CN221008955U - Micro-LED显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种Micro‑LED显示面板及显示装置。本实用新型的每一所述子像素均包括依次层叠设置的第一外延片、第一电荷生成层、第二外延片、第二电荷生成层以及第三外延片，通过蚀刻工艺蚀刻出多个相互间隔的子像素，进而可以实现高解析度的Micro‑LED显示面板。本实用新型采用第一电荷生成层电连接所述第一外延片和所述第二外延片；采用第二电荷生成层电连接所述第二外延片和所述第三外延片，进而避免复杂的线路打孔对Micro‑LED显示面板的光效和良率带来的不良影响。本实用新型利用彩色滤光片实现Micro‑LED显示面板的全彩化显示效果，避免现有技术中采用量子点进行色转换的方案无法进行产品化的问题。

Description

Micro-LED显示面板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种Micro-LED显示面板及显示装置。

背景技术

相比于已经大规模量产的液晶显示(Liquid Crystal Display，简称LCD)技术和有机电激光显示(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)技术，微发光二极管显示(Micro Light Emitting Diode Display，简称Micro-LED)技术亮度更高，发光效率更好，功率更低。并且具有自发光无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势，为OLED显示技术之后另一具轻薄及省电优势的显示技术。尤其是在AR显示领域，Micro-LED的高亮度性能，使得其成为AR显示应用上最被看好的技术。

然而在全彩化显示上，高解析度的Micro-LED面临着巨大的挑战。主要在于以下几个方面：1、常规的三色巨量转移方案无法满足高解析度的要求(PPI>2000)。2、高亮度的蓝光对量子点(Quantum Dots，简称QD)材料带来了不可逆的破坏，导致目前采用量子点进行色转换的方案无法进行产品化。3、目前的垂直堆叠的方案中相邻的外延片之间需要复杂的电路连接工艺，对外延片的破坏很大，导致Micro-LED的光效和良率无法满足实际应用需求。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种Micro-LED显示面板及显示装置，其能够解决现有技术中存在的无法实现高解析度的全彩化显示的问题。

为了解决上述问题，本实用新型提供一种Micro-LED显示面板，其包括：驱动基板；发光层，其包括多个相互间隔设置的子像素，所述子像素与所述驱动基板电连接；每一所述子像素均包括依次层叠设置的第一外延片、第一电荷生成层、第二外延片、第二电荷生成层以及第三外延片；所述第一电荷生成层电连接所述第一外延片和所述第二外延片；所述第二电荷生成层电连接所述第二外延片和所述第三外延片。

进一步的，所述第一外延片、第二外延片以及第三外延片分别具有第一P型掺杂侧、第二P型掺杂侧以及第三P型掺杂侧；所述第一P型掺杂侧b背向所述第一电荷生成层，所述第二P型掺杂侧朝向所述第一电荷生成层，所述第三P型掺杂侧朝向所述第二电荷生成层。

进一步的，所述第一外延片、第二外延片以及第三外延片均包括红色外延片、绿色外延片以及蓝色外延片中的一种，所述第一外延片、第二外延片以及第三外延片的发光颜色互不相同。

进一步的，所述第三外延片为红色外延片。

进一步的，每一所述子像素还包括：第一导电层，设置于所述第一电荷生成层与所述第二外延片之间；和/或，第二导电层，设置于所述第二电荷生成层与所述第三外延片之间。

进一步的，Micro-LED显示面板还包括：反射层，设置于所述第一外延片远离所述第二外延片的一侧，所述反射层上设有多个与所述子像素一一对应的第一通孔；多个第一电极，一一对应设置于所述第一通孔内，且电连接于所述第一外延片；钝化层，设置于所述发光层远离所述反射层的一侧，且填充于相邻两个所述子像素之间的间隙内，所述钝化层上设有多个与所述子像素一一对应的第二通孔；第二电极，设置于所述钝化层远离所述反射层的一侧，且填充于所述第二通孔内；多个第三电极，相互间隔设置于所述驱动基板上，所述驱动基板包括多个驱动器件，所述第三电极和所述驱动器件电连接，所述第三电极一一对应电连接至所述第一电极。

进一步的，所述驱动基板包括TFT驱动基板及CMOS驱动基板中的一种。

进一步的，Micro-LED显示面板还包括：彩色滤光片，设置于所述第二电极远离所述发光层的一侧。

进一步的，所述彩色滤光片包括：衬底；黑色矩阵层，设置于所述衬底靠近所述第二电极的一侧；所述黑色矩阵层上设有多个与所述子像素一一对应的第三通孔；多个滤光单元，一一对应设置于所述第三通孔内。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种显示装置，其包括本实用新型所述的Micro-LED显示面板。

本实用新型的优点是：本实用新型将第一外延片、第一电荷生成层、第二外延片、第二电荷生成层以及第三外延片依次层叠设置，然后通过蚀刻工艺蚀刻出多个相互间隔的子像素，进而可以实现高解析度的Micro-LED显示面板。

本实用新型采用第一电荷生成层电连接所述第一外延片和所述第二外延片；采用第二电荷生成层电连接所述第二外延片和所述第三外延片，进而避免复杂的线路打孔对Micro-LED显示面板的光效和良率带来的不良影响。

本实用新型利用彩色滤光片实现Micro-LED显示面板的全彩化显示效果，避免现有技术中采用量子点进行色转换的方案无法进行产品化的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例1的Micro-LED显示面板的结构示意图；

图2是本实用新型实施例2和实施例3的在生长衬底上制备第一外延片的结构示意图；

图3是本实用新型实施例2和实施例3的在生长衬底上制备第二外延片的结构示意图；

图4是本实用新型实施例2和实施例3的在生长衬底上制备第三外延片的结构示意图；

图5是本实用新型实施例2和实施例3的去除第二外延片的生长衬底，并将第二外延片转移到第二临时载板上的结构示意图；

图6是本实用新型实施例2和实施例3的去除第三外延片的生长衬底，并将第三外延片转移到第三临时载板上的结构示意图；

图7是本实用新型实施例2的在第一外延片上制备反射层的结构示意图；

图8是本实用新型实施例2的在图7的基础上制备绝缘层和第一电极的结构示意图；

图9是本实用新型实施例2的在图8的基础上将第一电极和第三电极键合并去除第一外延片上的生长衬底的结构示意图；

图10是本实用新型实施例2的在图9的基础上制备第一电荷生成层的结构示意图；

图11是本实用新型实施例2的在图10的基础上键合第二外延片并去除第二临时载板的结构示意图；

图12是本实用新型实施例2的在图11的基础上制备第二电荷生成层的结构示意图；

图13是本实用新型实施例2的在图12的基础上键合第三外延片并去除第三临时载板的结构示意图；

图14是本实用新型实施例2和实施例3的蚀刻出多个相互间隔的子像素的结构示意图；

图15是本实用新型实施例2和实施例3的制备钝化层的结构示意图；

图16是本实用新型实施例2和实施例3的制备第二通孔的结构示意图；

图17是本实用新型实施例2和实施例3的制备第二电极的结构示意图；

图18是本实用新型实施例2和实施例3的制备平坦层的结构示意图；

图19是本实用新型实施例3的去除第一外延片的生长衬底，并将第一外延片转移到第一临时载板上的结构示意图；

图20是实用新型实施例3的在图19的基础上制备第一电荷生成层的结构示意图；

图21是实用新型实施例3的在图20的基础上键合第二外延片并去除第二临时载板的结构示意图；

图22是本实用新型实施例3的在图21的基础上制备第二电荷生成层的结构示意图；

图23是本实用新型实施例3的在图22的基础上键合第三外延片的结构示意图；

图24是本实用新型实施例3的在图23的基础上去除第一外延片上的第一临时载板的结构示意图；

图25是本实用新型实施例3的在图24的基础上在第一外延片上制备反射层的结构示意图；

图26是本实用新型实施例3的在图25的基础上制备绝缘层和第一电极的结构示意图；

图27是本实用新型实施例3的在图26的基础上将第一电极和第三电极键合并去除第三外延片上的第三临时载板的结构示意图。

附图标记说明：

100、Micro-LED显示面板；

1、发光层； 2、反射层；

3、第一电极； 4、钝化层；

5、第二电极； 6、驱动基板；

7、第三电极； 8、彩色滤光片；

9、绝缘层； 10、平坦层；

11、子像素； 12、生长衬底；

13、第二临时载板； 14、第三临时载板；

15、第一临时载板；

111、第一外延片； 112、第一电荷生成层；

113、第二外延片； 114、第二电荷生成层；

115、第三外延片；

1111、第一P型掺杂侧； 1112、第一N型掺杂侧；

1131、第二P型掺杂侧； 1132、第一N型掺杂侧；

1151、第三P型掺杂侧； 1152、第一N型掺杂侧；

21、第一通孔； 41、第二通孔；

81、衬底； 82、黑色矩阵层；

83、滤光单元；

821、第三通孔； 831、红色滤光单元

832、绿色滤光单元； 833、蓝色滤光单元。

具体实施方式

以下结合说明书附图详细说明本实用新型的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本实用新型的技术内容，以举例证明本实用新型可以实施，使得本实用新型公开的技术内容更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本实用新型。然而本实用新型可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本实用新型的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本实用新型的范围。

本实用新型所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是附图中的方向，本文所使用的方向用语是用来解释和说明本实用新型，而不是用来限定本实用新型的保护范围。

在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外，为了便于理解和描述，附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本实用新型并没有限定每个组件的尺寸和厚度。

本申请提供一种显示装置，其包括Micro-LED显示面板100。

实施例1

如图1所示，Micro-LED显示面板100包括：发光层1、反射层2、多个第一电极3、钝化层4、第二电极5、驱动基板6、多个第三电极7以及彩色滤光片8。

其中，驱动基板6设置于反射层2远离第一外延片111的一侧。其中，驱动基板6包括TFT驱动基板及CMOS驱动基板中的一种。驱动基板6包括多个驱动器件(图未示)。

其中，多个第三电极7相互间隔设置于所述驱动基板6上，所述第三电极7和所述驱动器件电连接，所述第三电极7一一对应电连接至所述第一电极3。具体的，每一所述第三电极7的一端均电连接至驱动基板6中的一个驱动器件，另一端均电连接至一个第一电极3。

其中，发光层1包括多个相互间隔的子像素11。所述子像素11与所述驱动基板6电连接。具体的，每一子像素11通过一个第一电极3电连接至一个第三电极7，第三电极7电连接至驱动基板6中的驱动器件，进而实现子像素11和驱动基板6的电连接。每一所述子像素11均包括依次层叠设置的第一外延片111、第一电荷生成层112、第二外延片113、第二电荷生成层114以及第三外延片115。将第一外延片111、第一电荷生成层112、第二外延片113、第二电荷生成层114以及第三外延片115依次层叠设置，然后通过蚀刻工艺蚀刻出多个相互间隔的子像素11，进而可以实现高解析度的Micro-LED显示面板100。

其中，第一电荷生成层112电连接所述第一外延片111和所述第二外延片113；所述第二电荷生成层114电连接所述第二外延片113和所述第三外延片115，进而避免复杂的线路打孔对Micro-LED显示面板100的光效和良率带来的不良影响。

其中，第一外延片111、第二外延片113以及第三外延片115分别具有第一P型掺杂侧1111、第二P型掺杂侧1131以及第三P型掺杂侧1151。具体的，第一外延片111包括依次层叠的第一N型掺杂层(图未示)、第一量子阱发光层(图未示)以及第一P型掺杂层(图未示)。第一外延片111的第一P型掺杂侧1111即为第一P型掺杂层远离第一量子阱发光层的一侧，第一外延片111的第一N型掺杂侧1112即为第一N型掺杂层远离第一量子阱发光层的一侧。同理，第二外延片113的第二P型掺杂侧1131即为第二P型掺杂层远离第二量子阱发光层的一侧，第二外延片113的第二N型掺杂侧1132即为第二N型掺杂层远离第二量子阱发光层的一侧；第三外延片115的第三P型掺杂侧1151即为第三P型掺杂层远离第三量子阱发光层的一侧，第三外延片115的第三N型掺杂侧1152即为第三N型掺杂层远离第三量子阱发光层的一侧。

进一步的，第一P型掺杂侧1111背向第一电荷生成层112，即朝向所述反射层2；所述第二的P型掺杂侧1131朝向所述第一电荷生成层112；所述第三P型掺杂侧1151朝向所述第二电荷生成层114。采用第一电荷生成层112电连接所述第一外延片111和所述第二外延片113；采用所述第二电荷生成层114电连接所述第二外延片113和所述第三外延片115，进而避免复杂的线路打孔对Micro-LED显示面板100的光效和良率带来的不良影响。

其中，每一所述子像素还包括：第一导电层(图未示)，设置于所述第一电荷生成层112与所述第二外延片113之间；和/或，第二导电层(图未示)，设置于所述第二电荷生成层114与所述第三外延片115之间。

本实施例中，第二P型掺杂侧1131的表面直接贴合于第一电荷生成层112远离第一外延片111的一侧的表面上。在其他实施例中，可以在第一电荷生成层112和第二外延片113之间设置第一导电层，增加第一电荷生成层112和第二外延片113之间的电连接性能。具体的，可以选择在第二P型掺杂侧1131的表面制备一层ITO再与第一电荷生成层112进行键合，也可以分别在第二P型掺杂侧1131的表面和第一电荷生成层112上分别制备一层键合金属，然后再将第二外延片113和第一电荷生成层112进行键合。

本实施例中，第三P型掺杂侧1151的表面直接贴合于第二电荷生成层114远离第一外延片111的一侧的表面上。在其他实施例中，可以在第二电荷生成层114和第三外延片115之间设置第一导电层，增加第二电荷生成层114和第三外延片115之间的电连接性能。具体的，可以选择在第三P型掺杂侧1151的表面制备一层ITO再与第二电荷生成层114进行键合，也可以分别在第三P型掺杂侧1151的表面和第二电荷生成层114上分别制备一层键合金属，然后再将第三外延片115和第二电荷生成层114进行键合。

其中，第一外延片111、第二外延片113以及第三外延片115均包括所述红色外延片、绿色外延片以及蓝色外延片中的一种，所述第一外延片111、第二外延片113以及第三外延片115的发光颜色互不相同。

本实施例中，第一外延片111、第二外延片113以及第三外延片115分别为蓝色外延片、绿色外延片以及红色外延片。由此，将红色外延片设于子像素11的最顶端，避免了红色外延片发出的红光在传输途径中的损失，避免现有技术中将红色外延片设于子像素11的最底端产生红色光效不足的现象。

其中，反射层2设置于所述第一外延片111远离所述第二外延片113的一侧。反射层2上设有多个与所述子像素11一一对应的第一通孔21。其中，反射层2可以是Au/Ag/Al/Mo/Cu等高反射率金属，也可以是其他具有反射功能的膜层。

其中，多个第一电极3一一对应设置于所述第一通孔21内，且电连接于所述第一外延片111。

本实施例中，反射层2的材质为金属，反射层2远离第一外延片111的一侧还设有绝缘层9，第一通孔21还贯穿绝缘层9。绝缘层9用于防止任意两个相邻的第一电极3之间发生短路现象。在其他实施例中，当反射层2的材质不导电时，也可以根据实际情况去除绝缘层。

其中，钝化层4设置于所述发光层1远离所述反射层2的一侧，且填充于相邻两个所述子像素11之间的间隙内。所述钝化层4上设有多个与所述子像素11一一对应的第二通孔41。其中，钝化层4用于防止相邻的子像素之间发生串扰。在其他实施例中，钝化层4可以替换为提升发光层1的出光效率的波导层。

其中，第二电极5设置于所述钝化层4远离所述反射层2的一侧，且填充于所述第二通孔41内。

本实施例中，Micro-LED显示面板100还包括平坦层10。平坦层10设置于第二电极5远离第一外延片111的一侧，用于为其上膜层制备提供一平整表面。本实施例中，平坦层10的材质为有机材料，平坦层10的厚度范围为0.5微米-2微米。

其中，彩色滤光片8设置于所述第二电极5远离所述发光层1的一侧。本实施例中，彩色滤光片8设置于所述平坦层10远离所述发光层1的一侧。利用彩色滤光片8实现Micro-LED显示面板100的全彩化显示效果，避免现有技术中采用量子点进行色转换的方案无法进行产品化的问题。

其中，彩色滤光片8包括：衬底81、黑色矩阵层82以及多个滤光单元83。

其中，黑色矩阵层82设置于所述衬底81靠近所述第二电极5的一侧。所述黑色矩阵层82上设有多个与所述子像素11一一对应的第三通孔821。黑色矩阵层82主要用于防止相邻的滤光单元83之间发生串扰。

其中，多个滤光单元83一一对应设置于所述第三通孔821内。具体的，滤光单元83包括红色滤光单元831、绿色滤光单元832以及蓝色滤光单元833。

实施例2

本实施例提供了实施例1的Micro-LED显示面板的制备方法，具体包括以下步骤。

如图2、图3及图4所示，在生长衬底12分别制备第一外延片111、第二外延片113以及第三外延片115。其中，第一外延片111、第二外延片113以及第三外延片115分别为蓝色外延片、绿色外延片以及红色外延片。

如图5所示，去除第二外延片113的生长衬底12，并将第二外延片113转移到第二临时载板13上。

如图6所示，去除第三外延片115的生长衬底12，并将第三外延片115转移到第三临时载板14上。

如图7所示，在第一外延片111远离生长衬底12的一侧制备反射层2。

如图8所示，在反射层2远离第一外延片111的一侧的表面上制备绝缘层9，然后在绝缘层9和第一外延片111上制备第一通孔21，并在第一通孔21内制备第一电极3。

如图9所示，提供一驱动基板6，驱动基板6上具有多个第三电极7。将第一电极3与第三电极7一一对应键合，然后去掉第一外延片111上的生长衬底12。

如图10所示，采用蒸镀工艺或其他工艺在第一外延片111远离反射层2的一侧制备第一电荷生成层112。第一电荷生成层112可以产生电子和空穴。

如图11所示，将第二外延片113的P型掺杂侧1131与第一电荷生成层112键合在一起，然后去除第二外延片113上的第二临时载板13。

如图12所示，采用蒸镀工艺或其他工艺在第二外延片113的N型掺杂侧1132制备第二电荷生成层114。第二电荷生成层114可以产生电子和空穴。

如图13所示，将第三外延片115的P型掺杂侧1151与第二电荷生成层114键合在一起，然后去除第三外延片115上的第三临时载板14。

如图14所示，采用蚀刻工艺蚀刻出多个相互间隔的子像素11。

如图15所示，在第三外延片115远离反射层2的一侧制备钝化层4，钝化层4还填充于相邻的两个子像素11之间的间隙内。

如图16所示，采用黄光工艺在钝化层4上制备多个与所述子像素11一一对应的第二通孔41。

如图17所示，在钝化层4远离所述反射层2的一侧以及所述第二通孔41内制备第二电极5。

如图18所示，在第二电极5远离所述反射层2的一侧制备平坦层10。

如图1所示，在平坦层10远离反射层2的一侧制备彩色滤光片8。

实施例3

本实施例提供了实施例1的Micro-LED显示面板的制备方法，具体包括以下步骤。

如图2、图3及图4所示，在生长衬底12分别制备第一外延片111、第二外延片113以及第三外延片115。其中，第一外延片111、第二外延片113以及第三外延片115分别为蓝色外延片、绿色外延片以及红色外延片。

如图19所示，去除第一外延片111的生长衬底12，并将第一外延片111转移到第一临时载板15上。

如图5所示，去除第二外延片113的生长衬底12，并将第二外延片113转移到第二临时载板13上。

如图6所示，去除第三外延片115的生长衬底12，并将第三外延片115转移到第三临时载板14上。

如图20所示，采用蒸镀工艺或其他工艺在第一外延片远离第一临时载板15的一侧制备第一电荷生成层112。第一电荷生成层112可以产生电子和空穴。

如图21所示，将第二外延片113的P型掺杂侧1131与第一电荷生成层112键合在一起，然后去除第二外延片113上的第二临时载板13。

如图22所示，采用蒸镀工艺或其他工艺在第二外延片113的N型掺杂侧1132制备第二电荷生成层114。第二电荷生成层114可以产生电子和空穴。

如图23所示，将第三外延片115的P型掺杂侧1151与第二电荷生成层114键合在一起。

如图24所示，去除第一外延片111上的第一临时载板15。

如图25所示，在第一外延片111远离第二外延片113的一侧制备反射层2。

如图26所示，在反射层2远离第一外延片111的一侧的表面上制备绝缘层9，然后在绝缘层9和第一外延片111上制备第一通孔21，并在第一通孔21内制备第一电极3。

如图27所示，提供一驱动基板6，驱动基板6上具有多个第三电极7。将第一电极3与第三电极7一一对应键合，然后去掉第三外延片115上的第三临时载板14。

如图14所示，采用蚀刻工艺蚀刻出多个相互间隔的子像素11。

如图15所示，在第三外延片115远离反射层2的一侧制备钝化层4，钝化层4还填充于相邻的两个子像素11之间的间隙内。

如图16所示，采用黄光工艺在钝化层4上制备多个与所述子像素11一一对应的第二通孔41。

如图17所示，在钝化层4远离所述反射层2的一侧以及所述第二通孔41内制备第二电极5。

如图18所示，在第二电极5远离所述反射层2的一侧制备平坦层10。

如图1所示，在平坦层10远离反射层2的一侧制备彩色滤光片8。

以上对本申请所提供的一种Micro-LED显示面板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种Micro-LED显示面板，其特征在于，包括：

驱动基板；

发光层，其包括多个相互间隔设置的子像素，所述子像素与所述驱动基板电连接；每一所述子像素均包括依次层叠设置的第一外延片、第一电荷生成层、第二外延片、第二电荷生成层以及第三外延片；

所述第一电荷生成层电连接所述第一外延片和所述第二外延片；

所述第二电荷生成层电连接所述第二外延片和所述第三外延片。

2.根据权利要求1所述的Micro-LED显示面板，其特征在于，所述第一外延片、第二外延片以及第三外延片分别具有第一P型掺杂侧、第二P型掺杂侧以及第三P型掺杂侧；

所述第一P型掺杂侧背向所述第一电荷生成层，所述第二P型掺杂侧朝向所述第一电荷生成层，所述第三P型掺杂侧朝向所述第二电荷生成层。

3.根据权利要求1所述的Micro-LED显示面板，其特征在于，所述第一外延片、第二外延片以及第三外延片均包括红色外延片、绿色外延片以及蓝色外延片中的一种，所述第一外延片、第二外延片以及第三外延片的发光颜色互不相同。

4.根据权利要求3所述的Micro-LED显示面板，其特征在于，所述第三外延片为红色外延片。

5.根据权利要求1所述的Micro-LED显示面板，其特征在于，每一所述子像素还包括：

第一导电层，设置于所述第一电荷生成层与所述第二外延片之间；和/或，

第二导电层，设置于所述第二电荷生成层与所述第三外延片之间。

6.根据权利要求1所述的Micro-LED显示面板，其特征在于，还包括：

反射层，设置于所述第一外延片远离所述第二外延片的一侧，所述反射层上设有多个与所述子像素一一对应的第一通孔；

多个第一电极，一一对应设置于所述第一通孔内，且电连接于所述第一外延片；

钝化层，设置于所述发光层远离所述反射层的一侧，且填充于相邻两个所述子像素之间的间隙内，所述钝化层上设有多个与所述子像素一一对应的第二通孔；

第二电极，设置于所述钝化层远离所述反射层的一侧，且填充于所述第二通孔内；

多个第三电极，相互间隔设置于所述驱动基板上，所述驱动基板包括多个驱动器件，所述第三电极和所述驱动器件电连接，所述第三电极一一对应电连接至所述第一电极。

7.根据权利要求1所述的Micro-LED显示面板，其特征在于，所述驱动基板包括TFT驱动基板及CMOS驱动基板中的一种。

8.根据权利要求6所述的Micro-LED显示面板，其特征在于，还包括：

彩色滤光片，设置于所述第二电极远离所述发光层的一侧。

9.根据权利要求8所述的Micro-LED显示面板，其特征在于，所述彩色滤光片包括：

衬底；

黑色矩阵层，设置于所述衬底靠近所述第二电极的一侧；所述黑色矩阵层上设有多个与所述子像素一一对应的第三通孔；

多个滤光单元，一一对应设置于所述第三通孔内。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的Micro-LED显示面板。