CN116134343A - 用于形成图案化涂层的化合物和包含该化合物的装置 - Google Patents
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 240
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 206
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 173
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 546
- GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)phosphinimyl]-n-methylmethanamine Chemical group CN(C)P(=N)(N(C)C)N(C)C GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 49
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims abstract description 28
- -1 phosphazene derivative compound Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims abstract description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 493
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 88
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 58
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 42
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 claims description 33
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 30
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 24
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 23
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 22
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 21
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 20
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 claims description 18
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 15
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 15
- 125000005717 substituted cycloalkylene group Chemical group 0.000 claims description 15
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 125000004428 fluoroalkoxy group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 14
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 14
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 14
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 12
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 11
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 11
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 10
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000005348 fluorocycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000004407 fluoroaryl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 claims description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000005415 substituted alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 abstract description 5
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1316
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 965
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 564
- 239000010408 film Substances 0.000 description 107
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 105
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 96
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 93
- 238000000034 method Methods 0.000 description 70
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 66
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 62
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 60
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 57
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 54
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 54
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 54
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 44
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 43
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 41
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 41
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 39
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 39
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 38
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 35
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 35
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 34
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 description 26
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 24
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 22
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 21
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 20
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 18
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 18
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 17
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 17
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 17
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 17
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 16
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 16
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 13
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 13
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 11
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 11
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002585 base Substances 0.000 description 10
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 10
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 9
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 229910000821 Yb alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 8
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 7
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 7
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 6
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 6
- 238000003380 quartz crystal microbalance Methods 0.000 description 6
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 6
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 5
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 5
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 229920000740 poly(D-lysine) polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 4
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 4
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 4
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 3
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000306 component Substances 0.000 description 3
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- LTVOKYUPTHZZQH-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical group F[C]F LTVOKYUPTHZZQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 210000005155 neural progenitor cell Anatomy 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000002494 quartz crystal microgravimetry Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- DZKXDEWNLDOXQH-UHFFFAOYSA-N 1,3,5,2,4,6-triazatriphosphinine Chemical compound N1=PN=PN=P1 DZKXDEWNLDOXQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 229910014033 C-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910014570 C—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical group C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical class C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002156 adsorbate Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003725 azepanyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 210000001072 colon Anatomy 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 150000001934 cyclohexanes Chemical class 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- ZULTVNRFZRQYKL-UHFFFAOYSA-M fluorotin Chemical compound [Sn]F ZULTVNRFZRQYKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007773 growth pattern Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 1
- 238000012835 hanging drop method Methods 0.000 description 1
- 125000004404 heteroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N lithium;quinolin-8-ol Chemical compound [Li].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013212 metal-organic material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 125000005459 perfluorocyclohexyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 125000004193 piperazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003386 piperidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920002627 poly(phosphazenes) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910001848 post-transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 125000000719 pyrrolidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004654 triazenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- XASAPYQVQBKMIN-UHFFFAOYSA-K ytterbium(iii) fluoride Chemical compound F[Yb](F)F XASAPYQVQBKMIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
本发明公开了一种包含链部分的磷腈衍生物化合物，该链部分包含主链和附接的氟原子；以及包含这种化合物的光电子装置。该链部分包含中间部分、布置在其末端部处的与中间部分键合的末端部分，以及/或者包含附接到(包括通过该链部分的接头部分附接到)该链部分的磷腈单元的核心部分。该链部分附接到磷腈单元的磷原子并且/或者包含具有多个单元的环磷腈。该装置具有两个电极和有源区域，该有源区域包括半导电层，该有源区域在纵向上由这些电极界定并且在侧向上局限到由这些电极限定的不含该化合物的发射区域。装置图案化涂层在第一侧向部分中包含该化合物。该装置具有沉积材料的沉积层，但第一部分不含沉积材料的封闭涂层。
Description
相关申请
本申请要求以下美国临时专利申请的优先权：2020年6月12日提交的美国临时专利申请63/038,632；2020年7月2日提交的美国临时专利申请63/047,778；2020年8月17日提交的美国临时专利申请63/066,667；2020年8月19日提交的美国临时专利申请63/067,789；2020年10月27日提交的美国临时专利申请63/106,243；2020年10月29日提交的美国临时专利申请63/107,393；2021年2月25日提交的美国临时专利申请63/153,834；2021年3月19日提交的美国临时专利申请63/163,453；2021年4月28日提交的美国临时专利申请63/181,100；2020年12月7日提交的美国临时专利申请63/122,421；以及2021年1月26日提交的美国临时专利申请63/141,857，这些美国临时专利申请各自的内容均全文以引用方式并入本文中。
技术领域
本公开涉及光电子装置，特别地涉及可以充当并且/或者可以是抑制成核涂层(NIC)的图案化涂层，以及具有由半导体层分隔开的第一电极和第二电极并且具有使用图案化涂层图案化的导电涂层和/或电极的光电子装置，其中该图案化涂层可以充当并且/或者可以是抑制成核涂层(NIC)和/或这样的NIC。
背景技术
在如有机发光二极管(OLED)的光电子装置中，至少一个半导电层安置在如阳极和阴极等一对电极之间。阳极和阴极与电源电耦接并且分别产生空穴和电子，这些空穴和电子通过至少一个半导电层朝向彼此迁移。当一对空穴和电子组合时，可以发射光子。
OLED显示面板可以包括多个(子)像素，其中每个(子)像素具有相关联的一对电极以及位于两者之间的至少一个半导电层。在一些非限制性实例中，(子)像素可以由驱动电路选择性地驱动，该驱动电路包括通过导电金属线电耦接的多个薄膜晶体管(TFT)结构，在一些非限制性实例中，这些TFT结构位于其上沉积有电极和至少一个半导电层的衬底内。此类面板的各种层和涂层典型地通过基于真空的沉积方法来形成。
作为非限制性实例，此类显示面板可以用于诸如移动电话之类的电子设备中。
在一些应用中，目标可能是在OLED制造过程期间，通过选择性地沉积导电涂层的至少一个薄膜以形成装置特征(诸如但不限于电极和/或与电极电耦接的导电元件)，从而在面板的侧向方面和横截面方面中的任一者或两者上为该面板的每个(子)像素以一定图案提供导电涂层和/或电极涂层。
在一些非限制性应用中，这样做的一种方法涉及在电极材料和/或与电极材料电耦接的导电元件的沉积期间插入精细金属掩模(FMM)。然而，通常用作电极的材料具有相对高的蒸发温度，这会影响重新使用FMM的能力以及/或者可以实现的图案精度，同时伴随着成本、工作量和复杂性的增加。
在一些非限制性实例中，这样做的一种方法涉及沉积电极材料，以及由此包含通过激光钻孔工艺去除其不需要的区域以形成图案。然而，去除过程通常涉及碎片的产生和/或存在，这可能影响制造工艺的产率。
进一步地，此类方法可能不适用于一些应用和/或一些具有某些地形特征的装置。
在一些非限制性应用中，目标可能是增加光子的透射并且/或者减少光子的吸收，以提供一种用于在电磁(EM)波谱的至少一个波长子范围内沿着通过装置的至少一部分的光路的改进机制，包括但不限于通过提供导电涂层的选择性沉积。
附图说明
现在将参考以下附图描述本公开的实例，其中不同附图中的相同附图标记指示相同元件和/或在一些非限制性实例中指示类似和/或对应的元件，并且在附图中：
图1是从根据本公开中的一个实例的示例装置的横截面方面观察的简化框图，该示例装置在侧向方面上具有多个层，该多个层是通过在侧向方面的第一部分中选择性地沉积图案化涂层，之后在侧向方面的第二部分中沉积出沉积材料的封闭涂层而形成的；
图2是示出根据本公开中的一个实例的用于在图1装置的示例版本中在底层的暴露层表面上以一定图案沉积图案化涂层的示例方法的示意图；
图3是示出用于在第二部分中将沉积材料沉积在暴露层表面上的示例方法的示意图，该暴露层表面包括图2的图案化涂层的沉积图案，其中图案化涂层是抑制成核涂层(NIC)；
图4A是以横截面视图展示图1装置的示例版本的示意图；
图4B是以互补平面视图展示图4A装置的示意图；
图4C是以横截面视图展示图1装置的示例版本的示意图；
图4D是以互补平面视图展示图4C装置的示意图；
图4E是以横截面视图展示图1装置的一个实例的示意图；
图4F是以横截面视图展示图1装置的一个实例的示意图；
图4G是以横截面视图展示图1装置的一个实例的示意图；
图5A至图5I是示出根据本公开中的各个实例的在图1装置的示例版本中在具有沉积层的沉积界面处NIC的各种潜在行为的示意图；
图6是根据本公开中的实例的示例电致发光装置的横截面方面的框图；
图7是图1的装置的横截面视图；
图8是以平面视图展示了根据本公开中的实例的适用于图6的装置的版本的示例图案化电极的示意图；
图9是展示了图8的装置的沿线9-9截取的示例横截面视图的示意图；
图10A是以平面视图展示了根据本公开中的实例的适用于图6的装置的示例版本的电极的多个示例图案的示意图；
图10B是展示图10C装置沿线10B-10B截取的在中间阶段的示例横截面视图的示意图；
图10C是展示图10A装置沿线10C-10C截取的示例横截面视图的示意图；
图11是展示了根据本公开中的实例的具有示例图案化辅助电极的图6的装置的示例版本的横截面视图的示意图；
图12是以平面视图展示根据本公开中的一个实例的覆盖至少一个发射区域和至少一个非发射区域的辅助电极的示例图案的示意图；
图13A是以平面视图展示了根据本公开中的实例的具有多组以菱形配置的发射区域的图6的装置的示例版本的示例图案的示意图；
图13B是展示图13A装置沿线13B-13B截取的示例横截面视图的示意图；
图13C是展示图13A装置沿线13C-13C截取的示例横截面视图的示意图；
图14是展示了根据本公开中的实例的具有另外的示例沉积步骤的图7的装置的示例版本的示例横截面视图的示意图；
图15是展示了根据本公开中的实例的具有另外的示例沉积步骤的图7的装置的示例版本的示例横截面视图的示意图；
图16是展示了根据本公开中的实例的具有另外的示例沉积步骤的图7的装置的示例版本的示例横截面视图的示意图；
图17是展示根据本公开中的一个实例的具有另外的示例沉积步骤的图7装置的示例版本的示例横截面视图的示意图；
图18A是以平面视图展示了根据本公开中的实例的图6的装置的透明版本的实例的示意图，所述透明版本包括至少一个示例像素区域和至少一个示例透光区域，以及至少一个辅助电极；
图18B是展示图18A装置沿线18B-18B截取的示例横截面视图的示意图；
图19A是以平面视图展示了根据本公开中的实例的图6的装置的透明版本的实例的示意图，所述透明版本包括至少一个示例像素区域和至少一个示例透光区域；
图19B是展示图19A装置沿线19-19截取的示例横截面视图的示意图；
图19C是展示图19A装置沿线19-19截取的示例横截面视图的示意图；
图20是可以示出根据本公开中的一个实例的用于制造具有子像素区域的图7装置的示例版本的示例方法的示例阶段的示意图，其中子像素区域具有不同厚度的第二电极；
图21是展示根据本公开中的一个实例的图6装置的示例版本的示例横截面视图的示意图，在该装置中，第二电极与辅助电极耦接；
图22是展示了根据本公开中的实例的在其非发射区域中具有隔板和屏障区域(如凹槽)的图6的装置的示例版本的示例截面视图的示意图；
图23A-23B是示出了根据本公开中的各个实例的在非发射区域中具有分区和遮蔽区域，如孔口，的图6的装置的示例版本的示例横截面视图的示意图；
图24A至图24C是示出根据本公开中的一个实例的用于通过选择性沉积和后续去除工艺在图6装置的示例版本的暴露层表面上以一定图案沉积出沉积层的示例方法的示例阶段的示意图；
图25是展示根据本公开中的一个实例的吸附到表面上的吸附原子的相对能量状态的示例能量分布图；并且
图26是展示了根据本公开中的实例的膜核形成的示意图；
图27A、图27B和图27C是根据实施例从样品III-1、III-2和III-3的分析中获得的平均直径分布的曲线图。
在本公开中，附加有至少一个数值(包括但不限于下标)和/或小写字母字符(包括但不限于小写)的附图标记可以被认为是指代由该附图标记描述的元件或特征的特定实例和/或其子集。提到附图标记而未提到所附的值和/或字符，如上下文所规定的，一般可以指代由该附图标记描述的元件或特征，以及/或者指代由此描述的所有实例的集合。类似地，附图标记可以用字母“x”来代替数字。如上下文所规定的，提到这样的附图标记一般可以指代由该附图标记描述的元件或特征，其中字符“x”由数字代替，以及/或者指代由此描述的所有实例的集合。
在本公开中，出于解释而非限制的目的，阐述了具体细节以提供对本公开的透彻理解，包括但不限于特定的架构、接口和/或技术。在一些情况下，省略了对众所周知的系统、技术、部件、装置、电路、方法和应用的详细描述，以免用不必要的细节混淆本公开的描述。
进一步地，应当理解，本文再现的框图可以表示体现本发明技术原理的说明性组件的概念视图。
因此，在适当的情况下，系统和方法的组成部分已经由附图中的常规符号表示，仅示出了与理解本公开的实例相关的那些具体细节，以免用对受益于本文的描述的本领域普通技术人员将显而易见的细节混淆本公开。
本文提供的任何附图可能未按比例绘制并且不可以被认为以任何方式限制本公开。
在一些实例中，以虚线轮廓示出的任何特征或动作可以被视为任选的。
发明内容
本公开的目的是消除或减轻现有技术的至少一个缺点。
本公开的内容公开了包含链部分的磷腈衍生物化合物，该链部分包含主链和附接的氟原子；以及包含这种化合物的光电子装置。该链部分包含中间部分、布置在其末端部处的与中间部分键合的末端部分，以及/或者包含附接到(包括通过该链部分的接头部分附接到)该链部分的磷腈单元的核心部分。该链部分附接到磷腈单元的磷原子并且/或者包含具有多个单元的环磷腈。该装置具有两个电极和有源区域，该有源区域包括半导电层，该有源区域在纵向上由这些电极界定并且在侧向上局限到由这些电极限定的不含该化合物的发射区域。装置图案化涂层在第一侧向部分中包含该化合物。该装置具有沉积材料的沉积层，但第一部分不含沉积材料的封闭涂层。
根据本公开的广义方面，公开了一种包含化合物的光电子装置，该化合物为含氟磷腈化合物。
在一些非限制性实例中，该化合物可以包含链部分，该链部分包含主链和至少一个附接到主链上的氟(F)原子。在一些非限制性实例中，主链可以是含碳主链。在一些非限制性实例中，链部分可以包含中间部分。
在一些非限制性实例中，中间部分可以包含以下中的至少一种：氧(O)、醚、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基、未取代的氟代亚烷基、取代的亚环烷基、未取代的亚环烷基、取代的亚杂芳基和未取代的亚杂芳基。在一些非限制性实例中，中间部分可以包含氟(F)原子。在一些非限制性实例中，中间部分可以包含氟代亚烷基单元。在一些非限制性实例中，中间部分可以包含CF2单元。在一些非限制性实例中，中间部分可以包含CHF单元。在一些非限制性实例中，中间部分可以包含CH2单元。在一些非限制性实例中，中间部分可以包含饱和键。在一些非限制性实例中，中间部分可以包含以下中的至少一种：氧(O)、醚、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基和未取代的氟代亚烷基。在一些非限制性实例中，中间部分可以基本上不含不饱和键。在一些非限制性实例中，中间部分可以包含多达10个碳原子。在一些非限制性实例中，中间部分可以由下式表示：
其中：X各自独立地为氢(H)、氘代(D)、氟(F)或CF3；a为介于0与6之间的整数；b为介于0与12之间的整数；a和b之和不超过15。
在一些非限制性实例中，链部分可以包含与中间部分键合的末端部分，该末端部分布置在链部分的末端部处。在一些非限制性实例中，末端部分可以包含氟(F)原子。在一些非限制性实例中，末端部分可以包含以下中的至少一种：支链烷基、非支链烷基、支链氟烷基、非支链氟烷基、氟取代的杂环烷基、支链氟烷氧基、非支链氟烷氧基、氟芳基、多氟硫烷基和氟环烷基。在一些非限制性实例中，末端部分可以包含氟(F)和氢(H)。在一些非限制性实例中，末端部分可以包含CF2H单元。在一些非限制性实例中，末端部分可以由式(EC-1)、式(EC-2)、式(EC-3)、式(EC-4)、式(EC-5)、式(EC-6)和式(EC-7)中的至少一者表示：
在一些非限制性实例中，该化合物可以包含附接到链部分的核心部分。
在一些非限制性实例中，链部分可以包含适用于将链部分附接到核心部分的接头部分。在一些非限制性实例中，接头部分可以包含以下中的至少一种：氧(O)、氮(N)、硫(S)、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基、未取代的氟代亚烷基、取代的亚环烷基、未取代的亚环烷基、取代的亚芳基、未取代的亚芳基、取代的亚杂芳基和未取代的亚杂芳基。在一些非限制性实例中，接头部分可以包含以下中的至少一种：氧(O)、氮(N)、硫(S)、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基和未取代的氟代亚烷基。在一些限制性实例中，接头部分可以由式(EA-1)、式(EA-2)、式(EA-3)、式(EA-4)、式(EA-5)和式(EA-6)中的至少一者表示：
其中：RH选自以下中的至少一种：氢(H)、氘代(D)、CF3、支链烷基、非支链烷基、支链氟烷基、非支链氟烷基、氟取代的杂环烷基、支链氟烷氧基、非支链氟烷氧基、氟芳基、多氟硫烷基和氟环烷基。
在一些非限制性实例中，核心部分可以包含磷腈单元。在一些非限制性实例中，链部分可以附接到磷腈单元的磷(P)原子。在一些非限制性实例中，链部分可以包含环磷腈。在一些非限制性实例中，环磷腈可以由多个磷腈单元提供。在一些非限制性实例中，环磷腈可以由选自3个和4个的多个磷腈单元提供。
在一些非限制性实例中，链部分可以包含附接到至少三个部分的分支部分，该至少三个部分选自：中间部分、末端部分和接头部分。在一些非限制性实例中，分支部分可以包含以下中的至少一种：氮(N)、胺、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基、未取代的氟代亚烷基、取代的亚环烷基、未取代的亚环烷基、取代的亚环杂烷基、未取代的亚环杂烷基、取代的亚芳基、未取代的亚芳基、取代的亚杂芳基和未取代的亚杂芳基。在一些非限制性实例中，分支部分可以包含以下中的至少一种：氮(N)、胺、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基和未取代的氟代亚烷基。
在一些非限制性实例中，该化合物可以在电磁波谱的可见光部分之外的波长处表现出光吸收。在一些非限制性实例中，该化合物可以在电磁波谱的可见光部分之外的波长处表现出光致发光。在一些非限制性实例中，该化合物可以具有超过约以下中的至少一者的光隙：3.4eV、3.5eV、4.1eV、5eV和6.2eV。在一些非限制性实例中，该化合物可以具有超过约100℃的熔融温度。在一些非限制性实例中，该化合物可以具有超过约100℃的升华温度。在一些非限制性实例中，该化合物可以具有小于约以下中的至少一者的特征表面能：25达因/厘米、21达因/厘米、20达因/厘米、19达因/厘米、18达因/厘米、17达因/厘米、16达因/厘米、15达因/厘米、14达因/厘米、13达因/厘米、12达因/厘米、11达因/厘米和10达因/厘米。在一些非限制性实例中，该化合物可以具有不超过约以下中的至少一者的折射率：1.5、1.45、1.4、1.35、1.3和1.25。
在一些非限制性实例中，该装置还可以包括第一电极和第二电极，以及有源区域，该有源区域包括至少一个半导电层，在横向方面由这些电极界定，并且在侧向方面局限到由这些电极限定的发射区域，其中该有源区域基本上不含该化合物。在一些非限制性实例中，该装置还可以包括：包含该化合物的图案化涂层，该图案化涂层在该装置的侧向方面的第一部分中设置在底层的第一层表面上；以及由沉积材料组成的沉积层，该沉积层设置在第二层表面上；其中第一部分基本上不含沉积材料的封闭涂层。在一些非限制性实例中，第一部分可以不包括发射区域的侧向方面。在一些非限制性实例中，第二电极可以包括沉积层的至少一部分作为其层。在一些非限制性实例中，第一部分可以包括发射区域的侧向方面。在一些非限制性实例中，该装置还可以包括辅助电极，该辅助电极包括沉积层作为其层。在一些非限制性实例中，该装置还可以包括与第二电极电耦接的导体。
根据本公开的广义方面，公开了一种包含化合物的光电子装置，该化合物包含具有CF2H单元的末端部分。
在一些非限制性实例中，该化合物可以包含链部分，其中末端部分布置在链部分的末端部处。在一些非限制性实例中，链部分可以包含主链和至少一个附接到主链上的氟(F)原子。在一些非限制性实例中，链部分可以包含附接到末端部分的中间部分。
在一些非限制性实例中，中间部分可以包含以下中的至少一种：氧(O)、醚、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基、未取代的氟代亚烷基、取代的亚环烷基、未取代的亚环烷基、取代的亚杂芳基和未取代的亚杂芳基。在一些非限制性实例中，中间部分可以包含氟(F)原子。在一些非限制性实例中，中间部分可以包含CF2单元。在一些非限制性实例中，中间部分可以包含CH2单元。在一些非限制性实例中，中间部分可以包含氟代亚烷基单元。
在一些非限制性实例中，该化合物可以包含附接到链部分的核心部分。
在一些非限制性实例中，链部分可以包含适用于将链部分附接到核心部分的接头部分。在一些非限制性实例中，接头部分可以包含以下中的至少一种：氧(O)、氮(N)、硫(S)、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基、未取代的氟代亚烷基、取代的亚环烷基、未取代的亚环烷基、取代的亚芳基、未取代的亚芳基、取代的亚杂芳基和未取代的亚杂芳基。
在一些非限制性实例中，核心部分可以包含磷腈单元。在一些非限制性实例中，链部分可以附接到磷腈单元的磷(P)原子。在一些非限制性实例中，核心部分可以包含环磷腈。在一些非限制性实例中，环磷腈可以由多个磷腈单元提供。在一些非限制性实例中，环磷腈可以由选自3个和4个的多个磷腈单元提供。
在一些非限制性实例中，可以选择链部分，使得该链部分的通过裂解接头部分与核心部分之间的键并将氢(H)原子附接到裂解的接头部分而衍生的等效前体形式具有超过约60℃的熔融温度。
在一些非限制性实例中，链部分可以包含附接到至少三个部分的分支部分，该至少三个部分选自：中间部分、末端部分和接头部分。在一些非限制性实例中，分支部分可以包含以下中的至少一种：氮(N)、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基、未取代的氟代亚烷基、取代的亚环烷基、未取代的亚环烷基、取代的亚环杂烷基、未取代的亚环杂烷基、取代的亚芳基、未取代的亚芳基、取代的亚杂芳基和未取代的亚杂芳基。
在一些非限制性实例中，该化合物可以在电磁波谱的可见光部分之外的波长处表现出光吸收。在一些非限制性实例中，该化合物可以在电磁波谱的可见光部分之外的波长处表现出光致发光。在一些非限制性实例中，该化合物可以具有超过约以下中的至少一者的光隙：3.4eV、3.5eV、4.1eV、5eV和6.2eV。在一些非限制性实例中，该化合物可以具有超过约100℃的熔融温度。在一些非限制性实例中，该化合物可以具有超过约100℃的升华温度。在一些非限制性实例中，该化合物可以具有小于约以下中的至少一者的特征表面能：25达因/厘米、21达因/厘米、20达因/厘米、19达因/厘米、18达因/厘米、17达因/厘米、16达因/厘米、15达因/厘米、14达因/厘米、13达因/厘米、12达因/厘米、11达因/厘米和10达因/厘米。在一些非限制性实例中，该化合物可以具有不超过约以下中的至少一者的折射率：1.5、1.45、1.4、1.35、1.3和1.25。
在一些非限制性实例中，链部分可以不含长于以下中的至少一者的连续全氟化单元：8个、7个和6个碳(C)原子。
在一些非限制性实例中，该装置还可以包括第一电极和第二电极，以及一个有源区，该有源区包括至少一个半导电层，在横向方面由这些电极界定，并且在侧向方面局限到由这些电极限定的发射区域，其中该有源区基本上不含该化合物。在一些非限制性实例中，该装置还可以包括：包含该化合物的图案化涂层，该图案化涂层在该装置的侧向方面的第一部分中设置在底层的第一层表面上；以及由沉积材料组成的沉积层，该沉积层设置在第二层表面上；其中第一部分基本上不含沉积材料的封闭涂层。在一些非限制性实例中，第一部分可以不包括发射区域的侧向方面。在一些非限制性实例中，第二电极可以包括沉积层的至少一部分作为其层。在一些非限制性实例中，第一部分可以包括发射区域的侧向方面。在一些非限制性实例中，该装置还可以包括辅助电极，该辅助电极包括沉积层作为其层。在一些非限制性实例中，该装置还可以包括与第二电极电耦接的导体。
根据本公开的广义方面，公开了一种包含第一链部分和第二链部分的磷腈衍生化合物，每个链部分均包含主链和附接到主链上的氟(F)原子，其中第一链部分不同于第二链部分。
在一些非限制性实例中，该化合物还可以包含磷腈单元，其中第一链部分和第二链部分中的每一者可以附接到该磷腈单元的磷(P)原子。在一些非限制性实例中，第一链部分和第二链部分可以附接到共同的磷(P)原子。在一些非限制性实例中，第一链部分和第二链部分中的至少一者可以包含CF2单元、CH2单元和氟代亚烷基单元中的至少一者。在一些非限制性实例中，第一链部分中的碳(C)原子数与第二链部分中的碳(C)原子数之比可以是约以下中的至少一者：1∶8、1∶6、2∶6、2∶4、2∶3和1∶3。在一些非限制性实例中，第一链部分中的氟(F)原子数与第二链部分中的氟(F)原子数之比可以是约以下中的至少一者：1∶16、1∶12、2∶12、4∶12、4∶8、4∶6和2∶6。
在一些非限制性实例中，第一链部分可以由下式表示：
*-O-(CH2)t(CF2)uZ
其中：t表示介于1与3之间的整数；u表示介于5与12之间的整数；Z表示氢(H)、氘代(D)和氟(F)中的至少一种。
在一些非限制性实例中，第二链部分可以由下式表示：
*-O-(CH2)v(CF2)wZ
其中：v表示介于1与3之间的整数；w表示介于5与12之间的整数；Z表示氢(H)、氘代(D)和氟(F)中的至少一种。
在一些非限制性实例中，该化合物可以由式(X)表示：
其中：t和v各自表示介于1与3之间的整数；u和w各自表示介于5与12之间的整数；y表示介于2与6之间的整数；Z单独表示氢(H)、氘代(D)和氟(F)中的至少一种。
在一些非限制性实例中，u和v可能是不同的。在一些非限制性实例中，t和v可能都是1。在一些非限制性实例中，y可能是3和4中的至少一者。在一些非限制性实例中，u可能是8。在一些非限制性实例中，w可能是10。
根据本公开的广义方面，公开了一种包含根据式(PX-1)的部分的化合物：
其中：R1和R2各自独立地表示以下中的至少一种：取代的烷基、未取代的烷基、取代的烷氧基、未取代的烷氧基，以及包含主链和附接到主链上的氟(F)原子的链部分；并且R1和R2是不同的。
具体实施方式
分层装置
本公开整体涉及分层装置，更具体地讲，涉及光电子装置。光电子装置通常可以涵盖将电信号转换为光子以及将光子转换为电信号的任何装置。
相关领域的普通技术人员应当理解，虽然本公开涉及光电子装置，但是其原理可以适用于具有多个层的任何面板，该多个层包括但不限于至少一层导电沉积材料331(图3)，包括作为薄膜，并且在一些非限制性实例中，电磁(EM)信号能够相对于这些层中的至少一个层的平面成一定角度完全或部分地经过该多个层。
现在转到图1，可以示出示例分层装置100a的横截面视图。在一些非限制性实例中，如图10中更详细地示出的，装置100可以包括沉积在衬底10上的多个层。
标识为X轴的横轴可以与标识为Z轴的纵轴一起示出。标识为Y轴的第二横轴可以显示为基本上横向于X轴和Z轴两者。这些横轴中的至少一者可以限定装置100的侧向方面710(图7)。纵轴可以限定装置100的横向方面。本文中的一些附图可能以平面图示出。在这样的平面图中，示出了一对横轴，分别标识为X轴和Y轴，在一些非限制性实例中它们可以基本上横向于彼此。这些横轴中的至少一者可以限定装置100的侧向方面710。
装置100的多个层可以在基本上平行于由横轴限定的平面的侧向方面710中延伸。相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，图1所示的基本上为平面的表示可以是用于说明目的的抽象表示。在一些非限制性实例中，在装置100的侧向范围内，可能存在具有不同厚度和尺寸的局部基本上为平面的薄层，在一些非限制性实例中，包括基本上完全没有层，以及/或者由非平面过渡区域(包括侧向间隙和同样大小的中断部分)分隔的层。
因此，尽管出于说明的目的，装置100在其横截面方面可以被示出为基本上平行的平面层的基本上分层的结构，但是这样的显示面板可以局部地展示各式各样的形貌来限定特征，其中每个特征可以基本上表现出在横截面方面中所论述的分层轮廓。
在一些非限制性实例中，装置100的暴露层表面11的侧向方面710可以包括第一部分101和第二部分102。在一些非限制性实例中，第二部分102可以包括装置100底层的暴露层表面11的位于第一部分101之外的部分。
在一些非限制性实例中，在第一部分101中，包含抑制成核涂层(NIC)材料的NIC110可以选择性地作为封闭涂层140仅在第一部分101中沉积在装置100的底层的暴露层表面11上，该底层包括但不限于衬底10。然而，在第二部分102中，底层的暴露层表面11可以基本上不含NIC材料的封闭涂层140。
NIC
NIC 110可以包含NIC材料。在一些非限制性实例中，NIC 110可以包括NIC材料的封闭涂层140。
NIC 110可以提供具有相对低的抵抗沉积材料331沉积的初始粘附概率S0(在一些非限制性实例中，在Walker等人描述的双QCM技术中确定的条件下)的暴露层表面11，在一些非限制性实例中，该初始粘附概率可以显著低于抵抗沉积材料331沉积在装置100的底层的其上已沉积NIC 110的暴露层表面11上的初始粘附概率S0。
由于NIC 110和/或NIC材料的初始粘附概率S0很低，所以在一些非限制性实例中，当作为膜和/或以涂层的形式沉积时，并且在与为在装置100内沉积NIC 110类似的情况下，为抵抗沉积材料331的沉积，包括NIC 110的第一部分101可以基本上不含沉积材料331的封闭涂层140。
在一些非限制性实例中，NIC 110和/或NIC材料在一些非限制性实例中当作为膜和/或以涂层的形式沉积时，并且在与为在装置100内沉积NIC 110类似的情况下，可以具有小于约以下值的抵抗沉积材料331沉积的初始粘附概率S0：0.9、0.3、0.2、0.15、0.1、0.08、0.05、0.03、0.02、0.01、0.008、0.005、0.003、0.001、0.0008、0.0005、0.0003或0.0001。
在一些非限制性实例中，NIC 110和/或NIC材料在一些非限制性实例中当作为膜和/或以涂层的形式沉积时，并且在与为在装置100内沉积NIC 110类似的情况下，可以具有小于约以下值的抵抗银(Ag)和/或镁(Mg)沉积的初始粘附概率S0：0.9、0.3、0.2、0.15、0.1、0.08、0.05、0.03、0.02、0.01、0.008、0.005、0.003、0.001、0.0008、0.0005、0.0003或0.0001。
在一些非限制性实例中，NIC 110和/或NIC材料在一些非限制性实例中当作为膜和/或以涂层的形式沉积时，并且在与为在装置100内沉积NIC 110类似的情况下，可以具有介于约以下值之间的抵抗沉积材料331沉积的初始粘附概率S0：0.15至0.0001、0.1至0.0003、0.08至0.0005、0.08至0.0008、0.05至0.001、0.03至0.0001、0.03至0.0003、0.03至0.0005、0.03至0.0008、0.03至0.001、0.03至0.005、0.03至0.008、0.03至0.01、0.02至0.0001、0.02至0.0003、0.02至0.0005、0.02至0.0008、0.02至0.001、0.02至0.005、0.02至0.008、0.02至0.01、0.01至0.0001、0.01至0.0003、0.01至0.0005、0.01至0.0008、0.01至0.001、0.01至0.005、0.01至0.008、0.008至0.0001、0.008至0.0003、0.008至0.0005、0.008至0.0008、0.008至0.001、0.008至0.005、0.005至0.0001、0.005至0.0003、0.005至0.0005、0.005至0.0008或0.005至0.001。
在一些非限制性实例中，NIC 110和/或NIC材料在一些非限制性实例中当作为膜和/或以涂层的形式沉积时，并且在与为在装置100内沉积NIC 110类似的情况下，可以具有小于阈值的抵抗多种沉积材料531沉积的初始粘附概率S0。在一些非限制性实例中，这种阈值可以为约：0.3、0.2、0.18、0.15、0.13、0.1、0.08、0.05、0.03、0.02、0.01、0.008、0.005、0.003或0.001。
在一些非限制性实例中，NIC 110和/或NIC材料在一些非限制性实例中当作为膜和/或以涂层的形式沉积时，并且在与为在装置100内沉积NIC 110类似的情况下，可以具有小于这种阈值的抵抗选自以下的多种沉积材料531沉积的初始粘附概率S0：Ag、Mg、镱(Yb)、镉(Cd)和锌(Zn)。在一些另外的非限制性实例中，NIC 110可以表现出等于或低于这种阈值的抵抗选自以下的多种沉积材料531沉积的S0：Ag、Mg和Yb。
在一些非限制性实例中，NIC 110和/或NIC材料在一些非限制性实例中当作为膜和/或以涂层的形式沉积时，并且在与为在装置100内沉积NIC 110类似的情况下，可以表现出等于或低于第一阈值的抵抗第一沉积材料331沉积的初始粘附概率S0，以及等于或低于第二阈值的抵抗第二沉积材料331沉积的初始粘附概率S0。在一些非限制性实例中，第一沉积材料331可以为Ag，第二沉积材料331可以为Mg。在一些其他非限制性实例中，第一沉积材料331可以为Ag，第二沉积材料331可以为Yb。在一些其他非限制性实例中，第一沉积材料331可以为Yb，第二沉积材料331可以为Mg。在一些非限制性实例中，第一阈值可以超过第二阈值。
在一些非限制性实例中，NIC 110和/或NIC材料在一些非限制性实例中当作为膜和/或以涂层的形式沉积时，并且在与为在装置100内沉积NIC 110类似的情况下，对于波长超过约以下中的至少一者的光子，可以具有能够小于约0.01的消光系数k：600nm、500nm、460nm、420nm或410nm。
在一些非限制性实例中，包括但不限于因为所使用的NIC材料311和/或沉积环境，NIC 110可以具有和/或提供用于沉积材料331的至少一个成核位点。
在一些非限制性实例中，NIC 110可以充当光学涂层。在一些非限制性实例中，NIC110可以修改EM辐射的至少一种特性和/或特征，其中EM辐射包括但不限于以由装置100发射的光子的形式。在一些非限制性实例中，NIC 110可能表现出一定程度的混浊，从而导致发射的光被散射。在一些非限制性实例中，NIC 110可以包括用于使透射通过的光被散射的结晶材料。在一些非限制性实例中，这种光散射可以有助于增强光从装置输出耦合。在一些非限制性实例中，NIC 110最初可以沉积为基本上非晶态的、包括但不限于基本上无定形的涂层，因此，在其沉积之后，NIC 110可以变得结晶，此后用作光耦合。
在一些非限制性实例中，NIC 810和/或图案化涂层包括含有核心部分和附接到核心部分的链部分的化合物。在一些另外的非限制性实例中，该化合物包含多个附接到核心部分的链部分。
在一些非限制性实例中，至少一个链部分包括主链和一个或多个附接到主链上的氟原子。在一些非限制性实例中，主链是含碳主链。在一些非限制性实例中，主链包含杂原子，作为非限制性实例，该杂原子可以是硅。在一些非限制性实例中，链部分包括接头部分RB、中间部分RD和末端部分RT。在一些另外的非限制性实例中，链部分还包括分支部分RE。在一些非限制性实例中，链部分包括饱和键。在一些非限制性实例中，链部分的键基本上由饱和键组成，使得链部分是饱和部分。在此类非限制性实例中，链部分的各个部分，包括但不限于RB、RD、RT和/或RE，是饱和部分。
不希望受任何特定理论的束缚，据推测，在单链部分内存在多个醚单元可能使该化合物的熔点降低，这在至少某些应用中可能是不希望看到的。因此，在一些非限制性实例中，链部分包括少于或等于4个、少于或等于3个、少于或等于2个、或者单个醚单元。
接头部分RB对应于链部分在核心部分近侧的末端部，并且包括将链部分附接到核心部分的原子。在一些非限制性实例中，RB包括：O、N、S、取代或未取代的亚烷基、取代或未取代的氟代亚烷基、取代或未取代的亚环烷基、取代或未取代的亚芳基，以及/或者取代或未取代的亚杂芳基。在一些非限制性实例中，除了前文提到的基团之外，RB还包括P＝N或磷腈基团。在一些非限制性实例中，RB包括O、N、S、取代或未取代的亚烷基，以及/或者取代或未取代的氟代亚烷基。在一些非限制性实例中，RB包括：O、N、S、取代或未取代的亚烷基，以及/或者取代或未取代的氟代亚烷基。在一些非限制性实例中，RB包括以下中的至少一种：O、N、S、亚烷基、氟亚甲基和二氟亚甲基。
中间部分RD通常对应于链部分布置在接头部分与末端部分之间的一部分。在一些非限制性实例中，RD包括：O、醚、取代或未取代的亚烷基、取代或未取代的氟代亚烷基、取代或未取代的亚环烷基、取代或未取代的亚芳基，以及/或者取代或未取代的亚杂芳基。在一些非限制性实例中，RD包括氟原子。在一些非限制性实例中，RD包括氟代亚烷基单元。在一些非限制性实例中，RD包含CF2单元、CFH单元和/或CH2单元。在一些另外的非限制性实例中，RD包括键合在一起形成氟代亚烷基或其一部分的两个或更多个CF2单元。在一些非限制性实例中，RD包括至少一个CH2单元和至少一个CF2单元。在一些非限制性实例中，RD包括醚单元。在一些非限制性实例中，RD包括饱和键。在一些另外的非限制性实例中，RD基本上不含任何不饱和键。在一些非限制性实例中，RD包含多达约15个、13个、12个或10个碳原子。在一些非限制性实例中，RD包括O、醚、取代或未取代的亚烷基，以及/或者取代或未取代的氟代亚烷基。
末端部分RT对应于链部分的末端部，其可以例如是链部分的相对于核心部分的远侧部。例如，末端部可以对应于链部分的与接头部分相对的末端部。在一些非限制性实例中，RT包括氟原子。在一些非限制性实例中，RT包括支链或非支链的烷基、支链或非支链的氟烷基、取代或未取代的杂环烷基、支链或非支链的氟烷氧基、氟芳基、多氟硫烷基和/或氟环烷基。在一些非限制性实例中，RT包括支链或非支链的烷基、支链或非支链的氟烷基，以及/或者支链或非支链的氟烷氧基。如本文所述的“杂环烷基”，是指其中一个或多个组成碳原子已被相应数目的杂原子替换的环烷基，其中杂原子包括但不限于氧、氮和/或硫。杂环烷基的非限制性实例包括含有吗啉单元、哌啶单元、吡咯烷单元、氮杂环庚烷单元和/或哌嗪单元的那些。在一些非限制性实例中，RT包含多达约8个、6个、5个、3个、2个或1个碳原子。
分支部分RE通常对应于主链的两个或更多个分支从其延伸的链部分的一部分。换句话讲，RE可以充当主链的分支点。例如，分支可以通过将形成链部分的三个或更多个其他部分键合至RE而出现。举例来说，RE可以布置在链部分的各种构型和/或位置中，并且键合至RB、RD和/或RT。键合至RE的三个或更多个部分可以是彼此不同或相同的部分。作为非限制性实例，在其中链部分包括两个或更多个RD和/或RT的实例中，RE可以键合至两个或更多个RD以及/或者两个或更多个RT。在一些非限制性实例中，RE包括：O、N、S、胺、取代或未取代的亚烷基、取代或未取代的氟代亚烷基、取代或未取代的亚环烷基、取代或未取代的亚环杂烷基、取代或未取代的亚芳基，以及/或者取代或未取代的亚杂芳基。在一些非限制性实例中，RE包括：O、N、S、胺、取代或未取代的亚烷基，以及/或者取代或未取代的氟代亚烷基。在一些非限制性实例中，RE包含多达约8个、6个、5个、3个、2个或1个碳原子。在一些非限制性实例中，RE不含任何碳原子。
根据一些非限制性实例，核心部分包括取代或未取代的有机磷酸酯、取代或未取代的烷基、取代或未取代的杂烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的杂环烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的环硅氧烷，和/或金属有机化合物。核心部分的非限制性实例包括含有磷腈、环磷腈、三氮烯、环己烷、金刚烷、支链或非支链烷基、有机金属络合物、苯基、萘基和/或环硅氧烷的那些。在一些非限制性实例中，核心部分包括不饱和键。在一些非限制性实例中，核心部分是不饱和部分。
在一些非限制性实例中，链部分由式(E-1)表示：
其中*表示该化合物内的附接点，RB表示接头部分，RD表示中间部分，RT表示末端部分。
在一些非限制性实例中，式(E-1)中的RB由式(EA-1)、式(EA-2)、式(EA-3)、式(EA-4)、式(EA-5)或式(EA-6)表示：
其中，在式(EA-2)中，RH为H、D(氘代)、CF3，或者含有中间部分RD和末端部分RT的二级链部分。末端部分键合至二级链部分的中间部分。在一些非限制性实例中，二级链部分由式(ED-1)表示：
在一些非限制性实例中，二级链部分的RD和RT在分子结构上与链部分的RD和RT(例如式(E-1)中的那些)相同。在一些其他非限制性实例中，二级链部分的RD和RT中的至少一者不同于链部分的那些。如应当理解的，有关本文相对于链部分提供的RD和RT的各种非限制性实例的描述也可以类似地适用于二级链部分的RD和RT。
在一些非限制性实例中，式(E-1)中的RD由式(EB-1)表示：
其中X各自独立地为H、D(氘代)、F或CF3；a为0至6的整数；b为0至12的整数。在一些非限制性实例中，a和b之和小于或等于15、小于或等于12、小于或等于10，或者小于或等于9。
根据式(EB-1)的RD的非限制性实例包括以下项：
在一些非限制性实例中，a为1至4的整数，b为4至9的整数，a和b之和为6至13的整数。在一些非限制性实例中，a为2至4的整数，b为5至9的整数，a和b之和为6至13的整数。
在一些非限制性实例中，式(E-1)中的RT由式(EC-1)、式(EC-2)、式(EC-3)、式(EC-4)、式(EC-5)、式(EC-6)或式(EC-7)表示。
在一些非限制性实例中，链部分包括分支部分RE。这种链部分的非限制性实例包括以下项：
在一些非限制性实例中，链部分包括闭环构型的含碳主链，例如以形成环状结构。这种环状结构的非限制性实例包括含有氟环烷基的那些，诸如全氟环戊基和全氟环己基。
应当理解，对RB、RD、RE和RT的各种描述将通常适用于链部分的各种非限制性实例，包括式(E-2)、式(E-3)和式(E-4)的那些。应当理解，在其中链部分包括两个或更多个相同部分(例如两个或更多个RB、两个或更多个RD、两个或更多个RE，以及/或者两个或更多个RT)的实例中，根据本文所述的各种非限制性实例，每个这样的部分可以在每次出现时独立地选择。
在一些非限制性实例中，该化合物包含选自式(F-1)至式(F-294)的链部分：
在一些非限制性实例中，链部分根据链部分的等效前体形式的一种或多种特性来选择。在一些非限制性实例中，等效前体形式通过裂解接头部分与核心部分之间的键并将氢(H)原子附接到裂解的接头部分而衍生。作为非限制性实例，包含O作为接头部分的链部分的等效前体形式可以是醇，包含N作为接头部分的链部分的等效前体形式可以是胺。在一些非限制性实例中，对链部分作出选择，使得链部分的等效前体形式具有超过约60℃、80℃或100℃的熔融温度。在一些非限制性实例中，对链部分作出选择，使得链部分的等效前体形式具有不大于约1.4、1.35或1.3的折射率。在一些非限制性实例中，对链部分作出选择，使得链部分的等效前体形式具有不大于约25达因/厘米、24达因/厘米、23达因/厘米、22达因/厘米、21达因/厘米或20达因/厘米的表面能。
不希望受任何特定理论的束缚，据推测对链部分作出选择，使得等效前体形式具有：(i)相对高的熔融温度，作为非限制性实例，超过60℃；(ii)相对低的折射率，作为非限制性实例，不大于约1.4；以及(iii)相对低的表面能，作为非限制性实例，不大于约23达因/厘米，该化合物可以表现出一种或多种对某些应用(包括在光电子装置中)有利的特性。
材料的表面能，包括通过沉积化合物形成的薄膜的表面能，可以通过实验(诸如座滴测试)来测量，或者通过使用等张比容来估算。等张比容具有可加性。在一些非限制性实例中，等张比容值可以基于化合物的原子组成通过加法得到。在一些其他非限制性实例中，等张比容可以基于化合物的官能团和/或各种部分通过加法得到。等张比容和表面能通过以下公式相关：
其中γ是表面能，P是等张比容，V是摩尔体积，M是分子量，ρ是密度。在一些非限制性实例中，摩尔体积可以通过实验来测量，或者可以使用各种基团贡献法来估算。作为非限制性实例，对等张比容值和摩尔体积值的引用可以在以下文献中找到：Fedors,R.F.(1974)Polymer Engineering and Science,14(2),147-154，以及Knotts等人，(2001)J.Chem.Eng.Data,46,1007-1012。
发明人现已发现，可能特别希望化合物的某些部分具有相对低的等张比容值和与之相关联的相对低的摩尔体积，以减小这些部分对表面能的贡献。在一些非限制性实例中，链部分的等张比容(P)与摩尔体积(V)之商(也可以表示为“P/V”)小于约以下中的至少一者：3、2.5、2、1.8、1.6和1.5。在一些非限制性实例中，多个链部分的P/V小于约以下中的至少一者：3、2.5、2、1.8、1.6和1.5。
不希望受任何特定理论的束缚，据推测，包含具有相对高P/V的核心部分和具有相对低P/V的链部分的化合物可能特别适宜在至少某些应用中使用。因此，在一些非限制性实例中，该化合物包含具有至少为约6、8、10、12、15、20、30或40的P/V的核心部分，以及具有小于约3、2.5、2、1.8、1.6或1.5的P/V的链部分。
作为非限制性实例，某些官能团的等张比容、摩尔体积和P/V值的参考值汇总在下表中。下表中的示例参考值基于Fedors(1974)和Knotts等人(2001)提供的数据。
在一些非限制性实例中，NIC 810和/或图案化涂层包括含有多个链部分的化合物。在一些非限制性实例中，多个链部分中的每个链部分独立于其他链部分进行选择。在一些非限制性实例中，多个链部分是相同的。
在一些非限制性实例中，多个链部分的摩尔质量之和超过化合物摩尔质量的约90％、92％或95％。在一些非限制性实例中，多个链部分的摩尔质量之和超过核心部分摩尔质量的约10倍。
在一些非限制性实例中，每个链部分的摩尔质量为约200g/mol至900g/mol、300g/mol至800g/mol，或350g/mol至650g/mol。
在一些非限制性实例中，链部分不含超过8个、7个或6个碳(C)原子的连续全氟化单元。作为非限制性实例，如果全氟化单元的全氟化碳原子彼此连续键合且其间不存在任何非全氟化碳和杂原子，则可以认为该全氟化单元形成连续单元。
在一些非限制性实例中，NIC 810和/或图案化涂层包括含有由式(PU-1)表示的磷腈单元的化合物：
其中R在每次出现时独立地表示取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基，或链部分。在一些非限制性实例中，至少一个R对应于由式(E-1)、式(E-2)、式(E-3)或式(E-4)表示的链部分。
在一些非限制性实例中，该化合物包含两个或更多个磷腈单元。例如，该化合物可以包含两个或更多个端对端键合的磷腈单元，以形成(作为非限制性实例)由式(A-1)表示的低聚物：
其中n为大于2的整数，并且R在每次出现时独立地表示F、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基，或链部分。在一些非限制性实例中，至少一个R对应于由式(E-1)、式(E-2)、式(E-3)或式(E-4)表示的链部分。
在一些非限制性实例中，该化合物是其中n大于约20的聚合物。作为非限制性实例，在此类聚合物中，n可以是约21至60、21至50、21至40或21至30的整数。
在一些非限制性实例中，该化合物是其中n小于约20的低聚物。作为非限制性实例，在此类低聚物中，n可以是约2至20、2至18、2至15、2至13、2至10、2至8、2至7、2至5、3至5或3至4的整数。该低聚物可以是直链的、支链的、环状的、环状-直链的，和/或交联的。在一些非限制性实例中，该化合物是低聚磷腈化合物。在一些非限制性实例中，该化合物是环状低聚磷腈。
在一些非限制性实例中，附接到磷腈单元的磷的两个R基团可以彼此稠合形成环状结构。在一些非限制性实例中，这种化合物可以由式(A-2)表示：
其中Rcy表示通过两个R基团彼此稠合而形成的环状结构。例如，Rcy可以包括用于形成本文的各种实例中所述的链部分的各种部分，包括例如RB、RD、RE和/或RT。在一些非限制性实例中，Rcy由式(CB-1)、式(CB-2)或式(CB-3)表示：
其中k为2至9、2至6、2至5或2至3的整数；j为1至5、1至3或1至2的整数；l为1至5、1至3或1至2的整数。
在一些非限制性实例中，该化合物包含两个或更多个被布置形成环磷腈的磷腈单元。这种化合物可以例如由式(CA-1)或式(CA-2)表示：
在式(CA-1)中，m为2至7的整数。
在式(CA-2)中，r和s各自表示1至6的整数，并且r和s之和等于2、3、4、5、6或7。在一些非限制性实例中，RA、RB、RC和RD各自独立地表示R，其描述在上文的各种非限制性实例中提供。在一些非限制性实例中，对RA、RB、RC和RD作出选择，使得RA和RB中的至少一者不同于RC和RD。
再次参见式(CA-2)，在其中r和s各自表示为2或更大的数的整数的一些非限制性实例中，磷腈单元-N＝PRARB-(表示为“A”)和-RCRDP＝N-(表示为“B”)可以相对于彼此以各种环状构型键合。此类键合布局的一些非限制性实例包括但不限于：AABB、ABAB、ABBA、AAABB、ABABA、AABAB、ABAAB、BBBAA、BABAB、BBABA、BABBA、AAABBB、AABBAB、ABABAB和ABABBA。
在一些非限制性实例中，环磷腈由下方示出的式(C-1)、式(C-2)、式(C-3)、式(C-4)、式(C-5)或式(C-6)表示。
上文在各种非限制性实例中提供的对R的描述，包括但不限于相对于式(PU-1)提供的那些，关于式(C-1)、(C-2)、(C-3)、(C-4)、(C-5)和(C-6)中每次出现的R也是适用的。在一些非限制性实例中，R在式(C-1)、(C-2)、(C-3)、(C-4)、(C-5)和(C-6)中的每一者中每次出现时独立地选择。在一些其他非限制性实例中，每个给出的式中表示的所有R均彼此相同。
在一些非限制性实例中，NIC 810和/或图案化涂层包括含有根据式(C-2)的环磷腈的化合物，其中至少一个R对应于由式(E-1)、式(E-2)、式(E-3)或式(E-4)表示的链部分。在一些另外的非限制性实例中，至少一个R由式(F-1)至式(F-294)中的任一者表示。在一些另外的非限制性实例中，该化合物包括两种或更多种选自式(F-1)至式(F-294)的不同种类的链部分。
根据式(C-3)的化合物的非限制性实例包括其中至少一个R由式(F-156)、式(F-157)、式(F-165)、式(F-169)、式(F-209)至式(F-239)中的任一者表示的那些。在一些非限制性实例中，该化合物内的所有R基团都是相同的。
根据式(C-2)的化合物的非限制性实例包括其中至少一个R由式(F-153)至式(F-172)以及式(F-209)至式(F-279)中的任一者表示的那些。在一些非限制性实例中，该化合物内的所有R基团都是相同的。
在一些非限制性实例中，NIC 810和/或图案化涂层包括含有根据式(C-1)、式(C-2)、式(C-3)、式(C-4)、式(C-5)和/或式(C-6)的环磷腈的化合物，其中至少一个R包括含有O、N、S、取代或未取代的亚烷基、氟亚甲基和/或二氟亚甲基的接头部分。在一些非限制性实例中，至少一个R包括含有取代或未取代的亚烷基以及/或者取代或未取代的氟代亚烷基的中间部分。
在一些非限制性实例中，提供了磷腈衍生化合物。该化合物包括第一链部分和第二链部分。第一链部分和第二链部分中的每一者均包括主链和附接到主链上的氟原子。第一链部分不同于第二链部分。
在一些非限制性实例中，NIC 810和/或图案化涂层包括含有第一链部分和第二链部分的磷腈衍生化合物，或者由该磷腈衍生化合物形成。应当理解，对根据本文的各种非限制性实例的链部分的描述可以适用于第一链部分和第二链部分中的每一者。
在一些非限制性实例中，其中第一链部分的摩尔质量与第二链部分的摩尔质量之间的差值小于约：600g/mol、500g/mol、450g/mol、300g/mol或200g/mol。
在一些非限制性实例中，第一链部分和第二链部分中的至少一者包括CF2单元、CH2单元和氟代亚烷基单元中的至少一者。
在一些非限制性实例中，包含在第一链部分中的碳(C)原子数与包含在第二链部分中的碳原子数相差约1至8个C原子、1至6个C原子、2至6个C原子、2至4个C原子、2至3个C原子或1至3个C原子。在一些非限制性实例中，包含在第一链部分中的氟(F)原子数与包含在第二链部分中的氟原子数相差约1至16个F原子、1至12个F原子、2至12个F原子、4至12个F原子、4至8个F原子、4至6个F原子或2至6个F原子。
在一些非限制性实例中，该化合物包括根据式(PX-1)的磷腈单元：
其中R1和R2分别表示第一链部分和第二链部分。
在一些非限制性实例中，该化合物是由下式表示的环磷腈衍生物：
在上式中：A表示介于3与7之间的整数；R1表示第一链部分；B表示介于1与13之间的整数；R2表示第二链部分；C表示1至13的整数；B和C之和不超过A值的两倍。在上式中，第一链部分和第二链部分中的每个链部分均可以键合至构成核心部分的磷腈单元的磷原子，其在上式中表示为[P＝N]A。
在一些非限制性实例中，最多两个链部分键合至构成核心部分的磷腈单元的每个磷原子上。在一些非限制性实例中，B和C相等。在一些另外的非限制性实例中，核心部分的每个磷原子均键合至第一链部分和第二链部分。
在一些非限制性实例中，在根据式(XA-1)的化合物中，A为3，B为1至5，并且C为1至5。在一些另外的非限制性实例中，B为3，并且C为3。根据式(XA-1)(其中A为3)的分子结构的非限制性实例包括但不限于以下项：
在一些非限制性实例中，在根据式(XA-1)的化合物中，A为4，B为1至7，并且C为1至7。在一些另外的非限制性实例中，B为4，并且C为4。根据式(XA-1)(其中A为4)的分子结构的非限制性实例包括但不限于以下项：
在一些非限制性实例中，第一链部分和第二链部分附接到共同的磷(P)原子。
在一些非限制性实例中，第一链部分由下式表示：
*-O-(CH2)t(CF2)uZ
在上式中：t表示介于1与3之间的整数；u表示介于5与12之间的整数；Z表示氢(H)、氘代(D)或氟(F)。
在一些非限制性实例中，第二链部分由下式表示：
*-O-(CH2)v(CF2)wZ
在上式中：v表示介于1与3之间的整数；w表示介于5与12之间的整数；Z表示氢(H)、氘代(D)或氟(F)。
在一些非限制性实例中，该化合物由下式表示：
在式(XA-2)中：t和v各自表示介于1与3之间的整数；u和w各自表示介于5与12之间的整数；y表示介于2与7之间的整数；Z单独表示氢(H)、氘代(D)或氟(F)。
在一些非限制性实例中，在式(XA-2)中，u和w的值不同。在一些非限制性实例中，t和v都是1。在一些非限制性实例中，y是3或4。在一些非限制性实例中，u是8。在一些非限制性实例中，w是10。
根据式(XA-1)的化合物的非限制性实例包括根据下表衍生的那些。在下表中，对于每种衍生化合物，提供了A、B和C的值，以及第一链部分月1和第二链部分R2中的每一者的式标识符。
在本文所述的各种非限制性实例中，示出化合物的片段或部分的分子式可以包括连接到由符号*表示的星号的一个或多个键，其用于指示连接到这种片段或部分所附接的化合物的另一个原子(未示出)的键。
在本文所述R基团的各种非限制性实例中，提供了具有一个或多个附接到其上的氟原子的主链。在一些非限制性实例中，一个或多个这样的氟原子可以替换为氯，并且至少对于一些应用仍然赋予基本上相似的特性。在各种非限制性实例中，存在于分子中的一个或多个H可以任选地替换为相应数目的D(氘)。
可以通过进行本领域已知的各种化学反应来合成本文所述的各种化合物。这种反应的非限制性实例包括但不限于其中氯取代的磷腈在氢氧化钾存在下以及在升高的温度下与醇(例如HO-R)反应，以在R基团的磷与碳之间形成醚桥的那些。用于生产含环三磷腈的化合物的这种反应方案的非限制性实例示意性地说明如下
在一些其他非限制性实例中，混合的取代基化合物(例如，含有两个或更多个不同取代基的磷腈衍生物)可以通过遵循与上述类似的合成程序来生产，不同的是具有期望的取代基基团的醇反应物能够以期望的比例依次添加，以得到含有混合取代基的化合物。
磷腈衍生物合成方法的各种实例以非限制性实例的方式描述于以下文献中：Allcock,Harry R.Chemistry and applications of polyphosphazenes.Wiley-Interscience,2003，以及Allcock,H.Phosphorus-nitrogen compounds:cyclic,linear,and high polymeric systems.Elsevier,2012。
现已有些令人惊讶地发现，至少一些上述化合物表现出相对低的临界表面张力。据推测，由此类化合物形成的低能表面可以表现出相对低的初始粘附概率，因此可能特别适合形成NIC 810和/或图案化涂层。不希望受任何特定理论的束缚，据推测，特别是对于低表面能表面，临界表面张力可能与表面能正相关。例如，表现出相对低的临界表面张力的表面也可能表现出相对低的表面能，而表现出相对高的临界表面张力的表面也可能表现出相对高的表面能。根据一些表面能模型，表面的临界表面张力可以等于或基本上等于这种表面的表面能。参考上述杨氏方程，较低的表面能可以导致较大的接触角θ，同时也降低了γSV，从而提高了这种表面相对于用于形成导电涂层830的材料具有低润湿性和低初始粘附概率的可能性。
在一些非限制性实例中，包含本文所述化合物的NIC 810和/或图案化涂层的表面表现出小于约20达因/厘米、小于约18达因/厘米、小于约16达因/厘米、小于约15达因/厘米、小于约13达因/厘米、小于约12达因/厘米、小于约11达因/厘米、小于约10达因/厘米、小于约9达因/厘米、小于约8达因/厘米或小于约7达因/厘米的临界表面张力。例如，本文各种非限制性实例中的临界表面张力值可以对应于在约常温常压(NTP)下测量的此类值，其中常温常压对应于20℃的温度和1atm的绝对压力。在一些非限制性实例中，表面的临界表面张力可以根据Zisman方法确定，如W.A.Zisman,Advances in Chemistry 43(1964)，第1至51页中进一步详述的。
现已有些令人惊讶地还发现，由表现出相对低的临界表面张力的化合物形成的NIC 810还可以表现出相对低的折射率n。
在一些非限制性实例中，NIC 810和/或化合物的折射率n小于或等于约1.7。例如，NIC 810的折射率可以小于或等于约1.6、小于或等于约1.5、小于或等于约1.4，或者小于或等于约1.3。在一些非限制性实例中，NIC 810的n为约1.2至约1.6、约1.2至约1.5，或约1.25至约1.45。如在上文的各种非限制性实例中进一步描述的，表现出相对低的折射率的NIC810对于例如通过增强由光电子装置发射的光的输出耦合来增强该装置的光学特性和/或性能可能是特别理想的。
在一些非限制性实例中，NIC 810和/或化合物表现出小于或等于约25达因/厘米的临界表面张力和小于或等于约1.45的折射率。在一些非限制性实例中，NIC 810包括表现出小于或等于约20达因/厘米的临界表面张力和小于或等于约1.4的折射率的材料。在一些非限制性实例中，NIC 810包括表现出小于或等于约20达因/厘米的临界表面张力以及小于或等于约1.35或者小于或等于约1.3的折射率的材料。
在一些非限制性实例中，NIC 810和/或化合物是基本上透明的和/或透光的。例如，NIC 810和/或化合物在可见光波谱的至少一部分中可以表现出小于或等于约0.1、小于或等于约0.08、小于或等于约0.05、小于或等于约0.03或者小于或等于约0.01的消光系数κ。在一些非限制性实例中，NIC 810在对应于电磁波谱的可见光部分的任何波长处均不表现出光吸收。
在一些非限制性实例中，NIC 810和/或化合物在对应于电磁波谱的可见光部分的任何波长处均不表现出光致发光。在一些非限制性实例中，NIC 810和/或化合物在经受波长等于或长于约300nm、320nm、350nm和/或365nm的辐射时不表现出光致发光。作为非限制性实例，NIC 810和/或化合物在经受这种辐射时可以表现出可忽略不计和/或检测不到的吸收量。
在一些非限制性实例中，NIC 810和/或化合物具有大于约3.4eV、大于约3.5eV、大于约4.1eV、大于约5eV或大于约6.2eV的光隙。
应当理解，本文所述的折射率、消光系数和/或吸收值可以对应于在电磁波谱的可见光范围内的波长处测量的此类值。在一些非限制性实例中，折射率和/或消光系数值可以对应于在以下波长处测量的值：约456nm，该波长可以对应于蓝色子像素的峰值发射波长；约528nm，该波长可以对应于绿色子像素的峰值发射波长；和/或约624nm，该波长可以对应于红色子像素的峰值发射波长。在一些非限制性实例中，本文所述的折射率和/或消光系数值可以对应于在约589nm的波长处测量的值，该波长大致对应于Fraunhofer D线。
如本领域技术人员应当理解的，NIC 810表现出以下特性的组合在至少某些应用中可能特别有用：(i)相对低的临界表面张力，例如小于或等于约20达因/厘米，或者小于或等于约15达因/厘米；(ii)相对低的折射率，例如小于或等于约1.35，或者小于或等于约1.3；以及(iii)相对低的衰减系数，例如小于或等于约0.05，或者小于或等于约0.01。
在一些非限制性实例中，NIC 810和/或其化合物具有大于约90℃、100℃、110℃、120℃、140℃、150℃或约180℃的熔融温度。
在一些非限制性实例中，NIC 810和/或其化合物具有约100℃至300℃、100℃至250℃、120℃至230℃、130℃至220℃、140℃至210℃、140℃至200℃或者140℃至190℃的升华温度。
材料的升华温度可以使用本领域已知的各种方法来确定。作为非限制性实例，升华温度可以通过在坩埚中在高真空下加热材料并测定观察到材料在距蒸发源固定距离安装的石英晶体微量天平上开始沉积所需的温度来确定。在一些非限制性实例中，出于确定升华温度的目的，石英晶体微量天平可以安装在距蒸发源约65cm处。在一些非限制性实例中，升华温度可以通过在坩埚中在高真空下加热材料并测量在距坩埚固定距离(作为非限制性实例，距蒸发源约65cm)安装的石英晶体微量天平上观察到特定沉积速率(作为非限制性实例，为0.1A/s)所需的温度来确定。在一些非限制性实例中，升华温度可以通过在坩埚中在高真空下加热材料并测定达到材料的阈值蒸气压所需的温度来确定。作为非限制性实例，阈值蒸气压可以为约10E-4托或10E-5托。在一些非限制性实例中，材料的升华温度可以通过在蒸发源中在约10E-4托的高真空环境下加热材料并测量使材料蒸发，从而产生足以使材料以约0.1埃/秒的速率沉积到距蒸发源约65cm定位的表面上的蒸气通量所需的温度来确定。作为非限制性实例，该沉积速率可以使用距蒸发源约65cm定位的石英晶体微量天平来测量。
例如，薄膜中各种元素的存在可以使用多种技术来检测，包括但不限于X射线光电子能谱(XPS)。例如，在使用XPS的情况下，可以测定芯能级结合能和相关联的强度。然后可以将测量的结合能与各种形式和氧化态的已知元素的参考结合能进行比较，以确定存在于测量样品中的物质。磷和氮的参考芯能级结合能的非限制性实例汇总在下表中。
| 元素 | 芯能级 | 结合能(eV) |
| P | 2p | 132-135 |
| N | 1s | 397–400 |
虽然这些结合能在上表中作为范围提供，但是应当理解，落入这些范围内或超出这些范围外的特定参考结合能值可以在各种来源中找到。此类来源的实例包括但不限于：BV Crist.(1999).Handbook of The Elements and Native Oxides.XPS International,Inc.；A.V.Naumkin等人，NIST X-ray Photoelectron Spectroscopy Database,NISTStandard Reference Database 20，第4.1版，NIST；以及J.F.Moulder等人(1992).Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy.Perkin-Elmer Corporation。
在一些非限制性实例中，水在NIC 810和/或图案化涂层的表面上的接触角θ可以大于或等于约90度、大于或等于约100度、大于或等于约110度、大于或等于约120度、大于或等于约130度、大于或等于约140度，或者大于或等于约150度。可以使用各种方法来测量这种接触角θ，包括但不限于静态或动态座滴法和悬滴法。
用于测定固体表面能的各种方法和理论是已知的。例如，可以基于一系列接触角测量结果来计算或导出表面能，其中使各种液体与固体表面发生接触以测量液体-蒸气界面与该表面之间的接触角。在一些非限制性实例中，固体表面的表面能等于具有将该表面完全润湿的最高表面张力的液体的表面张力。例如，Zisman图可以用于确定将导致表面完全润湿(即，接触角为0°)的最高表面张力值。
在一些非限制性实例中，该化合物的分子量小于或等于约5000g/mol。例如，该化合物的分子量可以小于或等于约4500g/mol、小于或等于约4000g/mol、小于或等于约3800g/mol，或者小于或等于约3500g/mol。
在一些非限制性实例中，化合物的分子量大于或等于约1500g/mol。例如，该化合物的分子量可以大于或等于约1700、大于或等于约2000、大于或等于约2200，或者大于或等于约2500。
在一些非限制性实例中，归因于存在氟原子的化合物摩尔量百分比为约40％至90％、45％至85％、50％至80％、55％至75％，或60％至75％。在一些非限制性实例中，氟原子占化合物摩尔量的大部分。
例如，在化合物的给定分子结构中，氟原子数与碳原子数之比可以称为“氟:碳”比或“F:C”。在一些非限制性实例中，该化合物具有介于约9:4与约1:1之间的F:C。
在一些非限制性实例中，提供了光电子装置。该光电子装置包括含有末端部分的化合物。末端部分包括CF2H单元。
现已发现，其中末端部分包括CF2H单元的化合物在至少一些应用中可能特别有用。特别地，虽然具有CF3单元作为末端部分的化合物与除了包含CF2H单元作为末端部分之外具有类似分子结构的化合物相比可以适合于形成具有较低表面能的表面，但是具有CF2H单元作为末端部分的化合物可以表现出其他可能合乎需要的特性，包括但不限于较高的熔融温度和较高的升华温度。因此，在至少一些应用中，可能需要提供具有包括CF2H单元的末端部分的化合物。
在一些非限制性实例中，该化合物包括链部分，并且包含CF2H单元的末端部分布置在链部分的末端部处。本文所述链部分的各种非限制性实例可以适用于包含CF2H单元作为末端部分的化合物。在一些非限制性实例中，该化合物是磷腈衍生物。在一些非限制性实例中，该化合物包括核心部分，该核心部分包括磷腈单元。在一些另外的非限制性实例中，链部分附接到磷腈单元的磷(P)原子。
沉积层
在一些非限制性实例中，在装置100的侧向方面710的第二部分102中，包括沉积材料331的沉积层130可以设置为底层(包括但不限于衬底10)的暴露层表面11上的封闭涂层140。
在一些非限制性实例中，沉积层130可以包括沉积材料331(图3)。
在一些非限制性实例中，沉积材料331可以包含选自以下的元素：钾(K)、钠(Na)、锂(Li)、钡(Ba)、铯(Cs)、Yb、Ag、金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)、Mg、Zn、Cd、锡(Sn)或钇(Y)。在一些非限制性实例中，该元素可以包括K、Na、Li、Ba、Cs、Yb、Ag、Au、Cu、Al和/或Mg。在一些非限制性实例中，该元素可以包括Cu、Ag和/或Au。在一些非限制性实例中，该元素可以是Cu。在一些非限制性实例中，该元素可以是Al。在一些非限制性实例中，该元素可以包括Mg、Zn、Cd或Yb。在一些非限制性实例中，该元素可以包括Mg、Ag、Al、Yb或Li。在一些非限制性实例中，该元素可以包括Mg、Ag或Yb。在一些非限制性实例中，该元素可以包括Mg或Ag。在一些非限制性实例中，该元素可以是Ag。
在一些非限制性实例中，沉积材料331可以包括纯金属。在一些非限制性实例中，沉积材料331可以是纯金属。在一些非限制性实例中，沉积材料331可以是纯Ag或基本上纯Ag。在一些非限制性实例中，基本上纯Ag可以具有至少约95％、99％、99.9％、99.99％、99.999％或99.9995％的纯度。在一些非限制性实例中，沉积材料331可以是纯Mg或基本上纯Mg。在一些非限制性实例中，基本上纯Mg可以具有至少约95％、99％、99.9％、99.99％、99.999％或99.9995％的纯度。
在一些非限制性实例中，沉积材料331可以包括合金。在一些非限制性实例中，合金可以是含Ag的合金、含Mg的合金，或含AgMg的合金。在一些非限制性实例中，含AgMg的合金可以具有按体积计可以在约1:10(Ag:Mg)至约10:1范围内的合金组成。
在一些非限制性实例中，沉积材料331可以包括代替Ag以及/或者与Ag组合的其他金属。在一些非限制性实例中，沉积材料331可以包括Ag与至少一种其他金属的合金。在一些非限制性实例中，沉积材料331可以包括Ag与Mg和/或Yb的合金。在一些非限制性实例中，这种合金可以是二元合金，该二元合金的组成介于约5体积％的Ag至95体积％的Ag之间，其余部分为其他金属。在一些非限制性实例中，沉积材料331可以包括Ag和Mg。在一些非限制性实例中，沉积材料331可以包括按体积计具有介于约1:10至10:1之间的组成的Ag:Mg合金。在一些非限制性实例中，沉积材料331可以包括Ag和Yb。在一些非限制性实例中，沉积材料331可以包括按体积计具有介于约1:20至10:1之间的组成的Yb:Ag合金。在一些非限制性实例中，沉积材料331可以包括Mg和Yb。在一些非限制性实例中，沉积材料331可以包括Mg:Yb合金。在一些非限制性实例中，沉积材料331可以包括Ag、Mg和Yb。在一些非限制性实例中，沉积层130可以包含Ag:Mg:Yb合金。
在一些非限制性实例中，沉积层130可以包含至少一种附加的元素。在一些非限制性实例中，此类附加的元素可以是非金属元素。在一些非限制性实例中，非金属元素可以是O、S、N或C。相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，由于源材料、用于沉积的设备和/或真空室环境中存在此类附加的元素，因此此类附加的元素可以作为污染物结合到沉积层130中。在一些非限制性实例中，此类附加的元素的浓度可以被限制为低于阈值浓度。在一些非限制性实例中，此类附加的元素可以与沉积层130的其他元素一起形成化合物。在一些非限制性实例中，沉积材料331中的非金属元素的浓度可以小于约：1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％或0.0000001％。在一些非限制性实例中，沉积层130可以具有其中O和C的结合量小于约以下值的组成：10％、5％、1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％或0.0000001％。
现已有些令人惊讶地发现，降低沉积层130中某些非金属元素的浓度，特别是在其中沉积层130基本上由金属和/或金属合金组成的情况下，可以促进沉积层130的选择性沉积。不希望受任何特定理论的束缚，可以推测，某些非金属元素(诸如作为非限制性实例，O或C)当存在于沉积层130的蒸气通量332(图3)以及/或者存在于沉积室和/或环境中时，可以沉积到NIC 110的表面上以充当沉积层130的金属元素的成核位点。可以推测，降低可以充当成核位点的此类非金属元素的浓度可能有助于减少沉积在NIC 110的暴露层表面11上的沉积材料331的量。
在一些非限制性实例中，第一部分101中的沉积材料331及其下方的底层可以包含共同的金属。
在一些非限制性实例中，沉积层130可以包括沉积材料331的多个层。在一些非限制性实例中，该多个层中的第一层的沉积材料331可以不同于该多个层中的第二层的沉积材料331。在一些非限制性实例中，沉积层130可以包括多层涂层。在一些非限制性实例中，这种多层涂层可以是Yb/Ag、Yb/Mg、Yb/Mg:Ag、Yb/Yb:Ag、Yb/Ag/Mg或Yb/Mg/Ag。
在一些非限制性实例中，沉积材料331可以包含键离解能不超过约以下值的金属：300kJ/mol、200kJ/mol、165kJ/mol、150kJ/mol、100kJ/mol、50kJ/mol或20kJ/mol。
在一些非限制性实例中，沉积材料331可以包含电负性不超过约以下值的金属：1.4、1.3或1.2。
在一些非限制性实例中，沉积层130的薄层电阻R2通常可以对应于脱离装置100的其他部件、层和/或部分测量或测定的沉积层130的薄层电阻。在一些非限制性实例中，沉积层130可以形成为薄膜。因此，在一些非限制性实例中，可以基于此类薄膜的组成、厚度和/或形态来确定和/或计算沉积层130的特征薄层电阻R。在一些非限制性实例中，薄层电阻R2可能不超过约：10Ω/□、5Ω/□、1Ω/□、0.5Ω/□、0.2Ω/□或0.1Ω/□。
在一些非限制性实例中，沉积层130能够以一定图案设置，该图案可以由其中的至少一个基本上不含沉积层130的封闭涂层140的区域限定。在一些非限制性实例中，该至少一个区域可以将沉积层130分离成其多个离散片段。在一些非限制性实例中，沉积层130的每个离散片段可以是不同的第二部分102。在一些非限制性实例中，沉积层130的多个离散片段可以在其侧向方面上彼此物理间隔开。在一些非限制性实例中，沉积层130的此类多个离散片段中的至少两个离散片段可以电耦接。在一些非限制性实例中，沉积层130的此类多个离散片段中的至少两个离散片段可以各自与公共导电层或涂层(包括但不限于底层表面)电耦接，以允许电流在其之间流动。在一些非限制性实例中，沉积层130的此类多个离散片段中的至少两个离散片段可以彼此电绝缘。
使用图案化涂层进行选择性沉积
图2是展示在腔室20中用于选择性地将图案化涂层210(包括但不限于NIC 110或NPC 520)沉积到底层的暴露层表面11的第一部分101上的蒸发沉积过程的非限制性实例的示例示意图，该蒸发沉积过程总体上以200示出。
在过程200中，在真空下加热一定量的图案化材料211(包括但不限于NIC材料和/或NPC材料)，以使图案化材料211蒸发和/或升华。在一些非限制性实例中，图案化材料211可以完全和/或基本上包括用于形成图案化涂层210的材料。在一些非限制性实例中，这种材料可以包括有机材料。
图案化材料211的蒸发通量212可以流过腔室20，包括在由箭头21指示的方向上，并流向暴露层表面11。当蒸发通量212入射到暴露层表面11上时，可以在其上形成图案化涂层210。
在一些非限制性实例中，如过程200的附图中所示，图案化涂层210可以通过在蒸发通量212与暴露层表面11之间插入阴影掩模215而选择性地仅沉积到暴露层表面11的一部分(在所展示的该实例中，为第一部分101)上，在一些非限制性实例中，该阴影掩模可以是精细金属掩模(FMM)。在一些非限制性实例中，这样的阴影掩模215在一些非限制性实例中可以用于形成相对小的特征，其特征大小约为数十微米或更小。
阴影掩模215可以具有至少一个延伸穿过其中的孔口216，使得蒸发通量212的一部分穿过孔口216，然后可以入射到暴露层表面11上以形成图案化涂层210。在蒸发通量212不穿过孔口216而是入射到阴影掩模215的表面217上的情况下，其被阻止设置在暴露层表面11上形成图案化涂层210。在一些非限制性实例中，阴影掩模215可以被构造成使得穿过孔口216的蒸发通量212可以入射到第一部分101上，而不入射到第二部分102上。暴露层表面11的第二部分102因此可以基本上不含图案化涂层210。在一些非限制性实例(未示出)中，入射到阴影掩模215上的图案化材料211可以沉积在其表面217上。
因此，在完成图案化涂层210的沉积时可以产生图案化表面。
在一些非限制性实例中，图2中采用的图案化涂层210可以是NIC 110。
图3是展示在腔室20中用于选择性地将沉积层130的封闭涂层140沉积到底层的暴露层表面11的第二部分102上的蒸发过程的结果的非限制性实例的示例示意图，该蒸发过程总体上以300a示出，其中第二部分基本上不含选择性地沉积到第一部分101上(包括但不限于通过图2的蒸发过程200)的NIC 110。
在一些非限制性实例中，沉积层130可以由沉积材料331组成，在一些非限制性实例中，该沉积材料包括至少一种金属。相关领域的普通技术人员应当理解，通常情况下，有机材料的蒸发温度相对于金属(诸如可以用作沉积材料331)的蒸发温度较低。
因此，在一些非限制性实例中，相对于使用阴影掩模215直接将沉积层130图案化，在采用这种阴影掩模215选择性地沉积图案化涂层210(诸如以一定图案沉积NIC 110)时可能存在较少的约束。
一旦NIC 110已沉积在底层的暴露层表面11的第一部分101上，沉积材料331的封闭涂层140就可以作为沉积层130沉积在暴露层表面11的基本上不含NIC 110的第二部分102上。
在过程300a中，可以在真空下加热一定量的沉积材料331，以使沉积材料331蒸发和/或升华。在一些非限制性实例中，沉积材料331可以完全和/或基本上包括用于形成沉积层130的材料。
沉积材料331的蒸发通量332可以被引导至腔室20内，包括在由箭头31指示的方向上，并流向第一部分101和第二部分102的暴露层表面11。当蒸发通量332入射到暴露层表面11的第二部分102上时，可以在其上形成沉积材料331的封闭涂层140，作为沉积层130。
在一些非限制性实例中，沉积材料331的沉积可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积过程来执行。
相关领域的普通技术人员应当理解，与阴影掩模215的特征大小相反，开放式掩模的特征大小通常可以与正在制造的装置100的大小相当。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，可以省略开放式掩模的使用。在一些非限制性实例中，可以替代性地在不使用开放式掩模的情况下进行本文所述的开放式掩模沉积过程，使得整个目标暴露层表面11可以暴露出来。
实际上，如图3所示，蒸发通量332既可以入射到NIC 110的跨第一部分101的暴露层表面11上，还可以入射到底层的跨基本上不含NIC 110的第二部分102的暴露层表面11上。
由于相对于第二部分102中的底层的暴露层表面11，第一部分101中的NIC 110的暴露层表面11可以表现出相对低的抵抗沉积层130沉积的初始粘附概率S0，所以沉积层130可以选择性地基本上仅沉积在基本上不含NIC 110的第二部分102中的底层的暴露层表面11上。相比之下，入射到NIC 110的跨第一部分101的暴露层表面11上的蒸发通量332可能倾向于不沉积(如533所示)，并且NIC 110的跨第一部分101的暴露层表面11可以基本上不含沉积层130的封闭涂层140。
在一些非限制性实例中，蒸发通量332在第二部分102中的底层的暴露层表面11上的初始沉积速率可以超过蒸发通量332在第一部分101中的NIC 110的暴露层表面11上的初始沉积速率的约200倍、550倍、900倍、1,000倍、1,500倍、1,900倍或2,000倍。
因此，使用阴影掩模215选择性地沉积NIC 110作为图2中的图案化涂层210与沉积材料331的开放式掩模和/或无掩模沉积的组合可以产生装置100的版本100a，如图1所示。
在跨第一部分101选择性地沉积NIC 110之后，在一些非限制性实例中，可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积过程将沉积材料331的封闭涂层140沉积在装置100a上作为沉积层130，但是可以基本上仅保留在基本上不含NIC 110的第二部分102内。
NIC 110可以在第一部分101内提供具有相对低的初始粘附概率S0的暴露层表面11以抵抗沉积材料331的沉积，该初始粘附概率显著低于抵抗沉积材料331在第二部分102内沉积到装置100a的底层材料的暴露层表面11上的初始粘附概率S0。
因此，第一部分101可以基本上不含沉积材料331的封闭涂层140。
虽然本公开设想了通过涉及阴影掩模215的蒸发沉积过程来选择性地沉积图案化涂层210，但是相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，这种沉积可以通过任何合适的沉积过程(包括但不限于微接触印刷过程)来实现。
虽然本公开设想图案化涂层210是NIC 110，但是相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，图案化涂层210可以是NPC 520。在此类实例中，已沉积NPC520的部分(诸如但不限于第一部分301)在一些非限制性实例中可以具有沉积材料331的封闭涂层140，而其他部分(诸如但不限于第二部分302)可以基本上不含沉积材料331的封闭涂层140。
在一些非限制性实例中，图案化涂层210(包括但不限于NIC 110)和其后沉积的沉积层130的厚度可以根据多种参数(包括但不限于给定应用和给定性能特性)而变化。在一些非限制性实例中，NIC 110的厚度可以与其后沉积的沉积层130的厚度相当，并且/或者显著小于其后沉积的该沉积层的厚度。使用相对薄的NIC 110来实现沉积层130的选择性图案化可以适于提供柔性装置100。在一些非限制性实例中，相对薄的NIC 110可以提供阻隔涂层1050(图10C)或其他薄膜封装(TFE)层可以沉积在其上的相对平坦的表面。在一些非限制性实例中，提供用于施涂这种阻隔涂层1050的这种相对平坦的表面可以增加该阻隔涂层对这种表面的粘附。
边缘效应
NIC过渡区域
转到图4A，其中可以示出图1的装置100的版本400a，其能够以夸张的形式示出第一部分101中的NIC 110与第二部分102中的沉积层130之间的界面。图4B可以示出装置400a的平面图。
如在图4B中可以更好地看到的，在一些非限制性实例中，第一部分101中的NIC110可以在所有侧面上均被第二部分102中的沉积层130包围，使得第一部分101可以具有由NIC 110的另外的范围或边缘415在沿着每条横轴的侧向方面中限定的边界。在一些非限制性实例中，侧向方面中的NIC边缘415可以由第一部分101在这种方面中的周边限定。
在一些非限制性实例中，在侧向方面中，第一部分101可以包括至少一个NIC过渡区域101t，其中NIC 110的厚度可以从最大厚度过渡到减小的厚度。第一部分101中没有表现出这种过渡的范围被识别为第一部分101的NIC非过渡部分101n。在一些非限制性实例中，NIC 110可以在第一部分101的NIC非过渡部分101n中形成基本上封闭的涂层140。
在一些非限制性实例中，NIC过渡区域101t可以在侧向方面中在第一部分101的NIC非过渡部分101n与NIC边缘415之间延伸。
在一些非限制性实例中，在平面图中，NIC过渡区域101t可以围绕第一部分101的非过渡部分101n，并且/或者沿该非过渡部分的周边延伸。
在一些非限制性实例中，沿着至少一条横轴，NIC非过渡部分101n可以占据第一部分101的全部，使得在该NIC非过渡部分与第二部分102之间没有NIC过渡区域101t。
如图4A所展示，在一些非限制性实例中，NIC 110在第一部分101的NIC非过渡部分101n中的平均膜厚度d2可以在介于约以下值之间的范围内：1nm至100nm、2nm至50nm、3nm至30nm、4nm至20nm、5nm至15nm、5nm至10nm，或者1nm至10nm。在一些非限制性实例中，NIC 110在第一部分101的NIC非过渡部分101n中的平均膜厚度d2在该NIC非过渡部分上可以基本上相同或恒定。在一些非限制性实例中，NIC 110在NIC非过渡部分101n内的厚度可以保持在NIC 110的平均膜厚度d2的约95％或90％内。
在一些非限制性实例中，平均膜厚度d2可以小于约：80nm、60nm、50nm、40nm、30nm、20nm、15nm或10nm。在一些非限制性实例中，NIC 110的平均膜厚度d2可以超过约：3nm、5nm或8nm。
在一些非限制性实例中，NIC 110在第一部分101的NIC非过渡部分101n中的平均膜厚度d2可以小于约10nm。不希望受任何特定理论的束缚，已有些令人惊讶地发现，至少在一些非限制性实例中，相对于在第一部分101的NIC非过渡部分101n中具有超过10nm的平均膜厚度d2的NIC 110，NIC 110的平均膜厚度d2超过零且不大于约10nm可以提供某些优点，以用于作为非限制性实例实现沉积层130的图案化对比度增强。
在一些非限制性实例中，NIC 110可以在NIC过渡区域101t内具有从最大值减小到最小值的NIC厚度。在一些非限制性实例中，最大值可以在第一部分101的NIC过渡区域101t与NIC非过渡部分101n之间的边界处和/或附近。在一些非限制性实例中，最小值可以在NIC边缘415处和/或附近。在一些非限制性实例中，最大值可以是第一部分101的NIC非过渡部分101n中的平均膜厚度d2。在一些非限制性实例中，最大值可以不超过第一部分101的NIC非过渡部分101n中的平均膜厚度d2的约95％或90％。在一些非限制性实例中，最小值可以在介于约0至0.1nm之间的范围内。
在一些非限制性实例中，NIC过渡区域101t中的NIC厚度轮廓可以是倾斜的，并且/或者遵循梯度。在一些非限制性实例中，这种轮廓可以是锥形的。在一些非限制性实例中，该锥形可以遵循线性轮廓、非线性轮廓、抛物线轮廓和/或指数衰减轮廓。
在一些非限制性实例中，NIC 110可以在NIC过渡区域101t中完全覆盖底层表面。在一些非限制性实例中，底层表面的至少一部分可以在NIC过渡区域101t中保持不被NIC110覆盖。在一些非限制性实例中，NIC 110可以在NIC过渡区域101t的至少一部分中包括基本上封闭的涂层140。
在一些非限制性实例中，NIC 110可以在NIC过渡区域101t的至少一部分中包括不连续层440(图4C)。
在一些非限制性实例中，第一部分101中的NIC 110的至少一部分可以基本上不含沉积层130的封闭涂层140。在一些非限制性实例中，第一部分101的暴露层表面11的至少一部分可以基本上不含沉积材料331的沉积层130。
在一些非限制性实例中，沿着至少一条横轴，包括但不限于X轴，NIC非过渡区域101n可以具有宽度w1，NIC过渡部分101t可以具有宽度w2。在一些非限制性实例中，NIC非过渡区域101n在一些非限制性实例中的横截面积可以通过将平均膜厚度d2乘以宽度w1来粗略估计。在一些非限制性实例中，NIC过渡部分101t在一些非限制性实例中的横截面积可以通过将整个NIC过渡部分101t的平均膜厚度乘以宽度w1来粗略估计。
在一些非限制性实例中，w1可以超过w2。在一些非限制性实例中，商w1/w2可以为至少约：5、10、20、50、100、500、1,000、1,500、5,000、10,000、50,000或100,000。
在一些非限制性实例中，w1和w2中的至少一者可以超过底层的平均膜厚度d1。
在一些非限制性实例中，w1和w2中的至少一者可以超过d2。在一些非限制性实例中，w1和w2均可以超过d2。在一些非限制性实例中，w1和w2均可以超过d1，并且d1可以超过d2。
沉积层过渡区域
如在图4B中可以更好地看到的，在一些非限制性实例中，第一部分101中的NIC110可以被第二部分102中的沉积层130包围，使得第二部分102具有由沉积层130的另外的范围或边缘435在沿着每条横轴的侧向方面中限定的边界。在一些非限制性实例中，侧向方面中的沉积层边缘435可以由第二部分102在这种方面中的周边限定。
在一些非限制性实例中，在侧向方面中，第二部分102可以包括至少一个沉积层过渡区域102t，其中沉积层130的厚度可以从最大厚度过渡到减小的厚度。第二部分102中没有表现出这种过渡的范围被识别为第二部分102的沉积层非过渡部分102n。在一些非限制性实例中，沉积层130可以在第二部分102的沉积层非过渡部分102n中形成基本上封闭的涂层140。
在一些非限制性实例中，在平面图中，沉积层过渡区域102t可以在侧向方面中在第二部分102的沉积层非过渡部分102n与沉积层边缘435之间延伸。
在一些非限制性实例中，在平面图中，沉积层过渡区域102t可以围绕第二部分102的沉积层非过渡部分102n，并且/或者沿该沉积层非过渡部分的周边延伸。
在一些非限制性实例中，沿着至少一条横轴，第二部分102的沉积层非过渡部分102n可以占据第二部分102的全部，使得在该沉积层非过渡部分与第一部分101之间没有沉积层过渡区域102t。
如图4A所展示，在一些非限制性实例中，沉积层130在第二部分102的沉积层非过渡部分102n中的平均膜厚度d3可以在介于约以下值之间的范围内：1nm至500nm、5nm至200nm、5nm至40nm、10nm至30nm，或者10nm至100nm。在一些非限制性实例中，d3可以超过约：10nm、50nm或100nm。在一些非限制性实例中，沉积层130在第二部分102的沉积层非过渡部分102t中的平均膜厚度d3在该沉积层非过渡部分上可以基本上相同或恒定。
在一些非限制性实例中，d3可以超过底层的平均膜厚度d1。
在一些非限制性实例中，商d3/d1可以为至少约：1.5、2、5、10、20、50或100。在一些非限制性实例中，商d3/d1可以在介于约以下值之间的范围内：0.1至10，或0.2至40。
在一些非限制性实例中，d3可以超过NIC 110的平均膜厚度d2。
在一些非限制性实例中，商d3/d2可以为至少约：1.5、2、5、10、20、50或100。在一些非限制性实例中，商d3/d2可以在介于约以下值之间的范围内：0.2至10，或0.5至40。
在一些非限制性实例中，d3可以超过d2，并且d2可以超过d1。在一些其他非限制性实例中，d3可以超过d1，并且d1可以超过d2。
在一些非限制性实例中，商d2/d1可以介于约0.2至3或0.1至5之间。
在一些非限制性实例中，沿着至少一条横轴，包括但不限于X轴，第二部分102的沉积层非过渡区域102n可以具有宽度w3。在一些非限制性实例中，第二部分102的沉积层非过渡区域102n在一些非限制性实例中的横截面积a3可以通过将平均膜厚度d3乘以宽度w3来粗略估计。
在一些非限制性实例中，w3可以超过NIC非过渡区域101n的宽度w1。在一些非限制性实例中，w1可以超过w3。
在一些非限制性实例中，商w1/w3可以在介于约以下值之间的范围内：0.1至10、0.2至5、0.3至3，或0.4至2。在一些非限制性实例中，商w3/w1可以为至少：1、2、3或4。
在一些非限制性实例中，w3可以超过沉积层130的平均膜厚度d3。
在一些非限制性实例中，商w3/d3可以为至少约：10、50、100或500。在一些非限制性实例中，商w3/d3可以小于约100,000。
在一些非限制性实例中，沉积层130可以在沉积层过渡区域102t内具有从最大值减小到最小值的厚度。在一些非限制性实例中，最大值可以在第二部分102的沉积层过渡区域102t与非过渡部分102n之间的边界处和/或附近。在一些非限制性实例中，最小值可以在沉积层边缘435处和/或附近。在一些非限制性实例中，最大值可以是第二部分102的沉积层非过渡部分102n中的平均膜厚度d3。在一些非限制性实例中，最小值可以在介于约0至0.1nm之间的范围内。在一些非限制性实例中，最小值可以是第二部分102的沉积层非过渡部分102n中的平均膜厚度d3。
在一些非限制性实例中，沉积层过渡区域102t中的厚度轮廓可以是倾斜的，并且/或者遵循梯度。在一些非限制性实例中，这种轮廓可以是锥形的。在一些非限制性实例中，该锥形可以遵循线性轮廓、非线性轮廓、抛物线轮廓和/或指数衰减轮廓。
在一些非限制性实例中，如作为非限制性实例以图4E中的装置100的示例版本400e所示，沉积层130可以在沉积层过渡区域102t中完全覆盖底层表面。在一些非限制性实例中，底层表面的至少一部分可以在沉积层过渡区域102t中不被沉积层130覆盖。在一些非限制性实例中，沉积层130可以在沉积层过渡区域102t的至少一部分中包括基本上封闭的涂层140。
在一些非限制性实例中，沉积层130可以在沉积层过渡区域102t的至少一部分中包括不连续层440。
相关领域的普通技术人员应当理解，虽然没有明确说明，但是NIC材料也可以在某种程度上存在于沉积层130与底层之间的界面处。这种材料可以由于阴影效应而被沉积，其中沉积的图案与掩模的图案不同，并且在一些非限制性实例中可能导致一些蒸发的NIC材料沉积在目标暴露层表面11的被掩蔽部分上。作为非限制性实例，这种材料可以形成为颗粒结构441(图4C)并且/或者形成为厚度可能显著小于NIC 110的平均厚度的薄膜。
重叠
在一些非限制性实例中，沉积层边缘435在侧向方面中可以与第一部分101的NIC非过渡部分101n间隔开，使得在侧向方面中在第一部分101与第二部分102之间不存在重叠。
在一些非限制性实例中，第一部分101的至少一部分和第二部分102的至少一部分可以在侧向方面中重叠。这种重叠可以由重叠部分403来标识，诸如可以作为图4A中的非限制性实例来示出，其中第二部分102的至少一部分与第一部分101的至少一部分重叠。
在一些非限制性实例中，如作为图4F中的非限制性实例示出的，沉积层过渡区域102t的至少一部分可以设置在NIC过渡区域101t的至少一部分之上。在一些非限制性实例中，NIC过渡区域101t的至少一部分可以基本上不含沉积层130和/或沉积材料331。在一些非限制性实例中，沉积材料331可以在NIC过渡区域101t的至少一部分的暴露层表面11上形成不连续层440。
在一些非限制性实例中，如作为图4G中的非限制性实例示出的，沉积层过渡区域102t的至少一部分可以设置在第一部分101的NIC非过渡部分101n的至少一部分之上。
尽管未示出，但是相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，重叠部分903可以反映第一部分101的至少一部分与第二部分102的至少一部分重叠的情形。
因此，在一些非限制性实例中，NIC过渡区域101t的至少一部分可以设置在沉积层过渡区域102t的至少一部分之上。在一些非限制性实例中，沉积层过渡区域102t的至少一部分可以基本上不含NIC 110和/或NIC材料。在一些非限制性实例中，NIC材料可以在沉积层过渡区域102t的至少一部分的暴露层表面上形成不连续层440。
在一些非限制性实例中，NIC过渡区域101t的至少一部分可以设置在第二部分102的非过渡部分102n的至少一部分之上。
在一些非限制性实例中，NIC边缘415可以在侧向方面中与第二部分102的非过渡部分102n间隔开。
在一些非限制性实例中，沉积层130可以形成为跨第二部分102的非过渡部分102n和沉积层过渡区域102t两者的单个整体式涂层。
NIC和沉积层的边缘效应
图5A至图5I描述了NIC 110在与沉积层130的沉积界面处的各种潜在行为。
转到图5A，可以示出在NIC沉积边界处，装置100的示例版本500的一部分的第一实例。装置500可以包括具有暴露层表面11的衬底10。NIC 110可以沉积在暴露层表面11的第一部分101之上。沉积层130可以沉积在暴露层表面11的第二部分102之上。如图所示，作为非限制性实例，第一部分101和第二部分102可以是暴露层表面11的不同且非重叠的部分。
沉积层130可以包括第一部分130a和剩余部分130b。如图所示，作为非限制性实例，沉积层130的第一部分130a可以基本上覆盖第二部分102，沉积层130的第二部分130b可以部分地突出到NIC 110的第一部分之上并且/或者与该第一部分重叠。
在一些非限制性实例中，由于NIC 110可以形成为使得其暴露层表面11表现出相对低的抵抗沉积材料331沉积的初始粘附概率S0，所以在沉积层130的突出的和/或重叠的第二部分130b与NIC 110的暴露层表面11之间可以形成间隙529。因此，第二部分130b可以不与NIC 110发生物理接触，而是可以在横截面方面中通过间隙529与之间隔开。在一些非限制性实例中，沉积层130的第一部分130a可以在第一部分101与第二部分102之间的界面和/或边界处与NIC 110发生物理接触。
在一些非限制性实例中，沉积层130的突出的和/或重叠的第二部分130b可以在NIC110之上侧向延伸与沉积层130的厚度t1相当的程度。作为非限制性实例，如图所示，第二部分130b的宽度w2可以与厚度t1相当。在一些非限制性实例中，w2:t1之比可以在介于约以下值之间的范围内：1:1至1:3、1:1至1:1.5，或1:1至1:2。尽管在一些非限制性实例中，跨沉积层130的厚度t1可以相对均匀，但是在一些非限制性实例中，第二部分130b可以突出和/或与NIC 110重叠的程度(即w2)可以在暴露层表面11的不同部分上在一定程度上变化。
现在转到图5B，沉积层130可以被示出为包括设置在第二部分130b与NIC 110之间的第三部分130c。如图所示，沉积层130的第二部分130b可以在沉积层130的第三部分130c之上侧向延伸并且与该第三部分间隔开，第三部分130c可以与NIC 110的暴露层表面11发生物理接触。沉积层130的第三部分130c的厚度t3可以小于并且在一些非限制性实例中显著小于其第一部分130a的厚度t1。在一些非限制性实例中，第三部分130c的宽度w3可以超过第二部分130b的宽度w2。在一些非限制性实例中，第三部分130c可以侧向延伸到以比第二部分130b更大的程度与NIC 110重叠。在一些非限制性实例中，w3:t1之比可以在约1:2至3:1或1:1.2至2.5:1的范围内。尽管在一些非限制性实例中，跨沉积层130的厚度t1可以相对均匀，但是在一些非限制性实例中，第三部分130c可以突出和/或与NIC 110重叠的程度(即w3)可以在暴露层表面11的不同部分上在一定程度上变化。
第三部分130c的厚度t3可以不超过第一部分130a的厚度t3的约5％。作为非限制性实例，t3可以小于约：t1的4％、3％、2％、1％或0.5％。代替将第三部分130c形成为薄膜，以及/或者除了将该第三部分形成为薄膜之外，如图所示，沉积层130的材料可以在NIC110的一部分上形成为颗粒结构441。作为非限制性实例，此类颗粒结构441可以包括彼此物理分离的特征，使得它们不形成连续层。
现在转到图5C，NPC 520可以设置在衬底10与沉积层130之间。NPC 520可以设置在沉积层130的第一部分130a与衬底10的第二部分102之间。NPC 520被展示为设置在第二部分102上，而不是设置在已沉积NIC 110的第一部分101上。NPC 520可以形成为使得在NPC520与沉积层130之间的界面和/或边界处，NPC520的表面可以表现出相对高的抵抗沉积材料331沉积的初始粘附概率S0。因此，NPC 520的存在可以促进沉积期间沉积层130的形成和/或生长。
现在转到图5D，NPC 520可以设置在衬底10的第一部分101和第二部分102两者上，并且NIC 110可以覆盖NPC 520设置在第一部分101上的一部分。NPC 520的另一部分可以基本上不含NIC 110，并且沉积层130覆盖NPC 520的该部分。
现在转到图5E，沉积层130可以被示出为部分地重叠NIC 110在衬底10的第三部分503中的一部分。在一些非限制性实例中，除了第一部分130a和第二部分130b之外，沉积层130还可以包括第四部分130d。如图所示，沉积层130的第四部分130d可以设置在沉积层130的第一部分130a与第二部分130b之间，并且第四部分130d可以与NIC 110的暴露层表面11发生物理接触。在一些非限制性实例中，第三部分503中的重叠可以是由于沉积层130在开放式掩模和/或无掩模沉积过程期间的侧向生长而形成的。在一些非限制性实例中，尽管NIC 110的暴露层表面11可以表现出相对低的抵抗沉积材料331沉积的初始粘附概率S0，因此该材料在暴露层表面11上成核的可能性可能较低，但是随着沉积层130的厚度增长，沉积层130也可能侧向生长，并且可能如图所示覆盖NIC 110的子集。
现在转到图5F，衬底10的第一部分101可以涂覆有NIC 110，与该第一部分相邻的第二部分102可以涂覆有沉积层130。在一些非限制性实例中，已经观察到，对沉积层130进行开放式掩模和/或无掩模沉积可以导致沉积层130在沉积层130与NIC 110之间的界面处和/或附近表现出锥形的横截面轮廓。
在一些非限制性实例中，沉积层130在该界面处和/或附近的厚度可以小于沉积层130的平均厚度。尽管在一些非限制性实例中这种锥形轮廓可以被示出为弯曲的和/或拱形的，但是该轮廓在一些非限制性实例中可以是基本上线性的和/或非线性的。作为非限制性实例，沉积层130的厚度可以在接近该界面的区域中以不限于基本上线性、指数和/或二次方的方式减小。
已经观察到，沉积层130在沉积层130与NIC 110之间的界面处和/或附近的接触角θc可以根据NIC 110的特性(诸如相对初始粘附概率S0)而变化。可以进一步推测，在一些非限制性实例中，核的接触角θc可以决定通过沉积形成的沉积层130的薄膜接触角。参见图5F，作为非限制性实例，接触角θc可以通过测量沉积层130在沉积层130与NIC 110之间的界面处或附近的切线的斜率来确定。在一些非限制性实例中，在沉积层130的横截面锥形轮廓可以是基本上线性的轮廓的情况下，接触角θc可以通过测量沉积层130在该界面处和/或附近的斜率来确定。如相关领域的普通技术人员应当理解的，接触角θc通常可以相对于底层表面的角度来测量。在本公开中，出于简化说明的目的，NIC 110和沉积层130可以显示为沉积在平坦表面上。然而，相关领域的普通技术人员应当理解，NIC 110和沉积层130可以沉积在不平坦表面上。
在一些非限制性实例中，沉积层130的接触角θc可以超过约90°。现在参见图5G，作为非限制性实例，沉积层130可以被示出为包括延伸经过NIC 110与沉积层130之间的界面的一部分，并且可以通过间隙529与NIC间隔开。在这种非限制性情形下，在一些非限制性实例中，接触角θc可以超过90°。
在一些非限制性实例中，形成表现出相对大的接触角θc的沉积层130可能是有利的。作为非限制性实例，接触角θc可以超过约：10°、15°、20°、25°、30°、35°、40°、50°、70°、75°或80°。作为非限制性实例，具有相对大的接触角θc的沉积层130可以允许产生精细图案化的特征，同时维持相对高的纵横比。作为非限制性实例，目标可能是形成表现出大于约90°的接触角θc的沉积层130。作为非限制性实例，接触角θc可以超过约：90°、95°、100°、105°、110°、120°、130°、135°、140°、145°、150°或170°。
现在转到图5H至图5I，沉积层130可以部分地与NIC 110在衬底10的第三部分503中的一部分重叠，该第三部分可以设置在衬底的第一部分101与第二部分102之间。如图所示，沉积层130的部分地与NIC 110的子集重叠的子集可以与该NIC的暴露层表面11发生物理接触。在一些非限制性实例中，第三区域3130中的重叠可以是由于沉积层130在开放式掩模和/或无掩模沉积过程期间的侧向生长而形成的。在一些非限制性实例中，尽管NIC 110的暴露层表面11可以表现出相对低的亲和力或抵抗沉积材料331沉积的初始粘附概率S0，因此该材料在暴露层表面11上成核的可能性较低，但是随着沉积层130的厚度增长，沉积层130也可能侧向生长，并且可能覆盖NIC 110的子集。
在图5H至图5I的情况下，沉积层130的接触角θc可以在该沉积层的位于其与NIC110之间的界面附近的边缘处测量，如图所示。在图5I中，接触角θc可以超过约90°，这在一些非限制性实例中可以导致沉积层130的子集通过间隙529与NIC 110间隔开。
颗粒
在一些非限制性实例中，诸如可以在图4C中示出的，可以存在至少一个颗粒，包括但不限于纳米颗粒(NP)、岛、板、断开的簇和/或网络(统称为颗粒结构441)，其设置在底层的暴露层表面11上。在一些非限制性实例中，底层可以是第一部分101中的NIC 110。在一些非限制性实例中，至少一个颗粒结构441可以设置在NIC 110的暴露层表面11上。在一些非限制性实例中，可以存在多个这样的颗粒结构441。
在一些非限制性实例中，至少一个颗粒结构441可以包括颗粒结构材料。在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以与沉积层中的沉积材料331相同。
在一些非限制性实例中，第一部分101中的不连续层440中的颗粒结构材料、沉积层130中的沉积材料331和/或可以组成其下方的底层的材料可以包含共同的金属。
在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包含选自K、Na、Li、Ba、Cs、Yb、Ag、Au、Cu、Al、Mg、Zn、Cd、Sn或Y的元素。在一些非限制性实例中，该元素可以包括K、Na、Li、Ba、Cs、Yb、Ag、Au、Cu、Al或Mg。在一些非限制性实例中，该元素可以包括Cu、Ag或Au。在一些非限制性实例中，该元素可以是Cu。在一些非限制性实例中，该元素可以是Al。在一些非限制性实例中，该元素可以包括Mg、Zn、Cd或Yb。在一些非限制性实例中，该元素可以包括Mg、Ag、Al、Yb或Li。在一些非限制性实例中，该元素可以包括Mg、Ag或Yb。在一些非限制性实例中，该元素可以包括Mg或Ag。在一些非限制性实例中，该元素可以是Ag。
在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括纯金属。在一些非限制性实例中，至少一个颗粒结构441可以是纯金属。在一些非限制性实例中，至少一个颗粒结构441可以是纯Ag或基本上纯Ag。在一些非限制性实例中，基本上纯Ag可以具有至少约95％、99％、99.9％、99.99％、99.999％或99.9995％的纯度。在一些非限制性实例中，至少一个颗粒结构441可以是纯Mg或基本上纯Mg。在一些非限制性实例中，基本上纯Mg可以具有至少约95％、99％、99.9％、99.99％、99.999％或99.9995％的纯度。
在一些非限制性实例中，至少一个颗粒结构441可以包含合金。在一些非限制性实例中，合金可以是含Ag的合金、含Mg的合金，或含AgMg的合金。在一些非限制性实例中，含AgMg的合金可以具有按体积计可以在约1:10(Ag:Mg)至约10:1范围内的合金组成。
在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括代替Ag或者与Ag组合的其他金属。在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括Ag与至少一种其他金属的合金。在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括Ag与Mg或Yb的合金。在一些非限制性实例中，这种合金可以是二元合金，该二元合金的组成介于约5体积％的Ag至95体积％的Ag之间，其余部分为其他金属。在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括Ag和Mg。在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括按体积计具有介于约1:10至10:1之间的组成的Ag:Mg合金。在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括Ag和Yb。在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括按体积计具有介于约1:20至10:1之间的组成的Yb:Ag合金。在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括Mg和Yb。在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括Mg:Yb合金。在一些非限制性实例中，颗粒结构材料可以包括Ag:Mg:Yb合金。
在一些非限制性实例中，至少一个颗粒结构441可以包含至少一种附加的元素。在一些非限制性实例中，此类附加的元素可以是非金属元素。在一些非限制性实例中，非金属材料可以是O、S、N或C。相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，由于源材料、用于沉积的设备和/或真空室环境中存在此类附加的元素，因此此类附加的元素可以作为污染物结合到至少一个颗粒结构441中。在一些非限制性实例中，此类附加的元素可以与至少一个颗粒结构441的其他元素一起形成化合物。在一些非限制性实例中，沉积材料331中的非金属元素的浓度可以小于约：1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％或0.0000001％。在一些非限制性实例中，至少一个颗粒结构441可以具有其中O和C的结合量小于约以下值的组成：10％、5％、1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％或0.0000001％。
在一些非限制性实例中，包括但不限于在NIC 110的暴露层表面11上的不连续层440中存在至少一个颗粒结构441(包括但不限于NP)可以影响装置400的一些光学特性。
在一些非限制性实例中，此类多个颗粒结构441可以形成不连续层440。
不希望受任何特定理论的限制，可以推测，尽管可以基本上抑制在NIC 110上形成沉积材料331的封闭涂层140，但是在一些非限制性实例中，当NIC 110暴露于沉积材料331在其上的沉积时，沉积材料331的一些蒸气单体332可以最终在其上形成沉积材料331的至少一个颗粒结构441。
在一些非限制性实例中，颗粒结构441中的至少一些可以彼此断开连接。换句话讲，在一些非限制性实例中，不连续层440可以包括能够彼此物理分离的特征，包括颗粒结构441，使得颗粒结构441不形成封闭涂层140。因此，在一些非限制性实例中，这种不连续层440因此可以包括被形成为颗粒结构441的沉积材料331的薄分散层，其在NIC 110与装置100中的至少一个覆盖层之间的界面处插入，并且基本上横跨该界面的侧向范围。
在一些非限制性实例中，沉积材料331的至少一个颗粒结构441可以与NIC 110的暴露层表面11发生物理接触。在一些非限制性实例中，沉积材料331的基本上所有颗粒结构441可以与NIC 110的暴露层表面11发生物理接触。
不希望受任何特定理论的束缚，在NIC 110的暴露层表面11上存在沉积材料331的这种薄且分散的不连续层440(包括但不限于至少一个颗粒结构441，包括但不限于金属颗粒结构441)可以表现出至少一种变化的特性和伴随的变化的行为，包括但不限于装置100的光学效应和光学特性，如本文所论述的。在一些非限制性实例中，通过明智地选择NIC110上的颗粒结构441的特征尺寸S1、尺寸分布、形状、表面覆盖率C1、构造、沉积密度和/或分散度D，可以在一定程度上控制此类效应和特性。
在一些非限制性实例中，这种不连续层440的特征尺寸S1、尺寸分布、形状、表面覆盖率C1、构造、沉积密度和/或分散度D中的至少一者的形成在一些非限制性实例中可以通过明智地选择以下中的至少一者来控制：NIC材料的至少一种特性、NIC 110的平均膜厚度d2、在NIC 110中引入非均质性，和/或NIC 110的沉积环境，包括但不限于温度、压力、持续时间、沉积速率和/或沉积过程。
在一些非限制性实例中，这种不连续层440的特征尺寸S1、尺寸分布、形状、表面覆盖率C1、构造、沉积密度和/或分散度D中的至少一者的形成在一些非限制性实例中可以通过明智地选择以下中的至少一者来控制：颗粒结构材料(其可以是沉积材料331)的至少一种特性、NIC 110可以暴露于颗粒结构材料的沉积的程度(在一些非限制性实例中，其可以根据相应不连续层440的厚度来指定)，和/或颗粒结构材料的沉积环境，包括但不限于温度、压力、持续时间、沉积速率和/或沉积方法。
在一些非限制性实例中，不连续层440可以跨NIC 110的侧向范围以一定图案沉积。
在一些非限制性实例中，不连续层440能够以一定图案设置，该图案可以由其中的至少一个基本上不含至少一个颗粒结构441的区域限定。
在一些非限制性实例中，这种不连续层440的特征在一些非限制性实例中可以根据若干标准中的至少一者在一定程度上任意地评估，这些标准包括但不限于特征尺寸S1、尺寸分布、形状、构造、表面覆盖率C1、沉积分布、分散度D，以及/或者在底层的暴露层表面11的一部分上形成的颗粒结构材料的聚集情况的存在和/或程度。
在一些非限制性实例中，根据此类至少一种标准对不连续层440的评估可以使用多种成像技术，包括但不限于透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)和/或扫描电子显微镜(SEM)，包括但不限于通过测量和/或计算不连续层440的至少一种属性来进行。
相关领域的普通技术人员应当理解，对不连续层440的这种评估可以在更大和/或更小的程度上取决于所考虑的暴露层表面11的范围，在一些非限制性实例中，该范围可以包括其面积和/或区域。在一些非限制性实例中，不连续层440可以在暴露层表面11的第一侧向方面中和/或基本上横向于该第一侧向方面的第二侧向方面中的整个范围内进行评估。在一些非限制性实例中，不连续层440可以在包括施加于不连续层440(的一部分)上的至少一个观察窗的范围内进行评估。
在一些非限制性实例中，至少一个观察窗可以位于暴露层表面11的侧向方面的周边、内部位置和/或网格坐标处。在一些非限制性实例中，多个至少一个观察窗可以用于评估不连续层440。
在一些非限制性实例中，观察窗可以对应于用于评估不连续层440的成像技术(包括但不限于TEM、AFM和/或SEM)的视场。在一些非限制性实例中，观察窗可以对应于给定的放大级别，包括但不限于：2.00μm、1.00μm、500nm或200nm。
在一些非限制性实例中，评估不连续层440(包括但不限于其暴露层表面11的至少一个使用的观察窗)可以涉及通过许多种机制来计算和/或测量，这些机制包括但不限于手动计数和/或已知的估算技术，在一些非限制性实例中可以包括曲线拟合技术、多边形拟合技术和/或形状拟合技术。
在一些非限制性实例中，评估不连续层440(包括但不限于其暴露层表面11的至少一个使用的观察窗)可以涉及计算和/或测量计算值和/或测量值的平均值、中值、众数、最大值、最小值，以及/或者对计算值和/或测量值进行其他的概率、统计和/或数据操纵。
在一些非限制性实例中，可以对这种不连续层440进行评估的至少一种标准之一可以是沉积材料331在这种不连续层440(的一部分)上的表面覆盖率C1。在一些非限制性实例中，表面覆盖率C1可以由这种沉积材料331在这种不连续层440(的一部分)上的(非零)覆盖率百分比表示。在一些非限制性实例中，可以将该覆盖率百分比与最大阈值覆盖率百分比进行比较。
在一些非限制性实例中，具有可以基本上不超过最大阈值覆盖率百分比的表面覆盖率C1的不连续层440(的一部分)可以导致不连续层440的这种部分能够赋予穿过其中的光子(无论光子是否完全透射穿过装置100以及/或者由此发射)相对于穿过具有显著超过最大阈值覆盖率百分比的表面覆盖率C1的不连续层440的一部分的光子不同的光学特性并且将这些不同的光学特性显现出来。
在一些非限制性实例中，一定量的导电材料在表面上的表面覆盖率C1的一种量度可以是(光)透射率，因为在一些非限制性实例中，导电材料(包括但不限于金属，包括但不限于Ag、Mg或Yb)使光子衰减并且/或者吸收光子。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，表面覆盖率C1可以被理解为涵盖颗粒尺寸和沉积密度中的一者或两者。因此，在一些非限制性实例中，这三种标准中的多种标准可以是正相关的。实际上，在一些非限制性实例中，低表面覆盖率C1的标准可以包括低沉积密度的标准与低颗粒尺寸的标准的一些组合。
在一些非限制性实例中，可以对这种不连续层440进行评估的至少一种标准之一可以是组成颗粒结构441的特征尺寸S1。
在一些非限制性实例中，不连续层440的至少一个颗粒结构441可以具有不超过最大阈值尺寸的特征尺寸S1。特征尺寸S1的非限制性实例可以包括高度、宽度、长度和/或直径。
在一些非限制性实例中，不连续层440的基本上所有颗粒结构441可以具有处于指定范围内的特征尺寸S1。
在一些非限制性实例中，这种特征尺寸S1可以由特征长度来表征，在一些非限制性实例中，该特征长度可以被认为是特征尺寸S1的最大值。在一些非限制性实例中，这种最大值可以沿颗粒结构441的长轴延伸。在一些非限制性实例中，长轴可以被理解为在由多条横轴限定的平面中延伸的第一维度。在一些非限制性实例中，特征宽度可以被识别为颗粒结构441的可以沿颗粒结构441的短轴延伸的特征尺寸S1的值。在一些非限制性实例中，短轴可以被理解为在同一平面内延伸但基本上横向于长轴的第二维度。
在一些非限制性实例中，至少一个颗粒结构441沿第一维度的特征长度可以小于最大阈值尺寸。
在一些非限制性实例中，至少一个颗粒结构441沿第二维度的特征宽度可以小于最大阈值尺寸。
在一些非限制性实例中，不连续层440(的一部分)中的组成颗粒结构441的尺寸可以通过计算和/或测量这样的至少一个颗粒结构441的特征尺寸S1来评估，该特征尺寸包括但不限于该颗粒结构的质量、体积、直径的长度、周长、长轴和/或短轴。
在一些非限制性实例中，可以对这种不连续层440进行评估的至少一种标准之一可以是其沉积密度。
在一些非限制性实例中，可以将颗粒结构441的特征尺寸S1与最大阈值尺寸进行比较。
在一些非限制性实例中，可以将颗粒结构441的沉积密度与最大阈值沉积密度进行比较。
在一些非限制性实例中，此类标准中的至少一者可以通过数值度量来量化。在一些非限制性实例中，这种度量可以是对描述颗粒60的沉积层320中的颗粒(面积)尺寸分布的分散度D的计算，其中：
其中：
n是样品区域中颗粒60的数目，
Si是第i个颗粒60的(面积)尺寸，
相关领域的普通技术人员应当理解，分散度D粗略地类似于多分散指数(PDI)，并且这些平均值粗略地类似于有机化学中熟悉的数均分子量和重均分子量的概念，不过与样品颗粒60的分子量相反，其应用于(面积)尺寸。
相关领域的普通技术人员还应当理解，虽然在一些非限制性实例中，分散度D的概念可以被认为是三维体积概念，但是在一些非限制性实例中，分散度D也可以被认为是二维概念。因此，分散度D的概念可以与观察和分析沉积层320的二维图像结合使用，这些二维图像诸如可以通过使用多种成像技术来获得，包括但不限于TEM、AFM和/或SEM。正是在这样的二维环境中，限定了上文列出的公式。
在一些非限制性实例中，分散度D和/或颗粒(面积)尺寸的数均值和颗粒(面积)尺寸的(面积)尺寸平均值可以涉及计算颗粒直径的数均值和颗粒直径的(面积)尺寸平均值中的至少一者：
在一些非限制性实例中，至少一个沉积层320的沉积材料(包括但不限于作为颗粒结构61)可以通过无掩模和/或开放式掩模沉积过程来沉积。
在一些非限制性实例中，颗粒结构441可以具有基本上圆形的形状。在一些非限制性实例中，颗粒结构441可以具有基本上球形的形状。
出于简化的目的，在一些非限制性实例中，可以假设每个颗粒结构441的纵向范围可以基本上相同(并且在任何情况下，可能无法直接从平面图SEM图像测量)，使得颗粒结构441的(面积)尺寸可以被表示为沿着这对横轴的二维面积覆盖率。在本公开中，提及(面积)尺寸可以理解为指代这样的二维概念，并且与可以理解为指代诸如线性维度之类的一维概念的尺寸(没有前缀“面积”)区分开来。
实际上，在一些早期研究中，看起来在一些非限制性实例中，此类颗粒结构441沿纵轴的纵向范围可能倾向于相对于侧向范围(沿至少一条横轴)较小，使得其纵向范围的体积贡献可能比这种侧向范围的体积贡献小得多。在一些非限制性实例中，这可以由可能小于1的纵横比(纵向范围与侧向范围之比)来表示。在一些非限制性实例中，这样的纵横比可以为约：1:10、1:20、1:50、1:75或1:300。
就此而言，上文陈述的将颗粒结构441表示为二维面积覆盖率的假设(纵向范围基本上相同并且可以忽略)可能是合适的。
相关领域的普通技术人员应当理解，考虑到沉积过程的不确定性，尤其是在底层材料的暴露层表面11上存在缺陷和/或异常时，包括但不限于非均质性，包括但不限于其上的阶梯边缘、化学杂质、结合位点、扭结和/或污染物，以及因此在其上形成颗粒结构441时，随着沉积过程继续进行，其聚结的非均匀性质，并且考虑到观察窗的尺寸和/或位置的不确定性，以及它们的特征尺寸S1、间距、沉积密度、聚集程度等的计算和/或测量中固有的复杂性和可变性，在观察窗内的特征和/或拓扑结构方面可能存在相当大的可变性。
在本公开中，出于简化说明的目的，已经省略了沉积材料531的某些细节，包括但不限于层的厚度轮廓和/或边缘轮廓。
相关领域的普通技术人员应当理解，某些金属NP，无论是否作为沉积材料331的不连续层440的一部分，包括但不限于至少一个颗粒结构441，可以表现出表面等离激元(SP)激发和/或自由电子的相干振荡，结果是此类NP可以吸收和/或散射EM波谱范围(包括但不限于可见光波谱和/或其子范围)内的光。可以通过改变此类NP的特性来调整此类局部SP(LSP)激发和/或相干振荡的光学响应，包括但不限于吸收可以在其上集中的EM波谱(子)范围(吸收波谱)、折射率n和/或消光波谱k，此类NP的特性包括但不限于特征尺寸S1、尺寸分布、形状、表面覆盖率C1、构造、沉积密度、分散度D，以及/或者纳米结构和/或与其邻近的介质的特性，包括但不限于材料和/或聚集程度。
关于光子吸收涂层的这种光学响应可以包括对入射在其上的光子的吸收，从而减少反射。在一些非限制性实例中，吸收可以集中在EM波谱的某个范围内，包括但不限于可见光波谱和/或其子范围。在一些非限制性实例中，采用光子吸收层作为光电子装置的一部分可以减少对其中的偏光器的依赖。
Fusella等人在“Plasmonic enhancement of stability and brightness inorganic light-emitting devices”，Nature 2020,585,379-382(“Fusella等人”)中已经报道，通过在阴极层之上结合基于NP的输出耦合层以从等离激元模式提取能量，可以增强光学发光二极管(OLED)装置的稳定性。通过在阴极顶部的有机层顶部上旋转浇注立方体AgNP来制造基于NP的输出耦合层。然而，由于大多数商业OLED装置是使用基于真空的加工方式制造的，因此由溶液旋转浇注可能无法构成在阴极之上形成这种基于NP的输出耦合层的适当机制。
已经发现，通过将金属沉积材料331以不连续层440沉积到NIC 110上，该NIC在一些非限制性实例中可以是阴极并且/或者可以沉积在阴极上，可以在真空中制造阴极上方的这种基于NP的输出耦合层(因此可以适用于商业OLED制造过程中)。这种方法可以避免使用可能对OLED装置造成损害并且/或者可能对装置可靠性产生不利影响的溶剂或其他湿化学品。
在一些非限制性实例中，存在沉积材料331的这种不连续层440，包括但不限于至少一个颗粒结构441，可以有助于增强该装置的光提取、性能、稳定性、可靠性，并且/或者延长该装置的寿命。
在一些非限制性实例中，在分层装置100中，在NIC 110的暴露层表面11上和/或附近，并且/或者在一些非限制性实例中，以及/或者在这种NIC 110与至少一个覆盖层的界面附近存在至少一个不连续层440，可以将光学效应赋予由该装置发射和/或透射穿过该装置的光子和/或EM信号。
相关领域的普通技术人员应当理解，尽管本文呈现了光学效应的简化模型，但是其他的模型和/或解释也可能适用。
在一些非限制性实例中，存在沉积材料331的这种不连续层440，包括但不限于至少一个颗粒结构441，可以减少和/或减轻薄膜层和/或在纵向方面相邻设置的涂层(包括但不限于NIC 110和/或至少一个覆盖层)的结晶，从而稳定与之相邻设置的薄膜的特性，并且在一些非限制性实例中减少散射。在一些非限制性实例中，这种薄膜可以是并且/或者包括该装置的至少一个输出耦合层和/或封装涂层，包括但不限于封盖层(CPL)。
在一些非限制性实例中，存在沉积材料331的这种不连续层440，包括但不限于至少一个颗粒结构441，可以在UV波谱的至少一部分中提供增强的吸收。在一些非限制性实例中，控制此类颗粒结构441的特性，包括但不限于颗粒结构441的特征尺寸S1、尺寸分布、形状、表面覆盖率C1、构造、沉积密度、分散度D、沉积材料331和折射率n，可以有利于控制吸收度、吸收波谱(包括在UV波谱内)的波长范围和峰值波长λmax。在UV波谱的至少一部分中光吸收增强可能是有利的，例如，用于改善装置性能、稳定性、可靠性和/或寿命。
在一些非限制性实例中，光学效应可以根据其对透射和/或吸收波长波谱(包括其波长范围和/或峰值强度)的影响来描述。
此外，虽然所呈现的模型可以表明对穿过这种不连续层440的光子的透射和/或吸收产生的某些影响，但是在一些非限制性实例中，此类影响可以反映出可能不会在广泛且能够观察到的基础上反映的局部影响。
在一些非限制性实例中，NIC 110可以掺杂、覆盖并且/或者补充有可以充当晶种或非均质性的另一种材料，以作为沉积材料331的这种成核位点。在一些非限制性实例中，这另一种材料可以包括促进成核涂层(NPC)520(图5C)材料。在一些非限制性实例中，这另一种材料可以包括有机材料，诸如作为非限制性实例，多环芳族化合物和/或含有非金属元素诸如但不限于氧(O)、硫(S)、氮(N)或碳(C)的材料，其存在原本可能是源材料、用于沉积的设备和/或真空室环境中的污染物。在一些非限制性实例中，这另一种材料能够以作为单层的一小部分的层厚度沉积，以避免形成其封闭涂层140。相反，这另一种材料的单体将倾向于在侧向方面中间隔开，以便形成沉积材料的离散成核位点，从而形成颗粒。
光电子装置
图6是根据本公开的示例电致发光装置600的横截面方面的简化框图。在一些非限制性实例中，装置600是OLED。
装置600可以包括衬底10，在其上设置包括多个层的前板610，这些层分别为第一电极620、至少一个半导电层630和第二电极640。在一些非限制性实例中，前板610可以提供用于发射光子和/或操纵发射的光子的机构。
在一些非限制性实例中，沉积层130和底层表面可以一起形成装置600的第一电极620和第二电极640中的至少一者的至少一部分。在一些非限制性实例中，沉积层130及其下方的底层可以一起形成装置600的阴极的至少一部分。
在一些非限制性实例中，装置600可以与电源605电耦接。当如此耦接时，装置600可以如本文所描述发射光子。
衬底
在一些实例中，衬底10可以包括基础衬底612。在一些实例中，基础衬底612可以由适合其使用的材料形成，包括但不限于无机材料，包括但不限于硅(Si)、玻璃、金属(包括但不限于金属箔)、蓝宝石和/或其他无机材料和/或有机材料，包括但不限于聚合物，包括但不限于聚酰亚胺和/或硅基聚合物。在一些实例中，基础衬底612可以是刚性的或柔性的。在一些实例中，衬底10可以由至少一个平坦表面限定。在一些非限制性实例中，衬底10可以具有至少一个表面，该表面支撑装置600的前板610的剩余部件，包括但不限于第一电极620、至少一个半导电层630和/或第二电极640。
在一些非限制性实例中，这种表面可以是有机表面和/或无机表面。
在一些实例中，除了基础衬底612之外，衬底10还可以包括支撑在基础衬底612的暴露层表面11上的至少一个附加的有机层和/或无机层(本文未示出，也未具体描述)。
在一些非限制性实例中，此类附加层可以包括并且/或者形成至少一个有机层，该有机层可以包括、替换和/或补充至少一个半导电层630中的至少一层。
在一些非限制性实例中，此类附加层可以包括至少一个无机层，该无机层可以包括并且/或者形成至少一个电极，该电极在一些非限制性实例中，可以包括、替换和/或补充第一电极620和/或第二电极640。
在一些非限制性实例中，此类附加层可以包括背板615，以及/或者由该背板形成并且/或者形成为该背板。在一些非限制性实例中，背板615可以包含用于驱动装置600的电源电路系统和/或开关元件，包括但不限于可以通过光刻过程形成的电子TFT结构701(图7)和/或其部件，该光刻过程可以不在低压(包括但不限于真空)环境下提供并且/或者可以处在引入该低压环境之前。
背板和其中体现的TFT结构
在一些非限制性实例中，衬底10的背板1015可以包括至少一个电子部件和/或光电子部件，包括但不限于晶体管、电阻器和/或电容器，诸如可以支持装置600充当有源矩阵装置和/或无源矩阵装置的那些部件。在一些非限制性实例中，此类结构可以是薄膜晶体管(TFT)结构701。
TFT结构701的非限制性实例包括顶栅、底栅、n型和/或p型TFT结构701。在一些非限制性实例中，TFT结构701可以结合非晶Si(a-Si)、氧化铟镓锌(Zn)(IGZO)和/或低温多晶Si(LTPS)中的任何至少一者。
第一电极
第一电极620可以沉积在衬底10之上。在一些非限制性实例中，第一电极620可以与电源605的端子和/或地面电耦接。在一些非限制性实例中，第一电极620可以通过至少一个驱动电路如此耦接，在一些非限制性实例中，该至少一个驱动电路可以将至少一个TFT结构701结合在衬底10的背板1015中。
在一些非限制性实例中，第一电极620可以包括阳极和/或阴极。在一些非限制性实例中，第一电极620可以是阳极。
在一些非限制性实例中，第一电极620可以通过在衬底10(的一部分)之上沉积至少一个薄导电膜来形成。在一些非限制性实例中，可以存在多个第一电极620，该多个第一电极以一定的空间布局设置在衬底10的侧向方面之上。在一些非限制性实例中，此类至少一个第一电极620中的至少一者可以沉积在以一定的空间布局设置在侧向方面中的TFT绝缘层709(的一部分)之上(图7)。如果是这样的话，则在一些非限制性实例中，这样的至少一个第一电极620中的至少一者可以延伸穿过对应的TFT绝缘层709的开口，以与背板1015中的TFT结构701的电极电耦接。
在一些非限制性实例中，至少一个第一电极620和/或其至少一个薄膜可以包含各种材料，包括但不限于至少一种金属材料，包括但不限于Mg、Al、钙(Ca)、Zn、Ag、Cd、Ba或Yb，或者其中任意多者的组合，包括但不限于含有此类材料中的任何材料的合金、至少一种金属氧化物，包括但不限于透明导电氧化物(TCO)，包括但不限于三元组合物，诸如但不限于氧化氟锡(FTO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡(ITO)，或者其中任意多者的组合或不同比例的组合，或者其中任意多者在至少一层中的组合，该至少一层中的任何至少一者可以是但不限于薄膜。
第二电极
第二电极640可以沉积在至少一个半导电层630之上。在一些非限制性实例中，第二电极640可以与电源605的端子和/或地面电耦接。在一些非限制性实例中，第二电极640可以通过至少一个驱动电路如此耦接，在一些非限制性实例中，该至少一个驱动电路可以将至少一个TFT结构701结合在衬底10的背板1015中。
在一些非限制性实例中，第二电极640可以包括阳极和/或阴极。在一些非限制性实例中，第二电极1030可以是阴极。
在一些非限制性实例中，第二电极640可以通过在至少一个半导电层630(的一部分)之上沉积出沉积层130(在一些非限制性实例中，作为至少一个薄膜)来形成。在一些非限制性实例中，可以存在多个第二电极640，该多个第二电极以一定的空间布局设置在至少一个半导电层630的侧向方面之上。
在一些非限制性实例中，至少一个第二电极640可以包含各种材料，包括但不限于至少一种金属材料，包括但不限于Mg、Al、Ca、Zn、Ag、Cd、Ba或Yb，或者其中任意多者的组合，包括但不限于含有此类材料中的任何材料的合金、至少一种金属氧化物，包括但不限于TCO，包括但不限于三元组合物，诸如但不限于FTO、IZO或ITO，或者其中任意多者的组合或不同比例的组合，或氧化锌(ZnO)，或者含有铟(In)或Zn的其他氧化物，或者其中任意多者在至少一层中的组合，以及/或者至少一种非金属材料，该至少一层中的任何至少一者可以是但不限于薄导电膜。在一些非限制性实例中，对于Mg:Ag合金，这种合金组成按体积计可以在介于约1:9至9:1的范围内。
在一些非限制性实例中，第二电极640的沉积可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积过程来执行。
在一些非限制性实例中，第二电极640可以包括多个此类层和/或涂层。在一些非限制性实例中，此类层和/或涂层可以是彼此叠置的不同的层和/或涂层。
在一些非限制性实例中，第二电极640可以包括Yb/Ag双层涂层。在一些非限制性实例中，可以通过沉积Yb涂层，然后沉积Ag涂层来形成这种双层涂层。在一些非限制性实例中，这种Ag涂层的厚度可以超过Yb涂层的厚度。
在一些非限制性实例中，第二电极640可以是包括至少一个金属层和/或至少一个氧化物层的多层电极640。
在一些非限制性实例中，第二电极640可以包括富勒烯和Mg。
在一些非限制性实例中，可以通过沉积富勒烯涂层，然后沉积Mg涂层来形成这种涂层。在一些非限制性实例中，可以将富勒烯分散在Mg涂层内，以形成含富勒烯的Mg合金涂层。此类涂层的非限制性实例描述于2015年10月8日公开的美国专利申请公开号2015/0287846以及/或者2017年8月15日提交并且作为WO2018/033860在2018年2月22日公开的PCT国际申请号PCT/IB2017/054970中。
半导电层
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层630可以包括多个层631、633、635、637、639，在一些非限制性实例中，这些层中的任何层能够以薄膜、以堆叠构造设置，其可以包括但不限于以下中的至少一者：空穴注入层(HIL)631、空穴传输层(HTL)633、发射层(EML)635、电子传输层(ETL)637，和/或电子注入层(EIL)639。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层630可以形成包括多个EML 635的“串联”结构。在一些非限制性实例中，这种串联结构还可以包括至少一个电荷产生层(CGL)。
相关领域的普通技术人员应当容易理解，可以通过省略和/或组合半导体层631、633、635、637、639中的至少一者来改变装置600的结构。
进一步地，至少一个半导电层630的层631、633、635、637、639中的任何一个层可以包括任何数量的子层。更进一步，此类层631、633、635、637、639和/或其子层中的任何一者可以包含各种混合物和/或组成梯度。此外，相关领域的普通技术人员应当理解，装置600可以包括含有无机材料和/或金属有机材料的至少一层，并且可以不必限于仅由有机材料构成的装置。作为非限制性实例，装置600可以包括至少一个QD。
在一些非限制性实例中，HIL 631可以使用空穴注入材料形成，该空穴注入材料可以促进通过阳极注入空穴。
在一些非限制性实例中，HTL 633可以使用空穴传输材料形成，在一些非限制性实例中，该空穴传输材料可以展现出高空穴迁移率。
在一些非限制性实例中，ETL 637可以使用电子传输材料形成，在一些非限制性实例中，该空穴传输材料可以展现出高电子迁移率。
在一些非限制性实例中，EIL 639可以使用电子注入材料形成，该电子注入材料可以促进通过阴极注入电子。
在一些非限制性实例中，作为非限制性实例，可以通过使主体材料掺杂有至少一种发射体材料来形成EML 635。在一些非限制性实例中，发射体材料可以是荧光发射体、磷光发射体、热活化延迟荧光(TADF)发射体和/或这些材料中的多种材料的任何组合。
在一些非限制性实例中，装置600可以是OLED，其中至少一个半导电层630至少包括插置在导电薄膜电极620、640之间的EML 635，由此，当在这些电极两端施加电势差时，空穴可以通过阳极注入至少一个半导电层630中，电子可以通过阴极注入至少一个半导电层630中、向EML 635迁移，然后组合以发射光子形式的EM辐射。
在一些非限制性实例中，装置600可以是电致发光QD装置，其中至少一个半导电层630可以包括有源层，该有源层包括至少一个QD。当电源605可以向第一电极620和第二电极640提供电流时，可以从它们之间的包括至少一个半导电层630的有源层发射光子。
相关领域的普通技术人员应当容易理解，装置600的结构可以通过在至少一个半导电层630叠堆内的适当位置处引入至少一个附加层(未示出)而改变，该至少一个附加层包括但不限于空穴阻挡层(未示出)、电子阻挡层(未示出)、附加的电荷传输层(未示出)和/或附加的电荷注入层(未示出)。
在一些非限制性实例中，包含在OLED装置600包括照明面板的情况下，装置600的整个横向方面可以对应于单个照明元件。因此，图6中所示出的基本上平坦的横截面轮廓可以基本上沿着装置600的整个侧向方面延伸，使得光子基本上沿着装置600的整个侧向范围从该装置发射。在一些非限制性实例中，此类单个照明元件可以由装置600的单个驱动电路驱动。
在一些非限制性实例中，包括在OLED装置600包括显示模块的情况下，装置600的侧向方面可以被细分为装置600的多个发射区域1210(图12)，其中在不限于图6所示出的发射区域1210中的每个发射区域内，装置结构1000的横截面方面在被激励时可以导致从其发射光子。
发射区域
在一些非限制性实例中，诸如可以作为图7中的非限制性实例示出的，发射区域1210的有源区域730可以被限定为在横向方面由第一电极620和第二电极640界定，并且在侧向方面局限到由第一电极620和第二电极640限定的发射区域1210。相关领域的普通技术人员应当理解，发射区域1210的侧向范围以及由此有源区域730的侧向边界可以不对应于第一电极620和第二电极640中的任一者或两者的整个侧向方面。相反，发射区域的侧向范围可以显著小于第一电极620和第二电极640中任一者的侧向范围。作为非限制性实例，第一电极620的多个部分可以被像素定义层(PDL)740(图7)覆盖，并且/或者第二电极640的多个部分可以不设置在至少一个半导电层630上，因此，在任一种或两种情形下，发射区域1210可以在侧向上受到约束。
在一些非限制性实例中，装置600的各个发射区域1210可以按横向图案布置。在一些非限制性实例中，图案可以沿着第一横向方面延伸。在一些非限制性实例中，图案还可以沿着第二横向方向延伸，在一些非限制性实例中，该第二横向方向可以基本上垂直于第一横向方向。在一些非限制性实例中，该图案在这种图案中可以具有多个元件，每个元件通过其至少一种特征来表征，该至少一种特征包括但不限于：由其发射区域1210发射的光的波长、这种发射区域1210的形状、尺寸(沿着第一侧向方向和/或第二侧向方向中的任一者或两者)、取向(相对于第一侧向方向和/或第二侧向方向中的任一者和/或两者)，以及/或者与该图案中的前一个元件的间距(相对于第一侧向方向和/或第二侧向方向中的任一者或两者)。在一些非限制性实例中，图案可以在第一侧向方向和/或第二侧向方向中的任一者或两者上重复。
在一些非限制性实例中，装置600的每个单独的发射区域1210可以与装置600的背板1015内的对应驱动电路相关联并由其驱动，该对应驱动电路用于驱动相关联发射区域1210的OLED结构。在一些非限制性实例中，包括但不限于，在发射区域1210能够以在第一(行)侧向方向和第二(列)侧向方向两者上延伸的规则图案排列的情况下，在背板1015中可以存在对应于发射区域1210在第一侧向方向上延伸的每一行的信号线，以及对应于发射区域1210在第二侧向方向上延伸的每一列的信号线。在这种非限制性配置中，行选择线上的信号可以激励与其电耦接的开关TFT的相应栅极，并且数据线上的信号可以激励与其电耦接的开关TFT的相应源极，使得行选择线/数据线对上的信号可以通过电源605的正极端子电耦接并激励与该对相关联的发射区域1210的OLED结构的阳极，从而导致光子从其发射，其阴极与电源605的负极端子电耦接。
在一些非限制性实例中，装置600的每个发射区域1210可以对应于单个显示像素1810(图18A)。在一些非限制性实例中，每个像素1810可以发射给定波长波谱的光。在一些非限制性实例中，该波长波谱可以对应于但不限于可见波谱中的颜色。
在一些非限制性实例中，装置600的每个发射区域1210可以对应于显示像素1810的子像素134x(图13A)。在一些非限制性实例中，多个子像素134x可以组合，以形成或表示单个显示像素1810。
在一些非限制性实例中，单个显示像素1810可以由三个子像素134x表示。在一些非限制性实例中，三个子像素134x可以分别表示为R(红色)子像素1341、G(绿色)子像素1342和/或B(蓝色)子像素1343。在一些非限制性实例中，单个显示像素1810可以由四个子像素134x表示，其中此类子像素134x中的三个子像素可以表示为R、G和B子像素134x，并且第四子像素134x可以表示为W(白色)子像素134x。在一些非限制性实例中，由给定子像素134x发射的光的发射波谱可以对应于通过其表示子像素134x的颜色。在一些非限制性实例中，光的波长可能不对应于这种颜色，但是可以按照对于相关领域的普通技术人员显而易见的方式执行进一步处理，以将波长变换为如此对应的波长。
由于不同颜色的子像素134x的波长可能不同，所以此类子像素134x的光学特性可能不同，尤其是如果具有基本上均匀的厚度分布的公共电极620、640可以用于不同颜色的子像素134x。
当可以在装置600中提供具有基本上均匀的厚度的公共电极620、640作为第二电极640时，装置600的光学性能可能不容易根据与每个(子)像素1810/134x相关联的发射波谱进行微调。在一些非限制性实例中，在此类OLED装置600中使用的第二电极640可以是涂覆多个(子)像素1810/134x的公共电极620、640。作为非限制性实例，这种公共电极620、640可以是相对薄的导电膜，其在整个装置600上具有基本均匀的厚度。尽管在一些非限制性实例中已经努力通过改变设置在不同(子)像素1810/134x内的有机层的厚度来调节与每个(子)像素1810/134x颜色相关联的光学微腔效应，但是在一些非限制性实例中，这种方法在至少一些情况下能够以显著的程度提供对光学微腔效应的调节。此外，在一些非限制性实例中，这种方法可能难以在OLED显示器生产环境中实施。
因此，存在由许多具有不同折射率的薄膜层和涂层产生的光学界面，诸如在一些非限制性实例中可以用于构建包括但不限于OLED装置600的光电子装置，可以为不同颜色的子像素134x产生不同的光学微腔效应。
可能影响在装置600中观察到的微腔效应的一些因素包括但不限于总路径长度(在一些非限制性实例中，其可以对应于装置600的总厚度，从该装置发射的光子在被输出耦合之前将穿过该总厚度)以及各种层和涂层的折射率n。
在一些非限制性实例中，在(子)像素1810/134x的发射区域1210的侧向方面710中和跨该侧向方面调控电极620、640的厚度可以影响能够观察到的微腔效应。在一些非限制性实例中，这种影响可以归因于总光路长度的变化。
在一些非限制性实例中，除了总光路长度的变化之外(在一些非限制性实例中)，电极620、640的厚度的变化也可以改变从其中穿过的光的折射率n。在一些非限制性实例中，这尤其可以是电极620、640可以由至少一个沉积层130形成的情况。
在一些非限制性实例中，装置600的光学特性，以及/或者在一些非限制性实例中，跨可以通过调控至少一种光学微腔效应而改变的(子)像素1810/134x的发射区域1210的侧向方面710，可以包括但不限于发射波谱、强度(包括但不限于发光强度)和/或发射光的角度分布，包括但不限于发射光的亮度和/或色移的角度依赖性。
在一些非限制性实例中，子像素134x可以与第一组其他子像素134x相关联以表示第一显示像素1810，并且还可以与第二组其他子像素134x相关联以表示第二显示像素1810，使得第一显示像素和第二显示像素340可以具有与之相关联的相同子像素134x。
子像素134x到显示像素340的图案和/或组织继续发展。所有当前和未来的图案和/或组织都被认为落入本公开的范围内。
非发射区域
在一些非限制性实例中，装置600的各个发射区域1210在至少一个侧向方向上可以基本上被至少一个非发射区域1220(图12)围绕和分隔，其中在不限于图6所示出的装置结构600的沿着横截面方面的结构和/或构造可以变化，以基本上抑制光子从其发射。在一些非限制性实例中，非发射区域1220可以包括在侧向方面基本上不含发射区域1210的那些区域。
因此，如图7的横截面视图所示出的，至少一个半导电层630的各个层的侧向拓扑结构可以变化，以限定被至少一个非发射区域1220围绕(至少在一个侧向方向上)的至少一个发射区域1210。
在一些非限制性实例中，对应于单个显示(子)像素1810/134x的发射区域1210可以被理解为具有侧向方面710，该侧向方面在至少一个侧向方向上被具有侧向方面720的至少一个非发射区域1220围绕。
现在将描述装置600的应用于对应于OLED显示器600的单个显示(子)像素1810/134x的发射区域1210的横截面方面的一种实施方式的非限制性实例。虽然此类实施方案的特征被示出为特定于发射区域1210，但是相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，多于一个发射区域1210可以涵盖共同特征。
在一些非限制性实例中，第一电极620可以设置在装置600的暴露层表面11之上，在一些非限制性实例中，在发射区域1210的侧向方面710的至少一部分内。在一些非限制性实例中，至少在(子)像素1810/134x的发射区域1210的侧向方面710内，在沉积第一电极620时，暴露层表面11可以包括构成对应于单个显示(子)像素1810/134x的发射区域1210的驱动电路的各个TFT结构701的TFT绝缘层709。
在一些非限制性实例中，TFT绝缘层709可以形成有延伸穿过其中的开口，以允许第一电极620与TFT电极705、707、708中的一者电耦接，如图7所示，这些TFT电极包括但不限于TFT漏电极708。
相关领域的普通技术人员应当理解，驱动电路包括多个TFT结构701。在图7中，出于简化说明的目的，可以仅示出一个TFT结构701，但是相关领域的普通技术人员应当理解，这种TFT结构701可以表示包括驱动电路的此类多个结构。
在横截面方面，在一些非限制性实例中，每个发射区域1210的配置可以通过引入基本上贯穿周围非发射区域1220的侧向方面720的至少一个PDL 740来限定。在一些非限制性实例中，PDL 740可以包括绝缘有机材料和/或绝缘无机材料。
在一些非限制性实例中，PDL 740可以基本上沉积在TFT绝缘层709之上，但是如图所示，在一些非限制性实例中，PDL 740还可以在沉积的第一电极620的至少一部分和/或其外边缘之上延伸。
在一些非限制性实例中，如图7所示，PDL 740的横截面厚度和/或轮廓可以通过沿着周围非发射区域1220的侧向方面720与周围发射区域1210的对应于(子)像素1810/134x的侧向方面710的边界厚度增加的区域，将基本上谷形的配置赋予每个(子)像素1810/134x的发射区域1210。
在一些非限制性实例中，PDL 740的轮廓可以具有超过这种谷形配置的减小的厚度，包括但不限于远离周围非发射区域1220的侧向方面720与被围绕的发射区域1210的侧向方面710之间的边界，在一些非限制性实例中，基本上完全在这种非发射区域1220的侧向方面720内。
虽然PDL 740已被大体展示为具有线性倾斜表面以形成谷形配置，该谷形配置限定由其围绕的发射区域1210，但是相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，这种PDL 740的形状、纵横比、厚度、宽度和/或配置中的至少一者可以变化。作为非限制性实例，PDL 740可以形成有更陡峭或倾斜度逐渐增大的部分。在一些非限制性实例中，这种PDL 740可以被配置为基本上垂直地远离其所沉积的表面延伸，该表面可以覆盖第一电极620的至少一个边缘。在一些非限制性实例中，这种PDL 740可以被配置成通过溶液处理技术(包含但不限于通过打印，包含但不限于喷墨打印)在其上沉积至少一个半导电层630。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层630可以沉积在装置600的暴露层表面11之上，包括(子)像素1810/134x的这种发射区域1210的侧向方面710的至少一部分。在一些非限制性实例中，至少在(子)像素1810/134x的发射区域1210的侧向方面710内，在沉积至少一个半导电层630(和/或其层631、633、635、637、639)时，这种暴露层表面11可以包括第一电极620。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层630也可以延伸超出(子)像素1810/134x的发射区域1210的侧向方面710，并且至少部分地在周围非发射区域1220的侧向方面720内。在一些非限制性实例中，在沉积至少一个半导电层630时，此类周围非发射区域1220的此类暴露层表面11可以包括PDL 740。
在一些非限制性实例中，第二电极640可以设置在装置600的暴露层表面11之上，包括(子)像素1810/134x的发射区域1210的侧向方面710的至少一部分。在一些非限制性实例中，至少在(子)像素1810/134x的发射区域1210的侧向方面710内，在沉积第二电极620时，这种暴露层表面11可以包括至少一个半导电层630。
在一些非限制性实例中，第二电极640也可以延伸超出(子)像素1810/134x的发射区域1210的侧向方面710，并且至少部分地在周围非发射区域1220的侧向方面720内。在一些非限制性实例中，在沉积第二电极640时，此类周围非发射区域1220的此类暴露层表面11可以包括PDL 740。
在一些非限制性实例中，第二电极640可以延伸通过周围非发射区域1220的横向方面720的基本上全部或大部分。
图案化电极的选择性沉积
在一些非限制性实例中，通过图案化涂层210(包括但不限于NIC 110)的在先选择性沉积而在开放式掩模和/或无掩模沉积过程中实现沉积材料331的选择性沉积的能力可以用于实现光电子装置(包括但不限于OLED装置600)和/或与之电耦接的导电元件的图案化电极620、640、1150和/或其至少一层的选择性沉积。
以这种方式，在图1所示的装置100a中，可以组合使用阴影掩模215选择性地沉积NIC 110作为图2中的图案化涂层210，以及沉积材料331的开放式掩模和/或无掩模沉积，以实现至少一个沉积层130的选择性沉积，从而形成装置特征，包括但不限于图案化电极620、640、1150，和/或其至少一层，和/或与之电耦接的导电元件，而无需在用于形成沉积层130的沉积过程中采用阴影掩模215。在一些非限制性实例中，这种图案化可以允许和/或增强装置100a的透射率。
现在将描述此类图案化电极620、640、1150和/或其至少一层和/或与之电耦接的导电元件的多个非限制性实例，以赋予此类装置600各种结构和/或性能能力。
作为前述的结果，可能存在以下目标，即跨(子)像素1810/134x的发射区域1210的侧向方面710和/或围绕发射区域1210的非发射区域1220的侧向方面720选择性地在装置600的前板610的暴露层表面11上以一定图案沉积装置特征，该装置特征包括但不限于以下中的至少一者：第一电极620、第二电极640、辅助电极1150和/或与之电耦接的导电元件。在一些非限制性实例中，第一电极620、第二电极640和/或辅助电极1150可以沉积在多个沉积层130中的至少一个沉积层中。
图8可以在平面视图中示出示例图案化电极800，在该附图中，第二电极640适用于装置600的示例版本900(图9)。电极800能够以包括单个连续结构的图案810形成，该单个连续结构在其内具有或限定多个图案化的孔口820，其中孔口820可以对应于装置600中不存在阴极的区域。
在该附图中，作为非限制性实例，图案810可以跨装置900的整个侧向范围设置，在对应于(子)像素1810/134x的发射区域1210的侧向方面710与围绕此类发射区域1210的非发射区域1220的侧向方面720之间没有区别。因此，所展示的该实例可以对应于相对于入射在其外表面上的光可以基本上透射的装置900，使得除了如本文所公开的在装置900内部产生的光子的发射(顶部发射、底部发射和/或双面发射)之外，这种外部入射光中的大部分可以透射穿过装置900。
装置900的透射率可以通过改变所采用的图案810来调整和/或修改，包括但不限于孔820的平均大小，以及/或者孔820的间距和/或密度。
现在转到图9，可以示出沿图8中的线9-9截取的装置900的横截面视图。在该附图中，装置900可以被示出为包括衬底10、第一电极620和至少一个半导电层630。
NIC 110可以选择性地以基本上对应于底层的暴露层表面11上的图案810的图案设置。
适用于形成图案化电极800(在该附图中为第二电极640)的沉积层130可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积过程设置在底层的基本上所有暴露层表面11上。底层可以包括以下两种区域，即：NIC 110中以图案1810设置的区域，以及至少一个半导电层630中以尚未沉积NIC 110的图案810设置的区域。在一些非限制性实例中，NIC 110的区域可以基本上对应于包括在图案810中示出的孔820的第一部分101。
由于图案810中设置了NIC 110的那些区域(对应于孔820)具有抑制成核特性，所以设置在此类区域上的沉积材料331可能倾向于不保留，导致沉积层130的选择性沉积图案可以基本上对应于图案810的剩余部分，从而使图案810的第一部分101中对应于孔820的那些区域基本上不含沉积层130的封闭涂层140。
换句话讲，将形成阴极的沉积层130可以选择性地基本上仅沉积在第二部分102上，该第二部分包括至少一个半导电层630中的围绕但不占据图案810中的孔820的那些区域。
图10A可以在平面视图中示出包括电极620、640、1150的多个图案1020、1040的示意图。
在一些非限制性实例中，第一图案1020可以包括在第一侧向方向上延伸的多个间隔开的细长区域。在一些非限制性实例中，第一图案1020可以包括多个第一电极620。在一些非限制性实例中，包括第一图案1020的多个区域可以电耦接。
在一些非限制性实例中，第二图案1040可以包括在第二侧向方向上延伸的多个间隔开的细长区域。在一些非限制性实例中，第二侧向方向可以基本上垂直于第一侧向方向。在一些非限制性实例中，第二图案1040可以包括多个第二电极640。在一些非限制性实例中，包括第二图案1040的多个区域可以电耦接。
在一些非限制性实例中，第一图案1020和第二图案1040可以形成示例版本的一部分，其总体上以装置600的1000示出。
在一些非限制性实例中，可以形成对应于(子)像素1810/134x的发射区域1810的侧向方面710，其中第一图案1020与第二图案1040重叠。在一些非限制性实例中，非发射区域1220的侧向方面720可以对应于除侧向方面710外的任何侧向方面。
在一些非限制性实例中，第一端子(在一些非限制性实例中可以是电源605的正极端子)可以与第一图案1020的至少一个电极620、640、1150电耦接。在一些非限制性实例中，第一端子可以通过至少一个驱动电路与第一图案1020的至少一个电极620、640、1150耦接。在一些非限制性实例中，第二端子(在一些非限制性实例中可以是电源605的负极端子)可以与第二图案1040的至少一个电极620、640、1150电耦接。在一些非限制性实例中，第二端子可以通过至少一个驱动电路与第二图案1040的至少一个电极620、640、1150耦接。
现在转到图10B，可以示出沿图10A中的线10B-10B截取的沉积阶段1000b处的装置1000的横截面视图。在该附图中，阶段1000b处的装置1000可以被示出为包括衬底10。
NIC 110可以选择性地以基本上对应于底层的暴露层表面11上的第一图案1020的反图案的图案设置，如该附图所示，底层可以是衬底10。
适用于形成电极620、640、1150(在该附图中为第一电极620)的第一图案1020的沉积层130可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积过程设置在底层的基本上所有暴露层表面11上。底层可以包括以下两种区域，即：NIC 110中以第一图案1020的反图案设置的区域，以及衬底10中以尚未沉积NIC 110的第一图案1020设置的区域。在一些非限制性实例中，衬底10的这些区域可以基本上对应于第一图案1020的间隔开的细长区域，而NIC 110的这些区域可以基本上对应于包括其间的间隙的第一部分101。
由于第一图案1020中设置了NIC 110的那些区域(对应于其间的间隙)具有抑制成核特性，所以设置在此类区域上的沉积层130可能倾向于不保留，导致沉积层130的选择性沉积图案可以基本上对应于第一图案1020的间隔开的细长区域，从而使包括其间的间隙的第一部分101基本上不含沉积层130的封闭涂层140。
换句话讲，可以形成电极620、640、1150的第一图案1020的沉积层130可以基本上仅选择性地沉积在包括衬底10中的限定第一图案1020的间隔开的细长区域的那些区域的第二部分102上。
现在转到图10C，可以示出沿图10A中的线10C-10C截取的装置1000的横截面视图1000c。在该附图中，装置1000可以被示出为包括衬底10；如图10B所示沉积的电极620的第一图案1020，和至少一个半导电层630。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层630可以被提供为跨装置1000的基本上所有横向方面的公共层。
NIC 110可以选择性地以基本上对应于底层的暴露层表面11上的第二图案1040的图案设置，如该附图所示，底层是至少一个半导电层630。
适用于形成电极620、640、1150(在该附图中为第二电极640)的第二图案1040的沉积层130可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积过程设置在底层的基本上所有暴露层表面11上。底层可以包括以下两种区域，即：NIC 110中以第二图案1040的反图案设置的区域，以及至少一个半导电层630中以尚未沉积NIC 110的第二图案1040设置的区域。在一些非限制性实例中，至少一个半导电层630的这些区域可以基本上对应于包括第二图案1040的间隔开的细长区域的第一部分101，而NIC 110的这些区域可以基本上对应于其间的间隙。
由于第二图案1040中设置了NIC 110的那些区域(对应于其间的间隙)具有抑制成核特性，所以设置在此类区域上的沉积层130可能倾向于不保留，导致沉积层130的选择性沉积图案可以基本上对应于第二图案1040的间隔开的细长区域，从而使包括其间的间隙的第一部分101基本上不含沉积层130的封闭涂层140。
换句话讲，可以形成电极620、640、1150的第二图案1040的沉积层130可以基本上仅选择性地沉积在包括NPC 520中的限定第二图案1040的间隔开的细长区域的那些区域的第二部分102上。
在一些非限制性实例中，NIC 110和其后沉积的用于形成电极620、640、1150的第一图案1020和/或第二图案1040中的任一者或两者的沉积层130的厚度可以根据多种参数而变化，包括但不限于给定的应用和给定的性能特性。在一些非限制性实例中，NIC 110的厚度可以与其后沉积的沉积层130的厚度相当，并且/或者显著小于其后沉积的该沉积层的厚度。使用相对薄的NIC 110来实现其后沉积的沉积层130的选择性图案化可以适于提供柔性装置600。在一些非限制性实例中，相对薄的NIC 110可以提供相对平坦的表面，在该表面上可以沉积阻隔涂层1050。在一些非限制性实例中，提供用于施加阻隔涂层1050的这种相对平坦的表面可以增加阻隔涂层1050对这种表面的粘附。
电极620、640、1150的第一图案1020中的至少一个图案和电极620、640、1150的第二图案1040中的至少一个图案可以直接地并且/或者在一些非限制性实例中通过它们相应的驱动电路1200与电源605电耦接，以控制来自对应于(子)像素1810/134x的发射区域1810的侧向方面710的光子发射。
辅助电极
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，图10A至图10C中示出的按第二图案1040形成第二电极640的过程能够以类似的方式用于形成装置1000的辅助电极1150。在一些非限制性实例中，其第二电极640可以包括公共电极，并且辅助电极1150能够以第二图案1040沉积，在一些非限制性实例中沉积在第二电极640上方，或在一些非限制性实例中沉积在该第二电极下方，并且与该第二电极电耦接。在一些非限制性实例中，用于这种辅助电极1150的第二图案1040可以使得该第二图案1040的间隔开的细长区域基本上位于围绕对应于(子)像素1810/134x的发射区域1810的侧向方面710的非发射区域1820的侧向方面720内。在一些非限制性实例中，用于此类辅助电极1150的第二图案1040可以使得该第二图案1040的间隔开的细长区域基本上位于对应于(子)像素1810/134x的发射区域1810的侧向方面710和/或围绕它们的非发射区域1820的侧向方面720内。
图11可以示出装置600的示例版本1100的示例横截面视图，该示例版本基本上类似于此装置，但还可以包括至少一个辅助电极1150，该辅助电极以上述图案设置并且与第二电极640电耦接(未示出)。
辅助电极1150可以是导电的。在一些非限制性实例中，辅助电极1150可以由至少一种金属和/或金属氧化物形成。此类金属的非限制性实例包括Cu、Al、钼(Mo)或Ag。作为非限制性实例，辅助电极1150可以包括多层金属结构，包含但不限于由Mo/Al/Mo形成的多层金属结构。此类金属氧化物的非限制性实例包括ITO、ZnO、IZO，或者其他含有In或Zn的氧化物。在一些非限制性实例中，辅助电极1150可以包括由至少一种金属和至少一种金属氧化物的组合形成的多层结构，该组合包括但不限于Ag/ITO、Mo/ITO、ITO/Ag/ITO或ITO/Mo/ITO。在一些非限制性实例中，辅助电极1150包括多种这样的导电材料。
装置1100可以被示出为包括衬底10、第一电极620和至少一个半导电层630。
第二电极640可以设置在至少一个半导电层630的基本上所有暴露层表面11上。
在一些非限制性实例中，特别是在顶部发射装置1100中，第二电极640可以通过沉积相对薄的导电膜层(未示出)来形成，以便作为非限制性实例减少与第二电极640的存在相关的光学干涉(包括但不限于衰减、反射和/或扩散)。在一些非限制性实例中，如别处所论述的，第二电极640的厚度减小通常可能增加第二电极640的薄层电阻R，在一些非限制性实例中，这可能降低装置1100的性能和/或效率。通过提供可以与第二电极640电耦接的辅助电极1150，在一些非限制性实例中，可以减小薄层电阻R，并因此减小与第二电极640相关联的IR降。
在一些非限制性实例中，装置1100可以是底部发射和/或双面发射装置1100。在此类实例中，第二电极640可以形成为相对较厚的导电层而基本上不影响此类装置1100的光学特性。然而，即使在此类情况下，作为非限制性实例，第二电极640仍然可以形成为相对较薄的导电膜层(未示出)，使得装置1100相对于入射在其外表面上的光可以是基本上透射的，使得除了如本文所公开的在装置1100内部产生的光子的发射之外，此类外部入射光的大部分可以透射通过装置1100。
NIC 110可以选择性地以一定图案设置在底层的暴露层表面11上，如该附图所示，底层可以是至少一个半导电层630。在一些非限制性实例中，如图所示，NIC 110可以在图案的第一部分中安置为一系列平行的行1120。
适用于形成图案化辅助电极1150的沉积层130可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积过程设置在底层的基本上所有暴露层表面11上。底层可以包括以下两种区域，即：NIC110中以行1120的图案设置的区域，以及至少一个半导电层630中尚未沉积NIC 110的区域。
由于设置了NIC 110的那些行1120具有抑制成核特性，所以设置在此类行1120上的沉积层130可能倾向于不保留，导致沉积层130的选择性沉积图案可以基本上对应于该图案的至少一个第二部分102，从而使包括行1120的第一部分101基本上不含沉积层130的封闭涂层140。
换句话讲，可以形成辅助电极1150的沉积层130可以选择性地基本上仅沉积在第二部分102上，该第二部分包括至少一个半导电层630中的围绕但不占据行1120的那些区域。
在一些非限制性实例中，选择性地沉积辅助电极1150以仅覆盖装置1100的侧向方面的某些行1120，而其中的其他区域保持未覆盖，可以控制和/或减少与辅助电极1150的存在相关的光学干扰。
在一些非限制性实例中，辅助电极1150能够以从典型的观看距离不能用肉眼容易地检测到的图案选择性地沉积。
在一些非限制性实例中，辅助电极1150可以形成在除OLED装置外的装置中，包含用于降低此类装置的电极的有效电阻。
在高温沉积层130的沉积过程期间通过采用选择性涂层210(包括但不限于图2中所描绘的过程)，不采用阴影掩模215就能够将电极620、640、1150、5050(包括但不限于第二电极640和/或辅助电极1150)图案化，可以允许部署辅助电极1150的多种配置。
在一些非限制性实例中，辅助电极1150可以设置在相邻的发射区域1210(图12)之间，并且与第二电极640电耦接。在非限制性实例中，辅助电极1150的宽度可以小于相邻发射区域1120之间的分隔距离。因此，在辅助电极1150的每一侧上的至少一个非发射区域1220(图12)内可以存在间隙。在一些非限制性实例中，这种布局可以降低辅助电极1150将妨碍装置1100中在一些非限制性实例中来自至少一个发射区域1110的光输出的可能性。在一些非限制性实例中，这种布局在辅助电极1150相对较厚(在一些非限制性实例中，厚度大于几百纳米并且/或者为约几微米)的情况下可能是合适的。在一些非限制性实例中，辅助电极1150的纵横比可以超过约0.05，诸如至少为约：0.1、0.2、0.5、0.8、1或2。作为非限制性实例，辅助电极1150的高度(厚度)可以超过约50nm，诸如至少为约：80nm、100nm、200nm、500nm、700nm、1,000nm、1,500nm、1,700nm或2,000nm。
图12可以在平面视图中示出辅助电极1150形成为网格的图案1250的一个实例的示意图，该网格可以覆盖在以下两种侧向方面之上：可以对应于装置600的示例版本1200的(子)像素1810/134x的发射区域1210的侧向方面710，以及围绕发射区域1210的非发射区域1220的侧向方面720。
在一些非限制性实例中，辅助电极图案1250可以基本上仅在非发射区域1220的一些而非全部侧向方面720之上延伸，以便基本上不覆盖发射区域1210的侧向方面710中的任何一个侧向方面。
相关领域的普通技术人员应当理解，尽管在该附图中，辅助电极图案1250可以被示出为形成连续结构，使得其所有元件都彼此物理连接和电耦接，并且与至少一个电极620、640、1150电耦接，在一些非限制性实例中该至少一个电极可以是第一电极620和/或第二电极640，在一些非限制性实例中，辅助电极图案1250可以作为辅助电极图案1250的多个分立元件提供，这些分立元件虽然保持彼此电耦接，但是可以不彼此物理连接。即便如此，辅助电极图案1250的此类分立元件仍然可以显著降低与它们电耦接的至少一个电极620、640、1150的薄层电阻R，因此降低装置1200的薄层电阻，从而增加装置1200的效率，而基本上不干扰其光学特性。
在一些非限制性实例中，辅助电极1150可以用于具有(子)像素1810/134x的多种布局的装置600中。在一些非限制性实例中，(子)像素1810/134x布局可以是基本上菱形的。
作为非限制性实例，图13A可以在平面视图中示出装置600的示例版本1300中的发射区域1210的多个组1341-1343，其中每个发射区域对应于子像素134x，被呈现菱形配置的包括PDL 740的多个非发射区域1320的侧向方面包围。在一些非限制性实例中，该配置可以呈现第一行和第二行的交替图案的发射区域1210和PDL 740的图案1341-1343限定。
在一些非限制性实例中，包括PDL 740的非发射区域1220的侧向方面720可以是基本上椭圆形的。在一些非限制性实例中，第一行中非发射区域1220的侧向方面720的长轴可以与第二行中非发射区域1220的侧向方面720的长轴对齐并且基本上垂直。在一些非限制性实例中，第一行中非发射区域1220的侧向方面720的长轴可以基本上平行于第一行的轴线。
在一些非限制性实例中，发射区域1210的第一组1341可以对应于以第一波长发射光的子像素134x，在一些非限制性实例中，第一组1341的子像素134x可以对应于R(红色)子像素1341。在一些非限制性实例中，第一组1341的发射区域1210的横向方面710可以具有基本上菱形的配置。在一些非限制性实例中，第一组1341的发射区域1210可以位于第一行的图案中，在其之前和之后是PDL 740。在一些非限制性实例中，第一组1341的发射区域1210的侧向方面710可以与同一行中包括PDL 740的之前和之后的非发射区域1220的侧向方面720以及第二行的之前和之后图案中包括PDL 740的邻近非发射区域1220的侧向方面720略微重叠。
在一些非限制性实例中，发射区域1210的第二组1342可以对应于以第二波长发射光的子像素134x，在一些非限制性实例中，第二组1342的子像素134x可以对应于G(绿色)子像素1342。在一些非限制性实例中，第二组1341的发射区域1210的横向方面710可以具有基本上椭圆形的配置。在一些非限制性实例中，第二组1341的发射区域1210可以位于第一行的图案中，在其之前和之后是PDL 740。在一些非限制性实例中，第二组1341的发射区域1210的横向方面710中的一些横向方面的主轴可以处于第一角度，在一些非限制性实例中，该第一角度可以相对于第二行的轴成45°。在一些非限制性实例中，第二组1341的发射区域1210的横向方面710中的其它横向方面的主轴可以处于第二角度，在一些非限制性实例中，该第二角度可以基本上垂直于第一角度。在一些非限制性实例中，第一组1341的发射区域1210(其侧向方面710可以具有处于第一角度的长轴)可以与第一组1341的发射区域1210(其侧向方面710可以具有处于第二角度的长轴)交替出现。
在一些非限制性实例中，发射区域1210的第三组1343可以对应于以第三波长发射光的子像素134x，在一些非限制性实例中，第三组1343的子像素134x可以对应于B(蓝色)子像素1343。在一些非限制性实例中，第三组1343的发射区域1210的横向方面710可以具有基本上菱形的配置。在一些非限制性实例中，第三组1343的发射区域1210可以位于第一行的图案中，在其之前和之后是PDL 740。在一些非限制性实例中，第三组1343的发射区域1210的侧向方面710可以与同一行中包括PDL 740的之前和之后的非发射区域1220的侧向方面710以及第二行的之前和之后图案中包括PDL 740的邻近非发射区域1220的侧向方面720略微重叠。在一些非限制性实例中，第二行的图案可以包括与第三组1343的发射区域1210交替出现的第一组1341的发射区域1210，每个区域之前和之后是PDL 740。
现在转到图13B，可以示出沿图13A中的线13B-13B截取的装置1300的示例横截面视图。在该附图中，装置1300可以被示出为包括衬底10和形成在其暴露层表面11上的第一电极620的多个元件。衬底10可以包括基础衬底612(出于简化说明的目的而未示出)和/或至少一个TFT结构701，该至少一个TFT结构对应于并且用于驱动每个子像素134x。PDL 740可以在衬底10之上形成在第一电极620的元件之间，以在第一电极620的每个元件之上限定发射区域1210，这些发射区域由包括PDL 740的非发射区域1220分隔。在该附图中，发射区域1210可以全部对应于第二组1342。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层630可以沉积在第一电极620的每个元件上，位于周围的PDL 740之间。
在一些非限制性实例中，第二电极640(在一些非限制性实例中可以是公共阴极)可以沉积在第二组1342的发射区域1210之上以形成其G(reen)子像素1342和沉积在周围PDL740之上。
在一些非限制性实例中，NIC 110可以跨G(绿色)子像素1342的第二组1342的发射区域1210的侧向方面710选择性地沉积在第二电极640之上，以允许将沉积层130选择性地沉积在可以基本上不含NIC 110的第二电极640的多个部分之上，也就是跨包括PDL 740的非发射区域1220的侧向方面720。在一些非限制性实例中，沉积层130可能倾向于沿着PDL740的基本上平坦的部分累积，因为沉积层130可能倾向于不保留在PDL 740的倾斜部分上，而是可能倾向于下降到可以用NIC 110涂覆的此类倾斜部分的底部。在一些非限制性实例中，PDL 740的基本上平坦的部分上的沉积层130可以形成可以与第二电极640电耦接的至少一个辅助电极1150。
在一些非限制性实例中，装置1300可以包括CPL和/或输出耦合层。作为非限制性实例，这种CPL和/或输出耦合层可以直接设置在第二电极640的表面和/或NIC 110的表面上。在一些非限制性实例中，这种CPL和/或输出耦合层可以跨对应于(子)像素1810/134x的至少一个发射区域1210的侧向方面710提供。
在一些非限制性实例中，NIC 110还可以充当折射率匹配涂层。在一些非限制性实例中，NIC 110还可以充当外耦接层。
在一些非限制性实例中，装置1300可以包括封装层。这种封装层的非限制性实例包括玻璃盖、阻隔膜、阻隔粘合剂、阻隔涂层1050和/或TFE层1350，诸如该附图中的虚线轮廓所示，其用于对装置1300进行封装。在一些非限制性实例中，TFE层1350可以被认为是一种类型的阻隔涂层1050。
在一些非限制性实例中，封装层可以布置在第二电极640和/或NIC 110中的至少一者上方。在一些非限制性实例中，装置1300可以包括附加的光学和/或结构层、涂层和部件，包括但不限于偏光器、滤色器、抗反射涂层、防炫射涂层、覆盖玻璃和/或光学透明粘合剂(OCA)。
现在转到图13C，可以示出沿图13A中的线13C-13C截取的装置1300的示例横截面视图。在该附图中，装置1300可以被示出为包括衬底10和形成在其暴露层表面11上的第一电极620的多个元件。PDL 740可以在衬底10之上形成在第一电极620的元件之间，以在第一电极620的每个元件之上限定发射区域1210，这些发射区域由包括PDL 740的非发射区域1220分隔。在该附图中，发射区域1210能够以交替方式对应于第一组1341和第三组1343。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层630可以沉积在第一电极620的每个元件上，位于周围的PDL 740之间。
在一些非限制性实例中，第二电极640(在一些非限制性实例中可以是公共阴极)可以沉积在第一组1341的发射区域1210之上以形成其R(ed)子像素1341，沉积在第三组1343的发射区域1210之上以形成其B(lue)子像素1343和沉积在周围PDL 740之上。
在一些非限制性实例中，NIC 110可以跨R(红色)子像素1341的第一组1341和B(蓝色)子像素1343的第三组1343的发射区域1210的侧向方面710选择性地沉积在第二电极640之上，以允许将沉积层130选择性地沉积在可以基本上不含NIC 110的第二电极640的多个部分之上，也就是跨包括PDL 740的非发射区域1220的侧向方面720。在一些非限制性实例中，沉积层130可能倾向于沿着PDL 740的基本上平坦的部分累积，因为沉积层130可能倾向于不保留在PDL 740的倾斜部分上，而是可能倾向于下降到用NIC 110涂覆的此类倾斜部分的底部。在一些非限制性实例中，PDL 740的基本上平坦的部分上的沉积层130可以形成可以与第二电极640电耦接的至少一个辅助电极1150。
现在转到图14，可以示出装置600的示例版本1400，其可以涵盖以图7中的横截面视图示出的装置，但采用了本文所述的附加沉积步骤。
在装置1400的第一部分101内(其基本上与对应于(子)像素1810/134x的发射区域1210的侧向方面710相对应)并且不在装置1400的第二部分102内(其基本上对应于围绕第一部分101的非发射区域1220的侧向方面720)，装置1400可以示出NIC 110选择性地沉积在底层材料(在该附图中，为第二电极640)的暴露层表面11之上。
在一些非限制性实例中，可以使用阴影掩模215来选择性地沉积NIC 110。
NIC 110可以在第一部分101内提供具有相对低的抵抗沉积材料331沉积的初始粘附概率S0的暴露层表面11，该沉积材料随后将被沉积为沉积层130以形成辅助电极1150。
在选择性地沉积NIC 110之后，沉积材料331可以沉积在装置1400之上，但是可以基本上仅保留在可以基本上不含NIC 110的第二部分102内，以形成辅助电极1150。
在一些非限制性实例中，沉积材料331可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积过程来沉积。
辅助电极1150可以与第二电极640电耦接，以降低第二电极640的薄层电阻R，如图所示，包括通过跨可以基本上不含NIC 110的第二部分位于第二电极640之上并且与其发生物理接触。
在一些非限制性实例中，沉积层130可以包含与第二电极640基本上相同的材料，以确保具有抵抗沉积材料331沉积在第二部分102中的高初始粘附概率S0。
在一些非限制性实例中，第二电极640可以包含基本上纯的Mg和/或Mg与另一种金属(包括但不限于Ag)的合金。在一些非限制性实例中，Mg:Ag合金组成按体积计可以在约1:9至的范围内。在一些非限制性实例中，第二电极640可以包含金属氧化物，包括但不限于三元金属氧化物，诸如但不限于ITO和/或IZO，以及/或者金属和/或金属氧化物的组合。
在一些非限制性实例中，用于形成辅助电极1150的沉积层130可以包含基本上纯的Mg。
现在转到图15，可以示出装置600的示例版本1500，其可以涵盖以图7中的横截面视图示出的装置，但采用了本文所述的附加沉积步骤。
在装置1500的第一部分101内(其基本上与对应于(子)像素1810/134x的发射区域1210的侧向方面710的一部分相对应)并且不在第二部分102内，装置1500可以示出NIC110选择性地沉积在底层材料(在该附图中，为第二电极640)的暴露层表面11之上。在该附图中，第一部分101可以部分地沿着限定发射区域1210的PDL 740的倾斜部分的范围延伸。
在一些非限制性实例中，可以使用阴影掩模215来选择性地沉积NIC 110。
NIC 110可以在第一部分101内提供具有相对低的抵抗沉积材料331沉积的初始粘附概率S0的暴露层表面11，该沉积材料随后将被沉积为沉积层130以形成辅助电极1150。
在选择性地沉积NIC 110之后，沉积材料331可以沉积在装置1500之上，但是可以基本上仅保留在可以基本上不含NIC 110的第二部分102内，以形成辅助电极1150。因此，在装置1500中，辅助电极1150可以部分地延伸跨过限定发射区域1210的PDL 740的倾斜部分。
在一些非限制性实例中，沉积层130可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积过程来沉积。
辅助电极1150可以与第二电极640电耦接，以降低第二电极640的薄层电阻R，如图所示，包括通过跨可以基本上不含NIC 110的第二部分102位于第二电极640之上并且与其发生物理接触。
在一些非限制性实例中，可以构成第二电极640的材料可能不具有抵抗沉积材料331沉积的高初始粘附概率S0。
图16可以展示这种情形：其中可以示出装置600的示例版本1600，其可以涵盖以图7中的横截面视图示出的装置，但采用了本文所述的附加沉积步骤。
装置1600可以示出沉积在底层材料(在该附图中，为第二电极640)的暴露层表面11之上的NPC 520。
在一些非限制性实例中，NPC 520可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积过程来沉积。
此后，在装置1600的第一部分101内(其基本上与对应于(子)像素1810/134x的发射区域1210的侧向方面710的一部分相对应)并且不在装置1600的第二部分102内(其基本上对应于围绕第一部分101的非发射区域1220的侧向方面720)，NIC 110可以选择性地沉积在底层材料(在该附图中，为NPC 520)的暴露层表面11之上。
在一些非限制性实例中，可以使用阴影掩模215来选择性地沉积NIC 110。
NIC 110可以在第一部分101内提供具有相对低的抵抗沉积材料331沉积的初始粘附概率S0的暴露层表面11，该沉积材料随后将被沉积为沉积层130以形成辅助电极1150。
在选择性地沉积NIC 110之后，沉积材料331可以沉积在装置1600之上，但是可以基本上仅保留在可以基本上不含NIC 110的第二部分102内，以形成辅助电极1150。
在一些非限制性实例中，沉积层130可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积过程来沉积。
辅助电极1150可以与第二电极640电耦接，以降低其薄层电阻。尽管如图所示，辅助电极1150可以不位于第二电极640之上并且不与该第二电极发生物理接触，但是相关领域的普通技术人员应当理解，辅助电极1150可以通过几种众所周知的机制与第二电极640电耦接。作为非限制性实例，存在NIC 110的相对薄的膜(在一些非限制性实例中，至多为约50nm)仍然可以允许电流从中穿过，因此允许减小第二电极640的薄层电阻R。
现在转到图17，可以示出装置600的示例版本1700，其可以涵盖以图7中的横截面视图示出的装置，但采用了本文所述的附加沉积步骤。
装置1700可以示出沉积在底层材料(在该附图中，为第二电极640)的暴露层表面11之上的NIC 110。
在一些非限制性实例中，NIC 110可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积过程来沉积。
NIC 110可以提供具有相对低的抵抗沉积材料331沉积的初始粘附概率S0的暴露层表面11，该沉积材料随后将被沉积为沉积层130以形成辅助电极1150。
在沉积NIC 110之后，NPC 520可以在以下部分中选择性地沉积在底层(在该附图中，为NIC 110)的暴露层表面11之上：该部分基本上对应于围绕装置2800的第二部分102的非发射区域1220的侧向方面720的一部分，基本上与对应于(子)像素1810/134x的发射区域1210的侧向方面710相对应。
在一些非限制性实例中，NPC 520可以使用阴影掩模215来选择性地沉积。
NPC 520可以在第一部分101内提供具有相对高的抵抗沉积材料331沉积的初始粘附概率S0的暴露层表面11，该沉积材料随后将被沉积为沉积层130以形成辅助电极1150。
在选择性地沉积NPC 520之后，沉积材料331可以沉积在装置1700之上，但是可以基本上保留在NIC 110已被NPC 520覆盖的位置，以形成辅助电极1150。
在一些非限制性实例中，沉积层130可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积过程来沉积。
辅助电极1150可以与第二电极640电耦接，以减小第二电极640的薄层电阻R。
透明OLED
因为OLED装置600可以通过第一电极620(在底部发射和/或双面发射装置的情况下)以及衬底10和/或第二电极640(在顶部发射和/或双面发射装置的情况下)中的任一者或两者发射光子，因此可能存在以下目标，即：使得第一电极620和/或第二电极640中的任一者或两者基本上是光子(或光)透射的(“透射的”)，在一些非限制性实例中，至少跨装置600的发射区域1210的侧向方面710的相当大一部分。在本公开中，这种透射元件(包括但不限于电极620、640)、可以形成这种元件的材料和/或其特性可以包括在一些非限制性实例中在至少一个波长范围内基本上透射的(“透明的”)以及/或者在一些非限制性实例中部分透射的(“半透明的”)元件、材料和/或其特性。
可以采用多种机制至少跨装置600的发射区域1210的侧向方面710的相当大一部分赋予该装置透射特性。
在一些非限制性实例中，包括但不限于在装置600是底部发射装置和/或双面发射装置的情况下，与(子)像素1810/134x的发射区域1210相关联的驱动电路的TFT结构701(其中该TFT结构可以至少部分地降低周围衬底10的透射率)可以定位在周围非发射区域1220的侧向方面720内，以避免影响衬底10在发射区域1210的侧向方面710内的透射特性。
在一些非限制性实例中，在装置600是双面发射装置的情况下，关于(子)像素1810/134x的发射区域1210的侧向方面710，可以将电极620、640中的第一个电极制成基本上透射的(包括但不限于通过本文所公开的至少一种机制)，关于相邻和/或邻近(子)像素1810/134x的侧向方面710，可以将电极620、640中的第二个电极制成基本上透射的(包括但不限于通过本文所公开的至少一种机制)。因此，(子)像素1810/134x的第一发射区域1210的侧向方面710可以被制成基本上是顶部发射的，而相邻(子)像素1810/134x的第二发射区域1210的侧向方面710可以被制成基本上是底部发射的，使得(子)像素1810/134x的子集可以基本上是顶部发射的并且(子)像素1810/134x的子集可以基本上是底部发射的(按交替的(子)像素1810/134x序列)，而每个(子)像素1810/134x的仅单个电极620、640可以被制成基本上是透射的。
在一些非限制性实例中，使电极620、640(在底部发射装置和/或双面发射装置的情况下为第一电极620，并且/或者在顶部发射装置和/或双面发射装置的情况下为第二电极640)透射的机制可以是形成具有透射薄膜的这种电极620、640。
在一些非限制性实例中，薄膜形式的导电沉积层130可以表现出透射特性，该薄膜包括但不限于通过沉积金属(包括但不限于Ag、Al)的薄导电膜层以及/或者通过沉积金属合金(包括但不限于Mg:Ag合金和/或Yb:Ag合金)的薄层而形成的那些。在一些非限制性实例中，该合金可以包含按体积计介于约1:9至9:1之间的范围内的组成。在一些非限制性实例中，电极620、640可以由沉积层130的任何组合的多个薄导电膜层形成，这些沉积层中的任何至少一层可以由TCO、薄金属膜、薄金属合金膜和/或这些材料中的任何一些的任何组合构成。
在一些非限制性实例中，尤其是就此类薄导电膜而言，相对薄的层厚度可以高达基本上数十纳米，以有助于提高透射质量，但也有利于OLED装置600中使用的光学特性(包括但不限于降低的微腔效应)。
在一些非限制性实例中，为了提高透射质量而减小电极620、640的厚度可能伴随着电极620、640的薄层电阻的增加。
在一些非限制性实例中，包括具有高薄层电阻的至少一个电极620、640的装置600在操作中当与电源605耦接时产生较大的电流-电阻(IR)降。在一些非限制性实例中，通过增加电源605的电平，可以在一定程度上补偿这种IR降。然而，在一些非限制性实例中，对于至少一个(子)像素1810/134x，增加电源605的电平以补偿由于高薄层电阻而引起的IR降可能需要增加供应给其他部件的电压电平以维持装置600的有效操作。
在一些非限制性实例中，为降低装置600的电源供应需求，而不显著影响使电极620、640基本上透射的能力(通过采用TCO、薄金属膜和/或薄金属合金膜的任何组合的至少一个薄膜层)，辅助电极1150可以形成在装置600上以允许电流更有效地传送到装置600的各个发射区域，而同时降低透射电极620、640的薄层电阻和其相关联的IR降。
在一些非限制性实例中，显示装置600的公共电极620、640的薄层电阻规格可以根据几种参数而变化，这些参数包括但不限于装置600的(面板)大小和/或跨装置600的电压变化的容差。在一些非限制性实例中，薄层电阻规格可以随着面板大小增加而增大(即，规定较低的薄层电阻R)。在一些非限制性实例中，薄层电阻规格可以随着电压变化容差降低而增大。
在一些非限制性实例中，可以使用薄层电阻规格来导出辅助电极1150的示例厚度以符合针对各种面板大小的此类规格。
作为非限制性实例，对于顶部发射装置，可以使第二电极640是透射的。另一方面，在一些非限制性实例中，这种辅助电极1150可以不是基本上透射的，但可以与第二电极640电耦接(包括但不限于通过在其间沉积导电沉积层130)，以降低第二电极640的有效薄层电阻。
在一些非限制性实例中，这种辅助电极1150可以在侧向方面和/或横截面方面中的任一者或两者中定位和/或成形，以便不妨碍来自(子)像素1810/134x的发射区域1210的侧向方面710的光子发射。
在一些非限制性实例中，用于制造第一电极620和/或第二电极640的机制可以是跨其发射区域1210的侧向方面710的至少一部分以及/或在一些非限制性实例中跨围绕这些电极的非发射区域1220的侧向方面720的至少一部分以一定图案形成此类电极620、640。在一些非限制性实例中，可以采用这种机制在侧向方面和/或横截面方面中的任一者或两者中的某个位置以及/或者在其中以一定形状形成辅助电极1150，以便不妨碍来自(子)像素1810/134x的发射区域1210的侧向方面710的光子发射，如上文所论述的。
在一些非限制性实例中，装置600可以被构造成使得其在由装置600发射的光子的光路中可以基本上不含导电氧化物材料。作为非限制性实例，在对应于(子)像素1810/134x的至少一个发射区域1210的侧向方面710中，在至少一层半导电层630之后沉积的层和/或涂层中的至少一者(包括但不限于第二电极640、NIC 110以及/或者沉积在其上的任何其他层和/或涂层)可以基本上不含任何导电氧化物材料。在一些非限制性实例中，基本上不含任何导电氧化物材料可以减少由装置600发射的光的吸收和/或反射。作为非限制性实例，导电氧化物材料(包括但不限于ITO和/或IZO)可以至少吸收可见波谱的B(蓝色)区域中的光，这通常可能会降低装置600的效率和/或性能。
在一些非限制性实例中，可以采用这些机制和/或其他机制的组合。
此外，在一些非限制性实例中，除了使第一电极620、第二电极640和/或辅助电极1150中的至少一者至少跨对应于装置600的(子)像素1810/134x的发射区域1210的侧向方面710的相当大一部分基本上是透射的，以允许光子基本上跨其侧向方面710发射，可能存在以下目标，即：使装置600的周围非发射区域1220的侧向方面720中的至少一者在底部方向和顶部方向上均基本上是透射的，从而使得装置600相对于入射在其外表面上的光基本上是透射的，使得除了在如本文所公开的装置600内部产生的光子发射(顶部发射、底部发射和/或双面发射)之外，这种外部入射光的相当大一部分可以透射穿过装置600。
现在转到图18A，可以示出总体上以1800示出的装置600的透射(透明)版本的示例平面视图。在一些非限制性实例中，装置600可以是具有多个像素或像素区域1810和多个透射区域1820的AMOLED装置。在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1150可以沉积在像素区域1810和/或透射区域1820之间的底层材料的暴露层表面11上。
在一些非限制性实例中，每个像素区域1810可以包括多个发射区域1210，每个发射区域对应于子像素134x。在一些非限制性实例中，子像素134x可以分别对应于R(红色)子像素1341、G(绿色)子像素1342和/或B(蓝色)子像素1343。
在一些非限制性实例中，每个透射区域1820可以基本上是透明的，并且允许光穿过其整个横截面方面。
现在转到图18B，可以示出沿图18A中的线18B-18B截取的装置600的版本1800的示例横截面视图。在该附图中，装置1800可以被示出为包括衬底10、TFT绝缘层709和形成在TFT绝缘层709的表面上的第一电极620。衬底10可以包括基础衬底612(出于简化说明的目的而未示出)和/或至少一个TFT结构701，该至少一个TFT结构对应于并且用于驱动基本上定位在其下方且与其第一电极620电耦接的每个子像素134x。PDL 740可以形成在衬底10之上的非发射区域1220中，以在与其对应的第一电极620之上限定也对应于每个子像素134x的发射区域1210。PDL 740可以覆盖第一电极620的边缘。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层630可以沉积在第一电极620的暴露区域之上，并且在一些非限制性实例中，沉积在周围PDL 740的至少多个部分之上。
在一些非限制性实例中，第二电极640可以沉积在至少一个半导电层630之上，包括在像素区域1810之上，以形成其子像素134x，并且在一些非限制性实例中，至少部分地沉积在透射区域1820中的周围PDL 740之上。
在一些非限制性实例中，NIC 110可以选择性地沉积在装置1800的第一部分301之上，包括像素区域1810和透射区域1820两者，但不包括第二电极640的对应于辅助电极1150的区域(包括该装置的第二部分302)。
在一些非限制性实例中，装置1800的整个暴露层表面11然后可以暴露于沉积材料331的蒸气通量332，在一些非限制性实例中，该沉积材料可以是Mg。沉积层130可以选择性地沉积在第二电极640的可以基本上不含NIC 110的第二部分之上以形成辅助电极1150，该辅助电极可以与第二电极640的未涂覆部分电耦接并且在一些非限制性实例中与第二电极的这些未涂覆部分发生物理接触。
同时，装置1800的透射区域1820可以保持基本上不含可能显著影响光透射穿过其中的任何材料。特别地，如该附图所示，TFT结构701和第一电极620可以定位在其对应的子像素134x下方的横截面方面中，并且可以与辅助电极1150一起位于透射区域1820之外。因此，这些部件可以不使光衰减，也可以不阻碍光透射穿过透射区域1820。在一些非限制性实例中，这种布局可以允许观看者从典型的观看距离观看装置1800以透视装置1800(在一些非限制性实例中，当所有(子)像素1810/134x可能没有在发射时)，从而形成透明装置1800。
尽管图中未示出，但在一些非限制性实例中，装置1800可以进一步包括安置在辅助电极1150与第二电极640之间的NPC 520。在一些非限制性实例中，NPC 520也可以设置在NIC 110与第二电极640之间。
在一些非限制性实例中，NIC 110可以与至少一个半导电层630同时形成。作为非限制性实例，用于形成NIC 110的至少一种材料也可以用于形成至少一个半导电层630。在这种非限制性实例中，可以简化用于制造装置1800的几个阶段。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，各种其他层和/或涂层，包括但不限于形成至少一个半导电层630和/或第二电极640的那些层和/或涂层，可以覆盖透射区域1820的一部分，尤其是如果此类层和/或涂层基本上是透明的。在一些非限制性实例中，PDL 740可以具有减小的厚度，包括但不限于通过在其中形成孔，在一些非限制性实例中，该孔可以与针对发射区域1210限定的孔相似，以进一步促进光透射穿过透射区域1820。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，可以采用不同于图18A和图18B中所示出的布局的(子)像素1810/134x布局。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，可以采用不同于图18A和图18B中所示出的布局的辅助电极1150布局。作为非限制性实例，辅助电极1150可以安置在像素区域1810与透射区域1820之间。作为非限制性实例，辅助电极1150可以设置在像素区域1810内的子像素134x之间。
现在转到图19A，可以示出总体上以1900示出的装置600的透明版本的示例平面视图。在一些非限制性实例中，装置1900可以是具有多个像素区域1810和多个透射区域1820的AMOLED装置。装置1900与装置1800的不同之处可以在于，没有辅助电极1150位于像素区域1810和/或透射区域1820之间。
在一些非限制性实例中，每个像素区域1810可以包括多个发射区域1210，每个发射区域对应于子像素134x。在一些非限制性实例中，子像素134x可以分别对应于R(红色)子像素1341、G(绿色)子像素1342和/或B(蓝色)子像素1343。
在一些非限制性实例中，每个透射区域1820可以基本上是透明的，并且可以允许光穿过其整个横截面方面。
现在转到图19B，可以示出沿图19A中的线19-19截取的装置1900的示例横截面视图。在该附图中，装置1900可以被示出为包括衬底10、TFT绝缘层709和形成在TFT绝缘层709的表面上的第一电极620。衬底10可以包括基础衬底612(出于简化说明的目的而未示出)和/或至少一个TFT结构701，该至少一个TFT结构对应于并且用于驱动基本上定位在其下方且与其第一电极620电耦接的每个子像素134x。PDL 740可以形成在衬底10之上的非发射区域1220中，以在与其对应的第一电极620之上限定也对应于每个子像素134x的发射区域1210。PDL 740覆盖第一电极620的边缘。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层630可以沉积在第一电极620的暴露区域之上，并且在一些非限制性实例中，沉积在周围PDL 740的至少多个部分之上。
在一些非限制性实例中，第一沉积层130a可以沉积在至少一个半导电层630之上，包括沉积在像素区域1810之上以形成其子像素134x；以及沉积在透射区域1820中的周围PDL 740之上。在一些非限制性实例中，第一沉积层130a的厚度可以相对薄，使得存在跨透射区域1820的第一沉积层130a基本上不会使透射穿过其中的光衰减。在一些非限制性实例中，第一沉积层130a可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积过程来沉积。
在一些非限制性实例中，NIC 110可以选择性地沉积在装置1900的第一部分(包括透射区域1820)之上。
在一些非限制性实例中，然后可以将装置1900的整个暴露层表面11暴露于沉积材料331(在一些非限制性实例中，其可以是Mg)的蒸气通量332，以选择性地将第二沉积层130b沉积在第一沉积层130a的可以基本上不含NIC 110的第二部分302(在一些实例中，为像素区域1810)之上，使得第二沉积层130b可以与第一沉积层130a的未涂覆部分电耦接，并且在一些非限制性实例中与这些未涂覆部分发生物理接触，以形成第二电极640。
在一些非限制性实例中，第一沉积层130a的厚度可以小于第二沉积层130b的厚度。以此方式，在仅有第一沉积层130a可以在其之上延伸的透射区域1820中可以维持相对高的透射率。在一些非限制性实例中，第一沉积层130a的厚度可以小于约：30nm、25nm、20nm、15nm、10nm、8nm和/或5nm。在一些非限制性实例中，第二沉积层130b的厚度可以小于约：30nm、25nm、20nm、15nm、10nm或8nm。
因此，在一些非限制性实例中，第二电极640的厚度可以小于约40nm，并且/或者在一些非限制性实例中，介于约以下值之间：5nm至30nm、10nm至25nm，或15nm至25nm。
在一些非限制性实例中，第一沉积层130a的厚度可以超过第二沉积层130b的厚度。在一些非限制性实例中，第一沉积层130a的厚度和第二沉积层130b的厚度可以基本上相同。
在一些非限制性实例中，用于形成第一沉积层130a的至少一种沉积材料331可以与用于形成第二沉积层130b的至少一种沉积材料331基本上相同。在一些非限制性实例中，这样的至少一种沉积材料331可以基本上如本文关于第一电极620、第二电极640、辅助电极1150和/或其沉积层130所述。
在一些非限制性实例中，装置3100的透射区域1820可以保持基本上不含可能显著抑制光透射穿过其中的任何材料。特别地，如该附图所示，TFT结构和/或第一电极620可以定位在与之对应的子像素134x下方的横截面方面中，并且定位在透射区域1820之外。因此，这些部件可以不使光衰减，也可以不阻碍光透射穿过透射区域1820。在一些非限制性实例中，这种布局可以允许观看者从典型的观看距离观看装置1900以透视装置3100(在一些非限制性实例中，当(子)像素1810/134x没有在发射时)，从而形成透明AMOLED装置1900。
尽管该附图中未示出，但是在一些非限制性实例中，装置1900还可以包括设置在第二沉积层130b与第一沉积层130a之间的NPC 520。在一些非限制性实例中，NPC 520也可以设置在NIC 110与第一沉积层130a之间。
在一些非限制性实例中，NIC 110可以与至少一个半导电层630同时形成。作为非限制性实例，用于形成NIC 110的至少一种材料也可以用于形成至少一个半导电层630。在这种非限制性实例中，可以简化用于制造装置1900的几个阶段。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，各种其他层和/或涂层，包括但不限于形成至少一个半导电层630和/或第一沉积层130a的那些层和/或涂层，可以覆盖透射区域1820的一部分，尤其是如果此类层和/或涂层基本上是透明的。在一些非限制性实例中，PDL 740可以具有减小的厚度，包括但不限于通过在其中形成孔，在一些非限制性实例中，该孔可以与针对发射区域1210限定的孔相似，以进一步促进光透射穿过透射区域1820。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，可以采用不同于图19A和图19B中所示出的布局的(子)像素1810/134x布局。
现在转到图19C，可以示出沿图19A中相同的线19-19截取的装置600的不同版本1910的示例横截面视图。在该附图中，装置1910可以被示出为包括衬底10、TFT绝缘层709和形成在TFT绝缘层709的表面上的第一电极620。衬底10可以包括基础衬底612(出于简化说明的目的而未示出)和/或至少一个TFT结构701，该至少一个TFT结构对应于并且用于驱动基本上定位在其下方且与其第一电极620电耦接的每个子像素134x。PDL740可以形成在衬底10之上的非发射区域1220中，以在与其对应的第一电极620之上限定也对应于每个子像素134x的发射区域1210。PDL 740可以覆盖第一电极620的边缘。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层630可以沉积在第一电极620的暴露区域之上，并且在一些非限制性实例中，沉积在周围PDL 740的至少多个部分之上。
在一些非限制性实例中，NIC 110可以选择性地沉积在装置1910的第一部分101(包括透射区域1820)之上。
在一些非限制性实例中，沉积层130可以沉积在至少一个半导电层630之上，包括沉积在像素区域1810之上以形成其子像素134x，但不沉积在透射区域1820中的周围PDL740之上。在一些非限制性实例中，第一沉积层130a可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积过程来沉积。在一些非限制性实例中，这种沉积可以通过以下方式来实现：将装置1910的整个暴露层表面11暴露于沉积材料331(在一些非限制性实例中，其可以是Mg)的蒸气通量332，以选择性地将沉积层130沉积在至少一个半导电层630的基本上不含NIC 110的第二部分102(在一些实例中，为像素区域1810)之上，使得沉积层130可以沉积在至少一个半导电层630上以形成第二电极640。
在一些非限制性实例中，装置1910的透射区域1820可以保持基本上不含可能显著影响光透射穿过其中的任何材料。特别地，如该附图所示，TFT结构701和/或第一电极620可以定位在与之对应的子像素134x下方的横截面方面中，并且定位在透射区域1820之外。因此，这些部件可以不使光衰减，也可以不阻碍光透射穿过透射区域1820。在一些非限制性实例中，这种布局可以允许观看者从典型的观看距离观看装置1910以透视装置3110(在一些非限制性实例中，当(子)像素1810/134x没有在发射时)，从而形成透明AMOLED装置3110。
通过提供可以没有和/或基本上不含任何沉积层130的透射区域1820，在一些非限制性实例中，作为非限制性实例与图19B的装置1900相比，这种区域中的透射率可以有利地增强。
尽管该附图中未示出，但是在一些非限制性实例中，装置1910还可以包括设置在沉积层130与至少一个半导电层630之间的NPC 520。在一些非限制性实例中，NPC 520也可以设置在NIC 110与PDL 740之间。
在一些非限制性实例中，NIC 110可以与至少一个半导电层630同时形成。作为非限制性实例，用于形成NIC 110的至少一种材料也可以用于形成至少一个半导电层630。在这种非限制性实例中，可以简化用于制造装置3110的几个阶段。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，各种其他层和/或涂层，包括但不限于形成至少一个半导电层630和/或沉积层130的那些层和/或涂层，可以覆盖透射区域1820的一部分，尤其是如果此类层和/或涂层基本上是透明的。在一些非限制性实例中，PDL 740可以具有减小的厚度，包括但不限于通过在其中形成孔，在一些非限制性实例中，该孔可以与针对发射区域1210限定的孔相似，以进一步促进光透射穿过透射区域1820。
相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，可以采用不同于图19A和图19C中所示出的布局的(子)像素1810/134x布局。
选择性沉积以调控发射区域之上的电极厚度
如上文所论述的，在(子)像素1810/134x的发射区域1210的侧向方面710中以及跨该侧向方面调控电极620、640、1150的厚度可以影响能够观察到的微腔效应。在一些非限制性实例中，通过在对应于像素区域1810中不同子像素134x的发射区域1210的侧向方面710中沉积至少一个图案化涂层210(诸如NIC 110和/或NPC 520)而选择性地沉积至少一个沉积层130可以允许控制和/或调控每个发射区域1210中的光学微腔效应，以优化基于子像素134x的期望光学微腔效应，包括但不限于发射波谱、发光强度，以及/或者发射光的亮度和/或色移的角度依赖性。
此类效应可以通过独立地调控设置在子像素134x的每个发射区域1210中的一个或几个沉积层130的厚度来控制。作为非限制性实例，设置在B(蓝色)子像素1343之上的第二电极640的厚度可以小于设置在G(绿色)子像素1342之上的第二电极640的厚度，并且设置在G(绿色)子像素1342之上的第二电极640的厚度可以小于设置在R(红色)子像素1341之上的第二电极640的厚度。
在一些非限制性实例中，通过独立地调控沉积层130的厚度和/或数量，以及图案化涂层210的厚度和/或数量，可以在甚至更大的程度上控制此类效应，其中该图案化涂层包括但不限于沉积在子像素134x的每个发射区域1210的部分中的NIC 110和/或NPC 520。
如作为图20中的非限制性实例所示，在一些非限制性实例中，在具有不同发射波谱的OLED显示装置600的版本2000中，可以存在具有选择性地沉积用于对应于子像素134x的发射区域1210的不同厚度的沉积层330。在一些非限制性实例中，第一发射区域1210a可以对应于被配置为发射具有第一波长和/或发射波谱的光的子像素134x，并且/或者在一些非限制性实例中，第二发射区域1210b可以对应于被配置为发射具有第二波长和/或发射波谱的光的子像素134x。在一些非限制性实例中，装置600可以包括第三发射区域1210c，该第三发射区域可以对应于被配置为发射具有第三波长和/或发射波谱的光的子像素134x。
在一些非限制性实例中，第一波长可以小于、大于和/或等于第二波长和/或第三波长中的至少一者。在一些非限制性实例中，第二波长可以小于、大于和/或等于第一波长和/或第三波长中的至少一者。在一些非限制性实例中，第三波长可以小于、大于和/或等于第一波长和/或第二波长中的至少一者。
在一些非限制性实例中，装置2000还可以包括至少一个附加的发射区域1210(未示出)，在一些非限制性实例中，该至少一个附加的发射区域可以被配置为发射具有与第一发射区域1210a、第二发射区域1210b和/或第三发射区域1210c中的至少一者基本上相同的波长和/或发射波谱的光。
在一些非限制性实例中，可以使用阴影掩模215选择性地沉积NIC 110，该阴影掩模还可能已经用于沉积第一发射区域1210a的至少一个半导电层630。在一些非限制性实例中，阴影掩模215的这种共享使用可以允许以具有成本效益的方式针对每个子像素134x调整光学微腔效应。
装置2000可以被示出为包括衬底10、TFT绝缘层709，以及形成在TFT绝缘层709的暴露层表面11上的多个第一电极620a-620c。
衬底10可以包括基础衬底612(出于简化说明的目的而未示出)和/或至少一个TFT结构701a-701c，该至少一个TFT结构对应于并且用于驱动基本上定位在其下方且与其相关联的第一电极620a-620c电耦接的对应的发射区域1210a-2210c，这些发射区域各自具有对应的子像素134x。PDL 740a-740d可以形成在衬底10之上，以限定发射区域1210a-1210c。PDL 740a-740d可以覆盖它们相应的第一电极620a-620c的边缘。
在一些非限制性实例中，至少一个半导电层630a-630c可以沉积在其相应的第一电极620a-620c的暴露区域之上，并且在一些非限制性实例中，沉积在周围PDL 740a-740d的至少多个部分之上。
在一些非限制性实例中，第一沉积层130a可以沉积在至少一个半导电层630a-630c之上。在一些非限制性实例中，第一沉积层130a可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积过程来沉积。在一些非限制性实例中，这种沉积可以通过以下方式来实现：将装置2000的整个暴露层表面11暴露于沉积材料331(在一些非限制性实例中，其可以是Mg)的蒸气通量332，以在至少一个半导电层630a-1030c之上沉积第一沉积层130a，以形成第二电极640a的第一层(未示出)，该第二电极在一些非限制性实例中可以是公共电极，至少对于第一发射区域1210a。这种公共电极可以在第一发射区域1210a中具有第一厚度tc1。第一厚度tc1可以对应于第一沉积层130a的厚度。
在一些非限制性实例中，第一NIC 110a可以选择性地沉积在装置3300的第一部分101(包括第一发射区域1210a)之上。
在一些非限制性实例中，第二沉积层130b可以沉积在装置3300之上。在一些非限制性实例中，第二沉积层130b可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积过程来沉积。在一些非限制性实例中，这种沉积可以通过以下方式来实现：将装置3300的整个暴露层表面11暴露于沉积材料331(在一些非限制性实例中，其可以是Mg)的蒸气通量332，以在可以基本上不含第一NIC 110a的第一沉积层130a(在一些实例中，为第二发射区域1210b和第三发射区域1210c，以及/或者PDL 740a-740d所在的非发射区域1220的至少一个或多个部分)之上沉积第二沉积层130b，使得第二沉积层130b可以沉积在第一沉积层130a的基本上不含第一NIC110a的第二部分302上，以形成第二电极640b的第二层(未示出)，该第二电极在一些非限制性实例中可以是公共电极，至少对于第二发射区域1210b。这种公共电极可以在第二发射区域1210b中具有第二厚度tc2。第二厚度tc2可以对应于第一沉积层130a和第二沉积层130b的组合厚度，并且在一些非限制性实例中可以超过第一厚度tc1。
在一些非限制性实例中，第二NIC 110b可以选择性地沉积在装置2000的另外的第一部分101(包括第二发射区域1210b)之上。
在一些非限制性实例中，第三沉积层130c可以沉积在装置2000之上。在一些非限制性实例中，第三沉积层130c可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积过程来沉积。在一些非限制性实例中，这种沉积可以通过以下方式来实现：将装置3300的整个暴露层表面11暴露于沉积材料331(在一些非限制性实例中，其可以是Mg)的蒸气通量332，以在可以基本上不含第一NIC 110a或第二NIC 110b的第二沉积层130b(在一些实例中，为第三发射区域1210c，以及/或者PDL 740a-740d所在的非发射区域1220的至少一个或多个部分)之上沉积第三沉积层130c，使得第三沉积层130c可以沉积在第二沉积层130b的基本上不含第二NIC110b的另外的第二部分102上，以形成第二电极640c的第三层(未示出)，该第二电极在一些非限制性实例中可以是公共电极，至少对于第三发射区域1210c。这种公共电极可以在第三发射区域1210c中具有第三厚度tc3。第三厚度tc3可以对应于第一沉积层130a、第二沉积层130b和第三沉积层130c的组合厚度，并且在一些非限制性实例中可以超过第一厚度tc1和第二厚度tc2中的任一者或两者。
在一些非限制性实例中，第三NIC 110c可以选择性地沉积在装置3300的附加的第一部分101(包括第三发射区域1210b)之上。
在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1150可以设置在装置2000的其相邻发射区域1210a-1210c之间的非发射区域1220中，并且在一些非限制性实例中，设置在PDL740a-740d之上。在一些非限制性实例中，用于沉积至少一个辅助电极1150的沉积层130可以使用开放式掩模和/或无掩模沉积过程来沉积。在一些非限制性实例中，这种沉积可以通过以下方式来实现：将装置3300的整个暴露层表面11暴露于沉积材料331(在一些非限制性实例中，其可以是Mg)的蒸气通量332，以在第一沉积层130a、第二沉积层130b和第三沉积层130c中可以基本上不含第一NIC 110a、第二NIC 110b和/或第三NIC 110c中任一者的暴露部分之上沉积出沉积层130，使得沉积层130沉积在附加的第二部分102上以形成至少一个辅助电极1150，该附加的第二部分包括第一沉积层130a、第二沉积层130b和/或第三沉积层130c中可以基本上不含第一NIC 110a、第二NIC 110b和/或第三NIC 110c中任一者的暴露部分。至少一个辅助电极1150中的每个辅助电极可以与第二电极640a-1040c中相应的一个第二电极电耦接。在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1150中的每个辅助电极可以与这种第二电极640a-1040c发生物理接触。
在一些非限制性实例中，第一发射区域1210a、第二发射区域1210b和第三发射区域1210c可以基本上不含用于形成至少一个辅助电极1150的沉积材料331的封闭涂层140。
在一些非限制性实例中，第一沉积层130a、第二沉积层130b和/或第三沉积层130c中的至少一者在电磁波谱的可见波长范围的至少一部分中可以是透射的和/或基本上透明的。因此，第二沉积层130b和/或第三沉积层130a(和/或任何附加的沉积层330)可以设置在第一沉积层130a的顶部上以形成多涂层电极620、640、1150，该多涂层电极在电磁波谱的可见波长范围的至少一部分中也可以是透射的和/或基本上透明的。在一些非限制性实例中，第一沉积层130a、第二沉积层130b、第三沉积层130c、任何附加的沉积层330和/或多涂层电极620、640、1150中的任何至少一者在可见波谱的至少一部分中的透射率可以超过约：30％、40％、45％、50％、60％、70％、75％或80％。
在一些非限制性实例中，可以将第一沉积层130a、第二沉积层130b和/或第三沉积层130c的厚度制作得相对薄，以维持相对高的透射率。在一些非限制性实例中，第一沉积层130a的厚度可以介于约5nm至30nm、8nm至25nm或10nm至20nm之间。在一些非限制性实例中，第二沉积层130b的厚度可以介于约1nm至25nm、1nm至20nm、1nm至15nm、1nm至10nm或3nm至6nm之间。在一些非限制性实例中，第三沉积层130c的厚度可以介于约1nm至25nm、1nm至20nm、1nm至15nm、1nm至10nm或3nm至6nm之间。在一些非限制性实例中，由第一沉积层130a、第二沉积层130b、第三沉积层130c和/或任何附加的沉积层330的组合形成的多涂层电极的厚度可以介于约以下值之间：6nm至35nm、10nm至30nm、10nm至25nm，或12nm至18nm。
在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1150的厚度可以超过第一沉积层130a、第二沉积层130b、第三沉积层130c和/或公共电极的厚度。在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1150的厚度可以超过约：50nm、80nm、100nm、150nm、200nm、300nm、400nm、500nm、700nm、800nm、1μm、1.2μm、1.5μm、2μm、2.5μm或3μm。
在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1150可以是基本上非透明的和/或不透明的。然而，在一些非限制性实例中，由于至少一个辅助电极1150可以设置在装置3300的非发射区域1220中，所以至少一个辅助电极1150可能不会引起或促成显著的光学干涉。在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1150在可见波谱的至少一部分中的透射率可以小于约：50％、70％、80％、85％、90％或95％。
在一些非限制性实例中，至少一个辅助电极1150可以吸收可见波谱的至少一部分中的光。
在一些非限制性实例中，分别设置在第一发射区域1210a、第二发射区域1210b和/或第三发射区域1210c中的第一NIC 110a、第二NIC 110b和/或第三NIC 110c的厚度可以根据由每个发射区域1210a-2210c发射的光的颜色和/或发射波谱而变化。在一些非限制性实例中，第一NIC 110a可以具有第一NIC厚度tn1，第二NIC 110b可以具有第二NIC厚度tn2，并且/或者第三NIC 110c可以具有第三NIC厚度tn3。在一些非限制性实例中，第一NIC厚度tn1、第二NIC厚度tn2和/或第三NIC厚度tn3可以基本上相同。在一些非限制性实例中，第一NIC厚度tn1、第二NIC厚度tn2和/或第三NIC厚度tn3可以彼此不同。
在一些非限制性实例中，装置2000还可以包括任何数量的发射区域1210a至1210c，和/或其(子)像素1810/134x。在一些非限制性实例中，装置可以包括多个像素1810，其中每个像素1810包括两个、三个或更多个子像素134x。
相关领域的普通技术人员应当理解，(子)像素1810/134x的具体布局可以根据装置设计而变化。在一些非限制性实例中，子像素134x可以根据已知的布局方案来布置，这些布局方案包括但不限于RGB并排、菱形和/或
用于将电极电耦接到辅助电极的导电涂层
转到图21，可以示出装置600的示例版本2100的横截面视图。装置2100在侧向方面中可以包括发射区域1210和邻近的非发射区域1220。
在一些非限制性实例中，发射区域1210可以对应于装置2100的子像素134x。发射区域1210可以具有衬底10、第一电极620、第二电极640和布置在它们之间的至少一个半导电层630。
第一电极620可以设置在衬底10的暴露层表面11上。衬底10可以包括可以与第一电极620电耦接的TFT结构701。第一电极620的边缘和/或周边通常可以被至少一个PDL740覆盖。
非发射区域1220可以具有辅助电极1150，并且非发射区域1220的第一部分可以具有突出结构2160，该突出结构被布置成在辅助电极1150的侧向方面之上突出并与该侧向方面重叠。突出结构2160可以侧向延伸以提供屏障区域2165。作为非限制性实例，突出结构2160可以在辅助电极1150处和/或附近在至少一侧凹陷，以提供屏障区域2165。如图所示，在一些非限制性实例中，屏障区域2165可以对应于PDL 740的表面上可以与突出结构2160的侧向突出部重叠的某个区域。非发射区域1220还可以包括设置在屏障区域2165中的沉积层130。沉积层130可以将辅助电极1150与第二电极640电耦接。
NIC 110a可以设置在第二电极640的暴露层表面11之上的发射区域1210中。在一些非限制性实例中，突出结构2160的暴露层表面11可以涂覆有来自薄导电膜的沉积的残余薄导电膜，以形成第二电极640。在一些非限制性实例中，该残余薄导电膜的暴露层表面11可以涂覆有来自NIC 110的沉积的残余NIC 110b。
然而，由于突出结构2160在屏障区域2165之上侧向突出，因此屏障区域2165可以基本上不含NIC 110。因此，当在沉积NIC 110之后可以在装置3400上沉积出沉积层130时，沉积层130可以沉积在屏障区域2165上并且/或者迁移到该屏障区域，以将辅助电极1150耦接到第二电极640。
相关领域的普通技术人员应当理解，图21中示出了非限制性实例并且各种修改可能是显而易见的。作为非限制性实例，突出结构2160可以沿着其侧边中的至少两个提供屏障区域2165。在一些非限制性实例中，可以省略突出结构2160，并且辅助电极1150可以包括能够限定屏障区域2165的凹陷部分。在一些非限制性实例中，辅助电极1150和沉积层130可以直接设置在衬底10的表面上，而不是PDL 740上。
光学涂层的选择性沉积
在一些非限制性实例中，装置(未示出)(在一些非限制性实例中可以是光电子装置)可以包括衬底10、NIC 110和光学涂层。NIC 110可以覆盖衬底10的第一侧向部分101。光学涂层可以覆盖衬底的第二侧向部分102。NIC 110的至少一部分可以基本上不含光学涂层的封闭涂层140。
在一些非限制性实例中，光学涂层可以用于调控由装置透射、发射和/或吸收的光的光学特性，包括但不限于等离激元模式。作为非限制性实例，光学涂层可以用作滤光器、折射率匹配涂层、光学外耦接涂层、散射层、衍射光栅和/或其一部分。
在一些非限制性实例中，光学涂层可以用于通过但不限于调节总光路长度和/或其折射率n来调控装置中的至少一种光学微腔效应。通过调控至少一种光学微腔效应，包括但不限于输出光，包括但不限于其亮度和/或色移的角度依赖性，可以影响装置的至少一种光学特性。在一些非限制性实例中，光学涂层可以是非电子部件，即，光学涂层可以不被配置为在正常装置操作期间传导和/或传输电流。
在一些非限制性实例中，光学涂层可以由任何沉积材料331形成，并且/或者可以采用如本文所述的沉积出沉积层130的任何机制。
隔板和凹陷部
转到图22，可以示出装置600的示例版本2200的横截面视图。装置2200可以包括具有暴露层表面11的衬底10。衬底10可以包括至少一个TFT结构701。作为非限制性实例，在一些非限制性实例中，如本文所述，至少一个TFT结构701可以通过在制造衬底10时沉积和图案化一系列薄膜来形成。
在侧向方面中，装置2200可以包括具有相关联的侧向方面710的发射区域1210和至少一个相邻的非发射区域1220，每个非发射区域都具有相关联的侧向方面720。衬底10在发射区域1210中的暴露层表面11可以设置有第一电极620，其可以与至少一个TFT结构电耦接。PDL 740可以设置在暴露层表面11上，使得PDL 740覆盖暴露层表面11以及第一电极620的至少一个边缘和/或周边。在一些非限制性实例中，PDL 740可以设置在非发射区域1220的侧面720中。PDL 740可以限定能够提供开口的谷形配置，该开口通常可以对应于发射区域1210的侧向方面710，通过该开口可以暴露第一电极620的层表面。在一些非限制性实例中，装置2200可以包括由PDL 400限定的多个这样的开口，其中每个开口可以对应于装置2200的(子)像素1810/134x区域。
如图所示，在一些非限制性实例中，隔板2221可以设置在非发射区域1220的侧向方面720中的暴露层表面11上，并且如本文所述，可以限定屏障区域2165，诸如凹陷部2222。在一些非限制性实例中，凹陷部2222可以由隔板2221的下部区段的边缘相对于隔板2221的上部区段的边缘凹陷、交错和/或偏移而形成，该隔板可以重叠和/或突出到凹陷部2222之外。
在一些非限制性实例中，发射区域1210的侧向方面710可以包括设置在第一电极620之上的至少一个半导电层630、设置在至少一个半导电层630之上的第二电极640，以及设置在第二电极640之上的NIC 110。在一些非限制性实例中，至少一个半导电层630、第二电极640和NIC 110可以侧向延伸以至少覆盖至少一个相邻的非发射区域1220的一部分的侧面720。在一些非限制性实例中，如图所示，至少一个半导电层630、第二电极640和NIC110可以设置在至少一个PDL 740的至少一部分上以及隔板2221的至少一部分上。因此，如图所示，发射区域1210的侧向方面710、至少一个相邻非发射区域1220的一部分的侧向方面720和至少一个PDL 740的一部分以及隔板2221的至少一部分在一起可以构成第一部分101，其中第二电极640可以位于NIC 110与至少一个半导电层630之间。
辅助电极1150可以被设置为靠近凹陷部2222并且/或者在该凹陷部内，并且沉积层130可以被布置成将辅助电极1150与第二电极640电耦接。因此，如图所示，凹陷部2222可以包括第二部分102，其中沉积层130设置在暴露层表面11上。
在一些非限制性实例中，在对沉积层130进行沉积时，沉积材料331的蒸发通量332的至少一部分可以相对于暴露层表面11的侧向平面以非法向角度引导。作为非限制性实例，蒸发通量332的至少一部分可以相对于暴露层表面11的这种侧向平面以小于约以下值的入射角入射在装置2100上：90°、85°、80°、75°、70°、60°或50°。通过引导沉积材料331的蒸发通量，包括其以非法向角度入射的至少一部分，凹陷部2222的和/或该凹陷部中的至少一个暴露层表面11可以暴露于这种蒸发通量。
在一些非限制性实例中，由于存在隔板2221，这种蒸发通量332被阻止入射到凹陷部2222的和/或该凹陷部中的至少一个暴露层表面11上的可能性可能会降低，这是因为这种蒸发通量332的至少一部分可能以非法向入射角流动。
在一些非限制性实例中，这种蒸发通量332的至少一部分可以是非准直的。在一些非限制性实例中，这种蒸发通量332的至少一部分可以由蒸发源产生，该蒸发源是点源、线性源和/或表面源。
在一些非限制性实例中，装置2200可能在沉积层130沉积期间移位。作为非限制性实例，装置2200和/或其衬底10和/或沉积在其上的任何层可以在侧向方面中并且/或者在基本上平行于横截面方面的方面中经受角位移。
在一些非限制性实例中，装置2200可以在经受蒸发通量332的同时围绕基本上垂直于暴露层表面11的侧向平面的轴线旋转。
在一些非限制性实例中，这种蒸发通量332的至少一部分可以在基本上垂直于表面的侧向平面的方向上被导向装置2200的暴露层表面11。
不希望受特定理论的束缚，可以推测，由于吸附到NIC 110的表面上的吸附原子的侧向迁移和/或解吸，沉积材料331仍然可以沉积在凹陷部2222内。在一些非限制性实例中，可以推测，吸附到NIC 110的暴露层表面11上的任何吸附原子可能倾向于从这种表面迁移和/或解吸，原因是用于形成稳定核的该表面具有不利的热力学特性。在一些非限制性实例中，可以推测，从这种表面迁移和/或解吸的吸附原子中的至少一些可以重新沉积到凹陷部2222中的表面上，以形成沉积层130。
在一些非限制性实例中，沉积层130可以形成为使得沉积层130可以与辅助电极1150和第二电极640两者电耦接。在一些非限制性实例中，沉积层130可以与辅助电极1150和/或第二电极640中的至少一者发生物理接触。在一些非限制性实例中，中间层可以存在于沉积层130与辅助电极1150和/或第二电极640中的至少一者之间。然而，在这种实例中，这种中间层可以基本上不阻止沉积层130与辅助电极1150和/或第二电极640中的至少一者电耦接。在一些非限制性实例中，这种中间层可以相对薄，从而允许经由其进行电耦接。在一些非限制性实例中，沉积层130的薄层电阻R可以不超过第二电极640的薄层电阻。
如图22所示，凹陷部2222可以基本上不含第二电极640。在一些非限制性实例中，在第二电极640的沉积期间，凹陷部2222可以被隔板2221掩蔽，使得用于形成第二电极640的沉积材料331的蒸发通量332可以基本上被阻止入射到凹陷部2222的和/或该凹陷部中的至少一个暴露层表面11上。在一些非限制性实例中，用于形成第二电极640的沉积材料331的蒸发通量332的至少一部分可以入射到凹陷部2222的和/或该凹陷部中的至少一个暴露层表面11上，使得第二电极640可以延伸覆盖凹陷部2222的至少一部分。
在一些非限制性实例中，辅助电极1150、沉积层130和/或隔板2221可以选择性地设置在显示面板的某些区域中。在一些非限制性实例中，这些特征中的任一者可以设置在这种显示面板的至少一个边缘处并且/或者靠近该至少一个边缘设置，用于将前板610的至少一个元件(包括但不限于第二电极640)电耦接至背板1015的至少一个元件。在一些非限制性实例中，在此类边缘处和/或靠近此类边缘设置此类特征可以促进从位于此类边缘处和/或靠近此类边缘的辅助电极1150向第二电极640供应和分配电流。在一些非限制性实例中，这种配置可以有助于减小显示面板的边框大小。
在一些非限制性实例中，辅助电极1150、沉积层130和/或隔板2221可以从这种显示面板的某些区域省略。在一些非限制性实例中，此类特征可以从显示面板的多个部分中省略，包括但不限于，其中在其至少一个边缘处和/或靠近其至少一个边缘之外的部分，可以提供相对高的像素密度。
非发射区域中的孔口
现在转到图23A，可以示出装置600的示例版本2300a的横截面视图。装置2300a与装置2200的不同之处可以在于，非发射区域1220中的一对隔板2221能够以面向布局设置以在其间限定屏障区域2165，诸如孔口2322。如图所示，在一些非限制性实例中，隔板2221中的至少一个可以用作PDL 740，其覆盖第一电极620的至少一个边缘并且限定至少一个发射区域1210。在一些非限制性实例中，隔板2221中的至少一个可以与PDL 740分开设置。
屏障区域2165(诸如凹陷部2222)可以由隔板2221中的至少一者限定。在一些非限制性实例中，凹陷部2222可以设置在孔口2322靠近衬底10的部分中。在一些非限制性实例中，当在平面视图中观察时，孔口2322可以是基本上椭圆形的。在一些非限制性实例中，当在平面视图中观察时，凹陷部2222可以是基本上环形的，并且围绕孔口2322。
在一些非限制性实例中，凹陷部2222可以基本上不含用于形成装置叠堆2310和/或残余装置叠堆2311中的每一层的材料。
在这些附图中，装置叠堆2310可以被示出为包括至少一个半导电层630、第二电极640和沉积在隔板2221的上部区段上的NIC 110。
在这些附图中，残余装置叠堆2311在衬底10上沉积在隔板2221和凹陷部2222之外，可以被示出为包括至少一个半导电层630、第二电极640和NIC 110。根据与图22比较，可以看出，在一些非限制性实例中，残余装置叠堆2311可以对应于半导体层630、第二电极640和NIC 110，因为其在隔板的唇缘处和/或附近接近凹陷部2222。在一些非限制性实例中，当使用开放式掩模和/或无掩模沉积工艺来沉积装置堆叠2310的各种材料时，可以形成残余装置堆叠2311。
在一些非限制性实例中，残余装置堆叠2311可以安置在孔2322内。在一些非限制性实例中，用于形成装置堆叠2310的每一层的蒸发材料可以沉积在孔2322内以在其中形成残余装置堆叠2311。
在一些非限制性实例中，辅助电极1150可以被布置成使得其至少一部分设置在凹陷部2222内。如图所示，在一些非限制性实例中，辅助电极1150可以布置在孔口2322内，使得残余装置叠堆2311沉积到辅助电极1150的表面上。
沉积层130可以设置在孔口2322内，用于将第二电极640与辅助电极1150电耦接。作为非限制性实例，沉积层130的至少一部分可以设置在凹陷部2222内。
现在转到图23B，可以示出装置2300b的另外的实例的横截面视图。如图所示，辅助电极1150可以被布置成形成侧部2326的至少一部分。因此，当在平面视图中观察时，辅助电极1150可以是基本上环形的，并且可以围绕孔口2322。如图所示，在一些非限制性实例中，残余装置叠堆2311可以沉积到衬底10的暴露层表面11上。
在一些非限制性实例中，隔板2222可以包括NPC 520，并且/或者由NPC 520形成。作为非限制性实例，辅助电极1150可以充当NPC 520。
在一些非限制性实例中，NPC 520可以由第二电极640，以及/或者其一部分、层和/或材料提供。在一些非限制性实例中，第二电极640可以侧向延伸以覆盖布置在屏障区域2165中的暴露层表面11。在一些非限制性实例中，第二电极640可以包括其下层和其第二层，其中其第二层可以沉积在其下层上。在一些非限制性实例中，第二电极640的下层可以包含氧化物，诸如但不限于ITO、IZO或ZnO。在一些非限制性实例中，第二电极640的上层可以包含金属，诸如但不限于以下中的至少一种：Ag、Mg、Mg:Ag、Yb/Ag、其他碱金属，和/或其他碱土金属。
在一些非限制性实例中，第二电极640的下层可以横向延伸以覆盖屏障区域2165的表面，从而形成NPC 520。在一些非限制性实例中，可以处理限定屏障区域2165的至少一个表面，以形成NPC 520。在一些非限制性实例中，这种NPC 520可以通过化学处理和/或物理处理来形成，包括但不限于使屏障区域2165的表面经受等离子体、UV和/或UV-臭氧处理。
不希望受任何特定理论的束缚，可以推测，这样的处理可以在化学上和/或物理上改变这种表面，从而改变其至少一种特性。作为非限制性实例，这种表面处理可以增加此类表面上的C-O键和/或C-OH键的浓度，可以增加此类表面的粗糙度，并且/或者可以增加随后将充当NPC 520的某些物质和/或官能团(包括但不限于卤素、含氮官能团和/或含氧官能团)的浓度。
去除选择性涂层
在一些非限制性实例中，可以在沉积出沉积层130之后将NIC 110去除，使得底层材料被NIC 110覆盖的先前暴露的层表面11的至少一部分可以再次暴露。在一些非限制性实例中，NIC 110可以通过蚀刻和/或溶解NIC 110以及/或者通过采用基本上不影响或腐蚀沉积层130的等离子体处理技术和/或溶剂处理技术来选择性地去除。
现在转到图24A，可以示出在沉积阶段2400a处的装置600的示例版本2400的示例横截面视图，在该阶段中，NIC 110可能已经被选择性地沉积在底层材料的暴露层表面11的第一部分101上。在图中，底层材料可以是衬底10。
在图24B中，装置2400可以被示出为处于沉积阶段2400b，在该阶段中，沉积层130可以被沉积在底层材料的暴露层表面11上，即，在阶段2400a期间可能已经沉积NIC 110的NIC 110的暴露层表面11以及在阶段2400a期间可能尚未沉积NIC 110的衬底10的暴露层表面11上。由于可能已经设置NIC 110的第一部分101具有抑制成核特性，所以设置在其上的沉积层130可能倾向于不保留，导致沉积层130的选择性沉积图案可以对应于第二部分102，从而留下基本上不含沉积层130的第一部分101。
在图24C中，装置2400可以被示出为处于沉积阶段2400c，在该阶段中，NIC 110可能已经从衬底10的暴露层表面11的第一部分101去除，使得在阶段2400b期间沉积的沉积层130可以保留在衬底10上，并且衬底10的可能已经在阶段2400a期间在其上沉积NIC110的多个区域现在可以是暴露的或未覆盖的。
在一些非限制性实例中，在阶段2400c中去除NIC 110可以通过将装置2400暴露于与NIC 110反应并且/或者将其蚀刻掉而不会显著影响沉积层130的溶剂和/或等离子体来实现。
薄膜形成
在气相沉积期间在底层的暴露层表面11上形成薄膜可以涉及成核与生长的过程。
在膜形成的初始阶段期间，足够数量的蒸气单体332(在一些非限制性实例中，可以是蒸气形式332的沉积材料331的分子和/或原子)通常可以从蒸气相冷凝，以在底层呈现的暴露层表面11上形成初始核。由于蒸气单体332可以撞击在这种表面上，所以这些初始核的特征尺寸S1和/或沉积密度可以增加，以形成小颗粒结构441。这种特征尺寸S1所涉及的维度的非限制性实例可以包括这种颗粒结构441的高度、宽度、长度和/或直径。
在达到饱和岛密度之后，相邻的颗粒结构441通常可以开始聚结，从而使此类颗粒结构441的平均特征尺寸S1增加，同时使其沉积密度降低。
随着单体332继续气相沉积，相邻颗粒结构441的聚结可以继续进行，直到基本上封闭的涂层140可以最终沉积在底层的暴露层表面11上。此类封闭涂层340的行为(包括由此引起的光学效应)通常可以是相对均匀、一致的，并不出人意料。
薄膜形成可以存在以下至少三种基本的生长模式，在一些非限制性实例中，最终形成封闭涂层140：1)岛式(Volmer-Weber)，2)逐层式(Frank-van der Merwe)，和3)Stranski-Krastanov。
当单体332的陈旧簇在暴露层表面11上成核并生长形成离散的岛时，通常可能发生岛生长。当单体332之间的相互作用强于单体与表面之间的相互作用时，可能出现这种生长模式。
成核率可以描述每单位时间在表面上形成多少个给定尺寸的核(其中自由能不会推动这种核的簇生长或收缩)(“临界核”)。在膜形成的初始阶段期间，核也许不太可能会由于单体332直接撞击在表面上而生长，这是因为核的沉积密度低，因此核仅能够覆盖相对小的一部分表面(例如，相邻核之间存在较大的间隙/空间)。因此，临界核的生长速率通常可以取决于表面上的吸附原子(例如，吸附的单体332)迁移并附着到附近核的速率。
图25展示了吸附到底层材料的暴露层表面11上的吸附原子的能量分布实例。具体地讲，图25可以展示对应于以下各项的示例定性能量分布：从局部低能位点逃离的吸附原子(2510)；吸附原子在暴露层表面11上的扩散(2520)；以及吸附原子的解吸(2530)。
在2510中，局部低能位点可以是底层的暴露层表面11上的任何位点，在该暴露层表面上吸附原子将处于较低能量。通常，成核位点可以包括暴露层表面11上的缺陷和/或异常，包括但不限于凸缘、阶梯边缘、化学杂质、结合位点和/或扭结(“非均质性”)。
衬底非均质性位点可以使从该表面解吸吸附原子所涉及的能量Edes 2531增加，从而导致在此类位点处观察到较高的核沉积密度。另外，表面上的杂质或污染物也可以使Edes2531增加，从而导致较高的核沉积密度。对于在高真空条件下进行的气相沉积过程，表面上污染物的类型和沉积密度可以受到真空压力和构成该压力的残余气体的组成的影响。
一旦吸附原子被捕获在局部低能位点处，在一些非限制性实例中，在表面扩散发生之前通常可能存在能垒。这种能垒可以表示为图25中的ΔE 2511。在一些非限制性实例中，如果逃离局部低能位点的能垒ΔE 2511足够大，则该位点可以充当成核位点。
在2520中，吸附原子可以在暴露层表面11上扩散。作为非限制性实例，就局部被吸收物而言，吸附原子可能倾向于在表面势能的最小值附近振荡并迁移到各个相邻位点，直到吸附原子被解吸并且/或者结合到由吸附原子簇和/或生长膜形成的生长岛441中。在图25中，与吸附原子表面扩散相关联的活化能可以表示为Es 2511。
在2530中，与吸附原子从表面解吸相关联的活化能可以表示为Edes 2531。相关领域的普通技术人员应当理解，任何未被解吸的吸附原子可以保留在暴露层表面11上。作为非限制性实例，此类吸附原子可以在暴露层表面11上扩散、成为在暴露层表面11上形成岛441的吸附原子簇的一部分，并且/或者作为生长膜和/或涂层的一部分引入。
吸附原子吸附在表面上之后，可能会从表面解吸，或者可能会在表面上迁移一段距离，之后再解吸、与其他吸附原子相互作用形成小簇，或者附着到生长核上。在初始吸附后，吸附原子可以保留在表面上的平均时间可以由下式得出：
在上面的公式中：
ν是吸附原子在表面上的振动频率，
k是玻尔兹曼常数，并且
T是温度。
从该公式可以注意到，Edes 2531的值越低，吸附原子就可以越容易地从表面解吸，因此吸附原子可以保留在表面上的时间就越短。吸附原子可以扩散的平均距离可以由下式得出：
其中：
α0是晶格常数。
对于Edes 2531的低值和/或Es 2521的高值，吸附原子可以在解吸前扩散较短的距离，因此也许不太可能附着到生长核上，也不太可能与另一吸附原子或吸附原子簇相互作用。
在形成颗粒结构441的沉积层的初始阶段期间，吸附的吸附原子可以相互作用形成颗粒结构441，其中每单位面积的颗粒结构441的临界浓度由下式得出：
其中：
Ei是将含有I个吸附原子的临界簇离解成单独的吸附原子所涉及的能量，
n0是吸附位点的总沉积密度，并且
N1是由下式得出的单体沉积密度：
其中：
通常，I可以取决于所沉积材料的晶体结构，并且可以决定颗粒结构441形成稳定核的临界尺寸。
生长颗粒结构441的临界单体供应速率可以由蒸气撞击速率和吸附原子在解吸前可以扩散的平均面积得出：
因此，临界成核速率可以由以上公式的组合得出：
从以上公式可以注意到，对于以下表面可以抑制临界成核速率：其对于吸附的吸附原子具有低解吸能、对于吸附原子的扩散具有高活化能、处于高温并且/或者经受蒸气撞击速率。
在高真空条件下，可以撞击在表面上的分子的通量332(每cm2-s)可以由下式得出：
其中：
P是压力，并且
M是分子量。
因此，在气相沉积期间，反应性气体(诸如H2O)的较高分压可以导致表面上具有较高的污染物沉积密度，从而导致Edes 2531增加，并因此导致较高的核沉积密度。
在本公开中，“抑制成核”可以指可以具有以下表面的涂层、材料和/或其层：该表面表现出可以接近0(包括但不限于小于约0.3)的抵抗沉积材料331沉积在其上的初始粘附概率S0，使得可以抑制沉积材料331在这种表面上沉积。
在本公开中，“促进成核”可以指具有以下表面的涂层、材料和/或其层：该表面表现出可以接近1(包括但不限于大于约0.7)的抵抗沉积材料331沉积在其上的初始粘附概率S0，使得可以促进沉积材料331在这种表面上沉积。
不希望受特定理论的束缚，可以推测，此类核的形状和大小以及此类核随后生长成岛441并随后生长成薄膜可以取决于各种因素，包括但不限于蒸气、表面和/或冷凝膜核之间的界面张力。
表面的抑制成核特性和/或促进成核特性的一种量度可以是该表面抵抗给定沉积材料331沉积的初始粘附概率S0。
一些非限制性实例中，粘附概率S可以由下式得出：
其中：
Nads是保留在暴露层表面11上(即，结合到膜中)的吸附原子的数目，并且
N总计是表面上的撞击单体的总数。
粘附概率S等于1可以指示所有撞击在表面上的单体332都被吸附，随后结合到生长膜中。粘附概率S等于0可以指示所有撞击在表面上的单体332都被解吸，随后不会在表面上形成膜。
沉积材料331在各种表面上的粘附概率S可以使用测量粘附概率S的各种技术来评价，包括但不限于如Walker等人，J.Phys.Chem.C 2007,111,765(2006)所述的双石英晶体微量天平(QCM)技术。
由于沉积材料331的沉积密度可能增加(例如，平均膜厚度d增加)，粘附概率S可能改变。
因此，初始粘附概率S0可以被指定为在任何相当大数量的临界核形成之前表面的粘附概率S。初始粘附概率S0的一种量度可以涉及在沉积材料331的初始沉积阶段期间表面抵抗该沉积材料沉积的粘附概率S，其中沉积材料331在整个表面上的平均膜厚度d等于或低于阈值。在一些非限制性实例的描述中，初始粘附概率S0的阈值作为非限制性实例可以被指定为1nm。平均粘附概率
于是可以由下式得出：
其中：
Snuc是被颗粒结构441覆盖的区域的粘附概率S，并且
Anuc是被颗粒结构441覆盖的衬底表面的区域的百分比。
作为非限制性实例，低初始粘附概率S0可能随着平均膜厚度d增加而增加。这可以基于没有颗粒结构441的暴露层表面11的区域(作为非限制性实例)、裸衬底10与具有高沉积密度的区域之间粘附概率S的差异来理解。作为非限制性实例，可以撞击在颗粒结构441的表面上的单体332可以具有可以接近1的粘附概率S。
基于图25所示的能量分布2510、2520、2530，可以推测，表现出相对低的解吸活化能(Edes 2531)和/或相对高的表面扩散活化能(Es 2521)的材料可以沉积为NIC 110，并且可以适用于各种应用中。
不希望受特定理论的束缚，可以推测，在一些非限制性实例中，成核与生长期间存在的各种界面张力之间的关系可以根据毛细管理论中的杨氏方程决定：
γsv＝γfs+γvfcosθ (TF10)
其中：
γsv对应于衬底10与蒸气332之间的界面张力，
γfs对应于沉积材料331与衬底10之间的界面张力，
γvf对应于蒸气332与膜之间的界面张力，并且
θ是膜核接触角。
图26可以展示在该方程中表示的各种参数之间的关系。
基于杨氏方程，可以推导出，对于岛生长，膜核接触角θ可以超过0，因此：γsv<γfs+γvf。
对于层生长，在沉积材料331可以“润湿”衬底10的情况下，核接触角θ可以等于0，因此：γsv＝γfs+γvf。
对于Stranski-Krastanov(S-K)生长，其中相对于蒸气332与沉积材料331之间的界面张力，膜过度生长的每单位面积的应变能可能较大：γsv>γfs+γvf。
不希望受任何特定理论的束缚，可以推测，在NIC 110与衬底10的暴露层表面11之间的界面处的沉积材料331的成核与生长模式可以遵循岛生长模型，其中θ>0。
特别是在NIC 110可以表现出相对低的抵抗沉积材料331沉积的初始粘附概率S0的情况下(在一些非限制性实例中，在Walker等人描述的双QCM技术中确定的条件下)，沉积材料331可能存在相对高的薄膜接触角θ。
相反，当沉积材料331可以选择性地沉积在暴露层表面11上而无需使用图案化涂层210时，作为非限制性实例，通过采用阴影掩模215，这种沉积材料331的成核与生长模式可以不同。特别地，已经观察到，至少在一些非限制性实例中，使用阴影掩模215图案化过程形成的涂层可以表现出小于约10°的相对低的薄膜接触角θ。
现已有些令人惊讶地发现，在一些非限制性实例中，抑制成核涂层310(和/或组成该涂层的NIC材料)可以表现出相对低的临界表面张力。
相关领域的普通技术人员应当理解，涂层、层和/或构成这种涂层和/或层的材料的“表面能”通常可以对应于该涂层、层和/或材料的临界表面张力。根据一些表面能模型，表面的临界表面张力可以基本上对应于这种表面的表面能。
一般来讲，具有低表面能的材料可以表现出低分子间力。一般来讲，与另一种具有高分子间力的材料相比，具有低分子间力的材料在较低的温度下可能容易结晶或经历其他相变。在至少一些应用中，在相对低的温度下可能容易结晶或经历其他相变的材料可能不利于装置的长期性能、稳定性、可靠性和/或寿命。
不希望受特定理论的束缚，可以推测，某些低能表面可以表现出相对低的初始粘附概率S0，因此可以适用于形成NIC 110。
不希望受任何特定理论的束缚，可以推测，尤其是对于低表面能表面，临界表面张力可以与表面能正相关。作为非限制性实例，表现出相对低的临界表面张力的表面也可能表现出相对低的表面能，而表现出相对高的临界表面张力的表面也可能表现出相对高的表面能。
参考上述杨氏方程，较低的表面能可以导致较大的接触角θ，同时也降低了γsv，从而提高了这种表面相对于沉积材料331具有低润湿性和低初始粘附概率S0的可能性。
在各种非限制性实例中，临界表面张力值在本文中可以对应于在约常温常压(NTP)下测量的此类值，在一些非限制性实例中，常温常压可以对应于20℃的温度和1atm的绝对压力。在一些非限制性实例中，表面的临界表面张力可以根据Zisman方法来确定，如Zisman,W.A.,“Advances in Chemistry”43(1964)，第1至51页中进一步详述的。
在一些非限制性实例中，NIC 110的暴露层表面11可以表现出小于约以下值的临界表面张力：20达因/厘米、19达因/厘米、18达因/厘米、17达因/厘米、16达因/厘米、15达因/厘米、13达因/厘米、12达因/厘米或11达因/厘米。
在一些非限制性实例中，NIC 110的暴露层表面11可以表现出大于约以下值的临界表面张力：6达因/厘米、7达因/厘米、8达因/厘米、9达因/厘米和10达因/厘米。
相关领域的普通技术人员应当理解，用于确定固体表面能的各种方法和理论可以是已知的。作为非限制性实例，可以基于一系列接触角θ测量结果来计算和/或导出表面能，其中使各种液体与固体表面发生接触以测量液体-蒸气界面与该表面之间的接触角θ。在一些非限制性实例中，固体表面的表面能可以等于具有将该表面完全润湿的最高表面张力的液体的表面张力。作为非限制性实例，Zisman图可以用于确定将导致与表面的接触角θ为0°的最高表面张力值。根据表面能的一些理论，在确定固体的表面能时，可以考虑固体表面与液体之间的各种类型的相互作用。作为非限制性实例，根据一些理论，包括但不限于Owens/Wendt理论和/或Fowkes理论，表面能可以包括色散分量和非色散或“极性”分量。
不希望受特定理论的束缚，可以推测，在一些非限制性实例中，沉积材料331的涂层的接触角θ可以至少部分地基于沉积材料331沉积到其上的NIC 110的特性(包括但不限于初始粘附概率S0)来确定。因此，允许选择性地沉积表现出相对高的接触角θ的沉积材料531的NIC材料511可以提供一些益处。
相关领域的普通技术人员应当理解，可以使用各种方法来测量接触角θ，包括但不限于静态和/或动态座滴法和悬滴法。
在一些非限制性实例中，解吸活化能(Edes 2531)(在一些非限制性实例中，在约300K的温度T下)可以小于热能(kBT)的约以下倍数：2倍、1.5倍、1.3倍、1.2倍、1.0倍、0.8倍或0.5倍。在一些非限制性实例中，表面扩散活化能(Es 2521)(在一些非限制性实例中，在约300K的温度T下)可以超过热能(kBT)的约以下倍数：1.0倍、1.5倍、1.8倍、2倍、3倍、5倍、7倍或10倍。
不希望受特定理论的束缚，可以推测，沉积材料331在底层的暴露层表面11与NIC110之间的界面处和/或附近发生薄膜成核与生长期间，由于NIC 110抑制沉积材料331的固体表面成核，因此可以观察到沉积材料331的边缘与底层之间具有相对高的接触角θ。这种抑制成核特性可以由最小化底层、薄膜蒸气与NIC 110之间的表面能来驱动。
表面的抑制成核特性和/或促进成核特性的一种量度可以是给定(导电)沉积材料331在表面上的初始沉积速率与同一种沉积材料331在参考表面上的初始沉积速率的相对大小，其中这两个表面都经受并且/或者暴露于沉积材料331的蒸发通量。
实施例
如本文实例中所使用的，提及材料的层厚度是指沉积在目标表面(在选择性沉积的情况下和/或表面的目标区域和/或其部分)上的材料的量，其对应于用具有所提及的层厚度的材料的均匀厚层覆盖目标表面的材料的量。作为实例，沉积10nm的层厚度指示沉积在表面上的材料的量对应于形成10nm厚的均匀厚度的材料层的材料的量。应当理解，通过非限制性实例，由于分子和/或原子可能的堆叠和/或聚集，所沉积材料的实际厚度可以是不均匀的。作为非限制性实例，沉积10nm的层厚度可以产生实际厚度大于10nm的所沉积材料的一些部分，和/或实际厚度小于10nm的所沉积材料的其它部分。沉积在表面上的材料的某一层厚度可以对应于整个表面上的所沉积材料的平均厚度。
实施例I
在本实施例中，合成并使用分子结构在下表中确认的实施例材料来形成NIC 810。
| 材料 | 分子结构式 | R基团结构式 |
| 实施例材料A | 式(C-2) | (F-40) |
| 实施例材料B | 式(C-2) | (F-34) |
在上表中，每种材料的分子结构均可以通过用本申请中描述的相应R基团结构式替换分子结构式中的每个R而得到。除非另外指明，否则给定结构式中的所有R基团均被选择为彼此相同。
除了上述实施例材料之外，本实施例中还使用了以下比较例材料：封盖层材料(比较例材料A)；8-羟基喹啉-锂(比较例材料B)；和9-(萘-1-基)-10-4-三氟甲基苯基蒽(比较例材料C)。
通过在真空中在玻璃衬底之上沉积大约50nm厚的一层上述实施例材料和比较例材料，制造了一系列样品。使用椭偏仪测定由每种材料形成的涂层的折射率n和消光系数k。下表汇总了每种材料在589nm波长下测定的折射率和消光系数。
| 材料 | n | k |
| 比较例材料A | 1.774 | 0 |
| 比较例材料B | 1.633 | 0 |
| 比较例材料C | 1.625 | 0 |
| 实施例材料A | 1.299 | 0 |
| 实施例材料B | 1.290 | 0 |
从上表可以看出，在测量波长下，实施例材料A和实施例材料B都表现出相对低的折射率，分别为约1.299和1.29。另一方面，比较例材料A、B和C在测量波长下均表现出大于约1.6的显著更高的折射率。
通过在真空中类似地沉积上述实施例材料和比较例材料中的每一种以在玻璃衬底之上形成涂层，制造了另外的样品。然后对由这些材料形成的涂层的表面进行Ag或Mg:Ag的开放式掩模沉积。更具体地讲，就Ag沉积而言，每个样品经受平均沉积速率为约
的Ag蒸气通量，直到达到约15nm的参考厚度。就Mg:Ag沉积而言，每个样品经受含有Mg和Ag的共蒸发蒸气通量，其中Mg的平均沉积速率为约
Ag的平均沉积速率为约
并且组合沉积速率为
直到对于按体积计Mg:Ag组成比为1:9的Mg:Ag涂层达到约15nm的参考厚度。
一旦样品制成，便进行光透射率测量，以确定沉积在抑制成核涂层表面上的金属(例如Ag或Mg:Ag)的相对量。应当理解，其上存在相对很少或完全不存在金属的样品基本上是透明的，而其上沉积有金属(特别是作为封闭膜)的样品通常表现出明显低得多的光透射率。因此，各种实施例材料和比较例材料作为NIC 810的相对性能可以通过测量穿过样品的光透射率来评估，该光透射率与通过Ag或Mg:Ag沉积过程沉积在其上的金属涂层的量或厚度直接相关。基于光透射率测量值，据发现，用实施例材料A和B制成的样品在可见波谱中表现出超过90％的很高程度的光透射率，而用比较例材料A、B和C制成的那些样品在可见波谱中均表现出小于约50％的很差的光透射率。这表明，比较例材料A、B和C可能不适合在电极涂层包括Ag的应用中用来形成NIC 810。此外，据发现，均表现出1.3或更小的明显低得多的折射率的实施例材料A和B适合在电极涂层包括Ag的应用中用来形成NIC 810。
如在本文所述的该实施例和其他实施例中所用的，参考层厚度是指在表现出高初始粘附概率S0的参考表面(例如，初始粘附概率S0为约和/或接近1.0的表面)上沉积的金属涂层的层厚度。具体地讲，对于这些实施例，参考表面是定位在沉积室内部用于监测沉积速率和参考层厚度的石英晶体的表面。换句话讲，参考层厚度并不表示沉积在目标表面(即，NIC 810的表面)上的金属涂层的实际厚度。相反，参考层厚度是指在使目标表面和参考表面(即石英晶体的表面)在相同的沉积期经受相同的金属材料蒸气通量时，将在参考表面上沉积的金属涂层的层厚度。如应当理解的，在目标表面和参考表面在沉积期间没有同时经受相同的蒸气通量的情况下，可以使用适当的工具因子来确定和监测参考厚度。
实施例II
在本实施例中，合成并使用分子结构在下表中确认的实施例材料来形成NIC 810。
| 材料 | 分子结构式 | R基团结构式 |
| 实施例材料C | 式(C-2) | (F-35) |
| 实施例材料D | 式(C-2) | (F-32) |
在上表中，每种材料的分子结构均可以通过用本申请中描述的相应R基团结构式替换分子结构式中的每个R而得到。除非另外指明，否则给定结构式中的所有R基团均被选择为彼此相同。
上述实施例材料C和D各自在真空中沉积在衬底表面之上，以便测量由此类材料形成的NIC 810的临界表面张力。具体地讲，使用接触角测角仪来测量各种溶剂在由每种材料形成的NIC 810的表面上的接触角，然后使用Zisman方法基于接触角测量结果来计算这些表面的临界表面张力。这些测量是在温度为约25℃的空气中进行的。
| 材料 | 临界表面张力(达因/厘米) |
| 实施例材料C | 7.8–9.1 |
| 实施例材料D | 6.5–7.6 |
基于上文，可以看出实施例材料C和D均表现出小于约10达因/厘米的相对低的临界表面张力。如上所述，已经推测由表现出相对低的临界表面张力的材料形成的涂层可能特别适合用于提供NIC 810。
为了确定这些实施例材料对于提供NIC 810的适用性，通过在真空中类似地沉积上述实施例材料中的每一种以在玻璃衬底之上形成涂层，制造了另外的样品。然后对由这些材料形成的涂层的表面进行Ag或Mg:Ag的开放式掩模沉积。更具体地讲，就Ag沉积而言，每个样品经受平均沉积速率为约
的Ag蒸气通量，直到达到约15nm的参考厚度。就Mg:Ag沉积而言，每个样品经受含有Mg和Ag的共蒸发蒸气通量，其中Mg的平均沉积速
率为约
Ag的平均沉积速率为约
并且组合沉积速率为
直到对于按体积计Mg:Ag组成比为1:9的Mg:Ag涂层达到约15nm的参考厚度。
一旦样品制成，便进行光透射率测量，以确定沉积在抑制成核涂层表面上的金属(例如Ag或Mg:Ag)的相对量。基于光透射率测量值，据发现，用实施例材料C和D制成的样品在可见波谱中表现出超过90％的很高程度的光透射率，这表明实施例材料C和D可以在电极涂层包括Ag的应用中用于形成NIC 810。
实施例III
制造了一系列样品，以分析在NIC 810的表面暴露于Ag蒸气通量之后，在这种表面上形成的不连续涂层1050的特征。
每个样品都是通过以下方式制成的：在真空中在硅衬底之上沉积大约30nm厚的有机半导电材料涂层(在本文中也称为有机涂层)。然后通过沉积实施例材料A来涂覆该有机涂层的表面，以在其上形成NIC 810。接下来，使NIC 810的表面经受Ag蒸气通量，直到达到20nm的参考厚度。在NIC 810的表面暴露于Ag蒸气通量之后，观察到在NIC 810的表面上形成了呈离散Ag岛形式的不连续涂层1050。根据本实施例制造的样品的结构汇总在下表中。
| 样品名称 | 样品结构 |
| 样品III-1 | 硅/有机涂层(30nm)/实施例材料A(10nm)/不连续涂层 |
| 样品III-2 | 硅/有机涂层(30nm)/实施例材料A(25nm)/不连续涂层 |
| 样品III-3 | 硅/有机涂层(30nm)/实施例材料A(50nm)/不连续涂层 |
用扫描电子显微镜(SEM)来表征在每个样品的表面上形成的不连续涂层1050的特征，以测量沉积在每个样品中的NIC 810表面上的离散Ag岛的尺寸。具体地讲，通过以下方式来计算每个离散Ag岛或特征的平均直径：当在平面视图中观察NIC 810的表面时，测量每个岛或特征所占据的表面积，然后在用具有相等面积的圆拟合每个岛或特征所占据的面积时计算平均直径。从样品III-1、III-2和III-3的分析中获得的平均直径分布分别示于图27A、图27B和图27C中。对于每个样品，分析了在两个不同放大倍数下获得的图像，这些放大倍数由每个放大倍数下的比例尺的大小来标识。
此外，制备并分析了具有基本上相同的NIC 810和不连续涂层1050构造的玻璃样品，以便确定不连续涂层1050对穿过样品的光透射率的影响。下表汇总了当在平面视图中观察时离散Ag岛的中值、平均值和众数，被离散Ag岛覆盖的NIC 810表面的百分比，以及测量的穿过每个相应玻璃样品的光透射率，该光透射率被表示为穿过其中不存在不连续涂层的参考样品的光透射百分比。
从上表可以看出，离散Ag岛的中值尺寸从约8.4nm变化至约10.1nm，平均尺寸从约8nm变化至约10.3nm，并且众数从约8nm变化至约11nm。NIC 810表面上的离散Ag岛的相应表面覆盖率在约10％至约19％的范围内，并且所有样品的透射率均超过90％。
出于上述分析的目的，由于受到图像分辨率的限制，将低于以下阈值面积的小Ag岛或特征忽略不计：对于500nm级，小于约10nm2；对于200nm级，小于约2.5nm2。
定义
在一些非限制性实例中，电致发光装置可以是有机发光二极管(OLED)装置。在一些非限制性实例中，电致发光装置可以是电子装置的一部分。作为非限制性实例，电致发光装置可以是OLED照明面板或模块，以及/或者计算装置(诸如智能电话、平板计算机、膝上型计算机、电子阅读器)和/或一些其他电子装置(诸如监视器和/或电视机)的OLED显示器或模块。
在一些非限制性实例中，光电子装置可以是将光子转化为电的有机光伏(OPV)装置。在一些非限制性实例中，光电子装置可以是电致发光量子点(QD)装置。
在本公开中，除非明确指出相反的情况，否则提及OLED装置时应当理解，在一些实例中，这种公开内容能够以对相关领域的普通技术人员显而易见的方式同样适用于其他光电子装置，包括但不限于OPV和/或QD装置。
此类装置的结构可以从两个方面中的每个方面(即，从横截面方面和/或从侧向(平面视图)方面)来描述。
在本公开中，可以遵循基本上垂直于上述侧向方面延伸的方向惯例，其中衬底可以是装置的“底部”，而这些层可以设置在衬底的“顶部”上。遵循这种惯例，第二电极可以在所示装置的顶部，即使(在一些实例中可能是这种情况，包括但不限于在制造过程期间，其中可以借助于气相沉积过程来引入至少一个层)衬底可以被物理倒置，使得其上可以设置这些层中的一个层(诸如但不限于第一电极)的顶表面可以在物理上位于衬底之下，以允许沉积材料(未示出)向上移动并作为薄膜沉积在其顶表面上。
在本文介绍横截面方面的语境中，此类装置的部件能够以基本上平坦的侧向薄层示出。相关领域的普通技术人员应当理解，这种基本上平坦的表示可以仅用于说明的目的，并且跨这种装置的侧向范围，可以存在具有不同厚度和尺寸的局部基本上平坦的薄层，在一些非限制性实例中包括基本上完全没有层，以及/或者由非平面过渡区域(包括侧向间隙和同样大小的中断部分)分隔的层。因此，尽管出于说明的目的，下文可以将装置在其横截面方面示出为基本上分层的结构，但是在下文论述的平面视图方面，这种装置可以展示多种多样的形貌来限定特征，这些特征中的每一者可以基本上表现出在横截面方面中论述的分层轮廓。
在本公开中，术语“层”和“薄层”可以互换使用来指代类似的概念。
附图中所示的每一层的厚度可能仅仅是说明性的，并不一定表示相对于另一层的厚度。
出于简化描述的目的，在本公开中，单个层中的多个元素的组合可以用冒号“:”来表示，而多层涂层中包括多个层的多个元素(的组合)可以通过用斜线“/”分隔两个这样的层来表示。在一些非限制性实例中，斜线之后的层可以在斜线之前的层之后沉积，并且/或者沉积在斜线之前的层上。
为了说明的目的，涂层、层和/或材料可以沉积到其上的底层材料的暴露层表面可以理解为在沉积时可以呈现用于在其上沉积该涂层、层和/或材料的这种底层材料的表面。
相关领域的普通技术人员应当理解，当部件、层、区域和/或其部分被称为“形成”、“设置”和/或“沉积”在另一底层材料、部件、层、区域和/或部分上和/或上方时，这种形成、设置和/或沉积可以直接地和/或间接地位于这种底层材料、部件、层、区域和/或部分的暴露层表面上(在发生这种形成、设置和/或沉积时)，且两者之间有可能存在中间材料、部件、层、区域和/或部分。
在本公开中，术语“重叠”通常可以指代被布置成与横截面轴线相交的多个层和/或结构，该横截面轴线基本上垂直地远离此类层和/或结构可以设置到其上的表面延伸。
虽然本公开参考至少一个层或涂层在气相沉积方面论述了薄膜形成，但是相关领域的普通技术人员应当理解，在一些非限制性实例中，装置的各种部件可以使用多种多样的技术来选择性地沉积，包括但不限于蒸发(包括但不限于热蒸发和/或电子束蒸发)、光刻法、印刷(包括但不限于喷墨和/或蒸气喷射印刷、卷对卷印刷和/或微接触转印)、PVD(包括但不限于溅射)、化学气相沉积(CVD)(包括但不限于等离子体增强CVD(PECVD)和/或有机气相沉积(OVPD))、激光退火、激光诱导热成像(LITI)图案化、原子层沉积(ALD)、涂覆(包括但不限于旋涂、浸涂、线涂和/或喷涂)，以及/或者它们的组合(统称为“沉积过程”)。
在各种层和/或涂层中的任何一种的沉积期间，一些过程可以与阴影掩模组合使用，以通过掩盖和/或阻止沉积材料沉积在暴露于其的底层材料表面的某些部分上来实现各种图案，在一些非限制性实例中，阴影掩模可以是开放式掩模和/或精细金属掩模(FMM)。
在本公开中，术语“蒸发”和/或“升华”可以互换使用，以通常指代将源材料转化为蒸气(包括但不限于通过加热)以沉积到处于但不限于固态的目标表面上的沉积过程。如应当理解的，蒸发沉积过程可以是一类PVD过程，其中至少一种源材料在低压(包括但不限于真空)环境下蒸发和/或升华以形成蒸气单体，然后通过至少一种蒸发的源材料的去升华沉积在目标表面上。可以使用多种不同的蒸发源来加热源材料，因此，相关领域的普通技术人员应当理解，能够以各种方式来加热源材料。作为非限制性实例，可以通过电灯丝、电子束、感应加热和/或电阻加热来加热源材料。在一些非限制性实例中，可以将源材料装载到加热的坩埚、加热的舟皿、克努森池(可以是泻流蒸发器源)和/或任何其他类型的蒸发源中。
在一些非限制性实例中，沉积源材料可以是混合物。在一些非限制性实例中，沉积源材料混合物的至少一种组分在沉积过程期间可以不被沉积(或者，在一些非限制性实例中，与这种混合物的其他组分相比，以相对较少的量沉积)。
在本公开中，提及材料的层厚度、膜厚度以及/或者平均层厚度和/或平均膜厚度，而不考虑其沉积机制，可以指代沉积在目标暴露层表面上的材料量，其对应于用具有参考层厚度的厚度均匀材料层覆盖目标表面的材料量。作为非限制性实例，沉积10nm层厚度的材料可以表示沉积在表面上的材料量可以对应于形成可以为10nm厚的厚度均匀材料层的材料量。应当理解，考虑到上文论述的薄膜形成机制，作为非限制性实例，由于单体可能出现堆叠或聚集，沉积材料的实际厚度可能不均匀。作为非限制性实例，沉积10nm的层厚度可以产生沉积材料331的具有大于10nm的实际厚度的一些部分，或者沉积材料331的具有小于10nm的实际厚度的其他部分。因此，在一些非限制性实例中，沉积在表面上的材料的某些层厚度可以对应于跨目标表面的沉积材料的平均厚度。
在本公开中，提及参考层厚度可以指代能够沉积在表现出高初始粘附概率或初始粘附系数S0的参考表面(即，初始粘附概率S0为约1.0和/或接近1.0的表面)上的沉积材料(在本文中也称为沉积材料(诸如Mg))的层厚度。参考层厚度可能不表示沉积在目标表面(诸如但不限于NIC的表面)上的沉积材料的实际厚度。相反，参考层厚度可以指代在使目标表面和参考表面在相同的沉积期经受相同的沉积材料蒸气通量时，将在参考表面上沉积的沉积材料的层厚度，在一些非限制性实例中，参考表面是定位在沉积室内部用于监测沉积速率和参考层厚度的石英晶体的表面。相关领域的普通技术人员应当理解，在目标表面和参考表面在沉积期间没有同时经受相同的蒸气通量的情况下，可以使用适当的工具因子来确定和/或监测参考层厚度。
在本公开中，参考沉积速率可以指代沉积材料层将在参考表面上生长的速率，如果参考表面在沉积室内的位置和配置与样品表面相同的话。
在本公开中，提及沉积出材料的多个即X个单层可以指代沉积一定量的材料以用该材料的组成单体的X个单层来覆盖(诸如但不限于在封闭涂层中)暴露层表面的给定区域。
在本公开中，提及沉积出材料的一小部分即1/X单层可以指代沉积一定量的材料以用该材料的组成单体的单个层来覆盖暴露层表面的给定区域的一小部分即0.X。相关领域的普通技术人员应当理解，作为非限制性实例，由于单体可能出现堆叠和/或聚集，所以沉积材料在表面的给定区域上的实际局部厚度可能不均匀。作为非限制性实例，沉积1个材料单层可能导致表面给定区域的一些局部区域没有被材料覆盖，而表面给定区域的其他局部区域可能具有多个沉积在其上的原子层和/或分子层。
在本公开中，如果通过任何合适的确定机制确定目标表面(和/或其目标区域)上可能基本上不存在某种材料，则可以认为该目标表面(和/或其目标区域)“基本上不含该材料”、“基本上不含该材料”并且/或者“基本上不含被该材料覆盖”。
在本公开中，术语“粘附概率”和“粘附系数”可以互换使用。
在本公开中，术语“成核”可以提及薄膜形成过程的成核阶段，其中气相中的单体冷凝到表面上形成核。
在本公开中，在一些非限制性实例中，如上下文所规定的，术语“图案化涂层”和“图案化材料”可以互换使用以指代类似的概念，并且本文在选择性地沉积以使沉积层130图案化的语境中提及图案化涂层在一些非限制性实例中可以适用于在对其进行选择性沉积以使沉积材料和/或电极涂层材料图案化的语境中的NIC材料。
类似地，在一些非限制性实例中，如上下文所规定的，术语“图案化涂层”和“图案化材料”可以互换使用以指代类似的概念，并且本文在选择性地沉积以使沉积层图案化的语境中提及NPC在一些非限制性实例中可以适用于在对其进行选择性沉积以使电极涂层图案化的语境中的NPC材料。
尽管图案化材料可以是抑制成核的或促进成核的，但是在本公开中，除非上下文另有规定，否则本文提及图案化材料旨在提及NIC。
在一些非限制性实例中，提到图案化材料可以表示具有如本文所述的特定组成的涂层。
在本公开中，术语“沉积层”和“电极涂层”可以互换使用以指代类似的概念，并且本文在通过选择性沉积NIC和/或NPC而被图案化的语境中提及沉积层在一些非限制性实例中可以适用于在通过选择性沉积图案化材料而被图案化的语境中的电极涂层。在一些非限制性实例中，提到电极涂层可以表示具有如本文所述的特定组成的涂层。类似地，在本公开中，术语“沉积材料”和“电极涂层材料”可以互换使用以指代类似的概念和本文多处提及的沉积材料。
在本公开中，相关领域的普通技术人员应当理解，有机材料可以包括但不限于多种多样的有机分子和/或有机聚合物。进一步地，相关领域的普通技术人员应当理解，掺杂有各种无机物质(包括但不限于元素和/或无机化合物)的有机材料仍然可以被认为是有机材料。更进一步，相关领域的普通技术人员应当理解，可以使用各种有机材料，并且本文所述的过程通常适用于整个范围的此类有机材料。更进一步，相关领域的普通技术人员应当理解，含有金属和/或其他有机元素的有机材料仍然可以被视为有机材料。仍进一步地，相关领域的普通技术人员应当理解，各种有机材料可以是分子、低聚物和/或聚合物。
在本公开中，半导体材料可以被描述为通常展现出带隙的材料。在一些非限制性实例中，带隙可以形成在半导体材料的最高占据分子轨道(HOMO)与最低未占据分子轨道(LUMO)之间。因此，半导体材料通常展现出小于导电材料(包含但不限于金属)的导电率，但大于绝缘材料(包含但不限于玻璃)的导电率。在一些非限制性实例中，半导体材料可以包括有机半导体材料。在一些非限制性实例中，半导体材料可以包括无机半导体材料。
如本文所用，低聚物通常可以指代包括至少两个单体单元或单体的材料。如本领域技术人员应当理解的，低聚物可以在以下至少一个方面不同于聚合物，包括但不限于：(1)其中包含的单体单元的数量；(2)分子量；以及(3)其他材料特性和/或特征。作为非限制性实例，对聚合物和低聚物的进一步描述可以在以下文献中找到：Naka K.(2014)Monomers,Oligomers,Polymers,and Macromolecules(Overview)，以及Kobayashi S.、Müllen K.(编辑)Encyclopedia of Polymeric Nanomaterials,Springer,Berlin,Heidelberg。
低聚物或聚合物通常可以包括可以化学键合在一起形成分子的单体单元。此类单体单元可以彼此基本相同，使得该分子主要由重复的单体单元形成，或者分子可以包括多个不同的单体单元。此外，该分子可以包括至少一个末端单元，该末端单元可以不同于该分子的单体单元。低聚物或聚合物可以是直链的、支链的、环状的、环状-直链的，和/或交联的。低聚物或聚合物可以包括以重复图案和/或不同单体单元的交替嵌段排列的多个不同的单体单元。
在本公开中，术语“半导电层”可以与“有机层”互换使用，因为OLED装置中的这些层在一些非限制性实例中可以包括有机半导电材料。
在本公开中，无机物质可以指主要包含无机材料的物质。在本公开中，无机材料可以包括不被认为是有机材料的任何材料，包括但不限于金属、玻璃和/或矿物。
在本公开中，术语“光子”和“光”可以互换使用来指代类似的概念。在本公开中，光子可以具有位于可见波谱、红外(IR)区(IR波谱)、近IR区(NIR波谱)、紫外(UV)区(UV波谱)和/或UVA区(UVA波谱)(可以对应于介于约315nm至400nm之间的波长范围)中的波长。
在本公开中，如本文所用的术语“可见波谱”通常是指EM波谱的可见部分中的至少一种波长。
在本公开中，如本文所用的术语“发射波谱”通常是指由光电子装置发射的光的电致发光波谱。作为非限制性实例，发射波谱可以使用光学仪器(作为非限制性实例，诸如分光光度计)来检测，该光学仪器可以测量整个波长范围内的EM辐射的强度。
在本公开中，如本文所用的术语“起始波长”λonset通常可以指代在发射波谱内检测到发射的最低波长。
在本公开中，如本文所用的术语“峰值波长”λmax通常可以指代在发射波谱内检测到最大发光强度的波长。
在一些非限制性实例中，起始波长λonset可能小于峰值波长λmax。在一些非限制性实例中，起始波长λonset可以对应于发光强度不超过峰值波长λmax处的发光强度的约以下百分比时的波长：10％、5％、3％、1％、0.5％、0.1％或0.01％。
如相关领域的普通技术人员应当理解的，这种可见部分可以对应于介于约380nm至740nm之间的任何波长。一般来讲，电致发光装置可以被配置为发射和/或传输波长在介于约425nm至约725nm之间的范围内的光，并且更具体地讲，在一些非限制性实例中，发射和/或传输峰值发射波长λe max为456nm、528nm和624nm的光，这些峰值发射波长分别对应于B(蓝色)子像素、G(绿色)子像素和R(红色)子像素。因此，在此类电致发光装置的语境中，可见部分可以指介于约425nm至725nm之间或介于约456nm至624nm之间的任何波长。在一些非限制性实例中，具有处于可见波谱中的波长的光子在本文中也可以称为“可见光”。
在一些非限制性实例中，位于可见波谱的R(红色)部分中的发射波谱可以由以下峰值波长λmax来表征：该峰值波长可以位于约410nm至640nm的波长范围内，并且在一些非限制性实例中，可以大体上为约620nm。
在一些非限制性实例中，位于可见波谱的G(绿色)部分中的发射波谱可以由以下峰值波长λmax来表征：该峰值波长可以位于约510nm至340nm的波长范围内，并且在一些非限制性实例中，可以大体上为约530nm。
在一些非限制性实例中，位于可见波谱的B(蓝色)部分中的发射波谱可以由以下峰值波长λmax来表征：该峰值波长可以位于约450nm至4941nm的波长范围内，并且在一些非限制性实例中，可以大体上为约455nm。
在本公开中，如本文所用的术语“IR信号”通常可以指代波长在EM波谱的IR子集(IR波谱)中的EM辐射。在一些非限制性实例中，IR信号可以具有对应于其近红外(NIR)子集(NIR波谱)的波长。作为非限制性实例，NIR信号的波长可以介于约750nm至1400nm、750nm至1300nm、800nm至1300nm、800nm至1200nm、850nm至1300nm或900nm至1300nm之间。
在本公开中，如本文所用的术语“吸收波谱”通常可以指代吸收可以在其上集中的EM波谱波长(子)范围。
在本公开中，如本文所用的术语“吸收边缘”、“吸收不连续性”和/或“吸收极限”通常可以指代物质吸收波谱中的急剧不连续性。在一些非限制性实例中，吸收边缘可能倾向于出现在被吸收光子的能量可能对应于电子跃迁和/或电离电势的波长处。
在本公开中，如本文所用的术语“消光系数”通常可以指代穿过材料传播时EM系数衰减到的程度。在一些非限制性实例中，消光系数可以被理解为对应于复折射率N的虚数部分k。在一些非限制性实例中，材料的消光系数k可以通过多种方法测量，包括但不限于通过椭圆光度法。
在本公开中，如本文用于描述介质的术语“折射率”和/或“指数”可以指代根据这种介质中的光速相对于真空中的光速之比计算的值。在本公开中，特别是当用于描述基本上透明的材料(包括但不限于薄膜层和/或涂层)的特性时，这些术语可以对应于表达式N＝n+ik中的实数部分n，其中N可以表示复折射率并且k可以表示消光系数。
如相关领域的普通技术人员应当理解的，基本上透明的材料(包括但不限于薄膜层和/或涂层)通常可以在可见波谱中表现出相对低的k值，因此该表达式的虚数部分对复折射率N的贡献可以忽略不计。在另一方面，例如由金属薄膜形成的光透射电极可以在可见波谱中表现出相对低的n值和相对高的k值。因此，此类薄膜的复折射率N可以主要由其虚数部分k决定。
在本公开中，除非上下文另有规定，否则没有特别地提及折射率可能旨在提及复折射率N的实数部分n。
在一些非限制性实例中，折射率n与透射率之间通常可能存在正相关，或者换句话讲，折射率n与吸收之间通常可能存在负相关。在一些非限制性实例中，物质的吸收边缘可以对应于消光系数k接近0的波长。
应当理解，本文所述的折射率n和/或消光系数k值可以对应于在EM波谱的可见光范围内的波长处测量的此类值。在一些非限制性实例中，折射率n和/或消光系数k值可以对应于在以下波长处测量的值：约456nm，该波长可以对应于B(蓝色)子像素的峰值发射波长；约528nm，该波长可以对应于G(绿色)子像素的峰值发射波长；和/或约624nm，该波长可以对应于R(红色)子像素的峰值发射波长。在一些非限制性实例中，本文所述的折射率n和/或消光系数k值可以对应于在约589nm的波长处测量的值，该波长可以大致对应于Fraunhofer D线。
在本公开中，像素的概念可以结合其至少一个子像素的概念来进行论述。仅为了简化描述，这种复合概念在本文中可以被称为“(子)像素”，除非上下文另有规定，否则这种术语可以被理解为暗示像素和/或其至少一个子像素中的任一者或两者。
在一些非限制性实例中，表面上的材料量的一种量度可以是这种材料对表面的覆盖率百分比。在一些非限制性实例中，表面覆盖率可以使用多种成像技术来评估，包括但不限于TEM、AFM和/或SEM。
在本公开中，术语“颗粒”、“岛”和“簇”可以互换使用以指代类似的概念。
在本公开中，出于简化描述的目的，如本文所用的术语“涂层膜”、“封闭涂层”和/或“封闭涂层”可以指代用于沉积层的沉积材料的以下薄膜结构和/或涂层：其中表面的相关部分可以基本上由此涂覆，使得这种表面可以基本上不会由于或透过沉积在其上的涂层膜暴露。
在本公开中，除非上下文另有规定，否则没有特别地提及薄膜可能旨在提及基本上封闭的涂层。
在一些非限制性实例中，沉积层和/或沉积材料在一些非限制性实例中的封闭涂层可以被设置成覆盖底层表面的一部分，使得在这种部分内，其中底层表面的小于约40％、30％、25％、20％、15％、10％、5％、3％或1％可以由于或透过该封闭涂层暴露。
相关领域的普通技术人员应当理解，可以使用各种技术和过程，包括但不限于本文所述的那些技术和过程来对封闭涂层进行图案化，以在沉积该封闭涂层之后有意地使底层表面的暴露层表面的一部分暴露出来。在本公开中，如果作为非限制性实例，在这种图案化的语境中，在底层表面的暴露层表面的此类有意暴露部分之间沉积的薄膜和/或涂层本身基本上包括封闭涂层，则此类图案化膜仍然可以被认为构成封闭涂层。
相关领域的普通技术人员应当理解，由于沉积过程中的固有可变性，并且在一些非限制性实例中，由于沉积材料以及在一些非限制性实例中沉积材料和底层材料的暴露层表面中的任一者或两者中存在杂质，所以使用各种技术和过程(包括但不限于本文所述的那些技术和过程)沉积薄膜仍然可能导致其中形成小孔，包括但不限于针孔、裂缝和/或裂纹。在本公开中，如果作为非限制性实例，沉积的薄膜和/或涂层基本上包括封闭涂层并且满足陈述的任何指定的覆盖率百分比标准，则尽管存在此类孔，此类薄膜仍然可以被认为构成封闭涂层。
在本公开中，出于简化描述的目的，如本文所用的术语“不连续层”可以指代用于沉积层的材料的以下薄膜结构和/或涂层：其中表面由此涂覆的相关部分既可能基本上不含这种材料，也可能不会形成其封闭涂层。在一些非限制性实例中，沉积材料的不连续层可以表现为设置在这种表面上的多个离散岛。
在本公开中，出于简化描述的目的，将蒸气单体沉积到底层材料的还没有(尚未)达到已形成封闭涂层的阶段的暴露层表面上的结果可以称为“中间阶段层”。在一些非限制性实例中，这种中间阶段层可以反映沉积过程尚未完成，其中这种中间阶段层可以被认为是形成封闭涂层的过渡阶段。在一些非限制性实例中，中间阶段层可以是完成的沉积过程的结果，因此就其本身而言构成了最终形成阶段。
在一些非限制性实例中，中间阶段层相比不连续层可能更类似于薄膜，但是在表面覆盖区域中可能具有孔和/或间隙，包括但不限于至少一个树枝状突出部和/或至少一个树枝状凹陷部。在一些非限制性实例中，这种中间阶段层可以包括沉积材料331的一小部分即1/X单个单层，使得其不形成封闭涂层。
在本公开中，出于简化描述的目的，关于涂层(包括但不限于沉积层)的术语“树枝状”可以指代当在侧向方面中观察时类似于分支结构的特征。在一些非限制性实例中，沉积层可以包括树枝状突出部和/或树枝状凹陷部。在一些非限制性实例中，树枝状突出部可以对应于沉积层的以下部分：该部分表现出包括多个在物理上连接并且基本上向外延伸的短突出部的分支结构。在一些非限制性实例中，树枝状凹陷部可以对应于沉积层中在物理上连接并且基本上向外延伸的间隙、开口和/或未覆盖部分的分支结构。在一些非限制性实例中，树枝状凹陷部可以对应于(包括但不限于)树枝状突出部图案的镜像和/或反转图案。在一些非限制性实例中，树枝状突出部和/或树枝状凹陷部可以具有表现出并且/或者模拟分形图案、网格、网状物和/或交叉指型结构的配置。
在一些非限制性实例中，薄层电阻R可以是某个部件、层和/或部分的可以改变流过这种部件、层和/或部分的电流的特征的特性。在一些非限制性实例中，涂层的薄层电阻通常可以对应于该涂层的特征薄层电阻，该特征薄层电阻是与装置的其他部件、层和/或部分隔离测量和/或测定的。
在本公开中，沉积密度可以指代区域内的分布，在一些非限制性实例中，该区域可以包括其中的沉积材料的面积和/或体积。相关领域的普通技术人员应当理解，这种沉积密度可能与可以包括这种沉积材料的颗粒结构本身内的质量或材料的密度无关。在本公开中，除非上下文另有规定，否则提及沉积密度和/或密度可能旨在提及这种沉积材料(包括但不限于作为至少一个颗粒)在某个区域内的分布。
在一些非限制性实例中，金属的键离解能可以对应于在298K下通过使由该金属的两个相同原子形成的双原子分子的键断裂而测得的标准态焓变。作为非限制性实例，键离解能可以基于已知文献测定，其中已知文献包括但不限于Luo,Yu-Ran,“BondDissociation Energies”(2010)。
不希望受特定理论的束缚，据推测，提供NPC 520可以促进沉积层沉积到某些表面上。
用于形成NPC的合适材料的非限制性实例可以包括但不限于以下中的至少一种：金属，包括但不限于碱金属、碱土金属、过渡金属和/或后过渡金属；金属氟化物、金属氧化物，和/或富勒烯。
此类材料的非限制性实例可以包括Ca、Ag、Mg、Yb、ITO、IZO、ZnO、氟化镱(YbF3)、氟化镁(MgF2)和/或氟化铯(CsF)。
在本公开中，术语“富勒烯”通常可以指代包括碳分子的材料。富勒烯分子的非限制性实例包括碳笼分子，包括但不限于三维骨架，该三维骨架包括形成封闭壳的多个碳原子，并且其形状可以是但不限于球形和/或半球形。在一些非限制性实例中，富勒烯分子可以被指定为Cn，其中n可以是与该富勒烯分子的碳骨架中所包含的若干个碳原子相对应的整数。富勒烯分子的非限制性实例包括Cn，其中n可以在50至250的范围内，诸如但不限于C60、C70、C72、C74、C76、C78、C80、C82和C84。富勒烯分子的另外的非限制性实例包括管状和/或圆柱形的碳分子，包括但不限于单壁碳纳米管和/或多壁碳纳米管。
基于发现和实验观察结果，可以推测，如本文进一步论述的，促进成核材料(包括但不限于富勒烯、金属(包括但不限于Ag和/或Yb)和/或金属氧化物(包括但不限于ITO和/或IZO))可以充当用于沉积出沉积层(包括但不限于Mg)的成核位点。
在一些非限制性实例中，用于形成NPC 520的合适材料可以包括表现出或被表征为对沉积层材料具有至少为约以下值的初始粘附概率S0的那些材料：0.4、0.5、0.6、0.7、0.75、0.8、0.9、0.93、0.95、0.98或0.99。
作为非限制性实例，在非限制性地使用蒸发过程在经富勒烯处理过的表面上沉积Mg的情形下，在一些非限制性实例中，富勒烯分子可以充当成核位点，这些成核位点能够促进用于Mg沉积的稳定核形成。
在一些非限制性实例中，可以在经处理的表面上提供少于单层的NPC 520(包含但不限于富勒烯)以充当用于Mg沉积的成核位点。
在一些非限制性实例中，通过在表面上沉积若干个单层的NPC 520来处理表面可以产生更多数量的成核位点，因此产生更高的初始粘附概率S0。
相关领域的普通技术人员应当理解，沉积在表面上的材料(包括但不限于富勒烯)的量可以多于或少于一个单层。作为非限制性实例，可以通过沉积0.1个、1个、10个或更多个单层的促进成核材料和/或抑制成核材料来处理这种表面。
在一些非限制性实例中，沉积在底层材料的暴露层表面上的NPC 520的厚度可以介于约以下值之间：1nm至5nm，或1nm至3nm。
在可以根据马库什组描述本公开的特征或方面的情况下，相关领域的普通技术人员应当理解，本公开因此也可以根据这种马库什组成员子组的任何单个成员来描述。
术语
除非另外指明，否则提及单数形式可以包括复数形式，反之亦然。
如本文所用，诸如“第一”和“第二”之类的关系术语以及诸如“a”、“b”等编号装置可以单独用于将一个实体或元件与另一实体或元件区分开，而不必要求或暗示此类实体或元件之间的任何物理或逻辑关系或顺序。
术语“包括”和“包含”可以被广泛地以开放式方式使用，因此应当被解释为意味着“包括但不限于”。术语“实例”和“示例性”可以仅用于识别实例以用于说明目的，并且不应被解释为将本发明的范围限于所陈述的情况。特别地，术语“示例性”不应被解释为表示或赋予与其一起使用的表述任何称赞、有益或其他品质，无论是在设计、性能方面，还是在其他方面。
另外，术语“临界”，尤其是当用于表述“临界核”、“临界成核速率”、“临界浓度”、“临界簇”、“临界单体”、“临界颗粒结构尺寸”和/或“临界表面张力”中时，可以是相关领域的普通技术人员熟悉的术语，包括涉及或处于某一质量、特性或现象经历了明确变化的测量点状态。因此，术语“临界”不应被解释为表示或赋予与其一起使用的表述任何显著性或重要性，无论是在设计、性能方面，还是在其他方面。
任何形式的术语“耦接”和“连通”可以旨在表示通过某种接口、装置、中间部件或连接实现的直接连接或间接连接，无论是以光学、电气、机械、化学方式实现，还是以其他方式实现。
术语“在……上”或“在……之上”当用于相对于另一部件提及第一部件，并且/或者用于提及第一部件“覆盖”另一部件和/或“覆盖”另一部件的第一部件时，可以涵盖第一部件直接在(包括但不限于发生物理接触)该另一部件上的情况，以及至少一个中间部件定位在第一部件与该另一部件之间的情况。
除非另外指明，否则诸如“向上”、“向下”、“左”和“右”之类的方向术语可以用于指代所参考的附图中的方向。类似地，诸如“向内”和“向外”之类的词语可以用于分别指代朝向和背离装置、区域或体积或者它们的指定部分的几何中心的方向。此外，本文所描述的所有尺寸均可以仅旨在作为用于说明某些实施方案的目的的实例，并且可能并不旨在将本公开的范围限于可能偏离可以指定的此类尺寸的任何实施方案。
如本文所用，术语“基本上”、“基本”、“大约”和/或“约”可以用于表示和解释小的变化。当与某个事件或情形结合使用时，此类术语可以指代该事件或情形精确发生的情况，以及该事件或情形非常接近地发生的情况。作为非限制性实例，当与某个数值结合使用时，此类术语可以指代不超过这种数值的约±10％(诸如不超过：±5％、±4％、±3％、±2％、±1％、±0.5％、±0.1％或±0.05％)的变化范围。
如本文所用，短语“基本上由……组成”可以理解为包括具体叙述的那些元件以及不会实质性影响所描述技术的基本特性和新颖特性的任何附加的元件，而在不使用任何修饰语的情况下，短语“由……组成”可以不包括任何未明确叙述的元件。
如相关领域的普通技术人员应当理解的，出于任何和所有目的，特别是在提供书面说明方面，本文所公开的所有范围还可以涵盖任何和所有可能的子范围，以及/或者其子范围的组合。任何列举的范围都可以很容易地被识别为充分描述并且/或者能够将相同的范围至少分解成其相等的多个部分，包括但不限于两等份、三等份、四等份、五等份、十等份等等。作为非限制性实例，本文所论述的每个范围均可以容易地分解为下三分之一、中三分之一和/或上三分之一等等。
如相关领域的普通技术人员还应当理解的，诸如“至多”、“至少”、“大于”、“小于”等所有用语和/或术语可以包括和/或指代所叙述的范围并且还可以指代随后可以分解成如本文所论述的子范围的范围。
如相关领域的普通技术人员应当理解的，范围可以包括所叙述范围的每个单独成员。
一般说明
摘要的目的是使相关专利局或一般公众，以及特别是不熟悉专利或法律术语或用语的本领域普通技术人员能够通过粗略检查快速确定技术公开的性质。摘要既不旨在限定本公开的范围，也不旨在以任何方式限制本公开的范围。
上文已经讨论了当前公开的实例的结构、制造和使用。所讨论的具体实例仅是对实现和使用本文所公开的概念的具体方式的说明，并且不限制本公开的范围。相反，本文阐述的一般原理仅仅是对本公开范围的说明。
应当理解，本公开由权利要求而不是由所提供的实施方式细节描述，并且可以通过改变、省略、添加或替换以及/或者不存在任何要素和/或限制进行修改，替代方案和/或等效功能要素(无论是否在本文中具体公开)对于相关领域的普通技术人员来说将是显而易见的、可以施用于本文所公开的实施例，并且可以提供许多适用的发明构思，这些发明构思可以体现在多种多样的特定语境中，而不会偏离本公开的主题。
特别地，在上文所述实施例中的至少一个实施例中描述和展示的特征、技术、系统、子系统和方法，无论是否被描述和展示为离散的或分开的，在不脱离本公开范围的情况下都可以组合或集成到另一个系统中，以创建由上文可能未明确描述的特征的组合或子组合构成的替代实施例，或者某些特征可以被省略，或未实施。对于本领域技术人员来说，在将本申请作为整体阅读后，适用于此类组合与子组合的特征将是显而易见的。改变、替换和变更的其它实例是可容易确定的，并且可以在不脱离本文公开的精神和范围的情况下做出。
本文叙述本公开的原理、方面和实施例以及其具体实施例的所有陈述均旨在涵盖其结构等效物和功能等效物两者，并且覆盖并包含所有合适的技术变化。此外，此类等效物旨在包括当前已知的等效物以及未来开发的等效物两者，即，所开发的执行相同功能的任何元件，而不考虑结构。
条款
本公开包括但不限于以下条款：
1.一种光电子装置，其包含为含氟磷腈化合物的化合物。
2.根据条款1所述的装置，其中所述化合物包含链部分，所述链部分包含主链和附接到主链上的氟(F)原子。
3.根据条款2所述的装置，其中所述主链为含碳主链。
4.根据条款2或3所述的装置，其中所述链部分包含中间部分。
5.根据条款4所述的装置，其中所述中间部分包含以下中的至少一种：氧(O)、醚、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基、未取代的氟代亚烷基、取代的亚环烷基、未取代的亚环烷基、取代的亚杂芳基和未取代的亚杂芳基。
6.根据条款4或5所述的装置，其中所述中间部分包含氟(F)原子。
7.根据条款4至6中任一项所述的装置，其中所述中间部分包含氟代亚烷基单元。
8.根据条款4至7中任一项所述的装置，其中所述中间部分包含CF2单元。
9.根据条款4至8中任一项所述的装置，其中所述中间部分包含CHF单元。
10.根据条款4至9中任一项所述的装置，其中所述中间部分包含CH2单元。
11.根据条款4至10中任一项所述的装置，其中所述中间部分包含饱和键。
12.根据条款4至11中任一项所述的装置，其中所述中间部分包含以下中的至少一种：氧(O)、醚、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基和未取代的氟代亚烷基。
13.根据条款4至12中任一项所述的装置，其中所述中间部分是饱和部分。
14.根据条款4至13中任一项所述的装置，其中所述中间部分包含多达15个碳原子。
15.根据条款4至14中任一项所述的装置，其中所述中间部分由下式表示：
其中：
X各自独立地为氢(H)、氘代(D)、氟(F)或CF3；
a为介于0与6之间的整数；
b为介于0与12之间的整数；并且
a和b之和不超过15。
16.根据条款2至15中任一项所述的装置，其中所述链部分包含与中间部分键合的末端部分，所述末端部分布置在链部分的末端部处。
17.根据条款16所述的装置，其中所述末端部分包含氟(F)原子。
18.根据条款16或17所述的装置，其中所述末端部分包含以下中的至少一种：支链烷基、非支链烷基、支链氟烷基、非支链氟烷基、氟取代的杂环烷基、支链氟烷氧基、非支链氟烷氧基、氟芳基、多氟硫烷基和氟环烷基。
19.根据条款16至18中任一项所述的装置，其中所述末端部分包含氟(F)和氢(H)。
20.根据条款16至19中任一项所述的装置，其中所述末端部分包含CF2H单元。
21.根据条款16至20中任一项所述的装置，其中所述末端部分由式(EC-1)、式(EC-2)、式(EC-3)、式(EC-4)、式(EC-5)、式(EC-6)和式(EC-7)中的至少一者表示：
22.根据条款2至21中任一项所述的装置，其中所述化合物包含附接到链部分的核心部分。
23.根据条款22所述的装置，其中所述链部分包含适用于将所述链部分附接到核心部分的接头部分。
24.根据条款23所述的装置，其中所述接头部分包含以下中的至少一种：氧(O)、氮(N)、硫(S)、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基、未取代的氟代亚烷基、取代的亚环烷基、未取代的亚环烷基、取代的亚芳基、未取代的亚芳基、取代的亚杂芳基和未取代的亚杂芳基。
25.根据条款23或24所述的装置，其中所述接头部分包含以下中的至少一种：氧(O)、氮(N)、硫(S)、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基和未取代的氟代亚烷基。
26.根据条款23至25中任一项所述的装置，其中所述接头部分由式(EA-1)、式(EA-2)、式(EA-3)、式(EA-4)、式(EA-5)和式(EA-6)中的至少一者表示：
其中：
RH选自以下中的至少一种：氢(H)、氘代(D)、CF3、支链烷基、非支链烷基、支链氟烷基、非支链氟烷基、氟取代的杂环烷基、支链氟烷氧基、非支链氟烷氧基、氟芳基、多氟硫烷基和氟环烷基。
27.根据条款22至26中任一项所述的装置，其中所述核心部分包含磷腈单元。
28.根据条款27所述的装置，其中所述链部分附接到磷腈单元的磷(P)原子。
29.根据条款22至28中任一项所述的装置，其中所述核心部分包含环磷腈。
30.根据条款29所述的装置，其中所述环磷腈由多个磷腈单元提供。
31.根据条款29或30所述的装置，其中所述环磷腈由选自3个和4个的多个磷腈单元提供。
32.根据条款2至31中任一项所述的装置，其中所述链部分包含附接到至少三个部分的分支部分，所述至少三个部分选自：中间部分、末端部分和接头部分。
33.根据条款32所述的装置，其中所述分支部分包含以下中的至少一种：氮(N)、胺、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基、未取代的氟代亚烷基、取代的亚环烷基、未取代的亚环烷基、取代的亚环杂烷基、未取代的亚环杂烷基、取代的亚芳基、未取代的亚芳基、取代的亚杂芳基和未取代的亚杂芳基。
34.根据条款32或33所述的装置，其中所述分支部分包含以下中的至少一种：氮(N)、胺、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基和未取代的氟代亚烷基。
35.根据条款1至34中任一项所述的装置，其中所述化合物基本上不吸收电磁波谱可见光部分中的波长处的光。
36.根据条款1至35中任一项所述的装置，其中所述化合物在电磁波谱可见光部分中的波长处基本上不表现出光致发光。
37.根据条款1至36中任一项所述的装置，其中所述化合物具有超过约以下中的至少一者的光隙：3.4eV、3.5eV、4.1eV、5eV和6.2eV。
38.根据条款1至37中任一项所述的装置，其中所述化合物具有超过约100℃的熔融温度。
39.根据条款1至38中任一项所述的装置，其中所述化合物具有超过约100℃的升华温度。
40.根据条款1至39中任一项所述的装置，其中所述化合物具有小于约以下中的至少一者的特征表面能：25达因/厘米、21达因/厘米、20达因/厘米、19达因/厘米、18达因/厘米、17达因/厘米、16达因/厘米、15达因/厘米、14达因/厘米、13达因/厘米、12达因/厘米、11达因/厘米和10达因/厘米。
41.根据条款1至40中任一项所述的装置，其中所述化合物具有不超过约以下中的至少一者的折射率：1.5、1.45、1.4、1.35、1.3和1.25。
42.根据条款1至41中任一项所述的装置，还包括第一电极和第二电极，以及有源区域，所述有源区域包括至少一个半导电层，在横向方面由这些电极界定，并且在侧向方面局限到由这些电极限定的发射区域，其中所述有源区域基本上不含所述化合物。
43.根据条款42所述的装置，还包括：包含所述化合物的图案化涂层，所述图案化涂层在所述装置的侧向方面的第一部分中设置在底层的第一层表面上；以及由沉积材料组成的沉积层，所述沉积层设置在第二层表面上；其中第一部分基本上不含沉积材料的封闭涂层。
44.根据条款43所述的装置，其中所述第一部分不包括发射区域的侧向方面。
45.根据条款43或44所述的装置，其中所述第二电极包括沉积层的至少一部分作为其层。
46.根据条款43所述的装置，其中所述第一部分包括发射区域的侧向方面。
47.根据条款46所述的装置，还包括辅助电极，所述辅助电极包括沉积层作为其层。
48.根据条款43至45中任一项所述的装置，还包括与第二电极电耦接的导体。
49.一种包含化合物的光电子装置，所述化合物包含具有CF2H单元的末端部分。
50.根据条款49所述的装置，其中所述化合物包含链部分，其中末端部分布置在链部分的末端部处。
51.根据条款49或50所述的装置，其中所述链部分包含主链和附接到主链上的氟(F)原子。
52.根据条款51所述的装置，其中所述主链为含碳主链。
53.根据条款50至52中任一项所述的装置，其中所述链部分包含附接到末端部分的中间部分。
54.根据条款53所述的装置，其中所述中间部分包含以下中的至少一种：氧(O)、醚、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基、未取代的氟代亚烷基、取代的亚环烷基、未取代的亚环烷基、取代的亚杂芳基和未取代的亚杂芳基。
55.根据条款53或54所述的装置，其中所述中间部分包含氟(F)原子。
56.根据条款53至55中任一项所述的装置，其中所述中间部分包含CF2单元。
57.根据条款53至56中任一项所述的装置，其中所述中间部分包含CH2单元。
58.根据条款53至57中任一项所述的装置，其中所述中间部分包含氟代亚烷基单元。
59.根据条款57至58中任一项所述的装置，其中所述化合物包含附接到链部分的核心部分。
60.根据条款59所述的装置，其中所述链部分包含适用于将所述链部分附接到核心部分的接头部分。
61.根据条款60所述的装置，其中所述接头部分包含以下中的至少一种：氧(O)、氮(N)、硫(S)、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基、未取代的氟代亚烷基、取代的亚环烷基、未取代的亚环烷基、取代的亚芳基、未取代的亚芳基、取代的亚杂芳基和未取代的亚杂芳基。
62.根据条款59至61中任一项所述的装置，其中所述核心部分包含磷腈单元。
63.根据条款62所述的装置，其中所述链部分附接到磷腈单元的磷(P)原子。
64.根据条款59至63中任一项所述的装置，其中所述核心部分包含环磷腈。
65.根据条款64所述的装置，其中所述环磷腈由多个磷腈单元提供。
66.根据条款64或65所述的装置，其中所述环磷腈由选自3个和4个的多个磷腈单元提供。
67.根据条款59至66中任一项所述的装置，其中对链部分作出选择，使得所述链部分的通过裂解接头部分与核心部分之间的键并将氢(H)原子附接到裂解的接头部分而衍生的等效前体形式具有超过约60℃的熔融温度。
68.根据条款57至67中任一项所述的装置，其中所述链部分包含附接到至少三个部分的分支部分，所述至少三个部分选自：中间部分、末端部分和接头部分。
69.根据条款68所述的装置，其中所述分支部分包含以下中的至少一种：氮(N)、胺、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基、未取代的氟代亚烷基、取代的亚环烷基、未取代的亚环烷基、取代的亚环杂烷基、未取代的亚环杂烷基、取代的亚芳基、未取代的亚芳基、取代的亚杂芳基和未取代的亚杂芳基。
70.根据条款49至69中任一项所述的装置，其中所述化合物基本上不吸收电磁波谱可见光部分中的波长处的光。
71.根据条款49至70中任一项所述的装置，其中所述化合物在电磁波谱可见光部分中的波长处基本上不表现出光致发光。
72.根据条款49至71中任一项所述的装置，其中所述化合物具有超过约以下中的至少一者的光隙：3.4eV、3.5eV、4.1eV、5eV和6.2eV。
73.根据条款49至72中任一项所述的装置，其中所述化合物具有超过约100℃的熔融温度。
74.根据条款49至73中任一项所述的装置，其中所述化合物具有超过约100℃的升华温度。
75.根据条款49至74中任一项所述的装置，其中所述化合物具有小于约以下中的至少一者的特征表面能：25达因/厘米、21达因/厘米、20达因/厘米、19达因/厘米、18达因/厘米、17达因/厘米、16达因/厘米、15达因/厘米、14达因/厘米、13达因/厘米、12达因/厘米、11达因/厘米和10达因/厘米。
76.根据条款49至75中任一项所述的装置，其中所述化合物具有不超过约以下中的至少一者的折射率：1.5、1.45、1.4、1.35、1.3和1.25。
77.根据条款50至76中任一项所述的装置，其中所述化合物包含多个链部分。
78.根据条款77所述的装置，其中所述多个链部分中的第一个链部分独立地选自多个链部分中的另一个链部分。
79.根据条款77或78所述的装置，其中所述多个链部分中的每个链部分是相同的。
80.根据条款77至79中任一项所述的装置，其中所述多个链部分的摩尔质量之和超过化合物摩尔质量的约90％。
81.根据条款77至80中任一项所述的装置，其中所述多个链部分的摩尔质量之和超过核心部分摩尔质量的约10倍。
82.根据条款50至81中任一项所述的装置，其中所述链部分不含长于以下中的至少一者的连续全氟化单元：8个、7个和6个碳(C)原子。
83.根据条款49至82中任一项所述的装置，还包括第一电极和第二电极，以及有源区域，所述有源区域包括至少一个半导电层，在横向方面由这些电极界定，并且在侧向方面局限到由这些电极限定的发射区域，其中所述有源区域基本上不含所述化合物。
84.根据条款83所述的装置，还包括：包含所述化合物的图案化涂层，所述图案化涂层在所述装置的侧向方面的第一部分中设置在底层的第一层表面上；以及由沉积材料组成的沉积层，所述沉积层设置在第二层表面上；其中第一部分基本上不含沉积材料的封闭涂层。
85.根据条款84所述的装置，其中所述第一部分不包括发射区域的侧向方面。
86.根据条款84或85所述的装置，其中所述第二电极包括沉积层的至少一部分作为其层。
87.根据条款84所述的装置，其中所述第一部分包括发射区域的侧向方面。
88.根据条款87所述的装置，还包括辅助电极，所述辅助电极包括沉积层作为其层。
89.根据条款86至88中任一项所述的装置，还包括与第二电极电耦接的导体。
90.一种包含第一链部分和第二链部分的磷腈衍生化合物，每个链部分均包含主链和附接到主链上的氟(F)原子，其中所述第一链部分不同于所述第二链部分。
91.根据条款90所述的化合物，其中所述第一链部分和所述第二链部分中的每个链部分的摩尔质量为约200g/mol至约900g/mol。
92.根据条款91所述的化合物，其中所述第一链部分的摩尔质量与所述第二链部分的摩尔质量之间的差值小于约500g/mol。
93.根据条款90至92中任一项所述的化合物，其中等张比容(P)与所述第一链部分和所述第二链部分中的每个链部分的摩尔体积(V)之商(P/V)小于约以下中的至少一者：3、2.5、2、1.8、1.6和1.5。
94.根据条款90至93中任一项所述的化合物，还包含磷腈单元，其中所述第一链部分和所述第二链部分中的每一者附接到所述磷腈单元的磷(P)原子。
95.根据条款94所述的化合物，其中所述第一链部分和所述第二链部分附接到共同的磷(P)原子。
96.根据条款94至95中任一项所述的化合物，其中所述第一链部分和所述第二链部分中的至少一者包括CF2单元、CH2单元和氟代亚烷基单元中的至少一者。
97.根据条款90至96中任一项所述的化合物，其中包含在所述第一链部分中的碳(C)原子数与包含在所述第二链部分中的碳原子数相差约1至8个C原子、1至6个C原子、2至6个C原子、2至4个C原子、2至3个C原子或1至3个C原子。
98.根据条款90至97中任一项所述的化合物，其中包含在所述第一链部分中的氟(F)原子数与包含在所述第二链部分中的氟原子数相差约1至16个F原子、1至12个F原子、2至12个F原子、4至12个F原子、4至8个F原子、4至6个F原子或2至6个F原子。
99.根据条款90至98中任一项所述的化合物，其中所述化合物由下式表示：
其中：
A表示介于3与5之间的整数；
R1表示第一链部分；
B表示介于1与9之间的整数；
R2表示第二链部分；
C表示1至9的整数；并且
B和C之和不超过A值的两倍。
100.根据条款90至99中任一项所述的化合物，其中所述第一链部分由下式表示：
*-O-(CH2)t(CF2)uZ
其中：
t表示介于1与3之间的整数；
u表示介于5与12之间的整数；并且
Z表示氢(H)、氘代(D)或氟(F)。
101.根据条款90至100中任一项所述的化合物，其中所述第二链部分由下式表示：
*-○-(CH2)v(CF2)wZ
其中：
v表示介于1与3之间的整数；
w表示介于5与12之间的整数；并且
Z表示氢(H)、氘代(D)或氟(F)。
102.根据条款90至101中任一项所述的化合物，其中所述化合物由式(X)表示：
其中：
t和v各自表示介于1与3之间的整数；
u和w各自表示介于5与12之间的整数；
y表示介于2与6之间的整数；并且
Z单独表示氢(H)、氘代(D)或氟(F)。
103.根据条款102所述的化合物，其中u和w的值不同。
104.根据条款102或103所述的化合物，其中t和v均为1。
105.根据条款102至104中任一项所述的化合物，其中y为3或4。
106.根据条款102至105中任一项所述的化合物，其中u为8。
107.根据条款102至106中任一项所述的化合物，其中w为10。
108.一种包含根据式(PX-1)的部分的化合物：
其中：
R1和R2各自独立地表示以下中的至少一种：取代的烷基、未取代的烷基、取代的烷氧基、未取代的烷氧基，以及包含主链和附接到所述主链上的氟(F)原子的链部分；并且
R1和R2是不同的。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC包含NIC材料。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC包含条款90至108中任一项所述的化合物。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中抵抗沉积材料沉积在NIC上的初始粘附概率小于抵抗沉积材料沉积在暴露层表面上的初始粘附概率。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC基本上不含沉积材料的封闭涂层。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC和NIC材料中的至少一者具有小于约以下值中的至少一者的抵抗沉积材料沉积的初始粘附概率：0.9、0.3、0.2、0.15、0.1、0.08、0.05、0.03、0.02、0.01、0.008、0.005、0.003、0.001、0.0008、0.0005、0.0003和0.0001。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC和NIC材料中的至少一者具有小于约以下值中的至少一者的抵抗银(Ag)和镁(Mg)中的至少一者沉积的初始粘附概率：0.9、0.3、0.2、0.15、0.1、0.08、0.05、0.03、0.02、0.01、0.008、0.005、0.003、0.001、0.0008、0.0005、0.0003和0.0001。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC和NIC材料中的至少一者具有在以下至少一个范围内的抵抗沉积材料沉积的初始粘附概率，这些范围介于约以下值之间：0.15至0.0001、0.1至0.0003、0.08至0.0005、0.08至0.0008、0.05至0.001、0.03至0.0001、0.03至0.0003、0.03至0.0005、0.03至0.0008、0.03至0.001、0.03至0.005、0.03至0.008、0.03至0.01、0.02至0.0001、0.02至0.0003、0.02至0.0005、0.02至0.0008、0.02至0.001、0.02至0.005、0.02至0.008、0.02至0.01、0.01至0.0001、0.01至0.0003、0.01至0.0005、0.01至0.0008、0.01至0.001、0.01至0.005、0.01至0.008、0.008至0.0001、0.008至0.0003、0.008至0.0005、0.008至0.0008、0.008至0.001、0.008至0.005、0.005至0.0001、0.005至0.0003、0.005至0.0005、0.005至0.0008，以及0.005至0.001。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC和NIC材料中的至少一者具有小于阈值的抵抗至少一种沉积材料沉积的初始粘附概率，所述阈值为约以下值中的至少一者：0.3、0.2、0.18、0.15、0.13、0.1、0.08、0.05、0.03、0.02、0.01、0.008、0.005、0.003和0.001。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC和NIC材料中的至少一者具有小于阈值的抵抗以下中的至少一者沉积的初始粘附概率：Ag、Mg、镱(Yb)、镉(Cd)和锌(Zn)。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中阈值具有抵抗第一沉积材料沉积的第一阈值和抵抗第二沉积材料沉积的第二阈值。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中所述第一沉积材料为Ag，并且所述第二沉积材料为Mg。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中所述第一沉积材料为Ag，并且所述第二沉积材料为Yb。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中所述第一沉积材料为Yb，并且所述第二沉积材料为Mg。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中所述第一阈值超过第二阈值。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC和NIC材料中的至少一者对于波长超过约以下中的至少一者的光子具有小于约0.01的消光系数：600nm、500nm、460nm、420nm和410nm。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC具有用于沉积材料的至少一个成核位点。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC补充有充当沉积材料的成核位点的晶种材料。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中晶种材料包括以下中的至少一种：促进成核涂层(NPC)材料、有机材料、多环芳族化合物，以及包含选自氧(O)、硫(S)、氮(N)和碳(C)中的至少一者的非金属元素的材料。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC充当光学涂层。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC改变由装置发射的EM辐射的特性和特征中的至少一种。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC包含晶态材料。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC作为非晶态材料沉积，并且在沉积后结晶。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积层包括沉积材料。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积材料包含选自以下中的至少一者的元素：钾(K)、钠(Na)、锂(Li)、钡(Ba)、铯(Cs)、镱(Yb)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)和钇(Y)。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积材料包括纯金属。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积材料选自纯Ag和基本上纯Ag中的至少一者。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中基本上纯Ag具有至少约95％、99％、99.9％、99.99％、99.999％和99.9995％的纯度。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积材料选自纯Mg和基本上纯Mg中的至少一者。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中基本上纯Mg具有至少约95％、99％、99.9％、99.99％、99.999％或99.9995％的纯度。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积材料包括合金。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积材料包括以下中的至少一种：含Ag合金、含Mg合金和含AgMg合金。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中含AgMg合金具有按体积计在1:10(Ag:Mg)至约10:1范围内的合金组成。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积材料包含至少一种Ag之外的金属。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积材料包括银与至少一种金属的合金。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一种金属选自Mg和Yb中的至少一者。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中合金是具有介于约5体积％的Ag至95体积％的Ag之间的组成的二元合金。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中合金包括Yb:Ag合金，其具有按体积计介于约1:20至10:1之间的组成。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积材料包括Mg:Yb合金。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积材料包括Ag:Mg:Yb合金。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积层包含至少一种附加的元素。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一种附加的元素是非金属元素。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中非金属元素选自O、S、N和C中的至少一者。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中非金属元素的浓度小于约：1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％和0.0000001％。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积层具有其中O和C的结合量小于约以下值的组成：10％、5％、1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％和0.0000001％。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中非金属元素充当沉积材料在NIC上的成核位点。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积材料和底层包含共同的金属。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积层包括沉积材料的多个层。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中所述多个层中的第一层的沉积材料不同于所述多个层中的第二层的沉积材料。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积层包括多层涂层。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中多层涂层是以下中的至少一种：Yb/Ag、Yb/Mg、Yb/Mg:Ag、Yb/Yb:Ag、Yb/Ag/Mg和Yb/Mg/Ag。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积材料包含键离解能不超过约以下值的金属：300kJ/mol、200kJ/mol、165kJ/mol、150kJ/mol、100kJ/mol、50kJ/mol和20kJ/mol。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积材料包含电负性不超过约以下值的金属：1.4、1.3和1.2。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积层的薄层电阻不超过约：10Ω/□、5Ω/□、1Ω/□、0.5Ω/□、0.2Ω/□和0.1Ω/□。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积层以一定图案设置，所述图案由其中的至少一个基本上不含所述沉积层的封闭涂层的区域限定。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一个区域将沉积层分离成其多个离散片段。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少两个离散片段电耦接。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC具有由NIC边缘限定的边界。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC包括至少一个NIC过渡区域和一个NIC非过渡部分。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一个NIC过渡区域从最大厚度过渡到减小的厚度。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一个NIC过渡区域在NIC非过渡部分与NIC边缘之间延伸。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC在NIC非过渡部分中的平均膜厚度在以下至少一个范围内，这些范围介于约以下值之间：1nm至100nm、2nm至50nm、3nm至30nm、4nm至20nm、5nm至15nm、5nm至10nm，以及1nm至10nm。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC在NIC非过渡部分中的厚度处于NIC平均膜厚度的约以下值中的至少一者内：95％和90％。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中平均膜厚度小于约以下值中的至少一者：80nm、60nm、50nm、40nm、30nm、20nm、15nm和10nm。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中平均膜厚度超过约以下值中的至少一者：3nm、5nm和8nm。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中平均膜厚度小于约10nm。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC在NIC过渡区域内具有从最大值减小到最小值的NIC厚度。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中最大值在NIC过渡区域与NIC非过渡部分之间的边界附近。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中最大值是平均膜厚度的为约以下值中的至少一者的百分比：100％、95％和90％。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中最小值在NIC边缘附近。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中最小值在介于约0至0.1nm之间的范围内。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC厚度的轮廓是以下中的至少一种：倾斜的、锥形的，以及由梯度限定的。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中锥形轮廓遵循以下中的至少一种：线性轮廓、非线性轮廓、抛物线轮廓和指数衰减轮廓。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沿NIC非过渡区域的横轴的非过渡宽度超过沿NIC过渡部分的横轴的过渡宽度。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中非过渡宽度与过渡宽度之商是至少约以下值中的至少一者：5、10、20、50、100、500、1,000、1,500、5,000、10,000、50,000或100,000。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中非过渡宽度和过渡宽度中的至少一者超过底层的平均膜厚度。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中非过渡宽度和过渡宽度中的至少一者超过NIC的平均膜厚度。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中底层的平均膜厚度超过NIC的平均膜厚度。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积层具有由沉积层边缘限定的边界。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积层包括至少一个沉积层过渡区域和一个沉积层非过渡部分。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一个沉积层过渡区域从最大厚度过渡到减小的厚度。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一个沉积层过渡区域在沉积层非过渡部分与沉积层边缘之间延伸。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积层在沉积层非过渡部分中的平均膜厚度在以下至少一个范围内，这些范围介于约以下值之间：1nm至500nm、5nm至200nm、5nm至40nm、10nm至30nm，以及10nm至100nm。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中平均膜厚度超过约以下值中的至少一者：10nm、50nm和100nm。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中平均膜厚度在其上基本上恒定。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中平均膜厚度超过底层的平均膜厚度。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积层的平均膜厚度与底层的平均膜厚度之商是至少约以下值中的至少一者：1.5、2、5、10、20、50和100。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中所述商在以下至少一个范围内，这些范围介于约以下值之间：0.1至10，以及0.2至40。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积层的平均膜厚度超过NIC的平均膜厚度。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积层的平均膜厚度与NIC的平均膜厚度之商是至少约以下值中的至少一者：1.5、2、5、10、20、50和100。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中所述商在以下至少一个范围内，这些范围介于约以下值之间：0.2至10，以及0.5至40。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沿沉积层非过渡区域的横轴的沉积层非过渡宽度超过沿NIC非过渡区域的横轴的NIC非过渡宽度。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC非过渡宽度与沉积层非过渡宽度之商在以下至少一个范围内，这些范围介于约以下值之间：0.1至10、0.2至5、0.3至3，以及0.4至2。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积层非过渡宽度与NIC非过渡宽度之商是至少以下值中的至少一者：1、2、3和4。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积层非过渡宽度超过沉积层的平均膜厚度。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积层非过渡宽度与平均膜厚度之商是至少约以下值中的至少一者：10、50、100和500。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中所述商小于约100,000。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积层在沉积层过渡区域内具有从最大值减小到最小值的沉积层厚度。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中最大值在沉积层过渡区域与沉积层非过渡部分之间的边界附近。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中最大值是平均膜厚度。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中最小值在沉积层边缘附近。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中最小值在介于约0至0.1nm之间的范围内。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中最小值是平均膜厚度。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积层厚度的轮廓是以下中的至少一种：倾斜的、锥形的，以及由梯度限定的。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中锥形轮廓遵循以下中的至少一种：线性轮廓、非线性轮廓、抛物线轮廓和指数衰减轮廓。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积层在沉积层过渡区域的至少一部分中包括不连续层。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中沉积层在重叠部分中与NIC重叠。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中NIC在重叠部分中与沉积层重叠。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，还包括至少一个设置在底层的暴露层表面上的颗粒结构。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中底层是NIC。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一个颗粒结构包括颗粒结构材料。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中颗粒结构材料与沉积材料相同。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中颗粒结构材料、沉积材料和组成底层的材料中的至少两者包含共同的金属。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中颗粒结构材料包含选自以下中的至少一者的元素：钾(K)、钠(Na)、锂(Li)、钡(Ba)、铯(Cs)、镱(Yb)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)和钇(Y)。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中颗粒结构材料包括纯金属。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中颗粒结构材料选自纯Ag和基本上纯Ag中的至少一者。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中基本上纯Ag具有至少约95％、99％、99.9％、99.99％、99.999％和99.9995％的纯度。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中颗粒结构材料选自纯Mg和基本上纯Mg中的至少一者。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中基本上纯Mg具有至少约95％、99％、99.9％、99.99％、99.999％或99.9995％的纯度。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中颗粒结构材料包括合金。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中颗粒结构材料包括以下中的至少一种：含Ag合金、含Mg合金和含AgMg合金。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中含AgMg合金具有按体积计在1:10(Ag:Mg)至约10:1范围内的合金组成。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中颗粒结构材料包含至少一种Ag之外的金属。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中颗粒结构材料包括银与至少一种金属的合金。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一种金属选自Mg和Yb中的至少一者。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中合金是具有介于约5体积％的Ag至95体积％的Ag之间的组成的二元合金。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中合金包括Yb:Ag合金，其具有按体积计介于约1:20至10:1之间的组成。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中颗粒结构材料包括Mg:Yb合金。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中颗粒结构材料包括Ag:Mg:Yb合金。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一个颗粒结构包含至少一种附加的元素。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一种附加的元素是非金属元素。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中非金属元素选自O、S、N和C中的至少一者。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中非金属元素的浓度小于约：1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％和0.0000001％。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一个颗粒结构具有其中O和C的结合量小于约以下值的组成：10％、5％、1％、0.1％、0.01％、0.001％、0.0001％、0.00001％、0.000001％和0.0000001％。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一个颗粒设置在NIC与装置中的至少一个覆盖层之间的界面处。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一个颗粒与NIC的暴露层表面发生物理接触。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一个颗粒结构影响装置的至少一种光学特性。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一种光学特性通过选择至少一个颗粒结构的选自以下中的至少一者的至少一种特性来控制：特征尺寸、尺寸分布、形状、表面覆盖率、构造、沉积密度和分散度。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一个颗粒结构的至少一种特性通过选择以下中的至少一者来控制：NIC材料的至少一种特性、NIC的平均膜厚度、NIC中的至少一种非均质性，以及NIC的沉积环境，所述沉积环境选自温度、压力、持续时间、沉积速率和沉积过程中的至少一者。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一个颗粒结构的至少一种特性通过选择以下中的至少一者来控制：颗粒结构材料的至少一种特性、NIC暴露于颗粒结构材料的沉积的程度、不连续层的厚度和颗粒结构材料的沉积环境，所述沉积环境选自温度、压力、持续时间、沉积速率和沉积过程中的至少一者。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一个颗粒结构彼此断开连接。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一个颗粒结构形成不连续层。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中不连续层以一定图案设置，所述图案由其中的至少一个基本上不含至少一个颗粒结构的区域限定。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中不连续层的特性通过根据选自以下中的至少一者的至少一种标准进行评估来确定：特征尺寸、尺寸分布、形状、构造、表面覆盖率、沉积分布、分散度、聚集情况的存在，以及此类聚集情况的程度。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中所述评估是通过由所应用的成像技术确定不连续层的至少一种属性来执行的，所述成像技术选自以下中的至少一者：电子显微镜、原子力显微镜和扫描电子显微镜。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中所述评估在由至少一个观察窗限定的范围内执行。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中至少一个观察窗位于以下中的至少一者处：侧向方面的周边、内部位置和网格坐标。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中观察窗对应于所应用的成像技术的视场。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中观察窗对应于选自以下中的至少一者的放大级别：2.00μm、1.00μm、500nm和200nm。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中所述评估结合了以下中的至少一者：手动计数、曲线拟合、多边形拟合、形状拟合和估算技术。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中所述评估结合了对选自以下中的至少一者的操纵：平均值、中值、众数、最大值、最小值、概率、统计和数据计算。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中特征尺寸由以下中的至少一者确定：至少一个颗粒结构的质量、体积、直径、周长、长轴和短轴。
根据本文中的至少一个条款所述的装置，其中分散度由以下公式确定：
其中：
n是样品区域中颗粒60的数目，
Si是第i个颗粒60的(面积)尺寸，
因此，说明书和其中所公开的实施例仅被视为说明性的，本公开的真实范围由以上编号的权利要求公开。
Claims (51)
1.一种光电子装置，其包含为含氟磷腈化合物的化合物。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述化合物包含链部分，所述链部分包含主链和附接到所述主链上的氟(F)原子。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述主链为含碳主链。
4.根据权利要求2或3所述的装置，其中所述链部分包含中间部分。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述中间部分包含以下中的至少一种：氧(O)、醚、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基、未取代的氟代亚烷基、取代的亚环烷基、未取代的亚环烷基、取代的亚杂芳基和未取代的亚杂芳基。
6.根据权利要求4或5所述的装置，其中所述中间部分包含氟(F)原子。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的装置，其中所述中间部分包含氟代亚烷基单元。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的装置，其中所述中间部分包含CF2单元。
9.根据权利要求4至8中任一项所述的装置，其中所述中间部分包含CHF单元。
10.根据权利要求4至9中任一项所述的装置，其中所述中间部分包含CH2单元。
11.根据权利要求4至10中任一项所述的装置，其中所述中间部分包含饱和键。
12.根据权利要求4至11中任一项所述的装置，其中所述中间部分包含以下中的至少一种：氧(O)、醚、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基和未取代的氟代亚烷基。
13.根据权利要求4至12中任一项所述的装置，其中所述中间部分是饱和部分。
14.根据权利要求4至13中任一项所述的装置，其中所述中间部分包含多达15个碳原子。
15.根据权利要求4至14中任一项所述的装置，其中所述中间部分由下式表示：
其中：
X各自独立地为氢(H)、氘代(D)、氟(F)或CF3；
a为介于0与6之间的整数；
b为介于0与12之间的整数；并且
a和b之和不超过15。
16.根据权利要求2至15中任一项所述的装置，其中所述链部分包含与所述中间部分键合的末端部分，所述末端部分布置在所述链部分的末端部处。
17.根据权利要求16所述的装置，其中所述末端部分包含氟(F)原子。
18.根据权利要求16或17所述的装置，其中所述末端部分包含以下中的至少一种：支链烷基、非支链烷基、支链氟烷基、非支链氟烷基、氟取代的杂环烷基、支链氟烷氧基、非支链氟烷氧基、氟芳基、多氟硫烷基和氟环烷基。
19.根据权利要求16至18中任一项所述的装置，其中所述末端部分包含氟(F)和氢(H)。
20.根据权利要求16至19中任一项所述的装置，其中所述末端部分包含CF2H单元。
21.根据权利要求16至20中任一项所述的装置，其中所述末端部分由式(EC-1)、式(EC-2)、式(EC-3)、式(EC-4)、式(EC-5)、式(EC-6)和式(EC-7)中的至少一者表示：
22.根据权利要求2至21中任一项所述的装置，其中所述化合物包含附接到所述链部分的核心部分。
23.根据权利要求22所述的装置，其中所述链部分包含适用于将所述链部分附接到所述核心部分的接头部分。
24.根据权利要求23所述的装置，其中所述接头部分包含以下中的至少一种：氧(O)、氮(N)、硫(S)、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基、未取代的氟代亚烷基、取代的亚环烷基、未取代的亚环烷基、取代的亚芳基、未取代的亚芳基、取代的亚杂芳基和未取代的亚杂芳基。
25.根据权利要求23或24所述的装置，其中所述接头部分包含以下中的至少一种：氧(O)、氮(N)、硫(S)、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基和未取代的氟代亚烷基。
26.根据权利要求23至25中任一项所述的装置，其中所述接头部分由式(EA-1)、式(EA-2)、式(EA-3)、式(EA-4)、式(EA-5)和式(EA-6)中的至少一者表示：
其中：
RH选自以下中的至少一种：氢(H)、氘代(D)、CF3、支链烷基、非支链烷基、支链氟烷基、非支链氟烷基、氟取代的杂环烷基、支链氟烷氧基、非支链氟烷氧基、氟芳基、多氟硫烷基和氟环烷基。
27.根据权利要求22至26中任一项所述的装置，其中所述核心部分包含磷腈单元。
28.根据权利要求27所述的装置，其中所述链部分附接到所述磷腈单元的磷(P)原子。
29.根据权利要求22至28中任一项所述的装置，其中所述核心部分包含环磷腈。
30.根据权利要求29所述的装置，其中所述环磷腈由多个磷腈单元提供。
31.根据权利要求29或30所述的装置，其中所述环磷腈由选自3个至7个的多个磷腈单元提供。
32.根据权利要求2至31中任一项所述的装置，其中所述链部分包含附接到至少三个部分的分支部分，所述至少三个部分选自：中间部分、末端部分和接头部分。
33.根据权利要求32所述的装置，其中所述分支部分包含以下中的至少一种：氮(N)、胺、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基、未取代的氟代亚烷基、取代的亚环烷基、未取代的亚环烷基、取代的亚环杂烷基、未取代的亚环杂烷基、取代的亚芳基、未取代的亚芳基、取代的亚杂芳基和未取代的亚杂芳基。
34.根据权利要求32或33所述的装置，其中所述分支部分包含以下中的至少一种：氮(N)、胺、取代的亚烷基、未取代的亚烷基、取代的氟代亚烷基和未取代的氟代亚烷基。
35.根据权利要求1至34中任一项所述的装置，其中所述化合物基本上不吸收电磁波谱可见光部分中的波长处的光。
36.根据权利要求1至35中任一项所述的装置，其中所述化合物在电磁波谱可见光部
分中的波长处基本上不表现出光致发光。
37.根据权利要求1至36中任一项所述的装置，其中所述化合物具有超过约以下中的至少一者的光隙：3.4 eV、3.5 eV、4.1 eV、5 eV和6.2 eV。
38.根据权利要求1至37中任一项所述的装置，其中所述化合物具有超过约100℃的熔融温度。
39.根据权利要求1至38中任一项所述的装置，其中所述化合物具有超过约100℃的升华温度。
40.根据权利要求1至39中任一项所述的装置，其中所述化合物具有小于约以下中的至少一者的特征表面能：25达因/厘米、21达因/厘米、20达因/厘米、19达因/厘米、18达因/厘米、17达因/厘米、16达因/厘米、15达因/厘米、14达因/厘米、13达因/厘米、12达因/厘米、11达因/厘米和10达因/厘米。
41.根据权利要求1至40中任一项所述的装置，其中所述化合物具有不超过约以下中的至少一者的折射率：1.5、1.45、1.4、1.35、1.3和1.25。
42.根据权利要求1至41中任一项所述的装置，还包括第一电极和第二电极，以及有源区域，所述有源区域包括至少一个半导电层，在横向方面由所述电极界定，并且在侧向方面局限到由所述电极限定的发射区域，其中所述有源区域基本上不含所述化合物。
43.根据权利要求42所述的装置，还包括：
包含所述化合物的图案化涂层，所述图案化涂层在所述装置的侧向方面的第一部分中设置在底层的第一层表面上；以及
由沉积材料组成的沉积层，所述沉积层设置在第二层表面上；
其中所述第一部分基本上不含所述沉积材料的封闭涂层。
44.根据权利要求43所述的装置，其中所述第一部分不包括所述发射区域的侧向方面。
45.根据权利要求43或44所述的装置，其中所述第二电极包括所述沉积层的至少一部分作为其层。
46.根据权利要求43所述的装置，其中所述第一部分包括所述发射区域的侧向方面。
47.根据权利要求46所述的装置，还包括辅助电极，所述辅助电极包括所述沉积层作为其层。
48.根据权利要求43至45中任一项所述的装置，还包括与所述第二电极电耦接的导体。
49.一种包含化合物的光电子装置，所述化合物包含具有CF2H单元的末端部分。
50.一种包含第一链部分和第二链部分的磷腈衍生化合物，每个链部分均包含主链和附接到所述主链上的氟(F)原子，其中所述第一链部分不同于所述第二链部分。
51.一种包含根据式(PX-1)的部分的化合物：
其中：
R1和R2各自独立地表示以下中的至少一种：取代的烷基、未取代的烷基、取代的烷氧基、未取代的烷氧基，以及包含主链和附接到所述主链上的氟(F)原子的链部分；并且
R1和R2是不同的。
Applications Claiming Priority (23)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US202063038632P | 2020-06-12 | 2020-06-12 | |
| US63/038,632 | 2020-06-12 | ||
| US202063047778P | 2020-07-02 | 2020-07-02 | |
| US63/047,778 | 2020-07-02 | ||
| US202063066667P | 2020-08-17 | 2020-08-17 | |
| US63/066,667 | 2020-08-17 | ||
| US202063067789P | 2020-08-19 | 2020-08-19 | |
| US63/067,789 | 2020-08-19 | ||
| US202063106243P | 2020-10-27 | 2020-10-27 | |
| US63/106,243 | 2020-10-27 | ||
| US202063107393P | 2020-10-29 | 2020-10-29 | |
| US63/107,393 | 2020-10-29 | ||
| US202063122421P | 2020-12-07 | 2020-12-07 | |
| US63/122,421 | 2020-12-07 | ||
| US202163141857P | 2021-01-26 | 2021-01-26 | |
| US63/141,857 | 2021-01-26 | ||
| US202163153834P | 2021-02-25 | 2021-02-25 | |
| US63/153,834 | 2021-02-25 | ||
| US202163163453P | 2021-03-19 | 2021-03-19 | |
| US63/163,453 | 2021-03-19 | ||
| US202163181100P | 2021-04-28 | 2021-04-28 | |
| US63/181,100 | 2021-04-28 | ||
| PCT/IB2021/055232 WO2021250643A1 (en) | 2020-06-12 | 2021-06-14 | Compounds for forming a patterning coating and devices incorporating same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116134343A true CN116134343A (zh) | 2023-05-16 |
Family
ID=78845386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202180055454.7A Pending CN116134343A (zh) | 2020-06-12 | 2021-06-14 | 用于形成图案化涂层的化合物和包含该化合物的装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230240128A1 (zh) |
| EP (1) | EP4165054A4 (zh) |
| JP (1) | JP2023531883A (zh) |
| KR (1) | KR20230037561A (zh) |
| CN (1) | CN116134343A (zh) |
| WO (1) | WO2021250643A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024003849A1 (en) * | 2022-07-01 | 2024-01-04 | Oti Lumionics Inc. | Opto-electronic device with patterned metal and metal fluoride injection layer |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102618042B (zh) * | 2012-03-09 | 2013-12-25 | 宁波长阳科技有限公司 | 一种聚膦腈组合物、聚膦腈涂层太阳能电池背膜及其制备方法 |
| WO2020092266A1 (en) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | Enevate Corporation | Silicon-based energy storage devices with phosphazene containing electrolyte additives |
-
2021
- 2021-06-14 CN CN202180055454.7A patent/CN116134343A/zh active Pending
- 2021-06-14 US US18/001,461 patent/US20230240128A1/en active Pending
- 2021-06-14 WO PCT/IB2021/055232 patent/WO2021250643A1/en unknown
- 2021-06-14 KR KR1020237001216A patent/KR20230037561A/ko active Search and Examination
- 2021-06-14 EP EP21822884.9A patent/EP4165054A4/en active Pending
- 2021-06-14 JP JP2022576446A patent/JP2023531883A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP4165054A1 (en) | 2023-04-19 |
| JP2023531883A (ja) | 2023-07-26 |
| US20230240128A1 (en) | 2023-07-27 |
| KR20230037561A (ko) | 2023-03-16 |
| EP4165054A4 (en) | 2024-07-03 |
| WO2021250643A1 (en) | 2021-12-16 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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