CN111223912B - 显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板，包括第一显示区和第二显示区，第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率，显示面板包括层叠设置的多个膜层，多个膜层中的部分膜层被配置为透光层，至少部分层透光层覆盖第一显示区，显示面板包括：至少一层光调制层，每层光调制层夹设于覆盖第一显示区的任意相邻透光层之间，光调制层被配置为至少一部分能够提高预设波长光线在夹设光调制层的相邻透光层之间的透过率。根据本发明实施例的显示面板，能提高第一显示区的整体透光率，提高透过光线的色彩保真性。

Description

显示面板

技术领域

本发明涉及显示领域，具体涉及一种显示面板。

背景技术

随着电子设备的快速发展，用户对屏占比的要求越来越高，使得电子设备的全面屏显示受到业界越来越多的关注。

传统的电子设备如手机、平板电脑等，由于需要集成诸如前置摄像头、听筒以及红外感应元件等。现有技术中，可通过在显示屏上开槽(Notch)或开孔，外界光线可通过屏幕上的开槽或开孔进入位于屏幕下方的感光元件。但是这些电子设备均不是真正意义上的全面屏，并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示，例如其前置摄像头对应区域不能显示画面。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板，实现显示面板的至少部分区域可透光且可显示，便于感光组件的屏下集成。

本发明实施例提供一种显示面板，包括第一显示区和第二显示区，第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率，显示面板包括层叠设置的多个膜层，多个膜层中的部分膜层被配置为透光层，至少部分层透光层覆盖第一显示区，显示面板包括：至少一层光调制层，每层光调制层夹设于覆盖第一显示区的任意相邻透光层之间，光调制层被配置为至少一部分能够提高预设波长光线在夹设光调制层的相邻透光层之间的透过率。

根据本发明实施例的前述实施方式，显示面板还包括：衬底，被配置为透光层；器件层组，位于衬底上，器件层组包括多个器件子层，多个器件子层中的至少部分层被配置为透光层；发光元件层组，位于器件层组背离衬底的一侧；以及封装层，位于发光元件层组背离衬底的一侧，封装层被配置为透光层，其中，器件层组中至少部分层透光层、衬底、发光元件层组以及封装层覆盖第一显示区。

根据本发明实施例的前述任一实施方式，器件层组包括：缓冲层，位于衬底上；栅绝缘层，位于缓冲层背离衬底的一侧；电容介质层，位于栅绝缘层背离衬底的一侧；层间介质层，位于电容介质层背离衬底的一侧；平坦化层，位于层间介质层背离衬底的一侧，其中，缓冲层、栅绝缘层、电容介质层、层间介质层以及平坦化层被配置为透光层，缓冲层、栅绝缘层、电容介质层、或层间介质层中的至少一者覆盖第一显示区。

根据本发明实施例的前述任一实施方式，显示面板还包括：第一发光元件和第二发光元件，位于发光元件层组，第一发光元件设置于第一显示区，第二发光元件设置于第二显示区；第一像素电路和第二像素电路，位于器件层组，第一像素电路与第一发光元件电连接，用于驱动第一发光元件显示，第二像素电路与第二发光元件电连接，用于驱动第二发光元件显示，其中，第一像素电路、第二像素电路均设置于第二显示区。

根据本发明实施例的前述任一实施方式，器件层组还包括：图案化的半导体结构，位于缓冲层与栅绝缘层之间；图案化的金属结构，位于栅绝缘层与电容介质层之间、和/或位于电容介质层与层间介质层之间、和/或位于层间介质层与平坦化层之间，其中，半导体结构、金属结构设置于第二显示区并避位第一显示区设置；

根据本发明实施例的前述任一实施方式，器件层组还包括：透光导线，将第一像素电路与第一发光元件电连接，其中，透光导线的至少部分位于第一显示区。

根据本发明实施例的前述任一实施方式，缓冲层覆盖第一显示区，缓冲层包括叠设的第一子缓冲层和第二子缓冲层，第二子缓冲层位于第一子缓冲层的背离衬底的一侧，至少一层光调制层包括以下中的至少任一：第一光调制层，夹设于衬底与第一子缓冲层之间；第二光调制层，夹设于第一子缓冲层与第二子缓冲层之间。

根据本发明实施例的前述任一实施方式，第一子缓冲层为氮化硅层，第二子缓冲层为氧化硅层，第一光调制层为包括氧化硅、氮化硅、硅中至少两种的混合膜层；第二光调制层为包括氧化硅、氮化硅、硅中至少两种的混合膜层。

根据本发明实施例的前述任一实施方式，层间介质层以及平坦化层覆盖第一显示区，并在第一显示区层叠设置，层间介质层包括叠设的第一子层间介质层和第二子层间介质层，第二层间介质层位于第一层间介质层的背离衬底的一侧，至少一层光调制层包括以下中的至少任一：第三光调制层，夹设于第一子层间介质层与第二子层间介质层之间；第四光调制层，夹设于第二子层间介质层与平坦化层之间。

根据本发明实施例的前述任一实施方式，第一子层间介质层为氧化硅层，第二子层间介质层为氮化硅层，第三光调制层为包括氧化硅、氮化硅、硅中至少两种的混合膜层；第四光调制层为包括氧化硅、氮化硅、硅中至少两种的混合膜层。

根据本发明实施例的前述任一实施方式，发光元件层组与封装层之间间隔设置，至少一层光调制层包括填充于封装层与发光元件层组之间的第五光调制层。

根据本发明实施例的前述任一实施方式，显示面板还包括：真空层，位于发光元件层组与封装层之间，至少一层光调制层包括以下中的至少任一：第六光调制层，位于发光元件层组与真空层之间；第七光调制层，位于封装层与真空层之间。

根据本发明实施例的前述任一实施方式，第六光调制层为氟化锂层；第七光调制层为氟化镁层。

根据本发明实施例的前述任一实施方式，至少一层光调制层包括第八光调制层，第八光调制层包括位于第一显示区的第一部分以及位于第二显示区的第二部分，第八光调制层的第二部分位于半导体结构的背离衬底的一侧，其中，在第一显示区，第一部分被配置为能够提高预设波长光线在夹设第一部分的相邻透光层之间的透过率，在第二显示区，第二部分被配置为能够降低光线在夹设第二部分的相邻膜层之间的透过率。

根据本发明实施例的前述任一实施方式，光调制层的折射率介于夹设光调制层的相邻透光层的折射率之间。

根据本发明实施例的前述任一实施方式，光调制层的折射率满足以下式子：

其中，n_A为夹设光调制层的相邻透光层中的一者的折射率；n_B为夹设光调制层的相邻透光层中的另一者的折射率；n_C为光调制层的折射率；α为有效率，有效率大于等于60％。

根据本发明实施例的前述任一实施方式，光调制层的折射率满足以下式子：

其中，n_A为夹设光调制层的相邻透光层中的一者的折射率；n_B为夹设光调制层的相邻透光层中的另一者的折射率；n_C为光调制层的折射率。

根据本发明实施例的前述任一实施方式，每层光调制层包括位于第一显示区的第一部分，第一部分的厚度满足以下式子：

T_C×n_C＝(2M+1)×λ/4

其中，T_C为光调制层的第一部分的厚度；n_C为光调制层的折射率；λ为预设波长光线的波长；M为任意自然数。

根据本发明实施例的前述任一实施方式，至少一层光调制层包括位于第二显示区的第二部分，光调制层的第二部分的厚度与第一部分的厚度不同。

根据本发明实施例的显示面板，第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率，使得显示面板在第一显示区的背面可以集成感光组件，实现例如摄像头的感光组件的屏下集成，同时第一显示区能够显示画面，提高显示面板的显示面积，实现显示装置的全面屏设计。

根据本发明实施例的显示面板，显示面板的多个膜层中，至少部分层透光层覆盖第一显示区，第一显示区的膜层堆叠结构，通常对一些波长光线的透光率较高，对一些波长光线的透光率较低，本发明实施例的显示面板包括至少一层光调制层，光调制层被配置为至少一部分能够提高预设波长光线在夹设光调制层的相邻透光层之间的透过率，从而能将原本透光率较低的一些波长光线的透过率提升至与透光率较高的波长光线的透光率接近甚至相等，提高光谱透过的均一性，提高透过光线的色彩保真性。

附图说明

通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。

图1是根据本发明第一实施例提供的显示面板的俯视示意图；

图2是根据本发明第一实施例提供的显示面板的截面示意图；

图3是图1中D区域的局部放大示意图；

图4是根据本发明第二实施例提供的显示面板的截面示意图；

图5是根据本发明第三实施例提供的显示面板的截面示意图；

图6是根据本发明第四实施例提供的显示面板的截面示意图；

图7是根据本发明第五实施例提供的显示面板的截面示意图。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明，并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。

本发明实施例提供一种显示面板，该显示面板可以是有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diode，OLED)显示面板。

图1、图2分别是根据本发明第一实施例提供的显示面板的俯视示意图、截面示意图，其中图2绘示了显示面板部分区域的截面，图1中C-C线示出截面示意图的截取位置。显示面板100包括第一显示区AA1和第二显示区AA2，第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率。本实施例中，第二显示区AA2围绕第一显示区AA1的部分外周设置，在其它一些实施例中，第二显示区AA2可以围绕第一显示区AA1的全部外周设置。本实施例中，第一显示区AA1呈多边形，在其它一些实施例中，第一显示区AA1可以呈圆形、扇形等其它形状。

显示面板100包括层叠设置的多个膜层，多个膜层中的部分膜层被配置为透光层，可以理解的是，多个膜层中的剩余一部分膜层可以被配置为非透光层。至少部分层透光层覆盖第一显示区AA1。

本文中，第一显示区AA1的透光率大于等于15％。为确保第一显示区AA1的透光率大于15％，甚至大于40％，甚至具有更高的透光率，本实施例中显示面板100的覆盖第一显示区AA1的各透光层的透光率大于80％，甚至至少部分透光层的透光率均大于90％。

根据本发明实施例的显示面板100，第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率，使得显示面板100在第一显示区AA1的背面可以集成感光组件，实现例如摄像头的感光组件的屏下集成，同时第一显示区AA1能够显示画面，提高显示面板100的显示面积，实现显示装置的全面屏设计。

根据本发明实施例的显示面板100，显示面板100的多个膜层中，至少部分层透光层覆盖第一显示区AA1，第一显示区AA1的膜层堆叠结构，通常对一些波长光线的透光率较高，对一些波长光线的透光率较低。本发明实施例的显示面板包括至少一层光调制层110，每层光调制层110夹设于覆盖第一显示区AA1的任意相邻透光层之间，光调制层110被配置为至少一部分能够提高预设波长光线在夹设光调制层110的相邻透光层之间的透过率。通过设置光调制层110，能将原本透光率较低的一些波长光线的透过率提升至与透光率较高的波长光线的透光率接近甚至相等，提高光谱透过的均一性，提高透过光线的色彩保真性。

请参考图2，显示面板100还可以包括衬底120、器件层组130、发光元件层组140以及封装层150。

衬底120被配置为透光层。本实施例中，显示面板100为柔性显示面板，衬底120例如是聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate，PET)等材料制成的柔性透明衬底。在其它一些实施例中，当显示面板100为硬性显示面板时，衬底120也可以是玻璃等材料制成的硬性透明衬底。

器件层组130位于衬底120上，器件层组130包括多个器件子层，多个器件子层中的至少部分层被配置为透光层。发光元件层组140位于器件层组130背离衬底120的一侧。封装层150位于发光元件层组140背离衬底120的一侧，封装层150被配置为透光层。其中，器件层组130中至少部分层透光层、衬底120、发光元件层组140以及封装层150覆盖第一显示区AA1，使得显示面板100在第一显示区AA1内的至少部分区域为多个透光层的叠层结构，保证第一显示区AA1具有较高的光线透过率，当在显示面板100的第一显示区AA1一侧设置图像采集装置(例如是摄像头)时，能够满足图像采集装置的成像清晰度要求。

在本实施例中，器件层组130包括缓冲层131、栅绝缘层132、电容介质层133以及平坦化层135。缓冲层131位于衬底120上。栅绝缘层132位于缓冲层131背离衬底120的一侧。电容介质层133位于栅绝缘层132背离衬底120的一侧。层间介质层134位于电容介质层133背离衬底120的一侧。平坦化层135位于层间介质层134背离衬底120的一侧。

在一些实施例中，缓冲层131、栅绝缘层132、电容介质层133、层间介质层134以及平坦化层135被配置为透光层，缓冲层131、栅绝缘层132、电容介质层133、或层间介质层134中的至少一者覆盖第一显示区AA1。例如本实施例中，缓冲层131、栅绝缘层132、电容介质层133、层间介质层134均同时延伸于第一显示区AA1和第二显示区AA2。

图3是图1中D区域的局部放大示意图，在一些实施例中，显示面板100还包括第一发光元件SP1、第二发光元件SP2、第一像素电路PC1和第二像素电路PC2。第一发光元件SP1和第二发光元件SP2位于发光元件层组140。第一发光元件SP1设置于第一显示区AA1，第二发光元件SP2设置于第二显示区AA2。第一像素电路PC1和第二像素电路PC2位于器件层组130。第一像素电路PC1与第一发光元件SP1电连接，用于驱动第一发光元件SP1显示。第二像素电路PC2与第二发光元件SP2电连接，用于驱动第二发光元件SP2显示。其中，第一像素电路PC1、第二像素电路PC2均设置于第二显示区AA2。第一像素电路PC1、第二像素电路PC2的至少部分结构透光率较低或不透光，通过将第一像素电路PC1、第二像素电路PC2均设置于第二显示区AA2，从而减少第一显示区AA1内的布线结构，进而提高第一显示区AA1的透光率。

如图2，在一些实施例中，器件层组130还包括图案化的半导体结构136以及图案化的金属结构137。图案化的半导体结构136位于缓冲层131与栅绝缘层132之间。图案化的金属结构137位于栅绝缘层132与电容介质层133之间、和/或位于电容介质层133与层间介质层134之间、和/或位于层间介质层134与平坦化层135之间。图案化的半导体结构136以及图案化的金属结构137能够和栅绝缘层132、电容介质层133、层间介质层134等膜层形成第一像素电路PC1、第二像素电路PC2。其中，半导体结构136、金属结构137设置于第二显示区AA2并避位第一显示区AA1设置，使得第一像素电路PC1、第二像素电路PC2设置于第二显示区AA2并避位第一显示区AA1设置。

如图2和图3，在一些实施例中，器件层组130还包括透光导线138。透光导线138将第一像素电路PC1与第一发光元件SP1电连接。其中，透光导线138的至少部分位于第一显示区AA1。透光导线138可以是氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)或氧化铟锌(Indium ZincOxide，IZO)等材料制成。通过将连接第一像素电路PC1与第一发光元件SP1的导线设置为透光导线138，能够进一步提升第一显示区AA1的透光率。

在一些实施例中，发光元件层组140包括第一电极层141、第二电极层142以及发光层(Emitting Layer，EML)143。第二电极层142位于第一电极层141的背离衬底120的一侧。发光层143位于第一电极层141与第二电极层142之间。第一电极层141、第二电极层142中的一者为阳极，另一者为阴极。本实施例中，以第一电极层141是阳极、第二电极层142是阴极为例进行说明。

第一电极层141可以被配置为透光层，也可以被配置为非透光层，还可以是将位于第一显示区AA1的第一电极层141配置为透光层、将位于第二显示区AA2的第一电极层141配置为非透光层。当第一电极层141被配置为透光层时，其可以是ITO、IZO等材料制成。当第一电极层141被配置为非透光层时，第一电极层141例如可以进一步包括第一透光导电层、位于第一透光导电层上的反射层以及位于反射层上的第二透光导电层。其中第一透光导电层、第二透光导电层可以是ITO或IZO层等，反射层可以是金属层，例如是银材质制成。

第二电极层142可以被配置为透光层。在一些实施例中，第二电极层142可以是镁银合金层。在一些实施例中，第二电极层为整个面电极层。

尽管图中未示出，在一些实施例中，发光元件层组140还可以包括载流子层，载流子层位于第一电极层141与发光层143之间，和/或位于发光层143与第二电极层142之间。载流子层可以被配置为透光层。在其它一些实施例中，发光元件层组140可以不设有载流子层。

本文中，载流子层指用于实现载流子(空穴或电子)的注入、传输、阻挡等功能的载流子相关膜层。在一些实施例中，第一电极层141与发光层143之间的载流子层可以包括空穴注入层(Hole Inject Layer，HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)、电子阻挡层(Electron Blocking Layer，EBL)中的至少之一。在一些实施例中，发光层143与第二电极层142之间的载流子层可以包括电子注入层(Electron Inject Layer，EIL)、电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)、空穴阻挡层(Hole Blocking Layer，HBL)中的至少之一。

在一些实施例中，发光元件层组140可以不设有载流子层；在一些实施例中，发光元件层组140包括载流子层，然而载流子层延伸于第二显示区AA2且避位第一显示区AA1设置。即在这些实施例中，显示面板100的第一显示区AA1不设有载流子层，此时显示面板100的第一显示区AA1对蓝光波段的光线透过率显著提升。

在一些实施例中，发光元件层组140还包括像素定义层145，像素定义层145设有多个像素开口。第一电极层141可以包括图案化的多个第一电极，发光层143可以包括图案化的多个发光块，其中像素开口与第一电极、发光块一一对应设置，像素开口包括第一电极的至少一部分，发光块位于像素开口内。每个第一电极与在第一电极的背离衬底120的一侧的发光块以及第二电极层142形成第一发光元件SP1或第二发光元件SP2。

在一些实施例中，发光元件层组140还包括光取出层(Capping Layer)146。光取出层146位于第二电极层142的背离衬底120的一侧，光取出层146被配置为透光层，光取出层146覆盖第一显示区AA1。在一些实施例中，发光元件层组140也可以不包括光取出层146。

在本发明第一实施例中，缓冲层131覆盖第一显示区AA1。缓冲层131包括叠设的第一子缓冲层1311和第二子缓冲层1312，第二子缓冲层1312位于第一子缓冲层1311的背离衬底120的一侧。至少一层光调制层110包括以下中的至少任一：第一光调制层111、第二光调制层112，其中第一光调制层111夹设于衬底120与第一子缓冲层1311之间；第二光调制层112夹设于第一子缓冲层1311与第二子缓冲层1312之间。例如本实施例中，至少一层光调制层110同时包括第一光调制层111、第二光调制层112。第一光调制层111能够提高预设波长光线在衬底120与第一子缓冲层1311之间的透过率，第二光调制层112能够提高预设波长光线在第一子缓冲层1311与第二子缓冲层1312之间的透过率，从而一方面提高第一显示区AA1的整体透光率，另一方面能够将原本透光率较低的预设波长的光线的透过率提升至与透光率较高的波长光线的透光率接近甚至相等，提高各波段光线透过的均一性，提高透过光线的色彩保真性。

第一子缓冲层1311可以为氮化硅层，第二子缓冲层1312可以为氧化硅层。第一光调制层111为包括氧化硅、氮化硅、硅中至少两种的混合膜层。第二光调制层112为包括氧化硅、氮化硅、硅中至少两种的混合膜层。通过分别调节第一光调制层111、第二光调制层112的组成配比和厚度，能使第一光调制层111、第二光调制层112分别具有显著的增透作用。

在一个示例中，第一光调制层111、第二光调制层112均为氮氧化硅层，即第一光调制层111、第二光调制层112均为氧化硅与氮化硅共同成膜的混合膜层。在其它一些实施例中，第一光调制层111、第二光调制层112分别可以是其它混合膜层，例如是氧化硅和硅的混合膜层、可掺杂型石英膜层等。第一光调制层111、第二光调制层112分别可以通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)、磁控溅射、涂布等方式镀膜形成，也可以通过在来料的衬底120上集成得到。

在一些实施例中，光调制层110的折射率介于夹设光调制层110的相邻透光层的折射率之间，以保证光调制层110能提高夹设光调制层110的相邻透光层之间的透光率。例如，在上述第一实施例中，第一光调制层111的折射率介于衬底120的折射率与第一子缓冲层1311的折射率之间，第二光调制层112的折射率介于第一子缓冲层1311与第二子缓冲层1312之间。

在一些实施例中，光调制层110的折射率满足以下式子：

其中，n_A为夹设光调制层110的相邻透光层中的一者的折射率；n_B为夹设光调制层110的相邻透光层中的另一者的折射率；n_C为光调制层110的折射率；α为有效率，有效率α大于等于60％。其中，有效率α的值越高，光调制层110的折射率n_C越接近相邻透光层的折射率(n_A、n_B)的几何平均数

有效率α大于等于60％，可以保证光调制层110能够将预设波长光线在相邻透光层之间的透过率增强。

在一些实施例中，光调制层110的折射率满足以下式子：

其中，n_A为夹设光调制层110的相邻透光层中的一者的折射率；n_B为夹设光调制层110的相邻透光层中的另一者的折射率；n_C为光调制层110的折射率。式(2)相当于将式(1)中的有效率α配置为100％得到，当光调制层110的折射率n_C满足式(2)时，得到光调制层110的折射率n_C的较优值，此时光调制层110能够大幅提升预设波长光线在相邻透光层之间的透过率。上述式(1)中的有效率α可以理解为光调制层110的调制性能能够达到较优调制性能(折射率n_C的较优值对应的调制性能)的有效程度。

以第二光调制层112的折射率的配置方式为例说明，其中将第一子缓冲层1311的折射率代入式(1)中的n_A、将第二子缓冲层1312的折射率代入式(1)中的n_B，有效率例如是100％，此时得到第二光调制层112的折射率n_C的较优值；有效率例如是96％，此时得到有效率是96％时第二光调制层112的折射率n_C。

在一些实施例中，每层光调制层110包括位于第一显示区AA1的第一部分，该第一部分的厚度满足以下式子：

T_C×n_C＝(2M+1)×λ/4 (3)

其中，T_C为光调制层110的第一部分的厚度；n_C为光调制层110的折射率；λ为预设波长光线的波长；M为任意自然数。其中，预设波长光线的波长λ即所需调节波长光线的波长，其量纲与光调制层110的第一部分的厚度T_C的量纲一致，量纲例如是纳米。

在一些实施例中，每层光调制层110包括位于第一显示区AA1的第一部分，并且至少一层光调制层110包括位于第二显示区AA2的第二部分。如图2，例如在本实施例中，第二光调制层112包括第一部分112a和第二部分112b，其中第二光调制层112的第一部分112a位于第一显示区AA1，第二部分112b位于第二显示区AA2。

以第二光调制层112的第一部分112a的厚度的配置方式为例说明，其中将第二光调制层112的折射率代入式(3)中n_C、将预设波长光线的波长代入式(3)中的λ、将任意自然数代入式(3)中的M，得到光调制层110的第一部分112a的厚度T_C。在一个示例中，预设波长光线的波长λ例如是500纳米，此时得到的光调制层110的第一部分112a的厚度T_C，能使第二光调制层112的第一部分112a提高波长为500纳米的光线在第一子缓冲层1311与第二子缓冲层1312之间的透过率。根据光谱自身属性，波长邻近500纳米的一些范围内的光线(例如波长490纳米的光线)在第一子缓冲层1311与第二子缓冲层1312之间的透过率也会有一定程度的提升。并且，根据光谱自身属性，波长为500纳米整数倍的光线(例如波长1000纳米的光线)在第一子缓冲层1311与第二子缓冲层1312之间的透过率也会提升。

根据本发明实施例的显示面板100，通过设置光调制层110，一方面由于其具有增透效果，能够提高第一显示区AA1的整体透光率；另一方面，光调制层110能将原本透光率较低的一些波长光线的透过率提升至与透光率较高的波长光线的透光率接近甚至相等，提高光谱透过的均一性，提高透过光线的色彩保真性。

如前所述，至少一层光调制层110既包括位于第一显示区AA1的第一部分，也包括位于第二显示区AA2的第二部分。在第一显示区AA1与光调制层110第一部分的两个表面紧邻的膜层，与在第二显示区AA2与光调制层110第二部分的两个表面紧邻的膜层可能是相同的，也可能至少一层不同。光调制层110的第二部分的厚度与第一部分的厚度可以相同，也可以不同，根据光调制层110在第一显示区AA1和第二显示区AA2的调制效果需求进行配置。当第一部分的两个表面紧邻的膜层和第二部分的两个表面紧邻的膜层相同，且第二部分的厚度与第一部分的厚度相同时，第二部分与第一部分的调制效果相同。当第一部分的两个表面紧邻的膜层与第二部分的两个表面紧邻的膜层至少一层不同，和/或第二部分的厚度与第一部分的厚度不同时，第二部分与第一部分的调制效果不同。

在上述实施例中，以光调制层110设置于缓冲层131处为例进行了说明，从而能够对缓冲层131处进行光线增透并降低缓冲层131处对透过光线色度保真性的干扰。光调制层110还可以设置于显示面板100的其它膜层处，用于改善其它膜层处对透过光线色度保真性的干扰。

图4是根据本发明第二实施例提供的显示面板的截面示意图，其中图5绘示了显示面板100部分区域的截面。第三实施例提供的显示面板100的大部分结构与第一实施例提供的显示面板100相同，以下将对第二实施例与第一实施例的不同之处进行说明，相同之处不再详述。

在第二实施例中，层间介质层134以及平坦化层135覆盖第一显示区AA1，并在第一显示区AA1层叠设置。层间介质层134包括叠设的第一子层间介质层1341和第二子层间介质层1342，第二层间介质层134位于第一层间介质层134的背离衬底120的一侧，至少一层光调制层110包括以下中的至少任一：第三光调制层113、第四光调制层114。第三光调制层113夹设于第一子层间介质层1341与第二子层间介质层1342之间；第四光调制层114，夹设于第二子层间介质层1342与平坦化层135之间。

例如本实施例中，至少一层光调制层110同时包括第三光调制层113、第四光调制层114。第三光调制层113能够提高预设波长光线在第一子层间介质层1341与第二子层间介质层1342之间的透过率，第四光调制层114能够提高预设波长光线在第一子层间介质层1341与第二子层间介质层1342之间的透过率，从而一方面提高第一显示区AA1的整体透光率，另一方面能够将原本透光率较低的预设波长的光线的透过率提升至与透光率较高的波长光线的透光率接近甚至相等，提高各波段光线透过的均一性，提高透过光线的色彩保真性。

第一子层间介质层1341可以为氧化硅层，第二子层间介质层1342可以为氮化硅层。第三光调制层113为包括氧化硅、氮化硅、硅中至少两种的混合膜层；第四光调制层114为包括氧化硅、氮化硅、硅中至少两种的混合膜层。通过分别调节第三光调制层113、第四光调制层114的组成配比和厚度，能使第三光调制层113、第四光调制层114分别具有显著的增透作用。

在一个示例中，第三光调制层113、第四光调制层114均为氮氧化硅层，即第三光调制层113、第四光调制层114均为氧化硅与氮化硅共通成膜的混合膜层。在其它一些实施例中，第三光调制层113、第四光调制层114分别可以是其它混合膜层，例如是氧化硅和硅的混合膜层、可掺杂型石英膜层等。第三光调制层113、第四光调制层114分别可以通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)、磁控溅射、涂布等方式镀膜形成。

图5是根据本发明第三实施例提供的显示面板的截面示意图，其中图5绘示了显示面板100部分区域的截面。第三实施例提供的显示面板100的大部分结构与第一实施例提供的显示面板100相同，以下将对第三实施例与第一实施例的不同之处进行说明，相同之处不再详述。

与第一实施例不同的是，在第三实施例中，发光元件层组140与封装层150之间间隔设置，至少一层光调制层110包括填充于封装层150与发光元件层组140之间的第五光调制层115。

在本实施例中，发光元件层组140包括第一电极层141、第二电极层142、发光层143、像素定义层145以及光取出层146。在一些实施例中，发光元件层组140也可以不包括光取出层146。

第五光调制层115例如是氟化锂层。在本实施例中，第五光调制层115能够提高预设波长光线在封装层150与发光元件层组140(光取出层146)之间的透过率，从而一方面提高第一显示区AA1的整体透光率，另一方面能够提高各波段光线透过的均一性，提高透过光线的色彩保真性。

本实施例中，显示面板100可以是柔性显示面板100，相应地，封装层150为薄膜封装结构，在一些实施例中，封装层150包括叠层设置的至少一层无机封装层和至少一层有机封装层。

在上述实施例中，以显示面板100是柔性显示面板100为例进行说明，然而本发明构思可以不限于应用于柔性显示面板100，也可应用于硬性显示面板100。例如在上述第三实施例中，显示面板100可以是硬性显示面板100，其中封装层150可以是玻璃等材质的封装盖板，发光元件层组140与封装层150之间间隔设置，至少一层光调制层110包括填充于封装层150与发光元件层组140之间的第五光调制层115。第五光调制层115可以通过喷墨打印、涂布等方式形成。

图6是根据本发明第四实施例提供的显示面板100的截面示意图，其中图6绘示了显示面板100部分区域的截面。第四实施例提供的显示面板100的大部分结构与第一实施例提供的显示面板100相同，以下将对第四实施例与第一实施例的不同之处进行说明，相同之处不再详述。

与第一实施例不同的是，在第四实施例中，显示面板100为硬性显示面板100，封装层150是玻璃等材质的封装盖板。

此外，显示面板100还包括真空层160，真空层160位于发光元件层组140与封装层150之间。

至少一层光调制层110包括以下中的至少任一：第六光调制层116、第七光调制层117，其中第六光调制层116位于发光元件层组140与真空层160之间；第七光调制层117位于封装层150与真空层160之间。例如本实施例中，至少一层光调制层110同时包括第六光调制层116和第七光调制层117。

在一些实施例中，第六光调制层116为氟化锂层，可以通过蒸镀、电子束蒸发等方式成膜。在一些实施例中，第七光调制层117为氟化镁层，可以通过磁控溅射、电子束蒸发等方式成膜。在一些实施例中，第六光调制层116和/或第七光调制层117可以通过在来料的封装层150上集成得到。

在其它一些实施例中，第六光调制层116可以是其它折射率低于发光元件层组140中最靠近真空层160的一层膜层(光取出层146)的折射率的材料层；第七光调制层117可以是其它折射率低于封装层150的折射率的材料层。

第六光调制层116能够提高预设波长光线在发光元件层组140与真空层160之间的透过率，第七光调制层117能够提高预设波长光线在封装层150与真空层160之间的透过率。通过设置第六光调制层116和/或第七光调制层117，提高第一显示区AA1的整体透光率，并且降低封装层150处对透过光线色度保真性的干扰。

在上述实施例中，分别说明了在缓冲层131处、封装层150处分别可以设置调制层110，并且，上述实施例在技术方案不冲突的情况下可以相互组合。例如在一个实施例中，显示面板100的至少一层光调制层110包括第一光调制层111、第二光调制层112、第六光调制层116以及第七光调制层117，第一光调制层111夹设于衬底120与第一子缓冲层1311之间，第二光调制层112夹设于第一子缓冲层1311与第二子缓冲层1312之间，第六光调制层116位于发光元件层组140与真空层160之间，第七光调制层117位于封装层150与真空层160之间。

图7是根据本发明第五实施例提供的显示面板100的截面示意图，其中图7绘示了显示面板100部分区域的截面。第五实施例提供的显示面板100的大部分结构与第一实施例提供的显示面板100相同，以下将对第五实施例与第一实施例的不同之处进行说明，相同之处不再详述。

在本实施例中，器件层组130包括缓冲层131、栅绝缘层132、电容介质层133以及平坦化层135。缓冲层131位于衬底120上。栅绝缘层132位于缓冲层131背离衬底120的一侧。电容介质层133位于栅绝缘层132背离衬底120的一侧。层间介质层134位于电容介质层133背离衬底120的一侧。平坦化层135位于层间介质层134背离衬底120的一侧。缓冲层131、栅绝缘层132、电容介质层133、层间介质层134以及平坦化层135被配置为透光层。缓冲层131、栅绝缘层132、电容介质层133、或层间介质层134中的至少一者覆盖第一显示区AA1。例如本实施例中，缓冲层131、栅绝缘层132、电容介质层133、层间介质层134均同时延伸于第一显示区AA1和第二显示区AA2。

器件层组130还包括图案化的半导体结构136，图案化的半导体结构136位于缓冲层131与栅绝缘层132之间。其中，半导体结构136设置于第二显示区AA2并避位第一显示区AA1设置。如前所述，显示面板100可以包括第一像素电路PC1和第二像素电路PC2，第一像素电路PC1、第二像素电路PC2分别包括薄膜晶体管以及电容。其中，图案化的半导体结构136的至少部分能够用于形成薄膜晶体管的有源层。

在一些实施例中，至少一层光调制层110包括第八光调制层118，第八光调制层118包括位于第一显示区AA1的第一部分118a以及位于第二显示区AA2的第二部分118b，第八光调制层118的第二部分118b位于半导体结构136的背离衬底120的一侧。本实施例中，在第一显示区AA1，第八光调制层118的第一部分118a夹设于栅绝缘层132与电容介质层133之间。

在本实施例中，在第一显示区AA1，第八光调制层118的第一部分118a被配置为能够提高预设波长光线在夹设第一部分118a的相邻透光层之间的透过率，在第二显示区AA2，第八光调制层118的第二部分118b被配置为能够降低光线在夹设第二部分118b的相邻膜层之间的透过率。因此，在第一显示区AA1，第八光调制层118的第一部分118a能提高第一显示区AA1的整体透光率，且能够提高各波段光线透过的均一性，提高透过光线的色彩保真性。在第二显示区AA2，由于半导体结构136存在对光的光电效应，通过第八光调制层118的第二部分118b对透光率降低，能够降低发光元件层组140以及外界的光线向半导体结构136传播，从而降低光线对有源层143沟道的影响，提高薄膜晶体管的稳定性。

对第八光调制层118的第一部分118a、第二部分118b分别进行不同的配置，可以使得两者具有不同的透光性能。在一些实施例中，可以对第八光调制层118的第一部分118a、第二部分118b分别配置不同的折射率。在一些实施例中，第八光调制层118的第二部分118b的厚度与第八光调制层118的第一部分118a的厚度不同，使得第一部分118a被配置为能够提高预设波长光线在夹设第一部分118a的相邻透光层之间的透过率，第二部分118b被配置为能够降低光线在夹设第二部分118b的相邻膜层之间的透过率。

在一些实施例中，当至少一层光调制层110包括位于半导体结构136的朝向衬底120一侧的第九调制层时，第九调制层也以可以包括位于第一显示区AA1的第一部分以及位于第二显示区AA2的第二部分。其中第九调制层的第一部分和第二部分均被配置为能够提高预设波长光线在夹设第七调制层的相邻膜层之间的透过率，使得发光元件层组140以及外界的光线穿过半导体结构136后，再次反射回半导体结构136的光线减少，提高薄膜晶体管的稳定性。

依照本发明如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (18)

1.一种显示面板，其特征在于，包括第一显示区和第二显示区，所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率，所述显示面板包括层叠设置的多个膜层，所述多个膜层中的部分所述膜层被配置为透光层，至少部分层所述透光层覆盖所述第一显示区，所述显示面板包括：

至少一层光调制层，每层所述光调制层夹设于覆盖所述第一显示区的任意相邻所述透光层之间，所述光调制层被配置为至少一部分能够提高预设波长光线在夹设所述光调制层的相邻所述透光层之间的透过率，所述光调制层的折射率介于夹设所述光调制层的相邻所述透光层的折射率之间。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

衬底，被配置为所述透光层；

器件层组，位于所述衬底上，所述器件层组包括多个器件子层，所述多个器件子层中的至少部分层被配置为所述透光层；

发光元件层组，位于所述器件层组背离所述衬底的一侧；以及

封装层，位于所述发光元件层组背离所述衬底的一侧，所述封装层被配置为所述透光层，

其中，所述器件层组中至少部分层所述透光层、所述衬底、所述发光元件层组以及所述封装层覆盖所述第一显示区。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述器件层组包括：

缓冲层，位于所述衬底上；

栅绝缘层，位于所述缓冲层背离所述衬底的一侧；

电容介质层，位于所述栅绝缘层背离所述衬底的一侧；

层间介质层，位于所述电容介质层背离所述衬底的一侧；

平坦化层，位于所述层间介质层背离所述衬底的一侧，

其中，所述缓冲层、所述栅绝缘层、所述电容介质层、所述层间介质层以及所述平坦化层被配置为所述透光层，所述缓冲层、所述栅绝缘层、所述电容介质层、或所述层间介质层中的至少一者覆盖所述第一显示区。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

第一发光元件和第二发光元件，位于所述发光元件层组，所述第一发光元件设置于所述第一显示区，所述第二发光元件设置于所述第二显示区；

第一像素电路和第二像素电路，位于所述器件层组，所述第一像素电路与所述第一发光元件电连接，用于驱动所述第一发光元件显示，所述第二像素电路与所述第二发光元件电连接，用于驱动所述第二发光元件显示，其中，所述第一像素电路、所述第二像素电路均设置于所述第二显示区。

5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述器件层组还包括：

图案化的半导体结构，位于所述缓冲层与所述栅绝缘层之间；

图案化的金属结构，位于所述栅绝缘层与所述电容介质层之间、和/或位于所述电容介质层与所述层间介质层之间、和/或位于所述层间介质层与所述平坦化层之间，

其中，所述半导体结构、所述金属结构设置于所述第二显示区并避位所述第一显示区设置。

6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述器件层组还包括：

透光导线，将所述第一像素电路与所述第一发光元件电连接，其中，所述透光导线的至少部分位于所述第一显示区。

7.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述缓冲层覆盖所述第一显示区，所述缓冲层包括叠设的第一子缓冲层和第二子缓冲层，所述第二子缓冲层位于所述第一子缓冲层的背离所述衬底的一侧，所述至少一层光调制层包括以下中的至少任一：

第一光调制层，夹设于所述衬底与所述第一子缓冲层之间；

第二光调制层，夹设于所述第一子缓冲层与所述第二子缓冲层之间。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一子缓冲层为氮化硅层，所述第二子缓冲层为氧化硅层，所述第一光调制层为包括氧化硅、氮化硅、硅中至少两种的混合膜层；所述第二光调制层为包括氧化硅、氮化硅、硅中至少两种的混合膜层。

9.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述层间介质层以及所述平坦化层覆盖所述第一显示区，并在所述第一显示区层叠设置，所述层间介质层包括叠设的第一子层间介质层和第二子层间介质层，所述第二子层间介质层位于所述第一子层间介质层的背离所述衬底的一侧，所述至少一层光调制层包括以下中的至少任一：

第三光调制层，夹设于所述第一子层间介质层与所述第二子层间介质层之间；

第四光调制层，夹设于所述第二子层间介质层与所述平坦化层之间。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第一子层间介质层为氧化硅层，所述第二子层间介质层为氮化硅层，所述第三光调制层为包括氧化硅、氮化硅、硅中至少两种的混合膜层；所述第四光调制层为包括氧化硅、氮化硅、硅中至少两种的混合膜层。

11.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述发光元件层组与所述封装层之间间隔设置，所述至少一层光调制层包括填充于所述封装层与所述发光元件层组之间的第五光调制层。

12.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

真空层，位于所述发光元件层组与所述封装层之间，

所述至少一层光调制层包括以下中的至少任一：

第六光调制层，位于所述发光元件层组与所述真空层之间；

第七光调制层，位于所述封装层与所述真空层之间。

13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述第六光调制层为氟化锂层；所述第七光调制层为氟化镁层。

14.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述至少一层光调制层包括第八光调制层，所述第八光调制层包括位于所述第一显示区的第一部分以及位于所述第二显示区的第二部分，所述第八光调制层的所述第二部分位于所述半导体结构的背离所述衬底的一侧，

其中，在所述第一显示区，所述第一部分被配置为能够提高所述预设波长光线在夹设所述第一部分的相邻所述透光层之间的透过率，在所述第二显示区，所述第二部分被配置为能够降低光线在夹设所述第二部分的相邻所述膜层之间的透过率。

15.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光调制层的折射率满足以下式子：

其中，n_A为夹设所述光调制层的相邻所述透光层中的一者的折射率；

n_B为夹设所述光调制层的相邻所述透光层中的另一者的折射率；

n_C为所述光调制层的折射率；

α为有效率，所述有效率大于等于60％。

16.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光调制层的折射率满足以下式子：

其中，n_A为夹设所述光调制层的相邻所述透光层中的一者的折射率；

n_B为夹设所述光调制层的相邻所述透光层中的另一者的折射率；

n_C为所述光调制层的折射率。

17.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，每层所述光调制层包括位于所述第一显示区的第一部分，所述第一部分的厚度满足以下式子：

T_C×n_C＝(2M+1)×λ/4；

其中，T_C为所述光调制层的所述第一部分的厚度；

n_C为所述光调制层的折射率；

λ为所述预设波长光线的波长；

M为任意自然数。

18.根据权利要求17所述的显示面板，其特征在于，至少一层所述光调制层包括位于所述第二显示区的第二部分，所述光调制层的所述第二部分的厚度与所述第一部分的厚度不同。

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