CN112582443B - Led显示结构的制作方法、led显示结构以及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种LED显示结构的制作方法、LED显示结构以及显示面板,该制作方法包括步骤:提供驱动基底;在驱动基底上形成基底绝缘层;在基底绝缘层上形成至少一层发光层,每一层发光层均包括第一电极层和发光材料层;图形化至少一层发光层形成发光结构,发光结构具有多个第一开口,至少部分基底绝缘层由多个第一开口露出;图形化基底绝缘层,在基底绝缘层形成多个第二开口,至少部分驱动基底由多个第二开口露出;形成金属连接线路电连接驱动基底和第一电极层;形成第二电极层,覆盖发光结构,并与发光材料层电连接。本申请实施例提供的制作方法可以有效缩短LED显示结构的制作时间,且发光结构与驱动基底的结合力强,产品的可靠性高。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,具体涉及一种LED显示结构的制作方法、LED显示结构以及显示面板。
背景技术
Micro LED(Light Emitting Diode,发光二极管)集合了高分辨率、高亮度、低功耗、自发光等特点,越来越被市场所重视。Micro LED显示结构需要将成批量的单颗LED元器件转移到基板上去,基板上有控制电路,这样可以控制每一颗LED元器件发光。相关技术通过巨量转移将成批量的单颗LED元器件安装到基板上,然而在巨量转移过程中,由于转移的颗粒极多,无法保证每一颗LED元器件的连接稳定性,很容易出现元器件脱落、对位不准等异常情况,产品良率低。
发明内容
本申请实施例提出了一种LED显示结构的制作方法、LED显示结构以及显示面板,以解决以上问题。本申请实施例通过以下技术方案来实现上述目的。
第一方面,本申请实施例提供一种LED显示结构的制作方法,包括:提供驱动基底;在驱动基底上形成基底绝缘层;在基底绝缘层上形成至少一层发光层,每一层发光层均包括第一电极层和设于第一电极层上的发光材料层;图形化至少一层发光层形成图形化的发光结构,发光结构具有多个第一开口,至少部分基底绝缘层由多个第一开口露出;图形化由多个第一开口露出的基底绝缘层,在基底绝缘层形成多个第二开口,至少部分驱动基底由多个第二开口露出;在第一开口和第二开口中形成金属连接线路电连接驱动基底和至少一层第一电极层;形成第二电极层,第二电极层覆盖发光结构,并与金属连接线路所电连接的第一电极层对应的发光材料层电连接。
第二方面,本申请实施例提供一种LED显示结构,包括:驱动基底;基底绝缘层,设于驱动基底上;发光结构,设于基底绝缘层上,发光结构包括至少一层发光层,每一层发光层均包括第一电极层和设于第一电极层上的发光材料层;发光结构具有多个第一开口,至少部分基底绝缘层露出于多个第一开口,且基底绝缘层设有连通第一开口的多个第二开口,至少部分驱动基底露出于多个第二开口;金属连接线路,设于第一开口和第二开口中,并电连接驱动基底和至少一层第一电极层;第二电极层,覆盖发光结构,并与金属连接线路所电连接的第一电极层对应的发光材料层电连接。
第三方面,本申请实施例提供一种显示面板,包括背板以及第一方面所述的LED显示结构,LED显示结构设置于背板。
相较于现有技术,本申请实施例提供的制作方法在驱动基底上形成基底绝缘层,并在基底绝缘层上形成至少一层发光层,在图形化该至少一层发光层后形成发光结构,再通过金属连接线路电连接驱动基底和第一电极层,通过第二电极层连接发光材料层,即可使得该发光结构发光,整个制作过程无需将成批量的单颗元器件转移至基板,可以有效缩短制作时间,且可避免单颗元器件容易对位不准的情况发生,同时,发光结构作为一个整体与驱动基底相结合,结合力强,可以避免单颗元器件容易脱落的问题,提高产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的LED显示结构的制作方法流程图。
图2为本申请实施例提供的LED显示结构的制作示意图之一。
图3为本申请实施例提供的LED显示结构的制作示意图之二。
图4为本申请实施例提供的LED显示结构的制作示意图之三。
图5为本申请实施例提供的LED显示结构的制作示意图之四。
图6为本申请实施例提供的LED显示结构的制作示意图之五。
图7为本申请实施例提供的LED显示结构的制作示意图之六。
图8为本申请实施例提供的LED显示结构的制作示意图之七。
图9为本申请实施例提供的LED显示结构的制作示意图之八。
图10为本申请实施例提供的LED显示结构的制作示意图之九。
图11为本申请实施例提供的LED显示结构的制作示意图之十。
图12为本申请实施例提供的LED显示结构的制作示意图之十一。
图13为本申请实施例提供的LED显示结构的制作示意图之十二。
图14为本申请实施例提供的LED显示结构的制作示意图之十三。
图15为本申请实施例提供的LED显示结构的结构示意图。
图16为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施方式,所述实施方式的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本申请,而不能理解为对本申请的限制。
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
图1为本申请实施例提供的制作方法流程图,图2-图15为本申请实施例提供的LED显示结构的制作示意图,下面结合图1-图15对本申请实施例提供的制作方法进行说明。
参阅图2所示,本申请实施例提供的制作方法包括步骤S10。
步骤S10,提供驱动基底10。
其中,驱动基底10用于与其他电子元器件电连接,以控制LED显示结构100(详见图15)发光。
本实施例中,步骤S10可以包括步骤S11和步骤S12。
步骤S11,提供基板11;
步骤S12,在基板11上形成电路金属层12。
其中,基板11可以为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或者砷化镓等材料制成,电路金属层12可以为铜、钼或铝等半导体工艺中常用的金属或金属合金制成。电路金属层12可以通过图形化工艺形成基底电路层13(详见图15),以分别与LED显示结构100的各个像素单元连接,实现各个像素单元的发光控制,具体图形化过程可以参见以下实施例的相关记载。
在一些实施例中,可预先采用图形化蓝宝石衬底(Pattern Sapphire Substrate,PSS)工艺对衬底进行图形化处理,形成直接附着于基板11的基底电路层13,如此无需在基板11上设置电路金属层12。
本申请实施例提供的制作方法还包括步骤S20。
步骤S20,在驱动基底10上形成基底绝缘层20。
基底绝缘层20用于实现发光层30和驱动基底10的相互绝缘。基底绝缘层20可以为无机材料制成,例如SiO2、SiNx等;基底绝缘层20也可以为有机材料制成,例如基于聚酰亚胺的树脂、基于丙烯酰的树脂。
本申请实施例提供的制作方法还包括步骤S30。
步骤S30,在基底绝缘层20上形成至少一层发光层30,每一层发光层30均包括第一电极层301和设于第一电极层301上的发光材料层302。
第一电极层301可以为铜、钼或铝等半导体常用的金属或金属合金制成。
发光材料层302可以包括p型半导体材料层和n型半导体材料层,p型半导体材料层和n型半导体材料层组成PN结,当在发光材料层302上施加正向电压,即p型半导体材料层接正极,n型半导体材料层接负极时,发光材料层302发光。
作为一种示例,发光材料层302包括设于第一电极层301上的p型半导体材料层,以及设于p型半导体材料层上的n型半导体材料层。第一电极层301为阳极层,与p型半导体材料层电连接,第二电极层为阴极层,与n型半导体材料层连接。由此,通过第一电极层301和第二电极层60可在发光材料层302上施加正向电压,使得发光材料层302发光。
在其他一些实施例中,发光材料层302可以包括设于第一电极层301上的n型半导体材料层和设于n型半导体材料层上的p型半导体材料层。第一电极层301为阴极层,与n型半导体材料层电连接,第二电极层60为阳极层,与p型半导体材料层连接,同样可以在发光材料层302上施加正向电压,使得发光材料层302发光。
步骤S30具体可以包括:
在基底绝缘层20上依次形成第一子发光层31、第二子发光层32和第三子发光层33,第一子发光层31、第二子发光层32和第三子发光层33均包括第一电极层301和发光材料层302。
在制作过程中,可以通过MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,金属有机物化学气相沉淀)的方式在基底绝缘层20的一侧表面依次生长第一子发光层31、第二子发光层32和第三子发光层33。
第一子发光层31、第二子发光层32和第三子发光层33所包括的第一电极层301的制成材料可以相同,第一子发光层31、第二子发光层32和第三子发光层33所包括的发光材料层302的制成材料可以不同,以使得第一子发光层31、第二子发光层32和第三子发光层33可以发出不同的基色光,使得LED显示结构可以显示彩色。
示例性的,第一子发光层31所包括的发光材料层302为发红光材料层,使得第一子发光层31可发出红光。第二子发光层32所包括的发光材料层302为发绿光材料层,使得第二子发光层32可发出绿光。第三子发光层33所包括的发光材料层302为发蓝光层,使得第三子发光层33可发出蓝光。
在一些实施例中,发光层30的数量也可以为一层、二层、四层或者五层等其他一些层次,本领域技术人员可以根据显示需求设定发光层30的数量。
请参阅图3-图8所示,本申请实施例提供的制作方法还包括步骤S40。
步骤S40,图形化至少一层发光层30形成图形化的发光结构36(详见图8),发光结构36具有多个第一开口35,至少部分基底绝缘层20由多个第一开口35露出。
本实施例中,步骤S40可以包括步骤S41-步骤S43。
参阅图3所示,步骤S41,图形化至少一层发光层30形成多个第一开口35,至少部分基底绝缘层20由多个第一开口35露出。
其中,第一开口35贯穿全部层次的发光层30至基底绝缘层20的表面,以使基底绝缘层20由第一开口35露出,第一开口35的数量根据发光层30的图形确定,图形不同,第一开口35的数量不同。在制作过程中,可以利用光刻胶和具有预定图案的掩膜板对发光层30进行蚀刻,发光层30在没有光刻胶保护地方被蚀刻形成第一开口35。
参阅图4所示,步骤S42,剥离第一子发光层31上的至少部分发光层30,第一子发光层31的发光材料层302由第一开口35露出。
本实施例中,发光层30可以仅包括层叠设置的第一子发光层31、第二子发光层32和第三子发光层33,剥离第一子发光层31上的至少部分发光层30,即为剥离第一子发光层31上至少部分重叠的第二子发光层32和第三子发光层33,以使第一子发光层31的发光材料层302可以由第一开口35露出,此时发光层30的部分区域以第一子发光层31为远离基底绝缘层20的最外层。
在一些实施例中,发光层30还可以包括第四子发光层、第五子发光层等其他层次,剥离第一子发光层31上的至少部分发光层30,即为剥离第一子发光层31上至少部分重叠的第二子发光层32、第三子发光层33、第四子发光和第五子发光层等其他层次。
本实施例中,可以通过蚀刻的方法剥离第一子发光层31上的发光层30。
参阅图5所示,步骤S43,图形化由第一开口35露出的第一子发光层31的发光材料层302,第一子发光层31的至少部分第一电极层301由第一开口35露出。
其中,由第一开口35露出的第一子发光层31的发光材料层302用于与第二电极层60(详见图15)电连接,由第一开口35露出的第一子发光层31的第一电极层301用于与金属连接线路40(详见图15)电连接,使得该由第一开口35露出的第一子发光层31可以发光,构成LED显示结构的第一像素单元。
本实施例中,步骤S40还可以包括步骤S44和步骤S45。
参阅图6所示,步骤S44,剥离第二子发光层32上的至少部分发光层30,第二子发光层32的发光材料层302由第一开口35露出。
本实施例中,发光层30可以仅包括层叠设置的第一子发光层31、第二子发光层32和第三子发光层33,剥离第二子发光层32上的至少部分发光层30,即为剥离第二子发光层32上的至少部分第三子发光层33,以使第二子发光层32的发光材料层302可以由第一开口35露出,此时发光层30在部分区域以第二子发光层32为背离基底绝缘层30的最外层。
在一些实施例中,发光层30还可以包括第四子发光层30、第五子发光层30等其他层次,剥离第二子发光层32上的至少部分发光层30,即为剥离第二子发光层32上至少部分重叠的第三子发光层33、第四子发光和第五子发光层30等等。
参阅图7所示,步骤S45,图形化由第一开口35露出的第二子发光层32的发光材料层302,第二子发光层32的至少部分第一电极层301由第一开口35露出。
其中,由第一开口35露出的第二子发光层32的发光材料层302用于与第二电极层60(详见图15)电连接,由第一开口35露出的第二子发光层32的第一电极层301用于与金属连接线路40(详见图15)电连接,使得该由第一开口35露出的第二子发光层32可以发光,构成LED显示结构的第二像素单元。位于第二像素单元下方的第一子发光层31与金属连接线路40和第二电极层60均绝缘,从而不具备发光能力。在制作过程中,可以在第二像素单元下方的第一子发光层31的第一电极层301的边缘形成光阻胶以遮盖第一电极层301,实现该第一电极层301与金属连接线路40的相互绝缘。
本申请实施例中,步骤S40还可以包括步骤S46。
参阅图8所示,步骤S46,图形化第三子发光层33的至少部分发光材料层302,第三子发光层33的部分第一电极层301由第一开口35露出。
其中,第三子发光层33的发光材料层302用于与第二电极层60(详见图15)电连接,由第一开口35露出的第三子发光层33的第一电极层301用于与金属连接线路40(详见图15)电连接,使得该位于最外层的第三子发光层33可以发光,构成LED显示结构的第三像素单元。而位于第三像素单元下方的第一子发光层31和第二子发光层32,均与金属连接线路40和第二电极层60绝缘,从而不具备发光能力。同样的,在制作过程中,可以在第三像素单元下方的第二子发光层32的第一电极层301的边缘、以及第一子发光层31的第一电极层301的边缘均形成光阻胶,以遮盖第三像素单元下方的第一电极层301,实现与金属连接线路40的相互绝缘。
本实施例中,发光层30可以仅包括层叠设置的第一子发光层31、第二子发光层32和第三子发光层33,第三子发光层33的发光材料层302为发光层30远离基底绝缘层20一侧的最外层,因此无需剥离操作即可直接与第二电极层60电连接。
在一些实施例中,发光层30还可以包括设于第三子发光层33上的第四发光层30、第五发光层30等等,则需要剥离第三子发光层33上方的至少部分发光层30,以将第三子发光层33的发光材料层302显露在第一开口35内与第二电极层60电连接。
上述步骤S40通过图形化形成发光结构36,发光结构36包括第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元,使得LED显示结构可以显示彩色,且发光结构36由至少一层发光层30通过图形化工艺形成,使得各个像素单元无需像单颗LED元器件那样一一对准安装在基板11上,可以避免对位不准的情况发生,且可以节省大量的制作时间。
参阅图9-图10所示,本申请实施例提供的制作方法还包括步骤S50。
步骤S50,图形化由多个第一开口35露出的基底绝缘层20,在基底绝缘层20形成多个第二开口37,至少部分驱动基底10由多个第二开口37露出。
本实施例中,第二开口37位于第一开口35的底部,第二开口37的数量与驱动基底10的电路图形相关,驱动基底10的电路图形不同,需要设置的第二开口37的数量不同。
步骤S50可以包括步骤S51和步骤S52。
参阅图9所示,步骤S51,图形化由多个第一开口35露出的基底绝缘层20,在基底绝缘层20形成多个第二开口37,至少部分电路金属层12由多个第二开口37露出。
参阅图9和图10所示,步骤S52,图形化由多个第二开口37露出的电路金属层12,形成基底电路层13。
基底电路层13用于与金属连接线路40(详见图15)电连接,进而与各个发光层30的第一电极层301电连接,以控制施加在发光材料层302上的电压。
步骤S50通过图形化工艺在基板11上形成基底电路层13,确保了发光结构36的各个像素单元可以准确地连接到基底电路层13的相应位置。
参阅图11和图12所示,本申请实施例提供的制作方法还包括步骤S60。
步骤S60,在第一开口35和第二开口37中形成金属连接线路40电连接驱动基底10和至少一层第一电极层301。
金属连接线路40可以由铜、钼或铝等金属材料制成,金属连接线路40也可以为透明导电线路,例如透明的ITO或者IZO等,以防止遮挡发光结构36的发光。
本实施例中,步骤S60可以包括步骤S61和步骤S62。
参阅图11所示,步骤S61,在发光结构36上顺应性地形成连接金属层41,连接金属层41覆盖发光结构36,并填入第一开口35和第二开口37内。
参阅图11和图12所示,步骤S62,图形化连接金属层41形成金属连接线路40,金属连接线路40电连接所述第一电极层301和驱动基底10。具体地,金属连接线路40连接驱动基底10的基底电路层13。
上述步骤S60先在发光结构36上覆盖一层完整的金属膜作为连接金属层41,再通过图形化工艺即可形成金属连接线路40,从而能够一次性完成各个像素单元的第一电极层301与驱动基底10的电连接,无需一个一个像素单元单独连接,制作效率大大提高。
本申请实施例提供的制作方法还可以包括步骤S701和步骤S702。
参阅图13所示,步骤S701,在发光结构36上顺应性地形成绝缘材料层50,绝缘材料层50覆盖发光结构36和金属连接线路40,并填入第一开口35和第二开口37内。
绝缘材料层50可以为无机材料制成,例如SiO2、SiNx等;绝缘材料层50也可以为有机材料制成,例如基于聚酰亚胺的树脂、基于丙烯酰的树脂等。
参阅图13和图14所示,步骤S702,图形化绝缘材料层50形成电极绝缘层51,电极绝缘层51露出至少部分发光材料层302,且位于金属连接线路40和第二电极层60(详见图15)之间。
电极绝缘层51可以仅位于金属连接线路40和第二电极层60之间,以实现金属连接线路40和第二电极层60的相互绝缘。电极绝缘层51露出至少部分发光材料层302,以使发光材料层302可以与第二电极层60建立电连接。
本实施例中,绝缘材料层50在图形化前覆盖发光结构36的每个像素单元,绝缘材料层50在图形化后形成电极绝缘层51,电极绝缘层51露出每个像素单元的发光材料层302,以实现每个像素单元与第二电极层60的电连接。
本申请实施例提供的制作方法还可以包括步骤S70。
请参阅图15所示,步骤S70,形成第二电极层60,第二电极层60覆盖发光结构36,并与金属连接线路40所电连接的第一电极层301对应的发光材料层302电连接。
由此,隶属于同一发光层30的第一电极层301和发光材料层302分别与驱动基底10和第二电极层60电连接,从而可以在该发光材料层302上施加电压,控制该发光材料层302发光。
第二电极层60可以为透明导电薄膜,第二电极层60具有一定的透过率,例如第二电极层60的透过率大于或者等于10%,第二电极层60可以由Sn、Zn和Ag等金属的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料制成,例如ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)等。本实施例中,第二电极层60为一覆盖发光结构36的完整的透明导电薄膜,即各个发光层30共用一个第二电极层60,可以方便与其他电子元器件电连接,提高加工效率。
本实施例提供的制作方法通过图形化工艺可以一次形成多个第一像素单元、多个第二像素单元和多个第三像素单元,相比于巨量转移技术需要成批量转移单颗LED元器件,可以有效缩短制作时间,且可避免单颗元器件容易对位不准的情况发生;同时,发光结构36作为一个整体与驱动基底10相结合,结合力强,可靠性好,不易脱落,从而提高产品良率。
仍请参阅图15所示,本申请实施例还提供一种LED显示结构100,LED显示结构100包括驱动基底10、基底绝缘层20、发光结构36、金属连接线路40和第二电极层60。
基底绝缘层20设于驱动基底10上;发光结构36设于基底绝缘层20上;发光结构36包括至少一层发光层30,每一层发光层30均包括第一电极层301和设于第一电极层301上的发光材料层302;发光结构36具有多个第一开口35,至少部分基底绝缘层20露出于多个第一开口35,且基底绝缘层20设有连通第一开口35的多个第二开口37,至少部分驱动基底10露出于多个第二开口37;金属连接线路40设于第一开口35和第二开口37中,并电连接驱动基底10和至少一层第一电极层301;第二电极层60覆盖发光结构36,并与金属连接线路40所电连接的第一电极层301对应的发光材料层302电连接。
由此,隶属于同一发光层30的第一电极层301通过金属连接线路40与驱动基底10电连接,发光材料层302与第二电极层60电连接,从而可以在该发光材料层302上施加电压,控制该发光材料层302发光。
本申请实施例提供的LED显示结构100可以在驱动基底10上通过图形化工艺依次形成基底绝缘层20、发光结构36、金属连接线路40和第二电极层60,相对于巨量转移技术,可以有效缩短制作时间,且可避免单颗元器件容易对位不准的情况发生;同时,发光结构36作为一个整体与驱动基底10相结合,结合力强,可以避免单颗元器件容易脱落的问题,提高产品良率。
本实施例中,驱动基底10可以包括基板11和基底电路层13,基底电路层13设置于基板11上,并与金属连接线路40电连接。
至少一层发光层30可以包括依次设于基底绝缘层20上的第一子发光层31、第二子发光层32和第三子发光层33,第一子发光层31、第二子发光层32和第三子发光层33均包括第一电极层301和发光材料层302。
第一子发光层31、第二子发光层32和第三子发光层33所包括的第一电极层301的制成材料可以相同,第一子发光层31、第二子发光层32和第三子发光层33所包括的发光材料层302的制成材料可以相区别,以使得第一子发光层31、第二子发光层32和第三子发光层33可以发出不同的基色光,使得LED显示结构100可以显示彩色。
第一子发光层31、第二子发光层32和第三子发光层33的至少部分第一电极层301均与金属连接线路40电连接;第一子发光层31、第二子发光层32和第三子发光层33的至少部分发光材料层302均与第二电极层60电连接。由此,可以通过第二电极层60和各个第一电极层301分别在第一子发光层31、第二子发光层32和第三子发光层33上的发光材料层302施加电压,控制各个发光材料层302发光。
LED显示结构100还包括电极绝缘层51,电极绝缘层51位于金属连接线路40和第二电极层60之间,且电极绝缘层51露出至少部分发光材料层302,以使得发光材料层302与第二电极层60电连接。
电极绝缘层51用于实现金属连接线路40和第二电极层60的相互绝缘层,且通过图形化电极绝缘层51即可露出至少部分发光材料层302,制作方便。
本实施例中,可以将至少一层发光层30通过图形化工艺形成发光结构36,发光结构36的部分区域以第一子发光层31作为背离基底绝缘层20的最外层,这部分第一子发光层31的第一电极层301与金属连接线路40连接,发光材料层302与第二电极层60电连接,可以作为发光结构36的第一像素单元,用于发出第一基色光,例如红光。
发光结构36的部分区域以第二子发光层32作为背离基底绝缘层20的最外层,这部分第二子发光层32的第一电极层301与金属连接线路40连接,发光材料层302与第二电极层60电连接,可以作为发光结构36的第二像素单元,用于发出第二基色光,例如绿光。
发光结构36的部分区域以第三子发光层33作为背离基底绝缘层20的最外层,这部分第三子发光层33的第一电极层301与金属连接线路40连接,发光材料层302与第二电极层60电连接,可以作为发光结构36的第三像素单元,用于发出第三基色光,例如蓝光。由此,发光结构36可以发出不同的基色光,使得LED显示结构100可以显示彩色。
关于LED显示结构100的其他详细结构特征可以参阅上述实施例提供的制作方法的相关描述,在此不再赘述。
参阅图15和图16所示,本申请实施例还提供了一种显示面板200,显示面板200包括背板210和LED显示结构100,LED显示结构100设置于背板210。
LED显示结构100可以包括一个或者多个,多个LED显示结构100可以排列设于背板210的同一表面,以使得多个LED显示结构100可以朝向背板210的同一侧发光。背板210可以设有控制电路,LED显示结构100的驱动基底10和第二电极层60可以与该控制电路电连接,以实现对LED显示结构100的发光控制。显示面板200可应用于手机、电脑、电视机和智能穿戴显示装置等显示设备,本申请实施例对此不作具体限定。
本申请实施例提供的显示面板200包括了本申请实施例提供的LED显示结构100,具有相同的功能和效果,此处不再赘述。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种LED显示结构的制作方法,其特征在于,包括:
提供驱动基底;
在所述驱动基底上形成基底绝缘层;
在所述基底绝缘层上形成至少一层发光层,每一层所述发光层均包括第一电极层和设于所述第一电极层上的发光材料层;
图形化所述至少一层发光层形成图形化的发光结构,所述发光结构具有多个第一开口,至少部分所述基底绝缘层由多个所述第一开口露出;
图形化由多个所述第一开口露出的所述基底绝缘层,在所述基底绝缘层形成多个第二开口,至少部分所述驱动基底由多个所述第二开口露出;
在所述第一开口和所述第二开口中形成金属连接线路电连接所述驱动基底和至少一层所述第一电极层;
在所述发光结构上顺应性地形成绝缘材料层,所述绝缘材料层覆盖所述发光结构和所述金属连接线路,并填入所述第一开口和所述第二开口内;
图形化所述绝缘材料层形成电极绝缘层,所述电极绝缘层露出至少部分所述发光材料层;
形成第二电极层,所述第二电极层覆盖所述发光结构和所述电极绝缘层,并与所述金属连接线路所电连接的所述第一电极层对应的所述发光材料层电连接,所述电极绝缘层为位于所述第二电极层和所述金属连接线路之间的夹层绝缘结构。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述在所述第一开口和所述第二开口中形成金属连接线路电连接所述驱动基底和所述第一电极层,包括:
在所述发光结构上顺应性地形成连接金属层,覆盖所述发光结构,并填入所述第一开口和所述第二开口内;
图形化所述连接金属层形成所述金属连接线路,所述金属连接线路电连接所述驱动基底和所述第一电极层。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述在所述基底绝缘层上形成至少一层发光层,每一层所述发光层均包括第一电极层和设于所述第一电极层上的发光材料层,包括:
在所述基底绝缘层上依次形成第一子发光层、第二子发光层和第三子发光层,所述第一子发光层、所述第二子发光层和所述第三子发光层均包括所述第一电极层和所述发光材料层。
4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述图形化所述至少一层发光层形成图形化的发光结构,所述发光结构具有多个第一开口,至少部分所述基底绝缘层由多个所述第一开口露出,包括:
图形化所述至少一层发光层形成多个所述第一开口,至少部分所述基底绝缘层由多个所述第一开口露出;
剥离所述第一子发光层上的至少部分所述发光层,所述第一子发光层的所述发光材料层由所述第一开口露出;
图形化由所述第一开口露出的所述发光材料层,所述第一子发光层的至少部分所述第一电极层由所述第一开口露出。
5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述提供驱动基底,包括:
提供基板;
在所述基板上形成电路金属层。
6.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述图形化由多个所述第一开口露出的所述基底绝缘层,在所述基底绝缘层形成多个第二开口,至少部分所述驱动基底由多个所述第二开口露出,包括:
图形化由多个所述第一开口露出的所述基底绝缘层,在所述基底绝缘层形成多个第二开口,至少部分所述电路金属层由多个所述第二开口露出;
图形化由多个所述第二开口露出的所述电路金属层,形成基底电路层。
7.一种LED显示结构,其特征在于,包括:
驱动基底;
基底绝缘层,设于所述驱动基底上;
发光结构,设于所述基底绝缘层上,所述发光结构包括至少一层发光层,每一层所述发光层均包括第一电极层和设于所述第一电极层上的发光材料层;所述发光结构具有多个第一开口,至少部分所述基底绝缘层露出于多个所述第一开口,且所述基底绝缘层设有连通所述第一开口的多个第二开口,至少部分所述驱动基底露出于多个所述第二开口;
金属连接线路,设于所述第一开口和所述第二开口中,并电连接所述驱动基底和至少一层所述第一电极层;
第二电极层,覆盖所述发光结构,并与所述金属连接线路所电连接的所述第一电极层对应的所述发光材料层电连接;
电极绝缘层,所述电极绝缘层为位于所述金属连接线路和所述第二电极层之间的夹层绝缘结构,且所述电极绝缘层露出至少部分所述发光材料层,以使所述发光层材料层与所述第二电极层电连接。
8.根据权利要求7所述的LED显示结构,其特征在于,所述至少一层发光层包括依次设于所述基底绝缘层上的第一子发光层、第二子发光层和第三子发光层,所述第一子发光层、所述第二子发光层和所述第三子发光层均包括所述第一电极层和所述发光材料层。
9.根据权利要求8所述的LED显示结构,其特征在于,所述第一子发光层、所述第二子发光层和所述第三子发光层的至少部分所述第一电极层均与所述金属连接线路电连接;所述第一子发光层、所述第二子发光层和所述第三子发光层的至少部分所述发光材料层均与所述第二电极层电连接。
10.一种显示面板,其特征在于,包括背板以及如权利要求7-9任一项所述的LED显示结构,所述LED显示结构设置于所述背板。
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Citations (1)
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