JP2024516165A - 放射領域間にｅｍ放射線透過性領域を含む光電子デバイス - Google Patents

放射領域間にｅｍ放射線透過性領域を含む光電子デバイス Download PDF

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Abstract

ディスプレイパネルが、各々が（サブ）ピクセルに対応する複数の放射領域を含む表示部（サブ）ピクセル配列を含む少なくとも１つの表示部と、少なくとも１つの透過性領域と各々が（サブ）ピクセルに対応する複数の放射領域と、を含む信号交換部（サブ）ピクセル配列を含む少なくとも１つの信号交換部とを備え、信号交換部（サブ）ピクセル配列は、信号交換部（サブ）ピクセル配列における少なくとも１つの（サブ）ピクセルのサイズ、形状、構成、及び配向のうちの少なくとも１つと、ピクセル密度と、信号交換部（サブ）ピクセル配列における（サブ）ピクセルのピッチとのうちの少なくとも１つから選択される少なくとも１つの特徴において表示部（サブ）ピクセル配列と異なることによって、少なくとも１つの透過性領域を収容する。

Description

（関連出願の相互参照）
本開示は、２０２１年４月２７日に出願された米国特許仮出願第６３／１８０，６１２号、２０２１年５月３日に出願された同第６３／１８３，５１２号、２０２１年５月２７日に出願された同第６３／１９４，１１０号、及び２０２１年９月１日に出願された同第６３／２３９，７８２号の優先権の利益を主張し、これらの各々の内容は、参照によりそれらの全体が本明細書に援用される。
本開示は、光電子デバイスに関し、特に、ＥＭ放射線透過性領域を有する光電子デバイスに関する。
有機発光ダイオード（organic light emitting diode、ＯＬＥＤ）などの光電子デバイスでは、少なくとも１つの半導体層が、アノード及びカソードなどの一対の電極間に配設されている。アノード及びカソードは、電源と電気的に結合され、少なくとも１つの半導体層を通って互いに向かって移動する正孔及び電子をそれぞれ生成する。一対の正孔と電子が結合すると、光子の形態でＥＭ放射線が放射され得る。
ＯＬＥＤディスプレイパネルは、複数の（サブ）ピクセルを含むことができ、各（サブ）ピクセルは、関連する一対の電極と、それらの間の少なくとも１つの半導体層とを有する。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセルは、導電性金属線によって電気的に結合された複数の薄膜トランジスタ（thin-film transistor、ＴＦＴ）構造を含む駆動回路によって、いくつかの非限定的な例では、電極及び少なくとも１つの半導体層が堆積される基板内で、選択的に駆動され得る。そのようなパネルの様々な層及び被膜は、典型的には、真空ベースの堆積プロセスによって形成される。
そのようなディスプレイパネルは、いくつかの非限定的な例では、携帯電話などの電子デバイスにおいて使用され得る。
いくつかの用途では、ディスプレイパネルの少なくとも一部を通して当該一部を実質的に透明にすると同時に、当該一部から光を放射することができるようにすることが目的であり得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に透明な部分は、それを通して、ＥＭ信号を含むがこれに限定されないＥＭ放射線を交換することが可能であり得る。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネルのそのような部分は、その信号交換部として示され得る。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネルの信号交換部は、少なくとも１つの（ＥＭ信号）透過性領域と、少なくとも１つの（ＥＭ信号）放射領域とを備え得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの放射領域は、ディスプレイパネルの（サブ）ピクセルに対応し得る。
Ｇｏｏｇｌｅ ＬＬＣによって２０２０年３月２６日に出願され、２０２１年１０月１２日に発行され、「Ｂｏｕｎｄａｒｙ ｐａｎｅｌ ｌａｙｏｕｔ ｆｏｒ ａｒｔｉｆａｃｔ ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ ｉｎ ｍｕｌｔｉ－ｐｉｘｅｌ ｄｅｎｓｉｔｙ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ」と題された米国特許第１１，１４５，７０２号は、複数の行及び複数の列によって画定されるアレイに配置された複数のアレイ部位を含むディスプレイパネルを開示している。このディスプレイパネルは、第１のピクセル密度を有するアレイの第１のエリアと、第１のピクセル密度よりも低い第２のピクセル密度を有するアレイの第２のエリアとを含む。アレイの第２のエリアは、ピクセルがない複数のアレイ部位を含む。第１のエリアに接する第２のエリアの行は少なくとも１つのピクセルを含み、第１のエリアに接する第２のエリアの列は少なくとも１つのピクセルを含む。
２０２０年４月８日に出願され、「Ｍｅｔｈｏｄｓ ａｎｄ ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎｓ ｆｏｒ ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ ｔｈｅ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ｓｅｎｓｏｒｓ ｕｎｄｅｒ ａ ｄｉｓｐｌａｙ」と題されたＰＣＴ国際特許出願公開第２０２０／２１９２６７号は、ディスプレイとディスプレイの下のセンサとを含み得る電子デバイスを開示している。ディスプレイは、電子デバイスのユーザに画像を表示するためのサブピクセルのアレイを含み得る。サブピクセルのアレイの少なくとも一部分は、ディスプレイを通してセンサへの光透過率を改善するために、ピクセル除去領域において選択的に除去され得る。ピクセル除去領域は、薄膜トランジスタ構造がなく、電源ラインがなく、再ルーティングされた行／列ラインによる連続的なオープンエリアを有し、タッチ回路が部分的になく、任意選択でダミーコンタクトを含み、及び／又は選択的にパターニングされたディスプレイ層を有する複数のピクセルフリー領域を含んでもよい。
Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．Ｌｔｄ．によって２０２０年５月２９日に出願された「Ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ ａｎｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ」と題された中国出願第１１３７４５２７１号は、第１の表示エリア及び第２の表示エリアを含むディスプレイパネル及び表示装置を開示しており、第１の表示エリアのピクセル密度は第２の表示エリアのピクセル密度よりも低く、第１のエリアは複数の第１のピクセルユニットを備えており、各第１のピクセルユニットは第１のサブピクセル、第２のサブピクセル及び第３のサブピクセルを備えており、各第１のピクセルユニットにおける第１のサブピクセルと、隣接する第１のピクセルユニットにおける第２のサブピクセルとの間の最小距離は、１つの第１のピクセルユニットにおける第１のサブピクセルと第２のサブピクセルとの間の距離の１．２～２．５倍である。本出願の実施例は、光がディスプレイパネルを透過した後の回折現象を低減し、スクリーン下の光学素子の光学効果を向上させることができるディスプレイパネル及び表示装置を提供する。
Ｋｕｎｓｈａｎ Ｇｏｖｉｓｉｏｎｏｘ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．Ｌｔｄによって２０２０年７月１日に出願された「Ｐｉｘｅｌ ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ ａｎｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ」と題する中国出願第１１２４３６０２９号は、第１のピクセルユニットにおいて、第１のサブピクセル、第２のサブピクセル、第３のサブピクセル及び第４のサブピクセルのそれぞれの中心を頂点とし、重なり合わないエリアを有する共通辺三角形を形成し、第１のサブピクセルの中心及び第２のサブピクセルの中心を共通辺三角形の頂点とするピクセル配列構造を開示し、第２のサブピクセルは、第２の長軸及び第２の短軸を有し、第２のサブピクセルの長軸方向に沿った中心線は、第１のピクセルユニットにおける第３のサブピクセル及び／又は第４のサブピクセルの中心を通過しない。このピクセル配列構造によれば、制限条件下でサブピクセルをずらして配列する場合、同じ色の光を発するサブピクセルが一列に独立して配列されることが防止され、表示エッジのカラーエッジ問題が改善される。ディスプレイパネル及び表示装置も提供される。
Ｋｕｎｓｈａｎ Ｇｏｖｉｓｉｏｎｏｘ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．Ｌｔｄ．によって２０２０年７月１日に出願された「Ｐｉｘｅｌ ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ ａｎｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ」と題する中国出願第１１２４３６０３０号は、複数の第１のピクセルユニット及び複数の第２のピクセルユニットを備えており、第１のピクセルユニット及び第２のピクセルユニットが第１方向及び第２方向に間隔を置いて配列されるピクセル配列構造を開示しており、第１のピクセルユニット及び第２のピクセルユニットの各々は、第１のサブピクセル、第２のサブピクセル、第３のサブピクセル及び第４のサブピクセルを備えており、第１のサブピクセルは、第３のサブピクセルと第４のサブピクセルとの中心接続線の一方側に位置付けられ、第２のサブピクセルは、第３のサブピクセルと第４のサブピクセルとの中心接続線の他方側に位置付けられ、予め設定された角度を回転させた後、第２のピクセルユニットにおける各サブピクセル構造は、第１のピクセルユニット内の各サブピクセル構造と鏡面対称である。このピクセル配列構造は、サブピクセルの配列コンパクト性及びサブピクセル間の間隔を考慮することができ、配列コンパクト性とサブピクセル間の間隔との間のバランスが求められ、ピクセル配列構造は、高い解像度を有し、混色リスク及び色かぶりを低減し、カラーエッジを改善し、視覚的粒状感を改善するのに有益である。ディスプレイパネル及び表示装置も提供される。
Ｋｕｎｓｈａｎ Ｇｏｖｉｓｉｏｎｏｘ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．Ｌｔｄ．によって２０２０年７月１日に出願された「Ｐｉｘｅｌ ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ ａｎｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ」と題する中国出願第１１２４３６０３１号は、第１のサブピクセル、第２のサブピクセル、第３のサブピクセル及び第４のサブピクセルを備えるピクセル配列構造を開示しており、整列配置された２つの第１のサブピクセルの中心及び整列配置された２つの第２のサブピクセルの中心は、頂点接続線であり、仮想四角形を形成し、その仮想四角形は、２つの対向辺、短辺及び長辺を含み、短辺及び長辺は、対向して配置され、２つの対向辺の頂点に接続され、仮想四角形の短辺は、仮想四角形の長辺と平行ではなく、仮想四角形内には、第３のサブピクセル又は第４のサブピクセルが配置され、第３のサブピクセルの発光色と第４のサブピクセルの発光色とは同じである。このピクセル配列構造において、制限条件下でサブピクセルをずらして配列され、それによって同じ色の光を発するサブピクセルが一列に独立して配列されることが防止され、表示エッジのカラーエッジ問題が改善される。ディスプレイパネル及び表示装置も提供される。
Ｋｕｎｓｈａｎ Ｇｏｖｉｓｉｏｎｏｘ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．Ｌｔｄ．によって２０２０年７月１日に出願された「Ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ ａｎｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ」と題する中国出願第１１２４３６０３２号は、複数のサブピクセル及び複数の透光保留エリアを含むディスプレイパネルを開示し、複数のサブピクセルは、複数の第１のサブピクセル、複数の第２のサブピクセル及び複数の第３のサブピクセルを含み、１つの第２のサブピクセル及び１つの透光保留エリアが隣接して配置されて結合エリアを形成し、ディスプレイパネルは、複数の第１のピクセル行と複数の第２のピクセル行とを備えており、第１のピクセル行と第２のピクセル行とは、間隔をあけて交互に配置され、各第１のピクセル行には複数の第１のサブピクセルと複数の結合領域が配置され、第１のピクセル行には第１のサブピクセルと結合領域が間隔をあけて交互に配置され、各第２のピクセル行には複数の第３のサブピクセルが配置され、隣接する２つの第１のピクセル行において、一方の第１のピクセル行における結合エリアの配置構造は、他方の第１のピクセル行における結合エリアの配置構造と異なり、９０度回転させた後の結合エリアは同一である。ディスプレイパネルは、混色リスク及び色かぶりを低減するのに有益である。ディスプレイ装置も提供される。
Ｈｅｆｅｉ Ｖｉｓｉｏｎｏｘ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．Ｌｔｄ．によって２０２０年９月１７日に出願された「Ｌｉｇｈｔ－ｔｒａｎｓｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ ｍｏｄｕｌｅ，ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ ａｎｄ ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ ｔｈｅｒｅｏｆ」と題する中国特許出願第１１２０５４０４８号は、透過型表示モジュール、ディスプレイパネル及びその製造方法を開示しており、透過型表示モジュールは、ピクセル定義層が隔離構造及び隔離構造によって周囲に形成されたピクセル開口を備え、核形成阻止層は、ピクセル定義層の基板から遠い側に位置付けられ、複数の阻止ユニットを備え、阻止ユニットのピクセル定義層への第１の正投影は、隔離構造の少なくとも一部を覆い、阻止ユニットの少なくとも一部が不連続に配置され、第１の共通電極は、ピクセル定義層の基板から遠い側に位置付けられ、第１の共通電極のピクセル定義層への第２の正投影は、第１の正投影以外のエリアの少なくとも一部を覆う。本発明の実施形態によって提供される光透過ディスプレイモジュールでは、光透過ディスプレイモジュールの正常な表示に影響を及ぼさない条件下で、光透過ディスプレイモジュールの光透過率を向上させることができ、感光性部品を光透過ディスプレイモジュールの片側のスクリーンの下に都合よく組み込むことができる。
Ｈｅｆｅｉ Ｖｉｓｉｏｎｏｘ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．Ｌｔｄによって２０２０年９月１７日に出願された「Ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ，ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ ａｎｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ」と題する中国出願第１１２１０３３１８号は、ディスプレイパネル、ディスプレイパネルの製造方法及び表示装置を開示しており、ディスプレイパネルは、第１の表示エリア及び第２の表示エリアを備え、第１の表示エリアの光透過率は第２の表示エリアの光透過率よりも大きく、ディスプレイパネルは、基板を備え、ピクセル定義層は、基板上に位置付けられ、隔離構造と、隔離構造の囲いによって形成されたピクセル開口部と、ピクセル定義層への第１の正投影被覆遷移表示エリアのピクセル開口部における第１の阻止ユニットを含む核形成阻止層とを含み、共通電極は、第１の共通電極及び第２の共通電極を含み、第２共通電極は、第２の表示エリア及び遷移表示エリアに形成され、第１の共通電極のピクセル定義層への第２の正投影は、第１の表示エリア及び遷移表示エリアにおける第１の正投影を除く少なくとも一部のエリアを覆う。ディスプレイパネルの少なくとも一部のエリアは、光透過性であってもよく、表示することができ、感光アセンブリは、スクリーンの下に組み込むのに好都合である。
Ｘｉａｍｅｎ Ｔｉａｎｍａ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．Ｌｔｄ．によって２０２１年４月１６日に出願され、２０２２年１月１１日に発行された「Ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ ａｎｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ」と題する米国特許第１１，２２２，９２９号は、ディスプレイパネル及び表示装置を開示している。ディスプレイパネルは、第１の表示領域、第２の表示領域、及び第１の表示領域と第２の表示領域との間の遷移表示領域を含む。第２の表示領域は第２のピクセルユニットを含み、遷移表示領域は第３のピクセルユニットを含み、各第２のピクセルユニット及び各第３のピクセルユニットはいずれも第１のサブピクセル、第２のサブピクセル、第３のサブピクセル及び白サブピクセルを含む。第２のピクセルユニットにおける白サブピクセルの総開口面積と第２のピクセルユニットの総面積との比はＡであり、第３のピクセルユニットにおける白サブピクセルの総開口面積と第３のピクセルユニットの総面積との比はＢであり、Ｂ＜Ａである。白色サブピクセルは、ディスプレイパネルの表示段階においてオン又はオフにされる。
Ａｐｐｌｅ Ｉｎｃ．によって２０２１年４月２３日に出願された「Ｐｉｘｅｌ Ｄｅｓｉｇｎ ｆｏｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅｓ」と題する米国特許出願公開第２０２１／０２４００２６号は、スルーディスプレイ撮像のためのシステム及び方法を開示する。ディスプレイは、不透明裏当てを通して画定される撮像開口を含む。光学撮像アレイが開口と位置合わせされる。開口の上に、ディスプレイは、光透過率を増加させるように配置及び／又は構成される。例えば、撮像開口の上方又はそれに隣接するディスプレイの領域は、ディスプレイの他の領域よりも低いピクセル密度で形成され得、それによって、ピクセル間距離（例えば、ピッチ）を増加させ、光がディスプレイを横断して光学撮像アレイに到達することができる面積を増加させる。
Ｗｕｈａｎ Ｔｉａｎｍａ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．Ｌｔｄ．によって２０２１年７月１日に出願された「Ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ，ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ ａｎｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ」と題された中国特許出願第ＣＮ１１３３２７９７２号は、ディスプレイパネル、製造方法及び表示装置を開示している。ピクセル構造は、複数の第１のサブピクセル、第２のサブピクセル及び第３のサブピクセルを含み、複数の第３のサブピクセルは第１の仮想台形を形成し、第１のサブピクセルは第１の仮想台形内にあり、複数の第１のサブピクセル及び複数の第２のサブピクセルは第２の仮想台形を形成し、第３のサブピクセルは第２の仮想台形内にあり、第１の仮想台形は、第１の長辺と、第１の斜辺と、第１の短辺と、第２の斜辺とを含み、第２の仮想台形は、第２の長辺と、第３の斜辺と、第２の短辺と、第４の斜辺とを含み、第１の長辺と第１のベベルエッジとが第１の夾角を形成し、第１の長辺と第２のベベルエッジとが第２の夾角を形成し、第２の長辺と第３の傾斜辺とが第３の夾角を形成し、第２の長辺と第４傾斜辺とが第４夾角を形成し、第１の夾角と第２の夾角の角度の和が第１の角度であり、第３の夾角と第４の夾角の角度の和が第２の角度であり、第１の角度と第２の角度の差分値が第１の予め設定された範囲内である。
Ｗｕｈａｎ Ｔｉａｎｍａ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．Ｌｔｄ．によって２０２１年７月１日に出願された「Ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ ａｎｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ」と題する中国特許出願第１１３３２７９７３号は、ディスプレイパネル及び表示装置を開示しており、ディスプレイパネルは、アレイ状に配置された複数のピクセル繰り返し単位を含み、各ピクセル繰り返し単位は、２つの第１のサブピクセル、２つの第２のサブピクセル及び４つの第３のサブピクセルを含み、ディスプレイパネルにおいて、４つの第３のサブピクセルの間に１つの第１のサブピクセルが位置付けられ、４つの第３のサブピクセルの間に位置する１つの第２のサブピクセルがあり、２つの第１のサブピクセルと２つの第２のサブピクセルとの間に第３のサブピクセルが同時に位置付けられ、第１のサブピクセルを取り囲む４つの第３のサブピクセルの中心が第１の台形を形成し、第１の台形の２組の対辺の長さが異なる。本発明の実施形態の技術案は、ディスプレイパネルの表示効果を向上させることができる。
Ａｐｐｌｅ Ｉｎｃ．によって２０２１年７月７日に出願された「Ｄｉｓｐｌａｙｓ ｈａｖｉｎｇ ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇｓ」と題するＰＣＴ国際特許出願公開第２０２２／０３５５２７号は、ディスプレイと、ディスプレイの下に形成された光センサとを含み得る電子デバイスを開示している。電子デバイスは、光センサに重なる複数の透明窓を含んでもよい。ディスプレイパネルの解像度は、透明窓の存在に起因して、一部のエリアにおいて低減され得る。回折アーチファクトを軽減するために、第１のセンサ（１３－１）は、第１のパターンに従って配置された透明窓を有する第１のピクセル除去領域を通る光を感知することができる。第２のセンサ（１３－２）は、第１のパターンとは異なる第２のパターンに従って配置された透明窓を有する第２のピクセル除去領域を通して光を感知することができる。透明窓の第１及び第２のパターンは、異なる回折アーチファクトを有する第１及び第２のセンサをもたらし得る。したがって、第１のセンサからの画像は、第２のセンサからの画像に基づいて回折アーチファクトについて補正することができる。
Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．Ｌｔｄ．によって２０２１年１２月９日に出願された米国特許出願公開第２０２２／０１０２４４６号は、第１の表示領域及び第２の表示領域を含む表示領域を含む表示装置を開示しており、第１の表示領域は複数の第１のピクセルを含み、第２の表示領域は複数の第２のピクセル及び少なくとも１つの光透過性領域を含み、光透過性領域は第１のピクセル及び第２のピクセルの光透過率よりも高い光透過率を有し、第２の表示領域は第１の表示領域の光透過率よりも高い光透過率を有する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域は、少なくとも１つの放射領域の間に散在してもよい。放射領域は概して、そのような領域を通るＥＭ放射線の透過を減衰又は抑制し得る層、被膜、及び／又は構成要素を含むので、いくつかの非限定的な例では、透過性領域は一概して、そのような層、被膜、及び／又は構成要素が実質的になくてもよいディスプレイパネルの非放射領域に設けられてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネルの少なくとも一部に少なくとも１つの透過性領域を提供する一方で、ディスプレイパネルのそのような部分に少なくとも１つの放射領域も提供して、そのような少なくとも１つの透過性領域が実質的にないディスプレイパネルの部分に対して、少なくとも１つの放射領域の開口率及び比較的高いピクセル密度のうちの少なくとも１つを維持することが目的であり得る。
ここで、本開示の例を以下の図を参照して説明するが、異なる図における同一の参照番号は、同一の、及び／又はいくつかの非限定的な例では、類同の、及び／又は対応する要素を示す。
本開示の一例による、側方面の第１の部分におけるパターニング被膜の選択的堆積、続いて、その第２の部分における堆積材料の閉じた被膜の堆積によって形成される、側面における複数の層を有する例示的なデバイスの断面からの簡略化されたブロック図である。 本開示の一例による、その内部に、それを通って少なくとも１つの電磁（electromagnetic、ＥＭ）信号が交換される少なくとも１つの開口を備える複数の層を有する例示的なディスプレイパネルの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の一例による、信号交換部及び表示部を備えるディスプレイパネルを平面で示す概略図である。 本開示の一例による、信号交換部及び表示部を備えるディスプレイパネルを平面で示す概略図である。 本開示の一例による、信号交換部及び表示部を備えるディスプレイパネルを平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 図３Ａの例示的な（サブ）ピクセル配列によって占められた信号交換領域の少なくとも断片を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 図３Ｇの例示的な（サブ）ピクセル配列によって占められた信号交換領域の少なくとも断片を平面で示す概略図である。 本開示の一例による例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 図３Ｅ及び図３Ｆの例示的な（サブ）ピクセル配列によって占められた信号交換部の少なくとも断片を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、信号交換部及び表示部の両方における（サブ）ピクセル配列のそれぞれの例示的な断片を平面で示す概略図である。 本開示の例による、信号交換部及び表示部の両方における（サブ）ピクセル配列のそれぞれの例示的な断片を平面で示す概略図である。 本開示の例による、信号交換部及び表示部の両方における（サブ）ピクセル配列のそれぞれの例示的な断片を平面で示す概略図である。 本開示の例による、信号交換部及び表示部の両方における（サブ）ピクセル配列のそれぞれの例示的な断片を平面で示す概略図である。 本開示の例による、信号交換部、遷移領域及び表示部の各々における（サブ）ピクセル配列のそれぞれの例示的な断片を平面で示す概略図である。 本開示の例による、信号交換部、遷移領域及び表示部の各々における（サブ）ピクセル配列のそれぞれの例示的な断片を平面で示す概略図である。 本開示の一例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける下地層の露出層表面上にパターンでパターニング被膜を堆積させるための例示的プロセスを示す概略図である。 図６のパターニング被膜の堆積パターンを含む露出層表面上の第２の部分に堆積材料を堆積させるための例示的なプロセスを示す概略図であり、パターニング被膜は、核形成阻害被膜（nucleation-inhibiting coating、ＮＩＣ）である。 図１のデバイスの例示的なバージョンを断面図で示す概略図である。 図８Ａのデバイスを補足的な平面図で示す概略図である。 図１のデバイスの例示的バージョンを断面図で示す概略図である。 図８Ｃのデバイスを相補的な平面図で示す概略図である。 図１のデバイスの例を断面図で示す概略図である。 図１のデバイスの一例を断面図で示す概略図である。 図１のデバイスの一例を断面図で示す概略図である。 本開示における様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるＮＩＣの様々な潜在的挙動を示す概略図である。 本開示における様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるＮＩＣの様々な潜在的挙動を示す概略図である。 本開示における様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるＮＩＣの様々な潜在的挙動を示す概略図である。 本開示における様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるＮＩＣの様々な潜在的挙動を示す概略図である。 本開示における様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるＮＩＣの様々な潜在的挙動を示す概略図である。 本開示における様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるＮＩＣの様々な潜在的挙動を示す概略図である。 本開示における様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるＮＩＣの様々な潜在的挙動を示す概略図である。 本開示における様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるＮＩＣの様々な潜在的挙動を示す概略図である。 本開示における様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるＮＩＣの様々な潜在的挙動を示す概略図である。 本開示の一例による例示的なエレクトロルミネセンスデバイスの断面からのブロック図である。 図１のデバイスの断面図である。 本開示の一例による、図１１のデバイスのバージョンで使用するのに好適な例示的なパターニングされた電極を平面図で解説する概略図である。 線１３－１３に沿った、図１２のデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の一例による、図１１のデバイスの例示的なバージョンでの使用に好適な電極の複数の例示的なパターンを平面図で示す概略図である。 線１４Ｂ－１４Ｂに沿った図１４Ａのデバイスの中間段階における例示的な断面図を示す概略図である。 線１４Ｃ－１４Ｃに沿った、図１４Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の一例による、例示的なパターニングされた補助電極を有する、図１１のデバイスの例示的バージョンの断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、少なくとも１つの放射領域及び少なくとも１つの非放射領域に重なる補助電極の例示的なパターンを平面図で解説する概略図である。 本開示の一例による、ダイヤモンド構成の放射領域の複数のグループを有する図１１のデバイスの例示的なバージョンの例示的なパターンを平面図で示す概略図である。 線１７Ｂ－１７Ｂに沿った、図１７Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。 線１７Ｃ－１７Ｃに沿った、図１７Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の一例による、追加の例示的な堆積ステップを有する図１１のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、追加の例示的な堆積ステップを有する図１１のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、追加の例示的な堆積ステップを有する図１１のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、追加の例示的な堆積ステップを有する図１１のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、少なくとも１つの補助電極を有する、少なくとも１つの例示的なピクセル領域及び少なくとも１つの例示的な光透過性領域を含む図１１のデバイスの透明バージョンの一例を平面図で示す概略図である。 線２２Ｂ－２２Ｂに沿った、図２２Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の一例による、少なくとも１つの例示的なピクセル領域と少なくとも１つの例示的な光透過性領域とを含む図１１のデバイスの透明バージョンの一例を平面図で解説する概略図である。 線２３－２３に沿った図２３Ａのデバイスの例示的な断面図を解説する概略図である。 線２３－２３に沿った、図２３Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の一例による、異なる厚さの第２の電極を有するサブピクセル領域を有する図１１のデバイスの例示的バージョンを製造するための例示的プロセスの例示的段階を示し得る概略図である。 本開示の一例による、第２の電極が補助電極と結合される、図１４のデバイスの例示的バージョンの例示的断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、非放射領域に隔壁と凹部などの遮蔽領域とを有する図１４のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の様々な例による、非放射領域に隔壁と開口などの遮蔽領域とを有する図１４のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の様々な例による、非放射領域に隔壁と開口などの遮蔽領域とを有する図１４のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の一例による、選択的堆積及びその後の除去プロセスによって、図１４のデバイスの例示的なバージョンの露出層表面上にパターン状に堆積層を堆積させるための例示的なプロセスの例示的な段階を示す概略図である。 本開示の一例による、選択的堆積及びその後の除去プロセスによって、図１４のデバイスの例示的なバージョンの露出層表面上にパターン状に堆積層を堆積させるための例示的なプロセスの例示的な段階を示す概略図である。 本開示の一例による、選択的堆積及びその後の除去プロセスによって、図１４のデバイスの例示的なバージョンの露出層表面上にパターン状に堆積層を堆積させるための例示的なプロセスの例示的な段階を示す概略図である。 本開示の一例による、表面上に吸収された吸着原子の相対エネルギー状態を解説する例示的なエネルギープロファイルである。 本開示の一例による、膜核の形成を解説する概略図である。
本開示では、少なくとも１つの数値（添え字を非限定的に含む）及び／又は小文字のアルファベット文字（小文字を非限定的に含む）が添付された参照番号は、その参照番号によって説明される要素又は特徴の特定のインスタンス及び／又はそのサブセットを指すとみなされ得る。添付の値及び／又は文字を参照せずに参照番号を参照することは、文脈が指示するように、概して、参照番号によって説明される要素又は特徴、及び／又はそれによって説明される全てのインスタンスのセットを指すことができる。同様に、参照番号は、数字の代わりに文字「ｘ」を有していてもよい。かかる参照番号への言及は、文脈が指示するように、概して、文字「ｘ」が数字で置き換えられた参照番号によって説明される要素又は特徴、及び／又はそれによって説明される全てのインスタンスのセットを指すことができる。
本開示では、限定ではなく説明のために、特定のアーキテクチャ、インターフェース、及び／又は技術を非限定的に含む特定の詳細が、本開示の完全な理解を与えるために記載される。いくつかの例では、周知のシステム、技術、構成要素、デバイス、回路、方法、及びアプリケーションの詳細な説明は、不必要な詳細で本開示の説明を不明瞭にしないように省略される。
更に、本明細書で再現されるブロック図は、本技術の原理を具現化する解説用の構成要素の概念図を表すことができることが理解されよう。
したがって、システム及び方法の構成要素は、本明細書の説明の利益を有する当業者に容易に明らかになる詳細によって本開示が不明瞭とならないように、図面において従来の記号によって必要に応じて表されており、本開示の例を理解することに関係するそれらの特定の詳細のみが示されている。
本明細書に提供される任意の図面は、一定の縮尺で描かれていない場合があり、決して本開示を限定するものとみなされない場合がある。
破線の輪郭で示される任意の特徴又は動作は、いくつかの例では、オプションとみなされ得る。
本開示の目的は、従来技術の少なくとも１つの欠点を除去又は軽減することである。
本開示は各々が（サブ）ピクセルに対応する複数の放射領域を含む表示部（サブ）ピクセル配列を含む少なくとも１つの表示部と、少なくとも１つの透過性領域と各々が（サブ）ピクセルに対応する複数の放射領域とを含む信号交換部（サブ）ピクセル配列を含む少なくとも１つの信号交換部と、を含むディスプレイパネル。信号交換部（サブ）ピクセル配列は、信号交換部（サブ）ピクセル配列における少なくとも１つの（サブ）ピクセルのサイズ、形状、構成、及び配向のうちの少なくとも１つと、ピクセル密度と、信号交換部（サブ）ピクセル配列における（サブ）ピクセルのピッチと、から選択される少なくとも１つの特徴において表示部（サブ）ピクセル配列と異なることによって、少なくとも１つの透過性領域を収容する。
広い態様によれば、各々が（サブ）ピクセルに対応する複数の放射領域を含む表示部（サブ）ピクセル配列を含む少なくとも１つの表示部と、少なくとも１つの透過性領域と各々が（サブ）ピクセルに対応する複数の放射領域とを含む信号交換部（サブ）ピクセル配列を含む少なくとも１つの信号交換部とを含むディスプレイパネルが開示され、信号交換部（サブ）ピクセル配列は、信号交換部（サブ）ピクセル配列における少なくとも１つの（サブ）ピクセルのサイズ、形状、構成、及び配向と、ピクセル密度と、信号交換部（サブ）ピクセル配列における（サブ）ピクセルのピッチと、のうちの少なくとも１つから選択される少なくとも１つの特徴において表示部（サブ）ピクセル配列と異なることによって少なくとも１つの透過性領域を収容する。
いくつかの非限定的な例では少なくとも１つの信号交換部は、ディスプレイパネルの端部に近接して位置決めされ得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの表示部は、少なくとも１つの信号交換部を実質的に取り囲んでもよい。
いくつかの非限定的な例では少なくとも１つの透過性領域の境界と少なくとも１つの透過性領域に近接するサブピクセルの境界との間の分離は、少なくとも約５ミクロン、少なくとも約６ミクロン、少なくとも約８ミクロン、少なくとも約１０ミクロン、少なくとも約１１ミクロン、及び少なくとも約１２ミクロンのうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域の境界と、信号交換部において少なくとも１つの透過性領域に近接するサブピクセルの境界との間の分離は、約５～１５ミクロン、約６～１２ミクロン、及び約８～１０ミクロンのうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、各透過性領域のサイズは、少なくとも１０ミクロンであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、各透過性領域のサイズは、約１０～１５０ミクロン、約１０～１３０ミクロン、約１５～１２０ミクロン、約１５～１００ミクロン、約２０～８０ミクロン、約２０～６５ミクロン、約２５～６０ミクロン、及び約３０～５０ミクロンのうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部における放射領域及び透過性領域の全ての合計開口率は、約６０％、約５５％、約５０％、約４５％、及び約４０％以下のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部内の放射領域及び透過性領域の全ての合計開口率は、約３０～６０％、約３５～６０％、約４０～６０％、約３５～５５％、約４０～５０％、約４５～５５％、及び約４５～５０％のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域は、複数の透過性境界セグメントによって画定される境界を有することができる。
いくつかの非限定的な例では、配向層は、少なくとも１つの追加の元素を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、透過性境界セグメントの大部分は、それに近接する（サブ）ピクセルに対応する放射領域の境界の一部に実質的に平行であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域は、カソード材料を実質的に欠いていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、カソード材料の堆積前に少なくとも１つの透過性領域内にパターニング被膜を堆積させることによって、カソード材料が少なくとも１つの透過性領域内で核形成することを実質的に妨げられることができる。
いくつかの非限定的な例では、カソード材料は、そのレーザアブレーションによって少なくとも１つの透過性領域から除去されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの特徴は、サイズ、形状、構成のうちの少なくとも１つであってもよく、信号交換部（サブ）ピクセル配列及び表示部（サブ）ピクセル配列は、少なくとも１つの（サブ）ピクセルのピクセル密度が共通している。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列及び表示部（サブ）ピクセル配列は、信号交換部（サブ）ピクセル配列及び表示部（サブ）ピクセル配列における少なくとも１つの（サブ）ピクセルのピッチが共通していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列における（サブ）ピクセルのうちの少なくとも１つのサイズは、表示部（サブ）ピクセル配列内の対応する（サブ）ピクセルのサイズよりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列における各（サブ）ピクセルのサイズは、表示部（サブ）ピクセル配列内の対応する（サブ）ピクセルのサイズよりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列のピクセルのサブピクセルは、少なくとも２つの寸法において横方向に離間されていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列は、各々が第１のサブピクセル、第２のサブピクセル、及び第３のサブピクセルを含む複数のピクセルを含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列のピクセルは、第２の第２のサブピクセルを更に含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列のピクセルのサブピクセルの対に関連付けられた放射領域内に位置する端点をそれぞれ有する複数の非重複ベクトルによって画定される領域は、ピクセルに関連付けられた輪郭を画定することができる。
いくつかの非限定的な例では、化合物はフルオロポリマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、各ベクトルは、サブピクセルの放射領域の重心に位置する終点を有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、輪郭は、ボックスを定義する４つのベクトルを含むことができ、各々が共通の頂点を有する４つの隣接するボックスを含む単位セルは、信号交換部（サブ）ピクセル配列の最小繰り返し単位を定義する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域は、単位セル内の少なくとも１つの輪郭に配置されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域は、単一の少なくとも１つの輪郭内に完全にあってもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部の透過性領域の開口率は、約５０％以下、４５％以下、４０％以下、３５％以下、３３％以下、及び２５％以下のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部の透過性領域の開口は、少なくとも約５％、少なくとも約１０％、及び少なくとも約１５％のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部の全ての放射領域の開口率は、約２０％以下、約１５％以下、及び約１０％以下のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部の全ての放射領域の開口率が、約５～１０％であり、信号交換部における全ての透過性領域の開口率が約３０～５０％であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部の全ての放射領域の開口率は、約６～９％であってもよく、その中の全ての透過性領域の開口率は、約３５～４５％であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの特徴が、ピクセル密度であってもよく、信号交換部（サブ）ピクセル配列及び表示部（サブ）ピクセル配列が、信号交換部（サブ）ピクセル配列及び表示部（サブ）ピクセル配列における少なくとも１つの（サブ）ピクセルのサイズ、形状、構成、配向、及びピッチのうちの少なくとも１つが共通している。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列及び表示部（サブ）ピクセル配列が、信号交換部（サブ）ピクセル配列及び表示部（サブ）ピクセル配列における少なくとも１つの（サブ）ピクセルのサイズ、形状、構成、配向、及びピッチの各々が共通していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列及び表示部（サブ）ピクセル配列は、信号交換部（サブ）ピクセル配列及び表示部（サブ）ピクセル配列における少なくとも１つの（サブ）ピクセルのピッチが共通していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列のピクセル密度は、表示部（サブ）ピクセル配列のピクセル密度よりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、表示部（サブ）ピクセル配列におけるピクセルのサブピクセルに対応する少なくとも１つのピクセルの少なくとも１つのサブピクセルが、信号交換部（サブ）ピクセル配列において省略されていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、表示部（サブ）ピクセル配列に存在するピクセルのサブピクセルに対応する少なくとも１つのピクセルの全てのサブピクセルが、信号交換部（サブ）ピクセル配列において省略されていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、表示部（サブ）ピクセル配列に存在するピクセルのサブピクセルに対応する１つおきのピクセルの全てのサブピクセルが、信号交換部（サブ）ピクセル配列において省略されていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、省略されたサブピクセルは、省略されたサブピクセルによって形成される少なくとも１つの空隙のサイズを最大化するように選択され得る。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列におけるピクセル密度は、表示部（サブ）ピクセル配列におけるピクセル密度の５０％、６２．５％、及び７５％のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域が、信号交換部（サブ）ピクセル配列における少なくとも１つのピクセルの少なくとも１つのサブピクセルを省略することによって形成された少なくとも１つの空隙内に配設されていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部の透過性領域の開口率は、約１５～４０％、約２０～４０％、約１５～３５％、及び約２０～３５％のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部の透過性領域の開口は、少なくとも約５％、少なくとも約１０％、及び少なくとも約１５％のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部の全ての放射領域の開口率は、約１２～２５％であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部の全ての放射領域の開口率は、約１２～２５％であってもよく、その中の全ての透過性領域の開口率は、約３０～４５％であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの特徴はピッチであってもよく、信号交換部（サブ）ピクセル配列における（サブ）ピクセルのピッチは、表示部（サブ）ピクセル配列における（サブ）ピクセルのピッチよりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの不均一性は、金属元素を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネルは、表示部と信号交換部との間に配設された少なくとも１つの遷移領域を更に備えてもよく、遷移領域が、各々が（サブ）ピクセルに対応する複数の放射領域を含む遷移領域（サブ）ピクセル配列を含み、遷移領域（サブ）ピクセル配列が、少なくとも１つの特徴において表示部（サブ）ピクセル配列及び信号交換（サブ）ピクセル配列の両方と異なり、その結果、表示部（サブ）ピクセル配列と、信号交換（サブ）ピクセル配列との間の少なくとも１つの遷移領域の介在が、表示部（サブ）ピクセル配列と、信号交換（サブ）ピクセル配列との間の視覚的に知覚される差を低減する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの遷移領域は、少なくとも１つの透過性領域を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの遷移領域は、信号交換部の境界の周りに配置されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの遷移領域が、少なくとも１つの信号交換部を取り囲んでもよく、少なくとも１つの表示部が、少なくとも１つの遷移領域を取り囲んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの遷移領域が、第１の遷移領域及び第２の遷移領域を含んでもよく、第１の遷移領域が、表示部と第２の遷移領域との間に配設され、第２の遷移領域が、第１の遷移領域と信号交換部との間に配設され、第２の遷移領域の遷移領域（サブ）ピクセル配列が、少なくとも１つの特徴において、第１の遷移領域の遷移領域（サブ）ピクセル配列及び信号交換部（サブ）ピクセル配列の両方と異なり、その結果、遷移領域（サブ）ピクセル配列と、信号交換部（サブ）ピクセル配列との間の第２遷移領域の介在が、遷移領域（サブ）ピクセル配列と、信号交換部（サブ）ピクセル配列との間の視覚的に知覚される差を低減する。
層状デバイス
本開示は、概して、積層半導体デバイスに関し、より具体的には、光電子デバイスに関する。光電子デバイスは、概して、電気信号を光子に、かつその逆に変換する任意のデバイスを包含し得る。光電子デバイスの非限定的な例としては、有機発光ダイオード（organic light-emitting diode、ＯＬＥＤ）が挙げられる。
有機光電子デバイスは、１つ以上の活性層及び／又はその層が主に有機（炭素含有）材料、より具体的には有機半導体材料から形成されている任意の光電子デバイスを包含し得る。
ここで図１に目を向けると、例示的な層状半導体デバイス１００の断面図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、図１０により詳細に示すように、デバイス１００は、基板１０上に堆積された複数の層を備えることができる。
Ｘ軸として識別される側方軸は、Ｚ軸として識別される長手方向軸とともに示され得る。Ｙ軸として識別される第２の側方軸は、Ｘ軸及びＺ軸の両方を実質的に横断するものとして示され得る。側方軸のうちの少なくとも１つは、デバイス１００の側方面を画定することができる。長手方向軸は、デバイス１００の長手方向面を画定することができる。
デバイス１００の層は、側方軸によって画定される平面に実質的に平行に、側方面に延在し得る。当業者は、図１に示される実質的に平面的な表現が、いくつかの非限定的な例では、解説のため抽象化されている場合があることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の側方範囲にわたって、異なる厚さ及び寸法の局所化された実質的に平面の層が存在してもよく、いくつかの非限定的な例では、層が実質的に完全に存在しなくてもよく、かつ／又は非平面遷移エリア（側方間隙及び更に不連続性を含む）によって分離される層を含んでもよい。
したがって、解説目的のために、デバイス１００は、実質的に平行な平面層の実質的に階層化された構造としてその横方向面で示され得るが、かかるデバイスは、特徴を画定するための多様なトポグラフィを局所的に解説することができ、その各々は、断面面において考察された階層化されたプロファイルを実質的に呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の露出層表面１１の側方面は、第１の部分１０１及び第２の部分１０２を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２は、第１の部分１０１を越えてある、デバイス１００の露出層表面１１のその一部を含み得る。
ディスプレイパネル及びユーザデバイス
ここで図２Ａを参照すると、ディスプレイパネル２００などの例示的な層状デバイスの断面図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００は、その面２０１を形成する最外層で終端する、基板１０上に堆積された複数の層を含み得る。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００は、デバイス１００のバージョンであり得る。
図２Ｂ～図２Ｄにおいてより良く見られ得るように、いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００は、少なくとも１つの信号交換部２０３と、少なくとも１つの表示部２０７とを備え得る。少なくとも１つの信号交換部２０３は、少なくとも１つの（ＥＭ放射）透過性領域３１ｘ図３Ａ及び少なくとも１つの（光）放射領域１４０１図１４Ａを備え得る。
少なくとも１つの表示部２０７は、少なくとも１つの放射領域１４０１を備え得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの表示部２０７は、それを通るＥＭ放射のより大きい又はより小さい程度の透過を可能にする少なくとも１つの領域又は部分を更に備え得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの表示部２０７は、個別に、及び／又は少なくとも１つの他の表示部２０７とともに、少なくとも１つの信号交換部２０３を実質的に取り囲み得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３は、ディスプレイパネル２００の端部に近接して位置決めされ得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３は、少なくとも１つの表示部２０７が少なくとも１つの信号交換部２０３を完全に取り囲まないように、端部に近接して位置決めされてもよく、構成されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３は、図２Ｂに示されるような縁部、又は図２Ｃに示されるような角部を含むがこれらに限定されない、ディスプレイパネル２００の端部に近接して位置決めされ得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３は、図２Ｄに示すように、ディスプレイパネル２００の横方向面内の実質的に中央に位置決めされ得る。
図２Ｂに示すように、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３は、限定はしないが、実質的に正方形及び長方形の構成のうちの少なくとも１つを含む多角形の輪郭を有してもよい。
図２Ｃに示すように、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３は、限定はしないが、実質的に円形、卵形、及び楕円形の構成のうちの少なくとも１つを含む、湾曲した輪郭を有してもよい。
ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのレイアウトが、（サブ）ピクセル開口のサイズ、形状、及び構成を非限定的に含む、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３及び表示部２０７の両方に対して実質的に同じである開口レイアウトを有するファインメタルマスク（fine metal mask、ＦＭＭ）の使用を可能にすることを非限定的に含む、製造を簡単にすることを非限定的に含む、ディスプレイパネルの表示部２０７における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのレイアウトに多かれ少なかれ似ていることを必要とするシナリオがあり、信号交換部２０３における隣接する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ間の間隔（「ピッチ」）が、表示部２０７におけるそのピッチと同じかその整数倍の一方であることを、当業者は理解するであろう。
そうではあるが、本開示における例は、信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのレイアウトが、ディスプレイパネル２００の表示部２０７におけるそのレイアウトと実質的に異なり得るシナリオにおいて適用可能性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３の少なくとも１つの放射領域１４０１の開口率は、少なくとも１つの信号交換部２０３に隣接する及び／又は実質的に近接する少なくともそのエリアにおいて、少なくとも１つの表示部２０７の少なくとも１つの放射領域１４０１の開口率と実質的に同じであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の開口率は、それにわたって実質的に均一であり得る。少なくともいくつかの用途では、少なくとも１つの信号交換部２０３及び少なくとも１つの表示部２０７が実質的に同じ開口率を有することを必要とするシナリオが存在する場合があり、それによって、ディスプレイパネル２００の見かけの輝度は、少なくとも１つの信号交換部２０３及び少なくとも１つの表示部２０７の両方にわたって実質的に同じであってもよいが、これに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３の少なくとも１つの放射領域１４０１のピクセル密度は、少なくとも１つの信号交換部２０３に隣接する及び／又は実質的に近接する少なくともそのエリアにおいて、少なくとも１つの表示部２０７の少なくとも１つの放射領域１４０１のピクセル密度と実質的に同じであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル１００のピクセル密度は、それにわたって実質的に均一であり得る。少なくともいくつかの用途では、少なくとも１つの信号交換部２０３及び少なくとも１つの表示部２０７が実質的に同じピクセル密度を有することを必要とするシナリオが存在する場合があり、それによって、ディスプレイパネル２００の解像度は、少なくとも１つの信号交換部２０３及び少なくとも１つの表示部２０７の両方にわたって実質的に同じであってもよいが、これに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３の少なくとも１つの放射領域１４０１の配列は、少なくとも１つの信号交換部２０３に隣接する及び／又は実質的に近接する少なくともそのエリアにおいて、少なくとも１つの表示部２０７の少なくとも１つの放射領域１４０１の配列と実質的に同じであってもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３における（サブ）ピクセルレイアウトは、少なくとも１つの表示部２０７の（サブ）ピクセルレイアウトと実質的に同じであってもよい。
本開示では、「透過性領域」という用語は、透過性領域３１ｘではないディスプレイパネル２００の別の領域と少なくとも比較して、ディスプレイパネル２００に入射するＥＭ放射のより多くの部分が透過されることを可能にするように構成され得る少なくとも１つの透過性領域３１ｘを限定的に含むディスプレイパネル２００の領域を指す。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘは、いくつかの非限定的な例では、ＩＴＯ、ＩＺＯ、及び／又はＩＧＺＯを非限定的に含む少なくとも１つの透明導電性酸化物（transparent conducting oxide、ＴＣＯ）などの透明導電性材料を含む、及び／又は透明導電性材料によって及び／又は透明導電性材料から形成されてもよい。
ディスプレイパネル２００がＯＬＥＤディスプレイデバイスを非限定的に含むいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの放射領域１４０１は、そこから、少なくとも１つの光子の形態を非限定的に含むＥＭ放射線を放射し得る。いくつかの非限定的な例では、所与の放射領域１４０１は、ピクセル２２１０（図２２Ａ）及び／又はそのようなピクセル２２１０のサブピクセル３２ｘ（図３Ａ）に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、ピクセル２２１０は、複数の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘを備えてもよく、各ピクセルは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、及びＢ（青）を非限定的に含むそれぞれの色に対応する、いくつかの非限定的な例では、所与の波長範囲の光子の形態を非限定的に含むＥＭ放射線を放射するように構成される。
いくつかの非限定的な例では、ピクセル２２１０は、Ｒ（赤）３２１、Ｇ（赤）３２２、及びＢ（青）３２３を非限定的に含む３つの色の各々の単一の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘにそれぞれ対応する３つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘを備え得る。
いくつかの非限定的な例では、ピクセル２２１０は、４つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘを含むことができ、各ピクセルは、Ｒ（赤）３２１及びＢ（青）３２３を非限定的に含む２つの色の各々の単一の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘと、Ｇ（レッド）３２２を非限定的に含む第３の色の２つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘとにそれぞれ対応する。
いくつかの非限定的な例では、所与の色の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ及び／又は形状（「幾何形状」）は、複数のピクセル２２１０にわたって実質的に同じであっても異なっていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の色の（サブ）ピクセル３２ｘのサイズ及び／又は幾何形状は、第２の色及び第３の色のうちの少なくとも１つの（サブ）ピクセル３２ｘのサイズ及び／又は幾何形状と実質的に同じであっても異なっていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の色、第２の色、及び第３の色のうちの少なくとも１つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの相対的な幾何形状、及び／又は（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘによって放射される波長範囲は、様々な波長がどのように視覚的に処理されるか、並びに／あるいは電力消費、デバイス信頼性、及び／又はデバイス寿命を非限定的に含む工学的制約の存在を考慮して選択され得る。
当業者であれば、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの特定の配置がディスプレイパネル２００の設計に応じて変更され得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、ＲＧＢサイドバイサイド、ダイヤモンド、及び／又はペンタイル（登録商標）を非限定的に含む、知られている配置方式に従って配置することができる。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、並んだ配置で配設され得る。いくつかの非限定的な例では、第１のピクセル２２１０の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの（色）順序は、第２のピクセル２２１０の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの（色）順序と同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のピクセル２２１０の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの（色）順序は、第２のピクセル２２１０の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの（色）順序とは異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、隣接するピクセル２２１０の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、行、列、及びアレイ配置のうちの少なくとも１つに位置合わせされ得る。
いくつかの非限定的な例では、隣接するピクセル２２１０の位置合わせされた（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの行及び列のうちの第１の少なくとも１つは、同じ又は異なる色の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、隣接するピクセル２２１０の位置合わせされた（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの行及び列のうちの第１の少なくとも１つは、隣接するピクセルの位置合わせされた（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの行及び列のうちの第２及び第３の少なくとも１つと位置合わせされ得る。
いくつかの非限定的な例では、隣接するピクセル２２１０の位置合わせされた（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの行及び列のうちの第１の少なくとも１つは、隣接するピクセル２２１０の位置合わせされた（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの行及び列のうちの第２及び第３の少なくとも１つとオフセット又は位置合わせ不良でもよい。
いくつかの非限定的な例では、行及び列のうちのそのような第１、第２、及び／又は第３の少なくとも１つの隣接するピクセル２２１０の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、行及び列のうちの第１、第２、及び／又は第３の少なくとも１つの各々の対応する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘが共通の色であり得るように配置され得る。
いくつかの非限定的な例では、行及び列のうちのそのような第１、第２、及び／又は第３の少なくとも１つの隣接するピクセル２２１０の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、行及び列のうちの第１、第２、及び／又は第３の少なくとも１つの各々の対応する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘが異なる色であり得るように配置され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３において、少なくとも１つの透過性領域３１ｘは、複数の放射領域１４０１の間に配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘは、隣接する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの間に配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘを取り囲む隣接する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、共通ピクセル２２１０の一部を形成してもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘを取り囲む隣接する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、異なるピクセル２２１０に関連付けられてもよい。
図２Ａを再度参照すると、ディスプレイパネル２００の面２０１は、側方軸によって画定される平面に実質的に沿って、その側方面にわたって延在し得る。いくつかの非限定的な例では、面２０１、実際にはディスプレイパネル２００は、少なくとも１つのＥＭ信号２３１が面２０１の平面に対してある角度でそれを通して交換され得るユーザデバイス２１０の面として機能し得る。いくつかの非限定的な例では、ユーザデバイス２１０は、コンピューティングデバイス、例えば、非限定的に、スマートフォン、タブレット、ラップトップ、及び／若しくは電子リーダ、並びに／又は何らかの他の電子デバイス、例えば、非限定的に、自動車ディスプレイ及び／若しくはフロントガラス、家庭用電気器具、及び／若しくは医療、商業、及び／若しくは産業用デバイスを含む、モニタ、テレビジョンセット、及び／若しくはスマートデバイスであり得る。
いくつかの非限定的な例では、面２０１は、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０が収容され得る本体２２０及び／又はその中の開口部２２１に対応し、かつ／又はそれと嵌合し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０は、面２０１の反対側のその表面上のディスプレイパネル２００と一体的に、又は組み立てられたモジュールとして形成され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０は、面２０１の反対側のディスプレイパネル２００の基板１０の表面上に形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの開口２０４が、ディスプレイパネル２００内に形成されて、ディスプレイパネル２００の面２０１を含むがこれに限定されない、ディスプレイパネル２００の横軸又は付随して層によって画定される平面に対してある角度で、ディスプレイパネル２００の面２０１を通る少なくとも１つのＥＭ信号２３１の交換を可能にすることができる。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＥＭ信号２３１は、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０と、限定はしないが、ユーザデバイス２１０のユーザを含む外部物体２０との間で交換され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの開口２０４は、少なくとも１つの信号交換部２０３の少なくとも１つの透過性領域３１ｘに対応し得る。いくつかの非限定的な例では、所与の信号交換部２０３は、複数の少なくとも１つの開口２０４を備え得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの開口２０４は、別様にはディスプレイパネル２００にわたって配設される実質的に不透明な被膜の厚さ及び／又は不透明度の欠如及び／又は減少を含むものと理解され得る。
換言すれば、少なくとも１つのＥＭ信号２３１は、面２０１を通過するように、少なくとも１つの開口２０４を通過することができる。その結果、少なくとも１つのＥＭ信号２３１は、限定はしないが、ディスプレイパネル２００にわたって側方に堆積層１３０にわたって伝導され得る任意の電流を含む、側方軸によって画定された平面に沿って延在し得る任意のＥＭ放射を除外するとみなされ得る。
更に、当業者は、少なくとも１つのＥＭ信号２３１が、単独で、又は他のＥＭ信号２３１と併せて、少なくとも１つのＥＭ信号２３１を他のＥＭ信号２３１から区別され得る識別子を含むがこれに限定されない何らかの情報内容を伝達することができるという点で、少なくとも１つのＥＭ信号２３１を、電流及び／又はそれによって発生する電界を含むがこれに限定されないＥＭ放射線自体と区別することができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、情報コンテンツは、少なくとも１つのＥＭ信号２３１の波長、周波数、位相、タイミング、帯域幅、及び／又は他の特質のうちの少なくとも１つを指定すること、変更すること、及び／又は変調することによって伝達され得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の少なくとも１つの開口２０４を通って通過する少なくとも１つのＥＭ信号２３１は、少なくとも１つの光子を含み得、いくつかの非限定的な例では、限定はしないが、可視スペクトル、ＩＲスペクトル、及び／又はＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つの範囲内にある波長スペクトルを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の少なくとも１つの開口２０４を通って通過する少なくとも１つのＥＭ信号２３１は、その上に入射する周辺光を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の少なくとも１つの開口２０４を通して交換される少なくとも１つのＥＭ信号２３１は、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０によって伝送及び／又は受信され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０は、単一の透過性領域３１ｘよりも大きいサイズを有し得るが、複数の透過性領域３１ｘだけでなく、それらの間に延在する少なくとも１つの放射領域１４０１の下にもあり得る。同様に、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０は、少なくとも１つの開口２０４のうちの単一のものよりも大きいサイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０は、ユーザデバイス２１０を越えてから少なくとも１つの開口２０４を通過する少なくとも１つのＥＭ信号２３１を受信及び処理するように適合された受信機２３０ｒを含み得る。そのような受信機２３０ｒの非限定的な例としては、アンダーディスプレイカメラ（under-display camera、ＵＤＣ）、並びに／又は限定はしないが、ＩＲセンサ、ＮＩＲセンサ、ＬＩＤＡＲ検知モジュール、指紋検知モジュール、光検知モジュール、ＩＲ（近接）検知モジュール、虹彩認識検知モジュール、及び／若しくは顔認識検知モジュールを含むセンサが挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０は、ユーザデバイス２１０を越えて少なくとも１つの開口２０４を通過する少なくとも１つのＥＭ信号２３１を放射するように適合された送信機２３０ｔを含み得る。そのような送信機２３０ｔの非限定的な例として、限定はしないが、内蔵フラッシュ、懐中電灯、ＩＲエミッタ、及び／若しくはＮＩＲエミッタ、並びに／又はＬＩＤＡＲ検知モジュール、指紋検知モジュール、光検知モジュール、ＩＲ（近接）検知モジュール、虹彩認識検知モジュール、及び／若しくは顔認識検知モジュールを含むＥＭ放射源が挙げられる。
一部の非限定的な例では、ユーザデバイス２１０を越えてディスプレイパネル２００の少なくとも１つの開口２０４を通過する少なくとも１つのＥＭ信号２３１には、限定はしないが、送信機２３０ｔを備える少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０によって放射されるものが含まれ、ディスプレイパネル２００から発して、ディスプレイパネル２００の少なくとも１つの開口２０４を通って、受信機２３０ｒを備える少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０に戻ることができる。
いくつかの非限定的な例では、ユーザデバイス２１０内に複数のアンダーディスプレイ構成要素２３０が存在してもよく、そのうちの第１の構成要素は、ユーザデバイス２１０を越えて少なくとも１つの開口２０４を通過するように少なくとも１つのＥＭ信号２３１を放射するための送信機２３０ｔを含み、そのうちの第２の構成要素は、少なくとも１つのＥＭ信号２３１を受信するための受信機２３０ｒを含む。いくつかの非限定的な例では、そのような送信機２３０ｔ及び受信機２３０ｒは、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０のうちの単一の共通の１つにおいて具現化され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０は、ＥＭ信号２３１を放射しない場合があるが、ディスプレイパネル２００は、少なくとも１つのＥＭ信号２３１を放射するＯＬＥＤデバイスを含むがこれに限定されない、光ルミネセンスデバイスを含むがこれに限定されない、光電子デバイスを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、物体２０は、少なくとも１つのＥＭ信号２３１を反射するための表面を提示し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＥＭ信号２３１は、非限定的な例として物体２０の表面から反射された環境光であり得る光であり得る。
表示部のピクセル密度を維持するための信号交換部における散在した透過性領域を有するピクセルの配置
次に図３Ａを参照すると、非限定的な例として、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３にわたって適用され得る平面図における例示的な（サブ）ピクセル配列３００ａが示されている。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３のピクセル密度は、ディスプレイパネル２００の表示部２０７のピクセル密度と実質的に同じであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３の少なくとも１つの放射領域１４０１の開口率は、少なくとも１つの信号交換部２０３に隣接する及び／又は実質的に近接する少なくともそのエリアにおいて、少なくとも１つの表示部２０７の少なくとも１つの放射領域１４０１の開口率と実質的に同じであってもよい。いくつかの非限定的な例では、これは、（サブ）ピクセル３２ｘに対応する放射領域１４０１のサイズ、形状、及び配向のうちの少なくとも１つを、少なくとも１つの信号交換部２０３及び少なくとも１つの表示部２０７の両方において実質的に同じにすることによって達成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、及び構成のうちの少なくとも１つは、信号交換部２０３における透過性領域３１ｘの開口率を最大化することを含むがこれに限定されない透過性領域３１ｘの追加を収容する空間を提供するために、ディスプレイパネル２００の表示部２０７のサイズ、形状、及び構成とは、サイズ縮小を含むが限定されずに異なり得る。
当業者であれば、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３と表示部２０７との間で（サブ）ピクセル３２ｘの放射領域１４０１のサイズ、形状、及び配向のうちの少なくとも１つを変更することは、いくつかの非限定的な例では、それらの間の開口率を変更し得るが、それらの間のピクセル密度は不変のままであり得ることを容易に理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル３２ｘの全ての放射領域１４０１の開口率は、約２０％以下、約１５％以下、及び約１０％以下のうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における透過性領域３１ｘの開口率は、そのような部分に存在する透過性領域３１ｘの全ての開口率の合計であってもよく、約５０％以下、約４５％以下、約４０％以下、約３５％以下、約３３％以下、約３０％以下、及び約２５％以下のうちの１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘの開口率は、少なくとも約５％、少なくとも約１０％、及び少なくとも約１５％のうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル３２ｘの全ての放射領域１４０１の開口率は、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３を含むがそれらに限定されない、そのような部分内に存在する（サブ）ピクセル３２ｘの全ての開口率の合計であってもよく、約５～１０％であってもよく、その中の透過性領域３１ｘの開口率は、約３０～５０％であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３内の（サブ）ピクセル３２ｘの全ての放射領域１４０１の開口率は、限定ではないが、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３を含む、そのような部分内に存在する（サブ）ピクセル３２ｘの全ての開口率の合計であってもよく、約６～９％であってもよく、その中の透過性領域３１ｘの開口率は、約３５～４５％であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル３２ｘの全ての放射領域１４０１と透過性領域３１ｘとの合計開口率は、約６０％以下、約５５％以下、約５０５以下、約４５％以下、及び約４０％以下のうちの１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル３２ｘの全ての放射領域１４０１と透過性領域３１ｘとの合計開口率は、約３０～６０％、約３５～６０％、約４０～６０％、約３５～５５％、約４０～５０％、約４５～５５％、及び約４５～５０％のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘのサイズは、少なくとも約１０ミクロンであってもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘのサイズは、約１０～１５０ミクロン、約１０～１３０ミクロン、約１５～１００ミクロン、約２０～８０ミクロン、約２０～６５ミクロン、約２５～６０ミクロン、及び約３０～５０ミクロンのうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、開口比のそのような変化の結果としての信号交換部２０３と表示部２０７との間のような見かけ上の又は視覚的に知覚される差は、非限定的に以下を含む少なくとも１つの手段によって低減され得る。
・ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３と表示部２０７との間のように、（サブ）ピクセル３２ｘの放射領域１４０１の開口率、サイズ、及び形状のうちの少なくとも１つの間の相対的な比率を維持することと、
・ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３及び表示部２０７のうちの少なくとも１つにおける（サブ）ピクセル３２ｘのうちの少なくとも１つの少なくとも１つの特徴であって、放射される放射線の強度及び電流密度を含むがこれらに限定されない少なくとも１つの特徴を変更することと、
・ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３及び表示部２０７のうちの少なくとも１つの周りに、及び／又はそれらの間に、少なくとも１つの遷移領域を確立することであって、各々は、ディスプレイパネル２００の増加した側方面にわたってそれらの間のそのような見かけ上の又は視覚的に知覚される差を分散させるために、中間の開口率、サイズ、形状、配向、及び／又はピッチを有する。
４つのサブピクセルを１：２：１の比率で有するピクセル
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ａは、単一の透過性領域３１ｘと、いくつかの非限定的な例ではピクセル２２１０の４つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応し得る複数の放射領域１４０１とを備え得る。いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、４つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１内に位置し、それによって取り囲まれてもよい。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ａは、第１の構成軸３４０及び第２の構成軸３４５によって画定されてもよく、これらは両方ともディスプレイパネル２００の横平面内にあり、交点で交差してもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の構成軸３４０は、第２の構成軸３４５に実質的に直交してもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、平面図において、第１の構成軸３４０と第２の構成軸３４５との交点を中心としてもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘの横方向範囲は、その閉じた透過性境界又は外周３１５によって画定されてもよい。いくつかの非限定的な例では、透過性境界３１５は、第１の構成軸３４０及び第２の構成軸３４５のうちの少なくとも１つに対して対称であってもよい。いくつかの非限定的な例では、図示のように、透過性境界３１５は、第１の構成軸３４０及び第２の構成軸３４５の両方に対して対称であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１０は、複数の線形透過性境界セグメント３１１～３１４を含み、それらによって画定される、実質的に四辺形の透過性境界３１５を有し得る。いくつかの非限定的な例では、透過性境界セグメント３１１、３１３のうちの少なくとも１つは、第１の構成軸３４０に実質的に平行であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の構成軸３４０に実質的に平行であるそのような透過性境界セグメント３１１、３１３のうちの２つが存在し得る。いくつかの非限定的な例では、透過性境界セグメント３１２、３１４のうちの少なくとも１つは、第２の構成軸３４５に実質的に平行であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の構成軸３４５に実質的に平行であるそのような透過性境界セグメント３１２、３１４のうちの２つが存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、透過性境界セグメント３１１～３１４のいずれも、互いに平行でなくてもよい。
図３Ａに示されるようないくつかの非限定的な例では、透過性境界セグメント３１１～３１４の各々は、実質的に等しい長さであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性境界セグメント３１１～３１４のいずれも実質的に等しい長さを有していなくてもよい。
次に図３Ｂを参照すると、非限定的な例として、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３にわたって適用され得る平面図における例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｂが示されている。（サブ）ピクセル配列３００ｂは、透過性領域３１ｘ（及び（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ）が実質的に丸みを帯びた角を呈するという点で、（サブ）ピクセル配列３００ａとは異なるように見え得る。
本明細書説明するように、特定の理論に束縛されることを望むものではないが、透過性領域３１ｘの閉鎖境界が少なくとも１つの非線形及び／又は湾曲セグメントを含む場合、その上に入射し、それを通って透過されるＥＭ信号は、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を容易にするあまり特徴的でない及び／又はより均一な回折パターンを示すことができると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、複数の透過性境界セグメント３１１～３１４は、少なくとも１つの実質的に湾曲した透過性境界セグメント３１６～３１９によって結合されてもよく、それらの間に延在してもよい。したがって、いくつかの非限定的な例では、線形透過性境界セグメント３１１～３１４のそれぞれの端点は、湾曲した透過性境界セグメント３１６～３１９の端点と結合されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、湾曲した透過性境界セグメント３１６～３１９のうちの少なくとも１つは、最小曲率半径を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、製造プロセスにおける制約と相関し得るそのような最小曲率半径は、約８ミクロン及び約１０ミクロンのうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、一対の第２のサブピクセル３２２は、第１の構成軸３４０及び第２の構成軸３４５のうちの少なくとも１つ、いくつかの非限定的な例では第１の構成軸３４０に対して対称に位置決めされてもよく、透過性領域３１ｘはそれらの間に位置決めされる。いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１及び第３のサブピクセル３２３は、第１の構成軸３４０及び第２の構成軸３４５のうちの少なくとも１つ、いくつかの非限定的な例では、第２の構成軸３４５に対して対称に位置決めされてもよく、透過性領域３１ｘがそれらの間に位置決めされる。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１４０１のうちの少なくとも１つは、複数の線形セグメントを含み、それによって画定される実質的に四辺形の境界又は輪郭を有し得る。
（サブ）ピクセル配列３００ａにおいて、４つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１、一対の第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１はＲ（赤）色に対応してもよく、第２のサブピクセル３２２はＧ（緑）色に対応してもよく、第３のサブピクセル３２３はＢ（青）色に対応してもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、共通ピクセル２２１０に対応する一対の第２のサブピクセル３２２の間に位置決めされてもよい。いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、第１のピクセル２２１０に対応する第２のサブピクセル３２２と、第２のサブピクセル２２１０に対応する第２のサブピクセル３２２との間に位置決めされてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような透過性領域３１ｘと第１の第２のサブピクセル３２２との間の間隔は、そのような透過性領域３１ｘと第２の第２のサブピクセル３２２との間の間隔と実質的に同じであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、共通ピクセル２２１０に対応する第１のサブピクセル３２１と第３のサブピクセル３２３との間に位置決めされてもよい。いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、第１のピクセル２２１０に対応する第１のサブピクセル３２１と、第２のサブピクセル２２１０に対応する第３のサブピクセル３２３との間に位置決めされてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような透過性領域３１ｘと第１のサブピクセル３２１との間の間隔は、そのような透過性領域３１ｘと第３のサブピクセル３２３との間の間隔と実質的に同じであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、所与の透過性領域３１ｘは、第１のサブピクセル３２１と第３のサブピクセル３２３との間、及び２つの第２のサブピクセル３２２の間の両方に位置決めされてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１の横方向範囲は、その閉じた第１のサブピクセル境界３５５によって画定されてもよい。図示されるように、いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル境界３５５は、複数の実質的に線形の第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４を備え得る。いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセルセグメント３５２、３５４のうちの少なくとも１つは、透過性領域３１ｘの透過性境界セグメント３１２、３１４のうちの対応する少なくとも１つに実質的に平行であってもよく、それに近接していてもよく、いくつかの非限定的な例では、それに隣接していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性境界セグメント３１１～３１４の大部分は、隣接するサブピクセル境界セグメント３５１～３５４、３６１～３６４、３７１～３７４に実質的に平行であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、図示されるように、第１のサブピクセル３２１に関して、第１のサブピクセルセグメント３５４は、対応する透過性境界セグメント３１２に近接していてもよく、及び／又はいくつかの非限定的な例では、隣接していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第１のサブピクセルセグメント３５４と、それに近接する対応する少なくとも１つの透過性境界セグメント３１２とは、最小距離だけ分離され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような最小距離は、いくつかの非限定的な例では、製造プロセスにおける制約に相関され得るが、約５ミクロン、約６ミクロン、約８ミクロン、約１０ミクロン、約１１ミクロン、及び約１２ミクロンのうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような最小距離は、約５～１５ミクロン、約６～１２ミクロン、及び約８～１０ミクロンのうちの１つであってもよい。
図３Ｂに示すようないくつかの非限定的な例では、複数の線形の第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４は、少なくとも１つの実質的に湾曲した第１のサブピクセルセグメント３５６～３５９によって結合されてもよく、それらの間に延在してもよい。したがって、いくつかの非限定的な例では、線形の第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４のそれぞれの端点は、湾曲した第１のサブピクセルセグメント３５６～３５９の端点と結合されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、湾曲した第１のサブピクセルセグメント３５６～３５９のうちの少なくとも１つは、最小曲率半径を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、製造プロセスにおける制約と相関し得るそのような最小曲率半径は、約８ミクロン及び約１０ミクロンのうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２のサブピクセル３２２のうちの１つの横方向範囲は、その閉じた第２のサブピクセル境界３６５によって画定されてもよい。図示されるように、いくつかの非限定的な例では、第２のサブピクセル境界３６５は、複数の実質的に線形の第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４を備え得る。いくつかの非限定的な例では、第２のサブピクセルセグメント３６１、３６３のうちの少なくとも１つは、透過性領域３１ｘの透過性境界セグメント３１１、３１３のうちの対応する少なくとも１つに実質的に平行であってもよく、それに近接していてもよく、いくつかの非限定的な例では、それに隣接していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、図示されるように、第２のサブピクセル３２２ａに関して、第２のサブピクセルセグメント３６３は、対応する透過性境界セグメント３１１に近接していてもよく、及び／又はいくつかの非限定的な例では、隣接していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、図示されるように、第２のサブピクセル３２２ｂに関して、第２のサブピクセルセグメント３６１は、対応する透過性境界セグメント３１３に近接していてもよく、及び／又はいくつかの非限定的な例では、隣接していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第２のサブピクセルセグメント３６３と、それに近接する透過性領域３１ｘの対応する少なくとも１つの透過性境界セグメント３１１とは、最小距離だけ分離され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第２のサブピクセルセグメント３６１と、それに近接する透過性領域３１ｘの対応する少なくとも１つの透過性境界セグメント３１３とは、最小距離だけ分離され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような最小距離は、いくつかの非限定的な例では、製造プロセスにおける制約に相関され得るが、約５ミクロン、約６ミクロン、約８ミクロン、約１０ミクロン、約１１ミクロン、及び約１２ミクロンのうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような最小距離は、約５～１５ミクロン、約６～１２ミクロン、及び約８～１０ミクロンのうちの１つであってもよい。
図３Ｂに示すようないくつかの非限定的な例では、複数の線形の第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４は、少なくとも１つの実質的に湾曲した第２のサブピクセルセグメント３６６～３６９によって結合されてもよく、それらの間に延在してもよい。したがって、いくつかの非限定的な例では、線形の第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４のそれぞれの端点は、湾曲した第２のサブピクセルセグメント３６６～３６９の端点と結合されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、湾曲した第２のサブピクセルセグメント３６６～３６９のうちの少なくとも１つは、最小曲率半径を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、製造プロセスにおける制約と相関し得るそのような最小曲率半径は、約８ミクロン及び約１０ミクロンのうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第３のサブピクセル３２３の横方向範囲は、その閉じた第３のサブピクセル境界３７５によって画定されてもよい。図示されるように、いくつかの非限定的な例では、第３のサブピクセル境界３７５は、複数の実質的に線形の第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４を備え得る。いくつかの非限定的な例では、第３のサブピクセルセグメント３７２、３７４のうちの少なくとも１つは、透過性領域３１ｘの透過性境界セグメント３１２、３１４のうちの対応する少なくとも１つに実質的に平行であってもよく、それに近接していてもよく、いくつかの非限定的な例では、それに隣接していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、図示されるように、第３のサブピクセル３２３に関して、第３のサブピクセルセグメント３７２は、対応する透過性境界セグメント３１４に近接していてもよく、及び／又はいくつかの非限定的な例では、隣接していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第３のサブピクセルセグメント３７２と、それに近接する透過性領域３１ｘの対応する少なくとも１つの透過性境界セグメント３１４とは、最小距離だけ分離され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような最小距離は、いくつかの非限定的な例では、製造プロセスにおける制約に相関され得るが、約５ミクロン、約６ミクロン、約８ミクロン、約１０ミクロン、約１１ミクロン、及び約１２ミクロンのうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような最小距離は、約５～１５ミクロン、約６～１２ミクロン、及び約８～１０ミクロンのうちの１つであってもよい。
図３Ｂに示すようないくつかの非限定的な例では、複数の線形の第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４は、少なくとも１つの実質的に湾曲した第３のサブピクセルセグメント３７６～３７９によって結合されてもよく、それらの間に延在してもよい。したがって、いくつかの非限定的な例では、線形の第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４のそれぞれの端点は、湾曲した第３のサブピクセルセグメント３７６～３７９の端点と結合されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、湾曲した第３のサブピクセルセグメント３７６～３７９のうちの少なくとも１つは、最小曲率半径を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、製造プロセスにおける制約と相関し得るそのような最小曲率半径は、約８ミクロン及び約１０ミクロンのうちの１つであり得る。
したがって、（サブ）ピクセル配列３００ａは、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの高い開口率及び高いサブピクセル密度の両方を維持する一方で、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３を介してＥＭ信号２３１の交換を可能にする面積を有する透過性領域３１ｘをその内部に提供する。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ａは、各々が第１の放射領域１４０１の重心を含むがこれに限定されない内部に位置する端点で始まり、第１及び第２の放射領域１４０１が透過性領域３１ｘを通過することなくサブピクセル３２ｘの対に関連付けられる第２の放射領域１４０１の重心を含むがこれに限定されない内部に位置する端点で終わる、４つを含むがこれに限定されない複数の接続された非重複輪郭ベクトル３３１～３３４が、輪郭３３０、３３６、３３７を画定するように構成されてもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、四辺形又はボックス３３０に似ていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の放射領域１４０１及び第２の放射領域１４０１は、対応する輪郭ベクトル３３１－３３４が、第１の放射領域１４０１の少なくとも一部及び第２の放射領域１４０１の少なくとも一部にわたって、それらの間に何もなく横方向に延在し得るように、互いに実質的に当接し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の放射領域１４０１及び第２の放射領域１４０１は、対応する輪郭ベクトル３３１－３３４が、第１の放射領域１４０１の少なくとも一部及び第２の放射領域１４０１の少なくとも一部にわたって、それらの間に何もなく横方向に延在し得るように、離間され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１、一対の第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３の位置は、ボックス３３０が、正方形、長方形、平行四辺形、及び台形のうちの少なくとも１つを画定し得るようなものであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１、一対の第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３の位置は、輪郭ベクトル３３１～３３４のいずれも実質的に等しい長さではない場合があるようなものであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１、一対の第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３の位置は、輪郭ベクトル３３１～３３４のうちの少なくとも２つが実質的に等しい長さであり得るようなものであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１、一対の第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３の位置は、輪郭ベクトル３３１～３３４のいずれも互いに平行でない場合があるようなものであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、輪郭３３０は、少なくとも１つの透過性領域３１ｘを閉塞し得る。いくつかの非限定的な例では、輪郭３３０、３３６、３３７の輪郭ベクトル３３１～３３４は、透過性領域３１ｘを取り囲み得、いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘを通過しないようにすることができる。
次に図３Ｃを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、（サブ）ピクセル配列３００ａがその側方面にわたって複製されている。各々が共通の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの重心を通過する線分を有する４つの隣接するボックス３３０を含むがこれに限定されない複数の隣接する輪郭３３０、３３６、３３７を組み合わせて単位セル３３５を画定することができることが分かる。図では、単位セル３３５ｂは、共通（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘとして、Ｂ（青）サブピクセル３２３を有してもよいが、当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、共通（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、同様に、Ｒ（赤）サブピクセル３２１（単位セル３３５ｒ）又はＧ（緑）サブピクセル３２２の対のうちの１つ（単位セル３３５ｇａ又は３３５ｇｂであってもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、３３５ｇａの垂直若しくは水平反転バージョン、又は時計回り若しくは反時計回り方向のいずれかに実質的に約９０°回転されたバージョンであるとみなされてもよいことを理解するであろう。共通の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの色が何であれ、いくつかの非限定的な例では、隣接する単位セル３３５は、同じ色の共通の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘを有する。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、単位セル３３５は、信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのアレイの繰り返し単位を構成してもよいことを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、単位セル３３５は、最小サイズの繰り返し単位であってもよい。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、単位セル３３５が、Ｒ（赤）サブピクセル３２１（単位セル３３５ｒ）又はＧ（緑）サブピクセル３２２の対のうちの１つ（単位セル３３５ｇａ又は３３５ｇｂ）である共通（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘを有するか、又はＢ（青）サブピクセル３２３（単位セル３３５ｂ）であるかにかかわらず、同じピクセルレイアウトが、単位セル３３５の繰り返しとみなされ得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、単位セル３３５の少なくとも１つの輪郭３３０、３３６、３３７は、少なくとも１つの透過性領域３１ｘを閉塞し得る。いくつかの非限定的な例では、単位セル３３５の輪郭３３０、３３６、３３７の各々は、少なくとも１つの透過性領域３１ｘを閉塞し得る。
いくつかの非限定的な例では、単位セル３３５は、実質的に同様の形状及びサイズの複数の輪郭３３０、３３６、３３７を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、単位セル３３５は輪郭３３０、３３６、３３７を含むことができ、これらの輪郭のいずれも、実質的に等しい形状及びサイズのうちの少なくとも１つを有しない。
次に図３Ｄを参照すると、非限定的な例として、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３にわたって適用され得る平面図における例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｄが示されている。（サブ）ピクセル配列３００ｄは、透過性領域３１ｘが実質的に約９０°だけ（時計回り又は反時計回りのいずれかの方向に）回転されているという点で、（サブ）ピクセル配列３００ａとは異なるように見え得る。
したがって、線形透過性境界セグメント３１１～３１４と、線形第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４、線形第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４、及び線形第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４のうちの少なくとも１つとの間の平行関係は維持されなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の構成軸３４０及び第２の構成軸３４５は各々が、実質的に約９０°だけ（時計回り又は反時計回りのいずれかの方向に）回転されると考えられ得る。
そうである場合、いくつかの非限定的な例では、第１の構成軸３４０及び第２の構成軸３４５のうちの少なくとも１つと、線形透過性境界セグメント３１１～３１４との間の平行関係が維持され得る。しかしながら、そのような場合、第１の構成軸３４０及び第２の構成軸３４５のうちの少なくとも１つと、線形第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４、線形第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４、及び線形第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４のうちの少なくとも１つとの間で、平行関係が維持されているとはみなされない場合がある。
いくつかの非限定的な例では、輪郭ベクトル３３２、３３４のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない輪郭ベクトル３３１～３３４のうちの少なくとも１つは、第１の構成軸３４０に実質的に平行であってもよい。いくつかの非限定的な例では、輪郭ベクトル３３１、３３３のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない輪郭ベクトル３３１～３３４のうちの少なくとも１つは、第２の構成軸３４０に実質的に平行であってもよい。
次に図３Ｅを参照すると、非限定的な例として、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３にわたって適用され得る平面図における例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｅが示されている。（サブ）ピクセル配列３００ｅは、透過性境界セグメント３１１、３１３のうちの少なくとも１つが第１の長さのものであってもよく、透過性境界セグメント３１２、３１４のうちの少なくとも１つが第１の長さとは異なる第２の長さのものであってもよいという点で、（サブ）ピクセル配列３００ｄとは異なるように見え得る。
次に図３Ｆを参照すると、非限定的な例として、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３にわたって適用され得る平面図における例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｆが示されている。（サブ）ピクセル配列３００ｆは、透過性領域３１ｘが実質的に約９０°だけ（時計回り又は反時計回りのいずれかの方向に）回転されているという点で、（サブ）ピクセル配列３００ｅとは異なるように見え得る。
次に図３Ｇを参照すると、非限定的な例として、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３にわたって適用され得る平面図における例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｇが示されている。（サブ）ピクセル配列３００ｇは、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３のうちの少なくとも１つが実質的に約９０°だけ（時計回り又は反時計回りのいずれかの方向に）回転されているという点で、（サブ）ピクセル配列３００ａとは異なるように見え得る。
したがって、線形透過性境界セグメント３１１～３１４と、線形第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４、線形第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４、及び線形第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４のうちの少なくとも１つとの間の平行関係は維持されなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の構成軸３４０及び第２の構成軸３４５のうちの少なくとも１つと、線形第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４、線形第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４、及び線形第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４のうちの少なくとも１つとの間で、平行関係が維持されているとはみなされ得る。しかしながら、そのような場合、いくつかの非限定的な例では、第１の構成軸３４０及び第２の構成軸３４５のうちの少なくとも１つと、線形透過性境界セグメント３１１～３１４との間の平行関係が維持され得ない。
次に図３Ｈを参照すると、非限定的な例として、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３にわたって適用され得る平面図における例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｈが示されている。（サブ）ピクセル配列３００ｈは、線形第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４、線形第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４、及び線形第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４（図では、線形第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４）のうちの少なくとも１つが、全てが実質的に等しい長さではなく、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの湾曲した第１のサブピクセルセグメント３５６～３５９、少なくとも１つの湾曲した第２のサブピクセルセグメント３６６～３６９、及び少なくとも１つの湾曲した第３のサブピクセルセグメント３７６～３７９（図では、それらの各々）のうちのそれぞれの少なくとも１つによって結合され、それらの間に延在し得るという点で、（サブ）ピクセル配列３００ｇとは異なるように見え得る。
いくつかの非限定的な例では、セグメント３５１、３５３を含むがこれらに限定されない第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４のうちの少なくとも１つは、第１の長さであってもよく、セグメント３５２、３５４を含むがこれらに限定されない第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４のうちの少なくとも１つは、第１の長さとは異なる第２の長さであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、セグメント３６１、３６３を含むがこれらに限定されない第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４のうちの少なくとも１つは、第１の長さであってもよく、セグメント３６２、３６４を含むがこれらに限定されない第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４のうちの少なくとも１つは、第１の長さとは異なる第２の長さであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、セグメント３７１、３７３を含むがこれらに限定されない第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４のうちの少なくとも１つは、第１の長さであってもよく、セグメント３７２、３７４を含むがこれらに限定されない第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４のうちの少なくとも１つは、第１の長さとは異なる第２の長さであってもよい。
図３Ｉでは、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、（サブ）ピクセル配列３００ｇがその側方面にわたって複製されている。
次に図３Ｊを参照すると、非限定的な例として、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３にわたって適用され得る平面図における例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｊが示されている。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における少なくとも１つの（サブ）ピクセル３２ｘに対応する放射領域１４０１のサイズ、形状、及び配向のうちの少なくとも１つは、少なくとも（サブ）ピクセル配列３００ａに関連して本明細書に記載されるように、ディスプレイパネル２００の表示部２０７の対応する少なくとも１つの（サブ）ピクセル３２ｘに対応する放射領域１４０１のサイズ、形状、及び配向のうちの対応する少なくとも１つと実質的に同一であってもよいが、いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における少なくとも１つの（サブ）ピクセル３２ｘに対応する放射領域１４０１のサイズ、形状、及び配向のうちの少なくとも１つは、ディスプレイパネル２００の表示部２０７の対応する少なくとも１つの（サブ）ピクセル３２ｘに対応する放射領域１４０１のサイズ、形状、及び配向のうちの対応する少なくとも１つと異なってもよい。
（サブ）ピクセル配列３００ｊにおいて、第１のサブピクセル３２１は、信号交換第１のサブピクセル輪郭３５０によって示される例示的なサイズ、形状、及び配向を有する信号交換部２０３における放射領域１４０１を有するものとして示されてもよく、その上に重ねられた表示第１のサブピクセル輪郭３５５によって示される表示部２０７における対応する放射領域１４０１の例示的なサイズ、形状、及び配向と比較及び対比されてもよい。同様に、第２のサブピクセル３２２は、信号交換第２のサブピクセル輪郭３６０によって示される例示的なサイズ、形状、及び配向を有する信号交換部２０３における放射領域１４０１を有するものとして示されてもよく、その上に重ねられた表示第２のサブピクセル輪郭３６５によって示される表示部２０７における対応する放射領域１４０１の例示的なサイズ、形状、及び配向と比較及び対比されてもよく、第３のサブピクセル３２３は、信号交換第３のサブピクセル輪郭３７０によって示される例示的なサイズ、形状、及び配向を有する信号交換部２０３における放射領域１４０１を有するものとして示されてもよく、その上に重ねられた表示第３のサブピクセル輪郭３７５によって示される表示部２０７における対応する放射領域１４０１の例示的なサイズ、形状、及び配向と比較及び対比されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３を含むがこれに限定されない第１のサブピクセル３２１の少なくとも１つの放射領域１４０１のサイズは、第２のサブピクセル３２２の対応する少なくとも１つの放射領域１４０１のサイズを超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３のサブピクセル３２３の少なくとも１つの放射領域１４０１のサイズは、第１のサブピクセル３２１の対応する少なくとも１つの放射領域１４０１のサイズを超えてもよい。
（サブ）ピクセル配列３００ｊに示されるように、いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル３２ｘの放射領域１４０１の配向は、ディスプレイパネル２００における（サブ）ピクセル３２ｘの放射領域１４０１に対して放射領域１４０１を実質的に約９０°（時計回り又は反時計回りのいずれかの方向に）回転させることによって、ディスプレイパネル２００の表示部における（サブ）ピクセル３２ｘの放射領域１４０１の配向である。
（サブ）ピクセル配列３００ｊに示すように、いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における少なくとも１つの（サブ）ピクセル３２ｘの少なくとも１つの放射領域１４０１のサイズは、ディスプレイパネル２００の表示部における対応する（サブ）ピクセル３２ｘの対応する放射領域１４０１のサイズに対して、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における少なくとも１つの（サブ）ピクセル３２ｘの少なくとも１つの放射領域１４０１の対角線の長さが、ディスプレイパネル２００の表示部２０７における対応する（サブ）ピクセル３２ｘの対応する放射領域１４０１の境界の直線セグメントの１つと実質的に等しくなるように、図示されたように重ねられたときに、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における少なくとも１つの（サブ）ピクセル３２ｘの少なくとも１つの放射領域１４０１が、ディスプレイパネル２００の表示部２０７における対応する（サブ）ピクセル３２ｘの対応する放射領域１４０１の辺によって実質的に取り囲まれているように見えるように、代替的に及び／又は追加的に減少されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ｊにおける線形第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４のうちの少なくとも１つの長さは、約１１．６ミクロンであってもよいが、これに限定されない。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ｊにおける線形第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４のうちの少なくとも１つの長さは、約８．７ミクロンであってもよいが、これに限定されない。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ｊにおける線形第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４のうちの少なくとも１つの長さは、約１４．５ミクロンであってもよいが、これに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における少なくとも１つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの少なくとも１つの放射領域１４０１のサイズを、ディスプレイパネル２００の表示部２０７の対応する（サブ）ピクセル３２ｘの対応する放射領域１４０１に対して回転させること及び減少させることの両方が、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３と表示部２０７との間のピクセル密度を変えることなく、少なくとも１つの透過性領域３１ｘがその間に導入され得るように、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における複数の隣接する（サブ）ピクセル３２ｘ間の分離を提供し得る。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ｊを含むがこれに限定されない、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３によって示されるピクセル密度は、少なくとも約３００ｐｐｉ、少なくとも約３５０ｐｐｉ、及び少なくとも約４００ｐｐｉのうちの１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ｊを含むがこれに限定されない、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３によって示されるピクセル密度は、約４３０ｐｐｉであってもよい。
図３Ｋでは、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、（サブ）ピクセル配列３００ｅ及び（サブ）ピクセル配列３００ｆの交互のインスタンスが、その側方面にわたって複製されている（異なる長さを有する線形の第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４、及び線形のサブピクセルセグメント間に丸められたサブピクセルセグメントの介在を含むが、これらに限定されないいくつかの特徴は省略されている）。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、少なくとも１つの構成軸３４０、３４５に沿って規則的に離間されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１によって第２の透過性領域３１ｘｂから分離された第１の透過性領域３１ｘａは、（サブ）ピクセル配列３００ｋにおける矢印３８１によって表されるような第１の分離距離だけ離間されてもよいが、これに限定されず、第１の分離距離は、いくつかの非限定的な例では、実質的に約５７．６６ミクロンであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２のサブピクセル３２２によって第３の透過性領域３１ｘｃから分離された第２の透過性領域３１ｘｂは、（サブ）ピクセル配列３００ｋにおける矢印３８２によって表されるような第２の分離距離だけ離間されてもよいが、これに限定されず、第２の分離距離は、いくつかの非限定的な例では、実質的に約５９．１１ミクロンであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第３のサブピクセル３２３によって第４の透過性領域３１ｘｄから分離された第３の透過性領域３１ｘｃは、（サブ）ピクセル配列３００ｋにおける矢印３８３によって表されるような第３の分離距離だけ離間されてもよいが、これに限定されず、第３の分離距離は、いくつかの非限定的な例では、実質的に約６０．５６ミクロンであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ｋにおける破線３８４のいずれか１つによって表されるようなものを含むがそれに限定されない第１のサブピクセル３２１の中心とそれに隣接する第３のサブピクセル３２３との間の距離は、実質的に約５９．１１ミクロンであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ｋにおける矢印３８３によって表されるようなものを含むがこれに限定されない第３の分離距離は、（サブ）ピクセル配列３００ｋにおける矢印３８１によって表されるようなものを含むがこれに限定されない第１の分離距離を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘのアレイは、そのようなアレイにおける隣接する透過性領域３１ｘ間の距離が、少なくとも１つの構成軸３４０、３４５に沿って、（サブ）ピクセル配列３００ｋにおける矢印３８１によって表されるような第１の分離距離と、（サブ）ピクセル配列３００ｋにおける矢印３８３によって表されるような第３の分離距離との間で交互になるように配列されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、少なくとも１つの構成軸３４０、３４５に沿って不規則に離間されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、図３Ｋの例において各透過性領域３１ｘの面積は、実質的に約５９７．９平方ミクロンであってもよいが、これに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、図３Ｋの例において、透過性領域３１ｘは、破線３８４によって取り囲まれた面積の実質的に約３４．２％を占めてもよいが、これに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、交互配置で配設された透過性領域３１ｘｌ及び３１ｘｒの複数のサブセットを含むことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のサブセット３１ｘｌの透過性領域３１ｘと第２のサブセット３１ｘｒの透過性領域３１ｘとの間にいかなる差も存在しなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１のサブセット３１ｘｌの透過性領域３１ｘのサイズ、形状、及び配向のうちの少なくとも１つは、第２のサブセット３１ｘｒの透過性領域３１ｘのサイズ、形状、及び配向のうちの少なくとも１つと異なってもよく、透過性領域３１ｘ及び放射領域１４０１のうちの少なくとも１つの開口率を最大化することを含むが、これに限定されない。いくつかの非限定的な例では、図３Ｋに開示される視野において平面図で見たときに、第１のサブセット３１ｘｌの透過性領域３１ｘは左に向けられてもよく、第２のサブセット３１ｘｒの透過性領域３１ｘは右に向けられてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１のサブセット３１ｘｌ、３１ｘｒの透過性領域３１ｘは、第１のＦＭＭのそれぞれの開口に対応してもよく、第２のサブセット３１ｘｌ、３１ｘｒの透過性領域３１ｘは、第２のＦＭＭのそれぞれの開口に対応してもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、ＦＭＭの閾値構造完全性を維持することを含むがこれに限定されない所与のＦＭＭの開口の最大数及び／又は最小間隔を達成するために、複数のサブセット３１ｘｌ、３１ｘｒに分割されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性境界３１ｘは、四辺形以外の形状、又はその中のいくつかの非限定的な例に示されているような丸みを帯びた角を有する四辺形（（丸みを帯びた）四辺形）形状を有してもよく、（丸みを帯びた）多角形（（丸みを帯びた）三角形、円形、楕円形、及び星形を含むがこれらに限定されない）のうちの１つを含むがこれらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３のうちの少なくとも１つのそれぞれの放射領域１４０１のサブピクセル境界３５０、３６０、３７０は、本明細書のいくつかの非限定的な例に示すように、（丸みを帯びた）四角形以外の形状を有してもよく、（丸みを帯びた）多角形（（丸みを帯びた）三角形、円形、卵形、楕円形、及び星形を含むが、これらに限定されない）のうちの１つを含むが、これらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、透過性境界３１ｘ及び少なくとも１つのサブピクセル境界３５０、３６０、３７０の形状は、サブピクセル境界３５０、３６０、３７０の少なくとも一部が透過性境界３１ｘの対応する部分から実質的に一定の間隔であり、ＥＭ放射線の透過及び／又は放射のために使用されるディスプレイパネルの信号交換部２０３におけるパネル面積の割合の増加を容易にし、透過性領域３１ｘ及び／又は放射領域１４０１のそれぞれの開口率を増加させるという点で、相補的であってもよい。
次に図３Ｌを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｌがその側方面にわたって複製されている。（サブ）ピクセル配列３００ｌにおいて、長方形の透過性境界３１ｘは、円形の透過性境界３１１内で置き換えられていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第３のサブピクセル３２３の放射領域１４０１は、実質的に星形の信号交換第３のサブピクセル輪郭３７１を有することができ、これは、いくつかの非限定的な例では、円形、卵形、及び楕円形のうちの１つを含むがこれらに限定されない湾曲した外周の凹形部分（４分の１を含むがこれらに限定されない）を含むがこれらに限定されない複数（４つを含むがこれらに限定されない）の湾曲した頂点を接合することによって形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘについて多角形のサブピクセル輪郭を星形のサブピクセル輪郭に置き換えることは、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの開口率を増加させることを容易にすることができ、透過性領域３１ｘが円形、卵形、及び楕円形のうちの１つである透過性境界を有する場合を含むが、これに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、星形の信号交換第３のサブピクセル輪郭３７１の湾曲した外周の曲率半径は、透過性境界３１１と第３のサブピクセル境界３７１の湾曲した外周との間の実質的に一定の分離を維持するように、それに近接する透過性境界３１ｘを画定する円形、卵形、及び楕円形のうちの１つの曲率半径に実質的に等しくてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような分離は、少なくとも約８ミクロン、少なくとも約１０ミクロン、少なくとも約１１ミクロン、及び少なくとも約１２ミクロンのうちの１つであってもよい。
比較として、（サブ）ピクセル配列３００ｌにおける信号交換第１のサブピクセル輪郭３５０の少なくとも１つのインスタンスが、対応する表示第１のサブピクセル輪郭３５５の例の上に重ね合わされて示されている。いくつかの非限定的な例では、信号交換第１のサブピクセル輪郭３５０の横方向範囲は、表示第１のサブピクセル輪郭３５５の横方向範囲にも、少なくとも１つの透過性領域３１１の横方向範囲にも重ならなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、表示第１のサブピクセル輪郭３５５の横方向範囲は、少なくとも１つの透過性領域３１１の横方向範囲と重なり合ってもよい。
比較として、（サブ）ピクセル配列３００ｌにおける信号交換第２のサブピクセル輪郭３６０の少なくとも１つのインスタンスが、対応する表示第２のサブピクセル輪郭３６５の例の上に重ね合わされて示されている。いくつかの非限定的な例では、信号交換第２のサブピクセル輪郭３６０の横方向範囲は、表示第２のサブピクセル輪郭３６５の横方向範囲にも、少なくとも１つの透過性領域３１１の横方向範囲にも重ならなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、表示第２のサブピクセル輪郭３６５の横方向範囲は、少なくとも１つの透過性領域３１１の横方向範囲と重なり合わなくてもよい。
比較として、（サブ）ピクセル配列３００ｌにおける星形信号交換第３のサブピクセル輪郭３７１の少なくとも１つのインスタンスが、対応する表示第３のサブピクセル輪郭３７５の例の上に重ね合わされて示されている。いくつかの非限定的な例では、星形信号交換第３のサブピクセル輪郭３７１の頂点は、そのような表示第３のサブピクセル輪郭３７５の横方向範囲を超えて延在してもよい。いくつかの非限定的な例では、表示第３のサブピクセル輪郭３７５の横方向範囲は、少なくとも１つの透過性領域３１１の横方向範囲と重なり合ってもよい。しかしながら、その形状のために、いくつかの非限定的な例では、星形の信号交換第３のサブピクセル輪郭３７１の横方向範囲は、少なくとも１つの透過性領域３１１の横方向範囲と重なり合わなくてもよい。
次に図３Ｍを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｍがその側方面にわたって複製されている。（サブ）ピクセル配列３００ｍは、第１のサブピクセル３２１の放射領域１４０１が実質的に星形の信号交換第１のサブピクセル輪郭３５１を有することができるという点で、（サブ）ピクセル配列３００ｌとは異なり、これは、いくつかの非限定的な例では、円形、卵形、及び楕円形のうちの１つを含むがこれに限定されない湾曲した外周の凹形部分（４分の１を含むがこれに限定されない）を含むがこれに限定されない複数（４つを含むがこれに限定されない）の湾曲した頂点を接合することによって形成されてもよい。
これにより、いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル３２ｘの開口率を向上させることができる。図示されていないが、いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル３２ｘの開口率は、信号交換第２のサブピクセル輪郭３６０のうちの少なくとも１つを実質的に星形の第２のサブピクセル輪郭に置き換えることによって更に増加されてもよい。
比較として、（サブ）ピクセル配列３００ｍにおける星形の信号交換第１のサブピクセル輪郭３５１の少なくとも１つのインスタンスが、対応する表示第１のサブピクセル輪郭３５５の例の上に重ね合わされて示されている。いくつかの非限定的な例では、星形信号交換第１のサブピクセル輪郭３５１の頂点は、そのような表示第１のサブピクセル輪郭３５５の横方向範囲を超えて延在してもよい。いくつかの非限定的な例では、表示第１のサブピクセル輪郭３５５の横方向範囲は、少なくとも１つの透過性領域３１１の横方向範囲と重なり合ってもよい。しかしながら、その形状のために、いくつかの非限定的な例では、星形の信号交換第１のサブピクセル輪郭３５１の横方向範囲は、少なくとも１つの透過性領域３１１の横方向範囲と重なり合わなくてもよい。
次に図３Ｎを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｎがその側方面にわたって複製されている。（サブ）ピクセル配列３００ｎは、長方形透過性領域３１ｘが楕円形透過性領域３１２の複数のサブセット３１２ｌ、３１２ｒによって置き換えられているという点で、（サブ）ピクセル配列３００ｊと異なる。いくつかの非限定的な例では、図３Ｎに開示される視野において平面図で見たときに、第１のサブセット３１２ｌの透過性領域３１２は左に向けられてもよく、第２のサブセット３１２ｒの透過性領域３１２は右に向けられてもよい。
次に図３Ｏを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｏがその側方面にわたって複製されている。（サブ）ピクセル配列３００ｎは、第３のサブピクセル３２３の信号交換第３のサブピクセル輪郭３５０が、図３Ｌに示される第３のサブピクセル３２３の星形信号交換第３のサブピクセル輪郭３７１によって置き換えられている点で、（サブ）ピクセル配列３００ｎと異なる。
３つのサブピクセルを１：１：１の比で有するピクセル
次に図３Ｐを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｐがその側方面にわたって複製されている。（サブ）ピクセル配列３００ｐは、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３のそれぞれの信号交換サブピクセル輪郭３５０、３６０、３７０が、円形信号交換サブピクセル輪郭３５２、３６２、３７２によってそれぞれ置き換えられている点で、（サブ）ピクセル配列３００ｎと異なる。
追加的に、ピクセル２２１０のサブピクセル構成は、四角形の４サブピクセル（１：２：１の比のＲ－Ｇ－Ｂ）構成から三角形の３サブピクセル（１：１：１の比のＲ－Ｇ－Ｂ）デルタ構成に変更されており、破線の輪郭３３６によって示され、それぞれが楕円形の透過性領域３１２を取り囲んでいる。いくつかの非限定的な例では、第２のサブピクセル３２２の面積は、４サブピクセル構成における第２のサブピクセル３２２の数に対する、そのような３サブピクセル構成における第２のサブピクセル３２２の数の減少を補償するために増加され得る。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１２は、交互配置で配設された透過性領域３１２ａ、３１２ｂ、及び３１２ｃの複数のサブセットを含むことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のサブセット３１２ａの透過性領域３１２と、第２のサブセット３１２ｂの透過性領域３１２と、第３のサブセット３１２ｃの透過性領域３１２との間にいかなる差も存在しなくてもよい。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ｐは、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３の交互の列の第１の行と、約１．５個のサブピクセルの間隔だけ横方向にオフセットされた同様の交互の列の第２の行とを含み、透過性領域３１２（のサブセットの交互の列）の行がそれらの間に配置されていると理解され得ることを理解するであろう。
次に図３Ｑを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｑがその側方面にわたって複製されている。（サブ）ピクセル配列３００ｑは、楕円形透過性領域３１２（のサブセット）が、実質的に三角形透過性領域３１３の複数のサブセット３１３ｌ、３１３ｒによって置き換えられているという点で、（サブ）ピクセル配列３００ｐとは異なる。
いくつかの非限定的な例では、実質的に三角形の透過性領域３１３を必要とするいくつかのシナリオが存在する場合があり、これには、限定はしないが、ピクセル２２１０の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘが、（サブ）ピクセル配列３００ｑなどの三角形の３ピクセルデルタ構成に配置されて、（サブ）ピクセル配列３００ｐの実質的に楕円形の透過性領域３１２の開口率に対して、限定はしないが、透過性領域３１３の開口率を実質的に増加させる場合が含まれる。
いくつかの非限定的な例では、示されているように、三角形の頂点は、外周が実質的に六角形の構成を有するように切り取られ、３つの細長い線形セグメントが３つの切り取られた線形セグメントによって結合され、それらの間に延在する。図示されていないが、いくつかの非限定的な例では、三角形の頂点が存在し得る。図示されていないが、いくつかの非限定的な例では、３つの細長い線形セグメントは、３つの実質的に湾曲したセグメントによって結合されてもよく、それらの間に延在してもよい。
図示されていないが、いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３のそれぞれの実質的に円形の信号交換サブピクセル輪郭３５２、３６２、３７２を、それぞれ三角形の信号交換サブピクセル輪郭に置き換えることによって、透過性領域３１３の開口率を増加させることができる。
次に図３Ｒを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｒがその側方面にわたって複製されている。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ｒは、実質的に従来のＲＧＢ構成で位置決めされた第１の３（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘピクセル２２１０を含むが、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのうちの１つ（図では第３のサブピクセル３７１）は一方の側に横方向に移動され、第２の３（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘピクセル２２１０では、対応する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘがその反対側に横方向に移動され、その結果、移動された（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのインスタンス間に透過性領域３１０が挿入され得る。いくつかの非限定的な例では、各ピクセル２２１０を閉塞する実質的に四辺形の輪郭３３７が存在してもよい。いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１０は、輪郭３３７の境界と重なり得る。
次に図３Ｓを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｓがその側方面にわたって複製されている。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ｓは、サブピクセルグループ３２５と透過性領域３１ｘとの交互アレイを含む。いくつかの非限定的な例では、サブピクセルグループ３２５と透過性領域３１ｘとは、市松模様状に配設されている。いくつかの非限定的な例では、サブピクセルグループ３２５及び透過性領域３１ｘの少なくとも一方は、略長方形の構成を画定し得る。
いくつかの非限定的な例では、サブピクセルグループ３２５は、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３の各々を複数含むことができる。いくつかの非限定的な例では、サブピクセルグループ３２５は、第１のサブピクセル３２１及び第３のサブピクセル３２３の各々を２つと、第２のサブピクセル３２２の各々を４つとを含むことができ、その結果、サブピクセルグループ３２５は、２つの４サブピクセル（１：２：１の比のＲ－Ｇ－Ｂ）ピクセル２２１０と同等であるとみなすことができる。
いくつかの非限定的な例では、複数の第２のサブピクセル３２２の各々は、実質的に同一のサイズ及び構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、複数の第２のサブピクセル３２２の各々は、長軸及び短軸を有する実質的に長方形の構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、複数の第２のサブピクセル３２２は、サブピクセルグループ３２５のサブピクセルグループ軸３２６に沿って位置合わせされ得る。いくつかの非限定的な例では、サブピクセルグループ軸３２６は、サブピクセルグループ３２５を実質的に二等分することができる。いくつかの非限定的な例では、サブピクセルグループ軸３２６は、第２のサブピクセル３２２の短軸に実質的に平行であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、複数の第１のサブピクセル３２１の各々は、実質的に同一のサイズ及び構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１のうちの第１のサブピクセルは、複数の第２のサブピクセル３２２の一方の側に、サブピクセル軸３２６の方向にサブピクセル部ループ３２６の一方の端部に向かって、サブピクセル軸３２６に実質的に平行に配設されてもよく、第１のサブピクセル３２１のうちの第２のサブピクセルは、複数の第２のサブピクセル３２２の反対側に、サブピクセル軸３２６の方向にサブピクセルグループ３２６の反対側の端部に向かって配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１のうちの第２のサブピクセルの構成は、第１のサブピクセル３２１のうちの第１のサブピクセルの構成に対して１８０°回転されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、複数の第３のサブピクセル３２３の各々は、実質的に同一のサイズ及び構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第３のサブピクセル３２３のうちの第１のサブピクセルは、複数の第２のサブピクセル３２２の一方の側に、サブピクセル軸３２６の方向にサブピクセル部ループ３２６の一方の端部に向かって、サブピクセル軸３２６に実質的に平行に配設されてもよく、第３のサブピクセル３２１のうちの第２のサブピクセルは、複数の第２のサブピクセル３２２の反対側に、サブピクセル軸３２６の方向にサブピクセルグループ３２６の反対側の端部に向かって配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３のサブピクセル３２３のうちの第１のサブピクセルは、複数の第２のサブピクセル３２２の同じ側に配設されてもよく、第１のサブピクセル３２１のうちの第１のサブピクセルに対してサブピクセルグループ３２６の反対側の端部に向かって配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３のサブピクセル３２１のうちの第２のサブピクセルの構成は、第３のサブピクセル３２１のうちの第１のサブピクセルの構成に対して１８０°回転されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における放射領域１４０１の開口率、いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１の放射領域１４０１、第２のサブピクセル３２２の放射領域１４０１、及び第３のサブピクセル３２３の放射領域１４０１の全てを考慮した開口率は、少なくとも約２０％、少なくとも約１５％、少なくとも約１０％、及び少なくとも約８％のうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における透過性領域３１ｘの開口率は、少なくとも約５０％、少なくとも約４５％、少なくとも約４０％、少なくとも約３５％、少なくとも約３３％、少なくとも約３０％、及び少なくとも約２５％のうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における放射領域１４０１及び透過性領域３１ｘの開口率の合計は、約３０～６０％、約３５～６０％、約４０～６０％、約３５～５５％、約４０～５０％、約４５～５５％、及び約４５～５０％のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３において、放射領域１４０１の開口率は約５～１０％であってもよく、透過性領域３１ｘの開口率は約３０～５０％であってもよい。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３において、放射領域１４０１の開口率は約６～９％であってもよく、透過性領域３１ｘの開口率は約３５～４５％であってもよい。
＊＊透過性領域を収容するために表示部に対して信号交換部のピクセルを減少させる
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３のピクセル密度は、ディスプレイパネル２００の表示部２０７のピクセル密度よりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、構成、及びピッチのうちの少なくとも１つは、ディスプレイパネル２００の表示部２０７における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、構成、及びピッチと実質的に同一であってもよいが、そのような（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの数は、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３において減少されてもよい。このようなシナリオでは、共通のＦＭＭを信号交換部２０３及び表示部２０７の両方に使用することができ、それに伴って製造コスト及び複雑さが低減される。そのようなシナリオでは、信号交換部２０３に存在しない（省略された）（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応するＦＭＭにおける開口は、信号交換部２０３とともに使用されるときに、少なくとも１つの空隙がそこから生じ得るように、覆われ得るか又は遮断され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘは、信号交換部２０３から省略された（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する空隙内に形成されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル３２ｘの全ての放射領域１４０１の開口率は、約１２～２５％のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における透過性領域３１ｘの開口率は、そのような部分に存在する透過性領域３１ｘの全ての開口率の合計であってもよく、約１５～４０％、約２０～４０％、約１５～３５％、及び約２０～３５％のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル３２ｘの全ての放射領域１４０１の開口率は、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３を含むがそれらに限定されない、そのような部分内に存在する（サブ）ピクセル３２ｘの全ての開口率の合計であってもよく、約１２～２５％であってもよく、その中の透過性領域３１ｘの開口率は、約３０～４５％であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル３２ｘの全ての放射領域１４０１と透過性領域３１ｘの開口率の合計は、約６０％以下、約５５％以下、約５０５以下、約４５％以下、及び約４０％以下のうちの１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル３２ｘの全ての放射領域１４０１と透過性領域３１ｘと開口率の合計は、約３０～６０％、約３５～６０％、約４０～６０％、約３５～５５％、約４０～５０％、約４５～５５％、及び約４５～５０％のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘのサイズは、少なくとも約１０ミクロンであってもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘのサイズは、約１０～１５０ミクロン、約１０～１３０ミクロン、約１５～１００ミクロン、約２０～８０ミクロン、約２０～６５ミクロン、約２５～６０ミクロン、及び約３０～５０ミクロンのうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのサブピクセルセグメント３５１～３５４、３６１～３６４、３７１～３７４と、それに近接する対応する少なくとも１つの透過性境界セグメント３１１～３１４とは、最小距離だけ分離され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような最小距離は、いくつかの非限定的な例では、製造プロセスにおける制約に相関され得るが、約５ミクロン、約６ミクロン、約８ミクロン、約１０ミクロン、約１１ミクロン、及び約１２ミクロンのうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような最小距離は、約５～１５ミクロン、約６～１２ミクロン、及び約８～１０ミクロンのうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのピクセル２２１０全体が信号交換部２０３から省略されていてもよい。
次に図４Ａを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３の断片２０３ａ及び表示部２０７の断片２０７ａが平面図で示されている。説明のために、いくつかの例示的なピクセル２２１０が、表示部断片２０７ａにおいて破線の輪郭で示されている。図示される信号交換部断片２０３ａと表示部断片２０７ａとの間には、同じ信号交換部２０３（の断片）、少なくとも１つの異なる信号交換部２０３、同じ表示部２０７（の断片）、少なくとも１つの異なる表示部２０７、及び少なくとも１つの遷移領域５００のうちの少なくとも１つを含み得るディスプレイパネル２００の他の部分が存在し得ることが理解されるであろう。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、構成、及びピッチは、表示部２０７におけるものと同じである。しかしながら、信号交換部断片２０３ａを表示部断片２０７ａと比較すると、信号交換部２０３において、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘが配設され得る表示部２０７（透明度が増加して示されている）において、各々の第２のピクセル２２１０に対応する空隙が存在し得る。したがって、信号交換部２０３のピクセル密度は、表示部２０７のピクセル密度の約５０％であることが理解されよう。
サブピクセル３２ｘは、各断片２０３ａ、２０７ａにおいて、実質的に円形の形状、実質的に均一なサイズ及びピッチを有し、４サブピクセル（１：２：１の比のＲ－Ｇ－Ｂ）ピクセル２２１０ボックス構成において、単に例示の目的のために示されており、（サブ）ピクセル配列３００における（サブ）ピクセル構成（（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ及び／又は透過性領域３１ｘが省略の有無にかかわらず）のいずれかを含むがこれらに限定されない、本明細書で説明される例は、信号交換部２０３又は表示部２０７のいずれかにおける（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、構成、配向、及びピッチを何らかの形で限定するものとみなされるべきではない。
透過性領域３１ｘは、実質的に長方形の形状と、実質的に均一なサイズ及び配向とを有するように示されているが、これは単に例示のためであり、（サブ）ピクセル配列３００における（サブ）ピクセル構成（（サブ）ピクセル及び／又は透過性領域３１ｘの省略の有無にかかわらず）のいずれかを含むがこれらに限定されない本明細書で説明する例は、信号交換部２０３における透過性領域３１ｘのサイズ、形状、構成、及び配向のいずれかを何らかの形で限定するものとみなされるべきではない。
次に図４Ｂを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３の断片２０３ｂ及び表示部２０７の断片２０７ｂが平面図で示されている。信号交換部断片２０３ｂを表示部断片２０７ｂと比較すると、信号交換部２０３において、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘが配設され得る表示部２０７（透明度を増加して示されている）において、各々の第２のピクセル２２１０の４つのサブピクセル３２ｘのうちの３つに対応する空隙が存在し得る。したがって、信号交換部２０３のピクセル密度は、表示部２０７のピクセル密度の約６２．５％であることが理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、３つの省略されたサブピクセル３２ｘは、各第２のピクセル２２１０の４つのサブピクセル３２ｘのうちの３つの任意の組み合わせに対応することができ、図示されるように、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３のそれぞれ１つを含むが、これらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、省略された３つのサブピクセル３２ｘは、異なる連続する第２のピクセル２２１０であってもよい。非限定的な例として、次に図４Ｃを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３の断片２０３ｃ及び表示部２０７の断片２０７ｃが平面図で示されている。信号交換部断片２０３ｃは、第２のピクセル２２１０の各ブロックにおいて、省略された３つのサブピクセル３２ｘが第２のサブピクセル３２２のうちの異なるサブピクセルを含むという点で、信号交換部断片２０３ｂと異なる。
次に図４Ｄを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３の断片２０３ｄ及び表示部２０７の断片２０７ｄが平面図で示されている。信号生成部断片２０３ｄを表示部断片２０７ｄと比較すると、信号交換部２０３において、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘが配設され得る表示部２０７（透明度を増加して示されている）において、各々の第２のピクセル２２１０の４つのサブピクセル３２ｘのうちの２つに対応する空隙が存在し得る。したがって、信号交換部２０３のピクセル密度は、表示部２０７のピクセル密度の約７５％であることが理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、２つの省略されたサブピクセル３２ｘは、各第２のピクセル２２１０の４つのサブピクセル３２ｘのうちの２つの任意の組み合わせに対応することができ、図示されているように、第２のピクセル２２１０の各第２のブロックにおいて、２つのサブピクセル３２ｘは、第２のサブピクセル３２２のうちの異なる１つと、第１のサブピクセル３２１及び第３のサブピクセル３２３のうちの異なる１つとを含むが、これに限定されない。
＊＊信号交換部における（サブ）ピクセルのピッチを表示部のピッチの倍数以外に変更する
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３におけるピッチが、ディスプレイパネル２００の表示部２０７におけるピッチと実質的に等しいか、又はディスプレイパネル２００の表示部２０７におけるピッチの整数倍であることを必要とするシナリオが存在し得るが、これは、限定ではないが、製造を単純にすることを含み、限定ではないが、ディスプレイパネル２０３の信号交換部２００及び表示部２０３の両方に対してＦＭＭの使用を可能にすることを含み、いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのピッチを、ディスプレイパネル２００の表示部２０７におけるピッチの非整数倍である値に変更することによって、信号交換部の（サブ）ピクセル配列が、そこへの透過性領域３１ｘの導入に対応するように変更され得る。
ハイブリッドな手法
ディスプレイパネル２０７の信号交換部２０３における透過性領域３１ｘの導入に対応するための様々な手法の例が提供されており、限定するものではないが、以下を含む。
・ディスプレイパネルの信号交換部２０３において、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、及び構成の少なくとも１つを減少させる
・ディスプレイパネルの信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの数及び／又は密度を減少させる
・信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのピッチを、ディスプレイパネル２００の表示部２０７におけるピッチの非整数倍である値に変更する。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における透過性領域３１ｘの導入に対応するために、そのような手法のうちの複数又は全てをハイブリッド手法として組み合わせることができることを理解するであろう。
更に、本開示の趣旨又は範囲から逸脱することなく、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における透過性領域３１ｘの導入に対応するために、前述の手法のうちの１つ以上及び／又はそれらのハイブリッドな合わせの採用が、少なくとも１つの他の手法と組み合わされてもよいことが理解されよう。
＊＊信号交換部と表示部との間に遷移領域を導入して、それらの間の見かけ上の差を減少させる
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３及び表示部２０７における放射領域１４０１の開口率及びピクセル密度のうちの少なくとも１つの間の見かけ上又は視覚的に知覚される差を低減するための一手段は、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３及び表示部２０７のうちの少なくとも１つの周りに、及び／又はそれらの間に、少なくとも１つの遷移領域５００を確立することを含み得、各遷移領域は、放射領域１４０１の中間の開口率、サイズ、形状、配向、及び／又はピッチを有し、それらの間のそのような見かけ上又は視覚的に知覚される差を、ディスプレイパネル２００の増大した側方面にわたって分散させる。
いくつかの非限定的な例では、そのような遷移領域５００は、信号交換部２０３が表示部２０７のピクセル密度と実質的に等しいピクセル密度によって特徴付けられ、透過性領域３１ｘの導入に対応するために信号交換部における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、及び構成のうちの少なくとも１つの低減によって特徴付けられるか、信号交換部２０３が、透過性領域３１ｘの導入に対応するために信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの数及び／又は密度の低減によって特徴付けられるか、信号交換部２０３が、ディスプレイパネル２００の表示部２０７におけるピッチの非整数倍である値へのディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセルのピッチの変更によって特徴付けられるか、信号交換部２０３が、上記のいずれかの任意のハイブリッドな組み合わせによって特徴付けられるかにかかわらず、導入されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの遷移領域５００は、信号交換部２０３及び表示部２０７のうちの少なくとも１つを取り囲む外周又は境界に沿って配置されてもよいが、これに限定されない。
次に図５Ａを参照すると、信号交換部２０３の断片２０３ｅ、表示部２０７の断片２０７ｅ、及びそれらの間に横方向に延在する少なくとも１つの遷移領域５００の断片５００ａが平面図で示されている。説明のために、いくつかの例示的なピクセル２２１０が、表示部断片２０７ｅ及び遷移領域断片５００ａの両方において破線の輪郭で示されている。図示される表示部断片２０７ｅと遷移領域断片５００ａとの間には、同じ表示部２０７（の断片）、少なくとも１つの異なる表示部２０７（の断片）、同じ遷移領域５００（の断片）、及び少なくとも１つの異なる遷移領域５００のうちの少なくとも１つを含み得るディスプレイパネル２００の他の部分が存在し得ることが理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのピクセル密度は、遷移領域５００及び表示部２０７と同じである。しかしながら、信号交換部断片２０３ｅと、遷移領域断片５００ａ及び表示部断片２０７ｅの両方との比較から、いくつかの非限定的な例では、遷移領域５００における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、構成、及びピッチのうちの少なくとも１つは、表示部２０７におけるそのサイズ、形状、構成、及びピッチのうちの対応する少なくとも１つに対するサイズの縮小を含むがこれに限定されずに変更されてもよく、いくつかの非限定的な例では、信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、構成、及びピッチのうちの少なくとも１つは、遷移領域５００におけるそのサイズ、形状、構成、及びピッチのうちの対応する少なくとも１つに対するサイズの縮小を含むがこれに限定されずに、変更されてもよい。
したがって、信号交換部２０３と表示部２０７との間に少なくとも１つの遷移領域５００を介在させることにより、信号交換部２０３におけるピクセル密度と表示部２０７におけるピクセル密度との間の見かけ上の差又は視覚的に知覚される差を低減することが容易になり得る。
サブピクセル３２ｘは、各断片２０３ｅ、５００ａ、２０７ｅにおいて、実質的に四角形の形状で、第３のサブピクセル３２３（最大）から第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２（最小）までの範囲の異なるサイズを有し、４サブピクセル（１：２：１の比のＲ－Ｇ－Ｂ）ピクセル２２１０ボックス構成において、単に例示の目的のために示されており、（サブ）ピクセル配列３００における（サブ）ピクセル構成（（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ及び／又は透過性領域３１ｘが省略の有無にかかわらず）のいずれかを含むがこれらに限定されない、本明細書で説明される例は、信号交換部２０３、遷移領域５００、又は表示部２０７のいずれかにおける（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、構成、配向、ピクセル密度及びピッチを何らかの形で限定するものとみなされるべきではない。
透過性領域３１ｘは、実質的に円形の形状と、各断片において実質的に均一なサイズ及び配向とを有するように示されているが、これは単に例示のためであり、（サブ）ピクセル及び／又は透過性領域３１ｘの省略の有無にかかわらず、（サブ）ピクセル配列３００における（サブ）ピクセル構成のいずれかを含むがこれらに限定されない本明細書で説明する例は、信号交換部２０３、遷移領域５００、又は表示部２０７のいずれかにおける（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、構成、配向、ピクセル密度、及びピッチのいずれかを何らかの形で限定するものとみなされるべきではない。
次に図５Ｂを参照すると、信号交換部２０３の断片２０３ｆ、表示部２０７の断片２０７ｆ、及びそれらの間に横方向に延在する少なくとも１つの遷移領域５００の断片５００ｂが平面図で示されている。遷移領域断片５００ｂを表示部２０７ｆと比較すると、いくつかの非限定的な例では、遷移領域５００において、少なくとも１つの透過性領域３１ｘが配設され得る表示部２０７（透明度が増加して示されている）において、各々の第２のピクセル２２１０の４つのサブピクセル３２ｘのうちの３つに対応する空隙が存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、３つの省略されたサブピクセル３２ｘは、各第２のピクセル２２１０の４つのサブピクセル３２ｘのうちの３つの任意の組み合わせに対応することができ、図示されるように、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３のそれぞれ１つを含むが、これらに限定されない。
信号交換部２０３を遷移領域５００と比較すると、信号交換部２０３において、少なくとも１つの（サイズが増加した）透過性領域３１ｘが配設され得る遷移領域５００（透明度が増加して示されている）において、各々の第２のサブピクセル２２１０の残りのサブピクセル３２ｘに対応する空隙が存在し得る。
したがって、遷移領域５００におけるピクセル密度は、表示部２０７におけるピクセル密度の実質的に約６２．５％であってもよく、信号交換部２０３におけるピクセル密度は、表示部２０７におけるピクセル密度の実質的に約５０％であってもよいことが理解され得る。
本開示では、透過性領域３１ｘは、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における放射領域１４０１間に配置された別個の特徴として示されているが、いくつかの非限定的な例では、図示されていないが、少なくとも１つの透過性領域３１ｘが、複数の放射領域１４０１にわたって横方向に延在し、実質的にそれを取り囲むように、連続的に形成されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも各放射領域１４０１において、少なくとも１つの有機及び／又は半導体層１０３０（図１０）を取り囲む第１の電極１０２０（図１０）及び第２の電極１０４０（図１０）を含む複数の層が基板１０上に配設されてもよく、電極１０２０、１０４０は電源１００５（図１０）と電気的に結合されてもよい。通電されると、電極１０２０、１０４０のうちの一方（「アノード」）は電子を生成することができ、他方の電極１０２０、１０４０（「カソード」）は正孔を生成することができ、少なくとも１つの半導体層１０３０を通って互いに向かって移動する傾向があり、最終的に結合して、そこから光子の形態でＥＭ放射を放射する。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、そこを通る外部ＥＭ放射の透過を強化するために、少なくとも１つの層又は材料の存在を省略又は低減するように構成され得る。いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘにおける第２電極１０４０の平均層厚は、ディスプレイパネル２００の他の領域の平均層厚以下であってもよい。いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘにおける第２の電極１０４０の平均層厚は、放射領域１４０１におけるその平均層厚以下であってもよい。いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、第２の電極１０４０を形成するための材料（「第２の電極材料」）の閉鎖被膜１４０を実質的に欠いていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘを含むがこれに限定されない、第２の電極材料の閉鎖被膜１４０を実質的に欠いている領域（「カソードフリー領域」）は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの放射領域１４０１を含むがこれに限定されない他の領域とは異なる光電子特性を示し得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなカソードフリー領域は、それにもかかわらず、少なくとも１つの粒子構造８４１（図８Ｃ）又はそのような粒子構造８４１の少なくとも１つのインスタンスの不連続層８４０（図８Ｃ）の形態を含むがこれに限定されない、いくつかの第２の電極材料を含有し得る。
いくつかの非限定的な例では、これは、第２の電極材料のレーザアブレーションによって達成され得る。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、レーザアブレーションはデブリ雲を生成する場合があり、これは蒸着プロセスに影響を与える場合がある。
いくつかの非限定的な例では、これは、第２の電極１０４０をその上に形成するための堆積材料７３１を堆積させる前に、少なくとも１つの半導体層１０３０の露出した層表面１１上にパターンで、ＦＭＭを使用して、いくつかの非限定的な例では核形成阻害被膜（ＮＩＣ）であり得るパターニング被膜１１０を配設することによって達成され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、少なくとも１つの半導体層１０３０の露出した層表面１１の堆積材料７３１の堆積に対する初期付着確率以下である堆積材料３１１の堆積に対する初期付着確率を含むがこれに限定されない、その上に堆積される堆積材料７３１の蒸気フラックスの傾向に影響を与えるように適合され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０が、透過性領域３１ｘのうちの少なくともいくつかを含むがこれに限定されない予行方向面の第１の部分１０１に対応し得るパターンで堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、透過性領域３１ｘの異なるサブセット３４０ａ、３４０ｂにそれぞれ対応する、第１の部分１０１内の異なるパターンを画定する異なるＦＭＭを各々が使用する複数の段階で堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００は、パターニング被膜１１０の堆積（の全ての段階）に続いて、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスのうちの少なくとも１つにおいて、堆積材料７３１の蒸気フラックスに曝されて、側方面の第１の部分１０１ではなく、側方面の少なくとも第２の部分１０２において、（サブ）ピクセル３４ｘに対応する放射領域１４０１の各々のための第２の電極１０４０を形成してもよい。
パターン二ング
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１において、パターニング材料６１１（いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ材料であり得る）を含むパターニング被膜１１０は、第１の部分１０１においてのみ、デバイス１００の下層（基板１０を含むが、これに限定されない）の露出層表面１１上に閉じた被膜１４０として選択的に堆積され得る。しかしながら、第２の部分１０２では、下層の露出層表面１１は、パターニング材料６１１の閉じた被膜１４０を実質的に欠く場合がある。
パターニング被膜
パターニング被膜１１０は、パターニング材料６１１を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、パターニング材料６１１の閉鎖被膜１４０を含み得る。
パターニング被膜１１０は、そのような表面を蒸気フラックス露出する際にそこに堆積される堆積材料７３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率（いくつかの非限定的な例では、Ｗａｌｋｅｒらによって記載されたデュアルＱＣＭ技術で特定された条件下で）を有する露出層表面１１を提供することができ、この初期付着確率は、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０が堆積されたデバイス１００の下層の露出層表面１１上に堆積される堆積材料７３１の堆積に対する初期付着確率よりも実質的に低くすることができる。
堆積材料７３１の堆積に対する、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１の低い初期付着確率を含むがこれに限定されない属性のために、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として堆積されるとき、またデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積と同様の状況下で、パターニング被膜１１０を含む第１の部分１０１は、堆積材料７３１の閉じた被膜１４０を実質的に欠く場合がある。
しかしながら、堆積材料７３１の蒸気フラックスへのデバイス１００の曝露は、いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２における堆積材料７３１の堆積層１３０の閉鎖被膜１４０の形成をもたらし得、下地層の露出層表面１１は、パターニング被膜１１０を実質的に欠いている。
パターニング被膜及び／又はパターニング材料の属性
初期付着確率
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約０．３以下、約０．２以下、約０．１５以下、約０．１以下、約０．０８以下、約０．０５以下、約０．０３以下、約０．０２以下、約０．０１以下、約０．００８以下、約０．００５以下、約０．００３、約０．００１以下、約０．０００８以下、約０．０００５以下、約０．０００３以下、又は約０．０００１以下のうちの少なくとも１つである、堆積材料７３１の堆積に抗する初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１０００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約０．３以下、約０．２以下、約０．１５以下、約０．１以下、約０．０８以下、約０．０５以下、約０．０３以下、約０．０２以下、約０．０１以下、約０．００８以下、約０．００５以下、約０．００３以下、約０．００１以下、約０．０００８以下、約０．０００５以下、約０．０００３以下、又は約０．０００１以下のうちの少なくとも１つである、Ａｇ及び／又はＭｇの堆積に抗する初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約０．１５～０．０００１、約０．１～０．０００３、約０．０８～約０．０００５、約０．０８～０．０００８、約０．０５～０．００１、約０．０３～０．０００１、約０．０３～０．０００３、約０．０３～０．０００５、約０．０３～０．０００８、約０．０３～０．００１、約０．０３～０．００５、約０．０３～０．００８、約０．０３～０．０１、約０．０２～０．０００１、約０．０２～０．０００３、約０．０２～０．０００５、約０．０２～０．０００８、約０．０２～０．００１、約０．０２～０．００５、約０．０２～０．００８、約０．０２～０．０１、約０．０１～０．０００１、約０．０１～０．０００３、約０．０１～０．０００５、約０．０１～０．０００８、約０．０１～０．００１、約０．０１～０．００５、約０．０１～０．００８、約０．００８～０．０００１、約０．００８～０．０００３、約０．００８～０．０００５、約０．００８～０．０００８、約０．００８～０．００１、約０．００８～０．００５、約０．００５～０．０００１、約０．００５～０．０００３、約０．００５～０．０００５、約０．００５～０．０００８、及び約０．００５～０．００１のうちの少なくとも１つの堆積材料７３１の堆積に抗する初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、閾値以下である、複数の堆積材料７３１の堆積に抗する初期付着確率を有し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる閾値は、約０．３、約０．２、約０．１８、約０．１５、約０．１３、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、約０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、及び約０．００１のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として堆積されるとき、またデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積と同様の状況下で、Ａｇ、Ｍｇ、イッテルビウム（Ｙｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、及び亜鉛（Ｚｎ）のうちの少なくとも１つから選択される複数の堆積材料７３１の堆積に対して、そのような閾値未満である初期付着確率を有し得る。いくつかの更なる非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂのうちの少なくとも１つから選択される複数の堆積材料７３１の堆積に抗する、かかる閾値以下の初期付着確率を呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、第１の閾値以下の第１の堆積材料７３１の堆積に抗する初期付着確率と、第２の閾値以下の第２の堆積材料７３１の堆積に抗する初期付着確率とを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積材料７３１はＡｇであり得、第２の堆積材料７３１はＭｇであり得る。いくつかの他の非限定的な例では、第１の堆積材料７３１はＡｇであり得、第２の堆積材料７３１はＹｂであり得る。いくつかの他の非限定的な例では、第１の堆積材料７３１はＹｂであり得、第２の堆積材料７３１はＭｇであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の閾値は第２の閾値より大きくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０が堆積材料７３１の蒸気フラックスに供されると、少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０の形成を引き起こすためのパターニング被膜１１０を提供することを必要とするシナリオが存在し得る。少なくともいくつかの用途では、パターニング被膜１１０は、堆積材料の閉鎖被膜１４０がパターニング被膜１１０を実質的に欠いていてもよい第２の部分１０２に形成され得る一方で、少なくとも１つの特質を有する少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０がパターニング被膜１１０上の第１の部分１０１に形成され得るように、十分に低い初期付着確率を呈し得る。いくつかの非限定的な例では、例えば、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つの厚さを有する堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０を堆積させながら、第２の部分１０２において、いくつかの非限定的な例では、金属又は金属合金であり得る堆積材料７３１の少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０の形成を必要とするシナリオが存在し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内の少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０として堆積された堆積材料７３１の相対量は、第２の部分１０２内の閉鎖被膜１４０として堆積された堆積材料７３１の量の約１～５０％、約２～２５％、約５～２０％、及び約７～１０％のうちの少なくとも１つに対応し得、非限定的な例として、約１００ｎｍ以下、約７５ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの１つの厚さに対応し得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、薄膜として堆積されたときに比較的高い表面エネルギーを明示する材料を含有するパターニング被膜１１０は、いくつかの非限定的な例では、限定することなく含まれるが、閉鎖被膜の厚さが、非限定的な例として、約１００ｎｍ、約７５ｎｍ、約５０ｎｍ、約２５ｎｍ、又は約１５ｎｍのうちの少なくとも１つ以下である場合、第１の部分１０１における堆積材料７３１の少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０と、第２の部分２０２における堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０と、を形成し得ることが分かった。
透過率
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターン二ング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として堆積されたとき、またデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積と同様の状況下で、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料７３１の蒸気フラックスに曝された後に、少なくとも閾値透過率値のＥＭ放射線に対する透過率を有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、そのような透過率は、薄膜として形成されたパターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１の露出層表面１１を、いくつかの非限定的な例では有機発光ダイオード（organic light-emitting diode、ＯＬＥＤ）デバイスのカソードであり得る光電子デバイスの電極を堆積させるために使用され得る典型的な条件下で、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料７３１の蒸気フラックスに露出した後に測定され得る。
いくつかの非限定的な例では、露出層表面１１を、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料７３１の蒸気フラックスに供するための条件は、（ｉ）約１０－４Ｔｏｒｒ及び約１０－５Ｔｏｒｒのうちの１つの真空圧、（ｉｉ）Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料７３１の蒸気フラックスは、いくつかの非限定的な例では、ＱＣＭを使用して監視及び／又は測定され得る、約１オングストローム（Å）／秒の基準堆積速度と実質的に一致し、（ｉｉｉ）堆積材料７３１の蒸気フラックスは、露出層表面１１の平面への直交に実質的に近い角度で、露出層表面１１に向かい、（ｉｖ）約１５ｎｍの基準平均層厚に達するまで、露出層表面１１は、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料７３１の蒸気フラックスを受け、そのような基準平均層厚に達すると、露出層表面１１は、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料の蒸気フラックスを更に受けない。
いくつかの非限定的な例では、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料７３１の蒸気フラックスに供される露出層表面１１は、実質的に室温（例えば、約２５℃）であり得る。いくつかの非限定的な例では、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料７３１の蒸気フラックスを受ける露出層表面１１は、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料７３１を蒸発させる蒸発源から約６５ｃｍ離れて配置されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、可視スペクトルの波長で測定され得る。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、約４６０ｎｍの波長で測定され得る。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルの波長で測定され得る。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、約７００ｎｍ、約９００ｎｍ、及び約１０００ｎｍのうちの１つの波長で測定され得る。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、試料を透過し得る入射ＥＭパワーの割合として表すことができる。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、少なくとも約６０％、少なくとも約６５％、少なくとも約７０％、少なくとも約７５％、少なくとも約８０％、少なくとも約８５％、及び少なくとも約９０％のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１の初期付着確率の間には、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、堆積材料７３１の堆積及びその上の堆積材料７３１の平均層厚に対して正の相関があり得る。
当業者であれば、高い透過率は、概して、いくつかの非限定的な例では、Ａｇであり得る堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０が存在しないことを指し示し得ることを理解するであろう。一方、金属薄膜は、特に閉鎖被膜１４０として形成された場合、ＥＭ放射線の高い吸収度合を呈し得るので、低い透過率は、概して、限定はしないが、Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂのうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されない堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０の存在を指し示し得る。
Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂを含むがこれらに限定されない堆積材料７３１に対して低い初期付着確率を呈する露出層表面１１が高い透過率を呈し得ることが更に仮定され得る。一方、Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂを含むがこれらに限定されない堆積材料７３１に対して高い付着確率を呈する露出層表面１１は、低い透過率を呈し得る。
例示的な材料の透過率を測定する共もに、Ａｇの閉鎖被膜１４０がかかる例の材料の露出層表面１１上に形成されたか否かを視覚的に観察するために、一連の試料を作製した。各試料は、ガラス基板１０上に、例示的な材料の約５０ｎｍ厚の被膜を堆積させ、次いで、被膜の露出層表面１１を、約１５ｎｍの基準層厚に達するまで、約１Å／秒の速度でＡｇの蒸気フラックス７３２に供することによって作製した。次いで、各試料を視覚的に分析し、各試料を通る透過率を測定した。
本明細書の試料に使用される例示的な材料の分子構造を以下の表１に述べる。
Figure 2024516165000002
Figure 2024516165000003
Figure 2024516165000004
Ａｇの実質的な閉鎖被膜１４０が形成された試料を視覚的に識別し、これらの試料中のかかる被膜の存在を、それらを通る透過率の測定によって更に確認したところ、約４６０ｎｍの波長で約５０％以下の透過率を示した。
Ａｇの閉鎖被膜１４０が形成されなかった試料も識別され、これらの試料におけるかかる被膜の不在が、それらを通る透過率の測定によって更に確認され、約４６０ｎｍの波長で約７０％より大きい透過率を示した。
結果を以下の表２にまとめる。
Figure 2024516165000005
上記に基づいて、表１及び表２の第１の７つの試料（ＨＴ２１１～例示的な材料２）に使用される材料は、Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料を含むがこれらに限定されない、その上の堆積材料７３１の堆積を抑制するのにあまり好適ではない場合があることが分かった。
一方、例示的な材料３～例示的な材料９は、少なくともいくつかの非限定的な用途において、Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料を含むがこれらに限定されない堆積材料７３１の堆積を抑制するためのパターニング被膜１１０として機能するのに好適であり得ることが分かった。
堆積コントラスト
いくつかの非限定的な例では、限定ではないが、Ｍｇ、Ａｇ、及びＭｇＡｇのうちの少なくとも１つを含む、金属及び合金（金属／合金）のうちの所与の少なくとも１つに対してＮＩＣとして機能し得る、限定ではないが、パターニング材料６１１を含む材料は、基板１０上に堆積されると、実質的に高い堆積コントラストを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、基板１０が核形成促進被膜（ＮＰＣ）９２０として機能する傾向があり、その一部分が、Ｍｇ、Ａｇ及びＭｇＡｇのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない所与の金属／合金の堆積に対してＮＩＣとして機能する傾向があり得るパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料で被覆される場合、被覆された部分（第１の部分１０１）及び被覆されていない部分（第２の部分１０２）は、その上に堆積された金属／合金が異なる平均膜厚を有する傾向があり得るように、異なる初期付着確率及び／又は核形成速度を有する傾向があり得る。
本明細書で使用される場合、堆積コントラストは、概して、基板１０の第１の部分１０１と第２の部分１０２との間の平均膜厚の比を指し得る。したがって、堆積コントラストが実質的に高い場合、第２の部分１０２における金属／合金の平均膜厚は、第１の部分１０１における金属／合金の平均膜厚よりも実質的に大きくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積コントラストが実質的に高い場合、第２の部分１０２において金属／合金の閉鎖被膜１４０を形成するための十分な金属／合金の堆積があるとき、第１の部分１０１において堆積される堆積材料は、ほとんどないか全くない可能性がある。
いくつかの非限定的な例では、堆積コントラストが実質的に低い場合、第２の部分１０２において閉鎖被膜１４０を形成するための十分な金属／合金の堆積があるとき、第１の部分１０１に堆積された金属／合金の少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０があり得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ、Ａｇ，及びＭｇＡｇのうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されない所与の金属／合金の堆積に対して実質的に高い堆積コントラストを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、低減された堆積コントラストを必要とするいくつかのシナリオでは、第１の部分１０１における金属／合金の平均層厚が実質的に小さく、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの１つを含むがこれらに限定されないいくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２における少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０の堆積を必要とするいくつかのシナリオを含むがこれらに限定されないシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１における金属／合金の閉鎖被膜１４０の平均層厚が実質的に小さく、ナノ粒子（ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅ、ＮＰ）によるＥＭ放射線の吸収が、約４６０ｎｍ以下の波長を有するＥＭ放射線から下地層を保護することを含むがこれに限定されないために必要とされる、第２の部分１０２におけるそのようなＮＰの形成を含むがこれに限定されない、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの１つを含むがこれに限定されない場合に、第２の部分１０２において、金属／合金の少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０の形成を必要とするシナリオが存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、そのようなシナリオでは、約２～１００、約４～５０、約５～２０、及び約１０～１５のうちの１つの堆積コントラストに対する適用性があり得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ、Ａｇ、及びＭｇＡｇのうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されない所与の金属／合金の堆積に対して実質的に低い堆積コントラストを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、第１の部分１０１における金属／合金の平均層厚が大きく、少なくとも約９５ｎｍ、少なくとも約４５ｎｍ、少なくとも約２０ｎｍ、少なくとも約１０ｎｍ、及び少なくとも約８ｎｍのうちの１つを含むがこれらに限定されない場合、実質的に高い堆積コントラストを必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ、Ａｇ、及びＭｇＡｇのうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されない所与の金属／合金の堆積に対して実質的に低い堆積コントラストを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、第１の部分１０１における金属／合金の平均層厚が大きく、少なくとも約９５ｎｍ、少なくとも約４５ｎｍ、少なくとも約２０ｎｍ、少なくとも約１０ｎｍ、及び少なくとも約８ｎｍのうちの１つを含むがこれらに限定されない場合、第１の部分１０１における粒子構造８４１の連続被膜１４０の実質的な不在、又は高密度を必要とするシナリオを含むがこれに限定されない実質的に高い堆積コントラストを必要とするいくつかのシナリオでは、少なくとも約４６０ｎｍである波長を有するＥＭ放射線に対する増加した透明性を必要とするシナリオを含むがこれに限定されない、可視スペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおけるＥＭ放射線の吸収の実質的な不在を必要とするいくつかのシナリオを含むがこれらに限定されないシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ、Ａｇ、及びＭｇＡｇのうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されない所与の金属／合金の堆積に対するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、第２の部分１０２における金属／合金の閉鎖被膜１４０の平均層厚が実質的に高く、少なくとも約９５ｎｍ、少なくとも約４５ｎｍ、少なくとも約２０ｎｍ、少なくとも約１０ｎｍ、及び少なくとも約８ｎｍのうちの１つを含むがこれらに限定されない場合、第１の部分１０１における金属／合金の粒子構造８４１の不連続層８４０又は低密度を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。非限定的な例として、約２～１００、約４～５０、約５～２０、及び約１０～１５のうちの１つの堆積コントラストは、第２の部分１０２内の金属／合金の平均層厚が実質的に高く、少なくとも約９５ｎｍ、少なくとも約４５ｎｍ、少なくとも約２０ｎｍ、少なくとも約１０ｎｍ、及び少なくとも約８ｎｍのうちの１つを含むがこれらに限定されない場合のいくつかのシナリオでは適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、Ｍｇ、Ａｇ及びＭｇＡｇのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金の堆積に対するそのような材料の初期付着確率が実質的に高い場合、実質的に低い堆積コントラストを有する傾向があり得る。
表面エネルギー
特性表面エネルギーは、特に材料に関して本明細書で使用される場合、概して、かかる材料から決定される表面エネルギーを指し得る。いくつかの非限定的な例では、特徴的な表面エネルギーは、薄膜形態で堆積及び／又は被覆された材料によって形成された表面から測定され得る。固体の表面エネルギーを決定するための様々な方法及び理論が知られている。いくつかの非限定的な例では、表面エネルギーは、液体－蒸気界面と表面との間の接触角を測定するために、様々な液体が固体の表面と接触し得るようになる接触角の一連の測定に基づいて計算及び／又は導出され得る。いくつかの非限定的な例では、固体表面の表面エネルギーは、表面を完全に濡らす最も高い表面張力を有する液体の表面張力に等しくてもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｚｉｓｍａｎプロットが、表面との完全な湿潤（すなわち、０°の接触角）をもたらす最高表面張力値を決定するために使用され得る。
いくつかの非限定的な例では、表面の臨界表面張力は、Ｗ．Ａ．Ｚｉｓｍａｎ，Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ４３（１９６４），ｐｐ．１－５１に更に詳述されているように、Ｚｉｓｍａｎ法に従って決定し得る。
非限定的な例として、様々な材料によって形成された表面の臨界表面張力を測定するために、一連の試料を作製した。測定結果を以下の表３にまとめる。
Figure 2024516165000006
表３における臨界表面張力の上述の測定及びＡｇの実質的な閉鎖被膜１４０の存在又は非存在に関する以前の観察に基づいて、被膜として堆積されたときに低表面エネルギー表面を形成する材料は、非限定的な例として、約１３～２０ダイン／ｃｍ、又は約１３～１９ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの臨界表面張力を有する材料であり得、パターニング被膜１１０を形成するために、その上への、Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料を含むがこれらに限定されない堆積材料７３１の堆積を阻害するために好適であり得ることが見出された。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、非限定的な例として、約１３ダイン／ｃｍよりも低い表面エネルギーを有する表面を形成する材料は、そのような材料がそのような材料を取り囲む層に対して比較的弱い接着性を示し、低い融点を示し、かつ／又は低い昇華温度を示す可能性があるので、ある特定の用途においてパターニング材料６１１としてあまり好適ではない可能性があると仮定し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０を含むがこれに限定されない被膜におけるパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料における表面エネルギーは、基板１０上に整った被膜として材料を堆積させ、その接触角を好適な一連のプローブ液体で測定することによって決定され得る。
いくつかの非限定的な例では、限定はしないが、Ｍｇ、Ａｇ、及びＭｇＡｇのうちの少なくとも１つを含む所与の金属／合金のためのＮＩＣとして機能する傾向があり得るパターニング材料６１１は、露出層表面１１上に被覆されたときに実質的に低い表面エネルギーを示す傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、露出層表面１１上に薄膜又は被覆として堆積されると、実質的に低い表面エネルギーを示す傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に低い分子間力を示す傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、材料が実質的に高い表面エネルギーを有する場合、金属／合金の堆積に対して実質的に高い初期付着確率を有する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、過度に低くない実質的に低い表面エネルギーを有するパターニング材料６１１を必要とするシナリオが存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に高い表面エネルギーを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、光学技術を使用してそのような材料の膜を検出するためのいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、実質的に高い表面エネルギーを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料が、実質的に高い温度信頼性を必要とするいくつかのシナリオに対して適用性を有し得ることが仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、過度に低くない実質的に低い表面張力を有するパターニング材料６１１は、実質的に高い融点を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギー及び実質的に高い融点を有するパターニング被膜１１０は、高い温度信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。いくつかの非限定的な例では、低い表面エネルギーを有する単体の材料が低い融点を呈する傾向があり得ることを考慮すると、いくつかの非限定的な例では、そのような組み合わせを単一の材料から達成する際に課題が存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、少なくとも約３６５ｎｍ、及び少なくとも約４６０ｎｍのうちの１つである波長範囲において、弱いフォトルミネセンス又は吸収を必要とするか、又は実質的にフォトルミネセンス又は吸収を必要としないいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に高い表面エネルギーを有する、Ｍｇ、Ａｇ、及びＭｇＡｇのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金ためのＮＩＣとして機能し得るパターニング材料６１１を含むがこれらに限定されない材料は、第２の部分１０２における金属／合金の連続被膜１４０の平均層厚が実質的に低く、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの１つを含むがこれらに限定されない場合、第１の部分１０１における金属／合金の粒子構造８４１の不連続層８４０又は低密度を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有する、Ｍｇ、Ａｇ、及びＭｇＡｇのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金ためのＮＩＣとして機能し得るパターニング材料６１１を含むがこれらに限定されない材料は、第２の部分１０２における金属／合金の連続被膜１４０の平均層厚が実質的に高く、少なくとも約９５ｎｍ、少なくとも約４５ｎｍ、少なくとも約２０ｎｍ、少なくとも約１０ｎｍ、及び少なくとも約８ｎｍのうちの１つを含むがこれらに限定されない場合、第１の部分１０１における金属／合金の粒子構造８４１の不連続層８４０又は低密度を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、本明細書で説明される化合物を含有するＮＩＣ及び／又はパターニング被膜の表面は、約２４ダイン／ｃｍ、約２２ダイン／ｃｍ、約２０ダイン／ｃｍ、約１９ダイン／ｃｍ、約１８ダイン／ｃｍ、約１６ダイン／ｃｍ、約１５ダイン／ｃｍ、約１３ダイン／ｃｍ、約１２ダイン／ｃｍ、及び約１１ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つ以下の表面エネルギーを示し得る。いくつかの非限定的な例では、本明細書における様々な非限定的な例における表面値は、常温常圧（normal temperature and pressure、ＮＴＰ）付近で測定されたそのような値に対応し得、これは、２０℃の温度及び１ａｔｍの絶対圧力に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、表面エネルギーは、少なくとも約６ダイン／ｃｍ、少なくとも約７ダイン／ｃｍ、及び少なくとも約８ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、表面エネルギーは、約１０～２２ダイン／ｃｍ、約１１～２１ダイン／ｃｍ、約１３～２０ダイン／ｃｍ、及び約１３～１９ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、約１３ダイン／ｃｍ以下の表面エネルギーを有する表面を形成する材料は、そのような材料がそのような材料を取り囲む層に対して実質的に弱い接着性を示し、実質的に低い融点を示し、かつ／又は実質的に低い昇華温度を示す可能性があるので、いくつかのシナリオにおいてパターニング材料６１１としての低適用性となる可能性があると仮定してもよい。
ここで、幾分驚くべきことに、比較的低い表面エネルギーを示す化合物によって形成されたパターニング被膜１１０が比較的低い屈折率ｎも示し得ることも見出された。
温度
ガラス転移温度
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、（ｉ）少なくとも約３００℃以上、少なくとも約１５０℃以上、少なくとも約１３０℃以上のうちの１つ、及び（ｉｉ）約３０℃以下、約０℃以下、約－３０℃以下、又は約－５０℃以下のうちの１つ、のうちの１つであるガラス転移温度を有し得る。
昇華温度
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い分子間力を有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に低い昇華温度を呈する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い昇華温度を有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、材料の堆積膜の平均層厚の実質的に正確な制御を必要とし得る製造プロセスに対する適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、約１４０℃以下、約１２０℃以下、約１１０℃以下、約１００℃以下、及び約９０℃以下のうちの１つである昇華温度を有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、真空熱蒸着を含むがこれに限定されない既知の蒸着法を使用して堆積され得るそのような材料を含む膜の堆積速度及び平均層厚のうちの少なくとも１つへの制約に遭遇する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、そのような材料を含む膜の平均層厚の制御において実質的に高い精度を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低いが過度に低くない表面張力を有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に高い昇華温度を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギー及び実質的に高い昇華温度を有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料から構成されたパターニング被膜１１０を含むがこれに限定されない被膜は、そのような材料を含む膜の平均層厚の制御において実質的に高い精度を必要とするいくつかのシナリオでは、用途を有し得る。
一部の非限定的な例では、パターニング材料は、約１００～３２０℃、約１２０～３００℃、約１４０～２８０℃、及び約１５０～２５０℃のうちの少なくとも１つの昇華温度を有することができる。いくつかの非限定的な例では、そのような昇華温度は、パターニング材料６１１がＰＶＤを使用して被膜として実質的に容易に堆積されることを可能にし得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い分子間力を有する材料は、実質的に低い昇華温度を明示し得る。いくつかの非限定的な例では、低い昇華温度を有する材料は、材料の堆積膜の層厚に対する実質的に高い度合の制御を必要とする製造プロセスに対する適用性を低下させた場合がある。いくつかの非限定的な例では、約１４０℃以下、約１２０℃以下、約１１０℃以下、約１００℃以下、及び約９０℃以下のうちの１つの昇華温度を有する材料については、真空熱蒸着を含むがこれに限定されない蒸着法を使用して堆積される膜の堆積速度及び層厚を制御する際に制約が課され得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に高い昇華温度を有する材料は、膜厚に対する実質的に高い度合の制御を必要とするいくつかのシナリオにおいて用途を有し得る。
パターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料の昇華温度は、関連分野の当業者に明らかな様々な方法を使用して決定され得、これらの方法としては、るつぼ中で実質的に高真空下で材料を加熱すること、並びに、
・るつぼから一定の距離に取り付けられたＱＣＭ上の露出層表面１１上への材料の堆積の始まりを観察すること、
・るつぼから一定の距離に取り付けられたＱＣＭ上の露出層表面１１上への特定の堆積速度、いくつかの非限定的な例では、０．１Å／秒、を観察すること、及び／又は
・いくつかの非限定的な例では、約１０－４又は１０－５Ｔｏｒｒの材料の閾値蒸気圧に達すること、を行うために達成され得る温度を決定することを含むが、これらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料の昇華温度は、実質的に高真空環境（非限定的な例として、約１０－４Ｔｏｒｒ）下で蒸発源中の材料を加熱することによって、かつ材料を蒸発させるために達し得る温度を決定することによって決定され得るため、いくつかの非限定的な例では、供給源から固定された距離に取り付けられたＱＣＭ上の表面上に、露出層表面１１上に約０．１Å／秒の堆積速度で、材料の堆積を引き起こすのに十分な蒸気フラックスが生成される。
いくつかの非限定的な例では、ＱＣＭは、昇華温度を決定する目的で、るつぼから約６５ｃｍ離して取り付けることができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、約１００～３２０℃、約１００～３００℃、約１２０～３００℃、約１００～２５０℃、約１４０～２８０℃、約１２０～２３０℃、約１３０～２２０℃、約１４０～２１０℃、約１４０～２００℃、約１５０～２５０℃、及び約１４０～１９０℃のうちの１つの昇華温度を有し得る。
融点
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い分子間力を有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に低い融点を呈する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い融点を有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、いくつかの非限定的な例では、融点に近づく動作温度におけるそのような材料の物理的特性の変化に起因して、約６０℃以下、約８０℃以下、及び約１００℃以下のうちの１つの温度に対する十分な温度信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、約１２０℃の融点を有する材料は、少なくとも約１００℃を含むがこれに限定されない実質的に高い温度信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、実質的に高い融点を有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に高い温度信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はその化合物は、少なくとも約９０℃、少なくとも約１００℃、少なくとも約１１０℃、少なくとも約１２０℃、少なくとも約１４０℃、少なくとも約１５０℃、及び少なくとも約１８０℃のうちの１つである溶融温度を有し得る。
凝集エネルギー
ヤングの式によれば、材料の凝集エネルギー（又は、破壊靭性若しくは凝集強度）は、その表面エネルギーに比例する傾向があり得る（Ｙｏｕｎｇ，Ｔｈｏｍａｓ（１８０５）「Ａｎ ｅｓｓａｙ ｏｎ ｔｈｅ ｃｏｈｅｓｉｏｎ ｏｆ ｆｌｕｉｄｓ」Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｒｏｙａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｌｏｎｄｏｎ，９５：６５－８７を参照）。
リンデマンの基準によれば、材料の凝集エネルギーは、その溶融温度に比例する傾向があり得る［Ｎａｎｄａ，Ｋ．Ｋ．，Ｓａｈｕ，Ｓ．Ｎ，ａｎｄ Ｂｅｈｅｒａ，Ｓ．Ｎ （２００２）「Ｌｉｑｕｉｄ－ｄｒｏｐ ｍｏｄｅｌ ｆｏｒ ｔｈｅ ｓｉｚｅ－ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ｍｅｌｔｉｎｇ ｏｆ ｌｏｗ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｓｙｓｔｅｍｓ」Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ａ．６６（１）：０１３２０８］を参照）。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い分子間力を有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に低い凝集エネルギーを呈する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い凝集エネルギーを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、製造及び使用のうちの少なくとも１つの間に、せん断応力及び曲げ応力のうちの少なくとも１つを受ける傾向があり得るデバイスを含むがこれに限定されないものにおいて、十分な破壊靱性を必要とするいくつかのシナリオでは適用性を低下させた場合があり、したがって、そのようなシナリオでは、材料が亀裂又は破壊する傾向があり得る。いくつかの非限定的な例では、約３０ダイン／ｃｍ以下の凝集エネルギーを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、可撓性基板１０上に製造されたデバイスにおけるいくつかのシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、実質的に高い凝集エネルギーを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、可撓性基板１０上に製造されたデバイスを含むがこれに限定されない、せん断応力及び曲げ応力のうちの少なくとも１つの下で実質的に高い信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低いが過度に低くない表面エネルギーを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、可撓性基板１０上に製造されたデバイスを含むがこれに限定されない、せん断応力及び曲げ応力のうちの少なくとも１つの下で十分な信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用可能性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギー及び実質的に高い凝集エネルギーを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、せん断応力及び曲げ応力のうちの少なくとも１つの下で実質的に高い信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有する単一の材料が実質的に低い凝集エネルギーを示す傾向があり得ることを考慮すると、いくつかの非限定的な例では、そのような組み合わせを単一の材料から達成する際に課題が存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギー、実質的に高い凝集エネルギー、及び実質的に高い融点を有するパターニング被膜１１０を含むがこれらに限定されない被膜は、様々な条件下で実質的に高い信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有する単体の材料が、実質的に低い凝集エネルギー、及び実質的に低い融点を呈する傾向があり得ることを考慮すると、いくつかの非限定的な例では、そのような組み合わせを単一の材料から達成する際に課題が存在し得る。
光学間隙又はバンド間隙
本開示では、半導体材料は、概してバンド間隙を示す材料として説明され得る。いくつかの非限定的な例では、バンド間隙は、半導体材料の最高被占分子軌道（highest occupied molecular orbital、ＨＯＭＯ）と最低空分子軌道（lowest unoccupied molecular orbital、ＬＵＭＯ）との間に形成され得る。したがって、半導体材料は、導電性材料（金属を非限定的に含む）の実質的に導電率以下であるが、絶縁材料（ガラスを非限定的に含む）と実質的に少なくとも同程度に大きい導電率を示す傾向があり得る。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は、有機半導体材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は、無機半導体材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に大きい又は広い光学間隙を呈する傾向があり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料の光学間隙は、材料のＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙に対応する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に大きい又は広い光学間隙（及び／又は、ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙）を有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、可視スペクトルの深いＢ（青）領域、近ＵＶスペクトル、可視スペクトル、及び／又はＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおいて、実質的に弱いフォトルミネセンスを呈するか、又は実質的にフォトルミネセンスを呈しない傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも約３６５ｎｍ、及び少なくとも約４６０ｎｍのうちの１つの波長範囲において実質的に弱いフォトルミネセンス又は吸収を有するか、又は実質的に有しないパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料から構成されたパターニング被膜１１０を含むがこれに限定されない被膜は、フォトルミネセンス被膜又は吸収被膜のいずれとしても機能しない傾向があり得、可視スペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおいて実質的に高い透明性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる材料は、蛍光顕微鏡で使用される放射線源の一般的な波長である約３６５ｎｍの波長を有するＥＭ放射線に供されると、実質的に低いフォトルミネセンスを示す傾向があり得る。パターニング材料６１１を含むがこれに限定されないそのような材料の存在は、特に、いくつかの非限定的な例では、薄膜として堆積された場合、蛍光顕微鏡法を含むがこれに限定されない典型的な光学検出技術を必要とするいくつかのシナリオにおいて適用性を低下させ得る。これは、材料の堆積に続いて、かかる材料が存在する部分を決定するいくつかのシナリオがあり得るため、基板１０の部分の上に、例えばＦＭＭを通して、材料が選択的に堆積されるいくつかのシナリオにおいて制約を課し得る。
いくつかの非限定的な例では、比較的大きなＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙を有する材料は、少なくとも約３６５ｎｍ、及び少なくとも約４６０ｎｍのうちの１つの波長範囲において、弱いフォトルミネセンス又は吸収を必要とするか、又は実質的にフォトルミネセンス又は吸収を必要としないいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に小さいＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙を有する材料は、光学技術を使用して材料の膜を検出するシナリオでは、適用性を有し得る。
屈折率及び消衰係数
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、低い屈折率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約１．５５以下、約１．５以下、約１．４５以下、約１．４３以下、約１．４以下、約１．３９以下、約１．３７以下、約１．３５以下、約１．３２以下、及び約１．３以下のうちの少なくとも１つであり得る、５５０ｎｍの波長におけるＥＭ放射線に対する屈折率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の屈折率ｎは、約１．７以下であり得る。例えば、パターニング被膜１１０の屈折率は、約１．６以下、約１．５以下、約１．４以下、及び約１．３以下のうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の屈折率ｎは、約１．２～１．６、約１．２～１．５、及び約１．２５～１．４５のうちの少なくとも１つであり得る。上記の様々な非限定的な例で更に説明されているように、実質的に低い屈折率を示すパターニング被膜１１０は、例えば、光電子デバイスによって放射されるＥＭ放射線のアウトカップリングを強化することによって、いくつかシナリオではデバイスの光学的特性及び／又は性能を強化する用途があり得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、実質的に低い屈折率を有するパターニング被膜１１０を提供することは、少なくともいくつかのデバイス１００において、その第２の部分１０２を通る外部ＥＭ放射線の透過率を高め得ることが観察されている。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の近傍又は隣接して配置され得る、その中に空気間隙を含むデバイス１００は、パターニング被膜１１０が実質的に低い屈折率を有するとき、かかる低い屈折率パターニング被膜１１０が提供されなかった同様に構成されたデバイスと比較して実質的に高い透過率を呈し得る。
非限定的な例として、様々な例示的な材料のうちの一部によって形成された被膜の５５０ｎｍの波長における屈折率を測定するために、一連の試料を作製した。測定結果を以下の表４にまとめる。
Figure 2024516165000007
表４における屈折率の前述の測定、及び表４におけるＡｇの実質的な閉鎖被膜１４０の存在又は非存在に関する以前の観察に基づいて、低い屈折率の被膜を形成する材料は、非限定的な例として、約１．４又は約１．３８のうちの少なくとも１つ以下の屈折率を有する材料であり得、パターニング被膜１１０を形成するために、その上への、Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料を含むがこれらに限定されない堆積材料７３１の堆積を阻害するために好適であり得ることが見出された。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、低い屈折率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１２００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約１．５５以下、約１．５以下、約１．４５以下、約１．４３以下、約１．４以下、約１．３９以下、約１．３７以下、約１．３５以下、約１．３２以下、及び約１．３以下のうちの少なくとも１つであり得る、５５０ｎｍの波長におけるＥＭ放射線に対する屈折率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、約２５ダイン／ｃｍ以下の表面エネルギー及び約１．４５以下の屈折率を示し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、約２０ダイン／ｃｍ以下の表面エネルギー及び約１．４以下の屈折率を示す材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、実質的に透明及び／又はＥＭ放射線透過性であり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、少なくとも約６００ｎｍ、少なくとも約５００ｎｍ、少なくとも約４６０ｎｍ、少なくとも約４２０ｎｍ、及び少なくとも約４１０ｎｍのうちの少なくとも１つである波長における光子に対して、約０．０１以下であり得る吸光係数を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、可視光スペクトルにおいて約０．１以下、約０．０８以下、約０．０５以下、約０．０３以下、及び約０．０１以下のうちの１つ以下の消衰係数κを示し得る。
フォトルミネセンス、吸収及び他の光学効果
いくつかの非限定的な例では、少なくとも約３６５ｎｍ、及び少なくとも約４６０ｎｍのうちの１つである波長において実質的に低いフォトルミネセンスを呈するか、又は実質的にフォトルミネセンスを呈しない材料は、可視スペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおいて実質的に高い透明性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも約３６５ｎｍ、及び少なくとも約４６０ｎｍのうちの１つである波長において実質的に低い吸収を有するか、又は実質的に吸収を有さない材料は、可視スペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおいて実質的に高い透明性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、少なくとも可視スペクトルにおいて、それを通過するＥＭ放射線を実質的に減衰させない場合がある。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、少なくともＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルにおいて、それを通過するＥＭ放射線を実質的に減衰させない場合がある。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約４００ｎｍ以下、約３９０ｎｍ以下、約３８０ｎｍ以下、及び約３７０ｎｍ以下のうちの１つである波長におけるＥＭ放射線に対して、少なくとも約０．０５、少なくとも約０．１、少なくとも約０．２、及び少なくとも約０．５のうちの１つであり得る吸光係数を有し得る。
このようにして、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、デバイス１００上に入射するＵＶＡスペクトル内のＥＭ放射線を吸収し、それによって、ＵＶＡスペクトル内のＥＭ放射線が、デバイス性能、デバイス安定性、デバイス信頼性、及び／又はデバイス寿命に関して制約を付与し得る可能性を低減させ得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、光学被膜として機能することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、デバイス１００によって放射されるＥＭ放射線（光子の形態を含むがこれに限定されない）の少なくとも１つの特性及び／又は特質を修正することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、ある度合のヘイズを呈し、放射されたＥＭ放射線を散乱させることができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、それを透過したＥＭ放射線を散乱させるための結晶性材料を含み得る。ＥＭ放射線のかかる散乱は、いくつかの非限定的な例では、デバイス１００からのＥＭ放射線のアウトカップリングの強化を容易にすることができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、最初に、限定ではないが、実質的に非晶質を含む、実質的に非結晶性の被膜として堆積されてもよく、その上で、その堆積後、パターニング被膜１１０は、結晶化され、その後、光学結合として役立ち得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、可視光スペクトルに対応する任意の波長で任意の実質的なＥＭ放射線吸収を示さない場合がある。
重量
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、実質的に低い表面エネルギーを有する表面を形成するように適合された化合物では、少なくともいくつかの用途において、かかる化合物の分子量が、約８００～３，０００ｇ／ｍｏｌ、約９００～２，０００ｇ／ｍｏｌ、約９００～１，８００ｇ／ｍｏｌ、及び約９００～１，６００ｇ／ｍｏｌのうちの１つであることを必要とするシナリオがあり得ると仮定することができる。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、かかる化合物は、（ｉ）いくつかの非限定的な例では、少なくとも１００℃の実質的に高い融点、（ｉｉ）実質的に低い表面エネルギー、及び／又は（ｉｉｉ）いくつかの非限定的な例では、真空ベースの熱蒸着プロセスを使用して堆積させたときに実質的に非晶質の構造のうちの１つを有する被膜及び／又は層を形成するためのいくつかのシナリオでは適用性を有し得る少なくとも１つの特性を呈し得ると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、化合物の分子量は、約５，０００ｇ／ｍｏｌ以下であり得る。いくつかの非限定的な例では、化合物の分子量は、約４，５００ｇ／ｍｏｌ以下、約４，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約３，５００ｇ／ｍｏｌ以下、及び約３，０００ｇ／ｍｏｌ以下のうちの１つ以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、化合物の分子量は、少なくとも約８００ｇ／ｍｏｌであり得る。いくつかの非限定的な例では、化合物の分子量は、少なくとも約９００ｇ／ｍｏｌ、少なくとも約１，０００ｇ／ｍｏｌ、少なくとも約１，１００ｇ／ｍｏｌ、少なくとも約１，２００ｇ／ｍｏｌ、少なくとも約１，３００ｇ／ｍｏｌ、少なくとも約１，５００ｇ／ｍｏｌ、及び少なくとも約１，７００ｇ／ｍｏｌのうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、化合物の分子量は、約８００～３，０００ｇ／ｍｏｌ、約９００～２，０００ｇ／ｍｏｌ、約９００～１，８００ｇ／ｍｏｌ、又は約９００～１，６００ｇ／ｍｏｌのうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｆ原子の存在に起因し得るかかる化合物のモル重量の割合は、約４０～９０％、約４５～８５％、約５０～８０％、約５５～７５％、及び約６０～７５％のうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆ原子は、かかる化合物のモル重量の大部分を構成し得る。
いくつかの非限定的な例では、化合物中に含有されるＦ原子／化合物中に含有されるＣ原子の商、少なくとも約０．５、少なくとも約０．７、少なくとも約１、少なくとも約１．５、少なくとも約２、及び少なくとも約２．５のうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆ原子／Ｓｉ原子の商は、約５以下、約４以下、及び約３以下のうちの１つであってもよい。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、かかる化合物は、（ｉ）いくつかの非限定的な例では、少なくとも１００℃の比較的高い融点、（ｉｉ）比較的低い表面エネルギー、及び／又は（ｉｉｉ）いくつかの非限定的な例では、真空ベースの熱蒸着プロセスを使用して堆積させたときに実質的に非晶質の構造を有する被膜及び／又は層を形成するのに好適であり得る少なくとも１つの特性を示し得ると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、パターニング被膜１１０の閉鎖被膜１４０を実質的に欠き得る、その中の少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配設され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの領域により、パターニング被膜１１０をその複数の個別の断片に分離し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の複数の個別の断片は、その側方面において互いに物理的に離隔され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の複数の個別の断片は、限定ではないが、アレイ又はマトリックスを含む規則的構造で配置されてもよく、その結果、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の個別の断片は反復パターンで構成され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の複数の個別の断片のうちの少なくとも１つは、各々、放射領域１４０１に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１４０１の開口率は、約５０％以下、約４０％以下、約３０％以下、及び約２０％以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、単一のモノリシック被膜として形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、使用されるパターニング材料６１１及び／又は堆積環境を含むがこれに限定されない理由により、堆積材料７３１のための少なくとも１つの核形成部位を有し、かつ／又は提供し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、堆積材料７３１のためのかかる核形成部位として機能するように、シード又は不均一性として機能し得る別の材料でドープされ、被覆され、及び／又は補完され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる他の材料は、ＮＰＣ９２０材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる他の材料は、いくつかの非限定的な例では、多環式芳香族化合物などの有機材料、及び／又は限定ではないが、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つなどの非金属元素を含む材料を含んでもよく、その存在は、別様で、ソース材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境内の汚染物質となり得る。いくつかの非限定的な例では、かかる他の材料は、その閉鎖被膜１４０を形成することを回避するために、単層の小部分である層厚で堆積され得る。むしろ、そのような他の材料のモノマーは、堆積材料のための別個の核形成部位を形成するように、側面に離隔される傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、光学被膜として機能することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、デバイス１００によって放射されるＥＭ放射線（光子の形態を含むがこれに限定されない）の少なくとも１つの特性及び／又は特質を修正することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、ある度合のヘイズを呈し、放射されたＥＭ放射線を散乱させることができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、それを透過したＥＭ放射線を散乱させるための結晶性材料を含み得る。そのようなＥＭ放射線の散乱は、いくつかの非限定的な例において、デバイスからのＥＭ放射線のアウトカップリングの強化を容易にし得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、最初に、限定ではないが、実質的に非晶質を含む、実質的に非結晶性の被膜として堆積されてもよく、その上で、その堆積後、パターニング被膜１１０は、結晶化され、その後、光学結合として役立ち得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０が堆積材料７３１の蒸気フラックス７３２に供されると、少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０の形成を引き起こすためのパターニング被膜１１０を提供することが目的であり得る。少なくともいくつかの用途では、パターニング被膜１１０は、堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０がパターニング被膜１１０を実質的に欠いていてもよい第２の部分１０２に形成され得る一方で、少なくとも１つの特質を有する少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０がパターニング被膜１１０上の第１の部分１０１に形成され得るように、十分に低い初期付着確率を呈し得る。いくつかの非限定的な例では、例えば、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、又は約１５ｎｍ以下のうちの１つの厚さを有する堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０を堆積させながら、第２の部分１０２において、非限定的な例として、金属又は金属合金であり得る堆積材料７３１の少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０を形成することが目的であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内の少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０として堆積された堆積材料７３１の相対量は、第２の部分１０２内の閉鎖被膜１４０として堆積された堆積材料７３１の量の約１～５０％、約２～２５％、約５～２０％、及び約７～１０％のうちの少なくとも１つに対応し得、非限定的な例として、約１００ｎｍ以下、約７５ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの１つの厚さに対応し得る。
組成
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、フッ素（Ｆ）原子及び／又はＳｉ原子を含み得る。非限定的な例として、パターニング被膜１１０を形成するためのパターニング材料６１１は、Ｆ及び／又はＳｉを含む化合物であり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、Ｆを含む化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、Ｆ及び炭素原子を含む化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、少なくとも約１、少なくとも約１．５、又は少なくとも約２のうちの少なくとも１つの商Ｆ／Ｃに対応する原子比でＦ及びＣを含む化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆ対Ｃの原子比は、化合物構造中に存在するＦ原子の全てを計数し、Ｃ原子については、化合物構造中に存在するｓｐ３混成Ｃ原子のみを計数することによって決定することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、その分子部分構造の一部として、少なくとも約１、少なくとも約１．５、又は少なくとも約２の商Ｆ／Ｃに対応する原子比でＦ及びＣを含む部分を含む化合物を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１の化合物は、有機－無機ハイブリッド材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、オリゴマーであってもよく、又はそれを含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、骨格と骨格に結合された少なくとも１つの官能基とを含有する分子構造を有する化合物であってもよく、又はそれを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は無機部分であってもよく、少なくとも１つの官能基は有機部分であり得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる化合物は、シロキサン基を含む分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な例では、シロキサン基は、直鎖状、分枝状、又は環状のシロキサン基であり得る。いくつかの非限定的な例では、骨格は、シロキサン基であってもよく、又はそれを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は、シロキサン基及びＦを含有する少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であり得る。かかる化合物の非限定的な例としては、フルオロシロキサンが挙げられる。かかる化合物の非限定的な例は、例示的な材料６及び例示的な材料９である。
いくつかの非限定的な例では、化合物は、シルセスキオキサン基を含む分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な例では、シルセスキオキサン基はＰＯＳＳであり得る。いくつかの非限定的な例では、骨格は、シルセスキオキサン基であってもよく、又はそれを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は、シルセスキオキサン基及びＦを含む少なくとも１つの官能基であってもよく、又はこれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であり得る。かかる化合物の非限定的な例としては、フルオロ－シルセスキオキサン及び／又はフルオロ－ＰＯＳＳが挙げられる。かかる化合物の非限定的な例は、例示的な材料８である。
いくつかの非限定的な例では、化合物は、置換若しくは非置換アリール基、及び／又は置換若しくは非置換ヘテロアリール基を含む分子構造を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、アリール基は、フェニル又はナフチルであり得る。いくつかの非限定的な例では、アリール基の少なくとも１つのＣ原子は、ヘテロ原子（非限定的な例として、Ｏ、Ｎ、及び／又はＳであり得る）によって置換されて、ヘテロアリール基を誘導し得る。いくつかの非限定的な例では、骨格は、置換若しくは非置換アリール基、及び／又は置換若しくは非置換ヘテロアリール基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は、置換若しくは非置換アリール基、及び／又は置換若しくは非置換ヘテロアリール基、並びにＦを含む少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であり得る。
いくつかの非限定的な例では、化合物は、置換又は非置換の、直鎖状、分岐状、又は環状の炭化水素基を含む分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な例では、炭化水素基の１以上のＣ原子は、ヘテロ原子によって置換されていてもよく、ヘテロ原子は、非限定的な例として、Ｏ、Ｎ、及び／又はＳであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、化合物は、ホスファゼン基を含む分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ホスファゼン基は、直鎖、分岐、又は環状ホスファゼン基であり得る。いくつかの非限定的な例では、骨格は、ホスファゼン基であってもよく、又はそれを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は、ホスファゼン基及びＦを含む少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であり得る。かかる化合物の非限定的な例としては、フルオロホスファゼンが挙げられる。かかる化合物の非限定的な例は、例示的な材料４である。
いくつかの非限定的な例では、化合物はフルオロポリマーであり得る。いくつかの非限定的な例では、化合物は、Ｆを含むブロックコポリマーであり得る。いくつかの非限定的な例では、化合物は、オリゴマーであり得る。いくつかの非限定的な例では、オリゴマーは、フルオロオリゴマーであり得る。いくつかの非限定的な例では、化合物は、Ｆを含むブロックオリゴマーであり得る。フルオロポリマー及び／又はフルオロオリゴマーの非限定的な例は、例示的な材料３、例示的な材料５、及び／又は例示的な材料７の分子構造を有するものである。
いくつかの非限定的な例では、化合物は金属錯体であり得る。いくつかの非限定的な例では、金属錯体は、有機金属錯体であり得る。いくつかの非限定的な例では、有機金属錯体は、Ｆを含み得る。いくつかの非限定的な例では、有機金属錯体は、Ｆを含む少なくとも１つの配位子を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの配位子は、フルオロアルキル基であるか、又はフルオロアルキル基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、有機－無機ハイブリッド材料であってもよく、又はそれを含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、複数の異なる材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、複数の材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、第１の材料及び第２の材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の複数の材料のうちの少なくとも１つは、薄膜として堆積されたときにＮＩＣとして役立ち得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の複数の材料のうちの少なくとも１つは、膜として堆積されたときにＮＩＣとして役立ち得、その別の材料は、薄膜として堆積されたときにＮＰＣ９２０を形成し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、薄膜として堆積されたときにＮＰＣ９２０を形成し得、第２の材料は、薄膜として堆積されたときにＮＩＣを形成し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０中の第１の材料の存在は、パターニング被膜１１０が第２の材料から形成され、第１の材料を実質的に欠いている場合と比較して、その初期付着確率の増加をもたらし得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、薄膜として堆積されたときに低い表面エネルギーを有する表面を形成するように適合され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、薄膜として堆積されるとき、第２の材料を含む薄膜によって提供される表面よりも低い表面エネルギーを有する表面を形成するように適合され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、フォトルミネセンスを示す材料を含むことを含むがこれに限定されないフォトルミネセンスを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、ＵＶスペクトル及び／又は可視スペクトルに対応する波長でフォトルミネセンスを明示し得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、ＵＶＡスペクトル及び／又はＵＶＢスペクトルを含むがこれらに限定されないＵＶスペクトルに対応する波長（範囲）で生じ得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、可視スペクトルに対応する波長（範囲）で生じ得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、深青色又は近ＵＶに対応する波長（範囲）で生じ得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は第１の光学間隙を有してもよく、第２の材料は第２の光学間隙を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の光学間隙は第１の光学間隙より大きくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の光学間隙と第２の光学間隙との間の差は、約０．３ｅＶ、０．５ｅＶ、０．７ｅＶ、１ｅＶ、１．３ｅＶ、１．５ｅＶ、１．７ｅＶ、２ｅＶ、２．５ｅＶ、及び／又は３ｅＶのうちの少なくとも１つより大きくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の光学間隙は、約４．１ｅＶ、３．５ｅＶ、又は３．４ｅＶのうちの少なくとも１つ以下であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の光学間隙は、約３．４ｅＶ、約３．５ｅＶ、約４．１ｅＶ、約５ｅＶ、又は約６．２ｅＶのうちの少なくとも１つより大きくてもよい。
いくつかの非限定的な例において、第１の光学間隙及び／又は第２の光学間隙は、ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙に対応してもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、ＵＶスペクトル及び／又は可視スペクトルに対応する波長でフォトルミネセンスを明示してもよい。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、ＵＶＡスペクトル及び／又はＵＶＢスペクトルを含むがこれらに限定されないＵＶスペクトルに対応する波長で生じ得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、可視スペクトルに対応する波長で生じ得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、可視スペクトルの深いＢ（青）領域に対応する波長で生じ得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、可視スペクトルに対応する波長でフォトルミネセンスを明示してもよく、第２の材料は、可視スペクトルに対応する任意の波長で実質的なフォトルミネセンスを明示しなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスを明示し得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、共役結合、アリール部分、ドナー－アクセプタ基、又は重金属錯体のうちの少なくとも１つを含み得る。
非限定的な例として、被膜及び／又は材料のフォトルミネセンスは、光励起プロセスを通して観察され得る。光励起プロセスにおいて、被膜及び／又は材料は、ＵＶランプを含むがこれに限定されない源によって放射されるＥＭ放射線に供され得る。放射されたＥＭ放射線が被膜及び／又は材料によって吸収されるとき、その電子は一時的に励起され得る。励起に続いて、蛍光及び／又はリン光を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの緩和プロセスが起こり得、ここで、ＥＭ放射線が被膜及び／又は材料から放射され得る。かかるプロセス中に被膜及び／又は材料から放射されるＥＭ放射線は、被膜及び／又は材料のフォトルミネセンス特性を特徴付けるために、例えば光検出器によって検出され得る。本明細書で使用される場合、被膜及び／又は材料に関するフォトルミネセンスの波長は、一般に、励起状態からの電子の緩和の結果としてかかる被膜及び／又は材料によって放射されるＥＭ放射線の波長を指すことができる。当業者によって理解されるように、光励起プロセスの結果として被膜及び／又は材料によって放射される光の波長は、いくつかの非限定的な例では、光励起を開始するために使用される放射線の波長より長くてもよい。フォトルミネセンスは、蛍光顕微鏡法を含むがこれに限定されない、当技術分野で公知の様々な技法を使用して検出及び／又は特徴付けられ得る。本明細書で使用される場合、フォトルミネセンス被膜又は材料は、特定の波長の励起放射線で照射されたときに、ある波長でフォトルミネセンスを示す明示する被膜又は材料であり得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンス被膜又は材料は、３６５ｎｍの波長を有する励起放射線で照射されると、約３６５ｎｍより大きい波長でフォトルミネセンスを明示し得る。フォトルミネセンス被膜は、このような被膜又は材料の存在を定量化、測定、及び／又は調査し得る蛍光顕微鏡法を含むがこれに限定されない標準的な光学技術を使用して、基板１０上で検出され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の光学間隙及び／又は第２の光学間隙を含むがこれらに限定されない様々な被膜及び／又は材料の光学間隙は、光励起プロセス中にＥＭ放射線が吸収又は放射される被膜及び／又は材料のエネルギー間隙に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、被膜及び／又は材料を、ＵＶＡスペクトル又はＵＶＢスペクトルを含むがこれらに限定されないＵＶスペクトルに対応する波長を有するＥＭ放射線に供することによって検出及び／又は特徴付けられ得る。いくつかの非限定的な例では、光励起を開始するためのＥＭ放射線は、約３６５ｎｍの波長を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の材料は、可視スペクトルに対応する任意の波長でフォトルミネセンスを実質的に明示しなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の材料は、少なくとも約３００ｎｍ、少なくとも約３２０ｎｍ、少なくとも約３５０ｎｍ、又は少なくとも約３６５ｎｍのうちの少なくとも１つの波長を有するＥＭ放射線に供されたときにフォトルミネセンスを明示しなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の材料は、そのようなＥＭ放射線に供されたときにわずかな、及び／又は検出可能な吸収を明示しない場合がある。いくつかの非限定的な例では、第２の材料の第２の光学間隙は、第２の材料は、そのようなＥＭ放射線に供されたときに光励起を受けないように、源によって放射されるＥＭ放射線の光子エネルギーよりも広くあり得る。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、そのような第２の材料を含有するパターニング被膜１１０は、それにもかかわらず、第１の材料がフォトルミネセンスを明示するために、ＥＭ放射線に供されるとフォトルミネセンスを明示し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の存在は、パターニング被膜１１０の堆積時に蛍光顕微鏡法などの日常的な特徴付け技法を使用して検出及び／又は観察され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０中の第１の材料の、限定することなく含まれるが、濃度によるパターニング被膜１１０中の第２の材料の濃度以下であり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、少なくとも約０．１重量％、少なくとも約０．２重量％、少なくとも約０．５重量％、少なくとも約０．８重量％、少なくとも約１重量％、少なくとも約３重量％、少なくとも約５重量％、少なくとも約８重量％、少なくとも約１０重量％、少なくとも約１５重量％、又は少なくとも約２０重量％の第１の材料のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、約５０重量％以下、約４０重量％以下、約３０重量％以下、約２５重量％以下、約２０重量％以下、約１５重量％以下、約１０重量％以下、約８重量％以下、約５重量％以下、約３重量％以下、又は約１重量％以下の第１の材料のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の残りは、実質的に第２の材料から構成され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、第３の材料及び／又は第４の材料を含むがこれらに限定されない追加の材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含み得る。非限定的な例として、第１の材料及び第２の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの更なる非限定的な例では、第１の材料は、Ｆ及び／又はＳｉを含み得、第２の材料は、Ｆ及び／又はＳｉを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料は両方ともＦを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料は両方ともＳｉを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料の各々は、Ｆ及び／又はＳｉを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料のうちの少なくとも１つの材料は、Ｆ及びＳｉの両方を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料のうちの一方は、Ｆ及び／又はＳｉを含まなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の材料はＦ及び／又はＳｉを含んでもよく、第１の材料はＦ及び／又はＳｉを含まなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であってもよいパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つはＦを含み得、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つはｓｐ２炭素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であってもよいパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つはＦを含み得、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つはｓｐ３炭素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であってもよいパターニング被膜１１０の材料の少なくとも１つは、Ｆ及びｓｐ３炭素を含み得、パターニング被膜１１０の他の材料の少なくとも１つは、ｓｐ２炭素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びｓｐ３炭素を含み得、炭素（Ｃ）に結合した全てのＦは、ｓｐ３炭素に結合し得、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、ｓｐ２炭素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びｓｐ３炭素を含み得、Ｃに結合した全てのＦは、ｓｐ３炭素に結合し得、パターニング被膜１１０の他の材料の少なくとも１つは、ｓｐ２炭素を含み得、Ｆを含まなくてもよい。非限定的な例として、上述の非限定的な例のいずれかにおいて、「パターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つ」は第２の材料に対応し得、「パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つ」は、第１の材料に対応し得る。
当業者によって理解されるように、Ｆ、ｓｐ２炭素、ｓｐ３炭素、芳香族炭化水素部分、及び／又は他の官能基若しくは部分のうちの少なくとも１つを含む被膜中の材料の存在は、非限定的な例として、Ｘ線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy、ＸＰＳ）を含む、当技術分野で公知の様々な方法を使用して検出され得る。
いくつかの非限定的な例では、非限定的な例として第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つはＦを含み得、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは芳香族炭化水素部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含み得、パターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、芳香族炭化水素部分を含まなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含み得、芳香族炭化水素部分を含まなくてもよく、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、芳香族炭化水素部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含んでもよく、芳香族炭化水素部分を含まなくてもよく、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、芳香族炭化水素部分を含んでもよく、Ｆを含まなくてもよい。芳香族炭化水素部分の非限定的な例は、置換多環式芳香族炭化水素部分、非置換多環式芳香族炭化水素部分、置換フェニル部分、及び非置換フェニル部分のうちの少なくとも１つを含む。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含み得、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含んでもよく、パターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含まなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含み得、多環式芳香族炭化水素部分を含まなくてもよく、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含んでもよく、多環式芳香族炭化水素部分を含まなくてもよく、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含んでもよく、Ｆを含まなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含み得、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含み得、パターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含まなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料の少なくとも１つは、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分の少なくとも１つを含み得、多環式芳香族炭化水素部分を含まなくてもよく、パターニング被膜１１０の他の材料の少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含んでもよく、多環式芳香族炭化水素部分を含まなくてもよく、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含んでもよく、フルオロカーボン部分又はシロキサン部分を含まなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含み得、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含み得、パターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含まなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含んでもよく、フェニル部分を含まなくてもよく、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含んでもよく、フェニル部分を含まなくてもよく、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含んでもよく、Ｆを含まなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含み得、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含み得、パターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含まなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含んでもよく、フェニル部分を含まなくてもよく、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含んでもよく、フェニル部分を含まなくてもよく、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含んでもよく、フッ化炭素部分又はシロキサン部分を含まなくてもよい。
一般に、例えば第１の材料及び第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料の分子構造及び／又は分子組成は、互いに異なり得る。いくつかの非限定的な例では、材料は、これらに限定されないが、モノマーの分子構造、モノマー骨格、及び／又は官能基、共通要素の存在、分子構造の類似性、特性表面エネルギー、屈折率、分子量、及び融点、昇華温度、ガラス転移温度、又は熱分解温度を含むがこれらに限定されない熱特性のうちの少なくとも１つを含む、互いに実質的に同様の又は異なる少なくとも１つの特性を有するように選択され得る。
特性表面エネルギーは、特に材料に関して本明細書で使用される場合、概して、かかる材料から決定される表面エネルギーを指し得る。非限定的な例として、特徴的な表面エネルギーは、薄膜形態で堆積及び／又は被覆された材料によって形成された表面から測定され得る。固体の表面エネルギーを決定するための様々な方法及び理論が知られている。非限定的な例として、表面エネルギーは、液体－蒸気界面と表面との間の接触角を測定するために、様々な液体が固体の表面と接触し得るようになる接触角の一連の測定に基づいて計算及び／又は導出され得る。いくつかの非限定的な例では、固体表面の表面エネルギーは、表面を完全に濡らす最も高い表面張力を有する液体の表面張力に等しくてもよい。非限定的な例として、Ｚｉｓｍａｎプロットが、表面との完全な湿潤（すなわち、０°の接触角）をもたらす最高表面張力値を決定するために使用され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の第１の材料及び第２の材料のうちの少なくとも１つは、オリゴマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は第１のオリゴマーを含み得、第２の材料は第２のオリゴマーを含み得る。第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーの各々は、複数のモノマーを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも断片は、以下の式によって表され得、
（Ｍｏｎ）ｎ （Ｉ）
式中、
Ｍｏｎは、モノマーを表し、
ｎは、少なくとも２の整数である。
いくつかの非限定的な例では、ｎは、約２～００、約２～５０、約３～２０、約３～１５、約３～１０、又は約３～７のうちの少なくとも１つの整数であり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の第１の材料及び第２の材料の分子構造は、各々独立して、式（Ｉ）によって表され得る。非限定的な例として、モノマー及び／又は第１の材料のｎは、第２の材料のものと異なっていてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の材料のｎは、第２の材料のｎと同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料のｎは、第２の材料のｎと異なり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料のｎは、第２の材料のｎと異なり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料はオリゴマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、官能基を含み得る。いくつかの非限定的な例では、モノマーの少なくとも１つの官能基は、低い表面張力を有し得る。いくつかの非限定的な例において、モノマーの少なくとも１つの官能基は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含み得る。かかる官能基の非限定的な例としては、フルオロカーボン基及びシロキサン基のうちの少なくとも１つが挙げられる。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、シルセスキオキサン基を含み得る。
いくつかの非限定的な例を第１の材料及び第２の材料に関して本明細書で説明してきたが、パターニング被膜は少なくとも１つの追加の材料を更に含んでもよく、第１の材料、第２の材料、第１のオリゴマー、及び／又は第２のオリゴマーの分子構造及び／又は特性に関する説明は、パターニング被膜に含有され得る追加の材料に関して適用可能であり得ることが理解されるであろう。
これらに限定されないが、モノマー、モノマー骨格単位、リンカー、又は官能基を含む、分子構造の断片に起因する表面張力は、当該分野で公知の様々な方法を使用して決定され得る。かかる方法の非限定的な例は、非限定的な例として、「Ｃｏｎｃｅｐｔｉｏｎ ａｎｄ Ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ Ｐａ」，Ｎａｔｕｒｅ １９６：８９０－８９１に更に記載され得るような、パラコールの使用を含む。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのモノマーの官能基は、約２５ダイン／ｃｍ、２１ダイン／ｃｍ、２０ダイン／ｃｍ、１９ダイン／ｃｍ、１８ダイン／ｃｍ、１７ダイン／ｃｍ、１６ダイン／ｃｍ、１５ダイン／ｃｍ、１４ダイン／ｃｍ、１３ダイン／ｃｍ、１２ダイン／ｃｍ、１１ダイン／ｃｍ、又は１０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つ以下の表面張力を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＦ２及びＣＦ２Ｈ部分のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＦ２及びＣＦ３部分のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＨ２ＣＦ３部分を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、Ｃ及びＯのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、フルオロカーボンモノマーを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、フッ化ビニル部分、フッ化ビニリデン部分、テトラフルオロエチレン部分、クロロトリフルオロエチレン部分、ヘキサフルオロプロピレン部分、又はフッ素化１，３－ジオキソール部分のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、モノマー骨格及び官能基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、官能基は、直接又はリンカー基を介して、モノマー骨格に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、リンカー基を含んでいてもよく、リンカー基は、モノマー骨格及び官能基に結合し得る。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、複数の官能基を含んでいてもよく、これらは互いに同じであっても異なっていてもよい。かかる例では、各官能基は、直接又はリンカー基を介してモノマー骨格に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、複数の官能基が存在する場合、複数のリンカー基も存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造は、複数の異なるモノマーを含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる分子構造は、異なる分子組成及び／又は分子構造を有するモノマー種を含み得る。かかる分子構造の非限定的な例としては、以下の式によって表されるものが挙げられる。
（ＭｏｎＡ）ｋ（ＭｏｎＢ）ｍ （Ｉ－１）
（ＭｏｎＡ）ｋ（ＭｏｎＡ）ｍ（ＭｏｎＣ）ｏ （Ｉ－２）
式中、
ＭｏｎＡ、ＭｏｎＢ、及びＭｏｎＣは、各々モノマー種を表し、
ｋ、ｍ、及びｏは、各々少なくとも２の整数を表す。
いくつかの非限定的な例ではｋ、ｍ、及びｏは、各々約２～１００、約２～５０、約３～２０、約３～１５、約３～１０、又は約３～７のうちの少なくとも１つの整数を表す。当業者は、モノマー、Ｍｏｎに関する様々な非限定的な例及び説明がＭｏｎＡ、ＭｏｎＢ、及びＭｏｎＣの各々に関して適用可能であり得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、以下の式によって表され得る。
Ｍ－（Ｌ－Ｒｘ）ｙ （ＩＩ）
式中、
Ｍは、モノマー骨格単位を表し、
Ｌは、リンカー基を表し、
Ｒは、官能基を表し、
ｘは、１～４の整数であり、
ｙは、１～３の整数である。
いくつかの非限定的な例では、リンカー基は、単結合、Ｏ、Ｎ、ＮＨ、Ｃ、ＣＨ、ＣＨ２、及びＳのうちの少なくとも１つによって表され得る。
本明細書に記載されている官能基の様々な非限定的な例は、式（ＩＩ）のＲに関して適用することができる。いくつかの非限定的な例では、官能基Ｒはオリゴマー単位を含んでもよく、オリゴマー単位は、複数の官能基モノマー単位を更に含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、官能基モノマー単位は、ＣＨ２又はＣＦ２のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、官能基は、ＣＨ２ＣＦ３部分を含み得る。例えば、かかる官能基モノマー単位は、一緒に結合して、アルキル又はフルオロアルキルオリゴマー単位のうちの少なくとも１つを形成することができる。いくつかの非限定的な例では、オリゴマー単位は、官能基末端単位を更に含み得る。いくつかの非限定的な例では、官能基末端単位は、オリゴマー単位の末端に配置され、官能基モノマー単位に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、官能基末端単位が配置され得る末端は、モノマー骨格単位に対して遠位であり得る官能基の断片に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、官能基末端単位は、ＣＦ２Ｈ又はＣＦ３のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位Ｍは、高い表面張力を有し得る。いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、それに結合している官能基Ｒのうちの少なくとも１つよりも高い表面張力を有し得る。いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、それに結合しているいずれの官能基Ｒよりも高い表面張力を有し得る。いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、それに結合しているいずれの官能基Ｒよりも高い表面張力を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、少なくとも約２５ダイン／ｃｍ、少なくとも約３０ダイン／ｃｍ、少なくとも約４０ダイン／ｃｍ、少なくとも約５０ダイン／ｃｍ、少なくとも約７５ダイン／ｃｍ、少なくとも約１００ダイン／ｃｍ、少なくとも約１５０ダイン／ｃｍ、少なくとも約２００ダイン／ｃｍ、少なくとも約２５０ダイン／ｃｍ、少なくとも約５００ダイン／ｃｍ、少なくとも約１，０００ダイン／ｃｍ、少なくとも約１，５００ダイン／ｃｍ、又は少なくとも約２，０００ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの表面張力を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、これに限定されないがホスファゼンを含むリン（Ｐ）及びＮを含んでいてもよく、ＰとＮとの間に二重結合が存在し、「ＮＰ」又は「Ｎ＝Ｐ」と表され得る。いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、ＳｉＯ３／２として表され得るシルセスキオキサンを含むがこれに限定されない、Ｓｉ及びＯを含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料の少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部分は、以下の式によって表される。
（ＮＰ－（Ｌ－Ｒｘ）ｙ）ｎ （ＩＩＩ）
式中、
ＮＰは、ホスファゼンモノマー骨格単位を表し、
Ｌは、リンカー基を表し、
Ｒは、官能基を表し、
ｘは、１～４の整数であり、
ｙは、１～３の整数であり、
ｎは、少なくとも２の整数である。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料の分子構造は、式（ＩＩＩ）によって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料の少なくとも１つは、シクロホスファゼンであり得る。いくつかの非限定的な例において、シクロホスファゼンの分子構造は、式（ＩＩＩ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例ではＬは、酸素を表してもよく、ｘは、１であってもよく、及びＲは、フルオロアルキル基を表してもよい。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の少なくとも１つの材料の分子構造の少なくとも断片は、以下の式によって表されてもよい。
（ＮＰ（ＯＲｆ）２）ｎ （ＩＶ）
式中、
Ｒｆは、フルオロアルキル基を表し、
ｎは、３～７の整数である。
いくつかの非限定的な例では、フルオロアルキル基は、ＣＦ２基、ＣＦ２Ｈ基、ＣＨ２ＣＦ３基、及びＣＦ３基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、フルオロアルキル基は、以下の式によって表すことができる。
Figure 2024516165000008
 式中、
ｐは、１～５の整数であり、
ｑは、６～２０の整数であり、
Ｚは、水素又はＦを表す。
いくつかの非限定的な例ではｐは、１であってもよく、ｑは、６～２０の整数であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、式（ＩＶ）中フルオロアルキル基Ｒｆは、式（Ｖ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも断片は、以下の式によって表され得、
（ＳｉＯ３／２－（Ｌ－Ｒ））ｎ （ＶＩ）
式中、
Ｌは、リンカー基を表し、
Ｒは、官能基を表し、
ｎは、６～１２の整数である。
いくつかの非限定的な実施形態では、Ｌは、単結合、Ｏ、置換アルキル、又は非置換アルキルのうちの少なくとも１つの存在を表し得る。いくつかの非限定的な例ではｎは、８、１０、又は１２であってもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、低い表面張力を有する官能基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、Ｆ含有基及びＳｉ含有基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例ではＲは、フルオロカーボン基及びシロキサン含有基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例ではＲは、ＣＦ２基及びＣＦ２Ｈ基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、ＣＦ２及びＣＦ３基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、ＣＨ２ＣＦ３基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例において、式（ＶＩ）によって表される材料は、ポリオクタヘドラルシルセスキオキサンであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも断片は、以下の式によって表され得、
（ＳｉＯ３／２－Ｒｆ）ｎ （ＶＩＩ）
式中、
ｎは、６～１２の整数であり、
Ｒｆは、フルオロアルキル基を表す。
いくつかの非限定的な例ではｎは、８、１０、又は１２であってもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、低い表面張力を有する官能基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＦ２部分及びＣＦ２Ｈ部分のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＦ２部分及びＣＦ３部分のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＨ２ＣＦ３部分を含み得る。いくつかの非限定的な例において、式（ＶＩＩ）によって表される材料は、ポリオクタヘドラルシルセスキオキサンであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、式（ＶＩＩ）中のフルオロアルキル基、Ｒｆは、式（Ｖ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも断片は、以下の式によって表され得、
（ＳｉＯ３／２－（ＣＨ２）ｘ（ＣＦ３））ｎ （ＶＩＩＩ）
式中、
ｘは、１～５の整数であり、
ｎは、６～１２の整数である。
いくつかの非限定的な例ではｎは、８、１０、又は１２であってもよい。
いくつかの非限定的な例において、式（ＶＩＩＩ）によって表される化合物は、ポリオクタヘドラルシルセスキオキサンであってもよい。
いくつかの非限定的な例において、官能基Ｒ及び／又はフルオロアルキル基Ｒｆは、前述の式のいずれかにおけるかかる基の各出現時に独立して選択されてもよい。前述の式のいずれかが化合物の下位構造を表してもよく、上記の式に明示的に示されていない追加の基又は部分が存在してもよいことも理解されるであろう。本出願において提供される様々な式は、直鎖状、分岐状、環状、環状－直鎖状、及び／又は架橋構造を表し得ることも理解されるであろう。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、以下の式：（Ｉ）、（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、及び（ＶＩＩＩ）のうちの少なくとも１つによって表される少なくとも１つの材料と、以下の少なくとも１つの特性：（ａ）芳香族炭化水素部分を含む、（ｂ）ｓｐ２炭素を含む、（ｃ）フェニル部分を含む、（ｄ）約２０ダイン／ｃｍより大きい特徴的な表面エネルギーを有する、（ｅ）約３６５ｎｍの波長を有する励起放射線によって照射されると、少なくとも約３６５ｎｍの波長でフォトルミネセンスを明示することを含むがこれに限定されないフォトルミネセンスを明示する、少なくとも１つの材料と、を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜は、第１の材料及び第２の材料とは異なる第３の材料を更に含み得る。いくつかの非限定的な例では、第３の材料は、第１の材料及び第２の材料のうちの少なくとも１つと共通のモノマーを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料と第２の材料との間の差を含むがこれに限定されないパターニング被膜１１０の複数の材料の昇華温度の差は、約５℃、１０℃、１５℃、２０℃、３０℃、４０℃、又は５０℃のうちの少なくとも１つ以下であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含んでもよく、パターニング被膜１１０の材料の昇華温度は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約２５℃、約４０℃、又は約５０℃のうちの少なくとも１つ以下だけ異なってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含んでもよく、パターニング被膜１１０の材料の昇華温度は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約２５℃、約４０℃、又は約５０℃のうちの少なくとも１つ以下だけ異なってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１のＮＩＣ材料と第２のＮＩＣ材料との間の差を含むがこれに限定されないパターニング被膜１１０の複数の材料の溶融温度の差は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約３０℃、約４０℃、又は約５０℃のうちの少なくとも１つ以下であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含んでもよく、パターニング被膜１１０の材料の溶融温度は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約２５℃、約４０℃、又は約５０℃のうちの少なくとも１つ以下だけ異なってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含んでもよく、パターニング被膜１１０の材料の溶融温度は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約２５℃、約４０℃、又は約５０℃のうちの少なくとも１つ以下だけ異なってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料の少なくとも１つは、低い特質表面エネルギーを有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、低い特質表面エネルギーを有し得、パターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料の少なくとも１つは、低い特性表面エネルギーであってもよく、Ｆ及びＳｉの少なくとも１つを含んでもよく、パターニング被膜１１０の少なくとも１つの他の材料は、高い特性表面エネルギーを有してもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆ及びＳｉの存在は、それぞれフルオロカーボン部分及びシロキサン部分の存在によって説明され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の材料を含むがこれに限定されない材料の少なくとも１つは、約１０～２０ダイン／ｃｍ、約１２～２０ダイン／ｃｍ、約１５～２０ダイン／ｃｍ、又は約１７～１９ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの低い特性表面エネルギーを有してもよく、第１の材料を含むがこれに限定されない別の材料は、約２０～１００ダイン／ｃｍ、約２０～５０ダイン／ｃｍ、又は約２５～４５ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの高い特性表面エネルギーを有してもよい。いくつかの非限定的な例では、材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の材料は、Ｆ又はＳｉのうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の材料を含むがこれに限定されないパターニング被膜１１０の材料の少なくとも１つは、約２０ダイン／ｃｍ以下の低い特質表面エネルギーを有してもよく、Ｆ及び／又はＳｉの少なくとも１つを含んでもよく、第１の材料を含むがこれに限定されない別の材料は、少なくとも約２０ダイン／ｃｍの特質表面エネルギーを有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の材料を含むがこれに限定されないパターニング被膜１１０の材料の少なくとも１つは、約２０ダイン／ｃｍ以下の低い特質表面エネルギーを有してもよく、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分の少なくとも１つを含んでいてもよく、第１の材料を含むがこれに限定されないパターニング被膜１１０の別の材料は、少なくとも約２０ダイン／ｃｍの特質表面エネルギーを有していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料の表面エネルギーを含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の２つ以上の材料の各々の表面エネルギーは、約２５ダイン／ｃｍ未満、約２１ダイン／ｃｍ未満、約２０ダイン／ｃｍ未満、約１９ダイン／ｃｍ未満、約１８ダイン／ｃｍ未満、約１７ダイン／ｃｍ未満、約１６ダイン／ｃｍ未満、約１５ダイン／ｃｍ未満、約１４ダイン／ｃｍ未満、約１３ダイン／ｃｍ未満、約１２ダイン／ｃｍ未満、約１１ダイン／ｃｍ未満、又は約１０ダイン／ｃｍ未満である。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つの材料の５００ｎｍ及び４６０ｎｍのうちの少なくとも１つの波長での屈折率は、約１．５、約１．４５、約１．４４、約１．４３、約１．４２、又は約１．４１のうちの少なくとも１つ以下であり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、フォトルミネセンスを明示する少なくとも１つの材料を含んでもよく、パターニング被膜１１０は、５００ｎｍ及び４６０ｎｍのうちの少なくとも１つの波長において、約１．５、約１．４５、約１．４４、約１．４３、約１．４２、又は約１．４１のうちの少なくとも１つ以下の屈折率を有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つの分子量は、約７５０、約１，０００、約１，５００、約２，０００、約２，５００、又は約３，０００のうちの少なくとも１つより大きくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つの分子量は、約１０，０００、約７，５００、又は約５，０００のうちの少なくとも１つ以下であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、同様の熱特性を明示する複数の材料を含んでもよく、材料のうちの少なくとも１つは、フォトルミネセンスを明示してもよい。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、同様の熱特性を有する複数の材料を含んでもよく、材料のうちの少なくとも１つはフォトルミネセンスであってもよく、材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ又はＳｉを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、材料の融解温度又は昇華温度を含むがこれらに限定されない同様の熱特性を有する複数の材料を含んでもよく、材料の少なくとも１つは、約３６５ｎｍの励起波長を有する放射線によって励起されたときに少なくとも約３６５ｎｍの波長でフォトルミネセンスを明示してもよく、材料の少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉの少なくとも１つを含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、少なくとも１つの共通要素又は少なくとも１つの共通サブ構造のうちの少なくとも１つを有する複数を含んでもよく、材料のうちの少なくとも１つは、フォトルミネセンスを明示してもよい。いくつかの非限定的な例では、材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、同様の熱特性を有する複数の材料を含み得、材料の少なくとも１つは、約３６５ｎｍの励起波長を有する放射線によって励起されたときに約３６５ｎｍの少なくとも１つより大きい波長でフォトルミネセンスを明示してもよく、材料の少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの共通要素は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造は、フルオロカーボン及びシロキシルのうちの少なくとも１つを含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、光電子デバイス１００を製造するための方法は、その側方面の第１の部分１０１内のデバイス１００の第１の露出層表面１１上にパターニング被膜を堆積させること、及びその側方面の第２の部分１０２内のデバイス１００の第２の露出層表面１１上に堆積材料７３１を堆積させることの動作を含んでもよい。第１の部分１０１におけるパターニング被膜１１０の露出層表面１１上への堆積材料７３１の堆積に抗する初期付着確率は、第２の部分１０２における露出層表面１１上への堆積材料７３１の堆積に抗する初期付着確率よりも実質的に小さくてもよく、それにより、第１の部分１０１におけるパターニング被膜１１０の露出層表面１１は、堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０を実質的に欠いていてもよい。デバイス１００の第１の露出層表面１１上に堆積されたパターニング被膜１１０は、第１の材料及び第２の材料を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の第１の露出層表面１１上にパターニング被膜１１０を堆積させることは、複数の材料を含有する混合物を提供することと、デバイス１００の第１の露出層表面１１上に混合物を堆積させて、その上にパターニング被膜１１０を形成することと、を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、混合物は、第１の材料及び第２の材料を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料の両方を第１の露出層表面１１上に堆積させて、その上にパターニング被膜１１０を形成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、複数の材料を含有する混合物は、熱蒸着を含むがこれに限定されないＰＶＤプロセスによってデバイス１００の第１の露出層表面１１上に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、共通の蒸発源から混合物を蒸発させ、デバイス１００の第１の露出層表面１１上に混合物を堆積させることによって形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、非限定的な例として、第１の材料及び第２の材料を含有する混合物は、真空下で加熱される共通のるつぼ及び／又は蒸発源に置かれてもよい。材料の蒸発温度に達すると、そこから発生した蒸気フラックス７３２は、デバイス１００の第１の露出層表面１１に向けられて、その上にパターニング被膜１１０を堆積させてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、第１の材料及び第２の材料の共蒸着によって堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の材料を第１のるつぼ及び／又は第１の蒸発源から蒸発させ、第２の材料を第２のるつぼ及び／又は第２の蒸発源から同時に蒸発させて、混合物を気相で形成し、第１の露出層表面１１上に共堆積させて、その上にパターニング被膜１１０を提供してもよい。
少なくとも２つの材料を含有する特定の例示的なパターニング被膜１１０の特性を評価するために、ＨＴＬ材料として使用され得る有機材料の約２０ｎｍ厚の層を真空中で堆積させ、続いて、以下の表５に要約されるような様々な組成を有する核形成修正被膜を有機材料層の上に堆積させることによって、一連の試料を作製した。
Figure 2024516165000009
本実施例では、パターニング材料は、例えば薄膜として堆積されたとき、パターニング材料が限定されないがＡｇ及びＹｂのうちの少なくとも１つを含む、堆積材料７３１の堆積に抗する低い初期付着確率を明示するように選択された。
本実施例では、ＰＬ材料１及びＰＬ材料２は、非限定的な例として、薄膜として堆積されたときに、ＰＬ材料１及びＰＬ材料２の各々が、蛍光顕微鏡法を含むがこれに限定されない標準的な光学測定技術によって検出可能なフォトルミネセンスを明示し得るように選択された。
表５において、試料１は、パターニング材料を堆積させることによって核形成修正被膜が提供された比較試料である。試料２は、ＰＬ材料１を０．５体積％の濃度で含有する被膜を形成するために、パターニング材料とＰＬ材料１とを一緒に共堆積させることによって核形成修正被膜が提供された例示的試料である。試料３は、ＰＬ材料２を０．５体積％の濃度で含有する被膜を形成するために、パターニング材料とＰＬ材料２とを一緒に共堆積させることによって核形成修正被膜が提供された例示的試料である。試料４は、核形成修正被膜がＰＬ材料１を堆積させることによって提供された比較試料である。試料５は、核形成修正被膜がＰＬ材料２を堆積させることによって提供された比較試料である。試料６は、有機材料層上に核形成修正被膜が提供されなかった比較試料である。
次に、試料１～６の各々は、Ｙｂ、続いてＡｇのオープンマスク堆積に供された。具体的には、上記の材料によって形成された核形成修正被膜の表面に、Ｙｂ、続いてＡｇのオープンマスク堆積に供された。より具体的には、各試料は、約１ｎｍの基準厚に達するまでＹｂ蒸気フラックス７３２に供され、その後、約１２ｎｍの基準厚さに達するまでＡｇ蒸気フラックス７３２に供された。試料が作製されると、光透過測定を行って、核形成修正被膜の露出層表面１１上に堆積されたＹｂ及び／又はＡｇの相対量を決定した。理解されるように、その上に金属が比較的少ないか全く存在しない試料は、実質的に透明であり得るが、特に閉鎖被膜１４０としてその上に金属が堆積された試料は、一般に、実質的により低い光透過率を明示し得る。したがって、パターニング被膜１１０としての様々な例示的被膜の相対的な性能は、ＡｇのＹｂのいずれか又は両方の堆積からその上に堆積された金属堆積材料の量又は厚さに直接相関し得るＥＭ放射線透過率を測定することによって評価され得る。
各試料をＡｇ蒸気フラックスに供した後の６００ｎｍの波長での光透過率の低下を測定し、以下の表６にまとめた。
Figure 2024516165000010
具体的には、表６の各試料の透過率低下（％）は、Ｙｂ及びＡｇ蒸気フラックス７３２への曝露の前後に試料を通る光透過率を測定し、ＥＭ放射線透過率の低下をパーセンテージとして表すことによって決定した。
分かり得るように、試料１、試料２、及び試料３は、２％未満、又は試料１及び３の場合には１％未満の比較的低い透過率低下を明示した。したがって、これらの試料に提供された核形成修正被膜がＮＩＣとして機能したことが観察され得る。これに対して、試料４は４３％、試料５は４７％、試料６は４５％の透過率低下を各々明示した。したがって、これらの試料に提供された核形成修正被膜は、ＮＩＣとして機能しなかったが、実際にＮＰＣ９２０として機能した可能性がある。
更に、パターニング被膜１１０が実質的にＮＩＣ材料のみからなる試料１は、フォトルミネセンスを明示しないことが分かった。しかしながら、パターニング被膜１１０がＮＩＣ材料に加えてそれぞれＰＬ材料１及びＰＬ材料２を含む試料２及び試料３は、堆積材料７３１の堆積に抗する低い初期付着確率を有する表面を提供することによって、ＮＩＣとしても機能しながら、フォトルミネセンスを明示することが分かった。
堆積層
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の側面の第２の部分１０２において、堆積材料７３１を含む堆積層１３０は、限定はしないが基板１０を含む下層の露出層表面１１上に閉じた被膜１４０として配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、堆積材料７３１を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、Ｙｂ、Ａｇ、金（Ａｕ）、Ｃｕ、アルミニウム（Ａｌ）、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、スズ（Ｓｎ）、及びイットリウム（Ｙ）のうちの少なくとも１つから選択された元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、及びＭｇのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、及びＡｕのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＣｕであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｌであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、及びＹｂのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、及びＬｉのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、及びＹｂのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ及びＡｇのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｇであり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、純金属であってもよく、及び／又は純金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は純Ａｇ又は実質的に純Ａｇのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＡｇは、少なくとも約９５％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、及び少なくとも約９９．９９９５％のうちの１つの純度を有し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、純Ｍｇ又は実質的に純Ｍｇのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、及び少なくとも約９９．９９９５％のうちの１つの純度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、又はＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、ＡｇＭｇ含有合金は、体積で約１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲であり得る合金組成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、Ａｇの代わりに、及び／又はＡｇと組み合わせて、他の金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、Ａｇと少なくとも１つの他の金属との合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、Ａｇと、Ｍｇ又はＹｂのうちの少なくとも１つとの合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる合金は、約５～９５体積％のＡｇの組成を有し、残りが他の金属である二元合金であり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、Ａｇ及びＭｇを含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、体積で約１：１０～１０：１の組成を有するＡｇ：Ｍｇ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、Ａｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、体積で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、Ｍｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０はＡｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、少なくとも１つの追加の元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は非金属元素であり得る。いくつかの非限定的な例では、非金属元素は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は、ソース材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境におけるかかる追加の元素の存在に起因して、汚染物質として堆積層１３０に組み込まれ得ることが、当業者によって理解されよう。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素の濃度は、閾値濃度未満であるように制限され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は、堆積層１３０の他の元素とともに化合物を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１中の非金属元素の濃度は、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下のうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、その中のＯ及びＣの合計量が、約１０％以下、約５％以下、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下のうちの１つであり得る組成を有することができる。
ここで、特に堆積層１３０が実質的に金属及び／又は金属合金から構成され得る場合に、堆積層１３０中の特定の非金属元素の濃度を低減することにより、堆積層１３０の選択的堆積が容易となり得ることが、少し驚くべきことに見出されている。いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、Ｏ又はＣなどのある特定の非金属元素は、堆積層１３０の蒸気フラックス７３２中、及び／又は堆積チャンバ内、及び／又は環境内に存在する場合、パターニング被膜１１０の表面上に堆積して、堆積層１３０の金属元素のための核形成部位として作用し得ると仮定し得る。核形成部位として機能し得るかかる非金属元素の濃度を低減することは、パターニング被膜１１０の露出層表面１１上に堆積される堆積材料７３１の量を低減することを容易にし得ると仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、金属含有下層上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１及びその下にある下層は、共通の金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、堆積材料７３１の複数の層を含み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの第１の層の堆積材料７３１は、複数の層のうちの第２の層の堆積材料７３１とは異なり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、多層被膜を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる多層被膜は、Ｙｂ／Ａｇ、Ｙｂ／Ｍｇ、Ｙｂ／Ｍｇ：Ａｇ、Ｙｂ／Ｙｂ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ／Ｍｇ、及びＹｂ／Ｍｇ／Ａｇのうちの１つであり得る。Ａｇ、Ｙｂ／Ｙｂ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ／Ｍｇ、及びＹｂ／Ｍｇ／Ａｇのうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、約３００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約２００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１６５ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１５０ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約５０ｋＪ／ｍｏｌ以下、及び約２０ｋＪ／ｍｏｌ以下のうちの１つの結合解離エネルギーを有する金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、約１．４以下、約１．３以下、及び約１．２以下のうちの１つである電気陰性度を有する金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０のシート抵抗は、概して、デバイス１００の他の構成要素、層、及び／又は部分から分離して測定又は決定された堆積層１３０のシート抵抗に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、薄膜として形成され得る。したがって、いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０の特徴的なシート抵抗は、かかる薄膜の組成、厚さ、かつ／若しくは形態に基づいて決定及び／又は計算され得る。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗は、約１０Ω／□以下、約５Ω／□以下、約１Ω／□以下、約０．５Ω／□以下、約０．２Ω／□以下、及び約０．１Ω／□以下のうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、堆積層１３０の閉鎖被膜１４０を実質的に欠いている少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配設され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの領域は、堆積層１３０をその複数の個別の断片に分離し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０の各個別の断片は、別個の第２の部分１０２であり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０の複数の個別の断片は、その側方面において互いに物理的に離隔され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０のかかる複数の個別の断片のうちの少なくとも２つは、電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０のかかる複数の個別の断片のうちの少なくとも２つは、それらの間の電流の流れを可能にするために、限定はしないが、下地表面を含む共通の導電層又は被膜と各々電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０のかかる複数の個別の断片のうちの少なくとも２つは、互いに電気的に絶縁され得る。
パターニング被膜を用いた選択的堆積
図６は、下地層の露出層表面１１の第１の部分１０１上にパターニング被膜１１０を選択的に堆積させるための、チャンバ６２０内の、概して６００で示される蒸着堆積プロセスの非限定的な例を解説する例示的な概略図である。
プロセス６００では、ある量のパターニング材料６１１を真空下で加熱して、パターニング材料６１１を蒸発及び／又は昇華させる。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、全体的に、かつ／又は実質的に、パターニング被膜１１０を形成するために使用される材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる材料は有機材料を含み得る。
パターニング材料６１１の気化フラックス６１２は、矢印６１によって示される方向を含む、チャンバ６２０を通って、露出層表面１１に向かって流れることができる。気化フラックス６１２が露出層表面１１に入射すると、パターニング被膜１１０がその上に形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、プロセス６００の図に示されるように、パターニング被膜１１０は、気化フラックス６１２と露出層表面１１との間に、いくつかの非限定的な例ではＦＭＭであり得るシャドウマスク６１５を介在させることによって、露出層表面１１の一部、図示の例では第１の部分１０１上のみに選択的に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、かかるシャドウマスク６１５は、いくつかの非限定的な例では、約数十ミクロン以下の形状サイズを有する比較的小さい形状を形成するために使用され得る。
シャドウマスク６１５は、気化フラックス６１２の一部が開口部６１６を通過し、露出層表面１１に入射してパターニング被膜１１０を形成することができるように、シャドウマスクを通って延びる少なくとも１つの開口部６１６を有することができる。気化フラックス６１２が開口部６１６を通過せず、シャドウマスク６１５の表面６１７に入射する場合、露出層表面１１上に配設されてパターニング被膜１１０を形成することが妨げられる。いくつかの非限定的な例では、シャドウマスク６１５は、開口部６１６を通過する気化フラックス６１２が第１の部分１０１に入射し得るが、第２の部分１０２には入射し得ないように構成され得る。したがって、露出層表面１１の第２の部分１０２は、パターニング被膜１１０を実質的に欠く場合がある。いくつかの非限定的な例（図示せず）では、シャドウマスク６１５上に入射するパターニング材料６１１は、その表面６１７上に堆積され得る。
したがって、パターニング被膜１１０の堆積が完了すると、パターニングされた表面が生成され得る。
図７は、図６の蒸発プロセス６００によるものを含むがこれに限定されない、第１の部分１０１上に選択的に堆積されたパターニング被膜１１０を実質的に欠いている下地層の露出層表面１１の第２の部分１０２上に堆積層１３０の閉鎖被膜１４０を選択的に堆積するための、チャンバ６２０内の７００ａで概して示される蒸発プロセスの結果の非限定的な例を解説する例示的な概略図である。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、いくつかの非限定的な例では少なくとも１つの金属を含む堆積材料７３１で構成されてもよい。典型的には、有機材料の気化温度は、堆積材料７３１として採用され得るような金属の気化温度に比べて低いことが、当業者によって理解されよう。
したがって、いくつかの非限定的な例では、かかるシャドウマスク６１５を使用して堆積層１３０を直接パターニングすることと比較して、パターニング被膜１１０をあるパターンで選択的に堆積させるためにシャドウマスク６１５を用いる際、より少ない制約が存在し得る。
パターニング被膜１１０が下層の露出層表面１１の第１の部分１０１上に堆積されると、堆積材料７３１の閉じた被膜１４０が、パターニング被膜１１０を実質的に欠く露出層表面１１の第２の部分１０２上に堆積層１３０として堆積され得る。
プロセス７００ａでは、ある量の堆積材料７３１を真空下で加熱して、堆積材料７３１を蒸発及び／又は昇華させることができる。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、堆積層１３０を形成するために使用される材料を完全に、かつ／又は実質的に含み得る。
堆積材料７３１の気化フラックス７３２は、第１の部分１０１及び第２の部分１０２の露出層表面１１に向かって、矢印７１によって示される方向を含むチャンバ６２０の内側に向けられ得る。気化フラックス７３２が露出層表面１１の第２の部分１０２に入射すると、堆積材料７３１の閉じた被膜１４０が、堆積層１３０としてその上に形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１の堆積は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して実行されてもよい。
シャドウマスク６１５とは対照的に、オープンマスクの形状サイズは、製造されるデバイス１００のサイズにほぼ匹敵し得ることが、当業者によって理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、オープンマスクの使用が省略され得ることが、当業者によって理解されよう。いくつかの非限定的な例では、本明細書で説明されるオープンマスク堆積プロセスは、代替的に、ターゲット露出層表面１１全体が露出され得るように、オープンマスクを使用せずに行われてもよい。
実際、図７に示されるように、気化フラックス７３２は、第１の部分１０１にわたるパターニング被膜１１０の露出層表面１１と、パターニング被膜１１０を実質的に欠く第２の部分１０２にわたる下層の露出層表面１１との両方に入射し得る。
第１の部分１０１におけるパターニング被膜１１０の露出層表面１１は、第２の部分１０２における下層の露出層表面１１に対して、堆積材料７３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率を示し得るので、堆積層１３０は、実質的にパターニング被膜１１０を欠く第２の部分１０２における下層の露出層表面１１上にのみ実質的に選択的に堆積され得る。対照的に、第１の部分１０１にわたるパターニング被膜１１０の露出層表面１１に入射する気化フラックス７３２は、（７３３に示すように）堆積されない傾向があり得、第１の部分１０１にわたるパターニング被膜１１０の露出層表面１１は、堆積層１３０の閉じた被膜１４０を実質的に欠く場合がある。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２における下層の露出層表面１１上の気化フラックス７３２の初期堆積速度は、第１の部分１０１におけるパターニング被膜１１０の露出層表面１１上の気化フラックス７３２の初期堆積速度の約２００倍、約５５０倍、約９００倍、約１，０００倍、約１，５００倍、約１，９００倍、及び約２，０００倍のうちの１つを超え得る。
したがって、シャドウマスク６１５及びオープンマスクを使用する図６におけるパターン二ング被膜１１０の選択的堆積及び／又は堆積材料７３１のマスクフリー堆積の組み合わせは、図７に示されるデバイス１００のバージョン７００－ａをもたらし得る。
第１の部分１０１にわたるパターニング被膜１１０の選択的堆積の後、堆積材料７３１の閉じた被膜１４０は、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、堆積層１３０としてデバイス７００ａの上に堆積され得るが、パターニング被膜１１０を実質的に欠く第２の部分１０２内にのみ実質的に残り得る。
パターニング被膜１１０は、第１の部分１０１内で、第２の部分１０２内のデバイス７００ａの下部材料の露出層表面１１の、堆積材料７３１の堆積に対する、実質的に初期付着確率以下である、堆積材料７３１の堆積に対する、比較的低い初期付着確率を有する露出層表面１１を提供し得る。
したがって、第１の部分１０１は、堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０を実質的に欠き得る。
本開示は、シャドウマスク６１５を伴う堆積プロセスによるパターニング被膜１１０のパターニングされた堆積を企図しているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、これが、限定ではないが、マイクロコンタクト印刷プロセスを含む、任意の好適な堆積プロセスによって達成され得ることを理解するであろう。
本開示は、パターニング被膜１１０がＮＩＣであることを企図しているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０がＮＰＣ９２０であり得ることを理解するであろう。かかる例では、ＮＰＣ９２０が堆積された部分（例えば、非限定的に、第１の部分１０１）は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０を有してもよく、一方、他の部分（例えば、非限定的に、第２の部分１０２）は、堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０を実質的に欠き得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及びその後に堆積される堆積層１３０の平均層厚は、限定されないが、所与の用途及び所与の性能特質を含む、様々なパラメータに従って変化し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の平均層厚は、その後に堆積される堆積層１３０の平均層厚と同等であってもよく、かつ／又は実質的にそれ以下であり得る。堆積層１３０の選択的パターニングを達成するために比較的薄いパターニング被膜１１０を使用することは、可撓性のデバイス１００を提供するために好適であり得る。いくつかの非限定的な例では、比較的薄いパターニング被膜１１０は、バリア被膜又は他の薄膜封止（thin film encapsulation、ＴＦＥ）層１４５０が堆積され得る比較的平坦な表面を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、かかるバリア被膜１４５０の適用のためにかかる比較的平坦な表面を提供することにより、かかる表面へのその接着を増加させることができる。
縁部効果
パターニング被膜遷移領域
図８Ａを参照すると、第１の部分１０１内のパターニング被膜１１０と第２の部分１０２内の堆積層１３０との間の界面を誇張した形態で示し得る、図１のデバイス８００ａのバージョン１００が示され得る。図８Ｂは、デバイス８００ａを平面で示し得る。
図８Ｂでより分かり得るように、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内のパターニング被膜１１０は、第２の部分１０２内の堆積層１３０によって全ての側部で取り囲まれてもよく、それにより、第１の部分１０１は、各側方軸に沿った側方面におけるパターニング被膜１１０の更なる程度又は縁部８１５によって画定される境界を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、側方面におけるパターニング被膜縁部８１５は、かかる面における第１の部分１０１の外周によって画定されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１は、側方面では、少なくとも１つのパターニング被膜遷移領域１０１ｔを含んでもよく、パターニング被膜１１０の厚さは、最大厚さから減少した厚さに遷移してもよい。かかる遷移を呈しない第１の部分１０１の程度は、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎとして識別され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおいて実質的な閉鎖被膜１４０を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔは、側方面において、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎとパターニング被膜縁部８１５との間に延在することができる。
いくつかの非限定的な例では、平面で、パターニング被膜遷移領域１０１ｔは、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎを取り囲み、かつ／又はその外周に沿って延在することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの側方軸に沿って、パターニング被膜非遷移部１０１ｎは、第１の部分１０１の全体を占有してもよく、それにより、パターニング被膜遷移領域１０１ｔは、それと第２の部分１０２との間に存在しない。
図８Ａに解説するように、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、約１～１００ｎｍ、約２～５０ｎｍ、約３～３０ｎｍ、約４～２０ｎｍ、約５～１５ｎｍ、約５～１０ｎｍ、又は約１～１０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲内であり得る、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおける平均膜厚ｄ２を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおけるパターニング被膜１１０の平均膜厚ｄ２は、それにわたって実質的に同じ又は一定であり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の平均層厚ｄ２は、パターニング被膜非遷移部１０１ｎ内で、パターニング被膜１１０の平均膜厚ｄ２の約９５％及び約９０％のうちの１つ内に残留し得る。
いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ２は、約１～１００ｎｍであり得る。いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ２は、約８０ｎｍ以下、約６０ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約４０ｎｍ以下、約３０ｎｍ以下、約２０ｎｍ以下、約１５ｎｍ以下、及び約１０ｎｍ以下のうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の平均膜厚ｄ２は、約３ｎｍ、約５ｎｍ、及び約８ｎｍのうちの１つを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおけるパターニング被膜１１０の平均膜厚ｄ２は、約１０ｎｍ以下であり得る。いかなる特定の理論にも束縛されることを望まないが、少し驚くべきことに、ゼロではなく、約１０ｎｍ以下であるパターニング被膜１１０の平均膜厚ｄ２は、少なくともいくつかの非限定的な例では、１０ｎｍより大きい第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおける平均膜厚ｄ２を有するパターニング被膜１１０に対して、いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０の高められたパターニングコントラストを達成するための特定の利点を提供し得ることが見出されている。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔ内で最大値から最小値まで減少するパターニング被膜厚を有し得る。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第１の部分１０１のパターニング被膜遷移領域１０１ｔとパターニング被膜非遷移部１０１ｎとの間の境界にあり、かつ／又はそれに近接してもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、パターニング被膜縁部８１５にあり、及び／又はそれに近接してもよい。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおける平均膜厚ｄ２であり得る。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおける平均膜厚ｄ２の約９５％及び約９０％のうちの１つ以下であり得る。いくつかの非限定的な例では、最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲内であり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔにおけるパターニング被膜厚のプロファイルは、傾斜してもよく、及び／又は勾配に従ってもよい。いくつかの非限定的な例では、かかるプロファイルはテーパ状であり得る。いくつかの非限定的な例では、テーパは、線形、非線形、放物線形、及び／又は指数関数的減衰プロファイルに従ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔ内の下地表面を完全に被覆し得る。いくつかの非限定的な例では、下地層の少なくとも一部は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔ内のパターニング被膜１１０によって被覆されていないままであり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部及び／又はパターニング被膜非遷移領域１０１ｎの少なくとも一部に実質的な閉鎖被膜１４０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部及び／又はパターニング被膜非遷移部１０１ｎの少なくとも一部に不連続層８４０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内のパターニング被膜１１０の少なくとも一部は、堆積層１３０の閉鎖被膜１４０を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１の露出層表面１１の少なくとも一部は、堆積層１３０又は堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０を実質的に欠き得る。
いくつかの非限定的な例では、限定されないがＸ軸を含む少なくとも１つの側方軸に沿って、パターニング被膜非遷移部１０１ｎは、ｗ１の幅を有してもよく、パターニング被膜遷移領域１０１ｔは、ｗ２の幅を有し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜非遷移部１０１ｎは、いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ２に幅ｗ１を乗算することによって近似され得る断面積を有し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔは、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔにわたる平均膜厚に幅ｗ１を乗算することによって近似され得る断面積を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ｗ１は、ｗ２を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、商ｗ１／ｗ２は、少なくとも約５、少なくとも約１０、少なくとも約２０、少なくとも約５０、少なくとも約１００、少なくとも約５００、少なくとも約１，０００、少なくとも約１，５００、少なくとも約５，０００、少なくとも約１０，０００、少なくとも約５０，０００、及び少なくとも約１００，０００のうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２のうちの少なくとも１つは、下地層の平均膜厚ｄ１より大きくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２のうちの少なくとも１つは、ｄ２を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２の両方が、ｄ２を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２は両方ともｄ１を上回ってもよく、ｄ１はｄ２を上回ってもよい。
堆積層遷移領域
図８Ｂでより良く見られるように、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内のパターニング被膜１１０は、第２の部分１０２が、各側方軸に沿った側方面における堆積層１３０の更なる範囲又は縁部８３５によって画定される境界を有するように、第２の部分１０２内の堆積層１３０によって取り囲まれ得る。いくつかの非限定的な例では、側方面における堆積層縁部８３５は、かかる面における第２の部分１０２の外周によって画定され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２は、側方面において、少なくとも１つの堆積層遷移領域１０２ｔを含むことができ、堆積層１３０の厚さは、最大厚さから減少した厚さに遷移し得る。かかる遷移を示さない第２の部分１０２の範囲は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎとして識別され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎに実質的な閉鎖被膜１４０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、平面で、堆積層遷移領域１０２ｔは、側方面において、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎと堆積層縁部８３５との間に延在し得る。
いくつかの非限定的な例では、平面で、堆積層遷移領域１０２ｔは、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎを取り囲み、及び／又はその外周に沿って延在し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの側方軸に沿って、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎは、それと第１の部分１０１との間に堆積層遷移領域１０２ｔが存在しないように、第２の部分１０２の全体を占有し得る。
図８Ａに解説するように、いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、約１～５００ｎｍ、約５～２００ｎｍ、約５～４０ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、及び約１０～１００ｎｍのうちの１つの範囲内であり得る、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎにおける平均膜厚ｄ３を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ｄ３は、約１０ｎｍ、約５０ｎｍ、及び約１００ｎｍのうちの１つを上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｔにおける堆積層１３０の平均膜厚ｄ３は、全体にわたって実質的に同じであるか又は一定であり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｄ３は、下地層の平均膜厚ｄ１より大きくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ１は、少なくとも約１．５、少なくとも約２、少なくとも約５、少なくとも約１０、少なくとも約２０、少なくとも約５０、及び少なくとも約１００のうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ１は、約０．１～１０及び約０．２～４０のうちの１つの範囲内であり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｄ３は、パターニング被膜１１０の平均膜厚ｄ２を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ２は、少なくとも約１．５、少なくとも約２、５、少なくとも約１０、少なくとも約２０、少なくとも約５０、及び少なくとも約１００のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ２は、約０．２～１０又は約０．５～４０のうちの少なくとも１つの範囲内であり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｄ３はｄ２を上回ってもよく、ｄ２はｄ１を上回ってもよい。いくつかの他の非限定的な例では、ｄ３はｄ１を上回ってもよく、ｄ１はｄ２を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｄ２／ｄ１は、約０．２～３、及び約０．１～５のうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｘ軸を含むがこれに限定されない少なくとも１つの側方軸に沿って、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎは、ｗ３の幅を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎは、いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ３に幅ｗ３を乗算することによって近似されてもよい断面積ａ３を有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、ｗ３は、パターニング被膜非遷移部１０１ｎの幅ｗ１を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ１は、ｗ３を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｗ１／ｗ３は、約０．１～１０、約０．２～５、０．３～３、及び約０．４～２のうちの１つの範囲内であり得る。いくつかの非限定的な例では、商ｗ３／ｗ１は、少なくとも約１、少なくとも約２、少なくとも約３、及び少なくとも約４のうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｗ３は、堆積層１３０の平均膜厚ｄ３を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｗ３／ｄ３は、少なくとも約１０、少なくとも約５０、少なくとも約１００、又は少なくとも約５００のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、商ｗ３／ｄ３は、約１００，０００以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、堆積層遷移領域１０２ｔ内で最大から最小まで減少する厚さを有し得る。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第２の部分１０２の堆積層遷移領域１０２ｔと堆積層非遷移部１０２ｎとの間の境界にあり、かつ／又はそれに近接してもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、堆積層縁部８３５にあり、かつ／又はそれに近接してもよい。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎにおける平均膜厚ｄ３であり得る。いくつかの非限定的な例では、最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲内であり得る。いくつかの非限定的な例では、最小値は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎにおける平均膜厚ｄ３であり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層遷移領域１０２ｔ内の厚さのプロファイルは、傾斜してもよく、かつ／又は勾配に従ってもよい。いくつかの非限定的な例では、かかるプロファイルはテーパ状であり得る。いくつかの非限定的な例では、テーパは、線形、非線形、放物線形、及び／又は指数関数的減衰プロファイルに従ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の図８Ｅの例示的なバージョン８００ｅにおけるいくつかの非限定的な例において示されるように、堆積層１３０は、堆積層遷移領域１０２ｔにおいて下層表面を完全に覆い得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部に実質的な閉鎖被膜１４０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、下地表面の少なくとも一部は、堆積層遷移領域１０２ｔにおいて堆積層１３０によって被覆されていなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部に不連続層８４０を含み得る。
当業者は、明示的に解説されていないが、パターニング材料６１１が、堆積層１３０と下地層との間の界面にある程度まで存在し得ることを理解するであろう。かかる材料は、堆積されたパターンがマスクのパターンと同一ではないシャドウイング効果の結果として堆積されることがあり、いくつかの非限定的な例では、ターゲット露出層表面１１のマスクされた部上に堆積されているいくつかの蒸発したパターニング材料６１１をもたらし得る。いくつかの非限定的な例では、かかる材料は、粒子構造８４１として、かつ／又は実質的にパターニング被膜１１０の平均厚さ以下であり得る厚さを有するは薄膜として形成され得る。
重なり
いくつかの非限定的な例では、堆積層縁部８３５は、側方面において、第１の部分１０１と第２の部分１０２との間で重なりが生じないように、側方面において、第１の部分１０１のパターニング被膜遷移領域１０１ｔから離隔させることができる。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１の少なくとも一部及び第２の部分１０２の少なくとも一部は、側方面において重なってもよい。かかる重なりは、いくつかの非限定的な例では図８Ａに示し得るような重なり部分８０３によって識別することができ、この場合、第２の部分１０２の少なくとも一部が第１の部分１０１の少なくとも一部と重なる。
いくつかの非限定的な例では、図８Ｆのいくつかの非限定的な例において示されるように、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部の上に配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部は、堆積層１３０及び／又は堆積材料７３１を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部の露出層表面１１上に不連続層８４０を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、図８Ｇのいくつかの非限定的な例において示されるように、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部は、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎの少なくとも一部の上に配設され得る。
示されていないが、いくつかの非限定的な例では、重なり部分８０３は、第１の部分１０１の少なくとも一部が第２の部分１０２の少なくとも一部に重なるシナリオを反映し得ることを、当業者は理解されよう。
したがって、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部は、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部の上に配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部は、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部の露出層表面上に不連続層８４０を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎの少なくとも一部の上に配設されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜縁部８１５は、側方面において、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎから離隔されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎ及び堆積層遷移領域１０２ｔの両方にわたる単一のモノリシック被膜として形成されてもよい。
パターニング被覆及び堆積層の縁部効果
図９Ａ～９Ｉは、堆積層１３０との堆積界面におけるパターニング被膜１１０の様々な潜在的な挙動を説明する。
図９Ａに目を向けると、パターニング被膜堆積境界におけるデバイス１００の例示的バージョン９００の一部の第１の例が示され得る。デバイス９００は、露出層表面１１を有する基板１０を含み得る。パターニング被覆１１０は、露出層表面１１の第１の部分１０１の上に堆積され得る。堆積層１３０は、露出層表面１１の第２の部分１０２の上に堆積され得る。図示のように、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１及び第２の部分１０２は、露出層表面１１の別個の重ならない部分であり得る。
堆積層１３０は、第１の部分１３０１及び第２の部分１３０２を含み得る。図示のように、いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０の第１の部分１３０１は、第２の部分１０２を実質的に被覆し得、堆積層１３０の第２の部分１３０２は、パターニング被膜１１０の第１の部分の上に部分的に突出し、かつ／又は重なり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、その露出層表面１１が堆積材料７３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を呈するように形成され得るので、堆積層１３０の突出した及び／又は重なる第２の部分１３０２とパターニング被膜１１０の露出層表面１１との間に間隙９２９が形成され得る。その結果、第２の部分１３０２は、パターニング被膜１１０と物理的に接触していなくてもよいが、断面において間隙９２９によってそこから離隔されていてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０の第１の部分１３０１は、第１の部分１０１と第２の部分１０２との間の界面及び／又は境界においてパターニング被膜１１０と物理的に接触していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０の突出した及び／又は重なる第２の部分１３０２は、堆積層１３０の第１の部分１３０１の平均層厚ｄａと同等の程度だけパターニング被膜１１０の上に側方に延在することができる。いくつかの非限定的な例では、図示のように、第２の部分１３０２の幅ｗｂは、第１の部分１３０１の平均層厚ｄａと同等であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１３０２の幅ｗｂと第１の部分１３０１の平均層厚ｄａとの比は、約１：１～１：３、約１：１～１：１．５、又は約１：１～１：２のうちの少なくとも１つの範囲内であり得る。平均層厚ｄａは、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１３０１にわたって比較的均一であり得るが、いくつかの非限定的な例では、第２の部分１３０２が突出し得る、かつ／又はパターニング被膜１１０と重なり得る程度（すなわち、ｗｂ）は、露出層表面１１の異なる部分にわたってある程度まで変化し得る。
次に図９Ｂを参照すると、堆積層１３０は、第２の部分１３０２とパターニング被膜１１０との間に配設された第３の部分１３０３を含むように示され得る。図示のように、堆積層１３０の第２の部分１３０２は、堆積層１３０の第３の部分１３０３の上に側方に延在しており、そこから長手軸方向に離隔されてもよく、第３の部分１３０３は、パターニング被膜１１０の露出層表面１１と物理的に接触してもよい。堆積層１３０の第３の部分１３０３の平均層厚ｄｃは、その第１の部分１３０１の平均層厚ｄａ以下であってもよく、いくつかの非限定的な例では、実質的にそれより小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１３０３の幅ｗｃは、第２の部分１３０２の幅ｗｂを上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１３０３は、第２の部分１３０２よりも大きい程度までパターニング被膜１１０に重なるように側方に延在することができる。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１３０３の幅ｗｃと第１の部分１３０１の平均層厚ｄａとの比は、約１：２～３：１、及び約１：１．２～２．５：１のうちの１つの範囲内であり得る。平均層厚ｄａは、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１３０１にわたって比較的均一であり得るが、いくつかの非限定的な例では、第３の部分１３０３が突出し得る、かつ／又はパターニング被膜１１０と重なり得る程度（すなわち、ｗｃ）は、露出層表面１１の異なる部分にわたってある程度まで変化し得る。
いくつかの非限定的な例では、第３の部分１３０３の平均層厚ｄｃは、第１の部分１３０１の平均層厚ｄａの約５％を上回らなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、ｄｃは、ｄａの約４％以下、約３％以下、約２％以下、約１％以下、及び約０．５％以下のうちの１つであり得る。第３の部分１３０３が薄膜として形成される代わりに、及び／又はそれに加えて、図示されるように、堆積層１３０の堆積材料７３１は、パターニング被膜１１０の一部の上に粒子構造８４１として形成し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる粒子構造８４１は、それらが連続層を形成しないように、互いに物理的に分離された特徴を含み得る。
ここで図９Ｃを参照すると、ＮＰＣ９２０が、基板１０と堆積層１３０との間に配設され得る。ＮＰＣ９２０は、堆積層１３０の第１の部分１３０１と基板１０の第２の部分１０２との間に配設され得る。ＮＰＣ９２０は、パターニング被膜１１０が堆積された第１の部分１０１上ではなく、第２の部分１０２上に配設されているように解説されている。ＮＰＣ９２０は、ＮＰＣ９２０と堆積層１３０との間の界面及び／又は境界において、ＮＰＣ９２０の表面が堆積材料７３１の堆積に抗する比較的高い初期付着確率を呈し得るように形成されてもよい。したがって、ＮＰＣ９２０が存在することにより、堆積中に堆積層１３０の形成及び／又は成長を促進することができる。
次に図９Ｄを参照すると、ＮＰＣ９２０は、基板１０の第１の部分１０１及び第２の部分１０２の両方の上に配置されてもよく、パターニング被膜１１０は、第１の部分１０１上に配置されたＮＰＣ９２０の一部を覆ってもよい。ＮＰＣ９２０の別の部分は、パターニング被膜１１０を実質的に欠く場合があり、堆積層１３０は、ＮＰＣ９２０のそのような部分を覆い得る。
ここで図９Ｅを参照すると、堆積層１３０は、基板１０の第３の部分９０３においてパターニング被膜１１０の一部と部分的に重なるように示され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分１３０１及び第２の部分１３０２に加えて、堆積層１３０は、第４の部分１３０４を更に含み得る。図示のように、堆積層１３０の第４の部分１３０４は、堆積層１３０の第１の部分１３０１と第２の部分１３０２との間に配設することができ、第４の部分１３０４は、パターニング被膜１１０の露出層表面１１と物理的に接触することができる。いくつかの非限定的な例では、第３の部分９０３における重なりは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセス中の堆積層１３０の側方成長の結果として形成され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の露出層表面１１は、堆積材料７３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を呈することができ、したがって、露出層表面１１上で材料が核形成する確率は低くなり得るが、堆積層１３０の厚さが成長するにつれて、堆積層１３０は側方にも成長することができ、図示のようにパターニング被膜１１０のサブセットを被覆することができる。
ここで図９Ｆを参照すると、基板１０の第１の部分１０１はパターニング被膜１１０で被覆されてもよく、それに隣接する第２の部分１０２は堆積層１３０で被覆されてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０のオープンマスク堆積及び／又はマスクフリー堆積を行うことにより、堆積層１３０が、堆積層１３０とパターニング被膜１１０との間の界面及び／又はその付近でテーパ状の断面プロファイルを呈し得ることが観察されている。
いくつかの非限定的な例では、界面における、かつ／又はその付近の堆積層１３０の平均層厚は、堆積層１３０の平均層厚ｄ３未満であり得る。かかるテーパ状プロファイルは、いくつかの非限定的な例では、湾曲及び／又はアーチ状として示され得るが、プロファイルは、いくつかの非限定的な例では、実質的に線形及び／又は非線形であってもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０の平均層厚ｄ３は、限定はしないが、界面に近接した領域において実質的に線形、指数関数的、及び／又は二次関数的に減少し得る。
堆積層１３０とパターニング被膜１１０との間の界面における、かつ／又はその付近の堆積層１３０の接触角θｃは、相対的な初期付着確率などのパターニング被膜１１０の特性に応じて変化し得ることが観察されている。核の接触角θｃは、いくつかの非限定的な例では、堆積によって形成された堆積層１３０の薄膜接触角を決定し得ることを更に仮定することができる。図９Ｆを参照すると、いくつかの非限定的な例では、接触角θｃは、堆積層１３０とパターニング被膜１１０との間の界面及び／又はその付近における堆積層１３０の接線の傾斜を測定することによって決定され得る。堆積層１３０の断面テーパプロファイルが実質的に線形であり得るいくつかの非限定的な例では、接触角θｃは、界面における、かつ／又はその付近の堆積層１３０の傾斜を測定することによって決定され得る。当業者によって理解されるように、接触角θｃは、概して、下地層のゼロではない角度に対して測定され得る。本開示では、解説を簡略にするために、パターニング被膜１１０及び堆積層１３０は、平坦な表面上に堆積されて示され得る。しかしながら、当業者は、パターニング被膜１１０及び堆積層１３０が非平面表面上に堆積され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０の接触角θｃは、約９０°を上回ってもよい。ここで図９Ｇを参照すると、いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、パターニング被膜１１０と堆積層１３０との間の界面を越えて延びる部分を含むものとして示されてもよく、ギャップ９２９によってパターニング被膜１１０から離間されてもよい。かかる非限定的なシナリオでは、接触角θｃは、いくつかの非限定的な例では、９０°を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、比較的高い接触角θｃを呈する堆積層１３０を形成することが有利であり得る。いくつかの非限定的な例では、接触角θｃは、約１０°、約１５°、約２０°、約２５°、約３０°、約３５°、約４０°、約５０°、約７０°、約７５°、及び約８０°のうちの１つを上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、比較的高い接触角θｃを有する堆積層１３０は、比較的高いアスペクト比を維持しながら、微細にパターニングされた特徴の創出を可能にし得る。いくつかの非限定的な例では、約９０°より大きい接触角θｃを示す堆積層１３０を形成する目的が存在し得る。いくつかの非限定的な例では、接触角θｃは、約９０°、約９５°、約１００°、約１０５°、約１１０°、約１２０°、約１３０°、約１３５°、約１４０°、約１４５°、約１５０°、及び約１７０°のうちの少なくとも１つを上回ってもよい。
ここで図９Ｈ～９Ｉを参照すると、堆積層１３０は、基板１０の第３の部分９０３においてパターニング被膜１１０の一部に部分的に重なってもよく、これは、その第１の部分１０１と第２の部分１０２との間に配置されてもよい。図示のように、パターニング被膜１１０のサブセットに部分的に重なる堆積層１３０のサブセットは、その露出層表面１１と物理的に接触し得る。いくつかの非限定的な例では、第３の部分９０３における重なりは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセス中の堆積層１３０の側方成長に起因して形成され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の露出層表面１１は、堆積材料７３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を呈することができ、したがって、露出層表面１１上で材料が核形成する確率は低いが、堆積層１３０の厚さが成長するにつれて、堆積層１３０は側方にも成長することができ、パターニング被膜１１０のサブセットを被覆することができる。
図９Ｈ～図９Ｉの場合、堆積層１３０の接触角θｃは、図示のように、それとパターニング被膜１１０との間の界面付近のその縁部で測定され得る。図９Ｉにおいて、接触角θｃは、約９０°を上回ってもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０のサブセットが間隙９２９によってパターニング被膜１１０から離隔されることをもたらし得る。
粒子構造
ナノ粒子（nanoparticle、ＮＰ）は、主な特徴的なサイズがナノメートル（nanometer、ｎｍ）スケールのものであり、概して約１～３００ｎｍであると理解される物質の粒子構造８４１である。ｎｍスケールでは、所与の材料のＮＰは、バルク形態の同じ材料に対して固有の特性（限定はしないが、光学的、化学的、物理的、及び／又は電気的特性を含む）がある場合がある。
これらの特性は、複数のＮＰが、限定はしないが、光電子デバイスを含む積層半導体デバイスの層に形成されるときに、その性能を改善するために利用され得る。
ＮＰのそのような層をデバイスに導入するための現在のメカニズムは、いくつかの欠点を有する。
第一に、典型的には、かかるＮＰは、かかるデバイスの最密充填層に形成され、かつ／又はマトリックス材料内に分散される。その結果、そのようなＮＰ層の厚さは、典型的には、ＮＰ自体の特徴的なサイズよりもはるかに厚くなる可能性がある。かかるＮＰ層の厚さは、デバイス性能、デバイス安定性、デバイス信頼性、及び／又はデバイス寿命に関して望ましくない特性を付与する場合があり、それにより、ＮＰの固有の特性によって提供される任意の認識される利点が低減され、又は更には取り除かれる場合がある。
第二に、そのようなデバイスにおいて、かつそのようなデバイスで使用するために、ＮＰを合成する技術は、様々なメカニズムを通して、大量の炭素（Ｃ）、酸素（Ｏ）、及び／又は硫黄（Ｓ）を導入する可能性がある。
いくつかの非限定的な例では、湿式化学法を使用して、典型的には、精密に制御された特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、及び／又は堆積密度を有するＮＰをデバイスに導入することができる。しかしながら、かかる方法は、典型的には、ＮＰを安定化させるために有機キャッピング基（クエン酸塩でキャッピングされたＡｇ ＮＰの合成など）を用いるが、かかる有機キャッピング基は、合成されたＮＰにＣ、Ｏ、及び／又はＳを導入する。
また更に、溶液から堆積されたＮＰ層は、堆積に使用される溶媒のために、典型的にはＣ、Ｏ、及び／又はＳを含み得る。
追加的に、これらの元素は、湿式化学プロセス及び／又はＮＰ層の堆積中に汚染物質として導入されることがある。
しかしながら、導入されると、そのようなデバイスのＮＰ層中の大量のＣ、Ｏ、及び／又はＳの存在は、そのようなデバイスの性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命を低下させる可能性がある。
第三に、溶液からＮＰ層を堆積させるとき、採用される溶媒が乾燥するにつれて、ＮＰ層は、ＮＰ層にわたって、かつ／又はそのような層の異なるパターン化された領域間で、不均一な特性を有する傾向がある。いくつかの非限定的な例では、所与のＮＰ層の縁部は、そのようなＮＰ層の内部領域よりもかなり厚く又は薄くなることがあり、その不一致は、デバイス性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命に悪影響を及ぼすことがある。
第四に、湿式化学合成及び溶液堆積プロセスを超えて、ＮＰを合成及び／又は堆積させる他の方法及び／又はプロセス（限定されないが、真空ベースのプロセス（例えば、限定されないが、ＰＶＤ）が挙げられる）が存在するが、既存の方法は、それによって堆積されるＮＰの特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度の不十分な制御をもたらす傾向がある。いくつかの非限定的な例では、従来のＰＶＤプロセスでは、ＮＰは、それらのサイズが増加するにつれて、最密充填膜を形成する傾向がある。結果として、従来のＰＶＤ法などの方法は、概して、表面被覆度が低い大きな分散ＮＰのＮＰ層を形成するのにあまり適していない。むしろ、そのような従来の方法によって付与される、特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、及び／又は堆積密度の不十分な制御により、デバイス性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命が不十分になり得る。
図８Ｃに示され得るようないくつかの非限定的な例では、下層の露出層表面１１上に配設されたナノ粒子（ＮＰ）、島、プレート、分離クラスタ、及び／又はネットワーク（集合的に粒子構造８４１）を含むがこれらに限定されない少なくとも１つの粒子が存在し得る。いくつかの非限定的な例では、下層は、第１の部分１０１内のパターニング被膜１１０であり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、パターニング被膜１１０の露出層表面１１上に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、複数のそのような粒子構造８４１が存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、粒子材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、堆積層内の堆積材料７３１と同じであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内の不連続層８４０内の粒子材料、堆積層１３０内の堆積材料７３１、及び／又はその下の下層が含み得る材料は、共通の金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｎ、及びＹのうちの少なくとも１つから選択される元素を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、及びＭｇのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、及びＡｕのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＣｕであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｌであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、及びＹｂのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、及びＬｉのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、及びＹｂのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ及びＡｇのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｇであり得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、純金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、純金属であり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、純粋なＡｇ又は実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＡｇは、約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、及び約９９．９９９５％のうちの１つの純度を有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、純Ｍｇ又は実質的に純Ｍｇのうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、及び少なくとも約９９．９９９５％のうちの１つの純度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、及びＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、ＡｇＭｇ含有合金は、体積で約１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲であり得る合金組成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇの代わりに、又はＡｇと組み合わせて他の金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇと少なくとも１つの他の金属との合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇと、Ｍｇ及びＹｂのうちの少なくとも１つとの合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、かかる合金は、約５～９５体積％のＡｇと、残りが他の金属である組成を有する二元合金であり得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇ及びＭｇを含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料はＡｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、体積で約１：１０～１０：１の組成を有するＡｇ：Ｍｇ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、体積で約１：２０～１０：１のＹｂ：いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、体積で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｍｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料はＡｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、少なくとも１つの追加の元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は非金属元素であり得る。いくつかの非限定的な例では、非金属材料は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は、ソース材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境におけるかかる追加の元素の存在に起因して、汚染物質として少なくとも１つの粒子構造８４１に組み込まれ得ることが、当業者によって理解されよう。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は、少なくとも１つの粒子構造８４１の他の要素とともに化合物を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、粒子材料中の非金属元素の濃度は、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下のうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、その中のＯ及びＣの合計が、約１０％以下、約５％以下、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下のうちの１つである組成を有し得る。
少なくとも１つの粒子８４１は、金属とのＥＭ放射線の共鳴相互作用を研究する、ナノフォトニクスの一分野であるプラズモニクスを利用する。当業者であれば、金属ＮＰは、光学応答が、ナノ構造の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は組成を変化させることによって調整され得る自由電子のＬＳＰ励起及び／又はコヒーレント振動を示し得ることを理解するであろう。かかる光学応答は、粒子構造８４１に関して、その上に入射するＥＭ放射線の吸収を含み得、それによって、その反射を低減し、及び／又は、可視スペクトル及び／又はそのサブ範囲を非限定的に含むＥＭスペクトルのより低い又はより高い波長（（サブ）範囲）へ偏移する。
比較的低い屈折率を有する媒体の近くに特定の金属ＮＰを配置することは、かかるＮＰの吸収スペクトルをより低い波長（部分）範囲に偏移させ得る（青色偏移）ことも報告されている。
したがって、いくつかの非限定的な例では、粒子材料を、少なくとも１つの粒子構造８４１が下地層と物理的に接触するように、下地層の露出層表面１１上の少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０として配設することは、いくつかの非限定的な例では、デバイス１００によって放射される、及び／又はそれを通して少なくとも部分的に透過されるＥＭ放射線のＥＭスペクトルの波長範囲と実質的に重ならないように、青方偏移を非限定的に含む、粒子材料の吸収スペクトルを有利に偏移し得ると更に仮定し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１のピーク吸収波長は、デバイス１００を通して放射されている、及び／又はそれを通して少なくとも部分的に透過されるＥＭ放射線のピーク波長未満であり得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、約４７０ｎｍ以下、約４６０ｎｍ、約４５５ｎｍ以下、約４５０ｎｍ以下、約４４５ｎｍ以下、約４４０ｎｍ以下、約４３０ｎｍ以下、約４２０ｎｍ以下、及び約４００ｎｍ以下のうちの１つである波長でピーク吸収を呈し得る。
ここで、幾分驚くべきことに、少なくとも１つの低い（より低い）屈折率の被膜内及び／又はそれに近接する、金属で構成されたものを含むがこれに限定されない少なくとも１つの粒子構造８４１の形態を含むがこれに限定されない粒子材料を提供することは、少なくとも１つの低い（より低い）屈折率の層、少なくとも１つの粒子構造８４１から及び／又はそれを通って、屈折率界面１４０を横切って第１の方向に通過する、可視光スペクトルを含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの少なくとも波長（部分）範囲及び／又はその部分範囲において、第１の方向を含むがこれに限定されないデバイス１００を通過するＥＭ放射線の吸収及び／又は透過率に更に影響を与え得ることが見出された。
いくつかの非限定的な例では、吸収は、低減され得、及び／又は透過は、限定されないが可視スペクトル、及び／又はそのサブ範囲を含む、少なくともＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲に集中され得る。
いくつかの非限定的な例では、吸収は、可視スペクトル、及び／又はそのサブ範囲を非限定的に含む、ＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲である吸収スペクトルに集中され得る。
いくつかの非限定的な例では、吸収スペクトルは、青方偏移及び／又は可視スペクトル、及び／又は限定されないがそのサブ範囲を含む、限定されないがＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲を含むより高い波長（サブ）範囲に、及び／又は少なくとも部分的に可視スペクトルを超えたＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲に、偏移（赤方偏移）され得る。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、複数の少なくとも１つの粒子８４１の複数の層が、追加の層によって分離されているか否かにかかわらず、様々な側方面を有し、異なる吸収スペクトルを有して、互いの上に配設され得ることを理解するであろう。このようにして、デバイスのある特定の領域の吸収は、１つ以上の所望の吸収スペクトルに従って調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の露出層表面１１上の、例えば非限定的に不連続層８４０内の、ＮＰを非限定的に含む、少なくとも１つの粒子構造８４１の存在は、デバイス４００のいくつかの光学特性に影響を及ぼし得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような複数の粒子構造８４１は、不連続層８４０を形成し得る。
いかなる特定の理論にも限定されることを望むものではないが、粒子材料の閉じた被膜１４０の形成は、パターニング被膜１１０によって及び／又はその上で実質的に抑制され得るが、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０がその上の粒子材料の堆積に露出されるとき、粒子材料のいくつかの蒸気モノマーは、最終的にその上に粒子材料の少なくとも１つの粒子構造８４１を形成し得ると仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造８４１の少なくともいくつかは、互いに切断され得る。換言すれば、いくつかの非限定的な例では、不連続層８４０は、粒子構造８４１が閉鎖被膜１４０を形成しないように、互いに物理的に分離され得る粒子構造８４１を含む特徴を含み得る。したがって、そのような不連続層８４０は、いくつかの非限定的な例では、したがって、デバイス１００内のパターニング被膜１１０と少なくとも１つの被覆層との間の界面に、かつ／又は実質的にその横方向範囲にわたって挿入される、粒子構造８４１として形成される堆積材料７３１の薄い分散層を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料の粒子構造８４１のうちの少なくとも１つは、パターニング被膜１１０の露出層表面１１と物理的に接触し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料の粒子構造８４１の実質的に全てが、パターニング被膜１１０の露出層表面１１と物理的に接触し得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、幾分驚くべきことに、パターニング被膜１１０の露出層表面１１上の、金属粒子構造８４１を含むがこれに限定されない少なくとも１つの粒子構造８４１を含むがこれに限定されない粒子材料のそのような薄い分散不連続層８４０の存在は、本明細書で説明するように、デバイス１００の光学効果及び特性を含むがこれに限定されない少なくとも１つの変化した特質、及び付随して変化した挙動を示し得ることが見出された。いくつかの非限定的な例では、そのような効果及び特性は、パターニング被膜１１０上の粒子構造８４１の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つの賢明な選択によってある程度まで制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造８４１は、粒子構造８４１によって呈される光学応答に関連する効果を達成するために、特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成を有するように制御可能に選択され得る。
当業者は、材料が堆積されるメカニズムを考慮すると、モノマー及び／又は原子の可能なスタッキング及び／又はクラスタリングにより、少なくとも１つの粒子構造８４１の実際のサイズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔は、いくつかの非限定的な例では、実質的に不均一であり得ることを理解するであろう。追加的に、少なくとも１つの粒子構造８４１は、所与のプロファイルを有するものとして解説されているが、これは、解説のみを意図しており、そのサイズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔を決定するものではない。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、約２００ｎｍ以下の特徴的な寸法を有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、約１～２００ｎｍ、約１～１６０ｎｍ、約１～１００ｎｍ、約１～５０ｎｍ、及び約１～３０ｎｍのうちの１つであり得る特徴的な直径を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、離散金属プラズモニックアイランド又はクラスタであり得る、及び／又は離散金属プラズモニックアイランド又はクラスタを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、粒子材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる粒子構造８４１は、いくつかの非限定的な例では、下地層の露出層表面１１上の、数オングストロームの数分の１ほどの粒子材料であり得る層の平均層厚を有する、わずかな量を堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、露出層表面１１は、核形成促進被膜（ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ ｐｒｏｍｏｔｉｎｇ ｃｏａｔｉｎｇ、ＮＰＣ）９２０（図９Ｃ）であり得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇ、Ｙｂ、及び／又はマグネシウム（Ｍｇ）のうち少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる不連続層８４０の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つの形成は、いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１の少なくとも１つの特性、パターニング被膜１１０の平均膜厚ｄ２、パターニング被膜１１０における不均一性の導入、並びに／又は、限定はしないが、パターニング被膜１１０のための温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び／若しくは堆積プロセスを含む堆積環境のうちの少なくとも１つの賢明な選択によって制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続層８４０の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つの形成は、いくつかの非限定的な例では、粒子材料（堆積材料７３１であり得る）の少なくとも１つの特質、パターニング被膜１１０が粒子材料の堆積に露出され得る程度（いくつかの非限定的な例では、対応する不連続層８４０の厚さに関して指定され得る）、並びに／又は粒子材料のための堆積の温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び／若しくは方法を含むがこれらに限定されない堆積環境のうちの少なくとも１つの賢明な選択によって制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、不連続層８４０は、パターニング被膜１１０の横方向範囲にわたるパターンで堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、不連続層８４０は、少なくとも１つの粒子構造８４１を実質的に欠く、中の少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続層８４０の特質は、下層の露出層表面１１の一部に形成された粒子材料の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、構成、表面被覆度、堆積分布、分散度、及び／又は凝集事例の存在及び／又は程度を含むがこれらに限定されない複数の基準のうちの少なくとも１つに従って、いくつかの非限定的な例では、ある程度任意に評価され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような少なくとも１つの基準による不連続層８４０の評価は、透過型電子顕微鏡法（transmission electron microscopy、ＴＥＭ）、原子間力顕微鏡法（atomic force microscopy、ＡＦＭ）、及び走査電子顕微鏡法（scanning electron microscopy、ＳＥＭ）のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない様々な撮像技法を使用して、不連続層８４０の少なくとも１つの属性を測定及び／又は計算することを含むがこれらに限定されないことによって行われ得る。
当業者は、不連続層８４０のそのような評価が、考慮中の露出層表面１１の程度によって、より大きい及び／又はより小さい程度に依存し得、いくつかの非限定的な例では、そのエリア及び／又は領域を含み得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、不連続層８４０は、露出層表面１１の第１の側方面及び／又はそれに対して実質的に横断する第２の側方面において、全範囲にわたって評価され得る。いくつかの非限定的な例では、不連続層８４０は、不連続層８４０（の一部）に対して適用される少なくとも１つの観察窓を含む範囲にわたって評価され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの観察窓は、露出層表面１１の側方面の外周、内部位置、及び／又はグリッド座標のうちの少なくとも１つに位置してもよい。いくつかの非限定的な例では、複数の少なくとも１つの観察窓が、不連続層８４０を評価する際に使用され得る。
いくつかの非限定的な例では、観察窓は、限定はしないが、ＴＥＭ、ＡＦＭ、及びＳＥＭのうちの少なくとも１つを含む、不連続層８４０を評価するために適用される撮像技法の視野に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、観察窓は、限定ではないが、２．００ミクロン、１．００ミクロン、５００ｎｍ、及び２００ｎｍのうちの１つを含む、所与のレベルの倍率に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、使用される少なくとも１つの観察窓を含むがこれに限定されない不連続層８４０の露出層表面１１の評価は、いくつかの非限定的な例では、曲線、多角形、及び／又は形状適合技術を含み得る手動カウント及び／又は既知の推定技術を含むがこれに限定されない、任意の数のメカニズムによって計算及び／又は測定することを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、その露出層表面１１の、使用される少なくとも１つの観察窓を含むがこれに限定されない不連続層８４０の評価は、平均値、中央値、最頻値、最大値、最小値、並びに／又は計算及び／若しくは測定の値の他の確率的、統計的、及び／若しくはデータの操作を計算及び／又は測定することを伴い得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続層８４０が評価され得る少なくとも１つの基準のうちの１つは、そのような不連続層８４０（の一部）上の粒子材料の表面被覆度であり得る。いくつかの非限定的な例では、表面被覆度は、そのような不連続層８４０（の一部）のそのような粒子材料による（非０）被覆率によって表され得る。いくつかの非限定的な例では、被覆率は、最大閾値被覆率と比較され得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に最大閾値被覆率以下であり得る表面被覆度を有する不連続層８４０（の一部）は、実質的に最大閾値被覆率を超える表面被覆度を有する不連続層８４０の一部を通過するＥＭ放射線に対して、デバイス１００を完全に透過するか、及び／又はそれによって放射されるかにかかわらず、不連続層８４０のそのような部分によってそれを通過するＥＭ放射線に付与され得る異なる光学特質の発現をもたらし得る。
いくつかの非限定的な例では、表面上のある量の導電性材料の表面被覆率の１つの尺度は、（ＥＭ放射線）透過率であり得るが、これは、いくつかの非限定的な例では、Ａｇ、Ｍｇ、又はＹｂを含むがこれらに限定されない金属を含むがこれらに限定されない導電性材料は、ＥＭ放射線を減衰及び／又は吸収するためである。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、表面被覆率は、粒径及び堆積密度の一方又は両方を包含すると理解され得ることを理解するであろう。したがって、いくつかの非限定的な例では、複数のこれらの３つの基準は、正に相関され得る。実際に、いくつかの非限定的な例では、低い表面被覆率の基準は、低い堆積密度の基準と低い粒径の基準との何らかの組み合わせを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続層８４０が評価され得る少なくとも１つの基準の１つは、構成粒子構造８４１の特徴的なサイズであり得る。
いくつかの非限定的な例では、不連続層８４０の少なくとも１つの粒子構造８４１は、最大閾値サイズ以下の特徴的なサイズを有し得る。特徴的なサイズの非限定的な例は、高さ、幅、長さ、及び／又は直径のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、不連続層８４０の実質的に全ての粒子構造８４１は、特定の範囲内にある特徴的なサイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる特徴的なサイズは、いくつかの非限定的な例では、特徴的なサイズの最大値とみなされ得る特徴的な長さによって特徴付けられ得る。いくつかの非限定的な例では、かかる最大値は、粒子構造８４１の長軸に沿って延在し得る。いくつかの非限定的な例では、長軸は、複数の側方軸によって画定される平面内に延在する第１の次元であると理解され得る。いくつかの非限定的な例では、特徴的な幅は、粒子構造８４１の短軸に沿って延在し得る粒子構造８４１の特徴的なサイズの値として識別され得る。いくつかの非限定的な例では、短軸は、同じ平面内に延在するが、長軸を実質的に横断する第２の次元であると理解され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の次元に沿った少なくとも１つの粒子構造８４１の特徴的な長さは、最大閾値サイズ以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の次元に沿った少なくとも１つの粒子構造８４１の特徴的な幅は、最大閾値サイズ以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、不連続層８４０（の一部）における構成粒子構造８４１のサイズは、質量、体積、直径の長さ、周囲長、長軸、及び／又は短軸を含むがこれらに限定されない、そのような少なくとも１つの粒子構造８４１の特徴的なサイズを計算及び／又は測定することによって評価され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続層８４０が評価され得る少なくとも１つの基準の１つは、その堆積密度であり得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造８４１の特徴的なサイズは、最大閾値サイズと比較され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造８４１の堆積密度は、最大閾値堆積密度と比較され得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる基準のうちの少なくとも１つは、数値指標によって定量化され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる指標は、粒子構造８４１の堆積層１３０内の粒子（面積）サイズの分布を記述する分散度Ｄの計算であり得る。
Figure 2024516165000011
 式中、
Figure 2024516165000012
 ｎは、試料領域内の粒子構造８４１の数であり、
Ｓｉは、ｉ番目の粒子構造８４１の（面積）サイズであり、
Figure 2024516165000013
 は、粒子（面積）サイズの数平均であり、
Figure 2024516165000014
 は、粒子（面積）サイズの（面積）サイズ平均である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
当業者であれば、分散度は、多分散指数（polydispersity index、ＰＤＩ）にほぼ類同しており、これらの平均は、有機化学においてよく知られている数平均分子量及び重量平均分子量の概念にほぼ類同しているが、試料粒子構造８４１の分子量とは対照的に、（面積）サイズに適用されることを理解するであろう。
当業者はまた、分散度の概念が、いくつかの非限定的な例では、三次元体積概念とみなされ得る一方で、いくつかの非限定的な例では、分散度は、二次元概念とみなされ得ることを理解するであろう。したがって、分散度の概念は、限定はしないが、ＴＥＭ、ＡＦＭ、及び／又はＳＥＭのうちの少なくとも１つを含む、様々な撮像技法を使用することによって得ることができるような、堆積層１３０の二次元画像の観察及び分析に関連して使用することができる。上記の式が定義されるのは、かかる二次元の状況においてである。
いくつかの非限定的な例では、分散度及び／又は粒子（面積）サイズの数平均及び粒子（面積）サイズの（面積）サイズ平均は、粒子直径の数平均及び粒子直径の（面積）サイズ平均のうちの少なくとも１つの計算を含み得る。
Figure 2024516165000015
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの堆積層１３０の、粒子構造８４１を含むがこれに限定されない粒子材料は、マスクフリー及び／又はオープンマスク堆積プロセスによって堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造８４１は、実質的に丸い形状を有し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造８４１は、実質的に球形の形状を有し得る。
簡略化のために、いくつかの非限定的な例では、粒子構造８４１の（面積）サイズが一対の側方軸に沿った二次元の面積被覆率として表され得るように、各粒子構造８４１の長手方向の範囲が実質的に同じであり得る（かつ、いずれにしても、平面ＳＥＭ画像から直接測定され得ない）と仮定することができる。本開示では、（面積）サイズへの言及は、かかる二次元概念を指すと理解され、線形次元などの一次元概念を指すと理解され得る（プレフィックス「面積」なしの）サイズとは区別され得る。
実際に、いくつかの初期の研究では、いくつかの非限定的な例では、かかる粒子構造８４１の長手方向軸に沿った長手方向範囲は、その長手方向範囲の体積寄与がかかる側方範囲の体積寄与よりもはるかに小さくなり得るように、（側方軸の少なくとも１つに沿った）側方範囲に対して小さい傾向があり得ると思われる。いくつかの非限定的な例では、これは、１以下であり得るアスペクト比（側方範囲に対する長手方向方向の範囲の比）によって表され得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなアスペクト比は、約１：１０、約１：２０、約１：５０、約１：７５、及び約１：３００のうちの１つであり得る。
この点に関して、粒子構造８４１を二次元面積被覆率として表すための上述の仮定（長手方向範囲は実質的に同じであり、無視することができる）が適切であり得る。
当業者であれば、堆積プロセスの非決定的な性質を考慮して、特に、限定はしないが、ステップ縁部、化学的不純物、結合部位、キンク、及び／又はその上の夾雑物質、及びその上の粒子構造８４１の形成、堆積プロセスが続くときのその合体の不均一性、並びに観察窓のサイズ及び／又は位置の不確実性、並びにそれらの特徴的なサイズ、間隔、堆積密度、凝集度などの計算及び／又は測定に固有の複雑さ及び変動性のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない不均一性を含む、下部材料の露出層表面１１上の欠陥及び／又は異常の存在を考慮すると、観察窓内の特徴及び／又はトポロジに関してかなりの変動性があり得ることを理解するであろう。
本開示では、解説を簡略にするために、層の厚さプロファイル及び／又は縁部プロファイルを含むがこれに限定されない粒子材料の特定の詳細は省略されている。
当業者は、ある特定の金属ＮＰが、少なくとも１つの粒子構造８４１を含むがこれに限定されない粒子材料の不連続層８４０の一部であるか否かにかかわらず、表面プラズモン（surface plasmon、ＳＰ）励起及び／又は自由電子のコヒーレント振動を示すことができ、その結果、そのようなＮＰは、可視光スペクトル及び／又はその部分範囲を含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの範囲内の光を吸収及び／又は散乱し得ることを理解するであろう。吸収が集中し得るＥＭスペクトルの（サブ）範囲（吸収スペクトル）、屈折率、及び／又はこのような局所化されたＳＰ（ＬＳＰ：localized SP）励起の吸光係数、及び／又はコヒーレント振動を含むがこれらに限定されない光学応答は、ナノ構造及び／又はそれに近接する媒体の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、分散度、及び／又は材料及び／又は凝集度を含むがこれらに限定されない特性のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、このようなＮＰの特性を変化させることによって調整され得る。
そのような光学応答は、光子吸収被膜に関して、その上に入射する光子の吸収を含むことができ、それによって反射を低減する。いくつかの非限定的な例では、吸収は、可視光スペクトルを含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの範囲及び／又はその部分範囲に集中され得る。少なくとも１つの粒子８４１は、その上に積層半導体デバイス１００を越えて入射するＥＭ放射線を吸収し、それに伴って反射を低減することができるが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子８４１が、その上に入射する、デバイス１００によって放射されたＥＭ放射線を吸収することができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスの一部として光子吸収層を採用することにより、その中の偏光子への依存を低減することができる。
Ｆｕｓｅｌｌａ ｅｔ ａｌ．，「Ｐｌａｓｍｏｎｉｃ ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｏｆ ｓｔａｂｉｌｉｔｙ ａｎｄ ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ ｉｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ」，Ｎａｔｕｒｅ ２０２０，５８５，ａｔ ３７９－３８２（「Ｆｕｓｅｌｌａ ｅｔ ａｌ．」）において、ＯＬＥＤデバイスの安定度は、プラズモンモードからエネルギーを抽出するために、カソード層の上にＮＰベースのアウトカップリング層を組み込むことによって向上され得ることが報告されている。ＮＰベースのアウトカップリング層は、カソードの上の有機層の上に立方体型Ａｇ ＮＰをスピンキャスティングすることによって製作された。しかしながら、ほとんどの市販のＯＬＥＤデバイスは、真空ベースの処理を使用して製作されるので、溶液からのスピンキャスティングは、カソードの上にそのようなＮＰベースのアウトカップリング層を形成するための適切なメカニズムを構成しない可能性がある。
カソードの上のそのようなＮＰベースのアウトカップリング層は、いくつかの非限定的な例では、カソードであり得、かつ／又はカソード上に堆積され得るパターニング被膜１１０上に不連続層８４０内の金属粒子材料を堆積させることによって、真空中で製作され得る（したがって、商業的なＯＬＥＤ製作プロセスにおける使用に好適であり得る）ことが発見されている。そのようなプロセスは、ＯＬＥＤデバイスへの損傷を引き起こし得る、及び／又はデバイス信頼性に悪影響を及ぼし得る、溶媒又は他の湿式化学物質の使用を回避し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１を非限定的に含む、粒子材料のかかる不連続層８４０の存在は、高められたデバイスのＥＭ放射線の抽出、性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命に寄与することができる。
いくつかの非限定的な例では、層状デバイス１００において、パターニング被膜１１０の露出層表面１１上の、かつ／又はそれに近接する、かつ／又は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層を有するそのようなパターニング１１０の界面に近接する、少なくとも１つの不連続層８４０の存在は、デバイスによって放射される、かつ／又はそれを通して伝送される光子を含むが、それらに限定されないＥＭ信号に光学効果を付与することができる。
当業者は、光学効果の簡略化されたモデルが本明細書に提示されるが、他のモデル及び／又は説明が適用可能であり得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１を含むがこれに限定されない粒子材料のそのような不連続層８４０の存在は、パターニング被膜１１０及び／又は少なくとも１つの被覆層を含むがこれらに限定されない、長手方向の側面において隣接して配設された薄膜層及び／又は被膜の結晶化を低減及び／又は軽減し、それによって、それに隣接して配設された薄膜の特性を安定させ、いくつかの非限定的な例では、散乱を低減することができる。いくつかの非限定的な例では、そのような薄膜は、キャッピング層（capping layer、ＣＰＬ）を含むがこれに限定されない、デバイスのアウトカップリング及び／又はカプセル化被膜１４５０の少なくとも１つの層であってもよく、及び／又はそれを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１を含むがこれに限定されない粒子材料のそのような不連続層８４０の存在は、ＵＶスペクトルの少なくとも一部における吸収の強化を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造８４１の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、分散度、粒子材料、及び屈折率のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されないそのような粒子構造８４１の特質を制御することは、ＵＶスペクトルを含む吸収スペクトルの吸収度、波長範囲、及びピーク波長を制御することを容易にし得る。ＵＶスペクトルの少なくとも一部におけるＥＭ放射線の高められた吸収は、例えば、デバイス性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命を改善するために有利であり得る。
いくつかの非限定的な例では、光学効果は、波長範囲及び／又はそのピーク強度を含む、透過及び／又は吸収波長スペクトルに対するその影響に関して説明され得る。
追加的に、提示されたモデルは、そのような不連続層８４０を通過する光子の透過及び／又は吸収に与えられるある特定の効果を示唆し得るが、いくつかの非限定的な例では、そのような効果は、広範な観察可能な基準では反映され得ない局所的な効果を反映し得る。
光電子デバイス
図１０は、本開示による例示的なエレクトロルミネセントデバイス１０００の断面からの簡略ブロック図である。いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００はＯＬＥＤであり得る。
デバイス１０００は、基板１０を含むことができ、それぞれ、その上に、複数の層を含むフロントプレーン６１０、第１の電極１０２０、少なくとも１つの半導体層１０３０、及び第２の電極１０４０が配設される。いくつかの非限定的な例では、フロントプレーン１０１０は、光子放射、及び／又は放射された光子の操作のためのメカニズムを提供することができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０及び下地層は、デバイス１０００の第１の電極１０２０及び第２の電極１０４０のうちの少なくとも１つの少なくとも一部を一緒に形成することができる。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０及びその下の下地層は、デバイス１０００のカソードの少なくとも一部を一緒に形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００は、電源１００５と電気的に結合され得る。そのように結合されると、デバイス１０００は、本明細書に説明されるように光子を放射することができる。
基板
いくつかの例では、基板１０は、ベース基板１０１２を含み得る。いくつかの例では、ベース基板１０１２は、Ｓｉ、ガラス、金属（金属箔を非限定的に含む）、サファイア、及び／若しくは他の無機材料を非限定的に含む無機材料、並びに／又はポリイミド、及び／若しくはＳｉベースのポリマーを非限定的に含むポリマーを非限定的に含む有機材料を含む、その使用に好適な材料から形成され得る。いくつかの例では、ベース基板１０１２は、剛性又は可撓性であり得る。いくつかの例では、基板１０は、少なくとも１つの平面によって画定され得る。いくつかの非限定的な例では、基板１０は、第１の電極１０２０、少なくとも１つの半導体層１０３０、及び／又は第２の電極１０４０を非限定的に含む、デバイス１０００の残りのフロントプレーン１０１０の構成要素を支持する少なくとも１つの表面を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる表面は、有機表面及び／又は無機表面であり得る。
いくつかの例では、基板１０は、ベース基板１０１２に加えて、ベース基板１０１２の露出層表面１１上に支持された少なくとも１つの追加の有機及び／又は無機層（図示せず、又は本明細書に具体的に記載されていない）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような追加の層は、少なくとも１つの半導体層１０３０のうちの少なくとも１つを含む、置き換える、及び／又は補足することができる少なくとも１つの有機層を含む、及び／又は形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、かかる追加の層は、少なくとも１つの電極を含み、かつ／又は形成し得る、少なくとも１つの無機層を含んでもよく、いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０及び／又は第２の電極１０４０を含み、置換し、かつ／又は補完してもよい。
いくつかの非限定的な例では、かかる追加の層は、バックプレーン１０１５を含み、かつ／又はそれから形成され、かつ／又はそれとして形成され得る。いくつかの非限定的な例では、バックプレーン１０１５は、低圧（真空を含むが、これに限定されない）環境下で提供されなくてもよく、及び／又はその導入前に提供されてもよいフォトリソグラフィプロセスによって形成され得る、限定されないが電子ＴＦＴ構造１１０１及び／又はその構成要素を含むデバイス１０００を駆動するための電源回路及び／又はスイッチング素子を収容することができる。
バックプレーン及びその中に具現化されたＴＦＴ構造
いくつかの非限定的な例では、基板１０のバックプレーン１０１５は、アクティブマトリックスデバイス及び／又はパッシブマトリックスデバイスとして機能するデバイス１０００をサポートし得るような、トランジスタ、抵抗器、及び／又はキャパシタを非限定的に含む、少なくとも１つの電子部品及び／又は光電子部品を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる構造は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造１１０１であり得る。
ＴＦＴ構造１１０１の非限定的な例として、トップゲート、ボトムゲート、ｎ型及び／又はｐ型ＴＦＴ構造１１０１が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ構造１１０１は、非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（indium gallium zinc oxide、ＩＧＺＯ）、及び／又は低温多結晶シリコン（low-temperature polycrystalline silicon、ＬＴＰＳ）のうちの任意の少なくとも１つを組み込み得る。
第１の電極
第１の電極１０２０は、基板１０上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０は、電源１００５の端子及び／又は接地に電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０は、いくつかの非限定的な例では、基板１０のバックプレーン１０１５内に少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１を組み込み得る、少なくとも１つの駆動回路を通してそのように結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０は、アノード及び／又はカソードを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０はアノードであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０は、基板１０（の一部）の上に少なくとも１つの薄い導電性膜を堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、基板１０の側方面上に空間的配置で配設された複数の第１の電極１０２０が存在し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの第１の電極１０２０のうちの少なくとも１つは、空間的配置において側方面で配設されたＴＦＴ絶縁層１１０９（の一部）の上に堆積され得る。その場合、いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの第１の電極１０２０のうちの少なくとも１つは、対応するＴＦＴ絶縁層１１０９の開口部を通して延在しており、バックプレーン１０１５内のＴＦＴ構造１１０１の電極と電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第１の電極１０２０及び／又はその少なくとも１つの薄膜は、限定するものではないが、Ｍｇ、Ａｌ、カルシウム（Ｃａ）、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｂａ、若しくはＹｂ、又は限定するものではないが、そのような材料のいずれかを含有する合金を含む、それらの任意の複数の組み合わせを含む、少なくとも１つの金属材料、限定するものではないが、フッ素スズ酸化物（fluorine tin oxide、ＦＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（indium zinc oxide、ＩＺＯ）、若しくはＩＴＯなどの三元組成物を含む、限定するものではないが、ＴＣＯを含む少なくとも１つの金属酸化物、又は、それらの任意の複数の組み合わせ、又は様々な比率のもの、又は限定するものではないが、そのうち少なくとも１つは薄膜であり得る、少なくとも１つの層におけるそれらの任意の複数の組み合わせを含むが、これらに限定されない様々な材料を含み得る。
第２の電極
第２の電極１０４０は、少なくとも１つの半導体層１０３０の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、電源１００５の端子及び／又は接地と電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、いくつかの非限定的な例では、基板１０のバックプレーン１０１５内に少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１を組み込み得る、少なくとも１つの駆動回路を通してそのように結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、アノード及び／又はカソードを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０はカソードであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、堆積層１３０を、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの薄膜として、少なくとも１つの半導体層１０３０（の一部）の上に堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０の側方面上に空間的配置で配設された複数の第２の電極６４０が存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第２の電極１０４０は、限定ではないが、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｂａ、若しくはＹｂ、又は限定ではないが、かかる材料のいずれかを含有する合金を含む、任意の複数のそれらの組み合わせを含む、限定ではないが、少なくとも１つの金属材料、限定ではないが、ＦＴＯ、ＩＺＯ、若しくはＩＴＯ、又は限定ではないが、任意の複数のそれらの組み合わせなどの三元組成物を含む、限定ではないが、ＴＣＯを含む、少なくとも１つの金属酸化物、それらの任意の複数の、又は様々な割合の組み合わせ、又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）、又はＩｎを含む他の酸化物、又はＺｎ、又は少なくとも１つの層におけるそれらの任意の複数の組み合わせ、及び／又は限定ではないが薄い導電性膜であり得る少なくとも１つの任意の少なくとも１つの非金属材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ：Ａｇ合金について、かかる合金組成は、体積で約１：９～９：１の範囲であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０の堆積は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して実行され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、複数のかかる層及び／又は被膜を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる層及び／又は被膜は、互いの上に配設された別個の層及び／又は被膜であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、Ｙｂ／Ａｇ二重層被膜を含み得る。いくつかの非限定的な例では、そのような二層被膜は、Ｙｂ被膜、続いてＡｇ被膜を堆積させることによって形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、かかるＡｇ被膜の厚さは、Ｙｂ被膜の厚さを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、少なくとも１つの金属層及び／又は少なくとも１つの酸化物層を含む多層電極１０４０であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、フラーレン及びＭｇを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる被膜は、フラーレン被膜、続いてＭｇ被膜を堆積させることによって形成することができる。いくつかの非限定的な例では、フラーレンをＭｇ被膜内に分散させて、フラーレン含有Ｍｇ合金被膜を形成することができる。このような被膜の非限定的な例は、２０１５年１０月８日に公開された米国特許出願公開第２０１５／０２８７８４６号、及び／又は２０１７年８月１５日に出願され、２０１８年２月２２日に国際公開第２０１８／０３３８６０号として公開された国際出願ＰＣＴ／ＩＢ第２０１７／０５４９７０号に記載されている。
半導体層
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０は、複数の層１０３１、１０３３、１０３５、１０３７、１０３９を含むことができ、これらの層のいずれも、いくつかの非限定的な例では、薄膜中に、積層構成で配設され得、積層構成は、正孔注入層（hole injection layer、ＨＩＬ）１０３１、正孔輸送層（hole transport layer、ＨＴＬ）１０３３、発光層（ＥＭＬ）１０３５、電子輸送層（ＥＴＬ）１０３７、及び／又は電子注入層（electron injection layer、ＥＩＬ）１０３９のうちの少なくとも１つを含み得るが、これらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０は、複数のＥＭＬ１０３５を含む「タンデム」構造を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、かかるタンデム構造はまた、少なくとも１つの電荷発生層（charge generation layer、ＣＧＬ）を含み得る。
当業者は、デバイス１０００の構造が、半導体層１０３１、１０３３、１０３５、１０３７、１０３９のうちの少なくとも１つを省略すること、及び／又は組み合わせることによって変更され得ることを容易に理解するであろう。
更に、少なくとも１つの半導体層１０３０の層１０３１、１０３３、１０３５、１０３７、１０３９のいずれも、任意の数の部分層を含み得る。なお更に、かかる層１０３１、１０３３、１０３５、１０３７、１０３９、及び／又はそれらのサブ層のいずれかは、様々な混合物、及び／又は組成勾配を含み得る。加えて、当業者は、デバイス１０００が、無機及び／又は有機金属材料を含む少なくとも１つの層を含んでもよく、必ずしも、有機材料のみから構成されるデバイスに限定されなくてもよいことを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００は、少なくとも１つのＱＤを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＨＩＬ１０３１は、アノードから正孔の注入を容易にし得る正孔注入材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＨＴＬ１０３３は、いくつかの非限定的な例では、高い正孔移動度を呈し得る正孔輸送材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＴＬ１０３７は、いくつかの非限定的な例では、高い電子移動度を呈し得る電子輸送材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＩＬ１０３９は、陰極からの電子注入を容易にし得る電子注入材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭＬ１０３５は、いくつかの非限定的な例では、ホスト材料を少なくとも１つのエミッタ材料でドープすることによって形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、エミッタ材料は、蛍光エミッタ、リン光エミッタ、熱活性化遅延蛍光（thermally activated delayed fluorescence、ＴＡＤＦ）エミッタ、及び／又はこれらの複数の任意の組み合わせであり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００は、少なくとも１つの半導体層１０３０が、導電性薄膜電極１０２０、１０４０の間に挿入された少なくとも１つのＥＭＬ１０３５を含み、それによって、電位差がそれらにわたって印加されると、正孔がアノードを通して少なくとも１つの半導体層１０３０に注入され得、電子がカソードを通して少なくとも１つの半導体層１０３０に注入され得、ＥＭＬ１０３５に向かって移動し、結合して光子の形態でＥＭ放射線を放射する、ＯＬＥＤであり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００は、少なくとも１つの半導体層１０３０が少なくとも１つのＱＤを含む活性層を含み得るエレクトロルミネセントＱＤデバイスであり得る。電流が電源１００５によって第１の電極１０２０及び第２の電極１０４０に供給され得るとき、それらの間に少なくとも１つの半導体層１０３０を含む活性層から光子が放射され得る。
当業者であれば、デバイス１０００の構造は、少なくとも１つの半導体層１０３０スタック内の適切な位置に、これらに限定されないが正孔阻止層（hole blocking layer、ＨＢＬ）（図示せず）、電子阻止層（electron blocking layer、ＥＢＬ）（図示せず）、追加の電荷輸送層（charge transport layer、ＣＴＬ）（図示せず）、及び／又は追加の電荷注入層（charge injection layer、ＣＩＬ）（図示せず）を含む、少なくとも１つの追加の層（図示せず）を導入することによって変化させ得ることを容易に理解するであろう。
ＯＬＥＤデバイス１０００が照明パネルを含む場合を含むいくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の側方面全体が単一の放射素子に対応し得る。したがって、図１０に示される実質的に平坦な断面プロファイルは、ＥＭ放射線がデバイス１０００から実質的にその側方範囲の全体に沿って放射されるように、デバイス１０００の側方面の全体に実質的に沿って延在することができる。いくつかの非限定的な例では、かかる単一の放射素子は、デバイス１０００の単一の駆動回路によって駆動され得る。
ＯＬＥＤデバイス１０００がディスプレイモジュールを含む場合を含む、いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の側方面は、デバイス１０００の複数の放射領域１４０１に細分されてもよく、放射領域１４０１の各々内のデバイス構造６００の断面は、通電されると、そこからＥＭ放射線を放射させてもよい。
放射領域
図１１にいくつかの非限定的な例において示されてもよいようないくつかの非限定的な例では、放射領域１４０１の活性領域１１３０は、第１の電極１０２０及び第２の電極１０４０によって横断面に境界付けられ、第１の電極１０２０及び第２の電極１０４０によって画定される放射領域１４０１に側方面に閉じ込められるように画定することができる。当業者は、放射領域１４０１の側方面１１１０、したがって、活性領域１１３０の側方境界が、第１の電極１０２０及び第２の電極１０４０のいずれか又は両方の側方面全体に対応しないことがあることを理解されよう。むしろ、放射領域１４０１の側方面１１１０は、実質的に、第１の電極１０２０及び第２の電極１０４０のいずれかの側方範囲以下であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０の一部は、ＰＤＬ１１４０によって被覆されてもよく、かつ／又は第２の電極１０４０の一部は、少なくとも１つの半導体層１０３０上に配設されなくてもよく、いずれか又は両方のシナリオにおいて、放射領域１４０１が側方に制約され得るという結果をもたらす。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の個々の放射領域１４０１は、側方パターンでレイアウトされ得る。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１の側方方向に沿って延在することができる。いくつかの非限定的な例では、パターンはまた、第２の側方方向に沿って延在してもよく、いくつかの非限定的な例では、第１の側方方向に実質的に垂直であってもよい。いくつかの非限定的な例では、パターンは、かかるパターン内に複数の要素を有してもよく、各要素は、その放射領域１４０１によって放射されるＥＭ放射線の波長、かかる放射領域１４０１の形状、（第１及び／又は第２の側方方向のいずれか又は両方に沿った）寸法、（第１及び／又は第２の側方方向のいずれか及び／又は両方に対する）配向、及び／又はパターン内の前の要素からの（第１及び／又は第２の側方方向のいずれか又は両方に対する）間隔を含むが、それらに限定されない、その少なくとも１つの特徴によって特徴付けられる。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１及び／又は第２の側方方向のいずれか又は両方で繰り返されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の各個々の放射領域１４０１は、関連する放射領域１４０１のためのＯＬＥＤ構造を駆動するために、デバイス１０００のバックプレーン１０１５内の対応する駆動回路と関連付けられ、それによって駆動され得る。放射領域１４０１が第１の（行）側方方向と第２の（列）側方方向の両方に延在する規則的なパターンでレイアウトされ得る場合を非限定的に含む、いくつかの非限定的な例では、第１の側方方向に延在する放射領域１４０１の各行に対応する、バックプレーン１０１５内の信号線と、第２の側方方向に延在する放射領域１４０１の各列に対応する信号線と、が存在し得る。かかる非限定的な構成では、行選択線上の信号は、それと電気的に結合されたスイッチングＴＦＴ構造１１０１のそれぞれのゲートに通電することができ、データ線上の信号は、それと電気的に結合されたスイッチングＴＦＴ構造１１０１のそれぞれの源に通電することができ、それにより、行選択線／データ線対上の信号は、電源１００５の正端子によって、かかる対と関連する放射領域１４０１のＯＬＥＤ構造のアノードに電気的に結合して通電し、そこから光子を放射させることができ、そのカソードは、電源１００５の負端子と電気的に結合される。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の各放射領域１４０１は、単一のディスプレイピクセル２２１０に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、各ピクセル２２１０は、所与の波長スペクトルで光を放射することができる。いくつかの非限定的な例では、波長スペクトルは、限定はしないが、可視スペクトル中の色に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の各放射領域１４０１は、ディスプレイピクセル２２１０の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応し得る。いくつかの非限定的な例では、複数の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘが組み合わされて、単一のディスプレイピクセル２２１０を形成するか、又は表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイピクセル２２１０は、３つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘによって表されてもよい。いくつかの非限定的な例では、３つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル３２１、Ｇ（緑）サブピクセル３２２、及び／又はＢ（青）サブピクセル３２３として示され得る。いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイピクセル２２１０は、４つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘによって表されてもよく、そのような（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのうちの３つは、Ｒ（赤）３２１、Ｇ（緑）３２２、及びＢ（青）３２３サブピクセルとして表されてもよく、第４の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、Ｗ（白）（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘとして表されてもよい。いくつかの非限定的な例では、所与の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘによって放射されるＥＭ放射の放射スペクトルは、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘが示される色に対応することができる。いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線の波長は、かかる色に対応しない場合があるが、波長をそのように対応する波長に変換するために、当業者に明らかな様式で、更なる処理が実行され得る。
異なる色の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの波長は異なり得るので、そのような（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの光学特性は、特に、実質的に均一な厚さプロファイルを有する共通電極１０２０、１０４０が異なる色の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対して使用され得る場合に、異なり得る。
実質的に均一な厚さを有する共通電極１０２０、１０４０がデバイス１０００内の第２の電極１０４０として提供され得るとき、デバイス１０００の光学性能は、各（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに関連付けられた発光スペクトルに従って容易に微調整されないことがある。そのようなＯＬＥＤデバイス１０００で使用される第２の電極１０４０は、いくつかの非限定的な例では、複数の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘを被覆する共通電極１０２０、１０４０であってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような共通電極１０２０、１０４０は、デバイス１０００にわたって実質的に均一な厚さを有する比較的薄い導電性膜であってもよい。いくつかの非限定的な例では、異なる（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ内に配置された有機層の厚さを変化させることによって、各（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ色に関連付けられた光マイクロキャビティ効果を調整する努力がなされてきたが、そのようなアプローチは、いくつかの非限定的な例では、少なくともいくつかの場合において、光マイクロキャビティ効果のかなりの程度の調整を提供し得る。加えて、いくつかの非限定的な例では、かかるアプローチは、ＯＬＥＤディスプレイ生産環境で実装することが困難な場合がある。
結果として、いくつかの非限定的な例では、ＯＬＥＤデバイス１０００を含むがこれに限定されない光電子デバイスを構築するために使用され得るような、異なる屈折率を有する多数の薄膜層及び被膜によって作成される光学界面の存在は、異なる色の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対して異なる光マイクロキャビティ効果を作成し得る。
デバイス１０００において観察されるマイクロキャビティ効果に影響を及ぼし得るいくつかの要因としては、非限定的に、総経路長（いくつかの非限定的な例では、そこから放射されたＥＭ放射線がアウトカップリングされる前に進むデバイス１０００の（長手方向の面における）総厚に対応し得る）、並びに様々な層及び被膜の屈折率が挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０の中及びそれにわたって電極１０２０、１０４０の厚さを変調することは、観察可能なマイクロキャビティ効果に影響を及ぼし得る。いくつかの非限定的な例では、かかる影響は、総光路長の変化に起因し得る。
いくつかの非限定的な例では、電極１０２０、１０４０の厚さの変化はまた、いくつかの非限定的な例では、総光路長の変化に加えて、それを通過するＥＭ放射線の屈折率を変化させ得る。いくつかの非限定的な例では、これは特に、電極１０２０、１０４０が少なくとも１つの堆積層１３０から形成され得る場合であり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の光学特性、及び／又はいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの光マイクロキャビティ効果を調節することによって変化させることができる（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０にわたる光学特性は、発光スペクトル、強度（光度を含むがこれに限定されない）、及び／又は輝度の角度依存性を含むがこれに限定されない放射されたＥＭ放射線の角度分布、及び／又は放射されたＥＭ放射線の色シフトを含み得るがこれに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、第１のディスプレイピクセル２２１０を表すために他の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの第１のセットに関連付けられてもよく、第２のディスプレイピクセル２２１０を表すために他の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの第２のセットにも関連付けられてもよく、その結果、第１及び第２のディスプレイピクセル２２１０は、同じ（サブ）ピクセル３２ｘをそれらに関連付けることができる。
（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのディスプレイピクセル２２１０へのパターン及び／又は組織は、進化し続ける。全ての現在及び将来のパターン、及び／又は構成は、本開示の範囲内に入ると考えられる。
非放射領域
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の様々な放射領域１４０１は、少なくとも１つの側方方向において、少なくとも１つの非放射領域１４０２によって実質的に取り囲まれ、分離されてもよく、ここで、図１０に非限定的に示されるデバイス構造１０００の断面に沿った構造及び／又は構成は、そこから放射されるＥＭ放射線を実質的に抑制するように変化してもよい。いくつかの非限定的な例では、非放射領域１４０２は、放射領域１４０１を実質的に欠いている、側方面におけるそれらの領域を含み得る。
したがって、図１１の断面図に示すように、少なくとも１つの半導体層１０３０の様々な層の側方トポロジは、少なくとも１つの非放射領域１４０２によって（少なくとも１つの側方方向に）取り囲まれた少なくとも１つの放射領域１４０１を画定するように変化させることができる。
いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイ（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１は、側方面１１１０を有する少なくとも１つの非放射領域１４０２によって少なくとも１つの横方向に取り囲まれた側方面１１２０を有すると理解されてもよい。
次に、ＯＬＥＤディスプレイ１０００の単一のディスプレイ（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１に適用されるデバイス１０００の断面の実装の非限定的な例について説明する。かかる実装形態の特徴は放射領域１４０１に固有であるように示されているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、２つ以上の放射領域１４０１が共通の特徴を包含し得ることを理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０は、デバイス１０００の露出層表面１１の上に配設されてもよく、いくつかの非限定的な例では、放射領域１４０１の側方面１１１０の少なくとも一部内に配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０内で、露出層表面１１は、第１の電極１０２０の堆積時に、単一の表示（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１用の駆動回路を構成する様々なＴＦＴ構造１１０１のＴＦＴ絶縁層１１０９を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層１１０９は、中を通して延在する開口部を伴って形成され、第１の電極１０２０が、限定ではないが、図１１に示すように、ＴＦＴドレイン電極１１０８を含む、ＴＦＴ電極１１０５、１１０７、１１０８のうちの１つと電気的に結合されることを可能にし得る。
当業者は、駆動回路が複数のＴＦＴ構造１１０１を含むことを理解するであろう。図１１では、解説を簡略にするために、１つのＴＦＴ構造１１０１のみが示され得るが、かかるＴＦＴ構造１１０１は、駆動回路を構成するかかる複数の及び／又はその少なくとも１つの構成要素を表し得ることが、当業者によって理解されよう。
断面面では、各放射領域１４０１の構成は、いくつかの非限定的な例では、周囲の非放射領域１４０２の側方面１１２０の実質的に全体にわたって少なくとも１つのＰＤＬ７４０を導入することによって画定され得る。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０は、絶縁性有機及び／又は無機材料を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０は、実質的にＴＦＴ絶縁層１１０９の上に堆積され得るが、図示のように、いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０はまた、堆積された第１の電極１０２０の少なくとも一部、及び／又はその外側縁部の上に延在することができる。
いくつかの非限定的な例では、図１１に示すように、ＰＤＬ１１４０の断面厚さ及び／又はプロファイルは、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する、周囲の非放射領域１４０２の側方面１１２０と周囲の放射領域１４０１の側方面との境界に沿った増加した厚さの領域によって、実質的に谷形状構成を各（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１に付与することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０のプロファイルは、いくつかの非限定的な例では、そのような非放射領域１４０２の側方面１１２０内で実質的に良好な、取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０と取り囲まれた放射領域１４０１の側方面１１１０との間の境界から離れることを含むがこれに限定されない、そのような谷形状構成を超える低減した厚さを有し得る。
ＰＤＬ１１４０は、概して、谷形状構成（それによって取り囲まれた放射領域１４０１を画定する）を形成するように、線形に傾斜した表面を有するものとして解説されているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、かかるＰＤＬ１１４０の形状、縦横比、厚さ、幅、及び／又は構成のうちの少なくとも１つは、変化し得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０は、より急勾配又はより緩やかに傾斜した部分を有して形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなＰＤＬ１１４０は、それが堆積される表面から離れて実質的に垂直に延びるように構成されてもよく、表面は第１の電極１０２０の少なくとも１つの縁部を覆ってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなＰＤＬ１１４０は、限定はしないが、インクジェット印刷を含むが、これに限定されない印刷によるものを含む溶液処理技術によって、少なくとも１つの半導体層１０３０をその上に堆積させるように構成することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのそのような放射領域１４０１の側方面１１１０の少なくとも一部を含む、デバイス１０００の露出層表面１１の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０内で、そのような露出層表面１１は、少なくとも１つの半導体層１０３０（及び／又はその層１０３１、１０３３、１０３５、１０３７、１０３９）の堆積時に、第１の電極１０２０を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０を超えて、及び少なくとも部分的に、取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０内に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、かかる周囲の非放射領域１４０２のかかる露出層表面１１は、少なくとも１つの半導体層１０３０の堆積時に、ＰＤＬ１１４０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０の少なくとも一部を含む、デバイス１０００の露出層表面１１の上に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面内で、かかる露出層表面１１は、第２の電極１０４０の堆積時に、少なくとも１つの半導体層１０３０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０はまた、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０を越えて、及び少なくとも部分的に、取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０内に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、かかる周囲の非放射領域１４０２のかかる露出層表面１１は、第２の電極１０４０の堆積時に、ＰＤＬ１１４０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、周囲の非放射領域１４０２の側方面１１２０の実質的に全て又は実質的な一部にわたって延在することができる。
パターニングされた電極の選択的堆積
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の事前の選択的堆積によるオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスにおいて堆積材料７３１の選択的堆積を達成する能力は、ＯＬＥＤデバイス１０００及び／又はそれと電気的に結合された導電素子を含むがこれらに限定されない、光電子デバイスのパターニングされた電極１０２０、１０４０、１５５０及び／又はその少なくとも１つの層の選択的堆積を達成するために使用され得る。
このようにして、シャドウマスク６１５を使用する図１１におけるパターニング被膜１１０の選択的堆積と、堆積材料７３１のオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積とを組み合わせて、少なくとも１つの堆積層１３０の選択的堆積を果たし、堆積層１３０を形成するための堆積プロセス内でシャドウマスク６１５を採用せずに、図１０に示すデバイス１０００内に、パターニングされた電極１０２０、１０４０、１５５０、及び／又はその少なくとも１つの層、及び／又はそれと電気的に結合された導電素子を含むがこれらに限定されないデバイス特徴を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、かかるパターニングにより、デバイス１０００の透過率を可能にし、かつ／又は高めることができる。
そのようなデバイス１０００に様々な構造的及び／又は性能的能力を与えるための、そのようなパターン化された電極１０２０、１０４０、１５５０、及び／又はそれらの少なくとも１つの層、及び／又はそれらと電気的に結合された導電性要素のいくつかの非限定的な例が、ここで説明される。
上記の結果として、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０、及び／又は放射領域１４０１を取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０にわたって、第１の電極１０２０、第２の電極１０４０、補助電極１５５０、及び／又はそれらと電気的に結合された導電性要素のうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されない、デバイス特徴を、デバイス１０００のフロントプレーン１０１０の露出層表面１１上にパターンで、選択的に堆積させることが目的であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０、第２の電極１０４０、及び／又は補助電極１５５０は、複数の堆積層１３０のうちの少なくとも１つの中に堆積され得る。
図１２は、例示的なパターニングされた電極１２００を平面で示すことができ、図では、第２の電極１０４０は、デバイス１０００の例示的なバージョン１３００（図１３）で使用するのに好適である。電極１２００は、パターン化された複数の開口部１２２０をその中に有するか又は画定する単一の連続構造を含むパターン１２１０で形成されてもよく、開口部１２２０は、カソードが存在しないデバイス１３００の領域に対応してもよい。
図では、いくつかの非限定的な例において、パターン１２１０は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１の側方面１１１０と、そのような放射領域１４０１を取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０とを区別することなく、デバイス１３００の横方向範囲全体にわたって配置されてもよい。したがって、解説された例は、その外面に入射するＥＭ放射線に対して実質的に透過性であり得るデバイス１３００に対応し得、それにより、かかる外部入射ＥＭ放射線の相当の部分が、本明細書で開示されるようなデバイス１３００内で内部的に発生したＥＭ放射線の放射（上面放射、下面放射、及び／又は両面放射）に加えて、デバイス１３００を透過することができる。
デバイス１３００の透過率は、限定ではないが、開口１２２０の平均サイズ、及び／又は間隔、及び／又は開口１２２０の密度を含む、採用されるパターン１２１０を改変することによって調整及び／又は修正することができる。
ここで図１３に目を向けると、図１２の線１３－１３に沿ったデバイス１３００の断面図が示され得る。図において、デバイス１３００は、基板１０と、第１の電極１０２０と、少なくとも１つの半導体層１０３０とを含むものとして示され得る。
パターニング被膜１１０は、下地層の露出層表面１１上のパターン１２１０に実質的に対応するパターンで選択的に配設され得る。
図では第２の電極１０４０であるパターニングされた電極１２００を形成するのに好適な堆積層１３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下地層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配設され得る。下地層は、パターン１２１０内に配設されたパターニング被膜１１０の領域と、パターニング被膜１１０が堆積されていないパターン１２１０内の少なくとも１つの半導体層１０３０の領域と、の両方を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の領域は、パターン１２１０に示される開口８２０を含む第１の部分１０１に実質的に対応し得る。
パターニング被膜１１０が配設されたパターン１２１０のそれらの領域（開口１２２０に対応する）の核形成阻害特性に起因して、かかる領域上に配設された堆積材料７３１は、残留しない傾向があり得、パターン１２１０の残りに実質的に対応し得る堆積層１３０の選択的堆積のパターンをもたらし、開口１２２０に対応するパターン１２１０の第１の部分１０１のそれらの領域は、堆積層１３０の閉鎖被膜１４０を実質的に欠いている。
換言すれば、カソードを形成することになる堆積層１３０は、パターン１２１０内の開口１２２０を取り囲むが占有しない少なくとも１つの半導体層１０３０の領域を含む第２の部分１０２上にのみ実質的に選択的に堆積させることができる。
図１４Ａは、電極１０２０、１０４０、１５５０の複数のパターン１４１０、１４２０を示す概略図を平面で示すことができる。
いくつかの非限定的な例では、第１のパターン１４１０は、第１の側方方向に延在する複数の細長い離隔した領域を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のパターン１４１０は、複数の第１の電極１０２０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のパターン１４１０を含む複数の領域が電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２のパターン１４２０は、第２の側方方向に延在する複数の細長い離隔した領域を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の側方方向は、第１の側方方向に対して実質的に垂直であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２のパターン１４２０は、複数の第２の電極１０４０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２のパターン１４２０を含む複数の領域は、電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のパターン１４１０及び第２のパターン１４２０は、デバイス１０００の、概して１４００で示す例示的なバージョンの一部を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１の側方面７１０は、第１のパターン１４１０が第２のパターン１４２０と重なる場所に形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、非放射領域１４０２の側方面７２０は、側方面７１０以外の任意の側方面に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、電源１００５の第１の端子（いくつかの非限定的な例では、正の端子であり得る）は、第１のパターン１４１０の少なくとも１つの電極１０２０、１０４０、１５５０と電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の端子は、少なくとも１つの駆動回路を通して第１のパターン１４１０の少なくとも１つの電極１０２０、１０４０、１５５０と結合され得る。いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では、負の端子であり得る電源１００５の第２の端子は、第２のパターン１４２０の少なくとも１つの電極１０２０、１０４０、１５５０と電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の端子は、少なくとも１つの駆動回路を通して第２のパターン１４２０の少なくとも１つの電極１０２０、１０４０、１５５０と結合され得る。
次に図１４Ｂを参照すると、図１４Ａの線１４Ｂ－１４Ｂに沿った、堆積段階１４００ｂにおけるデバイス１４００の断面図が示され得る。図において、段階１４００ｂにおけるデバイス１４００は、基板１０を備えるものとして示され得る。
パターニング被膜１１０は、図に示すように、基板１０であってもよい、下地層の露出層表面１１上の第１のパターン１４１０の反転に実質的に対応するパターンで選択的に配設され得る。
図では第１の電極１０２０である、電極１０２０、１０４０、１５５０の第１のパターン１４１０を形成するのに好適な堆積層１３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下地層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配設され得る。下地層は、第１のパターン１４１０の逆に配設されたパターニング被膜１１０の領域と、パターニング被膜１１０が堆積されていない第１のパターン１４１０に配設された基板１０の領域との両方を含み得る。いくつかの非限定的な例では、基板１０の領域は、第１のパターン１４１０の細長い離隔した領域に実質的に対応してもよく、一方で、パターニング被膜１１０の領域は、その間に間隙を含む第１の部分１０１に実質的に対応してもよい。
パターニング被膜１１０が配設された第１のパターン１４１０のそれらの領域（それらの間の間隙に対応する）の核形成阻害特性に起因して、かかる領域上に配設される堆積材料７３１は、残留しない傾向があり得、第１のパターン１４１０の細長い離隔した領域に実質的に対応し得る、堆積層１３０の選択的堆積のパターンをもたらし、堆積層１３０の閉鎖被膜１４０を実質的に欠いているそれらの間の間隙を含む第１の部分１０１を残すことができる。
換言すれば、電極１０２０、１０４０、１５５０の第１のパターン１４１０を形成し得る堆積層１３０は、第１のパターン１４１０の細長い離隔した領域を画定する基板１０のそれらの領域を含む第２の部分１０２上にのみ実質的に選択的に堆積させることができる。
ここで図１４Ｃを参照すると、図１４Ａの線１４Ｃ－１４Ｃに沿った、デバイス１４００の断面図１４００ｃが示され得る。図において、デバイス１４００は、基板１０、図１４Ｂに示すように堆積された電極１０２０の第１のパターン１４１０、及び少なくとも１つの半導体層１０３０を備えるものとして示され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０は、デバイス１４００の側方面の実質的に全てにわたる共通層として設けられ得る。
パターニング被膜１１０は、図に示されるように少なくとも１つの半導体層１０３０である下地層の露出層表面１１上の第２のパターン１４２０に実質的に対応するパターンで選択的に配設され得る。
図では第２の電極１０４０である、電極１０２０、１０４０、１５５０の第２のパターン１４２０を形成するのに好適な堆積層１３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下地層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配設され得る。下地層は、第２のパターン１４２０の逆に配設されたパターニング被膜１１０の領域と、パターニング被膜１１０が堆積されていない第２のパターン１４２０内の少なくとも１つの半導体層１０３０の領域との両方を含み得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０の領域は、第２のパターン１４２０の細長い離隔した領域を含む第１の部分１０１に実質的に対応してもよく、一方、パターニング被膜１１０の領域は、それらの間の間隙に実質的に対応してもよい。
パターニング被膜１１０が配設された第２のパターン１４２０のそれらの領域（それらの間の間隙に対応する）の核形成阻害特性に起因して、かかる領域上に配設された堆積層１３０は、残留しない傾向があり得、第２のパターン１４２０の細長い離隔した領域に実質的に対応し得る、堆積層１３０の選択的堆積のパターンをもたらし、堆積層１３０の閉鎖被膜１４０を実質的に欠いているそれらの間の間隙を含む第１の部分１０１を残すことができる。
換言すれば、電極１０２０、１０４０、１５５０の第２のパターン１４２０を形成し得る堆積層１３０は、第２のパターン１４２０の細長い離隔した領域を画定する少なくとも１つの半導体層１０３０の領域を含む第２の部分１０２上にのみ実質的に選択的に堆積させることができる。
いくつかの非限定的な例では、電極１０２０、１５５０の第１のパターン１４１０及び／又は第２のパターン１４２０のいずれか又は両方を形成するために、パターニング被膜１１０及びその後に堆積される堆積層１３０の平均層厚は、限定ではないが、所与の用途及び所与の性能特質を含む、様々なパラメータに従って変動してもよい。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の平均層厚は、その後に堆積される堆積層１３０の平均層厚と同等であってもよく、かつ／又はそれよりも実質的に小さくてもよい。比較的薄いパターニング被膜１１０を使用して、その後に堆積される堆積層１３０の選択的パターニングを達成することは、可撓性のデバイス１０００を提供するために好適であり得る。いくつかの非限定的な例では、比較的薄いパターニング被膜１１０は、バリア被膜１４５０が堆積され得る比較的平坦な表面を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、バリア被膜１４５０の適用のためにかかる比較的平坦な表面を提供することにより、かかる表面へのバリア被膜１４５０の接着を増加させることができる。
電極１０２０、１０４０、１５５０の第１のパターン１４１０のうちの少なくとも１つ、及び電極１０２０、１０４０、１５５０の第２のパターン１４２０のうちの少なくとも１つは、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１の側方面１１１０からのＥＭ放射線放射を制御するために、直接的に、及び／又はいくつかの非限定的な例ではそれぞれの駆動回路を介して、電源１００５と電気的に結合され得る。
補助電極
当業者は、図１４Ａ－１４Ｃに示される第２のパターン１４２０に第２の電極１０４０を形成するプロセスが、いくつかの非限定的な実施例では、デバイス１０００用の補助電極１５５０を形成するために、類似様式で使用され得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、その第２の電極１０４０は、共通電極を含んでもよく、補助電極１５５０は、第２のパターン１４２０に堆積されており、いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０の上方、又はいくつかの非限定的な例では下方に堆積されており、それと電気的に結合されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極１５５０のための第２のパターン１４２０は、第２のパターン１４２０の細長い離間した領域が、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１の側方面１１１０を取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０内に実質的にあるようなものであってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極１５５０のための第２のパターン１４２０は、第２のパターン１４２０の細長い離間した領域が、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１の側方面７１０、及び／又はそれらを取り囲む非放射領域１４０２の側方面７２０内に実質的にあるようなものであってもよい。
図１５は、それと実質的に同様であるが、第２の電極１０４０の上方にパターンで配設されており、それと電気的に結合される（図示せず）、少なくとも１つの補助電極１５５０を更に含み得る、デバイス１０００の例示的バージョン１５００の例示的な断面図を示し得る。
補助電極１５５０は、導電性であり得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、少なくとも１つの金属及び／又は金属酸化物によって形成され得る。そのような金属の非限定的な例としては、Ｃｕ、Ａｌ、モリブデン（Ｍｏ）、又はＡｇが挙げられる。いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏによって形成されるものを含むがこれに限定されない多層金属構造を含むことができる。かかる金属酸化物の非限定的な例としては、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯ、又はＩｎ及びＺｎを含有する他の酸化物が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、Ａｇ／ＩＴＯ、Ｍｏ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、又はＩＴＯ／Ｍｏ／ＩＴＯを非限定的に含む、少なくとも１つの金属と少なくとも１つの金属酸化物との組み合わせによって形成された多層構造を含み得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、複数のかかる導電性材料を含む。
デバイス１５００は、基板１０、第１の電極１０２０、及び少なくとも１つの半導体層１０３０を含むものとして示され得る。
第２の電極１０４０は、少なくとも１つの半導体層１０３０の露出層表面１１の実質的に全ての上に配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、特に、上面放射デバイス１５００では、第２の電極１０４０は、いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０の存在に関連する光学干渉（限定ではないが、減衰、反射、及び／又は拡散を含む）を低減させるために、比較的に薄い導電性膜層（図示せず）を堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、他の場所で考察されるように、第２の電極１０４０の減少した厚さは、概して、第２の電極１０４０のシート抵抗を増加させ得、これは、いくつかの非限定的な例では、デバイス１５００の性能及び／又は効率を低減させる場合がある。第２の電極１０４０と電気的に結合され得る補助電極１５５０を設けることによって、いくつかの非限定的な例では、シート抵抗、したがって、第２の電極１０４０と関連するＩＲ降下を低減させることができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１５００は、下面放射及び／又は両面放射デバイス１５００であり得る。かかる例では、第２の電極１０４０は、かかるデバイス１５００の光学特性に実質的に影響を及ぼすことなく、比較的厚い導電層として形成され得る。それにもかかわらず、かかるシナリオであっても、第２の電極１０４０は、いくつかの非限定的な例では、比較的薄い導電性膜層（図示せず）として形成することができ、したがって、デバイス１５００は、その外面に入射するＥＭ放射線に対して実質的に透過性とすることができ、したがって、かかる外部入射ＥＭ放射線の実質的な一部は、本明細書で開示するデバイス１５００内で内部的に発生したＥＭ放射線の放射に加えて、デバイス１５００を透過することができる。
パターニング被膜１１０は、図に示すように、第２の電極１０４０であり得る下地層の露出層表面１１上にパターンで選択的に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、図に示すように、パターニング被膜１１０は、非放射領域１４０２の側方面１１２０に対応し得る一連の平行な行１５２０として、パターンの第１の部分１０１に配設され得る。
パターン化された補助電極１５５０を形成するのに好適な堆積層１３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配設され得る。下地層は、行１５２０のパターンに配設されたパターニング被膜１１０の領域と、パターニング被膜１１０が堆積されていない第２の電極１０４０の領域との両方を含み得る。
パターニング被膜１１０が配設されたそれらの行１５２０の核形成阻害特性に起因して、かかる行１５２０上に配設された堆積材料７３１は、残留しない傾向があり得、パターンの少なくとも１つの第２の部分１０２に実質的に対応し得る堆積層１３０の選択的堆積のパターンをもたらし、堆積層１３０の閉鎖被膜１４０を実質的に欠く行１５２０を含む第１の部分１０１を残し得る。
換言すれば、補助電極１５５０を形成し得る堆積層１３０は、行１５２０を取り囲むが占有しない少なくとも１つの半導体層１０３０のそれらの領域を含む第２の部分１０２上にのみ実質的に選択的に堆積させることができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０を選択的に堆積させ、デバイス１５００の側方面の特定の行１５２０のみを被覆し、一方、その他の領域が被覆されないで残留することにより、補助電極１５５０の存在に関連する光学干渉を制御及び／又は低減させ得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、典型的視認距離から裸眼によって容易に検出され得ないパターンで選択的に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、ＯＬＥＤデバイス以外のデバイス内に形成されてもよく、かかるデバイスの電極の有効抵抗を減少させるためのものを含む。
図６に描写されるプロセスを含むがこれに限定されないパターニング被膜１１０を採用することによって、高温堆積層１３０の堆積プロセス中にシャドウマスク６１５を採用することなく、第２の電極１０４０及び／又は補助電極１５５０を含むがこれに限定されない電極１０２０、１０４０、１５５０をパターニングする能力により、補助電極１５５０の多数の構成が展開されることが可能となり得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、隣り合う放射領域１４０１の間に配設されており、第２の電極１０４０と電気的に結合され得る。非限定的な例では、補助電極１５５０の幅は、隣り合う放射領域１４０１間の分離距離よりも小さくてもよい。その結果、補助電極１５５０の各側の少なくとも１つの非放射領域１４０２内に間隙が存在し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる配置は、補助電極１５５０が、いくつかの非限定的な例では、放射領域１４０１のうちの少なくとも１つからのデバイス１５００の光出力に干渉する可能性を低減することができる。いくつかの非限定的な例では、かかる配置は、補助電極１５５０が比較的厚い（いくつかの非限定的な例では、厚さが数百ｎｍよりも大きい、及び／又は数ミクロン程度である）場合に適切であり得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０のアスペクト比は、少なくとも約０．１、少なくとも約０．２、少なくとも約０．５、少なくとも約０．８、少なくとも約１、及び少なくとも約２のうちの１などの、約０．０５を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０の高さ（厚さ）は約５０ｎｍを上回ってもよく、例えば、少なくとも約８０ｎｍ、少なくとも約１００ｎｍ、少なくとも約２００ｎｍ、少なくとも約５００ｎｍ、少なくとも約７００ｎｍ、少なくとも約１，０００ｎｍ、少なくとも約１，５００ｎｍ、少なくとも約１，７００ｎｍ、及び少なくとも約２，０００ｎｍのうちの１つである。
図１６は、デバイス１０００の例示的バージョン１６００の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応し得る放射領域１４０１の側方面１１１０と、放射領域１４０１を取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０との両方の上に重ねられ得るグリッドとして形成された補助電極１５５０のパターン１６５０の例を示す概略図を平面図で示し得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極パターン１６５０は、放射領域１４０１の側方面１１２０のいずれも実質的に被覆しないように、非放射領域１４０２の側方面１１１０の全てではなく実質的に一部のみの上に延在することができる。
図では、補助電極１５５０のパターン１６５０は、その全ての要素が、互いに物理的に接続され、電気的に結合され、いくつかの非限定的な例では第１の電極１０２０及び／又は第２の電極１０４０であり得る少なくとも１つの電極１０２０、１０４０、１５５０と電気的に結合されるように、連続構造として形成されるものとして示され得るが、いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０のパターン１６５０は、互いに電気的に結合されて残留するが、互いに物理的に接続されなくてもよい、補助電極１５５０のパターン１６５０の複数の個別の要素として提供され得ることを、当業者は理解されよう。そうであっても、補助電極１５５０のパターン１６５０のかかる個別の要素は、依然として、それらが電気的に結合される少なくとも１つの電極１０２０、１０４０、１５５０のシート抵抗、したがって、デバイス１６００のシート抵抗を実質的に低下させ、その光学特質に実質的に干渉することなく、デバイス１６００の効率を増加させることができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの様々な配列を有するデバイス１６００において採用され得る。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ配列は、実質的にダイヤモンド形状であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、図１７Ａは、平面図で、デバイス１０００の例示的なバージョン１７００において、ダイヤモンド構成のＰＤＬ１１４０を含む複数の非放射領域１４０２の側方面によって取り囲まれた、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに各々対応する放射領域１４０１の複数のグループ３２１～３２３を示すことができる。いくつかの非限定的な例では、構成は、第１の行と第２の行との交互パターンでの放射領域１４０１及びＰＤＬ１１４０のパターン３２１～３２３によって画定され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０を含む非放射領域１４０２の側方面１１２０は、実質的に楕円形であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の行中の非放射領域１４０２の側方面１１２０の長軸は、第２の行中の非放射領域１４０２の側方面１１２０の長軸に整合され、実質的に垂直であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の行中の非放射領域１４０２の側方面１１２０の長軸は、第１の行の軸に実質的に平行であり得る。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１４０１の第１のグループ３２１は、第１の波長でＥＭ放射を放射する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第１のグループ３２１の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、Ｒ（赤）サブピクセル３２１に対応することができる。いくつかの非限定的な例では、第１のグループ３２１の放射領域１４０１の側方面１１１０は、実質的にダイヤモンド形状の構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１のグループ３２１の放射領域１４０１は、ＰＤＬ１１４０が先行し、後に続く第１の行のパターンにあり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のグループ３２１の放射領域１４０１の側方面１１１０は、同じ行のＰＤＬ１１４０を含む前後の非放射領域１４０２の側方面１１２０、並びに第２の行の前後のパターンのＰＤＬ１１４０を含む隣接する非放射領域１４０２の側方面１１２０とわずかに重なってもよい。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１４０１の第２のグループ３２２は、第２の波長でＥＭ放射を放射するサブピクセル１３４ｘに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第２のグループ３２２の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、Ｇ（緑）サブピクセル３２２に対応することができる。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ３２１の放射領域１４０１の側方面１１１０は、実質的に楕円形の構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ３２１の放射領域１４０１は、ＰＤＬ１１４０が先行し、後に続く第２の行のパターンにあり得る。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ３２１の放射領域１４０１の側方面１１１０のうちのいくつかの長軸は、第１の角度にあり得、いくつかの非限定的な例では、第２の行の軸に対して４５°であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ３２１の放射領域１４０１の側方面１１１０のうちの他のものの長軸は、第２の角度にあり得、いくつかの非限定的な例では、これは、第１の角度に対して実質的に垂直であり得る。いくつかの非限定的な例では、側方面１１１０が第１の角度の長軸を有し得る第２のグループ３２２の放射領域１４０１は、側方面１１１０が第２の角度の長軸を有し得る第２のグループ３２２の放射領域１４０１と交互になり得る。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１４０１の第３のグループ３２３は、第３の波長でＥＭ放射を放射する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第３のグループ３２３の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、Ｂ（青）サブピクセル３２３に対応することができる。いくつかの非限定的な例では、第３のグループ３２３の放射領域１４０１の側方面１１１０は、実質的にダイヤモンド形状の構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第３のグループ３２３の放射領域１４０１は、ＰＤＬ１１４０が先行し、後に続く第１の行のパターンにあり得る。いくつかの非限定的な例では、第３のグループ３２３の放射領域１４０１の側方面１１１０は、同じ行中のＰＤＬ１１４０を含む先の及び後続の非放射領域１４０２の側方面１１２０、並びに第２の行の先の及び後続のパターン中のＰＤＬ１１４０を含む隣接する非放射領域１４０２の側方面１１２０とわずかに重なってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の行のパターンは、第１のグループ３２１の放射領域１４０１と、第３のグループ３２３の交互の放射領域１４０１とを含み得、各々、ＰＤＬ１１４０が先行し、後に続く。
ここで図１７Ｂに目を向けると、図１７Ａの線１７Ｂ－１７Ｂに沿ったデバイス１７００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス１７００は、基板１０と、その露出層表面１１上に形成された第１の電極１０２０の複数の要素とを含むものとして示され得る。基板１０は、ベース基板１０１２（解説を簡略にするために図示せず）、及び／又は、各（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応し、それを駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１（解説を簡略にするために図示せず）を含み得る。ＰＤＬ１１４０は、ＰＤＬ１１４０を含む非放射領域１４０２によって分離された、第１の電極１０２０の各要素上の放射領域１４０１を画定するために、第１の電極１０２０の要素間の基板１０上に形成されてもよい。図では、放射領域１４０１は全て、第２のグループ３２２に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０が、取り囲むＰＤＬ１１４０の間で、第１の電極１０２０の各要素上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では、共通カソードであってもよい、第２の電極１０４０が、第２のグループ３２２の放射領域１４０１の上に堆積されて、そのＧ（緑）サブピクセル３２２を形成してもよく、取り囲むＰＤＬ１１４０の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、Ｇ（緑）サブピクセル３２２の第２のグループ３２２の放射領域１４０１の側方面１１１０にわたって第２の電極１０４０の上に選択的に堆積されて、パターニング被膜１１０が実質的になくてもよい第２の電極１０４０の部分の上に、すなわち、ＰＤＬ１１４０を含む非放射領域１４０２の側方面１１２０にわたって堆積層１３０の選択的堆積を可能にしてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、ＰＤＬ１１４０の実質的に平坦な部分に沿って蓄積する傾向があり得るが、なぜなら、堆積層１３０は、ＰＤＬ１１４０の傾斜部分上に留まらない傾向があり得るが、パターニング被膜１１０で被覆され得る、そのような傾斜部分の基部に下降する傾向があり得るからである。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０の実質的に平坦な部分上の堆積層１３０は、第２の電極１０４０と電気的に結合され得る少なくとも１つの補助電極１５５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１７００は、ＣＰＬ及び／又はアウトカップリング層を備え得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなＣＰＬ及び／又はアウトカップリング層は、第２の電極１０４０の表面上及び／又はパターニング被膜１１０の表面上に直接提供され得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなＣＰＬ及び／又はアウトカップリング層は、（サブ）２２１０／３２ｘに対応する少なくとも１つの放射領域１４０１の側方面にわたって設けられ得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０はまた、屈折率整合被膜として機能し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０はまた、アウトカップリング層として機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１７００は、封止層１４５０を含み得る。かかる封止層１４５０の非限定的な例としては、デバイス１７００を封止するために提供される、ガラスキャップ、バリア膜、バリア接着剤、バリア被膜１４５０、及び／又は図中に破線の輪郭で示されるようなＴＦＥ層が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＥ層１４５０は、バリア被膜１４５０の一種とみなされ得る。
いくつかの非限定的な例では、封止層１４５０は、第２の電極１０４０及び／又はパターニング被膜１１０のうちの少なくとも１つの上方に配置され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス１７００は、限定されないが、偏光子、カラーフィルタ、反射防止被膜、防眩被膜、カバーガラス、及び／又は光学的に透明な接着剤（optically clear adhesive、ＯＣＡ）を含む、付加的光学及び／又は構造層、被膜、並びに構成要素を含み得る。
次に図１７Ｃを参照すると、図１７Ａの線１７Ｃ－１７Ｃに沿ったデバイス１７００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス１７００は、基板１０と、その露出層表面１１上に形成された第１の電極１０２０の複数の要素とを含むものとして示され得る。ＰＤＬ１１４０は、第１の電極１０２０の要素間の基板１０の上に形成され、ＰＤＬ１１４０を含む非放射領域１４０２によって分離される、第１の電極１０２０の各要素の上の放射領域１４０１を画定し得る。図では、放射領域１４０１は、交互に第１のグループ３２１及び第３のグループ３２３に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０が、取り囲むＰＤＬ１１４０の間で、第１の電極１０２０の各要素上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では共通カソードであり得る第２の電極１０４０が、第１のグループ３２１の放射領域１４０１の上に堆積されてそのＲ（赤）サブピクセル３２１を形成し、第３のグループ３２３の放射領域１４０１の上に堆積されてそのＢ（青）サブピクセル３２３を形成し、周囲のＰＤＬ１１４０の上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、Ｒ（赤）サブピクセル３２１の第１のグループ３２１及びＢ（青）サブピクセル３２３の第３のグループ３２３の放射領域１４０１の側方面１１１０にわたって、第２の電極１０４０の上に選択的に堆積されており、パターニング被膜１１０を実質的に欠き得る第２の電極１０４０の部分の上に、すなわち、ＰＤＬ１１４０を含む非放射領域１４０２の側方面１１２０にわたって、堆積層１３０の選択的堆積を可能にし得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、ＰＤＬ１１４０の実質的に平坦な部分に沿って蓄積する傾向があり得、堆積層１３０は、ＰＤＬ１１４０の傾き部上に残留しない傾向があり得るが、パターニング被膜１１０で被覆されたかかる傾き部のベースに下降する傾向があり得る。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０の実質的に平坦な部分上の堆積層１３０は、第２の電極１０４０と電気的に結合され得る少なくとも１つの補助電極１５５０を形成し得る。
ここで図１８に目を向けると、図１１の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本明細書に説明される付加的堆積ステップを伴う、デバイス１０００の例示的バージョン１８００が示され得る。
デバイス１８００は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１の側方面１１１０に実質的に対応する、デバイス１８００の第１の部分１０１内で、第１の部分１０１を取り囲む非放射領域１４０２の側方面７２０に実質的に対応する、デバイス１８００の第２の部分１０２内ではなく、下層の露出層表面１１、図では第２の電極１０４０の上に選択的に堆積されたパターニング被膜１１０を示すことができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、シャドウマスク６１５を使用して選択的に堆積され得る。
パターニング被膜１１０は、第１の部分１０１内に、補助電極１５５０を形成するために堆積層１３０としてその後に堆積される堆積材料７３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を有する露出層表面１１を提供し得る。
パターニング被膜１１０の選択的堆積後、堆積材料７３１は、デバイス１８００の上に堆積され得るが、実質的に、いかなるパターニング被膜１１０も実質的に欠き得る第２の部分１０２内のみに残留し、補助電極１５５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極１５５０は、図示のように、任意のパターニング被膜１１０を実質的に欠き得る第２の部分にわたって、第２の電極１０４０の上方にあり、それと物理的に接触することを含む、第２の電極１０４０のシート抵抗を低減させるように、第２の電極１０４０と電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、第２の部分１０２における堆積材料７３１の堆積に抗する高い初期付着確率を確実にするために、第２の電極１０４０と実質的に同じ材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、実質的に純粋なＭｇ、及び／又はＭｇと、Ａｇを非限定的に含む別の金属との合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ：Ａｇ合金組成は、体積で約１：９～９：１の範囲であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、非限定的にＩＴＯ及び／若しくはＩＺＯなどの三元金属酸化物を非限定的に含む金属酸化物、並びに／又は金属及び／若しくは金属酸化物の組み合わせを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０を形成するために使用される堆積層１３０は、実質的に純粋なＭｇを含み得る。
ここで図１９に目を向けると、図１１の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本明細書に説明される付加的堆積ステップを伴う、デバイス１０００の例示的バージョン１９００が示され得る。
デバイス１９００は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１の側方面１１１０の一部に実質的に対応するデバイス１９００の第１の部分１０１内であって、第２の部分１０２内ではない、下地層の露出層表面１１、図では、第２の電極１０４０の上に選択的に堆積されたパターニング被膜１１０を示し得る。図では、第１の部分１０１は、放射領域１４０１を画定するＰＤＬ１１４０の傾き部の程度に沿って部分的に延在することができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、シャドウマスク６１５を使用して選択的に堆積され得る。
パターニング被膜１１０は、第１の部分１０１内に、補助電極１５５０を形成するために堆積層１３０としてその後に堆積される堆積材料７３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を有する露出層表面１１を提供し得る。
パターニング被膜１１０の選択的堆積後、堆積材料７３１は、デバイス１９００の上に堆積されてもよいが、実質的に、パターニング被膜１１０も実質的に欠き得る第２の部分１０２内のみに残留し、補助電極１５５０を形成し得る。したがって、デバイス１９００において、補助電極１５５０は、放射領域１４０１を画定するＰＤＬ１１４０の傾斜部分にわたって部分的に延びてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極１５５０は、図示のように、パターニング被膜１１０を実質的に欠き得る第２の部分１０２にわたって、第２の電極１０４０の上方にあり、それと物理的に接触することを含む、第２の電極１０４０のシート抵抗を低減させるように、第２の電極１０４０と電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０を構成し得る材料は、堆積材料７３１の堆積に抗する高い初期付着確率を有さなくてもよい。
図２０は、かかるシナリオを解説し得、図１１の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本明細書で説明する付加的堆積ステップを伴う、デバイス１０００の例示的なバージョン２０００が示され得る。
デバイス２０００は、下部材料の露出層表面１１、図では第２の電極１０４０の上に堆積されたＮＰＣ９２０を示すことができる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ９２０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
その後、パターニング被膜１１０は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１の側方面１１１０の一部に実質的に対応するデバイス２０００の第１の部分１０１内で、かつ第１の部分１０１を取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０に実質的に対応するデバイス２０００の第２の部分１０２内ではなく、下部材料の露出層表面１１、図ではＮＰＣ９２０の上に選択的に堆積されて堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、シャドウマスク６１５を使用して選択的に堆積され得る。
パターニング被膜１１０は、第１の部分１０１内に、補助電極１５５０を形成するために堆積層１３０としてその後に堆積される堆積材料７３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を有する露出層表面１１を提供し得る。
パターニング被膜１１０の選択的堆積後、堆積材料７３１は、デバイス２０００の上に堆積されてもよいが、実質的に、パターニング被膜１１０も実質的に欠き得る第２の部分１０２内のみに残留し、補助電極１５５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極１５５０は、第２の電極１０４０と電気的に連結されてそのシート抵抗を減少し得る。示されるように、補助電極１５５０は、第２の電極１０４０の上方に、かつそれと物理的に接触していなくてもよいが、当業者は、それにもかかわらず、補助電極１５５０が、複数の周知のメカニズムによって、第２の電極１０４０と電気的に結合され得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の比較的に薄い膜（いくつかの非限定的な例では、最大約５０ｎｍ）の存在は、依然として、電流がそれを通過することを可能にし、それにより、第２の電極１０４０のシート抵抗が低減されることを可能にし得る。
ここで図２１に目を向けると、図１１の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本明細書に説明される付加的堆積ステップを伴う、デバイス１０００の例示的バージョン２１００が示され得る。
デバイス２１００は、下部材料の露出層表面１１、図では第２の電極１０４０の上に堆積されたパターニング被膜１１０を示すことができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
パターニング被膜１１０は、補助電極１５５０を形成するために堆積層１３０としてその後に堆積される堆積材料７３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を有する露出層表面１１を提供することができる。
パターニング被膜１１０の堆積後、ＮＰＣ９２０は、非放射領域１４０１の側方面１１２０の一部に実質的に対応し、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０２の側方面１１１０に実質的に対応する、デバイス１７００の第２の部分１０２を取り囲む、図ではパターニング被膜１１０である下層の露出層表面１１の上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ９２０は、シャドウマスク６１５を使用して選択的に堆積され得る。
ＮＰＣ９２０は、第１の部分１０１内に、補助電極１５５０を形成するために堆積層１３０としてその後堆積される堆積材料７３１の堆積に抗する比較的高い初期付着確率を有する露出層表面１１を提供することができる。
ＮＰＣ９２０の選択的堆積の後、堆積材料７３１は、デバイス２１００の上に堆積され得るが、パターニング被膜１１０がＮＰＣ９２０で覆われた場所に実質的に残り、補助電極１５５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極１５５０は、第２の電極１０４０と電気的に連結されて第２の電極１０４０のシート抵抗を低減させることができる。
透明ＯＬＥＤ
ＯＬＥＤデバイス１０００は、第１の電極１０２０（下面放射型及び／又は両面放射型デバイスの場合）並びに基板１０及び／又は第２の電極１０４０（上面放射型及び／又は両面放射型デバイスの場合）のいずれか又は両方を通してＥＭ放射線を放射することができるので、第１の電極１０２０及び／又は第２の電極１０４０のいずれか又は両方を、いくつかの非限定的な例では、少なくともデバイス１０００の放射領域１４０１の側方面の実質的な一部にわたって、実質的にＥＭ放射線（又は光）透過性（「透過性」）にすることを目的とし得る。本開示では、限定ではないが、電極１０２０、１０４０、かかる要素が形成され得る材料、及び／又はその特性を含む、かかる透過性要素は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの波長範囲において、実質的に透過性（「透明」）である、かつ／又はいくつかの非限定的な例では、部分的に透過性（「半透明」）である、要素、材料、及び／又はその特性を含んでもよい。
デバイス１０００の放射領域１４０１の側方面の少なくとも実質的な一部にわたって、そこに透過特性を付与するために、様々なメカニズムを取り入れることができる。
デバイス１０００が底部放射デバイス及び／又は両面放射デバイスである場合を含むがこれに限定されないいくつかの非限定的な例では、取り囲む基板１０の透過率を少なくとも部分的に低下させることができる（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１に関連する駆動回路のＴＦＴ構造１１０１は、放射領域１４０１の側方面１１２０内の基板１０の透過特性に影響を与えることを回避するために、取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１１０内に配置することができる。
デバイス１０００が両面放射デバイスであるいくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０に関して、電極１０２０、１０４０のうちの第１の電極は、限定するものではないが、本明細書に開示されるメカニズムのうちの少なくとも１つによって、実質的に透過性にされてもよく、隣接する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの側方面１１１０に関して、電極１０２０、１０４０のうちの第２の電極は、限定するものではないが、本明細書に開示されるメカニズムのうちの少なくとも１つによって、実質的に透過性にされてもよい。したがって、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの第１の放射領域１４０１の側方面１１１０は実質的に上部放射とすることができ、一方、隣接する（サブ）ピクセル２２１０／１７４ｘの第２の放射領域１４０１の側方面１１１０は実質的に底部放射とすることができ、それにより、交互の（サブ）ピクセル２２１０／１７４ｘシーケンスにおいて、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサブセットは実質的に上部放射とすることができ、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサブセットは実質的に底部放射とすることができ、一方、各（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの単一電極１０２０、１０４０のみを実質的に透過性とすることができる。
いくつかの非限定的な例では、電極１０２０、１０４０、下面放射型デバイス及び／又は両面放射型デバイスの場合には第１の電極１０２０、並びに／若しくは上面放射型デバイス及び／又は両面放射型デバイスの場合には第２の電極１０４０を透過性にするためのメカニズムは、透過性薄膜のかかる電極１０２０、１０４０を形成するためのものであり得る。
いくつかの非限定的な例では、Ａｇ、Ａｌを非限定的に含む金属の薄い導電性膜層を堆積させることによって、かつ／又はＭｇ：Ａｇ合金、及び／若しくはＹｂ：Ａｇ合金を非限定的に含む金属の薄層を堆積させることによって形成されたものを非限定的に含む、薄膜の導電性堆積層１３０は、透過特性を示し得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、体積比で約１：９～９：１の範囲の組成を含み得る。いくつかの非限定的な例では、電極１０２０、１０４０は、堆積層１３０の任意の組み合わせの複数の薄い導電性膜層から形成されてもよく、それらのうちのいずれか少なくとも１つは、ＴＣＯ、薄い金属膜、薄い金属合金膜、及び／又はこれらのいずれかの任意の組み合わせから構成されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、特に、かかる薄い導電性膜の場合、比較的に薄い層厚は、ＯＬＥＤデバイス１０００における使用のために、高められた透過品質だけではなく、好ましい光学特性（限定ではないが、減少したマイクロキャビティ効果を含む）にも寄与するように、実質的に数十ｎｍまでであり得る。
いくつかの非限定的な例では、透過品質を促進するための電極１０２０、１０４０の厚さの低減は、電極１０２０、１０４０のシート抵抗の増加を伴う場合がある。
いくつかの非限定的な例では、高いシート抵抗を有する少なくとも１つの電極１０２０、１０４０を有するデバイス１０００は、動作中に電源１００５と結合されたときに、大きな電流抵抗（current resistance、ＩＲ）降下が創出され得る。いくつかの非限定的な例では、かかるＩＲ降下は、電源１００５のレベルを増加させることによって、ある程度まで補償することができる。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの（サブ）ピクセル２２１０／１７４ｘについて、高いシート抵抗に起因するＩＲ降下を補償するために電源１００５のレベルを増加させることは、デバイス１０００の効果的な動作を維持するために他の構成要素に供給される電圧のレベルを増加させることを必要とし得る。
いくつかの非限定的な例では、（ＴＣＯ、薄い金属膜、及び／又は薄い金属合金膜の任意の組み合わせの少なくとも１つの薄膜層を採用することによって）電極１０２０、１０４０を実質的に透過性にする能力に有意に影響を及ぼすことなく、デバイス１０００の電力供給需要を低減させるために、補助電極１５５０が、デバイス１０００上に形成され、電流が、デバイス１０００の様々な放射領域１４０１により効果的に搬送されることを可能にし、一方、同時に、シート抵抗及びその関連付けられた透過性電極１０２０、１０４０のＩＲ降下を低減させることができる。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイデバイス１０００の共通電極１０２０、１０４０のシート抵抗の仕様は、限定ではないが、デバイス１０００の（パネル）サイズ、及び／又はデバイス１０００にわたる電圧変動の公差を含む、複数のパラメータに従って変化し得る。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗の仕様は、パネルサイズが増加するにつれて増加し得る（すなわち、より低いシート抵抗が指定される）。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗の仕様は、電圧変動に対する許容範囲が減少するにつれて増加し得る。
いくつかの非限定的な例では、シート抵抗の仕様を使用して、様々なパネルサイズのためのかかる仕様に準拠するように、補助電極１５５０の例示的な厚さを導出することができる。
いくつかの非限定的な例では、上面放射型デバイスの場合、第２の電極１０４０を透過性にすることができる。一方、いくつかの非限定的な例では、かかる補助電極１５５０は、実質的に透過性でなくてもよいが、第２の電極１０４０の有効シート抵抗を低減するために、例えば、非限定的に、それらの間の導電性堆積層１３０の堆積により、第２の電極１０４０と電気的に結合されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、かかる補助電極１５５０は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面からの光子の放射に干渉しないように、側方面及び／又は断面のいずれか又は両方において位置決め及び／又は成形することができる。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０及び／又は第２の電極１０４０を製作するメカニズムは、その放射領域１４０１の側方面の少なくとも一部にわたって、かつ／又はいくつかの非限定的な例では、それらを取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０の少なくとも一部にわたって、あるパターンでかかる電極１０２０、１０４０を形成することであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなメカニズムは、上述したように、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０からの光子の放射に干渉しないように、側方面及び／又は断面のいずれか又は両方における位置及び／又は形状に、補助電極１５５０を形成するために使用され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００は、デバイス１０００によって放射されたＥＭ放射線の光路内に導電性酸化物材料を実質的に欠き得るように構成され得る。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する少なくとも１つの放射領域１４０１の側方面１１１０において、第２の電極１０４０、パターニング被膜１１０、及び／又はその上に堆積された任意の他の層及び／又は被膜を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの半導体層１０３０の後に堆積された層及び／又は被膜のうちの少なくとも１つは、任意の導電性酸化物材料を実質的に欠いていてもよい。いくつかの非限定的な例では、任意の導電性酸化物材料を実質的に欠いていることにより、デバイス１０００によって放射されるＥＭ放射線の吸収及び／又は反射を低減することができる。いくつかの非限定的な例では、限定ではないが、ＩＴＯ及び／又はＩＺＯを含む、導電性酸化物材料は、概して、デバイス１０００の効率及び／又は性能を低減させ得る、可視スペクトルの少なくともＢ（青）領域におけるＥＭ放射線を吸収することができる。
いくつかの非限定的な例では、これらのメカニズム及び／又は他のメカニズムの組み合わせが採用され得る。
追加的に、いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０、第２の電極１０４０、及び／又は補助電極１５５０のうちの少なくとも１つを、デバイス１０００の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１の側方面１１１０の少なくとも実質的な部分にわたって実質的に透過性にすることに加えて、ＥＭ放射線がその側方面１１１０にわたって実質的に放射されることを可能にするために、デバイス１０００の取り囲む非放射領域１４０２の側方面７２０のうちの少なくとも１つを下方向及び上方向の両方に実質的に透過性にして、デバイス１０００をその外部表面に入射するＥＭ放射線に対して実質的に透過性にして、それにより、本明細書に開示されるように、デバイス１０００内で内部的に生成されるＥＭ放射線の放射（上部放射、底部放射、及び／又は両面放射）に加えて、そのような外部入射ＥＭ放射線の実質的な部分がデバイス１０００を透過し得るようにすることが目的であり得る。
ここで図２２Ａを参照すると、デバイス１０００の、概して２２００で示される透過性（透明）バージョンの例示的な平面図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス２２００は、複数のピクセル又はピクセル領域２２１０と複数の透過性領域３１ｘとを有するアクティブマトリックスＯＬＥＤ（active matrix OLED、ＡＭＯＬＥＤ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１５５０が、ピクセル領域２２１０及び／又は透過性領域３１ｘ間の下地層の露出層表面１１上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、各ピクセル領域２２１０は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに各々対応する複数の放射領域１４０１を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル３２１、Ｇ（緑）サブピクセル３２２、及び／又はＢ（青）サブピクセル３２３に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、各透過性領域３１ｘは、実質的に透明であり、ＥＭ放射線がその断面の全体を通って通過することを可能にし得る。
ここで図２２Ｂを参照すると、図２２Ａの線２２Ｂ－２２Ｂに沿った、デバイス１０００のバージョン２２００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２２００は、基板１０と、ＴＦＴ絶縁層１１０９と、ＴＦＴ絶縁層１１０９の表面上に形成された第１の電極１０２０と、を含むものとして示され得る。いくつかの非限定的な例では、基板１０は、ベース基板１０１２（解説を簡略にするために図示せず）、及び／又は、少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１を含み得、このＴＦＴ構造１２０１は、実質的にその下に位置決めされ、その第１の電極１０２０と電気的に結合された各（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応し、それを駆動するためのものである。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０は、基板１０上の非放射領域１４０２内に形成され、それに対応する第１の電極１０２０上に、各（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘにも対応する放射領域１４０１を画定してもよい。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０は、第１の電極１０２０の縁部を被覆することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０が、第１の電極１０２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、周囲のＰＤＬ１１４０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、その（サブ）ピクセル３２ｘを形成するために、ピクセル領域２２１０上を含む少なくとも１つの半導体層１０３０上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘ内の取り囲むＰＤＬ１１４０上に少なくとも部分的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、ピクセル領域２２１０及び透過性領域３１ｘの両方を含むが、その第２の部分１０２を含む補助電極１５５０に対応する第２の電極１０４０の領域を含まない、デバイス２２００の第１の部分１０１の上に選択的に堆積させることができる。
いくつかの非限定的な例では、次いで、デバイス２２００の露出層表面１１全体が、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料７３１の蒸気フラックス７３２に曝露され得る。堆積層１３０は、第２の電極１０４０の被覆されていない部分と電気的に結合され、いくつかの非限定的な例では、それと物理的に接触し得る、補助電極１５５０を形成するように、パターニング被膜１１０を実質的に欠き得る第２の電極１０４０の第２の部分１０２の上に選択的に堆積させることができる。
同時に、デバイス２２００の透過性領域３１ｘは、それを通るＥＭ放射線の透過に実質的に影響を及ぼし得る任意の材料を実質的に欠いて残留し得る。特に、図示されるように、ＴＦＴ構造体１１０１及び第１の電極１０２０は、断面において、それに対応する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの下方に位置し、補助電極１５５０とともに透過性領域３１ｘの外側にあることができる。結果として、これらの構成要素は、光が透過性領域３１ｘを通って透過されることを減衰又は妨害しないことがある。いくつかの非限定的な例では、そのような配置は、いくつかの非限定的な例では、全ての（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘが放射していない可能性があるときに、典型的な視距離からデバイス２２００を見ている観察者がデバイス２２００を通して見ることを可能にし、したがって透明デバイス２２００を作成することができる。
図には示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２２００は、補助電極１５５０と第２の電極１０４０との間に配置されたＮＰＣ９２０を更に備え得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ９２０は、パターニング被膜１１０と第２の電極１０４０との間に配置されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、少なくとも１つの半導体層１０３０と同時に形成され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０を形成するために使用される少なくとも１つの材料はまた、少なくとも１つの半導体層１０３０を形成するために使用され得る。かかる非限定的な例では、デバイス２２００を作製するための複数の段階を削減することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０及び／又は第２の電極１０４０を形成するものを含むがこれらに限定されない様々な他の層及び／又は被膜が、特にかかる層及び／又は被膜が実質的に透明である場合に、透過性領域３１ｘの一部を被覆することができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０は、例えば、非限定的に、透過性領域３１ｘを通るＥＭ放射線の透過を更に容易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域１４０１のために画定されたウェルと同様であり得るウェルをその中に形成することにより、減少した厚さを有し得る。
当業者は、一部の非限定的な例では、図２２Ａ及び図２２Ｂに示される配置以外の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ配置が採用され得ることを理解するであろう。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、図２２Ａ及び図２２Ｂに示される配置以外の補助電極１５５０の配置が採用され得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、ピクセル領域２２１０と透過性領域３１ｘとの間に配置され得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極１１５０は、ピクセル領域２２１０内のサブピクセル３２ｘの間に配置されてもよい。
ここで図２３Ａを参照すると、デバイス１０００の、概して２３００で示される透明バージョンの例示的な平面図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス２３００は、複数のピクセル領域２２１０と複数の透過性領域３１ｘとを有するＡＭＯＬＥＤデバイスであり得る。デバイス２３００は、ピクセル領域２２１０及び／又は透過性領域３１ｘの間に補助電極１１５０がないという点で、デバイス２２００とは異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、各ピクセル領域２２１０は、サブピクセル３２ｘに各々対応する複数の放射領域１４０１を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル３２１、Ｇ（緑）サブピクセル３２２、及び／又はＢ（青）サブピクセル３２３に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、各透過性領域３１ｘは、実質的に透明であり得、光がその断面の全体を通って通過することを可能にし得る。
ここで図２３Ｂに目を向けると、図２３Ａの線２３－２３に沿ったデバイス２３００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２３００は、基板１０と、ＴＦＴ絶縁層１１０９と、ＴＦＴ絶縁層１１０９の表面上に形成された第１の電極１０２０と、を含むものとして示され得る。基板１０は、ベース基板１０１２（説明を簡単にするために図示せず）、及び／又は少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１であって、実質的にその下に配置され、その第１の電極１０２０と電気的に結合された各（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応し、それを駆動するための、少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１を含むことができる。ＰＤＬ１１４０は、基板１０上の非放射領域１４０２内に形成され、それに対応する第１の電極１０２０上に、各（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘにも対応する放射領域１４０１を画定してもよい。ＰＤＬ１１４０は、第１の電極１０２０の縁部を覆う。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０が、第１の電極１０２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、周囲のＰＤＬ１１４０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａは、そのサブピクセル３２ｘを形成するために、ピクセル領域２２１０上を含む少なくとも１つの半導体層１０３０上に堆積されてもよく、透過性領域３１ｘ内の取り囲むＰＤＬ１１４０上に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａの平均層厚は、透過性領域３１ｘを横切る第１の堆積層１３０ａの存在がＥＭ放射線の透過を実質的に減衰させないように、比較的薄くてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、透過性領域３１ｘを含むデバイス２３００の第１の部分１０１の上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、次いで、デバイス２３００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る、堆積材料７３１の蒸気フラックス７３２に露出して、パターニング被膜１１０を実質的に欠く場合がある第１の堆積層１３０ａの第２の部分１０２、いくつかの例ではピクセル領域２２１０上に、第２の堆積層１３０ｂを選択的に堆積させてもよく、それにより、第２の堆積層１３０ｂは、第１の堆積層１３０ａの被覆されていない部分と電気的に結合され、いくつかの非限定的な例では物理的に接触して、第２の電極１０４０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａの平均層厚は、第２の堆積層１３０ｂの平均層厚以下であり得る。このようにして、第１の堆積層１３０ａのみが延び得る透過性領域３１ｘにおいて、比較的高い透過率が維持され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａの平均層厚は、約３０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、約２０ｎｍ以下、約１５ｎｍ以下、約１０ｎｍ以下、約８ｎｍ以下、及び約５ｎｍ以下のうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１３０ｂの平均層厚は、約３０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、約２０ｎｍ以下、約１５ｎｍ以下、約１０ｎｍ以下、及び約８ｎｍ以下のうちの１つであり得る。
したがって、いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０の平均層厚は、約４０ｎｍ以下であってもよく、かつ／又はいくつかの非限定的な例では、約５～３０ｎｍ、約１０～２５ｎｍ、及び約１５～２５ｎｍのうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａの平均層厚は、第２の堆積層１３０ｂの平均層厚を超え得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａの平均層厚及び第２の堆積層１３０ｂの平均層厚は、実質的に同じであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａを形成するために使用される少なくとも１つの堆積材料７３１は、第２の堆積層１３０ｂを形成するために使用される少なくとも１つの堆積材料７３１と実質的に同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの堆積材料７３１は、実質的に、第１の電極１０２０、第２の電極１０４０、補助電極１５５０、及び／又はそれらの堆積層１３０に関して本明細書で説明されるようなものであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａは、ピクセル領域２２１０において、ＥＩＬ１０３９の機能を少なくとも部分的に提供することができる。第１の堆積層１３０ａを形成するための堆積材料７３１の非限定的な例は、Ｙｂを含み、それは、例えば、約１～３ｎｍの厚さであり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２３００の透過性領域３１ｘは、ＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルを含むがこれらに限定されないＥＭ信号を含むがこれらに限定されないＥＭ放射線の透過を実質的に阻害し得る任意の材料を実質的に欠いて残留し得る。特に、図示されたように、ＴＦＴ構造１１０９及び／又は第１の電極１０２０は、断面において、それに対応する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの下に位置し、透過性領域３１ｘを超えて位置することができる。その結果、これらの構成要素は、ＥＭ放射線が透過性領域３１ｘを通して透過されることを減衰又は妨害しない可能性がある。いくつかの非限定的な例では、そのような配置は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘが放射していないときに、典型的な観察距離からデバイス２３００を観察する観察者がデバイス２３００を通して見ることを可能にし、したがって、透明ＡＭＯＬＥＤデバイス２３００を作成することができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような配列はまた、限定ではないが、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトル内を含む、ＥＭ信号が、そのようなアンダーディスプレイ構成要素２３０によって、ＡＭＯＬＥＤデバイス２３００を通して交換されるように、ＩＲエミッタ及び／又はＩＲ検出器が、ＡＭＯＬＥＤデバイス２３００の背後に配列されることを可能にし得る。
図には示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２３００は、第２の堆積層１３０ｂと第１の堆積層１３０ａとの間に配設されたＮＰＣ９２０を更に備え得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ９２０は、パターニング被膜１１０と第１の堆積層１３０ａとの間に配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、少なくとも１つの半導体層１０３０と同時に形成され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０を形成するために使用される少なくとも１つの材料はまた、少なくとも１つの半導体層１０３０を形成するために使用され得る。かかる非限定的な例では、デバイス２３００を作製するための複数の段階を削減することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０及び／又は第１の堆積層１３０ａを形成するものを含むがこれらに限定されない様々な他の層及び／又は被膜が、特にかかる層及び／又は被膜が実質的に透明である場合に、透過性領域３１ｘの一部を被覆することができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０は、例えば、非限定的に、透過性領域３１ｘを通るＥＭ放射線の透過を更に容易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域１４０１のために画定されたウェルと同様であり得るウェルをその中に形成することにより、減少した厚さを有し得る。
当業者は、図２３Ａ及び図２３Ｂに示される配列以外の（サブ）ピクセル２２１０／１７４ｘ配列が、いくつかの非限定的な実施例では、採用されてもよいことを理解するであろう。
次に図２３Ｃを参照すると、図２３Ａの同じ線２３－２３に沿った、デバイス１０００の異なるバージョン２３１０の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２３１０は、基板１０と、ＴＦＴ絶縁層１１０９と、ＴＦＴ絶縁層１１０９の表面上に形成された第１の電極１０２０と、を含むものとして示され得る。基板１０は、ベース基板１０１２（説明を簡単にするために図示せず）、及び／又は少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１であって、実質的にその下に配置され、その第１の電極１０２０と電気的に結合された各サブピクセル１７４ｘに対応し、それを駆動するための、少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１を含むことができる。ＰＤＬ１１４０は、基板１０上の非放射領域１４０２内に形成され、それに対応する第１の電極１０２０上に、各（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘにも対応する放射領域１４０１を画定してもよい。ＰＤＬ１１４０は、第１の電極１０２０の縁部を被覆することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０が、第１の電極１０２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、周囲のＰＤＬ１１４０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、透過性領域３１ｘを含むデバイス２３１０の第１の部分１０１の上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、そのサブピクセル３２ｘを形成するために、ピクセル領域２２１０上を含む少なくとも１つの半導体層１０３０上に堆積されてもよいが、透過性領域３１ｘ内の取り囲むＰＤＬ１１４０上には堆積されないことがある。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる堆積は、堆積層１３０が少なくとも１つの半導体層１０３０上に堆積されて第２の電極１０４０を形成し得るように、パターニング被膜１１０を実質的に欠いている少なくとも１つの半導体層１０３０の第２の部分１０２、いくつかの非限定的な例ではピクセル領域２２１０の上に堆積層１３０を選択的に堆積させるために、デバイス２３１０の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料７３１の蒸気フラックス７３２に曝露させることによって果たされ得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２３１０の透過性領域３１ｘは、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルを含むがこれらに限定されないＥＭ信号を含むがこれらに限定されないＥＭ放射線の透過に実質的に影響を及ぼし得る任意の材料を実質的に欠いて残留し得る。特に、図示されたように、ＴＦＴ構造１１０１及び／又は第１の電極１０２０は、断面において、それに対応する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの下に位置し、透過性領域３１ｘを超えて位置することができる。その結果、これらの構成要素は、ＥＭ放射線が透過性領域３１ｘを通して透過されることを減衰又は妨害しない可能性がある。いくつかの非限定的な例では、そのような配置は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘが放射していないときに、典型的な観察距離からデバイス２３１０を観察する観察者がデバイス２３１０を通して見ることを可能にし、したがって、透明ＡＭＯＬＥＤデバイス２３１０を作成することができる。
堆積層１３０がない、かつ／又は実質的に欠き得る透過領域３１ｘを提供することによって、かかる領域２２２０の透過率は、いくつかの非限定的な例では、図２３Ｂのデバイス２３００と比較して、いくつかの非限定的な例では、有利に高めることができる。
図には示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２３１０は、堆積層１３０と少なくとも１つの半導体層１０３０との間に配置されたＮＰＣ９２０を更に備えることができる。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ９２０はまた、パターニング被膜１１０とＰＤＬ１１４０との間に配設され得る。
簡略化のために図２３Ｂ及び図２３Ｃには示されていないが、当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルの少なくとも一部の波長を有するＥＭ信号が透過性領域３１ｘにおいてデバイスを通して交換されることを可能にしながら、可視スペクトルの少なくとも一部において透過性領域３１ｘにおけるＥＭ放射線の吸収を容易にするために、少なくとも１つの粒子構造８４１がその上に配設され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、少なくとも１つの半導体層１０３０と同時に形成され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０を形成するために使用される少なくとも１つの材料はまた、少なくとも１つの半導体層１０３０を形成するために使用され得る。かかる非限定的な例では、デバイス２３１０を作製するための複数の段階を削減することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０の少なくとも１つの層を透過性領域３１ｘ内に堆積させて、パターニング被膜１１０を提供することができる。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０のＥＴＬ１０３７は、少なくとも１つの半導体層１０３０の堆積中に放射領域１４０１及び透過性領域３１ｘの両方に堆積され得るパターニング被膜１１０であり得る。次に、透過性領域３１ｘ内のＥＴＬ１０３７の露出層表面１１がＥＩＬ１０３９を実質的に欠くように、ＥＴＬ１０３７の上の放射領域１４０１内にＥＩＬ１０３９を選択的に堆積させることができる。次いで、放射領域１４０１内のＥＩＬ１０３９の露出層表面１１、及びパターニング被膜１１０として作用するＥＴＬ１０３７の露出層表面を、堆積材料７３１の蒸気フラックス７３２に露出して、放射領域１４０１内のＥＩＬ１０３９上に堆積層７３１の閉じた被膜１４０を形成し、透過性領域３１ｘ内のＥＩＬ１０３９上に堆積材料１３０の不連続層８４０を形成することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０及び／又は堆積層１３０を形成するものを含むがこれらに限定されない様々な他の層及び／又は被膜が、特にかかる層及び／又は被膜が実質的に透明である場合に、透過性領域１３２０の一部を被覆することができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０は、例えば、非限定的に、透過性領域３１ｘを通るＥＭ放射線の透過を更に容易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域１４０１のために画定されたウェルと同様であり得るウェルをその中に形成することにより、減少した厚さを有し得る。
当業者は、図２３Ａ及び２３Ｃに示される配列以外の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ配列が、いくつかの非限定的な実施例では、採用されてもよいことを理解するであろう。
放射領域上の電極厚さを変調するための選択的堆積
上述したように、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０内及び側方面にわたって電極１０２０、１０４０、１５５０の厚さを調節することは、観察可能なマイクロキャビティ効果に影響を与え得る。いくつかの非限定的な例では、限定ではないが、ピクセル領域２２１０内の異なるサブピクセル３２ｘに対応する放射領域１４０１の側方面１１１０内のＮＩＣ及び／又はＮＰＣ９２０を含む、少なくとも１つのパターニング被膜１１０の堆積を通した少なくとも１つの堆積層１３０の選択的堆積により、限定ではないが、放射スペクトル、光度、及び／又は輝度の角度依存性、及び／又は放射された光の色シフトを含む、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘベースで望ましい光学マイクロキャビティ効果を最適化するように、各放射領域１４０１内の光学マイクロキャビティ効果が制御及び／又は変調されることが可能となり得る。
このような効果は、サブピクセル３２ｘの各放射領域１４０１に配置された堆積層１３０の平均層厚及び／又は数を独立して調節することによって制御することができる。いくつかの非限定的な例では、Ｂ（青）サブピクセル３２３の上に配設された第２の電極１０４０の平均層厚は、Ｇ（赤）サブピクセル３２２の上に配設された第２の電極１０４０の平均層厚よりも小さくてもよく、Ｇ（赤）サブピクセル３２２の上に配設された第２の電極１０４０の平均層厚は、Ｒ（赤）サブピクセル３２１の上に配設された第２の電極１０４０の平均層厚よりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、かかる効果は、サブピクセル３２ｘの各放射領域１４０１の一部内に堆積される、堆積層１３０だけではなく、パターニング被膜１１０及び／又はＮＰＣ９２０の平均層厚及び／又は数を独立して変調することによって、更により大きい程度まで制御されてもよい。
図２４のいくつかの非限定的な例に示すように、いくつかの非限定的な例では、異なる発光スペクトルを有する、ＯＬＥＤディスプレイデバイス１０００のバージョン２４００において、サブピクセル３２ｘに対応する放射領域１４０１に対して選択的に堆積された様々な平均層厚の堆積層１３０があってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の放射領域１４０１ａは、第１の波長及び／若しくは発光スペクトルのＥＭ放射を放射するように構成された（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応することができ、かつ／又は、いくつかの非限定的な例では、第２の放射領域１４０１ｂは、第２の波長及び／若しくは発光スペクトルのＥＭ放射を放射するように構成された（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応することができる。いくつかの非限定的な例では、デバイス２４００は、第３の波長及び／又は発光スペクトルのＥＭ放射を放射するように構成された（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応し得る第３の放射領域１４０１ｃを備え得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の波長は、第２の波長及び／又は第３の波長のうちの少なくとも１つ未満、それ超、かつ／又はそれと等しくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の波長は、第１の波長及び／又は第３の波長のうちの少なくとも１つ未満、それ超、かつ／又はそれと等しくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の波長は、第１の波長及び／又は第２の波長のうちの少なくとも１つ未満、それ超、かつ／又はそれと等しくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２４００はまた、いくつかの非限定的な例では、第１の放射領域１４０１ａ、第２の放射領域１４０１ｂ、及び／又は第３の放射領域１４０１ｃのうちの少なくとも１つと実質的に同一である波長及び／又は発光スペクトルを有するＥＭ放射線を放射するように構成され得る、少なくとも１つの追加の放射領域１４０１（図示せず）を備え得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、第１の放射領域１４０１ａの少なくとも１つの半導体層１０３０を堆積させるためにも使用され得るシャドウマスク６１５を使用して選択的に堆積させることができる。いくつかの非限定的な例では、シャドウマスク６１５のそのような共有使用は、費用効果の高い方法で（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘごとに光マイクロキャビティ効果を調整することを可能にすることができる。
デバイス２４００は、基板１０と、ＴＦＴ絶縁層１１０９と、ＴＦＴ絶縁層１１０９の露出層表面１１上に形成された複数の第１の電極６２０とを含むものとして示され得る。
いくつかの非限定的な例では、基板１０は、ベース基板１０１２（解説を簡略にするために図示せず）、及び／又は対応する放射領域１４０１に対応し、それを駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１を含むことができ、各ＴＦＴ構造は、実質的にその下に位置決めされ、その関連する第１の電極１０２０に電気的に結合された対応する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘを有する。ＰＤＬ１１４０を基板１０の上に形成して、放射領域１４０１を画定することができる。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０は、それらのそれぞれの第１の電極１０２０の縁部を被覆することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０が、それらのそれぞれの第１の電極１０２０の露出された領域、及びいくつかの非限定的な例では、周囲のＰＤＬ１１４０の少なくとも一部の上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａは、少なくとも１つの半導体層１０３０の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる堆積は、デバイス２４００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料７３１の蒸気フラックス７３２に曝露して、第１の堆積層１３０ａを少なくとも１つの半導体層１０３０の上に堆積させて、いくつかの非限定的な例では少なくとも第１の放射領域１４０１ａのための共通電極であり得る第２の電極１０４０ａ（図示せず）の第１の層を形成することによって果たされ得る。かかる共通電極は、第１の放射領域１４０１ａにおいて第１の厚さｔｃ１を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１は、第１の堆積層１３０ａの厚さに対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のパターニング被膜１１０ａは、第１の放射領域１４０１ａを含むデバイス２４００の第１の部分１０１上に選択的に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２４００の上に第２の堆積層１３０ｂを堆積させることができる。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１３０ｂは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２４００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る、堆積材料７３１の蒸気フラックス７３２に露出して、第２の堆積層１３０ｂを、第１のパターニング被膜１１０ａ、いくつかの例では第２及び第３の放射領域１４０１ｂ、１４０１ｃ、並びに／又はＰＤＬ１１４０がある非放射領域１４０２の少なくとも一部を実質的に欠く場合がある、第１の堆積層１３０ａの上に堆積させて、第２の堆積層１３０ｂが、いくつかの非限定的な例では、少なくとも第２の放射領域１４０１ｂのための共通電極であり得る、第２の電極１０４０ｂ（図示せず）の第２の層を形成するために、第１のパターニング被膜１１０ａを実質的に含まない、第１の堆積層１３０ａの第２の部分１０２上に堆積され得ることによって達成され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる共通電極は、第２の放射領域１４０１ｂにおいて第２の厚さｔｃ２を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第２の厚さｔｃ２は、第１の堆積層１３０ａ及び第２の堆積層１３０ｂの合成平均層厚に対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２のパターニング被膜１１０ｂが、第２の放射領域１４０１ｂを備える、デバイス２４００の更なる第１の部分１０１を覆って選択的に堆積させることができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２４００の上に第３の堆積層１３０ｃを堆積させることができる。いくつかの非限定的な例では、第３の堆積層１３０ｃは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２４００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る、堆積材料７３１の蒸気フラックス７３２に露出して、第３の堆積層１３０ｃを、第１のパターニング被膜１１０ａ又は第２のパターニング被膜１１０ｂのいずれかを実質的に欠いている場合がある第２の堆積層１３０ｂ、いくつかの例では第３の放射領域１４０１ｃ、及び／又はＰＤＬ１１４０がある非放射領域１４０２の少なくとも一部の上に堆積させて、第３の堆積層１３０ｃが、第２のパターニング被膜１１０ｂを実質的に欠いている、第２の堆積層１３０ｂの更なる第２の部分１０２上に堆積され得、いくつかの非限定的な例では、少なくとも第３の放射領域１４０１ｃのための共通電極であり得る、第２の電極１０４０ｃ（図示せず）の第３の層を形成することによって達成され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる共通電極は、第３の放射領域１４０１ｃにおいて第３の厚さｔｃ３を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第３の厚さｔｃ３は、第１の堆積層１３０ａ、第２の堆積層１３０ｂ、及び第３の堆積層１３０ｃの合成厚さに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１及び第２の厚さｔｃ２のいずれか又は両方を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第３のパターニング被膜１１０ｃを、第３の放射領域１４０１ｃを含むデバイス２４００の追加の第１の部分１０１の上に選択的に堆積させることができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１５５０が、デバイス２４００の非放射領域１４０２内でその隣り合う放射領域１４０１間に、いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０の上に配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１５５０を堆積するために使用される堆積層１３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２４００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る、堆積材料７３１の蒸気フラックス７３２に露出して、第１のパターニング被膜１１０ａ、第２のパターニング被膜１１０ｂ、及び／又は第３のパターニング被膜１１０ｃのいずれかを実質的に欠く場合がある第１の堆積層１３０ａ、第２の堆積層１３０ｂ、及び／又は第３の堆積層１３０ｃの露出部分上に堆積層１３０を堆積させて、それにより、堆積層１３０が、第１のパターニング被膜１１０ａ、第２のパターニング被膜１１０ｂ、及び／又は第３のパターニング被膜１１０ｃのいずれかを実質的に欠いていてもよい第１の堆積層１３０ａ、第２の堆積層１３０ｂ、及び／又は第３の堆積層１３０ｃの露出部分を含む追加の第２の部分１０２上に堆積され得、少なくとも１つの補助電極１５５０を形成することによって達成され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１５５０の各々は、第２の電極６４０のそれぞれの１つと電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１５５０の各々は、かかる第２の電極１０４０と物理的に接触していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の放射領域１４０１ａ、第２の放射領域１４０１ｂ、及び第３の放射領域１４０１ｃは、少なくとも１つの補助電極１５５０を形成するために使用される堆積材料７３１の閉じた被膜１４０を実質的に欠いている場合がある。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａ、第２の堆積層１３０ｂ、及び／又は第３の堆積層１３０ｃのうちの少なくとも１つは、可視光スペクトルの少なくとも一部において透過性及び／又は実質的に透明であり得る。したがって、いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１３０ｂ及び／又は第３の堆積層１３０ａ（及び／又は任意の追加の堆積層１３０）は、第１の堆積層１３０ａの上に配設されて、可視光スペクトルの少なくとも一部において透過性及び／又は実質的に透明であり得るマルチ被膜電極１０２０、１０４０、１５５０を形成し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａ、第２の堆積層１３０ｂ、第３の堆積層１３０ｃ、任意の追加の堆積層１３０、及び／又はマルチ被膜電極１０２０、１０４０、１５５０のうちの任意の少なくとも１つの透過率は、可視光スペクトルの少なくとも一部において、約３０％、約４０％、約４５％、約５０％、約６０％、約７０％、約７５％、及び約８０％のうちの１つを超え得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａ、第２の堆積層１３０ｂ、及び／又は第３の堆積層１３０ｃの平均層厚は、比較的高い透過率を維持するために比較的薄くされてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａの平均層厚は、約５～３０ｎｍ、約８～２５ｎｍ、及び約１０～２０ｎｍのうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１３０ｂの平均層厚は、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、及び約３～６ｎｍのうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、第３の堆積層１３０ｃの平均層厚は、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、及び約３～６ｎｍのうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａ、第２の堆積層１３０ｂ、第３の堆積層１３０ｃ、及び／又は任意の追加の堆積層１３０の組み合わせによって形成されるマルチ被膜電極の厚さは、約６～３５ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、約１０～２５ｎｍ、及び約１２～１８ｎｍのうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１５５０の厚さは、第１の堆積層１３０ａ、第２の堆積層１３０ｂ、第３の堆積層１３０ｃ、及び／又は共通電極の平均層厚を超え得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１５５０の厚さは、約５０ｎｍ、約８０ｎｍ、約１００ｎｍ、約１５０ｎｍ、約２００ｎｍ、約３００ｎｍ、約４００ｎｍ、約５００ｎｍ、約７００ｎｍ、約８００ｎｍ、約１μｍ、約１．２μｍ、約１．５μｍ、約２μｍ、約２．５μｍ、及び約３μｍのうちの１つを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１５５０は、実質的に非透明及び／又は不透明であり得る。しかしながら、少なくとも１つの補助電極１５５０は、いくつかの非限定的な例では、デバイス２４００の非放射領域１４０２内に提供され得るため、少なくとも１つの補助電極１５５０は、有意な光学干渉を引き起こさないか、又はそれに寄与しない場合がある。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１５５０の透過率は、可視スペクトルの少なくとも一部において、約５０％以下、約７０％以下、約８０％以下、約８５％以下、約９０％以下、及び約９５％以下のうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１５５０は、可視スペクトルの少なくとも一部のＥＭ放射線を吸収することができる。
いくつかの非限定的な例では、第１の放射領域１４０１ａ、第２の放射領域１４０１ｂ、及び／又は第３の放射領域１４０１ｃにそれぞれ配設された第１のパターニング被膜１１０ａ、第２のパターニング被膜１１０ｂ、及び／又は第３のパターニング被膜１１０ｃの平均層厚は、各放射領域１４０１によって放射されるＥＭ放射の色及び／又は放射スペクトルに従って変動し得る。いくつかの非限定的な例では、第１のパターニング被膜１１０ａは、第１のパターニング被膜厚ｔｎ１を有してもよく、第２のパターニング被膜１１０ｂは、第２のパターニング被膜厚ｔｎ２を有してもよく、かつ／又は第３のパターニング被膜１１０ｃは、第３のパターニング被膜厚ｔｎ３を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のパターニング被膜厚ｔｎ１、第２のパターニング被膜厚ｔｎ２、及び／又は第３のパターニング被膜厚ｔｎ３は、実質的に同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のパターニング被膜厚ｔｎ１、第２のパターニング被膜厚ｔｎ２、及び／又は第３のパターニング被膜厚ｔｎ３は、互いに異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２４００はまた、任意の数の放射領域１４０１ａ～１４０１ｃ及び／又はその（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘを備え得る。いくつかの非限定的な例では、デバイスは複数のピクセル２２１０を備えてもよく、各ピクセル２２１０は２つ、３つ、又はそれ以上のサブピクセル３２ｘを備える。
電極を補助電極に電気的に結合するための導電性被膜
図２５に目を向けると、デバイス１０００の例示的なバージョン２５００の断面図が示され得る。デバイス２５００は、側方面において、放射領域１４０１及び隣接する非放射領域１４０２を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１４０１は、デバイス２５００の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応し得る。放射領域１４０１は、基板１０と、第１の電極１０２０と、第２の電極１０４０と、それらの間に配置された少なくとも１つの半導体層１０３０とを有し得る。
第１の電極１０２０は、基板１０の露出層表面１１上に配設され得る。基板１０は、第１の電極１０２０と電気的に結合され得るＴＦＴ構造１１０１を含み得る。第１の電極１０２０の縁部及び／又は周囲は、概して、少なくとも１つのＰＤＬ１１４０によって覆われ得る。
非放射領域１４０２は、補助電極１５５０を有してもよく、非放射領域１４０２の第１の部は、補助電極１５５０の側方面にわたって突出し、それに重なるように配置される突出構造２５６０を有してもよい。突出構造２５６０は、側方に延在して、遮蔽領域２５６５を提供することができる。いくつかの非限定的な例では、突出構造２５６０は、遮蔽領域２５６５を提供するために、少なくとも１つの側部上の補助電極１５５０において、かつ／又はその近くで凹んでいてもよい。図示されるように、遮蔽領域２５６５は、いくつかの非限定的な例では、突出構造２５６０の横方向の突出と重なり得るＰＤＬ１１４０の表面上の領域に対応し得る。非放射領域１４０２は、遮蔽領域２５６５内に配設された堆積層１３０を更に含み得る。堆積層１３０は、補助電極１５５０を第２の電極１０４０と電気的に結合し得る。
パターニング被膜１１０ａは、第２の電極１０４０の露出層表面１１上の放射領域１４０１に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、突出構造２５６０の露出層表面１１は、第２の電極１０４０を形成するために、薄い導電性膜の堆積からの残存する薄い導電性膜で被覆され得る。いくつかの非限定的な例では、残留する薄い導電性膜の露出層表面１１は、パターニング被膜１１０の堆積からの残留パターニング被膜１１０ｂで被覆され得る。
しかしながら、遮蔽領域２５６５上の突出構造２５６０の側方突出部に起因して、遮蔽領域２５６５は、パターニング被膜１１０を実質的に欠き得る。したがって、パターニング被膜１１０の堆積後に、堆積層１３０がデバイス２５００上に堆積され得るとき、堆積層１３０は、補助電極１５５０を第２の電極１０４０に結合するように、遮蔽領域２５６５上に堆積されており、及び／又はそこに移動することができる。
当業者は、非限定的な例が図２５に示されており、様々な修正が明らかであり得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、突出構造２５６０は、その側部の少なくとも２つに沿って遮蔽領域２５６５を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、突出構造２５６０は省略されてもよく、補助電極１５５０は、遮蔽領域２５６５を画定し得る凹部を備え得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０及び堆積層１３０は、ＰＤＬ１１４０の代わりに、基板１０の表面上に直接配設することができる。
光学被膜の選択的堆積
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では光電子デバイスであり得るデバイス（図示せず）は、基板１０と、パターニング被膜１１０と、光学被膜と、を備え得る。パターニング被膜１１０は、側方面では、基板１０の第１の側方部分１０１を被覆し得る。光学被膜は、側方面では、基板１０の第２の側方部分１０２を被覆し得る。パターニング被膜１１０の少なくとも一部は、光学被膜の閉鎖被膜１４０を実質的に欠いていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、光学被膜は、限定ではないが、プラズモンモードを含む、デバイスによって伝送、放射、及び／又は吸収されるＥＭ放射線の光学特性を変調するために使用されてもよい。いくつかの非限定的な例では、光学被膜は、光学フィルタ、屈折率整合被膜、光取り出し被膜、散乱層、回折格子、及び／又はそれらの一部として使用されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、光学被膜を使用して、限定はしないが、全光路長及び／又はその屈折率を調整することによって、デバイス内の少なくとも１つの光マイクロキャビティ効果を調整することができる。デバイスの少なくとも１つの光学特性は、その強度の角度依存性、及び／又はその波長シフトを含むがこれらに限定されない、出力ＥＭ放射線を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの光マイクロキャビティ効果を調整することによって影響され得る。いくつかの非限定的な例では、光学被膜は、非電気部品であってもよく、すなわち、光学被膜は、通常のデバイス動作中、電流を伝導及び／又は伝送するように構成されなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、光学被膜は、任意の堆積材料７３１から形成されてもよく、かつ／又は本明細書に説明されるような堆積層１３０を堆積させる任意のメカニズムを採用してもよい。
隔壁及び凹部
図２６に目を向けると、デバイス１０００の例示的なバージョン２６００の断面図が示され得る。デバイス２６００は、露出層表面１１を有する基板１０を含み得る。基板１０は、少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１を含み得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１は、本明細書で説明するように、いくつかの非限定的な例では、基板１０を作製するときに一連の薄膜を堆積させ、パターニングすることによって形成され得る。
デバイス２６００は、側方面において、関連する側方面１１２０を有する放射領域１４０１と、各々が関連する側方面１１１０を有する少なくとも１つの隣接する非放射領域１４０２とを含み得る。放射領域１４０１内の基板１０の露出層表面１１には、少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１と電気的に結合することができる第１の電極１０２０を設けることができる。ＰＤＬ１１４０は、ＰＤＬ１１４０が露出層表面１１並びに第１の電極１０２０の少なくとも１つの縁部及び／又は周囲を覆うように、露出層表面１１上に提供されてもよい。ＰＤＬ１１４０は、いくつかの非限定的な例では、非放射領域１４０２の側方面１１２０に設けられてもよい。ＰＤＬ１１４０は、第１の電極１０２０の層表面が露出され得る放射領域１４０１の側方面１１１０に概して対応し得る開口部を提供し得る谷形状構成を画定し得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス３５００は、ＰＤＬ１１４０によって画定される複数のそのような開口部を備えてもよく、それらの各々は、デバイス２６００の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ領域に対応してもよい。
示されるように、いくつかの非限定的な例では、隔壁２６２１が、非放射領域１４０２の側方面１１２０内の露出層表面１１上に提供されてもよく、本明細書に説明されるように、凹部２６２２などの遮蔽領域２５６５を画定してもよい。いくつかの非限定的な例では、凹部２６２２は、凹部２６２２に重なる、かつ／又はそれを越えて突出し得る隔壁２６２１の上側セクションの縁部に対して凹んでいる、互い違いに配置されている、かつ／又はオフセットされている隔壁２６２１の下側セクションの縁部によって形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１４０１の側方面１１１０は、第１の電極１０２０の上に配設された少なくとも１つの半導体層１０３０と、少なくとも１つの半導体層１０３０の上に配設された第２の電極１０４０と、第２の電極１０４０の上に配設されたパターニング被膜１１０と、を含み得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０、第２の電極１０４０、及びパターニング被膜１１０は、少なくとも１つの隣接する非放射領域１４０２の一部の少なくとも側方面１１２０を被覆するように側方に延在することができる。いくつかの非限定的な例では、示されるように、少なくとも１つの半導体層１０３０、第２の電極１０４０、及びパターニング被膜１１０は、少なくとも１つのＰＤＬ１１４０の少なくとも一部、及び仕切り２６２１の少なくとも一部の上に配置され得る。したがって、示されるように、放射領域１４０１の側方面１１１０、少なくとも１つの隣接する非放射領域１４０２の一部の側方面１１２０、少なくとも１つのＰＤＬ１１４０の一部、及び隔壁２６２１の少なくとも一部は、第２の電極１０４０がパターニング被膜１１０と少なくとも１つの半導体層１０３０との間にあり得る、第１の部分１０１を一緒に構成することができる。
補助電極１５５０は、凹部２６２２に近接して、かつ／又はその中に配設されてもよく、堆積層１３０は、補助電極１５５０を第２の電極１０４０と電気的に結合するように配置されてもよい。したがって、示されるように、いくつかの非限定的な例では、凹部２６２２は、堆積層１３０が露出層表面１１上に配設されている第２の部分１０２を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０を堆積させる際に、堆積材料７３１の気化フラックス７３２の少なくとも一部は、露出層表面１１の横方向平面に対して垂直でない角度に向けられ得る。いくつかの非限定的な例では、気化フラックス７３２の少なくとも一部は、露出層表面１１のかかる側方平面に対して、ゼロではない、すなわち約９０°以下、約８５°以下、約８０°以下、約７５°以下、約７０°以下、約６０°以下、及び約５０°以下のうちの１つの入射角でデバイス２６００に入射し得る。少なくとも一部を含む堆積材料７３１の気化フラックス７３２を、非垂直角度で入射するように方向付けることによって、凹部２６２２の少なくとも１つの露出層表面１１及び／又はその中の少なくとも１つの露出層表面１１は、そのような気化フラックス７３２に露出され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような気化フラックス７３２の少なくとも一部が非垂直入射角で流れることができるので、そのような気化フラックス７３２が、仕切り２６２１の存在によって、凹部２６２２の少なくとも１つの露出層表面１１上及び／又は凹部に入射することが妨げられる可能性を低減することができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような気化フラックス７３２の少なくとも一部は非コリメートであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような気化フラックス７３２の少なくとも一部は、点源、線形源、及び／又は面源である蒸発源によって生成され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２６００は、堆積層１３０の堆積中に変位され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス２６００、及び／又はその基板１０、及び／又はその上に堆積される任意の層は、側方面において、かつ／又は断面と実質的に平行な面において、角度である変位に供され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２６００は、気化フラックス７３２にさらされている間、露出層表面１１の横方向平面に対して実質的に垂直な軸を中心に回転され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような気化フラックス７３２の少なくとも一部は、デバイス２６００の露出層表面１１に向けて、露出層表面１１の横方向平面に対して実質的に垂直な方向に向けることができる。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、それにもかかわらず、堆積材料７３１は、パターニング被膜１１０の露出層表面１１上に吸着された吸着原子の側方移動及び／又は脱着に起因して、凹部２６２２内に堆積され得ると仮定することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の露出層表面１１上に吸着された任意の吸着原子は、安定した核を形成するための露出層表面１１の好ましくない熱力学的特性に起因して、かかる露出層表面１１から移動及び／又は脱着する傾向があり得ると仮定することができる。いくつかの非限定的な例では、かかる露出層表面１１から移動及び／又は脱着する吸着原子の少なくともいくつかは、凹部２６２２内の表面上に再堆積して堆積層１３０を形成することができると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、堆積層１３０が補助電極１５５０と第２の電極１０４０の両方と電気的に結合され得るように形成され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、補助電極１５５０及び／又は第２の電極１０４０のうちの少なくとも１つと物理的に接触し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０と、補助電極１５５０及び／又は第２の電極１０４０のうちの少なくとも１つとの間に中間層が存在し得る。しかしながら、そのような例では、そのような中間層は、堆積層１３０が補助電極１５５０及び／又は第２の電極１０４０のうちの少なくとも１つと電気的に結合されることを実質的に妨げ得ない。いくつかの非限定的な例では、かかる中間層は、比較的薄く、それを通る電気的結合を可能にするようなものであり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０のシート抵抗は、第２の電極１０４０のシート抵抗以下であり得る。
図２６に示すように、凹部２６２２は、第２の電極１０４０を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０の堆積中に、凹部２６２２は、第２の電極１０４０を形成するための堆積材料７３１の気化フラックス７３２が、凹部２６２２の少なくとも１つの露出層表面１１に、及び／又は凹部内に入射することを実質的に妨げ得るように、仕切り２６２１によってマスクされ得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０を形成するための堆積材料７３１の気化フラックス７３２の少なくとも一部は、第２の電極１０４０が凹部２６２２の少なくとも一部を覆うように延びることができるように、凹部２６２２の少なくとも１つの露出層表面１１上及び／又は凹部２２２２内に入射することができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０、堆積層１３０、及び／又は仕切り２６２１は、ディスプレイパネル２００（図２Ａ）のある特定の領域に選択的に提供され得る。いくつかの非限定的な例では、これらの特徴のいずれかは、第２の電極１０４０を含むがこれに限定されない、フロントプレーン１０１０の少なくとも１つの要素をバックプレーン１０１５の少なくとも１つの要素に電気的に結合するために、そのようなディスプレイパネルの少なくとも１つの縁部に、及び／又はそれに近接して提供され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる特徴をかかる縁部に、かつ／又はそれに近接して提供することにより、電流をかかる縁部に、かつ／又はそれに近接して位置する補助電極１５５０から第２の電極１０４０に供給及び分配することが容易になり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような構成は、ディスプレイパネルのベゼルサイズを低減することを容易にし得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０、堆積層１３０、及び／又は隔壁２６２１は、かかるディスプレイパネル２００の特定の領域から省略され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる特徴は、限定ではないが、その少なくとも１つの縁部以外、及び／又はそれに近接して、比較的高いピクセル密度が提供され得る場合を含む、ディスプレイパネル２００の部分から省略することができる。
非放射領域の開口
ここで図２７Ａを参照すると、デバイス１０００の例示的なバージョン２７００ａの断面図が示され得る。デバイス２７００ａは、非放射領域１４０２内の一対の隔壁２６２１が、それらの間に開口２７２２などの遮蔽領域２５６５を画定するように対向配置で配設され得るという点で、デバイス２６００とは異なり得る。図示されるように、いくつかの非限定的な例では、仕切り２６２１のうちの少なくとも１つは、第１の電極１０２０の少なくとも縁部を覆い、かつ少なくとも１つの放射領域１４０１を画定するＰＤＬ１１４０として機能してもよい。いくつかの非限定的な例では、仕切り２６２１のうちの少なくとも１つは、ＰＤＬ１１４０とは別個に提供され得る。
凹部２６２２などの遮蔽領域２５６５は、隔壁２６２１のうちの少なくとも１つによって画定することができる。いくつかの非限定的な例では、凹部２６２２は、基板１０に近接する開口２７２２の一部に設けることができる。いくつかの非限定的な例では、開口２７２２は、平面でみたときに実質的に楕円形であり得る。いくつかの非限定的な例では、凹部２６２２は、平面でみたときに実質的に環状であり、開口２６２２を取り囲むことができる。
いくつかの非限定的な例では、凹部２６２２は、デバイススタック２７１０の層及び／又は残存デバイススタック２７１１の層の各々を形成するための材料を実質的に欠き得る。
これらの図では、少なくとも１つの半導体層１０３０と、第２の電極１０４０と、隔壁２６２１の上側セクションに堆積されたパターニング被膜１１０と、を含むデバイススタック２７１０を示すことができる。
これらの図では、少なくとも１つの半導体層１０３０と、第２の電極１０４０と、隔壁２６２１及び凹部２６２２を越えて基板１０上に堆積されたパターニング被膜１１０と、を含む残存デバイススタック２７１１を示すことができる。図２６との比較から、残存デバイススタック２７１１は、いくつかの非限定的な例では、隔壁２６２１のリップにおける、かつ／又はそれに近接する凹部２６２２に近づくにつれて、半導体層１０３０、第２の電極１０４０、及びパターニング被膜１１０に対応し得ることが理解され得る。いくつかの非限定的な例では、残存デバイススタック２７１１は、デバイススタック２７１０の様々な材料を堆積させるためにオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスが使用されるときに形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、残存デバイススタック２７１１は、開口２７２２内に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイススタック２７１０の層の各々を形成するための蒸発した材料が、開口２７２２内に堆積されて、その中に残存デバイススタック２７１１を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、その少なくとも一部が凹部２７２２内に配設されるように配置することができる。示されるように、いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、残存デバイススタック３６１１が補助電極１５５０の表面上に堆積されるように、開口２７２２内に配置され得る。
第２の電極１０４０を補助電極１５５０と電気的に結合するために、堆積層１３０が開口２７２２内に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０の少なくとも一部は、凹部２６２２内に配設され得る。
ここで図２７Ｂを参照すると、デバイス２３００ｂの更なる例の断面図が示され得る。図示のように、補助電極１５５０は、隔壁２６２１の側部の少なくとも一部を形成するように配置され得る。これにより、補助電極１５５０は、平面図でみたとき、実質的に環状であってもよく、開口２７２２を取り囲んでもよい。示されるように、いくつかの非限定的な例では、残存デバイススタック２７１１は、基板１０の露出層表面１１上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、隔壁２６２１は、ＮＰＣ９２０を含んでもよく、かつ／又はそれによって形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、ＮＰＣ９２０として機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ９２０は、第２の電極１０４０、並びに／又はその一部分、層、及び／若しくは材料によって提供され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、側方に延在して、遮蔽領域２５６５内に配置された露出層表面１１を被覆することができる。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、その下側層と、その第２の層とを含んでもよく、その第２の層は、その下側層上に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０の下側層は、酸化物、例えば、非限定的に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、又はＺｎＯを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０の上側層は、金属、例えば、非限定的に、Ａｇ、Ｍｇ、Ｍｇ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ、他のアルカリ金属、及び他のアルカリ土類金属のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０の下部層は、ＮＰＣ９２０を形成するように、遮蔽領域２５６５の表面を覆うように横方向に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ９２０を形成するために、遮蔽領域２５６５を画定する少なくとも１つの表面を処理され得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなＮＰＣ９２０は、遮蔽領域２５６５の表面をプラズマ、ＵＶ、及び／又はＵＶ－オゾン処理に供することを含むがこれらに限定されない化学的及び／又は物理的処理によって形成され得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、かかる処理は、かかる表面を化学的及び／又は物理的に変化させて、その少なくとも１つの特性を修正し得ると仮定することができる。いくつかの非限定的な例では、表面のそのような処理は、そのような表面上のＣ－Ｏ及び／若しくはＣ－ＯＨ結合の濃度を増加させ得、そのような表面の粗さを増加させ得、並びに／又はハロゲン、窒素含有官能基、及び／若しくは酸素含有官能基を含むがこれらに限定されないある特定の種及び／若しくは官能基の濃度を増加させ得、その後ＮＰＣ９２０として作用し得る。
＊＊回折の減少
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号透過性領域３１ｘを通って通過する少なくとも１つのＥＭ信号２３１は、少なくとも１つの信号透過性領域３１ｘの形状によって課される回折パターンの回折特質によって影響され得ることが発見されている。
少なくともいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＥＭ信号２３１に、別個の不均一な回折パターンを呈するように成形された少なくとも１つの信号透過性領域３１ｘを通過させるディスプレイパネル２００は、それによって表される画像及び／又はＥＭ放射線パターンの捕捉に干渉する場合がある。
いくつかの非限定的な例では、かかる回折パターンは、かかる回折パターンによる干渉を軽減することを容易にする能力、すなわち、光学後処理技術の適用を伴っても、アンダーディスプレイ構成要素２３０がかかる画像又はパターンを正確に受信及び処理することを可能にすること、又はかかるディスプレイパネル２００を通してかかる画像及び／又はパターンの視認者がその中に含有される情報を判別することを可能にすることに干渉する場合がある。
いくつかの非限定的な例では、別個の及び／又は不均一な回折パターンは、回折パターンにおいて別個の及び／又は角度的に分離された回折スパイクを引き起こし得る少なくとも１つの信号透過性領域３１ｘの形状からもたらし得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の回折スパイクは、完全な角回転に沿った回折スパイクの総数が計数され得るように、単純な観察によって第２の近接する回折スパイクから区別され得る。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、特に、回折スパイクの数が多い場合、個々の回折スパイクを識別することがより困難な場合がある。かかる状況では、結果として生じる回折パターンの歪み効果は、実際には、それによって引き起こされる干渉の軽減を容易にすることができるが、これは、歪み効果は、ぼやける傾向があり、かつ／又はより均一に分散される傾向があるためである。かかるぼやけ及び／又は歪み効果のより一様な分布は、いくつかの非限定的な例では、元の画像及び／又はその中に含まれる情報を復元するために、例えば、非限定的に、光学後処理技術によって、より軽減しやすいことがある。
いくつかの非限定的な例では、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を容易にする能力は、回折スパイクの数が増加するにつれて増加し得る。
いくつかの非限定的な例では、別個の不均一な回折パターンは、回折パターンのパターン円周の関数として、高強度のＥＭ放射線の領域と低強度のＥＭ放射線の領域との間の回折パターン内のパターン境界の長さを増加させる、かつ／又はそのパターン境界の長さに対するパターン円周の比を減少させる、少なくとも１つの信号透過性領域３１ｘの形状からもたらし得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、多角形である対応する信号透過性領域３１ｘによって画定された透過性領域３１ｘの閉じた境界を有するディスプレイパネル２００は、特有の不均一な回折パターンを示し得、非多角形である対応する信号透過性領域３１ｘによって画定された透過性領域３１ｘの閉じた境界を有するディスプレイパネル２００と比較して、回折パターンによって引き起こされる干渉の緩和を容易にする能力に悪影響を及ぼし得ると仮定され得る。
本開示では、「多角形」という用語は、概して、有限数の線形及び／又は直線セグメントによって形成された形状、図、閉じた境界、及び／又は外周を指すことができ、「非多角形」という用語は、概して、多角形ではない形状、図、閉じた境界、及び／又は外周を指すことができる。いくつかの非限定的な例では、有限数の線形セグメント及び少なくとも１つの非線形又は湾曲セグメントによって形成された閉じた境界は、非多角形とみなすことができる。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、対応する信号透過性領域３１ｘによって画定されるＥＭ放射線透過性領域３１ｘの閉じた境界が少なくとも１つの非線形及び／又は湾曲セグメントを含む場合、その上に入射し、それを通して送信されるＥＭ信号は、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を容易にする、より目立たない及び／又はより均一な回折パターンを示すことができると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、実質的に楕円形及び／又は円形である対応する信号透過性領域３１ｘによって画定されたＥＭ放射線透過性領域３１ｘの閉じた境界を有するディスプレイパネル２００は、回折パターンによって引き起こされる干渉の緩和を更に容易にし得る。
いくつかの非限定的な例では、信号透過性領域３１ｘは、有限の複数の凸状の丸みを帯びたセグメントによって画定され得る。いくつかの非限定的な例では、これらのセグメントの少なくともいくつかは、凹状のノッチ又はピークで一致する。
選択的被膜の除去
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、堆積層１３０の堆積後に除去され得、パターニング被膜１１０によって覆われた下部材料の以前に露出層表面１１の少なくとも一部が再び露出され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、パターニング被膜１１０をエッチング及び／又は溶解することによって、かつ／又は堆積層１３０に実質的に影響を及ぼさない、若しくは腐食させないプラズマ及び／又は溶媒処理技術を採用することによって、選択的に除去され得る。
ここで図２８Ａを参照すると、パターニング被膜１１０が下地材料の露出層表面１１の第１の部分１０１上に選択的に堆積され得る堆積ステージ２８００ａにおける、デバイス１０００の例示的なバージョン２８００の例示的な断面図が示され得る。図において、下部材料は基板１０であり得る。
図２８Ｂにおいて、デバイス２８００は、堆積ステージ２８００ｂで示され得、ここで、堆積層１３０は、下地材料の露出層表面１１上に、すなわち、ステージ２８００ａの間にパターニング被膜１１０が堆積され得たパターニング被膜１１０の露出層表面１１、及びステージ２８００ａの間にパターニング被膜１１０が堆積され得なかった基板１０の露出層表面１１の両方の上に堆積させることができる。パターニング被膜１１０が配設され得る第１の部分１０１の核形成阻害特性に起因して、その上に配設された堆積層１３０は、残留しない傾向があり得、第２の部分１０２に対応し得る堆積層１３０の選択的堆積のパターンをもたらし、堆積層１３０を実質的に欠いている第１の部分１０１を残すことができる。
図２８Ｃにおいて、デバイス２８００は、堆積ステージ２８００ｃで示され得、ここで、パターニング被膜１１０は、基板１０の露出層表面１１の第１の部分１０１から除去され得、それにより、ステージ２８００ｂの間に堆積された堆積層１３０は、基板１０上に残留し得、パターニング被膜１１０がステージ２８００ａの間に堆積され得た基板１０の領域は、ここで、露出されるか又は被覆されなくなり得る。
一部の非限定的な例では、ステージ２８００ｃにおけるパターニング被膜１１０の除去は、堆積層１３０に実質的に影響を及ぼすことなく、パターニング被膜１１０と反応し、かつ／又はそれをエッチング除去する、溶媒及び／又はプラズマにデバイス２８００を曝露することによって達成されてもよい。
薄膜形成
下地層の露出層表面１１上への堆積中の薄膜の形成は、核形成及び成長のプロセスを含み得る。
膜形成の初期段階中に、十分な数の蒸気モノマー３２２いくつかの非限定的な例では、蒸気形態３２２の堆積材料７３１の分子及び／又は原子であり得る）が、典型的には、気相から凝縮して、下層の露出層表面１１上に初期核を形成し得る。蒸気モノマー３２２がそのような表面に衝突すると、これらの初期核の特徴的なサイズ及び／又は堆積密度が増加して、小粒子構造８４１を形成することができる。かかる特徴的なサイズが指す寸法の非限定的な例には、かかる粒子構造８４１の高さ、幅、長さ、及び／又は直径が含まれ得る。
飽和アイランド密度に達した後、隣接する粒子構造８４１は、典型的には、合着し始め、かかる粒子構造８４１の平均特徴的なサイズを増加させる一方、その堆積密度を減少させることができる。
モノマーの堆積を継続すると、隣接する粒子構造８４１の合着は、実質的な閉鎖被膜１４０が下地層の露出層表面１１上に最終的に堆積され得るまで継続することができる。かかる閉鎖被膜１４０の、それによって引き起こされる光学的効果を含む挙動は、概して、比較的均一であり、一貫しており、驚くべきことではない可能性がある。
閉鎖被膜１４０に至る薄膜の形成には、いくつかの非限定的な例では、１）アイランド成長（Ｖｏｌｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ）、２）レイヤーバイレイヤー成長（Ｆｒａｎｋ－ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ）、及び３）Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖ成長という、少なくとも３つの基本的な成長モードが存在し得る。
島成長は、典型的には、モノマー３３２の古いクラスタが露出層表面１１上で核形成し、成長した別個の島を形成するときに起こり得る。この成長モードは、モノマー３３２間の相互作用がモノマー３３２と表面との間の相互作用よりも強い場合に生じ得る。
核形成速度は、所与のサイズの核（自由エネルギーがかかる核のクラスタを押して成長又は収縮させない場合）（「臨界核」）が単位時間当たりどれだけ表面上に形成され得るかを説明し得る。成膜の初期段階では、核の堆積密度が低く、したがって核が表面の比較的小さな割合（例えば、隣接する核の間に大きなギャップ／空間がある）を覆う可能性があるため、核が表面上のモノマー３３２の直接衝突から成長する可能性は低い。したがって、臨界核が成長し得る速度は、典型的には、表面上の吸着原子（例えば、吸着モノマー３３２）が移動して近くの核に付着する速度に依存し得る。
下部材料の露出層表面１１上に吸着された吸着原子のエネルギープロファイルの一例を図２９に示す。具体的には、図２９は、局所的な低エネルギー部位から脱出する吸着原子（２９１０）、露出層表面１１上への吸着原子の拡散（２９２０）、及び吸着原子の脱着（２９３０）に対応する例示的な定性的エネルギープロファイルを解説し得る。
２９１０において、局所的な低エネルギー部位は、吸着原子がより低いエネルギーにある、下地層の露出層表面１１上の任意の部位であり得る。典型的には、核形成部位は、レッジ、ステップ状縁部、化学的不純物、結合部位、及び／又はキンク（「不均一性」）を非限定的に含む、露出層表面１１上の欠陥及び／又は異常を含み得る。
基板不均一性の部位は、表面から吸着原子を脱着させるのに伴うエネルギーＥｄｅｓ２９３１を増加させることができ、かかる部位で観察される核のより高い堆積密度をもたらす。また、表面上の不純物又は汚染もまた、Ｅｄｅｓ２９３１を増加させ、核のより高い堆積密度をもたらし得る。高真空条件下で行われる堆積プロセスに関して、表面上の汚染物質のタイプ及び堆積密度は、真空圧及びその圧力を構成する残存ガスの組成によって影響を受ける場合がある。
吸着原子が局所的な低エネルギー部位で捕捉されると、典型的には、いくつかの非限定的な例では、表面拡散が起こる前にエネルギー障壁が存在し得る。かかるエネルギー障壁は、図２９においてΔＥ２９１１として表すことができる。いくつかの非限定的な例では、局所的な低エネルギー部位を逃れるためのエネルギー障壁ΔＥ２９１１が十分に大きい場合、その部位は核形成部位として機能し得る。
２９２０において、吸着原子は、露出層表面１１上に拡散することができる。いくつかの非限定的な例では、局在化された吸収体の場合、吸着原子は、表面電位の最小値付近で振動し、吸着原子が脱着されるか、及び／又は吸着原子のクラスタによって形成される成長アイランド８４１及び／又は成長膜に組み込まれるまで、様々な隣接部位に移動する傾向があり得る。図２９では、吸着原子の表面拡散と関連する活性化エネルギーは、Ｅｓ２９１１として表すことができる。
２９３０において、表面からの吸着原子の脱着と関連する活性化エネルギーは、Ｅｄｅｓ２９３１として表すことができる。当業者であれば、脱着されない吸着原子が露出層表面１１上に残留し得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、かかる吸着原子は、露出層表面１１上に拡散し、露出層表面１１上にアイランド８４１を形成する吸着原子のクラスタの一部となり、及び／又は成長する膜及び／又は被膜の一部として組み込まれ得る。
吸着原子が表面に吸着した後、吸着原子は、表面から脱着することができ、あるいは表面をある距離だけ移動してから、脱着するか、他の吸着原子と相互機能して小さなクラスタを形成するか、又は成長する核に付着することができる。吸着原子が最初の吸着後に表面上に残留し得る時間の平均量は、以下の式で与えられる。
Figure 2024516165000016
 上記の式において、
νは、表面の吸着原子の振動周波数であり、
ｋはボッツマン定数であり、
Ｔは温度である。
式ＴＦ１から、Ｅｄｅｓ２９３１の値が低いほど、吸着原子が表面から脱着することが容易になり、したがって吸着原子が表面に残留し得る時間が短くなることに留意されたい。吸着原子が拡散することができる平均距離は、以下の式で与えられる。
Figure 2024516165000017
 式中、
α０は格子定数である。
Ｅｄｅｓ２９３１の低い値、及び／又はＥ－ｓ２９２１の高い値の場合、吸着原子は、脱着前により短い距離を拡散することができ、したがって、成長中の核に付着するか、又は別の吸着原子若しくは吸着原子のクラスタと相互作用する可能性が低くなり得る。
粒子構造８４１の堆積層の形成の初期段階中、吸着された吸着原子は、相互作用して粒子構造８４１を形成することができ、単位面積当たりの粒子構造８４１の臨界濃度は、以下の式で与えられる。
Figure 2024516165000018
 式中、
Ｅｉは、ｉ吸着原子を含有する臨界クラスタを別々の吸着原子に解離するのに伴うエネルギーであり、
ｎ０は吸着サイトの総堆積密度であり、
Ｎ１は、次式で与えられるモノマー堆積密度である。
Figure 2024516165000019
 式中、
Figure 2024516165000020
 は蒸気衝突率である。
典型的には、ｉは、堆積される材料の結晶構造に依存し得、安定した核を形成するための粒子構造８４１の臨界サイズを決定することができる。
粒子構造８４１を成長させるための臨界モノマー供給速度は、蒸気衝突の速度と、吸着原子が脱着する前に拡散することができる平均面積とによって与えられ得る。
Figure 2024516165000021
したがって、臨界核形成速度は、上記の式の組み合わせによって与えられ得る。
Figure 2024516165000022
上記の式から、吸着された吸着原子に対して低い脱着エネルギーを有し、吸着原子の拡散に対して高い活性化エネルギーを有し、高温であり、かつ／又は蒸気衝突速度に供される表面に対して、臨界核形成速度が抑制され得ることに留意されたい。
高真空条件下では、表面に衝突し得る分子のフラックス７３２（ｃｍ２秒当たり）は、以下の式によって与えられ得る。
Figure 2024516165000023
 式中、
Ｐは圧力であり、
Ｍは分子量である。
したがって、Ｈ２Ｏなどの反応性ガスのより高い分圧は、堆積中の表面上の汚染物質のより高い堆積密度をもたらし、Ｅｄｅｓ２９３１の増加、したがって核のより高い堆積密度をもたらし得る。
本開示では、「核形成阻害」は、表面上の堆積材料３３１の堆積が阻害され得るように、約０．３未満を含むが、それに限定されない、０に近くてもよいその上への堆積材料７３１の堆積に抗する初期付着確率を呈する表面を有し得る、被膜、材料、及び／又はその層を指すことができる。
本開示では、「核形成促進」は、被膜、材料、及び／又はその層であって、その上への堆積材料７３１の堆積に対して、限定はしないが約０．７より大きいことを含む１に近くてもよい初期付着確率を示す表面を有し、その結果、そのような表面への堆積材料７３１の堆積を容易にすることができる被膜、材料、及び／又はその層を指すことができる。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、かかる核の形状及びサイズ、並びにかかる核のアイランド８４１へのその後の成長、及びその後の薄膜への成長は、蒸気、表面、及び／又は凝縮された膜核の間の界面張力を非限定的に含む様々な要因に依存し得ると仮定され得る。
表面の核形成阻害及び／又は核形成促進特性の１つの尺度は、所与の堆積材料７３１の堆積に抗する表面の初期付着確率とすることができる。
いくつかの非限定的な例では、付着確率Ｓは、以下の式で与えられ得る。
Figure 2024516165000024
 式中、
Ｎａｄｓは、露出層表面１１に残留する（すなわち、膜中に組み込まれる）吸着原子の数であり、
Ｎｔｏｔａｌは、表面に衝突するモノマーの総数である。
１に等しい付着確率Ｓは、表面に衝突する全てのモノマー３３２が吸着され、続いて成長膜に組み込まれることを指し示し得る。０に等しい付着確率Ｓは、表面に衝突する全てのモノマー３３２が脱着され、その後、表面上に膜が形成され得ないことを指し示し得る。
様々な表面上の堆積材料７３１の付着確率Ｓは、Ｗａｌｋｅｒ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｃ２００７，１１１，７６５（２００６）によって記載されているようなデュアル水晶振動子マイクロバランス（quartz crystal microbalance、ＱＣＭ）技術を含むがこれに限定されない、付着確率Ｓを測定する様々な技術を使用して評価し得る。Ｃ２００７，１１１，７６５（２００６）によって記載されているようなデュアル水晶振動子マイクロバランス（quartz crystal microbalance、ＱＣＭ）技術を含むがこれに限定されない、付着確率Ｓを測定する様々な技術を使用して評価し得る。
堆積材料７３１の堆積密度が増加するにつれて（例えば、平均膜厚の増加）、付着確率Ｓは変化し得る。
したがって、初期付着確率Ｓ０は、相当数の臨界核が形成される前の表面の付着確率Ｓとして指定することができる。初期付着確率Ｓ０の１つの尺度は、その堆積の初期段階中の堆積材料７３１の堆積に抗する表面の付着確率Ｓを伴い得、表面にわたる堆積材料７３１の平均膜厚は、閾値以下である。いくつかの非限定的な例の説明において、初期付着確率の閾値は、いくつかの非限定的な例では、１ｎｍとして指定され得る。平均付着確率
Figure 2024516165000025
 は、以下の式で与えられ得る。
Figure 2024516165000026
 式中、
Ｓｎｕｃは、粒子構造８４１で被覆されたエリアの付着確率Ｓであり、
Ａｎｕｃは、粒子構造８４１によって被覆された基板表面の面積のパーセンテージである。
いくつかの非限定的な例では、低い初期付着確率は、平均膜厚の増加とともに増加し得る。これは、粒子構造８４１を有しない露出層表面１１のエリア、いくつかの非限定的な例では、ベア基板１０と、高い堆積密度を有するエリアとの間の付着確率の差に基づいて理解することができる。いくつかの非限定的な例では、粒子構造８４１の表面に衝突し得るモノマー３３２は、１に近づき得る付着確率を有し得る。
図２９に示すエネルギープロファイル２９１０、２９２０、２９３０に基づいて、脱着のための比較的低い活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ２９３１）、及び／又は表面拡散のための比較的高い活性化エネルギー（Ｅｓ２９２１）を呈する材料が、パターニング被膜１１０として堆積され得、様々な用途での使用に好適であり得ることが仮定され得る。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、核形成及び成長中に存在する様々な界面張力間の関係は、毛管現象理論におけるヤングの式に従って決定され得ると仮定することができる。
γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆｃｏｓθ （ＴＦ１０）
式中、
γｓｖ（図３０）は、基板１０と蒸気３３２との間の界面張力に対応し、
γｆｓ（図３０）は、堆積材料７３１と基板１０との間の界面張力に対応し、
γｖｆ（図３０）は、蒸気３３２と膜との間の界面張力に対応し、
θは膜核接触角である。
図３０は、この式で表される様々なパラメータ間の関係を解説し得る。
ヤングの式（式（ＴＦ１０））に基づいて、アイランド成長の場合、膜核接触角は０を上回ってもよく、したがって、γｓｖ＜γｆｓ＋γｖｆとなることが導出され得る。
堆積材料７３１が基板１０を「濡らす」層成長の場合、核接触角θは０に等しくてもよく、したがって、γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆとなる。
Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖ成長の場合、膜過成長の単位面積当たりの歪みエネルギーは、蒸気３３２と堆積材料７３１との間の界面張力に対して大きくなり得、γｓｖ＞γｆｓ＋γｖｆとなる。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、パターニング被膜１１０と基板１０の露出層表面１１との間の界面における堆積材料７３１の核形成及び成長モードは、θ＞０であるアイランド成長モデルに従い得ると仮定することができる。
特に、パターニング被膜１１０が、堆積材料７３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率（いくつかの非限定的な例では、Ｗａｌｋｅｒらによって説明される二重ＱＣＭ技術において識別される条件下）を示し得る場合、堆積材料７３１の比較的高い薄膜接触角が存在し得る。
反対に、堆積材料７３１が、パターニング被膜１１０を使用せずに、いくつかの非限定的な例では、シャドウマスク６１５を採用することによって、露出層表面１１上に選択的に堆積され得るとき、かかる堆積材料７３１の核形成及び成長モードは異なり得る。具体的には、シャドウマスク６１５のパターニングプロセスを使用して形成された被膜は、少なくともいくつかの非限定的な例では、約１０°未満の比較的低い薄膜接触角を呈し得ることが観察された。
ここで、少し驚くべきことに、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０（及び／又はそれを構成するパターニング材料６１１）は、比較的低い臨界表面張力を示し得ることが見出されている。
当業者は、被膜、層、並びに／又はかかる被膜及び／若しくは層を構成する材料の「表面エネルギー」が、概して、被膜、層、及び／又は材料の臨界表面張力に対応し得ることを理解するであろう。表面エネルギーのいくつかのモデルによれば、表面の臨界表面張力は、かかる表面の表面エネルギーに実質的に対応し得る。
概して、低い表面エネルギーを有する材料は、低い分子間力を示し得る。概して、低い分子間力を有する材料は、高い分子間力を有する別の材料と比較して、より低い温度で容易に結晶化し得るか、又は他の相転移を受ける場合がある。少なくともいくつかの用途では、比較的低い温度で容易に結晶化し得るか、又は他の相転移を受け得る材料は、デバイスの長期性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命に有害であり得る。
特定の理論に束縛されるものではないが、特定の低エネルギー表面は、比較的低い初期付着確率を呈し得るため、パターニング被膜１１０を形成するのに好適であり得ると仮定することができる。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、特に低表面エネルギー表面に関して、臨界表面張力は、表面エネルギーと正に相関し得ると仮定することができる。いくつかの非限定的な例では、比較的低い臨界表面張力を示す表面はまた、比較的低い表面エネルギーを示してもよく、比較的高い臨界表面張力を示す表面はまた、比較的高い表面エネルギーを示してもよい。
ヤングの式（式（ＴＦ１０））を参照すると、より低い表面エネルギーは、より大きい接触角をもたらし得る一方で、γｓｖも低下させるため、かかる表面が、堆積材料７３１に対して低い濡れ性及び低い初期付着確率を有する可能性を高める。
臨界表面張力値は、様々な非限定的な例では、本明細書では、ほぼ常温常圧（normal temperature and pressure、ＮＴＰ）で測定されたかかる値に対応し得、いくつかの非限定的な例では、２０℃の温度、及び１ａｔｍの絶対圧力に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、表面の臨界表面張力は、Ｚｉｓｍａｎ，Ｗ．Ａ．，「Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ」４３（１９６４），ｐ．１－５１に更に詳述されるように、Ｚｉｓｍａｎ法に従って決定され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の露出層表面１１は、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、及び約１１ダイン／ｃｍ以下のうちの１つの臨界表面張力を呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の露出層表面１１は、少なくとも約６ダイン／ｃｍ、少なくとも約７ダイン／ｃｍ、少なくとも約８ダイン／ｃｍ、少なくとも約９ダイン／ｃｍ、及び少なくとも約１０ダイン／ｃｍのうちの１つの臨界表面張力を呈し得る。
当業者は、固体の表面エネルギーを決定するための様々な方法及び理論が既知であり得ることを理解する。いくつかの非限定的な例では、表面エネルギーは、液体－蒸気界面と表面との間の接触角を測定するために、様々な液体が固体の表面と接触する接触角の一連の測定に基づいて計算及び／又は導出され得る。いくつかの非限定的な例では、固体表面の表面エネルギーは、表面を完全に濡らす最も高い表面張力を有する液体の表面張力に等しくてもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｚｉｓｍａｎプロットが、表面との０°の接触角をもたらす最高表面張力値を決定するために使用されてもよい。表面エネルギーのいくつかの理論によれば、固体表面と液体との間の様々なタイプの相互作用が、固体の表面エネルギーを決定する際に考慮され得る。いくつかの非限定的な例では、Ｏｗｅｎｓ／Ｗｅｎｄｔ理論及び／又はＦｏｗｋｅｓ理論を含むがこれらに限定されないいくつかの理論によれば、表面エネルギーは、分散成分及び非分散成分又は「極性」成分を含み得る。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１の被膜の接触角は、堆積材料７３１が堆積されるパターニング被膜１１０の特性（初期付着確率を非限定的に含む）に少なくとも部分的に基づいて決定され得ると仮定することができる。したがって、比較的高い接触角を呈する堆積材料７３１の選択的堆積を可能にするパターニング材料６１１は、いくつかの利点を提供することができる。
当業者は、接触角θを測定するために、静的及び／又は動的な液滴法及びペンダントドロップ法を含むがこれらに限定されない様々な方法が使用され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、脱着のための活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ２９３１）（いくつかの非限定的な例では、約３００Ｋの温度Ｔにおいて）は、熱エネルギーの約２倍以下、約１．５倍以下、約１．３倍以下、約１．２倍以下、約１．０倍以下、約０．８倍以下、及び約０．５倍以下のうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、表面拡散のための活性化エネルギー（Ｅｓ２９２１）（いくつかの非限定的な例では、約３００Ｋの温度で）は、熱エネルギーの約１．０倍、約１．５倍、約１．８倍、約２倍、約３倍、約５倍、約７倍、及び約１０倍のうちの１つを上回ってもよい。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、下地層の露出層表面１１とパターニング被膜１１０との間の界面における、かつ／又は界面近傍での堆積材料７３１の薄膜核形成及び成長中に、パターニング被膜１１０による堆積材料７３１の固体表面の核形成の阻害に起因して、堆積材料７３１の縁部と下地層との間に比較的高い接触角が観察され得ると仮定することができる。かかる核形成阻害特性は、下地層、薄膜蒸気とパターニング被膜１１０との間の表面エネルギーの最小化によって推進され得る。
表面の核形成阻害及び／又は核形成促進特性の１つの尺度は、基準表面上の同じ堆積材料７３１の初期堆積速度に対する、表面上の所与の（導電性）堆積材料７３１の初期堆積速度であり得、両方の表面は、堆積材料７３１の蒸気フラックスに供され、かつ／又は曝露される。
定義
いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスは、エレクトロルミネセントデバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、電子デバイスの一部であり得る。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、ＯＬＥＤ照明パネル若しくはモジュール、並びに／又は、スマートフォン、タブレット、ラップトップ、ｅリーダなどのコンピューティングデバイスの、並びに／又は、モニタ及び／若しくはテレビセットなどの何らかの他の電子デバイスのＯＬＥＤディスプレイ若しくはモジュールであり得る。
いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスは、光子を電気に変換する有機光起電力（organic photo-voltaic、ＯＰＶ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な例において、光電子デバイスは、エレクトロルミネセント量子ドット（quantum dot、ＱＤ）デバイスであり得る。
本開示では、特に反対の指示がない限り、ＯＬＥＤデバイスに言及するが、そのような開示は、いくつかの例では、当業者には明らかなように、ＯＰＶ及び／又はＱＤデバイスを含むがこれらに限定されない、他の光電子デバイスに等しく適用可能にされ得ることを理解されたい。
かかるデバイスの構造は、２つの側面の各々から、すなわち、断面側面から、及び／又は側方（平面図）側面から説明され得る。
本開示では、基板がデバイスの「底部」であってもよく、層が基板の「上部」に配設されてもよい、上述の側方面に実質的に垂直に延在する方向の慣例に従ってもよい。かかる慣例に従って、第２の電極は、（少なくとも１つの層が堆積プロセスによって導入され得る製造プロセス中を含むがこれに限定されないいくつかの例の場合のように）基板が物理的に反転され得る場合であっても、示したデバイスの上部にあり得、それにより、層のうちの１つ（例えば、第１の電極であるがこれに限定されない）が配設され得る上面は、基板の物理的に下にあり得、堆積材料（図示せず）が上方に移動し、その上面上に薄膜として堆積されることを可能にする。
本明細書に断面側面を導入する文脈では、かかるデバイスの構成要素は、実質的に平面の側方層で示され得る。当業者であれば、かかる実質的に平面の表現は、解説のみを目的とするものであり得、かかるデバイスの側方範囲にわたって、異なる厚さ及び寸法の局所的な実質的に平面の層が存在してもよくいくつかの非限定的な例では、層が実質的に完全に存在しなくてもよく、かつ／又は非平面遷移領域（側方間隙及び更には不連続性を含む）によって分離された層を含むことを理解するであろう。したがって、解説目的のために、デバイスは、実質的に階層化された構造としてその断面側面で以下に示され得るが、以下で考察される平面図側面では、かかるデバイスは、特徴を画定するための多様なトポグラフィを解説し得、その各々は、断面側面で考察される階層化されたプロファイルを実質的に示し得る。
本開示では、「層（layer）」及び「層（strata）」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用され得る。
図に示される各層の厚さは、解説的なものにすぎず、必ずしも別の層に対する厚さを表すものではない。
説明を簡略にするために、本開示では、単一の層内の複数の要素の組み合わせをコロン「：」で表示する場合があり、一方、多層被膜内の複数の層を備える複数の要素（の組み合わせ）は、スラッシュ「／」によって２つのかかる層を分離することによって表示され得る。いくつかの非限定的な例では、スラッシュの後の層は、スラッシュに先行する層の後及び／又は上に堆積されてもよい。
説明のために、被膜、層、及び／又は材料が堆積され得る下部材料の露出層表面は、堆積時に被膜、層、及び／又は材料をその上に堆積させるために提示され得るそのような下部材料の表面であると理解され得る。
当業者であれば、構成要素、層、領域、及び／又はそれらの一部が、別の下部材料、構成要素、層、領域、及び／又は部分の上及び／又は上方に「形成される」、「配設される」、及び／又は「堆積される」と称される場合、そのような形成、配設、及び／又は堆積は、それらの間に介在する材料、構成要素、層、領域、及び／又は部分の可能性を伴って、そのような下部材料、構成要素、層、領域、及び／又は部分の（そのような形成、配設、及び／又は堆積の時点での）露出層表面上に直接的及び／又は間接的であり得ることを理解するであろう。
本開示では、「重なる」及び／又は「重なっている」という用語は、概して、複数の層及び／又は構造が配置され得る表面から実質的に垂直に離れるように延在する断面軸と交差するように配設された複数の層及び／又は構造を指すことができる。
本開示は、気相堆積に関して、少なくとも１つの層又は被膜を参照して、薄膜形成について考察するが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、デバイスの様々な構成要素が、限定ではないが、蒸着（限定ではないが、熱蒸着、及び／又は電子ビーム蒸着を含む）、フォトリソグラフィ、印刷（限定ではないが、インクジェット、及び／又は蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、及び／又はマイクロコンタクト転写印刷を含む）、ＰＶＤ（限定ではないが、スパッタリングを含む）、化学気相堆積（chemical vapor deposition、ＣＶＤ）（限定ではないが、プラズマ強化ＣＶＤ（plasma-enhanced CVD、ＰＥＣＶＤ）、及び／又は有機気相堆積（organic vapor phase deposition、ＯＶＰＤ）を含む）、レーザアニーリング、レーザ誘起熱撮像（laser-induced thermal imaging、ＬＩＴＩ）パターニング、原子層堆積（atomic-layer deposition、ＡＬＤ）、被膜（限定ではないが、スピン被膜、ダイ被膜、ライン被膜、及び／又はスプレー被膜を含む）、及び／又はそれらの組み合わせ（集合的に「堆積プロセス」）を含む、多種多様な技術を使用して選択的に堆積され得ることを理解するであろう。
いくつかのプロセスは、シャドウマスクと組み合わせて使用され得、シャドウマスクは、いくつかの非限定的な例では、様々な層及び／又は被膜のいずれかの堆積中に、オープンマスク及び／又はファインメタルマスク（ＦＭＭ）であり得、それに対して露出された下部材料の表面のある特定の部分への堆積材料の堆積をマスキング及び／又は妨げることによって様々なパターンを達成する。
本開示では、「蒸発」及び／又は「昇華」という用語は、概して、ソース材料が、例えば、非限定的に、加熱によって、蒸気に変換されて、非限定的に固体状態で、ターゲット表面上に堆積される、堆積プロセスを指すために互換的に使用され得る。理解されるように、蒸発堆積プロセスは、少なくとも１つのソース材料が低圧（真空を含むがこれに限定されない）環境下で蒸発及び／又は昇華されて蒸気モノマーを形成し、少なくとも１つの蒸発したソース材料の逆昇華によってターゲット表面上に堆積されるＰＶＤプロセスの一種であり得る。ソース材料を加熱するために様々な異なる蒸発源を使用することができ、したがって、ソース材料を様々な方式で加熱することができることが、当業者によって理解されよう。いくつかの非限定的な例では、ソース材料は、電気フィラメント、電子ビーム、誘導加熱、及び／又は抵抗加熱によって加熱されてもよい。いくつかの非限定的な例では、ソース材料は、加熱されたるつぼ、加熱されたボート、クヌーセンセル（エフュージョン蒸発器源であり得る）、及び／又は任意の他のタイプの蒸発源に装填することができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積ソース材料は混合物であり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積ソース材料の混合物の少なくとも１つの成分は、堆積プロセス中に堆積されなくてもよい（又は、いくつかの非限定的な例では、かかる混合物の他の成分と比較して比較的少量で堆積されてもよい）。
本開示では、材料の層厚、膜厚、及び／又は平均層、及び／又は膜厚への言及は、その堆積のメカニズムにかかわらず、ターゲット露出層表面上に堆積される材料の量を指すことができ、これは、言及される層厚を有する材料の均一な厚さの層でターゲット表面を被覆するための材料の量に対応する。いくつかの非限定的な例では、１０ｎｍの材料の層厚を堆積させることは、表面上に堆積される材料の量が、１０ｎｍの厚さであり得る材料の均一な厚さの層を形成するための材料の量に対応し得ることを示し得る。いくつかの非限定的な例では、上で考察された薄膜が形成されるメカニズムを考慮すると、モノマーの可能な積層又はクラスタ化に起因して、堆積材料の実際の厚さは不均一であり得ることが理解されよう。いくつかの非限定的な例では、１０ｎｍの層厚を堆積させることは、１０ｎｍより大きい実際の厚さを有する堆積材料のいくつかの部分、又は１０ｎｍ以下の実際の厚さを有する堆積材料の他の部分をもたらし得る。したがって、表面上に堆積された材料の特定の層厚は、いくつかの非限定的な例では、ターゲット表面にわたって堆積材料の平均厚さに対応し得る。
本開示では、基準層厚への言及は、高い初期付着確率又は初期付着係数を示す基準表面（すなわち、約１．０及び／又はそれに近い初期付着確率を有する表面）上に堆積され得る、堆積材料（Ｍｇなど）の層厚を指すことができる。基準層厚は、ターゲット表面（限定ではないが、パターニング被膜の表面など）上に堆積された堆積材料の実際の厚さを示さなくてもよい。むしろ、基準層厚さは、ターゲット表面及び基準表面を同じ堆積期間にわたって堆積材料の同一の蒸気フラックスに供したときに、堆積速度及び基準層厚さを監視するために堆積チャンバ内に位置決めされた基準表面、一部の非限定的な例では、石英結晶の表面上に堆積される堆積材料の層厚さを指すことができる。当業者であれば、ターゲット表面及び基準表面が堆積中に同時に同一の蒸気フラックスに供されない場合には、適切なツーリングファクタを使用して、基準層の厚さを決定及び／又は監視することができることを理解するであろう。
本開示では、基準堆積速度は、堆積材料の層が、堆積チャンバ内で試料表面と同一に位置決めされ、構成された場合に、基準表面上で成長するであろう速度を指し得る。
本開示では、ある数Ｘの材料の単層を堆積させることへの言及は、例えば、非限定的に、閉鎖被膜で、材料の構成モノマーのＸ単層で露出層表面の所与の面積を被覆する量の材料を堆積させることを指すことができる。
本開示では、材料の単層の一部を堆積させることへの言及は、露出層表面の所与の面積のかかる一部を材料の構成モノマーの単層で被覆する量の材料を堆積させることを指すことができる。当業者は、いくつかの非限定的な例では、モノマーの可能なスタッキング及び／又はクラスタリングに起因して、表面の所与のエリアにわたる堆積材料の実際の局所的な厚さが不均一であり得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、材料の１つの単分子層を堆積させることは、材料によって被覆されていない表面の所与のエリアのいくつかの局所領域をもたらし得るが、表面の所与のエリアの他の局所領域は、その上に堆積された複数の原子層及び／又は分子層を有し得る。
本開示では、ターゲット表面（及び／又はそのターゲット領域）は、任意の好適な決定メカニズムによって決定されるように、ターゲット表面上に材料が実質的に不在であり得る場合、材料を「実質的に欠いている」、「実質的に含まない」、及び／又は「実質的に被覆されていない」とみなされ得る。
本開示では、「付着確率」及び「付着係数」という用語は、互換的に使用され得る。
本開示では、「核形成」という用語は、気相中のモノマーが表面上に凝縮して核を形成する、薄膜形成プロセスの核形成段階を指し得る。
本開示では、いくつかの非限定的な例では、文脈が示すように、「パターニング被膜」及び「パターニング材料」という用語は、同様の概念を指すために交換可能に使用されてもよく、堆積層をパターニングするために選択的に堆積される文脈での本明細書のパターニング被膜への言及は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料及び／又は電極被膜材料をパターニングするためのその選択的堆積の文脈でのパターニング材料に適用可能であってもよい。
同様に、いくつかの非限定的な例では、文脈が示すように、「パターニング被膜」及び「パターニング材料」という用語は、同様の概念を指すために交換可能に使用されてもよく、堆積層をパターニングするために選択的に堆積される文脈での本明細書のＮＰＣへの言及は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料及び／又は電極被膜をパターニングするためのその選択的堆積の文脈でのＮＰＣに適用可能であってもよい。
パターニング材料は、核形成阻害又は核形成促進のいずれかであり得るが、本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を除き、本明細書におけるパターニング材料への言及は、ＮＩＣへの言及であることが意図される。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜への言及は、本明細書に記載される特定の組成物を有する被膜を意味し得る。
本開示では、「堆積層」、「導電性被膜」、及び「電極被膜」という用語は、パターニング被膜の選択的堆積によってパターニングされるという文脈において、本明細書の堆積層と同様の概念及び言及を指すために交換可能に使用され得、及び／又はＮＰＣは、いくつかの非限定的な例では、パターニング材料の選択的堆積によってパターニングされるという文脈において、堆積層に適用可能であり得る。いくつかの非限定的な例では、電極被膜への言及は、本明細書に記載されるような特定の組成を有する被膜を意味し得る。同様に、本開示では、「堆積層材料」、「堆積材料」、「導電性被膜材料」、及び「電極被膜材料」という用語は、本明細書の堆積材料に対する同様の概念及び言及を指すために交換可能に使用され得る。
いくつかの非限定的な例では、化合物の断片又は一部を示す分子式は、（記号＊で示される）アスタリスクに接続された少なくとも１つの結合を含み得、これらは、そのような断片又は一部が付着し得る化合物の別の原子（図示せず）への結合を示すために使用され得る。
本開示では、有機材料は、限定されるものではないが、多種多様な有機分子及び／又は有機ポリマーを含み得ることが当業者に理解されよう。更に、元素及び／又は無機化合物を非限定的に含む様々な無機物質でドープされた有機材料が、依然として有機材料とみなされ得ることが、当業者によって理解されよう。なお更に、様々な有機材料が使用され得ること、及び本明細書中に記載されるプロセスは、概して、かかる有機材料の全範囲に適用可能であることが、当業者によって理解されよう。なお更に、金属及び／又は他の有機元素を含有する有機材料も有機材料とみなすことができることは、当業者によって理解されよう。なお更に、様々な有機材料が分子、オリゴマー、及び／又はポリマーであり得ることが、当業者によって理解されよう。
本明細書で使用されるように、有機－無機ハイブリッド材料は、概して、有機成分及び無機成分の両方を含む材料を指し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる有機－無機ハイブリッド材料は、有機部分及び無機部分を含む有機－無機ハイブリッド化合物を含み得る。かかる有機－無機ハイブリッド化合物の非限定的な例としては、無機足場が少なくとも１つの有機官能基で官能化されているものが挙げられる。かかる有機－無機ハイブリッド材料の非限定的な例としては、シロキサン基、シルセスキオキサン基、多面体オリゴマーシルセスキオキサン（polyhedral oligomeric silsesquioxane、ＰＯＳＳ）基、ホスファゼン基、及び金属錯体のうちの少なくとも１つを含むものが挙げられる。
本開示では、半導体材料は、概してバンド間隙を示す材料として説明され得る。いくつかの非限定的な例では、バンド間隙は、半導体材料の最高被占分子軌道（highest occupied molecular orbital、ＨＯＭＯ）と最低空分子軌道（lowest unoccupied molecular orbital、ＬＵＭＯ）との間に形成され得る。したがって、半導体材料は、概して、導電性材料（金属を非限定的に含む）の導電率以下であるが、絶縁材料（ガラスを非限定的に含む）の導電率よりも大きい導電率を示す。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は、有機半導体材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は、無機半導体材料を含み得る。
本明細書で使用されるように、オリゴマーは、概して、少なくとも２つのモノマー単位又はモノマーを含む材料を指し得る。当業者によって理解されるように、オリゴマーは、限定されないが、（１）その中に含有されるモノマー単位の数、（２）分子量、及び（３）他の材料特性及び／又は特徴を含む少なくとも１つの態様において、ポリマーとは異なり得る。いくつかの非限定的な例では、ポリマー及びオリゴマーの更なる説明は、Ｎａｋａ Ｋ．（２０１４）Ｍｏｎｏｍｅｒｓ，Ｏｌｉｇｏｍｅｒｓ，Ｐｏｌｙｍｅｒｓ，ａｎｄ Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ（Ｏｖｅｒｖｉｅｗ），ａｎｄ ｉｎ Ｋｏｂａｙａｓｈｉ Ｓ．，Ｍｕｌｌｅｎ Ｋ．（ｅｄｓ．）Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｎａｎｏｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｓｐｒｉｎｇｅｒ，Ｂｅｒｌｉｎ，Ｈｅｉｄｅｌｂｅｒｇにおいて見出され得る。
オリゴマー又はポリマーは、概して、一緒に化学的に結合して分子を形成し得るモノマー単位を含み得る。かかるモノマー単位は、分子が繰り返しモノマー単位によって主に形成されるように、互いに実質的に同一であってもよく、又は分子は、複数の異なるモノマー単位を含み得る。追加的に、分子は、分子のモノマー単位とは異なり得る少なくとも１つの末端単位を含み得る。オリゴマー又はポリマーは、直鎖状、分岐状、環状、シクロ直鎖状、及び／又は架橋されていてもよい。オリゴマー又はポリマーは、繰り返しパターンで、かつ／又は異なるモノマー単位の交互ブロックで配置された複数の異なるモノマー単位を含み得る。
本開示では、ＯＬＥＤデバイス中の層は、いくつかの非限定的な例では、有機半導体材料を含み得るので、「半導体層」という用語は、「有機層」と互換的に使用され得る。
本発明では、無機物は、無機材料を主成分とする物質を指し得る。本開示では、無機材料は、限定されないが、金属、ガラス、及び／又は鉱物を含む、有機材料であるとはみなされない任意の材料を含み得る。
本開示では、本明細書で使用される場合の「開口率」という用語は、概して、ディスプレイパネル（の一部）内の面積の、そのようなディスプレイパネル（の一部）内に存在する少なくとも１つの特徴によって占有される、及び／又はそれに起因する、平面図における割合を指す。
本開示では、「ＥＭ放射線」、「光子」、及び「光」という用語は、同様の概念を指すために交換可能に使用され得る。本開示では、ＥＭ放射線は、可視スペクトル内、赤外線（infrared、ＩＲ）領域（ＩＲスペクトル）では、近赤外領域（ＮＩＲスペクトル）、紫外（ultraviolet、ＵＶ）領域（ＵＶスペクトル）、及び／又はそのＵＶＡ領域（ＵＶＡスペクトル）（約３１５～４００ｎｍの波長範囲に対応し得る）、及び／又はそのＵＶＢ領域（ＵＶＢスペクトル）（約２８０～３１５ｎｍの波長に対応し得る）内にある波長を有し得る。
本開示では、本明細書で使用される「可視スペクトル」という用語は、概して、ＥＭスペクトルの可視部における少なくとも１つの波長を指す。
当業者によって理解されるように、かかる可視部は、約３８０～７４０ｎｍの任意の波長に対応し得る。概して、エレクトロルミネセントデバイスは、約４２５～７２５ｎｍの範囲の波長を有するＥＭ放射線、より具体的には、いくつかの非限定的な例では、それぞれ、Ｂ（青）、Ｇ（緑）、及びＲ（赤）サブピクセルに対応する、４５６ｎｍ、５２８ｎｍ、及び６２４ｎｍのピーク放射波長を有するＥＭ放射線を放射及び／又は透過するように構成され得る。したがって、かかるエレクトロルミネセントデバイスの文脈では、可視部は、約４２５～７２５ｎｍ、又は約４５６～６２４ｎｍの任意の波長を指し得る。可視スペクトル内の波長を有するＥＭ放射線は、いくつかの非限定的な例では、本明細書では「可視光」と称されることもある。
本開示において、本明細書で使用される「発光スペクトル」という用語は、概して、光電子デバイスによって放射される光のエレクトロルミネセンススペクトルを指す。いくつかの非限定的な例では、発光スペクトルは、いくつかの非限定的な例では、ある波長範囲にわたるＥＭ放射線の強度を測定することができる分光光度計などの光学機器を使用して検出することができる。
本開示では、本明細書で使用される「開始波長」という用語は、概して、発光スペクトル内で発光が検出される最も低い波長を指すことができる。
本開示では、「ピーク波長」という用語は、概して放射スペクトル内で最大光度が検出される波長を指し得る。
いくつかの非限定的な例では、開始波長は、ピーク波長未満であり得る。いくつかの非限定的な例では、開始波長λｏｎｓｅｔは、光度が、ピーク波長における光度の約１０％以下、約５％以下、約３％以下、約１％以下、約０．５％以下、約０．１％以下、及び約０．０１％以下のうちの１つである波長に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、可視スペクトルのＲ（赤）部分に存在する放射スペクトルは、約６００～６４０ｎｍの波長範囲に存在し得るピーク波長によって特徴付けられ得、いくつかの非限定的な例では、実質的に約６２０ｎｍであり得る。
いくつかの非限定的な例では、可視スペクトルのＧ（緑）部分に存在する放射スペクトルは、約５１０～５４０ｎｍの波長範囲に存在し得るピーク波長によって特徴付けられ得、いくつかの非限定的な例では、実質的に約５３０ｎｍであり得る。
いくつかの非限定的な例では、可視スペクトルのＢ（青）部分にある放射スペクトルは、約４５０～４６０ｎｍの波長範囲にあり得るピーク波長λｍａｘによって特徴付けられ得、いくつかの非限定的な例では、実質的に約４５５ｎｍであり得る。
本開示では、本明細書で使用される「ＩＲ信号」という用語は、概して、ＥＭスペクトルのＩＲサブセット（ＩＲスペクトル）内の波長を有するＥＭ放射線を指し得る。ＩＲ信号は、いくつかの非限定的な例では、その近赤外（ｎｅａｒ－ｉｎｆｒａｒｅｄ、ＮＩＲ）サブセット（ＮＩＲスペクトル）に対応する波長を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＲ信号は、約７５０～１４００ｎｍ、約７５０～１３００ｎｍ、約８００～１３００ｎｍ、約８００～１２００ｎｍ、約８５０～１３００ｎｍ、及び約９００～１３００ｎｍのうちの１つの波長を有することができる。
本開示では、「吸収スペクトル」という用語は、本明細書で使用される場合、概して、吸収が集中し得るＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲を指し得る。
本開示では、本明細書で使用される「吸収端」、「吸収不連続性」、及び／又は「吸収限界」という用語は、概して、物質の吸収スペクトルにおける鋭い不連続性を指し得る。いくつかの非限定的な例では、吸収端は、吸収されたＥＭ放射線のエネルギーが電子遷移及び／又はイオン化ポテンシャルに対応し得る波長で生じる傾向があり得る。
本開示では、本明細書で使用される「吸光係数」という用語は、概して、ＥＭ係数が材料を通って伝搬するときに減衰され得る程度を指し得る。いくつかの非限定的な例では、吸光係数は、複素屈折率の虚数成分ｋに対応すると理解され得る。いくつかの非限定的な例では、材料の吸光係数は、偏光解析法を非限定的に含む様々な方法によって測定することができる。
本開示では、媒体を説明するために本明細書で使用される「屈折率（refractive index）」及び／又は「屈折率（index）」という用語は、真空中の光の速度に対するかかる媒体中の光の速度の比から計算される値を指し得る。本開示では、特に、薄膜層及び／又は被膜を非限定的に含む実質的に透明な材料の特性を説明するために使用される場合、これらの用語は、式Ｎ＝ｎ＋ｉｋにおける実数部ｎに対応し得、式中、Ｎは、複素屈折率を表し得、ｋは、吸光係数を表し得る。
当業者によって理解されるように、限定ではないが、薄膜層及び／又は被膜を含む、実質的に透明な材料は、概して、可視スペクトル内で比較的低い吸光係数値を示し得るため、式の虚数成分は、複素屈折率にほとんど寄与しない場合がある。一方、例えば、金属薄膜によって形成された光透過性電極は、可視スペクトルにおいて比較的低い屈折率値及び比較的高い吸光係数値を示し得る。したがって、かかる薄膜の複素屈折率Ｎは、主にその虚数成分ｋによって決定され得る。
本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を除き、屈折率への特定性を伴わない言及は、複素屈折率Ｎの実数部ｎへの言及であることが意図され得る。
いくつかの非限定的な例では、屈折率と透過率との間には概して正の相関があり得、又は換言すれば、屈折率と吸収との間には概して負の相関があり得る。いくつかの非限定的な例では、物質の吸収端は、吸光係数が０に近づく波長に対応し得る。
本開示では、ピクセルの概念は、その少なくとも１つのサブピクセルの概念と併せて考察され得る。単に説明を簡略にするために、かかる複合概念は、本明細書では「（サブ）ピクセル」と称されることがあり、かかる用語は、文脈上別段の指示がない限り、ピクセル及び／又はその少なくとも１つのサブピクセルのいずれか又は両方を示唆するものと理解され得る。
いくつかの非限定的な例では、表面上の材料の量の１つの尺度は、かかる材料による表面の被覆率であり得る。いくつかの非限定的な例では、表面被覆率は、ＴＥＭ、ＡＦＭ、及び／又はＳＥＭを含むがこれらに限定されない様々な撮像技術を使用して評価することができる。
本開示では、「粒子」、「アイランド」、及び「クラスタ」という用語は、類似の概念を指すために交換可能に使用され得る。
本開示では、説明を簡略にするために、本明細書で使用される「被膜」、「閉鎖被膜」、及び／又は「閉鎖膜」という用語は、薄膜構造、及び／又は堆積層に使用される堆積材料の被膜を指すことができ、表面の関連する部分は、それによって実質的に被覆されてもよく、したがって、かかる表面は、その上に堆積された被膜によって、又はそれを通して実質的に露出されない場合がある。
本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を除き、薄膜への特定性のない言及は、実質的な閉鎖被膜への言及であることが意図され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層及び／又は堆積材料の閉鎖被膜は、いくつかの非限定的な例では、下地表面の一部を被覆するように配設されてもよく、かかる部分内で、その中の下地表面の約４０％以下、約３０％以下、約２５％以下、約２０％以下、約１５％以下、約１０％以下、約５％以下、約３％以下、及び約１％以下のうちの１つが、閉鎖被膜によって、又は閉鎖被膜を通して露出されてもよい。
当業者であれば、限定されるものではないが、本明細書に記載されるものを含む様々な技術及びプロセスを用いて閉鎖被膜をパターニングして、閉鎖被膜の堆積後に露出されるべき下地表面の露出層表面の一部を意図的に残すことができることを理解するであろう。本開示では、かかるパターニングされた膜は、それにもかかわらず、いくつかの非限定的な例では、かかるパターニングの文脈内で、下地表面の露出層表面のかかる故意に露出された部分の間に堆積される薄膜及び／又は被膜が、それ自体実質的な閉鎖被膜を含む場合、閉鎖被膜を構成するとみなすことができる。
当業者は、堆積プロセスにおける固有の変動性、及びいくつかの非限定的な例では、堆積材料、いくつかの非限定的な例では、堆積材料、及び下部材料の露出層表面のいずれか又は両方における不純物の存在に起因して、本明細書に記載されるものを含むがこれらに限定されない様々な技術及びプロセスを使用する薄膜の堆積は、それにもかかわらず、ピンホール、裂け目、及び／又は亀裂を含むがこれらに限定されない小さな開口部の形成をもたらし得ることを理解するであろう。本開示では、いくつかの非限定的な例では、堆積される薄膜及び／又は被膜が、実質的な閉鎖被膜を含み、かかる開口の存在にもかかわらず、記載される任意の特定の被覆率基準を満たす場合、かかる薄膜は、それにもかかわらず、閉鎖被膜を構成するとみなすことができる。
本開示では、説明を簡略にするために、本明細書で使用される「不連続層」という用語は、堆積層に使用される材料の薄膜構造及び／又は被膜を指すことができ、それによって被覆された表面の関連部分は、かかる材料を実質的に欠いていてもよく、その閉鎖被膜を形成することもない。いくつかの非限定的な例では、堆積材料の不連続層は、かかる表面上に配設された複数の離散したアイランドとして現れ得る。
本開示では、説明を簡単にするために、閉じた被膜が形成された段階に（まだ）達していない、下部材料の露出層表面上への蒸気モノマーの堆積の結果を、「中間段階層」と呼ぶことがある。いくつかの非限定的な例では、かかる中間段階層は、堆積プロセスが完了していないことを反映してもよく、かかる中間段階層は、閉鎖被膜の形成の中間段階とみなすことができる。いくつかの非限定的な例では、中間段階層は、完了した堆積プロセスの結果であってもよく、したがって、それ自体で形成の最終段階を構成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、中間段階層は、不連続層よりも薄膜に酷似し得るが、少なくとも１つの樹枝状突起及び／又は少なくとも１つの樹枝状凹部を含むがこれらに限定されない開口及び／又は間隙を表面被覆において有し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる中間段階層は、閉鎖被膜を形成しないように、堆積材料の単一の単層の一部を備え得る。
本開示では、説明を簡略にするために、堆積層を非限定的に含む被膜に関して、「樹枝状（ｄｅｎｄｒｉｔｉｃ）」という用語は、側方面から見たときに分岐構造に似た特徴を指し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層は、樹枝状突起及び／又は樹枝状凹部を含み得る。いくつかの非限定的な例では、樹枝状突起は、物理的に接続され、実質的に外側に延在する複数の短い突起を含む分岐構造を示す堆積層の一部に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、樹枝状凹部は、物理的に接続され、実質的に外向きに延在する堆積層の間隙、開口部、及び／又は被覆されていない部分の分岐構造に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、樹枝状凹部は、樹枝状突起のパターンに対する鏡像及び／又は逆パターンを含むがこれらに限定されないパターンに対応し得る。いくつかの非限定的な例では、樹枝状突起及び／又は樹枝状凹部は、フラクタルパターン、メッシュ、ウェブ、及び／又は交互嵌合構造を示す、かつ／又は模倣する構成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、シート抵抗は、かかる構成要素、層、及び／又は部品を通過する電流の特性を変更し得る、構成要素、層、及び／又は部品の特性であり得る。いくつかの非限定的な例では、被膜のシート抵抗は、概して、デバイスの他の構成要素、層、及び／又は部品から分離して測定及び／又は決定される、被膜の特徴的シート抵抗に対応し得る。
本開示では、堆積密度は、いくつかの非限定的な例では、その中の堆積材料の面積及び／又は体積を備え得る、領域内の分布を指し得る。当業者は、かかる堆積密度が、かかる堆積材料を含み得る粒子構造自体内の質量又は材料の密度と無関係であり得ることを理解するであろう。本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を除き、堆積密度及び／又は密度への言及は、エリア内の少なくとも１つの粒子を非限定的に含む、かかる堆積材料の分布への言及であることが意図され得る。
いくつかの非限定的な例では、金属の結合解離エネルギーは、金属の２つの同一の原子によって形成される二原子分子の結合の破壊から２９８Ｋで測定される標準状態エンタルピー変化に対応し得る。結合解離エネルギーは、いくつかの非限定的な例では、Ｌｕｏ，Ｙｕ－Ｒａｎ，「Ｂｏｎｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ」（２０１０）を含むがこれらに限定されない既知の文献に基づいて決定され得る。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、ＮＰＣを提供することにより、特定の表面上への堆積層の堆積が容易になり得ると仮定される。
ＮＰＣを形成するのに好適な材料の非限定的な例は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、及び／又はポスト遷移金属、金属フッ化物、金属酸化物、及び／又はフラーレンを含むがこれらに限定されない少なくとも１つの金属を含み得るが、これらに限定されない。
そのような材料の非限定的な例は、Ｃａ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｙｂ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、フッ化イッテルビウム（ＹｂＦ３）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、及び／又はフッ化セシウム（ＣｓＦ）を含む。
本開示では、「フラーレン」という用語は、概して、炭素分子を含む材料を指し得る。フラーレン分子の非限定的な例としては、閉じたシェルを形成する複数の炭素原子を含み、かつ限定はしないが、球形及び／又は半球形の形状であり得る、三次元骨格を非限定的に含む炭素ケージ分子が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、フラーレン分子は、Ｃｎとして指定されてもよく、ｎは、フラーレン分子の炭素骨格に含まれる複数の炭素原子に対応する整数であり得る。フラーレン分子の非限定的な例としては、Ｃｎが挙げられ、式中、ｎは、５０～２５０の範囲であり得、例えば、限定されないが、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７２、Ｃ７４、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８０、Ｃ８２、及びＣ８４などである。フラーレン分子の更なる非限定的な例としては、単壁カーボンナノチューブ及び／又は多壁カーボンナノチューブを含むがこれらに限定されない、チューブ状及び／又は円筒形状の炭素分子が挙げられる。
発見及び実験的観察に基づいて、本明細書で更に議論されるように、限定はしないが、フラーレン、限定はしないが、Ａｇ及び／若しくはＹｂを含む金属、並びに／又は限定はしないが、ＩＴＯ及び／若しくはＩＺＯを含む金属酸化物を含む核形成促進材料が、限定はしないが、Ｍｇを含む堆積層の堆積のための核形成部位として機能し得ることを仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣを形成するための使用に好適な材料として、少なくとも約０．４、少なくとも約０．５、少なくとも約０．６、少なくとも約０．７、少なくとも約０．７５、少なくとも約０．８、少なくとも約０．９、少なくとも約０．９３、少なくとも約０．９５、少なくとも約０．９８、若しくは少なくとも約０．９９のうちの少なくとも１つの堆積層の材料の初期付着確率を示すか、又はそれを有するものとして特徴付けられるものが挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、限定されないが、フラーレン処理された表面上での蒸発プロセスを使用してＭｇが堆積されるシナリオでは、いくつかの非限定的な例では、フラーレン分子は、Ｍｇ堆積のための安定した核の形成を促進し得る核形成部位として機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、フラーレンを含むがこれに限定されないＮＰＣの単分子層以下が、Ｍｇの堆積のための核形成部位として機能するように、処理された表面上に提供され得る。
いくつかの非限定的な例では、その上にＮＰＣの複数の単層を堆積させることによって表面を処理することは、より多数の核形成部位、したがって、より高い初期付着確率をもたらし得る。
当業者であれば、表面上に堆積されるフラーレンを含むがこれに限定されない材料の量は、１つの単層よりも多くても少なくてもよいことを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、かかる表面は、核形成助長材料及び／又は核形成阻害材料の約０．１、約１、約１０、及びそれを上回る単層のうちの１つを堆積させることによって処理することができる。
いくつかの非限定的な例では、下部材料の露出層表面上に堆積されたＮＰＣの平均層厚は、約１～５ｎｍ及び約１～３ｎｍのうちの１つであり得る。
本開示の特徴又は態様がマーカッシュグループに関して説明され得る場合、本開示はまた、それによって、そのようなマーカッシュグループのメンバーのサブグループの任意の個々のメンバーに関して説明され得ることが、当業者によって理解されるであろう。
用語
単数形での言及は、別段の記載がない限り、複数形を含むことができ、逆もまた同様である。
本明細書で使用されるように、「第１の」及び「第２の」などの関係用語、並びに「ａ」、「ｂ」などの番号付けデバイスは、かかるエンティティ又は要素間の任意の物理的又は論理的関係あるいは順序を必ずしも要求又は暗示することなく、１つのエンティティ又は要素を別のエンティティ又は要素から区別するためだけに使用され得る。
「含む（including）」及び「備える（comprising）」という用語は、拡張的かつ非限定的に使用されてもよく、したがって、「含むが、それに限定されない」を意味すると解釈されるべきである。「例（example）」及び「例示的（exemplary）」という用語は、単に、解説目的で事例を識別するために使用され得、本発明の範囲を述べられた事例に限定するものと解釈されるべきではない。具体的には、「例示的」という用語は、設計、性能、又はその他の点に関してであれ、それが使用される表現に対して、任意の寛大な、有益な、又は他の品質を表示するか、又は付与するものと解釈されるべきではない。
更に、「臨界」という用語は、特に「臨界核」、「臨界核形成速度」、「臨界濃度」、「臨界クラスタ」、「臨界モノマー」、「臨界粒子構造サイズ」、及び／又は「臨界表面張力」という表現で使用される場合、当業者に精通される用語であってもよく、ある品質、特性又は現象が明確な変化を受ける測定値若しくは点に関連するか、又はその状態にあることを含む。したがって、「臨界」という用語は、設計、性能、又はその他の点に関してであれ、それが使用される表現に対して何らかの重要性若しくは重要性を表示するか又は与えるものと解釈されるべきではない。
任意の形態の「結合する」及び「通信する」という用語は、光学的、電気的、機械的、化学的、又はその他にかかわらず、何らかのインターフェース、デバイス、中間構成要素、又は接続を介した直接接続若しくは間接接続のいずれかを意味することが意図され得る。
別の構成要素に対する第１の構成要素、及び／又は別の構成要素を「被覆する（covering）」若しくは「被覆する（covers）」に関して使用される場合の「上（on）」又は「上（over）」という用語は、第１の構成要素が他の構成要素の直接上にある（それと物理的に接触していることを非限定的に含む）状況、並びに少なくとも１つの介在構成要素が第１の構成要素と他の構成要素との間に位置決めされている場合を包含し得る。
「上方（upward）」、「下方（downward）」、「左（left）」及び「右（right）」などの方向を示す用語は、別段の記載がない限り、参照される図面における方向を指すために使用され得る。同様に、「内向き（inward）」及び「外向き（outward）」などの単語は、それぞれ、デバイス、エリア、若しくは体積、又はそれらの指定された部分の幾何学的中心に向かう方向、及びそれから離れる方向を指すために使用され得る。更に、本明細書に記載される全ての寸法は、単に特定の例を解説する目的の一例であることが意図されてもよく、本開示の範囲を、指定され得るような寸法から逸脱し得る任意の例に限定することが意図されなくてもよい。
本明細書で使用されるように、「実質的に」、「実質的な」、「およそ」、及び／又は「約」という用語は、小さい変動を表示し、説明するために使用され得る。事象又は状況と併せて使用される場合、かかる用語は、事象又は状況が正確に発生する事例、並びに事象又は状況が非常に近似して発生する事例を指し得る。いくつかの非限定的な例では、数値と併せて使用される場合、かかる用語は、約±５％以下、約±４％以下、約±３％以下、約±２％以下、約±１％以下、約±０．５％以下、約±０．１％以下、及び約±０．０５％以下のうちの１つなど、かかる数値の約±１０％以下の変動の範囲を指し得る。
本明細書で使用される場合、「から実質的に構成される（consisting substantially of）」という語句は、具体的に列挙された要素、及び記載された技術の基本的かつ新規な特徴に実質的に影響を及ぼさない任意の追加の要素を含むと理解されてもよく、一方、いかなる修飾語も使用しない「から構成される（consisting of）」という語句は、具体的に列挙されていない任意の要素を除外してもよい。
当業者によって理解されるように、任意の及び全ての目的のために、特に書面による説明を提供することに関して、本明細書に開示される全ての範囲はまた、任意の及び全ての可能なサブ範囲、及び／又はそのサブ範囲の組み合わせを包含し得る。任意の列挙された範囲は、十分に説明するものとして、かつ／又は同じ範囲が、半分、３分の１、４分の１、５分の１、１０分の１などを非限定的に含む、少なくともその等しい分数に分割されることを十分に説明及び／又は可能にするものとして容易に認識され得る。非限定的な例として、本明細書で考察される各範囲は、下３分の１、中央３分の１、及び／又は上３分の１などに容易に分割され得る。
また、当業者によって理解されるように、「最大で」、「少なくとも」、「より大きい」、「より小さい」などの全ての言語及び／又は用語は、列挙される範囲を含み得、及び／又はそれを指し得、また、本明細書で議論されるように、後に部分範囲に分割され得る範囲を指し得る。
当業者によって理解されるように、範囲は、列挙された範囲の各個々のメンバーを含み得る。
一般事項
要約の目的は、関連する特許庁又は一般公衆、具体的には、特許又は法律の用語又は語法に精通していない当業者が、大まかな調査から、技術的開示の性質を迅速に判断することを可能にすることである。要約は、本開示の範囲を定義することを意図するものではなく、また、本開示の範囲を限定することを意図するものでもない。
本開示の一例の構造、製造、及び使用は、上で考察されている。考察される特定の例は、本明細書で開示される概念を作成及び使用するための特定の方法の単なる解説にすぎず、本開示の範囲を限定するものではない。むしろ、本明細書に記載された一般的な原理は、本開示の範囲の単なる解説にすぎない。
本明細書に具体的に開示されているか否かにかかわらず、特許請求の範囲によって説明され、提供される実装形態の詳細によって説明されず、変更、省略、追加若しくは置換によって、並びに／又は任意の要素及び／若しくは限定がない場合に代替形態及び／若しくは同等の機能要素を用いて修正され得る本開示は、当業者には明らかであり、本明細書に開示される例に対して行われ得、本開示から逸脱することなく、多種多様な特定の状況において具現化され得る多くの適用可能な発明概念を提供し得ることを理解されたい。
具体的には、上述の例のうちの少なくとも１つにおいて記載及び解説された特徴、技術、システム、サブシステム、及び方法は、個別又は別個として記載及び解説されているか否かにかかわらず、本開示の範囲から逸脱することなく別のシステムにおいて組み合わせるか又は統合して、明示的に上述されていない場合がある特徴の組み合わせ又は部分的組み合わせから構成される代替的な例を創出することができ、又は特定の特徴を省略するか又は実装しないことが可能である。かかる組み合わせ及び部分的組み合わせに好適な特徴は、本出願を全体として検討すれば、当業者には容易に明らかになるであろう。変更、置換、及び修正の他の例は、容易に確認可能であり、本明細書に開示される趣旨及び範囲から逸脱することなく行うことができる。
本開示の原理、態様、及び例、並びにそれらの特定の例を列挙する本明細書の全ての記述は、それらの構造的均等物と機能的均等物の両方を包含し、技術における全ての好適な変更を網羅し、包含することが意図される。追加的に、そのような均等物は、現在知られている均等物及び将来開発される均等物、すなわち、構造にかかわらず同じ機能を実行する開発された任意の要素の両方を含むことが意図されている。
付記
本開示は、限定されないが、以下の付記を含む。
パターニング被膜は、パターニング材料４１１を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜の堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率は、露出層表面の堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率以下である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、堆積材料５３１の閉鎖被膜を実質的に欠いている、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約０．９以下、約０．３以下、約０．２以下、約０．１５以下、約０．１以下、約０．０８以下、約０．０５以下、約０．０３以下、約０．０２以下、約０．０１以下、約０．００８以下、約０．００５以下、約０．００３以下、約０．００１以下、約０．０００８以下、約０．０００５以下、約０．０００３以下、及び約０．０００１以下のうちの少なくとも１つである、堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約０．９以下、約０．３以下、約０．２以下、約０．１５以下、約０．１以下、約０．０８以下、約０．０５以下、約０．０３以下、約０．０２以下、約０．０１以下、約０．００８以下、約０．００５以下、約０．００３以下、約０．００１以下、約０．０００８以下、約０．０００５以下、約０．０００３以下、及び約０．０００１以下のうちの少なくとも１つである、銀（Ａｇ）及びマグネシウム（Ｍｇ）のうちの少なくとも一方の堆積に抗する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約０．１５～０．０００１、約０．１～０．０００３、約０．０８～０．０００５、約０．０８～０．０００８、約０．０５～０．００１、約０．０３～０．０００１、約０．０３～０．０００３、約０．０３～０．０００５、約０．０３～０．０００８、約０．０３～０．００１、約０．０３～０．００５、約０．０３～０．００８、約０．０３～０．０１、約０．０２～０．０００１、約０．０２～０．０００３、約０．０２～０．０００５、約０．０２～０．０００８、約０．０２～０．００１、約０．０２～０．００５、約０．０２～０．００８、約０．０２～０．０１、約０．０１～０．０００１、約０．０１～０．０００３、約０．０１～０．０００５、約０．０１～０．０００８、約０．０１～０．００１、約０．０１～０．００５、約０．０１～０．００８、約０．００８～－０．０００１、約０．００８～０．０００３、約０．００８～０．０００５、約０．００８～０．０００８、約０．００８～０．００１、約０．００８～０．００５、約０．００５～０．０００１、約０．００５～０．０００３、約０．００５～０．０００５、約０．００５～０．０００８、及び約０．００５～０．００１のうちの少なくとも１つの、堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約０．３、０．２、０．１８、０．１５、０．１３、０．１、０．０８、０．０５、０．０３、０．０２、０．０１、０．００８、０．００５、０．００３、及び０．００１のうちの少なくとも１つである閾値以下である、堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、Ａｇ、Ｍｇ、イッテルビウム（Ｙｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、及び亜鉛（Ｚｎ）のうちの少なくとも１つの堆積に抗する、閾値以下である初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
閾値は、第１の堆積材料５３１の堆積に抗する第１の閾値と、第２の堆積材料５３１の堆積に抗する第２の閾値とを有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
第１の堆積材料５３１はＡｇであり、第２の堆積材料５３１はＭｇである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
第１の堆積材料５３１はＡｇであり、第２の堆積材料５３１はＹｂである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
第１の堆積材料５３１はＹｂであり、第２の堆積材料５３１がＭｇである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
第１の閾値は、第２の閾値を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、堆積材料５３１の蒸気フラックス１８３２に供された後に、少なくとも閾値透過率値のＥＭ放射線に対する透過率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
閾値透過率値は、可視スペクトル内の波長で測定される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
閾値透過率値は、デバイスを透過する入射ＥＭパワーの少なくとも約６０％、少なくとも約６５％、少なくとも約７０％、少なくとも約７５％、少なくとも約８０％、少なくとも約８５％、及び少なくとも約９０％のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約２４ダイン／ｃｍ以下、約２２ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、及び約１１ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つの表面エネルギーを有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、少なくとも約６ダイン／ｃｍ、少なくとも約７ダイン／ｃｍ、及び少なくとも約８ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つである表面エネルギーを有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約１０～２０ダイン／ｃｍ、及び約１３～１９ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つである表面エネルギーを有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約１．５５以下、約１．５以下、約１．４５以下、約１．４３以下、約１．４以下、約１．３９以下、約１．３７以下、約１．３５以下、約１．３２以下、及び約１．３以下のうちの少なくとも１つである、５５０ｎｍの波長のＥＭ放射に対する屈折率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約６００ｎｍ、５００ｎｍ、４６０ｎｍ、４２０ｎｍ、及び４１０ｎｍのうちの少なくとも１つを上回る波長の光子に対して約０．０１以下である吸光係数を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、少なくとも約４００ｎｍ、少なくとも約３９０ｎｍ、少なくとも約３８０ｎｍ、及び少なくとも約３７０ｎｍのうちの少なくとも１つよりも短い波長のＥＭ放射に対して、少なくとも約０．０５、少なくとも約０．１、少なくとも約０．２、少なくとも約０．５のうちの少なくとも１つである吸光係数を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、（ｉ）少なくとも約３００℃、少なくとも約１５０℃、少なくとも約１３０℃、少なくとも約１２０℃、及び少なくとも約１００℃のうちの少なくとも１つ、並びに（ｉｉ）約３０℃以下、約０℃以下、約－３０℃以下、及び約－５０℃以下のうちの少なくとも１つ、のうちの少なくとも１つであるガラス転移温度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング材料４１１は、約１００～３２０℃、約１２０～３００℃、約１４０～２８０℃、及び約１５０～２５０℃のうちの少なくとも１つの昇華温度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、フッ素原子及びケイ素原子のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、フッ素及び炭素を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
フッ素を炭素で除算した商の原子比は、約１、１．５、及び２のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、オリゴマーを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、主鎖と、主鎖に結合した少なくとも１つの官能基とを含有する分子構造を有する化合物を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
化合物は、シロキサン基、シルセスキオキサン基、アリール基、ヘテロアリール基、フルオロアルキル基、炭化水素基、ホスファゼン基、フルオロポリマー、及び金属錯体のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
化合物の分子量は、約５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約４，５００ｇ／ｍｏｌ以下、約４，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約３，８００ｇ／ｍｏｌ以下、及び約３，５００ｇ／ｍｏｌ以下のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
分子量は、少なくとも約１，５００ｇ／ｍｏｌ、少なくとも約１，７００ｇ／ｍｏｌ、少なくとも約２，０００ｇ／ｍｏｌ、少なくとも約２，２００ｇ／ｍｏｌ、及び少なくとも約２，５００ｇ／ｍｏｌである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
分子量は、約１，５００～５，０００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，２００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、及び約２，５００～３，８００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
フッ素原子の存在に起因する化合物のモル重量の割合は、約４０～９０％、約４５～８５％、約５０～８０％、約５５～７５％、及び約６０～７５％のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
フッ素原子は、化合物のモル重量の大部分を構成する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング材料４１１は、有機－無機ハイブリッド材料を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、堆積材料５３１のための少なくとも１つの核形成部位を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、堆積材料５３１のための核形成部位として機能するシード材料で補完される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
シード材料は、核形成促進被膜（ＮＰＣ）材料、有機材料、多環式芳香族化合物、並びに酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、窒素（Ｎ）、及び炭素（Ｃ）のうちの少なくとも１つから選択される非金属元素を含む材料のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜が光学被膜として機能する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、デバイスによって放射されるＥＭ放射の特性及び特徴のうちの少なくとも１つを修正する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、結晶性材料を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、非晶質材料として堆積されており、堆積後に結晶化される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、堆積材料５３１を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びイットリウム（Ｙ）のうちの少なくとも１つから選択される元素を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、純金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、純粋なＡｇ及び実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
実質的に純粋なＡｇは、少なくとも約９５％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、及び少なくとも約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、純粋なＭｇ及び実質的に純粋なＭｇのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、又は少なくとも約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、及びＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
ＡｇＭｇ含有合金は、体積で１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲である合金組成を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、Ａｇ以外の少なくとも１つの金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、Ａｇと少なくとも１つの金属との合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの金属は、Ｍｇ及びＹｂの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
合金は、約５～９５体積％のＡｇの組成を有する二元合金である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
合金は、体積で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、Ａｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、少なくとも１つの追加の元素を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの追加の元素は、非金属元素である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非金属元素は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非金属元素の濃度は、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、Ｏ及びＣの合計が約１０％以下、約５％以下、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下の少なくとも１つである組成を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非金属元素は、ＮＩＣ上に堆積材料５３１の核形成部位として機能する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１及び下地層は、共通金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、堆積材料５３１の複数の層を備える、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
複数の層のうちの第１のものの堆積材料５３１は、複数の層のうちの第２のものの堆積材料５３１とは異なる、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、多層被膜を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
多層被膜は、Ｙｂ／Ａｇ、Ｙｂ／Ｍｇ、Ｙｂ／Ｍｇ：Ａｇ、Ｙｂ／Ｙｂ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ／Ｍｇ、及びＹｂ／Ｍｇ／Ａｇのうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、約３００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約２００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１６５ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１５０ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約５０ｋＪ／ｍｏｌ以下、及び約２０ｋＪ／ｍｏｌ以下の少なくとも１つの結合解離エネルギーを有する金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、約１．４以下、約１．３以下、及び約１．２以下の少なくとも１つの電気陰性度を有する金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層のシート抵抗は、約１０Ω／□以下、５Ω／□以下、約１Ω／□以下、約０．５Ω／□以下、約０．２Ω／□以下、及び約０．１Ω／□以下の少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、その閉鎖被膜を実質的に欠いている少なくとも１つの領域によって画定されるパターンで配設される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの領域は、堆積層をその複数の個別の断片に分離する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも２つの個別の断片は、電気的に結合される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、パターニング被膜縁部によって画定される境界を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、少なくとも１つのパターニング被膜遷移領域と、パターニング被膜非遷移部とを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つのパターニング被膜遷移領域は、最大厚さから減少した厚さに遷移する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つのパターニング被膜遷移領域は、パターニング被膜非遷移部とパターニング被膜縁部との間を延在する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。パターニング被膜は、パターニング被膜非遷移部において、約１～１００ｎｍ、約２～５０ｎｍ、約３～３０ｎｍ、約４～２０ｎｍ、約５～１５ｎｍ、約５～１０ｎｍ、及び約１～１０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲内にある平均膜厚を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜非遷移部におけるパターニング被膜の厚さは、ＮＩＣの平均膜厚の約９５％及び約９０％のうちの少なくとも１つ内である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、約８０ｎｍ以下、約６０ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約４０ｎｍ以下、約３０ｎｍ以下、約２０ｎｍ以下、約１５ｎｍ以下、及び約１０ｎｍのうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、約３ｎｍ、約５ｎｍ、及び約８ｎｍのうちの少なくとも１つを上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、約１０ｎｍ以下である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、パターニング被膜遷移領域内で最大から最小に減少するパターニング被膜厚を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最大値は、パターニング被膜遷移領域とパターニング被膜非遷移部との間の境界に近接している、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最大値は、約１００％、約９５％、及び約９０％のうちの少なくとも１つである平均膜厚の割合である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最小値は、パターニング被膜の縁部に近接している、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲内である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜の厚さのプロファイルは、傾斜している、テーパ形状である、かつ勾配によって画定される、のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
テーパプロファイルは、線形、非線形、放物線、及び指数関数的に減衰するプロファイルのうちの少なくとも１つに従う、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜非遷移領域の側方軸に沿った非遷移幅は、パターニング被膜遷移領域の軸に沿った遷移幅を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非遷移幅を遷移幅で除算した商は、少なくとも約５、少なくとも約１０、少なくとも約２０、少なくとも約５０、少なくとも約１００、少なくとも約５００、少なくとも約１，０００、少なくとも約１，５００、少なくとも約５，０００、少なくとも約１０，０００、少なくとも約５０，０００、又は少なくとも約１００，０００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非遷移幅及び遷移幅のうちの少なくとも１つは、下地層の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非遷移幅及び遷移幅のうちの少なくとも１つは、パターニング被膜の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
下地層の平均膜厚は、パターニング被膜の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、堆積層縁部によって画定された境界を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、少なくとも１つの堆積層遷移領域と、堆積層非遷移部とを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの堆積層遷移領域は、最大厚さから減少した厚さに遷移する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの堆積層遷移領域は、堆積層非遷移部と堆積層縁部との間に延在する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、約１～５００ｎｍ、約５～２００ｎｍ、約５～４０ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、及び約１０～１００ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲内にある堆積層非遷移部の平均膜厚を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、約１０ｎｍ、約５０ｎｍ、及び約１００ｎｍのうちの少なくとも１つを上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、その全体にわたって実質的に一定である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、下地層の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
下地層の平均膜厚による堆積層の平均膜厚の商は、少なくとも約１．５、少なくとも約２、少なくとも約５、少なくとも約１０、少なくとも約２０、少なくとも約５０、及び少なくとも約１００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
商は、約０．１～１０、及び約０．２～４０のうちの少なくとも１つの範囲内にある、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層の平均膜厚は、パターニング被膜の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜の平均膜厚による堆積層の平均膜厚の商は、少なくとも約１．５、少なくとも約２、少なくとも約５、少なくとも約１０、少なくとも約２０、少なくとも約５０、及び少なくとも約１００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
商は、約０．２～１０、及び約０．５～４０のうちの少なくとも１つの範囲内にある、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層非遷移部の側方軸に沿った堆積層非遷移幅は、パターニング被膜非遷移部の軸に沿ったパターニング被膜非遷移幅を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜非遷移幅を堆積層非遷移幅で除算した商は、約０．１～１０、約０．２～５、約０．３～３、及び約０．４～２のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層の非遷移幅をパターニング被膜の非遷移幅で除算した商は、少なくとも１、２、３、及び４のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層非遷移幅は、堆積層の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層の非遷移幅を平均膜厚で除算した商は、少なくとも約１０、少なくとも約５０、少なくとも約１００、及び少なくとも約５００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
商は、約１００，０００以下である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。堆積層は、堆積層遷移領域内で最大から最小まで減少する堆積層厚を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最大値は、堆積層遷移領域と堆積層非遷移部との間の境界に近接している、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最大値は、平均膜厚である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最小値は、堆積層の縁部に近接している、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲内である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最小値は、平均膜厚である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層の厚さのプロファイルは、傾斜している、テーパプロファイルである、かつ勾配によって画定される、のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
テーパプロファイルは、線形、非線形、放物線、及び指数関数的に減衰するプロファイルのうちの少なくとも１つに従う、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、堆積層遷移領域の少なくとも一部に不連続層を備える、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、重なり部分においてパターニング被膜と重なる、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、重なり部分において堆積層に重なる、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
下地層の露出層表面上に配設された少なくとも１つの粒子構造を更に含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
下地層は、パターニング被膜である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、粒子材料を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、堆積材料５３１と同じである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料、堆積材料５３１、及び下地層を構成する材料のうちの少なくとも２つは、共通金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びイットリウム（Ｙ）のうちの少なくとも１つから選択される元素を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、純金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、純粋なＡｇ及び実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
実質的に純粋なＡｇは、少なくとも約９５％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、及び少なくとも約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、純粋なＭｇ及び実質的に純粋なＭｇのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、又は少なくとも約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、及びＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
ＡｇＭｇ含有合金は、体積で１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲である合金組成を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇ以外の少なくとも１つの金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇと少なくとも１つの金属との合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの金属は、Ｍｇ及びＹｂの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
合金は、約５～９５体積％のＡｇの組成を有する二元合金である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
合金は、体積で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、少なくとも１つの追加の要素を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの追加の元素は、非金属元素である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非金属元素は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非金属元素の濃度は、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、Ｏ及びＣの合計量が約１０％以下、約５％以下、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下の少なくとも１つである組成を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子は、デバイス内のパターニング被膜と少なくとも１つの被覆層との間の界面に配設される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子は、パターニング被膜の露出層表面と物理的に接触している、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、デバイスの少なくとも１つの光学特性に影響を及ぼす、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの光学特性は、特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び組成のうちの少なくとも１つから選択される少なくとも１つの粒子構造の少なくとも１つの特性の選択によって制御される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造の少なくとも１つの特性は、パターニング材料４１１の少なくとも１つの特性、パターニング被膜の平均膜厚、パターニング被膜における少なくとも１つの不均一性、並びに温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び堆積プロセスのうちの少なくとも１つから選択されるパターニング被膜の堆積環境のうちの少なくとも１つの選択によって制御される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造の少なくとも１つの特性は、粒子材料の少なくとも１つの特質、パターニング被膜が粒子材料の堆積のために曝露される程度、不連続層の厚さ、並びに温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び堆積プロセスのうちの少なくとも１つから選択される粒子材料の堆積環境のうちの少なくとも１つの選択によって制御される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、互いに分離されている、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、不連続層を形成する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
不連続層は、少なくとも１つの粒子構造を実質的に欠いているその中の少なくとも１つの領域によって画定されるパターンで配設される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
不連続層の特性は、特性サイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、構成、表面被覆率、堆積分布、分散度、凝集インスタンスの存在、及びかかる凝集インスタンスの程度のうちの少なくとも１つから選択される少なくとも１つの基準による評価によって決定される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
評価は、電子顕微鏡法、原子間力顕微鏡法、及び走査電子顕微鏡法のうちの少なくとも１つから選択される適用された撮像技術によって不連続層の少なくとも１つの属性を決定することによって行われる、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
評価は、少なくとも１つの観察窓によって画定される範囲にわたって行われる、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの観察窓は、側方面の外周、内部位置、及びグリッド座標のうちの少なくとも１つに位置する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
観察窓は、適用される撮像技術の視野に対応する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
観察窓は、２．００μｍ、１．００μｍ、５００ｎｍ、及び２００ｎｍのうちの少なくとも１つから選択された倍率レベルに対応する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
評価は、手動計数、曲線フィッティング、多角形フィッティング、形状フィッティング、及び推定技術のうちの少なくとも１つを組み込む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
評価は、平均、中央値、モード、最大、最小、確率的、統計的、及びデータ計算のうちの少なくとも１つから選択される操作を組み込む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
特徴的なサイズは、少なくとも１つの粒子構造の質量、体積、直径、外周、長軸、及び短軸のうちの少なくとも１つから決定される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
分散度は、
Figure 2024516165000027
 式中、
Figure 2024516165000028
 ｎは、試料エリア内の粒子の数であり、
Ｓｉは、ｉ番目の粒子の（面積）サイズであり、
Figure 2024516165000029
 は粒子（面積）サイズの数平均であり、
Figure 2024516165000030
 は、粒子（面積）サイズの（面積）サイズ平均である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
したがって、本明細書に開示される明細書及び例は、単なる解説であるとみなされるべきであり、本開示の真の範囲は、以下の番号付けされた特許請求の範囲によって開示される。
（関連出願の相互参照）
本開示は、２０２１年４月２７日に出願された米国特許仮出願第６３／１８０，６１２号、２０２１年５月３日に出願された同第６３／１８３，５１２号、２０２１年５月２７日に出願された同第６３／１９４，１１０号、及び２０２１年９月１日に出願された同第６３／２３９，７８２号の優先権の利益を主張し、これらの各々の内容は、参照によりそれらの全体が本明細書に援用される。
本開示は、光電子デバイスに関し、特に、ＥＭ放射線透過性領域を有する光電子デバイスに関する。
有機発光ダイオード（organic light emitting diode、ＯＬＥＤ）などの光電子デバイスでは、少なくとも１つの半導体層が、アノード及びカソードなどの一対の電極間に配設されている。アノード及びカソードは、電源と電気的に結合され、少なくとも１つの半導体層を通って互いに向かって移動する正孔及び電子をそれぞれ生成する。一対の正孔と電子が結合すると、光子の形態でＥＭ放射線が放射され得る。
ＯＬＥＤディスプレイパネルは、複数の（サブ）ピクセルを含むことができ、各（サブ）ピクセルは、関連する一対の電極と、それらの間の少なくとも１つの半導体層とを有する。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセルは、導電性金属線によって電気的に結合された複数の薄膜トランジスタ（thin-film transistor、ＴＦＴ）構造を含む駆動回路によって、いくつかの非限定的な例では、電極及び少なくとも１つの半導体層が堆積される基板内で、選択的に駆動され得る。そのようなパネルの様々な層及び被膜は、典型的には、真空ベースの堆積プロセスによって形成される。
そのようなディスプレイパネルは、いくつかの非限定的な例では、携帯電話などの電子デバイスにおいて使用され得る。
いくつかの用途では、ディスプレイパネルの少なくとも一部を通して当該一部を実質的に透明にすると同時に、当該一部から光を放射することができるようにすることが目的であり得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に透明な部分は、それを通して、ＥＭ信号を含むがこれに限定されないＥＭ放射線を交換することが可能であり得る。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネルのそのような部分は、その信号交換部として示され得る。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネルの信号交換部は、少なくとも１つの（ＥＭ信号）透過性領域と、少なくとも１つの（ＥＭ信号）放射領域とを備え得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの放射領域は、ディスプレイパネルの（サブ）ピクセルに対応し得る。
Ｇｏｏｇｌｅ ＬＬＣによって２０２０年３月２６日に出願され、２０２１年１０月１２日に発行され、「Ｂｏｕｎｄａｒｙ ｐａｎｅｌ ｌａｙｏｕｔ ｆｏｒ ａｒｔｉｆａｃｔ ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ ｉｎ ｍｕｌｔｉ－ｐｉｘｅｌ ｄｅｎｓｉｔｙ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ」と題された米国特許第１１，１４５，７０２号は、複数の行及び複数の列によって画定されるアレイに配置された複数のアレイ部位を含むディスプレイパネルを開示している。このディスプレイパネルは、第１のピクセル密度を有するアレイの第１のエリアと、第１のピクセル密度よりも低い第２のピクセル密度を有するアレイの第２のエリアとを含む。アレイの第２のエリアは、ピクセルがない複数のアレイ部位を含む。第１のエリアに接する第２のエリアの行は少なくとも１つのピクセルを含み、第１のエリアに接する第２のエリアの列は少なくとも１つのピクセルを含む。
２０２０年４月８日に出願され、「Ｍｅｔｈｏｄｓ ａｎｄ ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎｓ ｆｏｒ ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ ｔｈｅ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ｓｅｎｓｏｒｓ ｕｎｄｅｒ ａ ｄｉｓｐｌａｙ」と題されたＰＣＴ国際特許出願公開第２０２０／２１９２６７号は、ディスプレイとディスプレイの下のセンサとを含み得る電子デバイスを開示している。ディスプレイは、電子デバイスのユーザに画像を表示するためのサブピクセルのアレイを含み得る。サブピクセルのアレイの少なくとも一部分は、ディスプレイを通してセンサへの光透過率を改善するために、ピクセル除去領域において選択的に除去され得る。ピクセル除去領域は、薄膜トランジスタ構造がなく、電源ラインがなく、再ルーティングされた行／列ラインによる連続的なオープンエリアを有し、タッチ回路が部分的になく、任意選択でダミーコンタクトを含み、及び／又は選択的にパターニングされたディスプレイ層を有する複数のピクセルフリー領域を含んでもよい。
Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．Ｌｔｄ．によって２０２０年５月２９日に出願された「Ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ ａｎｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ」と題された中国出願第１１３７４５２７１号は、第１の表示エリア及び第２の表示エリアを含むディスプレイパネル及び表示装置を開示しており、第１の表示エリアのピクセル密度は第２の表示エリアのピクセル密度よりも低く、第１のエリアは複数の第１のピクセルユニットを備えており、各第１のピクセルユニットは第１のサブピクセル、第２のサブピクセル及び第３のサブピクセルを備えており、各第１のピクセルユニットにおける第１のサブピクセルと、隣接する第１のピクセルユニットにおける第２のサブピクセルとの間の最小距離は、１つの第１のピクセルユニットにおける第１のサブピクセルと第２のサブピクセルとの間の距離の１．２～２．５倍である。本出願の実施例は、光がディスプレイパネルを透過した後の回折現象を低減し、スクリーン下の光学素子の光学効果を向上させることができるディスプレイパネル及び表示装置を提供する。
Ｋｕｎｓｈａｎ Ｇｏｖｉｓｉｏｎｏｘ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．Ｌｔｄによって２０２０年７月１日に出願された「Ｐｉｘｅｌ ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ ａｎｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ」と題する中国出願第１１２４３６０２９号は、第１のピクセルユニットにおいて、第１のサブピクセル、第２のサブピクセル、第３のサブピクセル及び第４のサブピクセルのそれぞれの中心を頂点とし、重なり合わないエリアを有する共通辺三角形を形成し、第１のサブピクセルの中心及び第２のサブピクセルの中心を共通辺三角形の頂点とするピクセル配列構造を開示し、第２のサブピクセルは、第２の長軸及び第２の短軸を有し、第２のサブピクセルの長軸方向に沿った中心線は、第１のピクセルユニットにおける第３のサブピクセル及び／又は第４のサブピクセルの中心を通過しない。このピクセル配列構造によれば、制限条件下でサブピクセルをずらして配列する場合、同じ色の光を発するサブピクセルが一列に独立して配列されることが防止され、表示エッジのカラーエッジ問題が改善される。ディスプレイパネル及び表示装置も提供される。
Ｋｕｎｓｈａｎ Ｇｏｖｉｓｉｏｎｏｘ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．Ｌｔｄ．によって２０２０年７月１日に出願された「Ｐｉｘｅｌ ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ ａｎｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ」と題する中国出願第１１２４３６０３０号は、複数の第１のピクセルユニット及び複数の第２のピクセルユニットを備えており、第１のピクセルユニット及び第２のピクセルユニットが第１方向及び第２方向に間隔を置いて配列されるピクセル配列構造を開示しており、第１のピクセルユニット及び第２のピクセルユニットの各々は、第１のサブピクセル、第２のサブピクセル、第３のサブピクセル及び第４のサブピクセルを備えており、第１のサブピクセルは、第３のサブピクセルと第４のサブピクセルとの中心接続線の一方側に位置付けられ、第２のサブピクセルは、第３のサブピクセルと第４のサブピクセルとの中心接続線の他方側に位置付けられ、予め設定された角度を回転させた後、第２のピクセルユニットにおける各サブピクセル構造は、第１のピクセルユニット内の各サブピクセル構造と鏡面対称である。このピクセル配列構造は、サブピクセルの配列コンパクト性及びサブピクセル間の間隔を考慮することができ、配列コンパクト性とサブピクセル間の間隔との間のバランスが求められ、ピクセル配列構造は、高い解像度を有し、混色リスク及び色かぶりを低減し、カラーエッジを改善し、視覚的粒状感を改善するのに有益である。ディスプレイパネル及び表示装置も提供される。
Ｋｕｎｓｈａｎ Ｇｏｖｉｓｉｏｎｏｘ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．Ｌｔｄ．によって２０２０年７月１日に出願された「Ｐｉｘｅｌ ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ ａｎｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ」と題する中国出願第１１２４３６０３１号は、第１のサブピクセル、第２のサブピクセル、第３のサブピクセル及び第４のサブピクセルを備えるピクセル配列構造を開示しており、整列配置された２つの第１のサブピクセルの中心及び整列配置された２つの第２のサブピクセルの中心は、頂点接続線であり、仮想四角形を形成し、その仮想四角形は、２つの対向辺、短辺及び長辺を含み、短辺及び長辺は、対向して配置され、２つの対向辺の頂点に接続され、仮想四角形の短辺は、仮想四角形の長辺と平行ではなく、仮想四角形内には、第３のサブピクセル又は第４のサブピクセルが配置され、第３のサブピクセルの発光色と第４のサブピクセルの発光色とは同じである。このピクセル配列構造において、制限条件下でサブピクセルをずらして配列され、それによって同じ色の光を発するサブピクセルが一列に独立して配列されることが防止され、表示エッジのカラーエッジ問題が改善される。ディスプレイパネル及び表示装置も提供される。
Ｋｕｎｓｈａｎ Ｇｏｖｉｓｉｏｎｏｘ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．Ｌｔｄ．によって２０２０年７月１日に出願された「Ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ ａｎｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ」と題する中国出願第１１２４３６０３２号は、複数のサブピクセル及び複数の透光保留エリアを含むディスプレイパネルを開示し、複数のサブピクセルは、複数の第１のサブピクセル、複数の第２のサブピクセル及び複数の第３のサブピクセルを含み、１つの第２のサブピクセル及び１つの透光保留エリアが隣接して配置されて結合エリアを形成し、ディスプレイパネルは、複数の第１のピクセル行と複数の第２のピクセル行とを備えており、第１のピクセル行と第２のピクセル行とは、間隔をあけて交互に配置され、各第１のピクセル行には複数の第１のサブピクセルと複数の結合領域が配置され、第１のピクセル行には第１のサブピクセルと結合領域が間隔をあけて交互に配置され、各第２のピクセル行には複数の第３のサブピクセルが配置され、隣接する２つの第１のピクセル行において、一方の第１のピクセル行における結合エリアの配置構造は、他方の第１のピクセル行における結合エリアの配置構造と異なり、９０度回転させた後の結合エリアは同一である。ディスプレイパネルは、混色リスク及び色かぶりを低減するのに有益である。ディスプレイ装置も提供される。
Ｈｅｆｅｉ Ｖｉｓｉｏｎｏｘ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．Ｌｔｄ．によって２０２０年９月１７日に出願された「Ｌｉｇｈｔ－ｔｒａｎｓｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ ｍｏｄｕｌｅ，ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ ａｎｄ ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ ｔｈｅｒｅｏｆ」と題する中国特許出願第１１２０５４０４８号は、透過型表示モジュール、ディスプレイパネル及びその製造方法を開示しており、透過型表示モジュールは、ピクセル定義層が隔離構造及び隔離構造によって周囲に形成されたピクセル開口を備え、核形成阻止層は、ピクセル定義層の基板から遠い側に位置付けられ、複数の阻止ユニットを備え、阻止ユニットのピクセル定義層への第１の正投影は、隔離構造の少なくとも一部を覆い、阻止ユニットの少なくとも一部が不連続に配置され、第１の共通電極は、ピクセル定義層の基板から遠い側に位置付けられ、第１の共通電極のピクセル定義層への第２の正投影は、第１の正投影以外のエリアの少なくとも一部を覆う。本発明の実施形態によって提供される光透過ディスプレイモジュールでは、光透過ディスプレイモジュールの正常な表示に影響を及ぼさない条件下で、光透過ディスプレイモジュールの光透過率を向上させることができ、感光性部品を光透過ディスプレイモジュールの片側のスクリーンの下に都合よく組み込むことができる。
Ｈｅｆｅｉ Ｖｉｓｉｏｎｏｘ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．Ｌｔｄによって２０２０年９月１７日に出願された「Ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ，ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ ａｎｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ」と題する中国出願第１１２１０３３１８号は、ディスプレイパネル、ディスプレイパネルの製造方法及び表示装置を開示しており、ディスプレイパネルは、第１の表示エリア及び第２の表示エリアを備え、第１の表示エリアの光透過率は第２の表示エリアの光透過率よりも大きく、ディスプレイパネルは、基板を備え、ピクセル定義層は、基板上に位置付けられ、隔離構造と、隔離構造の囲いによって形成されたピクセル開口部と、ピクセル定義層への第１の正投影被覆遷移表示エリアのピクセル開口部における第１の阻止ユニットを含む核形成阻止層とを含み、共通電極は、第１の共通電極及び第２の共通電極を含み、第２共通電極は、第２の表示エリア及び遷移表示エリアに形成され、第１の共通電極のピクセル定義層への第２の正投影は、第１の表示エリア及び遷移表示エリアにおける第１の正投影を除く少なくとも一部のエリアを覆う。ディスプレイパネルの少なくとも一部のエリアは、光透過性であってもよく、表示することができ、感光アセンブリは、スクリーンの下に組み込むのに好都合である。
Ｘｉａｍｅｎ Ｔｉａｎｍａ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．Ｌｔｄ．によって２０２１年４月１６日に出願され、２０２２年１月１１日に発行された「Ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ ａｎｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ」と題する米国特許第１１，２２２，９２９号は、ディスプレイパネル及び表示装置を開示している。ディスプレイパネルは、第１の表示領域、第２の表示領域、及び第１の表示領域と第２の表示領域との間の遷移表示領域を含む。第２の表示領域は第２のピクセルユニットを含み、遷移表示領域は第３のピクセルユニットを含み、各第２のピクセルユニット及び各第３のピクセルユニットはいずれも第１のサブピクセル、第２のサブピクセル、第３のサブピクセル及び白サブピクセルを含む。第２のピクセルユニットにおける白サブピクセルの総開口面積と第２のピクセルユニットの総面積との比はＡであり、第３のピクセルユニットにおける白サブピクセルの総開口面積と第３のピクセルユニットの総面積との比はＢであり、Ｂ＜Ａである。白色サブピクセルは、ディスプレイパネルの表示段階においてオン又はオフにされる。
Ａｐｐｌｅ Ｉｎｃ．によって２０２１年４月２３日に出願された「Ｐｉｘｅｌ Ｄｅｓｉｇｎ ｆｏｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅｓ」と題する米国特許出願公開第２０２１／０２４００２６号は、スルーディスプレイ撮像のためのシステム及び方法を開示する。ディスプレイは、不透明裏当てを通して画定される撮像開口を含む。光学撮像アレイが開口と位置合わせされる。開口の上に、ディスプレイは、光透過率を増加させるように配置及び／又は構成される。例えば、撮像開口の上方又はそれに隣接するディスプレイの領域は、ディスプレイの他の領域よりも低いピクセル密度で形成され得、それによって、ピクセル間距離（例えば、ピッチ）を増加させ、光がディスプレイを横断して光学撮像アレイに到達することができる面積を増加させる。
Ｗｕｈａｎ Ｔｉａｎｍａ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．Ｌｔｄ．によって２０２１年７月１日に出願された「Ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ，ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ ａｎｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ」と題された中国特許出願第ＣＮ１１３３２７９７２号は、ディスプレイパネル、製造方法及び表示装置を開示している。ピクセル構造は、複数の第１のサブピクセル、第２のサブピクセル及び第３のサブピクセルを含み、複数の第３のサブピクセルは第１の仮想台形を形成し、第１のサブピクセルは第１の仮想台形内にあり、複数の第１のサブピクセル及び複数の第２のサブピクセルは第２の仮想台形を形成し、第３のサブピクセルは第２の仮想台形内にあり、第１の仮想台形は、第１の長辺と、第１の斜辺と、第１の短辺と、第２の斜辺とを含み、第２の仮想台形は、第２の長辺と、第３の斜辺と、第２の短辺と、第４の斜辺とを含み、第１の長辺と第１のベベルエッジとが第１の夾角を形成し、第１の長辺と第２のベベルエッジとが第２の夾角を形成し、第２の長辺と第３の傾斜辺とが第３の夾角を形成し、第２の長辺と第４傾斜辺とが第４夾角を形成し、第１の夾角と第２の夾角の角度の和が第１の角度であり、第３の夾角と第４の夾角の角度の和が第２の角度であり、第１の角度と第２の角度の差分値が第１の予め設定された範囲内である。
Ｗｕｈａｎ Ｔｉａｎｍａ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．Ｌｔｄ．によって２０２１年７月１日に出願された「Ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ ａｎｄ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ」と題する中国特許出願第１１３３２７９７３号は、ディスプレイパネル及び表示装置を開示しており、ディスプレイパネルは、アレイ状に配置された複数のピクセル繰り返し単位を含み、各ピクセル繰り返し単位は、２つの第１のサブピクセル、２つの第２のサブピクセル及び４つの第３のサブピクセルを含み、ディスプレイパネルにおいて、４つの第３のサブピクセルの間に１つの第１のサブピクセルが位置付けられ、４つの第３のサブピクセルの間に位置する１つの第２のサブピクセルがあり、２つの第１のサブピクセルと２つの第２のサブピクセルとの間に第３のサブピクセルが同時に位置付けられ、第１のサブピクセルを取り囲む４つの第３のサブピクセルの中心が第１の台形を形成し、第１の台形の２組の対辺の長さが異なる。本発明の実施形態の技術案は、ディスプレイパネルの表示効果を向上させることができる。
Ａｐｐｌｅ Ｉｎｃ．によって２０２１年７月７日に出願された「Ｄｉｓｐｌａｙｓ ｈａｖｉｎｇ ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇｓ」と題するＰＣＴ国際特許出願公開第２０２２／０３５５２７号は、ディスプレイと、ディスプレイの下に形成された光センサとを含み得る電子デバイスを開示している。電子デバイスは、光センサに重なる複数の透明窓を含んでもよい。ディスプレイパネルの解像度は、透明窓の存在に起因して、一部のエリアにおいて低減され得る。回折アーチファクトを軽減するために、第１のセンサ（１３－１）は、第１のパターンに従って配置された透明窓を有する第１のピクセル除去領域を通る光を感知することができる。第２のセンサ（１３－２）は、第１のパターンとは異なる第２のパターンに従って配置された透明窓を有する第２のピクセル除去領域を通して光を感知することができる。透明窓の第１及び第２のパターンは、異なる回折アーチファクトを有する第１及び第２のセンサをもたらし得る。したがって、第１のセンサからの画像は、第２のセンサからの画像に基づいて回折アーチファクトについて補正することができる。
Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．Ｌｔｄ．によって２０２１年１２月９日に出願された米国特許出願公開第２０２２／０１０２４４６号は、第１の表示領域及び第２の表示領域を含む表示領域を含む表示装置を開示しており、第１の表示領域は複数の第１のピクセルを含み、第２の表示領域は複数の第２のピクセル及び少なくとも１つの光透過性領域を含み、光透過性領域は第１のピクセル及び第２のピクセルの光透過率よりも高い光透過率を有し、第２の表示領域は第１の表示領域の光透過率よりも高い光透過率を有する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域は、少なくとも１つの放射領域の間に散在してもよい。放射領域は概して、そのような領域を通るＥＭ放射線の透過を減衰又は抑制し得る層、被膜、及び／又は構成要素を含むので、いくつかの非限定的な例では、透過性領域は一概して、そのような層、被膜、及び／又は構成要素が実質的になくてもよいディスプレイパネルの非放射領域に設けられてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネルの少なくとも一部に少なくとも１つの透過性領域を提供する一方で、ディスプレイパネルのそのような部分に少なくとも１つの放射領域も提供して、そのような少なくとも１つの透過性領域が実質的にないディスプレイパネルの部分に対して、少なくとも１つの放射領域の開口率及び比較的高いピクセル密度のうちの少なくとも１つを維持することが目的であり得る。
ここで、本開示の例を以下の図を参照して説明するが、異なる図における同一の参照番号は、同一の、及び／又はいくつかの非限定的な例では、類同の、及び／又は対応する要素を示す。
本開示の一例による、側方面の第１の部分におけるパターニング被膜の選択的堆積、続いて、その第２の部分における堆積材料の閉じた被膜の堆積によって形成される、側面における複数の層を有する例示的なデバイスの断面からの簡略化されたブロック図である。 本開示の一例による、その内部に、それを通って少なくとも１つの電磁（electromagnetic、ＥＭ）信号が交換される少なくとも１つの開口を備える複数の層を有する例示的なディスプレイパネルの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の一例による、信号交換部及び表示部を備えるディスプレイパネルを平面で示す概略図である。 本開示の一例による、信号交換部及び表示部を備えるディスプレイパネルを平面で示す概略図である。 本開示の一例による、信号交換部及び表示部を備えるディスプレイパネルを平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 図３Ａの例示的な（サブ）ピクセル配列によって占められた信号交換領域の少なくとも断片を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 図３Ｇの例示的な（サブ）ピクセル配列によって占められた信号交換領域の少なくとも断片を平面で示す概略図である。 本開示の一例による例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 図３Ｅ及び図３Ｆの例示的な（サブ）ピクセル配列によって占められた信号交換部の少なくとも断片を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、それぞれの例示的な（サブ）ピクセル配列を平面で示す概略図である。 本開示の例による、信号交換部及び表示部の両方における（サブ）ピクセル配列のそれぞれの例示的な断片を平面で示す概略図である。 本開示の例による、信号交換部及び表示部の両方における（サブ）ピクセル配列のそれぞれの例示的な断片を平面で示す概略図である。 本開示の例による、信号交換部及び表示部の両方における（サブ）ピクセル配列のそれぞれの例示的な断片を平面で示す概略図である。 本開示の例による、信号交換部及び表示部の両方における（サブ）ピクセル配列のそれぞれの例示的な断片を平面で示す概略図である。 本開示の例による、信号交換部、遷移領域及び表示部の各々における（サブ）ピクセル配列のそれぞれの例示的な断片を平面で示す概略図である。 本開示の例による、信号交換部、遷移領域及び表示部の各々における（サブ）ピクセル配列のそれぞれの例示的な断片を平面で示す概略図である。 本開示の一例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける下地層の露出層表面上にパターンでパターニング被膜を堆積させるための例示的プロセスを示す概略図である。 図６のパターニング被膜の堆積パターンを含む露出層表面上の第２の部分に堆積材料を堆積させるための例示的なプロセスを示す概略図であり、パターニング被膜は、核形成阻害被膜（nucleation-inhibiting coating、ＮＩＣ）である。 図１のデバイスの例示的なバージョンを断面図で示す概略図である。 図８Ａのデバイスを補足的な平面図で示す概略図である。 図１のデバイスの例示的バージョンを断面図で示す概略図である。 図８Ｃのデバイスを相補的な平面図で示す概略図である。 図１のデバイスの例を断面図で示す概略図である。 図１のデバイスの一例を断面図で示す概略図である。 図１のデバイスの一例を断面図で示す概略図である。 本開示における様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるＮＩＣの様々な潜在的挙動を示す概略図である。 本開示における様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるＮＩＣの様々な潜在的挙動を示す概略図である。 本開示における様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるＮＩＣの様々な潜在的挙動を示す概略図である。 本開示における様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるＮＩＣの様々な潜在的挙動を示す概略図である。 本開示における様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるＮＩＣの様々な潜在的挙動を示す概略図である。 本開示における様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるＮＩＣの様々な潜在的挙動を示す概略図である。 本開示における様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるＮＩＣの様々な潜在的挙動を示す概略図である。 本開示における様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるＮＩＣの様々な潜在的挙動を示す概略図である。 本開示における様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるＮＩＣの様々な潜在的挙動を示す概略図である。 本開示の一例による例示的なエレクトロルミネセンスデバイスの断面からのブロック図である。 図１のデバイスの断面図である。 本開示の一例による、図１１のデバイスのバージョンで使用するのに好適な例示的なパターニングされた電極を平面図で解説する概略図である。 線１３－１３に沿った、図１２のデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の一例による、図１１のデバイスの例示的なバージョンでの使用に好適な電極の複数の例示的なパターンを平面図で示す概略図である。 線１４Ｂ－１４Ｂに沿った図１４Ａのデバイスの中間段階における例示的な断面図を示す概略図である。 線１４Ｃ－１４Ｃに沿った、図１４Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の一例による、例示的なパターニングされた補助電極を有する、図１１のデバイスの例示的バージョンの断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、少なくとも１つの放射領域及び少なくとも１つの非放射領域に重なる補助電極の例示的なパターンを平面図で解説する概略図である。 本開示の一例による、ダイヤモンド構成の放射領域の複数のグループを有する図１１のデバイスの例示的なバージョンの例示的なパターンを平面図で示す概略図である。 線１７Ｂ－１７Ｂに沿った、図１７Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。 線１７Ｃ－１７Ｃに沿った、図１７Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の一例による、追加の例示的な堆積ステップを有する図１１のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、追加の例示的な堆積ステップを有する図１１のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、追加の例示的な堆積ステップを有する図１１のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、追加の例示的な堆積ステップを有する図１１のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、少なくとも１つの補助電極を有する、少なくとも１つの例示的なピクセル領域及び少なくとも１つの例示的な光透過性領域を含む図１１のデバイスの透明バージョンの一例を平面図で示す概略図である。 線２２Ｂ－２２Ｂに沿った、図２２Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の一例による、少なくとも１つの例示的なピクセル領域と少なくとも１つの例示的な光透過性領域とを含む図１１のデバイスの透明バージョンの一例を平面図で解説する概略図である。 線２３－２３に沿った図２３Ａのデバイスの例示的な断面図を解説する概略図である。 線２３－２３に沿った、図２３Ａのデバイスの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の一例による、異なる厚さの第２の電極を有するサブピクセル領域を有する図１１のデバイスの例示的バージョンを製造するための例示的プロセスの例示的段階を示し得る概略図である。 本開示の一例による、第２の電極が補助電極と結合される、図１４のデバイスの例示的バージョンの例示的断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、非放射領域に隔壁と凹部などの遮蔽領域とを有する図１４のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の様々な例による、非放射領域に隔壁と開口などの遮蔽領域とを有する図１４のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の様々な例による、非放射領域に隔壁と開口などの遮蔽領域とを有する図１４のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の一例による、選択的堆積及びその後の除去プロセスによって、図１４のデバイスの例示的なバージョンの露出層表面上にパターン状に堆積層を堆積させるための例示的なプロセスの例示的な段階を示す概略図である。 本開示の一例による、表面上に吸収された吸着原子の相対エネルギー状態を解説する例示的なエネルギープロファイルである。 本開示の一例による、膜核の形成を解説する概略図である。
本開示では、少なくとも１つの数値（添え字を非限定的に含む）及び／又は小文字のアルファベット文字（小文字を非限定的に含む）が添付された参照番号は、その参照番号によって説明される要素又は特徴の特定のインスタンス及び／又はそのサブセットを指すとみなされ得る。添付の値及び／又は文字を参照せずに参照番号を参照することは、文脈が指示するように、概して、参照番号によって説明される要素又は特徴、及び／又はそれによって説明される全てのインスタンスのセットを指すことができる。同様に、参照番号は、数字の代わりに文字「ｘ」を有していてもよい。かかる参照番号への言及は、文脈が指示するように、概して、文字「ｘ」が数字で置き換えられた参照番号によって説明される要素又は特徴、及び／又はそれによって説明される全てのインスタンスのセットを指すことができる。
本開示では、限定ではなく説明のために、特定のアーキテクチャ、インターフェース、及び／又は技術を非限定的に含む特定の詳細が、本開示の完全な理解を与えるために記載される。いくつかの例では、周知のシステム、技術、構成要素、デバイス、回路、方法、及びアプリケーションの詳細な説明は、不必要な詳細で本開示の説明を不明瞭にしないように省略される。
更に、本明細書で再現されるブロック図は、本技術の原理を具現化する解説用の構成要素の概念図を表すことができることが理解されよう。
したがって、システム及び方法の構成要素は、本明細書の説明の利益を有する当業者に容易に明らかになる詳細によって本開示が不明瞭とならないように、図面において従来の記号によって必要に応じて表されており、本開示の例を理解することに関係するそれらの特定の詳細のみが示されている。
本明細書に提供される任意の図面は、一定の縮尺で描かれていない場合があり、決して本開示を限定するものとみなされない場合がある。
破線の輪郭で示される任意の特徴又は動作は、いくつかの例では、オプションとみなされ得る。
本開示の目的は、従来技術の少なくとも１つの欠点を除去又は軽減することである。
本開示は各々が（サブ）ピクセルに対応する複数の放射領域を含む表示部（サブ）ピクセル配列を含む少なくとも１つの表示部と、少なくとも１つの透過性領域と各々が（サブ）ピクセルに対応する複数の放射領域とを含む信号交換部（サブ）ピクセル配列を含む少なくとも１つの信号交換部と、を含むディスプレイパネル。信号交換部（サブ）ピクセル配列は、信号交換部（サブ）ピクセル配列における少なくとも１つの（サブ）ピクセルのサイズ、形状、構成、及び配向のうちの少なくとも１つと、ピクセル密度と、信号交換部（サブ）ピクセル配列における（サブ）ピクセルのピッチと、から選択される少なくとも１つの特徴において表示部（サブ）ピクセル配列と異なることによって、少なくとも１つの透過性領域を収容する。
広い態様によれば、各々が（サブ）ピクセルに対応する複数の放射領域を含む表示部（サブ）ピクセル配列を含む少なくとも１つの表示部と、少なくとも１つの透過性領域と各々が（サブ）ピクセルに対応する複数の放射領域とを含む信号交換部（サブ）ピクセル配列を含む少なくとも１つの信号交換部とを含むディスプレイパネルが開示され、信号交換部（サブ）ピクセル配列は、信号交換部（サブ）ピクセル配列における少なくとも１つの（サブ）ピクセルのサイズ、形状、構成、及び配向と、ピクセル密度と、信号交換部（サブ）ピクセル配列における（サブ）ピクセルのピッチと、のうちの少なくとも１つから選択される少なくとも１つの特徴において表示部（サブ）ピクセル配列と異なることによって少なくとも１つの透過性領域を収容する。
いくつかの非限定的な例では少なくとも１つの信号交換部は、ディスプレイパネルの端部に近接して位置決めされ得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの表示部は、少なくとも１つの信号交換部を実質的に取り囲んでもよい。
いくつかの非限定的な例では少なくとも１つの透過性領域の境界と少なくとも１つの透過性領域に近接するサブピクセルの境界との間の分離は、少なくとも約５ミクロン、少なくとも約６ミクロン、少なくとも約８ミクロン、少なくとも約１０ミクロン、少なくとも約１１ミクロン、及び少なくとも約１２ミクロンのうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域の境界と、信号交換部において少なくとも１つの透過性領域に近接するサブピクセルの境界との間の分離は、約５～１５ミクロン、約６～１２ミクロン、及び約８～１０ミクロンのうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、各透過性領域のサイズは、少なくとも１０ミクロンであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、各透過性領域のサイズは、約１０～１５０ミクロン、約１０～１３０ミクロン、約１５～１２０ミクロン、約１５～１００ミクロン、約２０～８０ミクロン、約２０～６５ミクロン、約２５～６０ミクロン、及び約３０～５０ミクロンのうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部における放射領域及び透過性領域の全ての合計開口率は、約６０％、約５５％、約５０％、約４５％、及び約４０％以下のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部内の放射領域及び透過性領域の全ての合計開口率は、約３０～６０％、約３５～６０％、約４０～６０％、約３５～５５％、約４０～５０％、約４５～５５％、及び約４５～５０％のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域は、複数の透過性境界セグメントによって画定される境界を有することができる。
いくつかの非限定的な例では、配向層は、少なくとも１つの追加の元素を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、透過性境界セグメントの大部分は、それに近接する（サブ）ピクセルに対応する放射領域の境界の一部に実質的に平行であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域は、カソード材料を実質的に欠いていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、カソード材料の堆積前に少なくとも１つの透過性領域内にパターニング被膜を堆積させることによって、カソード材料が少なくとも１つの透過性領域内で核形成することを実質的に妨げられることができる。
いくつかの非限定的な例では、カソード材料は、そのレーザアブレーションによって少なくとも１つの透過性領域から除去されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの特徴は、サイズ、形状、構成のうちの少なくとも１つであってもよく、信号交換部（サブ）ピクセル配列及び表示部（サブ）ピクセル配列は、少なくとも１つの（サブ）ピクセルのピクセル密度が共通している。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列及び表示部（サブ）ピクセル配列は、信号交換部（サブ）ピクセル配列及び表示部（サブ）ピクセル配列における少なくとも１つの（サブ）ピクセルのピッチが共通していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列における（サブ）ピクセルのうちの少なくとも１つのサイズは、表示部（サブ）ピクセル配列内の対応する（サブ）ピクセルのサイズよりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列における各（サブ）ピクセルのサイズは、表示部（サブ）ピクセル配列内の対応する（サブ）ピクセルのサイズよりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列のピクセルのサブピクセルは、少なくとも２つの寸法において横方向に離間されていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列は、各々が第１のサブピクセル、第２のサブピクセル、及び第３のサブピクセルを含む複数のピクセルを含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列のピクセルは、第２の第２のサブピクセルを更に含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列のピクセルのサブピクセルの対に関連付けられた放射領域内に位置する端点をそれぞれ有する複数の非重複ベクトルによって画定される領域は、ピクセルに関連付けられた輪郭を画定することができる。
いくつかの非限定的な例では、化合物はフルオロポリマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、各ベクトルは、サブピクセルの放射領域の重心に位置する終点を有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、輪郭は、ボックスを定義する４つのベクトルを含むことができ、各々が共通の頂点を有する４つの隣接するボックスを含む単位セルは、信号交換部（サブ）ピクセル配列の最小繰り返し単位を定義する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域は、単位セル内の少なくとも１つの輪郭に配置されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域は、単一の少なくとも１つの輪郭内に完全にあってもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部の透過性領域の開口率は、約５０％以下、４５％以下、４０％以下、３５％以下、３３％以下、及び２５％以下のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部の透過性領域の開口は、少なくとも約５％、少なくとも約１０％、及び少なくとも約１５％のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部の全ての放射領域の開口率は、約２０％以下、約１５％以下、及び約１０％以下のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部の全ての放射領域の開口率が、約５～１０％であり、信号交換部における全ての透過性領域の開口率が約３０～５０％であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部の全ての放射領域の開口率は、約６～９％であってもよく、その中の全ての透過性領域の開口率は、約３５～４５％であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの特徴が、ピクセル密度であってもよく、信号交換部（サブ）ピクセル配列及び表示部（サブ）ピクセル配列が、信号交換部（サブ）ピクセル配列及び表示部（サブ）ピクセル配列における少なくとも１つの（サブ）ピクセルのサイズ、形状、構成、配向、及びピッチのうちの少なくとも１つが共通している。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列及び表示部（サブ）ピクセル配列が、信号交換部（サブ）ピクセル配列及び表示部（サブ）ピクセル配列における少なくとも１つの（サブ）ピクセルのサイズ、形状、構成、配向、及びピッチの各々が共通していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列及び表示部（サブ）ピクセル配列は、信号交換部（サブ）ピクセル配列及び表示部（サブ）ピクセル配列における少なくとも１つの（サブ）ピクセルのピッチが共通していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列のピクセル密度は、表示部（サブ）ピクセル配列のピクセル密度よりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、表示部（サブ）ピクセル配列におけるピクセルのサブピクセルに対応する少なくとも１つのピクセルの少なくとも１つのサブピクセルが、信号交換部（サブ）ピクセル配列において省略されていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、表示部（サブ）ピクセル配列に存在するピクセルのサブピクセルに対応する少なくとも１つのピクセルの全てのサブピクセルが、信号交換部（サブ）ピクセル配列において省略されていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、表示部（サブ）ピクセル配列に存在するピクセルのサブピクセルに対応する１つおきのピクセルの全てのサブピクセルが、信号交換部（サブ）ピクセル配列において省略されていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、省略されたサブピクセルは、省略されたサブピクセルによって形成される少なくとも１つの空隙のサイズを最大化するように選択され得る。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部（サブ）ピクセル配列におけるピクセル密度は、表示部（サブ）ピクセル配列におけるピクセル密度の５０％、６２．５％、及び７５％のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域が、信号交換部（サブ）ピクセル配列における少なくとも１つのピクセルの少なくとも１つのサブピクセルを省略することによって形成された少なくとも１つの空隙内に配設されていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部の透過性領域の開口率は、約１５～４０％、約２０～４０％、約１５～３５％、及び約２０～３５％のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部の透過性領域の開口は、少なくとも約５％、少なくとも約１０％、及び少なくとも約１５％のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部の全ての放射領域の開口率は、約１２～２５％であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部の全ての放射領域の開口率は、約１２～２５％であってもよく、その中の全ての透過性領域の開口率は、約３０～４５％であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの特徴はピッチであってもよく、信号交換部（サブ）ピクセル配列における（サブ）ピクセルのピッチは、表示部（サブ）ピクセル配列における（サブ）ピクセルのピッチよりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの不均一性は、金属元素を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネルは、表示部と信号交換部との間に配設された少なくとも１つの遷移領域を更に備えてもよく、遷移領域が、各々が（サブ）ピクセルに対応する複数の放射領域を含む遷移領域（サブ）ピクセル配列を含み、遷移領域（サブ）ピクセル配列が、少なくとも１つの特徴において表示部（サブ）ピクセル配列及び信号交換（サブ）ピクセル配列の両方と異なり、その結果、表示部（サブ）ピクセル配列と、信号交換（サブ）ピクセル配列との間の少なくとも１つの遷移領域の介在が、表示部（サブ）ピクセル配列と、信号交換（サブ）ピクセル配列との間の視覚的に知覚される差を低減する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの遷移領域は、少なくとも１つの透過性領域を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの遷移領域は、信号交換部の境界の周りに配置されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの遷移領域が、少なくとも１つの信号交換部を取り囲んでもよく、少なくとも１つの表示部が、少なくとも１つの遷移領域を取り囲んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの遷移領域が、第１の遷移領域及び第２の遷移領域を含んでもよく、第１の遷移領域が、表示部と第２の遷移領域との間に配設され、第２の遷移領域が、第１の遷移領域と信号交換部との間に配設され、第２の遷移領域の遷移領域（サブ）ピクセル配列が、少なくとも１つの特徴において、第１の遷移領域の遷移領域（サブ）ピクセル配列及び信号交換部（サブ）ピクセル配列の両方と異なり、その結果、遷移領域（サブ）ピクセル配列と、信号交換部（サブ）ピクセル配列との間の第２遷移領域の介在が、遷移領域（サブ）ピクセル配列と、信号交換部（サブ）ピクセル配列との間の視覚的に知覚される差を低減する。
層状デバイス
本開示は、概して、積層半導体デバイスに関し、より具体的には、光電子デバイスに関する。光電子デバイスは、概して、電気信号を光子に、かつその逆に変換する任意のデバイスを包含し得る。光電子デバイスの非限定的な例としては、有機発光ダイオード（organic light-emitting diode、ＯＬＥＤ）が挙げられる。
有機光電子デバイスは、１つ以上の活性層及び／又はその層が主に有機（炭素含有）材料、より具体的には有機半導体材料から形成されている任意の光電子デバイスを包含し得る。
ここで図１に目を向けると、例示的な層状半導体デバイス１００の断面図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、図１０により詳細に示すように、デバイス１００は、基板１０上に堆積された複数の層を備えることができる。
Ｘ軸として識別される側方軸は、Ｚ軸として識別される長手方向軸とともに示され得る。Ｙ軸として識別される第２の側方軸は、Ｘ軸及びＺ軸の両方を実質的に横断するものとして示され得る。側方軸のうちの少なくとも１つは、デバイス１００の側方面を画定することができる。長手方向軸は、デバイス１００の長手方向面を画定することができる。
デバイス１００の層は、側方軸によって画定される平面に実質的に平行に、側方面に延在し得る。当業者は、図１に示される実質的に平面的な表現が、いくつかの非限定的な例では、解説のため抽象化されている場合があることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の側方範囲にわたって、異なる厚さ及び寸法の局所化された実質的に平面の層が存在してもよく、いくつかの非限定的な例では、層が実質的に完全に存在しなくてもよく、かつ／又は非平面遷移エリア（側方間隙及び更に不連続性を含む）によって分離される層を含んでもよい。
したがって、解説目的のために、デバイス１００は、実質的に平行な平面層の実質的に階層化された構造としてその横方向面で示され得るが、かかるデバイスは、特徴を画定するための多様なトポグラフィを局所的に解説することができ、その各々は、断面面において考察された階層化されたプロファイルを実質的に呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の露出層表面１１の側方面は、第１の部分１０１及び第２の部分１０２を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２は、第１の部分１０１を越えてある、デバイス１００の露出層表面１１のその一部を含み得る。
ディスプレイパネル及びユーザデバイス
ここで図２Ａを参照すると、ディスプレイパネル２００などの例示的な層状デバイスの断面図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００は、その面２０１を形成する最外層で終端する、基板１０上に堆積された複数の層を含み得る。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００は、デバイス１００のバージョンであり得る。
図２Ｂ～図２Ｄにおいてより良く見られ得るように、いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００は、少なくとも１つの信号交換部２０３と、少なくとも１つの表示部２０７とを備え得る。少なくとも１つの信号交換部２０３は、少なくとも１つの（ＥＭ放射）透過性領域３１ｘ図３Ａ及び少なくとも１つの（光）放射領域１４０１図１４Ａを備え得る。
少なくとも１つの表示部２０７は、少なくとも１つの放射領域１４０１を備え得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの表示部２０７は、それを通るＥＭ放射のより大きい又はより小さい程度の透過を可能にする少なくとも１つの領域又は部分を更に備え得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの表示部２０７は、個別に、及び／又は少なくとも１つの他の表示部２０７とともに、少なくとも１つの信号交換部２０３を実質的に取り囲み得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３は、ディスプレイパネル２００の端部に近接して位置決めされ得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３は、少なくとも１つの表示部２０７が少なくとも１つの信号交換部２０３を完全に取り囲まないように、端部に近接して位置決めされてもよく、構成されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３は、図２Ｂに示されるような縁部、又は図２Ｃに示されるような角部を含むがこれらに限定されない、ディスプレイパネル２００の端部に近接して位置決めされ得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３は、図２Ｄに示すように、ディスプレイパネル２００の横方向面内の実質的に中央に位置決めされ得る。
図２Ｂに示すように、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３は、限定はしないが、実質的に正方形及び長方形の構成のうちの少なくとも１つを含む多角形の輪郭を有してもよい。
図２Ｃに示すように、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３は、限定はしないが、実質的に円形、卵形、及び楕円形の構成のうちの少なくとも１つを含む、湾曲した輪郭を有してもよい。
ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのレイアウトが、（サブ）ピクセル開口のサイズ、形状、及び構成を非限定的に含む、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３及び表示部２０７の両方に対して実質的に同じである開口レイアウトを有するファインメタルマスク（fine metal mask、ＦＭＭ）の使用を可能にすることを非限定的に含む、製造を簡単にすることを非限定的に含む、ディスプレイパネルの表示部２０７における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのレイアウトに多かれ少なかれ似ていることを必要とするシナリオがあり、信号交換部２０３における隣接する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ間の間隔（「ピッチ」）が、表示部２０７におけるそのピッチと同じかその整数倍の一方であることを、当業者は理解するであろう。
そうではあるが、本開示における例は、信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのレイアウトが、ディスプレイパネル２００の表示部２０７におけるそのレイアウトと実質的に異なり得るシナリオにおいて適用可能性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３の少なくとも１つの放射領域１４０１の開口率は、少なくとも１つの信号交換部２０３に隣接する及び／又は実質的に近接する少なくともそのエリアにおいて、少なくとも１つの表示部２０７の少なくとも１つの放射領域１４０１の開口率と実質的に同じであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の開口率は、それにわたって実質的に均一であり得る。少なくともいくつかの用途では、少なくとも１つの信号交換部２０３及び少なくとも１つの表示部２０７が実質的に同じ開口率を有することを必要とするシナリオが存在する場合があり、それによって、ディスプレイパネル２００の見かけの輝度は、少なくとも１つの信号交換部２０３及び少なくとも１つの表示部２０７の両方にわたって実質的に同じであってもよいが、これに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３の少なくとも１つの放射領域１４０１のピクセル密度は、少なくとも１つの信号交換部２０３に隣接する及び／又は実質的に近接する少なくともそのエリアにおいて、少なくとも１つの表示部２０７の少なくとも１つの放射領域１４０１のピクセル密度と実質的に同じであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００のピクセル密度は、それにわたって実質的に均一であり得る。少なくともいくつかの用途では、少なくとも１つの信号交換部２０３及び少なくとも１つの表示部２０７が実質的に同じピクセル密度を有することを必要とするシナリオが存在する場合があり、それによって、ディスプレイパネル２００の解像度は、少なくとも１つの信号交換部２０３及び少なくとも１つの表示部２０７の両方にわたって実質的に同じであってもよいが、これに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３の少なくとも１つの放射領域１４０１の配列は、少なくとも１つの信号交換部２０３に隣接する及び／又は実質的に近接する少なくともそのエリアにおいて、少なくとも１つの表示部２０７の少なくとも１つの放射領域１４０１の配列と実質的に同じであってもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３における（サブ）ピクセルレイアウトは、少なくとも１つの表示部２０７の（サブ）ピクセルレイアウトと実質的に同じであってもよい。
本開示では、「透過性領域」という用語は、透過性領域３１ｘではないディスプレイパネル２００の別の領域と少なくとも比較して、ディスプレイパネル２００に入射するＥＭ放射のより多くの部分が透過されることを可能にするように構成され得る少なくとも１つの透過性領域３１ｘを限定的に含むディスプレイパネル２００の領域を指す。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘは、いくつかの非限定的な例では、ＩＴＯ、ＩＺＯ、及び／又はＩＧＺＯを非限定的に含む少なくとも１つの透明導電性酸化物（transparent conducting oxide、ＴＣＯ）などの透明導電性材料を含む、及び／又は透明導電性材料によって及び／又は透明導電性材料から形成されてもよい。
ディスプレイパネル２００がＯＬＥＤディスプレイデバイスを非限定的に含むいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの放射領域１４０１は、そこから、少なくとも１つの光子の形態を非限定的に含むＥＭ放射線を放射し得る。いくつかの非限定的な例では、所与の放射領域１４０１は、ピクセル２２１０（図２２Ａ）及び／又はそのようなピクセル２２１０のサブピクセル３２ｘ（図３Ａ）に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、ピクセル２２１０は、複数の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘを備えてもよく、各ピクセルは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、及びＢ（青）を非限定的に含むそれぞれの色に対応する、いくつかの非限定的な例では、所与の波長範囲の光子の形態を非限定的に含むＥＭ放射線を放射するように構成される。
いくつかの非限定的な例では、ピクセル２２１０は、Ｒ（赤）３２１、Ｇ（赤）３２２、及びＢ（青）３２３を非限定的に含む３つの色の各々の単一の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘにそれぞれ対応する３つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘを備え得る。
いくつかの非限定的な例では、ピクセル２２１０は、４つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘを含むことができ、各ピクセルは、Ｒ（赤）３２１及びＢ（青）３２３を非限定的に含む２つの色の各々の単一の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘと、Ｇ（レッド）３２２を非限定的に含む第３の色の２つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘとにそれぞれ対応する。
いくつかの非限定的な例では、所与の色の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ及び／又は形状（「幾何形状」）は、複数のピクセル２２１０にわたって実質的に同じであっても異なっていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の色の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ及び／又は幾何形状は、第２の色及び第３の色のうちの少なくとも１つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ及び／又は幾何形状と実質的に同じであっても異なっていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の色、第２の色、及び第３の色のうちの少なくとも１つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの相対的な幾何形状、及び／又は（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘによって放射される波長範囲は、様々な波長がどのように視覚的に処理されるか、並びに／あるいは電力消費、デバイス信頼性、及び／又はデバイス寿命を非限定的に含む工学的制約の存在を考慮して選択され得る。
当業者であれば、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの特定の配置がディスプレイパネル２００の設計に応じて変更され得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、ＲＧＢサイドバイサイド、ダイヤモンド、及び／又はペンタイル（登録商標）を非限定的に含む、知られている配置方式に従って配置することができる。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、並んだ配置で配設され得る。いくつかの非限定的な例では、第１のピクセル２２１０の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの（色）順序は、第２のピクセル２２１０の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの（色）順序と同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のピクセル２２１０の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの（色）順序は、第２のピクセル２２１０の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの（色）順序とは異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、隣接するピクセル２２１０の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、行、列、及びアレイ配置のうちの少なくとも１つに位置合わせされ得る。
いくつかの非限定的な例では、隣接するピクセル２２１０の位置合わせされた（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの行及び列のうちの第１の少なくとも１つは、同じ又は異なる色の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、隣接するピクセル２２１０の位置合わせされた（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの行及び列のうちの第１の少なくとも１つは、隣接するピクセルの位置合わせされた（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの行及び列のうちの第２及び第３の少なくとも１つと位置合わせされ得る。
いくつかの非限定的な例では、隣接するピクセル２２１０の位置合わせされた（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの行及び列のうちの第１の少なくとも１つは、隣接するピクセル２２１０の位置合わせされた（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの行及び列のうちの第２及び第３の少なくとも１つとオフセット又は位置合わせ不良でもよい。
いくつかの非限定的な例では、行及び列のうちのそのような第１、第２、及び／又は第３の少なくとも１つの隣接するピクセル２２１０の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、行及び列のうちの第１、第２、及び／又は第３の少なくとも１つの各々の対応する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘが共通の色であり得るように配置され得る。
いくつかの非限定的な例では、行及び列のうちのそのような第１、第２、及び／又は第３の少なくとも１つの隣接するピクセル２２１０の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、行及び列のうちの第１、第２、及び／又は第３の少なくとも１つの各々の対応する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘが異なる色であり得るように配置され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３において、少なくとも１つの透過性領域３１ｘは、複数の放射領域１４０１の間に配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘは、隣接する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの間に配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘを取り囲む隣接する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、共通ピクセル２２１０の一部を形成してもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘを取り囲む隣接する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、異なるピクセル２２１０に関連付けられてもよい。
図２Ａを再度参照すると、ディスプレイパネル２００の面２０１は、側方軸によって画定される平面に実質的に沿って、その側方面にわたって延在し得る。いくつかの非限定的な例では、面２０１、実際にはディスプレイパネル２００は、少なくとも１つのＥＭ信号２３１が面２０１の平面に対してある角度でそれを通して交換され得るユーザデバイス２１０の面として機能し得る。いくつかの非限定的な例では、ユーザデバイス２１０は、コンピューティングデバイス、例えば、非限定的に、スマートフォン、タブレット、ラップトップ、及び／若しくは電子リーダ、並びに／又は何らかの他の電子デバイス、例えば、非限定的に、自動車ディスプレイ及び／若しくはフロントガラス、家庭用電気器具、及び／若しくは医療、商業、及び／若しくは産業用デバイスを含む、モニタ、テレビジョンセット、及び／若しくはスマートデバイスであり得る。
いくつかの非限定的な例では、面２０１は、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０が収容され得る本体２２０及び／又はその中の開口部２２１に対応し、かつ／又はそれと嵌合し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０は、面２０１の反対側のその表面上のディスプレイパネル２００と一体的に、又は組み立てられたモジュールとして形成され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０は、面２０１の反対側のディスプレイパネル２００の基板１０の表面上に形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの開口２０４が、ディスプレイパネル２００内に形成されて、ディスプレイパネル２００の面２０１を含むがこれに限定されない、ディスプレイパネル２００の横軸又は付随して層によって画定される平面に対してある角度で、ディスプレイパネル２００の面２０１を通る少なくとも１つのＥＭ信号２３１の交換を可能にすることができる。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＥＭ信号２３１は、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０と、限定はしないが、ユーザデバイス２１０のユーザを含む外部物体２０との間で交換され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの開口２０４は、少なくとも１つの信号交換部２０３の少なくとも１つの透過性領域３１ｘに対応し得る。いくつかの非限定的な例では、所与の信号交換部２０３は、複数の少なくとも１つの開口２０４を備え得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの開口２０４は、別様にはディスプレイパネル２００にわたって配設される実質的に不透明な被膜の厚さ及び／又は不透明度の欠如及び／又は減少を含むものと理解され得る。
換言すれば、少なくとも１つのＥＭ信号２３１は、面２０１を通過するように、少なくとも１つの開口２０４を通過することができる。その結果、少なくとも１つのＥＭ信号２３１は、限定はしないが、ディスプレイパネル２００にわたって側方に堆積層１３０にわたって伝導され得る任意の電流を含む、側方軸によって画定された平面に沿って延在し得る任意のＥＭ放射を除外するとみなされ得る。
更に、当業者は、少なくとも１つのＥＭ信号２３１が、単独で、又は他のＥＭ信号２３１と併せて、少なくとも１つのＥＭ信号２３１を他のＥＭ信号２３１から区別され得る識別子を含むがこれに限定されない何らかの情報内容を伝達することができるという点で、少なくとも１つのＥＭ信号２３１を、電流及び／又はそれによって発生する電界を含むがこれに限定されないＥＭ放射線自体と区別することができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、情報コンテンツは、少なくとも１つのＥＭ信号２３１の波長、周波数、位相、タイミング、帯域幅、及び／又は他の特質のうちの少なくとも１つを指定すること、変更すること、及び／又は変調することによって伝達され得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の少なくとも１つの開口２０４を通って通過する少なくとも１つのＥＭ信号２３１は、少なくとも１つの光子を含み得、いくつかの非限定的な例では、限定はしないが、可視スペクトル、ＩＲスペクトル、及び／又はＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つの範囲内にある波長スペクトルを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の少なくとも１つの開口２０４を通って通過する少なくとも１つのＥＭ信号２３１は、その上に入射する周辺光を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の少なくとも１つの開口２０４を通して交換される少なくとも１つのＥＭ信号２３１は、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０によって伝送及び／又は受信され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０は、単一の透過性領域３１ｘよりも大きいサイズを有し得るが、複数の透過性領域３１ｘだけでなく、それらの間に延在する少なくとも１つの放射領域１４０１の下にもあり得る。同様に、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０は、少なくとも１つの開口２０４のうちの単一のものよりも大きいサイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０は、ユーザデバイス２１０を越えてから少なくとも１つの開口２０４を通過する少なくとも１つのＥＭ信号２３１を受信及び処理するように適合された受信機２３０ｒを含み得る。そのような受信機２３０ｒの非限定的な例としては、アンダーディスプレイカメラ（under-display camera、ＵＤＣ）、並びに／又は限定はしないが、ＩＲセンサ、ＮＩＲセンサ、ＬＩＤＡＲ検知モジュール、指紋検知モジュール、光検知モジュール、ＩＲ（近接）検知モジュール、虹彩認識検知モジュール、及び／若しくは顔認識検知モジュールを含むセンサが挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０は、ユーザデバイス２１０を越えて少なくとも１つの開口２０４を通過する少なくとも１つのＥＭ信号２３１を放射するように適合された送信機２３０ｔを含み得る。そのような送信機２３０ｔの非限定的な例として、限定はしないが、内蔵フラッシュ、懐中電灯、ＩＲエミッタ、及び／若しくはＮＩＲエミッタ、並びに／又はＬＩＤＡＲ検知モジュール、指紋検知モジュール、光検知モジュール、ＩＲ（近接）検知モジュール、虹彩認識検知モジュール、及び／若しくは顔認識検知モジュールを含むＥＭ放射源が挙げられる。
一部の非限定的な例では、ユーザデバイス２１０を越えてディスプレイパネル２００の少なくとも１つの開口２０４を通過する少なくとも１つのＥＭ信号２３１には、限定はしないが、送信機２３０ｔを備える少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０によって放射されるものが含まれ、ディスプレイパネル２００から発して、ディスプレイパネル２００の少なくとも１つの開口２０４を通って、受信機２３０ｒを備える少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０に戻ることができる。
いくつかの非限定的な例では、ユーザデバイス２１０内に複数のアンダーディスプレイ構成要素２３０が存在してもよく、そのうちの第１の構成要素は、ユーザデバイス２１０を越えて少なくとも１つの開口２０４を通過するように少なくとも１つのＥＭ信号２３１を放射するための送信機２３０ｔを含み、そのうちの第２の構成要素は、少なくとも１つのＥＭ信号２３１を受信するための受信機２３０ｒを含む。いくつかの非限定的な例では、そのような送信機２３０ｔ及び受信機２３０ｒは、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０のうちの単一の共通の１つにおいて具現化され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素２３０は、ＥＭ信号２３１を放射しない場合があるが、ディスプレイパネル２００は、少なくとも１つのＥＭ信号２３１を放射するＯＬＥＤデバイスを含むがこれに限定されない、光ルミネセンスデバイスを含むがこれに限定されない、光電子デバイスを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、物体２０は、少なくとも１つのＥＭ信号２３１を反射するための表面を提示し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＥＭ信号２３１は、非限定的な例として物体２０の表面から反射された環境光であり得る光であり得る。
表示部のピクセル密度を維持するための信号交換部における散在した透過性領域を有するピクセルの配置
次に図３Ａを参照すると、非限定的な例として、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３にわたって適用され得る平面図における例示的な（サブ）ピクセル配列３００ａが示されている。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３のピクセル密度は、ディスプレイパネル２００の表示部２０７のピクセル密度と実質的に同じであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号交換部２０３の少なくとも１つの放射領域１４０１の開口率は、少なくとも１つの信号交換部２０３に隣接する及び／又は実質的に近接する少なくともそのエリアにおいて、少なくとも１つの表示部２０７の少なくとも１つの放射領域１４０１の開口率と実質的に同じであってもよい。いくつかの非限定的な例では、これは、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１のサイズ、形状、及び配向のうちの少なくとも１つを、少なくとも１つの信号交換部２０３及び少なくとも１つの表示部２０７の両方において実質的に同じにすることによって達成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、及び構成のうちの少なくとも１つは、信号交換部２０３における透過性領域３１ｘの開口率を最大化することを含むがこれに限定されない透過性領域３１ｘの追加を収容する空間を提供するために、ディスプレイパネル２００の表示部２０７のサイズ、形状、及び構成とは、サイズ縮小を含むが限定されずに異なり得る。
当業者であれば、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３と表示部２０７との間で（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１のサイズ、形状、及び配向のうちの少なくとも１つを変更することは、いくつかの非限定的な例では、それらの間の開口率を変更し得るが、それらの間のピクセル密度は不変のままであり得ることを容易に理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの全ての放射領域１４０１の開口率は、約２０％以下、約１５％以下、及び約１０％以下のうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における透過性領域３１ｘの開口率は、そのような部分に存在する透過性領域３１ｘの全ての開口率の合計であってもよく、約５０％以下、約４５％以下、約４０％以下、約３５％以下、約３３％以下、約３０％以下、及び約２５％以下のうちの１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘの開口率は、少なくとも約５％、少なくとも約１０％、及び少なくとも約１５％のうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの全ての放射領域１４０１の開口率は、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３を含むがそれらに限定されない、そのような部分内に存在する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの全ての開口率の合計であってもよく、約５～１０％であってもよく、その中の透過性領域３１ｘの開口率は、約３０～５０％であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３内の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの全ての放射領域１４０１の開口率は、限定ではないが、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３を含む、そのような部分内に存在する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの全ての開口率の合計であってもよく、約６～９％であってもよく、その中の透過性領域３１ｘの開口率は、約３５～４５％であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの全ての放射領域１４０１と透過性領域３１ｘとの合計開口率は、約６０％以下、約５５％以下、約５０％以下、約４５％以下、及び約４０％以下のうちの１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの全ての放射領域１４０１と透過性領域３１ｘとの合計開口率は、約３０～６０％、約３５～６０％、約４０～６０％、約３５～５５％、約４０～５０％、約４５～５５％、及び約４５～５０％のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘのサイズは、少なくとも約１０ミクロンであってもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘのサイズは、約１０～１５０ミクロン、約１０～１３０ミクロン、約１５～１００ミクロン、約２０～８０ミクロン、約２０～６５ミクロン、約２５～６０ミクロン、及び約３０～５０ミクロンのうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、開口比のそのような変化の結果としての信号交換部２０３と表示部２０７との間のような見かけ上の又は視覚的に知覚される差は、非限定的に以下を含む少なくとも１つの手段によって低減され得る。
・ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３と表示部２０７との間のように、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の開口率、サイズ、及び形状のうちの少なくとも１つの間の相対的な比率を維持することと、
・ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３及び表示部２０７のうちの少なくとも１つにおける（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのうちの少なくとも１つの少なくとも１つの特徴であって、放射される放射線の強度及び電流密度を含むがこれらに限定されない少なくとも１つの特徴を変更することと、
・ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３及び表示部２０７のうちの少なくとも１つの周りに、及び／又はそれらの間に、少なくとも１つの遷移領域を確立することであって、各々は、ディスプレイパネル２００の増加した側方面にわたってそれらの間のそのような見かけ上の又は視覚的に知覚される差を分散させるために、中間の開口率、サイズ、形状、配向、及び／又はピッチを有する。
４つのサブピクセルを１：２：１の比率で有するピクセル
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ａは、単一の透過性領域３１ｘと、いくつかの非限定的な例ではピクセル２２１０の４つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応し得る複数の放射領域１４０１とを備え得る。いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、４つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１内に位置し、それによって取り囲まれてもよい。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ａは、第１の構成軸３４０及び第２の構成軸３４５によって画定されてもよく、これらは両方ともディスプレイパネル２００の横平面内にあり、交点で交差してもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の構成軸３４０は、第２の構成軸３４５に実質的に直交してもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、平面図において、第１の構成軸３４０と第２の構成軸３４５との交点を中心としてもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘの横方向範囲は、その閉じた透過性境界又は外周３１５によって画定されてもよい。いくつかの非限定的な例では、透過性境界３１５は、第１の構成軸３４０及び第２の構成軸３４５のうちの少なくとも１つに対して対称であってもよい。いくつかの非限定的な例では、図示のように、透過性境界３１５は、第１の構成軸３４０及び第２の構成軸３４５の両方に対して対称であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１０は、複数の線形透過性境界セグメント３９１～３９４を含み、それらによって画定される、実質的に四辺形の透過性境界３１５を有し得る。いくつかの非限定的な例では、透過性境界セグメント３９１、３９３のうちの少なくとも１つは、第１の構成軸３４０に実質的に平行であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の構成軸３４０に実質的に平行であるそのような透過性境界セグメント３９１、３９３のうちの２つが存在し得る。いくつかの非限定的な例では、透過性境界セグメント３９２、３９４のうちの少なくとも１つは、第２の構成軸３４５に実質的に平行であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の構成軸３４５に実質的に平行であるそのような透過性境界セグメント３９２、３９４のうちの２つが存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、透過性境界セグメント３９１～３９４のいずれも、互いに平行でなくてもよい。
図３Ａに示されるようないくつかの非限定的な例では、透過性境界セグメント３９１～３９４の各々は、実質的に等しい長さであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性境界セグメント３９１～３９４のいずれも実質的に等しい長さを有していなくてもよい。
次に図３Ｂを参照すると、非限定的な例として、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３にわたって適用され得る平面図における例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｂが示されている。（サブ）ピクセル配列３００ｂは、透過性領域３１ｘ（及び（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ）が実質的に丸みを帯びた角を呈するという点で、（サブ）ピクセル配列３００ａとは異なるように見え得る。
本明細書説明するように、特定の理論に束縛されることを望むものではないが、透過性領域３１ｘの閉鎖境界が少なくとも１つの非線形及び／又は湾曲セグメントを含む場合、その上に入射し、それを通って透過されるＥＭ信号は、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を容易にするあまり特徴的でない及び／又はより均一な回折パターンを示すことができると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、複数の透過性境界セグメント３９１～３９４は、少なくとも１つの実質的に湾曲した透過性境界セグメント３９６～３９９によって結合されてもよく、それらの間に延在してもよい。したがって、いくつかの非限定的な例では、線形透過性境界セグメント３９１～３９４のそれぞれの端点は、湾曲した透過性境界セグメント３９６～３９９の端点と結合されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、湾曲した透過性境界セグメント３９６～３９９のうちの少なくとも１つは、最小曲率半径を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、製造プロセスにおける制約と相関し得るそのような最小曲率半径は、約８ミクロン及び約１０ミクロンのうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、一対の第２のサブピクセル３２２は、第１の構成軸３４０及び第２の構成軸３４５のうちの少なくとも１つ、いくつかの非限定的な例では第１の構成軸３４０に対して対称に位置決めされてもよく、透過性領域３１ｘはそれらの間に位置決めされる。いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１及び第３のサブピクセル３２３は、第１の構成軸３４０及び第２の構成軸３４５のうちの少なくとも１つ、いくつかの非限定的な例では、第２の構成軸３４５に対して対称に位置決めされてもよく、透過性領域３１ｘがそれらの間に位置決めされる。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１４０１のうちの少なくとも１つは、複数の線形セグメントを含み、それによって画定される実質的に四辺形の境界又は輪郭を有し得る。
（サブ）ピクセル配列３００ａにおいて、４つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１、一対の第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１はＲ（赤）色に対応してもよく、第２のサブピクセル３２２はＧ（緑）色に対応してもよく、第３のサブピクセル３２３はＢ（青）色に対応してもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、共通ピクセル２２１０に対応する一対の第２のサブピクセル３２２の間に位置決めされてもよい。いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、第１のピクセル２２１０に対応する第２のサブピクセル３２２と、第２のピクセル２２１０に対応する第２のサブピクセル３２２との間に位置決めされてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような透過性領域３１ｘと第１の第２のサブピクセル３２２との間の間隔は、そのような透過性領域３１ｘと第２の第２のサブピクセル３２２との間の間隔と実質的に同じであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、共通ピクセル２２１０に対応する第１のサブピクセル３２１と第３のサブピクセル３２３との間に位置決めされてもよい。いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、第１のピクセル２２１０に対応する第１のサブピクセル３２１と、第２のピクセル２２１０に対応する第３のサブピクセル３２３との間に位置決めされてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような透過性領域３１ｘと第１のサブピクセル３２１との間の間隔は、そのような透過性領域３１ｘと第３のサブピクセル３２３との間の間隔と実質的に同じであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、所与の透過性領域３１ｘは、第１のサブピクセル３２１と第３のサブピクセル３２３との間、及び２つの第２のサブピクセル３２２の間の両方に位置決めされてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１の横方向範囲は、その閉じた第１のサブピクセル境界３５５によって画定されてもよい。図示されるように、いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル境界３５５は、複数の実質的に線形の第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４を備え得る。いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセルセグメント３５２、３５４のうちの少なくとも１つは、透過性領域３１ｘの透過性境界セグメント３９２、３９４のうちの対応する少なくとも１つに実質的に平行であってもよく、それに近接していてもよく、いくつかの非限定的な例では、それに隣接していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性境界セグメント３９１～３９４の大部分は、隣接するサブピクセル境界セグメント３５１～３５４、３６１～３６４、３７１～３７４に実質的に平行であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、図示されるように、第１のサブピクセル３２１に関して、第１のサブピクセルセグメント３５４は、対応する透過性境界セグメント３９２に近接していてもよく、及び／又はいくつかの非限定的な例では、隣接していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第１のサブピクセルセグメント３５４と、それに近接する対応する少なくとも１つの透過性境界セグメント３９２とは、最小距離だけ分離され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような最小距離は、いくつかの非限定的な例では、製造プロセスにおける制約に相関され得るが、約５ミクロン、約６ミクロン、約８ミクロン、約１０ミクロン、約１１ミクロン、及び約１２ミクロンのうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような最小距離は、約５～１５ミクロン、約６～１２ミクロン、及び約８～１０ミクロンのうちの１つであってもよい。
図３Ｂに示すようないくつかの非限定的な例では、複数の線形の第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４は、少なくとも１つの実質的に湾曲した第１のサブピクセルセグメント３５６～３５９によって結合されてもよく、それらの間に延在してもよい。したがって、いくつかの非限定的な例では、線形の第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４のそれぞれの端点は、湾曲した第１のサブピクセルセグメント３５６～３５９の端点と結合されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、湾曲した第１のサブピクセルセグメント３５６～３５９のうちの少なくとも１つは、最小曲率半径を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、製造プロセスにおける制約と相関し得るそのような最小曲率半径は、約８ミクロン及び約１０ミクロンのうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２のサブピクセル３２２のうちの１つの横方向範囲は、その閉じた第２のサブピクセル境界３６５によって画定されてもよい。図示されるように、いくつかの非限定的な例では、第２のサブピクセル境界３６５は、複数の実質的に線形の第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４を備え得る。いくつかの非限定的な例では、第２のサブピクセルセグメント３６１、３６３のうちの少なくとも１つは、透過性領域３１ｘの透過性境界セグメント３９１、３９３のうちの対応する少なくとも１つに実質的に平行であってもよく、それに近接していてもよく、いくつかの非限定的な例では、それに隣接していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、図示されるように、第２のサブピクセル３２２ａに関して、第２のサブピクセルセグメント３６３は、対応する透過性境界セグメント３９１に近接していてもよく、及び／又はいくつかの非限定的な例では、隣接していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、図示されるように、第２のサブピクセル３２２ｂに関して、第２のサブピクセルセグメント３６１は、対応する透過性境界セグメント３９３に近接していてもよく、及び／又はいくつかの非限定的な例では、隣接していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第２のサブピクセルセグメント３６３と、それに近接する透過性領域３１ｘの対応する少なくとも１つの透過性境界セグメント３９１とは、最小距離だけ分離され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第２のサブピクセルセグメント３６１と、それに近接する透過性領域３１ｘの対応する少なくとも１つの透過性境界セグメント３９３とは、最小距離だけ分離され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような最小距離は、いくつかの非限定的な例では、製造プロセスにおける制約に相関され得るが、約５ミクロン、約６ミクロン、約８ミクロン、約１０ミクロン、約１１ミクロン、及び約１２ミクロンのうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような最小距離は、約５～１５ミクロン、約６～１２ミクロン、及び約８～１０ミクロンのうちの１つであってもよい。
図３Ｂに示すようないくつかの非限定的な例では、複数の線形の第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４は、少なくとも１つの実質的に湾曲した第２のサブピクセルセグメント３６６～３６９によって結合されてもよく、それらの間に延在してもよい。したがって、いくつかの非限定的な例では、線形の第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４のそれぞれの端点は、湾曲した第２のサブピクセルセグメント３６６～３６９の端点と結合されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、湾曲した第２のサブピクセルセグメント３６６～３６９のうちの少なくとも１つは、最小曲率半径を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、製造プロセスにおける制約と相関し得るそのような最小曲率半径は、約８ミクロン及び約１０ミクロンのうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第３のサブピクセル３２３の横方向範囲は、その閉じた第３のサブピクセル境界３７５によって画定されてもよい。図示されるように、いくつかの非限定的な例では、第３のサブピクセル境界３７５は、複数の実質的に線形の第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４を備え得る。いくつかの非限定的な例では、第３のサブピクセルセグメント３７２、３７４のうちの少なくとも１つは、透過性領域３１ｘの透過性境界セグメント３９２、３９４のうちの対応する少なくとも１つに実質的に平行であってもよく、それに近接していてもよく、いくつかの非限定的な例では、それに隣接していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、図示されるように、第３のサブピクセル３２３に関して、第３のサブピクセルセグメント３７２は、対応する透過性境界セグメント３９４に近接していてもよく、及び／又はいくつかの非限定的な例では、隣接していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第３のサブピクセルセグメント３７２と、それに近接する透過性領域３１ｘの対応する少なくとも１つの透過性境界セグメント３９４とは、最小距離だけ分離され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような最小距離は、いくつかの非限定的な例では、製造プロセスにおける制約に相関され得るが、約５ミクロン、約６ミクロン、約８ミクロン、約１０ミクロン、約１１ミクロン、及び約１２ミクロンのうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような最小距離は、約５～１５ミクロン、約６～１２ミクロン、及び約８～１０ミクロンのうちの１つであってもよい。
図３Ｂに示すようないくつかの非限定的な例では、複数の線形の第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４は、少なくとも１つの実質的に湾曲した第３のサブピクセルセグメント３７６～３７９によって結合されてもよく、それらの間に延在してもよい。したがって、いくつかの非限定的な例では、線形の第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４のそれぞれの端点は、湾曲した第３のサブピクセルセグメント３７６～３７９の端点と結合されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、湾曲した第３のサブピクセルセグメント３７６～３７９のうちの少なくとも１つは、最小曲率半径を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、製造プロセスにおける制約と相関し得るそのような最小曲率半径は、約８ミクロン及び約１０ミクロンのうちの１つであり得る。
したがって、（サブ）ピクセル配列３００ａは、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの高い開口率及び高いサブピクセル密度の両方を維持する一方で、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３を介してＥＭ信号２３１の交換を可能にする面積を有する透過性領域３１ｘをその内部に提供する。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ａは、各々が第１の放射領域１４０１の重心を含むがこれに限定されない内部に位置する端点で始まり、第１及び第２の放射領域１４０１が透過性領域３１ｘを通過することなくサブピクセル３２ｘの対に関連付けられる第２の放射領域１４０１の重心を含むがこれに限定されない内部に位置する端点で終わる、４つを含むがこれに限定されない複数の接続された非重複輪郭ベクトル３３１～３３４が、輪郭３３０、３３６、３３７を画定するように構成されてもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、四辺形又はボックス３３０に似ていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の放射領域１４０１及び第２の放射領域１４０１は、対応する輪郭ベクトル３３１－３３４が、第１の放射領域１４０１の少なくとも一部及び第２の放射領域１４０１の少なくとも一部にわたって、それらの間に何もなく横方向に延在し得るように、互いに実質的に当接し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の放射領域１４０１及び第２の放射領域１４０１は、対応する輪郭ベクトル３３１－３３４が、第１の放射領域１４０１の少なくとも一部及び第２の放射領域１４０１の少なくとも一部にわたって、それらの間に何もなく横方向に延在し得るように、離間され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１、一対の第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３の位置は、ボックス３３０が、正方形、長方形、平行四辺形、及び台形のうちの少なくとも１つを画定し得るようなものであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１、一対の第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３の位置は、輪郭ベクトル３３１～３３４のいずれも実質的に等しい長さではない場合があるようなものであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１、一対の第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３の位置は、輪郭ベクトル３３１～３３４のうちの少なくとも２つが実質的に等しい長さであり得るようなものであってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１、一対の第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３の位置は、輪郭ベクトル３３１～３３４のいずれも互いに平行でない場合があるようなものであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、輪郭３３０は、少なくとも１つの透過性領域３１ｘを閉塞し得る。いくつかの非限定的な例では、輪郭３３０、３３６、３３７の輪郭ベクトル３３１～３３４は、透過性領域３１ｘを取り囲み得、いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘを通過しないようにすることができる。
次に図３Ｃを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、（サブ）ピクセル配列３００ａがその側方面にわたって複製されている。各々が共通の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの重心を通過する線分を有する４つの隣接するボックス３３０を含むがこれに限定されない複数の隣接する輪郭３３０、３３６、３３７を組み合わせて単位セル３３５を画定することができることが分かる。図では、単位セル３３５ｂは、共通（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘとして、Ｂ（青）サブピクセル３２３を有してもよいが、当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、共通（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、同様に、Ｒ（赤）サブピクセル３２１（単位セル３３５ｒ）又はＧ（緑）サブピクセル３２２の対のうちの１つ（単位セル３３５ｇａ又は３３５ｇｂであってもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、３３５ｇａの垂直若しくは水平反転バージョン、又は時計回り若しくは反時計回り方向のいずれかに実質的に約９０°回転されたバージョンであるとみなされてもよいことを理解するであろう。共通の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの色が何であれ、いくつかの非限定的な例では、隣接する単位セル３３５は、同じ色の共通の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘを有する。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、単位セル３３５は、信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのアレイの繰り返し単位を構成してもよいことを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、単位セル３３５は、最小サイズの繰り返し単位であってもよい。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、単位セル３３５が、Ｒ（赤）サブピクセル３２１（単位セル３３５ｒ）又はＧ（緑）サブピクセル３２２の対のうちの１つ（単位セル３３５ｇａ又は３３５ｇｂ）である共通（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘを有するか、又はＢ（青）サブピクセル３２３（単位セル３３５ｂ）であるかにかかわらず、同じピクセルレイアウトが、単位セル３３５の繰り返しとみなされ得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、単位セル３３５の少なくとも１つの輪郭３３０、３３６、３３７は、少なくとも１つの透過性領域３１ｘを閉塞し得る。いくつかの非限定的な例では、単位セル３３５の輪郭３３０、３３６、３３７の各々は、少なくとも１つの透過性領域３１ｘを閉塞し得る。
いくつかの非限定的な例では、単位セル３３５は、実質的に同様の形状及びサイズの複数の輪郭３３０、３３６、３３７を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、単位セル３３５は輪郭３３０、３３６、３３７を含むことができ、これらの輪郭のいずれも、実質的に等しい形状及びサイズのうちの少なくとも１つを有しない。
次に図３Ｄを参照すると、非限定的な例として、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３にわたって適用され得る平面図における例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｄが示されている。（サブ）ピクセル配列３００ｄは、透過性領域３１ｘが実質的に約９０°だけ（時計回り又は反時計回りのいずれかの方向に）回転されているという点で、（サブ）ピクセル配列３００ａとは異なるように見え得る。
したがって、線形透過性境界セグメント３９１～３９４と、線形第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４、線形第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４、及び線形第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４のうちの少なくとも１つとの間の平行関係は維持されなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の構成軸３４０及び第２の構成軸３４５は各々が、実質的に約９０°だけ（時計回り又は反時計回りのいずれかの方向に）回転されると考えられ得る。
そうである場合、いくつかの非限定的な例では、第１の構成軸３４０及び第２の構成軸３４５のうちの少なくとも１つと、線形透過性境界セグメント３９１～３９４との間の平行関係が維持され得る。しかしながら、そのような場合、第１の構成軸３４０及び第２の構成軸３４５のうちの少なくとも１つと、線形第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４、線形第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４、及び線形第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４のうちの少なくとも１つとの間で、平行関係が維持されているとはみなされない場合がある。
いくつかの非限定的な例では、輪郭ベクトル３３２、３３４のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない輪郭ベクトル３３１～３３４のうちの少なくとも１つは、第１の構成軸３４０に実質的に平行であってもよい。いくつかの非限定的な例では、輪郭ベクトル３３１、３３３のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない輪郭ベクトル３３１～３３４のうちの少なくとも１つは、第２の構成軸３４０に実質的に平行であってもよい。
次に図３Ｅを参照すると、非限定的な例として、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３にわたって適用され得る平面図における例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｅが示されている。（サブ）ピクセル配列３００ｅは、透過性境界セグメント３９１、３９３のうちの少なくとも１つが第１の長さのものであってもよく、透過性境界セグメント３９２、３９４のうちの少なくとも１つが第１の長さとは異なる第２の長さのものであってもよいという点で、（サブ）ピクセル配列３００ｄとは異なるように見え得る。
次に図３Ｆを参照すると、非限定的な例として、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３にわたって適用され得る平面図における例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｆが示されている。（サブ）ピクセル配列３００ｆは、透過性領域３１ｘが実質的に約９０°だけ（時計回り又は反時計回りのいずれかの方向に）回転されているという点で、（サブ）ピクセル配列３００ｅとは異なるように見え得る。
次に図３Ｇを参照すると、非限定的な例として、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３にわたって適用され得る平面図における例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｇが示されている。（サブ）ピクセル配列３００ｇは、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３のうちの少なくとも１つが実質的に約９０°だけ（時計回り又は反時計回りのいずれかの方向に）回転されているという点で、（サブ）ピクセル配列３００ａとは異なるように見え得る。
したがって、線形透過性境界セグメント３９１～３９４と、線形第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４、線形第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４、及び線形第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４のうちの少なくとも１つとの間の平行関係は維持されなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の構成軸３４０及び第２の構成軸３４５のうちの少なくとも１つと、線形第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４、線形第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４、及び線形第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４のうちの少なくとも１つとの間で、平行関係が維持されているとはみなされ得る。しかしながら、そのような場合、いくつかの非限定的な例では、第１の構成軸３４０及び第２の構成軸３４５のうちの少なくとも１つと、線形透過性境界セグメント３９１～３９４との間の平行関係が維持され得ない。
次に図３Ｈを参照すると、非限定的な例として、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３にわたって適用され得る平面図における例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｈが示されている。（サブ）ピクセル配列３００ｈは、線形第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４、線形第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４、及び線形第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４（図では、線形第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４）のうちの少なくとも１つが、全てが実質的に等しい長さではなく、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの湾曲した第１のサブピクセルセグメント３５６～３５９、少なくとも１つの湾曲した第２のサブピクセルセグメント３６６～３６９、及び少なくとも１つの湾曲した第３のサブピクセルセグメント３７６～３７９（図では、それらの各々）のうちのそれぞれの少なくとも１つによって結合され、それらの間に延在し得るという点で、（サブ）ピクセル配列３００ｇとは異なるように見え得る。
いくつかの非限定的な例では、セグメント３５１、３５３を含むがこれらに限定されない第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４のうちの少なくとも１つは、第１の長さであってもよく、セグメント３５２、３５４を含むがこれらに限定されない第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４のうちの少なくとも１つは、第１の長さとは異なる第２の長さであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、セグメント３６１、３６３を含むがこれらに限定されない第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４のうちの少なくとも１つは、第１の長さであってもよく、セグメント３６２、３６４を含むがこれらに限定されない第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４のうちの少なくとも１つは、第１の長さとは異なる第２の長さであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、セグメント３７１、３７３を含むがこれらに限定されない第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４のうちの少なくとも１つは、第１の長さであってもよく、セグメント３７２、３７４を含むがこれらに限定されない第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４のうちの少なくとも１つは、第１の長さとは異なる第２の長さであってもよい。
図３Ｉでは、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、（サブ）ピクセル配列３００ｇがその側方面にわたって複製されている。
次に図３Ｊを参照すると、非限定的な例として、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３にわたって適用され得る平面図における例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｊが示されている。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における少なくとも１つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１のサイズ、形状、及び配向のうちの少なくとも１つは、少なくとも（サブ）ピクセル配列３００ａに関連して本明細書に記載されるように、ディスプレイパネル２００の表示部２０７の対応する少なくとも１つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１のサイズ、形状、及び配向のうちの対応する少なくとも１つと実質的に同一であってもよいが、いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における少なくとも１つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１のサイズ、形状、及び配向のうちの少なくとも１つは、ディスプレイパネル２００の表示部２０７の対応する少なくとも１つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１のサイズ、形状、及び配向のうちの対応する少なくとも１つと異なってもよい。
（サブ）ピクセル配列３００ｊにおいて、第１のサブピクセル３２１は、信号交換第１のサブピクセル輪郭３５０によって示される例示的なサイズ、形状、及び配向を有する信号交換部２０３における放射領域１４０１を有するものとして示されてもよく、その上に重ねられた表示第１のサブピクセル輪郭３５５によって示される表示部２０７における対応する放射領域１４０１の例示的なサイズ、形状、及び配向と比較及び対比されてもよい。同様に、第２のサブピクセル３２２は、信号交換第２のサブピクセル輪郭３６０によって示される例示的なサイズ、形状、及び配向を有する信号交換部２０３における放射領域１４０１を有するものとして示されてもよく、その上に重ねられた表示第２のサブピクセル輪郭３６５によって示される表示部２０７における対応する放射領域１４０１の例示的なサイズ、形状、及び配向と比較及び対比されてもよく、第３のサブピクセル３２３は、信号交換第３のサブピクセル輪郭３７０によって示される例示的なサイズ、形状、及び配向を有する信号交換部２０３における放射領域１４０１を有するものとして示されてもよく、その上に重ねられた表示第３のサブピクセル輪郭３７５によって示される表示部２０７における対応する放射領域１４０１の例示的なサイズ、形状、及び配向と比較及び対比されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３を含むがこれに限定されない第１のサブピクセル３２１の少なくとも１つの放射領域１４０１のサイズは、第２のサブピクセル３２２の対応する少なくとも１つの放射領域１４０１のサイズを超えてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３のサブピクセル３２３の少なくとも１つの放射領域１４０１のサイズは、第１のサブピクセル３２１の対応する少なくとも１つの放射領域１４０１のサイズを超えてもよい。
（サブ）ピクセル配列３００ｊに示されるように、いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の配向は、ディスプレイパネル２００における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１に対して放射領域１４０１を実質的に約９０°（時計回り又は反時計回りのいずれかの方向に）回転させることによって、ディスプレイパネル２００の表示部における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の配向である。
（サブ）ピクセル配列３００ｊに示すように、いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における少なくとも１つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの少なくとも１つの放射領域１４０１のサイズは、ディスプレイパネル２００の表示部における対応する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの対応する放射領域１４０１のサイズに対して、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における少なくとも１つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの少なくとも１つの放射領域１４０１の対角線の長さが、ディスプレイパネル２００の表示部２０７における対応する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの対応する放射領域１４０１の境界の直線セグメントの１つと実質的に等しくなるように、図示されたように重ねられたときに、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における少なくとも１つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの少なくとも１つの放射領域１４０１が、ディスプレイパネル２００の表示部２０７における対応する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの対応する放射領域１４０１の辺によって実質的に取り囲まれているように見えるように、代替的に及び／又は追加的に減少されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ｊにおける線形第１のサブピクセルセグメント３５１～３５４のうちの少なくとも１つの長さは、約１１．６ミクロンであってもよいが、これに限定されない。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ｊにおける線形第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４のうちの少なくとも１つの長さは、約８．７ミクロンであってもよいが、これに限定されない。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ｊにおける線形第３のサブピクセルセグメント３７１～３７４のうちの少なくとも１つの長さは、約１４．５ミクロンであってもよいが、これに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における少なくとも１つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの少なくとも１つの放射領域１４０１のサイズを、ディスプレイパネル２００の表示部２０７の対応する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの対応する放射領域１４０１に対して回転させること及び減少させることの両方が、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３と表示部２０７との間のピクセル密度を変えることなく、少なくとも１つの透過性領域３１ｘがその間に導入され得るように、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における複数の隣接する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ間の分離を提供し得る。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ｊを含むがこれに限定されない、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３によって示されるピクセル密度は、少なくとも約３００ｐｐｉ、少なくとも約３５０ｐｐｉ、及び少なくとも約４００ｐｐｉのうちの１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ｊを含むがこれに限定されない、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３によって示されるピクセル密度は、約４３０ｐｐｉであってもよい。
図３Ｋでは、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、（サブ）ピクセル配列３００ｅ及び（サブ）ピクセル配列３００ｆの交互のインスタンスが、その側方面にわたって複製されている（異なる長さを有する線形の第２のサブピクセルセグメント３６１～３６４、及び線形のサブピクセルセグメント間に丸められたサブピクセルセグメントの介在を含むが、これらに限定されないいくつかの特徴は省略されている）。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、少なくとも１つの構成軸３４０、３４５に沿って規則的に離間されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１によって第２の透過性領域３１ｘｂから分離された第１の透過性領域３１ｘａは、（サブ）ピクセル配列３００ｋにおける矢印３８１によって表されるような第１の分離距離だけ離間されてもよいが、これに限定されず、第１の分離距離は、いくつかの非限定的な例では、実質的に約５７．６６ミクロンであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２のサブピクセル３２２によって第３の透過性領域３１ｘｃから分離された第２の透過性領域３１ｘｂは、（サブ）ピクセル配列３００ｋにおける矢印３８２によって表されるような第２の分離距離だけ離間されてもよいが、これに限定されず、第２の分離距離は、いくつかの非限定的な例では、実質的に約５９．１１ミクロンであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第３のサブピクセル３２３によって第４の透過性領域３１ｘｄから分離された第３の透過性領域３１ｘｃは、（サブ）ピクセル配列３００ｋにおける矢印３８３によって表されるような第３の分離距離だけ離間されてもよいが、これに限定されず、第３の分離距離は、いくつかの非限定的な例では、実質的に約６０．５６ミクロンであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ｋにおける破線３８４のいずれか１つによって表されるようなものを含むがそれに限定されない第１のサブピクセル３２１の中心とそれに隣接する第３のサブピクセル３２３との間の距離は、実質的に約５９．１１ミクロンであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ｋにおける矢印３８３によって表されるようなものを含むがこれに限定されない第３の分離距離は、（サブ）ピクセル配列３００ｋにおける矢印３８１によって表されるようなものを含むがこれに限定されない第１の分離距離を超えてもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘのアレイは、そのようなアレイにおける隣接する透過性領域３１ｘ間の距離が、少なくとも１つの構成軸３４０、３４５に沿って、（サブ）ピクセル配列３００ｋにおける矢印３８１によって表されるような第１の分離距離と、（サブ）ピクセル配列３００ｋにおける矢印３８３によって表されるような第３の分離距離との間で交互になるように配列されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、少なくとも１つの構成軸３４０、３４５に沿って不規則に離間されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、図３Ｋの例において各透過性領域３１ｘの面積は、実質的に約５９７．９平方ミクロンであってもよいが、これに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、図３Ｋの例において、透過性領域３１ｘは、破線３８４によって取り囲まれた面積の実質的に約３４．２％を占めてもよいが、これに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、交互配置で配設された透過性領域３１ｘｌ及び３１ｘｒの複数のサブセットを含むことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のサブセット３１ｘｌの透過性領域３１ｘと第２のサブセット３１ｘｒの透過性領域３１ｘとの間にいかなる差も存在しなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１のサブセット３１ｘｌの透過性領域３１ｘのサイズ、形状、及び配向のうちの少なくとも１つは、第２のサブセット３１ｘｒの透過性領域３１ｘのサイズ、形状、及び配向のうちの少なくとも１つと異なってもよく、透過性領域３１ｘ及び放射領域１４０１のうちの少なくとも１つの開口率を最大化することを含むが、これに限定されない。いくつかの非限定的な例では、図３Ｋに開示される視野において平面図で見たときに、第１のサブセット３１ｘｌの透過性領域３１ｘは左に向けられてもよく、第２のサブセット３１ｘｒの透過性領域３１ｘは右に向けられてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１のサブセット３１ｘｌ、３１ｘｒの透過性領域３１ｘは、第１のＦＭＭのそれぞれの開口に対応してもよく、第２のサブセット３１ｘｌ、３１ｘｒの透過性領域３１ｘは、第２のＦＭＭのそれぞれの開口に対応してもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、ＦＭＭの閾値構造完全性を維持することを含むがこれに限定されない所与のＦＭＭの開口の最大数及び／又は最小間隔を達成するために、複数のサブセット３１ｘｌ、３１ｘｒに分割されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、透過性境界３１ｘは、四辺形以外の形状、又はその中のいくつかの非限定的な例に示されているような丸みを帯びた角を有する四辺形（（丸みを帯びた）四辺形）形状を有してもよく、（丸みを帯びた）多角形（（丸みを帯びた）三角形、円形、楕円形、及び星形を含むがこれらに限定されない）のうちの１つを含むがこれらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３のうちの少なくとも１つのそれぞれの放射領域１４０１のサブピクセル境界３５０、３６０、３７０は、本明細書のいくつかの非限定的な例に示すように、（丸みを帯びた）四角形以外の形状を有してもよく、（丸みを帯びた）多角形（（丸みを帯びた）三角形、円形、卵形、楕円形、及び星形を含むが、これらに限定されない）のうちの１つを含むが、これらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、透過性境界３１ｘ及び少なくとも１つのサブピクセル境界３５０、３６０、３７０の形状は、サブピクセル境界３５０、３６０、３７０の少なくとも一部が透過性境界３１ｘの対応する部分から実質的に一定の間隔であり、ＥＭ放射線の透過及び／又は放射のために使用されるディスプレイパネルの信号交換部２０３におけるパネル面積の割合の増加を容易にし、透過性領域３１ｘ及び／又は放射領域１４０１のそれぞれの開口率を増加させるという点で、相補的であってもよい。
次に図３Ｌを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｌがその側方面にわたって複製されている。（サブ）ピクセル配列３００ｌにおいて、長方形の透過性境界３１ｘは、円形の透過性境界３９１内で置き換えられていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第３のサブピクセル３２３の放射領域１４０１は、実質的に星形の信号交換第３のサブピクセル輪郭３７０１を有することができ、これは、いくつかの非限定的な例では、円形、卵形、及び楕円形のうちの１つを含むがこれらに限定されない湾曲した外周の凹形部分（４分の１を含むがこれらに限定されない）を含むがこれらに限定されない複数（４つを含むがこれらに限定されない）の湾曲した頂点を接合することによって形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘについて多角形のサブピクセル輪郭を星形のサブピクセル輪郭に置き換えることは、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの開口率を増加させることを容易にすることができ、透過性領域３１ｘが円形、卵形、及び楕円形のうちの１つである透過性境界を有する場合を含むが、これに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、星形の信号交換第３のサブピクセル輪郭３７０１の湾曲した外周の曲率半径は、透過性境界３９１と第３のサブピクセル境界３７０１の湾曲した外周との間の実質的に一定の分離を維持するように、それに近接する透過性境界３１ｘを画定する円形、卵形、及び楕円形のうちの１つの曲率半径に実質的に等しくてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような分離は、少なくとも約８ミクロン、少なくとも約１０ミクロン、少なくとも約１１ミクロン、及び少なくとも約１２ミクロンのうちの１つであってもよい。
比較として、（サブ）ピクセル配列３００ｌにおける信号交換第１のサブピクセル輪郭３５０の少なくとも１つのインスタンスが、対応する表示第１のサブピクセル輪郭３５５の例の上に重ね合わされて示されている。いくつかの非限定的な例では、信号交換第１のサブピクセル輪郭３５０の横方向範囲は、表示第１のサブピクセル輪郭３５５の横方向範囲にも、少なくとも１つの透過性領域３１１の横方向範囲にも重ならなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、表示第１のサブピクセル輪郭３５５の横方向範囲は、少なくとも１つの透過性領域３１１の横方向範囲と重なり合ってもよい。
比較として、（サブ）ピクセル配列３００ｌにおける信号交換第２のサブピクセル輪郭３６０の少なくとも１つのインスタンスが、対応する表示第２のサブピクセル輪郭３６５の例の上に重ね合わされて示されている。いくつかの非限定的な例では、信号交換第２のサブピクセル輪郭３６０の横方向範囲は、表示第２のサブピクセル輪郭３６５の横方向範囲にも、少なくとも１つの透過性領域３１１の横方向範囲にも重ならなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、表示第２のサブピクセル輪郭３６５の横方向範囲は、少なくとも１つの透過性領域３１１の横方向範囲と重なり合わなくてもよい。
比較として、（サブ）ピクセル配列３００ｌにおける星形信号交換第３のサブピクセル輪郭３７０１の少なくとも１つのインスタンスが、対応する表示第３のサブピクセル輪郭３７５の例の上に重ね合わされて示されている。いくつかの非限定的な例では、星形信号交換第３のサブピクセル輪郭３７０１の頂点は、そのような表示第３のサブピクセル輪郭３７５の横方向範囲を超えて延在してもよい。いくつかの非限定的な例では、表示第３のサブピクセル輪郭３７５の横方向範囲は、少なくとも１つの透過性領域３１１の横方向範囲と重なり合ってもよい。しかしながら、その形状のために、いくつかの非限定的な例では、星形の信号交換第３のサブピクセル輪郭３７０１の横方向範囲は、少なくとも１つの透過性領域３１１の横方向範囲と重なり合わなくてもよい。
次に図３Ｍを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｍがその側方面にわたって複製されている。（サブ）ピクセル配列３００ｍは、第１のサブピクセル３２１の放射領域１４０１が実質的に星形の信号交換第１のサブピクセル輪郭３５０１を有することができるという点で、（サブ）ピクセル配列３００ｌとは異なり、これは、いくつかの非限定的な例では、円形、卵形、及び楕円形のうちの１つを含むがこれに限定されない湾曲した外周の凹形部分（４分の１を含むがこれに限定されない）を含むがこれに限定されない複数（４つを含むがこれに限定されない）の湾曲した頂点を接合することによって形成されてもよい。
これにより、いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの開口率を向上させることができる。図示されていないが、いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの開口率は、信号交換第２のサブピクセル輪郭３６０のうちの少なくとも１つを実質的に星形の第２のサブピクセル輪郭に置き換えることによって更に増加されてもよい。
比較として、（サブ）ピクセル配列３００ｍにおける星形の信号交換第１のサブピクセル輪郭３５０１の少なくとも１つのインスタンスが、対応する表示第１のサブピクセル輪郭３５５の例の上に重ね合わされて示されている。いくつかの非限定的な例では、星形信号交換第１のサブピクセル輪郭３５０１の頂点は、そのような表示第１のサブピクセル輪郭３５５の横方向範囲を超えて延在してもよい。いくつかの非限定的な例では、表示第１のサブピクセル輪郭３５５の横方向範囲は、少なくとも１つの透過性領域３１１の横方向範囲と重なり合ってもよい。しかしながら、その形状のために、いくつかの非限定的な例では、星形の信号交換第１のサブピクセル輪郭３５０１の横方向範囲は、少なくとも１つの透過性領域３１１の横方向範囲と重なり合わなくてもよい。
次に図３Ｎを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｎがその側方面にわたって複製されている。（サブ）ピクセル配列３００ｎは、長方形透過性領域３１ｘが楕円形透過性領域３１２の複数のサブセット３１２ｌ、３１２ｒによって置き換えられているという点で、（サブ）ピクセル配列３００ｊと異なる。いくつかの非限定的な例では、図３Ｎに開示される視野において平面図で見たときに、第１のサブセット３１２ｌの透過性領域３１２は左に向けられてもよく、第２のサブセット３１２ｒの透過性領域３１２は右に向けられてもよい。
次に図３Ｏを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｏがその側方面にわたって複製されている。（サブ）ピクセル配列３００ｎは、第３のサブピクセル３２３の信号交換第３のサブピクセル輪郭３５０が、図３Ｌに示される第３のサブピクセル３２３の星形信号交換第３のサブピクセル輪郭３７０１によって置き換えられている点で、（サブ）ピクセル配列３００ｎと異なる。
３つのサブピクセルを１：１：１の比で有するピクセル
次に図３Ｐを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｐがその側方面にわたって複製されている。（サブ）ピクセル配列３００ｐは、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３のそれぞれの信号交換サブピクセル輪郭３５０、３６０、３７０が、円形信号交換サブピクセル輪郭３５０２、３６０２、３７０２によってそれぞれ置き換えられている点で、（サブ）ピクセル配列３００ｎと異なる。
追加的に、ピクセル２２１０のサブピクセル構成は、四角形の４サブピクセル（１：２：１の比のＲ－Ｇ－Ｂ）構成から三角形の３サブピクセル（１：１：１の比のＲ－Ｇ－Ｂ）デルタ構成に変更されており、破線の輪郭３３６によって示され、それぞれが楕円形の透過性領域３１２を取り囲んでいる。いくつかの非限定的な例では、第２のサブピクセル３２２の面積は、４サブピクセル構成における第２のサブピクセル３２２の数に対する、そのような３サブピクセル構成における第２のサブピクセル３２２の数の減少を補償するために増加され得る。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１２は、交互配置で配設された透過性領域３１２ａ、３１２ｂ、及び３１２ｃの複数のサブセットを含むことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のサブセット３１２ａの透過性領域３１２と、第２のサブセット３１２ｂの透過性領域３１２と、第３のサブセット３１２ｃの透過性領域３１２との間にいかなる差も存在しなくてもよい。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ｐは、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３の交互の列の第１の行と、約１．５個のサブピクセルの間隔だけ横方向にオフセットされた同様の交互の列の第２の行とを含み、透過性領域３１２（のサブセットの交互の列）の行がそれらの間に配置されていると理解され得ることを理解するであろう。
次に図３Ｑを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｑがその側方面にわたって複製されている。（サブ）ピクセル配列３００ｑは、楕円形透過性領域３１２（のサブセット）が、実質的に三角形透過性領域３１３の複数のサブセット３１３ａ、３１３b、３１３cによって置き換えられているという点で、（サブ）ピクセル配列３００ｐとは異なる。
いくつかの非限定的な例では、実質的に三角形の透過性領域３１３を必要とするいくつかのシナリオが存在する場合があり、これには、限定はしないが、ピクセル２２１０の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘが、（サブ）ピクセル配列３００ｑなどの三角形の３ピクセルデルタ構成に配置されて、（サブ）ピクセル配列３００ｐの実質的に楕円形の透過性領域３１２の開口率に対して、限定はしないが、透過性領域３１３の開口率を実質的に増加させる場合が含まれる。
いくつかの非限定的な例では、示されているように、三角形の頂点は、外周が実質的に六角形の構成を有するように切り取られ、３つの細長い線形セグメントが３つの切り取られた線形セグメントによって結合され、それらの間に延在する。図示されていないが、いくつかの非限定的な例では、三角形の頂点が存在し得る。図示されていないが、いくつかの非限定的な例では、３つの細長い線形セグメントは、３つの実質的に湾曲したセグメントによって結合されてもよく、それらの間に延在してもよい。
図示されていないが、いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３のそれぞれの実質的に円形の信号交換サブピクセル輪郭３５０２、３６０２、３７０２を、それぞれ三角形の信号交換サブピクセル輪郭に置き換えることによって、透過性領域３１３の開口率を増加させることができる。
次に図３Ｒを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｒがその側方面にわたって複製されている。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ｒは、実質的に従来のＲＧＢ構成で位置決めされた第１の３（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘピクセル２２１０を含むが、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのうちの１つ（図では第３のサブピクセル３２３）は一方の側に横方向に移動され、第２の３（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘピクセル２２１０では、対応する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘがその反対側に横方向に移動され、その結果、移動された（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのインスタンス間に透過性領域３１０が挿入され得る。いくつかの非限定的な例では、各ピクセル２２１０を閉塞する実質的に四辺形の輪郭３３７が存在してもよい。いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１０は、輪郭３３７の境界と重なり得る。
次に図３Ｓを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３が示されており、例示的な（サブ）ピクセル配列３００ｓがその側方面にわたって複製されている。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル配列３００ｓは、サブピクセルグループ３２５と透過性領域３１ｘとの交互アレイを含む。いくつかの非限定的な例では、サブピクセルグループ３２５と透過性領域３１ｘとは、市松模様状に配設されている。いくつかの非限定的な例では、サブピクセルグループ３２５及び透過性領域３１ｘの少なくとも一方は、略長方形の構成を画定し得る。
いくつかの非限定的な例では、サブピクセルグループ３２５は、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３の各々を複数含むことができる。いくつかの非限定的な例では、サブピクセルグループ３２５は、第１のサブピクセル３２１及び第３のサブピクセル３２３の各々を２つと、第２のサブピクセル３２２の各々を４つとを含むことができ、その結果、サブピクセルグループ３２５は、２つの４サブピクセル（１：２：１の比のＲ－Ｇ－Ｂ）ピクセル２２１０と同等であるとみなすことができる。
いくつかの非限定的な例では、複数の第２のサブピクセル３２２の各々は、実質的に同一のサイズ及び構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、複数の第２のサブピクセル３２２の各々は、長軸及び短軸を有する実質的に長方形の構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、複数の第２のサブピクセル３２２は、サブピクセルグループ３２５のサブピクセルグループ軸３２６に沿って位置合わせされ得る。いくつかの非限定的な例では、サブピクセルグループ軸３２６は、サブピクセルグループ３２５を実質的に二等分することができる。いくつかの非限定的な例では、サブピクセルグループ軸３２６は、第２のサブピクセル３２２の短軸に実質的に平行であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、複数の第１のサブピクセル３２１の各々は、実質的に同一のサイズ及び構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１のうちの第１のサブピクセルは、複数の第２のサブピクセル３２２の一方の側に、サブピクセル軸３２６の方向にサブピクセルグループ３２５の一方の端部に向かって、サブピクセル軸３２６に実質的に平行に配設されてもよく、第１のサブピクセル３２１のうちの第２のサブピクセルは、複数の第２のサブピクセル３２２の反対側に、サブピクセル軸３２６の方向にサブピクセルグループ３２５の反対側の端部に向かって配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１のうちの第２のサブピクセルの構成は、第１のサブピクセル３２１のうちの第１のサブピクセルの構成に対して１８０°回転されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、複数の第３のサブピクセル３２３の各々は、実質的に同一のサイズ及び構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第３のサブピクセル３２３のうちの第１のサブピクセルは、複数の第２のサブピクセル３２２の一方の側に、サブピクセル軸３２６の方向にサブピクセルグループ３２５の一方の端部に向かって、サブピクセル軸３２６に実質的に平行に配設されてもよく、第３のサブピクセル３２１のうちの第２のサブピクセルは、複数の第２のサブピクセル３２２の反対側に、サブピクセル軸３２６の方向にサブピクセルグループ３２５の反対側の端部に向かって配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３のサブピクセル３２３のうちの第１のサブピクセルは、複数の第２のサブピクセル３２２の同じ側に配設されてもよく、第１のサブピクセル３２１のうちの第１のサブピクセルに対してサブピクセルグループ３２５の反対側の端部に向かって配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３のサブピクセル３２１のうちの第２のサブピクセルの構成は、第３のサブピクセル３２１のうちの第１のサブピクセルの構成に対して１８０°回転されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における放射領域１４０１の開口率、いくつかの非限定的な例では、第１のサブピクセル３２１の放射領域１４０１、第２のサブピクセル３２２の放射領域１４０１、及び第３のサブピクセル３２３の放射領域１４０１の全てを考慮した開口率は、少なくとも約２０％、少なくとも約１５％、少なくとも約１０％、及び少なくとも約８％のうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における透過性領域３１ｘの開口率は、少なくとも約５０％、少なくとも約４５％、少なくとも約４０％、少なくとも約３５％、少なくとも約３３％、少なくとも約３０％、及び少なくとも約２５％のうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における放射領域１４０１及び透過性領域３１ｘの開口率の合計は、約３０～６０％、約３５～６０％、約４０～６０％、約３５～５５％、約４０～５０％、約４５～５５％、及び約４５～５０％のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３において、放射領域１４０１の開口率は約５～１０％であってもよく、透過性領域３１ｘの開口率は約３０～５０％であってもよい。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３において、放射領域１４０１の開口率は約６～９％であってもよく、透過性領域３１ｘの開口率は約３５～４５％であってもよい。
＊＊透過性領域を収容するために表示部に対して信号交換部のピクセルを減少させる
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３のピクセル密度は、ディスプレイパネル２００の表示部２０７のピクセル密度よりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、構成、及びピッチのうちの少なくとも１つは、ディスプレイパネル２００の表示部２０７における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、構成、及びピッチと実質的に同一であってもよいが、そのような（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの数は、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３において減少されてもよい。このようなシナリオでは、共通のＦＭＭを信号交換部２０３及び表示部２０７の両方に使用することができ、それに伴って製造コスト及び複雑さが低減される。そのようなシナリオでは、信号交換部２０３に存在しない（省略された）（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応するＦＭＭにおける開口は、信号交換部２０３とともに使用されるときに、少なくとも１つの空隙がそこから生じ得るように、覆われ得るか又は遮断され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘは、信号交換部２０３から省略された（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する空隙内に形成されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの全ての放射領域１４０１の開口率は、約１２～２５％のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における透過性領域３１ｘの開口率は、そのような部分に存在する透過性領域３１ｘの全ての開口率の合計であってもよく、約１５～４０％、約２０～４０％、約１５～３５％、及び約２０～３５％のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの全ての放射領域１４０１の開口率は、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３を含むがそれらに限定されない、そのような部分内に存在する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの全ての開口率の合計であってもよく、約１２～２５％であってもよく、その中の透過性領域３１ｘの開口率は、約３０～４５％であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの全ての放射領域１４０１と透過性領域３１ｘの開口率の合計は、約６０％以下、約５５％以下、約５０５以下、約４５％以下、及び約４０％以下のうちの１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの全ての放射領域１４０１と透過性領域３１ｘと開口率の合計は、約３０～６０％、約３５～６０％、約４０～６０％、約３５～５５％、約４０～５０％、約４５～５５％、及び約４５～５０％のうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘのサイズは、少なくとも約１０ミクロンであってもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘのサイズは、約１０～１５０ミクロン、約１０～１３０ミクロン、約１５～１００ミクロン、約２０～８０ミクロン、約２０～６５ミクロン、約２５～６０ミクロン、及び約３０～５０ミクロンのうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのサブピクセルセグメント３５１～３５４、３６１～３６４、３７１～３７４と、それに近接する対応する少なくとも１つの透過性境界セグメント３９１～３９４とは、最小距離だけ分離され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような最小距離は、いくつかの非限定的な例では、製造プロセスにおける制約に相関され得るが、約５ミクロン、約６ミクロン、約８ミクロン、約１０ミクロン、約１１ミクロン、及び約１２ミクロンのうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような最小距離は、約５～１５ミクロン、約６～１２ミクロン、及び約８～１０ミクロンのうちの１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのピクセル２２１０全体が信号交換部２０３から省略されていてもよい。
次に図４Ａを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３の断片２０３ａ及び表示部２０７の断片２０７ａが平面図で示されている。説明のために、いくつかの例示的なピクセル２２１０が、表示部断片２０７ａにおいて破線の輪郭で示されている。図示される信号交換部断片２０３ａと表示部断片２０７ａとの間には、同じ信号交換部２０３（の断片）、少なくとも１つの異なる信号交換部２０３、同じ表示部２０７（の断片）、少なくとも１つの異なる表示部２０７、及び少なくとも１つの遷移領域５００のうちの少なくとも１つを含み得るディスプレイパネル２００の他の部分が存在し得ることが理解されるであろう。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、構成、及びピッチは、表示部２０７におけるものと同じである。しかしながら、信号交換部断片２０３ａを表示部断片２０７ａと比較すると、信号交換部２０３において、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘが配設され得る表示部２０７（透明度が増加して示されている）において、各々の第２のピクセル２２１０に対応する空隙が存在し得る。したがって、信号交換部２０３のピクセル密度は、表示部２０７のピクセル密度の約５０％であることが理解されよう。
サブピクセル３２ｘは、各断片２０３ａ、２０７ａにおいて、実質的に円形の形状、実質的に均一なサイズ及びピッチを有し、４サブピクセル（１：２：１の比のＲ－Ｇ－Ｂ）ピクセル２２１０ボックス構成において、単に例示の目的のために示されており、（サブ）ピクセル配列３００における（サブ）ピクセル構成（（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ及び／又は透過性領域３１ｘが省略の有無にかかわらず）のいずれかを含むがこれらに限定されない、本明細書で説明される例は、信号交換部２０３又は表示部２０７のいずれかにおける（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、構成、配向、及びピッチを何らかの形で限定するものとみなされるべきではない。
透過性領域３１ｘは、実質的に長方形の形状と、実質的に均一なサイズ及び配向とを有するように示されているが、これは単に例示のためであり、（サブ）ピクセル配列３００における（サブ）ピクセル構成（（サブ）ピクセル及び／又は透過性領域３１ｘの省略の有無にかかわらず）のいずれかを含むがこれらに限定されない本明細書で説明する例は、信号交換部２０３における透過性領域３１ｘのサイズ、形状、構成、及び配向のいずれかを何らかの形で限定するものとみなされるべきではない。
次に図４Ｂを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３の断片２０３ｂ及び表示部２０７の断片２０７ｂが平面図で示されている。信号交換部断片２０３ｂを表示部断片２０７ｂと比較すると、信号交換部２０３において、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘが配設され得る表示部２０７（透明度を増加して示されている）において、各々の第２のピクセル２２１０の４つのサブピクセル３２ｘのうちの３つに対応する空隙が存在し得る。したがって、信号交換部２０３のピクセル密度は、表示部２０７のピクセル密度の約６２．５％であることが理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、３つの省略されたサブピクセル３２ｘは、各第２のピクセル２２１０の４つのサブピクセル３２ｘのうちの３つの任意の組み合わせに対応することができ、図示されるように、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３のそれぞれ１つを含むが、これらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、省略された３つのサブピクセル３２ｘは、異なる連続する第２のピクセル２２１０であってもよい。非限定的な例として、次に図４Ｃを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３の断片２０３ｃ及び表示部２０７の断片２０７ｃが平面図で示されている。信号交換部断片２０３ｃは、第２のピクセル２２１０の各ブロックにおいて、省略された３つのサブピクセル３２ｘが第２のサブピクセル３２２のうちの異なるサブピクセルを含むという点で、信号交換部断片２０３ｂと異なる。
次に図４Ｄを参照すると、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３の断片２０３ｄ及び表示部２０７の断片２０７ｄが平面図で示されている。信号生成部断片２０３ｄを表示部断片２０７ｄと比較すると、信号交換部２０３において、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘが配設され得る表示部２０７（透明度を増加して示されている）において、各々の第２のピクセル２２１０の４つのサブピクセル３２ｘのうちの２つに対応する空隙が存在し得る。したがって、信号交換部２０３のピクセル密度は、表示部２０７のピクセル密度の約７５％であることが理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、２つの省略されたサブピクセル３２ｘは、各第２のピクセル２２１０の４つのサブピクセル３２ｘのうちの２つの任意の組み合わせに対応することができ、図示されているように、第２のピクセル２２１０の各第２のブロックにおいて、２つのサブピクセル３２ｘは、第２のサブピクセル３２２のうちの異なる１つと、第１のサブピクセル３２１及び第３のサブピクセル３２３のうちの異なる１つとを含むが、これに限定されない。
＊＊信号交換部における（サブ）ピクセルのピッチを表示部のピッチの倍数以外に変更する
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３におけるピッチが、ディスプレイパネル２００の表示部２０７におけるピッチと実質的に等しいか、又はディスプレイパネル２００の表示部２０７におけるピッチの整数倍であることを必要とするシナリオが存在し得るが、これは、限定ではないが、製造を単純にすることを含み、限定ではないが、ディスプレイパネル２０３の信号交換部２００及び表示部２０３の両方に対してＦＭＭの使用を可能にすることを含み、いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのピッチを、ディスプレイパネル２００の表示部２０７におけるピッチの非整数倍である値に変更することによって、信号交換部の（サブ）ピクセル配列が、そこへの透過性領域３１ｘの導入に対応するように変更され得る。
ハイブリッドな手法
ディスプレイパネル２０７の信号交換部２０３における透過性領域３１ｘの導入に対応するための様々な手法の例が提供されており、限定するものではないが、以下を含む。
・ディスプレイパネルの信号交換部２０３において、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、及び構成の少なくとも１つを減少させる
・ディスプレイパネルの信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの数及び／又は密度を減少させる
・信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのピッチを、ディスプレイパネル２００の表示部２０７におけるピッチの非整数倍である値に変更する。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における透過性領域３１ｘの導入に対応するために、そのような手法のうちの複数又は全てをハイブリッド手法として組み合わせることができることを理解するであろう。
更に、本開示の趣旨又は範囲から逸脱することなく、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における透過性領域３１ｘの導入に対応するために、前述の手法のうちの１つ以上及び／又はそれらのハイブリッドな合わせの採用が、少なくとも１つの他の手法と組み合わされてもよいことが理解されよう。
＊＊信号交換部と表示部との間に遷移領域を導入して、それらの間の見かけ上の差を減少させる
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３及び表示部２０７における放射領域１４０１の開口率及びピクセル密度のうちの少なくとも１つの間の見かけ上又は視覚的に知覚される差を低減するための一手段は、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３及び表示部２０７のうちの少なくとも１つの周りに、及び／又はそれらの間に、少なくとも１つの遷移領域５００を確立することを含み得、各遷移領域は、放射領域１４０１の中間の開口率、サイズ、形状、配向、及び／又はピッチを有し、それらの間のそのような見かけ上又は視覚的に知覚される差を、ディスプレイパネル２００の増大した側方面にわたって分散させる。
いくつかの非限定的な例では、そのような遷移領域５００は、信号交換部２０３が表示部２０７のピクセル密度と実質的に等しいピクセル密度によって特徴付けられ、透過性領域３１ｘの導入に対応するために信号交換部における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、及び構成のうちの少なくとも１つの低減によって特徴付けられるか、信号交換部２０３が、透過性領域３１ｘの導入に対応するために信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの数及び／又は密度の低減によって特徴付けられるか、信号交換部２０３が、ディスプレイパネル２００の表示部２０７におけるピッチの非整数倍である値へのディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における（サブ）ピクセルのピッチの変更によって特徴付けられるか、信号交換部２０３が、上記のいずれかの任意のハイブリッドな組み合わせによって特徴付けられるかにかかわらず、導入されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの遷移領域５００は、信号交換部２０３及び表示部２０７のうちの少なくとも１つを取り囲む外周又は境界に沿って配置されてもよいが、これに限定されない。
次に図５Ａを参照すると、信号交換部２０３の断片２０３ｅ、表示部２０７の断片２０７ｅ、及びそれらの間に横方向に延在する少なくとも１つの遷移領域５００の断片５００ａが平面図で示されている。説明のために、いくつかの例示的なピクセル２２１０が、表示部断片２０７ｅ及び遷移領域断片５００ａの両方において破線の輪郭で示されている。図示される表示部断片２０７ｅと遷移領域断片５００ａとの間には、同じ表示部２０７（の断片）、少なくとも１つの異なる表示部２０７（の断片）、同じ遷移領域５００（の断片）、及び少なくとも１つの異なる遷移領域５００のうちの少なくとも１つを含み得るディスプレイパネル２００の他の部分が存在し得ることが理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのピクセル密度は、遷移領域５００及び表示部２０７と同じである。しかしながら、信号交換部断片２０３ｅと、遷移領域断片５００ａ及び表示部断片２０７ｅの両方との比較から、いくつかの非限定的な例では、遷移領域５００における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、構成、及びピッチのうちの少なくとも１つは、表示部２０７におけるそのサイズ、形状、構成、及びピッチのうちの対応する少なくとも１つに対するサイズの縮小を含むがこれに限定されずに変更されてもよく、いくつかの非限定的な例では、信号交換部２０３における（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、構成、及びピッチのうちの少なくとも１つは、遷移領域５００におけるそのサイズ、形状、構成、及びピッチのうちの対応する少なくとも１つに対するサイズの縮小を含むがこれに限定されずに、変更されてもよい。
したがって、信号交換部２０３と表示部２０７との間に少なくとも１つの遷移領域５００を介在させることにより、信号交換部２０３におけるピクセル密度と表示部２０７におけるピクセル密度との間の見かけ上の差又は視覚的に知覚される差を低減することが容易になり得る。
サブピクセル３２ｘは、各断片２０３ｅ、５００ａ、２０７ｅにおいて、実質的に四角形の形状で、第３のサブピクセル３２３（最大）から第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２（最小）までの範囲の異なるサイズを有し、４サブピクセル（１：２：１の比のＲ－Ｇ－Ｂ）ピクセル２２１０ボックス構成において、単に例示の目的のために示されており、（サブ）ピクセル配列３００における（サブ）ピクセル構成（（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ及び／又は透過性領域３１ｘが省略の有無にかかわらず）のいずれかを含むがこれらに限定されない、本明細書で説明される例は、信号交換部２０３、遷移領域５００、又は表示部２０７のいずれかにおける（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、構成、配向、ピクセル密度及びピッチを何らかの形で限定するものとみなされるべきではない。
透過性領域３１ｘは、実質的に円形の形状と、各断片において実質的に均一なサイズ及び配向とを有するように示されているが、これは単に例示のためであり、（サブ）ピクセル及び／又は透過性領域３１ｘの省略の有無にかかわらず、（サブ）ピクセル配列３００における（サブ）ピクセル構成のいずれかを含むがこれらに限定されない本明細書で説明する例は、信号交換部２０３、遷移領域５００、又は表示部２０７のいずれかにおける（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサイズ、形状、構成、配向、ピクセル密度、及びピッチのいずれかを何らかの形で限定するものとみなされるべきではない。
次に図５Ｂを参照すると、信号交換部２０３の断片２０３ｆ、表示部２０７の断片２０７ｆ、及びそれらの間に横方向に延在する少なくとも１つの遷移領域５００の断片５００ｂが平面図で示されている。遷移領域断片５００ｂを表示部２０７ｆと比較すると、いくつかの非限定的な例では、遷移領域５００において、少なくとも１つの透過性領域３１ｘが配設され得る表示部２０７（透明度が増加して示されている）において、各々の第２のピクセル２２１０の４つのサブピクセル３２ｘのうちの３つに対応する空隙が存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、３つの省略されたサブピクセル３２ｘは、各第２のピクセル２２１０の４つのサブピクセル３２ｘのうちの３つの任意の組み合わせに対応することができ、図示されるように、第１のサブピクセル３２１、第２のサブピクセル３２２、及び第３のサブピクセル３２３のそれぞれ１つを含むが、これらに限定されない。
信号交換部２０３を遷移領域５００と比較すると、信号交換部２０３において、少なくとも１つの（サイズが増加した）透過性領域３１ｘが配設され得る遷移領域５００（透明度が増加して示されている）において、各々の第２のサブピクセル２２１０の残りのサブピクセル３２ｘに対応する空隙が存在し得る。
したがって、遷移領域５００におけるピクセル密度は、表示部２０７におけるピクセル密度の実質的に約６２．５％であってもよく、信号交換部２０３におけるピクセル密度は、表示部２０７におけるピクセル密度の実質的に約５０％であってもよいことが理解され得る。
本開示では、透過性領域３１ｘは、ディスプレイパネル２００の信号交換部２０３における放射領域１４０１間に配置された別個の特徴として示されているが、いくつかの非限定的な例では、図示されていないが、少なくとも１つの透過性領域３１ｘが、複数の放射領域１４０１にわたって横方向に延在し、実質的にそれを取り囲むように、連続的に形成されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも各放射領域１４０１において、少なくとも１つの有機及び／又は半導体層１０３０（図１０）を取り囲む第１の電極１０２０（図１０）及び第２の電極１０４０（図１０）を含む複数の層が基板１０上に配設されてもよく、電極１０２０、１０４０は電源１００５（図１０）と電気的に結合されてもよい。通電されると、電極１０２０、１０４０のうちの一方（「アノード」）は電子を生成することができ、他方の電極１０２０、１０４０（「カソード」）は正孔を生成することができ、少なくとも１つの半導体層１０３０を通って互いに向かって移動する傾向があり、最終的に結合して、そこから光子の形態でＥＭ放射を放射する。
いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、そこを通る外部ＥＭ放射の透過を強化するために、少なくとも１つの層又は材料の存在を省略又は低減するように構成され得る。いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘにおける第２電極１０４０の平均層厚は、ディスプレイパネル２００の他の領域の平均層厚以下であってもよい。いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘにおける第２の電極１０４０の平均層厚は、放射領域１４０１におけるその平均層厚以下であってもよい。いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘは、第２の電極１０４０を形成するための材料（「第２の電極材料」）の閉鎖被膜１４０を実質的に欠いていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの透過性領域３１ｘを含むがこれに限定されない、第２の電極材料の閉鎖被膜１４０を実質的に欠いている領域（「カソードフリー領域」）は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの放射領域１４０１を含むがこれに限定されない他の領域とは異なる光電子特性を示し得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなカソードフリー領域は、それにもかかわらず、少なくとも１つの粒子構造８４１（図８Ｃ）又はそのような粒子構造８４１の少なくとも１つのインスタンスの不連続層８４０（図８Ｃ）の形態を含むがこれに限定されない、いくつかの第２の電極材料を含有し得る。
いくつかの非限定的な例では、これは、第２の電極材料のレーザアブレーションによって達成され得る。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、レーザアブレーションはデブリ雲を生成する場合があり、これは蒸着プロセスに影響を与える場合がある。
いくつかの非限定的な例では、これは、第２の電極１０４０をその上に形成するための堆積材料７３１を堆積させる前に、少なくとも１つの半導体層１０３０の露出した層表面１１上にパターンで、ＦＭＭを使用して、いくつかの非限定的な例では核形成阻害被膜（ＮＩＣ）であり得るパターニング被膜１１０を配設することによって達成され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、少なくとも１つの半導体層１０３０の露出した層表面１１の堆積材料７３１の堆積に対する初期付着確率以下である堆積材料７１１の堆積に対する初期付着確率を含むがこれに限定されない、その上に堆積される堆積材料７３１の蒸気フラックスの傾向に影響を与えるように適合され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０が、透過性領域３１ｘのうちの少なくともいくつかを含むがこれに限定されない予行方向面の第１の部分１０１に対応し得るパターンで堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、透過性領域３１ｘの異なるサブセット３４０ａ、３４０ｂにそれぞれ対応する、第１の部分１０１内の異なるパターンを画定する異なるＦＭＭを各々が使用する複数の段階で堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル２００は、パターニング被膜１１０の堆積（の全ての段階）に続いて、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスのうちの少なくとも１つにおいて、堆積材料７３１の蒸気フラックスに曝されて、側方面の第１の部分１０１ではなく、側方面の少なくとも第２の部分１０２において、（サブ）ピクセル３４ｘに対応する放射領域１４０１の各々のための第２の電極１０４０を形成してもよい。
パターン二ング
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１において、パターニング材料６１１（いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣ材料であり得る）を含むパターニング被膜１１０は、第１の部分１０１においてのみ、デバイス１００の下層（基板１０を含むが、これに限定されない）の露出層表面１１上に閉じた被膜１４０として選択的に堆積され得る。しかしながら、第２の部分１０２では、下層の露出層表面１１は、パターニング材料６１１の閉じた被膜１４０を実質的に欠く場合がある。
パターニング被膜
パターニング被膜１１０は、パターニング材料６１１を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、パターニング材料６１１の閉鎖被膜１４０を含み得る。
パターニング被膜１１０は、そのような表面を蒸気フラックス露出する際にそこに堆積される堆積材料７３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率（いくつかの非限定的な例では、Ｗａｌｋｅｒらによって記載されたデュアルＱＣＭ技術で特定された条件下で）を有する露出層表面１１を提供することができ、この初期付着確率は、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０が堆積されたデバイス１００の下層の露出層表面１１上に堆積される堆積材料７３１の堆積に対する初期付着確率よりも実質的に低くすることができる。
堆積材料７３１の堆積に対する、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１の低い初期付着確率を含むがこれに限定されない属性のために、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として堆積されるとき、またデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積と同様の状況下で、パターニング被膜１１０を含む第１の部分１０１は、堆積材料７３１の閉じた被膜１４０を実質的に欠く場合がある。
しかしながら、堆積材料７３１の蒸気フラックスへのデバイス１００の曝露は、いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２における堆積材料７３１の堆積層１３０の閉鎖被膜１４０の形成をもたらし得、下地層の露出層表面１１は、パターニング被膜１１０を実質的に欠いている。
パターニング被膜及び／又はパターニング材料の属性
初期付着確率
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約０．３以下、約０．２以下、約０．１５以下、約０．１以下、約０．０８以下、約０．０５以下、約０．０３以下、約０．０２以下、約０．０１以下、約０．００８以下、約０．００５以下、約０．００３、約０．００１以下、約０．０００８以下、約０．０００５以下、約０．０００３以下、又は約０．０００１以下のうちの少なくとも１つである、堆積材料７３１の堆積に抗する初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約０．３以下、約０．２以下、約０．１５以下、約０．１以下、約０．０８以下、約０．０５以下、約０．０３以下、約０．０２以下、約０．０１以下、約０．００８以下、約０．００５以下、約０．００３以下、約０．００１以下、約０．０００８以下、約０．０００５以下、約０．０００３以下、又は約０．０００１以下のうちの少なくとも１つである、Ａｇ及び／又はＭｇの堆積に抗する初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約０．１５～０．０００１、約０．１～０．０００３、約０．０８～約０．０００５、約０．０８～０．０００８、約０．０５～０．００１、約０．０３～０．０００１、約０．０３～０．０００３、約０．０３～０．０００５、約０．０３～０．０００８、約０．０３～０．００１、約０．０３～０．００５、約０．０３～０．００８、約０．０３～０．０１、約０．０２～０．０００１、約０．０２～０．０００３、約０．０２～０．０００５、約０．０２～０．０００８、約０．０２～０．００１、約０．０２～０．００５、約０．０２～０．００８、約０．０２～０．０１、約０．０１～０．０００１、約０．０１～０．０００３、約０．０１～０．０００５、約０．０１～０．０００８、約０．０１～０．００１、約０．０１～０．００５、約０．０１～０．００８、約０．００８～０．０００１、約０．００８～０．０００３、約０．００８～０．０００５、約０．００８～０．０００８、約０．００８～０．００１、約０．００８～０．００５、約０．００５～０．０００１、約０．００５～０．０００３、約０．００５～０．０００５、約０．００５～０．０００８、及び約０．００５～０．００１のうちの少なくとも１つの堆積材料７３１の堆積に抗する初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、閾値以下である、複数の堆積材料７３１の堆積に抗する初期付着確率を有し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる閾値は、約０．３、約０．２、約０．１８、約０．１５、約０．１３、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、約０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、及び約０．００１のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として堆積されるとき、またデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積と同様の状況下で、Ａｇ、Ｍｇ、イッテルビウム（Ｙｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、及び亜鉛（Ｚｎ）のうちの少なくとも１つから選択される複数の堆積材料７３１の堆積に対して、そのような閾値未満である初期付着確率を有し得る。いくつかの更なる非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂのうちの少なくとも１つから選択される複数の堆積材料７３１の堆積に抗する、かかる閾値以下の初期付着確率を呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、第１の閾値以下の第１の堆積材料７３１の堆積に抗する初期付着確率と、第２の閾値以下の第２の堆積材料７３１の堆積に抗する初期付着確率とを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積材料７３１はＡｇであり得、第２の堆積材料７３１はＭｇであり得る。いくつかの他の非限定的な例では、第１の堆積材料７３１はＡｇであり得、第２の堆積材料７３１はＹｂであり得る。いくつかの他の非限定的な例では、第１の堆積材料７３１はＹｂであり得、第２の堆積材料７３１はＭｇであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の閾値は第２の閾値より大きくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０が堆積材料７３１の蒸気フラックスに供されると、少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０の形成を引き起こすためのパターニング被膜１１０を提供することを必要とするシナリオが存在し得る。少なくともいくつかの用途では、パターニング被膜１１０は、堆積材料の閉鎖被膜１４０がパターニング被膜１１０を実質的に欠いていてもよい第２の部分１０２に形成され得る一方で、少なくとも１つの特質を有する少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０がパターニング被膜１１０上の第１の部分１０１に形成され得るように、十分に低い初期付着確率を呈し得る。いくつかの非限定的な例では、例えば、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つの厚さを有する堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０を堆積させながら、第２の部分１０２において、いくつかの非限定的な例では、金属又は金属合金であり得る堆積材料７３１の少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０の形成を必要とするシナリオが存在し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内の少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０として堆積された堆積材料７３１の相対量は、第２の部分１０２内の閉鎖被膜１４０として堆積された堆積材料７３１の量の約１～５０％、約２～２５％、約５～２０％、及び約７～１０％のうちの少なくとも１つに対応し得、非限定的な例として、約１００ｎｍ以下、約７５ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの１つの厚さに対応し得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、薄膜として堆積されたときに比較的高い表面エネルギーを明示する材料を含有するパターニング被膜１１０は、いくつかの非限定的な例では、限定することなく含まれるが、閉鎖被膜の厚さが、非限定的な例として、約１００ｎｍ、約７５ｎｍ、約５０ｎｍ、約２５ｎｍ、又は約１５ｎｍのうちの少なくとも１つ以下である場合、第１の部分１０１における堆積材料７３１の少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０と、第２の部分２０２における堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０と、を形成し得ることが分かった。
透過率
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターン二ング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として堆積されたとき、またデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積と同様の状況下で、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料７３１の蒸気フラックスに曝された後に、少なくとも閾値透過率値のＥＭ放射線に対する透過率を有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、そのような透過率は、薄膜として形成されたパターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１の露出層表面１１を、いくつかの非限定的な例では有機発光ダイオード（organic light-emitting diode、ＯＬＥＤ）デバイスのカソードであり得る光電子デバイスの電極を堆積させるために使用され得る典型的な条件下で、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料７３１の蒸気フラックスに露出した後に測定され得る。
いくつかの非限定的な例では、露出層表面１１を、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料７３１の蒸気フラックスに供するための条件は、（ｉ）約１０－４Ｔｏｒｒ及び約１０－５Ｔｏｒｒのうちの１つの真空圧、（ｉｉ）Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料７３１の蒸気フラックスは、いくつかの非限定的な例では、ＱＣＭを使用して監視及び／又は測定され得る、約１オングストローム（Å）／秒の基準堆積速度と実質的に一致し、（ｉｉｉ）堆積材料７３１の蒸気フラックスは、露出層表面１１の平面への直交に実質的に近い角度で、露出層表面１１に向かい、（ｉｖ）約１５ｎｍの基準平均層厚に達するまで、露出層表面１１は、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料７３１の蒸気フラックスを受け、そのような基準平均層厚に達すると、露出層表面１１は、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料の蒸気フラックスを更に受けない。
いくつかの非限定的な例では、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料７３１の蒸気フラックスに供される露出層表面１１は、実質的に室温（例えば、約２５℃）であり得る。いくつかの非限定的な例では、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料７３１の蒸気フラックスを受ける露出層表面１１は、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料７３１を蒸発させる蒸発源から約６５ｃｍ離れて配置されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、可視スペクトルの波長で測定され得る。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、約４６０ｎｍの波長で測定され得る。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルの波長で測定され得る。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、約７００ｎｍ、約９００ｎｍ、及び約１０００ｎｍのうちの１つの波長で測定され得る。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、試料を透過し得る入射ＥＭパワーの割合として表すことができる。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、少なくとも約６０％、少なくとも約６５％、少なくとも約７０％、少なくとも約７５％、少なくとも約８０％、少なくとも約８５％、及び少なくとも約９０％のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１の初期付着確率の間には、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、堆積材料７３１の堆積及びその上の堆積材料７３１の平均層厚に対して正の相関があり得る。
当業者であれば、高い透過率は、概して、いくつかの非限定的な例では、Ａｇであり得る堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０が存在しないことを指し示し得ることを理解するであろう。一方、金属薄膜は、特に閉鎖被膜１４０として形成された場合、ＥＭ放射線の高い吸収度合を呈し得るので、低い透過率は、概して、限定はしないが、Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂのうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されない堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０の存在を指し示し得る。
Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂを含むがこれらに限定されない堆積材料７３１に対して低い初期付着確率を呈する露出層表面１１が高い透過率を呈し得ることが更に仮定され得る。一方、Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂを含むがこれらに限定されない堆積材料７３１に対して高い付着確率を呈する露出層表面１１は、低い透過率を呈し得る。
例示的な材料の透過率を測定する共もに、Ａｇの閉鎖被膜１４０がかかる例の材料の露出層表面１１上に形成されたか否かを視覚的に観察するために、一連の試料を作製した。各試料は、ガラス基板１０上に、例示的な材料の約５０ｎｍ厚の被膜を堆積させ、次いで、被膜の露出層表面１１を、約１５ｎｍの基準層厚に達するまで、約１Å／秒の速度でＡｇの蒸気フラックス７３２に供することによって作製した。次いで、各試料を視覚的に分析し、各試料を通る透過率を測定した。
本明細書の試料に使用される例示的な材料の分子構造を以下の表１に述べる。
Figure 2024516165000110
Figure 2024516165000111
Figure 2024516165000112
Ａｇの実質的な閉鎖被膜１４０が形成された試料を視覚的に識別し、これらの試料中のかかる被膜の存在を、それらを通る透過率の測定によって更に確認したところ、約４６０ｎｍの波長で約５０％以下の透過率を示した。
Ａｇの閉鎖被膜１４０が形成されなかった試料も識別され、これらの試料におけるかかる被膜の不在が、それらを通る透過率の測定によって更に確認され、約４６０ｎｍの波長で約７０％より大きい透過率を示した。
結果を以下の表２にまとめる。
Figure 2024516165000113
上記に基づいて、表１及び表２の第１の７つの試料（ＨＴ２１１～例示的な材料２）に使用される材料は、Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料を含むがこれらに限定されない、その上の堆積材料７３１の堆積を抑制するのにあまり好適ではない場合があることが分かった。
一方、例示的な材料３～例示的な材料９は、少なくともいくつかの非限定的な用途において、Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料を含むがこれらに限定されない堆積材料７３１の堆積を抑制するためのパターニング被膜１１０として機能するのに好適であり得ることが分かった。
堆積コントラスト
いくつかの非限定的な例では、限定ではないが、Ｍｇ、Ａｇ、及びＭｇＡｇのうちの少なくとも１つを含む、金属及び合金（金属／合金）のうちの所与の少なくとも１つに対してＮＩＣとして機能し得る、限定ではないが、パターニング材料６１１を含む材料は、基板１０上に堆積されると、実質的に高い堆積コントラストを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、基板１０が核形成促進被膜（ＮＰＣ）９２０として機能する傾向があり、その一部分が、Ｍｇ、Ａｇ及びＭｇＡｇのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない所与の金属／合金の堆積に対してＮＩＣとして機能する傾向があり得るパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料で被覆される場合、被覆された部分（第１の部分１０１）及び被覆されていない部分（第２の部分１０２）は、その上に堆積された金属／合金が異なる平均膜厚を有する傾向があり得るように、異なる初期付着確率及び／又は核形成速度を有する傾向があり得る。
本明細書で使用される場合、堆積コントラストは、概して、基板１０の第１の部分１０１と第２の部分１０２との間の平均膜厚の比を指し得る。したがって、堆積コントラストが実質的に高い場合、第２の部分１０２における金属／合金の平均膜厚は、第１の部分１０１における金属／合金の平均膜厚よりも実質的に大きくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積コントラストが実質的に高い場合、第２の部分１０２において金属／合金の閉鎖被膜１４０を形成するための十分な金属／合金の堆積があるとき、第１の部分１０１において堆積される堆積材料は、ほとんどないか全くない可能性がある。
いくつかの非限定的な例では、堆積コントラストが実質的に低い場合、第２の部分１０２において閉鎖被膜１４０を形成するための十分な金属／合金の堆積があるとき、第１の部分１０１に堆積された金属／合金の少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０があり得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ、Ａｇ，及びＭｇＡｇのうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されない所与の金属／合金の堆積に対して実質的に高い堆積コントラストを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、低減された堆積コントラストを必要とするいくつかのシナリオでは、第１の部分１０１における金属／合金の平均層厚が実質的に小さく、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの１つを含むがこれらに限定されないいくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２における少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０の堆積を必要とするいくつかのシナリオを含むがこれらに限定されないシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１における金属／合金の閉鎖被膜１４０の平均層厚が実質的に小さく、ナノ粒子（ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅ、ＮＰ）によるＥＭ放射線の吸収が、約４６０ｎｍ以下の波長を有するＥＭ放射線から下地層を保護することを含むがこれに限定されないために必要とされる、第２の部分１０２におけるそのようなＮＰの形成を含むがこれに限定されない、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの１つを含むがこれに限定されない場合に、第２の部分１０２において、金属／合金の少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０の形成を必要とするシナリオが存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、そのようなシナリオでは、約２～１００、約４～５０、約５～２０、及び約１０～１５のうちの１つの堆積コントラストに対する適用性があり得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ、Ａｇ、及びＭｇＡｇのうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されない所与の金属／合金の堆積に対して実質的に低い堆積コントラストを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、第１の部分１０１における金属／合金の平均層厚が大きく、少なくとも約９５ｎｍ、少なくとも約４５ｎｍ、少なくとも約２０ｎｍ、少なくとも約１０ｎｍ、及び少なくとも約８ｎｍのうちの１つを含むがこれらに限定されない場合、実質的に高い堆積コントラストを必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ、Ａｇ、及びＭｇＡｇのうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されない所与の金属／合金の堆積に対して実質的に低い堆積コントラストを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、第１の部分１０１における金属／合金の平均層厚が大きく、少なくとも約９５ｎｍ、少なくとも約４５ｎｍ、少なくとも約２０ｎｍ、少なくとも約１０ｎｍ、及び少なくとも約８ｎｍのうちの１つを含むがこれらに限定されない場合、第１の部分１０１における粒子構造８４１の連続被膜１４０の実質的な不在、又は高密度を必要とするシナリオを含むがこれに限定されない実質的に高い堆積コントラストを必要とするいくつかのシナリオでは、少なくとも約４６０ｎｍである波長を有するＥＭ放射線に対する増加した透明性を必要とするシナリオを含むがこれに限定されない、可視スペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおけるＥＭ放射線の吸収の実質的な不在を必要とするいくつかのシナリオを含むがこれらに限定されないシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ、Ａｇ、及びＭｇＡｇのうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されない所与の金属／合金の堆積に対するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、第２の部分１０２における金属／合金の閉鎖被膜１４０の平均層厚が実質的に高く、少なくとも約９５ｎｍ、少なくとも約４５ｎｍ、少なくとも約２０ｎｍ、少なくとも約１０ｎｍ、及び少なくとも約８ｎｍのうちの１つを含むがこれらに限定されない場合、第１の部分１０１における金属／合金の粒子構造８４１の不連続層８４０又は低密度を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。非限定的な例として、約２～１００、約４～５０、約５～２０、及び約１０～１５のうちの１つの堆積コントラストは、第２の部分１０２内の金属／合金の平均層厚が実質的に高く、少なくとも約９５ｎｍ、少なくとも約４５ｎｍ、少なくとも約２０ｎｍ、少なくとも約１０ｎｍ、及び少なくとも約８ｎｍのうちの１つを含むがこれらに限定されない場合のいくつかのシナリオでは適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、Ｍｇ、Ａｇ及びＭｇＡｇのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金の堆積に対するそのような材料の初期付着確率が実質的に高い場合、実質的に低い堆積コントラストを有する傾向があり得る。
表面エネルギー
特性表面エネルギーは、特に材料に関して本明細書で使用される場合、概して、かかる材料から決定される表面エネルギーを指し得る。いくつかの非限定的な例では、特徴的な表面エネルギーは、薄膜形態で堆積及び／又は被覆された材料によって形成された表面から測定され得る。固体の表面エネルギーを決定するための様々な方法及び理論が知られている。いくつかの非限定的な例では、表面エネルギーは、液体－蒸気界面と表面との間の接触角を測定するために、様々な液体が固体の表面と接触し得るようになる接触角の一連の測定に基づいて計算及び／又は導出され得る。いくつかの非限定的な例では、固体表面の表面エネルギーは、表面を完全に濡らす最も高い表面張力を有する液体の表面張力に等しくてもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｚｉｓｍａｎプロットが、表面との完全な湿潤（すなわち、０°の接触角）をもたらす最高表面張力値を決定するために使用され得る。
いくつかの非限定的な例では、表面の臨界表面張力は、Ｗ．Ａ．Ｚｉｓｍａｎ，Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ４３（１９６４），ｐｐ．１－５１に更に詳述されているように、Ｚｉｓｍａｎ法に従って決定し得る。
非限定的な例として、様々な材料によって形成された表面の臨界表面張力を測定するために、一連の試料を作製した。測定結果を以下の表３にまとめる。
Figure 2024516165000114
表３における臨界表面張力の上述の測定及びＡｇの実質的な閉鎖被膜１４０の存在又は非存在に関する以前の観察に基づいて、被膜として堆積されたときに低表面エネルギー表面を形成する材料は、非限定的な例として、約１３～２０ダイン／ｃｍ、又は約１３～１９ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの臨界表面張力を有する材料であり得、パターニング被膜１１０を形成するために、その上への、Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料を含むがこれらに限定されない堆積材料７３１の堆積を阻害するために好適であり得ることが見出された。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、非限定的な例として、約１３ダイン／ｃｍよりも低い表面エネルギーを有する表面を形成する材料は、そのような材料がそのような材料を取り囲む層に対して比較的弱い接着性を示し、低い融点を示し、かつ／又は低い昇華温度を示す可能性があるので、ある特定の用途においてパターニング材料６１１としてあまり好適ではない可能性があると仮定し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０を含むがこれに限定されない被膜におけるパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料における表面エネルギーは、基板１０上に整った被膜として材料を堆積させ、その接触角を好適な一連のプローブ液体で測定することによって決定され得る。
いくつかの非限定的な例では、限定はしないが、Ｍｇ、Ａｇ、及びＭｇＡｇのうちの少なくとも１つを含む所与の金属／合金のためのＮＩＣとして機能する傾向があり得るパターニング材料６１１は、露出層表面１１上に被覆されたときに実質的に低い表面エネルギーを示す傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、露出層表面１１上に薄膜又は被覆として堆積されると、実質的に低い表面エネルギーを示す傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に低い分子間力を示す傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、材料が実質的に高い表面エネルギーを有する場合、金属／合金の堆積に対して実質的に高い初期付着確率を有する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、過度に低くない実質的に低い表面エネルギーを有するパターニング材料６１１を必要とするシナリオが存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に高い表面エネルギーを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、光学技術を使用してそのような材料の膜を検出するためのいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、実質的に高い表面エネルギーを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料が、実質的に高い温度信頼性を必要とするいくつかのシナリオに対して適用性を有し得ることが仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、過度に低くない実質的に低い表面張力を有するパターニング材料６１１は、実質的に高い融点を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギー及び実質的に高い融点を有するパターニング被膜１１０は、高い温度信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。いくつかの非限定的な例では、低い表面エネルギーを有する単体の材料が低い融点を呈する傾向があり得ることを考慮すると、いくつかの非限定的な例では、そのような組み合わせを単一の材料から達成する際に課題が存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、少なくとも約３６５ｎｍ、及び少なくとも約４６０ｎｍのうちの１つである波長範囲において、弱いフォトルミネセンス又は吸収を必要とするか、又は実質的にフォトルミネセンス又は吸収を必要としないいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に高い表面エネルギーを有する、Ｍｇ、Ａｇ、及びＭｇＡｇのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金ためのＮＩＣとして機能し得るパターニング材料６１１を含むがこれらに限定されない材料は、第２の部分１０２における金属／合金の連続被膜１４０の平均層厚が実質的に低く、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの１つを含むがこれらに限定されない場合、第１の部分１０１における金属／合金の粒子構造８４１の不連続層８４０又は低密度を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有する、Ｍｇ、Ａｇ、及びＭｇＡｇのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金ためのＮＩＣとして機能し得るパターニング材料６１１を含むがこれらに限定されない材料は、第２の部分１０２における金属／合金の連続被膜１４０の平均層厚が実質的に高く、少なくとも約９５ｎｍ、少なくとも約４５ｎｍ、少なくとも約２０ｎｍ、少なくとも約１０ｎｍ、及び少なくとも約８ｎｍのうちの１つを含むがこれらに限定されない場合、第１の部分１０１における金属／合金の粒子構造８４１の不連続層８４０又は低密度を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、本明細書で説明される化合物を含有するＮＩＣ及び／又はパターニング被膜の表面は、約２４ダイン／ｃｍ、約２２ダイン／ｃｍ、約２０ダイン／ｃｍ、約１９ダイン／ｃｍ、約１８ダイン／ｃｍ、約１６ダイン／ｃｍ、約１５ダイン／ｃｍ、約１３ダイン／ｃｍ、約１２ダイン／ｃｍ、及び約１１ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つ以下の表面エネルギーを示し得る。いくつかの非限定的な例では、本明細書における様々な非限定的な例における表面値は、常温常圧（normal temperature and pressure、ＮＴＰ）付近で測定されたそのような値に対応し得、これは、２０℃の温度及び１ａｔｍの絶対圧力に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、表面エネルギーは、少なくとも約６ダイン／ｃｍ、少なくとも約７ダイン／ｃｍ、及び少なくとも約８ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、表面エネルギーは、約１０～２２ダイン／ｃｍ、約１１～２１ダイン／ｃｍ、約１３～２０ダイン／ｃｍ、及び約１３～１９ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、約１３ダイン／ｃｍ以下の表面エネルギーを有する表面を形成する材料は、そのような材料がそのような材料を取り囲む層に対して実質的に弱い接着性を示し、実質的に低い融点を示し、かつ／又は実質的に低い昇華温度を示す可能性があるので、いくつかのシナリオにおいてパターニング材料６１１としての低適用性となる可能性があると仮定してもよい。
ここで、幾分驚くべきことに、比較的低い表面エネルギーを示す化合物によって形成されたパターニング被膜１１０が比較的低い屈折率ｎも示し得ることも見出された。
温度
ガラス転移温度
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、（ｉ）少なくとも約３００℃以上、少なくとも約１５０℃以上、少なくとも約１３０℃以上のうちの１つ、及び（ｉｉ）約３０℃以下、約０℃以下、約－３０℃以下、又は約－５０℃以下のうちの１つ、のうちの１つであるガラス転移温度を有し得る。
昇華温度
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い分子間力を有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に低い昇華温度を呈する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い昇華温度を有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、材料の堆積膜の平均層厚の実質的に正確な制御を必要とし得る製造プロセスに対する適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、約１４０℃以下、約１２０℃以下、約１１０℃以下、約１００℃以下、及び約９０℃以下のうちの１つである昇華温度を有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、真空熱蒸着を含むがこれに限定されない既知の蒸着法を使用して堆積され得るそのような材料を含む膜の堆積速度及び平均層厚のうちの少なくとも１つへの制約に遭遇する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、そのような材料を含む膜の平均層厚の制御において実質的に高い精度を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低いが過度に低くない表面張力を有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に高い昇華温度を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギー及び実質的に高い昇華温度を有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料から構成されたパターニング被膜１１０を含むがこれに限定されない被膜は、そのような材料を含む膜の平均層厚の制御において実質的に高い精度を必要とするいくつかのシナリオでは、用途を有し得る。
一部の非限定的な例では、パターニング材料は、約１００～３２０℃、約１２０～３００℃、約１４０～２８０℃、及び約１５０～２５０℃のうちの少なくとも１つの昇華温度を有することができる。いくつかの非限定的な例では、そのような昇華温度は、パターニング材料６１１がＰＶＤを使用して被膜として実質的に容易に堆積されることを可能にし得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い分子間力を有する材料は、実質的に低い昇華温度を明示し得る。いくつかの非限定的な例では、低い昇華温度を有する材料は、材料の堆積膜の層厚に対する実質的に高い度合の制御を必要とする製造プロセスに対する適用性を低下させた場合がある。いくつかの非限定的な例では、約１４０℃以下、約１２０℃以下、約１１０℃以下、約１００℃以下、及び約９０℃以下のうちの１つの昇華温度を有する材料については、真空熱蒸着を含むがこれに限定されない蒸着法を使用して堆積される膜の堆積速度及び層厚を制御する際に制約が課され得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に高い昇華温度を有する材料は、膜厚に対する実質的に高い度合の制御を必要とするいくつかのシナリオにおいて用途を有し得る。
パターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料の昇華温度は、関連分野の当業者に明らかな様々な方法を使用して決定され得、これらの方法としては、るつぼ中で実質的に高真空下で材料を加熱すること、並びに、
・るつぼから一定の距離に取り付けられたＱＣＭ上の露出層表面１１上への材料の堆積の始まりを観察すること、
・るつぼから一定の距離に取り付けられたＱＣＭ上の露出層表面１１上への特定の堆積速度、いくつかの非限定的な例では、０．１Å／秒、を観察すること、及び／又は
・いくつかの非限定的な例では、約１０－４又は１０－５Ｔｏｒｒの材料の閾値蒸気圧に達すること、を行うために達成され得る温度を決定することを含むが、これらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料の昇華温度は、実質的に高真空環境（非限定的な例として、約１０－４Ｔｏｒｒ）下で蒸発源中の材料を加熱することによって、かつ材料を蒸発させるために達し得る温度を決定することによって決定され得るため、いくつかの非限定的な例では、供給源から固定された距離に取り付けられたＱＣＭ上の表面上に、露出層表面１１上に約０．１Å／秒の堆積速度で、材料の堆積を引き起こすのに十分な蒸気フラックスが生成される。
いくつかの非限定的な例では、ＱＣＭは、昇華温度を決定する目的で、るつぼから約６５ｃｍ離して取り付けることができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、約１００～３２０℃、約１００～３００℃、約１２０～３００℃、約１００～２５０℃、約１４０～２８０℃、約１２０～２３０℃、約１３０～２２０℃、約１４０～２１０℃、約１４０～２００℃、約１５０～２５０℃、及び約１４０～１９０℃のうちの１つの昇華温度を有し得る。
融点
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い分子間力を有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に低い融点を呈する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い融点を有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、いくつかの非限定的な例では、融点に近づく動作温度におけるそのような材料の物理的特性の変化に起因して、約６０℃以下、約８０℃以下、及び約１００℃以下のうちの１つの温度に対する十分な温度信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、約１２０℃の融点を有する材料は、少なくとも約１００℃を含むがこれに限定されない実質的に高い温度信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、実質的に高い融点を有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に高い温度信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はその化合物は、少なくとも約９０℃、少なくとも約１００℃、少なくとも約１１０℃、少なくとも約１２０℃、少なくとも約１４０℃、少なくとも約１５０℃、及び少なくとも約１８０℃のうちの１つである溶融温度を有し得る。
凝集エネルギー
ヤングの式によれば、材料の凝集エネルギー（又は、破壊靭性若しくは凝集強度）は、その表面エネルギーに比例する傾向があり得る（Ｙｏｕｎｇ，Ｔｈｏｍａｓ（１８０５）「Ａｎ ｅｓｓａｙ ｏｎ ｔｈｅ ｃｏｈｅｓｉｏｎ ｏｆ ｆｌｕｉｄｓ」Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｒｏｙａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｌｏｎｄｏｎ，９５：６５－８７を参照）。
リンデマンの基準によれば、材料の凝集エネルギーは、その溶融温度に比例する傾向があり得る［Ｎａｎｄａ，Ｋ．Ｋ．，Ｓａｈｕ，Ｓ．Ｎ，ａｎｄ Ｂｅｈｅｒａ，Ｓ．Ｎ （２００２）「Ｌｉｑｕｉｄ－ｄｒｏｐ ｍｏｄｅｌ ｆｏｒ ｔｈｅ ｓｉｚｅ－ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ｍｅｌｔｉｎｇ ｏｆ ｌｏｗ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｓｙｓｔｅｍｓ」Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ａ．６６（１）：０１３２０８］を参照）。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い分子間力を有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に低い凝集エネルギーを呈する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い凝集エネルギーを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、製造及び使用のうちの少なくとも１つの間に、せん断応力及び曲げ応力のうちの少なくとも１つを受ける傾向があり得るデバイスを含むがこれに限定されないものにおいて、十分な破壊靱性を必要とするいくつかのシナリオでは適用性を低下させた場合があり、したがって、そのようなシナリオでは、材料が亀裂又は破壊する傾向があり得る。いくつかの非限定的な例では、約３０ダイン／ｃｍ以下の凝集エネルギーを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、可撓性基板１０上に製造されたデバイスにおけるいくつかのシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、実質的に高い凝集エネルギーを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、可撓性基板１０上に製造されたデバイスを含むがこれに限定されない、せん断応力及び曲げ応力のうちの少なくとも１つの下で実質的に高い信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低いが過度に低くない表面エネルギーを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、可撓性基板１０上に製造されたデバイスを含むがこれに限定されない、せん断応力及び曲げ応力のうちの少なくとも１つの下で十分な信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用可能性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギー及び実質的に高い凝集エネルギーを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、せん断応力及び曲げ応力のうちの少なくとも１つの下で実質的に高い信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有する単一の材料が実質的に低い凝集エネルギーを示す傾向があり得ることを考慮すると、いくつかの非限定的な例では、そのような組み合わせを単一の材料から達成する際に課題が存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギー、実質的に高い凝集エネルギー、及び実質的に高い融点を有するパターニング被膜１１０を含むがこれらに限定されない被膜は、様々な条件下で実質的に高い信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有する単体の材料が、実質的に低い凝集エネルギー、及び実質的に低い融点を呈する傾向があり得ることを考慮すると、いくつかの非限定的な例では、そのような組み合わせを単一の材料から達成する際に課題が存在し得る。
光学間隙又はバンド間隙
本開示では、半導体材料は、概してバンド間隙を示す材料として説明され得る。いくつかの非限定的な例では、バンド間隙は、半導体材料の最高被占分子軌道（highest occupied molecular orbital、ＨＯＭＯ）と最低空分子軌道（lowest unoccupied molecular orbital、ＬＵＭＯ）との間に形成され得る。したがって、半導体材料は、導電性材料（金属を非限定的に含む）の実質的に導電率以下であるが、絶縁材料（ガラスを非限定的に含む）と実質的に少なくとも同程度に大きい導電率を示す傾向があり得る。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は、有機半導体材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は、無機半導体材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に大きい又は広い光学間隙を呈する傾向があり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料の光学間隙は、材料のＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙に対応する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に大きい又は広い光学間隙（及び／又は、ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙）を有するパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料は、可視スペクトルの深いＢ（青）領域、近ＵＶスペクトル、可視スペクトル、及び／又はＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおいて、実質的に弱いフォトルミネセンスを呈するか、又は実質的にフォトルミネセンスを呈しない傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも約３６５ｎｍ、及び少なくとも約４６０ｎｍのうちの１つの波長範囲において実質的に弱いフォトルミネセンス又は吸収を有するか、又は実質的に有しないパターニング材料６１１を含むがこれに限定されない材料から構成されたパターニング被膜１１０を含むがこれに限定されない被膜は、フォトルミネセンス被膜又は吸収被膜のいずれとしても機能しない傾向があり得、可視スペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおいて実質的に高い透明性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる材料は、蛍光顕微鏡で使用される放射線源の一般的な波長である約３６５ｎｍの波長を有するＥＭ放射線に供されると、実質的に低いフォトルミネセンスを示す傾向があり得る。パターニング材料６１１を含むがこれに限定されないそのような材料の存在は、特に、いくつかの非限定的な例では、薄膜として堆積された場合、蛍光顕微鏡法を含むがこれに限定されない典型的な光学検出技術を必要とするいくつかのシナリオにおいて適用性を低下させ得る。これは、材料の堆積に続いて、かかる材料が存在する部分を決定するいくつかのシナリオがあり得るため、基板１０の部分の上に、例えばＦＭＭを通して、材料が選択的に堆積されるいくつかのシナリオにおいて制約を課し得る。
いくつかの非限定的な例では、比較的大きなＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙を有する材料は、少なくとも約３６５ｎｍ、及び少なくとも約４６０ｎｍのうちの１つの波長範囲において、弱いフォトルミネセンス又は吸収を必要とするか、又は実質的にフォトルミネセンス又は吸収を必要としないいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に小さいＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙を有する材料は、光学技術を使用して材料の膜を検出するシナリオでは、適用性を有し得る。
屈折率及び消衰係数
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、低い屈折率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約１．５５以下、約１．５以下、約１．４５以下、約１．４３以下、約１．４以下、約１．３９以下、約１．３７以下、約１．３５以下、約１．３２以下、及び約１．３以下のうちの少なくとも１つであり得る、５５０ｎｍの波長におけるＥＭ放射線に対する屈折率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の屈折率ｎは、約１．７以下であり得る。例えば、パターニング被膜１１０の屈折率は、約１．６以下、約１．５以下、約１．４以下、及び約１．３以下のうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の屈折率ｎは、約１．２～１．６、約１．２～１．５、及び約１．２５～１．４５のうちの少なくとも１つであり得る。上記の様々な非限定的な例で更に説明されているように、実質的に低い屈折率を示すパターニング被膜１１０は、例えば、光電子デバイスによって放射されるＥＭ放射線のアウトカップリングを強化することによって、いくつかシナリオではデバイスの光学的特性及び／又は性能を強化する用途があり得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、実質的に低い屈折率を有するパターニング被膜１１０を提供することは、少なくともいくつかのデバイス１００において、その第２の部分１０２を通る外部ＥＭ放射線の透過率を高め得ることが観察されている。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の近傍又は隣接して配置され得る、その中に空気間隙を含むデバイス１００は、パターニング被膜１１０が実質的に低い屈折率を有するとき、かかる低い屈折率パターニング被膜１１０が提供されなかった同様に構成されたデバイスと比較して実質的に高い透過率を呈し得る。
非限定的な例として、様々な例示的な材料のうちの一部によって形成された被膜の５５０ｎｍの波長における屈折率を測定するために、一連の試料を作製した。測定結果を以下の表４にまとめる。
Figure 2024516165000115
表４における屈折率の前述の測定、及び表４におけるＡｇの実質的な閉鎖被膜１４０の存在又は非存在に関する以前の観察に基づいて、低い屈折率の被膜を形成する材料は、非限定的な例として、約１．４又は約１．３８のうちの少なくとも１つ以下の屈折率を有する材料であり得、パターニング被膜１１０を形成するために、その上への、Ａｇ及び／又はＡｇ含有材料を含むがこれらに限定されない堆積材料７３１の堆積を阻害するために好適であり得ることが見出された。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、低い屈折率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約１．５５以下、約１．５以下、約１．４５以下、約１．４３以下、約１．４以下、約１．３９以下、約１．３７以下、約１．３５以下、約１．３２以下、及び約１．３以下のうちの少なくとも１つであり得る、５５０ｎｍの波長におけるＥＭ放射線に対する屈折率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、約２５ダイン／ｃｍ以下の表面エネルギー及び約１．４５以下の屈折率を示し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、約２０ダイン／ｃｍ以下の表面エネルギー及び約１．４以下の屈折率を示す材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、実質的に透明及び／又はＥＭ放射線透過性であり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、少なくとも約６００ｎｍ、少なくとも約５００ｎｍ、少なくとも約４６０ｎｍ、少なくとも約４２０ｎｍ、及び少なくとも約４１０ｎｍのうちの少なくとも１つである波長における光子に対して、約０．０１以下であり得る吸光係数を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、可視光スペクトルにおいて約０．１以下、約０．０８以下、約０．０５以下、約０．０３以下、及び約０．０１以下のうちの１つ以下の消衰係数κを示し得る。
フォトルミネセンス、吸収及び他の光学効果
いくつかの非限定的な例では、少なくとも約３６５ｎｍ、及び少なくとも約４６０ｎｍのうちの１つである波長において実質的に低いフォトルミネセンスを呈するか、又は実質的にフォトルミネセンスを呈しない材料は、可視スペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおいて実質的に高い透明性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも約３６５ｎｍ、及び少なくとも約４６０ｎｍのうちの１つである波長において実質的に低い吸収を有するか、又は実質的に吸収を有さない材料は、可視スペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおいて実質的に高い透明性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、少なくとも可視スペクトルにおいて、それを通過するＥＭ放射線を実質的に減衰させない場合がある。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、少なくともＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルにおいて、それを通過するＥＭ放射線を実質的に減衰させない場合がある。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約４００ｎｍ以下、約３９０ｎｍ以下、約３８０ｎｍ以下、及び約３７０ｎｍ以下のうちの１つである波長におけるＥＭ放射線に対して、少なくとも約０．０５、少なくとも約０．１、少なくとも約０．２、及び少なくとも約０．５のうちの１つであり得る吸光係数を有し得る。
このようにして、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１１０の堆積に同様の状況下で堆積されると、デバイス１００上に入射するＵＶＡスペクトル内のＥＭ放射線を吸収し、それによって、ＵＶＡスペクトル内のＥＭ放射線が、デバイス性能、デバイス安定性、デバイス信頼性、及び／又はデバイス寿命に関して制約を付与し得る可能性を低減させ得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、光学被膜として機能することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、デバイス１００によって放射されるＥＭ放射線（光子の形態を含むがこれに限定されない）の少なくとも１つの特性及び／又は特質を修正することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、ある度合のヘイズを呈し、放射されたＥＭ放射線を散乱させることができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、それを透過したＥＭ放射線を散乱させるための結晶性材料を含み得る。ＥＭ放射線のかかる散乱は、いくつかの非限定的な例では、デバイス１００からのＥＭ放射線のアウトカップリングの強化を容易にすることができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、最初に、限定ではないが、実質的に非晶質を含む、実質的に非結晶性の被膜として堆積されてもよく、その上で、その堆積後、パターニング被膜１１０は、結晶化され、その後、光学結合として役立ち得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、可視光スペクトルに対応する任意の波長で任意の実質的なＥＭ放射線吸収を示さない場合がある。
重量
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、実質的に低い表面エネルギーを有する表面を形成するように適合された化合物では、少なくともいくつかの用途において、かかる化合物の分子量が、約８００～３，０００ｇ／ｍｏｌ、約９００～２，０００ｇ／ｍｏｌ、約９００～１，８００ｇ／ｍｏｌ、及び約９００～１，６００ｇ／ｍｏｌのうちの１つであることを必要とするシナリオがあり得ると仮定することができる。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、かかる化合物は、（ｉ）いくつかの非限定的な例では、少なくとも１００℃の実質的に高い融点、（ｉｉ）実質的に低い表面エネルギー、及び／又は（ｉｉｉ）いくつかの非限定的な例では、真空ベースの熱蒸着プロセスを使用して堆積させたときに実質的に非晶質の構造のうちの１つを有する被膜及び／又は層を形成するためのいくつかのシナリオでは適用性を有し得る少なくとも１つの特性を呈し得ると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、化合物の分子量は、約５，０００ｇ／ｍｏｌ以下であり得る。いくつかの非限定的な例では、化合物の分子量は、約４，５００ｇ／ｍｏｌ以下、約４，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約３，５００ｇ／ｍｏｌ以下、及び約３，０００ｇ／ｍｏｌ以下のうちの１つ以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、化合物の分子量は、少なくとも約８００ｇ／ｍｏｌであり得る。いくつかの非限定的な例では、化合物の分子量は、少なくとも約９００ｇ／ｍｏｌ、少なくとも約１，０００ｇ／ｍｏｌ、少なくとも約１，１００ｇ／ｍｏｌ、少なくとも約１，２００ｇ／ｍｏｌ、少なくとも約１，３００ｇ／ｍｏｌ、少なくとも約１，５００ｇ／ｍｏｌ、及び少なくとも約１，７００ｇ／ｍｏｌのうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、化合物の分子量は、約８００～３，０００ｇ／ｍｏｌ、約９００～２，０００ｇ／ｍｏｌ、約９００～１，８００ｇ／ｍｏｌ、又は約９００～１，６００ｇ／ｍｏｌのうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｆ原子の存在に起因し得るかかる化合物のモル重量の割合は、約４０～９０％、約４５～８５％、約５０～８０％、約５５～７５％、及び約６０～７５％のうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆ原子は、かかる化合物のモル重量の大部分を構成し得る。
いくつかの非限定的な例では、化合物中に含有されるＦ原子／化合物中に含有されるＣ原子の商、少なくとも約０．５、少なくとも約０．７、少なくとも約１、少なくとも約１．５、少なくとも約２、及び少なくとも約２．５のうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆ原子／Ｓｉ原子の商は、約５以下、約４以下、及び約３以下のうちの１つであってもよい。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、かかる化合物は、（ｉ）いくつかの非限定的な例では、少なくとも１００℃の比較的高い融点、（ｉｉ）比較的低い表面エネルギー、及び／又は（ｉｉｉ）いくつかの非限定的な例では、真空ベースの熱蒸着プロセスを使用して堆積させたときに実質的に非晶質の構造を有する被膜及び／又は層を形成するのに好適であり得る少なくとも１つの特性を示し得ると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、パターニング被膜１１０の閉鎖被膜１４０を実質的に欠き得る、その中の少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配設され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの領域により、パターニング被膜１１０をその複数の個別の断片に分離し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の複数の個別の断片は、その側方面において互いに物理的に離隔され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の複数の個別の断片は、限定ではないが、アレイ又はマトリックスを含む規則的構造で配置されてもよく、その結果、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の個別の断片は反復パターンで構成され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の複数の個別の断片のうちの少なくとも１つは、各々、放射領域１４０１に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１４０１の開口率は、約５０％以下、約４０％以下、約３０％以下、及び約２０％以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、単一のモノリシック被膜として形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、使用されるパターニング材料６１１及び／又は堆積環境を含むがこれに限定されない理由により、堆積材料７３１のための少なくとも１つの核形成部位を有し、かつ／又は提供し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、堆積材料７３１のためのかかる核形成部位として機能するように、シード又は不均一性として機能し得る別の材料でドープされ、被覆され、及び／又は補完され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる他の材料は、ＮＰＣ９２０材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる他の材料は、いくつかの非限定的な例では、多環式芳香族化合物などの有機材料、及び／又は限定ではないが、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つなどの非金属元素を含む材料を含んでもよく、その存在は、別様で、ソース材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境内の汚染物質となり得る。いくつかの非限定的な例では、かかる他の材料は、その閉鎖被膜１４０を形成することを回避するために、単層の小部分である層厚で堆積され得る。むしろ、そのような他の材料のモノマーは、堆積材料のための別個の核形成部位を形成するように、側面に離隔される傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、光学被膜として機能することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、デバイス１００によって放射されるＥＭ放射線（光子の形態を含むがこれに限定されない）の少なくとも１つの特性及び／又は特質を修正することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、ある度合のヘイズを呈し、放射されたＥＭ放射線を散乱させることができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、それを透過したＥＭ放射線を散乱させるための結晶性材料を含み得る。そのようなＥＭ放射線の散乱は、いくつかの非限定的な例において、デバイスからのＥＭ放射線のアウトカップリングの強化を容易にし得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、最初に、限定ではないが、実質的に非晶質を含む、実質的に非結晶性の被膜として堆積されてもよく、その上で、その堆積後、パターニング被膜１１０は、結晶化され、その後、光学結合として役立ち得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０が堆積材料７３１の蒸気フラックス７３２に供されると、少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０の形成を引き起こすためのパターニング被膜１１０を提供することが目的であり得る。少なくともいくつかの用途では、パターニング被膜１１０は、堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０がパターニング被膜１１０を実質的に欠いていてもよい第２の部分１０２に形成され得る一方で、少なくとも１つの特質を有する少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０がパターニング被膜１１０上の第１の部分１０１に形成され得るように、十分に低い初期付着確率を呈し得る。いくつかの非限定的な例では、例えば、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、又は約１５ｎｍ以下のうちの１つの厚さを有する堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０を堆積させながら、第２の部分１０２において、非限定的な例として、金属又は金属合金であり得る堆積材料７３１の少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０を形成することが目的であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内の少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０として堆積された堆積材料７３１の相対量は、第２の部分１０２内の閉鎖被膜１４０として堆積された堆積材料７３１の量の約１～５０％、約２～２５％、約５～２０％、及び約７～１０％のうちの少なくとも１つに対応し得、非限定的な例として、約１００ｎｍ以下、約７５ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの１つの厚さに対応し得る。
組成
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１は、フッ素（Ｆ）原子及び／又はＳｉ原子を含み得る。非限定的な例として、パターニング被膜１１０を形成するためのパターニング材料６１１は、Ｆ及び／又はＳｉを含む化合物であり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、Ｆを含む化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、Ｆ及び炭素原子を含む化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、少なくとも約１、少なくとも約１．５、又は少なくとも約２のうちの少なくとも１つの商Ｆ／Ｃに対応する原子比でＦ及びＣを含む化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆ対Ｃの原子比は、化合物構造中に存在するＦ原子の全てを計数し、Ｃ原子については、化合物構造中に存在するｓｐ３混成Ｃ原子のみを計数することによって決定することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、その分子部分構造の一部として、少なくとも約１、少なくとも約１．５、又は少なくとも約２の商Ｆ／Ｃに対応する原子比でＦ及びＣを含む部分を含む化合物を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１の化合物は、有機－無機ハイブリッド材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、オリゴマーであってもよく、又はそれを含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、骨格と骨格に結合された少なくとも１つの官能基とを含有する分子構造を有する化合物であってもよく、又はそれを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は無機部分であってもよく、少なくとも１つの官能基は有機部分であり得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる化合物は、シロキサン基を含む分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な例では、シロキサン基は、直鎖状、分枝状、又は環状のシロキサン基であり得る。いくつかの非限定的な例では、骨格は、シロキサン基であってもよく、又はそれを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は、シロキサン基及びＦを含有する少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であり得る。かかる化合物の非限定的な例としては、フルオロシロキサンが挙げられる。かかる化合物の非限定的な例は、例示的な材料６及び例示的な材料９である。
いくつかの非限定的な例では、化合物は、シルセスキオキサン基を含む分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な例では、シルセスキオキサン基はＰＯＳＳであり得る。いくつかの非限定的な例では、骨格は、シルセスキオキサン基であってもよく、又はそれを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は、シルセスキオキサン基及びＦを含む少なくとも１つの官能基であってもよく、又はこれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であり得る。かかる化合物の非限定的な例としては、フルオロ－シルセスキオキサン及び／又はフルオロ－ＰＯＳＳが挙げられる。かかる化合物の非限定的な例は、例示的な材料８である。
いくつかの非限定的な例では、化合物は、置換若しくは非置換アリール基、及び／又は置換若しくは非置換ヘテロアリール基を含む分子構造を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、アリール基は、フェニル又はナフチルであり得る。いくつかの非限定的な例では、アリール基の少なくとも１つのＣ原子は、ヘテロ原子（非限定的な例として、Ｏ、Ｎ、及び／又はＳであり得る）によって置換されて、ヘテロアリール基を誘導し得る。いくつかの非限定的な例では、骨格は、置換若しくは非置換アリール基、及び／又は置換若しくは非置換ヘテロアリール基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は、置換若しくは非置換アリール基、及び／又は置換若しくは非置換ヘテロアリール基、並びにＦを含む少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であり得る。
いくつかの非限定的な例では、化合物は、置換又は非置換の、直鎖状、分岐状、又は環状の炭化水素基を含む分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な例では、炭化水素基の１以上のＣ原子は、ヘテロ原子によって置換されていてもよく、ヘテロ原子は、非限定的な例として、Ｏ、Ｎ、及び／又はＳであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、化合物は、ホスファゼン基を含む分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ホスファゼン基は、直鎖、分岐、又は環状ホスファゼン基であり得る。いくつかの非限定的な例では、骨格は、ホスファゼン基であってもよく、又はそれを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は、ホスファゼン基及びＦを含む少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であり得る。かかる化合物の非限定的な例としては、フルオロホスファゼンが挙げられる。かかる化合物の非限定的な例は、例示的な材料４である。
いくつかの非限定的な例では、化合物はフルオロポリマーであり得る。いくつかの非限定的な例では、化合物は、Ｆを含むブロックコポリマーであり得る。いくつかの非限定的な例では、化合物は、オリゴマーであり得る。いくつかの非限定的な例では、オリゴマーは、フルオロオリゴマーであり得る。いくつかの非限定的な例では、化合物は、Ｆを含むブロックオリゴマーであり得る。フルオロポリマー及び／又はフルオロオリゴマーの非限定的な例は、例示的な材料３、例示的な材料５、及び／又は例示的な材料７の分子構造を有するものである。
いくつかの非限定的な例では、化合物は金属錯体であり得る。いくつかの非限定的な例では、金属錯体は、有機金属錯体であり得る。いくつかの非限定的な例では、有機金属錯体は、Ｆを含み得る。いくつかの非限定的な例では、有機金属錯体は、Ｆを含む少なくとも１つの配位子を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの配位子は、フルオロアルキル基であるか、又はフルオロアルキル基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、有機－無機ハイブリッド材料であってもよく、又はそれを含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、複数の異なる材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、複数の材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、第１の材料及び第２の材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の複数の材料のうちの少なくとも１つは、薄膜として堆積されたときにＮＩＣとして役立ち得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の複数の材料のうちの少なくとも１つは、膜として堆積されたときにＮＩＣとして役立ち得、その別の材料は、薄膜として堆積されたときにＮＰＣ９２０を形成し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、薄膜として堆積されたときにＮＰＣ９２０を形成し得、第２の材料は、薄膜として堆積されたときにＮＩＣを形成し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０中の第１の材料の存在は、パターニング被膜１１０が第２の材料から形成され、第１の材料を実質的に欠いている場合と比較して、その初期付着確率の増加をもたらし得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、薄膜として堆積されたときに低い表面エネルギーを有する表面を形成するように適合され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、薄膜として堆積されるとき、第２の材料を含む薄膜によって提供される表面よりも低い表面エネルギーを有する表面を形成するように適合され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、フォトルミネセンスを示す材料を含むことを含むがこれに限定されないフォトルミネセンスを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、ＵＶスペクトル及び／又は可視スペクトルに対応する波長でフォトルミネセンスを明示し得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、ＵＶＡスペクトル及び／又はＵＶＢスペクトルを含むがこれらに限定されないＵＶスペクトルに対応する波長（範囲）で生じ得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、可視スペクトルに対応する波長（範囲）で生じ得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、深青色又は近ＵＶに対応する波長（範囲）で生じ得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は第１の光学間隙を有してもよく、第２の材料は第２の光学間隙を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の光学間隙は第１の光学間隙より大きくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の光学間隙と第２の光学間隙との間の差は、約０．３ｅＶ、０．５ｅＶ、０．７ｅＶ、１ｅＶ、１．３ｅＶ、１．５ｅＶ、１．７ｅＶ、２ｅＶ、２．５ｅＶ、及び／又は３ｅＶのうちの少なくとも１つより大きくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の光学間隙は、約４．１ｅＶ、３．５ｅＶ、又は３．４ｅＶのうちの少なくとも１つ以下であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の光学間隙は、約３．４ｅＶ、約３．５ｅＶ、約４．１ｅＶ、約５ｅＶ、又は約６．２ｅＶのうちの少なくとも１つより大きくてもよい。
いくつかの非限定的な例において、第１の光学間隙及び／又は第２の光学間隙は、ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙に対応してもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、ＵＶスペクトル及び／又は可視スペクトルに対応する波長でフォトルミネセンスを明示してもよい。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、ＵＶＡスペクトル及び／又はＵＶＢスペクトルを含むがこれらに限定されないＵＶスペクトルに対応する波長で生じ得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、可視スペクトルに対応する波長で生じ得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、可視スペクトルの深いＢ（青）領域に対応する波長で生じ得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、可視スペクトルに対応する波長でフォトルミネセンスを明示してもよく、第２の材料は、可視スペクトルに対応する任意の波長で実質的なフォトルミネセンスを明示しなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスを明示し得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、共役結合、アリール部分、ドナー－アクセプタ基、又は重金属錯体のうちの少なくとも１つを含み得る。
非限定的な例として、被膜及び／又は材料のフォトルミネセンスは、光励起プロセスを通して観察され得る。光励起プロセスにおいて、被膜及び／又は材料は、ＵＶランプを含むがこれに限定されない源によって放射されるＥＭ放射線に供され得る。放射されたＥＭ放射線が被膜及び／又は材料によって吸収されるとき、その電子は一時的に励起され得る。励起に続いて、蛍光及び／又はリン光を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの緩和プロセスが起こり得、ここで、ＥＭ放射線が被膜及び／又は材料から放射され得る。かかるプロセス中に被膜及び／又は材料から放射されるＥＭ放射線は、被膜及び／又は材料のフォトルミネセンス特性を特徴付けるために、例えば光検出器によって検出され得る。本明細書で使用される場合、被膜及び／又は材料に関するフォトルミネセンスの波長は、一般に、励起状態からの電子の緩和の結果としてかかる被膜及び／又は材料によって放射されるＥＭ放射線の波長を指すことができる。当業者によって理解されるように、光励起プロセスの結果として被膜及び／又は材料によって放射される光の波長は、いくつかの非限定的な例では、光励起を開始するために使用される放射線の波長より長くてもよい。フォトルミネセンスは、蛍光顕微鏡法を含むがこれに限定されない、当技術分野で公知の様々な技法を使用して検出及び／又は特徴付けられ得る。本明細書で使用される場合、フォトルミネセンス被膜又は材料は、特定の波長の励起放射線で照射されたときに、ある波長でフォトルミネセンスを示す明示する被膜又は材料であり得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンス被膜又は材料は、３６５ｎｍの波長を有する励起放射線で照射されると、約３６５ｎｍより大きい波長でフォトルミネセンスを明示し得る。フォトルミネセンス被膜は、このような被膜又は材料の存在を定量化、測定、及び／又は調査し得る蛍光顕微鏡法を含むがこれに限定されない標準的な光学技術を使用して、基板１０上で検出され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の光学間隙及び／又は第２の光学間隙を含むがこれらに限定されない様々な被膜及び／又は材料の光学間隙は、光励起プロセス中にＥＭ放射線が吸収又は放射される被膜及び／又は材料のエネルギー間隙に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、被膜及び／又は材料を、ＵＶＡスペクトル又はＵＶＢスペクトルを含むがこれらに限定されないＵＶスペクトルに対応する波長を有するＥＭ放射線に供することによって検出及び／又は特徴付けられ得る。いくつかの非限定的な例では、光励起を開始するためのＥＭ放射線は、約３６５ｎｍの波長を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の材料は、可視スペクトルに対応する任意の波長でフォトルミネセンスを実質的に明示しなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の材料は、少なくとも約３００ｎｍ、少なくとも約３２０ｎｍ、少なくとも約３５０ｎｍ、又は少なくとも約３６５ｎｍのうちの少なくとも１つの波長を有するＥＭ放射線に供されたときにフォトルミネセンスを明示しなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の材料は、そのようなＥＭ放射線に供されたときにわずかな、及び／又は検出可能な吸収を明示しない場合がある。いくつかの非限定的な例では、第２の材料の第２の光学間隙は、第２の材料は、そのようなＥＭ放射線に供されたときに光励起を受けないように、源によって放射されるＥＭ放射線の光子エネルギーよりも広くあり得る。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、そのような第２の材料を含有するパターニング被膜１１０は、それにもかかわらず、第１の材料がフォトルミネセンスを明示するために、ＥＭ放射線に供されるとフォトルミネセンスを明示し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の存在は、パターニング被膜１１０の堆積時に蛍光顕微鏡法などの日常的な特徴付け技法を使用して検出及び／又は観察され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０中の第１の材料の、限定することなく含まれるが、濃度によるパターニング被膜１１０中の第２の材料の濃度以下であり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、少なくとも約０．１重量％、少なくとも約０．２重量％、少なくとも約０．５重量％、少なくとも約０．８重量％、少なくとも約１重量％、少なくとも約３重量％、少なくとも約５重量％、少なくとも約８重量％、少なくとも約１０重量％、少なくとも約１５重量％、又は少なくとも約２０重量％の第１の材料のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、約５０重量％以下、約４０重量％以下、約３０重量％以下、約２５重量％以下、約２０重量％以下、約１５重量％以下、約１０重量％以下、約８重量％以下、約５重量％以下、約３重量％以下、又は約１重量％以下の第１の材料のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の残りは、実質的に第２の材料から構成され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、第３の材料及び／又は第４の材料を含むがこれらに限定されない追加の材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含み得る。非限定的な例として、第１の材料及び第２の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの更なる非限定的な例では、第１の材料は、Ｆ及び／又はＳｉを含み得、第２の材料は、Ｆ及び／又はＳｉを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料は両方ともＦを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料は両方ともＳｉを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料の各々は、Ｆ及び／又はＳｉを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料のうちの少なくとも１つの材料は、Ｆ及びＳｉの両方を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料のうちの一方は、Ｆ及び／又はＳｉを含まなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の材料はＦ及び／又はＳｉを含んでもよく、第１の材料はＦ及び／又はＳｉを含まなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であってもよいパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つはＦを含み得、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つはｓｐ２炭素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であってもよいパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つはＦを含み得、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つはｓｐ３炭素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であってもよいパターニング被膜１１０の材料の少なくとも１つは、Ｆ及びｓｐ３炭素を含み得、パターニング被膜１１０の他の材料の少なくとも１つは、ｓｐ２炭素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びｓｐ３炭素を含み得、炭素（Ｃ）に結合した全てのＦは、ｓｐ３炭素に結合し得、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、ｓｐ２炭素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びｓｐ３炭素を含み得、Ｃに結合した全てのＦは、ｓｐ３炭素に結合し得、パターニング被膜１１０の他の材料の少なくとも１つは、ｓｐ２炭素を含み得、Ｆを含まなくてもよい。非限定的な例として、上述の非限定的な例のいずれかにおいて、「パターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つ」は第２の材料に対応し得、「パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つ」は、第１の材料に対応し得る。
当業者によって理解されるように、Ｆ、ｓｐ２炭素、ｓｐ３炭素、芳香族炭化水素部分、及び／又は他の官能基若しくは部分のうちの少なくとも１つを含む被膜中の材料の存在は、非限定的な例として、Ｘ線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy、ＸＰＳ）を含む、当技術分野で公知の様々な方法を使用して検出され得る。
いくつかの非限定的な例では、非限定的な例として第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つはＦを含み得、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは芳香族炭化水素部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含み得、パターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、芳香族炭化水素部分を含まなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含み得、芳香族炭化水素部分を含まなくてもよく、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、芳香族炭化水素部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含んでもよく、芳香族炭化水素部分を含まなくてもよく、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、芳香族炭化水素部分を含んでもよく、Ｆを含まなくてもよい。芳香族炭化水素部分の非限定的な例は、置換多環式芳香族炭化水素部分、非置換多環式芳香族炭化水素部分、置換フェニル部分、及び非置換フェニル部分のうちの少なくとも１つを含む。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含み得、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含んでもよく、パターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含まなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含み得、多環式芳香族炭化水素部分を含まなくてもよく、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含んでもよく、多環式芳香族炭化水素部分を含まなくてもよく、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含んでもよく、Ｆを含まなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含み得、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含み得、パターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含まなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、例えば、第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料の少なくとも１つは、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分の少なくとも１つを含み得、多環式芳香族炭化水素部分を含まなくてもよく、パターニング被膜１１０の他の材料の少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含んでもよく、多環式芳香族炭化水素部分を含まなくてもよく、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、多環式芳香族炭化水素部分を含んでもよく、フルオロカーボン部分又はシロキサン部分を含まなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含み得、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含み得、パターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含まなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含んでもよく、フェニル部分を含まなくてもよく、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆを含んでもよく、フェニル部分を含まなくてもよく、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含んでもよく、Ｆを含まなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含み得、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含み得、パターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含まなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含んでもよく、フェニル部分を含まなくてもよく、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フッ化炭素部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含んでもよく、フェニル部分を含まなくてもよく、パターニング被膜１１０の他の材料のうちの少なくとも１つは、フェニル部分を含んでもよく、フッ化炭素部分又はシロキサン部分を含まなくてもよい。
一般に、例えば第１の材料及び第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料の分子構造及び／又は分子組成は、互いに異なり得る。いくつかの非限定的な例では、材料は、これらに限定されないが、モノマーの分子構造、モノマー骨格、及び／又は官能基、共通要素の存在、分子構造の類似性、特性表面エネルギー、屈折率、分子量、及び融点、昇華温度、ガラス転移温度、又は熱分解温度を含むがこれらに限定されない熱特性のうちの少なくとも１つを含む、互いに実質的に同様の又は異なる少なくとも１つの特性を有するように選択され得る。
特性表面エネルギーは、特に材料に関して本明細書で使用される場合、概して、かかる材料から決定される表面エネルギーを指し得る。非限定的な例として、特徴的な表面エネルギーは、薄膜形態で堆積及び／又は被覆された材料によって形成された表面から測定され得る。固体の表面エネルギーを決定するための様々な方法及び理論が知られている。非限定的な例として、表面エネルギーは、液体－蒸気界面と表面との間の接触角を測定するために、様々な液体が固体の表面と接触し得るようになる接触角の一連の測定に基づいて計算及び／又は導出され得る。いくつかの非限定的な例では、固体表面の表面エネルギーは、表面を完全に濡らす最も高い表面張力を有する液体の表面張力に等しくてもよい。非限定的な例として、Ｚｉｓｍａｎプロットが、表面との完全な湿潤（すなわち、０°の接触角）をもたらす最高表面張力値を決定するために使用され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の第１の材料及び第２の材料のうちの少なくとも１つは、オリゴマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は第１のオリゴマーを含み得、第２の材料は第２のオリゴマーを含み得る。第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーの各々は、複数のモノマーを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも断片は、以下の式によって表され得、
（Ｍｏｎ）ｎ （Ｉ）
式中、
Ｍｏｎは、モノマーを表し、
ｎは、少なくとも２の整数である。
いくつかの非限定的な例では、ｎは、約２～００、約２～５０、約３～２０、約３～１５、約３～１０、又は約３～７のうちの少なくとも１つの整数であり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の第１の材料及び第２の材料の分子構造は、各々独立して、式（Ｉ）によって表され得る。非限定的な例として、モノマー及び／又は第１の材料のｎは、第２の材料のものと異なっていてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の材料のｎは、第２の材料のｎと同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料のｎは、第２の材料のｎと異なり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料のｎは、第２の材料のｎと異なり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料はオリゴマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、官能基を含み得る。いくつかの非限定的な例では、モノマーの少なくとも１つの官能基は、低い表面張力を有し得る。いくつかの非限定的な例において、モノマーの少なくとも１つの官能基は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含み得る。かかる官能基の非限定的な例としては、フルオロカーボン基及びシロキサン基のうちの少なくとも１つが挙げられる。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、シルセスキオキサン基を含み得る。
いくつかの非限定的な例を第１の材料及び第２の材料に関して本明細書で説明してきたが、パターニング被膜は少なくとも１つの追加の材料を更に含んでもよく、第１の材料、第２の材料、第１のオリゴマー、及び／又は第２のオリゴマーの分子構造及び／又は特性に関する説明は、パターニング被膜に含有され得る追加の材料に関して適用可能であり得ることが理解されるであろう。
これらに限定されないが、モノマー、モノマー骨格単位、リンカー、又は官能基を含む、分子構造の断片に起因する表面張力は、当該分野で公知の様々な方法を使用して決定され得る。かかる方法の非限定的な例は、非限定的な例として、「Ｃｏｎｃｅｐｔｉｏｎ ａｎｄ Ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ Ｐａ」，Ｎａｔｕｒｅ １９６：８９０－８９１に更に記載され得るような、パラコールの使用を含む。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのモノマーの官能基は、約２５ダイン／ｃｍ、２１ダイン／ｃｍ、２０ダイン／ｃｍ、１９ダイン／ｃｍ、１８ダイン／ｃｍ、１７ダイン／ｃｍ、１６ダイン／ｃｍ、１５ダイン／ｃｍ、１４ダイン／ｃｍ、１３ダイン／ｃｍ、１２ダイン／ｃｍ、１１ダイン／ｃｍ、又は１０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つ以下の表面張力を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＦ２及びＣＦ２Ｈ部分のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＦ２及びＣＦ３部分のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＨ２ＣＦ３部分を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、Ｃ及びＯのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、フルオロカーボンモノマーを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、フッ化ビニル部分、フッ化ビニリデン部分、テトラフルオロエチレン部分、クロロトリフルオロエチレン部分、ヘキサフルオロプロピレン部分、又はフッ素化１，３－ジオキソール部分のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、モノマー骨格及び官能基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、官能基は、直接又はリンカー基を介して、モノマー骨格に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、リンカー基を含んでいてもよく、リンカー基は、モノマー骨格及び官能基に結合し得る。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、複数の官能基を含んでいてもよく、これらは互いに同じであっても異なっていてもよい。かかる例では、各官能基は、直接又はリンカー基を介してモノマー骨格に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、複数の官能基が存在する場合、複数のリンカー基も存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造は、複数の異なるモノマーを含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる分子構造は、異なる分子組成及び／又は分子構造を有するモノマー種を含み得る。かかる分子構造の非限定的な例としては、以下の式によって表されるものが挙げられる。
（ＭｏｎＡ）ｋ（ＭｏｎＢ）ｍ （Ｉ－１）
（ＭｏｎＡ）ｋ（ＭｏｎＡ）ｍ（ＭｏｎＣ）ｏ （Ｉ－２）
式中、
ＭｏｎＡ、ＭｏｎＢ、及びＭｏｎＣは、各々モノマー種を表し、
ｋ、ｍ、及びｏは、各々少なくとも２の整数を表す。
いくつかの非限定的な例ではｋ、ｍ、及びｏは、各々約２～１００、約２～５０、約３～２０、約３～１５、約３～１０、又は約３～７のうちの少なくとも１つの整数を表す。当業者は、モノマー、Ｍｏｎに関する様々な非限定的な例及び説明がＭｏｎＡ、ＭｏｎＢ、及びＭｏｎＣの各々に関して適用可能であり得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、以下の式によって表され得る。
Ｍ－（Ｌ－Ｒｘ）ｙ （ＩＩ）
式中、
Ｍは、モノマー骨格単位を表し、
Ｌは、リンカー基を表し、
Ｒは、官能基を表し、
ｘは、１～４の整数であり、
ｙは、１～３の整数である。
いくつかの非限定的な例では、リンカー基は、単結合、Ｏ、Ｎ、ＮＨ、Ｃ、ＣＨ、ＣＨ２、及びＳのうちの少なくとも１つによって表され得る。
本明細書に記載されている官能基の様々な非限定的な例は、式（ＩＩ）のＲに関して適用することができる。いくつかの非限定的な例では、官能基Ｒはオリゴマー単位を含んでもよく、オリゴマー単位は、複数の官能基モノマー単位を更に含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、官能基モノマー単位は、ＣＨ２又はＣＦ２のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、官能基は、ＣＨ２ＣＦ３部分を含み得る。例えば、かかる官能基モノマー単位は、一緒に結合して、アルキル又はフルオロアルキルオリゴマー単位のうちの少なくとも１つを形成することができる。いくつかの非限定的な例では、オリゴマー単位は、官能基末端単位を更に含み得る。いくつかの非限定的な例では、官能基末端単位は、オリゴマー単位の末端に配置され、官能基モノマー単位に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、官能基末端単位が配置され得る末端は、モノマー骨格単位に対して遠位であり得る官能基の断片に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、官能基末端単位は、ＣＦ２Ｈ又はＣＦ３のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位Ｍは、高い表面張力を有し得る。いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、それに結合している官能基Ｒのうちの少なくとも１つよりも高い表面張力を有し得る。いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、それに結合しているいずれの官能基Ｒよりも高い表面張力を有し得る。いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、それに結合しているいずれの官能基Ｒよりも高い表面張力を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、少なくとも約２５ダイン／ｃｍ、少なくとも約３０ダイン／ｃｍ、少なくとも約４０ダイン／ｃｍ、少なくとも約５０ダイン／ｃｍ、少なくとも約７５ダイン／ｃｍ、少なくとも約１００ダイン／ｃｍ、少なくとも約１５０ダイン／ｃｍ、少なくとも約２００ダイン／ｃｍ、少なくとも約２５０ダイン／ｃｍ、少なくとも約５００ダイン／ｃｍ、少なくとも約１，０００ダイン／ｃｍ、少なくとも約１，５００ダイン／ｃｍ、又は少なくとも約２，０００ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの表面張力を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、これに限定されないがホスファゼンを含むリン（Ｐ）及びＮを含んでいてもよく、ＰとＮとの間に二重結合が存在し、「ＮＰ」又は「Ｎ＝Ｐ」と表され得る。いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、ＳｉＯ３／２として表され得るシルセスキオキサンを含むがこれに限定されない、Ｓｉ及びＯを含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料の少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部分は、以下の式によって表される。
（ＮＰ－（Ｌ－Ｒｘ）ｙ）ｎ （ＩＩＩ）
式中、
ＮＰは、ホスファゼンモノマー骨格単位を表し、
Ｌは、リンカー基を表し、
Ｒは、官能基を表し、
ｘは、１～４の整数であり、
ｙは、１～３の整数であり、
ｎは、少なくとも２の整数である。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料の分子構造は、式（ＩＩＩ）によって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料の少なくとも１つは、シクロホスファゼンであり得る。いくつかの非限定的な例において、シクロホスファゼンの分子構造は、式（ＩＩＩ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例ではＬは、酸素を表してもよく、ｘは、１であってもよく、及びＲは、フルオロアルキル基を表してもよい。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の少なくとも１つの材料の分子構造の少なくとも断片は、以下の式によって表されてもよい。
（ＮＰ（ＯＲｆ）２）ｎ （ＩＶ）
式中、
Ｒｆは、フルオロアルキル基を表し、
ｎは、３～７の整数である。
いくつかの非限定的な例では、フルオロアルキル基は、ＣＦ２基、ＣＦ２Ｈ基、ＣＨ２ＣＦ３基、及びＣＦ３基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、フルオロアルキル基は、以下の式によって表すことができる。
Figure 2024516165000116
 式中、
ｐは、１～５の整数であり、
ｑは、６～２０の整数であり、
Ｚは、水素又はＦを表す。
いくつかの非限定的な例ではｐは、１であってもよく、ｑは、６～２０の整数であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、式（ＩＶ）中フルオロアルキル基Ｒｆは、式（Ｖ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも断片は、以下の式によって表され得、
（ＳｉＯ３／２－（Ｌ－Ｒ））ｎ （ＶＩ）
式中、
Ｌは、リンカー基を表し、
Ｒは、官能基を表し、
ｎは、６～１２の整数である。
いくつかの非限定的な実施形態では、Ｌは、単結合、Ｏ、置換アルキル、又は非置換アルキルのうちの少なくとも１つの存在を表し得る。いくつかの非限定的な例ではｎは、８、１０、又は１２であってもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、低い表面張力を有する官能基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、Ｆ含有基及びＳｉ含有基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例ではＲは、フルオロカーボン基及びシロキサン含有基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例ではＲは、ＣＦ２基及びＣＦ２Ｈ基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、ＣＦ２及びＣＦ３基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、ＣＨ２ＣＦ３基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例において、式（ＶＩ）によって表される材料は、ポリオクタヘドラルシルセスキオキサンであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも断片は、以下の式によって表され得、
（ＳｉＯ３／２－Ｒｆ）ｎ （ＶＩＩ）
式中、
ｎは、６～１２の整数であり、
Ｒｆは、フルオロアルキル基を表す。
いくつかの非限定的な例ではｎは、８、１０、又は１２であってもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、低い表面張力を有する官能基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＦ２部分及びＣＦ２Ｈ部分のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＦ２部分及びＣＦ３部分のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＨ２ＣＦ３部分を含み得る。いくつかの非限定的な例において、式（ＶＩＩ）によって表される材料は、ポリオクタヘドラルシルセスキオキサンであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、式（ＶＩＩ）中のフルオロアルキル基、Ｒｆは、式（Ｖ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも断片は、以下の式によって表され得、
（ＳｉＯ３／２－（ＣＨ２）ｘ（ＣＦ３））ｎ （ＶＩＩＩ）
式中、
ｘは、１～５の整数であり、
ｎは、６～１２の整数である。
いくつかの非限定的な例ではｎは、８、１０、又は１２であってもよい。
いくつかの非限定的な例において、式（ＶＩＩＩ）によって表される化合物は、ポリオクタヘドラルシルセスキオキサンであってもよい。
いくつかの非限定的な例において、官能基Ｒ及び／又はフルオロアルキル基Ｒｆは、前述の式のいずれかにおけるかかる基の各出現時に独立して選択されてもよい。前述の式のいずれかが化合物の下位構造を表してもよく、上記の式に明示的に示されていない追加の基又は部分が存在してもよいことも理解されるであろう。本出願において提供される様々な式は、直鎖状、分岐状、環状、環状－直鎖状、及び／又は架橋構造を表し得ることも理解されるであろう。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、以下の式：（Ｉ）、（Ｉ－１）、（Ｉ－２）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、及び（ＶＩＩＩ）のうちの少なくとも１つによって表される少なくとも１つの材料と、以下の少なくとも１つの特性：（ａ）芳香族炭化水素部分を含む、（ｂ）ｓｐ２炭素を含む、（ｃ）フェニル部分を含む、（ｄ）約２０ダイン／ｃｍより大きい特徴的な表面エネルギーを有する、（ｅ）約３６５ｎｍの波長を有する励起放射線によって照射されると、少なくとも約３６５ｎｍの波長でフォトルミネセンスを明示することを含むがこれに限定されないフォトルミネセンスを明示する、少なくとも１つの材料と、を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜は、第１の材料及び第２の材料とは異なる第３の材料を更に含み得る。いくつかの非限定的な例では、第３の材料は、第１の材料及び第２の材料のうちの少なくとも１つと共通のモノマーを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料と第２の材料との間の差を含むがこれに限定されないパターニング被膜１１０の複数の材料の昇華温度の差は、約５℃、１０℃、１５℃、２０℃、３０℃、４０℃、又は５０℃のうちの少なくとも１つ以下であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含んでもよく、パターニング被膜１１０の材料の昇華温度は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約２５℃、約４０℃、又は約５０℃のうちの少なくとも１つ以下だけ異なってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含んでもよく、パターニング被膜１１０の材料の昇華温度は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約２５℃、約４０℃、又は約５０℃のうちの少なくとも１つ以下だけ異なってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１のＮＩＣ材料と第２のＮＩＣ材料との間の差を含むがこれに限定されないパターニング被膜１１０の複数の材料の溶融温度の差は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約３０℃、約４０℃、又は約５０℃のうちの少なくとも１つ以下であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含んでもよく、パターニング被膜１１０の材料の溶融温度は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約２５℃、約４０℃、又は約５０℃のうちの少なくとも１つ以下だけ異なってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分のうちの少なくとも１つを含んでもよく、パターニング被膜１１０の材料の溶融温度は、約５℃、約１０℃、約１５℃、約２０℃、約２５℃、約４０℃、又は約５０℃のうちの少なくとも１つ以下だけ異なってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料の少なくとも１つは、低い特質表面エネルギーを有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、低い特質表面エネルギーを有し得、パターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料の少なくとも１つは、低い特性表面エネルギーであってもよく、Ｆ及びＳｉの少なくとも１つを含んでもよく、パターニング被膜１１０の少なくとも１つの他の材料は、高い特性表面エネルギーを有してもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆ及びＳｉの存在は、それぞれフルオロカーボン部分及びシロキサン部分の存在によって説明され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の材料を含むがこれに限定されない材料の少なくとも１つは、約１０～２０ダイン／ｃｍ、約１２～２０ダイン／ｃｍ、約１５～２０ダイン／ｃｍ、又は約１７～１９ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの低い特性表面エネルギーを有してもよく、第１の材料を含むがこれに限定されない別の材料は、約２０～１００ダイン／ｃｍ、約２０～５０ダイン／ｃｍ、又は約２５～４５ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの高い特性表面エネルギーを有してもよい。いくつかの非限定的な例では、材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の材料は、Ｆ又はＳｉのうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の材料を含むがこれに限定されないパターニング被膜１１０の材料の少なくとも１つは、約２０ダイン／ｃｍ以下の低い特質表面エネルギーを有してもよく、Ｆ及び／又はＳｉの少なくとも１つを含んでもよく、第１の材料を含むがこれに限定されない別の材料は、少なくとも約２０ダイン／ｃｍの特質表面エネルギーを有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の材料を含むがこれに限定されないパターニング被膜１１０の材料の少なくとも１つは、約２０ダイン／ｃｍ以下の低い特質表面エネルギーを有してもよく、フルオロカーボン部分及びシロキサン部分の少なくとも１つを含んでいてもよく、第１の材料を含むがこれに限定されないパターニング被膜１１０の別の材料は、少なくとも約２０ダイン／ｃｍの特質表面エネルギーを有していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料の表面エネルギーを含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の２つ以上の材料の各々の表面エネルギーは、約２５ダイン／ｃｍ未満、約２１ダイン／ｃｍ未満、約２０ダイン／ｃｍ未満、約１９ダイン／ｃｍ未満、約１８ダイン／ｃｍ未満、約１７ダイン／ｃｍ未満、約１６ダイン／ｃｍ未満、約１５ダイン／ｃｍ未満、約１４ダイン／ｃｍ未満、約１３ダイン／ｃｍ未満、約１２ダイン／ｃｍ未満、約１１ダイン／ｃｍ未満、又は約１０ダイン／ｃｍ未満である。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つの材料の５００ｎｍ及び４６０ｎｍのうちの少なくとも１つの波長での屈折率は、約１．５、約１．４５、約１．４４、約１．４３、約１．４２、又は約１．４１のうちの少なくとも１つ以下であり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、フォトルミネセンスを明示する少なくとも１つの材料を含んでもよく、パターニング被膜１１０は、５００ｎｍ及び４６０ｎｍのうちの少なくとも１つの波長において、約１．５、約１．４５、約１．４４、約１．４３、約１．４２、又は約１．４１のうちの少なくとも１つ以下の屈折率を有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つの分子量は、約７５０、約１，０００、約１，５００、約２，０００、約２，５００、又は約３，０００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つより大きくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料を含むがこれらに限定されないパターニング被膜１１０の材料のうちの少なくとも１つの分子量は、約１０，０００、約７，５００、又は約５，０００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つ以下であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、同様の熱特性を明示する複数の材料を含んでもよく、材料のうちの少なくとも１つは、フォトルミネセンスを明示してもよい。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、同様の熱特性を有する複数の材料を含んでもよく、材料のうちの少なくとも１つはフォトルミネセンスであってもよく、材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ又はＳｉを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、材料の融解温度又は昇華温度を含むがこれらに限定されない同様の熱特性を有する複数の材料を含んでもよく、材料の少なくとも１つは、約３６５ｎｍの励起波長を有する放射線によって励起されたときに少なくとも約３６５ｎｍの波長でフォトルミネセンスを明示してもよく、材料の少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉの少なくとも１つを含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、少なくとも１つの共通要素又は少なくとも１つの共通サブ構造のうちの少なくとも１つを有する複数を含んでもよく、材料のうちの少なくとも１つは、フォトルミネセンスを明示してもよい。いくつかの非限定的な例では、材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、同様の熱特性を有する複数の材料を含み得、材料の少なくとも１つは、約３６５ｎｍの励起波長を有する放射線によって励起されたときに約３６５ｎｍの少なくとも１つより大きい波長でフォトルミネセンスを明示してもよく、材料の少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの共通要素は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造は、フルオロカーボン及びシロキシルのうちの少なくとも１つを含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、光電子デバイス１００を製造するための方法は、その側方面の第１の部分１０１内のデバイス１００の第１の露出層表面１１上にパターニング被膜を堆積させること、及びその側方面の第２の部分１０２内のデバイス１００の第２の露出層表面１１上に堆積材料７３１を堆積させることの動作を含んでもよい。第１の部分１０１におけるパターニング被膜１１０の露出層表面１１上への堆積材料７３１の堆積に抗する初期付着確率は、第２の部分１０２における露出層表面１１上への堆積材料７３１の堆積に抗する初期付着確率よりも実質的に小さくてもよく、それにより、第１の部分１０１におけるパターニング被膜１１０の露出層表面１１は、堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０を実質的に欠いていてもよい。デバイス１００の第１の露出層表面１１上に堆積されたパターニング被膜１１０は、第１の材料及び第２の材料を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の第１の露出層表面１１上にパターニング被膜１１０を堆積させることは、複数の材料を含有する混合物を提供することと、デバイス１００の第１の露出層表面１１上に混合物を堆積させて、その上にパターニング被膜１１０を形成することと、を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、混合物は、第１の材料及び第２の材料を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料の両方を第１の露出層表面１１上に堆積させて、その上にパターニング被膜１１０を形成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、複数の材料を含有する混合物は、熱蒸着を含むがこれに限定されないＰＶＤプロセスによってデバイス１００の第１の露出層表面１１上に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、共通の蒸発源から混合物を蒸発させ、デバイス１００の第１の露出層表面１１上に混合物を堆積させることによって形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、非限定的な例として、第１の材料及び第２の材料を含有する混合物は、真空下で加熱される共通のるつぼ及び／又は蒸発源に置かれてもよい。材料の蒸発温度に達すると、そこから発生した蒸気フラックス７３２は、デバイス１００の第１の露出層表面１１に向けられて、その上にパターニング被膜１１０を堆積させてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、第１の材料及び第２の材料の共蒸着によって堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の材料を第１のるつぼ及び／又は第１の蒸発源から蒸発させ、第２の材料を第２のるつぼ及び／又は第２の蒸発源から同時に蒸発させて、混合物を気相で形成し、第１の露出層表面１１上に共堆積させて、その上にパターニング被膜１１０を提供してもよい。
少なくとも２つの材料を含有する特定の例示的なパターニング被膜１１０の特性を評価するために、ＨＴＬ材料として使用され得る有機材料の約２０ｎｍ厚の層を真空中で堆積させ、続いて、以下の表５に要約されるような様々な組成を有する核形成修正被膜を有機材料層の上に堆積させることによって、一連の試料を作製した。
Figure 2024516165000117
本実施例では、パターニング材料は、例えば薄膜として堆積されたとき、パターニング材料が限定されないがＡｇ及びＹｂのうちの少なくとも１つを含む、堆積材料７３１の堆積に抗する低い初期付着確率を明示するように選択された。
本実施例では、ＰＬ材料１及びＰＬ材料２は、非限定的な例として、薄膜として堆積されたときに、ＰＬ材料１及びＰＬ材料２の各々が、蛍光顕微鏡法を含むがこれに限定されない標準的な光学測定技術によって検出可能なフォトルミネセンスを明示し得るように選択された。
表５において、試料１は、パターニング材料を堆積させることによって核形成修正被膜が提供された比較試料である。試料２は、ＰＬ材料１を０．５体積％の濃度で含有する被膜を形成するために、パターニング材料とＰＬ材料１とを一緒に共堆積させることによって核形成修正被膜が提供された例示的試料である。試料３は、ＰＬ材料２を０．５体積％の濃度で含有する被膜を形成するために、パターニング材料とＰＬ材料２とを一緒に共堆積させることによって核形成修正被膜が提供された例示的試料である。試料４は、核形成修正被膜がＰＬ材料１を堆積させることによって提供された比較試料である。試料５は、核形成修正被膜がＰＬ材料２を堆積させることによって提供された比較試料である。試料６は、有機材料層上に核形成修正被膜が提供されなかった比較試料である。
次に、試料１～６の各々は、Ｙｂ、続いてＡｇのオープンマスク堆積に供された。具体的には、上記の材料によって形成された核形成修正被膜の表面に、Ｙｂ、続いてＡｇのオープンマスク堆積に供された。より具体的には、各試料は、約１ｎｍの基準厚に達するまでＹｂ蒸気フラックス７３２に供され、その後、約１２ｎｍの基準厚さに達するまでＡｇ蒸気フラックス７３２に供された。試料が作製されると、光透過測定を行って、核形成修正被膜の露出層表面１１上に堆積されたＹｂ及び／又はＡｇの相対量を決定した。理解されるように、その上に金属が比較的少ないか全く存在しない試料は、実質的に透明であり得るが、特に閉鎖被膜１４０としてその上に金属が堆積された試料は、一般に、実質的により低い光透過率を明示し得る。したがって、パターニング被膜１１０としての様々な例示的被膜の相対的な性能は、ＡｇのＹｂのいずれか又は両方の堆積からその上に堆積された金属堆積材料の量又は厚さに直接相関し得るＥＭ放射線透過率を測定することによって評価され得る。
各試料をＡｇ蒸気フラックスに供した後の６００ｎｍの波長での光透過率の低下を測定し、以下の表６にまとめた。
Figure 2024516165000118
具体的には、表６の各試料の透過率低下（％）は、Ｙｂ及びＡｇ蒸気フラックス７３２への曝露の前後に試料を通る光透過率を測定し、ＥＭ放射線透過率の低下をパーセンテージとして表すことによって決定した。
分かり得るように、試料１、試料２、及び試料３は、２％未満、又は試料１及び３の場合には１％未満の比較的低い透過率低下を明示した。したがって、これらの試料に提供された核形成修正被膜がＮＩＣとして機能したことが観察され得る。これに対して、試料４は４３％、試料５は４７％、試料６は４５％の透過率低下を各々明示した。したがって、これらの試料に提供された核形成修正被膜は、ＮＩＣとして機能しなかったが、実際にＮＰＣ９２０として機能した可能性がある。
更に、パターニング被膜１１０が実質的にＮＩＣ材料のみからなる試料１は、フォトルミネセンスを明示しないことが分かった。しかしながら、パターニング被膜１１０がＮＩＣ材料に加えてそれぞれＰＬ材料１及びＰＬ材料２を含む試料２及び試料３は、堆積材料７３１の堆積に抗する低い初期付着確率を有する表面を提供することによって、ＮＩＣとしても機能しながら、フォトルミネセンスを明示することが分かった。
堆積層
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の側面の第２の部分１０２において、堆積材料７３１を含む堆積層１３０は、限定はしないが基板１０を含む下層の露出層表面１１上に閉じた被膜１４０として配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、堆積材料７３１を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、Ｙｂ、Ａｇ、金（Ａｕ）、Ｃｕ、アルミニウム（Ａｌ）、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、スズ（Ｓｎ）、及びイットリウム（Ｙ）のうちの少なくとも１つから選択された元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、及びＭｇのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、及びＡｕのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＣｕであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｌであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、及びＹｂのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、及びＬｉのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、及びＹｂのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ及びＡｇのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｇであり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、純金属であってもよく、及び／又は純金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は純Ａｇ又は実質的に純Ａｇのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＡｇは、少なくとも約９５％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、及び少なくとも約９９．９９９５％のうちの１つの純度を有し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、純Ｍｇ又は実質的に純Ｍｇのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、及び少なくとも約９９．９９９５％のうちの１つの純度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、又はＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、ＡｇＭｇ含有合金は、体積で約１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲であり得る合金組成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、Ａｇの代わりに、及び／又はＡｇと組み合わせて、他の金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、Ａｇと少なくとも１つの他の金属との合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、Ａｇと、Ｍｇ又はＹｂのうちの少なくとも１つとの合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる合金は、約５～９５体積％のＡｇの組成を有し、残りが他の金属である二元合金であり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、Ａｇ及びＭｇを含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、体積で約１：１０～１０：１の組成を有するＡｇ：Ｍｇ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、Ａｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、体積で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、Ｍｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０はＡｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、少なくとも１つの追加の元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は非金属元素であり得る。いくつかの非限定的な例では、非金属元素は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は、ソース材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境におけるかかる追加の元素の存在に起因して、汚染物質として堆積層１３０に組み込まれ得ることが、当業者によって理解されよう。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素の濃度は、閾値濃度未満であるように制限され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は、堆積層１３０の他の元素とともに化合物を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１中の非金属元素の濃度は、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下のうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、その中のＯ及びＣの合計量が、約１０％以下、約５％以下、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下のうちの１つであり得る組成を有することができる。
ここで、特に堆積層１３０が実質的に金属及び／又は金属合金から構成され得る場合に、堆積層１３０中の特定の非金属元素の濃度を低減することにより、堆積層１３０の選択的堆積が容易となり得ることが、少し驚くべきことに見出されている。いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、Ｏ又はＣなどのある特定の非金属元素は、堆積層１３０の蒸気フラックス７３２中、及び／又は堆積チャンバ内、及び／又は環境内に存在する場合、パターニング被膜１１０の表面上に堆積して、堆積層１３０の金属元素のための核形成部位として作用し得ると仮定し得る。核形成部位として機能し得るかかる非金属元素の濃度を低減することは、パターニング被膜１１０の露出層表面１１上に堆積される堆積材料７３１の量を低減することを容易にし得ると仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、金属含有下層上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１及びその下にある下層は、共通の金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、堆積材料７３１の複数の層を含み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの第１の層の堆積材料７３１は、複数の層のうちの第２の層の堆積材料７３１とは異なり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、多層被膜を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる多層被膜は、Ｙｂ／Ａｇ、Ｙｂ／Ｍｇ、Ｙｂ／Ｍｇ：Ａｇ、Ｙｂ／Ｙｂ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ／Ｍｇ、及びＹｂ／Ｍｇ／Ａｇのうちの１つであり得る。Ａｇ、Ｙｂ／Ｙｂ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ／Ｍｇ、及びＹｂ／Ｍｇ／Ａｇのうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、約３００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約２００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１６５ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１５０ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約５０ｋＪ／ｍｏｌ以下、及び約２０ｋＪ／ｍｏｌ以下のうちの１つの結合解離エネルギーを有する金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、約１．４以下、約１．３以下、及び約１．２以下のうちの１つである電気陰性度を有する金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０のシート抵抗は、概して、デバイス１００の他の構成要素、層、及び／又は部分から分離して測定又は決定された堆積層１３０のシート抵抗に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、薄膜として形成され得る。したがって、いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０の特徴的なシート抵抗は、かかる薄膜の組成、厚さ、かつ／若しくは形態に基づいて決定及び／又は計算され得る。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗は、約１０Ω／□以下、約５Ω／□以下、約１Ω／□以下、約０．５Ω／□以下、約０．２Ω／□以下、及び約０．１Ω／□以下のうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、堆積層１３０の閉鎖被膜１４０を実質的に欠いている少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配設され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの領域は、堆積層１３０をその複数の個別の断片に分離し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０の各個別の断片は、別個の第２の部分１０２であり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０の複数の個別の断片は、その側方面において互いに物理的に離隔され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０のかかる複数の個別の断片のうちの少なくとも２つは、電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０のかかる複数の個別の断片のうちの少なくとも２つは、それらの間の電流の流れを可能にするために、限定はしないが、下地表面を含む共通の導電層又は被膜と各々電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０のかかる複数の個別の断片のうちの少なくとも２つは、互いに電気的に絶縁され得る。
パターニング被膜を用いた選択的堆積
図６は、下地層の露出層表面１１の第１の部分１０１上にパターニング被膜１１０を選択的に堆積させるための、チャンバ６２０内の、概して６００で示される蒸着堆積プロセスの非限定的な例を解説する例示的な概略図である。
プロセス６００では、ある量のパターニング材料６１１を真空下で加熱して、パターニング材料６１１を蒸発及び／又は昇華させる。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、全体的に、かつ／又は実質的に、パターニング被膜１１０を形成するために使用される材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる材料は有機材料を含み得る。
パターニング材料６１１の気化フラックス６１２は、矢印６１によって示される方向を含む、チャンバ６２０を通って、露出層表面１１に向かって流れることができる。気化フラックス６１２が露出層表面１１に入射すると、パターニング被膜１１０がその上に形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、プロセス６００の図に示されるように、パターニング被膜１１０は、気化フラックス６１２と露出層表面１１との間に、いくつかの非限定的な例ではＦＭＭであり得るシャドウマスク６１５を介在させることによって、露出層表面１１の一部、図示の例では第１の部分１０１上のみに選択的に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、かかるシャドウマスク６１５は、いくつかの非限定的な例では、約数十ミクロン以下の形状サイズを有する比較的小さい形状を形成するために使用され得る。
シャドウマスク６１５は、気化フラックス６１２の一部が開口部６１６を通過し、露出層表面１１に入射してパターニング被膜１１０を形成することができるように、シャドウマスクを通って延びる少なくとも１つの開口部６１６を有することができる。気化フラックス６１２が開口部６１６を通過せず、シャドウマスク６１５の表面６１７に入射する場合、露出層表面１１上に配設されてパターニング被膜１１０を形成することが妨げられる。いくつかの非限定的な例では、シャドウマスク６１５は、開口部６１６を通過する気化フラックス６１２が第１の部分１０１に入射し得るが、第２の部分１０２には入射し得ないように構成され得る。したがって、露出層表面１１の第２の部分１０２は、パターニング被膜１１０を実質的に欠く場合がある。いくつかの非限定的な例（図示せず）では、シャドウマスク６１５上に入射するパターニング材料６１１は、その表面６１７上に堆積され得る。
したがって、パターニング被膜１１０の堆積が完了すると、パターニングされた表面が生成され得る。
図７は、図６の蒸発プロセス６００によるものを含むがこれに限定されない、第１の部分１０１上に選択的に堆積されたパターニング被膜１１０を実質的に欠いている下地層の露出層表面１１の第２の部分１０２上に堆積層１３０の閉鎖被膜１４０を選択的に堆積するための、チャンバ６２０内の７００ａで概して示される蒸発プロセスの結果の非限定的な例を解説する例示的な概略図である。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、いくつかの非限定的な例では少なくとも１つの金属を含む堆積材料７３１で構成されてもよい。典型的には、有機材料の気化温度は、堆積材料７３１として採用され得るような金属の気化温度に比べて低いことが、当業者によって理解されよう。
したがって、いくつかの非限定的な例では、かかるシャドウマスク６１５を使用して堆積層１３０を直接パターニングすることと比較して、パターニング被膜１１０をあるパターンで選択的に堆積させるためにシャドウマスク６１５を用いる際、より少ない制約が存在し得る。
パターニング被膜１１０が下層の露出層表面１１の第１の部分１０１上に堆積されると、堆積材料７３１の閉じた被膜１４０が、パターニング被膜１１０を実質的に欠く露出層表面１１の第２の部分１０２上に堆積層１３０として堆積され得る。
プロセス７００ａでは、ある量の堆積材料７３１を真空下で加熱して、堆積材料７３１を蒸発及び／又は昇華させることができる。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、堆積層１３０を形成するために使用される材料を完全に、かつ／又は実質的に含み得る。
堆積材料７３１の気化フラックス７３２は、第１の部分１０１及び第２の部分１０２の露出層表面１１に向かって、矢印７１によって示される方向を含むチャンバ６２０の内側に向けられ得る。気化フラックス７３２が露出層表面１１の第２の部分１０２に入射すると、堆積材料７３１の閉じた被膜１４０が、堆積層１３０としてその上に形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１の堆積は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して実行されてもよい。
シャドウマスク６１５とは対照的に、オープンマスクの形状サイズは、製造されるデバイス１００のサイズにほぼ匹敵し得ることが、当業者によって理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、オープンマスクの使用が省略され得ることが、当業者によって理解されよう。いくつかの非限定的な例では、本明細書で説明されるオープンマスク堆積プロセスは、代替的に、ターゲット露出層表面１１全体が露出され得るように、オープンマスクを使用せずに行われてもよい。
実際、図７に示されるように、気化フラックス７３２は、第１の部分１０１にわたるパターニング被膜１１０の露出層表面１１と、パターニング被膜１１０を実質的に欠く第２の部分１０２にわたる下層の露出層表面１１との両方に入射し得る。
第１の部分１０１におけるパターニング被膜１１０の露出層表面１１は、第２の部分１０２における下層の露出層表面１１に対して、堆積材料７３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率を示し得るので、堆積層１３０は、実質的にパターニング被膜１１０を欠く第２の部分１０２における下層の露出層表面１１上にのみ実質的に選択的に堆積され得る。対照的に、第１の部分１０１にわたるパターニング被膜１１０の露出層表面１１に入射する気化フラックス７３２は、（７３３に示すように）堆積されない傾向があり得、第１の部分１０１にわたるパターニング被膜１１０の露出層表面１１は、堆積層１３０の閉じた被膜１４０を実質的に欠く場合がある。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２における下層の露出層表面１１上の気化フラックス７３２の初期堆積速度は、第１の部分１０１におけるパターニング被膜１１０の露出層表面１１上の気化フラックス７３２の初期堆積速度の約２００倍、約５５０倍、約９００倍、約１，０００倍、約１，５００倍、約１，９００倍、及び約２，０００倍のうちの１つを超え得る。
したがって、シャドウマスク６１５及びオープンマスクを使用する図６におけるパターン二ング被膜１１０の選択的堆積及び／又は堆積材料７３１のマスクフリー堆積の組み合わせは、図７に示されるデバイス１００のバージョン７００－ａをもたらし得る。
第１の部分１０１にわたるパターニング被膜１１０の選択的堆積の後、堆積材料７３１の閉じた被膜１４０は、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、堆積層１３０としてデバイス７００ａの上に堆積され得るが、パターニング被膜１１０を実質的に欠く第２の部分１０２内にのみ実質的に残り得る。
パターニング被膜１１０は、第１の部分１０１内で、第２の部分１０２内のデバイス７００ａの下部材料の露出層表面１１の、堆積材料７３１の堆積に対する、実質的に初期付着確率以下である、堆積材料７３１の堆積に対する、比較的低い初期付着確率を有する露出層表面１１を提供し得る。
したがって、第１の部分１０１は、堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０を実質的に欠き得る。
本開示は、シャドウマスク６１５を伴う堆積プロセスによるパターニング被膜１１０のパターニングされた堆積を企図しているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、これが、限定ではないが、マイクロコンタクト印刷プロセスを含む、任意の好適な堆積プロセスによって達成され得ることを理解するであろう。
本開示は、パターニング被膜１１０がＮＩＣであることを企図しているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０がＮＰＣ９２０であり得ることを理解するであろう。かかる例では、ＮＰＣ９２０が堆積された部分（例えば、非限定的に、第１の部分１０１）は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０を有してもよく、一方、他の部分（例えば、非限定的に、第２の部分１０２）は、堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０を実質的に欠き得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０及びその後に堆積される堆積層１３０の平均層厚は、限定されないが、所与の用途及び所与の性能特質を含む、様々なパラメータに従って変化し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の平均層厚は、その後に堆積される堆積層１３０の平均層厚と同等であってもよく、かつ／又は実質的にそれ以下であり得る。堆積層１３０の選択的パターニングを達成するために比較的薄いパターニング被膜１１０を使用することは、可撓性のデバイス１００を提供するために好適であり得る。いくつかの非限定的な例では、比較的薄いパターニング被膜１１０は、バリア被膜又は他の薄膜封止（thin film encapsulation、ＴＦＥ）層１７５０（図１７Ｃ）が堆積され得る比較的平坦な表面を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、かかるバリア被膜１４５０の適用のためにかかる比較的平坦な表面を提供することにより、かかる表面へのその接着を増加させることができる。
縁部効果
パターニング被膜遷移領域
図８Ａを参照すると、第１の部分１０１内のパターニング被膜１１０と第２の部分１０２内の堆積層１３０との間の界面を誇張した形態で示し得る、図１のデバイス８００ａのバージョン１００が示され得る。図８Ｂは、デバイス８００ａを平面で示し得る。
図８Ｂでより分かり得るように、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内のパターニング被膜１１０は、第２の部分１０２内の堆積層１３０によって全ての側部で取り囲まれてもよく、それにより、第１の部分１０１は、各側方軸に沿った側方面におけるパターニング被膜１１０の更なる程度又は縁部８１５によって画定される境界を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、側方面におけるパターニング被膜縁部８１５は、かかる面における第１の部分１０１の外周によって画定されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１は、側方面では、少なくとも１つのパターニング被膜遷移領域１０１ｔを含んでもよく、パターニング被膜１１０の厚さは、最大厚さから減少した厚さに遷移してもよい。かかる遷移を呈しない第１の部分１０１の程度は、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎとして識別され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおいて実質的な閉鎖被膜１４０を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔは、側方面において、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎとパターニング被膜縁部８１５との間に延在することができる。
いくつかの非限定的な例では、平面で、パターニング被膜遷移領域１０１ｔは、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎを取り囲み、かつ／又はその外周に沿って延在することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの側方軸に沿って、パターニング被膜非遷移部１０１ｎは、第１の部分１０１の全体を占有してもよく、それにより、パターニング被膜遷移領域１０１ｔは、それと第２の部分１０２との間に存在しない。
図８Ａに解説するように、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、約１～１００ｎｍ、約２～５０ｎｍ、約３～３０ｎｍ、約４～２０ｎｍ、約５～１５ｎｍ、約５～１０ｎｍ、又は約１～１０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲内であり得る、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおける平均膜厚ｄ２を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおけるパターニング被膜１１０の平均膜厚ｄ２は、それにわたって実質的に同じ又は一定であり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の平均層厚ｄ２は、パターニング被膜非遷移部１０１ｎ内で、パターニング被膜１１０の平均膜厚ｄ２の約９５％及び約９０％のうちの１つ内に残留し得る。
いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ２は、約１～１００ｎｍであり得る。いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ２は、約８０ｎｍ以下、約６０ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約４０ｎｍ以下、約３０ｎｍ以下、約２０ｎｍ以下、約１５ｎｍ以下、及び約１０ｎｍ以下のうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の平均膜厚ｄ２は、約３ｎｍ、約５ｎｍ、及び約８ｎｍのうちの１つを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおけるパターニング被膜１１０の平均膜厚ｄ２は、約１０ｎｍ以下であり得る。いかなる特定の理論にも束縛されることを望まないが、少し驚くべきことに、ゼロではなく、約１０ｎｍ以下であるパターニング被膜１１０の平均膜厚ｄ２は、少なくともいくつかの非限定的な例では、１０ｎｍより大きい第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおける平均膜厚ｄ２を有するパターニング被膜１１０に対して、いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０の高められたパターニングコントラストを達成するための特定の利点を提供し得ることが見出されている。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔ内で最大値から最小値まで減少するパターニング被膜厚を有し得る。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第１の部分１０１のパターニング被膜遷移領域１０１ｔとパターニング被膜非遷移部１０１ｎとの間の境界にあり、かつ／又はそれに近接してもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、パターニング被膜縁部８１５にあり、及び／又はそれに近接してもよい。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおける平均膜厚ｄ２であり得る。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおける平均膜厚ｄ２の約９５％及び約９０％のうちの１つ以下であり得る。いくつかの非限定的な例では、最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲内であり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔにおけるパターニング被膜厚のプロファイルは、傾斜してもよく、及び／又は勾配に従ってもよい。いくつかの非限定的な例では、かかるプロファイルはテーパ状であり得る。いくつかの非限定的な例では、テーパは、線形、非線形、放物線形、及び／又は指数関数的減衰プロファイルに従ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔ内の下地表面を完全に被覆し得る。いくつかの非限定的な例では、下地層の少なくとも一部は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔ内のパターニング被膜１１０によって被覆されていないままであり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部及び／又はパターニング被膜非遷移領域１０１ｎの少なくとも一部に実質的な閉鎖被膜１４０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部及び／又はパターニング被膜非遷移部１０１ｎの少なくとも一部に不連続層８４０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内のパターニング被膜１１０の少なくとも一部は、堆積層１３０の閉鎖被膜１４０を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１の露出層表面１１の少なくとも一部は、堆積層１３０又は堆積材料７３１の閉鎖被膜１４０を実質的に欠き得る。
いくつかの非限定的な例では、限定されないがＸ軸を含む少なくとも１つの側方軸に沿って、パターニング被膜非遷移部１０１ｎは、ｗ１の幅を有してもよく、パターニング被膜遷移領域１０１ｔは、ｗ２の幅を有し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜非遷移部１０１ｎは、いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ２に幅ｗ１を乗算することによって近似され得る断面積を有し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔは、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔにわたる平均膜厚に幅ｗ１を乗算することによって近似され得る断面積を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ｗ１は、ｗ２を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、商ｗ１／ｗ２は、少なくとも約５、少なくとも約１０、少なくとも約２０、少なくとも約５０、少なくとも約１００、少なくとも約５００、少なくとも約１，０００、少なくとも約１，５００、少なくとも約５，０００、少なくとも約１０，０００、少なくとも約５０，０００、及び少なくとも約１００，０００のうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２のうちの少なくとも１つは、下地層の平均膜厚ｄ１より大きくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２のうちの少なくとも１つは、ｄ２を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２の両方が、ｄ２を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２は両方ともｄ１を上回ってもよく、ｄ１はｄ２を上回ってもよい。
堆積層遷移領域
図８Ｂでより良く見られるように、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内のパターニング被膜１１０は、第２の部分１０２が、各側方軸に沿った側方面における堆積層１３０の更なる範囲又は縁部８３５によって画定される境界を有するように、第２の部分１０２内の堆積層１３０によって取り囲まれ得る。いくつかの非限定的な例では、側方面における堆積層縁部８３５は、かかる面における第２の部分１０２の外周によって画定され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２は、側方面において、少なくとも１つの堆積層遷移領域１０２ｔを含むことができ、堆積層１３０の厚さは、最大厚さから減少した厚さに遷移し得る。かかる遷移を示さない第２の部分１０２の範囲は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎとして識別され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎに実質的な閉鎖被膜１４０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、平面で、堆積層遷移領域１０２ｔは、側方面において、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎと堆積層縁部８３５との間に延在し得る。
いくつかの非限定的な例では、平面で、堆積層遷移領域１０２ｔは、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎを取り囲み、及び／又はその外周に沿って延在し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの側方軸に沿って、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎは、それと第１の部分１０１との間に堆積層遷移領域１０２ｔが存在しないように、第２の部分１０２の全体を占有し得る。
図８Ａに解説するように、いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、約１～５００ｎｍ、約５～２００ｎｍ、約５～４０ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、及び約１０～１００ｎｍのうちの１つの範囲内であり得る、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎにおける平均膜厚ｄ３を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ｄ３は、約１０ｎｍ、約５０ｎｍ、及び約１００ｎｍのうちの１つを上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｔにおける堆積層１３０の平均膜厚ｄ３は、全体にわたって実質的に同じであるか又は一定であり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｄ３は、下地層の平均膜厚ｄ１より大きくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ１は、少なくとも約１．５、少なくとも約２、少なくとも約５、少なくとも約１０、少なくとも約２０、少なくとも約５０、及び少なくとも約１００のうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ１は、約０．１～１０及び約０．２～４０のうちの１つの範囲内であり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｄ３は、パターニング被膜１１０の平均膜厚ｄ２を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ２は、少なくとも約１．５、少なくとも約２、５、少なくとも約１０、少なくとも約２０、少なくとも約５０、及び少なくとも約１００のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ２は、約０．２～１０又は約０．５～４０のうちの少なくとも１つの範囲内であり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｄ３はｄ２を上回ってもよく、ｄ２はｄ１を上回ってもよい。いくつかの他の非限定的な例では、ｄ３はｄ１を上回ってもよく、ｄ１はｄ２を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｄ２／ｄ１は、約０．２～３、及び約０．１～５のうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｘ軸を含むがこれに限定されない少なくとも１つの側方軸に沿って、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎは、ｗ３の幅を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎは、いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ３に幅ｗ３を乗算することによって近似されてもよい断面積ａ３を有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、ｗ３は、パターニング被膜非遷移部１０１ｎの幅ｗ１を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ１は、ｗ３を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｗ１／ｗ３は、約０．１～１０、約０．２～５、０．３～３、及び約０．４～２のうちの１つの範囲内であり得る。いくつかの非限定的な例では、商ｗ３／ｗ１は、少なくとも約１、少なくとも約２、少なくとも約３、及び少なくとも約４のうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｗ３は、堆積層１３０の平均膜厚ｄ３を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｗ３／ｄ３は、少なくとも約１０、少なくとも約５０、少なくとも約１００、又は少なくとも約５００のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、商ｗ３／ｄ３は、約１００，０００以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、堆積層遷移領域１０２ｔ内で最大から最小まで減少する厚さを有し得る。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第２の部分１０２の堆積層遷移領域１０２ｔと堆積層非遷移部１０２ｎとの間の境界にあり、かつ／又はそれに近接してもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、堆積層縁部８３５にあり、かつ／又はそれに近接してもよい。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎにおける平均膜厚ｄ３であり得る。いくつかの非限定的な例では、最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲内であり得る。いくつかの非限定的な例では、最小値は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎにおける平均膜厚ｄ３であり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層遷移領域１０２ｔ内の厚さのプロファイルは、傾斜してもよく、かつ／又は勾配に従ってもよい。いくつかの非限定的な例では、かかるプロファイルはテーパ状であり得る。いくつかの非限定的な例では、テーパは、線形、非線形、放物線形、及び／又は指数関数的減衰プロファイルに従ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の図８Ｅの例示的なバージョン８００ｅにおけるいくつかの非限定的な例において示されるように、堆積層１３０は、堆積層遷移領域１０２ｔにおいて下層表面を完全に覆い得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部に実質的な閉鎖被膜１４０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、下地表面の少なくとも一部は、堆積層遷移領域１０２ｔにおいて堆積層１３０によって被覆されていなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部に不連続層８４０を含み得る。
当業者は、明示的に解説されていないが、パターニング材料６１１が、堆積層１３０と下地層との間の界面にある程度まで存在し得ることを理解するであろう。かかる材料は、堆積されたパターンがマスクのパターンと同一ではないシャドウイング効果の結果として堆積されることがあり、いくつかの非限定的な例では、ターゲット露出層表面１１のマスクされた部上に堆積されているいくつかの蒸発したパターニング材料６１１をもたらし得る。いくつかの非限定的な例では、かかる材料は、粒子構造８４１として、かつ／又は実質的にパターニング被膜１１０の平均厚さ以下であり得る厚さを有するは薄膜として形成され得る。
重なり
いくつかの非限定的な例では、堆積層縁部８３５は、側方面において、第１の部分１０１と第２の部分１０２との間で重なりが生じないように、側方面において、第１の部分１０１のパターニング被膜遷移領域１０１ｔから離隔させることができる。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１の少なくとも一部及び第２の部分１０２の少なくとも一部は、側方面において重なってもよい。かかる重なりは、いくつかの非限定的な例では図８Ａに示し得るような重なり部分８０３によって識別することができ、この場合、第２の部分１０２の少なくとも一部が第１の部分１０１の少なくとも一部と重なる。
いくつかの非限定的な例では、図８Ｆのいくつかの非限定的な例において示されるように、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部の上に配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部は、堆積層１３０及び／又は堆積材料７３１を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部の露出層表面１１上に不連続層８４０を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、図８Ｇのいくつかの非限定的な例において示されるように、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部は、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎの少なくとも一部の上に配設され得る。
示されていないが、いくつかの非限定的な例では、重なり部分８０３は、第１の部分１０１の少なくとも一部が第２の部分１０２の少なくとも一部に重なるシナリオを反映し得ることを、当業者は理解されよう。
したがって、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部は、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部の上に配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部は、パターニング被膜１１０及び／又はパターニング材料６１１を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１は、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部の露出層表面上に不連続層８４０を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎの少なくとも一部の上に配設されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜縁部８１５は、側方面において、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎから離隔されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎ及び堆積層遷移領域１０２ｔの両方にわたる単一のモノリシック被膜として形成されてもよい。
パターニング被覆及び堆積層の縁部効果
図９Ａ～９Ｉは、堆積層１３０との堆積界面におけるパターニング被膜１１０の様々な潜在的な挙動を説明する。
図９Ａに目を向けると、パターニング被膜堆積境界におけるデバイス１００の例示的バージョン９００の一部の第１の例が示され得る。デバイス９００は、露出層表面１１を有する基板１０を含み得る。パターニング被覆１１０は、露出層表面１１の第１の部分１０１の上に堆積され得る。堆積層１３０は、露出層表面１１の第２の部分１０２の上に堆積され得る。図示のように、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１及び第２の部分１０２は、露出層表面１１の別個の重ならない部分であり得る。
堆積層１３０は、第１の部分１３０１及び第２の部分１３０２を含み得る。図示のように、いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０の第１の部分１３０１は、第２の部分１０２を実質的に被覆し得、堆積層１３０の第２の部分１３０２は、パターニング被膜１１０の第１の部分の上に部分的に突出し、かつ／又は重なり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、その露出層表面１１が堆積材料７３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を呈するように形成され得るので、堆積層１３０の突出した及び／又は重なる第２の部分１３０２とパターニング被膜１１０の露出層表面１１との間に間隙９２９が形成され得る。その結果、第２の部分１３０２は、パターニング被膜１１０と物理的に接触していなくてもよいが、断面において間隙９２９によってそこから離隔されていてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０の第１の部分１３０１は、第１の部分１０１と第２の部分１０２との間の界面及び／又は境界においてパターニング被膜１１０と物理的に接触していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０の突出した及び／又は重なる第２の部分１３０２は、堆積層１３０の第１の部分１３０１の平均層厚ｄａと同等の程度だけパターニング被膜１１０の上に側方に延在することができる。いくつかの非限定的な例では、図示のように、第２の部分１３０２の幅ｗｂは、第１の部分１３０１の平均層厚ｄａと同等であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１３０２の幅ｗｂと第１の部分１３０１の平均層厚ｄａとの比は、約１：１～１：３、約１：１～１：１．５、又は約１：１～１：２のうちの少なくとも１つの範囲内であり得る。平均層厚ｄａは、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１３０１にわたって比較的均一であり得るが、いくつかの非限定的な例では、第２の部分１３０２が突出し得る、かつ／又はパターニング被膜１１０と重なり得る程度（すなわち、ｗｂ）は、露出層表面１１の異なる部分にわたってある程度まで変化し得る。
次に図９Ｂを参照すると、堆積層１３０は、第２の部分１３０２とパターニング被膜１１０との間に配設された第３の部分１３０３を含むように示され得る。図示のように、堆積層１３０の第２の部分１３０２は、堆積層１３０の第３の部分１３０３の上に側方に延在しており、そこから長手軸方向に離隔されてもよく、第３の部分１３０３は、パターニング被膜１１０の露出層表面１１と物理的に接触してもよい。堆積層１３０の第３の部分１３０３の平均層厚ｄｃは、その第１の部分１３０１の平均層厚ｄａ以下であってもよく、いくつかの非限定的な例では、実質的にそれより小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１３０３の幅ｗｃは、第２の部分１３０２の幅ｗｂを上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１３０３は、第２の部分１３０２よりも大きい程度までパターニング被膜１１０に重なるように側方に延在することができる。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１３０３の幅ｗｃと第１の部分１３０１の平均層厚ｄａとの比は、約１：２～３：１、及び約１：１．２～２．５：１のうちの１つの範囲内であり得る。平均層厚ｄａは、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１３０１にわたって比較的均一であり得るが、いくつかの非限定的な例では、第３の部分１３０３が突出し得る、かつ／又はパターニング被膜１１０と重なり得る程度（すなわち、ｗｃ）は、露出層表面１１の異なる部分にわたってある程度まで変化し得る。
いくつかの非限定的な例では、第３の部分１３０３の平均層厚ｄｃは、第１の部分１３０１の平均層厚ｄａの約５％を上回らなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、ｄｃは、ｄａの約４％以下、約３％以下、約２％以下、約１％以下、及び約０．５％以下のうちの１つであり得る。第３の部分１３０３が薄膜として形成される代わりに、及び／又はそれに加えて、図示されるように、堆積層１３０の堆積材料７３１は、パターニング被膜１１０の一部の上に粒子構造８４１として形成し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる粒子構造８４１は、それらが連続層を形成しないように、互いに物理的に分離された特徴を含み得る。
ここで図９Ｃを参照すると、ＮＰＣ９２０が、基板１０と堆積層１３０との間に配設され得る。ＮＰＣ９２０は、堆積層１３０の第１の部分１３０１と基板１０の第２の部分１０２との間に配設され得る。ＮＰＣ９２０は、パターニング被膜１１０が堆積された第１の部分１０１上ではなく、第２の部分１０２上に配設されているように解説されている。ＮＰＣ９２０は、ＮＰＣ９２０と堆積層１３０との間の界面及び／又は境界において、ＮＰＣ９２０の表面が堆積材料７３１の堆積に抗する比較的高い初期付着確率を呈し得るように形成されてもよい。したがって、ＮＰＣ９２０が存在することにより、堆積中に堆積層１３０の形成及び／又は成長を促進することができる。
次に図９Ｄを参照すると、ＮＰＣ９２０は、基板１０の第１の部分１０１及び第２の部分１０２の両方の上に配置されてもよく、パターニング被膜１１０は、第１の部分１０１上に配置されたＮＰＣ９２０の一部を覆ってもよい。ＮＰＣ９２０の別の部分は、パターニング被膜１１０を実質的に欠く場合があり、堆積層１３０は、ＮＰＣ９２０のそのような部分を覆い得る。
ここで図９Ｅを参照すると、堆積層１３０は、基板１０の第３の部分９０３においてパターニング被膜１１０の一部と部分的に重なるように示され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分１３０１及び第２の部分１３０２に加えて、堆積層１３０は、第４の部分１３０４を更に含み得る。図示のように、堆積層１３０の第４の部分１３０４は、堆積層１３０の第１の部分１３０１と第２の部分１３０２との間に配設することができ、第４の部分１３０４は、パターニング被膜１１０の露出層表面１１と物理的に接触することができる。いくつかの非限定的な例では、第３の部分９０３における重なりは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセス中の堆積層１３０の側方成長の結果として形成され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の露出層表面１１は、堆積材料７３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を呈することができ、したがって、露出層表面１１上で材料が核形成する確率は低くなり得るが、堆積層１３０の厚さが成長するにつれて、堆積層１３０は側方にも成長することができ、図示のようにパターニング被膜１１０のサブセットを被覆することができる。
ここで図９Ｆを参照すると、基板１０の第１の部分１０１はパターニング被膜１１０で被覆されてもよく、それに隣接する第２の部分１０２は堆積層１３０で被覆されてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０のオープンマスク堆積及び／又はマスクフリー堆積を行うことにより、堆積層１３０が、堆積層１３０とパターニング被膜１１０との間の界面及び／又はその付近でテーパ状の断面プロファイルを呈し得ることが観察されている。
いくつかの非限定的な例では、界面における、かつ／又はその付近の堆積層１３０の平均層厚は、堆積層１３０の平均層厚ｄ３未満であり得る。かかるテーパ状プロファイルは、いくつかの非限定的な例では、湾曲及び／又はアーチ状として示され得るが、プロファイルは、いくつかの非限定的な例では、実質的に線形及び／又は非線形であってもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０の平均層厚ｄ３は、限定はしないが、界面に近接した領域において実質的に線形、指数関数的、及び／又は二次関数的に減少し得る。
堆積層１３０とパターニング被膜１１０との間の界面における、かつ／又はその付近の堆積層１３０の接触角θｃは、相対的な初期付着確率などのパターニング被膜１１０の特性に応じて変化し得ることが観察されている。核の接触角θｃは、いくつかの非限定的な例では、堆積によって形成された堆積層１３０の薄膜接触角を決定し得ることを更に仮定することができる。図９Ｆを参照すると、いくつかの非限定的な例では、接触角θｃは、堆積層１３０とパターニング被膜１１０との間の界面及び／又はその付近における堆積層１３０の接線の傾斜を測定することによって決定され得る。堆積層１３０の断面テーパプロファイルが実質的に線形であり得るいくつかの非限定的な例では、接触角θｃは、界面における、かつ／又はその付近の堆積層１３０の傾斜を測定することによって決定され得る。当業者によって理解されるように、接触角θｃは、概して、下地層のゼロではない角度に対して測定され得る。本開示では、解説を簡略にするために、パターニング被膜１１０及び堆積層１３０は、平坦な表面上に堆積されて示され得る。しかしながら、当業者は、パターニング被膜１１０及び堆積層１３０が非平面表面上に堆積され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０の接触角θｃは、約９０°を上回ってもよい。ここで図９Ｇを参照すると、いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、パターニング被膜１１０と堆積層１３０との間の界面を越えて延びる部分を含むものとして示されてもよく、ギャップ９２９によってパターニング被膜１１０から離間されてもよい。かかる非限定的なシナリオでは、接触角θｃは、いくつかの非限定的な例では、９０°を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、比較的高い接触角θｃを呈する堆積層１３０を形成することが有利であり得る。いくつかの非限定的な例では、接触角θｃは、約１０°、約１５°、約２０°、約２５°、約３０°、約３５°、約４０°、約５０°、約７０°、約７５°、及び約８０°のうちの１つを上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、比較的高い接触角θｃを有する堆積層１３０は、比較的高いアスペクト比を維持しながら、微細にパターニングされた特徴の創出を可能にし得る。いくつかの非限定的な例では、約９０°より大きい接触角θｃを示す堆積層１３０を形成する目的が存在し得る。いくつかの非限定的な例では、接触角θｃは、約９０°、約９５°、約１００°、約１０５°、約１１０°、約１２０°、約１３０°、約１３５°、約１４０°、約１４５°、約１５０°、及び約１７０°のうちの少なくとも１つを上回ってもよい。
ここで図９Ｈ～９Ｉを参照すると、堆積層１３０は、基板１０の第３の部分９０３においてパターニング被膜１１０の一部に部分的に重なってもよく、これは、その第１の部分１０１と第２の部分１０２との間に配置されてもよい。図示のように、パターニング被膜１１０のサブセットに部分的に重なる堆積層１３０のサブセットは、その露出層表面１１と物理的に接触し得る。いくつかの非限定的な例では、第３の部分９０３における重なりは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセス中の堆積層１３０の側方成長に起因して形成され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の露出層表面１１は、堆積材料７３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を呈することができ、したがって、露出層表面１１上で材料が核形成する確率は低いが、堆積層１３０の厚さが成長するにつれて、堆積層１３０は側方にも成長することができ、パターニング被膜１１０のサブセットを被覆することができる。
図９Ｈ～図９Ｉの場合、堆積層１３０の接触角θｃは、図示のように、それとパターニング被膜１１０との間の界面付近のその縁部で測定され得る。図９Ｉにおいて、接触角θｃは、約９０°を上回ってもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０のサブセットが間隙９２９によってパターニング被膜１１０から離隔されることをもたらし得る。
粒子構造
ナノ粒子（nanoparticle、ＮＰ）は、主な特徴的なサイズがナノメートル（nanometer、ｎｍ）スケールのものであり、概して約１～３００ｎｍであると理解される物質の粒子構造８４１である。ｎｍスケールでは、所与の材料のＮＰは、バルク形態の同じ材料に対して固有の特性（限定はしないが、光学的、化学的、物理的、及び／又は電気的特性を含む）がある場合がある。
これらの特性は、複数のＮＰが、限定はしないが、光電子デバイスを含む積層半導体デバイスの層に形成されるときに、その性能を改善するために利用され得る。
ＮＰのそのような層をデバイスに導入するための現在のメカニズムは、いくつかの欠点を有する。
第一に、典型的には、かかるＮＰは、かかるデバイスの最密充填層に形成され、かつ／又はマトリックス材料内に分散される。その結果、そのようなＮＰ層の厚さは、典型的には、ＮＰ自体の特徴的なサイズよりもはるかに厚くなる可能性がある。かかるＮＰ層の厚さは、デバイス性能、デバイス安定性、デバイス信頼性、及び／又はデバイス寿命に関して望ましくない特性を付与する場合があり、それにより、ＮＰの固有の特性によって提供される任意の認識される利点が低減され、又は更には取り除かれる場合がある。
第二に、そのようなデバイスにおいて、かつそのようなデバイスで使用するために、ＮＰを合成する技術は、様々なメカニズムを通して、大量の炭素（Ｃ）、酸素（Ｏ）、及び／又は硫黄（Ｓ）を導入する可能性がある。
いくつかの非限定的な例では、湿式化学法を使用して、典型的には、精密に制御された特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、及び／又は堆積密度を有するＮＰをデバイスに導入することができる。しかしながら、かかる方法は、典型的には、ＮＰを安定化させるために有機キャッピング基（クエン酸塩でキャッピングされたＡｇ ＮＰの合成など）を用いるが、かかる有機キャッピング基は、合成されたＮＰにＣ、Ｏ、及び／又はＳを導入する。
また更に、溶液から堆積されたＮＰ層は、堆積に使用される溶媒のために、典型的にはＣ、Ｏ、及び／又はＳを含み得る。
追加的に、これらの元素は、湿式化学プロセス及び／又はＮＰ層の堆積中に汚染物質として導入されることがある。
しかしながら、導入されると、そのようなデバイスのＮＰ層中の大量のＣ、Ｏ、及び／又はＳの存在は、そのようなデバイスの性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命を低下させる可能性がある。
第三に、溶液からＮＰ層を堆積させるとき、採用される溶媒が乾燥するにつれて、ＮＰ層は、ＮＰ層にわたって、かつ／又はそのような層の異なるパターン化された領域間で、不均一な特性を有する傾向がある。いくつかの非限定的な例では、所与のＮＰ層の縁部は、そのようなＮＰ層の内部領域よりもかなり厚く又は薄くなることがあり、その不一致は、デバイス性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命に悪影響を及ぼすことがある。
第四に、湿式化学合成及び溶液堆積プロセスを超えて、ＮＰを合成及び／又は堆積させる他の方法及び／又はプロセス（限定されないが、真空ベースのプロセス（例えば、限定されないが、ＰＶＤ）が挙げられる）が存在するが、既存の方法は、それによって堆積されるＮＰの特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度の不十分な制御をもたらす傾向がある。いくつかの非限定的な例では、従来のＰＶＤプロセスでは、ＮＰは、それらのサイズが増加するにつれて、最密充填膜を形成する傾向がある。結果として、従来のＰＶＤ法などの方法は、概して、表面被覆度が低い大きな分散ＮＰのＮＰ層を形成するのにあまり適していない。むしろ、そのような従来の方法によって付与される、特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、及び／又は堆積密度の不十分な制御により、デバイス性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命が不十分になり得る。
図８Ｃに示され得るようないくつかの非限定的な例では、下層の露出層表面１１上に配設されたナノ粒子（ＮＰ）、島、プレート、分離クラスタ、及び／又はネットワーク（集合的に粒子構造８４１）を含むがこれらに限定されない少なくとも１つの粒子が存在し得る。いくつかの非限定的な例では、下層は、第１の部分１０１内のパターニング被膜１１０であり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、パターニング被膜１１０の露出層表面１１上に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、複数のそのような粒子構造８４１が存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、粒子材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、堆積層内の堆積材料７３１と同じであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内の不連続層８４０内の粒子材料、堆積層１３０内の堆積材料７３１、及び／又はその下の下層が含み得る材料は、共通の金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｎ、及びＹのうちの少なくとも１つから選択される元素を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、及びＭｇのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、及びＡｕのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＣｕであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｌであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、及びＹｂのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、及びＬｉのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、及びＹｂのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ及びＡｇのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｇであり得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、純金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、純金属であり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、純粋なＡｇ又は実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＡｇは、約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、及び約９９．９９９５％のうちの１つの純度を有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、純Ｍｇ又は実質的に純Ｍｇのうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、及び少なくとも約９９．９９９５％のうちの１つの純度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、及びＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、ＡｇＭｇ含有合金は、体積で約１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲であり得る合金組成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇの代わりに、又はＡｇと組み合わせて他の金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇと少なくとも１つの他の金属との合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇと、Ｍｇ及びＹｂのうちの少なくとも１つとの合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、かかる合金は、約５～９５体積％のＡｇと、残りが他の金属である組成を有する二元合金であり得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇ及びＭｇを含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料はＡｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、体積で約１：１０～１０：１の組成を有するＡｇ：Ｍｇ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、体積で約１：２０～１０：１のＹｂ：いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、体積で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｍｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料はＡｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、少なくとも１つの追加の元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は非金属元素であり得る。いくつかの非限定的な例では、非金属材料は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は、ソース材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境におけるかかる追加の元素の存在に起因して、汚染物質として少なくとも１つの粒子構造８４１に組み込まれ得ることが、当業者によって理解されよう。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は、少なくとも１つの粒子構造８４１の他の要素とともに化合物を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、粒子材料中の非金属元素の濃度は、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下のうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、その中のＯ及びＣの合計が、約１０％以下、約５％以下、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下のうちの１つである組成を有し得る。
少なくとも１つの粒子８４１は、金属とのＥＭ放射線の共鳴相互作用を研究する、ナノフォトニクスの一分野であるプラズモニクスを利用する。当業者であれば、金属ＮＰは、光学応答が、ナノ構造の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は組成を変化させることによって調整され得る自由電子のＬＳＰ励起及び／又はコヒーレント振動を示し得ることを理解するであろう。かかる光学応答は、粒子構造８４１に関して、その上に入射するＥＭ放射線の吸収を含み得、それによって、その反射を低減し、及び／又は、可視スペクトル及び／又はそのサブ範囲を非限定的に含むＥＭスペクトルのより低い又はより高い波長（（サブ）範囲）へ偏移する。
比較的低い屈折率を有する媒体の近くに特定の金属ＮＰを配置することは、かかるＮＰの吸収スペクトルをより低い波長（部分）範囲に偏移させ得る（青色偏移）ことも報告されている。
したがって、いくつかの非限定的な例では、粒子材料を、少なくとも１つの粒子構造８４１が下地層と物理的に接触するように、下地層の露出層表面１１上の少なくとも１つの粒子構造８４１の不連続層８４０として配設することは、いくつかの非限定的な例では、デバイス１００によって放射される、及び／又はそれを通して少なくとも部分的に透過されるＥＭ放射線のＥＭスペクトルの波長範囲と実質的に重ならないように、青方偏移を非限定的に含む、粒子材料の吸収スペクトルを有利に偏移し得ると更に仮定し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１のピーク吸収波長は、デバイス１００を通して放射されている、及び／又はそれを通して少なくとも部分的に透過されるＥＭ放射線のピーク波長未満であり得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、約４７０ｎｍ以下、約４６０ｎｍ、約４５５ｎｍ以下、約４５０ｎｍ以下、約４４５ｎｍ以下、約４４０ｎｍ以下、約４３０ｎｍ以下、約４２０ｎｍ以下、及び約４００ｎｍ以下のうちの１つである波長でピーク吸収を呈し得る。
ここで、幾分驚くべきことに、少なくとも１つの低い（より低い）屈折率の被膜内及び／又はそれに近接する、金属で構成されたものを含むがこれに限定されない少なくとも１つの粒子構造８４１の形態を含むがこれに限定されない粒子材料を提供することは、少なくとも１つの低い（より低い）屈折率の層、少なくとも１つの粒子構造８４１から及び／又はそれを通って、屈折率界面を横切って第１の方向に通過する、可視光スペクトルを含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの少なくとも波長（部分）範囲及び／又はその部分範囲において、第１の方向を含むがこれに限定されないデバイス１００を通過するＥＭ放射線の吸収及び／又は透過率に更に影響を与え得ることが見出された。
いくつかの非限定的な例では、吸収は、低減され得、及び／又は透過は、限定されないが可視スペクトル、及び／又はそのサブ範囲を含む、少なくともＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲に集中され得る。
いくつかの非限定的な例では、吸収は、可視スペクトル、及び／又はそのサブ範囲を非限定的に含む、ＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲である吸収スペクトルに集中され得る。
いくつかの非限定的な例では、吸収スペクトルは、青方偏移及び／又は可視スペクトル、及び／又は限定されないがそのサブ範囲を含む、限定されないがＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲を含むより高い波長（サブ）範囲に、及び／又は少なくとも部分的に可視スペクトルを超えたＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲に、偏移（赤方偏移）され得る。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、複数の少なくとも１つの粒子８４１の複数の層が、追加の層によって分離されているか否かにかかわらず、様々な側方面を有し、異なる吸収スペクトルを有して、互いの上に配設され得ることを理解するであろう。このようにして、デバイスのある特定の領域の吸収は、１つ以上の所望の吸収スペクトルに従って調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の露出層表面１１上の、例えば非限定的に不連続層８４０内の、ＮＰを非限定的に含む、少なくとも１つの粒子構造８４１の存在は、デバイス１００のいくつかの光学特性に影響を及ぼし得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような複数の粒子構造８４１は、不連続層８４０を形成し得る。
いかなる特定の理論にも限定されることを望むものではないが、粒子材料の閉じた被膜１４０の形成は、パターニング被膜１１０によって及び／又はその上で実質的に抑制され得るが、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０がその上の粒子材料の堆積に露出されるとき、粒子材料のいくつかの蒸気モノマーは、最終的にその上に粒子材料の少なくとも１つの粒子構造８４１を形成し得ると仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造８４１の少なくともいくつかは、互いに切断され得る。換言すれば、いくつかの非限定的な例では、不連続層８４０は、粒子構造８４１が閉鎖被膜１４０を形成しないように、互いに物理的に分離され得る粒子構造８４１を含む特徴を含み得る。したがって、そのような不連続層８４０は、いくつかの非限定的な例では、したがって、デバイス１００内のパターニング被膜１１０と少なくとも１つの被覆層との間の界面に、かつ／又は実質的にその横方向範囲にわたって挿入される、粒子構造８４１として形成される堆積材料７３１の薄い分散層を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料の粒子構造８４１のうちの少なくとも１つは、パターニング被膜１１０の露出層表面１１と物理的に接触し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料の粒子構造８４１の実質的に全てが、パターニング被膜１１０の露出層表面１１と物理的に接触し得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、幾分驚くべきことに、パターニング被膜１１０の露出層表面１１上の、金属粒子構造８４１を含むがこれに限定されない少なくとも１つの粒子構造８４１を含むがこれに限定されない粒子材料のそのような薄い分散不連続層８４０の存在は、本明細書で説明するように、デバイス１００の光学効果及び特性を含むがこれに限定されない少なくとも１つの変化した特質、及び付随して変化した挙動を示し得ることが見出された。いくつかの非限定的な例では、そのような効果及び特性は、パターニング被膜１１０上の粒子構造８４１の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つの賢明な選択によってある程度まで制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造８４１は、粒子構造８４１によって呈される光学応答に関連する効果を達成するために、特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成を有するように制御可能に選択され得る。
当業者は、材料が堆積されるメカニズムを考慮すると、モノマー及び／又は原子の可能なスタッキング及び／又はクラスタリングにより、少なくとも１つの粒子構造８４１の実際のサイズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔は、いくつかの非限定的な例では、実質的に不均一であり得ることを理解するであろう。追加的に、少なくとも１つの粒子構造８４１は、所与のプロファイルを有するものとして解説されているが、これは、解説のみを意図しており、そのサイズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔を決定するものではない。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、約２００ｎｍ以下の特徴的な寸法を有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、約１～２００ｎｍ、約１～１６０ｎｍ、約１～１００ｎｍ、約１～５０ｎｍ、及び約１～３０ｎｍのうちの１つであり得る特徴的な直径を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、離散金属プラズモニックアイランド又はクラスタであり得る、及び／又は離散金属プラズモニックアイランド又はクラスタを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１は、粒子材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる粒子構造８４１は、いくつかの非限定的な例では、下地層の露出層表面１１上の、数オングストロームの数分の１ほどの粒子材料であり得る層の平均層厚を有する、わずかな量を堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、露出層表面１１は、核形成促進被膜（ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ ｐｒｏｍｏｔｉｎｇ ｃｏａｔｉｎｇ、ＮＰＣ）９２０（図９Ｃ）であり得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇ、Ｙｂ、及び／又はマグネシウム（Ｍｇ）のうち少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる不連続層８４０の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つの形成は、いくつかの非限定的な例では、パターニング材料６１１の少なくとも１つの特性、パターニング被膜１１０の平均膜厚ｄ２、パターニング被膜１１０における不均一性の導入、並びに／又は、限定はしないが、パターニング被膜１１０のための温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び／若しくは堆積プロセスを含む堆積環境のうちの少なくとも１つの賢明な選択によって制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続層８４０の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つの形成は、いくつかの非限定的な例では、粒子材料（堆積材料７３１であり得る）の少なくとも１つの特質、パターニング被膜１１０が粒子材料の堆積に露出され得る程度（いくつかの非限定的な例では、対応する不連続層８４０の厚さに関して指定され得る）、並びに／又は粒子材料のための堆積の温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び／若しくは方法を含むがこれらに限定されない堆積環境のうちの少なくとも１つの賢明な選択によって制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、不連続層８４０は、パターニング被膜１１０の横方向範囲にわたるパターンで堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、不連続層８４０は、少なくとも１つの粒子構造８４１を実質的に欠く、中の少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続層８４０の特質は、下層の露出層表面１１の一部に形成された粒子材料の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、構成、表面被覆度、堆積分布、分散度、及び／又は凝集事例の存在及び／又は程度を含むがこれらに限定されない複数の基準のうちの少なくとも１つに従って、いくつかの非限定的な例では、ある程度任意に評価され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような少なくとも１つの基準による不連続層８４０の評価は、透過型電子顕微鏡法（transmission electron microscopy、ＴＥＭ）、原子間力顕微鏡法（atomic force microscopy、ＡＦＭ）、及び走査電子顕微鏡法（scanning electron microscopy、ＳＥＭ）のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない様々な撮像技法を使用して、不連続層８４０の少なくとも１つの属性を測定及び／又は計算することを含むがこれらに限定されないことによって行われ得る。
当業者は、不連続層８４０のそのような評価が、考慮中の露出層表面１１の程度によって、より大きい及び／又はより小さい程度に依存し得、いくつかの非限定的な例では、そのエリア及び／又は領域を含み得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、不連続層８４０は、露出層表面１１の第１の側方面及び／又はそれに対して実質的に横断する第２の側方面において、全範囲にわたって評価され得る。いくつかの非限定的な例では、不連続層８４０は、不連続層８４０（の一部）に対して適用される少なくとも１つの観察窓を含む範囲にわたって評価され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの観察窓は、露出層表面１１の側方面の外周、内部位置、及び／又はグリッド座標のうちの少なくとも１つに位置してもよい。いくつかの非限定的な例では、複数の少なくとも１つの観察窓が、不連続層８４０を評価する際に使用され得る。
いくつかの非限定的な例では、観察窓は、限定はしないが、ＴＥＭ、ＡＦＭ、及びＳＥＭのうちの少なくとも１つを含む、不連続層８４０を評価するために適用される撮像技法の視野に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、観察窓は、限定ではないが、２．００ミクロン、１．００ミクロン、５００ｎｍ、及び２００ｎｍのうちの１つを含む、所与のレベルの倍率に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、使用される少なくとも１つの観察窓を含むがこれに限定されない不連続層８４０の露出層表面１１の評価は、いくつかの非限定的な例では、曲線、多角形、及び／又は形状適合技術を含み得る手動カウント及び／又は既知の推定技術を含むがこれに限定されない、任意の数のメカニズムによって計算及び／又は測定することを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、その露出層表面１１の、使用される少なくとも１つの観察窓を含むがこれに限定されない不連続層８４０の評価は、平均値、中央値、最頻値、最大値、最小値、並びに／又は計算及び／若しくは測定の値の他の確率的、統計的、及び／若しくはデータの操作を計算及び／又は測定することを伴い得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続層８４０が評価され得る少なくとも１つの基準のうちの１つは、そのような不連続層８４０（の一部）上の粒子材料の表面被覆度であり得る。いくつかの非限定的な例では、表面被覆度は、そのような不連続層８４０（の一部）のそのような粒子材料による（非０）被覆率によって表され得る。いくつかの非限定的な例では、被覆率は、最大閾値被覆率と比較され得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に最大閾値被覆率以下であり得る表面被覆度を有する不連続層８４０（の一部）は、実質的に最大閾値被覆率を超える表面被覆度を有する不連続層８４０の一部を通過するＥＭ放射線に対して、デバイス１００を完全に透過するか、及び／又はそれによって放射されるかにかかわらず、不連続層８４０のそのような部分によってそれを通過するＥＭ放射線に付与され得る異なる光学特質の発現をもたらし得る。
いくつかの非限定的な例では、表面上のある量の導電性材料の表面被覆率の１つの尺度は、（ＥＭ放射線）透過率であり得るが、これは、いくつかの非限定的な例では、Ａｇ、Ｍｇ、又はＹｂを含むがこれらに限定されない金属を含むがこれらに限定されない導電性材料は、ＥＭ放射線を減衰及び／又は吸収するためである。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、表面被覆率は、粒径及び堆積密度の一方又は両方を包含すると理解され得ることを理解するであろう。したがって、いくつかの非限定的な例では、複数のこれらの３つの基準は、正に相関され得る。実際に、いくつかの非限定的な例では、低い表面被覆率の基準は、低い堆積密度の基準と低い粒径の基準との何らかの組み合わせを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続層８４０が評価され得る少なくとも１つの基準の１つは、構成粒子構造８４１の特徴的なサイズであり得る。
いくつかの非限定的な例では、不連続層８４０の少なくとも１つの粒子構造８４１は、最大閾値サイズ以下の特徴的なサイズを有し得る。特徴的なサイズの非限定的な例は、高さ、幅、長さ、及び／又は直径のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、不連続層８４０の実質的に全ての粒子構造８４１は、特定の範囲内にある特徴的なサイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる特徴的なサイズは、いくつかの非限定的な例では、特徴的なサイズの最大値とみなされ得る特徴的な長さによって特徴付けられ得る。いくつかの非限定的な例では、かかる最大値は、粒子構造８４１の長軸に沿って延在し得る。いくつかの非限定的な例では、長軸は、複数の側方軸によって画定される平面内に延在する第１の次元であると理解され得る。いくつかの非限定的な例では、特徴的な幅は、粒子構造８４１の短軸に沿って延在し得る粒子構造８４１の特徴的なサイズの値として識別され得る。いくつかの非限定的な例では、短軸は、同じ平面内に延在するが、長軸を実質的に横断する第２の次元であると理解され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の次元に沿った少なくとも１つの粒子構造８４１の特徴的な長さは、最大閾値サイズ以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の次元に沿った少なくとも１つの粒子構造８４１の特徴的な幅は、最大閾値サイズ以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、不連続層８４０（の一部）における構成粒子構造８４１のサイズは、質量、体積、直径の長さ、周囲長、長軸、及び／又は短軸を含むがこれらに限定されない、そのような少なくとも１つの粒子構造８４１の特徴的なサイズを計算及び／又は測定することによって評価され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような不連続層８４０が評価され得る少なくとも１つの基準の１つは、その堆積密度であり得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造８４１の特徴的なサイズは、最大閾値サイズと比較され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造８４１の堆積密度は、最大閾値堆積密度と比較され得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる基準のうちの少なくとも１つは、数値指標によって定量化され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる指標は、粒子構造８４１の堆積層１３０内の粒子（面積）サイズの分布を記述する分散度Ｄの計算であり得る。
Figure 2024516165000119
 式中、
Figure 2024516165000120
 ｎは、試料領域内の粒子構造８４１の数であり、
Ｓｉは、ｉ番目の粒子構造８４１の（面積）サイズであり、
Figure 2024516165000121
 は、粒子（面積）サイズの数平均であり、
Figure 2024516165000122
 は、粒子（面積）サイズの（面積）サイズ平均である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
当業者であれば、分散度は、多分散指数（polydispersity index、ＰＤＩ）にほぼ類同しており、これらの平均は、有機化学においてよく知られている数平均分子量及び重量平均分子量の概念にほぼ類同しているが、試料粒子構造８４１の分子量とは対照的に、（面積）サイズに適用されることを理解するであろう。
当業者はまた、分散度の概念が、いくつかの非限定的な例では、三次元体積概念とみなされ得る一方で、いくつかの非限定的な例では、分散度は、二次元概念とみなされ得ることを理解するであろう。したがって、分散度の概念は、限定はしないが、ＴＥＭ、ＡＦＭ、及び／又はＳＥＭのうちの少なくとも１つを含む、様々な撮像技法を使用することによって得ることができるような、堆積層１３０の二次元画像の観察及び分析に関連して使用することができる。上記の式が定義されるのは、かかる二次元の状況においてである。
いくつかの非限定的な例では、分散度及び／又は粒子（面積）サイズの数平均及び粒子（面積）サイズの（面積）サイズ平均は、粒子直径の数平均及び粒子直径の（面積）サイズ平均のうちの少なくとも１つの計算を含み得る。
Figure 2024516165000123
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの堆積層１３０の、粒子構造８４１を含むがこれに限定されない粒子材料は、マスクフリー及び／又はオープンマスク堆積プロセスによって堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造８４１は、実質的に丸い形状を有し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造８４１は、実質的に球形の形状を有し得る。
簡略化のために、いくつかの非限定的な例では、粒子構造８４１の（面積）サイズが一対の側方軸に沿った二次元の面積被覆率として表され得るように、各粒子構造８４１の長手方向の範囲が実質的に同じであり得る（かつ、いずれにしても、平面ＳＥＭ画像から直接測定され得ない）と仮定することができる。本開示では、（面積）サイズへの言及は、かかる二次元概念を指すと理解され、線形次元などの一次元概念を指すと理解され得る（プレフィックス「面積」なしの）サイズとは区別され得る。
実際に、いくつかの初期の研究では、いくつかの非限定的な例では、かかる粒子構造８４１の長手方向軸に沿った長手方向範囲は、その長手方向範囲の体積寄与がかかる側方範囲の体積寄与よりもはるかに小さくなり得るように、（側方軸の少なくとも１つに沿った）側方範囲に対して小さい傾向があり得ると思われる。いくつかの非限定的な例では、これは、１以下であり得るアスペクト比（側方範囲に対する長手方向方向の範囲の比）によって表され得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなアスペクト比は、約１：１０、約１：２０、約１：５０、約１：７５、及び約１：３００のうちの１つであり得る。
この点に関して、粒子構造８４１を二次元面積被覆率として表すための上述の仮定（長手方向範囲は実質的に同じであり、無視することができる）が適切であり得る。
当業者であれば、堆積プロセスの非決定的な性質を考慮して、特に、限定はしないが、ステップ縁部、化学的不純物、結合部位、キンク、及び／又はその上の夾雑物質、及びその上の粒子構造８４１の形成、堆積プロセスが続くときのその合体の不均一性、並びに観察窓のサイズ及び／又は位置の不確実性、並びにそれらの特徴的なサイズ、間隔、堆積密度、凝集度などの計算及び／又は測定に固有の複雑さ及び変動性のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない不均一性を含む、下部材料の露出層表面１１上の欠陥及び／又は異常の存在を考慮すると、観察窓内の特徴及び／又はトポロジに関してかなりの変動性があり得ることを理解するであろう。
本開示では、解説を簡略にするために、層の厚さプロファイル及び／又は縁部プロファイルを含むがこれに限定されない粒子材料の特定の詳細は省略されている。
当業者は、ある特定の金属ＮＰが、少なくとも１つの粒子構造８４１を含むがこれに限定されない粒子材料の不連続層８４０の一部であるか否かにかかわらず、表面プラズモン（surface plasmon、ＳＰ）励起及び／又は自由電子のコヒーレント振動を示すことができ、その結果、そのようなＮＰは、可視光スペクトル及び／又はその部分範囲を含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの範囲内の光を吸収及び／又は散乱し得ることを理解するであろう。吸収が集中し得るＥＭスペクトルの（サブ）範囲（吸収スペクトル）、屈折率、及び／又はこのような局所化されたＳＰ（ＬＳＰ：localized SP）励起の吸光係数、及び／又はコヒーレント振動を含むがこれらに限定されない光学応答は、ナノ構造及び／又はそれに近接する媒体の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、分散度、及び／又は材料及び／又は凝集度を含むがこれらに限定されない特性のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、このようなＮＰの特性を変化させることによって調整され得る。
そのような光学応答は、光子吸収被膜に関して、その上に入射する光子の吸収を含むことができ、それによって反射を低減する。いくつかの非限定的な例では、吸収は、可視光スペクトルを含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの範囲及び／又はその部分範囲に集中され得る。少なくとも１つの粒子８４１は、その上に積層半導体デバイス１００を越えて入射するＥＭ放射線を吸収し、それに伴って反射を低減することができるが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子８４１が、その上に入射する、デバイス１００によって放射されたＥＭ放射線を吸収することができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスの一部として光子吸収層を採用することにより、その中の偏光子への依存を低減することができる。
Ｆｕｓｅｌｌａ ｅｔ ａｌ．，「Ｐｌａｓｍｏｎｉｃ ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｏｆ ｓｔａｂｉｌｉｔｙ ａｎｄ ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ ｉｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ」，Ｎａｔｕｒｅ ２０２０，５８５，ａｔ ３７９－３８２（「Ｆｕｓｅｌｌａ ｅｔ ａｌ．」）において、ＯＬＥＤデバイスの安定度は、プラズモンモードからエネルギーを抽出するために、カソード層の上にＮＰベースのアウトカップリング層を組み込むことによって向上され得ることが報告されている。ＮＰベースのアウトカップリング層は、カソードの上の有機層の上に立方体型Ａｇ ＮＰをスピンキャスティングすることによって製作された。しかしながら、ほとんどの市販のＯＬＥＤデバイスは、真空ベースの処理を使用して製作されるので、溶液からのスピンキャスティングは、カソードの上にそのようなＮＰベースのアウトカップリング層を形成するための適切なメカニズムを構成しない可能性がある。
カソードの上のそのようなＮＰベースのアウトカップリング層は、いくつかの非限定的な例では、カソードであり得、かつ／又はカソード上に堆積され得るパターニング被膜１１０上に不連続層８４０内の金属粒子材料を堆積させることによって、真空中で製作され得る（したがって、商業的なＯＬＥＤ製作プロセスにおける使用に好適であり得る）ことが発見されている。そのようなプロセスは、ＯＬＥＤデバイスへの損傷を引き起こし得る、及び／又はデバイス信頼性に悪影響を及ぼし得る、溶媒又は他の湿式化学物質の使用を回避し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１を非限定的に含む、粒子材料のかかる不連続層８４０の存在は、高められたデバイスのＥＭ放射線の抽出、性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命に寄与することができる。
いくつかの非限定的な例では、層状デバイス１００において、パターニング被膜１１０の露出層表面１１上の、かつ／又はそれに近接する、かつ／又は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層を有するそのようなパターニング１１０の界面に近接する、少なくとも１つの不連続層８４０の存在は、デバイスによって放射される、かつ／又はそれを通して伝送される光子を含むが、それらに限定されないＥＭ信号に光学効果を付与することができる。
当業者は、光学効果の簡略化されたモデルが本明細書に提示されるが、他のモデル及び／又は説明が適用可能であり得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１を含むがこれに限定されない粒子材料のそのような不連続層８４０の存在は、パターニング被膜１１０及び／又は少なくとも１つの被覆層を含むがこれらに限定されない、長手方向の側面において隣接して配設された薄膜層及び／又は被膜の結晶化を低減及び／又は軽減し、それによって、それに隣接して配設された薄膜の特性を安定させ、いくつかの非限定的な例では、散乱を低減することができる。いくつかの非限定的な例では、そのような薄膜は、キャッピング層（capping layer、ＣＰＬ）を含むがこれに限定されない、デバイスのアウトカップリング及び／又はカプセル化被膜１７５０の少なくとも１つの層であってもよく、及び／又はそれを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造８４１を含むがこれに限定されない粒子材料のそのような不連続層８４０の存在は、ＵＶスペクトルの少なくとも一部における吸収の強化を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造８４１の特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆度、構成、堆積密度、分散度、粒子材料、及び屈折率のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されないそのような粒子構造８４１の特質を制御することは、ＵＶスペクトルを含む吸収スペクトルの吸収度、波長範囲、及びピーク波長を制御することを容易にし得る。ＵＶスペクトルの少なくとも一部におけるＥＭ放射線の高められた吸収は、例えば、デバイス性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命を改善するために有利であり得る。
いくつかの非限定的な例では、光学効果は、波長範囲及び／又はそのピーク強度を含む、透過及び／又は吸収波長スペクトルに対するその影響に関して説明され得る。
追加的に、提示されたモデルは、そのような不連続層８４０を通過する光子の透過及び／又は吸収に与えられるある特定の効果を示唆し得るが、いくつかの非限定的な例では、そのような効果は、広範な観察可能な基準では反映され得ない局所的な効果を反映し得る。
光電子デバイス
図１０は、本開示による例示的なエレクトロルミネセントデバイス１０００の断面からの簡略ブロック図である。いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００はＯＬＥＤであり得る。
デバイス１０００は、基板１０を含むことができ、それぞれ、その上に、複数の層を含むフロントプレーン１０１０、第１の電極１０２０、少なくとも１つの半導体層１０３０、及び第２の電極１０４０が配設される。いくつかの非限定的な例では、フロントプレーン１０１０は、光子放射、及び／又は放射された光子の操作のためのメカニズムを提供することができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０及び下地層は、デバイス１０００の第１の電極１０２０及び第２の電極１０４０のうちの少なくとも１つの少なくとも一部を一緒に形成することができる。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０及びその下の下地層は、デバイス１０００のカソードの少なくとも一部を一緒に形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００は、電源１００５と電気的に結合され得る。そのように結合されると、デバイス１０００は、本明細書に説明されるように光子を放射することができる。
基板
いくつかの例では、基板１０は、ベース基板１０１２を含み得る。いくつかの例では、ベース基板１０１２は、Ｓｉ、ガラス、金属（金属箔を非限定的に含む）、サファイア、及び／若しくは他の無機材料を非限定的に含む無機材料、並びに／又はポリイミド、及び／若しくはＳｉベースのポリマーを非限定的に含むポリマーを非限定的に含む有機材料を含む、その使用に好適な材料から形成され得る。いくつかの例では、ベース基板１０１２は、剛性又は可撓性であり得る。いくつかの例では、基板１０は、少なくとも１つの平面によって画定され得る。いくつかの非限定的な例では、基板１０は、第１の電極１０２０、少なくとも１つの半導体層１０３０、及び／又は第２の電極１０４０を非限定的に含む、デバイス１０００の残りのフロントプレーン１０１０の構成要素を支持する少なくとも１つの表面を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる表面は、有機表面及び／又は無機表面であり得る。
いくつかの例では、基板１０は、ベース基板１０１２に加えて、ベース基板１０１２の露出層表面１１上に支持された少なくとも１つの追加の有機及び／又は無機層（図示せず、又は本明細書に具体的に記載されていない）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような追加の層は、少なくとも１つの半導体層１０３０のうちの少なくとも１つを含む、置き換える、及び／又は補足することができる少なくとも１つの有機層を含む、及び／又は形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、かかる追加の層は、少なくとも１つの電極を含み、かつ／又は形成し得る、少なくとも１つの無機層を含んでもよく、いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０及び／又は第２の電極１０４０を含み、置換し、かつ／又は補完してもよい。
いくつかの非限定的な例では、かかる追加の層は、バックプレーン１０１５を含み、かつ／又はそれから形成され、かつ／又はそれとして形成され得る。いくつかの非限定的な例では、バックプレーン１０１５は、低圧（真空を含むが、これに限定されない）環境下で提供されなくてもよく、及び／又はその導入前に提供されてもよいフォトリソグラフィプロセスによって形成され得る、限定されないが電子ＴＦＴ構造１１０１及び／又はその構成要素を含むデバイス１０００を駆動するための電源回路及び／又はスイッチング素子を収容することができる。
バックプレーン及びその中に具現化されたＴＦＴ構造
いくつかの非限定的な例では、基板１０のバックプレーン１０１５は、アクティブマトリックスデバイス及び／又はパッシブマトリックスデバイスとして機能するデバイス１０００をサポートし得るような、トランジスタ、抵抗器、及び／又はキャパシタを非限定的に含む、少なくとも１つの電子部品及び／又は光電子部品を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる構造は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造１１０１であり得る。
ＴＦＴ構造１１０１の非限定的な例として、トップゲート、ボトムゲート、ｎ型及び／又はｐ型ＴＦＴ構造１１０１が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ構造１１０１は、非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（indium gallium zinc oxide、ＩＧＺＯ）、及び／又は低温多結晶シリコン（low-temperature polycrystalline silicon、ＬＴＰＳ）のうちの任意の少なくとも１つを組み込み得る。
第１の電極
第１の電極１０２０は、基板１０上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０は、電源１００５の端子及び／又は接地に電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０は、いくつかの非限定的な例では、基板１０のバックプレーン１０１５内に少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１を組み込み得る、少なくとも１つの駆動回路を通してそのように結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０は、アノード及び／又はカソードを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０はアノードであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０は、基板１０（の一部）の上に少なくとも１つの薄い導電性膜を堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、基板１０の側方面上に空間的配置で配設された複数の第１の電極１０２０が存在し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの第１の電極１０２０のうちの少なくとも１つは、空間的配置において側方面で配設されたＴＦＴ絶縁層１１０９（の一部）の上に堆積され得る。その場合、いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの第１の電極１０２０のうちの少なくとも１つは、対応するＴＦＴ絶縁層１１０９の開口部を通して延在しており、バックプレーン１０１５内のＴＦＴ構造１１０１の電極と電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第１の電極１０２０及び／又はその少なくとも１つの薄膜は、限定するものではないが、Ｍｇ、Ａｌ、カルシウム（Ｃａ）、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｂａ、若しくはＹｂ、又は限定するものではないが、そのような材料のいずれかを含有する合金を含む、それらの任意の複数の組み合わせを含む、少なくとも１つの金属材料、限定するものではないが、フッ素スズ酸化物（fluorine tin oxide、ＦＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（indium zinc oxide、ＩＺＯ）、若しくはＩＴＯなどの三元組成物を含む、限定するものではないが、ＴＣＯを含む少なくとも１つの金属酸化物、又は、それらの任意の複数の組み合わせ、又は様々な比率のもの、又は限定するものではないが、そのうち少なくとも１つは薄膜であり得る、少なくとも１つの層におけるそれらの任意の複数の組み合わせを含むが、これらに限定されない様々な材料を含み得る。
第２の電極
第２の電極１０４０は、少なくとも１つの半導体層１０３０の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、電源１００５の端子及び／又は接地と電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、いくつかの非限定的な例では、基板１０のバックプレーン１０１５内に少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１を組み込み得る、少なくとも１つの駆動回路を通してそのように結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、アノード及び／又はカソードを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０はカソードであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、堆積層１３０を、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの薄膜として、少なくとも１つの半導体層１０３０（の一部）の上に堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０の側方面上に空間的配置で配設された複数の第２の電極１０４０が存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第２の電極１０４０は、限定ではないが、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｂａ、若しくはＹｂ、又は限定ではないが、かかる材料のいずれかを含有する合金を含む、任意の複数のそれらの組み合わせを含む、限定ではないが、少なくとも１つの金属材料、限定ではないが、ＦＴＯ、ＩＺＯ、若しくはＩＴＯ、又は限定ではないが、任意の複数のそれらの組み合わせなどの三元組成物を含む、限定ではないが、ＴＣＯを含む、少なくとも１つの金属酸化物、それらの任意の複数の、又は様々な割合の組み合わせ、又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）、又はＩｎを含む他の酸化物、又はＺｎ、又は少なくとも１つの層におけるそれらの任意の複数の組み合わせ、及び／又は限定ではないが薄い導電性膜であり得る少なくとも１つの任意の少なくとも１つの非金属材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ：Ａｇ合金について、かかる合金組成は、体積で約１：９～９：１の範囲であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０の堆積は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して実行され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、複数のかかる層及び／又は被膜を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる層及び／又は被膜は、互いの上に配設された別個の層及び／又は被膜であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、Ｙｂ／Ａｇ二重層被膜を含み得る。いくつかの非限定的な例では、そのような二層被膜は、Ｙｂ被膜、続いてＡｇ被膜を堆積させることによって形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、かかるＡｇ被膜の厚さは、Ｙｂ被膜の厚さを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、少なくとも１つの金属層及び／又は少なくとも１つの酸化物層を含む多層電極１０４０であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、フラーレン及びＭｇを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる被膜は、フラーレン被膜、続いてＭｇ被膜を堆積させることによって形成することができる。いくつかの非限定的な例では、フラーレンをＭｇ被膜内に分散させて、フラーレン含有Ｍｇ合金被膜を形成することができる。このような被膜の非限定的な例は、２０１５年１０月８日に公開された米国特許出願公開第２０１５／０２８７８４６号、及び／又は２０１７年８月１５日に出願され、２０１８年２月２２日に国際公開第２０１８／０３３８６０号として公開された国際出願ＰＣＴ／ＩＢ第２０１７／０５４９７０号に記載されている。
半導体層
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０は、複数の層１０３１、１０３３、１０３５、１０３７、１０３９を含むことができ、これらの層のいずれも、いくつかの非限定的な例では、薄膜中に、積層構成で配設され得、積層構成は、正孔注入層（hole injection layer、ＨＩＬ）１０３１、正孔輸送層（hole transport layer、ＨＴＬ）１０３３、発光層（ＥＭＬ）１０３５、電子輸送層（ＥＴＬ）１０３７、及び／又は電子注入層（electron injection layer、ＥＩＬ）１０３９のうちの少なくとも１つを含み得るが、これらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０は、複数のＥＭＬ１０３５を含む「タンデム」構造を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、かかるタンデム構造はまた、少なくとも１つの電荷発生層（charge generation layer、ＣＧＬ）を含み得る。
当業者は、デバイス１０００の構造が、半導体層１０３１、１０３３、１０３５、１０３７、１０３９のうちの少なくとも１つを省略すること、及び／又は組み合わせることによって変更され得ることを容易に理解するであろう。
更に、少なくとも１つの半導体層１０３０の層１０３１、１０３３、１０３５、１０３７、１０３９のいずれも、任意の数の部分層を含み得る。なお更に、かかる層１０３１、１０３３、１０３５、１０３７、１０３９、及び／又はそれらのサブ層のいずれかは、様々な混合物、及び／又は組成勾配を含み得る。加えて、当業者は、デバイス１０００が、無機及び／又は有機金属材料を含む少なくとも１つの層を含んでもよく、必ずしも、有機材料のみから構成されるデバイスに限定されなくてもよいことを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００は、少なくとも１つのＱＤを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＨＩＬ１０３１は、アノードから正孔の注入を容易にし得る正孔注入材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＨＴＬ１０３３は、いくつかの非限定的な例では、高い正孔移動度を呈し得る正孔輸送材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＴＬ１０３７は、いくつかの非限定的な例では、高い電子移動度を呈し得る電子輸送材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＩＬ１０３９は、陰極からの電子注入を容易にし得る電子注入材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭＬ１０３５は、いくつかの非限定的な例では、ホスト材料を少なくとも１つのエミッタ材料でドープすることによって形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、エミッタ材料は、蛍光エミッタ、リン光エミッタ、熱活性化遅延蛍光（thermally activated delayed fluorescence、ＴＡＤＦ）エミッタ、及び／又はこれらの複数の任意の組み合わせであり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００は、少なくとも１つの半導体層１０３０が、導電性薄膜電極１０２０、１０４０の間に挿入された少なくとも１つのＥＭＬ１０３５を含み、それによって、電位差がそれらにわたって印加されると、正孔がアノードを通して少なくとも１つの半導体層１０３０に注入され得、電子がカソードを通して少なくとも１つの半導体層１０３０に注入され得、ＥＭＬ１０３５に向かって移動し、結合して光子の形態でＥＭ放射線を放射する、ＯＬＥＤであり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００は、少なくとも１つの半導体層１０３０が少なくとも１つのＱＤを含む活性層を含み得るエレクトロルミネセントＱＤデバイスであり得る。電流が電源１００５によって第１の電極１０２０及び第２の電極１０４０に供給され得るとき、それらの間に少なくとも１つの半導体層１０３０を含む活性層から光子が放射され得る。
当業者であれば、デバイス１０００の構造は、少なくとも１つの半導体層１０３０スタック内の適切な位置に、これらに限定されないが正孔阻止層（hole blocking layer、ＨＢＬ）（図示せず）、電子阻止層（electron blocking layer、ＥＢＬ）（図示せず）、追加の電荷輸送層（charge transport layer、ＣＴＬ）（図示せず）、及び／又は追加の電荷注入層（charge injection layer、ＣＩＬ）（図示せず）を含む、少なくとも１つの追加の層（図示せず）を導入することによって変化させ得ることを容易に理解するであろう。
ＯＬＥＤデバイス１０００が照明パネルを含む場合を含むいくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の側方面全体が単一の放射素子に対応し得る。したがって、図１０に示される実質的に平坦な断面プロファイルは、ＥＭ放射線がデバイス１０００から実質的にその側方範囲の全体に沿って放射されるように、デバイス１０００の側方面の全体に実質的に沿って延在することができる。いくつかの非限定的な例では、かかる単一の放射素子は、デバイス１０００の単一の駆動回路によって駆動され得る。
ＯＬＥＤデバイス１０００がディスプレイモジュールを含む場合を含む、いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の側方面は、デバイス１０００の複数の放射領域１４０１に細分されてもよく、放射領域１４０１の各々内のデバイス構造１０００の断面は、通電されると、そこからＥＭ放射線を放射させてもよい。
放射領域
図１１にいくつかの非限定的な例において示されてもよいようないくつかの非限定的な例では、放射領域１４０１の活性領域１１３０は、第１の電極１０２０及び第２の電極１０４０によって横断面に境界付けられ、第１の電極１０２０及び第２の電極１０４０によって画定される放射領域１４０１に側方面に閉じ込められるように画定することができる。当業者は、放射領域１４０１の側方面１１１０、したがって、活性領域１１３０の側方境界が、第１の電極１０２０及び第２の電極１０４０のいずれか又は両方の側方面全体に対応しないことがあることを理解されよう。むしろ、放射領域１４０１の側方面１１１０は、実質的に、第１の電極１０２０及び第２の電極１０４０のいずれかの側方範囲以下であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０の一部は、ＰＤＬ１１４０によって被覆されてもよく、かつ／又は第２の電極１０４０の一部は、少なくとも１つの半導体層１０３０上に配設されなくてもよく、いずれか又は両方のシナリオにおいて、放射領域１４０１が側方に制約され得るという結果をもたらす。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の個々の放射領域１４０１は、側方パターンでレイアウトされ得る。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１の側方方向に沿って延在することができる。いくつかの非限定的な例では、パターンはまた、第２の側方方向に沿って延在してもよく、いくつかの非限定的な例では、第１の側方方向に実質的に垂直であってもよい。いくつかの非限定的な例では、パターンは、かかるパターン内に複数の要素を有してもよく、各要素は、その放射領域１４０１によって放射されるＥＭ放射線の波長、かかる放射領域１４０１の形状、（第１及び／又は第２の側方方向のいずれか又は両方に沿った）寸法、（第１及び／又は第２の側方方向のいずれか及び／又は両方に対する）配向、及び／又はパターン内の前の要素からの（第１及び／又は第２の側方方向のいずれか又は両方に対する）間隔を含むが、それらに限定されない、その少なくとも１つの特徴によって特徴付けられる。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１及び／又は第２の側方方向のいずれか又は両方で繰り返されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の各個々の放射領域１４０１は、関連する放射領域１４０１のためのＯＬＥＤ構造を駆動するために、デバイス１０００のバックプレーン１０１５内の対応する駆動回路と関連付けられ、それによって駆動され得る。放射領域１４０１が第１の（行）側方方向と第２の（列）側方方向の両方に延在する規則的なパターンでレイアウトされ得る場合を非限定的に含む、いくつかの非限定的な例では、第１の側方方向に延在する放射領域１４０１の各行に対応する、バックプレーン１０１５内の信号線と、第２の側方方向に延在する放射領域１４０１の各列に対応する信号線と、が存在し得る。かかる非限定的な構成では、行選択線上の信号は、それと電気的に結合されたスイッチングＴＦＴ構造１１０１のそれぞれのゲートに通電することができ、データ線上の信号は、それと電気的に結合されたスイッチングＴＦＴ構造１１０１のそれぞれの源に通電することができ、それにより、行選択線／データ線対上の信号は、電源１００５の正端子によって、かかる対と関連する放射領域１４０１のＯＬＥＤ構造のアノードに電気的に結合して通電し、そこから光子を放射させることができ、そのカソードは、電源１００５の負端子と電気的に結合される。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の各放射領域１４０１は、単一のディスプレイピクセル２２１０に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、各ピクセル２２１０は、所与の波長スペクトルで光を放射することができる。いくつかの非限定的な例では、波長スペクトルは、限定はしないが、可視スペクトル中の色に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の各放射領域１４０１は、ディスプレイピクセル２２１０の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応し得る。いくつかの非限定的な例では、複数の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘが組み合わされて、単一のディスプレイピクセル２２１０を形成するか、又は表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイピクセル２２１０は、３つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘによって表されてもよい。いくつかの非限定的な例では、３つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル３２１、Ｇ（緑）サブピクセル３２２、及び／又はＢ（青）サブピクセル３２３として示され得る。いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイピクセル２２１０は、４つの（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘによって表されてもよく、そのような（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのうちの３つは、Ｒ（赤）３２１、Ｇ（緑）３２２、及びＢ（青）３２３サブピクセルとして表されてもよく、第４の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、Ｗ（白）（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘとして表されてもよい。いくつかの非限定的な例では、所与の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘによって放射されるＥＭ放射の放射スペクトルは、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘが示される色に対応することができる。いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線の波長は、かかる色に対応しない場合があるが、波長をそのように対応する波長に変換するために、当業者に明らかな様式で、更なる処理が実行され得る。
異なる色の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの波長は異なり得るので、そのような（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの光学特性は、特に、実質的に均一な厚さプロファイルを有する共通電極１０２０、１０４０が異なる色の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対して使用され得る場合に、異なり得る。
実質的に均一な厚さを有する共通電極１０２０、１０４０がデバイス１０００内の第２の電極１０４０として提供され得るとき、デバイス１０００の光学性能は、各（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに関連付けられた発光スペクトルに従って容易に微調整されないことがある。そのようなＯＬＥＤデバイス１０００で使用される第２の電極１０４０は、いくつかの非限定的な例では、複数の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘを被覆する共通電極１０２０、１０４０であってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような共通電極１０２０、１０４０は、デバイス１０００にわたって実質的に均一な厚さを有する比較的薄い導電性膜であってもよい。いくつかの非限定的な例では、異なる（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ内に配置された有機層の厚さを変化させることによって、各（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ色に関連付けられた光マイクロキャビティ効果を調整する努力がなされてきたが、そのようなアプローチは、いくつかの非限定的な例では、少なくともいくつかの場合において、光マイクロキャビティ効果のかなりの程度の調整を提供し得る。加えて、いくつかの非限定的な例では、かかるアプローチは、ＯＬＥＤディスプレイ生産環境で実装することが困難な場合がある。
結果として、いくつかの非限定的な例では、ＯＬＥＤデバイス１０００を含むがこれに限定されない光電子デバイスを構築するために使用され得るような、異なる屈折率を有する多数の薄膜層及び被膜によって作成される光学界面の存在は、異なる色の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対して異なる光マイクロキャビティ効果を作成し得る。
デバイス１０００において観察されるマイクロキャビティ効果に影響を及ぼし得るいくつかの要因としては、非限定的に、総経路長（いくつかの非限定的な例では、そこから放射されたＥＭ放射線がアウトカップリングされる前に進むデバイス１０００の（長手方向の面における）総厚に対応し得る）、並びに様々な層及び被膜の屈折率が挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０の中及びそれにわたって電極１０２０、１０４０の厚さを変調することは、観察可能なマイクロキャビティ効果に影響を及ぼし得る。いくつかの非限定的な例では、かかる影響は、総光路長の変化に起因し得る。
いくつかの非限定的な例では、電極１０２０、１０４０の厚さの変化はまた、いくつかの非限定的な例では、総光路長の変化に加えて、それを通過するＥＭ放射線の屈折率を変化させ得る。いくつかの非限定的な例では、これは特に、電極１０２０、１０４０が少なくとも１つの堆積層１３０から形成され得る場合であり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の光学特性、及び／又はいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの光マイクロキャビティ効果を調節することによって変化させることができる（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０にわたる光学特性は、発光スペクトル、強度（光度を含むがこれに限定されない）、及び／又は輝度の角度依存性を含むがこれに限定されない放射されたＥＭ放射線の角度分布、及び／又は放射されたＥＭ放射線の色シフトを含み得るがこれに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、第１のディスプレイピクセル２２１０を表すために他の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの第１のセットに関連付けられてもよく、第２のディスプレイピクセル２２１０を表すために他の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの第２のセットにも関連付けられてもよく、その結果、第１及び第２のディスプレイピクセル２２１０は、同じ（サブ）ピクセル３２ｘをそれらに関連付けることができる。
（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのディスプレイピクセル２２１０へのパターン及び／又は組織は、進化し続ける。全ての現在及び将来のパターン、及び／又は構成は、本開示の範囲内に入ると考えられる。
非放射領域
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００の様々な放射領域１４０１は、少なくとも１つの側方方向において、少なくとも１つの非放射領域１４０２によって実質的に取り囲まれ、分離されてもよく、ここで、図１０に非限定的に示されるデバイス構造１０００の断面に沿った構造及び／又は構成は、そこから放射されるＥＭ放射線を実質的に抑制するように変化してもよい。いくつかの非限定的な例では、非放射領域１４０２は、放射領域１４０１を実質的に欠いている、側方面におけるそれらの領域を含み得る。
したがって、図１１の断面図に示すように、少なくとも１つの半導体層１０３０の様々な層の側方トポロジは、少なくとも１つの非放射領域１４０２によって（少なくとも１つの側方方向に）取り囲まれた少なくとも１つの放射領域１４０１を画定するように変化させることができる。
いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイ（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１は、側方面１１１０を有する少なくとも１つの非放射領域１４０２によって少なくとも１つの横方向に取り囲まれた側方面１１２０を有すると理解されてもよい。
次に、ＯＬＥＤディスプレイ１０００の単一のディスプレイ（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１に適用されるデバイス１０００の断面の実装の非限定的な例について説明する。かかる実装形態の特徴は放射領域１４０１に固有であるように示されているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、２つ以上の放射領域１４０１が共通の特徴を包含し得ることを理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０は、デバイス１０００の露出層表面１１の上に配設されてもよく、いくつかの非限定的な例では、放射領域１４０１の側方面１１１０の少なくとも一部内に配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０内で、露出層表面１１は、第１の電極１０２０の堆積時に、単一の表示（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１用の駆動回路を構成する様々なＴＦＴ構造１１０１のＴＦＴ絶縁層１１０９を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層１１０９は、中を通して延在する開口部を伴って形成され、第１の電極１０２０が、限定ではないが、図１１に示すように、ＴＦＴドレイン電極１１０８を含む、ＴＦＴ電極１１０５、１１０７、１１０８のうちの１つと電気的に結合されることを可能にし得る。
当業者は、駆動回路が複数のＴＦＴ構造１１０１を含むことを理解するであろう。図１１では、解説を簡略にするために、１つのＴＦＴ構造１１０１のみが示され得るが、かかるＴＦＴ構造１１０１は、駆動回路を構成するかかる複数の及び／又はその少なくとも１つの構成要素を表し得ることが、当業者によって理解されよう。
断面面では、各放射領域１４０１の構成は、いくつかの非限定的な例では、周囲の非放射領域１４０２の側方面１１２０の実質的に全体にわたって少なくとも１つのＰＤＬ１１４０を導入することによって画定され得る。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０は、絶縁性有機及び／又は無機材料を含むことができる。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０は、実質的にＴＦＴ絶縁層１１０９の上に堆積され得るが、図示のように、いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０はまた、堆積された第１の電極１０２０の少なくとも一部、及び／又はその外側縁部の上に延在することができる。
いくつかの非限定的な例では、図１１に示すように、ＰＤＬ１１４０の断面厚さ及び／又はプロファイルは、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する、周囲の非放射領域１４０２の側方面１１２０と周囲の放射領域１４０１の側方面との境界に沿った増加した厚さの領域によって、実質的に谷形状構成を各（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１に付与することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０のプロファイルは、いくつかの非限定的な例では、そのような非放射領域１４０２の側方面１１２０内で実質的に良好な、取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０と取り囲まれた放射領域１４０１の側方面１１１０との間の境界から離れることを含むがこれに限定されない、そのような谷形状構成を超える低減した厚さを有し得る。
ＰＤＬ１１４０は、概して、谷形状構成（それによって取り囲まれた放射領域１４０１を画定する）を形成するように、線形に傾斜した表面を有するものとして解説されているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、かかるＰＤＬ１１４０の形状、縦横比、厚さ、幅、及び／又は構成のうちの少なくとも１つは、変化し得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０は、より急勾配又はより緩やかに傾斜した部分を有して形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなＰＤＬ１１４０は、それが堆積される表面から離れて実質的に垂直に延びるように構成されてもよく、表面は第１の電極１０２０の少なくとも１つの縁部を覆ってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのようなＰＤＬ１１４０は、限定はしないが、インクジェット印刷を含むが、これに限定されない印刷によるものを含む溶液処理技術によって、少なくとも１つの半導体層１０３０をその上に堆積させるように構成することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのそのような放射領域１４０１の側方面１１１０の少なくとも一部を含む、デバイス１０００の露出層表面１１の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０内で、そのような露出層表面１１は、少なくとも１つの半導体層１０３０（及び／又はその層１０３１、１０３３、１０３５、１０３７、１０３９）の堆積時に、第１の電極１０２０を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０を超えて、及び少なくとも部分的に、取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０内に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、かかる周囲の非放射領域１４０２のかかる露出層表面１１は、少なくとも１つの半導体層１０３０の堆積時に、ＰＤＬ１１４０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０の少なくとも一部を含む、デバイス１０００の露出層表面１１の上に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面内で、かかる露出層表面１１は、第２の電極１０４０の堆積時に、少なくとも１つの半導体層１０３０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０はまた、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０を越えて、及び少なくとも部分的に、取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０内に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、かかる周囲の非放射領域１４０２のかかる露出層表面１１は、第２の電極１０４０の堆積時に、ＰＤＬ１１４０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、周囲の非放射領域１４０２の側方面１１２０の実質的に全て又は実質的な一部にわたって延在することができる。
パターニングされた電極の選択的堆積
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の事前の選択的堆積によるオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスにおいて堆積材料７３１の選択的堆積を達成する能力は、ＯＬＥＤデバイス１０００及び／又はそれと電気的に結合された導電素子を含むがこれらに限定されない、光電子デバイスのパターニングされた電極１０２０、１０４０、１５５０及び／又はその少なくとも１つの層の選択的堆積を達成するために使用され得る。
このようにして、シャドウマスク６１５を使用する図１１におけるパターニング被膜１１０の選択的堆積と、堆積材料７３１のオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積とを組み合わせて、少なくとも１つの堆積層１３０の選択的堆積を果たし、堆積層１３０を形成するための堆積プロセス内でシャドウマスク６１５を採用せずに、図１０に示すデバイス１０００内に、パターニングされた電極１０２０、１０４０、１５５０、及び／又はその少なくとも１つの層、及び／又はそれと電気的に結合された導電素子を含むがこれらに限定されないデバイス特徴を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、かかるパターニングにより、デバイス１０００の透過率を可能にし、かつ／又は高めることができる。
そのようなデバイス１０００に様々な構造的及び／又は性能的能力を与えるための、そのようなパターン化された電極１０２０、１０４０、１５５０、及び／又はそれらの少なくとも１つの層、及び／又はそれらと電気的に結合された導電性要素のいくつかの非限定的な例が、ここで説明される。
上記の結果として、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０、及び／又は放射領域１４０１を取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０にわたって、第１の電極１０２０、第２の電極１０４０、補助電極１５５０、及び／又はそれらと電気的に結合された導電性要素のうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されない、デバイス特徴を、デバイス１０００のフロントプレーン１０１０の露出層表面１１上にパターンで、選択的に堆積させることが目的であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０、第２の電極１０４０、及び／又は補助電極１５５０は、複数の堆積層１３０のうちの少なくとも１つの中に堆積され得る。
図１２は、例示的なパターニングされた電極１２００を平面で示すことができ、図では、第２の電極１０４０は、デバイス１０００の例示的なバージョン１３００（図１３）で使用するのに好適である。電極１２００は、パターン化された複数の開口部１２２０をその中に有するか又は画定する単一の連続構造を含むパターン１２１０で形成されてもよく、開口部１２２０は、カソードが存在しないデバイス１３００の領域に対応してもよい。
図では、いくつかの非限定的な例において、パターン１２１０は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１の側方面１１１０と、そのような放射領域１４０１を取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０とを区別することなく、デバイス１３００の横方向範囲全体にわたって配置されてもよい。したがって、解説された例は、その外面に入射するＥＭ放射線に対して実質的に透過性であり得るデバイス１３００に対応し得、それにより、かかる外部入射ＥＭ放射線の相当の部分が、本明細書で開示されるようなデバイス１３００内で内部的に発生したＥＭ放射線の放射（上面放射、下面放射、及び／又は両面放射）に加えて、デバイス１３００を透過することができる。
デバイス１３００の透過率は、限定ではないが、開口１２２０の平均サイズ、及び／又は間隔、及び／又は開口１２２０の密度を含む、採用されるパターン１２１０を改変することによって調整及び／又は修正することができる。
ここで図１３に目を向けると、図１２の線１３－１３に沿ったデバイス１３００の断面図が示され得る。図において、デバイス１３００は、基板１０と、第１の電極１０２０と、少なくとも１つの半導体層１０３０とを含むものとして示され得る。
パターニング被膜１１０は、下地層の露出層表面１１上のパターン１２１０に実質的に対応するパターンで選択的に配設され得る。
図では第２の電極１０４０であるパターニングされた電極１２００を形成するのに好適な堆積層１３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下地層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配設され得る。下地層は、パターン１２１０内に配設されたパターニング被膜１１０の領域と、パターニング被膜１１０が堆積されていないパターン１２１０内の少なくとも１つの半導体層１０３０の領域と、の両方を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の領域は、パターン１２１０に示される開口８２０を含む第１の部分１０１に実質的に対応し得る。
パターニング被膜１１０が配設されたパターン１２１０のそれらの領域（開口１２２０に対応する）の核形成阻害特性に起因して、かかる領域上に配設された堆積材料７３１は、残留しない傾向があり得、パターン１２１０の残りに実質的に対応し得る堆積層１３０の選択的堆積のパターンをもたらし、開口１２２０に対応するパターン１２１０の第１の部分１０１のそれらの領域は、堆積層１３０の閉鎖被膜１４０を実質的に欠いている。
換言すれば、カソードを形成することになる堆積層１３０は、パターン１２１０内の開口１２２０を取り囲むが占有しない少なくとも１つの半導体層１０３０の領域を含む第２の部分１０２上にのみ実質的に選択的に堆積させることができる。
図１４Ａは、電極１０２０、１０４０、１５５０の複数のパターン１４１０、１４２０を示す概略図を平面で示すことができる。
いくつかの非限定的な例では、第１のパターン１４１０は、第１の側方方向に延在する複数の細長い離隔した領域を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のパターン１４１０は、複数の第１の電極１０２０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のパターン１４１０を含む複数の領域が電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２のパターン１４２０は、第２の側方方向に延在する複数の細長い離隔した領域を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の側方方向は、第１の側方方向に対して実質的に垂直であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２のパターン１４２０は、複数の第２の電極１０４０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２のパターン１４２０を含む複数の領域は、電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のパターン１４１０及び第２のパターン１４２０は、デバイス１０００の、概して１４００（図１４Ｂ）で示す例示的なバージョンの一部を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１の側方面１１１０は、第１のパターン１４１０が第２のパターン１４２０と重なる場所に形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、非放射領域１４０２の側方面１１２０は、側方面１１１０以外の任意の側方面に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、電源１００５の第１の端子（いくつかの非限定的な例では、正の端子であり得る）は、第１のパターン１４１０の少なくとも１つの電極１０２０、１０４０、１５５０と電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の端子は、少なくとも１つの駆動回路を通して第１のパターン１４１０の少なくとも１つの電極１０２０、１０４０、１５５０と結合され得る。いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では、負の端子であり得る電源１００５の第２の端子は、第２のパターン１４２０の少なくとも１つの電極１０２０、１０４０、１５５０と電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の端子は、少なくとも１つの駆動回路を通して第２のパターン１４２０の少なくとも１つの電極１０２０、１０４０、１５５０と結合され得る。
次に図１４Ｂを参照すると、図１４Ａの線１４Ｂ－１４Ｂに沿った、堆積段階１４００ｂにおけるデバイス１４００の断面図が示され得る。図において、段階１４００ｂにおけるデバイス１４００は、基板１０を備えるものとして示され得る。
パターニング被膜１１０は、図に示すように、基板１０であってもよい、下地層の露出層表面１１上の第１のパターン１４１０の反転に実質的に対応するパターンで選択的に配設され得る。
図では第１の電極１０２０である、電極１０２０、１０４０、１５５０の第１のパターン１４１０を形成するのに好適な堆積層１３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下地層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配設され得る。下地層は、第１のパターン１４１０の逆に配設されたパターニング被膜１１０の領域と、パターニング被膜１１０が堆積されていない第１のパターン１４１０に配設された基板１０の領域との両方を含み得る。いくつかの非限定的な例では、基板１０の領域は、第１のパターン１４１０の細長い離隔した領域に実質的に対応してもよく、一方で、パターニング被膜１１０の領域は、その間に間隙を含む第１の部分１０１に実質的に対応してもよい。
パターニング被膜１１０が配設された第１のパターン１４１０のそれらの領域（それらの間の間隙に対応する）の核形成阻害特性に起因して、かかる領域上に配設される堆積材料７３１は、残留しない傾向があり得、第１のパターン１４１０の細長い離隔した領域に実質的に対応し得る、堆積層１３０の選択的堆積のパターンをもたらし、堆積層１３０の閉鎖被膜１４０を実質的に欠いているそれらの間の間隙を含む第１の部分１０１を残すことができる。
換言すれば、電極１０２０、１０４０、１５５０の第１のパターン１４１０を形成し得る堆積層１３０は、第１のパターン１４１０の細長い離隔した領域を画定する基板１０のそれらの領域を含む第２の部分１０２上にのみ実質的に選択的に堆積させることができる。
ここで図１４Ｃを参照すると、図１４Ａの線１４Ｃ－１４Ｃに沿った、デバイス１４００の断面図１４００ｃが示され得る。図において、デバイス１４００は、基板１０、図１４Ｂに示すように堆積された電極１０２０の第１のパターン１４１０、及び少なくとも１つの半導体層１０３０を備えるものとして示され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０は、デバイス１４００の側方面の実質的に全てにわたる共通層として設けられ得る。
パターニング被膜１１０は、図に示されるように少なくとも１つの半導体層１０３０である下地層の露出層表面１１上の第２のパターン１４２０に実質的に対応するパターンで選択的に配設され得る。
図では第２の電極１０４０である、電極１０２０、１０４０、１５５０の第２のパターン１４２０を形成するのに好適な堆積層１３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下地層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配設され得る。下地層は、第２のパターン１４２０の逆に配設されたパターニング被膜１１０の領域と、パターニング被膜１１０が堆積されていない第２のパターン１４２０内の少なくとも１つの半導体層１０３０の領域との両方を含み得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０の領域は、第２のパターン１４２０の細長い離隔した領域を含む第１の部分１０１に実質的に対応してもよく、一方、パターニング被膜１１０の領域は、それらの間の間隙に実質的に対応してもよい。
パターニング被膜１１０が配設された第２のパターン１４２０のそれらの領域（それらの間の間隙に対応する）の核形成阻害特性に起因して、かかる領域上に配設された堆積層１３０は、残留しない傾向があり得、第２のパターン１４２０の細長い離隔した領域に実質的に対応し得る、堆積層１３０の選択的堆積のパターンをもたらし、堆積層１３０の閉鎖被膜１４０を実質的に欠いているそれらの間の間隙を含む第１の部分１０１を残すことができる。
換言すれば、電極１０２０、１０４０、１５５０の第２のパターン１４２０を形成し得る堆積層１３０は、第２のパターン１４２０の細長い離隔した領域を画定する少なくとも１つの半導体層１０３０の領域を含む第２の部分１０２上にのみ実質的に選択的に堆積させることができる。
いくつかの非限定的な例では、電極１０２０、１５５０の第１のパターン１４１０及び／又は第２のパターン１４２０のいずれか又は両方を形成するために、パターニング被膜１１０及びその後に堆積される堆積層１３０の平均層厚は、限定ではないが、所与の用途及び所与の性能特質を含む、様々なパラメータに従って変動してもよい。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の平均層厚は、その後に堆積される堆積層１３０の平均層厚と同等であってもよく、かつ／又はそれよりも実質的に小さくてもよい。比較的薄いパターニング被膜１１０を使用して、その後に堆積される堆積層１３０の選択的パターニングを達成することは、可撓性のデバイス１０００を提供するために好適であり得る。いくつかの非限定的な例では、比較的薄いパターニング被膜１１０は、バリア被膜１４５０が堆積され得る比較的平坦な表面を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、バリア被膜１４５０の適用のためにかかる比較的平坦な表面を提供することにより、かかる表面へのバリア被膜１４５０の接着を増加させることができる。
電極１０２０、１０４０、１５５０の第１のパターン１４１０のうちの少なくとも１つ、及び電極１０２０、１０４０、１５５０の第２のパターン１４２０のうちの少なくとも１つは、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１の側方面１１１０からのＥＭ放射線放射を制御するために、直接的に、及び／又はいくつかの非限定的な例ではそれぞれの駆動回路を介して、電源１００５と電気的に結合され得る。
補助電極
当業者は、図１４Ａ－１４Ｃに示される第２のパターン１４２０に第２の電極１０４０を形成するプロセスが、いくつかの非限定的な実施例では、デバイス１０００用の補助電極１５５０を形成するために、類似様式で使用され得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、その第２の電極１０４０は、共通電極を含んでもよく、補助電極１５５０は、第２のパターン１４２０に堆積されており、いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０の上方、又はいくつかの非限定的な例では下方に堆積されており、それと電気的に結合されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極１５５０のための第２のパターン１４２０は、第２のパターン１４２０の細長い離間した領域が、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１の側方面１１１０を取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０内に実質的にあるようなものであってもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような補助電極１５５０のための第２のパターン１４２０は、第２のパターン１４２０の細長い離間した領域が、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１の側方面１１１０、及び／又はそれらを取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０内に実質的にあるようなものであってもよい。
図１５は、それと実質的に同様であるが、第２の電極１０４０の上方にパターンで配設されており、それと電気的に結合される（図示せず）、少なくとも１つの補助電極１５５０を更に含み得る、デバイス１０００の例示的バージョン１５００の例示的な断面図を示し得る。
補助電極１５５０は、導電性であり得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、少なくとも１つの金属及び／又は金属酸化物によって形成され得る。そのような金属の非限定的な例としては、Ｃｕ、Ａｌ、モリブデン（Ｍｏ）、又はＡｇが挙げられる。いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏによって形成されるものを含むがこれに限定されない多層金属構造を含むことができる。かかる金属酸化物の非限定的な例としては、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯ、又はＩｎ及びＺｎを含有する他の酸化物が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、Ａｇ／ＩＴＯ、Ｍｏ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、又はＩＴＯ／Ｍｏ／ＩＴＯを非限定的に含む、少なくとも１つの金属と少なくとも１つの金属酸化物との組み合わせによって形成された多層構造を含み得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、複数のかかる導電性材料を含む。
デバイス１５００は、基板１０、第１の電極１０２０、及び少なくとも１つの半導体層１０３０を含むものとして示され得る。
第２の電極１０４０は、少なくとも１つの半導体層１０３０の露出層表面１１の実質的に全ての上に配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、特に、上面放射デバイス１５００では、第２の電極１０４０は、いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０の存在に関連する光学干渉（限定ではないが、減衰、反射、及び／又は拡散を含む）を低減させるために、比較的に薄い導電性膜層（図示せず）を堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、他の場所で考察されるように、第２の電極１０４０の減少した厚さは、概して、第２の電極１０４０のシート抵抗を増加させ得、これは、いくつかの非限定的な例では、デバイス１５００の性能及び／又は効率を低減させる場合がある。第２の電極１０４０と電気的に結合され得る補助電極１５５０を設けることによって、いくつかの非限定的な例では、シート抵抗、したがって、第２の電極１０４０と関連するＩＲ降下を低減させることができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１５００は、下面放射及び／又は両面放射デバイス１５００であり得る。かかる例では、第２の電極１０４０は、かかるデバイス１５００の光学特性に実質的に影響を及ぼすことなく、比較的厚い導電層として形成され得る。それにもかかわらず、かかるシナリオであっても、第２の電極１０４０は、いくつかの非限定的な例では、比較的薄い導電性膜層（図示せず）として形成することができ、したがって、デバイス１５００は、その外面に入射するＥＭ放射線に対して実質的に透過性とすることができ、したがって、かかる外部入射ＥＭ放射線の実質的な一部は、本明細書で開示するデバイス１５００内で内部的に発生したＥＭ放射線の放射に加えて、デバイス１５００を透過することができる。
パターニング被膜１１０は、図に示すように、第２の電極１０４０であり得る下地層の露出層表面１１上にパターンで選択的に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、図に示すように、パターニング被膜１１０は、非放射領域１４０２の側方面１１２０に対応し得る一連の平行な行１５２０として、パターンの第１の部分１０１に配設され得る。
パターン化された補助電極１５５０を形成するのに好適な堆積層１３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配設され得る。下地層は、行１５２０のパターンに配設されたパターニング被膜１１０の領域と、パターニング被膜１１０が堆積されていない第２の電極１０４０の領域との両方を含み得る。
パターニング被膜１１０が配設されたそれらの行１５２０の核形成阻害特性に起因して、かかる行１５２０上に配設された堆積材料７３１は、残留しない傾向があり得、パターンの少なくとも１つの第２の部分１０２に実質的に対応し得る堆積層１３０の選択的堆積のパターンをもたらし、堆積層１３０の閉鎖被膜１４０を実質的に欠く行１５２０を含む第１の部分１０１を残し得る。
換言すれば、補助電極１５５０を形成し得る堆積層１３０は、行１５２０を取り囲むが占有しない少なくとも１つの半導体層１０３０のそれらの領域を含む第２の部分１０２上にのみ実質的に選択的に堆積させることができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０を選択的に堆積させ、デバイス１５００の側方面の特定の行１５２０のみを被覆し、一方、その他の領域が被覆されないで残留することにより、補助電極１５５０の存在に関連する光学干渉を制御及び／又は低減させ得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、典型的視認距離から裸眼によって容易に検出され得ないパターンで選択的に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、ＯＬＥＤデバイス以外のデバイス内に形成されてもよく、かかるデバイスの電極の有効抵抗を減少させるためのものを含む。
図６に描写されるプロセスを含むがこれに限定されないパターニング被膜１１０を採用することによって、高温堆積層１３０の堆積プロセス中にシャドウマスク６１５を採用することなく、第２の電極１０４０及び／又は補助電極１５５０を含むがこれに限定されない電極１０２０、１０４０、１５５０をパターニングする能力により、補助電極１５５０の多数の構成が展開されることが可能となり得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、隣り合う放射領域１４０１の間に配設されており、第２の電極１０４０と電気的に結合され得る。非限定的な例では、補助電極１５５０の幅は、隣り合う放射領域１４０１間の分離距離よりも小さくてもよい。その結果、補助電極１５５０の各側の少なくとも１つの非放射領域１４０２内に間隙が存在し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる配置は、補助電極１５５０が、いくつかの非限定的な例では、放射領域１４０１のうちの少なくとも１つからのデバイス１５００の光出力に干渉する可能性を低減することができる。いくつかの非限定的な例では、かかる配置は、補助電極１５５０が比較的厚い（いくつかの非限定的な例では、厚さが数百ｎｍよりも大きい、及び／又は数ミクロン程度である）場合に適切であり得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０のアスペクト比は、少なくとも約０．１、少なくとも約０．２、少なくとも約０．５、少なくとも約０．８、少なくとも約１、及び少なくとも約２のうちの１などの、約０．０５を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０の高さ（厚さ）は約５０ｎｍを上回ってもよく、例えば、少なくとも約８０ｎｍ、少なくとも約１００ｎｍ、少なくとも約２００ｎｍ、少なくとも約５００ｎｍ、少なくとも約７００ｎｍ、少なくとも約１，０００ｎｍ、少なくとも約１，５００ｎｍ、少なくとも約１，７００ｎｍ、及び少なくとも約２，０００ｎｍのうちの１つである。
図１６は、デバイス１０００の例示的バージョン１６００の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応し得る放射領域１４０１の側方面１１１０と、放射領域１４０１を取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０との両方の上に重ねられ得るグリッドとして形成された補助電極１５５０のパターン１６５０の例を示す概略図を平面図で示し得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極パターン１６５０は、放射領域１４０１の側方面１１２０のいずれも実質的に被覆しないように、非放射領域１４０２の側方面１１１０の全てではなく実質的に一部のみの上に延在することができる。
図では、補助電極１５５０のパターン１６５０は、その全ての要素が、互いに物理的に接続され、電気的に結合され、いくつかの非限定的な例では第１の電極１０２０及び／又は第２の電極１０４０であり得る少なくとも１つの電極１０２０、１０４０、１５５０と電気的に結合されるように、連続構造として形成されるものとして示され得るが、いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０のパターン１６５０は、互いに電気的に結合されて残留するが、互いに物理的に接続されなくてもよい、補助電極１５５０のパターン１６５０の複数の個別の要素として提供され得ることを、当業者は理解されよう。そうであっても、補助電極１５５０のパターン１６５０のかかる個別の要素は、依然として、それらが電気的に結合される少なくとも１つの電極１０２０、１０４０、１５５０のシート抵抗、したがって、デバイス１６００のシート抵抗を実質的に低下させ、その光学特質に実質的に干渉することなく、デバイス１６００の効率を増加させることができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの様々な配列を有するデバイス１６００において採用され得る。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ配列は、実質的にダイヤモンド形状であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、図１７Ａは、平面図で、デバイス１０００の例示的なバージョン１７００において、ダイヤモンド構成のＰＤＬ１１４０を含む複数の非放射領域１４０２の側方面によって取り囲まれた、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに各々対応する放射領域１４０１の複数のグループ３２１～３２３を示すことができる。いくつかの非限定的な例では、構成は、第１の行と第２の行との交互パターンでの放射領域１４０１及びＰＤＬ１１４０のパターン３２１～３２３によって画定され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０を含む非放射領域１４０２の側方面１１２０は、実質的に楕円形であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の行中の非放射領域１４０２の側方面１１２０の長軸は、第２の行中の非放射領域１４０２の側方面１１２０の長軸に整合され、実質的に垂直であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の行中の非放射領域１４０２の側方面１１２０の長軸は、第１の行の軸に実質的に平行であり得る。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１４０１の第１のグループ３２１は、第１の波長でＥＭ放射を放射する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第１のグループ３２１の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、Ｒ（赤）サブピクセル３２１に対応することができる。いくつかの非限定的な例では、第１のグループ３２１の放射領域１４０１の側方面１１１０は、実質的にダイヤモンド形状の構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１のグループ３２１の放射領域１４０１は、ＰＤＬ１１４０が先行し、後に続く第１の行のパターンにあり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のグループ３２１の放射領域１４０１の側方面１１１０は、同じ行のＰＤＬ１１４０を含む前後の非放射領域１４０２の側方面１１２０、並びに第２の行の前後のパターンのＰＤＬ１１４０を含む隣接する非放射領域１４０２の側方面１１２０とわずかに重なってもよい。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１４０１の第２のグループ３２２は、第２の波長でＥＭ放射を放射するサブピクセル１３４ｘに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第２のグループ３２２の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、Ｇ（緑）サブピクセル３２２に対応することができる。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ３２１の放射領域１４０１の側方面１１１０は、実質的に楕円形の構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ３２１の放射領域１４０１は、ＰＤＬ１１４０が先行し、後に続く第２の行のパターンにあり得る。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ３２１の放射領域１４０１の側方面１１１０のうちのいくつかの長軸は、第１の角度にあり得、いくつかの非限定的な例では、第２の行の軸に対して４５°であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ３２１の放射領域１４０１の側方面１１１０のうちの他のものの長軸は、第２の角度にあり得、いくつかの非限定的な例では、これは、第１の角度に対して実質的に垂直であり得る。いくつかの非限定的な例では、側方面１１１０が第１の角度の長軸を有し得る第２のグループ３２２の放射領域１４０１は、側方面１１１０が第２の角度の長軸を有し得る第２のグループ３２２の放射領域１４０１と交互になり得る。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１４０１の第３のグループ３２３は、第３の波長でＥＭ放射を放射する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第３のグループ３２３の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、Ｂ（青）サブピクセル３２３に対応することができる。いくつかの非限定的な例では、第３のグループ３２３の放射領域１４０１の側方面１１１０は、実質的にダイヤモンド形状の構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第３のグループ３２３の放射領域１４０１は、ＰＤＬ１１４０が先行し、後に続く第１の行のパターンにあり得る。いくつかの非限定的な例では、第３のグループ３２３の放射領域１４０１の側方面１１１０は、同じ行中のＰＤＬ１１４０を含む先の及び後続の非放射領域１４０２の側方面１１２０、並びに第２の行の先の及び後続のパターン中のＰＤＬ１１４０を含む隣接する非放射領域１４０２の側方面１１２０とわずかに重なってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の行のパターンは、第１のグループ３２１の放射領域１４０１と、第３のグループ３２３の交互の放射領域１４０１とを含み得、各々、ＰＤＬ１１４０が先行し、後に続く。
ここで図１７Ｂに目を向けると、図１７Ａの線１７Ｂ－１７Ｂに沿ったデバイス１７００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス１７００は、基板１０と、その露出層表面１１上に形成された第１の電極１０２０の複数の要素とを含むものとして示され得る。基板１０は、ベース基板１０１２（解説を簡略にするために図示せず）、及び／又は、各（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応し、それを駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１（解説を簡略にするために図示せず）を含み得る。ＰＤＬ１１４０は、ＰＤＬ１１４０を含む非放射領域１４０２によって分離された、第１の電極１０２０の各要素上の放射領域１４０１を画定するために、第１の電極１０２０の要素間の基板１０上に形成されてもよい。図では、放射領域１４０１は全て、第２のグループ３２２に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０が、取り囲むＰＤＬ１１４０の間で、第１の電極１０２０の各要素上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では、共通カソードであってもよい、第２の電極１０４０が、第２のグループ３２２の放射領域１４０１の上に堆積されて、そのＧ（緑）サブピクセル３２２を形成してもよく、取り囲むＰＤＬ１１４０の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、Ｇ（緑）サブピクセル３２２の第２のグループ３２２の放射領域１４０１の側方面１１１０にわたって第２の電極１０４０の上に選択的に堆積されて、パターニング被膜１１０が実質的になくてもよい第２の電極１０４０の部分の上に、すなわち、ＰＤＬ１１４０を含む非放射領域１４０２の側方面１１２０にわたって堆積層１３０の選択的堆積を可能にしてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、ＰＤＬ１１４０の実質的に平坦な部分に沿って蓄積する傾向があり得るが、なぜなら、堆積層１３０は、ＰＤＬ１１４０の傾斜部分上に留まらない傾向があり得るが、パターニング被膜１１０で被覆され得る、そのような傾斜部分の基部に下降する傾向があり得るからである。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０の実質的に平坦な部分上の堆積層１３０は、第２の電極１０４０と電気的に結合され得る少なくとも１つの補助電極１５５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１７００は、ＣＰＬ及び／又はアウトカップリング層を備え得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなＣＰＬ及び／又はアウトカップリング層は、第２の電極１０４０の表面上及び／又はパターニング被膜１１０の表面上に直接提供され得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなＣＰＬ及び／又はアウトカップリング層は、（サブ）２２１０／３２ｘに対応する少なくとも１つの放射領域１４０１の側方面にわたって設けられ得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０はまた、屈折率整合被膜として機能し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０はまた、アウトカップリング層として機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１７００は、封止層１７５０を含み得る。かかる封止層１７５０の非限定的な例としては、デバイス１７００を封止するために提供される、ガラスキャップ、バリア膜、バリア接着剤、バリア被膜１４５０、及び／又は図中に破線の輪郭で示されるようなＴＦＥ層が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＥ層１７５０は、バリア被膜１４５０の一種とみなされ得る。
いくつかの非限定的な例では、封止層１７５０は、第２の電極１０４０及び／又はパターニング被膜１１０のうちの少なくとも１つの上方に配置され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス１７００は、限定されないが、偏光子、カラーフィルタ、反射防止被膜、防眩被膜、カバーガラス、及び／又は光学的に透明な接着剤（optically clear adhesive、ＯＣＡ）を含む、付加的光学及び／又は構造層、被膜、並びに構成要素を含み得る。
次に図１７Ｃを参照すると、図１７Ａの線１７Ｃ－１７Ｃに沿ったデバイス１７００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス１７００は、基板１０と、その露出層表面１１上に形成された第１の電極１０２０の複数の要素とを含むものとして示され得る。ＰＤＬ１１４０は、第１の電極１０２０の要素間の基板１０の上に形成され、ＰＤＬ１１４０を含む非放射領域１４０２によって分離される、第１の電極１０２０の各要素の上の放射領域１４０１を画定し得る。図では、放射領域１４０１は、交互に第１のグループ３２１及び第３のグループ３２３に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０が、取り囲むＰＤＬ１１４０の間で、第１の電極１０２０の各要素上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では共通カソードであり得る第２の電極１０４０が、第１のグループ３２１の放射領域１４０１の上に堆積されてそのＲ（赤）サブピクセル３２１を形成し、第３のグループ３２３の放射領域１４０１の上に堆積されてそのＢ（青）サブピクセル３２３を形成し、周囲のＰＤＬ１１４０の上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、Ｒ（赤）サブピクセル３２１の第１のグループ３２１及びＢ（青）サブピクセル３２３の第３のグループ３２３の放射領域１４０１の側方面１１１０にわたって、第２の電極１０４０の上に選択的に堆積されており、パターニング被膜１１０を実質的に欠き得る第２の電極１０４０の部分の上に、すなわち、ＰＤＬ１１４０を含む非放射領域１４０２の側方面１１２０にわたって、堆積層１３０の選択的堆積を可能にし得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、ＰＤＬ１１４０の実質的に平坦な部分に沿って蓄積する傾向があり得、堆積層１３０は、ＰＤＬ１１４０の傾き部上に残留しない傾向があり得るが、パターニング被膜１１０で被覆されたかかる傾き部のベースに下降する傾向があり得る。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０の実質的に平坦な部分上の堆積層１３０は、第２の電極１０４０と電気的に結合され得る少なくとも１つの補助電極１５５０を形成し得る。
ここで図１８に目を向けると、図１１の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本明細書に説明される付加的堆積ステップを伴う、デバイス１０００の例示的バージョン１８００が示され得る。
デバイス１８００は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１の側方面１１１０に実質的に対応する、デバイス１８００の第１の部分１０１内で、第１の部分１０１を取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０に実質的に対応する、デバイス１８００の第２の部分１０２内ではなく、下層の露出層表面１１、図では第２の電極１０４０の上に選択的に堆積されたパターニング被膜１１０を示すことができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、シャドウマスク６１５を使用して選択的に堆積され得る。
パターニング被膜１１０は、第１の部分１０１内に、補助電極１５５０を形成するために堆積層１３０としてその後に堆積される堆積材料７３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を有する露出層表面１１を提供し得る。
パターニング被膜１１０の選択的堆積後、堆積材料７３１は、デバイス１８００の上に堆積され得るが、実質的に、いかなるパターニング被膜１１０も実質的に欠き得る第２の部分１０２内のみに残留し、補助電極１５５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極１５５０は、図示のように、任意のパターニング被膜１１０を実質的に欠き得る第２の部分にわたって、第２の電極１０４０の上方にあり、それと物理的に接触することを含む、第２の電極１０４０のシート抵抗を低減させるように、第２の電極１０４０と電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、第２の部分１０２における堆積材料７３１の堆積に抗する高い初期付着確率を確実にするために、第２の電極１０４０と実質的に同じ材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、実質的に純粋なＭｇ、及び／又はＭｇと、Ａｇを非限定的に含む別の金属との合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ：Ａｇ合金組成は、体積で約１：９～９：１の範囲であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、非限定的にＩＴＯ及び／若しくはＩＺＯなどの三元金属酸化物を非限定的に含む金属酸化物、並びに／又は金属及び／若しくは金属酸化物の組み合わせを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０を形成するために使用される堆積層１３０は、実質的に純粋なＭｇを含み得る。
ここで図１９に目を向けると、図１１の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本明細書に説明される付加的堆積ステップを伴う、デバイス１０００の例示的バージョン１９００が示され得る。
デバイス１９００は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１の側方面１１１０の一部に実質的に対応するデバイス１９００の第１の部分１０１内であって、第２の部分１０２内ではない、下地層の露出層表面１１、図では、第２の電極１０４０の上に選択的に堆積されたパターニング被膜１１０を示し得る。図では、第１の部分１０１は、放射領域１４０１を画定するＰＤＬ１１４０の傾き部の程度に沿って部分的に延在することができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、シャドウマスク６１５を使用して選択的に堆積され得る。
パターニング被膜１１０は、第１の部分１０１内に、補助電極１５５０を形成するために堆積層１３０としてその後に堆積される堆積材料７３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を有する露出層表面１１を提供し得る。
パターニング被膜１１０の選択的堆積後、堆積材料７３１は、デバイス１９００の上に堆積されてもよいが、実質的に、パターニング被膜１１０も実質的に欠き得る第２の部分１０２内のみに残留し、補助電極１５５０を形成し得る。したがって、デバイス１９００において、補助電極１５５０は、放射領域１４０１を画定するＰＤＬ１１４０の傾斜部分にわたって部分的に延びてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極１５５０は、図示のように、パターニング被膜１１０を実質的に欠き得る第２の部分１０２にわたって、第２の電極１０４０の上方にあり、それと物理的に接触することを含む、第２の電極１０４０のシート抵抗を低減させるように、第２の電極１０４０と電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０を構成し得る材料は、堆積材料７３１の堆積に抗する高い初期付着確率を有さなくてもよい。
図２０は、かかるシナリオを解説し得、図１１の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本明細書で説明する付加的堆積ステップを伴う、デバイス１０００の例示的なバージョン２０００が示され得る。
デバイス２０００は、下部材料の露出層表面１１、図では第２の電極１０４０の上に堆積されたＮＰＣ９２０を示すことができる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ９２０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
その後、パターニング被膜１１０は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１の側方面１１１０の一部に実質的に対応するデバイス２０００の第１の部分１０１内で、かつ第１の部分１０１を取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０に実質的に対応するデバイス２０００の第２の部分１０２内ではなく、下部材料の露出層表面１１、図ではＮＰＣ９２０の上に選択的に堆積されて堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、シャドウマスク６１５を使用して選択的に堆積され得る。
パターニング被膜１１０は、第１の部分１０１内に、補助電極１５５０を形成するために堆積層１３０としてその後に堆積される堆積材料７３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を有する露出層表面１１を提供し得る。
パターニング被膜１１０の選択的堆積後、堆積材料７３１は、デバイス２０００の上に堆積されてもよいが、実質的に、パターニング被膜１１０も実質的に欠き得る第２の部分１０２内のみに残留し、補助電極１５５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極１５５０は、第２の電極１０４０と電気的に連結されてそのシート抵抗を減少し得る。示されるように、補助電極１５５０は、第２の電極１０４０の上方に、かつそれと物理的に接触していなくてもよいが、当業者は、それにもかかわらず、補助電極１５５０が、複数の周知のメカニズムによって、第２の電極１０４０と電気的に結合され得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の比較的に薄い膜（いくつかの非限定的な例では、最大約５０ｎｍ）の存在は、依然として、電流がそれを通過することを可能にし、それにより、第２の電極１０４０のシート抵抗が低減されることを可能にし得る。
ここで図２１に目を向けると、図１１の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本明細書に説明される付加的堆積ステップを伴う、デバイス１０００の例示的バージョン２１００が示され得る。
デバイス２１００は、下部材料の露出層表面１１、図では第２の電極１０４０の上に堆積されたパターニング被膜１１０を示すことができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
パターニング被膜１１０は、補助電極１５５０を形成するために堆積層１３０としてその後に堆積される堆積材料７３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を有する露出層表面１１を提供することができる。
パターニング被膜１１０の堆積後、ＮＰＣ９２０は、非放射領域１４０１の側方面１１２０の一部に実質的に対応し、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０２の側方面１１１０に実質的に対応する、デバイス１７００の第２の部分１０２を取り囲む、図ではパターニング被膜１１０である下層の露出層表面１１の上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ９２０は、シャドウマスク６１５を使用して選択的に堆積され得る。
ＮＰＣ９２０は、第１の部分１０１内に、補助電極１５５０を形成するために堆積層１３０としてその後堆積される堆積材料７３１の堆積に抗する比較的高い初期付着確率を有する露出層表面１１を提供することができる。
ＮＰＣ９２０の選択的堆積の後、堆積材料７３１は、デバイス２１００の上に堆積され得るが、パターニング被膜１１０がＮＰＣ９２０で覆われた場所に実質的に残り、補助電極１５５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極１５５０は、第２の電極１０４０と電気的に連結されて第２の電極１０４０のシート抵抗を低減させることができる。
透明ＯＬＥＤ
ＯＬＥＤデバイス１０００は、第１の電極１０２０（下面放射型及び／又は両面放射型デバイスの場合）並びに基板１０及び／又は第２の電極１０４０（上面放射型及び／又は両面放射型デバイスの場合）のいずれか又は両方を通してＥＭ放射線を放射することができるので、第１の電極１０２０及び／又は第２の電極１０４０のいずれか又は両方を、いくつかの非限定的な例では、少なくともデバイス１０００の放射領域１４０１の側方面の実質的な一部にわたって、実質的にＥＭ放射線（又は光）透過性（「透過性」）にすることを目的とし得る。本開示では、限定ではないが、電極１０２０、１０４０、かかる要素が形成され得る材料、及び／又はその特性を含む、かかる透過性要素は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの波長範囲において、実質的に透過性（「透明」）である、かつ／又はいくつかの非限定的な例では、部分的に透過性（「半透明」）である、要素、材料、及び／又はその特性を含んでもよい。
デバイス１０００の放射領域１４０１の側方面の少なくとも実質的な一部にわたって、そこに透過特性を付与するために、様々なメカニズムを取り入れることができる。
デバイス１０００が底部放射デバイス及び／又は両面放射デバイスである場合を含むがこれに限定されないいくつかの非限定的な例では、取り囲む基板１０の透過率を少なくとも部分的に低下させることができる（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１に関連する駆動回路のＴＦＴ構造１１０１は、放射領域１４０１の側方面１１２０内の基板１０の透過特性に影響を与えることを回避するために、取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１１０内に配置することができる。
デバイス１０００が両面放射デバイスであるいくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０に関して、電極１０２０、１０４０のうちの第１の電極は、限定するものではないが、本明細書に開示されるメカニズムのうちの少なくとも１つによって、実質的に透過性にされてもよく、隣接する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの側方面１１１０に関して、電極１０２０、１０４０のうちの第２の電極は、限定するものではないが、本明細書に開示されるメカニズムのうちの少なくとも１つによって、実質的に透過性にされてもよい。したがって、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの第１の放射領域１４０１の側方面１１１０は実質的に上部放射とすることができ、一方、隣接する（サブ）ピクセル２２１０／１７４ｘの第２の放射領域１４０１の側方面１１１０は実質的に底部放射とすることができ、それにより、交互の（サブ）ピクセル２２１０／１７４ｘシーケンスにおいて、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサブセットは実質的に上部放射とすることができ、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘのサブセットは実質的に底部放射とすることができ、一方、各（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの単一電極１０２０、１０４０のみを実質的に透過性とすることができる。
いくつかの非限定的な例では、電極１０２０、１０４０、下面放射型デバイス及び／又は両面放射型デバイスの場合には第１の電極１０２０、並びに／若しくは上面放射型デバイス及び／又は両面放射型デバイスの場合には第２の電極１０４０を透過性にするためのメカニズムは、透過性薄膜のかかる電極１０２０、１０４０を形成するためのものであり得る。
いくつかの非限定的な例では、Ａｇ、Ａｌを非限定的に含む金属の薄い導電性膜層を堆積させることによって、かつ／又はＭｇ：Ａｇ合金、及び／若しくはＹｂ：Ａｇ合金を非限定的に含む金属の薄層を堆積させることによって形成されたものを非限定的に含む、薄膜の導電性堆積層１３０は、透過特性を示し得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、体積比で約１：９～９：１の範囲の組成を含み得る。いくつかの非限定的な例では、電極１０２０、１０４０は、堆積層１３０の任意の組み合わせの複数の薄い導電性膜層から形成されてもよく、それらのうちのいずれか少なくとも１つは、ＴＣＯ、薄い金属膜、薄い金属合金膜、及び／又はこれらのいずれかの任意の組み合わせから構成されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、特に、かかる薄い導電性膜の場合、比較的に薄い層厚は、ＯＬＥＤデバイス１０００における使用のために、高められた透過品質だけではなく、好ましい光学特性（限定ではないが、減少したマイクロキャビティ効果を含む）にも寄与するように、実質的に数十ｎｍまでであり得る。
いくつかの非限定的な例では、透過品質を促進するための電極１０２０、１０４０の厚さの低減は、電極１０２０、１０４０のシート抵抗の増加を伴う場合がある。
いくつかの非限定的な例では、高いシート抵抗を有する少なくとも１つの電極１０２０、１０４０を有するデバイス１０００は、動作中に電源１００５と結合されたときに、大きな電流抵抗（current resistance、ＩＲ）降下が創出され得る。いくつかの非限定的な例では、かかるＩＲ降下は、電源１００５のレベルを増加させることによって、ある程度まで補償することができる。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの（サブ）ピクセル２２１０／１７４ｘについて、高いシート抵抗に起因するＩＲ降下を補償するために電源１００５のレベルを増加させることは、デバイス１０００の効果的な動作を維持するために他の構成要素に供給される電圧のレベルを増加させることを必要とし得る。
いくつかの非限定的な例では、（ＴＣＯ、薄い金属膜、及び／又は薄い金属合金膜の任意の組み合わせの少なくとも１つの薄膜層を採用することによって）電極１０２０、１０４０を実質的に透過性にする能力に有意に影響を及ぼすことなく、デバイス１０００の電力供給需要を低減させるために、補助電極１５５０が、デバイス１０００上に形成され、電流が、デバイス１０００の様々な放射領域１４０１により効果的に搬送されることを可能にし、一方、同時に、シート抵抗及びその関連付けられた透過性電極１０２０、１０４０のＩＲ降下を低減させることができる。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイデバイス１０００の共通電極１０２０、１０４０のシート抵抗の仕様は、限定ではないが、デバイス１０００の（パネル）サイズ、及び／又はデバイス１０００にわたる電圧変動の公差を含む、複数のパラメータに従って変化し得る。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗の仕様は、パネルサイズが増加するにつれて増加し得る（すなわち、より低いシート抵抗が指定される）。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗の仕様は、電圧変動に対する許容範囲が減少するにつれて増加し得る。
いくつかの非限定的な例では、シート抵抗の仕様を使用して、様々なパネルサイズのためのかかる仕様に準拠するように、補助電極１５５０の例示的な厚さを導出することができる。
いくつかの非限定的な例では、上面放射型デバイスの場合、第２の電極１０４０を透過性にすることができる。一方、いくつかの非限定的な例では、かかる補助電極１５５０は、実質的に透過性でなくてもよいが、第２の電極１０４０の有効シート抵抗を低減するために、例えば、非限定的に、それらの間の導電性堆積層１３０の堆積により、第２の電極１０４０と電気的に結合されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、かかる補助電極１５５０は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面からの光子の放射に干渉しないように、側方面及び／又は断面のいずれか又は両方において位置決め及び／又は成形することができる。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０及び／又は第２の電極１０４０を製作するメカニズムは、その放射領域１４０１の側方面の少なくとも一部にわたって、かつ／又はいくつかの非限定的な例では、それらを取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０の少なくとも一部にわたって、あるパターンでかかる電極１０２０、１０４０を形成することであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなメカニズムは、上述したように、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０からの光子の放射に干渉しないように、側方面及び／又は断面のいずれか又は両方における位置及び／又は形状に、補助電極１５５０を形成するために使用され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１０００は、デバイス１０００によって放射されたＥＭ放射線の光路内に導電性酸化物材料を実質的に欠き得るように構成され得る。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する少なくとも１つの放射領域１４０１の側方面１１１０において、第２の電極１０４０、パターニング被膜１１０、及び／又はその上に堆積された任意の他の層及び／又は被膜を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの半導体層１０３０の後に堆積された層及び／又は被膜のうちの少なくとも１つは、任意の導電性酸化物材料を実質的に欠いていてもよい。いくつかの非限定的な例では、任意の導電性酸化物材料を実質的に欠いていることにより、デバイス１０００によって放射されるＥＭ放射線の吸収及び／又は反射を低減することができる。いくつかの非限定的な例では、限定ではないが、ＩＴＯ及び／又はＩＺＯを含む、導電性酸化物材料は、概して、デバイス１０００の効率及び／又は性能を低減させ得る、可視スペクトルの少なくともＢ（青）領域におけるＥＭ放射線を吸収することができる。
いくつかの非限定的な例では、これらのメカニズム及び／又は他のメカニズムの組み合わせが採用され得る。
追加的に、いくつかの非限定的な例では、第１の電極１０２０、第２の電極１０４０、及び／又は補助電極１５５０のうちの少なくとも１つを、デバイス１０００の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応する放射領域１４０１の側方面１１１０の少なくとも実質的な部分にわたって実質的に透過性にすることに加えて、ＥＭ放射線がその側方面１１１０にわたって実質的に放射されることを可能にするために、デバイス１０００の取り囲む非放射領域１４０２の側方面１１２０のうちの少なくとも１つを下方向及び上方向の両方に実質的に透過性にして、デバイス１０００をその外部表面に入射するＥＭ放射線に対して実質的に透過性にして、それにより、本明細書に開示されるように、デバイス１０００内で内部的に生成されるＥＭ放射線の放射（上部放射、底部放射、及び／又は両面放射）に加えて、そのような外部入射ＥＭ放射線の実質的な部分がデバイス１０００を透過し得るようにすることが目的であり得る。
ここで図２２Ａを参照すると、デバイス１０００の、概して２２００で示される透過性（透明）バージョンの例示的な平面図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス２２００は、複数のピクセル又はピクセル領域２２１０と複数の透過性領域３１ｘとを有するアクティブマトリックスＯＬＥＤ（active matrix OLED、ＡＭＯＬＥＤ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１５５０が、ピクセル領域２２１０及び／又は透過性領域３１ｘ間の下地層の露出層表面１１上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、各ピクセル領域２２１０は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに各々対応する複数の放射領域１４０１を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル３２１、Ｇ（緑）サブピクセル３２２、及び／又はＢ（青）サブピクセル３２３に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、各透過性領域３１ｘは、実質的に透明であり、ＥＭ放射線がその断面の全体を通って通過することを可能にし得る。
ここで図２２Ｂを参照すると、図２２Ａの線２２Ｂ－２２Ｂに沿った、デバイス１０００のバージョン２２００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２２００は、基板１０と、ＴＦＴ絶縁層１１０９と、ＴＦＴ絶縁層１１０９の表面上に形成された第１の電極１０２０と、を含むものとして示され得る。いくつかの非限定的な例では、基板１０は、ベース基板１０１２（解説を簡略にするために図示せず）、及び／又は、少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１を含み得、このＴＦＴ構造１２０１は、実質的にその下に位置決めされ、その第１の電極１０２０と電気的に結合された各（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応し、それを駆動するためのものである。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０は、基板１０上の非放射領域１４０２内に形成され、それに対応する第１の電極１０２０上に、各（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘにも対応する放射領域１４０１を画定してもよい。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０は、第１の電極１０２０の縁部を被覆することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０が、第１の電極１０２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、周囲のＰＤＬ１１４０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、その（サブ）ピクセル３２ｘを形成するために、ピクセル領域２２１０上を含む少なくとも１つの半導体層１０３０上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、透過性領域３１ｘ内の取り囲むＰＤＬ１１４０上に少なくとも部分的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、ピクセル領域２２１０及び透過性領域３１ｘの両方を含むが、その第２の部分１０２を含む補助電極１５５０に対応する第２の電極１０４０の領域を含まない、デバイス２２００の第１の部分１０１の上に選択的に堆積させることができる。
いくつかの非限定的な例では、次いで、デバイス２２００の露出層表面１１全体が、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料７３１の蒸気フラックス７３２に曝露され得る。堆積層１３０は、第２の電極１０４０の被覆されていない部分と電気的に結合され、いくつかの非限定的な例では、それと物理的に接触し得る、補助電極１５５０を形成するように、パターニング被膜１１０を実質的に欠き得る第２の電極１０４０の第２の部分１０２の上に選択的に堆積させることができる。
同時に、デバイス２２００の透過性領域３１ｘは、それを通るＥＭ放射線の透過に実質的に影響を及ぼし得る任意の材料を実質的に欠いて残留し得る。特に、図示されるように、ＴＦＴ構造体１１０１及び第１の電極１０２０は、断面において、それに対応する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの下方に位置し、補助電極１５５０とともに透過性領域３１ｘの外側にあることができる。結果として、これらの構成要素は、光が透過性領域３１ｘを通って透過されることを減衰又は妨害しないことがある。いくつかの非限定的な例では、そのような配置は、いくつかの非限定的な例では、全ての（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘが放射していない可能性があるときに、典型的な視距離からデバイス２２００を見ている観察者がデバイス２２００を通して見ることを可能にし、したがって透明デバイス２２００を作成することができる。
図には示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２２００は、補助電極１５５０と第２の電極１０４０との間に配置されたＮＰＣ９２０を更に備え得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ９２０は、パターニング被膜１１０と第２の電極１０４０との間に配置されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、少なくとも１つの半導体層１０３０と同時に形成され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０を形成するために使用される少なくとも１つの材料はまた、少なくとも１つの半導体層１０３０を形成するために使用され得る。かかる非限定的な例では、デバイス２２００を作製するための複数の段階を削減することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０及び／又は第２の電極１０４０を形成するものを含むがこれらに限定されない様々な他の層及び／又は被膜が、特にかかる層及び／又は被膜が実質的に透明である場合に、透過性領域３１ｘの一部を被覆することができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０は、例えば、非限定的に、透過性領域３１ｘを通るＥＭ放射線の透過を更に容易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域１４０１のために画定されたウェルと同様であり得るウェルをその中に形成することにより、減少した厚さを有し得る。
当業者は、一部の非限定的な例では、図２２Ａ及び図２２Ｂに示される配置以外の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ配置が採用され得ることを理解するであろう。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、図２２Ａ及び図２２Ｂに示される配置以外の補助電極１５５０の配置が採用され得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、ピクセル領域２２１０と透過性領域３１ｘとの間に配置され得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極１１５０は、ピクセル領域２２１０内のサブピクセル３２ｘの間に配置されてもよい。
ここで図２３Ａを参照すると、デバイス１０００の、概して２３００で示される透明バージョンの例示的な平面図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス２３００は、複数のピクセル領域２２１０と複数の透過性領域３１ｘとを有するＡＭＯＬＥＤデバイスであり得る。デバイス２３００は、ピクセル領域２２１０及び／又は透過性領域３１ｘの間に補助電極１１５０がないという点で、デバイス２２００とは異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、各ピクセル領域２２１０は、サブピクセル３２ｘに各々対応する複数の放射領域１４０１を含むことができる。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル３２１、Ｇ（緑）サブピクセル３２２、及び／又はＢ（青）サブピクセル３２３に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、各透過性領域３１ｘは、実質的に透明であり得、光がその断面の全体を通って通過することを可能にし得る。
ここで図２３Ｂに目を向けると、図２３Ａの線２３－２３に沿ったデバイス２３００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２３００は、基板１０と、ＴＦＴ絶縁層１１０９と、ＴＦＴ絶縁層１１０９の表面上に形成された第１の電極１０２０と、を含むものとして示され得る。基板１０は、ベース基板１０１２（説明を簡単にするために図示せず）、及び／又は少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１であって、実質的にその下に配置され、その第１の電極１０２０と電気的に結合された各（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応し、それを駆動するための、少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１を含むことができる。ＰＤＬ１１４０は、基板１０上の非放射領域１４０２内に形成され、それに対応する第１の電極１０２０上に、各（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘにも対応する放射領域１４０１を画定してもよい。ＰＤＬ１１４０は、第１の電極１０２０の縁部を覆う。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０が、第１の電極１０２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、周囲のＰＤＬ１１４０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａは、そのサブピクセル３２ｘを形成するために、ピクセル領域２２１０上を含む少なくとも１つの半導体層１０３０上に堆積されてもよく、透過性領域３１ｘ内の取り囲むＰＤＬ１１４０上に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａの平均層厚は、透過性領域３１ｘを横切る第１の堆積層１３０ａの存在がＥＭ放射線の透過を実質的に減衰させないように、比較的薄くてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、透過性領域３１ｘを含むデバイス２３００の第１の部分１０１の上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、次いで、デバイス２３００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る、堆積材料７３１の蒸気フラックス７３２に露出して、パターニング被膜１１０を実質的に欠く場合がある第１の堆積層１３０ａの第２の部分１０２、いくつかの例ではピクセル領域２２１０上に、第２の堆積層１３０ｂを選択的に堆積させてもよく、それにより、第２の堆積層１３０ｂは、第１の堆積層１３０ａの被覆されていない部分と電気的に結合され、いくつかの非限定的な例では物理的に接触して、第２の電極１０４０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａの平均層厚は、第２の堆積層１３０ｂの平均層厚以下であり得る。このようにして、第１の堆積層１３０ａのみが延び得る透過性領域３１ｘにおいて、比較的高い透過率が維持され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａの平均層厚は、約３０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、約２０ｎｍ以下、約１５ｎｍ以下、約１０ｎｍ以下、約８ｎｍ以下、及び約５ｎｍ以下のうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１３０ｂの平均層厚は、約３０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、約２０ｎｍ以下、約１５ｎｍ以下、約１０ｎｍ以下、及び約８ｎｍ以下のうちの１つであり得る。
したがって、いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０の平均層厚は、約４０ｎｍ以下であってもよく、かつ／又はいくつかの非限定的な例では、約５～３０ｎｍ、約１０～２５ｎｍ、及び約１５～２５ｎｍのうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａの平均層厚は、第２の堆積層１３０ｂの平均層厚を超え得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａの平均層厚及び第２の堆積層１３０ｂの平均層厚は、実質的に同じであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａを形成するために使用される少なくとも１つの堆積材料７３１は、第２の堆積層１３０ｂを形成するために使用される少なくとも１つの堆積材料７３１と実質的に同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの堆積材料７３１は、実質的に、第１の電極１０２０、第２の電極１０４０、補助電極１５５０、及び／又はそれらの堆積層１３０に関して本明細書で説明されるようなものであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａは、ピクセル領域２２１０において、ＥＩＬ１０３９の機能を少なくとも部分的に提供することができる。第１の堆積層１３０ａを形成するための堆積材料７３１の非限定的な例は、Ｙｂを含み、それは、例えば、約１～３ｎｍの厚さであり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２３００の透過性領域３１ｘは、ＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルを含むがこれらに限定されないＥＭ信号を含むがこれらに限定されないＥＭ放射線の透過を実質的に阻害し得る任意の材料を実質的に欠いて残留し得る。特に、図示されたように、ＴＦＴ構造１１０９及び／又は第１の電極１０２０は、断面において、それに対応する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの下に位置し、透過性領域３１ｘを超えて位置することができる。その結果、これらの構成要素は、ＥＭ放射線が透過性領域３１ｘを通して透過されることを減衰又は妨害しない可能性がある。いくつかの非限定的な例では、そのような配置は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘが放射していないときに、典型的な観察距離からデバイス２３００を観察する観察者がデバイス２３００を通して見ることを可能にし、したがって、透明ＡＭＯＬＥＤデバイス２３００を作成することができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような配列はまた、限定ではないが、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトル内を含む、ＥＭ信号が、そのようなアンダーディスプレイ構成要素２３０によって、ＡＭＯＬＥＤデバイス２３００を通して交換されるように、ＩＲエミッタ及び／又はＩＲ検出器が、ＡＭＯＬＥＤデバイス２３００の背後に配列されることを可能にし得る。
図には示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２３００は、第２の堆積層１３０ｂと第１の堆積層１３０ａとの間に配設されたＮＰＣ９２０を更に備え得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ９２０は、パターニング被膜１１０と第１の堆積層１３０ａとの間に配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、少なくとも１つの半導体層１０３０と同時に形成され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０を形成するために使用される少なくとも１つの材料はまた、少なくとも１つの半導体層１０３０を形成するために使用され得る。かかる非限定的な例では、デバイス２３００を作製するための複数の段階を削減することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０及び／又は第１の堆積層１３０ａを形成するものを含むがこれらに限定されない様々な他の層及び／又は被膜が、特にかかる層及び／又は被膜が実質的に透明である場合に、透過性領域３１ｘの一部を被覆することができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０は、例えば、非限定的に、透過性領域３１ｘを通るＥＭ放射線の透過を更に容易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域１４０１のために画定されたウェルと同様であり得るウェルをその中に形成することにより、減少した厚さを有し得る。
当業者は、図２３Ａ及び図２３Ｂに示される配列以外の（サブ）ピクセル２２１０／１７４ｘ配列が、いくつかの非限定的な実施例では、採用されてもよいことを理解するであろう。
次に図２３Ｃを参照すると、図２３Ａの同じ線２３－２３に沿った、デバイス１０００の異なるバージョン２３１０の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２３１０は、基板１０と、ＴＦＴ絶縁層１１０９と、ＴＦＴ絶縁層１１０９の表面上に形成された第１の電極１０２０と、を含むものとして示され得る。基板１０は、ベース基板１０１２（説明を簡単にするために図示せず）、及び／又は少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１であって、実質的にその下に配置され、その第１の電極１０２０と電気的に結合された各サブピクセル１７４ｘに対応し、それを駆動するための、少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１を含むことができる。ＰＤＬ１１４０は、基板１０上の非放射領域１４０２内に形成され、それに対応する第１の電極１０２０上に、各（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘにも対応する放射領域１４０１を画定してもよい。ＰＤＬ１１４０は、第１の電極１０２０の縁部を被覆することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０が、第１の電極１０２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、周囲のＰＤＬ１１４０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、透過性領域３１ｘを含むデバイス２３１０の第１の部分１０１の上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、そのサブピクセル３２ｘを形成するために、ピクセル領域２２１０上を含む少なくとも１つの半導体層１０３０上に堆積されてもよいが、透過性領域３１ｘ内の取り囲むＰＤＬ１１４０上には堆積されないことがある。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる堆積は、堆積層１３０が少なくとも１つの半導体層１０３０上に堆積されて第２の電極１０４０を形成し得るように、パターニング被膜１１０を実質的に欠いている少なくとも１つの半導体層１０３０の第２の部分１０２、いくつかの非限定的な例ではピクセル領域２２１０の上に堆積層１３０を選択的に堆積させるために、デバイス２３１０の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料７３１の蒸気フラックス７３２に曝露させることによって果たされ得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２３１０の透過性領域３１ｘは、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルを含むがこれらに限定されないＥＭ信号を含むがこれらに限定されないＥＭ放射線の透過に実質的に影響を及ぼし得る任意の材料を実質的に欠いて残留し得る。特に、図示されたように、ＴＦＴ構造１１０１及び／又は第１の電極１０２０は、断面において、それに対応する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの下に位置し、透過性領域３１ｘを超えて位置することができる。その結果、これらの構成要素は、ＥＭ放射線が透過性領域３１ｘを通して透過されることを減衰又は妨害しない可能性がある。いくつかの非限定的な例では、そのような配置は、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘが放射していないときに、典型的な観察距離からデバイス２３１０を観察する観察者がデバイス２３１０を通して見ることを可能にし、したがって、透明ＡＭＯＬＥＤデバイス２３１０を作成することができる。
堆積層１３０がない、かつ／又は実質的に欠き得る透過領域３１ｘを提供することによって、かかる領域３１ｘの透過率は、いくつかの非限定的な例では、図２３Ｂのデバイス２３００と比較して、いくつかの非限定的な例では、有利に高めることができる。
図には示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２３１０は、堆積層１３０と少なくとも１つの半導体層１０３０との間に配置されたＮＰＣ９２０を更に備えることができる。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ９２０はまた、パターニング被膜１１０とＰＤＬ１１４０との間に配設され得る。
簡略化のために図２３Ｂ及び図２３Ｃには示されていないが、当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルの少なくとも一部の波長を有するＥＭ信号が透過性領域３１ｘにおいてデバイスを通して交換されることを可能にしながら、可視スペクトルの少なくとも一部において透過性領域３１ｘにおけるＥＭ放射線の吸収を容易にするために、少なくとも１つの粒子構造８４１がその上に配設され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、少なくとも１つの半導体層１０３０と同時に形成され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０を形成するために使用される少なくとも１つの材料はまた、少なくとも１つの半導体層１０３０を形成するために使用され得る。かかる非限定的な例では、デバイス２３１０を作製するための複数の段階を削減することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０の少なくとも１つの層を透過性領域３１ｘ内に堆積させて、パターニング被膜１１０を提供することができる。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０のＥＴＬ１０３７は、少なくとも１つの半導体層１０３０の堆積中に放射領域１４０１及び透過性領域３１ｘの両方に堆積され得るパターニング被膜１１０であり得る。次に、透過性領域３１ｘ内のＥＴＬ１０３７の露出層表面１１がＥＩＬ１０３９を実質的に欠くように、ＥＴＬ１０３７の上の放射領域１４０１内にＥＩＬ１０３９を選択的に堆積させることができる。次いで、放射領域１４０１内のＥＩＬ１０３９の露出層表面１１、及びパターニング被膜１１０として作用するＥＴＬ１０３７の露出層表面を、堆積材料７３１の蒸気フラックス７３２に露出して、放射領域１４０１内のＥＩＬ１０３９上に堆積層７３１の閉じた被膜１４０を形成し、透過性領域３１ｘ内のＥＩＬ１０３９上に堆積材料１３０の不連続層８４０を形成することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０及び／又は堆積層１３０を形成するものを含むがこれらに限定されない様々な他の層及び／又は被膜が、特にかかる層及び／又は被膜が実質的に透明である場合に、透過性領域１３２０の一部を被覆することができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０は、例えば、非限定的に、透過性領域３１ｘを通るＥＭ放射線の透過を更に容易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域１４０１のために画定されたウェルと同様であり得るウェルをその中に形成することにより、減少した厚さを有し得る。
当業者は、図２３Ａ及び２３Ｃに示される配列以外の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ配列が、いくつかの非限定的な実施例では、採用されてもよいことを理解するであろう。
放射領域上の電極厚さを変調するための選択的堆積
上述したように、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘの放射領域１４０１の側方面１１１０内及び側方面にわたって電極１０２０、１０４０、１５５０の厚さを調節することは、観察可能なマイクロキャビティ効果に影響を与え得る。いくつかの非限定的な例では、限定ではないが、ピクセル領域２２１０内の異なるサブピクセル３２ｘに対応する放射領域１４０１の側方面１１１０内のＮＩＣ及び／又はＮＰＣ９２０を含む、少なくとも１つのパターニング被膜１１０の堆積を通した少なくとも１つの堆積層１３０の選択的堆積により、限定ではないが、放射スペクトル、光度、及び／又は輝度の角度依存性、及び／又は放射された光の色シフトを含む、（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘベースで望ましい光学マイクロキャビティ効果を最適化するように、各放射領域１４０１内の光学マイクロキャビティ効果が制御及び／又は変調されることが可能となり得る。
このような効果は、サブピクセル３２ｘの各放射領域１４０１に配置された堆積層１３０の平均層厚及び／又は数を独立して調節することによって制御することができる。いくつかの非限定的な例では、Ｂ（青）サブピクセル３２３の上に配設された第２の電極１０４０の平均層厚は、Ｇ（赤）サブピクセル３２２の上に配設された第２の電極１０４０の平均層厚よりも小さくてもよく、Ｇ（赤）サブピクセル３２２の上に配設された第２の電極１０４０の平均層厚は、Ｒ（赤）サブピクセル３２１の上に配設された第２の電極１０４０の平均層厚よりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、かかる効果は、サブピクセル３２ｘの各放射領域１４０１の一部内に堆積される、堆積層１３０だけではなく、パターニング被膜１１０及び／又はＮＰＣ９２０の平均層厚及び／又は数を独立して変調することによって、更により大きい程度まで制御されてもよい。
図２４のいくつかの非限定的な例に示すように、いくつかの非限定的な例では、異なる発光スペクトルを有する、ＯＬＥＤディスプレイデバイス１０００のバージョン２４００において、サブピクセル３２ｘに対応する放射領域１４０１に対して選択的に堆積された様々な平均層厚の堆積層１３０があってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の放射領域１４０１ａは、第１の波長及び／若しくは発光スペクトルのＥＭ放射を放射するように構成された（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応することができ、かつ／又は、いくつかの非限定的な例では、第２の放射領域１４０１ｂは、第２の波長及び／若しくは発光スペクトルのＥＭ放射を放射するように構成された（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応することができる。いくつかの非限定的な例では、デバイス２４００は、第３の波長及び／又は発光スペクトルのＥＭ放射を放射するように構成された（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応し得る第３の放射領域１４０１ｃを備え得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の波長は、第２の波長及び／又は第３の波長のうちの少なくとも１つ未満、それ超、かつ／又はそれと等しくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の波長は、第１の波長及び／又は第３の波長のうちの少なくとも１つ未満、それ超、かつ／又はそれと等しくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の波長は、第１の波長及び／又は第２の波長のうちの少なくとも１つ未満、それ超、かつ／又はそれと等しくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２４００はまた、いくつかの非限定的な例では、第１の放射領域１４０１ａ、第２の放射領域１４０１ｂ、及び／又は第３の放射領域１４０１ｃのうちの少なくとも１つと実質的に同一である波長及び／又は発光スペクトルを有するＥＭ放射線を放射するように構成され得る、少なくとも１つの追加の放射領域１４０１（図示せず）を備え得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、第１の放射領域１４０１ａの少なくとも１つの半導体層１０３０を堆積させるためにも使用され得るシャドウマスク６１５を使用して選択的に堆積させることができる。いくつかの非限定的な例では、シャドウマスク６１５のそのような共有使用は、費用効果の高い方法で（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘごとに光マイクロキャビティ効果を調整することを可能にすることができる。
デバイス２４００は、基板１０と、ＴＦＴ絶縁層１１０９と、ＴＦＴ絶縁層１１０９の露出層表面１１上に形成された複数の第１の電極１０２０とを含むものとして示され得る。
いくつかの非限定的な例では、基板１０は、ベース基板１０１２（解説を簡略にするために図示せず）、及び／又は対応する放射領域１４０１に対応し、それを駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１を含むことができ、各ＴＦＴ構造は、実質的にその下に位置決めされ、その関連する第１の電極１０２０に電気的に結合された対応する（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘを有する。ＰＤＬ１１４０を基板１０の上に形成して、放射領域１４０１を画定することができる。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０は、それらのそれぞれの第１の電極１０２０の縁部を被覆することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０が、それらのそれぞれの第１の電極１０２０の露出された領域、及びいくつかの非限定的な例では、周囲のＰＤＬ１１４０の少なくとも一部の上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａは、少なくとも１つの半導体層１０３０の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる堆積は、デバイス２４００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料７３１の蒸気フラックス７３２に曝露して、第１の堆積層１３０ａを少なくとも１つの半導体層１０３０の上に堆積させて、いくつかの非限定的な例では少なくとも第１の放射領域１４０１ａのための共通電極であり得る第２の電極１０４０ａ（図示せず）の第１の層を形成することによって果たされ得る。かかる共通電極は、第１の放射領域１４０１ａにおいて第１の厚さｔｃ１を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１は、第１の堆積層１３０ａの厚さに対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のパターニング被膜１１０ａは、第１の放射領域１４０１ａを含むデバイス２４００の第１の部分１０１上に選択的に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２４００の上に第２の堆積層１３０ｂを堆積させることができる。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１３０ｂは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２４００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る、堆積材料７３１の蒸気フラックス７３２に露出して、第２の堆積層１３０ｂを、第１のパターニング被膜１１０ａ、いくつかの例では第２及び第３の放射領域１４０１ｂ、１４０１ｃ、並びに／又はＰＤＬ１１４０がある非放射領域１４０２の少なくとも一部を実質的に欠く場合がある、第１の堆積層１３０ａの上に堆積させて、第２の堆積層１３０ｂが、いくつかの非限定的な例では、少なくとも第２の放射領域１４０１ｂのための共通電極であり得る、第２の電極１０４０ｂ（図示せず）の第２の層を形成するために、第１のパターニング被膜１１０ａを実質的に含まない、第１の堆積層１３０ａの第２の部分１０２上に堆積され得ることによって達成され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる共通電極は、第２の放射領域１４０１ｂにおいて第２の厚さｔｃ２を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第２の厚さｔｃ２は、第１の堆積層１３０ａ及び第２の堆積層１３０ｂの合成平均層厚に対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２のパターニング被膜１１０ｂが、第２の放射領域１４０１ｂを備える、デバイス２４００の更なる第１の部分１０１を覆って選択的に堆積させることができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２４００の上に第３の堆積層１３０ｃを堆積させることができる。いくつかの非限定的な例では、第３の堆積層１３０ｃは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２４００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る、堆積材料７３１の蒸気フラックス７３２に露出して、第３の堆積層１３０ｃを、第１のパターニング被膜１１０ａ又は第２のパターニング被膜１１０ｂのいずれかを実質的に欠いている場合がある第２の堆積層１３０ｂ、いくつかの例では第３の放射領域１４０１ｃ、及び／又はＰＤＬ１１４０がある非放射領域１４０２の少なくとも一部の上に堆積させて、第３の堆積層１３０ｃが、第２のパターニング被膜１１０ｂを実質的に欠いている、第２の堆積層１３０ｂの更なる第２の部分１０２上に堆積され得、いくつかの非限定的な例では、少なくとも第３の放射領域１４０１ｃのための共通電極であり得る、第２の電極１０４０ｃ（図示せず）の第３の層を形成することによって達成され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる共通電極は、第３の放射領域１４０１ｃにおいて第３の厚さｔｃ３を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第３の厚さｔｃ３は、第１の堆積層１３０ａ、第２の堆積層１３０ｂ、及び第３の堆積層１３０ｃの合成厚さに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１及び第２の厚さｔｃ２のいずれか又は両方を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第３のパターニング被膜１１０ｃを、第３の放射領域１４０１ｃを含むデバイス２４００の追加の第１の部分１０１の上に選択的に堆積させることができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１５５０が、デバイス２４００の非放射領域１４０２内でその隣り合う放射領域１４０１間に、いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１１４０の上に配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１５５０を堆積するために使用される堆積層１３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス２４００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る、堆積材料７３１の蒸気フラックス７３２に露出して、第１のパターニング被膜１１０ａ、第２のパターニング被膜１１０ｂ、及び／又は第３のパターニング被膜１１０ｃのいずれかを実質的に欠く場合がある第１の堆積層１３０ａ、第２の堆積層１３０ｂ、及び／又は第３の堆積層１３０ｃの露出部分上に堆積層１３０を堆積させて、それにより、堆積層１３０が、第１のパターニング被膜１１０ａ、第２のパターニング被膜１１０ｂ、及び／又は第３のパターニング被膜１１０ｃのいずれかを実質的に欠いていてもよい第１の堆積層１３０ａ、第２の堆積層１３０ｂ、及び／又は第３の堆積層１３０ｃの露出部分を含む追加の第２の部分１０２上に堆積され得、少なくとも１つの補助電極１５５０を形成することによって達成され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１５５０の各々は、第２の電極１０４０のそれぞれの１つと電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１５５０の各々は、かかる第２の電極１０４０と物理的に接触していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の放射領域１４０１ａ、第２の放射領域１４０１ｂ、及び第３の放射領域１４０１ｃは、少なくとも１つの補助電極１５５０を形成するために使用される堆積材料７３１の閉じた被膜１４０を実質的に欠いている場合がある。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａ、第２の堆積層１３０ｂ、及び／又は第３の堆積層１３０ｃのうちの少なくとも１つは、可視光スペクトルの少なくとも一部において透過性及び／又は実質的に透明であり得る。したがって、いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１３０ｂ及び／又は第３の堆積層１３０ａ（及び／又は任意の追加の堆積層１３０）は、第１の堆積層１３０ａの上に配設されて、可視光スペクトルの少なくとも一部において透過性及び／又は実質的に透明であり得るマルチ被膜電極１０２０、１０４０、１５５０を形成し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａ、第２の堆積層１３０ｂ、第３の堆積層１３０ｃ、任意の追加の堆積層１３０、及び／又はマルチ被膜電極１０２０、１０４０、１５５０のうちの任意の少なくとも１つの透過率は、可視光スペクトルの少なくとも一部において、約３０％、約４０％、約４５％、約５０％、約６０％、約７０％、約７５％、及び約８０％のうちの１つを超え得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａ、第２の堆積層１３０ｂ、及び／又は第３の堆積層１３０ｃの平均層厚は、比較的高い透過率を維持するために比較的薄くされてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａの平均層厚は、約５～３０ｎｍ、約８～２５ｎｍ、及び約１０～２０ｎｍのうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１３０ｂの平均層厚は、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、及び約３～６ｎｍのうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、第３の堆積層１３０ｃの平均層厚は、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、及び約３～６ｎｍのうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１３０ａ、第２の堆積層１３０ｂ、第３の堆積層１３０ｃ、及び／又は任意の追加の堆積層１３０の組み合わせによって形成されるマルチ被膜電極の厚さは、約６～３５ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、約１０～２５ｎｍ、及び約１２～１８ｎｍのうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１５５０の厚さは、第１の堆積層１３０ａ、第２の堆積層１３０ｂ、第３の堆積層１３０ｃ、及び／又は共通電極の平均層厚を超え得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１５５０の厚さは、約５０ｎｍ、約８０ｎｍ、約１００ｎｍ、約１５０ｎｍ、約２００ｎｍ、約３００ｎｍ、約４００ｎｍ、約５００ｎｍ、約７００ｎｍ、約８００ｎｍ、約１μｍ、約１．２μｍ、約１．５μｍ、約２μｍ、約２．５μｍ、及び約３μｍのうちの１つを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１５５０は、実質的に非透明及び／又は不透明であり得る。しかしながら、少なくとも１つの補助電極１５５０は、いくつかの非限定的な例では、デバイス２４００の非放射領域１４０２内に提供され得るため、少なくとも１つの補助電極１５５０は、有意な光学干渉を引き起こさないか、又はそれに寄与しない場合がある。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１５５０の透過率は、可視スペクトルの少なくとも一部において、約５０％以下、約７０％以下、約８０％以下、約８５％以下、約９０％以下、及び約９５％以下のうちの１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極１５５０は、可視スペクトルの少なくとも一部のＥＭ放射線を吸収することができる。
いくつかの非限定的な例では、第１の放射領域１４０１ａ、第２の放射領域１４０１ｂ、及び／又は第３の放射領域１４０１ｃにそれぞれ配設された第１のパターニング被膜１１０ａ、第２のパターニング被膜１１０ｂ、及び／又は第３のパターニング被膜１１０ｃの平均層厚は、各放射領域１４０１によって放射されるＥＭ放射の色及び／又は放射スペクトルに従って変動し得る。いくつかの非限定的な例では、第１のパターニング被膜１１０ａは、第１のパターニング被膜厚ｔｎ１を有してもよく、第２のパターニング被膜１１０ｂは、第２のパターニング被膜厚ｔｎ２を有してもよく、かつ／又は第３のパターニング被膜１１０ｃは、第３のパターニング被膜厚ｔｎ３を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のパターニング被膜厚ｔｎ１、第２のパターニング被膜厚ｔｎ２、及び／又は第３のパターニング被膜厚ｔｎ３は、実質的に同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のパターニング被膜厚ｔｎ１、第２のパターニング被膜厚ｔｎ２、及び／又は第３のパターニング被膜厚ｔｎ３は、互いに異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２４００はまた、任意の数の放射領域１４０１ａ～１４０１ｃ及び／又はその（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘを備え得る。いくつかの非限定的な例では、デバイスは複数のピクセル２２１０を備えてもよく、各ピクセル２２１０は２つ、３つ、又はそれ以上のサブピクセル３２ｘを備える。
電極を補助電極に電気的に結合するための導電性被膜
図２５に目を向けると、デバイス１０００の例示的なバージョン２５００の断面図が示され得る。デバイス２５００は、側方面において、放射領域１４０１及び隣接する非放射領域１４０２を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１４０１は、デバイス２５００の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘに対応し得る。放射領域１４０１は、基板１０と、第１の電極１０２０と、第２の電極１０４０と、それらの間に配置された少なくとも１つの半導体層１０３０とを有し得る。
第１の電極１０２０は、基板１０の露出層表面１１上に配設され得る。基板１０は、第１の電極１０２０と電気的に結合され得るＴＦＴ構造１１０１を含み得る。第１の電極１０２０の縁部及び／又は周囲は、概して、少なくとも１つのＰＤＬ１１４０によって覆われ得る。
非放射領域１４０２は、補助電極１５５０を有してもよく、非放射領域１４０２の第１の部は、補助電極１５５０の側方面にわたって突出し、それに重なるように配置される突出構造２５６０を有してもよい。突出構造２５６０は、側方に延在して、遮蔽領域２５６５を提供することができる。いくつかの非限定的な例では、突出構造２５６０は、遮蔽領域２５６５を提供するために、少なくとも１つの側部上の補助電極１５５０において、かつ／又はその近くで凹んでいてもよい。図示されるように、遮蔽領域２５６５は、いくつかの非限定的な例では、突出構造２５６０の横方向の突出と重なり得るＰＤＬ１１４０の表面上の領域に対応し得る。非放射領域１４０２は、遮蔽領域２５６５内に配設された堆積層１３０を更に含み得る。堆積層１３０は、補助電極１５５０を第２の電極１０４０と電気的に結合し得る。
パターニング被膜１１０ａは、第２の電極１０４０の露出層表面１１上の放射領域１４０１に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、突出構造２５６０の露出層表面１１は、第２の電極１０４０を形成するために、薄い導電性膜の堆積からの残存する薄い導電性膜で被覆され得る。いくつかの非限定的な例では、残留する薄い導電性膜の露出層表面１１は、パターニング被膜１１０の堆積からの残留パターニング被膜１１０ｂで被覆され得る。
しかしながら、遮蔽領域２５６５上の突出構造２５６０の側方突出部に起因して、遮蔽領域２５６５は、パターニング被膜１１０を実質的に欠き得る。したがって、パターニング被膜１１０の堆積後に、堆積層１３０がデバイス２５００上に堆積され得るとき、堆積層１３０は、補助電極１５５０を第２の電極１０４０に結合するように、遮蔽領域２５６５上に堆積されており、及び／又はそこに移動することができる。
当業者は、非限定的な例が図２５に示されており、様々な修正が明らかであり得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、突出構造２５６０は、その側部の少なくとも２つに沿って遮蔽領域２５６５を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、突出構造２５６０は省略されてもよく、補助電極１５５０は、遮蔽領域２５６５を画定し得る凹部を備え得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０及び堆積層１３０は、ＰＤＬ１１４０の代わりに、基板１０の表面上に直接配設することができる。
光学被膜の選択的堆積
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では光電子デバイスであり得るデバイス（図示せず）は、基板１０と、パターニング被膜１１０と、光学被膜と、を備え得る。パターニング被膜１１０は、側方面では、基板１０の第１の側方部分１０１を被覆し得る。光学被膜は、側方面では、基板１０の第２の側方部分１０２を被覆し得る。パターニング被膜１１０の少なくとも一部は、光学被膜の閉鎖被膜１４０を実質的に欠いていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、光学被膜は、限定ではないが、プラズモンモードを含む、デバイスによって伝送、放射、及び／又は吸収されるＥＭ放射線の光学特性を変調するために使用されてもよい。いくつかの非限定的な例では、光学被膜は、光学フィルタ、屈折率整合被膜、光取り出し被膜、散乱層、回折格子、及び／又はそれらの一部として使用されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、光学被膜を使用して、限定はしないが、全光路長及び／又はその屈折率を調整することによって、デバイス内の少なくとも１つの光マイクロキャビティ効果を調整することができる。デバイスの少なくとも１つの光学特性は、その強度の角度依存性、及び／又はその波長シフトを含むがこれらに限定されない、出力ＥＭ放射線を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの光マイクロキャビティ効果を調整することによって影響され得る。いくつかの非限定的な例では、光学被膜は、非電気部品であってもよく、すなわち、光学被膜は、通常のデバイス動作中、電流を伝導及び／又は伝送するように構成されなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、光学被膜は、任意の堆積材料７３１から形成されてもよく、かつ／又は本明細書に説明されるような堆積層１３０を堆積させる任意のメカニズムを採用してもよい。
隔壁及び凹部
図２６に目を向けると、デバイス１０００の例示的なバージョン２６００の断面図が示され得る。デバイス２６００は、露出層表面１１を有する基板１０を含み得る。基板１０は、少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１を含み得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１は、本明細書で説明するように、いくつかの非限定的な例では、基板１０を作製するときに一連の薄膜を堆積させ、パターニングすることによって形成され得る。
デバイス２６００は、側方面において、関連する側方面１１２０を有する放射領域１４０１と、各々が関連する側方面１１１０を有する少なくとも１つの隣接する非放射領域１４０２とを含み得る。放射領域１４０１内の基板１０の露出層表面１１には、少なくとも１つのＴＦＴ構造１１０１と電気的に結合することができる第１の電極１０２０を設けることができる。ＰＤＬ１１４０は、ＰＤＬ１１４０が露出層表面１１並びに第１の電極１０２０の少なくとも１つの縁部及び／又は周囲を覆うように、露出層表面１１上に提供されてもよい。ＰＤＬ１１４０は、いくつかの非限定的な例では、非放射領域１４０２の側方面１１２０に設けられてもよい。ＰＤＬ１１４０は、第１の電極１０２０の層表面が露出され得る放射領域１４０１の側方面１１１０に概して対応し得る開口部を提供し得る谷形状構成を画定し得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス３５００は、ＰＤＬ１１４０によって画定される複数のそのような開口部を備えてもよく、それらの各々は、デバイス２６００の（サブ）ピクセル２２１０／３２ｘ領域に対応してもよい。
示されるように、いくつかの非限定的な例では、隔壁２６２１が、非放射領域１４０２の側方面１１２０内の露出層表面１１上に提供されてもよく、本明細書に説明されるように、凹部２６２２などの遮蔽領域２５６５を画定してもよい。いくつかの非限定的な例では、凹部２６２２は、凹部２６２２に重なる、かつ／又はそれを越えて突出し得る隔壁２６２１の上側セクションの縁部に対して凹んでいる、互い違いに配置されている、かつ／又はオフセットされている隔壁２６２１の下側セクションの縁部によって形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１４０１の側方面１１１０は、第１の電極１０２０の上に配設された少なくとも１つの半導体層１０３０と、少なくとも１つの半導体層１０３０の上に配設された第２の電極１０４０と、第２の電極１０４０の上に配設されたパターニング被膜１１０と、を含み得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１０３０、第２の電極１０４０、及びパターニング被膜１１０は、少なくとも１つの隣接する非放射領域１４０２の一部の少なくとも側方面１１２０を被覆するように側方に延在することができる。いくつかの非限定的な例では、示されるように、少なくとも１つの半導体層１０３０、第２の電極１０４０、及びパターニング被膜１１０は、少なくとも１つのＰＤＬ１１４０の少なくとも一部、及び仕切り２６２１の少なくとも一部の上に配置され得る。したがって、示されるように、放射領域１４０１の側方面１１１０、少なくとも１つの隣接する非放射領域１４０２の一部の側方面１１２０、少なくとも１つのＰＤＬ１１４０の一部、及び隔壁２６２１の少なくとも一部は、第２の電極１０４０がパターニング被膜１１０と少なくとも１つの半導体層１０３０との間にあり得る、第１の部分１０１を一緒に構成することができる。
補助電極１５５０は、凹部２６２２に近接して、かつ／又はその中に配設されてもよく、堆積層１３０は、補助電極１５５０を第２の電極１０４０と電気的に結合するように配置されてもよい。したがって、示されるように、いくつかの非限定的な例では、凹部２６２２は、堆積層１３０が露出層表面１１上に配設されている第２の部分１０２を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０を堆積させる際に、堆積材料７３１の気化フラックス７３２の少なくとも一部は、露出層表面１１の横方向平面に対して垂直でない角度に向けられ得る。いくつかの非限定的な例では、気化フラックス７３２の少なくとも一部は、露出層表面１１のかかる側方平面に対して、ゼロではない、すなわち約９０°以下、約８５°以下、約８０°以下、約７５°以下、約７０°以下、約６０°以下、及び約５０°以下のうちの１つの入射角でデバイス２６００に入射し得る。少なくとも一部を含む堆積材料７３１の気化フラックス７３２を、非垂直角度で入射するように方向付けることによって、凹部２６２２の少なくとも１つの露出層表面１１及び／又はその中の少なくとも１つの露出層表面１１は、そのような気化フラックス７３２に露出され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような気化フラックス７３２の少なくとも一部が非垂直入射角で流れることができるので、そのような気化フラックス７３２が、仕切り２６２１の存在によって、凹部２６２２の少なくとも１つの露出層表面１１上及び／又は凹部に入射することが妨げられる可能性を低減することができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような気化フラックス７３２の少なくとも一部は非コリメートであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような気化フラックス７３２の少なくとも一部は、点源、線形源、及び／又は面源である蒸発源によって生成され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２６００は、堆積層１３０の堆積中に変位され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス２６００、及び／又はその基板１０、及び／又はその上に堆積される任意の層は、側方面において、かつ／又は断面と実質的に平行な面において、角度である変位に供され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２６００は、気化フラックス７３２にさらされている間、露出層表面１１の横方向平面に対して実質的に垂直な軸を中心に回転され得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような気化フラックス７３２の少なくとも一部は、デバイス２６００の露出層表面１１に向けて、露出層表面１１の横方向平面に対して実質的に垂直な方向に向けることができる。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、それにもかかわらず、堆積材料７３１は、パターニング被膜１１０の露出層表面１１上に吸着された吸着原子の側方移動及び／又は脱着に起因して、凹部２６２２内に堆積され得ると仮定することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の露出層表面１１上に吸着された任意の吸着原子は、安定した核を形成するための露出層表面１１の好ましくない熱力学的特性に起因して、かかる露出層表面１１から移動及び／又は脱着する傾向があり得ると仮定することができる。いくつかの非限定的な例では、かかる露出層表面１１から移動及び／又は脱着する吸着原子の少なくともいくつかは、凹部２６２２内の表面上に再堆積して堆積層１３０を形成することができると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、堆積層１３０が補助電極１５５０と第２の電極１０４０の両方と電気的に結合され得るように形成され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０は、補助電極１５５０及び／又は第２の電極１０４０のうちの少なくとも１つと物理的に接触し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０と、補助電極１５５０及び／又は第２の電極１０４０のうちの少なくとも１つとの間に中間層が存在し得る。しかしながら、そのような例では、そのような中間層は、堆積層１３０が補助電極１５５０及び／又は第２の電極１０４０のうちの少なくとも１つと電気的に結合されることを実質的に妨げ得ない。いくつかの非限定的な例では、かかる中間層は、比較的薄く、それを通る電気的結合を可能にするようなものであり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０のシート抵抗は、第２の電極１０４０のシート抵抗以下であり得る。
図２６に示すように、凹部２６２２は、第２の電極１０４０を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０の堆積中に、凹部２６２２は、第２の電極１０４０を形成するための堆積材料７３１の気化フラックス７３２が、凹部２６２２の少なくとも１つの露出層表面１１に、及び／又は凹部内に入射することを実質的に妨げ得るように、仕切り２６２１によってマスクされ得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０を形成するための堆積材料７３１の気化フラックス７３２の少なくとも一部は、第２の電極１０４０が凹部２６２２の少なくとも一部を覆うように延びることができるように、凹部２６２２の少なくとも１つの露出層表面１１上及び／又は凹部２２２２内に入射することができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０、堆積層１３０、及び／又は仕切り２６２１は、ディスプレイパネル２００（図２Ａ）のある特定の領域に選択的に提供され得る。いくつかの非限定的な例では、これらの特徴のいずれかは、第２の電極１０４０を含むがこれに限定されない、フロントプレーン１０１０の少なくとも１つの要素をバックプレーン１０１５の少なくとも１つの要素に電気的に結合するために、そのようなディスプレイパネルの少なくとも１つの縁部に、及び／又はそれに近接して提供され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる特徴をかかる縁部に、かつ／又はそれに近接して提供することにより、電流をかかる縁部に、かつ／又はそれに近接して位置する補助電極１５５０から第２の電極１０４０に供給及び分配することが容易になり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような構成は、ディスプレイパネルのベゼルサイズを低減することを容易にし得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０、堆積層１３０、及び／又は隔壁２６２１は、かかるディスプレイパネル２００の特定の領域から省略され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる特徴は、限定ではないが、その少なくとも１つの縁部以外、及び／又はそれに近接して、比較的高いピクセル密度が提供され得る場合を含む、ディスプレイパネル２００の部分から省略することができる。
非放射領域の開口
ここで図２７Ａを参照すると、デバイス１０００の例示的なバージョン２７００ａの断面図が示され得る。デバイス２７００ａは、非放射領域１４０２内の一対の隔壁２６２１が、それらの間に開口２７２２などの遮蔽領域２５６５を画定するように対向配置で配設され得るという点で、デバイス２６００とは異なり得る。図示されるように、いくつかの非限定的な例では、仕切り２６２１のうちの少なくとも１つは、第１の電極１０２０の少なくとも縁部を覆い、かつ少なくとも１つの放射領域１４０１を画定するＰＤＬ１１４０として機能してもよい。いくつかの非限定的な例では、仕切り２６２１のうちの少なくとも１つは、ＰＤＬ１１４０とは別個に提供され得る。
凹部２６２２などの遮蔽領域２５６５は、隔壁２６２１のうちの少なくとも１つによって画定することができる。いくつかの非限定的な例では、凹部２６２２は、基板１０に近接する開口２７２２の一部に設けることができる。いくつかの非限定的な例では、開口２７２２は、平面でみたときに実質的に楕円形であり得る。いくつかの非限定的な例では、凹部２６２２は、平面でみたときに実質的に環状であり、開口２７２２を取り囲むことができる。
いくつかの非限定的な例では、凹部２６２２は、デバイススタック２７１０の層及び／又は残存デバイススタック２７１１の層の各々を形成するための材料を実質的に欠き得る。
これらの図では、少なくとも１つの半導体層１０３０と、第２の電極１０４０と、隔壁２６２１の上側セクションに堆積されたパターニング被膜１１０と、を含むデバイススタック２７１０を示すことができる。
これらの図では、少なくとも１つの半導体層１０３０と、第２の電極１０４０と、隔壁２６２１及び凹部２６２２を越えて基板１０上に堆積されたパターニング被膜１１０と、を含む残存デバイススタック２７１１を示すことができる。図２６との比較から、残存デバイススタック２７１１は、いくつかの非限定的な例では、隔壁２６２１のリップにおける、かつ／又はそれに近接する凹部２６２２に近づくにつれて、半導体層１０３０、第２の電極１０４０、及びパターニング被膜１１０に対応し得ることが理解され得る。いくつかの非限定的な例では、残存デバイススタック２７１１は、デバイススタック２７１０の様々な材料を堆積させるためにオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスが使用されるときに形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、残存デバイススタック２７１１は、開口２７２２内に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイススタック２７１０の層の各々を形成するための蒸発した材料が、開口２７２２内に堆積されて、その中に残存デバイススタック２７１１を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、その少なくとも一部が凹部２７２２内に配設されるように配置することができる。示されるように、いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、残存デバイススタック３６１１が補助電極１５５０の表面上に堆積されるように、開口２７２２内に配置され得る。
第２の電極１０４０を補助電極１５５０と電気的に結合するために、堆積層１３０が開口２７２２内に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１３０の少なくとも一部は、凹部２６２２内に配設され得る。
ここで図２７Ｂを参照すると、デバイス２３００ｂの更なる例の断面図が示され得る。図示のように、補助電極１５５０は、隔壁２６２１の側部の少なくとも一部を形成するように配置され得る。これにより、補助電極１５５０は、平面図でみたとき、実質的に環状であってもよく、開口２７２２を取り囲んでもよい。示されるように、いくつかの非限定的な例では、残存デバイススタック２７１１は、基板１０の露出層表面１１上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、隔壁２６２１は、ＮＰＣ９２０を含んでもよく、かつ／又はそれによって形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、補助電極１５５０は、ＮＰＣ９２０として機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ９２０は、第２の電極１０４０、並びに／又はその一部分、層、及び／若しくは材料によって提供され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、側方に延在して、遮蔽領域２５６５内に配置された露出層表面１１を被覆することができる。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０は、その下側層と、その第２の層とを含んでもよく、その第２の層は、その下側層上に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０の下側層は、酸化物、例えば、非限定的に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、又はＺｎＯを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０の上側層は、金属、例えば、非限定的に、Ａｇ、Ｍｇ、Ｍｇ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ、他のアルカリ金属、及び他のアルカリ土類金属のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１０４０の下部層は、ＮＰＣ９２０を形成するように、遮蔽領域２５６５の表面を覆うように横方向に延びてもよい。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ９２０を形成するために、遮蔽領域２５６５を画定する少なくとも１つの表面を処理され得る。いくつかの非限定的な例では、そのようなＮＰＣ９２０は、遮蔽領域２５６５の表面をプラズマ、ＵＶ、及び／又はＵＶ－オゾン処理に供することを含むがこれらに限定されない化学的及び／又は物理的処理によって形成され得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、かかる処理は、かかる表面を化学的及び／又は物理的に変化させて、その少なくとも１つの特性を修正し得ると仮定することができる。いくつかの非限定的な例では、表面のそのような処理は、そのような表面上のＣ－Ｏ及び／若しくはＣ－ＯＨ結合の濃度を増加させ得、そのような表面の粗さを増加させ得、並びに／又はハロゲン、窒素含有官能基、及び／若しくは酸素含有官能基を含むがこれらに限定されないある特定の種及び／若しくは官能基の濃度を増加させ得、その後ＮＰＣ９２０として作用し得る。
＊＊回折の減少
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号透過性領域３１ｘを通って通過する少なくとも１つのＥＭ信号２３１は、少なくとも１つの信号透過性領域３１ｘの形状によって課される回折パターンの回折特質によって影響され得ることが発見されている。
少なくともいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＥＭ信号２３１に、別個の不均一な回折パターンを呈するように成形された少なくとも１つの信号透過性領域３１ｘを通過させるディスプレイパネル２００は、それによって表される画像及び／又はＥＭ放射線パターンの捕捉に干渉する場合がある。
いくつかの非限定的な例では、かかる回折パターンは、かかる回折パターンによる干渉を軽減することを容易にする能力、すなわち、光学後処理技術の適用を伴っても、アンダーディスプレイ構成要素２３０がかかる画像又はパターンを正確に受信及び処理することを可能にすること、又はかかるディスプレイパネル２００を通してかかる画像及び／又はパターンの視認者がその中に含有される情報を判別することを可能にすることに干渉する場合がある。
いくつかの非限定的な例では、別個の及び／又は不均一な回折パターンは、回折パターンにおいて別個の及び／又は角度的に分離された回折スパイクを引き起こし得る少なくとも１つの信号透過性領域３１ｘの形状からもたらし得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の回折スパイクは、完全な角回転に沿った回折スパイクの総数が計数され得るように、単純な観察によって第２の近接する回折スパイクから区別され得る。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、特に、回折スパイクの数が多い場合、個々の回折スパイクを識別することがより困難な場合がある。かかる状況では、結果として生じる回折パターンの歪み効果は、実際には、それによって引き起こされる干渉の軽減を容易にすることができるが、これは、歪み効果は、ぼやける傾向があり、かつ／又はより均一に分散される傾向があるためである。かかるぼやけ及び／又は歪み効果のより一様な分布は、いくつかの非限定的な例では、元の画像及び／又はその中に含まれる情報を復元するために、例えば、非限定的に、光学後処理技術によって、より軽減しやすいことがある。
いくつかの非限定的な例では、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を容易にする能力は、回折スパイクの数が増加するにつれて増加し得る。
いくつかの非限定的な例では、別個の不均一な回折パターンは、回折パターンのパターン円周の関数として、高強度のＥＭ放射線の領域と低強度のＥＭ放射線の領域との間の回折パターン内のパターン境界の長さを増加させる、かつ／又はそのパターン境界の長さに対するパターン円周の比を減少させる、少なくとも１つの信号透過性領域３１ｘの形状からもたらし得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、多角形である対応する信号透過性領域３１ｘによって画定された透過性領域３１ｘの閉じた境界を有するディスプレイパネル２００は、特有の不均一な回折パターンを示し得、非多角形である対応する信号透過性領域３１ｘによって画定された透過性領域３１ｘの閉じた境界を有するディスプレイパネル２００と比較して、回折パターンによって引き起こされる干渉の緩和を容易にする能力に悪影響を及ぼし得ると仮定され得る。
本開示では、「多角形」という用語は、概して、有限数の線形及び／又は直線セグメントによって形成された形状、図、閉じた境界、及び／又は外周を指すことができ、「非多角形」という用語は、概して、多角形ではない形状、図、閉じた境界、及び／又は外周を指すことができる。いくつかの非限定的な例では、有限数の線形セグメント及び少なくとも１つの非線形又は湾曲セグメントによって形成された閉じた境界は、非多角形とみなすことができる。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、対応する信号透過性領域３１ｘによって画定されるＥＭ放射線透過性領域３１ｘの閉じた境界が少なくとも１つの非線形及び／又は湾曲セグメントを含む場合、その上に入射し、それを通して送信されるＥＭ信号は、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を容易にする、より目立たない及び／又はより均一な回折パターンを示すことができると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、実質的に楕円形及び／又は円形である対応する信号透過性領域３１ｘによって画定されたＥＭ放射線透過性領域３１ｘの閉じた境界を有するディスプレイパネル２００は、回折パターンによって引き起こされる干渉の緩和を更に容易にし得る。
いくつかの非限定的な例では、信号透過性領域３１ｘは、有限の複数の凸状の丸みを帯びたセグメントによって画定され得る。いくつかの非限定的な例では、これらのセグメントの少なくともいくつかは、凹状のノッチ又はピークで一致する。
選択的被膜の除去
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、堆積層１３０の堆積後に除去され得、パターニング被膜１１０によって覆われた下部材料の以前に露出層表面１１の少なくとも一部が再び露出され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０は、パターニング被膜１１０をエッチング及び／又は溶解することによって、かつ／又は堆積層１３０に実質的に影響を及ぼさない、若しくは腐食させないプラズマ及び／又は溶媒処理技術を採用することによって、選択的に除去され得る。
ここで図２８のＡを参照すると、パターニング被膜１１０が下地材料の露出層表面１１の第１の部分１０１上に選択的に堆積され得る堆積ステージ２８００ａにおける、デバイス１０００の例示的なバージョン２８００の例示的な断面図が示され得る。図において、下部材料は基板１０であり得る。
図２８のＢにおいて、デバイス２８００は、堆積ステージ２８００ｂで示され得、ここで、堆積層１３０は、下地材料の露出層表面１１上に、すなわち、ステージ２８００ａの間にパターニング被膜１１０が堆積され得たパターニング被膜１１０の露出層表面１１、及びステージ２８００ａの間にパターニング被膜１１０が堆積され得なかった基板１０の露出層表面１１の両方の上に堆積させることができる。パターニング被膜１１０が配設され得る第１の部分１０１の核形成阻害特性に起因して、その上に配設された堆積層１３０は、残留しない傾向があり得、第２の部分１０２に対応し得る堆積層１３０の選択的堆積のパターンをもたらし、堆積層１３０を実質的に欠いている第１の部分１０１を残すことができる。
図２８のＣにおいて、デバイス２８００は、堆積ステージ２８００ｃで示され得、ここで、パターニング被膜１１０は、基板１０の露出層表面１１の第１の部分１０１から除去され得、それにより、ステージ２８００ｂの間に堆積された堆積層１３０は、基板１０上に残留し得、パターニング被膜１１０がステージ２８００ａの間に堆積され得た基板１０の領域は、ここで、露出されるか又は被覆されなくなり得る。
一部の非限定的な例では、ステージ２８００ｃにおけるパターニング被膜１１０の除去は、堆積層１３０に実質的に影響を及ぼすことなく、パターニング被膜１１０と反応し、かつ／又はそれをエッチング除去する、溶媒及び／又はプラズマにデバイス２８００を曝露することによって達成されてもよい。
薄膜形成
下地層の露出層表面１１上への堆積中の薄膜の形成は、核形成及び成長のプロセスを含み得る。
膜形成の初期段階中に、十分な数の蒸気モノマーいくつかの非限定的な例では、蒸気形態７２２の堆積材料７３１の分子及び／又は原子であり得る）が、典型的には、気相から凝縮して、下層の露出層表面１１上に初期核を形成し得る。蒸気モノマーがそのような表面に衝突すると、これらの初期核の特徴的なサイズ及び／又は堆積密度が増加して、小粒子構造８４１を形成することができる。かかる特徴的なサイズが指す寸法の非限定的な例には、かかる粒子構造８４１の高さ、幅、長さ、及び／又は直径が含まれ得る。
飽和アイランド密度に達した後、隣接する粒子構造８４１は、典型的には、合着し始め、かかる粒子構造８４１の平均特徴的なサイズを増加させる一方、その堆積密度を減少させることができる。
モノマーの堆積を継続すると、隣接する粒子構造８４１の合着は、実質的な閉鎖被膜１４０が下地層の露出層表面１１上に最終的に堆積され得るまで継続することができる。かかる閉鎖被膜１４０の、それによって引き起こされる光学的効果を含む挙動は、概して、比較的均一であり、一貫しており、驚くべきことではない可能性がある。
閉鎖被膜１４０に至る薄膜の形成には、いくつかの非限定的な例では、１）アイランド成長（Ｖｏｌｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ）、２）レイヤーバイレイヤー成長（Ｆｒａｎｋ－ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ）、及び３）Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖ成長という、少なくとも３つの基本的な成長モードが存在し得る。
島成長は、典型的には、モノマーの古いクラスタが露出層表面１１上で核形成し、成長した別個の島を形成するときに起こり得る。この成長モードは、モノマー間の相互作用がモノマーと表面との間の相互作用よりも強い場合に生じ得る。
核形成速度は、所与のサイズの核（自由エネルギーがかかる核のクラスタを押して成長又は収縮させない場合）（「臨界核」）が単位時間当たりどれだけ表面上に形成され得るかを説明し得る。成膜の初期段階では、核の堆積密度が低く、したがって核が表面の比較的小さな割合（例えば、隣接する核の間に大きなギャップ／空間がある）を覆う可能性があるため、核が表面上のモノマーの直接衝突から成長する可能性は低い。したがって、臨界核が成長し得る速度は、典型的には、表面上の吸着原子（例えば、吸着モノマー）が移動して近くの核に付着する速度に依存し得る。
下部材料の露出層表面１１上に吸着された吸着原子のエネルギープロファイルの一例を図２９に示す。具体的には、図２９は、局所的な低エネルギー部位から脱出する吸着原子（２９１０）、露出層表面１１上への吸着原子の拡散（２９２０）、及び吸着原子の脱着（２９３０）に対応する例示的な定性的エネルギープロファイルを解説し得る。
２９１０において、局所的な低エネルギー部位は、吸着原子がより低いエネルギーにある、下地層の露出層表面１１上の任意の部位であり得る。典型的には、核形成部位は、レッジ、ステップ状縁部、化学的不純物、結合部位、及び／又はキンク（「不均一性」）を非限定的に含む、露出層表面１１上の欠陥及び／又は異常を含み得る。
基板不均一性の部位は、表面から吸着原子を脱着させるのに伴うエネルギーＥｄｅｓ２９３１を増加させることができ、かかる部位で観察される核のより高い堆積密度をもたらす。また、表面上の不純物又は汚染もまた、Ｅｄｅｓ２９３１を増加させ、核のより高い堆積密度をもたらし得る。高真空条件下で行われる堆積プロセスに関して、表面上の汚染物質のタイプ及び堆積密度は、真空圧及びその圧力を構成する残存ガスの組成によって影響を受ける場合がある。
吸着原子が局所的な低エネルギー部位で捕捉されると、典型的には、いくつかの非限定的な例では、表面拡散が起こる前にエネルギー障壁が存在し得る。かかるエネルギー障壁は、図２９においてΔＥ２９１１として表すことができる。いくつかの非限定的な例では、局所的な低エネルギー部位を逃れるためのエネルギー障壁ΔＥ２９１１が十分に大きい場合、その部位は核形成部位として機能し得る。
２９２０において、吸着原子は、露出層表面１１上に拡散することができる。いくつかの非限定的な例では、局在化された吸収体の場合、吸着原子は、表面電位の最小値付近で振動し、吸着原子が脱着されるか、及び／又は吸着原子のクラスタによって形成される成長アイランド８４１及び／又は成長膜に組み込まれるまで、様々な隣接部位に移動する傾向があり得る。図２９では、吸着原子の表面拡散と関連する活性化エネルギーは、Ｅｓ２９２１として表すことができる。
２９３０において、表面からの吸着原子の脱着と関連する活性化エネルギーは、Ｅｄｅｓ２９３１として表すことができる。当業者であれば、脱着されない吸着原子が露出層表面１１上に残留し得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、かかる吸着原子は、露出層表面１１上に拡散し、露出層表面１１上にアイランド８４１を形成する吸着原子のクラスタの一部となり、及び／又は成長する膜及び／又は被膜の一部として組み込まれ得る。
吸着原子が表面に吸着した後、吸着原子は、表面から脱着することができ、あるいは表面をある距離だけ移動してから、脱着するか、他の吸着原子と相互機能して小さなクラスタを形成するか、又は成長する核に付着することができる。吸着原子が最初の吸着後に表面上に残留し得る時間の平均量は、以下の式で与えられる。
Figure 2024516165000124
 上記の式において、
νは、表面の吸着原子の振動周波数であり、
ｋはボッツマン定数であり、
Ｔは温度である。
式ＴＦ１から、Ｅｄｅｓ２９３１の値が低いほど、吸着原子が表面から脱着することが容易になり、したがって吸着原子が表面に残留し得る時間が短くなることに留意されたい。吸着原子が拡散することができる平均距離は、以下の式で与えられる。
Figure 2024516165000125
 式中、
α０は格子定数である。
Ｅｄｅｓ２９３１の低い値、及び／又はＥ－ｓ２９２１の高い値の場合、吸着原子は、脱着前により短い距離を拡散することができ、したがって、成長中の核に付着するか、又は別の吸着原子若しくは吸着原子のクラスタと相互作用する可能性が低くなり得る。
粒子構造８４１の堆積層の形成の初期段階中、吸着された吸着原子は、相互作用して粒子構造８４１を形成することができ、単位面積当たりの粒子構造８４１の臨界濃度は、以下の式で与えられる。
Figure 2024516165000126
 式中、
Ｅｉは、ｉ吸着原子を含有する臨界クラスタを別々の吸着原子に解離するのに伴うエネルギーであり、
ｎ０は吸着サイトの総堆積密度であり、
Ｎ１は、次式で与えられるモノマー堆積密度である。
Figure 2024516165000127
 式中、
Figure 2024516165000128
 は蒸気衝突率である。
典型的には、ｉは、堆積される材料の結晶構造に依存し得、安定した核を形成するための粒子構造８４１の臨界サイズを決定することができる。
粒子構造８４１を成長させるための臨界モノマー供給速度は、蒸気衝突の速度と、吸着原子が脱着する前に拡散することができる平均面積とによって与えられ得る。
Figure 2024516165000129
したがって、臨界核形成速度は、上記の式の組み合わせによって与えられ得る。
Figure 2024516165000130
上記の式から、吸着された吸着原子に対して低い脱着エネルギーを有し、吸着原子の拡散に対して高い活性化エネルギーを有し、高温であり、かつ／又は蒸気衝突速度に供される表面に対して、臨界核形成速度が抑制され得ることに留意されたい。
高真空条件下では、表面に衝突し得る分子のフラックス７３２（ｃｍ２秒当たり）は、以下の式によって与えられ得る。
Figure 2024516165000131
 式中、
Ｐは圧力であり、
Ｍは分子量である。
したがって、Ｈ２Ｏなどの反応性ガスのより高い分圧は、堆積中の表面上の汚染物質のより高い堆積密度をもたらし、Ｅｄｅｓ２９３１の増加、したがって核のより高い堆積密度をもたらし得る。
本開示では、「核形成阻害」は、表面上の堆積材料３３１の堆積が阻害され得るように、約０．３未満を含むが、それに限定されない、０に近くてもよいその上への堆積材料７３１の堆積に抗する初期付着確率を呈する表面を有し得る、被膜、材料、及び／又はその層を指すことができる。
本開示では、「核形成促進」は、被膜、材料、及び／又はその層であって、その上への堆積材料７３１の堆積に対して、限定はしないが約０．７より大きいことを含む１に近くてもよい初期付着確率を示す表面を有し、その結果、そのような表面への堆積材料７３１の堆積を容易にすることができる被膜、材料、及び／又はその層を指すことができる。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、かかる核の形状及びサイズ、並びにかかる核のアイランド８４１へのその後の成長、及びその後の薄膜への成長は、蒸気、表面、及び／又は凝縮された膜核の間の界面張力を非限定的に含む様々な要因に依存し得ると仮定され得る。
表面の核形成阻害及び／又は核形成促進特性の１つの尺度は、所与の堆積材料７３１の堆積に抗する表面の初期付着確率とすることができる。
いくつかの非限定的な例では、付着確率Ｓは、以下の式で与えられ得る。
Figure 2024516165000132
 式中、
Ｎａｄｓは、露出層表面１１に残留する（すなわち、膜中に組み込まれる）吸着原子の数であり、
Ｎｔｏｔａｌは、表面に衝突するモノマーの総数である。
１に等しい付着確率Ｓは、表面に衝突する全てのモノマーが吸着され、続いて成長膜に組み込まれることを指し示し得る。０に等しい付着確率Ｓは、表面に衝突する全てのモノマーが脱着され、その後、表面上に膜が形成され得ないことを指し示し得る。
様々な表面上の堆積材料７３１の付着確率Ｓは、Ｗａｌｋｅｒ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｃ２００７，１１１，７６５（２００６）によって記載されているようなデュアル水晶振動子マイクロバランス（quartz crystal microbalance、ＱＣＭ）技術を含むがこれに限定されない、付着確率Ｓを測定する様々な技術を使用して評価し得る。Ｃ２００７，１１１，７６５（２００６）によって記載されているようなデュアル水晶振動子マイクロバランス（quartz crystal microbalance、ＱＣＭ）技術を含むがこれに限定されない、付着確率Ｓを測定する様々な技術を使用して評価し得る。
堆積材料７３１の堆積密度が増加するにつれて（例えば、平均膜厚の増加）、付着確率Ｓは変化し得る。
したがって、初期付着確率Ｓ０は、相当数の臨界核が形成される前の表面の付着確率Ｓとして指定することができる。初期付着確率Ｓ０の１つの尺度は、その堆積の初期段階中の堆積材料７３１の堆積に抗する表面の付着確率Ｓを伴い得、表面にわたる堆積材料７３１の平均膜厚は、閾値以下である。いくつかの非限定的な例の説明において、初期付着確率の閾値は、いくつかの非限定的な例では、１ｎｍとして指定され得る。平均付着確率
Figure 2024516165000133
 は、以下の式で与えられ得る。
Figure 2024516165000134
 式中、
Ｓｎｕｃは、粒子構造８４１で被覆されたエリアの付着確率Ｓであり、
Ａｎｕｃは、粒子構造８４１によって被覆された基板表面の面積のパーセンテージである。
いくつかの非限定的な例では、低い初期付着確率は、平均膜厚の増加とともに増加し得る。これは、粒子構造８４１を有しない露出層表面１１のエリア、いくつかの非限定的な例では、ベア基板１０と、高い堆積密度を有するエリアとの間の付着確率の差に基づいて理解することができる。いくつかの非限定的な例では、粒子構造８４１の表面に衝突し得るモノマーは、１に近づき得る付着確率を有し得る。
図２９に示すエネルギープロファイル２９１０、２９２０、２９３０に基づいて、脱着のための比較的低い活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ２９３１）、及び／又は表面拡散のための比較的高い活性化エネルギー（Ｅｓ２９２１）を呈する材料が、パターニング被膜１１０として堆積され得、様々な用途での使用に好適であり得ることが仮定され得る。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、核形成及び成長中に存在する様々な界面張力間の関係は、毛管現象理論におけるヤングの式に従って決定され得ると仮定することができる。
γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆｃｏｓθ （ＴＦ１０）
式中、
γｓｖ（図３０）は、基板１０と蒸気７３２との間の界面張力に対応し、
γｆｓ（図３０）は、堆積材料７３１と基板１０との間の界面張力に対応し、
γｖｆ（図３０）は、蒸気７３２と膜との間の界面張力に対応し、
θは膜核接触角である。
図３０は、この式で表される様々なパラメータ間の関係を解説し得る。
ヤングの式（式（ＴＦ１０））に基づいて、アイランド成長の場合、膜核接触角は０を上回ってもよく、したがって、γｓｖ＜γｆｓ＋γｖｆとなることが導出され得る。
堆積材料７３１が基板１０を「濡らす」層成長の場合、核接触角θは０に等しくてもよく、したがって、γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆとなる。
Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖ成長の場合、膜過成長の単位面積当たりの歪みエネルギーは、蒸気７３２と堆積材料７３１との間の界面張力に対して大きくなり得、γｓｖ＞γｆｓ＋γｖｆとなる。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、パターニング被膜１１０と基板１０の露出層表面１１との間の界面における堆積材料７３１の核形成及び成長モードは、θ＞０であるアイランド成長モデルに従い得ると仮定することができる。
特に、パターニング被膜１１０が、堆積材料７３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率（いくつかの非限定的な例では、Ｗａｌｋｅｒらによって説明される二重ＱＣＭ技術において識別される条件下）を示し得る場合、堆積材料７３１の比較的高い薄膜接触角が存在し得る。
反対に、堆積材料７３１が、パターニング被膜１１０を使用せずに、いくつかの非限定的な例では、シャドウマスク６１５を採用することによって、露出層表面１１上に選択的に堆積され得るとき、かかる堆積材料７３１の核形成及び成長モードは異なり得る。具体的には、シャドウマスク６１５のパターニングプロセスを使用して形成された被膜は、少なくともいくつかの非限定的な例では、約１０°未満の比較的低い薄膜接触角を呈し得ることが観察された。
ここで、少し驚くべきことに、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０（及び／又はそれを構成するパターニング材料６１１）は、比較的低い臨界表面張力を示し得ることが見出されている。
当業者は、被膜、層、並びに／又はかかる被膜及び／若しくは層を構成する材料の「表面エネルギー」が、概して、被膜、層、及び／又は材料の臨界表面張力に対応し得ることを理解するであろう。表面エネルギーのいくつかのモデルによれば、表面の臨界表面張力は、かかる表面の表面エネルギーに実質的に対応し得る。
概して、低い表面エネルギーを有する材料は、低い分子間力を示し得る。概して、低い分子間力を有する材料は、高い分子間力を有する別の材料と比較して、より低い温度で容易に結晶化し得るか、又は他の相転移を受ける場合がある。少なくともいくつかの用途では、比較的低い温度で容易に結晶化し得るか、又は他の相転移を受け得る材料は、デバイスの長期性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命に有害であり得る。
特定の理論に束縛されるものではないが、特定の低エネルギー表面は、比較的低い初期付着確率を呈し得るため、パターニング被膜１１０を形成するのに好適であり得ると仮定することができる。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、特に低表面エネルギー表面に関して、臨界表面張力は、表面エネルギーと正に相関し得ると仮定することができる。いくつかの非限定的な例では、比較的低い臨界表面張力を示す表面はまた、比較的低い表面エネルギーを示してもよく、比較的高い臨界表面張力を示す表面はまた、比較的高い表面エネルギーを示してもよい。
ヤングの式（式（ＴＦ１０））を参照すると、より低い表面エネルギーは、より大きい接触角をもたらし得る一方で、γｓｖも低下させるため、かかる表面が、堆積材料７３１に対して低い濡れ性及び低い初期付着確率を有する可能性を高める。
臨界表面張力値は、様々な非限定的な例では、本明細書では、ほぼ常温常圧（normal temperature and pressure、ＮＴＰ）で測定されたかかる値に対応し得、いくつかの非限定的な例では、２０℃の温度、及び１ａｔｍの絶対圧力に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、表面の臨界表面張力は、Ｚｉｓｍａｎ，Ｗ．Ａ．，「Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ」４３（１９６４），ｐ．１－５１に更に詳述されるように、Ｚｉｓｍａｎ法に従って決定され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の露出層表面１１は、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、及び約１１ダイン／ｃｍ以下のうちの１つの臨界表面張力を呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１１０の露出層表面１１は、少なくとも約６ダイン／ｃｍ、少なくとも約７ダイン／ｃｍ、少なくとも約８ダイン／ｃｍ、少なくとも約９ダイン／ｃｍ、及び少なくとも約１０ダイン／ｃｍのうちの１つの臨界表面張力を呈し得る。
当業者は、固体の表面エネルギーを決定するための様々な方法及び理論が既知であり得ることを理解する。いくつかの非限定的な例では、表面エネルギーは、液体－蒸気界面と表面との間の接触角を測定するために、様々な液体が固体の表面と接触する接触角の一連の測定に基づいて計算及び／又は導出され得る。いくつかの非限定的な例では、固体表面の表面エネルギーは、表面を完全に濡らす最も高い表面張力を有する液体の表面張力に等しくてもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｚｉｓｍａｎプロットが、表面との０°の接触角をもたらす最高表面張力値を決定するために使用されてもよい。表面エネルギーのいくつかの理論によれば、固体表面と液体との間の様々なタイプの相互作用が、固体の表面エネルギーを決定する際に考慮され得る。いくつかの非限定的な例では、Ｏｗｅｎｓ／Ｗｅｎｄｔ理論及び／又はＦｏｗｋｅｓ理論を含むがこれらに限定されないいくつかの理論によれば、表面エネルギーは、分散成分及び非分散成分又は「極性」成分を含み得る。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、堆積材料７３１の被膜の接触角は、堆積材料７３１が堆積されるパターニング被膜１１０の特性（初期付着確率を非限定的に含む）に少なくとも部分的に基づいて決定され得ると仮定することができる。したがって、比較的高い接触角を呈する堆積材料７３１の選択的堆積を可能にするパターニング材料６１１は、いくつかの利点を提供することができる。
当業者は、接触角θを測定するために、静的及び／又は動的な液滴法及びペンダントドロップ法を含むがこれらに限定されない様々な方法が使用され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、脱着のための活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ２９３１）（いくつかの非限定的な例では、約３００Ｋの温度Ｔにおいて）は、熱エネルギーの約２倍以下、約１．５倍以下、約１．３倍以下、約１．２倍以下、約１．０倍以下、約０．８倍以下、及び約０．５倍以下のうちの１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、表面拡散のための活性化エネルギー（Ｅｓ２９２１）（いくつかの非限定的な例では、約３００Ｋの温度で）は、熱エネルギーの約１．０倍、約１．５倍、約１．８倍、約２倍、約３倍、約５倍、約７倍、及び約１０倍のうちの１つを上回ってもよい。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、下地層の露出層表面１１とパターニング被膜１１０との間の界面における、かつ／又は界面近傍での堆積材料７３１の薄膜核形成及び成長中に、パターニング被膜１１０による堆積材料７３１の固体表面の核形成の阻害に起因して、堆積材料７３１の縁部と下地層との間に比較的高い接触角が観察され得ると仮定することができる。かかる核形成阻害特性は、下地層、薄膜蒸気とパターニング被膜１１０との間の表面エネルギーの最小化によって推進され得る。
表面の核形成阻害及び／又は核形成促進特性の１つの尺度は、基準表面上の同じ堆積材料７３１の初期堆積速度に対する、表面上の所与の（導電性）堆積材料７３１の初期堆積速度であり得、両方の表面は、堆積材料７３１の蒸気フラックスに供され、かつ／又は曝露される。
定義
いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスは、エレクトロルミネセントデバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、電子デバイスの一部であり得る。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、ＯＬＥＤ照明パネル若しくはモジュール、並びに／又は、スマートフォン、タブレット、ラップトップ、ｅリーダなどのコンピューティングデバイスの、並びに／又は、モニタ及び／若しくはテレビセットなどの何らかの他の電子デバイスのＯＬＥＤディスプレイ若しくはモジュールであり得る。
いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスは、光子を電気に変換する有機光起電力（organic photo-voltaic、ＯＰＶ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な例において、光電子デバイスは、エレクトロルミネセント量子ドット（quantum dot、ＱＤ）デバイスであり得る。
本開示では、特に反対の指示がない限り、ＯＬＥＤデバイスに言及するが、そのような開示は、いくつかの例では、当業者には明らかなように、ＯＰＶ及び／又はＱＤデバイスを含むがこれらに限定されない、他の光電子デバイスに等しく適用可能にされ得ることを理解されたい。
かかるデバイスの構造は、２つの側面の各々から、すなわち、断面側面から、及び／又は側方（平面図）側面から説明され得る。
本開示では、基板がデバイスの「底部」であってもよく、層が基板の「上部」に配設されてもよい、上述の側方面に実質的に垂直に延在する方向の慣例に従ってもよい。かかる慣例に従って、第２の電極は、（少なくとも１つの層が堆積プロセスによって導入され得る製造プロセス中を含むがこれに限定されないいくつかの例の場合のように）基板が物理的に反転され得る場合であっても、示したデバイスの上部にあり得、それにより、層のうちの１つ（例えば、第１の電極であるがこれに限定されない）が配設され得る上面は、基板の物理的に下にあり得、堆積材料（図示せず）が上方に移動し、その上面上に薄膜として堆積されることを可能にする。
本明細書に断面側面を導入する文脈では、かかるデバイスの構成要素は、実質的に平面の側方層で示され得る。当業者であれば、かかる実質的に平面の表現は、解説のみを目的とするものであり得、かかるデバイスの側方範囲にわたって、異なる厚さ及び寸法の局所的な実質的に平面の層が存在してもよくいくつかの非限定的な例では、層が実質的に完全に存在しなくてもよく、かつ／又は非平面遷移領域（側方間隙及び更には不連続性を含む）によって分離された層を含むことを理解するであろう。したがって、解説目的のために、デバイスは、実質的に階層化された構造としてその断面側面で以下に示され得るが、以下で考察される平面図側面では、かかるデバイスは、特徴を画定するための多様なトポグラフィを解説し得、その各々は、断面側面で考察される階層化されたプロファイルを実質的に示し得る。
本開示では、「層（layer）」及び「層（strata）」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用され得る。
図に示される各層の厚さは、解説的なものにすぎず、必ずしも別の層に対する厚さを表すものではない。
説明を簡略にするために、本開示では、単一の層内の複数の要素の組み合わせをコロン「：」で表示する場合があり、一方、多層被膜内の複数の層を備える複数の要素（の組み合わせ）は、スラッシュ「／」によって２つのかかる層を分離することによって表示され得る。いくつかの非限定的な例では、スラッシュの後の層は、スラッシュに先行する層の後及び／又は上に堆積されてもよい。
説明のために、被膜、層、及び／又は材料が堆積され得る下部材料の露出層表面は、堆積時に被膜、層、及び／又は材料をその上に堆積させるために提示され得るそのような下部材料の表面であると理解され得る。
当業者であれば、構成要素、層、領域、及び／又はそれらの一部が、別の下部材料、構成要素、層、領域、及び／又は部分の上及び／又は上方に「形成される」、「配設される」、及び／又は「堆積される」と称される場合、そのような形成、配設、及び／又は堆積は、それらの間に介在する材料、構成要素、層、領域、及び／又は部分の可能性を伴って、そのような下部材料、構成要素、層、領域、及び／又は部分の（そのような形成、配設、及び／又は堆積の時点での）露出層表面上に直接的及び／又は間接的であり得ることを理解するであろう。
本開示では、「重なる」及び／又は「重なっている」という用語は、概して、複数の層及び／又は構造が配置され得る表面から実質的に垂直に離れるように延在する断面軸と交差するように配設された複数の層及び／又は構造を指すことができる。
本開示は、気相堆積に関して、少なくとも１つの層又は被膜を参照して、薄膜形成について考察するが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、デバイスの様々な構成要素が、限定ではないが、蒸着（限定ではないが、熱蒸着、及び／又は電子ビーム蒸着を含む）、フォトリソグラフィ、印刷（限定ではないが、インクジェット、及び／又は蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、及び／又はマイクロコンタクト転写印刷を含む）、ＰＶＤ（限定ではないが、スパッタリングを含む）、化学気相堆積（chemical vapor deposition、ＣＶＤ）（限定ではないが、プラズマ強化ＣＶＤ（plasma-enhanced CVD、ＰＥＣＶＤ）、及び／又は有機気相堆積（organic vapor phase deposition、ＯＶＰＤ）を含む）、レーザアニーリング、レーザ誘起熱撮像（laser-induced thermal imaging、ＬＩＴＩ）パターニング、原子層堆積（atomic-layer deposition、ＡＬＤ）、被膜（限定ではないが、スピン被膜、ダイ被膜、ライン被膜、及び／又はスプレー被膜を含む）、及び／又はそれらの組み合わせ（集合的に「堆積プロセス」）を含む、多種多様な技術を使用して選択的に堆積され得ることを理解するであろう。
いくつかのプロセスは、シャドウマスクと組み合わせて使用され得、シャドウマスクは、いくつかの非限定的な例では、様々な層及び／又は被膜のいずれかの堆積中に、オープンマスク及び／又はファインメタルマスク（ＦＭＭ）であり得、それに対して露出された下部材料の表面のある特定の部分への堆積材料の堆積をマスキング及び／又は妨げることによって様々なパターンを達成する。
本開示では、「蒸発」及び／又は「昇華」という用語は、概して、ソース材料が、例えば、非限定的に、加熱によって、蒸気に変換されて、非限定的に固体状態で、ターゲット表面上に堆積される、堆積プロセスを指すために互換的に使用され得る。理解されるように、蒸発堆積プロセスは、少なくとも１つのソース材料が低圧（真空を含むがこれに限定されない）環境下で蒸発及び／又は昇華されて蒸気モノマーを形成し、少なくとも１つの蒸発したソース材料の逆昇華によってターゲット表面上に堆積されるＰＶＤプロセスの一種であり得る。ソース材料を加熱するために様々な異なる蒸発源を使用することができ、したがって、ソース材料を様々な方式で加熱することができることが、当業者によって理解されよう。いくつかの非限定的な例では、ソース材料は、電気フィラメント、電子ビーム、誘導加熱、及び／又は抵抗加熱によって加熱されてもよい。いくつかの非限定的な例では、ソース材料は、加熱されたるつぼ、加熱されたボート、クヌーセンセル（エフュージョン蒸発器源であり得る）、及び／又は任意の他のタイプの蒸発源に装填することができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積ソース材料は混合物であり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積ソース材料の混合物の少なくとも１つの成分は、堆積プロセス中に堆積されなくてもよい（又は、いくつかの非限定的な例では、かかる混合物の他の成分と比較して比較的少量で堆積されてもよい）。
本開示では、材料の層厚、膜厚、及び／又は平均層、及び／又は膜厚への言及は、その堆積のメカニズムにかかわらず、ターゲット露出層表面上に堆積される材料の量を指すことができ、これは、言及される層厚を有する材料の均一な厚さの層でターゲット表面を被覆するための材料の量に対応する。いくつかの非限定的な例では、１０ｎｍの材料の層厚を堆積させることは、表面上に堆積される材料の量が、１０ｎｍの厚さであり得る材料の均一な厚さの層を形成するための材料の量に対応し得ることを示し得る。いくつかの非限定的な例では、上で考察された薄膜が形成されるメカニズムを考慮すると、モノマーの可能な積層又はクラスタ化に起因して、堆積材料の実際の厚さは不均一であり得ることが理解されよう。いくつかの非限定的な例では、１０ｎｍの層厚を堆積させることは、１０ｎｍより大きい実際の厚さを有する堆積材料のいくつかの部分、又は１０ｎｍ以下の実際の厚さを有する堆積材料の他の部分をもたらし得る。したがって、表面上に堆積された材料の特定の層厚は、いくつかの非限定的な例では、ターゲット表面にわたって堆積材料の平均厚さに対応し得る。
本開示では、基準層厚への言及は、高い初期付着確率又は初期付着係数を示す基準表面（すなわち、約１．０及び／又はそれに近い初期付着確率を有する表面）上に堆積され得る、堆積材料（Ｍｇなど）の層厚を指すことができる。基準層厚は、ターゲット表面（限定ではないが、パターニング被膜の表面など）上に堆積された堆積材料の実際の厚さを示さなくてもよい。むしろ、基準層厚さは、ターゲット表面及び基準表面を同じ堆積期間にわたって堆積材料の同一の蒸気フラックスに供したときに、堆積速度及び基準層厚さを監視するために堆積チャンバ内に位置決めされた基準表面、一部の非限定的な例では、石英結晶の表面上に堆積される堆積材料の層厚さを指すことができる。当業者であれば、ターゲット表面及び基準表面が堆積中に同時に同一の蒸気フラックスに供されない場合には、適切なツーリングファクタを使用して、基準層の厚さを決定及び／又は監視することができることを理解するであろう。
本開示では、基準堆積速度は、堆積材料の層が、堆積チャンバ内で試料表面と同一に位置決めされ、構成された場合に、基準表面上で成長するであろう速度を指し得る。
本開示では、ある数Ｘの材料の単層を堆積させることへの言及は、例えば、非限定的に、閉鎖被膜で、材料の構成モノマーのＸ単層で露出層表面の所与の面積を被覆する量の材料を堆積させることを指すことができる。
本開示では、材料の単層の一部を堆積させることへの言及は、露出層表面の所与の面積のかかる一部を材料の構成モノマーの単層で被覆する量の材料を堆積させることを指すことができる。当業者は、いくつかの非限定的な例では、モノマーの可能なスタッキング及び／又はクラスタリングに起因して、表面の所与のエリアにわたる堆積材料の実際の局所的な厚さが不均一であり得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、材料の１つの単分子層を堆積させることは、材料によって被覆されていない表面の所与のエリアのいくつかの局所領域をもたらし得るが、表面の所与のエリアの他の局所領域は、その上に堆積された複数の原子層及び／又は分子層を有し得る。
本開示では、ターゲット表面（及び／又はそのターゲット領域）は、任意の好適な決定メカニズムによって決定されるように、ターゲット表面上に材料が実質的に不在であり得る場合、材料を「実質的に欠いている」、「実質的に含まない」、及び／又は「実質的に被覆されていない」とみなされ得る。
本開示では、「付着確率」及び「付着係数」という用語は、互換的に使用され得る。
本開示では、「核形成」という用語は、気相中のモノマーが表面上に凝縮して核を形成する、薄膜形成プロセスの核形成段階を指し得る。
本開示では、いくつかの非限定的な例では、文脈が示すように、「パターニング被膜」及び「パターニング材料」という用語は、同様の概念を指すために交換可能に使用されてもよく、堆積層をパターニングするために選択的に堆積される文脈での本明細書のパターニング被膜への言及は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料及び／又は電極被膜材料をパターニングするためのその選択的堆積の文脈でのパターニング材料に適用可能であってもよい。
同様に、いくつかの非限定的な例では、文脈が示すように、「パターニング被膜」及び「パターニング材料」という用語は、同様の概念を指すために交換可能に使用されてもよく、堆積層をパターニングするために選択的に堆積される文脈での本明細書のＮＰＣへの言及は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料及び／又は電極被膜をパターニングするためのその選択的堆積の文脈でのＮＰＣに適用可能であってもよい。
パターニング材料は、核形成阻害又は核形成促進のいずれかであり得るが、本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を除き、本明細書におけるパターニング材料への言及は、ＮＩＣへの言及であることが意図される。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜への言及は、本明細書に記載される特定の組成物を有する被膜を意味し得る。
本開示では、「堆積層」、「導電性被膜」、及び「電極被膜」という用語は、パターニング被膜の選択的堆積によってパターニングされるという文脈において、本明細書の堆積層と同様の概念及び言及を指すために交換可能に使用され得、及び／又はＮＰＣは、いくつかの非限定的な例では、パターニング材料の選択的堆積によってパターニングされるという文脈において、堆積層に適用可能であり得る。いくつかの非限定的な例では、電極被膜への言及は、本明細書に記載されるような特定の組成を有する被膜を意味し得る。同様に、本開示では、「堆積層材料」、「堆積材料」、「導電性被膜材料」、及び「電極被膜材料」という用語は、本明細書の堆積材料に対する同様の概念及び言及を指すために交換可能に使用され得る。
いくつかの非限定的な例では、化合物の断片又は一部を示す分子式は、（記号＊で示される）アスタリスクに接続された少なくとも１つの結合を含み得、これらは、そのような断片又は一部が付着し得る化合物の別の原子（図示せず）への結合を示すために使用され得る。
本開示では、有機材料は、限定されるものではないが、多種多様な有機分子及び／又は有機ポリマーを含み得ることが当業者に理解されよう。更に、元素及び／又は無機化合物を非限定的に含む様々な無機物質でドープされた有機材料が、依然として有機材料とみなされ得ることが、当業者によって理解されよう。なお更に、様々な有機材料が使用され得ること、及び本明細書中に記載されるプロセスは、概して、かかる有機材料の全範囲に適用可能であることが、当業者によって理解されよう。なお更に、金属及び／又は他の有機元素を含有する有機材料も有機材料とみなすことができることは、当業者によって理解されよう。なお更に、様々な有機材料が分子、オリゴマー、及び／又はポリマーであり得ることが、当業者によって理解されよう。
本明細書で使用されるように、有機－無機ハイブリッド材料は、概して、有機成分及び無機成分の両方を含む材料を指し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる有機－無機ハイブリッド材料は、有機部分及び無機部分を含む有機－無機ハイブリッド化合物を含み得る。かかる有機－無機ハイブリッド化合物の非限定的な例としては、無機足場が少なくとも１つの有機官能基で官能化されているものが挙げられる。かかる有機－無機ハイブリッド材料の非限定的な例としては、シロキサン基、シルセスキオキサン基、多面体オリゴマーシルセスキオキサン（polyhedral oligomeric silsesquioxane、ＰＯＳＳ）基、ホスファゼン基、及び金属錯体のうちの少なくとも１つを含むものが挙げられる。
本開示では、半導体材料は、概してバンド間隙を示す材料として説明され得る。いくつかの非限定的な例では、バンド間隙は、半導体材料の最高被占分子軌道（highest occupied molecular orbital、ＨＯＭＯ）と最低空分子軌道（lowest unoccupied molecular orbital、ＬＵＭＯ）との間に形成され得る。したがって、半導体材料は、概して、導電性材料（金属を非限定的に含む）の導電率以下であるが、絶縁材料（ガラスを非限定的に含む）の導電率よりも大きい導電率を示す。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は、有機半導体材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は、無機半導体材料を含み得る。
本明細書で使用されるように、オリゴマーは、概して、少なくとも２つのモノマー単位又はモノマーを含む材料を指し得る。当業者によって理解されるように、オリゴマーは、限定されないが、（１）その中に含有されるモノマー単位の数、（２）分子量、及び（３）他の材料特性及び／又は特徴を含む少なくとも１つの態様において、ポリマーとは異なり得る。いくつかの非限定的な例では、ポリマー及びオリゴマーの更なる説明は、Ｎａｋａ Ｋ．（２０１４）Ｍｏｎｏｍｅｒｓ，Ｏｌｉｇｏｍｅｒｓ，Ｐｏｌｙｍｅｒｓ，ａｎｄ Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ（Ｏｖｅｒｖｉｅｗ），ａｎｄ ｉｎ Ｋｏｂａｙａｓｈｉ Ｓ．，Ｍｕｌｌｅｎ Ｋ．（ｅｄｓ．）Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｎａｎｏｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｓｐｒｉｎｇｅｒ，Ｂｅｒｌｉｎ，Ｈｅｉｄｅｌｂｅｒｇにおいて見出され得る。
オリゴマー又はポリマーは、概して、一緒に化学的に結合して分子を形成し得るモノマー単位を含み得る。かかるモノマー単位は、分子が繰り返しモノマー単位によって主に形成されるように、互いに実質的に同一であってもよく、又は分子は、複数の異なるモノマー単位を含み得る。追加的に、分子は、分子のモノマー単位とは異なり得る少なくとも１つの末端単位を含み得る。オリゴマー又はポリマーは、直鎖状、分岐状、環状、シクロ直鎖状、及び／又は架橋されていてもよい。オリゴマー又はポリマーは、繰り返しパターンで、かつ／又は異なるモノマー単位の交互ブロックで配置された複数の異なるモノマー単位を含み得る。
本開示では、ＯＬＥＤデバイス中の層は、いくつかの非限定的な例では、有機半導体材料を含み得るので、「半導体層」という用語は、「有機層」と互換的に使用され得る。
本発明では、無機物は、無機材料を主成分とする物質を指し得る。本開示では、無機材料は、限定されないが、金属、ガラス、及び／又は鉱物を含む、有機材料であるとはみなされない任意の材料を含み得る。
本開示では、本明細書で使用される場合の「開口率」という用語は、概して、ディスプレイパネル（の一部）内の面積の、そのようなディスプレイパネル（の一部）内に存在する少なくとも１つの特徴によって占有される、及び／又はそれに起因する、平面図における割合を指す。
本開示では、「ＥＭ放射線」、「光子」、及び「光」という用語は、同様の概念を指すために交換可能に使用され得る。本開示では、ＥＭ放射線は、可視スペクトル内、赤外線（infrared、ＩＲ）領域（ＩＲスペクトル）では、近赤外領域（ＮＩＲスペクトル）、紫外（ultraviolet、ＵＶ）領域（ＵＶスペクトル）、及び／又はそのＵＶＡ領域（ＵＶＡスペクトル）（約３１５～４００ｎｍの波長範囲に対応し得る）、及び／又はそのＵＶＢ領域（ＵＶＢスペクトル）（約２８０～３１５ｎｍの波長に対応し得る）内にある波長を有し得る。
本開示では、本明細書で使用される「可視スペクトル」という用語は、概して、ＥＭスペクトルの可視部における少なくとも１つの波長を指す。
当業者によって理解されるように、かかる可視部は、約３８０～７４０ｎｍの任意の波長に対応し得る。概して、エレクトロルミネセントデバイスは、約４２５～７２５ｎｍの範囲の波長を有するＥＭ放射線、より具体的には、いくつかの非限定的な例では、それぞれ、Ｂ（青）、Ｇ（緑）、及びＲ（赤）サブピクセルに対応する、４５６ｎｍ、５２８ｎｍ、及び６２４ｎｍのピーク放射波長を有するＥＭ放射線を放射及び／又は透過するように構成され得る。したがって、かかるエレクトロルミネセントデバイスの文脈では、可視部は、約４２５～７２５ｎｍ、又は約４５６～６２４ｎｍの任意の波長を指し得る。可視スペクトル内の波長を有するＥＭ放射線は、いくつかの非限定的な例では、本明細書では「可視光」と称されることもある。
本開示において、本明細書で使用される「発光スペクトル」という用語は、概して、光電子デバイスによって放射される光のエレクトロルミネセンススペクトルを指す。いくつかの非限定的な例では、発光スペクトルは、いくつかの非限定的な例では、ある波長範囲にわたるＥＭ放射線の強度を測定することができる分光光度計などの光学機器を使用して検出することができる。
本開示では、本明細書で使用される「開始波長」という用語は、概して、発光スペクトル内で発光が検出される最も低い波長を指すことができる。
本開示では、「ピーク波長」という用語は、概して放射スペクトル内で最大光度が検出される波長を指し得る。
いくつかの非限定的な例では、開始波長は、ピーク波長未満であり得る。いくつかの非限定的な例では、開始波長λｏｎｓｅｔは、光度が、ピーク波長における光度の約１０％以下、約５％以下、約３％以下、約１％以下、約０．５％以下、約０．１％以下、及び約０．０１％以下のうちの１つである波長に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、可視スペクトルのＲ（赤）部分に存在する放射スペクトルは、約６００～６４０ｎｍの波長範囲に存在し得るピーク波長によって特徴付けられ得、いくつかの非限定的な例では、実質的に約６２０ｎｍであり得る。
いくつかの非限定的な例では、可視スペクトルのＧ（緑）部分に存在する放射スペクトルは、約５１０～５４０ｎｍの波長範囲に存在し得るピーク波長によって特徴付けられ得、いくつかの非限定的な例では、実質的に約５３０ｎｍであり得る。
いくつかの非限定的な例では、可視スペクトルのＢ（青）部分にある放射スペクトルは、約４５０～４６０ｎｍの波長範囲にあり得るピーク波長λｍａｘによって特徴付けられ得、いくつかの非限定的な例では、実質的に約４５５ｎｍであり得る。
本開示では、本明細書で使用される「ＩＲ信号」という用語は、概して、ＥＭスペクトルのＩＲサブセット（ＩＲスペクトル）内の波長を有するＥＭ放射線を指し得る。ＩＲ信号は、いくつかの非限定的な例では、その近赤外（ｎｅａｒ－ｉｎｆｒａｒｅｄ、ＮＩＲ）サブセット（ＮＩＲスペクトル）に対応する波長を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＲ信号は、約７５０～１４００ｎｍ、約７５０～１３００ｎｍ、約８００～１３００ｎｍ、約８００～１２００ｎｍ、約８５０～１３００ｎｍ、及び約９００～１３００ｎｍのうちの１つの波長を有することができる。
本開示では、「吸収スペクトル」という用語は、本明細書で使用される場合、概して、吸収が集中し得るＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲を指し得る。
本開示では、本明細書で使用される「吸収端」、「吸収不連続性」、及び／又は「吸収限界」という用語は、概して、物質の吸収スペクトルにおける鋭い不連続性を指し得る。いくつかの非限定的な例では、吸収端は、吸収されたＥＭ放射線のエネルギーが電子遷移及び／又はイオン化ポテンシャルに対応し得る波長で生じる傾向があり得る。
本開示では、本明細書で使用される「吸光係数」という用語は、概して、ＥＭ係数が材料を通って伝搬するときに減衰され得る程度を指し得る。いくつかの非限定的な例では、吸光係数は、複素屈折率の虚数成分ｋに対応すると理解され得る。いくつかの非限定的な例では、材料の吸光係数は、偏光解析法を非限定的に含む様々な方法によって測定することができる。
本開示では、媒体を説明するために本明細書で使用される「屈折率（refractive index）」及び／又は「屈折率（index）」という用語は、真空中の光の速度に対するかかる媒体中の光の速度の比から計算される値を指し得る。本開示では、特に、薄膜層及び／又は被膜を非限定的に含む実質的に透明な材料の特性を説明するために使用される場合、これらの用語は、式Ｎ＝ｎ＋ｉｋにおける実数部ｎに対応し得、式中、Ｎは、複素屈折率を表し得、ｋは、吸光係数を表し得る。
当業者によって理解されるように、限定ではないが、薄膜層及び／又は被膜を含む、実質的に透明な材料は、概して、可視スペクトル内で比較的低い吸光係数値を示し得るため、式の虚数成分は、複素屈折率にほとんど寄与しない場合がある。一方、例えば、金属薄膜によって形成された光透過性電極は、可視スペクトルにおいて比較的低い屈折率値及び比較的高い吸光係数値を示し得る。したがって、かかる薄膜の複素屈折率Ｎは、主にその虚数成分ｋによって決定され得る。
本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を除き、屈折率への特定性を伴わない言及は、複素屈折率Ｎの実数部ｎへの言及であることが意図され得る。
いくつかの非限定的な例では、屈折率と透過率との間には概して正の相関があり得、又は換言すれば、屈折率と吸収との間には概して負の相関があり得る。いくつかの非限定的な例では、物質の吸収端は、吸光係数が０に近づく波長に対応し得る。
本開示では、ピクセルの概念は、その少なくとも１つのサブピクセルの概念と併せて考察され得る。単に説明を簡略にするために、かかる複合概念は、本明細書では「（サブ）ピクセル」と称されることがあり、かかる用語は、文脈上別段の指示がない限り、ピクセル及び／又はその少なくとも１つのサブピクセルのいずれか又は両方を示唆するものと理解され得る。
いくつかの非限定的な例では、表面上の材料の量の１つの尺度は、かかる材料による表面の被覆率であり得る。いくつかの非限定的な例では、表面被覆率は、ＴＥＭ、ＡＦＭ、及び／又はＳＥＭを含むがこれらに限定されない様々な撮像技術を使用して評価することができる。
本開示では、「粒子」、「アイランド」、及び「クラスタ」という用語は、類似の概念を指すために交換可能に使用され得る。
本開示では、説明を簡略にするために、本明細書で使用される「被膜」、「閉鎖被膜」、及び／又は「閉鎖膜」という用語は、薄膜構造、及び／又は堆積層に使用される堆積材料の被膜を指すことができ、表面の関連する部分は、それによって実質的に被覆されてもよく、したがって、かかる表面は、その上に堆積された被膜によって、又はそれを通して実質的に露出されない場合がある。
本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を除き、薄膜への特定性のない言及は、実質的な閉鎖被膜への言及であることが意図され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層及び／又は堆積材料の閉鎖被膜は、いくつかの非限定的な例では、下地表面の一部を被覆するように配設されてもよく、かかる部分内で、その中の下地表面の約４０％以下、約３０％以下、約２５％以下、約２０％以下、約１５％以下、約１０％以下、約５％以下、約３％以下、及び約１％以下のうちの１つが、閉鎖被膜によって、又は閉鎖被膜を通して露出されてもよい。
当業者であれば、限定されるものではないが、本明細書に記載されるものを含む様々な技術及びプロセスを用いて閉鎖被膜をパターニングして、閉鎖被膜の堆積後に露出されるべき下地表面の露出層表面の一部を意図的に残すことができることを理解するであろう。本開示では、かかるパターニングされた膜は、それにもかかわらず、いくつかの非限定的な例では、かかるパターニングの文脈内で、下地表面の露出層表面のかかる故意に露出された部分の間に堆積される薄膜及び／又は被膜が、それ自体実質的な閉鎖被膜を含む場合、閉鎖被膜を構成するとみなすことができる。
当業者は、堆積プロセスにおける固有の変動性、及びいくつかの非限定的な例では、堆積材料、いくつかの非限定的な例では、堆積材料、及び下部材料の露出層表面のいずれか又は両方における不純物の存在に起因して、本明細書に記載されるものを含むがこれらに限定されない様々な技術及びプロセスを使用する薄膜の堆積は、それにもかかわらず、ピンホール、裂け目、及び／又は亀裂を含むがこれらに限定されない小さな開口部の形成をもたらし得ることを理解するであろう。本開示では、いくつかの非限定的な例では、堆積される薄膜及び／又は被膜が、実質的な閉鎖被膜を含み、かかる開口の存在にもかかわらず、記載される任意の特定の被覆率基準を満たす場合、かかる薄膜は、それにもかかわらず、閉鎖被膜を構成するとみなすことができる。
本開示では、説明を簡略にするために、本明細書で使用される「不連続層」という用語は、堆積層に使用される材料の薄膜構造及び／又は被膜を指すことができ、それによって被覆された表面の関連部分は、かかる材料を実質的に欠いていてもよく、その閉鎖被膜を形成することもない。いくつかの非限定的な例では、堆積材料の不連続層は、かかる表面上に配設された複数の離散したアイランドとして現れ得る。
本開示では、説明を簡単にするために、閉じた被膜が形成された段階に（まだ）達していない、下部材料の露出層表面上への蒸気モノマーの堆積の結果を、「中間段階層」と呼ぶことがある。いくつかの非限定的な例では、かかる中間段階層は、堆積プロセスが完了していないことを反映してもよく、かかる中間段階層は、閉鎖被膜の形成の中間段階とみなすことができる。いくつかの非限定的な例では、中間段階層は、完了した堆積プロセスの結果であってもよく、したがって、それ自体で形成の最終段階を構成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、中間段階層は、不連続層よりも薄膜に酷似し得るが、少なくとも１つの樹枝状突起及び／又は少なくとも１つの樹枝状凹部を含むがこれらに限定されない開口及び／又は間隙を表面被覆において有し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる中間段階層は、閉鎖被膜を形成しないように、堆積材料の単一の単層の一部を備え得る。
本開示では、説明を簡略にするために、堆積層を非限定的に含む被膜に関して、「樹枝状（ｄｅｎｄｒｉｔｉｃ）」という用語は、側方面から見たときに分岐構造に似た特徴を指し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層は、樹枝状突起及び／又は樹枝状凹部を含み得る。いくつかの非限定的な例では、樹枝状突起は、物理的に接続され、実質的に外側に延在する複数の短い突起を含む分岐構造を示す堆積層の一部に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、樹枝状凹部は、物理的に接続され、実質的に外向きに延在する堆積層の間隙、開口部、及び／又は被覆されていない部分の分岐構造に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、樹枝状凹部は、樹枝状突起のパターンに対する鏡像及び／又は逆パターンを含むがこれらに限定されないパターンに対応し得る。いくつかの非限定的な例では、樹枝状突起及び／又は樹枝状凹部は、フラクタルパターン、メッシュ、ウェブ、及び／又は交互嵌合構造を示す、かつ／又は模倣する構成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、シート抵抗は、かかる構成要素、層、及び／又は部品を通過する電流の特性を変更し得る、構成要素、層、及び／又は部品の特性であり得る。いくつかの非限定的な例では、被膜のシート抵抗は、概して、デバイスの他の構成要素、層、及び／又は部品から分離して測定及び／又は決定される、被膜の特徴的シート抵抗に対応し得る。
本開示では、堆積密度は、いくつかの非限定的な例では、その中の堆積材料の面積及び／又は体積を備え得る、領域内の分布を指し得る。当業者は、かかる堆積密度が、かかる堆積材料を含み得る粒子構造自体内の質量又は材料の密度と無関係であり得ることを理解するであろう。本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を除き、堆積密度及び／又は密度への言及は、エリア内の少なくとも１つの粒子を非限定的に含む、かかる堆積材料の分布への言及であることが意図され得る。
いくつかの非限定的な例では、金属の結合解離エネルギーは、金属の２つの同一の原子によって形成される二原子分子の結合の破壊から２９８Ｋで測定される標準状態エンタルピー変化に対応し得る。結合解離エネルギーは、いくつかの非限定的な例では、Ｌｕｏ，Ｙｕ－Ｒａｎ，「Ｂｏｎｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ」（２０１０）を含むがこれらに限定されない既知の文献に基づいて決定され得る。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、ＮＰＣを提供することにより、特定の表面上への堆積層の堆積が容易になり得ると仮定される。
ＮＰＣを形成するのに好適な材料の非限定的な例は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、及び／又はポスト遷移金属、金属フッ化物、金属酸化物、及び／又はフラーレンを含むがこれらに限定されない少なくとも１つの金属を含み得るが、これらに限定されない。
そのような材料の非限定的な例は、Ｃａ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｙｂ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、フッ化イッテルビウム（ＹｂＦ３）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、及び／又はフッ化セシウム（ＣｓＦ）を含む。
本開示では、「フラーレン」という用語は、概して、炭素分子を含む材料を指し得る。フラーレン分子の非限定的な例としては、閉じたシェルを形成する複数の炭素原子を含み、かつ限定はしないが、球形及び／又は半球形の形状であり得る、三次元骨格を非限定的に含む炭素ケージ分子が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、フラーレン分子は、Ｃｎとして指定されてもよく、ｎは、フラーレン分子の炭素骨格に含まれる複数の炭素原子に対応する整数であり得る。フラーレン分子の非限定的な例としては、Ｃｎが挙げられ、式中、ｎは、５０～２５０の範囲であり得、例えば、限定されないが、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７２、Ｃ７４、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８０、Ｃ８２、及びＣ８４などである。フラーレン分子の更なる非限定的な例としては、単壁カーボンナノチューブ及び／又は多壁カーボンナノチューブを含むがこれらに限定されない、チューブ状及び／又は円筒形状の炭素分子が挙げられる。
発見及び実験的観察に基づいて、本明細書で更に議論されるように、限定はしないが、フラーレン、限定はしないが、Ａｇ及び／若しくはＹｂを含む金属、並びに／又は限定はしないが、ＩＴＯ及び／若しくはＩＺＯを含む金属酸化物を含む核形成促進材料が、限定はしないが、Ｍｇを含む堆積層の堆積のための核形成部位として機能し得ることを仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣを形成するための使用に好適な材料として、少なくとも約０．４、少なくとも約０．５、少なくとも約０．６、少なくとも約０．７、少なくとも約０．７５、少なくとも約０．８、少なくとも約０．９、少なくとも約０．９３、少なくとも約０．９５、少なくとも約０．９８、若しくは少なくとも約０．９９のうちの少なくとも１つの堆積層の材料の初期付着確率を示すか、又はそれを有するものとして特徴付けられるものが挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、限定されないが、フラーレン処理された表面上での蒸発プロセスを使用してＭｇが堆積されるシナリオでは、いくつかの非限定的な例では、フラーレン分子は、Ｍｇ堆積のための安定した核の形成を促進し得る核形成部位として機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、フラーレンを含むがこれに限定されないＮＰＣの単分子層以下が、Ｍｇの堆積のための核形成部位として機能するように、処理された表面上に提供され得る。
いくつかの非限定的な例では、その上にＮＰＣの複数の単層を堆積させることによって表面を処理することは、より多数の核形成部位、したがって、より高い初期付着確率をもたらし得る。
当業者であれば、表面上に堆積されるフラーレンを含むがこれに限定されない材料の量は、１つの単層よりも多くても少なくてもよいことを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、かかる表面は、核形成助長材料及び／又は核形成阻害材料の約０．１、約１、約１０、及びそれを上回る単層のうちの１つを堆積させることによって処理することができる。
いくつかの非限定的な例では、下部材料の露出層表面上に堆積されたＮＰＣの平均層厚は、約１～５ｎｍ及び約１～３ｎｍのうちの１つであり得る。
本開示の特徴又は態様がマーカッシュグループに関して説明され得る場合、本開示はまた、それによって、そのようなマーカッシュグループのメンバーのサブグループの任意の個々のメンバーに関して説明され得ることが、当業者によって理解されるであろう。
用語
単数形での言及は、別段の記載がない限り、複数形を含むことができ、逆もまた同様である。
本明細書で使用されるように、「第１の」及び「第２の」などの関係用語、並びに「ａ」、「ｂ」などの番号付けデバイスは、かかるエンティティ又は要素間の任意の物理的又は論理的関係あるいは順序を必ずしも要求又は暗示することなく、１つのエンティティ又は要素を別のエンティティ又は要素から区別するためだけに使用され得る。
「含む（including）」及び「備える（comprising）」という用語は、拡張的かつ非限定的に使用されてもよく、したがって、「含むが、それに限定されない」を意味すると解釈されるべきである。「例（example）」及び「例示的（exemplary）」という用語は、単に、解説目的で事例を識別するために使用され得、本発明の範囲を述べられた事例に限定するものと解釈されるべきではない。具体的には、「例示的」という用語は、設計、性能、又はその他の点に関してであれ、それが使用される表現に対して、任意の寛大な、有益な、又は他の品質を表示するか、又は付与するものと解釈されるべきではない。
更に、「臨界」という用語は、特に「臨界核」、「臨界核形成速度」、「臨界濃度」、「臨界クラスタ」、「臨界モノマー」、「臨界粒子構造サイズ」、及び／又は「臨界表面張力」という表現で使用される場合、当業者に精通される用語であってもよく、ある品質、特性又は現象が明確な変化を受ける測定値若しくは点に関連するか、又はその状態にあることを含む。したがって、「臨界」という用語は、設計、性能、又はその他の点に関してであれ、それが使用される表現に対して何らかの重要性若しくは重要性を表示するか又は与えるものと解釈されるべきではない。
任意の形態の「結合する」及び「通信する」という用語は、光学的、電気的、機械的、化学的、又はその他にかかわらず、何らかのインターフェース、デバイス、中間構成要素、又は接続を介した直接接続若しくは間接接続のいずれかを意味することが意図され得る。
別の構成要素に対する第１の構成要素、及び／又は別の構成要素を「被覆する（covering）」若しくは「被覆する（covers）」に関して使用される場合の「上（on）」又は「上（over）」という用語は、第１の構成要素が他の構成要素の直接上にある（それと物理的に接触していることを非限定的に含む）状況、並びに少なくとも１つの介在構成要素が第１の構成要素と他の構成要素との間に位置決めされている場合を包含し得る。
「上方（upward）」、「下方（downward）」、「左（left）」及び「右（right）」などの方向を示す用語は、別段の記載がない限り、参照される図面における方向を指すために使用され得る。同様に、「内向き（inward）」及び「外向き（outward）」などの単語は、それぞれ、デバイス、エリア、若しくは体積、又はそれらの指定された部分の幾何学的中心に向かう方向、及びそれから離れる方向を指すために使用され得る。更に、本明細書に記載される全ての寸法は、単に特定の例を解説する目的の一例であることが意図されてもよく、本開示の範囲を、指定され得るような寸法から逸脱し得る任意の例に限定することが意図されなくてもよい。
本明細書で使用されるように、「実質的に」、「実質的な」、「およそ」、及び／又は「約」という用語は、小さい変動を表示し、説明するために使用され得る。事象又は状況と併せて使用される場合、かかる用語は、事象又は状況が正確に発生する事例、並びに事象又は状況が非常に近似して発生する事例を指し得る。いくつかの非限定的な例では、数値と併せて使用される場合、かかる用語は、約±５％以下、約±４％以下、約±３％以下、約±２％以下、約±１％以下、約±０．５％以下、約±０．１％以下、及び約±０．０５％以下のうちの１つなど、かかる数値の約±１０％以下の変動の範囲を指し得る。
本明細書で使用される場合、「から実質的に構成される（consisting substantially of）」という語句は、具体的に列挙された要素、及び記載された技術の基本的かつ新規な特徴に実質的に影響を及ぼさない任意の追加の要素を含むと理解されてもよく、一方、いかなる修飾語も使用しない「から構成される（consisting of）」という語句は、具体的に列挙されていない任意の要素を除外してもよい。
当業者によって理解されるように、任意の及び全ての目的のために、特に書面による説明を提供することに関して、本明細書に開示される全ての範囲はまた、任意の及び全ての可能なサブ範囲、及び／又はそのサブ範囲の組み合わせを包含し得る。任意の列挙された範囲は、十分に説明するものとして、かつ／又は同じ範囲が、半分、３分の１、４分の１、５分の１、１０分の１などを非限定的に含む、少なくともその等しい分数に分割されることを十分に説明及び／又は可能にするものとして容易に認識され得る。非限定的な例として、本明細書で考察される各範囲は、下３分の１、中央３分の１、及び／又は上３分の１などに容易に分割され得る。
また、当業者によって理解されるように、「最大で」、「少なくとも」、「より大きい」、「より小さい」などの全ての言語及び／又は用語は、列挙される範囲を含み得、及び／又はそれを指し得、また、本明細書で議論されるように、後に部分範囲に分割され得る範囲を指し得る。
当業者によって理解されるように、範囲は、列挙された範囲の各個々のメンバーを含み得る。
一般事項
要約の目的は、関連する特許庁又は一般公衆、具体的には、特許又は法律の用語又は語法に精通していない当業者が、大まかな調査から、技術的開示の性質を迅速に判断することを可能にすることである。要約は、本開示の範囲を定義することを意図するものではなく、また、本開示の範囲を限定することを意図するものでもない。
本開示の一例の構造、製造、及び使用は、上で考察されている。考察される特定の例は、本明細書で開示される概念を作成及び使用するための特定の方法の単なる解説にすぎず、本開示の範囲を限定するものではない。むしろ、本明細書に記載された一般的な原理は、本開示の範囲の単なる解説にすぎない。
本明細書に具体的に開示されているか否かにかかわらず、特許請求の範囲によって説明され、提供される実装形態の詳細によって説明されず、変更、省略、追加若しくは置換によって、並びに／又は任意の要素及び／若しくは限定がない場合に代替形態及び／若しくは同等の機能要素を用いて修正され得る本開示は、当業者には明らかであり、本明細書に開示される例に対して行われ得、本開示から逸脱することなく、多種多様な特定の状況において具現化され得る多くの適用可能な発明概念を提供し得ることを理解されたい。
具体的には、上述の例のうちの少なくとも１つにおいて記載及び解説された特徴、技術、システム、サブシステム、及び方法は、個別又は別個として記載及び解説されているか否かにかかわらず、本開示の範囲から逸脱することなく別のシステムにおいて組み合わせるか又は統合して、明示的に上述されていない場合がある特徴の組み合わせ又は部分的組み合わせから構成される代替的な例を創出することができ、又は特定の特徴を省略するか又は実装しないことが可能である。かかる組み合わせ及び部分的組み合わせに好適な特徴は、本出願を全体として検討すれば、当業者には容易に明らかになるであろう。変更、置換、及び修正の他の例は、容易に確認可能であり、本明細書に開示される趣旨及び範囲から逸脱することなく行うことができる。
本開示の原理、態様、及び例、並びにそれらの特定の例を列挙する本明細書の全ての記述は、それらの構造的均等物と機能的均等物の両方を包含し、技術における全ての好適な変更を網羅し、包含することが意図される。追加的に、そのような均等物は、現在知られている均等物及び将来開発される均等物、すなわち、構造にかかわらず同じ機能を実行する開発された任意の要素の両方を含むことが意図されている。
付記
本開示は、限定されないが、以下の付記を含む。
パターニング被膜は、パターニング材料４１１を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜の堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率は、露出層表面の堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率以下である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、堆積材料５３１の閉鎖被膜を実質的に欠いている、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約０．９以下、約０．３以下、約０．２以下、約０．１５以下、約０．１以下、約０．０８以下、約０．０５以下、約０．０３以下、約０．０２以下、約０．０１以下、約０．００８以下、約０．００５以下、約０．００３以下、約０．００１以下、約０．０００８以下、約０．０００５以下、約０．０００３以下、及び約０．０００１以下のうちの少なくとも１つである、堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約０．９以下、約０．３以下、約０．２以下、約０．１５以下、約０．１以下、約０．０８以下、約０．０５以下、約０．０３以下、約０．０２以下、約０．０１以下、約０．００８以下、約０．００５以下、約０．００３以下、約０．００１以下、約０．０００８以下、約０．０００５以下、約０．０００３以下、及び約０．０００１以下のうちの少なくとも１つである、銀（Ａｇ）及びマグネシウム（Ｍｇ）のうちの少なくとも一方の堆積に抗する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約０．１５～０．０００１、約０．１～０．０００３、約０．０８～０．０００５、約０．０８～０．０００８、約０．０５～０．００１、約０．０３～０．０００１、約０．０３～０．０００３、約０．０３～０．０００５、約０．０３～０．０００８、約０．０３～０．００１、約０．０３～０．００５、約０．０３～０．００８、約０．０３～０．０１、約０．０２～０．０００１、約０．０２～０．０００３、約０．０２～０．０００５、約０．０２～０．０００８、約０．０２～０．００１、約０．０２～０．００５、約０．０２～０．００８、約０．０２～０．０１、約０．０１～０．０００１、約０．０１～０．０００３、約０．０１～０．０００５、約０．０１～０．０００８、約０．０１～０．００１、約０．０１～０．００５、約０．０１～０．００８、約０．００８～－０．０００１、約０．００８～０．０００３、約０．００８～０．０００５、約０．００８～０．０００８、約０．００８～０．００１、約０．００８～０．００５、約０．００５～０．０００１、約０．００５～０．０００３、約０．００５～０．０００５、約０．００５～０．０００８、及び約０．００５～０．００１のうちの少なくとも１つの、堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約０．３、０．２、０．１８、０．１５、０．１３、０．１、０．０８、０．０５、０．０３、０．０２、０．０１、０．００８、０．００５、０．００３、及び０．００１のうちの少なくとも１つである閾値以下である、堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、Ａｇ、Ｍｇ、イッテルビウム（Ｙｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、及び亜鉛（Ｚｎ）のうちの少なくとも１つの堆積に抗する、閾値以下である初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
閾値は、第１の堆積材料５３１の堆積に抗する第１の閾値と、第２の堆積材料５３１の堆積に抗する第２の閾値とを有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
第１の堆積材料５３１はＡｇであり、第２の堆積材料５３１はＭｇである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
第１の堆積材料５３１はＡｇであり、第２の堆積材料５３１はＹｂである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
第１の堆積材料５３１はＹｂであり、第２の堆積材料５３１がＭｇである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
第１の閾値は、第２の閾値を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、堆積材料５３１の蒸気フラックス１８３２に供された後に、少なくとも閾値透過率値のＥＭ放射線に対する透過率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
閾値透過率値は、可視スペクトル内の波長で測定される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
閾値透過率値は、デバイスを透過する入射ＥＭパワーの少なくとも約６０％、少なくとも約６５％、少なくとも約７０％、少なくとも約７５％、少なくとも約８０％、少なくとも約８５％、及び少なくとも約９０％のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約２４ダイン／ｃｍ以下、約２２ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、及び約１１ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つの表面エネルギーを有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、少なくとも約６ダイン／ｃｍ、少なくとも約７ダイン／ｃｍ、及び少なくとも約８ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つである表面エネルギーを有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約１０～２０ダイン／ｃｍ、及び約１３～１９ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つである表面エネルギーを有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約１．５５以下、約１．５以下、約１．４５以下、約１．４３以下、約１．４以下、約１．３９以下、約１．３７以下、約１．３５以下、約１．３２以下、及び約１．３以下のうちの少なくとも１つである、５５０ｎｍの波長のＥＭ放射に対する屈折率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約６００ｎｍ、５００ｎｍ、４６０ｎｍ、４２０ｎｍ、及び４１０ｎｍのうちの少なくとも１つを上回る波長の光子に対して約０．０１以下である吸光係数を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、少なくとも約４００ｎｍ、少なくとも約３９０ｎｍ、少なくとも約３８０ｎｍ、及び少なくとも約３７０ｎｍのうちの少なくとも１つよりも短い波長のＥＭ放射に対して、少なくとも約０．０５、少なくとも約０．１、少なくとも約０．２、少なくとも約０．５のうちの少なくとも１つである吸光係数を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、（ｉ）少なくとも約３００℃、少なくとも約１５０℃、少なくとも約１３０℃、少なくとも約１２０℃、及び少なくとも約１００℃のうちの少なくとも１つ、並びに（ｉｉ）約３０℃以下、約０℃以下、約－３０℃以下、及び約－５０℃以下のうちの少なくとも１つ、のうちの少なくとも１つであるガラス転移温度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング材料４１１は、約１００～３２０℃、約１２０～３００℃、約１４０～２８０℃、及び約１５０～２５０℃のうちの少なくとも１つの昇華温度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、フッ素原子及びケイ素原子のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、フッ素及び炭素を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
フッ素を炭素で除算した商の原子比は、約１、１．５、及び２のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、オリゴマーを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、主鎖と、主鎖に結合した少なくとも１つの官能基とを含有する分子構造を有する化合物を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
化合物は、シロキサン基、シルセスキオキサン基、アリール基、ヘテロアリール基、フルオロアルキル基、炭化水素基、ホスファゼン基、フルオロポリマー、及び金属錯体のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
化合物の分子量は、約５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約４，５００ｇ／ｍｏｌ以下、約４，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約３，８００ｇ／ｍｏｌ以下、及び約３，５００ｇ／ｍｏｌ以下のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
分子量は、少なくとも約１，５００ｇ／ｍｏｌ、少なくとも約１，７００ｇ／ｍｏｌ、少なくとも約２，０００ｇ／ｍｏｌ、少なくとも約２，２００ｇ／ｍｏｌ、及び少なくとも約２，５００ｇ／ｍｏｌである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
分子量は、約１，５００～５，０００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，２００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、及び約２，５００～３，８００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
フッ素原子の存在に起因する化合物のモル重量の割合は、約４０～９０％、約４５～８５％、約５０～８０％、約５５～７５％、及び約６０～７５％のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
フッ素原子は、化合物のモル重量の大部分を構成する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング材料４１１は、有機－無機ハイブリッド材料を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、堆積材料５３１のための少なくとも１つの核形成部位を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、堆積材料５３１のための核形成部位として機能するシード材料で補完される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
シード材料は、核形成促進被膜（ＮＰＣ）材料、有機材料、多環式芳香族化合物、並びに酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、窒素（Ｎ）、及び炭素（Ｃ）のうちの少なくとも１つから選択される非金属元素を含む材料のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜が光学被膜として機能する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、デバイスによって放射されるＥＭ放射の特性及び特徴のうちの少なくとも１つを修正する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、結晶性材料を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、非晶質材料として堆積されており、堆積後に結晶化される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、堆積材料５３１を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びイットリウム（Ｙ）のうちの少なくとも１つから選択される元素を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、純金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、純粋なＡｇ及び実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
実質的に純粋なＡｇは、少なくとも約９５％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、及び少なくとも約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、純粋なＭｇ及び実質的に純粋なＭｇのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、又は少なくとも約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、及びＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
ＡｇＭｇ含有合金は、体積で１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲である合金組成を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、Ａｇ以外の少なくとも１つの金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、Ａｇと少なくとも１つの金属との合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの金属は、Ｍｇ及びＹｂの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
合金は、約５～９５体積％のＡｇの組成を有する二元合金である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
合金は、体積で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、Ａｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、少なくとも１つの追加の元素を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの追加の元素は、非金属元素である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非金属元素は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非金属元素の濃度は、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、Ｏ及びＣの合計が約１０％以下、約５％以下、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下の少なくとも１つである組成を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非金属元素は、ＮＩＣ上に堆積材料５３１の核形成部位として機能する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１及び下地層は、共通金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、堆積材料５３１の複数の層を備える、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
複数の層のうちの第１のものの堆積材料５３１は、複数の層のうちの第２のものの堆積材料５３１とは異なる、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、多層被膜を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
多層被膜は、Ｙｂ／Ａｇ、Ｙｂ／Ｍｇ、Ｙｂ／Ｍｇ：Ａｇ、Ｙｂ／Ｙｂ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ／Ｍｇ、及びＹｂ／Ｍｇ／Ａｇのうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、約３００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約２００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１６５ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１５０ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約５０ｋＪ／ｍｏｌ以下、及び約２０ｋＪ／ｍｏｌ以下の少なくとも１つの結合解離エネルギーを有する金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、約１．４以下、約１．３以下、及び約１．２以下の少なくとも１つの電気陰性度を有する金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層のシート抵抗は、約１０Ω／□以下、５Ω／□以下、約１Ω／□以下、約０．５Ω／□以下、約０．２Ω／□以下、及び約０．１Ω／□以下の少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、その閉鎖被膜を実質的に欠いている少なくとも１つの領域によって画定されるパターンで配設される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの領域は、堆積層をその複数の個別の断片に分離する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも２つの個別の断片は、電気的に結合される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、パターニング被膜縁部によって画定される境界を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、少なくとも１つのパターニング被膜遷移領域と、パターニング被膜非遷移部とを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つのパターニング被膜遷移領域は、最大厚さから減少した厚さに遷移する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つのパターニング被膜遷移領域は、パターニング被膜非遷移部とパターニング被膜縁部との間を延在する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。パターニング被膜は、パターニング被膜非遷移部において、約１～１００ｎｍ、約２～５０ｎｍ、約３～３０ｎｍ、約４～２０ｎｍ、約５～１５ｎｍ、約５～１０ｎｍ、及び約１～１０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲内にある平均膜厚を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜非遷移部におけるパターニング被膜の厚さは、ＮＩＣの平均膜厚の約９５％及び約９０％のうちの少なくとも１つ内である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、約８０ｎｍ以下、約６０ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約４０ｎｍ以下、約３０ｎｍ以下、約２０ｎｍ以下、約１５ｎｍ以下、及び約１０ｎｍのうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、約３ｎｍ、約５ｎｍ、及び約８ｎｍのうちの少なくとも１つを上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、約１０ｎｍ以下である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、パターニング被膜遷移領域内で最大から最小に減少するパターニング被膜厚を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最大値は、パターニング被膜遷移領域とパターニング被膜非遷移部との間の境界に近接している、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最大値は、約１００％、約９５％、及び約９０％のうちの少なくとも１つである平均膜厚の割合である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最小値は、パターニング被膜の縁部に近接している、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲内である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜の厚さのプロファイルは、傾斜している、テーパ形状である、かつ勾配によって画定される、のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
テーパプロファイルは、線形、非線形、放物線、及び指数関数的に減衰するプロファイルのうちの少なくとも１つに従う、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜非遷移領域の側方軸に沿った非遷移幅は、パターニング被膜遷移領域の軸に沿った遷移幅を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非遷移幅を遷移幅で除算した商は、少なくとも約５、少なくとも約１０、少なくとも約２０、少なくとも約５０、少なくとも約１００、少なくとも約５００、少なくとも約１，０００、少なくとも約１，５００、少なくとも約５，０００、少なくとも約１０，０００、少なくとも約５０，０００、又は少なくとも約１００，０００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非遷移幅及び遷移幅のうちの少なくとも１つは、下地層の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非遷移幅及び遷移幅のうちの少なくとも１つは、パターニング被膜の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
下地層の平均膜厚は、パターニング被膜の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、堆積層縁部によって画定された境界を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、少なくとも１つの堆積層遷移領域と、堆積層非遷移部とを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの堆積層遷移領域は、最大厚さから減少した厚さに遷移する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの堆積層遷移領域は、堆積層非遷移部と堆積層縁部との間に延在する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、約１～５００ｎｍ、約５～２００ｎｍ、約５～４０ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、及び約１０～１００ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲内にある堆積層非遷移部の平均膜厚を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、約１０ｎｍ、約５０ｎｍ、及び約１００ｎｍのうちの少なくとも１つを上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、その全体にわたって実質的に一定である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、下地層の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
下地層の平均膜厚による堆積層の平均膜厚の商は、少なくとも約１．５、少なくとも約２、少なくとも約５、少なくとも約１０、少なくとも約２０、少なくとも約５０、及び少なくとも約１００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
商は、約０．１～１０、及び約０．２～４０のうちの少なくとも１つの範囲内にある、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層の平均膜厚は、パターニング被膜の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜の平均膜厚による堆積層の平均膜厚の商は、少なくとも約１．５、少なくとも約２、少なくとも約５、少なくとも約１０、少なくとも約２０、少なくとも約５０、及び少なくとも約１００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
商は、約０．２～１０、及び約０．５～４０のうちの少なくとも１つの範囲内にある、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層非遷移部の側方軸に沿った堆積層非遷移幅は、パターニング被膜非遷移部の軸に沿ったパターニング被膜非遷移幅を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜非遷移幅を堆積層非遷移幅で除算した商は、約０．１～１０、約０．２～５、約０．３～３、及び約０．４～２のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層の非遷移幅をパターニング被膜の非遷移幅で除算した商は、少なくとも１、２、３、及び４のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層非遷移幅は、堆積層の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層の非遷移幅を平均膜厚で除算した商は、少なくとも約１０、少なくとも約５０、少なくとも約１００、及び少なくとも約５００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
商は、約１００，０００以下である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。堆積層は、堆積層遷移領域内で最大から最小まで減少する堆積層厚を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最大値は、堆積層遷移領域と堆積層非遷移部との間の境界に近接している、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最大値は、平均膜厚である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最小値は、堆積層の縁部に近接している、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲内である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最小値は、平均膜厚である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層の厚さのプロファイルは、傾斜している、テーパプロファイルである、かつ勾配によって画定される、のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
テーパプロファイルは、線形、非線形、放物線、及び指数関数的に減衰するプロファイルのうちの少なくとも１つに従う、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、堆積層遷移領域の少なくとも一部に不連続層を備える、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、重なり部分においてパターニング被膜と重なる、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、重なり部分において堆積層に重なる、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
下地層の露出層表面上に配設された少なくとも１つの粒子構造を更に含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
下地層は、パターニング被膜である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、粒子材料を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、堆積材料５３１と同じである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料、堆積材料５３１、及び下地層を構成する材料のうちの少なくとも２つは、共通金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びイットリウム（Ｙ）のうちの少なくとも１つから選択される元素を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、純金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、純粋なＡｇ及び実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
実質的に純粋なＡｇは、少なくとも約９５％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、及び少なくとも約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、純粋なＭｇ及び実質的に純粋なＭｇのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、少なくとも約９９％、少なくとも約９９．９％、少なくとも約９９．９９％、少なくとも約９９．９９９％、又は少なくとも約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、及びＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
ＡｇＭｇ含有合金は、体積で１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲である合金組成を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇ以外の少なくとも１つの金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇと少なくとも１つの金属との合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの金属は、Ｍｇ及びＹｂの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
合金は、約５～９５体積％のＡｇの組成を有する二元合金である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
合金は、体積で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、少なくとも１つの追加の要素を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの追加の元素は、非金属元素である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非金属元素は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非金属元素の濃度は、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、Ｏ及びＣの合計量が約１０％以下、約５％以下、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下の少なくとも１つである組成を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子は、デバイス内のパターニング被膜と少なくとも１つの被覆層との間の界面に配設される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子は、パターニング被膜の露出層表面と物理的に接触している、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、デバイスの少なくとも１つの光学特性に影響を及ぼす、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの光学特性は、特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び組成のうちの少なくとも１つから選択される少なくとも１つの粒子構造の少なくとも１つの特性の選択によって制御される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造の少なくとも１つの特性は、パターニング材料４１１の少なくとも１つの特性、パターニング被膜の平均膜厚、パターニング被膜における少なくとも１つの不均一性、並びに温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び堆積プロセスのうちの少なくとも１つから選択されるパターニング被膜の堆積環境のうちの少なくとも１つの選択によって制御される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造の少なくとも１つの特性は、粒子材料の少なくとも１つの特質、パターニング被膜が粒子材料の堆積のために曝露される程度、不連続層の厚さ、並びに温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び堆積プロセスのうちの少なくとも１つから選択される粒子材料の堆積環境のうちの少なくとも１つの選択によって制御される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、互いに分離されている、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、不連続層を形成する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
不連続層は、少なくとも１つの粒子構造を実質的に欠いているその中の少なくとも１つの領域によって画定されるパターンで配設される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
不連続層の特性は、特性サイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、構成、表面被覆率、堆積分布、分散度、凝集インスタンスの存在、及びかかる凝集インスタンスの程度のうちの少なくとも１つから選択される少なくとも１つの基準による評価によって決定される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
評価は、電子顕微鏡法、原子間力顕微鏡法、及び走査電子顕微鏡法のうちの少なくとも１つから選択される適用された撮像技術によって不連続層の少なくとも１つの属性を決定することによって行われる、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
評価は、少なくとも１つの観察窓によって画定される範囲にわたって行われる、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの観察窓は、側方面の外周、内部位置、及びグリッド座標のうちの少なくとも１つに位置する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
観察窓は、適用される撮像技術の視野に対応する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
観察窓は、２．００μｍ、１．００μｍ、５００ｎｍ、及び２００ｎｍのうちの少なくとも１つから選択された倍率レベルに対応する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
評価は、手動計数、曲線フィッティング、多角形フィッティング、形状フィッティング、及び推定技術のうちの少なくとも１つを組み込む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
評価は、平均、中央値、モード、最大、最小、確率的、統計的、及びデータ計算のうちの少なくとも１つから選択される操作を組み込む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
特徴的なサイズは、少なくとも１つの粒子構造の質量、体積、直径、外周、長軸、及び短軸のうちの少なくとも１つから決定される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
分散度は、
Figure 2024516165000135
 式中、
Figure 2024516165000136
 ｎは、試料エリア内の粒子の数であり、
Ｓｉは、ｉ番目の粒子の（面積）サイズであり、
Figure 2024516165000137
 は粒子（面積）サイズの数平均であり、
Figure 2024516165000138
 は、粒子（面積）サイズの（面積）サイズ平均である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
したがって、本明細書に開示される明細書及び例は、単なる解説であるとみなされるべきであり、本開示の真の範囲は、以下の番号付けされた特許請求の範囲によって開示される。

Claims (54)

  1. 各々が（サブ）ピクセルに対応する複数の放射領域を含む表示部（サブ）ピクセル配列を含む少なくとも１つの表示部と、少なくとも１つの透過性領域と各々が（サブ）ピクセルに対応する複数の放射領域とを含む信号交換部（サブ）ピクセル配列を含む少なくとも１つの信号交換部とを備えるディスプレイパネルであって、前記信号交換部（サブ）ピクセル配列は、
    前記信号交換部（サブ）ピクセル配列における少なくとも１つの（サブ）ピクセルのサイズ、形状、構成、及び配向のうちの少なくとも１つと、
    ピクセル密度と、
    前記信号交換部（サブ）ピクセル配列における（サブ）ピクセルのピッチと、から選択される少なくとも１つの特徴において前記表示部（サブ）ピクセル配列と異なることによって、少なくとも１つの透過性領域を収容している、ディスプレイパネル。
  2. 前記少なくとも１つの信号交換部が、前記ディスプレイパネルの端部に近接して位置決めされている、請求項１に記載のディスプレイパネル。
  3. 前記少なくとも１つの表示部が、前記少なくとも１つの信号交換部を実質的に取り囲む、請求項１又は２に記載のディスプレイパネル。
  4. 前記少なくとも１つの透過性領域の境界と、前記少なくとも１つの透過性領域に近接するサブピクセルの境界との間の分離が、少なくとも約５ミクロン、少なくとも約６ミクロン、少なくとも約８ミクロン、少なくとも約１０ミクロン、少なくとも約１１ミクロン、及び少なくとも約１２ミクロンのうちの１つである、請求項１～３のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  5. 前記少なくとも１つの透過性領域の境界と、前記信号交換部において前記少なくとも１つの透過性領域に近接するサブピクセルの境界との間の分離が、約５～１５ミクロン、約６～１２ミクロン、及び約８～１０ミクロンのうちの１つである、請求項１～４のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  6. 各透過性領域のサイズが少なくとも１０ミクロンである、請求項１～５のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  7. 各透過性領域のサイズが、約１０～１５０ミクロン、約１０～１３０ミクロン、約１５～１２０ミクロン、約１５～１００ミクロン、約２０～８０ミクロン、約２０～６５ミクロン、約２５～６０ミクロン、及び約３０～５０ミクロンのうちの１つである、請求項１～６のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  8. 前記信号交換部における前記放射領域及び前記透過性領域の全ての合計開口率が、約６０％以下、約５５％以下、約５０％以下、約４５％以下、及び約４０％以下のうちの１つである、請求項１～７のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  9. 前記信号交換部における前記放射領域及び前記透過性領域の全ての合計開口率が、約３０～６０％、約３５～６０％、約４０～６０％、約３５～５５％、約４０～５０％、約４５～５５％、及び約４５～５０％のうちの１つである、請求項１～８のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  10. 前記少なくとも１つの透過性領域が、複数の透過性境界セグメントによって画定される境界を有する、請求項１～９のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  11. 前記透過性境界セグメントは、少なくとも１つの湾曲セグメントを含む、請求項１～１０のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  12. 前記透過性境界セグメントの大部分は、前記透過性境界セグメントに近接する（サブ）ピクセルに対応する放射領域の境界の一部に実質的に平行である、請求項１～１１のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  13. 前記少なくとも１つの透過性領域が、カソード材料を実質的に欠いている、請求項１～１２のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  14. 前記カソード材料が、前記カソード材料の堆積前に前記少なくとも１つの透過性領域内にパターニング被膜を堆積することによって、前記少なくとも１つの透過性領域内で核形成することが実質的に妨げられる、請求項１３に記載のディスプレイパネル。
  15. 前記カソード材料が、前記カソード材料のレーザアブレーションによって前記少なくとも１つの透過性領域から除去される、請求項１３又は１４に記載のディスプレイパネル。
  16. 前記少なくとも１つの特徴が、サイズ、形状、構成のうちの少なくとも１つであり、前記信号交換部（サブ）ピクセル配列及び前記表示部（サブ）ピクセル配列は、前記信号交換部（サブ）ピクセル配列及び前記表示部（サブ）ピクセル配列における前記少なくとも１つの（サブ）ピクセルのピクセル密度が共通している、請求項１～１５のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  17. 前記信号交換部（サブ）ピクセル配列及び前記表示部（サブ）ピクセル配列は、前記信号交換部（サブ）ピクセル配列及び前記表示部（サブ）ピクセル配列における前記少なくとも１つの（サブ）ピクセルのピッチが共通している、請求項１６に記載のディスプレイパネル。
  18. 前記信号交換部（サブ）ピクセル配列における前記（サブ）ピクセルのうちの少なくとも１つのサイズが、前記表示部（サブ）ピクセル配列における対応する（サブ）ピクセルのサイズよりも小さい、請求項１６又は１７に記載のディスプレイパネル。
  19. 前記信号交換部（サブ）ピクセル配列における前記（サブ）ピクセルのうちの各々のサイズが、前記表示部（サブ）ピクセル配列における対応する（サブ）ピクセルのサイズよりも小さい、請求項１６～１８のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  20. 前記信号交換部（サブ）ピクセル配列の前記ピクセルの前記サブピクセルが、少なくとも２つの寸法において横方向に離間されている、請求項１６～１９のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  21. 前記信号交換部（サブ）ピクセル配列が、複数のピクセルを含み、各ピクセルが、第１のサブピクセル、第２のサブピクセル、及び第３のサブピクセルを含む、請求項１６～２０のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  22. 前記信号交換部（サブ）ピクセル配列の前記ピクセルが、第２の第２のサブピクセルを更に含む、請求項２１に記載のディスプレイパネル。
  23. 前記信号交換部（サブ）ピクセル配列の前記ピクセルの前記サブピクセルの対に関連する前記放射領域内に位置する端点を各々が有する複数の非重複ベクトルによって画定される領域が、前記ピクセルに関連する輪郭を画定する、請求項１６～２２のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  24. 各ベクトルが線形ベクトルである、請求項２３に記載のディスプレイパネル。
  25. 各ベクトルが、前記サブピクセルの前記放射領域の重心に位置する端点を有する、請求項２３又は２４に記載のディスプレイパネル。
  26. 前記輪郭が、ボックスを画定する４つのベクトルを含み、各々が共通の頂点を有する４つの隣接するボックスを含む単位セルが、前記信号交換部（サブ）ピクセル配列の最小繰り返し単位を画定する、請求項２３～２５のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  27. 少なくとも１つの透過性領域が、前記単位セル内の少なくとも１つの輪郭に配設されている、請求項２３～２６のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  28. 前記少なくとも１つの透過性領域が、単一の少なくとも１つの輪郭内に完全にある、請求項２３～２７のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  29. 前記信号交換部の前記透過性領域の開口率が、約５０％以下、約４５％以下、約４０％以下、約３５％以下、約３３％以下、及び約２５％以下のうちの１つである、請求項１６～２８のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  30. 前記信号交換部の前記透過性領域の開口が、少なくとも約５％、少なくとも約１０％、及び少なくとも約１５％のうちの１つである、請求項１６～２９のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  31. 前記信号交換部の全ての放射領域の開口率が、約２０％以下、約１５％以下、及び約１０％以下のうちの１つである、請求項１６～３０のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  32. 前記信号交換部の全ての放射領域の開口率が、約５～１０％であり、前記信号交換部における全ての透過性領域の開口率が、約３０～５０％である、請求項１６～３１のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  33. 前記信号交換部の全ての放射領域の開口率が、約６～９％であり、前記信号交換部における全ての透過性領域の開口率が約３５～４５％である、請求項１６～３２のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  34. 前記少なくとも１つの特徴が、ピクセル密度であり、前記信号交換部（サブ）ピクセル配列及び前記表示部（サブ）ピクセル配列が、前記信号交換部（サブ）ピクセル配列及び前記表示部（サブ）ピクセル配列における少なくとも１つの（サブ）ピクセルのサイズ、形状、構成、配向、及びピッチのうちの少なくとも１つが共通している、請求項１～３３のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  35. 前記信号交換部（サブ）ピクセル配列及び前記表示部（サブ）ピクセル配列は、前記信号交換部（サブ）ピクセル配列及び前記表示部（サブ）ピクセル配列における少なくとも１つの（サブ）ピクセルのサイズ、形状、構成、配向、及びピッチの各々が共通している、請求項３４に記載のディスプレイパネル。
  36. 前記信号交換部（サブ）ピクセル配列及び前記表示部（サブ）ピクセル配列はｈ、前記信号交換部（サブ）ピクセル配列及び前記表示部（サブ）ピクセル配列における前記少なくとも１つの（サブ）ピクセルのピッチが共通している、請求項３４又は３５に記載のディスプレイパネル。
  37. 前記信号交換部（サブ）ピクセル配列のピクセル密度が、前記表示部（サブ）ピクセル配列のピクセル密度より小さい、請求項３４～３６のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  38. 前記表示部（サブ）ピクセル配列におけるピクセルのサブピクセルに対応する少なくとも１つのピクセルの少なくとも１つのサブピクセルが、前記信号交換部（サブ）ピクセル配列において省略されている、請求項３４～３７のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  39. 前記表示部（サブ）ピクセル配列に存在するピクセルのサブピクセルに対応する少なくとも１つのピクセルの全てのサブピクセルが、前記信号交換部（サブ）ピクセル配列において省略されている、請求項３８に記載のディスプレイパネル。
  40. 前記表示部（サブ）ピクセル配列に存在するピクセルのサブピクセルに対応する１つおきのピクセルの全てのサブピクセルが、前記信号交換部（サブ）ピクセル配列において省略されている、請求項３８又は３９に記載のディスプレイパネル。
  41. 前記省略されたサブピクセルが、前記省略されたサブピクセルによって形成される少なくとも１つの空隙のサイズを最大化するように選択されている、請求項３８～４０のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  42. 前記信号交換部（サブ）ピクセル配列におけるピクセル密度が、前記表示部（サブ）ピクセル配列におけるピクセル密度の５０％、６２．５％、及び７５％のうちの１つである、請求項３８～４１のいずれか一項に記載のディスプレイ。
  43. 少なくとも１つの透過性領域が、前記信号交換部（サブ）ピクセル配列における少なくとも１つのピクセルの少なくとも１つのサブピクセルを省略することによって形成された少なくとも１つの空隙内に配設されている、請求項３４～４２のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  44. 前記信号交換部の前記透過性領域の開口率は、約１５～４０％、約２０～４０％、約１５～３５％、及び約２０～３５％のうちの１つである、請求項３４～４３のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  45. 前記信号交換部の前記透過性領域の開口が、少なくとも約５％、少なくとも約１０％、及び少なくとも約１５％のうちの１つである、請求項３４～４４のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  46. 前記信号交換部の全ての放射領域の開口率が、約１２～２５％である、請求項３４～４５のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  47. 前記信号交換部の全ての放射領域の開口率が、約１２～２５％であり、前記信号交換部における全ての透過性領域の開口率が約３０～４５％である、請求項３４～４６のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  48. 前記少なくとも１つの特徴がピッチであり、前記信号交換部（サブ）ピクセル配列における前記（サブ）ピクセルのピッチが、前記表示部（サブ）ピクセル配列における前記（サブ）ピクセルのピッチよりも小さい、請求項１～４７のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  49. 前記少なくとも１つの特徴が、複数の前記特徴を含む、請求項１～４８のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  50. 前記表示部と前記信号交換部との間に配設された少なくとも１つの遷移領域を更に備え、前記遷移領域が、各々が（サブ）ピクセルに対応する複数の放射領域を含む遷移領域（サブ）ピクセル配列を含み、前記遷移領域（サブ）ピクセル配列が、前記少なくとも１つの特徴において前記表示部（サブ）ピクセル配列及び前記信号交換（サブ）ピクセル配列の両方と異なり、その結果、前記表示部（サブ）ピクセル配列と、前記信号交換（サブ）ピクセル配列との間の前記少なくとも１つの遷移領域の介在が、前記表示部（サブ）ピクセル配列と、前記信号交換（サブ）ピクセル配列との間の視覚的に知覚される差を低減する、請求項１～４９のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  51. 前記少なくとも１つの遷移領域が、少なくとも１つの透過性領域を含む、請求項５０に記載のディスプレイパネル。
  52. 前記少なくとも１つの遷移領域が、前記信号交換部の境界の周りに配置されている、請求項５０又は５１に記載のディスプレイパネル。
  53. 前記少なくとも１つの遷移領域が、前記少なくとも１つの信号交換部を取り囲み、前記少なくとも１つの表示部が、前記少なくとも１つの遷移領域を取り囲んでいる、請求項５０～５２のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
  54. 前記少なくとも１つの遷移領域が、第１の遷移領域及び第２の遷移領域を含み、前記第１の遷移領域が、前記表示部と前記第２の遷移領域との間に配設され、前記第２の遷移領域が、前記第１の遷移領域と前記信号交換部との間に配設され、前記第２の遷移領域の前記遷移領域（サブ）ピクセル配列が、前記少なくとも１つの特徴において、前記第１の遷移領域の前記遷移領域（サブ）ピクセル配列及び前記信号交換部（サブ）ピクセル配列の両方と異なり、その結果、前記遷移領域（サブ）ピクセル配列と、前記信号交換部（サブ）ピクセル配列との間の前記第２遷移領域の介在が、前記遷移領域（サブ）ピクセル配列と、前記信号交換部（サブ）ピクセル配列との間の視覚的に知覚される差を低減する、請求項５０～５３のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
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