CN116544333A - 一种显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示装置，包括：驱动基板和位于驱动基板之上的显示单元。显示单元包括至少两个出射光颜色相同的发光芯片和至少一个位于发光芯片背离驱动基板一侧的颜色转换层。颜色转换层用于在发光芯片的出射光的激发下出射其它颜色的光；各发光芯片背离驱动基板的一侧均与公共电极电连接，构成共电极结构。一个显示单元中的各发光芯片结构均相同，配合颜色转换层可以出射不同颜色的光，可以作为显示单元的一个像素单元，只需要一次巨量转移就可以完成转移步骤，有效提高巨量转移的效率以及良率。

Description

一种显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)显示技术是指以发光二极管作为显示器件的显示技术。由于Micro LED(Micro Light Emitting Diode，简称Micro LED)继承了传统发光二极管的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，并且具自发光无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势，采用Micro LED直显技术得到大力发展。Micro LED未来在公共显示、TV、车载，商显、手机等方面有广阔的应用前景，是未来重要显示技术。

目前Micro LED显示技术，需要制备三色芯片，还需要将三色芯片巨量到驱动背板才能实现全彩显示。红光倒装芯片的制程复杂、价格昂贵；而三色芯片移则需要三次巨量转移，巨量转移成本昂贵，且良率问题以及像素内三色光芯片的相对位置问题难以解决。

发明内容

本发明一些实施例中，显示装置包括：驱动基板和位于驱动基板之上的显示单元。显示单元包括至少两个出射光颜色相同的发光芯片和至少一个位于发光芯片背离驱动基板一侧的颜色转换层。颜色转换层用于在发光芯片的出射光的激发下出射其它颜色的光；各发光芯片背离驱动基板的一侧均与公共电极电连接，构成共电极结构。一个显示单元中的各发光芯片结构均相同，配合颜色转换层可以出射不同颜色的光，可以作为显示单元的一个像素单元，只需要一次巨量转移就可以完成转移步骤，有效提高巨量转移的效率以及良率。

本发明一些实施例中，一个显示单元可以包括三个发光芯片，三个发光芯片均为蓝光芯片，用于出射蓝色光。具体的可以采用蓝光Micro LED芯片，蓝光Micro LED芯片的尺寸在100μm以下。

本发明一些实施例中，一个显示单元中的三个发光芯片分别为第一发光芯片、第二发光芯片和第三发光芯片。颜色转换层包括红色转换层和绿色转换层。其中，第一发光芯片的出光侧设置红色转换层；第二发光芯片的出光侧设置绿色转换层；第三发光芯片的出光侧设置光学颗粒层，用于保持第三发光芯片最终的出射光的光学效果一致。第一发光芯片激发红色转换层出射红色光，作为红色子像素；第二发光芯片激发绿色转换层出射绿色光，作为绿色子像素；第三发光芯片经过光学颗粒层仍出射蓝色光，作为蓝色子像素。由此一个显示单元可以作为一个像素单元使用。

本发明一些实施例中，颜色转换层可以采用量子点材料，其中红色转换层可以采用红色量子点材料，绿色转换层可以采用绿色量子点材料，以使显示单元具有较高色域。除此之外，颜色转换层还可以采用荧光材料等具体颜色转换功能的材料。

本发明一些实施例中，颜色转换层采用具有波长转换性质的材料，而颜色转换层的转化效率并不是100％，因此激发出的红色光和绿色光相比于蓝色光的强度更弱，因此为了削弱蓝色光的出光强度，光学颗粒层可以采用基质中分散具有吸光性质的颗粒，从而降低蓝色光的出光强度。

本发明一些实施例中，红色转换层和绿色转换层采用量子点材料，因此为了使第三发光芯片经过光学颗粒层之后的出射光的光学性质一致，光学颗粒层可以采用基质中分散散射粒子。

本发明一些实施例中，同一个显示单元中的各发光芯片采用共电极结构。显示单元还包括与各发光芯片并排排列的公共电极，公共电极与各发光芯片均位于显示单元的同一侧。显示单元中的各发光芯片的结构相同，且采用垂直芯片结构，其中各发光芯片背离驱动基板的一侧采用共电极结构，可以简化显示单元的结构，同时简化与驱动基板之间的连接关系。

本发明一些实施例中，同一个显示单元中相邻的发光芯片之间，以及公共电极与相邻的发光芯片之间均相距设定距离，从而使得相邻的发光芯片之间，以及公共电极与相邻的发光芯片之间形成沟槽，通过在公共电极背离驱动基板的一侧覆盖导电层，可以使导电层填充于相邻的发光芯片之间以及公共电极与相邻发光芯片之间，从而使导电层与各发光芯片背离驱动基板的一侧相接触，形成共电极结构。

本发明一些实施例中，发光芯片和公共电极均包括：外延结构。其中，外延结构包括：第一掺杂层、发光层和第二掺杂层。第一掺杂层位于靠近驱动基板的一侧；发光层位于第一掺杂层背离驱动基板的一侧；第二掺杂层位于发光层背离第一掺杂层的一侧。

本发明一些实施例中，发光芯片在外延结构面向驱动基板的一侧还设置有第一电极，第一电极用于与驱动基板电连接。公共电极在外延结构面向驱动基板的一侧还设置有第二电极，第二电极用于与驱动基板电连接。第一电极和第二电极可以采用一次工艺制备，而第一电极和第二电极互不接触，两者相互绝缘。

本发明一些实施例中，公共电极中的第一掺杂层和发光层包括多个暴露第二掺杂层的通孔，第二电极通过通孔与第二掺杂层相接触。导电层覆盖于公共电极的第二掺杂层之上，并与显示单元中的各发光芯片的第二掺杂层相接触。在制作公共电极时，仍然保留了外延结构，这样可以使各发光芯片与公共电极的制程相同，不需要增加新的工艺。在形成外延结构之后，对公共电极区域的第一掺杂层和发光层进行打孔，这样在形成第二电极时才能使第二电极与第二掺杂层相接触，同时可以使第二电极和第一电极的高度一致，有利于与驱动基板进行键合。

本发明一些实施例中，发光芯片面向驱动基板一侧的边缘为阶梯状结构。该阶梯状结构一方面可以将不同的显示单元在经过剥离衬底的阶段相互分离开，一方面可以使显示单元中各发光芯片之间以及公共电极与发光芯片之间形成沟槽。

本发明一些实施例中，显示单元在面向驱动基板的一侧还包括绝缘层，绝缘层覆盖各发光芯片和公共电极面向驱动基板一侧的表面以及各发光芯片和公共电极的侧面。绝缘层暴露出各发光芯片的第一电极以及公共电极的第二电极，以使第一电极和第二电极面向驱动基板一侧的表面均凸出于绝缘层面向驱动基板一侧的表面，便于第一电极与第二电极和驱动基板焊接。

本发明一些实施例中，位于相邻的发光芯片之间以及位于公共电极与相邻的发光芯片之间的绝缘层背离驱动基板一侧的表面低于发光芯片和公共电极背离驱动基板一侧的表面，从而在相邻的发光芯片之间以及公共电极与相邻的发光芯片之间形成连通隔离沟槽。导电层覆盖于公共电极的第二掺杂层的表面的同时可以填充于连通隔离沟槽中，从而与各发光芯片的第二掺杂层的侧面相接触，以使公共电极将各发光芯片的各第二掺杂层连通在一起，形成共电极结构。采用不透光的金属材料形成导电层一方面可以起到电连接的作用，另一方面还可以阻隔相邻的发光芯片之间光线的串扰。

本发明一些实施例中，显示单元在面向驱动基板的一侧还包括隔离层，隔离层覆盖绝缘层面向驱动基板一侧的表面；且隔离层面向驱动基板一侧表面与绝缘层距离驱动基板最近的表面齐平。隔离层通常可以采用分散有二氧化钛的有机采用进行制作，用于在相邻的发光芯片之间形成白墙，可以隔离各发光芯片之间的出射光，同时又具有反光的作用，从而可以提高光线的利用率。

本发明一些实施例中，显示单元还包括：位于各发光芯片和公共电极背离驱动基板一侧的保护层。保护层覆盖显示单元中所有的发光芯片及公共电极背离驱动基板一侧的表面，起到绝缘保护的作用。由于显示单元的表面形成了保护层，因此在对各显示单元进行巨量转移之后可以省略对其进行封装的步骤，简化工艺步骤。

本发明一些实施例中，由于巨量转移工艺的限制，目前通过三次巨量转移的显示装置中，相邻的发光芯片之间的间距至少为10μm。而本发明实施例提供的显示装置采用一次转移的显示单元，显示单元中各发光芯片采用半导体刻蚀工艺制作，因此同一个显示单元中发光芯片之间的间距可以缩小到2μm～10μm，达到缩小单个像素单元的效果，可以在有限的空间设置更多的像素单元，从而提高显示装置的PPI。

本发明一些实施例中，在同一个显示单元中各发光芯片的尺寸不完全相等。显示单元中各发光芯片的尺寸可以结合颜色转换层的转换效率以及显示装置需要的白平衡参数进行调节。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所介绍的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的显示单元的俯视结构示意图；

图3为沿图2中x1方向的显示装置的截面结构示意图；

图4为沿图2中x2方向的显示装置的截面结构示意图；

图5为沿图2中x3方向的显示装置的截面结构示意图；

图6为沿图2中x4方向的显示装置的截面结构示意图。

其中，1-驱动基板，2-显示单元，21-发光芯片，21r-第一发光芯片，21g-第二发光芯片，21b-第三发光芯片，22-公共电极，23-颜色转换层，23r-红色转换层，23g-绿色转换层，23b-光学颗粒层，24-导电层，25-绝缘层，26-隔离层，27-保护层，211-外延结构，a-第一掺杂层，b-发光层，c-第二掺杂层，e1-第一电极，e2-第二电极，s-隔离沟槽。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)显示技术是指以发光二极管作为显示器件的显示技术。Micro LED是指微缩化的发光二极管芯片，一般情况下，Micro LED的尺寸为微米量级，例如，Micro LED的尺寸小于100μm。当Micro LED芯片的尺寸缩小到像素级别，可以直接采用Micro LED作为发光单元直接用于图像显示。

Micro LED显示技术指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，可实现每一个像素单独定址、单独驱动发光。因Micro LED具有功耗低、寿命长、高稳定性和自发光无需背光源的特点，更加具有节能、高集成化等优势，可被应用于几乎所有的主流显示领域，被认为是未来显示技术的理想形式。

Micro LED显示装置的典型结构一般包括驱动基板和发光芯片。目前的Micro LED显示装置通常需要将发光芯片和驱动基板分别采用不同的工艺分别制作，在制作完成发光芯片和驱动基板之后，需通过巨量转移技术将千万颗甚至上亿颗发光芯片转移至驱动基板上。

当Micro LED显示装置用于全彩显示时，一个像素单元包括三个分别发出红色光、绿色光和蓝色光的子像素。目前的全彩显示，需要在驱动基板上设置蓝光芯片、红光芯片和绿光芯片。红光倒装芯片的制程复杂、价格昂贵；而三色芯片移则需要三次巨量转移，巨量转移成本昂贵，且良率问题以及像素内三色光芯片的相对位置问题难以解决。

有鉴于此，本发明实施例提供一种显示装置，可以减少巨量转移次数，同时有助于发光芯片实现更小的间距，缩小了一个像素单元的体积。

图1为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。

如图1所示，显示装置包括：驱动基板1和位于驱动基板上的多个显示单元2。

驱动基板1位于显示装置的底部，通常情况下其尺寸与显示装置的整体尺寸相适应，驱动基板1的尺寸略小于显示装置的尺寸。

驱动基板1的形状与显示装置的整体形状相同，通常情况下，可以设置为矩形或方形。当显示装置为异形显示装置时，驱动基板的形状可以适应性设置为其它形状，在此不做限定。

驱动基板1可以采用目前成熟的薄膜工艺进行制作，驱动基板1可以制作为有源驱动基板。驱动基板1用于提供驱动信号。

在一些实施例中，显示装置也可以包括多个驱动基板1，驱动基板1之间通过拼接方式共同为显示装置提供驱动信号。为了避免驱动基板1拼接带来的光学问题，相邻驱动基板1之间的拼缝尽量做到较小，甚至实现无缝拼接。

显示单元2位于驱动基板1之上，与驱动基板1电连接。显示单元2作为用于图像显示的像素单元。为了实现全彩显示，一个显示单元需要包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。

在本发明实施例中，显示单元2中至少包括两个发光芯片21，这些发光芯片21均位于显示单元的同一侧，且与驱动基板1电连接。一个显示单元2中的每个发光芯片21可以被驱动基板1独立驱动。

显示装置中的各显示单元2中包括的各发光芯片21的出射光的颜色相同，在此基础之上，每个显示单元2包括至少一个颜色转换层23，颜色转换层23分别位于不同的发光芯片21背离驱动基板1的一侧，颜色转换层23用于在发光芯片的出射光的激发下出射其它颜色的光。由此采用色彩转换方案使一个显示单元可以出射不同颜色的光，进而实现全彩显示。

图2为本发明实施例提供的显示单元的俯视结构示意图，图3-图6分别为沿图2中的x1、x2、x3和x4方向的显示单元的截面结构示意图。

在本发明实施例中，如图2-图6所示，一个显示单元可以包括三个发光芯片，分别为第一发光芯片21r、第二发光芯片21g和第三发光芯片21b。三个发光芯片均为蓝光芯片，用于出射蓝色光。具体的可以采用蓝光Micro LED芯片，蓝光Micro LED芯片的尺寸在100μm以下。

进一步地，颜色转换层包括红色转换层23r和绿色转换层23g。其中，第一发光芯片21r的出光侧设置红色转换层23r；第二发光芯片21g的出光侧设置绿色转换层23g；第三发光芯片21b的出光侧设置光学颗粒层23b，用于保持第三发光芯片21b最终的出射光的光学效果一致。第一发光芯片21r激发红色转换层23r出射红色光，作为红色子像素；第二发光芯片21g激发绿色转换层23g出射绿色光，作为绿色子像素；第三发光芯片21b经过光学颗粒层23b仍出射蓝色光，作为蓝色子像素。由此一个显示单元可以作为一个像素单元使用。

在具体实施时，颜色转换层可以采用量子点材料，其中红色转换层23r可以采用红色量子点材料，绿色转换层23g可以采用绿色量子点材料，以使显示单元具有较高色域。除此之外，颜色转换层还可以采用荧光材料等具体颜色转换功能的材料，在此不做限定。

光学颗粒层23b根据作为蓝色子像素的第三发光芯片21b的出光性质可以选择不同的材料进行制作。

在一些实施例中，颜色转换层采用具有波长转换性质的材料，而颜色转换层的转化效率并不是100％，因此激发出的红色光和绿色光相比于蓝色光的强度更弱，因此为了削弱蓝色光的出光强度，光学颗粒层23b可以采用基质中分散具有吸光性质的颗粒(例如，黑色颗粒)，从而降低蓝色光的出光强度。

在一些实施例中，红色转换层23r和绿色转换层23g采用量子点材料，因此为了使第三发光芯片21b经过光学颗粒层23b之后的出射光的光学性质一致，光学颗粒层23b可以采用基质中分散散射粒子，在此不做限定。

在本发明实施例中，同一个显示单元中的各发光芯片采用共电极结构。如图2所示，显示单元还包括与各发光芯片并排排列的公共电极22。公共电极22与各发光芯片均位于显示单元的同一侧。显示单元中的各发光芯片的结构相同，且采用垂直芯片结构，其中各发光芯片背离驱动基板的一侧采用共电极结构，可以简化显示单元的结构，同时简化与驱动基板之间的连接关系。

如图2-图6所示，同一个显示单元中相邻的发光芯片之间(例如，21r和21b之间、21b与21g之间)，以及公共电极22与相邻的发光芯片之间(例如，22与21r之间，22与21g之间)均相距设定距离，从而使得相邻的发光芯片之间，以及公共电极22与相邻的发光芯片之间形成沟槽，通过在公共电极22背离驱动基板的一侧覆盖导电层24，可以使导电层24填充于相邻的发光芯片之间以及公共电极与相邻发光芯片之间，从而使导电层24与各发光芯片背离驱动基板的一侧相接触，形成共电极结构。

具体地，如图3-图6所示，发光芯片(21r、21g和21b)和公共电极22均包括：外延结构211。其中，外延结构211包括：第一掺杂层a、发光层b和第二掺杂层c。

第一掺杂层a位于靠近驱动基板的一侧；发光层b位于第一掺杂层a背离驱动基板的一侧；第二掺杂层c位于发光层b背离第一掺杂层a的一侧。

在具体实施时，可使用气相沉积法依次在衬底上形成第一掺杂层a、发光层b和第二掺杂层c。其中，第一掺杂层a和第二掺杂层c可使用相同的材料，例如氮化镓等，分别进行N型掺杂和P型掺杂得到。在本发明实施例中，第一掺杂层a为P型掺杂层，第二掺杂层c为N型掺杂层。发光层b可以采用多量子阱层。

如图3-图6所示，发光芯片(21r、21g和21b)在外延结构211面向驱动基板的一侧还设置有第一电极e1，第一电极用于与驱动基板电连接。

公共电极22在外延结构211面向驱动基板的一侧还设置有第二电极e2，第二电极用于与驱动基板电连接。在本发明实施例中，第一电极e1和第二电极e2可以采用一次工艺制备，而第一电极e1和第二电极e2互不接触，两者相互绝缘。

如图3和图6所示，公共电极22中的第一掺杂层a和发光层b包括多个暴露第二掺杂层c的通孔，第二电极e2通过通孔与第二掺杂层c相接触。导电层24覆盖于公共电极22的第二掺杂层c之上，并与显示单元中的各发光芯片(21r、21g和21b)的第二掺杂层c相接触。

本发明实施例在制作公共电极22时，仍然保留了外延结构211，这样可以使各发光芯片与公共电极的制程相同，不需要增加新的工艺。在形成外延结构211之后，对公共电极22区域的第一掺杂层a和发光层b进行打孔，这样在形成第二电极e2时才能使第二电极e2与第二掺杂层c相接触，同时可以使第二电极e2和第一电极e1的高度一致，有利于与驱动基板进行键合。

如图3-图6所示，在本发明实施例中，发光芯片(21r、21g和21b)面向驱动基板一侧的边缘为阶梯状结构。在制作过程中可以在形成整体和外延结构之后采用平面刻蚀以及沟槽刻蚀等方式形成发光芯片边缘的阶梯状结构。该阶梯状结构一方面可以将不同的显示单元在经过剥离衬底的阶段相互分离开，一方面可以使显示单元中各发光芯片之间以及公共电极与发光芯片之间形成沟槽。

显示单元在面向驱动基板的一侧还包括绝缘层25，绝缘层25覆盖各发光芯片(21r、21g和21b)和公共电极22面向驱动基板一侧的表面以及各发光芯片(21r、21g和21b)和公共电极22的侧面。绝缘层25暴露出各发光芯片的第一电极e1以及公共电极的第二电极e2，以使第一电极e1和第二电极e2面向驱动基板一侧的表面(即图3-图6中的下表面)均凸出于绝缘层25面向驱动基板一侧的表面(即图3-图6中的下表面)，便于第一电极e1与第二电极e2和驱动基板焊接。

在具体实施时，绝缘层25可以采用二氧化硅等材料进行制作，在此不做限定。

如图3-图6所示，位于相邻的发光芯片之间(21r和21b之间，21b和21g之间)以及位于公共电极22与相邻的发光芯片之间(22与21r之间，22与21g之间)的绝缘层25背离驱动基板一侧的表面(即图3-图6中的上表面)低于发光芯片(21r、21g和21b)和公共电极22背离驱动基板一侧的表面(即图3-图6中的上表面)，从而在相邻的发光芯片之间(21r和21b之间，21b和21g之间)以及公共电极22与相邻的发光芯片之间(22与21r之间，22与21g之间)形成连通隔离沟槽s。导电层覆盖于公共电极的第二掺杂层的表面的同时可以填充于连通隔离沟槽s中，从而与各发光芯片(21r、21g和21b)的第二掺杂层的侧面相接触，以使公共电极22将各发光芯片(21r、21g和21b)的各第二掺杂层连通在一起，形成共电极结构。

显示单元在面向驱动基板的一侧还包括隔离层26，隔离层26覆盖绝缘层25面向驱动基板一侧的表面；且隔离层26面向驱动基板一侧表面(即图3-图6中的下表面)与绝缘层25距离驱动基板最近的表面齐平。

本发明实施例中，在显示单元的两侧分别形成导电层24和隔离层26。其中，导电层24可以采用不透光的金属材料进行制作。采用不透光的金属材料形成导电层24一方面可以起到电连接的作用，另一方面还可以阻隔相邻的发光芯片之间光线的串扰。而隔离层26通常可以采用分散有二氧化钛的有机采用进行制作，用于在相邻的发光芯片之间形成白墙，可以隔离各发光芯片之间的出射光，同时又具有反光的作用，从而可以提高光线的利用率。

如图3-图6所示，显示单元还包括：位于各发光芯片和公共电极背离驱动基板一侧的保护层27。保护层覆盖显示单元中所有的发光芯片及公共电极背离驱动基板一侧的表面，起到绝缘保护的作用。在具体实施时，保护层27可以采用透明有机树脂等材料，在此不做限定。

采用本发明实施例提供的上述显示单元结构，显示单元中的各发光芯片可以均采用目前较为成熟的蓝光芯片工艺进行制作，配合颜色转换层在一个显示单元中集成了红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，因此一个显示单元可以作为一个像素单元来使用。在巨量转移的过程中，不再需要分别对红光芯片、绿光芯片以及蓝光芯片进行三次转移，只需要进行一次巨量转移即可，有效提高巨量转移的效率以及良率。

由于显示单元的表面形成了保护层，因此在对各显示单元进行巨量转移之后可以省略对其进行封装的步骤，简化工艺步骤。

与此同时，由于巨量转移工艺的限制，目前通过三次巨量转移的显示装置中，相邻的发光芯片之间的间距至少为10μm。而本发明实施例提供的显示装置采用一次转移的显示单元，显示单元中各发光芯片采用半导体刻蚀工艺制作，因此同一个显示单元中发光芯片之间的间距可以缩小到2μm～10μm，达到缩小单个像素单元的效果，可以在有限的空间设置更多的像素单元，从而提高显示装置的PPI。

值得注意的是，如图2所示，在同一个显示单元中各发光芯片的尺寸不完全相等。显示单元中各发光芯片的尺寸可以结合颜色转换层的转换效率以及显示装置需要的白平衡参数进行调节，本发明实施例不对各发光芯片之间的大小关系进行具体限定。

以图2所示的结构为例，考虑到显示单元中作为红色子像素和作为绿色子像素的发光芯片需要激发颜色转换层进行颜色转换之后得到，而颜色转换层的转换效率并不是100％，因此，将作为蓝色子像素的第三发光芯片21b的出射光能量相对较高，因此在制作显示单元时，可以将第一发光芯片21r和第二发光芯片21g的尺寸制作得相对于第三发光芯片21b更大，以提高红色光和绿色光在显示单元出射光中的比例。

在实际应用中，还需要考虑显示装置的白平衡参数来配比红色光、绿色光以及蓝色光的比例，因此上述三个发光芯片之间的大小关系可能会发生变化，在此不做限定。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：

驱动基板，用于提供驱动信号；

多个显示单元，位于所述驱动基板之上，与所述驱动基板电连接；

所述显示单元包括：

至少两个发光芯片，位于所述显示单元的同一侧，与所述驱动基板电连接；各所述发光芯片的出射光的颜色相同；

至少一个颜色转换层，各所述颜色转换层分别位于不同的所述发光芯片背离所述驱动基板的一侧，所述颜色转换层用于在所述发光芯片的出射光的激发下出射其它颜色的光；

公共电极，与各所述发光芯片位于所述显示单元的同一侧，与所述驱动基板电连接；各所述发光芯片背离所述驱动基板的一侧与所述公共电极电连接。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示单元包括三个发光芯片，所述发光芯片用于出射蓝色光；

所述颜色转换层包括：红色转换层和绿色转换层；所述红色转换层和所述绿色转换层分别位于两个所述发光芯片背离所述驱动基板的一侧。

3.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，同一个所述显示单元中相邻的所述发光芯片之间，以及所述公共电极与相邻的所述发光芯片之间均相距设定距离；

所述显示单元还包括：导电层，覆盖于所述公共电极背离所述驱动基板的一侧；所述导电层填充于相邻的所述发光芯片之间以及所述公共电极与相邻所述发光芯片之间；所述导电层与各所述发光芯片背离所述驱动基板的一侧相接触。

4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，同一个所述显示单元中相邻的所述发光芯片之间相距2μm～10μm。

5.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述发光芯片和所述公共电极均包括：外延结构；

所述发光芯片在所述外延结构面向所述驱动基板的一侧还设置有第一电极，所述第一电极与所述驱动基板电连接；

所述公共电极在所述外延结构面向所述驱动基板的一侧还设置有第二电极，所述第二电极与所述驱动基板电连接；

其中，所述公共电极的第二电极与所述发光芯片的第一电极相互绝缘。

6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述外延结构包括：

第一掺杂层，位于靠近所述驱动基板的一侧；

发光层，位于所述第一掺杂层背离所述驱动基板的一侧；

第二掺杂层，位于所述发光层背离所述第一掺杂层的一侧；

其中，所述导电层与所述显示单元中的各所述发光芯片的第二掺杂层相接触；

所述公共电极中的第一掺杂层和发光层包括多个暴露第二掺杂层的通孔，所述第二电极通过所述通孔与所述第二掺杂层相接触。

7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述发光芯片面向所述驱动基板一侧的边缘为阶梯状结构；

所述显示单元还包括：绝缘层，覆盖各所述发光芯片和所述公共电极面向所述驱动基板一侧的表面以及各所述发光芯片和所述公共电极的侧面；所述绝缘层暴露出所述第一电极和所述第二电极，所述第一电极和所述第二电极面向所述驱动基板一侧的表面均凸出于所述绝缘层面向所述驱动基板一侧的表面；

位于相邻的所述发光芯片之间以及位于所述公共电极与相邻的所述发光芯片之间的所述绝缘层背离所述驱动基板一侧的表面低于所述发光芯片和所述公共电极背离所述驱动基板一侧的表面，以在相邻的所述发光芯片之间以及所述公共电极与相邻的所述发光芯片之间形成连通隔离沟槽；所述导电层填充于所述连通隔离沟槽中，所述导电层采用金属材料。

8.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述显示单元还包括：隔离层，覆盖所述绝缘层面向所述驱动基板一侧的表面；所述隔离层面向所述驱动基板一侧表面与所述绝缘层距离所述驱动基板最近的表面齐平；

所述隔离层用于隔离各所述发光芯片之间的出射光。

9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述显示单元还包括：保护层，位于各所述发光芯片和所述公共电极背离所述驱动基板的一侧。

10.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，同一个所述显示单元中各所述发光芯片的尺寸不完全相等。