CN112928196A - 一种显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置，该显示面板包括：阵列基板；键合层，设置于阵列基板上；键合层包括阵列排布的多个第一键合块和多个第二键合块；阵列排布的多个微型发光二极管，设置于键合层远离所述阵列基板的一侧；电极层，设置于微型发光二极管靠近阵列基板的一侧表面，包括第一电极和第二电极；第一电极与微型发光二极管一一对应设置，并与对应的第一键合块电连接；第二电极与所述微型发光二极管一一对应设置，并与对应的第二键合块电连接；至少两个第二电极相连形成子模块。本发明实施例提供的技术方案，改善了显示面板的显示效果，提升了显示面板的散热效率。

Description

一种显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着微型发光二极管(Micro-LED)的技术持续发展，Micro-LED被越来越多的应用到显示装置中。Micro-LED显示面板不管是在画质还是在效能上，都具有薄膜晶体管液晶显示器(Thin film transistor liquid crystal display，TFT-LCD)不可比拟的优势。例如，Micro LED反应速度较快、对比度更高、视角也更广，而且Mirco-LED具有自发光的特色，因此不需要背光源，比TFT LCD能够做的更轻薄，更省电。
但是Micro-LED显示面板的驱动电流为OLED的数十倍，当Micro-LED显示屏点亮时，温度可高达80～100摄氏度，长时间高温工作会严重屏幕缩短寿命；高温同时会影响TFT驱动基板正常工作，影响显示效果。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置，以改善Micro-LED显示面板的显示效果。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：
阵列基板；
键合层，设置于所述阵列基板上；所述键合层包括阵列排布的多个第一键合块和多个第二键合块；
阵列排布的多个微型发光二极管，设置于所述键合层远离所述阵列基板的一侧；
电极层，设置于所述微型发光二极管靠近所述阵列基板的一侧表面，包括第一电极和第二电极；所述第一电极与所述微型发光二极管一一对应设置，并与对应的第一键合块电连接；所述第二电极与所述微型发光二极管一一对应设置，并与对应的第二键合块电连接；至少两个所述第二电极相连形成子模块。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，包括：
获取阵列基板；
在所述阵列基板上形成键合层；所述键合层包括阵列排布的多个第一键合块和多个第二键合块；
在外延衬底上刻蚀形成阵列排布的多个微型发光二极管；
在所述微型发光二极管远离所述外延衬底一侧表面形成电极层；所述电极层包括第一电极和第二电极；所述第一电极与所述微型发光二极管一一对应设置；所述第二电极与所述微型发光二极管一一对应设置；至少两个所述第二电极相连形成子模块；
将所述微型发光二极管通过所述电极层与所述阵列基板的键合层键合；其中，所述第一电极与对应的第一键合块电连接，所述第二电极与对应的第一键合块电连接；
将所述外延衬底剥离。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明任意实施例提供的显示面板。
本发明实施例中，显示面板包括依次设置于阵列基板上的键合层、电极层和微型发光二极管，键合层设置于阵列基板上，包括多个第一键合块和第二键合块，微型发光二极管阵列排布，设置于键合层上，键合层和微型发光二极管阵列之间还设置有电极层，电极层包括第一电极和第二电极，并且第一电极与微型发光二极管一一对应，第二电极与微型发光二极管一一对应，第一电极和第二电极分别作为微型发光二极管连接端子，第一电极与第一键合块电连接，第二电极与第二键合块电连接，并且至少两个第二电极相连形成子模块。本实施例通过将电极层中至少两个的第二电极相连形成子模块，以增大第二电极的面积形成导热路径，有利于将显示面板的热量通过子模块导出，提升了显示面板的散热效率，同时减小第二电极的压降，提升显示面板的显示均一性和发光效率。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的剖面示意图；
图2是本发明实施例提供的一种显示面板由阵列基板指向微型发光二极管一侧的俯视示意图；
图3是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种显示面板由阵列基板指向微型发光二极管一侧的俯视示意图；
图5是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视示意图；
图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图；
图7是本发明实施例提供的又一种显示面板由阵列基板指向微型发光二极管一侧的俯视示意图；
图8是本发明实施例提供的又一种由阵列基板指向微型发光二极管的显示面板的剖面示意图；
图9本发明实施例提供的又一种由阵列基板指向微型发光二极管的显示面板的剖面示意图；
图10本发明实施例提供的又一种由阵列基板指向微型发光二极管的显示面板的剖面示意图；
图11是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图；
图13是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图14是本发明实施例提供的一种外延衬底上微型发光二极管的结构示意图；
图15是本发明实施例提供的一种微型发光二极管与阵列基板键合的结构示意图；
图16为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法的流程图；
图17是本发明实施例提供的一种在外延衬底上形成磊晶薄膜结构的结构示意图；
图18是本发明实施例提供的一种在磊晶薄膜结构上形成第一通孔的结构示意图；
图19是本发明实施例提供的一种在磊晶薄膜结构上形成连接电极的结构示意图；
图20是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的剖面示意图，如图1所示，该显示面板包括：阵列基板110；键合层120，设置于阵列基板110上；键合层120包括阵列排布的多个第一键合块121和多个第二键合块122；阵列排布的多个微型发光二极管130，设置于键合层120远离阵列基板110的一侧；电极层140，设置于微型发光二极管130靠近阵列基板110的一侧表面，包括第一电极141和第二电极142；第一电极141与微型发光二极管130一一对应设置，并与对应的第一键合块121电连接；第二电极142与微型发光二极管130一一对应设置，并与对应的第二键合块122电连接；图2是本发明实施例提供的一种显示面板由阵列基板指向微型发光二极管一侧的俯视示意图，如图2所示，至少两个第二电极142相连形成子模块143。需要注意的是，为便于展示第二电极142的结构，图2中未示出阵列基板的膜层结构。
本实施例方案中的微型发光二极管130的外延级焊接工艺可以是在晶圆上直接涂覆并刻蚀LED的磊晶薄膜层，形成微米尺度的Micro-LED磊晶薄膜结构，并在磊晶薄膜上做好金属的LED的电极端子，然后将LED晶圆直接键合在阵列基板上，最后剥离掉外延LED的蓝宝石基板，剩下的LED磊晶薄膜结构形成显示像素，也即微型发光二极管130。
本发明实施例中，显示面板包括依次设置于阵列基板上的键合层、电极层和微型发光二极管，键合层设置于阵列基板上，包括多个第一键合块和第二键合块，微型发光二极管阵列排布，设置于键合层上，键合层和微型发光二极管阵列之间还设置有电极层，电极层包括第一电极和第二电极，并且第一电极与微型发光二极管一一对应，第二电极与微型发光二极管一一对应，第一电极和第二电极分别作为微型发光二极管连接端子，第一电极与第一键合块电连接，第二电极与第二键合块电连接，并且至少两个第二电极相连形成子模块。本实施例通过将电极层中至少两个的第二电极相连形成子模块，以增大第二电极的面积形成导热路径，有利于将显示面板的热量通过子模块导出，提升了显示面板的散热效率，同时减小第二电极的压降，提升显示面板的显示均一性和发光效率。
以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参考图1和图2，阵列基板110可以形成有阵列排布的像素驱动电路110a，阵列基板110上设置有阵列排布的多个微型发光二极管130，像素驱动电路110a用于驱动对应的微型发光二极管130发光。阵列排布的多个微型发光二极管130通过键合层120键合于阵列基板110上，键合层120包括多个第一键合块121和多个第二键合块122，其中，各微型发光二极管130均通过电极层140与键合层120键合，具体的，电极层140包括与微型发光二极管130一一对应的第一电极141和与微型发光二极管130一一对应的第二电极142，微型发光二极管130分别与对应设置的第一电极141和第二电极142电连接，第一电极141与对应的第一键合块121电连接，第二电极142与对应的第二键合块122电连接，从而阵列基板110可驱动各微型发光二极管130发光，其中至少两个第二电极142相连形成子模块143，可以使第二电极142形成导热路径，有利于显示面板的热量通过第二电极142形成的子模块143导出，提升显示面板的散热效率。与此同时，子模块143使得第二电极142的面积较大，压降较小，提高整个第二电极142的电压的稳定性，提升显示面板的显示均一性和发光效率。需要注意的是，至少两个第二电极142相连能够提高微型发光二极管130在第二电极142上的反射率，提高微型发光二极管130发光亮度，降低微型发光二极管130的发光损耗。
可选的，在阵列基板110所在平面内，由阵列基板110的中心指向阵列基板110的边缘方向上，子模块143的面积和/或热传导率逐渐减小。
对于第二电极142而言，面积越大，热传输效率越高，散热性越强；同理，第二电极142的材料的热传导率越高，热传输效率越高，散热性越强。由于一般情况下，显示面板中心部分产生的热量较多且散热路劲长，散热需求较高，显示面板的边缘部分产生的热量较少且散热路短，散热需求较低。则显示面板的中心部分的子模块143与边缘部分的子模块143之间的面积和/或热传导率可存在差异化设置，具体的，在由阵列基板110的中心指向阵列基板110的边缘方向上，子模块143的面积可以逐渐减小；或者，在由阵列基板110的中心指向阵列基板110的边缘方向上，子模块143的热传导率可以逐渐减小；亦或，在由阵列基板110的中心指向阵列基板110的边缘方向上，子模块143的面积和热传导率可以同时逐渐减小。图3是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图，当在由阵列基板110的中心指向阵列基板110的边缘方向上，子模块143的面积逐渐减小时，本实施例中，在阵列基板110所在平面内，由阵列基板110的中心O指向阵列基板110的边缘方向的上，示例性的，如图3所示，由阵列基板110的中心O指向阵列基板110的边缘方向L1的方向上，由阵列基板110的中心O指向阵列基板110的边缘方向L2的方向上，子模块143的面积可逐渐减小，则由阵列基板110的中心O指向阵列基板110的边缘方向的上，子模块143的散热性能逐渐递减，则显示面板的中心部分的子模块143面积较大，热传导效率高，方便热传输，边缘部分的子模块143面积较小，不需要过多的热传导。同时，本实施例中子模块143仅进行面积和/或热传导率的调整，还能够不过多的削弱子模块143的抗反射能力。
可选的，图4是本发明实施例提供的另一种显示面板由阵列基板指向微型发光二极管一侧的俯视示意图，如图4所示，所有子模块142相互连接形成连通结构143。
将由至少两个第二电极142相连形成的子模块143相互连接形成连通结构14a，使得显示面板产生的热量可通过整体的连通结构14a导出，进一步增大导热面积，从而进一步提升了显示面板的散热效率，避免显示面板的温度过高，改善显示面板的工作稳定性，提高显示面板的寿命。
可选的，参考图1和图2，微型发光二极管130包括依次远离阵列基板110的第一型半导体结构131、发光结构132和第二型半导体结构133；第一型半导体结构131和发光结构132在阵列基板110上的垂直投影位于第二型半导体结构133内；第一电极141与对应微型发光二极管130的第一型半导体结构131电连接；第一电极141在阵列基板110上的垂直投影位于对应微型发光二极管130的第一型半导体结构131内；显示面板还包括：连接电极134，与微型发光二极管130一一对应设置；连接电极134位于对应微型发光二极管130的发光结构132和第一型半导体结构131的侧面；连接电极134用于连接第二电极142和对应微型发光二极管130的第二型半导体结构133；连接电极134在阵列基板110上的垂直投影位于对应微型发光二极管130的第二型半导体结构133内。
每个微型发光二极管130均包括第一型半导体结构131、发光结构132和第二型半导体结构133，发光结构132位于第一型半导体结构131和第二型半导体结构133之间，可选的，第一型半导体结构131可以为P型半导体，第二型半导体结构133可以为N型半导体，发光结构132可以为多重量子井(Multiple Quantum Well，MQW)，但是本发明实施例不限于此。在本发明的另一实施例中，第一型半导体结构131可以为N型半导体，第二型半导体结构133可以为P型半导体。微型发光二极管130为垂直于阵列基板110的垂向二极管结构，第一电极141在阵列基板110上的垂直投影位于对应微型发光二极管130的第一型半导体结构131内，第一型半导体结构131和发光结构132在阵列基板110上的垂直投影位于第二型半导体结构133内，并且为了便于微型发光二极管130与阵列基板110键合，可使连接第一型半导体结构131的第一电极141，以及连接第二型半导体结构133的第二电极142位于同一层，则显示面板还需要设置连接电极134以连接第二型半导体结构133和第二电极142，如图2所示，连接电极134与微型发光二极管130一一对应设置，连接电极134在阵列基板110上的垂直投影位于对应微型发光二极管130的第二型半导体结构133内，且连接电极134可以位于对应微型发光二极管130的发光结构132和第一型半导体结构131的侧面，以降低微型发光二极管130的空间设置。
第二型半导体结构133在阵列基板上的垂直投影面积需大于第一型半导体结构131和发光结构132在阵列基板110上的垂直投影面积，以便于在第二型半导体结构133上，第一型半导体结构131和发光结构132的侧面制作连接电极134。第一电极141与对应微型发光二极管130的第一型半导体结构131电连接，可以使阵列基板110通过第一电极141输出驱动信号至第一型半导体结构131，连接电极134分别与第二电极142和对应微型发光二极管130的第二型半导体结构133电连接，使得阵列基板110可通过第二电极142输出驱动信号至第二型半导体结构133。本发明实施例提供的显示面板，通过设置连接电极134将第二电极142与微型发光二极管130中的第二型半导体结构133电连接，使得第一电极141和第二电极142可采用同一工艺同层设置，增强电极层140与键合层120的键合强度，提高显示面板的可靠性。
可选的，继续参考图1和图2，第二电极142在阵列基板110上的垂直投影与对应微型发光二极管130的连接电极134重合；至少两个第二电极142通过辅助连接结构144连接形成子模块143；第二电极142在阵列基板110上的垂直投影位于对应第二键合块122内；第一电极141在阵列基板110上的垂直投影位于对应第一键合块121内。
本实施例可对子模块143的构成进行定义，具体可设定第二电极142在阵列基板110上的垂直投影与对应微型发光二极管130的连接电极134重合，则第二电极142与对应微型发光二极管130的连接电极134连接面形状大小相同。至少两个第二电极142可通过连接结构144连接，在显示面板内形成导热路径，由于第二电极142相互连接使得整体导热面积增大而压降减少，使得显示面板内的热量通过子模块143可快速导出，提高了显示面板的散热效率，并改善显示面板的显示均一性。另外，第二电极142在阵列基板110上的垂直投影位于对应第二键合块122内，第一电极141在阵列基板110上的垂直投影位于对应第一键合块121内，保证在将微型发光二极管130与阵列基板110键合因发热发生错位时，第一电极141在显示面板上的垂直投影仍然在对应的第一键合块121内、第二电极142在显示面板上的垂直投影仍然在对应的第二键合块122内，避免第一电极141与对应第一键合块121之间，以及第二电极142与第二键合块122之间接触面积较小的情况，提高电极与对应的键合块之间的键合质量，提高显示面板的工艺效率和产品质量。
由于在阵列基板110与微型发光二极管130对位键合时，微型发光二极管130由中心向边缘发生错位，则由阵列基板110中心向边缘的偏位趋势是逐渐增大的，因此，为了保证在错位情况下，第一电极141能够与对应的第一键合块121精准键合，第二电极142能够与对应的第二键合块122精准键合，可选的，如图5所示，图5是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视示意图，为便于获取键合块和电极之间的相对关系，图5仅示出了第一电极141、第二电极142、第一键合块121和第二键合块122，该显示面板在平行于阵列基板110所在平面内，由阵列基板110的中心指向阵列基板110的边缘方向上，第一键合块121的尺寸逐渐增大；第二键合块122的尺寸逐渐增大。如此，可保证当阵列基板110与微型发光二极管130键合发生错位时，由阵列基板110中心到边缘位置的第一电极141能够与对应的第一键合块121精准键合，第二电极142能够与对应的第二键合块122精准键合，提高显示面板工艺精度。或者，如图6所示，图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图，该显示面板在平行于阵列基板110所在平面内，由阵列基板110的中心指向阵列基板110的边缘方向上，相邻两个第一键合块121的中心之间的间距逐渐增大，相邻两个第二键合块122的中心之间的间距逐渐增大，从而保证微型发光二极管130发生偏移之后，恰好与对应的键合块键合，提高显示面板工艺精度。在本实施例的另一示例中，还可以在阵列基板110的中心指向阵列基板110的边缘方向上，第一键合块121的尺寸逐渐增大且相邻两个第一键合块121的中心之间的间距逐渐增大，第二键合块122的尺寸逐渐增大且相邻两个第二键合块122的中心之间的间距逐渐增大。
可选的，继续参考图1，第二电极142的透光率大于连接电极134的透光率。第二电极142具有较大的透光率，可减小第二电极142对微型发光二极管130发出至出光侧的光线的阻挡作用，并且连接电极134的透光率较小，避免微型发光二极管130之间发出的光线产生串扰。示例性的，电极层140的材料可以包括镍、金、铝、银和氧化铟锡中的至少一种；连接电极134的材料可以包括铝、银和氧化铟锡中的至少一种，使得连接电极134的透光率小于第二电极142的透光率。
可选的，可将连接电极134复用为侧边反射层，用于反射微型发光二极管130从侧面发出的光线，可以提高显示面板的显示亮度。为了避免微型发光二极管130发出的光线在侧面发生损耗，可将微型发光二极管130侧面的连接电极134复用为侧边反射层，例如，可在连接电极134中增加反射材料，使得微型发光二极管130从侧面出射至连接电极134的光线被连接电极134反射回来，避免微型发光二极管130的光线损耗，提高显示面板的显示亮度。
可选的，图7是本发明实施例提供的又一种显示面板由阵列基板指向微型发光二极管一侧的俯视示意图，如图7所示，连通结构14a包括沿第一方向X延伸并沿第二方向Y依次排布的第一条形电极251；第一条形电极251之间相互电连接，其中，第一方向X和第二方向Y相交；参考图1，微型发光二极管130的第一型半导体结构131在阵列基板110上的垂直投影位于相邻第一条形电极251之间的间隙区域。其中，第一条形电极251在阵列基板110上的垂直投影覆盖连接电极144。
具体的，本实施例为连通结构14a的实现提供了一种实现方式，子模块143可以为第一条形电极251，多条第一条形电极251沿第一方向X延伸并沿第二方向Y依次排布，其中，第一方向X和第二方向Y相交，优选的，第一方向X和第二方向Y可相互垂直。各条第一条形电极251连接形成连通结构14a，第一条形电极251可由多个第二电极142连接形成，第二电极142在阵列基板110上的垂直投影能够覆盖连接电极144，则第一条形电极251在阵列基板110上的垂直投影覆盖连接电极144，并且第一条形电极251在阵列基板110上的垂直投影不与微型发光二极管130的第一型半导体结构131重合，微型发光二极管130的第一型半导体结构131在阵列基板110上的垂直投影位于相邻第一条形电极251之间的间隙区域，本实施例将所有的第一条形电极251连接形成一个整体，示例性的，如图7所示，第一条形电极251的末端相互连接，形成连通结构14a，该连通结构14a在显示面板内形成了导热路径，有利于将显示面板的热量导出，提升了显示面板的散热效率。同时，第一条形电极251在阵列基板110上的垂直投影覆盖连接电极134，从而保证第二电极142与对应连接电极134的有效连接，提高显示面板可靠性。
可选的，图8是本发明实施例提供的又一种由阵列基板指向微型发光二极管的显示面板的剖面示意图，如图8所示，连通结构14a为网格状结构；网格状结构包括：沿第一方向X延伸并沿第二方向Y依次排布的第一条形电极251；沿第二方向延伸并沿第一方向依次排布的第二条形电极352；第一条形电极251与第二条形电极352相交形成多个网孔A1；参考图1，微型发光二极管130的第一型半导体结构131在阵列基板110上的垂直投影位于对应网孔A1内。其中，第一条形电极251在阵列基板110上的垂直投影覆盖连接电极134。
本实施例为连通结构14a的实现提供了另一种实现方式，连通结构14a包括多条第一条形电极251和多条第二条形电极352，多条第一条形电极251沿第一方向X延伸并沿第二方向Y依次排布，多条第二条形电极251沿第二方向Y延伸并沿第一方向X依次排布，其中，第一方向X和第二方向Y相交，优选的，第一方向X和第二方向Y可相互垂直。第一条形电极251与第二条形电极352交叉限定出多个网孔A1，微型发光二极管130的第一型半导体结构131位于对应网孔A1内，同样的，第二电极142在阵列基板110上的垂直投影能够覆盖连接电极144，则第一条形电极251在阵列基板110上的垂直投影覆盖连接电极144，本实施例形成网格状的连通结构14a，该连通结构14a在显示面板内形成了导热路径，有利于将显示面板的热量导出，提升了显示面板的散热效率。同时，第一条形电极251在阵列基板110上的垂直投影覆盖连接电极134，从而保证第二电极142与对应连接电极134的有效连接，提高显示面板可靠性。
继续参考图1、图7和图8，可选的，第一条形电极251在阵列基板110上的垂直投影覆盖连接电极144；第一条形电极251沿第二方向Y的宽度与连接电极144沿第二方向Y的宽度相等。在保证第二电极142与对应连接电极144的有效连接的同时，便于根据连接电极144沿第二方向Y的宽度设置第一条形电极251的宽度，同时降低了连通结构14a的面积，降低外界光线在连通结构14a的反光，提高显示效果。
可选的，图9本发明实施例提供的又一种由阵列基板指向微型发光二极管的显示面板的剖面示意图，如图9所示，连通结构14a为包括多个镂空区域A2的板状结构；参考图1，微型发光二极管130在阵列基板110上的垂直投影位于板状结构的外轮廓线的内部；镂空区域A2与微型发光二极管130一一对应设置；微型发光二极管130的第一型半导体结构131在阵列基板110上的垂直投影位于对应镂空区域A2内。
实施例提供的显示面板将连通结构14a设置为板状结构，微型发光二极管130在阵列基板110上的垂直投影位于板状结构的外轮廓线的内部，该板状结构设置有与微型发光二极管130一一对应的镂空区域A2，且微型发光二极管130的第一型半导体结构131围位于对应镂空区域A2内，使得显示面板产生的热量通过大面积的板状结构的连通结构14a导出，大幅度提升了显示面板的散热效率，提升显示面板的寿命，并且大幅度降低了连通结构14a的压降，提升了显示面板显示的均一性和发光效率。需要注意的是，如图9所示，当连通结构14a设置为板状结构时，连通结构14a与第一电极141之间的间距较小，容易造成信号串扰，本实施例可设定连通结构14a与第一电极141之间的间距d1大于或等于3μm，有效避免连通结构14a与第一电极141之间连通。
图10本发明实施例提供的又一种由阵列基板指向微型发光二极管的显示面板的剖面示意图，可选的，为了进一步降低连通结构14a与第一电极141之间的串扰，第一电极141和连通结构14a之间设置有辅助间隔线420；该辅助间隔线420悬置设置。第一电极141、第二电极142和辅助间隔线420可同层制备，可以节约工艺。一方面可以减小刻蚀面积，增加刻蚀精度，另一方面，可以屏蔽第一电极141与第二电极142之间的信号串扰，防止第一电极141的信号跳变为第二电极142的电位影响。
可选的，图11是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，如图11所示，该显示面板还包括第一色转换层151，设置于多个微型发光二极管130远离阵列基板110一侧的表面；第二色转换层152，设置于另外多个微型发光二极管130远离阵列基板110一侧的表面；遮光层153，与第一色转换层151和第二色转层152位于同一层；遮光层153在阵列基板110上的垂直投影覆盖相邻微型发光二极管130之间的区域。
为了实现显示面板的彩色显示，可通过色转换层对相同颜色的微型发光二极管130发出的光进行颜色转换。示例性的，若微型发光二极管130出光颜色为蓝色，则可设置第一色转换层151为绿色转换层、第二色转换层562为红色转换层，或设置第一色转换层151为红色转换层、第二色转换层152为绿色转换层。另外，为了保证相邻的微型发光二极管130之间不发生混光，可在相邻微型发光二极管130之间的区域设置遮光层153，该遮光层153可以遮挡相邻的微型发光二极管130的光线，且可以防止外界光线的反射，使得显示面板具有良好的一体黑效果。本发明实施例提供的显示面板，通过设置第一色转换层和第二色转换层将微型发光二极管发出的光进行色彩转换，使显示面板能够彩色显示图像，不需要设置不同颜色的微型发光二极管130。
基于同一构思，本发明实施例还提供一种显示面板的制作方法，图12是本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图，如图12所示，该显示面板的制作方法包括：
S110、获取阵列基板。
S120、在阵列基板上形成键合层。
其中，键合层包括阵列排布的多个第一键合块和多个第二键合块。
如图13所示，图13是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，阵列基板包括阵列设置的像素驱动电路110a，在阵列基板110上沉积键合层金属，并刻蚀形成阵列设置的第一键合块121和第二键合款122，第一键合块121和第二键合款122分别与对应的像素驱动电路110a连接，作为像素驱动电路110a的信号输出端子。
S130、在外延衬底上刻蚀形成阵列排布的多个微型发光二极管。
S140、在微型发光二极管远离外延衬底一侧表面形成电极层。
如图14所示，图14是本发明实施例提供的一种外延衬底上微型发光二极管的结构示意图，通过涂覆和刻蚀工艺在外延衬底上形成多个微型发光二极管130，在微型发光二极管130远离外延衬底160一侧表面形成电极层140，其中，电极层140包括第一电极141和第二电极142；第一电极141与微型发光二极管130一一对应设置；第二电极142与微型发光二极管130一一对应设置；至少两个第二电极142相连形成子模块。
S150、将微型发光二极管通过电极层与阵列基板的键合层键合。
其中，第一电极与对应的第一键合块电连接，第二电极与对应的第一键合块电连接。
图15是本发明实施例提供的一种微型发光二极管与阵列基板键合的结构示意图，将第一电极141与对应的第一键合块121键合，第二电极142与对应的第一键合块122键合，从而实现微型发光二极管与对应像素驱动电路110a的连接。
S160、将外延衬底剥离。
将图15所示的结构剥去外延衬底160则形成图1所示的显示面板结构。
本发明实施例中，显示面板包括依次设置于阵列基板上的键合层、电极层和微型发光二极管，键合层设置于阵列基板上，包括多个第一键合块和第二键合块，微型发光二极管阵列排布，设置于键合层上，键合层和微型发光二极管阵列之间还设置有电极层，电极层包括第一电极和第二电极，并且第一电极与微型发光二极管一一对应，第二电极与微型发光二极管一一对应，第一电极和第二电极分别作为微型发光二极管连接端子，第一电极与第一键合块电连接，第二电极与第二键合块电连接，并且至少两个第二电极相连形成子模块。本实施例通过将电极层中至少两个的第二电极相连形成子模块，以增大第二电极的面积形成导热路径，有利于将显示面板的热量通过子模块导出，提升了显示面板的散热效率，同时减小第二电极的压降，提升显示面板的显示均一性和发光效率。
在上述实施例的基础上，对在外延衬底上刻蚀形成阵列排布的多个微型发光二极管的具体过程，以及连接电极的具体过程进行详述，图16为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法的流程图，如图16所示，该显示面板的制作方法包括：
S210、获取阵列基板。
S220、在阵列基板上形成键合层；键合层包括阵列排布的多个第一键合块和多个第二键合块。
S230、在外延衬底上依次刻蚀形成第二型半导体结构、发光结构和第一型半导体结构。其中，第一型半导体结构和发光结构在外延衬底上的垂直投影位于第二型半导体结构内。
图17是本发明实施例提供的一种在外延衬底上形成磊晶薄膜结构的结构示意图，在外延衬底160上可逐层涂覆并刻蚀形成第二型半导体结构133、发光结构132和第一型半导体结构131的磊晶薄膜结构，发光结构132和第一型半导体结构131的面积小于第二型半导体结构133。
S240、在第一型半导体结构远离外延衬底的一侧形成绝缘层并暴露出第一型半导体结构远离外延衬底一侧的表面。
S250、在绝缘层上形成与微型发光二极管一一对应的第一通孔。
其中，第一通孔位于对应微型发光二极管的发光结构和第一型半导体结构的侧面；第一通孔在外延衬底上的垂直投影位于对应微型发光二极管的第二型半导体结构内。
图18是本发明实施例提供的一种在磊晶薄膜结构上形成第一通孔的结构示意图。在图17所示的磊晶薄膜结构上形成一层绝缘层170，并在绝缘层170上设置与微型发光二极管130一一对应的第一通孔171，第一通孔171在外延衬底160上的垂直投影位于对应微型发光二极管的第二型半导体结构133内。
S260、在第一通孔内形成连接电极；连接电极远离外延衬底一侧的表面与第一型半导体结构远离外延衬底一侧的表面平齐。
其中，连接电极用于连接第二电极和对应微型发光二极管的第二型半导体结构。
图19是本发明实施例提供的一种在磊晶薄膜结构上形成连接电极的结构示意图。在图18所示的结构基础上，将第一通孔171内填充连接电极144，并将连接电极144远离外延衬底160的一侧抛光打磨与第一型半导体结构131远离外延衬底160的一侧，以及绝缘层170远离外延衬底160的一侧平齐，便于后续形成电极层。
S270、在微型发光二极管远离外延衬底一侧表面形成电极层。
其中，电极层包括第一电极和第二电极；第一电极与微型发光二极管一一对应设置；第二电极与微型发光二极管一一对应设置；至少两个第二电极相连形成子模块。在图19所示的结构的基础上形成电极层140，从而形成图14所示的待键合的外延衬底上微型发光二极管。
S280、将微型发光二极管通过电极层与阵列基板的键合层键合；其中，第一电极与对应的第一键合块电连接，第二电极与对应的第一键合块电连接。
S290、将外延衬底剥离。
本发明实施例提供的显示面板的制作方法，在形成连接电极之前，首先设置第一通孔，在第一通孔内设置连接电极，从而连接第二电极与微型发光二极管的第二型半导体结构，并将第一电极与微型发光二极管的第一型半导体结构电连接，从而阵列基板可通过第一电极和第二电极驱动微型发光二极管进行发光。另外将至少两个第二电极相连形成子模块，构成导热回路，以便于显示面板内的热量通过子模块快速导出，提高了显示面板的散热效率。
本发明实施例还提供一种显示装置，如图20所示，图20是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，该显示装置包括本发明任意实施例提供的显示面板1，并可以由本发明任一实施例提供的显示面板的制作方法制作而成，显示装置可以是手机、电脑以及智能可穿戴设备等具有显示功能的显示装置，本发明实施例对此不作限定。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (17)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板；
键合层，设置于所述阵列基板上；所述键合层包括阵列排布的多个第一键合块和多个第二键合块；
阵列排布的多个微型发光二极管，设置于所述键合层远离所述阵列基板的一侧；
电极层，设置于所述微型发光二极管靠近所述阵列基板的一侧表面，包括第一电极和第二电极；所述第一电极与所述微型发光二极管一一对应设置，并与对应的第一键合块电连接；所述第二电极与所述微型发光二极管一一对应设置，并与对应的第二键合块电连接；至少两个所述第二电极相连形成子模块。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述阵列基板所在平面内，由所述阵列基板的中心指向所述阵列基板的边缘方向上，所述子模块的面积和/或热传导率逐渐减小。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所有所述子模块相互连接形成连通结构。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述微型发光二极管包括依次远离所述阵列基板的第一型半导体结构、发光结构和第二型半导体结构；所述第一型半导体结构和所述发光结构在所述阵列基板上的垂直投影位于所述第二型半导体结构内；所述第一电极与对应微型发光二极管的第一型半导体结构电连接；所述第一电极在所述阵列基板上的垂直投影位于对应微型发光二极管的第一型半导体结构内；
所述显示面板还包括：连接电极，与所述微型发光二极管一一对应设置；所述连接电极位于对应微型发光二极管的发光结构和所述第一型半导体结构的侧面；所述连接电极用于连接所述第二电极和对应微型发光二极管的第二型半导体结构；所述连接电极在所述阵列基板上的垂直投影位于对应微型发光二极管的第二型半导体结构内。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极的透光率大于所述连接电极的透光率。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述连接电极复用为侧边反射层，用于反射所述微型发光二极管从侧面发出的光线。
7.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述连通结构包括沿第一方向延伸并沿第二方向依次排布的第一条形电极；所述第一条形电极之间相互电连接，其中，所述第一方向和所述第二方向相交；
所述微型发光二极管的第一型半导体结构在所述阵列基板上的垂直投影位于相邻所述第一条形电极之间的间隙区域。
8.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述连通结构为网格状结构；所述网格状结构包括：沿第一方向延伸并沿第二方向依次排布的第一条形电极；沿第二方向延伸并沿第一方向依次排布的第二条形电极；
所述第一条形电极与所述第二条形电极相交形成多个网孔；所述微型发光二极管的第一型半导体结构在所述阵列基板上的垂直投影位于对应所述网孔内。
9.根据权利要求7或8所述的显示面板，其特征在于，第一条形电极在所述阵列基板上的垂直投影覆盖所述连接电极；
所述第一条形电极沿所述第二方向的宽度与所述连接电极沿所述第二方向的宽度相等。
10.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述连通结构为包括多个镂空区域的板状结构；所述微型发光二极管在所述阵列基板上的垂直投影位于所述板状结构的外轮廓线的内部；
所述镂空区域与所述微型发光二极管一一对应设置；所述微型发光二极管的第一型半导体结构在所述阵列基板上的垂直投影位于对应镂空区域内。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极和所述连通结构之间设置有辅助间隔线；所述辅助间隔线悬置设置。
12.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极在所述阵列基板上的垂直投影与对应微型发光二极管的连接电极重合；至少两个第二电极通过辅助连接结构连接形成所述子模块；
所述第二电极在所述阵列基板上的垂直投影位于对应所述第二键合块内；所述第一电极在所述阵列基板上的垂直投影位于对应所述第一键合块内。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，在平行于所述阵列基板所在平面内，由所述阵列基板的中心指向所述阵列基板的边缘方向上，所述第一键合块的尺寸逐渐增大和/或相邻两个所述第一键合块的中心之间的间距逐渐增大；所述第二键合块的尺寸逐渐增大和/或相邻两个所述第二键合块的中心之间的间距逐渐增大。
14.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
第一色转换层，设置于多个所述微型发光二极管远离所述阵列基板一侧的表面；
第二色转层，设置于另外多个所述微型发光二极管远离所述阵列基板一侧的表面；
遮光层，与所述第一色转换层和所述第二色转层位于同一层；所述遮光层在所述阵列基板上的垂直投影覆盖相邻所述微型发光二极管之间的区域。
15.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
获取阵列基板；
在所述阵列基板上形成键合层；所述键合层包括阵列排布的多个第一键合块和多个第二键合块；
在外延衬底上刻蚀形成阵列排布的多个微型发光二极管；
在所述微型发光二极管远离所述外延衬底一侧表面形成电极层；所述电极层包括第一电极和第二电极；所述第一电极与所述微型发光二极管一一对应设置；所述第二电极与所述微型发光二极管一一对应设置；至少两个所述第二电极相连形成子模块；
将所述微型发光二极管通过所述电极层与所述阵列基板的键合层键合；其中，所述第一电极与对应的第一键合块电连接，所述第二电极与对应的第一键合块电连接；
将所述外延衬底剥离。
16.根据权利要求15所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在外延衬底上刻蚀形成阵列排布的多个微型发光二极管，包括：
在所述外延衬底上依次刻蚀形成第二型半导体结构、发光结构和第一型半导体结构；所述第一型半导体结构和所述发光结构在所述外延衬底上的垂直投影位于所述第二型半导体结构内；
在所述第一型半导体结构远离所述外延衬底的一侧形成绝缘层并暴露出所述第一型半导体结构远离所述外延衬底一侧的表面；
在外延衬底上刻蚀形成阵列排布的多个微型发光二极管之后，在所述微型发光二极管远离所述外延衬底一侧表面形成电极层之前，还包括：
在所述绝缘层上形成与所述微型发光二极管一一对应的第一通孔；所述第一通孔位于对应微型发光二极管的发光结构和所述第一型半导体结构的侧面；所述第一通孔在所述外延衬底上的垂直投影位于对应微型发光二极管的第二型半导体结构内；
在所述第一通孔内形成连接电极；所述连接电极远离所述外延衬底一侧的表面与所述第一型半导体结构远离所述外延衬底一侧的表面平齐；所述连接电极用于连接所述第二电极和对应微型发光二极管的第二型半导体结构。
17.一种显示装置，其特征在于，包括上述权利要求1-14任一项所述的显示面板。
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