CN219842991U - 发光芯片结构及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种发光芯片结构及显示装置，发光芯片包括保护层和缓冲层；外延层的多个第一间隙将外延层分割为多个外延结构；外延层的第一半导体层的侧面具有凸出部；图案化的金属层一部分设于多个第一间隙的底部以覆盖凸出部和通过多个第一间隙暴露的部分缓冲层，另一部分设于发光芯片结构边缘处的外延结构的侧面和远离缓冲层的表面；遮光层覆盖外延层和金属层且填充在多个第一间隙内；遮光层与外延结构对应位置具有第一开口；电极层包括至少一个第一电极和多个第二电极；第一电极贯穿设于第一开口内且与金属层电连接，第二电极贯穿设于第一开口内且与第二半导体层电连接。该发光芯片结构可以解决光线串扰的问题，提高发光效率。

Description

发光芯片结构及显示装置
技术领域
本实用新型涉及芯片技术领域，尤其涉及一种发光芯片结构及显示装置。
背景技术
无机微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)显示器是当今显示器研究领域的热点之一，是指高密度集成的LED阵列，阵列中每一个LED像素都能自发光。MicroLED作为新一代显示技术，比现有的液晶显示及OLED显示有着显著优势，如低能耗、长寿命、无烧屏、高色域等。
但是Micro-LED显示装置要实现全彩化，还有光线串扰的问题亟待解决。
实用新型内容
本申请提供一种发光芯片结构及显示装置，以解决光线串扰的问题。
为了解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种发光芯片结构。该发光芯片结构包括：
保护层；
缓冲层，设置于所述保护层的一侧；
外延层，设置于所述缓冲层的一侧，且具有多个第一间隙；多个所述第一间隙将所述外延层分割为多个外延结构；每个所述外延结构包括依次层叠设置于所述缓冲层一侧的第一半导体层、发光层和第二半导体层；其中，所述第一半导体层的侧面具有凸出部；
图案化的金属层，一部分设置于多个所述第一间隙的底部以覆盖所述凸出部和通过多个所述第一间隙暴露的部分所述缓冲层，另一部分设置于所述发光芯片结构边缘处的所述外延结构的侧面和远离所述缓冲层的表面；
遮光层，覆盖所述外延层和所述图案化的金属层，且填充在多个所述第一间隙内；所述遮光层与所述外延结构对应的位置具有第一开口；
电极层，包括至少一个第一电极和多个第二电极；所述第一电极贯穿设置于所述第一开口内且与所述图案化的金属层电连接，所述第二电极贯穿设置于所述第一开口内且与所述第二半导体层电连接。
在一具体实施方式中，所述第一半导体层包括位于所述发光层和所述缓冲层之间的本体部和位于所述本体部侧面的所述凸出部，所述凸出部的厚度小于所述本体部的厚度。
在一具体实施方式中，所述缓冲层通过所述第一间隙暴露的表面具有凹槽，所述图案化的金属层覆盖所述凹槽的底面及其侧面。
在一具体实施方式中，所述缓冲层通过所述第一间隙暴露的表面整体凹陷形成所述凹槽。
在一具体实施方式中，所述图案化的金属层为单一材料形成。
在一具体实施方式中，所述第一半导体层为N型层，所述第二半导体层为P型层；所述P型层和所述第二电极之间还设有欧姆接触层。
在一具体实施方式中，所述发光芯片结构还包括多个量子点层，所述量子点层设置在所述保护层和所述缓冲层之间且对应所述外延结构设置。
在一具体实施方式中，还包括黑色矩阵层；所述黑色矩阵层设置于所述保护层靠近所述缓冲层的一侧且位于相邻所述量子点层之间的第二间隙中。
在一具体实施方式中，所述缓冲层对应第一间隙处具有第二开口，所述黑色矩阵层穿过所述第二开口与所述图案化的金属层接触，所述量子点层远离所述外延层的表面不低于所述黑色矩阵层远离所述外延层的表面。
为了解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种显示装置，包括驱动背板和发光芯片结构；所述发光芯片结构为上述所涉及的任一所述发光芯片结构；所述驱动背板与电极层键合连接。
本申请提供一种发光芯片结构及显示装置，该发光芯片结构包括保护层、缓冲层、外延层、图案化的金属层、遮光层以及电极层。其中，缓冲层设置于保护层一侧，外延层设置于缓冲层的一侧且具有多个第一间隙，第一间隙将外延层分割为多个外延结构，每个外延结构包括依次层叠设置于缓冲层一侧的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一半导体层的侧面具有凸出部；图案化的金属层一部分设置于多个第一间隙的底部以覆盖凸出部和通过多个第一间隙暴露的部分缓冲层，另一部分设置于发光芯片结构边缘处的外延结构的侧面和远离缓冲层的表面；遮光层覆盖外延层和图案化的金属层，且填充在多个第一间隙内；遮光层与外延结构对应的位置具有第一开口；电极层包括至少一个第一电极和多个第二电极；第一电极贯穿设置于第一开口内且与图案化的金属层电连接，第二电极贯穿设置于第一开口内且与第二半导体层电连接。通过第一间隙将外延层分割成多个外延结构，通过图案化的金属层覆盖凸出部和通过多个第一间隙暴露的部分缓冲层以及发光芯片结构边缘处的外延结构的侧面和远离缓冲层的表面，可以对发光层发出的光起到隔离的作用，以减少光线的串扰；同时通过遮光层覆盖外延层和图案化的金属层且填充在多个第一间隙内，对光照进行物理遮光，可以进一步对光线起到隔离的作用，以进一步解决光线串扰的问题，提高发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本申请第一实施例提供的发光芯片结构的结构示意图；
图2为本申请第二实施例提供的发光芯片结构的结构示意图；
图3为本申请第三实施例提供的发光芯片结构的结构示意图；
图4为本申请第四实施例提供的发光芯片结构的结构示意图；
图5为本申请一实施例提供的显示装置的结构简图；
图6为本申请一实施例提供的显示装置的制备方法的流程图；
图7为步骤S1的具体结构示意图；
图8为步骤S2的具体结构示意图；
图9为步骤S3的具体结构示意图；
图10为步骤S4的具体结构示意图；
图11为步骤S5的具体结构示意图；
图12为步骤S6的具体结构示意图；
图13为步骤S7的具体结构示意图；
图14为步骤S8的具体结构示意图；
图15为步骤S9的具体结构示意图。
附图标号说明：
1-保护层；2-缓冲层；201-凹槽；3-外延层；301-第一半导体层；302-发光层；303-第二半导体层；301a-凸出部；302a-本体部；4-图案化的金属层；5-遮光层；6-电极层；601-第一电极；602-第二电极；7-欧姆接触层；8-量子点层；9-黑色矩阵层；10-发光芯片结构；20-驱动背板；A-第一间隙；B-第二间隙；C-第一开口；D-第二开口；W-外延结构；100-显示装置；200-衬底。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
下面结合附图和实施例对本申请进行详细的说明。
请参阅图1，图1为本申请第一实施例提供的发光芯片结构的结构示意图；在本实施例中，提供一种发光芯片结构10，该发光芯片结构10包括保护层1、缓冲层2、外延层3、图案化的金属层4、遮光层5以及电极层6。其中，缓冲层2设置于保护层1的一侧；外延层3设置于缓冲层2的一侧，且外延层3具有多个第一间隙A，多个第一间隙A将外延层3分割为多个外延结构W。
参见图1，外延结构W包括第一半导体层301、发光层302以及第二半导体层303，且第一半导体的侧面具有凸出部301a；其中，第一半导体层301、发光层302以及第二半导体层303依次层叠设置于缓冲层2的一侧。在一具体的实施例中，第一半导体层301为N型层，第二半导体层303为P型层。
具体的，P型层和N型层分别可以为P型GaN和N型GaN。
发光层302为量子阱有源层或活性层，具体的可以为可见光、红光、蓝光、紫外光等量子阱有源层，以分别组成可见光外延结构、红光外延结构、蓝光外延结构、紫外光外延结构等，在本实施例中主要以蓝光外延结构为例来进行详细的说明。
如图1所示，图案化的金属层4包括两部分，一部分设置于多个第一间隙A的底部，以覆盖凸出部301a和通过多个第一间隙A暴露的部分缓冲层2，另一部分设置于发光芯片结构10边缘处的外延结构W的侧面和远离缓冲层2的表面，用于对发出的光起到隔离的作用，以减少光线的串扰。
图案化的金属层4的材料为金属材料，具体的，图案化的金属层4为单一材料形成。图案化的金属层4材料具体为铝Al、铜Cu、银Ag等金属材料中任一种或者其组合。例如，可以是由Cu一种材料构成图案化的金属层4，可以是由Al一种材料构成图案化的金属层4，可以是由其他某种金属材料构成图案化的金属层4，还可以是几种金属材料组成的混合物构成的图案化的金属层4，只要每一部分的图案化的金属层4中的各个金属的组份均相同(占比相同)即可，因此图案化的金属层4可以一次成型，制备的方法简单，节省了生产时间和成本。图案化的金属层4不仅可以对光起隔离的作用，而且还可以和第一电极601层6进行电性连接。
继续参见图1，遮光层5覆盖外延层3和图案化的金属层4，且填充在多个第一间隙A内，遮光层5用于进一步对光进行隔离，防止光线之间的串扰，避免对发光层302造成不良的影响，同时遮光层5与外延结构W对应的位置还具有第一开口C(参见下图11)。
电极层6包括至少一个第一电极601和多个第二电极602，第一电极601贯穿设置于第一开口C内且与图案化的金属层4电连接，第二电极602贯穿设置于第一开口C内且与第二半导体层303电连接。
本实施例提供的发光芯片结构10还包括欧姆接触层7，如图1所示，欧姆接触层7设置于第二电极602和第二半导体层303之间，通过设置欧姆接触层7，以提升第二半导体层303的电性接触性能。
参见图2，图2为本申请第二实施例提供的发光芯片结构的结构示意图，本实施例中的发光芯片结构10还包括凹槽201(见下图8)，其中，缓冲层2通过第一间隙A暴露的表面具有凹槽201，在具体的实施例中，缓冲层2通过第一间隙A暴露的表面整体凹陷以形成凹槽201。具体的，不同外延结构W的凸出部301a之间的距离和凹槽201的宽度相同。
继续参见图2，图案化的金属层4一部分覆盖凹槽201的底面及侧面，另一部分设置于发光芯片结构10边缘处的外延结构W的侧面和远离缓冲层2的表面，用于对发出的光起到隔离的作用，以减少光线的串扰。
在具体实施例中，第一半导体层301包括凸出部301a和本体部301b，本体部301b位于发光层302和缓冲层2之间，凸出部301a位于本体部301b的侧面。
具体的，凸出部301a的厚度小于本体部301b的厚度。
参见图3，图3为本申请第三实施例提供的发光芯片结构的结构示意图；本实施例提供的发光芯片结构10还包括多个量子点层8，量子点层8设置在保护层1和缓冲层2之间，且对应外延结构W设置。在具体的实施例中，量子点层8可以为红色、绿色或蓝色量子点层，由此可实现全彩化的显示。本实施例以蓝光外延结构为例子进行说明，则该发光芯片结构10中量子点层8包括红色量子点层和绿色量子点层，用于实现全彩化显示。
参见图4，图4为本申请第四实施例提供的发光芯片结构的结构示意图；本实施例提供的发光芯片结构10还包括黑色矩阵层9，黑色矩阵层9设置于保护层1靠近缓冲层2的一侧且位于相邻量子点层8之间的第二间隙B中。如图1所示，缓冲层2对应第一间隙A处具有第二开口D(参见下图14)，黑色矩阵层9穿过第二开口D与图案化的金属层4接触。具体的，量子点层8远离外延层3的表面不低于黑色矩阵层9远离外延层3的表面；黑色矩阵层9的材料可以包括有Cr、黑色树酯等其中一种或多种；当然，本申请并不以此为限，所有具备遮光功能的材料均在本申请的保护范围之内。黑色矩阵层9用于遮光，以免发生漏光和光线串扰的现象。
可以理解的是，为了方便进行详细的说明，下述实施例中主要以第四实施例所提供的发光芯片结构10(图4)的结构进行进一步的绘制和详细的说明。
请参阅图5，图5为本申请一实施例提供的显示装置的结构简图；在本实施例中，还提供一种显示装置100，该显示装置100包括发光芯片结构10和驱动背板20，驱动背板20与电极层6键合进行连接。其中，发光芯片结构10为上述任一实施例所涉及的发光芯片结构10，发光芯片结构10的具体结构与功能可参见上述实施例提供的对发光芯片结构10的相关描述，在此不再赘述。该显示装置100可为台式电脑、笔记本电脑、手机、电视等，用于在工作时显示画面。图5主要以第四实施例中所提供的发光芯片结构10的结构进行进一步绘制。
本申请提供一种发光芯片结构10及显示装置100，该发光芯片结构10包括保护层1、缓冲层2、外延层3、图案化的金属层4、遮光层5以及电极层6，还包括量子点层8以及黑色矩阵层9。通过第一间隙A将外延层3分割成多个外延结构W，通过图案化的金属层4覆盖凸出部301a和通过多个第一间隙A暴露的部分缓冲层2以及发光芯片结构10边缘处的外延结构W的侧面和远离缓冲层2的表面，可以对发光层302发出的光起到隔离的作用，以减少光线的串扰；通过遮光层5覆盖外延层3和图案化的金属层4且填充在多个第一间隙A内，对光照进行物理遮光，可以进一步对光线起到隔离的作用，以进一步解决光线串扰的问题，提高发光效率；通过在相邻量子点层8之间的第二间隙B中填充黑色矩阵层9，用于遮光，以免发生漏光和光线串扰的现象。其中，图案化的金属层4为第一层可以起到隔离光的作用层，遮光层5为第二层可以起到隔离光的作用层，黑色矩阵层9为第三层可以起到隔离光的作用层，本申请通过三层的隔离光的作用层，对光从发光层302开始一直到进行量子点层8的光路都进行隔离，从而彻底解决了光线的串扰问题。
请参阅图6，图6为本申请一实施例提供的显示装置的制备方法的流程图。可以理解的是，本申请上述提供了四种不同的发光芯片结构10，为了方便进行详细的说明，下述制备方法中主要以第四实施例所提供的发光芯片结构10的结构组成的显示装置来进行详细的说明。
本申请还提供了一种显示装置的制备方法，包括如下步骤：
步骤S1：在衬底上形成缓冲层以及外延层。
参阅图7，图7为步骤S1的具体结构示意图。其中，衬底200可以为蓝宝石衬底、GaAs衬底或Si基衬底等，在衬底200的一侧设置缓冲层2，在缓冲层2远离衬底200的一侧依次层叠设置第一半导体层301、发光层302以及第二半导体层303，其中第一半导体层301、发光层302以及第二半导体层303组成外延层3。
步骤S2：对外延层进行蚀刻，以在第一半导体层上形成凸出部301a，在缓冲层上形成凹槽并形成第一间隙。
参阅图8，图8为步骤S2的具体结构示意图。其中，通过黄光制程对外延层3进行蚀刻。首先蚀刻到第一半导体层301上，接着再通过黄光制程对第一半导体层301蚀刻出凸出部301a，一直蚀刻到缓冲层2，以在缓冲层2中蚀刻形成凹槽201。形成的第一间隙A将外延层3分割为多个外延结构W。具体的，凹槽201并非通槽，即在进行蚀刻的过程中并没有将缓冲层2全部挖通，并且缓冲层2覆盖外延层3，以用于在下述步骤S7取出衬底200的环节里保护图案化的金属层4不受破坏。
具体的，不同外延结构W的凸出部301a之间的距离和凹槽201的宽度相同。
步骤S3：在第一半导体层和缓冲层上形成图案化的金属层。
参阅图9，图9为步骤S3的具体结构示意图。其中，图案化的金属层4为第一层可以起到隔离光的作用层；图案化的金属层4包括两部分，一部分设置于多个第一间隙A的底部，以覆盖凸出部301a和通过多个第一间隙A暴露的部分缓冲层2，具体的，图案化的金属层4一部分覆盖凹槽201(参见上图8)的底面及侧面，另一部分设置于发光芯片结构10边缘处的外延结构W的侧面和远离缓冲层2的表面，用于对发出的光起到隔离的作用，以减少光线的串扰。图案化的金属层4材料具体为铝Al、铜Cu、银Ag等金属材料中任一种或者其组合。例如，可以是由Cu一种材料构成图案化的金属层4，可以是由Al一种材料构成图案化的金属层4，可以是由其他某种金属材料构成图案化的金属层4，还可以是几种金属材料组成的混合物构成的图案化的金属层4，只要每一部分的图案化的金属层4中的各个金属的组份均相同(占比相同)即可，因此图案化的金属层4可以一次成型，制备的方法简单，节省了生产时间和成本。
步骤S4：在第二半导体层上制作欧姆接触层。
参阅图10，图10为步骤S4的具体结构示意图。其中，在第二半导体层303上设置欧姆接触层7，通过设置欧姆接触层7，以提升第二半导体层303的电性接触性能。
步骤S5：在外延结构之间的第一间隙中制作遮光层，并在电极层的位置进行第一开口的预留。
参阅图11，图11为步骤S5的具体结构示意图。其中，遮光层5覆盖外延层3和图案化的金属层4，且填充在多个第一间隙A内，遮光层5为第二层可以起到隔离光的作用层，用于进一步对光进行隔离，防止光线之间的串扰，避免对发光层302造成不良的影响，同时遮光层5与外延结构W对应的位置还具有第一开口C。
步骤S6：在第一开口的位置沉积电极层。
参阅图12，图12为步骤S6的具体结构示意图。其中，电极层6包括一个第一电极601和多个第二电极602，第一电极601贯穿设置于第一开口C内且与图案化的金属层4电连接，第二电极602贯穿设置于第一开口C内且与第二半导体层303电连接。在具体的实施例中，电极层6用于和驱动背板20之间进行键合。
步骤S7：将步骤S6得到的结构翻转并与驱动背板进行键合后，去除衬底。
参阅图13，图13为步骤S7的具体结构示意图。
步骤S8：在缓冲层位置朝向图案化的金属层的一侧制作第二开口，并在第二开口内填充黑色矩阵层。
参阅图14，图14为步骤S8的具体结构示意图。其中，黑色矩阵层9设置于保护层1靠近缓冲层2的一侧，缓冲层2具有第二开口D，黑色矩阵层9穿过第二开口D与图案化的金属层4接触，黑色矩阵层9为第三层可以起到隔离光的作用层，用于进一步对光进行隔离，以免发生漏光和光线串扰的现象。
步骤S9：在步骤S9的结构上制作量子点层和保护层。
参阅图15，图15为步骤S9的具体结构示意图。其中，黑色矩阵之间设置量子点层8；量子点层8设置在保护层1和缓冲层2之间，且对应外延结构W设置。具体的，量子点层8远离外延层3的表面不低于黑色矩阵层9远离外延层3的表面。
在具体的实施例中，量子点层8可以为红色、绿色或蓝色量子点层，由此可实现全彩化的显示。本实施例以蓝光外延结构为例子进行说明，则该发光芯片结构10中量子点层8包括红色量子点层和绿色量子点层，用于实现全彩化显示。
对于本领域技术人员而言，显然本申请不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本申请的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本申请。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本申请的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的得同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本申请内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种发光芯片结构，其特征在于，包括：
保护层；
缓冲层，设置于所述保护层的一侧；
外延层，设置于所述缓冲层的一侧，且具有多个第一间隙；多个所述第一间隙将所述外延层分割为多个外延结构；每个所述外延结构包括依次层叠设置于所述缓冲层一侧的第一半导体层、发光层和第二半导体层；其中，所述第一半导体层的侧面具有凸出部；
图案化的金属层，一部分设置于多个所述第一间隙的底部以覆盖所述凸出部和通过多个所述第一间隙暴露的部分所述缓冲层，另一部分设置于所述发光芯片结构边缘处的所述外延结构的侧面和远离所述缓冲层的表面；
遮光层，覆盖所述外延层和所述图案化的金属层，且填充在多个所述第一间隙内；所述遮光层与所述外延结构对应的位置具有第一开口；
电极层，包括至少一个第一电极和多个第二电极；所述第一电极贯穿设置于所述第一开口内且与所述图案化的金属层电连接，所述第二电极贯穿设置于所述第一开口内且与所述第二半导体层电连接。
2.根据权利要求1所述的发光芯片结构，其特征在于，所述第一半导体层包括位于所述发光层和所述缓冲层之间的本体部和位于所述本体部侧面的所述凸出部，所述凸出部的厚度小于所述本体部的厚度。
3.根据权利要求1所述的发光芯片结构，其特征在于，所述缓冲层通过所述第一间隙暴露的表面具有凹槽，所述图案化的金属层覆盖所述凹槽的底面及其侧面。
4.根据权利要求3所述的发光芯片结构，其特征在于，所述缓冲层通过所述第一间隙暴露的表面整体凹陷形成所述凹槽。
5.根据权利要求1所述的发光芯片结构，其特征在于，所述图案化的金属层为单一材料形成。
6.根据权利要求1所述发光芯片结构，其特征在于，所述第一半导体层为N型层，所述第二半导体层为P型层；所述P型层和所述第二电极之间还设有欧姆接触层。
7.根据权利要求1所述的发光芯片结构，其特征在于，所述发光芯片结构还包括多个量子点层，所述量子点层设置在所述保护层和所述缓冲层之间且对应所述外延结构设置。
8.根据权利要求7所述的发光芯片结构，其特征在于，还包括黑色矩阵层；所述黑色矩阵层设置于所述保护层靠近所述缓冲层的一侧且位于相邻所述量子点层之间的第二间隙中。
9.根据权利要求8所述的发光芯片结构，其特征在于，所述缓冲层对应第一间隙处具有第二开口，所述黑色矩阵层穿过所述第二开口与所述图案化的金属层接触，所述量子点层远离所述外延层的表面不低于所述黑色矩阵层远离所述外延层的表面。
10.一种显示装置，其特征在于，包括驱动背板和发光芯片结构；所述发光芯片结构为根据权利要求1-9中任一项所述的发光芯片结构；所述驱动背板与电极层键合连接。
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