CN117501335A - 在发射区域之间包括em辐射透射区域的光电子器件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板，包括：至少一个显示部分，该至少一个显示部分包括显示部分(子)像素布置，该显示部分(子)像素布置包括多个发射区域，每个发射区域对应于(子)像素；以及至少一个信号交换部分，该至少一个信号交换部分包括信号交换部分(子)像素布置，该信号交换部分(子)像素布置包括至少一个透射区域和多个发射区域，每个发射区域对应于(子)像素，其中该信号交换部分(子)像素布置通过在选自以下的至少一个特征方面不同于该显示部分(子)像素布置来容纳该至少一个透射区域：其中的至少一个(子)像素的尺寸、形状、配置和取向中的至少一者；像素密度；以及其中的这些(子)像素的节距。
Description
相关专利申请
技术领域
本公开要求以下申请的优先权权益：2021年4月27日提交的美国临时专利申请63/180,612号、2021年5月3日提交的美国临时专利申请63/183,512号、2021年5月27日提交的美国临时专利申请63/194,110号和2021年9月1日提交的美国临时专利申请63/239,782号，这些专利申请中的每个专利申请的内容全文以引用方式并入本文中。
本公开涉及光电子器件，并且特别地涉及具有EM辐射透射区域的光电子器件。
背景技术
在诸如有机发光二极管(OLED)的光电子器件中，至少一个半导电层设置在一对电极诸如阳极和阴极之间。阳极和阴极与电源电耦接，并且分别产生空穴和电子，这些空穴和电子通过该至少一个半导电层朝向彼此迁移。当一对空穴和电子结合时，可发射光子形式的EM辐射。
OLED显示器面板可以包括多个(子)像素，每个像素具有相关联的一对电极和在它们之间的至少一个半导电层。在一些非限制性示例中，(子)像素可以由驱动电路选择性地驱动，该驱动电路在基板内包括由导电金属线电耦接的多个薄膜晶体管(TFT)结构，在一些非限制性示例中，电极和至少一个半导电层沉积在该基板上。此类面板的各种层和涂层通常由基于真空的沉积工艺形成。
在一些非限制性示例中，此类显示面板可在电子器件诸如移动电话中使用。
在一些应用中，可能存在这样的目标：使显示面板的至少一部分基本上透明，同时仍然能够从其发射光。在一些非限制性示例中，基本上透明的部分可能够交换穿过其的EM辐射，包括但不限于EM信号。在一些非限制性示例中，显示面板的此类部分可表示为其信号交换部分。在一些非限制性示例中，显示面板的信号交换部分可包括至少一个(EM信号)透射区域和至少一个(EM信号)发射区域。在一些非限制性示例中，至少一个发射区域可对应于显示面板的(子)像素。
由谷歌有限公司(Google LLC)于2020年3月26日提交、于2021年10月12日发布并且名称为“Boundary panel layout for artifact compensation in multi-pixeldensity display panel|的美国专利11,145,702号公开一种显示面板，该显示面板包括以由多个行和多个列限定的阵列布置的多个阵列位点。显示面板包括阵列的具有第一像素密度的第一区域和阵列的具有低于第一像素密度的第二像素密度的第二区域。阵列的第二区域包括没有像素的多个阵列位点。第二区域的与第一区域毗邻的行包括至少一个像素，并且第二区域的与第一区域毗邻的列包括至少一个像素。
由苹果公司(Apple Inc.)于2020年4月8日提交并且名称为“Methods andconfigurations for improving the performance of sensors under a display”的PCT国际专利申请公开WO 2020/219267号公开一种电子器件，该电子器件可包括显示器以及位于显示器下方的传感器。显示器可包括用于向电子器件的用户显示图像的子像素阵列。子像素阵列的至少一部分可在像素去除区域中被选择性地去除，以改进通过显示器向传感器的光学透射率。像素去除区域可包括多个无像素区域，该多个无像素区域没有薄膜晶体管结构，没有电源线，因重新布线的行/列线而具有连续的开放区域，部分地没有触摸电路，任选地包括伪触点，并且/或者选择性地具有图案化显示层。
由华为技术有限公司(Huawei Technologies Co.Ltd.)于2020年5月29日提交并且名称为“Display panel and display device”的中国专利申请113745271号公开一种显示面板和一种显示器件，它们包括第一显示区域和第二显示区域，其中第一显示区域的像素密度小于第二显示区域的像素密度；第一显示区域包括多个第一像素单元，每个第一像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，并且每个第一像素单元中的第一子像素和相邻第一像素单元中的第二子像素之间的最小距离是一个第一像素单元中的第一子像素和第二子像素之间的距离的1.2-2.5倍。本申请的实施方案提供一种显示面板和一种显示器件，它们能够在光透过显示面板之后减少衍射现象并且改进屏幕下方光学元件的光学效果。
由昆山国显光电有限公司(Kunshan Govisionox Optoelectronics Co.Ltd.)于2020年7月1日提交并且名称为“Pixel arrangement structure,display panel anddisplay device”的中国专利申请112436029号公开一种像素布置结构，该像素布置结构在第一像素单元中将第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素的相应中心取用为顶点以形成具有非重叠区域的共同边三角形；并且将第一子像素的中心和第二子像素的中心取用为共同边三角形的顶点；第二子像素具有第二长轴和第二短轴，并且第二子像素沿着长轴方向的中心线并不穿过第一像素单元中的第三子像素和/或第四子像素的中心。根据该像素布置结构，当子像素在限制条件下被交错且布置时，防止发射相同颜色光的子像素独立地布置成一条线，并且显示边缘的颜色边缘问题得以改进。还提供一种显示面板和一种显示器件。
由昆山国显光电有限公司(Kunshan Govisionox Optoelectronics Co.Ltd.)于2020年7月1日提交并且名称为“Pixel arrangement structure,display panel anddisplay device”的中国专利申请112436030号公开一种像素布置结构，该像素布置结构包括多个第一像素单元和多个第二像素单元，其中第一像素单元和第二像素单元在第一方向和第二方向上以一定间隔布置；第一像素单元和第二像素单元中的每一者包括第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素；第一子像素定位在第三子像素和第四子像素的中心连接线的一侧上，并且第二子像素定位在第三子像素和第四子像素的中心连接线的另一侧上；在旋转预设角度之后，第二像素单元中的每个子像素结构与第一像素单元中的每个子像素结构镜像对称。该像素布置结构可考虑子像素的布置紧凑性和子像素之间的空间，在布置紧凑性和子像素之间的空间之间寻求平衡，并且像素布置结构具有高分辨率并且有利于降低混色风险和色偏，改进颜色边缘并且改进视觉颗粒感。还提供一种显示面板和一种显示器件。
由昆山国显光电有限公司(Kunshan Govisionox Optoelectronics Co.Ltd.)于2020年7月1日提交并且名称为“Pixel arrangement structure,display panel anddisplay device”的中国专利申请112436031号公开一种像素布置结构，该像素布置结构包括第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素；以对准模式布置的两个第一子像素的中心和以对准模式布置的两个第二子像素的中心是顶点连接线以形成虚拟四边形，并且虚拟四边形包括两个相对边(即短边和长边)，其中短边和长边相对地布置并且与两个相对边的顶点连接；虚拟四边形的短边不与虚拟四边形的长边平行；并且第三子像素或第四子像素以虚拟四边形布置，并且第三子像素的发光颜色与第四子像素的发光颜色相同。在像素布置结构中，子像素在限制条件下被交错且布置，使得防止发射相同颜色光的子像素独立地布置成一条线，并且显示边缘的颜色边缘问题得以改进。还提供一种显示面板和一种显示器件。
由昆山国显光电有限公司(Kunshan Govisionox Optoelectronics Co.Ltd.)于2020年7月1日提交并且名称为“Display panel and display device”的中国专利申请112436032号公开一种显示面板，该显示面板包括多个子像素和多个透光预留区域，其中多个子像素包括多个第一子像素、多个第二子像素和多个第三子像素，并且一个第二子像素和一个透光预留区域相邻地布置以形成组合区域；显示面板包括多个第一像素行和多个第二像素行，其中第一像素行和第二像素行以一定间隔交替地布置；多个第一子像素和多个组合区域布置在每个第一像素行中，第一子像素和组合区域以一定间隔交替地布置在第一像素行中，并且多个第三子像素布置在每个第二像素行中；在两个相邻第一像素行中，一个第一像素行中的组合区域的布置结构不同于另一第一像素行中的组合区域的布置结构，并且这些组合区域在旋转90度之后相同。显示面板有利于降低混色风险和色偏。还提供一种显示器件。
由合肥维信诺科技有限公司(Hefei Visionox Technology Co.Ltd.)于2020年9月17日提交并且名称为“Light-transmitting display module,display panel andpreparation method thereof”的中国专利申请112054048公开一种透光显示模块、一种显示面板及其制备方法，其中该透光显示模块包括：像素限定层，该像素限定层包括隔离结构和由隔离结构以围绕模式形成的像素开口；成核抑制层，该成核抑制层定位在像素限定层的远离基板的一侧上并且包括多个抑制单元，抑制单元在像素限定层上的第一正投影覆盖隔离结构的至少一部分，并且抑制单元的至少一部分被不连续地布置；以及第一共同电极，该第一共同电极定位在像素限定层的远离基板的一侧上，并且第一共同电极在像素限定层上的第二正投影覆盖除第一正投影之外的区域的至少一部分。在由本发明的实施方案提供的透光显示模块中，在不影响透光显示模块正常显示的条件下，可提高透光显示模块的透光率，并且可便利地将光敏部件在透光显示模块的一侧处集成在屏幕下方。
由合肥维信诺科技有限公司(Hefei Visionox Co.Ltd.)于2020年9月17日提交并且名称为“Display panel,preparation method display panel and display device”的中国专利申请112103318号公开一种显示面板、一种显示面板的制备方法和一种显示器件，其中显示面板设置有第一显示区域和第二显示区域，第一显示区域的透光率大于第二显示区域的透光率，并且显示面板包括：基板；像素限定层；该像素限定层定位在基板上并且包括隔离结构和由隔离结构的外壳形成的像素开口；成核抑制层，该成核抑制层在过渡显示区域在像素限定层上的第一正投影覆盖的像素开口中包括第一抑制单元；以及共同电极，该共同电极包括第一共同电极和第二共同电极，第二共同电极形成在第二显示区域和过渡显示区域中，并且第一共同电极在像素限定层上的第二正投影覆盖除第一显示区域和过渡显示区域中的第一正投影之外的至少部分区域。显示面板的至少部分区域可以是光可透过的并且可显示，并且光敏组件便利地集成在屏幕下方。
由厦门天马微电子有限公司(Xiamen Tianma Microelectronics Co.Ltd.)于2021年4月16提交、2022年1月11日发布并且名称为“Display panel and display device”的美国专利11,222,929号公开一种显示面板和一种显示器件。显示面板包括第一显示区域、第二显示区域以及位于第一显示区域和第二显示区域之间的过渡显示区域。第二显示区域包括第二像素单元，过渡显示区域包括第三像素单元，并且每个第二像素单元和每个第三像素单元两者包括第一子像素、第二子像素、第三子像素和白色子像素。第二像素单元中的白色子像素的总开口面积与第二像素单元的总面积的比率为A，并且第三像素单元中的白色子像素的总开口面积与第三像素单元的总面积的比率为B，其中B<A。白色子像素在显示面板的显示阶段被打开或关闭。
由苹果公司(Apple Inc.)于2021年4月23日提交并且名称为“Pixel Design forElectronic Display Devices”的美国专利申请公开2021/0240026号公开用于透视显示器成像的系统和方法。显示器包括穿过不透明背衬限定的成像孔。光学成像阵列与孔对准。在孔上方，显示器被布置和/或配置用于增大光学透射率。例如，显示器的在成像孔上方或相邻于该成像孔的区域可以与显示器的其他区域相比更低像素密度形成，从而增大像素间距离(例如，节距)并且增大穿过其光可横穿显示器以到达光学成像阵列的区域。
由武汉天马微电子有限公司(Wuhan Tianma Microelectronics Co.Ltd.)于2021年7月1日提交并且名称为“Display panel,preparation method and display device”的中国专利申请CN 113327972号公开一种显示面板、一种制备方法和一种显示器件。像素结构包括多个第一子像素、第二子像素和第三子像素；多个第三子像素形成第一虚拟梯形，并且第一子像素处于第一虚拟梯形中；多个第一子像素和多个第二子像素形成第二虚拟梯形，并且第三子像素处于第二虚拟梯形中；第一虚拟梯形包括第一长边缘、第一倾斜边缘、第一短边缘和第二倾斜边缘；第二虚拟梯形包括第二长边缘、第三倾斜边缘、第二短边缘和第四斜边缘；第一长边缘和第一斜边缘形成第一夹角，并且第一长边缘和第二斜边缘形成第二夹角；第二长边缘和第三倾斜边缘形成第三夹角，并且第二长边缘和第四倾斜边缘形成第四夹角；第一夹角和第二夹角的角度之和为第一角度，第三夹角和第四夹角的角度之和为第二角度，第一角度和第二角度的差值在第一预设范围内。
由武汉天马微电子有限公司(Wuhan Tianma Microelectronics Co.Ltd.)于2021年7月1日提交并且名称为“Display panel and display device”的中国专利申请113327973号公开一种显示面板和一种显示器件，其中显示面板包括以阵列模式布置的多个像素重复单元，并且每个像素重复单元包括两个第一子像素、两个第二子像素和四个第三子像素；在显示面板中，一个第一子像素定位在四个第三子像素中；存在位于四个第三子像素之间的一个第二子像素；第三子像素同时定位在两个第一子像素和两个第二子像素之间；并且围绕第一子像素的四个第三子像素的中心形成第一梯形，其中第一梯形的两组相对边的长度不同。本申请的实施方案的技术方案可提高显示面板的显示效果。
由苹果公司(Apple Inc.)于2021年7月7日提交并且名称为“Displays havingtransparent openings”的PCT国际专利申请公布WO 2022/035527号公开一种电子器件，该电子器件可包括显示器和形成在显示器下方的光学传感器。电子器件可包括与光学传感器重叠的多个透明窗口。由于透明窗口的存在，显示面板的分辨率可在一些区域中降低。为了减轻衍射伪影，第一传感器(13-1)可通过第一像素去除区域感测光，该第一像素去除区域具有根据第一图案布置的透明窗口。第二传感器(13-2)可通过第二像素去除区域感测光，该第二像素去除区域具有根据与第一图案不同的第二图案布置的透明窗口。透明窗口的第一图案和第二图案可导致第一传感器和第二传感器具有不同衍射伪影。因此，可基于来自第二传感器的图像来针对衍射伪影校正来自第一传感器的图像。
由三星显示有限公司(Samsung Display Co.Ltd.)于2021年12月9日提交的美国专利申请公布2022/0102446号公开一种显示器件，该显示器件包括显示区域，该显示区域包括第一显示区域和第二显示区域，其中第一显示区域包括多个第一像素，并且第二显示区域包括多个第二像素和至少一个透光区域，其中透光区域所具有的透光率高于第一像素的透光率和第二像素的透光率，并且第二显示区域所具有的透光率高于第一显示区域的透光率。
在一些非限制性示例中，至少一个透射区域可散布在至少一个发射区域之中。由于发射区域通常包括可衰减或抑制EM辐射透射通过此类区域的层、涂层和/或部件，因此在一些非限制性示例中，透射区域通常可设置在显示面板的非发射区域中，这些非发射区域可基本上没有此类层、涂层和/或部件。
在一些非限制性示例中，可存在以下目的：在显示面板的至少一部分中提供至少一个透射区域，同时还在显示面板的这种部分中提供至少一个发射区域，以在一些非限制性示例中相对于显示面板的基本上没有此类至少一个透射区域的部分保持至少一个发射区域的开口率和相对高的像素密度中的至少一者。
附图说明
现在将参考以下附图来描述本公开的示例，其中不同附图中的相同附图标号指示相同的元件和/或在一些非限制性示例中类似和/或对应的元件，并且其中：
图1是根据本公开中的示例的示例性器件从剖面朝向看的简化框图，该器件在侧向朝向上具有多个层，这些层通过在侧向朝向的第一部分中选择性沉积图案化涂层，随后在其第二部分中沉积沉积材料的封闭涂层而形成；
图2A是示出根据本公开中的示例的示例性显示面板的示例性剖视图的示意图，该示例性显示面板具有多个层，该多个层在其内包括至少一个孔，通过该至少一个孔可交换至少一个电磁(EM)信号；
图2B至图2D是根据本公开的示例的以平面图示出显示面板的示意图，该显示面板包括信号交换部分和显示部分；
图3A至图3B是根据本公开的示例的以平面图示出相应示例性(子)像素布置的示意图；
图3C是以平面图示出信号交换区域的由图3A的示例性(子)像素布置填充的至少一个片段的示意图；
图3D至图3H是根据本公开的示例的以平面图示出相应示例性(子)像素布置的示意图；
图3I是以平面图示出信号交换区域的由图3G的示例性(子)像素布置填充的至少一个片段的示意图；
图3J是根据本公开的示例的以平面图示出示例性(子)像素布置的示意图；
图3K是以平面图示出信号交换部分的由图3E和图3F的交替示例性(子)像素布置填充的至少一个片段的示意图；
图3L至图3S是根据本公开的示例的以平面图示出相应示例性(子)像素布置的示意图；
图4A至图4D是根据本公开中的示例的以平面图示出信号交换部分和显示部分两者中的(子)像素布置的相应示例性片段的示意图；
图5A至图5B是根据本公开的示例的以平面图示出信号交换部分、过渡区域和显示部分中的每一者中的(子)像素布置的相应示例性片段的示意图；
图6是示出根据本公开中的示例的用于在图1器件的示例性型式中的下面层的暴露层表面上以一定图案沉积图案化涂层的示例性过程的示意图；
图7是示出用于在包括图6图案化涂层的沉积图案的暴露层表面上的第二部分中沉积沉积材料的示例性过程的示意图，其中该图案化涂层是成核抑制涂层(NIC)；
图8A是以剖视图示出图1器件的示例性型式的示意图；
图8B是以补充平面图示出图8A器件的示意图；
图8C是以剖视图示出图1器件的示例性型式的示意图；
图8D是以补充平面图示出图8C器件的示意图；
图8E是以剖视图示出图1器件的示例的示意图；
图8F是以剖视图示出图1器件的示例的示意图；
图8G是以剖视图示出图1器件的示例的示意图；
图9A至图9I是示出根据本公开的各种示例的NIC在图1器件的示例性型式中与沉积层的沉积界面处的各种潜在行为的示意图；
图10是根据本公开中的示例的示例性电致发光器件从剖面朝向看的框图；
图11是图1器件的剖视图；
图12是根据本公开的示例的示意图，它以平面图示出适用于图11器件的一种型式的示例性图案化电极；
图13是示出图12器件沿着线13-13截取的示例性剖视图的示意图；
图14A是根据本公开的示例的示意图，它以平面图示出适用于图11器件的示例性型式的多个示例性电极图案；
图14B是示出图14A器件在中间阶段沿着线14B-14B截取的示例性剖视图的示意图；
图14C是示出图14A器件沿着线14C-14C截取的示例性剖视图的示意图；
图15是示出根据本公开中的示例的图11器件的示例性型式的剖视图的示意图，该示例性型式具有示例性图案化辅助电极；
图16是根据本公开中的示例以平面图示出覆盖在至少一个发射区域和至少一个非发射区域上的辅助电极的示例性图案的示意图；
图17A是根据本公开中的示例以平面图示出图11器件的示例性型式的示例性图案的示意图，该示例性图案具有呈菱形构型的多个发射区域组；
图17B是示出图17A器件沿着线17B-17B截取的示例性剖视图的示意图；
图17C是示出图17A器件沿着线17C-17C截取的，示例性剖视图的示意图；
图18是示出根据本公开中的示例的图11器件的示例性型式的示例剖视图的示意图，该示例性型式具有附加的示例性沉积步骤；
图19是示出根据本公开中的示例的图11器件的示例性型式的示例剖视图的示意图，该示例性型式具有附加的示例性沉积步骤；
图20是示出根据本公开中的示例的图11器件的示例性型式的示例剖视图的示意图，该示例性型式具有附加的示例性沉积步骤；
图21是示出根据本公开中的示例的图11器件的示例性型式的示例剖视图的示意图，该示例性型式具有附加的示例性沉积步骤；
图22A是根据本公开中的示例以平面图示出图11器件的透明型式的示例的示意图，该透明型式包括至少一个示例性像素区域和至少一个示例性透光区域，具有至少一个辅助电极；
图22B是示出图22A器件沿着线22B-22B截取的示例性剖视图的示意图；
图23A是根据本公开中的示例以平面图示出图11器件的透明型式的示例的示意图，该透明型式包括至少一个示例性像素区域和至少一个示例性透光区域；
图23B是示出图23A器件沿着线23-23截取的示例性剖视图的示意图；
图23C是示出图23A器件沿着线23-23截取的示例性剖视图的示意图；
图24是可以示出根据本公开中的示例的用于制造图11器件的示例性型式的示例性过程的示例性阶段的示意图，该示例性型式具有子像素区域，这些子像素区域具有另一厚度的第二电极；
图25是示出根据本公开中的示例的图14器件的示例性型式的示例性剖视图的示意图，其中第二电极与辅助电极耦接；
图26是示出根据本公开中的示例的图14器件的示例性型式的示例性剖视图的示意图，该示例性型式在其非发射区域中具有分隔件和遮蔽区域，诸如凹陷部；
图27A至图27B是示出根据本公开中的各种示例的图14器件的示例性型式的示例性剖视图的示意图，该示例性型式在非发射区域中具有分隔件和遮蔽区域，诸如孔；
图28A至图28C是示出根据本公开中的示例的示例性过程的示例性阶段的示意图，该示例性过程用于通过选择性沉积和随后的去除工艺在图14器件的示例性型式的暴露层表面上沉积一定图案的沉积层；
图29是示出根据本公开中的示例的吸附到表面上的表面吸附原子的相对能态的示例性能量分布；和
图30是示出根据本公开中的示例的膜核的形成的示意图。
在本公开中，附加有至少一个数值(包括但不限于，在下标中附加)和/或小写字母字符(包括但不限于，采用小写形式)的附图标号可以被认为是指由该附图标号描述的元件或特征的特定实例和/或其子集。如上下文所指示，对附图标号进行标引而不对所附值和/或字符进行标引可以一般地指代由该附图标号描述的元件或特征，和/或由其描述的所有实例的集合。类似地，附图标号可以用字母“x”来代替数字。如上下文所指示，对这种附图标号进行标引可以一般地指代由该附图标号描述的元件或特征(其中字符“x”由数字替代)，和/或由其描述的所有实例的集合。
在本公开中，出于说明而非限制的目的，阐述了具体细节以提供对本公开的透彻理解，这些细节包括但不限于特定架构、接口和/或技术。在一些实例中，省略了对众所周知的系统、技术、部件、设备、电路、方法和应用的详细描述以免不必要的细节使本公开的描述模糊。
此外，应当理解，本文再现的框图可以表示体现本技术的原理的例示性部件的概念性视图。
因此，已经在附图中通过常规符号适时表示了系统和方法部件，其中仅示出了与理解本公开的示例有关的那些具体细节，这样本公开不会因为对于受益于本文描述的本领域普通技术人员显而易见的细节而模糊。
本文提供的任何附图可能未按比例绘制，并且可能不被认为以任何方式限制本公开。
在一些示例中，以虚线轮廓示出的任何特征或动作可以被认为是可选的。
发明内容
本公开的目的是消除或减轻现有技术的至少一个缺点。
本公开公开了一种显示面板，包括至少一个显示部分，该至少一个显示部分包括显示部分(子)像素布置，该显示部分(子)像素布置包括多个发射区域，每个发射区域对应于(子)像素；以及至少一个信号交换部分，该至少一个信号交换部分包括信号交换部分(子)像素布置，该信号交换部分(子)像素布置包括至少一个透射区域和多个发射区域，每个发射区域对应于(子)像素。该信号交换部分(子)像素布置通过在选自以下的至少一个特征方面不同于该显示部分(子)像素布置来容纳该至少一个透射区域：其中的至少一个(子)像素的尺寸、形状、配置和取向中的至少一者；像素密度；以及其中的(子)像素的节距。
根据广义方面，公开了一种显示面板，包括：至少一个显示部分，该至少一个显示部分包括显示部分(子)像素布置，该显示部分(子)像素布置包括多个发射区域，每个发射区域对应于(子)像素；以及至少一个信号交换部分，该至少一个信号交换部分包括信号交换部分(子)像素布置，该信号交换部分(子)像素布置包括至少一个透射区域和多个发射区域，每个发射区域对应于(子)像素，其中该信号交换部分(子)像素布置通过在选自以下的至少一个特征方面不同于该显示部分(子)像素布置来容纳该至少一个透射区域：其中的至少一个(子)像素的尺寸、形状、配置和取向中的至少一者；像素密度；以及其中的(子)像素的节距。
在一些非限制性示例中，该至少一个信号交换部分定位成接近于该显示面板的末端。
在一些非限制性示例中，至少一个显示部分可基本上围绕至少一个信号交换部分。
在一些非限制性示例中，在该至少一个透射区域的边界和子像素的与该至少一个透射区域的该边界接近的边界之间的间隔可为至少约5微米、6微米、8微米、10微米、11微米和12微米中的一者。
在一些非限制性示例中，在该信号交换部分中在该至少一个透射区域的边界和子像素的与该至少一个透射区域的该边界接近的边界之间的间隔可为约5微米-15微米、6微米-12微米和8微米-10微米之间中的一者。
在一些非限制性示例中，每个透射区域的尺寸可为至少10微米。
在一些非限制性示例中，每个透射区域的尺寸可为约10微米-150微米、10微米-130微米、15微米-120微米、15微米-100微米、20微米-80微米、20微米-65微米、25微米-60微米和30微米-50微米之间中的一者。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分中的这些发射区域和这些透射区域中的所有的总组合开口率可为不超过约60％、55％、50％、45％和40％中的一者。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分中的这些发射区域和这些透射区域中的所有的总组合开口率可为约30％-60％、35％-60％、40％-60％、35％-55％、40％-50％、45％-55％和45％-50％之间中的一者。
在一些非限制性示例中，至少一个透射区域可具有由多个透射边界段限定的边界。
在一些非限制性示例中，透射边界段可包括至少一个弯曲段。
在一些非限制性示例中，大部分该透射边界段可基本上平行于对应于与该透射边界段接近的(子)像素的发射区域的边界的一部分。
在一些非限制性示例中，至少一个信号透射区域可基本上没有阴极材料。
在一些非限制性示例中，可通过在该至少一个透射区域内沉积图案化涂层，之后沉积该阴极材料来基本上阻止该阴极材料在该至少一个透射区域内成核。
在一些非限制性示例中，可通过对该阴极材料进行激光烧蚀来将该阴极材料从该至少一个透射区域去除。
在一些非限制性示例中，该至少一个特征可为尺寸、形状、配置中的至少一者，并且该信号交换部分(子)像素布置和该显示部分(子)像素布置可共同地具有其中的该至少一个(子)像素的像素密度。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分(子)像素布置和该显示部分(子)像素布置可共同地具有其中的该至少一个(子)像素的节距。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分(子)像素布置中的至少一个(子)像素的尺寸可小于该显示部分(子)像素布置中的对应(子)像素的尺寸。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分(子)像素布置中的该(子)像素中的每个(子)像素的尺寸可小于该显示部分(子)像素布置中的对应(子)像素的尺寸。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分(子)像素布置的像素的该子像素在至少两个维度中侧向地间隔开。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分(子)像素布置可包括多个像素，每个像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分(子)像素布置的这些像素还可包括第二第二子像素。
在一些非限制性示例中，由多个非重叠矢量限定的区域限定与该像素相关联的轮廓，该多个非重叠矢量各自具有位于与该信号交换部分(子)像素布置的像素的一对该子像素相关联的该发射区域内的端点。
在一些非限制性示例中，每个矢量可为线性矢量。
在一些非限制性示例中，每个矢量可具有位于子像素的发射区域的形心处的端点。
在一些非限制性示例中，轮廓可包括限定框的四个矢量，并且包括各自具有共同顶点的四个相邻框的单位单元限定该信号交换部分(子)像素布置的最小重复单元。
在一些非限制性示例中，至少一个透射区域可设置在单位单元中的至少一个轮廓中。
在一些非限制性示例中，至少一个透射区域可完全位于单个至少一个轮廓内。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分中的该透射区域的开口率可为不超过约50％，45％、40％、35％、33％和25％中的一者。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分的透射区域的孔可为至少约5％、10％和15％中的一者。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分的所有发射区域的开口率可为不超过约20％、15％和10％中的一者。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分的所有发射区域的开口率可在约5％-10％之间，并且其中的所有透射区域的开口率可在约30％-50％之间。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分的所有发射区域的开口率可在约6％-9％之间，并且其中的所有透射区域的开口率可在约35％-45％之间。
在一些非限制性示例中，该至少一个特征可为像素密度，并且该信号交换部分(子)像素布置和该显示部分(子)像素布置共同地具有其中的至少一个(子)像素的尺寸、形状、配置、取向和节距中的至少一者。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分(子)像素布置和该显示部分(子)像素布置可共同地具有其中的至少一个(子)像素的尺寸、形状、配置、取向和节距中的每一者。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分(子)像素布置和该显示部分(子)像素布置可共同地具有其中的该至少一个(子)像素的节距。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分(子)像素布置的像素密度可小于该显示部分(子)像素布置的像素密度。
在一些非限制性示例中，在该信号交换部分(子)像素布置中，可省略与该显示部分(子)像素布置中的像素的子像素对应的至少一个像素的至少一个子像素。
在一些非限制性示例中，在该信号交换部分(子)像素布置中，可省略与存在于该显示部分(子)像素布置中的像素的子像素对应的至少一个像素的每个子像素。
在一些非限制性示例中，在该信号交换部分(子)像素布置中，可省略与存在于该显示部分(子)像素布置中的像素的子像素对应的每个其他像素的每个子像素。
在一些非限制性示例中，可选取所省略的子像素以最大化由此形成的至少一个空隙的尺寸。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分(子)像素布置中的像素密度可为显示部分(子)像素布置中的像素密度的50％、62.5％和75％中的一者。
在一些非限制性示例中，该至少一个透射区域可设置在通过省略该信号交换部分(子)像素布置中的至少一个像素的至少一个子像素来形成的至少一个空隙中。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分的透射区域的开口率可为约15％-40％、20％-40％、15％-35％和20％-35％之间中的一者。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分的透射区域的孔可为至少约5％、10％和15％中的一者。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分的所有发射区域的开口率可在约12％-25％之间。
在一些非限制性示例中，该信号交换部分的所有发射区域的开口率可在约12％-25％之间，并且其中的所有透射区域的开口率可在约30-45％之间。
在一些非限制性示例中，该至少一个特征可为节距，并且该信号交换部分(子)像素布置中的(子)像素的节距可小于该显示部分(子)像素布置中的(子)像素的节距。
在一些非限制性示例中，该至少一个特征可包括多个特征。
在一些非限制性示例中显示面板还可包括：至少一个过渡区域，该至少一个过渡区域设置在该显示部分和该信号交换部分之间，该至少一个过渡区域包括过渡区域(子)像素布置，该过渡区域(子)像素布置包括多个发射区域，每个发射区域对应于(子)像素，其中该过渡区域(子)像素布置在该至少一个特征方面与该显示部分(子)像素布置和该信号交换(子)像素布置两者不同，使得该至少一个过渡区域在该显示部分(子)像素布置和该信号交换(子)像素布置之间的插置减小在该显示部分(子)像素布置和该信号交换(子)像素布置之间的视觉感知差异。
在一些非限制性示例中，该至少一个过渡区域可包括至少一个透射区域。
在一些非限制性示例中，该至少一个过渡区域可环绕信号交换部分的边界布置。
在一些非限制性示例中，该至少一个过渡区域可围绕该至少一个信号交换部分，并且该至少一个显示部分可围绕该至少一个过渡区域。
在一些非限制性示例中，该至少一个过渡区域可包括第一过渡区域和第二过渡区域，其中该第一过渡区域设置在该显示部分和该第二过渡区域之间，并且该第二过渡区域设置在该第一过渡区域和该信号交换部分之间，并且该第二过渡区域的该过渡区域(子)像素布置在该至少一个特征方面与该第一过渡区域的该过渡区域(子)像素布置和该信号交换部分(子)像素布置两者不同，使得该第二过渡区域在该第一过渡区域的该过渡区域(子)像素布置和该信号交换部分(子)像素布置之间的插置减小该第一过渡区域的该过渡区域(子)像素布置和该信号交换部分(子)像素布置之间的视觉感知差异
具体实施方式
分层器件
本公开整体涉及分层半导体器件，并且更具体地涉及光电子器件。光电子器件一般可涵盖将电信号转换为光子和进行相反转换的任何器件。光电子器件的非限制性示例包括有机发光二极管(OLED)。
有机光电子器件可涵盖其中一个或多个有源层和/或其层主要由有机(含碳)材料，并且更具体地有机半导体材料形成的任何光电子器件。
现在转到图1，该图可示出示例性分层半导体器件100的剖视图。在一些非限制性示例中，如图10中更详细所示，器件100可包括沉积在基板10上的多个层。
标识为X轴的侧向轴可与标识为Z轴的纵轴一起示出。标识为Y轴的第二侧向轴可被示为基本上横向于X轴和Z轴两者。侧向轴中的至少一个可限定器件100的侧向朝向。纵轴可限定器件100的纵向朝向。
器件100的层可在基本上平行于由侧向轴限定的平面的侧向朝向上延伸。相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，图1所示的基本上平坦的表示可为出于示意性说明的目的的抽象概念。在一些非限制性示例中，在器件100的侧向范围上可存在具有不同厚度和尺寸的局部化的基本上平坦的层，在一些非限制性示例中，包括基本上完全不存在的层和/或由不平坦过渡区域(包括侧向间隙和甚至中断)分开的层。
因此，虽然出于示意性目的，器件100可在其侧向朝向上被示为基本上平行的平面层的基本上分层的结构，但这种器件可局部地示出不同的形貌以限定特征，每个特征可基本上在剖面朝向上表现出所讨论的分层轮廓。
在一些非限制性示例中，器件100的暴露层表面11的侧向朝向可包括第一部分101和第二部分102。在一些非限制性示例中，第二部分102可包括器件100的暴露层表面11的位于第一部分101之外的部分。
显示面板和用户设备
现在转到图2A，该图示出了诸如显示面板200的示例性分层器件的剖视图。在一些非限制性示例中，显示面板200可包括沉积在基板10上的多个层，该多个层以形成该显示面板的面201的最外层结束。在一些非限制性示例中，显示面板200可为器件100的一种型式。
如在图2B至图2D中更好地可见，在一些非限制性示例中，显示面板200可包括至少一个信号交换部分203和至少一个显示部分207。至少一个信号交换部分203可包括至少一个(EM辐射)透射区域31x(图3A)和至少一个(光)发射区域1401(图14A)。
至少一个显示部分207可包括至少一个发射区域1401。在一些非限制性示例中，至少一个显示部分207还可包括允许EM辐射以更大或更小程度透射穿过其的至少一个区域或部分。
在一些非限制性示例中，至少一个显示部分207可单独地和/或结合至少一个其他显示部分207基本上围绕至少一个信号交换部分203。在一些非限制性示例中，至少一个信号交换部分203可定位成接近于显示面板200的末端。在一些非限制性示例中，至少一个信号交换部分203可定位成接近于末端并且被配置成使得至少一个显示部分207并不完全围绕至少一个信号交换部分203。
在一些非限制性示例中，至少一个信号交换部分203可定位成接近于显示面板200的末端，包括但不限于诸如图2B所示的边缘或诸如图2C所示的拐角。
在一些非限制性示例中，至少一个信号交换部分203可定位成基本上居中地位于显示面板200的侧向朝向内，诸如图2D所示。
如图2B所示，在一些非限制性示例中，至少一个信号交换部分203可具有多边形轮廓，包括但不限于基本上正方形配置和矩形配置中的至少一者。
如图2C所示，在一些非限制性示例中，至少一个信号交换部分203可具有弯曲轮廓，包括但不限于基本上圆形配置、卵形配置和椭圆形配置中的至少一者。
相关领域的普通技术人员将理解，可存在这样的场景：需要(子)像素2210/32x在显示面板200的信号交换部分203中的布局在更大或更小程度上类似于这些(子)像素在显示面板的显示部分207中的布局，包括但不限于，出于制造的简化性，包括但不限于，允许使用精细金属掩模(FMM)，该FMM具有对于显示面板200的信号交换部分203和显示部分207两者基本上相同的孔布局，包括但不限于(子)像素孔的尺寸、形状和配置，并且其中信号交换部分203中相邻(子)像素2210/32x之间的间距(“节距”)与这些(子)像素在显示部分207中的节距相同或是其整数倍。
话虽如此，本公开中的示例可在这样的场景中具有适用性：其中(子)像素2210/32x在信号交换部分203中的布局可基本上不同于这些(子)像素在显示面板200的显示部分207中的布局。
在一些非限制性示例中，至少一个信号交换部分203的至少一个发射区域1401的开口率可至少在其相邻于和/或基本上接近于至少一个信号交换部分203的区域中与接近于至少一个信号交换部分203的至少一个发射区域1401的至少一个显示部分207的至少一个发射区域1401的开口率基本上相同。在一些非限制性示例中，显示面板200的开口率可跨该显示面板基本上均匀。在至少一些应用中，可存在这样的场景：需要至少一个信号交换部分203和至少一个显示部分207具有基本上相同的开口率，包括但不限于，使得显示面板200的表观亮度可跨该显示面板的至少一个信号交换部分203和至少一个显示部分207两者基本上相同。
在一些非限制性示例中，至少一个信号交换部分203的至少一个发射区域1401的像素密度可至少在其相邻于和/或基本上接近于至少一个信号交换部分203的区域中与接近于至少一个信号交换部分203的至少一个发射区域1401的至少一个显示部分207的至少一个发射区域1401的像素密度基本上相同。在一些非限制性示例中，显示面板100的像素密度可跨该显示面板基本上均匀。在至少一些应用中，可存在这样的场景：需要至少一个信号交换部分203和至少一个显示部分207具有基本上相同的像素密度，包括但不限于，使得显示面板200的分辨率可跨该显示面板的至少一个信号交换部分203和至少一个显示部分207两者基本上相同。
在一些非限制性示例中，至少一个信号交换部分203的至少一个发射区域1401的布置可在其相邻于和/或基本上接近于至少一个信号交换部分203的区域中与接近于至少一个信号交换部分203的至少一个发射区域1401的至少一个显示部分207的至少一个发射区域1401的布置基本上相同。在一些非限制性示例中，至少一个信号交换部分203中的(子)像素布局可与至少一个显示部分207的(子)像素布局基本上相同。
在本公开中，术语“透射区域”是指显示面板200的区域，包括但不限于至少一个透射区域31x，这些区域至少与显示面板200的不是透射区域31x的另一区域相比可被配置为允许入射在显示面板200上的更大部分的EM辐射透射穿过其。
在一些非限制性示例中，至少一个透射区域31x可包括透明导电材料并且/或者由和/或从这些透明导电材料形成，这些透明导电材料在一些非限制性示例中诸如至少一个透明导电氧化物(TCO)，包括但不限于ITO、IZO和/或IGZO。
在一些非限制性示例中，包括但不限于，在显示面板200包括OLED显示器件的情况下，至少一个发射区域1401可从其发射包括但不限于呈至少一个光子形式的EM辐射。在一些非限制性示例中，给定发射区域1401可对应于像素2210(图22A)和/或这种像素2210的子像素32x(图3A)。在一些非限制性示例中，像素2210可包括多个(子)像素2210/32x，每个(子)像素被配置为发射具有给定波长范围的(包括但不限于)呈光子形式的EM辐射，该多个(子)像素在一些非限制性示例中对应于相应颜色，包括但不限于R(红色)、G(绿色)和B(蓝色)。
在一些非限制性示例中，像素2210可包括三个(子)像素2210/32x，该三个(子)像素分别对应于三种颜色(包括但不限于R(红色)321、G(绿色)322和B(蓝色)323)中的每种颜色的单个(子)像素2210/32x。
在一些非限制性示例中，像素2210可包括四个(子)像素2210/32x，每个(子)像素分别对应于两种颜色(包括但不限于R(红色)321和B(蓝色)323)中的每种颜色的单个(子)像素2210/32x以及第三种颜色(包括但不限于G(绿色)322)的两个(子)像素2210/32x。
在一些非限制性示例中，给定颜色的(子)像素2210/32x的尺寸和/或形状(“几何形状”)可跨多个像素2210基本上相同或不同。
在一些非限制性示例中，第一颜色的(子)像素32x的尺寸和/或几何形状可与第二颜色和第三颜色中的至少一者的(子)像素32x的尺寸和/或几何形状基本上相同或不同。
在一些非限制性示例中，第一颜色、第二颜色和第三颜色中的至少一者的(子)像素2210/32x的相对几何形状和/或由这些由(子)像素发射的波长范围可在考虑如何视觉处理各种波长和/或工程约束(包括但不限于功率消耗、器件可靠性和/或器件寿命)的存在的情况下进行选择。
相关领域的普通技术人员将理解，(子)像素2210/32x的具体布置可根据显示面板200的设计而变化。在一些非限制性示例中，子像素2210/32x可根据已知的布置方案来布置，这些已知的布置方案包括但不限于RGB并排、菱形和/或
在一些非限制性示例中，(子)像素2210/32x可以并排布置进行设置。在一些非限制性示例中，第一像素2210的(子)像素2210/32x的(颜色)顺序可与第二像素2210的(子)像素2210/32x的(颜色)顺序相同。在一些非限制性示例中，第一像素2210的(子)像素2210/32x的(颜色)顺序可与第二像素2210的(子)像素2210/32x的(颜色)顺序不同。
在一些非限制性示例中，相邻像素2210的(子)像素2210/32x可以行布置、列布置和阵列布置中的至少一者对准。
在一些非限制性示例中，相邻像素2210的所对准的(子)像素2210/32x的行和列中的第一至少一个(子)像素可包括相同或不同颜色的(子)像素2210/32x。
在一些非限制性示例中，相邻像素2210的所对准的(子)像素2210/32x的行和列中的第一至少一个(子)像素可与相邻像素的所对准的(子)像素2210/32x的行和列中的第二至少一个(子)像素和第三至少一个(子)像素中的至少一者对准。
在一些非限制性示例中，相邻像素2210的所对准的(子)像素2210/32x的行和列中的第一至少一个(子)像素可与相邻像素2210的所对准的(子)像素2210/32x的行和列中的第二至少一个(子)像素和第三至少一个(子)像素中的至少一者偏移或不对准。
在一些非限制性示例中，行和列中的这种第一至少一个(子)像素、第二至少一个(子)像素和/或第三至少一个(子)像素的相邻像素2210的(子)像素2210/32x可布置成使得行和列中的第一至少一个(子)像素、第二至少一个(子)像素和/或第三至少一个(子)像素中的每一者的对应(子)像素2210/32x可具有共同颜色。
在一些非限制性示例中，行和列中的这种第一至少一个(子)像素、第二至少一个(子)像素和/或第三至少一个(子)像素的相邻像素2210的(子)像素2210/32x可布置成使得行和列中的第一至少一个(子)像素、第二至少一个(子)像素和/或第三至少一个(子)像素中的每一者的对应(子)像素2210/32x可具有不同颜色。
在一些非限制性示例中，在至少一个信号交换部分203中，至少一个透射区域31x可设置在多个发射区域1401之间。在一些非限制性示例中，至少一个透射区域31x可设置在相邻(子)像素2210/32x之间。在一些非限制性示例中，围绕至少一个透射区域31x的相邻(子)像素2210/32x可形成共同像素2210的一部分。在一些非限制性示例中，围绕至少一个透射区域31x的相邻(子)像素2210/32x可与不同像素2210相关联。
再次参考图2A，显示面板200的面201可基本上沿着由侧向轴线限定的平面跨其侧向朝向延伸。在一些非限制性示例中，面201以及实际上显示面板200可充当用户器件210的面，至少一个EM信号231可穿过该面以相对于面201的平面成一定角度来交换。在一些非限制性示例中，用户器件210可为计算器件诸如但不限于智能手机、平板电脑、膝上型电脑和/或电子阅读器，和/或一些其他电子器件诸如监视器、电视机和/或智能器件，包括但不限于汽车显示器和/或挡风玻璃、家用电器和/或医疗、商业和/或工业器件。
在一些非限制性示例中，面201可对应于和/或匹配于主体220和/或其中的开口221，至少一个显示器下部件230可容纳在该开口内。
在一些非限制性示例中，至少一个显示器下部件230可与显示面板200在其与面201相对的表面上一体地形成，或者作为组装模块形成。在一些非限制性示例中，至少一个显示器下部件230可在显示面板200的基板10的与面201相对的表面上形成。
在一些非限制性示例中，至少一个孔204可在显示面板200中形成，以允许至少一个EM信号231通过显示面板200的面201以与由显示面板200的各层(包括但不限于显示面板200的面201)的侧向轴线或伴随而来的层所限定的平面成一定角度来交换。在一些非限制性示例中，至少一个EM信号231可在至少一个显示器下部件230和外部对象20(包括但不限于用户器件210的用户)之间交换。
在一些非限制性示例中，至少一个孔204可对应于至少一个信号交换部分203的至少一个透射区域31x。在一些非限制性示例中，给定信号交换部分203可包括多个至少一个孔204。
在一些非限制性示例中，至少一个孔204可被理解为包括原本跨显示面板200设置的基本上不透明的涂层的不存在以及/或者厚度和/或不透明度减小。
换句话说，至少一个EM信号231可穿过该至少一个孔204，使得它穿过面201。因此，至少一个EM信号231可被认为排除了可沿着由侧向轴线限定的平面延伸的任何EM辐射，包括但不限于可跨沉积层130侧向地跨显示面板200传导的任何电流。
此外，相关领域的普通技术人员将理解，至少一个EM信号231可与EM辐射本身区分开，包括但不限于由其产生的电流和/或电场，因为至少一个EM信号231可单独地或者与其他EM信号231一起传达某种信息内容，包括但不限于标识符，通过该标识符可将至少一个EM信号231与其他EM信号231区分开。在一些非限制性示例中，该信息内容可通过指定、更改和/或调节至少一个EM信号231的波长、频率、相位、定时、带宽和/或其他特性中的至少一者来传达。
在一些非限制性示例中，穿过显示面板200的至少一个孔204的至少一个EM信号231可包括至少一个光子，并且在一些非限制性示例中，可具有非限制性地位于可见光谱、IR光谱和/或NIR光谱中的至少一者内的波长光谱。
在一些非限制性示例中，穿过显示面板200的至少一个孔204的至少一个EM信号231可包括入射在其上的环境光。
在一些非限制性示例中，通过显示面板200的至少一个孔204交换的至少一个EM信号231可由至少一个显示器下部件230发射和/或接收。
在一些非限制性示例中，至少一个显示器下部件230可具有大于单个透光区域31x的尺寸，但可不仅位于多个透光区域31x之下，而且位于在其间延伸的至少一个发射区域1401之下。类似地，在一些非限制性示例中，至少一个显示器下部件230可具有大于至少一个孔204中的单个孔的尺寸。
在一些非限制性示例中，至少一个显示器下部件230可包括接收器230r，该接收器适于接收和处理从用户器件210之外穿过至少一个孔204的至少一个EM信号231。这种接收器230r的非限制性示例包括显示器下相机(UDC)和/或传感器，包括但不限于IR传感器、NIR传感器、LIDAR感测模块、指纹感测模块、光学感测模块、IR(接近)感测模块、虹膜识别感测模块和/或面部辨识感测模块。
在一些非限制性示例中，至少一个显示器下部件230可包括发射器230t，该发射器适于发射从用户器件210之外穿过至少一个孔204的至少一个EM信号231。这种发射器230t的非限制性示例包括EM辐射源，包括但不限于内置闪光灯、闪光灯、IR发射器和/或NIR发射器和/或LIDAR感测模块、指纹感测模块、光学感测模块、IR(接近)感测模块、虹膜识别感测模块和/或面部识别感测模块。
在一些非限制性示例中，在用户器件210之外穿过显示面板200的至少一个孔204的至少一个EM信号231(包括但不限于由包括发射器230t的至少一个显示器下部件230发射的EM信号)可从显示面板200发出并且通过显示面板200的至少一个孔204传回到包括接收器230r的至少一个显示器下部件230。
在一些非限制性示例中，在用户器件210内可存在多个显示器下部件230，其中的第一个包括发射器230t，该发射器用于发射从用户器件210之外穿过至少一个孔204的至少一个EM信号231，并且其中的第二个包括接收器230r，该接收器用于接收至少一个EM信号231。在一些非限制性示例中，这种发射器230t和接收器230r可包含在至少一个显示器下部件230中的单个共同部件中。
在一些非限制性示例中，至少一个显示器下部件230可不发射EM信号231，而是显示面板200可包括光电子器件，包括但不限于发光器件，包括但不限于发射至少一个EM信号231的OLED器件。
在一些非限制性示例中，对象20可呈现用于反射至少一个EM信号231的表面。在一些非限制性示例中，至少一个EM信号231可为反射离开对象20的表面的光，该光作为非限制性示例可为环境光。
在信号交换部分中具有散布透射区域以保持显示部分的像素密度的像素布置
现在转到图3A，作为非限制性示例以平面图示出可跨显示面板200的信号交换部分203应用的示例性(子)像素布置300a。
在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203的像素密度可与显示面板200的显示部分207的像素密度基本上相同。
在一些非限制性示例中，至少一个信号交换部分203的至少一个发射区域1401的开口率可至少在其相邻于和/或基本上接近于至少一个信号交换部分203的区域中与接近于至少一个信号交换部分203的至少一个发射区域1401的至少一个显示部分207的至少一个发射区域1401的开口率基本上相同。在一些非限制性示例中，这可通过使对应于(子)像素32x的发射区域1401的尺寸、形状和取向中的至少一者在至少一个信号交换部分203和至少一个显示部分207两者中基本上相同来实现。
在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203中的(子)像素2210/32x的尺寸、形状和配置中的至少一者可与显示面板200的显示部分207的尺寸、形状和配置不同(包括但不限于尺寸减小)，以便在信号交换部分203中提供用于容纳透射区域31x的添加的空间，包括但不限于以便最大化透射区域31x的开口率。
相关领域的普通技术人员将容易地理解，如在显示面板200的信号交换部分203和显示部分207之间更改(子)像素32x的发射区域1401的尺寸、形状和取向中的至少一者可在一些非限制性示例中更改这些(子)像素之间的开口率，尽管这些(子)像素之间的像素密度可保持不变。
在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203中的(子)像素32x的所有发射区域1401的开口率可为不超过约20％、15％和10％中的一者。
在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203中的透射区域31x的开口率可为不超过约50％、45％、40％、35％、33％、30％和25％中的一者，该开口率可为存在于这种部分中的所有透射区域31x的开口率之和。在一些非限制性示例中，透射区域31x的开口率可为至少约5％、10％和15％中的一者。
在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203中的(子)像素32x的所有发射区域1401的开口率(其可为存在于这种部分中的所有(子)像素32x(包括但不限于第一子像素321、第二子像素322和第三子像素323)的开口率之和)可在约5％-10％之间，并且其中的透射区域31x的开口率可在约30％-50％之间。
在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203中的(子)像素32x的所有发射区域1401的开口率(其可为存在于这种部分中的所有(子)像素32x(包括但不限于第一子像素321、第二子像素322和第三子像素323)的开口率之和)可在约6％-9％之间，并且其中的透射区域31x的开口率可在约35％-45％之间。
在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203中的(子)像素32x的所有发射区域1401和透射区域31x的总组合开口率可为不超过约60％、55％、505、45％和40％中的一者。在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203中的(子)像素32x的所有发射区域1401和透射区域31x的总组合开口率可为约30％-60％、35％-60％、40％-60％、35％-55％、40％-50％、45％-55％和45％-50％之间中的一者。
在一些非限制性示例中，至少一个透射区域31x的尺寸可为至少约10微米。在一些非限制性示例中，至少一个透射区域31x的尺寸可为约10微米-150微米、10微米-130微米、15微米-100微米、20微米-80微米、20微米-65微米、25微米-60微米和30微米-50微米之间中的一者。
在一些非限制性示例中，如在信号交换部分203和显示部分207之间的表观或视觉感知差异作为开口率的这种改变的结果可通过至少一个措施来减小，该至少一个措施包括但不限于：
·在如显示面板200的信号交换部分203和显示部分207之间保持(子)像素32x的发射区域1401的开口率、尺寸和形状中的至少一者之间的相对比例；
·更改显示面板200的信号交换部分203和显示部分207中的至少一者中的这些(子)像素32x中的至少一个(子)像素的至少一个特征，这种至少一个特征包括但不限于：发射辐射的强度和电流密度；和
·绕显示面板200的信号交换部分203和显示部分207中的至少一者和/或在该信号交换部分和该显示部分之间建立至少一个过渡区域，每个过渡区域具有中间开口率、尺寸、形状、取向和/或节距，以便跨显示面板200的增加的侧向朝向分散信号交换部分和显示部分之间的这种表观或视觉感知差异。
以1:2:1比率具有四个子像素的像素
在一些非限制性示例中，(子)像素布置300a可包括单个透射区域31x和多个发射区域1401，该多个发射区域在一些非限制性示例中可对应于像素2210的四个(子)像素2210/32x。在一些非限制性示例中，透射区域31x可位于与四个(子)像素2210/32x对应的发射区域1401内并且由这些发射区域围绕。
在一些非限制性示例中，(子)像素布置300a可由第一配置轴线340和第二配置轴线345限定，该第一配置轴线和第二配置轴线两者可位于显示面板200的侧向平面中并且相交在相交点处。在一些非限制性示例中，第一配置轴线340可基本上正交于第二配置轴线345。
在一些非限制性示例中，透射区域31x可在平面图中绕第一配置轴线340和第二配置轴线345的相交点居中。
在一些非限制性示例中，透射区域31x的侧向范围可由该透射区域的封闭透射边界或周边315限定。在一些非限制性示例中，透射边界315可关于第一配置轴线340和第二配置轴线345中的至少一者对称。在一些非限制性示例中，如图所示，透射边界315可关于第一配置轴线340和第二配置轴线345两者对称。
在一些非限制性示例中，透射区域310可具有基本上四边形透射边界315，该基本上四边形透射边界包括多个线性透射边界段311-314并且由该多个线性透射边界段限定。在一些非限制性示例中，透射边界段311、313中的至少一者可基本上平行于第一配置轴线340。在一些非限制性示例中，可存在基本上平行于第一配置轴线340的此类透射边界段311、313中的两者。在一些非限制性示例中，透射边界段312、314中的至少一者可基本上平行于第二配置轴线345。在一些非限制性示例中，可存在基本上平行于第二配置轴线345的此类透射边界段312、314中的两者。
在一些非限制性示例中，透射边界段311-314中没有一者可彼此平行。
在一些非限制性示例中，诸如图3A所示，透射边界段311-314中的每一者可具有基本上相等的长度。
在一些非限制性示例中，透射边界段311-314中没有一者可具有基本上相等的长度。
现在转到图3B，作为非限制性示例以平面图示出可跨显示面板200的信号交换部分203应用的示例性(子)像素布置300b。可看出(子)像素布置300b与(子)像素布置300a的不同之处在于透射区域31x(以及(子)像素2210/32x)表现出基本上圆化拐角。
如本文所讨论，不希望受特定理论的束缚，可假定，当透射区域31x的封闭边界包括至少一个非直线段和/或曲线段时，入射于其上并且透射穿过其的EM信号可表现出较不独特和/或更均匀的衍射图案，该衍射图案促进减轻由该衍射图案引起的干扰。
在一些非限制性示例中，多个透射边界段311-314可由至少一个基本上弯曲透射边界段316-319耦接并且可在该至少一个基本上弯曲的透射边界段之间延伸。因此，在一些非限制性示例中，线性透射边界段311-314的相应端点可与弯曲透射边界段316-319的端点耦接。
在一些非限制性示例中，弯曲透射边界段316-319中的至少一者可具有最小曲率半径。在一些非限制性示例中，可与制造过程中的约束相关的此类最小曲率半径可为约8微米和10微米中的一者。
在一些非限制性示例中，该对第二子像素322可定位成关于第一配置轴线340和第二配置轴线345中的至少一者(在一些非限制性示例中第一配置轴线340)对称，并且透射区域31x定位在该对第二子像素之间。在一些非限制性示例中，第一子像素321和第三子像素323可定位成关于第一配置轴线340和第二配置轴线345中的至少一者(在一些非限制性示例中第二配置轴线345)对称，并且透射区域31x定位在该第一子像素和该第三子像素之间。
在一些非限制性示例中，发射区域1401中的至少一个发射区域可具有包括多个直线段并且由该多个直线段限定的基本上四边形边界或轮廓。
在(子)像素布置300a中，在一些非限制性示例中，四个(子)像素2210/32x可对应于第一子像素321、一对第二子像素322和第三子像素323。在一些非限制性示例中，第一子像素321可对应于R(红色)颜色，第二子像素322可对应于G(绿色)颜色，并且第三子像素323可对应于B(蓝色)颜色。
在一些非限制性示例中，透射区域31x可定位在对应于共同像素2210的一对第二子像素322之间。在一些非限制性示例中，透射区域31x可定位在对应于第一像素2210的第二子像素322和对应于第二子像素2210的第二子像素322之间。在一些非限制性示例中，在这种透射区域31x和第一第二子像素322之间的间距可与在这种透射区域31x和第二第二子像素322之间的间距基本上相同。
在一些非限制性示例中，透射区域31x可定位在对应于共同像素2210的第一子像素321和第三子像素323之间。在一些非限制性示例中，透射区域31x可定位在对应于第一像素2210的第一子像素321和对应于第二子像素2210的第三子像素323之间。在一些非限制性示例中，在这种透射区域31x和第一子像素321之间的间距可与在这种透射区域31x和第三子像素323之间的间距基本上相同。
在一些非限制性示例中，给定透射区域31x可既定位在第一子像素321和第三子像素323之间又定位在两个第二子像素322之间。
在一些非限制性示例中，第一子像素321的侧向范围可由该第一子像素的封闭第一子像素边界355限定。如图所示，在一些非限制性示例中，第一子像素边界355可包括多个基本上线性第一子像素段351-354。在一些非限制性示例中，第一子像素段352、354中的至少一者可基本上平行于、接近于并且在一些非限制性示例中相邻于透射区域31x的透射边界段312、314中的对应的至少一者。
在一些非限制性示例中，大部分透射边界段311-314可基本上平行于相邻子像素边界段351-354、361-364、371-374。
在一些非限制性示例中，如图所示，关于第一子像素321，第一子像素段354可接近于和/或在一些非限制性示例中相邻于对应的透射边界段312。
在一些非限制性示例中，至少一个第一子像素段354和与该至少一个第一子像素段354接近的对应的至少一个透射边界段312可分开最小距离。在一些非限制性示例中，在一些非限制性示例中可与制造过程中的约束相关的这种最小距离可为约5微米、6微米、8微米、10微米、11微米和12微米中的一者。在一些非限制性示例中，这种最小距离可为约5微米-15微米、6微米-12微米和8微米-10微米之间中的一者。
在一些非限制性示例中，诸如在图3B中所示，多个线性第一子像素段351-354可由至少一个基本上弯曲的第一子像素段356-359耦接并且可在该至少一个基本上弯曲的第一子像素段之间延伸。因此，在一些非限制性示例中，线性第一子像素段351-354的相应端点可与弯曲的第一子像素段356-359的端点耦接。
在一些非限制性示例中，弯曲的第一子像素段356-359中的至少一者可具有最小曲率半径。在一些非限制性示例中，可与制造过程中的约束相关的此类最小曲率半径可为约8微米和10微米中的一者。
在一些非限制性示例中，第二子像素322中的一个第二子像素的侧向范围可由该第二子像素的封闭第二子像素边界365限定。如图所示，在一些非限制性示例中，第二子像素边界365可包括多个基本上线性第二子像素段361-364。在一些非限制性示例中，第二子像素段361、363中的至少一者可基本上平行于、接近于并且在一些非限制性示例中相邻于透射区域31x的透射边界段311、313中的对应的至少一者。
在一些非限制性示例中，如图所示，关于第二子像素322a，第二子像素段363可接近于和/或在一些非限制性示例中相邻于对应的透射边界段311。
在一些非限制性示例中，如图所示，关于第二子像素322b，第二子像素段361可接近于和/或在一些非限制性示例中相邻于对应的透射边界段313。
在一些非限制性示例中，至少一个第二子像素段363和透射区域31x的与该至少一个第二子像素段363接近的对应的至少一个透射边界段311可分开最小距离。在一些非限制性示例中，至少一个第二子像素段361和透射区域31x的与该至少一个第二子像素段361接近的对应的至少一个透射边界段313可分开最小距离。在一些非限制性示例中，在一些非限制性示例中可与制造过程中的约束相关的这种最小距离可为约5微米、6微米、8微米、10微米、11微米和12微米中的一者。在一些非限制性示例中，这种最小距离可为约5微米-15微米、6微米-12微米和8微米-10微米之间中的一者。
在一些非限制性示例中，诸如在图3B中所示，多个线性第二子像素段361-364可由至少一个基本上弯曲的第二子像素段366-369耦接并且可在该至少一个基本上弯曲的第二子像素段之间延伸。因此，在一些非限制性示例中，线性第二子像素段361-364的相应端点可与弯曲的第二子像素段366-369的端点耦接。
在一些非限制性示例中，弯曲的第二子像素段366-369中的至少一者可具有最小曲率半径。在一些非限制性示例中，可与制造过程中的约束相关的此类最小曲率半径可为约8微米和10微米中的一者。
在一些非限制性示例中，第三子像素323的侧向范围可由该第三子像素的封闭第三子像素边界375限定。如图所示，在一些非限制性示例中，第三子像素边界375可包括多个基本上线性第三子像素段371-374。在一些非限制性示例中，第三子像素段372、374中的至少一者可基本上平行于、接近于并且在一些非限制性示例中相邻于透射区域31x的透射边界段312、314中的对应的至少一者。
在一些非限制性示例中，如图所示，关于第三子像素323，第三子像素段372可接近于和/或在一些非限制性示例中相邻于对应的透射边界段314。
在一些非限制性示例中，至少一个第三子像素段372和透射区域31x的与该至少一个第三子像素段372接近的对应的至少一个透射边界段314可分开最小距离分开。在一些非限制性示例中，在一些非限制性示例中可与制造过程中的约束相关的这种最小距离可为约5微米、6微米、8微米、10微米、11微米和12微米中的一者。在一些非限制性示例中，这种最小距离可为约5微米-15微米、6微米-12微米和8微米-10微米之间中的一者。
在一些非限制性示例中，诸如在图3B中所示，多个线性第三子像素段371-374可由至少一个基本上弯曲的第三子像素段376-379耦接并且可在该至少一个基本上弯曲的第三子像素段之间延伸。因此，在一些非限制性示例中，线性第三子像素段371-374的相应端点可与弯曲的第三子像素段376-379的端点耦接。
在一些非限制性示例中，弯曲的第三子像素段376-379中的至少一者可具有最小曲率半径。在一些非限制性示例中，可与制造过程中的约束相关的此类最小曲率半径可为约8微米和10微米中的一者。
因此，(子)像素布置300a保持(子)像素2210/32x的高开口率和高子像素密度，同时在该(子)像素布置内提供透射区域31x，该透射区域具有允许通过显示面板200的信号交换部分203交换EM信号231的区域。
在一些非限制性示例中，(子)像素布置300a可被配置为使得多个(包括但不限于四个)连接的非重叠轮廓矢量331-334可限定轮廓330、336、337，该轮廓在一些非限制性示例中可类似于四边形或框330，每个连接的非重叠轮廓矢量开始于位于第一发射区域1401内(包括但不限于在该第一发射区域的形心处)的端点处并且终止于位于第二发射区域1401内(包括但不限于在该第二发射区域的形心处)的端点处，其中第一发射区域和第二发射区域1401与一对子像素32x相关联而不穿过透射区域31x。
在一些非限制性示例中，第一发射区域1401和第二发射区域1401可基本上彼此邻接，使得对应的轮廓矢量331-334可跨第一发射区域1401的至少一部分和第二发射区域1401的至少一部分侧向地延伸，而其间没有任何东西。
在一些非限制性示例中，第一发射区域1401和第二发射区域1401可间隔开，使得对应的轮廓矢量331-334可跨第一发射区域1401的至少一部分和第二发射区域1401的至少一部分侧向地延伸，并且区域在其间延伸。
在一些非限制性示例中，第一子像素321、一对第二子像素322和第三子像素323的位置可为使得框330可限定正方形、矩形、平行四边形和梯形中的至少一者。在一些非限制性示例中，第一子像素321、一对第二子像素322和第三子像素323的位置可为使得轮廓矢量331-334中没有一者可具有基本上相等的长度。在一些非限制性示例中，第一子像素321、一对第二子像素322和第三子像素323的位置可为使得轮廓矢量331-334中的至少两者可具有基本上相等的长度。在一些非限制性示例中，第一子像素321、一对第二子像素322和第三子像素323的位置可为使得轮廓矢量331-334中没有一者可彼此平行。
在一些非限制性示例中，轮廓330可包封至少一个透射区域31x。在一些非限制性示例中，轮廓330、336、337的轮廓矢量331-334可围绕，并且在一些非限制性示例中避免穿过透射区域31x。
现在转到图3C，示出了显示面板200的信号交换部分203，其中(子)像素布置300a跨其侧向朝向进行重复。可看出，多个相邻轮廓330、336、337(包括但不限于四个相邻框330)可被组合以限定单位单元335，每个轮廓具有穿过共同(子)像素2210/32x的形心的线段。虽然在图中单位单元335b可具有B(蓝色)子像素323作为共同(子)像素2210/32x，但相关领域的技术人员将理解，在一些非限制性示例中，共同(子)像素2210/32x同等地可为R(红色)子像素321(单位单元335r)或该对G(绿色)子像素322中的一者(单位单元335ga或335gb，单位单元335gb在一些非限制性示例中可被视为335ga的垂直或水平翻转版本或其已在顺时针方向或逆时针方向中的任一者上旋转基本上约90°的版本)。无论共同(子)像素2210/32x的颜色如何，在一些非限制性示例中，相邻单位单元335将具有相同颜色的共同(子)像素2210/32x。
相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，单位单元335可构成信号交换部分203中的(子)像素2210/32x的阵列的重复单元。在一些非限制性示例中，单位单元335可为最小尺寸的重复单元。
相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，无论单位单元335是否具有共同(子)像素2210/32x，该共同(子)像素是R(红色)子像素321(单位单元335r)或该对G(绿色)子像素322中的一者(单位单元335ga或335gb)或B(蓝色)子像素323(单位单元335b)，相同像素布局都可被视为单位单元335的重复。
在一些非限制性示例中，单位单元335的至少一个轮廓330、336、337可包封至少一个透射区域31x。在一些非限制性示例中，单位单元335的轮廓330、336、337中的每一者可包封至少一个透射区域31x。
在一些非限制性示例中，单位单元335可包括具有基本上类似形状和尺寸的多个轮廓330、336、337。在一些非限制性示例中，单位单元335可包括轮廓330、336、337，其中没有一者的形状和尺寸中的至少一者基本上相等。
现在转到图3D，作为非限制性示例以平面图示出可跨显示面板200的信号交换部分203应用的示例性(子)像素布置300d。可看出(子)像素布置300d与(子)像素布置300a的不同之处在于透射区域31x(在顺时针方向或逆时针方向上)已旋转了基本上约90°。
因此，在线性透射边界段311-314和线性第一子像素段351-354、线性第二子像素段361-364和线性第三子像素段371-374中的至少一者之间的平行关系可不被保持。
在一些非限制性示例中，第一配置轴线340和第二配置轴线345可被认为各自(在顺时针方向或逆时针方向上)旋转了基本上约90°。
如果这样，则在一些非限制性示例中，可保持在第一配置轴线340和第二配置轴线345中的至少一者和线性透射边界段311-314之间的平行关系。然而，在这种情况下，可不认为在第一配置轴线340和第二配置轴线345中的至少一者和线性第一子像素段351-354、线性第二子像素段361-364和线性第三子像素段371-374中的至少一者之间保持平行关系。
在一些非限制性示例中，轮廓矢量331-334中的至少一者(包括但不限于轮廓矢量332、334中的至少一者)可基本上平行于第一配置轴线340。在一些非限制性示例中，轮廓矢量331-334中的至少一者(包括但不限于轮廓矢量331、333中的至少一者)可基本上平行于第二配置轴线340。
现在转到图3E，作为非限制性示例以平面图示出可跨显示面板200的信号交换部分203应用的示例性(子)像素布置300e。可看出(子)像素布置300e与(子)像素布置300d的不同之处在于透射边界段311、313中的至少一者可具有第一长度，并且透射边界段312、314中的至少一者可具有不同于第一长度的第二长度。
现在转到图3F，作为非限制性示例以平面图示出可跨显示面板200的信号交换部分203应用的示例性(子)像素布置300f。可看出(子)像素布置300f与(子)像素布置300e的不同之处在于透射区域31x(在顺时针方向或逆时针方向上)已旋转了基本上约90°。
现在转到图3G，作为非限制性示例以平面图示出可跨显示面板200的信号交换部分203应用的示例性(子)像素布置300g。可看出(子)像素布置300g与(子)像素布置300a的不同之处在于第一子像素321、第二子像素322和第三子像素323中的至少一者已(在顺时针方向或逆时针方向上)旋转了基本上约90°。
因此，在线性透射边界段311-314和线性第一子像素段351-354、线性第二子像素段361-364和线性第三子像素段371-374中的至少一者之间的平行关系可不被保持。
在一些非限制性示例中，可认为在第一配置轴线340和第二配置轴线345中的至少一者和线性第一子像素段351-354、线性第二子像素段361-364和线性第三子像素段371-374中的至少一者之间保持平行关系。然而，在这种情况下，在第一配置轴线340和第二配置轴线345中的至少一者和线性透射边界段311-314之间的平行关系可不被保持。
现在转到图3H，作为非限制性示例以平面图示出可跨显示面板200的信号交换部分203应用的示例性(子)像素布置300h。可看出(子)像素布置300h与(子)像素布置300g的不同之处在于线性第一子像素段351-354、线性第二子像素段361-364和线性第三子像素段371-374中的至少一者(在图中，线性第二子像素段361-364)并非所有都具有基本上相等长度，并且在一些非限制性示例中可通过至少一个弯曲的第一子像素段356-359、至少一个弯曲的第二子像素段366-369和至少一个弯曲的第三子像素段376-379中的相应至少一者(在图中，它们中的每一者)耦接并且可在它们之间延伸。
在一些非限制性示例中，第一子像素段351-354中的至少一者(包括但不限于段351、353)可具有第一长度，并且第一子像素段351-354中的至少一者(包括但不限于段352、354)可具有不同于第一长度的第二长度。
在一些非限制性示例中，第二子像素段361-364中的至少一者(包括但不限于段361、363)可具有第一长度，并且第二子像素段361-364中的至少一者(包括但不限于段362、364)可具有不同于第一长度的第二长度。
在一些非限制性示例中，第三子像素段371-374中的至少一者(包括但不限于段371、373)可具有第一长度，并且第三子像素段371-374中的至少一者(包括但不限于段372、374)可具有不同于第一长度的第二长度。
现转到图3I，示出了显示面板200的信号交换部分203，其中(子)像素布置300g跨其侧向朝向进行重复。
现在转到图3J，作为非限制性示例以平面图示出可跨显示面板200的信号交换部分203应用的示例性(子)像素布置300j。虽然在一些非限制性示例中对应于显示面板200的信号交换部分203中的至少一个(子)像素32x的发射区域1401的尺寸、形状和取向中的至少一者可与对应于显示面板200的显示部分207的对应的至少一个(子)像素32x的发射区域1401的尺寸、形状和取向中的至少一者基本上相同，包括如本文所述，但在至少(子)像素布置300a的上下文中，在一些非限制性示例中，对应于显示面板200的信号交换部分203中的至少一个(子)像素32x的发射区域1401的尺寸、形状和取向中的至少一者可不同于对应于显示面板200的显示部分207的对应的至少一个(子)像素32x的发射区域1401的尺寸、形状和取向中的至少一者。
在(子)像素布置300j中，第一子像素321可被示出为在信号交换部分203中具有发射区域1401，该发射区域具有由信号交换第一子像素轮廓350指示的示例性尺寸、形状和取向，并且可将其与显示部分207中的对应发射区域1401的由叠加在该信号交换第一子像素轮廓上的显示第一子像素轮廓355指示的示例性尺寸、形状和取向进行比较和对比。类似地，第二子像素322可被示出为在信号交换部分203中具有发射区域1401，该发射区域具有由信号交换第二子像素轮廓360指示的示例尺寸、形状和取向，并且可将其与显示部分207中的对应发射区域1401的由叠加在该信号交换第二子像素轮廓上的显示第二子像素轮廓365指示的示例性尺寸、形状和取向进行比较和对比，并且第三子像素323可被示出为在信号交换部分203中具有发射区域1401，该发射区域具有由信号交换第三子像素轮廓370指示的示例性尺寸、形状和取向，并且可将其与显示部分207中的对应发射区域1401的由叠加在该信号交换第三子像素轮廓上的显示第三子像素轮廓375指示的示例性尺寸、形状和取向进行比较和对比。
在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203中的(包括但不限于)第一子像素321的至少一个发射区域1401的尺寸可超过第二子像素322的对应的至少一个发射区域1401的尺寸。在一些非限制性示例中，第三子像素323的至少一个发射区域1401的尺寸可超过第一子像素321的对应的至少一个发射区域1401的尺寸。
如(子)像素布置300j中所示，在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203中的(子)像素32x的发射区域1401相对于显示面板200的显示部分中的(子)像素32x的发射区域1401的取向通过将发射区域1401相对于显示面板200中的(子)像素32x的发射区域1401(在顺时针方向或逆时针方向上)旋转了基本上约90°。
如(子)像素布置300j中所示，在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203中的至少一个(子)像素32x的至少一个发射区域1401的尺寸相对于显示面板200中的显示部分中的对应(子)像素32x的对应发射区域1401的尺寸可另选地和/或同样地被减小，使得显示面板200的信号交换部分203中的至少一个(子)像素32x的至少一个发射区域1401的对角范围可在长度上基本上等于显示面板200的显示部分207中的对应(子)像素32x的对应发射区域1401的边界的直线段中的一个直线段，使得当如图所示叠加时，显示面板200的信号交换部分203中的至少一个(子)像素32x的至少一个发射区域1401可被看作为基本上由显示面板200的显示部分207中的对应(子)像素32x的对应发射区域1401的侧边包围。
在一些非限制性示例中，(子)像素布置300j中的(包括但不限于)线性第一子像素段351-354中的至少一者的长度可为约11.6微米。在一些非限制性示例中，(子)像素布置300j中的(包括但不限于)线性第二子像素段361-364中的至少一者的长度可为约8.7微米。在一些非限制性示例中，(子)像素布置300j中的(包括但不限于)线性第三子像素段371-374中的至少一者的长度可为约14.5微米。
在一些非限制性示例中，相对于显示面板200的显示部分207的对应(子)像素32x的对应发射区域1401，旋转且减小显示面板200的信号交换部分203中的至少一个(子)像素2210/32x的至少一个发射区域1401的尺寸可在显示面板200的信号交换部分203中的多个相邻(子)像素32x之间提供间隔，使得可在这些多个相邻(子)像素之间引入至少一个透射区域31x，而无需更改显示面板200的信号交换部分203和显示部分207之间的像素密度。
在一些非限制性示例中，(包括但不限于)在(子)像素布置300j中由显示面板200的信号交换部分203表现出的像素密度可为至少约300每英寸像素、350每英寸像素和400每英寸像素中的一者。在一些非限制性示例中，(包括但不限于)在(子)像素布置300j中由显示面板200的信号交换部分203表现出的像素密度可为约430每英寸像素。
在图3K中，示出了显示面板200的信号交换部分203，其中(子)像素布置300e和(子)像素布置300f的交替实例跨其侧向朝向进行重复(从中已省略一些特征，包括但不限于，具有不同长度的线性第二子像素段361-364以及圆化子像素段在线性子像素段之间的插置)。
在一些非限制性示例中，透射区域31x可沿着至少一个配置轴线340、345规则地间隔开。
在一些非限制性示例中，由第一子像素321分开的第一透射区域31xa与第二透射区域31xb可间隔开(包括但不限于)如由(子)像素布置300k中的箭头381表示的第一间隔距离，该第一间隔距离在一些非限制性示例中可为基本上约57.66微米。
在一些非限制性示例中，由第二子像素322分开的第二透射区域31xb与第三透射区域31xc可间隔开(包括但不限于)如由(子)像素布置300k中的箭头382表示的第二间隔距离，该第二间隔距离在一些非限制性示例中可为基本上约59.11微米。
在一些非限制性示例中，由第三子像素323分开的第三透射区域31xc与第四透射区域31xd可间隔开(包括但不限于)如由(子)像素布置300k中的箭头383表示的第三间隔距离，该第三间隔距离在一些非限制性示例中可为基本上约60.56微米。
在一些非限制性示例中，在第一子像素321的中心和与该第一子像素相邻的第三子像素323的中心之间的(包括但不限于)如由(子)像素布置300k中的虚线384中的任一虚线表示的距离可为基本上约59.11微米。
在一些非限制性示例中，(包括但不限于)如由(子)像素布置300k中的箭头383表示的第三间隔距离可超过(包括但不限于)如由(子)像素布置300k中的箭头381表示的第一间隔距离。
在一些非限制性示例中，透射区域31x的阵列可布置成使得在这种阵列中的相邻透射区域31x之间的距离可沿着至少一个配置轴线340、345在如由(子)像素布置300k中的箭头381表示的第一间隔距离和如由(子)像素布置300k中的箭头383表示的第三间隔距离之间交替。
在一些非限制性示例中，透射区域31x可沿着至少一个配置轴线340、345不规则地间隔开。
在一些非限制性示例中，每个透射区域31x的面积(包括但不限于)在图3K的示例中可为基本上约597.9平方微米。
在一些非限制性示例中，透射区域31x(包括但不限于)在图3K的示例中可占据由虚线384包封的面积的基本上约34.2％。
在一些非限制性示例中，透射区域31x可包括以交替布置设置的多个透射区域子集31xl和31xr。在一些非限制性示例中，可在第一子集31xl的透射区域31x和第二子集31xr的透射区域31x之间不存在任何差异。
在一些非限制性示例中，第一子集31xl的透射区域31x的尺寸、形状和取向中的至少一者可不同于第二子集31xr的透射区域31x的尺寸、形状和取向中的至少一者，包括但不限于以最大化透射区域31x和发射区域1401中的至少一者的开口率。在一些非限制性示例中，当在图3K中公开的视场中以平面图观察时，第一子集31xl的透射区域31x可朝向左侧取向，而第二子集31xr的透射区域31x可朝向右侧取向。
在一些非限制性示例中，第一子集31xl、31xr的透射区域31x可对应于第一FMM的相应孔，并且第二子集31xl、31xr的透射区域31x可对应于第二FMM的相应孔。
在一些非限制性示例中，透射区域31x可被分成多个子集31xl、31xr，以便实现给定FMM的孔的最大数量和/或最小间距，包括但不限于以保持FMM的阈值结构完整性。
在一些非限制性示例中，透射边界31x可具有除四边形形状或具有圆化拐角的四边形((圆化)四边形)形状之外的形状，诸如在其中的一些非限制性示例中所示，包括但不限于(圆化)多边形(包括但不限于(圆化)三角形、圆形、卵形和星形状中的一种。
在一些非限制性示例中，分别第一子像素321、第二子像素322和第三子像素323中的至少一者的发射区域1401的子像素边界350、360、370可具有除(圆化)四边形之外的形状，诸如在本文的一些非限制性示例中所示，包括但不限于(圆化)多边形(包括但不限于(圆化)三角形、圆形、卵形、椭圆形和星形状中的一种。
在一些非限制性示例中，透射边界31x的形状和至少一个子像素边界350、360、370的形状可互补，因为子像素边界350、360、370的至少一部分与透射边界31x的对应部分基本上是恒定间隔，以便促进显示面板的信号交换部分203中的增大分数的面板区域用于EM辐射的透射和/或发射，以便分别增大透射区域31x和/或发射区域1401的开口率。
现在转到图3L，示出了显示面板200的信号交换部分203，其中示例性(子)像素布置300l跨其侧向朝向进行重复。在(子)像素布置300l中，矩形透射边界31x可已用圆形透射边界311替代。
在一些非限制性示例中，第三子像素323的发射区域1401可具有基本上星形信号交换第三子像素轮廓371，该基本上星形信号交换第三子像素轮廓在一些非限制性示例中可通过连结多个(包括但不限于四个)弯曲顶点(包括但不限于弯曲周边(包括但不限于圆形、卵形和椭圆形中的一种)的凹形部分(包括但不限于四分之一))来形成。
在一些非限制性示例中，对于至少一个(子)像素2210/32x，用星形子像素轮廓替代多边形子像素轮廓可促进增大(子)像素2210/32x的开口率，包括但不限于，其中透射区域31x具有作为圆形、卵形和椭圆形中的一者的透射边界。
在一些非限制性示例中，星形信号交换第三子像素轮廓371的弯曲周边的曲率半径可基本上等于圆形、卵形和椭圆形中的一者的限定与该星形信号交换第三子像素轮廓371接近的透射边界31x的曲率半径，以便在透射边界311和第三子像素边界371的弯曲周边之间保持基本上恒定的间隔。在一些非限制性示例中，这种间隔可为至少约8微米、10微米、11微米和12微米中的一者。
通过比较，(子)像素布置300l中的信号交换第一子像素轮廓350的至少一个实例被示出为叠加在对应的显示第一子像素轮廓355的示例上。在一些非限制性示例中，信号交换第一子像素轮廓350的侧向范围可既不与显示第一子像素轮廓355的侧向范围重叠，也不与至少一个透射区域311的侧向范围重叠。在一些非限制性示例中，显示第一子像素轮廓355的侧向范围可与至少一个透射区域311的侧向范围重叠。
通过比较，(子)像素布置300l中的信号交换第二子像素轮廓360的至少一个实例被示出为叠加在对应的显示第二子像素轮廓365的示例上。在一些非限制性示例中，信号交换第二子像素轮廓360的侧向范围可既不与显示第二子像素轮廓365的侧向范围重叠，也不与至少一个透射区域311的侧向范围重叠。在一些非限制性示例中，显示第二子像素轮廓365的侧向范围可不与至少一个透射区域311的侧向范围重叠。
通过比较，(子)像素布置300l中的星形信号交换第三子像素轮廓371的至少一个实例被示出为叠加在对应的显示第三子像素轮廓375的示例上。在一些非限制性示例中，星形信号交换第三子像素轮廓371的顶点可延伸超出这种显示第三子像素轮廓375的侧向范围。在一些非限制性示例中，显示第三子像素轮廓375的侧向范围可与至少一个透射区域311的侧向范围重叠。然而，由于其形状，在一些非限制性示例中，星形信号交换第三子像素轮廓371的侧向范围可不与至少一个透射区域311的侧向范围重叠。
现在转到图3M，示出了显示面板200的信号交换部分203，其中示例性(子)像素布置300m跨其侧向朝向进行重复。(子)像素布置300m与(子)像素布置300l的不同之处在于，第一子像素321的发射区域1401还可具有基本上星形信号交换第一子像素轮廓351，该基本上星形信号交换第一子像素轮廓在一些非限制性示例中可通过连结多个(包括但不限于四个)弯曲顶点(包括但不限于弯曲周边(包括但不限于圆形、卵形和椭圆形中的一者)的凹形部分(包括但不限于四分之一))来形成。
在这样做时，在一些非限制性示例中，可增大(子)像素32x的开口率。尽管未示出，但在一些非限制性示例中，(子)像素32x的开口率可通过用基本上星形第二子像素轮廓替代信号交换第二子像素轮廓360中的至少一个信号交换第二子像素轮廓来得以进一步增大。
通过比较，(子)像素布置300m中的星形信号交换第一子像素轮廓351的至少一个实例被示出为叠加在对应的显示第一子像素轮廓355的示例上。在一些非限制性示例中，星形信号交换第一子像素轮廓351的顶点可延伸超出这种显示第一子像素轮廓355的侧向范围。在一些非限制性示例中，显示第一子像素轮廓355的侧向范围可与至少一个透射区域311的侧向范围重叠。然而，由于其形状，在一些非限制性示例中，星形信号交换第一子像素轮廓351的侧向范围可不与至少一个透射区域311的侧向范围重叠。
现在转到图3N，示出了显示面板200的信号交换部分203，其中示例性(子)像素布置300n跨其侧向朝向进行重复。(子)像素布置300n与(子)像素布置300j的不同之处在于矩形透射区域31x已由椭圆形透射区域312的多个子集312l、312r替代。在一些非限制性示例中，当在图3N中公开的视场中以平面图观察时，第一子集312l的透射区域312可朝向左侧取向，而第二子集312r的透射区域312可朝向右侧取向。
现在转到图3O，示出了显示面板200的信号交换部分203，其中示例性(子)像素布置300o跨其侧向朝向进行重复。(子)像素布置300n与(子)像素布置300n的不同之处在于第三子像素323的信号交换第三子像素轮廓350已由图3L所示的第三子像素323的星形信号交换第三子像素轮廓371替代。
以1:1:1比率具有三个子像素的像素
现在转到图3P，示出了显示面板200的信号交换部分203，其中示例性(子)像素布置300p跨其侧向朝向进行重复。(子)像素布置300p与(子)像素布置300n的不同之处在于第一子像素321、第二子像素322和第三子像素323的相应的信号交换子像素轮廓350、360、370分别由圆形信号交换子像素轮廓352、362、372替代。
另外，像素2210的子像素配置已从四边形4子像素(呈1:2:1比率的R-G-B)配置改变为由虚线轮廓336所示的三角形3子像素(呈1:1:1比率的R-G-B)Δ配置，每个三角形3子像素Δ配置包封椭圆形透射区域312。在一些非限制性示例中，可增大第二子像素322的面积以补偿这种3子像素配置中的第二子像素322的数量相对于4子像素配置中的第二子像素322的数量的减少。
在一些非限制性示例中，透射区域312可包括以交替布置设置的多个透射区域子集312a、312b和312c。在一些非限制性示例中，可在第一子集312a的透射区域312、第二子集312b的透射区域312和第三子集312c的透射区域312之间不存在任何差异。
相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，(子)像素布置300p可被理解为包括第一子像素321、第二子像素322和第三子像素323的交替系列的第一行以及侧向地偏移约1.5个子像素间距的类似交替系列的第二行，其中透射区域312的(子集的交替系列的)行设置在其间。
现在转到图3Q，示出了显示面板200的信号交换部分203，其中示例性(子)像素布置300q跨其侧向朝向进行重复。(子)像素布置300q与(子)像素布置300p的不同之处在于椭圆形透射区域312(的子集)已由基本上三角形透射区域313的多个子集313l、313r替代。
在一些非限制性示例中，可存在这样的一些场景：需要基本上三角形透射区域313，包括但不限于其中像素2210的(子)像素2210/32x以三角形3像素Δ配置，诸如以(子)像素布置300q布置，以便(包括但不限于)相对于(子)像素布置300p的基本上椭圆形透射区域312的开口率基本上增大透射区域313的开口率。
在一些非限制性示例中，诸如图所示，三角形的顶点被截除，使得周边具有基本上六边形配置，其中三个细长直线段由三个截除直线段耦接并且在该三个截除直线段之间延伸。尽管未示出，但在一些非限制性示例中，可存在三角形的顶点。尽管未示出，但在一些非限制性示例中，三个细长直线段可由三个基本上弯曲段耦接并且可在该三个基本上弯曲段之间延伸。
尽管未示出，但在一些非限制性示例中，透射区域313的开口率可通过分别由三角形信号交换子像素轮廓替代第一子像素321、第二子像素322和第三子像素323的相应的基本上圆形信号交换子像素轮廓352、362、372来得以增大。
现在转到图3R，示出了显示面板200的信号交换部分203，其中示例性(子)像素布置300r跨其侧向朝向进行重复。在一些非限制性示例中，(子)像素布置300r包括第一3(子)像素2210/32x像素2210，该第一3(子)像素2210/32x像素以基本上常规RGB配置定位，但(子)像素2210/32x中的一个(子)像素(在图中是第三子像素371)侧向地移动到一侧；以及第二3(子)像素2210/32x像素2210，其中对应的(子)像素2210/32x侧向地移动到其相对侧，使得在所移动的(子)像素2210/32x的实例之间，可插入透射区域310。在一些非限制性示例中，可存在包封每个像素2210的基本上四边形形状的轮廓337。在一些非限制性示例中，透射区域310可与轮廓337的边界重叠。
现在转到图3S，示出了显示面板200的信号交换部分203，其中示例性(子)像素布置300s跨其侧向朝向进行重复。在一些非限制性示例中，(子)像素布置300s包括子像素分组325和透射区域31x的交替阵列。在一些非限制性示例中，子像素分组325和透射区域31x可以基本上棋盘配置设置。在一些非限制性示例中，子像素分组325和透射区域31x中的至少一者可限定基本上矩形配置。
在一些非限制性示例中，子像素分组325可包括多个第一子像素321、第二子像素322和第三子像素323中的每一者。在一些非限制性示例中，子像素分组325可包括两个第一子像素321和第三子像素323中的每一者以及四个第二子像素322中的每一者，使得子像素分组325可被认为是两个4子像素(呈1:2:1比率的R-G-B)像素2210的等效物。
在一些非限制性示例中，多个第二子像素322中的每个第二子像素可具有基本上相同的尺寸和配置。在一些非限制性示例中，多个第二子像素322中的每个第二子像素可具有带有长轴线和短轴线的基本上矩形配置。在一些非限制性示例中，多个第二子像素322可沿着子像素分组325的子像素分组轴线326对准。在一些非限制性示例中，子像素分组轴326可基本上平分子像素分组325。在一些非限制性示例中，子像素分组轴线326可基本上平行于第二子像素322的短轴线。
在一些非限制性示例中，多个第一子像素321中的每个第一子像素可具有基本上相同的尺寸和配置。在一些非限制性示例中，第一子像素321中的第一个第一子像素可基本上平行于子像素轴线326设置在多个第二子像素322的一侧上，并且在子像素轴线326的方向上朝向子像素分组326的一个极端设置，并且第一子像素321中的第二个第一子像素可设置在多个第二子像素322的相对侧上，并且在子像素轴线326的方向上朝向子像素分组326的相对末端设置。在一些非限制性示例中，第一子像素321中的第二个第一子像素的配置可相对于第一子像素321中的第一个第一子像素的配置旋转180°。
在一些非限制性示例中，多个第三子像素323中的每个第三子像素可具有基本上相同的尺寸和配置。在一些非限制性示例中，第三子像素323中的第一个第三子像素可基本上平行于子像素轴线326设置在多个第二子像素322的一侧上，并且在子像素轴线326的方向上朝向子像素分组326的一个极端设置，并且第三子像素321中的第二个第三子像素可设置在多个第二子像素322的相对侧上，并且在子像素轴线326的方向上朝向子像素分组326的相对末端设置。在一些非限制性示例中，第三子像素323中的第一个第三子像素可与多个第二子像素322设置在同一侧上并且相对于第一子像素321中的第一个第一子像素朝向子像素分组326的相对末端设置。在一些非限制性示例中，第三子像素321中的第二个第三子像素的配置可相对于第三子像素321中的第一个第三子像素的配置旋转180°。
在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203中的发射区域1401的开口率，在一些非限制性示例中，考虑第一子像素321的发射区域1401、第二子像素322的发射区域1401和第三子像素323的发射区域1401中的全部的开口率可为至少约20％、15％、10％和8％中的一者。
在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203中的透射区域31x的开口率可为至少约50％、45％、40％、35％、33％、30％和25％中的一者。
在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203中的发射区域1401和透射区域31x的开口率之和可为约30％-60％、35％-60％、40％-60％、35％-55％、40％-50％、45％-55％和45％-50％之间中的一者。
在一些非限制性示例中，在显示面板200的信号交换部分203中，发射区域1401的开口率可在约5％-10％之间，并且透射区域31x的开口率可在约30％-50％之间。在一些非限制性示例中，在显示面板200的信号交换部分203中，发射区域1401的开口率可在约6％-9％之间，并且透射区域31x的开口率可在约35％-45％之间。
**相对于显示部分减少信号交换部分中的像素以容纳透射区域
在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203的像素密度可小于显示面板200的显示部分207的像素密度。
在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203中的(子)像素2210/32x的尺寸、形状、配置和节距中的至少一者可与显示面板200的显示部分207中的(子)像素2210/32x的尺寸、形状、配置和节距中的至少一者基本上相同，然而，这种(子)像素2210/32x的数量可在显示面板200的信号交换部分203中减少。在这种场景下，共同FMM可用于信号交换部分203和显示部分207两者，随之而产生的是制造成本和复杂性降低。在这种场景下，FMM中的对应于在信号交换部分203中不存在(省略)的那些(子)像素2210/32x的那些孔可在与信号交换部分203一起使用时被覆盖或阻挡，使得可由此产生至少一个空隙。
在一些非限制性示例中，至少一个透射区域31x可形成在与已从信号交换部分203省略的那些(子)像素2210/32x对应的那些空隙中。
在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203中的(子)像素32x的所有发射区域1401的开口率可为在约12％-25％之间中的一者。
在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203中的透射区域31x的开口率可为约15％-40％、20％-40％、15％-35％和20％-35％之间中的一者，该开口率可为存在于这种部分中的所有透射区域31x的开口率之和。
在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203中的(子)像素32x的所有发射区域1401的开口率(其可为存在于这种部分中的所有(子)像素32x(包括但不限于第一子像素321、第二子像素322和第三子像素323)的开口率之和)可在约12％-25％之间，并且其中的透射区域31x的开口率可在约30％-45％之间。
在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203中的(子)像素32x的所有发射区域1401和透射区域31x的开口率的总和可为不超过约60％、55％、505、45％和40％中的一者。在一些非限制性示例中，显示面板200的信号交换部分203中的(子)像素32x的所有发射区域1401和透射区域31x的开口率的总和可为约30％-60％、35％-60％、40％-60％、35％-55％、40％-50％、45％-55％和45％-50％之间中的一者。
在一些非限制性示例中，至少一个透射区域31x的尺寸可为至少约10微米。在一些非限制性示例中，至少一个透射区域31x的尺寸可为约10微米-150微米、10微米-130微米、15微米-100微米、20微米-80微米、20微米-65微米、25微米-60微米和30微米-50微米之间中的一者。
在一些非限制性示例中，至少一个子像素段351-354、361-364、371-374和与这些至少一个子像素段接近的对应的至少一个透射边界段311-314可分开最小距离。在一些非限制性示例中，在一些非限制性示例中可与制造过程中的约束相关的这种最小距离可为约5微米、6微米、8微米、10微米、11微米和12微米中的一者。在一些非限制性示例中，这种最小距离可为约5微米-15微米、6微米-12微米和8微米-10微米之间中的一者。
在一些非限制性示例中，可已将至少一个整个像素2210从信号交换部分203省略。
现在转到图4A，以平面图示出了显示面板200的信号交换部分203的片段203a和显示部分207的片段207a。出于示意性说明的目的，在显示部分片段207a中以虚线轮廓示出一些示例性像素2210。应当理解，在示出的信号交换部分片段203a和显示部分片段207a之间，可存在显示面板200的其他部分，这些其他部分可包括以下中的至少一者：相同信号交换部分203(的片段)、至少一个不同信号交换部分203、相同显示部分207(的片段)、至少一个不同显示部分207以及至少一个过渡区域500。
在一些非限制性示例中，信号交换部分203中的(子)像素2210/32x的尺寸、形状、配置和节距与显示部分207中的相同。然而，根据信号交换部分片段203a与显示部分片段207a的比较，在信号交换部分203中，在一些非限制性示例中，可存在与显示部分207中的每个第二像素2210对应的(以增大透明度示出的)空隙，在该空隙中可设置至少一个透射区域31x。因此，可理解，信号交换部分203中的像素密度基本上可为显示部分207中的像素密度的约50％。
子像素32x在每个片段203a、207a中被示出为具有基本上圆形形状和基本上均匀的尺寸和节距并且呈四子像素(呈1:2:1比率的R-G-B)像素2210框配置，仅出于示意性目的，并且本文所讨论的示例，包括但不限于(子)像素配置300中(具有或不具有省略的(子)像素2210/32x和/或透射区域31x的)这些(子)像素配置中的任一个(子)像素配置不应被认为以任何方式限制信号交换部分203或显示部分207中的(子)像素2210/32x的尺寸、形状、配置、取向和节距中的任一者。
透射区域31x被示出为具有基本上矩形形状和基本上均匀尺寸和取向，仅出于示意性目的，并且本文所讨论的示例，包括但不限于(子)像素布置300中(具有或不具有省略的(子)像素和/或透射区域31x的)这些(子)像素配置中的任一个(子)像素配置不应被认为以任何方式限制信号交换部分203中的透射区域31x的尺寸、、形状、配置和取向中的任一者。
现在转到图4B，以平面图示出了显示面板200的信号交换部分203的片段203b和显示部分207的片段207b。根据信号交换部分片段203b与显示部分片段207b的比较，在信号交换部分203中，在一些非限制性示例中，可存在与显示部分207中的每个第二像素2210的四个子像素32x中的三个子像素对应的(以增大透明度示出的)空隙，在该空隙中可设置至少一个透射区域31x。因此，可理解，信号交换部分203中的像素密度基本上可为显示部分207中的像素密度的约62.5％。
在一些非限制性示例中，三个省略的子像素32x可对应于每个第二像素2210的四个子像素32x中的三个子像素的任意组合，包括但不限于，如图所示，第一子像素321、第二子像素322和第三子像素323中的每一者。
在一些非限制性示例中，三个省略的子像素32x可为不同的连续第二像素2210。作为非限制性示例，现在转到图4C，以平面图示出了显示面板200的信号交换部分203的片段203c和显示部分207的片段207c。信号交换部分片段203c与信号交换部分片段203b的不同之处在于在第二像素2210的每个第二块中，所省略的三个子像素32x包括第二子像素322中的不同一者。
现在转到图4D，以平面图示出了显示面板200的信号交换部分203的片段203d和显示部分207的片段207d。根据信号生成部分片段203d与显示部分片段207d的比较，在信号交换部分203中，在一些非限制性示例中，可存在与显示部分207中的每个第二像素2210的四个子像素32x中的两个子像素对应的(以增大透明度示出的)空隙，在该空隙中可设置至少一个透射区域31x。因此，可理解，信号交换部分203中的像素密度基本上可为显示部分207中的像素密度的约75％。
在一些非限制性示例中，两个省略的子像素32x可对应于每个第二像素2210的四个子像素32x中的两个子像素的任意组合，包括但不限于，如所图所示，在第二像素2210的每个第二块中，两个子像素32x包括第二子像素322中的不同一者以及第一子像素321和第三子像素323中的不同一者。
**将信号交换部分中的(子)像素的节距更改成非显示部分中的节距的倍数
虽然在一些非限制性示例中，可存在这样的场景：需要显示面板200的信号交换部分203中的节距基本上等于显示面板200的显示部分207中的节距或者是其整数倍，包括但不限于，出于制造的简单性，包括但不限于以允许将FMM用于显示面板200的信号交换部分203和显示部分207两者，但在一些非限制性示例中，可通过将显示面板200的信号交换部分203中的(子)像素2210/32x的节距更改为作为显示面板200的显示部分207中的节距的非整数倍的值来更改信号交换部分203的(子)像素布置以适应在其中引入透射区域31x。
混合方法
已经提供了适应在显示面板207的信号交换部分203中引入透射区域31x的各种方法的示例，包括但不限于：
·减小显示面板的信号交换部分203中的(子)像素2210/32x的尺寸、形状和配置中的至少一者；
·减小显示面板的信号交换部分203中的(子)像素2210/32x的数量和/或密度；和
·将信号交换部分203中的(子)像素2210/32x的节距更改为作为显示面板200的显示部分207中的节距的非整数倍的值。
相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，多个或所有此类方法可以混合方法组合以适应在显示面板200的信号交换部分203中引入透射区域31x。
此外，将理解，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，采用前述方法中的一个或多个方法和/或其混合组合可与至少一个其他方法组合以适应在显示面板200的信号交换部分203中引入透射区域31x。
**在信号交换部分和显示部分之间引入过渡区域以减小它们之间的明显差异
在一些非限制性示例中，用于减少如在显示面板200的信号交换部分203中和显示部分207中的发射区域1401的开口率和像素密度中的至少一者之间的表观或视觉感知差异的一种措施可包括绕显示面板200的信号交换部分203和显示部分207中的至少一者和/或在该信号交换部分和该显示部分之间建立至少一个过渡区域500，每个过渡区域具有发射区域1401的中间开口率、尺寸、形状、取向和/或节距，以便跨显示面板200的增大的侧向朝向分散在该信号交换部分和该显示部分之间的这种表观或视觉感知差异。
在一些非限制性示例中，不论信号交换部分203的特征是否在于像素密度基本上等于显示部分207的像素密度，其中减小信号交换部分中的(子)像素2210/32x的尺寸、形状和配置中的至少一者以适应在其中引入透射区域31x；或者不论信号交换部分203的特征是否在于减小信号交换部分203中的(子)像素2210/32x的数量和/或密度以适应在其中引入透射区域31x；或者不论信号交换部分203的特征是否在于将显示面板200的信号交换部分203中的(子)像素的节距更改为作为显示面板200的显示部分207中的节距的非整数倍的值；或者不论信号交换部分203的特征是否在于前述中的任一者的任何混合组合，可引入此类过渡区域500。
在一些非限制性示例中，至少一个过渡区域500可布置成沿着信号交换部分203和显示部分207中的至少一者的周边或边界，包括但不限于围绕该至少一者。
现在转到图5A，以平面图示出了信号交换部分203的片段203e、显示部分207的片段207e以及在它们之间侧向地延伸的至少一个过渡区域500的片段500a。出于示意性说明的目的，一些示例性像素2210在显示部分片段207e和过渡区域片段500a两者中以虚线轮廓示出。将理解，在示出的显示部分片段207e和过渡区域片段500a之间，可存在显示面板200的其他部分，这些其他部分可包括以下中的至少一者：相同显示部分207(的片段)、至少一个不同显示部分207(的片段)、相同过渡区域500(的片段)以及至少一个不同过渡区域500。
在一些非限制性示例中，信号交换部分203中的(子)像素2210/32x的像素密度与过渡区域500中和显示部分207中的相同。然而，根据信号交换部分片段203e与过渡区域片段500a和显示部分片段207e两者的比较，在一些非限制性示例中，可相对于(子)像素2210/32x在显示部分207中的对应的尺寸、形状、配置和节距中的至少一者改变这些(子)像素在过渡区域500中的尺寸、形状、配置和节距中的至少一者，包括但不限于减小尺寸，并且在一些非限制性示例中可相对于(子)像素2210/32x在过渡区域500中的对应的尺寸、形状、配置和节距中的至少一者改变这些(子)像素在信号交换部分203中的尺寸、形状、配置和节距中的至少一者，包括但不限于减小尺寸。
因此，在信号交换部分203和显示部分207之间插置至少一个过渡区域500可促进减少如信号交换部分203和显示部分207中的像素密度之间的表观或视觉感知差异。
子像素32x在每个片段203e、500a、207e中被示出为具有基本上正方形形状，从第三子像素323(最大)到第一子像素321再到第二子像素322(最小)具有不同尺寸，并且呈四子像素(呈1:2:1比率的R-G-B)像素2210框配置，仅出于示意性目的，并且本文所讨论的示例，包括但不限于(子)像素布置300中(具有或不具有省略的(子)像素2210/32x和/或透射区域31x的)这些(子)像素配置中的任一个(子)像素配置不应被认为以任何方式限制信号交换部分203、过渡区域500或显示部分207中的(子)像素2210/32x的尺寸、形状、配置、取向、像素密度和节距中的任一者。
透射区域31x在每个片段中被示出为具有基本上圆形形状和基本上均匀尺寸和取向，仅出于示意性目的，并且本文所讨论的示例，包括但不限于在(子)像素布置300中具有或不具有省略的(子)像素和/或透射区域31x的这些(子)像素配置中的任一个(子)像素配置不应被认为以任何方式限制在信号交换部分203、过渡区域500或显示部分207中的(子)像素2210/32x的尺寸、形状、配置、取向、像素密度和节距中的任何。
现在转到图5B，以平面图示出了信号交换部分203的片段203f、显示部分207的片段207f以及在它们之间侧向地延伸的至少一个过渡区域500的片段500b。根据过渡区域片段500b与显示部分207f的比较，在一些非限制性示例中，在过渡区域500中，可存在与显示部分207中的每个第二像素2210的四个子像素32x中的三个子像素对应的(以增大透明度示出的)空隙，在该空隙中可设置至少一个透射区域31x。
在一些非限制性示例中，三个省略的子像素32x可对应于每个第二像素2210的四个子像素32x中的三个子像素的任意组合，包括但不限于，如图所示，第一子像素321、第二子像素322和第三子像素323中的每一者。
根据信号交换部分203与过渡区域500的比较，在信号交换部分203中，可存在与过渡区域500中的每个第二子像素2210的剩余子像素32x对应的(以增大透明度示出的)空隙，在该空隙中可设置(具有增大尺寸的)至少一个透射区域31x。
因此，可理解，过渡区域500中的像素密度可为显示部分207中的像素密度的基本上约62.5％，并且信号交换部分203中的像素密度可为显示部分207中的像素密度的基本上约50％。
虽然在本公开中，透射区域31x已经被示出为布置在显示面板200的信号交换部分203中的发射区域1401之间的离散特征，但在一些非限制性示例中，尽管未示出，至少一个透射区域31x可连续地形成，使得该至少一个透射区域侧向地跨并基本上围绕多个发射区域1401延伸。
在一些非限制性示例中，在至少每个发射区域1401中，可在基板10上设置多个层，包括围绕至少一个有机和/或半导体层1030(图10)的第一电极1020(图10)和第二电极1040(图10)，其中电极1020、1040可与电源1005(图10)电耦接。当通电时，电极1020、1040中的一者(“阳极”)可生成电子并且电极1020、1040中的另一者(“阴极”)可生成空穴，这些空穴和电子倾向于通过至少一个半导体层1030朝向彼此迁移并且最终组合以从该至少一个半导体层以光子的形式发射EM辐射。
在一些非限制性示例中，透射区域31x可被配置为省略或减少至少一个层或材料的存在以增强外部EM辐射穿过该透射区域的透射。在一些非限制性示例中，第二电极1040在透射区域31x中的平均层厚度可不超过显示面板200的另一区域的平均层厚度。在一些非限制性示例中，第二电极1040在透射区域31x中的平均层厚度可不超过该第二电极在发射区域1401中的平均层厚度。在一些非限制性示例中，透射区域31x可基本上没有用于形成第二电极1040的材料(“第二电极材料”)的封闭涂层140。
在一些非限制性示例中，基本上没有第二电极材料的封闭涂层140的区域(“无阴极区域”)，包括但不限于至少一个透射区域31x在一些非限制性示例中可表现出与其他区域(包括但不限于至少一个发射区域1401)不同的光电子特性。在一些非限制性示例中，此类无阴极区域然而可含有一些第二电极材料，包括但不限于呈至少一种颗粒结构841(图8C)或此类颗粒结构841的至少一个实例的不连续层840(图8C)的形式。
在一些非限制性示例中，这可通过对第二电极材料的激光烧蚀来实现。然而，在一些非限制性示例中，激光烧蚀可产生可影响气相沉积工艺的碎片云。
在一些非限制性示例中，这可通过使用FMM将图案化涂层110(该图案化涂层在一些非限制性示例中可为成核抑制涂层(NIC))以一定图案设置在至少一个半导体层1030的暴露层表面11上，之后将用于形成第二电极1040的沉积材料731沉积在该暴露层表面上来实现。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可适于影响要沉积在该暴露层表面上的沉积材料731的蒸气通量的倾向性，包括但不限于对于沉积材料311的沉积的初始黏着概率，该初始黏着概率不超过对于至少一个半导体层1030的暴露层表面11的沉积材料731的沉积的初始粘附概率。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可以可对应于透射区域31x中的至少一些透射区域的侧向朝向(包括但不限于)的第一部分101的图案进行沉积。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可在多个阶段中进行沉积，每个阶段使用在第一部分101内限定不同图案的不同FMM，该多个阶段分别对应于透射区域31x的不同子集340a、340b。
在一些非限制性示例中，在沉积图案化涂层110(的所有阶段)之后，显示面板200可在开放式掩模沉积工艺和/或无掩模沉积工艺中的至少一者中经受沉积材料731的蒸气通量，以在侧向朝向的至少第二部分102中但不在侧向朝向的第一部分101中形成用于对应于(子)像素34x的发射区域1401中的每个发射区域的第二电极1040。
图案化
在一些非限制性示例中，在第一部分101中，图案化涂层110(包括图案化材料611，该图案化材料在一些非限制性示例中可为NIC材料)可仅在第一部分101中作为封闭涂层140选择性地沉积在器件100的下面层(包括但不限于基板10)的暴露层表面11上。然而，在第二部分102中，下面层的暴露层表面11可基本上没有图案化材料611的封闭涂层140。
图案化涂层
图案化涂层110可包括图案化材料611。在一些非限制性示例中，图案化涂层110可包括图案化材料611的封闭涂层140。
图案化涂层110可提供暴露层表面11，该暴露层表面具有对于在将这种表面暴露于沉积材料的蒸气通量后要沉积在该暴露层表面上的沉积材料731的沉积的相对低倾向性(包括但不限于，相对低初始黏着概率(在一些非限制性示例中，在由Walker等人描述的双QCM技术中确认的条件下))，在一些非限制性示例中，该相对低倾向性可显著小于对于要沉积在器件100的下面层的暴露层表面11上(在该暴露层表面上已沉积图案化涂层110)的沉积材料731的沉积的倾向性。
由于图案化涂层110和/或图案化材料611的对于沉积材料731的沉积的属性(包括但不限于低初始黏着概率)(在一些非限制性示例中，当作为某种形式的膜和/或涂层沉积时并且在与图案化涂层110在器件100内的沉积类似的环境下)，包括图案化涂层110的第一部分101可基本上没有沉积材料731的封闭涂层140。
然而，在一些非限制性示例中，将器件100暴露于沉积材料731的蒸气通量可导致在第二部分102中形成沉积材料的沉积层130的封闭涂层140，其中下面层的暴露层表面11基本上没有图案化涂层110。
图案化涂层和/或图案化材料的属性
初始黏着概率
在一些非限制性示例中，图案化涂层110和/或图案化材料611(在一些非限制性示例中，当作为某种形式的膜和/或层沉积时并且在与图案化涂层110在器件100内的沉积类似的环境下)可具有为不超过约0.3、0.2、0.15、0.1、0.08、0.05、0.03、0.02、0.01、0.008、0.005、0.003、0.001、0.0008、0.0005、0.0003和0.0001中的至少一者的对于沉积材料731的沉积的初始黏着概率。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110和/或图案化材料611(在一些非限制性示例中，当作为某种形式的膜和/或层沉积时并且在与图案化涂层110在器件1000内的沉积类似的环境下)可具有为不超过约0.3、0.2、0.15、0.1、0.08、0.05、0.03、0.02、0.01、0.008、0.005、0.003、0.001、0.0008、0.0005、0.0003和0.0001中的至少一者的对于银(Ag)和/或镁(Mg)的沉积的初始黏着概率。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110和/或图案化材料611(在一些非限制性示例中，当作为某种形式的膜和/或涂层沉积时并且在与图案化涂层110在器件100内的沉积类似的环境下)可具有为约0.15-0.0001、0.1-0.0003、0.08-0.0005、0.08-0.0008、0.05-0.001、0.03-0.0001、0.03-0.0003、0.03-0.0005、0.03-0.0008、0.03-0.001、0.03-0.005、0.03-0.008、0.03-0.01、0.02-0.0001、0.02-0.0003、0.02-0.0005、0.02-0.0008、0.02-0.001、0.02-0.005、0.02-0.008、0.02-0.01、0.01-0.0001、0.01-0.0003、0.01-0.0005、0.01-0.0008、0.01-0.001、0.01-0.005、0.01-0.008、0.008-0.0001、0.008-0.0003、0.008-0.0005、0.008-0.0008、0.008-0.001、0.008-0.005、0.005-0.0001、0.005-0.0003、0.005-0.0005、0.005-0.0008和0.005-0.001之间中的一者的对于沉积材料731的沉积的初始黏着概率。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110和/或图案化材料611(在一些非限制性示例中，当作为某种形式的膜和/或层沉积时并且在与图案化涂层110在器件100内的沉积类似的环境下)可具有不超过阈值的对于多种沉积材料731的沉积的初始黏着概率。在一些非限制性示例中，这种阈值可为约0.3、0.2、0.18、0.15、0.13、0.1、0.08、0.05、0.03、0.02、0.01、0.008、0.005、0.003和0.001中的至少一者。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110和/或图案化材料611(在一些非限制性示例中，当作为某种形式的膜和/或层沉积时并且在与图案化涂层110在器件100内的沉积类似的环境下)可具有不大于这种阈值的对于选自Ag、Mg、镱(Yb)、镉(Cd)和锌(Zn)中的至少一者的多种沉积材料731的沉积的初始黏着概率。在一些另外的非限制性示例中，图案化涂层110可表现出等于或低于该阈值的对于选自Ag、Mg和Yb中的至少一者的多种沉积材料731的沉积的初始黏着概率。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110和/或图案化材料611(在一些非限制性示例中，当作为某种形式的膜和/或涂层沉积时并且在与图案化涂层110在器件100内的沉积类似的环境下)可表现出等于或低于第一阈值的对于第一沉积材料731的沉积的初始黏着概率，和等于或低于第二阈值的对于第二沉积材料731的沉积的初始黏着概率。在一些非限制性示例中，第一沉积材料731可为Ag，第二沉积材料731可为Mg。在一些其他非限制性示例中，第一沉积材料731可为Ag，第二沉积材料可为Yb。在一些其他非限制性示例中，第一沉积材料731可为Yb，第二沉积材料731可为Mg。在一些非限制性示例中，第一阈值可超过第二阈值。
在一些非限制性示例中，可存在这样的场景：需要提供图案化涂层110，以在图案化涂层110经受沉积材料731的蒸气通量时引起至少一种颗粒结构841的不连续层840的形成。在至少一些应用中，图案化涂层110可表现出足够低的初始黏着概率，使得沉积材料的封闭涂层140可在第二部分102中形成，该第二部分可基本上没有图案化涂层110，而具有至少一种特性的至少一种颗粒结构841的不连续层840可形成在第一部分101中图案化涂层110上。在一些非限制性示例中，可存在这样的场景：需要在第二部分102中形成沉积材料731的至少一种颗粒结构841的不连续层840(在一些非限制性示例中，该沉积材料可为金属或金属合金)，同时沉积沉积材料731的具有例如不超过约100nm、50nm、25nm或15nm中的至少一者的厚度的封闭涂层140。在一些非限制性示例中，在第一部分101中作为至少一种颗粒结构841的不连续层840沉积的沉积材料731的相对量可对应于在第二部分102中作为封闭涂层140沉积的沉积材料731的量的约1％-50％、2％-25％、5％-20％和7％-10％之间中的一者，在一些非限制性示例中，该封闭涂层可对应于不超过约100nm、75nm、50nm、25nm和15nm中的至少一者的厚度。
不希望受任何特定理论的束缚，发明人现已发现，包含当沉积为薄膜时表现出相对高的表面能的材料的图案化涂层110可在一些非限制性示例中在第一部分101中形成沉积材料731的至少一种颗粒结构841的不连续层840，并且在第二部分202中形成沉积材料731的封闭涂层140，包括但不限于，在该封闭涂层的厚度(作为非限制性示例)不超过约100nm、75nm、50nm、25nm和15nm中的至少一者的情况下。
透射率
在一些非限制性示例中，图案化涂层110和/或图案化材料611(在一些非限制性示例中，当作为某种形式的膜和/或涂层沉积时并且在与图案化涂层110在器件100内的沉积类似的环境下)在经受包括但不限于Ag的沉积材料731的蒸气通量之后，可具有对于EM辐射至少阈值透射率值的透射率。
在一些非限制性示例中，可在将形成为薄膜的图案化涂层110和/或图案化材料611的暴露层表面11暴露于沉积材料731(包括但不限于Ag)的蒸气通量之后，在可用于沉积光电子器件的电极(在一些非限制性示例中，该电极可为有机发光二极管(OLED)器件的阴极)的典型条件下测量这种透射率。
在一些非限制性示例中，用于使暴露层表面11经受沉积材料731(包括但不限于Ag)的蒸气通量的条件可如下：(i)约10-4托和10-5托中的一者的真空压力；(ii)沉积材料731(包括但不限于Ag)的蒸气通量与约1埃的参考沉积速率基本上一致，在一些非限制性示例中，该蒸气通量可使用QCM监测和/或测量；(iii)沉积材料731的蒸气通量以基本上接近正交于暴露层表面11的平面的角度被导向暴露层表面11；以及(iv)暴露层表面11经受沉积材料731(包括但不限于Ag)的蒸气通量，直到达到约15nm的参考平均层厚度，并且在达到这种参考平均层厚度时，暴露层表面11不会进一步经受沉积材料(包括但不限于Ag)的蒸气通量。
在一些非限制性示例中，暴露层表面11经受沉积材料731(包括但不限于Ag)的蒸气通量可基本上处于室温(例如，约25℃)。在一些非限制性示例中，经受沉积材料731(包括但不限于Ag)的蒸气通量的暴露层表面11可定位成离蒸发沉积材料731(包括但不限于Ag)的蒸发源约65cm。
在一些非限制性示例中，可在可见光谱中的波长下测量阈值透射率值。在一些非限制性示例中，可在约460nm波长下测量阈值透射率值。在一些非限制性示例中，可在IR和/或NIR光谱中的波长下测量阈值透射率值。在一些非限制性示例中，可在为约700nm、900nm和1,000nm中的一者的波长下测量阈值透射率值。在一些非限制性示例中，阈值透射率值可表示为可透射穿过样品的入射EM功率的百分比。在一些非限制性示例中，阈值透射率值可为至少约60％、65％、70％、75％、80％、85％和90％中的至少一者。
在一些非限制性示例中，在图案化涂层110和/或图案化材料611(在一些非限制性示例中，当作为某种形式的膜和/或涂层沉积时并且在与图案化涂层110在器件100内的沉积类似的环境下)的对于沉积材料731的沉积的初始黏着概率和其上的沉积材料731的平均层厚度之间可存在正相关。
相关领域的普通技术人员将理解，高透射率通常可指示不存在沉积材料731的封闭涂层140，在一些非限制性示例中，该沉积材料可为Ag。另一方面，低透射率通常可指示沉积材料731(包括但不限于Ag、Mg和Yb中的至少一者)的封闭涂层140的存在，因为金属薄膜(特别是当形成为封闭涂层140时)可表现出对EM辐射的高度吸收。
可进一步假定，相对于沉积材料731(包括但不限于Ag、Mg和Yb)表现出低初始黏着概率的暴露层表面11可以表现出高透射率。另一方面，相对于沉积材料731(包括但不限于Ag、Mg和Yb)表现出高黏着概率的暴露层表面11可以表现出低透射率。
制造了一系列样品来测量示例性材料的透射率，以及目视观察在这种示例性材料的暴露层表面11上是否形成了Ag的封闭涂层140。通过在玻璃基板10上沉积约50nm厚的示例性材料涂层，然后使涂层的暴露层表面11经受约速率的Ag蒸气通量732直至达到约15nm的参考层厚度，制备了每个样品。然后目视分析每个样品，并且测量穿过每个样品的透射率。
本文样品中所使用的示例性材料的分子结构在下表1中列出：
表1
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目视确认了其中已经形成Ag的基本上封闭的涂层140的样品，并且通过测量穿过样品的透射率，进一步确认了这些样品中这种涂层的存在，样品在约460nm的波长下显示不超过约50％的透射率。
还确认了其中没有形成Ag的封闭涂层140的样品，并且通过测量穿过样品的透射率，进一步确认了这些样品中不存在这种涂层，样品在约460nm的波长下显示超过约70％的透射率。
结果汇总于下表2中：
表2
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基于前述内容，据发现，表1和表2中前7个样品中使用的材料(HT211至示例性材料2)可能不太适合抑制沉积材料731(包括但不限于Ag和/或含Ag材料)在其上沉积。
另一方面，据发现，示例性材料3至示例性材料9可适于(至少在一些非限制性应用中)充当用于抑制沉积材料731(包括但不限于Ag和/或含Ag材料)在其上沉积的图案化涂层110。
沉积对比度
在一些非限制性示例中，当沉积在基板10上时，可用作金属和合金(金属/合金)(包括但不限于Mg、Ag和MgAg中的至少一者)中的给定至少一者的NIC的材料(包括但不限于图案化材料611)可具有基本上高的沉积对比度。
在一些非限制性示例中，如果基板10倾向于充当成核促进涂层(NPC)920，且其一部分涂覆有材料(包括但不限于图案化材料611)，该材料可倾向于充当防止给定金属/合金(包括但不限于Mg、Ag和MgAg中的至少一者)沉积的NIC，则经涂覆部分(第一部分101)和未经涂覆部分(第二部分102)可倾向于具有不同的初始黏着概率和/或成核速率，使得沉积于其上的金属/合金可倾向于具有不同的平均膜厚度。
如本文所用，沉积对比度通常可是指基板10的第一部分101和第二部分102之间的平均膜厚度的比率。因此，如果沉积对比度基本上高，则第二部分102中的金属/合金的平均膜厚度可基本上大于第一部分101中的金属/合金的平均膜厚度。
在一些非限制性示例中，如果沉积对比度基本上高，则当金属/合金的沉积足以在第二部分102中形成其封闭涂层140时，可在第一部分101中沉积很少甚至没有金属/合金。
在一些非限制性示例中，如果沉积对比度基本上低，则当金属/合金的沉积足以在第二部分102中形成封闭涂层140时，可存在沉积在第一部分101中的金属/合金的至少一种颗粒结构841的不连续层840。
在一些非限制性示例中，相对于给定金属/合金(包括但不限于Mg、Ag和MgAg中的至少一者)的沉积具有基本上高的沉积对比度的材料(包括但不限于图案化材料611)在需要降低的沉积对比度的一些场景中可具有降低的适用性，在一些非限制性示例中，其中第一部分101中的金属/合金的平均层厚度基本上低，包括但不限于不超过约100nm、50nm、25nm和15nm中的一者，包括但不限于在需要至少一种颗粒结构841的不连续层840在第二部分102中的沉积的一些场景中。
在一些非限制性示例中，可存在这样的场景：需要在第一部分101中的金属/合金的封闭涂层140的平均层厚度基本上小(包括但不限于不超过约100nm、50nm、25nm和15nm中的一者，包括但不限于在第二部分102中形成纳米颗粒(NP))时，在第二部分102中形成金属/合金的至少一种颗粒结构841的不连续层840，其中需要此类NP吸收EM辐射，包括但不限于保护下面层免受具有不超过约460nm的波长的EM辐射。
在一些非限制性示例中，在此类场景下，可适用于约2-100、4-50、5-20和10-15之间中的一者的沉积对比度。
在一些非限制性示例中，相对于给定金属/合金(包括但不限于Mg、Ag和MgAg中的至少一者)的沉积具有基本上低的沉积对比度的材料(包括但不限于图案化材料611)在需要基本上高的沉积对比度的一些场景下可具有降低的适用性，包括但不限于其中第一部分101中的金属/合金的平均层厚度大的场景，包括但不限于至少约95nm、45nm、20nm、10nm和8nm中的至少一者。
在一些非限制性示例中，相对于给定金属/合金(包括但不限于Mg、Ag和MgAg中的至少一者)的沉积具有基本上低的沉积对比度的材料(包括但不限于图案化材料611)在需要基本上高的沉积对比度的一些场景(包括但不限于需要在第一部分101中基本上不存在连续涂层140或高密度的颗粒结构841的场景，包括但不限于，当第一部分101中的金属/合金的平均层厚度大时(包括但不限于至少约95nm、45nm、20nm、10nm和8nm中的一者)下可具有降低的适用性，包括但不限于在需要在可见光谱和NIR光谱中的至少一者中基本上不存在EM辐射的吸收的一些场景(包括但不限于需要对具有至少约460nm的波长的EM辐射的透明度增加的场景)下。
在一些非限制性示例中，当第二部分102中的金属/合金的封闭涂层140的平均层厚度基本上高(包括但不限于至少约95nm、45nm、20nm、10nm和8nm中的一者)时，相对于给定金属/合金(包括但不限于Mg、Ag和MgAg中的至少一者)的沉积，材料(包括但不限于图案化材料611)在需要第一部分101中的金属/合金的颗粒结构841的不连续层840或低密度的颗粒结构的一些场景下可具有适用性。作为非限制性示例，当第二部分102中的金属/合金的平均层厚度基本上高时，包括但不限于至少约95nm、45nm、20nm、10nm和8nm中的一者，在一些场景下，约2-100、4-50、5-20和10-15之间中的一者的沉积对比度可具有适用性。
在一些非限制性示例中，如果材料(包括但不限于图案化材料611)对于金属/合金(包括但不限于Mg、Ag和MgAg中的至少一者)的沉积的初始黏着概率基本上高，则此类材料可倾向于具有基本上低的沉积对比度。
表面能
如本文特别是相对于材料所用，特征表面能可通常是指从这种材料测定的表面能。在一些非限制性示例中，可从由以薄膜形式沉积和/或涂覆的材料形成的表面测量特征表面能。用于测定固体的表面能的各种方法和理论是已知的。在一些非限制性示例中，可基于一系列接触角测量来计算和/或导出表面能，其中可使各种液体与固体表面接触以测量液-气界面与表面之间的接触角。在一些非限制性示例中，固体表面的表面能可等于具有完全润湿表面的最高表面张力的液体的表面张力。在一些非限制性示例中，可使用齐斯曼图来确定将导致与表面的完全润湿(即，0°接触角)的最高表面张力值。
在一些非限制性示例中，表面的临界表面张力可根据齐斯曼法来确定，如在W.A.Zisman,Advances in Chemistry 43(1964年)第1-51页中进一步详述的。
作为非限制性示例，制造了一系列样品来测量由各种材料形成的表面的临界表面张力。测量结果汇总于下表3中：
表3
| 材料 | 临界表面张力(达因/厘米) |
| HT211 | 25.6 |
| HT01 | >24 |
| TAZ | 22.4 |
| Balq | 25.9 |
| Liq | 24 |
| 示例性材料1 | 26.3 |
| 示例性材料2 | 24.8 |
| 示例性材料3 | 19 |
| 示例性材料4 | 7.6 |
| 示例性材料5 | 15.9 |
| 示例性材料6 | <20 |
| 示例性材料7 | 13.1 |
| 示例性材料8 | 20 |
| 示例性材料9 | 18.9 |
基于表3中临界表面张力的前述测量和关于存在或不存在Ag的基本上封闭的涂层140的先前观察，据发现，当沉积为涂层时形成低表面能表面的材料(作为非限制性示例，可为临界表面张力为约13达因/厘米-20达因/厘米或13达因/厘米-19达因/厘米之间中的至少一者的材料)可适于形成图案化涂层110以抑制沉积材料731(包括但不限于Ag和/或含Ag材料)在其上沉积。
不希望受任何特定理论的束缚，可假定，形成表面能低于(作为非限制性示例)约13达因/厘米的表面的材料在某些应用中可能不太适合作为图案化材料611，因为此类材料可表现出对围绕此类材料的层的相对差的粘附性，表现出低熔点，以和/或者表现出低升华温度。
在一些非限制性示例中，涂层(包括但不限于图案化涂层110)中的材料(包括但不限于图案化材料611)的表面能可通过将该材料作为整洁涂层沉积在基板10上并且用合适的一系列探针液体测量其接触角来确定。
在一些非限制性示例中，当涂覆于暴露层表面11上时，可倾向于用作给定金属/合金(包括但不限于Mg、Ag和MgAg中的至少一者)的NIC的图案化材料611可倾向于表现出基本上低的表面能。
在一些非限制性示例中，当作为薄膜或涂层沉积在暴露层表面11上时，材料(包括但不限于图案化材料611)可倾向于表现出基本上低的表面能。
在一些非限制性示例中，具有基本上低的表面能的材料(包括但不限于图案化材料611)可倾向于表现出基本上低的分子间力。
在一些非限制性示例中，如果材料(包括但不限于图案化材料611)具有基本上高的表面能，则该材料可倾向于对于金属/合金的沉积具有基本上高的初始黏着概率。
在一些非限制性示例中，可存在这样的场景：需要具有并非过度低的基本上低的表面能的图案化材料611。
在一些非限制性示例中，具有基本上高表面能的材料(包括但不限于图案化材料611)可适用于使用光学技术来检测此类材料的膜的一些场景。
不希望受任何特定理论的束缚，可假定，在一些非限制性示例中，具有基本上高的表面能的材料(包括但不限于图案化材料611)对于需要基本上高的温度可靠性的一些场景可以具有适用性。
在一些非限制性示例中，具有并非过度低的基本上低的表面张力的图案化材料611可在需要基本上高的熔点的一些场景下具有适用性。
在一些非限制性示例中，具有基本上低的表面能和基本上高的熔点的图案化涂层110可以在需要高温度可靠性的一些场景下具有适用性。在一些非限制性示例中，考虑到在一些非限制性示例中，具有低表面能的单一材料可能倾向于表现出低熔点，从单一材料实现这种组合可能存在挑战。
在一些非限制性示例中，具有基本上低表面能的材料(包括但不限于图案化材料611)可适用于在至少约365nm和460nm中的一者的波长范围内需要弱或基本上无光致发光或吸收的一些场景中。
在一些非限制性示例中，当第二部分102中的金属/合金的连续涂层140的平均层厚度基本上低(包括但不限于不超过约100nm、50nm、25nm和15nm中的一者)时，可用作给定金属/合金(包括但不限于Mg、Ag和MgAg中的至少一者)的NIC的具有基本上高表面能的材料(包括但不限于图案化材料611)可在需要第一部分101中的金属/合金的颗粒结构841的不连续层840的一些场景下具有适用性。
在一些非限制性示例中，当第二部分102中的金属/合金的连续涂层140的平均层厚度基本上高(包括但不限于至少约95nm、45nm、20nm、10nm和8nm中的一者)时，给定金属/合金(包括但不限于Mg、Ag和MgAg中的至少一者)的NIC的具有基本上低表面能的材料(包括但不限于图案化材料611)在需要第一部分101中的金属/合金的颗粒结构841的不连续层840或低密度的颗粒结构的一些场景下可具有适用性。
在一些非限制性示例中，含有本文所述化合物的NIC和/或图案化涂层的表面可表现出不超过约24达因/厘米、22达因/厘米、20达因/厘米、19达因/厘米、18达因/厘米、16达因/厘米、15达因/厘米、13达因/厘米、12达因/厘米和11达因/厘米中的一者的表面能。在一些非限制性示例中，在各种非限制性示例中，本文的表面值可对应于在约正常温度和压力(NTP)下测量的此类值，该值可对应于20℃的温度和1atm的绝对压力。
在一些非限制性示例中，表面能可为至少约6达因/厘米、7达因/厘米和8达因/厘米中的至少一者。
在一些非限制性示例中，表面能可为约10达因/厘米-22达因/厘米、11达因/厘米-21达因/厘米、13达因/厘米-20达因/厘米和13达因/厘米-/19达因/厘米之间中的至少一者。
不希望受任何特定理论的束缚，可假定，形成表面能不超过(在一些非限制性示例中)约13达因/厘米的表面的材料在一些场景中可能降低作为图案化材料611的适用性，因为此类材料可表现出对围绕此类材料的层的基本上低的粘附性，表现出基本上低熔点，并且/或者表现出基本上低升华温度。
现已发现，多少有些令人惊讶的是，由表现出相对低表面能的化合物形成的图案化涂层110也可表现出相对低的折射率n。
温度
玻璃化转变温度
在一些非限制性示例中，图案化涂层110和/或图案化材料611(在一些非限制性示例中，当作为某种形式的膜和/或涂层沉积时并且在与图案化涂层110在器件100内的沉积类似的环境下)可具有为以下中的一者的玻璃化转变温度：(i)至少约300℃、150℃、130℃中的至少一者，以及(ii)不超过约30℃、0℃、-30℃和-50℃中的一者。
升华温度
在一些非限制性示例中，具有基本上低的分子间力的材料(包括但不限于图案化材料611)可倾向于表现出基本上低的升华温度。
在一些非限制性示例中，具有基本上低的升华温度的材料(包括但不限于图案化材料611)对于可能需要基本上精确地控制沉积材料膜的平均层厚度的制造工艺可能具有降低的适用性。
在一些非限制性示例中，升华温度为不超过约140℃、120℃、110℃、100℃和90℃中的一者的材料(包括但不限于图案化材料611)可能倾向于遭遇对膜的沉积速率和平均层厚度中的至少一者的约束，该膜包括可使用已知沉积方法(包括但不限于真空热蒸发)沉积的此类材料。
在一些非限制性示例中，材料(包括但不限于图案化材料611)可适用于在控制包括此类材料的膜的平均层厚度方面需要基本上高精度的一些场景中。
在一些非限制性示例中，具有基本上低但不过度低的表面张力的材料(包括但不限于图案化材料611)可在需要基本上高的升华温度的一些场景下具有适用性。
在一些非限制性示例中，涂层(包括但不限于图案化涂层110，其由具有基本上低的表面能和基本上高的升华温度的材料(包括但不限于图案化材料611)组成)在控制包括此类材料的膜的平均层厚度时需要基本上高精度的一些场景中可具有适用性。
在一些非限制性示例中，图案化材料可具有约100℃-320℃、120℃-300℃、140℃-280℃和150℃-250℃之间中的至少一者的升华温度。在一些非限制性示例中，这种升华温度可允许使用PVD将图案化材料611基本上容易地沉积为涂层。
在一些非限制性示例中，具有基本上低分子间力的材料可表现出基本上低升华温度。在一些非限制性示例中，具有基本上低的升华温度的材料对于需要对材料的沉积膜的层厚度进行基本上高度控制的制造工艺可具有降低的适用性。在一些非限制性示例中，对于升华温度不超过约140℃、120℃、110℃、100℃和90℃中的一者的材料，在控制使用包括但不限于真空热蒸发的沉积方法沉积的膜的沉积速率和层厚度方面可能存在施加的约束。在一些非限制性示例中，具有基本上高升华温度的材料可在需要对膜厚度进行基本上高度控制的一些场景中具有适用性。
材料(包括但不限于图案化材料611)的升华温度可使用对于相关领域的普通技术人员来说显而易见的各种方法来确定，包括但不限于，通过在基本上高真空下在坩埚中加热材料并且通过测定可达到的温度以：
·观察材料何时开始沉积到在距坩埚固定距离安装的QCM上的暴露层表面11上；
·观察对在距坩埚固定距离安装的QCM上的暴露层表面11上的特定沉积速率，在一些非限制性示例中，为以及/或者
·达到材料的阈值蒸气压，在一些非限制性示例中，为约10-4托或10-5托。
在一些非限制性示例中，材料(包括但不限于图案化材料611)的升华温度可通过以下操作来确定：在基本上高真空环境(在一些非限制性示例中，为约10-4托)下加热蒸发源中的材料，以及确定可达到的引起材料蒸发从而生成足以引起材料沉积(在一些非限制性示例中，以约的沉积速率沉积到在距该源固定距离安装的QCM上的暴露表面层11上)的蒸气通量的温度。
在一些非限制性示例中，为了测定升华温度，可将QCM安装在距坩埚约65cm处。
在一些非限制性示例中，图案化材料611可具有约100℃-320℃、、100℃-300℃、120℃-300℃、100℃-250℃、140℃-280℃、120℃-230℃、130℃-220℃、140℃-210℃、140℃-200℃、150℃-250℃和140℃-190℃之间中的一者的升华温度。
熔点
在一些非限制性示例中，具有基本上低的分子间力的材料(包括但不限于图案化材料611)可倾向于表现出基本上低的熔点。
在一些非限制性示例中，具有基本上低熔点的材料(包括但不限于图案化材料611)在对于不超过约60℃、80℃和100℃中的一者的温度需要显著温度可靠性的一些场景下可具有降低的适用性，在一些非限制性示例中，这是因为此类材料在接近熔点的操作温度下的物理性质的变化。
在一些非限制性示例中，具有约120℃的熔点的材料在需要基本上高的温度可靠性(包括但不限于至少约100℃)的一些场景下可具有降低的适用性。
在一些非限制性示例中，具有基本上高熔点的材料(包括但不限于图案化材料611)在需要基本上高的温度可靠性的一些场景下可具有适用性。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110和/或其化合物可具有为至少约90℃、100℃、110℃、120℃、140℃、150℃和约180℃中的一者的熔融温度。
内聚能
根据杨氏方程，材料的内聚能(或断裂韧性或内聚强度)可趋向于与其表面能成比例(参见Young,Thomas(1805)，“An Essay on the cohesion of fluids”，《伦敦皇家学会哲学会报》，95：65-87)。
根据Lindemann的标准，材料的内聚能可倾向于与其熔化温度成比例[参见Nanda,K.K、Sahu,S.N和Behera,S.N(2002)，“Liquid-drop model for the size-dependentmelting of low-dimensional systems”，《物理评论A》，66(1)：013208]。
在一些非限制性示例中，具有基本上低的分子间力的材料(包括但不限于图案化材料611)可倾向于表现出基本上低的内聚能。
在一些非限制性示例中，具有基本上低的内聚能的材料(包括但不限于图案化材料611)在需要显著断裂韧性的一些场景下(包括但不限于在制造和使用中的至少一者期间可能倾向于经受剪切和弯曲应力中的至少一者的器件中)可具有降低的适用性，因为此类材料在此类场景下可能倾向于开裂或断裂。在一些非限制性示例中，具有不超过约30达因/厘米的内聚能的材料(包括但不限于图案化材料611)在制造于柔性基板10上的器件的一些场景下可具有降低的适用性。
在一些非限制性示例中，具有基本上高的内聚能的材料(包括但不限于图案化材料611)可适用于在剪切应力和弯曲应力中的至少一者下需要基本上高可靠性的一些场景，包括但不限于在柔性基板10上制造的器件。
在一些非限制性示例中，具有基本上低但并非过度低的表面能的材料(包括但不限于图案化材料611)在剪切和弯曲应力中的至少一者下需要显著可靠性的一些场景下可具有适用性，包括但不限于在柔性基板10上制造的器件。
在一些非限制性示例中，具有基本上低的表面能和基本上高的内聚能的材料(包括但不限于图案化材料611)可在剪切应力和弯曲应力中的至少一者下需要基本上高可靠性的一些场景中具有适用性。在一些非限制性示例中，考虑到在一些非限制性示例中，具有基本上低表面能的单一材料可倾向于表现出基本上低内聚能，从单个材料实现这种组合可能存在挑战。
在一些非限制性示例中，具有基本上低的表面能、基本上高内聚能和基本上高熔点的涂层(包括但不限于图案化涂层110)可适用于在各种条件下需要基本上高可靠性的一些场景。在一些非限制性示例中，考虑到在一些非限制性示例中，具有基本上低表面能的单一材料可倾向于表现出基本上低的内聚能和基本上低的熔点，从单一材料实现这种组合可能存在挑战。
光学或带隙
在本公开中，半导体材料可被描述为通常表现出带隙的材料。在一些非限制性示例中，带隙可在半导体材料的最高已占分子轨道(HOMO)与最低未占分子轨道(LUMO)之间形成。半导体材料可因此倾向于表现出基本上不超过导电材料(包括但不限于金属)的导电性，但基本上至少与绝缘材料(包括但不限于玻璃)一样大的导电性。在一些非限制性示例中，半导体材料可包括有机半导体材料。在一些非限制性示例中，半导体材料可包括无机半导体材料。
在一些非限制性示例中，具有基本上低的表面能的材料(包括但不限于图案化材料611)可倾向于表现出基本上大的或宽的光学带隙。在一些非限制性示例中，包括但不限于图案化材料611的材料的光学带隙可倾向于对应于该材料的HOMO-LUMO能隙。
在一些非限制性示例中，具有基本上大的或宽的光学带隙(和/或HOMO-LUMO能隙)的材料(包括但不限于图案化材料611)在可见光谱的深蓝色区域、近UV光谱、可见光谱和/或NIR光谱中的至少一者中可能倾向于表现出基本上弱的光致发光或基本上没有光致发光。
在一些非限制性示例中，由在至少约365nm和460nm中的一者的波长范围内具有基本上弱的或基本上没有光致发光或吸收的材料(包括但不限于图案化材料611)组成的涂层(包括但不限于图案化涂层110)可以倾向于不充当光致发光涂层或吸收涂层，并且可以在可见光谱和NIR光谱中的至少一者内需要基本上高的透明度的一些场景中具有适用性。
在一些非限制性示例中，这种材料在经受具有约365nm波长的EM辐射时可倾向于表现出基本上低的光致发光，该波长为用于荧光显微镜中的辐射源的常见波长。此类材料(包括但不限于图案化材料611)的存在，尤其是当在一些非限制性示例中沉积为薄膜时，在需要典型光学检测技术(包括但不限于荧光显微镜)的一些场景中可具有降低的适用性。这对于可例如通过FMM将此类材料选择性地沉积在基板10的部分上的一些场景来说可能会施加约束，因为可能存在用于在材料沉积之后确定存在这种材料的部分的一些场景。
在一些非限制性示例中，具有相对大的HOMO-LUMO能隙的材料可以在至少约365nm和460nm中的一者的波长范围内需要弱的或基本上没有光致发光或吸收的一些场景中具有适用性。
在一些非限制性示例中，具有基本上小的HOMO-LUMO能隙的材料在使用光学技术来检测材料的膜的一些场景中可具有适用性。
折射率和消光系数
在一些非限制性示例中，图案化涂层110和/或图案化材料611(在一些非限制性示例中，当作为某种形式的膜和/或涂层沉积时并且在与图案化涂层110在器件100内的沉积类似的环境下)可具有低折射率。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110和/或图案化材料611(在一些非限制性示例中，当作为某种形式的膜和/或涂层沉积时并且在与图案化涂层110在器件100内的沉积类似的环境下)对于550nm波长的EM辐射可具有可为不超过约1.55、1.5、1.45、1.43、1.4、1.39、1.37、1.35、1.32和1.3中的至少一者的折射率。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的折射率n可不超过约1.7。例如，图案化涂层110的折射率可为不超过约1.6、1.5、1.4和1.3中的一者。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的n可为约1.2-1.6、1.2-1.5和1.25-1.45之间中的一者。如以上各种非限制性示例中进一步所描述，表现出基本上低折射率的图案化涂层110可在一些场景中适用于通过增强由光电子器件发射的EM辐射的外部耦接来增强(包括但不限于)该器件的光学性质和/或性能。
不希望受任何特定理论的束缚，已观察到，提供具有基本上低折射率的图案化涂层110可(至少在一些器件100中)提高外部EM辐射穿过其第二部分102的透射率。在一些非限制性示例中，当图案化涂层110具有基本上低折射率时，相对于其中不提供这种低折射率图案化涂层110的类似构造的器件100，在其中包括气隙的器件(该气隙可布置在图案化涂层110附近或与该图案化涂层相邻)可表现出基本上高的透射率。
作为非限制性示例，制造了一系列样品来测量由各种示例性材料中的一些形成的涂层在550nm波长下的折射率。测量结果汇总于下表4中：
表4
| 材料 | 折射率 |
| HT211 | 1.76 |
| HT01 | 1.80 |
| TAZ | 1.69 |
| Balq | 1.69 |
| Liq | 1.64 |
| 示例性材料2 | 1.72 |
| 示例性材料3 | 1.37 |
| 示例性材料5 | 1.38 |
| 示例性材料7 | 1.3 |
基于表4中对折射率的前述测量，和表4中关于存在或不存在Ag的基本上封闭的涂层140的先前观察，据发现，形成低折射率涂层的材料(作为非限制性示例，可为折射率不超过约1.4或1.38中的至少一者的材料)可适于形成图案化涂层110以抑制沉积材料731(包括但不限于Ag和/或含Ag材料)在其上沉积。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110和/或图案化材料611(在一些非限制性示例中，当作为某种形式的膜和/或涂层沉积时并且在与图案化涂层110在器件100内的沉积类似的环境下)可具有低折射率。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110和/或图案化材料611(在一些非限制性示例中，当作为某种形式的膜和/或涂层沉积时并且在与图案化涂层110在器件1200内的沉积类似的环境下)对于550nm波长的EM辐射可具有可为不超过约1.55、1.5、1.45、1.43、1.4、1.39、1.37、1.35、1.32和1.3中的至少一者的折射率。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110和/或图案化材料611可表现出不超过约25达因/厘米的表面能和不超过约1.45的折射率。在一些非限制性示例中，图案化涂层110和/或图案化材料611可包括表现出不超过约20达因/厘米的表面能和不超过约1.4的折射率的材料。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可为基本上透明的和/或EM辐射透射的。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110和/或图案化材料611(在一些非限制性示例中，当作为某种形式的膜和/或涂层沉积时并且在与图案化涂层110在器件100内的沉积类似的环境下)对于在至少约600nm、500nm、460nm、420nm和410nm中的至少一者的波长处的光子可具有可不超过约0.01的消光系数。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可在可见光谱中表现出不超过约0.1、0.08、0.05、0.03和0.01中的一者的消光系数κ。
光致发光、吸收和其他光学效应
在一些非限制性示例中，在至少约365nm和460nm中的一者的波长下表现出基本上低光致发光或基本上无光致发光的材料可在可见光谱和NIR光谱中的至少一者中需要基本上高透明度的一些场景中具有适用性。
在一些非限制性示例中，在至少约365nm和460nm中的一者的波长下具有基本上低吸收或基本上无吸收的材料可在可见光谱和NIR光谱中的至少一者中需要基本上高透明度的一些场景中具有适用性。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110和/或图案化材料611(在一些非限制性示例中，当作为某种形式的膜和/或涂层沉积时并且在与图案化涂层110在器件100内的沉积类似的环境下)可在至少可见光谱中基本上不衰减穿过其的EM辐射。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110和/或图案化材料611(当作为某种形式的膜和/或涂层沉积时并且在与图案化涂层110在器件100内的沉积类似的环境下)可在至少IR光谱和/或NIR光谱中基本上不衰减穿过其的EM辐射。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110和/或图案化材料611(在一些非限制性示例中，当作为某种形式的膜和/或涂层沉积时并且在与图案化涂层110在器件100内的沉积类似的环境下)对于在不超过约400nm、390nm、380nm和370nm中的一者的波长下的EM辐射可具有可为至少约0.05、0.1、0.2和0.5中的一者的消光系数。
以这种方式，图案化涂层110和/或图案化材料611(当作为某种形式的膜和/或涂层沉积时并且在与图案化涂层110在器件100内的沉积类似的环境下)可吸收入射在器件100上的UVA光谱中的EM辐射，从而降低UVA光谱中的EM辐射可能在器件性能、器件稳定性、器件可靠性和/或器件寿命方面赋予约束的可能性。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可充当光学涂层。在一些非限制性示例中，图案化涂层110可修改由器件100发射的EM辐射(包括但不限于，光子形式)的至少一个性质和/或特性。在一些非限制性示例中，图案化涂层110可表现出一定程度的雾度，从而导致发射的EM辐射被散射。在一些非限制性示例中，图案化涂层110可包括用于使透射穿过其的EM辐射被散射的结晶材料。在一些非限制性示例中，EM辐射的这种散射可有利于增强来自器件100的EM辐射的外部耦合。在一些非限制性示例中，图案化涂层110可最初被沉积为基本上非晶态(包括但不限于基本上无定形的)涂层，于是，在其沉积之后，图案化涂层110可变成结晶的并且此后用作光学耦接。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可在对应于可见光谱的任何波长下不表现出任何显著的EM辐射吸收。
重量
不希望受任何特定理论的束缚，可假定，对于适于形成具有基本上低表面能的表面的化合物，可存在这样的场景：需要在至少一些应用中，此类化合物的分子量为约800g/mol-3,000g/mol、900g/mol-2,000g/mol、900g/mol-1,800g/mol和900g/mol-1,600g/mol之间中的一者。
不希望受任何特定理论的束缚，可假定，此类化合物可表现出至少一种性质，其可适用于形成具有以下的涂层和/或层的一些场景：(i)基本上高的熔点，在一些非限制性示例中，为至少100℃，(ii)基本上低的表面能，以及(iii)基本上无定形结构，在一些非限制性示例中，当使用基于真空的热蒸发工艺沉积时。
在一些非限制性示例中，该化合物的分子量可不超过约5,000g/mol。在一些非限制性示例中，该化合物的分子量可为不超过约4,500g/mol、4,000g/mol、3,500g/mol和3,000g/mol中的一者。
在一些非限制性示例中，该化合物的分子量可为至少约800g/mol。在一些非限制性示例中，化合物的分子量可为至少约900g/mol、1,000g/mol、1,100g/mol、1,200g/mol、1,300g/mol、1,500g/mol和1,700g/mol中的一者。
在一些非限制性示例中，化合物的分子量可为约800g/mol-3,000g/mol、900g/mol-2,000g/mol、900g/mol-1,800g/mol和900g/mol-1,600g/mol之间中的一者。
在一些非限制性示例中，这种化合物的摩尔重量的可归因于F原子的存在的百分比可为约40％-90％、45％-85％、50％-80％、55％-75％和60％-75％之间中的一者。在一些非限制性示例中，F原子可构成这种化合物的大部分摩尔重量。
在一些非限制性示例中，该化合物中所含的F原子/该化合物中所含的C原子的商可为至少约0.5、0.7、1、1.5、2和2.5中的一者。在一些非限制性示例中，F原子/Si原子的商可为不超过约5、4和3中的一者。
不希望受任何特定理论的束缚，可假定，此类化合物可表现出可适用于形成具有以下的涂层和/或层的至少一种性质：(i)相对高的熔点，在一些非限制性示例中，为至少100℃，(ii)相对低的表面能，和/或(iii)基本上无定形的结构，作为非限制性示例，当使用基于真空的热蒸发工艺沉积时。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可以一定图案设置，该图案可由其中可基本上没有图案化涂层110的封闭涂层140的至少一个区域限定。在一些非限制性示例中，该至少一个区域可将图案化涂层110分离成其多个离散片段。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的该多个离散片段可在其侧向朝向彼此物理地间隔开。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的该多个离散片段可以规则结构(包括但不限于阵列或矩阵)布置，使得在一些非限制性示例中，图案化涂层110的离散片段可以重复图案构造。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的该多个离散片段中的至少一个可各自对应于发射区域1401。
在一些非限制性示例中，发射区域1401的开口率可为不超过约50％、40％、30％和20％中的至少一者。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可形成为单个整体式涂层。
在一些非限制性示例中，由于所使用的图案化材料611和/或沉积环境，图案化涂层110可具有和/或提供(包括但不限于)用于沉积材料731的至少一个成核位点。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可用可充当晶种或异质物的另一种材料掺杂、覆盖和/或补充，以充当用于沉积材料731的这种成核位点。在一些非限制性示例中，这种其他材料可包括NPC 920材料。在一些非限制性示例中，这种其他材料可包括有机材料(诸如在一些非限制性示例中，多环芳族化合物)和/或包含非金属元素(诸如但不限于O、S、N和C中的至少一者，其存在原本可能是源材料、用于沉积的设备和/或真空室环境中的污染物)的材料。在一些非限制性示例中，这种其他材料可以单层的一小部分的层厚度沉积，以避免形成其封闭涂层140。相反，这种其他材料的单体可倾向于在侧向朝向上间隔开，以便形成用于沉积材料的离散成核位点。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可充当光学涂层。在一些非限制性示例中，图案化涂层110可修改由器件100发射的EM辐射(包括但不限于，光子形式)的至少一个性质和/或特性。在一些非限制性示例中，图案化涂层110可表现出一定程度的雾度，从而导致发射的EM辐射被散射。在一些非限制性示例中，图案化涂层110可包括用于使透射穿过其的EM辐射被散射的结晶材料。在一些非限制性示例中，EM辐射的这种散射可有利于增强来自器件的EM辐射的外部耦合。在一些非限制性示例中，图案化涂层110可最初被沉积为基本上非晶态(包括但不限于基本上无定形的)涂层，于是，在其沉积之后，图案化涂层110可变成结晶的并且此后用作光学耦接。
在一些非限制性示例中，可能存在这样的目标：提供图案化涂层110，以在图案化涂层110经受沉积材料731的蒸气通量732时引起至少一种颗粒结构841的不连续层840的形成。在至少一些应用中，图案化涂层110可表现出足够低的初始黏着概率，使得沉积材料731的封闭涂层140可在第二部分102中形成，该第二部分可基本上没有图案化涂层110，而具有至少一种特性的至少一种颗粒结构841的不连续层840可形成在第一部分101中图案化涂层110上。在一些非限制性示例中，可存在这样的目标：在第二部分102中形成沉积材料731的至少一种颗粒结构841的不连续层840(作为非限制性示例，该沉积材料可为金属或金属合金)，同时沉积沉积材料731的具有例如不超过约100nm、50nm、25nm或15nm中的一者的厚度的封闭涂层140。在一些非限制性示例中，在第一部分101中作为至少一种颗粒结构841的不连续层840沉积的沉积材料731的相对量可对应于在第二部分102中作为封闭涂层140沉积的沉积材料731的量的约1％-50％、2％-25％、5％-20％和7％-10％之间中的一者，在一些非限制性示例中，该封闭涂层可对应于不超过约100nm、75nm、50nm、25nm和15nm中的至少一者的厚度。
组成
在一些非限制性示例中，图案化涂层110和/或图案化材料611可包含氟(F)原子和/或Si原子。作为非限制性示例，用于形成图案化涂层110的图案化材料611可为含F和/或Si的化合物。
在一些非限制性示例中，图案化材料611可包括含F的化合物。在一些非限制性示例中，图案化材料611可包括含F和碳原子的化合物。在一些非限制性示例中，图案化材料611可包括含F和C的化合物，其中F和C的原子比对应于至少约1、1.5或2中的至少一者的F/C商。在一些非限制性示例中，F与C的原子比可通过以下方法来测定：对存在于化合物结构中的所有F原子进行计数，并且对于C原子，仅对存在于化合物结构中的sp3杂化C原子进行计数。在一些非限制性示例中，图案化材料611可包括这样的化合物，该化合物包括含F和C的部分作为其分子子结构的一部分，其中F和C的原子比对应于至少约1、1.5或2的F/C商。
在一些非限制性示例中，图案化材料611的化合物可包括有机-无机杂化材料。
在一些非限制性示例中，图案化材料611可为低聚物或包括低聚物。
在一些非限制性示例中，图案化材料611可为或包括具有某种分子结构的化合物，该分子结构包含主链和键合至主链的至少一个官能团。在一些非限制性示例中，主链可为无机部分，并且该至少一个官能团可为有机部分。
在一些非限制性示例中，这种化合物可具有包括硅氧烷基团的分子结构。在一些非限制性示例中，硅氧烷基团可为直链、支链或环状硅氧烷基团。在一些非限制性示例中，主链可为硅氧烷基团或包括硅氧烷基团。在一些非限制性示例中，主链可为或包括硅氧烷基团和至少一个含有F的官能团。在一些非限制性示例中，该至少一个含有F的官能团可为氟代烷基基团。这种化合物的非限制性示例包括氟代硅氧烷。这种化合物的非限制性示例是示例性材料6和示例性材料9。
在一些非限制性示例中，该化合物可具有包括倍半硅氧烷基团的分子结构。在一些非限制性示例中，倍半硅氧烷基团可为POSS。在一些非限制性示例中，主链可为倍半硅氧烷基团或包括倍半硅氧烷基团。在一些非限制性示例中，该主链可为或包括倍半硅氧烷基团和至少一个包含F的官能团。在一些非限制性示例中，该至少一个包含F的官能团可为氟代烷基基团。这种化合物的非限制性示例包括氟代倍半硅氧烷和/或氟代POSS。这种化合物的非限制性示例是示例性材料8。
在一些非限制性示例中，该化合物可具有包括取代或未取代的芳基基团和/或取代或未取代的杂芳基基团的分子结构。在一些非限制性示例中，芳基基团可为苯基或萘基。在一些非限制性示例中，芳基基团的至少一个C原子可被杂原子(作为非限制性示例，可为O、N和/或S)取代以衍生杂芳基基团。在一些非限制性示例中，主链可为或包括取代或未取代的芳基基团和/或取代或未取代的杂芳基基团。在一些非限制性示例中，主链可为或包括取代或未取代的芳基基团和/或取代或未取代的杂芳基基团和至少一个包含F的官能团。在一些非限制性示例中，该至少一个包含F的官能团可为氟代烷基基团。
在一些非限制性示例中，该化合物可具有包括取代或未取代的直链、支链或环状烃基基团的分子结构。在一些非限制性示例中，烃基基团的一个或多个C原子可被杂原子(作为非限制性示例，可为O、N和/或S)取代。
在一些非限制性示例中，该化合物可具有包括磷腈基团的分子结构。在一些非限制性示例中，磷腈基团可为直链、支链或环状磷腈基团。在一些非限制性示例中，主链可为磷腈基团或包括磷腈基团。在一些非限制性示例中，该主链可为或包括磷腈基团和至少一个包含F的官能团。在一些非限制性示例中，该至少一个包含F的官能团可为氟代烷基基团。这种化合物的非限制性示例包括氟代膦腈。这种化合物的非限制性示例是示例性材料4。
在一些非限制性示例中，该化合物可为含氟聚合物。在一些非限制性示例中，该化合物可为包含F的嵌段共聚物。在一些非限制性示例中，该化合物可为低聚物。在一些非限制性示例中，低聚物可为含氟低聚物。在一些非限制性示例中，该化合物可为包含F的嵌段低聚物。含氟聚合物和/或含氟低聚物的非限制性示例是具有示例性材料3、示例性材料5和/或示例性材料7的分子结构的那些。
在一些非限制性示例中，该化合物可为金属络合物。在一些非限制性示例中，金属络合物可为有机金属络合物。在一些非限制性示例中，有机金属络合物可包含F。在一些非限制性示例中，有机金属络合物可包括至少一种包含F的配体。在一些非限制性示例中，该至少一种包含F的配体可为氟代烷基基团或包括氟代烷基基团。
在一些非限制性示例中，图案化材料611可为有机-无机杂化材料或包括有机-无机杂化材料。
在一些非限制性示例中，图案化材料611可包括多种不同的材料。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可包括多种材料。在一些非限制性示例中，图案化涂层110可包括第一材料和第二材料。
在一些非限制性示例中，当沉积为薄膜时，图案化涂层110的多种材料中的至少一种可用作NIC。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的多种材料中的至少一种在沉积为薄膜时可用作NIC，并且图案化涂层的另一种材料在沉积为薄膜时形成NPC 920。在一些非限制性示例中，第一材料可在沉积为薄膜时形成NPC 920，并且第二材料可在沉积为薄膜时形成NIC。在一些非限制性示例中，与其中图案化涂层110由第二材料形成而基本上没有第一材料的情况相比，图案化涂层110中第一材料的存在可导致该图案化涂层的增大的初始黏着概率。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种可适于在沉积为薄膜时形成具有低表面能的表面。在一些非限制性示例中，当沉积为薄膜时，第一材料可适于形成具有比包括第二材料的薄膜所提供的表面低的表面能的表面。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可包括但不限于通过包括表现出光致发光的材料来表现出光致发光。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可在对应于UV光谱和/或可见光谱的波长下表现出光致发光。在一些非限制性示例中，光致发光可在对应于UV光谱(包括但不限于UVA光谱和/或UVB光谱)的波长(范围)下发生。在一些非限制性示例中，光致发光可在对应于可见光谱的波长(范围)下发生。在一些非限制性示例中，光致发光可在对应于深蓝或近UV的波长(范围)下发生。
在一些非限制性示例中，第一材料可具有第一光学带隙，并且第二材料可具有第二光学带隙。在一些非限制性示例中，第二光学带隙可超过第一光学带隙。在一些非限制性示例中，第一光学带隙和第二光学带隙之间的差值可超过约0.3eV、0.5eV、0.7eV、1eV、1.3eV、1.5eV、1.7eV、2eV、2.5eV和/或3eV中的至少一者。
在一些非限制性示例中，第一光学带隙可不大于约4.1eV、3.5eV或3.4eV中的至少一者。在一些非限制性示例中，第二光学带隙可超过约3.4eV、3.5eV、4.1eV、5eV或6.2eV中的至少一者。
在一些非限制性示例中，第一光学带隙和/或第二光学带隙可对应于HOMO-LUMO能隙。
在一些非限制性示例中，第一材料可在对应于UV光谱和/或可见光谱的波长下表现出光致发光。在一些非限制性示例中，光致发光可在对应于UV光谱(包括但不限于UVA光谱和/或UVB光谱)的波长下发生。在一些非限制性示例中，光致发光可在对应于可见光谱的波长下发生。在一些非限制性示例中，光致发光可在对应于可见光谱的深B(蓝色)的波长下发生。
在一些非限制性示例中，第一材料可在对应于可见光谱的波长下表现出光致发光，并且第二材料可不在对应于可见光谱的波长下不表现出大量的光致发光。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中可表现出光致发光的至少一种可包括共轭键、芳基部分、给电子-吸电子基团或重金属络合物中的至少一者。
作为非限制性示例，可通过光激发过程观察涂层和/或材料的光致发光。在光激发过程中，使涂层和/或材料经受由光源(包括但不限于UV灯)发射的EM辐射。当发射的EM辐射被涂层和/或材料吸收时，该涂层和/或材料的电子可被暂时激发。在激发之后，可发生一个或多个弛豫过程，包括但不限于荧光和磷光，其中EM辐射可能从涂层和/或材料发射。在此过程期间从涂层和/或材料发射的EM辐射可例如由光电检测器检测，以表征涂层和/或材料的光致发光性质。如本文所用，与涂层和/或材料相关的光致发光的波长可通常是指由于电子从激发态弛豫而由此类涂层和/或材料发射的EM辐射的波长。如本领域技术人员将理解的，由于光激发过程而由涂层和/或材料发射的光的波长在一些非限制性示例中可比用于引发光激发的辐射的波长更长。可使用本领域已知的各种技术来检测和/或表征光致发光，包括但不限于荧光显微镜。如本文所用，光致发光涂层或光致发光材料可以是当用某一波长的激发辐射照射时在一定波长下表现出光致发光的涂层或材料。在一些非限制性示例中，当用具有365nm波长的激发辐射照射时，光致发光涂层或材料可在超过约365nm的波长下表现出光致发光。光致发光涂层可使用标准光学技术(包括但不限于荧光显微镜)在基板10上检测，这种技术可定量、测量或检查这种涂层或材料的存在。
在一些非限制性示例中，各种涂层和/或材料的光学带隙(包括但不限于第一光学带隙和/或第二光学带隙)可对应于在光激发过程期间从中吸收或发射EM辐射的涂层和/或材料的能隙。
在一些非限制性示例中，可通过使涂层和/或材料经受具有对应于UV光谱(包括但不限于UVA光谱或UVB光谱)的波长的EM辐射来检测和/或表征光致发光。在一些非限制性示例中，用于引发光致激发的EM辐射可具有约365nm的波长。
在一些非限制性示例中，第二材料可在对应于可见光谱的任何波长下基本上不表现出光致发光。在一些非限制性示例中，第二材料可在经受具有为约300nm、320nm、350nm和/或365nm中的至少一者的波长的EM辐射时不表现出光致发光。在一些非限制性示例中，当经受这种EM辐射时，第二材料可表现出不明显和/或不可检测到的吸收。在一些非限制性示例中，第二材料的第二光学带隙可比由源发射的EM辐射的光子能量更宽，使得第二材料在经受这种EM辐射时不经历光激发。然而，在一些非限制性示例中，包含这种第二材料的图案化涂层110在经受EM辐射时仍可由于第一材料表现出光致发光而表现出光致发光。在一些非限制性示例中，在沉积图案化涂层110时，可使用常规表征技术诸如荧光显微镜检测和/或观察图案化涂层110的存在。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110中第一材料的浓度(包括但不限于重量)可不超过图案化涂层110中第二材料的浓度。在一些非限制性示例中，图案化涂层110可包括为至少约0.1wt.％、0.2wt.％、0.5wt.％、0.8wt.％、1wt.％、3wt.％、5wt.％、8wt.％、10wt.％、15wt.％或20wt.％中的至少一者的第一材料。在一些非限制性示例中，图案化涂层110可包括为不超过约50wt.％、40wt.％、30wt.％、25wt.％、20wt.％、15wt.％、10wt.％、8wt.％、5wt.％、3wt.％或1wt.％中的至少一者的第一材料。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的剩余部分可基本上由第二材料组成。在一些非限制性示例中，图案化涂层110可包括附加材料，包括但不限于第三材料和/或第四材料。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(包括但不限于第一材料和/或第二材料)可包括F和Si中的至少一种。作为非限制性示例，第一材料和第二材料中的至少一者可包括F和Si中的至少一种。在一些另外的非限制性示例中，第一材料可包括F和/或Si，并且第二材料可包括F和/或Si。在一些非限制性示例中，第一材料和第二材料两者可F。在一些非限制性示例中，第一材料和第二材料两者可包括Si。在一些非限制性示例中，第一材料和第二材料中的每一者可包括F和/或Si。
在一些非限制性示例中，第一材料和第二材料中的至少一种材料可包括F和Si两者。在一些非限制性示例中，第一材料和第二材料中的一者不包括F和/或Si。在一些非限制性示例中，第二材料可包括F和/或Si，并且第一材料可不包括F和/或Si。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括F，并且图案化涂层110的其他材料中的至少一种可包括sp2碳。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括F，并且图案化涂层110的其他材料中的至少一种可包括sp3碳。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括F和sp3碳，并且图案化涂层110的其他材料中的至少一种可包括sp2碳。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括F和sp3碳，其中键合到碳(C)的所有F可键合到sp3碳，并且图案化涂层110的其他材料中的至少一种可包括sp2碳。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括F和sp3碳，其中键合到C的所有F可键合到sp3碳，并且图案化涂层110的其他材料中的至少一种可包括sp2碳而且可不包括F。作为非限制性示例，在任何前述非限制性示例中，“图案化涂层110的材料中的至少一种”可对应于第二材料，并且“图案化涂层110的其他材料中的至少一种”可对应于第一材料。
如相关领域的普通技术人员将理解的，包括F、sp2碳、sp3碳、芳族烃部分和/或其他官能团或部分中的至少一者的涂层中材料的存在可使用本领域已知的各种方法检测，作为非限制性示例，包括X射线光电子能谱(XPS)。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其作为非限制性示例可为第一材料和/或第二材料)可包括F，并且图案化涂层110的其他材料中的至少一种可包括芳族烃部分。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括F，并且图案化涂层110的材料中的至少一种可不包括芳族烃部分。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括F而且可不包括芳族烃部分，并且图案化涂层110的其他材料中的至少一种可包括芳族烃部分。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括F而且可不包括芳族烃部分，并且图案化涂层110的其他材料中的至少一种可包括芳族烃部分而且看可不包括F。芳族烃部分的非限制性示例包括取代的多环芳族烃部分、未取代的多环芳族烃部分、取代的苯基部分和未取代的苯基部分中的至少一者。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括F，并且图案化涂层110的其他材料中的至少一种可包括多环芳族烃部分。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括F，并且图案化涂层110的材料中的至少一种可不包括多环芳族烃部分。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括F而且可不包括多环芳族烃部分，并且图案化涂层110的其他材料中的至少一种可包括多环芳族烃部分。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括F而且可不包括多环芳族烃部分，并且图案化涂层110的其他材料中的至少一种可包括多环芳族烃部分而且可不包括F。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括氟碳化合物部分和硅氧烷部分中的至少一种，并且图案化涂层110的其他材料中的至少一种可包括多环芳族烃部分。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)包含氟碳化合物部分和硅氧烷部分中的至少一种，并且图案化涂层110的材料中的至少一种可不包括多环芳族烃部分。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括氟碳化合物部分和硅氧烷部分中的至少一种而且可不包括多环芳族烃部分，并且图案化涂层110的其他材料中的至少一种可包括多环芳族烃部分。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括氟碳化合物部分和硅氧烷部分中的至少一种而且可不包括多环芳族烃部分，并且图案化涂层110的其他材料中的至少一种可包括多环芳族烃部分而且可不包括氟碳化合物部分或硅氧烷部分。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括F，并且图案化涂层110的其他材料中的至少一种可包括苯基部分。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括F，并且图案化涂层110的材料中的至少一种可包括苯基部分。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括F而且可不包括苯基部分，并且图案化涂层110的其他材料中的至少一种可包括苯基部分。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括F而且可不包括苯基部分，并且图案化涂层110的其他材料中的至少一种可包括苯基部分而且可不包括F。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括氟碳化合物部分和硅氧烷部分中的至少一种，并且图案化涂层110的其他材料中的至少一种可包括苯基部分。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括氟碳化合物部分和硅氧烷部分中的至少一种，并且图案化涂层110的材料中的至少一种可不包括苯基部分。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括氟碳化合物部分和硅氧烷部分中的至少一种而且可不包括苯基部分，并且图案化涂层110的其他材料中的至少一种可包括苯基部分。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其例如可为第一材料和/或第二材料)可包括氟碳化合物部分和硅氧烷部分中的至少一种而且可不包括苯基部分，并且图案化涂层110的其他材料中的至少一种可包括苯基部分而且可不包括氟碳化合物部分或硅氧烷部分。
通常，图案化涂层110的材料(其例如可为第一材料和第二材料)的分子结构和/或分子组成可彼此不同。在一些非限制性示例中，材料可被选择为使得它们具有至少一种基本上彼此类似或不同的性质，包括但不限于以下中的至少一者：单体、单体主链和/或官能团的分子结构；共同元素的存在；分子结构的相似性；特征表面能；折射率；分子量；热性质，包括但不限于熔融温度、升华温度、玻璃化转变温度或热分解温度。
如本文特别是相对于材料所用，特征表面能可通常是指从这种材料测定的表面能。作为非限制性示例，可从由以薄膜形式沉积和/或涂覆的材料形成的表面测量特征表面能。用于测定固体的表面能的各种方法和理论是已知的。作为非限制性示例，可基于一系列接触角测量来计算和/或导出表面能，其中可使各种液体与固体表面接触以测量液-气界面与表面之间的接触角。在一些非限制性示例中，固体表面的表面能可等于具有完全润湿表面的最高表面张力的液体的表面张力。作为非限制性示例，可使用齐斯曼图来确定将导致与表面的完全润湿(即，0°接触角)的最高表面张力值。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的第一材料和第二材料中的至少一者可以是低聚物。
在一些非限制性示例中，第一材料可包括第一低聚物，并且第二材料可包括第二低聚物。第一低聚物和第二低聚物中的每一者可包括多种单体。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其可例如为第一材料和/或第二材料)的分子结构的至少一个片段可由下式表示：
(Mon)n(I)
其中：
Mon表示单体，并且
n是为至少2的整数。
在一些非限制性示例中，n可以是为在约2-00、2-50、3-20、3-15、3-10或3-7之间的至少一者的整数。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的第一材料和第二材料的分子结构可各自独立地由式(I)表示。作为非限制性示例，第一材料的单体和/或n可不同于第二材料的那些。在一些非限制性示例中，第一材料的n可与第二材料的n相同。在一些非限制性示例中，第一材料的n可不同于第二材料的n。在一些非限制性示例中，第一材料和第二材料可以是低聚物。
在一些非限制性示例中，单体可包括F和Si中的至少一种。
在一些非限制性示例中，单体可包括官能团。在一些非限制性示例中，单体的至少一个官能团可具有低表面张力。在一些非限制性示例中，单体的至少一个官能团可包括F和Si中的至少一种。这种官能团的非限制性示例包括氟碳基团和硅氧烷基团中的至少一者。在一些非限制性示例中，单体可包括倍半硅氧烷基团。
虽然本文已参考第一材料和第二材料描述了一些非限制性示例，但应当理解，图案化涂层还可包括至少一种附加材料，并且关于第一材料、第二材料、第一低聚物和/或第二低聚物的分子结构和/或性质的描述可适用于可包含在图案化涂层中的附加材料。
可归因于分子结构的片段(包括但不限于单体、单体主链单元、连接基或官能团)的表面张力可使用本领域中各种已知的方法来测定。这种方法的非限制性示例包括Parachor的使用，诸如可通过非限制性示例进一步描述于以下文献中：“Conception andSignificance of the Parachor”，Nature，196:890-891。在一些非限制性示例中，单体的至少一个官能团可具有不大于约25达因/厘米、21达因/厘米、20达因/厘米、19达因/厘米、18达因/厘米、17达因/厘米、16达因/厘米、15达因/厘米、14达因/厘米、13达因/厘米、12达因/厘米、11达因/厘米或10达因/厘米中的至少一者的表面张力。
在一些非限制性示例中，单体可包括CF2和CF2H部分中的至少一者。在一些非限制性示例中，单体可包括CF2和CF3部分中的至少一者。在一些非限制性示例中，单体可包括CH2CF3部分。在一些非限制性示例中，单体可包括C和O中的至少一种。在一些非限制性示例中，单体可包括氟碳单体。在一些非限制性示例中，单体可包括以下中的至少一者：氟乙烯部分、偏二氟乙烯部分、四氟乙烯部分、三氟氯乙烯部分、六氟丙烯部分或氟化1,3-二氧杂环戊烯部分。
在一些非限制性示例中，单体可包括单体主链和官能团。在一些非限制性示例中，官能团可直接键合到或经由连接基团键合到单体主链。在一些非限制性示例中，单体可包括连接基团，并且连接基团可键合到单体主链和官能团。在一些非限制性示例中，单体可包括多个官能团，这些官能团可彼此相同或不同。在此类示例中，每个官能团可直接键合到或经由连接基团键合到单体主链。在其中存在多个官能团的一些非限制性示例中，也可存在多个连接基团。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其可为第一材料和/或第二材料)的分子结构可包括多种不同的单体。在一些非限制性示例中，此类分子结构可包括具有不同分子组成和/或分子结构的单体种类。这种分子结构的非限制性示例包括由下式表示的那些：
(MonA)k(MonB)m (I-1)
(MonA)k(MonA)m(MonC)o (I-2)
其中：
MonA、MonB和MonC各自表示单体种类，并且
k、m和o各自表示为至少2的整数。
在一些非限制性示例中，k、m和o各自表示为在约2-100、2-50、3-20、3-15、3-10或3-7中的至少一者的整数。相关领域的普通技术人员将理解，关于单体Mon的各种非限制性示例和描述可适用于MonA、MonB和MonC中的每一者。
在一些非限制性示例中，单体可由下式表示：
M-(L-Rx)y(II)
其中：
M代表单体主链单元，
L表示连接基团，
R表示官能团，
x为1和4之间的整数，并且
y为1和3之间的整数。
在一些非限制性示例中，连接基团可由单键、O、N、NH、C、CH、CH2和S中的至少一者表示。
本文已描述的官能团的各种非限制性示例可适用于式(II)的R。在一些非限制性示例中，官能团R可包括低聚物单元，并且该低聚物单元还可包括多个官能团单体单元。在一些非限制性示例中，官能团单体单元可为CH2或CF2中的至少一者。在一些非限制性示例中，官能团可包括CH2CF3部分。例如，此类官能团单体单元可键合在一起以形成烷基和/或氟烷基低聚物单元中的至少一者。在一些非限制性示例中，低聚物单元还可包括官能团末端单元。在一些非限制性示例中，官能团末端单元可布置在低聚物单元的末端并且键合到官能团单体单元。在一些非限制性示例中，可布置有官能团末端单元的末端可对应于官能团的可远离单体主链单元的片段。在一些非限制性示例中，官能团末端单元可包括CF2H或CF3中的至少一者。
在一些非限制性示例中，单体主链单元M可具有高表面张力。在一些非限制性示例中，单体主链单元可具有比与其键合的官能团R中的至少一者更高的表面张力。在一些非限制性示例中，单体主链单元可具有比与其键合的任何官能团R更高的表面张力。
在一些非限制性示例中，单体主链单元可具有为以下中的至少一者的表面张力：至少约25达因/厘米、30达因/厘米、40达因/厘米、50达因/厘米、75达因/厘米、100达因/厘米、150达因/厘米、200达因/厘米、250达因/厘米、500达因/厘米、1,000达因/厘米、1,500达因/厘米或2,000达因/厘米。
在一些非限制性示例中，单体主链单元可包括磷(P)和N，包括但不限于磷腈，其中在P和N之间存在双键并且可表示为“NP”或“N＝P”。在一些非限制性示例中，单体主链单元可包括Si和O，包括但不限于倍半硅氧烷，其可表示为SiO3/2。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其可例如为第一材料和/或第二材料)的分子结构的至少一部分由下式表示：
(NP-(L-Rx)y)n (III)
其中：
NP表示膦腈单体主链单元，
L表示连接基团，
R表示官能团，
x为1和4之间的整数，
y为1和3之间的整数，并且
n是为至少2的整数。
在一些非限制性示例中，第一材料和/或第二材料的分子结构可由式(III)表示。在一些非限制性示例中，第一材料和第二材料中的至少一者可以是环磷腈。在一些非限制性示例中，环磷腈的分子结构可由式(III)表示。
在一些非限制性示例中，L可表示氧，x可为1，并且R可表示氟代烷基基团。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的至少一种材料(其可例如为第一材料和/或第二材料)的分子结构的至少一部分由下式表示：
(NP(ORf)2)n (IV)
其中：
Rf表示氟代烷基基团，并且
n为3和7之间的整数。
在一些非限制性示例中，氟代烷基基团可包括CF2基团、CF2H基团、CH2CF3基团和CF3基团中的至少一者。在一些非限制性示例中，氟代烷基基团可由下式表示：
其中：
p为1至5的整数；
q为6至20的整数；和
Z表示氢或F。
在一些非限制性示例中，p可为1，并且q可为6和20之间的整数。
在一些非限制性示例中，式(IV)中的氟代烷基基团Rf可由式(V)表示。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其可例如为第一材料和/或第二材料)的分子结构的至少一个片段可由下式表示：
(SiO3/2-(L-R))n(VI)
其中：
L表示连接基团，
R表示官能团，并且
n为6和12之间的整数。
在一些非限制性实施方案中，L可表示单键、O、取代的烷基或未取代的烷基中的至少一者的存在。在一些非限制性示例中，n可为8、10或12。在一些非限制性示例中，R可包括具有低表面张力的官能团。在一些非限制性示例中，R可包括含F基团和含Si基团中的至少一种。在一些非限制性示例中，R可包括氟碳基团和含硅氧烷基团中的至少一种。在一些非限制性示例中，R可包括CF2基团和CF2H基团中的至少一种。在一些非限制性示例中，R可包括CF2和CF3基团中的至少一者。在一些非限制性示例中，R可包括CH2CF3基团。在一些非限制性示例中，由式(VI)表示的材料可以是聚八面体倍半硅氧烷。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其可例如为第一材料和/或第二材料)的分子结构的至少一个片段可由下式表示：
(SiO3/2-Rf)n(VII)
其中：
n为6至12的整数，并且
Rf表示氟烷基基团。
在一些非限制性示例中，n可为8、10或12。在一些非限制性示例中，Rf包括具有低表面张力的官能团。在一些非限制性示例中，Rf可包括CF2部分和CF2H部分中的至少一者。在一些非限制性示例中，Rf可包括CF2部分和CF3部分中的至少一者。在一些非限制性示例中，Rf可包括CH2CF3部分。在一些非限制性示例中，由式(VII)表示的材料可以是聚八面体倍半硅氧烷。
在一些非限制性示例中，式(VII)中的氟代烷基基团Rf可由式(V)表示。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(其可例如为第一材料和/或第二材料)的分子结构的至少一个片段可由下式表示：
(SiO3/2-(CH2)x(CF3))n(VIII)
其中：
x为1和5之间的整数，并且
n为6和12之间的整数。
在一些非限制性示例中，n可为8、10或12。
在一些非限制性示例中，由式(VIII)表示的化合物可以是聚八面体倍半硅氧烷。
在一些非限制性示例中，官能团R和/或氟代烷基基团Rf可在任何前述式中的这种基团每次出现时独立地选择。还应当理解，任何前述式可表示化合物的亚结构，并且可存在另外的基团或部分，其未在上式中明确示出。还应当理解，本申请中提供的各个式可表示直链、支链、环状、环-直链和/或交联结构。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可包括由式(I)、(I-1)、(I-2)、(II)、(III)、(IV)、(VI)、(VII)和(VIII)中的至少一者表示的至少一种材料，以及表现出以下特性中的至少一者的至少一种材料：(a)包括芳族烃部分，(b)包括sp2碳，(c)包括苯基部分，(d)具有大于约20达因/厘米的特征表面能，并且(e)表现出光致发光，包括但不限于，当被具有约365nm的波长的激发辐射辐照时，在至少约365nm的波长下表现出光致发光。
在一些非限制性示例中，该图案化涂层还可包括不同于第一材料和第二材料的第三材料。在一些非限制性示例中，第三材料可包括与第一材料和第二材料中的至少一者共同的单体。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的该多种材料的升华温度的差异(包括但不限于第一材料和第二材料之间的差异)可不超过约5℃、10℃、15℃、20℃、30℃、40℃或50℃中的至少一者。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(包括但不限于第一材料和/或第二材料)可包括F和Si中的至少一种，并且图案化涂层110的材料的升华温度可相差不超过约5℃、10℃、15℃、20℃、25℃、40℃或50℃中的至少一者。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(包括但不限于第一材料和/或第二材料)可包括氟碳化合物部分和硅氧烷部分中的至少一种，并且图案化涂层110的材料的升华温度可相差不超过约5℃、10℃、15℃、20℃、25℃、40℃或50℃中的至少一者。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的该多种材料的熔融温度的差异(包括但不限于第一NIC材料和第二NIC材料之间的差异)可不超过约5℃、10℃、15℃、20℃、30℃、40℃或50℃中的至少一者。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(包括但不限于第一材料和/或第二材料)可包括F和Si中的至少一种，并且图案化涂层110的材料的熔融温度可相差不超过约5℃、10℃、15℃、20℃、25℃、40℃和50℃中的至少一者。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(包括但不限于第一材料和/或第二材料)可包括氟碳化合物部分和硅氧烷部分中的至少一种，并且图案化涂层110的材料的熔化温度可相差不超过约5℃、10℃、15℃、20℃、25℃、40℃和50℃中的至少一者。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(包括但不限于第一材料和/或第二材料)可具有低特征表面能。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(包括但不限于第一材料和/或第二材料)可具有低特征表面能，并且图案化涂层110的材料中的至少一种可包括F和Si中的至少一种。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(包括但限于第一材料和/或第二材料)可具有低特征表面能，可包括F和Si中的至少一种，并且图案化涂层110的至少一种其他材料可具有高特征表面能。在一些非限制性示例中，F和Si的存在可分别归因于氟碳化合物部分和硅氧烷部分的存在。作为非限制性示例，这些材料中的至少一种(包括但不限于第二材料)可具有约10达因/厘米-20达因/厘米、12达因/厘米-20达因/厘米、15达因/厘米-20达因/厘米或17达因/厘米-19达因/厘米的低特征表面能，并且另一种材料(包括但不限于第一材料)可具有为约20达因/厘米-100达因/厘米、20达因/厘米-50达因/厘米或25达因/厘米-45达因/厘米之间的至少一者的高特征表面能。在一些非限制性示例中，这些材料中的至少一种可包括F和Si中的至少一种。在一些非限制性示例中，第二材料可包括F和Si中的至少一种。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(包括但不限于第二材料)可具有不超过约20达因/厘米的低特征表面能，并且可包括F和/或Si中的至少一种，并且另一种材料(包括但不限于第一材料)可具有至少约20达因/厘米的特征表面能。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(包括但不限于第二材料)可具有不超过约20达因/厘米的低特征表面能，并且可包括氟碳化合物部分和硅氧烷部分中的至少一种，并且图案化涂层110的另一种材料(包括但不限于第一材料)可具有至少约20达因/厘米的特征表面能。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的两种或更多种材料中的每一种(包括但不限于第一材料和第二材料的那些)的表面能小于约25达因/厘米、小于约21达因/厘米、小于约20达因/厘米、小于约19达因/厘米、小于约18达因/厘米、小于约17达因/厘米、小于约16达因/厘米、小于约15达因/厘米、小于约14达因/厘米、小于约13达因/厘米、小于约12达因/厘米、小于约11达因/厘米或小于约10达因/厘米。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种(包括但不限于第一材料和第二材料)在为500nm和460nm中的至少一者的波长下的折射率可不超过约1.5、1.45、1.44、1.43、1.42或1.41中的至少一者。在一些非限制性示例中，图案化涂层110可包括表现出光致发光的至少一种材料，并且图案化涂层110在为500nm和460nm中的至少一者的波长下可具有不超过约1.5、1.45、1.44、1.43、1.42或1.41中的至少一者的折射率。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的材料中的至少一种材料(包括但不限于第一材料和第二材料)的分子量可超过约750、1,000、1,500、2,000、2,500或3,000中的至少一者。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的至少一种材料(包括但不限于第一材料和第二材料)的分子量可不超过约10,000、7,500或5,000中的至少一者。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可包括表现出类似热性质的多种材料，其中这些材料中的至少一种可表现出光致发光。在一些非限制性示例中，图案化涂层110可包括具有类似热性质的多种材料，其中这些材料中的至少一种可光致发光，并且其中这些材料中的至少一种可包括F或Si。在一些非限制性示例中，图案化涂层110可包括具有类似热性质的多种材料，包括但不限于材料的熔融温度或升华温度，其中当由具有约365nm的激发波长的辐射激发时，这些材料中的至少一种可在至少约365nm的波长下表现出光致发光，并且其中这些材料中的至少一种可包括F和Si中的至少一种。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可包括具有至少一种共同元素或至少一种共同子结构中的至少一者的多种材料，其中这些材料中的至少一种可表现出光致发光。在一些非限制性示例中，这些材料中的至少一种可包括F和Si。在一些非限制性示例中，图案化涂层110可包括具有类似热性质的多种材料，其中当由具有约365nm的激发波长的辐射激发时，这些材料中的至少一种可在超过至少约365nm的波长下表现出光致发光，并且其中这些材料中的至少一种可包括F和Si中的至少一种。在一些非限制性示例中，该至少一种共同元素可包括F和Si中的至少一者。在一些非限制性示例中，该至少一种共同子结构可包括氟碳化合物、氟烷基和甲硅烷氧基中的至少一者。
在一些非限制性示例中，用于制造光电子器件100的方法可包括以下动作：在器件100的侧向朝向的第一部分101中在该器件的第一暴露层表面11上沉积图案化涂层；以及在器件100的侧向朝向的第二部分102中在该器件的第二暴露层表面11上沉积沉积材料731。对于沉积材料731在第一部分101中的图案化涂层110的暴露层表面11上的初始黏着概率可基本上小于对于沉积材料731在第二部分102中的暴露层表面11上的初始黏着概率，使得第一部分101中的图案化涂层110的暴露层表面11可基本上没有沉积材料731的封闭涂层140。沉积在器件100的第一暴露层表面11上的图案化涂层110可包括第一材料和第二材料。
在一些非限制性示例中，将图案化涂层110沉积在器件100的第一暴露层表面11上可包括：提供包含多种材料的混合物，以及使该混合物沉积到器件100的第一暴露层表面11上以在其上形成图案化涂层110。在一些非限制性示例中，该混合物可包括第一材料和第二材料。在一些非限制性示例中，第一材料和第二材料两者都可沉积到第一暴露层表面11上以在其上形成图案化涂层110。
在一些非限制性示例中，可通过PVD工艺(包括但不限于热蒸发)将包含多种材料的混合物沉积到器件100的第一暴露层表面11上。在一些非限制性示例中，可通过从常见蒸发源蒸发该混合物并且使该混合物沉积在器件100的第一暴露层表面11上来形成图案化涂层110。在一些非限制性示例中，作为非限制性示例，包含第一材料和第二材料的混合物可放置在常见坩埚和/或蒸发源中以在真空下进行加热。一旦达到材料的蒸发温度，由此产生的蒸气通量732可被导向器件100的第一暴露层表面11，以使图案化涂层110沉积在其上。
在一些非限制性示例中，可通过第一材料和第二材料的共蒸发来沉积图案化涂层110。在一些非限制性示例中，第一材料可从第一坩埚和/或第一蒸发源蒸发，并且第二材料可同时从第二坩埚和/或第二蒸发源蒸发，使得混合物可以气相形成，并且可共沉积到第一暴露层表面11上以在其上提供图案化涂层110。
为了评估包含至少两种材料的某些示例性图案化涂层110的性质，通过在真空中沉积大约20nm厚的可用作HTL材料的有机材料层，随后在有该机材料层上方沉积具有如下表5中汇总的不同组成的成核改性涂层来制造一系列样品。
表5
| 样品标识 | 成核改性涂层的组成 |
| 样品1 | 图案化材料(15nm) |
| 样品2 | 图案化材料：PL材料1(0.5％，15nm) |
| 样品3 | 图案化材料：PL材料2(0.5％，15nm) |
| 样品4 | PL材料1(10nm) |
| 样品5 | PL材料2(10nm) |
| 样品6 | 未提供成核改性涂层 |
在本示例中，选择图案化材料，使得例如当沉积为薄膜时，图案化材料表现出对于沉积材料731(包括但不限于Ag和Yb中的至少一种)的沉积低初始黏着概率。
在本示例中，PL材料1和PL材料2被选择为使得作为非限制性示例当沉积为薄膜时，PL材料1和PL材料2中的每一者可表现出能够通过标准光学测量技术(包括但不限于荧光显微镜)检测的光致发光。
在表5中，样品1是对比样品，其中通过沉积图案化材料提供了成核改性涂层。样品2是示例性样品，其中通过将图案化材料和PL材料1共沉积在一起以形成包含浓度为0.5体积％的PL材料1的涂层来提供了成核改性涂层。样品3是示例性样品，其中通过将图案化材料和PL材料2共沉积在一起以形成包含浓度为0.5体积％的PL材料2的涂层来提供了成核改性涂层。样品4是对比样品，其中通过沉积PL材料1提供了成核改性涂层。样品5是对比样品，其中通过沉积PL材料2提供了成核改性涂层。样品6是对比样品，其中在有机材料层上没有提供成核改性涂层。
然后使样品1至6中的每一个经受先Yb、而后Ag的开口掩模沉积。具体地，使由上述材料形成的成核改性涂层的表面经受先Yb、而后Ag的开口掩模沉积。更具体地，使每个样品经受Yb蒸气通量732直到达到约1nm的参考厚度，然后经受Ag蒸气通量732直到达到约12nm的参考厚度。一旦制造了样品，就进行光透射率测量以确定沉积在成核改性涂层的暴露层表面11上的Yb和/或Ag的相对量。如将理解的，其上具有相对少甚至没有金属存在的样品可以是基本上透明的，而其上沉积有金属(特别是作为封闭涂层140)的样品可通常表现出基本上较低的透光率。因此，作为图案化涂层110的各种示例性涂层的相对性能可通过测量EM辐射透射率来评估，该EM辐射透射率可与由Yb或Ag中的任一者或两者的沉积而沉积于其上的金属沉积材料的量或厚度直接相关。
测量了在每个样品经受Ag蒸气通量之后每个样品在600nm波长下的光学透射率的降低并且汇总于下表6中。
表6
| 样品标识 | λ＝600nm处的透射率降低(％) |
| 样品1 | <1％ |
| 样品2 | <2％ |
| 样品3 | <1％ |
| 样品4 | 43％ |
| 样品5 | 47％ |
| 样品6 | 45％ |
具体地，通过测量在暴露于Yb和Ag蒸气通量732之前和之后穿过样品的光透射率并且将EM辐射透射率的降低表示为百分比，确定了表6中每个样品的透射率降低(％)。
可以看出，样品1、样品2和样品3表现出小于2％的相对低的透射率降低，或者在样品1和样品3的情况下，表现出小于1％的透射率降低。因此，可观察到为这些样品提供的成核改性涂层充当了NIC。相比之下，样品4、样品5和样品6各自分别表现出43％、47％和45％的透射率降低。因此，为这些样品提供的成核改性涂层不充当NIC，但可确实充当NPC 920。
此外，发现其中图案化涂层110基本上仅包括NIC材料的样品1未表现出光致发光。然而，发现其中图案化涂层110除了包括NIC材料之外还分别包括PL材料1和PL材料2的样品2和样品3表现出光致发光，同时还通过提供具有对于沉积材料731的沉积的低初始黏着概率的表面而充当NIC。
沉积层
在一些非限制性示例中，在器件100的侧向朝向的第二部分102中，包括沉积材料731的沉积层130可被设置作为下面层(包括但不限于基板10)的暴露层表面11上的封闭涂层140。
在一些非限制性示例中，沉积层130可包括沉积材料731。
在一些非限制性示例中，沉积材料731可包含选自以下元素中的至少一者的元素：钾(K)、钠(Na)、锂(Li)、钡(Ba)、铯(Cs)、Yb、Ag、金(Au)、Cu、铝(Al)、Mg、Zn、Cd、锡(Sn)和钇(Y)。在一些非限制性示例中，该元素可包括K、Na、Li、Ba、Cs、Yb、Ag、Au、Cu、Al和Mg中的至少一者。在一些非限制性示例中，该元素可包括Cu、Ag和Au中的至少一者。在一些非限制性示例中，该元素可为Cu。在一些非限制性示例中，该元素可为Al。在一些非限制性示例中，该元素可包括Mg、Zn、Cd和Yb中的至少一者。在一些非限制性示例中，该元素可包括Mg、Ag、Al、Yb和Li中的至少一者。在一些非限制性示例中，该元素可包括Mg、Ag和Yb中的至少一者。在一些非限制性示例中，该元素可包括Mg和Ag中的至少一者。在一些非限制性示例中，该元素可为Ag。
在一些非限制性示例中，沉积材料731可为纯金属和/或包括纯金属。在一些非限制性示例中，沉积材料731可为纯Ag或基本上纯的Ag中的至少一者。在一些非限制性示例中，基本上纯的Ag可具有至少约95％、99％、99.9％、99.99％、99.999％和99.9995％中的一者的纯度。在一些非限制性示例中，沉积材料731可为纯Mg或基本上纯的Mg中的至少一者。在一些非限制性示例中，基本上纯的Mg可具有至少约95％、99％、99.9％、99.99％、99.999％和99.9995％中的一者的纯度。
在一些非限制性示例中，沉积材料731可包括合金。在一些非限制性示例中，该合金可为含Ag合金、含Mg合金或含AgMg合金中的至少一者。在一些非限制性示例中，含AgMg合金可具有按体积计可在约1:10(Ag:Mg)至约10:1的范围内的合金组合物。
在一些非限制性示例中，沉积材料731可包括代替Ag和/或与Ag组合的其他金属。在一些非限制性示例中，沉积材料731可包括Ag与至少一种其他金属的合金。在一些非限制性示例中，沉积材料731可包括Ag与Mg或Yb中的至少一者的合金。在一些非限制性示例中，这种合金可为二元合金，该二元合金具有约5体积％-95体积％Ag之间的组合物，其余为其他金属。在一些非限制性示例中，沉积材料731可包括Ag和Mg。在一些非限制性示例中，沉积材料731可包括组成按体积计在约1:10-10:1之间的Ag:Mg合金。在一些非限制性示例中，沉积材料731可包括Ag和Yb。在一些非限制性示例中，沉积材料731可包括组成按体积计在约1:20-10:1之间的Yb:Ag合金。在一些非限制性示例中，沉积材料731可包括Mg和Yb。在一些非限制性示例中，沉积材料731可包括Mg:Yb合金。在一些非限制性示例中，沉积材料731可包括Ag、Mg和Yb。在一些非限制性示例中，沉积层130可包括Ag:Mg:Yb合金。
在一些非限制性示例中，沉积层130可包括至少一种附加元素。在一些非限制性示例中，这种附加元素可为非金属元素。在一些非限制性示例中，该非金属元素可为O、S、N和C中的至少一者。相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，由于在源材料、用于沉积的设备和/或真空室环境中存在此类附加元素，此类附加元素可作为污染物结合到沉积层130中。在一些非限制性示例中，可将此类附加元素的浓度限制为低于阈值浓度。在一些非限制性示例中，此类附加元素可与沉积层130的其他元素一起形成化合物。在一些非限制性示例中，该非金属元素在沉积材料731中的浓度可为不超过约1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％和0.0000001％中的一者。在一些非限制性示例中，沉积层130可具有其中O和C的组合量可为不超过约10％、5％、1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％和0.0000001％中的一者的组合物。
现已发现，多少有些令人惊讶的是，降低沉积层130中某些非金属元素的浓度，特别是在沉积层130可基本上由金属和/或金属合金组成的情况下，可促进沉积层130的选择性沉积。不希望受任何特定理论的束缚，可假定，某些非金属元素(诸如在一些非限制性示例中，O或C)当存在于沉积层130的蒸气通量732中和/或沉积室中和/或环境中时，可沉积在图案化涂层110的表面上以充当用于沉积层130的金属元素的成核位点。可假定，降低可充当成核位点的此类非金属元素的浓度可有利于减少沉积在图案化涂层110的暴露层表面11上的沉积材料731的量。
在一些非限制性示例中，沉积材料731可沉积在含金属的下面层上。在一些非限制性示例中，沉积材料731及其下方的下面层可包括共同的金属。
在一些非限制性示例中，沉积层130可包括多层沉积材料731。在一些非限制性示例中，该多个层中的第一层的沉积材料731可与该多个层中的第二层的沉积材料731不同。在一些非限制性示例中，沉积层130可包括多层涂层。在一些非限制性示例中，这种多层涂层可为Yb/Ag、Yb/Mg、Yb/Mg:Ag、Yb/Yb:Ag、Yb/Ag/Mg和Yb/Mg/Ag中的一者。
在一些非限制性示例中，沉积材料731可包括键解离能为不超过约300kJ/mol、200kJ/mol、165kJ/mol、150kJ/mol、100kJ/mol、50kJ/mol和20kJ/mol中的一者的金属。
在一些非限制性示例中，沉积材料731可包括电负性为不超过约1.4、1.3和1.2中的一者的金属。
在一些非限制性示例中，沉积层130的薄层电阻通常可对应于沉积层130的薄层电阻，该沉积层的薄层电阻与器件100的其他部件、层和/或部分隔离地测量或确定。在一些非限制性示例中，沉积层130可形成为薄膜。因此，在一些非限制性示例中，沉积层130的特征薄层电阻可基于这种薄膜的组成、厚度和/或形态来确定和/或计算。在一些非限制性示例中，该薄层电阻可为不超过约10Ω/□、5Ω/□、1Ω/□、0.5Ω/□、0.2Ω/□和0.1Ω/□中的至少一者。
在一些非限制性示例中，沉积层130可以一定图案设置，该图案可由其中基本上没有沉积层130的封闭涂层140的至少一个区域限定。在一些非限制性示例中，该至少一个区域可将沉积层130分离成其多个离散片段。在一些非限制性示例中，沉积层130的每个离散片段可为不同的第二部分102。在一些非限制性示例中，沉积层130的该多个离散片段可在其侧向朝向彼此物理地间隔开。在一些非限制性示例中，沉积层130的此类多个离散片段中的至少两个可电耦接。在一些非限制性示例中，沉积层130的此类多个离散片段中的至少两个可各自与共同的导电层或涂层(包括但不限于下面的表面)电耦接以允许电流在它们之间流动。在一些非限制性示例中，沉积层130的此类多个离散片段中的至少两个可彼此电绝缘。
使用图案化涂层的选择性沉积
图6是示出在室620中的蒸发沉积过程的非限制性示例的示例性示意图，该蒸发沉积过程总体上以600示出，用于将图案化涂层110选择性地沉积到下面层的暴露层表面11的第一部分101上。
在过程600中，在真空下加热一定量的图案化材料611，以使图案化材料611蒸发和/或升华。在一些非限制性示例中，图案化材料611可完全和/或基本上包括用于形成图案化涂层110的材料。在一些非限制性示例中，这种材料可包括有机材料。
图案化材料611的蒸发通量612可流过室620(包括在箭头61所示的方向上)，流向暴露层表面11。当蒸发通量612入射在暴露层表面11上时，可在该表面上形成图案化涂层110。
在一些非限制性示例中，如过程600的图中所示，通过在蒸发通量612和暴露层表面11之间插置阴影掩模615(在一些非限制性示例中，可为FMM)，可使图案化涂层110仅选择性地沉积到暴露层表面11的一部分(在所示示例中是第一部分101)上。在一些非限制性示例中，这种阴影掩模615可在一些非限制性示例中用于形成相对小的特征，其中特征尺寸为大约数十微米或更小。
阴影掩模615可具有至少一个延伸穿过其中的孔616，使得蒸发通量612的一部分穿过孔616并且可入射在暴露层表面11上以形成图案化涂层110。在蒸发通量612未穿过孔616但入射在阴影掩模615的表面617上的情况下，该蒸发通量被阻止设置在暴露层表面11上来形成图案化涂层110。在一些非限制性示例中，阴影掩模615可被构造成使得穿过孔616的蒸发通量612可入射在第一部分101上但不入射在第二部分102上。暴露层表面11的第二部分102因此可以基本上没有图案化涂层110。在一些非限制性示例(未示出)中，入射在阴影掩模615上的图案化材料611可沉积在其表面617上。
因此，可在完成图案化涂层110的沉积时产生图案化表面。
图7是示例性示意图，示出了室620中的蒸发过程的结果的非限制性示例，该蒸发过程总体上以700a示出，用于将沉积层130的封闭涂层140选择性地沉积到下面层的暴露层表面11的第二部分102上，该第二部分基本上没有(包括但不限于由图6的蒸发过程600)选择性地沉积到第一部分101上的图案化涂层110。
在一些非限制性示例中，沉积层130可由沉积材料731组成，在一些非限制性示例中，该沉积材料包括至少一种金属。相关领域的普通技术人员将理解，通常，有机材料的蒸发温度相对于金属(诸如可用作沉积材料731的金属)的蒸发温度较低。
因此，在一些非限制性示例中，相对于使用这种阴影掩模615直接图案化沉积层130，在采用阴影掩模615选择性地沉积一定图案的图案化涂层110方面可存在较少约束。
一旦图案化涂层110已经沉积在下面层的暴露层表面11的第一部分101上，沉积材料731的封闭涂层140就可作为沉积层130沉积在暴露层表面11的基本上没有图案化涂层110的第二部分102上。
在过程700a中，可在真空下加热一定量的沉积材料731，以使沉积材料731蒸发和/或升华。在一些非限制性示例中，沉积材料731可完全和/或基本上包括用于形成沉积层130的材料。
沉积材料731的蒸发通量732可在室620内部被引导(包括在箭头71所示的方向上)，朝向第一部分101和第二部分102的暴露层表面11。当蒸发通量732入射在暴露层表面11的第二部分102上时，沉积材料731的封闭涂层140可在其上形成为沉积层130。
在一些非限制性示例中，可使用开口掩模和/或无掩模沉积工艺来执行沉积材料731的沉积。
相关领域的普通技术人员将理解，与阴影掩模615的特征尺寸相反，开口掩模的特征尺寸通常可与正制造的器件100的尺寸相当。
相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，可省略开口掩模的使用。在一些非限制性示例中，本文所述的开口掩模沉积工艺可另选地在不使用开口掩模的情况下进行，使得可暴露整个目标暴露层表面11。
实际上，如图7所示，蒸发通量732可在第一部分101中入射在图案化涂层110的暴露层表面11上，以及在基本上没有图案化涂层110的第二部分102中入射在下面层的暴露层表面11上。
由于第一部分101中的图案化涂层110的暴露层表面11可相对于第二部分102中的下面层的暴露层表面11表现出相对低的对于沉积材料731的沉积的初始黏着概率，所以沉积层130可基本上仅选择性地沉积在第二部分102中的下面层的暴露层表面11上，该第二部分基本上没有图案化涂层110。相比之下，在第一部分101中入射在图案化涂层110的暴露层表面11上的蒸发通量732可倾向于不沉积(如733所示)，并且在第一部分101中的图案化涂层110的暴露层表面11可基本上没有沉积层130的封闭涂层140。
在一些非限制性示例中，蒸发通量732在第二部分102中的下面层的暴露层表面11上的初始沉积速率可超过蒸发通量732在第一部分101中的图案化涂层110的暴露层表面11上的初始沉积速率的约200倍、550倍、900倍、1,000倍、1,500倍、1,900倍和2,000倍中的一者。
因此，图6中使用阴影掩模615进行图案化涂层110的选择性沉积以及沉积材料731的开口掩模和/或无掩模沉积的组合可产生图7所示的器件100的型式700a。
当在第一部分101中选择性地沉积图案化涂层110之后，在一些非限制性示例中，可使用开口掩模和/或无掩模沉积工艺将经沉积材料731的封闭涂层140沉积在器件700a上作为沉积层130，但该封闭涂层可基本上仅保留于第二部分102内，该第二部分基本上没有图案化涂层110。
图案化涂层110可在第一部分101内提供具有相对低的对于沉积材料731的沉积的初始黏着概率的暴露层表面11，即显著小于器件700a在第二部分102内的下面材料的暴露层表面11对于沉积材料731的沉积的初始黏着概率。
因此，第一部分101可基本上没有沉积材料731的封闭涂层140。
虽然本公开设想利用蒸发沉积工艺(涉及阴影掩模615)来进行图案化涂层110的图案化沉积，但是相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，这可利用任何合适的沉积工艺(包括但不限于微接触印刷工艺)来实现。
虽然本公开设想图案化涂层110是NIC，但相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，图案化涂层110可为NPC 920。在此类示例中，已经沉积了NPC 920的部分(诸如但不限于第一部分101)在一些非限制性示例中可具有沉积材料731的封闭涂层140，而另一部分(诸如但不限于第二部分102)可基本上没有沉积材料731的封闭涂层140。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的平均层厚度和之后沉积的沉积层130的平均层厚度可根据多种参数而变化，这些参数包括但不限于给定的应用和给定的性能特性。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的平均层厚度可与之后沉积的沉积层130的平均层厚度相当，以及/或者基本上不超过后者。使用相对薄的图案化涂层110来实现沉积层130的选择性图案化可适于提供柔性器件100。在一些非限制性示例中，相对薄的图案化涂层110可提供相对平坦的表面，在该表面上可沉积阻隔涂层或其他薄膜封装(TFE)层1450。在一些非限制性示例中，提供这种相对平坦的表面来用于涂覆这种阻隔涂层1450可增加其对这种表面的粘附性。
边缘效应
图案化涂层过渡区域
转到图8A，该图可示出图1的器件100的型式800a，它可以放大形式示出第一部分101中的图案化涂层110和第二部分102中的沉积层130之间的界面。图8B可以平面图示出器件800a。
如在图8B中可更好地看到的，在一些非限制性示例中，第一部分101中的图案化涂层110可在所有侧上被第二部分102中的沉积层130围绕，使得第一部分101可具有由图案化涂层110在沿着每个侧向轴的侧向朝向的另一范围或边缘815限定的边界。在一些非限制性示例中，侧向朝向的图案化涂层边缘815可由第一部分101在这种朝向的周边限定。
在一些非限制性示例中，第一部分101在侧向朝向可包括至少一个图案化涂层过渡区域101t，其中图案化涂层110的厚度可从最大厚度过渡到减小的厚度。第一部分101的未表现出这种过渡的范围可被确定为第一部分101的图案化涂层非过渡部分101n。在一些非限制性示例中，图案化涂层110可在第一部分101的图案化涂层非过渡部分101n中形成基本上封闭的涂层140。
在一些非限制性示例中，图案化涂层过渡区域101t可在侧向朝向在第一部分101的图案化涂层非过渡部分101n和图案化涂层边缘815之间延伸。
在一些非限制性示例中，在平面图中，图案化涂层过渡区域101t可围绕第一部分101的图案化涂层非过渡部分101n和/或沿其周边延伸。
在一些非限制性示例中，沿着至少一个侧向轴，图案化涂层非过渡部分101n可占据整个第一部分101，使得在其与第二部分102之间不存在图案化涂层过渡区域101t。
如图8A所示，在一些非限制性示例中，图案化涂层110在第一部分101的图案化涂层非过渡部分101n中可具有平均膜厚度d2，该平均膜厚度可在约1nm-100nm、2nm-50nm、3nm-30nm、4nm-20nm、5nm-15nm、5nm-10nm和1nm-10nm之间中的一者的范围内。在一些非限制性示例中，第一部分101的图案化涂层非过渡部分101n中的图案化涂层110的平均膜厚度d2可在其间基本上相同或恒定。在一些非限制性示例中，在图案化涂层非过渡部分101n内，图案化涂层110的平均层厚度d2可保持在图案化涂层110的平均膜厚度d2的约95％和90％中的一者内。
在一些非限制性示例中，平均膜厚度d2可在约1nm-100nm之间。在一些非限制性示例中，平均膜厚度d2可为不超过约80nm、60nm、50nm、40nm、30nm、20nm、15nm和10nm中的一者。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的平均膜厚度d2可超过约3nm、5nm和8nm中的一者。
在一些非限制性示例中，第一部分101的图案化涂层非过渡部分101n中的图案化涂层110的平均膜厚度d2可不超过约10nm。不希望受任何特定理论的束缚，已经发现，多少有些令人惊讶的是，至少在一些非限制性示例中，相对于第一部分101的图案化涂层非过渡部分101n中的非零平均膜厚度d2超过10nm的图案化涂层110，不超过约10nm的图案化涂层110的平均膜厚度d2可提供用于(在一些非限制性示例中)实现沉积层130的增强的图案化对比度的某些优点。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可具有在图案化涂层过渡区域101t内从最大值减小至最小值的图案化涂层厚度。在一些非限制性示例中，该最大值可在第一部分101的图案化涂层过渡区域101t和图案化涂层非过渡部分101n之间的边界处和/或接近该边界。在一些非限制性示例中，该最小值可在图案化涂层边缘815处和/或接近该图案化涂层边缘。在一些非限制性示例中，该最大值可为第一部分101的图案化涂层非过渡部分101n中的平均膜厚度d2。在一些非限制性示例中，该最大值可不超过第一部分101的图案化涂层非过渡部分101n中的平均膜厚度d2的约95％和90％中的一者。在一些非限制性示例中，该最小值可在约0nm-0.1nm之间的范围内。
在一些非限制性示例中，图案化涂层过渡区域101t中的图案化涂层厚度的轮廓可为倾斜的，并且/或者遵循梯度。在一些非限制性示例中，这种轮廓可为锥形。在一些非限制性示例中，该锥形可遵循线性、非线性、抛物线和/或指数衰减轮廓。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可在图案化涂层过渡区域101t中完全覆盖下面的表面。在一些非限制性示例中，在图案化涂层过渡区域101t中，下面层的至少一部分可不被图案化涂层110覆盖。在一些非限制性示例中，图案化涂层110可在图案化涂层过渡区域101t的至少一部分中和/或图案化涂层非过渡部分101n的至少一部分中包括基本上封闭的涂层140。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可在图案化涂层过渡区域101t的至少一部分中和/或图案化涂层非过渡部分101n的至少一部分中包括不连续层840。
在一些非限制性示例中，第一部分101中的图案化涂层110的至少一部分可基本上没有沉积层130的封闭涂层140。在一些非限制性示例中，第一部分101的暴露层表面11的至少一部分可基本上没有沉积层130或沉积材料731的封闭涂层140。
在一些非限制性示例中，沿着至少一个侧向轴(包括但不限于X轴)，图案化涂层非过渡部分101n可具有宽度w1，并且图案化涂层过渡区域101t可具有宽度w2。在一些非限制性示例中，图案化涂层非过渡部分101n可具有横截面积，在一些非限制性示例中，该横截面积可通过将平均膜厚度d2乘以宽度w1来近似。在一些非限制性示例中，图案化涂层过渡区域101t可具有横截面积，在一些非限制性示例中，该横截面积可通过将跨图案化涂层过渡区域101t的平均膜厚度乘以宽度w1来近似。
在一些非限制性示例中，w1可超过w2。在一些非限制性示例中，w1/w2的商可为至少约5、10、20、50、100、500、1,000、1,500、5,000、10,000、50,000和100,000中的一者。
在一些非限制性示例中，w1和w2中的至少一者可超过下面层的平均膜厚度d1。
在一些非限制性示例中，w1和w2中的至少一者可超过d2。在一些非限制性示例中，w1和w2两者可超过d2。在一些非限制性示例中，w1和w2两者可超过d1，并且d1可超过d2。
沉积层过渡区域
如在图8B中可更好地看到的，在一些非限制性示例中，第一部分101中的图案化涂层110可被第二部分102中的沉积层130围绕，使得第二部分102具有由沉积层130在沿着每个侧向轴的侧向朝向的另一范围或边缘835限定的边界。在一些非限制性示例中，侧向朝向的沉积层边缘835可由第二部分102在这种朝向的周边限定。
在一些非限制性示例中，第二部分102在侧向朝向可包括至少一个沉积层过渡区域102t，其中沉积层130的厚度可从最大厚度过渡到减小的厚度。第二部分102的未表现出这种过渡的范围可被确定为第二部分102的沉积层非过渡部分102n。在一些非限制性示例中，沉积层130可在第二部分102的沉积层非过渡部分102n中形成基本上封闭的涂层140。
在一些非限制性示例中，在平面图中，沉积层过渡区域102t可在侧向朝向在第二部分102的沉积层非过渡部分102n和沉积层边缘835之间延伸。
在一些非限制性示例中，在平面图中，沉积层过渡区域102t可围绕第二部分102的沉积层非过渡部分102n和/或沿其周边延伸。
在一些非限制性示例中，沿着至少一个侧向轴，第二部分102的沉积层非过渡部分102n可占据整个第二部分102，使得在其与第一部分101之间不存在沉积层过渡区域102t。
如图8A所示，在一些非限制性示例中，沉积层130在第二部分102的沉积层非过渡部分102n中可具有平均膜厚度d3，该平均膜厚度可在约1nm-500nm、5nm-200nm、5nm-40nm、10nm-30nm和10nm-100nm之间中的一者的范围内。在一些非限制性示例中，d3可超过约10nm、50nm和100nm中的一者。在一些非限制性示例中，第二部分102的沉积层非过渡部分102t中的沉积层130的平均膜厚度d3可在其间基本上相同或恒定。
在一些非限制性示例中，d3可超过下面层的平均膜厚度d1。
在一些非限制性示例中，商d3/d1可为至少约1.5、2、5、10、20、50和100中的一者。在一些非限制性示例中，商d3/d1可在约0.1-10和0.2-40之间中的一者的范围内。
在一些非限制性示例中，d3可超过图案化涂层110的平均膜厚度d2。
在一些非限制性示例中，商d3/d2可为至少约1.5、2、5、10、20、50或100中的一者。在一些非限制性示例中，商d3/d2可在约0.2-10和0.5-40之间中的一者的范围内。
在一些非限制性示例中，d3可超过d2并且d2可超过d1。在一些其他非限制性示例中，d3可超过d1并且d1可超过d2。
在一些非限制性示例中，商d2/d1可在约0.2-3和0.1-5中的一者之间。
在一些非限制性示例中，沿着至少一个侧向轴(包括但不限于X轴)，第二部分102的沉积层非过渡部分102n可具有宽度w3。在一些非限制性示例中，第二部分102的沉积层非过渡部分102n可具有横截面积a3，在一些非限制性示例中，该横截面积可通过将平均膜厚度d3乘以宽度w3来近似。
在一些非限制性示例中，w3可超过图案化涂层非过渡部分101n的宽度w1。在一些非限制性示例中，w1可超过w3。
在一些非限制性示例中，商w1/w3可在约0.1-10、0.2-5、0.3-3和0.4-2之间中的一者的范围内。在一些非限制性示例中，商w3/w1可为至少约1、2、3和4中的一者。
在一些非限制性示例中，w3可超过沉积层130的平均膜厚度d3。
在一些非限制性示例中，商w3/d3可为至少约10、50、100或500中的至少一者。在一些非限制性示例中，商w3/d3可不大于约100,000。
在一些非限制性示例中，沉积层130可具有在沉积层过渡区域102t内从最大值减小到最小值的厚度。在一些非限制性示例中，该最大值可在第二部分102的沉积层过渡区域102t和沉积层非过渡部分102n之间的边界处和/或接近该边界。在一些非限制性示例中，该最小值可在沉积层边缘835处和/或接近该沉积层边缘。在一些非限制性示例中，该最大值可为第二部分102的沉积层非过渡部分102n中的平均膜厚度d3。在一些非限制性示例中，该最小值可在约0nm-0.1nm之间的范围内。在一些非限制性示例中，该最小值可为第二部分102的沉积层非过渡部分102n中的平均膜厚度d3。
在一些非限制性示例中，沉积层过渡区域102t中的厚度轮廓可为倾斜的，并且/或者遵循梯度。在一些非限制性示例中，这种轮廓可为锥形。在一些非限制性示例中，该锥形可遵循线性、非线性、抛物线和/或指数衰减轮廓。
在一些非限制性示例中，如在图8E中器件100的示例性型式800e中的一些非限制性示例所示，沉积层130可在沉积层过渡区域102t中完全覆盖下面的表面。在一些非限制性示例中，沉积层130可在沉积层过渡区域102t的至少一部分中包括基本上封闭的涂层140。在一些非限制性示例中，在沉积层过渡区域102t中，下面的表面的至少一部分可未被沉积层130覆盖。
在一些非限制性示例中，沉积层130可在沉积层过渡区域102t的至少一部分中包括不连续层840。
相关领域的普通技术人员将理解，虽然未明确说明，但图案化材料611也可在一定程度上存在于沉积层130和下面层之间的界面处。这种材料可能由于遮蔽效应而沉积，其中沉积图案与掩模的图案不相同，并且在一些非限制性示例中，可能导致一些蒸发的图案化材料611沉积在目标暴露层表面11的遮蔽部分上。在一些非限制性示例中，这种材料可形成为颗粒结构841和/或形成为厚度可基本上不超过图案化涂层110的平均厚度的薄膜。
重叠
在一些非限制性示例中，沉积层边缘835可在侧向朝向与第一部分101的图案化涂层过渡区域101t间隔开，使得第一部分101与第二部分102之间在侧向朝向不存在重叠。
在一些非限制性示例中，第一部分101的至少一部分和第二部分102的至少一部分可在侧向朝向重叠。这种重叠可通过重叠部分803来确认，诸如可在图8A中的一些非限制性示例中示出，其中第二部分102的至少一部分与第一部分101的至少一部分重叠。
在一些非限制性示例中，如在图8F中的一些非限制性示例中所示，沉积层过渡区域102t的至少一部分可设置在图案化涂层过渡区域101t的至少一部分上。在一些非限制性示例中，图案化涂层过渡区域101t的至少一部分可基本上没有沉积层130和/或沉积材料731。在一些非限制性示例中，沉积材料731可在图案化涂层过渡区域101t的至少一部分的暴露层表面11上形成不连续层840。
在一些非限制性示例中，如在图8G中的一些非限制性示例中所示，沉积层过渡区域102t的至少一部分可设置在第一部分101的图案化涂层非过渡部分101n的至少一部分上。
尽管未示出，但相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，重叠部分803可反映第一部分101的至少一部分与第二部分102的至少一部分重叠的场景。
因此，在一些非限制性示例中，图案化涂层过渡区域101t的至少一部分可设置在沉积层过渡区域102t的至少一部分上。在一些非限制性示例中，沉积层过渡区域102t的至少一部分可基本上没有图案化涂层110和/或图案化材料611。在一些非限制性示例中，图案化材料611可在沉积层过渡区域102t的至少一部分的暴露层表面上形成不连续层840。
在一些非限制性示例中，图案化涂层过渡区域101t的至少一部分可设置在第二部分102的沉积层非过渡部分102n的至少一部分上。
在一些非限制性示例中，图案化涂层边缘815可在侧向朝向与第二部分102的沉积层非过渡部分102n间隔开。
在一些非限制性示例中，沉积层130可形成为跨第二部分102的沉积层非过渡部分102n和沉积层过渡区域102t两者的单个整体式涂层。
图案化涂层和沉积层的边缘效应
图9A至图9I描述了图案化涂层110在与沉积层130的沉积界面处的各种潜在行为。
转到图9A，该图可示出器件100的示例性型式900在图案化涂层沉积边界处的一部分的第一示例。器件900可包括具有暴露层表面11的基板10。图案化涂层110可沉积在暴露层表面11的第一部分101上。沉积层130可沉积在暴露层表面11的第二部分102上。如图所示，在一些非限制性示例中，第一部分101和第二部分102可为暴露层表面11的不同且不重叠的部分。
沉积层130可包括第一部分1301和第二部分1302。如图所示，在一些非限制性示例中，沉积层130的第一部分1301可基本上覆盖第二部分102，并且沉积层130的第二部分1302可部分地在图案化涂层110的第一部分上方突出，和/或与该第一部分重叠。
在一些非限制性示例中，由于图案化涂层110可形成为使得其暴露层表面11表现出相对低的对于沉积材料731的沉积的初始黏着概率，因此在沉积层130的突出和/或重叠的第二部分1302和图案化涂层110的暴露层表面11之间可形成间隙929。因此，在剖面朝向，第二部分1302可不与图案化涂层110物理接触，而是可通过间隙929与其间隔开。在一些非限制性示例中，沉积层130的第一部分1301可在第一部分101和第二部分102之间的界面和/或边界处与图案化涂层110物理接触。
在一些非限制性示例中，沉积层130的突出和/或重叠的第二部分1302可在图案化涂层110上方侧向地延伸与沉积层130的第一部分1301的平均层厚度da相当的程度。在一些非限制性示例中，如图所示，第二部分1302的宽度wb可与第一部分1301的平均层厚度da相当。在一些非限制性示例中，第二部分1302的宽度wb与第一部分1301的平均层厚度da的比率可在约1:1-1:3、1:1-1:1.5和1:1-1:2之间中的一者的范围内。虽然平均层厚度da在一些非限制性示例中可跨第一部分1301相对均匀，但在一些非限制性示例中，第二部分1302可突出和/或与图案化涂层110重叠的程度(即wb)可跨暴露层表面11的不同部分在一定程度上变化。
现在转到图9B，沉积层130可被示出为包括设置在第二部分1302与图案化涂层110之间的第三部分1303。如图所示，沉积层130的第二部分1302可在沉积层130的第三部分1303上方侧向地延伸并与之纵向间隔开，并且第三部分1303可与图案化涂层110的暴露层表面11物理接触。沉积层130的第三部分1303的平均层厚度dc可不超过其第一部分1301的平均层厚度da，并且在一些非限制性示例中，基本上小于该平均层厚度。在一些非限制性示例中，第三部分1303的宽度wc可超过第二部分1302的宽度wb。在一些非限制性示例中，第三部分1303可侧向地延伸以比第二部分1302更大程度地重叠图案化涂层110。在一些非限制性示例中，第三部分1303的宽度wc与第一部分1301的平均层厚度da的比率可在约1:2-3:1或1:1.2-2.5:1之间中的一者的范围内。虽然平均层厚度da在一些非限制性示例中可跨第一部分1301相对均匀，但在一些非限制性示例中，第三部分1303可突出和/或与图案化涂层110重叠的程度(即wc)可跨暴露层表面11的不同部分在一定程度上变化。
在一些非限制性示例中，第三部分1303的平均层厚度dc可不超过第一部分1301的平均层厚度da的约5％。在一些非限制性示例中，dc可为不超过da的约4％、3％、2％、1％和0.5％中的一者。代替和/或除了第三部分1303形成为薄膜之外，如图所示，沉积层130的沉积材料731可在图案化涂层110的一部分上形成为颗粒结构841。在一些非限制性示例中，此类颗粒结构841可包括彼此物理分离的特征，使得它们不会形成连续层。
现在转到图9C，NPC 920可设置在基板10和沉积层130之间。NPC 920可设置在沉积层130的第一部分1301和基板10的第二部分102之间。NPC 920被示出为设置在第二部分102上而没有设置在第一部分101上，在该第一部分上已经沉积了图案化涂层110。NPC 920可形成为使得在NPC 920与沉积层130之间的界面和/或边界处，NPC 920的表面可表现出相对高的对于沉积材料731的沉积的初始黏着概率。因此，NPC 920的存在可促进沉积层130在沉积期间的形成和/或生长。
现在转到图9D，NPC 920可设置在基板10的第一部分101和第二部分102两者上，并且图案化涂层110可覆盖NPC 920的设置在第一部分101上的一部分。NPC 920的另一部分可基本上没有图案化涂层110，并且沉积层130可覆盖NPC 920的此部分。
现在转到图9E，沉积层130可被示出为与图案化涂层110的在基板10的第三部分903中的一部分部分地重叠。在一些非限制性示例中，除了第一部分1301和第二部分1302之外，沉积层130还可包括第四部分1304。如图所示，沉积层130的第四部分1304可设置在沉积层130的第一部分1301和第二部分1302之间，并且第四部分1304可与图案化涂层110的暴露层表面11物理接触。在一些非限制性示例中，第三部分903中的重叠可由于在开口掩模和/或无掩模沉积工艺期间沉积层130的侧向生长而形成。在一些非限制性示例中，虽然图案化涂层110的暴露层表面11可表现出相对低的对于沉积材料731的沉积的初始黏着概率，并且因此材料在暴露层表面11上成核的概率可低，但随着沉积层130的厚度生长，沉积层130也可侧向地生长并且可覆盖图案化涂层110的子集，如图所示。
现在转到图9F，基板10的第一部分101可涂覆有图案化涂层110，并且与其相邻的第二部分102可涂覆有沉积层130。在一些非限制性示例中，已观察到，进行沉积层130的开口掩模和/或无掩模沉积可导致沉积层130在沉积层130与图案化涂层110之间的界面处和/或附近表现出锥形截面轮廓。
在一些非限制性示例中，该界面处和/或附近的沉积层130的平均层厚度可小于沉积层130的平均层厚度d3。虽然这种锥形轮廓可被示出为是弯曲的和/或拱形的，但是在一些非限制性示例中，该轮廓在一些非限制性示例中可为基本上线性的和/或非线性的。在一些非限制性示例中，沉积层130的平均层厚度d3可在接近该界面的区域中非限制地以基本上线性、指数和/或二次方式减小。
已经观察到，沉积层130在沉积层130与图案化涂层110之间的界面处和/或附近的接触角θc可变化，具体取决于图案化涂层110的性质，诸如相对初始黏着概率。可进一步假定，在一些非限制性示例中，核的接触角θc可指示沉积形成的沉积层130的薄膜接触角。参见图9F，在一些非限制性示例中，接触角θc可通过测量在沉积层130与图案化涂层110之间的界面处和/或附近的沉积层130的切线的斜率来确定。在一些非限制性示例中，在沉积层130的截面锥形轮廓可为基本上线性的情况下，接触角θc可通过测量沉积层130在该界面处和/或附近的斜率来确定。如相关领域的普通技术人员将理解的，接触角θc通常可相对于下面层的非零角度来测量。在本公开中，为了简化说明，图案化涂层110和沉积层130可被示为沉积在平坦表面上。然而，相关领域的普通技术人员将理解，图案化涂层110和沉积层130可沉积在不平坦表面上。
在一些非限制性示例中，沉积层130的接触角θc可超过约90°。现在参见图9G，在一些非限制性示例中，沉积层130可被示为包括延伸经过图案化涂层110与沉积层130之间的界面的部分，并且可通过间隙929与图案化涂层110间隔开。在这种非限制性场景下，接触角θc在一些非限制性示例中可超过90°。
在一些非限制性示例中，可能有利的是，形成表现出相对高接触角θc的沉积层130。在一些非限制性示例中，接触角θc可超过约10°、15°、20°、25°、30°、35°、40°、50°、70°、75°和80°中的一者。在一些非限制性示例中，具有相对高接触角θc的沉积层130可允许产生精细图案化特征，同时保持相对高的长径比。在一些非限制性示例中，可存在这样的目标：形成表现出大于约90°的接触角θc的沉积层130。在一些非限制性示例中，接触角θc可超过约90°、95°、100°、105°、110°、120°、130°、135°、140°、145°、150°和170°中的至少一者。
现在转到图9H至图9I，沉积层130可与图案化涂层110的在基板10的第三部分903中的一部分部分地重叠，该第三部分可设置在基板的第一部分101和第二部分102之间。如图所示，沉积层130的与图案化涂层110的子集部分地重叠的子集可与其暴露层表面11物理接触。在一些非限制性示例中，第三部分903中的重叠可由于在开口掩模和/或无掩模沉积工艺期间沉积层130的侧向生长而形成。在一些非限制性示例中，虽然图案化涂层110的暴露层表面11可表现出相对低的对于沉积材料731的沉积的初始黏着概率，并且因此材料在暴露层表面11上成核的概率低，但随着沉积层130的厚度生长，沉积层130也可侧向地生长并且可覆盖图案化涂层110的子集。
就图9H至图9I而言，沉积层130的接触角θc可在该沉积层与图案化涂层110之间的界面附近的边缘处测量，如图所示。在图9I中，接触角θc可超过约90°，这在一些非限制性示例中可导致沉积层130的子集通过间隙929与图案化涂层110间隔开。
颗粒结构
纳米颗粒(NP)是物质的颗粒结构841，其主要特征尺寸为纳米(nm)级，通常理解为在约1nm-300nm之间。在纳米尺度上，相对于块状形式的相同材料，给定材料的NP可具有独特的性质(包括但不限于光学、化学、物理和/或电学性质)。
当多个NP形成为分层半导体器件(包括但不限于光电子器件)的一层时，可利用这些性质来改善其性能。
用于将这样的NP层引入器件中的现有机制具有一些缺点。
首先，典型地，此类NP形成为这种器件的紧密堆积层，和/或分散到其基质材料中。因此，这种NP层的厚度可通常比NP本身的特征尺寸厚得多。这种NP层的厚度可在器件性能、器件稳定性、器件可靠性和/或器件寿命方面赋予不期望的特性，这可减少或甚至消除由NP的独特性质提供的任何为人所知的优点。
第二，在此类器件中合成NP并用于此类器件的技术可通过各种机制引入大量的碳(C)、氧(O)和/或硫(S)。
在一些非限制性示例中，湿化学方法通常可用于将具有精确控制的特征尺寸、尺寸分布、形状、表面覆盖率、构型和/或沉积密度的NP引入到器件中。然而，此类方法通常采用有机封端基团(诸如柠檬酸封端的Ag NP的合成)来稳定NP，但是此类有机封端基团将C、O和/或S引入合成的NP中。
此外，由于在沉积中使用了溶剂，从该溶液沉积的NP层通常可包含C、O和/或S。
另外，这些元素可能在湿化学过程和/或NP层的沉积期间作为污染物引入。
无论如何引入，在这种器件的NP层中存在大量的C、O和/或S可能会损害这种器件的性能、稳定性、可靠性和/或寿命。
第三，当从溶液沉积NP层时，随着所采用的溶剂变干，NP层倾向于在整个NP层上和/或在这种层的不同图案化区域之间具有不均匀的性质。在一些非限制性示例中，给定NP层的边缘可比这种NP层的内部区域显著更厚或更薄，这种差异可不利地影响器件性能、稳定性、可靠性和/或寿命。
第四，尽管除了湿式化学合成和溶液沉积过程之外，还存在合成和/或沉积NP的其他方法和/或过程，包括但不限于基于真空的方法，诸如但不限于PVD，现有方法倾向于提供对由此沉积的NP的特征尺寸、尺寸分布、形状、表面覆盖率、构型、沉积密度和/或分散度的不佳控制。在一些非限制性示例中，在常规PVD过程中，NP倾向于随着其尺寸增大而形成紧密堆积膜。因此，诸如常规PVD方法的方法通常不太适合于形成具有低表面覆盖率的大分散NP的NP层。相反，由此类常规方法赋予的特征尺寸、尺寸分布、形状、表面覆盖率、构型和/或沉积密度的不佳控制可导致器件效能、稳定性、可靠性和/或寿命不佳。
在一些非限制性示例中，诸如可在图8C中示出的，可存在设置在下面层的暴露层表面11上的至少一个颗粒，包括但不限于纳米颗粒(NP)、岛、板、断开的簇、和/或网络(统称为颗粒结构841)。在一些非限制性示例中，下面层可为在第一部分101中的图案化涂层110。在一些非限制性示例中，至少一种颗粒结构841可设置在图案化涂层110的暴露层表面11上。在一些非限制性示例中，可以存在多种这样的颗粒结构841。
在一些非限制性示例中，至少一种颗粒结构841可包括颗粒材料。在一些非限制性示例中，该颗粒材料可与沉积层中的沉积材料731相同。
在一些非限制性示例中，第一部分101中的不连续层中的颗粒材料、沉积层130中的沉积材料731和/或可组成其下的下面层840的材料可包括共同的金属。
在一些非限制性示例中，颗粒材料可包括选自K、Na、Li、Ba、Cs、Yb、Ag、Au、Cu、Al、Mg、Zn、Cd、Sn和Y中的至少一者的元素。在一些非限制性示例中，该颗粒结构材料可包括选自K、Na、Li、Ba、Cs、Yb、Ag、Au、Cu、Al和Mg中的至少一者的元素。在一些非限制性示例中，该元素可包括Cu、Ag和Au中的至少一者。在一些非限制性示例中，该元素可为Cu。在一些非限制性示例中，该元素可为Al。在一些非限制性示例中，该元素可包括Mg、Zn、Cd和Yb中的至少一者。在一些非限制性示例中，该元素可包括Mg、Ag、Al、Yb和Li中的至少一者。在一些非限制性示例中，该元素可包括Mg、Ag和Yb中的至少一者。在一些非限制性示例中，该元素可包括Mg和Ag中的至少一者。在一些非限制性示例中，该元素可为Ag。
在一些非限制性示例中，该颗粒材料可包括纯金属。在一些非限制性示例中，至少一种颗粒结构841可为纯金属。在一些非限制性示例中，至少一种颗粒结构841可为纯Ag或基本上纯的Ag中的至少一者。在一些非限制性示例中，基本上纯的Ag可具有约95％、99％、99.9％、99.99％、99.999％和99.9995％中的一者的纯度。在一些非限制性示例中，至少一种颗粒结构841可为纯Mg或基本上纯的Mg中的一者。在一些非限制性示例中，基本上纯的Mg可具有至少约95％、99％、99.9％、99.99％、99.999％和99.9995％中的一者的纯度。
在一些非限制性示例中，至少一种颗粒结构841可包括合金。在一些非限制性示例中，该合金可为含Ag合金、含Mg合金和含AgMg合金中的至少一者。在一些非限制性示例中，含AgMg合金可具有按体积计可在约1:10(Ag:Mg)至约10:1的范围内的合金组合物。
在一些非限制性示例中，该颗粒材料可包括代替Ag或与Ag组合的其他金属。在一些非限制性示例中，该颗粒材料可包括Ag与至少一种其他金属的合金。在一些非限制性示例中，该颗粒材料可包括Ag与Mg和Yb中的至少一者的合金。在一些非限制性示例中，这种合金可为二元合金，该二元合金具有约5体积％-95体积％Ag之间的组合物，其余为其他金属。在一些非限制性示例中，该颗粒材料可包括Ag和Mg。在一些非限制性示例中，该颗粒材料可包括具有按体积计在约1:10-10:1之间的组合物的Ag:Mg合金。在一些非限制性示例中，该颗粒材料可包括Ag和Yb。在一些非限制性示例中，该颗粒材料可包括具有按体积计在约1:20-10:1之间的组合物的Yb:Ag合金。在一些非限制性示例中，该颗粒材料可包括Mg和Yb。在一些非限制性示例中，该颗粒材料可包括Mg:Yb合金。在一些非限制性示例中，该颗粒材料可包括Ag:Mg:Yb合金。
在一些非限制性示例中，至少一种颗粒结构841可包括至少一种附加元素。在一些非限制性示例中，这种附加元素可为非金属元素。在一些非限制性示例中，该非金属材料可为O、S、N和C中的至少一者。相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，由于在源材料、用于沉积的设备和/或真空室环境中存在此类附加元素，此类附加元素可作为污染物结合到至少一种颗粒结构841中。在一些非限制性示例中，此类附加元素可与至少一种颗粒结构841的其他元素一起形成化合物。在一些非限制性示例中，该非金属元素在颗粒材料中的浓度可为不超过约1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％或0.0000001％中的至少一者。在一些非限制性示例中，至少一种颗粒结构841可具有其中O和C的组合量为不超过约10％、5％、1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％和0.0000001％中的一者的组合物。
至少一种颗粒结构841利用等离激元光子学，这是纳米光子学的一个分支，它研究EM辐射与金属的共振相互作用。相关领域的普通技术人员将理解，金属NP可表现出LSP激发和/或自由电子的相干振荡，其光学响应可通过改变纳米结构的特征尺寸、尺寸分布、形状、表面覆盖率、构型、沉积密度和/或组合物来定制。关于颗粒结构841的这种光学响应可包括入射在其上的EM辐射的吸收，从而减少其反射和/或偏移到EM光谱的更低或更高的波长((子)范围)，包括但不限于可见光谱和/或其子范围。
也有报道称，将某些金属NP布置在具有相对低的折射率的介质附近，可将这种NP的吸收光谱移动到较低波长(子)范围(蓝移)。
因此，可以进一步假定，在一些非限制性示例中，将颗粒材料作为至少一种颗粒结构841的不连续层840设置在下面层的暴露层表面11上以使得至少一种颗粒结构841与下面层物理接触在一些非限制性示例中可以有利地偏移颗粒材料的吸收光谱，包括但不限于蓝移，使得它基本上不与由器件100发射和/或至少部分地透射穿过该器件的EM辐射的EM光谱的波长范围重叠。
在一些非限制性示例中，至少一种颗粒结构841的峰值吸收波长可小于由器件100发射和/或至少部分地透射穿过该器件的EM辐射的峰值波长。在一些非限制性示例中，颗粒材料可在不超过约470nm、460nm、455nm、450nm、445nm、440nm、430nm、420nm和400nm中的至少一者的波长(范围)处表现出峰值吸收。
现已发现，多少有些令人惊讶的是，在至少一个(较)低折射率涂层内和/或接近该涂层包括但不限于以至少一种颗粒结构841(包括但不限于由金属组成的那些)的形式提供颗粒材料可进一步影响在EM光谱的至少一个波长(子)范围(包括但不限于可见光谱和/或其子范围)内在第一方向上穿过器件100(包括但不限于在第一方向上从至少一个(较)低折射率层、至少一种颗粒结构841通过和/或穿过它们且跨折射率界面140)的EM辐射的吸收和/或透射。
在一些非限制性示例中，在EM光谱的至少波长(子)范围内，包括但不限于可见光谱和/或其子范围，吸收可减少，并且/或者可有利于透射。
在一些非限制性示例中，吸收可集中在为EM光谱的波长(子)范围的吸收光谱中，包括但不限于可见光谱和/或其子范围。
在一些非限制性示例中，吸收光谱可蓝移和/或移动到较高波长(子)范围(红移)，包括但不限于移动到EM光谱的波长(子)范围(包括但不限于可见光谱和/或其子范围)，并且/或者移动到EM光谱的至少部分地位于可见光谱之外的波长(子)范围。
相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，至少一种颗粒结构841的多个层可设置在彼此之上，而不管是否被附加层分开，从而具有变化的侧向朝向并且具有不同的吸收光谱。以此方式，可根据一个或多个所需吸收光谱来调节该器件的某些区域的吸收。
在一些非限制性示例中，在不连续层840中、在图案化涂层110的暴露层表面11上存在至少一种颗粒结构841(包括但不限于NP)可能影响器件400的一些光学性质。
在一些非限制性示例中，该多种颗粒结构841可形成不连续层840。
不希望受任何特定理论的限制，可假定，虽然颗粒材料的封闭涂层140的形成可被图案化涂层110基本上抑制和/或在该图案化涂层上被基本上抑制，但在一些非限制性示例中，当图案化涂层110暴露于颗粒材料在其上的沉积时，颗粒材料的一些蒸气单体可最终在其上形成颗粒材料的至少一种颗粒结构841。
在一些非限制性示例中，颗粒结构841中的至少一些可彼此断开连接。换句话说，在一些非限制性示例中，不连续层840可包括彼此可物理分离的特征(包括颗粒结构841)，使得颗粒结构841不形成封闭涂层140。因此，在一些非限制性示例中，这种不连续层840因此可包括沉积材料731的薄分散层，其形成为颗粒结构841，插入在器件100中的图案化涂层110与至少一个覆盖层之间的界面处和/或基本上横跨该界面的侧向范围。
在一些非限制性示例中，颗粒材料的颗粒结构841中的至少一种颗粒结构可与图案化涂层110的暴露层表面11物理接触。在一些非限制性示例中，颗粒材料的颗粒结构841中的基本上全部颗粒结构可与图案化涂层110的暴露层表面11物理接触。
不希望受任何特定理论的束缚，已经发现，多少有些令人惊讶的是，在图案化涂层110的暴露层表面11上存在颗粒材料的这种薄的分散不连续层840(包括但不限于至少一种颗粒结构841，包括但不限于金属颗粒结构841)可表现出至少一种变化的特性和伴随而来的变化的行为，包括但不限于器件100的光学效应和性质，如本文所讨论的。在一些非限制性示例中，可通过明智地选择图案化涂层110上的颗粒结构841的特征尺寸、尺寸分布、形状、表面覆盖率、构型、沉积密度和/或分散度中的至少一者来在一定程度上控制此类效应和性质。
在一些非限制性示例中，可以可控地选择颗粒结构841，以便具有特征尺寸、长度、宽度、直径、高度、尺寸分布、形状、表面覆盖率、构型、沉积密度、分散度和/或组成，以实现与颗粒结构841所表现出的光学响应相关的效应。
相关领域的普通技术人员将理解，关于沉积材料的机制，由于单体和/或原子的可能堆叠和/或聚集，在一些非限制性示例中，至少一种颗粒结构841的实际尺寸、高度、重量、厚度、形状、轮廓和/或间距可为基本上不均匀的。另外，至少一种颗粒结构841被示为具有给定的轮廓，但是这仅仅是例示性的，而不是对该颗粒结构的任何尺寸、高度、重量、厚度、形状、轮廓和/或间距的确定。
在一些非限制性示例中，至少一种颗粒结构841可具有不超过约200nm的特征尺度。在一些非限制性示例中，至少一种颗粒结构841可具有可为约1nm-200nm、1nm-160nm、1nm-100nm、1nm-50nm和1nm-30nm之间中的一者的特征直径。
在一些非限制性示例中，至少一种颗粒结构841可为离散金属等离激元岛或簇，和/或可包括离散金属等离激元岛或簇。
在一些非限制性示例中，至少一种颗粒结构841可包括颗粒材料。
在一些非限制性示例中，此类颗粒结构841可通过在下面层的暴露层表面11上沉积少量(在一些非限制性示例中，具有可为约几埃或几分之一埃的平均层厚度)的颗粒材料来形成。在一些非限制性示例中，暴露层表面11可为成核促进涂层(NPC)920(图9C)。
在一些非限制性示例中，颗粒材料可包含Ag、Yb和/或镁(Mg)中的至少一者。
在一些非限制性示例中，这种不连续层840的特征尺寸、尺寸分布、形状、表面覆盖率、构型、沉积密度和/或分散度中的至少一者的形成可在一些非限制性示例中通过明智地选择以下中的至少一者来控制：图案化材料611的至少一个特性，图案化涂层110的平均膜厚度d2，在图案化涂层110中引入异质，和/或沉积环境，包括但不限于用于图案化涂层110的温度、压力、持续时间、沉积速率和/或沉积工艺。
在一些非限制性示例中，这种不连续层840的特征尺寸、尺寸分布、形状、表面覆盖率、构造、沉积密度和/或分散度中的至少一者的形成可在一些非限制性示例中通过明智地选择以下中的至少一者来控制：颗粒材料(可为沉积材料731)的至少一个特性，图案化涂层110可暴露于颗粒材料的沉积的程度(在一些非限制性示例中，可根据对应的不连续层840的厚度来指定)，和/或沉积环境，包括但不限于颗粒材料的温度、压力、持续时间、沉积速率和/或沉积方法。
在一些非限制性示例中，不连续层840可跨图案化涂层110的侧向范围以一定的图案沉积。
在一些非限制性示例中，不连续层840可以一定图案设置，该图案可由其中基本上没有至少一种颗粒结构841的至少一个区域限定。
在一些非限制性示例中，这种不连续层840的特性可在一些非限制性示例中根据若干标准中的至少一个标准来稍微随意地评估，这些标准包括但不限于特征尺寸、尺寸分布、形状、构造、表面覆盖率、沉积分布、分散度，和/或形成于下面层的暴露层表面11的一部分上的颗粒材料的聚集示例的存在和/或程度。
在一些非限制性示例中，可通过使用多种成像技术，包括但不限于透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)中的至少一者测量和/或计算不连续层840的至少一种属性来执行不连续层840的根据这样的至少一个标准的评估。
相关领域的普通技术人员将理解，不连续层840的这种评估可在一定程度上(在更大和/或更小的程度上)取决于所考虑的暴露层表面11，在一些非限制性示例中可包括其面积和/或区域。在一些非限制性示例中，不连续层840可在暴露层表面11的第一侧向朝向和/或基本上横向于第一侧向朝向的第二侧向朝向的整个范围内评估。在一些非限制性示例中，不连续层840可在包括对不连续层840(的一部分)施加的至少一个观察窗口的范围内评估。
在一些非限制性示例中，该至少一个观察窗口可位于暴露层表面11的侧向朝向的周边、内部位置和/或网格坐标中的至少一者。在一些非限制性示例中，该至少一个观察窗口中的多个可用于评估不连续层840。
在一些非限制性示例中，观察窗口可对应于用来评估不连续层840的成像技术的视场，该成像技术包括但不限于TEM、AFM和SEM中的至少一者。在一些非限制性示例中，观察窗口可对应于给定的放大水平，包括但不限于2.00微米、1.00微米、500nm和200nm中的至少一者。
在一些非限制性示例中，不连续层840的评估(包括但不限于其暴露层表面11的所使用的至少一个观察窗口)可涉及根据任何数量的机制进行计算和/或测量，这些机制包括但不限于手动计数和/或已知的估计技术，在一些非限制性示例中，这些已知的估计技术可包括曲线拟合、多边形拟合和/或形状拟合技术。
在一些非限制性示例中，不连续层840的评估(包括但不限于其暴露层表面11的所使用的至少一个观察窗口)可涉及计算和/或测量平均值、中值、众数、最大值、最小值，和/或对该计算和/或测量的值的其他概率性、统计和/或数据操纵。
在一些非限制性示例中，可用来评估这种不连续层840的至少一个标准中的一个标准可为颗粒材料在这种不连续层840(的部分)上的表面覆盖率。在一些非限制性示例中，表面覆盖率可由这种不连续层840(的部分)的这种颗粒材料的(非零)百分比覆盖率表示。在一些非限制性示例中，可将该百分比覆盖率与最大阈值百分比覆盖率进行比较。
在一些非限制性示例中，相对于穿过具有基本上超过最大阈值百分比覆盖率的表面覆盖率的不连续层840的一部分的EM辐射，具有基本上不超过最大阈值百分比覆盖率的表面覆盖率的不连续层840(的一部分)可导致表现不同的光学特性，这些不同的光学特性可由不连续层840的该部分赋予穿过其的EM辐射(无论完全透射穿过器件100和/或由其发射)。
在一些非限制性示例中，表面上一定量的导电材料的表面覆盖率的一种量度可为(EM辐射)透射率，因为在一些非限制性示例中，导电材料(包括但不限于金属，包括但不限于Ag、Mg和Yb)会衰减和/或吸收EM辐射。
相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，表面覆盖率可被理解为涵盖颗粒尺寸和沉积密度中的一者或两者。因此，在一些非限制性示例中，这三个标准中的多个可正相关。实际上，在一些非限制性示例中，低表面覆盖率的标准可包括低沉积密度的标准与低颗粒尺寸的标准的某种组合。
在一些非限制性示例中，可用来评估这种不连续层840的至少一个标准中的一个可为组成颗粒结构841的特征尺寸。
在一些非限制性示例中，不连续层840的至少一种颗粒结构841可具有不超过最大阈值尺寸的特征尺寸。特征尺寸的非限制性示例可包括高度、宽度、长度和/或直径中的至少一者。
在一些非限制性示例中，不连续层840的基本上所有颗粒结构841可具有位于指定范围内的特征尺寸。
在一些非限制性示例中，这种特征尺寸可由特征长度来表征，在一些非限制性示例中，特征长度可被认为是特征尺寸的最大值。在一些非限制性示例中，这种最大值可沿着颗粒结构841的长轴延伸。在一些非限制性示例中，长轴可被理解为是在由多个侧向轴限定的平面中延伸的第一维度。在一些非限制性示例中，特征宽度可被确认为可沿颗粒结构841的短轴延伸的颗粒结构841的特征尺寸的值。在一些非限制性示例中，短轴可被理解为是在相同平面中但基本上横向于长轴延伸的第二维度。
在一些非限制性示例中，至少一种颗粒结构841沿着第一维度的特征长度可不超过最大阈值尺寸。
在一些非限制性示例中，至少一种颗粒结构841沿着第二维度的特征宽度可不超过最大阈值尺寸。
在一些非限制性示例中，可通过计算和/或测量不连续层840(的部分)中的组成颗粒结构841的特征尺寸(包括但不限于其质量、体积、直径长度、周长、长轴和/或短轴)来评估这种至少一种颗粒结构841的尺寸。
在一些非限制性示例中，可用来评估这种不连续层840的至少一个标准中的一个可为其沉积密度。
在一些非限制性示例中，可将颗粒结构841的特征尺寸与最大阈值尺寸进行比较。
在一些非限制性示例中，可将颗粒结构841的沉积密度与最大阈值沉积密度进行比较。
在一些非限制性示例中，此类标准中的至少一个可由数值度量来量化。在一些非限制性示例中，这种度量可为描述颗粒结构841在沉积层130中的颗粒(面积)尺寸分布的分散度D的计算，其中：
其中：
n是样品区域中颗粒结构841的数量，
Si是第i个颗粒结构841的(面积)尺寸，
是颗粒(面积)尺寸的数字平均值，并且
是颗粒(面积)尺寸的(面积)尺寸平均值。
相关领域的普通技术人员将理解，分散度大致类似于多分散指数(PDI)，并且这些平均值大致类似于有机化学中熟悉的数均分子量和重均分子量的概念，但是应用于(面积)尺寸，与样品颗粒结构841的分子量形成对比。
相关领域的普通技术人员还将理解，虽然在一些非限制性示例中，分散度的概念可被认为是三维体积概念，但在一些非限制性示例中，分散度可被认为是二维概念。因此，分散度的概念可结合观察和分析沉积层130的二维图像来使用，诸如可通过使用多种成像技术来获得，这些成像技术包括但不限于TEM、AFM和/或SEM中的至少一者。正是在这种二维环境中，定义了上述公式。
在一些非限制性示例中，颗粒(面积)尺寸的分散度和/或数字平均值和颗粒(面积)尺寸的(面积)尺寸平均值可涉及以下至少一项的计算：颗粒直径的数字平均值和颗粒直径的(面积)尺寸平均值：
在一些非限制性示例中，至少一个沉积层130的颗粒材料(包括但不限于颗粒结构841)可通过无掩模和/或开口掩模沉积工艺沉积。
在一些非限制性示例中，颗粒结构841可具有基本上圆形的形状。在一些非限制性示例中，颗粒结构841可具有基本上球形的形状。
出于简化的目的，在一些非限制性示例中，可以假设，每个颗粒结构841的纵向范围可基本上相同的(并且，在任何情况下，可不从平面SEM图像直接测量)，使得颗粒结构841的(面积)尺寸可表示为沿着该对侧向轴的二维区域覆盖率。在本公开中，对(面积)尺寸的标引可被理解为是指这种二维概念，并且与可被理解为是指一维概念(诸如线性维度)的尺寸(没有前缀“面积”)相区别。
实际上，在一些早期研究中，在一些非限制性示例中，看起来此类颗粒结构841的沿着纵轴的纵向范围可倾向于相对于侧向范围(沿着侧向轴中的至少一个)较小，使得其纵向范围的体积贡献可远远小于这种侧向范围的体积贡献。在一些非限制性示例中，这可通过可不大于1的长径比(纵向范围与侧向范围的比率)来表达。在一些非限制性示例中，这种长径比可为约1:10、1:20、1:50、1:75和1:300中的一者。
就这一点而言，将颗粒结构841表示为二维区域覆盖的上述假设(纵向范围基本上相同并且可忽略)可为适当的。
相关领域的普通技术人员将理解，考虑到沉积过程的非确定性性质，特别是在下面材料的暴露层表面11上存在缺陷和/或异常(包括但不限于异质，包括但不限于其上的台阶边缘、化学杂质、结合位点、扭结和/或污染物中的至少一者)的情况下，以及因此在其上形成颗粒结构841，随着沉积过程继续，其聚结的不均匀性质，并且考虑到观察窗口的尺寸和/或位置的不确定性，以及它们的特征尺寸、间隔、沉积密度、聚集程度等的计算和/或测量中固有的复杂性和可变性，在观察窗口内的特征和/或拓扑方面可能存在相当大的可变性。
在本公开中，为了简化说明，已经省略了颗粒材料的某些细节，包括但不限于各层的厚度轮廓和/或边缘轮廓。
相关领域的普通技术人员将理解，某些金属NP(无论是否作为颗粒材料的不连续层840的一部分，包括但不限于至少一种颗粒结构841)可表现出表面等离子激元(SP)激发和/或自由电子的相干振荡，结果是此类NP可吸收和/或散射EM光谱的一定范围内的光，包括但不限于可见光谱和/或其子范围。此类局部SP(LSP)激发和/或相干振荡的光学响应(包括但不限于EM光谱的吸收可集中在其上的(子)范围(吸收光谱)、折射率和/或消光系数)可通过改变此类NP的性质来定制，这些性质包括但不限于纳米结构和/或与其接近的介质的特征尺寸、尺寸分布、形状、表面覆盖率、构造、沉积密度、分散度和/或性质(包括但不限于材料和/或聚集程度)中的至少一者。
对于光子吸收涂层的这种光学响应可包括对入射在其上的光子的吸收，从而减少反射。在一些非限制性示例中，该吸收可集中在EM光谱的一定范围内，包括但不限于可见光谱和/或其子范围。虽然至少一种颗粒841可吸收从分层半导体器件100之外入射到其上的EM辐射，从而减少反射，但相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，至少一种颗粒841可吸收由器件100发射的入射到其上的EM辐射。在一些非限制性示例中，采用光子吸收层作为光电子器件的一部分可减少对其中的偏振器的依赖。
在Fusella等人，“Plasmonic enhancement of stability and brightness inorganic light-emitting devices”，《自然》2020年，585卷，第379-382页(“Fusella等人”)中已经报道，可通过在阴极层上方结合基于NP的外部耦合层来从等离子体模式提取能量，从而提高OLED器件的稳定性。通过在阴极上方的有机层上方旋转浇铸立方Ag NP制造了基于NP的外部耦合层。然而，由于大多数商业OLED器件是使用基于真空的处理制造的，因此基于溶液的旋转浇铸可能不构成用于在阴极上方形成这种基于NP的外部耦合层的适当机制。
已经发现，通过将不连续层840中的金属颗粒材料沉积到图案化涂层110(在一些非限制性示例中，其可为阴极和/或沉积在阴极上)上，可在真空中制造阴极上方的这种基于NP的外部耦接层(并且因此该层可适合用于商业OLED制造工艺)。这种工艺可避免使用可能对OLED器件造成损坏和/或可能不利地影响器件可靠性的溶剂或其他湿化学品。
在一些非限制性示例中，颗粒材料的这种不连续层840(包括但不限于至少一种颗粒结构841)的存在可有助于增强器件的EM辐射提取、性能、稳定性、可靠性和/或寿命。
在一些非限制性示例中，至少一个不连续层840在分层器件100中的图案化涂层110的暴露层表面11上和/或附近，和/或(在一些非限制性示例中)在这种图案化110与至少一个覆盖层的界面附近的存在可将光学效应赋予由该器件发射和/或透射穿过该器件的EM信号，包括但不限于光子。
相关领域的普通技术人员将理解，虽然本文给出了光学效应的简化模型，但是其他模型和/或解释也可能适用。
在一些非限制性示例中，颗粒材料的这种不连续层840(包括但不限于至少一种颗粒结构841)的存在可减少和/或减轻在纵向朝向相邻设置的薄膜层和/或涂层(包括但不限于图案化涂层110和/或至少一个覆盖层)的结晶，从而稳定与其相邻设置的薄膜的性质，并且在一些非限制性示例中减少散射。在一些非限制性示例中，这种薄膜可为和/或包括器件的至少一层外部耦接和/或封装涂层1450，包括但不限于封盖层(CPL)。
在一些非限制性示例中，颗粒材料的这种不连续层840(包括但不限于至少一种颗粒结构841)的存在可在UV光谱的至少一部分中提供增强的吸收。在一些非限制性示例中，控制此类颗粒结构841的特性(包括但不限于颗粒结构841的特征尺寸、尺寸分布、形状、表面覆盖率、构造、沉积密度、分散度、颗粒材料和折射率中的至少一者)可有利于控制吸收光谱(包括在UV光谱中)的吸收程度、波长范围和峰值波长。在UV光谱的至少一部分中的增强的EM辐射吸收对于例如改善器件性能、稳定性、可靠性和/或寿命可能是有利的。
在一些非限制性示例中，光学效应可根据其对透射和/或吸收波长光谱(包括波长范围)和/或其峰值强度的影响来描述。
另外，虽然所呈现的模型可暗示对穿过这种不连续层840的光子的透射和/或吸收赋予的某些效应，但在一些非限制性示例中，此类效应可反映可能未在广泛、可观察的基础上反映的局部效应。
光电子器件
图10是根据本公开的示例性电致发光器件1000从剖面朝向看的简化框图。在一些非限制性示例中，器件1000可为OLED。
器件1000可包括基板10，该基板上设置有包括多个层的前面板610，该多个层分别为第一电极1020、至少一个半导电层1030和第二电极1040。在一些非限制性示例中，前面板1010可提供用于光子发射和/或发射光子的操纵的机制。
在一些非限制性示例中，沉积层130和下面层可一起形成器件1000的第一电极1020和第二电极1040中的至少一者的至少一部分。在一些非限制性示例中，沉积层130和其下方的下面层可一起形成器件1000的阴极的至少一部分。
在一些非限制性示例中，器件1000可与电源1005电耦接。当这样耦接时，器件1000可如本文所述发射光子。
基板
在一些示例中，基板10可包括底部基板1012。在一些示例中，底部基板1012可由适于其使用的材料形成，包括但不限于无机材料，包括但不限于Si、玻璃、金属(包括但不限于金属箔)、蓝宝石和/或其他无机材料，和/或有机材料，包括但不限于聚合物，包括但不限于聚酰亚胺和/或Si基聚合物。在一些示例中，底部基板1012可为刚性的或柔性的。在一些示例中，基板10可由至少一个平坦表面限定。在一些非限制性示例中，基板10可具有支撑器件1000的剩余前面板1010部件的至少一个表面，这些部件包括但不限于第一电极1020、至少一个半导电层1030和/或第二电极1040。
在一些非限制性示例中，这种表面可为有机表面和/或无机表面。
在一些示例中，除了底部基板1012之外，基板10还可包括支撑在底部基板1012的暴露层表面11上的至少一个附加有机和/或无机层(未示出，本文中也未具体描述)。
在一些非限制性示例中，此类附加层可包括和/或形成至少一个有机层，该有机层可包括、替代和/或补充至少一个半导电层1030中的至少一个。
在一些非限制性示例中，此类附加层可包括至少一个无机层，该无机层可包括和/或形成至少一个电极，该至少一个电极在一些非限制性示例中可包括、替代和/或补充第一电极1020和/或第二电极1040。
在一些非限制性示例中，此类附加层可包括背板1015和/或由该背板形成和/或作为该背板。在一些非限制性示例中，背板1015可包括用于驱动器件1000的电源电路和/或开关元件，包括但不限于电子TFT结构1101和/或其可通过光刻工艺形成的部件，这些部件可不在引入低压(包括但不限于真空)环境下提供和/或可在引入低压(包括但不限于真空)环境之前提供。
背板和其中包含的TFT结构
在一些非限制性示例中，基板10的背板1015可包括至少一个电子部件和/或光电子部件，包括但不限于晶体管、电阻器和/或电容器，诸如可支持器件1000用作有源矩阵和/或无源矩阵器件的那些部件。在一些非限制性示例中，此类结构可为薄膜晶体管(TFT)结构1101。
TFT结构1101的非限制性示例包括顶栅、底栅、n型和/或p型TFT结构1101。在一些非限制性示例中，TFT结构1101可结合有非晶硅(a-Si)、氧化铟镓锌(IGZO)和/或低温多晶硅(LTPS)中的任何至少一者。
第一电极
第一电极1020可沉积在基板10上。在一些非限制性示例中，第一电极1020可与电源1005的端子电耦接，和/或接地。在一些非限制性示例中，第一电极1020可通过至少一个驱动电路这样耦接，该至少一个驱动电路在一些非限制性示例中可在基板10的背板1015中结合至少一个TFT结构1101。
在一些非限制性示例中，第一电极1020可包括阳极和/或阴极。在一些非限制性示例中，第一电极1020可为阳极。
在一些非限制性示例中，可通过在基板10(的一部分)上沉积至少一个薄导电膜来形成第一电极1020。在一些非限制性示例中，可存在以一定空间布置设置在基板10的侧向朝向上的多个第一电极1020。在一些非限制性示例中，这些至少一个第一电极1020中的至少一个可沉积在以一定空间布置在侧向朝向设置的TFT绝缘层1109(的一部分)上。如果是这样，在一些非限制性示例中，这样的至少一个第一电极1020中的至少一个可延伸穿过对应的TFT绝缘层1109的开口，以与背板1015中的TFT结构1101的电极电耦接。
在一些非限制性示例中，至少一个第一电极1020和/或其至少一个薄膜可包括各种材料，包括但不限于至少一种金属材料，包括但不限于Mg、Al、钙(Ca)、Zn、Ag、Cd、Ba或Yb，或它们中的任意多者的组合，包括但不限于包含这些材料中的任一者的合金，至少一种金属氧化物，包括但不限于TCO，包括但不限于三元组合物，诸如但不限于氟锡氧化物(FTO)、铟锌氧化物(IZO)或ITO，或它们中的任意多者的组合，或以不同比例，或在至少一个层中它们中的任意多者的组合，其中任意至少一层可为但不限于薄膜。
第二电极
第二电极1040可沉积在至少一个半导电层1030上。在一些非限制性示例中，第二电极1040可与电源1005的端子电耦接，和/或接地。在一些非限制性示例中，第二电极1040可通过至少一个驱动电路这样耦接，该至少一个驱动电路在一些非限制性示例中可在基板10的背板1015中结合至少一个TFT结构1101。
在一些非限制性示例中，第二电极1040可包括阳极和/或阴极。在一些非限制性示例中，第二电极1040可为阴极。
在一些非限制性示例中，可通过在至少一个半导电层1030(的一部分)上沉积沉积层130(在一些非限制性示例中作为至少一个薄膜)来形成第二电极1040。在一些非限制性示例中，可存在多个第二电极640，它们以一定空间布置设置在至少一个半导电层1030的侧向朝向上。
在一些非限制性示例中，至少一个第二电极1040可包括各种材料，包括但不限于：至少一种金属材料，包括但不限于Mg、Al、Ca、Zn、Ag、Cd、Ba或Yb，或它们中的任意多者的组合，包括但不限于包含这些材料中的任一者的合金，至少一种金属氧化物，包括但不限于TCO，包括但不限于三元组合物，诸如但不限于FTO、IZO和ITO，或它们中的任意多者的组合，或以不同比例，或氧化锌(ZnO)，或含铟(In)或Zn的其他氧化物，或在至少一个层中它们中的任意多者的组合；和/或至少一种非金属材料，其中任意至少一种可为但不限于薄导电膜。在一些非限制性示例中，对于Mg:Ag合金，这种合金组合物可在按体积计约1:9-9:1之间的范围内。
在一些非限制性示例中，可使用开口掩模和/或无掩模沉积工艺来执行第二电极1040的沉积。
在一些非限制性示例中，第二电极1040可包括多个这样的层和/或涂层。在一些非限制性示例中，此类层和/或涂层可为设置在彼此顶部上的不同层和/或涂层。
在一些非限制性示例中，第二电极1040可包括Yb/Ag双层涂层。在一些非限制性示例中，这种双层涂层可通过沉积Yb涂层、然后沉积Ag涂层来形成。在一些非限制性示例中，这种Ag涂层的厚度可超过Yb涂层的厚度。
在一些非限制性示例中，第二电极1040可为包括至少一个金属层和/或至少一个氧化物层的多层电极1040。
在一些非限制性示例中，第二电极1040可包括富勒烯和Mg。
在一些非限制性示例中，这种涂层可通过沉积富勒烯涂层、然后沉积Mg涂层来形成。在一些非限制性示例中，富勒烯可分散在Mg涂层内以形成含富勒烯的Mg合金涂层。此类涂层的非限制性示例描述于2015年10月8日公布的美国专利申请公布No.2015/0287846和/或2017年8月15日提交并且2018年2月22日作为WO2018/033860公布的PCT国际申请号PCT/IB2017/054970中。
半导电层
在一些非限制性示例中，至少一个半导电层1030可包括多个层1031、1033、1035、1037、1039，在一些非限制性示例中，这些层中的任一个可以薄膜形式、以堆叠构型设置，其可包括但不限于空穴注入层(HIL)1031、空穴传输层(HTL)1033、发射层(EML)1035、电子传输层(ETL)1037和/或电子注入层(EIL)1039中的至少一者。
在一些非限制性示例中，至少一个半导电层1030可形成包括多个EML 1035的“串联”结构。在一些非限制性示例中，这种串联结构还可包括至少一个电荷产生层(CGL)。
相关领域的普通技术人员将容易理解，可通过省略和/或组合半导体层1031、1033、1035、1037、1039中的至少一个来改变器件1000的结构。
此外，至少一个半导电层1030的层1031、1033、1035、1037、1039中的任一个可包括任何数量的子层。此外，这些层1031、1033、1035、1037、1039和/或其子层中的任一个可包括各种混合物和/或成分梯度。另外，相关领域的普通技术人员将理解，器件1000可包括至少一个包括无机和/或有机金属材料的层，并且可不必限于仅由有机材料构成的器件。在一些非限制性示例中，器件1000可包括至少一个QD。
在一些非限制性示例中，HIL 1031可使用空穴注入材料形成，该空穴注入材料可促进阳极进行的空穴注入。
在一些非限制性示例中，可使用空穴传输材料形成HTL 1033，在一些非限制性示例中，该空穴传输材料可表现出高空穴迁移率。
在一些非限制性示例中，可使用电子传输材料形成ETL 1037，在一些非限制性示例中，该电子传输材料可表现出高电子迁移率。
在一些非限制性示例中，EIL 1039可使用电子注入材料形成，该电子注入材料可促进阴极进行的电子注入。
在一些非限制性示例中，可在一些非限制性示例中通过用至少一种发射体材料掺杂主体材料来形成EML 1035。在一些非限制性示例中，发射体材料可为荧光发射体、磷光发射体、热激活延迟荧光(TADF)发射体和/或它们中的多种任意组合。
在一些非限制性示例中，器件1000可为OLED，其中至少一个半导电层1030包括插置在导电薄膜电极1020、1040之间的至少一个EML 1035，由此，当在它们之间施加电势差时，空穴可通过阳极注入到至少一个半导电层1030中并且电子可通过阴极注入到至少一个半导电层1030中，朝向EML 1035迁移并且组合以发射光子形式的EM辐射。
在一些非限制性示例中，器件1000可为电致发光QD器件，其中至少一个半导电层1030可包括具有至少一个QD的有源层。当电流可以由电源1005提供给第一电极1020和第二电极1040时，光子可从在它们之间包括至少一个半导电层1030的有源层发射。
相关领域的普通技术人员将容易理解，可通过在至少一个半导电层1030堆叠内的适当位置引入至少一个附加层(未示出)来改变器件1000的结构，该附加层包括但不限于空穴阻挡层(HBL)(未示出)、电子阻挡层(EBL)(未示出)、附加电荷传输层(CTL)(未示出)和/或附加电荷注入层(CIL)(未示出)。
在一些非限制性示例中，包括在OLED器件1000包括照明面板的情况下，器件1000的整个侧向朝向可对应于单个发射元件。这样，图10中示出的基本上平面的横截面轮廓可基本上沿着器件1000的整个侧向朝向延伸，使得EM辐射基本上沿着器件1000的整个侧向范围从该器件发射。在一些非限制性示例中，这种单个发射元件可由器件1000的单个驱动电路驱动。
在一些非限制性示例中，包括在OLED器件1000包括显示模块的情况下，器件1000的侧向朝向可被细分成器件1000的多个发射区域1401，其中在发射区域1401中的每个发射区域内，器件结构600的剖面朝向可使得当通电时从其发射EM辐射。
发射区域
在一些非限制性示例中，诸如可在图11中的一些非限制性示例中所示，发射区域1401的有源区域1130可被限定为在横向朝向以第一电极1020和第二电极1040为界，并且在侧向朝向被限定在由第一电极1020和第二电极1040限定的发射区域1401。相关领域的普通技术人员将理解，发射区域1401的侧向朝向1110以及因此有源区域1130的侧向边界可不对应于第一电极1020和第二电极1040中的任一者或两者的整个侧向朝向。相反，发射区域1401的侧向朝向1110可基本上不超过第一电极1020和第二电极1040的侧向范围。在一些非限制性示例中，第一电极1020的一些部分可由PDL 1140覆盖，并且/或者第二电极1040的一些部分可不设置在至少一个半导电层1030上，使得在任一场景或两种场景下，发射区域1401可被侧向地约束。
在一些非限制性示例中，器件1000的各个发射区域1401可以侧向图案布置。在一些非限制性示例中，该图案可沿着第一侧向方向延伸。在一些非限制性示例中，该图案还可沿着第二侧向方向延伸，该第二侧向方向在一些非限制性示例中可基本上垂直于第一侧向方向。在一些非限制性示例中，该图案可具有呈这样的图案的多个元件，每个元件的特征在于其至少一个特征，包括但不限于由其发射区域1401发射的EM辐射的波长，这种发射区域1401的形状，维度(沿着第一和/或第二侧向方向中的任一个或两个)，取向(相对于第一和/或第二侧向方向中的任一个和/或两个)，和/或与图案中的先前元件的间隔(相对于第一和/或第二侧向方向中的任一个或两个)。在一些非限制性示例中，该图案可在第一和/或第二侧向方向中的任一个或两个上重复。
在一些非限制性示例中，器件1000的每个单独的发射区域1401可与器件1000的背板1015内的对应驱动电路相关联并且由该对应驱动电路驱动，该对应驱动电路用于驱动用于相关联的发射区域1401的OLED结构。在一些非限制性示例中，包括但不限于，在发射区域1401可以在第一(行)侧向方向和第二(列)侧向方向两者上延伸的规则图案布局的情况下，在背板1015中可存在对应于在第一侧向方向上延伸的每行发射区域1401的信号线，和对应于在第二侧向方向上延伸的每列发射区域1401的信号线。在这样的非限制性构型中，行选择线上的信号可激励与其电耦接的开关TFT结构1101的相应栅极，并且数据线上的信号可激励与其电耦接的开关TFT结构1101的相应源极，使得行选择线/数据线对上的信号可通过电源1005的正端子电耦接到并且激励与这种对相关联的发射区域1401的OLED结构的阳极，从而导致光子从其发射，其阴极与电源1005的负端子电耦接。
在一些非限制性示例中，器件1000的每个发射区域1401可对应于单个显示器像素2210。在一些非限制性示例中，每个像素2210可发射给定波长光谱的光。在一些非限制性示例中，该波长光谱可对应于(但不限于)可见光谱中的颜色。
在一些非限制性示例中，器件1000的每个发射区域1401可对应于显示器像素2210的(子)像素2210/32x。在一些非限制性示例中，多个(子)像素2210/32x可组合以形成或表示单个显示器像素2210。
在一些非限制性示例中，单个显示器像素2210可由三个(子)像素2210/32x表示。在一些非限制性示例中，三个(子)像素2210/32x可分别表示为R(红色)子像素321、G(绿色)子像素322和/或B(蓝色)子像素323。在一些非限制性示例中，单个显示器像素2210可由四个(子)像素2210/32x表示，其中此类(子)像素2210/32x中的三个(子)像素可表示为R(红色)子像素321、G(绿色)子像素322和B(蓝色)子像素323子像素，并且第四(子)像素2210/32x可表示为W(白色)(子)像素2210/32x。在一些非限制性示例中，由给定(子)像素2210/32x发射的EM辐射的发射光谱可对应于(子)像素2210/32x所表示的颜色。在一些非限制性示例中，EM辐射的波长可不对应于这种颜色，但是可采用对于相关领域的普通技术人员显而易见的方式执行进一步的处理，以将波长转换为这样对应的波长。
由于不同颜色的(子)像素2210/32x的波长可不同，因此此类(子)像素2210/32x的光学特性可不同，特别是如果具有基本上均匀的厚度轮廓的共同电极1020、1040可用于不同颜色的(子)像素2210/32x。
当具有基本上均匀厚度的共同电极1020、1040可被提供作为器件1000中的第二电极1040时，器件1000的光学性能可不容易地根据与每个(子)像素2210/32x相关联的发射光谱来微调。在一些非限制性示例中，在这种OLED器件1000中使用的第二电极1040可为涂覆多个(子)像素2210/32x的共同电极1020、1040。在一些非限制性示例中，这种共同电极1020、1040可为跨器件1000具有基本上均匀厚度的相对薄的导电膜。虽然在一些非限制性示例中已做出努力以通过改变设置在不同(子)像素2210/32x内的有机层的厚度来调节与每个(子)像素2210/32x颜色相关联的光学微腔效应，但在一些非限制性示例中，这种方法可在至少一些情况下提供光学微腔效应的显著程度的调节。另外，在一些非限制性示例中，这种方法可能难以在OLED显示器生产环境中实现。
因此，存在由具有不同折射率的许多薄膜层和涂层产生的光学界面(诸如在一些非限制性示例中可用于构造包括但不限于OLED器件1000的光电子器件)可针对不同颜色的(子)像素2210/32x产生不同的光学微腔效应。
可能影响器件1000中的观察到的微腔效应的一些因素包括但不限于总路径长度(其在一些非限制性示例中可对应于器件1000的总厚度(在纵向朝向)，从该器件发射的EM辐射在被外部耦接之前将行进穿过该总厚度)和各种层和涂层的折射率。
在一些非限制性示例中，调节(子)像素2210/32x的发射区域1401的侧向朝向1110中和跨该侧向朝向的电极1020、1040的厚度可能影响可观察到的微腔效应。在一些非限制性示例中，这种影响可归因于总光路长度的改变。
在一些非限制性示例中，除了总光路长度的改变之外，电极1020、1040的厚度的改变在一些非限制性示例中还可改变穿过其的EM辐射的折射率。在一些非限制性示例中，在电极1020、1040可由至少一个沉积层130形成的情况下尤其如此。
在一些非限制性示例中，可通过调节至少一个光学微腔效应而改变的器件1000的光学性质和/或在一些非限制性示例中跨(子)像素2210/32x的发射区域1401的侧向朝向1110的光学性质可包括但不限于发射光谱、强度(包括但不限于发光强度)和/或所发射EM辐射的角分布，包括但不限于亮度的角度依赖性和/或所发射EM辐射的色移。
在一些非限制性示例中，(子)像素2210/32x可与第一组其他(子)像素2210/32x相关联以表示第一显示器像素2210，而且还与第二组其他(子)像素2210/32x相关联以表示第二显示器像素2210，使得第一显示器像素和第二显示器像素2210可具有与其相关联的相同(子)像素32x。
(子)像素2210/32x的图案化和/或组织成显示器像素2210会继续发展。所有当前和未来的图案和/或组织被认为落入本公开的范围内。
非发射区域
在一些非限制性示例中，器件1000的各个发射区域1401可在至少一个侧向方向上基本上被至少一个非发射区域1402围绕和分隔，其中在(不限于)图10中示出的器件结构1000沿着剖面朝向的结构和/或构型可变化，以基本上抑制EM辐射从其发射。在一些非限制性示例中，非发射区域1402可包括在侧向朝向的基本上没有发射区域1401的那些区域。
因此，如图11的剖视图中所示，可改变至少一个半导电层1030的各层的侧向拓扑来限定由至少一个非发射区域1402(至少在一个侧向方向上)围绕的至少一个发射区域1401。
在一些非限制性示例中，对应于单个显示器(子)像素2210/32x的发射区域1401可被理解为具有侧向朝1110，在至少一个侧向方向上被具有侧向朝向1120的至少一个非发射区域1402围绕。
现在将描述应用于对应于OLED显示器1000的单个显示器(子)像素2210/32x的发射区域1401的器件1000的剖面朝向的具体实施的非限制性示例。虽然此具体实施的特征被示出为特定于发射区域1401，但相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，多于一个的发射区域1401可涵盖共同的特征。
在一些非限制性示例中，第一电极1020可设置在器件1000的暴露层表面11上，在一些非限制性示例中，设置在发射区域1401的侧向朝向1110的至少一部分内。在一些非限制性示例中，至少在(子)像素2210/32x的发射区域1401的侧向朝向1110内，在第一电极1020沉积时，暴露层表面11可包括构成用于对应于单个显示器(子)像素2210/32x的发射区域1401的驱动电路的各种TFT结构1101的TFT绝缘层1109。
在一些非限制性示例中，TFT绝缘层1109可形成有延伸穿过其的开口，以允许第一电极1020与TFT电极1105、1107、1108中的一个电耦接，包括但不限于如图11所示的TFT漏极电极1108。
相关领域的普通技术人员将理解，该驱动电路包括多个TFT结构1101。在图11中，为了简化说明，可仅示出一个TFT结构1101，但相关领域的普通技术人员将理解，这种TFT结构1101可表示构成驱动电路的多个这种TFT结构和/或其至少一个部件。
在剖面朝向，在一些非限制性示例中，每个发射区域1401的构型可通过基本上遍及周围非发射区域1402的侧向朝向1120引入至少一个PDL 740来限定。在一些非限制性示例中，PDL 1140可包括绝缘的有机和/或无机材料。
在一些非限制性示例中，PDL 1140可基本上沉积在TFT绝缘层1109上，尽管如图所示，在一些非限制性示例中，PDL 1140也可在沉积的第一电极1020的至少一部分和/或其外边缘上延伸。
在一些非限制性示例中，如图11所示，PDL 1140的横截面厚度和/或轮廓可通过沿着周围非发射区域1402的侧向朝向1120与周围发射区域1401的侧向朝向(对应于(子)像素2210/32x的边界的厚度增加的区域向每个(子)像素2210/32x的发射区域1401赋予基本上谷形的构型。
在一些非限制性示例中，PDL 1140的轮廓可具有超出这种谷形构型的减小的厚度，包括但不限于远离周围非发射区域1402的侧向朝向1120与周围发射区域1401的侧向朝向1110之间的边界，在一些非限制性示例中，基本上良好地位于这种非发射区域1402的侧向朝向1120内。
虽然PDL 1140通常被示为具有线性倾斜表面以形成限定由其围绕的发射区域1401的谷形构型，但是相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，这种PDL1140的形状、长径比、厚度、宽度和/或构型中的至少一者可变化。在一些非限制性示例中，PDL 1140可形成有更陡或更平缓倾斜的部分。在一些非限制性示例中，这种PDL 1140可被构造成基本上垂直地远离其所沉积的表面延伸，该表面可覆盖第一电极1020的至少一个边缘。在一些非限制性示例中，这种PDL 1140可被构造成通过溶液处理技术(包括但不限于通过印刷，包括但不限于喷墨印刷)在其上沉积至少一个半导电层1030。
在一些非限制性示例中，至少一个半导电层1030可沉积在器件1000的暴露层表面11上，包括(子)像素2210/32x的这种发射区域1401的侧向朝向1110的至少一部分。在一些非限制性示例中，至少在(子)像素2210/32x的发射区域1401的侧向朝向1110内，这种暴露层表面11可在至少一个半导电层1030(和/或其层1031、1033、1035、1037、1039)沉积时包括第一电极1020。
在一些非限制性示例中，至少一个半导电层1030还可延伸超过(子)像素2210/32x的发射区域1401的侧向朝向1110并且至少部分地在周围非发射区域1402的侧向朝向1120内。在一些非限制性示例中，这种周围非发射区域1402的这种暴露层表面11可在至少一个半导电层1030沉积时包括PDL 1140。
在一些非限制性示例中，第二电极1040可设置在器件1000的暴露层表面11上，包括(子)像素2210/32x的发射区域1401的侧向朝向1110的至少一部分。在一些非限制性示例中，至少在(子)像素2210/32x的发射区域1401的侧向朝向内，这种暴露层表面11可在第二电极1040沉积时包括至少一个半导电层1030。
在一些非限制性示例中，第二电极1040还可延伸超过(子)像素2210/32x的发射区域1401的侧向朝向1110并且至少部分地在周围非发射区域1402的侧向朝向1120内。在一些非限制性示例中，这种周围非发射区域1402的这种暴露层表面11可在第二电极1040沉积时包括PDL 1140。
在一些非限制性示例中，第二电极1040可延伸遍及周围非发射区域1402的侧向朝向1120的基本上全部或大部分。
图案化电极的选择性沉积
在一些非限制性示例中，在开口掩模和/或无掩模沉积工艺中通过图案化涂层110的预先选择性沉积实现沉积材料731的选择性沉积的能力可用于实现光电子器件(包括但不限于OLED器件1000)的图案化电极1020、1040、1550和/或其至少一层和/或与其电耦接的导电元件的选择性沉积。
以此方式，使用阴影掩模615选择性地沉积图11中的图案化涂层110，以及沉积材料731的开口掩模和/或无掩模沉积可组合以实现至少一个沉积层130的选择性沉积，从而形成图10中所示的器件1000中的器件特征，包括但不限于图案化电极1020、1040、1550和/或其至少一层，和/或与其电耦接的导电元件，而在用于形成沉积层130的沉积工艺中不采用阴影掩模615。在一些非限制性示例中，这种图案化可允许和/或增强器件1000的透射率。
现将描述此类图案化电极1020、1040、1550和/或其至少一层和/或与其电耦接的导电元件的若干非限制性示例，以赋予此类器件1000各种结构和/或性能能力。
作为前述内容的结果，可能存在这样的目标：跨(子)像素2210/32x的发射区域1401的侧向朝向1110和/或围绕发射区域1401的非发射区域1402的侧向朝向1120，在器件1000的前面板1010的暴露层表面11上以一定图案选择性地沉积器件特征，包括但不限于第一电极1020、第二电极1040、辅助电极1550和/或与其电耦接的导电元件中的至少一者。在一些非限制性示例中，第一电极1020、第二电极1040和/或辅助电极1550可沉积在多个沉积层130中的至少一个沉积层中。
图12可以平面图示出示例性图案化电极1200，在该图中，第二电极1040适用于器件1000的示例性型式1300(图13)。电极1200可以包括单个连续结构的图案1210形成，在其中具有或限定图案化的多个孔1220，其中孔1220可对应于器件1300的没有阴极的区域。
在该图中，在一些非限制性示例中，图案1210可跨器件1300的整个侧向范围设置，而不区分对应于(子)像素2210/32x的发射区域1401的侧向朝向1110和围绕这种发射区域1401的非发射区域1402的侧向朝向1120。因此，所示的示例可对应于相对于入射在其外表面上的EM辐射可为基本上透射的器件1300，使得除了如本文所公开的在器件1300内内部地产生的EM辐射的发射(在顶部发射、底部发射和/或双面发射中)之外，这种外部入射的EM辐射的大部分可透射穿过器件1300。
器件1300的透射率可通过更改所采用的图案1210来调整和/或修改，包括但不限于孔1220的平均尺寸，和/或孔1220的间距和/或密度。
现在转到图13，该图可示出沿着图12中的线13-13截取的器件1300的剖视图。在该图中，器件1300被示为包括基板10、第一电极1020和至少一个半导电层1030。
图案化涂层110可以基本上对应于图案1210的图案选择性地设置在下面层的暴露层表面11上。
可使用开口掩模和/或无掩模沉积工艺将适于形成图案化电极1200(在该图中为第二电极1040)的沉积层130设置在下面层的基本上全部暴露层表面11上。下面层可包括以图案1210设置的图案化涂层110的区域，和呈图案1210的其中未沉积图案化涂层110的至少一个半导电层1030的区域。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的区域可基本上对应于包括图案1210中所示的孔820的第一部分101。
由于图案1210的设置有图案化涂层110的那些区域(对应于孔1220)的成核抑制性质，设置在这些区域上的沉积材料731可倾向于不保留，导致沉积层130的选择性沉积呈现一定图案，该图案可基本上对应于图案1210的剩余部分，留下图案1210的第一部分101的对应于孔1220的区域，这些区域基本上没有沉积层130的封闭涂层140。
换句话说，将形成阴极的沉积层130可选择性地基本上仅沉积在第二部分102上，该第二部分包括至少一个半导电层1030的围绕但不占据图案1210中的孔1220的那些区域。
图14A可以平面图示出示意图，该示意图示出电极1020、1040、1550的多个图案1410、1420。
在一些非限制性示例中，第一图案1410可包括在第一侧向方向上延伸的多个细长的间隔开的区域。在一些非限制性示例中，第一图案1410可包括多个第一电极1020。在一些非限制性示例中，组成第一图案1410的多个区域可电耦接。
在一些非限制性示例中，第二图案1420可包括在第二侧向方向上延伸的多个细长的间隔开的区域。在一些非限制性示例中，第二侧向方向可基本上垂直于第一侧向方向。在一些非限制性示例中，第二图案1420可包括多个第二电极1040。在一些非限制性示例中，组成第二图案1420的多个区域可电耦接。
在一些非限制性示例中，第一图案1410和第二图案1420可形成器件1000的示例性型式(总体上以1400示出)的一部分。
在一些非限制性示例中，对应于(子)像素2210/32x的发射区域1401的侧向朝向710可在第一图案1410与第二图案1420重叠的地方形成。在一些非限制性示例中，非发射区域1402的侧向朝向720可对应于侧向朝向710之外的任何侧向朝向。
在一些非限制性示例中，电源1005的第一端子(在一些非限制性示例中可为正端子)可与第一图案1410的至少一个电极1020、1040、1550电耦接。在一些非限制性示例中，第一端子可通过至少一个驱动电路与第一图案1410的至少一个电极1020、1040、1550耦接。在一些非限制性示例中，电源1005的第二端子(在一些非限制性示例中可为负端子)可与第二图案1420的至少一个电极1020、1040、1550电耦接。在一些非限制性示例中，第二端子可通过至少一个驱动电路与第二图案1420的至少一个电极1020、1040、1550耦接。
现在转到图14B，示出了沿着图14A中的线14B-14B截取的处于沉积阶段1400b的器件1400的剖视图。在图中，处于阶段1400b的器件1400可被示为包括基板10。
图案化涂层110可以基本上对应于第一图案1410的反转图案的图案选择性地设置在下面层的暴露层表面11上，如该图所示，该暴露层表面可为基板10。
可使用开口掩模和/或无掩模沉积工艺将适于形成电极1020、1040、1550(在该图中为第一电极1020)的第一图案1410的沉积层130设置在下面层的基本上全部暴露层表面11上。下面层可包括以第一图案1410的反转图案设置的图案化涂层110的区域，和以第一图案1410设置的未沉积图案化涂层110的基板10的区域。在一些非限制性示例中，基板10的区域可基本上对应于第一图案1410的细长间隔开的区域，而图案化涂层110的区域可基本上对应于其间包括间隙的第一部分101。
由于第一图案1410的设置有图案化涂层110的那些区域(对应于其间的间隙)的成核抑制性质，设置在这些区域上的沉积材料731可倾向于不保留，导致沉积层130的选择性沉积呈现一定图案，该图案可基本上对应于第一图案1410的细长间隔开的区域，留下包括其间的间隙的第一部分101，该第一部分基本上没有沉积层130的封闭涂层140。
换句话说，可形成电极1020、1040、1550的第一图案1410的沉积层130可选择性地基本上仅沉积在第二部分102上，该第二部分包括基板10的限定第一图案1410的细长间隔开的区域的那些区域。
现在转到图14C，该图示出了沿着图14A中的线14C-14C截取的器件1400的剖视图1400c。在该图中，器件1400可被示为包括：基板10；如图14B所示沉积的电极1020的第一图案1410；和至少一个半导电层1030。
在一些非限制性示例中，至少一个半导电层1030可作为跨器件1400的基本上所有侧向朝向的共同层而提供。
图案化涂层110可以基本上对应于第二图案1420的图案选择性地设置在下面层的暴露层表面11上，如该图所示，该暴露层表面是至少一个半导电层1030。
可使用开口掩模和/或无掩模沉积工艺将适于形成电极1020、1040、1550(在该图中为第二电极1040)的第二图案1420的沉积层130设置在下面层的基本上全部暴露层表面11上。下面层可包括以第二图案1420的反转图案设置的图案化涂层110的区域，和呈第二图案1420的其中未沉积图案化涂层110的至少一个半导电层1030的区域。在一些非限制性示例中，至少一个半导电层1030的区域可基本上对应于包括第二图案1420的细长间隔开的区域的第一部分101，而图案化涂层110的区域可基本上对应于其间的间隙。
由于第二图案1420的设置有图案化涂层110的那些区域(对应于其间的间隙)的成核抑制性质，设置在这些区域上的沉积层130可倾向于不保留，导致沉积层130的选择性沉积呈现一定图案，该图案可基本上对应于第二图案1420的细长间隔开的区域，留下包括其间的间隙的第一部分101，该第一部分基本上没有沉积层130的封闭涂层140。
换句话说，可形成电极1020、1040、1550的第二图案1420的沉积层130可选择性地基本上仅沉积在第二部分102上，该第二部分包括至少一个半导电层1030的限定第二图案1420的细长间隔开的区域的那些区域。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的平均层厚度和之后沉积的用于形成电极1020、1550的第一图案1410和/或第二图案1420中的任一者或两者的沉积层130的平均层厚度可根据多种参数(包括但不限于给定应用和给定性能特性)而变化。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的平均层厚度可与之后沉积的沉积层130的平均层厚度相当，以及/或者显著小于后者。使用相对薄的图案化涂层110来实现对之后沉积的沉积层130的选择性图案化可适于提供柔性器件1000。在一些非限制性示例中，相对薄的图案化涂层110可提供相对平坦的表面，在该表面上可沉积阻隔涂层1450。在一些非限制性示例中，提供这种相对平坦的表面来用于涂覆阻隔涂层1450可增加阻隔涂层1450对这种表面的粘附性。
电极1020、1040、1550的第一图案1410中的至少一个和电极1020、1040、1550的第二图案1420中的至少一个可直接地和/或在一些非限制性示例中通过它们各自的驱动电路与电源1005电耦接，以控制来自对应于(子)像素2210/32x的发射区域1401的侧向朝向1110的EM辐射发射。
辅助电极
相关领域的普通技术人员将理解，在图14A-14C中示出的以第二图案1420形成第二电极1040的过程在一些非限制性示例中可以类似方式用于形成器件1000的辅助电极1550。在一些非限制性示例中，其第二电极1040可包括共同电极，并且辅助电极1550可以第二图案1420(在一些非限制性示例中)沉积在第二电极1040上方，或(在一些非限制性示例中)沉积在该第二电极下方并且与其电耦接。在一些非限制性示例中，用于这种辅助电极1550的第二图案1420可使得第二图案1420的细长间隔开的区域基本上位于围绕对应于(子)像素2210/32x的发射区域1401的侧向朝向1110的非发射区域1402的侧向朝向1120内。在一些非限制性示例中，用于这种辅助电极1550的第二图案1420可使得第二图案1420的细长间隔开的区域基本上位于对应于(子)像素2210/32x的发射区域1401的侧向朝向710内，和/或围绕它们的非发射区域1402的侧向朝向720内。
图15可示出器件1000的示例性型式1500的示例性剖视图，该示例性型式基本上与此类似，但是还可包括以一定图案设置在第二电极1040上方并且与该第二电极电耦接(未示出)的至少一个辅助电极1550。
辅助电极1550可为导电的。在一些非限制性示例中，辅助电极1550可由至少一种金属和/或金属氧化物形成。此类金属的非限制性示例包括Cu、Al、钼(Mo)或Ag。在一些非限制性示例中，辅助电极1550可包括多层金属结构，包括但不限于由Mo/Al/Mo形成的多层金属结构。此类金属氧化物的非限制性示例包括ITO、ZnO、IZO、或含In和Zn的其他氧化物。在一些非限制性示例中，辅助电极1550可包括由至少一种金属和至少一种金属氧化物的组合形成的多层结构，该组合包括但不限于Ag/ITO、Mo/ITO、ITO/Ag/ITO或ITO/Mo/ITO。在一些非限制性示例中，辅助电极1550包括多种此类导电材料。
器件1500被示为包括基板10、第一电极1020和至少一个半导电层1030。
第二电极1040可设置在至少一个半导电层1030的基本上全部暴露层表面11上。
在一些非限制性示例中，特别是在顶部发射器件1500中，可通过沉积相对薄的导电膜层(未示出)来形成第二电极1040，以便(在一些非限制性示例中)减少与第二电极1040的存在相关的光学干扰(包括但不限于衰减、反射和/或漫射)。在一些非限制性示例中，如别处所述，第二电极1040的减小的厚度通常可增大第二电极1040的薄层电阻，这在一些非限制性示例中可降低器件1500的性能和/或效率。在一些非限制性示例中，通过提供可与第二电极1040电耦接的辅助电极1550，薄层电阻以及因此与第二电极1040相关联的IR下降可减小。
在一些非限制性示例中，器件1500可为底部发射和/或双面发射器件1500。在此类示例中，第二电极1040可形成为相对厚的导电层，而不会显著影响这种器件1500的光学特性。然而，即使在这种场景下，在一些非限制性示例中，第二电极1040仍然可形成为相对薄的导电膜层(未示出)，使得器件1500可相对于入射在其外表面上的EM辐射基本上是透射的，这样除了如本文所公开的在器件1500内内部地产生的EM辐射的发射之外，这种外部入射的EM辐射的大部分可透射穿过器件1500。
图案化涂层110可以一定图案选择性地设置在下面层的暴露层表面11上，如该图所示，该暴露层表面可为第二电极1040。在一些非限制性示例中，如图所示，图案化涂层110可作为一系列平行的行1520设置在该图案的第一部分101中，该一系列平行的行可对应于非发射区域1402的侧向朝向1120。
可使用开口掩模和/或无掩模沉积工艺将适于形成图案化辅助电极1550的沉积层130设置在下面层的基本上全部暴露层表面11上。下面层可包括以行1520的图案设置的图案化涂层110的区域，和其中未沉积图案化涂层110的第二电极1040的区域。
由于设置有图案化涂层110的这些行1520的成核抑制性质，设置在这些行1520上的沉积材料731可倾向于不保留，导致沉积层130的选择性沉积呈现一定图案，该图案可基本上对应于图案的至少一个第二部分102，留下包括行1520的第一部分101，该第一部分基本上没有沉积层130的封闭涂层140。
换句话说，可形成辅助电极1550的沉积层130可选择性地基本上仅沉积在第二部分102上，该第二部分包括至少一个半导电层1030的围绕但不占据行1520的那些区域。
在一些非限制性示例中，选择性沉积辅助电极1550以覆盖器件1500的侧向朝向的仅某些行1520而它的其他区域保持未被覆盖可控制和/或减少与辅助电极1550的存在相关的光学干扰。
在一些非限制性示例中，辅助电极1550可以从典型观察距离不容易被肉眼检测到的图案来选择性地沉积。
在一些非限制性示例中，辅助电极1550可形成于除OLED器件以外的器件，包括用于减小此类器件的电极的有效电阻。
通过采用图案化涂层110来在高温沉积层130高温沉积层沉积过程(包括但不限于图6所描绘的过程)期间图案化电极1020、1040、1550(包括但不限于第二电极1040和/或辅助电极1550)而不采用阴影掩模615的能力可允许部署辅助电极1550的许多构型。
在一些非限制性示例中，辅助电极1550可设置在相邻发射区域1401之间并且与第二电极1040电耦接。在非限制性示例中，辅助电极1550的宽度可小于相邻发射区域1401之间的间隔距离。因此，在辅助电极1550的每一侧上的至少一个非发射区域1402内可存在间隙。在一些非限制性示例中，这种布置可减小辅助电极1550将干扰器件1500的光输出的可能性，在一些非限制性示例中，该光输出来自发射区域1401中的至少一个。在一些非限制性示例中，这种布置在辅助电极1550相对厚(在一些非限制性示例中，大于几百nm，和/或大约几微米厚)的情况下可能是适当的。在一些非限制性示例中，辅助电极1550的长径比可超过约0.05，诸如至少约0.1、0.2、0.5、0.8、1和2中的一者。在一些非限制性示例中，辅助电极1550的高度(厚度)可超过约50nm，诸如至少约80nm、100nm、200nm、500nm、700nm、1,000nm、1,500nm、1,700nm和2,000nm中的一者。
图16可在平面图中示出示意图，该示意图示出形成为网格的辅助电极1550的图案1650的示例，该网格可覆盖在发射区域1401(可对应于器件1000的示例性型式1600的(子)像素2210/32x)的侧向朝向1110和围绕发射区域1401的非发射区域1402的侧向朝向1120两者上。
在一些非限制性示例中，辅助电极图案1650可基本上仅在非发射区域1401的侧向朝向1120的一些但不是全部上延伸，从而不会基本上覆盖发射区域1402的所有侧向朝向1110。
相关领域的普通技术人员将理解，虽然在该图中，辅助电极1550的图案1650可被示为形成为连续结构，使得其所有元件既彼此物理连接并且电耦接，又与至少一个电极1020、1040、1550(在一些非限制性示例中，可为第一电极1020和/或第二电极1040)电耦接，但是在一些非限制性示例中，辅助电极1550的图案1650可被提供为辅助电极1550的图案1650的多个离散元件，这些离散元件在保持彼此电耦接的同时可彼此不物理连接。即使如此，辅助电极1550的图案1650的此类离散元件仍可基本上降低与其电耦接的至少一个电极1020、1040、1550的薄层电阻，并且因此降低器件1600的薄层电阻，以提高器件1600的效率而基本上不干扰其光学特性。
在一些非限制性示例中，辅助电极1550可用于具有多种(子)像素2210/32x布置的器件1600中。在一些非限制性示例中，(子)像素2210/32x布置可为基本上菱形。
在一些非限制性示例中，图17A可以平面图示出在器件1000的示例性型式1700中的发射区域1401的多个组321-323，每个组对应于(子)像素2210/32x，由包括菱形构型的PDL 1140的多个非发射区域1402的侧向朝向围绕。在一些非限制性示例中，该构型可由呈第一和第二行的交替图案的发射区域1401和PDL 1140的图案321-323来限定。
在一些非限制性示例中，包括PDL 1140的非发射区域1402的侧向朝向1120可为基本上椭圆形。在一些非限制性示例中，第一行中的非发射区域1402的侧向朝向1120的长轴可与第二行中的非发射区域1402的侧向朝向1120的长轴对准并且基本上垂直。在一些非限制性示例中，第一行中的非发射区域1402的侧向朝向1120的长轴可基本上平行于第一行的轴。
在一些非限制性示例中，发射区域1401的第一组321可对应于发射第一波长的EM辐射的(子)像素2210/32x，在一些非限制性示例中，第一组321的(子)像素2210/32x可对应于R(红色)子像素321。在一些非限制性示例中，第一组321的发射区域1401的侧向朝向1110可具有基本上菱形的构型。在一些非限制性示例中，第一组321的发射区域1401可位于第一行的图案中，之前和之后是PDL 1140。在一些非限制性示例中，第一组321的发射区域1401的侧向朝向1110可与同一行中的在前和在后的包括PDL 1140的非发射区域1402的侧向朝向1120以及第二行的在前和在后图案中的包括PDL 1140的相邻非发射区域1402的侧向朝向1120略微重叠。
在一些非限制性示例中，发射区域1401的第二组322可对应于发射第二波长的EM辐射的(子)像素2210/32x，在一些非限制性示例中，第二组322的(子)像素2210/32x可对应于G(绿色)子像素322。在一些非限制性示例中，第二组321的发射区域1401的侧向朝向1110可具有基本上椭圆形的构型。在一些非限制性示例中，第二组321的发射区域1401可位于第二行的图案中，之前和之后是PDL 1140。在一些非限制性示例中，第二组321的发射区域1401的一些侧向朝向1110的长轴可相对于第二行的轴成第一角度，在一些非限制性示例中，该第一角度可为45°。在一些非限制性示例中，第二组321的发射区域1401的其他侧向朝向1110的长轴可处于第二角度，该第二角度在一些非限制性示例中可基本上垂直于第一角度。在一些非限制性示例中，其侧向朝向1110可具有处于第一角度的长轴的第二组322的发射区域1401可与其侧向朝向1110可具有处于第二角度的长轴的第二组322的发射区域1401交替。
在一些非限制性示例中，发射区域1401的第三组323可对应于发射第三波长的EM辐射的(子)像素2210/32x，在一些非限制性示例中，第三组323的(子)像素2210/32x可对应于B(蓝色)子像素323。在一些非限制性示例中，第三组323的发射区域1401的侧向朝向1110可具有基本上菱形的构型。在一些非限制性示例中，第三组323的发射区域1401可位于第一行的图案中，之前和之后是PDL 1140。在一些非限制性示例中，第三组323的发射区域1401的侧向朝向1110可与同一行中的在前和在后的包括PDL 1140的非发射区域1402的侧向朝向1120以及第二行的在前和在后图案中的包括PDL 1140的相邻非发射区域1402的侧向朝向1120略微重叠。在一些非限制性示例中，第二行的图案可包括第一组321的发射区域1401与第三组323的发射区域1401交替，每个发射区域之前和之后是PDL 1140。
现在转到图17B，该图可示出沿着图17A中的线17B-17B截取的器件1700的示例性剖视图。在该图中，器件1700可被示为包括基板10和在其暴露层表面11上形成的第一电极1020的多个元件。基板10可包括底部基板1012(为了简化说明而未示出)和/或至少一个TFT结构1101(为了简化说明而未示出)，该至少一个TFT结构对应于并且用于驱动每个(子)像素2210/32x。PDL 1140可形成在第一电极1020的元件之间的基板10上，以在第一电极1020的每个元件上限定由包括PDL 1140的非发射区域1402分隔的发射区域1401。在该图中，发射区域1401可全部对应于第二组322。
在一些非限制性示例中，至少一个半导电层1030可沉积在第一电极1020的每个元件上，位于周围PDL 1140之间。
在一些非限制性示例中，第二电极1040(其在一些非限制性示例中可为共同阴极)可沉积在第二组322的发射区域1401上以形成其G(绿色)子像素322，并且沉积在周围PDL1140上。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可跨第二组322G(绿色)子像素322的发射区域1401的侧向朝向1110选择性地沉积在第二电极1040上，以允许沉积层130在第二电极1040的可基本上没有图案化涂层110的部分上(即跨包括PDL 1140的非发射区域1402的侧向朝向1120)的选择性沉积。在一些非限制性示例中，沉积层130可倾向于沿着PDL 1140的基本上平坦的部分积聚，因为沉积层130可倾向于不保留在PDL 1140的倾斜部分上，而是可倾向于下降至此类倾斜部分的底部，此类倾斜部分可涂覆有图案化涂层110。在一些非限制性示例中，PDL 1140的基本上平坦的部分上的沉积层130可形成至少一个辅助电极1550，该辅助电极可与第二电极1040电耦接。
在一些非限制性示例中，器件1700可包括CPL和/或外部耦接层。在一些非限制性示例中，这种CPL和/或外部耦接层可直接设置在第二电极1040的表面上和/或图案化涂层110的表面上。在一些非限制性示例中，这种CPL和/或外部耦接层可跨对应于(子)像素2210/32x的至少一个发射区域1401的侧向朝向提供。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110还可充当折射率匹配涂层。在一些非限制性示例中，图案化涂层110还可充当外部耦接层。
在一些非限制性示例中，器件1700可包括封装层1450。这种封装层1450的非限制性示例包括被提供来封装器件1700的玻璃盖、阻隔膜、阻隔粘合剂、阻隔涂层1450和/或TFE层(诸如图中虚线轮廓所示)。在一些非限制性示例中，TFE层1450可被认为是一种类型的阻隔涂层1450。
在一些非限制性示例中，封装层1450可布置在第二电极1040和/或图案化涂层110中的至少一者上。在一些非限制性示例中，器件1700可包括附加的光学和/或结构层、涂层和部件，包括但不限于偏振器、滤色器、抗反射涂层、防眩光涂层、覆盖玻璃和/或光学透明粘合剂(OCA)。
现在转到图17C，该图示出了沿着图17A中的线17C-17C截取的器件1700的示例性剖视图。在该图中，器件1700可被示为包括基板10和在其暴露层表面11上形成的第一电极1020的多个元件。PDL 1140可形成在第一电极1020的元件之间的基板10上，以在第一电极1020的每个元件上限定由包括PDL 1140的非发射区域1402分隔的发射区域1401。在该图中，发射区域1401可以交替方式对应于第一组321和第三组323。
在一些非限制性示例中，至少一个半导电层1030可沉积在第一电极1020的每个元件上，位于周围PDL 1140之间。
在一些非限制性示例中，第二电极1040(其在一些非限制性示例中可以是共同阴极)可沉积在第一组321的发射区域1401上以形成其R(红色)子像素321，沉积在第三组323的发射区域1401上以形成其B(蓝色)子像素323，以及沉积在周围PDL 1140上。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可跨第一组321R(红色)子像素321的和/或第三组323B(蓝色)子像素323的发射区域1401的侧向朝向1110选择性地沉积在第二电极1040上，以允许沉积层130在第二电极1040的可基本上没有图案化涂层110的部分上(即跨包括PDL 1140的非发射区域1402的侧向朝向1120)的选择性沉积。在一些非限制性示例中，沉积层130可倾向于沿着PDL 1140的基本上平坦的部分积聚，因为沉积层130可倾向于不保留在PDL 1140的倾斜部分上，而是可倾向于下降至此类倾斜部分的底部，此类倾斜部分涂覆有图案化涂层110。在一些非限制性示例中，PDL 1140的基本上平坦的部分上的沉积层130可形成至少一个辅助电极1550，该辅助电极可与第二电极1040电耦接。
现在转到图18，该图可示出器件1000的示例性型式1800，该示例性型式可涵盖图11中的剖视图中所示的器件，但具有本文所述的附加的沉积步骤。
器件1800可示出在器件1800的第一部分101内而不在器件1800的第二部分102内选择性地沉积在下面层(在该图中为第二电极1040)的暴露层表面11上的图案化涂层110，该第一部分基本上对应于与(子)像素2210/32x对应的发射区域1401的侧向朝向1110，该第二部分基本上对应于围绕第一部分101的非发射区域1402的侧向朝向720。
在一些非限制性示例中，可使用阴影掩模615来选择性地沉积图案化涂层110。
图案化涂层110可在第一部分101内提供暴露层表面11，该暴露层表面具有相对低的对于沉积材料731的沉积的初始黏着概率，该沉积材料随后沉积为沉积层130以形成辅助电极1550。
在图案化涂层110的选择性沉积之后，沉积材料731可沉积在器件1800上，但可基本上仅保留在第二部分102(其可基本上没有任何图案化涂层110)内，以形成辅助电极1550。
在一些非限制性示例中，可使用开口掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积沉积材料731。
辅助电极1550可与第二电极1040电耦接，以减小第二电极1040的薄层电阻，包括(如图所示)通过跨第二部分位于第二电极1040上方并且与该第二电极物理接触，该第二部分可基本上没有任何图案化涂层110。
在一些非限制性示例中，沉积层130可包括与第二电极1040基本上相同的材料，以确保对于沉积材料731在第二部分102中的沉积的高初始黏着概率。
在一些非限制性示例中，第二电极1040可包括基本上纯的Mg，和/或Mg与另一种金属(包括但不限于Ag)的合金。在一些非限制性示例中，Mg:Ag合金组合物可在按体积计约1:9-9:1的范围内。在一些非限制性示例中，第二电极1040可包括金属氧化物(包括但不限于三元金属氧化物，诸如但不限于ITO和/或IZO)，和/或金属和/或金属氧化物的组合。
在一些非限制性示例中，用于形成辅助电极1550的沉积层130可包括基本上纯的Mg。
现在转到图19，该图可示出器件1000的示例性型式1900，该示例性型式可涵盖图11中的剖视图中所示的器件，但具有本文所述的附加的沉积步骤。
器件1900可示出在器件1900的第一部分101内而不在第二部分102内选择性地沉积在下面层(在该图中为第二电极1040)的暴露层表面11上的图案化涂层110，该第一部分基本上对应于与(子)像素2210/32x对应的发射区域1401的侧向朝向1110的一部分。在该图中，第一部分101可沿着限定发射区域1401的PDL 1140的倾斜部分的范围部分地延伸。
在一些非限制性示例中，可使用阴影掩模615来选择性地沉积图案化涂层110。
图案化涂层110可在第一部分101内提供暴露层表面11，该暴露层表面具有相对低的对于沉积材料731的沉积的初始黏着概率，该沉积材料随后沉积为沉积层130以形成辅助电极1550。
在图案化涂层110的选择性沉积之后，沉积材料731可沉积在器件1900上，但可基本上仅保留在第二部分102(其可基本上没有图案化涂层110)内，以形成辅助电极1550。因此，在器件1900中，辅助电极1550可部分地延伸跨过限定发射区域1401的PDL 1140的倾斜部分。
在一些非限制性示例中，可使用开口掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积沉积层130。
辅助电极1550可与第二电极1040电耦接，以减小第二电极1040的薄层电阻，包括(如图所示)通过跨第二部分102位于第二电极1040上方并且与该第二电极物理接触，该第二部分可基本上没有图案化涂层110。
在一些非限制性示例中，可构成第二电极1040的材料可不具有对于沉积材料731的沉积的高初始黏着概率。
图20可示出这种场景，该图可示出器件1000的示例性型式2000，该示例性型式可涵盖图11中的剖视图中所示的器件，但具有本文所述的附加的沉积步骤。
器件2000可示出沉积在下面材料(图中为第二电极1040)的暴露层表面11上的NPC920。
在一些非限制性示例中，可使用开口掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积NPC 920。
然后，图案化涂层110可在器件2000的第一部分101内而不在器件2000的第二部分102内选择性地沉积在下面材料(在该图中为NPC 920)的暴露层表面11上，该第一部分基本上对应于与(子)像素2210/32x对应的发射区域1401的侧向朝向1110的部分，该第二部分基本上对应于围绕第一部分101的非发射区域1402的侧向朝向1120。
在一些非限制性示例中，可使用阴影掩模615来选择性地沉积图案化涂层110。
图案化涂层110可在第一部分101内提供暴露层表面11，该暴露层表面具有相对低的对于沉积材料731的沉积的初始黏着概率，该沉积材料随后沉积为沉积层130以形成辅助电极1550。
在图案化涂层110的选择性沉积之后，沉积材料731可沉积在器件2000上，但可基本上仅保留在第二部分102(其可基本上没有图案化涂层110)内，以形成辅助电极1550。
在一些非限制性示例中，可使用开口掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积沉积层130。
辅助电极1550可与第二电极1040电耦接以减小其薄层电阻。虽然，如图所示，辅助电极1550可不位于第二电极1040上方并且不与该第二电极物理接触，但是相关领域的普通技术人员将理解，辅助电极1550可通过若干众所周知的机制与第二电极1040电耦接。在一些非限制性示例中，图案化涂层110的相对薄的膜(在一些非限制性示例中，最厚约50nm)的存在仍可允许电流穿过其，因此允许第二电极1040的薄层电阻减小。
现在转到图21，该图可示出器件1000的示例性型式2100，该示例性型式可涵盖图11中的剖视图中所示的器件，但具有本文所述的附加的沉积步骤。
器件2100可示出沉积在下面材料(图中为第二电极1040)的暴露层表面11上的图案化涂层110。
在一些非限制性示例中，可使用开口掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积图案化涂层110。
图案化涂层110可提供暴露层表面11，该暴露层表面具有相对低的对于沉积材料731的沉积的初始黏着概率，该沉积材料随后沉积为沉积层130以形成辅助电极1550。
在沉积图案化涂层110之后，可将NPC 920选择性地沉积在下面层(在该图中为图案化涂层110)的暴露层表面11(基本上对应于非发射区域1401的侧向朝向1120的一部分)和器件1700的周围第二部分102(基本上对应于与(子)像素2210/32x对应的发射区域1402的侧向朝向1110)上。
在一些非限制性示例中，可使用阴影掩模615来选择性地沉积NPC 920。
NPC 920可在第一部分101内提供暴露层表面11，该暴露层表面具有相对高的对于沉积材料731的沉积的初始黏着概率，该沉积材料随后沉积为沉积层130以形成辅助电极1550。
在NPC 920的选择性沉积之后，沉积材料731可沉积在器件2100上，但可基本上保留在图案化涂层110的已被NPC 920覆盖的地方，以形成辅助电极1550。
在一些非限制性示例中，可使用开口掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积沉积层130。
辅助电极1550可与第二电极1040电耦接以减小第二电极1040的薄层电阻。
透明OLED
因为OLED器件1000可通过第一电极1020(在底部发射和/或双面发射器件的情况下)以及基板10和/或第二电极1040(在顶部发射和/或双面发射器件的情况下)中的任一者或两者发射EM辐射，所以可能存在这样的目标：在一些非限制性示例中，使第一电极1020和/或第二电极1040中的任一者或两者至少跨器件1000的发射区域1401的侧向朝向的大部分为基本上EM辐射(或光)透过(“透射”)的。在本公开中，这种透射元件(包括但不限于电极1020、1040)、可形成这种元件的材料和/或其性质可包括在至少一个波长范围内(在一些非限制性示例中)基本上透射(“透明”)和/或(在一些非限制性示例中)部分透射(“半透明”)的元件、材料和/或其性质。
可采用多种机制来赋予器件1000透射性质，至少跨其发射区域1401的侧向朝向的大部分。
在一些非限制性示例中，包括但不限于，在器件1000是底部发射器件和/或双面发射器件的情况下，与(子)像素2210/32x的发射区域1401相关联的驱动电路的TFT结构1101(其可至少部分地减小周围基板10的透射率)可位于周围非发射区域1401的侧向朝向1120内，以避免影响发射区域1402的侧向朝向1110内的基板10的透射性质。
在一些非限制性示例中，在器件1000是双面发射器件的情况下，对于(子)像素2210/32x的发射区域1401的侧向朝向1110，电极1020、1040中的第一个可(包括但不限于)通过本文所公开的机制中的至少一个被制成基本上透射的，对于邻居和/或相邻(子)像素2210/32x的侧向朝向1110，电极1020、1040中的第二个可(包括但不限于)通过本文所公开的机制中的至少一个被制成基本上透射的。因此，(子)像素2210/32x的第一发射区域1401的侧向朝向1110可被制成基本上顶部发射，而邻居(子)像素2210/32x的第二发射区域1401的侧向朝向1110可被制成基本上底部发射，使得(子)像素2210/32x的子集可为基本上顶部发射并且(子)像素2210/32x的子集可为基本上底部发射，它们采用交替的(子)像素2210/32x序列，而每个(子)像素2210/32x的仅单个电极1020、1040可被制成基本上透射。
在一些非限制性示例中，使电极1020、1040(在底部发射器件和/或双面发射器件的情况下，选第一电极1020，和/或在顶部发射器件和/或双面发射器件的情况下，选第二电极1040)透射的机制可形成透射薄膜的此类电极1020、1040。
在一些非限制性示例中，薄膜形式的导电沉积层130(包括但不限于通过沉积金属(包括但不限于Ag、Al)的薄导电膜层和/或通过沉积金属合金(包括但不限于Mg:Ag合金和/或Yb:Ag合金)的薄层而形成的那些)可表现出透射特性。在一些非限制性示例中，该合金可包括按体积计在约1:9-9:1之间的范围内的组合物。在一些非限制性示例中，电极1020、1040可由沉积层130的任何组合的多个薄导电膜层形成，其中的任何至少一个可由TCO、薄金属膜、薄金属合金膜和/或它们中的任一者的任何组合组成。
在一些非限制性示例中，特别是在这种薄导电膜的情况下，相对薄的层厚度可为最厚基本上几十nm，以有助于增强的透射质量但仍具有有利的光学性质(包括但不限于减少的微腔效应)以便在OLED器件1000中使用。
在一些非限制性示例中，减小电极1020、1040的厚度以促进透射质量可伴随电极1020、1040的薄层电阻增大。
在一些非限制性示例中，包括具有高薄层电阻的至少一个电极1020、1040的器件1000可在操作中在与电源1005耦接时产生大的电流电阻(IR)下降。在一些非限制性示例中，可通过增大电源1005的电平来在某种程度上补偿这种IR下降。然而，在一些非限制性示例中，对于至少一个(子)像素2210/32x，增大电源1005的电平来补偿由于高薄层电阻引起的IR下降可能需要增大供应到其他部件的电压的电平以保持器件1000的有效操作。
在一些非限制性示例中，为了降低器件1000的电源需求而不显著影响使电极1020、1040基本上透射的能力(通过采用TCO、薄金属膜和/或薄金属合金膜的任何组合的至少一个薄膜层)，可在器件1000上形成辅助电极1550来允许电流被更有效地运送到器件1000的各个发射区域1401，同时减小透射电极1020、1040的薄层电阻及其相关的IR下降。
在一些非限制性示例中，显示器件1000的共同电极1020、1040的薄层电阻规格可根据若干参数而变化，包括但不限于器件1000的(面板)尺寸和/或跨器件1000的电压变化的容限。在一些非限制性示例中，薄层电阻规格可随着面板尺寸增大而增大(即，规定较低的薄层电阻)。在一些非限制性示例中，薄层电阻规格可随着电压变化的容限减小而增大。
在一些非限制性示例中，薄层电阻规格可用于导出辅助电极1550的示例性厚度以符合针对各种面板尺寸的这种规格。
在一些非限制性示例中，对于顶部发射器件，第二电极1040可被制成透射的。另一方面，在一些非限制性示例中，这种辅助电极1550可不是基本上透射的，但可与第二电极1040电耦接(包括但不限于通过在其间沉积导电沉积层130)以减小第二电极1040的有效薄层电阻。
在一些非限制性示例中，这种辅助电极1550可在侧向朝向和/或剖面朝向中的任一者或两者中定位和/或成形，以不干扰光子从(子)像素2210/32x的发射区域1401的侧向朝向发射。
在一些非限制性示例中，制造第一电极1020和/或第二电极1040的机制可为：以跨其发射区域1402的侧向朝向的至少一部分和/或(在一些非限制性示例中)跨围绕它们的非发射区域1401的侧向朝向1120的至少一部分的图案形成这些电极1020、1040。在一些非限制性示例中，这种机制可用于以在侧向朝向和/或剖面朝向中的任一者或两者中的位置和/或形状来形成辅助电极1550，以不干扰光子从(子)像素2210/32x的发射区域1401的侧向朝向1110发射，如以上所讨论的。
在一些非限制性示例中，器件1000可被构造成使得其在由器件1000发射的EM辐射的光路中可基本上没有导电氧化物材料。在一些非限制性示例中，在对应于(子)像素2210/32x的至少一个发射区域1401的侧向朝向1110中，在至少一个半导电层1030之后沉积的层和/或涂层中的至少一者(包括但不限于第二电极1040、图案化涂层110和/或沉积于其上的任何其他层和/或涂层)可基本上没有任何导电氧化物材料。在一些非限制性示例中，基本上没有任何导电氧化物材料可减少对由器件1000发射的EM辐射的吸收和/或反射。在一些非限制性示例中，导电氧化物材料(包括但不限于ITO和/或IZO)可吸收可见光谱的至少B(蓝色)区域中的EM辐射，这种EM辐射通常可降低器件1000的效率和/或性能。
在一些非限制性示例中，可采用这些和/或其他机制的组合。
另外，在一些非限制性示例中，除了使得第一电极1020、第二电极1040和/或辅助电极1550中的至少一个跨对应于器件1000的(子)像素2210/32x的发射区域1401的侧向朝向1110的至少大部分上基本上透射以允许EM辐射基本上跨其侧向朝向1110发射之外，可能存在这样的目标：使器件1000的周围非发射区域1402的侧向朝向720中的至少一个在底部和顶部两个方向上基本上透射，以使得器件1000相对于入射在其外表面上的EM辐射基本上透射，这样除了如本文所公开的在器件1000内部产生的EM辐射的发射(在顶部发射、底部发射和/或双面发射中)之外，这种外部入射的EM辐射的大部分可透射穿过器件1000。
现在转到图22A，该图可示出器件1000的透射(透明)型式的示例性平面图，该透射型式总体上以2200示出。在一些非限制性示例中，器件2200可为具有多个像素或像素区域2210和多个透射区域31x的有源矩阵OLED(AMOLED)器件。在一些非限制性示例中，至少一个辅助电极1550可沉积在像素区域2210和/或透射区域31x之间的下面层的暴露层表面11上。
在一些非限制性示例中，每个像素区域2210可包括多个发射区域1401，每个发射区域对应于(子)像素2210/32x。在一些非限制性示例中，(子)像素2210/32x可分别对应于R(红色)子像素321、G(绿色)子像素322和/或B(蓝色)子像素323。
在一些非限制性示例中，每个透射区域31x可为基本上透明的，并且允许EM辐射穿过该透射区域的整个剖面朝向。
现在转到图22B，该图可示出沿着图22A中的线22B-22B截取的器件1000的型式2200的示例性剖视图。在图中，器件2200可被示为包括基板10、TFT绝缘层1109和在TFT绝缘层1109的表面上形成的第一电极1020。在一些非限制性示例中，基板10可包括底部基板1012(为了简化说明而未示出)和/或至少一个TFT结构1101，该至少一个TFT结构对应于并且用于驱动基本上位于其下并且与其第一电极1020电耦接的每个(子)像素2210/32x。在一些非限制性示例中，PDL 1140可形成在基板10上方的非发射区域1402中，以在与其对应的第一电极1020上限定也对应于每个(子)像素2210/32x的发射区域1401。在一些非限制性示例中，PDL 1140可覆盖第一电极1020的边缘。
在一些非限制性示例中，至少一个半导电层1030可沉积在第一电极1020的暴露区域上方，并且在一些非限制性示例中沉积在周围PDL 1140的至少部分上方。
在一些非限制性示例中，第二电极1040可沉积在至少一个半导电层1030上方，包括沉积在像素区域2210上方以形成该像素区域的(子)像素32x，并且在一些非限制性示例中，至少部分地沉积在透射区域31x中的周围PDL 1140上方。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可选择性地沉积在器件2200的第一部分101上方，该第一部分包括像素区域2210和透射区域31x两者，但不包括第二电极1040的对应于包括其第二部分102的辅助电极1550的区域。
在一些非限制性示例中，器件2200的整个暴露层表面11然后可暴露于沉积材料731的蒸气通量732，该沉积材料在一些非限制性示例中可为Mg。沉积层130可选择性地沉积在第二电极1040的基本上没有图案化涂层110的第二部分102上方，以形成辅助电极1550，该辅助电极可与第二电极1040的未涂覆部分电耦接，并且在一些非限制性示例中与该未涂覆部分物理接触。
同时，器件2200的透射区域31x可保持基本上没有能够基本上影响EM辐射透射穿过材料的任何材料。具体地，如图所示，在剖面朝向上，TFT结构1101和第一电极1020可定位在与其对应的(子)像素2210/32x下方，并且与辅助电极1550一起可位于透射区域31x之外。因此，这些部件可不会衰减或阻碍光透射穿过透射区域31x。在一些非限制性示例中，当所有(子)像素2210/32x可能不发射时，这种布置(在一些非限制性示例中)可允许从典型观看距离观看器件2200的观看者看穿器件2200，从而形成透明器件2200。
虽然图中未示出，但在一些非限制性示例中，器件2200还可包括设置在辅助电极1550和第二电极1040之间的NPC 920。在一些非限制性示例中，NPC 920也可设置在图案化涂层110和第二电极1040之间。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可与至少一个半导电层1030同时形成。在一些非限制性示例中，用于形成图案化涂层110的至少一种材料也可用于形成至少一个半导电层1030。在此类非限制性示例中，可减少用于制造器件2200的若干阶段。
相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，各种其他层和/或涂层(包括但不限于形成至少一个半导电层1030和/或第二电极1040的那些层和/或涂层)可覆盖透射区域31x的一部分，尤其是如果此类层和/或涂层基本上透明的话。在一些非限制性示例中，PDL 1140可具有减小的厚度，包括但不限于通过在其中形成阱，在一些非限制性示例中，阱可类似于针对发射区域1401限定的阱，以进一步促进EM辐射穿过透射区域31x的透射。
相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，可采用除图22A和图22B中示出的布置之外的(子)像素2210/32x布置。
相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，可采用除图22A和图22B中示出的布置之外的辅助电极1550的布置。在一些非限制性示例中，辅助电极1550可设置在像素区域2210和透射区域31x之间。在一些非限制性示例中，辅助电极1150可设置在像素区域2210内的子像素32x之间。
现在转到图23A，该图可示出器件1000的透明型式的示例性平面图，该透明型式总体上以2300示出。在一些非限制性示例中，器件2300可为具有多个像素区域2210和多个透射区域31x的AMOLED器件。器件2300可能与器件2200的不同之处在于，没有辅助电极1150位于像素区域2210和/或透射区域31x之间。
在一些非限制性示例中，每个像素区域2210可包括多个发射区域1401，每个发射区域对应于子像素32x。在一些非限制性示例中，(子)像素2210/32x可分别对应于R(红色)子像素321、G(绿色)子像素322和/或B(蓝色)子像素323。
在一些非限制性示例中，每个透射区域31x可为基本上透明的，并且可允许光穿过该透射区域的整个剖面朝向。
现在转到图23B，该图可示出沿着图23A中的线23-23截取的器件2300的示例性剖视图。在图中，器件2300可被示为包括基板10、TFT绝缘层1109和在TFT绝缘层1109的表面上形成的第一电极1020。基板10可包括底部基板1012(为了简化说明而未示出)和/或至少一个TFT结构1101，该至少一个TFT结构对应于并且用于驱动基本上位于其下并且与其第一电极1020电耦接的每个子像素2210/32x。PDL 1140可形成在基板10上方的非发射区域1402中，以在与其对应的第一电极1020上限定也对应于每个(子)像素2210/32x的发射区域1401。PDL 1140覆盖第一电极1020的边缘。
在一些非限制性示例中，至少一个半导电层1030可沉积在第一电极1020的暴露区域上方，并且在一些非限制性示例中沉积在周围PDL 1140的至少部分上方。
在一些非限制性示例中，第一沉积层130a可沉积在至少一个半导电层1030上方，包括沉积在像素区域2210上方以形成该像素区域的子像素32x，以及沉积在透射区域31x中的周围PDL 1140上方。在一些非限制性示例中，第一沉积层130a的平均层厚度可相对薄，使得跨透射区域31x的第一沉积层130a的存在基本上不会使EM辐射穿过该层的透射衰减。在一些非限制性示例中，可使用开口掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积第一沉积层130a。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可选择性地沉积在器件2300的包括透射区域31x的第一部分101上方。
在一些非限制性示例中，器件2300的整个暴露层表面11然后可暴露于沉积材料731(在一些非限制性示例中可为Mg)的蒸气通量732，以在第一沉积层130a的可基本上没有图案化涂层110的第二部分102(在一些示例中，像素区域2210)上选择性地沉积第二沉积层130b，使得第二沉积层130b可与第一沉积层130a的未涂覆部分电耦接，并且在一些非限制性示例中与该未涂覆部分物理接触，以形成第二电极1040。
在一些非限制性示例中，第一沉积层130a的平均层厚度可不超过第二沉积层130b的平均层厚度。以这种方式，可在透射区域31x中保持相对高的透射率，只有第一沉积层130a可在该透射区域上方延伸。在一些非限制性示例中，第一沉积层130a的平均层厚度可为不超过约30nm、25nm、20nm、15nm、10nm、8nm和5nm中的一者。在一些非限制性示例中，第二沉积层130b的平均层厚度可为不超过约30nm、25nm、20nm、15nm、10nm和8nm中的一者。
因此，在一些非限制性示例中，第二电极1040的平均层厚度可不超过约40nm，并且/或者在一些非限制性示例中，为约5nm-30nm、10nm-25nm和15nm-25nm之间中的一者。
在一些非限制性示例中，第一沉积层130a的平均层厚度可超过第二沉积层130b的平均层厚度。在一些非限制性示例中，第一沉积层130a的平均层厚度和第二沉积层130b的平均层厚度可基本上相同。
在一些非限制性示例中，用于形成第一沉积层130a的至少一种沉积材料731可与用于形成第二沉积层130b的至少一种沉积材料731基本上相同。在一些非限制性示例中，此类至少一种沉积材料731可基本上如本文关于第一电极1020、第二电极1040、辅助电极1550和/或其沉积层130所描述。
在一些非限制性示例中，第一沉积层130a可在像素区域2210中至少部分地提供EIL 1039的功能。用于形成第一沉积层130a的沉积材料731的非限制性示例包括Yb，其例如可为约1nm-3nm厚。
在一些非限制性示例中，器件2300的透射区域31x可保持基本上没有能够基本上抑制EM辐射(包括但不限于EM信号，包括但不限于IR光谱和/或NIR光谱中的EM信号)透射穿过其的任何材料。具体地，如图所示，在剖面朝向上，TFT结构1109和/或第一电极1020可定位在与其对应的(子)像素2210/32x下方，并且位于透射区域31x之外。因此，这些部件可能不会衰减或阻碍EM辐射透射穿过透射区域31x。在一些非限制性示例中，当(子)像素2210/32x不发射时，这种布置(在一些非限制性示例中)可允许从典型观看距离观看器件2300的观看者看穿器件2300，从而形成透明AMOLED器件2300。
在一些非限制性示例中，这种布置还可允许IR发射器和/或IR检测器被布置在AMOLED器件2300后面，使得EM信号(包括但不限于IR和/或NIR光谱中的EM信号)由这种显示器下部件230穿过AMOLED器件2300交换。
虽然图中未示出，但在一些非限制性示例中，器件2300还可包括设置在第二沉积层130b与第一沉积层130a之间的NPC 920。在一些非限制性示例中，NPC 920也可设置在图案化涂层110和第一沉积层130a之间。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可与至少一个半导电层1030同时形成。在一些非限制性示例中，用于形成图案化涂层110的至少一种材料也可用于形成至少一个半导电层1030。在此类非限制性示例中，可减少用于制造器件2300的若干阶段。
相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，各种其他层和/或涂层(包括但不限于形成至少一个半导电层1030和/或第一沉积层130a的那些层和/或涂层)可覆盖透射区域31x的一部分，尤其是如果此类层和/或涂层基本上透明的话。在一些非限制性示例中，PDL 1140可具有减小的厚度，包括但不限于通过在其中形成阱，在一些非限制性示例中，阱可类似于针对发射区域1401限定的阱，以进一步促进EM辐射穿过透射区域31x的透射。
相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，可采用除图23A和图23B中示出的布置之外的(子)像素2210/32x布置。
现在转到图23C，该图示出了沿着图23A中的相同线23-23截取的器件1000的不同型式2310的示例性剖视图。在图中，器件2310可被示为包括基板10、TFT绝缘层1109和在TFT绝缘层1109的表面上形成的第一电极1020。基板10可包括底部基板1012(为了简化说明而未示出)和/或至少一个TFT结构1101，该至少一个TFT结构对应于并且用于驱动基本上位于其下并且与其第一电极1020电耦接的每个(子)像素2210/32x。PDL 1140可形成在基板10上方的非发射区域1402中，以在与其对应的第一电极1020上限定也对应于每个(子)像素2210/32x的发射区域1401。PDL 1140可覆盖第一电极1020的边缘。
在一些非限制性示例中，至少一个半导电层1030可沉积在第一电极1020的暴露区域上方，并且在一些非限制性示例中沉积在周围PDL 1140的至少部分上方。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可选择性地沉积在器件2310的包括透射区域31x的第一部分101上方。
在一些非限制性示例中，沉积层130可沉积在至少一个半导电层1030上方，包括沉积在像素区域2210上方以形成该像素区域的子像素32x，但不沉积在透射区域31x中的周围PDL 1140上方。在一些非限制性示例中，可使用开口掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积第一沉积层130a。在一些非限制性示例中，这种沉积可通过将器件2310的整个暴露层表面11暴露于沉积材料731(在一些非限制性示例中可为Mg)的蒸气通量732，以在至少一个半导电层1030的基本上没有图案化涂层110的第二部分102(在一些非限制性示例中，像素区域2210)上选择性地沉积沉积层130来实现，使得沉积层130可沉积在至少一个半导电层1030上以形成第二电极1040。
在一些非限制性示例中，器件2310的透射区域31x可保持基本上没有能够基本上影响EM辐射(包括但不限于EM信号，包括但不限于IR和/或NIR光谱中的EM信号)透射穿过其的任何材料。具体地，如图所示，在剖面朝向上，TFT结构1101和/或第一电极1020可定位在与其对应的(子)像素2210/32x下方，并且位于透射区域31x之外。因此，这些部件可能不会衰减或阻碍EM辐射透射穿过透射区域31x。在一些非限制性示例中，当(子)像素2210/32x不发射时，这种布置(在一些非限制性示例中)可允许从典型观看距离观看器件2310的观看者看穿器件2310，从而形成透明AMOLED器件2310。
通过提供可能没有和/或基本上没有任何沉积层130的透射区域31x，在一些非限制性示例中，通过非限制性示例的方式，与图23B的器件2300相比，这种区域2220中的透射率可有利地增强。
虽然图中未示出，但在一些非限制性示例中，器件2310还可包括设置在沉积层130和至少一个半导电层1030之间的NPC 920。在一些非限制性示例中，NPC 920也可设置在图案化涂层110和PDL 1140之间。
虽然为了简单起见而未在图23B和图23C中示出，但相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，至少一种颗粒结构841可设置在其上，以促进透射区域31x中的EM辐射在可见光谱的至少一部分中的吸收，同时允许具有在IR和/或NIR光谱的至少一部分中的波长的EM信号在透射区域31x中通过该器件交换。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可与至少一个半导电层1030同时形成。在一些非限制性示例中，用于形成图案化涂层110的至少一种材料也可用于形成至少一个半导电层1030。在此类非限制性示例中，可减少用于制造器件2310的若干阶段。
在一些非限制性示例中，至少一个半导电层1030中的至少一层可沉积在透射区域31x中以提供图案化涂层110。在一些非限制性示例中，至少一个半导电层1030的ETL 1037可为可在至少一个半导电层1030的沉积期间在发射区域1401和透射区域31x两者中沉积的图案化涂层110。然后可选择性地将EIL 1039沉积在ETL 1037上方的发射区域1401中，使得ETL 1037在透射区域31x中的暴露层表面11可基本上没有EIL 1039。然后可将EIL 1039在发射区域1401中的暴露层表面11和该ETL 1037的充当图案化涂层110的暴露层表面暴露于沉积材料731的蒸气通量732，以在发射区域1401中的EIL 1039上形成沉积层130的封闭涂层140，并在透射区域31x中的EIL 1039上形成沉积材料731的不连续层840。
相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，各种其他层和/或涂层(包括但不限于形成至少一个半导电层1030和/或沉积层130的那些层和/或涂层)可覆盖透射区域31x的一部分，尤其是如果此类层和/或涂层基本上透明的话。在一些非限制性示例中，PDL 1140可具有减小的厚度，包括但不限于通过在其中形成阱，在一些非限制性示例中，阱可类似于针对发射区域1401限定的阱，以进一步促进EM辐射穿过透射区域31x的透射。
相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，可采用除图23A和图23C中示出的布置之外的(子)像素2210/32x布置。
选择性沉积以调节发射区域上方的电极厚度
如以上所讨论的，调节(子)像素2210/32x的发射区域1401的侧向朝向1110中和跨该侧向朝向的电极1020、1040、1550的厚度可能影响可观察到的微腔效应。在一些非限制性示例中，通过在对应于像素区域2210中的不同子像素32x的发射区域1401的侧向朝向1110中沉积至少一个图案化涂层110(包括但不限于NIC)和/或NPC 920来选择性沉积至少一个沉积层130可允许控制和/或调节每个发射区域1401中的光学微腔效应，以在(子)像素2210/32x基础上优化期望的光学微腔效应，包括但不限于发射光谱、发光强度和/或亮度的角度依赖性和/或发射光的色移。
这种效果可通过独立地调节设置在子像素32x的每个发射区域1401中的沉积层130的平均层厚度和/或数量来控制。在一些非限制性示例中，设置在B(蓝色)子像素323上方的第二电极1040的平均层厚度可小于设置在G(绿色)子像素322上方的第二电极1040的平均层厚度，并且设置在G(绿色)子像素322上方的第二电极1040的平均层厚度可小于设置在R(红色)子像素321上方的第二电极1040的平均层厚度。
在一些非限制性示例中，通过独立地调节沉积层130的平均层厚度和/或数量以及沉积在子像素32x的每个发射区域1401的部分中的图案化涂层110和/或NPC 920的厚度和/或数量，可将这种效果控制到甚至更大的程度。
如在图24中的一些非限制性示例中所示，在一些非限制性示例中，在具有不同发射光谱的OLED显示器件1000的型式2400中，可能存在针对对应于子像素32x的发射区域1401选择性沉积的变化平均层厚度的沉积层130。在一些非限制性示例中，第一发射区域1401a可对应于被配置为发射第一波长和/或发射光谱的EM辐射的(子)像素2210/32x，并且/或者在一些非限制性示例中，第二发射区域1401b可对应于被配置为发射第二波长和/或发射光谱的EM辐射的(子)像素2210/32x。在一些非限制性示例中，器件2400可包括第三发射区域1401c，其可对应于被配置为发射第三波长和/或发射光谱的EM辐射的(子)像素2210/32x。
在一些非限制性示例中，第一波长可小于、大于和/或等于第二波长和/或第三波长中的至少一者。在一些非限制性示例中，第二波长可小于、大于和/或等于第一波长和/或第三波长中的至少一者。在一些非限制性示例中，第三波长可小于、大于和/或等于第一波长和/或第二波长中的至少一者。
在一些非限制性示例中，器件2400还可包括至少一个附加发射区域1401(未示出)，该至少一个附加发射区域在一些非限制性示例中可被配置为发射具有与第一发射区域1401a、第二发射区域1401b和/或第三发射区域1401c中的至少一者基本上相同的波长和/或发射光谱的EM辐射。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可使用阴影掩模615来选择性地沉积，该阴影掩模也可用于沉积第一发射区域1401a的至少一个半导电层1030。在一些非限制性示例中，遮蔽掩模615的此共享使用可允许以高性价比的方式针对每个(子)像素2210/32x调谐光学微腔效应。
器件2400可被示为包括基板10、TFT绝缘层1109和形成在TFT绝缘层1109的暴露层表面11上的多个第一电极620。
在一些非限制性示例中，基板10可包括底部基板1012(为了简化说明而未示出)和/或至少一个TFT结构1101，该至少一个TFT结构对应于并且用于驱动对应的发射区域1401，每个发射区域具有基本上定位在其下并且与其相关联的第一电极1020电耦接的对应的(子)像素2210/32x。PDL 1140可形成在基板10上方，以限定发射区域1401。在一些非限制性示例中，PDL 1140可覆盖它们各自的第一电极1020的边缘。
在一些非限制性示例中，至少一个半导电层1030可沉积在其相应第一电极1020的暴露区域上方，并且在一些非限制性示例中沉积在周围PDL 1140的至少部分上方。
在一些非限制性示例中，第一沉积层130a可沉积在至少一个半导电层1030上方。在一些非限制性示例中，可使用开口掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积第一沉积层130a。在一些非限制性示例中，这种沉积可通过将器件2400的整个暴露层表面11暴露于沉积材料731(在一些非限制性示例中可为Mg)的蒸气通量732，以将第一沉积层130a沉积在至少一个半导电层1030上方以形成第二电极1040a的第一层(未示出)(至少对于第一发射区域1401a而言，在一些非限制性示例中可为共同电极)来实现。这样的共同电极可在第一发射区域1401a中具有第一厚度tc1。在一些非限制性示例中，第一厚度tc1可对应于第一沉积层130a的厚度。
在一些非限制性示例中，第一图案化涂层110a可选择性地沉积在器件2400的包括第一发射区域1401a的第一部分101上方。
在一些非限制性示例中，第二沉积层130b可沉积在器件2400上方。在一些非限制性示例中，可使用开口掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积第二沉积层130b。在一些非限制性示例中，这种沉积可通过以下方式实现：将器件2400的整个暴露层表面11暴露于沉积材料731(在一些非限制性示例中可为Mg)的蒸气通量732，以将第二沉积层130b沉积在可能基本上没有第一图案化涂层110a的第一沉积层130a上方，在一些示例中，沉积在第二发射区域1401b和第三发射区域1401c上方，和/或PDL 1140所位于的非发射区域1402的至少一部分上方，使得第二沉积层130b可沉积在第一沉积层130a的基本上没有第一图案化涂层110a的第二部分102上方，以形成第二电极1040b(至少对于第二发射区域1401b而言，在一些非限制性示例中可为共同电极)的第二层(未示出)。在一些非限制性示例中，这样的共同电极可在第二发射区域1401b中具有第二厚度tc2。在一些非限制性示例中，第二厚度tc2可对应于第一沉积层130a和第二沉积层130b的组合平均层厚度，并且在一些非限制性示例中可超过第一厚度tc1。
在一些非限制性示例中，第二图案化涂层110b可选择性地沉积在器件2400的包括第二发射区域1401b的另外的第一部分101上方。
在一些非限制性示例中，第三沉积层130c可沉积在器件2400上方。在一些非限制性示例中，可使用开口掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积第三沉积层130c。在一些非限制性示例中，这种沉积可通过以下方式实现：将器件2400的整个暴露层表面11暴露于沉积材料731(在一些非限制性示例中可为Mg)的蒸气通量732，以将第三沉积层130c沉积在第二沉积层130b上方，该第二沉积层可基本上没有第一图案化涂层110a或第二图案化涂层110b，在一些示例中，沉积在第三发射区域1401c和/或PDL 1140所位于的非发射区域1402的至少一部分上方，使得第三沉积层130c可沉积在第二沉积层130b的基本上没有第二图案化涂层110b的另外的第二部分102上方，以形成第二电极1040c(至少对于第三发射区域1401c而言，在一些非限制性示例中可为共同电极)的第三层(未示出)。在一些非限制性示例中，这样的共同电极可在第三发射区域1401c中具有第三厚度tc3。在一些非限制性示例中，第三厚度tc3可对应于第一沉积层130a、第二沉积层130b和第三沉积层130c的组合厚度，并且在一些非限制性示例中可超过第一厚度tc1和第二厚度tc2中的任一者或两者。
在一些非限制性示例中，第三图案化涂层110c可选择性地沉积在器件2400的包括第三发射区域1401c的另外的第一部分101上方。
在一些非限制性示例中，至少一个辅助电极1550可设置在器件2400的位于其相邻发射区域1401之间的非发射区域1402中，并且在一些非限制性示例中，设置在PDL 1140上方。在一些非限制性示例中，用于沉积至少一个辅助电极1550的沉积层130可使用开口掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积。在一些非限制性示例中，这种沉积可通过以下方式实现：将器件2400的整个暴露层表面11暴露于沉积材料731(在一些非限制性示例中可为Mg)的蒸气通量732，以将沉积层130沉积在第一沉积层130a、第二沉积层130b和第三沉积层130c的可基本上没有第一图案化涂层110a、第二图案化涂层110b和/或第三图案化涂层110c中的任一者的暴露部分上方，使得沉积层130可沉积在包括第一沉积层130a、第二沉积层130b和/或第三沉积层130c的可基本上没有第一图案化涂层110a、第二图案化涂层110b和/或第三图案化涂层110c中的任一者的暴露部分的附加第二部分102上，以形成至少一个辅助电极1550。在一些非限制性示例中，至少一个辅助电极1550中的每一者都可与第二电极640中的相应一者电耦接。在一些非限制性示例中，至少一个辅助电极1550中的每一者都可与这样的第二电极1040物理接触。
在一些非限制性示例中，第一发射区域1401a、第二发射区域1401b和第三发射区域1401c可基本上没有用于形成至少一个辅助电极1550的沉积材料731的封闭涂层140。
在一些非限制性示例中，第一沉积层130a、第二沉积层130b和/或第三沉积层130c中的至少一者在可见光谱的至少一部分中可为透光的和/或基本上透明的。因此，在一些非限制性示例中，第二沉积层130b和/或第三沉积层130a(和/或任何附加沉积层130)可设置在第一沉积层130a的顶部上，以形成在可见光谱的至少一部分中也可为透光的和/或基本上透明的多涂层电极1020、1040、1550。在一些非限制性示例中，第一沉积层130a、第二沉积层130b、第三沉积层130c、任何附加沉积层130和/或多涂层电极1020、1040、1550中的任何至少一者的透射率在可见光谱的至少一部分中可超过约30％、40％、45％、50％、60％、70％、75％或80％中的一者。
在一些非限制性示例中，可使第一沉积层130a、第二沉积层130b和/或第三沉积层130c的平均层厚度相对薄以保持相对高的透射率。在一些非限制性示例中，第一沉积层130a的平均层厚度可为约5nm-30nm、8nm-25nm和10nm-20nm之间中的一者。在一些非限制性示例中，第二沉积层130b的平均层厚度可为约1nm-25nm、1nm-20nm、1nm-15nm、1nm-10nm和3nm-6nm之间中的一者。在一些非限制性示例中，第三沉积层130c的平均层厚度可为约1nm-25nm、1nm-20nm、1nm-15nm、1nm-10nm和3nm-6nm之间中的一者。在一些非限制性示例中，由第一沉积层130a、第二沉积层130b、第三沉积层130c和/或任何附加沉积层130的组合形成的多涂层电极的厚度可为约6nm-35nm、10nm-30nm、10nm-25nm和12nm-18nm之间中的一者。
在一些非限制性示例中，至少一个辅助电极1550的厚度可超过第一沉积层130a、第二沉积层130b、第三沉积层130c和/或共同电极的平均层厚度。在一些非限制性示例中，至少一个辅助电极1550的厚度可超过约50nm、80nm、100nm、150nm、200nm、300nm、400nm、500nm、700nm、800nm、1μm、1.2μm、1.5μm、2μm、2.5μm和3μm中的一者。
在一些非限制性示例中，至少一个辅助电极1550可为基本上不透明的和/或不透光的。然而，由于至少一个辅助电极1550在一些非限制性示例中可设置在器件2400的非发射区域1402中，所以至少一个辅助电极1550可能不引起或促成显著的光学干涉。在一些非限制性示例中，至少一个辅助电极1550的透射率在可见光谱的至少一部分中可为不超过约50％、70％、80％、85％、90％或95％中的一者。
在一些非限制性示例中，至少一个辅助电极1550可吸收可见光谱的至少一部分中的EM辐射。
在一些非限制性示例中，分别设置在第一发射区域1401a、第二发射区域1401b和/或第三发射区域1401c中的第一图案化涂层110a、第二图案化涂层110b和/或第三图案化涂层110c的平均层厚度可根据由每个发射区域1401发射的EM辐射的颜色和/或发射光谱而变化。在一些非限制性示例中，第一图案化涂层110a可具有第一图案化涂层厚度tn1，第二图案化涂层110b可具有第二图案化涂层厚度tn2，并且/或者第三图案化涂层110c可具有第三图案化涂层厚度tn3。在一些非限制性示例中，第一图案化涂层厚度tn1、第二图案化涂层厚度tn2和/或第三图案化涂层厚度tn3可基本上相同。在一些非限制性示例中，第一图案化涂层厚度tn1、第二图案化涂层厚度tn2和/或第三图案化涂层厚度tn3可彼此不同。
在一些非限制性示例中，器件2400还可包括任意数量的发射区域1401a-1401c和/或其(子)像素2210/32x。在一些非限制性示例中，器件可包括多个像素2210，其中每个像素2210包括两个、三个或三个以上子像素32x。
用于将电极电耦接到辅助电极的导电涂层
转到图25，该图可示出器件1000的示例性型式2500的剖视图。在侧向朝向上，器件2500可包括发射区域1401和相邻的非发射区域1402。
在一些非限制性示例中，发射区域1401可对应于器件2500的(子)像素2210/32x。发射区域1401可具有基板10、第一电极1020、第二电极1040和布置在它们之间的至少一个半导电层1030。
第一电极1020可设置在基板10的暴露层表面11上。基板10可包括TFT结构1101，该TFT结构可与第一电极1020电耦接。第一电极1020的边缘和/或周边通常可被至少一个PDL1140覆盖。
非发射区域1402可具有辅助电极1550，并且非发射区域1402的第一部分可具有突出结构2560，该突出结构被布置成在辅助电极1550的侧向朝向上方突出并且与该侧向朝向重叠。突出结构2560可侧向地延伸以提供遮蔽区域2565。在一些非限制性示例中，突出结构2560可在辅助电极1550处和/或附近在至少一侧上凹陷以提供遮蔽区域2565。如图所示，在一些非限制性示例中，遮蔽区域2565可对应于PDL 1140的表面上的能够与突出结构2560的侧向突出重叠的区域。非发射区域1402还可包括设置在遮蔽区域2565中的沉积层130。沉积层130可将辅助电极1550与第二电极1040电耦接。
图案化涂层110a可设置在第二电极1040的暴露层表面11上的发射区域1401中。在一些非限制性示例中，突出结构2560的暴露层表面11可涂覆有来自沉积薄导电膜的残余薄导电膜以形成第二电极1040。在一些非限制性示例中，残余薄导电膜的暴露层表面11可涂覆有来自沉积图案化涂层110的残余图案化涂层110b。
然而，由于突出结构2560在遮蔽区域2565上方的侧向突出，遮蔽区域2565可基本上没有图案化涂层110。因此，当沉积层130可在沉积图案化涂层110之后沉积在器件2500上时，沉积层130可沉积在遮蔽区域2565上和/或迁移到该遮蔽区域以将辅助电极1550耦接到第二电极1040。
相关领域的普通技术人员将理解，在图25中已经示出了非限制性示例，并且各种修改可以是显而易见的。在一些非限制性示例中，突出结构2560可沿着其至少两侧来提供遮蔽区域2565。在一些非限制性示例中，可省略突出结构2560，并且辅助电极1550可包括能够限定遮蔽区域2565的凹陷部分。在一些非限制性示例中，辅助电极1550和沉积层130可直接设置在基板10的表面上，而不是PDL 1140上。
光学涂层的选择性沉积
在一些非限制性示例中，器件(未示出)(在一些非限制性示例中可为光电子器件)可包括基板10、图案化涂层110和光学涂层。在侧向朝向上，图案化涂层110可覆盖基板10的第一侧向部分101。在侧向朝向上，光学涂层可覆盖基板10的第二侧向部分102。图案化涂层110的至少一部分可基本上没有光学涂层的封闭涂层140。
在一些非限制性示例中，光学涂层可用于调节由器件透射、发射和/或吸收的EM辐射的光学性质，包括但不限于等离子体激元模式。在一些非限制性示例中，光学涂层可用作光学滤波器、折射率匹配涂层、光学外部耦接涂层、散射层、衍射光栅和/或其部分。
在一些非限制性示例中，光学涂层可用于通过但不限于调节总光路长度和/或其折射率来调节器件中的至少一种光学微腔效应。可通过调节至少一种光学微腔效应(包括但不限于输出EM辐射)(包括但不限于其强度的角度依赖性和/或其波长偏移)来影响器件的至少一种光学性质。在一些非限制性示例中，光学涂层可为非电部件，即，光学涂层可不被配置为在正常器件工作期间传导和/或传输电流。
在一些非限制性示例中，光学涂层可由任何沉积材料731形成，并且/或者可采用如本文所述的沉积沉积层130的任何机制。
分隔件和凹陷部
转到图26，该图可示出器件1000的示例性型式2600的剖视图。器件2600可包括具有暴露层表面11的基板10。基板10可包括至少一个TFT结构1101。在一些非限制性示例中，如本文所述，在一些非限制性示例中，可通过在制造基板10时沉积并图案化一系列薄膜来形成至少一个TFT结构1101。
在侧向朝向上，器件2600可包括具有相关联的侧向朝向1120的发射区域1401和各自具有相关联的侧向朝向1110的至少一个相邻的非发射区域1402。发射区域1401中的基板10的暴露层表面11可设置有第一电极1020，该第一电极可与至少一个TFT结构1101电耦接。PDL 1140可设置在暴露层表面11上，使得PDL 1140覆盖暴露层表面11以及第一电极1020的至少一个边缘和/或周边。在一些非限制性示例中，PDL 1140可设置在非发射区域1402的侧向朝向1120中。PDL 1140可限定谷形构型，该谷形构型可提供通常能够对应于发射区域1401的侧向朝向1110的开口，第一电极1020的层表面可通过该开口暴露。在一些非限制性示例中，器件3500可包括由PDL 1140限定的多个这样的开口，这些开口中的每一者可对应于器件2600的(子)像素2210/32x区域。
如图所示，在一些非限制性示例中，分隔件2621可设置在非发射区域1402的侧向朝向1120中的暴露层表面11上，并且如本文所述，可限定遮蔽区域2565，诸如凹陷部2622。在一些非限制性示例中，凹陷部2622可由相对于分隔件2621的上部区段的边缘凹陷、交错和/或偏移的分隔件2621的下部区段的边缘形成，该上部区段的边缘可重叠和/或突出超过凹陷部2622。
在一些非限制性示例中，发射区域1401的侧向朝向1110可包括设置在第一电极1020上方的至少一个半导电层1030、设置在至少一个半导电层1030上方的第二电极1040，以及设置在第二电极1040上方的图案化涂层110。在一些非限制性示例中，至少一个半导电层1030、第二电极1040和图案化涂层110可侧向地延伸以覆盖至少一个相邻的非发射区域1402的一部分的至少侧向地朝向1120。在一些非限制性示例中，如图所示，至少一个半导电层1030、第二电极1040和图案化涂层110可设置在至少一个PDL 1140的至少一部分和分隔件2621的至少一部分上。因此，如图所示，发射区域1401的侧向朝向1110、至少一个相邻的非发射区域1402的一部分、至少一个PDL 1140的一部分以及分隔件2621的至少一部分的侧向朝向1120可一起构成第一部分101，在该部分中第二电极1040可位于图案化涂层110和至少一个半导电层1030之间。
辅助电极1550可设置在凹陷部2622附近和/或该凹陷部内，并且沉积层130可布置成将辅助电极1550与第二电极1040电耦接。因此，如图所示，在一些非限制性示例中，凹陷部2622可包括第二部分102，在该部分中沉积层130设置在暴露层表面11上。
在一些非限制性示例中，在沉积沉积层130时，沉积材料731的蒸发通量732的至少一部分可相对于暴露层表面11的侧向平面以非法向角度被引导。在一些非限制性示例中，蒸发通量732的至少一部分可以相对于暴露层表面11的这种侧向平面不超过约90°、85°、80°、75°、70°、60°或50°中的一者的非零入射角入射在器件2600上。通过引导沉积材料731的蒸发通量732(包括其以非法向角度入射的至少一部分)，凹陷部2622的和/或该凹陷部中的至少一个暴露层表面11可暴露于这种蒸发通量732。
在一些非限制性示例中，由于分隔件2621的存在，这种蒸发通量732被阻止入射到凹陷部2622的至少一个暴露层表面11上和/或该凹陷部中的可能性可能被减小，因为这种蒸发通量732的至少一部分能够以非法向入射角流动。
在一些非限制性示例中，这种蒸发通量732的至少一部分可为非准直的。在一些非限制性示例中，这种蒸发通量732的至少一部分可由蒸发源生成，该蒸发源为点源、线性源和/或表面源。
在一些非限制性示例中，器件2600可能在沉积层130的沉积期间移位。在一些非限制性示例中，器件2600和/或其基板10和/或沉积于其上的任何层可经受在侧向朝向上和/或在基本上平行于剖面朝向的朝向上呈一定角度的位移。
在一些非限制性示例中，器件2600可在经受蒸发通量732的同时绕基本上垂直于暴露层表面11的侧向平面的轴旋转。
在一些非限制性示例中，这种蒸发通量732的至少一部分可以在基本上垂直于暴露层表面11的侧向平面的方向上被引导朝向器件2600的暴露层表面11。
不希望受特定理论的束缚，可假定，沉积材料731仍然可能由于吸附在图案化涂层110的暴露层表面11上的吸附原子的侧向迁移和/或解吸而沉积在凹陷部2622内。在一些非限制性示例中，可假定，吸附到图案化涂层110的暴露层表面11上的任何吸附原子可能由于暴露层表面11形成稳定核的不利热力学性质而倾向于从这种暴露层表面11迁移和/或解吸。在一些非限制性示例中，可假定，迁移和/或解吸离开这种暴露层表面11的吸附原子中的至少一些吸附原子可再沉积到凹陷部2622中的表面上以形成沉积层130。
在一些非限制性示例中，沉积层130可被形成为使得沉积层130能够与辅助电极1550和第二电极1040两者电耦接。在一些非限制性示例中，沉积层130可与辅助电极1550和/或第二电极1040中的至少一者物理接触。在一些非限制性示例中，中间层可存在于沉积层130与辅助电极1550和/或第二电极1040中的至少一者之间。然而，在此类示例中，这种中间层可基本上不妨碍沉积层130与辅助电极1550和/或第二电极1040中的至少一者电耦接。在一些非限制性示例中，这种中间层可为相对薄的并且例如允许通过其进行电耦接。在一些非限制性示例中，沉积层130的薄层电阻可不超过第二电极1040的薄层电阻。
如图26所示，凹陷部2622可基本上没有第二电极1040。在一些非限制性示例中，在第二电极1040的沉积期间，凹陷部2622可能被分隔件2621掩蔽，使得用于形成第二电极1040的沉积材料731的蒸发通量732可基本上被阻止入射在凹陷部2622的至少一个暴露层表面11上和/或该凹陷部中。在一些非限制性示例中，用于形成第二电极1040的沉积材料731的蒸发通量732的至少一部分可入射在凹陷部2622的至少一个暴露层表面11上和/或该凹陷部中，使得第二电极1040可延伸以覆盖凹陷部2622的至少一部分。
在一些非限制性示例中，辅助电极1550、沉积层130和/或分隔件2621可选择性地设置在显示面板200(图2A)的特定区域中。在一些非限制性示例中，这些特征中的任一者都可设置在这种显示面板的至少一个边缘处和/或附近，以用于将前面板1010的至少一个元件(包括但不限于第二电极1040)电耦接到背板1015的至少一个元件。在一些非限制性示例中，将这种特征设置在这种边缘处和/或这种边缘附近可促进从位于这种边缘处和/或这种边缘附近的辅助电极1550向第二电极1040供应和分配电流。在一些非限制性示例中，这种构型可有利于减小显示面板的边框尺寸。
在一些非限制性示例中，辅助电极1550、沉积层130和/或分隔件2621可从这种显示面板200的某些区域中省略。在一些非限制性示例中，可从显示面板200的部分省略这种特征，包括但不限于可以提供相对高像素密度的地方，而不是在其至少一个边缘处和/或附近。
非发射区域中的孔
现在转到图27A，该图可示出器件1000的示例性型式2700a的剖视图。器件2700a与器件2600的不同之处可在于，非发射区域1402中的一对分隔件2621可能以面对面布置来设置，以在它们之间限定遮蔽区域2565，诸如孔2722。如图所示，在一些非限制性示例中，分隔件2621中的至少一者可用作PDL 1140，其覆盖至少第一电极1020的边缘并且限定至少一个发射区域1401。在一些非限制性示例中，分隔件2621中的至少一者可与PDL 1140分开设置。
遮蔽区域2565(诸如凹陷部2622)可由分隔件2621中的至少一者限定。在一些非限制性示例中，凹陷部2622可设置在孔2722的接近基板10的一部分中。在一些非限制性示例中，当在平面图中观察时，孔2722可为基本上椭圆形的。在一些非限制性示例中，当在平面图中观察时，凹陷部2622可为基本上环形的并且围绕孔2622。
在一些非限制性示例中，凹陷部2622可基本上没有用于形成器件堆叠2710和/或残余器件堆叠2711的层中的每一者的材料。
在这些图中，器件堆叠2710可被示为包括沉积在分隔件2621的上部区段上的至少一个半导电层1030、第二电极1040和图案化涂层110。
在这些图中，残余器件堆叠2711可被示为包括沉积在基板10上超出分隔件2621和凹陷部2622的至少一个半导电层1030、第二电极1040和图案化涂层110。从与图26的比较可以看出，在一些非限制性示例中，残余器件堆叠2711可对应于半导电层1030、第二电极1040和图案化涂层110，因为其接近在分隔件2621的唇缘处和/或该唇缘附近的凹陷部2622。在一些非限制性示例中，当使用开口掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积器件堆叠2711的各种材料时，可能形成残余器件堆叠2710。
在一些非限制性示例中，残余器件堆叠2711可设置在孔2722内。在一些非限制性示例中，用于形成器件堆叠2710的层中的每一者的蒸发材料可沉积在孔2722内以在其中形成残余器件堆叠2711。
在一些非限制性示例中，辅助电极1550可布置成使得其至少一部分设置在凹陷部2722内。如图所示，在一些非限制性示例中，辅助电极1550可布置在孔2722内，使得残余器件堆叠3611沉积在辅助电极1550的表面上。
沉积层130可设置在孔2722内，以用于将第二电极1040与辅助电极1550电耦接。在一些非限制性示例中，沉积层130的至少一部分可设置在凹陷部2622内。
现在转到图27B，该图可示出器件2300b的另一示例的剖视图。如图所示，辅助电极1550可布置成形成分隔件2621的一侧的至少一部分。因此，当在平面图中观察时，辅助电极1550可为基本上环形的并且可围绕孔2722。如图所示，在一些非限制性示例中，可将残余器件堆叠2711沉积到基板10的暴露层表面11上。
在一些非限制性示例中，分隔件2621可包括NPC 920和/或由该NPC形成。在一些非限制性示例中，辅助电极1550可充当NPC 920。
在一些非限制性示例中，NPC 920可由第二电极1040和/或其一部分、层和/或材料提供。在一些非限制性示例中，第二电极1040可侧向地延伸以覆盖布置在遮蔽区域2565中的暴露层表面11。在一些非限制性示例中，第二电极1040可包括其底层和其第二层，其中该第二层可沉积在该底层上。在一些非限制性示例中，第二电极1040的底层可包括氧化物，诸如但不限于ITO、IZO或ZnO。在一些非限制性示例中，第二电极1040的上层可包括金属，诸如但不限于Ag、Mg、Mg:Ag、Yb/Ag、其他碱金属和其他碱土金属中的至少一者。
在一些非限制性示例中，第二电极1040的底层可侧向地延伸以覆盖遮蔽区域2565的表面，使得其形成NPC 920。在一些非限制性示例中，可处理限定遮蔽区域2565的至少一个表面以形成NPC 920。在一些非限制性示例中，这种NPC 920可通过化学和/或物理处理形成，包括但不限于使遮蔽区域2565的表面经受等离子体、UV和/或UV-臭氧处理。
不希望受任何特定理论的束缚，可以假定，这种处理可化学地和/或物理地改变这种表面以改变其至少一种性质。在一些非限制性示例中，表面的这种处理可增加这种表面上的C-O和/或C-OH键的浓度，可增加这种表面的粗糙度，并且/或者可增加某些物质和/或官能团(包括但不限于卤素、含氮官能团和/或含氧官能团)的浓度，以随后充当NPC 920。
**减少衍射
已经发现，在一些非限制性示例中，穿过至少一个信号透射区域31x的至少一个EM信号231可受到由至少一个信号透射区域31x的形状施加的衍射图案的衍射特性的影响。
至少在一些非限制性示例中，使至少一个EM信号231穿过被成形为表现出独特且不均匀的衍射图案的至少一个信号透射区域31x的显示面板200可能干扰图像和/或由其表示的EM辐射图案的捕获。
在一些非限制性示例中，这种衍射图案可能干扰促进减轻这种衍射图案产生的干扰的能力，即，允许显示器下部件230能够准确地接收和处理这种图像或图案(甚至在应用光学后处理技术的情况下)，或允许这种图像和/或图案的观察者通过此显示面板200辨别其中所含的信息。
在一些非限制性示例中，独特的和/或不均匀的衍射图案可由至少一个信号透射区域31x的形状产生，该形状可导致衍射图案中的独特的和/或在角度上分离的衍射尖峰。
在一些非限制性示例中，可通过简单观察将第一衍射尖峰与第二邻近衍射尖峰区分开，使得可对沿着全角旋转的衍射尖峰的总数进行计数。然而，在一些非限制性示例中，尤其是在衍射尖峰的数量很大的情况下，可能更难以识别单独的衍射尖峰。在这种情况下，所得到的衍射图案的畸变效应实际上可促进由此引起的干扰的减轻，因为畸变效应趋向于模糊和/或更均匀地分布。在一些非限制性示例中，畸变效应的这种模糊和/或更均匀分布可更适于通过(包括但不限于)光学后处理技术来减轻，以便恢复原始图像和/或包含在其中的信息。
在一些非限制性示例中，促进减轻由衍射图案引起的干扰的能力可随着衍射尖峰的数量增加而增强。
在一些非限制性示例中，独特且不均匀的衍射图案可由至少一个信号透射区域31x的形状产生，该形状根据衍射图案的图案周长增加衍射图案内高强度EM辐射区域与低强度EM辐射区域之间的图案边界长度，和/或减小图案周长相对于其图案边界长度的比率。
不希望受任何特定理论的束缚，可假定，相对于具有由非多边形的对应信号透射区域31x限定的透射区域31x的封闭边界的显示面板200，具有由多边形的对应信号透射区域31x限定的透射区域31x的封闭边界的显示面板200可表现出独特且不均匀的衍射图案，该衍射图案可不利地影响促进减轻由该衍射图案引起的干扰的能力。
在本公开中，术语“多边形”通常可指由有限数量的线性和/或直线段形成的形状、图形、闭合边界和/或周边，并且术语“非多边形”通常可指非多边形的形状、图形、闭合边界和/或周边。在一些非限制性示例中，由有限数量的直线段和至少一个非直线或曲线段形成的封闭边界可被认为是非多边形。
不希望受特定理论的束缚，可假定，当由对应信号透射区域31x限定的EM辐射透射区域31x的封闭边界包括至少一个非直线段和/或曲线段时，入射于其上并且透射穿过其中的EM信号可表现出较不独特和/或更均匀的衍射图案，该衍射图案促进减轻由该衍射图案引起的干扰。
在一些非限制性示例中，具有由基本上为椭圆形和/或圆形的对应信号透射区域31x限定的EM辐射透射区域31x的封闭边界的显示面板200可进一步促进减轻由衍射图案引起的干扰。
在一些非限制性示例中，信号透射区域31x可由有限多个凸圆化段限定。在一些非限制性示例中，这些段中的至少一些在凹形凹口或峰处重合。
选择性涂层的去除
在一些非限制性示例中，图案化涂层110可在沉积沉积层130之后去除，使得被图案化涂层110覆盖的下面材料的先前暴露层表面11的至少一部分可再次暴露。在一些非限制性示例中，可通过蚀刻和/或溶解图案化涂层110和/或通过采用基本上不影响或侵蚀沉积层130的等离子体和/或溶剂处理技术来选择性地去除图案化涂层110。
现在转到图28A，该图可示出在沉积阶段2800a的器件1000的示例性型式2800的示例性剖视图，其中图案化涂层110可能已经被选择性地沉积在下面材料的暴露层表面11的第一部分101上。在图中，下面材料可为基板10。
在图28B中，器件2800可被示为处于沉积阶段2800b，其中沉积层130可沉积在下面材料的暴露层表面11上，即沉积在图案化涂层110的暴露层表面11上(其中图案化涂层110可能在阶段2800a期间已沉积)以及基板10的暴露层表面11上(其中图案化涂层110可能在阶段2800a期间未沉积)两者。由于可能设置有图案化涂层110的第一部分101的成核抑制性质，设置在该部分上的沉积层130可倾向于不保留，导致沉积层130的选择性沉积呈现一定图案，该图案可对应于第二部分102，留下基本上没有沉积层130的第一部分101。
在图28C中，器件2800可被示为处于沉积阶段2800c，其中图案化涂层110可能已经从基板10的暴露层表面11的第一部分101去除，使得在阶段2800b期间沉积的沉积层130可保留在基板10上，并且基板10的在阶段2800a期间可能已经沉积了图案化涂层110的区域现在可被暴露或露出。
在一些非限制性示例中，阶段2800c中的图案化涂层110的去除可通过将器件2800暴露于溶剂和/或等离子体来实现，该溶剂和/或等离子体与图案化涂层110反应和/或蚀刻掉该图案化涂层而基本上不影响沉积层130。
薄膜形成
在气相沉积期间在下面层的暴露层表面11上形成薄膜可涉及成核和生长的过程。
在膜形成的初始阶段期间，足够数量的蒸气单体322(其在一些非限制性示例中可为蒸气形式322的沉积材料731的分子和/或原子)通常可从蒸气相冷凝以在呈现于下面层的暴露层表面11上形成初始核。由于蒸气单体322可撞击这种表面，这些初始核的特征尺寸和/或沉积密度可增加以形成小颗粒结构841。这种特征尺寸所指的尺度的非限制性示例可包括这种颗粒结构841的高度、宽度、长度和/或直径。
在达到饱和岛密度之后，相邻的颗粒结构841通常可开始聚结，从而增加这种颗粒结构841的平均特征尺寸，同时降低其沉积密度。
随着单体的连续气相沉积，相邻的颗粒结构841的聚结可继续，直到基本上封闭的涂层140可最终沉积在下面层的暴露层表面11上。这种封闭涂层140的行为(包括由此引起的光学效应)通常可相对均匀、一致且不足为奇。
可存在至少三种形成薄膜的基本生长模式，在一些非限制性示例中，最终形成封闭涂层140：1)岛(Volmer-Weber)，2)逐层(Frank-van der Merwe)，和3)Stranski-Krastanov。
当陈旧的单体簇332在暴露层表面11上成核并生长以形成离散的岛时，通常会发生岛生长。当单体332之间的相互作用强于单体332和表面之间的相互作用时，可发生这种生长模式。
成核速率可描述每单位时间在表面上可形成多少给定尺寸的核(其中自由能不推动此类核的簇生长或收缩)(“临界核”)。在膜形成的初始阶段期间，由于核的沉积密度较低，因此核不太可能因单体332直接撞击表面而生长，因此核可能覆盖相对较小部分的表面(例如，相邻核之间存在较大的间隙/空间)。因此，临界核可生长的速率通常取决于表面上的吸附原子(例如，吸附的单体332)迁移并附着到附近核的速率。
图29中示出了吸附在下面材料的暴露层表面11上的吸附原子的能量分布的示例。具体地，图29可示出对应于以下的示例性定性能量分布：从局部低能量位点逃逸的吸附原子(2910)；暴露层表面11上吸附原子的扩散(2920)；以及吸附原子的解吸(2930)。
在2910中，局部低能量位点可为下面层的暴露层表面11上吸附原子将处于较低能量的任何位点。通常，成核位点可包括暴露层表面11上的缺陷和/或异常，包括但不限于凸缘、阶梯边缘、化学杂质、键合位点和/或扭结(“异质性”)。
基板不均匀性的位点可能增加从表面解吸吸附原子所涉及的能量Edes 2931，使得在此类位点观察到较高的核沉积密度。另外，表面上的杂质或污染物也可能增加Edes 2931，导致较高的核沉积密度。对于在高真空条件下进行的气相沉积工艺，表面上污染物的类型和沉积密度可能受到真空压力和构成该压力的残余气体的组分的影响。
一旦吸附原子被捕获在局部低能量位点处，在一些非限制性示例中，在表面扩散发生之前通常可能存在能量势垒。这种能量势垒可表示为图29中的ΔE 2911。在一些非限制性示例中，如果逸出局部低能量位点的能量势垒ΔE 2911足够大，那么该位点可充当成核位点。
在2920中，吸附原子可在暴露层表面11上扩散。在一些非限制性示例中，在局部吸收物的情况下，吸附原子可趋向于在表面电势的最小值附近振荡并迁移到各个相邻位点，直到吸附原子被解吸和/或结合到由吸附原子簇和/或生长膜形成的生长岛841中。在图29中，与吸附原子的表面扩散相关联的活化能可表示为Es 2911。
在2930中，与吸附原子从表面解吸相关联的活化能可表示为Edes 2931。相关领域的普通技术人员将理解，未被解吸的任何吸附原子都可保留在暴露层表面11上。在一些非限制性示例中，此类吸附原子可在暴露层表面11上扩散，成为在暴露层表面11上形成岛841的吸附原子簇的一部分，和/或作为生长膜和/或涂层的一部分被结合。
吸附原子吸附在表面上后，吸附原子可从表面解吸，或可在解吸、与其他吸附原子相互作用形成小簇、或附着到生长核之前在表面上迁移一定距离。吸附原子在初始吸附后可保留在表面上的平均时间量可由下式给出：
在上式中：
ν为表面上的吸附原子的振动频率，
k为Botzmann常数，并且
T为温度。
从等式TF1可注意到，Edes 2931的值越低，吸附原子从表面解吸越容易，从而吸附原子可保留在表面上的时间越短。吸附原子能够扩散的平均距离可由下式给出，
其中：
α0为晶格常数。
对于低的Edes 2931值和/或高的Es 2921值，吸附原子可在解吸之前扩散较短的距离，并且因此不太可能附着到生长核或与另一吸附原子或吸附原子簇相互作用。
在颗粒结构841的沉积层形成的初始阶段期间，吸附的吸附原子可相互作用以形成颗粒结构841，其中每单位面积的颗粒结构841的临界浓度由下式给出，
其中：
Ei为将含有i个吸附原子的临界簇解离成单独的吸附原子涉及的能量，
n0为吸附位点的总沉积密度，并且
N1为由下式给出的单体沉积密度：
其中：
R为蒸气冲击速率。
通常，i可取决于被沉积材料的晶体结构，并且可确定颗粒结构841的临界尺寸以形成稳定的核。
用于生长颗粒结构841的临界单体供应速率可由蒸气冲击速率和吸附原子在解吸之前可扩散的平均面积给出：
因此，临界成核速率可由上述等式的组合给出：
从上面的等式可注意到，对于吸附的吸附原子的解吸能低、吸附原子扩散的活化能高、处于高温和/或经受蒸气冲击速率的表面，临界成核速率可被抑制。
在高真空条件下，可撞击表面的分子通量732(每cm2秒)可由下式给出：
其中：
P为压力，并且
M为分子量。
因此，反应性气体诸如H2O的较高分压可导致在气相沉积期间表面上污染物的较高沉积密度，使得Edes 2931增加，并因此导致核的较高沉积密度。
在本公开中，“成核抑制”可指涂层、材料和/或其层，其表面可表现出对于沉积材料731在其上的沉积的初始黏着概率，该初始黏着概率可接近于0，包括但不限于小于约0.3，使得可抑制沉积材料331在此类表面上的沉积。
在本公开中，“成核促进”可指涂层、材料和/或其层，其表面表现出对于沉积材料731在其上的沉积的初始黏着概率，该初始黏着概率可接近于1，包括但不限于大于约0.7，使得可促进沉积材料731在此类表面上的沉积。
不希望受任何特定理论的束缚，可假定，此类核的形状和尺寸以及此类核随后生长成岛841并随后生长成薄膜可取决于各种因素，包括但不限于蒸气、表面和/或冷凝膜核之间的界面张力。
表面的成核抑制和/或成核促进性质的一种量度可为表面对于给定沉积材料731的沉积的初始黏着概率。
在一些非限制性示例中，黏着概率S可由下式给出：
其中：
Nads为保留在暴露层表面11上的吸附原子的数量(即，被结合到膜中)，并且
N总计为表面上撞击单体的总数。
黏着概率S等于1可指示撞击表面的所有单体332都被吸附并且随后结合到生长膜中。黏着概率S等于0可指示撞击表面的所有单体332都被解吸并且随后在表面上不会形成膜。
沉积材料731在各种表面上的黏着概率S可使用测量黏着概率S的各种技术来评估，包括但不限于如由Walker等人在J.Phys.Chem.C 2007,111,765(2006),“a dualquartz crystal microbalance(QCM)technique”中所述。
随着沉积材料731的沉积密度可增加(例如，增加平均膜厚度)，黏着概率S可改变。
因此，初始黏着概率S0可被指定为在形成任何显著数量的临界核之前表面的黏着概率S。初始黏着概率S0的一个量度可涉及在沉积材料731的沉积的初始阶段期间表面对于该沉积材料的沉积的黏着概率S，其中跨该表面的沉积材料731的平均膜厚度处于或低于阈值。在一些非限制性示例的描述中，在一些非限制性示例中，初始黏着概率的阈值可被指定为1nm。平均黏着概率可由下式给出：
其中：
Snuc为被颗粒结构841覆盖的区域的黏着概率S，并且
Anuc为被颗粒结构841覆盖的基板表面的面积的百分比。
在一些非限制性示例中，低初始黏着概率可随着平均膜厚度的增加而增加。这可基于不具有颗粒结构841的暴露层表面11的区域(在一些非限制性示例中，底部基板10)与具有高沉积密度的区域之间的黏着概率的差异来理解。在一些非限制性示例中，可撞击颗粒结构841的表面的单体332可具有可接近1的黏着概率。
基于图29中所示的能量分布2910、2920、2930，可假定，表现出相对低的解吸活化能(Edes 2931)和/或相对高的表面扩散活化能(Es 2921)的材料可沉积为图案化涂层110，并且可适用于各种应用。
不希望受特定理论的束缚，可以假定，在一些非限制性示例中，在成核和生长期间存在的各种界面张力之间的关系可根据毛细管理论中的杨氏方程来规定：
γsv＝γfs+γvf cosθ(TF10)
其中：
γsv(图30)对应于基板10与蒸气332之间的界面张力，
γfs(图30)对应于沉积材料731与基板10之间的界面张力，
γvf(图30)对应于蒸气332与膜之间的界面张力，并且
θ为膜核接触角。
图30可示出此等式中所表示的各种参数之间的关系。
基于杨氏方程(方程(TF10))，可以得出，对于岛生长，膜核接触角可超过0，因此：γsv<γfs+γvf。
对于层生长，其中沉积材料731可“润湿”基板10，核接触角θ可等于0，因此：γsv＝γfs+γvf。
对于Stranski-Krastanov生长，其中膜过生长的每单位面积的应变能相对于蒸气332与沉积材料731之间的界面张力可能较大：γsv>γfs+γvf。
不希望受任何特定理论的束缚，可假定，沉积材料731在图案化涂层110与基板10的暴露层表面11之间的界面处的成核和生长模式可遵循岛生长模型，其中θ>0。
特别是在图案化涂层110可表现出相对低的对于沉积材料731的沉积的初始黏着概率的情况下(在一些非限制性示例中，在由Walker等人描述的双QCM技术中确认的条件下)，可能存在沉积材料731的相对高的薄膜接触角。
相反，当沉积材料731可在不使用图案化涂层110的情况下选择性地沉积在暴露层表面11上时，在一些非限制性示例中，通过采用阴影掩模615，此类沉积材料731的成核和生长模式可以不同。具体地，已经观察到，至少在一些非限制性示例中，使用阴影掩模615图案化工艺形成的涂层可表现出小于约10°的相对低的薄膜接触角。
现已发现，多少有些令人惊讶的是，在一些非限制性示例中，图案化涂层110(和/或其所包括的图案化材料611)可表现出相对低的临界表面张力。
相关领域的普通技术人员将理解，涂层、层和/或构成这种涂层和/或层的材料的“表面能”通常可对应于涂层、层和/或材料的临界表面张力。根据表面能的一些模型，表面的临界表面张力可基本上对应于此类表面的表面能。
通常，具有低表面能的材料可表现出低分子间力。通常，与具有高分子间力的另一种材料相比，具有低分子间力的材料可在较低温度下容易地结晶或经历其他相变。在至少一些应用中，在相对低的温度下可容易地结晶或经历其他相变的材料可能对器件的长期性能、稳定性、可靠性和/或寿命有害。
不希望受特定理论的束缚，可假定，某些低能量表面可表现出相对低的初始黏着概率并且因此可适合于形成图案化涂层110。
不希望受任何特定理论的束缚，可以假定，特别是对于低表面能表面，临界表面张力可与表面能正相关。在一些非限制性示例中，表现出相对低的临界表面张力的表面也可表现出相对低的表面能，并且表现出相对高的临界表面张力的表面也可表现出相对高的表面能。
参考杨氏方程(方程(TF10))，较低的表面能可导致较大的接触角，同时也降低γsv，从而增强此类表面相对于沉积材料731具有低润湿性和低初始黏着概率的可能性。
在各种非限制性示例中，本文的临界表面张力值可对应于在约正常温度和压力(NTP)下测量的此类值，在一些非限制性示例中，该值可对应于20℃的温度和1atm的绝对压力。在一些非限制性示例中，表面的临界表面张力可根据齐斯曼法来确定，如在W.A.，“Advances in Chemistry”43(1964年)第1-51页中进一步详述的。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的暴露层表面11可表现出不超过约20达因/厘米、19达因/厘米、18达因/厘米、17达因/厘米、16达因/厘米、15达因/厘米、13达因/厘米、12达因/厘米和11达因/厘米中的一者的临界表面张力。
在一些非限制性示例中，图案化涂层110的暴露层表面11可表现出至少约6达因/厘米、7达因/厘米、8达因/厘米、9达因/厘米和10达因/厘米中一者的临界表面张力。
相关领域的普通技术人员将理解，用于确定固体表面能的各种方法和理论可能是已知的。在一些非限制性示例中，可基于接触角的一系列测量值来计算和/或导出表面能，其中使各种液体与固体表面接触以测量液-气界面与表面之间的接触角。在一些非限制性示例中，固体表面的表面能可等于具有完全润湿表面的最高表面张力的液体的表面张力。在一些非限制性示例中，可使用齐斯曼图来确定将导致与表面的0°接触角的最高表面张力值。根据表面能的一些理论，在确定固体的表面能时可考虑固体表面与液体之间的各种类型的相互作用。在一些非限制性示例中，根据一些理论，包括但不限于欧文斯/温特理论和/或福克斯理论，表面能可包括分散分量和非分散或“极性”分量。
不希望受特定理论的束缚，可假定，在一些非限制性示例中，可至少部分地基于其上沉积有沉积材料731的图案化涂层110的性质(包括但不限于初始黏着概率)来确定沉积材料731的涂层的接触角。因此，允许选择性沉积表现出相对高接触角的沉积材料731的图案化材料611可提供一定益处。
相关领域的普通技术人员将理解，各种方法可用于测量接触角θ，包括但不限于静态和/或动态静滴法和悬滴法。
在一些非限制性示例中，用于解吸的活化能(Edes 2931)(在一些非限制性示例中，在约300K的温度T下)可为不超过热能的约2倍、1.5倍、1.3倍、1.2倍、1.0倍、0.8倍和0.5倍中的一者。在一些非限制性示例中，用于表面扩散的活化能(Es 2921)(在一些非限制性示例中，在约300K的温度下)可超过热能的约1.0倍、1.5倍、1.8倍、2倍、3倍、5倍、7倍和10倍中的一者。
不希望受特定理论的束缚，可假定，在沉积材料731在下面层的暴露层表面11与图案化涂层110之间的界面处和/或附近的薄膜成核和生长期间，由于图案化涂层110对沉积材料731的固体表面的成核抑制，可观察到沉积材料731的边缘与下面层之间的相对高的接触角。此类成核抑制性质可通过最小化下面层、薄膜蒸气和图案化涂层110之间的表面能来驱动。
表面的成核抑制和/或成核促进性质的一种量度可为给定(导电)沉积材料731在表面上的初始沉积速率相对于相同沉积材料731在参考表面上的初始沉积速率，其中两个表面都经受和/或暴露于沉积材料731的蒸气通量。
定义
在一些非限制性示例中，光电子器件可为电致发光器件。在一些非限制性示例中，电致发光器件可为有机发光二极管(OLED)器件。在一些非限制性示例中，电致发光器件可为电子器件的部分。在一些非限制性示例中，电致发光器件可为OLED照明面板或模块，和/或计算器件诸如智能手机、平板计算机、膝上型计算机、电子阅读器的OLED显示器或模块，和/或一些其他电子器件诸如监视器和/或电视机的OLED显示器或模块。
在一些非限制性示例中，光电子器件可为将光子转换为电的有机光伏(OPV)器件。在一些非限制性示例中，光电子器件可为电致发光量子点(QD)器件。
在本公开中，除非明确地做出相反指示，否则将参考OLED器件，应理解，在一些示例中，此类公开能够以对相关领域的普通技术人员显而易见的方式同样适用于其他光电子器件，包括但不限于OPV和/或QD器件。
此类器件的结构可从两个朝向中的每个朝向来描述，即从剖面朝向和/或从侧面(平面图)朝向来描述。
在本公开中，可遵循基本上垂直于上述侧向朝向延伸的方向惯例，其中基板可为器件的“底部”，并且层可设置在基板的“顶部”上。遵循这种惯例，第二电极可处于所示器件的顶部，即使(如在一些示例中可能是这种情况，包括但不限于，在制造工艺期间，其中至少一个层可借助于气相沉积工艺引入)，基板可物理地倒置，使得其中可设置这些层中的一个层(诸如但不限于第一电极)的顶表面可物理地位于基板下方，以允许沉积材料(未示出)向上移动并且作为薄膜沉积在其顶表面上。
在本文中引入剖面朝向的上下文中，此类器件的部件可在基本上平坦的侧向层中示出。相关领域的普通技术人员将理解，此类基本上平面的表示可仅出于示意性说明的目的，并且在这种器件的侧向范围上，可存在不同厚度和尺寸的局部化的基本上平坦的层，在一些非限制性示例中，包括基本上完全不存在的层和/或由不平坦过渡区域(包括侧向间隙和甚至中断)分开的层。因此，虽然为了进行示意性的说明，该器件可在下面的剖面朝向上被示为基本上分层的结构，但是在下面讨论的平面图朝向，此类器件可示出不同的形貌以限定特征，每个特征可基本上在剖面朝向上表现出所讨论的分层轮廓。
在本公开中，术语“层(layer)”和“层(strata)”可互换使用以指代类似的概念。
图中所示的每个层的厚度可仅为示意性的，而不一定表示相对于另一层的厚度。
为了简化说明书的目的，在本公开中，在单个层中的多个元素的组合可用冒号“:”表示，而多层涂层中包括多个层的多个元素(的组合)可用斜线“/”分隔两个这样的层来表示。在一些非限制性示例中，斜线之后的层可沉积在斜线之前的层之后和/或之上。
出于示意性说明的目的，其上可沉积有涂层、层和/或材料的下面材料的暴露层表面可被理解为其可在沉积时呈现用于在其上沉积涂层、涂层和/或材料的此类下面材料的表面。
相关领域的普通技术人员将理解，当部件、层、区域和/或其一部分被称为“形成”、“设置”和/或“沉积”在另一下面材料、部件、层、区域和/或部分上和/或上方时，此类形成、设置和/或沉积可直接地和/或间接地在此类下面材料、部件、层、区域和/或部分的暴露的表面上(在此类形成、设置和/或沉积时)，其间可能存在中间材料、部件、层、区域和/或部分。
在本公开中，术语“重叠”和/或“重叠的”通常可指被布置成与基本上垂直地远离表面的剖面轴线相交的多个层和/或结构，这些层和/或结构可以设置在该表面上。
虽然本公开参考至少一个层或涂层就气相沉积的方面讨论了薄膜形成，但是相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，可使用各种各样的技术来选择性地沉积器件的各种部件，包括但不限于蒸发(包括但不限于热蒸发和/或电子束蒸发)、光刻、印刷(包括但不限于喷墨和/或蒸气喷射印刷、卷到卷印刷和/或微接触转印印刷)、PVD(包括但不限于溅射)、化学气相沉积(CVD)(包括但不限于等离子体增强CVD(PECVD)和/或有机气相沉积(OVPD))、激光退火、激光诱导热成像(LITI)图案化、原子层沉积(ALD)、涂覆(包括但不限于旋涂、浸涂、线涂覆和/或喷涂)和/或它们的组合(统称为“沉积工艺”)。
在各种层和/或涂层中的任一者的沉积期间，一些工艺可与遮蔽掩模组合使用，该阴影掩模在一些非限制性示例中可为开口掩模和/或精细金属掩模(FMM)，以通过遮蔽和/或排除沉积材料在暴露于其的下面材料的表面的某些部分上的沉积来实现各种图案。
在本公开中，术语“蒸发”和/或“升华”可互换使用，通常是指其中通过加热将源材料转化为蒸气(包括但不限于)以固态沉积到目标表面上(包括但不限于)的沉积过程。如将理解的，蒸发沉积工艺可为一种类型的PVD工艺，其中至少一种源材料在低压(包括但不限于真空)环境下蒸发和/或升华以形成蒸气单体并且通过至少一种蒸发源材料的去升华而沉积在目标表面上。多种不同的蒸发源可用于加热源材料，并且因此，相关领域的普通技术人员将理解，源材料能够以多种方式加热。在一些非限制性示例中，源材料可通过灯丝、电子束、感应加热和/或电阻加热来加热。在一些非限制性示例中，可将源材料装载到加热的坩埚、加热的蒸发皿、克努森池(其可为渗出蒸发器源)和/或任何其他类型的蒸发源中。
在一些非限制性示例中，沉积源材料可为混合物。在一些非限制性示例中，沉积源材料的混合物中的至少一种组分可在沉积工艺期间不被沉积(或者，在一些非限制性示例中，与此类混合物的其他组分相比，以相对小的量被沉积)。
在本公开中，不论材料的沉积机制如何，对材料的层厚度、膜厚度和/或平均层和/或膜厚度的标引可指沉积在目标暴露层表面上的材料的量，其对应于用具有所标引的层厚度的均匀厚度的材料层覆盖目标表面的材料的量。在一些非限制性示例中，沉积10nm层厚度的材料可指示沉积在表面上的材料的量可对应于形成可为10nm厚的均匀厚度材料层的材料的量。应当理解，考虑到上述形成薄膜的机制，在一些非限制性示例中，由于单体的可能堆叠或聚集，沉积材料的实际厚度可能是不均匀的。在一些非限制性示例中，沉积10nm的层厚度可产生沉积材料的具有大于10nm的实际厚度的一些部分，或沉积材料的具有不超过10nm的实际厚度的其他部分。因此，在一些非限制性示例中，沉积在表面上的材料的特定层厚度可对应于跨目标表面的沉积材料的平均厚度。
在本公开中，对参考层厚度的标引可指沉积材料(诸如Mg)的层厚度，该沉积材料可沉积在表现出高初始黏着概率或初始黏着系数的参考表面(即，初始黏着概率为约和/或接近于1.0的表面)上。参考层厚度可不指示沉积在目标表面(诸如但不限于图案化涂层的表面)上的沉积材料的实际厚度。相反，参考层厚度可指在使目标表面和参考表面经受相同沉积时间段的沉积材料的相同蒸气通量时将沉积在参考表面上的沉积材料的层厚度，在一些非限制性示例中，该参考表面为定位在用于监测沉积速率和参考层厚度的沉积室内的石英晶体的表面。相关领域的普通技术人员将理解，在目标表面和参考表面在沉积期间不同时经受相同的蒸气通量的情况下，可使用适当的工具因素来确定和/或监测参考层厚度。
在本公开中，参考沉积速率可指沉积材料层将在参考表面上生长的速率，如果其在沉积室内与样品表面相同地定位和配置的话。
在本公开中，对沉积X个单层材料的标引可指沉积一定量的材料以用X个单层材料组成单体覆盖暴露层表面的给定区域，诸如但不限于在封闭涂层中。
在本公开中，对沉积材料的单层的一小部分的标引可指沉积一定量的材料以用单层材料的组成单体覆盖暴露层表面的给定区域的这部分。相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性示例中，由于单体的可能堆叠和/或聚集，跨表面的给定区域的沉积材料的实际局部厚度可能是不均匀的。在一些非限制性示例中，沉积材料的1个单层可导致表面的给定区域的一些局部区域未被材料覆盖，而表面的给定区域的其他局部区域可具有沉积在其上的多个原子和/或分子层。
在本公开中，目标表面(和/或其目标区域)可被认为是“基本上没有”、“基本上不含”和/或“基本上不被”材料覆盖，如果如通过任何合适的测定机制所测定的在目标表面上基本上不存在材料的话。
在本公开中，术语“黏着概率”和“黏着系数”可互换使用。
在本公开中，术语“成核”可指薄膜形成工艺的成核阶段，其中气相中的单体冷凝到表面上以形成核。
在本公开中，在一些非限制性示例中，如上下文所指示，术语“图案化涂层”和“图案化材料”可互换使用以指代类似概念，并且在选择性沉积以图案化沉积层的上下文中，本文中对图案化涂层的标引可在一些非限制性示例中适用于其选择性沉积以图案化沉积材料和/或电极涂层材料的上下文中的图案化材料。
类似地，在一些非限制性示例中，如上下文所指示，术语“图案化涂层”和“图案化材料”可互换使用以指代类似概念，并且在选择性沉积以图案化沉积层的上下文中，本文中对NPC的标引可在一些非限制性示例中适用于其选择性沉积以图案化沉积材料和/或电极涂层的上下文中的NPC。
虽然图案化材料可为成核抑制材料或成核促进材料，但是在本公开中，除非上下文另外指出，否则本文中对图案化材料的标引旨在为对NIC的标引。
在一些非限制性示例中，对图案化涂层进行标引可表示具有如本文所述的特定组合物的涂层。
在本公开中，术语“沉积层”、“导电涂层”和“电极涂层”可互换使用，以在通过图案化涂层和/或NPC的选择性沉积进行图案化的上下文中，指代类似的概念和对本文中的沉积层的标引，在一些非限制性示例中，其可适用于通过图案化材料的选择性沉积进行图案化的上下文中的沉积层。在一些非限制性示例中，对电极涂层进行标引可表示具有如本文所述的特定组合物的涂层。类似地，在本公开中，术语“沉积层材料”、“沉积材料”、“导电涂层材料”和“电极涂层材料”可互换使用以指代类似的概念和对本文中的沉积材料的标引。
在一些非限制性示例中，示出化合物的片段或部分的分子式可包括连接到星号(由符号*表示)的至少一个键，该星号可用于指示与此类片段或部分可附着的化合物的另一原子(未示出)的键。
在本公开中，相关领域的普通技术人员将理解，有机材料可包括但不限于多种有机分子和/或有机聚合物。此外，相关领域的普通技术人员将理解，掺杂有各种无机物质(包括但不限于元素和/或无机化合物)的有机材料仍然可被认为是有机材料。此外，相关领域的普通技术人员将理解，可使用各种有机材料，并且本文所述的方法通常适用于整个范围的这种有机材料。此外，相关领域的普通技术人员将理解，包含金属和/或其他有机元素的有机材料仍然可被认为是有机材料。此外，相关领域的普通技术人员将理解，各种有机材料可为分子、低聚物和/或聚合物。
如本文所用，有机-无机混合材料通常可指包含有机组分和无机组分两者的材料。在一些非限制性示例中，此类有机-无机杂化材料可包含有机-无机杂化化合物，该化合物包括有机部分和无机部分。此类有机-无机杂化化合物的非限制性示例包括其中无机支架用至少一个有机官能团官能化的那些。此类有机-无机杂化材料的非限制性示例包括包含硅氧烷基团、倍半硅氧烷基团、多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)基团、磷腈基和金属络合物中的至少一者的那些。
在本公开中，半导体材料可被描述为通常表现出带隙的材料。在一些非限制性示例中，带隙可在半导体材料的最高已占分子轨道(HOMO)与最低未占分子轨道(LUMO)之间形成。因此，半导体材料通常表现出的电导率不大于导电材料(包括但不限于金属)的电导率，但大于绝缘材料(包括但不限于玻璃)的电导率。在一些非限制性示例中，半导体材料可包括有机半导体材料。在一些非限制性示例中，半导体材料可包括无机半导体材料。
如本文所用，低聚物通常可指包括至少两个单体单元或单体的材料。如本领域技术人员将理解的，低聚物可在至少一个方面不同于聚合物，包括但不限于：(1)其中包含的单体单元的数量；(2)分子量；以及(3)其他材料性质和/或特性。在一些非限制性示例中，聚合物和低聚物的进一步描述可见于Naka K(2014年)“Monomers,Oligomers,Polymers,andMacromolecules(概述)”中，以及Kobayashi S.,Müllen K.(编辑)。“Encyclopedia ofPolymeric Nanomaterials”，施普林格(柏林海德堡)中。
低聚物或聚合物通常可包括能够化学键合在一起形成分子的单体单元。这些单体单元可基本上彼此相同，使得该分子主要由重复的单体单元形成，或者该分子可包括多个不同的单体单元。另外，该分子可包括至少一个末端单元，其可不同于该分子的单体单元。低聚物或聚合物可为直链、支链、环状、环-直链和/或交联的。低聚物或聚合物可包括以重复模式和/或以不同单体单元的交替嵌段排列的多种不同单体单元。
在本公开中，术语“半导电层”与“有机层”可互换使用，因为在一些非限制性示例中，OLED器件中的层可包括有机半导电材料。
在本公开中，无机物质可指主要包括无机材料的物质。在本公开中，无机材料可包括不被认为是有机材料的任何材料，包括但不限于金属、玻璃和/或矿物质。
在本公开中，如本文所用的术语“开口率”通常是指在平面中显示面板(的一部分) 内由存在于这种显示面板(的一部分)中的至少一个特征占据和/或归因于该至少一个特征 的面积的百分比。
在本公开中，术语“EM辐射”、“光子”和“光”可互换使用以指代类似的概念。在本公开中，EM辐射可具有位于可见光谱、红外(IR)区域(IR光谱)、近红外区域(NIR光谱)、紫外(UV)区域(UV光谱)和/或其UVA区域(UVA光谱)(其可对应于约315nm-400nm之间的波长范围)中的波长，和/或其UVB区域(UVB光谱)(其可对应于约280nm-315nm之间的波长)。
在本公开中，如本文所用的术语“可见光谱”通常指EM光谱的可见部分中的至少一个波长。
如相关领域的普通技术人员将理解的，这种可见部分可对应于约380nm-740nm之间的任何波长。通常，电致发光器件可被配置为发射和/或透射具有在约425nm-725nm之间的范围内的波长的EM辐射，并且更具体地，在一些非限制性示例中，具有分别对应于B(蓝色)、G(绿色)和R(红色)子像素的456nm、528nm和624nm的峰值发射波长的EM辐射。因此，在这种电致发光器件的情况下，可见部分可指约425nm-725nm之间或约456nm-624nm之间的任何波长。在一些非限制性示例中，具有可见光谱中的波长的EM辐射在本文中也可称为“可见光”。
在本公开中，如本文所用的术语“发射光谱”通常指由光电子器件发射的光的电致发光光谱。在一些非限制性示例中，可使用光学仪器(诸如在一些非限制性示例中，分光光度计)检测发射光谱，该光学仪器可测量跨波长范围的EM辐射强度。
在本公开中，如本文所用的术语“起始波长”通常可指在发射光谱内检测到发射的最低波长。
在本公开中，如本文所用的术语“峰值波长”通常可指在发射光谱内检测到最大发光强度的波长。
在一些非限制性示例中，起始波长可小于峰值波长。在一些非限制性示例中，起始波长λonset可对应于发光强度为不超过峰值波长处的发光强度的约10％、5％、3％、1％、0.5％、0.1％和0.01％中的一者的波长。
在一些非限制性示例中，位于可见光谱的R(红色)部分中的发射光谱可由峰值波长表征，该峰值波长可位于约600nm-640nm的波长范围中，并且在一些非限制性示例中，可基本上为约620nm。
在一些非限制性示例中，位于可见光谱的G(绿色)部分中的发射光谱可由峰值波长表征，该峰值波长可位于约510nm-540nm的波长范围中，并且在一些非限制性示例中可基本上为约530nm。
在一些非限制性示例中，位于可见光谱的B(蓝色)部分中的发射光谱可由峰值波长λmax表征，该峰值波长可位于约450nm-460nm的波长范围中，并且在一些非限制性示例中，可基本上为约455nm。
在本公开中，如本文所用的术语“IR信号”通常可指具有在EM光谱的IR子集(IR光谱)中的波长的EM辐射。在一些非限制性示例中，IR信号可具有对应于其近红外(NIR)子集(NIR光谱)的波长。在一些非限制性示例中，NIR信号可具有约750nm-1400nm、750nm-1300nm、800nm-1300nm、800nm-1200nm、850nm-1300nm和900nm-1300nm之间中的一者的波长。
在本公开中，如本文所用的术语“吸收光谱”通常可指吸收可集中于其上的EM光谱的波长(子)范围。
在本公开中，如本文所用的术语“吸收边缘”、“吸收不连续性”和/或“吸收极限”通常可指物质吸收光谱中的尖锐不连续性。在一些非限制性示例中，吸收边缘可能倾向于出现在吸收EM辐射的能量可对应于电子跃迁和/或电离电势的波长处。
在本公开中，如本文所用的术语“消光系数”通常可指当通过材料传播时EM系数可衰减的程度。在一些非限制性示例中，消光系数可被理解为对应于复折射率的虚部k。在一些非限制性示例中，材料的消光系数可通过多种方法测量，包括但不限于通过椭圆光度法。
在本公开中，如本文中用于描述介质的术语“折射率”和/或“折射”可指根据这种介质中的光速相对于真空中的光速的比率计算的值。在本公开中，特别是当用于描述包括但不限于薄膜层和/或涂层的基本上透明的材料的性质时，这些术语可对应于表达式N＝n+ik中的实部n，其中N可表示复折射率，并且k可表示消光系数。
如相关领域的普通技术人员将理解的，基本上透明的材料(包括但不限于薄膜层和/或涂层)通常可在可见光谱中表现出相对低的消光系数值，并且因此该表达式的虚部对复折射率的贡献可忽略不计。另一方面，例如由金属薄膜形成的透光电极可在可见光谱中表现出相对低的折射率值和相对高的消光系数值。因此，此类薄膜的复折射率N可主要由其虚部k决定。
在本公开中，除非上下文另外指出，否则没有具体对折射率进行标引可旨在对复折射率N的实部n进行标引。
在一些非限制性示例中，折射率与透射率之间可能存在大致正相关，或者换句话说，折射率与吸收之间可能存在大致负相关。在一些非限制性示例中，物质的吸收边缘可对应于消光系数接近于0的波长。
在本公开中，可结合像素的至少一个子像素的概念来讨论像素的概念。仅为简化说明书的目的，除非上下文另外指出，否则此复合概念在本文中可被称为“(子)像素”，并且此术语可被理解为暗示像素和/或其至少一个子像素中的任一者或两者。
在一些非限制性示例中，表面上材料的量的一种量度可为这种材料对表面的覆盖百分比。在一些非限制性示例中，可使用多种成像技术(包括但不限于TEM、AFM和/或SEM)来评估表面覆盖率。
在本公开中，术语“颗粒”、“岛”和“簇”可互换使用以指代类似的概念。
在本公开中，为了简化说明书的目的，如本文所用的术语“涂层膜”、“封闭涂层”和/或“封闭膜”可指用于沉积层的沉积材料的薄膜结构和/或涂层，其中表面的相关部分可由此基本上被涂覆，使得这样的表面可基本上不被沉积在其上的涂膜暴露或通过其暴露。
在本公开中，除非上下文另外指出，否则没有对薄膜的特异性进行标引可旨在对基本上封闭涂层进行标引。
在一些非限制性示例中，沉积层和/或沉积材料的封闭涂层(在一些非限制性示例中)可被设置为覆盖下面表面的一部分，使得在此部分内，可被封闭涂层暴露或穿过封闭涂层暴露不超过其内的下面表面的约40％、30％、25％、20％、15％、10％、5％、3％和1％中的一者。
相关领域的普通技术人员将理解，封闭涂层可使用各种技术和工艺(包括但不限于本文所述的那些技术和工艺)来图案化，以在沉积封闭涂层之后有意留下待暴露的下面表面的暴露层表面的一部分。然而，在本公开中，如果在一些非限制性示例中，在这种图案化的上下文中以及在下面表面的暴露层表面的这种有意暴露部分之间沉积的薄膜和/或涂层本身基本上包括封闭涂层，则这种图案化的膜可被认为构成封闭涂层。
相关领域的普通技术人员将认识到，由于沉积工艺中的固有可变性，并且在一些非限制性示例中，由于沉积材料、在一些非限制性示例中沉积材料和下面材料的暴露层表面中的任一者或两者中存在杂质，使用各种技术和工艺(包括但不限于本文所述的那些技术和工艺)沉积薄膜仍可能导致在其中形成小孔，包括但不限于针孔、撕裂和/或裂纹。在本公开中，尽管存在这样的孔，但如果在一些非限制性示例中，沉积的薄膜和/或涂层基本上包括封闭涂层并且满足所提出的任何指定百分比覆盖标准，则这样的薄膜仍然可被认为构成封闭涂层。
在本公开中，为了简化说明书的目的，如本文所用的术语“不连续层”可指薄膜结构和/或用于沉积层的材料的涂层，其中由此涂覆的表面的相关部分可既不基本上没有这种材料，也不形成其封闭涂层。在一些非限制性示例中，沉积材料的不连续层可表现为设置在此类表面上的多个离散岛。
在本公开中，为了简化说明书的目的，蒸气单体沉积到下面材料的暴露层表面上的结果(其尚未达到已经形成封闭涂层的阶段)可被称为“中间阶段层”。在一些非限制性示例中，这种中间阶段层可反映沉积过程尚未完成，其中这种中间阶段层可被认为是形成封闭涂层的中间阶段。在一些非限制性示例中，中间阶段层可为完成的沉积工艺的结果，并且因此构成其自身的最终形成阶段。
在一些非限制性示例中，中间阶段层可比不连续层更类似于薄膜，但可在表面覆盖中具有孔和/或间隙，包括但不限于至少一个树枝状突起和/或至少一个树枝状凹陷。在一些非限制性示例中，此类中间阶段层可包括沉积材料的单个单层的一小部分，使得其不形成封闭涂层。
在本公开中，为了简化说明书的目的，关于涂层(包括但不限于沉积层)的术语“树枝状”可指当从侧向朝向观察时类似于分支结构的特征。在一些非限制性示例中，沉积层可包括树枝状突起和/或树枝状凹陷。在一些非限制性示例中，树枝状突起可对应于表现出分支结构的沉积层的一部分，该分支结构包括物理连接并且基本上向外延伸的多个短突起。在一些非限制性示例中，树枝状凹陷可对应于沉积层的物理连接并且基本上向外延伸的间隙、开口和/或未覆盖部分的分支结构。在一些非限制性示例中，树枝状凹陷可对应于(包括但不限于)树枝状突起的图案的镜像和/或反向图案。在一些非限制性示例中，树枝状突起和/或树枝状凹陷可具有表现出和/或模拟分形图案、网格、网状物和/或交叉结构的构型。
在一些非限制性示例中，薄层电阻可为部件、层和/或部分的性质，其可改变流过此类部件、层和/或部分的电流的特性。在一些非限制性示例中，涂层的薄层电阻通常可对应于与器件的其他部件、层和/或部分隔离地测量和/或确定的涂层的特征薄层电阻。
在本公开中，沉积密度可指区域内的分布，在一些非限制性示例中，该分布可包括其中的沉积材料的面积和/或体积。相关领域的普通技术人员将理解，这种沉积密度可能与颗粒结构本身内的物质或材料的密度无关，该颗粒结构本身可包括这种沉积材料。在本公开中，除非上下文另外指出，否则对沉积密度和/或密度的标引可旨在是对此类沉积材料(包括但不限于作为至少一个颗粒)在区域内的分布的标引。
在一些非限制性示例中，金属元素的键解离能可对应于在298K下从由金属的两个相同原子形成的双原子分子的键断裂测量的标准态焓变。在一些非限制性示例中，键解离能可基于已知文献确定，包括但不限于Luo,Yu-Ran，“Bond Dissociation Energies”(2010年)。
不希望受特定理论的束缚，可以假定，提供NPC可促进沉积层沉积到某些表面上。
用于形成NPC的合适材料的非限制性示例可包括但不限于金属(包括但不限于碱金属、碱土金属、过渡金属和/或后过渡金属)、金属氟化物、金属氧化物和/或富勒烯中的至少一者。
此类材料的非限制性示例包括Ca、Ag、Mg、Yb、ITO、IZO、ZnO、氟化镱(YbF3)、氟化镁(MgF2)和/或氟化铯(CsF)。
在本公开中，术语“富勒烯”通常可指包括碳分子的材料。富勒烯分子的非限制性示例包括碳笼分子，包括但不限于包括形成封闭壳的多个碳原子的三维骨架，并且其可为但不限于球形和/或半球形形状。在一些非限制性示例中，富勒烯分子可指定为Cn，其中n可为对应于富勒烯分子的碳骨架中所包括的若干个碳原子的整数。富勒烯分子的非限制性示例包括Cn，其中n可在50至250的范围内，诸如但不限于C60、C70、C72、C74、C76、C78、C80、C82和C84。富勒烯分子的其他非限制性示例包括管状和/或圆柱形的碳分子，包括但不限于单壁碳纳米管和/或多壁碳纳米管。
基于发现和实验观察，可以假定，成核促进材料(包括但不限于富勒烯、金属(包括但不限于Ag和/或Yb)和/或金属氧化物(包括但不限于ITO和/或IZO))，如本文进一步论述，可充当用于沉积层(包括但不限于Mg)的沉积的成核位点。
在一些非限制性示例中，用于形成NPC的合适材料可包括表现出或表征为对于沉积层的材料具有至少约0.4、0.5、0.6、0.7、0.75、0.8、0.9、0.93、0.95、0.98或0.99中的至少一者的初始黏着概率的那些材料。
在一些非限制性示例中，在非限制性地使用蒸发工艺在经富勒烯处理的表面上沉积Mg的场景下，在一些非限制性示例中，富勒烯分子可充当可促进用于Mg沉积的稳定核的形成的成核位点。
在一些非限制性示例中，可在经处理表面上提供不超过单层的NPC(包括但不限于富勒烯)以充当Mg沉积的成核位点。
在一些非限制性示例中，通过在表面上沉积若干单层的NPC来处理表面可导致更高数量的成核位点，并因此导致更高的初始黏着概率。
相关领域的普通技术人员将理解，沉积在表面上的材料(包括但不限于富勒烯)的量可多于或少于一个单层。在一些非限制性示例中，可通过沉积成核促进材料和/或成核抑制材料的约0.1、1、10个或更多单层中的至少一者来处理这种表面。
在一些非限制性示例中，沉积在下面材料的暴露层表面上的NPC的平均层厚度可为约1nm-5nm和1nm-3nm之间中的一者。
在本公开内容的特征或方面可以根据马库什组描述的情况下，相关领域的普通技术人员将理解，本公开内容也可由此根据这样的马库什组的成员的子组中的任何单独成员来描述。
术语
单数形式的引用可包括复数，反之亦然，除非另有说明。
如本文所用，关系术语(诸如“第一”和“第二”)以及编号的器件(诸如“a”、“b”等)可仅用于区分一个实体或元件与另一实体或元件，而不一定要求或暗示此类实体或元件之间的任何物理或逻辑关系或次序。
术语“包括(including)”和“包含(comprising)”可被广泛地并且以开放的方式使用，并且因此应当被解释为意指“包括但不限于”。术语“示例”和“示例性”可仅用于标识出于示意性目的的示例，并且不应被解释为将本发明的范围限于所陈述的示例。具体地，术语“示例性”不应被解释为表示或赋予其所用表达的任何赞美、有益或其他性质，无论是在设计、性能还是其他方面。
此外，术语“临界”，特别是当用于表述“临界核”、“临界成核速率”、“临界浓度”、“临界簇”、“临界单体”、“临界颗粒结构尺寸”和/或“临界表面张力”时，可为相关领域的普通技术人员熟悉的术语，包括涉及或处于某种状态，在该状态中，一些质量、性质或现象经历了明确的变化。因此，术语“临界”不应被解释为表示或赋予其所用表达的任何意义或重要性，无论是在设计、性能还是其他方面。
任何形式的术语“耦接”和“连通”可旨在表示直接连接或通过一些接口、器件、中间部件或连接件间接连接，无论是光学地、电学地、机械地、化学地还是以其他方式。
当关于第一部件相对于另一部件使用术语“在…上”或“在...之上”和/或“覆盖”另一部件时，可涵盖第一部件直接位于另一部件上(包括但不限于与另一部件物理接触)的情况，以及至少一个中间部件位于第一部件与另一部件之间的情况。
除非另有说明，否则方向术语诸如“向上”、“向下”、“向左”和“向右”可用来指所参考的附图中的方向。类似地，词语诸如“向内”和“向外”可用于分别指朝向和远离器件的几何中心、区域或体积或其指定部分的方向。此外，本文中所述的所有尺寸可仅旨在作为用于说明某些示例的示例，而不旨在将本公开的范围限制于可能偏离所指定尺寸的任何示例。
如本文所用，术语“基本上”、“基本的”、“近似”和/或“约”可用于表示和说明小的变化。当与事件或情况结合使用时，这样的术语可指事件或情况准确发生的情况，以及事件或情况以接近近似发生的情况。在一些非限制性示例中，当与数值结合使用时，此类术语可指不超过此类数值的约±10％的变化范围，诸如不大于约±5％、±4％、±3％、±2％、±1％、±0.5％、±0.1％和±0.05％中的至少一者。
如本文所用，短语“基本上由…组成”可被理解为包括具体列举的那些要素和不实质上影响所述技术的基本和新颖特性的任何附加的要素，而不使用任何修饰语的短语“由…组成”可排除未具体列举的任何要素。
如相关领域的普通技术人员将理解的，为了任何和所有目的，特别是就提供书面描述而言，本文公开的所有范围还可涵盖任何和所有可能的子范围和/或其子范围的组合。任何列出的范围都可被容易地识别为充分描述和/或使得相同的范围至少被分解为其相等的分数，包括但不限于二分之一、三分之一、四分之一、五分之一、十分之一等。作为非限制性示例，本文所讨论的每个范围都可被容易地分解为下三分之一、中三分之一和/或上三分之一等。
如相关领域的普通技术人员还将理解的，所有语言和/或术语诸如“高达”、“至少”、“大于”、“小于”等可包括和/或指代所述范围，并且还可指代可随后被分解为如本文所讨论的子范围的范围。
如相关领域的普通技术人员将理解的，范围可包括所述范围的每个单独成员。
一般原则
说明书摘要的目的是使得相关专利局或公众(通常并且具体地，不熟悉专利或法律术语或措辞的本领域普通技术人员)能够通过粗略检查快速确定技术公开的性质。说明书摘要既不旨在限定本公开的范围，也不旨在以任何方式限制本公开的范围。
上文已经讨论了当前公开的示例的结构、制造和用途。所讨论的具体示例仅说明用以制作和使用本文中所公开的概念的特定方式，并且不限制本公开的范围。相反，本文所阐述的一般原理仅仅是对本公开的范围的说明。
应当理解，本公开由权利要求而不是由所提供的具体实施描述，并且可通过改变、省略、添加或替换和/或在不存在任何元件和/或限制的情况下使用替代方案和/或等效功能元件来修改，无论本文是否具体公开，对于相关领域的普通技术人员而言都将是显而易见的，可对本文公开的示例进行修改，并且可在不偏离本公开的情况下提供能够在多种特定上下文中体现的许多适用的发明概念。
具体地，在上述示例中的至少一者中描述和示出的特征、技术、系统、子系统和方法，无论是否被描述为离散的还是分开的，在不脱离本公开范围的情况下都可被组合或集成到另一系统中，以创建由可能未在上文明确描述的特征的组合或子组合组成的替代示例，或者某些特征可被省略或不被实现。本领域技术人员在审查本申请作为一个整体后，将很容易看出适合于此类组合和子组合的特征。在不脱离本文所公开的实质和范围的情况下，可容易地确定并且可做出改变、替换和更改的其他示例。
本文叙述本公开的原理、方面和示例以及其特定示例的所有陈述旨在涵盖其结构和功能等效物两者并覆盖和包含技术上的所有适当变化。另外，这种等效物旨在包括当前已知的等效物以及未来开发的等效物，即，所开发的执行相同功能的任何元件，而不管结构如何。
条款
本公开包括但不限于以下条款：
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层包括图案化材料411。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层的对于所述沉积材料531的沉积的初始黏着概率不超过所述暴露层表面的对于所述沉积材料531的沉积的初始黏着概率。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层基本上没有所述沉积材料531的封闭涂层。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层和所述图案化材料411中的至少一者具有为不超过约0.9、0.3、0.2、0.15、0.1、0.08、0.05、0.03、0.02、0.01、0.008、0.005、0.003、0.001、0.0008、0.0005、0.0003和0.0001中的至少一者的对于所述沉积材料531的沉积的初始黏着概率。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层和所述图案化材料411中的至少一种具有为不超过约0.9、0.3、0.2、0.15、0.1、0.08、0.05、0.03、0.02、0.01、0.008、0.005、0.003、0.001、0.0008、0.0005、0.0003和0.0001中的至少一者的对于银(Ag)和镁(Mg)中的至少一者的沉积的初始黏着概率。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层和所述图案化材料411中的至少一者具有约0.15-0.0001、0.1-0.0003、0.08-0.0005、0.08-0.0008、0.05-0.001、0.03-0.0001、0.03-0.0003、0.03-0.0005、0.03-0.0008、0.03-0.001、0.03-0.005、0.03-0.008、0.03-0.01、0.02-0.0001、0.02-0.0003、0.02-0.0005、0.02-0.0008、0.02-0.001、0.02-0.005、0.02-0.008、0.02-0.01、0.01-0.0001、0.01-0.0003、0.01-0.0005、0.01-0.0008、0.01-0.001、0.01-0.005、0.01-0.008、0.008-0.0001、0.008-0.0003、0.008-0.0005、0.008-0.0008、0.008-0.001、0.008-0.005、0.005-0.0001、0.005-0.0003、0.005-0.0005、0.005-0.0008和0.005-0.001中的至少一者的对于所述沉积材料531的沉积的初始黏着概率。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层和所述图案化材料411中的至少一者具有不超过阈值的对于所述沉积材料531的沉积的初始黏着概率，所述阈值为约0.3、0.2、0.18、0.15、0.13、0.1、0.08、0.05、0.03、0.02、0.01、0.008、0.005、0.003和0.001中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层和所述图案化材料411中的至少一者具有不超过所述阈值的对于Ag、Mg、镱(Yb)、镉(Cd)和锌(Zn)中的至少一者的沉积的初始黏着概率。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述阈值具有对于第一沉积材料531的沉积的第一阈值和对于第二沉积材料531的沉积的第二阈值。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述第一沉积材料531为Ag并且所述第二沉积材料531为Mg。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述第一沉积材料531为Ag并且所述第二沉积材料531为Yb。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述第一沉积材料531为Yb并且所述第二沉积材料531为Mg。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述第一阈值超过所述第二阈值。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层和所述图案化材料411中的至少一者在经受所述沉积材料531的蒸气通量1832之后具有对于EM辐射至少阈值透射率值的透射率。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中在可见光谱中的波长下测量所述阈值透射率。
根据本文的至少一个条款所述的器件，其中所述阈值透射率值为穿过其透射的入射EM功率的至少约60％、65％、70％、75％、80％、85％和90％中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层和所述图案化材料411中的至少一者具有不超过约24达因/厘米、22达因/厘米、20达因/厘米、18达因/厘米、16达因/厘米、15达因/厘米、13达因/厘米、12达因/厘米和11达因/厘米中的至少一者的表面能。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层和所述图案化材料411中的至少一者具有至少约6达因/厘米、7达因/厘米和8达因/厘米中的至少一者的表面能。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层和所述图案化材料411中的至少一者具有约10达因/厘米-20达因/厘米和13达因/厘米-19达因/厘米中的至少一者的表面能。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层和所述图案化材料411中的至少一者具有为不超过约1.55、1.5、1.45、1.43、1.4、1.39、1.37、1.35、1.32和1.3中的至少一者的对于550nm波长下的EM辐射的折射率。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层和所述图案化材料411中的至少一者对于波长超过约600nm、500nm、460nm、420nm和410nm中的至少一者的光子具有不超过约0.01的消光系数。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层和所述图案化材料411中的至少一者对于波长比至少约400nm、390nm、380nm和370nm中的至少一者短的EM辐射具有至少约0.05、0.1、0.2、0.5中的至少一者的消光系数。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层和所述图案化材料411中的至少一者具有为以下中的至少一者的玻璃化转变温度：(i)至少约300℃、150℃、130℃、120℃和100℃中的至少一者，以及(ii)不超过约30℃、0℃、-30℃和-50℃中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化材料411具有在约100℃-320℃、120℃-300℃、140℃-280℃和150℃-250℃之间中的至少一者的升华温度。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层和所述图案化材料411中的至少一者包括氟原子和硅原子中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层包括氟和碳。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中氟与碳的商的原子比为约1、1.5和2中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层包括低聚物。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层包括具有分子结构的化合物，所述分子结构包括主链和至少一个与其键合的官能团。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述化合物包括以下中的至少一者：硅氧烷基团、倍半硅氧烷基团、芳基基团、杂芳基基团、氟代烷基基团、烃基基团、磷腈基基团、氟聚合物和金属络合物。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述化合物的分子量为不大于约5,000g/mol、4,500g/mol、4,000g/mol、3,800g/mol和3,500g/mol中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述分子量为至少约：1,500g/mol、1,700g/mol、2,000g/mol、2,200g/mol和2,500g/mol。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述分子量为约1,500g/mol-5,000g/mol、1,500g/mol-4,500g/mol、1,700g/mol-4,500g/mol、2,000g/mol-4,000g/mol、2,200g/mol-4,000g/mol和2,500g/mol-3,800g/mol中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述化合物的摩尔重量的可归因于氟原子的存在的百分比为约40％-90％、45％-85％、50％-80％、55％-75％和60％-75％中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中氟原子占所述化合物的大部分摩尔重量。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化材料411包括有机-无机杂化材料。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层具有用于沉积材料531的至少一个成核位点。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层补充有晶种材料，所述晶种材料充当所述沉积材料531的成核位点。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述晶种材料包括以下中的至少一者：成核促进涂层(NPC)材料、有机材料、多环芳族化合物和包括选自氧(O)、硫(S)、氮(N)和碳(C)中的至少一者的非金属元素的材料。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层充当光学涂层。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层改变由所述器件发射的EM辐射的性质和特性中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层包括结晶材料。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层作为非结晶材料沉积并且在沉积后结晶。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积层包括沉积材料531。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积材料531包括选自以下中的至少一者的元素：钾(K)、钠(Na)、锂(Li)、钡(Ba)、铯(Cs)、镱(Yb)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)、镍(Ni)和钇(Y)。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积材料531包括纯金属。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积材料531选自纯Ag和基本上纯Ag中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述基本上纯Ag具有至少约95％、99％、99.9％、99.99％、99.999％和99.9995％中的至少一者的纯度。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积材料531选自纯Mg和基本上纯Mg中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述基本上纯Mg具有至少约95％、99％、99.9％、99.99％、99.999％或99.9995％中的至少一者的纯度。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积材料531包括合金。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积材料531包括以下中的至少一者：
含Ag合金、含Mg合金和含AgMg合金。
根据本文的至少一个条款所述的器件，其中所述含AgMg合金具有按体积计在1:10(Ag:Mg)至约10:1范围内的合金组合物。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积材料531包括至少一种不同于Ag的金属。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积材料531包括Ag与至少一种金属的合金。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一种金属选自Mg和Yb中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述合金为具有约5体积％-95体积％Ag之间的组合物的二元合金。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述合金包括具有按体积计约1:20-10:1之间的组合物的Yb:Ag合金。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积材料531包括Mg:Yb合金。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积材料531包括Ag:Mg:Yb合金。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积层包括至少一种附加元素。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一种附加元素为非金属元素。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述非金属元素选自O、S、N和C中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述非金属元素的浓度为不大于约1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％和0.0000001％中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积层具有其中O和C的组合量为不大于约10％、5％、1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％或0.0000001％中的至少一者的组合物。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述非金属元素充当所述NIC上的所述沉积材料531的成核位点。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积材料531和所述下面层包括共同的金属。
根据本文至少一个条款所述的器件，所述沉积层包括多层所述沉积材料531。
根据本文至少一个条款所述的器件，所述多个层中的第一层的沉积材料531与所述多个层中的第二层的沉积材料531不同。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积层包括多层涂层。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述多层涂层为以下中的至少一者：Yb/Ag、Yb/Mg、Yb/Mg:Ag、Yb/Yb:Ag、Yb/Ag/Mg和Yb/Mg/Ag。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积材料531包括具有为不超过约300kJ/mol、200kJ/mol、165kJ/mol、150kJ/mol、100kJ/mol、50kJ/mol和20kJ/mol中的至少一者的键解离能的金属。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积材料531包括具有不超过约1.4、1.3和1.2中的至少一者的电负性的金属。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积层的薄层电阻为不大于约10Ω/□、5Ω/□、1Ω/□、0.5Ω/□、0.2Ω/□和0.1Ω/□中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积层以由其中基本上没有其封闭涂层的至少一个区域限定的图案设置。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一个区域将所述沉积层分离成其多个离散片段。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少两个离散片段被电耦接。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层具有由图案化涂层边缘限定的边界。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层包括至少一个图案化涂层过渡区域和图案化涂层非过渡部分。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一个图案化涂层过渡区域从最大厚度过渡到减小的厚度。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一个图案化涂层过渡区域在所述图案化涂层非过渡部分和所述图案化涂层边缘之间延伸。根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层在所述图案化涂层非过渡部分中的平均膜厚度在约1nm-100nm、2nm-50nm、3nm-30nm、4nm-20nm、5nm-15nm、5nm-10nm和1nm-10nm中的至少一者的范围内。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层非过渡部分中的所述图案化涂层的厚度在所述NIC的平均膜厚度的约95％和90％中的至少一者内。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述平均膜厚度为不大于约80nm、60nm、50nm、40nm、30nm、20nm、15nm和10nm中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述平均膜厚度超过约3nm、5nm和8nm中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述平均膜厚度不大于约10nm。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层具有在所述图案化涂层过渡区域内从最大值减小到最小值的图案化涂层厚度。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述最大值接近于所述图案化涂层过渡区域与所述图案化涂层非过渡部分之间的边界。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述最大值为所述平均膜厚度的百分比，所述百分比为约100％、95％和90％中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述最小值接近所述图案化涂层边缘。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述最小值在约0nm-0.1nm之间的范围内。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层厚度的轮廓为倾斜、锥形和由梯度限定中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述锥形轮廓遵循线性、非线性、抛物线和指数衰减轮廓中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中沿着所述图案化涂层非过渡区域的侧向轴的非过渡宽度超过沿着所述图案化涂层过渡区域的轴的过渡宽度。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述非过渡宽度与所述过渡宽度的商为至少约：5、10、20、50、100、500、1,000、1,500、5,000、10,000、50,000或100,000中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述非过渡宽度和所述过渡宽度中的至少一者超过所述下面层的平均膜厚度。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述非过渡宽度和所述过渡宽度中的至少一者超过所述图案化涂层的平均膜厚度。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述下面层的所述平均膜厚度超过所述图案化涂层的所述平均膜厚度。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积层具有由沉积层边缘限定的边界。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中沉积层包括至少一个沉积层过渡区域和沉积层非过渡部分。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一个沉积层过渡区域从最大厚度过渡到减小的厚度。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一个沉积层过渡区域在所述沉积层非过渡部分和所述沉积层边缘之间延伸。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积层在所述沉积层非过渡部分中的所述平均膜厚度在约1nm-500nm、5nm-200nm、5nm-40nm、10nm-30nm和10nm-100nm中的至少一者的范围内。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述平均膜厚度超过约10nm、50nm和100nm中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述平均膜厚度在其间基本上恒定。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述平均膜厚超过所述下面层的平均膜厚度。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积层的所述平均膜厚度与所述下面层的所述平均膜厚度的商为至少约1.5、2、5、10、20、50和100中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述商在约0.1-10和0.2-40之间中的至少一者的范围内。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积层的所述平均膜厚度超过所述图案化涂层的平均膜厚度。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积层的所述平均膜厚度与所述图案化涂层的所述平均膜厚度的商为至少约1.5、2、5、10、20、50和100中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述商在约0.2-10和0.5-40中的至少一者的范围内。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中沿着所述沉积层非过渡部分的侧向轴的沉积层非过渡宽度超过沿着所述图案化涂层非过渡部分的轴的图案化涂层非过渡宽度。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层非过渡宽度与所述沉积层非过渡宽度的商为约0.1-10、0.2-5、0.3-3和0.4-2中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积层非过渡宽度与所述图案化涂层非过渡宽度的商为至少1、2、3和4中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积层非过渡宽度超过所述沉积层的所述平均膜厚度。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积层非过渡宽度与所述平均膜厚度的商为至少约10、50、100和500中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述商不大于约100,000。根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积层具有在所述沉积层过渡区域内从最大值减小到最小值的沉积层厚度。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述最大值接近于所述沉积层过渡区域与所述沉积层非过渡部分之间的边界。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述最大值为所述平均膜厚度。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述最小值接近所述沉积层边缘。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述最小值在约0nm-0.1nm之间的范围内。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述最小值为所述平均膜厚度。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积层厚度的轮廓为倾斜、锥形和由梯度限定中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述锥形轮廓遵循线性、非线性、抛物线和指数衰减轮廓中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积层在所述沉积层过渡区域的至少一部分中包括不连续层。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述沉积层在重叠部分中与所述图案化涂层重叠。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述图案化涂层在重叠部分中与所述沉积层重叠。
根据本文至少一个条款所述的器件，还包括设置在下面层的暴露层表面上的至少一种颗粒结构。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述下面层为所述图案化涂层。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一种颗粒结构包括颗粒材料。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述颗粒材料与所述沉积材料531相同。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述颗粒材料、所述沉积材料531和构成所述下面层的材料中的至少两者包括共同的金属。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述颗粒材料包括选自以下中的至少一者的元素：钾(K)、钠(Na)、锂(Li)、钡(Ba)、铯(Cs)、镱(Yb)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)、镍(Ni)和钇(Y)。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述颗粒材料包括纯金属。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述颗粒材料选自纯Ag和基本上纯Ag中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述基本上纯Ag具有至少约95％、99％、99.9％、99.99％、99.999％和99.9995％中的至少一者的纯度。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述颗粒材料选自纯Mg和基本上纯Mg中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述基本上纯Mg具有至少约95％、99％、99.9％、99.99％、99.999％或99.9995％中的至少一者的纯度。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述颗粒材料包括合金。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述颗粒材料包括以下中的至少一者：含Ag合金、含Mg合金和含AgMg合金。
根据本文的至少一个条款所述的器件，其中所述含AgMg合金具有按体积计在1:10(Ag:Mg)至约10:1范围内的合金组合物。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述颗粒材料包括至少一种不同于Ag的金属。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述颗粒材料包括Ag与至少一种金属的合金。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一种金属选自Mg和Yb中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述合金为具有约5体积％-95体积％Ag之间的组合物的二元合金。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述合金包括具有按体积计约1:20-10:1之间的组合物的Yb:Ag合金。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述颗粒材料包括Mg:Yb合金。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述颗粒材料包括Ag:Mg:Yb合金。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一种颗粒结构包括至少一种附加元素。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一种附加元素为非金属元素。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述非金属元素选自O、S、N和C中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述非金属元素的浓度为不大于约1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％和0.0000001％中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一种颗粒结构具有其中O和C的组合量为不大于约10％、5％、1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％或0.0000001％中的至少一者的组合物。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一种颗粒设置在所述器件中的所述图案化涂层和至少一个覆盖层之间的界面处。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一种颗粒与所述图案化涂层的暴露层表面物理接触。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一种颗粒结构影响所述器件的至少一种光学性质。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一种光学性质通过选择所述至少一种颗粒结构的至少一种性质来控制，所述至少一种性质选自以下中的至少一者：特征尺寸、长度、宽度、直径、高度、尺寸分布、形状、表面覆盖率、构造、沉积密度、分散度和组合物。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一种颗粒结构的至少一种性质通过选择以下中的至少一者来控制：所述图案化材料411的至少一种特性、所述图案化涂层的平均膜厚度、所述图案化涂层中的至少一种不均匀性以及所述图案化涂层的沉积环境，所述沉积环境选自温度、压力、持续时间、沉积速率和沉积工艺中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一种颗粒结构的至少一种性质通过选择以下中的至少一者来控制：所述颗粒材料的至少一种特性、所述图案化涂层暴露于所述颗粒材料沉积的程度、所述不连续层的厚度以及所述颗粒材料的沉积环境，所述沉积环境选自温度、压力、持续时间、沉积速率和沉积工艺中的至少一者。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一种颗粒结构彼此断开。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一种颗粒结构形成不连续层。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述不连续层以由其中基本上没有所述至少一种颗粒结构的至少一个区域限定的图案设置。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述不连续层的特性通过根据选自以下中的至少一者的至少一个标准的评估来确定：特征尺寸、长度、宽度、直径、高度、尺寸分布、形状、构造、表面覆盖率、沉积分布、分散度、聚集情况的存在和这种聚集情况的程度。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述评估是通过应用选自以下中的至少一者的成像技术确定所述不连续层的至少一种属性来进行的：电子显微镜、原子力显微镜和扫描电子显微镜。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述评估在由至少一个观察窗口限定的范围内进行。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述至少一个观察窗口位于所述侧向朝向的周边、内部位置和网格坐标中的至少一者处。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述观察窗口对应于所应用的成像技术的视场。
根据本文的至少一个条款所述的器件，其中所述观察窗口对应于选自2.00μm、1.00μm、500nm和200nm中的至少一者的放大水平。
根据本文中的至少一个条款所述的器件，其中所述评估并入有以下中的至少一者：手动计数、曲线拟合、多边形拟合、形状拟合和估计技术。
根据本文中的至少一个条款所述的器件，其中所述评估并入有选自以下中的至少一者的操纵：平均值、中值、众数、最大值、最小值、概率、统计和数据计算。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述特征尺寸由所述至少一种颗粒结构的质量、体积、直径、周长、长轴和短轴中的至少一者确定。
根据本文至少一个条款所述的器件，其中所述分散度由以下确定：
其中：
n是样品区域中颗粒的数量，
Si是第i个颗粒的(面积)尺寸，
是颗粒(面积)尺寸的数字平均值；和
是颗粒(面积)尺寸的(面积)尺寸平均值。
因此，本说明书和其中公开的示例仅被认为是示意性的，本公开的真实范围由以下编号的权利要求公开。
Claims (54)
1.一种显示面板，包括：至少一个显示部分，所述至少一个显示部分包括显示部分(子)像素布置，所述显示部分(子)像素布置包括多个发射区域，每个发射区域对应于(子)像素；以及至少一个信号交换部分，所述至少一个信号交换部分包括信号交换部分(子)像素布置，所述信号交换部分(子)像素布置包括至少一个透射区域和多个发射区域，每个发射区域对应于(子)像素，其中所述信号交换部分(子)像素布置通过在选自以下的至少一个特征方面不同于所述显示部分(子)像素布置来容纳所述至少一个透射区域：
其中的至少一个(子)像素的尺寸、形状、配置和取向中的至少一者；
像素密度；和
其中的所述(子)像素的节距。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述至少一个信号交换部分定位成接近于所述显示面板的末端。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其中所述至少一个显示部分基本上围绕所述至少一个信号交换部分。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示面板，其中在所述至少一个透射区域的边界和子像素的与所述至少一个透射区域的所述边界接近的边界之间的间隔为至少约5微米、6微米、8微米、10微米、11微米和12微米中的一者。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示面板，其中在所述信号交换部分中在所述至少一个透射区域的边界和子像素的与所述至少一个透射区域的所述边界接近的边界之间的间隔为约5微米-15微米、6微米-12微米和8微米-10微米之间中的一者。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示面板，其中每个透射区域的尺寸为至少10微米。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的显示面板，其中每个透射区域的尺寸为约10微米-150微米、10微米-130微米、15微米-120微米、15微米-100微米、20微米-80微米、20微米-65微米、25微米-60微米和30微米-50微米之间中的一者。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的显示面板，其中所述信号交换部分中的所述发射区域和所述透射区域中的所有的总组合开口率为不超过约60％、55％、50％、45％和40％中的一者。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的显示面板，其中所述信号交换部分中的所述发射区域和所述透射区域中的所有的总组合开口率为约30％-60％、35％-60％、40％-60％、35％-55％、40％-50％、45％-55％和45％-50％之间中的一者。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的显示面板，其中所述至少一个透射区域具有由多个透射边界段限定的边界。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的显示面板，其中所述透射边界段包括至少一个曲线段。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的显示面板，其中大部分所述透射边界段基本上平行于对应于与所述透射边界段接近的(子)像素的发射区域的边界的一部分。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的显示面板，其中所述至少一个透射区域基本上没有阴极材料。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其中通过在所述至少一个透射区域内沉积图案化涂层，之后沉积所述阴极材料来基本上阻止所述阴极材料在所述至少一个透射区域内成核。
15.根据权利要求13或14所述的显示面板，其中通过对所述阴极材料进行激光烧蚀来将所述阴极材料从所述至少一个透射区域去除。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的显示面板，其中所述至少一个特征是尺寸、形状、配置中的至少一者，并且所述信号交换部分(子)像素布置和所述显示部分(子)像素布置共同地具有其中的所述至少一个(子)像素的像素密度。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其中所述信号交换部分(子)像素布置和所述显示部分(子)像素布置共同地具有其中的所述至少一个(子)像素的节距。
18.根据权利要求16或17所述的显示面板，其中所述信号交换部分(子)像素布置中的所述(子)像素中的至少一个(子)像素的尺寸小于所述显示部分(子)像素布置中的对应(子)像素的尺寸。
19.根据权利要求16至18中任一项所述的显示面板，其中所述信号交换部分(子)像素布置中的所述(子)像素中的每个(子)像素的尺寸小于所述显示部分(子)像素布置中的对应(子)像素的尺寸。
20.根据权利要求16至19中任一项所述的显示面板，其中所述信号交换部分(子)像素布置的像素的所述子像素在至少两个维度中侧向地间隔开。
21.根据权利要求16至20中任一项所述的显示面板，其中所述信号交换部分(子)像素布置包括多个像素，每个像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素。
22.根据权利要求21所述的显示面板，其中所述信号交换部分(子)像素布置的所述像素还包括第二第二子像素。
23.根据权利要求16至22中任一项所述的显示面板，其中由多个非重叠矢量限定的区域限定与所述像素相关联的轮廓，每个非重叠矢量具有位于与所述信号交换部分(子)像素布置的所述像素的一对所述子像素相关联的所述发射区域内的端点。
24.根据权利要求23所述的显示面板，其中每个矢量是线性矢量。
25.根据权利要求23或24所述的显示面板，其中每个矢量具有位于所述子像素的所述发射区域的形心处的端点。
26.根据权利要求23至25中任一项所述的显示面板，其中所述轮廓包括限定框的四个矢量，并且包括各自具有共同顶点的四个相邻框的单位单元限定所述信号交换部分(子)像素布置的最小重复单元。
27.根据权利要求23至26中任一项所述的显示面板，其中至少一个透射区域设置在所述单位单元中的至少一个轮廓中。
28.根据权利要求23至27中任一项所述的显示面板，其中所述至少一个透射区域完全位于单个至少一个轮廓内。
29.根据权利要求16至28中任一项所述的显示面板，其中所述信号交换部分的所述透射区域的开口率为不超过约50％、45％、40％、35％、33％和25％中的一者。
30.根据权利要求16至29中任一项所述的显示面板，其中所述信号交换部分的所述透射区域的孔为至少约5％、10％和15％中的一者。
31.根据权利要求16至30中任一项所述的显示面板，其中所述信号交换部分的所有发射区域的开口率为不超过约20％、15％和10％中的一者。
32.根据权利要求16至31中任一项所述的显示面板，其中所述信号交换部分的所有发射区域的开口率在约5％-10％之间，并且其中的所有透射区域的开口率在约30％-50％之间。
33.根据权利要求16至32中任一项所述的显示面板，其中所述信号交换部分的所有发射区域的开口率在约6％-9％之间，并且其中的所有透射区域的开口率在约35％-45％之间。
34.根据权利要求1至33中任一项所述的显示面板，其中所述至少一个特征是像素密度，并且所述信号交换部分(子)像素布置和所述显示部分(子)像素布置共同地具有其中的至少一个(子)像素的尺寸、形状、配置、取向和节距中的至少一者。
35.根据权利要求34所述的显示面板，其中所述信号交换部分(子)像素布置和所述显示部分(子)像素布置共同地具有其中的至少一个(子)像素的尺寸、形状、配置、取向和节距中的每一者。
36.根据权利要求34或35所述的显示面板，其中所述信号交换部分(子)像素布置和所述显示部分(子)像素布置共同地具有其中的所述至少一个(子)像素的节距。
37.根据权利要求34至36中任一项所述的显示面板，其中所述信号交换部分(子)像素布置的像素密度小于所述显示部分(子)像素布置的像素密度。
38.根据权利要求34至37中任一项所述的显示面板，其中在所述信号交换部分(子)像素布置中省略了与所述显示部分(子)像素布置中的像素的子像素对应的至少一个像素的至少一个子像素。
39.根据权利要求38所述的显示面板，其中在所述信号交换部分(子)像素布置中省略了与存在于所述显示部分(子)像素布置中的像素的子像素对应的至少一个像素的每个子像素。
40.根据权利要求38或39所述的显示面板，其中在所述信号交换部分(子)像素布置中省略了与存在于所述显示部分(子)像素布置中的像素的子像素对应的每个其他像素的每个子像素。
41.根据权利要求38至40中任一项所述的显示面板，其中选取所省略的子像素以最大化由此形成的至少一个空隙的尺寸。
42.根据权利要求38至41中任一项所述的显示器，其中所述信号交换部分(子)像素布置中的像素密度为所述显示部分(子)像素布置中的像素密度的50％、62.5％和75％中的一者。
43.根据权利要求34至42中任一项所述的显示面板，其中至少一个透射区域设置在通过省略所述信号交换部分(子)像素布置中的至少一个像素的至少一个子像素来形成的至少一个空隙中。
44.根据权利要求34至43中任一项所述的显示面板，其中所述信号交换部分的所述透射区域的开口率为约15％-40％、20％-40％、15％-35％和20％-35％之间中的一者。
45.根据权利要求34至44中任一项所述的显示面板，其中所述信号交换部分的所述透射区域的孔为至少约5％、10％和15％中的一者。
46.根据权利要求34至45中任一项所述的显示面板，其中所述信号交换部分的所有发射区域的开口率在约12％-25％之间。
47.根据权利要求34至46中任一项所述的显示面板，其中所述信号交换部分的所有发射区域的开口率在约12％-25％之间，并且其中的所有透射区域的开口率在约30％-45％之间。
48.根据权利要求1至47中任一项所述的显示面板，其中所述至少一个特征是节距，并且所述信号交换部分(子)像素布置中的所述(子)像素的节距小于所述显示部分(子)像素布置中的所述(子)像素的节距。
49.根据权利要求1至48中任一项所述的显示面板，其中所述至少一个特征包括多个所述特征。
50.根据权利要求1至49中任一项所述的显示面板，还包括：至少一个过渡区域，所述至少一个过渡区域设置在所述显示部分和所述信号交换部分之间，所述至少一个过渡区域包括过渡区域(子)像素布置，所述过渡区域(子)像素布置包括多个发射区域，每个发射区域对应于(子)像素，其中所述过渡区域(子)像素布置在所述至少一个特征方面与所述显示部分(子)像素布置和所述信号交换(子)像素布置两者不同，使得所述至少一个过渡区域在所述显示部分(子)像素布置和所述信号交换(子)像素布置之间的插置减小所述显示部分(子)像素布置和所述信号交换(子)像素布置之间的视觉感知差异。
51.根据权利要求50所述的显示面板，其中所述至少一个过渡区域包括至少一个透射区域。
52.根据权利要求50或51所述的显示面板，其中所述至少一个过渡区域环绕所述信号交换部分的边界布置。
53.根据权利要求50至52中任一项所述的显示面板，其中所述至少一个过渡区域围绕所述至少一个信号交换部分，并且所述至少一个显示部分围绕所述至少一个过渡区域。
54.根据权利要求50至53中任一项所述的显示面板，其中所述至少一个过渡区域包括第一过渡区域和第二过渡区域，其中所述第一过渡区域设置在所述显示部分和所述第二过渡区域之间，并且所述第二过渡区域设置在所述第一过渡区域和所述信号交换部分之间，并且所述第二过渡区域的所述过渡区域(子)像素布置在所述至少一个特征方面与所述第一过渡区域的所述过渡区域(子)像素布置和所述信号交换部分(子)像素布置两者不同，使得所述第二过渡区域在所述第一过渡区域的所述过渡区域(子)像素布置和所述信号交换部分(子)像素布置之间的插置减小所述第一过渡区域的所述过渡区域(子)像素布置和所述信号交换部分(子)像素布置之间的视觉感知差异。
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Legal Events
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