CN110707134A - 阵列基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及显示装置，所述阵列基板包括平坦层以及设置于所述平坦层上的阳极层和像素定义层，所述平坦层中设置有多个通孔，所述像素定义层包括多个像素开口，所述阳极层包括过孔区以及非过孔区，且所述多个通孔在所述阳极层上的正投影位于所述过孔区内，所述多个像素开口在所述阳极层上的正投影位于所述非过孔区内。本发明通过将像素开口与平坦层中的通孔错开设置，使得像素开口位于阳极层上的平坦处，保证了像素开口的平坦性，同时提高了发光层的平坦性，提高了显示效果。

Description

阵列基板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)显示器件以其自发光、全固态、高对比度等优点，成为近年来最具潜力的新型显示器件。
目前，在大尺寸OLED显示器件的应用方向上，市面上的产品大多采用底发射型(Bottom)结构，OLED的阴极采用较厚的金属层，但由于像素开口率的限制，BottomOLED难以实现高分辨率。因此，顶发射型OLED的开发受到越来越多的关注，以期望实现更高的分辨率。
但是在顶发射型OLED中，将发光层设置于像素开口中，且像素开口设置于金属阳极上，由于金属阳极需要通过过孔与薄膜晶体管相接触，导致像素开口在过孔处的平坦性不好，同时将导致发光层不平坦，影响显示效果。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及显示装置，通过将像素开口与阳极接触孔错开设置，即将像素开口设置于平坦处，并在像素开口内设置发光层，以解决因发光层不平坦，进而影响显示的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种阵列基板，包括：
基板；
平坦层，设置于所述基板上，所述平坦层中设置有多个通孔；
阳极层，设置于所述平坦层上，所述阳极层包括过孔区以及非过孔区，且所述多个通孔在所述阳极层上的正投影位于所述过孔区内；
像素定义层，设置于所述平坦层上，所述像素定义层包括多个像素开口，其中，所述多个像素开口在所述阳极层上的正投影位于所述非过孔区内。
根据本发明一优选实施例，所述阳极层包括与所述多个通孔一一对应的多个阳极，每个阳极包括过孔区和非过孔区，且每个通孔在所述阳极层上的正投影位于其对应阳极的过孔区内。
根据本发明一优选实施例，所述多个像素开口与所述多个阳极一一对应，且每个像素开口在所述阳极层上的正投影位于其对应阳极的非过孔区内。
根据本发明一优选实施例，所述阵列基板还包括TFT器件层，所述TFT器件层位于所述基板与所述平坦层之间，且每个阳极通过其对应的通孔与所述TFT器件层电性连接。
根据本发明一优选实施例，所述TFT器件层包括走线区，且每个像素开口在所述TFT器件层上的正投影位于所述走线区内。
根据本发明一优选实施例，所述走线区内设置有多条金属走线，每个像素开口在所述TFT器件层上的正投影位于所述金属走线上或所述金属走线之间。
根据本发明一优选实施例，所述金属走线的线宽大于6um。
根据本发明一优选实施例，所述金属走线之间的线间距大于6um。
根据本发明一优选实施例，每个像素开口内设置有有机发光层，且在所述有机发光层上设置有透明阴极。
一种显示装置，所述显示装置包括彩膜基板以及如上所述的阵列基板，且所述阵列基板与所述彩膜基板相对设置。
本发明的有益效果为：本发明通过将像素开口与平坦层中的通孔错开设置，使得像素开口位于阳极层上的平坦处，保证了像素开口的平坦性，同时提高了发光层的平坦性，提高了显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板结构示意图。
图2为本发明实施例提供的另一种阵列基板结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的阵列基板，由于阳极接触孔的原因，导致像素开口的平坦性较差，从而影响显示效果，本实施例能够解决该缺陷。
本发明提供一种阵列基板，包括：
基板；
平坦层，设置于所述基板上，所述平坦层中设置有多个通孔；
阳极层，设置于所述平坦层上，所述阳极层包括过孔区以及非过孔区，且所述多个通孔在所述阳极层上的正投影位于所述过孔区内；
像素定义层，设置于所述平坦层上，所述像素定义层包括多个像素开口，其中，所述多个像素开口在所述阳极层上的正投影位于所述非过孔区内。
具体地，如图1所示，所述阵列基板包括：
基板110，以及设置于所述基板110上的平坦层105，设置于所述平坦层105上的阳极层113和像素定义层107。
所述平坦层105中设置有多个通孔112，且所述阳极层113包括过孔区103以及非过孔区104，其中，所述多个通孔112在所述阳极层113上的正投影位于所述过孔区103内。
另外，所述像素定义层107包括多个像素开口101，且所述多个像素开口101在所述阳极层113上的正投影位于所述非过孔区104内。
综上，本发明将所述像素开口101与所述通孔112错开设置，使得所述像素开口101位于所述阳极层113上的平坦处。
在实施应用中，由于平坦层中设置有通孔，而阳极层中的阳极设置于平坦层上时，位于通孔处的阳极表面的平坦性不好，这将导致设置于阳极上的像素开口的平坦性也不好，最终影响显示效果，而本实施例通过将像素开口设置于阳极的非通孔处，使得像素开口设置于平坦处，提高了发光层的平坦性，提高了显示面板的显示效果。
进一步地，所述阳极层113包括与所述多个通孔112一一对应的多个阳极102，且每个阳极102包括过孔区103以及非过孔区104，每个通孔112在所述阳极层113上的正投影位于其对应阳极102的过孔区103内，即所述过孔区103在所述平坦层105上的正投影覆盖所述通孔112。
具体地，每个阳极102覆盖所述通孔112并有部分所述阳极102填充所述通孔112。
所述多个像素开口101与所述多个阳极102一一对应设置，且每个像素开口101在所述阳极层113上的正投影位于其对应阳极102的非过孔区104内。
且每个像素开口101的形状包括长方形、椭圆形或正多边形。
另外，所述阵列基板还包括TFT器件层111，所述TFT器件层111位于所述基板110与所述平坦层105之间，且每个阳极102通过其对应的通孔112与所述TFT器件层111电性连接，即每个阳极102填充其对应的通孔112，并穿过所述通孔112与所述TFT器件层111相接触，完成电性连接。
所述TFT器件层111包括走线区，且每个像素开口101在所述TFT器件层111上的正投影位于所述走线区内，且所述走线区内设置有多条金属走线106，则每个像素开口101在所述TFT器件层111上的正投影位于所述金属走线106上或所述金属走线106之间。
需要注意的是，为了使所述像素开口101在所述TFT器件层上的正投影位于所述金属走线106上或所述金属走线106之间，则相对应的，所述金属走线106的线宽大于6微米或所述金属走线106之间的线间距大于6微米。
将像素开口设置于走线区内，可以使得走线区也成为发光区，可以提高显示装置的开口率。
每个像素开口101内设置有有机发光层108，且在所述有机发光层108之上设置有透明阴极109，以产生电致发光。
所述有机发光层108可采用喷墨打印工艺或蒸镀工艺制备于所述像素开口101内。
所述透明阴极109的材质包括Mg Ag材料。
由于所述像素开口101设置于所述阳极102的平坦处，与所述平坦层105中的所述通孔112错开设置，且所述有机发光层108设置于所述像素开口101上，则所述有机发光层108也位于平坦处，提高了所述有机发光层108的平坦性，提高了显示效果。
下面以阵列基板中的一个阳极以及与其相对应的像素开口和通孔的结构进行详述。
实施例一
如图1所示，本实施例所提供的阵列基板包括基板110，设置于所述基板110上的TFT器件层111，设置于所述TFT器件层111上的平坦层105，设置于所述平坦层105上的阳极层113以及像素定义层107。
其中，所述TFT器件层111包括设置于所述基板110上的栅极1111，设置于所述基板110上并包覆所述栅极1111的第一绝缘层1112，设置于所述第一绝缘层1112上的有源层1113，设置于所述第一绝缘层1112上并包覆所述有源层1113的第二绝缘层1114，贯穿所述第二绝缘层1114并分别与所述有源层1113两端相接触的源极1116以及漏极1117，设置于所述第二绝缘层1114上的金属走线106以及设置于所述第二绝缘层1114上并包覆所述金属走线106、所述源极1116以及所述漏极1117的中间介电层1115。
所述平坦层105设置于所述中间介电层1115上，且所述平坦层105上设置有贯穿所述平坦层105的通孔112，且所述通孔112还贯穿所述中间介电层1115，并暴露出所述漏极1117。
所述平坦层105上设置有阳极层113以及像素定义层107，且所述阳极层113包括阳极102，所述像素定义层107包括像素开口101，且所述像素开口101设置于所述阳极102上。
另外，在本实施例中，所述阳极102包括过孔区103以及非过孔区104，其中，所述通孔112在所述阳极层113上的正投影位于所述过孔区103内，即所述通孔112在所述阳极102上的正投影位于所述过孔区103内，同理，所述过孔区103在所述平坦层105上的正投影覆盖所述通孔112。
所述阳极102覆盖所述通孔112并填充所述通孔112，则所述阳极102通过所述通孔112与所述TFT器件层111中的所述漏极1117相接触，使得所述阳极102与所述TFT器件层111电性连接。
所述像素开口101在所述金属层113上的正投影位于所述非过孔区104内，即所述像素开口101与所述通孔112错开设置。
所述TFT器件层111中包括走线区，且所述走线区内设置有多条金属走线106，则所述像素开口101在所述TFT器件层111上的正投影位于所述走线区内。
进一步地，所述像素开口101在所述TFT器件层111上的正投影位于所述金属走线106上，相对应的，所述金属走线106的尺寸则要满足所述像素开口101的尺寸，则所述金属走线的线宽大于6微米。
同时，所述像素开口101内设置有有机发光层108，且所述有机发光层108上设置有透明阴极109。
所述有机发光层108可采用喷墨打印工艺或蒸镀工艺制备于所述像素开口101内。
所述透明阴极109的材质包括Mg Ag材料。
综上所述，本实施例通过将像素开口与平坦层中的通孔错开设置，保证了像素开口设置于阳极上的平坦处，且将像素开口设置于金属走线上，提高了显示装置的开口率。
实施例二
如图2所示，本实施例所提供的阵列基板包括基板210，设置于所述基板210上的TFT器件层211，设置于所述TFT器件层211上的平坦层205，设置于所述平坦层205上的阳极层213以及像素定义层207。
其中，所述TFT器件层211包括设置于所述基板210上的栅极2111，设置于所述基板210上并包覆所述栅极2111的第一绝缘层2112，设置于所述第一绝缘层2112上的有源层2113，设置于所述第一绝缘层2112上并包覆所述有源层2113的第二绝缘层2114，贯穿所述第二绝缘层2114并分别与所述有源层2113相接触的源极2116以及漏极2117，设置于所述第二绝缘层2114上的金属走线206以及设置于所述第二绝缘层2114上并包覆所述金属走线206、所述源极2116以及所述漏极2117的中间介电层2115。
且所述平坦层205设置于所述中间介电层2115上，且所述平坦层205上设置有贯穿所述平坦层205的通孔212，且所述通孔212还贯穿所述中间介电层2115，并暴露出所述漏极2117。
所述平坦层205上设置有阳极层213以及像素定义层207，且所述阳极层213包括阳极202，所述像素定义层207包括像素开口201，且所述像素开口201设置于所述阳极202上。
另外，在本实施例中，所述阳极202包括过孔区203以及非过孔区204，其中，所述通孔212在所述阳极层213上的正投影位于所述过孔区203内，即所述通孔212在所述阳极202上的正投影位于所述过孔区203内，同理，所述过孔区203在所述平坦层205上的正投影覆盖所述通孔212。
所述阳极202覆盖所述通孔212并填充所述通孔212，则所述阳极202通过所述通孔212与所述TFT器件层211中的所述漏极2117相接触，使得所述阳极202与所述TFT器件层211电性连接。
所述像素开口201在所述金属层213上的正投影位于所述非过孔区204内，即所述像素开口201与所述通孔212错开设置。
所述TFT器件层211中包括走线区，且所述走线区内设置有多条金属走线206，则所述像素开口201在所述TFT器件层211上的正投影位于所述走线区内。
进一步地，所述像素开口201在所述TFT器件层211上的正投影位于所述金属走线206之间，相对应的，所述金属走线206之间的线间距则要满足所述像素开口201的尺寸，则所述金属走线之间的线间距大于6微米。
同时，所述像素开口201内设置有有机发光层208，且所述有机发光层208上设置有透明阴极209。
所述有机发光层208可采用喷墨打印工艺或蒸镀工艺制备于所述像素开口201内。
所述透明阴极209的材质包括Mg Ag材料。
综上所述，本实施例通过将像素开口与平坦层中的通孔错开设置，保证了像素开口设置于阳极上的平坦处，且将像素开口设置于金属走线之间，提高了显示装置的开口率。
另外，本发明实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括彩膜基板以及如上述两种实施例所述的阵列基板，且所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置。
所述显示装置包括顶发射型OLED显示装置。
综上所述，本发明实施例所提供的显示装置，通过将像素开口与平坦层中的通孔错开设置，保证了像素开口设置于阳极的平坦处，则设置于像素开口中的有机发光层也设置于平坦处，提高了有机发光层的平坦性，提高了显示装置的显示效果，同时，本发明实施例将像素开口设置于走线区内，提高了显示装置的开口率。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
平坦层，设置于所述基板上，所述平坦层中设置有多个通孔；
阳极层，设置于所述平坦层上，所述阳极层包括过孔区以及非过孔区，且所述多个通孔在所述阳极层上的正投影位于所述过孔区内；
像素定义层，设置于所述平坦层上，所述像素定义层包括多个像素开口，其中，所述多个像素开口在所述阳极层上的正投影位于所述非过孔区内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阳极层包括与所述多个通孔一一对应的多个阳极，每个阳极包括过孔区和非过孔区，且每个通孔在所述阳极层上的正投影位于其对应阳极的过孔区内。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述多个像素开口与所述多个阳极一一对应，且每个像素开口在所述阳极层上的正投影位于其对应阳极的非过孔区内。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括TFT器件层，所述TFT器件层位于所述基板与所述平坦层之间，且每个阳极通过其对应的通孔与所述TFT器件层电性连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT器件层包括走线区，且每个像素开口在所述TFT器件层上的正投影位于所述走线区内。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述走线区内设置有多条金属走线，每个像素开口在所述TFT器件层上的正投影位于所述金属走线上或所述金属走线之间。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述金属走线的线宽大于6um。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述金属走线之间的线间距大于6um。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个像素开口内设置有有机发光层，且在所述有机发光层上设置有透明阴极。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括彩膜基板以及如权利要求1至9任一项所述的阵列基板，且所述阵列基板与所述彩膜基板相对设置。
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