CN114242864B - 微发光二极管、显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种微发光二极管、显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域，微发光二极管至少包括第一电极、第二电极和堆叠设置的第一半导体部、发光部、第二半导体部；发光部位于第一半导体部和第二半导体部之间，第一电极位于第一半导体部远离发光部的一侧，第二电极位于第二半导体部远离发光部的一侧；第一电极在第一半导体部的正投影至少覆盖第一半导体部的50％的区域。显示基板包括多个上述微发光二极管。显示基板的制作方法用于制作上述显示基板。显示装置包括上述显示基板。本发明提供的微发光二极管能够降低其转运时的对位难度，提升固晶工艺良率，进而有利于提升发光效率。

Description

微发光二极管、显示基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种微发光二极管、显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
微型发光二极管(Micro-Light Emitting Diode，Micro-LED)是指像素之间的距离为微米等级的LED器件。Micro-LED显示装置作为新一代的显示技术，具有体积小、色域宽、亮度高、寿命较长的优势，并且其工作电压低、发光效率较高、响应速度快、性能稳定可靠、工作温度范围宽，能很好的满足各种需要，是未来微显示技术的主流发展方向。
在Micro-LED显示面板制备过程中，会需要使用巨量转移技术将Micro-LED芯片转移到显示基板上驱动电路所在的对应位置，使得Micro-LED芯片正常驱动显示。但在实际过程中，由于Micro-LED芯片本身尺寸较小，对于Micro-LED芯片与驱动电路的绑定端子之间的对位精度要求较高，导致Micro-LED芯片容易与绑定端子之间出现对位偏移，容易使得Micro-LED芯片滑落，导致显示不良；同时，在绑定Micro-LED芯片时，由于Micro-LED芯片数量较大，会进一步导致Micro-LED芯片出现脱落的可能性增大。因此现有Micro-LED显示面板存在Micro-LED芯片与绑定端子容易出现对位偏移，导致Micro-LED芯片脱落，使得Micro-LED芯片与显示基板之间的固晶工艺良率较低的问题。
因此，提供一种能够降低对位难度，提升固晶工艺良率，进而有利于提升发光效率的微发光二极管、显示基板及其制作方法、显示装置，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种微发光二极管、显示基板及其制作方法、显示装置，以解决现有技术中微发光二极管转运过程中与显示基板容易出现对位偏移，导致微发光二极管脱落，使得固晶工艺良率较低的问题。
本发明公开了一种微发光二极管，至少包括第一电极、第二电极和堆叠设置的第一半导体部、发光部、第二半导体部；发光部位于第一半导体部和第二半导体部之间；第一电极位于第一半导体部远离发光部的一侧，第二电极位于第二半导体部远离发光部的一侧；第一电极在第一半导体部的正投影至少覆盖第一半导体部的50％的区域。
基于同一发明构思，本发明还公开了一种显示基板，该显示基板包括多个上述微发光二极管；还包括：衬底基板；驱动电路层，位于衬底基板一侧，驱动电路层包括多个驱动单元；绑定电极层，位于驱动电路层远离衬底基板的一侧，绑定电极层包括多个电极组，电极组至少包括一个第一绑定电极和一个第二绑定电极，第一绑定电极和第二绑定电极均与驱动单元电连接；多个微发光二极管设置于绑定电极层远离衬底基板的一侧，第二电极位于第一电极远离衬底基板的一侧，微发光二极管在衬底基板的正投影与第一绑定电极在衬底基板的正投影交叠；第一电极与第一绑定电极直接接触电连接，第二电极与第二绑定电极电连接。
基于同一发明构思，本发明还公开了一种显示基板的制作方法，该制作方法用于制作上述显示基板，该制作方法包括：提供衬底基板；在衬底基板一侧制作驱动电路层，使得驱动电路层包括多个驱动单元；在驱动电路层远离衬底基板的一侧制作绑定电极层，使得绑定电极层包括多个电极组，电极组至少包括一个第一绑定电极和一个第二绑定电极，第一绑定电极和第二绑定电极均与驱动单元电连接；提供多个微发光二极管，微发光二极管至少包括第一电极、第二电极和堆叠设置的第一半导体部、发光部、第二半导体部；发光部位于第一半导体部和第二半导体部之间；第一电极设置于第一半导体部远离发光部的一侧，第二电极设置于第二半导体部远离发光部的一侧，其中第一电极在第一半导体部的正投影至少覆盖第一半导体部的50％的区域；将多个微发光二极管转运至绑定电极层远离衬底基板的一侧，使得微发光二极管在衬底基板的正投影与第一绑定电极交叠，微发光二极管的第一电极与第一绑定电极直接接触电连接，第二电极与第二绑定电极电连接。
基于同一发明构思，本发明还公开了一种显示装置，该显示装置包括上述显示基板。
与现有技术相比，本发明提供的微发光二极管、显示基板及其制作方法、显示装置，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的微发光二极管至少包括堆叠设置的第一电极、第一半导体部、发光部、第二半导体部、第二电极，发光部位于第一半导体部和第二半导体部之间，第一电极位于第一半导体部远离发光部的一侧，第二电极于第二半导体部远离发光部的一侧。第一电极在第一半导体部的正投影至少覆盖第一半导体部的50％的区域，即第一电极可以为整块结构，其设置于第一半导体部远离发光部的一侧时，在第一半导体部的正投影的面积大于或等于第一半导体部的50％的区域的面积，从而可以增大第一电极与第一半导体部之间交叠面积，在本发明的微发光二极管转运至显示基板上用于发光显示时，由于电极的尺寸较大，可以降低转运过程中的对位精度要求，即在转运微发光二极管时，对位不需要非常精准，也可以使得微发光二极管的第一电极与显示基板上驱动电路中的绑定端子完成有效搭接，有利于提高转运良率，进而有利于提升应用该微发光二极管的显示基板的发光效率。并且本发明的微发光二极管的第一电极的尺寸较大，当第一电极与第一半导体部直接接触时，接触面积增大，电流扩展比较好，有利于方便电流扩散，进一步提升发光效率。
当然，实施本发明的任一产品不必特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明实施例提供的微发光二极管的平面结构示意图；
图2是图1中A-A’向的剖面结构示意图；
图3是本发明实施例提供的微发光二极管的另一种平面结构示意图；
图4是图3中B-B’向的剖面结构示意图；
图5是本发明实施例提供的微发光二极管的另一种平面结构示意图；
图6是图5中C-C’向的剖面结构示意图；
图7是图5中C-C’向的另一种剖面结构示意图；
图8是本发明实施例提供的微发光二极管的另一种平面结构示意图；
图9是图8中D-D’向的剖面结构示意图；
图10是本发明实施例提供的显示基板的平面结构示意图；
图11是图10中E-E’向的剖面结构示意图；
图12是图10中E-E’向的另一种剖面结构示意图；
图13是本发明实施例提供的显示基板的另一种平面结构示意图；
图14是图13中M区域的局部放大结构示意图；
图15是本发明实施例提供的显示基板的另一种平面结构示意图；
图16是图15中F-F’向的剖面结构示意图；
图17是本发明实施例提供的显示基板的另一种平面结构示意图；
图18是本发明实施例提供的显示基板的另一种平面结构示意图；
图19是图18中N区域的局部放大结构示意图；
图20是本发明实施例提供的显示基板的另一种平面结构示意图；
图21是图20中P区域的局部放大结构示意图；
图22是图10中E-E’向的另一种剖面结构示意图；
图23是图10中I-I’向的剖面结构示意图；
图24是图10中Q区域的第二绑定电极与第一绑定电极的局部放大结构示意图；
图25是图10中Q区域的局部放大结构示意图；
图26是图10中E-E’向的另一种剖面结构示意图；
图27是本发明实施例提供的显示基板的制作方法的流程框图；
图28是图27中在衬底基板一侧制作完驱动电路层后的结构示意图；
图29是图27中在驱动电路层远离衬底基板的一侧制作完绑定电极层后的结构示意图；
图30是图27中在绑定电极层远离衬底基板一侧转运完微发光二极管后的结构示意图；
图31是本发明实施例提供的显示基板的另一种制作方法的流程框图；
图32是图31中在转运完微发光二极管后，微发光二极管的第一电极与第一绑定电极直接接触电连接的结构示意图；
图33是图31中在转运完微发光二极管后，在微发光二极管远离衬底基板的一侧制作完第二绝缘层的结构示意图；
图34是图31中在第二绝缘层开设多个第二通孔后的结构示意图；
图35是图31中微发光二极管的第二电极与第二绑定电极电连接的结构示意图；
图36是本发明实施例提供的显示装置的平面结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
请参考图1和图2，图1是本发明实施例提供的微发光二极管的平面结构示意图，图2是图1中A-A’向的剖面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图1进行了透明度填充)，本实施例提供的一种微发光二极管10，至少包括第一电极101、第二电极102和堆叠设置的第一半导体部103、发光部104、第二半导体部105；发光部104位于第一半导体部103和第二半导体部105之间；
第一电极101位于第一半导体部103远离发光部104的一侧，第二电极102位于第二半导体部105远离发光部104的一侧；
第一电极101在第一半导体部103的正投影至少覆盖第一半导体部103的50％的区域。
具体而言，本实施例提供的微发光二极管10为垂直型结构，即微发光二极管10的各个部分在某一垂直方向上堆叠设置。微发光二极管10至少包括堆叠设置的第一电极101、第一半导体部103、发光部104、第二半导体部105、第二电极102，发光部104位于第一半导体部103和第二半导体部105之间，第一电极101位于第一半导体部103远离发光部104的一侧，第二电极102位于第二半导体部105远离发光部104的一侧。其中，第一半导体部103的材料可以为P型半导体材料，如P型氮化镓，则第二半导体部105的材料为N型半导体材料，如N型氮化镓，由于P型半导体材料依靠空穴导电，需加正电压，即此时位于第一半导体部103远离发光部104的一侧的第一电极101可以为正电极；而N型半导体材料依靠电子导电，需加负电压，即此时位于第二半导体部105远离发光部104的一侧的第二电极102可以为负电极；发光部104可以为多量子阱层，空穴和电子在发光部104结合，使得微发光二极管10发光。可以理解的是，本实施例仅是举例说明第一电极101、第一半导体部103、第二半导体部105、第二电极102的电极类型和半导体材料，具体实施时，当第一半导体部103的材料可以为N型半导体材料时，则其余结构的类型可做出选择性改变。
本实施例设置第一电极101在第一半导体部103的正投影至少覆盖第一半导体部103的50％的区域，即第一电极101可以为整块结构，其设置于第一半导体部103远离发光部104的一侧时，在第一半导体部103的正投影的面积大于或等于第一半导体部103的50％的区域的面积，从而可以增大第一电极101与第一半导体部103之间交叠面积，在本实施例的微发光二极管10转运至显示基板上用于发光显示时，由于电极的尺寸较大，可以降低转运过程中的对位精度要求，即在转运微发光二极管10时，对位不需要非常精准，也可以使得微发光二极管10的第一电极101与显示基板上驱动电路中的绑定端子完成有效搭接，有利于提高转运良率，进而有利于提升应用该微发光二极管10的显示基板的发光效率。并且本实施例的第一电极101的尺寸较大，则当第一电极101与第一半导体部103直接接触时，接触面积增大，电流扩展比较好，有利于方便电流扩散，进一步提升发光效率。
在一些可选实施例中，请结合参考图3和图4，图3是本发明实施例提供的微发光二极管的另一种平面结构示意图，图4是图3中B-B’向的剖面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图3进行了透明度填充)，本实施例的微发光二极管10中，第一电极101在第一半导体部103的正投影至少覆盖第一半导体部103的50％的区域，且第二电极102在第二半导体部105的正投影至少覆盖第二半导体部105的50％的区域。
本实施例解释说明了第一电极101和第二电极102可以均为整块结构，第一电极101设置于第一半导体部103远离发光部104的一侧时，在第一半导体部103的正投影的面积大于或等于第一半导体部103的50％的区域的面积，第二电极102设置于第二半导体部105远离发光部104的一侧时，在第二半导体部105的正投影的面积大于或等于第二半导体部105的50％的区域的面积，从而可以增大第一电极101与第一半导体部103之间交叠面积的同时，还可以增大第二电极102与第二半导体部105之间交叠面积。在本实施例的微发光二极管10转运至显示基板上用于发光显示时，由于第一电极101和第二电极102的尺寸均较大，无论转运至显示基板上时，是第一电极101或者是第二电极102与显示基板的驱动电路中的绑定端子搭接，都可以保证电极的大尺寸，进而可以更好的降低转运过程中的对位精度要求，即在转运微发光二极管10时，无论是第一电极101还是第二电极102与显示基板的驱动电路中的绑定端子对位搭接，都不需要非常精准的对位要求，就可以使得微发光二极管10的电极与显示基板上驱动电路中的绑定端子完成有效搭接，有利于提高转运良率，进而有利于提升应用该微发光二极管10的显示基板的发光效率。并且本实施例的第一电极101和第二电极102的尺寸均较大，则当第一电极101与第一半导体部103直接接触时，或者当第二电极102与第二半导体部105直接接触时，都可以保证接触面积增大，电流扩展比较好，有利于方便电流扩散，进一步提升发光效率。
在一些可选实施例中，请结合参考图5和图6，图5是本发明实施例提供的微发光二极管的另一种平面结构示意图，图6是图5中C-C’向的剖面结构示意图，本实施例的微发光二极管10中，第一电极101在第一半导体部103的正投影覆盖第一半导体部103(未附图示意)；或者，第二电极102在第二半导体部105的正投影覆盖第二半导体部105(未附图示意)；或者，第一电极101在第一半导体部103的正投影覆盖第一半导体部103，且第二电极102在第二半导体部105的正投影覆盖第二半导体部105(如图6所示)。
本实施例解释说明了第一电极101和第二电极102可以均为整面覆盖的结构，第一电极101设置于第一半导体部103远离发光部104的一侧时，第一电极101在第一半导体部103的正投影可以整面覆盖住第一半导体部103，即第一电极101的面积可以与第一半导体部103的面积相同；和/或，第二电极102设置于第二半导体部105远离发光部104的一侧时，第二电极102在第二半导体部105的正投影可整面覆盖住第二半导体部105，即第二电极10的面积可以与第二半导体部105的面积相同，从而可以进一步增大第一电极101和第二电极102面积尺寸，有利于进一步降低转运过程中的对位精度要求，更好的提高转运良率和转运效率。
在一些可选实施例中，请结合参考图5和图7，图7是图5中C-C’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中的微发光二极管10，第二半导体部105与第二电极102之间包括衬底106，衬底106包括第一通孔1061，沿垂直于衬底106所在平面的方向Z，第一通孔1061贯穿衬底106；
第一通孔1061内设置有第一导电部108，第二半导体部105通过第一导电部108与第二电极102电连接。
本实施例解释说明了一般微发光二极管芯片(包括N型半导体、发光层、P型半导体)的外延生长过程即制作过程是在衬底上制作缓冲层，缓冲层远离衬底的一侧依次生长制作N型半导体(第二半导体部105)、发光层(发光部104)、P型半导体(第一半导体部103)。因此本实施例在制作好的微发光二极管芯片外部完成整个微发光二极管10的结构时，可以将第二电极102制作在衬底106远离缓冲层107的一侧，然后在衬底106上开设第一通孔1061，使得沿垂直于衬底106所在平面的方向Z，第一通孔1061至少贯穿衬底106，衬底106和第二半导体部105之间包括缓冲层107时，则第一通孔1061贯穿衬底106和缓冲层107，并通过在第一通孔1061内设置第一导电部108，实现第二半导体部105与第二电极102的电连接。本实施例提供的一种微发光二极管10的垂直结构，通过将第二电极102直接制作在生长好的发光芯片的衬底106的背面，并通过挖设第一通孔1061和在第一通孔1061内的第一导电部108，实现第一导电部108与第二电极102电连接，此时第一电极101可直接制作于生长好的发光芯片的第一半导体部103上，即第一电极101与第一半导体部103直接接触，增大了第一电极101与第一半导体部103的接触面积，从而可以改善第一半导体部103在第一电极101一侧的欧姆接触不良的问题。其中金属与半导体形成欧姆接触是指在接触处是一个纯电阻，而且该电阻越小越好，良好的欧姆接触具有以下主要特点：统一的、均匀的接触一半导体界面，在界面相就有平面同性；光滑的表面形态。因此本实施例的第一电极101与第一半导体部103直接接触，实现增大第一电极101与第一半导体部103的接触面积，即可以改善第一半导体部103在第一电极101一侧的欧姆接触不良的问题。
可选的，本实施例的第一电极101远离发光部104的一侧还可以制作保护层109(图5中未示意，图7中未填充)，以保护整个微发光二极管10结构。
在一些可选实施例中，请结合参考图8和图9，图8是本发明实施例提供的微发光二极管的另一种平面结构示意图，图9是图8中D-D’向的剖面结构示意图，本实施例中的微发光二极管10，第二半导体部105与第二电极102直接接触，第一电极101远离第一半导体部103的一侧设置有衬底106。
本实施例解释说明了一般微发光二极管芯片(包括N型半导体、发光层、P型半导体)的外延生长过程即制作过程是在衬底上制作缓冲层，缓冲层远离衬底的一侧依次生长制作N型半导体(第二半导体部105)、发光层(发光部104)、P型半导体(第一半导体部103)。因此本实施例在制作好的微发光二极管芯片外部完成整个微发光二极管10的结构时，可以将微发光二极管芯片的衬底106剥离，露出第二半导体部105，然后可以在第二半导体部105远离发光部104的一侧直接制作第二电极102，使得第二半导体部105与第二电极102直接接触电连接。本实施例提供的一种微发光二极管10的垂直结构，通过将制作好的微发光二极管芯片的衬底106剥离，露出第二半导体部105后，使得第二半导体部105与第二电极102直接接触电连接，可以减少挖设通孔的工艺步骤，第一电极101与第一半导体部103直接接触，第二电极102与第二半导体部105直接接触，增大了第一电极101与第一半导体部103的接触面积，增大了第二电极102与第二半导体部105的接触面积，从而可以同时改善第一半导体部103在第一电极101一侧的欧姆接触不良的问题。
可选的，本实施例的第一电极101远离发光部104的一侧还可以制作保护层109(如图8和图9所示)，以保护整个微发光二极管10结构。
在一些可选实施例中，请继续结合参考图1-图9，本实施例中，第一电极101和/或第二电极102的制作材料包括透明导电材料。
本实施例解释说明了微发光二极管10的第一电极101和/或第二电极102的制作材料可以包括透明导电材料或者高透过率或者透光性好的导电材料，如氧化物膜、其他化合物系、高分子膜等，或者如铟锡氧化物半导体透明导电膜(ITO，Indium Tin Oxide)等。当本实施例的微发光二极管10转运至显示基板上时，若第一电极101的一侧朝向显示出光面，则可以设置第一电极101的材料为透明导电材料，若第二电极102的一侧朝向显示出光面，则可以设置第二电极102的材料为透明导电材料，若显示基板需要双面显示发光，则第一电极101和第二电极102的材料可以均为透明导电材料，从而使得电极的材料不影响发光部104的透光，有利于提升微发光二极管10的发光效果。
请结合参考图10和图11，图10是本发明实施例提供的显示基板的平面结构示意图，图11是图10中E-E’向的剖面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图10进行了透明度填充)，本实施例提供的一种显示基板000，包括上述任一实施例中的微发光二极管10；还包括：衬底基板20(图10和图11中未填充)；
驱动电路层30(图10中未示意)，位于衬底基板20一侧，驱动电路层30包括多个驱动单元301；
绑定电极层40，位于驱动电路层30远离衬底基板20的一侧，绑定电极层40包括多个电极组40A，电极组40A至少包括一个第一绑定电极401和一个第二绑定电极402，第一绑定电极401和第二绑定电极402均与驱动单元301电连接；
多个微发光二极管10设置于绑定电极层40远离衬底基板20的一侧，第二电极102位于第一电极101远离衬底基板20的一侧，微发光二极管10在衬底基板20的正投影与第一绑定电极401在衬底基板20的正投影交叠；
第一电极101与第一绑定电极401直接接触电连接，第二电极102与第二绑定电极402电连接。
本实施例提供了一种显示基板000，该显示基板000包括上述实施例中的多个微发光二极管10，可选的，多个微发光二极管10可以阵列排布。当上述实施例中的微发光二极管10转运至显示基板000上时，由于微发光二极管10的电极尺寸较大，可以降低转运过程中的对位精度要求，即在转运微发光二极管10时，对位不需要非常精准，也可以使得微发光二极管10的第一电极101与显示基板000上绑定电极层40的绑定电极完成有效搭接，有利于提高转运良率，进而有利于提升显示基板000的发光效率。并且本实施例的第一电极101的尺寸较大，则当第一电极101与第一绑定电极401直接接触电连接时，接触面积增大，电流扩展比较好，有利于方便电流扩散，进一步提升显示基板000的发光效率。可以理解的是，本实施例提供的显示基板000，具有上述实施例提供的微发光二极管10的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于微发光二极管10的具体说明，本实施例在此不再赘述。
具体而言，本实施例的显示基板000包括衬底基板20，衬底基板20作为承载件使用，用于设置显示基板000的其他能够实现显示功能的结构。驱动电路层30位于衬底基板20一侧，驱动电路层30设置有多个驱动单元301，驱动单元301可以为驱动电路，每个驱动电路可以包括驱动晶体管等电路结构，驱动电路可以包括正极和负极，驱动单元301用于为微发光二极管10发光提供驱动信号。可以理解的是，本实施例对于驱动单元301的具体电路结构不作限定，图中仅以框图结构示意，具体实施时，可参考相关技术中微发光二极管显示基板的结构进行理解。
本实施例的绑定电极层40位于驱动电路层30远离衬底基板20的一侧，绑定电极层40可以设置有多个电极组40A，一个电极组40A可以与一个驱动单元301对应。每个电极组40A至少包括一个第一绑定电极401和一个第二绑定电极402，第一绑定电极401和第二绑定电极402均与驱动单元301电连接；可选的，若第一半导体部103的材料可以为P型半导体材料，如P型氮化镓，第二半导体部105的材料为N型半导体材料，如N型氮化镓，则位于第一半导体部103远离发光部104的一侧的第一电极101可以为正电极，位于第二半导体部105远离发光部104的一侧的第二电极102可以为负电极，此时第一绑定电极401可以与驱动单元301中的电路的正极连接，第二绑定电极402可以与驱动单元301中的电路的负极连接，第一绑定电极401和第二绑定电极402用于实现驱动单元301与微发光二极管10之间的电信号的传输。
本实施例的多个微发光二极管10可以转运至绑定电极层40远离衬底基板20的一侧，显示基板000在制作时，可以先制作完衬底基板20、驱动电路层30的驱动单元301和绑定电极层40的多个电极组40A后，将多个微发光二极管10转运至绑定电极层40上，通过对位(可以在衬底基板20上的每个电极组40A周围设置对位标记，具体可参考相关技术中的转运过程进行理解)，使得微发光二极管10在衬底基板20的正投影与第一绑定电极401在衬底基板20的正投影交叠，即微发光二极管10位于第一绑定电极401的正上方，转运完成后，第一电极101与第一绑定电极401直接接触电连接，第二电极102位于第一电极101远离衬底基板20的一侧，第二电极102与第二绑定电极402可以通过其他连接结构实现电连接。由于本实施例中的微发光二极管10的第一电极101与显示基板000上的第一绑定电极401直接接触电连接，而第一电极101在第一半导体部103的正投影至少覆盖第一半导体部103的50％的区域，即第一电极101可以为整块结构，其设置于第一半导体部103远离发光部104的一侧时，在第一半导体部103的正投影的面积大于或等于第一半导体部103的50％的区域的面积，从而可以降低对位精度要求的同时，还可以使得第一电极101与第一绑定电极401的接触面增大，电流扩展比较好，有利于提升发光效率，还可以使得第一电极101与第一绑定电极401电连接性较好，有利于增强两者的绑定稳定性。
需要说明的是，本实施例的图中仅示意出部分数量的微发光二极管，具体实施时，显示基板000上微发光二极管10的数量可根据实际需求设置。本实施例中对于第二电极102与第二绑定电极402的电连接方式不作具体限定，可以选择通过导电连接部实现电连接，或者还可以是其他连接方式，本实施例不作具体限定。本实施例对于驱动电路层30的具体结构不作赘述，具体可参考相关技术中的显示基板的结构进行理解。本实施例的显示基板000包括但不局限于上述结构，还可以包括其他能够实现显示功能的结构，如绝缘层、封装层等，本实施例在此不作赘述。
可选的，本实施例中的第二电极102的制作材料包括透明导电材料或者高透过率或者透光性好的导电材料，如氧化物膜、其他化合物系、高分子膜等，或者如铟锡氧化物半导体透明导电膜(ITO，Indium Tin Oxide)等。由于本实施例的微发光二极管10转运至显示基板000上后，第二电极102位于第一电极101远离衬底基板20的一侧，即第二电极102的一侧朝向显示出光面，则可以设置第二电极102的材料为透明导电材料，从而使得第二电极102的材料不影响发光部104的透光，有利于提升显示基板的发光效率，提升显示效果。
在一些可选实施例中，请结合参考图10和图12，图12是图10中E-E’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，驱动电路层30远离衬底基板20的一侧包括第一绝缘层50，第一绝缘层50包括多个凹槽501，第一绑定电极401位于凹槽501内；
在垂直于衬底基板20所在平面的方向Z上，凹槽501的深度大于或等于第一绑定电极401的厚度。
本实施例解释说明了驱动电路层30远离衬底基板20的一侧还可以包括第一绝缘层50，第一绝缘层50起到将驱动电路层30与绑定电极层40绝缘的同时，还可以作为阻挡层使用。第一绝缘层50包括多个凹槽501，凹槽501的设置使得第一绝缘层50远离衬底基板20的一侧形成多个阻挡图案，第一绑定电极401位于凹槽501内，当微发光二极管10转运至显示基板000上时，可以使得微发光二极管10的第一电极101与凹槽501内的第一绑定电极401对位，由于在垂直于衬底基板20所在平面的方向Z上，凹槽501的深度H1大于或等于第一绑定电极401的厚度H2，即使在微发光二极管10出现偏移时，微发光二极管10能够被第一绝缘层50远离衬底基板20的一侧形成的阻挡图案阻挡，有利于更好的提高第一绑定电极401与第一电极101的对位贴合，从而减少了微发光二极管10转运时的偏移数量，可以改善对位偏移现象，避免微发光二极管10从绑定电极上脱落，进而可以进一步提升转运良率。
在一些可选实施例中，请继续结合参考图10和图12，本实施例中，绑定电极层40远离衬底基板20的一侧包括第二绝缘层60，第二绝缘层60覆盖微发光二极管10和绑定电极层40；
第二绝缘层60包括第二通孔601，第二电极102通过第二导电部70与第二绑定电极402连接；
第二导电部70包括相连的第一部701和第二部702，第一部701位于第二电极102远离衬底基板20的一侧，第一部701与第二电极102连接，第二部702位于第二通孔601内，第二部702与第二绑定电极402连接。
本实施例解释说明了微发光二极管10的第二电极102与绑定电极层40的第二绑定电极402的电连接方式可以为通过第二导电部70实现电连接。具体为绑定电极层40远离衬底基板20的一侧设置第二绝缘层60，第二绝缘层60覆盖微发光二极管10和绑定电极层40，第二绝缘层60起到绝缘和保护的作用。第二绝缘层60可以开设第二通孔601，可选的，第二通孔601向衬底基板20的正投影可以与第二绑定电极402交叠。第二导电部70包括相连的一体成型的第一部701和第二部702，第一部701位于第二电极102远离衬底基板20的一侧，可选的，当第二绝缘层60远离衬底基板20一侧的表面与第二电极102远离衬底基板20一侧的表面齐平时，第一部701可以直接搭接于第二电极102远离衬底基板20的一侧表面上，实现第一部701与第二电极102连接，而第二部702可以填充于第二通孔601内，使得第二部702与第二绑定电极402连接，进而使得第二电极102通过第二导电部70实现与第二绑定电极402连接。或者当第二绝缘层60远离衬底基板20一侧的表面高于第二电极102远离衬底基板20一侧的表面时，第二绝缘层60可以在第二电极102的位置也开设一个通孔，使得第一部701可以通过该位置的通孔实现与第二电极102的连接(未附图示意)。本实施例设置的第二电极102与第二绑定电极402的电连接方式制程简单，良率较高。
在一些可选实施例中，请继续结合参考图10和图12，本实施例中，第二导电部70的制作材料为金属材料；
沿平行于衬底基板20所在平面的方向X，至少部分第二部702与发光部104交叠。
本实施例解释说明了用于实现第二电极102与第二绑定电极402电连接的第二导电部70可以为金属材料，满足导电性能的同时，还具有遮光作用，设置沿平行于衬底基板20所在平面的方向X，至少部分第二部702与发光部104交叠，可选的，沿平行于衬底基板20所在平面的方向X，第二部702可以与整个微发光二极管10交叠，金属材料的第二导电部70可以遮挡发光部104的侧面光线，避免相邻微发光二极管10之间的发光颜色的相互干扰，有利于提升显示基板000的显示品质。
在一些可选实施例中，请结合参考图13和图14，图13是本发明实施例提供的显示基板的另一种平面结构示意图，图14是图13中M区域的局部放大结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图13进行了透明度填充)，本实施例中，第二导电部70的第一部701包括多个间隔设置的子部7011；在平行于衬底基板20所在平面的方向X上，多个子部7011的排列方向与第一绑定电极401指向第二绑定电极402的方向相交。可选的，在平行于衬底基板20所在平面的方向X上，多个子部7011的排列方向与第一绑定电极401指向第二绑定电极402的方向相互垂直。
本实施例解释说明了将第二电极102与第二绑定电极402连接的第二导电部7可以设计为第一部701包括多个间隔设置的子部7011，在平行于衬底基板20所在平面的方向X上，多个子部7011的排列方向与第一绑定电极401指向第二绑定电极402的方向相互垂直，当显示基板000的显示出光面为第二电极102一侧时，由于第二电极102采用透明导电材料的电阻较大，此时将与第二电极102搭接的第一部701设计为多个间隔设置的子部7011结构，可以使得从第二绑定电极402传输至第二导电部70的电流从多个子部7011向整面结构的第二电极102扩展传输，避免从第二绑定电极402传输至第二导电部70的电流仅从一个位置向整面结构且尺寸较大的第二电极102传输时，发生整面第二电极102的局部电流较大，离第一部701较远的局部区域电流较小的情况，造成发光程度不均匀。本实施例设置与第二电极102搭接的第一部701为多个间隔设置的子部7011结构，可以使得从第二绑定电极402传输至第二导电部70的电流从多个子部7011分别均匀的向整面结构的第二电极102扩展传输(如图14中示意的多个电流传输方向G)，有利于提高电流扩展速度和能力，提升发光效率和发光品质。
可以理解的是，本实施例的图中仅是示例性画出第一部701的子部7011的数量，具体实施时，可根据第一部701的实际尺寸设置子部7011的数量，本实施例不作具体限定。第一部701的多个子部7011可以通过在制作完第二导电部70后，对第一部701进行刻蚀形成间隔设置的多个子部7011。
可选的，本实施例的第二导电部70的第二部702可以为整体结构，整体结构的第二部702有利于更好的保证遮挡发光部104侧面光线的效果。
在一些可选实施例中，请结合参考图15和图16，图15是本发明实施例提供的显示基板的另一种平面结构示意图，图16是图15中F-F’向的剖面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图15进行了透明度填充)，本实施例中，电极组40A包括一个第一绑定电极401和至少两个第二绑定电极402；
在平行于衬底基板20所在平面的方向X上，至少两个第二绑定电极402位于第一绑定电极401的相对两侧。
本实施例解释说明了绑定电极层40的一个电极组40A可以包括一个第一绑定电极401和至少两个第二绑定电极402，如图15和图16中以一个电极组40A可以包括一个第一绑定电极401和两个第二绑定电极402为例进行示例说明，可选的，一个电极组40A可以包括一个第一绑定电极401和三个第二绑定电极402，或者一个电极组40A可以包括一个第一绑定电极401和四个第二绑定电极402，四个第二绑定电极402围绕第一绑定电极401设置；或者一个电极组40A可以包括一个第一绑定电极401和多个第二绑定电极402，多个第二绑定电极402围绕第一绑定电极401设置，本实施例对此不作具体限定，具体实施时，可根据实际需求选择设置。一个电极组40A包括一个第一绑定电极401和两个第二绑定电极402时，在平行于衬底基板20所在平面的方向X上，该两个第二绑定电极402位于第一绑定电极401的相对两侧，从而可以使得两个第二绑定电极402同时通过两个第二导电部70将驱动电流分别均匀的向整面结构的第二电极102扩展传输，有利于提高电流扩展速度和能力，提升发光效率和发光品质。
可选的，本实施例中的与两个第二绑定电极402连接的第二导电部70的第一部701可以均设置为整体结构(如图15所示)，也可以设置为每个第一部701包括多个间隔设置的子部7011的结构(如图17所示，图17是本发明实施例提供的显示基板的另一种平面结构示意图，为了清楚示意本实施例的结构，图17进行了透明度填充)，有利于进一步提高电流扩展速度和能力，具体实施时，可根据实际需求选择设置。
在一些可选实施例中，请结合参考图18和图19，图18是本发明实施例提供的显示基板的另一种平面结构示意图，图19是图18中N区域的局部放大结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图18和图19进行了透明度填充)，第二绑定电极402为环形结构；
第二绑定电极402在衬底基板20的正投影围绕第一绑定电极401在衬底基板20的正投影。
本实施例解释说明了为了增强第二绑定电极402与第二电极102的电连接效果，可以设置第二绑定电极402为环形结构，即第二绑定电极402在衬底基板20的正投影设置为围绕第一绑定电极401在衬底基板20的正投影，从而可以通过环形的第二导电部70实现第二绑定电极402与第二电极102电连接的同时，还可以使得从环形结构的第二绑定电极402传输至第二导电部70的电流从第二电极102周围共同均匀的向整面结构的第二电极102扩展传输(如图19中示意的多个电流传输方向G)，有利于更好的提高电流扩展速度和能力，进一步提升发光效率和发光品质。
可选的，本实施例的第二绑定电极402为环形结构时，第二导电部70可以也为整体的环形结构，以实现对微发光二极管10所有侧面光线的遮挡，进而有利于更好的避免两个微发光二极管10之间的光线串扰。
可选的，请结合参考图20和图21，图20是本发明实施例提供的显示基板的另一种平面结构示意图，图21是图20中P区域的局部放大结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图20和图21进行了透明度填充)，第二绑定电极402为环形结构，第二绑定电极402在衬底基板20的正投影围绕第一绑定电极401在衬底基板20的正投影，第二导电部70的第二部702可以仍然为整体结构，而第二导电部70的环形的第一部701可以设置为多个间隔设置的子部7011的结构，可以使得从环形结构的第二绑定电极402传输至第二导电部70的电流从多个子部7011向整面结构的第二电极102扩展传输(如图21中示意的多个电流传输方向G)，进而可以更均匀的提高电流扩展速度和能力，提升发光效率和发光品质。
在一些可选实施例中，请结合参考图10和图22、图23，图22是图10中E-E’向的另一种剖面结构示意图，图23是图10中I-I’向的剖面结构示意图，本实施例中，绑定电极层40与驱动电路层30之间还包括垫高层80，垫高层80包括垫高部801，垫高部801在衬底基板20的正投影与第二绑定电极402在衬底基板20的正投影至少部分交叠；
在垂直于衬底基板20所在平面的方向Z上，垫高部801位于第二绑定电极402靠近衬底基板20的一侧。
本实施例解释说明了绑定电极层40远离衬底基板20的一侧包括第二绝缘层60，第二绝缘层60覆盖微发光二极管10和绑定电极层40；第二绝缘层60包括第二通孔601，第二电极102通过第二导电部70与第二绑定电极402连接；第二导电部70的第一部701位于第二电极102远离衬底基板20的一侧，第一部701与第二电极102直接搭接电连接，第二部702位于第二通孔601内，第二部702与第二绑定电极402连接。由于第二通孔601在垂直于衬底基板20所在平面的方向Z上的深度较大，刻蚀第二绝缘层60时，深度过大会容易影响刻蚀效果，因此本实施例在绑定电极层40与驱动电路层30之间还设置了垫高层80，垫高层80包括垫高部801，使得垫高部801在衬底基板20的正投影与第二绑定电极402在衬底基板20的正投影至少部分交叠，如图23所示，第二绑定电极402中的部分结构402A在衬底基板20的正投影与垫高部801在衬底基板20的正投影交叠，即第二绑定电极402中的部分结构402A被垫高部801垫高。在垂直于衬底基板20所在平面的方向Z上，垫高部801位于第二绑定电极402靠近衬底基板20的一侧，即通过垫高部801将部分第二绑定电极402(图23中的部分结构402A)垫高，且在垫高部801所在位置刻蚀第二绝缘层60的第二通孔601，有利于减小第二通孔601在垂直于衬底基板20所在平面的方向Z上的深度，进而有利于降低制程工艺难度，提高产品良率。
可选的，第二绑定电极402的未与垫高部801交叠的部分，如图22中的第二绑定电极402的部分结构402B，可以仍然与驱动电路层30电连接(如仍然与驱动电路层30的驱动单元301的负极电连接)，以实现驱动电路层30与第二绑定电极402、第二绑定电极402与第二导电部70、第二导电部70与第二电极102之间的信号传输。在制作过程中，可以在制作完驱动电路层30的结构后，在驱动电路层30远离衬底基板20的一侧制作垫高层80，然后通过刻蚀工艺形成垫高部801；然后在垫高层80远离衬底基板20的一侧制作绑定电极层40时，形成的一个第二绑定电极402中，垫高部801所在位置的部分第二绑定电极402被其垫高，未有垫高部801的其他部分的第二绑定电极402仍然保持与驱动电路层30的电连接。
可以理解的是，本实施例对于一个第二绑定电极402对应包括的垫高部801的数量不作具体限定，一个第二绑定电极402在衬底基板20的正投影还可以与两个或多个垫高部801在衬底基板20的正投影交叠，具体实施时，可根据实际需求选择设置。
在一些可选实施例中，请继续结合参考图10、图22-图23，本实施例中，垫高部801的制作材料包括有机材料。
本实施例解释说明了用于将部分第二绑定电极402垫高，以使得第二通孔601的开设的深度可以较小，有利于降低制程难度的垫高部801的制作材料可以为有机材料，由于若将垫高部801的材料采用导电材料，如金属材料，虽然能实现垫高部801与第二绑定电极402、第二导电部70相互之间的电连接，但是由于金属材料的垫高部801无法沉积太高，因此金属材料制得的垫高部不能有效减小第二通孔601的深度。因此本实施例设置垫高部801的制作材料为有机材料，有机材料的垫高层80可以相对沉积的较厚一些，进而可以使得垫高部801满足一定的高度，有利于更好的减小第二通孔601的开设的深度，有效降低第二通孔601的制程难度。
在一些可选实施例中，请结合参考图10、图22-图23、图24、图25，图24是图10中Q区域的第二绑定电极与第一绑定电极的局部放大结构示意图，图25是图10中Q区域的局部放大结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图25进行了透明度填充)，本实施例中，第二绑定电极402包括第一分区4021和第二分区4022，第一分区4021的第二绑定电极402为其部分结构402A，第二分区4022的第二绑定电极402为其部分结构402B；
垫高部801在衬底基板20的正投影与第一分区4021的第二绑定电极402在衬底基板20的正投影交叠；
第一分区4021的第二绑定电极402与第二电极102电连接，第二分区4022的第二绑定电极402与驱动电路层30电连接。可选的，第一分区4021的第二绑定电极402与第二电极102通过第二导电部70电连接，第二分区4022的第二绑定电极402与驱动电路层30的驱动单元301的负极电连接。
本实施例解释说明了绑定电极层40远离衬底基板20的一侧包括第二绝缘层60，第二绝缘层60覆盖微发光二极管10和绑定电极层40；第二绝缘层60包括第二通孔601，第二电极102通过第二导电部70与第二绑定电极402连接；第二导电部70的第一部701位于第二电极102远离衬底基板20的一侧，第一部701与第二电极102直接搭接电连接，第二部702位于第二通孔601内，第二部702与第二绑定电极402连接。由于第二通孔601在垂直于衬底基板20所在平面的方向Z上的深度较大，刻蚀第二绝缘层60时，深度过大会容易影响刻蚀效果，因此本实施例在绑定电极层40与驱动电路层30之间还设置了垫高层80，垫高层80包括垫高部801，垫高部801需要有一定的高度，因此将垫高部801采用有机材料制作，而有机材料一般为绝缘材料。为了实现驱动电路层30与第二绑定电极402、第二绑定电极402与第二导电部70、第二导电部70与第二电极102之间电连接以完成信号传输，本实施例设置第二绑定电极402包括第一分区4021和第二分区4022，第一分区4021的第二绑定电极402为其部分结构402A，第二分区4022的第二绑定电极402为其部分结构402B；垫高部801在衬底基板20的正投影与第一分区4021的第二绑定电极402在衬底基板20的正投影交叠，第一分区4021的第二绑定电极402通过第二通孔601中的第二导电部70与第二电极102电连接，第二分区4022的第二绑定电极402直接与驱动电路层30的驱动单元301电连接，通过垫高部801将第一分区4021的第二绑定电极402垫高，且在垫高部801所在位置刻蚀第二绝缘层60的第二通孔601，有利于减小第二通孔601在垂直于衬底基板20所在平面的方向Z上的深度，进而有利于降低制程工艺难度，提高产品良率。而第二绑定电极402的未与垫高部801交叠的部分，即第二分区4022的第二绑定电极402仍然直接与驱动电路层30的驱动单元301电连接(如仍然与驱动电路层30的驱动单元301的负极电连接)，以实现驱动电路层30与第二绑定电极402、第二绑定电极402与第二导电部70、第二导电部70与第二电极102之间的信号传输。
需要说明的是，本实施例的一个第二绑定电极402可以对应至少一个垫高部801，如一个第二绑定电极402可以对应两个垫高部801，两个垫高部801可以分别设置于第二绑定电极402的相对两端的位置，或者一个第二绑定电极402还可以对应其他数量的垫高部801，本实施例不作具体限定，具体实施时，可根据实际需求选择设置。
在一些可选实施例中，请继续结合参考图10和图11，本实施例中，绑定电极层40的第一绑定电极401和第二绑定电极402可以同层同材料设置，即在驱动电路层30远离衬底基板20的一侧制作完一导电层后，可是直接刻蚀形成多个第一绑定电极401和第二绑定电极402的图案，形成绑定电极层40，有利于减少工艺制程步骤，提升制程效率。
在一些可选实施例中，请结合参考图10和图26，图26是图10中E-E’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，绑定电极层40包括相互绝缘的第一子层400和第二子层4000，第一绑定电极401位于第一子层400，第二绑定电极402位于第二子层4000，即在驱动电路层30远离衬底基板20的一侧制作完导电的第一子层400后，刻蚀该第一子层400形成多个第一绑定电极401的图案，然后在第一子层400远离衬底基板20的一侧形成一绝缘层，再在该绝缘层远离衬底基板20的一侧形成导电的第二子层4000后，刻蚀该第二子层4000形成多个第二绑定电极402的图案，进而最终形成包括两个不同子层的绑定电极层40。本实施例通过两个子层形成第一绑定电极401和第二绑定电极402，有利于减少绑定电极间短路的风险，进而可以提高产品良率。
可以理解的是，由于本实施例在制作完第一子层400的第一绑定电极401后，再制作第二子层4000的第二绑定电极402(相当于垫高了第二绑定电极402)，从而可以减小在垂直于衬底基板20所在平面的方向Z上，第二绝缘层60开设的第二通孔601的深度，有利于降低制程难度。
在一些可选实施例中，请结合参考图1-图10、图11、图27-图30，图27是本发明实施例提供的显示基板的制作方法的流程框图，图28是图27中在衬底基板一侧制作完驱动电路层后的结构示意图，图29是图27中在驱动电路层远离衬底基板的一侧制作完绑定电极层后的结构示意图，图30是图27中在绑定电极层远离衬底基板一侧转运完微发光二极管后的结构示意图。本实施例提供的显示基板的制作方法，可以用于制作上述实施例中的显示基板000，制作方法包括：
S11：提供衬底基板20；
S12：在衬底基板20一侧制作驱动电路层30，使得驱动电路层30包括多个驱动单元301；可选的，驱动单元301可以为驱动电路，每个驱动电路可以包括驱动晶体管等电路结构，驱动电路可以包括正极301A和负极301B，如图28所示；
S13：在驱动电路层30远离衬底基板20的一侧制作绑定电极层40，使得绑定电极层40包括多个电极组40A，电极组40A至少包括一个第一绑定电极401和一个第二绑定电极402，第一绑定电极401和第二绑定电极402均与驱动单元301电连接；可选的，第一绑定电极401与驱动单元301的正极301A电连接，第二绑定电极402与驱动单元301的负极301B电连接，如图29所示；
S14：提供多个微发光二极管10，微发光二极管10至少包括第一电极101、第二电极102和堆叠设置的第一半导体部103、发光部104、第二半导体部105；发光部104位于第一半导体部103和第二半导体部105之间；第一电极101设置于第一半导体部103远离发光部104的一侧，第二电极102设置于第二半导体部105远离发光部104的一侧，其中第一电极101在第一半导体部103的正投影至少覆盖第一半导体部103的50％的区域，如图1-图9所示；
S15：将多个微发光二极管10转运至绑定电极层40远离衬底基板20的一侧，使得微发光二极管10在衬底基板20的正投影与第一绑定电极401交叠，微发光二极管10的第一电极101与第一绑定电极401直接接触电连接，第二电极102与第二绑定电极402电连接，如图30所示。
本实施例解释说明了显示基板000的制作方法，在衬底基板20一侧制作驱动电路层30，使得驱动电路层30包括多个驱动单元301，驱动单元301可以为驱动电路，每个驱动电路可以包括驱动晶体管等电路结构，驱动电路可以包括正极301A和负极301B，驱动单元301用于为微发光二极管10发光提供驱动信号。然后可以在驱动电路层30远离衬底基板20的一侧制作绑定电极层40，使得绑定电极层40包括多个电极组40A，每个电极组40A至少包括一个第一绑定电极401和一个第二绑定电极402，使得第一绑定电极401和第二绑定电极402均与驱动单元301电连接。在制作完绑定电极层40后，可以将预先制作好的如图1-9任一所示的多个微发光二极管10转运至绑定电极层40远离衬底基板20的一侧，使得微发光二极管10在衬底基板20的正投影与第一绑定电极401交叠，微发光二极管10的第一电极101与第一绑定电极401直接接触电连接，第二电极102与第二绑定电极402电连接。由于本实施例提供的微发光二极管10的第一电极101与显示基板000上的第一绑定电极401直接接触电连接，而第一电极101在第一半导体部103的正投影至少覆盖第一半导体部103的50％的区域，即第一电极101可以为整块结构，其设置于第一半导体部103远离发光部104的一侧时，在第一半导体部103的正投影的面积大于或等于第一半导体部103的50％的区域的面积，从而可以降低对位精度要求的同时，还可以使得第一电极101与第一绑定电极401的接触面增大，电流扩展比较好，有利于提升发光效率，还可以使得第一电极101与第一绑定电极401电连接性较好，有利于增强两者的绑定稳定性。
需要说明的是，采用本实施例提供的制作方法制得的显示基板000具有上述实施例提供的微发光二极管10和显示基板000的有益效果，本实施例在此不作赘述，具体可参考上述实施例中的描述进行理解。
在一些可选实施例中，请结合参考图1-图9、图10、图12、图28、图29、图31-图35，图31是本发明实施例提供的显示基板的另一种制作方法的流程框图，图32是图31中在转运完微发光二极管后，微发光二极管的第一电极与第一绑定电极直接接触电连接的结构示意图，图33是图31中在转运完微发光二极管后，在微发光二极管远离衬底基板的一侧制作完第二绝缘层的结构示意图，图34是图31中在第二绝缘层开设多个第二通孔后的结构示意图，图35是图31中微发光二极管的第二电极与第二绑定电极电连接的结构示意图。本实施例提供的显示基板的制作方法，可以用于制作上述实施例中的显示基板000，制作方法包括：
S21：提供衬底基板20；
S22：在衬底基板20一侧制作驱动电路层30，使得驱动电路层30包括多个驱动单元301；可选的，驱动单元301可以为驱动电路，每个驱动电路可以包括驱动晶体管等电路结构，驱动电路可以包括正极301A和负极301B，如图28所示；
S23：在驱动电路层30远离衬底基板20的一侧制作绑定电极层40，使得绑定电极层40包括多个电极组40A，电极组40A至少包括一个第一绑定电极401和一个第二绑定电极402，第一绑定电极401和第二绑定电极402均与驱动单元301电连接；可选的，第一绑定电极401与驱动单元301的正极301A电连接，第二绑定电极402与驱动单元301的负极301B电连接，如图29所示；
S24：提供多个微发光二极管10，微发光二极管10至少包括第一电极101、第二电极102和堆叠设置的第一半导体部103、发光部104、第二半导体部105；发光部104位于第一半导体部103和第二半导体部105之间；第一电极101设置于第一半导体部103远离发光部104的一侧，第二电极102设置于第二半导体部105远离发光部104的一侧，其中第一电极101在第一半导体部103的正投影至少覆盖第一半导体部103的50％的区域，如图1-图9所示；
S25：将多个微发光二极管10转运至绑定电极层40远离衬底基板20的一侧，使得微发光二极管10在衬底基板20的正投影与第一绑定电极401交叠，微发光二极管10的第一电极101与第一绑定电极401直接接触电连接，如图32所示；
S26：在微发光二极管10远离衬底基板20的一侧制作第二绝缘层60，使得第二绝缘层60至少部分覆盖微发光二极管10和绑定电极层40，如图33所示；
S27：在第二绝缘层60开设多个第二通孔601，如图34所示；
S28：在第二电极102远离衬底基板20的一侧制作第二导电部70，使得第二电极102通过第二导电部70与第二绑定电极402连接；其中，第二导电部70包括相连的第一部701和第二部702，第一部701位于第二电极102远离衬底基板20的一侧，第一部701与第二电极102直接搭接连接，第二部702位于第二通孔601内，第二部702与第二绑定电极402连接，如图35所示。
本实施例解释说明了微发光二极管10的第二电极102与绑定电极层40的第二绑定电极402的电连接方式可以为通过制作第二导电部70实现电连接。具体为将多个微发光二极管10转运至绑定电极层40远离衬底基板20的一侧，使得微发光二极管10在衬底基板20的正投影与第一绑定电极401交叠，微发光二极管10的第一电极101与第一绑定电极401直接接触电连接之后，在第二绝缘层60开设多个第二通孔601，然后在第二电极102远离衬底基板20的一侧制作第二导电部70，使得第二导电部70的第一部701位于第二电极102远离衬底基板20的一侧，第二导电部70的第一部701与第二电极102直接搭接连接，第二导电部70的第二部702位于第二通孔601内，第二部702与第二绑定电极402连接。本实施例的制作方法中，微发光二极管10的第二电极102与绑定电极层40的第二绑定电极402的电连接方式制程简单，制得的产品良率较高。
在一些可选实施例中，请参考图36，图36是本发明实施例提供的显示装置的平面结构示意图，本实施例提供的显示装置111，包括本发明上述实施例提供的显示基板000。图36实施例仅以手机为例，对显示装置111进行说明，可以理解的是，本发明实施例提供的显示装置111，可以是电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置111，本发明对此不作具体限制。本发明实施例提供的显示装置111，具有本发明实施例提供的显示基板000的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于显示基板000的具体说明，本实施例在此不再赘述。
通过上述实施例可知，本发明提供的微发光二极管、显示基板及其制作方法、显示装置，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的微发光二极管至少包括堆叠设置的第一电极、第一半导体部、发光部、第二半导体部、第二电极，发光部位于第一半导体部和第二半导体部之间，第一电极位于第一半导体部远离发光部的一侧，第二电极于第二半导体部远离发光部的一侧。第一电极在第一半导体部的正投影至少覆盖第一半导体部的50％的区域，即第一电极可以为整块结构，其设置于第一半导体部远离发光部的一侧时，在第一半导体部的正投影的面积大于或等于第一半导体部的50％的区域的面积，从而可以增大第一电极与第一半导体部之间交叠面积，在本发明的微发光二极管转运至显示基板上用于发光显示时，由于电极的尺寸较大，可以降低转运过程中的对位精度要求，即在转运微发光二极管时，对位不需要非常精准，也可以使得微发光二极管的第一电极与显示基板上驱动电路中的绑定端子完成有效搭接，有利于提高转运良率，进而有利于提升应用该微发光二极管的显示基板的发光效率。并且本发明的微发光二极管的第一电极的尺寸较大，当第一电极与第一半导体部直接接触时，接触面积增大，电流扩展比较好，有利于方便电流扩散，进一步提升发光效率。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (21)

1.一种显示基板，其特征在于，包括多个微发光二极管；还包括：
衬底基板；
驱动电路层，位于所述衬底基板一侧，所述驱动电路层包括多个驱动单元；
绑定电极层，位于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧，所述绑定电极层包括多个电极组，所述电极组至少包括一个第一绑定电极和一个第二绑定电极，所述第一绑定电极和所述第二绑定电极均与所述驱动单元电连接；
多个所述微发光二极管设置于所述绑定电极层远离所述衬底基板的一侧，所述微发光二极管至少包括第一电极和第二电极；所述第二电极位于所述第一电极远离所述衬底基板的一侧，所述微发光二极管在所述衬底基板的正投影与所述第一绑定电极在所述衬底基板的正投影交叠；
所述第一电极与所述第一绑定电极直接接触电连接，所述第二电极与所述第二绑定电极电连接；
所述第二电极通过第二导电部与所述第二绑定电极连接，所述第二导电部包括相连的第一部和第二部；
所述第二导电部的所述第一部包括多个间隔设置的子部；在平行于衬底基板所在平面的方向上，多个所述子部的排列方向与所述第一绑定电极指向所述第二绑定电极的方向相交。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧包括第一绝缘层，所述第一绝缘层包括多个凹槽，所述第一绑定电极位于所述凹槽内；
在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述凹槽的深度大于或等于所述第一绑定电极的厚度。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述绑定电极层远离所述衬底基板的一侧包括第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述微发光二极管和所述绑定电极层；
所述第二绝缘层包括第二通孔，所述第一部位于所述第二电极远离所述衬底基板的一侧，所述第一部与所述第二电极连接，所述第二部位于所述第二通孔内，所述第二部与所述第二绑定电极连接。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第二导电部的制作材料为金属材料；
沿平行于所述衬底基板所在平面的方向，至少部分所述第二部与发光部交叠。
5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述电极组包括一个所述第一绑定电极和至少两个所述第二绑定电极；
在平行于衬底基板所在平面的方向上，至少两个所述第二绑定电极位于所述第一绑定电极的相对两侧。
6.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第二绑定电极为环形结构；
所述第二绑定电极在所述衬底基板的正投影围绕所述第一绑定电极在所述衬底基板的正投影。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述绑定电极层与所述驱动电路层之间还包括垫高层，所述垫高层包括垫高部，所述垫高部在所述衬底基板的正投影与所述第二绑定电极在所述衬底基板的正投影至少部分交叠；
在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述垫高部位于所述第二绑定电极靠近所述衬底基板的一侧。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述垫高部的制作材料包括有机材料。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第二绑定电极包括第一分区和第二分区；
所述垫高部在所述衬底基板的正投影与所述第一分区的所述第二绑定电极在所述衬底基板的正投影交叠；
所述第一分区的所述第二绑定电极与所述第二电极电连接，所述第二分区的所述第二绑定电极与所述驱动电路层电连接。
10.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二电极的制作材料包括透明导电材料。
11.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一绑定电极和所述第二绑定电极同层同材料设置。
12.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述绑定电极层包括相互绝缘的第一子层和第二子层，所述第一绑定电极位于所述第一子层，所述第二绑定电极位于所述第二子层。
13.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述微发光二极管至少包括堆叠设置的第一半导体部、发光部、第二半导体部；所述发光部位于所述第一半导体部和所述第二半导体部之间；
所述第一电极位于所述第一半导体部远离所述发光部的一侧，所述第二电极位于所述第二半导体部远离所述发光部的一侧；
所述第一电极在所述第一半导体部的正投影至少覆盖所述第一半导体部的50％的区域。
14.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，所述第二电极在所述第二半导体部的正投影至少覆盖所述第二半导体部的50％的区域。
15.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极在所述第一半导体部的正投影覆盖所述第一半导体部；和/或，所述第二电极在所述第二半导体部的正投影覆盖所述第二半导体部。
16.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，所述第二半导体部与所述第二电极之间包括衬底，所述衬底包括第一通孔，沿垂直于所述衬底所在平面的方向，所述第一通孔贯穿所述衬底；
所述第一通孔内设置有第一导电部，所述第二半导体部通过所述第一导电部与所述第二电极电连接。
17.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，所述第二半导体部与所述第二电极直接接触，所述第一电极远离所述第一半导体部的一侧设置有衬底。
18.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极的制作材料包括透明导电材料。
19.一种根据权利要求1-18任一项所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板一侧制作驱动电路层，使得所述驱动电路层包括多个驱动单元；
在所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧制作绑定电极层，使得所述绑定电极层包括多个电极组，所述电极组至少包括一个第一绑定电极和一个第二绑定电极，所述第一绑定电极和所述第二绑定电极均与所述驱动单元电连接；
提供多个微发光二极管，所述微发光二极管至少包括第一电极、第二电极和堆叠设置的第一半导体部、发光部、第二半导体部；所述发光部位于所述第一半导体部和所述第二半导体部之间；所述第一电极设置于所述第一半导体部远离所述发光部的一侧，所述第二电极设置于所述第二半导体部远离所述发光部的一侧，其中所述第一电极在所述第一半导体部的正投影至少覆盖所述第一半导体部的50％的区域；
将多个所述微发光二极管转运至所述绑定电极层远离所述衬底基板的一侧，使得所述微发光二极管在所述衬底基板的正投影与所述第一绑定电极交叠，所述微发光二极管的所述第一电极与所述第一绑定电极直接接触电连接，所述第二电极与所述第二绑定电极电连接。
20.根据权利要求19所述的显示基板的制作方法，其特征在于，将多个所述微发光二极管转运至所述绑定电极层远离所述衬底基板的一侧之后，还包括：
在所述微发光二极管远离所述衬底基板的一侧制作第二绝缘层，使得所述第二绝缘层覆盖所述微发光二极管和所述绑定电极层；
在所述第二绝缘层开设多个第二通孔，使得所述第二电极通过第二导电部与所述第二绑定电极连接；其中，所述第二导电部包括相连的第一部和第二部，所述第一部位于所述第二电极远离所述衬底基板的一侧，所述第一部与所述第二电极连接，所述第二部位于所述第二通孔内，所述第二部与所述第二绑定电极连接。
21.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-18任一项所述的显示基板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115036330B (zh) * 2022-06-08 2023-04-28 滁州惠科光电科技有限公司 显示单元及显示面板

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102769079A (zh) * 2012-07-16 2012-11-07 江苏扬景光电有限公司 P型、n型半导体出光垂直传导发光二极管的制造方法
TWI621249B (zh) * 2017-03-27 2018-04-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型發光二極體及顯示面板
CN110494911A (zh) * 2019-07-10 2019-11-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示面板、显示装置
CN111933653A (zh) * 2020-08-05 2020-11-13 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
WO2020258979A1 (zh) * 2019-06-25 2020-12-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、其制作方法及母板
CN112424941A (zh) * 2019-06-21 2021-02-26 京东方科技集团股份有限公司 微发光二极管、阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法
CN112928196A (zh) * 2021-01-29 2021-06-08 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN113451346A (zh) * 2020-03-27 2021-09-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、发光元件的转移方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109300912B (zh) * 2018-09-17 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 基于电致发光器件的显示基板及其制备方法、显示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102769079A (zh) * 2012-07-16 2012-11-07 江苏扬景光电有限公司 P型、n型半导体出光垂直传导发光二极管的制造方法
TWI621249B (zh) * 2017-03-27 2018-04-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型發光二極體及顯示面板
CN112424941A (zh) * 2019-06-21 2021-02-26 京东方科技集团股份有限公司 微发光二极管、阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法
WO2020258979A1 (zh) * 2019-06-25 2020-12-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、其制作方法及母板
CN110494911A (zh) * 2019-07-10 2019-11-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示面板、显示装置
CN113451346A (zh) * 2020-03-27 2021-09-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、发光元件的转移方法
CN111933653A (zh) * 2020-08-05 2020-11-13 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN112928196A (zh) * 2021-01-29 2021-06-08 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置

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