CN113097360B - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种显示面板及其制造方法，显示面板包括：第一基板、驱动电路层、第一显示元件迭层、第一绝缘层以及连接电极。驱动电路层设置于第一基板上，且包括彼此间隔开的第一接垫与第二接垫。第一显示元件迭层设置于驱动电路层上，且电性连接第一接垫。第一显示元件迭层包括：第一半导体图案、第二半导体图案以及第一发光图案。第二半导体图案设置于第一半导体图案与驱动电路层之间。第一发光图案设置于第一半导体图案与第二半导体图案之间。第一绝缘层至少接触第一显示元件迭层的侧壁与第二接垫，并具有暴露出第一显示元件迭层与第二接垫的第一通孔与第二通孔。连接电极设置于第一绝缘层上，且在第一通孔与第二通孔分别接触第一显示元件迭层与第二接垫。

Description

显示面板及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种显示面板及其制造方法，且特别是有关于一种微型发光二极管显示面板及其制造方法。

背景技术

微型发光二极管(micro-LED)因其具低功耗、高亮度、高解析度及高色彩饱和度等特性，因而适用于构建微型发光二极管显示面板的像素结构。由于微型发光二极管的尺寸极小，目前制作微型发光二极管显示面板的方法是采用巨量转移(Mass Transfer)技术，亦即利用微机电阵列技术进行微型发光二极管晶粒取放，以将大量的微型发光二极管晶粒一次搬运到具有像素电路的驱动背板上。

然而，巨量转移技术不仅使用的设备价格昂贵，而且还存在微型发光二极管与像素电路接合的良率问题。另外，受限于晶粒取放的最小尺寸限制，像素密度也难以提高。

发明内容

本发明提供一种显示面板，其具有提高的像素密度与生产良率。

本发明提供一种显示面板的制造方法，其具有提高的生产良率且不需使用巨量转移技术。

本发明的一个实施例提出一种显示面板，包括：第一基板；驱动电路层，设置于第一基板上，且包括彼此间隔开的第一接垫与第二接垫；第一显示元件迭层，设置于驱动电路层上，且电性连接第一接垫，其中第一显示元件迭层包括：第一半导体图案；第二半导体图案，设置于第一半导体图案与驱动电路层之间；以及第一发光图案，设置于第一半导体图案与第二半导体图案之间；第一绝缘层，至少接触第一显示元件迭层的侧壁与第二接垫，并具有暴露出第一显示元件迭层与第二接垫的第一通孔与第二通孔；以及连接电极，设置于第一绝缘层上，其中连接电极在第一通孔与第二通孔分别接触第一显示元件迭层与第二接垫。

在本发明的一实施例中，上述的第一接垫与第二接垫包括层迭的第一导电层与第二导电层。

在本发明的一实施例中，上述的第一导电层与第二导电层的材质不同。

在本发明的一实施例中，上述的显示面板还包括第二绝缘层，第二绝缘层设置于第一导电层与第二导电层之间，第二绝缘层具有第三通孔，第二导电层通过第三通孔连接第一导电层。

在本发明的一实施例中，上述的显示面板，还包括接合金属图案，接合金属图案设置于驱动电路层与第一显示元件迭层之间。

在本发明的一实施例中，上述的接合金属图案的材料包括铟、铜或锡。

在本发明的一实施例中，上述的第二半导体图案接合于接合金属图案上。

在本发明的一实施例中，上述的第一显示元件迭层还包括：匹配图案，设置于第一半导体图案上，且第一半导体图案位于匹配图案与第一发光图案之间。

在本发明的一实施例中，上述的第一显示元件迭层还包括：反射图案，设置于接合金属图案与第二半导体图案之间。

在本发明的一实施例中，上述的反射图案的材料包括银。

在本发明的一实施例中，上述的显示面板，还包括第二显示元件迭层，且驱动电路层还包括第三接垫与第四接垫，其中第二显示元件迭层包括：第一电极，设置于驱动电路层上，且电性连接第三接垫；第三半导体图案，设置于第一电极上，且电性连接第一电极；第二发光图案，设置于第三半导体图案的一侧，且第三半导体图案位于第二发光图案与第一电极之间；第四半导体图案，设置于第二发光图案的一侧，且第二发光图案位于第三半导体图案与第四半导体图案之间；以及第二电极，设置于第四半导体图案的一侧，且电性连接第四接垫；其中第一电极与第二电极位于第四半导体图案的同一侧。

本发明的另一个实施例提出一种显示面板的制造方法，包括：提供驱动阵列基板，其中驱动阵列基板包括：第一基板；以及驱动电路层，设置于第一基板上，且包括彼此间隔开的第一接垫与第二接垫；提供磊晶基板，其中磊晶基板包括：第二基板；以及磊晶迭层，配置于第二基板上，其中磊晶迭层包括依序堆迭于第二基板上的第一半导体层、第一发光层以及第二半导体层；将磊晶迭层接附于驱动阵列基板上并移除第二基板；于驱动阵列基板上图案化磊晶迭层并暴露出第二接垫，其中部分的磊晶迭层保留在第一接垫上，以形成第一显示元件迭层，且另一部分的磊晶迭层被移除，以暴露出第二接垫；于第二接垫及第一显示元件迭层上沉积第一绝缘层，其中第一绝缘层具有暴露出第一显示元件迭层与第二接垫的第一通孔与第二通孔；以及于第一绝缘层上形成连接电极，连接电极在第一通孔与第二通孔分别接触第一显示元件迭层与第二接垫。

在本发明的一实施例中，上述的磊晶迭层藉由接合金属层接附于驱动阵列基板上，使得接合金属层位于驱动电路层与磊晶迭层之间。

在本发明的一实施例中，上述的图案化磊晶迭层之后，接合金属层被露出，且显示面板的制造方法更包括：提供氧气氧化接合金属层，以形成金属氧化物层；以及使用酸溶液蚀刻金属氧化物层，以暴露出第二接垫。在本发明的一实施例中，上述的酸溶液包括盐酸。

在本发明的一实施例中，上述的第二接垫包括层迭的第一导电层与第二导电层，且显示面板的制造方法更包括：形成第二绝缘层，第二绝缘层设置于第一导电层与第二导电层之间；以及在第二绝缘层中形成第三通孔，使第二导电层通过第三通孔连接第一导电层，且第二导电层在图案化磊晶迭层后被露出，而第一导电层在图案化磊晶迭层后仍被第二绝缘层覆盖。

在本发明的一实施例中，上述的磊晶迭层还包括反射层，且在将磊晶迭层接附于驱动阵列基板上之后，反射层位于驱动阵列基板与第二半导体层之间。

在本发明的一实施例中，上述的图案化磊晶迭层的方法包括：使用酸溶液图案化反射层。在本发明的一实施例中，上述的酸溶液包括磷酸、硝酸或醋酸。

在本发明的一实施例中，上述的移除第二基板的方法包括激光剥离。

本发明的显示面板利用微影蚀刻制程形成显示元件迭层，可缩小显示元件迭层的尺寸，而提高像素密度与显示面板的解析度。另外，磊晶迭层与驱动阵列基板的接附方式非常简易，可得到提高的生产良率。此外，不需使用巨量转移技术，可省下昂贵的巨量转移设备成本。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1A是依照本发明一实施例的显示面板的上视示意图。

图1B是图1A的显示面板的子像素PXs的放大示意图。

图1C是沿图1B的线A-A’所作的剖面示意图。

图2A至图2F是依照本发明一实施例的显示面板的制造方法的步骤流程的剖面示意图。

图3是依照本发明一实施例的显示面板的剖面示意图。

其中，附图标记：

10、30：显示面板

100：驱动阵列基板

110：第一基板

120：驱动电路层

121：缓冲层

122：有源元件

122C：半导体层

122D：漏极

122G：栅极

122S：源极

123：栅极绝缘层

124：层间绝缘层

125：平坦层

126：第二绝缘层

127：第一导电层

127a：第一导电图案

127b：第二导电图案

127c：第五导电图案

127d：第六导电图案

128：第三绝缘层

129：第二导电层

129a：第三导电图案

129b：第四导电图案

129c：第七导电图案

129d：第八导电图案

130：第一显示元件迭层

131：第一半导体图案

132：第二半导体图案

133：第一发光图案

134：磊晶缓冲图案

135：匹配图案

136：反射图案

140：第一绝缘层

150：连接电极

160：接合金属图案

161、260、262：接合金属层

200：磊晶基板

210：第二基板

220：磊晶迭层

221：第一半导体层

222：第二半导体层

223：第一发光层

224：磊晶缓冲层

225：匹配层

226：反射层

301：基板320：驱动电路层

330：第二显示元件迭层

331：第四半导体图案

332：第三半导体图案

333：第二发光图案

334：磊晶缓冲层

335：匹配图案

336：反射图案

352：第一电极

354：第二电极

362：第一连接材

364：第二连接材

A-A’：线

CT：色转换层

DC：驱动元件

OP：开口

P1：第一接垫

P2：第二接垫

P3：第三接垫

P4：第四接垫

PXs：子像素

S1：侧壁

V1：第一通孔

V2：第二通孔

V3：第三通孔

V4：第四通孔

V5：第五通孔

V6：第六通孔

具体实施方式

下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：

图1A是依照本发明一实施例的显示面板10的上视示意图。图1B是图1A的显示面板10的子像素PXs的放大示意图。图1C是沿图1B的线A-A’所作的剖面示意图。为了使附图的表达较为简洁，图1A示意性绘示第一基板110、驱动电路层120以及第一显示元件迭层130，并省略其他构件。图1B示意性绘示驱动元件DC、驱动电路层120、第一显示元件迭层130、连接电极150、第一接垫P1、第二接垫P2、第一通孔V1以及第二通孔V2的相对位置。以下，请同时参照图1A至图1C，以清楚地理解显示面板10的整体结构。

请参照图1A至图1C，显示面板10包括：第一基板110、驱动电路层120、第一显示元件迭层130、第一绝缘层140以及连接电极150。驱动电路层120设置于第一基板110上，且包括彼此间隔开的第一接垫P1与第二接垫P2。第一显示元件迭层130设置于驱动电路层120上，且电性连接第一接垫P1。第一绝缘层140至少接触第一显示元件迭层130的侧壁S1与第二接垫P2，并具有暴露出第一显示元件迭层130与第二接垫P2的第一通孔V1与第二通孔V2。连接电极150设置于第一绝缘层140上，且连接电极150在第一通孔V1与第二通孔V2分别接触第一显示元件迭层130与第二接垫P2。

在本发明的一实施例的显示面板10中，第一显示元件迭层130具有发光二极管结构，且是藉由微影蚀刻制程图案化驱动电路层120上的半导体磊晶迭层所形成。半导体磊晶迭层与驱动电路层120的接合方式简易，因此，不仅可提升接合良率，也可省下巨量转移设备的高成本。此外，第一显示元件迭层130的尺寸可以视需要进一步缩小，而能够提高像素密度与显示面板的解析度。

具体而言，显示面板10包括多个子像素PXs，且多个子像素PXs呈阵列排列。各子像素PXs主要由具有发光二极管结构的第一显示元件迭层130所组成。在一些实施例中，多个子像素PXs可以皆为蓝色发光二极管，且显示面板10可以另包括设置于多个子像素PXs上的色转换层CT，其中色转换层CT可以包括萤光粉或类似性质的波长转换材料，以让蓝色发光二极管所发出的蓝色光现转换成不同色彩的光线而实现全彩化的显示效果。在其他的实施例中，多个子像素PXs可以为多个红色发光二极管、多个绿色发光二极管与多个蓝色发光二极管，从而实现全彩化的显示效果。当多个子像素PXs本身的发光色彩不同时，图1C中的色转换层CT可选择性的被省略或是保留于显示面板10中。在另外一些实施例中，多个子像素PXs可以皆是白色发光二极管，而色转换层CT可以是彩色滤光层以实现全彩化的显示效果。

在本实施例中，显示面板10还可以包括驱动元件DC，且驱动元件DC可以电性连接子像素PXs，以传递讯号至第一显示元件迭层130。举例而言，第一显示元件迭层130电性连接至第一接垫P1及第二接垫P2，而驱动元件DC可以分别电性连接第一接垫P1及第二接垫P2。在一些实施例中，多个子像素PXs中的第一接垫P1彼此分离，而独立的接收由驱动元件DC提供的讯号。在一些实施例中，多个子像素PXs中的第二接垫P2可彼此电性相连及/或第二接垫P2在操作时被施加相同的共用电压。在一些实施例中，驱动元件DC可为接合至第一基板110的晶片或直接形成于驱动电路层120中的电路元件(包含有源元件、被动元件或其组合)。

以下，配合图1A至图1C，继续说明显示面板10的各个子像素的实施方式，但本发明不以此为限。

请参照图1A至图1C，显示面板10的每个子像素PXs例如包括第一基板110、驱动电路层120、第一显示元件迭层130、第一绝缘层140、连接电极150以及接合金属图案160。驱动电路层120配置于第一基板110上，并且具有第一接垫P1与第二接垫P2。第一显示元件迭层130例如具有发光二极管一般的结构。第一显示元件迭层130的其中一端通过接合金属图案160接合至驱动电路层120上的第一接垫P1，而另一端通过连接电极150与驱动电路层120上的第二接垫P2电连接。第一绝缘层140则配置于第一显示元件迭层130与连接电极150之间，且第一绝缘层140至少设置于第一显示元件迭层130的侧壁S1与连接电极150之间，以避免连接电极150与第一显示元件迭层130之间产生不需要的电连接关系。

第一基板110可以是透明基板或非透明基板，其材质可以是石英基板、玻璃基板、高分子基板或其他适当材质，但本发明不以此为限。第一基板110上可设置驱动电路层120，驱动电路层120包括显示面板10需要的元件或线路，例如驱动元件、开关元件、储存电容、电源线、驱动讯号线、时序讯号线、电流补偿线、检测讯号线等等。

在本实施例中，驱动电路层120包括缓冲层121、有源元件122、栅极绝缘层123、层间绝缘层124、平坦层125、第二绝缘层126、第一导电层127、第三绝缘层128以及第二导电层129。在其他实施例中，驱动电路层120可以视需要包括更多的绝缘层以及导电层。有源元件122是由半导体层122C、栅极122G、源极122S与漏极122D所构成。半导体层122C重迭栅极122G的区域可视为有源元件122的通道区。栅极绝缘层123位于栅极122G与半导体层122C之间，层间绝缘层124设置在源极122S与栅极122G之间以及漏极122D与栅极122G之间。栅极122G可通过扫描线(图未示)而与驱动元件DC电性连接，且源极122S可通过数据线(图未示)而与驱动元件DC电性连接。

半导体层122C的材质可包括硅质半导体材料(例如多晶硅、非晶硅等)、氧化物半导体材料、有机半导体材料。栅极122G、源极122S与漏极122D的材质可包括导电性良好的金属，例如铝、钼、钛、铜等金属，但本发明不限于此。另外，虽然本实施例中的有源元件122属于顶栅极型薄膜晶体管，然而，在其他实施例中，有源元件122也可以是底栅极型薄膜晶体管、双栅极型薄膜晶体管或其他类型的薄膜晶体管。

第一导电层127包括第一导电图案127a与第二导电图案127b，第二导电层129包括第三导电图案129a与第四导电图案129b。在本实施例中，第一接垫P1包括层迭的第一导电图案127a与第三导电图案129a，且第三绝缘层128设置于第一导电图案127a与第三导电图案129a之间。第二接垫P2包括层迭的第二导电图案127b与第四导电图案129b，且第三绝缘层128设置于第二导电图案127b与第四导电图案129b之间。第三绝缘层128具有第三通孔V3与第四通孔V4，第三导电图案129a通过第三通孔V3连接第一导电图案127a，第四导电图案129b通过第四通孔V4连接第二导电图案127b。在本实施例中，第一接垫P1以及第二接垫P2为双层结构，但本发明不限于此。在一些实施例中，第一接垫P1或第二接垫P2可以是单层结构或三层以上的导电层层迭的结构。

第二导电层129的材质可以与第一导电层127不同，如此一来，第二导电层129可以在蚀刻制程中充当第一导电层127的蚀刻保护层。举例而言，第一导电层127的材质可以包括导电性良好的金属，例如铝、钼、钛、铜等金属，而第二导电层129的材质可包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)或其他适合的导电氧化物。在一些实施例中，第一导电层127与第二导电层129也可以分别具有单层结构或多层结构，多层结构例如上述导电金属或导电氧化物中任意两层或更多层的迭层，可视需要进行组合与变化。举例而言，第一导电层127可以包括依续堆迭的钛层、铝层以及钛层或是依续堆迭的钼层、铝层以及钼层，但本发明不以此为限。

缓冲层121、栅极绝缘层123、层间绝缘层124、第二绝缘层126及第三绝缘层128的材质可以包括透明的绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述材料的迭层，但本发明不限于此。平坦层125的材质可以包括透明的绝缘材料，例如有机材料、压克力(acrylic)材料、硅氧烷(siloxane)材料、聚酰亚胺(polyimide)材料、环氧树脂(epoxy)材料等，但本发明不限于此。缓冲层121、栅极绝缘层123、层间绝缘层124、平坦层125、第二绝缘层126及第三绝缘层128也可以分别具有单层结构或多层结构，多层结构例如上述绝缘材料中任意两层或更多层的迭层，可视需要进行组合与变化。

第一显示元件迭层130包括：第一半导体图案131、第二半导体图案132以及第一发光图案133。第二半导体图案132设置于第一半导体图案131与驱动电路层120之间。第一发光图案133设置于第一半导体图案131与第二半导体图案132之间。第一显示元件迭层130的第一半导体图案131和第二半导体图案132可以包括Ⅱ-Ⅵ族材料(例如：锌化硒(ZnSe))或Ⅲ-Ⅴ氮族化物材料(例如：氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟(InN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)或氮化铝铟镓(AlInGaN))。举例而言，在本实施例中，第一半导体图案131例如是N型掺杂半导体层，N型掺杂半导体层的材料例如是N型氮化镓(n-GaN)，第二半导体图案132例如是P型掺杂半导体层，P型掺杂半导体层的材料例如是P型氮化镓(p-GaN)，但本发明不以此为限。另外，第一发光图案133的结构例如是多层量子井结构(Multiple QuantumWell,MQW)，多重量子井结构包括交替堆迭的多层氮化铟镓(InGaN)以及多层氮化镓(GaN)，藉由设计第一发光图案133中铟或镓的比例，可调整第一发光图案133的发光波长范围，但本发明不以此为限。

第一显示元件迭层130还可以包括其他可调整元件发光特性的层，例如磊晶缓冲图案134与匹配图案135。在本实施例中，匹配图案135设置于磊晶缓冲图案134与第一半导体图案131之间，且第一半导体图案131设置于匹配图案135与第一发光图案133之间。磊晶缓冲图案134与匹配图案135可用以调整第一半导体图案131的材料性质，例如晶格常数、载子传输效率等。磊晶缓冲图案134可以具有开口OP，以暴露出匹配图案135，且连接电极150可在开口OP中接触匹配图案135。开口OP的设置位置、凹入深度等可以视实际需求进行调整，本发明不以此为限。在其他的实施例中，磊晶缓冲图案134可被省略，或是磊晶缓冲图案134与匹配图案135可同时被省略。另外，磊晶缓冲图案134与匹配图案135可以都由半导体材料，例如氮化镓，制作而成，因此第一半导体图案131、磊晶缓冲图案134与匹配图案135之间可能不存在明显的交界。

接合金属图案160设置于驱动电路层120与第一显示元件迭层130之间。在一些实施例中，接合金属图案160可以设置于驱动电路层120的表面上，例如第一接垫P1、第二接垫P2及第三绝缘层128上，且第二半导体图案132接合于接合金属图案160上。或者，在其他实施例中，接合金属图案160也可以一部分设置于驱动电路层120的表面上，另一部分设置于第一显示元件迭层130的第二半导体图案132上。接合金属图案160的材料包括铟、铜或锡，但本发明不限于此。此外，第一显示元件迭层130还可以包括反射图案136，以增加光的反射。反射图案136可设置于接合金属图案160与第二半导体图案132之间，但本发明不以此为限。反射图案136的材质可包括反射率较高的材料，例如银或铬。

在本实施例中，第一绝缘层140从驱动电路层120延伸至第一显示元件迭层130，且第一绝缘层140接触第二接垫P2、第一显示元件迭层130的侧壁S1以及匹配图案135的顶表面。具体而言，第一绝缘层140的第一通孔V1与磊晶缓冲图案134的开口OP重迭，因此，第一通孔V1可以暴露出匹配图案135。同时，第一绝缘层140的第二通孔V2可以暴露出第二接垫P2。如此一来，连接电极150可经由第一通孔V1与开口OP接触第一显示元件迭层130的匹配图案135，并经由第二通孔V2接触第二接垫P2。

在本实施例的显示面板10中，第二半导体图案132可通过接合金属图案160电性耦接第一接垫P1，且第一半导体图案131可通过连接电极150电性耦接第二接垫P2，由于接合金属图案160是以大面积耦接第二半导体图案132与第一接垫P1，且连接电极150是通过沉积以及图案化制程制作，因此，第一显示元件迭层130与第一接垫P1及第二接垫P2的接合不需精确对准，且接合良率高。此外，第一显示元件迭层130的尺寸可以藉由微影蚀刻制程进行调整，使得显示面板10能够具有提高的像素密度与解析度。

图2A至图2F是依照本发明一实施例的显示面板10的制造方法的步骤流程的剖面示意图。在以下的图2A至图2F的实施例中，说明显示面板10的制造方法的实施态样，并沿用图1A至图1C的实施例的元件标号与相关内容，其中，采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明，可参考图1A至图1C的实施例，在以下的说明中不再重述。

首先，请参照图2A，提供驱动阵列基板100，其中驱动阵列基板100包括第一基板110以及驱动电路层120。驱动电路层120设置于第一基板110上，且包括彼此间隔开的第一接垫P1与第二接垫P2。在一实施例中，可先在第一基板110上依序形成缓冲层121、半导体层122C、栅极绝缘层123、栅极122G、层间绝缘层124、源极122S与漏极122D、平坦层125、第二绝缘层126以及第一导电层127，其中半导体层122C、栅极122G、源极122S以及漏极122D构成有源元件122。

之后，将第一导电层127图案化而形成第一导电图案127a与第二导电图案127b。接着，在第一导电图案127a、第二导电图案127b及第二绝缘层126上形成第三绝缘层128，并在第三绝缘层128中形成暴露出第一导电图案127a的第三通孔V3与暴露出第二导电图案127b的第四通孔V4。

之后，在第三绝缘层128上形成第二导电层129，然后将第二导电层129图案化而形成第三导电图案129a与第四导电图案129b，使得第三导电图案129a通过第三通孔V3连接第一导电图案127a，且第四导电图案129b通过第四通孔V4连接第二导电图案127b。因此，在本实施例中，第一接垫P1包括层迭的第一导电图案127a与第三导电图案129a，而第二接垫P2包括层迭的第二导电图案127b与第四导电图案129b。

驱动阵列基板100上还可以设置接合金属层161。举例而言，可在第一接垫P1、第二接垫P2及第三绝缘层128上形成接合金属层161。接合金属层161可以是藉由物理汽相沉积(PVD)形成的金属层，接合金属层161的材质可以包括铟、铜或锡，但本发明不限于此。

接着，请参照图2B，提供磊晶基板200，磊晶基板200包括第二基板210以及磊晶迭层220。。第二基板210可以是用于生长磊晶材料的生长基板，例如蓝宝石(Sapphire)基板。在本实施例中，磊晶迭层220包括依序堆迭于第二基板210上的磊晶缓冲层224、匹配层225、第一半导体层221、第一发光层223、第二半导体层222以及反射层226。在一些实施例中，磊晶缓冲层224、匹配层225、第一半导体层221、第一发光层223与第二半导体层222是以磊晶生长的方式成长于第二基板210上，其主要材料包括氮化镓，但可含有不同的掺杂。不过，这些磊晶层的主要材料不以此为限。反射层226例如是以沉积的方式形成于第二半导体层222上，其材质可以包括反射率较高的材料，例如银或铬。在其他实施例中，反射层226可以是不拉格反射层，而不以金属反射层为限。磊晶基板200上还可以设置接合金属层262，接合金属层262的形成方式与材料可类似于接合金属层161，但本发明不限于此。

接着，请参照图2C，将驱动阵列基板100与磊晶基板200大致对齐，并使磊晶迭层220接附于驱动阵列基板100上，然后移除第二基板210。在本实施例中，磊晶迭层220可藉由接合金属层262接附于驱动阵列基板100的接合金属层161上，使得反射层226位于驱动阵列基板100与第二半导体层222之间，且接合金属层161、262位于驱动电路层120与磊晶迭层220之间。在接合金属层161与接合金属层262彼此接触之后，可以进行共晶制程，以使磊晶迭层220附接于驱动阵列基板100。举例而言，共晶制程可包括对接合金属层161、262进行激光熔融处理，以使接合金属层161与接合金属层262结合成为接合金属层260。在一些实施例中，可以藉由激光剥离的方式来移除第二基板210。

接着，请参照图2D，于驱动阵列基板100上将磊晶迭层220与接合金属层260图案化，并暴露出第二接垫P2，其中部分的磊晶迭层220保留在第一接垫P1上，而形成第一显示元件迭层130，且另一部分的磊晶迭层220被移除，而暴露出第二接垫P2。在一实施例中，图案化磊晶迭层220与接合金属层260的方式可以利用蚀刻制程，并使用各层所需的蚀刻剂依序图案化磊晶缓冲层224、匹配层225、第一半导体层221、第一发光层223、第二半导体层222、反射层226以及接合金属层260，以分别形成磊晶缓冲图案134、匹配图案135、第一半导体图案131、第一发光图案133、第二半导体图案132、反射图案136以及接合金属图案160，其中磊晶缓冲图案134、匹配图案135、第一半导体图案131、第一发光图案133、第二半导体图案132以及反射图案136构成第一显示元件迭层130。在一些实施例中，可进一步图案化磊晶缓冲层224以在第一显示元件迭层130顶面形成开口OP，让开口OP可暴露出匹配图案135，但不以此为限。

在一些实施例中，反射层226的材料为金属，例如银，而图案化反射层226的步骤可以使用例如磷酸、硝酸或醋酸等酸溶液，但不以此为限。在一些实施例中，接合金属层260的材质包括铟，在图案化反射层226后，可以先提供氧气来氧化被露出来的接合金属层260，以形成金属氧化物层；随后再使用例如盐酸的酸溶液来蚀刻金属氧化物层，直到暴露出第二接垫P2。在本实施例中，第一接垫P1与第二接垫P2各自采用多种材料的导电图案制作。举例而言，第一接垫P1的第一导电图案127a与第二接垫P2的第二导电图案127b可以为金属材料制作，而第一接垫P1的第三导电图案129a与第二接垫P2的第四导电图案129b可以为非金属导电材料制作。如此一来，接合金属层260会直接接触非金属导电材料的第三导电图案129a、第四导电图案129b与第三绝缘层128，而不接触金属材料的第一导电图案127a与第二导电图案127b。接合金属层260的图案化过程中，非金属导电材料的第四导电图案129b与第三绝缘层128可以充当第二导电图案127b的保护层，以免金属材料制作的第二导电图案127b受氧化步骤或是蚀刻剂损害。因此，第二接垫P2虽在图案化接合金属层260的过程中被露出，却可保有理想的导电性质，这有助于提高制作良率。

接着，请参照图2E，于第三绝缘层128、第二接垫P2以及第一显示元件迭层130上沉积第一绝缘层140，其中第一绝缘层140接触第二接垫P2、第一显示元件迭层130的侧壁S1、磊晶缓冲图案134的顶表面以及匹配图案135。接着，利用蚀刻制程图案化第一绝缘层140，以形成第一通孔V1与第二通孔V2，其中第一通孔V1于第一基板110上的正投影可以重迭磊晶缓冲图案134的开口OP于第一基板110上的正投影，且第二通孔V2于第一基板110上的正投影可以重迭第二接垫P2于第一基板110上的正投影。如此一来，第一通孔V1与开口OP可以暴露出第一显示元件迭层130的匹配图案135，而第二通孔V2可以暴露出第二接垫P2的四导电图案129b。

接着，请参照图2F，于第一绝缘层140上沉积导电层并进行图案化，以形成连接电极150。连接电极150可通过第一通孔V1与开口OP接触第一显示元件迭层130的匹配图案135，并通过第二通孔V2接触第二接垫P2的四导电图案129b。连接电极150的材质可包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)或其他适合的导电氧化物，但本发明不限于此。

承上述，在本实施例的显示面板10的制造方法中，将驱动阵列基板100与磊晶基板200相接即可使磊晶迭层220接附于驱动阵列基板100，因此，磊晶迭层220与驱动电路层120的接合良率高。另外，第一显示元件迭层130是在磊晶迭层220接合至驱动电路层120后进行图案化而形成的，因此，第一显示元件迭层130的设置位置、尺寸与间距主要由微影蚀刻的制程精度决定。相较于巨量转移的制程精度，微影蚀刻的制程精度明显较高。因此，第一显示元件迭层130的尺寸与间距可以缩小，从而提高显示面板10的像素密度与解析度。此外，由于不需使用巨量转移技术，故可省下巨量转移设备的高成本。

图3是依照本发明一实施例的显示面板30的剖面示意图。在图3的实施例中，说明显示面板30的实施态样，并沿用图1C的实施例的元件标号与相关内容，其中，采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明，可参考图1C的实施例，在以下的说明中不再重述。

请参照图3，显示面板30包括第一基板110、驱动电路层320、第一显示元件迭层130、第一绝缘层140、连接电极150、接合金属图案160以及第二显示元件迭层330。在本实施例中，第一基板110、第一显示元件迭层130、第一绝缘层140、连接电极150以及接合金属图案160的材质、细部结构以及形成方式请参照前述说明，于此不再赘述。

驱动电路层320可以包括用以形成有源元件122、第一接垫P1、第二接垫P2、第三接垫P3以及第四接垫P4的多个导电层以及多个绝缘层。举例而言，第一接垫P1包括层迭的第一导电图案127a与第三导电图案129a，且第三导电图案129a通过第三绝缘层128中的第三通孔V3连接第一导电图案127a。第二接垫P2包括层迭的第二导电图案127b与第四导电图案129b，且第四导电图案129b通过第三绝缘层128中的第四通孔V4连接第二导电图案127b。第三接垫P3以及第四接垫P4可以具有类似第一接垫P1以及第二接垫P2的结构，例如第三接垫P3可以包括层迭的第五导电图案127c与第七导电图案129c，且第七导电图案129c通过第三绝缘层128中的第五通孔V5连接第五导电图案127c；第四接垫P4可以包括层迭的第六导电图案127d与第八导电图案129d，且第八导电图案129d通过第三绝缘层128中的第六通孔V6连接第六导电图案127d，但本发明不限于此。

第一显示元件迭层130可以具有发光二极管一般的结构。第一显示元件迭层130的一端可通过接合金属图案160接合至第一接垫P1。第一绝缘层140设置于第一显示元件迭层130的侧壁S1与连接电极150之间，以避免连接电极150与第一显示元件迭层130之间产生不需要的电连接关系。连接电极150的一端通过第一绝缘层140中的第一通孔V1以及第一显示元件迭层130的开口OP接触第一显示元件迭层130，连接电极150的另一端通过第一绝缘层140中的第二通孔V2接触第二接垫P2，使得第一显示元件迭层130的另一端可通过连接电极150与第二接垫P2电性连接。

第二显示元件迭层330例如是于基板301上形成后，直接通过第一连接材362以及第二连接材364而电性连接至驱动电路层320的第三接垫P3以及第四接垫P4。在一些实施例中，第二显示元件迭层330是于生长基板上形成并且单颗化后，先被转置至基板301，然后再分别通过第一连接材362以及第二连接材364而电性连接至驱动电路层320的第三接垫P3以及第四接垫P4。第一连接材362以及第二连接材364例如为焊料、导电胶或其他材料。

在一些实施例中，第二显示元件迭层330包括依序设置于基板301上的磊晶缓冲图案334、匹配图案335、第四半导体图案331、第二发光图案333、第三半导体图案332以及反射图案336。此外，第二显示元件迭层330还包括第一电极352以及第二电极354，第一电极352以及第二电极354分别通过第一连接材362以及第二连接材364电性连接至第三接垫P3以及第四接垫P4，而设置于驱动电路层320上。在本实施例中，第一电极352以及第二电极354设置在第四半导体图案331的同一侧，因此，第二显示元件迭层330为水平式微型发光二极管，且第一电极352为阳极，第二电极354为阴极，但本发明不以此为限。

在本实施例中，第一电极352电性耦接第三接垫P3至第三半导体图案332，且每个第二显示元件迭层330的第一电极352分别电性连接至一个第三接垫P3。在本实施例中，第二电极354电性耦接第四接垫P4至第四半导体图案331，且多个第二显示元件迭层330的第二电极354电性连接至一个第四接垫P4。在其他实施例中，第一电极352电性耦接第四接垫P4至第三半导体图案332，第二电极354电性耦接第三接垫P3至第四半导体图案331。在本实施例中，第一电极352及第二电极354的材质可包括合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或其他合适的材料或是金属材料与其他导电材料的堆迭层或其他低阻值的材料。

举例而言，在一些实施例中，当图1A至图1C所示的显示面板10中的某个第一显示元件迭层130损坏时，可以先藉由激光在垂直于第一基板110的方向上切割损坏的第一显示元件迭层130的外缘，再将损坏的第一显示元件迭层130移除，而留下第三接垫P3以及第四接垫P4，然后将第二显示元件迭层330的第一电极352以及第二电极354分别藉由第一连接材362以及第二连接材364连接至第三接垫P3以及第四接垫P4，即可完成修补，而得到显示面板30。然而，第二显示元件迭层330并不限定是为了修补才接合至第三接垫P3以及第四接垫P4。

综上所述，在本发明的显示面板以及显示面板的制造方法中，磊晶迭层与驱动阵列基板的接附方式非常简易，可得到提高的生产良率；利用微影蚀刻制程形成显示元件迭层，可缩小显示元件迭层的尺寸与间距，以提高像素密度与显示面板的解析度；而且不需使用巨量转移技术，可省下昂贵的巨量转移设备成本。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (20)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

第一基板；

驱动电路层，设置于所述第一基板上，且包括彼此间隔开的第一接垫与第二接垫；

第一显示元件迭层，设置于所述驱动电路层上，且电性连接所述第一接垫，其中所述第一显示元件迭层包括：

第一半导体图案；

第二半导体图案，设置于所述第一半导体图案与所述驱动电路层之间；以及

第一发光图案，设置于所述第一半导体图案与所述第二半导体图案之间；

第一绝缘层，至少接触所述第一显示元件迭层的侧壁与所述第二接垫，并具有暴露出所述第一显示元件迭层与所述第二接垫的第一通孔与第二通孔；以及

连接电极，设置于所述第一绝缘层上，其中所述连接电极在所述第一通孔与所述第二通孔分别接触所述第一显示元件迭层与所述第二接垫。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一接垫与所述第二接垫包括层迭的第一导电层与第二导电层。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电层与所述第二导电层的材质不同。

4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括第二绝缘层，设置于所述第一导电层与所述第二导电层之间，所述第二绝缘层具有第三通孔，所述第二导电层通过所述第三通孔连接所述第一导电层。

5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括接合金属图案，设置于所述驱动电路层与所述第一显示元件迭层之间。

6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述接合金属图案的材料包括铟、铜或锡。

7.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二半导体图案，接合于所述接合金属图案上。

8.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一显示元件迭层还包括：

匹配图案，设置于所述第一半导体图案上，且所述第一半导体图案位于所述匹配图案与所述第一发光图案之间。

9.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一显示元件迭层还包括：

反射图案，设置于所述接合金属图案与所述第二半导体图案之间。

10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述反射图案的材料包括银。

11.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括第二显示元件迭层，且所述驱动电路层还包括第三接垫与第四接垫，其中所述第二显示元件迭层包括：

第一电极，设置于所述驱动电路层上，且电性连接所述第三接垫；

第三半导体图案，设置于所述第一电极上，且电性连接所述第一电极；

第二发光图案，设置于所述第三半导体图案的一侧，且所述第三半导体图案位于所述第二发光图案与所述第一电极之间；

第四半导体图案，设置于所述第二发光图案的一侧，且所述第二发光图案位于所述第三半导体图案与所述第四半导体图案之间；以及

第二电极，设置于所述第四半导体图案的一侧，且电性连接所述第四接垫；

其中所述第一电极与所述第二电极位于所述第四半导体图案的同一侧。

12.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：

提供驱动阵列基板，其中所述驱动阵列基板包括：

第一基板；以及

驱动电路层，设置于所述第一基板上，且包括彼此间隔开的第一接垫与第二接垫；

提供磊晶基板，其中所述磊晶基板包括：

第二基板；以及

磊晶迭层，配置于所述第二基板上，其中所述磊晶迭层包括依序堆迭于所述第二基板上的第一半导体层、第一发光层以及第二半导体层；

将所述磊晶迭层接附于所述驱动阵列基板上并移除所述第二基板；

于所述驱动阵列基板上图案化所述磊晶迭层并暴露出所述第二接垫，其中部分的所述磊晶迭层保留在所述第一接垫上，以形成第一显示元件迭层，且另一部分的所述磊晶迭层被移除，以暴露出所述第二接垫；

于所述第二接垫及所述第一显示元件迭层上沉积第一绝缘层，其中所述第一绝缘层具有暴露出所述第一显示元件迭层与所述第二接垫的第一通孔与第二通孔；以及

于所述第一绝缘层上形成连接电极，所述连接电极在所述第一通孔与所述第二通孔分别接触所述第一显示元件迭层与所述第二接垫。

13.如权利要求12所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述磊晶迭层藉由接合金属层接附于所述驱动阵列基板上，使得所述接合金属层位于所述驱动电路层与所述磊晶迭层之间。

14.如权利要求13所述的显示面板的制造方法，其特征在于，图案化所述磊晶迭层之后，所述接合金属层被露出，且所述显示面板的制造方法更包括：

提供氧气氧化所述接合金属层，以形成金属氧化物层；以及

使用酸溶液蚀刻所述金属氧化物层，以暴露出所述第二接垫。

15.如权利要求14所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述酸溶液包括盐酸。

16.如权利要求13所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述第二接垫包括层迭的第一导电层与第二导电层，且所述显示面板的制造方法更包括：

形成第二绝缘层，所述第二绝缘层设置于所述第一导电层与所述第二导电层之间；以及

在所述第二绝缘层中形成第三通孔，使所述第二导电层通过所述第三通孔连接所述第一导电层，且所述第二导电层在图案化所述磊晶迭层后被露出，而所述第一导电层在图案化所述磊晶迭层后仍被所述第二绝缘层覆盖。

17.如权利要求12所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述磊晶迭层还包括反射层，且在将所述磊晶迭层接附于所述驱动阵列基板上之后，所述反射层位于所述驱动阵列基板与所述第二半导体层之间。

18.如权利要求17所述的显示面板的制造方法，其特征在于，图案化所述磊晶迭层的方法包括：

使用酸溶液图案化所述反射层。

19.如权利要求18所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述酸溶液包括磷酸、硝酸或醋酸。

20.如权利要求12所述的显示面板的制造方法，其特征在于，移除所述第二基板的方法包括激光剥离。

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