CN115513363A - 显示模组和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种显示模组和显示装置,涉及显示技术领域;显示模组包括阵列层;发光元件位于阵列层一侧;第一散热件位于阵列层,且发光元件与第一散热件在显示模组出光面的正投影至少部分交叠;第一散热件至少用于发光元件的散热;沿垂直于阵列层的厚度方向,第一散热件包括间隔设置的第一半导体和第二半导体,第一半导体和第二半导体均为有机半导体;沿阵列层的厚度方向,第一散热件还包括位于第一半导体和第二半导体两侧的第一电极和第二电极,第一电极位于第二电极朝向发光元件一侧;第一电极与第一半导体和第二半导体均接触,第二电极包括间隔设置的第一子电极和第二子电极,第一子电极与第一半导体接触,第二子电极与第二半导体接触。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种显示模组和显示装置。
背景技术
显示模组中的发光元件在高亮工作时会产生巨大的热量,如果热量不能够及时散失的话,会由于高温导致部分发光元件失效,因此必须采用一定的散热技术来实现显示模组工作时热量的导出。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种显示模组和显示装置,用以提高显示模组工作时的散热效果。
第一方面,本申请提供一种显示模组,包括:
阵列层;
发光元件,位于所述阵列层一侧;
第一散热件,位于所述阵列层,且所述发光元件在所述显示模组出光面的正投影与所述第一散热件在所述显示模组出光面的正投影至少部分交叠;所述第一散热件至少用于所述发光元件的散热;
沿垂直于所述阵列层的厚度方向上,所述第一散热件包括间隔设置的第一半导体和第二半导体,所述第一半导体和所述第二半导体均为有机半导体;沿所述阵列层的厚度方向上,所述第一散热件还包括位于所述第一半导体和所述第二半导体两侧的第一电极和第二电极,所述第一电极位于所述第二电极朝向所述发光元件一侧;所述第一电极与所述第一半导体和所述第二半导体均接触,所述第二电极包括间隔设置的第一子电极和第二子电极,所述第一子电极与所述第一半导体接触,所述第二子电极与所述第二半导体接触。
第二方面,本申请提供一种显示装置,该显示装置包括所述的显示模组。
与现有技术相比,本发明提供的一种显示模组和显示装置,至少实现了如下的有益效果:
本申请提供了一种显示模组和显示装置,在显示模组中发光元件对应的阵列层中设置第一散热件,第一散热件具体为有机半导体器件,第一散热件至少用于发光元件工作时所产生热量的导出,即可通过第一散热件将发光元件产生的热量向远离发光元件一侧导出,以实现显示模组在工作时的散热,保障显示模组的正常使用功能。
当然,实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述,本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例,并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1所示为本申请实施例提供的显示模组的一种俯视图;
图2所示为本申请实施例提供的图1中AA’的一种截面图;
图3所示为本申请实施例提供的图1中AA’的另一种截面图;
图4所示为本申请实施例提供的第一散热件接收第一电压信号的一种示意图;
图5所示为本申请实施例提供的第二散热件接收第二电压信号的一种示意图;
图6所示为本申请实施例提供的图1中AA’的另一种截面图;
图7所示为本申请实施例提供的图1中AA’的另一种截面图;
图8所示为本申请实施例提供的图1中B区域包括第一半导体、第二半导体的一种示意图;
图9所示为本申请实施例提供的图1中B区域包括第一半导体、第二半导体、第一电极的一种透视图;
图10所示为本申请实施例提供的图1中B区域包括第一散热件的一种透视图;
图11所示为本申请实施例提供的图1中B区域包括第三半导体、第四半导体的一种示意图;
图12所示为本申请实施例提供的图1中B区域包括第三半导体、第四半导体、第三电极的一种透视图;
图13所示为本申请实施例提供的图1中B区域包括第二散热件的一种透视图;
图14所示为本申请实施例提供的图1中AA’的另一种截面图;
图15所示为本申请实施例提供的图1中AA’的另一种截面图;
图16所示为本申请实施例提供的显示装置的一种示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
现有技术中常使用的热沉散技术是在显示模组中的显示面板背面贴附面积比较大的散热片,但是对于透明Micro LED(微米发光二极管)而言,由于其本身特性,面板存在很大部分的透明区,在面板前方和后方都不能进行遮挡,因此亟待提供一种散热方式用于透明Micro LED显示的散热。
有鉴于此,本发明提供了一种显示模组和显示装置,用以提高显示模组工作时的散热效果。
图1所示为本申请实施例提供的显示模组的一种俯视图,图2所示为本申请实施例提供的图1中AA’的一种截面图,请参照图1和图2,本申请提供了一种显示模组100,包括:
阵列层20;
发光元件10,位于阵列层20一侧;
第一散热件30,位于阵列层20,且发光元件10在显示模组100出光面的正投影与第一散热件30在显示模组100出光面的正投影至少部分交叠;第一散热件30至少用于发光元件10的散热;
沿垂直于阵列层20的厚度方向上,第一散热件30包括间隔设置的第一半导体33和第二半导体34,第一半导体33和第二半导体34均为有机半导体;沿阵列层20的厚度方向上,第一散热件30还包括位于第一半导体33和第二半导体34两侧的第一电极31和第二电极32,第一电极31位于第二电极32朝向发光元件10一侧;第一电极31与第一半导体33和第二半导体34均接触,第二电极32包括间隔设置的第一子电极321和第二子电极322,第一子电极321与第一半导体33接触,第二子电极322与第二半导体34接触。
具体地,本申请提供一种显示模组100,该显示模组100包括发光元件10和阵列层20,阵列层20位于发光元件10的非出光面一侧,阵列层20中可设置用于控制电信号是否向发光元件10传送的开关单元;本申请提供一种阵列层20的结构包括第一散热件30,该第一散热件30与发光元件10对应设置,且可设置发光元件10在显示模组100出光面的正投影与第一散热件30在显示模组100出光面的正投影几乎全部交叠;特别是针对于透明显示模组100而言,设置发光元件10和其对应的第一散热件30占用近乎相同大小的空间设置,可以尽可能地保留显示模组100中呈现为透明状态的区域,提升显示模组100的整体透明效果,又能够保证显示模组100的正常显示效果、及第一散热件30对于发光元件10的散热效果。再者,设置发光元件10在显示模组100出光面的正投影与第一散热件30在显示模组100出光面的正投影几乎全部交叠,也可使得发光元件10与其对应设置的第一散热件30之间保有尽可能大的热量接触面积,有利于提升第一散热件30对发光元件10所产生的热量导出的效率,提升显示模组100的使用良率。
本申请提供的第一散热件30的结构可包括沿垂直于阵列层20的厚度方向上间隔设置的第一半导体33和第二半导体34,可选择第一半导体33和第二半导体34均为有机半导体;此外,第一散热件30还包括沿阵列层20的厚度方向上设置在第一半导体33和第二半导体34两侧的第一电极31和第二电极32,其中第一电极31位于第一半导体33和第二半导体34靠近发光元件10的一侧设置,且第一电极31直接与第一半导体33和第二半导体34接触,第二电极32位于第一半导体33和第二半导体34远离发光元件10一侧,且第二电极32具体包括间隔设置的第一子电极321和第二子电极322,第一子电极321与第一半导体33接触设置,第二子电极322与第二半导体34接触设置。第一散热件30对于发光元件10的散热路径为,发光元件10在工作过程中所产生的热量会通过第一电极31向第一半导体33和第二半导体34一侧传送,热量在这一传送过程中会部分完成散热,但是还有许多热量没有被散失,此时剩余的热量会进一步通过第一半导体33向第一子电极321一侧传送、通过第二半导体34向第二子电极322一侧传送,进而将第一半导体33、第二半导体34中所存在的热量进一步通过第一子电极321和第二子电极322进行散失。
也即,本申请通过将第一散热件30对应设置在发光元件10的非出光面一侧,避免设置第一散热件30对于发光元件10显示效果的影响;同时,当显示模组100为透明显示模组100时,将第一散热件30对应设置在发光元件10的非出光面一侧,可以避免增设第一散热件30对于透明显示模组100透光面积的占用,保障显示模组100的透光率,保障显示模组100对应显示装置的所需使用效果。再者,本申请提供的第一散热件30对于发光元件10工作过程中所产生的热量是由上至下依次传送的,能够避免热量的集聚,提升热量向外散失的效率。
需要补充的是,当显示模组100的发光元件10选用Micro LED时,Micro LED在工作时发热是非常严重的,通过上述的第一散热件30用于给Micro LED进行散热,有利于实现对显示模组100的降温,避免对于显示模组100对应的显示装置性能的影响,提高用户体验。
图3所示为本申请实施例提供的图1中AA’的另一种截面图,请参照图1和图3,可选地,还包括:
玻璃基板40,位于阵列层20远离发光元件10一侧;
第二散热件50,至少部分位于玻璃基板40;沿玻璃基板40的厚度方向上,第一散热件30和第二散热件50至少部分交叠;
沿垂直于玻璃基板40的厚度方向上,第二散热件50包括间隔设置的第三半导体53和第四半导体54;沿玻璃基板40的厚度方向,第三半导体53和第四半导体54均贯穿玻璃基板40,第三半导体53和第四半导体54均为无机半导体;沿玻璃基板40的厚度方向上,第二散热件50还包括位于玻璃基板40两侧的第三电极51和第四电极52,第三电极51位于阵列层20、且与第三半导体53和第四半导体54均接触,第四电极52包括间隔设置的第三子电极521和第四子电极522,第三子电极521与第三半导体53接触,第四子电极522与第四半导体54接触。
具体地,还提供一种可选择的实施例为,本申请提供的显示模组100还可进一步包括位于阵列层20远离发光元件10一侧的第二散热件50,第二散热件50可借助玻璃基板40实现其的设置;具体为,在阵列层20远离发光元件10一侧设置玻璃基板40,沿垂直于玻璃基板40的厚度方向上,在玻璃基板40内设置有间隔设置、且沿玻璃基板40的厚度方向贯穿该玻璃基板40的第三半导体53和第四半导体54,第三半导体53和第四半导体54进而在玻璃基板40沿其厚度方向上的上下两侧设置第三电极51和第四电极52,第三电极51设置于第三半导体53和第四半导体54靠近发光元件10一侧、并与第三半导体53和第四半导体54直接接触,第四电极52包括第三子电极521和第四子电极522,第三子电极521设置于第三半导体53远离第三电极51一侧、并与第三半导体53直接接触,第四子电极522设置于第四半导体54远离第三电极51一侧、并与第四半导体54直接接触;在上述第二散热件50所包括的第三电极51、第三半导体53、第四半导体54、第四电极52的设置基础上,本申请进一步设置第二散热件50与第一散热件30对应设置,即设置第一散热件30在显示模组100出光面的正投影与第二散热件50在显示模组100出光面的正投影尽可能地具有更大的交叠面积,且设置第一散热件30和第二散热件50在显示模组100厚度方向上的间距足够小,以使得第一散热件30接收到的发光元件10工作时产生的热量,能够进一步通过第二散热件50进行散失,进一步提升发光元件10工作时产生的热量的导出效果,有利于提升第一散热件30、第二散热件50对发光元件10所产生的热量导出的效率,提升显示模组100的使用良率。
再者,本申请通过将第一散热件30、第二散热件50均对应设置在发光元件10的非出光面一侧,避免设置第一散热件30、第二散热件50对于发光元件10显示效果的影响;同时,当显示模组100为透明显示模组100时,将第一散热件30、第二散热件50对应设置在发光元件10的非出光面一侧,可以避免增设第一散热件30、第二散热件50对于透明显示模组100透光面积的占用,保障显示模组100的透光率,保障显示模组100对应显示装置的所需使用效果。再者,本申请提供的第一散热件30、第二散热件50对于发光元件10工作过程中所产生的热量是由上至下依次传送的,即热量在传送到第一散热件30的第二电极32一侧后,会进一步传送到第二散热件50的第三电极51,进而通过第三半导体53、第四半导体54继续将热量向第四电极52一侧传送,以使得发光元件10传产生的热量能够在这一热量传送路径上逐渐散失,且通过此方式将热量传送至距离发光元件10更远的位置,提升热量向外散失的效率,能够避免热量的集聚,更可靠地避免发光元件10因热量集聚导致的损伤问题。
请参照图1-图3,可选地,发光元件10包括第一发光亮度和第二发光亮度,第一发光亮度小于第二发光亮度;
发光元件10处于第一发光亮度,发光元件10的热量经第一散热件30向第二散热件50一侧传送,第四电极52用于散发热量;且第二散热件50复用为温差电池。
具体地,本申请提供的发光元件10在显示状态时可以包括第一发光亮度和第二发光亮度,也即每一个发光元件10在所需情况下,可以体现为第一发光亮度或是第二发光亮度,这里第一发光亮度和第二发光亮度是不同的,例如为第一发光亮度小于第二发光亮度。
由于本申请提供的第二散热件50包括第三电极51、第三半导体53、第四半导体54、第四电极52,且在发光元件10工作时,第二散热件50的第三电极51侧所接收到的热量是比较高的,相对来说第二散热件50的第四电极52侧的热量就比较低,因此,第二散热件50也可被作为一个温差电池来使用。基于此,本申请提供一种可选择的实施例为,当发光元件10的发光亮度比较低的时候,也即发光元件10处于第一发光亮度时,发光元件10对于散热的需求相对来说比较低,此时可选择可使用第一散热件30、第二散热件50作为热量散失件之外,同时也可选择使用第二散热件50作为温差电池来使用;也即,发光元件10呈现为第一发光亮度时,其工作所产生的热量会经由第一散热件30向第二散热件50一侧传送,并将热量最终通过第四电极52进行彻底散发,以使得发光元件10传产生的热量能够在这一热量传送路径上散失,且将热量传送至距离发光元件10更远的位置,提升热量向外散失的效率,能够避免热量的集聚,更可靠地避免发光元件10因热量集聚导致的损伤问题;同时,作为无机半导体器件的第二散热件50的顶部第三电极51处于热端、底部第四电极52处于冷端,产生温差,使得第二散热件50能够作为温差电池产生温差发电,温差电池产生的电能能够被用于显示模组100中需要电能的一些器件的驱动,例如该电能可以用来实现显示装置中显示屏、驱动芯片等的驱动,实现对于多余热量的复用,能够在保障显示模组100正常显示效果的基础上,降低显示模组100的功耗,提升了资源利用率;再者,通过此种方式将废热转换为电能,也提升了经济效益。
请继续参照图1-图3,可选地,发光元件10包括第一发光亮度和第二发光亮度,第一发光亮度小于第二发光亮度;
发光元件10处于第二发光亮度,发光元件10的热量经第一散热件30向第二散热件50一侧传送,第四电极52用于散发热量。
具体地,本申请提供的发光元件10在显示状态时可以包括第一发光亮度和第二发光亮度,也即每一个发光元件10在所需情况下,可以体现为第一发光亮度或是第二发光亮度,这里第一发光亮度和第二发光亮度是不同的,例如为第一发光亮度小于第二发光亮度。
由于发光元件10处于第二发光亮度时,其所产生的热量相对来说是比较高的,热量越高越容易对发光元件10及其周边的其它元器件造成损伤,因此,将发光元件10工作时产生的多余热量进行导出是最重要的;基于此,本申请提供一种可选择的设置方式为,在发光元件10处于第二发光亮度时,设置于发光元件10一侧的第一散热件30和第二散热件50均仅作为散热件来使用,使得多余热量能够经由第一散热件30向第二散热件50一侧传送,并将热量最终通过第四电极52进行散发,以使得发光元件10所产生的热量能够在这一热量传送路径上慢慢散失,且将热量传送至距离发光元件10更远的位置,能够提升热量向外散失的效率,能够避免热量的集聚,更可靠地避免发光元件10因热量集聚导致的损伤问题。
图4所示为本申请实施例提供的第一散热件接收第一电压信号的一种示意图,请参照图1-图4,可选地,第一散热件30接收第一电压信号V1,第一电压信号V1驱使第一散热件30将发光元件10的热量由第一电极31向第二电极32一侧传送。
具体地,本申请提供一种可选择的设置方式为,可向阵列层20中的第一散热件30的有机半导体(第一半导体33和第二半导体34)施加外部电压(第一电压信号V1),驱使发光元件10所产生的热量,由第一散热件30中靠近发光元件10一侧的第一电极31逐步向第一散热件30中远离发光元件10的第二电极32一侧传送,提高热量向远离发光元件10一侧散失的效率,避免热量集聚,从而避免发光元件10因热量集聚导致的损伤问题。
图5所示为本申请实施例提供的第二散热件接收第二电压信号的一种示意图,请参照图1-图5,可选地,第二散热件50接收第二电压信号V2,第二电压信号V2驱使第二散热件50将第一散热件30接收到的热量由第三电极51向第四电极52一侧传送。
具体地,本申请提供一种可选择的设置方式为,可向玻璃基板40上所设置的第二散热件50的无机半导体(第三半导体53和第四半导体54)施加外部电压(第二电压信号V2),驱使发光元件10所产生的热量经由第一散热件30传送到第二散热件50一侧时,由第二散热件50中靠近第一散热件30一侧的第三电极51逐步向第二散热件50中远离第一散热件30的第四电极52一侧传送,能够进一步提高热量向远离发光元件10一侧散失的效率,增强散热效果,避免发光元件10因热量集聚导致的损伤问题。
需要说明的是,当发光元件10的发光亮度比较低的时候,例如处于上述的第一发光亮度,可选择仅向第一散热件30提供第一电压信号V1,驱使发光元件10工作时所产生的热量向第一散热件30一侧导出;当发光元件10的发光亮度比较高的时候,例如处于上述的第二发光亮度,可选择在向第一散热件30提供第一电压信号V1的同时,也向第二散热件50提供第二电压信号V2,从而驱使发光元件10在工作时产生的热量能够更加快速的经第一散热件30后向第二散热件50远离第一散热件30的一侧进行传送,进一步增强散热效果。
还需要补充的是,当发光元件10的发光亮度比较低的时候,向第一散热件30提供第一电压信号V1,驱使发光元件10工作时所产生的热量向第一散热件30一侧导出的同时,可将第二散热件50电连接的第二电压信号替换为一个输出电源(未示出);如此设置,使得第二散热件50能够作为温差电池来使用,温差电池产生的电能能够被用于显示模组100中需要电能的一些器件的驱动,实现对于多余热量的复用,降低显示模组100的功耗,提升了资源利用率,也提升了经济效益。
图6所示为本申请实施例提供的图1中AA’的另一种截面图,请参照图1和图6,可选地,还包括导热材料60;
导热材料60至少位于第一散热件30和发光元件10之间。
具体地,本申请还提供一种可选择的设置方式为,在第一散热件30和发光元件10之间设置导热材料60,以使得发光元件10在工作时做产生的热量能够尽可能快速地通过导热材料60向第一散热件30一侧传送,提升发光元件10工作时所产生的热量的导出速率,提升显示模组100工作状态下的散热效率。
图7所示为本申请实施例提供的图1中AA’的另一种截面图,请参照图1和图7,可选地,导热材料60至少部分围绕发光元件10。
具体地,除了将导热材料60设置在第一散热件30和发光元件10之外,还可进一步设置导热材料60围绕发光元件10,以使得导热材料60与发光元件10之间的接触面积更大,从而进一步提升发光元件10在工作时所产生的热量的导出,进一步提升发光元件10工作时所产生的热量的导出速率,提升显示模组100的工作良率。
需要补充的是,使用导热材料60围住整颗发光元件10,目的是构成传热通道,将发光元件10发出的热量迅速传导至有机半导体温差发电器件(第一散热件30)上,实现从上至下的导热通道。
还需要补充的是,为避免导热材料60对于发光元件10出光效果的不利影响,可选择设置导热材料60不覆盖发光元件10的出光面。
请参照图1、图6、图7,可选地,导热材料60包括碳化硅、六方氮化硼、金刚石中的至少一种。
具体地,导热材料60可为掺杂了碳化硅(SiC)、六方氮化硼(hBN)、金刚石的有机聚合物材料,该导热材料60不仅仅能够用于发光元件10工作时所产生热量的快速导出,同时还能够用于平坦化显示模组100的表面,使得显示模组100的表面更加平滑,便于相关显示装置的无损组装。
其中,导热材料60中的有机聚合物材料主体可以是亚克力、环氧、硅氧、聚酰亚胺等材料;但本申请并不以此为限。
请参照图1-图7,可选地,第一电极31在玻璃基板40所在平面的正投影面积小于第二电极32在玻璃基板40所在平面的正投影面积;且,
第三电极51在玻璃基板40所在平面的正投影面积小于第四电极52在玻璃基板40所在平面的正投影面积。
具体地,本申请提供一种可选择的设置方式为,设置第一散热件30中的第二电极32的面积大于第一电极31的面积,且设置第二散热件50中的第四电极52的面积大于第三电极51的面积,也即设置第一散热件30中远离发光元件10一侧的面积更大一些,设置第二散热件50中远离发光元件10一侧的面积更大一些。
通过上述设置方式,当发光元件10所产生的热量向第一散热件30传送,设置第二电极32的面积更大一些,可使得第一散热件30中远离发光元件10一侧的更大面积的第二电极32的散热效果更加良好,增强第一散热件30对于发光元件10的散热效果;同样的,当发光元件10所产生的热量经第一散热件30向第二散热件50一侧传送时,设置第四电极52的面积更大一些,可使得第二散热件50中远离发光元件10一侧的更大面积的第四电极52的散热效果更加良好,增强第二散热件50对于发光元件10的散热效果。设置第二电极32的面积偏大、且设置第四电极52的面积偏大,在降低面电阻的同时,可以加快热量的横向扩散。
需要补充的是,本申请此处提供的设置第二电极32的面积偏大、且设置第四电极52的面积偏大仅是本申请提供的一种可选择的实施例,但本申请并不以此为限,用户也可根据实际需求仅设置第二电极32的面积偏大,或是仅设置第四电极52的面积偏大。
需要补充的是,当发光元件10的发光亮度比较低,即处于第一发光亮度时,阵列层20内有机半导体器件(第一散热件30)通过外加电压(第一电压信号V1),将发光元件10产生的热量逐步传送至底部(第二电极32);玻璃基板40上无机半导体器件(第二散热件50)的顶部(第三电极51)处于热端,玻璃基板40底部大面积的电极(第四电极52)处于冷端,产生温差,玻璃基板40上无机半导体器件(第二散热件50)产生温差发电,并一定程度上将热量散失。当发光元件10的发光亮度比较高,即处于第二发光亮度时,阵列层20内有机半导体(第一散热件30)通过外加电压(第一电压信号V1),将发光元件10产生的热量逐步传送至底部(第二电极32);由于发光元件10在高亮状态下,产生的热量巨大,此时可设置玻璃基板40上无机半导体器件(第二散热件50)也同步施压(第二电压信号V2)将集聚在阵列层20内有机半导体器件(第一散热件30)底部的热量传导至玻璃基板40底部的大范围底部电极上(第四电极52),增强散热效果。
图8所示为本申请实施例提供的图1中B区域包括第一半导体、第二半导体的一种示意图,图9所示为本申请实施例提供的图1中B区域包括第一半导体、第二半导体、第一电极的一种透视图,图10所示为本申请实施例提供的图1中B区域包括第一散热件的一种透视图,需要说明的是,图8-图10示出的实施例具体为一个透光区对应设置有多个第一散热件的实施例,请参照图1-图10,可选地,多个第一散热件30在显示模组100中阵列排布;
沿第一方向,第一半导体33和第二半导体34交替排布;且,沿第二方向第一半导体33和第二半导体34交替排布;
其中,第一方向和第二方向相交。
具体地,本申请提供一种可选择的设置方式为,一个显示模组100中可包括多个第一散热件30,多个第一散热件30可在显示模组100中阵列排布,例如沿第一方向上,可设置第一半导体33和第二半导体34交替排布,同时设置第一半导体33和第二半导体34在第二方向上交替排布,使得显示模组100中的第一半导体33和第二半导体34呈现为“黑白格”的排布样式。
需要补充的是,图9为了清晰示出第一电极31会覆盖一个第一散热件30中的第一半导体33和第二半导体34,将第一电极31的俯视图面积绘制的略大一些,但图9并不用于限定需要设置第一电极31的面积在覆盖第一半导体33和第二半导体34后还要再超出部分,用户可根据需求设置第一电极31与第一半导体33、第二半导体34之间的正投影覆盖关系;关于第一散热件30的截面图可参照前述的图2、图3、图6、图7。
请继续参照图1-图10,可选地,第一散热件30的第一半导体33和第二半导体34沿第二方向排布;
沿第一方向上,相邻设置的3个第一散热件30包括第一子第一散热件301、第二子第一散热件302和第三子第一散热件303,第二子第一散热件302位于第一子第一散热件301和第三子第一散热件303之间;
第一子第一散热件301的第二子电极322、和第二子第一散热件302的第一子电极321电连接,第二子第一散热件302的第二子电极322、和第三子第一散热件303的第一子电极321电连接。
具体地,相邻设置的多个第一散热件30阵列排布时,相邻设置的多个第一散热件30的之间的电连接方式,此处以沿第一方向上相邻设置的3个第一散热件30为例进行说明,沿第一方向上第一子第一散热件301、第二子第一散热件302和第三子第一散热件303依次设置,此时,第一子第一散热件301的第二子电极322、和第二子第一散热件302的第一子电极321电连接,第二子第一散热件302的第二子电极322、和第三子第一散热件303的第一子电极321电连接。
将显示模组100中的多个第一散热件30电连接起来,可以进一步增大第一散热件30中第二电极32的面积,进一步实现对于面电阻的降低,且进一步加快热量的横向扩散。
图11所示为本申请实施例提供的图1中B区域包括第三半导体、第四半导体的一种示意图,图12所示为本申请实施例提供的图1中B区域包括第三半导体、第四半导体、第三电极的一种透视图,图13所示为本申请实施例提供的图1中B区域包括第二散热件的一种透视图,需要说明的是,图11-图13示出的实施例具体为一个透光区对应设置有多个第二散热件的实施例,请参照图1-图13,可选地,多个第二散热件50在显示模组100中阵列排布;
沿第一方向,第三半导体53和第四半导体54交替排布;且,沿第二方向第三半导体53和第四半导体54交替排布;
其中,第一方向和第二方向相交。
具体地,本申请提供一种可选择的设置方式为,一个显示模组100中可包括多个第二散热件50,多个第二散热件50可在显示模组100中阵列排布,例如沿第一方向上,可设置第三半导体53和第四半导体54交替排布,同时设置第三半导体53和第四半导体54在第二方向上交替排布,使得显示模组100中的第三半导体53和第四半导体54呈现为“黑白格”的排布样式。
需要补充的是,图12为了清晰示出第三电极51会覆盖一个第二散热件50中的第三半导体53和第四半导体54,将第三电极51的俯视图面积绘制的略大一些,但图12并不用于限定需要设置第三电极51的面积在覆盖第三半导体53和第四半导体54后还要再超出部分,用户可根据需求设置第三电极51与第三半导体53、第四半导体54之间的正投影覆盖关系;关于第二散热件50的截面图可参照前述的图3、图6、图7。
请参照图1-图13,可选地,第二散热件50的第三半导体53和第四半导体54沿第二方向排布;
沿第一方向上,相邻设置的3个第二散热件50包括第一子第二散热件501、第二子第二散热件502和第三子第二散热件503,第二子第二散热件502位于第一子第二散热件501和第三子第二散热件503之间;
第一子第二散热件501的第四子电极522、和第二子第二散热件502的第三子电极521电连接,第二子第二散热件502的第四子电极522、和第三子第二散热件503的第三子电极521电连接。
具体地,相邻设置的多个第二散热件50阵列排布时,相邻设置的多个第二散热件50的之间的电连接方式,此处以沿第一方向上相邻设置的3个第二散热件50为例进行说明,沿第一方向上第一子第二散热件501、第二子第二散热件502和第三子第二散热件503依次设置,此时,第一子第二散热件501的第四子电极522、和第二子第二散热件502的第三子电极521电连接,第二子第二散热件502的第四子电极522、和第三子第二散热件503的第三子电极521电连接。
将显示模组100中的多个第二散热件50电连接起来,可以进一步增大第二散热件50中第四电极52的面积,进一步实现对于面电阻的降低,且进一步加快热量的横向扩散。
请继续参照图1-图13,可选地,第一半导体33和第二半导体34中的一者为N型半导体、一者为P型半导体;且,
第三半导体53和第四半导体54中的一者为N型半导体、一者为P型半导体。
具体地,本申请提供的每一第一散热件30、每一第二散热件50中的半导体均为N型半导体和P型半导体,由于阵列层20中含有有机层,不能通过区熔或热压的方法形成无机半导体PN结,因此,本申请提供一种可选择的设置方式为,位于阵列层20中的第一散热件30使用有机物半导体,位于玻璃基板40中的第二散热件50使用无机物半导体。
其中,PN结无机半导体的顶部电极起到连接PN结的作用,PN结有机半导体的顶部也是起到连接PN结的作用;具体为,第一电极31起到电连接第一半导体33和第二半导体34的作用,第三电极51起到电连接第三半导体53和第四半导体54的作用。
图14所示为本申请实施例提供的图1中AA’的另一种截面图,图15所示为本申请实施例提供的图1中AA’的另一种截面图,请参照图1-图15,也即,本申请提供的设置方式具体为,如图14所示出的,在发光元件10的下方制备PN结无机半导体器件(第二散热件50),该部分既可以在低亮度下实现温差发电,又可以在高亮度下则实现半导体散热;在阵列层20中,主要是发光元件10对应位置制备PN结有机半导体器件(第一散热件30),该部分一直用于半导体散热,将发光元件10产生的温度传递给底部PN结无机半导体器件(第二散热件50)。其中,如图14所示出的,阵列层20包括由下至上依次层叠设置的缓冲层Buffer、绝缘层GI、介电绝缘层IMD、层间绝缘层ILD、钝化层PV、第一平坦层PLN1、第二平坦层PLN2,其中有源层poly可设置在绝缘层GI,第一金属层可设置在介电绝缘层IMD,第二金属层可设置在钝化层PV,第三金属层M3可设置在第二平坦层PLN2,电容件的两个极板可分别位于第一金属层和层间绝缘层ILD中;此时,本申请提供一种可选择的实施例为,第一散热件30中的第一电极31可由阵列层20中的第三金属层M3来制作,第一散热件30中的第二电极32可由掺杂的LTPS(Low Temperature Poly-Silicon,低温多晶硅)共用,即第二电极32可与阵列层20中的有源层poly同层制作。设置第一电极31的平坦层PLN2在发光元件10键合位置下和PN结有机半导体器件(第一散热件30)顶部电极(第一电极31)之间填充掺杂了SiC、hBN、金刚石的有机聚合物材料,实现平坦和导热;发光元件10在键合后,在发光元件10周围填充相同掺杂了SiC、hBN、金刚石的有机聚合物材料,实现从上至下的导热通道;同时掺杂hBN的材料为白色,白色反光,可以将发光元件10侧向发出的光线反射到中间,从而提高光效。
其中,附图15和附图14的不同之处在于,附图示出的是一种透明显示装置对应的显示模组100的AA’截面图,其中,可包括透明区域99,为了保障保障透明显示装置的良好透光效果,本申请提供一种可选择的实施例为,在设置发光元件10、第一散热件30、第二散热件50之外的区域中,阵列层20做镂空设计,也即透明区域99中不包括阵列层20,仅包括透明玻璃基板40,避免阵列层20对于透明显示装置透光效果的影响,提升显示装置的透光率。
还需要补充的是,当显示模组100运用于透明显示装置中时,对应的图2、图3、图6、图7、图14所示出的显示模组100的AA’截面图,相邻设置的两个第一散热件30之间的阵列层20可被挖除,以形成如图15所示出的透明区域99。
还需要补充的是,玻璃基板40上的PN结无机半导体器件(第二散热件50),可通过在玻璃基板40上对应的非透明区,通过化学刻蚀的方法形成多个小孔,在孔中通过区熔或热压的方法制备Bi2Te3-基合金等热电材料,并在玻璃正反面制备电极,将一个个PN型材料连接起来,形成串联的器件模组,即形成多个串联连接的第二散热件50;由于玻璃基板40上的合金和金属电极为耐热材料,可在玻璃基板40一面通过常规的阵列工艺制备阵列层20。阵列层20内的PN结有机半导体器件(第一散热件30),可通过在对应发光元件10下方和无机半导体PN结(第二散热件50)上方,通过打印或旋涂的方法,在阵列层20内形成PN结有机半导体器件,该有机半导体器件可为N掺杂或P掺杂的聚噻吩等有机半导体。上述的平坦层PLN2制备时,将PN结有机半导体器件顶部电极(第一电极31)的PLN2去除,进而通过打印或旋涂等方法填充掺杂了SiC、hBN、金刚石的有机聚合物材料,实现从上至下的导热通道。
图16所示为本申请实施例提供的显示装置的一种示意图,请结合图1-图15参照图16,基于同一发明构思,本申请还提供了一种显示装置200,该显示装置200包括显示模组100,显示模组100为本申请提供的任一种显示模组100。
需要说明的是,本申请实施例所提供的显示装置200的实施例可参见上述显示模组100的实施例,重复指出不再赘述。本申请所提供的显示装置200可以为:手机、平板电脑、电视机、触控器、笔记本电脑、导航仪等产品和部件。
通过上述实施例可知,本发明提供的显示模组和显示装置,至少实现了如下的有益效果:
本申请提供了一种显示模组和显示装置,在显示模组中发光元件对应的阵列层中设置第一散热件,第一散热件具体为有机半导体器件,第一散热件至少用于发光元件工作时所产生热量的导出,即可通过第一散热件将发光元件产生的热量向远离发光元件一侧导出,以实现显示模组在工作时的散热,保障显示模组的正常使用功能。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上例子仅是为了进行说明,而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本发明的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (16)
1.一种显示模组,其特征在于,包括:
阵列层;
发光元件,位于所述阵列层一侧;
第一散热件,位于所述阵列层,且所述发光元件在所述显示模组出光面的正投影与所述第一散热件在所述显示模组出光面的正投影至少部分交叠;所述第一散热件至少用于所述发光元件的散热;
沿垂直于所述阵列层的厚度方向上,所述第一散热件包括间隔设置的第一半导体和第二半导体,所述第一半导体和所述第二半导体均为有机半导体;沿所述阵列层的厚度方向上,所述第一散热件还包括位于所述第一半导体和所述第二半导体两侧的第一电极和第二电极,所述第一电极位于所述第二电极朝向所述发光元件一侧;所述第一电极与所述第一半导体和所述第二半导体均接触,所述第二电极包括间隔设置的第一子电极和第二子电极,所述第一子电极与所述第一半导体接触,所述第二子电极与所述第二半导体接触。
2.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,还包括:
玻璃基板,位于所述阵列层远离所述发光元件一侧;
第二散热件,至少部分位于所述玻璃基板;沿所述玻璃基板的厚度方向上,所述第一散热件和所述第二散热件至少部分交叠;
沿垂直于所述玻璃基板的厚度方向上,所述第二散热件包括间隔设置的第三半导体和第四半导体;沿所述玻璃基板的厚度方向,所述第三半导体和所述第四半导体均贯穿所述玻璃基板,所述第三半导体和所述第四半导体均为无机半导体;沿所述玻璃基板的厚度方向上,所述第二散热件还包括位于所述玻璃基板两侧的第三电极和第四电极,所述第三电极位于所述阵列层、且与所述第三半导体和所述第四半导体均接触,所述第四电极包括间隔设置的第三子电极和第四子电极,所述第三子电极与所述第三半导体接触,所述第四子电极与所述第四半导体接触。
3.根据权利要求2所述的显示模组,其特征在于,
所述发光元件包括第一发光亮度和第二发光亮度,所述第一发光亮度小于所述第二发光亮度;
所述发光元件处于所述第一发光亮度,所述发光元件的热量经所述第一散热件向所述第二散热件一侧传送,所述第四电极用于散发所述热量;且所述第二散热件复用为温差电池。
4.根据权利要求2所述的显示模组,其特征在于,
所述发光元件包括第一发光亮度和第二发光亮度,所述第一发光亮度小于所述第二发光亮度;
所述发光元件处于所述第二发光亮度,所述发光元件的热量经所述第一散热件向所述第二散热件一侧传送,所述第四电极用于散发所述热量。
5.根据权利要求3或4所述的显示模组,其特征在于,
所述第一散热件接收第一电压信号,所述第一电压信号驱使所述第一散热件将所述发光元件的所述热量由所述第一电极向所述第二电极一侧传送。
6.根据权利要求4所述的显示模组,其特征在于,
所述第二散热件接收第二电压信号,所述第二电压信号驱使所述第二散热件将所述第一散热件接收到的所述热量由所述第三电极向所述第四电极一侧传送。
7.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,还包括导热材料;
所述导热材料至少位于所述第一散热件和所述发光元件之间。
8.根据权利要求7所述的显示模组,其特征在于,
所述导热材料至少部分围绕所述发光元件。
9.根据权利要求7所述的显示模组,其特征在于,
所述导热材料包括碳化硅、六方氮化硼、金刚石中的至少一种。
10.根据权利要求2所述的显示模组,其特征在于,
所述第一电极在所述玻璃基板所在平面的正投影面积小于所述第二电极在所述玻璃基板所在平面的正投影面积;且,
所述第三电极在所述玻璃基板所在平面的正投影面积小于所述第四电极在所述玻璃基板所在平面的正投影面积。
11.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,
多个所述第一散热件在所述显示模组中阵列排布;
沿第一方向,所述第一半导体和所述第二半导体交替排布;且,沿第二方向所述第一半导体和所述第二半导体交替排布;
其中,所述第一方向和所述第二方向相交。
12.根据权利要求11所述的显示模组,其特征在于,
所述第一散热件的所述第一半导体和所述第二半导体沿所述第二方向排布;
沿所述第一方向上,相邻设置的3个所述第一散热件包括第一子第一散热件、第二子第一散热件和第三子第一散热件,所述第二子第一散热件位于所述第一子第一散热件和所述第三子第一散热件之间;
所述第一子第一散热件的所述第二子电极、和所述第二子第一散热件的所述第一子电极电连接,所述第二子第一散热件的所述第二子电极、和所述第三子第一散热件的所述第一子电极电连接。
13.根据权利要求2所述的显示模组,其特征在于,
多个所述第二散热件在所述显示模组中阵列排布;
沿第一方向,所述第三半导体和所述第四半导体交替排布;且,沿第二方向所述第三半导体和所述第四半导体交替排布;
其中,所述第一方向和所述第二方向相交。
14.根据权利要求13所述的显示模组,其特征在于,
所述第二散热件的所述第三半导体和所述第四半导体沿所述第二方向排布;
沿所述第一方向上,相邻设置的3个所述第二散热件包括第一子第二散热件、第二子第二散热件和第三子第二散热件,所述第二子第二散热件位于所述第一子第二散热件和所述第三子第二散热件之间;
所述第一子第二散热件的所述第四子电极、和所述第二子第二散热件的所述第三子电极电连接,所述第二子第二散热件的所述第四子电极、和所述第三子第二散热件的所述第三子电极电连接。
15.根据权利要求2所述的显示模组,其特征在于,
所述第一半导体和所述第二半导体中的一者为N型半导体、一者为P型半导体;且,
所述第三半导体和所述第四半导体中的一者为N型半导体、一者为P型半导体。
16.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-15之任一项所述的显示模组。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110750020A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-04 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示模组和显示装置 |
CN111580695A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-08-25 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及其制作方法和显示装置 |
CN112928196A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-06-08 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN113347819A (zh) * | 2021-03-15 | 2021-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种导热组件、显示模组及电子设备 |
US20220102670A1 (en) * | 2019-11-29 | 2022-03-31 | Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd | Light-transmitting display panel and method for manufacturing the same, and display panel |
CN115000327A (zh) * | 2022-06-02 | 2022-09-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板与显示装置 |
-
2022
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110750020A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-04 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示模组和显示装置 |
US20220102670A1 (en) * | 2019-11-29 | 2022-03-31 | Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd | Light-transmitting display panel and method for manufacturing the same, and display panel |
CN111580695A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-08-25 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及其制作方法和显示装置 |
CN112928196A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-06-08 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN113347819A (zh) * | 2021-03-15 | 2021-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种导热组件、显示模组及电子设备 |
CN115000327A (zh) * | 2022-06-02 | 2022-09-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板与显示装置 |
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