에서는 절연층(1346) 위에 도전층(1341)이 제공되어 있다. 도전층(1341)은 절연층(1336)에 매립되도록 제공되는 것이 바람직하다. 또한 도전층(1341)의 상면과 절연층(1336)의 상면은 평탄화되어 있는 것이 바람직하다.
도전층(1341)과 도전층(1342)이 접합됨으로써 기판(1301A)과 기판(1301B)이 전기적으로 접속된다. 여기서 도전층(1342)과 절연층(1335)으로 형성되는 면과 도전층(1341)과 절연층(1336)으로 형성되는 면의 평탄성을 향상시켜 둠으로써, 도전층(1341)과 도전층(1342)의 접합을 양호하게 할 수 있다.
도전층(1341) 및 도전층(1342)에는 같은 도전성 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어 Al, Cr, Cu, Ta, Ti, Mo, W 중에서 선택된 원소를 포함하는 금속막, 또는 상술한 원소를 성분으로 하는 금속 질화물막(질화 타이타늄막, 질화 몰리브데넘막, 질화 텅스텐막) 등을 사용할 수 있다. 특히 도전층(1341) 및 도전층(1342)에 구리를 사용하는 것이 바람직하다. 이로써 Cu-Cu(Copper·Copper) 직접 접합 기술(Cu(구리)의 패드들을 접속함으로써 전기적 도통을 도모하는 기술)을 적용할 수 있다.
[표시 장치(100G)]
도 24에 도전층(1341)과 도전층(1342)의 접합에 Cu-Cu 직접 접합 기술을 사용하는 예를 도시하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 도 25에 도시된 바와 같이 표시 장치(100G)에서 도전층(1341)과 도전층(1342)을 범프(1347)로 접합하는 구성으로 하여도 좋다.
도 25에 도시된 바와 같이, 도전층(1341)과 도전층(1342) 사이에 범프(1347)를 제공함으로써 도전층(1341)과 도전층(1342)을 전기적으로 접속할 수 있다. 범프(1347)는 예를 들어 금(Au), 니켈(Ni), 인듐(In), 주석(Sn) 등을 포함하는 도전성 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 또한 예를 들어 범프(1347)로서 땜납을 사용하는 경우가 있다. 또한 절연층(1345)과 절연층(1346) 사이에 접착층(1348)을 제공하여도 좋다. 또한 범프(1347)를 제공하는 경우, 절연층(1335) 및 절연층(1336)을 제공하지 않는 구성으로 하여도 좋다.
본 실시형태는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 4)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치는 수광 소자(수광 디바이스라고도 함)와 발광 소자(발광 디바이스라고도 함)를 갖는다.
먼저, 수광 소자와 발광 소자를 갖는 표시 장치에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치는 수발광부에 수광 소자와 발광 소자를 갖는다. 본 발명의 일 형태의 표시 장치에서는, 수발광부에 발광 소자가 매트릭스로 배치되어 있고, 상기 수발광부에 화상을 표시할 수 있다. 또한 상기 수발광부에는 수광 소자가 매트릭스로 배치되어 있고, 수발광부는 촬상 기능 및 센싱 기능 중 한쪽 또는 양쪽도 갖는다. 수발광부는 이미지 센서, 터치 센서 등으로서 사용할 수 있다. 즉 수발광부에서 광을 검출함으로써, 화상의 촬상, 대상물(손가락, 펜 등)의 터치 조작의 검출이 가능하다. 또한 본 발명의 일 형태의 표시 장치에서는, 발광 소자를 센서의 광원으로서 이용할 수 있다. 따라서 표시 장치와 별도로 수광부 및 광원을 제공하지 않아도 되므로, 전자 기기의 부품 점수를 삭감할 수 있다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치에서는, 수발광부가 갖는 발광 소자로부터 방출되고 착색층을 통과한 광이 대상물에서 반사(또는 산란)될 때, 수광 소자가 그 반사광(또는 산란광)을 검출할 수 있기 때문에, 어두운 곳에서도 촬상, 터치 조작의 검출 등이 가능하다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치가 갖는 발광 소자는 표시 소자(표시 디바이스라고도 함)로서 기능한다.
발광 소자로서는 OLED, QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode) 등의 발광 소자(발광 디바이스라고도 함)를 사용하는 것이 바람직하다. EL 소자가 갖는 발광 물질로서는 형광을 방출하는 물질(형광 재료), 인광을 방출하는 물질(인광 재료), 무기 화합물(퀀텀닷 재료 등), 열 활성화 지연 형광을 나타내는 물질(열 활성화 지연 형광(TADF) 재료) 등을 들 수 있다. 또한 발광 소자로서 마이크로 LED 등의 LED를 사용할 수도 있다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치는 수광 소자를 사용하여 광을 검출하는 기능을 갖는다.
수광 소자를 이미지 센서로서 사용하는 경우, 표시 장치는 수광 소자를 사용하여 화상을 촬상할 수 있다. 예를 들어 표시 장치는 스캐너로서 사용할 수 있다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치가 적용된 전자 기기는 이미지 센서로서의 기능을 사용하여 지문, 장문 등의 생체 정보에 따른 데이터를 취득할 수 있다. 즉 표시 장치에 생체 인증용 센서를 내장시킬 수 있다. 표시 장치가 생체 인증용 센서를 내장함으로써, 표시 장치와는 별도로 생체 인증용 센서를 제공하는 경우에 비하여 전자 기기의 부품 점수를 적게 할 수 있기 때문에, 전자 기기의 소형화 및 경량화가 가능하다.
또한 수광 소자를 터치 센서로서 사용하는 경우, 표시 장치는 수광 소자를 사용하여 대상물의 터치 조작을 검출할 수 있다.
수광 소자로서는 예를 들어 pn형 또는 pin형 포토다이오드를 사용할 수 있다. 수광 소자는 수광 소자에 입사하는 광을 검출하고 전하를 발생시키는 광전 변환 소자(광전 변환 디바이스라고도 함)로서 기능한다. 수광 소자에 입사하는 광의 양에 따라 수광 소자로부터 발생하는 전하량이 결정된다.
특히 수광 소자로서, 유기 화합물을 포함하는 층을 갖는 유기 포토다이오드를 사용하는 것이 바람직하다. 유기 포토다이오드는 박형화, 경량화, 및 대면적화가 용이하고, 형상 및 디자인의 자유도가 높기 때문에, 다양한 장치에 적용할 수 있다.
본 발명의 일 형태에서는, 발광 소자로서 유기 EL 소자(유기 EL 디바이스라고도 함)를 사용하고, 수광 소자로서 유기 포토다이오드를 사용한다. 유기 EL 소자 및 유기 포토다이오드는 동일한 기판에 형성할 수 있다. 따라서 유기 EL 소자를 사용한 표시 장치에 유기 포토다이오드를 내장시킬 수 있다.
유기 포토다이오드는 유기 EL 소자와 공통된 구성으로 할 수 있는 층이 많기 때문에, 공통된 구성으로 할 수 있는 층은 일괄적으로 성막함으로써, 성막 공정의 증가를 억제할 수 있다. 예를 들어 한 쌍의 전극 중 한쪽(공통 전극)을 수광 소자와 발광 소자에서 공유되는 층으로 할 수 있다. 또한 예를 들어, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 수광 소자와 발광 소자에서 공유되는 층으로 하여도 좋다.
이하에서는 본 발명의 일 형태의 표시 장치의 일례인 표시 장치에 대하여 도면을 사용하여 더 구체적으로 설명한다.
[표시 장치의 구성예]
도 26의 (A)에 표시 패널(200)의 모식도를 나타내었다. 표시 패널(200)은 기판(201), 기판(202), 수광 소자(212), 발광 소자(211R), 발광 소자(211G), 발광 소자(211B), 기능층(203) 등을 갖는다.
발광 소자(211R), 발광 소자(211G), 발광 소자(211B), 및 수광 소자(212)는 기판(201)과 기판(202) 사이에 제공된다. 발광 소자(211R), 발광 소자(211G), 및 발광 소자(211B)로부터 방출된 광은 상이한 착색층을 통과하여 적색(R), 녹색(G), 또는 청색(B)의 광이 된다. 또한 이하에서는 발광 소자(211R), 발광 소자(211G), 및 발광 소자(211B)를 구별하지 않는 경우에 발광 소자(211)라고 표기하는 경우가 있다.
표시 패널(200)은 매트릭스로 배치된 복수의 화소를 갖는다. 하나의 화소는 하나 이상의 부화소를 갖는다. 하나의 부화소는 하나의 발광 소자를 갖는다. 예를 들어 화소에는 부화소를 3개 갖는 구성(R, G, B의 3색 또는 황색(Y), 시안(C), 및 마젠타(M)의 3색 등) 또는 부화소를 4개 갖는 구성(R, G, B, 백색(W)의 4색 또는 R, G, B, Y의 4색 등)을 적용할 수 있다. 또한 화소는 수광 소자(212)를 갖는다. 수광 소자(212)는 모든 화소에 제공되어도 좋고, 일부의 화소에 제공되어도 좋다. 또한 하나의 화소가 복수의 수광 소자(212)를 가져도 좋다.
도 26의 (A)에는 기판(202)의 표면에 손가락(220)이 접촉되는 상태를 나타내었다. 발광 소자(211G)가 방출하는 광의 일부는 착색층을 통과하여 기판(202)과 손가락(220)의 접촉부에서 반사된다. 그리고 반사광의 일부가 수광 소자(212)에 입사됨으로써 손가락(220)이 기판(202)에 접촉한 것을 검출할 수 있다. 즉 표시 패널(200)은 터치 패널로서 기능할 수 있다.
기능층(203)은 발광 소자(211R), 발광 소자(211G), 발광 소자(211B)를 구동하는 회로, 및 수광 소자(212)를 구동하는 회로를 갖는다. 기능층(203)에는 스위치, 트랜지스터, 용량 소자, 배선 등이 제공된다. 또한 발광 소자(211R), 발광 소자(211G), 발광 소자(211B), 및 수광 소자(212)를 패시브 매트릭스 방식으로 구동시키는 경우에는 스위치, 트랜지스터 등을 제공하지 않는 구성으로 하여도 좋다.
표시 패널(200)은 손가락(220)의 지문을 검출하는 기능을 갖는 것이 바람직하다. 도 26의 (B)에는 기판(202)에 손가락(220)이 접촉된 상태에서의 접촉부의 확대도를 모식적으로 나타내었다. 또한 도 26의 (B)에는 번갈아 배열된 발광 소자(211)와 수광 소자(212)를 나타내었다.
손가락(220)은 오목부 및 볼록부로 지문이 형성된다. 그러므로 도 26의 (B)에 나타낸 바와 같이 지문의 볼록부가 기판(202)에 접촉된다.
어떤 표면, 계면 등에서 반사되는 광에는 정반사광과 확산 반사광이 있다. 정반사광은 입사각과 반사각이 일치하는 지향성이 높은 광이고, 확산 반사광은 강도의 각도 의존성이 낮은 지향성이 낮은 광이다. 손가락(220)의 표면에서 반사되는 광에서는 정반사와 확산 반사 중 확산 반사의 성분이 지배적이다. 한편, 기판(202)과 대기의 계면에서 반사되는 광에서는 정반사의 성분이 지배적이다.
손가락(220)과 기판(202)의 접촉면 또는 비접촉면에서 반사되고, 이들의 직하에 위치하는 수광 소자(212)에 입사하는 광의 강도는 정반사광과 확산 반사광을 합한 것이 된다. 상술한 바와 같이, 손가락(220)의 오목부에서는 기판(202)과 손가락(220)이 접촉되지 않기 때문에 정반사광(실선 화살표로 나타냄)이 지배적이고, 볼록부에서는 이들이 접촉되기 때문에 손가락(220)으로부터의 확산 반사광(파선 화살표로 나타냄)이 지배적이다. 따라서 오목부의 직하에 위치하는 수광 소자(212)에서 수광하는 광의 강도는 볼록부의 직하에 위치하는 수광 소자(212)보다 높다. 그러므로 손가락(220)의 지문을 촬상할 수 있다.
수광 소자(212)의 배열 간격을 지문의 2개의 볼록부 사이의 거리, 바람직하게는 인접한 오목부와 볼록부 사이의 거리보다 짧은 간격으로 함으로써, 선명한 지문의 화상을 취득할 수 있다. 사람의 지문의 오목부와 볼록부의 간격은 대략 200μm이기 때문에, 예를 들어 수광 소자(212)의 배열 간격을 400μm 이하, 바람직하게는 200μm 이하, 더 바람직하게는 150μm 이하, 더 바람직하게는 100μm 이하, 더 바람직하게는 50μm 이하이며, 1μm 이상, 바람직하게는 10μm 이상, 더 바람직하게는 20μm 이상으로 한다.
표시 패널(200)로 촬상한 지문의 화상의 예를 도 26의 (C)에 나타내었다. 도 26의 (C)에서는, 촬상 범위(223) 내에 손가락(220)의 윤곽을 파선으로, 접촉부(221)의 윤곽을 일점쇄선으로 나타내었다. 접촉부(221)에서는, 수광 소자(212)에 입사하는 광의 양의 차이에 의하여, 콘트라스트가 높은 지문(222)을 촬상할 수 있다.
표시 패널(200)은 터치 패널, 펜 태블릿으로서도 기능할 수 있다. 도 26의 (D)에는 스타일러스(225)를 그 펜촉이 기판(202)에 접촉된 상태로 파선의 화살표의 방향으로 움직이는 모습을 나타내었다.
도 26의 (D)에 나타낸 바와 같이, 스타일러스(225)의 펜촉과 기판(202)의 접촉면에서 확산되는 확산 반사광이 상기 접촉면과 중첩된 부분에 위치하는 수광 소자(212)에 입사함으로써, 스타일러스(225)의 펜촉의 위치를 높은 정밀도로 검출할 수 있다.
도 26의 (E)에는 표시 패널(200)로 검출한 스타일러스(225)의 궤적(226)의 예를 나타내었다. 표시 패널(200)은 스타일러스(225) 등의 피검출체의 위치 검출을 높은 위치 정밀도로 수행할 수 있기 때문에, 묘화 애플리케이션 등을 사용하여 고정세의 묘화를 수행할 수도 있다. 또한 정전 용량 방식의 터치 센서, 전자기 유도형 터치 펜 등을 사용하는 경우와 달리, 절연성이 높은 피검출체이어도 위치 검출을 수행할 수 있기 때문에, 스타일러스(225)의 펜촉의 재료는 한정되지 않고, 다양한 필기 용품(예를 들어 붓, 유리 펜, 깃펜 등)을 사용할 수도 있다.
여기서, 도 26의 (F) 내지 (H)에 표시 패널(200)에 적용할 수 있는 화소의 일례를 나타내었다.
도 26의 (F) 및 (G)에 나타낸 화소는 각각 적색(R)의 부화소에 대응하는 발광 소자(211R), 녹색(G)의 부화소에 대응하는 발광 소자(211G), 청색(B)의 부화소에 대응하는 발광 소자(211B)와, 수광 소자(212)를 갖는다. 화소는 각각 발광 소자(211R), 발광 소자(211G), 발광 소자(211B), 및 수광 소자(212)를 구동하기 위한 화소 회로를 갖는다.
도 26의 (F)는 2×2의 매트릭스로 3개의 발광 소자와 1개의 수광 소자가 배치된 예이다. 도 26의 (G)는 3개의 발광 소자가 1열로 배열되고, 그 아래쪽에 가로로 긴 1개의 수광 소자(212)가 배치된 예이다.
도 26의 (H)에 나타낸 화소는 백색(W)의 발광 소자(211W)를 갖는 예이다. 여기서는 4개의 발광 소자가 1열로 배치되고, 그 아래쪽에 수광 소자(212)가 배치되어 있다.
또한 화소의 구성은 상술한 것에 한정되지 않고 다양한 배치 방법을 채용할 수 있다.
본 실시형태는 적어도 그 일부를 본 명세서에 기재된 다른 실시형태와 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 5)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치에 적용할 수 있는 발광 소자의 구성예 및 수광 소자의 구성예에 대하여 도 27 내지 도 29를 사용하여 설명한다.
도 27의 (A) 및 (B)에 나타낸 표시 장치(500)는 백색광을 방출하는 발광 소자(550W)를 복수로 갖는다. 각 발광 소자(550W) 위에는 적색광을 투과시키는 착색층(545R), 녹색광을 투과시키는 착색층(545G), 또는 청색광을 투과시키는 착색층(545B)이 제공된다. 여기서 착색층(545R), 착색층(545G), 및 착색층(545B)은 보호층(540)을 개재하여 발광 소자(550W)와 중첩되도록 제공할 수 있다.
도 27의 (A)에 나타낸 발광 소자(550W)는 한 쌍의 전극(전극(501), 전극(502)) 사이에 발광 유닛(512W)을 갖는다. 전극(501)은 화소 전극으로서 기능하고, 발광 소자마다 제공된다. 전극(502)은 공통 전극으로서 기능하고, 복수의 발광 소자에서 공유되도록 제공된다.
즉 도 27의 (A)에 도시된 발광 소자(550W)는 하나의 발광 유닛을 갖는 발광 소자이다. 또한 도 27의 (A)에 도시된 발광 소자(550W)와 같이 한 쌍의 전극 사이에 하나의 발광 유닛을 갖는 구성을 본 명세서에서는 싱글 구조라고 부른다.
광을 추출하는 측의 전극(502)에는 가시광을 투과시키는 도전막을 사용한다. 또한 광을 추출하지 않는 측의 전극(501)에는 가시광을 반사하는 도전막을 사용하는 것이 바람직하다.
본 실시형태의 표시 장치가 갖는 발광 소자에는 미소 광공진기(마이크로캐비티) 구조가 적용되어 있는 것이 바람직하다. 따라서 발광 소자가 갖는 한 쌍의 전극 중 한쪽은 가시광에 대한 투과성 및 반사성을 갖는 전극(반투과·반반사 전극)을 갖는 것이 바람직하고, 다른 쪽은 가시광에 대한 반사성을 갖는 전극(반사 전극)을 갖는 것이 바람직하다. 발광 소자가 마이크로캐비티 구조를 가짐으로써, 발광층으로부터 얻어지는 발광을 양쪽 전극 사이에서 공진시켜, 발광 소자로부터 방출되는 광을 강하게 할 수 있다.
또한 반투과·반반사 전극은 반사 전극과 가시광에 대한 투과성을 갖는 전극(투명 전극이라고도 함)의 적층 구조를 가질 수 있다.
투명 전극의 광 투과율은 40% 이상으로 한다. 예를 들어 발광 소자에는 가시광(파장 400nm 이상 750nm 미만의 광) 투과율이 40% 이상인 전극을 사용하는 것이 바람직하다. 반투과·반반사 전극의 가시광 반사율은 10% 이상 95% 이하, 바람직하게는 30% 이상 80% 이하로 한다. 반사 전극의 가시광 반사율은 40% 이상 100% 이하, 바람직하게는 70% 이상 100% 이하로 한다. 또한 이들 전극의 저항률은 1×10-2Ωcm 이하가 바람직하다. 또한 발광 소자가 근적외광(파장 750nm 이상 1300nm 이하의 광)을 방출하는 경우, 이들 전극의 근적외광의 투과율 또는 반사율은 가시광의 투과율 또는 반사율과 마찬가지로 상기 수치 범위를 만족하는 것이 바람직하다.
도 27의 (A)에 나타낸 발광 유닛(512W)은 각각 섬 형상의 층으로서 형성할 수 있다. 즉 도 27의 (A)에 나타낸 발광 유닛(512W)은 도 1의 (B) 등에 나타낸 유기층(112R), 유기층(112G), 또는 유기층(112B)에 상당한다. 또한 발광 소자(550W)는 발광 소자(110R), 발광 소자(110G), 또는 발광 소자(110B)에 상당한다. 또한 전극(501)은 화소 전극(111R), 화소 전극(111G), 또는 화소 전극(111B)에 상당한다. 또한 전극(502)은 공통 전극(113)에 상당한다.
발광 유닛(512W)은 층(521), 층(522), 발광층(523Q_1), 발광층(523Q_2), 발광층(523Q_3), 층(524) 등을 갖는다. 또한 발광 소자(550W)는 발광 유닛(512W)과 전극(502) 사이에 층(525) 등을 갖는다.
도 27의 (A)는 발광 유닛(512W)이 층(525)을 갖지 않고, 층(525)이 각 발광 소자에서 공유되는 예를 도시한 것이다. 이때 층(525)을 공통층이라고 부를 수 있다. 이와 같이 복수의 발광 소자에 하나 이상의 공통층을 제공함으로써 제작 공정을 간략화할 수 있기 때문에 제조 비용을 절감할 수 있다. 또한 발광 소자마다 층(525)을 제공하여도 좋다. 즉 층(525)이 발광 유닛(512W)에 포함되어도 좋다.
층(521)은 예를 들어 정공 주입성이 높은 물질을 포함하는 층(정공 주입층) 등을 갖는다. 층(522)은 예를 들어 정공 수송성이 높은 물질을 포함하는 층(정공 수송층) 등을 갖는다. 층(524)은 예를 들어 전자 수송성이 높은 물질을 포함하는 층(전자 수송층) 등을 갖는다. 층(525)은 예를 들어 전자 주입성이 높은 물질을 포함하는 층(전자 주입층) 등을 갖는다. 또는 층(521)이 전자 주입층을 갖고, 층(522)이 전자 수송층을 갖고, 층(524)이 정공 수송층을 갖고, 층(525)이 정공 주입층을 갖는 구성으로 하여도 좋다.
정공 주입층은 양극으로부터 정공 수송층에 정공을 주입하는 층이고, 정공 주입성이 높은 재료를 포함하는 층이다. 정공 주입성이 높은 재료로서는 방향족 아민 화합물, 및 정공 수송성 재료와 억셉터성 재료(전자 수용성 재료)를 포함하는 복합 재료 등을 들 수 있다.
발광 소자에서, 정공 수송층은 정공 주입층에 의하여 양극으로부터 주입된 정공을 발광층으로 수송하는 층이다. 정공 수송층은 정공 수송성 재료를 포함하는 층이다. 정공 수송성 재료로서는 1×10-6cm2/Vs 이상의 정공 이동도를 갖는 것이 바람직하다. 또한 전자 수송성보다 정공 수송성이 높은 물질이면 이들 이외의 물질도 사용할 수 있다. 정공 수송성 재료로서는 π전자 과잉형 헤테로 방향족 화합물(예를 들어 카바졸 유도체, 싸이오펜 유도체, 퓨란 유도체 등), 방향족 아민 화합물(방향족 아민 골격을 갖는 화합물) 등의 정공 수송성이 높은 재료가 바람직하다.
발광 소자에서, 전자 수송층은 전자 주입층에 의하여 음극으로부터 주입된 전자를 발광층으로 수송하는 층이다. 전자 수송층은 전자 수송성 재료를 포함하는 층이다. 전자 수송성 재료로서는 1×10-6cm2/Vs 이상의 전자 이동도를 갖는 물질이 바람직하다. 또한 정공 수송성보다 전자 수송성이 높은 물질이면 이들 이외의 물질도 사용할 수 있다. 전자 수송성 재료로서는 퀴놀린 골격을 갖는 금속 착체, 벤조퀴놀린 골격을 갖는 금속 착체, 옥사졸 골격을 갖는 금속 착체, 싸이아졸 골격을 갖는 금속 착체 등 이외에, 옥사다이아졸 유도체, 트라이아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 옥사졸 유도체, 싸이아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 퀴놀린 배위자를 갖는 퀴놀린 유도체, 벤조퀴놀린 유도체, 퀴녹살린 유도체, 다이벤조퀴녹살린 유도체, 피리딘 유도체, 바이피리딘 유도체, 피리미딘 유도체, 그 이외에 질소 함유 헤테로 방향족 화합물을 포함하는 π전자 부족형 헤테로 방향족 화합물 등 전자 수송성이 높은 재료를 사용할 수 있다.
또한 전자 수송층은 적층 구조를 가져도 좋고, 양극 측으로부터 발광층을 통과하여 음극 측으로 이동하는 정공을 차단하기 위한 정공 차단층을 발광층에 접하여 가져도 좋다.
전자 주입층은 음극으로부터 전자 수송층에 전자를 주입하는 층이고, 전자 주입성이 높은 재료를 포함하는 층이다. 전자 주입성이 높은 재료로서는 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 또는 이들의 화합물을 사용할 수 있다. 전자 주입성이 높은 재료로서는 전자 수송성 재료와 도너성 재료(전자 공여성 재료)를 포함하는 복합 재료를 사용할 수도 있다.
전자 주입층에는 예를 들어 리튬, 세슘, 이터븀, 플루오린화 리튬(LiF), 플루오린화 세슘(CsF), 플루오린화 칼슘(CaFx, X는 임의의 수), 8-(퀴놀리놀레이토)리튬(약칭: Liq), 2-(2-피리딜)페놀레이토리튬(약칭: LiPP), 2-(2-피리딜)-3-피리디놀레이토리튬(약칭: LiPPy), 4-페닐-2-(2-피리딜)페놀레이토리튬(약칭: LiPPP), 리튬 산화물(LiOx), 탄산 세슘 등의 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 또는 이들의 화합물을 사용할 수 있다. 또한 전자 주입층은 2개 이상의 층의 적층 구조를 가져도 좋다. 상기 적층 구조에서는, 예를 들어 제 1 층에 플루오린화 리튬을 사용하고, 제 2 층에 이터븀을 사용할 수 있다.
또는 전자 주입층으로서는 전자 수송성 재료를 사용하여도 좋다. 예를 들어 비공유 전자쌍을 갖고, 전자 부족형 헤테로 방향족 고리를 갖는 화합물을 전자 수송성 재료에 사용할 수 있다. 구체적으로는 피리딘 고리, 다이아진 고리(피리미딘 고리, 피라진 고리, 피리다진 고리), 트라이아진 고리 중 적어도 하나를 갖는 화합물을 사용할 수 있다.
또한 비공유 전자쌍을 갖는 유기 화합물의 최저 비점유 분자 궤도(LUMO: Lowest Unoccupied Molecular Orbital)가 -3.6eV 이상 -2.3eV 이하인 것이 바람직하다. 또한 일반적으로 CV(사이클릭 볼타메트리), 광전자 분광법, 광 흡수 분광법, 역광전자 분광법 등에 의하여 유기 화합물의 최고 점유 분자 궤도(HOMO: Highest Occupied Molecular Orbital) 준위 및 LUMO 준위를 추산할 수 있다.
예를 들어 4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린(약칭: BPhen), 2,9-비스(나프탈렌-2-일)-4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린(약칭: NBPhen), 다이퀴녹살리노[2,3-a:2',3'-c]페나진(약칭: HATNA), 2,4,6-트리스[3'-(피리딘-3-일)바이페닐-3-일]-1,3,5-트라이아진(약칭: TmPPPyTz) 등을, 비공유 전자쌍을 갖는 유기 화합물에 사용할 수 있다. 또한 NBPhen은 BPhen에 비하여 유리 전이점(Tg)이 높기 때문에 내열성이 우수하다.
도 27의 (A)에서는 층(521)과 층(522)을 나누어 명시하였지만 이에 한정되지 않는다. 예를 들어 층(521)이 정공 주입층과 정공 수송층의 양쪽의 기능을 갖는 구성을 갖는 경우, 또는 층(521)이 전자 주입층과 전자 수송층의 양쪽의 기능을 갖는 구성을 갖는 경우에는 층(522)을 생략하여도 좋다.
발광층(523Q_1), 발광층(523Q_2), 발광층(523Q_3)은 발광 물질을 포함하는 층이다. 발광층은 1종류 또는 복수 종류의 발광 물질을 가질 수 있다. 발광 물질로서는, 청색, 자색, 청자색, 녹색, 황록색, 황색, 주황색, 적색 등의 발광색을 나타내는 물질을 적절히 사용한다. 또한 발광 물질로서, 근적외광을 방출하는 물질을 사용할 수도 있다.
발광 물질로서는 형광 재료, 인광 재료, TADF 재료, 퀀텀닷 재료 등을 들 수 있다.
형광 재료로서는, 예를 들어 피렌 유도체, 안트라센 유도체, 트라이페닐렌 유도체, 플루오렌 유도체, 카바졸 유도체, 다이벤조싸이오펜 유도체, 다이벤조퓨란 유도체, 다이벤조퀴녹살린 유도체, 퀴녹살린 유도체, 피리딘 유도체, 피리미딘 유도체, 페난트렌 유도체, 나프탈렌 유도체 등이 있다.
인광 재료로서는, 예를 들어 4H-트라이아졸 골격, 1H-트라이아졸 골격, 이미다졸 골격, 피리미딘 골격, 피라진 골격, 또는 피리딘 골격을 갖는 유기 금속 착체(특히 이리듐 착체), 전자 흡인기를 갖는 페닐피리딘 유도체를 리간드로 하는 유기 금속 착체(특히 이리듐 착체), 백금 착체, 희토류 금속 착체 등이 있다.
발광층은 발광 물질(게스트 재료)에 더하여 1종류 또는 복수 종류의 유기 화합물(호스트 재료, 어시스트 재료 등)을 가져도 좋다. 1종류 또는 복수 종류의 유기 화합물로서는, 정공 수송성 재료 및 전자 수송성 재료 중 한쪽 또는 양쪽을 사용할 수 있다. 또한 1종류 또는 복수 종류의 유기 화합물로서, 양극성 재료 또는 TADF 재료를 사용하여도 좋다.
발광층은 예를 들어 인광 재료와, 들뜬 복합체를 형성하기 쉬운 정공 수송성 재료와 전자 수송성 재료의 조합을 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 들뜬 복합체로부터 발광 물질(인광 재료)로의 에너지 이동인 ExTET(Exciplex-Triplet Energy Transfer)를 사용한 발광을 효율적으로 얻을 수 있다. 발광 물질의 가장 낮은 에너지 측의 흡수대의 파장과 중첩되는 발광을 나타내는 들뜬 복합체를 형성하는 조합을 선택함으로써, 에너지 이동이 원활해져 발광을 효율적으로 얻을 수 있다. 이 구성에 의하여, 발광 디바이스의 고효율, 저전압 구동, 장수명을 동시에 실현할 수 있다.
들뜬 복합체를 형성하는 재료의 조합에서는, 정공 수송성 재료의 HOMO 준위(최고 점유 분자 궤도)가 전자 수송성 재료의 HOMO 준위 이상인 것이 바람직하다. 정공 수송성 재료의 LUMO 준위(최저 비점유 분자 궤도)가 전자 수송성 재료의 LUMO 준위 이상인 것이 바람직하다. 재료의 LUMO 준위 및 HOMO 준위는 사이클릭 볼타메트리(CV) 측정에 의하여 측정되는 재료의 전기 화학 특성(환원 전위 및 산화 전위)으로부터 도출할 수 있다.
들뜬 복합체의 형성은, 예를 들어 정공 수송성 재료의 발광 스펙트럼, 전자 수송성 재료의 발광 스펙트럼, 및 이들 재료를 혼합한 혼합막의 발광 스펙트럼을 비교하여, 혼합막의 발광 스펙트럼이 각 재료의 발광 스펙트럼보다 장파장으로 시프트하는(또는 장파장 측에 새로운 피크를 갖는) 현상을 관측함으로써 확인할 수 있다. 또는 정공 수송성 재료의 과도(過渡) 포토루미네선스(PL), 전자 수송성 재료의 과도 PL, 및 이들 재료를 혼합한 혼합막의 과도 PL을 비교하여, 혼합막의 과도 PL 수명이, 각 재료의 과도 PL 수명보다 장수명 성분을 갖거나 지연 성분의 비율이 높아지는 등의 과도 응답의 차이를 관측함으로써 확인할 수 있다. 또한 상술한 과도 PL은 과도 일렉트로루미네선스(EL)로 바꿔 읽어도 좋다. 즉 정공 수송성 재료의 과도 EL, 전자 수송성을 갖는 재료의 과도 EL, 및 이들의 혼합막의 과도 EL을 비교하여, 과도 응답의 차이를 관측함으로써 들뜬 복합체의 형성을 확인할 수도 있다.
도 27의 (A)에 나타낸 발광 소자(550W)에서, 발광층(523Q_1), 발광층(523Q_2), 및 발광층(523Q_3)의 발광을 조합하여 백색이 되도록 이들을 선택함으로써, 발광 소자(550W)로부터 백색 발광을 얻을 수 있다. 또한 여기서는 발광 유닛(512W)이 3개의 발광층을 갖는 예를 나타내었지만, 발광층의 개수는 한정되지 않고, 예를 들어 2개이어도 좋다.
이러한 백색 발광이 가능한 발광 소자(550W) 위에 착색층(545R), 착색층(545G), 또는 착색층(545B)을 제공함으로써, 화소마다 적색 발광, 녹색 발광, 또는 청색 발광을 수행하여 풀 컬러 표시를 할 수 있다. 또한 도 27의 (A) 등에 적색광을 투과시키는 착색층(545R), 녹색광을 투과시키는 착색층(545G), 및 청색광을 투과시키는 착색층(545B)을 제공하는 예를 도시하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 착색층이 투과하는 색의 가시광은 적어도 2색 이상의 상이한 색의 가시광으로 하면 좋고, 예를 들어 적색, 녹색, 청색, 시안, 마젠타, 또는 황색 등에서 적절히 선택하면 좋다.
따라서 층(521), 층(522), 층(524), 층(525), 발광층(523Q_1), 발광층(523Q_2), 및 발광층(523Q_3)이 각 색의 화소에서 같은 구성(재료, 막 두께 등)을 가져도, 착색층을 적절히 제공함으로써 풀 컬러 표시를 할 수 있다. 그러므로 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치는 화소마다 발광 소자를 구분하여 형성할 필요가 없기 때문에, 제작 공정을 간략화할 수 있고, 제조 비용을 절감할 수 있다. 다만 본 발명은 이에 한정되지 않고, 층(521), 층(522), 층(524), 층(525), 발광층(523Q_1), 발광층(523Q_2), 및 발광층(523Q_3) 중 어느 하나 또는 복수를 화소마다 다른 구성으로 할 수도 있다.
도 27의 (B)에 나타낸 발광 소자(550W)는 한 쌍의 전극(전극(501), 전극(502)) 사이에, 중간층(531)을 개재하여 2개의 발광 유닛(발광 유닛(512Q_1), 발광 유닛(512Q_2))이 적층된 구성을 갖는다.
또한 중간층(531)은 전극(501)과 전극(502) 사이에 전압을 인가하였을 때에 발광 유닛(512Q_1) 및 발광 유닛(512Q_2) 중 한쪽에 전자를 주입하고, 다른 쪽에 정공을 주입하는 기능을 갖는다. 중간층(531)은 전하 발생층이라고 부를 수도 있다.
중간층(531)으로서는 예를 들어 플루오린화 리튬 등의 전자 주입층에 적용할 수 있는 재료를 적합하게 사용할 수 있다. 또한 중간층으로서는 예를 들어 정공 주입층에 적용할 수 있는 재료를 적합하게 사용할 수 있다. 또한 중간층에는 정공 수송성이 높은 재료(정공 수송성 재료)와 억셉터성 재료(전자 수용성 재료)를 포함하는 층을 사용할 수 있다. 또한 중간층에는 전자 수송성이 높은 재료(전자 수송성 재료)와 도너성 재료를 포함하는 층을 사용할 수 있다. 이러한 층을 갖는 중간층을 형성함으로써, 발광 유닛이 적층된 경우에서의 구동 전압의 상승을 억제할 수 있다.
발광 유닛(512Q_1)은 층(521), 층(522), 발광층(523Q_1), 층(524) 등을 갖는다. 발광 유닛(512Q_2)은 층(522), 발광층(523Q_2), 층(524) 등을 갖는다. 또한 발광 소자(550W)는 발광 유닛(512Q_2)과 전극(502) 사이에 층(525) 등을 갖는다. 또한 층(525)을 발광 유닛(512Q_2)의 일부로 간주할 수도 있다.
도 27의 (B)에 나타낸 발광 소자(550W)에서, 발광층(523Q_1)의 발광색과 발광층(523Q_2)의 발광색이 보색이 되도록 발광층을 선택함으로써, 발광 소자(550W)로부터 백색 발광을 얻을 수 있다. 발광층(523Q_1), 발광층(523Q_2)은 각각 R(적색), G(녹색), B(청색), Y(황색), O(주황색) 등의 발광을 나타내는 발광 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 또는 발광층(523Q_1), 발광층(523Q_2)이 갖는 발광 물질의 발광은 R, G, B 중 2개 이상의 색의 스펙트럼 성분을 포함하는 것이 바람직하다.
여기서 발광 소자(550W)에 사용할 수 있는, 각 발광 유닛이 갖는 발광층의 발광색의 조합의 일례에 대하여 설명한다.
예를 들어 발광 소자(550W)가 2개의 발광 유닛을 갖는 경우, 한쪽의 발광 유닛으로부터 적색의 발광과 녹색의 발광을, 다른 쪽의 발광 유닛으로부터 청색의 발광을 얻음으로써, 백색 발광하는 발광 소자(550W)를 얻을 수 있다. 또는 한쪽의 발광 유닛으로부터 황색의 발광 또는 주황색의 발광을, 다른 쪽의 발광 유닛으로부터 청색의 발광을 얻음으로써, 백색 발광하는 발광 소자(550W)를 얻을 수 있다.
또한 예를 들어 발광 소자(550W)가 3개의 발광 유닛을 갖는 경우, 어느 하나의 발광 유닛으로부터 적색의 발광을, 다른 하나의 발광 유닛으로부터 녹색의 발광을, 나머지 하나의 발광 유닛으로부터 청색의 발광을 얻음으로써, 백색 발광하는 발광 소자(550W)를 얻을 수 있다. 또한 제 1 발광 유닛에 청색 발광하는 발광층을 사용하고, 제 2 발광 유닛에 황색 발광, 황록색 발광, 또는 녹색 발광하는 발광층을 사용하고, 제 3 발광 유닛에 청색 발광하는 발광층을 사용할 수 있다. 또한 제 1 발광 유닛에 청색 발광하는 발광층을 사용하고, 제 2 발광 유닛에 적색 발광하는 발광층과, 황색 발광, 황록색 발광, 또는 녹색 발광하는 발광층의 적층 구조를 사용하고, 제 3 발광 유닛에 청색 발광하는 발광층을 사용할 수 있다.
또한 예를 들어 발광 소자(550W)가 4개의 발광 유닛을 갖는 경우, 제 1 발광 유닛에 청색 발광하는 발광층을 사용하고, 제 2 발광 유닛 및 제 3 발광 유닛 중 한쪽에 적색 발광하는 발광층을 사용하고, 다른 쪽에 황색 발광, 황록색 발광, 또는 녹색 발광하는 발광층을 사용하고, 제 4 발광 유닛에 청색 발광하는 발광층을 사용할 수 있다.
본 명세서에서는, 도 27의 (B) 등에 나타낸 발광 소자(550W)와 같이, 복수의 발광 유닛이 중간층(531)을 개재하여 직렬로 접속된 구성을 탠덤 구조라고 부른다. 또한 본 명세서 등에서는 탠덤 구조라고 부르지만 이에 한정되지 않고, 예를 들어 탠덤 구조를 스택 구조라고 불러도 좋다. 또한 탠덤 구조로 함으로써 고휘도 발광이 가능한 발광 소자로 할 수 있다. 또한 탠덤 구조는 싱글 구조에 비하여 같은 휘도를 얻는 데 필요한 전류를 저감할 수 있기 때문에, 표시 장치의 소비 전력을 절감하고 신뢰성을 높일 수 있다.
또한 여기서는 발광 유닛(512Q_1), 발광 유닛(512Q_2)이 각각 하나의 발광층을 갖는 예를 나타내었지만, 각 발광 유닛에서의 발광층의 개수는 한정되지 않는다. 예를 들어 발광 유닛(512Q_1), 발광 유닛(512Q_2)이 갖는 발광층의 개수는 상이하여도 좋다. 예를 들어 한쪽 발광 유닛이 2개의 발광층을 갖고, 다른 쪽 발광 유닛이 하나의 발광층을 가져도 좋다.
도 28의 (A)에 도시된 표시 장치(500)는 발광 소자(550W)가 3개의 발광 유닛을 적층한 구성을 갖는 경우의 예이다. 도 28의 (A)에서, 발광 소자(550W)에서는 발광 유닛(512Q_2) 위에 중간층(531)을 개재하여 발광 유닛(512Q_3)이 더 적층되어 있다. 발광 유닛(512Q_3)은 층(522), 발광층(523Q_3), 층(524) 등을 갖는다. 발광 유닛(512Q_3)에는 발광 유닛(512Q_2)과 같은 구성을 적용할 수 있다.
발광 소자에 탠덤 구조를 적용하는 경우, 발광 유닛의 개수는 특별히 한정되지 않고, 2개 이상으로 할 수 있다.
도 28의 (B)에는 n개의 발광 유닛(512Q_1 내지 512Q_n)(n은 2 이상의 정수임)을 적층한 경우의 예를 나타내었다.
이와 같이 발광 유닛의 적층 수를 늘림으로써, 같은 전류량으로 발광 소자로부터 얻어지는 휘도를 적층 수에 따라 높일 수 있다. 또한 발광 유닛의 적층 수를 늘림으로써, 같은 휘도를 얻는 데 필요한 전류를 저감할 수 있기 때문에 발광 소자의 소비 전력을 적층 수에 따라 저감할 수 있다.
또한 표시 장치(500)에서, 발광층의 발광 재료는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 도 27의 (B)에 도시된 표시 장치(500)에서, 발광 유닛(512Q_1)이 갖는 발광층(523Q_1)은 인광 재료를 갖고 발광 유닛(512Q_2)이 갖는 발광층(523Q_2)은 형광 재료를 갖는 구성으로 할 수 있다. 또는 발광 유닛(512Q_1)이 갖는 발광층(523Q_1)은 형광 재료를 갖고 발광 유닛(512Q_2)이 갖는 발광층(523Q_2)은 인광 재료를 갖는 구성으로 할 수 있다.
또한 발광 유닛의 구성에 대해서는 상술한 것에 한정되지 않는다. 예를 들어 도 27의 (B)에 도시된 표시 장치(500)에서, 발광 유닛(512Q_1)이 갖는 발광층(523Q_1)은 TADF 재료를 갖고 발광 유닛(512Q_2)이 갖는 발광층(523Q_2)은 형광 재료 및 인광 재료 중 어느 한쪽을 갖는 구성으로 하여도 좋다. 이와 같이 상이한 발광 재료를 사용, 예를 들어 신뢰성이 높은 발광 재료와 발광 효율이 높은 발광 재료를 조합함으로써, 각각의 결점을 보완하여 신뢰성 및 발광 효율의 양쪽을 높인 표시 장치로 할 수 있다.
또한 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 모든 발광층이 형광 재료를 갖는 구성으로 하여도 좋고, 모든 발광층이 인광 재료를 갖는 구성으로 하여도 좋다.
도 29의 (A) 내지 (E)에 표시 장치에 적용할 수 있는 수광 소자(550S)의 구성예를 나타내었다. 도 29의 (A) 내지 (E)에 나타낸 구성 요소에서, 도 27 또는 도 28에 나타낸 구성 요소와 같은 것에 대해서는 같은 부호를 붙여 나타내었다.
도 29의 (A)에 나타낸 수광 소자(550S)는 한 쌍의 전극(전극(501), 전극(502)) 사이에 수광 유닛(555)을 갖는다. 전극(501)은 화소 전극으로서 기능하고, 각 수광 소자에 제공된다. 전극(502)은 공통 전극으로서 기능하고, 복수의 발광 소자와 수광 소자에서 공유되도록 제공된다.
도 29의 (A)에 나타낸 수광 유닛(555)은 각각 섬 형상의 층으로서 형성할 수 있다. 즉 도 29의 (A)에 나타낸 수광 유닛(555)은 도 1의 (B) 등에 나타낸 유기층(155)에 상당한다. 또한 수광 소자(550S)는 수광 소자(110S)에 상당한다. 또한 전극(501)은 화소 전극(111S)에 상당한다. 또한 전극(502)은 공통 전극(113)에 상당한다.
수광 유닛(555)은 층(521), 층(522), 활성층(526), 층(524) 등을 갖는다. 층(521), 층(522), 및 층(524)은 발광 유닛(512W)에 사용한 것과 같다. 또한 수광 소자(550S)는 수광 유닛(555)과 전극(502) 사이에 층(525) 등을 갖는다. 또한 전극(502) 위에는 보호층(540)이 제공된다. 여기서 층(525), 전극(502), 및 보호층(540)은 도 27의 (A) 등에 나타낸 바와 같이 발광 소자(550W)와 수광 소자(550S)에서 공유되는 막이다.
활성층(526)은 반도체를 포함한다. 상기 반도체로서는, 실리콘 등의 무기 반도체, 및 유기 화합물을 포함하는 유기 반도체를 들 수 있다. 본 실시형태에서는 활성층(526)이 갖는 반도체로서 유기 반도체를 사용하는 예를 나타낸다. 유기 반도체를 사용함으로써, 발광층과 활성층(526)을 같은 방법(예를 들어 진공 증착법)으로 형성할 수 있기 때문에, 제조 장치를 공통화할 수 있어 바람직하다.
활성층(526)으로서는 예를 들어, pn형 또는 pin형 포토다이오드를 사용할 수 있다. 이하에서 활성층(526)으로서 사용할 수 있는 n형 반도체 재료 및 p형 반도체 재료를 나타낸다. n형 반도체 재료 및 p형 반도체 재료는 각각을 층상으로 하여 적층시켜 사용하여도 좋고, 혼합하여 하나의 층으로 하여 사용하여도 좋다.
활성층(526)이 갖는 n형 반도체 재료로서는, 풀러렌(예를 들어 C60, C70 등), 풀러렌 유도체 등의 전자 수용성의 유기 반도체 재료를 들 수 있다. 풀러렌은 축구공과 같은 형상을 갖고, 상기 형상은 에너지적으로 안정적이다. 풀러렌은 HOMO 준위 및 LUMO 준위 모두가 깊다(낮다). 풀러렌은 LUMO 준위가 깊기 때문에, 전자 수용성(억셉터성)이 매우 높다. 일반적으로, 벤젠과 같이 평면에 π전자 공액(공명)이 확장되면, 전자 공여성(도너성)이 높아지지만, 풀러렌은 구체 형상을 갖기 때문에, π전자 공액이 크게 확장되어 있음에도 불구하고 전자 수용성이 높다. 전자 수용성이 높으면 전하 분리를 고속으로 효율적으로 일으키기 때문에 수광 소자로서 유익하다. C60, C70은 모두 가시광 영역에 넓은 흡수대를 갖고, 특히 C70은 C60보다 π전자 공액계가 크고, 장파장 영역에도 넓은 흡수대를 갖기 때문에 바람직하다. 그 외에 풀러렌 유도체로서는 [6,6]-페닐-C71-뷰티르산 메틸 에스터(약칭: PC70BM), [6,6]-페닐-C61-뷰티르산 메틸 에스터(약칭: PC60BM), 1',1'',4',4''-테트라하이드로-다이[1,4]메타노나프탈레노[1,2:2',3',56,60:2'',3''][5,6]풀러렌-C60(약칭: ICBA) 등을 들 수 있다.
또한 n형 반도체 재료로서는 예를 들어 N,N'-다이메틸-3,4,9,10-페릴렌테트라카복실산다이이미드(약칭: Me-PTCDI) 등의 페릴렌테트라카복실산 유도체가 있다.
또한 n형 반도체 재료로서는 예를 들어 2,2'-(5,5'-(티에노[3,2-b]싸이오펜-2,5-다이일)비스(싸이오펜-5,2-다이일))비스(메테인-1-일-1-일리덴)다이말로노나이트릴(약칭: FT2TDMN)이 있다.
또한 n형 반도체 재료로서는, 퀴놀린 골격을 갖는 금속 착체, 벤조퀴놀린 골격을 갖는 금속 착체, 옥사졸 골격을 갖는 금속 착체, 싸이아졸 골격을 갖는 금속 착체, 옥사다이아졸 유도체, 트라이아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 옥사졸 유도체, 싸이아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 퀴놀린 유도체, 벤조퀴놀린 유도체, 퀴녹살린 유도체, 다이벤조퀴녹살린 유도체, 피리딘 유도체, 바이피리딘 유도체, 피리미딘 유도체, 나프탈렌 유도체, 안트라센 유도체, 쿠마린 유도체, 로다민 유도체, 트라이아진 유도체, 퀴논 유도체 등을 들 수 있다.
활성층(526)이 갖는 p형 반도체 재료로서는, 구리(II) 프탈로사이아닌(Copper(II) phthalocyanine; CuPc), 테트라페닐다이벤조페리플란텐(Tetraphenyldibenzoperiflanthene; DBP), 아연 프탈로사이아닌(Zinc Phthalocyanine; ZnPc), 주석 프탈로사이아닌(SnPc), 퀴나크리돈, 루브렌 등의 전자 공여성의 유기 반도체 재료를 들 수 있다.
또한 p형 반도체 재료로서는 카바졸 유도체, 싸이오펜 유도체, 퓨란 유도체, 방향족 아민 골격을 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 또한 p형 반도체 재료로서는 나프탈렌 유도체, 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 트라이페닐렌 유도체, 플루오렌 유도체, 피롤 유도체, 벤조퓨란 유도체, 벤조싸이오펜 유도체, 인돌 유도체, 다이벤조퓨란 유도체, 다이벤조싸이오펜 유도체, 인돌로카바졸 유도체, 포르피린 유도체, 프탈로사이아닌 유도체, 나프탈로사이아닌 유도체, 퀴나크리돈 유도체, 루브렌 유도체, 테트라센 유도체, 폴리페닐렌바이닐렌 유도체, 폴리파라페닐렌 유도체, 폴리플루오렌 유도체, 폴리바이닐카바졸 유도체, 폴리싸이오펜 유도체 등을 들 수 있다.
전자 공여성의 유기 반도체 재료의 HOMO 준위는 전자 수용성의 유기 반도체 재료의 HOMO 준위보다 얕은(높은) 것이 바람직하다. 전자 공여성의 유기 반도체 재료의 LUMO 준위는 전자 수용성의 유기 반도체 재료의 LUMO 준위보다 얕은(높은) 것이 바람직하다.
전자 수용성의 유기 반도체 재료로서 구체 형상의 풀러렌을 사용하고, 전자 공여성의 유기 반도체 재료로서 대략 평면 형상의 유기 반도체 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 비슷한 형상의 분자들은 응집하기 쉬운 경향이 있고, 같은 종류의 분자들이 응집하면, 분자 궤도의 에너지 준위가 서로 가깝기 때문에 캐리어 수송성을 높일 수 있다.
예를 들어 활성층(526)은 n형 반도체와 p형 반도체를 공증착하여 형성하는 것이 바람직하다. 또는 활성층(526)은 n형 반도체와 p형 반도체를 적층시켜 형성하여도 좋다.
발광 소자 및 수광 소자에는 저분자계 화합물 및 고분자계 화합물 중 어느 쪽이든 사용할 수 있고, 무기 화합물이 포함되어도 좋다. 발광 소자 및 수광 소자를 구성하는 층은 각각 증착법(진공 증착법을 포함함), 전사법, 인쇄법, 잉크젯법, 도포법 등의 방법으로 형성할 수 있다.
예를 들어 정공 수송성 재료 또는 전자 차단 재료로서, 폴리(3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜)/폴리(스타이렌설폰산)(PEDOT/PSS) 등의 고분자 화합물, 및 몰리브데넘 산화물, 아이오딘화 구리(CuI) 등의 무기 화합물을 사용할 수 있다. 또한 전자 수송성 재료 또는 정공 차단 재료로서, 산화 아연(ZnO) 등의 무기 화합물, 폴리에틸렌이민에톡시레이트(PEIE) 등의 유기 화합물을 사용할 수 있다. 수광 디바이스는 예를 들어 PEIE와 ZnO의 혼합막을 가져도 좋다.
또한 활성층(526)에, 도너로서 기능하는 폴리[[4,8-비스[5-(2-에틸헥실)-2-싸이엔일]벤조[1,2-b:4,5-b']다이싸이오펜-2,6-다이일]-2,5-싸이오펜다이일[5,7-비스(2-에틸헥실)-4,8-다이옥소-4H,8H-벤조[1,2-c:4,5-c']다이싸이오펜-1,3-다이일]]폴리머(약칭: PBDB-T), 또는 PBDB-T 유도체 등의 고분자 화합물을 사용할 수 있다. 예를 들어 PBDB-T 또는 PBDB-T 유도체에 억셉터 재료를 분산시키는 방법 등을 사용할 수 있다.
또한 활성층(526)은 3종류 이상의 재료를 혼합하여도 좋다. 예를 들어 파장 영역을 확대하기 위하여, n형 반도체 재료와 p형 반도체 재료에 더하여 제 3 재료를 혼합하여도 좋다. 이때 제 3 재료는 저분자 화합물이어도 고분자 화합물이어도 좋다.
수광 유닛(555)은 도 29의 (A)에 나타낸 바와 같이 층(521)(정공 주입층), 층(522)(정공 수송층), 활성층(526), 층(524)(전자 수송층), 층(525)(전자 주입층)의 순서로 적층시킬 수 있다. 이는 도 27의 (A)에 나타낸 발광 유닛(512W)과 같은 적층 순서이다. 이 경우, 발광 소자(550W) 및 수광 소자(550S) 중 어느 쪽에서도 전극(501)을 양극으로서 기능시키고, 전극(502)을 음극으로서 기능시킬 수 있다. 즉 전극(501)과 전극(502) 사이에 역바이어스를 인가하여 수광 소자(550S)를 구동함으로써, 수광 소자(550S)에 입사하는 광을 검출하고, 전하를 발생시켜 전류로서 추출할 수 있다.
다만 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 층(521)이 전자 주입층을 갖고, 층(522)이 전자 수송층을 갖고, 층(524)이 정공 수송층을 갖고, 층(525)이 정공 주입층을 갖는 구성으로 하여도 좋다. 이 경우, 수광 소자(550S)에서는 전극(501)을 음극으로서 기능시키고, 전극(502)을 양극으로서 기능시킬 수 있다. 앞의 실시형태에서 나타낸 바와 같이, 본 발명에서는 발광 소자(550W)와 수광 소자(550S)를 각각 개별적으로 형성할 수 있다. 그러므로 발광 소자(550W)와 수광 소자(550S)의 구성이 크게 달라도 비교적 용이하게 제작할 수 있다.
또한 도 29의 (A)에 나타낸 층(521), 층(522), 층(524), 및 층(525)은 반드시 모두를 제공할 필요는 없다. 예를 들어 도 29의 (B)에 나타낸 바와 같이 정공 주입층을 갖는 층(521)을 제공하지 않고 정공 주입층을 갖는 층(522)이 전극(501)에 접하는 구성으로 하여도 좋다. 또한 도 29의 (A) 및 (B)에 나타낸 바와 같이 활성층(526)에 접하여 정공 수송층을 갖는 층(522) 및 전자 수송층을 갖는 층(524) 중 적어도 한쪽을 제공하는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 수광 소자(550S)에서 전극(501)과 전극(502) 사이에 누설 전류가 발생하여, 촬상의 감도가 저하되는 것을 억제할 수 있다.
또한 층(522) 및 층(524) 중 어느 한쪽을 제공하지 않는 구성으로 할 수도 있다. 예를 들어 도 29의 (C)에 나타낸 바와 같이 전자 수송층을 갖는 층(524)을 제공하지 않고 활성층(526)이 층(525)에 접하는 구성으로 하여도 좋다.
또한 수광 유닛(555)을 활성층(526)만으로 이루어지는 구성으로 할 수도 있다. 예를 들어 도 29의 (D)에 나타낸 바와 같이 정공 수송층을 갖는 층(522)을 제공하지 않고 활성층(526)이 전극(501)에 접하는 구성으로 하여도 좋다.
또한 층(525)을 공통층으로 하지 않고 발광 소자마다 제공하는 경우, 수광 소자(550S)에 층(525)을 제공하지 않는 구성으로 할 수도 있다. 예를 들어 도 29의 (E)에 나타낸 바와 같이 전자 주입층을 갖는 층(525)을 제공하지 않고 활성층(526)이 전극(502)에 접하는 구성으로 하여도 좋다.
본 실시형태는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 6)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 수광 디바이스 등을 갖는 표시 장치의 예에 대하여 설명한다.
본 실시형태의 표시 장치에서, 화소는, 서로 다른 색을 방출하는 발광 디바이스를 갖는 부화소를 복수 종류 갖는 구성으로 할 수 있다. 예를 들어 화소는, 부화소를 3종류 갖는 구성으로 할 수 있다. 상기 3개의 부화소로서는 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 3색의 부화소, 황색(Y), 시안(C), 및 마젠타(M)의 3색의 부화소 등을 들 수 있다. 또는 화소는, 부화소를 4종류 갖는 구성으로 할 수 있다. 상기 4개의 부화소로서는 R, G, B, 백색(W)의 4색의 부화소, R, G, B, Y의 4색의 부화소 등을 들 수 있다.
부화소의 배열은 특별히 한정되지 않고, 다양한 방법을 적용할 수 있다. 부화소의 배열로서는 예를 들어 스트라이프 배열, S 스트라이프 배열, 매트릭스 배열, 델타 배열, 베이어 배열, 펜타일 배열 등이 있다.
또한 부화소의 상면 형상으로서는 예를 들어 삼각형, 사각형(장방형, 정방형을 포함함), 오각형 등의 다각형, 이들 다각형의 모서리가 둥근 형상, 타원형, 또는 원형 등이 있다. 여기서 말하는 부화소의 상면 형상은 발광 디바이스의 발광 영역의 상면 형상에 상당한다.
발광 디바이스 및 수광 디바이스를 화소에 갖는 표시 장치에서는, 화소가 수광 기능을 갖기 때문에, 화상을 표시하면서 대상물의 접촉 또는 근접을 검출할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치가 갖는 모든 부화소에서 화상을 표시할 뿐만 아니라, 일부의 부화소는 광원으로서의 광을 나타내고, 나머지 부화소에서 화상을 표시할 수도 있다.
도 30의 (A), (B), (C)에 나타낸 화소는 부화소(G), 부화소(B), 부화소(R), 및 부화소(PS)를 갖는다.
도 30의 (A)에 나타낸 화소에는 스트라이프 배열이 적용되어 있다. 도 30의 (B)에 나타낸 화소에는 매트릭스 배열이 적용되어 있다.
도 30의 (C)에 나타낸 화소의 배열은 하나의 부화소(부화소(B)) 옆에 3개의 부화소(부화소(R), 부화소(G), 부화소(S))가 세로로 배열된 구성이다.
또한 부화소의 레이아웃은 도 30의 (A) 내지 (C)의 구성에 한정되지 않는다.
부화소(R)는 적색의 광을 방출하는 발광 디바이스를 갖는다. 부화소(G)는 녹색의 광을 방출하는 발광 디바이스를 갖는다. 부화소(B)는 청색의 광을 방출하는 발광 디바이스를 갖는다. 부화소(IR)는 적외광을 방출하는 발광 디바이스를 갖는다. 부화소(PS)는 수광 디바이스를 갖는다. 부화소(PS)가 검출하는 광의 파장은 특별히 한정되지 않지만, 부화소(PS)가 갖는 수광 디바이스는 부화소(R), 부화소(G), 부화소(B), 또는 부화소(IR)가 갖는 발광 디바이스가 방출하는 광에 감도를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어 청색, 자색, 청자색, 녹색, 황록색, 황색, 주황색, 적색 등의 파장 영역의 광 및 적외의 파장 영역의 광 중 하나 또는 복수를 검출하는 것이 바람직하다.
부화소(PS)의 수광 면적은 다른 부화소의 발광 면적보다 작다. 수광 면적이 작을수록 촬상 범위가 좁아져, 촬상 결과가 흐릿해지는 것을 억제할 수 있고 해상도를 향상시킬 수 있다. 그러므로 부화소(PS)를 사용함으로써, 고정세 또는 고해상도의 촬상을 수행할 수 있다. 예를 들어, 부화소(PS)를 사용하여 지문, 장문, 홍채, 맥 형상(정맥 형상, 동맥 형상을 포함함), 또는 얼굴 등을 사용한 개인 인증을 위한 촬상을 수행할 수 있다.
또한 부화소(PS)는 터치 센서(다이렉트 터치 센서라고도 함) 또는 니어 터치 센서(호버 센서, 호버 터치 센서, 비접촉 센서, 터치리스 센서라고도 함) 등에 사용할 수 있다. 예를 들어 부화소(PS)는 적외광을 검출하는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 어두운 장소에서도 터치 검출이 가능해진다.
여기서, 터치 센서 또는 니어 터치 센서는 대상물(손가락, 손, 또는 펜 등)의 근접 또는 접촉을 검출할 수 있다. 터치 센서는 표시 장치와 대상물이 직접 접함으로써 대상물을 검출할 수 있다. 또한 니어 터치 센서는 대상물이 표시 장치에 접촉되지 않아도 상기 대상물을 검출할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치와 대상물 사이의 거리가 0.1mm 이상 300mm 이하, 바람직하게는 3mm 이상 50mm 이하의 범위에서 표시 장치가 상기 대상물을 검출할 수 있는 구성이 바람직하다. 상기 구성으로 함으로써, 표시 장치에 대상물이 직접 접촉되지 않아도 조작이 가능해지고, 바꿔 말하면 비접촉(터치리스)으로 표시 장치를 조작할 수 있게 된다. 상기 구성으로 함으로써, 표시 장치에 오염 또는 흠이 생기는 리스크를 저감할 수 있거나, 표시 장치에 부착된 오염(예를 들어 먼지 또는 바이러스 등)에 대상물이 직접 접촉되지 않고 표시 장치를 조작할 수 있다.
또한 고정세의 촬상을 수행하기 위하여, 부화소(PS)는 표시 장치가 갖는 모든 화소에 제공되는 것이 바람직하다. 한편, 부화소(PS)는 터치 센서 또는 니어 터치 센서 등에 사용되는 경우에는 지문 등을 촬상하는 경우에 비하여 높은 정밀도가 요구되지 않기 때문에, 표시 장치가 갖는 일부의 화소에 제공되면 좋다. 표시 장치가 갖는 부화소(PS)의 개수를 부화소(R) 등의 개수보다 줄임으로써 검출 속도를 높일 수 있다.
도 30의 (D)에 수광 디바이스를 갖는 부화소의 화소 회로의 일례를 나타내고, 도 30의 (E)에 발광 디바이스를 갖는 부화소의 화소 회로의 일례를 나타내었다.
도 30의 (D)에 나타낸 화소 회로(PIX1)는 수광 디바이스(PD), 트랜지스터(M11), 트랜지스터(M12), 트랜지스터(M13), 트랜지스터(M14), 및 용량 소자(C2)를 갖는다. 여기서는 수광 디바이스(PD)로서 포토다이오드를 사용한 예를 나타내었다.
수광 디바이스(PD)는 애노드가 배선(V1)과 전기적으로 접속되고, 캐소드가 트랜지스터(M11)의 소스 및 드레인 중 한쪽과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(M11)는 게이트가 배선(TX)과 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 다른 쪽이 용량 소자(C2)의 한쪽 전극, 트랜지스터(M12)의 소스 및 드레인 중 한쪽, 및 트랜지스터(M13)의 게이트와 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(M12)는 게이트가 배선(RES)과 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 다른 쪽이 배선(V2)과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(M13)는 소스 및 드레인 중 한쪽이 배선(V3)과 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 다른 쪽이 트랜지스터(M14)의 소스 및 드레인 중 한쪽과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(M14)는 게이트가 배선(SE)과 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 다른 쪽이 배선(OUT1)과 전기적으로 접속된다.
배선(V1), 배선(V2), 및 배선(V3)의 각각에는 정전위가 공급된다. 수광 디바이스(PD)를 역바이어스로 구동시키는 경우에는 배선(V2)에 배선(V1)의 전위보다 높은 전위를 공급한다. 트랜지스터(M12)는 배선(RES)에 공급되는 신호에 의하여 제어되고, 트랜지스터(M13)의 게이트에 접속되는 노드의 전위를, 배선(V2)에 공급되는 전위로 리셋하는 기능을 갖는다. 트랜지스터(M11)는 배선(TX)에 공급되는 신호에 의하여 제어되고, 수광 디바이스(PD)를 흐르는 전류에 따라 상기 노드의 전위가 변화되는 타이밍을 제어하는 기능을 갖는다. 트랜지스터(M13)는 상기 노드의 전위에 따른 출력을 수행하는 증폭 트랜지스터로서 기능한다. 트랜지스터(M14)는 배선(SE)에 공급되는 신호에 의하여 제어되고, 상기 노드의 전위에 따른 출력을 배선(OUT1)에 접속되는 외부 회로로 판독하기 위한 선택 트랜지스터로서 기능한다.
도 30의 (E)에 나타낸 화소 회로(PIX2)는 발광 디바이스(EL), 트랜지스터(M15), 트랜지스터(M16), 트랜지스터(M17), 및 용량 소자(C3)를 갖는다. 여기서는 발광 디바이스(EL)로서 발광 다이오드를 사용한 예를 나타내었다. 발광 디바이스(EL)로서 유기 EL 소자를 사용하는 것이 특히 바람직하다.
트랜지스터(M15)는 게이트가 배선(VG)과 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 한쪽이 배선(VS)과 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 다른 쪽이 용량 소자(C3)의 한쪽 전극 및 트랜지스터(M16)의 게이트와 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(M16)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 배선(V4)과 전기적으로 접속되고, 다른 쪽은 발광 디바이스(EL)의 애노드 및 트랜지스터(M17)의 소스 및 드레인 중 한쪽과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(M17)는 게이트가 배선(MS)과 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 다른 쪽이 배선(OUT2)과 전기적으로 접속된다. 발광 디바이스(EL)의 캐소드는 배선(V5)과 전기적으로 접속된다.
배선(V4) 및 배선(V5)에는 각각 정전위가 공급된다. 발광 디바이스(EL)의 애노드 측을 고전위로, 캐소드 측을 애노드 측보다 저전위로 할 수 있다. 트랜지스터(M15)는 배선(VG)에 공급되는 신호에 의하여 제어되고, 화소 회로(PIX2)의 선택 상태를 제어하기 위한 선택 트랜지스터로서 기능한다. 또한 트랜지스터(M16)는 게이트에 공급되는 전위에 따라 발광 디바이스(EL)를 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터로서 기능한다. 트랜지스터(M15)가 도통 상태일 때, 배선(VS)에 공급되는 전위가 트랜지스터(M16)의 게이트에 공급되고, 그 전위에 따라 발광 디바이스(EL)의 발광 휘도를 제어할 수 있다. 트랜지스터(M17)는 배선(MS)에 공급되는 신호에 의하여 제어되고, 트랜지스터(M16)와 발광 디바이스(EL) 사이의 전위를 배선(OUT2)을 통하여 외부에 출력하는 기능을 갖는다.
여기서 화소 회로(PIX1)가 갖는 트랜지스터(M11), 트랜지스터(M12), 트랜지스터(M13), 및 트랜지스터(M14), 그리고 화소 회로(PIX2)가 갖는 트랜지스터(M15), 트랜지스터(M16), 및 트랜지스터(M17)에는 각각, 채널이 형성되는 반도체층에 금속 산화물(산화물 반도체)을 사용한 트랜지스터를 적용하는 것이 바람직하다.
실리콘보다 밴드 갭이 넓고 캐리어 밀도가 작은 금속 산화물을 사용한 트랜지스터는 매우 작은 오프 전류를 실현할 수 있다. 오프 전류가 작기 때문에, 트랜지스터와 직렬로 접속된 용량 소자에 축적된 전하가 장기간에 걸쳐 유지될 수 있다. 그러므로 특히 용량 소자(C2) 또는 용량 소자(C3)에 직렬로 접속되는 트랜지스터(M11), 트랜지스터(M12), 및 트랜지스터(M15)에는 산화물 반도체가 적용된 트랜지스터를 사용하는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 이 외의 트랜지스터에도 산화물 반도체가 적용된 트랜지스터를 사용함으로써 제작 비용을 절감할 수 있다.
예를 들어 실온하에서의 채널 폭 1μm당 OS 트랜지스터의 오프 전류값은 1aA(1×10-18A) 이하, 1zA(1×10-21A) 이하, 또는 1yA(1×10-24A) 이하로 할 수 있다. 또한 실온하에서의 채널 폭 1μm당 Si 트랜지스터의 오프 전류값은 1fA(1×10-15A) 이상 1pA(1×10-12A) 이하이다. 따라서 OS 트랜지스터의 오프 전류는 Si 트랜지스터의 오프 전류보다 10자릿수 정도 낮다고도 할 수 있다.
또한 트랜지스터(M11) 내지 트랜지스터(M17)에, 채널이 형성되는 반도체에 실리콘이 적용된 트랜지스터를 사용할 수도 있다. 특히 단결정 실리콘 또는 다결정 실리콘 등 결정성이 높은 실리콘을 사용함으로써, 높은 전계 효과 이동도를 실현할 수 있고, 더 고속으로 동작할 수 있어 바람직하다.
또한 트랜지스터(M11) 내지 트랜지스터(M17) 중 하나 이상에 산화물 반도체가 적용된 트랜지스터를 사용하고, 나머지에는 실리콘이 적용된 트랜지스터를 사용하는 구성으로 하여도 좋다.
또한 도 30의 (D), (E)에서, 트랜지스터를 n채널형 트랜지스터로서 표기하였지만, p채널형 트랜지스터를 사용할 수도 있다.
화소 회로(PIX1)가 갖는 트랜지스터와 화소 회로(PIX2)가 갖는 트랜지스터는 동일 기판 위에 나란히 형성되는 것이 바람직하다. 특히 화소 회로(PIX1)가 갖는 트랜지스터와 화소 회로(PIX2)가 갖는 트랜지스터를 하나의 영역 내에 혼재시켜 주기적으로 배열하는 구성으로 하는 것이 바람직하다.
또한 수광 디바이스(PD) 또는 발광 디바이스(EL)와 중첩된 위치에 트랜지스터 및 용량 소자 중 한쪽 또는 양쪽을 갖는 층을 하나 또는 복수로 제공하는 것이 바람직하다. 이로써 각 화소 회로의 실효적인 점유 면적을 작게 할 수 있고, 고정세의 수광부 또는 표시부를 실현할 수 있다.
화소 회로에 포함되는 발광 디바이스(EL)의 발광 휘도를 높게 하는 경우, 발광 디바이스(EL)에 흘리는 전류량을 크게 할 필요가 있다. 그러기 위해서는 화소 회로에 포함된 구동 트랜지스터의 소스-드레인 간 전압을 높게 할 필요가 있다. OS 트랜지스터는 Si 트랜지스터에 비하여 소스-드레인 간에서 내압이 높기 때문에, OS 트랜지스터의 소스-드레인 간에는 높은 전압을 인가할 수 있다. 이에 의하여 화소 회로에 포함되는 구동 트랜지스터를 OS 트랜지스터로 함으로써, 발광 디바이스를 흐르는 전류의 양을 크게 하여, 발광 디바이스의 발광 휘도를 높게 할 수 있다.
또한 트랜지스터가 포화 영역에서 동작하는 경우, OS 트랜지스터는 Si 트랜지스터보다 게이트-소스 간 전압의 변화에 대한 소스-드레인 간 전류의 변화를 작게 할 수 있다. 그러므로 화소 회로에 포함되는 구동 트랜지스터로서 OS 트랜지스터를 적용함으로써, 게이트-소스 간 전압의 변화에 의하여 소스-드레인 간을 흐르는 전류를 자세하게 설정할 수 있기 때문에, 발광 디바이스를 흐르는 전류의 양을 제어할 수 있다. 그러므로 화소 회로에서의 계조를 크게 할 수 있다.
또한 트랜지스터가 포화 영역에서 동작하는 경우에 흐르는 전류의 포화 특성에 관하여, OS 트랜지스터는 소스-드레인 간 전압이 서서히 높아진 경우에도 Si 트랜지스터보다 안정적인 전류(포화 전류)를 흘릴 수 있다. 그러므로 OS 트랜지스터를 구동 트랜지스터로서 사용함으로써, 예를 들어 EL 재료가 포함된 발광 디바이스의 전류-전압 특성에 편차가 발생한 경우에도 발광 디바이스에 안정된 전류를 흘릴 수 있다. 즉 OS 트랜지스터는 포화 영역에서 동작하는 경우, 소스-드레인 간 전압을 높게 하여도 소스-드레인 간 전류가 거의 변화되지 않기 때문에, 발광 디바이스의 발광 휘도를 안정적으로 할 수 있다.
상술한 바와 같이, 화소 회로에 포함되는 구동 트랜지스터로서 OS 트랜지스터를 사용함으로써, 예를 들어 흑색 표시 부분이 밝게 표시되는 것을 억제하거나, 발광 휘도를 상승시키거나, 계조 수를 늘리거나, 발광 디바이스의 편차를 억제할 수 있다.
또한 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 리프레시 레이트를 가변으로 할 수 있다. 예를 들어 표시 장치에 표시되는 내용에 따라 리프레시 레이트를 조정(예를 들어 0.01Hz 이상 240Hz 이하의 범위에서 조정)하여 소비 전력을 절감할 수 있다. 또한 리프레시 레이트를 저하시킨 구동에 의하여 표시 장치의 소비 전력을 절감하는 구동을 아이들링 스톱(idling stop(IDS)) 구동이라고 호칭하여도 좋다.
또한 상기 리프레시 레이트에 따라 터치 센서 또는 니어 터치 센서의 구동 주파수를 변화시켜도 좋다. 예를 들어 표시 장치의 리프레시 레이트가 120Hz인 경우, 터치 센서 또는 니어 터치 센서의 구동 주파수를 120Hz보다 높은 주파수(대표적으로는 240Hz)로 하는 구성으로 할 수 있다. 상기 구성으로 함으로써, 저소비 전력을 실현할 수 있으며, 터치 센서 또는 니어 터치 센서의 응답 속도를 높일 수 있다.
본 실시형태는 적어도 그 일부를 본 명세서에 기재된 다른 실시형태와 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 7)
본 실시형태에서는, 고정세의 표시 장치에 대하여 설명한다.
[표시 패널의 구성예]
VR용, AR용 등의 장착형 전자 기기에서는 시차(視差)를 이용함으로써 3D 화상을 제공할 수 있다. 이 경우, 오른쪽 눈용 화상을 오른쪽 눈의 시계(視界) 내에, 왼쪽 눈용 화상을 왼쪽 눈의 시계 내에, 각각 표시할 필요가 있다. 여기서 표시 장치의 표시부의 형상은 가로로 긴 직사각형으로 하여도 좋지만, 오른쪽 눈 및 왼쪽 눈의 시계 외측에 제공되는 화소는 표시에 기여하지 않기 때문에, 상기 화소에는 상시 흑색이 표시된다.
그러므로 표시 패널의 표시부를 오른쪽 눈용과 왼쪽 눈용의 2개의 영역으로 나누고, 표시에 기여하지 않는 외측의 영역에는 화소를 배치하지 않는 구성으로 하는 것이 바람직하다. 이에 의하여 화소의 기록에 필요한 소비 전력을 절감할 수 있다. 또한 소스선, 게이트선 등의 부하가 작아지기 때문에, 프레임 레이트가 높은 표시가 가능하게 된다. 이에 의하여 매끄러운 동영상을 표시할 수 있기 때문에 현실감을 높일 수 있다.
도 31의 (A)에서는 표시 패널의 구성예를 나타내었다. 도 31의 (A)에서는, 기판(701)의 내측에서 왼쪽 눈용 표시부(702L)와 오른쪽 눈용 표시부(702R)가 배치되어 있다. 또한 기판(701) 위에는, 표시부(702L), 표시부(702R) 외에, 구동 회로, 배선, IC, FPC 등이 배치되어도 좋다.
도 31의 (A)에 나타낸 표시부(702L), 표시부(702R)는 상면 형상이 정방형이다.
또한 표시부(702L), 표시부(702R)의 상면 형상은 다른 정다각형이어도 좋다. 도 31의 (B)에는 정육각형인 경우의 예를 나타내고, 도 31의 (C)에는 정팔각형인 경우의 예를 나타내고, 도 31의 (D)에는 정십각형인 경우의 예를 나타내고, 도 31의 (E)에는 정십이각형인 경우의 예를 나타내었다. 이와 같이 짝수 개의 각을 갖는 다각형을 사용함으로써, 표시부의 형상을 좌우 대칭으로 할 수 있다. 또한 정다각형이 아닌 다각형을 사용하여도 좋다. 또한 모서리가 둥근 정다각형 또는 다각형을 사용하여도 좋다.
또한 매트릭스로 배치된 화소로 표시부가 구성되기 때문에, 각 표시부의 윤곽의 직선 부분은 엄밀하게는 직선이 되지 않고 계단상인 부분이 존재할 수 있다. 특히 화소의 배열 방향과 평행이 아닌 직선 부분은 계단상의 상면 형상이 된다. 다만 사용자는, 화소의 형상을 시인하지 않는 상태에서 시청하기 때문에, 표시부의 비스듬한 윤곽이 엄밀하게는 계단상이더라도 이를 직선으로 간주할 수 있다. 마찬가지로, 표시부의 윤곽의 곡선 부분이 엄밀하게는 계단상이더라도 이를 곡선으로 간주할 수 있다.
또한 도 31의 (F)에는 표시부(702L), 표시부(702R)의 상면 형상을 원으로 한 경우의 예를 나타내었다.
또한 표시부(702L), 표시부(702R)의 상면 형상은 좌우 비대칭이어도 좋다. 또한 정다각형이 아니어도 된다.
도 31의 (G)에는 표시부(702L), 표시부(702R)의 상면 형상이 각각 좌우 비대칭인 팔각형인 경우의 예를 나타내었다. 또한 도 31의 (H)에는 정칠각형인 경우의 예를 나타내었다. 이와 같이 표시부(702L), 표시부(702R)의 상면 형상을 각각 좌우 비대칭으로 한 경우에도 표시부(702L)와 표시부(702R)는 좌우 대칭으로 배치하는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 위화감이 없는 화상을 제공할 수 있다.
위에서는 표시부를 2개로 나눈 구성에 대하여 설명하였지만, 표시부는 하나로 연속되어도 좋다.
도 31의 (I)에는 도 31의 (F)에서의 2개의 원형의 표시부(702)가 연결된 예를 나타내었다. 또한 도 31의 (J)에는 도 31의 (C)에서의 2개의 정팔각형의 표시부(702)가 연결된 예를 나타내었다.
여기까지가 표시 패널의 구성예에 대한 설명이다.
본 실시형태에서 예시한 구성예 및 이들에 대응하는 도면 등은 적어도 그 일부를 다른 구성예 또는 도면 등과 적절히 조합할 수 있다.
본 실시형태는 적어도 그 일부를 본 명세서에 기재된 다른 실시형태와 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 8)
본 실시형태에서는, 앞의 실시형태에서 설명한 OS 트랜지스터에 사용할 수 있는 금속 산화물(산화물 반도체라고도 함)에 대하여 설명한다.
OS 트랜지스터에 사용하는 금속 산화물은 적어도 인듐 또는 아연을 갖는 것이 바람직하고, 인듐 및 아연을 갖는 것이 더 바람직하다. 예를 들어 금속 산화물은 인듐과, M(M은 갈륨, 알루미늄, 이트륨, 주석, 실리콘, 붕소, 구리, 바나듐, 베릴륨, 타이타늄, 철, 니켈, 저마늄, 지르코늄, 몰리브데넘, 란타넘, 세륨, 네오디뮴, 하프늄, 탄탈럼, 텅스텐, 마그네슘, 및 코발트 중에서 선택되는 1종류 또는 복수 종류)과, 아연을 갖는 것이 바람직하다. 특히 M은 갈륨, 알루미늄, 이트륨, 및 주석 중에서 선택되는 1종류 또는 복수 종류인 것이 바람직하고, 갈륨이 더 바람직하다.
또한 금속 산화물은 스퍼터링법, MOCVD법 등의 CVD법, 또는 ALD법 등에 의하여 형성할 수 있다.
이후에는, 금속 산화물의 일례로서 인듐(In), 갈륨(Ga), 및 아연(Zn)을 포함하는 산화물에 대하여 설명한다. 또한 인듐(In), 갈륨(Ga), 및 아연(Zn)을 포함하는 산화물을 In-Ga-Zn 산화물이라고 부르는 경우가 있다.
<결정 구조의 분류>
산화물 반도체의 결정 구조로서는 비정질(completely amorphous를 포함함), CAAC(c-axis-aligned crystalline), nc(nanocrystalline), CAC(cloud-aligned composite), 단결정(single crystal), 및 다결정(poly crystal) 등을 들 수 있다.
또한 막 또는 기판의 결정 구조는 X선 회절(XRD: X-Ray Diffraction) 스펙트럼을 사용하여 평가할 수 있다. 예를 들어 GIXD(Grazing-Incidence XRD) 측정에 의하여 얻어지는 XRD 스펙트럼을 사용하여 평가할 수 있다. 또한 GIXD법은 박막법 또는 Seemann-Bohlin법이라고도 한다. 또한 이하에서는 GIXD 측정에 의하여 얻어지는 XRD 스펙트럼을 단순히 XRD 스펙트럼이라고 기재하는 경우가 있다.
예를 들어 석영 유리 기판에서는 XRD 스펙트럼의 피크의 형상이 거의 좌우 대칭이다. 한편, 결정 구조를 갖는 In-Ga-Zn 산화물막에서는 XRD 스펙트럼의 피크의 형상이 좌우 비대칭이다. XRD 스펙트럼의 피크의 형상이 좌우 비대칭인 것은 막 내 또는 기판 내의 결정의 존재를 명시하고 있다. 바꿔 말하면 XRD 스펙트럼의 피크의 형상이 좌우 대칭이 아니면 막 또는 기판은 비정질 상태라고 할 수 없다.
또한 막 또는 기판의 결정 구조는 나노빔 전자 회절(NBED: Nano Beam Electron Diffraction)에 의하여 관찰되는 회절 패턴(나노빔 전자 회절 패턴이라고도 함)으로 평가할 수 있다. 예를 들어 석영 유리 기판의 회절 패턴에서는 헤일로(halo)가 관찰되고, 석영 유리가 비정질 상태인 것을 확인할 수 있다. 또한 실온에서 성막한 In-Ga-Zn 산화물막의 회절 패턴에서는 헤일로가 아니라 스폿 형상의 패턴이 관찰된다. 그러므로 실온에서 성막한 In-Ga-Zn 산화물은 단결정도 다결정도 아니고, 비정질 상태도 아닌 중간 상태이고, 비정질 상태라고 결론을 내릴 수 없는 것으로 추정된다.
<<산화물 반도체의 구조>>
또한 산화물 반도체는 구조에 착안한 경우, 상기와는 다르게 분류되는 경우가 있다. 예를 들어 산화물 반도체는 단결정 산화물 반도체와 이 외의 비단결정 산화물 반도체로 나누어진다. 비단결정 산화물 반도체로서는 예를 들어 상술한 CAAC-OS 및 nc-OS가 있다. 또한 비단결정 산화물 반도체에는 다결정 산화물 반도체, a-like OS(amorphous-like oxide semiconductor), 비정질 산화물 반도체 등이 포함된다.
여기서 상술한 CAAC-OS, nc-OS, 및 a-like OS에 대하여 자세히 설명한다.
[CAAC-OS]
CAAC-OS는 복수의 결정 영역을 갖고, 상기 복수의 결정 영역에서 c축이 특정 방향으로 배향되는 산화물 반도체이다. 또한 특정 방향이란, CAAC-OS막의 두께 방향, CAAC-OS막의 피형성면의 법선 방향, 또는 CAAC-OS막의 표면의 법선 방향을 말한다. 또한 결정 영역이란, 원자 배열에 주기성을 갖는 영역이다. 또한 원자 배열을 격자 배열로 간주하면, 결정 영역은 격자 배열이 정렬된 영역이기도 하다. 또한 CAAC-OS는 a-b면 방향에서 복수의 결정 영역이 연결되는 영역을 갖고, 상기 영역은 변형을 갖는 경우가 있다. 또한 변형이란 복수의 결정 영역이 연결되는 영역에서, 격자 배열이 정렬된 영역과 격자 배열이 정렬된 다른 영역 사이에서 격자 배열의 방향이 변화되는 부분을 가리킨다. 즉 CAAC-OS는 c축 배향을 갖고, a-b면 방향으로는 명확한 배향을 갖지 않는 산화물 반도체이다.
또한 상기 복수의 결정 영역은 각각 하나 또는 복수의 미소한 결정(최대 직경이 10nm 미만인 결정)으로 구성된다. 결정 영역이 하나의 미소한 결정으로 구성되는 경우, 상기 결정 영역의 최대 직경은 10nm 미만이 된다. 또한 결정 영역이 다수의 미소한 결정으로 구성되는 경우, 상기 결정 영역의 크기는 수십nm 정도가 되는 경우가 있다.
또한 In-Ga-Zn 산화물에서, CAAC-OS는 인듐(In) 및 산소를 갖는 층(이하 In층)과, 갈륨(Ga), 아연(Zn), 및 산소를 갖는 층(이하 (Ga, Zn)층)이 적층된 층상의 결정 구조(층상 구조라고도 함)를 갖는 경향이 있다. 또한 인듐과 갈륨은 서로 치환될 수 있다. 따라서 (Ga, Zn)층에는 인듐이 포함되는 경우가 있다. 또한 In층에는 갈륨이 포함되는 경우가 있다. 또한 In층에는 아연이 포함되는 경우도 있다. 상기 층상 구조는 예를 들어 고분해능 TEM(Transmission Electron Microscope) 이미지에서 격자상(格子像)으로 관찰된다.
예를 들어 XRD 장치를 사용하여 CAAC-OS막의 구조 해석을 수행할 때, θ/2θ 스캔을 사용한 Out-of-plane XRD 측정에서는 c축 배향을 나타내는 피크가 2θ=31° 또는 그 근방에서 검출된다. 또한 c축 배향을 나타내는 피크의 위치(2θ의 값)는 CAAC-OS를 구성하는 금속 원소의 종류, 조성 등에 따라 변동되는 경우가 있다.
또한 예를 들어 CAAC-OS막의 전자 회절 패턴에서 복수의 휘점(스폿)이 관측된다. 또한 어떤 스폿과 다른 스폿은 시료를 투과한 입사 전자선의 스폿(다이렉트 스폿이라고도 함)을 대칭 중심으로 하여 점대칭의 위치에서 관측된다.
상기 특정 방향에서 결정 영역을 관찰한 경우, 상기 결정 영역 내의 격자 배열은 기본적으로 육방 격자이지만, 단위 격자는 정육각형에 한정되지 않고 비정육각형인 경우가 있다. 또한 상기 변형에서 오각형, 칠각형 등의 격자 배열을 갖는 경우가 있다. 또한 CAAC-OS에서는, 변형 근방에서도 명확한 결정립계(그레인 바운더리)를 확인할 수 없다. 즉 격자 배열의 변형에 의하여 결정립계의 형성이 억제되어 있는 것을 알 수 있다. 이는, CAAC-OS가 a-b면 방향에서 산소 원자의 배열이 조밀하지 않거나, 금속 원자가 치환됨으로써 원자 사이의 결합 거리가 변화되는 것 등에 의하여, 변형을 허용할 수 있기 때문이라고 생각된다.
또한 명확한 결정립계가 확인되는 결정 구조는 소위 다결정(polycrystal)이다. 결정립계는 재결합 중심이 되고, 캐리어가 포획되어 트랜지스터의 온 전류의 저하, 전계 효과 이동도의 저하 등을 일으킬 가능성이 높다. 따라서 명확한 결정립계가 확인되지 않는 CAAC-OS는 트랜지스터의 반도체층에 적합한 결정 구조를 갖는 결정성 산화물 중 하나이다. 또한 CAAC-OS를 구성하기 위해서는 Zn을 포함하는 구성이 바람직하다. 예를 들어 In-Zn 산화물 및 In-Ga-Zn 산화물은 In 산화물보다 결정립계의 발생을 억제할 수 있기 때문에 적합하다.
CAAC-OS는 결정성이 높고, 명확한 결정립계가 확인되지 않는 산화물 반도체이다. 따라서 CAAC-OS는 결정립계에 기인하는 전자 이동도의 저하가 일어나기 어렵다고 할 수 있다. 또한 산화물 반도체의 결정성은 불순물의 혼입, 결함의 생성 등에 의하여 저하되는 경우가 있기 때문에, CAAC-OS는 불순물 및 결함(산소 결손 등)이 적은 산화물 반도체라고도 할 수 있다. 따라서 CAAC-OS를 갖는 산화물 반도체는 물리적 성질이 안정된다. 그러므로 CAAC-OS를 갖는 산화물 반도체는 열에 강하고 신뢰성이 높다. 또한 CAAC-OS는 제조 공정에서의 높은 온도(소위 thermal budget)에 대해서도 안정적이다. 따라서 OS 트랜지스터에 CAAC-OS를 사용하면 제조 공정의 자유도를 높일 수 있게 된다.
[nc-OS]
nc-OS는 미소한 영역(예를 들어 1nm 이상 10nm 이하의 영역, 특히 1nm 이상 3nm 이하의 영역)에서 원자 배열에 주기성을 갖는다. 바꿔 말하면 nc-OS는 미소한 결정을 갖는다. 또한 상기 미소한 결정은 크기가 예를 들어 1nm 이상 10nm 이하, 특히 1nm 이상 3nm 이하이기 때문에 나노 결정이라고도 한다. 또한 nc-OS에서는 상이한 나노 결정 사이에서 결정 방위에 규칙성이 보이지 않는다. 그러므로 막 전체에서 배향성이 보이지 않는다. 따라서 nc-OS는 분석 방법에 따라서는 a-like OS 또는 비정질 산화물 반도체와 구별할 수 없는 경우가 있다. 예를 들어 XRD 장치를 사용하여 nc-OS막의 구조 해석을 수행할 때, θ/2θ 스캔을 사용한 Out-of-plane XRD 측정에서는, 결정성을 나타내는 피크가 검출되지 않는다. 또한 나노 결정보다 큰 프로브 직경(예를 들어 50nm 이상)의 전자선을 사용하는 전자 회절(제한 시야 전자 회절이라고도 함)을 nc-OS막에 대하여 수행하면 헤일로 패턴과 같은 회절 패턴이 관측된다. 한편, 나노 결정의 크기와 가깝거나 나노 결정보다 작은 프로브 직경(예를 들어 1nm 이상 30nm 이하)의 전자선을 사용하는 전자 회절(나노빔 전자 회절이라고도 함)을 nc-OS막에 대하여 수행하면, 다이렉트 스폿을 중심으로 하는 링 형상의 영역 내에 복수의 스폿이 관측되는 전자 회절 패턴이 취득되는 경우가 있다.
[a-like OS]
a-like OS는 nc-OS와 비정질 산화물 반도체의 중간의 구조를 갖는 산화물 반도체이다. a-like OS는 공동(void) 또는 저밀도 영역을 갖는다. 즉 a-like OS는 nc-OS 및 CAAC-OS에 비하여 결정성이 낮다. 또한 a-like OS는 nc-OS 및 CAAC-OS에 비하여 막 내의 수소 농도가 높다.
<<산화물 반도체의 구성>>
다음으로 상술한 CAC-OS에 대하여 자세히 설명한다. 또한 CAC-OS는 재료 구성에 관한 것이다.
[CAC-OS]
CAC-OS란, 예를 들어 금속 산화물을 구성하는 원소가 0.5nm 이상 10nm 이하, 바람직하게는 1nm 이상 3nm 이하, 또는 그 근방의 크기로 편재한 재료의 한 구성이다. 또한 이하에서는, 금속 산화물에 하나 또는 복수의 금속 원소가 편재하고, 상기 금속 원소를 갖는 영역이 0.5nm 이상 10nm 이하, 바람직하게는 1nm 이상 3nm 이하, 또는 그 근방의 크기로 혼합된 상태를 모자이크 패턴 또는 패치 패턴이라고도 한다.
또한 CAC-OS란, 재료가 제 1 영역과 제 2 영역으로 분리하여 모자이크 패턴을 형성하고, 상기 제 1 영역이 막 내에 분포된 구성(이하 클라우드상이라고도 함)이다. 즉 CAC-OS는 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역이 혼합된 구성을 갖는 복합 금속 산화물이다.
여기서, In-Ga-Zn 산화물에서의 CAC-OS를 구성하는 금속 원소에 대한 In, Ga, 및 Zn의 원자수비를 각각 [In], [Ga], 및 [Zn]이라고 표기한다. 예를 들어, In-Ga-Zn 산화물에서의 CAC-OS에서, 제 1 영역은 [In]이 CAC-OS막의 조성에서의 [In]보다 큰 영역이다. 또한 제 2 영역은 [Ga]가 CAC-OS막의 조성에서의 [Ga]보다 큰 영역이다. 또는 예를 들어 제 1 영역은 [In]이 제 2 영역에서의 [In]보다 크고, [Ga]가 제 2 영역에서의 [Ga]보다 작은 영역이다. 또한 제 2 영역은 [Ga]가 제 1 영역에서의 [Ga]보다 크고, [In]이 제 1 영역에서의 [In]보다 작은 영역이다.
구체적으로는 상기 제 1 영역은 인듐 산화물, 인듐 아연 산화물 등이 주성분인 영역이다. 또한 상기 제 2 영역은 갈륨 산화물, 갈륨 아연 산화물 등이 주성분인 영역이다. 즉 상기 제 1 영역을 In을 주성분으로 하는 영역이라고 바꿔 말할 수 있다. 또한 상기 제 2 영역을 Ga를 주성분으로 하는 영역이라고 바꿔 말할 수 있다.
또한 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역 사이에서 명확한 경계를 관찰할 수 없는 경우가 있다.
또한 In-Ga-Zn 산화물에서의 CAC-OS란, In, Ga, Zn, 및 O를 포함하는 재료 구성에서, 일부에 Ga를 주성분으로 하는 영역과, 일부에 In을 주성분으로 하는 영역이 각각 모자이크 패턴으로 무작위로 존재하는 구성을 말한다. 따라서 CAC-OS는 금속 원소가 불균일하게 분포된 구조를 갖는 것으로 추측된다.
CAC-OS는 예를 들어 기판을 의도적으로 가열하지 않는 조건에서 스퍼터링법으로 형성할 수 있다. 또한 CAC-OS를 스퍼터링법으로 형성하는 경우, 성막 가스로서 불활성 가스(대표적으로는 아르곤), 산소 가스, 및 질소 가스 중에서 선택되는 어느 하나 또는 복수를 사용하면 좋다. 또한 성막 시의 성막 가스의 총유량에 대한 산소 가스의 유량비는 낮을수록 바람직하다. 예를 들어 성막 시의 성막 가스의 총유량에 대한 산소 가스의 유량비를 0% 이상 30% 미만, 바람직하게는 0% 이상 10% 이하로 한다.
또한 예를 들어 In-Ga-Zn 산화물에서의 CAC-OS에서는, 에너지 분산형 X선 분광법(EDX: Energy Dispersive X-ray spectroscopy)을 사용하여 취득한 EDX 매핑으로부터, In을 주성분으로 하는 영역(제 1 영역)과, Ga를 주성분으로 하는 영역(제 2 영역)이 편재되고 혼합된 구조를 갖는 것을 확인할 수 있다.
여기서 제 1 영역은 제 2 영역에 비하여 도전성이 높은 영역이다. 즉 제 1 영역을 캐리어가 흐름으로써, 금속 산화물의 도전성이 발현된다. 따라서 제 1 영역이 금속 산화물 내에서 클라우드상으로 분포됨으로써, 높은 전계 효과 이동도(μ)를 실현할 수 있다.
한편, 제 2 영역은 제 1 영역에 비하여 절연성이 높은 영역이다. 즉 제 2 영역이 금속 산화물 내에 분포됨으로써, 누설 전류를 억제할 수 있다.
따라서 CAC-OS를 트랜지스터에 사용하는 경우에는 제 1 영역에 기인하는 도전성과 제 2 영역에 기인하는 절연성이 상보적으로 작용함으로써, 스위칭 기능(On/Off 기능)을 CAC-OS에 부여할 수 있다. 즉 CAC-OS는 재료의 일부에서는 도전성 기능을 갖고 재료의 일부에서는 절연성 기능을 가지며, 재료의 전체에서는 반도체로서의 기능을 갖는다. 도전성 기능과 절연성 기능을 분리함으로써, 양쪽의 기능을 최대한 높일 수 있다. 따라서 CAC-OS를 트랜지스터에 사용함으로써, 높은 온 전류(Ion), 높은 전계 효과 이동도(μ), 및 양호한 스위칭 동작을 실현할 수 있다.
또한 CAC-OS를 사용한 트랜지스터는 신뢰성이 높다. 따라서 CAC-OS는 표시 장치를 비롯한 다양한 반도체 장치에 최적이다.
산화물 반도체는 다양한 구조를 갖고, 각각이 상이한 특성을 갖는다. 본 발명의 일 형태의 산화물 반도체는 비정질 산화물 반도체, 다결정 산화물 반도체, a-like OS, CAC-OS, nc-OS, CAAC-OS 중 2종류 이상을 가져도 좋다.
<산화물 반도체를 갖는 트랜지스터>
이어서, 상기 산화물 반도체를 트랜지스터에 사용하는 경우에 대하여 설명한다.
상기 산화물 반도체를 트랜지스터에 사용함으로써, 전계 효과 이동도가 높은 트랜지스터를 실현할 수 있다. 또한 신뢰성이 높은 트랜지스터를 실현할 수 있다.
트랜지스터에는 캐리어 농도가 낮은 산화물 반도체를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어 산화물 반도체의 캐리어 농도는 1×1017cm-3 이하, 바람직하게는 1×1015cm-3 이하, 더 바람직하게는 1×1013cm-3 이하, 더 바람직하게는 1×1011cm-3 이하, 더 바람직하게는 1×1010cm-3 미만이고, 1×10-9cm-3 이상이다. 또한 산화물 반도체막의 캐리어 농도를 낮추는 경우에는 산화물 반도체막 내의 불순물 농도를 낮추고, 결함 준위 밀도를 낮추면 좋다. 본 명세서 등에서 불순물 농도가 낮고, 결함 준위 밀도가 낮은 것을 고순도 진성 또는 실질적으로 고순도 진성이라고 한다. 또한 캐리어 농도가 낮은 산화물 반도체를 고순도 진성 또는 실질적으로 고순도 진성인 산화물 반도체라고 하는 경우가 있다.
또한 고순도 진성 또는 실질적으로 고순도 진성인 산화물 반도체막은 결함 준위 밀도가 낮기 때문에, 트랩 준위 밀도도 낮아지는 경우가 있다.
또한 산화물 반도체의 트랩 준위에 포획된 전하는, 소실되는 데 걸리는 시간이 길어, 마치 고정 전하처럼 작용하는 경우가 있다. 그러므로 트랩 준위 밀도가 높은 산화물 반도체에 채널 형성 영역이 형성되는 트랜지스터는 전기 특성이 불안정해지는 경우가 있다.
따라서 트랜지스터의 전기 특성을 안정화하기 위해서는, 산화물 반도체 내의 불순물 농도를 저감하는 것이 유효하다. 또한 산화물 반도체 내의 불순물 농도를 저감하기 위해서는, 근접한 막 내의 불순물 농도도 저감하는 것이 바람직하다. 불순물로서는 수소, 질소, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 철, 니켈, 실리콘 등이 있다. 또한 산화물 반도체 중의 불순물이란, 예를 들어 산화물 반도체를 구성하는 주성분 이외를 말한다. 예를 들어 농도가 0.1atomic% 미만인 원소는 불순물이라고 할 수 있다.
<불순물>
여기서 산화물 반도체 내에서의 각 불순물의 영향에 대하여 설명한다.
산화물 반도체에 14족 원소 중 하나인 실리콘 또는 탄소가 포함되면, 산화물 반도체에서 결함 준위가 형성된다. 그러므로 산화물 반도체에서의 실리콘 또는 탄소의 농도와, 산화물 반도체와의 계면 근방의 실리콘 또는 탄소의 농도(이차 이온 질량 분석법(SIMS: Secondary Ion Mass Spectrometry)에 의하여 얻어지는 농도)를 2×1018atoms/cm3 이하, 바람직하게는 2×1017atoms/cm3 이하로 한다.
또한 산화물 반도체에 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속이 포함되면, 결함 준위를 형성하고 캐리어를 생성하는 경우가 있다. 따라서 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속이 포함되는 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터는 노멀리 온 특성을 갖기 쉽다. 그러므로 SIMS에 의하여 얻어지는 산화물 반도체 내의 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 농도를 1×1018atoms/cm3 이하, 바람직하게는 2×1016atoms/cm3 이하로 한다.
또한 산화물 반도체에 질소가 포함되면, 캐리어인 전자가 발생하고 캐리어 농도가 증가되어 n형화되기 쉽다. 이 결과, 질소가 포함되는 산화물 반도체를 반도체에 사용한 트랜지스터는 노멀리 온 특성을 갖기 쉽다. 또는 산화물 반도체에 질소가 포함되면, 트랩 준위가 형성되는 경우가 있다. 이 결과, 트랜지스터의 전기 특성이 불안정해지는 경우가 있다. 그러므로 SIMS에 의하여 얻어지는 산화물 반도체 내의 질소 농도를 5×1019atoms/cm3 미만, 바람직하게는 5×1018atoms/cm3 이하, 더 바람직하게는 1×1018atoms/cm3 이하, 더 바람직하게는 5×1017atoms/cm3 이하로 한다.
또한 산화물 반도체에 포함되는 수소는 금속 원자와 결합하는 산소와 반응하여 물이 되기 때문에, 산소 결손을 형성하는 경우가 있다. 상기 산소 결손에 수소가 들어감으로써 캐리어인 전자가 생성되는 경우가 있다. 또한 수소의 일부가 금속 원자와 결합하는 산소와 결합하여, 캐리어인 전자를 생성하는 경우가 있다. 따라서 수소가 포함되는 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터는 노멀리 온 특성을 갖기 쉽다. 그러므로 산화물 반도체 내의 수소는 가능한 한 저감되어 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, SIMS에 의하여 얻어지는 산화물 반도체 내의 수소 농도를 1×1020atoms/cm3 미만, 바람직하게는 1×1019atoms/cm3 미만, 더 바람직하게는 5×1018atoms/cm3 미만, 더 바람직하게는 1×1018atoms/cm3 미만으로 한다.
불순물이 충분히 저감된 산화물 반도체를 트랜지스터의 채널 형성 영역에 사용함으로써, 안정된 전기 특성을 부여할 수 있다.
본 실시형태는 적어도 그 일부를 본 명세서에 기재된 다른 실시형태와 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 9)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 전자 기기에 대하여 도 32 내지 도 35를 참조하여 설명한다.
본 실시형태의 전자 기기는 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 갖는다. 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 고정세화, 고해상도화, 대형화의 각각이 용이하다. 따라서 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 다양한 전자 기기의 표시부에 사용할 수 있다.
또한 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 낮은 비용으로 제작할 수 있기 때문에 전자 기기의 제조 비용을 절감할 수 있다.
전자 기기로서는 예를 들어, 텔레비전 장치, 데스크톱형 또는 노트북형 퍼스널 컴퓨터, 컴퓨터용 등의 모니터, 디지털 사이니지, 파칭코기 등의 대형 게임기 등 비교적 큰 화면을 갖는 전자 기기 외에, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, 디지털 액자, 휴대 전화기, 휴대용 게임기, 휴대 정보 단말기, 음향 재생 장치 등을 들 수 있다.
특히 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 정세도를 높일 수 있기 때문에, 비교적 작은 표시부를 갖는 전자 기기에 적합하게 사용할 수 있다. 이와 같은 전자 기기로서는 예를 들어 손목시계형, 팔찌형 등의 정보 단말기(웨어러블 기기), 그리고 헤드 마운트 디스플레이 등의 VR용 기기, 안경형의 AR용 기기 등 두부에 장착할 수 있는 웨어러블 기기 등이 있다. 또한 웨어러블 기기로서는 SR(Substitutional Reality)용 기기 및 MR(Mixed Reality)용 기기도 들 수 있다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치는 HD(화소수 1280×720), FHD(화소수 1920×1080), WQHD(화소수 2560×1440), WQXGA(화소수 2560×1600), 4K2K(화소수 3840×2160), 8K4K(화소수 7680×4320) 등, 매우 높은 해상도를 갖는 것이 바람직하다. 특히 4K2K, 8K4K, 또는 그 이상의 해상도로 하는 것이 바람직하다. 또한 본 발명의 일 형태의 표시 장치에서의 화소 밀도(정세도)는 300ppi 이상이 바람직하고, 500ppi 이상이 더 바람직하고, 1000ppi 이상이 더 바람직하고, 2000ppi 이상이 더 바람직하고, 3000ppi 이상이 더 바람직하고, 5000ppi 이상이 더 바람직하고, 7000ppi 이상이 더 바람직하다. 이와 같이 높은 해상도 또는 높은 정세도를 갖는 표시 장치를 사용함으로써, 휴대형, 또는 가정 등에서의 사용을 위한 개인 사용 전자 기기에서 현장감 및 깊이감 등을 더 높일 수 있다.
본 실시형태의 전자 기기는 가옥 또는 빌딩의 내벽 또는 외벽, 또는 자동차의 내장 또는 외장의 곡면을 따라 제공할 수 있다.
본 실시형태의 전자 기기는 안테나를 가져도 좋다. 안테나로 신호를 수신함으로써 표시부에서 영상 및 정보 등의 표시를 수행할 수 있다. 또한 전자 기기가 안테나 및 이차 전지를 갖는 경우, 안테나를 비접촉 전력 전송(傳送)에 사용하여도 좋다.
본 실시형태의 전자 기기는 센서(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광, 액체, 자기, 온도, 화학 물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경사도, 진동, 냄새, 또는 적외선을 검지, 검출, 또는 측정하는 기능을 포함하는 것)를 가져도 좋다.
본 실시형태의 전자 기기는 다양한 기능을 가질 수 있다. 예를 들어, 다양한 정보(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상 등)를 표시부에 표시하는 기능, 터치 패널 기능, 달력, 날짜 또는 시각 등을 표시하는 기능, 다양한 소프트웨어(프로그램)를 실행하는 기능, 무선 통신 기능, 기록 매체에 기록된 프로그램 또는 데이터를 판독하는 기능 등을 가질 수 있다.
도 32의 (A)에 나타낸 전자 기기(6500)는 스마트폰으로서 사용할 수 있는 휴대 정보 단말기이다.
전자 기기(6500)는 하우징(6501), 표시부(6502), 전원 버튼(6503), 버튼(6504), 스피커(6505), 마이크로폰(6506), 카메라(6507), 및 광원(6508) 등을 갖는다. 표시부(6502)는 터치 패널 기능을 갖는다.
표시부(6502)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다.
도 32의 (B)는 하우징(6501)의 마이크로폰(6506) 측의 단부를 포함한 단면 개략도이다.
하우징(6501)의 표시면 측에는 투광성을 갖는 보호 부재(6510)가 제공되고, 하우징(6501)과 보호 부재(6510)로 둘러싸인 공간 내에 표시 패널(6511), 광학 부재(6512), 터치 센서 패널(6513), 인쇄 기판(6517), 배터리(6518) 등이 배치된다.
보호 부재(6510)에는 표시 패널(6511), 광학 부재(6512), 및 터치 센서 패널(6513)이 접착층(미도시)에 의하여 고정되어 있다.
표시부(6502)보다 외측 영역에서 표시 패널(6511)의 일부가 접히고, 이 접힌 부분에 FPC(6515)가 접속된다. FPC(6515)에는 IC(6516)가 실장되어 있다. FPC(6515)는 인쇄 기판(6517)에 제공된 단자에 접속된다.
표시 패널(6511)에는 본 발명의 일 형태의 플렉시블 디스플레이(가요성을 갖는 표시 장치)를 적용할 수 있다. 그러므로 매우 가벼운 전자 기기를 실현할 수 있다. 또한 표시 패널(6511)이 매우 얇기 때문에 전자 기기의 두께를 늘리지 않고 대용량 배터리(6518)를 탑재할 수도 있다. 또한 표시 패널(6511)의 일부를 접어 화소부의 이면 측에 FPC(6515)와의 접속부를 배치함으로써 슬림 베젤의 전자 기기를 실현할 수 있다.
도 33의 (A)에 텔레비전 장치의 일례를 나타내었다. 텔레비전 장치(7100)는 하우징(7101)에 표시부(7000)가 포함된다. 여기서는 스탠드(7103)에 의하여 하우징(7101)을 지지하는 구성을 나타내었다.
표시부(7000)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다.
도 33의 (A)에 나타낸 텔레비전 장치(7100)는, 하우징(7101)이 갖는 조작 스위치, 및 별체의 리모트 컨트롤러(7111)에 의하여 조작할 수 있다. 또는 표시부(7000)에 터치 센서를 가져도 좋고, 손가락 등으로 표시부(7000)를 터치함으로써 텔레비전 장치(7100)를 조작하여도 좋다. 리모트 컨트롤러(7111)는 상기 리모트 컨트롤러(7111)로부터 출력되는 정보를 표시하는 표시부를 가져도 좋다. 리모트 컨트롤러(7111)의 조작 키 또는 터치 패널에 의하여 채널 및 음량을 조작할 수 있기 때문에, 표시부(7000)에 표시되는 영상을 조작할 수 있다.
또한 텔레비전 장치(7100)는 수신기 및 모뎀 등을 갖는 구성으로 한다. 수신기에 의하여 일반적인 텔레비전 방송을 수신할 수 있다. 또한 모뎀을 통하여 유선 또는 무선에 의하여 통신 네트워크에 접속함으로써, 한 방향(송신자로부터 수신자) 또는 쌍방향(송신자와 수신자 사이, 또는 수신자들 사이 등)의 정보 통신을 수행할 수도 있다.
도 33의 (B)에 노트북형 퍼스널 컴퓨터의 일례를 나타내었다. 노트북형 퍼스널 컴퓨터(7200)는 하우징(7211), 키보드(7212), 포인팅 디바이스(7213), 외부 접속 포트(7214) 등을 갖는다. 하우징(7211)에 표시부(7000)가 포함된다.
표시부(7000)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다.
도 33의 (C) 및 (D)에 디지털 사이니지의 일례를 나타내었다.
도 33의 (C)에 나타낸 디지털 사이니지(7300)는 하우징(7301), 표시부(7000), 및 스피커(7303) 등을 갖는다. 또한 LED 램프, 조작 키(전원 스위치 또는 조작 스위치를 포함함), 접속 단자, 각종 센서, 마이크로폰 등을 가질 수 있다.
도 33의 (D)는 원주상 기둥(7401)에 제공된 디지털 사이니지(7400)이다. 디지털 사이니지(7400)는 기둥(7401)의 곡면을 따라 제공된 표시부(7000)를 갖는다.
도 33의 (C) 및 (D)에서, 표시부(7000)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다.
표시부(7000)가 넓을수록 한번에 제공할 수 있는 정보량을 늘릴 수 있다. 또한 표시부(7000)가 넓을수록 사람의 눈에 띄기 쉽기 때문에, 예를 들어, 광고의 홍보 효과를 높일 수 있다.
표시부(7000)에 터치 패널을 적용함으로써, 표시부(7000)에 화상 또는 동영상을 표시할 뿐만 아니라, 사용자가 직관적으로 조작할 수 있어 바람직하다. 또한 노선 정보 또는 교통 정보 등의 정보를 제공하기 위한 용도로 사용하는 경우에는 직관적인 조작에 의하여 사용성을 높일 수 있다.
또한 도 33의 (C) 및 (D)에 나타낸 바와 같이, 디지털 사이니지(7300) 또는 디지털 사이니지(7400)는 사용자가 갖는 스마트폰 등의 정보 단말기(7311) 또는 정보 단말기(7411)와 무선 통신에 의하여 연계할 수 있는 것이 바람직하다. 예를 들어, 표시부(7000)에 표시되는 광고의 정보를 정보 단말기(7311) 또는 정보 단말기(7411)의 화면에 표시시킬 수 있다. 또한 정보 단말기(7311) 또는 정보 단말기(7411)를 조작함으로써 표시부(7000)의 표시를 전환할 수 있다.
또한 디지털 사이니지(7300) 또는 디지털 사이니지(7400)에 정보 단말기(7311) 또는 정보 단말기(7411)의 화면을 조작 수단(컨트롤러)으로 한 게임을 실행시킬 수도 있다. 이에 의하여, 불특정 다수의 사용자가 동시에 게임에 참가하여 즐길 수 있다.
도 34의 (A)는 파인더(8100)가 장착된 상태의 카메라(8000)의 외관을 나타낸 도면이다.
카메라(8000)는 하우징(8001), 표시부(8002), 조작 버튼(8003), 셔터 버튼(8004) 등을 갖는다. 또한 카메라(8000)에는 탈착 가능한 렌즈(8006)가 장착된다. 또한 카메라(8000)는 렌즈(8006)와 하우징(8001)이 일체화되어도 좋다.
카메라(8000)는 셔터 버튼(8004)을 누르거나, 터치 패널로서 기능하는 표시부(8002)를 터치함으로써 촬상할 수 있다.
하우징(8001)은 전극을 갖는 마운트를 갖고, 파인더(8100) 외에 스트로보 장치 등을 접속할 수 있다.
파인더(8100)는 하우징(8101), 표시부(8102), 버튼(8103) 등을 갖는다.
하우징(8101)은 카메라(8000)의 마운트와 결합하는 마운트에 의하여 카메라(8000)에 장착되어 있다. 파인더(8100)는 카메라(8000)로부터 수신한 영상 등을 표시부(8102)에 표시시킬 수 있다.
버튼(8103)은 전원 버튼 등으로서의 기능을 갖는다.
카메라(8000)의 표시부(8002), 및 파인더(8100)의 표시부(8102)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다. 또한 파인더가 내장된 카메라(8000)이어도 좋다.
도 34의 (B)는 헤드 마운트 디스플레이(8200)의 외관을 나타낸 도면이다.
헤드 마운트 디스플레이(8200)는 장착부(8201), 렌즈(8202), 본체(8203), 표시부(8204), 케이블(8205) 등을 갖는다. 또한 장착부(8201)에는 배터리(8206)가 내장된다.
케이블(8205)은 배터리(8206)로부터 본체(8203)에 전력을 공급한다. 본체(8203)는 무선 수신기 등을 갖고, 수신한 영상 정보를 표시부(8204)에 표시시킬 수 있다. 또한 본체(8203)는 카메라를 갖고, 사용자의 안구 또는 눈꺼풀의 움직임의 정보를 입력 수단으로서 사용할 수 있다.
또한 장착부(8201)는 사용자와 접촉하는 위치에 사용자의 안구의 움직임에 따라 흐르는 전류를 검지할 수 있는 복수의 전극이 제공되어, 시선을 인식하는 기능을 가져도 좋다. 또한 상기 전극을 흐르는 전류에 의하여 사용자의 맥박을 모니터링하는 기능을 가져도 좋다. 또한 장착부(8201)는 온도 센서, 압력 센서, 가속도 센서 등의 각종 센서를 가져도 좋고, 사용자의 생체 정보를 표시부(8204)에 표시하는 기능, 사용자의 머리의 움직임에 맞추어 표시부(8204)에 표시되는 영상을 변화시키는 기능 등을 가져도 좋다.
표시부(8204)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다.
도 34의 (C) 내지 (E)는 헤드 마운트 디스플레이(8300)의 외관을 나타낸 도면이다. 헤드 마운트 디스플레이(8300)는 하우징(8301), 표시부(8302), 밴드상의 고정구(8304), 및 한 쌍의 렌즈(8305)를 갖는다.
사용자는 렌즈(8305)를 통하여 표시부(8302)의 표시를 시인할 수 있다. 또한 표시부(8302)를 만곡시켜 배치하면, 사용자가 높은 현장감을 느낄 수 있어 바람직하다. 또한 표시부(8302)의 다른 영역에 표시된 다른 화상을 렌즈(8305)를 통하여 시인함으로써 시차를 이용한 3차원 표시 등을 할 수도 있다. 또한 하나의 표시부(8302)를 제공하는 구성에 한정되지 않고, 2개의 표시부(8302)를 제공하여 사용자의 한쪽 눈마다 하나의 표시부를 배치하여도 좋다.
표시부(8302)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다. 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 매우 높은 정세도를 실현할 수도 있다. 예를 들어 도 34의 (E)와 같이 렌즈(8305)를 사용하여 표시가 확대되어 시인되는 경우에도 사용자에게 화소가 시인되기 어렵다. 즉 표시부(8302)를 사용하여, 사용자에게 현실감이 높은 영상을 시인시킬 수 있다.
도 34의 (F)는 고글형 헤드 마운트 디스플레이(8400)의 외관을 나타낸 도면이다. 헤드 마운트 디스플레이(8400)는 한 쌍의 하우징(8401)과, 장착부(8402)와, 완충 부재(8403)를 갖는다. 한 쌍의 하우징(8401) 내에는 각각 표시부(8404) 및 렌즈(8405)가 제공된다. 한 쌍의 표시부(8404)에 서로 다른 화상을 표시시킴으로써 시차를 이용한 3차원 표시를 수행할 수 있다.
사용자는 렌즈(8405)를 통하여 표시부(8404)를 시인할 수 있다. 렌즈(8405)는 초점 조정 기구를 갖고 사용자의 시력에 따라 위치를 조정할 수 있다. 표시부(8404)는 정방형 또는 가로로 긴 장방형인 것이 바람직하다. 이에 의하여 현장감을 높일 수 있다.
장착부(8402)는 사용자의 얼굴 크기에 따라 조정되며, 흘러내리지 않도록 가소성 및 탄성을 갖는 것이 바람직하다. 또한 장착부(8402)의 일부는 골전도 이어폰으로서 기능하는 진동 기구를 갖는 것이 바람직하다. 이에 의하여 이어폰, 스피커 등의 음향 기기를 별도로 제공할 필요가 없고, 장착하기만 하면 영상과 음성을 즐길 수 있다. 또한 하우징(8401) 내에 무선 통신에 의하여 음성 데이터를 출력하는 기능을 가져도 좋다.
장착부(8402)와 완충 부재(8403)는 사용자의 얼굴(이마, 뺨 등)에 접촉하는 부분이다. 완충 부재(8403)가 사용자의 얼굴과 밀착되면 광 누설을 방지할 수 있기 때문에 몰입감을 더 높일 수 있다. 사용자가 헤드 마운트 디스플레이(8400)를 장착할 때에 사용자의 얼굴에 밀착되도록 완충 부재(8403)로서는 부드러운 소재를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어 고무, 실리콘 고무, 우레탄, 스펀지 등의 소재를 사용할 수 있다. 또한 스펀지 등의 표면을 천, 피혁(천연 피혁 또는 합성 피혁) 등으로 덮은 것을 사용하면, 사용자의 얼굴과 완충 부재(8403) 사이에 틈이 생기기 어렵기 때문에, 광 누설을 적합하게 방지할 수 있다. 또한 이와 같은 소재를 사용하면 촉감이 좋을뿐더러, 추운 계절 등에 장착한 경우에 사용자가 차갑다고 느끼지 않기 때문에 바람직하다. 완충 부재(8403) 또는 장착부(8402) 등, 사용자의 피부에 접촉되는 부재를 탈착 가능한 구성으로 하면, 클리닝 또는 교환이 용이해지기 때문에 바람직하다.
도 35의 (A) 내지 (F)에 나타낸 전자 기기는 하우징(9000), 표시부(9001), 스피커(9003), 조작 키(9005)(전원 스위치 또는 조작 스위치를 포함함), 접속 단자(9006), 센서(9007)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광, 액체, 자기, 온도, 화학 물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경사도, 진동, 냄새, 또는 적외선을 검지, 검출, 또는 측정하는 기능을 포함하는 것), 마이크로폰(9008) 등을 갖는다.
도 35의 (A) 내지 (F)에 나타낸 전자 기기는 다양한 기능을 갖는다. 예를 들어, 다양한 정보(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상 등)를 표시부에 표시하는 기능, 터치 패널 기능, 달력, 날짜, 또는 시각 등을 표시하는 기능, 다양한 소프트웨어(프로그램)에 의하여 처리를 제어하는 기능, 무선 통신 기능, 기록 매체에 저장된 프로그램 또는 데이터를 판독하여 처리하는 기능 등을 가질 수 있다. 또한 전자 기기의 기능은 이들에 한정되지 않고, 다양한 기능을 가질 수 있다. 전자 기기는 복수의 표시부를 가져도 좋다. 또한 전자 기기는 카메라 등이 제공되고, 정지 화상 또는 동영상을 촬영하고 기록 매체(외부 기록 매체 또는 카메라에 내장된 기록 매체)에 저장하는 기능, 촬영한 화상을 표시부에 표시하는 기능 등을 가져도 좋다.
표시부(9001)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다.
도 35의 (A) 내지 (F)에 나타낸 전자 기기의 상세한 사항에 대하여 아래에서 설명한다.
도 35의 (A)는 휴대 정보 단말기(9101)를 나타낸 사시도이다. 휴대 정보 단말기(9101)는 예를 들어 스마트폰으로서 사용할 수 있다. 또한 휴대 정보 단말기(9101)에는 스피커(9003), 접속 단자(9006), 센서(9007) 등을 제공하여도 좋다. 또한 휴대 정보 단말기(9101)는 문자 및 화상 정보를 그 복수의 면에 표시할 수 있다. 도 35의 (A)에는 3개의 아이콘(9050)을 표시한 예를 나타내었다. 또한 파선의 직사각형으로 나타낸 정보(9051)를 표시부(9001)의 다른 면에 표시할 수도 있다. 정보(9051)의 예로서는 전자 메일, SNS, 전화 등의 착신의 알림, 전자 메일, SNS 등의 제목, 송신자명, 일시, 시각, 배터리의 잔량, 안테나의 수신 강도 등이 있다. 또는 정보(9051)가 표시되는 위치에는 아이콘(9050) 등을 표시하여도 좋다.
도 35의 (B)는 휴대 정보 단말기(9102)를 나타낸 사시도이다. 휴대 정보 단말기(9102)는 표시부(9001)의 3면 이상에 정보를 표시하는 기능을 갖는다. 여기서는 정보(9052), 정보(9053), 정보(9054)가 상이한 면에 표시되어 있는 예를 나타내었다. 예를 들어, 사용자는 옷의 가슴 포켓에 휴대 정보 단말기(9102)를 수납한 상태에서, 휴대 정보 단말기(9102) 위쪽에서 볼 수 있는 위치에 표시된 정보(9053)를 확인할 수 있다. 사용자는 휴대 정보 단말기(9102)를 포켓으로부터 꺼내지 않고 표시를 확인하고, 예를 들어 전화를 받을지 여부를 판단할 수 있다.
도 35의 (C)는 손목시계형 휴대 정보 단말기(9200)를 나타낸 사시도이다. 휴대 정보 단말기(9200)는 예를 들어 스마트워치(등록 상표)로서 사용할 수 있다. 또한 표시부(9001)는 그 표시면이 만곡되어 제공되고, 만곡된 표시면을 따라 표시를 할 수 있다. 또한 휴대 정보 단말기(9200)를 예를 들어 무선 통신이 가능한 헤드셋과 상호 통신시킴으로써 핸즈프리로 통화를 할 수도 있다. 또한 휴대 정보 단말기(9200)는 접속 단자(9006)에 의하여 다른 정보 단말기와 상호적으로 데이터를 전송하거나, 충전할 수 있다. 또한 충전 동작은 무선 급전에 의하여 수행하여도 좋다.
도 35의 (D) 내지 (F)는 접을 수 있는 휴대 정보 단말기(9201)를 나타낸 사시도이다. 또한 도 35의 (D)는 휴대 정보 단말기(9201)가 펼쳐진 상태의 사시도이고, 도 35의 (F)는 접힌 상태의 사시도이고, 도 35의 (E)는 도 35의 (D) 및 (F) 중 하나로부터 다른 하나로 변화되는 도중의 상태의 사시도이다. 휴대 정보 단말기(9201)는 접힌 상태에서는 휴대성이 우수하고, 펼쳐진 상태에서는 이음매가 없는 넓은 표시 영역에 의하여 표시의 일람성이 우수하다. 휴대 정보 단말기(9201)가 갖는 표시부(9001)는 힌지(9055)에 의하여 연결된 3개의 하우징(9000)으로 지지된다. 예를 들어, 표시부(9001)는 곡률 반경 0.1mm 이상 150mm 이하로 구부릴 수 있다.
본 실시형태에서 예시한 구성예 및 이들에 대응하는 도면 등은 적어도 그 일부를 다른 구성예 또는 도면 등과 적절히 조합할 수 있다.
본 실시형태는 적어도 그 일부를 본 명세서에 기재된 다른 실시형태와 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
100C: 표시 장치, 100D: 표시 장치, 100E: 표시 장치, 100F: 표시 장치, 100G: 표시 장치, 100: 표시 장치, 101: 기판, 102: 기판, 103B: 부화소, 103G: 부화소, 103R: 부화소, 103S: 부화소, 103: 화소, 105: 절연층, 110B: 발광 소자, 110G: 발광 소자, 110R: 발광 소자, 110S: 수광 소자, 110: 발광 소자, 111B: 화소 전극, 111C: 접속 전극, 111G: 화소 전극, 111R: 화소 전극, 111S: 화소 전극, 111: 화소 전극, 112B: 유기층, 112f: 유기막, 112G: 유기층, 112R: 유기층, 112: 유기층, 113: 공통 전극, 114: 유기층, 120: 슬릿, 121: 보호층, 122: 수지층, 125f: 절연막, 125: 절연층, 126: 수지층, 129B: 착색층, 129G: 착색층, 129R: 착색층, 129: 착색층, 130: 접속부, 131: 절연층, 132: 절연층, 143: 레지스트 마스크, 144: 희생막, 145: 희생층, 146: 희생막, 147: 희생층, 155f: 유기막, 155: 유기층, 161: 도전층, 162: 도전층, 163: 수지층, 173: 레지스트 마스크, 174: 희생막, 175: 희생층, 176: 희생막, 177: 희생층, 200: 표시 패널, 201: 기판, 202: 기판, 203: 기능층, 211B: 발광 소자, 211G: 발광 소자, 211R: 발광 소자, 211W: 발광 소자, 211: 발광 소자, 212: 수광 소자, 220: 손가락, 221: 접촉부, 222: 지문, 223: 촬상 범위, 225: 스타일러스, 226: 궤적, 252: 트랜지스터, 254: 접속부, 258: 트랜지스터, 259: 트랜지스터, 260: 트랜지스터, 261: 절연층, 262: 절연층, 265: 절연층, 268: 절연층, 271: 도전층, 272a: 도전층, 272b: 도전층, 273: 도전층, 275: 절연층, 278: 접속부, 281i: 채널 형성 영역, 281n: 저저항 영역, 281: 반도체층, 292: 접속층, 294: 절연층, 400: 표시 장치, 411a: 도전층, 411b: 도전층, 411c: 도전층, 412G: EL층, 412S: PD층, 413: 공통 전극, 414: 유기층, 416: 보호층, 417: 차광층, 418: 착색층, 421: 절연층, 422: 수지층, 430b: 발광 소자, 440: 수광 소자, 442: 접착층, 453: 기판, 454: 기판, 455: 접착층, 462: 표시부, 464: 회로, 465: 배선, 466: 도전층, 472: FPC, 473: IC, 500: 표시 장치, 501: 전극, 502: 전극, 512Q_1: 발광 유닛, 512Q_2: 발광 유닛, 512Q_3: 발광 유닛, 512W: 발광 유닛, 521: 층, 522: 층, 523Q_1: 발광층, 523Q_2: 발광층, 523Q_3: 발광층, 524: 층, 525: 층, 526: 활성층, 531: 중간층, 540: 보호층, 545B: 착색층, 545G: 착색층, 545R: 착색층, 550S: 수광 소자, 550W: 발광 소자, 555: 수광 유닛, 701: 기판, 702L: 표시부, 702R: 표시부, 702: 표시부, 1240: 용량 소자, 1241: 도전층, 1243: 절연층, 1245: 도전층, 1251: 도전층, 1252: 도전층, 1254: 절연층, 1255a: 절연층, 1255b: 절연층, 1256: 플러그, 1261: 절연층, 1262: 절연층, 1263: 절연층, 1264: 절연층, 1265: 절연층, 1271: 플러그, 1274a: 도전층, 1274b: 도전층, 1274: 플러그, 1280: 표시 모듈, 1281: 표시부, 1282: 회로부, 1283a: 화소 회로, 1283: 화소 회로부, 1284a: 화소, 1284: 화소부, 1285: 단자부, 1286: 배선부, 1290: FPC, 1291: 기판, 1292: 기판, 1301A: 기판, 1301B: 기판, 1301: 기판, 1310A: 트랜지스터, 1310B: 트랜지스터, 1310: 트랜지스터, 1311: 도전층, 1312: 저저항 영역, 1313: 절연층, 1314: 절연층, 1315: 소자 분리층, 1320: 트랜지스터, 1321: 반도체층, 1323: 절연층, 1324: 도전층, 1325: 도전층, 1326: 절연층, 1327: 도전층, 1328: 절연층, 1329: 절연층, 1331: 기판, 1332: 절연층, 1335: 절연층, 1336: 절연층, 1341: 도전층, 1342: 도전층, 1343: 플러그, 1344: 절연층, 1345: 절연층, 1346: 절연층, 1347: 범프, 1348: 접착층, 6500: 전자 기기, 6501: 하우징, 6502: 표시부, 6503: 전원 버튼, 6504: 버튼, 6505: 스피커, 6506: 마이크로폰, 6507: 카메라, 6508: 광원, 6510: 보호 부재, 6511: 표시 패널, 6512: 광학 부재, 6513: 터치 센서 패널, 6515: FPC, 6516: IC, 6517: 인쇄 기판, 6518: 배터리, 7000: 표시부, 7100: 텔레비전 장치, 7101: 하우징, 7103: 스탠드, 7111: 리모트 컨트롤러, 7200: 노트북형 퍼스널 컴퓨터, 7211: 하우징, 7212: 키보드, 7213: 포인팅 디바이스, 7214: 외부 접속 포트, 7300: 디지털 사이니지, 7301: 하우징, 7303: 스피커, 7311: 정보 단말기, 7400: 디지털 사이니지, 7401: 기둥, 7411: 정보 단말기, 8000: 카메라, 8001: 하우징, 8002: 표시부, 8003: 조작 버튼, 8004: 셔터 버튼, 8006: 렌즈, 8100: 파인더, 8101: 하우징, 8102: 표시부, 8103: 버튼, 8200: 헤드 마운트 디스플레이, 8201: 장착부, 8202: 렌즈, 8203: 본체, 8204: 표시부, 8205: 케이블, 8206: 배터리, 8300: 헤드 마운트 디스플레이, 8301: 하우징, 8302: 표시부, 8304: 고정구, 8305: 렌즈, 8400: 헤드 마운트 디스플레이, 8401: 하우징, 8402: 장착부, 8403: 완충 부재, 8404: 표시부, 8405: 렌즈, 9000: 하우징, 9001: 표시부, 9003: 스피커, 9005: 조작 키, 9006: 접속 단자, 9007: 센서, 9008: 마이크로폰, 9050: 아이콘, 9051: 정보, 9052: 정보, 9053: 정보, 9054: 정보, 9055: 힌지, 9101: 휴대 정보 단말기, 9102: 휴대 정보 단말기, 9200: 휴대 정보 단말기, 9201: 휴대 정보 단말기
Claims (14)
- 표시 장치로서,
제 1 발광 소자와, 수광 소자와, 제 1 착색층을 갖고,
상기 제 1 발광 소자는 제 1 화소 전극과, 상기 제 1 화소 전극 위의 제 1 유기층과, 상기 제 1 유기층 위의 공통 전극을 갖고,
상기 수광 소자는 제 2 화소 전극과, 상기 제 2 화소 전극 위의 제 2 유기층과, 상기 제 2 유기층 위의 상기 공통 전극을 갖고,
상기 제 1 유기층은 제 1 발광층을 포함하고,
상기 제 2 유기층은 광전 변환층을 포함하고,
상기 제 1 착색층은 상기 제 1 발광 소자에 중첩되어 배치되고,
상기 광전 변환층은 상기 제 1 착색층이 투과시키는 광의 파장 영역에 감도를 갖는, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 유기층과 상기 제 2 유기층 사이의 거리가 8μm 이하인 영역을 갖는, 표시 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
수지층을 갖고,
상기 수지층은 상기 제 1 발광 소자와 상기 수광 소자 사이의 영역에 위치하고,
상기 제 1 유기층의 측면과 상기 제 2 유기층의 측면은 상기 수지층을 끼워 대향하는, 표시 장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
절연층을 갖고,
상기 절연층은 상기 제 1 발광 소자와 상기 수광 소자 사이에 위치하고,
상기 절연층은 상기 제 1 유기층의 측면 및 상기 제 2 유기층의 측면에 접하는, 표시 장치. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
제 2 발광 소자와 제 2 착색층을 갖고,
상기 제 2 발광 소자는 제 3 화소 전극과, 상기 제 3 화소 전극 위의 제 3 유기층과, 상기 제 3 유기층 위의 상기 공통 전극을 갖고,
상기 제 3 유기층은 제 2 발광층을 포함하고,
상기 제 2 착색층은 상기 제 2 발광 소자에 중첩되어 배치되고,
상기 제 2 착색층이 투과시키는 광의 파장 영역은 상기 제 1 착색층이 투과시키는 광의 파장 영역과는 다른, 표시 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 발광층은 상기 제 2 발광층과 동일한 재료를 갖는, 표시 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 유기층은 상기 제 1 화소 전극 위의 제 1 발광 유닛과, 상기 제 1 발광 유닛 위의 제 1 전하 발생층과, 상기 제 1 전하 발생층 위의 제 2 발광 유닛을 갖고,
상기 제 3 유기층은 상기 제 3 화소 전극 위의 제 3 발광 유닛과, 상기 제 3 발광 유닛 위의 제 2 전하 발생층과, 상기 제 2 전하 발생층 위의 제 4 발광 유닛을 갖는, 표시 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 제 1 발광 유닛은 상기 제 3 발광 유닛과 동일한 재료를 갖고,
상기 제 1 전하 발생층은 상기 제 2 전하 발생층과 동일한 재료를 갖고,
상기 제 2 발광 유닛은 상기 제 4 발광 유닛과 동일한 재료를 갖는, 표시 장치. - 표시 장치의 제작 방법으로서,
제 1 화소 전극 및 제 2 화소 전극을 형성하고,
상기 제 1 화소 전극 및 상기 제 2 화소 전극을 덮어 제 1 유기막을 성막하고,
상기 제 1 유기막 위에 제 1 희생막을 성막하고,
상기 제 1 희생막 위에 상기 제 1 화소 전극에 중첩시켜 제 1 레지스트 마스크를 형성하고,
상기 제 1 레지스트 마스크를 사용하여 상기 제 1 희생막을 섬 형상의 제 1 희생층으로 가공하고,
상기 제 1 희생층을 마스크로서 사용하여 상기 제 1 유기막을 섬 형상의 제 1 유기층으로 가공하고,
상기 제 1 유기층 및 상기 제 2 화소 전극을 덮어 제 2 유기막을 성막하고,
상기 제 2 유기막 위에 제 2 희생막을 성막하고,
상기 제 2 희생막 위에 상기 제 2 화소 전극에 중첩시켜 제 2 레지스트 마스크를 형성하고,
상기 제 2 레지스트 마스크를 사용하여 상기 제 2 희생막을 섬 형상의 제 2 희생층으로 가공하고,
상기 제 2 희생층을 마스크로서 사용하여 상기 제 2 유기막을 섬 형상의 제 2 유기층으로 가공하고,
상기 제 1 유기층 위에 중첩시켜 착색층이 배치되고,
상기 제 1 유기층은 발광성 유기 화합물을 포함하고,
상기 제 2 유기층은 광전 변환 재료를 포함하는, 표시 장치의 제작 방법. - 표시 장치의 제작 방법으로서,
제 1 화소 전극 및 제 2 화소 전극을 형성하고,
상기 제 1 화소 전극 및 상기 제 2 화소 전극을 덮어 제 1 유기막을 성막하고,
상기 제 1 유기막 위에 제 1 희생막을 성막하고,
상기 제 1 희생막 위에 상기 제 1 화소 전극에 중첩시켜 제 1 레지스트 마스크를 형성하고,
상기 제 1 레지스트 마스크를 사용하여 상기 제 1 희생막을 섬 형상의 제 1 희생층으로 가공하고,
상기 제 1 희생층을 마스크로서 사용하여 상기 제 1 유기막을 섬 형상의 제 1 유기층으로 가공하고,
상기 제 1 유기층 및 상기 제 2 화소 전극을 덮어 제 2 유기막을 성막하고,
상기 제 2 유기막 위에 제 2 희생막을 성막하고,
상기 제 2 희생막 위에 상기 제 2 화소 전극에 중첩시켜 제 2 레지스트 마스크를 형성하고,
상기 제 2 레지스트 마스크를 사용하여 상기 제 2 희생막을 섬 형상의 제 2 희생층으로 가공하고,
상기 제 2 희생층을 마스크로서 사용하여 상기 제 2 유기막을 섬 형상의 제 2 유기층으로 가공하고,
상기 제 2 유기층 위에 중첩시켜 착색층이 배치되고,
상기 제 1 유기층은 광전 변환 재료를 포함하고,
상기 제 2 유기층은 발광성 유기 화합물을 포함하는, 표시 장치의 제작 방법. - 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 제 2 유기층을 형성한 후, 상기 제 1 유기층 및 상기 제 2 유기층을 덮어 절연막을 성막하는, 표시 장치의 제작 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 절연막을 원자층 퇴적법을 사용하여 성막하는, 표시 장치의 제작 방법. - 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
상기 제 1 유기층과 상기 제 2 유기층 사이의 영역에서 상기 절연막 위에 수지층을 형성하는, 표시 장치의 제작 방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 수지층으로서 감광성 유기 수지를 사용하는, 표시 장치의 제작 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021089308 | 2021-05-27 | ||
| JPJP-P-2021-089308 | 2021-05-27 | ||
| PCT/IB2022/054552 WO2022248971A1 (ja) | 2021-05-27 | 2022-05-17 | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20240011807A true KR20240011807A (ko) | 2024-01-26 |
Family
ID=84228465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020237044618A KR20240011807A (ko) | 2021-05-27 | 2022-05-17 | 표시 장치 및 표시 장치의 제작 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPWO2022248971A1 (ko) |
| KR (1) | KR20240011807A (ko) |
| CN (1) | CN117296089A (ko) |
| WO (1) | WO2022248971A1 (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014197522A (ja) | 2012-05-09 | 2014-10-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電子機器 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2009133680A1 (ja) * | 2008-04-28 | 2011-08-25 | パナソニック株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
| KR101074799B1 (ko) * | 2009-08-18 | 2011-10-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 터치 스크린 디스플레이 장치, 및 이의 제조 방법 |
| JP2012022784A (ja) * | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
| JP2014044810A (ja) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Canon Inc | 有機ｅｌ装置の製造方法 |
| JP6099420B2 (ja) * | 2013-02-08 | 2017-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| TWI671141B (zh) * | 2013-08-30 | 2019-09-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 支撐體供應裝置及供應支撐體的方法 |
| WO2020053692A1 (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
| JP7170509B2 (ja) * | 2018-11-12 | 2022-11-14 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置並びに移動体 |
| US11145844B2 (en) * | 2019-02-27 | 2021-10-12 | Int Tech Co., Ltd. | Method for manufacturing electroluminescent device |
-
2022
- 2022-05-17 WO PCT/IB2022/054552 patent/WO2022248971A1/ja active Application Filing
- 2022-05-17 KR KR1020237044618A patent/KR20240011807A/ko unknown
- 2022-05-17 JP JP2023523690A patent/JPWO2022248971A1/ja active Pending
- 2022-05-17 CN CN202280033208.6A patent/CN117296089A/zh active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014197522A (ja) | 2012-05-09 | 2014-10-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117296089A (zh) | 2023-12-26 |
| JPWO2022248971A1 (ko) | 2022-12-01 |
| WO2022248971A1 (ja) | 2022-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2022248984A1 (ja) | 表示装置 | |
| WO2022248971A1 (ja) | 表示装置、及び表示装置の作製方法 | |
| WO2022238808A1 (ja) | 表示装置、及び表示装置の作製方法 | |
| WO2022224070A1 (ja) | 表示装置、及び表示装置の作製方法 | |
| US20240155880A1 (en) | Display apparatus, display module, electronic device, and method of manufacturing display apparatus | |
| US20240138204A1 (en) | Display apparatus, display module, electronic device, and method of manufacturing display apparatus | |
| US20240164169A1 (en) | Display apparatus, display module, electronic device, and method for manufacturing display apparatus | |
| US20230320135A1 (en) | Semiconductor Device And Manufacturing Method Of The Semiconductor Device | |
| US20240138223A1 (en) | Display apparatus, display module, electronic device, and method of manufacturing display apparatus | |
| US20240099070A1 (en) | Display apparatus, display module, electronic device, and method of manufacturing display apparatus | |
| WO2022248973A1 (ja) | 表示装置 | |
| US20240164168A1 (en) | Display apparatus, display module, electronic device, and method for manufacturing display apparatus | |
| US20240172488A1 (en) | Display apparatus, display module, electronic device, and method for manufacturing display apparatus | |
| US20220384536A1 (en) | Display apparatus, method for manufacturing display apparatus, display module, and electronic device | |
| US20240074224A1 (en) | Display apparatus, display module, electronic device, and method of manufacturing display apparatus | |
| US20240130163A1 (en) | Display apparatus, manufacturing method of the display apparatus, display module, and electronic device | |
| KR20230156336A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제작 방법 | |
| KR20240072182A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20230148185A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20240044448A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20240007175A (ko) | 반도체 장치, 표시 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 | |
| KR20240022622A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20240000526A (ko) | 표시 장치, 표시 모듈, 전자 기기, 및 표시 장치의 제작 방법 | |
| KR20240035493A (ko) | 표시 장치, 표시 장치의 제작 방법, 표시 모듈, 및 전자 기기 | |
| KR20230154462A (ko) | 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기 |