CN110890477A - 透光显示面板及其制作方法、显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种透光显示面板及其制作方法、显示面板。透光显示面板包括:阵列基板;第一电极,位于阵列基板上;第一发光结构,位于第一电极上;以及第二电极层组,位于第一发光结构上,第二电极层组包括相互叠设的第一子电极层和第二子电极层,其中,第一子电极层包括相互间隔的电极块,每个电极块在阵列基板上的正投影覆盖至少一个第一电极在阵列基板上的正投影,第二子电极层连接至少部分相邻的电极块,第二子电极层的透光能力大于电极块的透光能力。根据本发明实施例的透光显示面板,在保证子像素正常显示的同时,提高子像素周边的非发光区域的透光性能。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域,具体涉及一种透光显示面板及其制作方法、显示面板。
背景技术
随着电子设备的快速发展,用户对屏占比的要求越来越高,使得电子设备的全面屏显示受到业界越来越多的关注。
传统的电子设备如手机、平板电脑等,由于需要集成诸如前置摄像头、听筒以及红外感应元件等。现有技术中,可通过在显示屏上开槽(Notch)或开孔,外界光线可通过屏幕上的开槽或开孔进入位于屏幕下方的感光元件。但是这些电子设备均不是真正意义上的全面屏,并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示,例如其前置摄像头对应区域不能显示画面。
发明内容
本发明提供一种透光显示面板及其制作方法、显示面板,实现显示面板的至少部分区域可透光且可显示,便于感光组件的屏下集成。
第一方面,本发明实施例提供一种透光显示面板,透光显示面板包括:阵列基板;第一电极,位于阵列基板上;第一发光结构,位于第一电极上;以及第二电极层组,位于第一发光结构上,第二电极层组包括相互叠设的第一子电极层和第二子电极层,其中,第一子电极层包括相互间隔的电极块,每个电极块在阵列基板上的正投影覆盖至少一个第一电极在阵列基板上的正投影,第二子电极层连接至少部分相邻的电极块,第二子电极层的透光能力大于电极块的透光能力。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式,第二子电极层为连续的完整面结构,第二子电极层在阵列基板上的正投影覆盖全部电极块在阵列基板上的正投影。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式,电极块排布为多列,多列沿第一方向排列,多列中的每列包括在第二方向上间隔排列的多个电极块,第二方向与第一方向交叉,第二子电极层包括沿第一方向排列的多个连接单元,每个连接单元将多列中的对应列的电极块相互连接。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式,相邻连接单元在第一方向上相互间隔,每个连接单元包括在第二方向上间隔排列的多个连接块,每个连接块连接在第二方向上相邻的电极块。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式,每个连接块在阵列基板上的正投影的形状及尺寸,与每个电极块在阵列基板上的正投影的形状及尺寸相同,在第二方向上相邻的电极块之间的间距小于电极块在第二方向上的长度。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式,第一子电极层包括镱层或镁银合金层。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式,第二子电极层包括氧化铟锡层或氧化铟锌层。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式,每个第一发光结构在阵列基板上的正投影由一个第一图形单元组成或由两个以上第一图形单元拼接组成,第一图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式,每个第一电极在阵列基板上的正投影由一个第二图形单元组成或由两个以上第二图形单元拼接组成,第二图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。
第二方面,本发明实施例提供一种显示面板,其具有相互邻接的第一显示区和第二显示区,第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率,其中,显示面板的第一显示区配置为根据前述任一实施方式的透光显示面板。
根据本发明第二方面的前述任一实施方式,显示面板还包括:第三电极,位于阵列基板上,且位于第二显示区;第二发光结构,位于第三电极上;以及第四电极,位于第二发光结构上,其中,第二电极层组的第二子电极层与第四电极电连接。
根据本发明第二方面的前述任一实施方式,第二子电极层为连续的完整面结构,第二子电极层在阵列基板上的正投影覆盖全部电极块在阵列基板上的正投影以及第四电极在阵列基板上的正投影。
第三方面,本发明实施例提供一种透光显示面板的制作方法,其包括:提供阵列基板;在阵列基板上形成第一电极;在第一电极上形成第一发光结构;以及在第一发光结构上形成第二电极层组,包括在第一发光结构上形成第一子电极层和形成第二子电极层,第一子电极层与第二子电极层相互叠设,其中,形成第一子电极层包括形成相互间隔的电极块,每个电极块在阵列基板上的正投影覆盖至少一个第一电极在阵列基板上的正投影,形成第二子电极层包括形成能够将至少部分相邻的电极块连接的第二子电极层,第二子电极层的透光能力大于电极块的透光能力。
根据本发明第三方面的前述任一实施方式,形成第二子电极层包括通过电子束蒸发镀膜、溅射镀膜、或热蒸发镀膜形成第二子电极层;
根据本发明第三方面的前述任一实施方式,第二子电极层包括连接块,在第一发光结构上形成第二电极层组包括:通过掩膜板进行蒸镀,在第一发光结构上形成电极块、连接块中的一者,其中,掩膜板上包括沿第一方向排列的多列开口,多列开口中的每列包括在第二方向上间隔排列的多个开口,第二方向与第一方向交叉,在第二方向上相邻的开口之间的间距小于开口在第二方向上的长度;将掩膜板在第二方向上平移预设距离,通过掩膜板进行蒸镀,形成电极块、连接块中的另一者,其中,预设距离大于在第二方向上相邻的开口之间的间距,且小于开口在第二方向上的长度。
根据本发明实施例的透光显示面板,第二电极层组包括相互叠设的第一子电极层和第二子电极层,第一子电极层包括的电极块在阵列基板上的正投影覆盖至少一个第一电极在阵列基板上的正投影,保证形成的子像素具有较高的色准。第二子电极层连接至少部分相邻的电极块,并且第二子电极层的透光能力大于电极块的透光能力,从而在保证子像素正常显示的同时,提高子像素周边的非发光区域的透光性能。透光显示面板的背面可以集成感光组件,实现例如摄像头的感光组件的屏下集成,同时透光显示面板能够显示画面,从而实现透光显示面板应用于显示装置的全面屏设计。
附图说明
通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显,其中,相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征,附图并未按照实际的比例绘制。
图1是本发明第一实施例提供的透光显示面板的俯视示意图;
图2是图1中A-A向的剖面示意图;
图3是图1中B-B向的剖面示意图;
图4是本发明第二实施例提供的透光显示面板的俯视示意图;
图5是图4中C-C向的剖面示意图;
图6是图4中D-D向的剖面示意图;
图7是本发明第三实施例提供的透光显示面板的俯视示意图;
图8是图7中E-E向的剖面示意图;
图9是图7中F-F向的剖面示意图;
图10是本发明第四实施例提供的透光显示面板的俯视示意图;
图11是图10中G-G向的剖面示意图;
图12是图10中H-H向的剖面示意图;
图13是本发明第一实施例提供的显示面板的俯视示意图;
图14是图13中I区域的局部放大示意图;
图15是图14中J-J向的剖面示意图;
图16是图14中K-K向的剖面示意图;
图17是图13中I区域的第二电极层组、第四电极的立体分解示意图;
图18是本发明第二实施例提供的显示面板的俯视示意图;
图19是图18中L区域的局部放大示意图;
图20是图19中M-M向的剖面示意图;
图21是图19中N-N向的剖面示意图;
图22本发明一种实施例提供的透光显示面板的制作方法的流程框图。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例,为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及具体实施例,对本发明进行进一步详细描述。应理解,此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明,并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说,本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
在诸如手机和平板电脑等电子设备上,需要在设置显示面板的一侧集成诸如前置摄像头、红外光传感器、接近光传感器等感光组件。在一些实施例中,可以在上述电子设备上设置透光显示区,将感光组件设置在透光显示区背面,在保证感光组件正常工作的情况下,实现电子设备的全面屏显示。
为保证透光显示区的显示效果,透光显示区的子像素的阴极需要满足预定的透光性能,而无法不设限制地提高其透光性能,此时透光显示区的透光性能无法满足集成的感光组件的要求。
为解决上述问题,本发明实施例提供了一种透光显示面板及其制作方法、显示面板,以下将结合附图对透光显示面板及其制作方法、显示面板的各实施例进行说明。
本发明实施例提供一种透光显示面板,该透光显示面板可以是有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示面板。
本文中,“透光显示面板”指显示面板的透光率大于等于15%。为确保透光显示面板的透光率大于15%,甚至大于40%,甚至具有更高的透光率,本发明实施例中透光显示面板的至少部分功能膜层的透光率大于80%,甚至至少部分功能膜层的透光率大于90%。
图1是本发明第一实施例提供的透光显示面板的俯视示意图,图2是图1中A-A向的剖面示意图,图3是图1中B-B向的剖面示意图。透光显示面板100包括阵列基板110、第一电极120、第一发光结构130以及第二电极层组140。
阵列基板110包括衬底111以及位于衬底111上的器件层112。衬底111可以采用玻璃、聚酰亚胺(Polyimide,PI)等透光材料制成。器件层112可以包括用于驱动各子像素显示的像素电路。
在一些实施例中,透光显示面板100还包括像素定义层150,像素定义层150位于器件层112上。像素定义层150包括像素开口。
第一电极120位于阵列基板110上。在一些实施例中,第一电极120呈阵列方式排布。第一发光结构130位于第一电极120上。在一些实施例中,像素定义层150的至少部分像素开口用于容纳第一发光结构130。第二电极层组140位于第一发光结构130上。每个第一电极120与对应的第一发光结构130以及对应的第二电极层组140形成一个第一子像素SP1,第一电极120可以与器件层中的对应像素电路连接,使得像素电路驱动该第一子像素SP1显示。
第一电极120、第二电极层组140中的一个为阳极、另一个为阴极。本文中,以第一电极120是阳极、第二电极层组140是阴极为例进行说明。
在一些实施例中,第一电极120为透光电极。在一些实施例中,第一电极120包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)层或氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,IZO)层。在一些实施例中,第一电极120为反射电极,使得形成的第一子像素SP1的显示效果更佳。反射电极包括第一透光导电层、位于第一透光导电层上的反射层以及位于反射层上的第二透光导电层。其中第一透光导电层、第二透光导电层可以是ITO、IZO等,反射层可以是金属层,例如是银材质制成。
第一发光结构130可以包括发光层(Emitting Layer,EML),根据EML发光的颜色的不同,可以将形成的第一子像素SP1根据颜色不同分为多种。在一个示例中,第一子像素SP1包括发红光的第一子像素SP1、发绿光的第一子像素SP1以及发蓝光的第一子像素SP1,当然在其它示例中不限于此。根据第一发光结构130的设计需要,第一发光结构130还可以包括空穴注入层(Hole Inject Layer,HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer,HTL)、电子注入层(Electron Inject Layer,EIL)或电子传输层(Electron Transport Layer,ETL)中的至少一种。
在本实施例中,第二电极层组140包括相互叠设的第一子电极层141和第二子电极层142。其中,第一子电极层141包括相互间隔的电极块141s,每个电极块141s在阵列基板110上的正投影覆盖至少一个第一电极120在阵列基板110上的正投影。第二子电极层142连接至少部分相邻的电极块141s。其中,第二子电极层142的透光能力大于电极块141s的透光能力。第二子电极层142能够直接或间接将各电极块141s相互电连接,使得第二电极层组140为透光显示面板100的公共电极。
在本实施例中,以每个电极块141s在阵列基板110上的正投影覆盖一个第一电极120在阵列基板110上的正投影为例,也即每个电极块141s与一个第一电极120位置对应为例进行说明。在其它一些实施例中,每个电极块141s在阵列基板110上的正投影可以是覆盖2个、4个等其它数量的第一电极120在阵列基板110上的正投影。
根据本发明实施例的透光显示面板100,电极块141s在阵列基板110上的正投影覆盖至少一个第一电极120在阵列基板110上的正投影,保证形成的第一子像素SP1具有较高的色准。第二子电极层142连接至少部分相邻的电极块141s,并且第二子电极层142的透光能力大于电极块141s的透光能力,从而在保证第一子像素SP1正常显示的同时,提高第一子像素SP1周边的非发光区域的透光性能,进而提高透光显示面板100的平均透光性能。透光显示面板100的背面可以集成感光组件,实现例如摄像头的感光组件的屏下集成,同时透光显示面板100能够显示画面,从而实现透光显示面板100应用于显示装置的全面屏设计。
在一些实施例中,第一子电极层141包括镱层或镁银合金层,使得第一子电极层141与第一电极120以及两者之间的层结构能够形成合适的微腔效应,提高形成的第一子像素SP1的显示效果,减小色偏现象的产生。
在一些实施例中,第二子电极层142包括氧化铟锡层或氧化铟锌层,在其它一些实施例中,第二子电极层142还可以是其它透明的导电层结构,从而提高第一子电极层141的相邻电极块141s之间的间隔区域的透光性能。
在一些实施例中,每个第一发光结构130在阵列基板110上的正投影由一个第一图形单元组成或由两个以上第一图形单元拼接组成,第一图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个,能够减少透光显示面板的衍射。
在一些实施例中,每个第一电极120在阵列基板110上的正投影由一个第二图形单元组成或由两个以上第二图形单元拼接组成,第二图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个,能够减少透光显示面板的衍射。
在本实施例中,第二子电极层142为连续的完整面结构,第二子电极层142在阵列基板110上的正投影覆盖全部电极块141s在阵列基板110上的正投影。第二子电极层142可以是覆盖透光显示面板100的整个显示区域,从而将全部的电极块141s互连。
在上述第一实施例中,第二子电极层142位于第一发光结构130上,第一子电极层141位于第二子电极层142上。在其它一些实施例中,第一子电极层141与第二子电极层142的堆叠方式可以是其它情形。
图4是本发明第二实施例提供的透光显示面板的俯视示意图,图5是图4中C-C向的剖面示意图,图6是图4中D-D向的剖面示意图。第二实施例的透光显示面板100的部分结构与第一实施例的透光显示面板100相同,以下将对两者不同之处进行说明,相同之处不再详述。
与第一实施例不同的是,第一子电极层141位于第一发光结构130上,第二子电极层142位于第一子电极层141。其中,第二子电极层142可以是连续的完整面结构,第二子电极层142可以覆盖第一子电极层141的全部电极块141s设置。
在上述实施例中,第二子电极层142为连续的完整面结构,第二子电极层142在阵列基板110上的正投影覆盖全部电极块141s在阵列基板110上的正投影。在其它一些实施例中,第二子电极层142可以不限于是上述设置方式。
图7是本发明第三实施例提供的透光显示面板的俯视示意图,图8是图7中E-E向的剖面示意图,图9是图7中F-F向的剖面示意图。第三实施例的透光显示面板100的部分结构与第一实施例的透光显示面板100相同,以下将对两者不同之处进行说明,相同之处不再详述。
在本实施例中,电极块141s排布为多列,多列电极块141s沿第一方向X排列,多列电极块141s中的每列包括在第二方向Y上间隔排列的多个电极块141s,第二方向Y与第一方向X交叉。
第二子电极层142包括沿第一方向X排列的多个连接单元142u,每个连接单元142u将多列电极块141s中的对应列的电极块141s相互连接。本实施例中,每个连接单元142u呈沿第二方向Y延伸的条状,相邻连接单元142u在第一方向X上相互间隔,每个连接单元142u在阵列基板110上的正投影覆盖对应列的全部电极块141s在阵列基板110上的正投影。多个连接单元142u可以通过电连接结构143相互电连接,使得透光显示面板100的各电极块141s通过连接单元142u以及电连接结构143连接为透光显示面板100的公共电极。电连接结构143可以位于各连接单元142u延伸方向的同一端,电连接结构143为导电材料制成,可以与连接单元142u同时形成,也可以在独立的步骤中形成。
根据上述实施例的透光显示面板100,多列电极块141s中,相邻列电极块141s之间相互间隔,相邻连接单元142u在第一方向X上也相互间隔,使得透光显示面板100的相邻列电极块141s之间的透光性能进一步提高,从而进一步提高透光显示面板100的平均透光性能,从而实现其背部集成感光组件时感光组件的更高感光性能。
图10是本发明第四实施例提供的透光显示面板的俯视示意图,图11是图10中G-G向的剖面示意图,图12是图10中H-H向的剖面示意图。第四实施例的透光显示面板100的部分结构与第一实施例的透光显示面板100相同,以下将对两者不同之处进行说明,相同之处不再详述。
在本实施例中,电极块141s排布为多列,多列电极块141s沿第一方向X排列,多列电极块141s中的每列包括在第二方向Y上间隔排列的多个电极块141s,第二方向Y与第一方向X交叉。第二子电极层142包括沿第一方向X排列的多个连接单元142u,每个连接单元142u将多列电极块141s中的对应列的电极块141s相互连接。
在本实施例中,相邻连接单元142u在第一方向X上相互间隔,每个连接单元142u包括在第二方向Y上间隔排列的多个连接块142s,每个连接块142s连接在第二方向Y上相邻的电极块141s。多个连接单元142u可以通过电连接结构143相互电连接,使得透光显示面板100的各电极块141s通过连接单元142u以及电连接结构143连接为透光显示面板100的公共电极。电连接结构143可以位于各连接单元142u延伸方向的同一端,例如在本实施例中,电连接结构143将各连接单元142u中的处于延伸方向同一端的连接块142s相互电连接。电连接结构143为导电材料制成,可以与连接单元142u的连接块142s同时形成,也可以在独立的步骤中形成。
在一些实施例中,每个连接块142s在阵列基板110上的正投影的形状及尺寸,与每个电极块141s在阵列基板110上的正投影的形状及尺寸相同,在第二方向Y上相邻的电极块141s之间的间距小于电极块141s在第二方向Y上的长度。
根据上述实施例的透光显示面板100,连接块142s在阵列基板上的正投影与电极块141s在阵列基板110上的正投影形状和尺寸均相同,使得两者可以采用相同的掩膜板图案化形成,节省生产成本,提高透光显示面板100的制作效率。上述实施例的透光显示面板100在形成第二电极层组140的过程中,例如是采用以下方法形成。
通过掩膜板进行蒸镀,在第一发光结构130上形成电极块141s、连接块142s中的一者。其中,掩膜板上包括沿第一方向X排列的多列开口,多列开口中的每列包括在第二方向Y上间隔排列的多个开口。第二方向Y与第一方向X交叉。在第二方向Y上相邻的开口之间的间距小于开口在第二方向Y上的长度。例如,本步骤中在第一发光结构130上形成电极块141s。
之后,将该掩膜板在第二方向Y上平移预设距离,通过掩膜板进行蒸镀,形成电极块141s、连接块142s中的另一者。其中,上述的预设距离大于在第二方向Y上相邻的开口之间的间距,且小于开口在第二方向Y上的长度。例如,本步骤中形成连接块142s,此时连接块142s连接在第二方向Y上相邻的电极块141s。在一些实施方式中,连接块142s连接相邻电极块141s的同时,连接块142s在阵列基板110上的正投影覆盖至少一个第一电极120在阵列基板110上的正投影,使得每个第一发光结构130对应区域的第二电极层组140的膜层较厚,提高显示效果。
此外,形成将第一方向X上相邻的连接块142s相互连接的电连接结构143,电连接结构143也可以是通过蒸镀导电材料形成。
本发明实施例还提供一种显示面板,该显示面板可以是OLED显示面板。
图13是本发明第一实施例提供的显示面板的俯视示意图,图14是图13中I区域的局部放大示意图,图15是图14中J-J向的剖面示意图,图16是图14中K-K向的剖面示意图。显示面板1000具有相互邻接的第一显示区AA1和第二显示区AA2,第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率。其中,显示面板1000的第一显示区AA1配置为上述任一实施方式的透光显示面板100。
在第一实施例提供的显示面板100中,以显示面板1000的第一显示区AA1配置为上述第一实施例的透光显示面板100为例进行说明。
本文中,优选第一显示区AA1的透光率大于等于15%。为确保第一显示区AA1的透光率大于15%,甚至大于40%,甚至具有更高的透光率,本实施例中显示面板100的至少部分功能膜层的透光率大于80%,甚至至少部分功能膜层的透光率大于90%。
透光显示面板100包括阵列基板110、第一电极120、第一发光结构130以及第二电极层组140。第一电极120位于阵列基板110上。在一些实施例中,第一电极120呈阵列方式排布。第一发光结构130位于第一电极120上。第二电极层组140位于第一发光结构130上。每个第一电极120与对应的第一发光结构130以及对应的第二电极层组140形成一个第一子像素SP1。
第二电极层组140包括相互叠设的第一子电极层141和第二子电极层142。其中,第一子电极层141包括相互间隔的电极块141s,每个电极块141s在阵列基板110上的正投影覆盖至少一个第一电极120在阵列基板110上的正投影。第二子电极层142连接至少部分相邻的电极块141s。其中,第二子电极层142的透光能力大于电极块141s的透光能力。第二子电极层142能够直接或间接将各电极块141s相互电连接,使得第二电极层组140为第一显示区AA1的公共电极。
根据本发明实施例的显示面板100,第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率,使得显示面板100在第一显示区AA1的背面可以集成感光组件,实现例如摄像头的感光组件的屏下集成,同时第一显示区AA1能够显示画面,提高显示面板100的显示面积,实现显示装置的全面屏设计。
此外,第一显示区AA1的第二电极层组140包括相互叠设的第一子电极层141和第二子电极层142,第一子电极层141包括的电极块141s在阵列基板110上的正投影覆盖至少一个第一电极120在阵列基板110上的正投影,保证形成的第一子像素SP1具有较高的色准。第二子电极层142连接至少部分相邻的电极块141s,并且第二子电极层142的透光能力大于电极块141s的透光能力,从而在保证第一子像素SP1正常显示的同时,提高第一子像素SP1周边的非发光区域的透光性能,进而提高第一显示区AA1的平均透光性能。当第一显示区AA1的背面集成感光组件时,感光组件能够具有更高感光性能表现。
在一些实施例中,显示面板1000还包括第三电极210、第二发光结构220以及第四电极230。
第三电极210位于阵列基板110上。在一些实施例中,第三电极210呈阵列方式排布。第二发光结构220位于第三电极210上。在一些实施例中,像素定义层150包括位于第一显示区AA1的第一像素开口和位于第二显示区AA2的第二像素开口,其中第一像素开口用于容纳第一发光结构130,第二像素开口用于容纳第二发光结构220。第四电极230位于第二发光结构220上。
第三电极210、第四电极230中的一个为阳极、另一个为阴极。本文中,以第三电极210是阳极、第四电极230是阴极为例进行说明。每个第三电极210与对应的第二发光结构220以及对应的第四电极230形成一个第二子像素SP2。第三电极210可以与器件层中的对应像素电路连接,使得像素电路驱动该第二子像素SP2显示。
在一些实施例中,第一子像素SP1的第一电极120的面积小于同色的第二子像素SP2的第三电极210的面积。
在一些实施例中,第三电极210可以配置为与第一电极120具有相同的材质及层结构。例如,第三电极210为反射电极。
第二发光结构220可以配置为与第一发光结构130具有相同的种类,同种的第二发光结构220、第一发光结构130具有相同的材质及层结构。
在一些实施例中,第二电极层组140的第二子电极层142与第四电极230电连接。即,第二电极层组140与第四电极230互连为显示面板1000的公共电极。
第二子电极层142与第四电极230的连接形式可以根据设计需要调整。例如,如图17,图17是图13中I区域的第二电极层组、第四电极的立体分解示意图,在本实施例中,第二子电极层142为连续的完整面结构。第二子电极层142在阵列基板110上的正投影覆盖全部电极块141s在阵列基板110上的正投影以及第四电极230在阵列基板110上的正投影。
上述显示面板1000中,在第二电极层组、第四电极的形成过程中,可以先形成第二子电极层142,第二子电极层142可以覆盖第一显示区AA1以及第二显示区AA2,之后在第一显示区AA1的第二子电极层142上形成图案化的多个电极块141s,在第二显示区AA2的第二子电极层142上形成第四电极230。
图18是本发明第二实施例提供的显示面板的俯视示意图,图19是图18中L区域的局部放大示意图,图20是图19中M-M向的剖面示意图,图21是图19中N-N向的剖面示意图。第二实施例的显示面板1000具有相互邻接的第一显示区AA1和第二显示区AA2,第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率。其中,以第二实施例的显示面板1000的第一显示区AA1配置为上述第四实施例的透光显示面板100为例进行说明。
在下文中,将对第二实施例的显示面板1000与第一实施例的显示面板1000之间的不同之处进行说明,相同之处不再详述。
在本实施例中,第一显示区AA1中,电极块141s排布为多列,多列电极块141s沿第一方向X排列,多列电极块141s中的每列包括在第二方向Y上间隔排列的多个电极块141s,第二方向Y与第一方向X交叉。第二子电极层142包括沿第一方向X排列的多个连接单元142u,每个连接单元142u将多列电极块141s中的对应列的电极块141s相互连接。
相邻连接单元142u在第一方向X上相互间隔,每个连接单元142u包括在第二方向Y上间隔排列的多个连接块142s,每个连接块142s连接在第二方向Y上相邻的电极块141s。
多个连接单元142u可以通过电连接结构143相互电连接,使得第一显示区AA1的各电极块141s通过连接单元142u以及电连接结构143连接为第一显示区AA1的公共电极。同时,电连接结构143还与第四电极230连接,使得第二电极层组140与第四电极230互连为显示面板1000的公共电极。
电连接结构143可以位于各连接单元142u延伸方向的同一端,例如在本实施例中,电连接结构143将各连接单元142u中的处于延伸方向同一端的连接块142s相互电连接。电连接结构143为导电材料制成,可以与连接单元142u的连接块142s同时形成,也可以在独立的步骤中形成。
在一些实施例中,每个连接块142s在阵列基板110上的正投影的形状及尺寸,与每个电极块141s在阵列基板110上的正投影的形状及尺寸相同,在第二方向Y上相邻的电极块141s之间的间距小于电极块141s在第二方向Y上的长度。
上述实施例的显示面板1000在形成第二电极层组140以及形成第四电极230的过程中,例如是采用以下方法形成。
在第二显示区AA2的第二发光结构220上形成第四电极230,第四电极230可以是覆盖第二显示区AA2设置。
通过掩膜板进行蒸镀,在第一发光结构130上形成电极块141s。其中,掩膜板上包括沿第一方向X排列的多列开口,多列开口中的每列包括在第二方向Y上间隔排列的多个开口。第二方向Y与第一方向X交叉。在第二方向Y上相邻的开口之间的间距小于开口在第二方向Y上的长度。
之后,将该掩膜板在第二方向Y上朝向靠近第二显示区AA2的方向平移预设距离,通过掩膜板进行蒸镀,形成连接块142s。其中,上述的预设距离大于在第二方向Y上相邻的开口之间的间距,且小于开口在第二方向Y上的长度。在一些实施方式中,连接块142s连接相邻电极块141s的同时,连接块142s在阵列基板110上的正投影覆盖至少一个第一电极120在阵列基板110上的正投影,使得每个第一发光结构130对应区域的第二电极层组140的膜层较厚,提高显示效果。
此外,形成将第一方向X上相邻的连接块142s相互连接的电连接结构143,电连接结构143也可以是通过蒸镀导电材料形成,其中,电连接结构143连接在第一方向X上相邻的连接块142s的同时,还连接第四电极230。
本发明实施例还提供一种透光显示面板的制作方法,根据该制作方法能够制得上述各实施例的透光显示面板100。
图22本发明一种实施例提供的透光显示面板的制作方法的流程框图,该透光显示面板的制作方法包括步骤S110至步骤S140。
在步骤S110中,提供阵列基板。提供阵列基板可以包括提供衬底以及在衬底上形成器件层。
在步骤S120中,在阵列基板上形成第一电极。第一电极例如是OLED器件的阳极。第一电极可以通过图案化形成,从而得到阵列排布的多个第一电极。在一些实施例中,第一电极为透光电极,其材质例如是ITO或IZO等透明导电材料。在一些实施例中,第一电极为反射电极,其例如包括第一透光导电层、位于第一透光导电层上的反射层以及位于反射层上的第二透光导电层。其中第一透光导电层、第二透光导电层可以是ITO、IZO等,反射层可以是金属层,例如是银材质制成。
在步骤S130中,在第一电极上形成第一发光结构。在一些实施例中,形成上述第一电极后,可以在阵列基板上形成像素定义层,对该像素定义层图案化,使得像素定义层包含与第一电极位置对应的多个像素开口。形成第一发光结构,可以是在像素开口内的第一电极上形成第一发光结构。第一发光结构可以包括发光层,根据第一发光结构的设计需要,第一发光结构还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层或电子传输层中的至少一种。
在步骤S140中,在第一发光结构上形成第二电极层组,包括在第一发光结构上形成第一子电极层和形成第二子电极层,第一子电极层与第二子电极层相互叠设。第二电极层组例如是OLED器件的阴极。每个第一电极与对应的第一发光结构以及对应的第二电极层组形成一个第一子像素。
在本实施例中,形成第一子电极层包括形成相互间隔的电极块,每个电极块与至少一个第一电极位置对应,形成第二子电极层包括形成能够将至少部分相邻的电极块连接的第二子电极层,第二子电极层的透光能力大于电极块的透光能力。
形成第一子电极层和形成第二子电极层的顺序可以根据工艺需要调整。在一些实施例中,可以先形成第一子电极层,再形成第二子电极层;在另外一些实施例中,也可以先形成第二子电极层,再形成第一子电极层。
在一些实施例中,第一子电极层可以是镱层或镁银合金层,使得第一子电极层与第一电极以及两者之间的层结构能够形成合适的微腔效应,提高形成的第一子像素的显示效果,减小色偏现象的产生。
在一些实施例中,第二子电极层可以是氧化铟锡层或氧化铟锌层,从而提高第一子电极层的相邻电极块之间的间隔区域的透光性能。
在一些实施例中,形成第二子电极层包括通过电子束蒸发镀膜、溅射镀膜、或热蒸发镀膜形成第二子电极层。
根据本发明实施例的透光显示面板的制作方法,形成第一子电极层包括形成相互间隔的电极块,每个电极块在阵列基板上的正投影覆盖至少一个第一电极在阵列基板上的正投影,保证形成的第一子像素具有较高的色准。第二子电极层连接至少部分相邻的电极块,并且第二子电极层的透光能力大于电极块的透光能力,从而在保证第一子像素正常显示的同时,提高第一子像素周边的非发光区域的透光性能,进而提高透光显示面板的平均透光性能。
在一些实施例中,第二子电极层包括连接块,在第一发光结构上形成第二电极层组包括以下步骤:
通过掩膜板进行蒸镀,在第一发光结构上形成电极块、连接块中的一者,其中,掩膜板上包括沿第一方向排列的多列开口,多列开口中的每列包括在第二方向上间隔排列的多个开口,第二方向与第一方向交叉,在第二方向上相邻的开口之间的间距小于开口在第二方向上的长度。
例如,本步骤中在第一发光结构上形成电极块。此时,电极块排布为多列,多列电极块沿第一方向排列,多列电极块中的每列包括在第二方向上间隔排列的多个电极块。
之后,将掩膜板在第二方向上平移预设距离,通过掩膜板进行蒸镀,在第一发光结构上形成电极块、连接块中的另一者,其中,预设距离大于在第二方向上相邻的开口之间的间距,且小于开口在第二方向上的长度。
例如,本步骤中形成连接块,此时连接块连接在第二方向上相邻的电极块。每个连接块在阵列基板上的正投影的形状及尺寸,与每个电极块在阵列基板上的正投影的形状及尺寸相同。
此后,可以形成将第一方向X上相邻的连接块142s相互连接的电连接结构143,电连接结构143也可以是通过蒸镀导电材料形成。
根据上述实施例的透光显示面板的制作方法,第一子电极层、第二子电极层可以采用相同的掩膜板图案化形成,节省生产成本,提高透光显示面板的制作效率。
依照本发明如上文所述的实施例,这些实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然,根据以上描述,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本发明的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (10)
1.一种透光显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板;
第一电极,位于所述阵列基板上;
第一发光结构,位于所述第一电极上;以及
第二电极层组,位于所述第一发光结构上,所述第二电极层组包括相互叠设的第一子电极层和第二子电极层,其中,所述第一子电极层包括相互间隔的电极块,每个所述电极块在所述阵列基板上的正投影覆盖至少一个所述第一电极在所述阵列基板上的正投影,所述第二子电极层连接至少部分相邻的所述电极块,所述第二子电极层的透光能力大于所述电极块的透光能力。
2.根据权利要求1所述的透光显示面板,其特征在于,所述第二子电极层为连续的完整面结构,所述第二子电极层在所述阵列基板上的正投影覆盖全部所述电极块在所述阵列基板上的正投影。
3.根据权利要求1所述的透光显示面板,其特征在于,所述电极块排布为多列,所述多列沿第一方向排列,所述多列中的每列包括在第二方向上间隔排列的多个所述电极块,所述第二方向与所述第一方向交叉,
所述第二子电极层包括沿所述第一方向排列的多个连接单元,每个所述连接单元将所述多列中的对应列的所述电极块相互连接。
4.根据权利要求3所述的透光显示面板,其特征在于,相邻所述连接单元在所述第一方向上相互间隔,每个所述连接单元包括在所述第二方向上间隔排列的多个连接块,每个所述连接块连接在所述第二方向上相邻的所述电极块。
5.根据权利要求4所述的透光显示面板,其特征在于,每个所述连接块在所述阵列基板上的正投影的形状及尺寸,与每个所述电极块在所述阵列基板上的正投影的形状及尺寸相同,在所述第二方向上相邻的所述电极块之间的间距小于所述电极块在所述第二方向上的长度。
6.根据权利要求1所述的透光显示面板,其特征在于,所述第一子电极层包括镱层或镁银合金层;
优选地,所述第二子电极层包括氧化铟锡层或氧化铟锌层;
优选地,每个所述第一发光结构在所述阵列基板上的正投影由一个第一图形单元组成或由两个以上第一图形单元拼接组成,所述第一图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个;
优选地,每个所述第一电极在所述阵列基板上的正投影由一个第二图形单元组成或由两个以上第二图形单元拼接组成,所述第二图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。
7.一种显示面板,其特征在于,具有相互邻接的第一显示区和第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率,其中,所述显示面板的所述第一显示区配置为根据权利要求1至6任一项所述的透光显示面板。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,还包括:
第三电极,位于所述阵列基板上,且位于所述第二显示区;
第二发光结构,位于所述第三电极上;以及
第四电极,位于所述第二发光结构上,
其中,所述第二电极层组的所述第二子电极层与所述第四电极电连接;
优选地,所述第二子电极层为连续的完整面结构,所述第二子电极层在所述阵列基板上的正投影覆盖全部所述电极块在所述阵列基板上的正投影以及所述第四电极在所述阵列基板上的正投影。
9.一种透光显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供阵列基板;
在所述阵列基板上形成第一电极;
在所述第一电极上形成第一发光结构;以及
在所述第一发光结构上形成第二电极层组,包括在所述第一发光结构上形成第一子电极层和形成第二子电极层,所述第一子电极层与所述第二子电极层相互叠设,
其中,所述形成第一子电极层包括形成相互间隔的电极块,每个所述电极块在所述阵列基板上的正投影覆盖至少一个所述第一电极在所述阵列基板上的正投影,所述形成第二子电极层包括形成能够将至少部分相邻的所述电极块连接的所述第二子电极层,所述第二子电极层的透光能力大于所述电极块的透光能力。
10.根据权利要求9所述的透光显示面板的制作方法,其特征在于,所述形成第二子电极层包括通过电子束蒸发镀膜、溅射镀膜、或热蒸发镀膜形成所述第二子电极层;
优选地,所述第二子电极层包括连接块,所述在所述第一发光结构上形成第二电极层组包括:
通过掩膜板进行蒸镀,在所述第一发光结构上形成所述电极块、所述连接块中的一者,其中,所述掩膜板上包括沿第一方向排列的多列开口,所述多列开口中的每列包括在第二方向上间隔排列的多个开口,所述第二方向与所述第一方向交叉,在所述第二方向上相邻的所述开口之间的间距小于所述开口在所述第二方向上的长度;
将所述掩膜板在所述第二方向上平移预设距离,通过所述掩膜板进行蒸镀,形成所述电极块、所述连接块中的另一者,其中,所述预设距离大于在所述第二方向上相邻的所述开口之间的间距,且小于所述开口在所述第二方向上的长度。
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