CN116134344A - 含有稀土化合物的成核抑制涂层以及结合所述成核抑制涂层的装置 - Google Patents

含有稀土化合物的成核抑制涂层以及结合所述成核抑制涂层的装置 Download PDF

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Abstract

一种具有多个层的装置包括：成核抑制涂层(NIC)，所述成核抑制涂层安置在所述装置的横向方面的第一部中的第一层表面上；以及包括沉积材料的沉积层，所述沉积层安置在第二层表面上，其中针对所述沉积层在所述第一部中沉积到所述NIC的表面上的初始粘附概率显著小于针对所述沉积层沉积到所述第二层表面上的初始粘附概率，使得所述NIC基本上缺乏所述沉积材料的封闭涂层，并且其中所述NIC包括含有稀土元素的化合物。所述沉积层可以包括所述横向方面的第二部中的所述第二层表面上的封闭涂层，和/或所述NIC的表面上的至少一种颗粒结构的不连续层。

Description

含有稀土化合物的成核抑制涂层以及结合所述成核抑制涂层的装置
相关申请
本申请要求以下美国临时专利申请的权益：于2020年5月15日提交的美国临时专利申请第63/025,828号、于2020年10月29日提交的美国临时专利申请第63/107,393号、于2021年2月25日提交的美国临时专利申请第63/153,834号、于2021年3月19日提交的美国临时专利申请第63/163,453号和于2021年4月28日提交的美国临时专利申请第63/181，100号，所述美国临时专利申请中的每个专利申请的内容均通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开涉及分层装置，并且具体地说，涉及一种图案化涂层，其可以充当和/或作为成核抑制涂层(NIC)，以及一种形成光电子装置的分层装置，所述光电子装置具有由半导体层分隔开的第一电极和第二电极并且具有沉积在所述半导体层上的使用图案化涂层图案化的沉积层，所述图案化涂层可以充当和/或作为此类NIC。
背景技术
在如有机发光二极管(OLED)的光电子装置中，至少一个半导电层安置在如阳极和阴极等一对电极之间。阳极和阴极电耦接到电源并分别产生空穴和电子，所述空穴和电子通过至少一个半导电层朝向彼此迁移。当一对空穴和电子组合时，可以发射光子。
OLED显示面板可以包括多个(子)像素，每个像素具有相关联的电极对。此类面板的各种层和涂层通常通过基于真空的沉积技术形成。
在一些应用中，可能有一个目标是，在OLED制造过程中，通过选择性地沉积沉积材料的至少一个薄膜来形成装置特征(如但不限于电极和/或与所述电极电耦接的导电元件)，从而跨面板的横向方面和截面方面的一者或两者为所述面板的每个(子)像素提供导电沉积材料的封闭涂层。
在一些非限制性应用中，这样做的一种方法涉及在此类沉积材料的沉积期间插入精细金属掩模(FMM)。然而，通常用作电极的沉积材料具有相对较高的蒸发温度，这会影响重新使用FMM的能力和/或可以实现的图案精度，同时伴随着成本、工作量和复杂性的增加。
在一些非限制性实例中，这样做的一种方法涉及沉积沉积材料，以及由此包含通过激光钻孔工艺去除其不需要的区域以形成图案。然而，去除过程通常涉及碎片的产生和/或存在，这可能影响制造工艺的产率。
进一步地，此类方法可能不适用于一些应用和/或一些具有某些地形特征的装置。
在一些非限制性应用中，可能有一个目标是，提供一种改进的机制，用于提供对沉积材料的选择性沉积。
附图说明
现在将参考以下附图描述本公开的实例，其中不同附图中的相同附图标记指示相同元件，和/或在一些非限制性实例中指示类似和/或对应的元件，并且在附图中：
图1是展示了根据本公开中的实例的吸附到表面上的吸附原子的相对能量状态的示例能线图；
图2是展示了根据本公开中的实例的膜核形成的示意图；
图3A是根据本公开中的实例的示例装置的从截面方面的简化框图，所述示例装置在横向方面具有多个层，所述多个层是通过在横向方面的第一部中选择性地沉积NIC随后在其第二部中沉积沉积材料的封闭涂层而形成的；
图3B是图3A中的装置的平面视图；
图4是示出了根据本公开中的实例的用于在图3A的装置的示例版本中在底层材料的暴露层表面上按图案沉积图案化涂层的示例工艺的示意图；
图5A是示出了用于在第二部中将沉积材料531沉积在暴露层表面上的示例工艺的示意图，所述暴露层表面包括图4的图案化涂层的沉积图案，其中所述图案化涂层是成核抑制涂层(NIC)；
图5B是示出了用于在第一部中将沉积材料沉积在暴露层表面上的示例工艺的示意图，所述暴露层表面基本上缺乏图4的图案化涂层，其中所述图案化涂层是成核促进涂层(NPC)；
图6A-D是示出了根据本公开中的实例的适用于图4的工艺的示例开放式掩模的示意图，所述开放式掩模在其中具有孔；
图7是根据本公开中的实例的示例装置的从截面方面的简化框图，所述示例装置在横向方面具有多个层，所述多个层是通过在横向方面的第一部中选择性地沉积NPC随后在第一部中将沉积材料531的封闭涂层沉积于其上而形成的；
图8A-8C是根据本公开中的实例的具有另外的示例沉积步骤的图3A的装置的示例版本；
图9A是以截面视图展示了图3A的装置的示例版本的示意图；
图9B是以补充平面视图展示了图9A的装置的示意图；
图9C、9D和9E是展示了图9A的装置的示例版本的示意图；
图10是根据本公开中的实例的示例电致发光装置的截面方面的框图；
图11是图10的装置的衬底的示例背板层的截面视图，所述截面视图示出了其中体现的薄膜晶体管(TFT)；
图12是例如可以由图11的背板层中所示出的TFT中的一个或多个TFT提供的示例电路的电路图；
图13是图10的装置的截面视图；
图14是图10的装置的示例版本的截面视图，所述截面视图示出了支持所述装置的至少一个第二电极的沉积的至少一个示例像素限定层(PDL)；
图15A是示出了用于在暴露层表面上按图案沉积作为NPC的图案化涂层的示例工艺的示意图，所述暴露层表面包括图3A的图案化涂层的沉积图案；
图15B是示出了用于在暴露层表面上按图案沉积沉积层的示例工艺的示意图，所述暴露层表面包括图15A的NPC的沉积图案；
图16A是示出了根据本公开中的实例的用于在图10的装置的示例版本中在底层材料的暴露层表面上按图案沉积NPC的示例工艺的示意图；
图16B是示出了在暴露层表面上按图案沉积NIC的示例工艺的示意图，所述暴露层表面包括图16A的NPC的沉积图案；
图16C是示出了用于在暴露层表面上按图案沉积沉积层330的示例工艺的示意图，所述暴露层表面包括图16B的NIC的沉积图案；
图17A-17C是示出了根据本公开中的实例的用于在图10的装置的示例版本中在暴露层表面上按图案沉积选择性涂层的示例打印工艺的示例阶段的示意图；
图18是以平面视图展示了根据本公开中的实例的适用于图10的装置的版本的示例图案化电极的示意图；
图19是展示了图18的装置沿线19-19截取的示例截面视图的示意图；
图20A是以平面视图展示了根据本公开中的实例的适用于图10的装置的示例版本的电极的多个示例图案的示意图；
图20B是展示了图20A的装置沿线20B-20B截取的示例截面视图的示意图；
图20C是展示了图20A的装置沿线20C-20C截取的示例截面视图的示意图；
图21是展示了根据本公开中的实例的具有示例图案化辅助电极的图10的装置的示例版本的截面视图的示意图；
图22A是以平面视图展示了根据本公开中的实例的图10的装置的示例版本中发射区域和/或非发射区域的示例布置的示意图；
图22B-22D是各自展示了图22A的一部分的区段的示意图，其示出了根据本公开中的实例的覆盖非发射区域的示例辅助电极；
图23是以平面视图展示了根据本公开中的实例的覆盖至少一个发射区域和至少一个非发射区域的辅助电极的示例图案的示意图；
图24A是以平面视图展示了根据本公开中的实例的具有多组以菱形配置的发射区域的图10的装置的示例版本的示例图案的示意图；
图24B是展示了图24A的装置沿线24B-24B截取的示例截面视图的示意图；
图24C是展示了图24A的装置沿线24C-24C截取的示例截面视图的示意图；
图25是展示了根据本公开中的实例的具有另外的示例沉积步骤的图13的装置的示例版本的示例截面视图的示意图；
图26是展示了根据本公开中的实例的具有另外的示例沉积步骤的图13的装置的示例版本的示例截面视图的示意图；
图27是展示了根据本公开中的实例的具有另外的示例沉积步骤的图13的装置的示例版本的示例截面视图的示意图；
图28是展示了根据本公开中的实例的具有另外的示例沉积步骤的图13的装置的示例版本的示例截面视图的示意图；
图29A-29C是示出了根据本公开中的实例的用于通过选择性沉积和后续去除工艺在图13的装置的示例版本的暴露层表面上按图案沉积沉积层的示例工艺的示例阶段的示意图；
图30A是以平面视图展示了根据本公开中的实例的图10的装置的透明版本的实例的示意图，所述透明版本包括至少一个示例像素区域和至少一个示例透光区域，以及至少一个辅助电极；
图30B是展示了图30A的装置沿线30B-30B截取的示例截面视图的示意图；
图31A是以平面视图展示了根据本公开中的实例的图10的装置的透明版本的实例的示意图，所述透明版本包括至少一个示例像素区域和至少一个示例透光区域；
图31B是展示了图31A的装置沿线31B-31B截取的示例截面视图的示意图；
图31C是展示了图31A的装置沿线31B-31B截取的示例截面视图的示意图；
图32A-32D是示出了根据本公开中的实例的用于制造图13的装置的示例版本以提供具有不同厚度的第二电极的发射区域的示例工艺的示例阶段的示意图；
图33A-33D是示出了根据本公开中的实例的用于制造具有子像素区域的图13的装置的示例版本的示例工艺的示例阶段的示意图，所述子像素区域具有不同厚度的第二电极；
图34是展示了根据本公开中的实例的图13的装置的示例版本的示例截面视图的示意图，其中第二电极耦接到辅助电极；
图35A-35I是示出了根据本公开中的各个实例的在图13的装置的示例版本中在具有沉积层的沉积界面处NIC的各种潜在行为的示意图；
图36是展示了根据本公开中的实例的在其非发射区域中具有隔板和屏障区域(如凹槽)的图13的装置的示例版本的示例截面视图的示意图；
图37A是示出了根据本公开中的实例的在其上沉积半导电层之前在非发射区域中具有隔板和屏障区域(如凹槽)的图13的装置的示例版本的示例截面视图的示意图；
图37B-37P是示出了根据本公开中的各个实例的沉积半导电层后图37A的隔板、第二电极和其上沉积有沉积层330的NIC之间的相互作用的各个实例的示意图；
图38A-38G是示出了根据本公开中的各个实例的图37A的装置内的辅助电极的各个实例的示意图；
图39A-39B是示出了根据本公开中的各个实例的在非发射区域中具有隔板和屏障区域(如孔)的图13的装置的示例版本的示例截面视图的示意图。
在本公开中，附加了一个或多个数值(包含但不限于下标)和/或字母字符(包含但不限于小写)的附图标记可被视为指附图标记所描述的元素或特征的特定实例和/或其子集。参考附图标记而不参考附加的值和/或字符，根据上下文，可以一般地指附图标记所描述的元素或特征，和/或由此描述的所有实例的集合。
在本公开中，出于解释而非限制的目的，阐述了具体细节以提供对本公开的透彻理解，包含但不限于特定架构、接口和/或技术。在一些情况下，省略对众所周知的系统、技术、组件、装置、电路、方法和应用的详细描述，以免用不必要的细节混淆本公开的描述。
进一步地，应当理解，本文再现的框图可以表示体现本发明技术原理的说明性组件的概念视图。
因此，在适当的情况下，系统和方法组件已经由附图中的常规符号表示，仅示出了与理解本公开的实例相关的那些具体细节，以免因对受益于本文的描述的本领域普通技术人员显而易见的细节而模糊本公开。
本文提供的任何附图可能未按比例绘制并且不可以被认为以任何方式限制本公开。
在一些实例中，以虚线轮廓示出的任何特征或动作可以被视为任选的。
发明内容
本公开的目的是消除或减轻现有技术的至少一个缺点。
本公开公开了一种具有多个层的分层装置。在所述装置的横向方面的第一部中，所述装置包括图案化涂层，如安置在底层的第一层表面上的成核抑制涂层(NIC)。
包括沉积材料的沉积层安置在第二层表面上。
针对所述沉积材料在所述第一部中沉积到所述NIC的表面上的初始粘附概率显著小于针对所述沉积材料沉积到所述第二层表面上的初始粘附概率。因此，所述NIC基本上缺乏所述沉积材料的封闭涂层。
所述NIC包括含有稀土元素的化合物。
所述沉积层可以包括所述横向方面的第二部中的所述第二层表面上的封闭涂层，和/或所述NIC的表面上的至少一种颗粒结构的不连续层。
根据本公开的广泛方面，公开了一种具有多个层的装置，所述装置包括：成核抑制涂层(NIC)，所述成核抑制涂层安置在所述装置的横向方面的第一部中的底层的第一层表面上；以及包括沉积材料的沉积层，所述沉积层安置在第二层表面上；其中针对所述沉积层在所述第一部中沉积到所述NIC的表面上的初始粘附概率显著小于针对所述沉积层沉积到所述第二层表面上的初始粘附概率，使得所述NIC基本上缺乏所述沉积材料的封闭涂层；并且其中所述NIC包括含有稀土元素的化合物。
在一些非限制性实例中，所述稀土元素可以包括以下中的至少一者：铈(Ce)、镝(Dy)、铒(Er)、铕(Eu)、钆(Gd)、钬(Ho)、镧(La)、镥(Lu)、钕(Nd)、钷(Pm)、镨(Pr)、钪(Sc)、钐(Sm)、铽(Tb)、铥(Tm)、钇(Y)和镱(Yb)。在一些非限制性实例中，所述稀土元素可以包括Ce、Dy、Er、Eu、Gd、Ho、Lu、Nd、Pr、Sm、Tb、Tm和Yb。在一些非限制性实例中，所述稀土元素可以包括Ce、Dy、Er、Eu、Gd、Ho、Lu、Nd、Sm、Tm和Yb。
在一些非限制性实例中，所述化合物可以包括所述稀土元素的氧化物。在一些非限制性实例中，所述氧化物可以包括以下中的至少一者：CeO2、Dy2O3、Er2O3、Eu2O3、Gd2O3、Ho2O3、La2O3、Lu2O3、Nd2O3、Pr6O11、Pr2O3、PrO2、Pr2O5、Pm2O3、Sm2O3、Sc2O3、Tb7O12、Tb2O3、TbO2、Tb3O7、Tm2O3、Yb2O3和Y2O3。
在一些非限制性实例中，所述NIC的临界表面能可能小于约30达因/cm。
在一些非限制性实例中，所述沉积层可以包括所述横向方面的第二部中的所述第二层表面上的封闭涂层。
在一些非限制性实例中，所述装置可以进一步包括所述第二部中的界面涂层，其中所述界面涂层包括所述稀土元素。在一些非限制性实例中，所述第二层表面可以是所述界面涂层的表面。在一些非限制性实例中，所述界面涂层中的所述稀土元素的氧化态可能为零。在一些非限制性实例中，所述界面涂层在所述横向方面可能与所述NIC相邻。在一些非限制性实例中，所述稀土元素可以包括Yb。在一些非限制性实例中，所述界面涂层可以包括Yb0，并且所述NIC可以包括Yb2O3。在一些非限制性实例中，所述NIC的临界表面能可能低于所述界面涂层的临界表面能。
在一些非限制性实例中，所述第二部可以包括至少一个发射区域。在一些非限制性实例中，所述第一部可以包括非发射区域的至少一部分。在一些非限制性实例中，所述发射区域可以包括：衬底；第一电极；至少一个半导电层；以及第二电极；其中所述第一电极位于所述衬底和所述至少一个半导电层之间；并且其中所述至少一个半导电层位于所述第一电极和第二电极之间。在一些非限制性实例中，所述沉积层可以电耦接到所述第二电极。在一些非限制性实例中，所述沉积层可以在所述第二部中形成所述第二电极的至少一部分。在一些非限制性实例中，所述第二部可以包括隔板和所述隔板的屏障区域中的第三电极，其中所述沉积层电耦接到所述第二电极和所述第三电极。
在一些非限制性实例中，所述沉积层可以包括至少一种颗粒结构的不连续层，并且所述第二层表面可以是所述NIC的表面。
在一些非限制性实例中，所述装置可以包括至少一个覆盖层，所述至少一个覆盖层安置在所述NIC的表面上并与其形成界面，其中所述沉积层定位在所述界面处。
在一些非限制性实例中，所述第一部可以包括至少一个发射区域，并且所述沉积层可以被调谐以增强由所述发射区域发射的至少一个电磁信号的外耦接。
在一些非限制性实例中，由所述至少一种颗粒结构赋予的共振可以通过选择选自以下中的至少一者的特征来进行调谐：所述至少一种颗粒结构的特征大小、大小分布、形状、表面覆盖率、配置、分散性、材料以及这些中的任一个的任意组合。在一些非限制性实例中，所述共振可以通过改变以下中的至少一者来进行调谐：所述沉积材料的沉积厚度、所述NIC的平均膜厚度、所述至少一个覆盖层的厚度、所述沉积材料中的金属的组成、所述至少一种颗粒结构的介电常数、所述NIC掺杂具有不同组成的有机材料的程度、所述NIC的折射率、所述NIC的消光系数、沉积为所述至少一个覆盖层的材料、所述至少一个覆盖层的折射率、所述至少一个覆盖层的消光系数以及这些中的任一个的任意组合。
在一些非限制性实例中，所述第一部可以基本上被限制到所述至少一个发射区域。在一些非限制性实例中，所述第一部可以由包括至少一个非发射区域的所述横向方面的第二部约束。在一些非限制性实例中，所述NIC可以从所述第一部延伸到所述第二部中。
在一些非限制性实例中，所述发射区域可以包括：衬底；第一电极；至少一个半导电层；以及第二电极；其中所述第一电极位于所述衬底和所述至少一个半导电层之间；并且其中所述至少一个半导电层位于所述第一电极和第二电极之间。在一些非限制性实例中，所述底层可以包括所述第二电极。在一些非限制性实例中，所述底层可以包括所述至少一个半导电层中的一个。在一些非限制性实例中，所述底层可以选自以下中的至少一者：空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。在一些非限制性实例中，所述至少一个覆盖层可以选自所述电子传输层和所述电子注入层中的至少一者。在一些非限制性实例中，所述沉积层可以包括所述第二电极。在一些非限制性实例中，所述沉积层可以通过所述沉积材料跨所述横向方面的沉积来形成。在一些非限制性实例中，所述沉积材料可以在所述第二部中形成电极。在一些非限制性实例中，所述第二部中的所述电极可以是辅助电极。在一些非限制性实例中，所述第二部可以包括至少一个另外的发射区域，并且所述第二部中的所述电极可以是所述至少一个另外的发射区域的电极。
在一些非限制性实例中，所述至少一个另外的发射区域可以包括：衬底；第一电极；至少一个半导电层；以及第二电极；其中所述第一电极位于所述衬底和所述至少一个半导电层之间；并且其中所述至少一个半导电层位于所述第一电极和第二电极之间。在一些非限制性实例中，所述第二部中的所述电极可以包括所述至少一个另外的发射区域的所述第二电极。在一些非限制性实例中，所述第二部中的所述电极可以是所述沉积材料的封闭涂层。
在一些非限制性实例中，所述沉积材料可以包括Mg。
具体实施方式
光电子装置
本公开总体上涉及分层装置，并且更具体地说，涉及光电子装置。光电子装置通常涵盖将电信号转换为光子并且反之亦然的任何装置。
相关领域的普通技术人员可以理解，虽然本公开针对光电子装置，但其原理可以适用于具有多个层的任何面板，包含但不限于至少一层导电沉积材料531(图5A)，包含作为薄膜，并且在一些非限制性实例中，电磁(EM)信号可以全部或部分地以相对于至少一层的平面的角度通过所述薄膜。
薄膜形成
在气相沉积过程中在底层的暴露层表面11(图10)上形成薄膜可能涉及成核和生长的过程。
在膜形成的初始阶段，足够数量的蒸气单体(其在一些非限制性实例中可以是蒸气形式的沉积材料531的分子和/或原子)通常可以从气相凝结，以在底层呈现的暴露层表面11上形成初始核。随着蒸气单体继续撞击在此类表面上，这些初始原子核的特征大小S1和/或沉积密度可能会增加以形成小颗粒结构941(图9)。这种特征大小S1所指的尺寸的非限制性实例可以包含此类颗粒结构941的高度、宽度、长度和/或直径。
在达到饱和岛密度之后，相邻的颗粒结构941通常可以开始聚结，从而增加此类颗粒结构941的平均特征大小S1，同时降低其沉积密度。
随着单体的不断气相沉积，相邻颗粒结构941的聚结可以持续到基本上封闭的涂层340(图3A)最终可以沉积在底层材料的暴露层表面11上。此类封闭涂层340的行为，包含由此引起的光学效应，通常可以是相对均匀、一致且不出所料的。
在一些非限制性实例中，能存在至少三种用于形成薄膜的基本生长模式，最终形成闭合涂层340：1)岛(Volmer-Weber)，2)逐层(Frank-van der Merwe)，和3)Stranski-Krastanov。
当陈旧的单体簇在暴露层表面11上成核并生长形成离散的岛时，通常可能会发生岛生长。当单体之间的相互作用强于单体与表面之间的相互作用时，可能会发生这种生长模式。
成核速率可以描述每单位时间在表面上有多少个给定大小的核(其中自由能不会推动此类核的簇生长或收缩)(“临界核”)。在膜形成的初始阶段期间，由于核的沉积密度低，核不太可能将由单体直接撞击在表面上而生长，因此核可以覆盖相对较小的一部分表面(例如，相邻核之间存在较大的间隙/空间)。因此，临界核可能生长的速率可以通常取决于表面上的吸附原子(例如，吸附的单体)迁移并附着至附近核的速率。
图1展示了吸附到底层材料的暴露层表面11上的吸附原子的能线图的实例。具体地说，图1展示了对应于以下的示例定性能线图：从局部低能位点逃离的吸附原子(110)；吸附原子在暴露层表面11上的扩散(120)；和吸附原子的解吸(120)。
在110中，局部低能位点可以是底层的暴露层表面11上的任何位点，吸附原子在所述暴露层表面上将处于较低能量。通常，成核位点可以包括暴露层表面11上的缺陷和/或异常，包含但不限于壁架、阶跃边缘、化学杂质、键合位点和/或扭结(“非均质性”)。
衬底非均质性的位点可能会增加从表面解吸吸附原子所涉及的能量Edes 131，从而导致在此类位点处观察到更高的核沉积密度。同样，表面上的杂质或污染物也可能增加Edes 131，从而导致更高的核沉积密度。对于在高真空条件下进行的气相沉积工艺，表面上污染物的类型和沉积密度可能会受到真空压力和构成所述压力的残余气体的组成的影响。
一旦吸附原子被捕获在局部低能位点处，在一些非限制性实例中，在表面扩散发生之前，通常可能存在能垒。在图1中此类能垒可以表示为ΔE111。在一些非限制性实例中，如果逃离局部低能位点的能垒ΔE111足够大，则所述位点可以作为成核位点。
在120中，吸附原子可以在暴露层表面11上扩散。作为非限制性实例，在局部吸收物的情况下，吸附原子可能倾向于在表面势能的最小值附近振荡并迁移到各个相邻位点，直到吸附原子被解吸和/或被并入到由吸附原子簇和/或生长膜形成的生长岛941中为止。在图1中，与吸附原子表面扩散相关的活化能可以表示为Es 121。
在130中，与吸附原子从表面解吸相关的活化能可以表示为Edes 131。相关领域的普通技术人员应当理解，任何未被解吸的吸附原子可以保留在暴露层表面11上。作为非限制性实例，此类吸附原子可以在暴露层表面11上扩散，成为在暴露层表面11上形成岛941的吸附原子簇的一部分，和/或被并入为生长膜和/或涂层的一部分。
吸附原子吸附在表面上之后，吸附原子可能会从表面解吸，或者可能会在表面迁移一段距离，然后再解吸，与其它吸附原子相互作用形成小簇或附着到正在生长的核上。在初始吸附后，吸附原子保留在表面上的平均时间量可以由下式给出：
Figure BDA0004113842510000101
在上面的等式中：
v是表面上的吸附原子的振动频率，
k是博茨曼常数(Botzmann constant)，并且
T是温度。
从这个等式中可以注意到，Edes 131的值越低，吸附原子就越容易从表面解吸，因此吸附原子可以保留在表面上的时间就越短。吸附原子可以扩散的平均距离可以由下式给出：
Figure BDA0004113842510000102
其中：
α0是格常数。
对于Edes 131的低值和/或Es 121的高值，吸附原子在解吸前可能会扩散较短的距离，因此不太可能附着在正在生长的核上或与另一个吸附原子或吸附原子簇相互作用。
在形成颗粒结构941的沉积层的初始阶段，被吸附的吸附原子可以相互作用以形成颗粒结构941，每单位面积的颗粒结构941的临界浓度由下式给出，
Figure BDA0004113842510000111
其中：
Ei是将含有i个吸附原子的临界簇解离为单独的吸附原子所涉及的能量，
nx是吸附位点的总沉积密度，并且
N1是单体沉积密度，由下式给出：
Figure BDA0004113842510000112
其中：
Figure BDA0004113842510000113
是蒸气撞击速率。
通常，i可以取决于所沉积材料的晶体结构，并且可以确定形成稳定核的临界颗粒结构大小。
用于生长颗粒结构941的临界单体供应速率可以由蒸气撞击速率和吸附原子在解吸前可以扩散的平均面积给出：
Figure BDA0004113842510000114
因此，临界成核速率可以由上述等式的组合给出：
Figure BDA0004113842510000115
从上面的等式中可以注意到，对于吸附的吸附原子的解吸能低，吸附原子扩散活化能高，处于高温和/或经受蒸气撞击速率的表面，将抑制临界成核速率。
在高真空条件下，撞击在表面上的分子通量(每平方厘米-秒)可以由下式给出：
Figure BDA0004113842510000116
其中：
P是压力，并且
M是分子量。
因此，在气相沉积期间，较高的如H2O等反应性气体分压可以导致表面上污染物的沉积密度较高，从而导致Edes 131的增加，并因此导致较高的核沉积密度。
在本公开中，“成核抑制”可指涂层、材料和/或其层，其表面展现出初始粘附概率S0，用于将沉积材料531沉积在其上，所述初始粘附概率接近0，包含但不限于小于约0.3，使得沉积材料531在此类表面上的沉积可以被抑制。
在本公开中，“成核促进”可指涂层、材料和/或其层，其表面展现出初始粘附概率S0，用于将沉积材料531沉积在其上，所述初始粘附概率接近1，包含但不限于大于约0.7，使得沉积材料531在此类表面上的沉积可以被促进。
在不希望受到特定理论约束的情况下，可以假设此类核的形状和大小以及此类核随后生长成岛并随后生长成薄膜可能取决于各种因素，包含但不限于蒸气、表面和/或凝聚膜核之间的界面张力。
表面的成核抑制和/或成核促进性质的一种量度可以是表面针对给定沉积材料531的沉积的初始粘附概率S0。
在一些非限制性实例中，粘附概率S可以由下式给出：
Figure BDA0004113842510000121
其中：
N吸附是保留在暴露层表面11上(即，被并入到膜中)的吸附原子的数量，并且
N总是表面上的撞击单体的总数。
粘附概率S等于1可以表明所有撞击在表面上的单体都被吸附，并且随后并入生长的膜中。粘附概率S等于0可以表明所有撞击在表面上的单体都被解吸，并且随后可能不在表面上形成膜。
沉积材料531在各种表面上的粘附概率S可以使用各种测量粘附概率S的技术进行评价，包含但不限于如通过以下文献所描述的双石英晶体微天平(QCM)技术：Walker等人，《物理化学杂志(J.Phys.Chem.C)》2007，111，765(2006)。
随着沉积材料531的沉积密度增加(例如，增加平均膜厚度d)，粘附概率S可能会发生变化。
因此，初始粘附概率S0可以被指定为在任何相当大数量的临界核形成之前表面的粘附概率S。初始粘附概率S0的一种量度可以涉及在沉积材料531沉积的初始阶段期间表面针对所述沉积材料的沉积的粘附概率S，其中沉积材料531跨表面的平均膜厚度d等于或低于阈值。在一些非限制性实例的描述中，初始粘附概率S0的阈值可以作为非限制性实例被指定为1nm。平均粘附概率
Figure BDA0004113842510000132
然后可以通过下式给出：
Figure BDA0004113842510000131
其中：
Snuc是被颗粒结构941覆盖的区域的粘附概率S，并且
Anuc是被颗粒结构941覆盖的衬底表面面积的百分比。
作为非限制性实例，低的初始粘附概率S0可能会随着平均膜厚度d的增加而增加。这可以基于没有颗粒结构941的暴露层表面11的区域(作为非限制性实例，裸衬底10)与具有高沉积密度的区域之间的粘附概率S的差异来理解。作为非限制性实例，撞击在颗粒结构941的表面上的单体可能具有接近1的粘附概率S。
基于图1所示的能线110、120、130，可以假设展现出相对较低的解吸活化能(Edes131)和/或相对较高的表面扩散活化能(Ex 121)的材料可以作为NIC 310沉积，并且可以适合于各种应用。
在不希望受到特定理论约束的情况下，可以假设在一些非限制性实例中，成核和生长期间存在的各种界面张力之间的关系可以根据毛细管理论中的杨氏等式(Young′sequation)来决定：
γsv＝γfs+γvfcosθ
其中：
γsv对应于衬底10和蒸气之间的界面张力，
yfs对应于沉积材料531和衬底10之间的界面张力，
γvf对应于蒸气和膜之间的界面张力，并且
θ是膜核接触角。
图2展示了在此等式中表示的各种参数之间的关系。
基于杨氏等式，可以得出，对于岛生长，膜核接触角θ可以大于0，因此：γsv＜yfs+γvf。
对于层生长，其中沉积材料531“润湿”衬底10，核接触角θ可以等于0，因此：γsv＝yfs+γvfo
对于斯特兰斯基-克拉斯坦诺夫(S-K)生长，其中相对于蒸气与沉积材料531之间的界面张力，每单位面积的膜过度生长的应变能很大：γsv＞γfs+γvf。
在不希望受到任何特定理论约束的情况下，可以假设在NIC 310与衬底10的暴露层表面11之间的界面处的沉积材料531的成核和生长模式可以遵循岛生长模型，其中θ＞0。
特别是在NIC 310对沉积材料531展现出相对较低的初始粘附概率S0的情况下(在一些非限制性实例中，在Walker等人描述的双QCM技术中鉴定的条件下)，沉积材料531可能存在相对较高的薄膜接触角θ。
相反，作为非限制性实例，当在不使用图案化涂层410的情况下通过采用阴影掩模415选择性地将沉积材料531沉积在暴露层表面11上时，此类沉积材料531的成核和生长模式可能不同。具体地，已经观察到，至少在一些非限制性实例中，使用阴影掩模415图案化工艺形成的涂层可以展现出小于约10°的相对较低的薄膜接触角θ。
现在已经发现，有些令人惊讶的是，在一些非限制性实例中，成核抑制涂层310(和/或其所包括的图案化材料511)可以展现出相对较低的临界表面张力。
相关领域的普通技术人员将理解，涂层、层和/或构成此类涂层和/或层的材料的“表面能”通常可以对应于所述涂层、层和/或材料的临界表面张力。根据表面能的一些模型，表面的临界表面张力可以基本上对应于此类表面的表面能。
通常，具有低表面能的材料可能展现出低分子间力。通常，与具有高分子间力的另一种材料相比，具有低分子间力的材料可能很容易在较低的温度下结晶或经历其它相变。在至少某些应用中，容易在相对较低的温度下结晶或经历其它相变的材料可能对装置的长期性能、稳定性、可靠性和/或使用寿命有害。
在不希望受到特定理论约束的情况下，可以假设某些低能表面可以展现出相对较低的初始粘附概率S0，因此可能适合于形成NIC 310(图3A)。
在不希望受到任何特定理论约束的情况下，可以假设，特别是对于低表面能表面，临界表面张力可能与表面能正相关。作为非限制性实例，展现出相对较低的临界表面张力的表面也可能展现出相对较低的表面能，并且展现出相对较高的临界表面张力的表面也可能展现出相对较高的表面能。
参考上述杨氏方程，较低的表面能可能导致更大的接触角θ，同时也降低γsv，从而增加此类表面相对于沉积材料531具有低润湿性和低初始粘附概率S0的可能性。
在各个非限制性实例中，本文的临界表面张力值可以对应于在常温常压(NTP)附近测量的此类值，在一些非限制性实例中，所述常温常压可以对应于20℃的温度和1个大气压的绝对压力。在一些非限制性实例中，表面的临界表面张力可以根据齐斯曼方法确定，如以下文献中进一步所述：Zisman，W.A.，“化学进展(Advances in Chemistry)”43(1964)，第1-51页。
在一些非限制性实例中，NIC 310的暴露层表面11可以展现出小于约以下值的临界表面张力：20达因/cm、19达因/cm、18达因/cm、17达因/cm、16达因/cm、15达因/cm、13达因/cm、12达因/cm或11达因/cm。
在一些非限制性实例中，NIC 310的暴露层表面11可以展现出大于约以下值的临界表面张力：6达因/cm、7达因/cm、8达因/cm、9达因/cm和10达因/cm。
相关领域的普通技术人员将理解，用于确定固体表面能的各种方法和理论是已知的。作为非限制性实例，可以基于接触角θ的一系列测量结果来计算和/或推导表面能，其中使各种液体与固体的表面接触以测量液体-蒸气界面和所述表面之间的接触角θ。在一些非限制性实例中，固体表面的表面能可以等于液体的表面张力，所述液体具有完全润湿表面的最高表面张力。作为非限制性实例，可以使用齐斯曼绘图(Zisman plot)来确定最高表面张力值，该值将导致与表面的接触角θ为0°。
在不希望受到特定理论约束的情况下，可以假设，在一些非限制性实例中，沉积材料531的涂层的接触角θ可以至少部分地基于沉积材料531所沉积到的NIC 310的性质(包含但不限于初始粘附概率S0)来确定。因此，允许选择性沉积展现出相对较高的接触角θ的积沉积材料531的NIC材料511可以提供一些益处。
相关领域的普通技术人员将理解，可以使用各种方法来测量接触角θ，包含但不限于静态和/或动态座滴法和悬滴法。
在一些非限制性实例中，用于解吸的活化能(Edes 131)(在一些非限制性实例中，在约300K的温度T下)可以比热能(kBT)小约：2倍、1.5倍、1.3倍、1.2倍、1.0倍、0.8倍或0.5倍。在一些非限制性实例中，用于表面扩散率的活化能(Es 121)(在一些非限制性实例中，在约300K的温度T下)可以比热能(kBT)大约：1.0倍、1.5倍、1.8倍、2倍、3倍、5倍、7倍或10倍。
在不希望受到特定理论约束的情况下，可以假设，在沉积材料531的薄膜成核和生长期间，在底层的暴露层表面11和NIC 310之间的界面处和/或附近，由于NIC 310抑制沉积材料531的固体表面的成核，可以观察到沉积材料531的边缘与底层之间的相对较高的接触角θ。此类成核抑制性质可以通过使底层、薄膜蒸气和NIC 310之间的表面能最小化来驱动。
表面的成核抑制和/或成核促进性质的一种量度可以是给定(导电)沉积材料531在表面上的初始沉积速率，其相对于同一沉积材料531在参考表面上的初始沉积速率，其中两个表面都经受和/或暴露于沉积材料531的蒸发通量。
分层装置
现在转到图3A，示出了示例分层装置300a的截面视图。在一些非限制性实例中，如图10中更详细地所示，装置300可以包括沉积在衬底10上的多个层。
图中示出了被标识为X轴的横轴，以及被标识为z轴的纵轴。第二个横轴(被标识为Y轴)被示出为与X轴和z轴基本上横向。横轴中的至少一个可以限定装置300的横向方面。纵轴可以限定装置300的横向方面。
图3B是根据图3A的非限制性实例的装置300的简化实例平面视图。在图3B的平面视图中，示出了一对横轴，分别标识为X轴和Y轴，在一些非限制性实例中，二者可以彼此基本上横向。这些横轴中的至少一个可以限定装置300的横向方面。
装置300的层可以在横向方面延伸，基本上平行于由横轴限定的平面。相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性实例中，图3A中所示的基本上平坦的表示可以是用于说明目的的抽象。在一些非限制性实例中，可能存在，跨装置300的横向范围，可能存在不同厚度和尺寸的局部基本上平坦的薄层，在一些非限制性实例中包含基本上完全不存在的层和/或由非平坦过渡区域(包含横向间隙和平坦的间断)分隔的层。
因此，虽然为了说明性目的，将装置300在其截面方面示出为基本上平行的平面层的基本上分层的结构，但此类显示面板可以局部地说明不同的形貌来限定特征，所述特征中的每个特征可以基本上展现出在截面方面讨论的分层轮廓。
图案化涂层的沉积
图4是展示了蒸发工艺的非限制性实例的示例示意图，所述蒸发工艺总体上以400示出，在腔室40中用于将图案化涂层410(包含但不限于NIC 310或NPC 520)选择性地沉积到底层材料(在图中，仅出于说明的简单性目的，衬底10)的暴露层表面11的第一部301上。
在工艺400中，将一定量的图案化材料411，包含但不限于NIC材料511和/或NPC材料511(图15A)在真空下加热，以蒸发和/或升华412图案化材料411。在一些非限制性实例中，图案化材料411完全和/或基本上包括用于形成图案化涂层410的材料。在一些非限制性实例中，此类材料包括有机材料。
蒸发的图案化材料412流经腔室40，包含在通过箭头41指示的方向上，朝向暴露层表面11。当蒸发的图案化材料412入射到暴露层表面11上时，图案化涂层410可以在其上形成。
在一些非限制性实例中，如工艺400的图中所示，图案化涂层410可以通过在图案化材料411与暴露层表面11之间插入阴影掩模415而选择性地仅沉积到暴露层表面11的一部分(在所展示的实例中，第一部301)上，在一些非限制性实例中，所述阴影掩模可以是精细金属掩模(FMM)。在一些非限制性实例中，如FMM等阴影掩模415可以在一些非限制性实例中用于形成相对较小的特征，特征大小为数十微米或更小的量级。
阴影掩模415具有至少一个穿过其延伸的孔416，使得蒸发的图案化材料412的一部分穿过孔416并且入射到暴露层表面11上以形成图案化涂层410。在蒸发的图案化材料412不穿过孔416而是入射到阴影掩模415的表面417上的情况下，其被阻止安置在暴露层表面11上以形成图案化涂层410。在一些非限制性实例中，阴影掩模415被配置成使得穿过孔416的蒸发的图案化材料412入射到第一部301而不入射到第二部302上。因此，暴露层表面11的第二部302基本上缺乏图案化涂层410。在一些非限制性实例(未示出)中，入射到阴影掩模415上的图案化材料411可以沉积在其表面417上。
因此，在完成图案化涂层410的沉积时产生图案化表面。
在一些非限制性实例中，图4中采用的图案化涂层410可以是NIC 310。
图5A是展示了蒸发工艺结果的非限制性实例的示例示意图，所述蒸发工艺总体上以500a示出，在腔室40中用于将沉积层330的封闭涂层340沉积到底层材料(在图中，仅出于说明的简单性目的，衬底10)的暴露层表面11的第二部302上，所述第二部基本上缺乏被选择性地沉积到第一部301上的NIC 310，包含但不限于通过图4的蒸发工艺400。
在一些非限制性实例中，沉积层330可以包括沉积材料531，在一些非限制性实例中，所述沉积材料可以包括至少一种金属。相关领域的普通技术人员将理解，通常，有机材料的汽化温度相对于金属的汽化温度较低，如可以用作沉积材料531531。
因此，在一些非限制性实例中，虽然采用如FMM等阴影掩模415来选择性地沉积图案化涂层410(如NIC 310)可能是可行的，但采用如FMM等阴影掩模415来图案化此类沉积层330330可能是不可行的，因为，在一些非限制性实例中：
·FMM 415可能会在沉积工艺期间变形，尤其是在高温下，如可能用于薄导电膜的沉积；
·对FMM 415的机械(包含但不限于拉伸)强度和/或阴影效应的限制，尤其是在高温沉积工艺中，可能会对使用此类FMM 415可实现的特征的纵横比施加约束；
·使用此类FMM 415可实现的图案的类型和数量可能因此受到约束，作为非限制性实例，FMM 415的每个部分都将得到物理支持，使得在一些非限制性实例中，一些图案可能不会可在单个处理阶段实现，包含作为非限制性实例，其中图案指定孤立特征；
·此类FMM在高温沉积工艺期间可能展现出翘曲的趋势，在一些非限制性实例中，这可能会扭曲其中孔口的形状和位置，这可能会导致选择性沉积图案发生变化，性能和/或产率下降；
·可用于产生跨装置300的表面分布的重复结构的FMM 415可能需要在FMM 415中形成大量孔，这可能会损害FMM 415的结构完整性；
·在连续沉积中，尤其是在金属沉积工艺中，重复使用FMM 415可能会导致沉积材料531粘附到所述FMM上，这可能会混淆FMM 415的特征并且可能导致选择性沉积图案发生变化，性能和/或产率下降；
·虽然可以定期清洁FMM 415以去除粘附的非金属材料，但此类清洁程序可能不适用于粘附的金属，即使如此，在一些非限制性实例中，其也可能是耗时和/或昂贵的；并且
·无论任何此类清洁工艺如何，此类FMM 415的持续使用，尤其是在高温沉积工艺中，可能会使它们无法有效地产生期望的图案化，此时在复杂且昂贵的工艺中它们可能会被丢弃和/或替换。
一旦已经将NIC 310沉积在底层材料(在图中，衬底10)的暴露层表面11的所述第一部301上，就可以将沉积材料531的封闭涂层340沉积在暴露层表面11的第二部302上，所述第二部基本上缺乏作为沉积层330的NIC 310。
在工艺500x中，将一定量的沉积材料531在真空下加热，以蒸发和/或升华532沉积材料531。在一些非限制性实例中，沉积材料531完全和/或基本上包括用于形成沉积层330的材料。蒸发的沉积材料532被引导到腔室40中，包含在通过箭头51指示的方向上，朝向第一部301和第二部302的暴露层表面11。当蒸发的沉积材料532入射到暴露层11的第二部302上时，可以在其上形成沉积材料531的封闭涂层340作为沉积层330。
在一些非限制性实例中，沉积材料531的沉积可以使用开放式掩模600(图6A)和/或无掩模沉积工艺来执行。
相关领域的普通技术人员应当理解，与FMM 415的特征大小相反，开放式掩模600的特征大小通常与正在制造的装置300的大小相当。在一些非限制性实例中，此类开放式掩模600可以具有通常对应于装置300的大小的孔，在一些非限制性实例中，对于微型显示器，所述大小可以对应但不限于约1″，对于移动显示器，所述大小可以对应但不限于约4-6″和/或对于膝上型和/或平板显示器，所述大小可以对应但不限于约8-17″，以便在制造期间掩蔽此类装置300的边缘。在一些非限制性实例中，开放式掩模600的特征大小可以为约1cm和/或更大的量级。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，如果需要，可以省略开放式掩模600的使用。在一些非限制性实例中，可以可替代地在不使用开放式掩模600的情况下进行本文所描述的开放式掩模沉积工艺，使得整个暴露层表面11可以暴露。
图6A-6D展示了开放式掩模600的非限制性实例。
图6A展示了具有和/或限定在其中形成的孔610的开放式掩模600a的非限制性实例。在一些非限制性实例中，如图所示，开放式掩模600a的孔610小于装置300的大小，使得当掩模600a覆盖在装置300上时，掩模600a覆盖装置300的边缘。在一些非限制性实例中，如图所示，装置300包括多个发射区域2210，每个发射区域对应于装置300的对应(子)像素1240/244x，此类发射区域2210的横向方面910可以包含在孔610内并因此暴露，而未暴露区域620可以在装置300的外边缘61和孔610之间形成。相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，装置300的电触点和/或其它组件(未示出)可以定位于此类未暴露区域620中，使得这些组件在整个开放式掩模沉积工艺中基本上不受影响。
图6B展示了具有和/或限定在其中形成的孔611的开放式掩模600b的非限制性实例，所述孔611小于图6A的孔610，使得当掩模9411覆盖在装置300上时，掩模600b至少覆盖对应于至少一些(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面910a。如图所示，在一些非限制性实例中，对应于最外面(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面910a定位于形成在装置300的外边缘61与孔611之间的装置300的未暴露区域613内，在开放式掩模沉积工艺期间被掩蔽以抑制蒸发的沉积材料532入射到未暴露区域613上。
图6C展示了具有和/或限定在其中形成的孔612的开放式掩模600c的非限制性实例，其限定覆盖对应于至少一些(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面910a同时暴露对应于至少一些(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面910b的图案。如图所示，在一些非限制性实例中，定位于装置300的未暴露区域614内的对应于至少一些(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面910a在开放式掩模沉积工艺期间被掩蔽以抑制蒸发的沉积材料531330入射到未暴露区域614上。
尽管在图6B-6C中，对应于最外面(子)像素1240/244x中的至少一些像素的发射区域2210的横向方面910a已被掩蔽，如所展示的，相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，开放式掩模600的孔可以成形为掩蔽装置300的其它发射区域2210的横向方面910和/或非发射区域2220的横向方面x20。
此外，尽管图6A-6C示出了具有单个孔610-612的开放式掩模600，相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例(未示出)中，此类开放式掩模600可以具有用于暴露装置300的底层材料的暴露层表面11的多个区域的另外的孔(未示出)。
图6D展示了具有和/或限定多个孔617a-617d的开放式掩模600d的非限制性实例。在一些非限制性实例中，孔617a-617d被定位成使得所述孔可以选择性地暴露装置300的某些区域621，同时掩蔽其它区域622。在一些非限制性实例中，对应于至少一些(子)像素1240/244x的某些发射区域2210的横向方面910b通过区域621中的孔617a-617d暴露，而对应于至少一个一些(子)像素1240/244x的其它发射区域2210的横向方面910a位于区域622内并且因此被掩蔽。
实际上，如图5A所示，蒸发的沉积材料532入射到跨第一部301的NIC 310的暴露层表面11上以及跨基本上缺乏任何NIC 310的第二部302的衬底10的暴露层表面11上。
由于与第二部302中衬底10的暴露层表面11相比，第一部301中NIC 310的暴露层表面11针对沉积层330的沉积展现出相对较低的初始粘附概率S0，因此沉积层330基本上仅选择性地沉积在基本上缺乏NIC 310的第二部302中衬底10的暴露层表面11上。相比之下，入射到跨第一部301的NIC 310的暴露层表面11上的蒸发的沉积材料532趋于不沉积，如图所示(533)并且跨第一部301的NIC 310的暴露层表面11基本上缺乏沉积层330的封闭涂层340。
在一些非限制性实例中，与第一部301中NIC 310的暴露层表面11上的蒸发的沉积材料531的初始沉积速率相比，第二部302中衬底10的暴露层表面11上的蒸发的沉积材料531的初始沉积速率可以超过约：200倍、550倍、900倍、1,000倍、1,500倍、1,900倍或2,000倍。
因此，图4中使用阴影掩模415(如FMM)和开放式掩模600选择性沉积NIC 310作为图案化涂层410，和/或沉积材料531的无掩模沉积的组合可导致装置300的版本300a，如图3A所示。
装置300a示出了底层材料的暴露层表面11的横向方面1310。横向方面1310包括第一部301和第二部302。在第一部301中，NIC 310安置在暴露层表面11上。然而，在第二部302中，暴露层11的表面基本上缺乏NIC 310。在一些非限制性实例中，第二部302包括暴露层表面11的位于第一部301之外的所述部分。
在跨第一部301选择性沉积NIC 310之后，在一些非限制性实例中，使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺将沉积材料531的封闭涂层340沉积在装置300a之上作为沉积层330，但其仍然基本上仅在第二部302内，所述第二部基本上缺乏NIC 310。
NIC 310在第一部301内提供针对沉积材料531的沉积具有相对较低的初始粘附概率S0的暴露层表面11，并且所述初始粘附概率基本上小于第二部302内的装置300a的底层材料的暴露层表面11针对沉积材料531的沉积的初始粘附概率S0。
因此，第一部301基本上缺乏沉积材料531的封闭涂层340。
以这种方式，NIC 310可以选择性地沉积，包含使用阴影掩模415，以允许沉积层330被沉积，包含但不限于使用开放式掩模600，和/或无掩模沉积工艺，以便形成装置特征，所述装置特征包含但不限于电极1020、1040、2150、汇流条5050和/或其至少一层，和/或与其电耦接的导电元件。
因此，使用阴影掩模415(如FMM)和开放式掩模600选择性沉积NIC 310作为图4中的图案化涂层410，和/或沉积材料531的无掩模沉积可以组合在一起，以便实现至少一个沉积层330的选择性沉积，以形成装置特征，所述装置特征包含但不限于图案化电极1020、1040、2150、汇流条5050和/或其至少一层，和/或与其电耦接的导电元件，在图3A所示的装置300a中，而无需在沉积层330沉积工艺内采用FMM 415。在一些非限制性实例中，此类图案化可以允许和/或增强装置300a的透射率。
在一些非限制性实例中，图4中采用的图案化涂层410可以是NPC 520(图5B)。
图5B是展示了蒸发工艺结果的非限制性实例的示例示意图，所述蒸发工艺总体上以500b示出，在腔室50中用于将沉积层330的封闭涂层340沉积到底层材料(在图中，仅出于说明的简单性目的，被选择性地沉积到第一部301上的NPC 520)的暴露层表面11的第一部301上，包含但不限于通过图4的蒸发工艺400。
一旦已经将NPC 520沉积在底层材料(在图中，衬底10)的暴露层表面11的所述第一部301上，就可以将沉积材料531的封闭涂层340沉积在暴露层表面11的第一部301上，所述第一部基本上由作为沉积层330的NPC 520覆盖。
在工艺500b中，将一定量的沉积材料531在真空下加热，以蒸发和/或升华532沉积材料531。在一些非限制性实例中，沉积材料531完全和/或基本上包括用于形成沉积层330的材料。蒸发的沉积材料532被引导到腔室40中，包含在通过箭头51指示的方向上，朝向第一部301和第二部302的暴露层表面11。当蒸发的沉积材料531832入射到暴露层11的第一部301上时，可以在其上形成沉积材料531的封闭涂层340作为沉积层330。
在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来执行沉积材料531的沉积。
实际上，如图5B所示，蒸发的沉积材料532入射到跨第一部301的NPC 520的暴露层表面11上以及跨基本上缺乏NPC 520的第二部302的衬底10的暴露层表面11上。
由于与第二部302中衬底10的暴露层表面11相比，第一部301中NPC 520的暴露层表面11针对沉积材料531的沉积展现出相对较高的初始粘附概率S0，因此沉积层330基本上仅选择性地沉积在第一部301中NPC 520的暴露层表面11上。相比之下，入射到跨第二部302的衬底10的暴露层表面11上的蒸发的沉积材料532趋于不沉积，如图所示(533)并且跨第二部302的衬底10的暴露层表面11基本上缺乏沉积材料531的封闭涂层340。
因此，图4中使用阴影掩模415(如FMM)和开放式掩模600选择性沉积NPC 520作为图案化涂层410，和/或沉积材料531的无掩模沉积的组合可导致装置300的版本700，如图7所示。
装置300示出了底层材料的暴露层表面11的横向方面1310。横向方面1310包括第一部301和第二部302。在第一部301中，NPC 520安置在暴露层表面11上。然而，在第二部302中，暴露层11的表面基本上缺乏NPC 520。在一些非限制性实例中，第二部302包括暴露层表面11的位于第一部301之外的所述部分。
在跨第一部301选择性沉积NPC 520之后，在一些非限制性实例中，使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺将沉积材料531的封闭涂层340沉积在装置300b之上作为沉积层330，但其仍然基本上仅在第一部301内，所述第一部含有沉积的NPC 520。
NPC 520在第一部301内提供针对沉积材料531的沉积具有相对较高的初始粘附概率S0的暴露层表面11，并且所述初始粘附概率基本上大于第二部302内的装置300b底层材料的暴露层表面11针对沉积材料531的沉积的初始粘附概率S0。
因此，第二部302基本上缺乏沉积材料531的封闭涂层340。
以这种方式，NPC 520可以选择性地沉积，包含使用阴影掩模415，以允许沉积层330被沉积，包含但不限于使用开放式掩模600，和/或无掩模沉积工艺，以便形成装置特征，所述装置特征包含但不限于电极、汇流条5050和/或其至少一层，和/或与其电耦接的导电元件。
因此，图4中使用阴影掩模415(如FMM)和开放式掩模600选择性沉积NPC 520作为图案化涂层410，和/或沉积材料531的无掩模沉积可以组合在一起，以便实现至少一个沉积层330的选择性沉积，以形成装置特征，所述装置特征包含但不限于图案化电极1020、1040、2150、5050和/或与其电耦接的导电元件，在图7所示的装置700中，而无需在沉积层330沉积工艺内采用FMM 415。在一些非限制性实例中，此类图案化可以允许和/或增强装置700的透射率。
在一些非限制性实例中，可以在装置300的制造过程期间多次施涂图案化涂层410(其可以是NIC 310和/或NPC 520)，以使装置特征图案化，所述装置特征包括多个电极1020、1040、2150、汇流条5050和/或其至少一层和/或其各个层和/或与其电耦接的沉积层330。
在一些非限制性实例中，如NIC 310和/或NPC 520等图案化涂层410和其后沉积的沉积层330的厚度可以根据各种参数而变化，包含但不限于期望的应用和期望的性能特性。在一些非限制性实例中，NIC 310的厚度可以与此后沉积的沉积层330的厚度相当和/或显著小于所述沉积层的厚度。使用相对较薄的NIC 310来实现沉积层330的选择性图案化可能适合于提供柔性装置300，包含但不限于PMOLED装置。在一些非限制性实例中，相对较薄的NIC 310可以提供相对较平坦的表面，在所述表面上可以沉积阻隔涂层2050(图20C)或其它薄膜封装(TFE)层。在一些非限制性实例中，提供用于施涂阻隔涂层2050的此类相对较平坦的表面可以增加阻隔涂层2050对此类表面的粘附。
NIC
NIC 310可以包括NIC材料511。在一些非限制性实例中，NIC 310可以包括NIC材料511的封闭涂层340。
NIC 310可以提供暴露层表面11针对沉积材料531的沉积的初始粘附概率S0，在一些非限制性实例中，所述初始粘附概率基本上小于装置300的底层的暴露层表面11(针对沉积材料531的沉积)的初始粘附概率S0，NIC 310已沉积在所述暴露层表面上。
由于NIC 310和/或NIC材料511的初始粘附概率S0较低，在一些非限制性实例中，当以膜和/或涂层形式沉积时，并且在类似于装置300内的NIC 310沉积的情况下，针对沉积材料531的沉积，NIC 310可以基本上缺乏沉积材料531的封闭涂层340。
在一些非限制性实例中，NIC 310和/或NIC材料511，在一些非限制性实例中，当以膜和/或涂层形式沉积时，并且在类似于装置300内的NIC 310沉积的情况下，可能具有针对沉积材料531的沉积的初始粘附概率S0(在一些非限制性实例中，在Walker等人描述的双QCM技术中鉴定的条件下)，所述初始粘附概率小于约：0.9、0.3、0.2、0.15、0.1、0.08、0.05、0.03、0.02、0.01、0.008、0.005、0.003、0.001、0.0008、0.0005、0.0003或0.0001。
在一些非限制性实例中，NIC 310和/或NIC材料511，在一些非限制性实例中，当以膜和/或涂层形式沉积时，并且在类似于装置300内的NIC 310沉积的情况下，可能具有针对银(Ag)和/或镁(Mg)的沉积的初始粘附概率S0(在一些非限制性实例中，在Walker等人描述的双QCM技术中鉴定的条件下)，所述初始粘附概率小于约：0.9、0.3、0.2、0.15、0.1、0.08、0.05、0.03、0.02、0.01、0.008、0.005、0.003、0.001、0.0008、0.0005、0.0003或0.0001。
在一些非限制性实例中，NIC 310和/或NIC材料511，在一些非限制性实例中，当以膜和/或涂层形式沉积时，并且在类似于装置300内的NIC 310沉积的情况下，可能具有针对沉积材料531的沉积的初始粘附概率S0(在一些非限制性实例中，在Walker等人描述的双QCM技术中鉴定的条件下)，所述初始粘附概率介于约：0.15-0.0001、0.1-0.0003、0.08-0.0005、0.08-0.0008、0.05-0.001、0.03-0.0001、0.03-0.0003、0.03-0.0005、0.03-0.0008、0.03-0.001、0.03-0.005、0.03-0.008、0.03-0.01、0.02-0.0001、0.02-0.0003、0.02-0.0005、0.02-0.0008、0.02-0.001、0.02-0.005、0.02-0.008、0.02-0.01、0.01-0.0001、0.01-0.0003、0.01-0.0005、0.01-0.0008、0.01-0.001、0.01-0.005、0.01-0.008、0.008-0.0001、0.008-0.0003、0.008-0.0005、0.008-0.0008、0.008-0.001、0.008-0.005、0.005-0.0001、0.005-0.0003、0.005-0.0005、0.005-0.0008或0.005-0.001之间。
在一些非限制性实例中，NIC 310和/或NIC材料511，在一些非限制性实例中，当以膜和/或涂层形式沉积时，并且在类似于装置300内的NIC 310沉积的情况下，可能具有针对多个沉积材料531的沉积的初始粘附概率S0(在一些非限制性实例中，在Walker等人描述的双QCM技术中鉴定的条件下)，所述初始粘附概率小于阈值。在一些非限制性实例中，所述阈值可以为约：0.3、0.2、0.18、0.15、0.13、0.1、0.08、0.05、0.03、0.02、0.01、0.008、0.005、0.003或0.001。
在一些非限制性实例中，NIC 310和/或NIC材料511，在一些非限制性实例中，当以膜和/或涂层形式沉积时，并且在类似于装置300内的NIC 310沉积的情况下，可能具有针对两个或更多个沉积材料531的沉积的初始粘附概率S0(在一些非限制性实例中，在Walker等人描述的双QCM技术中鉴定的条件下)，所述初始粘附概率小于阈值，所述两个或更多个沉积材料选自：Ag、Mg、Yb、Cd和Zn。在一些另外的非限制性实例中，NIC 310针对两个或更多个沉积材料531的沉积展现出等于或低于阈值的S0，所述两个或更多个沉积材料选自：Ag、Mg和Yb。
在一些非限制性实例中，NIC 310和/或NIC材料511，在一些非限制性实例中，当以膜和/或涂层形式沉积时，并且在类似于装置300内的NIC 310沉积的情况下，可能展现出针对第一沉积材料531的沉积的初始粘附概率S0(其等于或低于第一阈值)，以及针对第二沉积材料531的沉积的初始粘附概率S0(其等于或低于第二阈值)。在一些非限制性实例中，第一沉积材料531可以是Ag，并且第二沉积材料531可以是Mg。在一些其它非限制性实例中，第一沉积材料531可以是Ag，并且第二沉积材料531可以是Yb。在一些其它非限制性实例中，第一沉积材料531可以是Yb，并且第二沉积材料531可以是Mg。在一些非限制性实例中，第一阈值可能大于第二阈值。
在一些非限制性实例中，NIC 310和/或NIC材料511，在一些非限制性实例中，当以膜和/或涂层形式沉积时，并且在类似于装置300内的NIC 310沉积的情况下，可能具有针对光子的小于约0.01的消光系数k，所述光子的波长超过约以下中的至少一者：600nm、500nm、460nm、420nm或410nm。
在一些非限制性实例中，NIC 310包括含有稀土元素的化合物，所述稀土元素选自：铈(Ce)、镝(Dy)、铒(Er)、铕(Eu)、钆(Gd)、钬(Ho)、镧(La)、镥(Lu)、钕(Nd)、钷(Pm)、镨(Pr)、钪(Sc)、钐(Sm)、铽(Tb)、铥(Tm)、钇(Y)和镱(Yb)。在一些非限制性实例中，所述稀土元素选自：Ce、Dy、Er、Eu、Gd、Ho、Lu、Nd、Pr、Sm、Tb、Tm和Yb。在一些非限制性实例中，所述稀土元素选自：Ce、Dy、Er、Eu、Gd、Ho、Lu、Nd、Sm、Tm和Yb。
在一些非限制性实例中，所述化合物是稀土元素的氧化物，包含但不限于：CeO2、Dy2O3、Er2O3、Eu2O3、Gd2O3、Ho2O3、La2O3、Lu2O3、Nd2O3、Pr6O11、Pr2O3、PrO2、Pr2O5、Pm2O3、Sm2O3、Sc2O3、Tb7O12、Tb2O3、TbO2、Tb3O7、Tm2O3、Yb2O3和Y2O3。
一般而言，已知金属和金属化合物(作为非限制性实例，包含纯金属和金属氧化物)展现出相对较高的临界表面张力。然而，有些令人惊讶的是，已经发现，至少一些稀土元素的氧化物(“稀土氧化物”)展现出相对较低的临界表面张力。
在不希望受到任何特定理论约束的情况下，可以假设由这种稀土氧化物形成的低能表面可以展现出相对较低的初始粘附概率，因此可能特别适合于形成NIC 310或其组分。
在不希望受到任何特定理论约束的情况下，可以假设，特别是对于低表面能表面，临界表面张力可能与表面能正相关。作为非限制性实例，展现出相对较低的临界表面张力的表面也可能展现出相对较低的表面能，并且展现出相对较高的临界表面张力的表面也可能展现出相对较高的表面能。
根据表面能的一些模型，表面的临界表面张力可以等同于或基本上等同于此类表面的表面能。参考上述杨氏方程，较低的表面能可能导致更大的接触角θ，同时也降低γSV，从而增加此类表面针对用于形成沉积层330的沉积材料531的沉积具有低润湿性和低初始粘附概率S0的可能性。
在一些非限制性实例中，NIC 310的暴露层表面11可以至少部分地由稀土氧化物形成，并且可以展现出小于约以下值的临界表面能Y1：40达因/cm、35达因/cm、30达因/cm、28达因/cm、25达因/cm、23达因/cm、20达因/cm、18达因/cm或15达因/cm。在一些非限制性实例中，NIC 310的表面的临界表面能Y1可以介于约：10-40达因/cm、10-35达因/cm、10-30达因/cm、10-28达因/cm、10-25达因/cm、10-23达因/cm、10-20达因/cm、10-19达因/cm、10-18达因/cm或10-15达因/cm之间。在一些非限制性实例中，NIC 310的表面的临界表面能Y1可以根据齐斯曼方法确定，如以下文献中进一步所述：W.A.Zisman，《化学进展》43(1964)，第1-51页。
现在转到图8A，示出了装置300的示例版本800a。
装置800a示出了底层材料的暴露层表面11的横向方面。横向方面包括第一部301和第二部302。在第一部301中，NIC 310安置在暴露层表面11上。在第二部302中，界面涂层820安置在暴露层表面11上。第二部302基本上缺乏NIC 310。
在跨第一部301沉积NIC 310和跨第二部302沉积界面涂层820之后，在一些非限制性实例中，使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺将沉积材料531沉积在装置800a之上，但其仍然基本上仅在第二部302内，所述第二部基本上缺乏NIC 310。
NIC 310在第一部301内提供针对沉积材料531的沉积具有相对较低的初始粘附概率S0的暴露层表面11，并且所述初始粘附概率基本上小于第二部302内的界面涂层820的暴露层表面9410针对沉积材料531的沉积的初始粘附概率S0。在一些非限制性实例中，界面涂层820可以是NPC 520。
因此，第一部301基本上缺乏沉积材料531的封闭涂层340。
以这种方式，NIC 310可以选择性地沉积，包含使用阴影掩模415，以允许沉积层330被沉积，包含但不限于使用开放式掩模600，和/或无掩模沉积工艺，以便形成装置特征，所述装置特征包含但不限于电极1020、1040、2150、汇流条5050和/或其至少一层，和/或其至少一层，和/或与其电耦接的导电元件。
在一些非限制性实例中，界面涂层820可以包括稀土元素。在一些非限制性实例中，界面涂层820和NIC 310包括相同的稀土元素。在一些其它非限制性实例中，界面涂层520中的稀土元素不同于NIC 310中的稀土元素。
在一些非限制性实例中，装置800a是在第二部302中具有至少一个发射区域2210的光电子装置。在一些非限制性实例中，界面涂层820可以充当电子注入层(EIL)139，并且沉积层330可以形成装置800a的阴极1242或其一部分。在一些非限制性实例中，界面涂层820，与沉积层330一起，可以形成装置800a的阴极1242或其一部分。
在一些非限制性实例中，界面涂层820和NIC 310可以跨装置800a的横向方面连续地形成。作为非限制性实例，界面820的界面涂层可以紧邻NIC 310的边缘。
在一些非限制性实例中，界面涂层820和NIC 310可以跨横向方面基本上连续地形成。
在一些非限制性实例中，在制造装置800a期间以及在沉积沉积层330之前，稀土元素沉积在横向方面的第一部301和第二部302上。在一些非限制性实例中，沉积在第一部301上的稀土元素在沉积和/或经过额外处理时，可以被氧化以形成可构成NIC 310的稀土氧化物。相反，在一些非限制性实例中，沉积在第二部302上的稀土元素可以形成界面涂层820。在一些非限制性实例中，界面涂层820可以含有氧化态为0的稀土元素。
现在转向图8B，示出了装置300的示例版本800b。
装置800b示出了底层材料的暴露层表面11的横向方面。界面涂层820跨第一部301和第二部302安置在暴露层表面11之上。在第一部301中，NIC 310安置在暴界面涂层820之上。在一些非限制性实例中，NIC 310可以通过使界面涂层820的暴露层表面11被氧化而形成。在形成NIC 310之后，沉积层330在第二部302中沉积在界面涂层820之上。作为非限制性实例，第一部301继续具有安置在NIC 310和底层表面的暴露层表面11之间的界面涂层820的一部分，并且第二部302具有安置在沉积层330和底层表面的暴露层表面11之间的界面涂层820的另一部分。界面涂层820包括稀土元素，并且NIC 310包括此类稀土元素的氧化物。在一些非限制性实例中，第一部301和第二部302中的界面涂层820彼此连续地形成，或者作为单个单片结构。在一些非限制性实例中，第一部301中的界面涂层820的厚度可以小于第二部302中的界面涂层820的厚度。
现在转向图8C，示出了装置300的示例版本800c。
装置800c示出了在第二部302中提供的底层材料的暴露层表面11的横向方面的第一部分811，以及在第一部301中提供的暴露层表面11的横向方面的第二部分812。在一些非限制性实例中，如图所示，第二部分812可以对应于在第一部301中提供的改性层815的表面。在一些非限制性实例中，在制造装置800c期间，稀土元素可以沉积在第一部301和第二部302上。如果此类稀土元素沉积在改性层815上或之上，则改性层815可引起、促进和/或催化在第一部301中安置在其上的稀土元素的氧化，从而形成NIC 310。
在一些非限制性实例中，第二部分812中的底层表面11的暴露层表面11的表面能或临界表面张力Y1低于其第一部分811中的表面能或临界表面张力。作为非限制性实例，相对于第一部分811中的暴露层表面11，第二部分812中的暴露层表面11可以展现出针对稀土元素的沉积的较低的初始粘附概率S0。在这样的场景中，如本文所讨论的，在颗粒结构941的上下文，在一些非限制性实例中，第一部分811中通过沉积和随后氧化稀土元素而形成的NIC 310的厚度可以小于第二部分812中通过沉积稀土元素而形成的界面涂层820的厚度。作为非限制性实例，NIC 310可以包含作为颗粒结构941在第二部分812中形成的稀土氧化物。在不希望受到任何特定理论约束的情况下，可以假设在第二部分812中底层表面的暴露层表面11的相对较高的临界表面能Y1可导致在制造装置800c期间，稀土元素作为颗粒结构941沉积在所述暴露层表面上。稀土元素的这种形态可促进稀土元素的氧化以形成NIC310。
在一些非限制性实例中，稀土元素是Yb。在一些非限制性实例中，界面涂层820包括Yb并且NIC 310包括氧化镱，其可例如由式Yb2O3表示。在此类实例中，NIC 310包括具有3+氧化态的Yb。仅用于说明目的，此类物质在本文中可表示为Yb3+。类似地，具有0和2+氧化态的Yb物质可以分别表示为Yb0和Yb2+。在一些非限制性实例中，界面涂层820包括Yb0。
在一些非限制性实例中，第一部301中Yb3+物质的浓度可以超过第二部302中Yb3+物质的浓度。作为非限制性实例，装置800c在一些非限制性实例中可以满足以下关系：
Figure BDA0004113842510000281
其中
Figure BDA0004113842510000282
和
Figure BDA0004113842510000283
分别对应于第一部301中存在的Yb0、Yb2+和Yb3+物质的数量，并且
Figure BDA0004113842510000284
和
Figure BDA0004113842510000285
分别对应于第二部302中存在的Yb0、Yb2+和Yb3+物质的数量。
在一些非限制性实例中，第二部302中Yb0物质的浓度可以超过第一部301中Yb0物质的浓度。作为非限制性实例，装置800c在一些非限制性实例中可以满足以下关系：
Figure BDA0004113842510000286
现在已经发现，与包括稀土氧化物的表面(其中稀土元素具有非零氧化态)相比，包括氧化态为0的稀土元素的表面可以展现出高得多的临界表面能Y1。如上所述，发现形成相对低能量表面的材料可能特别适合用作NIC 310，并且发现形成相对高能量表面的材料可能适合用作界面涂层820，所述界面涂层可以充当和/或作为NPC 520。
在一些非限制性实例中，第一部301中稀土氧化物的浓度可以超过第二部302中稀土氧化物的浓度。在一些非限制性实例中，第二部302中氧化态为零的稀土元素的浓度可以超过第一部301中氧化态为零的稀土元素的浓度。在一些非限制性实例中，第一区域301中的大多数稀土元素可具有非零氧化态，并且第二区域302中的大多数稀土元素可具有零氧化态。
作为非限制性实例，可以使用各种技术检测薄膜中稀土元素的存在及其氧化态，包含但不限于X射线光电子能谱(XPS)。例如，使用XPS，可以确定核心级结合能和相关强度。然后将测得的结合能与各种形式和氧化态的已知元素的参考结合能进行比较，以确定被测样品中存在的物质。下表总结了金属形式和氧化物形式的各种稀土元素的参考核心级结合能的非限制性实例。
Figure BDA0004113842510000301
虽然结合能以上表的范围形式提供，但相关领域的普通技术人员将理解，落在这些范围之内或之外的特定参考结合能值可以在各种来源中找到。此类来源的非限制性实例包含但不限于：BV Crist.(1999).《元素和天然氧化物手册(Handbook of The Elementsand Native Oxides.)》XPS国际公司(XPS International，Inc.)；A.V.Naumkin等人，NISTX射线光电子能谱数据库(NIST X-ray Photoelectron Spectroscopy Database)，NIST标准参考数据库20，版本4.1，NIST；和J.F.Moulder等人(1992).《X射线光电子能谱手册(Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy.)》珀金-埃尔默公司(Perkin-ElmerCorporation)。
在一些非限制性实例中，NIC 310的临界表面能Y1可以小于沉积层330所安置的暴露层表面11(其可以是例如界面涂层820的暴露层表面11)的临界表面能Y1的约1/3。在一些非限制性实例中，NIC 310的临界表面能Y1可以小于沉积层330所安置的暴露层表面11(其可以是例如界面涂层820的暴露层表面11)的临界表面能Y1的约：1/3、1/4、1/5、1/6、1/8、1/10、1/15、1/20、1/30或1/50。
在一些非限制性实例中，NIC 310的暴露层表面11上的水的接触角θ可以为至少约：90°、100°、110°、120°、130°、140°或150°。在一些非限制性实例中，NIC 310的暴露层表面11上的水的接触角θ可以为约：90-130或95-120。可以使用各种方法测量这种接触角θ，包含但不限于静态或动态座滴法和悬滴法。
用于确定固体的表面能Y1的各种方法和理论是已知的。例如，可以基于接触角θ的一系列测量结果来计算和/或推导表面能Y1，其中使各种液体与固体的表面接触以测量液体-蒸气界面和所述表面之间的接触角θ。在一些非限制性实例中，固体表面的表面能Y1等于液体的表面张力，所述液体具有完全润湿表面的最高表面张力。作为非限制性实例，可以使用齐斯曼绘图来确定将导致表面完全润湿(即接触角θ为0°)的最高表面张力值。根据一些表面能理论，在确定固体的表面能Y1时，可以考虑固体表面和液体之间的各种类型的相互作用。例如，根据一些理论，包含但不限于欧文斯/温特理论(Owens/Wendt theory)和/或福克斯理论(Fowkes′theory)，表面能Y1可以包括色散分量和非色散或“极性”分量。
在一些非限制性实例中，NIC 310的表面能Y1的极性分量可以小于约：5mJ/m2、3mJ/m2、1mJ/m2或基本上为零。
虽然已经描述了关于含有某些稀土氧化物的NIC 310的各个实例，但可以理解的是，NIC 310可以包括其它稀土化合物，以取代此类稀土氧化物或与此类稀土氧化物结合使用。
现在将参考以下实例来说明和描述一些非限制性实例的方面，这些实例不旨在以任何方式限制本公开的范围。
实例
通过真空沉积20nm厚的有机材料层，然后沉积不同厚度的Yb层来制造一系列样品。具体地说，制造了Yb厚度为
Figure BDA0004113842510000311
1nm和2nm的样品。然后将样品取出并暴露在空气中约10分钟，使得Yb层的表面氧化形成NIC 310。然后使每个样品的氧化后的Yb表面经受600Mg的开放式掩模沉积。使每个样品经受平均蒸发速率为约
Figure BDA0004113842510000312
的Mg蒸气通量。在进行Mg涂层的沉积时，使用约167秒的沉积时间以获得约15nm的Mg的参考层厚度。
一旦样品被制成，就进行光学透射测量以确定沉积在NIC 310表面上的Mg的相对量。应当理解，作为非限制性实例，具有小于几nm的厚度的相对较薄的Mg涂层基本上是透明的。然而，随着Mg涂层的厚度增加，透光率降低。因此，各种NIC 310材料的相对性能可以通过测量穿过样品的透光率来评估，这与从Mg沉积工艺沉积在其上的Mg涂层的量和/或厚度直接相关。考虑到由玻璃衬底的存在引起的任何光损失和/或吸收，发现所有根据上述方法制备的样品在可见光谱上都展现出相对较高的透射率，大于约90％。高的光学透射率可以直接归因于在NIC 310的暴露层表面11上存在相对较少量的Mg涂层(如果有的话)，以吸收透射通过样品的光。因此，此类NIC 310材料通常对Mg展现出相对较低的亲和力和/或初始粘附概率S0，因此在某些应用中可能对实现含有Mg的涂层的选择性沉积和图案化特别有用。
在一些非限制性实例中，NIC 310可以被掺杂、覆盖和/或补充有可充当种子或非均质性的另一种材料，以充当沉积材料531的成核位点。在一些非限制性实例中，此类其它材料可以包括NPC材料。在一些非限制性实例中，此类其它材料可以包括有机材料，如作为非限制性实例，多环芳香族化合物和/或含有非金属元素的材料，所述有非金属元素如但不限于氧(O)、硫(S)、氮(N)或碳(C)，其存在可能以其它方式被视为源材料、用于沉积的设备和/或真空室环境中的污染物。在一些非限制性实例中，此类其它材料可以沉积在厚度为单层的一小部分的层中，以避免形成其连续涂层340。相反，此类其它材料的单体将倾向于在横向方面分开，以便为沉积材料形成离散的成核位点。
转到图9A，示出了图3A的装置300的版本900，其以夸张的形式示出了第一部301中的NIC 310与第二部302中的沉积层330之间的界面。图9B以平面示出了装置900。
从图9B中可以更好地看出，在一些非限制性实例中，第一部301中的NIC 310可以在所有侧面被第二部302中的沉积层330围绕，使得第一部301可以具有由横向方面中的NIC310沿每个横轴的进一步范围或边缘915限定的边界。在一些非限制性实例中，横向方面中的NIC边缘915可以由此方面中第一部301的周长来限定。
在一些非限制性实例中，第一部301可以包括至少一个NIC过渡区域301t，在横向方面中，其中NIC 310的厚度可以从最大厚度过渡到减小的厚度。不展现出这种过渡的第一部301的范围被标识为第一部301的非过渡部分301n。在一些非限制性实例中，NIC 310可以在第一部301的NIC非过渡部分301n中形成基本上封闭的涂层340。
在一些非限制性实例中，NIC过渡区域301t可以在横向方面延伸到第一部301的NIC非过渡部分301n和NIC边缘915之间。
在一些非限制性实例中，在平面中，NIC过渡区域301t可以围绕第一部301的非过渡部分301n和/或沿其周长延伸。
在一些非限制性实例中，沿至少一个横轴，NIC非过渡部分301n可以占据第一部301的整体，使得在其与第二部302之间没有NIC过渡区域301t。
如图3所示，在一些非限制性实例中，NIC 310可以在第一部301的NIC非过渡部分301n中具有平均膜厚度d2，其范围可以介于约：1-100nm、2-50nm、3-30nm、4-20nm、5-15nm、5-10nm或1-10nm之间。在一些非限制性实例中，NIC 310在第一部301的NIC非过渡部分301n中的平均膜厚度d2可以基本上相同，或者恒定。在一些非限制性实例中，在NIC非过渡部分301n内，NIC 310的厚度可以保留在约：NIC 310的平均膜厚度d2的95％或90％以内。
在一些非限制性实例中，平均膜厚度d2可以小于约：80nm、60nm、50nm、40nm、30nm、20nm、15nm或10nm。在一些非限制性实例中，NIC 310的平均膜厚度d2可以超过约：3nm、5nm或8nm。
在一些非限制性实例中，NIC 310在第一部301的NIC非过渡部分301n中的平均膜厚度d2可以小于约10nm。在不希望受到任何特定理论约束的情况下，已经发现，有些令人惊讶的是，大于零且不超过约10nm的NIC 310的平均膜厚度d2，至少在一些非限制性实例中，作为非限制性实例，为实现相对于在第一部301的NIC非过渡部分301n中具有超过10nm的平均膜厚度d2的NIC 310的沉积层330的增强的图案化对比度提供了某些优点。
在一些非限制性实例中，NIC 310可以具有在NIC过渡区域301t内从最大值减少到最小值的NIC厚度。在一些非限制性实例中，最大值可以位于和/或靠近第一部301的NIC过渡区域301t和NIC非过渡部分301n之间的边界处。在一些非限制性实例中，最小值可以位于和/或靠近NIC边缘915处。在一些非限制性实例中，最大值可以是第一部301的NIC非过渡部分301n中的平均膜厚度d2。在一些非限制性实例中，最大值可以不超过约：第一部301的NIC非过渡部分301n中的平均膜厚度d2的95％或90％。在一些非限制性实例中，最小值的范围可以介于约0-0.1nm之间。
在一些非限制性实例中，NIC过渡区域301t中的NIC厚度的轮廓可以是倾斜的，和/或遵循梯度。在一些非限制性实例中，这种轮廓可以是锥形的。在一些非限制性实例中，锥度可以遵循线性、非线性、抛物线和/或指数衰减轮廓。
在一些非限制性实例中，NIC 310可以完全覆盖NIC过渡区域301t中的底层表面。在一些非限制性实例中，底层表面的至少一部分可以在NIC过渡区域301t中未被NIC 310覆盖。在一些非限制性实例中，NIC 310可以在NIC过渡区域301t的至少一部分中包括基本上封闭的涂层340。在一些非限制性实例中，NIC 310可以在NIC过渡区域301t的至少一部分中包括不连续层940(图9A)。
在一些非限制性实例中，第一部301中NIC 310的至少一部分可以基本上缺乏沉积层330的封闭涂层340。在一些非限制性实例中，第一部301中暴露层表面11的至少一部分可以基本上缺乏沉积层330或沉积材料531。
在一些非限制性实例中，沿至少一个横轴，包含但不限于X轴，NIC非过渡区域301n可以具有宽度w1，并且NIC过渡部分301t可以具有宽度w2。在一些非限制性实例中，NIC非过渡区域301n可以具有截面面积301，在一些非限制性实例中，所述面积可以通过将平均膜厚度d2乘以宽度w1来近似。在一些非限制性实例中，NIC过渡部分301t可以具有截面面积a2，在一些非限制性实例中，所述面积可以通过将跨NIC过渡部分301t的平均膜厚度乘以宽度w1来近似。
在一些非限制性实例中，w1可以超过w2。在一些非限制性实例中，w1/w2的商可以为至少约：5、10、20、50、100、500、1,000、1,500、5,000、10,000、50,000或100,000。
在一些非限制性实例中，w1和w2中的至少一者可以超过底层表面的平均膜厚度d1。
在一些非限制性实例中，w1和w2中的至少一者可以超过d2。在一些非限制性实例中，w1和w2两者都可以超过d2。在一些非限制性实例中，w1和w2两者都可以超过d1，并且d1可以超过d2。
相关领域的普通技术人员应当理解，尽管未明确展示，但NIC材料511还可以在某种程度上存在于沉积层330与底层表面(包含但不限于NPC 520层(未示出)和/或衬底10的表面)之间的界面处。此类材料可以由于阴影效应而被沉积，其中沉积的图案与掩模600的图案不相同，并且在一些非限制性实例中，导致一些蒸发的NIC材料512沉积在目标表面11的被掩蔽部分上。作为非限制性实例，此类材料可以形成为颗粒结构941和/或形成为厚度可以显著小于NIC 310的平均厚度的薄膜。
在一些非限制性实例中，NIC 310可以充当光学涂层。在一些非限制性实例中，NIC310可以修改从装置300的至少一个发射区域2210发射的光的至少一个性质和/或特性。在一些非限制性实例中，NIC 310可能展现出一定程度的混浊，从而导致发射的光被散射。在一些非限制性实例中，NIC 310可以包括用于使透射通过的光被散射的结晶材料。在一些非限制性实例中，这种光的散射可以促进来自装置的光的外耦接的增强。在一些非限制性实例中，NIC 310最初可以沉积为基本上非结晶的，包含但不限于基本上无定形的，因此，在其沉积之后，NIC 310可以变得结晶并且此后用作光耦接。
沉积层
沉积层330安置在装置300的横向方面的第二部302中的底层表面的暴露层表面11上，所述横向方面由横轴限定，包含但不限于X轴。从图9B中可以更好地看出，在一些非限制性实例中，第一部301中的NIC 310可以在所有侧面被第二部302中的沉积层330围绕，使得第二部302具有由横向方面中的沉积层330沿每个横轴的进一步范围或边缘935限定的边界。在一些非限制性实例中，横向方面中的沉积层边缘935可以由此方面中第二部302的周长来限定。
在一些非限制性实例中，第二部302可以包括至少一个沉积层过渡区域302t，在横向方面中，其中沉积层330的厚度可以从最大厚度过渡到减小的厚度。不展现出这种过渡的第二部302的范围被标识为第二部302的非过渡部分302n。在一些非限制性实例中，沉积层330可以在第二部302的非过渡部分302n中形成基本上封闭的涂层340。
在一些非限制性实例中，在平面中，沉积层过渡区域302t可以在横向方面延伸到第二部302的非过渡部分302n和沉积层边缘935之间。
在一些非限制性实例中，在平面中，沉积层过渡区域302t可以围绕第二部302的非过渡部分302n和/或沿其周长延伸。
在一些非限制性实例中，沿至少一个横轴，非过渡部分302n可以占据第二部302的整体，使得在其与第一部301之间没有沉积层过渡区域302t。
如图9A所示，在一些非限制性实例中，沉积层330可以在第二部302的非过渡部分302n中具有平均膜厚度d3，其范围可以介于约：1-500nm、5-200nm、5-40nm、10-30nm或10-100nm之间。在一些非限制性实例中，d3可以超过约：10nm、50nm或100nm。在一些非限制性实例中，沉积层330在第二部302的非过渡部分302t中的平均膜厚度d3可以基本上相同，或者恒定。
在一些非限制性实例中，d3可以超过底层表面的平均膜厚度d1。
在一些非限制性实例中，商d3/d1可以为至少约：1.5、2、5、10、20、50或100。在一些非限制性实例中，商d3/d1的范围可以介于约：0.1-10或0.2-40之间。
在一些非限制性实例中，d3可以超过NIC 310的平均膜厚度d2。
在一些非限制性实例中，商d3/d2可以为至少约：1.5、2、5、10、20、50或100。在一些非限制性实例中，商d3/d2的范围可以介于约：0.2-10或0.5-40之间。
在一些非限制性实例中，d3可以超过d2并且d2可以超过d1。在一些非限制性实例中，d3可以超过d1并且d1可以超过d2。
在一些非限制性实例中，商d2/d1可以介于约：0.2-3或0.1-5之间。
在一些非限制性实例中，沿至少一个横轴，包含但不限于X轴，非过渡区域302n具有宽度w3。在一些非限制性实例中，非过渡区域302n可以具有截面面积a3，在一些非限制性实例中，所述面积可以通过将平均膜厚度d3乘以宽度w3来近似。
在一些非限制性实例中，w3可以超过NIC非过渡区域301n的宽度w1。在一些非限制性实例中，w1可以超过w3。
在一些非限制性实例中，商w1/w3的范围可以介于约：0.1-10、0.2-5、0.3-3或0.4-2之间。在一些非限制性实例中，商w3/w1可以为至少：1、2、3或4。
在一些非限制性实例中，w3可以超过沉积层330的平均膜厚度d3。
在一些非限制性实例中，商w3/d3可以为至少约：10、50、100或500。在一些非限制性实例中，商w3/d3可以小于约100,000。
在一些非限制性实例中，沉积层330可以具有在沉积层过渡区域302t内从最大值减少到最小值的厚度。在一些非限制性实例中，最大值可以位于和/或靠近第二部302的沉积层过渡区域302t和非过渡部分302n之间的边界处。在一些非限制性实例中，最小值可以位于和/或靠近沉积层边缘935处。在一些非限制性实例中，最大值可以是第二部302的非过渡部分302n中的平均膜厚度d3。在一些非限制性实例中，最小值的范围可以介于约0-0.1nm之间。在一些非限制性实例中，最小值可以是第二部302的非过渡部分302n中的平均膜厚度d3。
在一些非限制性实例中，沉积层过渡区域302t中的厚度的轮廓可以是倾斜的，和/或遵循梯度。在一些非限制性实例中，这种轮廓可以是锥形的。在一些非限制性实例中，锥度可以遵循线性、非线性、抛物线和/或指数衰减轮廓。
在一些非限制性实例中，如在装置300的图9C中的示例版本900c中作为非限制性实例，沉积层330可以完全覆盖沉积层过渡区域302t中的底层表面。在一些非限制性实例中，底层表面的至少一部分可以在沉积层过渡区域302t中未被沉积层330覆盖。在一些非限制性实例中，沉积层330可以在沉积层过渡区域302t的至少一部分中包括基本上封闭的涂层340。在一些非限制性实例中，沉积层330可以在沉积层过渡区域302t的至少一部分中包括不连续层940。
在一些非限制性实例中，沉积层边缘935可以在横向方面与第一部301的非过渡部分301n间隔开，使得横向方面中的第一部301和第二部302之间没有重叠。
在一些非限制性实例中，第一部301的至少一部分和第二部302的至少一部分在横向方面可以重叠。这种重叠由重叠部903鉴定，如作为图9A中的非限制性实例所示，其中第二部302的至少一部分与第一部301的至少一部分重叠。
在一些非限制性实例中，如作为图9D中的非限制性实例所示，沉积层过渡区域302t的至少一部分可以安置在NIC过渡区域301t的至少一部分之上。在一些非限制性实例中，NIC过渡区域301t的至少一部分可以基本上缺乏沉积层330和/或沉积材料531。在一些非限制性实例中，沉积材料531可以在NIC过渡区域301t的至少一部分的暴露层表面11上形成不连续层940。
在一些非限制性实例中，如作为图9E中的非限制性实例所示，沉积层过渡区域302t的至少一部分可以安置在第一部301的NIC非过渡部分301n的至少一部分之上。
尽管未示出，但相关领域的普通技术人员将理解，重叠部903可以反映一种场景，其中第一部301的至少一部分与第二部302的至少一部分重叠。
因此，在一些非限制性实例中，NIC过渡区域301t的至少一部分可以安置在沉积层过渡区域302t的至少一部分之上。在一些非限制性实例中，沉积层过渡区域302t的至少一部分可以基本上缺乏NIC 310和/或NIC材料511。在一些非限制性实例中，NIC材料511可以在沉积层过渡区域302t的至少一部分的暴露层表面上形成不连续层940。
在一些非限制性实例中，NIC过渡区域301t的至少一部分可以安置在第二部302的非过渡部分302n的至少一部分之上。
在一些非限制性实例中，NIC边缘915可以在横向方面与第二部302的非过渡部分302n间隔开。
在一些非限制性实例中，沉积层330的薄层电阻R2通常可以对应于与装置300的其它组件、层和/或部件隔离的情况下测量或确定的沉积层330的薄层电阻。在一些非限制性实例中，沉积层330可以形成为薄膜。因此，在一些非限制性实例中，可以基于此类薄膜的组成、厚度和/或形态来确定和/或计算沉积层330的特征薄层电阻。在一些非限制性实例中，薄层电阻R2可以不超过约：10Ω/□、5Ω/□、1Ω/□、0.5Ω/□、0.2Ω/□或0.1Ω/□。
在一些非限制性实例中，沉积层330可以包括沉积材料531。
在一些非限制性实例中，沉积材料531可以包括具有键解离能的金属，所述解离能量不超过约：300kJ/mol、200kJ/mol、165kJ/mol、150kJ/mol、100kJ/mol、50kJ/mol或20kJ/mol。
在一些非限制性实例中，沉积材料531可以包括具有电负性的金属，所述电负性不超过约：1.4、1.3或1.2。
在一些非限制性实例中，沉积材料531可以包括选自以下的元素：钾(K)、钠(Na)、锂(Li)、钡(Ba)、铯(Cs)、Yb、Ag、金(Au)、铜(Cu)、铝(A1)、Mg、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)或钇(Y)。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括K、Na、Li、Ba、Cs、Yb、Ag、Au、Cu、Al和/或Mg。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Cu、Ag和/或Au。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Cu。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Al。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg、Zn、Cd或Yb。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg、Ag、Al、Yb或Li。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg、Ag或Yb。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg或Ag。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Ag。
在一些非限制性实例中，沉积材料531可以包括纯金属。在一些非限制性实例中，沉积材料531可以是纯金属。在一些非限制性实例中，沉积材料531可以是纯Ag或基本上纯的Ag。在一些非限制性实例中，基本上纯的Ag的纯度可以为至少约：95％、99％、99.9％、99.99％、99.999％或99.9995％。在一些非限制性实例中，沉积材料531可以是纯Mg或基本上纯的Mg。在一些非限制性实例中，基本上纯的Mg的纯度可以为至少约：95％、99％、99.9％、99.99％、99.999％或99.9995％。
在一些非限制性实例中，沉积材料531可以包括合金。在一些非限制性实例中，合金可以是含Ag的合金、含Mg的合金或含AgMg的合金。在一些非限制性实例中，按体积计，含AgMg的合金的合金组成的范围可以为1∶10(Ag∶Mg)至约10∶1。
在一些非限制性实例中，沉积材料531可以包括代替Ag和/或与Ag组合的其它金属。在一些非限制性实例中，沉积材料531可以包括Ag与至少一种其它金属的合金。在一些非限制性实例中，沉积材料531可以包括Ag与Mg和/或Yb的合金。在一些非限制性实例中，这种合金可以是二元合金，所述二元合金的组成为约5-95体积％的Ag，其余部分为其它金属。在一些非限制性实例中，沉积材料531可以包括Ag和Mg。在一些非限制性实例中，沉积材料531可以包括Ag：Mg合金，按体积计，所述合金的组成为约1∶10-10∶1。在一些非限制性实例中，沉积材料531可以包括Ag和Yb。在一些非限制性实例中，沉积材料531可以包括Yb：Ag合金，按体积计，所述合金的组成为约1：20-10：1。在一些非限制性实例中，沉积材料531可以包括Mg和Yb。在一些非限制性实例中，沉积材料531可以包括Mg：Yb合金。在一些非限制性实例中，沉积材料531可以包括Ag、Mg和Yb。在一些非限制性实例中，沉积层330可以包括Ag：Mg：Yb合金。
在一些非限制性实例中，沉积层330可以包括至少一个另外的元素。在一些非限制性实例中，此类另外的元素可以是非金属元素。在一些非限制性实例中，非金属材料可以是O、S、N或C。相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，由于源材料、用于沉积的设备和/或真空室环境中存在此类另外的元素，因此此类另外的元素可以作为污染物并入到沉积层330中。在一些非限制性实例中，此类另外的元素的浓度可以限制为低于阈值浓度。在一些非限制性实例中，此类另外的元素可以与沉积层330的其它元素一起形成化合物。在一些非限制性实例中，沉积材料531中非金属元素的浓度可以小于约：1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％或0.0000001％。在一些非限制性实例中，沉积层330具有组合物，其中所述组合物中O和C的组合量小于约：10％、5％、1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％或0.0000001％。
现在已经发现，有些令人惊讶的是，降低沉积层330中某些非金属元素的浓度，特别是在其中沉积层330基本上包括金属和/或金属合金的情况下，可以促进沉积层330的选择性沉积。在不希望受到任何特定理论约束的情况下，可以假设某些非金属元素，如作为非限制性实例，当存在于沉积层330的蒸气通量和/或沉积室和/或环境中时，O或C可以沉积在NIC 310的表面上以充当沉积层330的金属元素的成核位点。可以假设，降低可以充当成核位点的此类非金属元素的浓度可能有助于减少沉积在NIC 310的暴露层表面11上的沉积材料531的量。
在一些非限制性实例中，第一部301中的沉积材料531及其下面的底层可以包括普通金属。
在一些非限制性实例中，沉积层330可以包括沉积材料531的多个层。在一些非限制性实例中，所述多个层中的第一层的沉积材料531可以不同于所述多个层中的第二层的沉积材料531。在一些非限制性实例中，沉积层330可以包括多层涂层。在一些非限制性实例中，此类多层涂层可以是Yb/Ag、Yb/Mg、Yb/Mg：Ag、Yb/Yb：Ag、Yb/Ag/Mg或Yb/Mg/Ag。
在一些非限制性实例中，沉积层330可以安置成可以由其中的至少一个区域限定的图案，所述区域基本上缺乏沉积层330的封闭涂层340。在一些非限制性实例中，至少一个区域可以将沉积层330分离成其多个离散片段。在一些非限制性实例中，沉积层330的每个离散片段可被认为是单独的第二部302。在一些非限制性实例中，沉积层330的多个离散碎片可以在其横向方面彼此物理间隔。在一些非限制性实例中，沉积层330的此类多个离散片段中的至少两个离散片段可以电耦接。在一些非限制性实例中，沉积层330的此类多个离散片段中的至少两个离散片段可以各自电耦接到公共导电层或涂层，包含但不限于导底层表面，以允许电流在其之间流动。在一些非限制性实例中，沉积层330的此类多个离散片段中的至少两个离散片段可以彼此电绝缘。
在一些非限制性实例中，沉积层330可以形成为跨第二部302的非过渡部分302n和沉积层过渡区域302t的单个单片涂层。
颗粒
在一些非限制性实例中，如图9A所示，可以存在至少一个颗粒，包含但不限于安置在第一部301的NIC 310上的纳米颗粒(NP)、岛、板、断开连接的簇和/或网络(统称为颗粒结构941)。在一些非限制性实例中，至少一个颗粒结构941安置在NIC 310的暴露层表面11上。在一些非限制性实例中，可以存在多个这样的颗粒结构941。在一些非限制性实例中，这样的多个颗粒结构941可以形成不连续层940。
在不希望受到任何特定理论约束的情况下，可以假设，虽然沉积材料531的封闭涂层340的形成可以在NIC 310上基本上被抑制，但在一些非限制性实例中，当NIC 310暴露于沉积材料531的沉积时，沉积材料531的一些蒸气单体可最终在其上形成沉积材料531的至少一个颗粒结构941。
在一些非限制性实例中，颗粒结构941中的至少一些可以彼此断开连接。换言之，在一些非限制性实例中，不连续层940可以包括特征，包含颗粒结构941，这些特征彼此物理分离，使得颗粒结构941不形成封闭涂层340。因此，这种不连续层940可以，在一些非限制性实例中，包括形成为颗粒结构941的沉积材料531的薄分散层，其插入在装置300中的NIC310和至少一个覆盖层之间的界面处，并且基本上跨所述界面的横向方面。
在一些非限制性实例中，沉积材料531的至少一个颗粒结构941可以与NIC 310的暴露层表面11物理接触。在一些非限制性实例中，沉积材料531的基本上所有颗粒结构941都可以与NIC 310的暴露层表面11物理接触。
在不希望受到任何特定理论约束的情况下，已经发现，有些令人惊讶的是，在NIC310的暴露层表面11上存在沉积材料531的如此薄的、分散的不连续层540，包含但不限于至少一个颗粒结构941，包含但不限于金属颗粒结构941，可以展现出一个或多个不同的特性并伴随不同的行为，包含但不限于装置300的光学效应和性质，如本文所述。在一些非限制性实例中，这种效应和性质可以通过明智地选择NIC 310上的颗粒结构941的特征大小S1、大小分布、形状、表面覆盖率C1、配置、沉积密度和/或分散度D来在一定程度上进行控制。
在一些非限制性实例中，这种不连续层940的特征大小S1、大小分布、形状、表面覆盖率C1、配置、沉积密度和/或分散度D中的至少一者的形成可以被控制，在一些非限制性实例中，通过明智地选择以下中的至少一者：NIC材料511的至少一个特性、NIC 310的平均膜厚度d2、NIC 310中非均质性的引入和/或沉积环境，包含但不限于NIC 310的温度、压力、持续时间、沉积速率和/或沉积方法。
在一些非限制性实例中，这种不连续层940的特征大小S1、大小分布、形状、表面覆盖率C1、配置、沉积密度和/或分散度D中的至少一者的形成可以被控制，在一些非限制性实例中，通过明智地选择以下中的至少一者：沉积材料531的至少一个特性、NIC 310可以暴露于沉积材料531的沉积的程度(在一些非限制性实例中，其可以用对应的不连续层940的厚度来指定)和/或沉积环境，包含但不限于沉积材料531的温度、压力、持续时间、沉积速率和/或沉积方法。
在一些非限制性实例中，可以使用精细金属掩模(FMM)跨NIC 310的横向范围按图案沉积不连续层540。
在一些非限制性实例中，不连续层540可以安置成可以由其中的至少一个区域限定的图案，所述区域基本上缺乏沉积材料531的封闭涂层340。
在一些非限制性实例中，这种不连续层940的特性可以，在一些非限制性实例中，根据若干标准中的至少一个在某种程度上任意地评估，所述标准包含但不限于沉积材料531的特征大小S1、大小分布、形状、配置、表面覆盖率C1、沉积分布、分散度D和/或压力和/或聚集实例的程度，所述沉积材料形成在底层的暴露层表面11的一部分上。
在一些非限制性实例中，根据这种至少一个标准对不连续层940的评估可以使用各种成像技术(包含但不限于TEM、AFM和/或SEM)来执行，包含但不限于通过测量和/或计算不连续层940的至少一个属性。
相关领域的普通技术人员将理解，对不连续层940的这种评估可以在更大和/或更小程度上取决于所考虑的暴露层表面11的范围，在一些非限制性实例中，所述范围可以包括面积，和/或其区域。在一些非限制性实例中，可以跨整个范围，在暴露层表面11的第一横向方面和/或基本上横向于所述第一横向方面的第二横向方面中，评估不连续层940。在一些非限制性实例中，可以跨包括至少一个应用于不连续层940(的一部分)的观察窗口的范围评估不连续层940。
在一些非限制性实例中，至少一个观察窗口可以定位于暴露层表面11的横向方面的外围、内部位置和/或网格坐标处。在一些非限制性实例中，多个至少一个观察窗口可用于评估不连续层940。
在一些非限制性实例中，观察窗口可以对应于被应用于评估不连续层940的成像技术的视场，所述成像技术包含但不限于TEM、AFM和/或SEM。在一些非限制性实例中，观察窗口可以对应于给定的放大倍率水平，包含但不限于：2.00μm、1.00μm、500nm或200nm。
在一些非限制性实例中，对不连续层940的评估，包含但不限于其暴露层表面11的所使用的至少一个观察窗口，可能涉及通过任意数量的机制进行计算和/或测量，所述机制包含但不限于手动计数和/或已知的估计技术，在一些非限制性实例中，所述已知的估计技术可以包括曲线、多边形和/或形状拟合技术。
在一些非限制性实例中，对不连续层940的评估，包含但不限于其暴露层表面11的所使用的至少一个观察窗口，可能涉及计算和/或测量平均值、中值、模式、最大值、最小值和/或计算和/或测量值的其它概率、统计和/或数据操作。
在一些非限制性实例中，可用于评估这种不连续层940的至少一个标准之一，可以是沉积材料531在不连续层940的该(部分)上的表面覆盖率C1。在一些非限制性实例中，表面覆盖率C1可以表示为这种沉积材料531对不连续层940的该(部分)的(非零)百分比覆盖率。在一些非限制性实例中，可以将百分比覆盖率与最大阈值百分比覆盖率进行比较。
在一些非限制性实例中，表面覆盖率C1可能基本上不超过最大阈值百分比覆盖率的不连续层940(的一部分)可能导致不同光学特性的表现，所述不同光学特性可能由不连续层940的这一部分赋予通过其的光子，无论光子是否完全通过装置300传输，和/或由此发射，相对于通过表面覆盖率C1基本上超过最大阈值百分比覆盖率的不连续层940的一部分的光子。
在一些非限制性实例中，表面上导电材料的量的表面覆盖率C1的一种量度是(光)透射率，因为在一些非限制性实例中，包含但不限于金属(包含但不限于：Ag、Mg或Yb)的导电材料衰减和/或吸收光子。
相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性实例中，表面覆盖率C1可以被理解为涵盖粒度和沉积密度中的一者或两者。因此，在一些非限制性实例中，这三个标准中的两个或更多个可能是正相关的。事实上，在一些非限制性实例中，低表面覆盖率C1标准可以包括低沉积密度标准与低粒度标准之间的某种组合。
在一些非限制性实例中，可用于评估这种不连续层940的至少一个标准之一，可以是组成颗粒结构941的特征大小S1。
在一些非限制性实例中，不连续层940的至少一个颗粒结构941的特征大小S1可以不超过最大阈值大小。特征大小S1的非限制性实例可以包含高度、宽度、长度和/或直径。
在一些非限制性实例中，不连续层940的基本上所有的颗粒结构941的特征大小S1都在指定范围内。
在一些非限制性实例中，这种特征大小S1可以以特征长度为特征，在一些非限制性实例中，所述特征长度可被视为特征大小S1的最大值。在一些非限制性实例中，此类最大值可以沿颗粒结构941的长轴延伸。在一些非限制性实例中，长轴可以被理解为在由多个横轴限定的平面中延伸的第一维。在一些非限制性实例中，特征宽度可以被鉴定为颗粒结构941的特征大小S1的值，所述值可沿颗粒结构941的短轴延伸。在一些非限制性实例中，短轴可以被理解为在同一平面上延伸的第二维但基本上横向于所述长轴。
在一些非限制性实例中，至少一个颗粒结构941的特征长度，沿第一维，可以小于最大阈值大小。
在一些非限制性实例中，至少一个颗粒结构941的特征宽度，沿第二维，可以小于最大阈值大小。
在一些非限制性实例中，在不连续层940(的一部分)中，组成颗粒结构941的大小可以通过计算和/或测量这种至少一个颗粒结构941的特征大小S1来评估，包含但不限于其质量、体积、直径长度、周长、长轴和/或短轴。
在一些非限制性实例中，可用于评估这种不连续层940的至少一个标准之一，可以是其沉积密度。
在一些非限制性实例中，可以将颗粒结构941的特征大小S1与最大阈值大小进行比较。
在一些非限制性实例中，可以将颗粒结构941的沉积密度与最大阈值沉积密度进行比较。
在一些非限制性实例中，颗粒结构941可以具有基本上圆形的形状。在一些非限制性实例中，颗粒结构941可以具有基本上球形的形状。
为了简化起见，在一些非限制性实例中，可以假设每个颗粒结构941的纵向范围可以基本上相同(无论如何，其不能直接从平面视图SEM图像测量)，使得颗粒结构941的(面积)大小可以被表示为沿一对横轴的二维区域覆盖率。在本公开中，对(面积)大小的提及可以被理解为指代这种二维概念，并且与可被理解为指代一维概念(如线性尺寸)的大小(不带前缀“面积”)区分开来。
事实上，在一些早期研究中，似乎在一些非限制性实例中，这种颗粒结构941的纵向范围，沿纵轴，相对于横向范围(沿至少一个横轴)可能趋向于小，使得其纵向范围的体积贡献可能远小于这种横向范围的体积贡献。在一些非限制性实例中，这可以用可能小于1的纵横比(纵向范围的与横向范围的比率)来表示。在一些非限制性实例中，此类纵横比可以为约：1∶10、1∶20、1∶50、1∶75或1∶300。
在这方面，上面阐述的假设是，纵向范围基本上相同并且可以忽略，以表示颗粒结构941作为二维区域覆盖率可能是合适的。
相关领域的普通技术人员将理解，考虑到沉积过程的非决定性性质，特别是在底层材料暴露层表面11上存在缺陷和/或异常(包含但不限于非均质性，包含但不限于阶跃边缘、化学杂质、键合位点、扭结和/或其中的污染物)并因此在其上形成颗粒结构941的情况下，随着沉积过程的继续，其聚结的非均匀性，并鉴于观察窗口的大小和/或位置的不确定性，以及计算和/或测量其特征大小S1、间距、沉积密度、聚集度等时固有的复杂性和可变性，在观测窗口内的特征和/或拓扑方面可能存在相当大的可变性。
在本公开中，出于说明的简单性目的，省略了沉积材料531的某些细节，包含但不限于层的厚度轮廓和/或边缘轮廓。
相关领域的普通技术人员将理解，某些金属NP，无论是否作为沉积材料531的不连续层940的一部分，包含但不限于至少一个颗粒结构941，可以展现出表面等离子体(SP)激发，和/或自由电子的相干振荡，结果这些NP可以吸收和/或散射EM光谱范围(包含但不限于可见光光谱和/或其子范围)内的光。光学响应，包含但不限于此类局部SP(LSP)激发和/或相干振荡的吸收可集中的EM光谱(吸收光谱)的(亚)范围、折射率n和/或消光光谱k，可以通过这些NP的不同性质来定制，包含但不限于特征大小S1、大小分布、形状、表面覆盖率C1、配置、沉积密度、分散性度D和/或性质，包含但不限于纳米结构的材料和/或聚集程度，和/或与之接近的介质。
这种光学响应，就光子吸收涂层而言，可以包含吸收入射到其中的光子，从而减少反射。在一些非限制性实例中，吸收可以集中在EM光谱的一个范围内，包含但不限于可见光光谱，和/或其子范围。在一些非限制性实例中，采用光子吸收层作为光电子装置的一部分可以减少对其中偏振片的依赖。
在以下文献中已经报道，可以通过在阴极层上方并入基于NP的外耦接层以从等离子体模式中提取能量来增强OLED装置的稳定性：Fusella等人，“有机发光发射装置中稳定性和亮度的等离子体增强(Plasmonic enhancement of stability and brightness inorganic light-emitting devices)”，《自然(Nature)》2020，585，at 379-382(“Fusella等人”)。基于NP的外耦接层是通过在阴极顶部的有机层顶部自旋铸造立方体Ag NP而制造的。然而，由于大多数商用OLED装置都是使用基于真空的加工制造的，因此从溶液中自旋铸造可能不构成用于在阴极上方形成这种基于NP的外耦接层的适当机制。
发明人发现，阴极上方的这种基于NP的外耦接层可以在真空中制造(因此，可能适合用于商业OLED制造工艺)，方法是通过将不连续层940中的金属沉积材料531沉积到NIC310上，在一些非限制性实例中，所述NIC可以是阴极和/或可以沉积在阴极上。这种工艺可以避免使用可能对OLED装置造成损坏和/或可能对装置的可靠性产生不利影响的溶剂或其它湿化学品。
在一些非限制性实例中，沉积材料531的这种不连续层940(包含但不限于至少一个颗粒结构941)的存在可有助于增强装置的光提取、性能、稳定性、可靠性和/或寿命。
在一些非限制性实例中，在分层装置300中，至少一个不连续层940在NIC 310的暴露层表面11上和/或接近所述暴露层表面(和/或在一些非限制性实例中，和/或接近具有至少一个覆盖层的此类NIC 310的界面)的存在可以赋予光子光学效应，和/或由装置发出的和/或通过所述装置传输的(EM)信号。
相关领域的普通技术人员将理解，虽然本文提出了光学效应的简化模型，但其它模型和/或解释也可能适用。
在一些非限制性实例中，沉积材料531的这种不连续层940(包含但不限于至少一个颗粒结构941)的存在可以减少和/或减轻薄膜层的结晶，和/或在纵向面相邻安置的涂层，包含但不限于NIC 310和/或至少一个覆盖层，从而稳定与其相邻安置的薄膜的性质，并且在一些非限制性实例中，减少散射。在一些非限制性实例中，这种薄膜可以是和/或包括装置的至少一层外耦接和/或封装涂层，包含但不限于封端层(CPL)。
在一些非限制性实例中，沉积材料531的这种不连续层940(包含但不限于至少一个颗粒结构941)的存在可以提供UV光谱的至少一部分中增强的吸收。在一些非限制性实例中，控制这种颗粒结构941的特性，包含但不限于颗粒结构941的特征大小S1、大小分布、形状、表面覆盖率C1、配置、沉积密度、分散度D、沉积材料531和折射率n，可有利于控制吸收光谱的吸收程度、波长范围和峰值波长λmax，包含在UV光谱中。增强对UV光谱的至少一部分中的光的吸收可能是有利的，例如，对于提高装置性能、稳定性、可靠性和/或寿命。
在一些非限制性实例中，光学效应可以用其对透射和/或吸收波长光谱(包含其波长范围和/或峰值强度)的影响来描述。
此外，虽然所提出的模型可能表明对通过这种不连续层940的光子的传输和/或吸收施加的某些效应，但在一些非限制性实例中，这种效应可能反映了可能无法在广泛的可观察基础上反映的局部效应。
在一些非限制性实例中，至少一个颗粒结构941可以包括颗粒结构材料。
在一些非限制性实例中，第一部301中的不连续层940中的沉积材料531、其下面的底层和/或沉积层330可以包括共同金属。
在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括选自K、Na、Li、Ba、Cs、Yb、Ag、Au、Cu、Al、Mg、Zn、Cd、Sn或Y的元素。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括K、Na、Li、Ba、Cs、Yb、Ag、Au、Cu、Al或Mg。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Cu、Ag或Au。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Cu。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Al。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg、Zn、Cd或Yb。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg、Ag、A1、Yb或Li。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg、Ag或Yb。在一些非限制性实例中，所述元素可以包括Mg或Ag。在一些非限制性实例中，所述元素可以是Ag。
在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括纯金属。在一些非限制性实例中，至少一个颗粒结构941可以是纯金属。在一些非限制性实例中，至少一个颗粒结构941可以是纯Ag或基本上纯的Ag。在一些非限制性实例中，基本上纯的Ag的纯度可以为至少约：95％、99％、99.9％、99.99％、99.999％或99.9995％。在一些非限制性实例中，至少一个颗粒结构941可以是纯Mg或基本上纯的Mg。
在一些非限制性实例中，至少一个颗粒结构941可以包括合金。在一些非限制性实例中，合金可以是含Ag的合金和含Mg的合金或含AgMg的合金。
在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括代替Ag或与Ag组合的其它金属。在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括Ag与至少一种其它金属的合金。在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括Ag与Mg或Yb的合金。在一些非限制性实例中，这种合金可以是二元合金，所述二元合金的组成为约：5-95体积％的Ag，其余部分为其它金属。在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括Ag和Mg。在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括Ag∶Mg合金，按体积计，所述合金的组成为约1∶10-10∶1。在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括Ag和Yb。在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括Yb∶Ag合金，按体积计，所述合金的组成为约1∶20-(1-10)∶1。在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括Mg和Yb。在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括Mg：Yb合金。在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括Ag∶Mg∶Yb合金。
在一些非限制性实例中，至少一个颗粒结构941可以包括至少一个另外的元素。在一些非限制性实例中，此类另外的元素可以是非金属元素。在一些非限制性实例中，非金属材料可以是O、S、N或C。相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，由于源材料、用于沉积的设备和/或真空室环境中存在此类另外的元素，因此此类另外的元素可以作为污染物并入到至少一个颗粒结构941中。在一些非限制性实例中，此类另外的元素可以与至少一个颗粒结构941的其它元素一起形成化合物。在一些非限制性实例中，沉积材料531中非金属元素的浓度可以小于约：1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％或0.0000001％。在一些非限制性实例中，沉积层330可以具有组合物，其中所述组合物中O和C的组合量小于约：10％、5％、1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％或0.0000001％。
在一些非限制性实例中，在NIC 310的暴露层表面11上存在至少一个颗粒结构941，包含但不限于NP，包含但不限于在不连续层940中，可能会影响装置900的许多光学性质。
图10是根据本公开的示例电致发光装置1000的截面方面的简化框图。在一些非限制性实例中，装置1000是OLED。
装置1000包括衬底10，在其上安置有包括多个层(分别为第一电极1020、至少一个半导电层1030和第二电极1040)的前板101010。在一些非限制性实例中，前板101010可以提供用于光子发射和/或操纵发射的光子的机制。在一些非限制性实例中，可以提供阻隔涂层2050以围绕和/或封装层1020、1030、1040和/或安置在其上的衬底10。
在一些非限制性实例中，沉积层330和底层表面一起形成装置1000的第一电极1020和第二电极1040中的至少一者的至少一部分。在一些非限制性实例中，沉积层330和底层表面一起形成装置1000的阴极1242的至少一部分。
在一些非限制性实例中，装置1000可以电耦接到电源1005。当如此耦接时，装置1000可以如本文所描述发射光子。
在一些非限制性实例中，装置1000可以根据从其产生的光子的发射方向进行分类。在一些非限制性实例中，如果产生的光子以朝着并穿过在装置1000底部处的衬底10并且远离安置在衬底10的顶部上的层1020、1030、1040的方向上发射，则装置1000可以被认为是底部发射装置。在一些非限制性实例中，如果光子在远离装置1000底部处的衬底10并且朝向和/或穿过顶层1040的方向上发射，则装置1000可以被认为是顶部发射装置，所述顶层与中间层1020、1030一起安置在衬底10顶部上。在一些非限制性实例中，如果装置1000被配置成在底部(朝向并穿过衬底10)和顶部(朝向并穿过顶层1040)发射光子，则所述装置可以被认为是双面发射装置。
衬底
在一些实例中，衬底10可以包括基础衬底1012。在一些实例中，基础衬底1012可以由适合其使用的材料形成，包含但不限于无机材料，包含但不限于硅(Si)、玻璃、金属(包含但不限于金属箔)、蓝宝石和/或其它无机材料和/或有机材料，包含但不限于聚合物，包含但不限于聚酰亚胺和/或硅基聚合物。在一些实例中，基础衬底1012可以是刚性的或柔性的。在一些实例中，衬底1012可以由至少一个平坦表面限定。在一些非限制性实例中，衬底10具有至少一个表面，所述表面支撑装置1000的其余前平面1010组件，包含但不限于第一电极1020、至少一个半导电层1030和/或第二电极1040。
在一些非限制性实例中，此类表面可以是有机表面和/或无机表面。
在一些实例中，除了基础衬底1012之外，衬底10还可以包括支撑在基础衬底1012的暴露层表面11上的一个或多个另外的有机和/或无机层(本文未示出也未具体描述)。
在一些非限制性实例中，此类另外的层可以包括和/或形成一个或多个有机层，所述有机层可以包括、替换和/或补充所述至少一个半导电层1030中的一层或多层。
在一些非限制性实例中，此类另外的层可以包括一个或多个无机层，所述无机层可以包括和/或形成一个或多个电极，在一些非限制性实例中，所述电极可以包括、替换和/或补充第一电极1020和/或第二电极1040。
在一些非限制性实例中，此类另外的层可以包括背板层1015和/或由所述背板层形成和/或形成为所述背板层。在一些非限制性实例中，背板层1015含有用于驱动装置1000的电源电路系统和/或开关元件，包含但不限于，可以通过光刻工艺形成的电子TFT结构和/或其组件1100(图11)，所述工艺可以不在低压(包含但不限于真空)环境下提供，和/或可以在引入低压环境之前提供。
在本公开中，半导体材料可以被描述为通常展现出带隙的材料。在一些非限制性实例中，带隙可以形成在半导体材料的最高占据分子轨道(HOMO)与最低未占据分子轨道(LUMO)之间。因此，半导体材料通常展现出小于导电材料(包含但不限于金属)的导电率，但大于绝缘材料(包含但不限于玻璃)的导电率。在一些非限制性实例中，半导体材料可以包括有机半导体材料。在一些非限制性实例中，半导体材料可以包括无机半导体材料。
背板和其中体现的TFT结构
图11是装置1000的衬底10的实例的简化截面视图，所述衬底包含其背板层1015。在一些非限制性实例中，衬底10的背板1015可以包括一个或多个电子和/或光电子组件，所述组件包含但不限于晶体管、电阻器和/或电容器，如它们可以支持装置1000作为有源矩阵和/或无源矩阵装置。在一些非限制性实例中，此类结构可以是薄膜晶体管(TFT)结构，如1100处所示。在一些非限制性实例中，TFT结构1100可以使用有机和/或无机材料制造以形成各种层1110、112、1130、1140、1150、1160、1170、1180和/或衬底10的背板层1015在基础衬底1012上方的多个部分。在图11中，所示出的TFT结构1000为顶栅TFT。在一些非限制性实例中，可以采用TFT技术和/或结构，包含但不限于层1110、1120、1130、1140、1150、1170、1170、1180中的一个或多个层，以实施包含但不限于电阻器和/或电容器的非晶体管组件。
在一些非限制性实例中，背板1015可以包括沉积在基础衬底1012的暴露层表面11上以支持TFT结构1100的组件的缓冲层1110。在一些非限制性实例中，TFT结构1100可以包括半导体有源区域1120、栅极绝缘层1130、TFT栅极电极1140、层间绝缘层1150、TFT源电极1160、TFT漏电极1170和/或TFT绝缘层1180。在一些非限制性实例中，半导体有源区域1120可以形成在缓冲层1110的一部分之上，并且栅极绝缘层1130被沉积以基本上覆盖半导体有源区域1120。在一些非限制性实例中，栅极电极1140可以形成在栅极绝缘层1130的顶部上并且层间绝缘层1150可以沉积在其上。TFT源电极1170和TFT漏电极1170可以形成为使得它们延伸穿过通过层间绝缘层1150和栅绝缘层1130两者形成的开口，使得它们可以电耦接到半导体有源区域1120。然后可以在TFT结构1100之上形成TFT绝缘层1180。
在一些非限制性实例中，背板1015的层1110、1120、1130、1140、1150、1160、1170、1180中的一个或多个层可以使用光刻法来图案化，所述光刻法使用光掩模来将覆盖底层装置层的光刻胶的选择性部分暴露于UV光。根据所使用的光刻胶的类型，然后可以去除光掩模的暴露或未暴露部分以显露底层装置层的期望部分。在一些实例中，光刻胶是正性光刻胶，其中其暴露于UV光的选择性部分此后基本上不可去除，而未如此暴露的其余部分此后基本上可去除。在一些非限制性实例中，光刻胶是负性光刻胶，其中其暴露于UV光的选择性部分此后基本上可去除，而未如此暴露的其余部分此后基本上不可去除。因此可以将图案化表面蚀刻(包含但不限于化学和/或物理上)和/或洗掉和/或洗去以有效去除此类层1110、1120、1130、1140、1150、1160、1170、1180的暴露部分。
进一步地，虽然图11中示出了顶栅TFT结构1100，但相关领域的普通技术人员应当理解，在不脱离本公开的范围的情况下，可以在背板1015中形成包含但不限于底栅TFT结构的其它TFT结构。
在一些非限制性实例中，TFT结构1100可以是n型TFT和/或p型TFT。在一些非限制性实例中，TFT结构1100可以结合非晶Si(a-Si)、氧化铟镓锌(Zn)(IGZO)和/或低温多晶Si(LTPS)中的任何一者或多者。
第一电极
第一电极1020沉积在衬底10之上。在一些非限制性实例中，第一电极1020可以电耦接到电源1005的端子和/或地面。在一些非限制性实例中，第一电极1020通过至少一个驱动电路1200(图12)如此耦接，在一些非限制性实例中，所述驱动电路可以在衬底10的背板1015中结合至少一个TFT结构1100。
在一些非限制性实例中，第一电极1020可以包括阳极1241(图12)和/或阴极1242(图12)。在一些非限制性实例中，第一电极1020是阳极1241。
在一些非限制性实例中，第一电极1020可以通过在衬底10(的一部分)之上沉积至少一个薄导电膜来形成。在一些非限制性实例中，可以有多个第一电极1020，所述第一电极以空间布置方式安置在衬底10的横向方面之上。在一些非限制性实例中，此类至少一个第一电极1020中的一个或多个第一电极可以沉积在以空间布置方式安置在横向方面中的TFT绝缘层1180(的一部分)之上。如果是这样，在一些非限制性实例中，此类至少一个第一电极1020中的至少一个电极可以延伸穿过对应的TFT绝缘层1180的开口，如图13所示，以电耦接到背板1015中的TFT结构1100的电极1140、1160、1170。在图13中，所述至少一个第一电极1020的一部分被示出为耦接到TFT漏电极1170。
在一些非限制性实例中，所述至少一个第一电极1020和/或其至少一个薄膜可以包括各种材料，包含但不限于一种或多种金属材料，包含但不限于Mg、Al、钙(Ca)、Zn、Ag、Cd、Ba或Yb或其中任何两个或更多个的组合，包含但不限于含有此类材料中的任何材料的合金、一种或多种金属氧化物，包含但不限于透明导电氧化物(TCO)，包含但不限于三元组合物，如但不限于氧化氟锡(FTO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡(ITO)或其中任何两个或更多个的组合或不同比例的组合或其中任何两个或更多个在至少一层中的组合，其中的任何一个或多个可以是但不限于薄膜。
在一些非限制性实例中，可以使用多种技术选择性地沉积、沉积和/或处理包括第一电极1020的薄导电膜，所述技术包含但不限于蒸发(包含但不限于热蒸发和/或电子束蒸发)、光刻法、打印(包含但不限于喷墨和/或蒸气喷射打印、卷到卷打印和/或微接触转移打印)、PVD(包含但不限于溅射)、CVD(包含但不限于PECVD和/或OVPD)、激光退火、LITI图案化、ALD、涂覆(包含但不限于旋涂、浸涂、线涂和/或喷涂)和/或其中任何两个或更多个的组合。
第二电极
第二电极1040沉积在至少一个半导电层1030之上。在一些非限制性实例中，第二电极1040电耦接到电源1005的端子和/或地面。在一些非限制性实例中，第二电极1040通过至少一个驱动电路1200如此耦接，在一些非限制性实例中，所述驱动电路可以在衬底10的背板1015中结合至少一个TFT结构1100。
在一些非限制性实例中，第二电极1040可以包括阳极1241和/或阴极1242。在一些非限制性实例中，第二电极1030是阴极1242。
在一些非限制性实例中，第二电极1040可以通过将沉积层330沉积在至少一个半导电层1030(的一部分)之上(在一些非限制性实例中，作为至少一个薄膜)来形成。在一些非限制性实例中，可以有多个第二电极1040，所述第二电极以空间布置方式安置在至少一个半导电层1030的横向方面之上。
在一些非限制性实例中，所述至少一个第二电极1040可以包括各种材料，包含但不限于一种或多种金属材料，包含但不限于Mg、Al、Ca、Zn、Ag、Cd、Ba或Yb或其中任何两个或更多个的组合，包含但不限于含有此类材料中的任何材料的合金、一种或多种金属氧化物，包含但不限于TCO，包含但不限于三元组合物，如但不限于FTO、IZO和/或ITO，或其中任何两个或更多个的组合或不同比例的组合，或氧化锌(ZnO)或其它含有铟(In)或Zn的氧化物，或其中任何两个或更多个在至少一层中的组合，或一种或多种非金属材料，其中的任何一个或多个可以是但不限于薄导电膜。在一些非限制性实例中，对于Mg：Ag合金，按体积计，这种合金组成的范围可以为约1：9-9：1。
在一些非限制性实例中，可以使用多种技术选择性地施涂、沉积和/或处理包括第二电极1040的薄导电膜，所述技术包含但不限于蒸发(包含但不限于热蒸发和/或电子束蒸发)、光刻法、打印(包含但不限于喷墨和/或蒸气喷射打印、卷到卷打印和/或微接触转移打印)、PVD(包含但不限于溅射)、CVD(包含但不限于PECVD和/或OVPD)、激光退火、LITI图案化、ALD、涂覆(包含但不限于旋涂、浸涂、线涂和/或喷涂)和/或其中任何两个或更多个的组合。
在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模600600和/或无掩模沉积工艺来执行第二电极1040的沉积。
在一些非限制性实例中，第二电极1040可以包括多个此类层和/或涂层。在一些非限制性实例中，此类层和/或涂层可以是彼此叠置的不同的层和/或涂层。
在一些非限制性实例中，第二电极1040可以包括Yb/Ag双层涂层。在一些非限制性实例中，可以通过沉积Yb涂层，然后沉积Ag涂层来形成这种双层涂层。这种Ag涂层的厚度可以大于Yb涂层的厚度。
在一些非限制性实例中，第二电极1040可以是包括至少一个金属层和/或至少一个氧化物层的多层电极1040。
在一些非限制性实例中，第二电极1040可以包括富勒烯和Mg。
在一些非限制性实例中，可以通过沉积富勒烯涂层，然后沉积Mg涂层来形成这种涂层。在一些非限制性实例中，可以将富勒烯分散在Mg涂层内，以形成含富勒烯的Mg合金涂层。此类涂层的非限制性实例描述于2015年10月8日公开的美国专利申请公开号2015/0287846和/或于2017年8月15日提交并作为WO2018/033860于2018年2月22日公开的PCT国际申请号PCT/IB2017/054970中。
驱动电路
在本公开中，仅为了描述的简单起见，可以在本文中引用子像素3541-3543(图35)的概念，作为子像素244x。同样地，在本公开中，像素1240(图12)的概念可以结合其至少一个子像素244x的概念来进行讨论。仅为了描述的简单起见，这种复合概念在本文中被称为“(子)像素1240/244x”，并且该术语被理解为暗示像素1240和/或其至少一个子像素244x中的一者或两者，除非上下文另有说明。
图12是如可由背板1015中所示出的TFT结构1100中的一个或多个提供的示例驱动电路的电路图。在所示出的实例中，总体上以1200示出的电路用于有源矩阵OLED(AMOLED)装置1000(和/或其(子)像素1240/244x)的示例驱动电路，以用于向第一电极1020和第二电极1040供应电流，并且控制来自装置1000(和/或(子)像素1240/244x)的光子发射。所示出的电路1200结合多个p型顶栅薄膜TFT结构1100，但电路1200同样可以结合一个或多个p型底栅TFT结构1100、一个或多个n型顶栅TFT结构1100、一个或多个n型底栅TFT结构1100、一个或多个其它TFT结构1100和/或其任何组合，无论是否形成为一个或多个薄膜层。在一些非限制性实例中，电路1200包括开关TFT 1210、驱动TFT 1220和存储电容器1230。
OLED显示器1000的(子)像素1240/244x由二极管1240表示。开关TFT 1210的源极1211耦接到数据(或者，在一些非限制性实例中，列选择)线1230。开关TFT 1210的栅极1212耦接到栅极(或者，在一些非限制性实例中，行选择)线1231。开关TFT 1210的漏极1213耦接到驱动TFT 1220的栅极1222。
驱动TFT 1220的源极1221耦接到电源1005的正极(或负极)端子。电源1005的(正极)端子由电源线(VDD)1232表示。
驱动TFT 1220的漏极1223被耦接到二极管1240(表示OLED显示器1000的(子)像素1240/244x)的阳极1241(在一些非限制性实例中，其可以是第一电极1020)，使得驱动TFT1220和二极管1240(和/或OLED显示器1000的(子)像素1240/244x)串联耦接在电源线(VDD)1232与地面之间。
二极管1240(表示OLED显示器1000的(子)像素1240/244x)的阴极1242(在一些非限制性实例中，其可以是第二电极1040)在电路1200中表示为电阻器1250。
存储电容器1230在其相应的末端处耦接到驱动TFT 1220的源极1221和栅极1222。驱动TFT 1220根据存储在存储电容器1230中的电荷的电压调节流过二极管1240(表示OLED显示器1000的(子)像素1240/244x)的电流，使得二极管1240输出期望的亮度。存储电容器1230的电压由开关TFT 1210设置，将其耦接到数据线1230。
在一些非限制性实例中，可以提供补偿电路1260以补偿晶体管性质在制造工艺期间与差异的任何偏差和/或开关TFT 1210和/或驱动TFT 1220随时间的退化。
半导电层
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层1030可以包括多个层1031、1033、1035、1037、1039，在一些非限制性实例中，这些层中的任何层可以以薄膜的形式、以堆叠配置的形式安置，所述层可以包含但不限于空穴注入层(HIL)1031、空穴传输层(HTL)1033、发射层(EML)1035、电子传输层(ETL)1037和/或电子注入层(EIL)1039中的任何一种或多种。在本公开中，术语“半导电层”可以与“有机层”互换使用，因为OLED装置1000中的层1031、1033、1035、1037、1039可以在一些非限制性实例中可以包括有机半导电材料。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层1030可以形成包括多个EML 1035的“串联”结构。在一些非限制性实例中，这种串联结构还可以包括至少一个电荷产生层(CGL)。
在一些非限制性实例中，可以使用多种技术选择性地施涂、沉积和/或处理在构成至少一个半导电层1030的堆叠中包括层1031、1033、1035、1037、1039的薄膜，所述技术包含但不限于蒸发(包含但不限于热蒸发和/或电子束蒸发)、光刻法、打印(包含但不限于喷墨和/或蒸气喷射打印、卷到卷打印和/或微接触转移打印)、PVD(包含但不限于溅射)、CVD(包含但不限于PECVD和/或OVPD)、激光退火、LITI图案化、ALD、涂覆(包含但不限于旋涂、浸涂、线涂和/或喷涂)和/或其中任何两个或更多个的组合。
相关领域的普通技术人员将容易理解，可以通过省略和/或组合半导体层1031、1033、1035、1037、1039中的一个或多个半导体层来改变装置1000的结构。
进一步地，至少一个半导电层1030的层1031、1033、1035、1037、1039中的任何一个层可以包括任何数量的子层。仍进一步地，此类层1031、1033、1035、1037、1039和/或其子层中的任何一个可以包括各种混合物和/或组成梯度。另外，相关领域的普通技术人员应当理解，装置1000可以包括含有无机和/或有机金属材料的一层或多层，并且不必限于仅由有机材料构成的装置。作为非限制性实例，装置1000可以包括一个或多个量子点。
在一些非限制性实例中，HIL 1031可以使用空穴注入材料形成，所述空穴注入材料可以促进通过阳极1241注入空穴。
在一些非限制性实例中，HTL 1033可以使用空穴传输材料形成，在一些非限制性实例中，所述空穴传输材料可以展现出高空穴迁移率。
在一些非限制性实例中，ETL 1037可以使用电子传输材料形成，在一些非限制性实例中，所述电子传输材料可以展现出高电子迁移率。
在一些非限制性实例中，EIL 1039可以使用电子注入材料形成，所述电子注入材料可以促进通过阴极1242注入电子。
在一些非限制性实例中，作为非限制性实例，可以通过使主体材料掺杂有至少一种发射体材料来形成EML 1035。在一些非限制性实例中，发射体材料可以是荧光发射体、磷光发射体、热活化延迟荧光(TADF)发射体和/或这些的多个任何组合。
在一些非限制性实例中，装置1000可以是OLED，其中至少一个半导电层1030包括至少插入在导电薄膜电极1020、1040之间的EML 10035，由此，当跨所述电极施加电势差时，空穴通过阳极1241注入至少一个半导电层1030中，而电子通过阴极1242注入至少一个半导电层1030中。
注入的空穴和电子趋于迁移通过各种层1031、1033、1035、1037、1039直到它们到达并彼此相遇。当空穴和电子非常接近时，由于库仑力(Coulomb force)，它们趋于相互吸引，并且在一些实例中，它们可以组合形成称为激子的束缚态电子-空穴对。尤其是可以在EML 1035中形成激子的情况下，激子可以通过辐射复合工艺衰变，在所述辐射复合工艺中会发射光子。辐射复合工艺的类型可以取决于激子的自旋态。在一些实例中，激子可以表征为具有单重态或三重态自旋态。在一些非限制性实例中，单重态激子的辐射衰减可以导致荧光。在一些非限制性实例中，三重态激子的辐射衰减可以导致磷光。
最近，已经提出并研究了用于OLED的其它光子发射机制，包含但不限于TADF。在一些非限制性实例中，TADF发射是通过三重态激子借助热能通过逆系统间交叉工艺转换为单一激子，然后单重态激子辐射衰减而发生的。
在一些非限制性实例中，激子可以通过非辐射工艺衰变，在所述非辐射工艺中光子不会被释放，这在EML 1035中未形成激子的情况下尤其如此。
在本公开中，术语OLED装置1000的“内量子效率”(IQE)是指装置1000中产生的通过辐射复合工艺衰减并且发射光子的所有电子-空穴对的比例。
在本公开中，OLED装置1000的术语“外量子效率”(EQE)是指递送到装置1000的电荷载流子相对于装置1000发射的光子数量的比例。在一些非限制性实例中，EQE为100％指示对注入装置1000的每个电子发射一个光子。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，装置1000的EQE可以显著低于相同装置1000的IQE。在一些非限制性实例中，给定装置1000的EQE与IQE之间的差异可以归因于多种因素，包含但不限于由装置1000的各种组件引起的光子的吸收和反射。
在一些非限制性实例中，装置1000可以是电致发光量子点装置，其中至少一个半导电层1030包括有源层，所述有源层包括至少一个量子点。当电源1005可以向第一电极1020和第二电极1040提供电流时，光子从在它们之间包括至少一个半导电层1030的有源层发射。
相关领域的普通技术人员应当容易理解，装置1000的结构可以通过在至少一个半导电层1030堆叠内的适当位置处引入一个或多个另外的层(未示出)而改变，包含但不限于空穴阻挡层(未示出)、电子阻挡层(未示出)、另外的电荷传输层(未示出)和/或另外的电荷注入层(未示出)。
阻隔涂层
在一些非限制性实例中，可以提供阻隔涂层2050以围绕和/或封装装置1000的第一电极1020、第二电极1040和至少一个半导电层1030和/或安置在其上的衬底10的各个层。
在一些非限制性实例中，可以提供阻隔涂层2050以抑制装置1000的各个层1020、1030、1040(包含至少一个半导电层1030和/或阴极1242)暴露于湿气和/或环境空气，因为这些层1020、1030、1040可能易于氧化。
在一些非限制性实例中，将阻隔涂层2050施加到高度不均匀的表面可以增加阻隔涂层2050对这种表面的不良粘附的可能性。
在一些非限制性实例中，阻隔涂层2050的缺失和/或施涂不当的阻隔涂层2050可能导致和/或促成装置1000的缺陷和/或部分和/或全部故障。在一些非限制性实例中，施涂不当的阻隔涂层2050可能会降低阻隔涂层2050对装置1000的粘附。在一些非限制性实例中，阻隔涂层2050的不良粘附可能增加阻隔涂层2050整体或部分从装置1000上剥落的可能性，尤其是如果装置1000弯曲和/或挠曲。在一些非限制性实例中，施涂不当的阻隔涂层2050可能允许在阻隔涂层2050的施涂期间在阻隔涂层2050与施涂阻隔涂层2050的装置1000的底层表面之间捕获气穴。
在一些非限制性实例中，阻隔涂层2050可以是薄膜封装(TFE)层2950(图29B)并且可以使用多种技术选择性地施涂、沉积和/或处理，所述技术包含但不限于蒸发(包含但不限于热蒸发和/或电子束蒸发)、光刻法、打印(包含但不限于喷墨和/或蒸气喷射打印、卷到卷打印和/或微接触转移打印)、PVD(包含但不限于溅射)、CVD(包含但不限于PECVD和/或OVPD)、激光退火、LITI图案化、ALD、涂覆(包含但不限于旋涂、浸涂、线涂和/或喷涂)和/或其中任何两个或更多个的组合。
在一些非限制性实例中，可以通过将预先形成的屏障膜层压到装置1000上来提供阻隔涂层2050。在一些非限制性实例中，阻隔涂层2050可以包括多层涂层，所述多层涂层包括有机材料、无机材料和/或其任何组合中的至少一种。在一些非限制性实例中，阻隔涂层2050可以进一步包括吸气材料和/或干燥剂。
横向方面
在一些非限制性实例中，包含在OLED装置1000包括照明面板的情况下，装置1000的整个横向方面可以对应于单个照明元件。因此，图10中所示出的基本上平坦的截面轮廓可以基本上沿着装置1000的整个横向方面延伸，使得光子基本上沿着其整个横向范围从装置1000发射。在一些非限制性实例中，此类单个照明元件可以由装置1000的单个驱动电路1200驱动。
在一些非限制性实例中，包含在OLED装置1000包括显示模块的情况下，装置1000的横向方面可以细分为装置1000的多个发射区域2210，其中在不限于图10所示出的发射区域2210中的每个发射区域内装置结构1000的截面方面当被激励时，导致从其发射光子。
发射区域
在一些非限制性实例中，装置1000的各个发射区域2210可以按横向图案布置。在一些非限制性实例中，图案可以沿着第一横向方面延伸。在一些非限制性实例中，图案还可以沿着第二横向方向延伸，在一些非限制性实例中，所述第二横向方向可以基本上垂直于第一横向方向。在一些非限制性实例中，图案可以具有此类图案的多个元件，每个元件通过其一个或多个特征表征，包含但不限于，由其发射区域2210发射的光的波长、这种发射区域2210的形状、尺寸(沿着第一和/或第二横向方向中的一者或两者)、朝向(相对于第一和/或第二横向方向中的一者和/或两者)和/或与图案中的先前元件的间隔(相对于第一和/或第二横向方向中的一者或两者)。在一些非限制性实例中，图案可以在第一和/或第二横向方向中的一者或两者上重复。
在一些非限制性实例中，装置1000的每个单独的发射区域2210与装置1000的背板1015内的对应驱动电路1200相关联并由其驱动，其中二极管1240对应于相关联的发射区域2210的OLED结构。在一些非限制性实例中，包含但不限于，其中发射区域2210按在第一(行)横向方向和第二(列)横向方向两者上延伸的规则图案布置，背板1015中可以有信号线1230、1231，所述信号线可以是栅极线(或行选择)线1231，其对应于在第一横向方向上延伸的发射区域2210的每行，以及信号线1230、1231，所述信号线在一些非限制性实例中可以是数据(或列选择)线1230，其对应于在第二横向方向上延伸的发射区域2210的每列。在此类非限制性配置中，行选择线1231上的信号可以激励与其电耦接的开关TFT 1210的相应栅极1212，并且数据线1230上的信号可以激励与其电耦接的开关TFT 1210的相应源极，使得行选择线1231/数据线1230对上的信号将通过电源1015的正极端子(由电源线VDD 1232表示)电耦接并激励与该对相关联的发射区域2210的OLED结构的阳极1241，从而导致光子从其发射，其阴极1242电耦接到电源1015的负极端子。
在一些非限制性实例中，装置1000的每个发射区域2210对应于单个显示像素1240。在一些非限制性实例中，每个像素1240发射给定波长光谱的光。在一些非限制性实例中，波长光谱对应于但不限于可见光谱中的颜色。
在一些非限制性实例中，装置1000的每个发射区域2210对应于显示像素1240的子像素244x。在一些非限制性实例中，多个子像素244x可以组合以形成或表示单个显示像素1240。
在一些非限制性实例中，单个显示像素1240可以由三个子像素3541-3543表示。在一些非限制性实例中，三个子像素3541-3543可以分别表示为R(红色)子像素3541、G(绿色)子像素3542和/或B(蓝色)子像素3543。在一些非限制性实例中，单个显示像素1240可以由四个子像素244x表示，其中此类子像素244x中的三个子像素可以表示为R、G和B子像素3541-3543，并且第四子像素244x可以表示为W(白色)子像素244x。在一些非限制性实例中，由给定子像素244x发射的光的发射光谱对应于通过其表示子像素244x的颜色。在一些非限制性实例中，光的波长不对应于此类颜色，但是以相关领域的普通技术人员显而易见的方式执行进一步处理以将波长变换为这样对应的波长。
由于不同颜色的子像素244x的波长可能不同，因此此类子像素244x的光学特性可能不同，尤其是如果对不同颜色的子像素244x采用具有基本上均匀的厚度轮廓的公共电极1020、1040。
当可以在装置1000中提供具有基本均匀厚度的公共电极1020、1040作为第二电极1040时，装置1000的光学性能可能不容易根据与每个(子)像素1240/244x相关联的发射光谱进行微调。在一些非限制性实例中，在此类OLED装置1000中使用的第二电极1040可以是涂覆多个(子)像素1240/244x的公共电极1020、1040。作为非限制性实例，这种公共电极1020、1040可以是相对薄的导电膜，其在整个装置1000上具有基本均匀的厚度。尽管在一些非限制性实例中已经努力通过改变安置在不同(子)像素1240/244x内的有机层的厚度来调节与每个(子)像素1240/244x颜色相关的光学微腔效应，但在一些非限制性实例中，这种方法在至少一些情况下可能提供显著程度的光学微腔效应的调节。另外，在一些非限制性实例中，这种方法可能难以在OLED显示器生产环境中实施。
因此，由许多具有不同折射率的薄膜层和涂层产生的光学界面的存在，如在一些非限制性实例中可以用于构建包含但不限于OLED装置1000的光电子装置，可以产生不同的不同颜色的子像素244x的光学微腔效应。
可能影响在装置1000中观察到的微腔效应的一些因素包含但不限于总路径长度(在一些非限制性实例中，其可以对应于装置1000的总厚度，从其发射的光子在被耦出之前将穿过所述装置)以及各种层和涂层的折射率。
在一些非限制性实例中，在(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面1310中和跨所述横向方面调制电极1020、1040的厚度可以影响可观察到的微腔效应。在一些非限制性实例中，这种影响可以归因于总光路长度的变化。
在一些非限制性实例中，除了总光路长度的变化之外(在一些非限制性实例中)，电极1020、1040的厚度的变化也可以改变穿过其的光的折射率。在一些非限制性实例中，这可以具体是电极1020、1040可由至少一个沉积层330形成的情况。
在一些非限制性实例中，装置1000的光学性质，和/或在一些非限制性实例中，跨可以通过调制至少一种光学微腔效应而改变的(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面1310，包含但不限于发射光谱、强度(包含但不限于发光强度)和/或发射光的角度分布，包含但不限于发射光的亮度和/或色移的角度依赖性。
在一些非限制性实例中，子像素244x与第一组其它子像素244x相关联以表示第一显示像素1240并且还与第二组其它子像素244x相关联以表示第二显示像素1240，使得第一显示像素和第二显示像素340可以具有与其相关联的相同子像素244x。
子像素244x到显示像素340的图案和/或组织继续发展。所有当前和未来的图案和/或组织都被认为落入本公开的范围内。
非发射区域
在一些非限制性实例中，装置1000的各个发射区域2210在至少一个横向方向上基本上被一个或多个非发射区域2220围绕和分隔，其中在不限于图10所示出的装置结构1000的沿着截面方面的结构和/或配置是变化的，以基本上抑制从其发射的光子。在一些非限制性实例中，非发射区域2220包括在横向方面基本上缺乏发射区域2210的那些区域。
因此，如图13的截面视图所示出的，至少一个半导电层1030的各个层的横向拓扑结构可以变化以限定被至少一个非发射区域2220围绕(至少在一个横向方向上)的至少一个发射区域2210。
在一些非限制性实例中，对应于单个显示(子)像素1240/244x的发射区域2210可以被理解为具有横向方面1310，在至少一个横向方向上被具有横向方面1320的至少一个非发射区域2220围绕。
现在将描述如应用于对应于OLED显示器1000的单个显示(子)像素1240/244x的发射区域2210的装置1000的截面方面的实施方案的非限制性实例。虽然此类实施方案的特征被示出为特定于发射区域2210，但是相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，多于一个发射区域2210可以涵盖共同特征。
在一些非限制性实例中，第一电极1020可以安置在装置1000的暴露层表面11之上，在一些非限制性实例中，在发射区域2210的横向方面1310的至少一部分内。在一些非限制性实例中，至少在(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面1310内，在沉积第一电极1020时，暴露层表面11可以包括构成对应于单个显示(子)像素1240/244x的发射区域2210的驱动电路1200的各个TFT结构1100的TFT绝缘层1180。
在一些非限制性实例中，TFT绝缘层1180可以形成有穿过其延伸的开口1330以允许第一电极1020电耦接到TFT电极1140、1160、1170之一，如图4所示，所述电极包含但不限于TFT漏电极1170。
相关领域的普通技术人员应当理解，驱动电路1200包括多个TFT结构1100，包含但不限于开关TFT 1210、驱动TFT 1220和/或存储电容器1230。在图13中，出于说明的简单性目的，仅示出了一个TFT结构1100，但是相关领域的普通技术人员应当理解，此类TFT结构1100表示包括驱动电路1200的此类多个结构。
在截面方面，在一些非限制性实例中，每个发射区域2210的配置可以通过引入至少一个像素限定层(PDL)1340来限定，所述像素限定层基本上贯穿周围非发射区域2220的横向方面1320。在一些非限制性实例中，PDL 134p可以包括绝缘有机和/或无机材料。
在一些非限制性实例中，PD 1340基本上沉积在TFT绝缘层1180之上，但是如图所示，在一些非限制性实例中，PDL 1340还可以在沉积的第一电极1020的至少一部分和/或其外边缘之上延伸。
在一些非限制性实例中，如图13所示，PDL 1340的截面厚度和/或轮廓可以通过沿着周围非发射区域2220的横向方面1320与对应于(子)像素1240/244x的周围发射区域2210的横向方面1310的边界厚度增加的区域，将基本上谷形的配置赋予每个(子)像素1240/244x的发射区域2210。
在一些非限制性实例中，PDL 1340的轮廓可以具有超过此类谷形配置的减小的厚度，包含但不限于远离周围非发射区域2220的横向方面1320与周围发射区域2210的横向方面1310之间的边界，在一些非限制性实例中，基本上很好地在此类非发射区域2220的横向方面1320内。
虽然PDL 1340已被大体示出为具有线性倾斜表面以形成谷形配置，所述谷形配置限定由其围绕的发射区域2210，但相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，这种PDL 1340的形状、纵横比、厚度、宽度和/或配置中的至少一者可以被改变。作为非限制性实例，PDL 1340可以形成有更陡峭或更逐渐倾斜的部分。在一些非限制性实例中，这种PDL 1340可以被配置成基本上垂直地远离其所沉积的表面延伸，所述表面覆盖第一电极1020的一个或多个边缘。在一些非限制性实例中，这种PDL 1340可以被配置成通过溶液处理技术(包含但不限于通过打印，包含但不限于喷墨打印)在其上沉积至少一个半导电层1030。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层1030可以沉积在装置1000的暴露层表面11之上，包含(子)像素1240/244x的这种发射区域2210的横向方面1310的至少一部分。在一些非限制性实例中，至少在(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面1310内，在沉积至少一个半导电层1030(和/或其层1031、1033、1035、1037、1039)时，此类暴露层表面11可以包括第一电极1020。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层1030也可以延伸超出(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面1310并且至少部分地在周围非发射区域2220的横向方面1320内。在一些非限制性实例中，在沉积至少一个半导电层1030时，此类周围非发射区域2220的此类暴露层表面11可以包括PDL 1340。
在一些非限制性实例中，第二电极1040可以安置在装置1000的暴露层表面11之上，包含(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面1310的至少一部分。在一些非限制性实例中，至少在(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面1310内，在沉积第二电极1020时，此类暴露层表面11可以包括至少一个半导电层1030。
在一些非限制性实例中，第二电极1040也可以延伸超出(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面1310并且至少部分地在周围非发射区域2220的横向方面1320内。在一些非限制性实例中，在沉积第二电极1040时，此类周围非发射区域2220的此类暴露层表面11可以包括PDL 1340。
在一些非限制性实例中，第二电极1040可以延伸通过周围非发射区域2220的横向方面1320的基本上全部或大部分。
透射率
因为OLED装置1000通过第一电极1020(在底部发射和/或双面发射装置的情况下)以及衬底10和/或第二电极1040(在顶部发射和/或双面发射装置的情况下)中的一者或两者发射光子，因此可能有一个目标是，使第一电极1020和/或第二电极1040中的一者或两者基本上是光子(或光)透射的(“透射的”)，在一些非限制性实例中，至少跨装置1000的发射区域2210的横向方面1310的大部分。在本公开中，包含但不限于电极1020、1040的此类透射元件、可以形成此类元件的材料和/或其性质可以包括基本上透射的(“透明的”)和/或在一些非限制性实例中部分透射的(“半透明的”)，在一些非限制性实例中在至少一个波长范围内的元件、材料和/或其性质。
已经采用多种机制来赋予装置1000透射性质，至少跨其发射区域2210的横向方面1310的大部分。
在一些非限制性实例中，包含但不限于在装置1000是底部发射装置和/或双面发射装置的情况下，与(子)像素1240/244x的发射区域2210相关联的驱动电路1200的TFT结构1100可以定位在周围非发射区域2220的横向方面1320内以避免影响衬底10在发射区域2210的横向方面1310内的透射性质，所述TFT结构可以至少部分地降低周围衬底10的透射率。
在一些非限制性实例中，在装置1000是双面发射装置的情况下，关于(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面1310，可以使电极1020、1040中的第一个是基本上透射的(包含但不限于，通过本文所公开的机制中的至少一个机制)，关于相邻和/或邻近(子)像素1240/244x的横向方面1310，可以使电极1020、1040中的第二个是基本上透射的(包含但不限于，通过本文所公开的机制中的至少一个机制)。因此，(子)像素1240/244x的第一发射区域2210的横向方面1310可以被制成基本上是顶部发射的，而相邻(子)像素1240/244x的第二发射区域2210的横向方面1310可以被制成基本上是底部发射的，使得(子)像素1240/244x的子集基本上是顶部发射的并且(子)像素1240/244x的子集基本上是底部发射的(按交替的(子)像素1240/244x序列)，而每个(子)像素1240/244x的仅单个电极1020、1040被制成基本上是透射的。
在一些非限制性实例中，使电极1020、1040(在底部发射装置和/或双面发射装置的情况下为第一电极1020，和/或在顶部发射装置和/或双面发射装置的情况下为第二电极1040)透射的机制是为了形成具有透射薄膜的此类电极1020、1040。
在一些非限制性实例中，薄膜中的导电沉积层330可以展现出透射特性，所述薄膜包含但不限于通过沉积金属(包含但不限于Ag、Al)的薄导电膜层和/或通过沉积金属合金(包含但不限于Mg：Ag合金和/或Yb：Ag合金)的薄层而形成的薄膜。在一些非限制性实例中，合金可以包括按体积计范围介于约1∶9-9∶1之间的组成。在一些非限制性实例中，电极1020、1040可以由沉积层330的任何组合的多个薄导电膜层形成，所述沉积层中的任何一层或多层可以包括TCO、薄金属膜、薄金属合金膜和/或这些中的任何一个的任何组合。
在一些非限制性实例中，尤其是在此类薄导电膜的情况下，相对较薄的层厚度可以达到基本上数十nm，以有助于提高透射质量和用于OLED装置1000的有利光学性质(包含但不限于减少的微腔效应)。
在一些非限制性实例中，为了提高透射质量而减小电极1020、1040的厚度可能伴随着电极1020、1040的薄层电阻的增加。
在一些非限制性实例中，具有高薄层电阻的至少一个电极1020、1040的装置1000在操作中当耦接到电源1005时产生大的电流-电阻(IR)降。在一些非限制性实例中，可以通过增加电源1005的电平(VDD)1332在某种程度上补偿这种IR降。然而，在一些非限制性实例中，对于至少一个(子)像素1240/244x，增加电源1005的电平以补偿由于高薄层电阻引起的IR降可能需要增加供应给其它组件的电压电平以维持装置1000的有效操作。
在一些非限制性实例中，为了在不显著影响使电极1020、1040基本上透射的能力的情况下降低装置1000的电源需求(通过采用TCO、薄金属膜和/或薄金属合金膜的任何组合的至少一个薄膜层)，辅助电极2150和/或汇流条结构5050可以形成在装置1000上以允许电流更有效地传送到装置1000的各个发射区域，而同时降低透射电极1020、1040的薄层电阻和其相关联的IR降。
在一些非限制性实例中，AMOLED显示装置1000的公共电极1020、1040的薄层电阻规格可以根据许多参数而变化，所述参数包含但不限于装置1000的(面板)大小和/或跨装置1000的电压变化容差。在一些非限制性实例中，薄层电阻规格可以随着面板大小的增加而增加(即，规定较低的薄层电阻)。在一些非限制性实例中，薄层电阻规格可以随着电压变化容限的降低而增加。
在一些非限制性实例中，可以使用薄层电阻规格来导出辅助电极2150和/或汇流条5050的示例厚度以符合针对各种面板大小的此类规格。在一个非限制性实例中，假设所有显示面板大小的孔比率为0.64，并且计算了针对各种示例面板大小的辅助电极2150的厚度，例如下表1中0.1V和0.2V的电压容差。
表1针对各种面板大小和电压容差的示例辅助电极厚度
Figure BDA0004113842510000631
作为非限制性实例，对于顶部发射装置，可以使第二电极1040是透射的。另一方面，在一些非限制性实例中，此类辅助电极2150和/或汇流条5050可以不是基本上透射的，但可以电耦接到第二电极1040(包含但不限于，通过在其间沉积导电沉积层330)，以降低第二电极1040的有效薄层电阻。
在一些非限制性实例中，此类辅助电极2150可以在横向方面和/或截面方面中的一者或两者中定位和/或成形，以便不干扰来自(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面1310的光子的发射。
在一些非限制性实例中，制造第一电极1020和/或第二电极1040的机制是为了跨其发射区域2210的横向方面1310的至少一部分(和/或在一些非限制性实例中，跨围绕所述电极的非发射区域2220的横向方面1320的至少一部分)按图案形成此类电极1020、1040。在一些非限制性实例中，可以采用此类机制以在横向方面和/或截面方面中的一者或两者中的位置和/或形状中形成辅助电极2150和/或汇流条5050，以便不干扰来自(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面1310的光子的发射，如上文所讨论的。
在一些非限制性实例中，装置1000可以被配置成使得其在由装置1000发射的光子的光路中基本上缺乏导电氧化物材料。作为非限制性实例，在对应于(子)像素1240/244x的至少一个发射区域2210的横向方面1310中，在至少一个半导电层1030之后沉积的层和/或涂层中的至少一个(包含但不限于第二电极1040、NIC 310和/或沉积在其上的任何其它层和/或涂层)可以基本上缺乏任何导电氧化物材料。在一些非限制性实例中，基本上缺乏任何导电氧化物材料可能会减少由装置1000发射的光的吸收和/或反射。作为非限制性实例，导电氧化物材料(包含但不限于ITO和/或IZO)可以吸收至少可见光谱的B(蓝色)区域中的光，这通常会降低装置1000的效率和/或性能。
在一些非限制性实例中，可以采用这些和/或其它机制的组合。
另外地，在一些非限制性实例中，除了使第一电极1020、第二电极1040、辅助电极2150和/或汇流条5050中的一个或多个至少跨对应于装置1000的(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面1310的大部分基本上是透射的，以便允许光子基本上跨其横向方面1310发射，可能令人期望的是，使装置1000的周围非发射区域2220的横向方面1320中的至少一个横向方面在底部和顶部方向上基本上是透射的，从而使装置1000相对于入射在其外表面上的光基本上是透射的，使得除了在如本文所公开的装置1000内部产生的光子的发射(顶部发射、底部发射和/或双面发射)之外，这种外部入射光的大部分可以透射通过装置1000。
图案化
作为前述的结果，可能有一个目标是，跨(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面1310和/或围绕发射区域2210的非发射区域2220的横向方面1320选择性地在装置1000的前板1010层的暴露层表面11上按图案沉积装置特征，所述装置特征包含但不限于以下各项中的至少一个：第一电极1020、第二电极1040、辅助电极2150和/或汇流条5050和/或与其电耦接的导电元件。在一些非限制性实例中，第一电极1020、第二电极1040、辅助电极2150和/或汇流条5050可以沉积在多个沉积层330中的至少一个沉积层中。
图14示出了与装置1000基本上类似的，但进一步包括跨非发射区域2220的横向方面1320的多个凸起PDL 1340的装置1400的示例截面视图，所述非发射区域围绕对应于(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面1310。
当沉积层330被沉积时，在一些非限制性实例中，使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺，将沉积层330跨对应于(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面1310沉积以在其上形成(图中的)第二电极1040，并且还跨围绕它们的非发射区域2220的横向方面1320沉积以在PDL 1340的顶部上形成沉积层330的区域。为了确保第二电极1040的每个(区段)不电耦接到至少一个导电沉积层区域330中的任何导电区域，PDL 1340的厚度大于第二电极1040的厚度。在一些非限制性实例中，如图所示，PDL 1340可以设置有底切轮廓以进一步降低第二电极1040的任何(区段)将电耦接到至少一个导电区域330中的任何导电沉积层区域的可能性。
在一些非限制性实例中，考虑到装置1400的高度不均匀的表面形貌，在装置1400之上施涂阻隔涂层2050可能导致阻隔涂层2050对装置1400的不良粘附。
在一些非限制性实例中，可能有一个目标是，通过相对于对应于一种颜色的子像素244x的发射区域2210的横向方面1310改变跨对应于另一种颜色的子像素244x的发射区域2210的横向方面1310的至少一个半导电层1030(和/或其层)的厚度来调整与不同颜色(和/或波长)的子像素244x相关的光学微腔效应。在一些非限制性实例中，使用FMM 415进行图案化可能不提供在至少某些情况下和/或在一些非限制性实例中，在OLED显示器1000的生产环境中要求提供此类光学微腔调谐效应的精度。
图15A描述了工艺1500的阶段1501，其中一旦NIC 310已经沉积在底层材料(在图中，衬底10)的暴露层表面11的第一部301上，就可以将NPC 520沉积在安置在第一部301中的衬底10上的NIC 310的暴露层表面11的NPC部1503上。在图中，作为非限制性实例，NPC部1503可以完全在第一部301内延伸。
在阶段1501中，将一定量的NPC材料511在真空下加热以蒸发和/或升华1522NPC材料511。在一些非限制性实例中，NPC材料511完全和/或基本上包括用于形成NPC 520的材料。蒸发的NPC材料1522被引导通过腔室40，包含在通过箭头1510指示的方向上，朝向第一部301和NPC部1503的暴露层表面11。当蒸发的NPC材料1522入射到暴露层表面11的NPC部1503上时，NPC 520可以形成在其上。
在一些非限制性实例中，NPC材料511的沉积可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积技术来执行，使得NPC 520可以基本上跨底层材料(在图中，其可以是贯穿第一部301的NIC 310和/或穿过第二部302的衬底10)的整个暴露层表面11形成以产生(NPC 520的)经过处理的表面。
在一些非限制性实例中，如阶段1501的图中所示，NPC 520可以通过在NPC材料511与暴露层表面11之间插入阴影掩模415而选择性地仅沉积到(在图中，NIC 310的)暴露层表面11一部分上(在所展示的实例中，NPC部1503)，在一些非限制性实例中，所述阴影掩模可以是FMM。阴影掩模415具有至少一个穿过其延伸的孔1526，使得蒸发的NPC材料1522的一部分穿过孔1526并且入射到(在图中，作为非限制性实例，仅NPC部1503内的NIC 310的)暴露层表面11上以形成NPC 520。在蒸发的NPC材料1522不穿过孔1526而是入射到阴影掩模415的表面1527上的情况下，其被阻止安置在暴露层表面11上以形成NPC 520。暴露层表面11的位于NPC部1503之外的部分1502因此基本上缺乏NPC 520。在一些非限制性实例(未示出)中，入射到阴影掩模415上的蒸发的NPC材料1522可以沉积在其表面1527上。
尽管第一部301中NIC 310的暴露层表面11对沉积层330展现出相对较低的初始粘附概率S0，但在一些非限制性实例中，对于NPC 520来说这可能不一定是这种情况，使得NPC520仍然选择性地沉积在NPC部1503中的(在图中，NIC 310的)暴露层表面11上。
因此，在完成NPC 520的沉积时产生图案化表面。
图15B描述了工艺1500的阶段1504，其中一旦NIC 310已经被沉积在底层材料(在图中，衬底10)的暴露层表面11的第一部301上并且NPC 520已经被沉积在(在图中，NIC 310的)暴露层表面11的NPC部1503上，就可以将沉积层330沉积在暴露层表面11(在图中，衬底10)的NPC部1503和第二部302上。
在阶段1504中，将一定量的沉积材料531在真空下加热以蒸发和/或升华532沉积材料531。在一些非限制性实例中，沉积材料531完全和/或基本上包括用于形成沉积层330的材料。蒸发的沉积材料532被引导通过腔室40，包含在通过箭头1520指示的方向上，朝向第一部301、NPC部1503和第二部302的暴露层表面11。当蒸发的沉积材料532入射到(NPC520的)暴露层表面11的NPC部1503和(衬底10的)暴露层表面11的第二部302上(即，除了在NIC 310的暴露层表面11上)时，在其上可以形成沉积层330。
在一些非限制性实例中，如阶段1504的图中所示，沉积层330的沉积可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来执行，使得沉积层330可以基本上跨底层材料(除了底层材料是NIC 310的情况)的暴露层表面11形成以产生(沉积层330的)经过处理的表面。
实际上，如图15B所示，蒸发的沉积材料532入射到跨位于NPC部1503之外的第一部301的NIC 310的暴露层表面11上以及跨NPC部1503的NPC 520的暴露层表面11和基本上缺乏NIC 310的跨第二部302的衬底10的暴露层表面11上。
由于与第二部302中衬底10的暴露层表面11相比，位于NPC部1503之外的第一部301中NIC 310的暴露层表面11对沉积层330展现出相对较低的初始粘附概率S0和/或由于与位于NPC部1503之外的第一部301中NIC 310的暴露层表面11和第二部302中衬底10的暴露层表面11两者相比，NPC部1503中NPC 520的暴露层表面11对沉积层330展现出相对较高的初始粘附概率S0，沉积层330基本上仅选择性地沉积在NPC部1503和第二部302中的衬底10的暴露层表面11上，这两个部基本上缺乏NIC 310。相比之下，入射到跨位于NPC部1503之外的第一部301的NIC 310的暴露层表面11上的蒸发的沉积材料532趋于不沉积，如图所示(1523)并且跨位于NPC部1503之外的第一部301的NIC 310的暴露层表面11基本上缺乏沉积层330。
因此，在完成沉积层330的沉积时产生图案化表面。
图16A-16C展示了蒸发工艺的非限制性实例，所述蒸发工艺总体上以2000示出，在腔室40中用于将沉积层330选择性沉积到底层材料的暴露层表面11的第二部302、1502(图16C)上。
图16A描述了工艺1600的阶段1601，其中将一定量的NPC材料511在真空下加热以蒸发和/或升华1522NPC材料511。图16A与图4相同，其中图案化涂层410是NPC 520，但带有附加注释的NPC部1503和补充部分1502。
在一些非限制性实例中，NPC材料511完全和/或基本上包括用于形成NPC 520的材料。蒸发的NPC材料1522被引导通过腔室40，包含在通过箭头41指示的方向上，朝向暴露层表面11(在图中，衬底10)。
在一些非限制性实例中，NPC材料511的沉积可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来执行，使得NPC 520可以基本上跨底层材料(在图中，衬底10)的整个暴露层表面11形成以产生(NPC 520的)经过处理的表面。
在一些非限制性实例中，如阶段1601的图中所示，NPC 520可以通过在NPC材料511与暴露层表面11之间插入阴影掩模415而选择性地仅沉积到暴露层表面11的一部分上(在所展示的实例中，NPC部1503)，在一些非限制性实例中，所述阴影掩模可以是FMM。阴影掩模415具有至少一个穿过其延伸的孔416，使得蒸发的NPC材料1522的一部分穿过孔416并且入射到暴露层表面11上以在NPC部1503中形成NPC 520。在蒸发的NPC材料1522不穿过孔416而是入射到阴影掩模415的表面417上的情况下，其被阻止安置在暴露层表面11上以在位于NPC部1503之外的暴露层表面11的部分1502内形成NPC 520。因此部分1502基本上缺乏NPC520。在一些非限制性实例(未示出)中，入射到阴影掩模415上的NPC材料511可以沉积在其表面417上。
当蒸发的NPC材料1522入射到暴露层表面11上(即，在NPC部1503中)时，NPC 520可以形成在其上。
因此，在完成NPC 520的沉积时产生图案化表面。
图16描述了工艺1600的阶段1602，其中一旦NPC 520已经沉积在底层材料(在图中，衬底10)的暴露层表面11的NPC部1503上，就可以将NIC 310沉积在暴露层表面11的第一部301上。在图中，作为非限制性实例，第一部301可以完全在NPC部1503内延伸。因此，在图中，作为非限制性实例，部分1502包括暴露层表面11的位于第一部301之外的所述部分。
在阶段1602中，将一定量的NIC材料511在真空下加热以蒸发和/或升华1612NIC材料511。在一些非限制性实例中，NIC材料511完全和/或基本上包括用于形成NIC 310的材料。蒸发的NIC材料1612被引导通过腔室40，包含在通过箭头1620指示的方向上，朝向第一部301、可以延伸到第一部301之外的NPC部1503和部分1502的暴露层表面11。当蒸发的NIC材料1612入射到暴露层表面11的第一部301上时，NIC 310可以形成在其上。
在一些非限制性实例中，NIC材料511的沉积可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来执行，使得NIC 310可以基本上跨底层材料的整个暴露层表面11形成以产生(NIC 310的)经过处理的表面。
在一些非限制性实例中，如阶段1602的图中所示，NIC 310可以通过在NIC材料511与暴露层表面11之间插入阴影掩模415而选择性地仅沉积到(在图中，NPC 520的)暴露层表面11一部分上(在所展示的实例中，第一部301)，在一些非限制性实例中，所述阴影掩模可以是FMM。阴影掩模415具有至少一个穿过其延伸的孔416，使得蒸发的NIC材料1612的一部分穿过孔416并且入射到(在图中，作为非限制性实例，NPC 520的)暴露层表面11上以形成NIC 310。在蒸发的NIC材料1612不穿过孔416而是入射到阴影掩模415的表面417上的情况下，其被阻止安置在暴露层表面11上以在第一部301之外的第二部302内形成NIC 310。暴露层表面11的位于第一部301之外的第二部302因此基本上缺乏NIC 310。在一些非限制性实例(未示出)中，入射到阴影掩模415上的蒸发的NIC材料1612可以沉积在其表面417上。
尽管NPC部1503中NPC 520的暴露层表面11针对沉积层330的沉积展现出相对较高的初始粘附概率S0，但在一些非限制性实例中，对于NIC 310来说这可能不一定是这种情况。即便如此，在一些非限制性实例中，针对NIC 310的沉积的初始粘附概率S0可以使得NIC310仍然选择性地沉积在第一部301中(在图中，NPC 520的)暴露层表面11上。
因此，在完成NIC 310的沉积时产生图案化表面。
图16C描述了工艺1600的阶段1603，其中一旦NIC 310已经沉积在底层材料的暴露层表面11(在图中，NPC 520)的第一部301上，就可以将沉积层330沉积在(在图中，跨NPC部1503之外的部分1502的衬底10的，和跨第一部301之外的NPC部1503的NPC 520的)暴露层表面11的第二部302上。6在阶段1603中，将一定量的沉积材料531在真空下加热以蒸发和/或升华532沉积材料531。在一些非限制性实例中，沉积材料531完全和/或基本上包括用于形成沉积层330的材料。蒸发的沉积材料532被引导通过腔室40，包含在通过箭头1630指示的方向上，朝向第一部301、NPC部1503和NPC部1503之外的部分1502的暴露层表面11。当蒸发的沉积材料532入射到第一部301之外的(NPC 520的)暴露层表面11的NPC部1503和(衬底10的)暴露层表面11的NPC部1503之外的部分1502上(即，在第二部302上除了在NIC 310的暴露层表面11上)时，在其上形成沉积层330。
在一些非限制性实例中，如阶段1603的图中所示，沉积层330的沉积可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来执行，使得沉积层330可以基本上跨底层材料(除了底层材料是NIC 310的情况)的暴露层表面11形成以产生(沉积层330的)经过处理的表面。
实际上，如图16C所示，蒸发的沉积材料532入射到跨位于NPC部1503内的第一部301的NIC 310的暴露层表面11上以及跨位于第一部301之外的NPC部1503的NPC 520的暴露层表面11和跨位于NPC部1503之外的部分1502的衬底10的暴露层表面11上。
由于与位于NPC部1503之外的第二部302中衬底10的暴露层表面11相比，第一部301中NIC 310的暴露层表面11对沉积层330展现出相对较低的初始粘附概率S0和/或由于与第一部301中NIC 310的暴露层表面11和位于NPC部1503之外的部分1502中衬底10的暴露层表面11两者相比，位于第一部301之外的NPC部1503中NPC 520的暴露层表面11对沉积层330展现出相对较高的初始粘附概率S0，沉积层330基本上仅选择性地沉积在位于第一部301之外的NPC部1503和位于NPC部1503之外的部分1502中的衬底10的暴露层表面11上，这两个部基本上缺乏NIC 310。相比之下，入射到跨第一部301的NIC 310的暴露层表面11上的蒸发的沉积材料532趋于不沉积，如图所示(1233)并且跨第一部301的NIC 310的暴露层表面11基本上缺乏沉积层330。
因此，在完成沉积层330的沉积时产生图案化表面。
在一些非限制性实例中，与第一部301中NIC 310的暴露层表面11上的蒸发的沉积材料532的初始沉积速率相比，第二部302中的暴露层表面11上的蒸发的沉积材料532的初始沉积速率可以超过约：200倍、550倍、900倍、1,000倍、1,500倍、1,900倍或2,000倍。
图I7A-17C展示了打印工艺的非限制性实例，所述打印工艺总体上以1700示出，用于将选择性涂层410(在一些非限制性实例中，可以是NIC 310或NPC 520)选择性地沉积在底层材料(在图中，仅出于说明的简单性目的，衬底10)的暴露层表面11上。
图17A描述了工艺1700的阶段，其中在其上具有突起1711的印模1710可以在突起1711的暴露层表面11上设置有选择性涂层410。相关领域的普通技术人员应当理解，选择性涂层410可以使用多种合适的机制沉积和/或沉积在突起表面11上。
图17B描述了工艺1700的阶段，其中使印模1710与暴露层表面11接近1701，使得选择性涂层410与暴露层表面11接触并粘附到其上。
图17C描述了工艺1700的阶段，其中印模1710从暴露层表面11移开1703，留下沉积在暴露层表面11上的选择性涂层410。
图案化电极的选择性沉积
在高温沉积层330沉积工艺内不采用FMM 415的情况下，前述可以组合以便实现至少一个沉积层330的选择性沉积以形成图案化电极1020、1040、2150和/或汇流条5050，在一些非限制性实例中，所述图案化电极可以是第二电极1040和/或辅助电极2150。在一些非限制性实例中，此类图案化可以允许和/或增强装置1000的透射率。
图18以平面视图示出了示例图案化电极1800，在图中，第二电极1040适用于装置1000的示例版本1900(图19)。电极1800可以按包括单个连续结构的图案1810形成，其具有或限定图案化的多个孔1820，其中孔1820对应于装置1000的没有阴极1242的区域。
在图中，作为非限制性实例，在对应于(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面910与围绕此类发射区域2210的非发射区域2220的横向方面920之间没有区别的情况下，图案1810跨装置1900的整个横向范围安置。因此，所展示的实例可以对应于相对于入射在其外表面上的光基本上透射的装置1900，使得除了如本文所公开的在装置1900内部产生的光子的发射(顶部发射、底部发射和/或双面发射)之外，此类外部入射光的大部分可以透射通过装置1900。
装置1900的透射率可以通过改变所采用的图案1810来调整和/或修改，包含但不限于孔1820的平均大小和/或孔1820的间距和/或密度。
现在转到图19，示出了沿图18中的线19-19截取的装置1900的截面视图。在图中，装置1900被示出为包括衬底10、第一电极1020和至少一个半导电层1030。在一些非限制性实例中，NPC 520安置在至少一个半导电层1030的基本上所有的暴露层表面11上。在一些非限制性实例中，可以省略NPC 520。
按基本上对应于底层材料的暴露层表面11上的图案1810的图案选择性地安置NIC310，如图所示，所述底层材料是NPC 520(但在一些非限制性实例中，如果已省略了NPC520，则所述底层材料可以是至少一个半导电层1030)。
使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺将适用于形成图案化电极1800(在图中为第二电极1040)的沉积层330安置在底层材料的基本上所有暴露层表面11上，所述工艺中的任何一种在高温沉积层330沉积工艺期间都不采用任何FMM 415。底层材料包括安置在图案1810中的NIC 310的区域和图案1810中的NPC 520的区域，其中尚未沉积NIC 310。在一些非限制性实例中，NIC 310的区域可以基本上对应于包括在图案1810中示出的孔1820的第一部301。
由于安置了NIC 310的图案1810(对应于孔1820)的那些区域的成核抑制性质，安置在此类区域上的沉积层330趋于不保留，从而导致沉积层330的选择性沉积图案，其基本上对应于图案1810的其余部分，从而使图案1810的第一部301中对应于孔1820的那些区域基本上缺乏沉积层330。
换句话说，将形成阴极1242的沉积层330基本上仅选择性地沉积在第二部302上，所述第二部包括围绕但不占据图案1810中的孔1820的NPC 520的那些区域。
图20A以平面视图示出了示出电极1020、1040、2150的多个图案2020、2040的示意图。
在一些非限制性实例中，第一图案1620包括在第一横向方向上延伸的多个细长的、间隔开的区域。在一些非限制性实例中，第一图案1620可以包括多个第一电极1020。在一些非限制性实例中，包括第一图案1620的多个区域可以电耦接。
在一些非限制性实例中，第二图案2040包括在第二横向方向上延伸的多个细长的、间隔开的区域。在一些非限制性实例中，第二横向方向可以基本上垂直于第一横向方向。在一些非限制性实例中，第二图案2040可以包括多个第二电极1040。在一些非限制性实例中，包括第二图案2040的多个区域可以电耦接。
在一些非限制性实例中，第一图案1620和第二图案2040可以形成示例版本的一部分，总体上以装置1000的2000(图20C)示出，其可以包括多个PMOLED元件。
在一些非限制性实例中，形成对应于(子)像素1240/244x的发射区域3010的横向方面1310，其中第一图案1620与第二图案2040重叠。在一些非限制性实例中，非发射区域2220的横向方面1320对应于除了横向方面1310外的任何横向方面。
在一些非限制性实例中，第一端子(在一些非限制性实例中可以是电源1005的正极端子)电耦接到第一图案1620的至少一个电极1020、1040、2150。在一些非限制性实例中，第一端子通过至少一个驱动电路1200耦接到第一图案1620的至少一个电极1020、1040、2150。在一些非限制性实例中，第二端子(在一些非限制性实例中可以是电源1005的负极端子)电耦接到第二图案2040的至少一个电极1020、1040、2150。在一些非限制性实例中，第二端子通过至少一个驱动电路1200耦接到第二图案1740的至少一个电极1020、1040、2150。
现在转到图20B，示出了沿图A中的线20B-20B截取的沉积阶段2000b处的装置2000的截面视图。在图中，阶段2000b处的装置2000被示出为包括衬底10。在一些非限制性实例中，NPC 520安置在衬底10的暴露层表面11上。在一些非限制性实例中，可以省略NPC 520。
按对应于第一图案1620的反相的图案将NIC 310选择性地安置在底层材料的暴露层表面11上，如图所示，所述底层材料是NPC 520。
使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺将适用于形成电极1020、1040、2150(在图中为第一电极1020)的第一图案1620的沉积层330安置在底层材料的基本上所有暴露层表面11上，所述工艺中的任何一种在高温沉积层330沉积工艺期间都不采用任何FMM 415。底层材料包括按第一图案1620的反相安置的NIC 310的区域和按第一图案1620安置的NPC520的区域，其中尚未沉积NIC 310。在一些非限制性实例中，NPC 520的区域可以基本上对应于第一图案1620的细长的、间隔开的区域，而NIC 310的区域可以基本上对应于包括其间的间隙的第一部。
由于安置了NIC 310的第一图案1620(对应于其间的间隙)的那些区域的成核抑制性质，安置在此类区域上的沉积层330趋于不保留，从而导致沉积层330的选择性沉积图案，其基本上对应于第一图案1620的细长的、间隔开的区域，从而使包括其间的间隙的第一部301基本上缺乏沉积层330的封闭涂层340。
换句话说，将形成电极1020、1040、2150的第一图案1620的沉积层330基本上仅选择性地沉积在包括NPC 520(或者在一些非限制性实例中，如果已省略了NPC 520，则是衬底10)的那些区域的第二部302上，所述区域限定第一图案1620的细长的、间隔开的区域。
现在转到图20C，示出了沿图2-A中的线20C-20C截取的装置2000的截面视图2000c。在图中，装置2000被示出为包括衬底10；如图20B所示沉积的电极1020的第一图案1620，和至少一个半导电层1030。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层1030可以被提供为跨装置2000的基本上所有横向方面的公共层。
在一些非限制性实例中，NPC 520安置在至少一个半导电层1030的基本上所有的暴露层表面11上。在一些非限制性实例中，可以省略NPC 520。
按基本上对应于底层材料的暴露层表面11上的第二图案2040的图案选择性地安置NIC 310，如图所示，所述底层材料是NPC 520(但在一些非限制性实例中，如果已省略了NPC 520，则所述底层材料可以是至少一个半导电层1030)。
使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺将适用于形成电极1020、1040、2150(在图中为第二电极1040)的第二图案2040的沉积层330安置在底层材料的基本上所有暴露层表面11上，所述工艺中的任何一种在高温沉积层330沉积工艺期间都不采用任何FMM 415。底层材料包括按第二图案2040的反相安置的NIC 310的区域和第二图案2040中的NPC 520的区域，其中尚未沉积NIC 310。在一些非限制性实例中，NPC 520的区域可以基本上对应于包括第二图案2040的细长的、间隔开的区域的第一部301，而NIC 310的区域可以基本上对应于其间的间隙。
由于安置了NIC 310的第二图案2040(对应于其间的间隙)的那些区域的成核抑制性质，安置在此类区域上的沉积层330趋于不保留，从而导致沉积层330的选择性沉积图案，其基本上对应于第二图案2040的细长的、间隔开的区域，从而使包括其间的间隙的第一部301基本上缺乏沉积层330的封闭涂层340。
换句话说，将形成电极1020、1040、2150的第二图案2040的沉积层330基本上仅选择性地沉积在包括NPC 520的那些区域的第二部302上，所述区域限定第二图案2040的细长的、间隔开的区域。
在一些非限制性实例中，NIC 310和其后沉积的用于形成电极1020、1040、2150的第一图案1620和/或第二图案2040中的一者或两者的沉积层330的厚度可以根据多种参数而变化，包含但不限于期望的施涂和期望的性能特性。在一些非限制性实例中，NIC 310的厚度可以与此后沉积的沉积层330的厚度相当和/或显著小于所述沉积层的厚度。使用相对较薄的NIC 310来实现其后沉积的沉积层330的选择性图案化可能适合于提供柔性装置1000，包含但不限于PMOLED装置。在一些非限制性实例中，相对较薄的NIC 310可以提供相对较平坦的表面，在所述表面上可以沉积阻隔涂层2050。在一些非限制性实例中，提供用于施涂阻隔涂层2050的此类相对较平坦的表面可以增加阻隔涂层2050对此类表面的粘附。
电极1020、1040、2150的第一图案1620中的至少一个图案和电极1020、1040、2150的第二图案2040中的至少一个图案可以直接和/或在一些非限制性实例中通过它们相应的驱动电路1200电耦接到电源1005以控制来自对应于(子)像素1240/244x的发射区域3010的横向方面1310的光子发射。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，图20A-20C中示出的按第二图案2040形成第二电极1040的工艺可以以类似的方式用于形成用于装置2000的辅助电极2150。在一些非限制性实例中，其第二电极1040可以包括公共电极，并且辅助电极2150可以沉积在第二图案2040中(在一些非限制性实例中，在第二电极1040上方，或在一些非限制性实例中，在第二电极下方)，并且与其电耦接。在一些非限制性实例中，用于此类辅助电极2150的第二图案2040可以使得第二图案2040的细长的、间隔开的区域基本上位于围绕对应于(子)像素1240/244x的发射区域3010的横向方面1310的非发射区域3020的横向方面1320内。在一些非限制性实例中，用于此类辅助电极2150的第二图案2040可以使得第二图案2040的细长的、间隔开的区域基本上位于对应于(子)像素1240/244x的发射区域3010的横向方面1310和/或围绕它们的非发射区域3020的横向方面1320内。
图21示出了装置1000的示例版本2100的示例截面视图，所述示例版本基本上类似于所述装置，但进一步包括至少一个辅助电极2150，所述辅助电极按上述图案安置并与第二电极1040电耦接(未示出)。
辅助电极2150是导电的。在一些非限制性实例中，辅助电极2150可以由至少一种金属和/或金属氧化物形成。这种金属的非限制性实例包含Cu、A1、钼(Mo)或Ag。作为非限制性实例，辅助电极2150可以包括多层金属结构，包含但不限于由Mo/Al/Mo形成的多层金属结构。这种金属氧化物的非限制性实例包含ITO、ZnO、IZO或其它含有In或Zn的氧化物。在一些非限制性实例中，辅助电极2150可以包括由至少一种金属和至少一种金属氧化物的组合形成的多层结构，所述组合包含但不限于Ag/ITO、Mo/ITO、ITO/Ag/ITO或ITO/Mo/ITO。在一些非限制性实例中，辅助电极2150包括多种这样的导电材料。
装置2100被示出为包括衬底10、第一电极1020和至少一个半导电层1030。
在一些非限制性实例中，NPC 520安置在至少一个半导电层1030的基本上所有的暴露层表面11上。在一些非限制性实例中，可以省略NPC 520。
第二电极1040安置在NPC 520(或至少一个半导电层1030，如果NPC 520已被省略的话)的基本上所有暴露层表面11上。
在一些非限制性实例中，特别是在顶部发射装置2100中，第二电极1040可以通过沉积相对较薄的导电膜层(未示出)来形成，以便通过非限制性实例减少与第二电极1040的存在相关的光学干涉(包含但不限于衰减、反射和/或扩散)。在一些非限制性实例中，如别处所讨论的，第二电极1040的减小的厚度通常可以增加第二电极1040的薄层电阻，在一些非限制性实例中这可以降低装置2100的性能和/或效率。通过提供电耦接到第二电极1040的辅助电极2150，在一些非限制性实例中，可以减小薄层电阻并因此减小与第二电极1040相关联的IR降。
在一些非限制性实例中，装置2100可以是底部发射和/或双面发射装置2100。在此类实例中，第二电极1040可以形成为相对较厚的导电层而基本上不影响此类装置2100的光学特性。然而，即使在此类情况下，作为非限制性实例，第二电极1040仍然可以形成为相对较薄的导电膜层(未示出)，使得装置2100相对于入射在其外表面上的光可以是基本上透射的，使得除了如本文所公开的在装置2100内部产生的光子的发射之外，此类外部入射光的大部分可以透射通过装置2100。
按图案将NIC 310选择性地安置在底层材料的暴露层表面11上，如图所示，所述底层材料是NPC 520。在一些非限制性实例中，如图所示，NIC 310可以在图案的第一部中安置为一系列平行的行2120。
使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺将适用于形成图案化辅助电极2150的沉积层330安置在底层材料的基本上所有暴露层表面11上，所述工艺中的任何一种在高温沉积层330沉积工艺期间都不采用任何FMM 415。底层材料包括安置在行2120的图案中的NIC 310的区域和NPC 520的区域，其中尚未沉积NIC 310。
由于安置了NIC 310的那些行2120的成核抑制性质，安置在此类行2120上的沉积层330趋于不保留，从而导致沉积层330的选择性沉积图案，其基本上对应于图案的至少一个第二部302，从而使包括行2120的第一部301基本上缺乏沉积层330的封闭涂层340。
换句话说，将形成辅助电极2150的沉积层330基本上仅选择性地沉积在第二部302上，所述第二部包括NPC 520的围绕但不占据行2120的那些区域。
在一些非限制性实例中，选择性地沉积辅助电极2150以仅覆盖装置2100的横向方面的某些行2120，而其它区域保持未覆盖，可以控制和/或减少与辅助电极2150的存在相关的光学干扰。
在一些非限制性实例中，辅助电极2150可以按从典型的观看距离不能被肉眼容易地检测到的图案选择性地沉积。
在一些非限制性实例中，辅助电极2150可以形成在除OLED装置外的装置中，包含用于降低此类装置的电极的有效电阻。
辅助电极
在高温沉积层330沉积工艺(包含但不限于图21中所描绘的工艺)期间通过采用选择性涂层410在不采用FMM 415的情况下图案化电极1020、1040、2150、5050(包含但不限于第二电极1040和/或辅助电极2150)的能力允许部署辅助电极2150的多种配置。
图22A以平面视图示出了具有多个发射区域2210a-2210j和围绕它们的至少一个非发射区域2220的装置1000的示例版本2200的一部分。在一些非限制性实例中，装置2200可以是AMOLED装置，其中所述发射区域2210a-2210j中的每个发射区域对应于其(子)像素1240/244x。
图22B-22D结合覆盖在其上的辅助电极2150的不同配置2150b-2150d示出了对应于其相邻发射区域2210a和2210b的装置2200的一部分，以及其间的至少一个非发射区域2220的一部分的实例。在一些非限制性实例中，尽管没有在图22B-22D中明确说明，但装置2200的第二电极1040被理解为基本上覆盖至少其发射区域2210a和2210b两者以及其间的至少一个非发射区域2220的一部分。
在图22B中，辅助电极配置2150b安置在两个相邻发射区域2210a与2210b之间并且电耦接到第二电极1040。在此实例中，辅助电极配置2150b的宽度α小于相邻发射区域2210a与2210b之间的间隔距离δ。因此，在辅助电极配置2150b的每一侧上的至少一个非发射区域2220内存在间隙。在一些非限制性实例中，此类布置可以降低辅助电极配置2150b干扰来自发射区域2210a和2210b(在一些非限制性实例中)中的至少一个发射区域的装置2200的光输出的可能性。在一些非限制性实例中，此类布置在辅助电极配置2150b相对较厚(在一些非限制性实例中，大于几百nm和/或几微米量级的厚度)的情况下可能是合适的。在一些非限制性实例中，辅助电极配置2150b的纵横比可以超过约0.05，如约至少：0.1、0.2、0.5、0.8、1或2。作为非限制性实例，辅助电极配置2150b的高度(厚度)可以超过约50nm，如至少约：80nm、100nm、200nm、500nm、700nm、1000nm、1500nm、1700nm或2000nm。
在图22C中，辅助电极配置2150c安置在两个相邻发射区域2210a与2210b之间并且电耦接到第二电极1040。在此实例中，辅助电极配置2150c的宽度α与相邻发射区域2210a与2210b之间的间隔距离δ基本上相同。因此，在辅助电极配置2150c的任一侧上的至少一个非发射区域2220内没有间隙。在一些非限制性实例中，在高像素密度装置2200中作为非限制性实例，在相邻发射区域2210a与2210b之间的间隔距离δ相对较小的情况下，此类布置可能是合适的。
在图22D中，辅助电极2150d安置在两个相邻发射区域2210a与2210b之间并且电耦接到第二电极1040。在此实例中，辅助电极配置2150d的宽度α大于相邻发射区域2210a与2210b之间的间隔距离δ。因此，辅助电极配置2150d的一部分与相邻发射区域2210a和/或2210b中的至少一个相邻发射区域的一部分重叠。尽管所述图示出了辅助电极配置2150d与相邻发射区域2210a和2210b中的每个相邻发射区域的重叠程度，但在一些非限制性实例中，重叠程度和/或在一些非限制性实例中，辅助电极配置2150d与相邻发射区域2210a和2210b中的至少一个相邻发射区域之间的重叠的轮廓可以被改变和/或调制。
图23以平面视图示出了示出形成为网格的辅助电极2150的图案2350的实例的示意图，所述网格覆盖在可以对应于装置1000的示例版本2300的(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面910和围绕发射区域2210的非发射区域2220的横向方面920之上。
在一些非限制性实例中，辅助电极图案2350可以基本上仅在非发射区域2220的一些而非全部横向方面920之上延伸，以便基本上不覆盖发射区域2210的横向方面910中的任何一个横向方面。
相关领域的普通技术人员应当理解，尽管在图中，辅助电极图案2350被示出为形成为连续结构，使得其所有元件彼此物理连接和电耦接并且电耦接到至少一个电极1020、1040、2150，和/或汇流条5050，在一些非限制性实例中所述至少一个电极可以是第一电极1020和/或第二电极1040，在一些非限制性实例中，辅助电极图案2350可以被提供为辅助电极图案2350的多个分立元件，尽管所述分立元件保持彼此电耦接，但彼此不物理连接。即便如此，辅助电极图案2350的此类分立元件仍可以显著降低与它们电耦接的至少一个电极1020、1040、2150，和/或汇流条5050的薄层电阻，并且因此降低装置2300的薄层电阻，从而增加装置2300的效率，而基本上无需干扰其光学特性。
在一些非限制性实例中，辅助电极2150可以用于具有(子)像素1240/244x的各种布置的装置1000中。在一些非限制性实例中，(子)像素1240/244x布置可以是基本上菱形的。
作为非限制性实例，图24A以平面视图示出了装置1000的示例版本2400中的多个发射区域2210的组2441-2443，每个发射区域对应于子像素244x，被包括菱形配置的PDL1340的多个非发射区域2220的横向方面围绕。在一些非限制性实例中，所述配置由第一行和第二行的交替图案中的发射区域2210和PDL 1340的图案2441-2443限定。
在一些非限制性实例中，包括PDL 1340的非发射区域2220的横向方面1320可以是基本上椭圆形的。在一些非限制性实例中，第一行中非发射区域2220的横向方面1320的长轴与第二行中非发射区域2220的横向方面1320的长轴对齐并且基本上垂直。在一些非限制性实例中，第一行中非发射区域2220的横向方面1320的长轴基本上平行于第一行的轴。
在一些非限制性实例中，发射区域2210的第一组2441对应于以第一波长发射光的子像素244x，在一些非限制性实例中，第一组2441的子像素244x可以对应于R(红色)子像素2441。在一些非限制性实例中，第一组2441的发射区域2210的横向方面1310可以具有基本上菱形的配置。在一些非限制性实例中，第一组2441的发射区域2210位于第一行的图案中，在PDL 1340之前和之后。在一些非限制性实例中，第一组2441的发射区域2210的横向方面1310与包括同一行中的PDL 1340的之前和之后的非发射区域2220的横向方面1320以及包括在第二行的之前和之后图案中包括PDL 1340的邻近非发射区域2220的横向方面1320略微重叠。
在一些非限制性实例中，发射区域2210的第二组2442对应于以第二波长发射光的子像素244x，在一些非限制性实例中，第二组2442的子像素244x可以对应于G(绿色)子像素2442。在一些非限制性实例中，第二组2441的发射区域2210的横向方面1310可以具有基本上椭圆形的配置。在一些非限制性实例中，第二组2441的发射区域2210位于第二行的图案中，在PDL 1340之前和之后。在一些非限制性实例中，第二组2441的发射区域2210的横向方面1310中的一些横向方面的长轴可以处于第一角度，在一些非限制性实例中，所述第一角度可以相对于第二行的轴成45°。在一些非限制性实例中，第二组2441的发射区域2210的横向方面1310中的其它横向方面的长轴可以处于第二角度，在一些非限制性实例中，所述第二角度可以基本上垂直于第一角度。在一些非限制性实例中，第一组2441的发射区域2210(其横向方面1310具有处于第一角度的长轴)与第一组2441的发射区域2210(其横向方面1310具有处于第二角度的长轴)交替。
在一些非限制性实例中，发射区域2210的第三组2443对应于以第三波长发射光的子像素244x，在一些非限制性实例中，第三组2443的子像素244x可以对应于B(蓝色)子像素2443。在一些非限制性实例中，第三组2443的发射区域2210的横向方面1310可以具有基本上菱形的配置。在一些非限制性实例中，第三组2443的发射区域2210位于第一行的图案中，在PDL 1340之前和之后。在一些非限制性实例中，第三组2443的发射区域2210的横向方面1310与包括同一行中的PDL 1340的之前和之后的非发射区域2220的横向方面1310以及包括在第二行的之前和之后图案中包括PDL 1340的邻近非发射区域2220的横向方面1320略微重叠。在一些非限制性实例中，第二行的图案包括与第三组2443的发射区域2210交替的第一组2441的发射区域2210，每个区域在PDL 1340之前和之后。
现在转到图24B，示出了沿图24A中的线24B-24B截取的装置2400的示例截面视图。在图中，装置2400被示出为包括衬底10和形成在其暴露层表面11上的第一电极1020的多个元件。衬底10可以包括基础衬底1012(出于说明的简单性目的而未示出)和/或至少一个TFT结构1100，其对应于并且用于驱动每个子像素244x。PDL 1340形成在第一电极1020的元件之间的衬底10之上，以在第一电极1020的每个元件之上限定发射区域2210，所述发射区域由包括PDL 1340的非发射区域2220分隔。在图中，发射区域2210全都对应于第二组2442。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层1030沉积在第一电极1020的每个元件上，在周围PDL 1340之间。
在一些非限制性实例中，第二电极1040(在一些非限制性实例中可以是公共阴极1242)可以沉积在第二组2442的发射区域2210之上以形成其G(绿色)子像素2442和沉积在周围PDL 1340之上。
在一些非限制性实例中，NIC 310跨G(绿色)子像素2442的第二组2442的发射区域2210的横向方面1310选择性地沉积在第二电极1040之上，以允许将沉积层330选择性沉积在基本上缺乏NIC 310的第二电极1040的多个部分之上，即跨包括PDL 1340的非发射区域2220的横向方面1320。在一些非限制性实例中，沉积层330可能趋于沿着PDL 1340的基本上平坦部分积聚，因为沉积层330可能不趋于保留在PDL 1340的成角度区段分上，而是趋于下降到涂覆有NIC 310的此类成角度区段分的底部。在一些非限制性实例中，PDL 1340的基本上平坦部分上的沉积层330可以形成可以电耦接到第二电极1040的至少一个辅助电极2150。
在一些非限制性实例中，装置2400可以包括CPL和/或外耦接层。作为非限制性实例，此类CPL和/或外耦接层可以直接安置在第二电极1040的表面和/或NIC 310的表面上。在一些非限制性实例中，可以跨对应于(子)像素1240/244x的至少一个发射区域2210的横向方面1310提供此类CPL和/或外耦接层。
在一些非限制性实例中，NIC 310还可以充当折射率匹配涂层。在一些非限制性实例中，NIC 310还可以充当外耦接层。
在一些非限制性实例中，装置2400包括封装层。这种封装层的非限制性实例包含玻璃盖、阻隔膜、阻隔粘合剂和/或TFE层2450，如图中虚线所示，用于封装装置2400。在一些非限制性实例中，TFE层2450可以被认为是一种类型的阻隔涂层2050。
在一些非限制性实例中，封装层可以布置在第二电极1040和/或NIC 310中的至少一者上方。在一些非限制性实例中，装置2400包括另外的光学和/或结构层、涂层和组件，包含但不限于偏振器、滤色器、抗反射涂层、防眩光涂层、覆盖玻璃和/或光学透明粘合剂(OCA)。
现在转到图24C，示出了沿图24A中的线24C-24C截取的装置2400的示例截面视图。在图中，装置2400被示出为包括衬底10和形成在其暴露层表面11上的第一电极1020的多个元件。PDL 1340形成在第一电极1020的元件之间的衬底10之上，以在第一电极1020的每个元件之上限定发射区域2210，所述发射区域由包括PDL 1340的非发射区域2220分隔。在图中，发射区域2210以交替方式对应于第一组2441和第三组2443。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层1030沉积在第一电极1020的每个元件上，在周围PDL 1340之间。
在一些非限制性实例中，第二电极1040(在一些非限制性实例中可以是公共阴极1242)可以沉积在第一组2441的发射区域2210之上以形成其R(红色)子像素2441，沉积在第三组2443的发射区域2210之上以形成其B(蓝色)子像素2443和沉积在周围PDL 1340之上。
在一些非限制性实例中，NIC 310跨R(红色)子像素2441的第一组2441和B(蓝色)子像素2443的第三组2443的发射区域2210的横向方面1310选择性地沉积在第二电极1040之上，以允许将沉积层330选择性沉积在基本上缺乏NIC 310的第二电极1040的多个部分之上，即跨包括PDL 1340的非发射区域2220的横向方面1320。在一些非限制性实例中，沉积层330可能趋于沿着PDL 1340的基本上平坦部分积聚，因为沉积层330可能不趋于保留在PDL1340的成角度区段分上，而是趋于下降到涂覆有NIC 310的此类成角度区段分的底部。在一些非限制性实例中，PDL 1340的基本上平坦部分上的沉积层330可以形成可以电耦接到第二电极1040的至少一个辅助电极2150。
现在转到图25，示出了装置1000的示例版本2500，其涵盖图13中以截面视图示出的装置，但具有本文所描述的多个另外的沉积步骤。
在装置2500的第一部301内(其基本上与对应于(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面1310相对应)并且不在装置2500的第二部302内(其基本上对应于围绕第一部301的非发射区域2220的横向方面1320)，装置2500示出了选择性地沉积在底层材料(在图中，为第二电极1040)的暴露层表面11之上的NIC 310。
在一些非限制性实例中，可以使用阴影掩模415选择性地沉积NIC 310。
NIC 310在第一部301内提供具有相对较低的初始粘附概率S0的暴露层表面11，用于此后沉积其上的沉积层330形成辅助电极2150。
在选择性沉积NIC 310之后，沉积层330沉积在装置2500之上，但基本上仅保留在基本上缺乏NIC 310的第二部302内，以形成辅助电极2150。
在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来沉积沉积层330。
辅助电极2150电耦接到第二电极1040以降低第二电极1040的薄层电阻，包含如图所示通过跨基本上缺乏NIC 310的第二部位于第二电极1040上方并与其物理接触。
在一些非限制性实例中，沉积层330可以包括与第二电极1040基本上相同的材料，以确保高初始粘附概率S0用于第二部中的沉积层330。
在一些非限制性实例中，第二电极1040可以包括基本上纯的Mg和/或Mg与另一种金属(包含但不限于Ag)的合金。在一些非限制性实例中，按体积计，Mg：Ag合金组成的范围可以为约1∶9-。在一些非限制性实例中，第二电极1040可以包括金属氧化物，包含但不限于三元金属氧化物，如但不限于ITO和/或IZO和/或金属和/或金属氧化物的组合。
在一些非限制性实例中，用于形成辅助电极2150的沉积层330可以包括基本上纯的Mg。
现在转到图26，示出了装置1000的示例版本2600，其涵盖图13中以截面视图示出的装置，但具有本文所描述的多个另外的沉积步骤。
在装置2600的第一部301内(其基本上与对应于(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面1310的一部分相对应)并且不在第二部302内，装置2600示出了选择性地沉积在底层材料(在图中，为第二电极1040)的暴露层表面11之上的NIC 310。在图中，第一部301可以部分地沿着限定发射区域2210的PDL 1340的成角度区段分的范围延伸。
在一些非限制性实例中，可以使用阴影掩模410选择性地沉积NIC 310。
NIC 310在第一部301内提供具有相对较低的初始粘附概率S0的暴露层表面11，用于此后沉积其上的沉积层330形成辅助电极2150。
在选择性沉积NIC 310之后，沉积层330沉积在装置2600之上，但基本上仅保留在基本上缺乏NIC 310的第二部302内，以形成辅助电极2150。因此，在装置2600中，辅助电极2150可以部分地跨限定发射区域2210的PDL 1340的成角度区段分延伸。
在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来沉积沉积层330。
辅助电极2150电耦接到第二电极1040以降低第二电极1040的薄层电阻，包含如所示出的通过跨基本上缺乏NIC 310的第二部302位于第二电极1040上方并与其物理接触。
在一些非限制性实例中，可以包括第二电极1040的材料对于沉积层330可以不具有高的初始粘附概率S0。
图27展示了此类场景：其中示出了装置1000的示例版本2700，其涵盖图13中以截面视图示出的装置，但具有本文所描述的多个另外的沉积步骤。
装置2700示出了沉积在底层材料(在图中，为第二电极1040)的暴露层表面11之上的NPC 520。
在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来沉积NPC 520。
此后，在装置2700的第一部301内(其基本上与对应于(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面1310的一部分相对应)并且不在装置2700的第二部302内(其基本上对应于围绕第一部301的非发射区域2220的横向方面1320)，NIC 310选择性地沉积在底层材料(在图中，为NPC 520)的暴露层表面11之上。
在一些非限制性实例中，可以使用阴影掩模415选择性地沉积NIC 310。
NIC 310在第一部301内提供具有相对较低的初始粘附概率S0的暴露层表面11，用于此后沉积其上的沉积层330形成辅助电极2150。
在选择性沉积NIC 310之后，沉积层330沉积在装置2700之上，但基本上仅保留在基本上缺乏NIC 310的第二部302内，以形成辅助电极2150。
在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来沉积沉积层330。
辅助电极2150电耦接到第二电极1040以降低其薄层电阻。尽管如图所示，辅助电极2150并不位于第二电极1040的上方并与第二电极物理接触，但相关领域的普通技术人员应当理解，辅助电极2150可以通过许多众所周知的机制电耦接到第二电极1040。作为非限制性实例，NIC 310和/或NPC 520的相对较薄膜(在一些非限制性实例中，至多约50nm)的存在仍可以允许电流穿过，因此允许减小第二电极1040的薄层电阻。
现在转到图28，示出了装置1000的示例版本2800，其涵盖图13中以截面视图示出的装置，但具有本文所描述的多个另外的沉积步骤。
装置2800示出了沉积在底层材料(在图中，为第二电极1040)的暴露层表面11之上的NIC 310。
在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来沉积NIC 310。
NIC 310提供具有相对较低的初始粘附概率S0的暴露层表面11，或此后沉积其上的沉积层330形成辅助电极2150。
在沉积NIC 310之后，在装置2800的NPC部1503内(其基本上对应于围绕装置2800的第二部的非发射区域2220的横向方面1320的一部分，基本上与对应于(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面1310相对应)，NPC 520选择性地沉积在底层材料(在图中，为NIC 310)的暴露层表面11之上。
在一些非限制性实例中，可以使用阴影掩模415选择性地沉积NPC 520。
NPC 520在第一部301内提供具有相对较高的初始粘附概率S0的暴露层表面11，或此后沉积其上的沉积层330形成辅助电极2150。
在选择性沉积NPC 520之后，沉积层330沉积在装置2800之上，但基本上仅保留在NPC部1503内，其中NIC 310已经与NPC 520重叠，以形成辅助电极2150。
在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来沉积沉积层330。
辅助电极2150电耦接到第二电极1040以降低第二电极1040的薄层电阻。
去除选择性涂层
在一些非限制性实例中，可以在沉积沉积层330之后去除NIC 310，使得由NIC 310覆盖的底层材料的先前暴露层表面11的至少一部分可以再次暴露。在一些非限制性实例中，可以通过蚀刻和/或溶解NIC 310和/或通过采用基本上不影响或腐蚀沉积层330的等离子体和/或溶剂处理技术来选择性地去除NIC 310。
现在转到图29A，示出了在沉积阶段3300a处的装置1000的示例版本2900的示例截面视图，在所述阶段中，NIC 310已经被选择性地沉积在底层材料的暴露层表面11的第一部301上。在图中，底层材料可以是衬底10。
在图29B中，装置2900被示出为处于沉积阶段3300b，在所述阶段中，沉积层330被沉积在底层材料的暴露层表面11上，即，在阶段3300a期间已沉积NIC 310的NIC 310的暴露层表面11以及在阶段3300a期间未沉积NIC 310的衬底10的暴露层表面11上。由于安置有NIC 310的第一部301的成核抑制性质，安置在其上的沉积层330趋于不保留，从而导致沉积层330的选择性沉积图案，所述图案对应于第二部302，从而使第一部301基本上缺乏沉积层330。
在图29C中，装置3300被示出为处于沉积阶段3300c处，其中NIC 310已从衬底10的暴露层表面11的第一部301中去除，使得在阶段3300b期间沉积的沉积层330保留在衬底10上并且在阶段3300a期间已经在其上沉积NIC 310的衬底10的区域现在被暴露或未被覆盖。
在一些非限制性实例中，阶段3300c中NIC 310的去除可以通过将装置2900暴露于与NIC 310反应和/或蚀刻掉其而不显著影响沉积层330的溶剂和/或等离子体来实现。
透明OLED
现在转到图30A，示出了总体上以3000示出的装置1000的透射(透明)版本的示例平面视图。在一些非限制性实例中，装置3000是具有多个像素区域3010和多个透射区域3020的AMOLED装置。在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极2150可以沉积在像素区域3010和/或透射区域3020之间的底层材料的暴露层表面11上。
在一些非限制性实例中，每个像素区域3010可以包括多个发射区域2210，每个发射区域对应于子像素244x。在一些非限制性实例中，子像素244x可以分别对应于R(红色)子像素2441、G(绿色)子像素2442和/或B(蓝色)子像素2443。
在一些非限制性实例中，每个透射区域3020基本上是透明的并且允许光穿过其整个截面方面。
现在转到图30B，示出了沿图30A中的线30B-30B截取的装置3000的示例截面视图。在图中，装置3000被示出为包括衬底10、TFT绝缘层1180和形成在TFT绝缘层1180的表面上的第一电极1020。衬底10可以包括基础衬底1012(出于说明的简单性目的而未示出)和/或至少一个TFT结构1100，其对应于并且用于驱动基本上定位在其下方且电耦接至其第一电极1020的每个子像素244x。PDL 1340在非发射区域2220中形成在衬底10之上，以在与其对应的第一电极1020之上限定也对应于每个子像素244x的发射区域2210。PDL 1340覆盖第一电极1020的边缘。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层1030沉积在第一电极1020的暴露区域之上，并且在一些非限制性实例中，沉积在周围PDL 1340的至少多个部分之上。
在一些非限制性实例中，第二电极1040可以沉积在至少一个半导电层1030之上，包含像素区域3010之上以形成其子像素244x，以及在一些非限制性实例中，至少部分地在透射区域3020中的周围PDL 1340之上。
在一些非限制性实例中，NIC 310选择性地沉积在装置3000的第一部301之上，包括像素区域3010和透射区域3020两者但不包括对应于辅助电极2150的第二电极1040的区域，所述区域包括其第二部302。
在一些非限制性实例中，装置3000的整个暴露层表面11然后暴露于一定蒸气通量的沉积材料531，在一些非限制性实例中所述沉积材料可以是Mg。沉积层330选择性地沉积在第二电极1040的基本上缺乏NIC 310的第二部之上以形成辅助电极2150，所述辅助电极电耦接到第二电极1040的未涂覆部分并且在一些非限制性实例中与第二电极的未涂覆部分物理接触。
同时，装置3000的透射区域3020基本上保持缺乏可以基本上影响光穿过其透射的任何材料。具体地说，如图所示，TFT结构1100和第一电极1020定位于其对应的子像素244x下方的截面方面中，并且与辅助电极2150一起位于透射区域3020之外。因此，这些组件不会衰减或透射通过透射区域3020。在一些非限制性实例中，此类布置允许观看者从典型的观看距离观看装置3000以透视装置3000(在一些非限制性实例中，当所有(子)像素1240/244x不发射时)，从而形成透明的AMOLED装置3000。
尽管图中未示出，但在一些非限制性实例中，装置3000可以进一步包括安置在辅助电极2150与第二电极1040之间的NPC 520。在一些非限制性实例中，NPC 520也可以安置在NIC 310与第二电极1040之间。
在一些非限制性实例中，NIC 310可以与至少一个半导电层1030同时形成。作为非限制性实例，用于形成NIC 310的至少一种材料也可以用于形成至少一个半导电层1030。在此类非限制性实例中，可以减少用于制造装置3000的阶段数。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，各种其它层和/或涂层，包含但不限于形成至少一个半导电层1030和/或第二电极1040的层和/或涂层，可以覆盖透射区域3020的一部分，特别是如果此类层和/或涂层基本上是透明的。在一些非限制性实例中，PDL 1340可以具有减小的厚度，包含但不限于，通过在其中形成孔，在一些非限制性实例中，所述孔与针对发射区域2210限定的孔并无不同，以进一步促进通过透射区域3020的光透射。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，可以采用不同于图30A和30B中所示出的布置的(子)像素340/244x布置。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，可以采用不同于图30A和30B中所示出的布置的辅助电极2150的布置。作为非限制性实例，辅助电极2150可以安置在像素区域3010与透射区域3020之间。作为非限制性实例，辅助电极2150可以安置在像素区域3010内的子像素244x之间。
现在转到图31A，示出了总体上以3100示出的装置1000的透明版本的示例平面视图。在一些非限制性实例中，装置3100是具有多个像素区域3010和多个透射区域3020的AMOLED装置。装置3100与装置3000的不同之处在于在像素区域3010和/或透射区域3020之间没有辅助电极2150。
在一些非限制性实例中，每个像素区域3010可以包括多个发射区域2210，每个发射区域对应于子像素244x。在一些非限制性实例中，子像素244x可以分别对应于R(红色)子像素2441、G(绿色)子像素2442和/或B(蓝色)子像素2443。
在一些非限制性实例中，每个透射区域3020基本上是透明的并且允许光穿过其整个截面方面。
现在转到图31B，示出了沿图31A中的线31B-31B截取的装置3100的示例截面视图。在图中，装置3100被示出为包括衬底10、TFT绝缘层1180和形成在TFT绝缘层1180的表面上的第一电极1020。衬底10可以包括基础衬底1012(出于说明的简单性目的而未示出)和/或至少一个TFT结构1100，其对应于并且用于驱动基本上定位在其下方且电耦接至其第一电极1020的每个子像素244x。PDL 1340在非发射区域2220中形成在衬底10之上，以在与其对应的第一电极1020之上限定也对应于每个子像素244x的发射区域2210。PDL 1340覆盖第一电极1020的边缘。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层1030沉积在第一电极1020的暴露区域之上，并且在一些非限制性实例中，沉积在周围PDL 1340的至少多个部分之上。
在一些非限制性实例中，第一沉积层330a可以沉积在至少一个半导电层1030之上，包含像素区域3010之上以形成其子像素244x以及透射区域3020中的周围PDL 1340之上。在一些非限制性实例中，第一沉积层330a的厚度可以是相对较薄的，使得跨透射区域3020的第一沉积层330a的存在基本上不衰减光穿过其的透射。在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来沉积第一沉积层330a。
在一些非限制性实例中，NIC 310选择性地沉积在装置3100的第一部之上，包括透射区域3020。
在一些非限制性实例中，装置3100的整个表面然后暴露于一定蒸气通量的沉积材料531(在一些非限制性实例中所述沉积材料可以是Mg)，以选择性地将第二沉积层330b沉积在第一沉积层330a的基本上缺乏NIC 310的第二部302(在一些实例中，像素区域3010)之上，使得第二沉积层330b电耦接到第一沉积层330a的未涂覆部分并且在一些非限制性实例中与所述第一沉积层的未涂覆部分物理接触，以形成第二电极1040。
在一些非限制性实例中，第一沉积层330a的厚度可以小于第二沉积层330b的厚度。以此方式，在透射区域3020中可以保持相对较高的透射率，只有第一沉积层330a可以在所述透射区域之上延伸。在一些非限制性实例中，第一沉积层330a的厚度可以小于约：30nm、25nm、20nm、15nm、10nm、8nm和/或5nm。在一些非限制性实例中，第二沉积层330b的厚度可以小于约：30nm、25nm、20nm、15nm、10nm或8nm。
因此，在一些非限制性实例中，第二电极1040的厚度可以小于约40nm和/或在一些非限制性实例中，介于约：5-30nm、10-25nm或15-25nm之间。
在一些非限制性实例中，第一沉积层330a的厚度可以大于第二沉积层330b的厚度。在一些非限制性实例中，第一沉积层330a的厚度和第二沉积层330b的厚度可以基本上相同。
在一些非限制性实例中，用于形成第一沉积层330a的至少一种沉积材料531可以与用于形成第二沉积层330b的至少一种沉积材料531基本上相同。在一些非限制性实例中，此类至少一种沉积材料531可以基本上如本文关于第一电极1020、第二电极1040、辅助电极2150和/或其沉积层330所描述的。
在一些非限制性实例中，装置3100的透射区域3020基本上保持缺乏可以基本上影响光穿过其透射的任何材料。具体地说，如图所示，TFT结构1100和/或第一电极1020定位于其对应的子像素244x下方的截面方面中，并且在透射区域3020之外。因此，这些组件不会衰减或透射通过透射区域3020。在一些非限制性实例中，此类布置允许观看者从典型的观看距离观看装置3100以透视装置3100(在一些非限制性实例中，当所有(子)像素340/244x不发射时)，从而形成透明的AMOLED装置3100。
尽管图中未示出，但在一些非限制性实例中，装置3100可以进一步包括安置在第二沉积层330b与第一沉积层330a之间的NPC 520。在一些非限制性实例中，NPC 520也可以安置在NIC 310与第一沉积层330a之间。
在一些非限制性实例中，NIC 310可以与至少一个半导电层1030同时形成。作为非限制性实例，用于形成NIC 310的至少一种材料也可以用于形成至少一个半导电层1030。在此类非限制性实例中，可以减少用于制造装置3100的阶段数。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，各种其它层和/或涂层，包含但不限于形成至少一个半导电层1030和/或第一沉积层330a的层和/或涂层，可以覆盖透射区域3020的一部分，特别是如果此类层和/或涂层基本上是透明的。在一些非限制性实例中，PDL 1340可以具有减小的厚度，包含但不限于，通过在其中形成孔，在一些非限制性实例中，所述孔与针对发射区域2210限定的孔并无不同，以进一步促进通过透射区域3020的光透射。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，可以采用不同于图31A和31B中所示出的布置的(子)像素1240/244x布置。
现在转到图31C，示出了沿图31A中的相同线31B-31B截取的装置1000的不同版本(示出为装置3110)的示例截面视图。在图中，装置3110被示出为包括衬底10、TFT绝缘层1180和形成在TFT绝缘层1180的表面上的第一电极1020。衬底10可以包括基础衬底1012(出于说明的简单性目的而未示出)和/或至少一个TFT结构1100，其对应于并且用于驱动基本上定位在其下方且电耦接至其第一电极1020的每个子像素244x。PDL 1340在非发射区域2220中形成在衬底10之上，以在与其对应的第一电极1020之上限定也对应于每个子像素244x的发射区域2210。PDL 1340覆盖第一电极1020的边缘。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层1030沉积在第一电极1020的暴露区域之上，并且在一些非限制性实例中，沉积在周围PDL 1340的至少多个部分之上。
在一些非限制性实例中，NIC 310选择性地沉积在装置3110的第一部301之上，包括透射区域3020。
在一些非限制性实例中，沉积层330可以沉积在至少一个半导电层1030之上，包含像素区域3010之上以形成其子像素244x但不在透射区域3020中的周围PDL 1340之上。在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来沉积第一沉积层330a。在一些非限制性实例中，此类沉积可以通过以下步骤来实现：将装置3110的整个暴露层表面11暴露于一定蒸气通量的沉积材料531(在一些非限制性实例中，所述沉积材料可以是Mg)，以选择性地将沉积层330沉积在至少一个半导电层1030的基本上缺乏NIC 310的第二部(在一些实例中，像素区域3010)之上，使得沉积层330沉积在至少一个半导电层1030上以形成第二电极1040。
在一些非限制性实例中，装置3110的透射区域3020基本上保持缺乏可以基本上影响光穿过其透射的任何材料。具体地说，如图所示，TFT结构1100和/或第一电极1020定位于其对应的子像素244x下方的截面方面中，并且在透射区域3020之外。因此，这些组件不会衰减或透射通过透射区域3020。在一些非限制性实例中，此类布置允许观看者从典型的观看距离观看装置3110以透视装置3110(在一些非限制性实例中，当所有(子)像素1240/244x不发射时)，从而形成透明的AMOLED装置3110。
通过提供没有和/或基本上缺乏任何沉积层330的透射区域3020，在一些非限制性实例中，通过与图31B的装置3100相比，在此类区域中的透射率可以通过非限制性实例有利地增强。
尽管图中未示出，但在一些非限制性实例中，装置3110可以进一步包括安置在沉积层330与至少一个半导电层1030之间的NPC 520。在一些非限制性实例中，NPC 520也可以安置在NIC 310与PDL 1340之间。
在一些非限制性实例中，NIC 310可以与至少一个半导电层1030同时形成。作为非限制性实例，用于形成NIC 310的至少一种材料也可以用于形成至少一个半导电层1030。在此类非限制性实例中，可以减少用于制造装置3110的阶段数。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，各种其它层和/或涂层，包含但不限于形成至少一个半导电层1030和/或沉积层330的层和/或涂层，可以覆盖透射区域3020的一部分，特别是如果此类层和/或涂层基本上是透明的。在一些非限制性实例中，PDL1340可以具有减小的厚度，包含但不限于，通过在其中形成孔，在一些非限制性实例中，所述孔与针对发射区域2210限定的孔并无不同，以进一步促进通过透射区域3020的光透射。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，可以采用不同于图31A和31C中所示出的布置的(子)像素1240/244x布置。
在发射区域之上选择性地沉积导电涂层
如上文所讨论的，跨(子)像素1240/244x的发射区域2210的横向方面1310和在其中调制电极1020、1040、2150和/或汇流条5050的厚度可以影响可观察到的微腔效应。在一些非限制性实例中，通过在对应于像素区域3010中不同子像素244x的发射区域2210的横向方面1310中沉积如NIC 310和/或NPC 520等至少一个图案化涂层410而选择性沉积至少一个沉积层330可以允许控制和/或调制每个发射区域2210中的光学微腔效应以优化基于子像素244x的期望光学微腔效应，包含但不限于发射光谱、发光强度和/或发射光的亮度和/或色移的角度依赖性。
可以通过彼此独立地调制安置在子像素244x的每个发射区域2210中的如NIC 310和/或NPC 520等图案化涂层410的厚度来控制此类作用。作为非限制性实例，安置在B(蓝色)子像素2443之上的NIC 310的厚度可以小于安置在G(绿色)子像素2442之上的NIC 310的厚度，并且安置在G(绿色)子像素2442之上的NIC的厚度可以小于安置在R(红色)子像素2441之上的NIC 310的厚度。
在一些非限制性实例中，可以通过独立地调制图案化涂层410的厚度以及沉积在子像素244x的每个发射区域2210的部分中的沉积层330的厚度来更大程度地控制此类作用。
此类机制在图32A-32D的示意图中展示。这些图展示了制造总体上以3200示出的装置1000的示例版本的各个阶段。
图32A示出了制造装置3200的阶段3210。在阶段3210中，可以提供衬底10。衬底10包括第一发射区域2210a和第二发射区域2210b。在一些非限制性实例中，第一发射区域2210a和/或第二发射区域2210b可以被至少一个非发射区域2220a-2220c围绕和/或间隔开。在一些非限制性实例中，第一发射区域2210a和/或第二发射区域2210b可以各自对应于(子)像素1240/244x。
图32B示出了制造装置3200的阶段3220。在阶段3220中，第一沉积层330a沉积在底层材料(在此情况下，衬底10)的暴露层表面11上。第一沉积层330a跨第一发射区域2210a和第二发射区域2210b沉积。在一些非限制性实例中，第一沉积层330a跨非发射区域2220a-2220c中的至少一个非发射区域沉积。
在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来沉积第一沉积层330a。
图32C示出了制造装置3200的阶段3230。在阶段3230中，NIC 310选择性地沉积在第一沉积层330a的第一部301之上。如图所示，在一些非限制性实例中，NIC 310跨第一发射区域2210a沉积，而在一些非限制性实例中，跨第二发射区域2210b沉积和/或在一些非限制性实例中，非发射区域2220a-2220c中的至少一个非发射区域基本上缺乏NIC 310。
图32D示出了制造装置3200的阶段3240。在阶段3240中，第二沉积层330b可以跨装置3200的基本上缺乏NIC 310的那些第二部302沉积。在一些非限制性实例中，第二沉积层330b可以跨第二发射区域2210b和/或在一些非限制性实例中，跨非发射区域2220a-2220c中的至少一个非发射区域沉积。
相关领域的普通技术人员应当理解，图32D中所示出的并且结合图4-5B、15A-15B和/或16A-16C中的任何一个或多个图详细描述的蒸发工艺(尽管出于说明的简单性目的而未示出)可以同样地沉积在图32A-32C中描述的任何一个或多个前述阶段中。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，装置3200的制造可以涵盖出于说明的简单性而未示出的另外的阶段。此类另外的阶段可以包含但不限于沉积一个或多个0NIC 310、沉积一个或多个NPC 520、沉积一个或多个另外的沉积层330、沉积外耦接涂层和/或封装装置3200。
相关领域的普通技术人员应当理解，尽管已经结合第一发射区域2210a和第二发射区域2210b描述和展示了装置3200的制造，但在一些非限制性实例中，由此推导出的原理可以同样沉积在具有两个以上发射区域1910的装置的制造上。
在一些非限制性实例中，此类原理可以沉积在针对对应于子像素244x的发射区域2210具有不同厚度的沉积层330，在一些非限制性实例中，所述子像素在OLED显示装置1000具有不同的发射光谱。在一些非限制性实例中，第一发射区域2210a可以对应于被配置成发射具有第一波长和/或发射光谱的光的子像素244x和/或在一些非限制性实例中，第二发射区域2210b可以对应于被配置成发射具有第二波长和/或发射光谱的光的子像素244x。在一些非限制性实例中，装置3200可以包括第三发射区域2210c(图33A)，所述第三发射区域可以对应于被配置成发射具有第三波长和/或发射光谱的光的子像素244x。
在一些非限制性实例中，第一波长可以小于、大于和/或等于第二波长和/或第三波长中的至少一者。在一些非限制性实例中，第二波长可以小于、大于和/或等于第一波长和/或第三波长中的至少一者。在一些非限制性实例中，第三波长可以小于、大于和/或等于第一波长和/或第二波长中的至少一者。
在一些非限制性实例中，装置3200还可以包括至少一个另外的发射区域2210(未示出)，在一些非限制性实例中，所述发射区域可以被配置成发射具有与第一发射区域2210a、第二发射区域2210b和/或第三发射区域2210c中的至少一者基本上相同的波长和/或发射光谱的光。
在一些非限制性实例中，可以使用阴影掩模415选择性地沉积NIC 310，所述阴影掩模还可以用于沉积第一发射区域2210a的至少一个半导电层1030。在一些非限制性实例中，阴影掩模415的此类共享使用可以允许以成本有效的方式针对每个子像素244x调整光学微腔效应。
使用此类机制来创建具有给定像素1240的子像素244x的装置1000的示例版本3300，其具有调制的微腔效应，描述于图33A-33D中描述的任何一个或多个前述阶段中。
在图33A中，装置3300的制造的阶段3310被示出为包括衬底10、TFT绝缘层1180和形成在TFT绝缘层1180的表面上的多个第一电极1020a-1020c。
衬底10可以包括基础衬底1012(出于说明的简单性目的而未示出)和/或至少一个TFT结构1100a-1100c，其对应于并且用于驱动发射区域2210a-2210c，所述发射区域各自具有相应的子像素244x、基本上定位在其下方且电耦接至其相关联的第一电极1020a-1020c。PDL 1340a-1340d形成在衬底10之上，以限定发射区域2210a-2210c。PDL 1340a-1340d覆盖它们相应的第一电极1020a-1020c的边缘。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层1030a-1030c沉积在其相应的第一电极1020a-1020c的暴露区域之上，并且在一些非限制性实例中，沉积在周围PDL 1340a-1340d的至少多个部分之上。
在一些非限制性实例中，第一沉积层330a可以沉积在至少一个半导电层1030a-1030c之上。在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来沉积第一沉积层330a。在一些非限制性实例中，此类沉积可以通过以下步骤来实现：将装置3300的整个暴露层表面11暴露于一定蒸气通量的沉积材料531(在一些非限制性实例中，所述沉积材料可以是Mg)，以在至少一个半导电层1030a-1030c之上沉积第一沉积层330a以形成第二电极1040a的第一层(未示出)，所述第二电极在一些非限制性实例中可以是公共电极，至少对于第一发射区域2210a。此类公共电极在第一发射区域2210a中具有第一厚度tc1。第一厚度tc1可以对应于第一沉积层330a的厚度。
在一些非限制性实例中，第一NIC 310a选择性地沉积在装置3300的第一部301之上，包括第一发射区域2210a。
在一些非限制性实例中，第二沉积层330b可以沉积在装置3300之上。在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来沉积第二沉积层330b。在一些非限制性实例中，此类沉积可以通过以下步骤来实现：将装置3300的整个暴露层表面11暴露于一定蒸气通量的沉积材料531(在一些非限制性实例中，所述沉积材料可以是Mg)，以在基本上缺乏第一NIC 310a的第一沉积层330a(在一些实例中，第二和第三发射区域2210b、2210c和/或PDL 1340a-1340d所在的非发射区域2220的至少多个部分)之上沉积第二沉积层330b，使得第二沉积层330b沉积在第一沉积层330a的基本上缺乏第一NIC 310a的第二部302上以形成第二电极1040b的第二层(未示出)，所述第二电极在一些非限制性实例中可以是公共电极，至少对于第二发射区域2210b。此类公共电极在第二发射区域2210b中具有第二厚度tc2。第二厚度tc2可以对应于第一沉积层330a和第二沉积层330b的组合厚度并且在一些非限制性实例中可以大于第一厚度tc1。
在图33B中，示出了装置3300的制造阶段3320。
在一些非限制性实例中，第二NIC 310b选择性地沉积在装置3300的另外的第一部301之上，包括第二发射区域2210b。
在一些非限制性实例中，第三沉积层330c可以沉积在装置3300之上。在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来沉积第三沉积层330c。在一些非限制性实例中，此类沉积可以通过以下步骤来实现：将装置3300的整个暴露层表面11暴露于一定蒸气通量的沉积材料531(在一些非限制性实例中，所述沉积材料可以是Mg)，以在基本上缺乏第一NIC 310a或第二NIC 310b的第二沉积层330b(在一些实例中，第三发射区域2210c和/或PDL 1340a-1340d所在的非发射区域2220的至少多个部分)之上沉积第三沉积层330c，使得第三沉积层330c沉积在第二沉积层330b的基本上缺乏第二NIC 310b的另外的第二部302上以形成第二电极1040c的第三层(未示出)，所述第二电极在一些非限制性实例中可以是公共电极，至少对于第三发射区域2210c。此类公共电极在第三发射区域2210c中具有第三厚度tc3。第三厚度tc3可以对应于第一沉积层330a、第二沉积层330b和第三沉积层330c的组合厚度并且在一些非限制性实例中可以大于第一厚度tc1和第二厚度tc2中的一者或两者。
在图33C中，示出了装置3300的制造阶段3330。
在一些非限制性实例中，第三NIC 310c选择性地沉积在装置3300的另外的第一部301之上，包括第三发射区域2210b。
在图33D中，示出了装置3300的制造阶段3340。
在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极2150安置在装置3300的其相邻发射区域2210a-2210c之间的非发射区域2220中，并且在一些非限制性实例中，安置在PDL 1340a-1340d之上。在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来沉积用于沉积至少一个辅助电极2150的沉积层330。在一些非限制性实例中，此类沉积可以通过以下步骤来实现：将装置3300的整个暴露层表面11暴露于一定蒸气通量的沉积材料531(在一些非限制性实例中，所述沉积材料可以是Mg)，以在基本上缺乏第一NIC 310a、第二NIC310b和/或第三NIC 310c的第一沉积层330a、第二沉积层330b和第三沉积层330c的暴露部分之上沉积沉积层330，使得沉积层330沉积在另外的第二部302上以形成至少一个辅助电极2150，所述另外的第二部包括第一沉积层330a、第二沉积层330b和/或第三沉积层330c的基本上缺乏第一NIC 310a、第二NIC 310b和/或第三NIC 310c中的任何一个的暴露部分。至少一个辅助电极2150中的每个辅助电极电耦接到第二电极1040a-1040c中的相应一个第二电极。在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极2150中的每个辅助电极与此类第二电极1040a-1040c物理接触。
在一些非限制性实例中，第一发射区域2210a、第二发射区域2210b和第三发射区域2210c可以基本上缺乏用于形成至少一个辅助电极2150的材料。
在一些非限制性实例中，第一沉积层330a、第二沉积层330b和/或第三沉积层330c中的至少一者可以在电磁光谱的可见波长范围的至少一部分中是透射的和/或基本上透明的。因此，如果第二沉积层330b和/或第三沉积层330a(和/或任何另外的沉积层330)安置在第一沉积层330a的顶部上以形成多涂层电极1020、1040、2150和/或汇流条5050，所述多涂层电极在电磁光谱的可见波长范围的至少一部分中也可以是透射的和/或基本上透明的。在一些非限制性实例中，第一沉积层330a、第二沉积层330b、第三沉积层330c、任何另外的沉积层330和/或多涂层电极1020、1040、2150和/或汇流条5050在可见光谱的至少一部分中的透射率可以大于约：30％、40％、45％、50％、60％、70％、75％或80％。
在一些非限制性实例中，可以将第一沉积层330a、第二沉积层330b和/或第三沉积层330c的厚度做得相对较薄，以维持相对较高的透射率。在一些非限制性实例中，第一沉积层330a的厚度可以介于约：5-30nm、8-25nm或10-20nm之间。在一些非限制性实例中，第二沉积层330b的厚度可以介于约：1-25nm、1-20nm、1-15nm、1-10nm或3-6nm之间。在一些非限制性实例中，第三沉积层330c的厚度可以介于约：1-25nm、1-20nm、1-15nm、1-10nm或3-6nm之间。在一些非限制性实例中，由第一沉积层330a、第二沉积层330b、第三沉积层330c和/或任何另外的沉积层330的组合形成的多层涂层电极的厚度可以介于约：6-35nm、10-30nm、10-25nm或12-18nm之间。
在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极2150的厚度可以大于第一沉积层330a、第二沉积层330b、第三沉积层330c和/或公共电极的厚度。在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极2150的厚度可以大于约：50nm、80nm、100nm、150nm、200nm、300nm、400nm、500nm、700nm、800nm、1μm、1.2μm、1.5μm、2μm、2.5μm或3μm。
在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极2150可以是基本上非透明和/或不透明的。然而，在一些非限制性实例中，由于至少一个辅助电极2150可以设置在装置3300的非发射区域2220中，所以至少一个辅助电极2150可能不会引起或促成显著的光学干涉。在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极2150在可见光谱的至少一部分中的透射率可以小于约：50％、70％、80％、85％、90％或95％。
在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极2150可以吸收可见光谱的至少一部分中的光。
在一些非限制性实例中，分别安置在第一发射区域2210a、第二发射区域2210b和/或第三发射区域2210c中的第一NIC 310a、第二NIC 310b和/或第三NIC 310c的厚度可以根据由美国发射区域2210a-2210c发射的光的颜色和/或发射光谱而变化。如图33C-33D所示出的，第一NIC 310a可以具有第一NIC厚度tn1，第二NIC 310b可以具有第二NIC厚度tn2和/或第三NIC 310c可以具有第三NIC厚度tn3。在一些非限制性实例中，第一NIC厚度tn1、第二NIC厚度tn2和/或第三NIC厚度tn3可以彼此基本上相同。在一些非限制性实例中，第一NIC厚度tn1，、第二NIC厚度tn2和/或第三NIC厚度tn3可以彼此不同。
在一些非限制性实例中，装置3300还可以包括任何数量的发射区域2210a-2210c和/或其(子)像素1240/244x。在一些非限制性实例中，装置可以包括多个像素1240，其中每个像素1240包括两个、三个或更多个(子)像素244x。
相关领域的普通技术人员应当理解，(子)像素1240/244x的具体布置可以根据装置设计而变化。在一些非限制性实例中，子像素244x可以根据已知的布置方案来布置，包含但不限于RGB并排、菱形和/或
Figure BDA0004113842510000961
用于将电极电耦接到辅助电极的导电涂层
转到图34，示出了装置1000的示例版本3400的截面视图。装置3400在横向方面包括发射区域2210和邻近的非发射区域2220。
在一些非限制性实例中，发射区域2210对应于装置3400的子像素244x。发射区域2210具有衬底10、第一电极1020、第二电极1040和布置在它们之间的至少一个半导电层1030。
第一电极1020安置于衬底10的暴露层表面11上。衬底10包括电耦接到第一电极1020的TFT结构1100。第一电极1020的边缘和/或周界通常被至少一个PDL 1340覆盖。
非发射区域2220具有辅助电极2150，并且非发射区域2220的第一部分具有突出结构3460，所述突出结构被布置成突出并重叠在辅助电极2150的横向方面之上。突出结构3460可以横向延伸以提供屏障区域3465。作为非限制性实例，突出结构3460可以在辅助电极2150处和/或附近至少一侧凹陷，以提供屏障区域3465。如图所示，在一些非限制性实例中，屏障区域3465可以对应于与突出结构3460的横向突出重叠的PDL 1340的表面上的区域。非发射区域2220进一步包括安置在屏障区域3465中的沉积层330。沉积层330将辅助电极2150与第二电极1040电耦接。
NIC 310a安置在第二电极1040的暴露层表面11之上的发射区域2210中。在一些非限制性实例中，突出结构3460的暴露层表面11涂覆有来自薄导电膜的沉积的残余薄导电膜3440以形成第二电极1040。在一些非限制性实例中，残余薄导电膜3440的表面涂覆有来自NIC 310的沉积的残余NIC 310b。
然而，由于突出结构3460在屏障区域3465之上的横向突出，因此屏障区域3465基本上缺乏NIC 310。因此，当在沉积NIC 310之后在装置3400上沉积沉积层330时，沉积层330沉积在和/或迁移到屏障区域3465以将辅助电极2150耦接到第二电极1040。
相关领域的普通技术人员应当理解，图34中示出了非限制性实例并且各种修改可能是显而易见的。作为非限制性实例，突出结构3460可以沿着其侧边中的至少两个提供屏障区域3465。在一些非限制性实例中，可以省略突出结构3460并且辅助电极2150可以包含限定屏障区域3465的凹陷部分。在一些非限制性实例中，辅助电极2150和沉积层330可以直接安置在衬底10的表面上，而不是PDL 1340。
光学涂层的选择性沉积
在一些非限制性实例中，在一些非限制性实例中可以是光电子装置的装置(未示出)包括衬底10、NIC 310和光学涂层。NIC 310覆盖衬底10的第一横向部301。光学涂层覆盖衬底的第二横向部302。NIC 310的至少一部分基本上缺乏光学涂层的封闭涂层340。
在一些非限制性实例中，光学涂层可以用于调制由装置透射、发射和/或吸收的光的光学性质，包含但不限于离激元模式。作为非限制性实例，光学涂层可以用作滤光器、折射率匹配涂层、光学外耦接涂层、散射层、衍射光栅和/或其一部分。
在一些非限制性实例中，光学涂层可以用于通过但不限于调整总光路长度和/或其折射率来调制装置中的至少一种光学微腔效应。通过调制至少一种光学微腔效应，包含但不限于输出光，包含但不限于亮度和/或其色移的角度依赖性，可以影响装置的至少一种光学性质。在一些非限制性实例中，光学涂层可以是非电气组件，即，光学涂层可以不被配置成在正常装置操作期间传导和/或传输电流。
在一些非限制性实例中，光学涂层可以由用作沉积层330的任何材料和/或采用如本文所描述的沉积沉积层330的任何机制形成。
NIC和沉积层的边缘效应
图35A-35I描述了NIC 310在具有沉积层330的沉积界面处的各种潜在行为。
转到图35A，示出了在NIC沉积边界处的装置1000的示例版本3500一部分的第一实例。装置3500包括具有暴露层表面11的衬底10。NIC 310沉积在暴露层表面11的第一部301之上。沉积层330沉积在暴露层表面11的第二部302之上。如图所示，作为非限制性实例，第一部301和第二部302是暴露层表面11的不同且非重叠的部分。
沉积层330包括第一部分330a和其余部分330b。如图所示，作为非限制性实例，沉积层330的第一部分330a基本上覆盖第二部302并且沉积层330的第二部分330b部分地突出和/或重叠在NIC 310的第一部分之上。
在一些非限制性实例中，由于NIC 310形成为使得其暴露层表面11针对沉积材料531的沉积展现出相对较低的初始粘附概率S0，因此在沉积层330的突出和/或重叠的第二部分330b与NIC 310的暴露层表面11之间形成间隙3529。因此，第二部分330b不与NIC 310物理接触，而是在截面方面通过间隙3529与其间隔开。在一些非限制性实例中，沉积层330的第一部分330a可以在第一部301与第二部302之间的界面和/或边界处与NIC 310物理接触。
在一些非限制性实例中，沉积层330的突出和/或重叠的第二部分330b可以以与沉积层330的厚度t1相当的程度在NIC 310之上横向延伸。作为非限制性实例，如图所示，第二部分330b的宽度w2可以与厚度t1相当。在一些非限制性实例中，w2.·t1的比率的范围可以介于约：1∶1-1∶3、1∶1-1∶1.5或1∶1-1∶2之间。尽管在一些非限制性实例中，跨沉积层330的厚度t1可以相对较均匀，但在一些非限制性实例中，第二部分330b突出和/或与NIC 310重叠的程度(即w2)可以跨暴露层表面11的不同部分改变到一定程度。
现在转到图35B，沉积层330被示出为包含安置在第二部分330b与NIC 310之间的第三部分330c。如图所示，沉积层330的第二部分330b可以在沉积层330的第三部分330c之上横向延伸并与其间隔开，并且第三部分330c可以与NIC 310的暴露层表面11物理接触。沉积层330的第三部分330c的厚度t3可以小于并且在一些非限制性实例中，显著小于其第一部分330a的厚度t1。在一些非限制性实例中，第三部分330c的宽度w3可以大于第二部分330b的宽度w2。在一些非限制性实例中，第三部分330c可以横向延伸以与第二部分330b相比，与NIC 310的重叠程度更大。在一些非限制性实例中，w3.∶t1的比率的范围可以为约：1∶2-3∶1或1∶1.2-2.5∶1。尽管在一些非限制性实例中，跨沉积层330的厚度t1可以相对较均匀，但在一些非限制性实例中，第三部分330c突出和/或与NIC 310重叠的程度(即w3)可以跨暴露层表面11的不同部分改变到一定程度。
第三部分330c的厚度t3可以不大于和/或小于第一部分330a的厚度t3的约5％。作为非限制性实例，t3可以小于约：t1的4％、3％、2％、1％或0.5％。代替和/或除了形成为薄膜的第三部分330c外，沉积层330的材料可以在NIC 310的一部分上形成为颗粒结构941。作为非限制性实例，此类颗粒结构941可以包括彼此物理分离的特征，使得岛和/或簇不形成连续层。
现在转到图35C，NPC 520安置在衬底10与沉积层330之间。NPC 520安置在沉积层330的第一部分330a与衬底10的第二部302之间。NPC 520被示出为安置在第二部302上而不是第一部301上，其中已经沉积了NIC 310。NPC 520可以形成为使得，在NPC 520与沉积层330之间的界面和/或边界处，NPC 520的表面针对沉积材料531的沉积展现出相对较高的初始粘附概率S0。因此，NPC 520的存在可以促进沉积期间沉积层330的形成和/或生长。
现在转到图35D，NPC 520安置在衬底10的第一部301和第二部302两者上，并且NIC310覆盖安置在第一部301上的NPC 520的一部分。NPC 520的另一部分基本上缺乏NIC 310并且沉积层330覆盖NPC 520的此部分。
现在转到图35E，沉积层330被示出为在衬底10的第三部3530中部分地重叠NIC310的一部分。在一些非限制性实例中，除了第一部分330a和第二部分330b外，沉积层330进一步包含第四部分330d。如图所示，沉积层330的第四部分330d安置在沉积层330的第一部分330a与第二部分330b之间，并且第四部分330d可以与NIC 310的暴露层表面11物理接触。在一些非限制性实例中，第三部分3530中的重叠可以是由于沉积层330在开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺期间的横向生长而形成的。在一些非限制性实例中，尽管NIC 310的暴露层表面11针对沉积材料531的沉积可以展现出相对较低的初始粘附概率S0，并且因此材料使暴露层表面11成核的概率低，但随着沉积层330的厚度增加，沉积层330也可以横向生长并且可以覆盖NIC 310的子集，如图所示。
现在转到图35F，衬底10的第一部301涂覆有NIC 310，并且与其相邻的第二部302涂覆有沉积层330。在一些非限制性实例中，已经观察到，进行沉积层330的开放式掩模600和/或无掩模沉积可能产生在沉积层330与NIC 310之间的界面处和/或附近展现锥形截面轮廓的沉积层330。
在一些非限制性实例中，界面处和/或附近的沉积层330的厚度可以小于沉积层330的平均厚度。尽管在一些非限制性实例中此类锥形轮廓被示出为弯曲和/或拱形的，但所述轮廓在一些非限制性实例中可以是基本上线性和/或非线性的。作为非限制性实例，沉积层330的厚度可以在接近界面的区域中以不限于基本上线性、指数和/或二次方的方式减小。
已经观察到，沉积层330在沉积层330与NIC 310之间的界面处和/或附近的接触角θc可以根据如相对初始粘附概率S0等NIC 310的性质而变化。进一步假设，在一些非限制性实例中核的接触角θc可能决定通过沉积形成的沉积层330的薄膜接触角。参照图35F，作为非限制性实例，接触角θc可以通过测量在沉积层330与NIC 310之间的界面处或附近的沉积层330的切线的斜率来确定。在沉积层330的截面锥形轮廓基本上是线性的一些非限制性实例中，接触角θc可以通过在界面处和/或附近测量沉积层330的斜率来确定。如相关领域的普通技术人员应当理解的，接触角θc通常可以相对于底层表面的角度来测量。在本公开中，出于说明的简单性目的，NIC 310和沉积层330被示出为沉积在平坦表面上。然而，相关领域的普通技术人员应当理解，NIC 310和沉积层330可以沉积在非平坦表面上。
在一些非限制性实例中，沉积层330的接触角θc可以大于约90°。现在参考图35G，作为非限制性实例，沉积层330被示出为包含延伸经过NIC 310与沉积层330之间的界面的一部分，并且通过间隙3529与NIC间隔开。在此类非限制性情况下，接触角θc在一些非限制性实例中超过90°。
在一些非限制性实例中，形成展现相对较高接触角θc的沉积层330可能是有利的。作为非限制性实例，接触角θc可以大于约：10°、15°、20°、25°、30°、35°、40°、50°、70°、75°或80°。作为非限制性实例，具有相对较高接触角θc的沉积层330可以允许创建精细图案化的特征，同时保持相对较高的纵横比。作为非限制性实例，可能有一个目标是，形成展现出大于约90°的接触角θc的沉积层330。作为非限制性实例，接触角θc可以大于约：90°、95°、100°、105°、110°120°、130°、135°、140°、145°、150°或170°。
转到图35H-35I，沉积层330部分地与衬底10的第三部3530中的NIC 310的一部分重叠，所述一部分安置在其第一部301与第二部302之间。如图所示，部分地与NIC 310的子集重叠的沉积层330的子集可以与其暴露层表面11物理接触。在一些非限制性实例中，第三区域3130中的重叠可以是由于沉积层330在开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺期间的横向生长而形成的。在一些非限制性实例中，尽管NIC 310的暴露层表面11针对沉积材料531的沉积可以展现出相对较低的亲和力或初始粘附概率S0，并且因此材料使暴露层表面11成核的概率低，但随着沉积层330的厚度增加，沉积层330也可以横向生长并且可以覆盖NIC310的子集。
在图35H-35I的情况下，沉积层330的接触角θc可以在沉积层与NIC 310之间的界面附近的其边缘处测量，如图所示。在图351中，接触角θc可以大于约90°，这在一些非限制性实例中可以导致沉积层330的子集与NIC 310间隔开间隙3529。
隔板和凹槽
转到图36，示出了装置1000的示例版本3600的截面视图。装置3600包括具有暴露层表面11的衬底10。衬底10包括至少一个TFT结构1100。作为非限制性实例，在一些非限制性实例中，如本文所述，至少一个TFT结构1100可以通过在制造衬底10时沉积和图案化一系列薄膜来形成。
在横向方面，装置3600包括具有相关联的横向方面1310的发射区域2210和至少一个相邻的非发射区域2220，每个非发射区域都具有相关联的横向方面1320。发射区域2210中的衬底10的暴露层表面11可以设置有第一电极1020，其电耦接到至少一个TFT结构1100。PDL 1340可以设置在暴露层表面11上，使得PDL 1340覆盖暴露层表面11以及第一电极1020的至少一个边缘和/或周边。在一些非限制性实例中，PDL 1340可以设置在非发射区域2220的横向方面1320中。PDL 1340限定提供开口的谷形配置，所述开口通常对应于发射区域2210的横向方面1310，通过所述开口可以暴露第一电极1020的层表面。在一些非限制性实例中，装置3600可以包括由PDL 400限定的多个这样的开口，每个开口可以对应于装置3600的(子)像素1240/244x区域。
如图所示，在一些非限制性实例中，隔板3621可以设置在非发射区域2220的横向方面1320中的暴露层表面11上，并且如本文所述，限定屏障区域3465，如凹槽3622。在一些非限制性实例中，凹槽3622可以由隔板3621的下部区段3723(图37A)的边缘相对于隔板3621的上部区段3724(图37A)的边缘凹陷、交错和/或偏移而形成，所述隔板重叠和/或突出到凹槽3622之外。
在一些非限制性实例中，发射区域2210的横向方面1310包括安置在第一电极1020之上的至少一个半导电层1030、安置在所述至少一个半导电层1030之上的第二电极1040，以及安置在所述第二电极1040之上的NIC 310。在一些非限制性实例中，至少一个半导电层1030、第二电极1040和NIC 310可以横向延伸以至少覆盖至少一个相邻的非发射区域2220的一部分的横向方面1320。在一些非限制性实例中，如图所示，至少一个半导电层1030、第二电极1040和NIC 310可以安置在至少一个PDL 1340的至少一部分上以及隔板3621的至少一部分上。因此，如图所示，发射区域2210的横向方面1310、至少一个相邻非发射区域2220的一部分的横向方面1320和至少一个PDL 1340的一部分以及隔板3621的至少一部分在一起可以构成第一部301，其中第二电极1040位于NIC 310和至少一个半导电层1030之间。
辅助电极2150被安置成靠近凹槽3622和/或位于凹槽内，并且沉积层330可以被布置成将辅助电极2150电耦接到第二电极1040。因此，如图所示，凹槽3622可以包括第二部302，其中沉积层330安置在暴露层表面11上。
现在描述用于制造装置3600的方法的非限制性实例。
在一个阶段中，所述方法提供衬底10和至少一个TFT结构1100。在一些非限制性实例中，用于形成至少一个半导电层1030的材料中的至少一些材料可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺进行沉积，使得材料沉积在发射区域2210的横向方面1310和/或至少一个非发射区域2220的至少一部分的横向方面1320中和/或跨所述横向方面沉积。相关领域的普通技术人员将理解，在一些非限制性实例中，以减少对图案化沉积的任何依赖的方式沉积至少一个半导电层1030可能是合适的，这在一些非限制性实例中是使用FMM 415执行的。
在一个阶段中，所述方法在至少一个半导电层1030之上沉积第二电极1040。在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来沉积第二电极1040。在一些非限制性实例中，第二电极1040可以通过以下步骤来沉积：使安置在发射区域2210的横向方面1310和/或至少一个非发射区域2220的至少一部分的横向方面1320中的至少一个半导电层1030的暴露层表面11经受用于形成第二电极130的材料的蒸发通量。
在一个阶段中，所述方法在第二电极1040之上沉积NIC 310。在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来沉积NIC 310。在一些非限制性实例中，NIC 310可以通过以下步骤来沉积：使安置在发射区域2210的横向方面1310和/或至少一个非发射区域2220的至少一部分的横向方面1320中的第二电极1040的暴露层表面11经受NIC材料511的蒸发通量。
如图所示，凹槽3622基本上没有NIC 310或未被所述NIC覆盖。在一些非限制性实例中，这可以通过以下步骤来实现：通过隔板3621在其横向方面掩蔽凹槽3622，从而基本上防止NIC材料511的蒸发通量入射到暴露层表面11的这种凹槽3622上。因此，在此类实例中，暴露层表面11的凹槽3622基本上缺乏NIC 310。作为非限制性实例，隔板3621的横向突出部分可以在隔板3621的基部处限定凹槽3622。在此类实例中，限定凹槽3622的隔板3621的至少一个表面也可以基本上缺乏NIC 310。
在一个阶段中，在一些非限制性实例中，在提供NIC 310之后，所述方法在装置3600上沉积沉积层330。在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来沉积沉积层330。在一些非限制性实例中，可以通过使装置3600经受沉积材料531的蒸发通量来沉积沉积层330。作为非限制性实例，沉积材料531材料的来源(未示出)可用于将沉积材料531的蒸发通量导向装置3600，使得蒸发通量入射在其暴露层表面上11。在一些非限制性实例中，安置在发射区域2210的横向方面1310和/或至少一个非发射区域2220的至少一部分的横向方面1320中的NIC 310的暴露层表面11对沉积层330展现出相对较低的初始粘附概率S0，沉积层330可以选择性地沉积到第二部302上，所述第二部包含但不限于装置3600的凹陷部分，其中不存在NIC 310。
在一些非限制性实例中，沉积材料531的蒸发通量的至少一部分可以相对于暴露层表面11的横向平面以非法线角度被引导。作为非限制性实例，至少一部分蒸发通量可以以入射角入射到装置3600上，所述入射角，相对于暴露层表面11的这种横向平面，小于约：90°、85°、80°、75°、70°、60°或50°。通过引导沉积材料531的蒸发通量，包含其以非法线角度入射的至少一部分，凹槽3622的和/或凹槽中的至少一个表面可以暴露于这种蒸发通量。
在一些非限制性实例中，由于隔板3621的存在，这种蒸发通量被阻止入射到凹槽3622的至少一个表面上和/或凹槽中的可能性可能会降低，因为这种蒸发通量的至少一部分可以以非法线入射角流动。
在一些非限制性实例中，这种蒸发通量的至少一部分可以是非准直的。在一些非限制性实例中，这种蒸发通量的至少一部分可以由蒸发源产生，所述蒸发源是点源、线性源和/或表面源。
在一些非限制性实例中，装置3600可以在沉积层330沉积期间移位。作为非限制性实例，装置3600和/或其衬底10和/或沉积在其上的任何层可以在横向方面和/或在基本平行于截面方面的方面经受角度的位移。
在一些非限制性实例中，装置3600可以在经受蒸发通量的同时围绕基本上垂直于暴露层表面11的横向方面的轴旋转。
在一些非限制性实例中，这种蒸发通量的至少一部分可以沿基本上垂直于表面的横向平面的方向被导向装置3600的暴露层表面11。
在不希望受到特定理论约束的情况下，假设由于吸附到NIC 310的表面上的吸附原子的横向迁移和/或解吸，沉积材料531仍然可以沉积在凹槽3622内。在一些非限制性实例中，假设吸附到NIC 310的暴露层表面11上的任何吸附原子可能具有从该表面迁移和/或解吸的趋势，这是由于用于形成稳定核的表面的不利热力学性质。在一些非限制性实例中，假设从这种表面迁移和/或解吸的吸附原子中的至少一些吸附原子可以重新沉积到凹槽3622中的表面上以形成沉积层330。
在一些非限制性实例中，沉积层330可以形成为使得沉积层330电耦接到辅助电极2150和第二电极1040二者。在一些非限制性实例中，沉积层330与辅助电极2150和/或第二电极1040中的至少一者物理接触。在一些非限制性实例中，中间层可以存在于沉积层330和辅助电极2150和/或第二电极1040中的至少一者之间。然而，在此类实例中，这种中间层可以基本上不阻止沉积层330电耦接到辅助电极2150和/或第二电极1040中的至少一者。在一些非限制性实例中，这种中间层可以相对较薄并且允许通过其进行电耦接。在一些非限制性实例中，沉积层330的薄层可以等于和/或小于第二电极1040的薄层电阻。
如图36所示，凹槽3622基本上缺乏第二电极1040。在一些非限制性实例中，在第二电极1040的沉积期间，凹槽3622被隔板3621掩蔽，使得用于形成第二电极1040的材料的蒸发通量基本上被阻止入射到凹槽3622的至少一个表面上和/或凹槽中。在一些非限制性实例中，用于形成第二电极1040的材料的蒸发通量的至少一部分入射到凹槽3622的至少一个表面上和/或凹槽中，使得第二电极1040可以延伸以覆盖凹槽3622的至少一部分。
在一些非限制性实例中，可以将辅助电极2150、沉积层330和/或隔板3621选择性地设置在显示面板的某些区域中。在一些非限制性实例中，这些特征中的任一个可以设置在这种显示面板的一个或多个边缘处和/或靠近所述一个或多个边缘设置，用于将前板1010的至少一个元件(包含但不限于第二电极1040)电耦接至背板1015的至少一个元件。在一些非限制性实例中，在此类边缘处和/或靠近此类边缘设置此类特征可以促进从位于此类边缘处和/或靠近此类边缘的辅助电极2150向第二电极1040供应和分配电流。在一些非限制性实例中，这种配置可以有助于减小显示面板的边框大小。
在一些非限制性实例中，可以从此类显示面板的某些区域中省略辅助电极2150、沉积层330和/或隔板3621。在一些非限制性实例中，此类特征可以从显示面板的部分中省略，包含但不限于，其中除了在其至少一个边缘处和/或靠近其至少一个边缘之外，将提供相对较高的像素密度。
图37A示出了在邻近隔板3621的区域中以及在沉积至少一个半导电层1030之前的阶段处的装置3600的片段。在一些非限制性实例中，隔板3621包括下部区段3723和上部区段3724，上部区段3724突出在下部区段3723之上，以形成凹槽3622，其中下部区段3723相对于上部区段3724横向凹陷。作为非限制性实例，凹槽3622可以形成为使得其可以基本上横向延伸到隔板3621中。在一些非限制性实例中，凹槽3622可以对应于在由上部区段3724限定的顶板3725、下部区段3723的侧部3726和底板3727之间限定的空间，所述底板对应于衬底10的暴露层表面11。在一些非限制性实例中，上部区段3724包括成角度区段3728。通过非限制性实例，成角度区段3728可以由基本上不平行于暴露层表面11的横向平面的表面提供。作为非限制性实例，成角度区段3728可以从基本上垂直于暴露层表面11的轴线倾斜和/或偏移角度θp。唇缘3729也由上部区段3724提供。在一些非限制性实例中，唇缘3729可以设置在凹槽3622的开口处或附近。作为非限制性实例，唇缘3729可以设置在成角度区段3728和顶板3725的接合处。在一些非限制性实例中，上部区段3724、侧部3726和底板3727中的至少一者可以是导电的，以形成辅助电极2150的至少一部分。
在一些非限制性实例中，角度θp，表示上部区段3724的成角度区段3728从轴线倾斜和/或偏移的角度，可以小于或等于约60°。作为非限制性实例，角度θp可以小于或等于约：50°、45°、40°、30°、25°、20°、15°或10°。在一些非限制性实例中，角度θp可以介于约：60°和25°之间、60°和30°之间或50°和30°之间。在不希望受到任何特定理论约束的情况下，可以假设，提供成角度区段3728可以抑制NIC材料511在唇缘3729处或附近的沉积，以便促进沉积材料531在唇缘3729处或附近的沉积。
图37B-37P示出了在沉积层330的沉积阶段之后，图37A中示出的装置3600的片段的各个非限制性实例。在图37B-37P中，为了说明的简单性起见，并非总是示出图37A中描述的隔板3621和/或凹槽3622的所有特征并且省略了辅助电极2150，但是相关领域的普通技术人员将理解，此类特征和/或辅助电极2150在一些非限制性实例中仍然可以存在。相关领域的普通技术人员将理解，辅助电极2150可以存在于图37B-37P的任何实例中，以任何形式和/或处于任何位置，包含但不限于图38A-38G的任何实例中所示出的形式和/或位置。
在这些图中，装置堆叠3710被示出为包括至少一个半导电层1030、第二电极1040和沉积在上部区段3724上的NIC 310。
在这些图中，残余装置堆叠3711被示出为包括至少一个半导电层1030、第二电极1040和NIC 310，所述NIC沉积在衬底10上，超出隔板3621和凹槽3622。根据与图36比较，可以看出，在一些非限制性实例中，残余装置堆叠3711可以对应于半导体层1030、第二电极1040和NIC 310，因为其在唇缘3729处和/或附近接近凹槽3622。在一些非限制性实例中，当使用开放式掩模600和/或无掩模沉积工艺来沉积装置堆叠3710的各种材料时，可以形成残余装置堆叠3711。
在图37B所示的非限制性实例3700b中，沉积层330可以基本上被限制到凹槽3622的全部和/或基本上填充所述凹槽的全部。因此，在一些非限制性实例中，沉积层330可以与顶板3725、侧部3726和底板3727物理接触，并因此电耦接到辅助电极2150。
在不希望受到任何特定理论约束的情况下，可以假设基本上填充凹槽3622的全部可以降低在装置3600的制造期间任何不需要的物质(包含但不限于气体)被困在凹槽3622内的可能性。
在一些非限制性实例中，耦接和/或接触区域(CR)可以对应于装置3600的区域，其中沉积层330与装置堆叠3710物理接触，以将第二电极1040与沉积层330电耦接。在一些非限制性实例中，CR从装置堆叠3710的靠近隔板3621的边缘可以延伸约50-1500nm。作为非限制性实例，CR可以延伸介于约：50-1000nm、100-500nm、100-350nm、100-300nm、150-300nm或100-200nm之间。在一些非限制性实例中，CR可以以这样的距离基本上横向地远离装置堆叠3710的边缘侵入所述装置堆叠。
在一些非限制性实例中，残余装置堆叠3711的边缘可以由至少一个半导电层1030、第二电极1040和NIC 310形成，其中第二电极1040的边缘可以被NIC 310涂覆和/或覆盖。在一些非限制性实例中，残余装置堆叠3711的边缘可以以其它配置和/或布置形成。在一些非限制性实例中，NIC 310的边缘可以相对于第二电极1040的边缘凹陷，使得第二电极1040的边缘可以暴露，使得CR可以包含第二电极1040的此类暴露边缘，以便第二电极1040可以与沉积层330物理接触从而将它们电耦接。在一些非限制性实例中，至少一个半导电层1030、第二电极1040和NIC 310的边缘可以彼此对齐，使得每个层的边缘暴露。在一些非限制性实例中，第二电极1040和NIC 310的边缘可以相对于至少一个半导电层1030的边缘凹陷，使得残余装置堆叠3711的边缘基本上由半导体层1030提供。
此外，如图所示，在一些非限制性实例中，在小CR内并布置在隔板3621的唇缘3729处和/或附近，沉积层330可以延伸以至少覆盖在最靠近隔板3621布置的残余装置堆叠3711内的NIC 310的边缘。在一些非限制性实例中，NIC 310可以包括半导电材料和/或绝缘材料。
虽然在本文中已经描述了，沉积材料531在NIC 310的表面上的直接沉积通常被抑制，但是在一些非限制性实例中，已经发现一部分沉积层330仍然可以与NIC 310的至少一部分重叠。作为非限制性实例，在沉积层330的沉积期间，沉积材料531可以初始沉积在凹槽3622内。此后继续沉积沉积材料531，在一些非限制性实例中，导致沉积层330横向延伸超出凹槽3622并与残余装置堆叠3711内的NIC 310的至少一部分重叠。
相关领域的普通技术人员将理解，虽然沉积层330已被示出为与NIC 310的一部分重叠，但发射区域2210的横向范围1310基本上保持缺乏沉积材料531的封闭涂层340。在一些非限制性实例中，沉积层330可以布置在装置3600的至少一个非发射区域2220的至少一部分的横向范围1320内，在一些非限制性实例中，基本上不干扰从装置3600的发射区域2210发射光子。
在一些非限制性实例中，尽管在其间插入了NIC 310，但沉积层330仍然可以电耦接到第二电极1040，以便降低第二电极1040的有效薄层电阻。
在一些非限制性实例中，NIC 310可以使用导电材料形成和/或以其它方式展现出允许电流隧穿和/或通过的电荷迁移率水平。
在一些非限制性实例中，NIC 310可以具有允许电流通过的厚度。在一些非限制性实例中，NIC 310的厚度可以介于约：3-65nm、3-50nm、5-50nm、5-30nm、5-15nm或5-10nm之间。在一些非限制性实例中，NIC 310可以具有相对较低的厚度(在一些非限制性实例中，薄涂层厚度)，以减少由于在这种电流的路径中存在NIC 310而可能产生的接触电阻。
在不希望受到任何特定理论约束的情况下，可以假设，在一些非限制性实例中，基本上填充凹槽3622的全部可以增强沉积层330与第二电极1040和辅助电极2150中的至少一者之间的电耦接的可靠性。
进一步地，如图所示，在一些非限制性实例中，沉积层330可以延伸以覆盖NIC 310的安置在隔板3621的上部区段3724上的至少一部分。在一些非限制性实例中，NIC 310在唇缘3729处和/或附近的一部分可以被沉积层330覆盖。在一些非限制性实例中，尽管在其间插入了NIC 310，但沉积层330仍然可以电耦接到第二电极1040。
在图37C所示的非限制性实例3700c中，沉积层330可以基本上被限制到凹槽3622的全部和/或可以部分地填充所述凹槽。因此，在一些非限制性实例中，沉积层330可以与侧部3726、底板3727(以及，在一些非限制性实例中，顶板3725的至少一部分)物理接触，并因此电耦接到辅助电极2150。
如图所示，在一些非限制性实例中，顶板3725的至少一部分基本上缺乏沉积层330。在一些非限制性实例中，这种部分靠近唇缘3729。
此外，如图所示，在一些非限制性实例中，在布置在隔板3621的唇缘3729处和/或附近的小CR内，沉积层330可以延伸以至少覆盖在最靠近隔板3621布置的残余装置堆叠3711内的NIC 310的边缘。在一些非限制性实例中，尽管在其间插入了NIC 310，但沉积层330仍然可以电耦接到第二电极1040。
在图37D所示的非限制性实例3700d中，沉积层330可以基本上被限制到凹槽3622的全部和/或可以部分地填充所述凹槽。因此，在一些非限制性实例中，沉积层330可以与底板3727(以及在一些非限制性实例中，侧部3726的至少一部分)物理接触，并因此电耦接到辅助电极2150。
如图所示，在一些非限制性实例中，顶板3725基本上缺乏沉积层330。
此外，如图所示，在一些非限制性实例中，在布置在隔板3621的唇缘3729处和/或附近的小CR内，沉积层330可以延伸以至少覆盖在最靠近隔板3621布置的残余装置堆叠3711内的NIC 310的边缘。在一些非限制性实例中，尽管在其间插入了NIC 310，但沉积层330仍然可以电耦接到第二电极1040。
在图37E所示的非限制性实例3700e中，沉积层330基本上填充凹槽3622的全部。因此，在一些非限制性实例中，沉积层330可以与顶板3725、侧部3726和底板3727物理接触，并因此电耦接到辅助电极2150。
此外，如图所示，在一些非限制性实例中，在CR内，沉积层330可以延伸以覆盖残余装置堆叠3711内的NIC 310的至少一部分，以便将第二电极1040与沉积层330电耦接。
进一步地，如图所示，在一些非限制性实例中，沉积层330可以延伸以覆盖装置堆叠3710的NIC 310的安置在隔板3621的上部区段3724上的至少一部分。在一些非限制性实例中，NIC 310在唇缘3729处和/或附近的一部分可以被沉积层330覆盖。在一些非限制性实例中，尽管在其间插入了NIC 310，但沉积层330仍然可以电耦接到第二电极1040。
在图37F所示的非限制性实例3700f中，沉积层330可以基本上被限制到凹槽3622的全部和/或可以部分地填充所述凹槽。因此，在一些非限制性实例中，沉积层330可以与顶板3725、侧部3726，以及在一些非限制性实例中，底板3727的至少一部分物理接触，并因此电耦接到辅助电极2150。
如图所示，在一些非限制性实例中，可以在沉积层330和底板3727之间形成腔体3720。在一些非限制性实例中，腔体3720可以对应于将沉积层330与底板3727的至少一部分隔开的间隙，使得沉积层330不与其物理接触。
如图所示，在一些非限制性实例中，腔体3720可以接合底板3727的一部分和残余装置堆叠3711的一部分并且可以具有相对薄的轮廓。
在一些非限制性实例中，腔体3720可以对应于介于凹槽3622的体积的约：1-30％、5-25％、5-20％或5-10％之间的体积。
此外，如图所示，在一些非限制性实例中，在CR内，沉积层330可以延伸以覆盖残余装置堆叠3711内的NIC 310的至少一部分，以便将第二电极1040与沉积层330电耦接。
在图33G所示的非限制性实例3300g中，沉积层330可以部分地填充凹槽3622。因此，在一些非限制性实例中，沉积层330可以与顶板3725、侧部3726，以及在一些非限制性实例中，底板3727的至少一部分物理接触，并因此电耦接到辅助电极2150。
如图所示，在一些非限制性实例中，可以在沉积层330和底板3727之间形成腔体3720。在一些非限制性实例中，腔体3720可以对应于将沉积层330与底板3727的至少一部分隔开的间隙，使得沉积层330不与其物理接触。
如图所示，在一些非限制性实例中，腔体3720可以接合底板3727的一部分和残余装置堆叠3711的一部分并且可以具有相对薄的轮廓。
在一些非限制性实例中，腔体3720可以对应于介于凹槽3622的体积的约：1-30％、5-25％、5-20％或5-10％之间的体积。
此外，如图所示，在一些非限制性实例中，在CR内，沉积层330可以延伸以覆盖残余装置堆叠3711内的NIC 310的至少一部分，以便将第二电极1040与沉积层330电耦接。
在图37H所示的非限制性实例3700h中，沉积层330可以部分地填充凹槽3622。因此，在一些非限制性实例中，沉积层330可以与顶板3725、侧部3726，以及在一些非限制性实例中，底板3727的至少一部分物理接触。
如图所示，在一些非限制性实例中，可以在沉积层330和底板3727之间形成腔体3720。在一些非限制性实例中，腔体3720可以对应于将沉积层330与底板3727的至少一部分隔开的间隙，使得沉积层330不与其物理接触。
如图所示，在一些非限制性实例中，腔体3720可以接合底板3727的一部分和残余装置堆叠3711的一部分并且可以具有相对薄的轮廓。
在一些非限制性实例中，腔体3720可以对应于介于凹槽3622的体积的约：1-30％、5-25％、5-20％或5-10％之间的体积。
此外，如图所示，在一些非限制性实例中，在CR内，沉积层330可以延伸以覆盖残余装置堆叠3711内的NIC 310的至少一部分。在一些非限制性实例中，尽管在其间插入了NIC310，但沉积层330仍然可以电耦接到第二电极1040。
进一步地，如图所示，在一些非限制性实例中，沉积层330可以延伸以覆盖装置堆叠3710的NIC 310的安置在隔板3621的上部区段3724上的至少一部分。在一些非限制性实例中，NIC 310在唇缘3729处和/或附近的一部分可以被沉积层330覆盖。在一些非限制性实例中，尽管在其间插入了NIC 310，但沉积层330仍然可以电耦接到第二电极1040。
在图37I所示的非限制性实例3700i中，沉积层330可以部分地填充凹槽3622。因此，在一些非限制性实例中，沉积层330可以与顶板3725、侧部3726，以及在一些非限制性实例中，底板3727的至少一部分物理接触。
如图所示，在一些非限制性实例中，可以在沉积层330和底板3727之间形成腔体3720。在一些非限制性实例中，腔体3720可以对应于将沉积层330与底板3727的至少一部分隔开的间隙，使得沉积层330不与其物理接触。
如图所示，在一些非限制性实例中，腔体3720可以接合底板3727的一部分并且可以具有比实例3700f-3700h中所示的腔体3720相对更厚的轮廓。
在一些非限制性实例中，腔体3720可以对应于介于凹槽3622的体积的约：10-80％、10-70％、20-60％、10-30％、25-50％、50-80％或70-95％之间的体积。
此外，如图所示，在一些非限制性实例中，在CR内，沉积层330可以延伸以覆盖残余装置堆叠3711内的NIC 310的至少一部分。在一些非限制性实例中，尽管在其间插入了NIC310，但沉积层330仍然可以电耦接到第二电极1040。
进一步地，如图所示，在一些非限制性实例中，沉积层330可以延伸以覆盖装置堆叠3710的NIC 310的安置在隔板3621的上部区段3724上的至少一部分。在一些非限制性实例中，NIC 310在唇缘3729处和/或附近的一部分可以被沉积层330覆盖。在一些非限制性实例中，尽管在其间插入了NIC 310，但沉积层330仍然可以电耦接到第二电极1040。
在图37J所示的非限制性实例3700j中，沉积层330可以部分地填充凹槽3622。因此，在一些非限制性实例中，沉积层330可以与顶板3725、侧部3726，以及在一些非限制性实例中，底板3727的至少一部分物理接触。
如图所示，在一些非限制性实例中，可以在沉积层330和底板3727之间形成腔体3720。在一些非限制性实例中，腔体3720可以对应于将沉积层330与底板3727的至少一部分隔开的间隙，使得沉积层330不与其物理接触。
如图所示，在一些非限制性实例中，腔体3720可以接合底板3727的一部分和残余装置堆叠3711的一部分并且可以具有比实例3700f-3700h中所示的腔体3720相对更厚的轮廓。
在一些非限制性实例中，腔体3720可以对应于介于凹槽3622的体积的约：10-80％、10-70％、20-60％、10-30％、25-50％、50-80％或70-95％之间的体积。
此外，如图所示，在一些非限制性实例中，在CR内，沉积层330可以延伸以覆盖残余装置堆叠3711内的NIC 310的至少一部分。在一些非限制性实例中，尽管在其间插入了NIC310，但沉积层330仍然可以电耦接到第二电极1040。
进一步地，如图所示，在一些非限制性实例中，沉积层330可以延伸以覆盖装置堆叠3710的NIC 310的安置在隔板3621的上部区段3724上的至少一部分。在一些非限制性实例中，NIC 310在唇缘3729处和/或附近的一部分可以被沉积层330覆盖。在一些非限制性实例中，尽管在其间插入了NIC 310，但沉积层330仍然可以电耦接到第二电极1040。
在图37K所示的非限制性实例3700k中，沉积层330可以部分地填充凹槽3622。因此，在一些非限制性实例中，沉积层330可以与，在一些非限制性实例中，顶板3725的至少一部分以及，在一些非限制性实例中，底板3727的至少一部分，物理接触。
因此，在一些非限制性实例中，可以在沉积层330和侧部3726(在一些非限制性实例中，顶板3725的至少一部分以及，在一些非限制性实例中，底板3727的至少一部分)之间形成腔体3720。在一些非限制性实例中，腔体3720可以对应于将沉积层330与侧部3726(在一些非限制性实例中，顶板3725的至少一部分以及在一些非限制性实例中，底板3727的至少一部分)隔开的间隙，使得沉积层330不与其物理接触。
如图所示，在一些非限制性实例中，腔体3720可以基本上占据凹槽3622的全部。
在一些非限制性实例中，腔体3720可以对应于介于凹槽3622的体积的约：10-80％、10-70％、20-60％、10-30％、25-50％、50-80％或70-95％之间的体积。
此外，如图所示，在一些非限制性实例中，在CR内，沉积层330可以延伸以覆盖残余装置堆叠3711内的NIC 310的至少一部分。在一些非限制性实例中，尽管在其间插入了NIC310，但沉积层330仍然可以电耦接到第二电极1040。
进一步地，如图所示，在一些非限制性实例中，沉积层330可以延伸以覆盖装置堆叠3710的NIC 310的安置在隔板3621的上部区段3724上的至少一部分。在一些非限制性实例中，NIC 310在唇缘3729处和/或附近的一部分可以被沉积层330覆盖。在一些非限制性实例中，尽管在其间插入了NIC 310，但沉积层330仍然可以电耦接到第二电极1040。
在图37L所示的非限制性实例37001中，沉积层330可以部分地填充凹槽3622。
如图所示，在一些非限制性实例中，可以在沉积层330和侧部3726、底板3727和顶板3725之间形成腔体3720。在一些非限制性实例中，腔体3720可以对应于将沉积层330与侧部3726、底板3727和顶板3725隔开的间隙，使得沉积层330不与其物理接触。
如图所示，在一些非限制性实例中，腔体3720可以基本上占据凹槽3622的全部。
在一些非限制性实例中，腔体3720可以对应于大于凹槽3622体积的约80％的体积。
此外，如图所示，在一些非限制性实例中，在CR内，沉积层330可以延伸以覆盖残余装置堆叠3711内的NIC 310的至少一部分。在一些非限制性实例中，尽管在其间插入了NIC310，但沉积层330仍然可以电耦接到第二电极1040。
进一步地，如图所示，在一些非限制性实例中，沉积层330可以延伸以覆盖装置堆叠3710的NIC 310的安置在隔板3621的上部区段3724上的至少一部分。在一些非限制性实例中，NIC 310在唇缘3729处和/或附近的一部分可以被沉积层330覆盖。在一些非限制性实例中，尽管在其间插入了NIC 310，但沉积层330仍然可以电耦接到第二电极1040。
在图37M所示的非限制性实例3700m中，沉积层330可以基本上被限制到凹槽3622的全部和/或可以部分地填充所述凹槽。因此，在一些非限制性实例中，沉积层330可以与，在一些非限制性实例中，顶板3725的至少一部分以及，在一些非限制性实例中，底板3727的至少一部分，物理接触。
因此，在一些非限制性实例中，可以在沉积层330和侧部3726(在一些非限制性实例中，顶板3725的至少一部分以及，在一些非限制性实例中，底板3727的至少一部分)之间形成腔体3720。在一些非限制性实例中，腔体3720可以对应于将沉积层330与侧部(在一些非限制性实例中，顶板3725的至少一部分以及在一些非限制性实例中，底板3727的至少一部分)隔开的间隙，使得沉积层330不与其物理接触。
如图所示，在一些非限制性实例中，腔体3720可以基本上占据凹槽3622的全部。
在一些非限制性实例中，腔体3720可以对应于介于凹槽3622的体积的约：10-80％、10-70％、20-60％、10-30％、25-50％、50-80％或70-95％之间的体积。
此外，如图所示，在一些非限制性实例中，在CR内，沉积层330可以延伸以覆盖残余装置堆叠3711内的NIC 310的至少一部分。在一些非限制性实例中，尽管在其间插入了NIC310，但沉积层330仍然可以电耦接到第二电极1040。
进一步地，如图所示，在一些非限制性实例中，沉积层330可以延伸以覆盖装置堆叠3710的NIC 310的安置在隔板3621的上部区段3724上的至少一部分。在一些非限制性实例中，NIC 310在唇缘3729处和/或附近的一部分可以被沉积层330覆盖。在一些非限制性实例中，尽管在其间插入了NIC 310，但沉积层330仍然可以电耦接到第二电极1040。
在图37N所示的非限制性实例3700n中，沉积层330可以部分地填充凹槽3622。因此，在一些非限制性实例中，沉积层330可以与顶板3725、侧部3726，以及在一些非限制性实例中，底板3727的至少一部分物理接触。
此外，如图所示，在一些非限制性实例中，沉积层330可以延伸以覆盖装置堆叠3710的NIC 310的安置在隔板3621的上部区段3724上的至少一部分。在一些非限制性实例中，NIC 310在唇缘3729处和/或附近的一部分可以被沉积层330覆盖。在一些非限制性实例中，尽管在其间插入了NIC 310，但沉积层330仍然可以电耦接到第二电极1040。
在图37O所示的非限制性实例3700o中，沉积层330可以部分地填充凹槽3622。因此，在一些非限制性实例中，沉积层330可以与顶板3725、侧部3726，以及在一些非限制性实例中，底板3727的至少一部分物理接触。
此外，如图所示，在一些非限制性实例中，沉积层330可以延伸以覆盖装置堆叠3710的NIC 310的安置在隔板3621的上部区段3724上的至少一部分。在一些非限制性实例中，NIC 310在唇缘3729处和/或附近的一部分可以被沉积层330覆盖。在一些非限制性实例中，尽管在其间插入了NIC 310，但沉积层330仍然可以电耦接到第二电极1040。
在图37P所示的非限制性实例3700p中，沉积层330可以部分地填充凹槽3622。因此，在一些非限制性实例中，沉积层330可以与顶板3725(在一些非限制性实例中，侧部3726的至少一部分)物理接触。
此外，如图所示，在一些非限制性实例中，沉积层330可以延伸以覆盖装置堆叠3710的NIC 310的安置在隔板3621的上部区段3724上的至少一部分。在一些非限制性实例中，NIC 310在唇缘3729处和/或附近的一部分可以被沉积层330覆盖。在一些非限制性实例中，尽管在其间插入了NIC 310，但沉积层330仍然可以电耦接到第二电极1040。
图38A-38G示出了辅助电极2150在图37A中示出的装置3600的整个片段中的不同位置的各个非限制性实例，同样在沉积至少一个半导电层1030之前的阶段。因此，在图37A-37G中，未示出至少一个半导电层1030、第二电极1040和NIC 310(无论是否作为残余装置堆叠3711的一部分)以及沉积层330。然而，相关领域的普通技术人员将理解，在沉积之后，此类特征和/或层可以存在于图38A-38G的任何实例中，以任何形式和/或处于任何位置，包含但不限于图37B-37P的任何实例中所示出的形式和/或位置。
在图38A所示的非限制性实例3800a中，辅助电极2150可以邻近衬底10布置和/或布置在所述衬底内，使得辅助电极2150的表面暴露在凹槽3622中。如图所示，在一些非限制性实例中，辅助电极2150的这种表面可以设置在底板3727的至少一部分中和/或可以形成所述部分和/或提供所述部分。作为非限制性实例，辅助电极2150可以被布置成与隔板3621相邻安置。在一些非限制性实例中，辅助电极2150可以由至少一种导电材料形成。在一些非限制性实例中，隔板3621可以由至少一种基本上绝缘的材料形成，包含但不限于光刻胶。在一些非限制性实例中，可以使用包含但不限于光刻的技术来形成装置3600的各个特征，包含但不限于隔板3621和/或辅助电极2150。
在图38B所示的非限制性实例3800b中，辅助电极2150可以与隔板3621一体形成和/或作为所述隔板的一部分，使得辅助电极2150的表面暴露在凹槽3622中。如图所示，在一些非限制性实例中，辅助电极2150的这种表面可以设置在侧部3726的至少一部分中和/或可以形成所述部分和/或提供所述部分。作为非限制性实例，辅助电极2150可以被布置成对应于下部区段3723。在一些非限制性实例中，辅助电极2150可以由至少一种导电材料形成。在一些非限制性实例中，上部区段3724可以由至少一种基本上绝缘的材料形成，包含但不限于光刻胶。在一些非限制性实例中，可以使用包含但不限于光刻的技术来形成装置3600的各个特征，包含但不限于上部区段3724和/或辅助电极2150。
在图38C所示的非限制性实例3800c中，辅助电极2150可以既邻近衬底10布置和/或布置在所述衬底内，又与隔板3621一体形成和/或作为所述隔板的一部分，使得辅助电极2150的表面暴露在凹槽3622中。如图所示，在一些非限制性实例中，辅助电极2150的这种表面可以设置在侧部3726的至少一部分和/或底板3727的至少一部分中和/或可以形成所述部分和/或提供所述部分。作为非限制性实例，辅助电极2150可以被布置成与隔板3621相邻安置和/或被布置成对应于下部区段3723。在一些非限制性实例中，辅助电极2150的邻近隔板3621安置的部分可以与其对应于下部区段3723的部分电耦接和/或物理接触。在一些非限制性实例中，这种部分可以彼此连续地和/或一体地形成。在一些非限制性实例中，辅助电极2150可以由至少一种导电材料形成。在一些非限制性实例中，其部分可由不同材料形成。在一些非限制性实例中，隔板3621和/或其上部区段3724可以由至少一种基本上绝缘的材料形成，包含但不限于光刻胶。在一些非限制性实例中，可以使用包含但不限于光刻的技术来形成装置3600的各个特征，包含但不限于隔板3621、上部区段3724和/或辅助电极2150。
在图38D所示的非限制性实例3800d中，辅助电极2150可以邻近上部区段3724布置和/或布置在所述上部区段内，使得辅助电极2150的表面暴露在凹槽3622内。如图所示，在一些非限制性实例中，辅助电极2150的这种表面可以设置在顶板3725的至少一部分中和/或可以形成所述部分和/或提供所述部分。作为非限制性实例，辅助电极2150可以被布置成与上部区段3724相邻安置。在一些非限制性实例中，辅助电极2150可以由至少一种导电材料形成。在一些非限制性实例中，隔板3621可以由至少一种基本上绝缘的材料形成，包含但不限于光刻胶。在一些非限制性实例中，可以使用包含但不限于光刻的技术来形成装置3600的各个特征，包含但不限于隔板3621和/或辅助电极2150。
在图38E所示的非限制性实例3800e中，辅助电极2150可以既邻近上部区段3724布置和/或布置在所述上部区段内，又与隔板3621一体形成和/或作为所述隔板的一部分，使得辅助电极2150的表面暴露在凹槽3622中。如图所示，在一些非限制性实例中，辅助电极2150的这种表面可以设置在顶板3725的至少一部分和/或侧部3726的至少一部分中和/或可以形成所述部分和/或提供所述部分。作为非限制性实例，辅助电极2150可以被布置成与上部区段3724相邻安置和/或被布置成对应于下部区段3723。在一些非限制性实例中，辅助电极2150的邻近上部区段3724安置的部分可以与其对应于下部区段3723的部分电耦接和/或物理接触。在一些非限制性实例中，这种部分可以彼此连续地和/或一体地形成。在一些非限制性实例中，辅助电极2150可以由至少一种导电材料形成。在一些非限制性实例中，其部分可由不同材料形成。在一些非限制性实例中，上部区段3724可以由至少一种基本上绝缘的材料形成，包含但不限于光刻胶。在一些非限制性实例中，可以使用包含但不限于光刻的技术来形成装置3600的各个特征，包含但不限于上部区段3724和/或辅助电极2150。
在图38F所示的非限制性实例3800f中，辅助电极2150可以既邻近衬底10布置和/或布置在所述衬底内，又邻近上部区段3724布置和/或布置在所述上部区段内，使得辅助电极2150的表面暴露在凹槽3622内。如图所示，在一些非限制性实例中，辅助电极2150的这种表面可以设置在顶板3725的至少一部分和/或底板3727的至少一部分中和/或可以形成所述部分和/或提供所述部分。作为非限制性实例，辅助电极2150可以被布置成与隔板3621相邻安置和/或被布置成与其上部区段3724相邻安置。在一些非限制性实例中，辅助电极2150的邻近隔板安置的部分可以与其对应于顶板3725的部分电耦接。在一些非限制性实例中，辅助电极2150可以由至少一种导电材料形成。在一些非限制性实例中，其所述部分可由不同材料形成。在一些非限制性实例中，隔板3621和/或其上部区段3724可以由至少一种基本上绝缘的材料形成，包含但不限于光刻胶。在一些非限制性实例中，可以使用包含但不限于光刻的技术来形成装置3600的各个特征，包含但不限于隔板3621、上部区段3724和/或辅助电极2150。
在图38G所示的非限制性实例3800g中，辅助电极2150可以邻近衬底10布置和/或布置在所述衬底内、与隔板3621一体形成和/或作为所述隔板的一部分和/或邻近上部区段3724布置和/或布置在所述上部区段内，使得辅助电极2150的表面暴露在凹槽3622内。如图所示，在一些非限制性实例中，辅助电极2150的这种表面可以设置在顶板3725的至少一部分、侧部3726的至少一部分和/或底板3727的至少一部分中和/或可以形成所述部分和/或提供所述部分。作为非限制性实例，辅助电极2150可以被布置成与隔板3621相邻安置、被布置成对应于下部区段3723和/或被布置成与其上部区段3724相邻安置。在一些非限制性实例中，辅助电极2150的邻近隔板3621安置的部分可以与其对应于下部区段3723和/或顶板3725的部分中的至少一个部分电耦接。在一些非限制性实例中，辅助电极2150的对应于下部区段3723的部分可以与其邻近隔板3621和/或顶板3725安置的部分中的至少一个部分电耦接。在一些非限制性实例中，辅助电极2150的对应于顶板3725的部分可以与其邻近隔板和/或下部区段3723安置的部分中的至少一个部分电耦接。在一些非限制性实例中，辅助电极2150的对应于下部区段3723的部分可以与其邻近隔板3621安置的和/或对应于上部区段3724的部分中的至少一个部分物理接触。在一些非限制性实例中，辅助电极2150可以由至少一种导电材料形成。在一些非限制性实例中，其部分可由不同材料形成。在一些非限制性实例中，隔板3621、下部区段3723和/或其上部区段3724可以由至少一种基本上绝缘的材料形成，包含但不限于光刻胶。在一些非限制性实例中，可以使用包含但不限于光刻的技术来形成装置3600的各个特征，包含但不限于隔板3621、下部区段3723和/或其上部区段3724和/或辅助电极2150。
在一些非限制性实例中，关于图37B-37P描述的各个特征可以与关于图38A-38G描述的各个特征组合。在一些非限制性实例中，根据图37B、37C、37E、37F、37G、37H、37I和/或37J中的任一个所述的残余装置堆叠3711和沉积层330可以与根据图38A-38G中的任一个所述的隔板3621和辅助电极2150组合在一起。在一些非限制性实例中，图37K-37M中的任一个可以独立地与图38D-38G中的任一个组合。在一些非限制性实例中，图37C-37D中的任一个可以与图38A、38C、38F和/或38G中的任一个组合。
非发射区域中的孔
现在转到图39A，示出了装置1000的示例版本3900的截面视图。装置3900与装置3600的不同之处在于，非发射区域2220中的一对隔板3621以面对布置的形式安置以限定屏障区域3465，如位于所述一对隔板之间的孔3922。如图所示，在一些非限制性实例中，隔板3621中的至少一个可以用作PDL 1340，其覆盖第一电极1020的至少一个边缘并且限定至少一个发射区域2210。在一些非限制性实例中，隔板3621中的至少一个可以与PDL 1340分开设置。
屏障区域3465，如凹槽3622，由至少一个隔板3621限定。在一些非限制性实例中，凹槽3622可以设置在孔3922的靠近衬底10的部分中。在一些非限制性实例中，当在平面视图中观察时，孔3922可以是基本上椭圆形的。在一些非限制性实例中，当在平面视图中观察时，凹槽3622可以是基本上环形的，并围绕孔3922。
在一些非限制性实例中，凹槽3622可以基本上缺乏用于形成装置堆叠3710和/或残余装置堆叠3711的每一层的材料。
在一些非限制性实例中，残余装置堆叠3711可以安置在孔3922内。在一些非限制性实例中，用于形成装置堆叠3710的每一层的蒸发材料可以沉积在孔3922内以在其中形成残余装置堆叠3711。
在一些非限制性实例中，辅助电极2150可以被布置为使得其至少一部分安置在凹槽3622内。作为非限制性实例，辅助电极2150可以通过图38A-38G中所示的实例中的任何一个实例相对于凹槽3622安置。如图所示，在一些非限制性实例中，辅助电极2150可以布置在孔3922内，使得残余装置堆叠3711沉积到辅助电极2150的表面上。
沉积层330可以安置在孔3922内，用于将第二电极1040电耦接到辅助电极2150。作为非限制性实例，沉积层330的至少一部分可以安置在凹槽3622内。作为非限制性实例，沉积层330可以通过图37A-37P中所示的实例中的任何一个实例相对于凹槽3622进行安置。作为非限制性实例，图39A中所示的布置可以被看作是图37P中所示的实例与图38C中所示的实例的组合。
现在转到图39B，示出了装置3900的另外的实例的截面视图。如图所示，辅助电极2150可以被布置成形成侧部3726的至少一部分。因此，当在平面视图中观察时，辅助电极2150可以是基本上环形的，并围绕孔3922。如图所示，在一些非限制性实例中，残余装置堆叠3711可以沉积到衬底10的暴露层表面11上。
作为非限制性实例，图39B中所示的布置可以被看作是图37O中所示的实例与图38B中所示的实例的组合。
在一些非限制性实例中，隔板3622可以包含NPC 520和/或由其形成。作为非限制性实例，辅助电极2150可以充当NPC 520。
在一些非限制性实例中，NPC 520可以由第二电极1040和/或其部、层和/或材料提供。在一些非限制性实例中，第二电极1040可以横向延伸以覆盖布置在屏障区域3465中的暴露层表面11。在一些非限制性实例中，第二电极1040可以包括其下层和其第二层，其中其第二层沉积在其下层上。在一些非限制性实例中，第二电极1040的下层可以包括氧化物，如但不限于，ITO、IZO或ZnO。在一些非限制性实例中，第二电极1040的上层可以包括金属，如但不限于，Ag、Mg、Mg：Ag、Yb/Ag、其它碱金属和/或其它碱土金属中的至少一者。
在一些非限制性实例中，第二电极1040的下层可以横向延伸以覆盖屏障区域3465的表面，从而形成NPC 520。在一些非限制性实例中，可以处理限定屏障区域3465的一个或多个表面以形成NPC 520。在一些非限制性实例中，这种NPC 520可以通过化学和/或物理处理形成，包含但不限于使屏障区域3465的表面经受等离子体、UV和/或UV-臭氧处理。
在不希望受到任何特定理论约束的情况下，假设这样的处理可以在化学和/或物理上改变这种表面，从而改变其至少一种性质。作为非限制性实例，表面的此类处理可增加此类表面上的C-O和/或C-OH键的浓度、增加此类表面的粗糙度和/或增加某些物质和/或官能团(包含但不限于卤素、含氮官能团和/或含氧官能团)的浓度，然后充当NPC 520。
在本公开中，术语“重叠(overlap和/或overlapping)”通常可以指被布置成与截面轴线相交的两个或更多个层和/或结构，所述截面轴线基本上垂直地远离其上可以安置有这些层和/或结构的表面延伸。
技术
有机光电子装置可以涵盖任何光电子装置，其中其一个或多个有源层和/或薄层(strata)主要由有机(含碳)材料形成，并且更具体地说，由有机半导体材料形成。
在光电子装置通过发光过程发射光子的情况下，所述装置可以被认为是电致发光装置。在一些非限制性实例中，电致发光装置可以是有机发光二极管(OLED)装置。在一些非限制性实例中，电致发光装置可以是电子装置的一部分。作为非限制性实例，电致发光装置可以是OLED照明面板或模块，和/或计算装置的OLED显示器或模块，如智能手机、平板计算机、膝上型计算机、电子阅读器等和/或如监视器和/或电视机等一些其它电子装置。
在一些非限制性实例中，光电子装置可以是将光子转化为电的有机光伏(OPV)装置。在一些非限制性实例中，光电子装置可以是电致发光量子点(QD)装置。
在本公开中，除非特别指出相反的情况，否则将参考OLED装置，应理解，在一些实例中，此类公开可以以对相关领域的普通技术人员显而易见的方式同样适用于其它光电子装置，包含但不限于OPV和/或QD装置。
可以从两个方面中的每一个方面来描述此类装置的结构，即从截面方面和/或从横向(平面视图)方面。
在本公开中，可以遵循方向惯例，基本上垂直于上文所描述的横向方面延伸，其中衬底可以被认为是装置的“底部”，并且层可以安置在衬底的“顶部”。遵循这样的惯例，第二电极可以位于所示出的装置的顶部处，即使(在一些实例中情况可能如此，包含但不限于在可以通过气相沉积工艺引入一个或多个层的制造过程期间)衬底可以被物理地倒置，使得其中一层(如但不限于第一电极)将安置于其上的顶表面可以物理地位于衬底下方，从而使沉积材料(未示出)向上移动并且以薄膜的形式沉积在其顶表面上。
在本文介绍截面方面的上下文中，此类装置的组件可以以基本上平坦的横向薄层示出。相关领域的普通技术人员应当理解，此类基本上平坦的表示仅用于说明的目的，并且跨此类装置的横向范围，可以存在不同厚度和尺寸的局部基本上平坦的薄层，在一些非限制性实例中包含基本上完全不存在的层和/或由非平坦过渡区域(包含横向间隙和平坦的间断)分隔的层。因此，虽然为了说明性目的，下文将装置在其截面方面示出为基本上分层的结构，但在下文讨论的平面视图方面，此类装置可以说明不同的形貌来限定特征，所述特征中的每个特征可以基本上展现出在截面方面讨论的分层轮廓。
在本公开中，术语“层(layer)”和“薄层(strata)”可以互换使用以指类似的概念。
图中所示的每层的厚度仅是说明性的，不一定代表相对于另一层的厚度。
为了描述的简单起见，在本公开中，单个层中的多个元素的组合可以通过冒号“：”来表示，而包括多层涂层中的多个层多个元素(的组合)可以通过用斜线“/”分隔两个这样的层来表示。在一些非限制性实例中，斜线之后的层可以沉积在斜线之前的层后面和/或沉积在所述斜线之前的层上。
为了说明的目的，底层材料的暴露层表面(涂层、层和/或材料沉积于其上)可以被理解为在沉积时呈现以便在其上沉积涂层、层和/或材料的此类底层材料的表面。
相关领域的普通技术人员应当理解，当组件、层、区域和/或其部分被称为“形成”、“安置”和/或“沉积”在另一底层材料、组件、层、区域和/或部分上和/或上方时，此类形成、安置和/或沉积可以直接和/或间接地位于此类底层材料、组件、层、区域和/或部分的暴露层表面上(在发生此类形成、安置和/或沉积时)，具有中间材料、组件、层、区域和/或部分之间的潜力。
虽然本公开讨论薄膜形成，但参考至少一层或涂层，就气相沉积而言，相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，装置的各个组件可以使用多种技术选择性地沉积，包含但不限于蒸发(包含但不限于热蒸发和/或电子束蒸发)、光刻法、打印(包含但不限于喷墨和/或蒸气喷射打印、卷到卷打印和/或微接触转移打印)、PVD(包含但不限于溅射)、化学气相沉积(CVD)(包含但不限于等离子增强CVD(PECVD)和/或有机气相沉积(OVPD))、激光退火、激光诱导热成像(LITI)图案化、原子层沉积(ALD)、涂覆(包含但不限于旋涂、浸涂、线涂和/或喷涂)和/或其组合。
在各个层和/或涂层中的任何一种的沉积期间，一些工艺可以与阴影掩模组合使用，以通过掩盖和/或防止沉积材料沉积在暴露于其的底层材料表面的某些部分上来实现各种图案，在一些非限制性实例中，所述阴影掩模可以是开放式掩模和/或精细金属掩模(FMM)。
在本公开中，术语“蒸发”和/或“升华”可以互换使用以通常指将源材料转化为蒸气(包含但不限于通过加热)以沉积到目标表面(处于但不限于固态)上的沉积工艺。将会理解，蒸发工艺可以是一种PVD工艺，其中一种或多种源材料在低压(包含但不限于真空)环境下蒸发和/或升华以形成蒸气单体，并通过一种或多种蒸发的源材料的去升华作用而沉积在目标表面上。可以使用各种不同的蒸发源来加热源材料，并且因此相关领域的普通技术人员应当理解，可以以各种方式加热源材料。作为非限制性实例，可以通过电灯丝、电子束、感应加热和/或电阻加热来加热源材料。在一些非限制性实例中，可以将源材料装载在加热的坩埚、加热的舟皿、克努森池(Knudsen cell)(其可以是渗出蒸发器源)和/或任何其它类型的蒸发源中。
在一些非限制性实例中，沉积源材料可以是混合物。在一些非限制性实例中，沉积源材料的混合物的至少一种组分在沉积工艺期间可以不被沉积(或者，在一些非限制性实例中，与此类混合物的其它组分相比，以相对较少的量沉积)。
在本公开中，无论其沉积机制如何，提及材料的层厚度、膜厚度和/或平均层和/或膜厚度可以指沉积在目标暴露层表面上的材料的量，所述量对应于用具有参考层厚度的均匀厚的材料层覆盖目标表面的材料量。通过非限制性实例，沉积10nm的层厚度的材料可以指示沉积在表面上的材料的量可以对应于形成10nm厚的均匀厚度的材料层的材料的量。应当理解，考虑到上文讨论的薄膜形成机制，作为非限制性实例，由于单体可能的堆叠或聚集，实际的沉积材料的厚度可能不均匀。作为非限制性实例，沉积10nm的层厚度可以产生实际厚度大于10nm的沉积材料531的一些部分，或者实际厚度小于10nm的沉积材料531的其它部分。因此，在一些非限制性实例中，沉积在表面上的材料的某些层厚度可以对应于跨目标表面的沉积材料的平均厚度。
在本公开中，提及参考层厚度可以指沉积材料的层厚度，在本文也称为沉积材料(如Mg)，所述沉积材料可以沉积在展现出高初始粘附概率或初始粘附系数S0的参考表面(即，初始粘附概率S0为约1.0和/或接近1.0的表面)。参考层厚度可能并不表示沉积在目标表面(如但不限于NIC的表面)上的沉积材料的实际厚度。相反，参考层厚度可以指将沉积在参考表面，在一些非限制性实例中，定位在沉积室内的石英晶体的表面上的沉积材料的层厚度，所述沉积室用于监测在相同的沉积周期内使目标表面和参考表面经受沉积材料的相同蒸气通量的沉积速率和参考层厚度。如相关领域的普通技术人员应当理解的那样，在目标表面和参考表面在沉积期间没有同时经受相同的蒸气通量的情况下，可以使用适当的工具系数来确定和/或监测参考层厚度。
在本公开中，参考沉积速率可以指沉积材料的层在参考表面上生长的速率，如果其与样品表面在沉积室内的位置和配置相同。
在本公开中，提及沉积X个材料单层可以指沉积一定量的材料以用材料的组成单体的X个单层来覆盖暴露层表面的期望区域，如但不限于在封闭涂层中。
在本公开中，提及沉积分数1/X材料单层可以指沉积一定量的材料以用材料的组成单体和/或原子的单层来覆盖分数0.X的暴露层表面的期望区域。相关领域的普通技术人员应当理解，作为非限制性实例，由于单体的可能堆叠和/或聚集，所沉积材料在表面的期望区域上的实际局部厚度可能不均匀。作为非限制性实例，沉积1个单层材料可能导致表面的期望区域的一些局部区域被材料覆盖，而表面的期望区域的其它局部区域可能具有多个原子和/或沉积在其上的分子层。
在本公开中，如果如通过任何合适的确定机制确定在目标表面(和/或其目标区域)上基本上不存在材料，则所述目标表面可以被认为是“基本上缺乏所述材料”、“基本上没有所述材料”和/或“基本上没有被所述材料覆盖”。
在本公开中，术语“粘附概率”和“粘附系数”可以互换使用。
在本公开中，术语“成核”可以指薄膜形成工艺的成核阶段，其中气相中的单体冷凝到表面上以形成核。
在本公开中，在一些非限制性实例中，如上下文所指示的，术语“图案化涂层”和“图案化材料”可以互换使用以指代类似的概念，并且在一些非限制性实例中，对本文中的在选择性沉积以使沉积层330图案化的情况下的图案化涂层的引用可以适用于在选择性沉积以使沉积材料和/或电极涂层材料图案化的情况下的NIC材料。
类似地，在一些非限制性实例中，如上下文所指示的，术语“图案化涂层”和“图案化材料”可以互换使用以指代类似的概念，并且在一些非限制性实例中，对本文中的在选择性沉积以使沉积层图案化的情况下的NPC的引用可以适用于在选择性沉积以使电极涂层图案化的情况下的NPC材料。
虽然图案化材料可以是成核抑制的或成核促进的，但在本公开中，除非上下文另有规定，否则本文对图案化材料的引用旨在作为对NIC的引用。
在一些非限制性实例中，对图案化材料的引用可以表示具有如本文所述的特定组成的涂层。
在本公开中，术语“沉积层”和“电极涂层”可以互换使用以指代相似的概念，并且在一些非限制性实例中，对在本文中在通过NIC和/或NPC的选择性沉积被图案化的情况下的沉积层的引用可以适用于在通过图案化材料的选择性沉积进行图案化的情况下的电极涂层。在一些非限制性实例中，对电极涂层的引用可以表示具有如本文所述的特定组成的涂层。类似地，在本公开中，术语“沉积材料”、“沉积材料”和“电极涂层材料”可以互换使用以指代本文中对沉积材料的类似概念和引用。
在本公开中，相关领域的普通技术人员应当理解，有机材料可以包括但不限于多种有机分子和/或有机聚合物。进一步地，相关领域的普通技术人员应当理解，掺杂有各种无机物质(包含但不限于元素和/或无机化合物)的有机材料仍可以被认为是有机材料。仍进一步地，相关领域的普通技术人员应当理解，可以使用各种有机材料，并且本文所描述的工艺通常适用于整个范围的此类有机材料。仍进一步地，相关领域的普通技术人员应当理解，含有金属和/或其它有机元素的有机材料仍然可以被视为有机材料。仍进一步地，相关领域的普通技术人员应当理解，各种有机材料可以是分子、低聚物和/或聚合物。
如本文所使用的，低聚物通常是指包含至少两个单体单元或单体的材料。正如本领域技术人员所理解的，低聚物可以在至少一个方面与聚合物不同，包含但不限于：(1)其中包含的单体单元数；(2)分子量；和(3)其它材料性质和/或特性。作为非限制性实例，聚合物和低聚物的进一步描述可以在以下文献中找到：Naka K.(2014)《单体、低聚物、聚合物和大分子(概述)(Monomers，Oligomers，Polymers，and Macromolecules(Overview))》；以及Kobayashi S.，Müllen K.(编者)《聚合物纳米材料百科全书(Encyclopedia of PolymericNanomaterials)》，柏林海德堡施普林格出版社(Springer,Berlin，Heidelberg)。
低聚物或聚合物通常包含化学键合在一起以形成分子的单体单元。这种单体单元可以彼此基本相同，使得分子主要由重复的单体单元形成，或者分子可以包含两个或更多个不同的单体单元。此外，分子可以包含一个或多个末端单元，其可以不同于分子的单体单元。低聚物或聚合物可以是线性的、支化的、环状的、环状的和/或交联的。低聚物或聚合物可以包含两个或更多个不同的单体单元，它们以重复模式排列，和/或在不同单体单元的交替块中排列。
在本公开中，术语“半导电层”可以与“有机层”互换使用，因为OLED装置中的层可以在一些非限制性实例中可以包括有机半导电材料。
在本公开中，无机物质可以指主要包含无机材料的物质。在本公开中，无机材料可以包括不被认为是有机材料的任何材料，包含但不限于金属、玻璃和/或矿物。
在本公开中，术语“光子”和“光”可以互换使用以指类似的概念。在本公开内容中，光子可以具有波长，其波长位于可见光谱中，在红外(IR)区域(IR光谱)、近IR区域(NIR光谱)、紫外(UV)区域(UV光谱)和/或UVA区域(UVA光谱)中(其可以对应于约315-400nm之间的波长范围)。
在本公开中，如本文所使用的，术语“可见光谱”总体上是指EM光谱的可见部分中的至少一种波长。
在本公开中，如本文所使用的，术语“发射光谱”通常是指由光电子装置发射的光的电致发光光谱。作为非限制性实例，可以使用光学仪器，如作为非限制性实例，分光光度计检测发射光谱，所述分光光度计测量跨波长范围内的EM辐射的强度。
在本公开中，如本文所使用的，术语“起始波长”λonset通常可以指在发射光谱内检测到发射的最低波长。
在本公开中，如本文所使用的，术语“峰值波长”λmax通常可以指在发射光谱内检测到最大发光强度的波长。
在一些非限制性实例中，起始波长λonset可以小于峰值波长λmax。在一些非限制性实例中，起始波长λonset可以对应于一种波长，在此波长下，发光强度不超过在峰值波长λmax下的发光强度的约：10％、5％、3％、1％、0.5％、0.1％或0.01％。
如相关领域的普通技术人员将理解的，这种可见部分可以对应于介于约380-740nm之间的任何波长。通常，电致发光装置可以被配置成发射和/或传输波长范围介于约425-725nm之间的光，并且更具体地，在一些非限制性实例中，发射和/或传输峰值发射波长λe max为456nm、528nm和624nm的光，所述峰值发射波长分别对应于B(蓝色)、G(绿色)和R(红色)子像素。因此，在这种电致发光装置的背景下，可见部分可以指介于约425-725nm之间或介于约456-624nm之间的任何波长。在一些非限制性实例中，在可见光谱中具有波长的光子在本文中也可以被称为“可见光”。
在一些非限制性实例中，位于可见光谱R(红色)部分的发射光谱可以由峰值波长λmax表征，所述峰值波长可以位于约9410-640nm的波长范围内，并且在一些非限制性实例中，可以基本上为约620nm。
在一些非限制性实例中，位于可见光谱G(绿色)部分的发射光谱可以由峰值波长λmax表征，所述峰值波长可以位于约510-340nm的波长范围内，并且在一些非限制性实例中，可以基本上为约530nm。
在一些非限制性实例中，位于可见光谱B(蓝色)部分的发射光谱可以由峰值波长λmax表征，所述峰值波长可以位于约450-4941nm的波长范围内，并且在一些非限制性实例中，可以基本上为约455nm。
在本公开中，如本文所使用的，术语“IR信号”通常可以指在EM光谱的IR子集(IR光谱)中具有波长的EM辐射。在一些非限制性实例中，IR信号可以具有对应于其近红外(NIR)子集(NIR光谱)的波长。作为非限制性实例，NIR信号的波长可以介于约：750-1400nm、750-1300nm、800-1300nm、800-1200nm、850-1300nm或900-1300之间。
在本公开中，如本文所使用的，术语“吸收光谱”通常可以指吸收可集中的EM光谱的波长(子)范围。
在本公开中，如本文所使用的，术语“吸收边缘”、“吸收不连续性”和/或“吸收极限”通常可以指物质吸收光谱中的尖锐不连续性。在一些非限制性实例中，吸收边缘可能倾向于发生在被吸收光子的能量可能对应于电子跃迁和/或电离电位的波长处。
在本公开中，如本文中所使用的，术语“消光系数”通常可以指EM系数在通过材料传播时衰减的程度。在一些非限制性实例中，消光系数可以理解为对应于复折射率N的虚数分量k。在一些非限制性实例中，材料的消光系数k可以通过多种方法测量，包含但不限于通过椭圆法测量。
在本公开中，如本文中用于描述介质的术语“折射率”和/或“指数”可以指根据此类介质中的光速相对于真空中的光速的比率计算的值。在本公开中，特别是当用于描述基本上透明的材料，包含但不限于薄膜层和/或涂层的特性时，这些术语可以对应于表达式N＝n+ik中的实数部分n，其中N表示复折射率并且k表示消光系数。
如相关领域的普通技术人员将理解的，基本上透明的材料，包含但不限于薄膜层和/或涂层，通常可以在可见光谱中展现出相对较低的k值，因此表达的虚数分量可能对复折射率N具有可忽略不计的贡献。另一方面，例如由金属薄膜形成的透光电极可以在可见光谱中展现出相对较低的n值和相对较高的k值。因此，此类薄膜的复折射率N可以主要由其虚数分量k决定。
在本公开中，除非上下文另有规定，否则对折射率无特殊性的提及可以旨在提及复折射率N的实数部分n。
在一些非限制性实例中，折射率n与透射率之间通常可能存在正相关，或者换言之，折射率n与吸收率之间通常存在负相关。在一些非限制性实例中，物质的吸收边缘可以对应于消光系数k接近0的波长。
可以理解，本文中描述的折射率n和/或消光系数k值可以对应于在EM光谱的可见范围内的波长处测量的这种值。在一些非限制性实例中，折射率n和/或消光系数k值可以对应于在以下波长下测量的值：约456nm，其可以对应于B(蓝色)子像素的峰值发射波长；约528nm，其可以对应于G(绿色)子像素的峰值发射波长；和/或约624nm，其可以对应于R(红色)子像素的峰值发射波长。在一些非限制性实例中，本文描述的折射率n和/或消光系数k值可以对应于在约589nm的波长下测量的值，其近似对应于弗劳恩霍夫D线(Fraunhofer D-line)。
在本公开中，像素的概念可以结合其至少一个子像素的概念来进行讨论。仅为了描述的简单起见，这种复合概念在本文中可以被称为“(子)像素”，并且该术语被理解为暗示像素和/或其至少一个子像素中的一者或两者，除非上下文另有说明。
在一些非限制性实例中，表面上材料的量的一种量度可以是这种材料对表面的覆盖百分比。在一些非限制性实例中，可以使用多种成像技术(包含但不限于TEM、AFM和/或SEM)评估表面覆盖率。
在本公开中，术语“颗粒”、“岛”和“簇”可以互换使用以指类似的概念。
在本公开中，为了描述的简单起见，如本文所使用的，术语“涂层膜”、“封闭涂层”和/或“封闭涂层”可以指用于沉积层的沉积材料的薄膜结构和/或涂层，在所述薄膜结构和/或涂层中表面的相关部分由此基本上被涂覆，使得此类表面可能基本上不会被沉积在其上的涂层膜暴露或通过所述涂层膜暴露。
在本公开中，除非上下文另有规定，否则对薄膜无特殊性的提及可以旨在提及基本上封闭的涂层。
在一些非限制性实例中，在一些非限制性实例中，沉积层和/或沉积材料的封闭涂层可以被安置成覆盖底层表面的一部分，使得在该部分中，小于约：40％、30％、25％、20％、15％、10％、5％、3％或1％的底层表面被封闭涂层暴露或通过所述封闭涂层暴露。
相关领域的普通技术人员应当理解，可以使用各种技术和工艺，包含但不限于本文所描述的技术和工艺来对封闭涂层进行图案化，以便在封闭涂层沉积之后有意地使底层表面的暴露层表面的一部分暴露出来。在本公开中，如果作为非限制性实例，在此类图案化的背景下并且在底层表面的暴露层表面的此类有意地暴露部分之间沉积的薄膜和/或涂层本身基本上包括封闭涂层，则此类图案化膜可以被视为构成封闭涂层。
相关领域的普通技术人员应当理解，由于沉积过程中的固有可变性，并且在一些非限制性实例中，由于沉积材料中的一种或两种中存在杂质，在一些非限制性实例中，使用各种技术和工艺(包含但不限于本文所描述的技术和工艺)沉积薄膜的沉积材料和底层材料的暴露层表面仍然可能导致在其中形成小孔，包含但不限于针孔、撕裂和/或裂缝。在本公开中，作为非限制性实例，尽管存在此类孔，如果沉积的薄膜和/或涂层基本上包括封闭涂层并符合任何指定的百分比覆盖率标准，则此类薄膜可以被视为构成封闭涂层。
在本公开中，为了描述的简单起见，如本文所使用的，术语“不连续涂层”可以指用于沉积层的材料的薄膜结构和/或涂层，在所述薄膜结构和/或涂层中由此涂覆的表面的相关部分可以基本上缺乏此材料，或不会形成其封闭涂层。在一些非限制性实例中，沉积材料的不连续层可以表现为安置在此表面上的多个离散岛。
在本公开中，为了描述的简单起见，将蒸气单体沉积到底层材料的暴露层表面上的结果可以被称为“中间阶段层”，所述暴露层表面还没有(尚未)达到形成封闭涂层的阶段。在一些非限制性实例中，此类中间阶段层可以反映沉积过程尚未完成，其中此类中间阶段层可以被视为形成封闭涂层的过渡阶段。在一些非限制性实例中，中间阶段层可能是完成沉积过程的结果，并且因此构成内部和自身形成的最后阶段。
在一些非限制性实例中，中间阶段层可能比不连续层更接近于薄膜，但可能具有孔和/或表面覆盖中的间隙，包含但不限于一个或多个树突状突出部，和/或一个或多个树突状凹槽。在一些非限制性实例中，这样的中间阶段层可以包括沉积材料531的单个单层的分数1/X，使得其不形成封闭涂层。
在本公开中，为了描述的简单起见，术语“树枝状”关于涂层，包含但不限于沉积层，可以指当从横向方面观察时类似于分支结构的特征。在一些非限制性实例中，沉积层可以包括树枝状突出部和/或树枝状凹槽。在一些非限制性实例中，树枝状突出部可以对应于沉积层的一部分，所述一部分展现了包括多个物理连接并基本上向外延伸的短突起的分支结构。在一些非限制性实例中，树枝状凹槽可以对应于物理连接并基本上向外延伸的沉积层的间隙、开口和/或未覆盖部分的分支结构。在一些非限制性实例中，树枝状凹槽可以对应于，包含但不限于树枝状突出部的图案的镜像和/或反转图案。在一些非限制性实例中，树枝状突出部和/或树枝状凹槽可以具有展现和/或模拟分形图案、目、网和/或交叉指型结构的配置。
在一些非限制性实例中，薄层电阻可以是组件、层和/或部件的特性，所述特性可以改变通过此类组件、层和/或部件的电流的特性。在一些非限制性实例中，涂层的薄层电阻通常可以对应于与装置的其它组件、层和/或部件隔离测量和/或确定的涂层的特征薄层电阻。
在本公开中，沉积密度可以指一个区域内的分布，在一些非限制性实例中，所述分布可以包括其中的沉积材料的面积和/或体积。相关领域的普通技术人员将理解，这种沉积密度可能与可包括这种沉积材料的颗粒结构本身内的质量或材料的密度无关。在本公开中，除非上下文另有规定，否则提及沉积密度和/或密度，可以旨在提及这种沉积材料在一个区域内的分布，包含但不限于作为至少一个颗粒。
在一些非限制性实例中，金属的键离解能可以对应于在298K下从由金属的两个相同原子形成的双原子分子的键的断裂测量的标准态焓变。作为非限制性实例，可以基于已知文献确定键离解能，所述已知文献包含但不限于Luo，Yu-Ran，“键离解能(BondDissociation Energies)”(2010)。
在不希望受到特定理论约束的情况下，假设提供NPC可以促进沉积层沉积到某些表面上。
用于形成NPC的合适材料的非限制性实例包含但不限于以下中的至少一种：金属，包含但不限于碱金属、碱土金属、过渡金属和/或后过渡金属；金属氟化物；金属氧化物和/或富勒烯。
这种材料的非限制性实例包含Ca、Ag、Mg、Yb、ITO、IZO、ZnO、氟化镱(YbF3)、氟化镁(MgF2)和/或氟化铯(CsF)。
在本公开中，术语“富勒烯”通常可以指包含碳分子的材料。富勒烯分子的非限制性实例包含碳笼分子，所述碳笼分子包含但不限于包含形成封闭壳的多个碳原子的三维骨架，并且其形状可以是但不限于球形和/或半球形。在一些非限制性实例中，富勒烯分子可以被称为Cn，其中n是与富勒烯分子的碳骨架中所包含的碳原子数相对应的整数。富勒烯分子的非限制性实例包含Cn，其中n在50至250的范围内，如但不限于，C60、C70、C72、C74、C76、C78、C80、C82和C84。富勒烯分子的另外的非限制性实例包含管状和/或圆柱形的碳分子，包含但不限于单壁碳纳米管和/或多壁碳纳米管。
基于发现和实验观察，假设包含但不限于富勒烯、金属(包含但不限于Ag和/或Yb)和/或金属氧化物(包含但不限于ITO和/或IZO)的成核促进材料，如本文进一步讨论的，可以充当用于沉积沉积层的成核位点，包含但不限于Mg。
在一些非限制性实例中，用于形成NPC 520的合适材料可以包含展现出或特征在于具有对沉积层的材料的初始粘附概率S0的材料，所述初始粘附概率为至少约：0.4、0.5、0.6、0.7、0.75、0.8、0.9、0.93、0.95、0.98或0.99。
作为非限制性实例，在其中使用但不限于富勒烯处理表面上的蒸发工艺沉积Mg的情况下，在一些非限制性实例中，富勒烯分子可以充当可以促进用于Mg沉积的稳定核的形成的成核位点。
在一些非限制性实例中，可以在经处理的表面上提供少于单层的NPC(包含但不限于富勒烯)以充当用于Mg沉积的成核位点。
在一些非限制性实例中，通过在表面上沉积若干个单层的NPC来处理表面可以导致更多数量的成核位点，因此，更高的初始粘附概率S0。
相关领域的普通技术人员应当理解，沉积在表面上的材料(包含但不限于富勒烯)的量可以多于或少于一个单层。作为非限制性实例，这种表面可以通过沉积以下来处理：0.1、1、10或更多的单层成核促进材料和/或成核抑制材料。
在一些非限制性实例中，沉积在底层材料的暴露层表面上的NPC厚度可以介于约：1-5nm或1-3nm之间。
在根据马库什(Markush)组描述本公开的特征或方面的情况下，相关领域的普通技术人员应当理解，本公开因此也根据此类马库什组的成员的子组的任何单独成员进行描述。
除非另有说明，否则单数形式的引用可以包含复数形式，反之亦然。
如本文所使用的，如“第一”和“第二”等关系术语以及如“a”、“b”等编号装置可以单独用于将一个实体或元件与另一实体或元件区分，而不必要求或暗示此类实体或元件之间的任何物理或逻辑关系或顺序。
术语“包含”和“包括”可以被广泛地以开放式方式使用，因此应解释为“包含但不限于”。术语“实例”和“示例性”可以仅用于识别实例以用于说明目的，并且不应被解释为将实施例的范围限制为所述实例。具体地说，术语“示例性”不应被解释为表示或赋予其所使用的表达任何赞美、有益或其它品质，无论是在设计、性能或以其它方式。
此外，术语“临界”，特别是当用于“临界核”、“临界成核速率”、“临界浓度”、“临界簇”、“临界单体”、“临界颗粒结构大小”和/或“临界表面张力”等表述中时，可以是相关领域的普通技术人员所熟悉的术语，包含与某种测量或点相关或处于某种状态，其中某些质量、性质或现象发生明确变化。因此，术语“临界”不应被解释为表示或赋予其所使用的表达任何意义或重要性，无论是在设计、性能或其它方面。
任何形式的术语“耦接”和“连通”可以旨在意指通过某个接口、装置、中间组件或连接的直接连接或间接连接，无论是光学、电气、机械、化学或以其它方式。
术语“在……上”或“在……之上”当用于指相对于另一组件的第一组件或“覆盖”和/或“覆盖”另一组件时可以涵盖第一组件直接在(包含但不限于与其物理接触)其它组件上的情况，以及一个或多个中间组件定位于第一组件与其它组件之间的情况。
除非另有说明，否则如“向上”、“向下”、“左”和“右”等方向术语可以用于指所参考的附图中的方向。类似地，如“向内”和“向外”等词可以用于分别指朝向和远离装置、面积或体积或其指定部分的几何中心的方向。此外，本文所描述的所有尺寸可以仅旨在作为说明某些实施例的目的的实例，并且可能不旨在将本公开的范围限制为任何可能偏离所指定的此类尺寸的实施例。
如本文所使用的，术语“基本上”、“基本”、“大约”和/或“约”可以用于表示和解释小的变化。当与事件或情形结合使用时，此类术语可以指事件或情形精确发生的情况，以及事件或情形非常接近地发生的情况。作为非限制性实例，当与数值结合使用时，这些术语可以指不超过该数值的约±10％的变化范围，如不超过：±5％、±4％、±3％、±2％、±1％、±0.5％、±0.1％或±0.05％。
如本文所使用的，短语“基本上由…组成”可以被理解为包含具体叙述的那些元件以及不会实质性影响所描述技术的基本和新颖特性的任何另外的元件，而在不使用任何修饰符的情况下短语“由…组成”可以不包含任何未具体叙述的元件。
如相关领域的普通技术人员将理解的，出于任何和所有目的，特别是在提供书面描述方面，本文所公开的所有范围还可以涵盖任何和所有可能的子范围和/或其子范围的组合。任何列举的范围都可以很容易地被识别为充分描述和/或能够将相同的范围至少分解成其相等的部分，包含但不限于一半、三分之一、四分之一、五分之一、十分之一等。作为非限制性实例，本文中所讨论的每个范围可以容易地分解为下三分之一、中三分之一和/或上三分之一等。
相关领域的普通技术人员还应当理解，如“至多”、“至少”、“大于”、“小于”等所有语言和/或术语可以包含和/或指所叙述的范围并且还可以指可以随后分解成如本文所讨论的子范围的范围。
如相关领域的普通技术人员应当理解的，范围包含所叙述范围的每个单独成员。
概述
摘要的目的是使相关专利局或一般公众，以及特别是不熟悉专利或法律术语或用语的本领域普通技术人员能够通过粗略检查快速确定技术公开的性质。摘要既不旨在限定本公开的范围，也不旨在以任何方式限制本公开的范围。
上文已经讨论了当前公开的实例的结构、制造和使用。所讨论的具体实例仅是对实现和使用本文所公开的概念的具体方式的说明，并且不限制本公开的范围。相反，本文阐述的一般原理被认为仅是对本公开范围的说明。
应当理解，由权利要求而不是由所提供的实施方案细节描述，并且可以通过改变、省略、添加或替换和/或在不存在任何元件和/或替代物和/或等效功能元件(无论是否在本文中具体公开)的限制的情况下修改的本公开对于相关领域的普通技术人员来说将是显而易见的，可以对本文所公开的实例进行，并且可以提供许多适用的可以体现在各种特定上下文中的发明概念，而不会偏离本公开。
特别地，在上文所描述的实例中的一个或多个实例中描述和展示的特征、技术、系统、子系统和方法，无论是否被描述和展示为离散的或分开的，在不脱离本公开的范围的情况下都可以组合或集成到另一个系统中，以创建包括上文可能未明确描述的特征的组合或子组合的替代实例，或某些特征可能被省略，或未实施。适用于此类组合和子组合的特征对于本领域技术人员在总体上审阅本发明申请时将容易地显而易见。改变、替换和变更的其它实例是可容易确定的，并且可以在不脱离本文公开的精神和范围的情况下做出。
本文中叙述本公开的原理、方面和实施例以及其实例的所有陈述旨在涵盖其结构等效物和功能等效物两者并且涵盖并包含所有合适的技术变化。此外，此类等效物旨在包含当前已知的等效物以及将来开发的等效物两者，即，所开发的执行相同功能的任何元件，而不考虑结构。
本公开包含但不限于以下条款：
因此，说明书和其中公开的实例仅被视为说明性的，本公开的真实范围由以下编号的权利要求公开：

Claims (43)

1.一种具有多个层的装置，所述装置包括：
成核抑制涂层(NIC)，所述成核抑制涂层安置在所述装置的横向方面的第一部中的底层的第一层表面上；以及
包括沉积材料的沉积层，所述沉积层安置在第二层表面上；
其中针对所述沉积层在所述第一部中沉积到所述NIC的表面上的初始粘附概率显著小于针对所述沉积层沉积到所述第二层表面上的初始粘附概率，使得所述NIC基本上缺乏所述沉积材料的封闭涂层；并且
其中所述NIC包括含有稀土元素的化合物。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述稀土元素包括以下中的至少一者：铈(Ce)、镝(Dy)、铒(Er)、铕(Eu)、钆(Gd)、钬(Ho)、镧(La)、镥(Lu)、钕(Nd)、钷(Pm)、镨(Pr)、钪(Sc)、钐(Sm)、铽(Tb)、铥(Tm)、钇(Y)和镱(Yb)。
3.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述稀土元素包括Ce、Dy、Er、Eu、Gd、Ho、Lu、Nd、Pr、Sm、Tb、Tm和Yb。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中所述稀土元素包括Ce、Dy、Er、Eu、Gd、Ho、Lu、Nd、Sm、Tm和Yb。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述化合物包括所述稀土元素的氧化物。
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述氧化物包括以下中的至少一者：CeO2、Dy2O3、Er2O3、Eu2O3、Gd2O3、Ho2O3、La2O3、Lu2O3、Nd2O3、Pr6O11、Pr2O3、PrO2、Pr2O5、Pm2O3、Sm2O3、Sc2O3、Tb7O12、Tb2O3、TbO2、Tb3O7、Tm2O3、Yb2O3和Y2O3。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的装置，其中所述NIC的临界表面能小于约30达因/cm。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的装置，其中所述沉积层包括所述横向方面的第二部中的所述第二层表面上的封闭涂层。
9.根据权利要求8所述的装置，其进一步包括所述第二部中的界面涂层，其中所述界面涂层包括所述稀土元素。
10.根据权利要求9所述的装置，其中所述第二层表面是所述界面涂层的表面。
11.根据权利要求9或10所述的装置，其中所述界面涂层中的所述稀土元素的氧化态为零。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的装置，其中所述界面涂层在所述横向方面与所述NIC相邻。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的装置，其中所述稀土元素包括Yb。
14.根据权利要求13所述的装置，其中所述界面涂层包括Yb0，并且所述NIC包括Yb2O3。
15.根据权利要求9至14中任一项所述的装置，其中所述NIC的临界表面能低于所述界面涂层的临界表面能。
16.根据权利要求8至15中任一项所述的装置，其中所述第二部包括至少一个发射区域。
17.根据权利要求16所述的装置，其中所述第一部包括非发射区域的至少一部分。
18.根据权利要求16或17所述的装置，其中所述发射区域包括：
衬底；
第一电极；
至少一个半导电层；以及
第二电极；
其中所述第一电极位于所述衬底和所述至少一个半导电层之间；并且
其中所述至少一个半导电层位于所述第一电极和第二电极之间。
19.根据权利要求18所述的装置，其中所述沉积层电耦接到所述第二电极。
20.根据权利要求18所述的装置，其中所述沉积层在所述第二部中形成所述第二电极的至少一部分。
21.根据权利要求18至20中任一项所述的装置，其中所述第二部包括隔板和所述隔板的屏障区域中的第三电极，其中所述沉积层电耦接到所述第二电极和所述第三电极。
22.根据权利要求1至7中任一项所述的装置，其中所述沉积层包括至少一种颗粒结构的不连续层，并且所述第二层表面是所述NIC的表面。
23.根据权利要求22所述的装置，其进一步包括至少一个覆盖层，所述至少一个覆盖层安置在所述NIC的表面上并与其形成界面，其中所述沉积层定位在所述界面处。
24.根据权利要求23所述的装置，其中所述第一部包括至少一个发射区域，并且所述沉积层被调谐以增强由所述发射区域发射的至少一个电磁信号的外耦接。
25.根据权利要求24所述的装置，其中由所述至少一种颗粒结构赋予的共振通过选择选自以下中的至少一者的特征来进行调谐：所述至少一种颗粒结构的特征大小、大小分布、形状、表面覆盖率、配置、分散性、材料以及这些中的任一个的任意组合。
26.根据权利要求25所述的装置，其中所述共振通过改变以下中的至少一者来进行调谐：所述沉积材料的沉积厚度、所述NIC的平均膜厚度、所述至少一个覆盖层的厚度、所述沉积材料中的金属的组成、所述至少一种颗粒结构的介电常数、所述NIC掺杂具有不同组成的有机材料的程度、所述NIC的折射率、所述NIC的消光系数、沉积为所述至少一个覆盖层的材料、所述至少一个覆盖层的折射率、所述至少一个覆盖层的消光系数以及这些中的任一个的任意组合。
27.根据权利要求24至26中任一项所述的装置，其中所述第一部基本上被限制到所述至少一个发射区域。
28.根据权利要求24至27中任一项所述的装置，其中所述第一部由包括至少一个非发射区域的所述横向方面的第二部约束。
29.根据权利要求28所述的装置，其中所述NIC从所述第一部延伸到所述第二部中。
30.根据权利要求24至29中任一项所述的装置，其中所述发射区域包括：
衬底；
第一电极；
至少一个半导电层；以及
第二电极；
其中所述第一电极位于所述衬底和所述至少一个半导电层之间；并且
其中所述至少一个半导电层位于所述第一电极和第二电极之间。
31.根据权利要求30所述的装置，其中所述底层包括所述第二电极。
32.根据权利要求30所述的装置，其中所述底层包括所述至少一个半导电层中的一个。
33.根据权利要求32所述的装置，其中所述底层选自以下中的至少一者：空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。
34.根据权利要求32或33所述的装置，其中所述至少一个覆盖层选自所述电子传输层和所述电子注入层中的至少一者。
35.根据权利要求30所述的装置，其中所述沉积层包括所述第二电极。
36.根据权利要求22至35中任一项所述的装置，其中所述沉积层通过所述沉积材料跨所述横向方面的沉积来形成。
37.根据权利要求36所述的装置，其中所述沉积材料在所述第二部中形成电极。
38.根据权利要求37所述的装置，其中所述第二部中的所述电极是辅助电极。
39.根据权利要求37所述的装置，其中所述第二部包括至少一个另外的发射区域，并且所述第二部中的所述电极是所述至少一个另外的发射区域的电极。
40.根据权利要求39所述的装置，其中所述至少一个另外的发射区域包括：
衬底；
第一电极；
至少一个半导电层；以及
第二电极；
其中所述第一电极位于所述衬底和所述至少一个半导电层之间；并且
其中所述至少一个半导电层位于所述第一电极和第二电极之间。
41.根据权利要求40所述的装置，其中所述第二部中的所述电极包括所述至少一个另外的发射区域的所述第二电极。
42.根据权利要求37至42中任一项所述的装置，其中所述第二部中的所述电极是所述沉积材料的封闭涂层。
43.根据权利要求1至42中任一项所述的装置，其中所述沉积材料包括Mg。
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