CN115996612A - 显示面板以及显示装置 - Google Patents
显示面板以及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115996612A CN115996612A CN202310059155.1A CN202310059155A CN115996612A CN 115996612 A CN115996612 A CN 115996612A CN 202310059155 A CN202310059155 A CN 202310059155A CN 115996612 A CN115996612 A CN 115996612A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light emitting
- sub
- pixel
- color
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 269
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 41
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 39
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 29
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 45
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 44
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1195
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 174
- 239000010408 film Substances 0.000 description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 description 45
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 27
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 229920006280 packaging film Polymers 0.000 description 4
- 239000012785 packaging film Substances 0.000 description 4
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000005011 time of flight secondary ion mass spectroscopy Methods 0.000 description 3
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007817 Olea europaea Species 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000004680 force modulation microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000003068 molecular probe Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002042 time-of-flight secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/2003—Display of colours
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
- G09G2300/0452—Details of colour pixel setup, e.g. pixel composed of a red, a blue and two green components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一种显示面板以及显示装置。显示面板包括衬底基板,多个子像素和像素限定层,像素限定层包括多个开口以限定多个子像素的有效发光区,多个子像素包括位于对应的开口内以及围绕对应开口的像素限定层上的多个发光层,至少部分不同子像素的发光层有交叠;至少部分子像素中,对应同一个子像素的发光层和有效发光区在衬底基板上的正投影的形状不同,或者,至少部分子像素中,对应同一个子像素的发光层和有效发光区在衬底基板上的正投影的至少部分彼此靠近的边缘不平行。本公开提供的显示面板中,至少部分子像素中有效发光区与发光层的形状不同或者至少部分边缘不平行,有利于减少子像素在对应像素限定层的开口中形成发光层时上受工艺精度的影响。
Description
本申请为2020年9月1日递交的中国专利申请第202010902686.9号的发明名称为“显示面板以及显示装置”的分案申请。
技术领域
本公开至少一个实施例涉及一种显示面板以及显示装置。
背景技术
有机发光显示装置由于其轻薄、可弯曲、功耗低、色域广、对比度高等优点,被列为极具发展前景的下一代显示技术。目前,如何提升有机发光显示装置的显示品质称为有机发光显示装置的研发重点。
发明内容
本公开的至少一实施例提供一种显示面板以及显示装置。
本公开的至少一实施例提供一种显示面板,包括:衬底基板以及位于衬底基板上的多个子像素和像素限定层。衬底基板包括显示区和位于所述显示区周边的周边区;多个子像素位于所述显示区;像素限定层位于所述显示区和所述周边区,所述像素限定层包括多个开口以限定所述多个子像素的有效发光区。所述多个子像素包括位于对应的所述开口内以及围绕对应开口的所述像素限定层上的多个发光层,至少部分不同子像素的发光层有交叠;至少部分子像素中,对应同一个子像素的所述发光层和所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影的形状不同,或者,至少部分子像素中,对应同一个子像素的所述发光层和所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影的至少部分彼此靠近的边缘不平行。
例如,根据本公开实施例,所述至少部分子像素中,对应同一个子像素的所述发光层和所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影的各位置处的彼此靠近的边缘均不平行。
例如,根据本公开实施例,所述至少部分子像素的有效发光区的形状包括多边形,所述多边形包括多条直边以及位于相邻直边之间的角部,对应同一个子像素的所述发光层和所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影中,所述有效发光区的直边的中点的正投影与所述发光层的边缘的正投影之间的最短距离为第一距离,所述有效发光区的角部的顶点的正投影与所述发光层的边缘的正投影之间的最短距离为第二距离,所述第一距离与所述第二距离不同。
例如,根据本公开实施例,所述至少部分子像素中,对应同一个子像素的所述发光层和所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影中,所述有效发光区的边缘的正投影的至少一半与所述发光层的边缘的正投影不平行。
例如,根据本公开实施例,所述多个子像素包括不同颜色子像素,至少一种颜色子像素的有效发光区具有长度方向和宽度方向,所述长度方向为该有效发光区的距离最远的两点的连线的延伸方向,同一个有效发光区的所述宽度方向与所述长度方向大致垂直;所述有效发光区包括沿所述长度方向延伸的发光区边缘,所述至少一种颜色子像素的同一个子像素的所述发光层在所述衬底基板上的正投影的边缘与所述发光区边缘在所述衬底基板上的正投影不平行。
例如,根据本公开实施例,所述多个子像素包括不同颜色子像素,至少一种颜色子像素的有效发光区具有长度方向和宽度方向,所述长度方向为该有效发光区的距离最远的两点的连线的延伸方向,同一个有效发光区的所述宽度方向与所述长度方向大致垂直;对于具有所述长度方向和所述宽度方向的同一个有效发光区,沿所述长度方向,所述发光层在所述衬底基板上的正投影与所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影的彼此靠近的边缘之间的最大距离为第三距离,沿所述宽度方向,所述发光层在所述衬底基板上的正投影与所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影的彼此靠近的边缘之间的最大距离为第四距离,所述第三距离小于所述第四距离。
例如,根据本公开实施例,所述多个子像素包括不同颜色子像素,至少一种颜色子像素的有效发光区具有长度方向和宽度方向,所述长度方向为该有效发光区的距离最远的两点的连线的延伸方向,同一个有效发光区的所述宽度方向与所述长度方向大致垂直;对应同一个子像素的所述发光层和所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影中,所述发光层的正投影在所述长度方向上的尺寸与在所述宽度方向上的尺寸之比为第一尺寸比,所述有效发光区的正投影在所述长度方向和在所述宽度方向上的尺寸之比为第二尺寸比,所述第一尺寸比与所述第二尺寸比不同。
例如,根据本公开实施例,所述多个子像素包括不同颜色子像素,至少一种颜色子像素的同一个子像素中,所述有效发光区的边缘包括直边,所述发光层的边缘包括曲边;对应同一个子像素的所述发光层和所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影中,所述有效发光区的直边的正投影与所述发光层的曲边的正投影彼此靠近,且所述发光层的曲边的长度大于所述有效发光区的直边的长度。
例如,根据本公开实施例,所述多个子像素包括不同颜色子像素,所述不同颜色子像素包括第一颜色子像素、第二颜色子像素以及第三颜色子像素,至少部分相邻的两个第二颜色子像素的发光层在垂直于所述衬底基板的方向上不交叠,至少部分相邻的第一颜色子像素的发光层和第三颜色子像素的发光层在垂直于所述衬底基板的方向上交叠。
例如,根据本公开实施例,所述多个子像素包括多个最小重复单元,至少一个最小重复单元中包括至少两个颜色相同的子像素,所述至少两个颜色相同的子像素的有效发光区的面积或形状不同。
例如,根据本公开实施例,所述多个子像素排列为多个子像素行,每个子像素行的子像素沿第一方向排列,所述多个子像素行沿第二方向排列,所述多个子像素行中相邻的子像素行沿所述第一方向彼此错开,所述第一方向与所述第二方向相交;每个最小重复单元包括分布在两个子像素行的一个第一颜色子像素,一个第三颜色子像素以及两个第二颜色子像素。
例如,根据本公开实施例,各子像素还包括像素电路,位于所述发光层与所述衬底基板之间;所述多个子像素包括不同颜色子像素,至少一种颜色子像素中的一个子像素包括多个有效发光区,所述多个有效发光区被配置为由同一个像素电路驱动发光。
例如,根据本公开实施例,显示面板还包括至少一层封装层,位于所述显示区和所述周边区,且位于所述像素限定层远离所述衬底基板的一侧。所述至少一层封装层朝向所述衬底基板的一侧设置有凹凸结构,所述凹凸结构包括多个间隔的凸的部分,一个凸的部分在所述衬底基板上的正投影的面积为(10-20)μm*(10-20)μm。
例如,根据本公开实施例,所述凸的部分在所述衬底基板上的正投影与所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影交叠。
例如,根据本公开实施例,所述凹凸结构包括凹的部分,所述凹的部分在所述衬底基板上的正投影的形状为网格状。
例如,根据本公开实施例,所述像素限定层包括平坦部和斜坡,所述斜坡围绕各开口,所述斜坡包括靠近所述平坦部的第一子斜坡和远离所述平坦部的第二子斜坡,所述第一子斜坡的平均坡度角小于所述第二子斜坡的平均坡度角。
例如,根据本公开实施例,所述凸的部分在垂直于所述衬底基板的平面上的正投影的部分与所述第二子斜坡在所述平面上的正投影交叠。
本公开实施例提供一种显示面板,包括衬底基板以及位于衬底基板上的多个子像素和像素限定层。衬底基板包括显示区和位于所述显示区周边的周边区;多个子像素位于所述显示区;像素限定层位于所述显示区和所述周边区,所述像素限定层包括多个开口以限定所述多个子像素的有效发光区。所述多个子像素包括位于对应的所述开口内以及围绕对应开口的所述像素限定层上的多个发光层;所述多个子像素还包括多个像素电路,用于驱动所述多个子像素发光;所述多个子像素包括不同颜色子像素,至少一种颜色子像素中的至少一个子像素包括至少两个发光区,所述至少两个发光区的面积或形状不同,且由同一个像素电路驱动。
例如,根据本公开实施例,所述多个子像素排列为多个子像素列,所述多个子像素列第一方向排列,每个子像素列的子像素沿第二方向排列,所述多个子像素列中相邻的子像素列沿所述第二方向彼此错开,所述第一方向与所述第二方向相交;相邻的两个子像素列中,其中一列包括一种颜色的子像素,另一列包括两种不同颜色的子像素交替排列。
例如,根据本公开实施例,显示面板还包括至少一层封装层,位于所述显示区和所述周边区,且位于所述像素限定层远离所述衬底基板的一侧。所述至少一层封装层朝向所述衬底基板的一侧设置有凹凸结构,所述凹凸结构包括多个间隔的凸的部分,一个凸的部分在所述衬底基板上的正投影的面积为(10-20)μm*(10-20)μm。
例如,根据本公开实施例,所述凸的部分在所述衬底基板上的正投影与所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影交叠。
例如,根据本公开实施例,所述凹凸结构包括凹的部分,所述凹的部分在所述衬底基板上的正投影的形状为网格状。
例如,根据本公开实施例,所述像素限定层包括平坦部和斜坡,所述斜坡围绕各开口,所述斜坡包括靠近所述平坦部的第一子斜坡和远离所述平坦部的第二子斜坡,所述第一子斜坡的平均坡度角小于所述第二子斜坡的平均坡度角。
例如,根据本公开实施例,所述凸的部分在垂直于所述衬底基板的平面上的正投影的部分与所述第二子斜坡在所述平面上的正投影交叠。
本公开的至少一实施例提供一种显示装置,包括上述的显示面板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1A为本公开一实施例的一示例提供的显示面板的局部平面结构示意图;
图1B为本公开一实施例的另一示例提供的显示面板的局部平面结构示意图;
图1C为本公开一实施例的另一示例提供的显示面板的像素限定层的开口的平面结构示意图;
图1D-图1H为根据本公开实施例提供的显示面板上的各种像素排列结构示意图;
图2为沿图1A所示的AA线所截的局部截面结构示意图;
图3为沿图1A所示的BB线所截的局部截面结构示意图;
图4为本公开实施例提供的显示面板中的触控结构的局部平面结构示意图;
图5为图4所示的区域C的放大结构示意图;
图6为沿图5所示的DD线所截的局部截面结构示意图;
图7为沿图5所示的EE线所截的局部截面结构示意图;
图8为触控电极与各子像素的有效发光区的位置关系示意图;
图9为图8中的F区域的放大图;
图10为根据本公开另一实施例提供的像素结构的局部平面结构示意图;
图11为图10所示的像素结构与触控电极线的位置关系示意图;
图12A为各子像素包括的像素电路的示意图;
图12B为各子像素的有源层以及栅线层中各晶体管的位置关系;
图13A至图13E为本公开实施例提供的多种像素电路与触控电极线的位置关系示意图;
图14A为一种利用FMM蒸镀发光层的示意图;
图14B为像素限定层与隔垫物的位置关系示意图;
图15A至图15G为根据本公开实施例提供的隔垫物与子像素的多种位置关系示意图;
图16为沿图1A所示的GG线所截的局部截面结构示意图;
图17A为本公开实施例提供的显示区内的像素限定层与有效发光区的平面示意图;
图17B和图17C分别为两个不同位置处的周边区以及显示区的像素限定层的平面结构示意图;
图17D为另一示例提供的显示区的像素限定层的平面结构示意图;
图18为沿图17A所示的HH线所截的局部截面结构示意图;以及
图19为图1A所示的过渡区的局部截面结构示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。
在研究中,本申请的发明人发现:随着显示技术的不断发展,人们对于显示装置的分辨率的要求越来越高,具有显示质量高等优点的高分辨率显示装置的应用范围也越来越广。通常,可通过减小像素的尺寸和减小像素间的间距来提高显示装置的分辨率。然而,像素的尺寸和像素间的间距的减少对制作工艺的精度要求也越来越高,从而会导致显示装置的制作工艺的难度和制作成本的增加。
本公开的实施例提供一种显示面板以及显示装置。显示面板包括:衬底基板,包括显示区和位于显示区周边的周边区,多个第一颜色子像素,位于显示区,且多个第一颜色子像素沿第一方向排列以形成多个第一颜色子像素行,多个第一颜色子像素行沿第二方向排列,且多个第一颜色子像素行中的相邻第一颜色子像素行沿第一方向彼此错开;多个第二颜色子像素,位于显示区,且沿第一方向和第二方向阵列排布,四个第二颜色子像素围绕一个第一颜色子像素;像素限定层,位于显示区和周边区,像素限定层包括多个开口以限定各子像素的有效发光区,各第一颜色子像素包括第一有效发光区,各第二颜色子像素包括第二有效发光区,第二有效发光区的面积小于第一有效发光区的面积。
在一些实施例中,一个第一颜色子像素包括一个第一有效发光区,一个第二颜色子像素包括一个第二有效发光区,一个第二有效发光区的面积小于一个第一有效发光区。在一些实施例中,一个第一颜色子像素包括至少两个第一有效发光区,或者一个第二颜色子像素包括至少两个第二有效发光区,一个第二颜色子像素包括的所有第二有效发光区的总面积小于一个第一颜色子像素包括的所有第一有效发光区的总面积。在一些实施例中,各第一有效发光区和各所述第二有效发光区是分隔开的。在一些实施例中,各第一有效发光区和各所述第二有效发光区由像素限定层中形成的多个分隔的开口限定。在一些实施例中,各第一有效发光区由对应的第一颜色子像素中,由在垂直衬底基板方向上,位于相对的阳极和阴极之间,并且被驱动发光的发光层限定。在一些实施例中,各第二有效发光区由对应的第二颜色子像素中,由在垂直衬底基板方向上,位于相对的阳极和阴极之间,并且被驱动发光的发光层限定。在一些实施例中,各第一有效发光区和各第二有效发光区由对应的发光层以及与对应的发光层有载流子(空穴或电子)传输的电极(阳极或阴极)或电极的部分限定。在一些实施例中,各第一有效发光区和各第二有效发光区,由在衬底基板上的正投影交叠的阴极的至少部分和阳极的至少部分限定,且该阴极的至少部分和阳极的至少部分与第一绝缘层在衬底基板上的正投影不交叠,该第一绝缘层在垂直衬底基板方向上,位于阴极和阳极之间。例如该第一绝缘层包括像素限定层。在一些实施例中,各第一颜色子像素和各第二颜色子像素分别包括第一电极,位于第一电极远离衬底基板一侧的发光层,和位于发光层远离第一电极一侧的第二电极,在垂直衬底基板方向上,在第一电极和发光层之间,和/或第二电极和发光层之间还设置有第二绝缘层,该第二绝缘层与第一电极或第二电极在衬底基板上投影交叠,并且第二绝缘层具有开口,在面向发光层的一侧第二绝缘层的开口可以暴露至少部分的第一电极或第二电极,使其与发光层或辅助发光的功能层能够接触,各第一有效发光区和各第二有效发光区由所述第一电极或第二电极中与发光层或辅助发光的功能层接触的部分限定。在一些实施例中,所述第二绝缘层包括像素限定层。在一些实施例中,所述辅助发光的功能层可以为空穴注入层,空穴传输层,电子传输层,空穴阻挡层,电子阻挡层,电子注入层,辅助发光层,界面改善层,增透层等中的任意一层或多层。在一些实施例中,第一电极可以为阳极,第二电极可以为阴极。在一些实施例中,第一电极可以包括氧化铟锡(ITO),银(A)g的至少两层叠层,例如为ITO,Ag,ITO三层叠层。在一些实施例中,第二电极可以包括镁(Mg)、Ag、ITO、氧化铟锌(IZO)中任意一种或多种,例如为Mg和Ag的混合层或合金层。
各子像素包括发光层,各第一颜色子像素包括位于开口内以及像素限定层上的第一颜色发光层,各第二颜色子像素包括位于开口内以及像素限定层上的第二颜色发光层,各第一颜色子像素的第一颜色发光层和第一有效发光区在衬底基板上的正投影的面积比小于各第二颜色子像素的第二颜色发光层和第二有效发光区在衬底基板上的正投影的面积比。
通常位于有效发光区内的发光层的质量对该子像素的显示效果影响较大,而采用蒸镀工艺例如FMM工艺(后续进行说明)进行蒸镀时,显示区内多个有效发光区和多个发光层图案是一一对应的,而发光层图案是和FMM(精细金属掩模板)上的开口一一对应的。如果FMM和显示面板对位发生偏差,或者蒸发源原因引起的材料不均匀等问题出现时,对于有效发光区面积越小的子像素,其越可能出现有效发光区内发光层膜层质量不良,即使由于偏差过大,所有颜色子像素均出现有效发光区内发光层膜层质量不良的情况,对于有效发光区面积最小的子像素来说,影响也是最大的。如果该有效发光区面积最小的子像素恰好是对显示亮度,显示均匀性,或者其他显示参数影响最大的某一颜色子像素例如绿色子像素,则显示面板就会出现暗点、锯齿、亮度不均匀、色偏等显示问题。本公开实施例中,第二颜色子像素的第二颜色发光层与第二有效发光区的面积比设置为大于第一颜色子像素的第一颜色发光层与第一有效发光区的面积比,可以将单个有效发光区面积相对较小的第二颜色子像素的蒸镀工艺精度余量设置的相对更大一些,使得形成在第二有效发光区内的第二颜色发光层质量更稳定,从而减小蒸镀工艺带来的偏差或波动对各个子像素显示质量的影响。
各个发光层面积例如可以通过以下测试手段进行测量。例如,发光层面积可以通过荧光显微镜拍照进行测量,例如利用发光(EL)材料受到紫外线激发,发生光致发光现象获取发光层边界。例如,采用飞行时间二次离子质谱仪(Time of Flight Secondary IonMass Spectrometry,TOF-SIMS)进行测试,TOF-SIMS是通过用一次离子激发样品表面,打出极其微量的二次离子,根据二次离子因不同的质量而飞行到探测器的时间不同来测定离子质量的极高分辨率的测量技术。当然,各个发光层的面积和边界也可以通过其他现有测试手段进行测试。
下面结合附图对本公开实施例提供的显示面板以及显示装置进行描述。
图1A为本公开一实施例提供的显示面板的局部平面结构示意图,图2为沿图1A所示的AA线所截的局部截面结构示意图。如图1A和图2所示,显示面板包括衬底基板10,显示面板包括显示区11和位于显示区11周边的周边区12。例如,显示区11为用于显示的区域,例如为包括可以点亮的像素区域,显示区边界可以以第一行和最后一行可点亮像素以及第一列和最后一列可点亮像素界定,周边区12为围绕显示区11且不用于显示的区域。例如,在一些实施例中,显示区也可以包括dummy像素,例如为形成有发光层但不用于显示的像素。显示面板包括位于衬底基板10上显示区11的多个第一颜色子像素100和多个第二颜色子像素200,多个第一颜色子像素100沿第一方向(即X方向)排列以形成多个第一颜色子像素行1001,多个第一颜色子像素行1001沿第二方向(即Y方向)排列,且多个第一颜色子像素行1001中的相邻第一颜色子像素行1001沿第一方向彼此错开,即,相邻的第一颜色子像素行1001沿第一方向有一定的偏移量,因此,相邻第一颜色子像素行1001中的第一颜色子像素100在第二方向上并不是对齐的。例如奇数行第一颜色子像素行1001中像素排列方式相同,偶数行第一颜色子像素行1001中像素排列方式相同。例如,相邻第一颜色子像素行1001在第一方向上的偏移量大致为一个节距。在一些实施例中,节距例如为沿第一方向相邻两个第一颜色子像素100中的有效发光区的中心之间的距离的一半,这里有效发光区的中心指有效发光区的平面形状的几何中心。在一些实施例中,节距例如大概为2个子像素的像素驱动电路在行方向的尺寸。在一些实施例中,节距大概为1个子像素的像素驱动电路在列方向的尺寸。在一些实施例中,节距大致等于显示区行方向尺寸除以行方向像素数量,或者显示区列方向尺寸除以列方向像素数量。例如,对于QHD(Quarter High Definition)产品,分辨率为960x540,节距大致等于显示区行方向尺寸除以960,或者显示区列方向尺寸除以540;对于HD(High Definition)产品,节距大致等于显示区行方向尺寸除以1280,或者显示区列方向尺寸除以720;对于FHD(Full High Definition)产品,节距大致等于显示区行方向尺寸除以1920,或者显示区列方向尺寸除以1080;对于QHD(Quad High Definition)产品,节距大致等于显示区行方向尺寸除以2560,或者显示区列方向尺寸除以1440;对于UHD(UltraHigh Definition)产品,节距大致等于显示区行方向尺寸除以3840,或者显示区列方向尺寸除以2160;以此类推。上述相邻第一颜色子像素行指两个第一颜色子像素行之间没有其他第一颜色子像素行。
如图1A所示,多个第二颜色子像素200沿第一方向和第二方向阵列排布,四个第二颜色子像素200围绕每个第一颜色子像素100。也就是,第二颜色子像素200与第一颜色子像素100不同行且不同列,相邻第一颜色子像素行1001之间设置有沿第一方向排列的一行第二颜色子像素200(即第二颜色子像素行),第一颜色子像素行1001与第二颜色子像素行交替排列。同理,相邻第一颜色子像素列之间设置有沿第二方向排列的一列第二颜色子像素200(即第二颜色子像素列),第一颜色子像素列与第二颜色子像素列交替排列。
例如,上述四个第二颜色子像素的中心到第一颜色子像素的中心的距离大致相等。例如,围绕第一颜色子像素的第二颜色子像素中,最邻近第一颜色子像素的第二颜色子像素有且仅有四个,且这四个第二颜色子像素的中心到第一颜色子像素的中心的距离大致相等。最邻近指,第一颜色子像素与第二颜色子像素的中心连线上没有经过其他第一颜色子像素或第二颜色子像素。
例如上述四个第二颜色子像素围绕一个第一颜色子像素的排列可为显示区内部的排列方式,显示区边缘的排列方式可与显示区内部的排列方式不同。例如,在显示区边缘,第一颜色子像素为第一行或第一列子像素,或者为最后一行或最后一列子像素时,可以仅两个第二颜色子像素围绕第一颜色子像素。例如,在显示区边缘的形状为圆角,或者显示区的形状为异形显示区,例如圆形显示区等非矩形显示区或者矩形显示区在某一边缘附近具有一挖孔区,在显示区边缘,第一颜色子像素可以被一个、两个或者三个第二颜色子像素包围。
本公开实施例以上述排列结构进行说明,但不限于这一种像素结构,也不限制各子像素的数量。例如,可以采用条形排布结构,也可以采用三角形排列结构,或者马赛克排列,或品字形排列,或者其他不同大小形状位置的组合等等。例如,RGB的大小可以相等,也可以不相等。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是B大于R,B大于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是B大于R,R大于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是B大于R,R等于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是B等于R,R大于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是R大于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是R大于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是G大于R。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是G大于B。例如,每个重复单元或像素单元包含的子像素的数量可以是2,3,4,5,6,7,8,9,10等中的任意一个或两种以上的组合。例如,每个重复单元或像素单元包含的各子像素的比例可以为R:G:B为1:2:1,1:1:2,1:1:1,1:2:2,2:2:1,1:2:3,3:3:2,1:3:2,2:3:1,3:2:3,2:3:3等中的任一一种或两种以上的组合。例如,子像素颜色种类可以包括两种,三种,四种,五种,六种中的任意一个。例如各子像素的颜色可以选自红色、绿色、蓝色、白色、黄色、青色、洋红、桔色等中的任意一种或多种的组合。
如图1A和图2所示,显示面板还包括位于显示区11和周边区12的像素限定层400,像素限定层400可根据子像素排列结构形成对应每一个子像素的开口401,即像素限定层400包括多个开口401以限定多个子像素的有效发光区,各子像素的有效发光区的形状可以由像素限定层400的开口401来定义。多个第一颜色子像素100包括多个第一有效发光区101,多个第二颜色子像素200包括多个第二有效发光区201,一个第二有效发光区201的面积小于一个第一有效发光区101的面积。
在一些实施例中,各子像素的有效发光区也可以不由像素限定层的开孔定义,例如直接由各个子像素的实际发光区域定义。
例如,一个子像素对应一个有效发光区,即各子像素仅包括一个有效发光区。本公开实施例不限于此,例如,一个子像素也可以对应多个有效发光区,且采用共同的像素电路驱动,或者接受相同的驱动信号。
例如,各所述第二有效发光区的面积均大于各所述第一有效发光区的面积。在一些实施例中,各所述第二有效发光区的面积均大致相等,各所述第一有效发光区的面积均大致相等。其中,大致相等可以为误差在上下10%的范围内。
在一些实施例中,也可以有部分相同颜色子像素的的有效发光区的面积不同。例如,在部分实施例中,一个重复单元或像素单元包括的子像素中有两个相同颜色的绿色子像素,或者有两个相同颜色的红色子像素,或者有两个相同颜色蓝色子像素,或者同时包含两对相同颜色子像素(例如两个绿色子像素,两个红色子像素),其中相同颜色的子像素的有效发光区的面积可以不同。在一些实施例中,同一颜色的子像素在边缘位置,异形区域或者折叠区域等,其有效发光区的面积也可以与其他区域的同颜色的子像素的有效发光区的面积不同,或者形状不同。
如图1A和图2所示,各子像素包括发光层,各第一颜色子像素100包括位于开口401内以及像素限定层400上的第一颜色发光层110,各第二颜色子像素200包括位于开口401内以及像素限定层400上的第二颜色发光层210。多个第一颜色子像素100包括的多个第一颜色发光层110彼此间隔,多个第二颜色子像素200包括的多个第二颜色发光层210彼此间隔。
在一些实施例中,部分颜色的发光层可以不间隔,例如采用2in1(两个发光层由一个蒸镀开孔制作)制作的两个相同颜色的发光层可以是连续的,其发光层为一体(在衬底基板的正投影是连续的,工艺上可能因为下方膜层段差不实际连接),对应两个子像素,各对子像素的发光层之间是彼此间隔的。相应的,3in 1(3个发光层由一个蒸镀开孔制作)的发光层对应3个子像素,4in 1(4个发光层由一个蒸镀开孔制作)的发光层对应4个子像素。例如,如图1D所示,对于采用2in1(两个发光层由一个蒸镀开孔制作)制作的两个相同颜色的发光层,例如第二颜色子像素200的发光层,对应的两个子像素的其发光层和像素界定层开口(或有效发光区域)的比例,如果该两个子像素的像素界定层开口大小大致相等,可以以该发光层的一半面积与对应子像素的像素界定层开口面积进行计算。
例如,如图1A和图2所示,多个第一颜色子像素100包括位于对应的开口401内以及围绕对应开口401的像素限定层100上的多个第一颜色发光层110,多个第二颜色子像素200包括位于对应的开口401内以及围绕对应开口的像素限定层400上的第二颜色发光层210。例如,如图1A和图2所示,上述各颜色子像素的发光层在像素限定层的开口外围一整圈都有,例如各颜色子像素的发光层在像素限定层的开口外围的部分为一体的环形。例如各颜色子像素的形成像素限定层开口的像素限定层结构可以为分立的,也可以形成为整体的网状结构。例如,位于最边缘的一排(一行或一列)的像素限定层开口对应的远离显示区域中心的像素限定层部分与围绕显示区域的周边像素限定层结构为一体结构,或者该像素限定层部分作为围绕显示区域的周边像素限定层结构。例如,位于最边缘的一排(一行或一列)的像素限定层开口对应的远离显示区中心的像素限定层部分,在垂直其对应边缘延伸方向的方向上尺寸大于显示区内部相邻像素限定层开口之间的像素限定层部分的尺寸。例如,如图1A和图2所示,位于像素限定层上的发光层与位于开口内的发光层为一体结构。本公开实施例不限于此,位于开口内的发光层和位于像素限定层上的发光层之间也可能是断开的,即位于开口内的发光层与位于像素限定层上的发光层是不连续的膜层。例如由于发光层下方膜层段差较大,导致膜层断裂或不连续。在一些实施例中,每个子像素的位于像素限定层上的发光层与位于开口内的发光层的在衬底基板的正投影是大致连续的。
各第一颜色子像素100的第一颜色发光层110在衬底基板10上的正投影与第一有效发光区101在衬底基板10上的正投影的面积比小于各第二颜色子像素200的第二颜色发光层210在衬底基板10上的正投影与第二有效发光区201在衬底基板10上的正投影的面积比。例如,第一颜色发光层110在衬底基板10上的正投影的面积大于第二颜色发光层210在衬底基板10上的正投影的面积。
例如,对应同一个第一颜色子像素100的第一颜色发光层110和第一有效发光区101在衬底基板上的正投影的面积比为第一面积比,对应同一个第二颜色子像素200的第二颜色发光层210和第二有效发光区201在衬底基板上的正投影的面积比为第二面积比,第一面积比小于第二面积比。
例如,第一面积比为一个第一颜色发光层与一个第一有效发光区的面积比,即一个第一颜色发光层的面积除以一个第一有效发光区的面积的比值,第二面积比为一个第二颜色发光层与一个第二有效发光区的面积比,即一个第二颜色发光层的面积除以一个第二有效发光区的面积的比值。例如,第一面积比和第二面积比均大于1。例如,第一面积比和第二面积比的范围为可以为1~15。例如,第一面积比和第二面积比的范围为可以为1~10。例如,第一面积比和第二面积比的范围为可以为3~12。例如,第一面积比和第二面积比的范围为可以为2-8。例如,第一面积比和第二面积比的范围为可以为4-6。例如,第一面积比和第二面积比的范围为可以为3-7。例如,第一面积比和第二面积比的范围为可以为6-8。例如第一面积比的范围大概为3-5。例如,第一面积比为1.5-3。例如第一面积比的范围大概为3-4。例如第一面积比的范围大概为4-5。例如第一面积比的范围大概为4-6。例如第二面积比的范围大概为5-7。例如第二面积比的范围大概为6-7。例如第二面积比的范围大概为3-5。例如第二面积比的范围大概为3-6。例如第二面积比的范围大概为5-8。例如第二面积比的范围大概为4-9。例如,第二面积比为6.5-8。
例如,一个第一颜色子像素的第一颜色发光层的面积大于一个第二颜色子像素的第二颜色发光层的面积。
例如,第一颜色子像素100可以为红色子像素或者蓝色子像素,第二颜色子像素200为绿色子像素。
例如,第一颜色子像素的发光效率小于第二颜色子像素的发光效率。例如,对应第一颜色子像素的第一面积比小于第二颜色子像素对应的第二面积比。
例如子像素的发光效率大小,指相同电信号条件下,子像素的发光器件发出的光的强度的大小,例如,子像素的光强度大,则认为发光效率大。例如,相同的电信号条件,是指写入数据线的电压大小相同。例如,相同的电信号条件,为写入发光器件的电流大小相同。例如,子像素的发光效率大小,指相同电信号条件下,流经发光器件的电流密度大小。
例如,第一颜色子像素的开口率大于第二颜色子像素的开口率。
例如,第一颜色子像素的开口率指第一颜色子像素的实际用于发光的区域占显示区域的面积比例。例如第二颜色子像素的开口率指第二颜色子像素的实际用于发光的区域占显示区域的面积比例。
例如,本公开实施例示意性的示出第一方向垂直于第二方向,但不限于此,第一方向还可以与第二方向不垂直。
例如,各子像素的发光层可以通过蒸镀工艺制作。蒸镀工艺需要使用蒸镀掩模板和显示面板对位,蒸发源通过加热使得发光层的材料沉积到显示面板的对应位置。蒸镀掩模板可包括具有对应每个子像素的子像素图案开口的精细金属掩模板(FMM mask),FMMmask可以根据不同颜色子像素的结构形成多个独立的图案,可以实现不同子像素中形成不同材料及不同厚度的图案。
对于每个子像素,有效发光区大致位于像素限定层的开口内部,例如和对应的开口面积大致相等,而每个子像素的发光面积决定该子像素的开口率,进一步影响显示面板中该子像素的显示亮度等。为了提升各子像素的开口率和显示品质,在蒸镀过程中,需要尽量保证位于像素限定层开口内部的膜层质量,所以在使用FMM mask蒸镀各颜色发光层的过程中,通常将用于形成对应不同颜色子像素图案的掩模板的开口设置的比像素限定层的开口大,使得通过掩模板的开口蒸镀的发光层能完全覆盖像素限定层的开口。由此,各颜色子像素的发光层包括位于像素限定层的开口内的一部分以及位于像素限定层表面上的另一部分。
由于掩模板和待蒸镀的显示面板的对应精度的偏差,以及蒸发源材料的扩散属性等,在使用精细金属掩模板进行蒸镀时,不同子像素的工艺精度(工艺margin,即蒸镀时精细金属掩模板的开口与像素限定层的开口之间允许的偏移量)也会有一定区别。有机发光二极管(OLED)显示面板上不同颜色子像素的发光层的发光材料的寿命、发光效率不同,由此,可以将不同颜色子像素的发光面积设置的不同,例如第一颜色子像素(例如为蓝色子像素)的发光面积可以设置的最大,第二颜色子像素(例如为绿色子像素)的发光面积可以设置的最小。不同颜色子像素的发光面积大小的差别对于工艺精度的需求也不同,形成具有较小发光面积的子像素的发光层时,工艺精度的波动更容易引起位于像素限定层的开口内部的膜层质量的稳定性,因此,可以根据子像素的发光面积例如像素限定层的开口面积的大小调整不同颜色子像素的工艺精度。本公开实施例中,第二颜色子像素的第二颜色发光层与第二有效发光区的面积比设置为大于第一颜色子像素的第一颜色发光层与第一有效发光区的面积比,可以将具有较小有效发光区面积的第二颜色子像素的蒸镀工艺精度设置的相对更大一些,从而保证蒸镀工艺带来的偏差对于各个子像素更加均衡。
例如,各子像素还包括位于发光层远离衬底基板的第一电极,例如阴极(后续描述)以及发光层面向衬底基板一侧的第二电极,例如阳极(后续描述)。例如第一颜色子像素100包括第一颜色发光层110面向衬底基板一侧的第二电极120,第二颜色子像素200包括第二颜色发光层210面向衬底基板一侧的第二电极220。例如,像素限定层400限定开口401的位置处可以为倾斜的斜坡402,开口401为斜坡402与第二电极相交线围成的区域,或者开口为像素限定层400暴露的第二电极的部分区域。以第一颜色子像素100为例,第一颜色子像素100的第二电极120可以设置在像素限定层400与衬底基板10之间,像素限定层400包括用于限定子像素的开口401露出第二电极120的一部分。当第一颜色发光层110形成在上述像素限定层400的开口401中时,第一颜色发光层110及其他用于辅助发光的功能膜层(例如电子注入层,电子传输层,空穴注入层,空穴传输层,辅助发光层,电子阻挡层,空穴阻挡层中的一层或多层)整体的上下两侧分别与第一电极和第二电极120接触,在像素限定层400的开口401内部的第一颜色发光层110可以在第一电极和第二电极的驱动下实现发光,像素限定层400的开口401定义了第一颜色发光层110的第一有效发光区101的形状。
例如,如图1A和图2所示,至少部分第二有效发光区201具有长度方向和宽度方向,长度方向为一个第二有效发光区201的距离最远的两点的连线的延伸方向(如图1A所示的V方向),同一个第二有效发光区201的宽度方向(如图1A所示的U方向)与长度方向大致垂直。例如,对于同一个第二有效发光区201,沿长度方向,第二有效发光区201对应的第二颜色发光层210的最大尺寸与第二有效发光区201的最大尺寸之比为第一比值(第二有效发光区201对应的第二颜色发光层210的最大尺寸除以第二有效发光区201的最大尺寸),沿宽度方向,第二有效发光区201对应的第二颜色发光层210的最大尺寸与第二有效发光区201的最大尺寸之比为第二比值(第二有效发光区201对应的第二颜色发光层210的最大尺寸除以第二有效发光区201的最大尺寸),第一比值小于第二比值。上述长度方向可以为第三方向,上述宽度方向可以为第四方向。
例如,多个第二颜色子像素包括的多个第二有效发光区的形状和面积均大致相同。
例如,各个第二有效发光区的长度方向均与行方向有夹角。例如,各个第二有效发光区的长度方向与行方向的夹角可以为15°-75°。例如,各个第二有效发光区的长度方向与行方向的夹角可以为30°-60°。例如,各个第二有效发光区的长度方向与行方向的夹角可以为40°-50°。
例如,如图1A和图2所示,第二有效发光区201的形状为长条形,例如为六边形、八边形、梯形、椭圆形或者长方形等。本公开实施例中的长条形可以为规则图形,例如可以为对称的图形,其延伸方向为其长度方向,与延伸方向垂直的方向为其宽度方向。本公开实施例中的长条形也可以为不规则图形,不规则图形的延伸方向为其长度方向,与延伸方向垂直的方向为其宽度方向。例如,长条形有效发光区的延伸方向(即长度方向)为第三方向(即为V方向),与第三方向垂直的方向为第四方向(即宽度方向)。例如,第二颜色子像素200对应的像素限定层400的开口401为长六边形或椭圆形,开口401可以具有第一对称轴和第二对称轴,第一对称轴为长轴例如与第三方向平行,第二对称轴为短轴例如与第四方向平行。例如,沿第三方向,第一颜色子像素100和第二颜色子像素200交替排列。
本公开实施例中以长条形的第二有效发光区的延伸方向定义为第三方向,当不同的第二有效发光区的延伸方向不同时,第三方向随不同的第二有效发光区的延伸方向的不同而不同。例如,彼此相邻的两个第二有效发光区的延伸方向相交时,相邻两个第二有效发光区对应的第三方向也是相交的。同理,第四方向也随不同的第二有效发光区的延伸方向的不同而不同。
例如,如图1A和图2所示,沿第三方向,第二颜色发光层210的最大尺寸与第二有效发光区201的最大尺寸之比为第一比值,沿第四方向,第二颜色发光层210的最大尺寸与第二有效发光区201的最大尺寸之比为第二比值,第一比值小于第二比值。本公开实施例中,第二颜色发光层沿某一方向的最大尺寸指第二颜色发光层在衬底基板上的正投影沿该方向的最大尺寸。例如,第二颜色发光层210与第二有效发光区201的最大尺寸沿开口401长轴方向的比例小于第二颜色发光层210与第二有效发光区201的最大尺寸沿开口401短轴方向的比例,以防止掩模板的开口与像素限定层的开口出现较大偏差时影响形成在像素限定层的开口内的第二颜色发光层的位置,进一步减少第二颜色子像素在对应像素限定层的开口短轴方向上受工艺精度的影响。
例如,对于同一个第二有效发光区201,沿该第二有效发光区201的长度方向,对应的第二颜色发光层210的最大尺寸与该第二有效发光区201的最大尺寸的差值为第一差值,沿其宽度方向,第二颜色发光层210的最大尺寸与该第二有效发光区201的最大尺寸的差值为第二差值,第一差值小于第二差值。
例如,第一差值的范围可以为5-15微米。例如,第一差值的范围可以为6-14微米。例如,第一差值的范围可以为7-12微米。例如,第一差值的范围可以为8-11微米。例如,第二差值的范围可以为8-30微米。例如,第二差值的范围可以为9-20微米。例如,第二差值的范围可以为10-18微米。
例如,上述从第一差值和第二差值均大于像素位置精度(pixel positionaccuracy,ppa)偏差(后续描述)。
例如,各子像素的发光层和有效发光区的在不同位置尺寸差值的最小值大致相同,例如可以均7-9微米。例如可以均6-8微米。
例如,如图1A和图2所示,沿第三方向,第二颜色发光层210的最大尺寸与第二有效发光区201的最大尺寸的差值为第一差值,沿第四方向,第二颜色发光层210的最大尺寸与第二有效发光区201的最大尺寸的差值为第二差值,第一差值小于第二差值,以减少第二颜色子像素在第二有效发光区的宽度方向上受工艺精度的影响。
例如,如图1A和图2所示,第二颜色子像素200中,第二颜色发光层210的沿第三方向的最大尺寸与沿第四方向的最大尺寸之比小于第二有效发光区201的沿第三方向的最大尺寸与沿第四方向的最大尺寸之比,以减少第二颜色子像素在第二有效发光区的宽度方向上受工艺精度的影响。也就是,第二颜色发光层的沿第二有效发光区的长度方向的最大尺寸与沿第二有效发光区的宽度方向的最大尺寸之比,小于第二有效发光区的沿其长度方向的最大尺寸与沿其宽度方向的最大尺寸之比。在一些实施例中,第二颜色发光层210的沿第三方向的最大尺寸与沿第四方向的最大尺寸之比,即第二颜色发光层210的长度方向尺寸和宽度方向尺寸的比值大致为0.8-1.2,例如为0.9-1.1,例如,可以为1。通过第二颜色发光层210的长度方向尺寸和宽度方向尺寸的尺寸大致相等,可以使得第二颜色发光层210的图形对称性更好,使得在FMM工艺过程中,第二颜色发光层210的图形所对应的FMM开口变形更好,形成的第二颜色发光层210的图案更精准。
例如,如图1A所示,第二颜色子像素200的第二颜色发光层210的平面形状(即在衬底基板上的正投影的形状)可以为大致圆形,但不限于此,还可以为椭圆形或四边形、五边形、六边形、八边形等多边形。例如,图1B为本公开实施例的另一示例中的显示面板的局部平面结构示意图。如图1B所示,本示例中的显示面板与图1A所示的显示面板的不同之处在于第二颜色子像素的第二颜色发光层的形状可以大致为圆角矩形或圆角正方形。第二颜色子像素的第二颜色发光层的形状还可以为其他形状,例如三角形,四边形,五边形,六边形,八边形等,可以为具有对称轴的图形,也可以为中心对称图形,也可以为其他不规则图形,可以根据显示面板的布局空间,以及FMM上的开口分布进行设计,以提高开口率、匹配对位精度,或者减小FMM的开口图形变形等。
例如,以第二颜色子像素200的第二颜色发光层210的形状为圆形为例,由于限定第二颜色子像素200的第二有效发光区201的像素限定层400的开口401具有长轴和短轴,因此圆形的第二颜色发光层210覆盖像素限定层400的开口401之后,在对应像素限定层400的开口401的长轴和短轴方向上,第二颜色发光层210包括位于像素限定层400的开口401之外的部分,即覆盖像素限定层400远离衬底基板10的表面的部分。第二颜色发光层210在第四方向(即短轴方向)上覆盖像素限定层400的最大尺寸和覆盖区域面积均比在第三方向(即长轴方向)上覆盖像素限定层400的最大尺寸和覆盖区域面积大。以第二颜色子像素200的第二颜色发光层210的形状为椭圆形或六边形为例,第二颜色发光层210覆盖像素限定层400的开口401之后,在对应像素限定层400的开口401的长轴和短轴方向上,第二颜色发光层210包括位于像素限定层400的开口401之外的部分,即覆盖像素限定层400远离衬底基板10的表面的部分。第二颜色发光层210在第四方向(即短轴方向)上的第一组对边侧覆盖像素限定层400的最大尺寸和覆盖区域面积均比在第三方向(即长轴方向)上的第二组对边侧覆盖像素限定层400的最大尺寸和覆盖区域面积大,即第二颜色发光层210的长轴和短轴的比例小于像素第二有效发光区201的开口401的长轴和短轴的比例。上述第二颜色发光层210沿第三方向的最大尺寸即为沿其长轴方向的长度,第二颜色发光层210沿第四方向的最大尺寸即为沿其短轴方向的长度。
例如,图3为沿图1A所示的BB线所截的局部截面结构示意图。如图1A和图3所示,显示面板还包括位于衬底基板10上的显示区11的多个第三颜色子像素300,多个第一颜色子像素100和多个第三颜色子像素300沿第一方向和第二方向交替排列,多个第三颜色子像素300与多个第二颜色子像素200沿第二颜色子像素200的短轴方向交替排列。由此,本公开实施例采用的像素排列结构中,第二颜色子像素成矩阵排列为行和列,第一颜色子像素和第三颜色子像素交替排列成行和列,第二颜色子像素行和第一颜色子像素行在列方向交替排列,且第二颜色子像素列和第一颜色子像素列在行方向交替排列。且每个第二颜色子像素被两个第一颜色子像素和两个第三颜色子像素包围。对于同一个第二颜色子像素,两个第一颜色子像素位于第二颜色子像素在第三方向的两侧,两个第三颜色子像素位于第二颜色子像素在第四方向的两侧;或者,两个第一颜色子像素位于第二颜色子像素在第四方向的两侧,两个第三颜色子像素位于第二颜色子像素在第三方向的两侧。第三方向例如为第一方向(例如行方向)逆时针旋转一锐角角度例如45°,第四方向例如为第一方向顺时针旋转一锐角角度例如45°。第三方向和第四方向也可以互换。第三方向和第四方向与第一方向和第二方向均相交。
例如,多个第一颜色子像素和多个第二颜色子像素沿第三方向交替排列成第一组,多个第三颜色子像素与多个第二颜色子像素沿第三方向交替排列成第二组,第一组和第二组沿第四方向交替分布。第二组中的第二颜色子像素与第一组中的第一颜色子像素在第四方向交叠排列,第一组中的第二颜色子像素与第二组中的第三颜色子像素在第四方向上交替排列。上述U方向是跟每个第二颜色子像素对应的,对于部分第二颜色子像素的U方向是第四方向,对于部分第二颜色子像素的U方向是第三方向。
在一些实施例中,第一颜色子像素、第二颜色子像素、第三颜色子像素也可以有相同的颜色,例如第一颜色子像素和第二颜色子像素的发光颜色相同(例如可以具体相同的发光层材料或这相同的发光器件结构)。在一些实施例中,例如第一颜色子像素和第三颜色子像素的发光颜色相同。例如还可以包括第四颜色子像素,第四颜色子像素的发光颜色可以与第一颜色子像素、第二颜色子像素、第三颜色子像素的发光颜色都不相同,或者第四颜色子像素的发光颜色可以与第一颜色子像素、第二颜色子像素、第三颜色子像素的其中之一的发光颜色相同。
以上实施例中,各个子像素的发光颜色、大小、形状以及位置分布是可以自由组合的。例如,其中的各个子像素的大小和形状,可以有部分相同,部分不同;或者完全相同;完全不同都是可以的。例如,部分子像素的大小相同,但形状不同。例如,部分子像素的形状轮廓大致相同,但面积大小不同。例如,第一颜色子像素周围可以有不同数量的第二颜色子像素,例如2个,3个,4个,5个,6个,7个,8个等,这些第二颜色子像素可以与第一颜色子像素的距离大致相等,或者部分相等,部分不相等。例如,第二颜色子像素周围可以有不同数量的第三颜色子像素,例如2个,3个,4个,5个,6个,7个,8个等,这些第一颜色子像素可以与第二颜色子像素的距离大致相等,或者部分相等,部分不相等。例如,第三颜色子像素周围可以有不同数量的第二颜色子像素,例如2个,3个,4个,5个,6个,7个,8个等,这些第二颜色子像素可以与第三颜色子像素的距离大致相等,或者部分相等,部分不相等。
例如,如图1A和图2所示,多个第三颜色子像素300包括多个第三有效发光区301,一个第二有效发光区201的面积小于一个第三有效发光区301的面积,多个第三颜色子像素300包括位于对应的开口401内以及围绕对应开口401的像素限定层400上的多个第三颜色发光层310,多个第三颜色子像素300包括的多个第三颜色发光层310彼此间隔,对应同一个第三颜色子像素300的第三颜色发光层310和第三有效发光区301在衬底基板上的正投影的面积比为第三面积比,第三面积比小于第二面积比。
例如,第三面积比大于1。例如,第三面积比的范围为可以为1~10。例如,第三面积比的范围为可以为2-8。例如,第三面积比的范围为可以为3-7。例如第一面积比的范围大概为3-5。例如第三面积比的范围可以为3-5。例如第二面积比的范围大概为5-7。例如第一面积比大概为4-5。例如第二面积比的范围大概为6-7。例如第三面积比的范围大概为3-4。例如,第三面积比的范围为1.5-7。例如,第三面积比的范围为2-3。例如,第三面积比的范围为3-4。
例如,第一颜色子像素100为红色子像素,第二颜色子像素200为绿色子像素,第三颜色子像素300为蓝色子像素。
例如,第三颜色子像素的发光效率小于第二颜色子像素的发光效率。
例如,第三颜色子像素的发光效率小于第一颜色子像素的发光效率。
例如,第三颜色子像素的发光效率和第二颜色子像素的发光效率的比值为0.3:1。例如,第三颜色子像素的发光效率和第二颜色子像素的发光效率的比值为0.4:1。例如,第三颜色子像素的发光效率和第二颜色子像素的发光效率的比值为0.5:1。例如,第三颜色子像素的发光效率和第二颜色子像素的发光效率的比值为0.6:1。例如,第三颜色子像素的发光效率和第二颜色子像素的发光效率的比值为0.7:1。例如,第三颜色子像素的发光效率和第二颜色子像素的发光效率的比值为0.8:1。例如,第三颜色子像素的发光效率和第二颜色子像素的发光效率的比值为0.9:1。
例如,第三颜色子像素的发光效率和第一颜色子像素的发光效率的比值为0.5-1。例如,第三颜色子像素的发光效率和第一颜色子像素的发光效率的比值为0.6-1。例如,第三颜色子像素的发光效率和第一颜色子像素的发光效率的比值为0.7-1。例如,第三颜色子像素的发光效率和第一颜色子像素的发光效率的比值为0.8-1。例如,第三颜色子像素的发光效率和第一颜色子像素的发光效率的比值为0.9-1。
例如,对应第三颜色子像素的第三面积比小于第二颜色子像素对应的第二面积比。
例如,对应第三颜色子像素的第三面积比小于第一颜色子像素对应的第一面积比。
例如子像素的发光效率大小,指相同电信号条件下,子像素的发光器件发出的光的强度的大小,光强度大,则认为发光效率大。例如,相同的电信号条件,是指写入数据线的电压大小相同。例如,相同的电信号条件,为写入发光器件的电流大小相同。例如,子像素的发光效率大小,指相同电信号条件下,流经发光器件的电流密度大小。
例如,第三颜色子像素的开口率大于第二颜色子像素的开口率。
例如,第三颜色子像素的开口率大于第一颜色子像素的开口率。
例如,第三颜色子像素的开口率指第三颜色子像素的实际用于发光的区域占显示区域的面积比例。
例如,第一颜色子像素的开口率和第三颜色子像素的开口率的比值大致为1:(1.1-1.9)。例如,第一颜色子像素的开口率和第三颜色子像素的开口率的比值大致为1:(1.2-1.8)。例如,第一颜色子像素的开口率和第三颜色子像素的开口率的比值大致为1:(1.3-1.7)。例如,第一颜色子像素的开口率和第三颜色子像素的开口率的比值大致为1:(1.4-1.6)。例如,第一颜色子像素的开口率和第三颜色子像素的开口率的比值大致为1:(1.2-1.5)。
例如,第二颜色子像素的开口率和第三颜色子像素的开口率的比值大致为1:(1.1-1.9)。例如,第二颜色子像素的开口率和第三颜色子像素的开口率的比值大致为1:(1.2-1.8)。例如,第二颜色子像素的开口率和第三颜色子像素的开口率的比值大致为1:(1.3-1.7)。例如,第二颜色子像素的开口率和第三颜色子像素的开口率的比值大致为1:(1.4-1.6)。例如,第二颜色子像素的开口率和第三颜色子像素的开口率的比值大致为1:(1.2-1.5)。
例如,显示区域的第二颜色子像素数量比第一颜色子像素的数量多。
例如,显示区域的第二颜色子像素数量比第一颜色子像素的数量比值大约为2。
例如,第一颜色子像素的开口率和第二颜色子像素的开口率的比值为0.5-1.6。例如,第一颜色子像素的开口率和第二颜色子像素的开口率的比值为0.5-1。例如,第一颜色子像素的开口率和第二颜色子像素的开口率的比值为0.6-1。例如,第一颜色子像素的开口率和第二颜色子像素的开口率的比值为0.7-1。例如,第一颜色子像素的开口率和第二颜色子像素的开口率的比值为0.8-1。例如,第一颜色子像素的开口率和第二颜色子像素的开口率的比值为0.9-1。例如,第一颜色子像素的开口率和第二颜色子像素的开口率的比值为1-1.1。例如,第一颜色子像素的开口率和第二颜色子像素的开口率的比值为1-1.2。例如,第一颜色子像素的开口率和第二颜色子像素的开口率的比值为1-1.3。例如,第一颜色子像素的开口率和第二颜色子像素的开口率的比值为1-1.4。例如,第一颜色子像素的开口率和第二颜色子像素的开口率的比值为1-1.5。
例如,如图1A和图3所示,第三颜色子像素300包括第三有效发光区301,第二有效发光区201的面积小于第三有效发光区301的面积。各第三颜色子像素300包括位于像素限定层400的开口401内以及像素限定层400上的第三颜色发光层310,多个第三颜色子像素300包括的多个第三颜色发光层310彼此间隔。各第三颜色子像素300的第三颜色发光层310在衬底基板10上的正投影与第三有效发光区301在衬底基板10上的正投影的面积比小于各第二颜色子像素200的第二颜色发光层210在衬底基板10上的正投影与第二有效发光区201在衬底基板10上的正投影的面积比。本公开实施例中,第二颜色子像素的第二颜色发光层与第二有效发光区的面积比设置为大于第三颜色子像素的第三颜色发光层与第三有效发光区的面积比,可以将单个有效发光区面积相对较小的第二颜色子像素的蒸镀工艺精度余量设置的相对更大一些,使得形成在第二有效发光区内的第二颜色发光层质量更稳定,从而减小蒸镀工艺带来的偏差或波动对各个子像素显示质量的影响。
在一些实施例中,第一颜色子像素的第一有效发光区、第二颜色子像素的第二有效发光区和第三颜色子像素的第三有效发光区的面积大小不满足上述实施例的条件(例如第二有效发光区201的面积不小于第三有效发光区301的面积,例如第二有效发光区201的面积不小于第一有效发光区101的面积),但由于对于某个颜色的工艺精度要求比较高,或者由于该颜色的发光层材料的一些特性(如扩散性,挥发性,粘附性等)的原因,也可以通过设置该颜色子像素的对应发光层与有效发光区的面积比大于或小于其他颜色子像素的对应的面积比。在一些实施例中,由于不同应用场景,或者不同显示条件或不同显示区域,也可以设置不同子像素的对应发光层与有效发光区的面积比大于或小于其他子像素的对应的面积比,而不一定满足上述对应的有效发光区的大小关系,或者发光效率的大小关系,或者开口率的大小关系,即有效发光区的大小关系,或者发光效率的大小关系,或者开口率的大小关系对于发光层与有效发光区的面积比不是必要条件,影响发光层与有效发光区的面积比的因素还可以包括工艺,材料,具体应用,形态等。例如,如图1A至图3所示,各第一颜色子像素100的第一有效发光区101的面积小于各第三颜色子像素300的第三有效发光区301的面积。考虑到不同颜色子像素的发光层的发光材料的寿命、发光效率不同,各红色子像素的有效发光区的面积设置为小于各蓝色子像素的有效发光区的面积。
例如,各第一颜色子像素100的第一颜色发光层110在衬底基板10上的正投影与第一有效发光区101在衬底基板10上的正投影的面积比大于各第三颜色子像素300的第三颜色发光层310在衬底基板10上的正投影与第三有效发光区301在衬底基板10上的正投影的面积比。本公开实施例中,第一颜色子像素的第一颜色发光层与第一有效发光区的面积比设置为大于第三颜色子像素的第三颜色发光层与第三有效发光区的面积比,可以将单个有效发光区面积相对较小的第二颜色子像素的蒸镀工艺精度余量设置的相对更大一些,使得形成在第二有效发光区内的第二颜色发光层质量更稳定,从而减小蒸镀工艺带来的偏差或波动对各个子像素显示质量的影响。也就是,一个第一颜色子像素的第一颜色发光层中与其他子像素的发光层交叠的部分和该一个第一颜色发光层在衬底基板上的正投影的面积比,以及一个第三颜色子像素的第三颜色发光层中与其他子像素的发光层交叠的部分和该一个第三颜色发光层在衬底基板上的正投影的面积比均小于一个第二颜色子像素的第二颜色发光层中与其他子像素的发光层交叠的部分和该一个第二颜色发光层在衬底基板上的正投影的面积比。
例如,如图1A和图1C所示,本公开实施例示意性的示出限定第一颜色子像素100和第三颜色子像素300的有效发光区的开口401的形状均为正方形或八边形,即第一有效发光区101和第三有效发光区301的形状均为正方形;用于形成第一颜色子像素100和第三颜色子像素300的发光层的掩模板的开口形状也为正方形或八边形,即第一颜色发光层110和第三颜色发光层310的平面形状均大致为正方形;用于形成第二颜色子像素200的第二有效发光区201的开口401的形状为椭圆形,且用于形成第二颜色发光层210的掩模板的开口形状为圆形。
例如,用于形成第一颜色发光层110大致为正方形或菱形,其对应的掩模板的开口的边长可以为33微米,限定第一有效发光区101的开口401大致为正方形或菱形,其边长可以为15.2微米。例如用于形成第二颜色发光层210大致为圆形或八边形,其对应的掩模板的开口的直径可以为33微米,限定第二有效发光区201的开口401大致为椭圆形、橄榄形、六边形、八边形、矩形中任意一种,其长轴可以为14微米,短轴可以为12微米。例如,八边形的直径可以为过其几何中心垂直一对边方向的尺寸。例如,用于形成第三颜色发光层310大致为正方向或菱形,其对应的掩模板的开口的对角线的长度可以为50微米,限定第三有效发光区301的开口401大致为正方形或菱形,其边长可以为18.3微米。例如,六边形、八边形或矩形的长轴可以为其长度方向,短轴为其宽度方向,例如垂直长轴方向的方向,长轴和短轴的尺寸均为其在各自方向的最大尺寸。例如,以上各个多边形图形可以为圆角图形。
例如,第一颜色子像素100的第一颜色发光层110的在衬底基板10上的正投影的面积(平面形状的面积)可以为900-1200平方微米,例如1000-1100平方微米,第一有效发光区101的面积可以为150-300平方微米,例如为220-240平方微米,两者的比值可以为3-6,例如为4-5。例如,第二颜色子像素200的第二颜色发光层210的平面形状的面积可以为700-1000平方微米,例如为800-900平方微米,第二有效发光区201的面积可以为100-200平方微米,例如为100-150平方微米,两者的比值可以为5-8,例如为6-7。例如,第三颜色子像素300的第三颜色发光层310的平面形状的面积可以为1000-1500,例如为1200-1300平方微米,第三有效发光区301的面积可以为200-500平方微米,例如为300-400平方微米,两者的比值可以为2-6,例如为3-4。根据以上数据可以看出,第二颜色子像素的第二颜色发光层的平面形状的面积与第二有效发光区的面积比大于第一颜色子像素的第一颜色发光层的平面形状的面积与第一有效发光区的面积比,第一颜色子像素的第一颜色发光层的平面形状的面积与第一有效发光区的面积比大于第三颜色子像素的第三颜色发光层的平面形状的面积与第三有效发光区的面积比。
例如,如图1A至图3所示,沿第三方向排列且相邻的第一颜色发光层110和第二颜色发光层210有交叠,沿第四方向排列且相邻的第二颜色发光层210与第三颜色发光层310有交叠。也就是,第二颜色发光层210的边界可以与第一颜色发光层110的边界存在少量的交叠,第二颜色发光层210的边界还可以与第三颜色发光层310的边界存在少量的交叠,从而提高显示面板的分辨率以及提高工艺精度。本公开实施例中的“交叠”指彼此交叠的两者沿垂直于衬底基板的方向交叠,即两者在衬底基板上的正投影有重叠部分。
例如,各子像素发光层的形成顺序可以为:第一颜色发光层、第二颜色发光层以及第三颜色发光层,或者第三颜色发光层、第一颜色发光层以及第二颜色发光层。例如,以依次形成第一颜色发光层、第二颜色发光层以及第三颜色发光层的顺序为例,第三颜色发光层的边界覆盖第二颜色发光层的边界,且第二颜色发光层的边界覆盖第一颜色发光层的边界。例如,第一颜色发光层和第三颜色发光层的平面形状均为矩形,则第一颜色发光层和第三颜色发光层彼此相对的边角的位置的发光层可以交叠,也可以不交叠,第二颜色发光层的平面形状为圆形或椭圆形,第二颜色发光层靠近上述第一颜色发光层的边角的位置也可以与第一颜色发光层没有交叠,第二颜色发光层靠近上述第三颜色发光层的边角的位置也可以与第三颜色发光层没有交叠。
例如,如图1A至图3所示,一个第一颜色子像素100的第一颜色发光层110中与其他子像素的发光层交叠的部分和该一个第一颜色发光层110在衬底基板10上的正投影的面积比,以及一个第三颜色子像素300的第三颜色发光层310中与其他子像素的发光层交叠的部分和该一个第三颜色发光层310在衬底基板10上的正投影的面积比均小于一个第二颜色子像素200的第二颜色发光层210中与其他子像素的发光层交叠的部分和该一个第二颜色发光层210在衬底基板10上的正投影的面积比。
例如,第二颜色子像素200的第二颜色发光层210在第三方向和第四方向上均与其他颜色子像素有交叠。例如,第二颜色发光层210的边界在其有效发光区的长度方向上与相邻的第一颜色发光层110的边界交叠,第二颜色发光层210的边界在其有效发光区的宽度方向上与相邻的第三颜色发光层310的边界交叠。
例如,如图1A至图3所示,相邻的第一颜色发光层110和第三颜色发光层310无交叠,即第一颜色发光层110的边界可以与相邻的第三颜色发光层310的边界没有交叠。上述“相邻”指第一颜色发光层与第三颜色发光层之间没有其他的第一颜色发光层或第三颜色发光层,且可以指两者沿第一方向、第二方向、第三方向和第四方向的至少之一的方向相邻。
例如,相邻的第一颜色发光层110和第三颜色发光层310的交叠面积小于相邻的第一颜色发光层110和第二颜色发光层210的交叠面积,且相邻的第一颜色发光层110和第三颜色发光层310的交叠面积小于相邻的第三颜色发光层310和第二颜色发光层210的交叠面积。
例如,相邻的第一颜色发光层110的边界和第三颜色发光层310的边界在第一方向上的交叠部分的最大尺寸以及相邻的第一颜色发光层110的边界和第三颜色发光层310的边界在第二方向上的交叠部分的最大尺寸均小于相邻的第一颜色发光层110的边界和第二颜色发光层210的边界的交叠部分沿第三方向的最大尺寸,以及相邻的第二颜色发光层210的边界和第三颜色发光层310的边界的交叠部分沿第四方向的最大尺寸。本公开实施例中由于第二颜色发光层在衬底基板上的正投影的面积最小,将第二颜色发光层与其他颜色发光层的交叠面积设置的较大,可以提高第二颜色子像素的工艺精度。
例如,各子像素的发光层的中心与相应的有效发光区的中心之间的距离,即像素位置精度(pixel position accuracy,ppa)偏差小于6微米。例如,ppa偏差可以为±3微米。例如,当本公开实施例提供的显示面板应用于车载产品时,各子像素的ppa偏差可以为±5~±6微米。例如,当本公开实施例提供的显示面板应用到具有高PPI特性的显示装置时,各子像素的ppa偏差可以为±1.5微米。
例如,第二颜色子像素的第二颜色发光层的面积最小,则其ppa偏差占发光层的尺寸比例最大。
上述ppa偏差可以反应精细金属掩模板和显示面板的对位精度,直接体现为掩模板的开口和对应的子像素的像素限定层的开口的对位精度,掩模板的开口用于形成发光层,则FMM(精细金属掩模板)和显示面板的对位精度体现的一个方面就是发光层中心和相应的像素限定层的开口中心的距离。
例如,如图1A至图3所示,相邻的第一有效发光区101与第二有效发光区201之间的像素限定层400的远离衬底基板10一侧的平坦表面403的沿第三方向或第四方向的宽度大致等于相邻的第二有效发光区201与第三有效发光区301之间的像素限定层400的平坦表面403的沿第四方向或第三方向的宽度。也就是,不同颜色子像素之间的像素限定层的间隙(PDL gap)大致相等。例如,相邻的第一有效发光区与第二有效发光区之间的沿第三方向或第四方向的间距大致等于相邻的第二有效发光区与第三有效发光区之间的沿第四方向或第三方向的间距。例如,相邻的第一有效发光区与第二有效发光区之间的沿该第二有效发光区长度方向的间距,大致等于相邻的第二有效发光区与第三有效发光区之间的沿该第二有效发光区宽度方向的间距。
例如,相邻的第一有效发光区与第二有效发光区之间的像素限定层沿第三方向的宽度范围为15~25微米;在平行衬底基板的平面且沿第三方向,相邻的一第一有效发光区与一第二有效发光区之间的像素限定层远离衬底基板一侧的表面被第一颜色发光层覆盖的部分为像素限定层宽度的0.3-0.8倍。例如,相邻的一第一有效发光区与一第二有效发光区之间的像素限定层远离衬底基板一侧的表面被第二颜色发光层覆盖的部分为像素限定层宽度的0.3-0.8倍。例如,相邻的第三有效发光区与第二有效发光区之间的像素限定层沿第三方向的宽度范围为15~25微米。例如,在平行衬底基板的平面且沿第三方向,相邻的一第三有效发光区与一第二有效发光区之间的像素限定层远离衬底基板一侧的表面被第三颜色发光层覆盖的部分为像素限定层宽度的0.3-0.8倍。例如,相邻的一第三有效发光区与一第二有效发光区之间的所述像素限定层远离衬底基板一侧的表面被第二颜色发光层覆盖的部分为像素限定层宽度的0.3-0.8倍。
例如,相邻的第一有效发光区101与第二有效发光区201之间的像素限定层400沿该第二有效发光区201的长度方向的宽度范围可以为15~25微米,即PDL gap的尺寸大概为15~25微米。例如,PDL gap的尺寸大概为16~18微米。例如,在像素限定层形成开口位置处存在斜坡时,像素限定层400的平坦表面403的宽度小于PDL gap的尺寸。
例如,各子像素的发光层中覆盖像素限定层400的平坦表面403的宽度为像素限定层400的宽度的0.3~0.8倍。例如,各子像素的发光层中覆盖像素限定层400的平坦表面403的宽度为平坦表面403的宽度的0.4~0.6倍。
例如,在平行衬底基板的平面且沿第二有效发光区的长度方向(例如第三方向),相邻的第一有效发光区与第二有效发光区之间的像素限定层远离衬底基板一侧的表面被第一颜色发光层覆盖的部分为像素限定层宽度的0.3-0.8倍。例如,在平行衬底基板的平面且沿第二有效发光区的长度方向(例如第三方向),相邻的一第一有效发光区与一第二有效发光区之间的像素限定层远离衬底基板一侧的表面被第二颜色发光层覆盖的部分为像素限定层宽度的0.3-0.8倍。
例如,各个位置处像素限定层的宽度可以为沿与该位置处像素限定层中心线大致垂直的方向,且经过相邻的有效发光区中心的方向上的尺寸。例如,显示区内,像素限定层为网格状,各个位置处像素限定层的中心线(图17B所示的中心线CL)可以为构成网格的各个像素限定层段在其延伸方向上的中心线,该中心线与该像素限定层段的延伸方向平行,且该中心线可以将该像素限定层段分成两侧面积大致相等的两部分。
为了实现各个颜色子像素的紧密排列,且各个子像素在制作过程中的工艺精度相当,各个发光层除覆盖对应的像素限定层的开口以外,还覆盖相邻的开口之间的平坦表面的宽度的大概一半的尺寸。
例如,一第二颜色子像素200的长度方向为第三方向,宽度方向为第四方向,第一颜色发光层110覆盖相邻第一颜色子像素100和该第二颜色子像素200之间的像素限定层400,且第一颜色发光层110覆盖像素限定层400的平坦表面403的部分沿第三方向的宽度为像素限定层400的沿第三方向(或第四方向)的宽度的0.3~0.8倍,第二颜色发光层210覆盖相邻第一颜色子像素100和第二颜色子像素200之间的像素限定层400,且第二颜色发光层210覆盖像素限定层400的平坦表面403的部分沿第三方向的宽度为像素限定层400的沿第三方向的宽度的0.3~0.8倍。
例如,一第二颜色子像素200的长度方向为第三方向,宽度方向为第四方向,第三颜色发光层310覆盖相邻第三颜色子像素300和第二颜色子像素200之间的像素限定层400,且第三颜色发光层310覆盖像素限定层400的平坦表面403的部分沿第四方向的宽度为像素限定层400的沿第四方向的宽度的0.3~0.8倍,第二颜色发光层210覆盖相邻第三颜色子像素300和第二颜色子像素200之间的像素限定层400,且第二颜色发光层210覆盖像素限定层400的平坦表面403的部分沿第四方向的宽度为像素限定层400的沿第四方向的宽度的0.3~0.8倍。
例如,如图2和图3所示,各发光层的边缘区域包括一环形区a,该环形区例如从外边缘向中心方向扩展大概一定宽度的区域。在制备各颜色子像素的发光层的过程中,各颜色发光层会由于工艺原因向外围扩散以及内部扩散不均匀而形成阴影(shadow)区。例如,该环形区包括所述阴影区。所述环形区位于发光层的边缘区域,其宽度a可以为1~4微米,例如还可以为3~4微米,例如可以为1-3微米。例如,环形区的发光层的平均厚度小于有效发光区中发光层的平均厚度。例如,环形区的发光层均位于像素限定层的开口之外,例如位于像素限定层上。例如,各发光层的环形区与对应的像素限定层沿其延伸方向的中心线有交叠。例如,环形区的发光层的平均厚度小于等于像素限定层的开口内的发光层的平均厚度的90%。例如,环形区的发光层的平均厚度小于等于像素限定层的开口内的发光层的平均厚度的95%。例如,环形区的发光层的平均厚度小于等于像素限定层的开口内的发光层的平均厚度的80%。
例如,以第一颜色发光层110为例进行描述,第一颜色发光层110靠近相邻的第二颜色发光层210以及相邻的第三颜色发光层310的边缘区域可以均为环形区,第一颜色发光层110靠近第二颜色发光层210的环形区的沿第三方向的宽度为a,沿第一方向彼此相邻的第一颜色发光层110靠近第二颜色发光层210的环形区的沿第一方向的宽度为a,沿第二方向彼此相邻的第一颜色发光层110靠近第三颜色发光层310的环形区的沿第二方向的宽度为a。
例如,相邻的不同颜色发光层图案的环形区有交叠。例如,红色发光层的环形区和绿色发光层的环形区有交叠。例如,绿色发光层的环形区和蓝色发光层的环形区有交叠。例如,红色发光层的环形区和蓝色发光层的环形区有交叠。例如,至少部分区域,红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层的环形区均有交叠。
例如,相同颜色发光层之间的间隔不小于10微米。例如,相同颜色发光层之间的间隔不小于12微米。例如,绿色子像素的发光层之间的最小间隔不小于11微米。例如,红色子像素的发光层之间的最小间隔大于绿色子像素的发光层之间的最小间隔。例如,红色子像素的发光层之间的最小间隔不小于15微米。例如,红色子像素的发光层之间的最小间隔不小于20微米。例如,蓝色子像素的发光层之间的最小间隔大于绿色子像素的发光层之间的最小间隔。例如,蓝色子像素的发光层之间的最小间隔不小于14微米。例如,蓝色子像素的发光层之间的最小间隔不小于18微米。
例如,相邻子像素之间的像素限定层的宽度为a’,即PDL gap的宽度为a’,相邻发光层交叠部分的宽度为o,则o≥a且<(0.5*a’)-a。例如,相邻第一颜色发光层与第二颜色发光层交叠部分沿第三方向的尺寸为o1,o1≥a且<(0.5*a’)-a;相邻第三颜色发光层与第二颜色发光层之间的像素限定层的沿第四方向的尺寸为a’,且相邻第三颜色发光层与第二颜色发光层交叠部分沿第四方向尺寸o2,o2≥a且<(0.5*a’)-a。
例如,如图1A至图3所示,各发光层中位于像素限定层400的平坦表面403上的部分中,未与其他子像素的发光层交叠的面积大于与其他子像素的发光层交叠的面积。
例如,沿第三方向,第一颜色发光层110中位于平坦表面403上的部分中,与第二颜色发光层210交叠部分的尺寸小于未与第二颜色发光层210交叠部分的尺寸;沿第三方向,第二颜色发光层210中位于平坦表面403上的部分中,与第一颜色发光层110交叠部分的尺寸小于未与第一颜色发光层110交叠部分的尺寸。
例如,沿第四方向,第三颜色发光层310中位于平坦表面403上的部分中,与第二颜色发光层210交叠部分的尺寸小于未与第二颜色发光层210交叠部分的尺寸;沿第四方向,第二颜色发光层210中位于平坦表面403上的部分中,与第三颜色发光层310交叠部分的尺寸小于未与第三颜色发光层310交叠部分的尺寸。
例如,如图2所示,在PDL gap中线的一侧,位于像素限定层上的发光层中未与相邻发光层交叠部分的宽度大于与相邻发光层交叠部分的宽度。
例如,如图2和图3所示,第一颜色子像素100还包括位于第一颜色发光层110与衬底基板之间的第二电极120,第二颜色子像素200还包括位于第二颜色发光层210与衬底基板之间的第二电极220,第三颜色子像素300还包括位于第三颜色发光层310与衬底基板之间的第二电极320。各子像素的第二电极与像素限定层400沿垂直于衬底基板的方向均有交叠区域,但交叠区域的尺寸小于相应子像素的发光层与像素限定层400交叠部分的尺寸,也小于相应子像素的发光层与相邻子像素的发光层交叠部分的尺寸。
例如,各子像素中的第二电极包括主体电极(参考图13A),从有效发光区的中心指向边缘的方向,主体电极与像素限定层交叠部分的尺寸不大于发光层与像素限定层交叠部分的尺寸。例如,各子像素中,主体电极的形状与有效发光区的形状大致相同,或为近似图形。参考图13A,第一颜色子像素中,主体电极121的形状与第一有效发光区101的形状大致相同,例如均为近似正方形。
例如,显示面板中,第一颜色子像素100的整体开口率可以为4%-5.5%,例如为4%-5%,例如为4.81%;例如,第二颜色子像素200的整体开口率可以为4%-7%,例如为5%-6%,例如为5.49%。例如,第三颜色子像素300的整体开口率可以为5%-8%,例如为6%-7%,例如为6.97%。例如,PDL gap可以为18-25微米,例如为约24微米,例如为约23微米,例如为约22微米,例如为约21微米,例如为约20微米,例如为约19微米。例如,相邻子像素的第二电极之间的距离可以为1-6微米,例如为2-4微米,例如为2-3微米,例如为2.5微米。例如,第二电极与像素限定层交叠部分的宽度可以为0.5-4微米,例如为1-3微米,例如为1-2微米,例如为1.5-1.7微米。
例如,第一颜色子像素的开口率可以为4.45%,第二颜色子像素的开口率可以为6.20%,第三颜色子像素的开口率可以为8.53%。例如,PDL gap可以为19微米。例如,相邻子像素的第二电极之间的距离可以为5微米,第二电极与像素限定层交叠部分的宽度可以为2.5微米。
例如,如图2所示,第一颜色子像素100中的第二电极120的主体电极与像素限定层400交叠部分的沿第三方向的尺寸b小于第一颜色发光层110与像素限定层400交叠部分的沿第三方向的尺寸c。同理,第二颜色子像素200中的第二电极220的主体电极与像素限定层400交叠部分的沿第三方向的尺寸小于第二颜色发光层210与像素限定层400交叠部分的沿第三方向的尺寸。
需要说明的是,各子像素的第二电极包括主体电极(后续描述)以及与主体电极连接的连接电极(后续描述),连接电极被配置为与像素电路(后续描述)连接。例如,本公开实施例中提到的“第二电极与像素限定层交叠部分”可以指第二电极的主体电极与像素限定层交叠部分。
例如,第一颜色子像素100中的第二电极120的主体电极的交叠部分的尺寸b可以小于第一颜色发光层110与相邻的第二颜色发光层210交叠部分的沿第三方向的尺寸。第二颜色子像素200中的第二电极220的主体电极与像素限定层400交叠部分的沿第三方向的尺寸小于第二颜色发光层210与相邻的第一颜色发光层110交叠部分的沿第三方向的尺寸。
例如,如图3所示,第二颜色子像素200中的第二电极220的主体电极与像素限定层400交叠部分的沿第四方向的尺寸d小于第二颜色发光层210与像素限定层400交叠部分的沿第四方向的尺寸e。同理,第三颜色子像素300中的第二电极320的主体电极与像素限定层400交叠部分的沿第四方向的尺寸小于第三颜色发光层310与像素限定层400交叠部分的沿第四方向的尺寸。
例如,第二颜色子像素200中的第二电极220的交叠部分的尺寸d小于第二颜色发光层210与相邻的第三颜色发光层310交叠部分的沿第四方向的尺寸。同理,第三颜色子像素300中的第二电极320与像素限定层400交叠部分的沿第四方向的尺寸小于第三颜色发光层310与相邻的第二颜色发光层210交叠部分的沿第四方向的尺寸。
例如,像素限定层400与各第二电极的主体电极交叠区域的宽度大于1.7微米,例如大于2微米。如果各第二电极的主体电极被像素限定层覆盖的部分的尺寸过大会导致子像素的开口率下降,但如果第二电极的主体电极的边缘不被像素限定层覆盖,容易导致第二电极的主体电极的边角处出现击穿,短路等问题。由此,在避免击穿的前提下,尽量减少像素限定层和第二电极的交叠面积可以尽量提高开口率,提高显示亮度,降低功耗。
在一些实施例中,该显示面板可以没有触控功能,即不包括触控电极。在一些实施例中,该显示面板的触控电极可以不采用触控电极线和桥接线的布置方式,例如可以为面状电极。在一些实施例中,该显示面板的触控电极的材料可以是金属,也可是金属氧化物或者其他任何可以导电的材料。
在一些实施例中,像素限定层上可以设置有隔垫物。在一些实施例中,像素限定层层上隔垫物可以与像素限定层一体形成。在一些实施例中,像素限定层上可以没有隔垫物。例如隔垫物设置在其他膜层上。例如隔垫物形成在对向基板上。例如隔垫物形成在掩膜版上。在一些实施例中,隔垫物与像素限定层可以没有交叠。在一些实施例中隔垫物与像素限定层的大小和面积也可以不必满足下述实施例中的关系。例如隔垫物设置的密度比较大,例如隔垫物与子像素数量比大致相等,例如隔垫物与子像素数量比为0.8-1.2。例如,在相邻像素限定层开口中心连线的方向上,隔垫物的尺寸与像素限定层开口间隔的尺寸相当,例如比值大致为0.8-1.2。
随着触控感应技术迅速地发展,许多消费性电子产品例如移动电话(mobilephone)、全球定位系统(GPS navigator system)、平板电脑(tablet PC)、个人数码助理(PDA)以及笔记本计算机(laptop PC)等均有与触控功能结合的产品。目前触控板的技术发展非常多样化,较常见的技术包括电阻式、电容式以及光学式等。电容式触控板由于具有高准确率、多点触控、高耐用性以及高触控解析度等特点,已成为目前的主流触控技术。电容式触控板的操作原理是使用感应电极来检测触控点位的电容变化,并利用不同方向轴上连结各个电极的触控信号传输走线将信号传回而完成定位。
一种电容式触控板技术中,感应电极以透明导电材料例如氧化铟锡所形成,由于透明导电材料的电阻率比金属导电材料高,故使用透明导电材料形成感应电极会发生整体阻值过高而影响到反应速度等问题。因此,以金属线路交织而成的金属网格(metal mesh)来取代透明导电材料形成感应电极的设计可以提高反应速度。
随着柔性有机发光二极管显示装置的发展,提供低成本柔性触控方案已经成为趋势。一种柔性触控方案包括:将触控电极做在薄膜(例如封装膜层)上以形成触摸屏。封装膜层例如可以为无机层,有机层,无极层的叠层,无机层的材料例如为氮化硅,有机层的材料例如为聚酰亚胺。形成封装膜层之后,在其上形成例如材料为二氧化硅的膜层,然后在二氧化硅膜层远离封装膜层的一侧依次形成第一金属网格层、触控绝缘层以及第二金属网格层。
根据触控方式的不同,电容式触控屏可以分为自容式(self-capacitive)触控屏和互容式(mutual-capacitive)触控屏,由于互容式触控屏可以实现多点触控,因而互容式触控屏成为目前触控屏市场上的主流产品和未来的发展趋势。
图4为本公开实施例提供的显示面板中的触控结构的局部平面结构示意图,图5为图4所示的区域C的放大结构示意图,图6为沿图5所示的DD线所截的局部截面结构示意图,图7为沿图5所示的EE线所截的局部截面结构示意图。如图6所示,各子像素还包括位于发光层远离第二电极一侧的第一电极。例如,以第一颜色子像素和第二颜色子像素为例,第一颜色子像素100包括第一电极130,第二颜色子像素200包括第一电极230。
例如,各子像素的第一电极可以形成为连续的膜层,即第一电极为各子像素的公共电极。例如,第一电极远离衬底基板的一侧还设置有覆盖显示区11和周边区12的封装层500,封装层500覆盖显示区各子像素以及像素限定层400。例如,封装层500可以包括依次层叠设置的第一无机封装层501、有机封装层502以及第二无机封装层503。例如,封装层500远离第一电极的一侧还可以设置缓冲层650,缓冲层650远离封装层500的一侧还设置有触控绝缘层660,例如触控绝缘层660的材料可以包括氧化硅、氮化硅等无机材料。
例如,如图4至图7所示,本公开的至少一实施例提供一种显示面板,包括:衬底基板包括显示区和位于所述显示区周边的周边区;多个第一颜色子像素,位于所述显示区,且所述多个第一颜色子像素沿第一方向排列以形成多个第一颜色子像素行,所述多个第一颜色子像素行沿第二方向排列,且所述多个第一颜色子像素行中的相邻第一颜色子像素行沿所述第一方向彼此错开;多个第二颜色子像素,位于所述显示区,且沿所述第一方向和所述第二方向阵列排布,四个第二颜色子像素围绕一个第一颜色子像素;多个第三颜色子像素,位于所述显示区,所述多个第一颜色子像素和所述多个第三颜色子像素沿所述第一方向和所述第二方向交替排列,所述多个第一颜色子像素和所述多个第二颜色子像素沿第三方向交替排列成第一组,所述多个第三颜色子像素与所述多个第二颜色子像素沿第三方向交替排列成第二组,所述第一组和所述第二组沿第四方向交替分布,所述第三方向和所述第四方向与所述第一方向和所述第二方向均相交;像素限定层,位于所述显示区和所述周边区,所述像素限定层包括多个开口以限定多个子像素的有效发光区,所述多个第一颜色子像素包括多个第一有效发光区,所述多个第二颜色子像素包括多个第二有效发光区,所述多个第三颜色子像素包括多个第三有效发光区。所述多个第一颜色子像素包括位于对应的所述开口内以及围绕对应开口的所述像素限定层上的多个第一颜色发光层,所述多个第二颜色子像素包括位于对应的所述开口内以及围绕对应开口的所述像素限定层上的第二颜色发光层,所述多个第一颜色子像素包括的多个第一颜色发光层彼此间隔,所述多个第二颜色子像素包括的多个第二颜色发光层彼此间隔;所述多个第三颜色子像素包括位于对应的所述开口内以及围绕对应开口的所述像素限定层上的多个第三颜色发光层,所述多个第三颜色子像素包括的多个第三颜色发光层彼此间隔。
所述显示面板还包括:封装层,位于所述显示区和所述周边区;第一触控电极层,位于所述封装层远离所述衬底基板的一侧,所述第一触控电极层包括沿所述第一方向延伸的多个第一触控电极和沿所述第二方向延伸的多个第二触控电极,每个第一触控电极包括多个第一触控电极单元,每个第二触控电极包括多个第二触控电极单元,所述第一触控电极层包括多条触控电极线,所述多条触控电极线交叉设置以形成多个第一网格,各所述第一触控电极单元和各所述第二触控电极单元均包括多个连通的第一网格;第二触控电极层,包括多个连接桥,所述第二触控电极层包括多条桥接线,所述多条桥接线交叉设置以形成第二网格,各所述连接桥包括多个连通的第二网格,相邻所述第二触控电极单元通过至少一个连接桥电连接;触控绝缘层,位于所述第一触控电极层与所述第二触控电极层之间,所述第二触控电极单元通过贯穿所述触控绝缘层中的过孔与所述连接桥电连接。位于显示区的所述多条触控电极线在所述衬底基板上的正投影位于所述像素限定层在所述衬底基板上的正投影内。
在一些实施例中,第一颜色子像素、第二颜色子像素、第三颜色子像素也可以不按照上述实施例的方式进行排列,各个触控电极的触控电极线和桥接线位于各个子像素发光区域的间隔,例如其投影可大致位于像素限定层的在衬底基板的正投影内。在一些实施例中,显示面板只有部分区域具有触摸功能,各个触控电极的触控电极线和桥接线可以仅设置在该部分区域。在一些实施例中,上述各个触控电极的触控电极线和桥接线位于与衬底基板相对的另一基板上。在一些实施例中,上述各个触控电极的触控电极线和桥接线位于一触控基板上,该触控基板与形成有像素结构的衬底基板组装形成为带有触控功能的显示面板。在一些实施例中,该显示面板的子像素的发光层与对应的有效发光区的面积比大小关系可以与前述实施例设置的方式相同。在一些实施例中,该显示面板的子像素的发光层与对应的有效发光区的面积比大小关系可以与前述实施例设置的方式不同,即其面积比可以没有特定的大小关系,或者其至少部分子像素的面积比大小关系不满足前述实施例中的关系。
例如,如图4至图7所示,显示面板还包括位于缓冲层650远离封装层500一侧的第一触控电极层610和第二触控电极层620。例如,第二触控电极层620可以位于第一触控电极层610与封装层500之间,且第一触控电极层610和第二触控电极层620之间还设置有触控绝缘层660。本公开实施例不限于此,第二触控电极层620也可以位于第一触控电极层610远离封装层500的一侧。
例如,第一触控电极层610包括多个第一触控电极611和多个第二触控电极612,每个第一触控电极611包括沿第一方向排列的多个第一触控电极单元6110,每个第二触控电极612包括沿第二方向排列的多个第二触控电极单元6120。第一触控电极层610包括多条触控电极线6112,多条触控电极线6112交叉设置以形成多个第一网格601。各第一触控电极单元6110和各第二触控电极单元6120均包括多个连通的第一网格601。这里多个连通的第一网格指多个第一网格电连接且为一体结构。
例如,第二触控电极层620包括多个连接桥621,各连接桥621包括多条桥接线6210,多条桥接线6210交叉设置以形成第二网格602,各连接桥621包括多个连通的第二网格602,相邻第二触控电极单元6120通过至少一个连接桥621电连接。这里多个连通的第二网格指多个第二网格电连接且为一体结构。
例如,第一触控电极611和第二触控电极612之一为触控感应电极,另一个为触控驱动电极,触控感应电极和触控驱动电极均形成于同一层电极层中,即第一触控电极层610中。触控感应电极和触控驱动电极其中之一例如多个第一触控电极单元6110直接连接,另一个例如多个第二触控电极单元6120在相邻触控驱动电极直接连接的位置处断开,且通过另一层电极层形成连接桥。也就是,沿X方向排列的一排第一触控电极单元6110直接电连接,沿Y方向排列的一排第二触控电极单元6120通过第二触控电极层620中的连接桥621实现电连接。
例如,图4至图5示意性的示出相邻两个第二触控电极单元6120通过两个连接桥621电连接,但不限于此,也可以通过一个连接桥或者更多个连接桥电连接。
例如,如图4至图7所示,位于显示区的多条触控电极线6112在衬底基板上的正投影位于像素限定层400在衬底基板上的正投影内,即,各触控电极线6112的线宽小于PDLgap。各触控电极线6112的线宽为2~5微米。例如,各触控电极线6112的线宽可以为3微米。例如,触控电极线的材料可以包括金属。例如触控电极线的材料可以包括Ti/Al/Ti三层。因为触控电极线包括金属且具有一定的宽度和厚度,对于各个颜色子像素的出光具有一定的遮挡,为了使得触控电极线不影响整体显示的均衡,可以将触控电极线的线宽设置的较窄,且与各子像素的有效发光区没有交叠。
例如,触控电极线6112的线宽可以与桥接线6210的线宽相同以方便制作,但不限于此,桥接线的线宽也可以大于触控电极线的线宽。
例如,如图4至图7所示,显示区内,像素限定层400中与触控电极线6112有交叠的像素限定层段的沿触控电极线6112的延伸方向延伸的中心线在衬底基板上的正投影80%以上位于触控电极线6112在衬底基板上的正投影内。例如,显示区内,像素限定层400中与触控电极线6112有交叠的像素限定层段的沿触控电极线6112的延伸方向延伸的中心线在衬底基板上的正投影90%以上位于触控电极线6112在衬底基板上的正投影内。例如,除了触控电极线6112的断口部分,像素限定层400中与触控电极线6112有交叠的像素限定层段的沿触控电极线6112的延伸方向延伸的中心线在衬底基板上的正投影基本都位于触控电极线6112在衬底基板上的正投影内。例如,像素限定层的沿触控电极线的延伸方向延伸的中心线也可以是不同颜色子像素有效发光区之间像素限定层宽度的一半分界线。
在部分实施例中,触控电极线6112或桥接线的各个部分的延伸方向也可以与对应的像素限定层段的延伸方向不完全相同,例如存在一定夹角。例如该夹角为0-30度。在一些实施例中,部分像素限定层段为异形或弯曲部分,例如部分区域有缺口或者凸出的部分,其延伸方向可以以是主体部分走向或者弯曲部分大致的走向。
本公开实施例将触控电极线设置于PDL gap的中间位置,例如像素限定层的中心线被触控电极线覆盖,可以防止触控电极线影响显示面板整体显示的均衡。
例如,像素限定层400的远离衬底基板一侧的表面的沿桥接线6210的延伸方向延伸的中心线在衬底基板上的正投影位于桥接线6210在衬底基板上的正投影内。本公开实施例将触控电极线设置于PDL gap的中间位置,例如像素限定层的中心线被桥接线覆盖,可以防止桥接线影响显示面板整体显示的均衡。
例如,如图4至图7所示,位于各子像素的有效发光区内的第一电极与触控电极线6112以及桥接线6210均没有交叠,且各子像素的有效发光区内的第一电极与第二触控电极层620之间的绝缘层的厚度大于位于非发光区的第一电极与第二触控电极层620之间的绝缘层的厚度。因为第二触控电极层形成于封装薄膜上,导致第一电极和第二触控电极层之间的距离较小,而第一电极上的信号为驱动发光层发光的信号,而触控电极层上的信号为触控电极信号,二者信号具有差别,若距离设置的较近会导致发生干扰。因此,通过将各子像素的有效发光区域内的第一电极与触控电极层之间的绝缘层厚度设置的更厚,可以有效减少第一电极和触控电极层之间的信号干扰,以防止影响正常显示或触控精度。
例如,如图6所示,多个子像素的第一电极为整层膜层,位于有效显示区内的第一电极与第一触控电极层和第二触控电极层二者之间更靠近第一电极的一个触控电极层之间的距离大于位于像素限定层上的第一电极与第一触控电极层和第二触控电极层二者之间更靠近第一电极的一个触控电极层之间的距离。
例如,第一电极为整层膜层,位于所述有效发光区内的所述第一电极与所述第一触控电极层之间的距离大于位于有效发光区之外上的所述第一电极与所述第一触控电极层之间的距离。例如,位于有效发光区之外上的所述第一电极为形成于像素限定层实体结构远离衬底基板一侧且与像素限定层实体结构交叠的部分。例如,位于有效发光区之外上的所述第一电极和像素限定层实体结构之间仅具有一些发光功能膜层,且该发光功能膜层分别与有效发光区之外上的所述第一电极和像素限定层实体结构接触。
例如,在显示区内,位于各子像素有效发光区内的第一电极与第一触控电极层、和第二触控电极层二者之间更靠近第一电极的一个触控电极层之间的绝缘层总厚度大于位于各子像素有效发光区外的第一电极与第一触控电极层、和第二触控电极层二者之间更靠近第一电极的一个触控电极层之间的绝缘层总厚度。例如,绝缘层可以包括封装层中绝缘层,例如第一无机层,第一有机层,第二无机层,以及封装层和触控电极层之间的缓冲层(例如第一触控电极层位于第二触控电极层和衬底基板之间,则封装层和第一触控层之间的缓冲层)。这里的总厚度可以为有效发光区内的平均总厚度,例如所有第一有效发光区、第二有效发光区以及第三有效发光区内对应的绝缘层厚度。
例如,如图4所示,多个第一触控电极610和多个第二触控电极620通过多条触控电极线630连接至引线端区640,通过对多条触控电极线630施加检测电信号可实现对触控操作的检测以及对触控操作发生的位置的检测。例如,第一触控电极610在X方向的两侧均与触控电极线630连接以实现双边驱动,当然本公开实施例不限于此,第一触控电极也可以仅一侧连接触控电极线以实现单边驱动。触控电极线630可以设置为围绕第一触控电极和第二触控电极的外侧,为了便于说明,附图中夸大了设置触控电极线的区域的空间。第一触控电极和第二触控电极可与显示区交叠,且不与非显示区交叠。
多个第一触控电极610和多个第二触控电极620在交叠的位置可形成电容,当有手指触摸时,影响了触摸点附近电容的耦合,从而改变了触摸点附近电容的电容量,由此,利用这种电容量的变化可判断出触控位置。本公开实施例不限于此,例如,触控层可包括互电容式的触控结构,也可包括自电容式的触控结构。另外,触控层还可采用纳米银线等材料制作。
例如,图8为触控电极与各子像素的有效发光区的位置关系示意图,图9为图8中的F区域的放大图。如图8和图9所示,在显示区,各子像素的有效发光区位于各第一网格601内,即一个第一网格601围绕一个子像素的有效发光区。例如,第一网格601的形状近似为矩形。第一颜色子像素100对应的第一网格601的开口面积与第一有效发光区101的面积之比小于第二颜色子像素200对应的第一网格601的开口面积与第二有效发光区201的面积之比,且第三颜色子像素300对应的第一网格601的开口面积与第三有效发光区301的面积之比小于第二颜色子像素200对应的第一网格601的开口面积与第二有效发光区201的面积之比。上述各子像素对应的第一网格指围绕子像素的有效发光区的网格。本公开实施例中,第二颜色子像素的有效发光区的面积最小,则对显示面板整体亮度均匀性的影响最大,通过将第二颜色子像素对应的第一网格的开口面积与第二有效发光区的面积之比设置为最大,可以减少触控电极线对第二颜色子像素的出光角度的限制。上述“第一网格的开口面积”指触控电极线围成的镂空区域的面积。例如,镂空区域的形状可以为近似矩形。
例如,第一颜色子像素对应的第一网格的形状可以为矩形,例如可以为近似正方形,矩形的两个边长可以分别为30-33微米,其面积可以为900-1000平方微米,第一颜色子像素对应的像素限定层的开口的面积可以为200-250平方微米,两个面积之比可以为4-5。例如,第二颜色子像素对应的第一网格的形状可以为矩形,两个边长分别为28-31微米和30-33微米,其面积可以为850-1100平方微米,例如为900-1000平方微米,第二颜色子像素对应的像素限定层的开口的面积可以为100-180平方微米,例如为100-150平方微米,两个面积之比可以为5-9,例如为7-8。例如,第三颜色子像素对应的第一网格的形状可以为矩形,例如可以为近似正方向,两个边长分别为30-38微米,其面积可以为900-1300平方微米,例如为1100-1200平方微米,第三颜色子像素对应的像素限定层的开口的面积可以为300-400平方微米,两个面积之比可以为3-4。
例如,在第一颜色子像素的第一有效发光区的中心到相邻的第二颜色子像素的第二有效发光区的中心连线方向上,各发光层覆盖像素限定层的尺寸范围为5~15微米,例如,尺寸范围可以为7~13微米。
例如,触控电极线与像素限定层的开口的彼此靠近的边缘之间的距离可以为3.5~13.5微米,例如可以为3.5~11.5微米。本公开实施例中,通过将触控电极线的边界到像素限定层的开口边缘之间的距离设计的较大,可以保证触控电极线尽量远离各个像素限定层的开口,减少触控电极线对各个子像素出光的遮挡,从而避免出现由于触控电极线对不同颜色子像素遮挡不平衡导致的色偏。
例如,如图4至图8所示,各第二网格602的形状为V字形,且V字形的两个端点被配置为通过触控绝缘层660的过孔603与第二触控电极单元6120电连接。例如,相邻第二触控电极单元6120可以通过两个连接桥621电连接,且两个连接桥621的V字形开口彼此相对,本公开实施例不限于此,相邻第二触控电极也可以通过一个连接桥,或者更多个连接桥电连接。
例如,各第二网格602对应两个第一有效发光区101、五个第二有效发光区201以及两个第三有效发光区301。例如,第二有效发光区201位于最靠近V字形开口的两个端点所在的第二网格内。例如,显示面板中子像素的数量的比例为第一颜色子像素:第二颜色子像素:第三颜色子像素=1:2:1,连接桥621围绕的第一颜色子像素和第三颜色子像素的数量比例相比显示区中第一颜色子像素和第三颜色子像素的数量比例较小,可以减少其对第一颜色子像素和第三颜色子像素的出光的限制,提高第一颜色子像素和第三颜色子像素的出光效率。
图10为根据本公开另一实施例提供的像素结构的局部平面结构示意图,图11为图10所示的像素结构与触控电极线的位置关系示意图。如图10和图11所示,彼此相邻的第一颜色发光层110、第二颜色发光层210和第三颜色发光层310之间包括空隙20,第一颜色发光层110的形状包括第一圆角矩形,和位于第一圆角矩形的圆角处且向空隙20凸出的第一凸起部1101,第二颜色发光层210的形状包括第二圆角矩形,第一凸起部1101至少部分凸出于第一圆角矩形靠近第二颜色发光层210的直边的延长线,例如该直边平行于对应的有效发光区预期最靠近的边。第三颜色发光层310的形状包括第三圆角矩形,和位于第三圆角矩形的圆角处且向空隙20凸出的第二凸起部3101,第二凸起部3101至少部分凸出于第三圆角矩形靠近第二颜色发光层210的直边的延长线,例如该直边平行于对应的有效发光区预期最靠近的边。在本公开实施例提供的像素结构中,第一颜色发光层的形状包括位于第一圆角矩形的圆角处且向空隙凸出的第一凸起部,相对于没有设置第一凸起部的第一颜色发光层,本公开实施例中的第一颜色发光层的第一凸起部占据了空隙的一部分面积,也就是减小了空隙的面积,从而一方面可增加对该空隙的利用率,另一方面还可增加第一颜色发光层的圆角边缘与对应的第二电极(即阳极)的圆角边缘的距离,从而可降低甚至避免发生混色、色偏等不良的风险,并提高良率。例如,空隙可以为对于紧邻并大致呈三角形分布的一个第一颜色发光层、一个第二颜色发光层和一个第三颜色发光层内部围起来的一个不存在发光层的区域,其中紧邻并大致呈三角形分布的一个第一颜色发光层、一个第二颜色发光层和一个第三颜色发光层例如为,位于同一行中相邻的一个第一颜色发光层和一个第三颜色发光层,以及位于相邻行中与其均相邻的一个第二颜色发光层。
例如,第一凸起部和第二凸起部在衬底基板上的正投影与触控电极线在衬底基板上的正投影至少部分交叠。
例如,相邻两个不同颜色子像素的发光层的边缘在像素限定层400上交叠的部分为交叠部21,且触控电极线6112在衬底基板上的正投影与交叠部21在衬底基板上的正投影的至少部分交叠。
在一些实施例中,可以不采用图10所示的像素排列结构,还可以采用例如如图1E所示的条形排列,如图1H所示的三角形排列,如图1F所示的品字形排列或如图1G所示的马赛克排列等像素排列结构。例如,如图1H所示,通过将蓝色子像素300的尺寸设置为大于红色子像素100和绿色子像素200还可以延长显示面板的使用寿命。
例如,如图10和图11所示,在显示区,触控电极线6112的50%以上在衬底基板上的正投影位于交叠部21在衬底基板上的正投影内。例如,在显示区,触控电极线的50%以上在衬底基板上的正投影位于发光层交叠部在衬底基板上的正投影内,发光层交叠部包括第一颜色发光层、第二颜色发光层、第三颜色发光层中至少两者交叠的部分。例如,在显示区,触控电极线的70%以上在衬底基板上的正投影位于发光层交叠部在衬底基板上的正投影内。例如,在显示区,触控电极线的80%以上在衬底基板上的正投影位于发光层交叠部在衬底基板上的正投影内。因为不同颜色发光层交叠的部分,由于串扰的问题,容易产生一些不期望的颜色导致显示不良,为了减少串扰带来的影响,可以用触控电极线进行部分遮挡,以提高显示效果。
在利用FMM进行蒸镀发光层的过程中,FMM开口与各子像素的第二电极的边缘的距离是确保蒸镀良率的关键参数。然而,通常的FMM由于受到制作工艺的影响,实际FMM开口圆角边缘与阳极的边缘的距离并不能达到理论设计值,从而导致在一个FMM组中,不同FMM的开口,即相邻的不同颜色发光层之间的空隙较大,没有得到充分利用,使得发生混色、色偏等不良的风险增大。因此,通过设计一种新型的FMM并利用上述的空隙,使得制作出来的FMM开口的圆角边缘与各子像素的第二电极的圆角边缘的距离较大,即对上述FMM开口的圆角进行补偿(增大尺寸),从而降低甚至避免上述的发生混色、色偏等不良的风险,并提高良率。需要说明的是,上述的FMM开口与第二电极边缘的距离是指FMM开口在承载有第二电极的基板上的正投影的边缘与第二电极的边缘的距离,并非三维空间上的距离。
由于精细金属掩模工艺中,对于发光层的角的位置例如第一颜色子像素和第三颜色子像素最靠近的位置,膜层材料容易出现缺失或者膜层质量缺陷,所以对于第一颜色子像素和第三颜色子像素相对的部分,发光层的图形形状可以做一些调整,例如精细金属掩模板的开口角的位置抹平,并且向角的两边方向精细金属掩模板的开口向外突出一些,以使得对应各个角的位置膜层质量得到提升,也可以提高角位置处的工艺精度。
在一些实施例中,具有凸起部的发光层可以为其他形状,例如,三角形,四边形,五边形,六边形或八边形等。在一些实施例中,相邻的发光层也可以不是角对角的分布方式,例如相邻发光层彼此最靠近的部分还可以为角对边,边对边,或者完全错开(即该相邻的两个发光层其相对其最靠近的部分在该两个发光层间隔中的一条直线上投影,大致没有交叠)。
例如,以第一颜色子像素和第二颜色子像素之间的像素限定层的中心线为基准,第一颜色发光层的至少部分跨过上述中心线,且上述中心线的至少部分位于第一颜色子像素和第二颜色子像素发光层的交叠面积中。同理,第二颜色子像素和第三颜色子像素之间的像素限定层的中心线为基准,第二颜色发光层的至少部分跨过上述中心线,上述中心线的至少部分位于第二颜色子像素和第三颜色子像素发光层的交叠面积中。
例如,通过对至少部分发光层的形状的调整可以使得各发光层边界与相邻发光层的边界交叠,例如对于组分或厚度发生变化的边缘区域,可以采用分子探针进行材料分子量和厚度的测量。例如对于第一颜色子像素和第二颜色子像素的发光层交叠的部分中,靠近第一颜色子像素发光层中心的交叠部分膜层材料以第一颜色子像素的发光层的材料为主,第二颜色发光层对的材料为辅,且第一颜色发光层的厚度大于第二颜色发光层的厚度。各颜色子像素发光层边界的位置出现的凹凸的形状(即发光层边界位置的平面形状为凹凸形状)的至少部分被触控电极线覆盖,发光层图案在靠近像素限定层的PDL gap的中心位置的膜层均匀性较差,由于横向漏电流可能导致有不期望的光出现或者相邻发光层出现串扰,采用触控电极线遮挡发光层边界交叠的部分可以提高显示面板的显示质量。
例如,触控电极线的线宽可以为3微米,如果两个相邻发光层的边界相接,则shadow区的宽度可以为2a,即6~8微米。例如,连接两个相邻像素限定层开口中心的连线方向上,相邻发光层边界交叠部的宽度尺寸可以小于6~8微米。例如,设置在第一颜色子像素和第二颜色子像素之间的至少中部位置的触控电极线在衬底基板上的正投影完全落入发光层边界交叠部分在衬底基板上的正投影内。例如,对于第一颜色子像素的第一颜色发光层和第三颜色子像素的第三颜色发光层的对角的位置,可以没有发光层交叠,所以可以有部分触控电极线与发光层交叠区域无交叠。因此,对于显示区内的触控电极线,至少有50%以上在衬底基板上的正投影位于发光层交叠区域在衬底基板上的正投影内。例如,显示区内的触控电极线的至少有80%以上在衬底基板上的正投影位于发光层交叠区域在衬底基板上的正投影内,从而减小由于发光层交叠造成的串色。
例如,各子像素包括有机发光元件以及与有机发光元件连接的像素电路,各像素电路位于有机发光元件与衬底基板之间。
例如,图12A为各子像素包括的像素电路的示意图,图12B示意性的示出了有源层以及栅线层中各晶体管的位置关系。如图12A和图12B所示,以第一颜色子像素为例,例如,第一颜色子像素100包括有机发光元件1100以及像素电路1200。第一颜色子像素的像素电路1200可以包括驱动晶体管T1、第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管T5、数据写入晶体管T2、存储电容C、阈值补偿晶体管T3、第一复位晶体管T6和第二复位晶体管T7。驱动晶体管T1包括栅极、第一极和第二极,且被配置为驱动有机发光元件1100提供驱动有机发光元件1100发光。显示面板还包括与电源信号传输线VDD(图13A所示)同层设置的数据线Vd(图13A所示),数据线与第一信号传输线的延伸方向相同;显示面板还包括位于第一信号传输线面向衬底基板一侧的且彼此平行的栅线Ga、发光控制信号线EM以及复位控制信号线Rst,且栅线的延伸方向与数据线的延伸方向相交,例如,栅线的延伸方向与数据线的延伸方向垂直;显示面板还包括沿第一方向延伸的复位电源信号线(未示出),位于栅线所在膜层与数据线所在膜层之间。
例如,图12A、图12B以及图13A所示,数据写入晶体管T2的第一极与驱动晶体管T1的第一极电连接,数据写入晶体管T2的第二极被配置为与数据线Vd电连接以接收数据信号,数据写入晶体管T2的栅极被配置为与栅线Ga电连接以接收扫描信号;存储电容C的第一极CC1与第一电压端VDD电连接,存储电容C的第二极CC2与驱动晶体管T1的栅极电连接;阈值补偿晶体管T3的第一极与驱动晶体管T1的第二极电连接,阈值补偿晶体管T3的第二极与驱动晶体管T1的栅极电连接,阈值补偿晶体管T3的栅极被配置为与栅线Ga电连接以接收补偿控制信号;第一复位晶体管T6的第一极被配置为与复位电源信号线Vinit电连接以接收复位信号,第一复位晶体管T6的第二极与驱动晶体管T1的栅极电连接,第一复位晶体管T6的栅极被配置为与复位控制信号线Rst电连接以接收复位控制信号;第二复位晶体管T7的第一极被配置为与复位电源信号线Vinit电连接以接收复位信号,第二复位晶体管T7的第二极与有机发光元件1100的第二电极电连接,第二复位晶体管T7的栅极被配置为与复位控制信号线Rst电连接以接收复位控制信号;第一发光控制晶体管T4的第一极与第一电压端VDD电连接,第一发光控制晶体管T4的第二极与驱动晶体管T1的第一极电连接,第一发光控制晶体管T4的栅极被配置为与发光控制信号线EM电连接以接收发光控制信号;第二发光控制晶体管T5的第一极与驱动晶体管T1的第二极电连接,第二发光控制晶体管T5的第二极与有机发光元件1100的第二电极电连接,第二发光控制晶体管T5的栅极被配置为与发光控制信号线EM电连接以接收发光控制信号;有机发光元件1100的第一电极与第二电压端VSS电连接。
例如,第一电压端VDD和第二电压端VSS之一为高压端,另一个为低压端。例如,图12A所示的实施例中,第一电压端VDD为电压源以输出恒定的第一电压,第一电压为正电压;而第二电压端VSS可以为电压源以输出恒定的第二电压,第二电压为负电压。
例如,按照晶体管的特性,晶体管可以分为N型晶体管和P型晶体管,本公开的实施例以晶体管为P型晶体管(例如,P型MOS晶体管)为例,即,在本公开的描述中,驱动晶体管T1、数据写入晶体管T2、阈值补偿晶体管T3、第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管T5、第一复位晶体管T6和第二复位晶体管T7等均可以为P型晶体管。然而本公开的实施例的晶体管不限于P型晶体管,本领域技术人员还可以根据实际需要利用N型晶体管(例如,N型MOS晶体管)实现本公开的实施例中的一个或多个晶体管的功能。本公开的实施例中采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应晶体管或其他特性相同的开关器件,薄膜晶体管可以包括氧化物半导体薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或多晶硅薄膜晶体管等。晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的,所以其源极、漏极在物理结构上可以是没有区别的。在本公开的实施例中,为了区分晶体管,除作为控制极的栅极,直接描述了其中一极为第一极,另一极为第二极,所以本公开的实施例中全部或部分晶体管的第一极和第二极根据需要是可以互换的。
需要说明的是,在本公开实施例中,像素电路除了可以为图15B所示的7T1C(即七个晶体管和一个电容)结构之外,还可以为包括其他数量的晶体管的结构,如7T2C结构、6T1C结构、6T2C结构或者9T2C结构,本公开实施例对此不作限定。本公开的实施例,还可以采用条状排列的像素,品字形排列,三角形排列,马赛克排列等任意方式。本公开的实施例,一个像素单元或重复单元中RGB的数量比可以为1:1:2,1:2:1,2:2:1,1:1:1,1:2:3,3:3:2,1:3:2,2:3:1,3:2:3,2:3:3等中的任一一种或两种以上的组合。例如,RGB的大小可以相等,也可以不相等。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是B大于R,B大于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是B大于R,R大于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是B大于R,R等于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是B等于R,R大于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是R大于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是R大于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是G大于R。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是G大于B。例如,每个重复单元或像素单元包含的子像素的数量可以是2,3,4,5,6,7,8,9,10等中的任意一个或两种以上的组合。
在一些实施例中,也可以有部分相同颜色子像素的的有效发光区的面积不同。例如,在部分实施例中,一个重复单元或像素单元包括的子像素中有两个相同颜色的绿色子像素,或者有两个相同颜色的红色子像素,或者有两个相同颜色蓝色子像素,或者同时包含两对相同颜色子像素(例如两个绿色子像素,两个红色子像素),其中相同颜色的子像素的有效发光区的面积可以不同。在一些实施例中,同一颜色的子像素在边缘位置,异形区域或者折叠区域等,其有效发光区的面积也可以与其他区域的同颜色的子像素的有效发光区的面积不同,或者形状不同。
以上实施例中,各个子像素的发光颜色、大小、形状以及位置分布是可以自由组合的。例如,其中的各个子像素的大小和形状,可以有部分相同,部分不同;或者完全相同;完全不同都是可以的。例如,部分子像素的大小相同,但形状不同。例如,部分子像素的形状轮廓大致相同,但面积大小不同。例如,第一颜色子像素周围可以有不同数量的第二颜色子像素,例如2个,3个,4个,5个,6个,7个,8个等,这些第二颜色子像素可以与第一颜色子像素的距离大致相等,或者部分相等,部分不相等。例如,第二颜色子像素周围可以有不同数量的第三颜色子像素,例如2个,3个,4个,5个,6个,7个,8个等,这些第一颜色子像素可以与第二颜色子像素的距离大致相等,或者部分相等,部分不相等。例如,第三颜色子像素周围可以有不同数量的第二颜色子像素,例如2个,3个,4个,5个,6个,7个,8个等,这些第二颜色子像素可以与第三颜色子像素的距离大致相等,或者部分相等,部分不相等。
图13A为本公开实施例的一示例提供的像素电路与触控电极线的位置关系示意图。如图13A所示,第一颜色子像素100的第二电极120、第二颜色子像素200的第二电极220和第三颜色子像素300的第二电极320的至少之一与触控电极线6112有交叠。
例如,如图13A所示,第二颜色子像素200中的第二电极220包括主体电极221、连接电极222以及辅助电极223。例如,第二颜色子像素200的主体电极、连接电极以及辅助电极为一体化的电极。
例如,第二颜色子像素200的第二电极220中,主体电极221与第二有效发光区201交叠,且主体电极221的形状与第二有效发光区201的形状大致相同;连接电极222和辅助电极223与第二有效发光区201没有交叠。例如,连接电极222被配置为与第二发光控制晶体管T5的第二极电连接。例如,辅助电极223与驱动晶体管T1有交叠,触控电极线6112与第二颜色子像素200的第二电极220均没有交叠。
例如,如图13A所示,第一颜色子像素100的第二电极120包括主体电极121和连接电极122,主体电极121与第一有效发光区101交叠,且主体电极121的形状与第一有效发光区101的形状大致相同;连接电极122与第一有效发光区没有交叠。例如,连接电极122被配置为与第二发光控制晶体管T5的第二极电连接。例如,第一颜色子像素100的第二电极120与触控电极线6112有交叠,例如,第一颜色子像素100的连接电极122与触控电极线6112有交叠。
例如,如图13A所示,第三颜色子像素300的第二电极320包括主体电极321和连接电极322,主体电极321与第三有效发光区交叠,且主体电极321的形状与第三有效发光区的形状大致相同;连接电极322与第三有效发光区没有交叠。例如,连接电极322被配置为与第二发光控制晶体管T5的第二极电连接。例如,第三颜色子像素300的第二电极320与触控电极线6112有交叠,例如,第三颜色子像素300的连接电极322与触控电极线6112有交叠。
例如,第一颜色子像素的第二电极、第二颜色子像素的第二电极和第三颜色子像素的第二电极的至少之一与触控电极线有交叠;和/或,第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素中至少之一的驱动晶体管与触控电极线有交叠。第二电极除了起到驱动发光的电极作用,例如还会用来遮挡某些晶体管的部分结构,通过与触控线的交叠作用,能更好的起到补充遮挡作用。
例如,如图13A所示,第二颜色子像素200的驱动晶体管T1与触控电极线6112交叠,第一颜色子像素100和第三颜色子像素300的驱动晶体管与触控电极线6112没有交叠。上述驱动晶体管与触控电极线交叠的情况,包括触控晶体管的栅极(例如图12B所示的存储电容CC2)与触控电极线交叠。当然本公开实施例不限于此,驱动晶体管T1还包括源极区域T11和漏极区域T12,通过掺杂等进行导体化实现各结构的电连接,驱动晶体管T1与触控电极线交叠的情况还可以包括驱动晶体管的源极区域T11和漏极区域T12与触控电极线交叠。驱动晶体管对像素电路的输出电流起到非常重要的作用,且驱动晶体管的尺寸(例如栅极尺寸,或源漏极以及源漏极之间的半导体区)一般比其他晶体大,而驱动晶体管容易受到光照等因素影响,因此利用触控电极线对其进行部分遮挡,能更好的稳定驱动晶体管,使得输出电流少受干扰。
例如,如图13A所示,第二颜色子像素200的第二电极220与触控电极线6112基本没有交叠。例如,第一颜色子像素100和第三颜色子像素300的第二电极与触控电极线6112均没有交叠。
例如,第二颜色子像素200的驱动晶体管T1中没有被辅助电极223覆盖的部分与触控电极线6112有交叠,且第一颜色子像素100和第三颜色子像素300的驱动晶体管T1与触控电极线6112基本没有交叠。
多个子像素的像素电路大概为矩形区域,且周期性排列,第一颜色子像素和第三颜色子像素的第二电极都大概能覆盖到对应像素电路的驱动晶体管位置,而第二颜色子像素的第二电极与其对应的驱动晶体管无交叠或交叠面积小,例如,第一颜色子像素和第三颜色子像素的第二电极的主体电极可以覆盖对应像素电路中的驱动晶体管,而第二颜色子像素的第二电极的主体电极与对应像素电路中的驱动晶体管没有交叠。因此,第二颜色子像素的第二电极向靠近其驱动晶体管的方向延伸出一部分(即辅助电极)进行驱动晶体管的遮挡,同时,触控电极线对没有被辅助电极覆盖的部分驱动晶体管进行辅助遮挡,可以进一步稳定第二颜色子像素的驱动晶体管。
例如,如图13A所示,第二颜色子像素200的数据写入晶体管T2或阈值补偿晶体管T3与触控电极线6112有交叠。例如,如图13A所示,第二颜色子像素200的阈值补偿晶体管T3与触控电极线6112有交叠。例如,触控电极线可以与数据写入晶体管有交叠。例如,第一颜色子像素100和第三颜色子像素300的数据写入晶体管T2和阈值补偿晶体管T3与触控电极线6112均没有交叠。
例如,第二颜色子像素的数据写入晶体管T2或阈值补偿晶体管T3(沟道,栅极,漏极)被触控电极线遮挡,可以稳定晶体管。因为阈值补偿晶体管T3直接连接到驱动晶体管栅极和漏极,对驱动晶体管的工作状态有比较直接的影响,因此一般可以为双栅晶体管,在两个栅极之间的有源层容易受到光照或其他外界因素的影响,因此需要进行遮挡。而相应的,第一颜色子像素和第三颜色子像素的阈值补偿晶体管T3均已被各自第二电极遮挡。例如,第一颜色子像素和第三颜色子像素的阈值补偿晶体管T3被各自的主体电极遮挡,而第二颜色子像素的阈值补偿晶体管T3与第二颜色子像素的主体电极没有交叠。
例如,各子像素中的第二电极与各自的存储电容的第一极交叠面积小的子像素(例如第二颜色子像素),触控电极线6112与存储电容的第一极的交叠面积大。
例如,在充电阶段,T1和T3持续给N1节点充电,N1节点的电位直接影响了T1的工作状态,而N1节点的数据线所在膜层与存储电容的第一极所在膜层有部分交叠负载;在发光阶段时,当存储电容的第一极所在膜层有VDD信号接入时,如果N1节点充电不足,由于交叠负载的原因,N1节点受到VDD信号的扰动,会产生电位变化,进而影响T1的工作状态,T1的工作状态会对OLED器件发光产生影响。因此,在充电时需要保证N1节点的充电电位足够,N1节点的充电电压与T1,T3的状态相关,由于薄膜晶体管对光照特别敏感,薄膜晶体管受光照影响会使得薄膜晶体管相关特性飘逸,故在充电时需要对T1或T3进行保护遮挡,保证N1节点的充电电压,维持T1的工作状态稳定,避免影响OLED器件的正常工作。
图13B为本公开实施例的另一示例提供的像素电路与触控电极线的位置关系示意图。例如,如图13B所示,第二颜色子像素200中的驱动晶体管与触控电极线6112有交叠,第二颜色子像素200的第二电极220与触控电极线6112基本没有交叠;第一颜色子像素100中,驱动晶体管与第二电极120有交叠,且与触控电极线6112基本没有交叠,第二电极120与触控电极线6112有交叠;第三颜色子像素300中,驱动晶体管与第二电极320有交叠,且与触控电极线6112基本没有交叠,第二电极320与触控电极线有交叠。第二颜色子像素的第二电极包括主体电极221、连接电极222以及辅助电极223,第二颜色子像素200中,连接电极222和辅助电极223与第二有效发光区201基本没有交叠,主体电极221与驱动晶体管基本没有交叠,辅助电极223与驱动晶体管有交叠。
例如,如图13B所示,第二颜色子像素200的第二电极220与第二有效发光区201交叠。例如,第二电极220的连接电极222被配置为通过绝缘层中的过孔388与第二发光控制晶体管T5的第二极电连接。
例如,如图13B所示,第一颜色子像素中,阈值补偿晶体管和数据写入晶体管的至少之一与第二电极有交叠,且与触控电极线没有交叠;第三颜色子像素中,阈值补偿晶体管和数据写入晶体管的至少之一与第二电极有交叠;第二颜色子像素中,阈值补偿晶体管和数据写入晶体管均与第二电极没有交叠,且阈值补偿晶体管或数据写入晶体管与触控电极线交叠。
例如,如图13C所示,第二颜色子像素200中,第二电极220和驱动晶体管均与触控电极线6112有交叠;第一颜色子像素100中,第二电极120和驱动晶体管均与触控电极线6112基本无交叠;第三颜色子像素300中,第二电极320和驱动晶体管均与触控电极线6112基本无交叠。
例如,如图13D所示,第二颜色子像素200中,驱动晶体管与第二电极220有交叠,且与触控电极线6112无交叠,第二电极220与触控电极线6112有交叠;第一颜色子像素100中,驱动晶体管与触控电极线6112有交叠,且与第二电极120没有交叠,第二电极120与触控电极线6112没有交叠;第三颜色子像素300中,驱动晶体管与触控电极线6112有交叠,且与第二电极320没有交叠,第二电极320与触控电极线6112没有交叠。
例如,如图13D所示,第一颜色子像素中,第二电极与驱动晶体管和触控电极线均没有交叠,驱动晶体管与触控电极线有交叠;第三颜色子像素中,第二电极与驱动晶体管和触控电极线均没有交叠,驱动晶体管与触控电极线有交叠;第二颜色子像素中,第二电极与驱动晶体管和触控电极线均有交叠,且驱动晶体管与触控电极线有交叠。
例如,第二颜色子像素200的第二电极220与驱动晶体管T1有交叠,且与第二颜色子像素200的阈值补偿晶体管T3有交叠。例如,触控电极线6112与第二颜色子像素200的驱动晶体管T1中没有被第二电极220覆盖的部分有交叠,可以进一步稳定第二颜色子像素的驱动晶体管。第二颜色子像素中,第二电极包括主体电极、连接电极和辅助电极,例如在一些实施例中,辅助电极用来遮挡某些晶体管(例如数据写入晶体管或阈值补偿晶体管),因此触控电极线可以与第二电极的辅助电极有一定交叠。
例如,触控电极线6112与第二颜色子像素200的第二电极220有交叠。例如,触控电极线6112与第二颜色子像素200的阈值补偿晶体管T3中没有被第二电极220覆盖的部分有交叠。第二颜色子像素的第二电极向靠近其阈值补偿晶体管的方向延伸的部分对阈值补偿晶体管进行遮挡,同时,触控电极线对没有被其第二电极覆盖的部分阈值补偿晶体管进行辅助遮挡,可以进一步稳定第二颜色子像素的阈值补偿晶体管,从而能够保证N1节点的充电电压,维持T1的工作状态稳定,避免影响OLED器件的正常工作。
例如,如图13D所示,第一颜色子像素100的第二电极120中,主体电极121与第一有效发光区101交叠,连接电极122与第一有效发光区没有交叠。例如,连接电极122被配置为通过绝缘层中的过孔388与第二发光控制晶体管T5的第二极电连接。
例如,第一颜色子像素100的第二电极120与触控电极线6112没有交叠。例如,第一颜色子像素100的第二电极120覆盖其阈值补偿晶体管T3,可以稳定第二颜色子像素的阈值补偿晶体管,从而能够保证N1节点的充电电压,维持T1的工作状态稳定,避免影响OLED器件的正常工作。
例如,第一颜色子像素100的第二电极120与其驱动晶体管T1基本没有交叠。例如,触控电极线6112与第一颜色子像素100的驱动晶体管T1有交叠,从而可以稳定第一颜色子像素的驱动晶体管。
例如,如图13D所示,第三颜色子像素300的第二电极320中,主体电极321与第三有效发光区交叠,且连接电极322与第三有效发光区没有交叠。例如,连接电极322被配置为通过过孔388与第二发光控制晶体管T5的第二极电连接。例如,第三颜色子像素300的第二电极320与触控电极线6112没有交叠。
例如,如图13D所示,第三颜色子像素300的第二电极320与触控电极线6112没有交叠。例如,第三颜色子像素300的第二电极320包括突出部323,突出部323覆盖其阈值补偿晶体管T3,可以稳定第三颜色子像素的阈值补偿晶体管,从而能够保证N1节点的充电电压,维持T1的工作状态稳定,避免影响OLED器件的正常工作。
例如,第三颜色子像素300的第二电极320与其驱动晶体管T1基本没有交叠。例如,触控电极线6112与第三颜色子像素300的驱动晶体管T1有交叠,从而可以稳定第三颜色子像素的驱动晶体管。
例如,如图13E所示,第二颜色子像素200中,第二电极220和驱动晶体管均与触控电极线6112基本无交叠;第一颜色子像素100中,第二电极120和驱动晶体管均与触控电极线6112有交叠;第三颜色子像素300中,第二电极320和驱动晶体管均与触控电极线6112有交叠。
图14A为一种利用FMM蒸镀发光层的示意图。衬底基板10上形成有像素限定层400,像素限定层400具有开口401,在像素限定层400上设有隔垫物700,隔垫物700起到支撑FMM104的作用,FMM104具有通孔1040,通孔1040可为刻蚀方式形成的孔,蒸镀材料由下至上通过通孔1040沉积在衬底基板10上。为了避免FMM破坏衬底基板10上的膜层,在衬底基板10上设置隔垫物(Photo Spacer,PS)以在蒸镀时支撑FMM。蒸镀时,将衬底基板10置于FMM104的上方,隔垫物700与FMM贴合。为提高蒸镀位置的准确性,通常还需要在衬底基板10的上方放置一块具有强磁性的高斯板105,将FMM104吸附起来,以使得FMM104更紧密的与衬底基板10贴合在一起。图14A中的箭头表示气体流向。
因FMM是金属材质,与衬底基板10接触时,易损伤衬底基板10上沉积的材料。因此在OLED背板设计中,隔垫物700在FMM104与衬底基板10贴合时起到支撑作用,防止FMM104划伤衬底基板10表面。隔垫物700可在整个面板(Panel)中呈阵列分布,但不限于此。
例如,在隔垫物700用于支撑FMM时,隔垫物700的顶部可以没有蒸镀上发光层。例如,各隔垫物700包括第一区域701以及围绕第一区域701的环形的第二区域702,第一区域701包括隔垫物700的中心区域,且第一区域701与隔垫物700在衬底基板10上的正投影的面积比不大于1/4。例如,第一区域701与隔垫物700在衬底基板10上的正投影的面积比为1/3~1/4,隔垫物700的顶部位于第一区域701内。
例如,在显示区内,至少一个隔垫物的第一区域与第一颜色发光层、第二颜色发光层以及第三颜色发光层均没有交叠。例如,至少一个隔垫物700的第一区域701与发光层没有交叠。例如,至少一个隔垫物700的第一区域701仅与一种颜色发光层交叠,例如仅与绿色发光层交叠。例如,至少一个隔垫物700的第一区域701仅与两种颜色发光层交叠,例如仅与红色发光层和蓝色发光层交叠。
例如,隔垫物可以设置于第一颜色子像素和第二颜色子像素之间,在隔垫物顶部无发光层交叠时,可进一步减小横向串扰或串色。例如,蒸镀第一颜色子像素的发光层时,隔垫物的靠近用于形成第二颜色子像素的像素限定层的开口的部分支撑FMM,则该部分没有被蒸镀第一颜色发光层;蒸镀第三颜色子像素的发光层时,隔垫物的靠近用于形成第一颜色子像素的像素限定层的开口的部分支撑FMM,该部分没有被蒸镀第三颜色发光层。蒸镀第二颜色子像素的发光层时,隔垫物两侧的部分内形成第二颜色发光层,其他区域没有第二颜色发光层。因为各个开口不存在交叠,所以各个颜色发光层在隔垫物中心区域(例如第一区域)上的分布基本不会存在交叠或由于工艺偏差等原因造成小部分交叠(例如小于30%)。
例如,隔垫物在衬底基板上的正投影选自圆角矩形、椭圆形、圆形中的至少一种。例如,隔垫物在衬底基板上的正投影为轴对称图形。例如,隔垫物位于像素限定层不同延伸方向的部分的交点处(例如覆盖像素限定层不同延伸方向的部分的交点),且具有两个对称轴,该两个对称轴分别大致平行其所在处的像素限定层的两个延伸方向。例如,隔垫物在衬底基板上的正投影在其长轴方向尺寸范围为20-50μm。例如例如,隔垫物在衬底基板上的正投影在其短轴方向尺寸范围为12-30μm。例如,隔垫物在衬底基板上的正投影的范围小于48μm*26μm。例如,隔垫物在衬底基板上的正投影的范围小于41μm*25μm。例如,隔垫物在衬底基板上的正投影的范围小于33μm*20μm。例如,隔垫物在衬底基板上的正投影的范围小于25μm*15μm。
例如,图14B为像素限定层与隔垫物的位置关系示意图。如图14B所示,例如,隔垫物700的边界到像素限定层400的开口401的边缘之间的距离不小于6.5μm。
例如,隔垫物700与像素限定层400可以为一体结构,无明显界限。例如,隔垫物700和像素限定层400可以以坡度角曲线出现拐点的位置作为界限。例如对于像素限定层本身,从位于其延伸方向中心线两侧的一开口边缘到靠近像素限定层延伸方向中心线的方向,坡度角可以是从大到小的趋势,到像素限定层接近平坦的表面,坡度角可以大致为0°到5°;在像素限定层接近平坦的表面上,到隔垫物的边界处,坡度角又呈现上升的趋势,例如隔垫物边界处,坡度角可以大致为从接近0°上升到10°左右(例如为5°~10°),或10°以上。上述坡度角可以为测量点位置做外切线,与最靠近的第二电极(例如为阳极)主体电极远离衬底基板的表面所在的平面之间的夹角。例如,未设置隔垫物700的像素限定层400部分的厚度为第一厚度(例如接近平坦的部分的平均厚度),设置有隔垫物700的像素限定层400部分的最大厚度为第二厚度,隔垫物700和像素限定层400的边界,可以按照从像素限定层400靠近衬底基板一侧的表面起到第一厚度之间的部分为像素限定层400本身,超过第一厚度到第二厚度的部分为隔垫物的部分。
例如,未设置隔垫物700的像素限定层400部分的厚度为第一厚度(例如接近平坦的部分的平均厚度)为0.8-1.8μm。例如,未设置隔垫物700的像素限定层400部分的厚度为第一厚度(例如接近平坦的部分的平均厚度),例如大于等于1.1μm。例如,未设置隔垫物700的像素限定层400部分的厚度为第一厚度(例如接近平坦的部分的平均厚度),例如小于3μm。因为像素限定层400作为封装有机层阻挡坝的一部分,厚度太小,可能容易出现有机层溢流影响封装效果。像素限定层400的第一厚度太厚,容易对出光角度造成比较大的限制,影响出光效率。
例如像素限定层靠近开口部分的坡度角为15°-25°。例如像素限定层靠近开口部分的坡度角为17°-21°。例如像素限定层靠近开口部分的坡度角为18°-20°。
例如,图15A至15G所示,本公开的至少一实施例提供一种显示面板,包括:衬底基板包括显示区和位于所述显示区周边的周边区;多个第一颜色子像素,位于所述显示区,且所述多个第一颜色子像素沿第一方向排列以形成多个第一颜色子像素行,所述多个第一颜色子像素行沿第二方向排列,且所述多个第一颜色子像素行中的相邻第一颜色子像素行沿所述第一方向彼此错开;多个第二颜色子像素,位于所述显示区,且沿所述第一方向和所述第二方向阵列排布,四个第二颜色子像素围绕一个第一颜色子像素;多个第三颜色子像素,位于所述显示区,所述多个第一颜色子像素和所述多个第三颜色子像素沿所述第一方向和所述第二方向交替排列,所述多个第一颜色子像素和所述多个第二颜色子像素沿第三方向交替排列成第一组,所述多个第三颜色子像素与所述多个第二颜色子像素沿第三方向交替排列成第二组,所述第一组和所述第二组沿第四方向交替分布,所述第三方向和所述第四方向与所述第一方向和所述第二方向均相交;像素限定层,位于所述显示区和所述周边区,所述像素限定层包括多个开口以限定多个子像素的有效发光区,所述多个第一颜色子像素包括多个第一有效发光区,所述多个第二颜色子像素包括多个第二有效发光区,所述多个第三颜色子像素包括多个第三有效发光区。所述多个第一颜色子像素包括位于对应的所述开口内以及围绕对应开口的所述像素限定层上的多个第一颜色发光层,所述多个第二颜色子像素包括位于对应的所述开口内以及围绕对应开口的所述像素限定层上的第二颜色发光层,所述多个第一颜色子像素包括的多个第一颜色发光层彼此间隔,所述多个第二颜色子像素包括的多个第二颜色发光层彼此间隔;所述多个第三颜色子像素包括位于对应的所述开口内以及围绕对应开口的所述像素限定层上的多个第三颜色发光层,所述多个第三颜色子像素包括的多个第三颜色发光层彼此间隔。
例如,显示面板还包括:多个隔垫物,位于像素限定层远离衬底基板的一侧表面,且显示区内的隔垫物位于第一方向排列的子像素之间的间隔,且显示区内的隔垫物位于第二方向排列的子像素之间的间隔。显示区内,隔垫物与像素限定层的面积比K满足K≤S0/[k1*n*m*(S1G-S2G)+k2*n*m*(S1R-S2R)+k2*n*m*(S1B-S2B)],n为沿第一方向排列的隔垫物中相邻隔垫物之间且位于同一排的中间子像素(例如图15F中行方向两个隔垫物之间同行的两个红色子像素100和两个蓝色子像素300)的数量(例如为4,如图中长条方框F1所示),m为沿第二方向排列的隔垫物中相邻隔垫物之间且位于同一排的中间子像素(例如图15F中列方向两个隔垫物之间同列的4个绿色子像素200)的数量(例如为4,如图中长条方框F2所示),S0为一个隔垫物的面积,S1G、S1R、S1B分别为第二颜色子像素、第一颜色子像素和第三颜色子像素的发光层的面积,S2G、S2R、S2B分别为第二颜色子像素、第一颜色子像素和第三颜色子像素对应的像素限定层开口的面积,k1、k2和k3分别为显示区内第二颜色子像素、第一颜色子像素和第三颜色子像素各自占所有子像素的比例。例如k1为1/2。例如k2为1/4。例如k3为1/4。例如,其中,k1+k2+k3=1。
例如,S2G大约为80-180平方微米。例如,其中,S2G大约为100-140平方微米。例如,其中,S2R大约为150-280平方微米。例如,其中,S2R大约为160-250平方微米。例如,其中,S2B大约为200-400平方微米。例如,其中,S2B大约为260-350平方微米。
上述同一排指同一行或同一列。例如第一方向位于同一排指同一行。例如第二方向位于同一排为同一列。
在一些实施例中,隔垫物与子像素不在同一行,例如位于相邻两行的间隙中,和/或,隔垫物与子像素不在同一列,例如位于相邻两列的间隙中,则所述隔垫物与所述像素限定层的面积比K满足K≤S0/[1/4k1*N*M*(S1G-S2G)+1/4k2*N*M*(S1R-S2R)+1/4k2*N*M*(S1B-S2B)],其中N为在第一方向例如为行方向一个隔垫物周期对应的子像素列数,M为第二方向例如为列方向一个隔垫物周期对应的子像素行数。其中,一个隔垫物周期例如为,在第一方向例如为行方向上,每N列子像素设置一个隔垫物。其中,一个隔垫物周期例如为,在第二方向例如为列方向上,每M行子像素设置一个隔垫物。
在一些实施例中,各子像素行交错排列,如图15G所示,隔垫物与子像素位于同一行,则在第一方向例如为行方向一个隔垫物周期对应的子像素列数N为沿所述第一方向排列的隔垫物中相邻隔垫物之间且位于同一排的中间子像素数量n的2倍,例如n为4,N为8(如图中长条方框所示)。
在一些实施例中,各子像素列交错排列,如图15G所示,隔垫物与子像素位于同一列,则在第二方向例如为列方向一个隔垫物周期对应的子像素行数M为沿所述第二方向排列的隔垫物中相邻隔垫物之间且位于同一排的中间子像素数量m的2倍,例如m为4,M为8(如图中长条方框所示)。
图15A和图15B为根据本公开实施例提供的隔垫物与子像素的位置关系示意图。
如图15A所示,显示面板的多个隔垫物700位于像素限定层400远离衬底基板10的一侧表面,隔垫物700在衬底基板上的正投影与像素限定层400在衬底基板上的正投影的面积比不大于12%。例如隔垫物700在衬底基板上的正投影与像素限定层400在衬底基板上的正投影的面积比不大于8%。例如,隔垫物700在衬底基板上的正投影与像素限定层400在衬底基板上的正投影的面积比不大于7%。例如,隔垫物700在衬底基板上的正投影与像素限定层400在衬底基板上的正投影的面积比不大于6%。例如,隔垫物700在衬底基板上的正投影与像素限定层400在衬底基板上的正投影的面积比不大于5%。例如,隔垫物700在衬底基板上的正投影与像素限定层400在衬底基板上的正投影的面积比不大于4%。例如,隔垫物700在衬底基板上的正投影与像素限定层400在衬底基板上的正投影的面积比不大于3%。
例如,多个隔垫物位于像素限定层远离衬底基板的一侧表面。在显示区内,隔垫物和所有子像素的数量比小于等于1:4。在显示区内,隔垫物和所有子像素的数量比小于等于1:8。例如,在显示区内,隔垫物和所有子像素的数量比不大于1:12。例如,在显示区内,隔垫物和所有子像素的数量比不大于1:16。例如,在显示区内,隔垫物和所有子像素的数量比不大于1:20。例如,在显示区内,隔垫物和所有子像素的数量比不大于1:24。
例如,沿相邻两个像素的发光层中心连线的方向,隔垫物700的尺寸与像素限定层400的尺寸(例如隔垫物所在的像素界定层的表面如上表面)之比小于0.9。例如,沿相邻两个像素的发光层中心连线的方向,隔垫物700的尺寸与像素限定层400的尺寸之比小于0.8。
例如,如图15A所示,沿第二方向,相邻隔垫物700之间设置有四个第二颜色子像素200,沿第一方向,相邻隔垫物700之间设置有两个第一颜色子像素100以及两个第三颜色子像素300。例如,隔垫物700在衬底基板上的正投影的面积与像素限定层400在衬底基板上的正投影的面积比不大于6%。以隔垫物的密度为行方向间隔四个子像素一个隔垫物,列方向间隔四个子像素一个隔垫物为例,即,1个隔垫物对应8个第二颜色子像素,4个第一颜色子像素以及4个第三颜色子像素。例如,隔垫物700在衬底基板上的正投影与像素限定层400在衬底基板上的正投影的面积比不大于8%。隔垫物的密度和大小趋于越来越小,可以减少在工艺过程中产生的颗粒,提高良率。本公开实施例中第一方向和第二方向可以互换。
例如,如图15B所示,沿第二方向,相邻隔垫物700之间设置有六个第二颜色子像素200,沿第一方向,相邻隔垫物700之间设置有三个第一颜色子像素100以及三个第三颜色子像素300。例如,隔垫物700在衬底基板上的正投影与像素限定层400在衬底基板上的正投影的面积比小于6%。以隔垫物设置为行方向间隔六个子像素一个隔垫物,列方向间隔六个子像素一个隔垫物。
例如,如图15A和图15B所示,在显示区,隔垫物700与桥接线没有交叠。例如,在显示区,围成一个第二网格的桥接线至多与一个隔垫物700交叠。例如,第二网格602为长条形,隔垫物700与桥接线交叠部分的尺寸小于与第二网格602的延伸方向垂直的方向的尺寸。因为隔垫物位置处各子像素的第一电极与桥接线最靠近,较少桥接线与隔垫物的交叠可以减小串扰。
例如,如图15C所示,以相邻两个第二触控单元通过两个连接桥电连接为例,则其中一个连接桥621的两个端点和中间转折点所在第二网格可以与隔垫物700有交叠,另一个连接桥621与隔垫物700没有交叠。本公开实施例不限于,例如,在相邻两个隔垫物之间设置五个或六个第二颜色子像素时,一个连接桥可以只有中间转折点所在第二网格与隔垫物交叠。例如,如图15A所示,以相邻两个第二触控单元通过两个连接桥电连接为例,则其中一个连接桥621与一个隔垫物700交叠,另一个连接桥621也与一个隔垫物700交叠。例如,本公开实施例不限于图15A所示的隔垫物与连接桥的位置关系,如果将图15A中的隔垫物整体向上移动一个第二网格后,一个连接桥与一个隔垫物交叠,另一个连接桥则与隔垫物无交叠。
例如,图15F示出了行方向相邻隔垫物之间间隔四个子像素,例如两个红色子像素,两个蓝色子像素,列方向相邻隔垫物之间间隔四个子像素,例如四个绿色子像素。例如,每个隔垫物对应一个大致矩形的区域(图中实线方框所示),该区域例如包括四行绿色子像素行,每行包括四个绿色子像素,即包括16个绿色子像素;该区域例如包括四行红色子像素和蓝色子像素交替形成的行,每行包括两个红色子像素和两个蓝色子像素,即包括8个红色子像素和8个蓝色子像素。在间隔四行四列分布的隔垫物(例如第一隔垫物,图中竖线填充)中,位于内部的每四个隔垫物形成2*2矩阵的隔垫物的大致中间位置还分布有一个隔垫物(例如第二隔垫物,图中细密网格填充)。上述第一隔垫物和第二隔垫物分布规律相同,数量也大致相等。每个第二隔垫物也均对应一个大致矩形的区域(图中虚线方框所示),该区域例如也包括16个绿色子像素,8个红色子像素和8个蓝色子像素。因为第一隔垫物和第二隔垫物分布相同,数量大致相同,且第一隔垫物对应的矩形区域大致布满整个显示区,第二隔垫物对应的矩形区域也大致布满整个显示区,因此第一隔垫物和第二隔垫物对应的矩形区域中每个子像素均包含在两个矩形区域中。例如,第一隔垫物和第二隔垫物实质上对应的子像素数量为8个绿色子像素,4个红色子像素和4个蓝色子像素(仅限显示区内部,边缘部分可能因为形状或算法考虑数量比值可能会有一些差异)。例如,如果考虑第一隔垫物和第二隔垫物对应的矩形区域的重复,将每个矩形面积除以二后的面积大致为一个隔垫物实质对应的显示区,该区域可以和显示区内部隔垫物大致一一对应,例如一个隔垫物所对应的显示区的面积大致为8个绿色子像素,4个红色子像素和4个蓝色子像素所占据的显示区的面积。
例如,显示区内隔垫物和子像素的数量比为1:16。
例如,一个隔垫物的面积除以该隔垫物所对应的显示区的面积中像素限定层的面积在衬底基板上的正投影的面积比不大于8%。
例如,每个子像素的像素限定层基本上被各个发光层覆盖。例如,形成每个子像素的发光层的掩模板的开口边界大致位于像素限定层各个部分的中心线。例如,围绕各个子像素的像素限定层开口的像素限定层的面积大致为形成该子像素发光层的掩模板开口的面积,减去像素限定层开口的面积。或者,例如,不考虑工艺偏差等因素,围绕各个子像素的像素限定层开口的像素限定层的面积大致为该子像素发光层的面积(S1),减去像素限定层开口的面积(S2)。
例如,绿色子像素的对应的FMM开口为圆形或正方形,直径或边长为30-35μm,例如为33μm。例如,红色子像素对应的FMM开口为正方形,边长为30-35μm,例如为33μm。例如蓝色子像素对应的FMM开口为正方形,边长为33-38μm,例如为35.5μm。
例如,绿色子像素的像素限定层的开口为椭圆形或矩形(可认为长边长度为长轴尺寸,短边长度为短轴尺寸),其长轴为12-16μm,例如为14μm,短轴为10-14μm,例如为11μm。例如,红色子像素的像素限定层的开口为正方形,边长大致为14-17μm,例如15μm。例如,蓝色子像素的像素限定层的开口为正方形,边长大致为16-20μm,例如为18μm。
例如,显示区内,像素限定层可以包括被发光层覆盖的部分,也可以包括未被发光层覆盖的部分。
例如,显示区内,隔垫物与像素限定层的面积比K满足K≤S0/[k1*n*m*(S1G-S2G)+k2*n*m*(S1R-S2R)+k3*n*m*(S1B-S2B)],上述n为同一行中相邻隔垫物中间子像素的列数,m为同一列中相邻隔垫物中间子像素的行数,S0为一个隔垫物的面积,S1G、S1R、S1B分别为绿色子像素、红色子像素和蓝色子像素发光层或对应的FMM开口的面积,S2G、S2R、S2B分别为绿色子像素、红色子像素和蓝色子像素的像素限定层开口的面积,k1、k2和k3分别为显示区内绿色子像素、红色子像素和蓝色子像素占所有子像素的比例。例如k1+k2+k3=1。例如,对于图15F所示的排列,上述G子像素数量:R子像素数量:B子像素数量=2:1:1,则k1为2/(2+1+1)=1/2,k2为1/(2+1+1)=1/4,k3为1/(2+1+1)=1/4。例如,对于RGB子像素数量相等的排列,k1=k2=k3=1/3。
例如,在不考虑其他因素的情况下,n或m越大,隔垫物分布越稀疏,K值越小。例如,在不考虑其他因素的情况下,各个子像素的发光层面积越大,所对应的FMM掩模板开口越大,而隔垫物对应支撑于FMM掩模板开口之外的部分,因此,相对于FMM掩模板开口部分的面积,隔垫物能支撑的部分面积随着发光层增大而减小,隔垫物尺寸相应的减小或者分布的数量也相对少(因为要避开各个FMM掩模板的开口),因此K值也越小。例如,在不考虑其他因素的情况下,各个子像素的像素限定层开口面积越小,像素限定层的实体面积越大,相应的,相同的分布密度下,隔垫物与像素限定层的面积比值K也就越小。例如,n可以与m相等,例如均为4,或者均为6,或者均为5。
例如,n可以与m可以不相等,例如一个为4,一个为6。
在一些实施例中,该显示面板可以没有触控功能,即不包括触控电极。在一些实施例中,该显示面板的触控电极可以不采用触控电极线和桥接线的布置方式,例如可以为面状电极。在一些实施例中,该显示面板的触控电极的材料可以是金属,也可是金属氧化物或者其他任何可以导电的材料。
如图4至图8、图16所示,本公开的至少一实施例提供一种显示面板,包括:衬底基板包括显示区和位于所述显示区周边的周边区;多个子像素,位于所述显示区。各所述子像素包括第一电极和第二电极,所述第二电极位于所述衬底基板和所述第一电极之间,在显示区内,所述第一电极为整层膜层。所述显示面板还包括封装层,位于所述显示区和所述周边区;第一触控电极层,位于所述封装层远离所述衬底基板的一侧,所述第一触控电极层包括沿所述第一方向延伸的多个第一触控电极和沿所述第二方向延伸的多个第二触控电极,每个第一触控电极包括多个第一触控电极单元,每个第二触控电极包括多个第二触控电极单元,所述第一触控电极层包括多条触控电极线,所述多条触控电极线交叉设置以形成多个第一网格,各所述第一触控电极单元和各所述第二触控电极单元均包括多个连通的第一网格;第二触控电极层,包括多个连接桥,所述第二触控电极层包括多条桥接线,所述多条桥接线交叉设置以形成第二网格,各所述连接桥包括多个连通的第二网格,相邻所述第二触控电极单元通过至少一个连接桥电连接;触控绝缘层,位于所述第一触控电极层与所述第二触控电极层之间,所述第二触控电极单元通过贯穿所述触控绝缘层中的过孔与所述连接桥电连接。在所述显示区内,位于各子像素有效发光区内的第一电极与第一触控电极层、和第二触控电极层二者之间更靠近第一电极的一个触控电极层之间的绝缘层总厚度大于位于各子像素有效发光区外的第一电极与第一触控电极层、和第二触控电极层二者之间更靠近第一电极的一个触控电极层之间的绝缘层总厚度。
需要说明的是,在本公开实施例中,像素电路除了可以为图15B所示的7T1C(即七个晶体管和一个电容)结构之外,还可以为包括其他数量的晶体管的结构,如7T2C结构、6T1C结构、6T2C结构或者9T2C结构,本公开实施例对此不作限定。本公开的实施例,还可以采用条状排列的像素,品字形排列,三角形排列,马赛克排列等任意方式。本公开的实施例,一个像素单元或重复单元中RGB的数量比可以为1:1:2,1:2:1,2:2:1,1:1:1,1:2:3,3:3:2,1:3:2,2:3:1,3:2:3,2:3:3等中的任一一种或两种以上的组合。例如,RGB的大小可以相等,也可以不相等。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是B大于R,B大于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是B大于R,R大于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是B大于R,R等于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是B等于R,R大于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是R大于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是R大于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是G大于R。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是G大于B。例如,每个重复单元或像素单元包含的子像素的数量可以是2,3,4,5,6,7,8,9,10等中的任意一个或两种以上的组合。
在一些实施例中,也可以有部分相同颜色子像素的的有效发光区的面积不同。例如,在部分实施例中,一个重复单元或像素单元包括的子像素中有两个相同颜色的绿色子像素,或者有两个相同颜色的红色子像素,或者有两个相同颜色蓝色子像素,或者同时包含两对相同颜色子像素(例如两个绿色子像素,两个红色子像素),其中相同颜色的子像素的有效发光区的面积可以不同。在一些实施例中,同一颜色的子像素在边缘位置,异形区域或者折叠区域等,其有效发光区的面积也可以与其他区域的同颜色的子像素的有效发光区的面积不同,或者形状不同。
以上实施例中,各个子像素的发光颜色、大小、形状以及位置分布是可以自由组合的。例如,其中的各个子像素的大小和形状,可以有部分相同,部分不同;或者完全相同;完全不同都是可以的。例如,部分子像素的大小相同,但形状不同。例如,部分子像素的形状轮廓大致相同,但面积大小不同。例如,第一颜色子像素周围可以有不同数量的第二颜色子像素,例如2个,3个,4个,5个,6个,7个,8个等,这些第二颜色子像素可以与第一颜色子像素的距离大致相等,或者部分相等,部分不相等。例如,第二颜色子像素周围可以有不同数量的第三颜色子像素,例如2个,3个,4个,5个,6个,7个,8个等,这些第一颜色子像素可以与第二颜色子像素的距离大致相等,或者部分相等,部分不相等。例如,第三颜色子像素周围可以有不同数量的第二颜色子像素,例如2个,3个,4个,5个,6个,7个,8个等,这些第二颜色子像素可以与第三颜色子像素的距离大致相等,或者部分相等,部分不相等。
图16为沿图1A所示的GG线所截的局部截面结构示意图。图16仅示意性的示出各子像素的第二电极与第一电极之间的膜层的示意图。如图16所示,各子像素的第一电极和第二电极之间的膜层的总厚度均小于像素限定层400的开口的深度。例如,第一颜色子像素100的第一电极130和第二电极120之间的功能膜层的总厚度大于第二颜色子像素200的第一电极230和第二电极220之间的功能膜层的总厚度,第二颜色子像素200的第一电极230和第二电极220之间的功能膜层的总厚度大于第三颜色子像素300的第一电极330和第二电极320之间的功能膜层的总厚度。
例如,像素限定层400的开口的深度约为0.8~1.8微米。例如,第一颜色子像素的第一电极130和第二电极120之间的功能膜层的总厚度可为2800埃~2900埃,第二颜色子像素200的第一电极230和第二电极220之间的功能膜层的总厚度可为2300埃~2400埃,第三颜色子像素300的第一电极330和第二电极320之间的功能膜层的总厚度可为1800埃~1900埃。
例如,如图16所示,各子像素的第一电极和第二电极之间的功能膜层包括辅助发光层,辅助发光层位于发光层与第二电极之间。例如,辅助发光层与发光层直接接触。例如,第一颜色子像素100包括位于第一颜色发光层130与第二电极120之间的辅助发光层140,第二颜色子像素200包括位于第二颜色发光层230与第二电极220之间的辅助发光层240,第三颜色子像素300包括位于第三颜色发光层330与第二电极320之间的辅助发光层340。例如,第一颜色子像素100的辅助发光层140的厚度大于第二颜色子像素200的辅助发光层240的厚度,第二颜色子像素200的辅助发光层240的厚度大于第三颜色子像素300的辅助发光层340的厚度。
例如,辅助发光层可以为具备空穴传输、电子阻挡、电子传输、空穴阻挡、发光等功能的膜层的至少之一。例如,辅助发光层与发光层直接接触。例如,发光层直接形成在辅助发光层远离衬底基板一侧的表面。例如,本公开实施例中的各颜色子像素中的辅助发光层可以采用与相应颜色发光层相同的精细金属掩模板形成,由此各子颜色子像素的辅助发光层具有与相应颜色发光层基本相同的形状、尺寸、投影特征等,在此不再赘述。
例如,第一颜色发光层130远离衬底基板一侧表面距衬底基板的距离大于第二颜色发光层230远离衬底基板一侧表面距衬底基板的距离,第二颜色发光层230远离衬底基板一侧表面距衬底基板的距离大于第三颜色发光层330远离衬底基板一侧表面距衬底基板的距离。
例如,第一颜色发光层130远离衬底基板一侧表面距像素限定层400的平坦表面的距离大于第二颜色发光层230远离衬底基板一侧表面距像素限定层400的平坦表面的距离,第二颜色发光层230远离衬底基板一侧表面距像素限定层400的平坦表面的距离大于第三颜色发光层330远离衬底基板一侧表面距像素限定层400的平坦表面的距离。
例如,像素限定层400的开口处的斜坡的坡度角范围可以为16°~22°。例如,像素限定层400的开口处的斜坡的坡度角范围可以为18°~20°。在像素限定层的斜坡为弧形面时,坡度角为斜坡与像素的第二电极相交的交点处的切线与衬底基板之间的夹角。但不限于此,坡度角还可以为像素限定层400的高度的一半的位置处中点与像素限定层400和像素的第二电极相交的交点处的连线与衬底基板所在平面之间的夹角。
例如,如图16所示,各子像素的发光层与第二电极之间还设置有整层的空穴传输层30以及空穴注入层40。例如,空穴注入层40的厚度可以为5~10纳米,空穴传输层30的厚度可以为90~120纳米。由于发光层与第二电极之间具有多层连续的膜层,在一种颜色子像素的第二电极被施加电压时,空穴传输层和空穴注入层中可能出现横向漏电流,导致与该子像素相邻的子像素的发光层中因与发光子像素的发光层存在交叠部分而容易出现串扰。
例如,第一颜色子像素100的辅助发光层140的厚度可以为70~90纳米,第二颜色子像素200的辅助发光层240的厚度可以为30~40纳米,第三颜色子像素300的辅助发光层340的厚度可以为5~10纳米。
例如,各子像素的发光层与第一电极之间还设置有电子注入层(图中未示出),以及电子传输层(图中未示出)和空穴阻挡层(图中未示出)的至少之一。例如,电子注入层、电子传输层以及空穴阻挡层均为连续的整层膜层。
例如,空穴阻挡层的厚度可以为5~10纳米。例如,电子传输层的厚度可以为20~30纳米。
例如,各子像素的第二电极可以为层叠结构,例如包括氧化铟锡、银以及氧化铟锡的层叠结构。例如,第二电极的厚度可以为100-180纳米。例如,第二电极的厚度可以为110-130纳米。
如图16所示,多个子像素的第一电极为整层膜层,第一电极和位于第一电极与第二电极之间的膜层的厚度和小于像素限定层的开口的深度以使位于开口内和像素限定层上的第一电极形成反射杯结构,从而提高出光效率,减小色散。
例如,第一电极可以包括镁和银的材料,例如为镁银合金。例如,第一电极的厚度可以为10-18纳米。例如,第一电极的厚度可以为12-15纳米。例如,第一电极的厚度可以为100埃。
例如,各子像素的发光层和电子传输层可以为主客体掺杂材料,其他膜层为单一分子量材料。例如,电子传输层的材料可以包括镱(Yb)、镁(Mg)、氟化锂(LiF)中至少之一。例如,电子注入层的材料可以为为Yb,或者Mg和LiF的掺杂材料。
例如,辅助发光层可以具有空穴传输功能。例如,本公开实施例中,仅发光层和辅助发光层为由FMM制作的间隔分布的膜层,其他有机膜层均为连续的公共膜层。例如,各子像素的辅助发光层的材料不同。例如,空穴传输层和辅助发光层的材料可以为芳胺类衍生物。
例如,空穴阻挡层的材料可以采用三嗪/吖嗪衍生物。例如第三颜色子像素的发光层包括主体材料和掺杂材料,第三颜色子像素的发光层的厚度可以为15~20nm。例如,第二颜色子像素的发光层包括主体材料和掺杂材料,第二颜色子像素的发光层的厚度可以为30~40nm。例如,第三颜色子像素的发光主体材料可以包括蒽类衍生物,第二颜色子像素的发光主体材料可以包括咔唑+三嗪混合物,第一颜色子像素的发光主体材料可以包括杂环共轭类。
例如,显示面板还包括:光取出层,位于第一电极与封装层之间。例如,光取出层可以为有机层,通过蒸镀工艺形成在第一电极例如阴极远离衬底基板的一侧。
例如,显示面板还包括增透层,位于第一电极与封装层之间。例如,光取出层可以为无机层,通过蒸镀工艺形成在第一电极例如阴极远离衬底基板的一侧。例如,增透层可以包括LiF。
在一些实施例中,封装层包括依次设置的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层叠层结构,光取出层的边缘位于第一电极的边缘靠近显示区的一侧,且光取出层的边缘与第一电极的边缘与第一无机封装层接触。对于open mask形成的共通层,至少包括阴极层、光取出层,且第一电极边界大于光取出层边界以实现第一电极与周边连接至VSS电源端的引线搭接。例如,第一电极通过与第二电极同层设置的阳极连接层搭接,阳极连接层与位于数据线所在膜层的连接至VSS电源端的走线搭接。
在一些实施例中,显示面板可以省略光取出层、增透层中的至少一层,以节约蒸镀工艺成本。
在一些实施例中,在采用蒸镀工艺形成的最后一层膜层(例如为阴极层、光取出层、增透层、或其他功能层中的任意一个)和封装层之间还可以包括一些折射率调节层,该折射率调节层例如为无机层。例如,该折射率调节层可以包括氧化硅,或氮化硅。例如,该折射率调节层厚度为30nm~1微米。例如,该折射率调节层可以厚度为40nm~500nm。例如,该折射率调节层可以厚度为50nm~200nm。例如,该折射率调节层可以厚度为50nm~100nm。例如,该折射率调节层可以采用气相沉积的工艺制作。例如,该折射率调节层的致密度不同,例如梯度变化,或者分层变化,以适应折射率的要求。例如,该折射率调节层的折射率范围1.3-1.8。例如,该折射率调节层的折射率范围1.4-1.7。例如,该折射率调节层的折射率范围1.6-1.7。
例如,第一无机封装层远离衬底基板的表面形成为具有多个周期性分布的凹凸结构。例如,第一无机封装层远离衬底基板表面的凹凸结构中,凹的部分和凸的部分在垂直于衬底基板方向上的高度差(例如相对阳极主体部分所在的平面)大致为0.5μm~1.5μm。例如,第一无机封装层远离衬底基板表面的凹凸结构中,凹的部分和凸的部分在垂直于衬底基板方向上的高度差(例如相对阳极主体部分所在的平面)大致为0.6μm~1.2μm。例如,第一无机封装层远离衬底基板表面的凹凸结构中,凹的部分和凸的部分在垂直于衬底基板方向上的高度差(例如相对阳极主体部分所在的平面)大致为0.8μm~1.1μm。例如,第一无机封装层远离衬底基板表面的凹凸结构中,凹的部分和凸的部分中一者尺寸大致为(10-20)μm*(10-20)μm的范围,例如凹的部分尺寸大致为(10-20)μm*(10-20)μm的范围。例如,第一无机封装层远离衬底基板表面的凹凸结构中,凹的部分和凸的部分中另一者大致形成为连通的网格状,网格线宽大概为18-25μm,以增强第一无机封装层和直接接触的有机封装层之间的粘附性,例如凸的部分大致形成为连通的网格状。通过在第一无机封装层上形成凹凸结构,能增加水氧入侵的路径,提高封装效果。
例如,如图17A至图18所示,本公开的至少一实施例提供一种显示面板,包括:衬底基板包括显示区和位于所述显示区周边的周边区;多个第一颜色子像素,位于所述显示区,且所述多个第一颜色子像素沿第一方向排列以形成多个第一颜色子像素行,所述多个第一颜色子像素行沿第二方向排列,且所述多个第一颜色子像素行中的相邻第一颜色子像素行沿所述第一方向彼此错开;多个第二颜色子像素,位于所述显示区,且沿所述第一方向和所述第二方向阵列排布,四个第二颜色子像素围绕一个第一颜色子像素;多个第三颜色子像素,位于所述显示区,所述多个第一颜色子像素和所述多个第三颜色子像素沿所述第一方向和所述第二方向交替排列,所述多个第一颜色子像素和所述多个第二颜色子像素沿第三方向交替排列成第一组,所述多个第三颜色子像素与所述多个第二颜色子像素沿第三方向交替排列成第二组,所述第一组和所述第二组沿第四方向交替分布,所述第三方向和所述第四方向与所述第一方向和所述第二方向均相交;像素限定层,位于所述显示区和所述周边区,所述像素限定层包括多个开口以限定多个子像素的有效发光区,所述多个第一颜色子像素包括多个第一有效发光区,所述多个第二颜色子像素包括多个第二有效发光区,所述多个第三颜色子像素包括多个第三有效发光区。所述多个第一颜色子像素包括位于对应的所述开口内以及围绕对应开口的所述像素限定层上的多个第一颜色发光层,所述多个第二颜色子像素包括位于对应的所述开口内以及围绕对应开口的所述像素限定层上的第二颜色发光层,所述多个第一颜色子像素包括的多个第一颜色发光层彼此间隔,所述多个第二颜色子像素包括的多个第二颜色发光层彼此间隔;所述多个第三颜色子像素包括位于对应的所述开口内以及围绕对应开口的所述像素限定层上的多个第三颜色发光层,所述多个第三颜色子像素包括的多个第三颜色发光层彼此间隔。所述子像素包括第一电极和第二电极,所述第二电极位于所述衬底基板和所述第一电极之间;所述像素限定层包括大致沿所述第一方向延伸的多个第一限定部和多个第二限定部,所述第一限定部和所述第二限定部沿所述第二方向交替排布,在所述第二方向上,位于沿所述第一方向排列的同一行子像素两侧的一个所述第一限定部和一个所述第二限定部的平均高度不同,且位于所述显示区内的多个第一限定部的平均高度大致相同,位于所述显示区内的多个第二限定部的平均高度大致相同,所述第一限定部的平均高度为从所述第一限定部远离所述衬底基板的表面到所述第二电极的主体电极远离衬底基板的表面所在平面的平均高度,所述第二限定部的平均高度为从所述第二限定部远离所述衬底基板的表面到所述第二电极的主体电极远离衬底基板的表面所在平面的平均高度。
在一些实施例中,像素限定层与发光层的关系,以及像素排布方式可以不按照上述实施例的方式。
例如,图17A为本公开实施例提供的显示区内的像素限定层与有效发光区的平面示意图,图18为沿图17A所示的HH线所截的局部截面结构示意图。图17A示意性的示出像素限定层以及各子像素的第二电极和发光层。如图17A和图18所示,所述像素限定层400包括沿第一方向交替排列的波浪形的第一限定部410和第二限定部420,第一限定部410的平均高度大于第二限定部420的平均高度。例如,像素限定层400包括大致沿第一方向延伸的多个第一限定部410和多个第二限定部420,第一限定部和第二限定部沿第二方向交替排布,在第二方向上,位于同一行子像素两侧的一个第一限定部410和一个第二限定部420的平均高度不同,且位于显示区内的多个第一限定部410的平均高度大致相同,位于显示区内的多个第二限定部420的平均高度大致相同,第一限定部410的平均高度为从第一限定部410远离衬底基板的表面到第二电极的主体电极远离衬底基板的表面所在平面的平均高度,第二限定部420的平均高度为从第二限定部420远离衬底基板的表面到第二电极的主体电极远离衬底基板的表面所在平面的平均高度。例如,因为第二电极可能会有不平坦的情况,以位于像素限定层开口内的部分大致所在的平面为基准。例如,第二电极的主体电极可以为像素限定层开口所暴露出的第二电极的部分。例如,第二电极的主体电极也可以为除了像素限定层开口所暴露出的第二电极的部分,还包括围绕像素限定层开口所暴露出的第二电极的部分的另一环形部分,该环形部分各部分宽度大致相等。例如,像素限定层开口所暴露出的第二电极的主体电极可以大致位于同一平面。
图17A仅示意性的示出各颜色子像素的有效发光区,这里的各颜色子像素的有效显示区的尺寸以及形状与图1A所示的各颜色子像素的有效显示区的尺寸以及形状相同。图17A示意性的以不同填充颜色表示第一限定部和第二限定部,第一限定部和第二限定部可以为一体结构形成为网格。
例如,第一限定部410和第二限定部420至少用于分隔两行子像素。
例如,第一限定部410和第二限定部420在第一方向延伸的长度至少包括连续四个子像素有效发光区在该方向尺寸和之间间隔之和。
例如,如图17A所示,相邻两行子像素构成一个像素单元行1010,在第二方向上,位于一个像素单元行1010两侧的两个第一限定部410的平均高度大于位于该一个像素单元行1010中两行子像素之间的一个第二限定部420的平均高度。例如,像素单元行1010包括一行第一颜色子像素100和第三颜色子像素300交替排列的行,以及一行第二颜色子像素200形成的行。
例如,第一限定部410开口处的斜坡的中点的坡度角大于第二限定部420开口处的斜坡的中点的坡度角,其中,斜坡的中点例如为斜坡在垂直衬底基板方向上厚度的大致一半的位置,或者斜坡在平面投影延伸尺寸的大致一半的位置。例如,从第一限定部410的开口处的远离第二电极的一端到靠近第二电极的一端的坡度角变化趋势比从第二限定部420的开口处的远离第二电极的一端到靠近第二电极的一端的坡度角变化趋势慢。
例如,上述第一限定部的平均高度和第二限定部的平均高度指相对各子像素的第二电极的主体电极所在的表面的高度。例如,第二电极面向衬底基板的一侧设置有平坦层,上述第一限定部的平均高度和第二限定部的平均高度还可以指相对平坦层的远离衬底基板的表面,各限定部的远离平坦层一侧表面与靠近平坦层一侧表面之间的距离的平均值。
例如,如图17A所示,多个第一颜色子像素100、多个第二颜色子像素200以及多个第三颜色子像素300组成的像素排列结构包括沿第一方向排列的多个最小重复单元1000,每个最小重复单元1000包括分布在两个子像素行的一个第一颜色子像素100,一个第三颜色子像素300以及两个第二颜色子像素200,一个第二颜色子像素200与第一颜色子像素100构成第一虚拟像素,另一个第二颜色子像素200与第三颜色子像素300构成第二虚拟像素,第一颜色子像素100和第三颜色子像素300分别被两个虚拟像素共用。本实施例描述的虚拟像素不是严格意义上的像素,即由完整的一个蓝色子像素、一个绿色子像素以及一个红色子像素定义的一个像素。这里的最小重复单元是指像素排列结构可以由该最小重复单元经过重复排列而形成。本公开实施例中,通过共享部分子像素的方式以减少子像素数量的虚拟像素方法,在构成图像分辨率相同的前提下,可以降低物理子像素的密度,从而降低显示器件制造过程中的工艺难度,从而提升良率和降低成本。
例如,在第二方向上,第一限定部410位于沿第一方向排列的最小重复单元1000的两侧,第二限定部420位于最小重复单元1000分布的两个子像素行之间的间隔。例如,第一虚拟像素和第二虚拟像素沿第一方向和第二方向交替排列,第一限定部410位于沿第一方向排列的最小重复单元1000的两侧,第二限定部420穿过各虚拟像素中的两个子像素之间的间隔。本公开实施例中,通过设置交替排列的第一限定部和第二限定部,可以减少显示区边缘的色偏以及显示区边缘与内部显示的均一性,利于虚拟像素内子像素的混色。
例如,图17B和图17C分别为两个不同位置处的周边区以及显示区的像素限定层的平面结构示意图。如图17B和图17C所示,一个第一限定部410的平均高度大于一个第二限定部420的平均高度,周边区的像素限定层400为第三限定部430。例如第三限定部430的平均高度大于一个第二限定部420的平均高度。例如周边区的像素限定层400的平均高度与第一限定部410的平均高度大致相等。这里大致相等指,考虑工艺偏差,周边区像素限定层图案面积相比显示区要大,所以工艺可能造成周边区像素限定层高度略大于或略小于第一限定部的高度,例如周边区像素限定层与第一限定部平均高度比例为1.1:0.9。
例如,如图17B和图17C所示,周边区的像素限定层与第一限定部和第二限定部可以为一体结构。周边区域除图中示出的部分,其他部分也可以包括有部分与像素限定层同层的图案,例如用于封装的阻挡坝,例如用于隔断有机功能膜层的隔离柱,例如周边区域一些过孔或镂空结构中存留的像素限定层的材料等。在一些实施例中,显示区内的像素限定层完全被阴极覆盖。
例如,图17D为另一示例提供的显示区的像素限定层的平面结构示意图。如图17D所示,与图17A所示示例不同之处在于本示例中的第一限定部410和第二限定部420为大致直线型,且第一限定部410和第二限定部420通过限定连接部440连接。例如第一限定部410、第二限定部420以及限定连接部440可以为一体结构。
例如,如图18所示,像素限定层400包括平坦部404和斜坡405,斜坡405围绕各开口,斜坡405包括靠近平坦部404的第一子斜坡4051和远离平坦部404的第二子斜坡4052,沿第三方向或第四方向,第一子斜坡4051和第二子斜坡4052在衬底基板上的正投影的尺寸之比不大于1/4,且第一子斜坡4051的平均坡度角小于第二子斜坡4052的平均坡度角。例如,平坦部为大致平坦的结构,例如像素限定层膜层厚度最大值80%以上的部分。这里的坡度角例如为从斜坡表面做一条切线,该切线与衬底基板表面的夹角,表面的连续多个点或固定间隔的多个点分别测量的坡度角平均值为平均坡度角。
例如,像素限定层的厚度一般大于1.1微米,像素限定层的开口的坡度角为20度计算,斜坡的长度大约为3微米。
例如,如图1A所示,为了防止显示区11中靠近周边区12的有机发光元件免受周边区12的影响,在周边区12的与显示区11毗邻的区域中设置有一个过渡区域13。在过渡区域13中可以设置一些虚设子像素31。
例如,图19为图1A所示的过渡区的局部截面结构示意图。图19示意出了第一类型的虚拟子像素31A和第二类型的虚拟子像素31A’的示例性的截面视图。如图19所示,在虚拟子像素中,像素限定层400可以是没有开口区的。在第一类型的虚拟子像素31A中,第二电极41A’位于像素限定层400的朝向衬底基板10的一侧,而第一虚拟辅助发光层42A、第一虚拟发光材料层43A和第一电极24依次叠置在像素限定层400的远离衬底基板10的另一侧。
需要说明的是,在本公开实施例中,像素电路除了可以为图15B所示的7T1C(即七个晶体管和一个电容)结构之外,还可以为包括其他数量的晶体管的结构,如7T2C结构、6T1C结构、6T2C结构或者9T2C结构,本公开实施例对此不作限定。本公开的实施例,还可以采用条状排列的像素,品字形排列,三角形排列,马赛克排列等任意方式。本公开的实施例,一个像素单元或重复单元中RGB的数量比可以为1:1:2,1:2:1,2:2:1,1:1:1,1:2:3,3:3:2,1:3:2,2:3:1,3:2:3,2:3:3等中的任一一种或两种以上的组合。例如,RGB的大小可以相等,也可以不相等。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是B大于R,B大于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是B大于R,R大于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是B大于R,R等于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是B等于R,R大于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是R大于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是R大于G。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是G大于R。例如,对于单个子像素的像素界定层开口大小,可以是G大于B。例如,每个重复单元或像素单元包含的子像素的数量可以是2,3,4,5,6,7,8,9,10等中的任意一个或两种以上的组合。
在一些实施例中,也可以有部分相同颜色子像素的的有效发光区的面积不同。例如,在部分实施例中,一个重复单元或像素单元包括的子像素中有两个相同颜色的绿色子像素,或者有两个相同颜色的红色子像素,或者有两个相同颜色蓝色子像素,或者同时包含两对相同颜色子像素(例如两个绿色子像素,两个红色子像素),其中相同颜色的子像素的有效发光区的面积可以不同。在一些实施例中,同一颜色的子像素在边缘位置,异形区域或者折叠区域等,其有效发光区的面积也可以与其他区域的同颜色的子像素的有效发光区的面积不同,或者形状不同。
以上实施例中,各个子像素的发光颜色、大小、形状以及位置分布是可以自由组合的。例如,其中的各个子像素的大小和形状,可以有部分相同,部分不同;或者完全相同;完全不同都是可以的。例如,部分子像素的大小相同,但形状不同。例如,部分子像素的形状轮廓大致相同,但面积大小不同。例如,第一颜色子像素周围可以有不同数量的第二颜色子像素,例如2个,3个,4个,5个,6个,7个,8个等,这些第二颜色子像素可以与第一颜色子像素的距离大致相等,或者部分相等,部分不相等。例如,第二颜色子像素周围可以有不同数量的第三颜色子像素,例如2个,3个,4个,5个,6个,7个,8个等,这些第一颜色子像素可以与第二颜色子像素的距离大致相等,或者部分相等,部分不相等。例如,第三颜色子像素周围可以有不同数量的第二颜色子像素,例如2个,3个,4个,5个,6个,7个,8个等,这些第二颜色子像素可以与第三颜色子像素的距离大致相等,或者部分相等,部分不相等。
在一些实施例中,该显示面板可以没有触控功能,即不包括触控电极。在一些实施例中,该显示面板的触控电极可以不采用触控电极线和桥接线的布置方式,例如可以为面状电极。在一些实施例中,该显示面板的触控电极的材料可以是金属,也可是金属氧化物或者其他任何可以导电的材料。
例如,显示区11外的过渡区域13可以包括两圈虚设子像素31。
例如,显示区11外的过渡区域13在不同位置的虚设子像素的行数或列数不同,例如圆角区域,norch区域,打孔区域等。
例如,开口掩模板(open mask)用于形成整个显示面板上的共通层,即所有子像素采用相同材料和厚度的膜层,例如电子注入层,电子传输层等。除阴极和阳极之间的有机功能层之外,阴极以及位于阴极远离阳极一侧的光学功能层例如光取出层(例如可以为有机层)、增透层(例如可以为无极层,例如LiF)等也可以通过蒸镀工艺形成,例如采用openmask进行蒸镀。
例如,显示面板的显示区的边界与open mask在显示面板上的正投影的边界之间的距离可以为0.3mm。
例如,显示区边缘的发光层与open mask在显示面板上的正投影的边界之间的距离可以为0.01~0.02mm。
例如,显示区的边界与第一电极的边界之间的距离可以为0.3mm。
有以下几点需要说明:
(1)本公开的实施例附图中,只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下,本公开的同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
(3)对于不同实施例的组合,可以以其中一些实施例中的部分特征与其他实施例中的部分特征进行组合。各个实施例中的技术特征的组合是为了方案完整性描述方便理解而添加的,其中部分特征在其所在的实施例中不是必要的,在一些情况下有些特征是可以省略的。
以上所述仅是本公开的示范性实施方式,而非用于限制本公开的保护范围,本公开的保护范围由所附的权利要求确定。
Claims (25)
1.一种显示面板,包括:
衬底基板,包括显示区和位于所述显示区周边的周边区;
多个子像素,位于所述显示区;
像素限定层,位于所述显示区和所述周边区,所述像素限定层包括多个开口以限定所述多个子像素的有效发光区,
其中,所述多个子像素包括位于对应的所述开口内以及围绕对应开口的所述像素限定层上的多个发光层,至少部分不同子像素的发光层有交叠;
至少部分子像素中,对应同一个子像素的所述发光层和所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影的形状不同,或者,
至少部分子像素中,对应同一个子像素的所述发光层和所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影的至少部分彼此靠近的边缘不平行。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述至少部分子像素中,对应同一个子像素的所述发光层和所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影的各位置处的彼此靠近的边缘均不平行。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述至少部分子像素的有效发光区的形状包括多边形,所述多边形包括多条直边以及位于相邻直边之间的角部,对应同一个子像素的所述发光层和所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影中,所述有效发光区的直边的中点的正投影与所述发光层的边缘的正投影之间的最短距离为第一距离,所述有效发光区的角部的顶点的正投影与所述发光层的边缘的正投影之间的最短距离为第二距离,所述第一距离与所述第二距离不同。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述至少部分子像素中,对应同一个子像素的所述发光层和所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影中,所述有效发光区的边缘的正投影的至少一半与所述发光层的边缘的正投影不平行。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述多个子像素包括不同颜色子像素,至少一种颜色子像素的有效发光区具有长度方向和宽度方向,所述长度方向为该有效发光区的距离最远的两点的连线的延伸方向,同一个有效发光区的所述宽度方向与所述长度方向大致垂直;
所述有效发光区包括沿所述长度方向延伸的发光区边缘,所述至少一种颜色子像素的同一个子像素的所述发光层在所述衬底基板上的正投影的边缘与所述发光区边缘在所述衬底基板上的正投影不平行。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述多个子像素包括不同颜色子像素,至少一种颜色子像素的有效发光区具有长度方向和宽度方向,所述长度方向为该有效发光区的距离最远的两点的连线的延伸方向,同一个有效发光区的所述宽度方向与所述长度方向大致垂直;
对于具有所述长度方向和所述宽度方向的同一个有效发光区,沿所述长度方向,所述发光层在所述衬底基板上的正投影与所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影的彼此靠近的边缘之间的最大距离为第三距离,沿所述宽度方向,所述发光层在所述衬底基板上的正投影与所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影的彼此靠近的边缘之间的最大距离为第四距离,所述第三距离小于所述第四距离。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述多个子像素包括不同颜色子像素,至少一种颜色子像素的有效发光区具有长度方向和宽度方向,所述长度方向为该有效发光区的距离最远的两点的连线的延伸方向,同一个有效发光区的所述宽度方向与所述长度方向大致垂直;
对应同一个子像素的所述发光层和所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影中,所述发光层的正投影在所述长度方向上的尺寸与在所述宽度方向上的尺寸之比为第一尺寸比,所述有效发光区的正投影在所述长度方向和在所述宽度方向上的尺寸之比为第二尺寸比,所述第一尺寸比与所述第二尺寸比不同。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述多个子像素包括不同颜色子像素,至少一种颜色子像素的同一个子像素中,所述有效发光区的边缘包括直边,所述发光层的边缘包括曲边;
对应同一个子像素的所述发光层和所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影中,所述有效发光区的直边的正投影与所述发光层的曲边的正投影彼此靠近,且所述发光层的曲边的长度大于所述有效发光区的直边的长度。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述多个子像素包括不同颜色子像素,所述不同颜色子像素包括第一颜色子像素、第二颜色子像素以及第三颜色子像素,至少部分相邻的两个第二颜色子像素的发光层在垂直于所述衬底基板的方向上不交叠,至少部分相邻的第一颜色子像素的发光层和第三颜色子像素的发光层在垂直于所述衬底基板的方向上交叠。
10.根据权利要求1-9任一项所述的显示面板,其中,所述多个子像素包括多个最小重复单元,至少一个最小重复单元中包括至少两个颜色相同的子像素,所述至少两个颜色相同的子像素的有效发光区的面积或形状不同。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其中,所述多个子像素排列为多个子像素行,每个子像素行的子像素沿第一方向排列,所述多个子像素行沿第二方向排列,所述多个子像素行中相邻的子像素行沿所述第一方向彼此错开,所述第一方向与所述第二方向相交;
每个最小重复单元包括分布在两个子像素行的一个第一颜色子像素,一个第三颜色子像素以及两个第二颜色子像素。
12.根据权利要求1-9任一项所述的显示面板,其中,各子像素还包括像素电路,位于所述发光层与所述衬底基板之间;
所述多个子像素包括不同颜色子像素,至少一种颜色子像素中的一个子像素包括多个有效发光区,所述多个有效发光区被配置为由同一个像素电路驱动发光。
13.根据权利要求1-9任一项所述的显示面板,还包括至少一层封装层,位于所述显示区和所述周边区,且位于所述像素限定层远离所述衬底基板的一侧,
其中,所述至少一层封装层朝向所述衬底基板的一侧设置有凹凸结构,所述凹凸结构包括多个间隔的凸的部分,一个凸的部分在所述衬底基板上的正投影的面积为(10-20)μm*(10-20)μm。
14.根据权利要求13所述的显示面板,其中,所述凸的部分在所述衬底基板上的正投影与所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影交叠。
15.根据权利要求13所述的显示面板,其中,所述凹凸结构包括凹的部分,所述凹的部分在所述衬底基板上的正投影的形状为网格状。
16.根据权利要求13所述的显示面板,其中,所述像素限定层包括平坦部和斜坡,所述斜坡围绕各开口,所述斜坡包括靠近所述平坦部的第一子斜坡和远离所述平坦部的第二子斜坡,所述第一子斜坡的平均坡度角小于所述第二子斜坡的平均坡度角。
17.根据权利要求16所述的显示面板,其中,所述凸的部分在垂直于所述衬底基板的平面上的正投影的部分与所述第二子斜坡在所述平面上的正投影交叠。
18.一种显示面板,包括:
衬底基板,包括显示区和位于所述显示区周边的周边区;
多个子像素,位于所述显示区;
像素限定层,位于所述显示区和所述周边区,所述像素限定层包括多个开口以限定所述多个子像素的有效发光区,
其中,所述多个子像素包括位于对应的所述开口内以及围绕对应开口的所述像素限定层上的多个发光层;所述多个子像素还包括多个像素电路,用于驱动所述多个子像素发光;
所述多个子像素包括不同颜色子像素,至少一种颜色子像素中的至少一个子像素包括至少两个发光区,所述至少两个发光区的面积或形状不同,且由同一个像素电路驱动。
19.根据权利要求18所述的显示面板,其中,所述多个子像素排列为多个子像素列,所述多个子像素列第一方向排列,每个子像素列的子像素沿第二方向排列,所述多个子像素列中相邻的子像素列沿所述第二方向彼此错开,所述第一方向与所述第二方向相交;
相邻的两个子像素列中,其中一列包括一种颜色的子像素,另一列包括两种不同颜色的子像素交替排列。
20.根据权利要求18或19所述的显示面板,还包括至少一层封装层,位于所述显示区和所述周边区,且位于所述像素限定层远离所述衬底基板的一侧,
其中,所述至少一层封装层朝向所述衬底基板的一侧设置有凹凸结构,所述凹凸结构包括多个间隔的凸的部分,一个凸的部分在所述衬底基板上的正投影的面积为(10-20)μm*(10-20)μm。
21.根据权利要求20所述的显示面板,其中,所述凸的部分在所述衬底基板上的正投影与所述有效发光区在所述衬底基板上的正投影交叠。
22.根据权利要求20所述的显示面板,其中,所述凹凸结构包括凹的部分,所述凹的部分在所述衬底基板上的正投影的形状为网格状。
23.根据权利要求20所述的显示面板,其中,所述像素限定层包括平坦部和斜坡,所述斜坡围绕各开口,所述斜坡包括靠近所述平坦部的第一子斜坡和远离所述平坦部的第二子斜坡,所述第一子斜坡的平均坡度角小于所述第二子斜坡的平均坡度角。
24.根据权利要求23所述的显示面板,其中,所述凸的部分在垂直于所述衬底基板的平面上的正投影的部分与所述第二子斜坡在所述平面上的正投影交叠。
25.一种显示装置,包括权利要求1-24任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310059155.1A CN115996612A (zh) | 2020-09-01 | 2020-09-01 | 显示面板以及显示装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310059155.1A CN115996612A (zh) | 2020-09-01 | 2020-09-01 | 显示面板以及显示装置 |
CN202010902686.9A CN111799320B (zh) | 2020-09-01 | 2020-09-01 | 显示面板以及显示装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010902686.9A Division CN111799320B (zh) | 2020-09-01 | 2020-09-01 | 显示面板以及显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115996612A true CN115996612A (zh) | 2023-04-21 |
Family
ID=72834164
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010902686.9A Active CN111799320B (zh) | 2020-09-01 | 2020-09-01 | 显示面板以及显示装置 |
CN202310059155.1A Pending CN115996612A (zh) | 2020-09-01 | 2020-09-01 | 显示面板以及显示装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010902686.9A Active CN111799320B (zh) | 2020-09-01 | 2020-09-01 | 显示面板以及显示装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11930681B2 (zh) |
EP (1) | EP3961717A3 (zh) |
JP (1) | JP2022041913A (zh) |
KR (1) | KR20220029397A (zh) |
CN (2) | CN111799320B (zh) |
AU (1) | AU2021209328B2 (zh) |
BR (1) | BR102021017119A2 (zh) |
MX (1) | MX2021009270A (zh) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220037014A (ko) * | 2020-09-16 | 2022-03-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
WO2022126366A1 (zh) * | 2020-12-15 | 2022-06-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
CN112635529A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-09 | 北京维信诺科技有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN112670328A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-04-16 | 天马微电子股份有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
KR20220096768A (ko) | 2020-12-31 | 2022-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
WO2022160087A1 (zh) | 2021-01-26 | 2022-08-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
WO2022193152A1 (zh) * | 2021-03-16 | 2022-09-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法以及显示装置 |
CN113078194A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制作方法和显示装置 |
CN113097417B (zh) * | 2021-03-30 | 2023-04-18 | 云南创视界光电科技有限公司 | Oled显示基板及显示装置 |
WO2022229885A1 (en) * | 2021-04-27 | 2022-11-03 | Oti Lumionics Inc. | Opto-electronic device including em radiation transmissive regions between emissive regions |
CN113534996B (zh) * | 2021-06-30 | 2022-08-16 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
KR20230005014A (ko) * | 2021-06-30 | 2023-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN113593428A (zh) * | 2021-07-20 | 2021-11-02 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板和电子设备 |
KR20230014112A (ko) * | 2021-07-20 | 2023-01-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
CN113594386B (zh) * | 2021-07-28 | 2022-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN115734650A (zh) * | 2021-08-31 | 2023-03-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置 |
CN113764438B (zh) * | 2021-09-07 | 2024-05-28 | 厦门天马显示科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
US11972727B2 (en) * | 2021-09-18 | 2024-04-30 | Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. | Display substrate and display device |
CN116686411A (zh) * | 2021-10-14 | 2023-09-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN115016667B (zh) * | 2021-11-30 | 2023-06-06 | 荣耀终端有限公司 | 触控显示面板、驱动方法及触控显示装置 |
CN114639709A (zh) * | 2022-02-28 | 2022-06-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
WO2023168549A1 (zh) * | 2022-03-07 | 2023-09-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN114447094B (zh) * | 2022-04-11 | 2022-09-02 | 北京京东方技术开发有限公司 | 显示基板以及显示装置 |
WO2024007313A1 (zh) * | 2022-07-08 | 2024-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
WO2024026671A1 (zh) * | 2022-08-02 | 2024-02-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
WO2024044971A1 (zh) * | 2022-08-30 | 2024-03-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
KR20240056001A (ko) * | 2022-10-21 | 2024-04-30 | 덕산네오룩스 주식회사 | 화소정의층의 제조 방법 |
KR20240056006A (ko) * | 2022-10-21 | 2024-04-30 | 덕산네오룩스 주식회사 | 화소정의층의 제조 방법 |
KR20240056003A (ko) * | 2022-10-21 | 2024-04-30 | 덕산네오룩스 주식회사 | 화소정의층의 제조 방법 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102423476B1 (ko) | 2017-10-24 | 2022-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102431808B1 (ko) * | 2017-12-11 | 2022-08-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 일체형 표시장치 |
CN113851513A (zh) | 2018-01-02 | 2021-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、高精度金属掩模板组及显示装置 |
KR102521879B1 (ko) | 2018-04-12 | 2023-04-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
JP6811741B2 (ja) * | 2018-04-18 | 2021-01-13 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル、有機el表示装置、及び、有機el表示パネルの製造方法 |
KR102559894B1 (ko) | 2018-06-15 | 2023-07-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 어셈블리, 이를 포함하는 증착설비, 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법 |
KR102604051B1 (ko) | 2018-10-16 | 2023-11-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
CN209312770U (zh) | 2018-11-30 | 2019-08-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素排列结构、显示基板以及掩模板组 |
CN208970513U (zh) | 2018-11-30 | 2019-06-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构和精细金属掩模板组 |
KR20200091059A (ko) | 2019-01-21 | 2020-07-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
CN111490068B (zh) * | 2019-01-29 | 2022-07-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
CN110416267B (zh) * | 2019-07-29 | 2022-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示面板的子像素排布确定方法、装置 |
CN110578112B (zh) | 2019-08-09 | 2020-09-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种掩膜版和像素结构 |
CN111584605B (zh) * | 2020-05-29 | 2023-04-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、制备方法、显示面板及显示装置 |
-
2020
- 2020-09-01 CN CN202010902686.9A patent/CN111799320B/zh active Active
- 2020-09-01 CN CN202310059155.1A patent/CN115996612A/zh active Pending
-
2021
- 2021-06-23 US US17/355,739 patent/US11930681B2/en active Active
- 2021-07-30 MX MX2021009270A patent/MX2021009270A/es unknown
- 2021-07-30 AU AU2021209328A patent/AU2021209328B2/en active Active
- 2021-08-06 JP JP2021129906A patent/JP2022041913A/ja active Pending
- 2021-08-18 EP EP21191964.2A patent/EP3961717A3/en active Pending
- 2021-08-18 KR KR1020210108696A patent/KR20220029397A/ko unknown
- 2021-08-30 BR BR102021017119-7A patent/BR102021017119A2/pt unknown
-
2024
- 2024-01-31 US US18/428,142 patent/US20240172513A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3961717A2 (en) | 2022-03-02 |
AU2021209328A1 (en) | 2022-03-17 |
US11930681B2 (en) | 2024-03-12 |
US20240172513A1 (en) | 2024-05-23 |
US20220069027A1 (en) | 2022-03-03 |
MX2021009270A (es) | 2022-03-02 |
JP2022041913A (ja) | 2022-03-11 |
CN111799320A (zh) | 2020-10-20 |
KR20220029397A (ko) | 2022-03-08 |
CN111799320B (zh) | 2023-04-18 |
AU2021209328B2 (en) | 2023-02-23 |
BR102021017119A2 (pt) | 2022-11-29 |
EP3961717A3 (en) | 2022-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11930681B2 (en) | Display panel and display device | |
KR102420761B1 (ko) | 픽셀 배열 구조 | |
JP7453277B2 (ja) | エレクトロルミネセント表示パネル、及び表示装置 | |
US20220208890A1 (en) | Display panel and display device | |
JP2022518308A (ja) | 表示パネル及び表示装置 | |
CN112331714B (zh) | 显示基板及显示装置 | |
KR20210021216A (ko) | 표시 장치 | |
JP7232809B2 (ja) | 発光表示装置 | |
CN113097274B (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
US11700740B2 (en) | Organic light-emitting display panel having wall-shaped elastic conductor and manufacturing method thereof | |
CN115360313A (zh) | 显示基板和显示装置 | |
CN113366563B (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
CN113383418A (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
US11871620B2 (en) | OLED display panel having fence structure under anode | |
US11665920B2 (en) | Transparent display panel having an electrode contact of auxiliary electrode connected to a portion of second electrode and transparent display device including the same | |
US11774815B2 (en) | Display panel and display device | |
US11778851B2 (en) | Light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
WO2024012148A1 (zh) | 显示基板及其制备方法和显示装置 | |
RU2774674C1 (ru) | Панель отображения и устройство отображения | |
CN113196370A (zh) | 显示基板及显示装置 | |
US20230010444A1 (en) | Display substrate and display device | |
WO2023230873A1 (zh) | 显示基板及显示装置 | |
US12010891B2 (en) | Display device | |
WO2023155095A1 (zh) | 显示基板及显示装置 | |
US20230326402A1 (en) | Display panel and display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |