KR20180086410A - 디스플레이 디바이스 및 비아-홀 전기 접속 구조체 - Google Patents

디스플레이 디바이스 및 비아-홀 전기 접속 구조체 Download PDF

Info

Publication number
KR20180086410A
KR20180086410A KR1020187009011A KR20187009011A KR20180086410A KR 20180086410 A KR20180086410 A KR 20180086410A KR 1020187009011 A KR1020187009011 A KR 1020187009011A KR 20187009011 A KR20187009011 A KR 20187009011A KR 20180086410 A KR20180086410 A KR 20180086410A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
display device
light emitting
via hole
cathode
substrate
Prior art date
Application number
KR1020187009011A
Other languages
English (en)
Inventor
위신 장
훙페이 청
신인 우
융 차오
Original Assignee
보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 filed Critical 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20180086410A publication Critical patent/KR20180086410A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H01L27/3297—
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L51/50—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

디스플레이 디바이스 및 비아-홀 전기 접속 구조체가 제공된다. 디스플레이 디바이스(01)는 기판(10), 기판(10) 상의 그리고 디스플레이 영역(AA) 내에 있는 발광 디바이스(30), 및 발광 디바이스(30)로부터 떨어진 기판(10)의 측면에서의 회로 보드(40)를 포함하고; 디스플레이 디바이스(01)는 기판(10)을 관통하는 비아 홀(11)을 더 포함하고, 회로 보드(40)는 비아 홀(11)을 통해 발광 디바이스(30)와 전기적으로 접속된다. 디스플레이 디바이스(01)는 단순화된 프로세스 흐름을 가진다.

Description

디스플레이 디바이스 및 비아-홀 전기 접속 구조체
본 개시내용의 실시예들은 디스플레이 디바이스 및 비아-홀 전기 접속 구조체에 관한 것이다.
액정 디스플레이 디바이스와 비교하여, 유기 발광 다이오드(organic light-emitting diode)(OLED) 디스플레이 디바이스는 자체-발광, 고속 응답, 광 시야각, 고휘도, 생생한 컬러들, 박형 및 경량화 등의 장점들을 가지고, OLED 디스플레이 디바이스는 차세대 디스플레이 기술의 대표로서 간주된다. OLED 디스플레이 디바이스에서의 자체-발광 엘리먼트는 OLED 디바이스이고, OLED 디바이스는 기판 상에 있는 애노드, 발광 기능층 및 캐소드를 주로 포함한다. OLED 디바이스의 캐소드는 인쇄 회로 보드(printed circuit board)(줄여서 PCB)에 예를 들어 와이어를 통해 접속된다. 그러나, 이러한 배선 구조는 복잡하고 프로세스 흐름은 단순화되기 어렵다.
본 개시내용의 실시예들은 디스플레이 디바이스 및 비아-홀 전기 접속 구조체에 관한 것으로, 본 개시내용의 실시예들은 디스플레이 디바이스의 프로세스 흐름을 단순화시킨다.
본 개시내용의 적어도 하나의 실시예는 디스플레이 디바이스를 제공하며, 그 디스플레이 디바이스는 기판, 기판 상의 발광 디바이스, 기판의 측면 - 이 측면은 발광 디바이스로부터 떨어짐 - 에서의 회로 보드, 및 기판을 관통하는 비아 홀을 포함하고, 회로 보드는 비아 홀을 통해 발광 디바이스와 전기적으로 접속된다.
예를 들어, 그 디스플레이 디바이스는 기판 상에 절연 층을 더 포함하며, 발광 디바이스는 절연 층 상에 있으며, 회로 보드는 절연 층으로부터 떨어진 기판의 측면에 있고, 비아 홀은 절연 층을 추가로 관통한다.
예를 들어, 절연 층은 평탄화 층의 표면 - 이 표면은 발광 디바이스를 지지함 - 은 평평하다.
예를 들어, 발광 디바이스는 캐소드를 포함하고, 회로 보드는 비아 홀을 통해 캐소드와 전기적으로 접속된다.
예를 들어, 디스플레이 디바이스는 캐소드와 접촉하는 도전성 컴포넌트를 더 포함하고, 도전성 컴포넌트의 적어도 일부는 비아 홀 내에 있다.
예를 들어, 디스플레이 디바이스는 디스플레이 영역과 디스플레이 영역의 주변부에 있는 비-디스플레이 영역을 포함하며, 도전성 컴포넌트는 비아 홀 내에 있고, 캐소드는 캐소드의 비-디스플레이 영역 내로 연장되는 연장부를 통해 도전성 컴포넌트와 접촉한다.
예를 들어, 디스플레이 디바이스는 디스플레이 영역과 디스플레이 영역의 주변부에 있는 비-디스플레이 영역을 포함하며, 도전성 컴포넌트는 비아 홀 내의 제1 부분과 비아 홀 상에 위치된 접촉 전극을 포함하며, 제1 부분 및 접촉 전극은 서로 접촉하고, 캐소드는 캐소드의 비-디스플레이 영역 내로 연장되는 연장부를 통해 접촉 전극과 접촉한다.
예를 들어, 발광 디바이스는 애노드를 더 포함하고, 디스플레이 디바이스는 애노드로부터 캐소드의 연장부를 절연하는 절연 컴포넌트를 더 포함한다.
예를 들어, 절연 컴포넌트의 재료는 절연 폴리머 재료를 포함한다.
예를 들어, 도전성 컴포넌트의 제1 단부는 비아 홀 내에 있고, 도전성 컴포넌트의 제2 단부는 캐소드와 겹쳐져 접속한다.
예를 들어, 도전성 컴포넌트는 비아 홀 내의 제1 부분, 비아 홀 상에 있으며 제1 부분과 접촉하는 접촉 전극, 및 캐소드와 겹쳐져 접속하고 접촉 전극과 접촉하는 제2 부분을 포함한다.
예를 들어, 회로 보드는 인쇄 회로 보드이다.
예를 들어, 기판은 드라이버 회로와 일체화된 단결정 실리콘 칩이다.
예를 들어, 도전성 컴포넌트의 재료는 알루미늄, 구리, 은, 금, 백금, 니켈 또는 몰리브덴으로부터 선택된 그룹 중 적어도 하나를 포함한다.
예를 들어, 도전성 컴포넌트의 재료와 캐소드의 재료는 동일하다.
예를 들어, 절연 층의 영역 - 이 영역에는 상기 비아 홀이 제공됨 - 의 두께는 절연 층의 나머지 영역의 두께보다 작고; 또는 기판의 영역 - 이 영역에는 비아 홀이 제공됨 - 의 두께는 기판의 나머지 영역의 두께보다 작고; 또는 절연 층의 영역 - 이 영역에는 비아 홀이 제공됨 - 의 두께는 절연 층의 나머지 영역의 두께보다 작고, 기판의 영역 - 이 영역에는 비아 홀이 제공됨 - 의 두께는 기판의 나머지 영역의 두께보다 작다.
예를 들어, 발광 디바이스는 애노드, 발광 기능층과 애노드, 및 캐소드를 포함하고, 캐소드로부터 절연 층까지의 거리는 애노드로부터 절연 층까지의 거리보다 큰, 발광 기능층으로부터 절연 층까지의 거리보다 크다.
예를 들어, 디스플레이 디바이스는 발광 디바이스를 덮는 캡슐화 층을 더 포함한다.
예를 들어, 디스플레이 디바이스는 캡슐화 층의 측면 - 이 측면은 회로 보드로부터 떨어짐 - 에서의 투명 덮개 판을 더 포함한다.
예를 들어, 디스플레이 디바이스는 유기 발광 디스플레이 디바이스이고, 발광 디바이스는 유기 발광 디바이스이다.
예를 들어, 디스플레이 디바이스는 디스플레이 영역과 디스플레이 영역의 주변부에 있는 비-디스플레이 영역을 포함하고, 비아 홀은 비-디스플레이 영역 내에 있다.
예를 들어, 디스플레이 디바이스는 기판의 에지에 있는 에지 접속 컴포넌트를 더 포함하고, 에지 접속 컴포넌트는 회로 보드를 캐소드와 접속시킨다.
본 개시내용의 적어도 하나의 실시예는 비아-홀 전기 접속 구조체를 추가로 제공하는데, 그 구조체는, 기판; 기판 상에 접속될 컴포넌트; 기판의 측면 - 이 측면은 접속될 컴포넌트로부터 떨어짐 - 에서의 회로 보드; 및 기판을 관통하는 비아 홀을 포함하며, 회로 보드는 접속될 컴포넌트와 비아 홀을 통해 전기적으로 접속된다.
본 개시내용의 실시예들의 기술적 해법을 명확히 예시하기 위하여, 실시예들의 도면들이 다음에서 간략히 설명될 것이며; 설명되는 도면들은 본 개시내용의 일부 실시예들에만 관련되고 따라서 본 개시내용의 제한은 아닌 것이 명확하다.
도 1a는 본 개시내용의 실시예들에 의해 제공되는 디스플레이 디바이스의 구조의 제1 개략도이며;
도 1b는 도 1a에서의 구조의 부분의 개략적 평면도이며;
도 2a는 본 개시내용의 실시예들에 의해 제공되는 디스플레이 디바이스의 구조의 제2 개략도이며;
도 2b는 도 2a에서의 구조의 부분의 개략적 평면도이며;
도 3a는 본 개시내용의 실시예들에 의해 제공되는 디스플레이 디바이스의 구조의 제3 개략도이며;
도 3b는 도 3a에서의 구조의 부분의 개략적 평면도이며;
도 4는 본 개시내용의 실시예들에 의해 제공되는 디스플레이 디바이스의 구조의 제4 개략도이며;
도 5a는 본 개시내용의 실시예들에 의해 제공되는 디스플레이 디바이스의 구조의 제5 개략도이며;
도 5b는 본 개시내용의 실시예들에 의해 제공되는 디스플레이 디바이스의 구조의 제6 개략도이며;
도 6은 본 개시내용의 실시예들에 의해 제공되는 디스플레이 디바이스의 구조의 제7 개략도이며;
도 7은 본 개시내용의 실시예들에 의해 제공되는 디스플레이 디바이스의 구조의 제8 개략도이며;
도 8a 내지 도 8c는 본 개시내용의 실시예들에 의해 제공되는 에지 접속 컴포넌트를 포함하는 디스플레이 디바이스의 구조의 개략도들이며;
도 9a는 본 개시내용의 실시예들에 의해 제공되는 비아-홀 전기 접속 구조체의 개략도이며;
도 9b는 신호 라인과 회로 보드가 본 개시내용의 실시예들에 의해 제공되는 비아 홀에 의해 접속되는 디스플레이 디바이스의 구조의 개략도이다.
참조 번호들:
01 - 디스플레이 디바이스; 10 - 기판; 10A - 기판의 외측 표면; 11- 비아 홀; 20 - 절연 층; 20A - 절연 층의 표면; 30 - 발광 디바이스; 31 - 애노드; 32 - 발광 기능층; 33 - 캐소드; 33a - 연장부; 40 - 회로 보드; 50 - 도전성 컴포넌트; 51 - 제1 부분; 52 - 접촉 전극; 53 - 제2 부분; 60 - 절연 컴포넌트; 70 - 캡슐화 층; 80 - 투명 덮개 층; 90 - 에지 접속 컴포넌트; 91 - 수평 부분; 92 - 경사부; 30' - 신호 라인; 및 03 - 접속될 컴포넌트.
본 개시내용의 실시예들의 목적들, 기술적 세부사항들 및 장점들을 명확하게 하기 위하여, 본 실시예의 기술적 해법은 본 개시내용의 실시예들에 관련된 도면들에 관련하여 명확히 그리고 충분히 이해 가능하게 설명될 것이다. 설명된 실시예들은 본 개시내용의 실시예들의 모두가 아니라 단지 일부이다. 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 기초하여, 본 기술분야의 통상의 기술자들은, 임의의 발명적 노력 없이, 개시내용의 범위 내에 있어야 하는 다른 실시예(들)을 획득할 수 있다.
달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자가 통상적으로 이해하는 것과 동일한 의미를 갖는다. 본 발명을 위한 출원의 상세한 설명 및 청구범위에서 사용되는 "제1", "제2" 등의 용어들은 임의의 시퀀스, 양 또는 중요도를 나타내려는 의도는 아니고, 다양한 컴포넌트들을 구별하려는 의도이다. "포함한다", "포함하는", "구비한다", "구비하는" 등과 같은 용어들은, 이들 용어들에 앞에서 언급된 엘리먼트들 또는 대상들이 이들 용어들 뒤에서 열거되는 엘리먼트들 또는 오브젝트들 및 그것들의 동등물들을 포괄하지만, 다른 엘리먼트들 또는 대상들을 배제하지 않는다는 것을 특정하기 위해 의도된다. "접속한다", "접속되는" 등의 어구들은, 물리적 접속 또는 기계적 접속을 정의하려는 의도는 아니고, 전기 접속을, 직접적으로 또는 간접적으로 포함할 수 있다. "상", "하", "우측", "좌측" 등의 용어들은 상대적 위치 관계를 나타내기 위해서만 사용되고, 설명되는 대상의 위치가 변경될 때, 상대적 위치 관계는 그에 따라 변경될 수 있다.
명료함을 목적으로, 달리 표시되지 않는 한, 본 개시내용의 실시예들의 도면들에서의 각각의 구조의 사이즈는 과장되며, 실제 사이즈 및 비율을 나타내지 않는다.
본 개시내용의 적어도 하나의 실시예는 디스플레이 디바이스를 제공하고, 디스플레이 디바이스는, 기판; 기판 상의 발광 디바이스; 발광 디바이스로부터 떨어진, 기판 측면에서의 회로 보드(즉 회로 보드와 발광 디바이스는 각각 기판의 두 개의 대향 측면에 위치됨); 및 기판을 관통하고 회로 보드가 발광 디바이스와 전기적으로 접속되는 비아 홀을 포함한다.
예를 들어, 디스플레이 디바이스는 디스플레이 영역과 디스플레이 영역의 주변부에 있는 비-디스플레이 영역을 포함하고, 발광 디바이스는 디스플레이 디바이스의 디스플레이 영역 또는 비-디스플레이 영역 내에 있다.
예를 들어, 비아 홀은 디스플레이 디바이스의 디스플레이 영역 내에 있거나, 또는 디스플레이 영역의 주변부에 있는 비-디스플레이 영역 내에 있다.
예를 들어, 발광 디바이스는 캐소드를 포함하고, 회로 보드는 비아 홀에 의해 캐소드와 전기적으로 접속된다.
발광 디바이스는, 예를 들어, 기판과 직접 접촉하거나 또는 절연 층이 기판과 발광 디바이스 사이에 추가로 배치된다. 예를 들어, 본 개시내용의 적어도 하나의 실시예에 의해 제공되는 디스플레이 디바이스는 기판 상에 절연 층을 더 포함하며, 발광 디바이스는 절연 층 상에 있으며, 회로 보드는 절연 층으로부터 떨어진 기판 측면에 있고, 비아 홀은 절연 층을 추가로 관통한다.
예를 들어, 절연 층은 평탄화 효과를 갖는 평탄화 층이다.
도 1a 내지 도 8c에 예시된 바와 같이, 본 개시내용의 실시예들의 각각은 디스플레이 디바이스(01)(예를 들어, 유기 발광 다이오드 디스플레이 디바이스, 줄여서 OLED 디스플레이 디바이스)를 제공하고, 디스플레이 디바이스(01)는 기판(10), 기판(10) 상의 절연 층(20), 절연 층(20) 상의 그리로 디스플레이 영역(도면에서 AA로 라벨표시됨) 내의 발광 디바이스(30)(예를 들어, 유기 발광 다이오드 디바이스, 줄여서 OLED 디바이스), 및 절연 층(20)으로부터 떨어진 기판(10) 측면에서의 회로 보드(40)를 포함한다. 디스플레이 디바이스(01)는 절연 층(20) 및 기판(10)을 관통하는 비아 홀(11)(예를 들어, 두 개의 비아 홀들이 도면에 도시되어 있음)을 추가로 포함한다. 예를 들어, 비아 홀(11)은 디스플레이 영역의 주변부에 있는 비-디스플레이 영역(AA)에 위치된다. 회로 보드(40)는 비아 홀(11)을 통해 발광 디바이스(30)의 캐소드(33)와 전기적으로 접속된다.
예를 들어, 본 개시내용의 적어도 하나의 실시예에 의해 제공되는 디스플레이 디바이스는 유기 발광 다이오드 디스플레이 디바이스이며, 따라서, 발광 디바이스는 유기 발광 다이오드 디바이스이다. 예를 들어, 디스플레이 디바이스는 또한 다른 유형의 액티브 발광 디스플레이 디바이스, 예를 들어, 발광 다이오드(light-emitting diode)(LED) 디스플레이 디바이스(발광 디바이스는 LED 디바이스임), 또는 무기 발광 디스플레이 디바이스(발광 디바이스는 양자점 발광 다이오드(quantum dot light-emitting diode)이며, 이는 줄여서 QLED임)일 수 있다.
예를 들어, 절연 층(20)은 평탄화 층이고, 평탄화 층의 표면(20A) - 이 표면은 발광 디바이스(30)를 지지함 - 은 평평하다. 예를 들어, 절연 층(20)의 재료는 유기 재료 또는 무기 재료를 포함하여, 평평한 표면이 획득되고, 따라서 절연 층(20)은 평탄화의 역할을 한다.
첫째로, 기판(10)이, 예를 들어, 어레이로 배열된 복수의 박막 트랜지스터(thin film transistor)(TFT)가 형성되는 어레이 기판이라는 것에 주의해야 한다.
기판(10)은, 예를 들어, 드라이버 회로와 일체화된 단결정 실리콘 칩이며, 다시 말해서, 기판(10)은 드라이버 회로의 기능을 실현할 수 있는 단결정 실리콘 칩이다. 단결정 실리콘 칩은, 예를 들어, 집적 회로 상보성 금속산화물 반도체(complementary metal-oxide semiconductor)(CMOS) 프로세스를 채택하는데, 이 프로세스는 단결정 실리콘 칩이 디스플레이를 제어하기 위해, 다양한 기능들, 이를테면 T-CON(즉, 로직 보드 또는 중앙 제어 보드)을 실현할 수 있는 구동 제어 회로와 통합되는 것을 실현할 수 있다. 위에서 언급된 디스플레이 디바이스(01)가 단결정 실리콘 칩을 기판으로서 채택하는 경우, 그것의 화소 사이즈는 TFT 어레이 기판에 기초한 디스플레이 디바이스의 화소 사이즈의 1/10 또는 1/10보다 작을 수 있으며, 이런 식으로, 디스플레이 정밀도는 TFT 어레이 기판에 기초한 디스플레이 디바이스의 정밀도보다 훨씬 높다. 그러므로, 본 개시내용의 실시예들 중 어느 하나의 실시예에서 제공되는 위의 디스플레이 디바이스(01)는 바람직하게는 단결정 실리콘 칩을 기판으로서 채택한다.
둘째로, 위에서 설명된 발광 디바이스(30)는, 예를 들어, 애노드(31), 발광 기능층(32), 및 캐소드(33)를 포함한다. 도 1a 내지 도 7에 예시된 바와 같이, 애노드(31)에 대응하는 영역이 디스플레이 영역(AA)이며, 애노드(31)에 대응하는 영역 외부의 영역이 비-디스플레이 영역이다. 예를 들어, 애노드(31)와 TFT 어레이 기판 또는 단결정 실리콘 칩 사이의 전기 접속을 용이하게 하기 위하여, 애노드(31)는 발광 기능층(32) 아래에 위치되고 캐소드(33)는 발광 기능층(32) 상에 위치된다.
예를 들어, 발광 기능층(32)은 홀 주입 층, 정공 수송 층, 전자 차단 층, 발광 층, 홀 차단 층, 전자 주입 층, 및 전자 수송 층과 같은 구조 층들을 추가로 포함한다. 예를 들어, 그 층들의 각각은 유기 저분자(small molecule) 재료 또는 유기 폴리머 재료, 또는 무기 재료, 복합 도핑 재료 등으로 이루어진다.
셋째로, 회로 보드(40)는 캐소드 신호를 비아 홀(11)을 통해 캐소드(33)에 송신한다. 비아 홀(11)에 의해 노출된 회로 보드(40)의 영역이 캐소드 신호를 제공하는 회로 보드(40)의 대응 유닛의 영역이다. 비아 홀(11)의 위치는 회로 보드(40)(예를 들어, 인쇄 회로 보드, 즉 PCB)의 구성과 디스플레이 디바이스의 사이즈 및 회로 보드(40)의 사이즈와 같은 요인들에 따라 유연하게 배열될 수 있으며, 이는, 캐소드(33)가 회로 보드(40)에 의해 제공되는 캐소드 신호를 비아 홀(11)을 통해 수신하는 한, 본 개시내용의 실시예들에서 제한되지 않는다.
비아 홀(11)의 수는 본 개시내용의 실시예들에서 제한되지 않는다. 예를 들어, 캐소드(33)와 회로 보드(40) 사이의 열악한 접촉이 단지 하나의 비아 홀이 제공된 경우에 일어나고 회로 보드(40)에 의해 제공된 캐소드 신호를 정상적으로 수신하는 캐소드(33)에 영향을 미치는 것을 피하기 위해 복수의 비아 홀들(11)이 제공된다.
본 개시내용의 실시예들에서, 비아 홀(11)이 디스플레이 영역(AA)의 주변부에 있는 비-디스플레이 영역에 위치되기 때문에, 그리고 TFT 어레이 기판의 또는 단결정 실리콘 칩의 부분 - 이 부분은 비-디스플레이 영역에 대응함 - 이 한 층의 절연 층 또는 복수의 절연 층들을 보통 포함하기 때문에, 비-디스플레이 영역에 제공된 비아 홀(11)은 TFT 어레이 기판 또는 단결정 실리콘 칩의 정상 동작에 영향을 미치지 않는다. 예를 들어, 비아 홀(11)을 형성하는 프로세스는 임의의 패터닝 프로세스들(즉 패턴을 형성하는 프로세스), 예를 들어, 레이저 침투 프로세스일 수 있다.
위에서 설명된 바와 같이, 본 개시내용의 실시예들 중 임의의 실시예에 의해 제공되는 위의 디스플레이 디바이스(01)에서, 캐소드(33)는 회로 보드(40)로부터 캐소드 신호를 수신하기 위해 비-디스플레이 영역에서의 절연 층(20) 및 기판(10)을 관통하는 비아 홀(11)을 통해 회로 보드(40)에 전기적으로 접속된다. 그러므로, 본 개시내용의 실시예들은 발광 디바이스 주위에 추가적인 와이어를 요구하지 않으며, 이는 디스플레이 디바이스의 프로세스를 단순화시킨다.
예를 들어, 위의 실시예들 중 임의의 실시예를 기초로, 비아 홀에서의 오프셋(즉 불일치 갭)을 줄이고 캐소드(33)와 회로 보드(40) 사이의 전기 접속의 신뢰도를 보장하기 위하여, 절연 층(20)의 영역 - 이 영역에는 비아 홀(11)이 제공됨 - 의 두께는 절연 층(20)의 나머지 영역(즉 비아 홀(11)이 제공된 영역을 제외한 절연 층(20)의 나머지 영역)의 두께보다 작으며, 예를 들어, 비-디스플레이 영역의 적어도 일부에 대응하는 절연 층(20)의 부분의 두께는, 도 6에 예시된 바와 같이, 디스플레이 영역(AA)에 대응하는 절연 층(20)의 부분의 두께보다 작으며; 그리고/또는, 기판(10)의 영역 - 이 영역에는 비아 홀(11)이 제공됨 - 의 두께는 기판(10)의 나머지 영역(즉 비아 홀(11)이 제공된 영역을 제외한 기판(10)의 나머지 영역)의 두께보다 작으며, 예를 들어, 비-디스플레이 영역의 적어도 일부에 대응하는 기판(10)의 부분의 두께는, 도 7에 예시된 바와 같이, 디스플레이 영역(AA)에 대응하는 기판(10)의 부분의 두께보다 작다.
예를 들어, 절연 층(20)의 대응하는 영역의 두께 및/또는 기판(10)의 대응하는 영역의 두께는 박형화(thinning) 프로세스에 의해 (이를테면 플라즈마 폭격 방법에 의해) 얇아질 수 있으며, 이는 비아 홀(11)의 형성을 용이하게 한다.
예를 들어, 도 1a 내지 도 4를 참조하여, 본 개시내용의 적어도 하나의 실시예에 의해 제공되는 디스플레이 디바이스(01)는 발광 디바이스(30)를 덮는 캡슐화 층(70)과 회로 보드(40)로부터 떨어진 캡슐화 층(70) 측면에서의 투명 덮개 판(80)을 추가로 포함한다. 예를 들어, 캡슐화 층(70)은 무기 재료 층과 유기 재료 층의 적층이며, 캡슐화 층(70)의 에지는 발광 디바이스(30)를 둘러싸며, 상이한 발광 디바이스들을 둘러싸는 캡슐화 층들(70)은 서로로부터 이격되고 캡슐화 층(70)은 외부에서의 물과 산소가 캡슐화 층(70)에 의해 캡슐화된 발광 디바이스(30)에 들어가는 것을 방지하도록 구성된다.
예를 들어, 캐소드(33)가 회로 보드(40)와 전기적으로 접속되는 방식은 도 1a에서 예시된 바와 같을 수 있으며, 다시 말하면, 캐소드(33)는 발광 기능층(32)을 덮으며, 비아 홀(11)이 제공된 영역까지 연장되고 비아 홀(11)을 채운다.
예를 들어, 캐소드(33)는 비-디스플레이 영역 내로 연장되는 부분을 포함하고, 캐소드(33)가 애노드(31)에 접촉하여 발광 디바이스(30)의 단락을 야기하는 것을 피하기 위하여, 절연 컴포넌트(60)가 비-디스플레이 영역 내로 연장되는 캐소드(33)의 부분과 애노드(31) 사이에 제공된다.
비아 홀(11)은 절연 층(20)과 기판(10)을 관통하는 것이 필요하며, 비아 홀(11)에서의 오프셋은 비교적 크고 캐소드(33)의 두께는 작으며, 그래서 캐소드의 재료가 비아 홀(11) 속에 직접적으로 채워지는 경우, 캐소드의 재료는 전체 비아 홀(11)을 채우지 않는다는, 다시 말하면, 캐소드(33)는 회로 보드(40)(예를 들어, PCB)와 열악한 접촉을 가질 수 있다는 것이 가능하다. 그러므로, 도 2a 내지 도 5를 참조하여, 본 개시내용의 적어도 하나의 실시예에 의해 제공되는 디스플레이 디바이스(01)는 캐소드(33)와 접촉하는 도전성 컴포넌트(50)를 추가로 포함하고, 도전성 컴포넌트(50)의 적어도 일부는 캐소드(33)를 회로 보드(40)와 접속시키기 위해 비아 홀(11) 내에 있다. 예를 들어, 도 2a와 도 2b에 예시된 바와 같이, 전체 도전성 컴포넌트(50)는 캡슐화 층(70)의 커버리지 영역에 위치되고; 예를 들어, 전체 도전성 컴포넌트(50)는 캐소드(33)의 커버리지 영역에 위치된다.
예를 들어, 도전성 컴포넌트(50)는 양호한 전기 전도율을 가지는 알루미늄, 구리, 은, 금, 백금, 니켈 또는 몰리브덴으로부터 선택된 그룹 중 적어도 하나로 이루어질 수 있거나; 또는 도전성 컴포넌트(50)와 캐소드(33)는 동일한 재료(예를 들어, 마그네슘 은 합금, 또는 리튬 알루미늄 합금 등)로 이루어진다.
예를 들어, 발광 디바이스(30)에서의 애노드(31)가 캐소드(33) 아래에 위치되는 경우, 도전성 컴포넌트(50)의 제조 프로세스를 단순화하기 위하여, 비아 홀(11)에 적어도 일부가 채워지는 도전성 컴포넌트(50)는 발광 디바이스의 애노드(31)를 형성하는 동일한 패터닝 프로세스로 형성된다. 다시 말하면, 도전성 컴포넌트(50)는 애노드(31)를 형성하는 필름에 의해 형성된다.
다음에서는 위에서 언급된 디스플레이 디바이스(01)를 상세히 설명하는 도전성 컴포넌트(50)의 네 가지 실시예들을 제공한다.
도 3에 도시된 실시예를 참조하여, 도전성 컴포넌트(50)는 기판(10) 및 절연 층(20)을 관통하는 비아 홀(11) 내에 위치되고; 캐소드(33)는 비-디스플레이 영역 내로 연장되는 캐소드의 연장부(33a)를 통해 도전성 컴포넌트(50)와 접촉한다. 캐소드(33)의 연장부(33a)와 캐소드(33) 아래에 배치된 애노드(31) 사이의 접촉에 의해 야기되는 발광 디바이스(30)의 단락을 피하기 위하여, 디스플레이 디바이스(01)는 캐소드(33)의 연장부(33a)를 애노드(31)로부터 절연하는 절연 컴포넌트(60)를 추가로 포함한다.
예를 들어, 절연 컴포넌트(60)는 절연 폴리머 재료로 이루어진다. 예를 들어, 절연 컴포넌트(60)는 디스플레이 디바이스의 제조 프로세스를 더 단순화시키기 위해, 절연 컴포넌트(60)가, 추가적인 에칭 프로세스 없이, 노출 및 현상의 프로세스를 통해 대응하는 영역에 형성되도록 포토레지스트 재료로 이루어진다.
예를 들어, 절연 컴포넌트(60)는 디스플레이 디바이스(01)에서 화소 유닛들을 정의하는 화소 정의 층(pixel defining layer)(줄여서 PDL)을 형성하는 프로세스로 형성되며, 다시 말하면, 절연 컴포넌트(60)는 화소 정의 층을 형성하기 위한 필름에 의해 형성된다.
도 3에 도시된 실시예를 참조하여, 도전성 컴포넌트(50)는 비아 홀(11)에서의 제1 부분(51)과 비아 홀(11) 상에 위치된 접촉 전극(52)을 포함하고, 캐소드(33)는 비-디스플레이 영역 내로 연장되는 연장부(33a)를 통해 접촉 전극(52)과 접촉한다. 예를 들어, 캐소드(33)의 연장부(33a)와 캐소드(33) 아래에 배치된 애노드(31) 사이의 접촉에 의해 야기되는 발광 디바이스(30)의 단락을 피하기 위하여, 디스플레이 디바이스(01)는 캐소드(33)의 연장부(33a)를 애노드(31)로부터 절연하는 절연 컴포넌트(60)를 추가로 포함한다.
본 실시예에서, 추가된 접촉 전극(52)은 캐소드(33)와 회로 보드(40) 사이의 접속의 신뢰도를 추가로 보장한다.
예를 들어, 절연 컴포넌트(60)는 절연 폴리머 재료로 이루어진다. 예를 들어, 절연 컴포넌트(60)는 제조 프로세스를 더 단순화시키기 위해, 절연 컴포넌트(60)가, 추가적인 에칭 프로세스 없이, 노출 및 현상의 프로세스를 통해 대응하는 영역에 형성되도록 포토레지스트 재료로 이루어진다.
예를 들어, 절연 컴포넌트(60)는 디스플레이 디바이스(01)에서 화소 유닛들을 정의하는 화소 정의 층(줄여서 PDL)을 형성하는 프로세스로 형성된다.
도 4에 도시된 실시예를 참조하여, 도전성 컴포넌트(50)의 제1 단부가 비아 홀(11) 내에 있고, 도전성 컴포넌트(50)의 제2 단부가 캐소드(33)와 겹쳐져 접촉하며(다시 말하면, 도전성 컴포넌트(50)의 제2 단부는 캐소드(33)와 직접 접촉함), 그래서 캐소드(33)는 도전성 컴포넌트(50)에 의해 회로 보드(40)와 전기적으로 접속된다.
예를 들어, 회로 보드(40)에 평행한 방향에서, 절연 컴포넌트(60)는 도전성 컴포넌트(50)가 애노드(31)와 접촉하는 것을 방지하기 위해 도전성 컴포넌트(50)와 애노드(31) 사이에 형성된다.
도 5a 및 도 5b에 도시된 실시예들을 참조하여, 도전성 컴포넌트(50)는 비아 홀 내의 제1 부분(11), 비아 홀(11) 상에 위치되고 제1 부분(11)과 접촉하는 접촉 전극(52), 및 캐소드(33)와 겹쳐져 접속하며 접촉 전극(52)과 접촉하는 제2 부분(53)을 포함한다. 예를 들어, 제1 부분(51) 및 접촉 전극(52) 둘 다는 비-디스플레이 영역에 위치되고; 제2 부분(53)은 (도 5a에 도시된 바와 같이) 비-디스플레이 영역에 위치된 부분과 디스플레이 영역 내로 연장되는 그리고 캐소드(33)와 직접 접촉하는 부분을 포함하거나, 또는, 전체 제2 부분(53)은 (도 5b에 도시된 바와 같이) 비-디스플레이 영역에 위치되고 제2 부분(53)은 비-디스플레이 영역 내로 연장되는 캐소드(33)의 부분과 직접 접촉한다.
본 실시예에서, 추가된 접촉 전극(52)은 캐소드(33)와 회로 보드(40) 사이의 접속의 신뢰도를 추가로 보장한다.
예를 들어, 회로 보드(40)에 평행한 방항에서, 절연 컴포넌트(60)는 애노드(31)가 도전성 컴포넌트(50)의 접촉 전극(52) 및 제2 부분(53)과 접촉하는 것을 방지하기 위해 도전성 컴포넌트(50)와 애노드(31) 사이에 형성된다.
예를 들어, 위의 실시예들 중 임의의 실시예를 기초로, 디스플레이 디바이스는 회로 보드(40)와 캐소드(33) 사이의 접속의 신뢰도를 추가로 보장하기 위해 회로 보드(40) 및 캐소드(33)를 함께 접촉시키는 그리고 기판(10)의 외부 측방 표면을 가로지르는 접속 컴포넌트를 추가로 포함한다. 예를 들어, 도 8a 내지 도 8c에 예시된 바와 같이, 디스플레이 디바이스(01)는 기판(10)의 에지에서 에지 접속 컴포넌트(90)를 추가로 포함하며, 에지 접속 컴포넌트(90)의 제1 단부가 비아 홀(11)에서 캐소드(33)와 접속하고, 에지 접속 컴포넌트(90)의 제2 단부가 회로 보드(40)와 접속한다. 예를 들어, 비-디스플레이 영역에서, 에지 접속 컴포넌트(90)는 캐소드(33)의 연장부에 접속한다. 예를 들어, 에지 접속 컴포넌트(90)는 기판(10)의 상부 표면의 부분을 덮는 수평부(91)와 기판(10)의 외부 측방 표면(10A)을 덮는 경사부(92)를 포함한다. 예를 들어, 경사부(92)는 원호 형상, 계단 형상 또는 평면 형상이다. 예를 들어, 기판(10)의 외부 측방 표면(10A)은 또한 대응하여 원호 형상, 계단 형상 또는 평면 형상이다.
도 9a에 예시된 바와 같이, 본 개시내용의 적어도 하나의 실시예는 비아-홀 전기 접속 구조체를 추가로 제공하고, 비아-홀 전기 접속 구조체는 기판(10), 기판(10) 상에 접속될 컴포넌트(03) 및 접속될 컴포넌트(03)로부터 떨어진 기판(10)의 측면에서의 회로 보드(40)를 포함한다(다시 말하면, 회로 보드(40)와 접속될 컴포넌트(03)는 각각 기판(10)의 두 측면에 위치된다). 비아-홀 전기 접속 구조체는 기판(10)을 관통하는 비아 홀(11)을 추가로 포함하고, 회로 보드(40)는 접속될 컴포넌트(03)와 비아 홀(11)을 통해 전기적으로 접속된다.
예를 들어, 접속될 컴포넌트(03)는, 도 9b에 예시된 바와 같이, 신호 라인(30')이다. 예를 들어, 신호 라인(30')은 디스플레이 디바이스에서의 소스 신호 라인, 게이트 라인 또는 데이터 라인 등이다.
위의 실시예들에서의 동일한 부분들의 설명들은 서로 참조될 수 있다.
위에서 설명된 것은 본 개시내용의 구체적인 실시예들에만 관련되고 본 개시내용의 범위에 대해 한정적이지 않고, 본 개시내용의 범위들은 첨부의 청구항들에 의해 정의된다.
본 출원은 2016년 12월 16일자로 출원된 중국 특허 출원 제201611169180.1호를 우선권 주장하며, 그 전체는 본 출원의 부분으로서 참조에 의해 본 명세서에 포함된다.

Claims (23)

  1. 디스플레이 디바이스로서,
    기판;
    상기 기판 상의 발광 디바이스;
    상기 기판의 측면 - 상기 측면은 상기 발광 디바이스로부터 떨어짐 - 에서의 회로 보드; 및
    상기 기판을 관통하는 비아 홀
    을 포함하고, 상기 회로 보드는 상기 비아 홀을 통해 상기 발광 디바이스와 전기적으로 접속되는, 디스플레이 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판 상의 절연 층을 더 포함하고, 상기 발광 디바이스는 상기 절연 층 상에 있으며, 상기 회로 보드는 상기 절연 층으로부터 떨어진 상기 기판의 측면에 있고, 상기 비아 홀은 상기 절연 층을 추가로 관통하는, 디스플레이 디바이스.
  3. 제2항에 있어서, 상기 절연 층은 평탄화 층이고, 상기 평탄화 층의 표면 - 상기 표면은 상기 발광 디바이스를 지지함 - 은 평평한, 디스플레이 디바이스.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광 디바이스는 캐소드를 포함하고, 상기 회로 보드는 상기 비아 홀을 통해 상기 캐소드와 전기적으로 접속되는, 디스플레이 디바이스.
  5. 제4항에 있어서, 상기 캐소드와 접촉하는 도전성 컴포넌트를 더 포함하고, 상기 도전성 컴포넌트의 적어도 일부는 상기 비아 홀 내에 있는, 디스플레이 디바이스.
  6. 제5항에 있어서, 디스플레이 영역과 상기 디스플레이 영역의 주변부에 있는 비-디스플레이 영역을 포함하며, 상기 도전성 컴포넌트는 상기 비아 홀 내에 있고, 상기 캐소드는 상기 비-디스플레이 영역 내로 연장되는 상기 캐소드의 연장부를 통해 상기 도전성 컴포넌트와 접촉하는, 디스플레이 디바이스.
  7. 제5항에 있어서, 디스플레이 영역과 상기 디스플레이 영역의 주변부에 있는 비-디스플레이 영역을 포함하며, 상기 도전성 컴포넌트는 상기 비아 홀 내의 제1 부분과 상기 비아 홀 상의 접촉 전극을 포함하며, 상기 제1 부분 및 상기 접촉 전극은 서로 접촉하고, 상기 캐소드는 상기 비-디스플레이 영역 내로 연장되는 상기 캐소드의 연장부를 통해 상기 접촉 전극과 접촉하는, 디스플레이 디바이스.
  8. 제5항에 있어서, 상기 도전성 컴포넌트의 제1 단부는 상기 비아 홀 내에 있고, 상기 도전성 컴포넌트의 제2 단부는 상기 캐소드와 겹쳐져 접속하는, 디스플레이 디바이스.
  9. 제5항에 있어서, 상기 도전성 컴포넌트는 상기 비아 홀 내의 제1 부분, 상기 비아 홀 상에 있으며 상기 제1 부분과 접촉하는 접촉 전극, 및 상기 캐소드와 겹쳐져 접속하고 상기 접촉 전극과 접촉하는 제2 부분을 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  10. 제4항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판의 에지에 있는 에지 접속 컴포넌트를 더 포함하고, 상기 에지 접속 컴포넌트는 상기 회로 보드를 상기 캐소드와 접속시키는, 디스플레이 디바이스.
  11. 제4항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광 디바이스는 애노드, 및 상기 애노드로부터 상기 캐소드를 절연하는 절연 컴포넌트를 더 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  12. 제11항에 있어서, 상기 절연 컴포넌트의 재료는 절연 폴리머 재료를 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 회로 보드는 인쇄 회로 보드인, 디스플레이 디바이스.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 드라이버 회로와 일체화된 단결정 실리콘 칩인, 디스플레이 디바이스.
  15. 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전성 컴포넌트의 재료는 알루미늄, 구리, 은, 금, 백금, 니켈 또는 몰리브덴으로부터 선택된 그룹 중 적어도 하나를 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  16. 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전성 컴포넌트의 재료와 상기 캐소드의 재료는 동일한, 디스플레이 디바이스.
  17. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 절연 층의 영역 - 상기 영역에는 상기 비아 홀이 제공됨 - 의 두께는 상기 절연 층의 나머지 영역의 두께보다 작고; 또는
    상기 기판의 영역 - 상기 영역에는 상기 비아 홀이 제공됨 - 의 두께는 상기 기판의 나머지 영역의 두께보다 작고; 또는
    상기 절연 층의 상기 영역 - 상기 영역에는 상기 비아 홀이 제공됨 - 의 상기 두께는 상기 절연 층의 상기 나머지 영역의 상기 두께보다 작고, 상기 기판의 상기 영역 - 상기 영역에는 상기 비아 홀이 제공됨 - 의 상기 두께는 상기 기판의 상기 나머지 영역의 상기 두께보다 작은, 디스플레이 디바이스.
  18. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광 디바이스는 애노드, 발광 기능층 및 캐소드를 포함하고, 상기 캐소드로부터 상기 절연 층까지의 거리는 상기 애노드로부터 상기 절연 층까지의 거리보다 큰, 상기 발광 기능층으로부터 상기 절연 층까지의 거리보다 큰, 디스플레이 디바이스.
  19. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광 디바이스를 덮는 캡슐화 층을 더 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  20. 제19항에 있어서, 상기 캡슐화 층의 측면 - 상기 측면은 상기 회로 보드로부터 떨어짐 - 에서의 투명 덮개 판을 더 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  21. 제1항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 디스플레이 디바이스는 유기 발광 디스플레이 디바이스이고, 상기 발광 디바이스는 유기 발광 디바이스인, 디스플레이 디바이스.
  22. 제1항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 디스플레이 영역과 상기 디스플레이 영역의 주변부에 있는 비-디스플레이 영역을 포함하며, 상기 비아 홀은 상기 비-디스플레이 영역 내에 있는, 디스플레이 디바이스.
  23. 비아-홀 전기 접속 구조체로서,
    기판;
    상기 기판 상에 접속될 컴포넌트;
    상기 기판의 측면 - 상기 측면은 접속될 상기 컴포넌트로부터 떨어짐 - 에서의 회로 보드; 및
    상기 기판을 관통하는 비아 홀
    을 포함하고, 상기 회로 보드는 접속될 상기 컴포넌트와 상기 비아 홀을 통해 전기적으로 접속되는, 비아-홀 전기 접속 구조체.
KR1020187009011A 2016-12-16 2017-08-15 디스플레이 디바이스 및 비아-홀 전기 접속 구조체 KR20180086410A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611169180.1A CN108206196A (zh) 2016-12-16 2016-12-16 一种有机电致发光显示装置
CN201611169180.1 2016-12-16
PCT/CN2017/097524 WO2018107788A1 (zh) 2016-12-16 2017-08-15 显示装置和过孔电连接结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180086410A true KR20180086410A (ko) 2018-07-31

Family

ID=62557978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187009011A KR20180086410A (ko) 2016-12-16 2017-08-15 디스플레이 디바이스 및 비아-홀 전기 접속 구조체

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10790347B2 (ko)
EP (1) EP3557629B1 (ko)
JP (1) JP6989494B2 (ko)
KR (1) KR20180086410A (ko)
CN (1) CN108206196A (ko)
WO (1) WO2018107788A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200041824A (ko) * 2018-10-10 2020-04-22 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 디스플레이 기판, 디스플레이 장치, 디스플레이 기판을 제조하는 방법
WO2020231232A1 (ko) * 2019-05-15 2020-11-19 삼성전자 주식회사 폴더블 전자 장치
KR20210035749A (ko) * 2019-09-23 2021-04-01 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 디스플레이 디바이스 및 이의 제조 방법

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102645335B1 (ko) * 2018-06-27 2024-03-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 모듈, 표시 장치 및 표시 모듈 제조 방법
KR102599722B1 (ko) * 2018-12-28 2023-11-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 타일드 표시 장치
US11800761B2 (en) 2019-08-01 2023-10-24 V-Finity, Inc. LED display with pixel circuitry disposed on a substrate backside
US11476320B2 (en) * 2019-08-01 2022-10-18 V-Finity, Inc. Flat panel LED display
CN110518055A (zh) * 2019-09-26 2019-11-29 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111524467B (zh) * 2020-06-11 2022-06-21 厦门通富微电子有限公司 一种显示装置及其制备方法
KR20220086917A (ko) * 2020-12-17 2022-06-24 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치와 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치
KR20220142597A (ko) 2021-04-14 2022-10-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6690032B1 (en) * 1999-07-22 2004-02-10 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and method of manufacture thereof, and electronic instrument
JP2001092381A (ja) * 1999-09-27 2001-04-06 Nec Corp 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP2003255850A (ja) 2002-03-05 2003-09-10 Pioneer Electronic Corp 表示パネル基板及び表示装置
US20060087224A1 (en) * 2002-04-25 2006-04-27 Harison Toshiba Lighting Corporation Organic electroluminescence light-emitting device
KR100682893B1 (ko) * 2004-10-13 2007-02-15 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
JP4329740B2 (ja) * 2004-10-22 2009-09-09 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置
KR100700650B1 (ko) * 2005-01-05 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 장치 및 그 제조 방법
FR2904508B1 (fr) * 2006-07-28 2014-08-22 Saint Gobain Dispositif electroluminescent encapsule
JP5757083B2 (ja) 2010-12-01 2015-07-29 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置
WO2012102194A1 (ja) 2011-01-25 2012-08-02 パナソニック株式会社 面状発光装置
WO2013118508A1 (ja) * 2012-02-07 2013-08-15 パナソニック株式会社 複合基板及びその製造方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013251255A (ja) * 2012-05-04 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
WO2014059601A1 (zh) 2012-10-16 2014-04-24 深圳市柔宇科技有限公司 一种oled拼接显示屏及其制造方法
CN103022051B (zh) 2012-12-14 2015-10-14 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、有机发光显示面板及显示装置
US9504124B2 (en) 2013-01-03 2016-11-22 Apple Inc. Narrow border displays for electronic devices
KR102049735B1 (ko) 2013-04-30 2019-11-28 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
CN104716156A (zh) * 2013-12-13 2015-06-17 昆山国显光电有限公司 一种有机发光显示装置及其制备方法
KR102214942B1 (ko) * 2013-12-20 2021-02-09 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치
CN104795425A (zh) 2015-03-30 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管触控显示屏及其制作方法
CN104851892A (zh) * 2015-05-12 2015-08-19 深圳市华星光电技术有限公司 窄边框柔性显示装置及其制作方法
CN105789225B (zh) * 2016-05-30 2019-10-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板母板及其制作方法、显示装置及其制作方法
CN105870159B (zh) 2016-06-07 2018-07-17 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板、显示装置及制作方法
US10617005B2 (en) * 2016-10-13 2020-04-07 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20180057773A (ko) * 2016-11-21 2018-05-31 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그의 제조방법
CN206301796U (zh) 2016-12-16 2017-07-04 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200041824A (ko) * 2018-10-10 2020-04-22 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 디스플레이 기판, 디스플레이 장치, 디스플레이 기판을 제조하는 방법
US11251399B2 (en) 2018-10-10 2022-02-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, display apparatus, method of fabricating display substrate
WO2020231232A1 (ko) * 2019-05-15 2020-11-19 삼성전자 주식회사 폴더블 전자 장치
US12007808B2 (en) 2019-05-15 2024-06-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Foldable electronic device
KR20210035749A (ko) * 2019-09-23 2021-04-01 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 디스플레이 디바이스 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP3557629A1 (en) 2019-10-23
US20190189729A1 (en) 2019-06-20
JP6989494B2 (ja) 2022-01-05
EP3557629B1 (en) 2022-06-15
WO2018107788A1 (zh) 2018-06-21
CN108206196A (zh) 2018-06-26
US10790347B2 (en) 2020-09-29
EP3557629A4 (en) 2020-07-22
JP2020513640A (ja) 2020-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180086410A (ko) 디스플레이 디바이스 및 비아-홀 전기 접속 구조체
US10734471B2 (en) Organic light emitting display device with second metal layer contacting first metal layer at power supply line
CN110047898B (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
CN111524956B (zh) 一种显示面板及显示装置
KR100838082B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
US9478594B2 (en) Organic electroluminescence display device and method of manufacturing organic electroluminescence display device
KR101319096B1 (ko) 탑 에미션 인버티드형 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의제조방법
US11164918B2 (en) Organic light emitting diode display panel having connection portion connecting organic light emitting diode to peripheral circuit and manufacturing method thereof
US9991462B2 (en) Organic light emitting display device
CN109742106B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
KR102060364B1 (ko) 유기발광 표시장치 제조방법
JP2015015241A (ja) 有機発光表示装置及び有機発光表示装置製造方法
KR20050049999A (ko) 유기전계발광표시장치
KR20150095988A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN112885870A (zh) 显示面板、柔性显示屏和电子设备及显示面板的制备方法
KR20210086306A (ko) 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 그 제조 방법
US10134709B1 (en) Substrateless light emitting diode (LED) package for size shrinking and increased resolution of display device
CN113748511B (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
US11177331B2 (en) Semiconductor device and display device having the same
KR20180025104A (ko) 유기발광 표시장치
CN110707134A (zh) 阵列基板及显示装置
CN116782707A (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
US20220310752A1 (en) Display Substrate and Display Apparatus
US20240222343A1 (en) Display device
WO2023070404A1 (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application