JP2023515698A - アンダーディスプレイ構成要素と交換される信号を適応させるためのブラインドホールを有するディスプレイパネル - Google Patents

Abstract

層状パネルが、横方向面の第１及び第２の部分に延在し、第２の部分を通して電磁信号を受け入れる。第１の部分は、堆積材料の閉じたコーティングを有し、第２の部分は、有していない。第２の部分は、核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）及び／又は低屈折率コーティングを備え得る。第１の部分におけるＮＩＣの堆積材料の初期付着確率は、０．３未満、及び／又は基部表面上の堆積材料の初期付着確率未満であり得る。低屈折率コーティング上に、より高屈折率の媒体が位置し得る。第２の部分は、堆積材料及び／又はＵＶＡ吸収層からなる少なくとも１つの粒子構造を備え得る。第１の部分は、電磁信号を放出するための放出領域を備え得る。パネルは、基板及び半導体層を備え得る。各放出領域は、第１及び第２の電極を備え、第１の電極は、基板と半導体層との間にあり、半導体層は、第１及び第２の電極間にあり得る。【選択図】図３Ｃ

Description

関連出願
本出願は、２０２０年４月９日に出願された米国仮特許出願第６３／００７，８５１号、２０２０年１０月２９日に出願された米国仮特許出願第６３／１０７，３９３号、２０２１年２月２５日に出願された米国仮特許出願第６３／１５３，８３４号、及び２０２１年３月１９日に出願された米国仮特許出願第６３／１６３，４５３号の優先権の利益を主張するものであり、これらの各々の内容は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

本開示は、ディスプレイパネルに関し、特に、ブラインドホールを通して電磁信号を受け入れる層状ディスプレイパネルに関する。

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの光電子デバイスでは、少なくとも１つの半導体層が、アノード及びカソードなどの一対の電極間に配設されている。アノード及びカソードは、電源に電気的に結合され、それぞれ、少なくとも１つの半導体層を通って互いに向かって移動する正孔及び電子を生じさせる。正孔及び電子の対が結合すると、光子が放出され得る。

ＯＬＥＤディスプレイパネルは、複数の（サブ）ピクセルを含み得、その各々は、関連付けられた対の電極を有する。そのようなパネルの様々な層及びコーティングは、通常、真空ベースの堆積技法によって形成されている。

そのようなディスプレイパネルは、非限定的な例として、携帯電話などの電子デバイスで使用され得る。

いくつかの非限定的な用途では、ディスプレイパネル内に開口部又はブラインドホールを作成して、電子信号及び／又は光信号を含むがこれらに限定されない電磁信号の受信部若しくはセンサ及び／又は送信部であり得るアンダーディスプレイ構成要素を、光及び／又は光子を含むがこれらに限定されない電子信号及び／又は光信号が、デバイスを越え、ブラインドホールを通してアンダーディスプレイ構成要素と交換され得るように位置決めすることを可能にすることが望ましい場合がある。

いくつかの非限定的な用途では、ディスプレイパネルを貫通するそのようなブラインドホールは、ブラインドホールの領域が、電磁（ＥＭ）信号を実質的に透過しないディスプレイパネルの構成要素を実質的に欠いているように、形成することによって、及び／又は形成後にディスプレイパネルを修正することによって、達成され得る。

いくつかの非限定的な例では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造及びＴＦＴ構造に電気的に結合されて（サブ）ピクセルを選択的に駆動する関連付けられた導電金属線などの、そのような構成要素のうちのいくつかは、これらの構成要素がブラインドホールの領域内に位置しないように、製造プロセス中に配置され得る。

アノード及びカソードを含むがこれらに限定されない電極を含むがこれに限定されない他の構成要素が、これらの構成要素もまたブラインドホールの領域外に位置するように提供され得る。

いくつかの用途では、ＯＬＥＤ製造プロセス中に、電極及び／又は電極に電気的に結合された導電性要素などであるがこれらに限定されないデバイス特徴部を形成するための導電性コーティングの選択的堆積によって、パネルの横方向又は面にわたって、パネルの各（サブ）ピクセルに対して、あるパターンで、導電性コーティングをパターン化することが望ましい場合がある。

そうするための１つの方法は、いくつかの非限定的な適用では、カソード及び／又はアノードを含むがこれらに限定されない電極としての、及び／又はいくつかの非限定的な例ではこの電極に電気的に結合される、導電性電極材料の堆積中にファインメタルマスク（ＦＭＭ）の介在を伴う。しかしながら、電極として典型的に使用される材料は、比較的高い蒸発温度を有し、これは、ＦＭＭを再利用する能力、及び／又は達成され得るパターンの精度に影響を及ぼし、それに付随して、コスト、労力、及び複雑さが増加する。

そうするための１つの方法は、いくつかの非限定的な例では、電極材料を堆積させて、電極を形成することと、その後、レーザー穿孔プロセスによることを含む、その不要な領域を除去して、パターンを形成することと、を伴う。しかしながら、除去プロセスは、多くの場合、破片の作成及び／又は存在を伴い、製造プロセスの収率に影響する場合がある。いくつかの非限定的な例では、電極の除去は、ディスプレイパネルの構造的完全性に悪影響を及ぼす場合もある。

更に、そのような方法は、いくつかの用途における、及び／又は特定の形態的特徴部を有するいくつかのデバイスパネルとの使用に好適ではない場合がある。

更に、穿孔プロセスの範囲を制御することはしばしば困難であり、その結果、いくつかの非限定的な例では、電極が除去されるだけでなく、電極の下にあるデバイス層のうちの１つ以上も除去される。

いくつかの非限定的な例では、そのような除去プロセスは、ブラインドホールの領域内のアノード及びカソードの両方を除去するために使用されるため、そのようなプロセスは、アノードとカソードとの間に位置決めされた少なくとも１つの半導体層も除去される結果となる。いくつかの非限定的な例では、穿孔プロセスによって開口が形成され得るように、基板も除去され得る。そのような活性領域内ホール（ＨＩＡＡ）構造は、デバイスの構造的完全性の低下と、１つ以上の層の酸化の可能性と、を含むがこれらに限定されないいくつかの難事を導入し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような難事は、追加の処理ステップの導入を含むかなりの労力及び費用を費やすことによってのみ軽減され得る。

少なくとも１つの半導体層の除去は、更なる難事を導入する。そのような半導体層は、性能、寿命、及び／又は収率の低下につながる、酸化を含むがこれに限定されない汚染に曝されやすい。結果として、そのような半導体層の堆積は、典型的には、そのような汚染の可能性を最小限に抑えるために、高真空条件下で行われる。

したがって、そのような除去プロセスが破片を実質的に導入することなく達成されたとしても、その後、ディスプレイパネルが高真空環境から取り出されると、ブラインドホール領域を通した更なる汚染を防止するために、少なくとも１つの半導体層の、並びにいくつかの非限定的な例では、アノード及びカソードの、露出したエッジをシールするために、再び高真空条件下で、追加の処理ステップが必要になる場合がある。

そのような追加の処理ステップは、少なくとも１つの半導体層及び／又はアノード及び／又はカソードの露出エッジを、ブラインドホール領域との露出エッジの境界に沿って取り囲む材料の層を追加することを含み得るが、これに限定されない。いくつかの非限定的な例では、この材料は、フリットガラスの層及び／又は薄膜封止（ＴＦＥ）コーティングを含むことができる。

ＣＨＵＮＧ、Ｊｉｎ Ｋｏｏ ｅｔ ａｌ．によって２０１９年５月２４日に出願され、２０２０年１１月１２日に公開された、“Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ”と題する米国特許出願公開第２０２０／０３５７８７１号は、ディスプレイパネル及び光学部材を含むディスプレイデバイスを開示している。ディスプレイパネルは、下部基板及び上部基板を含む。ディスプレイパネルは、透光領域と透光領域近傍のディスプレイ領域とを形成している。光学部材は、ディスプレイパネルの背面に隣接し、透光領域に対応する部分と重なり合っている。ディスプレイ領域は、薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタからの電流を受け取るように構成された有機発光素子と、を含む。透光領域は、ディスプレイ領域に配設された金属層を含まない。上部基板及び下部基板は、透光領域においてスルーホール構造を有していない。

ＹＡＺＤＡＮＤＯＯＳＴ、Ｍｏｈａｍｍａｄ Ｙｅｋｅ ｅｔ ａｌ．によって２０１９年４月８日に出願され、２０１９年１０月１７日に公開された“Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ Ｄｉｓｐｌａｙ ｆｏｒ Ｔｈｒｏｕｇｈ－Ｄｉｓｐｌａｙ Ｉｍａｇｉｎｇ”と題するＰＣＴ国際特許出願公開第２０１９／１９９６９３号は、スルーディスプレイ撮像のシステム及び方法を開示している。ディスプレイは、不透明なバッキングを貫通して画定された撮像開口を含む。光学撮像アレイは、開口と位置整合している。開口の上方で、ディスプレイは、光透過率を増加させるように配置及び／又は構成されている。例えば、撮像開口の上方の又は撮像開口に隣接するディスプレイの領域を、ディスプレイの他の領域よりも低いピクセル密度で形成することができ、それによって、ピクセル間距離（例えば、ピッチ）を増加させ、通った光がディスプレイを横断して光学撮像アレイに到達することができる面積を増加させる。

２０２０年１０月１０日に出願され、Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ Ｏｐｐｏ Ｍｏｂｉｌｅ Ｔｅｌｅｃｏｍｍ Ｃｏｒｐに譲渡され、２０２１年１月１５日に公開された“Ｄｉｓｐｌａｙ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ”と題する中国特許出願公開第１１２２３４０８２号は、ディスプレイ画面及び電子デバイスを開示している。ディスプレイ画面は、ディスプレイ層、駆動層、及び基板を含む。駆動層は、ディスプレイ層の下方に配置されている。基板は、駆動層の下方に配置されている。第１の膜層、第２の膜層、及び第３の膜層が、順に積層されている。第２の膜層の表面は、凹凸のある微細構造で形成されている。微細構造は、ディスプレイ層及び駆動層を通過した後の光の伝播を変化させるために使用される。ディスプレイを通過する光の回折を低減又は排除するための経路。駆動層の下の基板の第２の膜層上に、凹凸のある微細構造が形成されている。微細構造は、ディスプレイ層及び駆動層を通過する光の伝播経路を変化させることができ、すなわち、伝播経路は、駆動層から放出された回折光に反応することができる。この光の伝播経路を妨害して途絶させることによって、ディスプレイ画面全体を通過する光の回折を低減又は排除して、ディスプレイ画面の下に設置されたカメラの撮像品質を改善する。

ディスプレイパネルにおいてブラインドホール領域を提供するための改善されたメカニズムを提供することは有益であろう。

米国特許出願公開第２０２０／０３５７８７１号明細書 国際公開第２０１９／１９９６９３号 中国特許出願公開第１１２２３４０８２号明細書

本開示の目的は、先行技術の少なくとも１つの欠点を取り除く又は軽減することである。

本開示は、少なくとも１つの横方向面の第１及び第２の部分に延在し、かつ第２の部分を通して電磁（ＥＭ）信号を受け入れる層状ディスプレイパネルを開示する。第１の部分の層表面上に、堆積材料の閉じたコーティングがある。第２の部分は、そのような閉じたコーティングを有していない。第２の部分は、核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）を備えてもよい。第１の部分におけるＮＩＣ表面上に堆積材料を堆積させるための初期付着確率は、実質的に、０．３よりも小さく、及び／又は層表面上に堆積材料を堆積させるための初期付着確率よりも小さくてもよい。第２の部分は、堆積材料からなる少なくとも１つの粒子構造を備え得る。第２の部分は、ＵＶＡ吸収層を備え得る。第２の部分は、低屈折率コーティングと、低屈折率コーティングの表面に沿って延在する高屈折率媒体と、を備え得、低屈折率コーティングの屈折率は、高屈折率媒体の屈折率よりも小さくてもよい。第１の部分は、ＥＭ信号を放出するための放出領域を備え得る。パネルは、基板及び半導体層を備え得る。各放出領域は、第１及び第２の電極を備え得る。第１の電極は、基板と半導体層との間に位置し、半導体層は、第１及び第２の電極間に位置する。

本開示の広い態様によれば、複数の層を有し、かつ横軸によって画定される少なくとも１つの横方向面の第１の部分及び第２の部分に延在するディスプレイパネルが開示され、パネルは、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素との交換のために、層に対してある角度で、第２の部分を通して少なくとも１つの電磁（ＥＭ）信号を受け入れるように適合されており、パネルは、第１の部分におけるパネルの露出層表面上に配設された堆積材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを備え、第２の部分は、堆積材料の閉じたコーティングを実質的に欠いている。

いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素は、ユーザデバイスを超えてパネルを通過する少なくとも１つのＥＭ信号を、受信するように適合された受信部と、放出するように適合された送信部と、のうちの少なくとも１つを含み得る。

本開示の広い態様によれば、複数の層を有し、かつ横軸によって画定される少なくとも１つの横方向面の第１の部分及び第２の部分に延在するディスプレイパネルが開示され、パネルは、層に対してある角度で、第２の部分を通して少なくとも１つの電磁（ＥＭ）信号を受け入れるように適合されており、第１の部分におけるパネルの露出層表面上に配設された堆積材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを備え、第２の部分は、堆積材料の閉じたコーティングを実質的に欠いている。

いくつかの非限定的な実施例では、パネルは、第２の部分におけるパネルの露出層表面上に核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）を更に備えてもよく、第１の部分におけるＮＩＣの表面上に堆積材料を堆積させるための初期付着確率は、実質的に、０．３、及び露出した層表面上に堆積材料を堆積させるための初期付着確率、のうちの少なくとも１つよりも小さくてもよい。

いくつかの非限定的な実施例では、第２の部分は、堆積材料からなる少なくとも１つの粒子構造を備え得る。

いくつかの非限定的な実施例では、第２の部分は、ＵＶＡ吸収層を備え得る。

いくつかの非限定的な実施例では、パネルは、第２の部分におけるパネルの露出層表面上に配設された低屈折率コーティングと、低屈折率コーティングの表面に沿って延在する高屈折率媒体と、を更に備えてもよく、低屈折率コーティングの屈折率は、高屈折率媒体の屈折率未満である。

いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料は、銀（Ａｇ）及びイッテルビウム（Ｙｂ）のうちの少なくとも１つを含み得る。

いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つの閉じたコーティングの平均膜厚は、約５～８０ｎｍであり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、第１の部分は、層に対してある角度でＥＭ信号を放出するための少なくとも１つの放出領域を備え得る。

いくつかの非限定的な実施例では、パネルは、基板と、基板上に配設された少なくとも１つの半導体層と、を更に備えてもよく、各放出領域は、第１の電極及び第２の電極を備え、第１の電極は、基板と少なくとも１つの半導体層との間に配設されており、少なくとも１つの半導体層は、第１の電極と第２の電極との間に配設されている。

いくつかの非限定的な実施例では、第２の電極は、堆積材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを含み得る。

いくつかの非限定的な実施例では、パネルの露出層表面は、少なくとも１つの半導体層の露出層表面であり得る。いくつかの非限定的な実施例では、基板は、第１の部分及び第２の部分の両方にわたって実質的に連続的に延在し得る。いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つの半導体層は、第１の部分及び第２の部分の両方にわたって実質的に連続的に延在し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、第１の部分は、複数の放出領域を備え得る。いくつかの非限定的な実施例では、第１の部分は、隣接する放出領域間に少なくとも１つの非放出領域を備え得る。いくつかの非限定的な実施例では、第２の部分は、放出領域を実質的に全く欠いていてもよい。

いくつかの非限定的な実施例では、パネルは、第１の部分における少なくとも１つの閉じたコーティングの露出層表面上と、第２の部分におけるパネルの露出層表面上と、に配設された少なくとも１つの被覆層を更に備えてもよい。

本開示の広い態様によれば、ユーザデバイスが開示され、ユーザデバイスは、複数の層を有し、かつ横軸によって画定される少なくとも１つの横方向面の第１の部分及び第２の部分に延在するディスプレイパネルと、層に対してある角度でパネルの第２の部分を通して少なくとも１つの電磁（ＥＭ）信号を交換するように適合された少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素と、を備え、パネルは、第１の部分におけるパネルの露出層表面上に配設された堆積材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを備え、第２の部分は、堆積コーティングの閉じたコーティングを実質的に欠いている。

実施例は、それらを実施することができる本開示の態様と併せて上述している。当業者は、実施例が、それらが説明されている態様と併せて実施され得るが、また、その態様又は別の態様の他の実施例とともに実施されてもよいことを理解するであろう。実施例が相互に排他的である、又は他の点で互いに不適合であるとき、それは、当業者には明らかであろう。いくつかの実施例は、１つの態様に関係して説明され得るが、当業者には明らかであるように、他の態様にも適用可能であり得る。

本開示のいくつかの態様又は実施例は、少なくとも１つの横方向面の第１及び第２の部分に延在し、かつ第２の部分を通してＥＭ信号を受け入れる層状ディスプレイパネルを提供し得る。第１の部分の層表面上に、堆積材料の閉じたコーティングがある。第２の部分は、そのような閉じたコーティングを有していない。

ここで、本開示の実施例を、以下の図を参照することによって説明し、異なる図中の同一の参照番号は、同一の要素、並びに／又はいくつかの非限定的な実施例では、類似する及び／若しくは対応する要素を示している。

ｉ本開示の実施例による、表面上に吸着した吸着原子の相対的なエネルギー状態を例示する例示的なエネルギープロファイルである。 本開示の実施例による、膜核の形成を例示する概略図である。 本開示の実施例による、横方向面の第１の部分と第２の部分のブラインドホール領域とを含む、複数の層を有する例示的なディスプレイパネルの、断面からの、簡略化されたブロック図である。 本開示の実施例による、例示的なユーザデバイスであって、図３Ａのデバイスをユーザデバイスのディスプレイとして含む例示的なユーザデバイスの面と、この面のブラインドホール領域の例示的な位置と、を示す概略図である。 本開示の実施例による、ユーザデバイスの例示的なバージョンの、断面からの、簡略化されたブロック図である。 放出領域及び取り囲む非放出領域を示す、図３Ａのデバイスの一部の断面からの、簡略化されたブロック図である。 本開示の実施例による、図３Ａのデバイスの一部の実施例であって、内部にブラインドホール領域を含むこのデバイスのディスプレイの様々な層を示す実施例の、断面からの、簡略化されたブロック図である。

本開示では、１つ以上の数値（下付き文字を含むがこれに限定されない）及び／又はこれらの数値に付加された小文字のアルファベット文字を有する参照番号が、参照番号によって記述された要素又は特徴の、特定のインスタンス及び／又は特定のインスタンスのサブセットを指すとみなされ得る。付加された値及び／又は文字を参照せずに参照番号を参照することは、文脈が指示するように、概して、参照番号によって記述される要素若しくは特徴、及び／又は参照番号によって記述される全てのインスタンスのセットを参照し得る。

本開示では、限定ではなく解説の目的で、特定のアーキテクチャ、インターフェース、及び／又は技法を含むがこれらに限定されない、本開示の完全な理解を提供するために特定の詳細が記述されている。場合によっては、本開示の説明を不必要な詳細で曖昧にしないように、よく知られているシステム、技術、構成要素、デバイス、回路、方法、及び用途の詳細な説明が省略されている。

更に、本明細書で再現されたブロック図は、技術の原理を具体化する例示的な構成要素の概念図を表し得ることが理解されよう。

したがって、システム及び方法の構成要素は、図面中の従来の記号によって適切に表されており、本明細書における説明の利益を有する当業者に容易に明らかになる詳細で本開示を曖昧にしないように、本開示の例を理解することに関連するこれらの特定の詳細のみを示している。

本明細書で提供されるいかなる図面も、縮尺どおりに描かれているものではなく、いかなる方法でも本開示を制限するとみなされるものではない。

破線のアウトラインで示す任意の特徴又は作用は、いくつかの例では任意選択としてみなされる場合がある。

説明
本開示は概して、電子デバイス、及びより具体的には光電子デバイスを備え得る、ディスプレイパネルに関する。光電子デバイスは概して、電気信号を光子に、及びその逆に変換する任意のデバイスを包含する。

当業者は、本開示が光電子デバイスを対象としているが、その原理は、電磁（ＥＭ）信号が層のうちの少なくとも１つの平面に対してある角度で完全に又は部分的に通過し得る複数の層を有する任意のパネルに適用可能であり得ることを理解するであろう。

薄膜の形成
基部材料の露出層表面１１への蒸着中の薄膜の形成は、核生成及び成長のプロセスを伴う。

膜形成の初期段階中に、十分な数の蒸気モノマー（いくつかの非限定的な実施例では、蒸気の形態の堆積材料の分子及び／又は原子であり得る）は、通常、気相から凝縮して、基部層の提示された露出層表面１１上に初期核を形成し得る。蒸気モノマーがそのような表面に衝突し続けると、これらの初期核の特性サイズＳ１及び／又は堆積密度が増加して、小さい粒子を形成し得る。そのような特性サイズＳ１が指す寸法の非限定的な実施例は、そのような粒子の高さ、幅、長さ、及び／又は直径を含み得る。

飽和島密度に達した後、通常、隣接する粒子が合体し始め、島の堆積密度を減少させながら、そのような粒子の平均特性サイズＳ１を増大させることとなる。

モノマーの蒸着を継続すると、実質的に閉じたコーティングが基部材料の露出層表面１１上に最終的に堆積され得るまで、隣接する粒子の合体が継続し得る。そのような閉じたコーティングの、そのことによって引き起こされる光学的効果を含む挙動は、一般に、比較的均一であり、一貫しており、かつ驚くべきことではないことであり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、閉じたコーティングになる薄膜の形成には、１）島（Ｖｏｌｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ）、２）層ごと（Ｆｒａｎｋ－ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ）、及び３）Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖの少なくとも３つの基本的な成長モードがあり得る。

島の成長は通常、モノマーの安定したクラスタが露出層表面１１上で核となり、かつ成長して離散した島を形成するときに発生し得る。この成長モードは、モノマー間の相互作用がモノマーと表面との間の相互作用よりも強い場合に発生し得る。

核生成率は、単位時間当たりに表面上の所与のサイズの核（自由エネルギーがそのような核のクラスタを押して、成長も収縮もさせない場合）（「臨界核」）がいくつあるかを説明し得る。膜形成の初期段階中に、核の堆積密度が低く、かつこれにより核が表面の比較的小さい分率を被覆し得るため（例えば、隣り合う核の間に大きいギャップ／空間がある）、核が表面へのモノマーの直接衝突から成長することとなる可能性は低くなり得る。したがって、臨界核が成長し得る速度は、通常、表面上の吸着原子（例えば、吸着したモノマー）が移動して近傍の核に付着する速度に依存し得る。

基部材料の露出層表面１１上に吸着した吸着原子のエネルギープロファイルの実施例を図１に例示する。具体的には、図１は、局所的低エネルギーサイトから離脱する吸着原子（１１０）、露出層表面１１上の吸着原子の拡散（１２０）、及び吸着原子の脱離（１３０）、に対応する例示的な定性的エネルギープロファイルを例示している。

１１０では、局所的低エネルギーサイトは、吸着原子がより低いエネルギーになる、基部層の露出層表面１１上の任意のサイトであり得る。通常、核生成サイトは、レッジ、ステップ縁部、化学的不純物、結合サイト、及び／又はキンク（不均一性）を含むがこれらに限定されない、露出層表面１１上の欠陥及び／又は異常を含み得る。

基板不均一性のサイトは、Ｅ_ｄｅｓを増加させ、そのようなサイトで観察される核の高堆積密度化につながり得る。また、表面上の不純物又は汚染物質もＥ_ｄｅｓを増加させ、核の高堆積密度化につながり得る。高真空条件下で行われる蒸着プロセスの場合、表面上の汚染物質のタイプ及び堆積密度は、真空圧力と、その圧力を構成する残留ガスの組成と、に影響され得る。

吸着原子が局所的低エネルギーサイトでトラップされると、いくつかの非限定的な実施例では、通常、表面拡散が起こる前にエネルギー障壁があり得る。そのようなエネルギー障壁は、図１において、ΔＥとして表され得る。いくつかの非限定的な実施例では、局所的低エネルギーサイトから離脱するためのエネルギー障壁ΔＥが十分に大きい場合、そのサイトは、核生成サイトとして作用し得る。

１２０では、吸着原子は、露出層表面１１上に拡散し得る。非限定的な実施例として、局在化された吸着物の場合に、吸着原子が、脱離し、及び／又は吸着原子のクラスタによって形成される成長している島及び／又は成長している膜に組み込まれる、のいずれかまで、吸着原子は、表面電位の最小値付近で振動し、かつ様々な近隣サイトに移動する傾向があり得る。図１では、吸着原子の表面拡散に関連付けられた活性化エネルギーは、Ｅ_ｓとして表され得る。

１３０では、表面からの吸着原子の脱離に関連付けられた活性化エネルギーは、Ｅ_ｄｅｓとして表され得る。当業者は、脱離していない任意の吸着原子が露出層表面１１上に留まり得ることを理解するであろう。非限定的な実施例として、そのような吸着原子は、露出層表面１１上に拡散し、露出層表面１１上に島を形成する吸着原子のクラスタの一部になり、並びに／又は成長膜及び／若しくはコーティングの一部として組み込まれ得る。

吸着原子が表面に吸着した後、吸着原子は、表面から脱離するか、あるいは、脱離し、他の吸着原子と相互作用して小さなクラスタを形成し、又は成長している核に付着する前に、表面上をある程度移動することができる。初期吸着後に吸着原子が表面上に留まる平均時間は、以下のように与えられ得る。

上記の式で、νは、表面の吸着原子の振動周波数であり、ｋは、ボルツマン定数であり、Ｔは、温度であり、Ｅ_ｄｅｓは、吸着原子を表面から脱離させることに関与するエネルギーである。この式から、Ｅ_ｄｅｓの値が低いほど、吸着原子が表面から脱離しやすくなるため、吸着原子が表面上に留まり得る時間が短くなることがわかり得る。吸着原子が拡散することができる平均距離は、以下のように与えられ得る。

式中、α_０は、格子定数であり、Ｅ_ｓは、表面拡散の活性化エネルギーである。低い値のＥ_ｄｅｓ、及び／又は高い値のＥ_ｓについて、吸着原子は、脱離前により短い距離を拡散し得るため、成長している核に付着したり、別の吸着原子又は吸着原子のクラスタと相互作用したりする可能性が低くなり得る。

粒子の堆積層の形成の初期段階中、吸着した吸着原子が相互作用して、粒子を形成することができ、単位面積当たりの粒子の臨界濃度は、以下のように与えられる。

式中、Ｅ_ｉは、ｉ個の吸着原子を含有する臨界クラスタを別個の吸着原子に解離することに関与するエネルギーであり、ｎ_０は、吸着サイトの総堆積密度であり、Ｎ_ｉは、以下のように与えられるモノマー堆積密度である。

式中、

は蒸気衝突速度である。通常、Ｉは、堆積される材料の結晶構造に依存し得、安定した核を形成するための臨界粒子サイズを決定し得る。

成長する粒子の臨界モノマー供給速度は、蒸気衝突の速度と、吸着原子が脱離前に拡散することができる平均面積と、によって与えられ得る。

したがって、臨界核生成速度は、上記の式の組み合わせによって与えられ得る。

上記の式から、吸着した吸着原子の脱離エネルギーが低い表面、吸着原子の拡散の活性化エネルギーが高い表面、高温である表面、及び／又は蒸気衝突速度に曝される表面では、臨界核生成速度が抑制され得ることがわかり得る。

高真空条件下では、表面に衝突する分子のフラックス（ｃｍ^２・秒当たり）は、以下のように与えられ得る。

式中、Ｐは圧力、Ｍは分子量である。したがって、Ｈ_２Ｏなどの反応性ガスの分圧が高くなると、蒸着中に表面上の汚染物質の高堆積密度化につながり、Ｅ_ｄｅｓの増加、ひいては核の高堆積密度化につながり得る。

本開示では、「核生成抑制」は、表面であってこの表面上への堆積材料４２６（いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６で形成され得る堆積コーティング３２５を含むが、これに限定されない）の堆積のための初期付着確率Ｓ_０を呈する表面を有するコーティング、材料、及び／又はそれらの層を指し得、この初期付着確率は、そのような表面上への堆積材料４２６（及び／又は堆積コーティング３２５）の堆積が抑制され得るような、約０．３未満を含むがこれに限定されない、０に近いものである。

本開示では、「核生成促進」は、表面であってこの表面上への堆積材料４２６（いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６で形成され得る堆積コーティング３２５を含むが、これに限定されない）の堆積のための初期付着確率Ｓ_０を呈する表面を有するコーティング、材料、及び／又はそれらの層を指し得、この初期付着確率は、そのような表面上への堆積材料４２６（及び／又は堆積コーティング３２５）の堆積が容易にされ得るような、約０．７超を含むがこれに限定されない、１に近いものである。

特定の理論に拘束されることを望むものではないが、そのような核の形状及びサイズ、並びにそのような核の粒子への及び以後の薄膜への、その後の成長は、蒸気、表面、及び／又は凝縮した膜核の間の界面張力を含むがこれらに限定されない、多くの要因に依存し得ると想定され得る。

表面の核生成抑制及び／又は核生成促進特性の１つの尺度は、（導電性）堆積コーティング３２５を構成する所与の堆積材料４２６についての表面の初期付着確率Ｓ_０であり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、付着確率Ｓは、以下によって与えられ得る。

式中、Ｎ_ａｄｓは、露出層表面１１上に留まる（すなわち、膜に組み込まれる）吸着原子の数であり、Ｎ_{ｔｏｔａｌ}は、表面に衝突するモノマーの総数である。１に等しい付着確率Ｓは、表面に衝突する全てのモノマーが吸着され、かつその後、成長する膜に組み込まれることを示し得る。０に等しい付着確率Ｓは、表面に衝突する全てのモノマーが脱離し、かつその後、膜が表面上に形成されないことを示し得る。

Ｗａｌｋｅｒ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｃ ２００７，１１１，７６５（２００６）によって記載されている二重水晶振動子マイクロバランス（ＱＣＭ）技法を含むがこれに限定されない、付着確率Ｓを測定する様々な技法を使用して、様々な表面上の堆積材料の付着確率Ｓを評価し得る。

堆積材料４２６（堆積材料４２６によって形成される堆積コーティング３２５を含むがこれに限定されない）の堆積密度が増加するにつれて（例えば、平均膜厚さｄが増加する）、付着確率Ｓが変化し得る。

したがって、初期付着確率Ｓ_０は、任意の有意な数の臨界核が形成される前の表面の付着確率Ｓとして指定され得る。初期付着確率Ｓ_０の１つの尺度は、表面にわたる堆積材料４２６の平均膜厚さｄが閾値以下である、堆積材料４２６の堆積の初期段階中の堆積材料４２６についての表面の付着確率Ｓを伴い得る。いくつかの非限定的な実施例の説明では、初期付着確率Ｓ_０の閾値は、非限定的な実施例として、１ｎｍに指定され得る。次いで、平均付着確率

は、以下のように与えられ得る。

式中、Ｓ_ｎｕｃは、粒子で被覆された面積の付着確率Ｓであり、Ａ_ｎｕｃは、粒子で被覆された基板表面の面積の割合である。

非限定的な実施例として、低い初期付着確率Ｓ_０は、平均膜厚さｄが増加するにつれて増加し得る。これは、粒子のない表面の面積、非限定的な実施例としてベア基板１０と、高堆積密度の面積と、の間の付着確率Ｓの差に基づいて理解され得る。非限定的な実施例として、粒子の表面に衝突するモノマーは、１に近い付着確率Ｓを有し得る。

図１に示されるエネルギープロファイル１１０、１２０、１３０に基づいて、脱離のための比較的低い活性化エネルギー（Ｅ_ｄｅｓ）、及び／又は表面拡散のための比較的高い活性化エネルギー（Ｅ_ｓ）を呈する材料が、ＮＩＣ材料４１６として堆積され得、様々な用途での使用に好適であり得ると想定され得る。

特定の理論に拘束されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な実施例では、核生成及び成長中に存在する様々な界面張力間の関係は、毛細管理論におけるヤングの式に従って決定され得ると想定され得る。

式中、γ_ｓｖは、基板１０と蒸気との間の界面張力に対応し、γ_ｆｓは、堆積材料４２６、及び／又は堆積材料４２６によって形成された薄膜堆積コーティング３２５と、基板１０と、の間の界面張力に対応し、γ_ｖｆは、蒸気と膜との間の界面張力に対応し、θは、膜核の接触角である。図２は、この式で表される様々なパラメータ間の関係を例示している。

ヤングの式に基づいて、島成長の場合、膜核の接触角θは、０よりも大きく、したがってγ_ｓγ＜γ_ｆｓ＋γ_ｖｆであり得ると導出することができる。

堆積材料４２６が基板１０を「濡らす」層成長の場合、核接触角θは、０に等しく、したがって、γ_ｓγ＝γ_ｆｓ＋γ_ｖｆであり得る。

Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖ（Ｓ－Ｋ）成長の場合、膜過成長の単位面積当たりの歪みエネルギーは、蒸気と堆積材料４２６との間の界面張力に対して大きく、γ_ｓγ＞γ_ｆｓ＋γ_ｖｆである。

いかなる特定の理論にも拘束されることを望むものではないが、ＮＩＣ材料４１６と基板１０の露出層表面１１との間の界面における堆積材料４２６（堆積材料４２６によって形成される堆積コーティング３２５を含むが、これに限定されない）の核生成及び成長モードは、θ＞０である場合の島成長モデルに従い得ると想定され得る。

特に、ＮＩＣ材料４１６が堆積材料４２６に対して比較的低い初期付着確率Ｓ_０を呈する場合（いくつかの非限定的な実施例では、Ｗａｌｋｅｒ ｅｔ ａｌによって説明された二重ＱＣＭ技法で識別された条件下で）、堆積材料４２６の薄膜接触角θは、比較的高くてもよい。

反対に、非限定的な実施例として、シャドウマスクを採用することにより、ＮＩＣ材料４１６を使用せずに堆積材料４２６が表面上に選択的に堆積され得る場合、そのような堆積材料４２６の核生成及び成長モードは、異なり得る。特に、シャドウマスクパターニングプロセスを使用して形成されたコーティングは、少なくとも、いくつかの非限定的な実施例では、約１０°未満の比較的低い薄膜接触角θを呈し得ることが観察されている。

幾分驚くべきことに、いくつかの非限定的な実施例において、（核生成抑制）ＮＩＣ４１０（及び／又はＮＩＣ４１０を構成するＮＩＣ材料４１６）が比較的低い臨界表面張力を示し得ることが見出された。

当業者は、コーティング、層、並びに／又はそのようなコーティング及び／若しくは層を構成する材料の「表面エネルギー」が、概して、コーティング、層、及び／又は材料の臨界表面張力に対応し得ることを理解するであろう。表面エネルギーのいくつかのモデルによれば、表面の臨界表面張力は、そのような表面の表面エネルギーに実質的に対応し得る。

一般に、表面エネルギーが低い材料は、低い分子間力を呈し得る。一般に、分子間力が低い材料は、分子間力が高い別の材料と比較して、より低い温度で、容易に結晶化するか、又は他の相転移を起こす場合がある。少なくともいくつかの用途では、比較的低温で、容易に結晶化するか、又は他の相転移を起こす材料は、デバイスの長期的な性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命に不利益であり得る。

特定の理論に拘束されることを望むものではないが、特定の低エネルギー表面は、比較的低い初期付着確率Ｓ_０を呈し得、したがって、ＮＩＣ材料４１６を形成するのに好適であり得ると想定され得る。

いかなる特定の理論にも拘束されることを望むものではないが、特に低表面エネルギー表面の場合、臨界表面張力は、表面エネルギーと正の相関があると想定され得る。例えば、比較的低い臨界表面張力を呈する表面はまた、比較的低い表面エネルギーを呈し得、比較的高い臨界表面張力を呈する表面はまた、比較的高い表面エネルギーを呈し得る。

上述したヤングの式を参照すると、表面エネルギーが低いほど、大きい接触角θをもたらすと同時に、また、γ_ｓｖを低下させ、したがって、そのような表面が、堆積材料４２６に対する低い濡れ性及び低い初期付着確率Ｓ_０を有する可能性を高め得る。

様々な非限定的な実施例では、本明細書における臨界表面張力値は、いくつかの非限定的な実施例では２０℃の温度及び１気圧の絶対圧力に対応し得る、常温常圧（ＮＴＰ）付近で測定されるそのような値に対応し得る。いくつかの非限定的な実施例では、表面の臨界表面張力は、Ｚｉｓｍａｎ，Ｗ．Ａ．，“Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ”４３（１９６４），ｐ．１－５１に更に記載されているように、Ｚｉｓｍａｎ法に従って判定され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ材料４１６の露出層表面１１は、約２０ダイン／ｃｍ未満、約１９ダイン／ｃｍ未満、約１８ダイン／ｃｍ未満、約１７ダイン／ｃｍ未満、約１６ダイン／ｃｍ未満、約１５ダイン／ｃｍ未満、約１３ダイン／ｃｍ未満、約１２ダイン／ｃｍ未満、又は約１１ダイン／ｃｍ未満の臨界表面張力を呈し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ材料４１６の露出層表面１１は、約６ダイン／ｃｍ超、約７ダイン／ｃｍ超、約８ダイン／ｃｍ超、約９ダイン／ｃｍ超、又は約１０ダイン／ｃｍ超の臨界表面張力を呈し得る。

当業者は、固体の表面エネルギーを判定するための様々な方法及び理論が知られていることを理解するであろう。非限定的な実施例として、表面エネルギーは、接触角θの一連の測定値に基づいて計算及び／又は導出され得、この場合に、様々な液体を固体の表面と接触させて、気液界面と表面との間の接触角θを測定する。いくつかの非限定的な実施例では、固体表面の表面エネルギーは、表面を完全に濡らす最高の表面張力を有する液体の表面張力に等しい場合がある。非限定的な実施例として、Ｚｉｓｍａｎプロットを使用して、表面の０°の接触角θをもたらすであろう最高の表面張力値を判定し得る。

特定の理論に拘束されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な実施例では、堆積コーティング３２５の接触角θは、堆積材料４２６が上に堆積されるＮＩＣ材料４１６の特性（初期付着確率Ｓ_０を含むがこれに限定されない）に少なくとも部分的に基づいて決定され得る。したがって、比較的高い接触角θを呈する堆積材料４２６の選択的堆積を可能にするパターニング材料３１６は、いくつかの利益を提供することができる。

当業者には理解されるであろうように、（ｉ）例えば、約１９ダイン／ｃｍ以上又は約１５ダイン／ｃｍ以上の、比較的低い表面張力、（ｉｉ）例えば、約１．４５以下又は約１．３５以下の、可視波長範囲における比較的低い屈折率ｎ、及び（ｉｉｉ）例えば、約０．０５以下又は約０．０１以下の、可視波長範囲における比較的低い減衰係数、の組み合わせを呈するＮＩＣ材料４１６は、金属堆積材料４２６をパターン化するのに好適であると同時に、特に、ＮＩＣ材料４１６が、例えば、約３０ダイン／ｃｍ超又は約３００ダイン／ｃｍ超の高い臨界表面張力を有する層との界面を形成する場合に、顕著な光透過度を可能にし得る。

当業者は、静的及び／又は動的液滴法及び懸滴法を含むがこれらに限定されない様々な方法を使用して、接触角θを測定し得ることを理解するであろう。

いくつかの非限定的な実施例では、脱離の活性化エネルギー（Ｅ_ｄｅｓ）（いくつかの非限定的な実施例では、約３００Ｋの温度Ｔで）は、熱エネルギー（ｋ_ＢＴ）の約２倍未満、約１．５倍未満、約１．３倍未満、１．２倍未満、約１．０倍未満、約０．８倍未満、又は約０．５倍未満であり得る。いくつかの非限定的な実施例では、表面拡散の活性化エネルギー（Ｅ_ｓ）（いくつかの非限定的な実施例では、約３００Ｋの温度Ｔで）は、熱エネルギー（ｋ_ＢＴ）の約１．０倍超、約１．５倍超、約１．８倍超、約２倍超、約３倍超、約５倍超、約７倍超、又は約１０倍超であり得る。

特定の理論に拘束されることを望むものではないが、基部層の露出表面１１とＮＩＣ材料４１６との間の界面及び／又はこの界面の近傍での堆積材料４２６の核生成及び成長中、ＮＩＣ４１０による堆積材料４２６の固体表面の核生成の抑制のために、堆積材料４２６の縁部と基部層との間の比較的高い接触角θが観察され得ると想定され得る。そのような核生成抑制属性は、基部層、薄膜蒸気、及びＮＩＣ４１０の間の表面エネルギーの最小化によって推進され得る。

表面の核生成抑制属性及び／又は核生成促進属性の１つの尺度は、基準表面上の同じ導電性堆積材料４２６の初期堆積速度に対する、表面上の所与の（導電性）堆積材料４２６の初期堆積速度であり得、両方の表面は、（導電）堆積材料４２６の蒸発フラックスに曝され、及び／又は曝露される。

ディスプレイパネル
ここで、図３Ａを参照すると、ディスプレイデバイス３１０などの例示的な層状デバイスの断面図が示されている。いくつかの非限定的な実施例では、図４により詳細に示されるように、ディスプレイパネル３１０は、ディスプレイパネル３１０の面３０１を形成する最外層で最高位に達する、基板１０上に堆積された複数の層を備え得る。

Ｘ軸として識別される横軸が、Ｚ軸として識別される縦軸とともに示されている。Ｙ軸として識別される第２の横軸が、Ｘ軸及びＺ軸の両方に対して実質的に横断するように示されている。横軸のうちの少なくとも１つは、ディスプレイパネル３１０の横方向面を画定し得る。縦軸は、ディスプレイパネル３１０の横断方向面を画定し得る。

ディスプレイパネル３１０の層は、横軸によって画定される平面に実質的に平行な横方向面において延在し得る。当業者は、そのような実質的に平面状の表現が、いくつかの非限定的な実施例では、説明のための抽象化であることを理解するであろう。いくつかの非限定的な実施例では、ディスプレイパネル３１０の横方向の広がりにわたって、いくつかの非限定的な実施例では、実質的に完全な層の非存在、及び／又は非平面遷移領域（横方向のギャップ及び平坦な不連続性を含む）によって分離された層を含む、異なる厚さ及び寸法の局在化された実質的に平面状の層があり得る、あり得る。

したがって、例示目的で、ディスプレイパネル３１０は、その断面において、実質的に平行な平面状の層の実質的に層状の構造として示されているが、そのようなディスプレイパネルは、特徴部を画定するための多様なトポグラフィーを局所的に例示し得、特徴部の各々は、断面において議論される層状プロファイルを実質的に呈し得る。

ディスプレイパネル３１０の面３０１は、横軸によって画定される平面に実質的に沿って、ディスプレイパネル３１０の横方向面にわたって延在する。

ディスプレイパネル３１０の横方向面は、少なくとも１つの第１の部分３１１及び少なくとも１つの第２の部分３１２を含むと理解され得る。少なくとも１つの第２の部分３１２の各々は、ブラインドホール領域３１３に対応する。

いくつかの非限定的な実施例では、ディスプレイパネル３１０は、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素３３０を内部に収容するユーザデバイス４００の面３０１として作用し、少なくとも１つのＥＭ信号３３１を、面３０１の層に対してある角度で面３０１を通して交換し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ディスプレイパネル３１０上に少なくとも１つのブラインドホール領域３１３があり得る。図の様々な例に示されるように、いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つのブラインドホール領域３１３は、ディスプレイパネル３１０のエッジに近接して位置し得る。

ここで図３Ｂを参照すると、例示的なユーザデバイス３００の例示的な面を示す概略図が示されている。図３Ｂの平面図では、いくつかの非限定的な実施例では実質的に互いに横断し得る、それぞれＸ軸及びＹ軸として識別される一対の横軸が示されている。

そのようなユーザデバイス４００のそのような面３００のうちの少なくとも１つの上に、いくつかの非限定的な実施例では図３Ａのディスプレイパネル３１０であり得る、ディスプレイがある。そのような面３００のうちの少なくとも１つの上に、少なくとも１つのブラインドホール領域３１３があり得る。図の様々な実施例に示されるように、いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つのブラインドホール領域３１３は、面３０１の縁部に位置し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、図の最初の２つの実施例に示されるように、ブラインドホール領域３１３_ａ、３１３_ｂは、平面視したときに実質的に円形であり、断面では実質的に円柱形のブラインドホール領域３１３に対応し得る。いくつかの非限定的な実施例では、図の第３の実施例に示されるように、ブラインドホール領域３１３_ｃは、平面視したときに細長い楕円形構成を含むがこれに限定されない、異なる構成を有し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ブラインドホール領域３１３の断面寸法は、関連付けられたアンダーディスプレイ構成要素３３０のアクティブセンサ及び／又はエミッタ領域の断面のサイズに対応する、数ｍｍ程度であり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ユーザデバイス４００は、スマートフォン、タブレット、ラップトップ、及び／若しくは電子リーダなどであるがこれらに限定されないコンピューティングデバイス、並びに／又は、モニタ、テレビセット、及び／又は自動車用ディスプレイ及び／若しくはフロントガラス、家庭用電化製品、及び／若しくは医療用、商業用、及び／若しくは産業用デバイスを含むがこれらに限定されないスマートデバイスなどのいくつかの他の電子デバイスであり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、面３０１は、本体３２０及び／又は本体３２０内の開口部３２１に対応及び／又は嵌合し得、本体３２０内に少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素３３０が収容され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素３３０は、面３０１とは反対側の表面上のディスプレイパネル３１０と一体的に、又は組み立てられたモジュールとして形成され得る。いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素３３０は、面３０１とは反対側のディスプレイパネル３１０の基板１０の表面上に形成され得る。

ディスプレイパネル３１０の少なくとも１つの第２の部分３１２によって画定されるブラインドホール領域３１３は、横軸によって画定される平面に対してある角度で、ディスプレイパネル３１０の面３０１を通して、又はそれに付随して、ディスプレイパネル３１０の面３０１を含むがこれに限定されないディスプレイパネル３１０の層を通して、少なくとも１つのＥＭ信号３３１の交換を可能にする。

言い換えれば、少なくとも１つのＥＭ信号３３１は、ＥＭ信号３３１が面３０１を通過するように、第２の部分３１２のブラインドホール領域３１３を通過する。結果として、少なくとも１つのＥＭ信号３３１は、ディスプレイパネル３１０に横方向にわたる導電性コーティングに沿って導かれる任意の電流を含むがこれに限定されない、第２の部分３１２から第１の部分３１１まで（又はその逆に）横方向面に沿って広がり得る任意のＥＭ放射を除外する。

更に、当業者は、少なくとも１つのＥＭ信号３３１が、単独で、又は他のＥＭ信号３３１と併せて、少なくとも１つのＥＭ信号３３１を他のＥＭ信号３３１から区別し得る識別子を含むがこれらに限定されない何らかの情報コンテンツを伝達するという点で、少なくとも１つのＥＭ信号３３１は、電流及び／又は電流によって生成される電場を含むがこれらに限定されないＥＭ放射自体と区別され得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な実施例では、情報コンテンツは、波長、周波数、位相、タイミング、帯域幅、抵抗、キャパシタンス、インピーダンス、コンダクタンス、及び／又は少なくとも１つのＥＭ信号３３１の他の特性、のうちの少なくとも１つを指定、改変、及び／又は変調することによって伝達され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ディスプレイパネル３１０の第２の部分３１２のブラインドホール領域３１３を通過する少なくとも１つのＥＭ信号３３１は、少なくとも１つの光子を含み得、いくつかの非限定的な実施例では、可視スペクトル、ＩＲスペクトル、及び／又はＮＩＲスペクトル内にあるがこれらに限定されない波長スペクトルを有し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ディスプレイパネル３１０の第２の部分３１２のブラインドホール領域３１３を通過する光子は、ブラインドホール領域３１３に入射する周辺光を含み得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ディスプレイパネル３１０の第２の部分３１２のブラインドホール領域３１３を通して交換される少なくとも１つのＥＭ信号３３１は、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素３３１によって送信及び／又は受信され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、図３Ｃに非限定的な実施例として示されるように、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素３３０は、ユーザデバイス４００を越えてからディスプレイパネル３１０の第２の部分３１２のブラインドホール領域３１３を通過する光子３３１_ｒ、３３２_ｒ、３３３_ｒ、３３４_ｒを含むがこれらに限定されない少なくとも１つのＥＭ信号３３１を受信及び処理するように適合された受信部３３０_ｒを含み得る。そのような受信部３３０_ｒの非限定的な実施例は、アンダーディスプレイカメラ（ＵＤＣ）、及び／又はＩＲセンサ、ＮＩＲセンサ、ＬＩＤＡＲセンサ、指紋センサ、光学センサ、赤外線近接センサ、虹彩認識センサ、及び／又は顔認識センサを含むこれらに限定されないセンサを含む。

いくつかの非限定的な実施例では、図３Ｃに非限定的な実施例として示されるように、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素３３０は、ユーザデバイス４００を越えてディスプレイパネル３１０の第２の部分３１２のブラインドホール領域３１３を通過する光子３３１_ｔ、３３２_ｔを含むがこれらに限定されない少なくとも１つのＥＭ信号３３１を放出するように適合された送信部３３０_ｔを含み得る。そのような送信部３３０_ｔの非限定的な実施例は、内蔵フラッシュ、懐中電灯、ＩＲエミッタ、及び／若しくはＮＩＲエミッタ、並びに／又はＬＩＤＡＲ感知モジュール、指紋感知モジュール、光学センサ、ＩＲセンサ、虹彩認識モジュール、及び／若しくは顔認識モジュールを含むがこれらに限定されない光源を含む。

いくつかの非限定的な実施例では、図３Ｃに非限定的な実施例として示されるように、送信部３３０_ｔを含む少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素３３０によって放出される光子を含むがこれに限定されない、ユーザデバイス４００を越えてディスプレイパネル３１０の第２の部分３１２のブラインドホール領域３１３を通過する光子３３１_ｒ、３３２_ｒ、３３３_ｅ、３３４_ｅを含むがこれらに限定されない少なくとも１つのＥＭ信号３３１は、ディスプレイパネル３１０から発し得、ユーザデバイス４００の外部の表面３４０から反射され、ディスプレイパネル３１０の第２の部分３１２のブラインドホール領域３１３を通過して、受信部３３０_ｒを含む少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素３３０に戻り得る。

いくつかの非限定的な実施例では、図３Ｃに非限定的な実施例として示されるように、ユーザデバイス４００内に複数のアンダーディスプレイ構成要素３３０があり得、複数のアンダーディスプレイ構成要素３３０のうちの第１のものは、ユーザデバイス４００を越えてディスプレイパネル３１０の第２の部分３１２のブラインドホール領域３１３を通過する、光子を含むがこれに限定されない少なくとも１つのＥＭ信号３３１を放出するための送信部３３０_ｔを含み、複数のアンダーディスプレイ構成要素３３０のうちの第２のものは、光子を含むがこれに限定されない少なくとも１つのＥＭ信号３３１を受信するための受信部３３０_ｒを含む。

示されていないが、いくつかの非限定的な実施例では、そのような送信部３３０_ｔ及び受信部３３０_ｒは、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素３３０のうちの単一の共通のもので具体化され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、図３Ｃに非限定的な実施例として示されるように、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素５３０は、光子を含むがこれに限定されないＥＭ信号３３１を放出しなくてもよく、面３０１を形成するディスプレイパネル３１０は、光子３３３_ｅ、３３４_ｅを放出する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスを含むがこれに限定されない光ルミネセントデバイスを含むがこれに限定されない光電子デバイスを備え得る。

いくつかの非限定的な実施例では、放出される光子３３３_ｅ、３３４_ｅは、実質的に縦方向の面においてを含むがこれに限定されずに、ディスプレイパネル３１０の層に対してある角度で、ディスプレイパネル３１０の横方向面の第１の部分３１１によって放出され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、放出された光子３３３_ｅ、３３４_ｅは、表面３４０で反射され、ディスプレイパネル３１０を通して戻されて、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素３３０_ｒによって受け取られ得る。

ここで図４を参照すると、本開示による、例示的な光電子デバイス４００の一部の、断面からの単純化されたブロック図が示されている。示されるデバイス４００の部分は、ディスプレイパネル３１０の、少なくとも１つの第１の部分３１１のうちの１つ（の一部）と、少なくとも１つの第２の部分３１２のうちの１つ（の一部）と、に大部分が対応することが理解されよう。

デバイス４００は、基板１０を備え得、基板１０上に、それぞれ第１の電極４０４、少なくとも１つの半導体層４０５、及び第２の電極４０６を含む複数の層を備える、少なくとも第１の部分３１１における、光子放出の機構及び／又は電源に結合されたときに放出される光子の操作を提供するための、フロントプレーンが配設され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、基板１０は、ガラス、サファイア、及び／若しくは他の好適な無機材料を含むがこれらに限定されない無機材料、並びに／又はポリイミド及びシリコン系ポリマーを含むがこれらに限定されないポリマーを含むがこれに限定されない有機材料、を含むがこれらに限定されない、基板１０の使用に好適な材料で形成され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、いくつかの非限定的な実施例では基板１０と第１の電極４０４との間に、バックプレーン層を含み得るか、及び／又はバックプレーン層で形成され得るか、及び／又はバックプレーン層として形成され得る、追加の層が提供され得る。いくつかの非限定的な実施例では、バックプレーン層は、いくつかの非限定的な実施例ではフォトリソグラフィプロセスによって形成され得る薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）トランジスタ、抵抗器、及び／又はコンデンサ（総称してＴＦＴ構造４０１）を含むがこれに限定されない１つ以上の電子構成要素及び／又は光電子構成要素を含むがこれらに限定されない、デバイス４００を駆動するための電力回路及び／又はスイッチング素子を含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、そのようなＴＦＴ構造４０１は、バッファ層の一部の上に形成された半導体活性領域を備え、半導体活性領域上に堆積されたゲート絶縁層が、実質的に半導体活性領域を被覆し得る。いくつかの非限定的な実施例では、ゲート絶縁層の上にゲート電極が形成され得、ゲート電極上に層間絶縁層が堆積され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ディスプレイパネル３１０の横方向面の第１の部分３１１内にデバイス４００の少なくとも１つの放出領域４０７があり得る。いくつかの非限定的な実施例では、第１の部分３１１内に複数の放出領域４０７があり得る。

対照的に、第２の部分３１２は、少なくとも１つのＥＭ信号３３１が交換され得るブラインドホール領域３１３を提供するために、放出領域４０７を実質的に全く欠いている。

各放出領域４０７は、第１の電極４０４及び第２の電極４０６を備える。第１の電極４０４と第２の電極４０６との間に、少なくとも１つの半導体層４０５が位置する。

いくつかの非限定的な実施例では、第１の電極４０４及び／又は第２の電極４０６は、それぞれアノード及びカソードに対応するか、又はその逆であり得る。いくつかの非限定的な実施例では、第１の電極４０４及び／又は第２の電極４０６は、いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つのＴＦＴ構造４０１をバックプレーン層に組み込み得る、いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つの駆動回路によって、電源の端子及び／又は接地に電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な実施例では、第１の電極４０４は、アノードを備え得る。いくつかの非限定的な実施例では、第２の電極４０６は、カソードを備え得る。

いくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００の各放出領域４０７は、単一のディスプレイピクセル４０８_ｐに対応する。いくつかの非限定的な実施例では、各ピクセル４０８_ｐは、所与の波長スペクトルの光を放出し得る。いくつかの非限定的な実施例では、波長スペクトルは、可視スペクトルの色に対応し得るが、これに限定されない。

いくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００の各放出領域４０７は、ディスプレイピクセル４０８_ｐのサブピクセル４０８_ｓに対応し得る。いくつかの非限定的な実施例では、複数のサブピクセル４０８_ｓが組み合わさって、単一のディスプレイピクセル４０８_ｐを形成し得るか、又は表し得る。いくつかの非限定的な実施例では、単一のディスプレイピクセル４０８_ｐは、いくつかの非限定的な実施例では、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、及び／又はＢ（青）のサブピクセル４０８_ｓに対応し得る３つ以上のサブピクセル４０８_ｓによって表され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、所与のサブピクセル４０８_ｓによって放出される光の発光スペクトルは、サブピクセル４０８_ｓが示される色に対応し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００の個々の放出領域４０７は、第１の部分３１１に横方向パターンで並べられ得る。いくつかの非限定的な実施例では、パターンは、いくつかの非限定的な実施例では第１の横軸に沿って延在し得る第１の横方向に沿って延在し得る。いくつかの非限定的な実施例では、パターンはまた、いくつかの非限定的な実施例では第２の横軸に沿って延在し得る第２の横方向に沿って延在してもよい。

そのようなパターンの非限定的な実施例が、図５に概略的に示されている。ただし、説明を簡単にするために、サブピクセル４０８_ｓに対応する放出領域４０７の各々を示すのではなく、サブピクセル４０８_ｓのパターンは、対応するＴＦＴ構造４０１によって表され、各々は、Ｒ（赤）４０８_Ｒ、Ｇ（緑）４０８_Ｇ、及びＢ（青）４０８_Ｂのサブピクセルに対応する関連付けられたサブピクセル４０８_ｓでラベル付けされる。

再び図４を参照すると、いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つの半導体層４０５は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、及び／又は電子注入層（ＥＩＬ）のいずれか１つ以上を含むがこれらに限定されない複数の層を含み得る。

第１の電極４０４及び第２の電極４０６を通して少なくとも１つの半導体層４０５に電位差が印加されると、少なくとも１つの半導体層４０５に、アノードを通して正孔が、またカソードを通して電子が、それらが結合して束縛状態の電子正孔対（励起子）を形成し得るまで注入され得る。特に励起子がＥＭＬ内で形成される場合、励起子は、光子が放出される放射再結合プロセスを通して減衰し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００の様々な放出領域４０７は、少なくとも１つの横方向において、１つ以上の非放出領域４０９によって実質的に取り囲まれ、分離され得、この場合に、デバイス４００の縦方向面に沿った構造及び／又は構成を、第１の電極４０４、第２の電極４０６、及び／又はそれらの間の少なくとも１つの半導体層４０５のうちの少なくとも１つを除去することを含むがこれらに限定されずに、変更することにより、そこから光子が放出されることを実質的に抑制し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、非放出領域４０９は、放出領域４０７を実質的に欠いているそれらの領域を、横方向面に含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つの非放出領域４０９の少なくとも一部は、横方向面の第２の部分３１２に対応し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、関連付けられた（サブ）ピクセル４０８のためのＴＦＴソース電極及びＴＦＴドレイン電極を形成することができ、このＴＦＴソース電極及びＴＦＴドレイン電極は、層間絶縁層及びゲート絶縁層の両方を通して形成された開口部を通って延在し、これにより、このＴＦＴソース電極及びＴＦＴドレイン電極、いくつかの非限定的な実施例では、実質的に開口部に対応する放出領域４０７の実質的に横方向面内、すなわち第１の部分３１１において、半導体活性領域に電気的に結合されるようになっている。いくつかの非限定的な実施例では、次いで、ＴＦＴ絶縁層４０２が、ＴＦＴ構造４０１上に形成され得る。

したがって、いくつかの非限定的な実施例では、第１の電極４０４は、いくつかの非限定的な実施例では放出領域４０７の横方向面の少なくとも一部内で、すなわち、第１の部分３１１において、デバイス４００の露出層表面１１上に配設され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも（サブ）ピクセル４０８の放出領域４０７の横方向面内で、露出層表面１１は、単一のディスプレイ（サブ）ピクセル４０８に対応する放出領域４０７用の駆動回路を構成する様々なＴＦＴ構造４０１のＴＦＴ絶縁層４０２を備え得る。いくつかの非限定的な実施例では、第１の電極４０４は、ＴＦＴ絶縁層４０２を通って延在して、少なくとも１つのＴＦＴ構造４０１を組み込んだ少なくとも１つの駆動回路によって電源の端子及び／又は接地に電気的に結合され得る。

縦方向面では、各放出領域４０７の構成は、いくつかの非限定的な実施例では、取り囲む非放出領域４０９の横方向面の少なくとも一部の実質的に全体にわたって少なくとも１つのピクセル画定層（ＰＤＬ）４０３を導入することによって画定され得る。いくつかの非限定的な実施例では、ＰＤＬ４０３の断面厚さ及び／又はプロファイルは、取り囲む非放出領域４０９の横方向面と取り囲まれた放出領域４０７の横方向面との境界に沿って、増加した厚さの領域によって、各（サブ）ピクセル４０８の放出領域４０７に対して、実質的に谷形状の構成を付与し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、そのような放出領域４０７の横方向面の少なくとも一部において、少なくとも１つの半導体層４０５は、デバイス４００の露出層表面１１上に堆積され得、デバイス４００は、いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも第１の部分３１１内に第１の電極４０４を備え得る。

少なくとも１つの半導体層４０５は、半導体層４０５に対応する放出領域４０７の少なくとも横方向面において、第１の電極４０４上に堆積され得る。

ブラインドホール領域３１３は、第２の部分３１２を、ブラインドホール領域３１３を通過し、かつディスプレイパネル３１０の層に対してある角度で面３０１を通過するＥＭ信号３３１に対して実質的に透過性にすることによって、第２の部分３１２に形成される。いくつかの非限定的な実施例では、そのような第２の部分３１２は、少なくとも１つの非放出領域４０９の少なくとも一部に対応し得る。

示されていないが、いくつかの非限定的な実施例では、いくつかの非限定的な実施例では少なくとも、第１の部分３１１における近隣の放出領域４０７から横方向に離間された領域の、及びいくつかの非限定的な実施例ではＴＦＴ絶縁層４０２の、第２の部分３１２におけるＰＤＬ４０３の厚さは、ＰＤＬ４０３を通した透過率を高めるために、低減され得る。

示されるように、少なくとも１つのブラインドホール領域３１３の横方向面は、ＴＦＴ構造４０１を実質的に全く欠いている。

いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つの半導体層４０５のうちの１つ以上を、第２の部分３１２の少なくとも１つのブラインドホール領域３１３内で選択的に省略することにより、シャドウマスクを使用することを含むがこれに限定されずに、ブラインドホール領域３１３を通したＥＭ信号３３１の透過率への干渉の可能性を低減し得る。

核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）
いくつかの非限定的な実施例では、第２の部分３１２の露出層表面１１上に、核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）４１０が形成されている。いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣは、閉じたコーティングとして形成されている。

シャドウマスクが使用されるか否かにかかわらず、ＮＩＣ４１０は、ＮＩＣ４１０の横方向面において、第２の部分３１２の全体を含むがこれに限定されない、実質的に非放出領域４０９に制限される。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０及び／又はＮＩＣ材料４１６は、実質的に透過性であり得る。

ＮＩＣ４１０は、第２の部分３１２の全体にわたって延在するが、いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ材料４１６は、シャドウマスクを使用して、放出領域４０７を取り囲む１つ以上の非放出領域４０９を画定することを含むがこれに限定されない第１の部分３１１内の特徴部を画定することを含むがこれに限定されずに、第１の部分３１１の一部にわたって選択的に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な実施例では、この放出領域４０７の横方向の広がりは、ＮＩＣ材料４１６を実質的に欠いているであろう。いくつかの非限定的な実施例では、非放出領域の横方向の広がりの少なくとも一部は、一部上に選択的に堆積されたＮＩＣ材料４１６を有し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０は、堆積材料４２６の堆積に対して比較的低い初期付着確率Ｓ_０を有する表面を提供し得、いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０が上に堆積された、デバイス４００の基部層の露出層表面１１の（堆積材料４２６の堆積に対する）初期付着確率Ｓ_０よりも実質的に低くなり得る。

ＮＩＣ４１０及び／又はＮＩＣ材料４１６の低い初期付着確率Ｓ_０のために、いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６の堆積に対して、デバイス４００内で、ある形態の膜及び／又はコーティングとして、及びＮＩＣ４１０の堆積と同様の状況下で堆積される場合、ＮＩＣ４１０は、堆積材料４２６の閉じたコーティングを実質的に欠いていてもよい。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０、及び／又はいくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００内で、ある形態の膜及び／又はコーティングとして、及び／又はＮＩＣ４１０の堆積と同様の状況下で堆積される場合のＮＩＣ材料４１６は、堆積材料４２６の堆積に対して（いくつかの非限定的な実施例では、Ｗａｌｋｅｒ ｅｔ．ａｌによって説明された二重ＱＣＭ技法で識別された条件下で）、約０．９未満、約０．３未満、約０．２未満、約０．１５未満、約０．１未満、約０．０８未満、約０．０５未満、約０．０３未満、約０．０２未満、約０．０１未満、約０．００８未満、約０．００５未満、約０．００３未満、約０．００１未満、約０．０００８未満、約０．０００５未満、約０．０００３未満、又は約０．０００１未満である初期付着確率Ｓ_０を有し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０、及び／又はいくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００内で、ある形態の膜及び／又はコーティングとして、及び／又はＮＩＣ４１０の堆積と同様の状況下で堆積される場合のＮＩＣ材料４１６は、Ａｇ及び／又はＭｇの堆積に対して（いくつかの非限定的な実施例では、Ｗａｌｋｅｒ ｅｔ．ａｌによって説明された二重ＱＣＭ技法で識別された条件下で）、約０．９未満、約０．３未満、約０．２未満、約０．１５未満、約０．１未満、約０．０８未満、約０．０５未満、約０．０３未満、約０．０２未満、約０．０１未満、約０．００８未満、約０．００５未満、約０．００３未満、約０．００１未満、約０．０００８未満、約０．０００５未満、約０．０００３未満、又は約０．０００１未満である初期付着確率Ｓ_０を有し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０、及び／又はいくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００内で、ある形態の膜及び／又はコーティングとして、及びＮＩＣ４１０の堆積と同様の状況下で堆積された場合のＮＩＣ材料４１６は、堆積材料４２６の堆積に対して、約０．１５～０．０００１、約０．１～０．０００３、約０．０８～０．０００５、約０．０８～０．０００８、約０．０５～０．００１、約０．０３～０．０００１、約０．０３～０．０００３、約０．０３～０．０００５、約０．０３～０．０００８、約０．０３～０．００１、約０．０３～０．００５、約０．０３～０．００８、約０．０３～０．０１、約０．０２～０．０００１、約０．０２～０．０００３、約０．０２～０．０００５、約０．０２～０．０００８、約０．０２～０．００１、約０．０２～０．００５、約０．０２～０．００８、約０．０２～０．０１、約０．０１～０．０００１、約０．０１～０．０００３、約０．０１～０．０００５、約０．０１～０．０００８、約０．０１～０．００１、約０．０１～０．００５、約０．０１～０．００８、約０．００８～０．０００１、約０．００８～０．０００３、約０．００８～０．０００５、約０．００８～０．０００８、約０．００８～０．００１、約０．００８～０．００５、約０．００５～０．０００１、約０．００５～０．０００３、約０．００５～０．０００５、約０．００５～０．０００８、又は約０．００５～０．００１の初期付着確率Ｓ_０（いくつかの非限定的な実施例では、Ｗａｌｋｅｒ ｅｔ ａｌ．によって説明された二重ＱＣＭ技術で識別された条件下で）を有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、Ａｇであり得るか、又はＡｇを含有し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０、及び／又はいくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００内で、ある形態の膜及び／又はコーティングとして、及び／又はＮＩＣ４１０の堆積と同様の状況下で堆積される場合のＮＩＣ材料４１６は、複数の堆積材料４２６の堆積に対して（いくつかの非限定的な実施例では、Ｗａｌｋｅｒ ｅｔ．ａｌによって説明された二重ＱＣＭ技法で識別された条件下で）、閾値よりも低い初期付着確率Ｓ_０を有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、閾値は、約０．３、約０．２、約０．１８、約０．１５、約０．１３、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、約０．０２、約０．０１、約０．０８、約０．００５、約０．００３、又は約０．００１であり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０、及び／又はいくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００内で、ある形態の膜及び／又はコーティングとして、及び／又はＮＩＣ４１０の堆積と同様の状況下で堆積される場合のＮＩＣ材料４１６は、Ａｇ、Ｍｇ、Ｙｂ、Ｃｄ、及びＺｎから選択される２つ以上の堆積材料４２６の堆積に対して（いくつかの非限定的な実施例では、Ｗａｌｋｅｒ ｅｔ．ａｌによって説明された二重ＱＣＭ技法で識別された条件下で）、閾値よりも低い初期付着確率Ｓ_０を有し得る。いくつかの更なる非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０は、Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂから選択される２つ以上の堆積材料４２６の閾値以下のＳ_０を呈し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０、及び／又はいくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００内で、ある形態の膜及び／又はコーティングとして、及びＮＩＣ４１０の堆積と同様の状況下で堆積される場合のＮＩＣ材料４１６は、第１の堆積材料４２６の堆積に対しては第１の閾値以下の初期付着確率Ｓ_０を、また第２の堆積材料４２６の堆積に対しては第２の閾値以下の初期付着確率Ｓ_０を呈し得る。いくつかの非限定的な実施例では、第１の堆積材料４２６は、Ａｇであってもよく、第２の堆積材料４２６は、Ｍｇであってもよい。いくつかの他の非限定的な実施例では、第１の堆積材料４２６は、Ａｇであってもよく、第２の堆積材料４２６は、Ｙｂであってもよい。いくつかの他の非限定的な実施例では、第１の堆積材料４２６は、Ｙｂであってもよく、第２の堆積材料４２６は、Ｍｇであってもよい。いくつかの非限定的な実施例では、第１の閾値は、第２の閾値よりも大きくてもよい。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０、及び／又はいくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００内で、ある形態の膜及び／又はコーティングとして、及びＮＩＣ４１０の堆積と同様の状況下で堆積される場合のＮＩＣ材料４１６は、Ａｇの蒸気フラックスに曝された後、閾値透過率値以上の（光）透過率を有し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、透過率は、薄膜として形成されたＮＩＣ４１０及び／又はＮＩＣ材料４１６の表面を、非限定的な実施例としてＯＬＥＤデバイスのカソードであり得る光電子デバイスの電極を堆積させるために使用される典型的な条件下でＡｇの蒸気フラックスに曝露した後に、測定され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、表面をＡｇの蒸気フラックスに曝すための条件は、以下のとおりであり得る：（ｉ）約１０^ー４Ｔｏｒｒ又は約１０^ー５Ｔｏｒｒの真空圧力、（ｉｉ）Ａｇの蒸気フラックスは、約１オングストローム（Å）／秒の基準堆積速度と実質的に一致し、非限定的な実施例として、ＱＣＭを使用して監視又は測定され得る、及び（ｉｉｉ）１５ｎｍの基準厚さに達するまで表面をＡｇの蒸気フラックスに曝し、そのような基準厚さが達成されると、表面は、Ａｇの蒸気フラックスにはそれ以上曝されない。

いくつかの非限定的な実施例では、Ａｇの蒸気フラックスに曝される表面は、実質的に室温（例えば、約２５℃）にあり得る。いくつかの非限定的な実施例では、Ａｇの蒸気フラックスに曝される表面は、Ａｇが蒸発する蒸発源から約６５ｃｍ離れて位置決めされ得る。

いくつかの非限定的な実施例では、閾値透過率値は、可視スペクトルに対応する波長において測定され得る。非限定的な実施例として、閾値透過率値は、約４６０ｎｍの波長において測定され得る。いくつかの非限定的な実施例では、閾値透過率値は、サンプルを透過する入射電磁電力のパーセンテージとして表され得る。いくつかの非限定的な実施例では、閾値透過率値は、少なくとも約６０％、約６５％、約７０％、約７５％、約８０％、約８５％、又は約９０％であり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０、及び／又はいくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６の堆積に対する、ある形態の膜及び／又はコーティングとして、及びデバイス４００内のＮＩＣ４１０の堆積と同様の状況下で堆積される場合のＮＩＣ材料４１６の初期付着確率Ｓ_０と、デバイス４００上の堆積材料４２６の厚さと、の間に正の相関があり得る。

高い透過率は、概して、非限定的な実施例としてＡｇであり得る堆積材料４２６の閉じたコーティングの非存在を示し得ることを当業者であれば理解するであろう。他方で、特に閉じたコーティングとして形成される場合の金属薄膜は、高い度合いの光吸収を呈し得るため、低い透過率は、概して、Ａｇ、Ｍｇ、及び／又はＹｂを含むがこれらに限定されない堆積材料４２６の閉じたコーティングの存在を示し得る。

Ａｇ、Ｍｇ、及び／又はＹｂを含むがこれらに限定されない堆積材料４２６に対して低い初期付着確率Ｓ_０を呈する表面は、高い透過率を呈し得ると更に想定される。他方で、Ａｇ、Ｍｇ、及び／又はＹｂを含むがこれらに限定されない堆積材料４２６に対して高い付着確率Ｓ_０を呈する表面は、低い透過率を呈し得る。

一連のサンプルを作製して、透過率を測定するとともに、Ａｇの閉じたコーティングが形成されているか否かを目視で観察した。ガラス基板上に約５０ｎｍ厚さの材料のコーティングを堆積させ、次いで、コーティングの表面を、１５ｎｍの基準層厚さに達するまで、約１Å／秒の速度のＡｇの蒸気フラックスに曝すことによって、各サンプルを調製した。次いで、各サンプルを目視で分析し、各サンプルを通した透過率を測定した。

本明細書のいくつかの非限定的な実施例で使用される材料の分子構造を以下に挙示する。

Ａｇの実質的に閉じたコーティングが形成されたサンプルを目視で識別し、これらのサンプルにおけるそのようなコーティングの存在を、透過率の測定によって更に確認し、この測定は、４６０ｎｍの波長で５０％以下の透過率を示した。

Ａｇの閉じたコーティングが形成されていないサンプルも目視で識別し、これらのサンプルにおけるそのようなコーティングの非存在を、透過率の測定によって更に確認し、この測定は、４６０ｎｍの波長で７０％を超える透過率を示した。

結果を、以下の表にまとめる。

以上に基づいて、表中の最初の７つのサンプル（ＨＴ２１１～実施例材料２）で使用される材料は、Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料を含むがこれらに限定されない、サンプル上の堆積材料４２６の堆積を抑制するのに特に好適ではない場合があることが見出された。

他方で、実施例材料３～実施例材料９は、少なくともいくつかの用途において、ＮＩＣ４１０上にＡｇ及び／又はＡｇ含有材料を含むがこれらに限定されない、サンプル上の堆積材料４２６の堆積を抑制するためのＮＩＣ４１０として好適であり得ることが見出された。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０、及び／又はいくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００内で、ある形態の膜及び／又はコーティングとして、及びＮＩＣ４１０の堆積と同様の状況下で堆積される場合のＮＩＣ材料４１６は、約２４ダイン／ｃｍ未満、約２２ダイン／ｃｍ未満、約２０ダイン／ｃｍ未満、約１８ダイン／ｃｍ未満、約１６ダイン／ｃｍ未満、約１５ダイン／ｃｍ未満、約１３ダイン／ｃｍ未満、約１２ダイン／ｃｍ未満、又は約１１ダイン／ｃｍ未満の表面エネルギーＹ１を有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、表面エネルギーＹ１は、約６ダイン／ｃｍ、約７ダイン／ｃｍ、又は約８ダイン／ｃｍを超え得る。いくつかの非限定的な実施例では、表面エネルギーＹ１は、約１０～２０ダイン／ｃｍ、又は約１３～１９ダイン／ｃｍであり得る。いくつかの非限定的な実施例では、表面の臨界表面張力は、Ｗ．Ａ．Ｚｉｓｍａｎ、Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ４３（１９６４）、Ｐ．１－５１に更に記載されているように、Ｚｉｓｍａｎ法に従って判定され得る。

非限定的な実施例として、様々な材料によって形成された表面の臨界表面張力を測定するために、一連のサンプルを作製した。測定の結果を以下にまとめる。

臨界表面張力の以上の測定と、Ａｇの実質的に閉じたコーティングの存在又は非存在に関する以前の観察と、に基づいて、コーティングとして堆積されたときに、非限定的な実施例として、約１３～２０ダイン／ｃｍ、又は約１３～１９ダイン／ｃｍの臨界表面張力を有する表面であり得る、低表面エネルギーの表面を形成する材料は、Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料を含むがこれらに限定されない、これらの表面上の堆積材料４２６の堆積を抑制するためにＮＩＣ４１０を形成するのに特に有用であり得ることが見出された。

いかなる特定の理論にも拘束されることを望むものではないが、非限定的な実施例として、約１３ダイン／ｃｍ未満の表面エネルギーを有する表面を形成する材料は、特定の用途では、そのような材料は、そのような材料を取り囲む層に対する不十分な接着性を呈し、低い融点を呈し、及び／又は低い昇華温度を呈し得るため、ＮＩＣ材料４１０として十分に適していない場合があると想定され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０、及び／又はいくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００内で、ある形態の膜及び／又はコーティングとして、及びＮＩＣ４１０の堆積と同様の状況下で堆積される場合のＮＩＣ材料４１６は、低い屈折率ｎを有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０、及び／又はいくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００内で、ある形態の膜及び／又はコーティングとして、及びＮＩＣ４１０の堆積と同様の状況下で堆積される場合のＮＩＣ材料４１６は、約１．５５未満、約１．５未満、約１．４５未満、約１．４３未満、約１．４未満、約１．３９未満、約１．３７未満、約１．３５未満、約１．３２未満、又は約１．３未満であり得る、５５０ｎｍの波長の光子に対する屈折率ｎを有し得る。いかなる特定の理論にも拘束されることを望むものではないが、低い屈折率ｎを有するＮＩＣ４１０を提供することは、少なくともいくつかのデバイス４００において、デバイス４００の第２の部分３１２を通る外光の透過を増強し得ることが観察された。非限定的な実施例として、ＮＩＣ４１０の近傍又はＮＩＣ４１０に隣接して配置され得る空隙を含むデバイス４００は、ＮＩＣ４１０が低い屈折率ｎを有する場合、そのような低インデックスＮＩＣ４１０が提供されない同様に構成されたデバイス４００と比較して、より高い透過率を呈し得る。

非限定的な実施例として、様々な材料のうちのいくつかによって形成されたコーティングについて５５０ｎｍの波長における屈折率を測定するために、一連のサンプルを作製した。測定の結果を以下にまとめる。

屈折率ｎの以上の測定と、Ａｇの実質的に閉じたコーティングの存在又は非存在に関する以前の観察と、に基づいて、非限定的な実施例として１．４又は１．３８以下の屈折率ｎを有するコーティングであり得る低い屈折率ｎのコーティングを形成する材料は、Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料を含むがこれらに限定されない、このコーティング上の堆積材料４２６の堆積を抑制するためにＮＩＣ４１０を形成するのに好適であり得ることが見出された。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０、及び／又はいくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００内で、ある形態の膜及び／又はコーティングとして、及びＮＩＣ４１０の堆積と同様の状況下で堆積される場合のＮＩＣ材料４１６は、約６００ｎｍ、約５００ｎｍ、約４６０ｎｍ、約４２０ｎｍ、又は約４１０ｎｍのうちの少なくとも１つを超える波長の光子に対して、約０．０１未満であり得る吸光係数ｋを有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０、及び／又はいくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００内で、ある形態の膜及び／又はコーティングとして、及びＮＩＣ４１０の堆積と同様の状況下で堆積される場合のＮＩＣ材料４１６は、ＮＩＣ４１０及び／又はＮＩＣ材料４１６を通過する少なくとも可視スペクトルの光を実質的に減衰させないことができる。いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０、及び／又はいくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００内で、ある形態の膜及び／又はコーティングとして、及びＮＩＣ４１０の堆積と同様の状況下で堆積される場合のＮＩＣ材料４１６は、ＮＩＣ４１０及び／又はＮＩＣ材料４１６を通過する少なくともＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルの光を実質的に減衰させないことができる。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０、及び／又はいくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００内で、ある形態の膜及び／又はコーティングとして、及びＮＩＣ４１０の堆積と同様の状況下で堆積される場合のＮＩＣ材料４１６は、少なくとも約４００ｎｍ、約３９０ｎｍ、約３８０ｎｍ、又は約３７０ｎｍよりも短い波長の光子に対して、約０．０５超、約０．１超、約０．２超、又は約０．５超であり得る吸光係数ｋを有し得る。このように、ＮＩＣ４１０、及び／又はいくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００内で、ある形態の膜及び／又はコーティングとして、及びＮＩＣ４１０の堆積と同様の状況下で堆積される場合のＮＩＣ材料４１６は、デバイスに入射するＵＶＡスペクトル光中の光を吸収し、それによって、デバイスの性能、デバイスの安定性、デバイスの信頼性、及び／又はデバイスの寿命の観点で望ましくない影響を与えるＵＶＡスペクトルの光の可能性が低減され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０、及び／又はいくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００内で、ある形態の膜及び／又はコーティングとして、及びＮＩＣ４１０の堆積と同様の状況下で堆積される場合のＮＩＣ材料４１６は、約３００℃未満、約１５０℃未満、約１３０℃未満、約３０℃未満、約０℃未満、約－３０℃未満、又は約－５０℃未満であるガラス転移温度Ｔ_ｇを有し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ材料４１６は、約１００～３２０℃、約１２０～３００℃、約１４０～２８０℃、又は約１５０～２５０℃の昇華温度を有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、そのような昇華温度は、物理蒸着（ＰＶＤ）を使用してＮＩＣ材料４１６をコーティングとして容易に堆積させることを可能にし得る。

材料の昇華温度は、るつぼ内で高真空下で材料を加熱することによること、及び以下が達成され得る温度を判定することによることを含むがこれらに限定されない、当業者に明らかな様々な方法を使用して、判定され得る。
・るつぼから固定距離に取り付けられたＱＣＭ上の表面上への材料の堆積の開始を観察し、
・るつぼから固定距離に取り付けられたＱＣＭ上の表面上への、非限定的な実施例として０．１Å／秒の、特定の堆積速度を観察し、及び／又は
・非限定的な実施例として約１０^－４又は約１０^－５Ｔｏｒｒの、材料の閾値蒸気圧に達する。

いくつかの非限定的な実施例では、材料の昇華温度は、非限定的な実施例として約１０^－４Ｔｏｒｒの高真空環境下で蒸発源内の材料を加熱することによって、及び材料を蒸発させ、したがって、非限定的な実施例として、供給源から固定距離に取り付けられたＱＣＭ上の表面上に、約０．１Å／秒の堆積速度での材料の堆積を引き起こすのに十分な蒸気フラックスを生成することが達成され得る温度を判定することによって判定され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＱＣＭは、昇華温度を判定する目的で、るつぼから約６５ｃｍ離して取り付けられ得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０及び／又はパターニング材料３１６は、フッ素（Ｆ）原子及び／又はシリコン（Ｓｉ）原子を含有し得る。非限定的な実施例として、ＮＩＣ４１０を形成するためのＮＩＣ材料４１６は、Ｆ及び／又はＳｉを含む化合物であり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ材料４１６は、Ｆを含む化合物であってもよい。いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ材料４１６は、Ｆ及び炭素（Ｃ）原子を含む化合物であってもよい。いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ材料４１６は、少なくとも約１、少なくとも約１．５、又は少なくとも約２のＦ／Ｃの商に対応する原子比でＦ及びＣを含む化合物であってもよい。いくつかの非限定的な実施例では、Ｃに対するＦの原子比は、化合物構造に存在するＦ原子の全てを数え、Ｃ原子については、化合物構造に存在するｓｐ^３混成のＣ原子のみを数えることによって判定され得る。いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ材料４１６は、ＮＩＣ材料４１６の分子部分構造の一部として、少なくとも約１、少なくとも約１．５、又は少なくとも約２のＦ／Ｃの商に対応する原子比でＦ及びＣを含有する部分を含む化合物であってもよい。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ材料４１６は、オリゴマーであり得るか、又はオリゴマーを含有し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ材料４１６は、主鎖と、主鎖に結合した少なくとも１つの官能基と、を含有する分子構造を有する化合物であり得るか、又はこの化合物を含有し得る。

いくつかの非限定的な実施例において、そのような化合物は、シロキサン基を含有する分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、シロキサン基は、直鎖状、分岐状、又は環状のシロキサン基であってもよい。いくつかの非限定的な実施例では、主鎖は、シロキサン基であり得るか、又はシロキサン基を含有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、主鎖は、シロキサン基と、フッ素を含有する少なくとも１つの官能基と、であり得るか、又はそれらを含有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、フッ素を含有する少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であってもよい。そのような化合物の非限定的な実施例は、フルオロシロキサンを含む。そのような化合物の非限定的な実施例は、実施例材料６及び実施例材料９である。

いくつかの非限定的な実施例では、化合物は、シルセスキオキサン基を含有する分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、シルセスキオキサン基は、オリゴマーかご型シルセスキオキサン（ＰＯＳＳ）であってもよい。いくつかの非限定的な実施例では、主鎖は、シルセスキオキサン基であり得るか、又はシルセスキオキサン基を含有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、主鎖は、シルセスキオキサン基、及びフッ素を含有する少なくとも１つの官能基であり得るか、又はそれらを含有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、フッ素を含有する少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であってもよい。そのような化合物の非限定的な実施例は、フルオロシルセスキオキサン及び／又はフルオロＰＯＳＳを含む。そのような化合物の非限定的な実施例は、実施例材料８である。

いくつかの非限定的な実施例では、化合物は、置換若しくは非置換アリール基、及び／又は置換若しくは非置換ヘテロアリール基を含有する分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、アリール基は、フェニル又はナフチルであってもよい。いくつかの非限定的な実施例では、アリール基の１つ以上のＣ原子が、ヘテロアリール基を誘導する、非限定的な実施例として酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、及び／又は硫黄（Ｓ）であり得る、ヘテロ原子によって置換されていてもよい。いくつかの非限定的な実施例では、主鎖は、置換若しくは非置換アリール基、及び／又は置換若しくは非置換ヘテロアリール基であり得るか、又はそれらを含有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、主鎖は、置換若しくは非置換アリール基、及び／又は置換若しくは非置換ヘテロアリール基、並びにフッ素を含有する少なくとも１つの官能基であるか、又はそれらを含有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、フッ素を含有する少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であってもよい。

いくつかの非限定的な実施例では、化合物は、置換又は非置換の、直鎖状、分岐状、又は環状の炭化水素基を含有する分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、炭化水素基の１つ以上のＣ原子は、非限定的な実施例としてＯ、Ｎ、及び／又はＳであり得る、ヘテロ原子によって置換され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、化合物は、ホスファゼン基を含有する分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、ホスファゼン基は、直鎖状、分枝状、又は環状のホスファゼン基であってもよい。いくつかの非限定的な実施例では、主鎖は、ホスファゼン基であり得るか、又はホスファゼン基を含有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、主鎖は、ホスファゼン基、及びフッ素を含有する少なくとも１つの官能基であり得るか、又はそれらを含有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、フッ素を含有する少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であってもよい。そのような化合物の非限定的な実施例は、フルオロホスファゼンを含む。そのような化合物の非限定的な実施例は、実施例材料４である。

いくつかの非限定的な実施例では、化合物は、フルオロポリマーであり得る。いくつかの非限定的な実施例では、化合物は、Ｆを含有するブロックコポリマーであってもよい。いくつかの非限定的な実施例では、化合物は、オリゴマーであってもよい。いくつかの非限定的な実施例では、オリゴマーは、フルオロオリゴマーであってもよい。いくつかの非限定的な実施例において、化合物は、Ｆを含有するブロックオリゴマーであってもよい。フルオロポリマー及び／又はフルオロオリゴマーの非限定的な実施例は、実施例材料３、実施例材料５、及び／又は実施例材料７の分子構造を有するものである。

いくつかの非限定的な実施例では、化合物は、金属錯体であってもよい。いくつかの非限定的な実施例では、金属錯体は、有機金属錯体であってもよい。いくつかの非限定的な実施例では、有機金属錯体は、Ｆを含有してもよい。いくつかの非限定的な実施例では、有機金属錯体は、Ｆを含有する少なくとも１つの配位子を含んでもよい。いくつかの非限定的な実施例では、Ｆを含有する少なくとも１つの配位子は、フルオロアルキル基であってもよいし、フルオロアルキル基を含有してもよい。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ材料４１６は、有機無機ハイブリッド材料であり得るか、又は有機無機ハイブリッド材料を含有し得る。そのような材料は、一般に、有機である部分（ｐｏｒｔｉｏｎ）又は部分（ｍｏｉｅｔｙ）と、無機である別の部分（ｐｏｒｔｉｏｎ）又は別の部分（ｍｏｉｅｔｙ）と、を含み得る。そのような材料の非限定的な実施例は、シロキサン基、シルセスキオキサン基、ＰＯＳＳ基、ホスファゼン基、及び／又は金属錯体を含有するものである。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ材料４１６は、複数の異なる材料を含み得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ材料４１６は、堆積材料４２６の核生成サイトとして作用する、レッジ、ステップ縁部、化学的不純物、結合サイト、及び／又はキンク（「不均一性」）を含むがこれらに限定されない、シードとして、又は露出層表面１１上の欠陥及び／若しくは異常として作用し得る別の材料でドープ、被覆、及び／又は補充され得る。いくつかの非限定的な実施例では、そのような他の材料は、核生成促進コーティング（ＮＰＣ）材料を含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、そのような他の材料は、非限定的な実施例として、多環式芳香族化合物などの有機材料、及び／又はＯ、Ｓ、Ｎ、又はＣなどを含むがこれらに限定されない、非金属元素を含有する材料を含み得、これらの存在は、それ以外には、供給源材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境の汚染物質と見なされる場合がある。いくつかの非限定的な実施例では、そのような他の材料は、この材料の連続コーティング３０の形成を回避するために、モノレイヤの分率である層厚さで堆積され得る。むしろ、そのような他の材料のモノマーは、堆積材料４２６のための離散した核生成サイトを形成するように、横方向面において離間する傾向があるであろう。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０は、ＮＩＣコーティングの閉じたコーティングを実質的に欠いている、内部の少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配設され得る。いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つの領域は、ＮＩＣ４１０をその複数の離散したフラグメントに分離し得る。いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０の複数の離散したフラグメントは、ＮＩＣ４１０の横方向面において互いに物理的に離間し得る。いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０の複数の離散したフラグメントは、非限定的な実施例ではＮＩＣ４１０の離散したフラグメントが繰り返しパターンで構成されるように、アレイ又はマトリクスを含むがこれらに限定されない規則的な構造で配置され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０の複数の離散したフラグメントのうちの少なくとも１つが各々、放出領域４０７に対応し得る。いくつかの非限定的な実施例では、放出領域４０７の開口率は、約５０％以下、約４０％以下、約３０％以下、又は約２０％以下であり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０の平均膜厚さは、約１～１００ｎｍであり得る。いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０の平均膜厚さは、約８０ｎｍ未満、約６０ｎｍ未満、約５０ｎｍ未満、約４０ｎｍ未満、約３０ｎｍ未満、約２０ｎｍ未満、約１５ｎｍ未満、又は約１０ｎｍ未満であり得る。いくつかの非限定的な実施例では、パターニング層の平均膜厚さは、約３ｎｍ、約５ｎｍ、又は約８ｎｍを超え得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０の平均膜厚さは、約１０ｎｍ未満であり得る。いかなる特定の理論にも拘束されることを望むものではないが、幾分驚くべきことに、ゼロよりも大きく約１０ｎｍ未満であるＮＩＣ４１０の平均膜厚さは、少なくともいくつかの非限定的な実施例では、非限定的な実施例として、１０ｎｍを超える平均膜厚さを有するＮＩＣ４１０に対して、堆積材料４２６のパターニングコントラストの向上を達成する特定の利点を提供し得ることが見出された。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０は、単一のモノリシックコーティングとして形成され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０は、光学コーティングとして作用し得る。いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０は、デバイス４００の少なくとも１つの放出領域４０７から放出される光の少なくとも１つの属性及び／又は特性を修正し得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ４１０は、放出された光を散乱させるヘイズ度を呈し得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ４１０は、内部を透過した光を散乱させるための結晶性材料を含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、そのような光の散乱は、デバイス４００からの光のアウトカップリングの強化を容易にし得る。いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０は、実質的にアモルファスコーティングを含むがこれに限定されない実質的に非晶質のコーティングとして最初に堆積され得、すると、その堆積後、ＮＩＣ４１０は、結晶化し、その後、光カップリングとして機能し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０は、特にそのように作用するように堆積され得る。いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０は、製造プロセスの一部として堆積されるが、ＮＩＣ４１０としても機能し得る。

堆積材料
少なくとも第２の部分３１２にわたるＮＩＣ４１０の選択的堆積の後、デバイス４００の露出層表面１１は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを含むがこれらに限定されないものにおいて、堆積材料４２６の蒸気フラックスに曝露され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、第２の部分３１２の全体を含むがこれに限定されない、非放出領域４０９の横方向面内のデバイス４００の露出層表面１１は、ＮＩＣ４１０を含み得る。したがって、そのような領域では、堆積材料４２６は、堆積材料４２６の閉じたコーティングとして形成されない傾向があり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、そのような領域は、堆積材料４２６の閉じたコーティングを実質的に欠いていてもよい。

したがって、デバイス４００の第２の部分３１２の少なくとも１つのブラインドホール領域３１３は、ＴＦＴ構造４０１、関連付けられた導電性金属線、第１の電極４０４、又は第２の電極４０６などの非透過性要素を実質的に全く欠いていてよいことが分かり得る。

粒子構造
いかなる特定の理論にも限定されることを望むものではないが、上への堆積材料４２６の閉じたコーティングの形成は、ＮＩＣ４１０の閉じたコーティング上では実質的に抑制され得るが、いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０がＮＩＣ４１０上への堆積材料４２６の堆積に曝露される場合に、堆積材料４２６のいくつかの蒸気モノマーは、ＮＩＣ４１０上に、ナノ粒子（ＮＰ）及び／又はナノ粒子のネットワーク（総称して粒子構造６１）を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの粒子を最終的に形成し得る。

したがって、第２の部分３１２の全体を含むがこれに限定されない非放出領域４０９の横方向面内のデバイス４００の露出層表面１１は、いくつかの非限定的な実施例では、中間段階層及び／又は不連続コーティングを含み得る。本開示では、説明を簡単にする目的で、「不連続層」という用語は、中間段階層及び不連続コーティングのいずれか又は両方を包含するものと理解されよう。

したがって、そのような領域は、堆積材料４２６の少なくとも１つの粒子構造６１を含む不連続層を含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、粒子構造６１のうちの少なくともいくつかは、互いに切り離され得る。言い換えれば、いくつかの非限定的な実施例において、不連続層は、閉じたコーティングが上に形成されないように、互いに物理的に分離された粒子構造６１を含む特徴部を含み得る。

したがって、そのような領域は、いくつかの非限定的な実施例では、粒子構造６１として形成された堆積材料４２６の薄い分散層を含み得る。

いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６の粒子構造６１のうちの少なくとも１つは、ＮＩＣ４１０の露出層表面１１と物理的に接触し得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６の粒子構造６１の実質的に全てが、ＮＩＣ４１０の露出層表面１１と物理的に接触してもよい。

いかなる特定の理論にも拘束されることを望むものではないが、幾分驚くべきことに、不連続層における、及び／又はＮＩＣ４１０上の被覆層との界面を含むがこれらに限定されないＮＩＣ４１０の露出層表面１１に近接したところを含むがこれらに限定されない、金属粒子構造６１を含むがこれに限定されない少なくとも１つの粒子構造６１を含むがこれに限定されない堆積材料４２６のそのような薄い分散層の存在が、本明細書で説明されるような、デバイス４００によって放出され、及び／又は面３０１の第２の部分３１２を通して交換される光子及び／又はＥＭ信号に関するデバイス４００の光学的効果及び属性を含むがこれらに限定されない、１つ以上の様々な特性及び付随する様々な挙動を呈し得ることが見出された。いくつかの非限定的な実施例では、そのような効果及び属性は、ＮＩＣ４１０上のそのような粒子構造６１の特性的なサイズ、サイズ分布、形状、被覆率、構成、堆積密度、及び／又は分散度の賢明な選択によって、ある程度制御され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０上の粒子構造６１の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、被覆率、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つの形成は、いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ材料４１６の少なくとも１つの特性、ＮＩＣ４１０の平均膜厚さ、ＮＩＣ４１０の不均一性の導入、及び／又はＮＩＣ４１０の温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び／又は堆積の方法を含むがこれらに限定されない堆積環境のうちの少なくとも１つの賢明な選択によって制御され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、そのような粒子構造６１の特性的なサイズ、サイズ分布、形状、被覆率、構成、堆積密度、及び／又は分散度の形成は、いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６の少なくとも１つの特性、ＮＩＣ４１０が堆積材料４２６の堆積に曝露され得る程度（いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６の基準層厚さの観点で指定され得る、及び／又は粒子構造６１の温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び／又は堆積の方法を含むがこれらに限定されない堆積環境のうちの１つの賢明な選択によって制御され得る。

当業者は、特定の金属ＮＰが自由電子の表面プラズモン（ＳＰ）励起及び／又はコヒーレント振動を呈し、その結果、そのようなＮＰが、可視スペクトル及び／又は可視スペクトルの部分範囲を含むこれらに限定されないＥＭスペクトルの範囲の光を吸収及び／又は散乱し得ることを理解するであろう。そのような局在化したＳＰ（ＬＳＰ）励起及び／又はコヒーレント振動の、吸収が集中し得るＥＭスペクトルの（部分）範囲（吸収スペクトル）、屈折率ｎ、及び／又は吸光係数ｋを含むがこれらに限定されない光学的応答は、ナノ構造及び／又はナノ構造に近接する媒体の材料及び／又は凝集度を含むがこれらに限定されない特性的なサイズ、サイズ分布、形状、被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は属性を含むがこれらに限定されない、そのようなＮＰの様々な属性によって適合化され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６の少なくとも１つの粒子構造６１の存在は、デバイス４００の光抽出、性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命の向上に寄与し得る。

当業者は、光学的効果の単純化されたモデルが本明細書に提示されているが、他のモデル及び／又は説明が適用可能であり得ることを理解するであろう。

いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６の少なくとも１つの粒子構造６１の存在は、ＮＩＣ４１０及び／又は任意の被覆層を含むがこれらに限定されない、縦方向面において粒子構造６１に隣接して配設された薄膜層及び／又はコーティングの結晶化を低減及び／又は緩和し、それによって、粒子構造６１に隣接して配設された薄膜の属性を安定化させ、いくつかの非限定的な実施例では、光散乱を低減し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料の少なくとも１つの粒子構造６１の存在は、ＵＶスペクトルの少なくとも一部における吸収の増強を提供し得る。いくつかの非限定的な実施例では、粒子構造６１の特性的なサイズ、サイズ分布、形状、被覆率、構成、堆積密度、分散度、堆積材料４２６、及び屈折率ｎを含むがこれらに限定されない、そのような粒子構造６１の特性を制御することは、ＵＶスペクトルを含む吸収スペクトルの吸収度、波長範囲、及びピーク波長λ_ｍａｘの制御を容易にし得る。ＵＶスペクトルの少なくとも一部における光の吸収の増強は、例えば、デバイスの性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命を改善するために有利であり得る。いくつかの非限定的な実施例では、粒子構造６１の様々な特性は、周囲の媒体、コーティング、及び／又は層の属性によって変調され得る。いくつかの非限定的な実施例では、粒子構造６１は、粒子構造６１の吸収特性及び／又は屈折率ｎを変調するために、ＮＩＣ４１０及び／又は低屈折率コーティングと接触して配設される。

いくつかの非限定的な実施例では、光学的効果は、含まれる波長範囲及び／又はそのピーク強度を含む、透過及び／又は吸収波長スペクトルへの影響の観点で説明され得る。

追加的に、提示されたモデルは、そのような粒子構造６１を通過する光子の透過及び／又は吸収に与えられる特定の効果を示唆し得、いくつかの非限定的な実施例では、そのような効果は、広く観察可能には反映されない場合がある局所的な効果を反映し得る。

典型的には、第２の部分３１２の全体を含むがこれに限定されない非放出領域４０９の横方向面（の観察窓）における粒子構造６１のサイズは、統計的分布を反映し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、吸収スペクトル強度は、粒子構造６１の特性サイズＳ１の特定の分布について、そのような領域の堆積密度に比例する傾向があり得る。

以上のことはまた、単純化する仮定として、各粒子構造６１をモデル化するＮＰが完全な球形を有し得ることを仮定している。典型的には、そのような領域（の観察窓）における粒子構造６１の形状は、堆積プロセスに高度に依存し得る。いくつかの非限定的な実施例では、粒子構造６１の形状は、共鳴帯域の幅、波長範囲、及び／又は強度、並びに付随する吸収帯域を含むがこれらに限定されないものを含む、ＳＰ励起への重大な影響を呈し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、そのような領域を取り囲む材料が、これらの領域の下にある（粒子構造６１がこれらの領域の露出層表面１１上に堆積され得るように）か、又はその後にこれらの領域の露出層表面１１上に配設されたかにかかわらず、粒子構造６１が光子及び／又は信号の領域透過に影響を与える光学的効果に影響を与え得る。

低屈折率ｎ材料からなり得るＮＩＣ４１０の露出層表面１１上に、及び／又は露出層表面１１と物理的に接触して、及び／又は露出層表面１１に近接して粒子構造６１を配設することは、いくつかの非限定的な実施例では、粒子構造６１の吸収スペクトルをシフトさせ得ると想定され得る。

少なくとも１つの粒子構造６１は、ＮＩＣ４１０上に、及び／又はＮＩＣ４１０と物理的に接触して、及び／又はＮＩＣ４１０に近接して配置され得るため、デバイス４００は、粒子構造６１の吸収スペクトルがＮＩＣ４１０の存在により、調整及び／又は修正され得るように構成され得る。いくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００は、ＮＩＣ４１０の存在により、そのような吸収スペクトルが、可視スペクトル、ＵＶスペクトル、及び／又はＩＲスペクトルを含むがこれらに限定されないＥＭスペクトルの少なくとも一部と、実質的に重なり合ってもよく、及び／又は重なり合わなくてもよいように、そのような吸収スペクトルが調整及び／又は修正されるように構成され得る。いくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００は、ＮＩＣ４１０又は低屈折率層の存在により、そのような吸収スペクトルがＵＶＡスペクトルの少なくとも一部と実質的に重なり合い、それによって、ＮＩＣ４１０又は低屈折率層を通るＵＶＡ光又は信号の透過を減衰させ得るように、そのような吸収スペクトルが調整及び／又は修正され得るように構成され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、約３００ｋＪ／ｍｏｌ未満、約２００ｋＪ／ｍｏｌ未満、約１６５ｋＪ／ｍｏｌ未満、約１５０ｋＪ／ｍｏｌ未満、約５０ｋＪ／ｍｏｌ未満、又は約２０ｋＪ／ｍｏｌ未満の結合解離エネルギーを有する金属を含み得る。

いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、約１．４未満、約１．３未満、又は約１．２未満である電気陰性度を有する金属を含み得る。

いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、又はイットリウム（Ｙ）から選択される元素を含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、元素は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、及び／又はＭｇを含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、及び／又はＡｕを含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、元素は、Ｃｕであり得る。いくつかの非限定的な実施例では、元素は、Ａｌであり得る。いくつかの非限定的な実施例では、元素は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、及び／又はＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、及び／又はＬｉを含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、及び／又はＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、元素は、Ｍｇ及び／又はＡｇを含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、元素は、Ａｇであり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、純金属であり得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、純Ａｇ又は実質的に純Ａｇであり得る。いくつかの非限定的な実施例では、実質的に純Ａｇは、少なくとも約９５％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、又は少なくとも約９９．９９９５％の純度を有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、純Ｍｇ又は実質的に純Ｍｇであり得る。いくつかの非限定的な実施例では、実質的に純Ｍｇは、少なくとも約９５％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、又は少なくとも約９９．９９９５％の純度を有し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、合金を含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、合金は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、又はＡｇＭｇ含有合金であり得る。いくつかの非限定的な実施例では、ＡｇＭｇ含有合金は、体積で１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲であり得る合金組成を有し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、Ａｇの代用として及び／又はＡｇと組み合わせた他の金属を含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、Ａｇの少なくとも１つの他の金属との合金を含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、ＡｇのＭｇ及び／又はＹｂとの合金を含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、そのような合金は、約５体積％のＡｇ～約９５体積％のＡｇの組成を有し、残りは他の金属である二元合金であり得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、Ａｇ及びＭｇを含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、体積で約１：１０～約１０：１の組成を有するＡｇ：Ｍｇ合金を含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、Ａｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、体積で約１：２０～約１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、Ｍｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、Ａｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。

いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、少なくとも１つの追加の元素を含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、そのような追加の元素は、非金属元素であり得る。いくつかの非限定的な実施例では、非金属元素は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、又はＣであり得る。いくつかの非限定的な実施例では、そのような追加の元素が、源材料、堆積のために使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境中にそのような追加の元素が存在することによって、汚染物質として堆積材料４２６の表面上に組み込まれ得ることが当業者に理解されよう。いくつかの非限定的な実施例では、そのような追加の元素の濃度は、閾値濃度を下回るように制限され得る。いくつかの非限定的な実施例では、そのような追加の元素は、堆積材料４２６の他の元素とともに化合物を形成し得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６中の非金属元素の濃度は、約１％未満、約０．１％未満、約０．０１％未満、約０．００１％未満、約０．０００１％未満、約０．００００１％未満、約０．０００００１％未満、又は約０．００００００１％未満であり得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６は、内部のＯ及びＣの合計量が、約１０％未満、約５％未満、約１％未満、約０．１％未満、約０．０１％未満、約０．００１％未満、約０．０００１％未満、約０．００００１％未満、約０．００００１％未満、又は約０．００００００１％未満である組成を有し得る。

幾分驚くべきことに、特に堆積材料４２６が実質的に金属及び／又は金属合金からなる場合に、堆積材料４２６中の特定の非金属元素の濃度を低下させることは、少なくとも１つの粒子構造６１の選択的堆積を容易にし得ることが見出された。いかなる特定の理論にも拘束されることを望むものではないが、非限定的な実施例として、Ｏ及び／又はＣなどのある特定の非金属元素は、堆積材料４２６の蒸気フラックス中、並びに／又は堆積チャンバ及び／若しくは環境中に存在するとき、堆積材料４２６の金属元素のための核生成サイトとして作用するように、ＮＩＣ４１０の表面上に堆積させることができると想定され得る。核生成サイトとして作用し得るそのような非金属元素の濃度を低減すると、ＮＩＣ４１０の露出層表面１１上に堆積される堆積材料４２６の量を低減することを容易にすることができると想定され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６及び基部層は、共通の金属を含み得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０、及び／又はいくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００内で、ある形態の膜及び／又はコーティングとして、及びＮＩＣ４１０の堆積と同様の状況下で堆積される場合のＮＩＣ材料４１６は、いくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００内で、ある形態で、及び少なくともの１つの粒子構造６１の堆積と同様の状況下で堆積される場合の、堆積材料４２６の表面エネルギーＹ２未満であり得る表面エネルギーＹ１を有し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、Ｙ２／Ｙ１の商は、少なくとも約１、少なくとも約５、少なくとも約１０、又は少なくとも約２０であり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０上の少なくとも１つの粒子構造６１によるＮＩＣ４１０の領域の表面被覆率Ｃ１は、最大閾値パーセンテージ被覆率以下であり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、表面被覆率の評価は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、及び／又は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を含むがこれらに限定されない多様な撮像技法を使用して、少なくとも１つの粒子構造６１の存在を、測定及び／又は計算することによることを含むがこれらに限定されずに、実行され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、表面被覆率の評価は、ＴＥＭ、ＡＦＭ、及び／又はＳＥＭを含むがこれらに限定されない多様な撮像技法を使用して、少なくとも１つの粒子構造６１の存在を、測定及び／又は計算することによることを含むがこれらに限定されずに、実行され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、そのような基準のうちの少なくとも１つは、数値メトリックによって定量化され得る。いくつかの非限定的な実施例では、そのようなメトリックは、そのような領域における少なくとも１つの粒子構造６１の粒子（面積）サイズの分布を記述する分散度Ｄの計算であってもよく、ここで、

式中、

Ｓ_ｉは、ｉ番目の粒子の（面積）サイズであり、

は、粒子（面積）サイズの数平均であり、

は、粒子（面積）サイズの（面積）サイズ平均である。

当業者は、分散度Ｄが多分散性指数（ＰＤＩ）に概ね類似していること、及びこれらの平均が有機化学でよく知られている数平均分子量及び重量平均分子量の概念に概ね類似しているが、サンプル粒子構造６１の分子量とは対照的に、（面積）サイズに適用されることを理解するであろう。

当業者はまた、分散度Ｄの計算の文脈において、（面積）サイズの概念を使用して、各粒子構造６１が３つの軸、すなわち縦軸及び対又は横軸、に沿った三次元体積概念を表すことを反映するために使用得ることを理解するであろう。

いくつかの非限定的な実施例では、分散度Ｄ並びに／又は粒子（面積）サイズの数平均及び粒子（面積）サイズの（面積）サイズ平均は、以下の粒径の数平均及び粒径の（面積）サイズ平均のうちの少なくとも１つの計算を伴い得る。

いくつかの非限定的な実施例では、粒子構造６１を含むがこれに限定されない堆積材料４２６は、マスクフリー及び／又はオープンマスク堆積プロセスによって堆積され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つの粒子構造６１及び基部層が一体となって、ＯＬＥＤを含むがこれに限定されない発光デバイスの放出電極４０４、４０６の少なくとも一部を形成し得る。いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つの粒子構造６１及び基部層が一体となって、放出電極のカソードの少なくとも一部を形成してもよい。

いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つの粒子構造６１は、ファインメタルマスク（ＦＭＭ）を使用して、ＮＩＣ４１０の横方向の広がりにわたるパターンで堆積され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つの粒子構造６１は、堆積材料４２６の閉じたコーティングを実質的に欠いている、ＮＩＣ４１０における少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配設され得る。いくつかの非限定的な実施例では、この少なくとも１つの領域は、堆積材料４２６をその複数の離散したフラグメントに分離し得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６の複数の離散したフラグメントは、ＮＩＣ４１０の横方向面において互いに物理的に離間され得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６のそのような複数の離散したフラグメントのうちの少なくとも２つは、電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６のそのような複数の離散したフラグメントのうちの少なくとも２つは、各々、これら少なくとも２つの間の電流の流れを可能にするために、基部層を含むがこれに限定されない、共通の導電性層又はコーティングに電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料４２６のそのような複数の離散したフラグメントのうちの少なくとも２つは、互いに電気的に絶縁され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、そのような少なくとも１つの粒子構造６１の特性は、いくつかの非限定的な実施例では、特性的なサイズ、サイズ分布、形状、構成、被覆率、堆積分布、分散性、及び／又は基部層の露出層表面１１の一部分上に形成された堆積材料４２６の凝集インスタンスの存在及び／又は広がりを含むがこれらに限定されないいくつかの基準のうちの少なくとも１つに従って、ある程度随意に評価され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、そのような少なくとも１つの基準に従う少なくとも１つの粒子構造６１の評価は、ＴＥＭ、ＡＦＭ、及び／又はＳＥＭを含むがこれらに限定されない多様な撮像技法を使用して、その少なくとも１つの特質を測定及び／又は計算することによることを含むがこれらに限定されずに、実行され得る。

当業者は、そのような評価が、いくつかの非限定的な実施例では露出層表面１１の面積及び／又は領域を含み得る、考慮している露出層表面１１の広がりによって、多かれ少なかれ依存し得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つの粒子構造６１は、露出層表面１１の、第１の横方向面、及び／又は第１の横方向面に対して実質的に横断する第２の横方向面において、全範囲にわたって評価され得る。いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つの粒子構造６１は、少なくとも１つの適用された観測窓を含む広がりにわたって評価され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つの観察窓は、露出層表面１１の横方向面の周囲、内部位置、及び／又はグリッド座標に位置し得る。いくつかの非限定的な実施例では、複数の少なくとも１つの観察窓が、少なくとも１つの粒子構造６１を評価する際に使用され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、観測窓は、ＴＥＭ、ＡＦＭ、及び／又はＳＥＭを含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの粒子構造６１を評価するために適用される撮像技法の視野に対応し得る。いくつかの非限定的な実施例では、観察窓は、２．００μｍ、１．００μｍ、５００ｎｍ、又は２００ｎｍを含むがこれらに限定されない所与の倍率レベルに対応し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、基部層の露出層表面１１の、使用される少なくとも１つの観察窓を含むがこれに限定されない、少なくとも１つの粒子構造６１の評価は、手動計数、及び／又はいくつかの非限定的な実施例では曲線、多角形、及び／又は形状フィッティング技法を含み得る既知の推定技法を含むがこれらに限定されない、任意の数の機構によって計算及び／又は測定することを伴い得る。

いくつかの非限定的な実施例では、基部層の露出層表面１１の、使用される少なくとも１つの観察窓を含むがこれに限定されない、少なくとも１つの粒子構造６１の評価は、計算及び／又は測定の値の平均、中央値、モード、最大、最小、並びに／又は他の確率的、統計的、及び／若しくはデータ操作を計算及び／又は測定することを伴い得る。

いくつかの非限定的な実施例では、そのような少なくとも１つの粒子構造６１を評価し得る少なくとも１つの基準のうちの１つは、第２の部分３１２の全体を含むがこれに限定されない非放出領域４０９の横方向面における堆積材料４２６の表面被覆率であり得る。いくつかの非限定的な実施例では、表面被覆率は、そのような領域のそのような堆積材料４２６による（非ゼロの）パーセンテージ被覆率によって表され得る。いくつかの非限定的な実施例では、パーセンテージ被覆率は、最大閾値パーセンテージ被覆率と比較され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、実質的に最大閾値パーセンテージ被覆率以下であり得る表面被覆率を有する堆積層３２０（の一部）は、デバイス４００を完全に透過し、及び／又はデバイス４００によって放出されるかどうかにかかわらず、最大閾値パーセンテージ被覆率を実質的に超える表面被覆率を有するそのような領域の一部を通過する光子に比して、そのような領域のそのような部分によって、そこを通過する光子に付与され得る異なる光学特性の発現をもたらし得る。

いくつかの非限定的な実施例では、いくつかの非限定的な実施例ではＡｇ、Ｍｇ、及び／又はＹｂを含むがこれに限定されない金属を含むがこれに限定されない導電性材料が、光子を減衰及び／又は吸着するため、表面上の導電性材料の表面被覆率の量の１つの尺度は、（光）透過率であり得る。

当業者は、いくつかの非限定的な実施例では、表面被覆率が、粒子サイズ及び堆積密度の一方又は両方を包含すると理解され得ることを理解するであろう。したがって、いくつかの非限定的な実施例では、これらの３つの基準のうちの２つ以上が正に相関し得る。実際、いくつかの非限定的な実施例では、低表面被覆率の基準は、低堆積密度の基準と低粒子サイズの基準との何らかの組み合わせを含み得る。

いくつかの非限定的な実施例では、そのような領域を評価し得る少なくとも１つの基準のうちの１つは、構成粒子構造６１の特性サイズであり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つの粒子構造６１は、最大閾値サイズ以下の特性サイズＳ１を有し得る。特性サイズＳ１の非限定的な実施例は、高さ、幅、長さ、及び／又は直径を含み得る。

いくつかの非限定的な実施例では、粒子構造６１の実質的に全てが、指定された範囲内に位置する特性サイズＳ１を有し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、そのような特性サイズＳ１は、いくつかの非限定的な実施例では、特性サイズの最大値とみなされ得る特性長さによって特徴付けられ得る。いくつかの非限定的な実施例では、そのような最大値は、粒子構造６１の主軸に沿って延在し得る。いくつかの非限定的な実施例では、主軸は、複数の横軸によって画定される平面に延在する第１の次元であると理解され得る。いくつかの非限定的な実施例では、特性幅は、粒子構造６１の副軸に沿って延在する粒子構造６１の特性サイズの値として識別され得る。いくつかの非限定的な実施例では、副軸は、同じ平面内に延在するが主軸に対して実質的に横断する第２の次元であると理解され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、第１の次元に沿った少なくとも１つの粒子構造６１の特性長さは、最大閾値サイズ未満であり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、第２の次元に沿った少なくとも１つの粒子構造６１の特性幅は、最大閾値サイズ未満であり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、粒子構造６１のサイズは、質量、体積、直径の長さ、周囲長、主軸、及び／又は副軸を含むがこれらに限定されない、そのような少なくとも１つの粒子構造６１の特性サイズを計算及び／又は測定することによって評価され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、そのような堆積層３２０を評価し得る少なくとも１つの基準のうちの１つは、堆積層３２０の堆積密度であり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、粒子構造６１の特性サイズは、最大閾値サイズと比較され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、粒子構造６１の堆積密度は、最大閾値堆積密度と比較され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、粒子構造６１は、実質的に丸い形状を有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、粒子構造６１は、実質的に球形状を有し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、粒子構造６１は、約２００ｎｍ未満の最大閾値サイズを有し得る。非限定的な実施例として、そのような寸法は、個々の粒子の幅、長さ、直径、及び／又は高さに対応し得る。いくつかの非限定的な実施例では、粒子構造６１の粒子は、約１～２００ｎｍ、約１～１６０ｎｍ、約１～１００ｎｍ、約１～５０ｎｍ、約１～３０ｎｍ、又は約１～２０ｎｍの直径を有する。

いくつかの非限定的な実施例では、粒子構造６１の粒子は、約１～２００ｎｍ、約１～１５０ｎｍ、約１～１００ｎｍ、約１～５０ｎｍ、約１～３０ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約５～１８ｎｍ、又は約８～１５ｎｍの平均及び／又は中央値寸法を有する。非限定的な実施例として、そのような平均及び／又は中央値寸法は、粒子の平均直径及び／又は中央値直径に対応し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、粒子構造６１の下にある露出層表面の割合は、非限定的な実施例として、所与の領域において、約３５％未満、約３０％未満、約２５％未満、約２０％未満、約１８％未満、約１５％未満、約１３％未満、又は約１０％未満であり得る。いくつかの非限定的な実施例では、粒子構造６１の下にある露出層表面の割合は、非限定的な実施例として、所与の領域において、約１０～３５％、約１０～３０％、約１５～２５％、又は約１８～２５％であり得る。

単純化の目的で、いくつかの非限定的な実施例では、各粒子構造６１の縦方向の広がりは、実質的に同じであり得ると仮定され得る（いずれにせよ、この縦方向の広がりを平面図のＳＥＭ画像から直接測定することはできない）ことにより、粒子構造６１の（面積）サイズは、一対の横軸に沿った二次元面積被覆率として表され得る。本開示では、（面積）サイズへの言及は、そのような二次元概念を指し、かつ直線の寸法などの、一次元概念を指すと理解され得る（接頭辞「面積」なしで）サイズと区別されると理解され得る。

実際、いくつかの初期の調査では、いくつかの非限定的な実施例では、そのような粒子構造６１の縦軸に沿った縦方向の広がりは、横方向の広がり（横軸のうちの少なくとも１つに沿った）に比して小さい傾向があり、これにより、粒子構造６１の縦方向の広がりの体積寄与は、そのような横方向の広がりの堆積寄与よりもはるかに小さくなり得る。いくつかの非限定的な実施例では、これは、１未満であり得る縦横比（横方向の広がりに対する縦方向の広がりの比率）によって表現され得る。いくつかの非限定的な実施例では、そのような縦横比は、約：１：１０、約１：２０、約１：５０、約１：７５、及び約１：３００であり得る。

この点に関して、粒子構造６１を二次元面積被覆率として表すために、縦方向の広がりが実質的に同じであり、かつ無視できるという上記に挙示された仮定は、適切であり得る。

当業者は、露出層表面１１上のステップ縁部、化学的不純物、結合サイト、キンク、及び／又は汚染物質を含むがこれらに限定されない不均一性、及び結果的に露出層表面１１上の粒子構造６１の形成、堆積プロセスが継続する際のそれらの合体の不均一な性質を含むがこれらに限定されない、特に基部材料の露出層表面１１上に欠陥及び／又は異常が存在する場合、並びに観測窓のサイズ及び／又は位置の不確実性、並びにそれらのサイズ、間隔、堆積密度、凝集度などの計算及び／又は測定に固有の複雑さ及び変動性の観点で、堆積プロセスの非決定的な性質を考慮して、観測窓内の特徴部及び／又はトポロジーの観点で、かなりの変動性があり得ることを理解するであろう。

本開示では、例示を簡単にする目的で、層の厚さプロファイル及び／又は縁部プロファイルを含むがこれらに限定されない、堆積材料の特定の詳細は省略されている。

いくつかの非限定的な実施例では、第２の部分３１２の全体を含むがこれに限定されない非放出領域４０９の横方向面内のデバイス４００の露出層表面１１は、堆積材料４２６の粒子構造６１を実質的に全く欠いていてもよい。

第２の電極
同時に、ＮＩＣ４１０は、第２の部分３１２の全体に、及び／又は第１の部分３１１の非放出領域４０９の横方向面内に制限されているため、いくつかの非限定的な実施例では、第１の部分３１１の放出領域４０７の横方向面内のデバイス４００の露出層表面１１は、少なくとも１つの半導体層４０５を含み得る。したがって、第１の部分３１１の放出領域４０７のそのような横方向面内で、露出層表面１１に入射する堆積材料４２６の蒸気フラックスは、第２の電極４０６として機能し、及び／又は第２の電極４０６の一部を形成し得る、堆積材料４２６の閉じたコーティングを形成し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、第２の電極４０６は、遷移領域４１７において、部分的にＮＩＣ４１０上に延在し得る。

したがって、いくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０は、１つ以上の目的、すなわち、第２の部分３１２の第２の電極４０６（の一部）としての堆積材料４２６の堆積を実質的に阻止する、第１の部分３１１の一部（いくつかの非限定的な実施例では、放出領域４０７の横方向面に対応する）において第２の電極４０６（の一部）としての堆積材料４２６の（選択的及び／又はパターン化された）堆積を可能にする、及び／又はいくつかの非限定的な実施例では、ＮＩＣ４１０が堆積された少なくとも１つの粒子構造６１の堆積のための基礎を提供することを、堆積材料４２６の堆積中にマスクを全く使用することなく、果たし得る。

低屈折率コーティング
いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つの低屈折率コーティングが、少なくとも１つのブラインドホール領域３１３に配設されている。いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つの低屈折率コーティングは、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素３３０とは反対側の基板１０の側面に配置されている。いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つの低屈折率コーティングは、少なくとも１つの半導体層４０５上に、又は少なくとも１つの半導体層４０５に隣接して配設されている。

少なくとも１つの低屈折率コーティングは、一般に、可視スペクトルの少なくとも一部において比較的低い屈折率ｎを呈する。非限定的な実施例として、低屈折率コーティングの屈折率は、約１．５５以下、約１．５以下、約１．４５以下、約１．４３以下、約１．４以下、約１．３９以下、約１．３７以下、約１．３５以下、約１．３２以下、約１．３以下、又は約１．２５以下であり得る。いくつかの非限定的な実施例では、低屈折率コーティングの屈折率ｎは、約１．２～１．５５、約１．２～１．５、約１．２５～１．４５、又は約１．２５～１．４である。いくつかの非限定的な実施例では、低屈折率コーティングが、約５５０ｎｍの波長で約１．４未満、約１．３７未満、又は約１．３５未満の屈折率ｎを有し得る場合、少なくとも１つのブラインドホール領域３１３を通した光透過率を高めるのに特に有利であり得る。

いかなる特定の理論にも拘束されることを望むものではないが、低屈折率コーティングを提供することは、少なくともいくつかのデバイス４００において、デバイス４００の少なくとも１つのブラインドホール領域３１３を通した外光の透過を高め得ることが見出された。非限定的な実施例として、幾分驚くべきことに、非限定的な実施例としてＯＬＥＤで使用される典型的なキャッピング層（ＣＰＬ）よりも低い屈折率ｎを有する低屈折率コーティングを有するディスプレイパネル３１０は、そのような低屈折率コーティングが存在しない同等のディスプレイパネルに比して高められた光透過度を呈し得る。低屈折率コーティングを含めると、低屈折率コーティングと、光を反射し得る隣接するより高い屈折率ｎの層と、の間に界面が生成され、したがって、そのようなデバイスを透過する光の量が減少し得ることを当業者が合理的に予想し得ることを考慮すると、このことは、特に驚くべきことである。少なくとも１つの非限定的な実施例では、１５ｎｍ厚さの低屈折率コーティングがＣＰＬと半導体層４０５との間に配設されたデバイスが、そのような低屈折率コーティングが提供されなかった別のデバイスと比較して、５００ｎｍの波長で測定して、約５％高い光透過率を呈することが見出された。

いくつかの非限定的な実施例では、低屈折率層は、少なくとも約６００ｎｍ、少なくとも約５００ｎｍ、少なくとも約４６０ｎｍ、少なくとも約４２０ｎｍ、又は少なくとも約４１０ｎｍを超える波長の光子に対して約０．０１未満であり得る吸光係数ｋを有し得る。このようにして、例えば、低屈折率層は、ディスプレイパネル３１０を透過する光を実質的に減衰及び／又は吸収しない場合がある。

いくつかの非限定的な実施例では、低屈折率層は、ＮＩＣ層３１０であり、及び／又はＮＩＣ層３１０として作用し得る。

少なくとも１つの低屈折率コーティングのうちの最上部の（最後に堆積された）低屈折率コーティングの露出層表面１１は、界面表面として画定され得る。いくつかの非限定的な実施例では、界面表面上に高屈折率媒体が配設され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、高屈折率媒体は、製造プロセスの一部としてデバイス４００上に堆積され得る被覆層を含むがこれに限定されない物理的な高屈折率コーティングの形態で提供され得る。いくつかの非限定的な実施例では、高屈折率コーティングは、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を含み得る。

少なくとも１つの低屈折率コーティングの屈折率ｎは、いくつかの非限定的な実施例では可視スペクトルの少なくとも一部において高屈折率コーティングを含むがこれに限定されない、高屈折率媒体の屈折率ｎよりも低くなり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つの低屈折率コーティングの屈折率ｎは、典型的な光電子デバイスで使用される典型的な材料と比較して低いとみなされ得るが、当業者は、本開示の目的のために、少なくとも１つの低屈折率コーティングの屈折率ｎが、少なくとも１つの低屈折率コーティングの屈折率ｎが高屈折率媒体の屈折率ｎ未満であることを条件として、必ずしもそのように限定されないことを理解するであろう。

更に、いくつかの非限定的な実施例では、デバイス４００は、製造中、製造後、及び／又は動作中のいずれであっても、界面表面において空隙及び／又は空気界面を備えてもよく、この場合に、少なくとも１つの低屈折率コーティングは、典型的には１．０をわずかに上回る屈折率を有すると考えられる空気の屈折率ｎよりも低い屈折率ｎを有してもよい。

ＵＶＡ吸収コーティング
いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つのブラインドホール領域３１３に、ＵＶＡ吸収コーティングが配設され得る。そのようなＵＶＡ吸収コーティングは、概して、ＵＶＡスペクトルの光を吸収し得る。

少なくともいくつかの用途では、アンダーディスプレイ構成要素３３０へのＵＶＡ光の透過を低減又は緩和するようなＵＶＡ吸収コーティングを提供することが特に有益であり得る。非限定的な実施例として、そのようなＵＶＡ吸収コーティングの存在は、ＵＶＡ光によって引き起こされる干渉を低減することによって、アンダーディスプレイ構成要素３３０を使用してキャプチャされる画像品質を向上させ得る。

いくつかの非限定的な実施例では、そのようなＵＶＡ吸収コーティングは、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素３３０とは反対側の基板１０の側面上に配置されてもよい。

いくつかの非限定的な実施例では、そのようなＵＶＡ吸収コーティングは、少なくとも１つの半導体層４０５上に、及び／又は少なくとも１つの半導体層４０５に隣接して配設されてもよい。

いくつかの非限定的な実施例では、そのようなＵＶＡ吸収コーティングは、少なくとも１つの低屈折率コーティング上に、及び／又は少なくとも１つの低屈折率コーティングと直接接触して配設されてもよい。

いくつかの非限定的な実施例では、ＵＶＡ吸収コーティングは、少なくとも１つの粒子構造６１を含んでもよい。

被覆層
いくつかの非限定的な実施例では、第２の電極４０及びＮＩＣ４１０の露出層表面１１は、バリアコーティング５２０、ガラスキャップ及び／若しくは薄膜封止（ＴＦＥ）層、偏光子５３０、光学透明接着剤（ＯＣＡ）及び／若しくはタッチスクリーン材料）を含むがこれらに限定されない他の層５４０、並びに／又はディスプレイパネル３１０の少なくとも１つの面３０１を形成するためのガラスカバー５５０（いくつかの非限定的な実施例では、総称して「カバー層」）を含むがこれらに限定されない１つ以上の層及び／又はコーティングで覆われ得る。

ＯＬＥＤデバイスの安定性は、プラズモンモードからエネルギーを抽出するために、カソード層の上方にＮＰベースのアウトカップリング層を組み込むことによって強化され得ることが、Ｆｕｓｅｌｌａ ｅｔ ａｌ．，“Ｐｌａｓｍｏｎｉｃ ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｏｆ ｓｔａｂｉｌｉｔｙ ａｎｄ ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ ｉｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ”，Ｎａｔｕｒｅ ２０２０，５８５，ａｔ ３７９－３８２（“Ｆｕｓｅｌｌａ ｅｔ ａｌ”）で報告されている。ＮＰベースのアウトカップリング層は、カソードの上の有機層の上に２０ｎｍの立方晶のＡｇ ＮＰをスピンキャストすることによって作製された。

ただし、ほとんどの商用ＯＬＥＤデバイスは、真空ベースの処理を使用して作製されるため、溶液からのスピンキャストは、カソードの上方にそのようなＮＰベースのアウトカップリング層を形成するための適切なメカニズムを構成しない場合がある。

発明者らは、カソードの上方のそのようなＮＰベースのアウトカップリング層（バリアコーティング５２０、ガラスキャップ及び／若しくはＴＦＥ層、偏光子５３０、他の層５４０、並びに／又はガラスのうちの少なくとも１つなどを含むが、これらに限定されない）が、いくつかの非限定的な実施例ではカソード上にあり、及び／又はカソード上に堆積され得るＮＩＣ４１０上に金属堆積材料４２６を堆積させることによって、を真空中で作製され得る（したがって、商業的なＯＬＥＤ作製プロセスにおいて発明者らに好適であり得る）ことを発見した。そのようなプロセスは、ＯＬＥＤデバイスに損傷を引き起こし得る、及び／又はデバイスの信頼性に悪影響を与え得る溶媒又は他の湿式化学物質の使用を回避し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、少なくとも１つのブラインドホール領域３１３を通した透過率を実質的に増加させるために、偏光子５３０は、ブラインドホール領域３１３に対応する開口をブラインドホール領域３１３中に有することを含むがこれに限定されない、デバイス４００の第２の部分３１２の少なくとも１つのブラインドホール領域３１３の横方向面にわたって実質的に偏光を提供しないように形成され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、光子吸収コーティングに関して前述した光学的応答は、光子吸収コーティングに入射する光子の吸収を含み、それによって、反射を低減し得る。いくつかの非限定的な実施例では、吸収は、可視スペクトル及び／又はその部分範囲を含むがこれらに限定されないＥＭスペクトルの範囲に集中し得る。いくつかの非限定的な実施例では、光電子デバイスの一部として光子吸収層を使用することは、光電子デバイスにおける偏光子５３０への依存を低減し得る。

当業者は、示されていないが、デバイス４００の第２の部分３１２の少なくとも１つのブラインドホール領域３１３の横方向面内における第１の電極４０１の非存在は、少なくとも１つの半導体層４０５及び／又はＮＩＣ４１０を、示されているよりも低いレベルで堆積させ、その結果、ガラスカバーの下方のいくつかの層においてデバイスの第２の部分３１２の少なくとも１つのブラインドホール領域３１３の横方向面内にギャップが形成され得る。

そのことによって生じる望ましくない光学的効果を低減するために、いくつかの非限定的な実施例では、基板１０とガラスカバーとの間のいくつかの層において屈折率整合フィラー材料（図示せず）を堆積させて、そのようなギャップを埋めてもよい。いくつかの非限定的な実施例では、そのようなフィラー材料は、カバーガラス及び／又はフリットガラスを含むがこれらに限定されない、ディスプレイ内のＥＭ信号の内部反射によって引き起こされるものを含むがこれらに限定されない光学的干渉を低減するための光学媒体を含んでもよい。いくつかの非限定的な実施例では、光学媒体は、少なくとも１つの半導体層４０５、基板１０、及び／又はガラスのうちの少なくとも１つの屈折率と実質的に一致する屈折率を有し得る。

技術
有機光電子デバイスは、デバイスの１つ以上の活性層及び／又は層状部が主に有機（炭素含有）材料、及びより具体的には有機導電性材料で形成される任意の光電子デバイスを包含し得る。

光電子デバイスがルミネセントプロセスを通して光子を放出する場合、デバイスは、エレクトロルミネセントデバイスとみなすことができる。いくつかの非限定的な実施例では、エレクトロルミネセントデバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な実施例では、エレクトロルミネセントデバイスは、電子デバイスの一部であり得る。非限定的な実施例として、エレクトロルミネセントデバイスは、ＯＬＥＤ照明パネル若しくはモジュール、並びに／又はスマートフォン、タブレット、ラップトップ、電子書籍リーダなどのコンピューティングデバイスのＯＬＥＤディスプレイ又はモジュール、並びに／又はモニタ及び／若しくはテレビセットなどのいくつかの他の電子デバイスであり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、光電子デバイスは、光子を電気に変換する有機ＰＤ（ＯＰＶ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な実施例では、光電子デバイスは、エレクトロルミネセントＱＤデバイスであり得る。

本開示では、具体的には、特に断らない限り、いくつかの実施例では、そのような開示が、当業者に明らかな様式で、ＯＰＶ及び／又はＱＤデバイスを含むがこれらに限定されない他の光電子デバイスに等しく適用可能にされ得ることを理解して、ＯＬＥＤデバイスを参照する。

そのようなデバイスの構造は、２つの面の各々から、すなわち、断面から、及び／又は横方向（平面図）面から説明され得る。

本開示では、上述した横方向面に対して実質的に法線方向に延在する方向の慣習に従い、基板がデバイスの「下部」であるとみなされ得、層が基板の「上部」に配設され得る。そのような慣習に従って、たとえ（１つ以上の層が蒸着プロセスによって導入され得る、製造プロセス中を含むがこれに限定されない、いくつかの実施例での場合であり得るように）、堆積材料（図示せず）が上方に移動し、かつその最上表面に薄膜として堆積することを可能にするために、基板が、第１の電極などであるがこれに限定されない層のうちの１つが配設されることとなる上面が、基板の物理的に下方にあり得るように、物理的に反転され得るとしても、第２の電極は、示されるデバイスの上面にあり得る。

本明細書において断面を紹介する文脈では、そのようなデバイスの構成要素は、実質的に平面状の横方向層状部で示され得る。当業者は、そのような実質的に平面の表現は例示のみを目的とするものであり、そのようなデバイスの横範囲にわたるものであり、いくつかの非限定的な実施例では層の実質的に完全な欠如、及び／又は非平面遷移領域（横ギャップ及び不連続部も含む）によって分離された層を含む、異なる厚さ及び寸法の局所化された実質的に平坦な層状部があってもよいことを理解するであろう。したがって、例示目的で、デバイスは、実質的に層状の構造としてその断面側面において下記に示されているが、下記で考察される平面図の態様では、そのようなデバイスは、特徴部を画定するための多様な形態（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ）を示し得、これらの各特徴部は、断面側面において述べる層状プロファイルを実質的に示し得る。

本開示では、「層」及び「層状部」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用され得る。

図に示される各層の厚さは、単に例示的なものであり、必ずしも別の層に対する厚さを表すものではない。

説明を簡単にする目的で、本開示では、単一層内の複数の要素の組み合わせは、コロン「：」によって示され得る一方、多層コーティング内の複数の層を備える複数の要素（の組み合わせ）は、そのような２つの層をスラッシュ「／」で区切ることによって示され得る。いくつかの非限定的な実施例では、スラッシュの後の層は、スラッシュの前の層の後及び／又は上に堆積され得る。

例示の目的で、コーティング、層、及び／又は材料が上に堆積される基部材料の露出層表面は、堆積時に露出層表面上のコーティング、層、及び／又は材料の堆積のために提示されるそのような基部材料の表面であると理解され得る。

当業者は、構成要素、層、領域、及び／又はその部分が、別の基部材料、構成要素、層、領域、及び／又は部分上（ｏｎ）及び／又は上（ｏｖｅｒ）に「形成」、「配設」、及び／又は「堆積」されると称されるとき、そのような形成、配設、及び／又は堆積は、そのような基部材料、構成要素、層、領域、及び／又は部分の（そのような形成、配設、及び／又は堆積時の）露出層表面の直接的及び／又は間接的に上に、それらの間に材料、構成要素、層、領域、及び／又は部分を有して存在し得ることを理解するであろう。

本開示は、蒸着に関して、少なくとも１つの層又はコーティングを参照して、薄膜形成について述べているが、当業者は、いくつかの非限定的な実施例では、デバイスの様々な構成要素が、蒸発（熱蒸発及び／又は電子ビーム蒸発を含むがこれらに限定されない）、フォトリソグラフィ、印刷（インクジェット及び／又は蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、並びに／若しくはミクロ接触転写印刷を含むがこれらに限定されない）、ＰＶＤ（スパッタリングを含むがこれに限定されない）、化学蒸着（ＣＶＤ）（プラズマ強化ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）及び／又は有機気相成長（ＯＶＰＤ）を含むがこれに限定されない）、レーザーアニーリング、レーザー誘起熱イメージング（ＬＩＴＩ）パターニング、原子層堆積（ＡＬＤ）、コーティング（スピンコーティング、ｄｉコーティング、ラインコーティング、及び／又はスプレーコーティングを含むがこれに限定されない）、並びに／又はそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、多種多様な技法を使用して選択的に堆積され得ることを理解するであろう。

いくつかのプロセスを、様々な層及び／又はコーティングのいずれかの堆積中に、いくつかの非限定的な実施例ではオープンマスク及び／又はファインメタルマスク（ＦＭＭ）であり得る、シャドウマスクと組み合わせて使用して、このプロセスに曝露される基部材料の表面のある特定の部分上への堆積材料の堆積をマスク及び／又は排除することによって、様々なパターンを達成することができる。

本開示では、「蒸発」及び／又は「昇華」という用語は、概して、加熱によるものを含むがこれに限定されない源材料が蒸気に変換されて、固体状態であるがこれに限定されないターゲット表面上に堆積される、堆積プロセスを指すように互換的に使用され得る。理解されるように、蒸発プロセスは、ＰＶＤプロセスの一種であり得、１つ以上の源材料を低圧（真空を含むがこれに限定されない）環境下で蒸発及び／又は昇華させて、蒸気モノマーを形成し、１つ以上の蒸発した源材料の逆昇華を通してターゲット表面上に堆積させる。様々な異なる蒸発源が源材料を加熱するために使用され、したがって、源材料を様々な形で加熱してもよいことが当業者に理解されよう。非限定的な実施例として、源材料は、電気フィラメント、電子ビーム、誘導加熱、及び／又は抵抗加熱によって加熱してもよい。いくつかの非限定的な実施例では、源材料は、加熱されたるつぼ、加熱されたボート、クヌーセンセル（エフュージョン蒸発源であり得る）、及び／又は他の任意のタイプの蒸発源に充填されてもよい。

いくつかの非限定的な実施例では、堆積源材料は、混合物であり得る。いくつかの非限定的な実施例では、堆積源材料の混合物の少なくとも１つの成分は、堆積プロセス中に堆積されない（又は、いくつかの非限定的な実施例では、そのような混合物の他の成分と比較して比較的少量で堆積される）場合がある。

本開示では、材料の層厚さ、膜厚さ、並びに／又は平均層及び／若しくは膜厚さへの言及は、材料の堆積のメカニズムに関係なく、言及された層厚さを有する材料の均一厚さの層でターゲット表面を被覆する材料の量に対応するターゲット露出層表面上に堆積された材料の量を指し得る。非限定的な実施例として、１０ｎｍの層厚さの材料を堆積させることは、表面上に堆積された材料の量が、１０ｎｍ厚さである材料の均一厚さの層を形成するための材料の量に対応し得ることを示し得る。上記で考察した薄膜が形成されるメカニズムに関して、非限定的な実施例として、モノマーの起こり得るスタッキング又はクラスタリングのために、堆積材料の実際の厚さが不均一である場合があることが理解されよう。非限定的な実施例として、１０ｎｍの層厚さを堆積させることにより、１０ｎｍを超える実際の厚さを有する堆積材料のいくつかの一部、又は１０ｎｍ未満の実際の厚さを有する堆積材料の他の一部が得られる場合がある。したがって、表面上に堆積された材料のある特定の層厚さは、いくつかの非限定的な実施例では、ターゲット表面にわたる堆積材料の平均厚さに対応し得る。

本開示では、基準層厚さへの言及は、本明細書において高い初期付着確率又は初期付着係数Ｓ_０を呈する基準表面（すなわち、約１．０、及び／又は１．０に近い初期付着確率Ｓ_０を有する表面）上に堆積され得る導電性コーティングとも称される、堆積材料の層厚さを指し得る。基準層厚さは、ターゲット表面（ＮＩＣの表面などであるがこれに限定されない）上に堆積された堆積材料の実際の厚さを示さない場合がある。むしろ、基準層厚さは、基準表面上、いくつかの非限定的な実施例では、ターゲット表面及び基準表面を同じ堆積期間にわたって堆積材料の同一の蒸気フラックスに曝したときに、堆積速度及び基準層厚さを監視するために堆積チャンバの内部に位置決めされた水晶の表面上に堆積されるであろう堆積材料の層厚さを指し得る。当業者は、ターゲット表面と基準表面が堆積中に同時に同一の蒸気フラックスに曝されない場合、基準層厚さを決定及び／又は監視するために適切なツーリングファクタが使用されてもよいことを理解するであろう。

本開示では、基準堆積速度は、基準表面がサンプル表面として堆積チャンバ内に同一に位置決め及び構成された場合に、基準表面上で堆積材料の層が成長するであろう速度を指し得る。

本開示では、モノレイヤ数Ｘの材料を堆積させることへの言及は、材料のある量を堆積させて、閉じたコーティングなどであるがこれに限定されない材料の構成モノマーのＸ個の単層で、露出層表面の所望の面積を被覆することを指し得る。

本開示では、材料の分率１／Ｘのモノレイヤを堆積させることへの言及は、材料のある量を堆積させて、材料の構成モノマーの単層で表面の所望の面積の分率０．Ｘを被覆することを指す。当業者は、非限定的な実施例として、モノマーの起こり得るスタッキング及び／又はクラスタリングのために、表面の所望の面積にわたる堆積材料の実際の局所的な厚さが不均一である場合があることを理解するであろう。非限定的な実施例として、材料の１モノレイヤを堆積させると、表面の所望の面積のいくつかの局所的な領域が材料によって被覆されなくなる場合があり、一方、表面の所望の面積の他の局所的な領域は、その上に堆積した多数の原子層及び／又は分子層を有し得る。

本開示では、ターゲット表面（及び／又はそのターゲット領域）は、任意の好適な決定メカニズムによって決定されるようなターゲット表面上の材料が実質的に欠如している場合、材料「を実質的に欠いている」、「を実質的に含まない」、又は「によって実質的に被覆されていない」とみなされ得る。

本開示では、「付着確率」及び「付着係数」という用語は、互換的に使用され得る。

本開示では、「核生成」という用語は、気相中のモノマーが表面上で凝縮して核を形成する、薄膜形成プロセスの核生成段階について言及し得る。

本開示では、いくつかの非限定的な実施例では、文脈上指示されるとき、「パターニングコーティング」及び「パターニング材料」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用され得、導電性コーティングをパターン化するために選択的に堆積されるという文脈において、本明細書におけるパターニングコーティングへの言及は、いくつかの非限定的な実施例では、堆積材料及び／又は電極コーティング材料をパターン化するためのその選択的堆積の文脈におけるＮＩＣ材料に適用可能であり得る。

同様に、いくつかの非限定的な実施例では、文脈上指示されるとき、「パターニングコーティング」及び「パターニング材料」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用され得、導電性コーティングをパターン化するために選択的に堆積されるという文脈において、本明細書におけるＮＰＣへの言及は、いくつかの非限定的な実施例では、電極コーティングをパターン化するためのその選択的堆積の文脈におけるＮＰＣ材料に適用可能であり得る。

パターニング材料は、核生成抑制又は核生成促進のいずれかであり得るが、本開示では、文脈上別段の指示がない限り、本明細書におけるパターニング材料への言及は、ＮＩＣへの言及であることが意図されている。

いくつかの非限定的な実施例では、パターニング材料への言及は、本明細書に記載されるような特定の組成を有するコーティングを意味し得る。

本開示では、「導電性コーティング」及び「電極コーティング」という用語は、ＮＩＣ及び／又はＮＰＣの選択的堆積によってパターン化されるという文脈において、本明細書における導電性コーティングの同様の概念及び言及を指すために互換的に使用され得、いくつかの非限定的な実施例では、パターニング材料の選択的堆積によってパターン化されるという文脈において、電極コーティングに適用可能であり得る。いくつかの非限定的な実施例において、電極コーティングの言及は、本明細書に記載されるような特定の組成を有するコーティングを意味し得る。同様に、本開示では、「堆積材料」、「導電性コーティング材料」、及び「電極コーティング材料」という用語は、本明細書における導電性コーティング材料の同様の概念及び言及を指すために互換的に使用され得る。

本開示では、有機材料は、多種多様な有機分子及び／又は有機ポリマーを含み得るがこれらに限定されないことが当業者に理解されよう。更に、元素及び／又は無機化合物を含むがこれらに限定されない、様々な無機物質でドープされた有機材料は、依然として有機材料とみなされ得ることが当業者に理解されよう。依然として、様々な有機材料が使用されてもよく、本明細書で説明するプロセスは、概して、そのような有機材料の全範囲に適用可能であることが当業者に更に理解されよう。なお更に、金属及び／又は他の有機元素を含有する有機材料が依然として有機材料とみなされ得ることが当業者に理解されよう。なお更に、様々な有機材料が分子、オリゴマー、及び／又はポリマーであり得ることが当業者に理解されよう。

本明細書で使用されるとき、オリゴマーは、概して、少なくとも２つのモノマー単位又はモノマーを含む材料を指す。当業者には理解されるであろうように、オリゴマーは、以下を含むがこれらに限定されない少なくとも１つの態様において、ポリマーとは異なり得る：（１）オリゴマーに含有されるモノマー単位の数、（２）分子量、並びに（３）他の材料属性及び／又は特性。非限定的な実施例として、ポリマー及びオリゴマーの更なる説明を、Ｎａｋａ Ｋ．（２０１４）Ｍｏｎｏｍｅｒｓ，Ｏｌｉｇｏｍｅｒｓ，Ｐｏｌｙｍｅｒｓ，ａｎｄ Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ（Ｏｖｅｒｖｉｅｗ）、及びＫｏｂａｙａｓｈｉ Ｓ．，Ｍｕｌｌｅｎ Ｋ．（ｅｄｓ．）Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｎａｎｏｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｓｐｒｉｎｇｅｒ，Ｂｅｒｌｉｎ，Ｈｅｉｄｅｌｂｅｒｇに見出すことができる。

オリゴマー又はポリマーは、一般に、化学的に結合し合って分子を形成するモノマー単位を含む。そのようなモノマー単位は、分子が主としてモノマー単位の繰り返しによって形成されるように、互いに実質的に同一であり得るか、又は分子が、２つ以上の異なるモノマー単位を含み得る。追加的に、分子は、分子のモノマー単位とは異なり得る１つ以上の末端単位を含んでもよい。オリゴマー又はポリマーは、直鎖状、分枝状、環状、シクロ直鎖状であり、及び／又は架橋していてもよい。オリゴマー又はポリマーは、繰り返しパターンで、及び／又は異なるモノマー単位の交互ブロックで配置された２つ以上の異なるモノマー単位を含んでもよい。

本開示では、「半導体層」という用語は、ＯＬＥＤデバイス内の層が、いくつかの非限定的な実施例では有機半導体材料を含み得るため、「有機層」と互換的に使用され得る。

本開示では、無機物質は、主に無機材料を含む物質を指し得る。本開示では、無機材料は、金属、ガラス、及び／又は鉱物を含むがこれらに限定されない、有機材料とはみなされない任意の材料を含み得る。

本開示では、「光子」及び「光」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用され得る。本開示では、光子は、可視スペクトル、赤外（ＩＲ）領域（ＩＲスペクトル）、近赤外領域（ＮＩＲスペクトル）、紫外（ＵＶ）領域（ＵＶスペクトル）、及び／又はＵＶＡ領域（ＵＶＡスペクトル）（約３１５～４００ｎｍの波長範囲に対応し得る）に位置する波長を有し得る。

本開示では、本明細書で使用される「可視スペクトル」という用語は、一般に、ＥＭスペクトルの可視部分における少なくとも１つの波長を指す。

本開示では、本明細書で使用される「発光スペクトル」という用語は、一般に、光電子デバイスによって放出される光のエレクトロルミネセンススペクトルを指す。非限定的な実施例として、発光スペクトルは、非限定的な実施例としてある波長範囲にわたるＥＭ放射の強度を測定する分光光度計などの、光学機器を使用して検出され得る。

本開示では、本明細書で使用される「開始波長」λ_{ｏｎｓｅｔ}という用語は、概して、発光が発光スペクトル内で検出される最も短い波長を指し得る。

本開示では、本明細書で使用される「ピーク波長」λ_ｍａｘという用語は、概して、発光スペクトル内で最大光度が検出される波長を指し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、開始波長λ_{ｏｎｓｅｔ}は、ピーク波長λ_ｍａｘ未満であってもよい。いくつかの非限定的な実施例では、開始波長λ_{ｏｎｓｅｔ}は、光度が、ピーク波長λ_ｍａｘにおける光度の約１０％以下、約５％以下、約３％以下、約１％以下、約０．５％以下、約０．１％以下、又は約０．０１％以下である波長に対応し得る。

当業者には理解されるであろうように、そのような可視部分は、約３８０～７４０ｎｍの任意の波長に対応し得る。概して、エレクトロルミネセントデバイスは、約４２５～７２５ｎｍの範囲の波長を有する光、より具体的には、いくつかの非限定的な実施例では、それぞれＢ（青）、Ｇ（緑）、及びＲ（赤）サブピクセルに対応する４５６ｎｍ、５２８ｎｍ、及び６２４ｎｍのピーク発光波長λ_{ｅ ｍａｘ}を有する光、を放出及び／又は伝送するように構成され得る。したがって、そのようなエレクトロルミネセントデバイスの文脈において、可視部分は、約４２５～７２５ｎｍ、又は約４５６～６２４ｎｍの任意の波長を指し得る。可視スペクトルの波長を有する光子は、いくつかの非限定的な実施例では、本明細書では「可視光」とも称され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、可視スペクトルのＲ（赤）部分に位置する発光スペクトルは、約６００～６４０ｎｍの波長範囲に位置し得るピーク波長λ_ｍａｘを特徴とし得、非限定的な実施例では、実質的に約６２０ｎｍであり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、可視スペクトルのＧ（緑）部分に位置する発光スペクトルは、約５１０～５４０ｎｍの波長範囲に位置し得るピーク波長λ_ｍａｘを特徴とし得、非限定的な実施例では、実質的に約５３０ｎｍであり得る。

いくつかの非限定的な実施例では、可視スペクトルのＢ（青）部分に位置する発光スペクトルは、約４５０～４６０ｎｍの波長範囲に位置し得るピーク波長λ_ｍａｘを特徴とし得、非限定的な実施例では、実質的に約４５５ｎｍであり得る。

本開示では、本明細書で使用される「ＩＲ信号」という用語は、概して、ＥＭスペクトルのＩＲサブセット（ＩＲスペクトル）の波長を有するＥＭ放射を指し得る。ＩＲ信号は、いくつかの非限定的な実施例では、その近赤外線（ＮＩＲ）サブセット（ＮＩＲスペクトル）に対応する波長を有し得る。非限定的な実施例として、ＮＩＲ信号は、約７５０～１４００ｎｍ、約７５０～１３００ｎｍ、約８００～１３００ｎｍ、約８００～１２００ｎｍ、約８５０～１３００ｎｍ、又は約９００～１３００ｎｍの波長を有し得る。

本開示では、本明細書で使用される「吸収スペクトル」という用語は、概して、吸収が集中し得るＥＭスペクトルの波長（部分）範囲を指し得る。

本開示において、「吸収端」、「吸収不連続」、及び／又は「吸収限界」という用語は、概して、物質の吸収スペクトルの鋭い不連続を指し得る。いくつかの非限定的な実施例では、吸収端は、吸収された光子のエネルギーが電子遷移及び／又はイオン化ポテンシャルに対応し得る波長で発生する傾向があり得る。

本開示では、本明細書で使用される「吸光係数」という用語は、概して、材料を通って伝播するときにＥＭ係数が減衰する度合いを指し得る。いくつかの非限定的な実施例では、吸光係数は、複素屈折率Ｎの虚数成分ｋに対応すると理解され得る。いくつかの非限定的な実施例では、材料の吸光係数ｋは、偏光解析法によることを含むがこれに限定されない、多様な方法によって測定され得る。

本開示では、媒体を説明するために本明細書で使用される「屈折率（ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ ｉｎｄｅｘ）」及び／又は「屈折率（ｉｎｄｅｘ）」という用語は、真空中の光の速度に対するそのような媒体中の光の速度の比率から計算された値を指し得る。本開示では、特に、薄膜層及び／又はコーティングを含むがこれらに限定されない、実質的に透明な材料の属性を説明するために使用される場合、これらの用語は、式Ｎ＝ｎ＋ｉｋにおける実数部ｎに対応し得、式中、Ｎは、複素屈折率を表し、ｋは、吸光係数を表す。

当業者には理解されるであろうように、薄膜層及び／又はコーティングを含むがこれらに限定されない、実質的に透明な材料は、概して、可視スペクトルにおいて比較的低いｋ値を呈し、したがって、式の虚数成分は、複素屈折率Ｎにほとんど寄与しない場合がある。他方では、例えば、金属薄膜によって形成された光透過性電極は、可視スペクトルにおいて比較的低いｎ値及び比較的高いｋ値を呈し得る。したがって、そのような薄膜の複素屈折率Ｎは、主にその虚数成分ｋによって決定され得る。

本開示では、文脈上別段の指示がない限り、屈折率への特定性のない言及は、複素屈折率Ｎの実数部ｎへの言及であることが意図され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、屈折率ｎと透過率との間に概して正の相関関係、又は言い換えれば、屈折率ｎと吸収との間に概して負の相関関係があり得る。いくつかの非限定的な実施例では、物質の吸収端は、吸光係数ｋが０に近い波長に対応し得る。

本明細書に記載される屈折率ｎ及び／又は吸光係数ｋの値は、ＥＭスペクトルの可視範囲の波長で測定されたそのような値に対応し得ることが理解されよう。いくつかの非限定的な実施例では、屈折率ｎ及び／又は吸光係数ｋの値は、Ｂ（青）サブピクセルのピーク発光波長に対応し得る約４５６ｎｍ、Ｇ（緑）サブピクセルのピーク発光波長に対応し得る約５２８ｎｍ、及び／又はＲ（赤）サブピクセルのピーク発光波長に対応し得る約６２４ｎｍの波長で測定された値に対応し得る。いくつかの非限定的な実施例では、本明細書に記載される屈折率ｎ及び／又は吸光係数ｋの値は、フラウンホーファーＤ線にほぼ対応する約５８９ｎｍの波長で測定された値に対応し得る。

本開示では、ピクセルの概念は、その少なくとも１つのサブピクセルの概念と併せて考察され得る。説明を簡単にするためだけに、そのような複合概念は、本明細書では「（サブ）ピクセル」として言及され得、そのような用語は、文脈上別段の指示がない限り、ピクセル及び／又は少なくとも１つのサブピクセルのいずれか又は両方がそうであり得ることを示唆すると理解される。

いくつかの非限定的な実施例では、表面上の材料の量の１つの尺度は、そのような材料による表面のパーセンテージ被覆率であり得る。いくつかの非限定的な実施例では、表面被覆率は、ＴＥＭ、ＡＦＭ、及び／又はＳＥＭを含むがこれらに限定されない、多様な撮像技法を使用して評価され得る。

本開示では、「粒子」、「島」、及び「クラスタ」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用され得る。

本開示では、説明を簡単にする目的で、本明細書で使用される「コーティング膜」、「閉じたコーティング」、及び／又は「閉じたコーティング」という用語は、導電性コーティングに使用される導電性コーティング材料の薄膜構造及び／又はコーティングを指し、表面の関連部分を、それによって実質的にコーティングすることができ、その結果、そのような表面を、その上に堆積されたコーティング膜によって、又はコーティング膜を通して実質的に露出させないことができる。

本開示では、文脈上別段の指示がない限り、薄膜への特定性のない言及は、実質的に閉じたコーティングへの言及であることが意図され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、いくつかの非限定的な実施例では導電性コーティング及び／又は導電性コーティング材料の閉じたコーティングは、基部表面の一部分を、そのような部分内で、そのような部分内の基部表面の約４０％未満、約３０％未満、約２５％未満、約２０％未満、約１５％未満、約１０％未満、約５％未満、約３％未満、又は約１％未満が、閉じたコーティングによって、又は閉じたコーティングを通して露出されるように覆うように配設され得る。

当業者は、基部表面の露出層表面の一部を意図的に残して、閉じたコーティングの堆積後に露出されるように、本明細書で説明されるものを含むがこれらに限定されない、様々な技法及びプロセスを使用して、閉じたコーティングをパターン化し得ることを理解するであろう。本開示では、そのようなパターン化された膜は、それにもかかわらず、非限定的な実施例として、そのようなパターニングの文脈内で、かつ基部表面の露出層表面のそのような意図的に露出された部分間に堆積された薄膜及び／又はコーティング自体が閉じたコーティングを実質的に含む場合、閉じたコーティングを構成するとみなされ得る。

当業者は、堆積プロセスにおける固有の変動性によって、及びいくつかの非限定的な実施例では、堆積材料、いくつかの非限定的な実施例では、導電性コーティング材料、及び基部材料の露出層表面のいずれか又は両方における不純物の存在によって、本明細書で説明されるものを含むが、これに限定されない、様々な技法及びプロセスを使用する薄膜の堆積は、それにもかかわらず、ピンホール、裂け目、及び／又は亀裂を含むがこれらに限定されない、小さな開口の形成をもたらし得る。本開示では、そのような薄膜は、それにもかかわらず、非限定的な実施例として、堆積される薄膜及び／又はコーティングが閉じたコーティングを実質的に含み、かつそのような開口の存在にもかかわらず、挙示された任意の指定されたパーセンテージ被覆率基準を満たす場合、閉じたコーティングを構成するとみなされ得る。

本開示では、説明を簡単にする目的で、本明細書で使用される「不連続コーティング」という用語は、導電性コーティングに使用される材料の薄膜構造及び／又はコーティングであって、それによってコーティングされる表面の関連部分が、そのような材料を実質的に欠くことも、その閉じたコーティングを形成することもない場合がある、薄膜構造及び／又はコーティングを指し得る。いくつかの非限定的な実施例では、導電性コーティング材料の不連続コーティングは、そのような表面上に配設された複数の離散した島として現れ得る。

本開示では、説明を簡単にする目的で、閉じたコーティングが形成されている段階に（まだ）到達していない、基部材料の露出層表面上への蒸気モノマーの堆積の結果は、「中間段階層」と称され得る。いくつかの非限定的な実施例では、そのような中間段階層は、堆積プロセスが完了していないことを反映し得、そのような中間段階層は、閉じたコーティングの形成の中間的な段階とみなされ得る。いくつかの非限定的な実施例では、中間段階層は、完了した堆積プロセスの結果であり、したがって、それ自体における、及びそれ自体の形成の最終段階を構成し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、中間段階層は、不連続コーティングよりも薄膜によく似ていてもよいが、１つ以上の樹状突起、及び／又は１つ以上の樹状の窪みを含むがこれらに限定されない、表面被覆の開口及び／又は間隙を有し得る。いくつかの非限定的な実施例では、そのような中間段階層は、堆積材料が閉じたコーティングを形成しないような、堆積材料の単一モノレイヤの分率１／Ｘを含み得る。

本開示では、説明を簡単にする目的で、導電性コーティングを含むがこれに限定されない、コーティングに関する「樹状」という用語は、横方向面から見たときに分岐構造に似ている特徴部を指し得る。いくつかの非限定的な実施例では、導電性コーティングは、樹状突起及び／又は樹状窪みを含み得る。いくつかの非限定的な実施例では、樹状突起は、物理的に接続されて実質的に外側に延在する複数の短い突起を含む分岐構造を呈する導電性コーティングの一部に対応し得る。いくつかの非限定的な実施例では、樹状窪みは、物理的に接続されて実質的に外側に延在する導電性コーティングのギャップ、開口部、及び／又は被覆されていない部分の分岐構造に対応し得る。いくつかの非限定的な実施例では、樹状窪みは、鏡像及び／又は逆パターンを含むがこれらに限定されない、樹状突起のパターンに対応し得る。いくつかの非限定的な実施例では、樹状突起及び／又は樹状窪みは、フラクタルパターン、メッシュ、ウェブ、及び／又は交互嵌合構造を呈し、及び／又は模倣する構成を有し得る。

いくつかの非限定的な実施例では、シート抵抗は、そのような構成要素、層、及び／又は部分を通過する電流の特性を改変し得る構成要素、層、及び／又は部分の属性であり得る。いくつかの非限定的な実施例では、コーティングのシート抵抗は、概して、デバイスの他の構成要素、層、及び／又は部分とは分離して測定及び／又は判定されたコーティングの特性シート抵抗に対応し得る。

本開示では、堆積密度は、いくつかの非限定的な実施例では領域内の堆積材料の面積及び／又は体積を含み得る、領域内の分布を指し得る。当業者は、そのような堆積密度が、そのような堆積材料を含み得る粒子自体内の質量又は材料の密度と無関係であり得ることを理解するであろう。本開示では、文脈上別段の指示がない限り、堆積密度及び／又は密度への言及は、ある面積内の少なくとも１つの粒子を含むがこれに限定されないものとしての、そのような堆積材料の分布への言及であることが意図され得る。

いくつかの非限定的な実施例では、金属の結合解離エネルギーは、金属の２つの同一原子によって形成された二原子分子の結合の切断からの２９８Ｋで測定された標準状態のエンタルピー変化に対応し得る。結合解離エネルギーは、非限定的な実施例として、Ｌｕｏ，Ｙｕ－Ｒａｎ，“Ｂｏｎｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ”（２０１０）を含むがこれに限定されない、知られている文献に基づいて決定され得る。

本開示の特徴又は態様がマーカッシュグループに関して説明する場合、本開示がまた、それにより、そのようなマーカッシュグループの要素のサブグループの任意の個々の要素に関して説明していることが当業者に理解されよう。

別段明記されない限り、単数形の参照には複数形が含まれ、その逆も同様であり得る。

本明細書で使用される場合、「第１の」及び「第２の」などの関係用語、及び「ａ」、「ｂ」などのような、番号を付したデバイスは、そのような対象物又は要素間の物理的又は論理的関係若しくは順序を必ずしも必要あるいは暗示することなく、１つの対象物又は要素を別の対象物又は要素と区別するためにのみ使用され得る。

「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」及び「含む／備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という用語は、広範かつオープンエンド形式で使用され得、したがって、「含むが、～に限定されない」を意味すると解釈されるべきである。「実施例」及び「例示的な」という用語は、単に例示の目的で事例を識別するために使用され得、本発明の範囲を記述された事例に限定するものとして解釈されるべきではない。特に、「例示的な」という用語は、デザイン、性能、又はその他の観点から、それが使用される表現に賞賛、有益、又は他の品質を示す又は授けると解釈されるべきではない。

更に、「臨界」という用語は、特に、「臨界核」、「臨界核生成速度」、「臨界濃度」、「臨界クラスタ」、「臨界モノマー」、「臨界粒子サイズ」、及び／又は「臨界表面張力」という表現で使用されるとき、何らかの品質、属性、又は現象が明確な変化を受ける測定値又は点に関連する、又はその状態にあることを含め、当業者によく知られている用語であり得る。したがって、「臨界」という用語は、設計、性能、又はその他の観点から、それが使用される表現に任意の有意性又は重要性を示すか又は授けると解釈されるべきではない。

任意の形態の「結合する」及び「通信する」という用語は、光学的、電気的、機械的、化学的、又は別様であるかどうかにかかわらず、いくつかのインターフェース、デバイス、中間構成要素、又は接続を通した直接接続又は間接接続のいずれかを意味することが意図され得る。

別の構成要素に対する最初の構成要素に関して使用されるときの「上（ｏｎ）」又は「上（ｏｖｅｒ）」、若しくは「被覆する（ｃｏｖｅｒｉｎｇ）」及び／又は別の構成要素を「被覆する（ｃｏｖｅｒｓ）」という用語は、最初の構成要素が他の構成要素上に直接ある（それと物理的に接触している）場面、並びに１つ以上の介在する構成要素が最初の構成要素と他の構成要素との間に位置決めされている場面を包含し得る。

「上向き」、「下向き」、「左」、及び「右」などの方向用語は、別段述べない限り、参照される図面中の方向を指すために使用され得る。同様に、「内向き」及び「外向き」などの語は、それぞれ、デバイス、デバイスの面積又は体積又は特化された部分の幾何中心、に向かう方向、及びそれから離れる方向を指すために使用され得る。更に、本明細書で説明される全ての寸法は、特定の実施形態を例示する目的の実施例としてであることのみが意図され得、本開示の範囲を、指定され得るような寸法から逸脱し得る任意の実施形態に限定することは意図されていない場合がある。

本明細書で使用される場合、「実質的に」、「実質的な」、「約（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ）」、及び／又は「約（ａｂｏｕｔ）」という用語は、小さい変動を示し、考慮するために使用され得る。事象又は状況と組み合わせて使用される場合、そのような用語は、事象又は状況が正確に発生する事例だけでなく、事象又は状況が近似的に発生する事例も指す場合がある。非限定的な実施例として、数値と併せて使用される場合、そのような用語は、±５％以下、±４％以下、±３％以下、±２％以下、±１％以下、±０．５％以下、±０．１％以下、又は±０．０５％以下などの、そのような数値の約±１０％以下の変動の範囲を指し得る。

本明細書で使用される場合、「から実質的になる」という語句は、具体的に列挙されたこれらの要素、及び説明される技術の基本的かつ新規な特徴に著しく影響を与えない任意の追加の要素を含むと理解され得るが、任意の修飾語句を使用しない「からなる」という語句は、具体的に列挙されない任意の要素を除外し得る。

当業者によって理解されるように、特に書面による説明を提供するという観点から、ありとあらゆる目的のために、本明細書に開示される全ての範囲は、ありとあらゆる可能な部分範囲及び／又はその部分範囲の組み合わせも包含し得る。任意に列挙された範囲は、２分の１、３分の１、４分の１、５分の１、１０分の１などを含むがこれらに限定されない、同じ範囲を少なくともその等しい分数に分割することを十分に説明し、可能にするものとして簡単に認識することができる。非限定的な実施例として、本明細書で考察される各範囲は、下３分の１、中３分の１、及び／又は上３分の１などに容易に分割することができる。

また、当業者によって理解されるように、「最大」、「少なくとも」、「よりも大きい／超」、「よりも小さい／未満」などの全ての言語及び／又は専門用語は、列挙された範囲を含む、及び／又はそれ（それら）を指す場合があり、本明細書で考察されるように、その後部分範囲に分割することができる範囲も指す場合がある。

当業者によって理解されるように、範囲は、列挙された範囲の各個々の要素を含む。

概要
要約書の目的は、関連する特許庁又は一般利用者、かつ具体的には特許又は法的な用語若しくは言い回しに精通していない当業者が、大まかな検査、技術開示の性質から迅速に決定することを可能にするためである。要約は、本開示の範囲を画定することを意図するものでも、決して本開示の範囲を限定することを意図するものでもない。

現在開示されている実施例の構造、製造、及び使用は、上記で考察されている。考察された特定の実施例は、本明細書に開示された概念を作製及び使用するための特定の方法の単なる例示であり、本開示の範囲を限定するものではない。むしろ、本明細書に記述された一般原則は、本開示の範囲の単なる例示であるとみなされる。

提供される実装形態の詳細ではなく特許請求の範囲によって説明し、変更、省略、追加、又は置換することによって、かつ／あるいは代替物及び／又は均等物の機能的要素を有する任意の要素及び／又は限定の欠如によって修正することができる本開示は、本明細書に具体的に開示されているかどうかにかかわらず、当業者には明らかであり、本明細書に開示された実施例に対して行われ得、本開示から外れることなく、多種多様な具体的な文脈で具体化され得る多くの適用可能な発明の概念を提供し得ることを理解されたい。

特に、上記の実施例のうちの１つ以上に説明及び例示する特徴、技法、システム、サブシステム、及び方法は、個別又は別個のものとして説明しており、例示されているかどうかにかかわらず、本開示の範囲から逸脱することなく、別のシステムと組み合わせる、又はそれと一体化して、明示的に上述されていない場合がある特徴部の組み合わせ又は部分組み合わせ、若しくは特定の機能が省略されている、又は実装されていないある特定の特徴部から成る代替実施例を作成することができる。そのような組み合わせ及び部分組み合わせに好適な特徴部は、本出願全体を見直すと、当業者には容易に明らかになるであろう。変化、置換、及び変更の他の例は、簡単に確認可能であり、本明細書に開示された趣旨及び範囲から逸脱することなく行うことができる。

本開示の原理、態様、及び実施例、並びにそれらの具体例を列挙する本明細書の全ての記述は、それらの構造的均等物及び機能的均等物の両方を包含し、技術における全ての好適な変化を網羅及び包含することを意図している。追加的に、そのような均等物には、現在知られている均等物及び将来開発される均等物の両方、すなわち、構造に関係なく同じ機能を実行する開発された任意の要素が含まれることが意図されている。

本開示は、以下の条項を含むが、これらに限定されない。

１ 複数の層を有し、かつ横軸によって画定される少なくとも１つの横方向面の第１の部分及び第２の部分に延在するディスプレイパネルであって、パネルは、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素との交換のために、層に対してある角度で、第２の部分を通して少なくとも１つの電磁（ＥＭ）信号を受け入れるように適合されており、パネルは、第１の部分におけるパネルの露出層表面上に配設された堆積材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを備え、
第２の部分は、堆積材料の閉じたコーティングを実質的に欠いている、ディスプレイパネル。
２ パネルは、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素を内部に収容するための本体と嵌合して、ユーザデバイスを形成するように適合されており、第１の部分は、本体から少なくとも１つのＥＭ信号を放出するための少なくとも１つの放出領域を備える、条項１に記載のパネル。
３ 少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素は、
ユーザデバイスを超えてパネルを通過する少なくとも１つのＥＭ信号を、受信するように適合された受信部と、
放出するように適合された送信部と、のうちの少なくとも１つを含む、
条項１又は２に記載のパネル。
４ 少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素は、ユーザデバイスを越えてからパネルを通過する少なくとも１つのＥＭ信号を受信するための受信部を含む、条項１～３のいずれか一項に記載のパネル。
５ ユーザデバイスを越えてからパネルを通過する少なくとも１つのＥＭ信号は、パネルから発し、表面によって反射され、戻ってパネルを通る、条項４に記載のパネル。
６ パネルから発する少なくとも１つのＥＭ信号は、
少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素、及びパネルの非放出領域を通過すること、と、
パネルの放出領域と、のうちの少なくとも１つによって放出される、条項５に記載のパネル。
７ 少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素は、ユーザデバイスを越えてパネルを通過する少なくとも１つのＥＭ信号を放出するように適合された送信部を含む、条項１～６のいずれか一項に記載のパネル。
８ 複数の層を有し、かつ横軸によって画定される少なくとも１つの横方向面の第１の部分及び第２の部分に延在するディスプレイパネルであって、パネルは、層に対してある角度で、第２の部分を通して少なくとも１つの電磁（ＥＭ）信号を受け入れるように適合されており、第１の部分におけるパネルの露出層表面上に配設された堆積材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを備え、
第２の部分は、堆積材料の閉じたコーティングを実質的に欠いている、ディスプレイパネル。
９ 第２の部分におけるパネルの露出層表面上に核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）を更に備え、堆積材料を第１の部分におけるＮＩＣの表面上に堆積させるための初期付着確率が、
０．３と、
堆積材料を露出層表面上に堆積させるための初期付着確率と、のうちの少なくとも１つよりも実質的に小さい、条項８に記載のパネル。
１０ ＮＩＣは、ＮＩＣ材料を含む、条項９に記載のパネル。
１１ ＮＩＣ及びＮＩＣ材料のうちの少なくとも１つは、約０．９、約０．３、約０．２、約０．１５、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、約０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、約０．００１、約０．０００８、約０．０００５、約０．０００３、及び約０．０００１のうちの少なくとも１つよりも小さい、堆積材料の初期付着確率Ｓ０を有する、条項９又は１０に記載のパネル。
１２ ＮＩＣ及びＮＩＣ材料のうちの少なくとも１つは、約０．９、約０．３、約０．２、約０．１５、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、約０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、約０．００１、約０．０００８、約０．０００５、約０．０００３、及び約０．０００１のうちの少なくとも１つよりも小さい、銀（Ａｇ）及びマグネシウム（Ｍｇ）のうちの少なくとも１つの初期付着確率Ｓ０を有する、条項９又は１０に記載のパネル。
１３ ＮＩＣ及びＮＩＣ材料のうちの少なくとも１つは、約０．１５～０．０００１、約０．１～０．０００３、約０．０８～０．０００５、約０．０８～０．０００８、約０．０５～０．００１、約０．０３～０．０００１、約０．０３～０．０００３、約０．０３～０．０００５、約０．０３～０．０００８、約０．０３～０．００１、約０．０３～０．００５、約０．０３～０．００８、約０．０３～０．０１、約０．０２～０．０００１、約０．０２～０．０００３、約０．０２～０．０００５、約０．０２～０．０００８、約０．０２～０．００１、約０．０２～０．００５、約０．０２～０．００８、約０．０２～０．０１、約０．０１～０．０００１、約０．０１～０．０００３、約０．０１～０．０００５、約０．０１～０．０００８、約０．０１～０．００１、約０、０１～０．００５、約０．０１～０．００８、約０．００８～０．０００１、約０．００８～０．０００３、約０．００８～０．０００５、約０．００８～０．０００８、約０．００８～０．００１、約０．００８～０．００５、約０．００５～０．０００１、約０．００５～０．０００３、約０．００５～０．０００５、約０．００５～０．０００８、及び約０．００５～０．００１である、堆積材料の初期付着確率Ｓ０を有する、条項９～１１のいずれか一項に記載のパネル。
１４ ＮＩＣ材料は、複数の異なる堆積材料の少なくとも１つの閾値未満である初期付着確率Ｓ０を有する、条項９～１２のいずれか一項に記載のパネル。
１５ 複数の材料は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、及び亜鉛（Ｚｎ）のうちの少なくとも１つから選択される、条項１４に記載のパネル。
１６ ＮＩＣ材料は、複数の堆積材料のうちの第１の材料の第１の閾値未満の初期付着確率Ｓ０と、複数の堆積材料のうちの第２の材料の初期付着確率Ｓ０と、を有する、条項１４又は１５に記載のパネル。
１７ 第１の閾値は、第２の閾値よりも大きい、条項１６に記載のパネル。
１８ ＮＩＣ及びＮＩＣ材料のうちの少なくとも１つは、銀（Ａｇ）の蒸気フラックスに曝された後、少なくとも閾値透過率値の光透過率を有する、条項９～１６のいずれか一項に記載のパネル。
１９ 蒸気フラックスは、少なくとも約１０^－４Ｔｏｒｒ及び約１０^－５Ｔｏｒｒの真空圧である、条項１８に記載のパネル。
２０ 蒸気フラックスは、約１オングストローム（Å）／秒の堆積速度を有する、条項１８又は１９に記載のパネル。
２１ １５ｎｍの基準厚さに達するまで蒸気フラックスが適用される、条項１８～２０のいずれか一項に記載のパネル。
２２ 蒸気フラックスが適用される表面は、約２５℃の温度である、条項１８～２１のいずれか一項に記載のパネル。
２３ 蒸気フラックスが適用される表面は、Ａｇの蒸発源から約６５ｃｍ離れている、条項１８～２２のいずれか一項に記載のパネル。
２４ 閾値透過率値は、約６０％、約６５％、約７０％、約７５％、約８０％、約８５％、及び約９０％のうちの少なくとも１つから選択される、条項１８～２３のいずれか一項に記載のパネル。
２５ 閾値透過率値は、約４６０ｎｍの波長において測定される、条項１８～２４のいずれか一項に記載のパネル。
２６ ＮＩＣ及びＮＩＣ材料のうちの少なくとも１つは、約２４ダイン／ｃｍ、約２０ダイン／ｃｍ、約１９ダイン／ｃｍ、約１８ダイン／ｃｍ、約１７ダイン／ｃｍ、約１６ダイン／ｃｍ、約１５ダイン／ｃｍ、約１４ダイン／ｃｍ、約１２ダイン／ｃｍ、約１１ダイン／ｃｍ、約１０ダイン／ｃｍ、約９ダイン／ｃｍ、及び約８ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つよりも小さい表面エネルギー（Ｙ１）を有する、条項９～２５のいずれか一項に記載のパネル。
２７ ＮＩＣ及びＮＩＣ材料のうちの少なくとも１つは、約１３～２０ダイン／ｃｍ、及び約１３～１９ダイン／ｃｍである表面エネルギー（Ｙ１）を有する、条項９～２６のいずれか一項に記載のパネル。
２８ ＮＩＣ及びＮＩＣ材料のうちの少なくとも１つは、約１．５５、約１．５、約１．４５、約１．４３、約１．４、約１．３９、約１．３８、約１．３７、約１．３５、約１．３２、及び約１．３のうちの少なくとも１つよりも小さい、５５０ｎｍの波長の光子に対する屈折率ｎを有する、条項９～２７のいずれか一項に記載のパネル。
２９ ＮＩＣ及びＮＩＣ材料のうちの少なくとも１つは、約６００ｎｍ、約５００ｎｍ、約４６０ｎｍ、約４２０ｎｍ、及び約４１０ｎｍのうちの少なくとも１つを超える波長の光子に対して、０．０１未満である吸光係数ｋを有する、条項９～２８のいずれか一項に記載のパネル。
３０ ＮＩＣ及びＮＩＣ材料のうちの少なくとも１つは、約４００ｎｍ、約３９０ｎｍ、約３８０ｎｍ、及び約３７０ｎｍのうちの少なくとも１つよりも短い波長の光子に対して、約０．０５超、約０．１超、約０．２超、及び約０．５超であり得る吸光係数ｋを有する、条項９～２９のいずれか一項に記載のパネル。
３１ ＮＩＣ及びＮＩＣ材料のうちの少なくとも１つは、約３００℃未満、約１５０℃未満、約１３０℃未満、約３０℃未満、約０℃未満、約－３０℃未満、及び－５０℃未満であるガラス転移温度Ｔ_ｇを有する、条項９～３０のいずれか一項に記載のパネル。
３２ ＮＩＣ材料は、約１００～３２０℃、約１２０～３００℃、約１４０～２８０℃、及び約１５０～２５０℃の昇華温度を有する、条項９～３１のいずれか一項に記載のパネル。
３３ ＮＩＣ及びＮＩＣ材料のうちの少なくとも１つは、フッ素（Ｆ）及びシリコン（Ｓｉ）のうちの少なくとも１つを含有する、条項９～３２のいずれか一項に記載のパネル。
３４ ＮＩＣ材料は、Ｆを含む化合物である、条項３３に記載のパネル。
３５ ＮＩＣ材料は、Ｆ及び炭素（Ｃ）を含む化合物である、条項３４に記載のパネル。
３６ ＮＩＣ材料は、少なくとも約１、少なくとも約１．５、及び少なくとも約２のうちの少なくとも１つのＦ／Ｃの商に対応する原子比でＦ及びＣを含む、条項３５に記載のパネル。
３７ ＮＩＣ材料は、オリゴマーを含む、条項３３～３６のいずれか一項に記載のパネル。
３８ ＮＩＣ材料は、主鎖と、主鎖に結合した少なくとも１つの官能基と、を含む分子構造を有する、条項３３～３７のいずれか一項に記載のパネル。
３９ ＮＩＣ材料は、シロキサン基を含む、条項３８に記載のパネル。
４０ 主鎖は、シロキサン基を含む、条項３８又は３９に記載のパネル。
４１ 少なくとも１つの官能基は、Ｆを含む、条項３８～４０のいずれか一項に記載のパネル。
４２ 少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基を含む、条項４１に記載のパネル。
４３ ＮＩＣ材料は、シルセスキオキサン基を含む、条項３８～４２のいずれか一項に記載のパネル。
４４ ＮＩＣ材料は、アリール基を含む、条項３８～４３のいずれか一項に記載のパネル。
４５ ＮＩＣ材料は、炭化水素基を含む、条項３８～４４のいずれか一項に記載のパネル。
４６ ＮＩＣ材料は、ホスファゼン基を含む、条項３８～４５のいずれか一項に記載のパネル。
４７ ＮＩＣ材料は、置換又は非置換の直鎖状、分枝状、又は環状の炭化水素基を含む、条項３８～４６のいずれか一項に記載のパネル。
４８ 置換基中の少なくとも１つのＣ原子は、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、及び硫黄（Ｓ）のうちの少なくとも１つから選択されるヘテロ原子によって置換されている、条項４７に記載のパネル。
４９ ＮＩＣ材料は、フルオロポリマーを含む、条項３８～４８のいずれか一項に記載のパネル。
５０ ＮＩＣ材料は、金属錯体を含む、条項３８～４９のいずれか一項に記載のパネル。
５１ ＮＩＣ材料は、有機無機ハイブリッド材料を含む、条項３８～５０のいずれか一項に記載のパネル。
５２ ＮＩＣ材料は、ＮＩＣ材料上の核生成サイトとして作用する別の材料でドープされている、条項１０～５１のいずれか一項に記載のパネル。
５３ ＮＩＣの表面に沿って延在する高屈折率媒体を更に備え、ＮＩＣは、高屈折率媒体の屈折率未満である屈折率を有する低屈折率コーティングを含む、条項９～５２のいずれか一項に記載のパネル。
５４ 高屈折率媒体は、高屈折率コーティングを含む、条項５３に記載のパネル。
５４ 高屈折率媒体は、被覆層を含む、条項５３又は５４に記載のパネル。
５５ 高屈折率媒体は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を含む、条項５３又は５４に記載のパネル。
５６ 高屈折率媒体は、空隙を備える、条項５３に記載のパネル。
５７ 第２の部分は、堆積材料からなる少なくとも１つの粒子構造を備える、条項８～５６のいずれか一項に記載のパネル。
５８ 少なくとも１つの粒子構造は、ＮＩＣの露出層表面上に配設された不連続層を形成する、条項５７に記載のパネル。
５９ 第２の部分は、ＵＶＡ吸収層を備える、条項５７又は５８に記載のパネル。
６０ ＵＶＡ吸収層は、少なくとも１つの粒子構造を備える、条項５９に記載のパネル。
６１ 第２の部分は、ＵＶＡ吸収層を備える、条項８～６０のいずれか一項に記載のパネル。
６２ ＵＶＡ吸収層は、堆積材料からなる少なくとも１つの粒子構造を備える、条項６１に記載のパネル。
６３ 第２の部分におけるパネルの露出層表面上に配設された低屈折率コーティングと、低屈折率コーティングの表面に沿って延在する高屈折率媒体と、を更に備え、低屈折率コーティングの屈折率は、高屈折率媒体の屈折率未満である、条項８～６２のいずれか一項に記載のパネル。
６４ 低屈折率コーティングは、核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）を含み、第１の部分におけるＮＩＣの表面上に堆積材料を堆積させるための初期付着確率は、
０．３と、
堆積材料を露出層表面上に堆積させるための初期付着確率と、のうちの少なくとも１つよりも実質的に小さい、条項６３に記載のパネル。
６５ 高屈折率媒体は、高屈折率コーティングを含む、条項６３又は６４に記載のパネル。
６６ 高屈折率媒体は、被覆層を含む、条項６３～６５のいずれか一項に記載のパネル。
６７ 高屈折率媒体は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を含む、条項６３～６６のいずれか一項に記載のパネル。
６８ 高屈折率媒体は、空隙を備える、条項６３又は６４に記載のパネル。
６９ 第１の部分におけるパネルの露出層表面は、第１の部分及び第２の部分の両方にわたって実質的に連続的に延在する基部コーティングのものである、条項８～６８のいずれか一項に記載のパネル。
７０ パネルの露出層表面は、第２の部分におけるＥＭパネルの露出層表面と実質的に同一平面上にあり、共存する、条項８～６９のいずれか一項に記載のパネル。
７１ 少なくとも１つの閉じたコーティングは、層に対してある角度で閉じたコーティングを通したＥＭ信号の透過を実質的に抑制する、条項８～７０のいずれか一項に記載のパネル。
７２ 第２の部分は、特徴部であって、層に対してある角度で特徴部を通したＥＭ信号の透過を実質的に抑制する特徴部を実質的に全く欠いている、条項８～７１のいずれか一項に記載のパネル。
７３ 堆積材料は、実質的に導電性である、条項８～７２のいずれか一項に記載のパネル。
７４ 少なくとも１つの閉じたコーティングの平均膜厚さは、約５～８０ｎｍである、条項８～７３のいずれか一項に記載のパネル。
７５ 第１の部分は、層に対してある角度でＥＭ信号を放出するための少なくとも１つの放出領域を備える、条項８～７４のいずれか一項に記載のパネル。
７６
基板と、
基板上に配設された少なくとも１つの半導体層と、
を更に備え、
各放出領域は、第１の電極及び第２の電極を備え、
第１の電極は、基板と少なくとも１つの半導体層との間に配設されており、
少なくとも１つの半導体層は、第１の電極と前記第２の電極との間に配設されている、条項７５に記載のパネル。
７７ 第２の電極は、堆積材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを含む、条項７６に記載のパネル。
７８ パネルの露出層表面は、少なくとも１つの半導体層の露出層表面である、条項７６又は７７に記載のパネル。
７９ 基板は、第１の部分及び第２の部分の両方にわたって実質的に連続的に延在する、条項７６～７８のいずれか一項に記載のパネル。
８０ 少なくとも１つの半導体層は、第１の部分及び第２の部分の両方にわたって実質的に連続的に延在する、条項７９に記載のパネル。
８１ 第１の部分は、複数の放出領域を備える、条項７６～８０のいずれか一項に記載のパネル。
８２ 第１の部分は、隣接する放出領域間に少なくとも１つの非放出領域を備える、条項８１に記載のパネル。
８３ 第２の部分は、放出領域を実質的に全く欠いている、条項８７６～８２のいずれか一項に記載のパネル。
８４ 第１の部分における少なくとも１つの閉じたコーティングの露出層表面上と、第２の部分におけるパネルの露出層表面上と、に配設された少なくとも１つの被覆層を更に備える、条項８～８３のいずれか一項に記載のパネル。
８５ 少なくとも１つの被覆層は、バリアコーティング、ガラスキャップ、薄膜封止（ＴＦＥ）層、偏光子、光学透明接着剤（ＯＣＡ）、タッチスクリーン材料、ガラスカバー、及びこれらのうちのいずれかの組み合わせのうちの少なくとも１つから選択される、条項８４に記載のパネル。
８６ ユーザデバイスであって、
複数の層を有し、かつ横軸によって画定される少なくとも１つの横方向面の第１の部分及び第２の部分に延在するディスプレイパネルと、
層に対してある角度でパネルの第２の部分を通して少なくとも１つの電磁（ＥＭ）信号を交換するように適合された少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素と、を備え、
パネルは、第１の部分におけるパネルの露出層表面上に配設された堆積材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを備え、
第２の部分は、堆積コーティングの閉じたコーティングを実質的に欠いている、ユーザデバイス。

したがって、本明細書及びそこに開示された実施例は、例示のみであるとみなされるべきであり、本開示の真の範囲は、以下の番号が付された特許請求の範囲によって開示されている。

Claims (20)

1. 複数の層を有し、かつ横軸によって画定される少なくとも１つの横方向面の第１の部分及び第２の部分に延在するディスプレイパネルであって、前記パネルは、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素との交換のために、前記層に対してある角度で、前記第２の部分を通して少なくとも１つの電磁（ＥＭ）信号を受け入れるように適合されており、前記パネルは、前記第１の部分における前記パネルの露出層表面上に配設された堆積材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを備え、
   前記第２の部分は、前記堆積材料の閉じたコーティングを実質的に欠いている、ディスプレイパネル。
2. 前記少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素は、
   ユーザデバイスを超えて前記パネルを通過する前記少なくとも１つのＥＭ信号を、受信するように適合された受信部と、
   放出するように適合された送信部と、のうちの少なくとも１つを含む、
   請求項１に記載のパネル。
3. 複数の層を有し、かつ横軸によって画定される少なくとも１つの横方向面の第１の部分及び第２の部分に延在するディスプレイパネルであって、前記パネルは、前記層に対してある角度で、前記第２の部分を通して少なくとも１つの電磁（ＥＭ）信号を受け入れるように適合されており、前記第１の部分における前記パネルの露出層表面上に配設された堆積材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを備え、
   前記第２の部分は、前記堆積材料の閉じたコーティングを実質的に欠いている、ディスプレイパネル。
4. 前記第２の部分における前記パネルの前記露出層表面上に核生成抑制コーティング（ＮＩＣ）を更に備え、前記堆積材料を前記第１の部分における前記ＮＩＣの表面上に堆積させるための初期付着確率が、
   ０．３と、
   前記堆積材料を前記露出層表面上に堆積させるための前記初期付着確率と、のうちの少なくとも１つよりも実質的に小さい、請求項３に記載のパネル。
5. 前記第２の部分は、前記堆積材料からなる少なくとも１つの粒子構造を備える、請求項３又は４に記載のパネル。
6. 前記第２の部分は、ＵＶＡ吸収層を備える、請求項３～５のいずれか一項に記載のパネル。
7. 前記第２の部分における前記パネルの前記露出層表面上に配設された低屈折率コーティングと、前記低屈折率コーティングの表面に沿って延在する高屈折率媒体と、を更に備え、前記低屈折率コーティングの屈折率は、前記高屈折率媒体の屈折率未満である、請求項３～６のいずれか一項に記載のパネル。
8. 前記堆積材料は、銀（Ａｇ）及びイッテルビウム（Ｙｂ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項３～７のいずれか一項に記載のパネル。
9. 前記少なくとも１つの閉じたコーティングの平均膜厚さは、約５～８０ｎｍである、請求項３～８のいずれか一項に記載のパネル。
10. 前記第１の部分は、前記層に対してある角度でＥＭ信号を放出するための少なくとも１つの放出領域を備える、請求項３～９のいずれか一項に記載のパネル。
11. 基板と、
    前記基板上に配設された少なくとも１つの半導体層と、
    を更に備え、
    各放出領域は、第１の電極及び第２の電極を備え、前記第１の電極は、前記基板と前記少なくとも１つの半導体層との間に配設されており、
    前記少なくとも１つの半導体層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配設されている、請求項１０に記載のパネル。
12. 前記第２の電極は、前記堆積材料の前記少なくとも１つの閉じたコーティングを含む、請求項１１に記載のパネル。
13. 前記パネルの前記露出層表面は、前記少なくとも１つの半導体層の露出層表面である、請求項１１又は１２に記載のパネル。
14. 前記基板は、前記第１の部分及び前記第２の部分の両方にわたって実質的に連続的に延在する、請求項１１～１３のいずれか一項に記載のパネル。
15. 前記少なくとも１つの半導体層は、前記第１の部分及び前記第２の部分の両方にわたって実質的に連続的に延在する、請求項１４に記載のパネル。
16. 前記第１の部分は、複数の放出領域を備える、請求項１１～１４のいずれか一項に記載のパネル。
17. 前記第１の部分は、隣接する放出領域間に少なくとも１つの非放出領域を備える、請求項１６に記載のパネル。
18. 前記第２の部分は、放出領域を実質的に全く欠いている、請求項１１～１７のいずれか一項に記載のパネル。
19. 前記第１の部分における前記少なくとも１つの閉じたコーティングの露出層表面上と、前記第２の部分における前記パネルの露出層表面上と、に配設された少なくとも１つの被覆層を更に備える、請求項４～１８のいずれか一項に記載のパネル。
20. ユーザデバイスであって、
    複数の層を有し、かつ横軸によって画定される少なくとも１つの横方向面の第１の部分及び第２の部分に延在するディスプレイパネルと、
    前記層に対してある角度で前記パネルの前記第２の部分を通して少なくとも１つの電磁（ＥＭ）信号を交換するように適合された少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素と、を備え、
    前記パネルは、前記第１の部分における前記パネルの露出層表面上に配設された堆積材料の少なくとも１つの閉じたコーティングを備え、
    前記第２の部分は、前記堆積コーティングの閉じたコーティングを実質的に欠いている、ユーザデバイス。

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