CN111490068B - 显示面板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

显示面板及其制造方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111490068B
CN111490068B CN201910085404.8A CN201910085404A CN111490068B CN 111490068 B CN111490068 B CN 111490068B CN 201910085404 A CN201910085404 A CN 201910085404A CN 111490068 B CN111490068 B CN 111490068B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
color sub
sub
substrate
driving transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910085404.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111490068A (zh
Inventor
刘庭良
青海刚
杨慧娟
龙跃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201910085404.8A priority Critical patent/CN111490068B/zh
Priority to EP19856440.3A priority patent/EP3920226A4/en
Priority to PCT/CN2019/098704 priority patent/WO2020155593A1/zh
Priority to US16/642,093 priority patent/US11282909B2/en
Priority to KR1020217015838A priority patent/KR20210119951A/ko
Priority to JP2020562188A priority patent/JP7383640B2/ja
Publication of CN111490068A publication Critical patent/CN111490068A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111490068B publication Critical patent/CN111490068B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/0452—Details of colour pixel setup, e.g. pixel composed of a red, a blue and two green components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits

Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制造方法、显示装置。该显示面板包括的多个不同颜色的子像素按照第一颜色子像素、第二颜色子像素、第三颜色子像素和第二颜色子像素的顺序排列。由于该显示面板中的每个第二颜色子像素中的第一电极层在衬底基板上的正投影，与该第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影均重叠，因此可以使得每个第二颜色子像素中的发光单元的第一电极层和该第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极之间的寄生电容差异较小，进而可以使得每个第二颜色子像素之间的发光单元的亮度差异较小或者不存在差异，该显示面板的亮度均一性较好，显示装置的显示效果较好。

Description

显示面板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。
背景技术
有源矩阵发光二极管(active matrix organic light emitting diode，AMOLED)是一种可以自主发光的电流型发光器件，因其响应速度快、刷新频率高和低功耗等特点越来越多地被应用于高性能显示面板中。
相关技术中，AMOLED显示面板包括：衬底基板以及在衬底基板上阵列排布的多个子像素，每个子像素包括一个驱动晶体管以及与该驱动晶体管连接的发光单元，且该驱动晶体管的漏极可以与发光单元的阳极连接，用于驱动发光单元发光。
但是，显示面板中各子像素的发光亮度可能存在差异，亮度均一性较差。
发明内容
本发明提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术中显示面板的亮度均一性较差的问题，所述技术方案如下：
一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的多个不同颜色的子像素，所述多个不同颜色的子像素按照第一颜色子像素、第二颜色子像素、第三颜色子像素和第二颜色子像素的顺序排列；
每个所述子像素包括驱动晶体管以及与所述驱动晶体管连接的发光单元，所述发光单元包括第一电极层、发光层和第二电极层；
每个所述第二颜色子像素中的第一电极层在所述衬底基板上的正投影与所述第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影重叠。
可选的，每个所述子像素包括像素电路，所述像素电路包括所述驱动晶体管；相邻两个所述第二颜色子像素中，第一个所述第二颜色子像素中的第一电极层在所述衬底基板上的正投影，与第二个所述第二颜色子像素中的像素电路所在区域重叠；
第二个所述第二颜色子像素中的第一电极层在所述衬底基板上的正投影，与第一个所述第二颜色子像素中的像素电路所在区域不重叠。
可选的，第一个所述第二颜色子像素中的第一电极层包括：驱动电极块以及与所述驱动电极块连接的辅助电极块；
所述驱动电极块在所述衬底基板上的正投影，与第二个所述第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影重叠，且不与第一个所述第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影重叠；
所述辅助电极块在所述衬底基板上的正投影，与第一个所述第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影重叠。
可选的，第一个所述第二颜色子像素中的所述辅助电极块的第一投影重叠区域的面积，与第二个所述第二颜色子像素中的第一电极层的第二投影重叠区域的面积的比值位于比值范围内；
其中，所述第一投影重叠区域为所述辅助电极块在所述衬底基板上的正投影，与第一个所述第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影的交叠区域，所述第二投影重叠区域为第二个所述第二颜色子像素中的第一电极层在所述衬底基板上的正投影，与第二个所述第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影的交叠区域。
可选的，所述比值范围为百分之90至百分之110。
可选的，所述第一颜色子像素为红色子像素，所述第二颜色子像素为绿色子像素，所述第三颜色子像素为蓝色子像素。
可选的，所述显示面板还包括：
设置在所述驱动晶体管远离所述衬底基板一侧的平坦层；
所述第一电极层设置在所述平坦层远离所述驱动晶体管的一侧；
所述发光层设置在所述第一电极层远离所述平坦层的一侧；
所述第二电极层设置在所述发光层远离所述第一电极层的一侧。
可选的，所述第一颜色子像素中的第一电极层在所述衬底基板上的正投影的面积大于所述第二颜色子像素中的第一电极层在所述衬底基板上的正投影的面积，且小于所述第三颜色子像素中的第一电极层在所述衬底基板上的正投影的面积。
另一方面，提供了一种显示面板的制造方法，所述方法包括：
获取衬底基板；
在所述衬底基板上形成多个不同颜色的子像素，所述多个不同颜色的子像素按照第一颜色子像素、第二颜色子像素、第三颜色子像素和第二颜色子像素的顺序排列；
其中，每个所述子像素包括驱动晶体管以及与所述驱动晶体管连接的发光单元，所述发光单元包括第一电极层、发光层和第二电极层，每个所述第二颜色子像素中的第一电极层在所述衬底基板上的正投影与所述第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影重叠。
又一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：如上述方面所述的显示面板。
本发明提供的技术方案带来的有益效果至少可以包括：
综上所述，本发明实施例提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置。显示面板包括的多个不同颜色的子像素按照第一颜色子像素、第二颜色子像素、第三颜色子像素和第二颜色子像素的顺序排列。由于该显示面板中的每个第二颜色子像素中的第一电极层在衬底基板上的正投影，与该第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影均重叠，因此可以使得每个第二颜色子像素中的发光单元的第一电极层和该第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极之间的寄生电容差异较小，进而可以使得每个第二颜色子像素之间的发光单元的亮度差异较小或者不存在差异，该显示面板的亮度均一性较好，显示装置的显示效果较好。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种子像素的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种发光单元的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的一种子像素的像素电路中各信号端的时序图；
图7是本发明实施例提供的一种位于同一列且相邻的两个第二颜色子像素中，一个第二颜色子像素的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的一种位于同一列且相邻的两个第二颜色子像素中，另一个第二颜色子像素的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法流程图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件，根据在电路中的作用本发明的实施例所采用的晶体管主要为开关晶体管。由于这里采用的开关晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。在本发明实施例中，将其中源极称为第一极，漏极称为第二极。按附图中的形态规定晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、信号输出端为漏极。此外，本发明实施例所采用的开关晶体管可以包括P型开关晶体管和N型开关晶体管中的任一种，其中，P型开关晶体管在栅极为低电平时导通，在栅极为高电平时截止，N型开关晶体管在栅极为高电平时导通，在栅极为低电平时截止。此外，本发明各个实施例中的多个信号都对应有第一电位和第二电位。第一电位和第二电位仅代表该信号的电位有2个状态量，不代表全文中第一电位或第二电位具有特定的数值。
随着显示技术的发展，为了在降低成本的前提下提高显示面板的分辨率，目前显示面板中包括的多个子像素可以按照红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和绿色子像素的顺序(即RGBG的顺序)排列。采用该RGBG排列方式的显示面板，各个子像素的阳极一般可以按照图1所示的方式排列。如图1所示，10至80可以为衬底基板上各个子像素的像素电路所在区域，该像素电路中可以包括驱动晶体管(图1中未示出)。11和71分别为一个红色子像素中的发光单元的阳极，21、41、61和81分别为一个绿色子像素中的发光单元的阳极，31和51分别为一个蓝色子像素中的发光单元的阳极。
每个子像素中，发光单元的阳极和驱动晶体管的栅极之间存在寄生电容ΔC，该寄生电容ΔC会影响发光单元的发光亮度，且寄生电容ΔC越大，发光亮度越弱；寄生电容ΔC越小，发光亮度越强。并且，该寄生电容ΔC的大小与发光单元的阳极和驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影的重叠面积成正比，即重叠面积越大，则寄生电容ΔC越大，重叠面积越小，则寄生电容ΔC越小。
相关技术中，采用RGBG排列方式的显示面板中，各个子像素中的发光单元的阳极在衬底基板上的正投影的面积不同。受该子像素排列方式、发光单元的阳极尺寸和子像素的尺寸等因素影响，该显示面板容易出现某一子像素的均一性较差的现象。例如，各个红色子像素之间的亮度均一性较好，即各个红色子像素中的发光单元的阳极和该红色子像素的像素电路中的驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影的重叠面积均相等；各个蓝色子像素之间的亮度均一性也较好，即各个蓝色子像素中的发光单元的阳极和该蓝色子像素的像素电路中的驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影的重叠面积也均相等。而各个绿色子像素之间的亮度均一性较差，即各个绿色子像素中的发光单元的阳极和绿色子像素的像素电路中的驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影的重叠面积存在较大差异。进而容易导致各个绿色子像素中的发光单元的发光亮度存在差异。
示例的，参考图1，一个红色子像素中的发光单元的阳极(如11)和该红色子像素的像素电路(如区域10中的像素电路)中的驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影的重叠面积，与另一个红色子像素中的发光单元的阳极(如71)和该红色子像素的像素电路(如区域70中的像素电路)中的驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影的重叠面积相等。一个蓝色子像素中的发光单元的阳极(如31)和该蓝色子像素的像素电路(如区域20中的像素电路)中的驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影的重叠面积，与另一个蓝色子像素中的发光单元的阳极(如51)和该蓝色子像素的像素电路(如区域50中的像素电路)中的驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影的重叠面积相等。而相邻的两个绿色子像素中，一个绿色子像素中的发光单元的阳极(如21)和该绿色子像素的像素电路(例如区域20中的像素电路)中的驱动晶体管的栅极重叠，且重叠面积较大，而另一个绿色子像素中的发光单元的阳极(如61)和该绿色子像素的像素电路(例如区域60中的像素电路)中的驱动晶体管的栅极不重叠。
相应的，导致相邻的两个绿色子像素，一个绿色子像素中的发光单元的阳极(如21)与该绿色子像素中的驱动晶体管的栅极之间的寄生电容ΔC较大，另一个绿色子像素中的发光单元的阳极(如61)与该绿色子像素中的驱动晶体管的栅极之间的寄生电容ΔC较小(例如，ΔC为0)。进而导致该相邻两个绿色子像素中的发光单元在低灰阶(如64灰阶)下的显示亮度存在较大差异，该显示面板的显示亮度均一性较差，显示效果较差。
本发明实施例提供了一种显示面板，可以解决相关技术中显示面板显示效果较差的问题。图2是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。如图2所示，该显示面板可以包括：衬底基板00，以及设置在衬底基板00上的多个不同颜色的子像素(图2仅示例性的示出了8个子像素)。该多个不同颜色的子像素可以按照第一颜色子像素C1、第二颜色子像素C2、第三颜色子像素C3和第二颜色子像素C2的顺序排列。
图3是本发明实施例提供的一种子像素的结构示意图。如图3所示，每个子像素可以包括像素电路01和发光单元02，该像素电路01可以包括驱动晶体管M1，该驱动晶体管M1可以与该发光单元02的一端(如该发光单元02的阳极)连接，用于驱动该发光单元02发光。该发光单元02可以为有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)。另外，参考图3还可以看出，该发光单元02的阳极与该驱动晶体管M1的栅极N1之间存在寄生电容ΔC。
图4是本发明实施例提供的一种子像素中的发光单元的结构示意图。如图4所示，每个子像素中的发光单元02可以包括：第一电极层021、发光层022和第二电极层023。其中，第一电极层021可以为阳极，第二电极层023可以为阴极。并且，每个第二颜色子像素C2中的第一电极层021在衬底基板00上的正投影与该第二颜色子像素C2中的驱动晶体管M1的栅极N1在衬底基板00上的正投影均重叠。
图5是本发明实施例提供的一种各子像素的发光单元的第一电极层与驱动晶体管的栅极在衬底基板上的结构示意图。如图5所示，10至80为各子像素中每个子像素的像素电路01的所在区域，R1和R7分别为一个第一颜色子像素中的发光单元的阳极，G2、G4、G6和G8分别为一个第二颜色子像素中的发光单元的阳极，B3和B5分别为一个第三颜色子像素中的发光单元的阳极。
并且，参考图5可以看出，在本发明实施例中，位于第二列且相邻的两个第二颜色子像素中，第一个第二颜色子像素中的发光单元02的阳极G2在衬底基板00上的正投影，与该第二颜色子像素的像素电路01(即区域20中的像素电路)中的驱动晶体管的栅极N1在衬底基板00上的正投影重叠；第二个第二颜色子像素中的发光单元02的阳极G6在衬底基板00上的正投影，与该第二颜色子像素的像素电路01(即区域60中的像素电路)中的驱动晶体管的栅极N1在衬底基板00上的正投影也重叠。
相对于图1所示相关技术中，另一个第二颜色子像素中的发光单元的阳极61，与该第二颜色子像素的像素电路01中的驱动晶体管的栅极在衬底基板00上的正投影不重叠，本发明实施例提供的显示面板中相邻两个第二颜色子像素中，一个第二颜色子像素中的发光单元02的阳极和该第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极之间的寄生电容，与另一个第二颜色子像素中的发光单元02的阳极和该第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极之间的寄生电容差异较小。
综上所述，本发明实施例提供了一种显示面板。该显示面板包括的多个不同颜色的子像素按照第一颜色子像素、第二颜色子像素、第三颜色子像素和第二颜色子像素的顺序排列。由于该显示面板中的每个第二颜色子像素中的第一电极层在衬底基板上的正投影，与该第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影均重叠，因此可以使得每个第二颜色子像素中的发光单元的第一电极层和该第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极之间的寄生电容差异较小，进而可以使得每个第二颜色子像素之间的发光单元的亮度差异较小或者不存在差异，该显示面板的亮度均一性较好，显示装置的显示效果较好。
如图3所示，每个子像素中的像素电路01还可以包括：数据写入晶体管M2和M3，发光控制晶体管M4和M5，复位晶体管M6和M7以及电容器C。
数据写入晶体管M2和M3的栅极均与栅极信号端GATE连接，数据写入晶体管M2的第一极与数据信号端DATA连接，第二极与控制节点N2连接，用于在栅极信号端GATE提供的栅极信号的控制下，向控制节点N2输入数据信号端DATA提供的数据信号。数据写入晶体管M3的第一极与驱动晶体管M1的栅极N1连接，第二极与驱动晶体管M1的漏极连接，用于在栅极信号的控制下，根据驱动晶体管M1的栅极N1的电压调整驱动晶体管M1的漏极的电压。
发光控制晶体管M4和M5的栅极均与发光控制信号端EM连接，发光控制晶体管M4的第一极与基准电压信号端Vref连接，第二极与控制节点N2连接，用于在发光控制信号端EM提供的发光控制信号的控制下，向控制节点N2输入基准电压信号端Vref提供的基准电压信号。发光控制晶体管M5的第一极与驱动晶体管M1的栅极连接，第二极与发光单元02的阳极连接，用于在发光控制信号的控制下，导通驱动晶体管M1的漏极和发光单元02的阳极，使得驱动晶体管M1向发光单元02输出驱动电流以驱动发光单元02发光。
复位晶体管M6和M7的栅极均与复位信号端RST连接，复位晶体管M6的第一极与控制节点N2连接，第二极与直流电源端VDD连接，用于在复位信号端RST提供的复位信号的控制下，向控制节点N2输入直流电源端VDD提供的直流电压。复位晶体管M7的第一极与初始化信号端Vint连接，第二极与驱动晶体管M1的栅极连接，用于在复位信号的控制下，向驱动晶体管M1的栅极输入初始化信号端Vint提供的初始化信号。
电容器C的一端与控制节点N2连接，另一端与驱动晶体管M1的栅极N1连接，用于存储该驱动晶体管M1的栅极N1的电位。
需要说明的是，在本发明实施例中，该子像素除了可以为图3所示的7T1C(即七个晶体管和一个电容器)的结构之外，还可以为包括其他数量的晶体管的结构，如6T1C结构或者9T1C结构，本发明实施例对此不做限定。
并且，对于其他结构的子像素，当子像素中的发光单元的阳极和驱动晶体管的栅极之间存在寄生电容ΔC时，显示面板中的各个发光单元的亮度可能也会由于ΔC的不同而存在差异。
图6是本发明实施例提供的图3所示的子像素的像素电路01中各个信号端的时序图。参考图6可以看出，在复位阶段t1，复位信号端RST提供的复位信号的电位为第一电位，复位晶体管M7开启，初始化信号端Vint通过该复位晶体管M7向驱动晶体管M1的栅极N1输入处于第二电位的初始化信号。
在数据写入阶段t2，栅数据信号端DATA提供的数据信号的电位为第一电位，栅极信号端GATE提供的栅极信号的电位为第一电位，数据写入晶体管M2和M3开启。数据信号端DATA通过该数据写入晶体管M2向控制节点N2输入处于第一电位的数据信号，驱动晶体管M1的栅极N1的电位在电容器C的耦合作用下跳变为第一电位，驱动晶体管M1开启。直流电源端VDD通过该驱动晶体管M1向驱动晶体管M1的漏极输出处于第一电位的电源信号。数据写入晶体管M3根据该驱动晶体管M1的漏极电压拉高驱动晶体管M1的栅极N1的电压，驱动晶体管M1充分开启。
在发光阶段t3，发光控制信号端EM提供的发光控制信号的电位为第一电位，发光控制晶体管M5开启，发光控制晶体管M5导通该驱动晶体管M1的漏极与发光单元02的阳极，使得驱动晶体管M1将驱动电流写入该发光单元02，从而驱动发光单元02发光。该第一电位可以为有效电位，且该有效电位可以为低电位。当发光单元02的阳极的电压在发光阶段t3逐渐增加时，由于寄生电容ΔC的存在，驱动晶体管M1的栅极N1的电压即会随之增加。而对于驱动晶体管而言，当其栅极电压增加时，其漏极电压即会减少，相应的，发光单元02的发光亮度即会变化。因此当寄生电容ΔC不同时，发光单元02的发光亮度也会不同。且寄生电容ΔC越大，发光亮度则越弱。
而由于寄生电容ΔC的大小与发光单元的阳极与驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影的的重叠面积成正比，因此通过使得每个第二颜色子像素中的发光单元的第一电极层(即阳极)均与第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极重叠，可以保证各个第二颜色子像素中的发光单元的阳极和驱动晶体管的栅极之间的寄生电容差异较小或者为零。相应的，即可以保证各个第二颜色子像素中发光单元的发光亮度的均一性较好，提高了显示面板的显示效果。
可选的，该第一颜色子像素C1可以为红色子像素R，该第二颜色子像素C2可以为绿色子像素G，该第三颜色子像素C3可以为蓝色子像素B。也即是，该显示面板中的多个不同颜色的子像素可以按照红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B和绿色子像素G的顺序(即RGBG的顺序)排列。
每个第一颜色子像素C1中的第一电极层021在衬底基板00上的正投影与该第一颜色子像素C1中的驱动晶体管的栅极在衬底基板00上的正投影也均重叠，即每个第一颜色子像素C1中的第一电极层与栅极的投影重叠面积均大于0，且各个第一颜色子像素的投影重叠面积相等。每个第三颜色子像素C3中的第一电极层021在衬底基板00上的正投影与该第三颜色子像素C3中的驱动晶体管的栅极在衬底基板00上的正投影也均重叠，即每个第三颜色子像素C3中的第一电极层与栅极的投影重叠面积均大于0，且各个第三颜色子像素C3的投影重叠面积相等。相应的，显示面板中各个第一颜色子像素C1中的发光单元和驱动晶体管的栅极之间的寄生电容均相同，显示面板中各个第三颜色子像素C3中的发光单元和驱动晶体管的栅极之间的寄生电容均相同。即显示面板中各个第一颜色子像素C1中的发光单元02的发光亮度均相同，各个第三颜色子像素C3中的发光单元02的发光亮度也均相同。
示例的，参考图5，两个第一颜色子像素中，一个第一颜色子像素中的发光单元的阳极R1，与该第一颜色子像素的像素电路01(即区域10中的像素电路)中的驱动晶体管的栅极在衬底基板00上的正投影重叠；另一个第一颜色子像素中的发光单元的阳极R7，与该第一颜色子像素的像素电路01(即区域70中的像素电路)中的驱动晶体管的栅极在衬底基板00上的正投影重叠。两个第三颜色子像素中，一个第三颜色子像素中的发光单元的阳极B3，与该第三颜色子像素的像素电路01(即区域30中的像素电路)中的驱动晶体管的栅极在衬底基板00上的正投影重叠；另一个第三颜色子像素中的发光单元的阳极B5，与该第三颜色子像素的像素电路01(即区域50中的像素电路)中的驱动晶体管的栅极在衬底基板00上的正投影重叠。
另外，本发明实施例中，相邻两个第二颜色子像素中，第一个第二颜色子像素中的第一电极层021在衬底基板00上的正投影，与第二个第二颜色子像素的像素电路所在区域重叠。第二个第二颜色子像素中的第一电极层021在衬底基板00上的正投影，与第一个第二颜色子像素的像素电路所在区域不重叠。
示例的，参考图5，第二列两个相邻的第二颜色子像素中，第二行的第二颜色子像素中的发光单元的阳极G6在衬底基板00上的正投影，与第一行的第二颜色子像素的像素电路01的所在区域20重叠。而第一行的第二颜色子像素中的发光单元的阳极G2在衬底基板00上的正投影，仅与该第二颜色子像素的像素电路01的所在区域20重叠，而与第二行的第二颜色子像素的像素电路01的所在区域60不重叠。
图7是本发明实施例提供的一种位于同一列且相邻的两个第二颜色子像素中，一个第二颜色子像素的结构示意图。参考图5和图7可以看出，相邻两个第二颜色子像素中，一个(如第二行第一个)第二颜色子像素中的发光单元的第一电极层021(如阳极G6)可以包括：驱动电极块0211，以及与该驱动电极块0211连接的辅助电极块0212。
参考图5，该驱动电极块0211在衬底基板00上的正投影，与另一个(如第一行第一个)第二颜色子像素的像素电路01所在区域(如20)重叠，且不与该第二颜色子像素的像素电路01所在区域(如60)重叠。参考图5，辅助电极块0212在衬底基板00上的正投影，与该第二颜色子像素的像素电路01所在区域(如60)重叠。且参考图7，该辅助电极块0212与该像素电路01(即区域60中的像素电路)中的驱动晶体管的栅极N1在衬底基板00上的正投影重叠。
图8是本发明实施例提供的一种位于同一列且相邻的两个第二颜色子像素中，另一个第二颜色子像素的结构示意图。参考图5和图8可以看出，该另一个(如第一行第一个)第二颜色子像素的第一电极层021(如阳极G2)与该第二颜色子像素的像素电路01(即区域20中的像素电路)中的驱动晶体管的栅极N1重叠。
可选的，在本发明实施例中，该第一个第二颜色子像素中的辅助电极块0212的第一投影重叠区域A1的面积，与第二个第二颜色子像素中的第一电极层021的第二投影重叠区域A2的面积的比值位于比值范围内。
其中，如图7所示，该第一投影重叠区域A1为辅助电极块0212在衬底基板00上的正投影，与该第二颜色子像素的像素电路01中的驱动晶体管的栅极N1在衬底基板00上的正投影的交叠区域。如图8所示，该第二投影重叠区域A2为第二个第二颜色子像素中的第一电极层021在衬底基板00上的正投影，与该第二颜色子像素的像素电路01中的驱动晶体管的栅极N1在衬底基板00上正投影的交叠区域。
可选的，该比值范围可以为90％至110％。例如，该比值范围可以为95％至105％。通过按照该比值范围形成本发明实施例提供的显示面板，可以保证相邻两个第二颜色子像素中，一个第二颜色子像素中的第一电极层与该第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影重叠面积，和另一个第二颜色子像素中的第一电极层与该第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影的重叠面积的差异较小(例如，小于10％)。进而可以保证该相邻的两个第二颜色子像素中，各个第二颜色子像素的寄生电容的差异也较小(例如，小于10％)，有效保证了显示面板的显示效果。并且，即使在低灰阶(如64灰阶)下，即人眼识别能力较高的情况下，用户也可能并无法看出该差异，有效改善了用户使用该显示面板的体验。
示例的，表1分别示出了相关技术和本发明实施例中，位于同一列且相邻的两个第二颜色子像素中的发光单元的第一电极层021和驱动晶体管的栅极N1之间的寄生电容ΔC，该两个第二颜色子像素中发光单元的发光亮度以及发光亮度差异之比。
表1
Figure BDA0001961594110000121
参考表1可以看出，相关技术中位于同一列且相邻的两个第二颜色子像素中，一个第二颜色子像素中的发光单元的阳极21与该第二颜色子像素的像素电路01(即区域20中的像素电路)中的驱动晶体管的栅极N1之间的寄生电容ΔC为C1，该第二颜色子像素中的发光单元的发光亮度为120。另一个第二颜色子像素中的发光单元的阳极61与该第二颜色子像素的像素电路01(即区域60中的像素电路)中的驱动晶体管的栅极N1之间的寄生电容ΔC为0，该第二颜色子像素中的发光单元的发光亮度为80。且该两个发光单元的发光亮度差异之比为30％。
本发明实施例中位于同一列且相邻的两个第二颜色子像素中，一个第二颜色子像素中的发光单元的阳极G2与该第二颜色子像素的像素电路01(即区域20中的像素电路)中的驱动晶体管的栅极N1之间的寄生电容ΔC也为C1，该第二颜色子像素中的发光单元的发光亮度也为120。另一个第二颜色子像素中的发光单元的阳极G6与该第二颜色子像素的像素电路01(即区域60中的像素电路)中的驱动晶体管的栅极N1之间的寄生电容ΔC为C1，该第二颜色子像素中的发光单元的发光亮度为117.4。且该两个发光单元的发光亮度差异之比为2.17％。即本发明实施例提供的显示面板相邻两个第二颜色子像素中的发光单元的发光亮度差异较小。
可选的，在本发明实施例中，该寄生电容ΔC可以为驱动晶体管的栅极与发光单元的阳极之间的电容，且该C1的值为2.5飞法(fF)至4fF。
可选的，如图7和图8所示，该显示面板还可以包括：设置在驱动晶体管远离衬底基板00一侧的平坦层024。相应的，参考图7和图8，该第一电极层021可以设置在平坦层024远离驱动晶体管的一侧。发光层022可以设置在第一电极层021远离平坦层024的一侧。第二电极层023可以设置在发光层022远离第一电极层021的一侧。
可选的，参考图5，在本发明实施例中，该第一颜色子像素中的第一电极层021(如阳极R1)在衬底基板00上的正投影的面积大于第二颜色子像素中的第一电极层021(如阳极G2)在衬底基板00上的正投影的面积，且小于第三颜色子像素中的第一电极层021(如阳极B3)在衬底基板00上的正投影的面积。
可选的，参考图5，第一颜色子像素中的第一电极层021(如阳极R1)和第三颜色子像素中的第一电极层021(如阳极B3)在衬底基板00上的正投影的形状的形状可以均为六边形。相邻两个第二颜色子像素中，一个第二颜色子像素中的第一电极层021(如阳极G2)在衬底基板00上的正投影的形状为五边形，该五边形可以是由一个三角形和一个矩形组成。另一个第二颜色子像素中的第一电极层(如G6)在衬底基板00上的正投影的形状为不规则的八边形，且该八边形可以是由一个五边形和一个矩形组成。
可选的，第一颜色子像素中的第一电极层021在衬底基板00上的正投影的形状，第二颜色子像素中的第一电极层021在衬底基板00上的正投影的形状，以及该第三颜色子像素中的第一电极层021在衬底基板00上的正投影的形状也可以为其他形状(如圆形)，本发明实施例对此不做限定。
综上所述，本发明实施例提供了一种显示面板。该显示面板包括的多个不同颜色的子像素按照第一颜色子像素、第二颜色子像素、第三颜色子像素和第二颜色子像素的顺序排列。由于该显示面板中的每个第二颜色子像素中的第一电极层在衬底基板上的正投影，与该第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影均重叠，因此可以使得每个第二颜色子像素中的发光单元的第一电极层和该第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极之间的寄生电容差异较小，进而可以使得每个第二颜色子像素之间的发光单元的亮度差异较小或者不存在差异，该显示面板的亮度均一性较好，显示装置的显示效果较好。
图9是本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法流程图。该方法可以用于制造图2或图5所示的显示面板。如图9所示，该方法可以包括：
步骤901、获取衬底基板。
步骤902、在衬底基板上形成多个不同颜色的子像素。
在本发明实施例中，如图2所示，该多个不同颜色的子像素可以按照第一颜色子像素C1、第二颜色子像素C2、第三颜色子像素C3和第二颜色子像素C2的顺序排列。
其中，每个子像素可以包括驱动晶体管以及与驱动晶体管连接的发光单元，并且，参考图4，该发光单元可以包括第一电极层021、发光层022和第二电极层023，每个第二颜色子像素中的第一电极层在衬底基板上的正投影与第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影重叠。
综上所述，本发明实施例提供了一种显示面板的制造方法，可以在衬底基板上形成多个不同颜色的子像素，且该多个不同颜色的子像素可以按照第一颜色子像素、第二颜色子像素、第三颜色子像素和第二颜色子像素的顺序排列。由于该显示面板中的每个第二颜色子像素中的第一电极层在衬底基板上的正投影，与该第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影均重叠，因此可以使得每个第二颜色子像素中的发光单元的第一电极层和驱动晶体管的栅极之间的寄生电容差异较小，进而可以使得每个第二颜色子像素之间的发光单元的亮度差异较小或者不存在差异，该显示面板的亮度均一性较好，显示装置的显示效果较好。
可选的，在本发明实施例中，可以先在衬底基板00上形成驱动晶体管，然后在该驱动晶体管远离衬底基板00的一侧形成平坦层024，然后在该平坦层024远离该驱动晶体管的一侧通过一次构图工艺形成第一电极层021，且该第一电极层021在衬底基板00上的正投影，与驱动晶体管的栅极N1在衬底基板00上的正投影重叠。之后，可以通过多次蒸镀的方法在该第一电极层021远离平坦层的一侧形成发光层022，然后再在该发光层022远离第一电极层021的一侧形成第二电极层023。该一次构图工艺可以包括：光刻涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。本发明实施例对该构图工艺的具体方法不做赘述。
示例的，如图7所示，可以先在衬底基板00上形成驱动晶体管(图7仅示出了驱动晶体管的栅极N1)。然后可以在该驱动晶体管远离衬底基板00的一侧形成平坦层024，在该平坦层024远离驱动晶体管的栅极N1的一侧形成第一电极层021。并且，参考图7还可以看出，该第一电极层021可以包括驱动电极块0211和与该驱动电极块0211连接的辅助电极块0212，该辅助电极块0212在衬底基板00上的正投影与驱动晶体管的栅极N1在衬底基板00上的正投影重叠，且重叠区域为A1。可选的，该驱动电极块0211和辅助电极块0212也可以通过两次构图工艺分别形成，本发明实施例对此不做限定。
综上所述，本发明实施例提供了一种显示面板的制造方法，可以在衬底基板上形成多个不同颜色的子像素，且该多个不同颜色的子像素可以按照第一颜色子像素、第二颜色子像素、第三颜色子像素和第二颜色子像素的顺序排列。由于该显示面板中的每个第二颜色子像素中的第一电极层在衬底基板上的正投影，与该第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影均重叠，因此可以使得每个第二颜色子像素中的发光单元的第一电极层和驱动晶体管的栅极之间的寄生电容差异较小，进而可以使得每个第二颜色子像素之间的发光单元的亮度差异较小或者不存在差异，该显示面板的亮度均一性较好，显示装置的显示效果较好。
另外，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可以包括上述实施例提供的显示面板。该显示装置可以为：LTPO显示面板、电子纸、OLED面板、AMOLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅为本发明的可选实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的多个不同颜色的子像素，所述多个不同颜色的子像素按照第一颜色子像素、第二颜色子像素、第三颜色子像素和第二颜色子像素的顺序排列；
每个所述子像素包括驱动晶体管以及与所述驱动晶体管连接的发光单元，所述发光单元包括第一电极层、发光层和第二电极层；
每个所述第二颜色子像素中的第一电极层在所述衬底基板上的正投影与所述第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影重叠；
其中，每个所述子像素包括像素电路，所述像素电路包括所述驱动晶体管；
相邻两个所述第二颜色子像素中，第一个所述第二颜色子像素中的第一电极层包括：驱动电极块以及与所述驱动电极块连接的辅助电极块；
所述驱动电极块在所述衬底基板上的正投影，与第二个所述第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影重叠，且不与第一个所述第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影重叠；
所述辅助电极块在所述衬底基板上的正投影，与第一个所述第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影重叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
第一个所述第二颜色子像素中的第一电极层在所述衬底基板上的正投影，与第二个所述第二颜色子像素中的像素电路所在区域重叠；
第二个所述第二颜色子像素中的第一电极层在所述衬底基板上的正投影，与第一个所述第二颜色子像素中的像素电路所在区域不重叠。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
第一个所述第二颜色子像素中的所述辅助电极块的第一投影重叠区域的面积，与第二个所述第二颜色子像素中的第一电极层的第二投影重叠区域的面积的比值位于比值范围内；
其中，所述第一投影重叠区域为所述辅助电极块在所述衬底基板上的正投影，与第一个所述第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影的交叠区域，所述第二投影重叠区域为第二个所述第二颜色子像素中的第一电极层在所述衬底基板上的正投影，与第二个所述第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影的交叠区域。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述比值范围为百分之90至百分之110。
5.根据权利要求1至4任一所述的显示面板，其特征在于，
所述第一颜色子像素为红色子像素，所述第二颜色子像素为绿色子像素，所述第三颜色子像素为蓝色子像素。
6.根据权利要求1至4任一所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
设置在所述驱动晶体管远离所述衬底基板一侧的平坦层；
所述第一电极层设置在所述平坦层远离所述驱动晶体管的一侧；
所述发光层设置在所述第一电极层远离所述平坦层的一侧；
所述第二电极层设置在所述发光层远离所述第一电极层的一侧。
7.根据权利要求1至4任一所述的显示面板，其特征在于，
所述第一颜色子像素中的第一电极层在所述衬底基板上的正投影的面积大于所述第二颜色子像素中的第一电极层在所述衬底基板上的正投影的面积，且小于所述第三颜色子像素中的第一电极层在所述衬底基板上的正投影的面积。
8.一种显示面板的制造方法，其特征在于，用于制造如权利要求1至7任一所述的显示面板，所述方法包括：
获取衬底基板；
在所述衬底基板上形成多个不同颜色的子像素，所述多个不同颜色的子像素按照第一颜色子像素、第二颜色子像素、第三颜色子像素和第二颜色子像素的顺序排列；
其中，每个所述子像素包括驱动晶体管以及与所述驱动晶体管连接的发光单元，所述发光单元包括第一电极层、发光层和第二电极层，每个所述第二颜色子像素中的第一电极层在所述衬底基板上的正投影与所述第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影重叠；每个所述子像素包括像素电路，所述像素电路包括所述驱动晶体管；
相邻两个所述第二颜色子像素中，第一个所述第二颜色子像素中的第一电极层包括：驱动电极块以及与所述驱动电极块连接的辅助电极块；
所述驱动电极块在所述衬底基板上的正投影，与第二个所述第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影重叠，且不与第一个所述第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影重叠；
所述辅助电极块在所述衬底基板上的正投影，与第一个所述第二颜色子像素中的驱动晶体管的栅极在所述衬底基板上的正投影重叠。
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：如权利要求1至7任一所述的显示面板。
CN201910085404.8A 2019-01-29 2019-01-29 显示面板及其制造方法、显示装置 Active CN111490068B (zh)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910085404.8A CN111490068B (zh) 2019-01-29 2019-01-29 显示面板及其制造方法、显示装置
EP19856440.3A EP3920226A4 (en) 2019-01-29 2019-07-31 DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF, AND DISPLAY DEVICE
PCT/CN2019/098704 WO2020155593A1 (zh) 2019-01-29 2019-07-31 显示面板及其制造方法、显示装置
US16/642,093 US11282909B2 (en) 2019-01-29 2019-07-31 Display panel and manufacturing method thereof, display device
KR1020217015838A KR20210119951A (ko) 2019-01-29 2019-07-31 디스플레이 패널 및 그 제조 방법, 및 디스플레이 디바이스
JP2020562188A JP7383640B2 (ja) 2019-01-29 2019-07-31 ディスプレイパネル及びその製造方法、表示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910085404.8A CN111490068B (zh) 2019-01-29 2019-01-29 显示面板及其制造方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111490068A CN111490068A (zh) 2020-08-04
CN111490068B true CN111490068B (zh) 2022-07-26

Family

ID=71812161

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910085404.8A Active CN111490068B (zh) 2019-01-29 2019-01-29 显示面板及其制造方法、显示装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11282909B2 (zh)
EP (1) EP3920226A4 (zh)
JP (1) JP7383640B2 (zh)
KR (1) KR20210119951A (zh)
CN (1) CN111490068B (zh)
WO (1) WO2020155593A1 (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112018147B (zh) * 2019-05-13 2022-06-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置和掩模板
CN114097089A (zh) * 2020-04-26 2022-02-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板以及显示装置
CN111952342B (zh) * 2020-08-21 2023-07-18 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN114730795A (zh) * 2020-08-31 2022-07-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN111799320B (zh) * 2020-09-01 2023-04-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板以及显示装置
CN114373792A (zh) * 2020-09-10 2022-04-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN112037715B (zh) * 2020-09-14 2021-10-15 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及电子设备
US20220310753A1 (en) * 2020-09-29 2022-09-29 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and display device
CN114762032B (zh) * 2020-10-19 2023-12-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示设备
US20220416005A1 (en) * 2020-10-20 2022-12-29 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and display device
CN114822232B (zh) * 2021-01-29 2022-12-23 云谷（固安）科技有限公司 显示面板
WO2022165712A1 (zh) * 2021-02-04 2022-08-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置
CN112968050A (zh) * 2021-02-26 2021-06-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN115804263A (zh) * 2021-07-08 2023-03-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
WO2024000472A1 (zh) * 2022-06-30 2024-01-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
KR20240018013A (ko) * 2022-08-01 2024-02-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN115294927B (zh) * 2022-09-28 2022-12-27 长春希达电子技术有限公司 一种基于像素复用的颜色补偿方法、存储介质和系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101762917A (zh) * 2009-12-21 2010-06-30 深超光电（深圳）有限公司 像素阵列以及显示面板
CN102473367A (zh) * 2009-07-01 2012-05-23 夏普株式会社 有源矩阵基板和有机el显示装置
CN207781608U (zh) * 2018-02-09 2018-08-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005100724A (ja) 2003-09-24 2005-04-14 Sanyo Electric Co Ltd トップエミッション型有機ｅｌ表示装置
KR101041970B1 (ko) * 2004-06-11 2011-06-16 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
JP4614106B2 (ja) * 2008-06-18 2011-01-19 ソニー株式会社 自発光表示装置および電子機器
KR102096051B1 (ko) * 2013-03-27 2020-04-02 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102038076B1 (ko) * 2013-04-04 2019-10-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102107565B1 (ko) * 2013-12-18 2020-05-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6223210B2 (ja) 2014-01-30 2017-11-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6459243B2 (ja) * 2014-06-26 2019-01-30 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 画素アレイ及びメタルマスク並びに電気光学装置並びに電気機器
JP2016075868A (ja) 2014-10-09 2016-05-12 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 画素アレイ及び電気光学装置並びに電気機器並びに画素レンダリング方法
KR102232694B1 (ko) * 2014-12-03 2021-03-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널 및 그 제조 방법
KR102381288B1 (ko) * 2015-03-04 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102320641B1 (ko) * 2015-04-29 2021-11-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102415753B1 (ko) * 2015-05-04 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102491117B1 (ko) * 2015-07-07 2023-01-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102566630B1 (ko) * 2015-12-30 2023-08-16 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR101695652B1 (ko) * 2016-04-11 2017-01-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치와 그의 제조방법
KR101698718B1 (ko) 2016-04-29 2017-01-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN107565043B (zh) * 2016-06-30 2020-01-10 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
US10224386B2 (en) * 2016-09-23 2019-03-05 Apple Inc. Display with power supply mesh
KR20180040185A (ko) * 2016-10-11 2018-04-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20180079512A (ko) * 2016-12-30 2018-07-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20180088550A (ko) * 2017-01-26 2018-08-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102391918B1 (ko) 2017-05-23 2022-04-29 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
CN106981585B (zh) * 2017-05-23 2019-02-12 上海天马微电子有限公司 透明oled面板和显示装置
KR20180131679A (ko) * 2017-05-30 2018-12-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102520710B1 (ko) * 2017-09-05 2023-04-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102448030B1 (ko) * 2017-09-21 2022-09-28 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102532307B1 (ko) * 2017-11-02 2023-05-15 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102461360B1 (ko) * 2017-12-15 2022-11-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102126552B1 (ko) * 2017-12-19 2020-06-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102104981B1 (ko) * 2017-12-19 2020-05-29 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102173434B1 (ko) * 2017-12-19 2020-11-03 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI627577B (zh) * 2017-12-25 2018-06-21 友達光電股份有限公司 觸控顯示裝置
WO2019180878A1 (ja) * 2018-03-22 2019-09-26 シャープ株式会社 表示デバイス、及び表示デバイスの製造方法
KR102573641B1 (ko) * 2018-07-02 2023-09-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN108878572B (zh) * 2018-07-10 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 感光元件、光电传感探测基板及其制造方法
CN109166886A (zh) * 2018-08-20 2019-01-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及oled显示设备
KR20200027600A (ko) * 2018-09-04 2020-03-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그의 제조방법
KR20200057140A (ko) * 2018-11-15 2020-05-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110137356B (zh) * 2019-06-05 2021-12-24 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、电子装置
CN112585761B (zh) * 2019-07-31 2022-04-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板以及显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102473367A (zh) * 2009-07-01 2012-05-23 夏普株式会社 有源矩阵基板和有机el显示装置
CN101762917A (zh) * 2009-12-21 2010-06-30 深超光电（深圳）有限公司 像素阵列以及显示面板
CN207781608U (zh) * 2018-02-09 2018-08-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP3920226A1 (en) 2021-12-08
CN111490068A (zh) 2020-08-04
KR20210119951A (ko) 2021-10-06
EP3920226A4 (en) 2022-10-26
JP7383640B2 (ja) 2023-11-20
WO2020155593A1 (zh) 2020-08-06
US11282909B2 (en) 2022-03-22
JP2022518075A (ja) 2022-03-14
US20210193766A1 (en) 2021-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111490068B (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
US11678546B2 (en) Array substrate with sub-pixels including power-supplying wire portions having openings therebetween and manufacturing method thereof, and display panel
US11723246B2 (en) Display panel, preparation method thereof and display device
US11735108B2 (en) Display substrate and preparation method thereof, display panel, and display device
US11744112B2 (en) Display substrate including a shielding pattern electrically coupled with the power signal line in the sub-pixel and method for manufacturing the same, and display device having the same
CN112309332B (zh) 像素电路及其驱动方法、显示基板和显示面板
KR102209416B1 (ko) 픽셀 구동 회로 및 그 구동 방법과 트랜지스터의 레이아웃 구조
CN113920934B (zh) 显示基板和显示装置
US20190363155A1 (en) Wiring structure and manufacture method thereof, oled array substrate and display device
WO2022226967A1 (zh) 显示面板和显示装置
US20220319408A1 (en) Display panel and display apparatus
US20240008326A1 (en) Display panel, driving method and display apparatus
CN210837108U (zh) 显示面板和显示装置
JP2021507274A (ja) 画素回路、表示パネル及び表示装置
CN113241040B (zh) 显示基板及显示装置
US11963397B2 (en) Display panel, method for manufacturing the same and display device
US20210408332A1 (en) Display substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device
WO2023230919A1 (zh) 显示基板以及显示装置
US20230169900A1 (en) Display substrate and display device
WO2023178591A1 (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2023230915A1 (zh) 显示基板以及显示装置
US20240078978A1 (en) Display substrate, method for manufacturing the same, and display device
WO2023178612A1 (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2023019578A1 (zh) 像素电路及其驱动方法、显示装置
US20230386411A1 (en) Pixel Circuit, Driving Method Thereof, Display Substrate and Display Apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant