JP2024505899A - ホスト及びドーパントを含むパターニング被膜を有する層状半導体デバイス - Google Patents

ホスト及びドーパントを含むパターニング被膜を有する層状半導体デバイス Download PDF

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Abstract

側方面の第１の部分において下地層の露出層表面上に堆積されたパターニング被膜を含む層状半導体デバイスは、その上に凝縮される堆積材料の蒸気フラックスの傾向に影響を与えるように適合され、パターニング被膜は、それぞれ第１の少なくとも１つの材料特性及び第２の少なくとも１つの材料特性を呈する、第１の材料及び第２の材料を含む。パターニング被膜は、第１の少なくとも１つの材料特性及び第２の少なくとも１つの材料特性のうちの少なくとも１つとは、それらの組み合わせ及び値のうちの少なくとも１つに関して異なる、第３の少なくとも１つの材料特性を呈する。第３の少なくとも１つの材料特性は、下地層の露出層表面を、パターニング被膜の露出層表面と区別する。【選択図】図１

Description

（関連出願の相互参照）
本出願は、２０２１年２月８日に出願された米国特許仮出願第６３／１４６，９７０号、２０２１年３月８日に出願された米国特許仮出願第６３／１５８，１８５号、及び２０２１年１２月１４日に出願された米国特許仮出願第６３／２８９，５９９号の優先権の利益を主張し、これらの各々の内容は、参照によりそれらの全体が本明細書に援用される。
（発明の分野）
本開示は、層状半導体デバイスに関し、具体的には、パターニング被膜であって、デバイス製造プロセス中に堆積され得るような少なくとも１つの導電性堆積材料をパターニングするための核形成抑制被膜（nucleation-inhibiting coating、ＮＩＣ）として作用してもよく及び／又はＮＩＣであってもよく、具体的には、パターニング被膜を使用してパターニングされた光電子デバイス用の製造プロセスにおいて、核形成抑制被膜（ＮＩＣ）及び／若しくはそのようなＮＩＣとして作用してもよく、並びに／又は核形成抑制被膜（ＮＩＣ）及び／若しくはそのようなＮＩＣであってもよい、パターニング被膜に関する。
有機発光ダイオード（organic light emitting diode、ＯＬＥＤ）などの光電子デバイスでは、少なくとも１つの半導体層が、アノード及びカソードなどの一対の電極間に配設されている。アノード及びカソードは、電源と電気的に結合され、それぞれ、少なくとも１つの半導体層を通って互いに向かって移動する正孔及び電子を生成する。一対の正孔と電子が結合すると、光子が放射され得る。
ＯＬＥＤディスプレイパネルは、複数の（サブ）ピクセルを含むことができ、各（サブ）ピクセルは、関連する一対の電極と、それらの間の少なくとも１つの半導体層とを有する。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセルは、導電性金属線によって電気的に結合された複数の薄膜トランジスタ（thin-film transistor、ＴＦＴ）構造を含む駆動回路によって、いくつかの非限定的な例では、電極及び少なくとも１つの半導体層が堆積される基板内で、選択的に駆動され得る。かかるパネルの様々な層及び被膜は、典型的には、真空ベースの堆積技術によって形成される。
そのようなディスプレイパネルは、非限定的な例として、携帯電話などの電子デバイスにおいて使用され得る。
いくつかの用途では、ＯＬＥＤ製造プロセス中に、導電性堆積材料５３１を選択的に堆積させて、デバイス特徴、例えば、非限定的に、それに電気的に結合された電極及び／又は導電素子を形成することによって、パネルの各（サブ）ピクセルに対して、その側方面及び断面のいずれか又は両方にわたってパターンで導電性堆積層を提供することが目的であり得る。
そのための１つの方法は、いくつかの非限定的な用途において、電極材料及び／又はそれと電気的に結合される導電素子の堆積中にファインメタルマスク（fine metal mask、ＦＭＭ）を介在させることを伴う。しかしながら、電極として使用される材料は、典型的には、比較的に高い蒸発温度を有し、これは、ＦＭＭを再使用する能力及び／又は達成され得るパターンの正確度に影響を及ぼし、付随して、コスト、労力、及び複雑性が増加する。
そのための１つの方法は、いくつかの非限定的な例では、電極材料を堆積することと、その後、パターンを形成するために、その不要な領域を除去する（レーザ穿孔プロセスによることを含む）こととを伴う。しかしながら、除去プロセスは、多くの場合、残骸の創出及び／又は存在を伴い、これは、製造プロセスの収率に影響を及ぼし得る。
更に、そのような方法は、いくつかの用途における適用性、及び／又はある特定のトポグラフィ的特徴を含むいくつかのデバイスへの適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な用途では、光学特性、性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命に関してデバイスの性能に影響を及ぼし得る、光電子デバイス内の金属ＮＰの薄い分散層を堆積させるためのメカニズムを提供することが目的であり得る。
そのような方法及びメカニズムは、パターニング被膜の選択的堆積によって、達成されてもよく、このパターニング被膜は、その閉鎖被膜として、又はその少なくとも１つの粒子構造の不連続層として、その上に堆積される導電性堆積材料の能力に影響を及ぼし得る材料特性の特定の組み合わせを、その露出表面上に提供するパターニング材料を含む。
材料特性の組み合わせは各々、様々な材料特性を含むことができる。
そのような材料特性は複雑な相互関係を有し、所与の組み合わせが、単一のパターニング材料では達成できない場合がある。
被膜の特性を調整するため、例えば、非限定的に、発光層及び／又は電荷輸送層としてのその性能を変更するために、被膜において複数の材料を組み合わせて使用することが知られている。
非限定的な例として、有機ホスト材料（Ａｌｑ３）にドープされた有機蛍光色素（Ｃ５４５Ｔ）、有機ホスト材料（ＣＢＰ）にドープされたリン光金属有機錯体（Ｉｒ（ｐｐｈ）３）、有機ホスト材料にドープされた有機熱活性化遅延蛍光（thermally activated delayed fluorescence、ＴＡＤＦ）材料、又は有機ホスト材料にドープされたハイパー蛍光エミッタを含むがこれらに限定されない複数の材料で構成されるＯＬＥＤデバイス中の放射層は、発光に関して相当な性能を呈することができる。
非限定的な例として、有機ホスト材料（それぞれ、ＭｅＯ－ＴＢＤ、Ａｌｑ３）にドープされた有機ｐ－ｎ型ドーパント若しくはｎ型ドーパント（Ｆ４－ＴＣＮＱ、ＬｉＱ）、又は有機ホスト材料（それぞれ、Ａｌｑ３、ＮＰＢ）中の無機ｐ型ドーパント若しくはｎ型ドーパント（Ｌｉ、ＭｏＯ３）を含むがこれらに限定されない複数の材料で構成されるＯＬＥＤデバイス中の正孔輸送層（hole transport layer、ＨＴＬ）及び電子輸送層（electron transport layer、ＥＴＬ）を含むがこれらに限定されない輸送層は、十分な導電率を呈し得る。
非限定的な例として、無機材料若しくは無機元素（ＮＰＢ）と混合された有機材料（Ｃ６０）、又は一緒に混合された２つの有機材料を含むがこれらに限定されない複数の材料で構成されるＯＬＥＤデバイス中のＨＴＬ又はＥＴＬを含むがこれらに限定されない輸送層は、十分な熱安定性を呈し得る。
非限定的な例として、正孔輸送有機材料及び電子輸送有機材料を含むがこれらに限定されない複数の材料で構成されるＯＬＥＤデバイス中のＨＴＬ若しくはＥＴＬ又は発光ホスト層を含むがこれらに限定されない輸送層は、十分な荷電平衡を達成し得る。
非限定的な例として、２つの無機材料（ＬｉＦ、Ｙｂ）、又は有機材料（Ａｌｑ３）と混合された無機材料（ＬｉＦ）を含むがこれらに限定されない複数の材料で構成されるＯＬＥＤデバイス中の正孔注入層（hole injection layer、ＨＩＬ）又は電子注入層（electron injection layer、ＥＩＬ）を含むがこれらに限定されない電荷注入層は、十分なデバイス性能を呈し得る。
非限定的な例として、ポリマーと混合されたジアリールエテン（diarylethene、ＤＡＥ）分子は、使用されるＤＡＥ分子の量を低減しながら、Ｍｇを選択的にパターニングするために使用され得る。
様々な材料特性の所与の組み合わせを含むがこれらに限定されない被膜の特性を調整するように選択された複数の材料を含むパターニング被膜を提供することが有益と考えられる。
ここで、本開示の例を以下の図を参照して説明するが、異なる図における同一の参照番号は、同一の、及び／又はいくつかの非限定的な例では、類同の、及び／又は対応する要素を示す。
本開示の一例による、配向層の堆積、側方面の第１の部分におけるその上へのパターニング被膜の選択的堆積、続いて、その第２の部分における堆積材料５３１の閉鎖被膜の堆積によって形成される、側方面に複数の層を有する、例示的デバイスの断面からの簡略ブロック図である。 様々な実験例の波長の関数としてのフォトルミネセンス強度のプロットである。 様々な実験例の波長の関数としての透過率低下率のプロットである。 本開示の一例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける下地層の露出層表面上にパターンでパターニング被膜を堆積させるための例示的プロセスを示す概略図である。 パターニング被膜が核形成抑制被膜（ＮＩＣ）である、図１のパターニング被膜の堆積パターンを含む露出層表面上の第２の部分に堆積材料５３１を堆積する例示的なプロセスを示す概略図である。 図１のデバイスの例示的なバージョンを断面図で解説する概略図である。 図６Ａのデバイスを補足的な平面図で解説する概略図である。 図１のデバイスの例示的なバージョンを断面図で解説する概略図である。 図６Ｃのデバイスを補足的な平面図で解説する概略図である。 図１のデバイスの一例を断面図で解説する概略図である。 図１のデバイスの一例を断面図で解説する概略図である。 図１のデバイスの一例を断面図で解説する概略図である。 本開示の様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターニング被膜の様々な可能な挙動を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターニング被膜の様々な可能な挙動を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターニング被膜の様々な可能な挙動を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターニング被膜の様々な可能な挙動を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターニング被膜の様々な可能な挙動を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターニング被膜の様々な可能な挙動を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターニング被膜の様々な可能な挙動を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターニング被膜の様々な可能な挙動を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターニング被膜の様々な可能な挙動を示す概略図である。 各々が、本開示の一例による例示的な試料の複数のＳＥＭ画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットと共に示す。 各々が、本開示の一例による例示的な試料の複数のＳＥＭ画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットと共に示す。 各々が、本開示の一例による例示的な試料の複数のＳＥＭ画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットと共に示す。 各々が、本開示の一例による例示的な試料の複数のＳＥＭ画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットと共に示す。 各々が、本開示の一例による例示的な試料の複数のＳＥＭ画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットと共に示す。 本開示の例による、粒子構造パターニング被膜と粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図１のデバイスの例示的バージョンの断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の例による、粒子構造パターニング被膜と粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図１のデバイスの例示的バージョンの断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の例による、粒子構造パターニング被膜と粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図１のデバイスの例示的バージョンの断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の例による、粒子構造パターニング被膜と粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図１のデバイスの例示的バージョンの断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の例による、粒子構造パターニング被膜と粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図１のデバイスの例示的バージョンの断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の例による、粒子構造パターニング被膜と粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図１のデバイスの例示的バージョンの断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の例による、粒子構造パターニング被膜と粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図１のデバイスの例示的バージョンの断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の例による、粒子構造パターニング被膜と粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図１のデバイスの例示的バージョンの断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の一例による、少なくとも１つの粒子構造の下にある粒子構造パターニング被膜と、その上に堆積された上層とを含む図１のデバイスを、部分切り取り平面図で解説する例示的な概略図である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 図１１Ａ～図１１Ｅの顕微鏡写真の分析に基づく、様々な波長での透過率のチャートである。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 図１１Ｇ～図１１Ｊの顕微鏡写真の分析に基づく、様々な波長での透過率のチャートである。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 図１１Ｌ～図１１Ｏの顕微鏡写真の分析に基づく、様々な波長での透過率のチャートである。 本開示の一例による、構造を形成するための複数のシードの堆積に続くパターニング被膜の堆積によって形成された、図１のデバイスの放射領域に近接する図１の少なくとも１つの粒子構造を示す概略図である。 本開示の一例による、複数のシードの堆積前にパターニング被膜を堆積することによって形成された、図１２Ａの少なくとも１つの粒子構造のバージョンを示す概略図である。 本開示の一例による、本体を被覆するためのディスプレイパネル、及びそれを通してディスプレイパネルの層にゼロではない角度でＥＭ信号を交換するためにその中に収容された少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素を有する、例示的なユーザデバイスの様々な例の、断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の一例による、本体を被覆するためのディスプレイパネル、及びそれを通してディスプレイパネルの層にゼロではない角度でＥＭ信号を交換するためにその中に収容された少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素を有する、例示的なユーザデバイスの様々な例の、断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の一例による、本体を被覆するためのディスプレイパネル、及びそれを通してディスプレイパネルの層にゼロではない角度でＥＭ信号を交換するためにその中に収容された少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素を有する、例示的なユーザデバイスの様々な例の、断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 図１４Ａ～図１４Ｂの顕微鏡写真の分析に基づく、平均直径のチャートである。 本開示の一例による例示的な光電子デバイスの断面からの簡略ブロック図である。 本開示の一例による、例示的なエレクトロルミネセントデバイスの断面からのブロック図である。 図１６のデバイスの断面図である。 本開示の一例による、図１６のデバイスのバージョンで使用するのに好適な例示的なパターニングされた電極を平面図で解説する概略図である。 線１９－１９に沿った図１８のデバイスの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、図１６のデバイスの例示的なバージョンでの使用に好適な電極の複数の例示的なパターンを平面図で解説する概略図である。 線２０Ｂ－２０Ｂに沿った図２０Ａのデバイスの中間段階における例示的な断面図を解説する概略図である。 線２０Ｃ－２０Ｃに沿った図２０Ａのデバイスの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、例示的なパターニングされた補助電極を有する、図１６のデバイスの例示的バージョンの断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、少なくとも１つの放射領域及び少なくとも１つの非放射領域に重なる補助電極の例示的なパターンを平面図で解説する概略図である。 本開示の一例による、ダイヤモンド構成の放射領域の複数のグループを有する図１６のデバイスの例示的バージョンの例示的なパターンを平面図で解説する概略図である。 線２３Ｂ－２３Ｂに沿った図２３Ａのデバイスの例示的な断面図を解説する概略図である。 線２３Ｃ－２３Ｃに沿って取られた図２３Ａのデバイスの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、追加の例示的な堆積ステップを有する図１７のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、追加の例示的な堆積ステップを有する図１７のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、追加の例示的な堆積ステップを有する図１７のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、追加の例示的な堆積ステップを有する図１７のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、少なくとも１つの補助電極を有する、少なくとも１つの例示的なピクセル領域と少なくとも１つの例示的な光透過領域とを含む図１６のデバイスの透明バージョンの一例を平面図で解説する概略図である。 線２８Ｂ－２８Ｂに沿った図２８Ａのデバイスの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、少なくとも１つの例示的なピクセル領域と少なくとも１つの例示的な光透過領域とを含む図１６のデバイスの透明バージョンの一例を平面図で解説する概略図である。 線２９－２９に沿った図２９Ａのデバイスの例示的な断面図を解説する概略図である。 線２９－２９に沿った図２９Ａのデバイスの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、異なる厚さの第２の電極を有するサブピクセル領域を有する図１７のデバイスの例示的バージョンを製造するための例示的プロセスの例示的段階を示し得る概略図である。 本開示の一例による、第２の電極が補助電極と結合される、図１６のデバイスの例示的バージョンの例示的断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、非放射領域に隔壁と凹部などの遮蔽領域とを有する図１６のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の様々な例による、非放射領域に隔壁と開口などの遮蔽領域とを有する図１６のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の様々な例による、非放射領域に隔壁と開口などの遮蔽領域とを有する図１６のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の一例による、内部に少なくとも１つの開口を含む、複数の層を有するディスプレイパネルを有する例示的なユーザデバイスの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、少なくとも１つの開口が少なくとも１つの信号透過領域によって具現化され、ユーザの生態認証の目的のために、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ放射線を交換する、図３４のユーザデバイスの使用を解説する概略図である。 本開示の一例による、ディスプレイパネルを含む図３４のユーザデバイスの平面図である。 図３５Ｂに示されるデバイスの線３５Ｃ－３５Ｃに沿った断面図である。 本開示の一例による、ディスプレイパネルを含む図３４のユーザデバイスの平面図である。 図３５Ｄに示されるデバイスの線３５Ｅ－３５Ｅに沿った断面図である。 本開示の一例による、ディスプレイパネルを含む図３４のユーザデバイスの平面図である。 図３５Ｆに示されるデバイスの線３５Ｇ－３５Ｇに沿った断面図である。 本開示の一例による、パネルの一部の拡大平面図である。 本開示の一例による、選択的堆積及びその後の除去プロセスによって、図１６のデバイスの例示的バージョンの露出層表面上に、あるパターンで堆積層を堆積するための例示的プロセスの例示的段階を示す概略図である。 本開示の一例による、表面上に吸収された吸着原子の相対エネルギー状態を解説する例示的なエネルギープロファイルである。 本開示の一例による、膜核の形成を解説する概略図である。
本開示では、少なくとも１つの数値（添え字を非限定的に含む）及び／又は小文字のアルファベット文字（小文字を非限定的に含む）が添付された参照番号は、その参照番号によって説明される要素又は特徴の特定のインスタンス及び／又はそのサブセットを指すとみなされ得る。添付の値及び／又は文字を参照せずに参照番号を参照することは、文脈が指示するように、概して、参照番号によって説明される要素又は特徴、及び／又はそれによって説明される全てのインスタンスのセットを指すことができる。同様に、参照番号は、数字の代わりに文字「ｘ」を有していてもよい。かかる参照番号への言及は、文脈が指示するように、概して、文字「ｘ」が数字で置き換えられた参照番号によって説明される要素又は特徴、及び／又はそれによって説明される全てのインスタンスのセットを指すことができる。
本開示では、限定ではなく説明のために、特定のアーキテクチャ、インターフェース、及び／又は技術を非限定的に含む特定の詳細が、本開示の完全な理解を与えるために記載される。いくつかの例では、周知のシステム、技術、構成要素、デバイス、回路、方法、及びアプリケーションの詳細な説明は、不必要な詳細で本開示の説明を不明瞭にしないように省略される。
更に、本明細書で再現されるブロック図は、本技術の原理を具現化する解説用の構成要素の概念図を表すことができることが理解されよう。
したがって、システム及び方法の構成要素は、本明細書の説明の利益を有する当業者に容易に明らかになる詳細によって本開示が不明瞭とならないように、図面において従来の記号によって必要に応じて表されており、本開示の例を理解することに関係するそれらの特定の詳細のみが示されている。
本明細書に提供される任意の図面は、一定の縮尺で描かれていない場合があり、決して本開示を限定するものとみなされない場合がある。
破線の輪郭で示される任意の特徴又は動作は、いくつかの例では、オプションとみなされ得る。
本開示の目的は、従来技術の少なくとも１つの欠点を除去又は軽減することである。
本開示は、側面の第１の部分において下地層の露出層表面上に堆積され、その上に凝縮される堆積材料の蒸気フラックスの傾向に影響を与えるように適合されたパターニング被膜を含む層状半導体デバイスを開示し、パターニング被膜は、それぞれの第１の少なくとも１つの材料特性及び第２の少なくとも１つの材料特性を呈する、第１の材料及び第２の材料を含む。パターニング被膜は、第１の少なくとも１つの材料特性及び第２の少なくとも１つの材料特性のうちの少なくとも１つとはそれらの組み合わせ及び値のうちの少なくとも１つに関して異なる、第３の少なくとも１つの材料特性を呈する。第３の少なくとも１つの材料特性は、下地層の露出層表面を、パターニング被膜の露出層表面と区別する。
広い態様によれば、層状半導体デバイスであって、デバイスの側方面の第１の部分において下地層の露出層表面上に堆積され、その上に凝縮される堆積材料の蒸気フラックスの傾向に影響を与えるように適合されたパターニング被膜であって、第１の材料及び第２の材料を含むパターニング被膜を含み、第１の材料は、第１の少なくとも１つの材料特性を呈し、第２の材料は、第２の少なくとも１つの材料特性を呈し、パターニング被膜は、第１の少なくとも１つの材料特性及び第２の少なくとも１つの材料特性のうちの少なくとも１つとはそれらの組み合わせ及び値のうちの少なくとも１つに関して異なる、第３の少なくとも１つの材料特性を呈し、第３の少なくとも１つの材料特性は、下地層の露出層表面を、パターニング被膜の露出層表面と区別する、デバイスを開示する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの材料特性は、初期付着確率、透過率、堆積コントラスト、表面エネルギー、ガラス転移温度、融点、昇華温度、蒸発温度、凝集エネルギー、光学間隙、フォトルミネセンス、屈折率、吸光係数、吸収又は他の光学効果、平均層厚、分子量、及び組成のうちの少なくとも１つから選択され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料は、金属及び金属合金のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、金属は、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）及びマグネシウム（Ｍｇ）のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、金属合金は、銀（Ａｇ）含有物質及びマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、パターニング被膜の少なくとも約９９％、約９５％、約９０％、約８０％、約７０％、及び約５０％のうちの少なくとも１つの濃度でホストを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、核形成抑制被膜（ＮＩＣ）として機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、実質的に高い堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の材料は、パターニング被膜の約１％以下、約５％以下、約１０％以下、約２０％以下、約３０％以下、及び約５０％以下のうちの少なくとも１つの濃度でドーパントを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、核形成抑制被膜（ＮＩＣ）として機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に高い堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に核形成抑制被膜（ＮＩＣ）以外のものとして機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に低い堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、核形成促進被膜（nucleation-promoting coating、ＮＰＣ）として機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に低い堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの表面エネルギーは、実質的に少なくともドーパントの表面エネルギーであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、約５～２０ダイン／ｃｍの表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの融点が、実質的に少なくともドーパントの融点であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、少なくとも約１００℃、約１１０℃、約１２０℃、及び約１３０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、オリゴマーであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つの組み合わせ及び少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つの値のうちの少なくとも１つが、ドーパントとホストとでは異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つの組み合わせ及び少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つの値のうちの少なくとも１つが、パターニング被膜と、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方とでは異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントは、値及び値の範囲のうちの少なくとも１つの範囲内で、同等性、類似性、及び近接性のうちの少なくとも１つに関して実質的に類似している少なくとも１つの材料特性によって特徴付けられ得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、パターニング材料であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々の特性表面エネルギーは、約２５ダイン／ｃｍ以下、約２４ダイン／ｃｍ以下、約２２ダイン／ｃｍ以下、約２１ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、約１１ダイン／ｃｍ以下、及び約１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーとドーパントの特性表面エネルギーとの間の差の絶対値は、約１ダイン／ｃｍ以下、約２ダイン／ｃｍ以下、約３ダイン／ｃｍ以下、約４ダイン／ｃｍ以下、約５ダイン／ｃｍ以下、約７ダイン／ｃｍ以下、及び約１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、少なくとも約１００℃、約１１０℃、約１２０℃、及び約１３０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの昇華温度とドーパントの昇華温度との間の差の絶対値が、約５℃以下、約１０℃以下、約１５℃以下、約２０℃以下、約３０℃以下、約４０℃以下、及び約５０℃以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、実質的に同様の蒸発温度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、約５５０ｎｍの波長のＥＭ放射線に対して、約１．５５以下、約１．５以下、約１．４５以下、約１．４４以下、約１．４３以下、約１．４２以下、約１．４１以下、約１．４以下、約１．３９以下、約１．３７以下、約１．３５以下、約１．３２以下、及び約１．３以下のうちの少なくとも１つである屈折率を呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々の分子量が、少なくとも約７５０ｇ／ｍｏｌ以上、１，０００ｇ／ｍｏｌ、１，５００ｇ／ｍｏｌ、２，０００ｇ／ｍｏｌ、２，５００ｇ／ｍｏｌ及び３，０００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストとドーパントとの間のＴａｎｉｍｏｔｏ係数は、少なくとも約０．６５、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．８５、約０．９、及び約０．９５のうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、パターニング材料であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、オリゴマーであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、少なくとも１つの共通のモノマーを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、少なくとも１つの共通のモノマー骨格単位を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、リン（Ｐ）及び窒素（Ｎ）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、ホスファゼン部分を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々の分子構造の一部は、式（ＶＩ）によって表され得、
（ＮＰ－（Ｌ－Ｒｘ）ｙ）ｎ （ＶＩ）
式中、ＮＰは、ホスファゼンモノマー骨格単位を表し、Ｌは、リンカー基を表し、Ｒは、官能基を表し、ｘは、１～４の整数であり、ｙは、１～３の整数であり、ｎは、少なくとも２の整数であり、
ホストのｎの値は、ドーパントのｎの値とは異なる。
いくつかの非限定的な例では、ホストのｎの値とドーパントのｎの値との間の差の絶対値が１であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方のｎの値が３であってもよく、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方とは別の方のｎの値が４であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々の分子構造の一部は、式（ＶＩＩ）によって表され得、
（ＮＰ（ＯＲｆ）２）ｎ （ＶＩＩ）
式中、Ｒｆは、フルオロアルキル基を表し、ｎは、３～７の整数であり、
ホストのｎの値は、ドーパントのｎの値とは異なる。
いくつかの非限定的な例では、ホストのｎの値とドーパントのｎの値との間の差の絶対値が１であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方のｎの値が３であってもよく、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方とは別の方のｎの値が４であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストのモノマーは、フッ素（Ｆ）を含む少なくとも１つの官能基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、官能基のうちの少なくとも１つは、全フッ素置換されていなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、官能基のうちのどれも全フッ素置換されていなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントは、値及び値の範囲のうちの少なくとも１つの範囲による差に関して実質的に異なる、少なくとも１つの材料特性によって特徴付けられ得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ホストの堆積コントラストと少なくとも同じ大きさの堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に低い堆積コントラストを呈し得、ホストの濃度は、ドーパントの濃度を実質的に上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーは、ドーパントの特性表面エネルギーを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１５～２３ダイン／ｃｍ、及び約１８～２２ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの特性表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、約６～２２ダイン／ｃｍ、約８～２０ダイン／ｃｍ、約１０～１８ダイン／ｃｍ、及び約１０～１５ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの特性表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーとドーパントの特性表面エネルギーとの間の差の絶対値は、約１～１３．５ダイン／ｃｍ、約２～１２ダイン／ｃｍ、約３～１１ダイン／ｃｍ、及び約５～１０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーは、約１６～２２ダイン／ｃｍであってもよく、ドーパントの特性表面エネルギーは、約１０～１５ダイン／ｃｍであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーとドーパントの特性表面エネルギーとの間の差の絶対値は、少なくとも３ダイン／ｃｍであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーとドーパントの特性表面エネルギーとの間の差の絶対値は、約３～８ダイン／ｃｍ、及び約３～５ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの融点は、ドーパントの融点を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、少なくとも約８０℃、約１００℃、約１１０℃、約１２０℃、及び約１３０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、少なくとも約１３０℃、約１５０℃、約２００℃、及び約２５０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１００～３５０℃、約１３０～３２０℃、約１５０～３００℃、及び約１８０～２８０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、約１５０℃以下、約１４０℃以下、約１３０℃以下、約１２０℃以下、及び約１１０℃以下のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、約５０～１５０℃、約８０～１５０℃、約６５～１３０℃、及び約８０～１１０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの融点とドーパントの融点との間の差の絶対値は、約１０～２００℃、約２０～２００℃、約５０～１８０℃、約８０～１５０℃、及び約１００～１２０℃のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１５０～３００℃、約１８０～２８０℃、約２００～２６０℃、及び約２２０～２５０℃のうちの少なくとも１つの融点を有し得、ドーパントは、約１００～１５０℃、約１００～１３０℃、及び約１００～１２０℃のうちの少なくとも１つの融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの融点とドーパントの融点との間の差の絶対値は、約５０～１２０℃、約７０～１００℃、及び約８０～１００℃のうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストの蒸発温度とドーパントの蒸発温度との間の差の絶対値は、約５℃以下、約１０℃以下、約１５℃以下、約２０℃以下、約３０℃以下、約４０℃以下、及び約５０℃以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、約１００～３５０℃の蒸発温度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、実質的に同様の蒸発温度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、少なくとも約３．４ｅＶ、約３．５ｅＶ、約４．１ｅＶ、約５ｅＶ、及び約６．２ｅＶのうちの少なくとも１つの光学間隙を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、少なくとも可視スペクトル周辺、ＮＩＲスペクトル周辺、約３６５ｎｍ、及び約４６０ｎｍのうちの少なくとも１つの波長範囲において実質的に吸収を呈しなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、ケージ構造、環状構造、及び有機－無機ハイブリッド構造のうちの少なくとも１つを含む分子構造を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、フッ素（Ｆ）及びケイ素（Ｓｉ）のうちの少なくとも一方を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、多面体オリゴマーシルセスキオキサン（polyhedral oligomeric silsesquioxane、ＰＯＳＳ）基を含み得、ドーパントは、シクロホスファゼン基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、化合物の分子量の百分率により、２５～７５％、２５～７０％、３０～７０％、３５～５０％、３５～４５％、及び３５～４０％のうちの少なくとも１つの割合でＦを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、化合物の分子量の百分率により、２５～７５％、２５～７０％、３０～７０％、５０～７０％、５５～７０％、及び６０～７０％のうちの少なくとも１つの割合でＦを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントの化合物の分子量の百分率によるＦの割合は、ホストのものを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、化合物の分子量の百分率により約３５～４５％の割合でＦを含み得、ドーパントは、化合物の分子量の百分率により約６０～７０％の割合でＦを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々が、６以下、４以下、３以下、２以下、及び１以下のうちの少なくとも１つである連続フッ素化炭素鎖を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストはＳｉを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、Ｓｉを含むモノマー骨格単位を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、多面体オリゴマーシルセスキオキサン（ＰＯＳＳ）基及びＰＯＳＳ誘導体化合物のうちの少なくとも一方を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＰＯＳＳ誘導体化合物は、Ｆを含む官能基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、オリゴマーであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、非ポリマー材料であり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、オリゴマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、ブロックオリゴマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、官能基末端単位を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、官能基末端単位は、ＣＦ３及びＣＨ２ＣＦ３のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの各官能基は、単一フッ素化炭素部分だけを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの官能基は、いずれのｓｐ２混成炭素（Ｃ）原子も実質的に欠き得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントのモノマーは、フッ素（Ｆ）を含む官能基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ホスファゼン、シクロホスファゼン及びシクロホスファゼン誘導基のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、シクロホスファゼンを含むモノマー骨格単位を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、シクロホスファゼン誘導基は、フッ素（Ｆ）を含む官能基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、非ポリマー材料であり得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、オリゴマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ブロックオリゴマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜中のドーパントの濃度は、約５０％以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、濃度は、約４０％以下、約３０％以下、約２５％以下、約２０％以下、約１５％以下、約１０％以下、及び約５％以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、濃度は、ホストとドーパントとの混合物の共融点に対応する濃度以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、濃度は、少なくとも約１％、約３％、約５％、約７％、及び約１０％のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、フッ素（Ｆ）と、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属のうちの少なくとも１つと、を含む金属フッ化物であり得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム及びフッ化イッテルビウムのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１６～２０ダイン／ｃｍの特性表面エネルギー及び約１５０～３００℃の融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、少なくとも約８ダイン／ｃｍであるが、ホストの特性表面エネルギーよりも低い特性表面エネルギーと、少なくとも約１００℃であるが、ホストの融点よりも低い融点と、の両方を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、少なくとも約８ダイン／ｃｍであるが、ホストの特性表面エネルギーより少なくとも３ダイン／ｃｍだけ低い特性表面エネルギーと、少なくとも約１００℃であるが、ホストの融点より、約５０～１２０℃、約７０～１１０℃、及び約８０～１００℃のうちの少なくとも１つだけ低い融点と、の両方を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントの特性表面エネルギーは、約３～８ダイン／ｃｍ及び約３～５ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つだけホストの特性表面エネルギーよりも低い。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、フォトルミネセンス応答を呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、フォトルミネセンスを実質的に呈しなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜は、ドーパントの約５重量％以下、約３重量％以下、約２重量％以下、約１重量％以下、約０．５重量％以下、及び約０．１重量％以下のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、少なくとも１つの不均一性を創出し、その上への少なくとも１つのナノ粒子構造の形成を容易にすることができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの不均一性は、金属元素を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの不均一性は、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、窒素（Ｎ）、及び炭素（Ｃ）のうちの少なくとも１つから選択された非金属元素を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの不均一性は、核形成抑制被膜（ＮＰＣ）である。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜は、第１の材料及び第２の材料を含む混合物を提供し、そのような混合物を、第１の部分における下地層の露出層表面上に堆積させることによって、堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、混合物は、第１の材料及び第２の材料の一方から選択された供給パターニング材料を供給し、それに処理を施して、第１の材料及び第２の材料の他方を含む生成パターニング材料を生成することによって、提供され得る。
いくつかの非限定的な例では、処理は、供給パターニング材料を加熱することを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜は、第１の材料及び第２の材料を共蒸着させることによって、堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料は、共通の蒸発源から蒸発され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、第１の蒸発源から蒸発され得、第２の材料は、第２の蒸発源から蒸発され得る。
広い態様によれば、層状半導体デバイスであって、デバイスの側方面の第１の部分に設けられ、その上に凝縮される堆積材料の蒸気フラックスの傾向に影響を与えるように適合されたパターニング被膜であって、ホスト及びドーパントを含むパターニング被膜と、デバイスの側方面の第２の部分に設けられた堆積層であって、堆積材料を含む堆積層と、を含む、デバイスを開示する。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１５～２２ダイン／ｃｍの特性表面エネルギーを有し得、ドーパントは、ホストの特性表面エネルギーより小さい特性表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、１３０～３００℃の融点を有し得、ドーパントは、ホストの融点よりも低い融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、複数のモノマーを含むオリゴマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストのオリゴマー及びドーパントのオリゴマーは、少なくとも１つの共通のモノマーを含み得る。
広い態様によれば、層状半導体デバイスであって、第１の電極及び第２の電極と、デバイスの横方向面において第１の電極と第２の電極との間に延在し、第１の層表面を画定する半導体層であって、第１の層表面が、デバイスの側方面において第１の部分及び第２の部分にわたって延在する、半導体層と、デバイスの側方面の第１の部分における第１の層表面上に堆積されたパターニング被膜であって、ホスト及びドーパントを含むパターニング被膜と、デバイスの側方面の第２の部分における第１の層表面上に配設された第２の電極と、を含む、デバイスを開示する。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１５～２２ダイン／ｃｍの特性表面エネルギーを有し得、ドーパントは、ホストの特性表面エネルギーより小さい特性表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、１３０～３００℃の融点を有し得、ドーパントは、ホストの融点よりも低い融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、複数のモノマーを含むオリゴマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストのオリゴマー及びドーパントのオリゴマーは、少なくとも１つの共通のモノマーを含み得る。
説明
層状デバイス
本開示は、概して、層状半導体デバイス１００に関し、より具体的には、光電子デバイス１２００（図１２Ａ）に関する。光電子デバイス１２００は、概して、電気信号を光子に、又はその逆に変換する任意のデバイスを包含し得る。いくつかの非限定的な例では、光電子デバイス１２００を含むがこれに限定されない層状半導体デバイスは、ディスプレイパネル１３４０（図１３Ａ）を含むがこれに限定されない、ユーザデバイス１３００（図１３Ａ）の面３４０１（図３４）として役立ち得る。
当業者は、本開示が光電子デバイス１２００を対象としているが、その原理は、薄膜を含む導電性堆積材料５３１（図５）の少なくとも１つの層を非限定的に含み、かついくつかの非限定的な例では、電磁（ＥＭ）信号が、層のうちの少なくとも１つの平面に対してゼロでない角度で、全体的又は部分的に中を通過し得る、複数の層を有する任意のパネルに適用可能であり得ることを理解するであろう。
ここで図１に目を向けると、例示的な層状半導体デバイス１００の断面図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、図１６により詳細に示すように、デバイス１００は、基板１０上に堆積された複数の層を含み得る。
Ｘ軸として識別される側方軸は、Ｚ軸として識別される長手方向軸と共に示され得る。Ｙ軸として識別される第２の側方軸は、Ｘ軸及びＺ軸の両方を実質的に横断するものとして示され得る。側方軸のうちの少なくとも１つは、デバイス１００の側方面を画定することができる。長手方向軸は、デバイス１００の横方向面を画定することができる。
デバイス１００の層は、側方軸によって画定される平面に実質的に平行に、側方面に延在し得る。当業者は、図１に示される実質的に平面的な表現が、いくつかの非限定的な例では、解説のため抽象化されている場合があることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の側方範囲にわたって、異なる厚さ及び寸法の局所化された実質的に平面の層が存在してもよく、いくつかの非限定的な例では、層が実質的に完全に存在しなくてもよく、かつ／又は非平面遷移領域（側方間隙及び更に不連続性を含む）によって分離される層を含んでもよい。
したがって、解説目的のために、デバイス１００は、実質的に平行な平面層の実質的に階層化された構造としてその断面面で示され得るが、かかるデバイスは、特徴を画定するための多様なトポグラフィを局所的に解説することができ、その各々は、断面面において考察された階層化されたプロファイルを実質的に呈し得る。
図１に示すように、デバイス１００の層は、基板１０と、その側方面の少なくとも一部分の露出層表面１１上に配設されたパターニング被膜１３０と、を含む。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、その側方範囲が第１の部分１０１に限定されてもよく、堆積層１４０は、その側方面の第２の部分１０２においてデバイス１００の露出層表面１１上に閉鎖被膜１５０として配設され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２は、第１の部分１０１を越えて、デバイスの下地層の露出層表面１１の部分を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、パターニング被膜１３０の露出層表面１１上に不連続層１７０として配設され得る。いくつかの非限定的な例では、基板１０とパターニング被膜１３０との間に少なくとも１つの介在層１１０があり得る。いくつかの非限定的な例では、介在層１１０のうちの少なくとも１つは、配向層１２０及び有機支持層１１５（集合的に、「下地層」）のうちの少なくとも１つであってもよく、及び／又はそれらと連結していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０、堆積層１４０、及び／又は少なくとも１つの粒子構造１６０は、少なくとも１つの上層１８０によって被覆され得る。
パターン二ング
パターニング被膜１３０は、いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の下地層の露出層表面１１上に閉鎖被膜１５０として配設され、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１を含むがこれに限定されないファインメタルマスク（ＦＭＭ）などのシャドウマスク４１５（図４）を使用することを含むがこれに限定されない選択的堆積によって側方範囲が制限される。したがって、いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の第２の部分１０２において、デバイス１００の下地層の露出層表面１１は、パターニング被膜１３０の閉鎖被膜１５０を実質的に欠いていてもよい。
パターニング被膜
パターニング被膜１３０の属性に起因して、パターニング被膜１３０を含む第１の部分１０１は、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０を実質的に欠いていてもよい。
しかしながら、堆積材料５３１の蒸気フラックスへのデバイス１００の曝露は、いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２における堆積材料５３１の堆積層１３０の閉鎖被膜１５０の形成をもたらし得、下地層の露出層表面１１は、パターニング被膜１３０を実質的に欠いている（被膜されていない）。
したがって、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、堆積材料５３１の後続の堆積に対して高い堆積（又はパターニング）コントラストを提供する核形成抑制被膜（ＮＩＣ）であってもよく、その結果、堆積材料５３１は、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０が堆積された閉鎖被膜１５０として堆積されない傾向がある。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、パターニング材料４１１を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、ＮＩＣ材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、パターニング材料４１１の閉鎖被膜１５０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１におけるパターニング被膜１３０が、堆積材料５３１の蒸気フラックスに供されると、少なくとも１つの粒子構造１６０の不連続層１７０の形成を引き起こすためのパターニング被膜１３０を提供することを必要とするシナリオが存在し得る。少なくともいくつかの用途では、パターニング被膜１３０の属性は、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０がパターニング被膜１３０を実質的に欠いていてもよい第２の部分１０２に形成され得る一方で、少なくとも１つの特質を有する少なくとも１つの粒子構造１６０の不連続層１７０のみが、パターニング被膜１３０上の第１の部分１０１に形成され得るようなものであり得る。
考察を簡略にするために、本開示では、パターニング被膜１３０が堆積されて、その上に少なくとも１つの粒子構造１６０を堆積させるためのベースとして機能する限り、そのようなパターニング被膜１３０は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐと称され得る。対照的に、パターニング被膜１３０が第１の部分１０１に堆積されて、堆積層１４０の閉鎖被膜１５０のそのような第１の部分１０１における形成を実質的に妨げ、したがって、堆積層１４０の閉鎖被膜１５０の堆積を第２の部分１０２に制限する限り、そのようなパターニング被膜１３０は、非粒子構造パターニング被膜１３０ｎとして指定され得る。当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐ及び非粒子構造パターニング被膜１３０ｎの両方として機能し得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、例えば、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つの厚さを有する堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０を堆積させながら、第２の部分１０２において、非限定的な例として、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属又は金属合金（金属／合金）であり得る堆積材料５３１の少なくとも１つの粒子構造１６０の不連続層１７０を形成することを必要とするシナリオが存在し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内の少なくとも１つの粒子構造１６０の不連続層１７０として堆積された堆積材料５３１の相対量は、第２の部分１０２内の閉鎖被膜１５０として堆積された堆積材料５３１の量の約１～５０％、約２～２５％、約５～２０％、及び約７～１０％のうちの少なくとも１つに対応し得、非限定的な例として、約１００ｎｍ以下、約７５ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つの厚さに対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、パターニング被膜１３０の閉鎖被膜１５０を実質的に欠き得る、その中の少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配設され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの領域により、パターニング被膜１３０をその複数の個別の断片に分離し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の複数の個別の断片は、その側方面において互いに物理的に離隔され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の複数の個別の断片は、限定ではないが、アレイ又はマトリックスを含む規則的構造で配置されてもよく、その結果、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の個別の断片は反復パターンで構成され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の複数の個別の断片のうちの少なくとも１つは、各々、放射領域１３１０に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０の開口率は、約５０％以下、約４０％以下、約３０％以下、及び約２０％以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、単一のモノリシック被膜として形成され得る。
パターニング被膜及び／又はパターニング材料４１１の属性
初期付着確率
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、堆積材料５３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率（いくつかの非限定的な例では、Ｗａｌｋｅｒらによって記載されたデュアルＱＣＭ技術で特定された条件下で）を有する露出層表面１１を提供することができ、この初期付着確率は、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０が堆積されたデバイス１００の下地層の露出層表面１１の堆積材料５３１の堆積に対する初期付着確率よりも実質的に低くすることができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１の初期付着確率は、下地層の表面上への堆積時に、下地層との分子間相互作用の程度に対する任意の影響を軽減又は低減するのに十分な厚さを有する、デバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積と同様の環境下で、そのような材料を膜として堆積させること、及び／又は被膜することによって決定され得る。非限定的な例として、初期付着確率は、少なくとも約２０ｎｍ、約２５ｎｍ、約３０ｎｍ、約５０ｎｍ、約６０ｎｍ、及び約１００ｎｍのうちの少なくとも１つの厚さを有する膜又は被膜上で測定され得る。
パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１の低い初期付着確率に起因して、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は形態内の被膜として堆積されると、デバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積と同様の状況下で、堆積材料５３１の堆積に抗する、例えば非限定的に第１の部分１０１内の、パターニング被膜１３０の露出層表面１１は、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０を実質的に欠いていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１の初期付着確率の間には、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、堆積材料５３１の堆積及びその上の堆積材料５３１の平均層厚に対して正の相関があり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約０．９以下、約０．３以下、約０．２以下、約０．１５以下、約０．１以下、約０．０８以下、約０．０５以下、約０．０３以下、約０．０２以下、約０．０１以下、約０．００８以下、約０．００５以下、約０．００３、約０．００１以下、約０．０００８以下、約０．０００５以下、約０．０００３以下、及び約０．０００１以下のうちの少なくとも１つである、堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約０．９以下、約０．３以下、約０．２以下、約０．１５以下、約０．１以下、約０．０８以下、約０．０５以下、約０．０３以下、約０．０２以下、約０．０１以下、約０．００８以下、約０．００５以下、約０．００３以下、約０．００１以下、約０．０００８以下、約０．０００５以下、約０．０００３以下、及び約０．０００１以下のうちの少なくとも１つである、銀（Ａｇ）及びマグネシウム（Ｍｇ）のうちの少なくとも１つの堆積に抗する初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、閾値以下である、Ａｇ、Ｍｇ、イッテルビウム（Ｙｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含むがこれらに限定されない、これらのうちの少なくとも１つから選択された、複数の堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率を有し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる閾値は、約０．９、約０．３、約０．２、約０．１５、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、約０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、約０．００１、約０．０００８、約０．０００５、約０．０００３、及び約０．０００１のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの更なる非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂのうちの少なくとも１つから選択される複数の堆積材料５３１の堆積に抗する、かかる閾値以下の初期付着確率を呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約０．１５～０．０００１、約０．１～０．０００３、約０．０８～約０．０００５、約０．０８～０．０００８、約０．０５～０．００１、約０．０３～０．０００１、約０．０３～０．０００３、約０．０３～０．０００５、約０．０３～０．０００８、約０．０３～０．００１、約０．０３～０．００５、約０．０３～０．００８、約０．０３～０．０１、約０．０２～０．０００１、約０．０２～０．０００３、約０．０２～０．０００５、約０．０２～０．０００８、約０．０２～０．００１、約０．０２～０．００５、約０．０２～０．００８、約０．０２～０．０１、約０．０１～０．０００１、約０．０１～０．０００３、約０．０１～０．０００５、約０．０１～０．０００８、約０．０１～０．００１、約０．０１～０．００５、約０．０１～０．００８、約０．００８～０．０００１、約０．００８～０．０００３、約０．００８～０．０００５、約０．００８～０．０００８、約０．００８～０．００１、約０．００８～０．００５、約０．００５～０．０００１、約０．００５～０．０００３、約０．００５～０．０００５、約０．００５～０．０００８、及び約０．００５～０．００１のうちの少なくとも１つの堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、第１の閾値以下の第１の堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率と、第２の閾値以下の第２の堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率とを呈し得、いくつかの非限定的な例では、第１の堆積材料５３１はＡｇであり得、第２の堆積材料５３１はＭｇであり得る。いくつかの他の非限定的な例では、第１の堆積材料５３１はＡｇであり得、第２の堆積材料５３１はＹｂであり得る。いくつかの他の非限定的な例では、第１の堆積材料５３１はＹｂであり得、第２の堆積材料５３１はＭｇであり得、いくつかの非限定的な例では、第１の閾値は、第２の閾値を上回ってもよい。
透過率
当業者であれば、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれらに限定されない、堆積材料５３１が比較的少ない及び／又は存在しない試料は、実質的に透明であり得るが、一方、閉鎖被膜１５０を含むがこれに限定されない実質的な量の金属／合金が堆積された試料は、いくつかの非限定的な例では、実質的に低減された透過率を呈し得ることを理解するであろう。したがって、パターニング被膜１３０としての様々な例示的な被膜の相対的な性能は、試料を通る透過率を測定することによって評価することができ、この透過率は、閉鎖被膜１５０として形成された場合を含むがこれに限定されない金属薄膜がＥＭ放射線の高い吸収度を呈し得るので、その上に堆積されているＹｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つの形態を含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない、堆積材料５３１の量及び／又は平均層厚に正に相関し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターン二ング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として堆積されたとき、またデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積と同様の状況下で、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料５３１の蒸気フラックスにさらされた後に、少なくとも閾値透過率値のＥＭ放射線に対する透過率を有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、かかる透過率は、非限定的な例として、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスのカソードであり得る、光電子デバイスの電極を堆積させるために使用され得る、典型的条件下で、薄膜として形成される、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１の露出層表面１１を、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１の蒸気フラックスに曝露した後に測定され得る。
いくつかの非限定的な例では、露出層表面１１を、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１の蒸気フラックスに供するための条件は、以下の通りであってもよい：（ｉ）真空圧を、約１０－４Ｔｏｒｒ又は１０－５Ｔｏｒｒを含むがこれに限定されない基準圧力に維持すること、（ｉｉ）Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１の蒸気フラックスが、約１オングストローム（Å）／秒を含むがこれに限定されない基準堆積速度と実質的に一致しており、非限定的な例として、ＱＣＭを用いて監視及び／又は測定することができること、（ｉｉｉ）堆積材料５３１の蒸気フラックスが、露出層表面１１の平面に対して実質的に直角に近い角度で、露出層表面１１に向かって向けられていること、（ｉｖ）露出層表面１１が、約１５ｎｍを含むがこれに限定されない基準平均層厚に達するまで、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１の蒸気フラックスに供されること、及び（ｖ）そのような基準平均層厚に到達すると、露出層表面１１が、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１の蒸気フラックスに更に供されないこと。
いくつかの非限定的な例では、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料５３１の蒸気フラックスに供される露出層表面１１は、実質的に室温（例えば、約２５℃）であり得る。いくつかの非限定的な例では、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１の蒸気フラックスに供されている露出層表面１１は、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１が蒸発する蒸発源から、約６５ｃｍ離れて位置決めされ得る。
いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、可視スペクトルの波長で測定され得る。非限定的な例として、閾値透過率値は、少なくとも約４６０ｎｍ、約５００ｎｍ、約５５０ｎｍ、及び約６００ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る可視スペクトル内の波長で測定され得る。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、ＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルの波長で測定され得る。非限定的な例として、閾値透過率値は、約７００ｎｍ、約９００ｎｍ、及び約１０００ｎｍのうちの少なくとも１つの波長で測定され得る。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、試料を透過し得る入射ＥＭパワーの割合として表すことができる。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、少なくとも約６０％、約６５％、約７０％、約７５％、約８０％、約８５％、及び約９０％のうちの少なくとも１つであり得る。
実施例
例示的な材料の透過率を測定すると共に、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０が、Ａｇの形態で、そのような例示的な材料の露出層表面１１上に形成されたか否かを視覚的に観察するために、一連の試料を作製した。各試料は、ガラス基板１０上に、例示的な材料の約５０ｎｍ厚の被膜を堆積させ、次いで、被膜の露出層表面１１を、約１５ｎｍの基準層厚に達するまで、Ａｇの形態で、約１Å／秒の速度で堆積材料５３１の蒸気フラックスに供することによって作製した。
本明細書の試料に使用される例示的な材料の分子構造を表１に述べる。
次いで、各試料を視覚的に分析し、各試料を通る透過率を測定した。
当業者であれば、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれらに限定されない、堆積材料５３１が比較的少ない及び／又は存在しない試料は、実質的に透明であり得るが、一方、閉鎖被膜１５０を含むがこれに限定されない実質的な量の金属／合金が堆積された試料は、いくつかの非限定的な例では、実質的に低減された透過率を呈し得ることを理解するであろう。したがって、パターニング被膜１３０としての様々な例示的な被膜の相対的な性能は、試料を通る透過率を測定することによって評価することができ、この透過率は、閉鎖被膜１５０として形成された場合を含むがこれに限定されない金属薄膜がＥＭ放射線の高い吸収度を呈し得るので、その上に堆積されているＹｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つの形態を含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない、堆積材料５３１の量及び／又は平均層厚に正に相関し得る。
堆積材料５３１の実質的な閉鎖被膜１５０が、Ａｇの形態で形成された試料を視覚的に識別し、これらの試料中のかかる閉鎖被膜１５０の存在を、それらを通る透過率の測定によって更に確認したところ、約４６０ｎｍの波長で約５０％以下の透過率を示した。
加えて、Ａｇの形態の堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０の形成がないことが識別された試料について、これらの試料におけるそのような閉鎖被膜１５０の不在は、それを通るＥＭ透過率の測定によって更に確認され、少なくとも約７０％の（約４６０ｎｍの波長でのＥＭ放射線の）透過率を示した。
結果を以下の表２にまとめる。
上記に基づいて、表１及び表２の最初の７つの試料（ＨＴ２１１～ＥＭ－２）、並びに試料ＥＭ－９及びＥＭ－１５で使用される材料は、いくつかのシナリオでは、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及び／又はＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない、その上への堆積材料５３１の堆積を抑制するための適用性を低下させた場合があることが見出された。
一方、ＥＭ－９を除く試料ＥＭ－４～ＥＭ－１４で使用される材料は、いくつかのシナリオでは、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない、その上への堆積材料５３１の堆積を抑制するためのパターニング被膜１３０として機能する適用性を有し得ることが見出された。
堆積コントラスト
いくつかの非限定的な例では、基板１０が核形成促進被膜（ＮＰＣ）７２０として機能する傾向があり、その一部分が、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１の堆積に対してＮＩＣとして機能する傾向があり得るパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料で被膜される場合、被膜された部分（第１の部分１０１）及び被膜されていない部分（第２の部分１０２）は、その上に堆積された堆積材料５３１が異なる平均膜厚を有する傾向があり得るように、異なる初期付着確率及び／又は核形成速度を有する傾向があり得る。
本明細書で使用される場合、そのようなシナリオでは、第２の部分１０２に堆積された堆積材料５３１の平均膜厚を第１の部分１０１における堆積材料の平均膜厚で割った商は、概して、堆積（又はパターニング）コントラストと称され得る。したがって、堆積コントラストが実質的に高い場合、第２の部分１０２における堆積材料５３１の平均膜厚は、第１の部分１０１における堆積材料５３１の平均膜厚よりも実質的に大きくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、所与の堆積材料５３１用のＮＩＣとして機能し得るパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、基板１０上に堆積されたときに、実質的に高い堆積コントラストを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１の初期付着確率の間には、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、堆積材料５３１の堆積及びその堆積コントラストに対して負の相関があり得、換言すれば、低い初期付着確率は高い堆積コントラストと高度に相関し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積コントラストが実質的に高い場合、第２の部分１０２において堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０を形成するのに十分な堆積材料５３１の堆積があるとき、第１の部分１０１において堆積される堆積材料５３１はほとんどないか全くない可能性がある。
いくつかの非限定的な例では、堆積コントラストが実質的に低い場合、第２の部分１０２において閉鎖被膜１５０を形成するのに十分な堆積材料５３１の堆積があるとき、第１の部分１０１に堆積された堆積材料５３１の少なくとも１つの粒子構造１６０の不連続層１７０があり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１の堆積に対して実質的に高い堆積コントラストを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、低減された堆積コントラストを必要とするいくつかのシナリオでは、第１の部分１０１における堆積材料５３１の平均層厚が実質的に小さく、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されないいくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２における堆積材料５３１の少なくとも１つの粒子構造１６０の不連続被膜１７０の堆積を必要とするいくつかのシナリオを含むがこれらに限定されないシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１における堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０の平均層厚が実質的に小さく、ナノ粒子（nanoparticle、ＮＰ）によるＥＭ放射線の吸収が、約４６０ｎｍ以下の波長を有するＥＭ放射線から下地層を保護することを含むがこれに限定されないために必要とされる、第２の部分１０２におけるそのようなＮＰの形成を含むがこれに限定されない、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されない場合に、第２の部分１０２において、堆積材料５３１の少なくとも１つの粒子構造１６０の不連続層１７０の形成を必要とするシナリオが存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、そのようなシナリオでは、約２～１００、約４～５０、５～２０、及び約１０～１５のうちの少なくとも１つの堆積コントラストに対する適用性があり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１の堆積に対して実質的に低い堆積コントラストを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、第１の部分１０１における堆積材料５３１の平均層厚が大きく、少なくとも約９５ｎｍ、約４５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１０ｎｍ、及び約８ｎｍのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない場合、実質的に高い堆積コントラストを必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１の堆積に対して実質的に低い堆積コントラストを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、第１の部分１０１における堆積材料５３１の平均層厚が大きく、少なくとも約９５ｎｍ、約４５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１０ｎｍ、及び約８ｎｍのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない場合、第１の部分１０１における粒子構造１６０の閉鎖被膜１５０の実質的な不在、又は高密度を必要とするシナリオを含むがこれに限定されない実質的に高い堆積コントラストを必要とするいくつかのシナリオでは、少なくとも約４６０ｎｍである波長を有するＥＭ放射線に対する増加した透明性を必要とするシナリオを含むがこれに限定されない、可視スペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおけるＥＭ放射線の吸収の実質的な不在を必要とするいくつかのシナリオを含むがこれらに限定されないシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１の堆積に対するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、第２の部分１０２における堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０の平均層厚が実質的に高く、少なくとも約９５ｎｍ、約４５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１０ｎｍ、及び約８ｎｍのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない場合、第１の部分１０１における堆積材料５３１の粒子構造１６０の不連続層１７０又は低密度を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。非限定的な例として、約２～１００、約４～５０、約５～２０、及び約１０～１５のうちの少なくとも１つの堆積コントラストは、第２の部分１０２内の堆積材料５３１の平均層厚が実質的に高く、少なくとも約９５ｎｍ、約４５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１０ｎｍ、及び約８ｎｍのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない場合のいくつかのシナリオでは適用性を有し得る。
表面エネルギー
特性表面エネルギーは、特に材料に関して本明細書で使用される場合、概して、かかる材料から決定される表面エネルギーを指し得る。
非限定的な例として、特徴的な表面エネルギーは、薄膜形態で堆積及び／又は被膜された材料によって形成された表面から測定され得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ、Ａｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１用のＮＩＣとして機能する傾向があり得るパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、露出層表面１１上に薄膜又は被膜として堆積されたときに実質的に低い表面エネルギーを呈する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約２３ダイン／ｃｍ以下、約２２ダイン／ｃｍ以下、約２１ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、約１１ダイン／ｃｍ以下、及び約１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つの表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、約１０～２２ダイン／ｃｍを含むがこれに限定されない過度に低くない実質的に低い表面エネルギーを有するパターニング材料４１１を必要とするシナリオが存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有する、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有材料のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれらに限定されない堆積材料５３１用のＮＩＣとして機能し得るパターニング材料４１１を含むがこれらに限定されない材料は、第２の部分１０２における堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０の平均層厚が実質的に高く、少なくとも約９５ｎｍ、約４５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１０ｎｍ、及び約８ｎｍのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない場合、第１の部分１０１における堆積材料５３１の粒子構造１６０の不連続層１７０又は低密度を必要とするいくつかのシナリオでは、適用可能性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低いが過度に低くない表面エネルギーを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、可撓性基板１０上に製造されたデバイスを含むがこれに限定されない、せん断応力及び曲げ応力のうちの少なくとも１つの下で十分な信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用可能性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、少なくとも約６ダイン／ｃｍ、約７ダイン／ｃｍ、約８ダイン／ｃｍ、約９ダイン／ｃｍ、約１０ダイン／ｃｍ、約１２ダイン／ｃｍ、及び約１３ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約１０～２２ダイン／ｃｍ、約１３～２２ダイン／ｃｍ、約１５～２０ダイン／ｃｍ、及び約１７～２０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に高い表面エネルギーを有する、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれらに限定されない堆積材料５３１のためのＮＩＣとして機能し得るパターニング材料４１１を含むがこれらに限定されない材料は、第２の部分１０２における堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０の平均層厚が実質的に低く、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない場合、第１の部分１０１における堆積材料５３１の少なくとも１つの粒子構造１６０の不連続層１７０又は低密度を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、実質的に高い表面エネルギーを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料が、実質的に高い温度信頼性を必要とするいくつかのシナリオに対して適用性を有し得ることが仮定され得る。
固体の表面エネルギーを決定するための様々な方法及び理論が知られている。
非限定的な例として、表面エネルギーは、液体－蒸気界面と表面との間の接触角を測定するために、様々な液体が固体の表面と接触し得るようになる接触角の一連の測定に基づいて計算及び／又は導出され得る。いくつかの非限定的な例では、固体表面の表面エネルギーは、表面を完全に濡らす最も高い表面張力を有する液体の表面張力に等しくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０を含むがこれに限定されない被膜におけるパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料の特性表面エネルギーは、基板１０上に実質的に単一の分子成分の被膜として材料を堆積させ、その接触角を好適な一連のプローブ液体で測定することによって決定され得る。
非限定的な例として、Ｚｉｓｍａｎプロットが、表面との完全な湿潤（すなわち、０°の接触角θｃ）をもたらす表面張力の値を決定するために使用され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、テトラデカンを含むがこれに限定されない無極性溶媒に対して、少なくとも約４０°、約４５°、約５０°、約５５°、約６０°、約６５°、及び約７０°のうちの少なくとも１つである接触角を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、水を含むがこれに限定されない極性溶媒に対して、約１５°以下、約１０°以下、約８°以下、及び約５°以下のうちの少なくとも１つの接触角を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、表面の臨界表面張力は、Ｚｉｓｍａｎ法に従って決定され得る。
実施例
非限定的な例として、様々な材料によって形成された表面の臨界表面張力を測定するために、一連の試料を作製した。測定結果を表３にまとめる。
表３における臨界表面張力の上述の測定及びＡｇの形態の堆積材料５３１の実質的な閉鎖被膜１５０の存在又は不在に関する以前の観察に基づいて、パターニング被膜１３０を含むがこれに限定されない被膜として堆積されたときに実質的に低い表面エネルギー表面を形成する材料は、非限定的な例として、約１２～２２ダイン／ｃｍの臨界表面張力を有する材料であり得、パターニング被膜１３０を形成して、その上への、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない堆積材料５３１の堆積を阻害するのに好適であり得ることが見出された。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、ここで、薄膜として堆積されたときに比較的高い表面エネルギーを呈するパターニング材料４１１を含有するパターニング被膜１３０は、いくつかの非限定的な例では、限定することなく含まれるが、閉鎖被膜１５０の厚さが、非限定的な例として、約１００ｎｍ以下、約７５ｎｍ、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つである場合、第１の部分１０１における堆積材料５３１の少なくとも１つの粒子構造１６０の不連続層１７０と、第２の部分１０２における堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０と、を形成し得ることが見出されている。
熱特性
ガラス転移温度
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、（ｉ）少なくとも約３００℃、約２００℃、約１７０℃、約１５０℃、約１３０℃、約１２０℃、約１１０℃、及び約１００℃のうちの少なくとも１つ、並びに（ｉｉ）約２０℃以下、約０℃以下、約－２０℃以下、約－３０℃以下、及び約－５０℃以下のうちの少なくとも１つ、のうちの１つであるガラス転移温度を有し得る。
非限定的な例として、消費者向け電子デバイスについて約２５℃～８０℃であり得る典型的な動作温度範囲でのガラス転移を受けないパターニング材料４１１は、そのようなデバイスの安定性の向上に寄与し得るような用途での使用に望ましい場合があると仮定される。
融点
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い分子間力を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に低い融点を呈する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、少なくとも約１００℃、約１２０℃、約１４０℃、約１６０℃、約１８０℃、及び約２００℃のうちの少なくとも１つの、大気圧での融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い融点を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、いくつかの非限定的な例では、融点に近づく動作温度におけるそのような材料の物理的特性の変化に起因して、約６０℃以下、約８０℃以下、及び約１００℃以下のうちの少なくとも１つの温度に対する十分な温度信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、約１２０℃の融点を有する材料は、少なくとも約１００℃を含むがこれに限定されない実質的に高い温度信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、実質的に高い融点を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に高い温度信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
実施例
非限定的な例として、選択された実施例の材料の融点は、示差走査熱量測定を使用して測定された。具体的には、１０℃／分の加熱速度での第２の加熱サイクル中に、各試料に対する融点を決定した。測定結果を表４にまとめる。
昇華温度
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い分子間力を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に低い昇華温度を呈する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、低い昇華温度を有する材料は、材料の堆積膜の層厚に対する実質的に高い度合の制御を必要とする製造プロセスに対する適用性を低下させた場合がある。非限定的な例として、約１４０℃以下、約１２０℃以下、約１１０℃以下、約１００℃以下、及び約９０℃以下のうちの少なくとも１つの昇華温度を有する材料については、真空熱蒸着を含むがこれに限定されない蒸着法を使用して堆積される膜の堆積速度及び層厚を制御する際に制約が課され得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に高い昇華温度を有する材料は、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０の平均層厚に対する実質的に高い度合の制御を必要とするいくつかのシナリオでは、用途を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い昇華温度を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０の平均層厚の実質的に正確な制御を必要とし得る製造プロセスに対する適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、約１４０℃以下、約１２０℃以下、約１１０℃以下、約１００℃以下、及び約９０℃以下のうちの少なくとも１つである昇華温度を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、真空熱蒸着を含むがこれに限定されない既知の蒸着法を使用して堆積され得るそのような材料を含む膜の堆積速度及び平均層厚のうちの少なくとも１つへの制約に遭遇する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に高い昇華温度を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、そのような材料を含む膜の平均層厚の制御において実質的に高い精度を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、約３５０℃以下、約４００℃以下、及び約５００℃以下のうちの少なくとも１つである昇華温度を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に高い昇華温度に起因する、非限定的な例として、特定のツール構成において真空熱蒸着を使用して薄膜として堆積させるためにそのような材料を処理する能力への制約に遭遇する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、約１００～３２０℃、約１２０～３００℃、約１４０～２８０℃、又は約１５０～２５０℃のうちの少なくとも１つの、高真空下での昇華温度を有し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような昇華温度は、パターニング材料４１１がＰＶＤを使用して被膜として実質的に容易に堆積されることを可能にし得る。
パターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料の昇華温度は、当業者に明らかな様々な方法を使用して決定され得、これらの方法としては、非限定的な例として、約１０－４Ｔｏｒｒの実質的に高真空下蒸発源において、るつぼを含むがこれに限定されない中で材料を加熱すること、並びに、
・るつぼから一定の距離に取り付けられたＱＣＭ上の露出層表面１１上への材料の堆積の始まりを観察すること、
・るつぼから一定の距離に取り付けられたＱＣＭ上の露出層表面１１上への特定の堆積速度、非限定的な例として、０．１Å／秒、を観察すること、及び／又は
・非限定的な例として、約１０－４又は１０－５Ｔｏｒｒの材料の閾値蒸気圧に達すること、を行うために達成され得る温度を決定することを含むが、これらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、ＱＣＭは、昇華温度を決定する目的で、るつぼから約６５ｃｍ離して取り付けることができる。
凝集エネルギー
ヤングの式によれば、材料の凝集エネルギー（又は、破壊靭性若しくは凝集強度）は、その表面エネルギーに比例する傾向があり得る（Ｙｏｕｎｇ，Ｔｈｏｍａｓ（１８０５）「Ａｎ ｅｓｓａｙ ｏｎ ｔｈｅ ｃｏｈｅｓｉｏｎ ｏｆ ｆｌｕｉｄｓ」Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｒｏｙａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｌｏｎｄｏｎ，９５：６５－８７を参照）。
リンデマンの基準によれば、材料の凝集エネルギーは、その溶融温度に比例する傾向があり得る（Ｎａｎｄａ，Ｋ．Ｋ．，Ｓａｈｕ，Ｓ．Ｎ，ａｎｄ Ｂｅｈｅｒａ，Ｓ．Ｎ（２００２）「Ｌｉｑｕｉｄ－ｄｒｏｐ ｍｏｄｅｌ ｆｏｒ ｔｈｅ ｓｉｚｅ－ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ｍｅｌｔｉｎｇ ｏｆ ｌｏｗ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｓｙｓｔｅｍｓ」Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ａ．６６（１）：０１３２０８を参照）。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い分子間力を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に低い凝集エネルギーを呈する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い凝集エネルギーを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、製造及び使用のうちの少なくとも１つの間に、せん断応力及び曲げ応力のうちの少なくとも１つを受ける傾向があり得るデバイスを含むがこれに限定されないものにおいて、十分な破壊靱性を必要とするいくつかのシナリオでは適用性を低下させた場合があり、したがって、そのようなシナリオでは、材料が亀裂又は破壊する傾向があり得る。非限定的な例として、約３０ダイン／ｃｍ以下の凝集エネルギーを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、可撓性基板１０上に製造されたデバイスにおけるいくつかのシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、実質的に高い凝集エネルギーを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、可撓性基板１０上に製造されたデバイスを含むがこれに限定されない、せん断応力及び曲げ応力のうちの少なくとも１つの下で実質的に高い信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
実施例
非限定的な例として、一連の試料を作製して、その剥離又は層間剥離時の破損点を決定した。具体的には、各試料は、ガラス基板１０上に、パターニング被膜１３０として機能する例示的な各材料の約５０ｎｍ厚の層、続いてキャッピング層（capping layer、ＣＰＬ）として一般的に使用される有機材料の約５０ｎｍ厚の層を堆積させることによって作製された。次いで、各試料のＣＰＬの露出層表面１１に接着テープを適用した。接着テープを剥がして各試料の層間剥離（凝集破壊）を生じさせ、剥がした接着テープ及び層間剥離した試料を分析して、どの層（又は、その隣接層との界面）で破壊が生じたかを決定した。パターニング被膜１３０内で、又はパターニング被膜１３０と隣接層との間の界面で破壊が生じた試料は、層間剥離試験に不合格であると識別され、ＣＰＬ内で破壊（すなわち、ＣＰＬ内の凝集破壊）が生じた試料は、層間剥離試験に合格したと識別された。表５は、そのような分析の結果をまとめる。
層間剥離試験の上述の分析、並びに例示的な材料の融点及び臨界表面張力に関する以前の観察に基づいて、（ＥＭ－１０及びＥＭ－１１の両方よりも大きい融点及び臨界表面張力の両方を呈した）パターニング材料４１１としてＥＭ－８を含むパターニング被膜１３０を用いて作製された試料は、ＣＰＬが分離して新しい表面を形成するという点でＣＰＬ内で発生する破壊を示したが、一方、パターニング材料４１１としてそれぞれＥＭ－１０及びＥＭ－１１を含むパターニング被膜１３０を用いて作製された試料は、パターニング被膜１３０が分離して新しい表面を形成するという点でパターニング被膜１３０内で発生する破壊を示したことが見出された。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、これは、パターニング材料４１１がＥＭ－８を含む場合、パターニング被膜１３０の凝集エネルギーと、パターニング被膜１３０とＣＰＬとの間の界面における接着エネルギーと、の両方よりも低いＣＰＬの凝集エネルギーによるものであると仮定され得る。逆に、ＥＭ－４、ＥＭ－１０、ＥＭ－１１、ＥＭ－１２、ＥＭ－１３、及びＥＭ－１４のうちの１つを含むパターニング材料４１１によって形成された各パターニング被膜１３０は、そのような試料について、ＣＰＬの凝集エネルギーと、パターニング被膜１３０とＣＰＬとの間の界面における接着エネルギーと、の両方よりも低い凝集エネルギーを呈し、その結果、凝集破壊による層間剥離が、両方の試料のパターニング被膜１３０内で生じた。
光学間隙又はバンド間隙
本開示では、半導体材料は、概してバンド間隙を呈する材料として説明され得る。いくつかの非限定的な例では、バンド間隙は、半導体材料の最高被占分子軌道（highest occupied molecular orbital、ＨＯＭＯ）と最低空分子軌道（lowest unoccupied molecular orbital、ＬＵＭＯ）との間に形成され得る。したがって、半導体材料は、実質的に（金属／合金を含むがこれに限定されない）導電性材料の導電率以下であるが、実質的に（ガラスを含むがこれに限定されない）絶縁材料と少なくとも同じ大きさの導電率を呈する傾向があり得る。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は有機半導体材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は、無機半導体材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料の光学間隙は、材料のＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙に対応する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に大きい又は広い光学間隙（及び／又は、ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙）を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、可視スペクトルの深いＢ（青）領域、近ＵＶスペクトル、可視スペクトル、及び／又はＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおいて、実質的に弱いフォトルミネセンスを呈するか、又は実質的にフォトルミネセンスを呈しない傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に小さいＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙を有する材料は、光学技術を使用して材料の膜を検出するシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１の光学間隙は、パターニング材料４１１が、そのようなＥＭ放射線に供されたときに光励起を受けないように、源によって放射されるＥＭ放射線の光子エネルギーよりも広くあり得る。
フォトルミネセンス
非限定的な例として、被膜及び／又は材料のフォトルミネセンスは、光励起プロセスを通して観察され得る。光励起プロセスでは、被膜及び／又は材料は、ＵＶランプなどのＥＭ源によって放出される放射線に供され得る。
ＥＭ源によって放出された放射線が被膜及び／又は材料によって吸収されると、被膜及び／又は材料内の電子が一時的に励起され得る。励起に続いて、蛍光及びリン光を含むがこれらに限定されない１つ以上の緩和プロセスが生じ得、これにより、被膜及び／又は材料によってＥＭ放射線が放出される。かかるプロセス中に被膜及び／又は材料によって放射されるＥＭ放射線は、被膜及び／又は材料のフォトルミネセンス特性を特徴付けるために、例えば光検出器によって検出され得る。
本明細書で使用される場合、被膜及び／又は材料に関するフォトルミネセンスの波長は、概して、励起状態からの電子の緩和の結果としてかかる被膜及び／又は材料によって放射されるＥＭ放射線の波長を指すことができる。当業者は、光励起プロセスの結果として被膜及び／又は材料によって放出されるＥＭ放射線の波長は、概して、光励起を開始するために使用されるＥＭ放射線の波長よりも長くてもよいことを理解するであろう。フォトルミネセンスは、蛍光顕微鏡法を含むがこれに限定されない光学検出技法を含むがこれに限定されない、当技術分野で既知の様々な技法を使用して検出及び／又は特徴付けられ得る。
いくつかの非限定的な例では、様々な被膜及び／又は材料の光学間隙は、光励起プロセス中にＥＭ放射線が吸収又は放射される被膜及び／又は材料のエネルギー間隙に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、非限定的な例として、ＵＶＡ又はＵＶＢなどのＵＶスペクトルに対応する波長を有するＥＭ放射線に被膜及び／又は材料を供することによって、検出及び／又は特徴付けられ得る。いくつかの非限定的な例では、光励起を引き起こすためのＥＭ放射線は、約３６５ｎｍの波長を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも約３６５ｎｍ、及び約４６０ｎｍのうちの少なくとも１つの波長範囲において実質的に弱いフォトルミネセンス又は吸収を有するか、又は実質的に有しないパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料から構成されたパターニング被膜１３０を含むがこれに限定されない被膜は、フォトルミネセンス被膜又は吸収被膜のいずれとしても機能しない傾向があり得、可視スペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおいて実質的に高い透明性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
蛍光顕微鏡法で使用される放射線源の一般的な波長は、約３６５ｎｍである。したがって、特に非限定的な例として薄膜として堆積されたときに、少なくとも約３６５ｎｍの波長において実質的に弱いフォトルミネセンス又は吸収を有するか、又は実質的に有しないパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料の存在は、蛍光顕微鏡法を含むがこれに限定されない典型的な光学検出技術を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。これは、材料の堆積に続いて、かかる材料が存在する部分を決定するいくつかのシナリオがあり得るため、基板１０の部分の上に、例えばＦＭＭを通して、材料が選択的に堆積されるいくつかのシナリオにおいて制約を課し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、可視スペクトルに対応する任意の波長でフォトルミネセンスを実質的に呈しなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、少なくとも約３００ｎｍ、約３２０ｎｍ、約３５０ｎｍ、及び約３６５以上のうちの少なくとも１つの波長を有するＥＭ放射線に供されたときにフォトルミネセンスを呈しなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、そのようなＥＭ放射線に供されたときにわずかな、及び／又は検出可能な吸収を呈しない場合がある。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも約３６５ｎｍ、及び約４６０ｎｍのうちの少なくとも１つである波長において実質的に低いフォトルミネセンスを呈するか、又は実質的にフォトルミネセンスを呈しない材料は、可視スペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおいて実質的に高い透明性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、
フォトルミネセンスを呈する材料を含むことを含むがこれに限定されないことにより、ＵＶスペクトル及び／又は可視スペクトルに対応する波長でフォトルミネセンスを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、約３１５～４００ｎｍの波長に対応し得るＵＶＡ、及び／又は約２８０～３１５ｎｍの波長に対応し得るＵＶＢを含むがこれらに限定されない、ＵＶスペクトルに対応する波長であり得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、約３８０～７４０ｎｍの波長に対応し得る可視スペクトルに対応する波長であり得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、深いＢ（青）に対応する波長であり得る。
いくつかの非限定的な例では、そのようなパターニング被膜１３０の存在は、パターニング被膜１３０の堆積時に蛍光顕微鏡法などの日常的な特徴付け技法を使用して検出及び／又は観察され得る。
屈折率
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、低い屈折率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の屈折率は、少なくとも約１．３５、約１．３２、約１．３、及び約１．２５のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約１．５５以下、約１．５以下、約１．４５以下、約１．４３以下、約１．４以下、約１．３９以下、約１．３７以下、約１．３５以下、約１．３２以下、及び約１．３以下のうちの少なくとも１つであり得る、５５０ｎｍの波長におけるＥＭ放射線に対する屈折率を有し得る。
実施例
非限定的な例として、様々な例示的な材料のうちの一部によって形成された被膜の５５０ｎｍの波長における屈折率を測定するために、一連の試料を作製した。測定結果を表６にまとめる。
表６における屈折率の前述の測定、及び表２におけるＡｇの形態の堆積材料５３１の実質的な閉鎖被膜１５０の存在又は不在に関する以前の観察に基づいて、実質的に低い屈折率の被膜を形成する材料は、非限定的な例として、約１．４以下又は約１．３８以下のうちの少なくとも１つ以下の屈折率を有する材料であり得、パターニング被膜１３０を形成し、その上への、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれらに限定されない堆積材料５３１の堆積を実質的に阻害することを必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得ることが見出された。
吸光係数
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、少なくとも約６００ｎｍ、約５００ｎｍ、約４６０ｎｍ、約４２０ｎｍ、及び約４１０ｎｍのうちの少なくとも１つである波長におけるＥＭ放射線に対して、約０．０１以下であり得る吸光係数を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約４００ｎｍ以下、約３９０ｎｍ以下、約３８０ｎｍ以下、及び約３７０ｎｍ以下のうちの少なくとも１つである波長におけるＥＭ放射線に対して、少なくとも約０．０５、約０．１、約０．２、及び約０．５のうちの少なくとも１つであり得る吸光係数を有し得る。このようにして、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、デバイス１００上に入射するＵＶＡスペクトル内のＥＭ放射線を吸収し、それによって、ＵＶＡスペクトル内のＥＭ放射線が、デバイス性能、デバイス安定性、デバイス信頼性、及び／又はデバイス寿命に関して制約を付与し得る可能性を低減させ得る。
吸収及び他の光学効果
いくつかの非限定的な例では、少なくとも約３６５ｎｍ、及び約４６０ｎｍのうちの少なくとも１つである波長において実質的に低い吸収を有するか、又は実質的に吸収を有さない材料は、可視スペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおいて実質的に高い透明性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、少なくとも可視スペクトルにおいて、それを通過するＥＭ放射線を実質的に減衰させない場合がある。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、少なくともＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルにおいて、それを通過するＥＭ放射線を実質的に減衰させない場合がある。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、光学被膜として機能することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、デバイス１００によって放射されるＥＭ放射線の少なくとも１つの特性及び／又は特質を修正することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、ある度合のヘイズを呈し、放射されたＥＭ放射線を散乱させることができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、それを透過したＥＭ放射線を散乱させるための結晶性材料を含み得る。ＥＭ放射線のかかる散乱は、いくつかの非限定的な例では、デバイス１００からのＥＭ放射線のアウトカップリングの強化を容易にすることができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、最初に、限定ではないが、実質的に非晶質を含む、実質的に非結晶性の被膜として堆積されてもよく、その上で、その堆積後、パターニング被膜１３０は、結晶化され、その後、光学結合として役立ち得る。
平均層厚
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の平均層厚は、約１０ｎｍ以下、約８ｎｍ以下、約７ｎｍ以下、約６ｎｍ以下、及び約５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
重量
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのパターニング材料４１１の化合物の分子量は、約６，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約５，５００ｇ／ｍｏｌ以下、約５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約４，５００ｇ／ｍｏｌ以下、約４，３００ｇ／ｍｏｌ以下、及び約４，０００ｇ／ｍｏｌ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１の化合物の分子量は、少なくとも約１，０００ｇ／ｍｏｌ、約１，２００ｇ／ｍｏｌ、約１，３００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，２００ｇ／ｍｏｌ、及び約２，５００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであり得る。
組成
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１の化合物は、有機－無機ハイブリッド材料であり得るか、又は有機－無機ハイブリッド材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、複数のモノマーを含むオリゴマー及びポリマーのうちの少なくとも１つであり得るか、又はそれらを含み得る。
フッ素及びケイ素
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、フッ素（Ｆ）原子及び／又はケイ素（Ｓｉ）原子のうちの少なくとも１つを含んでもよい。非限定的な例として、パターニング被膜１３０を形成するためのパターニング材料４１１は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含み得る化合物であり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、Ｆを含む化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、Ｆ及び炭素（Ｃ）原子を含み得る化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、少なくとも約０．６、約０．８、約０．９、約１、約１．３、約１．５、約１．７、及び約２のうちの少なくとも１つの商Ｆ／Ｃに対応する原子比でＦ及びＣを含み得る化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆ対Ｃの原子比は、化合物構造中に存在するＦ原子の全てを計数し、Ｃ原子については、化合物構造中に存在するｓｐ３混成Ｃ原子のみを計数することによって決定することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、その分子部分構造の一部として、約０．６以上、約０．８以上、約０．９以上、約１以上、約１．３以上、約１．５以上、約１．７以上、及び約２以上のうちの少なくとも１つの商Ｆ／Ｃに対応する原子比でＦ及びＣを含む部分を含み得る化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、その分子部分構造の一部として、約３以下、約２．８以下、約２．５以下、及び約２．３以下のうちの少なくとも１つの商Ｆ／Ｃに対応する原子比でＦ及びＣを含む部分を含み得る化合物を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、化合物はフルオロポリマーであり得る。いくつかの非限定的な例では、化合物はＦを含むブロックコポリマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、化合物はオリゴマーであり得る。いくつかの非限定的な例では、オリゴマーはフルオロオリゴマーであり得る。いくつかの非限定的な例では、化合物は、Ｆを含むブロックオリゴマーであり得る。フルオロポリマーの非限定的な例は、ＥＭ－３、ＥＭ－５、ＥＭ－６、ＥＭ－７、及び／又はＥＭ－９の分子構造を有するものである。
部分
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、複数の部分を含む分子構造を有する化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１の分子構造の第１の部分は、パターニング材料４１１の分子構造の少なくとも１つの第２の部分に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１の分子の第１の部分は、パターニング材料４１１の分子の少なくとも１つの第２の部分に直接結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分及び第２の部分は、第３の部分によって互いに結合及び／又は接合され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１の分子構造の少なくとも一部は、式（Ｉ）によって表され得、
（Ｍｏｎ）ｎ （Ｉ）
式中、
Ｍｏｎは、モノマーを表し、
ｎは、少なくとも２の整数である。
いくつかの非限定的な例では、ｎは、約２～１００、約２～５０、約３～２０、約３～１５、約３～１０、約３～７、及び約３～４のうちの少なくとも１つの整数であり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、式（Ｉ）のオリゴマーであってもよく、式中、ｎは、約２～２０、約２～１５、約２～１０、約３～８、及び約３～６のうちの少なくとも１つの整数である。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、モノマー骨格及び少なくとも１つの官能基を含み得る。いくつかの非限定的な例では、官能基は、直接又はリンカー基を介してモノマー骨格に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、リンカー基を含んでいてもよく、リンカー基は、モノマー骨格及び官能基に結合し得る。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、複数の官能基を含んでいてもよく、これらは互いに同じであっても異なっていてもよい。かかる例では、各官能基は、直接又はリンカー基を介してモノマー骨格に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、複数の官能基が存在する場合、複数のリンカー基も存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、モノマー骨格を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の部分は、官能基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格は無機部分であってもよく、少なくとも１つの官能基は有機部分であり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１の分子構造は、複数の異なるモノマーを含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる分子構造は、異なる分子組成及び／又は分子構造を有するモノマー種を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、骨格と骨格に結合された少なくとも１つの官能基とを含有する分子構造を有する化合物であってもよく、又はそれを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は無機部分であってもよく、少なくとも１つの官能基は有機部分であり得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような化合物は、シロキサン基を含む分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な例では、シロキサン基は、直鎖、分岐、又は環状シロキサン基であり得る。いくつかの非限定的な例では、骨格は、シロキサン基であってもよく、又はシロキサン基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は、シロキサン基及びＦを含有する少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であり得る。かかる化合物の非限定的な例としては、フルオロシロキサンが挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、化合物は、シルセスキオキサン基を含む分子構造を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、シルセスキオキサン基は、多面体オリゴマーシルセスキオキサン（ＰＯＳＳ）であってもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は、シルセスキオキサン基であってもよく、又はそれを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は、シルセスキオキサン基及びＦを含む少なくとも１つの官能基であってもよく、又はこれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であり得る。かかる化合物の非限定的な例としては、フルオロ－シルセスキオキサン及び／又はフルオロ－ＰＯＳＳが挙げられる。かかる化合物の非限定的な例は、ＥＭ－８である。
いくつかの非限定的な例では、化合物は、置換若しくは非置換アリール基、及び／又は置換若しくは非置換ヘテロアリール基を含む分子構造を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、アリール基は、フェニル又はナフチルであり得る。いくつかの非限定的な例では、アリール基の少なくとも１つのＣ原子は、ヘテロ原子（非限定的な例として、Ｏ、Ｎ、及びＳのうちの少なくとも１つであり得る）によって置換されて、ヘテロアリール基を誘導し得る。いくつかの非限定的な例では、骨格は、置換若しくは非置換アリール基、及び／又は置換若しくは非置換ヘテロアリール基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は、置換若しくは非置換アリール基、及び／又は置換若しくは非置換ヘテロアリール基、並びにＦを含む少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であり得る。
いくつかの非限定的な例では、化合物は、置換又は非置換の、直鎖状、分岐状、又は環状の炭化水素基を含む分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な例では、炭化水素基の１以上のＣ原子は、ヘテロ原子によって置換されていてもよく、ヘテロ原子は、非限定的な例として、Ｏ、Ｎ、及びＳのうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、化合物は、ホスファゼン基を含む分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ホスファゼン基は、直鎖、分岐、又は環状ホスファゼン基であり得る。いくつかの非限定的な例では、骨格は、ホスファゼン基であってもよく、又はそれを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は、ホスファゼン基及びＦを含む少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であり得る。かかる化合物の非限定的な例としては、フルオロホスファゼンが挙げられる。そのような化合物の非限定的な例は、ＥＭ－４、ＥＭ－１０、ＥＭ－１１、ＥＭ－１２、ＥＭ－１３、及びＥＭ－１４である。
いくつかの非限定的な例では、化合物は金属錯体であり得る。いくつかの非限定的な例では、金属錯体は、有機金属錯体であり得る。いくつかの非限定的な例では、有機金属錯体は、Ｆを含み得る。いくつかの非限定的な例では、有機金属錯体は、Ｆを含む少なくとも１つの配位子を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの配位子は、フルオロアルキル基であるか、又はフルオロアルキル基を含み得る。
当業者によって理解されるように、Ｆ、ｓｐ２炭素、ｓｐ３炭素、芳香族炭化水素部分、及び／又は他の官能基若しくは部分のうちの少なくとも１つを含み得る被膜中の材料の存在は、非限定的な例として、Ｘ線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy、ＸＰＳ）を含む、当技術分野で既知の様々な方法を使用して検出され得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＦ２及びＣＦ２Ｈ部分のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＦ２及びＣＦ３部分のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＨ２ＣＦ３部分を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、Ｃ及びＯのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、フルオロカーボンモノマーを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、フッ化ビニル部分、フッ化ビニリデン部分、テトラフルオロエチレン部分、クロロトリフルオロエチレン部分、ヘキサフルオロプロピレン部分、又はフッ素化１，３－ジオキソール部分のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、アリール基、ヘテロアリール基、共役結合、及びホスファゼン基のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、環状構造、環状芳香族構造、芳香族構造、かご型構造、多面体構造、及び架橋構造のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、剛性構造を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、ベンゼン部分、ナフタレン部分、ピレン部分、及びアントラセン部分のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、シクロトリホスファゼン部分及びシクロテトラホスファゼン部分のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、親水性部分であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の部分は、置換フルオロアルキル基及び非置換フルオロアルキル基のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の部分は、Ｃ１～Ｃ１２直鎖フッ素化アルキル、Ｃ１～Ｃ１２直鎖フッ素化アルコキシ、Ｃ３～Ｃ１２分岐フッ素化環状アルキル、Ｃ３～Ｃ１２フッ素化環状アルキル、及びＣ３～Ｃ１２フッ素化環状アルコキシのうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分は、飽和炭化水素基を含み、任意の不飽和炭化水素基の存在を実質的に省略してもよい。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、第２の部分における少なくとも１つの飽和炭化水素基の存在は、飽和炭化水素基の低い剛性度に起因して、その少なくとも１つの第２の部分の末端基がパターニング被膜１３０の露出層表面１１に近接するように第２の部分が配向されることを容易にし得ると仮定され得る。いくつかの非限定的な例では、不飽和炭化水素基の存在が、分子がそのような配向をとることを阻害し得ると仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、全てのＦ原子がｓｐ３炭素原子に結合している化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆ対Ｃの原子比は、化合物構造中に存在するＦ原子の全てを計数し、Ｃ原子については、化合物構造中に存在するｓｐ３混成Ｃ原子のみを計数することによって決定することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、第２の部分又はその一部として、少なくとも約１．５、約１．７、約２、約２．１、約２．３、及び２．５の商Ｆ／Ｃに対応する原子比でＦ及びＣを含む部分を含み得る化合物を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分は、シロキサン基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、複数の第２の部分の各部分は、第１の部分及び第３の部分のうちの少なくとも１つに結合された近位基と、近位基の遠位に配置された末端基とを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、末端基は、ＣＦ２Ｈ基を含み得る。いくつかの非限定的な例では、末端基は、ＣＦ３を含み得る。いくつかの非限定的な例では、末端基は、ＣＨ２ＣＦ３基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、複数の第２の部分の各々は、直鎖フルオロアルキル基及び直鎖フルオロアルコキシ基のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第２の部分は、疎水性部分を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第３の部分は、リンカー基を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第３の部分は、単結合、Ｏ、Ｎ、ＮＨ、Ｃ、ＣＨ、ＣＨ２、及びＳのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、式（Ｃ－２）及び（Ｃ－３）のうちの少なくとも１つによって表されるシクロホスファゼン誘導体を含み得、
式中、
Ｒは、それぞれ独立して、第２の部分を表す、及び／又は含む。
いくつかの非限定的な例では、Ｒは、フルオロアルキル基を含み得る。いくつかの非限定的な例では、フルオロアルキル基は、Ｃ１～Ｃ１８フルオロアルキルであり得る。いくつかの非限定的な例では、フルオロアルキル基は、式（ＩＩ）によって表され得、
式中、
ｔは、１～３の整数を表し、
ｕは、５～１２の整数を表し、
Ｚは、Ｈ、重陽子（Ｄ）、及びＦのうちの少なくとも１つを表す。
いくつかの非限定的な例では、Ｒは、末端基を含んでいてもよく、末端基は、Ｒが結合している対応するＰ原子に対して遠位に配置されている。
いくつかの非限定的な例では、Ｒは、第２の部分に結合した第３の部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、各Ｒの第３の部分は、式（Ｃ－２）及び（Ｃ－３）のうちの少なくとも１つにおける対応するＰ原子に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第３の部分は、酸素原子である。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、第２の部分から離隔され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１３０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造は、複数の異なるモノマーを含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる分子構造は、異なる分子組成及び／又は分子構造を有するモノマー種を含み得る。かかる分子構造の非限定的な例としては、式（ＩＩＩ）及び式（ＩＶ）によって表されるものが挙げられ、
（ＭｏｎＡ）ｋ（ＭｏｎＢ）ｍ （ＩＩＩ）
（ＭｏｎＡ）ｋ（ＭｏｎＡ）ｍ（ＭｏｎＣ）ｏ （ＩＶ）
式中、
ＭｏｎＡ、ＭｏｎＢ、及びＭｏｎＣは、各々モノマー種を表し、
ｋ、ｍ、及びｏは、各々少なくとも２の整数を表す。
いくつかの非限定的な例ではｋ、ｍ、及びｏは、各々約２～１００、約２～５０、約３～２０、約３～１５、約３～１０、又は約３～７のうちの少なくとも１つの整数を表す。当業者は、モノマーＭｏｎに関する様々な非限定的な例及び説明がＭｏｎＡ、ＭｏｎＢ、及びＭｏｎＣの各々に関して適用可能であり得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、式（Ｖ）によって表され得、
Ｍ－（Ｌ－Ｒｘ）ｙ （Ｖ）
式中、
Ｍは、モノマー骨格単位を表し、
Ｌは、リンカー基を表し、
Ｒは、官能基を表し、
ｘは、１～４の整数であり、
ｙは、１～３の整数である。
いくつかの非限定的な例では、リンカー基は、単結合、Ｏ、Ｎ、ＮＨ、Ｃ、ＣＨ、ＣＨ２、及びＳのうちの少なくとも１つによって表され得る。いくつかの非限定的な例では、リンカー基は、官能基がモノマー骨格に直接結合されるように省略され得る。
本明細書に記載されている官能基の様々な非限定的な例は、式（Ｖ）のＲに関して適用することができる。いくつかの非限定的な例では、官能基Ｒはオリゴマー単位を含んでもよく、オリゴマー単位は、複数の官能基モノマー単位を更に含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、官能基モノマー単位は、ＣＨ２及びＣＦ２のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、官能基は、ＣＨ２ＣＦ３部分を含み得る。非限定的な例として、かかる官能基モノマー単位は、一緒に結合して、アルキル又はフルオロアルキルオリゴマー単位のうちの少なくとも１つを形成することができる。いくつかの非限定的な例では、オリゴマー単位は、官能基末端単位を更に含み得る。いくつかの非限定的な例では、官能基末端単位は、オリゴマー単位の末端に配置され、官能基モノマー単位に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、官能基末端単位が配置され得る末端は、モノマー骨格単位に対して遠位であり得る官能基の一部に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、官能基末端単位は、ＣＦ２Ｈ及びＣＦ３のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位Ｍは、高い表面張力を有し得る。いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、それに結合している官能基Ｒのうちの少なくとも１つと実質的に少なくとも同じ表面張力を有し得る。いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、それに結合している任意の官能基Ｒと実質的に少なくとも同じ表面張力を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、これに限定されないがホスファゼンを含むリン（Ｐ）及び窒素（Ｎ）を含んでいてもよく、ＰとＮとの間に二重結合が存在し、「ＮＰ」又は「Ｎ＝Ｐ」と表され得る。いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、非限定的な例として、ＳｉＯ３／２として表され得るシルセスキオキサンの一部を形成し得るシロキサン（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ）部分を含むがこれに限定されないＳｉ及びＯを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１３０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、式（ＶＩ）によって表され得、
（ＮＰ－（Ｌ－Ｒｘ）ｙ）ｎ （ＶＩ）
式中、
ＮＰは、ホスファゼンモノマー骨格単位を表し、
Ｌは、リンカー基を表し、
Ｒは、官能基を表し、
ｘは、１～４の整数であり、
ｙは、１～３の整数であり、
ｎは、少なくとも２の整数である。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料の分子構造は、式（ＶＩ）によって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料の少なくとも１つは、シクロホスファゼンであり得る。いくつかの非限定的な例において、シクロホスファゼンの分子構造は、式（ＶＩ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例ではＬは、酸素を表してもよく、ｘは、１であってもよく、及びＲは、フルオロアルキル基を表してもよい。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１３０の少なくとも１つの材料の分子構造の少なくとも一部は、式（ＶＩＩ）によって表され得、
（ＮＰ（ＯＲｆ）２）ｎ （ＶＩＩ）
式中、
Ｒｆは、フルオロアルキル基を表し、
ｎは、３～７の整数である。
いくつかの非限定的な例では、フルオロアルキル基は、ＣＦ２基、ＣＦ２Ｈ基、ＣＨ２ＣＦ３基、及びＣＦ３基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、フルオロアルキル基は、式（ＶＩＩＩ）によって表され得、
式中、
ｐは、１～５の整数であり、
ｑは、３～２０の整数であり、
Ｚは、水素又はＦを表す。
いくつかの非限定的な例ではｐは、１であってもよく、ｑは、６～２０の整数であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、式（ＶＩＩ）中のフルオロアルキル基Ｒｆは、式（ＶＩＩＩ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１３０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、式（ＩＸ）によって表され得、
（ＳｉＯ３／２－（Ｌ－Ｒ））ｎ （ＩＸ）
式中、
Ｌは、リンカー基を表し、
Ｒは、官能基を表し、
ｎは、６～１２の整数である。
いくつかの非限定的な実施形態では、Ｌは、単結合、Ｏ、置換アルキル、又は非置換アルキルのうちの少なくとも１つの存在を表し得る。いくつかの非限定的な例ではｎは、８、１０、又は１２であってもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、低い表面張力を有する官能基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、Ｆ含有基及びＳｉ含有基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例ではＲは、フルオロカーボン基及びシロキサン含有基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例ではＲは、ＣＦ２基及びＣＦ２Ｈ基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、ＣＦ２及びＣＦ３基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、ＣＨ２ＣＦ３基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、式（ＩＸ）によって表される材料は、ＰＯＳＳであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１３０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、式（Ｘ）によって表され得、
（ＳｉＯ３／２－Ｒｆ）ｎ （Ｘ）
式中、
ｎは、６～１２の整数であり、
Ｒｆは、フルオロアルキル基を表す。
いくつかの非限定的な例ではｎは、８、１０、又は１２であってもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、低い表面張力を有する官能基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＦ２部分及びＣＦ２Ｈ部分のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＦ２部分及びＣＦ３部分のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＨ２ＣＦ３部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、式（Ｘ）によって表される材料は、ＰＯＳＳであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、式（Ｘ）中のフルオロアルキル基Ｒｆは、式（ＶＩＩＩ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１３０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、式（ＸＩ）によって表され得、
（ＳｉＯ３／２－（ＣＨ２）ｘ（ＣＦ３））ｎ （ＸＩ）
式中、
ｘは、１～５の整数であり、
ｎは、６～１２の整数である。
いくつかの非限定的な例ではｎは、８、１０、又は１２であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、式（ＸＩ）によって表される化合物は、ＰＯＳＳであってもよい。
いくつかの非限定的な例において、官能基Ｒ及び／又はフルオロアルキル基Ｒｆは、前述の式のいずれかにおけるかかる基の各出現時に独立して選択されてもよい。前述の式のいずれかが化合物の下位構造を表してもよく、上記の式に明示的に示されていない追加の基又は部分が存在してもよいことも理解されるであろう。本出願において提供される様々な式は、直鎖状、分岐状、環状、環状－直鎖状、及び／又は架橋構造を表し得ることも理解されるであろう。
パターニング被膜属性間の相互関係
初期付着確率及び透過率
Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質を含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１に対して低い初期付着確率を呈する露出層表面１１は、高い透過率を呈し得ることが仮定され得る。一方、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質を含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１に対して高い付着確率を呈する露出層表面１１は、低い透過率を呈し得る。
初期付着確率及び堆積コントラスト
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１の堆積に対するそのような材料の初期付着確率が実質的に高い場合、実質的に低い堆積コントラストを有する傾向があり得る。
初期付着確率及び表面エネルギー
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、材料が実質的に高い表面エネルギーを有する場合、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料の堆積に対して実質的に高い初期付着確率を有する傾向があり得る。
透過率及び屈折率
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、実質的に低い屈折率を有するパターニング被膜１３０を提供することは、少なくともいくつかのデバイス１００において、その第２の部分１０２を通る外部ＥＭ放射線の透過率を高め得ることが観察されている。非限定的な例として、パターニング被膜１３０の近傍又は隣接して配置され得る、その中に空気間隙を含むデバイス１００は、パターニング被膜１３０が実質的に低い屈折率を有するとき、かかる低い屈折率パターニング被膜１３０が提供されなかった同様に構成されたデバイス１００と比較して実質的に高い透過率を呈し得る。
表面エネルギー及び融点
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギー及び実質的に高い融点を有するパターニング被膜１３０は、高い温度信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。いくつかの非限定的な例では、低い表面エネルギーを有する単一の材料が低い融点を呈する傾向があり得ることを考慮すると、いくつかの非限定的な例では、そのような組み合わせを単一の材料から達成する際に課題が存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、過度に低くない実質的に低い表面張力を有するパターニング材料４１１は、約１５～２２ダイン／ｃｍを含むがこれに限定されない実質的に高い融点を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、いくつかの非限定的な例では、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、及び約１５ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つの表面エネルギーを有する露出層表面１１を形成する材料は、かかる材料が、かかる材料を取り囲む層に対して実質的に低い接着性を呈し得、実質的に低い融点を呈し得、及び／又は実質的に低い昇華温度を呈するため、特定のいくつかのシナリオではパターニング材料４１１としての適用性を低下させた場合があると仮定され得る。
表面エネルギー及び昇華温度
いくつかの非限定的な例では、実質的に低いが過度に低くない表面張力を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、約１５～２２ダイン／ｃｍを含むがこれに限定されない実質的に高い昇華温度を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギー及び実質的に高い昇華温度を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料から構成されたパターニング被膜１３０を含むがこれに限定されない被膜は、そのような材料を含む膜の平均層厚の制御において実質的に高い精度を必要とするいくつかのシナリオでは、用途を有し得る。
いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、いくつかの非限定的な例では、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、及び約１５ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つの表面エネルギーを有する露出層表面１１を形成する材料は、かかる材料が、かかる材料を取り囲む層に対して実質的に低い接着性を呈し得、実質的に低い融点を呈し得、及び／又は実質的に低い昇華温度を呈するため、特定のいくつかのシナリオではパターニング材料４１１としての適用性を低下させた場合があると仮定され得る。
いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、非限定的な例として、約１３ダイン／ｃｍ、約１５ダイン／ｃｍ、及び約１７ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つよりも低い表面エネルギーを有する表面を形成する材料は、かかる材料が、かかる材料を取り囲む層に対して比較的低い接着性を呈し得、比較的低い凝集強度を呈し得、低い融点を呈し得、及び／又は低い昇華温度を呈し得るため、特定の非限定的な例におけるパターニング材料４１１として好適に低下された場合があると仮定され得る。
表面エネルギー及び凝集エネルギー
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギー及び実質的に高い凝集エネルギーを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、せん断応力及び曲げ応力のうちの少なくとも１つの下で実質的に高い信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有する単一の材料から実質的に形成された薄膜が、実質的に低い凝集エネルギーを呈する傾向があり得ることを考慮すると、いくつかの非限定的な例では、そのような組み合わせを単一の材料から達成する際に課題が存在し得る。
表面エネルギー、融点、及び凝集エネルギー
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギー、実質的に高い融点、及び実質的に高い凝集エネルギーを有するパターニング被膜１３０を含むがこれらに限定されない被膜は、様々な条件下で実質的に高い信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有する単一の材料から実質的に形成された薄膜が、実質的に低い凝集エネルギー、及び実質的に低い融点を呈する傾向があり得ることを考慮すると、いくつかの非限定的な例では、そのような組み合わせを単一の材料から達成する際に課題が存在し得る。
表面エネルギー、融点、昇華温度、及び凝集エネルギー
いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、非限定的な例として、約１３ダイン／ｃｍ、約１５ダイン／ｃｍ、及び約１７ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つよりも低い表面エネルギーを有する表面を形成する材料は、かかる材料が、かかる材料を取り囲む層に対して比較的低い接着性を呈し得、比較的低い凝集強度を呈し得、低い融点を呈し得、及び／又は低い昇華温度を呈し得るため、特定の非限定的な例におけるパターニング材料４１１として好適に低下された場合があると仮定され得る。
表面エネルギー及び光学間隙
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に大きい又は広い光学間隙を呈する傾向があり得る。
表面エネルギー及びフォトルミネセンス
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、少なくとも約３６５ｎｍ、及び約４６０ｎｍのうちの少なくとも１つである波長範囲において、弱いフォトルミネセンス又は吸収を必要とするか、又は実質的にフォトルミネセンス又は吸収を必要としないいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
表面エネルギー、融点、昇華温度、及び分子量
いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、実質的に低い表面エネルギーを有し、約１，０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量も有する化合物は、以下の特性：（ｉ）約１００℃以下を含むがこれに限定されない低い昇華温度、並びに（ｉｉ）約１００℃以下、及び約８０℃以下のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない実質的に低い融点、のうちの少なくとも１つを呈し得ることが観察されており、その結果、そのような化合物は、特定のシナリオでは適用性を低下させた場合がある。
表面エネルギー、融点、及び凝集エネルギー
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に低い分子間力を呈する傾向があり得、これは、パターニング材料４１１が、それに隣接する層に対して実質的に低い融点、凝集強度、及び接着強度のうちの少なくとも１つを有する可能性を増加させ得る。
表面エネルギー及び分子量（及び融点）
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、実質的に低い表面エネルギーを有する表面を形成するように適合された化合物では、少なくともいくつかの用途において、かかる化合物の分子量が、約１，２００～６，０００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００～５，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００～５，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約２，３００～４，３００ｇ／ｍｏｌ、約２，５００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，２００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、及び約２，５００～３，８００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであることを必要とするシナリオが存在し得ると仮定することができる。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、かかる化合物は、（ｉ）非限定的な例として、少なくとも１００℃の実質的に高い融点、（ｉｉ）実質的に低い表面エネルギー、及び（ｉｉｉ）非限定的な例として、真空ベースの熱蒸着プロセスを使用して堆積させたときに実質的に非晶質の構造のうちの少なくとも１つを有する被膜及び／又は層を形成するためのいくつかのシナリオでは適用性を有し得る少なくとも１つの特性を呈し得ると仮定することができる。
表面エネルギー及び組成
第１の部分、第２の部分、モノマー、モノマー骨格単位、リンカー基、又は官能基を含むがこれに限定されない分子構造の一部に起因する表面張力は、当技術分野で既知の様々な方法を使用して決定され得る。かかる方法の非限定的な例は、非限定的な例として、「Ｃｏｎｃｅｐｔｉｏｎ ａｎｄ Ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ Ｐａｒａｃｈｏｒ」、Ｎａｔｕｒｅ１９６：８９０－８９１に更に記載され得るような、Ｐａｒａｃｈｏｒの使用を含む。いくつかの非限定的な例では、そのような方法は、式（１）に従って部分の臨界表面張力を決定することを含み得る：
式中、
γは、部分の臨界表面張力を表し、
Ｐは、部分のパラコールを表し、
Ｖｍは、部分のモル体積を表す。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格は、それに結合している官能基のうちの少なくとも１つよりも高い表面張力を有し得る。いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、それに結合しているいずれの官能基よりも高い表面張力を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、少なくとも約２５ダイン／ｃｍ、約３０ダイン／ｃｍ、約４０ダイン／ｃｍ、約５０ダイン／ｃｍ、約７５ダイン／ｃｍ、約１００ダイン／ｃｍ、約１５０ダイン／ｃｍ、約２００ダイン／ｃｍ、約２５０ダイン／ｃｍ、約５００ダイン／ｃｍ、約１，０００ダイン／ｃｍ、約１，５００ダイン／ｃｍ、及び約２，０００ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの表面張力を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマーの少なくとも１つの官能基は、約２５ダイン／ｃｍ以下、約２１ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、約１１ダイン／ｃｍ以下、及び約１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つの表面張力を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１の分子の第１の部分は、第１の部分が（より）高い臨界表面張力成分を含み、第２の部分が（より）低い臨界表面張力成分を含み得るように、第２の部分の臨界表面張力を上回る臨界表面張力を有し、第２の部分に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分の臨界表面張力を第２の部分の臨界表面張力で除算した商が、少なくとも約５、約７、約８、約９、約１０、約１２、約１５、約１８、約２０、約３０、約５０、約６０、約８０、及び約１００のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分の臨界表面張力は、少なくとも１つの第２の部分の臨界表面張力より、少なくとも約５０ダイン／ｃｍ、約７０ダイン／ｃｍ、約８０ダイン／ｃｍ、約１００ダイン／ｃｍ、約１５０ダイン／ｃｍ、約２００ダイン／ｃｍ、約２５０ダイン／ｃｍ、約３００ダイン／ｃｍ、約３５０ダイン／ｃｍ、及び約５００ダイン／ｃｍだけ上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分の臨界表面張力は、少なくとも約５０ダイン／ｃｍ、約７０ダイン／ｃｍ、約８０ダイン／ｃｍ、約１００ダイン／ｃｍ、約１５０ダイン／ｃｍ、約１８０ダイン／ｃｍ、約２００ダイン／ｃｍ、約２５０ダイン／ｃｍ、及び約３００ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分の臨界表面張力は、約２５ダイン／ｃｍ以下、約２１ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、１３ダイン／ｃｍ以下、１２ダイン／ｃｍ以下、１１ダイン／ｃｍ以下、及び１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
光学間隙及びフォトルミネセンス
いくつかの非限定的な例では、比較的大きなＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙を有する材料は、少なくとも約３６５ｎｍ、及び約４６０ｎｍのうちの少なくとも１つの波長範囲において、弱いフォトルミネセンス又は吸収を必要とするか、又は実質的にフォトルミネセンス又は吸収を必要としないいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
分子量及び組成
いくつかの非限定的な例では、Ｆ原子の存在に起因し得るかかる化合物のモル重量の割合は、約４０～９０％、約４５～８５％、約５０～８０％、約５５～７５％、及び約６０～７５％のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆ原子は、かかる化合物のモル重量の大部分を構成し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分に起因する分子量は、少なくとも約５０ｇ／ｍｏｌ、約６０ｇ／ｍｏｌ、約７０ｇ／ｍｏｌ、約８０ｇ／ｍｏｌ、約１００ｇ／ｍｏｌ、約１２０ｇ／ｍｏｌ、約１５０ｇ／ｍｏｌ、及び約２００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分に起因する分子量は、約５００ｇ／ｍｏｌ以下、約４００ｇ／ｍｏｌ以下、約３５０ｇ／ｍｏｌ以下、約３００ｇ／ｍｏｌ以下、約２５０ｇ／ｍｏｌ以下、約２００ｇ／ｍｏｌ以下、約１８０ｇ／ｍｏｌ以下、及び約１５０ｇ／ｍｏｌ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、化合物構造中の少なくとも１つの第２の部分の各々の分子量の合計は、少なくとも約１，２００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，５００ｇ／ｍｏｌ、及び約３，０００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであり得る。
複数のパターニング材料
いくつかの非限定的な例では、初期付着確率、透過率、堆積コントラスト、表面エネルギー、ガラス転移温度、融点、昇華温度、蒸発温度、凝集エネルギー、光学間隙、フォトルミネセンス、屈折率、吸光係数、吸収又は他の光学効果、平均層厚、分子量、及び組成のうちの少なくとも１つから選択された少なくとも１つの材料特性の制約を満たす、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない所与の金属／合金を含むがこれに限定されない、堆積材料５３１の堆積に対して単一のパターニング材料４１１のパターニング被膜１３０を形成することは、所与のシナリオについて、様々な材料特性間の比較的複雑な相互関係を考慮すると、課題を課すことがある。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、複数のパターニング材料４１１を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、複数のパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、薄膜として堆積されたときにＮＩＣとして役立ち得る。いくつかの非限定的な例では、複数のパターニング材料４１１のうちの２つ以上は、薄膜として堆積されたときにＮＩＣとして機能し得る。いくつかの非限定的な例では、複数のパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、ＮＩＣとして機能しなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣとして機能しない複数のパターニング材料４１１のうちのそのような少なくとも１つは、薄膜として堆積されたときにＮＰＣ７２０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、第１の材料及び第２の材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料のうちの少なくとも１つは、ケージ構造、環状構造、及び有機－無機ハイブリッド構造のうちの少なくとも１つを含む分子を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、完全に凝縮されたオリゴマーを含み得る。換言すれば、ホストの分子構造は、凝縮されていない部分又は部分的に凝縮された部分を全く含まない。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、薄膜として堆積されたときにＮＰＣ７２０を形成し得、第２の材料は、薄膜として堆積されたときにＮＩＣを形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの材料特性の制約の異なる組み合わせを各々が満たす複数のパターニング材料４１１を採用することにより、以下のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、パターニング被膜１３０の特性の所望の組み合わせの達成を容易にすることができる：
・高いパターニングコントラスト、
・薄膜形態に結晶化する傾向の低さ、
・薄膜形態での凝集破壊及び／又は層間剥離のリスクの低さ、
・フォトルミネセンス応答を呈するパターニング被膜１３０、及び
・パターニング被膜１３０の露出層表面１１上への少なくとも１つの粒子構造１６０の形成。
ホスト及びドーパント
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、ホスト材料（ホスト）であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の材料は、ドーパント材料（ドーパント）であり得る。
本明細書で使用される場合、パターニング被膜１３０に関連して使用される場合を含むがこれに限定されないホストは、概して、パターニング被膜１３０全体の大部分を構成し得る材料成分を指すことができる。いくつかの非限定的な例では、ホストは、重量及び体積のうちの少なくとも１つで測定した場合を含むがこれに限定されない場合に、パターニング被膜１３０の全体の少なくとも約９９％、約９５％、約９０％、約８０％、約７０％、及び約５０％のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、互いに異なる少なくとも３つの材料を含み得る。そのような非限定的な例では、重量及び体積のうちの少なくとも１つで、パターニング被膜の最大部分を構成する材料は、ホストであると考えられ得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、２つ以上のホストを含有することができる。
本明細書で使用される場合、パターニング被膜１３０に関連して使用される場合を含むがこれに限定されないドーパントは、概して、材料全体の大部分未満を構成し得る材料成分を指すことができる。いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、重量及び体積のうちの少なくとも１つで測定した場合を含むがこれに限定されない場合に、材料の全体の約１％以下、約５％以下、約１０％以下、約２０％以下、約３０％以下、及び約５０％以下のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーは、実質的に少なくともドーパントの特性表面エネルギーであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、約５～２５ダイン／ｃｍの間の特性表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、薄膜として堆積されたときに低い表面エネルギーを有する表面を形成するように適合され得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの融点が、実質的に少なくともドーパントの融点であってもよい。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、少なくとも約１００℃、約１１０℃、約１２０℃、及び約１３０℃のうちの少なくとも１つの融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、オリゴマーであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つの組み合わせ及び少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つの値のうちの少なくとも１つが、ドーパントとホストとでは異なり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つの組み合わせ及び少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つの値のうちの少なくとも１つが、パターニング被膜１３０と、ホスト及びドーパントのいずれか又は両方とでは異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントを含むパターニング被膜１３０は、以下を含むがこれらに限定されない複数のカテゴリーのうちの１つに分類することができる。
・カテゴリー１では、初期付着確率、透過率、堆積コントラスト、表面エネルギー、ガラス転移温度、融点、昇華温度、蒸発温度、凝集エネルギー、光学間隙、フォトルミネセンス、屈折率、吸光係数、吸収又は他の光学効果、平均層厚、分子量、及び組成を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの実質的に同様の材料特性によってホスト及びドーパントが特徴付けられ、
・カテゴリー２では、初期付着確率、透過率、堆積コントラスト、表面エネルギー、ガラス転位温度、融点、昇華温度、蒸発温度、凝集エネルギー、光学間隙、フォトルミネセンス、屈折率、吸光係数、吸収又は他の光学効果、平均層厚、分子量、及び組成を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの実質的に異なる材料特性によってホスト及びドーパントが特徴付けられ、
・カテゴリー３では、ドーパントがフォトルミネセンス応答を呈し、
・カテゴリー４では、ドーパントを導入して少なくとも１つの不均一性を創出し、その上への少なくとも１つの粒子構造１６０の形成を容易にする。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、複数のそのようなカテゴリーに含まれ得るホスト及びドーパントの特定の組み合わせが存在し得ることを理解するであろう。
当業者は、ホストとドーパントとの間の少なくとも１つの材料特性の類似性は、値及び／若しくは値の範囲内の同等性、又は類似性及び／若しくは近接性を含み得るが、これらに限定されないことを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの両方の材料特性が類似性を呈する値の範囲は、範囲が適用される材料特性、値及び／又は範囲が適用される材料特性以外の少なくとも１つの材料特性のタイプ、数、並びに／又は類似性及び／若しくは非類似性、並びにパターニング被膜１３０が適用される用途を含むがこれらに限定されないその文脈に応じて変化し得る。
当業者は、ホストとドーパントとの間の少なくとも１つの材料特性の非類似性は、ある値及び／又は少なくともある範囲の値による差を含み得るが、これらに限定されないことを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの材料特性が異なり非類似性を呈する値の範囲は、範囲が適用される材料特性、値及び／又は範囲が適用される材料特性以外の少なくとも１つの材料特性の種類、数、並びに／又は類似性及び／若しくは非類似性、並びにパターニング被膜１３０が適用される用途を含むがこれらに限定されないその文脈に応じて変化し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、非ポリマー材料であり得る。いくつかの非限定的な例では、ホストとしてポリマーを用いることで、少なくとも特定のシナリオにおいて適用性を低下させた場合があることが見出されている。いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、ポリマーは、オリゴマー及び小分子と比較する場合を含むがこれに限定されない場合に比較的低い自由体積を有するので、少なくともいくつかのシナリオにおいて、パターニング被膜１３０におけるホストとしての適用性が一般的に低い可能性があると仮定することができる。ポリマーの低い自由体積は、実質的に低い表面エネルギー及び実質的に高い凝集エネルギーのうちの少なくとも１つを呈するパターニング被膜１３０を提供する構成をとるパターニング被膜１３０の材料に制約を導入し得る。ポリマーはまた、ポリマーが、典型的には、一般的な溶媒中で実質的に低い溶解度を呈し、かつ、典型的には、ＯＬＥＤを含むがこれに限定されない半導体デバイス用の真空ベースの堆積プロセスを含むがこれに限定されない製造プロセスにおいて使用される典型的な条件下で昇華しない傾向があるという点で、少なくともいくつかのシナリオでは適用性も低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、ホストは親水性材料である。いくつかの非限定的な例では、ホストは、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、水を含むがこれに限定されない極性溶媒に対して、約１５°以下、約１０°以下、約８°以下、及び約５°以下のうちの少なくとも１つの接触角を有し得る。いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、親水性ホストは、少なくともいくつかの用途での使用に望ましい場合があると仮定される。
パターニング被膜の堆積
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、複数の材料を含む混合物を提供し、そのような混合物をその上に堆積させてパターニング被膜１３０をその上に形成することによって、下地層の露出層表面１１の第１の部分１０１に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、混合物は、ホスト及びドーパントを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントは、下地層の露出層表面１１の第１の部分１０１に堆積されて、その上にパターニング被膜１３０を形成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、混合物は、ＰＶＤプロセスによって下地層の露出層表面１１の第１の部分１０１に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜は、共通の蒸発源から混合物を蒸発させ、下地層の露出層表面１１の第１の部分１０１に混合物を堆積させることによって形成されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントを含むがこれらに限定されない混合物は、その蒸発温度に達するか又はそれを超えるまで真空下で加熱される共通のるつぼ若しくは蒸発源に配置されてもよく、その上で、そこから生成された蒸気フラックスが、第１の部分１０１内の下地層の露出層表面１１に向けられて、その上及びその中にパターニング被膜１３０の堆積を引き起こしてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、ホスト及びドーパントの共蒸着によって堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、混合物が気相で形成され、第１の部分１０１内の下地層の露出層表面１１上に共堆積されて、その上にパターニング被膜１３０を提供するように、ホストを第１のるつぼ又は蒸発源から蒸発させることができ、ドーパントを第２のるつぼ又は蒸発源から蒸発させることができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、その堆積の前に、下地表面の露出層表面１１上に、ホスト及びドーパントのうちの一方を含むがこれに限定されない単一のパターニング材料４１１（供給パターニング材料）を提供することによって堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、供給パターニング材料を提供した後、ホスト及びドーパントのうちの他方を含むがこれに限定されない生成パターニング材料が、供給パターニング材料の処理によって生成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積パターニング材料４１１から生成されたパターニング材料を生成した後、供給パターニング材料及び生成パターニング材料は、パターニング被膜１３０を形成するために、下地表面の露出層表面１１上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の材料は、第１の材料を加熱することによって、第１の材料から生成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、真空及び／又は他の環境を含むがこれらに限定されない環境下で第１の材料を加熱することにより、第１の材料の一部が化学反応を受け、第２の材料の形成がもたらされ得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の材料は、真空中で第１の材料を加熱し、その後、ＰＶＤプロセスによってホスト及びドーパントを堆積させて、下地表面の露出層表面１１上にパターニング被膜１３０を形成することによって、その場で生成することができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような真空は、第２の材料の生成とパターニング被膜１３０の堆積との間で中断されなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、第３の材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、そのような第３の材料は、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方を処理することによって生成され得る。
カテゴリー１：ホスト及びドーパントが類似している
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、類似の材料特性を有するホスト及びドーパントからパターニング被膜１３０を創出することは、いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントが相互に混和性である可能性が高く、異なる相に分離する可能性が低いので、いくつかのシナリオでは適用性を有し得ると仮定することができる。いくつかの非限定的な例では、これは、ドーパントの材料特性が、ホストにおける結晶構造の形成を乱す傾向があり得るという点で、パターニング被膜１３０が結晶化に抵抗することを必要とするシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパント両方の類似の材料特性は、表面エネルギー、融点、昇華温度、屈折率、分子量、並びにホスト及びドーパントの分子構造の一部の組成を含むがこれらに限定されない組成のうちの少なくとも１つであってもよい。
堆積コントラスト
いくつかの非限定的な例では、ホストは、実質的に高い堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に高い堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に低い堆積コントラストを呈し得る。
表面エネルギー
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方の特性表面エネルギーは、約２５ダイン／ｃｍ以下、約２４ダイン／ｃｍ以下、約２２ダイン／ｃｍ以下、約２１ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、約１１ダイン／ｃｍ以下、及び約１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々の特性表面エネルギーは、約２５ダイン／ｃｍ以下、約２４ダイン／ｃｍ以下、約２２ダイン／ｃｍ以下、約２１ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、約１１ダイン／ｃｍ以下、及び約１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方の特性表面エネルギーは、少なくとも約６ダイン／ｃｍ、約７ダイン／ｃｍ、約８ダイン／ｃｍ、約９ダイン／ｃｍ、約１０ダイン／ｃｍ、約１２ダイン／ｃｍ、及び約１３ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方の特性表面エネルギーは、少なくとも約１０～２２ダイン／ｃｍ、約１３～２２ダイン／ｃｍ、約１５～２０ダイン／ｃｍ、及び約１７～２０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーとドーパントの特性表面エネルギーとの差の絶対値は、約１ダイン／ｃｍ以下、約２ダイン／ｃｍ以下、約３ダイン／ｃｍ以下、約４ダイン／ｃｍ以下、約５ダイン／ｃｍ以下、約７ダイン／ｃｍ以下、及び約１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、特性表面エネルギー間の差が実質的に小さい複数のパターニング材料４１１を選択することは、そのようなパターニング材料が相互に混和性である可能性が高く、異なる相に分離する可能性が低いので、いくつかのシナリオでは適用性を有し得ると仮定することができる。
ガラス転移温度
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、（ｉ）少なくとも約３００℃、約１５０℃、及び約１３０℃のうちの少なくとも１つ、並びに（ｉｉ）約２０℃以下、約０℃以下、約－３０℃以下、及び約－５０℃以下のうちの少なくとも１つ、のうちの少なくとも１つであるガラス転移温度を有し得る。
融点
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、少なくとも約１００℃、約１１０℃、約１２０℃、及び約１３０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、少なくとも約１００℃、約１１０℃、約１２０℃、及び約１３０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの融点とドーパントの融点との差の絶対値は、約５０℃以下、約４０℃以下、約３５℃以下、約３０℃以下、約２０℃以下のうちの少なくとも１つであり得る。
昇華温度
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、約１００～３００℃、約１２０～３００℃、約１４０～２８０℃、及び約１５０～２５０℃のうちの少なくとも１つである昇華温度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの昇華温度とドーパントの昇華温度との間の差の絶対値が、約５℃以下、約１０℃以下、約１５℃以下、約２０℃以下、約３０℃以下、約４０℃以下、及び約５０℃以下のうちの少なくとも１つであり得る。
蒸発温度
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントは、実質的に同様であり得る蒸発温度を有し得る。いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、そのような類似性は、ホスト及びドーパントを共堆積することが企図され得るシナリオでは適用性を有し得ると仮定することができる。
フォトルミネセンス
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方を含むがこれらに限定されないパターニング材料４１１は、少なくとも約３６５ｎｍ、及び約４６０ｎｍのうちの少なくとも１つの波長範囲において、実質的に弱いフォトルミネセンス又は吸収を呈するか、又は実質的にフォトルミネセンス又は吸収を呈しない場合があり、したがって、フォトルミネセンス被膜又は吸収被膜のいずれとしても機能しない傾向があり得、可視スペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおいて実質的に高い透明性を必要とするいくつかのシナリオでは適用性を有し得る。
屈折率
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、約５５０ｎｍの波長のＥＭ放射線に対して、約１．５５以下、約１．５以下、約１．４５以下、約１．４４以下、約１．４３以下、約１．４２以下、約１．４１以下、約１．４以下、約１．３９以下、約１．３７以下、約１．３５以下、約１．３２以下、及び約１．３以下のうちの少なくとも１つであり得る屈折率を呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの両方は、約５５０ｎｍの波長のＥＭ放射線に対して、約１．５５以下、約１．５以下、約１．４５以下、約１．４４以下、約１．４３以下、約１．４２以下、約１．４１以下、約１．４以下、約１．３９以下、約１．３７以下、約１．３５以下、約１．３２以下、及び約１．３以下のうちの少なくとも１つであり得る屈折率を呈し得る。
吸光係数
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、少なくとも約６００ｎｍ、約５００ｎｍ、約４６０ｎｍ、約４２０ｎｍ、及び約４１０ｎｍのうちの少なくとも１つである波長のＥＭ放射線に対して約０．０１以下であり得る吸光係数を呈し得る。
重量
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントを含むがこれらに限定されないパターニング被膜１３０の複数の材料の各々の分子量は、少なくとも約７５０ｇ／ｍｏｌ、１，０００ｇ／ｍｏｌ、１，５００ｇ／ｍｏｌ、２，０００ｇ／ｍｏｌ、２，５００ｇ／ｍｏｌ、及び３，０００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方を含むがこれらに限定されない少なくとも１つのパターニング材料４１１の化合物の分子量は、約５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約４，５００ｇ／ｍｏｌ以下、約４，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約３，８００ｇ／ｍｏｌ以下、及び約３，５００ｇ／ｍｏｌ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方を含むがこれらに限定されない少なくとも１つのパターニング材料４１１の化合物の分子量は、少なくとも約１，０００ｇ／ｍｏｌ、約１，２００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，２００ｇ／ｍｏｌ、及び約２，５００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方を含むがこれらに限定されない少なくとも１つのパターニング材料４１１の化合物の分子量は、約１，５００～５，０００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，２００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、及び約２，５００～３，８００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであり得る。
Ｔａｎｉｍｏｔｏ係数
いくつかの非限定的な例では、ホストとドーパントとの間のＴａｎｉｍｏｔｏ係数は、少なくとも約０．６５、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．８５、約０．９、及び約０．９５のうちの少なくとも１つであってもよい。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、非限定的な例として、Ｔａｎｉｍｏｔｏ係数によって決定され得る比較的高い度合の類似性を有するホスト及びドーパントの組み合わせは、ホスト及びドーパントのそのような組み合わせを含むパターニング被膜１３０を形成するために材料を処理する改善された能力に起因するいくつかのシナリオでは、適用性を有し得ると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、ホストとドーパントとの間のＴａｎｉｍｏｔｏ係数は１であってもよい。非限定的な例として、同一のモノマーから構成されるが、異なる数のモノマー単位を有する特定のオリゴマーは、それらが含まれるモノマー単位の数の違いにもかかわらず、１のＴａｎｉｍｏｔｏ係数を有し得る。
組成
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの両方は、パターニング材料４１１であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０のホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、オリゴマーであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、オリゴマーであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストは第１のオリゴマーを含み得、ドーパントは第２のオリゴマーを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーの各々は、少なくとも１つの共通のモノマーを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、少なくとも１つの共通の官能基を含み得る。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、少なくとも１つの共通のモノマー骨格単位を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーは、少なくとも１つの共通のモノマー骨格単位を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのモノマー骨格単位は、少なくとも１つの共通元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの共通元素は、ホスファゼン誘導体化合物であるホスト及びドーパントについて、Ｐ及びＮのうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの共通元素は、シルセスキオキサン誘導体化合物であるホスト及びドーパントについて、Ｓｉ及びＯのうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例ではて、ホスト及びドーパントの官能基は、少なくとも１つの共通元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの共通元素は、Ｆ、Ｃ、及びＯのうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの官能基は、少なくとも１つの共通部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの共通部分は、ＣＨ２及びＣＦ２のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの官能基は、実質的に同一であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの官能基は、フルオロアルキル部分を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストのフルオロアルキル部分は、約６個の炭素単位、約５個の炭素単位、約３個の炭素単位、約２個の炭素単位、及び約１個の炭素単位のうちの少なくとも１つ以下だけ、ドーパントのフルオロアルキル部分と異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、金属元素を実質的に欠いている分子構造を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような化合物の分子構造は、任意の金属配位錯体及び有機金属構造を実質的に欠いていてもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストは、その中に金属元素を実質的に欠いている分子構造を有してもよい。いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、非限定的な例としてＥＭ－１５などの金属含有化合物は、比較的低い堆積コントラストを呈し得、したがって、少なくとも特定のシナリオでは適用性を低下させた場合があると仮定することができる。
そのようなパターニング被膜１３０のホスト－ドーパントの組み合わせの非限定的な例としては、（ｉ）ＥＭ－４、ＥＭ－１０、ＥＭ－１１、ＥＭ－１２、ＥＭ－１３、及びＥＭ－１４の任意の組み合わせ、並びに（ｉｉ）ＥＭ－８、及び他のＰＯＳＳ誘導体化合物の任意の組み合わせが挙げられ、他のＰＯＳＳ誘導体化合物は、ＥＭ－８と同一のモノマーを有し、ＥＭ－８とは異なる数（例えば、非限定的な例として８又は１０）のモノマーを有するものを含むがこれに限定されない。
Ｐ及びＮを含むモノマー骨格
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、ホスファゼン部分を含むがこれに限定されないＰ及びＮを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び／又は第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、式（ＶＩ）によって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つは、式（ＶＩ）によって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つは、シクロホスファゼンであり得る。いくつかの非限定的な例において、シクロホスファゼンの分子構造は、式（ＶＩ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマーの式（ＶＩ）におけるｎの値は、第２のオリゴマーの式（ＶＩ）におけるｎの値と異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマーの式（ＶＩ）におけるｎの値と第２のオリゴマーの式（ＶＩ）におけるｎの値との間の差の絶対値は１であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの一方の分子構造は、式（ＶＩ）によって表され得、式中、ｎは４であり、四量体である。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの他方の分子構造は、式（ＶＩ）によって表され得、式中、ｎは３であり、三量体である。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び／又は第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、式（ＶＩＩ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマーの式（ＶＩＩ）におけるｎの値は、第２のオリゴマーの式（ＶＩＩ）におけるｎの値と異なり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの一方の分子構造は、式（ＶＩＩ）によって表され得、式中、ｎは４であり、四量体である。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの他方の分子構造は、式（ＶＩＩ）によって表され得、式中、ｎは３であり、三量体である。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つは、式（ＶＩＩＩ）によって表されるフルオロアルキル基を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び／又は第２のオリゴマーの分子構造は、それぞれ独立して、式（ＶＩＩＩ）によって表されるフルオロアルキル基を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマーのフルオロアルキル基は、第２のオリゴマーのフルオロアルキル基と同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマーのフルオロアルキル基は、第２のオリゴマーのフルオロアルキル基と異なり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマーのフルオロアルキル基は、第２のオリゴマーのフルオロアルキル基とは異なるｐ及びｑのうちの少なくとも１つの値を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマーは、式（ＶＩＩＩ）のフルオロアルキル基を含み得、式中、フルオロアルキル基がＣＦ２Ｈの末端基を有するように、ＺはＨである。いくつかの非限定的な例では、第２のオリゴマーは、式（ＶＩＩＩ）のフルオロアルキル基を含み得、式中、ＺはＨである。いくつかの非限定的な例では、第２のオリゴマーは、式（ＶＩＩＩ）のフルオロアルキル基を含み得、式中、ＺはＦである。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、ＣＦ２Ｈ末端基を有するホスファゼン誘導体化合物を含むホストは、ＣＦ３末端基を含む類似のホスファゼン誘導体化合物と比較して、いくつかのシナリオでは適用性を有し得ると仮定することができる。いくつかの非限定的な例では、少し驚くべきことに、そのようなホストを用いることで、以下のうちの少なくとも１つを提供し得ることが見出されている：実質的に高い堆積コントラスト、パターニング被膜１３０が結晶化を受ける傾向が実質的に低いこと、及びパターニング被膜１３０が凝集破壊又は層間剥離を受ける傾向が実質的に低いこと。いくつかの非限定的な例では、ホストは、ＣＦ３基を実質的に欠いているホスファゼン誘導体化合物であってもよい。いくつかの非限定的な例では、ドーパントはまた、ＣＦ３基を実質的に欠いているホスファゼン誘導体化合物であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストのモノマーは、Ｆを含む官能基を含んでいてもよく、全フッ素置換されていない少なくとも１つを含むがこれに限定されず、そのいずれも全フッ素置換されていないものを含むがこれに限定されない。
Ｓｉ及びＯを含むモノマー骨格
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、いくつかの非限定的な例ではシルセスキオキサンの一部を形成し得るシロキサン部分を含むがこれに限定されないＳｉ及びＯを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び／又は第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、式（ＩＸ）、式（Ｘ）、及び式（ＸＩ）のうちの少なくとも１つによって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つは、式（ＩＸ）、式（Ｘ）、及び式（ＸＩ）のうちの少なくとも１つによって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つは、シルセスキオキサン誘導体であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマーの式（ＩＸ）、式（Ｘ）、及び式（ＸＩ）のうちの少なくとも１つにおけるｎの値は、第２のオリゴマーの式（ＩＸ）、式（Ｘ）、及び式（ＸＩ）のうちの少なくとも１つにおけるｎの値と異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマーのｎの値と第２のオリゴマーのｎの値との間の差の絶対値は、２、４、及び６のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの一方の分子構造は、式（ＩＸ）、式（Ｘ）、及び式（ＸＩ）のうちの少なくとも１つによって表され得、式中、ｎは１２である。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの他方の分子構造は、式（ＩＸ）、式（Ｘ）、及び式（ＸＩ）のうちの少なくとも１つによって表され得、式中、ｎは１０又は８である。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、式（ＩＸ）、式（Ｘ）、及び式（ＸＩ）のうちの少なくとも１つによれば、シルセスキオキサン誘導体であり得、ＣＨ２ＣＦ３である官能基末端単位を含み得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、ＣＨ２ＣＦ３末端基を含むシルセスキオキサン誘導化合物であるホストは、ＣＨ２ＣＦ２Ｈ末端基、ＣＦ２ＣＦ３末端基、ＣＦ２ＣＦ２Ｈ末端基、及びＣＦ２ＣＦ３末端基のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない他のフルオロアルキル末端基を含む類似のシルセスキオキサン誘導化合物と比較して、少なくともいくつかのシナリオでは適用性を有し得ると仮定することができる。いくつかの非限定的な例では、少し驚くべきことに、ＣＨ２ＣＦ－３－末端基を含むシルセスキオキサン誘導化合物であるホストを使用することで、以下のうちの少なくとも１つを必要とするシナリオでは適用性を有し得ることが見出されている：実質的に高い堆積コントラスト、パターニング層が結晶化を受ける傾向が実質的に低いこと、及びパターニング層が凝集破壊又は層間剥離を受ける傾向が実質的に低いこと。
ホストとドーパントの違い
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントは、オリゴマー単位を含むがこれらに限定されない、一方及び／又は他方における、繰り返しモノマーの数、又は存在を含むがこれらに限定されない組成を含むがこれに限定されない少なくとも１つの他の材料特性が異なり得る。
実施例
実質的に高い度合の類似性を有するホスト及びドーパントを含むがこれらに限定されない複数の材料を含むパターニング被膜１３０の性能を、単一のパターニング材料４１１を含むパターニング被膜１３０の性能と比較するために、以下の実験を行った。
様々な組成を有するパターニング被膜１３０を真空中で堆積させることによって、一連の試料を作製した。次いで、各試料について、それによって形成されたパターニング被膜１３０の露出層表面１１を、約３０ｎｍの基準厚さが達成されるまで、約１Å／ｓの平均堆積速度で、Ａｇを含む堆積材料５３１のオープンマスク堆積に供した。試料が作製されると、ＥＭ透過率の測定を行って、パターニング被膜１３０の露出層表面１１上に堆積されたＡｇの相対量を決定した。
当業者であれば、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれらに限定されない、堆積材料５３１が比較的少ない及び／又は存在しない試料は、実質的に透明であり得るが、一方、閉鎖被膜１５０を含むがこれに限定されない実質的な量の金属／合金が堆積された試料は、いくつかの非限定的な例では、実質的に低減された透過率を呈し得ることを理解するであろう。したがって、パターニング被膜１３０としての様々な例示的な被膜の相対的な性能は、試料を通る透過率を測定することによって評価することができ、この透過率は、閉鎖被膜１５０として形成された場合を含むがこれに限定されない金属薄膜がＥＭ放射線の高い吸収度を呈し得るので、その上に堆積されているＹｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つの形態を含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない、堆積材料５３１の量及び／又は平均層厚に正に相関し得る。
各試料をＡｇの蒸気フラックスに供した後の４６０ｎｍの波長での透過率の低下を測定し、表７にまとめた。
表７の各試料の透過率低下（％）は、Ａｇの蒸気フラックスへの曝露の前後に試料を通るＥＭ透過率を測定し、透過率の低下をパーセンテージとして表すことによって決定した。
ＥＭ－１１及びＥＭ－１２を様々な割合で含んだ試料は、ＥＭ－１１及びＥＭ－１２のうちの少なくとも１つのみを実質的に含む両方の試料に対する、増加した堆積コントラストに対応する、より低い透過率低下（％）を呈したことが理解され得る。当業者は、より低い透過率低下（％）を呈する試料が、少なくともいくつかのシナリオでは、高い堆積コントラスト及び低い初期付着確率のうちの少なくとも１つを有するＮＩＣ材料としての適用性を有し得ることを理解するであろう。
Ｙｂ、Ｍｇ、Ｃｕ、及びＭｇＡｇ（体積比１：９～９：１）を含むがこれらに限定されない堆積材料５３１としてＡｇ以外の金属材料を使用して同様の実験を行ったところ、これらの各々は、同様に、高い堆積コントラスト及び低い初期付着確率のうちの少なくとも１つを呈した。
カテゴリー２：ホスト及びドーパントが異なる
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの所与の材料特性を有するドーパントを、そのような所与の材料特性を呈しないホストに混合することにより、ドーパントの所与の材料特性を呈することができる一方で、ホストの他の材料特性を呈し続けるパターニング被膜１３０をもたらし得ると仮定することができる。この能力は、ホストが、層間剥離を引き起こす傾向の減少、凝集破壊の傾向の減少、及び結晶化の傾向の減少のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない特定の材料特性を呈する一方で、ドーパントが、低表面エネルギー及び低融点のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない改善された堆積コントラストを提供するのにつながる材料特性を含むがこれらに限定されない特定の他の材料特性を呈する、いくつかのシナリオでは適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの異なる材料特性は、いくつかの非限定的な例ではある範囲内の表面エネルギー、融点、並びにホスト及びドーパントの分子構造の一部の組成を含むがこれらに限定されない組成のうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントは、昇華温度、フォトルミネセンス、又はそれらの実質的な不在、及び分子量を含むがこれらに限定されない少なくとも１つの他の材料特性において類似性を呈し得る。
堆積コントラスト
いくつかの非限定的な例では、ホストは、実質的に高い堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ホストよりも高い堆積コントラストを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、ホストは、ドーパントよりも高い堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に高い堆積コントラストを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ホストの堆積コントラストと少なくとも同じ大きさの堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に低い堆積コントラストを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントが実質的に低い堆積コントラストを呈する場合、パターニング被膜１３０中のホストの濃度は、その中のドーパントの濃度を実質的に上回ってもよい。
表面エネルギー
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーは、ドーパントの特性表面エネルギーを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１５～２３ダイン／ｃｍ、及び約１８～２２ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの特性表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、約６～２２ダイン／ｃｍ、約８～２０ダイン／ｃｍ、約１０～１８ダイン／ｃｍ、及び約１０～１５ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの特性表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーとドーパントの特性表面エネルギーとの間の差の絶対値は、約１～１３．５ダイン／ｃｍ、約２～１２ダイン／ｃｍ、約３～１１ダイン／ｃｍ、及び約５～１０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーは、約１６～２２ダイン／ｃｍであってもよく、一方、ドーパントの特性表面エネルギーは、約１０～１５ダイン／ｃｍであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーとドーパントの特性表面エネルギーとの間の差の絶対値は、少なくとも３ダイン／ｃｍであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーとドーパントの特性表面エネルギーとの間の差の絶対値は、約３～８ダイン／ｃｍ、及び約３～５ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る。
融点
いくつかの非限定的な例では、ホストの融点は、ドーパントの融点を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの両方は、少なくとも約８０℃、約１００℃、約１１０℃、約１２０℃、及び約１３０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、少なくとも約１３０℃、約１５０℃、約２００℃、及び約２５０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１００～３５０℃、約１３０～３２０℃、約１５０～３００℃、及び約１８０～２８０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、約１５０℃以下、約１４０℃以下、約１３０℃以下、約１２０℃以下、及び約１１０℃以下のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、約５０～１５０℃、約８０～１５０℃、約６５～１３０℃、及び約８０～１１０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの融点とドーパントの融点との間の差の絶対値は、約１０～２００℃、約２０～２００℃、約５０～１８０℃、約８０～１５０℃、及び約１００～１２０℃のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１５０～３００℃、約１８０～２８０℃、約２００～２６０℃、及び約２２０～２５０℃のうちの少なくとも１つの融点を有し得、ドーパントは、約１００～１５０℃、約１００～１３０℃、及び約１００～１２０℃のうちの少なくとも１つの融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの融点とドーパントの融点との間の差の絶対値は、約５０～１２０℃、約７０～１００℃、及び約８０～１００℃のうちの少なくとも１つであってもよい。
蒸発温度
いくつかの非限定的な例では、ホストの蒸発温度とドーパントの蒸発温度との間の差の絶対値は、約５℃以下、約１０℃以下、約１５℃以下、約２０℃以下、約３０℃以下、約４０℃以下、及び約５０℃以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの両方は、約１００～３５０℃の蒸発温度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントは、別々の蒸発源及び単一の蒸発源のうちの少なくとも１つからホスト及びドーパントを共蒸発させることが可能であり得るように、実質的に類似している蒸発温度を有し得る。
光学間隙又はバンド間隙
いくつかの非限定的な例では、ホストは、実質的に大きな光学間隙を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ホストは、少なくとも約３．４ｅＶ、約３．５ｅＶ、約４．１ｅＶ、約５ｅＶ、及び約６．２ｅＶのうちの少なくとも１つの光学間隙を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、光学間隙は、ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙に対応してもよい。
吸収及び他の光学効果
いくつかの非限定的な例では、ホストは、少なくとも可視スペクトル周辺、ＮＩＲスペクトル周辺、約３６５ｎｍ、及び約４６０ｎｍのうちの少なくとも１つの波長範囲において実質的に吸収を呈しなくてもよい。
重量
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１，２００～６，０００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００～５，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００～５，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約２，３００～４，３００ｇ／ｍｏｌ、及び約２，５００～４，０００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つの分子量を有する化合物であってもよい。
組成
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、ケージ構造、環状構造、及び有機－無機ハイブリッド構造のうちの少なくとも１つを含む分子を含み得る。そのような化合物の非限定的な例としては、ＰＯＳＳ誘導体及びシクロホスファゼン誘導体が挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、ケージ構造、環状構造、及び有機－無機ハイブリッド構造のうちの少なくとも１つを含む分子構造を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含み得、ドーパントは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含み得る。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの両方がＦを含み得る。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの両方がＳｉを含み得る。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストはＰＯＳＳであってもよく、ドーパントはシクロホスファゼンであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、フッ素化度は、中に含まれるＦ原子に起因する化合物の分子量の割合によって測定され得る。いくつかの非限定的な例では、ホストは、化合物の分子量の百分率により、２５～７５％、２５～７０％、３０～７０％、３５～５０％、３５～４５％、及び３５～４０％のうちの少なくとも１つの割合でＦを含み得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、化合物の分子量の百分率により、２５～７５％、２５～７０％、３０～７０％、５０～７０％、５５～７０％、及び６０～７０％のうちの少なくとも１つの割合でＦを含み得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ドーパントの化合物の分子量の百分率によるＦの割合がホストのものを上回り得るように選択され得る。非限定的な例として、ホストは、化合物の分子量の百分率により約３５～４５％の割合でＦを含み得、ドーパントは、化合物の分子量の百分率により約６０～７０％の割合でＦを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの分子構造は、約０．７～２．５、約０．７～２、約０．８～１．８５、約０．７～１．３、及び約０．７５～１．１のうちの少なくとも１つの商Ｆ／Ｃに対応する原子比でＦ及びＣを含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆ対Ｃの原子比は、化合物構造中に存在するＦ原子の全てを計数し、Ｃ原子については、化合物構造中に存在するｓｐ３混成Ｃ原子のみを計数することによって決定することができる。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、実質的に少数のｓｐ２混成Ｃ原子を含有し得る。非限定的な例として、ホストは、ｓｐ２混成Ｃ原子を、化合物の分子量の百分率により、約１０％以下、約８％以下、約５％以下、約３％以下、約２％以下、及び約１％以下のうちの少なくとも１つの割合で含有し得る。いくつかの非限定的な例では、ホストは、ｓｐ２混成Ｃ原子を、化合物に含まれるＣ原子の総数の百分率により、約１５％以下、約１３％以下、約１０％以下、約８％以下、約５％以下、約３％以下、約２％以下、及び約１％以下のうちの少なくとも１つの割合で含有し得る。いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、ｓｐ２混成Ｃ原子の割合が実質的に低いホストは、以下のうちの少なくとも１つに起因して、ｓｐ２混成Ｃ原子の割合が実質的に高い類似の化合物と比較して、少なくともいくつかのシナリオでは用途を有し得ると仮定することができる：実質的に高い堆積コントラスト、パターニング層が結晶化を受ける傾向が実質的に低いこと、及びパターニング層が凝集破壊又は層間剥離を受ける傾向が実質的に低いこと。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方が、６以下、４以下、３以下、２以下、及び１以下のうちの少なくとも１つである連続フッ素化炭素鎖を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、オリゴマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストはＳｉを含み得る。いくつかの非限定的な例では、ホストは、Ｓｉ及びＯを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストのＳｉ原子の実質的に全ては、ホストのシロキサン部分及びシルセスキオキサン部分のうちの少なくとも１つの一部を形成してもよい。いかなる特定の理論によっても限定されることを望むものではないが、反応性ケイ素部位を実質的に欠いているホストは、実質的に高い融点及び実質的に高い堆積コントラストのうちの少なくとも１つを必要とするシナリオでは適用性を有し得ると仮定することができる。いくつかの非限定的な例では、反応性Ｓｉ部位を含有する材料は、いくつかの非限定的な例では、シラン部分、トリクロロシラン部分、及びアルコキシシラン部分のうちの少なくとも１つの形態であってもよく、そのような反応性Ｓｉ部位の存在に起因して、実質的に低い融点、実質的に低い堆積コントラスト、及び堆積材料５３１に対する実質的に高い初期付着確率のうちの少なくとも１つを呈する傾向があり得ることが見出されている。反応性Ｓｉ部位の他の非限定的な例としては、ＳｉがＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩのうちの少なくとも１つに結合しているものが挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、完全に凝縮されたシルセスキオキサン部分を含んでもよく、すなわち、ホストの分子構造は、任意の凝縮されていない又は部分的に凝縮されたシロキサン及び／又はＳｉ－Ｏ部分を実質的に欠いていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストはモノマーを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストのモノマーは、ＰＯＳＳ及びＰＯＳＳ誘導体化合物の少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、Ｓｉを含むモノマー骨格単位を含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＰＯＳＳ誘導体化合物は、Ｆを含む官能基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、オリゴマーであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストは第１のオリゴマーを含み得、ドーパントは第２のオリゴマーを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、ブロックオリゴマーを含むがこれに限定されないオリゴマーを含むがこれに限定されない非ポリマー材料であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストの官能基モノマー単位は、ＣＨ２及びＣＦ２のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、ホストの官能基は、ＣＨ２ＣＦ３部分を含み得る。非限定的な例として、かかる官能基モノマー単位は、一緒に結合して、アルキル又はフルオロアルキルオリゴマー単位のうちの少なくとも１つを形成することができる。いくつかの非限定的な例では、ホストのモノマー単位は、官能基末端単位を更に含み得る。いくつかの非限定的な例では、ホストの官能基末端単位は、モノマー単位の末端に配置され、その官能基モノマー単位に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、ホストの官能基末端単位が配置され得る末端は、モノマー骨格単位に対して遠位であり得る官能基の一部に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、ホストの官能基末端単位は、ＣＦ３及びＣＨ２ＣＦ３のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの各官能基は、式（ＸＩ）によって表される化合物を含むがこれに限定されない、単一フッ素化炭素部分だけを含み得る。いくつかの非限定的な例では、ホストの官能基の単一フッ素化炭素部分は、ＣＦ３部分を含むがこれに限定されない末端部分に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの官能基は、いずれのｓｐ２混成Ｃ原子も実質的に欠き得、すなわち、ホストの官能基は、ｓｐ２混成Ｃ原子が必要とする二重結合及び／又は芳香族炭化水素部分を実質的に欠いていてもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストの官能基に含まれるいずれのＣ原子も、ｓｐ３混成Ｃ原子であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、中に任意の芳香族構造を実質的に欠いていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントはモノマーを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントのモノマーは、Ｆを含む官能基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントの官能基モノマー単位は、ＣＨ２及びＣＦ２のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントの官能基は、ＣＦ２ＣＦ３、及びＣＦ２ＣＦ３部分のうちの少なくとも１つを含み得る。非限定的な例として、かかる官能基モノマー単位は、一緒に結合して、アルキル又はフルオロアルキルオリゴマー単位のうちの少なくとも１つを形成することができる。いくつかの非限定的な例では、ドーパントのモノマー単位は、官能基末端単位を更に含み得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントの官能基末端単位は、モノマー単位の末端に配置され、その官能基モノマー単位に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントの官能基末端単位が配置され得る末端は、モノマー骨格単位に対して遠位であり得る官能基の一部に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントの官能基末端単位は、ＣＦ２ＣＦ３及びＣＦ２ＣＦ３のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、リン（Ｐ）及び窒素（Ｎ）を含み得、シクロホスファゼン（そのモノマー骨格単位の一部として含むがこれに限定されない）、及びシクロホスファゼン誘導体化合物のうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されない、ＰとＮとの間に二重結合が存在し、「ＮＰ」又は「Ｎ＝Ｐ」として表され得るホスファゼンを含むがこれに限定されない。いくつかの非限定的な例では、シクロホスファゼン誘導体化合物は、Ｆを含む官能基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、Ｆを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ホストよりも高いフッ素化度を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ブロックオリゴマーを含むがこれに限定されないオリゴマーを含むがこれに限定されない非ポリマー材料であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０中のドーパントの濃度は、約４０％以下、約３０％以下、約２５％以下、約２０％以下、約１５％以下、約１０％以下、及び約５％以下のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない約５０％以下であり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０中のドーパントの濃度は、パターニング被膜１３０がホストとドーパントとの亜共晶混合物であり得るように、混合物の共融点に対応する濃度以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０中のドーパントの濃度は、少なくとも約１％、約３％、約５％、約７％、及び約１０％のうちの少なくとも１つであり得る。いかなる特定の理論によっても限定されることを望むものではないが、約５～３０％、約５～２０％、及び約５～１５％のうちの少なくとも１つのドーパント濃度は、ホストとドーパントとの混合物によって形成されたパターニング被膜１３０の少なくとも１つの特性を向上させることを必要とする少なくともいくつかのシナリオでは、適用性を有し得ると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、金属配位錯体及び有機金属構造のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、金属元素を実質的に欠いている分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ホストは、その中に金属元素を実質的に欠いている分子構造を有してもよい。
そのようなパターニング被膜１３０のホスト－ドーパントの組み合わせの非限定的な例としては、ＥＭ－８であるホスト、及びＥＭ－４、ＥＭ－１０、ＥＭ－１１、ＥＭ－１２、ＥＭ－１３、及びＥＭ－１４のうちの少なくとも１つから選択されるドーパントが挙げられる。
金属フッ化物ドーパント
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、Ｆと、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類金属のうちの少なくとも１つとを含む、フッ化セシウム、フッ化リチウム、フッ化カリウム、フッ化ルビジウム、フッ化ナトリウム、フッ化ベリリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、フッ化スカンジウム、フッ化ネオジム、フッ化イッテルビウム、フッ化イットリウム、フッ化エルビウム、フッ化ランタン、フッ化サマリウム、フッ化テルビウム、及びフッ化ツリウムを含むがこれらに限定されない金属フッ化物であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム及びフッ化イッテルビウムのうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、フッ化リチウム（lithium fluoride、ＬｉＦ）を含み得る。
そのようなパターニング被膜１３０のホストの非限定的な例としては、ＥＭ－４、ＥＭ－８、ＥＭ－１０、ＥＭ－１１、ＥＭ－１２、ＥＭ－１３、及びＥＭ－１４が挙げられる。
表面エネルギー及び融点
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１６～２０ダイン／ｃｍの特性表面エネルギー及び約１５０～３００℃の融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、少なくとも約８ダイン／ｃｍであるが、約３～８ダイン／ｃｍ、及び約３～５ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない少なくとも３ダイン／ｃｍだけ、ホストの特性表面エネルギーより低い特性表面エネルギーと、少なくとも約１００℃であるが、約５０～１２０℃、約７０～１１０℃、及び約８０～１００℃のうちの少なくとも１つだけ、ホストの融点より低い融点と、を有し得る。
堆積コントラスト、表面エネルギー及び凝集エネルギー
ここで、いくつかの非限定的な例では、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、及び約１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない比較的低い特性表面エネルギーを有する特定のパターニング材料４１１によって形成されたパターニング被膜１３０は、実質的に高い堆積コントラストを呈し得る、隣接層に対して実質的に低い凝集エネルギー及び／又は接着エネルギーも呈し得ることが見出されている。そのようなパターニング材料４１１によって達成され得る実質的に高い堆積コントラストは、いくつかのシナリオでは適用性を有し得る、一方、実質的に低い凝集エネルギー及び／又は接着エネルギーは、デバイスの故障を引き起こし、信頼性の問題を導入する可能性を有するので、いくつかのシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、約１５～２５ダイン／ｃｍ、約１６～２２ダイン／ｃｍ、及び約１７～２０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない特性表面エネルギーを有する特定のパターニング材料４１１によって形成されたパターニング被膜１３０は、いくつかのシナリオでは適用性を有し得る堆積コントラストを呈し得、一方、ＣＰＬなどの隣接層に対して実質的に高い凝集エネルギー及び／又は接着エネルギーも呈し得ることも見出されている。これらの層間の実質的に高い凝集エネルギー及び／又は接着は、いくつかのシナリオでは適用性を有し得、一方、そのようなパターニング材料４１１によって達成可能なパターニングコントラストは、実質的に低い特性表面エネルギーを有するパターニング材料４１１によって達成可能なパターニングコントラストと比較して実質的に低くなり得、したがって、そのような材料が使用され得るいくつかのシナリオでは、それらの適用性を低下させる可能性がある。
ここで、少し驚くべきことに、いくつかの非限定的な例では、実質的に低い堆積コントラストを有するホストを、実質的に高い堆積コントラストを有するドーパントと混合又はドープすることによって形成されたパターニング被膜１３０は、いくつかの非限定的な例では、第２の材料自体と実質的に少なくとも同じ大きさの堆積コントラストを呈し得、一方、第１の材料自体によって呈されるものと実質的に同様の程度の凝集エネルギー及び／又は接着エネルギーを隣接層に対して呈することが見出されている。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、実質的に高い特性表面エネルギーを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に低い特性表面エネルギーを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、ホストは、実質的に少なくともドーパントと同じ大きさである特性表面エネルギーを呈し得る。
実施例
実質的に低い度合の類似性を有するホスト及びドーパントを含むがこれらに限定されない複数の材料を含むパターニング被膜１３０の性能を、単一のパターニング材料４１１を含むパターニング被膜１３０の性能と比較するために、以下の実験を行った。
いくつかの非限定的な例ではＨＴＬ材料であり得る有機材料の約２０ｎｍ厚の層を真空中で堆積させ、続いてその上に、様々な組成を有するパターニング被膜１３０を堆積させることによって、一連の試料を作製した。
次いで、各試料について、それによって形成されたパターニング被膜１３０の露出層表面１１を、約１５ｎｍの基準厚さが達成されるまで、約１Å／ｓの平均堆積速度で、Ａｇを含む堆積材料５３１のオープンマスク堆積に供した。試料が作製されると、ＥＭ透過率の測定を行って、パターニング被膜１３０の露出層表面１１上に堆積されたＡｇの相対量を決定した。
上述したように、ＥＭ透過率の低下は、概して、パターニング被膜１３０上に凝縮された堆積材料の量と正に相関する。
各試料をＡｇの蒸気フラックスに供した後の４６０ｎｍの波長での透過率の低下を測定し、表面をＡｇ蒸気フラックスに曝露する前に各パターニング被膜から測定した臨界表面張力と共に表８にまとめた。
表８の各試料の透過率低下（％）は、Ａｇの蒸気フラックスへの曝露の前後に試料を通るＥＭ透過率を測定し、透過率の低下をパーセンテージとして表すことによって決定した。
実質的にＥＭ－８のみを含む試料は９．７％の透過率低下を呈したが、一方、ＥＭ－８と比較してより高い堆積コントラストを呈するドーパントでＥＭ－８をドープすることによってパターニング被膜１３０が形成された他の試料は、実質的により低い透過率低下を呈するそのようなパターニング層をもたらしたことが理解され得る。例えば、ＥＭ－１１：ＥＭ－８（体積比１：９）、ＥＭ－１２：ＥＭ－８（体積比１：１９）、ＥＭ－１３：ＥＭ－８（体積比１：１９）、ＥＭ－１３：ＥＭ－８（体積比１：９）、及びＥＭ－４：ＥＭ－８（体積比１：９）によって形成されたパターニング層は、各々、ＥＭ－８のみを含むパターニング被膜１３０と比較して実質的に低い透過率低下を呈し、これらのドーパントが比較的少量であっても、堆積コントラストを実質的に改善し得ることを示唆した。
対照的に、ＥＭ－１４は、パターニング被膜１３０として単独で堆積された場合、又は様々な濃度のＥＭ－１１でドープされた場合、実質的に低い堆積コントラストを呈することが見出された。上記に基づいて、少なくともいくつかのシナリオでは、ホストとしてＥＭ－１４を使用するための適用性が低減され得ることが観察され得る。
Ｙｂ、Ｍｇ、Ｃｕ、及びＭｇＡｇ（体積比１：９～９：１）を含むがこれらに限定されない堆積材料５３１としてＡｇ以外の金属材料を使用して同様の実験を行ったところ、これらの各々は、同様に、高い堆積コントラスト及び低い初期付着確率のうちの少なくとも１つを呈した。
結晶化／凝集の制約を満たしながらパターニングコントラストを向上させる
ここで、少し驚くべきことに、実質的に低い堆積コントラストを有するホストを、実質的に高い堆積コントラストを有するドーパントと混合及び／又はドープすることによって形成されたパターニング被膜１３０は、いくつかの非限定的な例では、単独で使用された場合のドーパントの堆積コントラストに匹敵し得る堆積コントラストを呈し得、一方、単独で使用された場合のホストのものと実質的に同様の程度の凝集エネルギー及び／又は接着エネルギーも隣接層に対して呈することが見出されている。
パターニング被膜が結晶化を受ける傾向を評価するために、厚さ約２０ｎｍのＬｉｑ層を真空中で堆積させ、続いてその上に、様々な組成を有するパターニング被膜１３０を堆積させることによって、一連の試料を作製した。同じ構造を有する追加の試料を作製し、有機材料及びＬｉＦの追加の層をパターニング被膜１３０の露出層表面１１上に堆積させて、ＣＰＬとして機能させた。次いで、試料を１００℃で２４０時間焼成し、視覚的に、及びＥＭ透過率測定を使用することによって分析し、パターニング被膜１３０が焼成中に結晶化したかどうかを判定した。結晶化の徴候をほとんど又は全く示さない試料を、結晶化試験に合格したと識別し、結晶化の徴候を示す試料を、結晶化試験に不合格であったと識別した。
パターニング被膜１３０が層間剥離又は凝集破壊を受ける傾向を評価するために、一連の試料を作製して、その剥離及び／又は層間剥離時の破損点を決定した。具体的には、各試料は、ガラス基板１０上に、パターニング被膜１３０として機能する例示的な各材料の約５０ｎｍ厚の層、続いてＣＰＬを堆積させる際に一般的に使用される有機材料の約５０ｎｍ厚の層を堆積させることによって作製された。次いで、各試料のＣＰＬの露出層表面１１に接着テープを適用した。接着テープを剥がして各試料の層間剥離を生じさせ、剥がした接着テープ及び層間剥離した試料を分析して、どの層（又は、その下地層との界面）で破壊が生じたかを決定した。パターニング層内で、又はパターニング層と隣接層との間の界面で破壊が生じた試料は、層間剥離試験に不合格であると識別され、ＣＰＬ内で破壊（すなわち、ＣＰＬ内の凝集破壊）が生じた試料は、層間剥離試験に合格したと識別された。
表９は、結晶化試験及び層間剥離試験の結果をまとめる。
表８及び９の結果から分かるように、ＥＭ－８を含むホストにドーパントを混合することによって形成されたパターニング被膜１３０は、ホストの結晶化特性及び剥離特性を保持しながら、その堆積コントラストを向上させたことが観察された。具体的には、パターニング層がＥＭ－８によって形成された試料、並びにＥＭ－１１：ＥＭ－８（体積比１：９）、ＥＭ－１２：ＥＭ－８（体積比１：１９）、ＥＭ－１２：ＥＭ－８（体積比１：９）、ＥＭ－１３：ＥＭ－８（体積比１：１９）、及びＥＭ－１３：ＥＭ－８（体積比１：９）のうちの少なくとも１つによって形成された試料は、結晶化試験及び層間剥離試験の両方に合格したことが分かった。
対照的に、ＥＭ－１４によって形成されたパターニング被膜１３０は、結晶化試験に合格したが、パターニング被膜１３０における凝集破壊が原因で、層間剥離試験に不合格であったことが分かった。ＥＭ－１１をＥＭ－１４内にドープすることによって形成されたパターニング被膜１３０もまた、結晶化試験に合格したが、層間剥離試験に不合格であったことが分かった。表８及び表９の結果に基づいて、ＥＭ－１４は、実質的に高い堆積コントラスト及び高い凝集強度を必要とする少なくともいくつかのシナリオについて、ホスト材料としての適用性を低下させ得たことが観察された。
いくつかの非限定的な例ではＨＴＬ材料であり得る有機材料の約２０ｎｍ厚の層を真空中で堆積させ、続いてその上に、様々な組成を有するパターニング被膜１３０を堆積させることによって、一連の試料を作製した。次いで、各試料について、それによって形成されたパターニング被膜１３０の露出層表面１１を、約１５ｎｍの基準厚さが達成されるまで、約１Å／ｓの平均堆積速度で、Ａｇを含む堆積材料５３１のオープンマスク堆積に供した。試料が作製されると、ＥＭ透過率の測定を行って、パターニング被膜１３０の露出層表面１１上に堆積されたＡｇの相対量を決定した。上述したように、透過率の低下は、概して、パターニング被膜１３０上に凝縮された堆積材料５３１の量と正に相関する。
パターニング被膜１３０が結晶化を受ける傾向を評価するために、同じパターニング被膜１３０組成物を有する別の一連の試料を作製した。厚さ約２０ｎｍのＬｉｑ層を真空中で堆積させ、続いてその上に、様々な組成を有するパターニング被膜１３０を堆積させることによって、これらの試料を作製した。同じ構造を有する追加の試料を作製し、有機材料及びＬｉＦの追加の層をパターニング被膜表面上に堆積させて、ＣＰＬとして機能させた。次いで、試料を１００℃で２４０時間焼成し、視覚的に、及びＥＭ透過率測定を使用することによって分析し、パターニング被膜１３０が焼成中に結晶化したかどうかを判定した。結晶化の徴候をほとんど又は全く示さない試料を、結晶化試験に合格したと識別し、結晶化の徴候を示す試料を、結晶化試験に不合格であったと識別した。
各試料をＡｇの蒸気フラックスに供した後の４６０ｎｍの波長での透過率の低下を測定し、結晶化試験の結果と共に表１０にまとめた。
実質的にＥＭ－１１のみを含む試料は、１．４％の透過率低下を呈したが、結晶化試験にも不合格であり、したがって、そのような材料自体は、パターニング被膜１３０が結晶化する傾向の低下を必要とするシナリオでは、適用性を低下させた場合があることが理解され得る。ＥＭ－１１を含むホスト内へのＬｉＦのドーピングは、より高い透過率低下をもたらしたが、そのようなパターニング被膜１３０が結晶化を受ける傾向も実質的に低減した。非限定的な例として、ＥＭ－１１中の約５％のＬｉＦという実質的に低いドーパント濃度であっても、パターニング被膜１３０の結晶化特性は、透過率低下のわずかな増加で改善されることが見出された。
Ｙｂ、Ｍｇ、Ｃｕ、及びＭｇＡｇ（体積比１：９～９：１）を含むがこれらに限定されない堆積材料５３１としてＡｇ以外の金属材料を使用して同様の実験を行ったところ、これらの各々は、同様に、高い堆積コントラスト及び低い初期付着確率のうちの少なくとも１つを呈した。
上記の表には示されていないが、ホストとしてＥＭ－１１の代わりにＥＭ－３を使用したことを除いて、表８、表９、及び表１０の結果を得るために使用したものと同様の構造を有する試料も作製し、試験した。ドーパントについては、ＥＭ－１１をドーパントとして様々な濃度で使用した。結果に基づくと、ホスト単独よりも高い堆積コントラストを呈するドーパントの混合は、ホストとしてＥＭ－３、及びドーパントとしてＥＭ－１１を含有する、結果として生じるパターニング層の堆積コントラストを有意に向上させるようには見えなかった。
カテゴリー３：ドーパントがフォトルミネセンス応答を呈する
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントは、少なくとも１つの実質的に同様の材料特性、及び／又は少なくとも１つの実質的に異なる材料特性のうちの少なくとも１つによって特徴付けられ得、材料特性は、初期付着確率、透過率、堆積コントラスト、表面エネルギー、融点、昇華温度、凝集エネルギー、光学間隙、屈折率、吸光係数、吸収又は他の光学効果、平均層厚、分子量、及び組成を含んでもよいがこれらに限定されない。
堆積コントラスト
いくつかの非限定的な例では、ホストは、実質的に高い堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に高い堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に低い堆積コントラストを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ＮＰＣとして機能し得る。
表面エネルギー
いくつかの非限定的な例では、ホストの表面エネルギーは、約２５ダイン／ｃｍ以下、約２１ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、及び１３ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストのモノマー骨格単位は、少なくとも約２５ダイン／ｃｍ、約３０ダイン／ｃｍ、約４０ダイン／ｃｍ、約５０ダイン／ｃｍ、約７５ダイン／ｃｍ、約１００ダイン／ｃｍ、約１５０ダイン／ｃｍ、約２００ダイン／ｃｍ、約２５０ダイン／ｃｍ、約５００ダイン／ｃｍ、約１，０００ダイン／ｃｍ、約１，５００ダイン／ｃｍ、及び約２，０００ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの表面張力を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストのモノマーの少なくとも１つの官能基は、低い表面張力を有し得る。いくつかの非限定的な例では、モノマーの少なくとも１つの官能基は、約２５ダイン／ｃｍ以下、約２１ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、約１１ダイン／ｃｍ以下、及び約１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つの表面張力を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ホストよりも高い特性表面エネルギーを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ホストの特性表面エネルギーよりも、少なくとも約５ダイン／ｃｍ、約１０ダイン／ｃｍ、約１５ダイン／ｃｍ、約２０ダイン／ｃｍ、約３０ダイン／ｃｍ、及び約５０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つだけ大きい特性表面エネルギーを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、少なくとも約２５ダイン／ｃｍ、約３０ダイン／ｃｍ、約３５ダイン／ｃｍ、約４０ダイン／ｃｍ、及び約５０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つである特性表面エネルギーを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に高い表面エネルギーを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、光学技術を使用してそのような材料の膜を検出するためのいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
熱特性
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、同様の熱特性を呈する複数の材料を含んでもよく、材料のうちの少なくとも１つは、フォトルミネセンスを呈する。
融点
いくつかの非限定的な例では、ホストは、少なくとも約１３０℃、約１５０℃、約２００℃、及び約２５０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１００～３５０℃、約１３０～３２０℃、約１５０～３００℃、及び約１８０～２８０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの融点の差の絶対値を含むがこれに限定されないパターニング被膜１３０の複数の材料の融点の差は、約５℃以下、約１０℃以下、約１５℃以下、約２０℃以下、約３０℃以下、約４０℃以下、及び約５０℃以下のうちの少なくとも１つであってもよい。
昇華温度
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの昇華温度の差の絶対値を含むがこれに限定されないパターニング被膜１３０の複数の材料の昇華温度の差は、約５℃以下、約１０℃以下、約１５℃以下、約２０℃以下、約３０℃以下、約４０℃以下、及び約５０℃以下のうちの少なくとも１つであってもよい。
光学間隙又はバンド間隙
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは第１の光学間隙を有してもよく、ホストは第２の光学間隙を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の光学間隙は、少なくとも第１の光学間隙であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の光学間隙と第２の光学間隙との間の差の絶対値は、少なくとも約０．３ｅＶ、約０．５ｅＶ、約０．７ｅＶ、約１ｅＶ、約１．３ｅＶ、約１．５ｅＶ、約１．７ｅＶ、約２ｅＶ、約２．５ｅＶ、及び約３ｅＶうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の光学間隙は、約４．１ｅＶ以下、約３．５ｅＶ以下、及び約３．４ｅＶ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の光学間隙は、少なくとも約３．４ｅＶ、約３．５ｅＶ、約４．１ｅＶ、約５ｅＶ、及び約６．２ｅＶのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の光学間隙及び第２の光学間隙のうちの少なくとも一方は、ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙に対応してもよい。
フォトルミネセンス
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ＵＶスペクトル及び可視スペクトルのうちの少なくとも１つに対応する波長でフォトルミネセンスを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、可視スペクトルに対応する任意の波長を含むがこれに限定されない波長でフォトルミネセンスを実質的に呈しなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約３００ｎｍ、約３２０ｎｍ、約３５０ｎｍ、及び約３６５ｎｍのうちの少なくとも１つの波長、又はそれらよりも長い波長を有するＥＭ放射線に供されたときに、フォトルミネセンスを実質的に呈しなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストは、そのようなＥＭ放射線に供されたときにわずかな、及び／又は実質的に検出可能な吸収を呈しない場合がある。
いくつかの非限定的な例では、ホストの光学間隙は、ホストが、そのような放射線に供されたときに光励起を受けないように、ＥＭ源によって放射されるＥＭ放射線の光子エネルギーを上回り得る。しかしながら、ホスト及びドーパントを含むパターニング被膜１３０は、それにもかかわらず、そのような放射線に供されると、発光を呈するドーパントに起因して、フォトルミネセンスを呈し得る。このようにして、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の存在は、パターニング被膜１３０の堆積時の、並びに／又はその側方及び長手方向の範囲を確認するための蛍光顕微鏡法を含むがこれに限定されない日常的な特徴付け技術を使用して、容易に検出及び／若しくは観察することができる。
屈折率
いくつかの非限定的な例では、約４６０ｎｍ及び約５００ｎｍのうちの少なくとも１つの波長におけるホストの屈折率は、約１．５以下、約１．４５以下、約１．４４以下、約１．４３以下、約１．４２以下、及び約１．４１以下のうちの少なくとも１つであり得る。
重量
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントを含むがこれらに限定されないパターニング被膜１３０の複数の材料の各々の分子量は、少なくとも約７５０、約１，０００、約１，５００、約２，０００、約２，５００、及び約３，０００のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントを含むがこれらに限定されないパターニング被膜の複数の材料の各々の分子量は、約５，０００以下であってもよい。
組成
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０中のドーパントの、非限定的な例として、重量による濃度は、ホストのものよりも低くてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、ドーパントの少なくとも約０．１重量％、約０．２重量％、約０．５重量％、約０．８重量％、約１重量％、約３重量％、約５重量％、約８重量％、約１０重量％、約１５重量％、及び約２０重量％のうちの少なくとも１つを含有し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、ドーパントの約５０重量％以下、約４０重量％以下、約３０重量％以下、約２５重量％以下、約２０重量％以下、約１５重量％以下、約１０重量％以下、約８重量％以下、約５重量％以下、約３重量％以下、又は約１重量％以下のうちの少なくとも１つを含有し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の残りは、実質的にホストを含み得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、フォトルミネセンス応答を呈するドーパントは、そのようなドーパントをホストに混合することによって形成されたパターニング被膜１３０によって呈される堆積コントラストを低減する傾向があり得る高表面エネルギー部分を含む傾向があり得ると仮定することができる。したがって、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、ドーパントの約５重量％以下、約３重量％以下、約２重量％以下、約１重量％以下、約０．５重量％以下、及び約０．１重量％以下のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及び／又はドーパントを含み得るパターニング被膜１３０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ原子及びＳｉ原子のうちの少なくとも一方を含み得る。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含み得る。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの両方がＦを含み得る。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの両方がＳｉを含み得る。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０のホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、オリゴマーであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストは第１のオリゴマーを含み得、ドーパントは第２のオリゴマーを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーの各々は、複数のモノマーを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは実質的に第１のオリゴマーを含み得、ドーパントは実質的に第２のオリゴマーを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、ホスト及びドーパントの両方とは異なる第３の材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第３の材料は、第３のオリゴマーを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第３の材料は、実質的に第３のオリゴマーを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー、第２のオリゴマー、及び第３のオリゴマーの各々は、少なくとも１つの共通のモノマーを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーは、少なくとも１つの共通のモノマーを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーは、少なくとも１つの共通のモノマー骨格単位を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーの分子構造のうちの少なくとも１つの少なくとも一部は、式（Ｉ）によって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーの各々は、独立して式（Ｉ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、官能基を含み得る。いくつかの非限定的な例において、モノマーの少なくとも１つの官能基は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含み得る。そのような官能基の非限定的な例としては、フルオロカーボン基及びシロキサン基が挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＦ２基及びＣＦ２Ｈ基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＦ２基及びＣＦ３基のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、Ｃ及びＯのうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つの分子構造は、複数の異なるモノマーを含んでもよく、すなわち、そのような分子構造は、式（ＩＩＩ）及び式（ＩＶ）のうちの少なくとも１つによって表されるものを含むがこれらに限定されない、異なる分子組成及び分子構造のうちの少なくとも１つを有するモノマー種を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、式（Ｖ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、Ｐ及びＮのうちの少なくとも１つを含み得る。そのようなモノマー骨格単位の非限定的な例は、ホスファゼンである。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び／又は第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、式（ＶＩ）によって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つは、シクロホスファゼンである。いくつかの非限定的な例において、シクロホスファゼンの分子構造は、式（ＶＩ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び／又は第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、式（ＶＩＩ）によって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマーの分子構造は、式（ＶＩＩ）によって表され得、式中、ｎは４であり、四量体である。いくつかの非限定的な例では、第２のオリゴマーの分子構造は、式（ＶＩＩ）によって表され得、式中、ｎは３であり、三量体である。いくつかの非限定的な例では、式（ＶＩＩ）による分子構造は、シクロホスファゼンである。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのフルオロアルキル基Ｒｆは同じである。いくつかの非限定的な例では、式（ＶＩＩ）中のフルオロアルキル基Ｒｆは、式（ＶＩＩＩ）によって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーを表す分子式は、同じｑの値、及び異なるｎの値を有する。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーを表す分子式は、同じｎの値、及び異なるｑの値を有する。
ホスト及びドーパントに関していくつかの非限定的な例が本明細書に記載されているが、パターニング被膜１３０は、少なくとも１つの追加の材料を更に含み得ることが理解されよう。いくつかの非限定的な例では、ホスト、ドーパント、第１のオリゴマー、及び第２のオリゴマーの分子構造及び任意の他の特性のうちの少なくとも１つの説明は、パターニング被膜１３０の少なくとも１つのそのような追加の材料に適用可能であり得る。
熱特性、フォトルミネセンス及び／又は組成
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、同様の熱特性を呈する複数の材料を含んでもよく、材料のうちの少なくとも１つは、フォトルミネセンスを呈する。いくつかの非限定的な例では、そのような材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、同様の熱特性を呈する複数の材料を含み得、材料の少なくとも１つは、約３６５ｎｍの励起波長を有するＥＭ放射線によって励起されたときに少なくとも約３６５ｎｍである波長でフォトルミネセンスを呈し、材料の少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、少なくとも１つの共通元素及び少なくとも１つの共通の部分構造のうちの少なくとも１つを有する複数の材料を含むことができ、材料のうちの少なくとも１つは、約３６５ｎｍの励起波長を有するＥＭ放射線によって呈されるとき、少なくとも約３６５ｎｍである波長でフォトルミネセンスを呈する。いくつかの非限定的な例では、そのような材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの共通元素は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含み得るがこれに限定されない。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの共通の部分構造は、フルオロカーボン及び／又はシロキシルのうちの少なくとも１つを含んでもよい。
実施例
特定の例示的なパターニング被膜１３０の特性を評価するために、ＨＴＬ材料として使用され得る有機材料の約２０ｎｍ厚の層を真空中で堆積させ、続いて、表１１に要約されるような様々な組成を有するパターニング被膜１３０を有機材料層の上に堆積させることによって、一連の試料を作製した。
本実施例では、ＥＭ－１０は、薄膜として堆積されたとき、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない堆積材料５３１の堆積に対して低い初期付着確率を呈し得るように選択された。
本実施例では、ＰＬ材料１及びＰＬ材料２は、薄膜として堆積されたときに、それらの各々が、蛍光顕微鏡法を含むがこれに限定されない標準的な光学測定技術によって検出可能なフォトルミネセンスを明示し得るように選択された。
表１１では、試料１１は、ＥＭ－１０のみを含む比較試料であり、試料１４及び試料１５は、それぞれＰＬ材料１及びＰＬ材料２のみを含む比較試料であり、試料１６は、パターニング被膜１３０が有機材料の層の上に堆積されなかった比較試料である。試料１２及び試料１３は、パターニング被膜１３０が、ホストとしてのＥＭ－１０をそれぞれＰＬ材料１及びＰＬ材料２と共堆積させて、ＰＬ材料がドーパントとして０．５体積％の濃度で存在する被膜を形成することによって形成された例示的な試料である。
試料１１、試料１２、試料１３、及び試料１６の各々のフォトルミネセンス応答を測定し、図２に示すようにプロットした。試料１１のフォトルミネセンス強度は、試料１６のそれと同一であることが観察され、ＥＭ－１０は、検出された波長範囲においてフォトルミネセンスを呈しないことを示唆した。解説を簡略にするために、かつ、この結果を考慮して、試料１６のフォトルミネセンス強度は図２に示されていない。試料１２及び試料１３の各々について、フォトルミネセンスは、約５００～６００ｎｍの波長において検出された。
次いで、試料１１～試料１６の各々を、表１３に記載の対応する材料から形成されたこれらの試料のパターニング被膜１３０の表面を、約１ｎｍの基準厚さに達するまでＹｂの蒸気フラックスに表面を曝露することによりＹｂのオープンマスク堆積に供することによって、Ｙｂ、続いてＡｇを含む堆積材料５３１のオープンマスク堆積に供し、続いて、約１２ｎｍの基準厚さに達するまでＡｇの蒸気フラックスに表面を曝露することによって、Ａｇのオープンマスク堆積に供した。
試料が作製されると、光透過率測定を行って、パターニング被膜１３０の表面上に堆積されたＹｂ及びＡｇのうちの少なくとも１つの形態の堆積材料５３１の相対量を決定した。
当業者であれば、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれらに限定されない、堆積材料５３１が比較的少ない及び／又は存在しない試料は、実質的に透明であり得るが、一方、閉鎖被膜１５０を含むがこれに限定されない実質的な量の金属／合金が堆積された試料は、いくつかの非限定的な例では、実質的に低減された透過率を呈し得ることを理解するであろう。したがって、パターニング被膜１３０としての様々な例示的な被膜の相対的な性能は、試料を通る透過率を測定することによって評価することができ、この透過率は、閉鎖被膜１５０として形成された場合を含むがこれに限定されない金属薄膜がＥＭ放射線の高い吸収度を呈し得るので、その上に堆積されているＹｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つの形態を含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない、堆積材料５３１の量及び／又は平均層厚に正に相関し得る。
上記で開示したように各試料を調製した後、約４６０ｎｍの波長における透過率低下（％）を測定し、表１２にまとめた。
表１２に記載の各試料の透過率低下（％）は、Ｙｂ、続いてＡｇの形態の堆積材料５３１の蒸気フラックスに曝露する前後に試料を通る透過率を測定し、透過率の低下を百分率として表すことによって決定された。
試料１１（３１０）、試料１２（３２０）、試料１３（３３０）、試料１４（３４０）、試料１５（３５０）、及び試料１６（３６０）の各々の波長の関数としての透過率低下（％）を測定し、図３に示すようにプロットした。
試料１１、試料１２、及び試料１３は各々、比較的低い透過率低下を呈した。したがって、これらの試料に適用されたパターニング被膜１３０は、実質的に高い堆積コントラストを呈する傾向があると推測され得る。
これに対して、試料１４、試料１５、及び試料１６は各々、５０％に近い実質的な透過率低下を呈した。したがって、これらの試料に適用されたパターニング被膜１３０は、ＮＩＣとして機能しない傾向があると推測され得る。いくつかの非限定的な例では、これらの試料に適用されたパターニング被膜１３０は、ＮＰＣとして機能することを含むがこれに限定されない、実質的に低い堆積コントラストを呈する傾向があったことが推測され得る。
追加的に、試料１１、試料１２、及び試料１３の各々を、Ｙｂ、続いてＡｇの形態の堆積材料５３１の蒸気フラックスに曝露した後のフォトルミネセンス応答について評価した。パターニング被膜１３０が実質的にＥＭ－１０のみを含む試料１１は、実質的なフォトルミネセンス応答を呈しないことが発見された。しかしながら、試料１２及び試料１３の両方が、実質的なフォトルミネセンス応答を呈することが分かった。
したがって、いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣとして機能する傾向があるが、いかなる実質的なフォトルミネセンス応答も呈しないホストと、ＮＩＣとして機能する傾向がないが、実質的なフォトルミネセンス応答を呈するドーパントとを含むパターニング被膜１３０を提供することで、実質的なフォトルミネセンス応答と同時にＮＩＣとして機能する傾向を、両方提供し得ると結論することができる。
カテゴリー４：ドーパントが不均一性を形成してＮＰを創出する
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、使用されるパターニング材料４１１及び／又は堆積環境に起因して、堆積材料５３１がその上に少なくとも１つのＮＰを形成するための少なくとも１つの核形成部位を含むがこれに限定されないものを有する及び／又は提供するために、シード又は不均一性として機能し得る別の材料でドープされ、被覆され及び／又は補完されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、かかる他の材料は、非限定的な例として、金属元素、又は非金属元素、例えば、非限定的に、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つを含む材料を含んでもよく、それらの存在は、別様には、ソース材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境内の微量の汚染物質となり得る。
したがって、いくつかの非限定的な例では、元素材料を含むがこれに限定されないそのような他の材料は、ドーパントであると考えられ得、それがドーピングされたパターニング被膜１３０は、ホストであると考えられ得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる他の材料は、その閉鎖被膜１５０を形成することを回避するために、単層の小部分である層厚で堆積され得る。むしろ、そのような他の材料の堆積は、堆積材料５３１のための別個の核形成部位を形成するように、側面に離隔される傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる他の材料又はドーパントはＮＰＣ７２０を含み得る。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１上に少なくとも１つのＮＰを形成するための少なくとも１つの核形成部位の形成を容易にするためのシード又は不均一性として機能し得る材料として本カテゴリーに入るドーパントは、前述のカテゴリーのうちの１つに等しく入り得ることを理解するであろう。
堆積層
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の側方範囲が第１の部分１０１に制限される場合、デバイス１００の側方面の第２の部分１０２において、堆積材料５３１を含む堆積層１４０は、下地層の露出層表面１１上に閉鎖被膜１５０として配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０の平均層厚は、少なくとも約２ｎｍ、約５ｎｍ、約８ｎｍ、約１０ｎｍ、約１５ｎｍ、約２０ｎｍ、約３０ｎｍ、約４０ｎｍ、約５０ｎｍ、約６０ｎｍ、約７０ｎｍ、約８０ｎｍ、約９０ｎｍ、及び約１００ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、堆積材料５３１を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、下地層と同じであってもよく、及び／又は下地層と少なくとも１つの共通金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｎ、及びＹのうちの少なくとも１つから選択される元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、及びＭｇのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、及びＡｕのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＣｕであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｌであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、及びＹｂのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、及びＬｉのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、及びＹｂのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ及びＡｇのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｇであり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、純金属であってもよく、及び／又は純金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、純Ａｇ及び実質的に純Ａｇのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＡｇは、少なくとも約９５％、９９％、９９．９％、９９．９９％、９９．９９９％、及び９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、純Ｍｇ及び実質的に純Ｍｇのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、９９％、９９．９％、９９．９９％、９９．９９９％、及び９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、及びＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、ＡｇＭｇ含有合金は、体積で約１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲であり得る合金組成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、Ａｇの代わりに、及び／又はＡｇと組み合わせて、他の金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、Ａｇと少なくとも１つの他の金属との合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、Ａｇと、Ｍｇ及びＹｂのうちの少なくとも１つとの合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる合金は、約５～９５体積％のＡｇの組成を有し、残りが他の金属である二元合金であり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、Ａｇ及びＭｇを含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、体積で約１：１０～１０：１の組成を有するＡｇ：Ｍｇ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、Ａｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、体積で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、Ｍｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０はＡｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、少なくとも１つの追加の元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は非金属元素であり得る。いくつかの非限定的な例では、非金属元素は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は、ソース材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境におけるかかる追加の元素の存在に起因して、汚染物質として堆積層１４０に組み込まれ得ることが、当業者によって理解されよう。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素の濃度は、閾値濃度未満であるように制限され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は、堆積層１４０の他の元素と共に化合物を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１中の非金属元素の濃度は、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、その中のＯ及びＣの合計量が、約１０％以下、約５％以下、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下のうちの少なくとも１つであり得る組成を有することができる。
ここで、特に堆積層１４０が実質的に金属及び／又は金属合金から構成され得る場合に、堆積層１４０中の特定の非金属元素の濃度を低減することにより、堆積層１４０の選択的堆積が容易となり得ることが、少し驚くべきことに見出されている。いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、非限定的な例として、Ｏ及びＣのうちの少なくとも１つなどの特定の非金属元素は、堆積層１４０の蒸気フラックス５３２中、及び／又は堆積チャンバ中、及び／又は環境中に存在するとき、パターニング被膜１３０の表面上に堆積されて、堆積層１４０の金属元素のための核形成部位として機能し得ると仮定され得る。核形成部位として機能し得るかかる非金属元素の濃度を低減することは、パターニング被膜１３０の露出層表面１１上に堆積される堆積材料５３１の量を低減することを容易にし得ると仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の露出層表面１１上に堆積される堆積材料５３１は、いくつかの非限定的な例では、概して少なくとも１つの粒子構造１６０による、又はいくつかの非限定的な例では、可視スペクトル、及び／又は特定の色に対応するが、これに限定されないものを含む、そのサブ範囲及び／又は波長を含むがこれに限定されない、ＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲における、ＥＭ放射線の吸収を促進及び／又は増加させるために選択された誘電率特性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、堆積材料５３１の複数の層を含み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの第１の層の堆積材料５３１は、複数の層のうちの第２の層の堆積材料５３１とは異なり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、多層被膜を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる多層被膜は、Ｙｂ／Ａｇ、Ｙｂ／Ｍｇ、Ｙｂ／Ｍｇ：Ａｇ、Ｙｂ／Ｙｂ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ／Ｍｇ、及びＹｂ／Ｍｇ／Ａｇのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、約３００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約２００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１６５ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１５０ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約５０ｋＪ／ｍｏｌ以下、及び約２０ｋＪ／ｍｏｌ以下のうちの少なくとも１つの結合解離エネルギーを有する金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、約１．４以下、約１．３以下、及び約１．２以下のうちの少なくとも１つである電気陰性度を有する金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０のシート抵抗は、概して、デバイス１００の他の構成要素、層、及び／又は部分から分離して測定又は決定された堆積層１４０のシート抵抗に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、薄膜として形成され得る。したがって、いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０の特徴的なシート抵抗は、かかる薄膜の組成、厚さ、かつ／若しくは形態に基づいて決定及び／又は計算され得る。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗は、約１０Ω／□以下、約５Ω／□以下、約１Ω／□以下、約０．５Ω／□以下、約０．２Ω／□以下、及び約０．１Ω／□以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、堆積層１４０の閉鎖被膜１５０を実質的に欠いている少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配設され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの領域は、堆積層１４０をその複数の個別の断片に分離し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０の各個別の断片は、別個の第２の部分１０２であり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０の複数の個別の断片は、その側方面において互いに物理的に離隔され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０のかかる複数の個別の断片のうちの少なくとも２つは、電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０のかかる複数の個別の断片のうちの少なくとも２つは、それらの間の電流の流れを可能にするために、下地層を非限定的に含む共通の導電層又は被膜と各電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０のかかる複数の個別の断片のうちの少なくとも２つは、互いに電気的に絶縁され得る。
パターニング被膜を用いた選択的堆積
図４は、下地層の露出層表面１１の第１の部分１０１上にパターニング被膜１３０を選択的に堆積させるための、チャンバ４１０内の、概して４００で示される蒸着堆積プロセスの非限定的な例を解説する例示的な概略図である。
プロセス４００では、ある量のパターニング材料４１１を真空下で加熱して、パターニング材料４１１を蒸発及び／又は昇華させることができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、全体的に、かつ／又は実質的に、パターニング被膜１３０を形成するために使用される材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる材料は有機材料を含み得る。
パターニング材料４１１の蒸気フラックス４１２は、矢印４１によって指し示される方向を含めて、露出層表面１１に向かってチャンバ４１０を通して流れ得る。蒸気フラックス４１２が下地表面の露出層表面１１に入射すると、その上にパターニング被膜１３０が形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、プロセス４００の図に示すように、パターニング被膜１３０は、蒸気フラックス４１２と下地表面の露出層表面１１との間に、いくつかの非限定的な例ではＦＭＭであり得るシャドウマスク４１５を介在させることによって、露出層表面１１の一部、解説される例では下地表面の第１の部分１０１、のみに選択的に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、かかるシャドウマスク４１５は、いくつかの非限定的な例では、約数十ミクロン以下の形状サイズを有する比較的小さい形状を形成するために使用され得る。
シャドウマスク４１５は、蒸気フラックス４１２の一部が開口４１６を通過し、露出層表面１１に入射してパターニング被膜１３０を形成し得るように、中を通して延在する少なくとも１つの開口４１６を有してもよい。蒸気フラックス４１２が開口４１６を通過せずにシャドウマスク４１５の表面４１７に入射する場合、露出層表面１１上に配設されてパターニング被膜１３０を形成することが妨げられる。いくつかの非限定的な例では、シャドウマスク４１５は、開口４１６を通って通過する蒸気フラックス４１２が第１の部分１０１に入射し得るが、第２の部分１０２には入射し得ないように構成され得る。したがって、下地層の露出層表面１１の第２の部分１０２は、パターニング被膜１３０を実質的に欠く場合がある。いくつかの非限定的な例（図示せず）では、シャドウマスク４１５上に入射するパターニング材料４１１は、その表面４１７上に堆積され得る。
したがって、パターニング被膜１３０の堆積が完了すると、パターニングされた表面が生成され得る。
図５は、図４の蒸発プロセス４００によるものを含むがこれに限定されない、第１の部分１０１上に選択的に堆積されたパターニング被膜１３０を実質的に欠いている下地層の露出層表面１１の第２の部分１０２上に堆積層１４０の閉鎖被膜１５０を選択的に堆積するための、チャンバ４１０内の５００ａで概して示される蒸発プロセスの結果の非限定的な例を解説する例示的な概略図である。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、いくつかの非限定的な例では少なくとも１つの金属を含む堆積材料５３１を含み得る。典型的には、有機材料の気化温度は、堆積材料５３１として採用され得るような金属の気化温度に比べて低いことが、当業者によって理解されよう。
したがって、いくつかの非限定的な例では、かかるシャドウマスク４１５を使用して堆積層１４０を直接パターニングすることと比較して、パターニング被膜１３０をあるパターンで選択的に堆積させるためにシャドウマスク４１５を用いる際、より少ない制約が存在し得る。
パターニング被膜１３０が下地表面の露出層表面１１の第１の部分１０１上に堆積されると、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０が、パターニング被膜１３０を実質的に欠く下地層の露出層表面１１の第２の部分１０２上に堆積層１４０として堆積され得る。
プロセス５００ａでは、ある量の堆積材料５３１を真空下で加熱して、堆積材料５３１を蒸発及び／又は昇華させることができる。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、堆積層１４０を形成するために使用される材料を完全に、かつ／又は実質的に含み得る。
堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２は、第１の部分１０１及び第２の部分１０２の露出層表面１１に向かって、矢印５１によって指し示される方向を含む、チャンバ４１０の内側に向けられ得る。蒸気フラックス５３２が露出層表面１１の第２の部分１０２に入射すると、その上に堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０が堆積層１４０として形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１の堆積は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して実行されてもよい。
シャドウマスク４１５とは対照的に、オープンマスクの形状サイズは、製造されるデバイス１００のサイズにほぼ匹敵し得ることが、当業者によって理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、オープンマスクの使用が省略され得ることが、当業者によって理解されよう。いくつかの非限定的な例では、本明細書で説明されるオープンマスク堆積プロセスは、代替的に、ターゲット露出層表面１１全体が露出され得るように、オープンマスクを使用せずに行われてもよい。
実際、図５に示されるように、蒸気フラックス５３２は、第１の部分１０１にわたるパターニング被膜１３０の露出層表面１１と、パターニング被膜１３０を実質的に欠く第２の部分１０２にわたる下地層の露出層表面１１との両方に入射し得る。
第１の部分１０１におけるパターニング被膜１３０の露出層表面１１は、第２の部分１０２における下地層の露出層表面１１に対して、堆積材料５３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率を呈し得るので、堆積層１４０は、実質的にパターニング被膜１３０を欠く第２の部分１０２における下地層の露出層表面１１上にのみ実質的に選択的に堆積され得る。対照的に、第１の部分１０１にわたってパターニング被膜１３０の露出層表面１１に入射する蒸気フラックス５３２は、（５３３に示すように）堆積されない傾向があり得、第１の部分１０１にわたってパターニング被膜１３０の露出層表面１１は、堆積層１４０の閉鎖被膜１５０を実質的に欠き得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２における下地層の露出層表面１１上の蒸気フラックス５３２の初期堆積速度は、第１の部分１０１におけるパターニング被膜１３０の露出層表面１１上の蒸気フラックス５３２の初期堆積速度の約２００倍、約５５０倍、約９００倍、約１，０００倍、約１，５００倍、約１，９００倍、及び約２，０００倍のうちの少なくとも１つを上回ってもよい。
したがって、シャドウマスク４１５及びオープンマスクを使用する図４におけるパターン二ング被膜１３０の選択的堆積及び／又は堆積材料５３１のマスクフリー堆積の組み合わせは、図５に示されるデバイス１００のバージョン５００ａをもたらし得る。
第１の部分１０１にわたるパターニング被膜１３０の選択的堆積の後、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０は、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、堆積層１４０としてデバイス１００の上に堆積され得るが、パターニング被膜１３０が実質的にない第２の部分１０２内にのみ実質的に残り得る。
パターニング被膜１３０は、第１の部分１０１内で、第２の部分１０２内のデバイス１００の下地層の露出層表面１１の、堆積材料５３１の堆積に対する、実質的に初期付着確率以下である、堆積材料５３１の堆積に対する、比較的低い初期付着確率を有する露出層表面１１を提供し得る。
したがって、第１の部分１０１は、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０を実質的に欠き得る。
本開示は、シャドウマスク４１５を伴う堆積プロセスによるパターニング被膜１３０のパターニングされた堆積を企図しているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、これが、限定ではないが、マイクロコンタクト印刷プロセスを含む、任意の好適な堆積プロセスによって達成され得ることを理解するであろう。
本開示は、パターニング被膜１３０がＮＩＣであることを企図しているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０がＮＰＣ７２０であり得ることを理解するであろう。かかる例では、ＮＰＣ７２０が堆積された部分（例えば、非限定的に、第１の部分１０１）は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０を有してもよく、一方、他の部分（例えば、非限定的に、第２の部分１０２）は、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０を実質的に欠き得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及びその後に堆積される堆積層１４０の平均層厚は、限定されないが、所与の用途及び所与の性能特質を含む、様々なパラメータに従って変化し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の平均層厚は、その後に堆積される堆積層１４０の平均層厚と同等であってもよく、かつ／又は実質的にそれ以下であり得る。堆積層１４０の選択的パターニングを達成するために比較的薄いパターニング被膜１３０を使用することは、可撓性のデバイス１００を提供するために好適であり得る。いくつかの非限定的な例では、比較的薄いパターニング被膜１３０は、バリア被膜又は他の薄膜封止（thin film encapsulation、ＴＦＥ）層２０５０が堆積され得る比較的平坦な表面を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、かかるバリア被膜２０５０の適用のためにかかる比較的平坦な表面を提供することにより、かかる表面へのその接着を増加させることができる。
縁部効果
パターニング被膜遷移領域
図６Ａに目を向けると、図１のデバイス１００のバージョン６００ａを示すことができ、第１の部分１０１のパターニング被膜１３０と第２の部分１０２の堆積層１４０との間の界面を誇張した形態で示すことができる。図６Ｂは、デバイス６００ａを平面で示し得る。
図６Ｂでより分かり得るように、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内のパターニング被膜１３０は、第２の部分１０２内の堆積層１４０によって全ての側部で取り囲まれてもよく、それにより、第１の部分１０１は、各側方軸に沿った側方面におけるパターニング被膜１３０の更なる程度又は縁部６１５によって画定される境界を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、側方面におけるパターニング被膜縁部６１５は、かかる面における第１の部分１０１の外周によって画定されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１は、側方面では、少なくとも１つのパターニング被膜遷移領域１０１ｔを含んでもよく、パターニング被膜１３０の厚さは、最大厚さから減少した厚さに遷移してもよい。かかる遷移を呈しない第１の部分１０１の程度は、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎとして識別され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおいて実質的な閉鎖被膜１５０を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔは、側方面において、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎとパターニング被膜縁部６１５との間に延在することができる。
いくつかの非限定的な例では、平面で、パターニング被膜遷移領域１０１ｔは、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎを取り囲み、かつ／又はその外周に沿って延在することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの側方軸に沿って、パターニング被膜非遷移部１０１ｎは、第１の部分１０１の全体を占有してもよく、それにより、パターニング被膜遷移領域１０１ｔは、それと第２の部分１０２との間に存在しない。
図６Ａに解説するように、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、約１～１００ｎｍ、約２～５０ｎｍ、約３～３０ｎｍ、約４～２０ｎｍ、約５～１５ｎｍ、約５～１０ｎｍ、又は約１～１０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲内であり得る、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおける平均膜厚ｄ２を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおけるパターニング被膜１３０の平均膜厚ｄ２は、それにわたって実質的に同じ又は一定であり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の平均層厚ｄ２は、パターニング被膜非遷移部１０１ｎ内で、パターニング被膜１３０の平均膜厚ｄ２の約９５％又は約９０％のうちの少なくとも１つ内に残留し得る。
いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ２は、約１～１００ｎｍであり得る。いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ２は、約８０ｎｍ以下、約６０ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約４０ｎｍ以下、約３０ｎｍ以下、約２０ｎｍ以下、約１５ｎｍ以下、又は約１０ｎｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の平均膜厚ｄ２は、約３ｎｍ、約５ｎｍ、又は約８ｎｍのうちの少なくとも１つを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおけるパターニング被膜１３０の平均膜厚ｄ２は、約１０ｎｍ以下であり得る。いかなる特定の理論にも束縛されることを望まないが、少し驚くべきことに、ゼロではなく、約１０ｎｍ以下であるパターニング被膜１３０の平均膜厚ｄ２は、少なくともいくつかの非限定的な例では、１０ｎｍより大きい第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおける平均膜厚ｄ２を有するパターニング被膜１３０に対して、非限定的な例として、堆積層１４０の高められたパターニングコントラストを達成するための特定の利点を提供し得ることが見出されている。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔ内で最大から最小まで減少するパターニング被膜厚を有し得る。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第１の部分１０１のパターニング被膜遷移領域１０１ｔとパターニング被膜非遷移部１０１ｎとの間の境界にあり、かつ／又はそれに近接してもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、パターニング被膜縁部６１５にあり、及び／又はそれに近接してもよい。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおける平均膜厚ｄ２であり得る。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおける平均膜厚ｄ２の約９５％以下又は約９０％以下のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲内であり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔにおけるパターニング被膜厚のプロファイルは、傾斜してもよく、及び／又は勾配に従ってもよい。いくつかの非限定的な例では、かかるプロファイルはテーパ状であり得る。いくつかの非限定的な例では、テーパは、線形、非線形、放物線形、及び／又は指数関数的減衰プロファイルに従ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔ内の下地層を完全に被覆し得る。いくつかの非限定的な例では、下地層の少なくとも一部は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔ内のパターニング被膜１３０によって被覆されていないままであり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部及び／又はパターニング被膜非遷移領域１０１ｎの少なくとも一部に実質的な閉鎖被膜１５０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部及び／又はパターニング被膜非遷移部１０１ｎの少なくとも一部に不連続層１７０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内のパターニング被膜１３０の少なくとも一部は、堆積層１４０の閉鎖被膜１５０を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１の露出層表面１１の少なくとも一部は、堆積層１４０又は堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０を実質的に欠き得る。
いくつかの非限定的な例では、限定されないがＸ軸を含む少なくとも１つの側方軸に沿って、パターニング被膜非遷移部１０１ｎは、ｗ１の幅を有してもよく、パターニング被膜遷移領域１０１ｔは、ｗ２の幅を有し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜非遷移部１０１ｎは、いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ２に幅ｗ１を乗算することによって近似され得る断面積を有し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔは、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔにわたる平均膜厚に幅ｗ１を乗算することによって近似され得る断面積を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ｗ１は、ｗ２を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、商ｗ１／ｗ２は、少なくとも約５、約１０、約２０、約５０、約１００、約５００、約１，０００、約１，５００、約５，０００、約１０，０００、約５０，０００、又は約１００，０００のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２のうちの少なくとも１つは、下地表面の平均膜厚ｄ１を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２のうちの少なくとも１つは、ｄ２を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２の両方が、ｄ２を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２は両方ともｄ１を上回ってもよく、ｄ１はｄ２を上回ってもよい。
堆積層遷移領域
図６Ｂでより良く見られるように、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内のパターニング被膜１３０は、第２の部分１０２が、各側方軸に沿った側方面における堆積層１４０の更なる範囲又は縁部６３５によって画定される境界を有するように、第２の部分１０２内の堆積層１４０によって取り囲まれ得る。いくつかの非限定的な例では、側方面における堆積層縁部６３５は、かかる面における第２の部分１０２の外周によって画定され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２は、側方面において、少なくとも１つの堆積層遷移領域１０２ｔを含むことができ、堆積層１４０の厚さは、最大厚さから減少した厚さに遷移し得る。かかる遷移を示さない第２の部分１０２の範囲は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎとして識別され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎに実質的な閉鎖被膜１５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、平面で、堆積層遷移領域１０２ｔは、側方面において、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎと堆積層縁部６３５との間に延在し得る。
いくつかの非限定的な例では、平面で、堆積層遷移領域１０２ｔは、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎを取り囲み、及び／又はその外周に沿って延在し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの側方軸に沿って、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎは、それと第１の部分１０１との間に堆積層遷移領域１０２ｔが存在しないように、第２の部分１０２の全体を占有し得る。
図６Ａに解説するように、いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、約１～５００ｎｍ、約５～２００ｎｍ、約５～４０ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、又は約１０～１００ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲内であり得る、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎにおける平均膜厚ｄ３を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ｄ３は、約１０ｎｍ、５０ｎｍ、又は１００ｎｍのうちの少なくとも１つを上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｔにおける堆積層１４０の平均膜厚ｄ３は、全体にわたって実質的に同じであるか又は一定であり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｄ３は、下地表面の平均膜厚ｄ１を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ１は、少なくとも約１．５、約２、５、１０約、約２０、約５０、又は約１００のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ１は、約０．１～１０又は約０．２～４０のうちの少なくとも１つの範囲内であり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｄ３は、パターニング被膜１３０の平均膜厚ｄ２を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ２は、少なくとも約１．５、約２、５、１０約、約２０、約５０、又は約１００のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ２は、約０．２～１０又は約０．５～４０のうちの少なくとも１つの範囲内であり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｄ３はｄ２を上回ってもよく、ｄ２はｄ１を上回ってもよい。いくつかの他の非限定的な例では、ｄ３はｄ１を上回ってもよく、ｄ１はｄ２を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｄ２／ｄ１は、約０．２～３、又は約０．１～５のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｘ軸を含むがこれに限定されない少なくとも１つの側方軸に沿って、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎは、ｗ３の幅を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎは、いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ３に幅ｗ３を乗算することによって近似されてもよい断面積を有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、ｗ３は、パターニング被膜非遷移部１０１ｎの幅ｗ１を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ１は、ｗ３を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｗ１／ｗ３は、約０．１～１０、約０．２～５、０．３～３、又は約０．４～２のうちの少なくとも１つの範囲内であり得る。いくつかの非限定的な例では、商ｗ３／ｗ１は、少なくとも約１、約２、約３、又は約４のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｗ３は、堆積層１４０の平均膜厚ｄ３を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｗ３／ｄ３は、少なくとも約１０、約５０、約１００、又は約５００のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、商ｗ３／ｄ３は、約１００，０００以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、堆積層遷移領域１０２ｔ内で最大から最小まで減少する厚さを有し得る。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第２の部分１０２の堆積層遷移領域１０２ｔと堆積層非遷移部１０２ｎとの間の境界にあり、かつ／又はそれに近接してもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、堆積層縁部６３５にあり、かつ／又はそれに近接してもよい。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎにおける平均膜厚ｄ３であり得る。いくつかの非限定的な例では、最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲内であり得る。いくつかの非限定的な例では、最小値は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎにおける平均膜厚ｄ３であり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層遷移領域１０２ｔ内の厚さのプロファイルは、傾斜してもよく、かつ／又は勾配に従ってもよい。いくつかの非限定的な例では、かかるプロファイルはテーパ状であり得る。いくつかの非限定的な例では、テーパは、線形、非線形、放物線形、及び／又は指数関数的減衰プロファイルに従ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の図６Ｅの例示的バージョン６００ｅにおける非限定的な例として示されるように、堆積層１４０は、堆積層遷移領域１０２ｔにおいて下地層を完全に被覆し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部に実質的な閉鎖被膜１５０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、下地層の少なくとも一部は、堆積層遷移領域１０２ｔにおいて堆積層１４０によって被覆されていなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部に不連続層１７０を含み得る。
当業者は、明示的に解説されていないが、パターニング材料４１１が、堆積層１４０と下地層との間の界面にある程度まで存在し得ることを理解するであろう。かかる材料は、堆積されたパターンがマスクのパターンと同一ではないシャドウイング効果の結果として堆積されることがあり、いくつかの非限定的な例では、ターゲット露出層表面１１のマスクされた部上に堆積されているいくつかの蒸発したパターニング材料４１１をもたらし得る。非限定的な例として、かかる材料は、粒子構造１６０として、かつ／又は実質的にパターニング被膜１３０の平均厚さ以下であり得る厚さを有するは薄膜として形成され得る。
重なり
いくつかの非限定的な例では、堆積層縁部６３５は、側方面において、第１の部分１０１と第２の部分１０２との間で重なりが生じないように、側方面において、第１の部分１０１のパターニング被膜遷移領域１０１ｔから離隔させることができる。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１の少なくとも一部及び第２の部分１０２の少なくとも一部は、側方面において重なってもよい。かかる重なりは、非限定的な例として図６Ａに示し得るような重なり部分６０３によって識別することができ、この場合、第２の部分１０２の少なくとも一部が第１の部分１０１の少なくとも一部と重なる。
いくつかの非限定的な例では、図６Ｆに非限定的な例として示されるように、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部の上に配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部は、堆積層１４０及び／又は堆積材料５３１を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部の露出層表面１１上に不連続層１７０を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、図６Ｇに非限定的な例として示されるように、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部は、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎの少なくとも一部の上に配設され得る。
示されていないが、いくつかの非限定的な例では、重なり部分６０３は、第１の部分１０１の少なくとも一部が第２の部分１０２の少なくとも一部に重なるシナリオを反映し得ることを、当業者は理解されよう。
したがって、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部は、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部の上に配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部は、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部の露出層表面上に不連続層１７０を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎの少なくとも一部の上に配設されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜縁部６１５は、側方面において、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎから離隔されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎ及び堆積層遷移領域１０２ｔの両方にわたる単一のモノリシック被膜として形成されてもよい。
パターニング被膜及び堆積層の縁部効果
図７Ａ～図７Ｉは、堆積層１４０との堆積界面におけるパターニング被膜１３０の様々な可能な挙動を説明する。
図７Ａに目を向けると、パターニング被膜堆積境界におけるデバイス１００の例示的バージョン７００の一部の第１の例が示され得る。デバイス７００は、露出層表面１１を有する基板１０を含み得る。パターニング被膜１３０は、下地表面の露出層表面１１の第１の部分１０１の上に堆積され得る。堆積層１４０は、下地層の露出層表面１１の第２の部分１０２の上に堆積され得る。図示のように、非限定的な例として、第１の部分１０１及び第２の部分１０２は、露出層表面１１の別個の重ならない部分であり得る。
堆積層１４０は、第１の部分１４０１及び第２の部分１４０２を含み得る。図示のように、非限定的な例として、堆積層１４０の第１の部分１４０１は、第２の部分１０２を実質的に被覆し得、堆積層１４０の第２の部分１４０２は、パターニング被膜１３０の第１の部分の上に部分的に突出し、かつ／又は重なり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、その露出層表面１１が堆積材料５３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を呈するように形成され得るので、堆積層１４０の突出した及び／又は重なる第２の部分１４０２とパターニング被膜１３０の露出層表面１１との間に間隙７２９が形成され得る。その結果、第２の部分１４０２は、パターニング被膜１３０と物理的に接触していなくてもよいが、断面において間隙７２９によってそこから離隔されていてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０の第１の部分１４０１は、第１の部分１０１と第２の部分１０２との間の界面及び／又は境界においてパターニング被膜１３０と物理的に接触していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０の突出した及び／又は重なる第２の部分１４０２は、堆積層１４０の第１の部分１４０１の平均層厚ｄａと同等の程度だけパターニング被膜１３０の上に側方に延在することができる。非限定的な例として、図示のように、第２の部分１４０２の幅ｗｂは、第１の部分１４０１の平均層厚ｄａと同等であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１４０２の幅ｗｂと第１の部分１４０１の平均層厚ｄａとの比は、約１：１～１：３、約１：１～１：１．５、又は約１：１～１：２のうちの少なくとも１つの範囲内であり得る。平均層厚ｄａは、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１４０１にわたって比較的均一であり得るが、いくつかの非限定的な例では、第２の部分１４０２が突出し得る、かつ／又はパターニング被膜１３０と重なり得る程度（すなわち、ｗｂ）は、露出層表面１１の異なる部分にわたってある程度まで変動し得る。
ここで図７Ｂに目を向けると、堆積層１４０は、第２の部分１４０２とパターニング被膜１３０との間に配設された第３の部分１４０３を含むように示され得る。図示のように、堆積層１４０の第２の部分１４０２は、堆積層１４０の第３の部分１４０３の上に側方に延在しており、そこから長手軸方向に離隔されてもよく、第３の部分１４０３は、パターニング被膜１３０の露出層表面１１と物理的に接触してもよい。堆積層１４０の第３の部分１４０３の平均層厚ｄｃは、その第１の部分１４０１の平均層厚ｄａ以下であってもよく、いくつかの非限定的な例では、実質的にそれより小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１４０３の幅ｗｃは、第２の部分１４０２の幅ｗｂを上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１４０３は、第２の部分１４０２よりも大きい程度までパターニング被膜１３０に重なるように側方に延在することができる。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１４０３の幅ｗｃと第１の部分１４０１の平均層厚ｄａとの比は、約１：２～３：１、又は約１：１．２～２．５：１のうちの少なくとも１つの範囲内であり得る。平均層厚ｄａは、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１４０１にわたって比較的均一であり得るが、いくつかの非限定的な例では、第３の部分１４０３が突出し得る、かつ／又はパターニング被膜１３０と重なり得る程度（すなわち、ｗｃ）は、露出層表面１１の異なる部分にわたってある程度まで変動し得る。
いくつかの非限定的な例では、第３の部分１４０３の平均層厚ｄｃは、第１の部分１４０１の平均層厚ｄａの約５％を上回らなくてもよい。非限定的な例として、ｄｃは、ｄａの約４％以下、約３％以下、約２％以下、約１％以下、又は約０．５％以下のうちの少なくとも１つであり得る。示されるように、第３の部分１４０３が薄膜として形成される代わりに、かつ／又はそれに加えて、堆積層１４０の堆積材料５３１は、パターニング被膜１３０の一部の上に粒子構造１６０（図示せず）として形成され得る。非限定的な例として、かかる粒子構造１６０は、それらが連続層を形成しないように、互いに物理的に分離された特徴を含み得る。
ここで図７Ｃに目を向けると、ＮＰＣ７２０が、基板１０と堆積層１４０との間に配設され得る。ＮＰＣ７２０は、堆積層１４０の第１の部分１４０１と下地層の露出層表面１１の第２の部分１０２との間に配置され得る。ＮＰＣ７２０は、パターニング被膜１３０が堆積された第１の部分１０１上ではなく、第２の部分１０２上に配設されているように解説されている。ＮＰＣ７２０は、ＮＰＣ７２０と堆積層１４０との間の界面及び／又は境界において、ＮＰＣ７２０の表面が堆積材料５３１の堆積に抗する比較的高い初期付着確率を呈し得るように形成されてもよい。したがって、ＮＰＣ７２０が存在することにより、堆積中に堆積層１４０の形成及び／又は成長を促進することができる。
ここで図７Ｄに目を向けると、ＮＰＣ７２０は、基板１０の第１の部分１０１及び第２の部分１０２の両方の上に配設され得、下地層は、第１の部分１０１上に配設されたＮＰＣ７２０の一部を被覆し得る。ＮＰＣ７２０の別の部分は、下地層及びパターニング被膜１３０を実質的に欠いていてもよく、堆積層１４０は、ＮＰＣ７２０のかかる部分を被覆していてもよい。
ここで図７Ｅに目を向けると、堆積層１４０は、基板１０の第３の部分７０３においてパターニング被膜１３０の一部と部分的に重なるように示され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分１４０１及び第２の部分１４０２に加えて、堆積層１４０は、第４の部分１４０４を更に含み得る。図示のように、堆積層１４０の第４の部分１４０４は、堆積層１４０の第１の部分１４０１と第２の部分１４０２との間に配設することができ、第４の部分１４０４は、パターニング被膜１３０の露出層表面１１と物理的に接触することができる。いくつかの非限定的な例では、第３の部分７０３における重なりは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセス中の堆積層１４０の側方成長の結果として形成され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の露出層表面１１は、堆積材料５３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を呈することができ、したがって、露出層表面１１上で材料が核形成する確率は低くなり得るが、堆積層１４０の厚さが成長するにつれて、堆積層１４０は側方にも成長することができ、図示のようにパターニング被膜１３０のサブセットを被覆することができる。
ここで図７Ｆに目を向けると、基板１０の第１の部分１０１はパターニング被膜１３０で被膜されてもよく、それに隣接する第２の部分１０２は堆積層１４０で被膜されてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０のオープンマスク堆積及び／又はマスクフリー堆積を行うことにより、堆積層１４０が、堆積層１４０とパターニング被膜１３０との間の界面及び／又はその付近でテーパ状の断面プロファイルを呈し得ることが観察されている。
いくつかの非限定的な例では、界面における、かつ／又はその付近の堆積層１４０の平均層厚は、堆積層１４０の平均層厚ｄ３未満であり得る。かかるテーパ状プロファイルは、いくつかの非限定的な例では、湾曲及び／又はアーチ状として示され得るが、プロファイルは、いくつかの非限定的な例では、実質的に線形及び／又は非線形であってもよい。非限定的な例として、堆積層１４０の平均層厚ｄ３は、限定はしないが、界面に近接した領域において実質的に線形、指数関数的、及び／又は二次関数的に減少し得る。
堆積層１４０とパターニング被膜１３０との間の界面における、かつ／又はその付近の堆積層１４０の接触角θｃは、相対的な初期付着確率などのパターニング被膜１３０の特性に応じて変動し得ることが観察されている。核の接触角θｃは、いくつかの非限定的な例では、堆積によって形成された堆積層１４０の薄膜接触角を決定し得ることを更に仮定することができる。非限定的な例として図７Ｆを参照すると、接触角θｃは、堆積層１４０とパターニング被膜１３０との間の界面及び／又はその付近における堆積層１４０の接線の傾斜を測定することによって決定され得る。堆積層１４０の断面テーパプロファイルが実質的に線形であり得るいくつかの非限定的な例では、接触角θｃは、界面における、かつ／又はその付近の堆積層１４０の傾斜を測定することによって決定され得る。当業者によって理解されるように、接触角θｃは、概して、下地層のゼロではない角度に対して測定され得る。本開示では、解説を簡略にするために、パターニング被膜１３０及び堆積層１４０は、平坦な表面上に堆積されて示され得る。しかしながら、当業者は、パターニング被膜１３０及び堆積層１４０が非平面表面上に堆積され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０の接触角θｃは、約９０°を上回ってもよい。ここで図７Ｇを参照すると、非限定的な例として、堆積層１４０は、パターニング被膜１３０と堆積層１４０との間の界面を越えて延在する部分を含むものとして示されてもよく、間隙７２９によってパターニング被膜１３０から離隔され得る。かかる非限定的なシナリオでは、接触角θｃは、いくつかの非限定的な例では、９０°を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、比較的高い接触角θｃを呈する堆積層１４０を形成することが有利であり得る。非限定的な例として、接触角θｃは、約１０°、約１５°、約２０°、約２５°、約３０°、約３５°、約４０°、約５０°、約７０°、約７５°、又は約８０°のうちの少なくとも１つを上回ってもよい。非限定的な例として、比較的高い接触角θｃを有する堆積層１４０は、比較的高いアスペクト比を維持しながら、微細にパターニングされた特徴の創出を可能にし得る。非限定的な例として、約９０°より大きい接触角θｃを示す堆積層１４０を形成する目的が存在し得る。非限定的な例として、接触角θｃは、約９０°、約９５°、約１００°、約１０５°、約１１０°、約１２０°、約１３０°、約１３５°、約１４０°、約１４５°、約１５０°、又は約１７０°のうちの少なくとも１つを上回ってもよい。
ここで図７Ｈ～図７Ｉに目を向けると、堆積層１４０は、基板１０の第１の部分１０１と第２の部分１０２との間に配設することができる、基板１０の第３の部分７０３内のパターニング被膜１３０の一部に部分的に重なり得る。図示のように、パターニング被膜１３０のサブセットに部分的に重なる堆積層１４０のサブセットは、その露出層表面１１と物理的に接触し得る。いくつかの非限定的な例では、第３の部分７０３における重なりは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセス中の堆積層１４０の側方成長に起因して形成され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の露出層表面１１は、堆積材料５３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を呈することができ、したがって、露出層表面１１上で材料が核形成する確率は低いが、堆積層１４０の厚さが成長するにつれて、堆積層１４０は側方にも成長することができ、パターニング被膜１３０のサブセットを被覆することができる。
図７Ｈ～図７Ｉの場合、堆積層１４０の接触角θｃは、図示のように、それとパターニング被膜１３０との間の界面付近のその縁部で測定され得る。図７Ｉにおいて、接触角θｃは、約９０°を上回ってもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０のサブセットが間隙７２９によってパターニング被膜１３０から離隔されることをもたらし得る。
粒子構造
ＮＰは、その主な特徴的なサイズはナノメートル（ｎｍ）スケールであり、概して約１～３００ｎｍであると理解される物質の粒子である。ｎｍスケールでは、所与の材料のＮＰは、バルク形態の同じ材料に対して、異なる波長（範囲）でそのようなＮＰによって示されるＥＭ放射線の吸収量を含むがこれに限定されない固有の特性（光学的、化学的、物理的、及び／又は電気的特性を含むがこれに限定されない）を有し得る。
これらの特性は、複数のＮＰが、層状半導体デバイス１００の層に形成されたときに、その性能を改善するために利用され得る。
しかしながら、ＮＰのかかる層をデバイスに導入するための現在のメカニズムには、いくつかの欠点がある。
第一に、典型的には、かかるＮＰは、かかるデバイスの最密充填層に形成され、かつ／又はマトリックス材料内に分散される。その結果、かかるＮＰ層の厚さは、典型的には、ＮＰ自体の特徴的なサイズよりもはるかに厚くなる。かかるＮＰ層の厚さは、デバイス性能、デバイス安定性、デバイス信頼性、及び／又はデバイス寿命に関して望ましくない特性を付与する場合があり、それにより、ＮＰの固有の特性によって提供される任意の認識される利点が低減され、又は更には取り除かれる場合がある。
第二に、かかるデバイスにおいて、かつかかるデバイスで使用するためにＮＰを合成する技術により、様々なメカニズムによって大量の炭素（Ｃ）、酸素（Ｏ）、及び／又はＳが導入される場合がある。
非限定的な例として、湿式化学法は、典型的には、精密に制御された特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成を有するＮＰを光電子デバイス１２００に導入するために使用される。しかしながら、かかる方法は、典型的には、ＮＰを安定化させるために有機キャッピング基（クエン酸塩でキャッピングされたＡｇ ＮＰの合成など）を用いるが、かかる有機キャッピング基は、合成されたＮＰにＣ、Ｏ、及び／又はＳを導入する。
なお更に、溶液から堆積されたＮＰ層は、典型的には、堆積中に使用される溶媒に起因して、Ｃ、Ｏ、及び／又はＳを含む。
追加的に、これらの元素は、湿式化学プロセス及び／又はＮＰ層の堆積中に汚染物質として導入される場合がある。
ただし、導入されると、かかるデバイスのＮＰ層中の大量のＣ、Ｏ、及び／又はＳの存在により、かかるデバイスの性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命が低下する場合がある。
第三に、溶液からＮＰ層を堆積させたときに、使用される溶媒が乾燥するにつれて、ＮＰ層は、ＮＰ層にわたって、及び／又はかかる層の異なるパターニングされた領域間で、不均一な特性を有する傾向があり得る。いくつかの非限定的な例では、所与の層の縁部は、かかる層の内部領域よりも非常に厚いか、又は薄くなることがあり、その不均衡により、デバイス性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命に悪影響を及ぼす場合がある。
第四に、湿式化学合成及び溶液堆積プロセスに加えて、ＮＰを合成及び／又は堆積させる他の方法及び／又はプロセス（限定されないが、真空ベースのプロセス（例えば、限定されないが、ＰＶＤ）が挙げられる）が存在しているが、かかる方法では、それによって堆積されるＮＰの特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成が十分に制御されない傾向がある。非限定的な例として、ＰＶＤプロセスでは、ＮＰは、そのサイズが増加するにつれて、最密充填膜を形成する傾向がある。結果として、ＰＶＤなどの方法は、概して、表面被覆率が低い大きな分散ＮＰの層を形成するのにあまり適していない。むしろ、かかる方法によって付与される、特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度の、分散度、及び／又は組成の不十分な制御は、不十分なデバイス性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命をもたらす場合がある。
いくつかの非限定的な例では、ＯＬＥＤディスプレイパネル１３４０は、複数の側方に分散された（サブ）ピクセル１３４ｘ（図２３Ａ）を備えてもよく、その各々は、アノード及びカソードとして機能する関連付けられた電極対１２２０、１２４０（図１２Ａ）と、それらの間の少なくとも１つの半導体層１２３０（図１２Ａ）とを有する。アノード及びカソードは、電源１６０５（図１６）と電気的に結合され、それぞれ、少なくとも１つの半導体層１２３０を通して互いに向かって移動する正孔及び電子を発生させる。一対の正孔と電子が結合すると、光子が放射され得る。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル１３４ｘは、導電性金属線によって電気的に結合された複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造１２０１（図１２Ａ）を含む駆動回路によって、いくつかの非限定的な例では、電極１２２０、１２４０及び少なくとも１つの半導体層１２３０が堆積される基板内で、選択的に駆動され得る。かかるパネル１３４０の様々な層及び被膜は、典型的には、真空ベースの堆積プロセスによって形成される。
いくつかの非限定的な例では、各々が異なる波長（範囲）のＥＭ放射線に対応し、それを放出する複数のサブピクセル１３４ｘは、集合的にピクセル２８１０を形成し得る（図２８Ａ）。ピクセル２８１０の第１のサブピクセル１３４ｘによって放出される第１の波長（範囲）のＥＭ放射線は、含まれる異なる波長（範囲）に起因して、その第２のサブピクセル１３４ｘによって放出される第２の波長（範囲）のＥＭ放射線とは異なって機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の波長範囲にわたる第１の所与の特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成の金属ＮＰの層によって示される吸収スペクトルは、第１の波長範囲にわたる第２の所与の特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成の金属ＮＰの層によって示される吸収スペクトル、及び／又は第２の波長範囲にわたる第１の所与の特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成の金属ＮＰの層によって示される吸収スペクトルとは異なり得る。
限定されないが、不連続層１７０としての粒子構造１６０は、プラズモニクスを利用するものであり、プラズモニクスとは、ＥＭ放射と金属との共鳴相互作用を研究するナノフォトニクスの一分野である。
当業者であれば、特定の金属ＮＰは、表面プラズモン（surface plasmon、ＳＰ）励起及び／又は自由電子のコヒーレント振動を呈することができ、それにより、かかるＮＰは、可視スペクトル及び／又はそのサブ範囲を含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲の光を吸収及び／又は散乱することができることを理解するであろう。かかる局所的なＳＰ（localized SP、ＬＳＰ）励起及び／又はコヒーレント振動の、吸収が集中し得るＥＭスペクトルの（サブ）範囲（吸収スペクトル）、屈折率及び／又は吸光係数を含むがこれらに限定されない光学応答は、ナノ構造及び／又はそれに近接する媒体の特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、並びに／又は材料及び／若しくは凝集度合を含むがこれらに限定されない特性のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、かかるＮＰの特性を変動させることによって調整することができる。
かかる光学応答は、粒子構造１６０に関して、その上に入射するＥＭ放射線の吸収を含み得、それによって、その反射を低減し、及び／又は、可視スペクトル及び／又はそのサブ範囲を非限定的に含むＥＭスペクトルのより低い又はより高い波長（（サブ）範囲）へ偏移する。
したがって、図１に示すように、いくつかの非限定的な例では、層状半導体デバイス１００は、いくつかの非限定的な例では不連続層１７０であり得る層として、デバイス１００の下地層の露出層表面１１上及び／又はその上方に制御可能に配設された、ナノ粒子（ＮＰ）、アイランド、プレート、分離クラスタ、及び／又はネットワークを含むがこれらに限定されない少なくとも１つの粒子（集合的に粒子構造１６０）を含み得る。
当業者は、必ずしも不連続層１７０を形成することなく、層内に少なくとも１つの粒子構造１６０が存在し得ることを理解するであろう。しかしながら、層内の少なくとも１つの粒子構造１６０の形成が、典型的には不連続層１７０の形成をもたらし得ることを考慮すると、単に説明を簡略にする目的で、本明細書における少なくとも１つの粒子構造１６０の形成への言及は、たとえ述べられていなくても、いくつかの非限定的な例では、そのような粒子構造１６０が不連続層１７０を含み得ることを意味する。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０の少なくともいくつかは、互いに切断され得る。換言すれば、いくつかの非限定的な例では、不連続層１７０は、少なくとも１つの粒子構造１６０が閉鎖被膜１５０を形成しないように、互いに物理的に分離され得る粒子構造１６０を含む特徴を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の複数の層のうちの少なくとも１つの上層１８０は、粒子構造１６０の露出層表面１１上、及びそれらの間の下地層の露出層表面１１上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの上層１８０は、ＣＰＬ１２１５であり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、ＥＭ放射線が、複数の側方軸によって画定される下地層の平面に対してゼロではない角度で、矢印ＯＣによって指し示される第１の方向の光路に実質的に平行なデバイス１００の露出層表面１１に係合することを実質的に可能にするように構成され得る。
本開示では、矢印ＯＣによって示されるようなものを含むがこれに限定されない所与の方向への一時的なＥＭ放射線の伝搬は、第１の層が光路（におけるＥＭ放射線の伝搬の方向）において第２の層の「前方（anterior）」、「前方（ahead of）」、及び／又は「前（before）」にあると言われ得る方向規則を生じさせる。
光路は、デバイス１００によって放射されたＥＭ放射線がそこから抽出され得る方向（図中の矢印ＯＣの向きによって示されるような）、及びＥＭ放射線がデバイス１００の露出層表面１１に入射し、それを通して少なくとも部分的に伝播する方向のうちの少なくとも１つであり得る方向に一致し得、ＥＭ放射線は、様々な層及び／又は被膜が堆積された表面とは反対の基板１０の露出層表面１１に入射し、基板１０及び様々な層及び／又は被膜（図示せず）を少なくとも部分的に透過し得る。
当業者であれば、ＥＭ放射線がデバイス１００によって放射され、同時に、ＥＭ放射線がデバイス１００の露出層表面１１に入射し、それを通って少なくとも部分的に透過するシナリオが存在し得ることを理解するであろう。そのようなシナリオでは、光路の方向は、文脈が反対のことを示さない限り、デバイス１００によって放射されるＥＭ放射線が抽出され得る方向によって決定される。いくつかの非限定的な例では、デバイス１００を完全に透過したＥＭ放射線は、同じ又は同様の方向に伝搬され得る。それにもかかわらず、本開示におけるいずれも、デバイス１００を完全に通るＥＭ放射線の伝搬を、デバイス１００によって放射されるＥＭ放射線の伝搬の方向と同じ又は類似の方向に限定するものとして解釈されるべきではない。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、ＥＭ放射線（光及び／又は光子の形態を含むが、これらに限定されない）がデバイス１００によって少なくとも第１の方向に放射される上部放射型光電子デバイス２１００であり得る。
示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、様々な層及び／又は被膜が堆積された基板１０の露出層表面１１に入射するＥＭ放射線が、基板１０及び様々な層及び／又は被膜を、このようなシナリオでは、図の矢印ＯＣで示される方向と反対である少なくとも第１の方向に透過し得る少なくとも１つの光透過領域１３２０（図２８Ａ）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の様々な層内の少なくとも１つの粒子構造１６０の位置（すなわち、デバイス１００の様々な層のうちのどれが、粒子構造１６０が堆積され得る下地層として機能するかの選択的識別）は、そのような位置に配置されたときに粒子構造１６０によって示される光学応答に関連する効果を達成するように制御可能に選択され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０は、粒子構造１６０によって示される光学応答に関連する効果の達成をデバイス１００の側方面のそのような部分１０１、１０２に選択的に制限するために、デバイス１００の側方面の部分１０１、１０２（デバイス１００の放射領域１３１０（図２２）に対応することを含むが、これに限定されない）に限定されるように制御可能に選択され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０は、粒子構造１６０によって呈される光学応答に関連する効果を達成するために、特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成を有するように制御可能に選択され得る。
当業者は、材料が堆積されるメカニズムを考慮すると、モノマー及び／又は原子の可能なスタッキング及び／又はクラスタリングにより、少なくとも１つの粒子構造１６０の実際のサイズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔は、いくつかの非限定的な例では、実質的に不均一であり得ることを理解するであろう。追加的に、少なくとも１つの粒子構造１６０は、所与のプロファイルを有するものとして解説されているが、これは、解説のみを意図しており、そのサイズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔を決定するものではない。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、約２００ｎｍ以下の特徴的な寸法を有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、約１～２００ｎｍ、約１～１６０ｎｍ、約１～１００ｎｍ、約１～５０ｎｍ、又は約１～３０ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る特徴的な直径を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、離散金属プラズモニックアイランド又はクラスタであり得る、及び／又は離散金属プラズモニックアイランド又はクラスタを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、粒子材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、堆積材料５３１と同じであり得る、及び／又は少なくとも１つの共通金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、下地層の金属材料と同じであってもよく、及び／又は少なくとも１つの共通金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、下地層と同じであってもよく、及び／又は下地層と少なくとも１つの共通金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる粒子構造１６０は、いくつかの非限定的な例では、下地層の露出層表面１１上の、数オングストロームの数分の１ほどの粒子材料であり得る層の平均層厚を有する、わずかな量を堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、露出層表面１１は、ＮＰＣ７２０であり得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇ、Ｙｂ、及び／又はＭｇのうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｎ、又はＹのうちの少なくとも１つから選択される元素を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、又はＭｇのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、又はＡｕのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＣｕであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｌであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、又はＹｂのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、又はＬｉのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、又はＹｂのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ又はＡｇのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｇであり得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、純金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、純金属であり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、純粋なＡｇ又は実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＡｇは、少なくとも約９５％、９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、又は約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、純Ｍｇ又は実質的に純Ｍｇのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、又は約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、又はＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、ＡｇＭｇ含有合金は、体積で約１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲であり得る合金組成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇの代わりに、又はＡｇと組み合わせて他の金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇと少なくとも１つの他の金属との合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇと、Ｍｇ又はＹｂのうちの少なくとも１つとの合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、かかる合金は、約５～９５体積％のＡｇと、残りが他の金属である組成を有する二元合金であり得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇ及びＭｇを含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、体積で約１：１０～１０：１の組成を有するＡｇ：Ｍｇ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、体積で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｍｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料はＡｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、少なくとも１つの追加の元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は非金属元素であり得る。いくつかの非限定的な例では、非金属材料は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、又はＣのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は、ソース材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境におけるかかる追加の元素の存在に起因して、汚染物質として少なくとも１つの粒子構造１６０に組み込まれ得ることが、当業者によって理解されよう。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は、少なくとも１つの粒子構造１６０の他の要素と共に化合物を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、粒子材料中の非金属元素の濃度は、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、又は約０．００００００１％以下のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、その中のＯ及びＣの合計が、約１０％以下、約５％以下、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、又は約０．００００００１％以下のうちの少なくとも１つである組成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０の特性は、いくつかの非限定的な例では、下地層の露出層表面１１の一部の上に形成された粒子材料の特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、構成、表面被覆率、堆積分布、分散度、及び／又は凝集インスタンスの存在及び／又は程度を含むがこれらに限定されない複数の基準のうちの少なくとも１つに従って評価することができる。
いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの基準による少なくとも１つの粒子構造１６０の評価は、透過電子顕微鏡法（transmission electron microscopy、ＴＥＭ）、原子間力顕微鏡法（atomic force microscopy、ＡＦＭ）、及び／又は走査電子顕微鏡法（scanning electron microscopy、ＳＥＭ）のうちの少なくとも１つを非限定的に含む様々な撮像技術を使用して、少なくとも１つの粒子構造１６０の少なくとも１つの属性を測定及び／又は計算することを非限定的に含むことによって行われ得る。
当業者であれば、少なくとも１つの粒子構造１６０のかかる評価は、いくつかの非限定的な例ではその面積及び／又は領域を含み得る、検討中の露出層表面１１の範囲によって、多かれ少なかれ程度に依存し得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、下地層の露出層表面１１の第１の側方面及び／又はそれを実質的に横断する第２の側方面において、全範囲にわたって評価され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、少なくとも１つの粒子構造１６０（の一部）に対して適用される少なくとも１つの観察窓を含み得る範囲にわたって評価され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの観察窓は、露出層表面１１の側方面の外周、内部位置、及び／又はグリッド座標のうちの少なくとも１つに位置してもよい。いくつかの非限定的な例では、複数の少なくとも１つの観測窓が、少なくとも１つの粒子構造１６０を評価する際に使用され得る。
いくつかの非限定的な例では、観察窓は、ＴＥＭ、ＡＦＭ、及び／又はＳＥＭのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの粒子構造１６０を評価するために適用される撮像技術の視野に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、観察窓は、限定ではないが、２．００μｍ、１．００μｍ、５００ｎｍ、又は２００ｎｍのうちの少なくとも１つを含む、所与のレベルの倍率に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、その露出層表面１１の、使用される少なくとも１つの観察窓を含むがこれに限定されない少なくとも１つの粒子構造１６０の評価は、手動計数、及び／又は既知の推定技術を非限定的に含む任意の数のメカニズムによって、計算及び／又は測定することを伴い得、いくつかの非限定的な例では、曲線、多角形、及び／又は形状適合技術を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、使用される少なくとも１つの観察窓を含むがこれに限定されない露出層表面１１の少なくとも１つの粒子構造１６０の評価は、計算及び／又は測定の値の平均、中央値、モード、最大、最小、及び／又は他の確率的、統計的、及び／又はデータ操作を計算及び／又は測定することを伴い得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの粒子構造１６０が評価され得る少なくとも１つの基準のうちの１つは、かかる少なくとも１つの粒子構造１６０（の一部）上の粒子材料の表面被覆率であり得る。いくつかの非限定的な例では、表面被覆率は、少なくとも１つの粒子構造１６０のかかる（一部）のかかる粒子材料による（ゼロではない）被覆率によって表され得る。いくつかの非限定的な例では、被覆率は、最大閾値被覆率と比較され得る。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、表面被覆率は、粒径及び堆積密度の一方又は両方を包含すると理解され得ることを理解するであろう。したがって、いくつかの非限定的な例では、複数のこれらの３つの基準は、正に相関され得る。実際に、いくつかの非限定的な例では、低い表面被覆率の基準は、低い堆積密度の基準と低い粒径の基準との何らかの組み合わせを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの粒子構造１６０が評価され得る少なくとも１つの基準のうちの１つは、その特徴的なサイズであり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、最大閾値サイズ以下である特徴的なサイズを有し得る。特徴的なサイズの非限定的な例は、高さ、幅、長さ、及び／又は直径のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０の実質的に全てが、指定された範囲内にある特徴的なサイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる特徴的なサイズは、いくつかの非限定的な例では、特徴的なサイズの最大値とみなされ得る特徴的な長さによって特徴付けられ得る。いくつかの非限定的な例では、かかる最大値は、粒子構造１６０の長軸に沿って延在し得る。いくつかの非限定的な例では、長軸は、複数の側方軸によって画定される平面内に延在する第１の次元であると理解され得る。いくつかの非限定的な例では、特徴的な幅は、粒子構造１６０の短軸に沿って延在し得る粒子構造１６０の特徴的なサイズの値として識別され得る。いくつかの非限定的な例では、短軸は、同じ平面内に延在するが、長軸を実質的に横断する第２の次元であると理解され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の次元に沿った少なくとも１つの粒子構造１６０の特徴的な長さは、最大閾値サイズ以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の次元に沿った少なくとも１つの粒子構造１６０の特徴的な幅は、最大閾値サイズ以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０のサイズは、質量、体積、直径の長さ、外周、長軸、及び／又は短軸を含むがこれらに限定されない、特徴的なサイズを計算及び／又は測定することによって評価され得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの粒子構造１６０が評価され得る少なくとも１つの基準のうちの１つは、その堆積密度であり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０の特徴的なサイズは、最大閾値サイズと比較され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０の堆積密度は、最大閾値堆積密度と比較され得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる基準のうちの少なくとも１つは、数値指標によって定量化され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる指標は、粒子構造１６０の粒子（面積）サイズの分布を記述する分散度Ｄの計算であり得る。
ｎは、試料領域内の粒子構造１６０の数であり、
Ｓｉは、ｉ番目の粒子構造１６０の（面積）サイズであり、
は、粒子（面積）サイズの数平均であり、
は、粒子（面積）サイズの（面積）サイズ平均である。
当業者であれば、分散度は、多分散指数（polydispersity index、ＰＤＩ）にほぼ類同しており、これらの平均は、有機化学においてよく知られている数平均分子量及び重量平均分子量の概念にほぼ類同しているが、試料粒子構造１６０の分子量とは対照的に、（面積）サイズに適用されることを理解するであろう。
当業者はまた、分散度の概念は、いくつかの非限定的な例では、三次元体積概念とみなされ得るが、いくつかの非限定的な例では、分散度は、二次元概念であるとみなされ得ることを理解するであろう。したがって、分散度の概念は、ＴＥＭ、ＡＦＭ、及び／又はＳＥＭのうちの少なくとも１つを含むが、それらに限定されない、様々な撮像技術を使用することによって取得され得るような、少なくとも１つの粒子構造１６０の二次元画像を視認及び分析することに関連して使用されてもよい。上記の式が定義されるのは、かかる二次元の状況においてである。
いくつかの非限定的な例では、分散度及び／又は粒子（面積）サイズの数平均及び粒子（面積）サイズの（面積）サイズ平均は、粒子直径の数平均及び粒子直径の（面積）サイズ平均のうちの少なくとも１つの計算を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、マスクフリー及び／又はオープンマスク堆積プロセスによって堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、実質的に丸い形状を有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、実質的に球形の形状を有し得る。
簡略にするために、いくつかの非限定的な例では、各粒子構造１６０の（面積）サイズが一対の側方軸に沿った二次元の面積被覆率として表され得るように、かかる粒子構造１６０の長手方向の範囲が実質的に同じであり得る（かつ、いずれにしても、ＳＥＭ画像から直接測定され得ない）と仮定され得る。本開示では、（面積）サイズへの言及は、かかる二次元概念を指すと理解され、線形次元などの一次元概念を指すと理解され得る（プレフィックス「面積」なしの）サイズとは区別され得る。
実際に、いくつかの初期の研究では、いくつかの非限定的な例では、かかる粒子構造１６０の長手方向軸に沿った長手方向範囲は、その長手方向範囲の体積寄与がかかる側方範囲の体積寄与よりもはるかに小さくなり得るように、（側方軸の少なくとも１つに沿った）側方範囲に対して小さい傾向があり得ると思われる。いくつかの非限定的な例では、これは、１以下であり得るアスペクト比（側方範囲に対する長手方向方向の範囲の比）によって表され得る。いくつかの非限定的な例では、かかるアスペクト比は、約０．１：１０以下、約１：２０以下、約１：５０以下、約１：７５以下、又は約１：３００のうちの少なくとも１つであり得る。
この点に関して、少なくとも１つの粒子構造１６０を二次元の面積被覆率として表すための上記の仮定（長手方向範囲は実質的に同じであり、無視することができる）が適切であり得る。
当業者であれば、特に下地層の露出層表面１１上の欠陥及び／又は異常、例えば、非限定的に、その上のステップ状縁部、化学的不純物、結合部位、キンク、及び／又は汚染物質、及びその結果としてのその上の粒子構造１６０の形成のうちの少なくとも１つ、堆積プロセスが続くにつれたその合着の不均一性の存在下での堆積プロセスの非決定的性質に関して、また観察窓のサイズ及び／又は位置の不確実性、並びにそれらの特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、組成、凝集の度合などの計算及び／又は測定において固有である複雑さ及び変動性を考慮すると、観察窓内の特徴及び／又はトポロジーに関して相当の変動があり得ることを理解するであろう。
本開示では、解説を簡略にするために、層の厚さプロファイル及び／又は縁部プロファイルを含むがこれに限定されない粒子材料の特定の詳細が省略されている。
いくつかの非限定的な例では、（使用される観察窓内の）粒子構造１６０の特徴的なサイズは、統計的分布を反映し得る。
いくつかの非限定的な例では、吸収スペクトル強度が、その特徴的なサイズの特定の分布について、少なくとも１つの粒子構造１６０の堆積密度に比例する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、（使用される観察窓内の）粒子構造１６０ｔの特徴的なサイズは、単一の値の周りに、及び／又は比較的狭い範囲内に集中し得る。
いくつかの非限定的な例では、（使用される観察窓内の）粒子構造１６０ｔの特徴的なサイズは、複数の値の周りに、及び／又は複数の比較的狭い範囲内に集中し得る。非限定的な例として、少なくとも１つの粒子構造１６０は、（使用される観察窓内の）粒子構造１６０の特徴的なサイズが周りに集中し得る複数の異なる値及び／又は範囲が存在するようなマルチモーダル挙動を示し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、特徴的なサイズの第１の範囲を有する第１の少なくとも１つの粒子構造１６０１と、特徴的なサイズの第２の範囲を有する第２の少なくとも１つの粒子構造１６０２と、を含み得る。いくつかの非限定的な例では、特徴的なサイズの第１の範囲は、約５０ｎｍ以下のサイズに対応し得、特徴的なサイズの第２の範囲は、少なくとも５０ｎｍのサイズに対応し得る。非限定的な例として、特徴的なサイズの第１の範囲は、約１～４９ｎｍのサイズに対応し得、特徴的なサイズの第２の範囲は、約５０～３００ｎｍのサイズに対応し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の粒子構造１６０１の大部分は、約１０～４０ｎｍ、約５～３０ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、約１５～３５ｎｍ、約２０～３５ｎｍ、又は約２５～３５ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲の特徴的なサイズを有し得る。いくつかの非限定的な例では、第２の粒子構造１６０２の大部分は、約５０～２５０ｎｍ、約５０～２００ｎｍ、約６０～１５０ｎｍ、約６０～１００ｎｍ、又は約６０～９０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲の特徴的なサイズを有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の粒子構造１６０１及び第２の粒子構造１６０２は、互いに散在し得る。
かかるマルチモーダル粒子構造１６０の形成を研究するために、一連の５つの試料が作製された。各試料は、ガラス基板上に、厚さ約２０ｎｍの有機半導体層１２３０、続いて厚さ約３４ｎｍのＡｇ層、続いて厚さ約３０ｎｍのパターニング被膜１３０を堆積させ、次いでパターニング被膜１３０の表面をＡｇの蒸気フラックス５３２に供することによって調製された。各試料のＳＥＭ画像を様々な倍率で撮影した。
図８Ａは、第１の試料のＳＥＭ画像８００と、拡大された更なるＳＥＭ画像８０５とを示している。画像８００から分かり得るように、第１の小さい特徴的なサイズの付近に集中する傾向があり得る多数の第１の粒子構造１６０１と、第２のより大きい特徴的なサイズの付近に集中する傾向があり得るより少数の第２の粒子構造１６０２とがある。特徴的粒径の関数としての粒子構造１６０ｔの計数のプロット８１０は、第１の粒子構造１６０１の大部分が約３０ｎｍ付近に集中し得ることを示し得る。分析は、約５０ｎｍ以下である特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１６０１の画像８００の観察窓の表面被覆率が約３８％であったのに対して、少なくとも約５０ｎｍである特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１６０２の画像８００の観察窓の表面被覆率が約１％であったことを示す。
図８Ｂは、第２の試料のＳＥＭ画像８２０と、拡大された更なるＳＥＭ画像８２５とを示している。画像８２０から分かり得るように、第１の特徴的なサイズ付近に集中する傾向があり得る多数の第１の粒子構造１６０１が存在し続ける一方で、第２の特徴的なサイズ付近に集中する傾向があり得る多数の第２の粒子構造１６０２はより多くなり得る。更に、かかる第２の粒子構造１６０２は、より目立つ傾向があり得る。特徴的な粒径の関数としての粒子構造１６０ｔの計数のプロット８３０は、２つの識別可能なピーク、すなわち、約３０ｎｍ付近に集中した第１の粒子構造１６０１の大きいピークと、約７５ｎｍ付近に集中した第２の粒子構造１６０２の小さいピークと、を示し得る。分析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１６０１の画像８２０の観察窓の表面被覆率が約２３％であったのに対して、少なくとも約５０ｎｍである特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１６０２の画像８２０の観察窓の表面被覆率が約１０％であったことを示す。
図８Ｃは、第３の試料のＳＥＭ画像８４０と、拡大された更なるＳＥＭ画像８４５とを示している。画像８４０から分かるように、第１の特徴的なサイズ付近に集中する傾向があり得る多数の第１の粒子構造１６０１が引き続き存在する一方で、第２の特徴的なサイズ付近に集中する傾向があり得る多数の第２の粒子構造１６０２は更に多い可能性があり、第２の試料Ａプロット８５０において、特徴的な粒径の関数としての粒子構造１６０ｔの計数は、約３０ｎｍ付近に集中する第１の粒子構造１６０１の大きなピークと、約７５ｎｍ付近に集中する第２の粒子構造１６０２のより小さい（しかし、プロット８３０に示されるよりも大きい）ピークの２つの識別可能なピークを示し得る。分析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１６０１の画像８４０の観察窓の表面被覆率が約１９％であったのに対して、少なくとも約５０ｎｍである特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１６０２の画像８４０の観察窓の表面被覆率が約２１％であったことを示す。
図８Ｄは、第４の試料のＳＥＭ画像８６０と、拡大された更なるＳＥＭ画像８６５とを示している。画像８６０から分かり得るように、第１の特徴的なサイズ付近に集中する傾向があり得る多数の第１の粒子構造１６０１が存在し続ける一方で、第２の特徴的なサイズ付近に集中する傾向があり得る多数の第２の粒子構造１６０２はより多くなり得る。特徴的な粒径の関数としての粒子構造１６０ｔの計数のプロット８７０は、２つの識別可能なピーク、すなわち、約２０ｎｍ付近に集中した第１の粒子構造１６０１の大きいピークと、約８５ｎｍ付近に集中した第２の粒子構造１６０２の小さいピークと、を示し得る。分析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１６０１の画像８６０の観察窓の表面被覆率が約１４％であったのに対して、少なくとも約５０ｎｍである特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１６０２の画像８６０の観察窓の表面被覆率が約３４％であったことを示す。
図８Ｅは、第５の試料のＳＥＭ画像８８０と、拡大された更なるＳＥＭ画像８８５とを示している。画像８８０から分かり得るように、第１の特徴的なサイズ付近に集中する傾向があり得る多数の第１の粒子構造１６０１が存在し続ける一方で、第２の特徴的なサイズ付近に集中する傾向があり得る多数の第２の粒子構造１６０２はより多くなり得る。実際に、第２の粒子構造１６０２が優勢になる傾向があり得る。特徴的な粒径の関数としての粒子構造１６０ｔの計数のプロット８９０は、２つの識別可能なピークを示し、第１の粒子構造１６０１の大きなピークは約１５ｎｍ付近に集中し、第２の粒子構造１６０２の小さなピークは約８５ｎｍ付近に集中している。分析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１６０１の画像８８０の観察窓の表面被覆率が約３％であったのに対して、少なくとも約５０ｎｍである特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１６０２の画像８８０の観察窓の表面被覆率が約５５％であったことを示す。
いかなる特定の理論にも限定されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０のかかるマルチモーダル挙動は、かかる核形成部位として機能し得るシード又は不均一性として機能し得る別の材料でパターニング材料４１１をドープ、被覆、及び／又は補足することによることを非限定的に含む、粒子構造のための複数の核形成部位を導入することによって生成され得ると仮定され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の特徴的なサイズの第１の粒子構造１６０１は、かかる核形成部位が実質的に存在しない可能性がある粒子構造パターニング被膜１３０ｐ上に形成される傾向がある可能性があり、第２の特徴的なサイズの第２の粒子構造１６０２は、かかる核形成部位の位置に形成される傾向がある可能性があると仮定され得る。
当業者は、かかるマルチモーダル挙動が生成され得ることによる他のメカニズムが存在し得ることを理解するであろう。
当業者であれば、特に下地層の露出層表面１１上の欠陥及び／又は異常、例えば、非限定的に、その上のステップ状縁部、化学的不純物、結合部位、キンク、及び／又は汚染物質、及びその結果としてのその上の粒子構造１６０の形成のうちの少なくとも１つ、堆積プロセスが続くにつれたその合着の不均一性の存在下での堆積プロセスの非決定的性質に関して、また観察窓のサイズ及び／又は位置の不確実性、並びにそれらの特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、組成、凝集の度合などの計算及び／又は測定において固有である複雑さ及び変動性を考慮すると、観察窓内の特徴及び／又はトポロジーに関して相当の変動があり得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の層内の層（又はレベル）、デバイス１００の側方面の部分１０１、１０２、及び／又はその中又は上に堆積された粒子構造１６０の特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成は、少なくとも部分的に、粒子材料を、その特性が粒子構造１６０の形成に影響を及ぼし得る接触材料と接触させることによって、制御可能に選択され得る。そのような接触材料は、シード材料、パターニング材料４１１、及び共堆積された誘電体材料を含むが、これらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、使用される接触材料は、粒子材料が接触材料とどのように接触し得るか、及びそれによって粒子構造１６０の形成に与えられる影響を決定し得る。いくつかの非限定的な例では、複数の異なる接触材料及び付随する様々なメカニズムが採用され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、少なくとも１つの粒子構造１６０を実質的に欠いているその中の少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配設することができる。
本開示では、解説を簡略にするために、層の厚さプロファイル及び／又は縁部プロファイルを含むがこれに限定されない粒子材料の特定の詳細は省略されている。
シード
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０の位置、サイズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔は、多かれ少なかれ、シード材料をテンプレート層内の適切な位置及び／又は適切な密度及び／又は堆積段階で堆積することによって指定され得る。いくつかの非限定的な例では、かかるシード材料は、シード１６１又は不均一部として機能し、粒子材料が各シード１６１の周りに合着して粒子構造１６０を形成する傾向があり得るように、核形成部位として機能し得る。
したがって、図１において破線の輪郭で示される挿入領域に示されるように、粒子材料は、シード材料と物理的に接触していてもよく、実際に、それを完全に取り囲み、かつ／又は封入してもよい。
いくつかの非限定的な例では、シード材料は、限定されないが、Ｙｂ又はＡｇを含む金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、シード材料は、その上に堆積されて合着する粒子材料に対して高い湿潤特性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、シード１６１は、いくつかの非限定的な例では、シード材料のオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、デバイス１００の下地層の露出層表面１１にわたってテンプレート層に堆積され得る。
誘電体材料との共堆積
示されていないが、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、例えば、限定することなく、粒子材料を共堆積誘電体材料と共堆積させることによって、シード１６１を使用せずに形成され得る。
したがって、粒子材料は、共堆積された誘電体材料と物理的に接触していてもよく、実際には、それと混ざり合っていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料と共堆積誘電体材料との比は、約５０：１～５：１、約３０：１～５：１、又は約２０：１～１０：１のうちの少なくとも１つの範囲であり得る。いくつかの非限定的な例では、比率は、約５０：１、約４５：１、約４０：１、約３５：１、約３０：１、約２５：１、約２０：１、約１９：１、約１５：１、約１２．５：１、約１０：１、約７．５：１、又は約５：１のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料は、共堆積され得る粒子材料の堆積に抗する、１未満であり得る初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料に対する粒子材料の比は、粒子材料の堆積に抗する共堆積誘電体材料の初期付着確率に応じて変動し得る。
いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料は、有機材料であり得る。いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料は、半導体であり得る。いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料は、有機半導体であり得る。
いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料と共に粒子材料を共堆積することにより、シード１６１を含むテンプレート層がない場合に、少なくとも１つの粒子構造１６０の形成を容易にし得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料を共堆積された誘電体材料と共堆積することは、少なくとも１つの粒子構造１６０による、概して、又はいくつかの非限定的な例では、特定の色に対応するが、可視スペクトル及び／又はそのサブ範囲及び／又は波長を含むがこれに限定されない、ＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲における、ＥＭ放射線の吸収を促進及び／又は増加させることができる。
粒子構造パターニング被膜
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、マスクフリー及び／又はオープンマスク堆積プロセスを使用することを含むがこれに限定されない少なくとも１つの粒子構造１６０ｔを堆積させる目的のために、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上に堆積された少なくとも１つの粒子構造１６０ｔを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０ｔのうちの少なくとも１つは、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１と物理的に接触し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０ｔの実質的に全てが、パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１と物理的に接触し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔは、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの側方範囲にわたるパターンで堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔは、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上の不連続層１７０に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、不連続層１７０は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの実質的に側方範囲全体にわたって延在する。
いくつかの非限定的な例では、不連続層１７０の少なくとも中央部における粒子構造１６０ｔは、サイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、材料、凝集度、又は他の特性のうちの少なくとも１つから選択される少なくとも１つの共通の特性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、不連続層１７０のそのような中央部を越える粒子構造１６０ｔは、堆積層１４０の近接性、そのような中央部を越えるピンホール、裂け目、及び／又は亀裂を含むがそれらに限定されない小さな開口の存在の増加、又はそのような中央部を越える粒子構造パターニング被膜１３０ｐの厚さの減少を含むがそれらに限定されない、エッジ効果に関する少なくとも１つの共通の特性とは異なり得る特性を呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの堆積は、下地層の露出層表面１１と粒子構造パターニング被膜１３０ｐが含まれ得るパターニング材料４１１との間にシャドウマスク４１５を介在させることによって、デバイス１００の側方面の第１の部分１０１に限定され得る。
第１の部分１０１における粒子構造パターニング被膜１３０ｐの選択的堆積の後、粒子材料は、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１、及び粒子構造パターニング被膜１３０ｐを実質的に欠いている第２の部分１０２の両方にわたって、第１の部分１０１における粒子構造１６０ｔとして、及び／又はそれを形成するために、いくつかの非限定的な例では、粒子構造パターニング被膜１３０ｐによって覆われていない、もしあれば、それぞれのシード１６１の周りに合着することを含むが、これに限定されない、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、デバイス１００の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２は、任意の粒子構造１６０ｔを実質的に欠いていてもよい。
当業者であれば、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔが粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上に堆積されるため、粒子構造パターニング被膜１３０ｐ自体が下地層であると考えることができることを理解するであろう。しかしながら、説明を簡略にするために、下地層上への粒子構造パターニング被膜１３０ｐの事前の堆積が、本明細書に記載されるように、その上への少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの制御可能な堆積を容易にし得ることを考慮すると、本開示では、そのような粒子構造パターニング被膜１３０ｐは、下地層ではなく、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの形成の補助物とみなされる。
粒子構造パターニング被膜１３０ｐは、粒子材料の堆積に抗する、デバイス１００の下地層の露出層表面１１の粒子材料の堆積に抗する初期付着確率よりも実質的に小さい可能性がある比較的低い初期付着確率を有する表面を提供し得る。
したがって、下地層の露出層表面１１は、第１の部分１０１又は第２の部分１０２のいずれかにおいて、粒子材料の閉鎖被膜１５０を実質的に欠いていてもよく、一方で、粒子構造パターニング被膜１３０ｐによって覆われていないシード１６１の周りで合着することを含むがこれに限定されず、第１の部分１０１における下地層の露出層表面１１上に少なくとも１つの粒子構造１６０ｔを形成する。
このように、粒子構造パターニング被膜１３０ｐは、シャドウマスク４１５を使用することを含むがこれに限定されない、選択的に堆積されて、限定することなく含まれるが、それぞれのシード１６１の周りに合着することにより、粒子構造１６０ｔとして形成するために、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、粒子材料が堆積されることを可能にし得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造パターニング被膜１３０ｐは、シード材料及び／又は粒子材料に対して比較的低い初期付着確率を呈するパターニング材料４１１を含み得、その結果、かかる粒子構造パターニング被膜１３０ｐの表面が、粒子材料（及び／又はシード材料）を、いくつかの例では、非粒子構造パターニング被膜１３０ｎ及び／又はそれらが構成され得るパターニング材料４１１に対して、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの形成以外に、本明細書で考察される用途が含まれる粒子材料の閉鎖被膜１５０の堆積を抑制する目的で使用される、粒子構造１６０ｔとして堆積させる傾向の増加を呈し得る。
いかなる特定の理論にも限定されることを望むものではないが、粒子材料のその上の閉鎖被膜１５０の形成は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐによって、かつ／又はその上で、実質的に阻害され得るが、一方、いくつかの非限定的な例では、粒子構造パターニング被膜１３０ｐがその上の粒子材料の堆積に曝露されるとき、粒子材料のいくつかの蒸気モノマーは、最終的に、その上に粒子材料の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔを形成し得ると仮定され得る。
したがって、そのような少なくとも１つの粒子構造１６０ｔは、いくつかの非限定的な例では、粒子構造パターニング被膜１３０ｐと上層１８０との間の界面に、及びその界面の側方範囲に実質的にわたって挿入された粒子材料の薄い分散層を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では、膜として堆積されたとき及び／又はある形態で被膜されたとき、及びデバイス１００内の粒子構造パターニング被膜１３０ｐの堆積と同様の状況下で、粒子構造パターニング被膜１３０ｐ、及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜として堆積されたとき、及びデバイス１００内の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの堆積と同様の状況下で、粒子材料の第２の表面エネルギー以下の第１の表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の表面エネルギー／第１の表面エネルギーの商は、少なくとも約１、約５、約１０、約又は約２０のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、その上に堆積された少なくとも１つの粒子構造１６０ｔによる粒子構造パターニング被膜１３０ｐの領域の表面被覆率は、最大閾値被覆率以下であり得る。
図９Ａ～図９Ｈは、粒子構造パターニング被膜１３０ｐと、それに接触する少なくとも１つの粒子構造１６０ｔとの間の可能な相互作用の非限定的な例を解説する。
したがって、図９Ａ～図９Ｈに示すように、粒子材料は、パターニング材料４１１と物理的に接触してもよく、様々な図に示すように、その上に堆積される、及び／又はそれによって実質的に取り囲まれることを含むが、これらに限定されない。
図９Ａでは、粒子材料は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐがその上に堆積されるという点で、粒子構造パターニング被膜と物理的に接触し得る。
図９Ｂでは、粒子材料は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐによって実質的に取り囲まれ得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの側方及び長手方向の範囲のうちの少なくとも１つにわたって分布し得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造パターニング被膜１３０ｐ全体にわたる少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの分布は、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔが粒子構造パターニング被膜１３０ｐ内に浸透及び／又は定着する傾向があり得るように、粒子構造パターニング被膜１３０ｐをその上への粒子材料の堆積時に堆積させ、及び／又は比較的粘性状態のままにすることによって達成され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの粘性状態は、パターニング材料４１１の堆積環境の時間、温度、及び／又は圧力を含むがこれらに限定されないパターニング材料４１１の堆積中の条件、パターニング材料４１１の組成、融点、凍結温度、昇華温度、粘度、又は表面エネルギーを含むがこれらに限定されないパターニング材料４１１の特性、粒子材料の堆積環境の時間、温度、及び／又は圧力を含むがこれらに限定されない粒子材料の堆積中の条件、粒子材料の組成、又は融点、凍結温度、昇華温度、粘度、又は表面エネルギーを含むがこれらに限定されない粒子材料の特性を含むがこれらに限定されないいくつかの様式で達成され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造パターニング被膜１３０ｐ全体にわたる少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの分布は、その中のピンホール、裂け目、及び／又は亀裂を含むがこれらに限定されない小さな開口の存在によって達成され得る。当業者であれば、堆積プロセスにおける固有の変動性に起因して、またいくつかの非限定的な例では、粒子材料及びパターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１のうちの少なくとも１つにおける不純物の存在に起因して、本明細書に記載されているものを含むがこれらに限定されない様々な技術及びプロセスを使用して、パターニング材料４１１の薄膜の堆積中にそのような開口を形成することができることを理解するであろう。
図９Ｃでは、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔを構成することができる粒子材料は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの底部に沈降し、その結果、下地層１１の露出層表面１１上に効果的に配置され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの底部における少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの分布は、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔが粒子構造パターニング被膜１３０ｐの底部に定着する傾向があり得るように、粒子構造パターニング被膜１３０ｐを堆積させ、及び／又は粒子材料の堆積時に比較的粘性のある状態のままにすることによって達成され得る。いくつかの非限定的な例では、図９Ｃで使用されるパターニング材料４１１の粘度は、図９Ｂで使用されるパターニング材料４１１の粘度よりも低くてもよく、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔが粒子構造パターニング被膜１３０ｐ内で更に沈降し、最終的にその底部に下降することを可能にする。
図９Ｄ～図９Ｆにおいて、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの形状は、図９Ｂの少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの形状に対して長手方向に細長いものとして示されている。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの長手方向に細長い形状は、パターニング材料４１１の堆積環境の時間、温度、及び／又は圧力を含むがこれらに限定されないパターニング材料４１１の堆積中の条件、パターニング材料４１１の組成、融点、凍結温度、昇華温度、粘度、又は表面エネルギーを含むがこれらに限定されないパターニング材料４１１の特性、粒子材料の堆積環境の時間、温度、及び／又は圧力を含むがこれらに限定されない粒子材料の堆積中の条件、粒子材料の組成、又はそのような長手方向に細長い粒子構造１６０ｔの堆積を容易にする傾向があり得る融点、凍結温度、昇華温度、粘度、又は表面エネルギーを含むがこれらに限定されない粒子材料の特性を含むがこれらに限定されないいくつかの様式で達成され得る。
図９Ｄにおいて、長手方向に細長い粒子構造１６０ｔは、粒子構造パターニング被膜１３０ｐ内に実質的に完全に残っているように示されている。対照的に、図９Ｅでは、長手方向に細長い粒子構造１６０ｔのうちの少なくとも１つは、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１を少なくとも部分的に越えて突出するように示され得る。更に、図９Ｆにおいて、長手方向に細長い粒子構造１６０ｔの少なくとも１つは、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１を実質的に越えて突出するように示されてもよく、そのような突出する粒子構造１６０ｔは、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上に実質的に堆積され始めると考えられ得る。
したがって、図９Ｇに示されるように、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔが、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上に堆積され得、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔが、粒子構造パターニング被膜１３０ｐ内に浸透及び／又は定着し得るシナリオが存在し得る。粒子構造パターニング被膜１３０ｐ内に示される少なくとも１つの粒子構造１６０ｔは、図９Ｂに示されるような形状を有するものとして示されているが、当業者であれば、図示されていないが、そのような粒子構造１６０ｔは、図９Ｄ～図９Ｆに示されるような長手方向に細長い形状を有し得ることを理解するであろう。
更に、図９Ｈは、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔが粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上に堆積され得、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔが粒子構造パターニング被膜１３０ｐ内に浸透及び／又は定着し得、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔが粒子構造パターニング被膜１３０ｐの底部に定着し得るシナリオを示す。
図１０は、デバイス１００の第１の部分１０１の平面における簡略部分切り取り図である。デバイス１００のいくつかの部分は、解説を簡略にするために図１０から省略されているが、それに関して説明される様々な特徴は、その中に提供される非限定的な例の特徴と組み合わせられ得ることが理解されよう。
図では、いくつかの非限定的な例では、互いに対して実質的に横断し得る、それぞれＸ軸及びＹ軸として識別される一対の側方軸が示され得る。これらの側方軸のうちの少なくとも１つは、デバイス１００の側方面を画定することができる。
図１０において、上層１８０は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔにわたって実質的に延在し得る。少なくとも１つの粒子構造１６０ｔが配置される粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１の任意の部分が、非限定的な例として、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔ間の間隙を含む粒子材料を実質的に欠いている限り、上層１８０は、そのような粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１にわたって実質的に延在し、その上に配置され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造パターニング被膜１３０ｐは、複数の材料を含み得、その少なくとも１つの材料が、上で考察されたように粒子材料及び／又はシード材料に対してかかる比較的低い初期付着確率を呈するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されないパターニング材料４１１である。
いくつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第１の材料は、粒子材料及び／又はシード材料の堆積に対して第１の初期付着確率を有するパターニング材料４１１であってもよく、複数の材料のうちの第２の材料は、粒子材料及び／又はシード材料の堆積に対して第２の初期付着確率を有するパターニング材料４１１であってもよく、第２の初期付着確率は、第１の初期付着確率を上回る。
いくつかの非限定的な例では、第１の初期付着確率及び第２の初期付着確率は、実質的に同一の条件及びパラメータを使用して測定することができる。
いくつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第１のものは、複数の材料のうちの第２の材料でドープされ、被覆され、及び／又は補完されてもよく、それにより、第２のものは、シード又は不均一性として機能し、粒子材料及び／又はシード材料のための核形成部位として機能してもよい。
いくつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第２のものは、ＮＰＣ７２０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第２のものは、多環式芳香族化合物を非限定的に含む有機材料、及び／又はＯ、Ｓ、Ｎ、若しくはＣを非限定的に含む非金属元素を含む材料を含んでもよく、これらの存在は、別様には、ソース材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境内の汚染物質であるとみなされ得る。いくつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第２のものは、その閉鎖被膜１５０を形成することを回避するために、単層の小部分である層厚で堆積され得る。むしろ、かかる材料のモノマーは、粒子材料及び／又はシード材料のための個別の核形成部位を形成するように、側方面において離隔される傾向があり得る。
第１のパターニング材料４１１１と第２のパターニング材料４１１２との混合物を含む粒子構造パターニング被膜１３０ｐによって形成された少なくとも１つの粒子構造１６０の適合性を評価するために、一連の試料を作製した。全ての試料において、第１のパターニング材料４１１１は、粒子材料としてのＡｇの堆積に抗する実質的に低い初期付着確率を有するＮＩＣであった。３つの例示的な材料が、第２のパターニング材料４１１２、すなわち、材料としてのＡｇの堆積に抗する比較的高い初期付着確率を有する傾向があり、いくつかの非限定的な例ではＮＰＣ７２０として好適であり得る、ＥＴＬ１６３７材料、Ｌｉｑ、及びＬｉＦとして評価された。
ＥＴＬ１６３７材料については、第１のパターニング材料４１１１及びＥＴＬ１６３７材料を様々な比率でＩＴＯ基板１０上に２０ｎｍの平均層厚まで共堆積させ、その後、その露出層表面１１を１５ｎｍの基準層厚までＡｇの蒸気フラックス５３２に曝露することによって、いくつかの試料を調製した。
ＥＴＬ１６３７材料と第１のパターニング材料４１１１との体積％比がそれぞれ１：９９（ＥＴＬ試料Ａ）、２：９８（ＥＴＬ試料Ｂ）、５：９５（ＥＴＬ試料Ｃ）、１０：９０（ＥＴＬ試料Ｄ）、２０：８０（ＥＴＬ試料Ｅ）、及び４０：６０（ＥＴＬ試料Ｆ）である６つの試料を調製した。追加的に、ＥＴＬ１６３７材料と第１のパターニング材料４１１１との体積％比がそれぞれ０：１００（比較試料１）及び１００：０（比較試料２）である２つの比較試料を調製した。
ＥＴＬ試料Ｂは、１５．１５６％の全表面被覆率、１３．６２９２ｎｍの平均特徴的なサイズ、２．０４６２の分散度、１４．５３９９ｎｍの粒子直径の数平均、及び２０．７９８９ｎｍの粒子直径のサイズ平均を明示した。
ＥＴＬ試料Ｃは、２２．０８３％の全表面被覆率、１６．６９８５ｎｍの平均特徴的サイズ、１．６８１３の分散度、１７．８３７２ｎｍの粒子直径の数平均、及び２３．１２８３ｎｍの粒子直径のサイズ平均を明示した。
ＥＴＬ試料Ｄは、２７．０６２６％の全表面被覆率、１９．４５１８ｎｍの平均特徴的サイズ、１．５５２１の分散度、２０．７４８７ｎｍの粒子直径の数平均、及び２５．８４９３ｎｍの粒子直径のサイズ平均を明示した。
ＥＴＬ試料Ｅは、３５．５３７６％の全表面被覆率、２４．２０９２ｎｍの平均特徴的サイズ、１．６３１１の分散度、２５．８５８ｎｍの粒子直径の数平均、及び３２．９８５８ｎｍの粒子直径のサイズ平均を明示した。
図１１Ａ～図１１Ｅはそれぞれ、比較試料１、ＥＴＬ試料Ｂ、ＥＴＬ試料Ｃ、ＥＴＬ試料Ｄ、及びＥＴＬ試料ＥのＳＥＭ顕微鏡写真である。
図１１Ｆは、ＥＴＬ試料Ｂ１１０５、ＥＴＬ試料Ｃ１１１０、ＥＴＬ試料Ｄ１１１５、及びＥＴＬ試料Ｅ１１２０について、特徴的な粒径の関数として粒子構造１６０のヒストグラム分布をプロットしたヒストグラムであり、それぞれの曲線は、ヒストグラム１１０６、１１１１、１１１６、１１２１に適合する。
本開示では、層状試料の透過率低減率への言及は、任意の基板１０を含む試料中の金属（Ａｇを含むが、これに限定されない）をその上に堆積させる前の層の透過率を差し引いたときに得られる値を指す。当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、ある程度の計算の厳密さを犠牲にして、簡略化された仮定が便宜上行われ得ることを理解するであろう。非限定的な例として、１つの簡略化された仮定は、広範囲の波長にわたるガラスの透過率が実質的に０．９２であるということであり得る。非限定的な例として、１つの簡略化された仮定は、基板１０と金属との間の層の透過率が無視できるということであり得る。非限定的な例として、１つの簡略化された仮定は、基板１０がガラスであるということであり得る。したがって、いくつかの非限定的な例では、任意の基板１０を含む試料中の金属（Ａｇを含むが、これに限定されない）をその上に堆積する前の層の透過率の減算は、測定された透過率値を０．９２で割ることによって計算することができる。
表１３は、様々な波長での様々な試料について測定された透過率低下率の低減値を示す。
分かり得るように、第２のパターニング材料４１１２としてのＥＴＬの濃度が比較的低い場合、ほとんどの波長にわたって透過率の低下は最小限であった。しかしながら、ＥＴＬ濃度が約５体積％を上回ると、ＩＲスペクトルの７００ｎｍ及びＮＩＲスペクトルの８５０ｎｍの波長における透過率の有意な低下なしに、可視スペクトルの４５０ｎｍ及び５５０ｎｍの波長において実質的な低下（＞１０％）が観察された。
Ｌｉｑに関しては、第１のパターニング材料４１１１とＬｉｑとを様々な比率で、２０ｎｍの平均層厚までＩＴＯ基板１０上に共堆積させ、その後、その露出層表面１１を１５ｎｍの基準層厚までＡｇの蒸気フラックス５３２に曝露することによって、いくつかの試料を調製した。
Ｌｉｑと第１のパターニング材料４１１１との体積％比が、それぞれ２：９８（Ｌｉｑ試料Ａ）、５：９５（Ｌｉｑ試料Ｂ）、１０：９０（Ｌｉｑ試料Ｃ）、２０：８０（Ｌｉｑ試料Ｄ）である４つの試料を調製した。
Ｌｉｑ試料Ａは、１１．１１１７％の全表面被覆率、１３．２７３５ｎｍの平均特徴的サイズ、１．６５１の分散度、１３．９６１９ｎｍの粒径の数平均、及び１７．９３９８ｎｍの粒径のサイズ平均を明示した。
Ｌｉｑ試料Ｂは、１７．２６１６％の全表面被覆率、１５．２６６７ｎｍの平均特徴的サイズ、１．７９１４の分散度、１６．３９３３ｎｍの粒径の数平均、及び２１．９４１ｎｍの粒径のサイズ平均を明示した。
液体試料Ｃは、３２．２０９３％の全表面被覆率、２３．６２０９ｎｍの平均特徴的サイズ、１．６４２８の分散度、２５．３０３８ｎｍの粒径の数平均、及び３２．４３２２ｎｍの粒径のサイズ平均を明示した。
図１１Ｇ～図１１Ｊは、それぞれ、Ｌｉｑ試料Ａ、Ｌｉｑ試料Ｂ、Ｌｉｑ試料Ｃ、及びＬｉｑ試料ＤのＳＥＭ顕微鏡写真である。
図１１Ｋは、Ｌｉｑ試料Ｂ１１２５、Ｌｉｑ試料Ａ１１３０、及びＬｉｑ試料Ｃ１１３５について、特徴的な粒径の関数として粒子構造１６０のヒストグラム分布をプロットするヒストグラムであり、それぞれの曲線は、ヒストグラム１１２６、１１３１、１１３６に適合する。
表１４は、様々な波長での様々な試料について測定された透過率低下率の低減値を示す。
分かり得るように、第２のパターニング材料４１１２としてのＬｉｑの濃度が比較的低い場合、ほとんどの波長にわたって透過率の低下は最小限であった。しかしながら、Ｌｉｑ濃度が約５体積％を上回ると、可視スペクトルの４５０ｎｍ及び５５０ｎｍの波長で実質的な減少（＞１０％）が観察され、ＩＲスペクトルの７００ｎｍ並びにＮＩＲスペクトルの８５０ｎｍ及び１，０００ｎｍの波長での透過率の有意な減少はなかった。
ＬｉＦについては、最初にＥＴＬ材料をＩＴＯ基板１０上に２０ｎｍの平均層厚まで堆積させ、次に第１のパターニング材料４１１１及びＬｉＦを様々な比でＥＴＬ材料の露出層表面１１上に２０ｎｍの平均層厚まで共堆積させ、その後、その露出層表面１１を１５ｎｍの基準層厚までＡｇの蒸気フラックス５３２に曝露することによって、いくつかの試料を調製した。
ＬｉＦと第１のパターニング材料４１１１との体積％比が、それぞれ２：９８（ＬｉＦ試料Ａ）、５：９５（ＬｉＦ試料Ｂ）、１０：９０（ＬｉＦ試料Ｃ）、２０：８０（ＬｉＦ試料Ｄ）である４つの試料を調製した。
図１１Ｌ～図１１Ｏはそれぞれ、ＬｉＦ試料Ａ、ＬｉＦ試料Ｂ、ＬｉＦ試料Ｃ、及びＬｉＦ試料ＤのＳＥＭ顕微鏡写真である。
図１１Ｐは、ＬｉＦ試料Ａ１１４０、ＬｉＦ試料Ｂ１１４５、及びＬｉＦ試料Ｄ１１５０について、特徴的な粒径の関数として粒子構造１６０のヒストグラム分布をプロットしたヒストグラムであり、それぞれの曲線はヒストグラム１１４１、１１４６、１１５１にする。
表１５は、様々な波長での様々な試料について測定された透過率低下率の低減値を示す。
分かり得るように、第２のパターニング材料４１１２として比較的低濃度のＬｉＦの場合、ほとんどの波長にわたって透過率の低下が最小限であった。しかしながら、ＬｉＦ濃度が約１０体積％を上回ると、可視スペクトルの４５０ｎｍの波長で顕著な減少（８％）が観察され、ＩＲスペクトルの７００ｎｍ並びにＮＩＲスペクトルの８５０ｎｍ及び１，０００ｎｍの波長での透過率は有意に減少しなかった。
追加的に、２０体積％までのＬｉＦの濃度に対して、７００ｎｍ以上の波長で透過率の低下が実質的にないことが観察された。
表１６は、様々な波長での上記の試料で使用された材料の測定された屈折率を示す。
２つ以上の材料を共堆積させることによって形成される層又は被膜について、そのような層又は被膜の屈折率は、非限定的な例として、そのような層又は被膜を構成する各材料について、材料の濃度と材料の屈折率との積が計算され、そのような層又は被膜を構成する材料について計算された積の全ての和が計算されるレバーの法則を使用して推定され得ることが理解されるであろう。
粒子構造の層の光学的効果
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、幾分驚くべきことに、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上の、限定されないが少なくとも１つの金属粒子構造１６０を含む少なくとも１つの粒子構造１６０の薄い分散層の存在は、本明細書で考察されるように、デバイス１００の光学的効果及び特性を含むがこれらに限定されない、１つ以上の変化した特徴及び付随して変化した挙動を示し得ることが見出されている。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０を非限定的に含む、粒子材料のかかる不連続層１７０の存在は、高められたデバイスのＥＭ放射線の抽出、性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命に寄与することができる。
いくつかの非限定的な例では、かかる効果及び特性は、粒子構造１６０の特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つの賢明な選択によって、ある程度まで制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成のうちの少なくとも１つの形成は、いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１の少なくとも１つの特性、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの平均膜厚、粒子構造パターニング被膜１３０ｐにおける不均一性の導入、及び／又は粒子構造パターニング被膜１３０ｐのパターニング材料４１１の温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び／又は堆積プロセスを限定することなく含む堆積環境のうちの少なくとも１つの賢明な選択によって制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成のうちの少なくとも１つの形成は、いくつかの非限定的な例では、粒子材料の少なくとも１つの特性、粒子構造パターニング被膜１３０ｐが粒子材料の堆積に曝露され得る程度（これは、いくつかの非限定的な例では、対応する不連続層１７０の厚さに関して指定され得る）、及び／又は粒子材料の堆積の温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び／又は方法を限定することなく含む堆積環境のうちの少なくとも１つの賢明な選択によって制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に最大閾値被覆率以下の表面被覆率を有する少なくとも１つの粒子構造１６０（の一部）は、実質的に最大閾値被覆率を上回る表面被覆率を有する少なくとも１つの粒子構造１６０の一部を通過するＥＭ放射線と比較して、デバイス１００を完全に透過するか、及び／又はそれによって放射されるかにかかわらず、少なくとも１つの粒子構造１６０のかかる一部によって、そこを通過するＥＭ放射線に付与され得る異なる光学特質の発現をもたらし得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０の特徴的な寸法を含む少なくとも１つの寸法は、少なくとも１つの粒子構造１６０の吸収スペクトルがデバイス１００によって放射される、及び／又はそれを通して少なくとも部分的に透過されるＥＭ放射線のＥＭスペクトルの波長範囲と実質的に重ならない波長範囲に対応し得る。
少なくとも１つの粒子構造１６０は、層状半導体デバイス１００を越えてそこに入射するＥＭ放射線を吸収し、したがって反射を低減することができるが、当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０が、デバイス１００によって放射され、そこに入射するＥＭ放射線を吸収し得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、層状デバイス１００において、パターニング被膜１３０の露出層表面１１上の、及び／又はそれに近接する、及び／又は、いくつかの非限定的な例では、上層１８０を有するかかるパターニング被膜１３０の界面に近接する、少なくとも１つの粒子構造１６０の存在は、デバイスによって放射される、及び／又はそれを通して伝送される光子を含むが、それらに限定されないＥＭ放射線に光学効果を付与し得る。
いくつかの非限定的な例では、光学効果は、波長範囲及び／又はそのピーク強度を含む、透過及び／又は吸収波長スペクトルに対するその影響に関して説明され得る。
追加的に、提示されるモデルは、かかる少なくとも１つの粒子構造１６０を通って通過するＥＭ放射線の透過及び／又は吸収に対して付与される特定の効果を示唆し得るが、いくつかの非限定的な例では、かかる効果は、広範かつ観察可能な基準では反映され得ない局所効果を反映し得る。
上記はまた、簡略化された仮定として、各粒子構造１６０をモデル化するＮＰが完全な球形を有し得ることを仮定する。典型的には、少なくとも１つの粒子構造１６０の（使用される観察窓内の）粒子構造１６０ｔの形状は、堆積プロセスに大きく依存し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０ｔの形状は、それによって呈されるＳＰ励起に対して、例えば、非限定的に、共鳴帯域の幅、波長範囲、及び／又は強度、並びに付随して、その吸収帯域に対して、有意な影響を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、（粒子構造１６０ｔがその露出層表面１１上に堆積され得るように）その下にあるか、又はその後、少なくとも１つの粒子構造１６０の露出層表面１１上に配設されるかにかかわらず、少なくとも１つの粒子構造１６０を囲む材料は、ＥＭ放射線及び／又はＥＭ信号３４６１の放射及び／又は少なくとも１つの粒子構造１６０を通る透過によって発生する光学効果に影響を与え得る。
粒子構造１６０ｔを含有する少なくとも１つの粒子構造１６０を、低い屈折率を有する材料を含み得る粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上に、及び／又は物理的に接触して、及び／又は近接して配設することは、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０の吸収スペクトルを偏移し得ると仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、吸収内の変化及び／又は偏移は、可視スペクトル、及び／又はそのサブ範囲を非限定的に含む、ＥＭスペクトルの（サブ）範囲である吸収スペクトルに集中され得る。
少なくとも１つの粒子構造１６０は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐ上に、及び／又は物理的に接触し、及び／又は近接するように配置され得るので、デバイス１００は、かかる吸収スペクトルが、可視スペクトル、ＵＶスペクトル、及び／又はＩＲスペクトルが含まれるが、これらに限定されないＥＭスペクトルの少なくとも波長（サブ）範囲と実質的に重なり得る及び／又は重なり得ないようにすることを限定することなく含む、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの存在により、少なくとも１つの粒子構造１６０の吸収スペクトルが調整及び／又は修正され得るように構成され得る。
いくつかの非限定的な例では、表面上のある量の導電性材料の表面被覆率の１つの尺度は、（ＥＭ放射線）透過率であり得るが、これは、いくつかの非限定的な例では、Ａｇ、Ｍｇ、又はＹｂを含むがこれらに限定されない金属を含むがこれらに限定されない導電性材料は、ＥＭ放射線を減衰及び／又は吸収するためである。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の層に対してゼロではない角度でのＥＭ信号３４６１の透過を高めるための少なくとも１つの粒子構造１６０ｔによって与えられた共鳴は、粒子構造１６０ｔの特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、分散度、及び／又は材料のうちの少なくとも１つの賢明な選択によって調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共鳴は、粒子材料の堆積厚さを変動させることによって調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共鳴は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの平均膜厚を変化させることによって調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共鳴は、上層１８０の堆積厚さを変動させることによって調整され得る。いくつかの非限定的な例では、上層１８０の厚さは、０ｎｍ（上層１８０が存在しないことに対応する）から堆積された粒子構造１６０ｔの特徴的なサイズを上回る値までの範囲内であり得る。
いくつかの非限定的な例では、特定の屈折率及び／又は特定の吸光係数を有するように、上層１８０として堆積される材料を選択及び／又は修正することによって共鳴を調整し得る。非限定的な例として、典型的な有機ＣＰＬ１２１５材料は、約１．７～２．０の範囲の屈折率を有し得るが、ＴＦＥ材料として典型的に使用される材料であるＳｉＯＮｘは、約２．４を上回り得る屈折率を有し得る。付随して、ＳｉＯＮｘは、所望の共鳴特性に影響を与え得る高い吸光係数を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料中の金属の組成を変更して、堆積粒子構造１６０ｔの誘電率を変更することによって、共鳴が調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共鳴は、異なる組成を有する有機材料でパターニング材料４１１をドープすることによって調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共鳴は、特定の屈折率及び／又は特定の抽出係数を有するようにパターニング材料４１１を選択及び／又は修正することによって調整され得る。
当業者は、デバイス１００の層に対してゼロではない角度でのＥＭ信号３４６１の透過を可能にする、及び／又は非限定的な例として、デバイス１００に入射する可視光であり得るＥＭ放射線の吸収を高めるために、追加のパラメータ及び／又は値、及び／又はその範囲は、少なくとも１つの粒子構造１６０によって与えられる共鳴を調整するのに好適であると明らかになり得ることを理解するであろう。
当業者は、これらのパラメータの特定の値及び／又は範囲は、デバイス１００の層に対してゼロではない角度で通過するＥＭ信号３４６１の透過を高めるために、少なくとも１つの粒子構造１６０によって与えられる共鳴を調整するのに好適であり得る一方、かかるパラメータの他の値及び／又は範囲は、ＥＭ信号３４６１の透過の強化を超えて、デバイス１００の性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命の向上、を含む他の目的に適し得、及びいくつかの非限定的な例では、好適な第２の電極１２４０（図１２Ａ）をデバイス１００の光電子バージョンの放射領域１３１０における第２の部分１０２に堆積させ、それによってＥＭ放射線の放射を促進することを理解するであろう。
追加的に、当業者は、かかる他の目的に好適であり得る追加のパラメータ及び／又は値及び／又は範囲が存在し得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、層状半導体デバイス１００の一部として少なくとも１つの粒子構造１６０を採用することにより、その中の偏光子への依存を低減し得る。
当業者は、光学効果の簡略化されたモデルが本明細書に提示されるが、他のモデル及び／又は説明が適用可能であり得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０の存在は、パターニング被膜１３０及び／又は上層１８０を含むがこれに限定されない、長手方向の面において隣接して配設された薄膜層及び／又は被膜の結晶化を低減及び／又は軽減し、それによって、それに隣接して配設された薄膜の特性を安定させ、いくつかの非限定的な例では、散乱を低減することができる。いくつかの非限定的な例では、かかる薄膜は、限定されないが、キャッピング層（capping layer、ＣＰＬ１２１５）を含む、デバイス１００の外部結合及び／又は封止被膜２０５０（図２３Ｃ）の少なくとも１つの層であり得、及び／又はそれを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０の存在は、ＵＶスペクトルの少なくとも一部の高められた吸収を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０の特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、粒子材料、及び屈折率のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、かかる粒子構造１６０の特性を制御することにより、ＵＶスペクトルを含む吸収スペクトルの吸収度合、波長範囲、及びピーク波長の制御を容易にし得る。ＵＶスペクトルの少なくとも一部におけるＥＭ放射線の高められた吸収は、例えば、デバイス性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命を改善するために有利であり得る。
いくつかの非限定的な例では、光学効果は、波長範囲及び／又はそのピーク強度を含む、透過及び／又は吸収波長スペクトルに対するその影響に関して説明され得る。
追加的に、提示されるモデルは、かかる少なくとも１つの粒子構造１６０を通って通過するＥＭ放射線の透過及び／又は吸収に対して付与される特定の効果を示唆し得るが、いくつかの非限定的な例では、かかる効果は、広範かつ観察可能な基準では反映され得ない局所効果を反映し得る。
比較的低い屈折率を有する媒体の近くに特定の金属ＮＰを配置することは、かかるＮＰの吸収スペクトルをより低い波長（部分）範囲に偏移させ得る（青色偏移）ことも報告されている。
したがって、いくつかの非限定的な例では、粒子材料を、少なくとも１つの粒子構造１６０が下地層と物理的に接触するように、下地層の露出層表面１１上の少なくとも１つの粒子構造１６０の不連続層１７０として配設することは、いくつかの非限定的な例では、デバイス１００によって放射される、及び／又はそれを通して少なくとも部分的に透過されるＥＭ放射線のＥＭスペクトルの波長範囲と実質的に重ならないように、青方偏移を非限定的に含む、粒子材料の吸収スペクトルを有利に偏移し得ると更に仮定し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０のピーク吸収波長は、デバイス１００を通して放射されている、及び／又はそれを通して少なくとも部分的に透過されるＥＭ放射線のピーク波長未満であり得る。非限定的な例として、粒子材料は、約４７０ｎｍ以下、約４６０ｎｍ、約４５５ｎｍ以下、約４５０ｎｍ以下、約４４５ｎｍ以下、約４４０ｎｍ以下、約４３０ｎｍ以下、約４２０ｎｍ以下、又は約４００ｎｍ以下のうちの少なくとも１つである波長でピーク吸収を呈し得る。
ここで、少し驚くべきことに、限定されないが、金属から構成されるものを含む、少なくとも１つの粒子構造１６０の形態を含むが、これらに限定されない形態での粒子材料を提供することが、デバイス１００を通じて、少なくとも１つの粒子構造１６０から、及び／又はそれらを通して第１の方向に通過し、可視スペクトル、及び／又はそのサブ範囲を含むが、これらに限定されない、ＥＭスペクトルの少なくとも１つの波長（サブ）範囲の、限定することなく含む、第１の方向に通過するＥＭ放射線の吸収及び／又は透過に更に影響を与え得ることが見出されている。
いくつかの非限定的な例では、吸収は、低減され得、及び／又は透過は、限定されないが可視スペクトル、及び／又はそのサブ範囲を含む、少なくともＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲に集中され得る。
いくつかの非限定的な例では、吸収は、可視スペクトル、及び／又はそのサブ範囲を非限定的に含む、ＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲である吸収スペクトルに集中され得る。
いくつかの非限定的な例では、吸収スペクトルは、青方偏移及び／又は可視スペクトル、及び／又は限定されないがそのサブ範囲を含む、限定されないがＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲を含むより高い波長（サブ）範囲に、及び／又は少なくとも部分的に可視スペクトルを超えたＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲に、偏移（赤方偏移）され得る。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、複数の粒子構造１６０が、デバイス１００の追加の層によって分離されているか否かにかかわらず、様々な側方面を有し、異なる吸収スペクトルを有して、互いの上に配設することができることを理解するであろう。このようにして、デバイス１００の特定の層及び／又は部分１０１、１０２の光学応答は、１つ以上の基準に従って調整され得る。
放射領域の周囲の吸収
いくつかの非限定的な例では、層状半導体デバイス１００は、少なくとも１つの放射領域１３１０（図１３Ａ）を含むＯＬＥＤなどの光電子デバイス１２００ａ（図１２Ａ）であり得る。いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０は、いくつかの非限定的な例では、アノードであり得る第１の電極１２２０（図１２Ａ）と、いくつかの非限定的な例では、カソードであり得る第２の電極１２４０との間に配置される、少なくとも１つの半導体層１２３０（図１２Ａ）に対応してもよい。アノード及びカソードは、電源１６０５（図１６）と電気的に結合され、それぞれ、少なくとも１つの半導体層１２３０を通して互いに向かって移動する正孔及び電子を発生させることができる。一対の正孔と電子が結合すると、光子の形態でＥＭ放射線が放射され得る。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０の少なくとも一部において、少なくとも１つの半導体層１２３０は、いくつかの非限定的な例では第１の電極１２２０を含むデバイス１２００の露出層表面１１の上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０を含み得るデバイス１００の露出層表面１１は、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１にパターニング被膜１３０を形成するために、限定するものではないが、シャドウマスク４１５を使用して、パターニング材料４１１の蒸発したフラックス４１２に曝露され得る。シャドウマスク４１５が採用されるか否かにかかわらず、パターニング被膜１３０は、その側方面において、実質的に信号透過領域１３２０に限定され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１２００の露出層表面１１は、堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２に曝露されてもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを含むがこれに限定されない粒子材料と同様の材料であってもよく、及び／又は同様の材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号透過領域１３２０の側方面１７２０内の面３４０１の露出層表面１１は、パターニング被膜１３０を含み得る。したがって、少なくとも１つの信号透過領域１３２０の側方面１７２０内で、いくつかの非限定的な例では粒子材料と同様の材料であってもよく、及び／又は粒子材料と同様の材料を含み得る堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２は、露出層表面１１に入射して、パターニング被膜１３０の露出層表面１１上に少なくとも１つの粒子構造１６０ｔを形成し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０中の表面被覆率は、約７０％以下、約６０％以下、５０％以下、４０％以下、３０％以下、２５％以下、２０％以下、１５％以下、又は１０％以下のうちの少なくとも１つであり得る。
同時に、パターニング被膜１３０は、その側方面において、実質的に非放射領域１５２０に制限されているので、いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０の側方面１７１０内の面３４０１の露出層表面１１は、少なくとも１つの半導体層１２３０を含み得る。したがって、少なくとも１つの放射領域１３１０の側方面１７１０の第２の部分１０２内で、露出層表面１１に入射する堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２は、第２の電極１２４０として堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０を形成し得る。
したがって、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、二重の目的、すなわち、第１の部分１０１における少なくとも１つの粒子構造１６０の堆積のためのベースを提供するための粒子構造パターニング被膜１３０ｐとして、及び堆積材料５３１の堆積中にシャドウマスク４１５を採用することなく、第２の部分１０２への第２の電極１２４０としての堆積材料５３１の堆積の側方範囲を制限するための非粒子構造パターニング被膜１３０ｎとして役立ち得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０の平均膜厚は、少なくとも約５ｎｍ、約６ｎｍ、又は約８ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、ＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、第２の電極１２４０の露出層表面１１上に、及び／又はその上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１２００の露出層表面１１の側方面は、第１の部分１０１及び第２の部分１０２を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、省略されてもよく、又は第１の部分１０１の上に延在しなくてもよく、むしろ第２の部分１０２の上にのみ延在し得る。いくつかの非限定的な例では、図１２Ａに非限定的な例として示されるように、第２の部分１０２は、多かれ少なかれ、デバイス１００のバージョン１２００ａの少なくとも１つの非放射領域１５２０（図１５）の側方面１７２０（図２２）に対応し得、シード１６１は、非粒子構造パターニング被膜１３０ｎの堆積前に堆積され得る。
かかる非限定的な構成は、デバイス１００の露出層表面１１に入射する外部ＥＭ放射線の反射を低減しながら、少なくとも１つの放射領域１３１０から放射されるＥＭ放射線の透過率を可能にし、かつ／又は最大化するのに適切であり得る。
したがって、図１２Ａに示すように、かかるシナリオでは、非粒子構造パターニング被膜１３０ｎが、少なくとも１つの粒子構造１６０を堆積する目的ではなく、その側方範囲を制限するために堆積され得る場合、かかる非粒子構造パターニング被膜１３０ｎを構成し得るパターニング材料４１１は、上で考察されたように粒子材料及び／又はシード材料に対してかかる比較的低い初期付着確率を呈しなくてもよい。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、デバイス１２００の放射領域１３１０以外の、かつ／又はそれに加えて、デバイス１２００の領域から省略されてもよく、第２の部分１０２は、いくつかの例では、かかる他の領域に対応し、かつ／又はそれを含み得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、図１２Ａに示されるように、非粒子構造パターニング被膜１３０ｎは、存在する場合、テンプレート層にシード１６１を堆積させた後、露出層表面１１上に堆積させ得、その結果、シード１６１は、第１の部分１０１と第２の部分１０２の両方にわたって堆積され得、かつ非粒子構造パターニング被膜１３０ｎは、第１の部分１０１にわたって堆積されたシード１６１を覆い得る。
いくつかの非限定的な例では、非粒子構造パターニング被膜１３０ｎは、粒子材料だけでなくシード材料の堆積にも抗する比較的小さい初期付着確率を有する表面を提供し得る。図１２Ｂのデバイス１００の例示的バージョン１２００ｂに示すかかる例では、非粒子構造パターニング被膜１３０ｎは、シード材料の任意の堆積の後ではなく前に堆積され得る。
第１の部分１０１にわたる非粒子構造パターニング被膜１３０ｎの選択的堆積の後、導電性粒子材料は、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、デバイス１２００ｂ上に堆積され得るが、非粒子構造パターニング被膜１３０ｎによって被覆されていないそれぞれのシード１６１、存在する場合、の周りに、限定することなく含まれるが、合着することにより粒子構造１６０ｔとして、及び／又はそれを形成するために、パターニング被膜１３０を実質的に欠き得る実質的に第２の部分１０２内のみに残留し得る。
第１の部分１０１にわたる非粒子構造パターニング被膜１３０ｎの選択的堆積の後、シード材料は、堆積される場合、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、デバイス１２００ｂの露出層表面１１をわたってテンプレート層に堆積され得るが、シード１６１は、非粒子構造パターニング被膜１３０ｎを実質的に欠き得る第２の部分１０２内にのみ実質的に残留し得る。
更に、粒子材料は、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、デバイス１２００の露出層表面１１にわたって堆積され得るが、粒子材料は、非粒子構造パターニング被膜１３０ｎを実質的に欠き得る粒子構造１６０ｔとして、及び／又はその中にそれを形成するために、それぞれのシード１６１の周りに合着することを含むが、これらに限定されない第２の部分１０２内にのみ実質的に残留し得る。
非粒子構造パターニング被膜１３０ｎは、第１の部分１０１内に、第２の部分１０２内のデバイス１２００ｂの下地層の露出層表面１１の粒子材料及び／又は、存在する場合、シード材料の堆積に抗する初期付着確率よりも実質的に小さい可能性がある粒子材料及び／又はシード材料（存在する場合）の堆積に抗する初期付着確率が比較的低い表面を提供し得る。
したがって、第１の部分１０１は、シード１６１の閉鎖被膜１５０及び／又は粒子構造１６０ｔを、限定することなく含むが、シード１６１の周りに合着することにより形成するために第２の部分１０２内に堆積され得る粒子材料を実質的に欠き得る。
当業者であれば、粒子材料の一部及び／又はシード材料の一部が第１の部分１０１内に残留していても、第１の部分１０１内の任意のかかる粒子材料及び／又はシード材料から形成されたシード１６１の量は、第２の部分１０２内よりも実質的に少ない場合があり、第１の部分１０１内の任意のかかる粒子材料は、粒子構造１６０を実質的に欠き得る不連続層１７０を形成する傾向があり得ることを理解するであろう。第１の部分１０１内のかかる粒子材料の一部がシード材料から形成されたシード１６１の周りを含むが、これに限定されない粒子構造１６０ｄを形成したとしても、それにもかかわらず、かかる粒子構造１６０ｄのサイズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔は、第１の部分１０１での特定の色に対応するが、これに限定されないものを含む、可視スペクトル、及び／又はそのサブ範囲及び／又は波長を含むがこれに限定されない、ＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲における、ＥＭ放射線の吸収が、第２の部分１０２での吸収より実質的に少なくあり得る第２の部分１０２の粒子構造１６０ｔのものとは十分に異なり得る。
このように、粒子構造パターニング被膜１３０ｎは、シャドウマスク４１５を使用することを含むがこれに限定されない、選択的に堆積されて、限定することなく含まれるが、それぞれのシード１６１の周りに合着することにより、粒子構造１６０ｔとして形成するために、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、粒子材料が堆積されることを可能にし得る。
当業者は、比較的低い反射率を示す構造が、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０を提供するために好適であり得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の露出層表面１１上の、例えば非限定的に不連続層１７０内の、ＮＰを非限定的に含む、少なくとも１つの粒子構造１６０の存在は、デバイス１２００のいくつかの光学特性に影響を及ぼし得る。
いかなる特定の理論にも限定されることを望むものではないが、粒子材料の閉鎖被膜１５０の形成は、パターニング被膜１３０によって、及び／又はその上で、実質的に阻害され得るが、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０がその上の粒子材料の堆積に曝露されるとき、粒子材料のいくつかの蒸気モノマーは、最終的に、その上に粒子材料の少なくとも１つの粒子構造１６０を形成し得ると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０の少なくともいくつかは、互いに切断され得る。換言すれば、いくつかの非限定的な例では、不連続層１７０は、粒子構造１６０が閉鎖被膜１５０を形成しないように、互いに物理的に分離され得る粒子構造１６０を含む特徴を含み得る。したがって、かかる不連続層１７０は、いくつかの非限定的な例では、したがって、デバイス１２００内のパターニング被膜１３０と上層１８０との間の界面に、及び／又は実質的にその側方範囲にわたって挿入される、粒子構造１６０として形成される粒子材料の薄い分散層を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０のうちの少なくとも１つは、パターニング被膜１３０の露出層表面１１と物理的に接触し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０の実質的に全てが、パターニング被膜１３０の露出層表面１１と物理的に接触し得る。
ここで、ユーザデバイス１３００の例示的なバージョン１３００ａの簡略ブロック図である図１３Ａに目を向けると、図示されていないが、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号透過領域１３２０内の、いくつかの非限定的な例では、少なくとも隣り合う放射領域１３１０から側方に離隔された領域内の、及びいくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層１２０９のピクセル定義層（pixel definition layer、ＰＤＬ）１２１０の厚さは、いくつかの非限定的な例では、層状半導体デバイス１００であり得るユーザデバイス１３００のディスプレイパネル１３４０ａの層に対する及びそれを通る透過率及び／又は透過率角度を高めるために低減され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの放射領域１３１０の側方面１７１０（図１７）は、データ線及び／又は走査線（図示せず）に沿って放射領域１３１０を駆動するために、それと関連付けられた少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１にわたって延在し得、かつそれを含み得、いくつかの非限定的な例では、Ｃｕ及び／又はＴＣＯから形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層１３３０は、デバイス１３１０の側方範囲にわたって少なくとも部分的に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２内の第２の電極１２４０を被覆し、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０を少なくとも部分的に被覆し、第１の部分１０１内のその露出層表面１１においてパターニング被膜１３０との界面を形成する。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２内の面３４０１の露出層表面１１に入射する粒子材料の蒸気フラックス５３２は、（すなわち、面３４０１の露出層表面１１が粒子構造パターニング被膜１３０ｐである第１の部分１０１の側方面を越えて）、粒子構造パターニング被膜１３０ｐがない場合でも、粒子材料の閉鎖被膜１５０を形成しない可能性がある場合、ある比率で及び／又は期間の間であり得る。かかるシナリオでは、第２の部分１０２の側方面内の露出層表面１１上の粒子材料の蒸気フラックス５３２はまた、図１３Ｂに示されるように、限定することなく含まれるが、不連続層１７０として、少なくとも１つの粒子構造１６０ｄをその上に形成し得る。
図１３Ｂは、ユーザデバイス１３００の例示的バージョン１３００ｂの簡略ブロック図である。そのディスプレイパネル１３４０ｂで、粒子材料の蒸気フラックス５３２が露出層表面１１に入射するとき、第２の部分１０２の第２の電極１２４０として閉鎖被膜１５０を形成するのではなく、面３４０１のように、少なくとも１つの粒子構造１６０ｄを含む、第２の部分１０２に不連続層１７０が形成され得る。少なくとも１つの粒子構造１６０ｄが電気的に結合される場合、不連続層１７０は、第２の電極１２４０として役立ち得る。
いくつかの非限定的な例では、特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、及び／又は第１の部分１０１の少なくとも１つの粒子構造１６０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの分散度は、第２の部分１０２で第２の電極１２４０を形成する不連続層１７０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｄのそれとは異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内の少なくとも１つの粒子構造１６０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの特徴的なサイズは、第２の部分１０２内の第２の電極１２４０を形成する不連続層１７０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｄの特徴的なサイズを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内の少なくとも１つの粒子構造１６０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの表面被覆率は、第２の部分１０２内の第２の電極１２４０を形成する不連続層１７０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｄの表面被覆率を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１の少なくとも１つの粒子構造１６０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの堆積密度は、第２の部分１０２内の第２の電極１２４０を形成する不連続層１７０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｄの堆積密度を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２内の第２の電極１２４０を形成する不連続層１７０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｄの特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成は、それらが電気的に結合されることを可能にするようなものであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２内の第２の電極１２４０を形成する不連続層１７０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｄの特徴的なサイズは、第１の部分１０１内の少なくとも１つの粒子構造１６０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの特徴的なサイズを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２内の第２の電極１２４０を形成する不連続層１７０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｄの表面被覆率は、第１の部分１０１内の少なくとも１つの粒子構造１６０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの表面被覆率を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２における第２の電極１２４０を形成する不連続層１７０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｄの堆積密度は、第１の部分１０１における少なくとも１つの粒子構造１６０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの堆積密度を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、遷移領域１３１５においてパターニング被膜１３０の上に部分的に延在し得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０を形成する不連続層１７０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｄは、遷移領域１３１５内の粒子構造パターニング被膜１３０ｐの上に部分的に延在し得る。
図１３Ｃは、ユーザデバイス１３００の例示的バージョン１３００ｃの簡略ブロック図である。図１３Ｂのディスプレイパネル１３４０ｂは、ディスプレイパネル１３４０ｂの側方面の第２の部分１０２内の放射領域１３１０を駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１は、ディスプレイパネル１３４０ｂの側方面の第２の部分１０２内の放射領域１３１０と同じ場所に設置されてもよく、第１の電極１２２０は、ＴＦＴ絶縁層１２０９を通して延在して、かかる少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１を組み込む少なくとも１つの駆動回路を通して電源１６０５の端子及び／又は接地に電気的に結合されてもよい。
対照的に、図１３Ｃのディスプレイパネル１３４０ｃでは、面３４０１の側方面の第２の部分１０２内に、それが駆動する放射領域１３１０と同じ場所に設置されたＴＦＴ構造１２０１はない。したがって、ディスプレイパネル１３４０ｃの第１の電極１２２０は、ＴＦＴ絶縁層１２０９を通して延在していない。
むしろ、ディスプレイパネル１３４０ｃの側方面の第２の部分１０２における放射領域１３１０を駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１は、その側方面内の他の場所に位置し（図示せず）、導電性チャネル１３２５は、ディスプレイパネル１３４０ｃの側方面内で、その第２の部分１０２を越えて、ディスプレイパネル１３４０ｃの露出層表面１１上に延在してもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層１２０９であり得る。いくつかの非限定的な例では、導電性チャネル１３２５は、ディスプレイパネル１３４０ｃの側方面の第１の部分１０１の少なくとも一部にわたって延在してもよい。いくつかの非限定的な例では、導電性チャネル１３２５は、それを通して面３４０１の層に対してゼロでない角度で通過するＥＭ信号３４６１の透過率を最大化するような平均膜厚を有し得る。いくつかの非限定的な例では、導電性チャネル１３２５は、Ｃｕ及び／又はＴＣＯから形成され得る。
粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上に形成された少なくとも１つの粒子構造１６０の特徴を分析するために、かかる露出層表面１１をＡｇの蒸気フラックス５３２に曝露した後に、一連の試料を作製した。
試料は、有機材料を堆積させて、ケイ素（Ｓｉ）基板１０上に粒子構造パターニング被膜１３０ｐを設けることによって作製された。次いで、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１は、８ｎｍの基準厚さに達するまでＡｇの蒸気フラックス５３２に供された。粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１の蒸気フラックス５３２への曝露に続いて、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上のＡｇの離散粒子構造１６０ｔの形態の不連続層１７０の形成が観察された。
かかる不連続層１７０の特徴は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上に堆積されたＡｇの離散粒子構造１６０ｔのサイズを測定するためにＳＥＭによって特徴付けられた。具体的には、各離散粒子構造１６０ｔの平均直径は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１を平面で視認されたときにそれによって占有される表面積を測定し、各粒子構造１６０ｔによって占有される面積を等価面積を有する円に当てはめて平均直径を計算することによって計算した。試料のＳＥＭ写真を図１４Ａに示し、図１４Ｃは、この分析によって得られた平均直径１４１０の分布を示す。比較のために、８ｎｍのＡｇをＳｉ基板１０上に直接堆積させた基準試料を調製した。かかる基準試料のＳＥＭ顕微鏡写真を図１４Ｂに示し、この顕微鏡写真の分析１４２０も図１４Ｃに反映されている。
分かり得るように、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上の離散Ａｇ粒子構造１６０ｔの中央値サイズは、約１３ｎｍであることが見出された一方で、基準試料においてＳｉ基板１０上に堆積されたＡｇ膜の中央値粒径は、約２８ｎｍであることが見出された。試料の分析された部分における不連続層１７０の離散Ａｇ粒子構造１６０ｔによって被覆された粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１の面積パーセンテージは、約２２．５％であることが見出され、一方、基準試料におけるＡｇ粒子によって被覆されたＳｉ基板１０の露出層表面１１のパーセンテージは、約４８．５％であることが見出された。
追加的に、粒子構造パターニング被膜１３０ｐ及びＡｇ粒子構造１６０ｔの不連続層１７０をガラス基板１０上に堆積させることによって、実質的に同一のプロセスを使用してガラス試料を調製し、試料を通る透過率に対する不連続層１７０の影響を決定するために、この試料（試料Ｂ）を分析した。比較ガラス試料は、ガラス基板１０上に粒子構造パターニング被膜１３０ｐを堆積させることによって（比較試料Ａ）、及びガラス基板１０上に厚さ８ｎｍのＡｇ被膜を直接堆積させることによって（比較試料Ｃ）作製された。ＥＭ放射線が各試料を通って通過する際に検出されるＥＭ放射線の強度のパーセンテージとして表されるＥＭ放射線の透過率を、各試料について様々な波長で測定し、表１７にまとめた。
分かり得るように、試料Ｂは、ＮＩＲスペクトルにおける８５０ｎｍの波長で約８８％の比較的高いＥＭ放射線透過率を呈しながら、少なくとも１つの粒子構造１６０の存在によって引き起こされるＥＭ放射線吸収に起因して、可視スペクトルにおける４５０ｎｍの波長で約５４％の比較的低いＥＭ放射線透過率を呈した。比較試料Ａは、８５０ｎｍの波長で約９０％の透過率を呈したので、少なくとも１つの粒子構造１６０の存在は、かかる波長でのＥＭ信号３４６１を含むがこれに限定されないＥＭ放射線の透過を実質的に減衰させなかったことが理解されるであろう。比較試料Ｃは、試料Ｂと比較して、可視スペクトルにおいて３０～４０％の比較的低い透過率を示し、ＮＩＲスペクトルにおいて８５０ｎｍの波長でより低い透過率を明示した。
上述の分析の目的で、５００ｎｍスケールで約１０ｎｍ２以下、及び２００ｎｍスケールで約２．５ｎｍ２以下の閾値領域を下回る小さい粒子構造１６０ｔは、これらが画像の解像度に近づいたため無視された。
放射領域内の粒子
いくつかの非限定的な例では、ピクセル２８１０は、複数の隣接するサブピクセル１３４ｘを含むことができ、各サブピクセル１３４ｘは、異なる波長範囲に対応する放出スペクトルを有するＥＭ放射線を放出する。隣接するサブピクセル１３４ｘ間の波長スペクトルの差に起因して、それらに対応する放射領域１３１０の物理的構造が同一である場合、それらの光学性能は異なり得る。いくつかの非限定的な例では、１つの波長範囲のサブピクセル１３４ｘｉの物理的構造は、サブピクセル１３４ｘｉ、１３４ｘｊの光学性能をそれらの関連する波長範囲に調整するように、別の波長範囲のサブピクセル１３４ｘｊの物理的構造から変更されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような調整は、異なる波長範囲のサブピクセル１３４ｘ間で比較的一貫した光学性能を提供することであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような調整は、所与の波長範囲のサブピクセルの光学性能を強調することであり得る。
所与の波長範囲のサブピクセル１３４ｘの光学性能を調整する１つのメカニズムは、粒子構造１６０を含むがこれに限定されない粒子材料の薄い分散層の形成及び／又は属性を制御する能力を利用し得、いくつかの非限定的な例では、そのようなサブピクセル１３４ｘと関連付けられたＥＭスペクトルの波長範囲におけるＥＭ放射線の放出及び／又はアウトカップリングを強化することを含むがこれに限定されない。
ここで図１５に目を向けると、光電子デバイス１２００の例示的なバージョン１５１０が示されている。デバイス１５１０において、共通ピクセル２８１０に対応する複数のサブピクセル１３４ｘｉ、１３４ｘｊが示されている。当業者であれば、２つのサブピクセル１３４ｘＩ、１３４ｘｊが示されているが、いくつかの非限定的な例では、ピクセル２８１０は、それと関連付けられた３つ以上のサブピクセル１３４ｘを有し得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル１３４ｘｉ、１３４ｘｊの一方は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、又はＷ（白）波長範囲に対応し、サブピクセル１３４ｘｉ、１３４ｘｊの他方は、異なる波長範囲に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、サブピクセル１３４ｘｉ及び１３４ｘｊは、対応する放射領域１３１０ｉ、１３１０ｊを有する。いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０ｉは、少なくとも１つの非放射領域１５２０ａ、１５２０ｂによって囲まれてもよく、放射領域１３１０ｊは、少なくとも１つの非放射領域１５２０ｂ、１５２０ｃによって囲まれてもよい。
いくつかの非限定的な例では、サブピクセル１３４ｘｉに対応する第１の電極１２２０ｉ及びサブピクセル１３４ｘｊに対応する第１の電極１２２０ｊは、デバイス１５１０の露出層表面１１の上に配置されてもよく、いくつかの非限定的な例では、対応する放射領域１３１０ｉ、１３１０ｊの側方面の少なくとも一部の中に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも放射領域１３１０ｉ、１３１０ｊの側方面内で、露出層表面１１は、対応する放射領域１３１０ｉ、１３１０ｊの駆動回路を構成する様々なＴＦＴ構造１２０１ｉ、１２０１ｊのＴＦＴ絶縁層１２０９を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０ｉ、１２２０ｊは、対応する少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１ｉ、１２０１ｊを組み込むそれぞれの少なくとも１つの駆動回路を介して電源１６０５の端子及び／又は接地に電気的に結合されるように、ＴＦＴ絶縁層１２０９を通って延在し得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる放射領域１３１０ｉ、１３１０ｊの側方面の少なくとも一部において、少なくとも１つの半導体層１２３０は、いくつかの非限定的な例ではそれぞれの第１の電極１２２０ｉ、１２２０ｊを含むデバイス１５１０の露出層表面の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０は、放射領域１３１０ｉ、１３１０ｊの側方面を越えて、周囲の非放射領域１５２０ａ、１５２０ｂ、１５２０ｃのうちの少なくとも１つの側方面内に少なくとも部分的に延在し得る。いくつかの非限定的な例では、非放射領域１５２０の側方面におけるデバイス１５１０の露出層表面１１は、それに対応するＰＤＬ１２１０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１５１０の露出層表面１１の側方面は、第１の部分１０１及び第２の部分１０２を含むことができ、第１の部分１０１は、放射領域１３１０ｉの側方面に実質的にわたって延在し、第２の部分１０２は、少なくとも放射領域１３１０ｊ及び非放射領域１５２０の側方面に実質的にわたって延在する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０の露出層表面１１は、実質的に放射領域１３１０ｉの側方面、すなわち、第１の部分１０１のみにわたってパターニング被膜１３０をパターニング被膜１３０として形成するために、シャドウマスク４１５の使用を含むがこれに限定されないパターニング材料４１１の蒸気フラックス４１２に曝露され得る。しかしながら、第２の部分１０２では、デバイス１５１０の露出層表面１１は、パターニング被膜１３０を実質的に欠いていてもよい。
第１の部分１０１にわたるパターニング被膜１３０の選択的堆積の後、デバイス１５１０の露出層表面１１は、堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２に曝露されてもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを含むがこれらに限定されない、粒子材料と同様の材料であってもよく、及び／又は同様の材料を含み得る。
したがって、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０を含む不連続層１７０は、実質的に放射領域１３１０ｉの側方面のみにわたって、第１の部分１０１内のパターニング被膜１３０の露出層表面１１上に形成され、それに限定され得る。
いくつかの非限定的な例では、不連続層１７０は、第２の電極１２４０ｉを含み得る。
デバイス１５１０の露出層表面１１がパターニング被膜１３０を実質的に欠いていてもよい場合、堆積材料５３１は、非限定的な例として、放射領域１３１０ｊ内の対応するサブピクセル１３４ｘｊの第２の電極１２４０ｊとして機能し得る、閉鎖被膜１５０である堆積層１４０として、第２の部分１０２に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２内の第２の電極１２４０ｊの平均膜厚は、第１の部分１０１内の粒子構造１６０の特徴的なサイズよりも大きくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０を形成するための堆積材料５３１は、デバイス１５１０の層に対してゼロでない角度でその非放射領域１５２０を通過するＥＭ放射線の放出及び／又はアウトカップリングを向上させるという状況において、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、又はＡｌのうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０は、デバイス１５１０の層に対してゼロでない角度でその非放射領域１５２０を通過するＥＭ放射線の放出及び／又はアウトカップリングを増強する文脈において、約１～５００ｎｍ、約１０～５００ｎｍ、約５０～３００ｎｍ、約５０～５００ｎｍ、約１００～３００ｎｍ、約１～２５０ｎｍ、約１～２００ｎｍ、約１～１８０ｎｍ、約１～１５０ｎｍ、約１～１００ｎｍ、約５～１５０ｎｍ、約５～１３０ｎｍ、約５～１００ｎｍ、又は約５～８０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲にある特徴的なサイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０は、デバイス１５１０の層に対してゼロでない角度でその非放射領域１５２０を通過するＥＭ放射線の放出及び／又はアウトカップリングを増強するという状況において、約１０～５００ｎｍ、約５０～３００ｎｍ、約５０～５００ｎｍ、約１００～３００ｎｍ、約５～１３０ｎｍ、約１０～１００ｎｍ、約１０～９０ｎｍ、約１５～９０ｎｍ、約２０～８０ｎｍ、約２０～７０ｎｍ、又は約２０～６０ｎｍのうちの少なくとも１つの平均及び／又は中央特徴サイズを有し得る。非限定的な例として、そのような平均及び／又は中央寸法は、粒子構造１６０の平均直径及び／又は中央直径に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０の大部分は、デバイス１５１０の層に対してゼロでない角度でその非放射領域１５２０を通過するＥＭ放射線の放出及び／又はアウトカップリングを向上させるという状況において、約５００ｎｍ、約３００ｎｍ、約２００ｎｍ、約１３０ｎｍ、約１００ｎｍ、約９０ｎｍ、約８０ｎｍ、約６０ｎｍ、又は約５０ｎｍのうちの少なくとも１つの最大特徴サイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような最大特徴サイズを有する粒子構造１６０の割合は、デバイス１５１０の層に対してゼロでない角度でその非放射領域１５２０を通過するＥＭ放射線の放出及び／又はアウトカップリングを向上させるという状況において、約５０％、約６０％、約７５％、約８０％、約９０％、又は約９５％のうちの少なくとも１つを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、最大閾値被覆率は、デバイス１５１０の層に対してゼロでない角度でその非放射領域１５２０を通過するＥＭ放射線の放出及び／又はアウトカップリングを向上させるという状況において、不連続層１７０の面積の約７５％、約６０％、約５０％、約３５％、約３０％、約２５％、約２０％、約１５％、又は約１０％のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層１３３０は、デバイス１３１０の側方範囲にわたって少なくとも部分的に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０を少なくとも部分的に被覆し、放射領域１３１０ｉ内のその露出層表面１１においてパターニング被膜１３０との界面を形成し、いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０ｊ内の第２の電極１２４０及び非放射領域１５２０を被覆する。
更に、少なくとも１つの粒子構造１６０は、低屈折率パターニング材料４１１を含むパターニング被膜１３０と、高屈折率材料を含む少なくとも１つの被覆層１３３０との間の界面において、少なくとも１つの被覆層１３３０を通じて放射領域１３１０ｉによって放出されるＥＭ放射線のアウトカップリングを強化し得る。
光電子デバイス
図１６は、本開示による例示的なエレクトロルミネセントデバイス１６００の断面からの簡略ブロック図である。いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００はＯＬＥＤである。
デバイス１６００は、基板１０を含むことができ、それぞれ、その上に、複数の層を含むフロントプレーン１６１０、第１の電極１２２０、少なくとも１つの半導体層１２３０、及び第２の電極１２４０が配設される。いくつかの非限定的な例では、フロントプレーン１６１０は、光子放射、及び／又は放射された光子の操作のためのメカニズムを提供することができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０及び下地層は、デバイス１６００の第１の電極１２２０及び第２の電極１２４０のうちの少なくとも１つの少なくとも一部を一緒に形成することができる。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０及びその下の下地層は、デバイス１６００のカソードの少なくとも一部を一緒に形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００は、電源１６０５と電気的に結合され得る。そのように結合されると、デバイス１６００は、本明細書に説明されるように光子を放射することができる。
基板
いくつかの例では、基板１０は、ベース基板１２１２を含み得る。いくつかの例では、ベース基板１２１２は、Ｓｉ、ガラス、金属（金属箔を非限定的に含む）、サファイア、及び／若しくは他の無機材料を非限定的に含む無機材料、並びに／又はポリイミド、及び／若しくはＳｉベースのポリマーを非限定的に含むポリマーを非限定的に含む有機材料を含む、その使用に好適な材料から形成され得る。いくつかの例では、ベース基板１２１２は、剛性又は可撓性であり得る。いくつかの例では、基板１０は、少なくとも１つの平面によって画定され得る。いくつかの非限定的な例では、基板１０は、第１の電極１２２０、少なくとも１つの半導体層１２３０、及び／又は第２の電極１２４０を非限定的に含む、デバイス１６００の残りのフロントプレーン１６１０の構成要素を支持する少なくとも１つの表面を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる表面は、有機表面及び／又は無機表面であり得る。
いくつかの例では、基板１０は、ベース基板１２１２に加えて、ベース基板１２１２の露出層表面１１上に支持された少なくとも１つの追加の有機及び／又は無機層（図示せず、又は本明細書に具体的に記載されていない）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる追加の層は、少なくとも１つの半導体層１２３０のうちの少なくとも１つを含み、置換し、かつ／又は補足することができる少なくとも１つの有機層を含み、かつ／又は形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、かかる追加の層は、少なくとも１つの電極を含み、かつ／又は形成し得る、少なくとも１つの無機層を含んでもよく、いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０及び／又は第２の電極１２４０を含み、置換し、かつ／又は補完してもよい。
いくつかの非限定的な例では、かかる追加の層は、バックプレーン１６１５を含み、かつ／又はそれから形成され、かつ／又はそれとして形成され得る。いくつかの非限定的な例では、バックプレーン１６１５は、低圧（真空を含むが、これに限定されない）環境下で提供されなくてもよく、及び／又はその導入前に提供されてもよいフォトリソグラフィプロセスによって形成され得る、限定されないが電子ＴＦＴ構造１２０１及び／又はその構成要素を含むデバイス１６００を駆動するための電源回路及び／又はスイッチング素子を収容することができる。
バックプレーン及びその中に具現化されたＴＦＴ構造
いくつかの非限定的な例では、基板１０のバックプレーン１６１５は、アクティブマトリックスデバイス及び／又はパッシブマトリックスデバイスとして機能するデバイス１６００をサポートし得るような、トランジスタ、抵抗器、及び／又はキャパシタを非限定的に含む、少なくとも１つの電子部品及び／又は光電子部品を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる構造は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造１２０１であり得る。
ＴＦＴ構造１２０１の非限定的な例として、トップゲート、ボトムゲート、ｎ型及び／又はｐ型ＴＦＴ構造１２０１が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ構造１２０１は、非晶質Ｓｉ（amorphous Si、ａ－Ｓｉ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（indium gallium zinc oxide、ＩＧＺＯ）、及び／又は低温多結晶Ｓｉ（low-temperature polycrystalline Si、ＬＴＰＳ）のうちの任意の少なくとも１つを組み込み得る。
第１の電極
第１の電極１２２０は、基板１０上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０は、電源１６０５の端子及び／又は接地に電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０は、いくつかの非限定的な例では、基板１０のバックプレーン１６１５内に少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１を組み込み得る、少なくとも１つの駆動回路を通してそのように結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０は、アノード及び／又はカソードを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０はアノードであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０は、基板１０（の一部）の上に少なくとも１つの薄い導電性膜を堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、基板１０の側方面上に空間的配置で配設された複数の第１の電極１２２０が存在し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの第１の電極１２２０のうちの少なくとも１つは、空間的配置において側方面で配設されたＴＦＴ絶縁層１２０９（の一部）の上に堆積され得る。その場合、いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの第１の電極１２２０のうちの少なくとも１つは、対応するＴＦＴ絶縁層１２０９の開口部を通して延在しており、バックプレーン１６１５内のＴＦＴ構造１２０１の電極と電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第１の電極１２２０及び／又はその少なくとも１つの薄膜は、Ｍｇ、Ａｌ、カルシウム（Ｃａ）、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｂａ、若しくはＹｂ、又はかかる材料のいずれかを含有する合金を非限定的に含む、それらの任意の複数の組み合わせを非限定的に含む、少なくとも１つの金属材料、非限定的にＦＴＯ、ＩＺＯ、又はＩＴＯなどの三元組成物を非限定的に含む、ＴＣＯを非限定的に含む、少なくとも１つの金属酸化物、又はそれらのうちの任意の複数の、又は様々な割合での組み合わせ、又は少なくとも１つの層（そのうちの少なくとも１つの層は、非限定的に薄膜であってもよい）におけるそれらの任意の複数の組み合わせを含み得る。
第２の電極
第２の電極１２４０は、少なくとも１つの半導体層１２３０の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、電源１６０５の端子及び／又は接地と電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、いくつかの非限定的な例では、基板１０のバックプレーン１６１５内に少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１を組み込み得る、少なくとも１つの駆動回路を通してそのように結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、アノード及び／又はカソードを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０はカソードであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、堆積層１４０を、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの薄膜として、少なくとも１つの半導体層１２３０（の一部）の上に堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０の側方面上に空間的配置で配設された複数の第２の電極１２４０が存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第２の電極１２４０は、限定ではないが、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｂａ、若しくはＹｂ、又は限定ではないが、かかる材料のいずれかを含有する合金を含む、任意の複数のそれらの組み合わせを含む、限定ではないが、少なくとも１つの金属材料、限定ではないが、ＦＴＯ、ＩＺＯ、若しくはＩＴＯ、又は限定ではないが、任意の複数のそれらの組み合わせなどの三元組成物を含む、限定ではないが、ＴＣＯを含む、少なくとも１つの金属酸化物、それらの任意の複数の、又は様々な割合の組み合わせ、又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）、又はＩｎを含む他の酸化物、又はＺｎ、又は少なくとも１つの層におけるそれらの任意の複数の組み合わせ、及び／又は限定ではないが薄い導電性膜であり得る少なくとも１つの任意の少なくとも１つの非金属材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ：Ａｇ合金について、かかる合金組成は、体積で約１：９～９：１の範囲であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０の堆積は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して実行され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、複数のかかる層及び／又は被膜を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる層及び／又は被膜は、互いの上に配設された別個の層及び／又は被膜であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、Ｙｂ／Ａｇ二重層被膜を含み得る。非限定的な例として、かかる二層被膜は、Ｙｂ被膜、続いてＡｇ被膜を堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、かかるＡｇ被膜の厚さは、Ｙｂ被膜の厚さを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、少なくとも１つの金属層及び／又は少なくとも１つの酸化物層を含む多層電極１２４０であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、フラーレン及びＭｇを含み得る。
非限定的な例として、かかる被膜は、フラーレン被膜、続いてＭｇ被膜を堆積させることによって形成することができる。いくつかの非限定的な例では、フラーレンをＭｇ被膜内に分散させて、フラーレン含有Ｍｇ合金被膜を形成することができる。このようなコーティングの非限定的な例は、２０１５年１０月８日に公開された米国特許出願公開第２０１５／０２８７８４６号、及び／又は２０１７年８月１５日に出願され、２０１８年２月２２日に国際公開第２０１８／０３３８６０号として公開された国際出願第ＩＢ２０１７／０５４９７０号に記載されている。
半導体層
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０は、複数の層１６３１、１６３３、１６３５、１６３７、１６３９を含んでもよく、そのうちのいずれかは、積層構成で配設されてもよく、いくつかの非限定的な例では、薄膜内に、限定ではないが、正孔注入層（hole injection layer、ＨＩＬ）１６３１、ＨＴＬ１６３３、放射層（emissive layer、ＥＭＬ）１６３５、ＥＴＬ１６３７、及び／又は電子注入層（electron injection layer、ＥＩＬ）１６３９のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０は、複数のＥＭＬ１６３５を含む「タンデム」構造を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、かかるタンデム構造はまた、少なくとも１つの電荷発生層（charge generation layer、ＣＧＬ）を含み得る。
当業者は、デバイス１６００の構造が、半導体層１６３１、１６３３、１６３５、１６３７、１６３９のうちの少なくとも１つを省略すること、及び／又は組み合わせることによって変更され得ることを容易に理解するであろう。
更に、少なくとも１つの半導体層１２３０の層１６３１、１６３３、１６３５、１６３７、１６３９のいずれも、任意の数の部分層を含み得る。なお更に、かかる層１６３１、１６３３、１６３５、１６３７、１６３９、及び／又はそれらのサブ層のいずれかは、様々な混合物、及び／又は組成勾配を含み得る。加えて、当業者は、デバイス１６００が、無機及び／又は有機金属材料を含む少なくとも１つの層を含んでもよく、必ずしも、有機材料のみから構成されるデバイスに限定されなくてもよいことを理解するであろう。非限定的な例として、デバイス１６００は、少なくとも１つのＱＤを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＨＩＬ１６３１は、アノードから正孔の注入を容易にし得る正孔注入材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＨＴＬ１６３３は、いくつかの非限定的な例では、高い正孔移動度を呈し得る正孔輸送材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＴＬ１６３７は、いくつかの非限定的な例では、高い電子移動度を呈し得る電子輸送材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＩＬ１６３９は、陰極からの電子注入を容易にし得る電子注入材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭＬ１６３５は、非限定的な例として、ホスト材料を少なくとも１つのエミッタ材料でドープすることによって形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、エミッタ材料は、蛍光エミッタ、リン光エミッタ、熱活性化遅延蛍光（thermally activated delayed fluorescence、ＴＡＤＦ）エミッタ、及び／又はこれらの複数の任意の組み合わせであり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００は、少なくとも１つの半導体層１２３０が、導電性薄膜電極１２２０、１２４０の間に挿入された少なくとも１つのＥＭＬ１６３５を含み得、それによって、電位差がそれらにわたって印加されると、正孔がアノードを通して少なくとも１つの半導体層１２３０に注入され得、電子がカソードを通して少なくとも１つの半導体層１２３０に注入され得、ＥＭＬ１６３５に向かって移動し、結合して光子の形態でＥＭ放射線を放出する、ＯＬＥＤであり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００は、少なくとも１つの半導体層１２３０が少なくとも１つのＱＤを含む活性層を含み得るエレクトロルミネセントＱＤデバイスであり得る。電源１６０５によって第１の電極１２２０及び第２の電極１２４０に電流が供給され得るとき、限定することなく、光子の形態を含むＥＭ放射線が、間に少なくとも１つの半導体層１２３０を含む活性層から放射され得る。
当業者であれば、デバイス１６００の構造は、少なくとも１つの半導体層１２３０スタック内の適切な位置に、これらに限定されないが正孔阻止層（hole blocking layer、ＨＢＬ）（図示せず）、電子阻止層（electron blocking layer、ＥＢＬ）（図示せず）、追加の電荷輸送層（charge transport layer、ＣＴＬ）（図示せず）、及び／又は追加の電荷注入層（charge injection layer、ＣＩＬ）（図示せず）を含む、少なくとも１つの追加の層（図示せず）を導入することによって変化させ得ることを容易に理解するであろう。
ＯＬＥＤデバイス１６００が照明パネルを含む場合を含み得るいくつかの非限定的な例では、デバイス１６００の側方面全体が単一の放射素子に対応し得る。したがって、図１６に示される実質的に平坦な断面プロファイルは、ＥＭ放射線がデバイス１６００から実質的にその側方範囲の全体に沿って放射されるように、デバイス１６００の側方面の全体に実質的に沿って延在することができる。いくつかの非限定的な例では、かかる単一の放射素子は、デバイス１６００の単一の駆動回路によって駆動され得る。
ＯＬＥＤデバイス１６００がディスプレイモジュールを含み得る場合を含む、いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００の側方面は、デバイス１６００の複数の放射領域１３１０に細分されてもよく、放射領域１３１０の各々内のデバイス構造１６００の断面は、通電されると、そこからＥＭ放射線を放射させてもよい。
放射領域
非限定的な例として図１７に示され得るようないくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０の活性領域１７３０は、横方向面では、第１の電極１２２０及び第２の電極１２４０によって境界を定められ、側方面では、第１の電極１２２０及び第２の電極１２４０によって画定された放射領域１３１０に限定されるように画定され得る。当業者は、放射領域１３１０の側方面１７１０、したがって、活性領域１７３０の側方境界が、第１の電極１２２０及び第２の電極１２４０のいずれか又は両方の側方面全体に対応しないことがあることを理解されよう。むしろ、放射領域１３１０の側方面１７１０は、実質的に、第１の電極１２２０及び第２の電極１２４０のいずれかの側方範囲以下であり得る。非限定的な例として、第１の電極１２２０の一部は、ＰＤＬ１２１０によって被覆されてもよく、かつ／又は第２の電極１２４０の一部は、少なくとも１つの半導体層１２３０上に配設されなくてもよく、いずれか又は両方のシナリオにおいて、放射領域１３１０が側方に制約され得るという結果をもたらす。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００の個々の放射領域１３１０は、側方パターンでレイアウトされ得る。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１の側方方向に沿って延在することができる。いくつかの非限定的な例では、パターンはまた、第２の側方方向に沿って延在してもよく、いくつかの非限定的な例では、第１の側方方向に実質的に垂直であってもよい。いくつかの非限定的な例では、パターンは、かかるパターン内に複数の要素を有してもよく、各要素は、その放射領域１３１０によって放射されるＥＭ放射線の波長、かかる放射領域１３１０の形状、（第１及び／又は第２の側方方向のいずれか又は両方に沿った）寸法、（第１及び／又は第２の側方方向のいずれか及び／又は両方に対する）配向、及び／又はパターン内の前の要素からの（第１及び／又は第２の側方方向のいずれか又は両方に対する）間隔を含むが、それらに限定されない、その少なくとも１つの特徴によって特徴付けられる。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１及び／又は第２の側方方向のいずれか又は両方で繰り返されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００の各個々の放射領域１３１０は、関連する放射領域１３１０のためのＯＬＥＤ構造を駆動するために、デバイス１６００のバックプレーン１６１５内の対応する駆動回路と関連付けられ、それによって駆動され得る。放射領域１３１０が第１の（行）側方方向と第２の（列）側方方向の両方に延在する規則的なパターンでレイアウトされ得る場合を非限定的に含む、いくつかの非限定的な例では、第１の側方方向に延在する放射領域１３１０の各行に対応する、バックプレーン１６１５内の信号線と、第２の側方方向に延在する放射領域１３１０の各列に対応する信号線と、が存在し得る。かかる非限定的な構成では、行選択線上の信号は、それと電気的に結合されたスイッチングＴＦＴ構造１２０１のそれぞれのゲートに通電することができ、データ線上の信号は、それと電気的に結合されたスイッチングＴＦＴ構造１２０１のそれぞれの源に通電することができ、それにより、行選択線／データ線対上の信号は、電源１６０５の正端子によって、かかる対と関連する放射領域１３１０のＯＬＥＤ構造のアノードに電気的に結合して通電し、そこから光子を放射させることができ、そのカソードは、電源１６０５の負端子と電気的に結合される。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００の各放射領域１３１０は、単一のディスプレイピクセル２８１０に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、各ピクセル２８１０は、所与の波長スペクトルで光を放射することができる。いくつかの非限定的な例では、波長スペクトルは、限定はしないが、可視スペクトル中の色に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００の各放射領域１３１０は、ディスプレイピクセル２８１０のサブピクセル１３４ｘに対応し得る。いくつかの非限定的な例では、複数のサブピクセル１３４ｘを組み合わせて、単一のディスプレイピクセル２８１０を形成するか、又は表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイピクセル２８１０は、３つのサブピクセル１３４ｘによって表され得る。いくつかの非限定的な例では、３つのサブピクセル１３４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル１３４１、Ｇ（緑）サブピクセル１３４２、及び／又はＢ（青）サブピクセル１３４３として示され得る。いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイピクセル２８１０は、４つのサブピクセル１３４ｘによって表され得、かかるサブピクセル１３４ｘのうちの３つは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、及びＢ（青）サブピクセル１３４ｘとして示され得、第４のサブピクセル１３４ｘは、Ｗ（白）サブピクセル１３４ｘとして示され得る。いくつかの非限定的な例では、所与のサブピクセル１３４ｘによって放出されるＥＭ放射の放出スペクトルは、サブピクセル１３４ｘが示される色に対応することができる。いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線の波長は、かかる色に対応しない場合があるが、波長をそのように対応する波長に変換するために、当業者に明らかな様式で、更なる処理が実行され得る。
異なる色のサブピクセル１３４ｘの波長は異なり得るので、特に、実質的に均一な厚さプロファイルを有する共通電極１２２０、１２４０が異なる色のサブピクセル１３４ｘに対して用いられ得る場合、かかるサブピクセル１３４ｘの光学特性は異なり得る。
実質的に均一な厚さを有する共通電極１２２０、１２４０が、デバイス１６００内の第２の電極１２４０として設けられ得るとき、デバイス１６００の光学性能は、各（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘと関連付けられた放射スペクトルに従って容易に微調整されない場合がある。かかるＯＬＥＤデバイス１６００で使用される第２の電極１２４０は、いくつかの非限定的な例では、複数の（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘをコーティングする共通電極１２２０、１２４０であり得る。非限定的な例として、かかる共通電極１２２０、１２４０は、デバイス１６００にわたって実質的に均一な厚さを有する比較的薄い導電性膜であり得る。いくつかの非限定的な例では、異なる（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘ内に配設される有機層の厚さを変動させることによって、各（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘ色と関連付けられる光学マイクロキャビティ効果を調整するための試みがなされてきたが、かかるアプローチは、いくつかの非限定的な例では、少なくとも一部の場合、光学マイクロキャビティ効果の相当の程度の調整を提供することができる。加えて、いくつかの非限定的な例では、かかるアプローチは、ＯＬＥＤディスプレイ生産環境で実装することが困難な場合がある。
その結果、いくつかの非限定的な例では、ＯＬＥＤデバイス１６００を非限定的に含む光電子デバイス１２００を構築するために使用され得るような、異なる屈折率を有する多数の薄膜層及び被膜によって創出される光学界面の存在により、異なる色のサブピクセル１３４ｘに対して異なる光学マイクロキャビティ効果を創出することができる。
デバイス１６００において観察されるマイクロキャビティ効果に影響を及ぼし得るいくつかの要因としては、非限定的に、総経路長（いくつかの非限定的な例では、そこから放射されたＥＭ放射線がアウトカップリングされる前に進むデバイス１６００の（長手方向の面における）総厚に対応し得る）、並びに様々な層及び被膜の屈折率が挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０の中及びそれにわたって電極１２２０、１２４０の厚さを変調することは、観察可能なマイクロキャビティ効果に影響を及ぼし得る。いくつかの非限定的な例では、かかる影響は、総光路長の変化に起因し得る。
いくつかの非限定的な例では、電極１２２０、１２４０の厚さの変化はまた、いくつかの非限定的な例では、総光路長の変化に加えて、それを通過するＥＭ放射線の屈折率を変化させ得る。いくつかの非限定的な例では、これは特に、電極１２２０、１２４０が少なくとも１つの堆積層１４０から形成され得る場合であり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００の光学特性、及び／又はいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの光学マイクロキャビティ効果を変調することによって変動され得る（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０にわたる光学特性は、限定ではないが、放射スペクトル、強度（限定ではないが、光度を含む）、及び／又は限定ではないが、輝度の角度依存性を含む、放射されたＥＭ放射線の角度分布、及び／又は放射されたＥＭ放射線の色偏移を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、サブピクセル１３４ｘは、第１のディスプレイピクセル２８１０を表すために他のサブピクセル１３４ｘの第１のセットと関連付けられ得、また、第２のディスプレイピクセル２８１０を表すために他のサブピクセル１３４ｘの第２のセットと関連付けられ得、それにより、第１及び第２のディスプレイピクセル２８１０は、それらと関連付けられた同じサブピクセル１３４ｘを有し得る。
サブピクセル１３４ｘのディスプレイピクセル２８１０へのパターン及び／又は構成は、発展し続けている。全ての現在及び将来のパターン、及び／又は構成は、本開示の範囲内に入ると考えられる。
非放射領域
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００の様々な放射領域１３１０は、少なくとも１つの側方方向において、少なくとも１つの非放射領域１５２０によって実質的に取り囲まれ、分離されてもよく、ここで、図１６に非限定的に示されるデバイス構造１６００の断面に沿った構造及び／又は構成は、そこから放射されるＥＭ放射線を実質的に抑制するように変化してもよい。いくつかの非限定的な例では、非放射領域１５２０は、放射領域１３１０を実質的に欠いている、側方面におけるそれらの領域を含み得る。
したがって、図１７の断面図に示すように、少なくとも１つの半導体層１２３０の様々な層の側方トポロジーは、少なくとも１つの非放射領域１５２０によって（少なくとも１つの側方方向に）取り囲まれた少なくとも１つの放射領域１３１０を画定するように変化させることができる。
いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイ（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０は、側方面１７１０を有する少なくとも１つの非放射領域１５２０によって少なくとも１つの側方方向において取り囲まれた側方面１７２０を有するものと理解され得る。
次に、ＯＬＥＤディスプレイ１６００の単一のディスプレイ（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０に適用されるようなデバイス１６００の断面の実装形態の非限定的な例について説明する。かかる実装形態の特徴は放射領域１３１０に固有であるように示されているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、２つ以上の放射領域１３１０が共通の特徴を包含し得ることを理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０は、デバイス１６００の露出層表面１１の上に配設されてもよく、いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０の側方面１７１０の少なくとも一部内に配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０内で、露出層表面１１は、第１の電極１２２０の堆積時に、単一のディスプレイ（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０のための駆動回路を構成する様々なＴＦＴ構造１２０１のＴＦＴ絶縁層１２０９を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層１２０９は、中を通して延在する開口部を伴って形成され、第１の電極１２２０が、限定ではないが、図１７に示すように、ＴＦＴドレイン電極１２０８を含む、ＴＦＴ電極１２０５、１２０７、１２０８のうちの１つと電気的に結合されることを可能にし得る。
当業者は、駆動回路が複数のＴＦＴ構造１２０１を含み得ることを理解するであろう。図１７では、解説を簡略にするために、１つのＴＦＴ構造１２０１のみが示され得るが、かかるＴＦＴ構造１２０１は、駆動回路を構成するかかる複数の及び／又はその少なくとも１つの構成要素を表し得ることが、当業者によって理解されよう。
断面面では、各放射領域１３１０の構成は、いくつかの非限定的な例では、周囲の非放射領域１５２０の側方面１７２０の実質的に全体にわたって少なくとも１つのＰＤＬ１２１０を導入することによって画定され得る。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０は、絶縁性有機及び／又は無機材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０は、実質的にＴＦＴ絶縁層１２０９の上に堆積され得るが、図示のように、いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０はまた、堆積された第１の電極１２２０の少なくとも一部、及び／又はその外側縁部の上に延在することができる。
いくつかの非限定的な例では、図１７に示すように、ＰＤＬ１２１０の断面厚さ及び／又はプロファイルは、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する、周囲の非放射領域１５２０の側方面１７２０と周囲の放射領域１３１０の側方面との境界に沿った増加した厚さの領域によって、実質的に谷形状構成を各（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０に付与することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０のプロファイルは、周囲の非放射領域１５２０の側方面１７２０と周囲の放射領域１３１０の側方面１７１０との間の境界から離れて、いくつかの非限定的な例では、実質的に十分にかかる非放射領域１５２０の側方面１７２０内で、を非限定的に含む、かかる谷形状構成以後、減少した厚さを有し得る。
ＰＤＬ１２１０は、概して、谷形状構成（それによって囲まれた放射領域１３１０を画定する）を形成するように、線形に傾斜した表面を有するものとして解説されているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、かかるＰＤＬ１２１０の形状、縦横比、厚さ、幅、及び／又は構成のうちの少なくとも１つは、変化し得ることを理解するであろう。非限定的な例として、ＰＤＬ１２１０は、より急勾配又はより緩やかに傾斜した一部を有して形成され得る。いくつかの非限定的な例では、かかるＰＤＬ１２１０は、第１の電極１２２０の少なくとも１つの縁部を被覆し得る、それが堆積される表面から実質的に垂直に離れて延在するように構成され得る。いくつかの非限定的な例では、かかるＰＤＬ１２１０は、限定ではないが、インクジェット印刷を含む、限定ではないが印刷によるものを含む、溶液処理技術によって、その上に少なくとも１つの半導体層１２３０を堆積させるように構成され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０は、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘのかかる放射領域１３１０の側方面１７１０の少なくとも一部を含む、デバイス１６００の露出層表面１１の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０内で、かかる露出層表面１１は、少なくとも１つの半導体層１２３０（及び／又はその層１６３１、１６３３、１６３５、１６３７、１６３９）の堆積時に、第１の電極１２２０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０はまた、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０を越えて、周囲の非放射領域１５２０の側方面１７２０内に少なくとも部分的に延在することができる。いくつかの非限定的な例では、かかる周囲の非放射領域１５２０のかかる露出層表面１１は、少なくとも１つの半導体層１２３０の堆積時に、ＰＤＬ１２１０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０の少なくとも一部を含む、デバイス１６００の露出層表面１１の上に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面内で、かかる露出層表面１１は、第２の電極１２２０の堆積時に、少なくとも１つの半導体層１２３０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０はまた、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０を越えて、周囲の非放射領域１５２０の側方面１７２０内に少なくとも部分的に延在することができる。いくつかの非限定的な例では、かかる周囲の非放射領域１５２０のかかる露出層表面１１は、第２の電極１２４０の堆積時に、ＰＤＬ１２１０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、周囲の非放射領域１５２０の側方面１７２０の実質的に全て又は実質的な一部にわたって延在することができる。
パターニングされた電極の選択的堆積
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の事前の選択的堆積によるオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスにおいて堆積材料５３１の選択的堆積を達成する能力は、ＯＬＥＤデバイス１６００及び／又はそれと電気的に結合された導電素子を含むがこれらに限定されない、光電子デバイスのパターニングされた電極１２２０、１２４０、２１５０及び／又はその少なくとも１つの層の選択的堆積を達成するために使用され得る。
このようにして、シャドウマスク４１５を使用する図１７におけるパターニング被膜１３０の選択的堆積と、堆積材料５３１のオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積とを組み合わせて、少なくとも１つの堆積層１４０の選択的堆積を果たし、堆積層１４０を形成するための堆積プロセス内でシャドウマスク４１５を採用せずに、図１６に示すデバイス１６００内に、パターニングされた電極１２２０、１２４０、２１５０、及び／又はその少なくとも１つの層、及び／又はそれと電気的に結合された導電素子を含むがこれらに限定されないデバイス特徴を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、かかるパターニングにより、デバイス１６００の透過率を可能にし、かつ／又は高めることができる。
次に、かかるデバイス１６００に様々な構造的能力及び／又は性能的能力を付与するための、かかるパターニングされた電極１２２０、１２４０、２１５０、及び／又はそれらの少なくとも１つの層、及び／又はそれらと電気的に結合された導電素子のいくつかの非限定的な例について説明する。
上記の結果として、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０、及び／又は放射領域１３１０を取り囲む非放射領域１５２０の側方面１７２０にわたって、第１の電極１２２０、第２の電極１２４０、補助電極２１５０、及び／又はそれらと電気的に結合された導電素子のうちの少なくとも１つを非限定的に含むデバイス特徴を、デバイス１６００のフロントプレーン１６１０の露出層表面１１上にパターンで選択的に堆積させることを目的とし得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０、第２の電極１２４０、及び／又は補助電極２１５０は、複数の堆積層１４０のうちの少なくとも１つの中に堆積され得る。
図１８は、例示的なパターニングされた電極１８００を平面で示すことができ、図では、第２の電極１２４０は、デバイス１６００の例示的なバージョン１９００（図１９）で使用するのに好適である。電極１８００は、その中にパターニングされた複数の開口１８２０を有する、又は画定する、単一の連続構造を含み得る、パターン１８１０で形成されてもよく、開口１８２０は、カソードが存在しないデバイス１９００の領域に対応してもよい。
図では、非限定的な例として、パターン１８１０は、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０と、かかる放射領域１３１０を取り囲む非放射領域１５２０の側方面１７２０との間の区別を伴わずに、デバイス１９００の側方範囲全体にわたって配設され得る。したがって、解説された例は、その外面に入射するＥＭ放射線に対して実質的に透過性であり得るデバイス１９００に対応し得、それにより、かかる外部入射ＥＭ放射線の相当の部分が、本明細書で開示されるようなデバイス１９００内で内部的に発生したＥＭ放射線の放射（上面放射、下面放射、及び／又は両面放射）に加えて、デバイス１９００を透過することができる。
デバイス１９００の透過率は、限定ではないが、開口１８２０の平均サイズ、及び／又は間隔、及び／又は開口１８２０の密度を含む、採用されるパターン１８１０を改変することによって調整及び／又は修正することができる。
ここで図１９に目を向けると、図１８の線１９－１９に沿ったデバイス１９００の断面図が示され得る。図において、デバイス１９００は、基板１０と、第１の電極１２２０と、少なくとも１つの半導体層１２３０とを含むものとして示され得る。
パターニング被膜１３０は、下地層の露出層表面１１上のパターン１８１０に実質的に対応するパターンで選択的に配設され得る。
図では第２の電極１２４０であるパターニングされた電極１８００を形成するのに好適な堆積層１４０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下地層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配設され得る。下地層は、パターン１８１０内に配設されたパターニング被膜１３０の領域と、パターニング被膜１３０が堆積されていないパターン１８１０内の少なくとも１つの半導体層１２３０の領域と、の両方を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の領域は、パターン１８１０に示される開口１８２０を含む第１の部分１０１に実質的に対応し得る。
パターニング被膜１３０が配設されたパターン１８１０のそれらの領域（開口１８２０に対応する）の核形成阻害特性に起因して、かかる領域上に配設された堆積材料５３１は、残留しない傾向があり得、パターン１８１０の残りに実質的に対応し得る堆積層１４０の選択的堆積のパターンをもたらし、開口１８２０に対応するパターン１８１０の第１の部分１０１のそれらの領域は、堆積層１４０の閉鎖被膜１５０を実質的に欠いている。
換言すれば、カソードを形成することになる堆積層１４０は、パターン１８１０内の開口１８２０を取り囲むが占有しない少なくとも１つの半導体層１２３０の領域を含む第２の部分１０２上にのみ実質的に選択的に堆積させることができる。
図２０Ａは、電極１２２０、１２４０、２１５０の複数のパターン２０１０、２０２０を示す概略図を平面で示すことができる。
いくつかの非限定的な例では、第１のパターン２０１０は、第１の側方方向に延在する複数の細長い離隔した領域を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のパターン２０１０は、複数の第１の電極１２２０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のパターン２０１０を含む複数の領域が電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２のパターン２０２０は、第２の側方方向に延在する複数の細長い離隔した領域を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の側方方向は、第１の側方方向に対して実質的に垂直であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２のパターン２０２０は、複数の第２の電極１２４０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２のパターン２０２０を含む複数の領域は、電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のパターン２０１０及び第２のパターン２０２０は、デバイス１６００の、概して２０００で示す例示的なバージョンの一部を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０は、第１のパターン２０１０が第２のパターン２０２０に重なる場所に形成され得る。いくつかの非限定的な例では、非放射領域１５２０の側方面１７２０は、側方面１７１０以外の任意の側方面に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、電源１６０５の第１の端子（いくつかの非限定的な例では、正の端子であり得る）は、第１のパターン２０１０の少なくとも１つの電極１２２０、１２４０、２１５０と電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の端子は、少なくとも１つの駆動回路を通して第１のパターン２０１０の少なくとも１つの電極１２２０、１２４０、２１５０と結合され得る。いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では、負の端子であり得る電源１６０５の第２の端子は、第２のパターン２０２０の少なくとも１つの電極１２２０、１２４０、２１５０と電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の端子は、少なくとも１つの駆動回路を通して第２のパターン２０２０の少なくとも１つの電極１２２０、１２４０、２１５０と結合され得る。
ここで図２０Ｂに目を向けると、図２０Ａの線２０Ｂ－２０Ｂに沿った、堆積段階２０００ｂにおけるデバイス２０００の断面図が示され得る。図では、段階２０００ｂにおけるデバイス２０００は、基板１０を含むものとして示され得る。
パターニング被膜１３０は、図に示すように、基板１０であってもよい、下地層の露出層表面１１上の第１のパターン２０１０の反転に実質的に対応するパターンで選択的に配設され得る。
図では第１の電極１２２０である、電極１２２０、１２４０、２１５０の第１のパターン２０１０を形成するのに好適な堆積層１４０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下地層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配設され得る。下地層は、第１のパターン２０１０の逆に配設されたパターニング被膜１３０の領域と、パターニング被膜１３０が堆積されていない第１のパターン２０１０に配設された基板１０の領域との両方を含み得る。いくつかの非限定的な例では、基板１０の領域は、第１のパターン２０１０の細長い離隔した領域に実質的に対応してもよく、一方で、パターニング被膜１３０の領域は、その間に間隙を含む第１の部分１０１に実質的に対応してもよい。
パターニング被膜１３０が配設された第１のパターン２０１０のそれらの領域（それらの間の間隙に対応する）の核形成阻害特性に起因して、かかる領域上に配設される堆積材料５３１は、残留しない傾向があり得、第１のパターン２０１０の細長い離隔した領域に実質的に対応し得る、堆積層１４０の選択的堆積のパターンをもたらし、堆積層１４０の閉鎖被膜１５０を実質的に欠いているそれらの間の間隙を含む第１の部分１０１を残すことができる。
換言すれば、電極１２２０、１２４０、２１５０の第１のパターン２０１０を形成し得る堆積層１４０は、第１のパターン２０１０の細長い離隔した領域を画定する基板１０のそれらの領域を含む第２の部分１０２上にのみ実質的に選択的に堆積させることができる。
ここで図２０Ｃに目を向けると、図２０Ａの線２０Ｃ－２０Ｃに沿ったデバイス２０００の断面図２０００ｃが示され得る。図において、デバイス２０００は、基板１０と、図２０Ｂに示されるように堆積された電極１２２０の第１のパターン２０１０と、少なくとも１つの半導体層１２３０とを含むものとして示され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０は、デバイス２０００の側方面の実質的に全てにわたる共通層として設けられ得る。
パターニング被膜１３０は、図に示されるように少なくとも１つの半導体層１２３０である下地層の露出層表面１１上の第２のパターン２０２０に実質的に対応するパターンで選択的に配設され得る。
図では第２の電極１２４０である、電極１２２０、１２４０、２１５０の第２のパターン２０２０を形成するのに好適な堆積層１４０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下地層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配設され得る。下地層は、第２のパターン２０２０の逆に配設されたパターニング被膜１３０の領域と、パターニング被膜１３０が堆積されていない第２のパターン２０２０内の少なくとも１つの半導体層１２３０の領域との両方を含み得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０の領域は、第２のパターン２０２０の細長い離隔した領域を含む第１の部分１０１に実質的に対応してもよく、一方、パターニング被膜１３０の領域は、それらの間の間隙に実質的に対応してもよい。
パターニング被膜１３０が配設された第２のパターン２０２０のそれらの領域（それらの間の間隙に対応する）の核形成阻害特性に起因して、かかる領域上に配設された堆積層１４０は、残留しない傾向があり得、第２のパターン２０２０の細長い離隔した領域に実質的に対応し得る、堆積層１４０の選択的堆積のパターンをもたらし、堆積層１４０の閉鎖被膜１５０を実質的に欠いているそれらの間の間隙を含む第１の部分１０１を残すことができる。
換言すれば、電極１２２０、１２４０、２１５０の第２のパターン２０２０を形成し得る堆積層１４０は、第２のパターン２０２０の細長い離隔した領域を画定する少なくとも１つの半導体層１２３０の領域を含む第２の部分１０２上にのみ実質的に選択的に堆積させることができる。
いくつかの非限定的な例では、電極１２２０、１２４０の第１のパターン２０１０及び／又は第２のパターン２０２０のいずれか又は両方を形成するために、パターニング被膜１３０及びその後に堆積される堆積層１４０の平均層厚は、限定ではないが、所与の用途及び所与の性能特質を含む、様々なパラメータに従って変動してもよい。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の平均層厚は、その後に堆積される堆積層１４０の平均層厚と同等であってもよく、かつ／又はそれよりも実質的に小さくてもよい。比較的薄いパターニング被膜１３０を使用して、その後に堆積される堆積層１４０の選択的パターニングを達成することは、可撓性のデバイス１６００を提供するために好適であり得る。いくつかの非限定的な例では、比較的薄いパターニング被膜１３０は、バリア被膜２０５０が堆積され得る比較的平坦な表面を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、バリア被膜２０５０の適用のためにかかる比較的平坦な表面を提供することにより、かかる表面へのバリア被膜２０５０の接着を増加させることができる。
電極１２２０、１２４０、２１５０の第１のパターン２０１０のうちの少なくとも１つ及び電極１２２０、１２４０、２１５０の第２のパターン２０２０のうちの少なくとも１つは、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０からのＥＭ放射線放射を制御するために、直接的に、かつ／又は、いくつかの非限定的な例では、それらのそれぞれの駆動回路を通して、電源１６０５と電気的に結合することができる。
補助電極
当業者は、図２０Ａ～図２０Ｃに示される第２のパターン２０２０に第２の電極１２４０を形成するプロセスが、いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００のための補助電極２１５０を形成するために同様の方式で使用され得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、その第２の電極１２４０は、共通電極を含んでもよく、補助電極２１５０は、第２のパターン２０２０内に堆積されており、いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０の上方、又はいくつかの非限定的な例では下方に堆積されており、それと電気的に結合されてもよい。いくつかの非限定的な例では、かかる補助電極２１５０のための第２のパターン２０２０は、第２のパターン２０２０の細長い離隔された領域が、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０を取り囲む非放射領域１５２０の側方面１７２０内に実質的にあるようなものであり得る。いくつかの非限定的な例では、かかる補助電極２１５０のための第２のパターン２０２０は、第２のパターン２０２０の細長い離隔された領域が、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０、及び／又はそれらを取り囲む非放射領域１５２０の側方面１７２０内に実質的にあるようなものであり得る。
図２１は、それと実質的に同様であるが、第２の電極１２４０の上方にパターンで配設されており、それと電気的に結合される（図示せず）、少なくとも１つの補助電極２１５０を更に含み得る、デバイス１６００の例示的バージョン２１００の例示的な断面図を示し得る。
補助電極２１５０は、導電性であり得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０は、少なくとも１つの金属及び／又は金属酸化物によって形成され得る。かかる金属の非限定的な例としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、又はＡｇが挙げられる。非限定的な例として、補助電極２１５０は、限定ではないが、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏによって形成されるものを含む、多層金属構造を含み得る。かかる金属酸化物の非限定的な例としては、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯ、又はＩｎ若しくはＺｎを含有する他の酸化物が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０は、Ａｇ／ＩＴＯ、Ｍｏ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、又はＩＴＯ／Ｍｏ／ＩＴＯを非限定的に含む、少なくとも１つの金属と少なくとも１つの金属酸化物との組み合わせによって形成された多層構造を含み得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０は、複数のかかる導電性材料を含み得る。
デバイス２１００は、基板１０、第１の電極１２２０、及び少なくとも１つの半導体層１２３０を含むものとして示され得る。
第２の電極１２４０は、少なくとも１つの半導体層１２３０の露出層表面１１の実質的に全ての上に配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、特に、上面放射デバイス２１００では、第２の電極１２４０は、非限定的な例として、第２の電極１２４０の存在に関連する光学干渉（限定ではないが、減衰、反射、及び／又は拡散を含む）を低減させるために、比較的に薄い導電性膜層（図示せず）を堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、他の場所で考察されるように、第２の電極１２４０の減少した厚さは、概して、第２の電極１２４０のシート抵抗を増加させ得、これは、いくつかの非限定的な例では、デバイス２１００の性能及び／又は効率を低減させる場合がある。第２の電極１２４０と電気的に結合され得る補助電極２１５０を設けることによって、いくつかの非限定的な例では、シート抵抗、したがって、第２の電極１２４０と関連するＩＲ降下を低減させることができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２１００は、下面放射及び／又は両面放射デバイス２１００であり得る。かかる例では、第２の電極１２４０は、かかるデバイス２１００の光学特性に実質的に影響を及ぼすことなく、比較的厚い導電層として形成され得る。それにもかかわらず、かかるシナリオであっても、第２の電極１２４０は、非限定的な例として、比較的薄い導電性膜層（図示せず）として形成することができ、したがって、デバイス２１００は、その外面に入射するＥＭ放射線に対して実質的に透過性とすることができ、したがって、かかる外部入射ＥＭ放射線の実質的な一部は、本明細書で開示するデバイス２１００内で内部的に発生したＥＭ放射線の放射に加えて、デバイス２１００を透過することができる。
パターニング被膜１３０は、図に示すように、第２の電極１２４０であり得る下地層の露出層表面１１上にパターンで選択的に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、図に示すように、パターニング被膜１３０は、非放射領域１５２０の側方面１７２０に対応し得る一連の平行な行２１２０として、パターンの第１の部分１０１に配設され得る。
パターニングされた補助電極２１５０を形成するのに好適な堆積層１４０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下地層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配設され得る。下地層は、行２１２０のパターンに配設されたパターニング被膜１３０の領域と、パターニング被膜１３０が堆積されていない第２の電極１２４０の領域との両方を含み得る。
パターニング被膜１３０が配設されたそれらの行２１２０の核形成阻害特性に起因して、かかる行２１２０上に配設された堆積材料５３１は、残留しない傾向があり得、パターンの少なくとも１つの第２の部分１０２に実質的に対応し得る堆積層１４０の選択的堆積のパターンをもたらし、堆積層１４０の閉鎖被膜１５０を実質的に欠く行２１２０を含む第１の部分１０１を残し得る。
換言すれば、補助電極２１５０を形成し得る堆積層１４０は、行２１２０を取り囲むが占有しない少なくとも１つの半導体層１２３０のそれらの領域を含む第２の部分１０２上にのみ実質的に選択的に堆積させることができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０を選択的に堆積させ、デバイス２１００の側方面の特定の行２１２０のみを被覆し、一方、その他の領域が被覆されないで残留することにより、補助電極２１５０の存在に関連する光学干渉を制御及び／又は低減させ得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０は、典型的視認距離から裸眼によって容易に検出され得ないパターンで選択的に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０は、ＯＬＥＤデバイス以外のデバイス内に形成されてもよく、かかるデバイスの電極の有効抵抗を減少させるためのものを含む。
図５に描写されるプロセスを含むがこれに限定されないパターニング被膜１３０を採用することによって、高温堆積層１４０の堆積プロセス中にシャドウマスク４１５を採用することなく、第２の電極１２４０及び／又は補助電極２１５０を含むがこれに限定されない電極１２２０、１２４０、２１５０をパターニングする能力により、補助電極２１５０の多数の構成が展開されることが可能となり得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０は、隣り合う放射領域１３１０の間に配設されており、第２の電極１２４０と電気的に結合され得る。非限定的な例では、補助電極２１５０の幅は、隣り合う放射領域１３１０間の分離距離よりも小さくてもよい。その結果、補助電極２１５０の各側の少なくとも１つの非放射領域１５２０内に間隙が存在し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる配置は、補助電極２１５０が、いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０のうちの少なくとも１つからのデバイス２１００の光出力に干渉する可能性を低減することができる。いくつかの非限定的な例では、かかる配置は、補助電極２１５０が比較的厚い（いくつかの非限定的な例では、厚さが数百ｎｍよりも大きい、及び／又は数ミクロン程度である）場合に適切であり得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０のアスペクト比は約０．０５を上回ってもよく、例えば、少なくとも約０．１、約０．２、約０．５、約０．８、約１、又は約２のうちの少なくとも１つである。非限定的な例として、補助電極２１５０の高さ（厚さ）は約５０ｎｍを上回ってもよく、例えば、少なくとも約８０ｎｍ、約１００ｎｍ、約２００ｎｍ、約５００ｎｍ、約７００ｎｍ、約１，０００ｎｍ、約１，５００ｎｍ、約１，７００ｎｍ、又は約２，０００ｎｍのうちの少なくとも１つである。
図２２は、デバイス１６００の例示的なバージョン２２００の（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応し得る放射領域１３１０の側方面１７１０と、放射領域１３１０を取り囲む非放射領域１５２０の側方面１７２０との両方の上に重ねられ得るグリッドとして形成された補助電極２１５０のパターン２１５０の例を示す概略図を平面図で示し得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極パターン２１５０は、放射領域１３１０の側方面１７２０のいずれも実質的に被覆しないように、非放射領域１５２０の側方面１７１０の全てではなく実質的に一部のみの上に延在することができる。
図では、補助電極２１５０のパターン２１５０は、その全ての要素が、互いに物理的に接続され、電気的に結合され、いくつかの非限定的な例では第１の電極１２２０及び／又は第２の電極１２４０であり得る少なくとも１つの電極１２２０、１２４０、２１５０と電気的に結合されるように、連続構造として形成されるものとして示され得るが、いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０のパターン２１５０は、互いに電気的に結合されて残留するが、互いに物理的に接続されなくてもよい、補助電極２１５０のパターン２１５０の複数の個別の要素として提供され得ることを、当業者は理解されよう。そうであっても、補助電極２１５０のパターン２１５０のかかる個別の要素は、依然として、それらが電気的に結合される少なくとも１つの電極１２２０、１２４０、２１５０のシート抵抗、したがって、デバイス２２００のシート抵抗を実質的に低下させ、その光学特質に実質的に干渉することなく、デバイス２２００の効率を増加させることができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０は、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの様々な配置を伴うデバイス２２００内で採用され得る。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘ配置は、実質的にダイヤモンド形状であり得る。
非限定的な例として、図２３Ａは、デバイス１６００の例示的なバージョン２３００において、ダイヤモンド構成のＰＤＬ１２１０を含む複数の非放射領域１５２０の側方面によって取り囲まれた、各々がサブピクセル１３４ｘに対応する放射領域１３１０の複数のグループ１３４１～１３４３を平面で示し得る。いくつかの非限定的な例では、構成は、第１の行と第２の行との交互パターンでの放射領域１３１０及びＰＤＬ１２１０のパターン１３４１～１３４３によって画定され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０を含む非放射領域１５２０の側方面１７２０は、実質的に楕円形であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の行中の非放射領域１５２０の側方面１７２０の長軸は、第２の行中の非放射領域１５２０の側方面１７２０の長軸に整合され、実質的に垂直であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の行中の非放射領域１５２０の側方面１７２０の長軸は、第１の行の軸に実質的に平行であり得る。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０の第１のグループ１３４１は、第１の波長でＥＭ放射を放出するサブピクセル１３４ｘに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第１のグループ１３４１のサブピクセル１３４ｘは、Ｒ（赤）サブピクセル１３４１に対応することができる。いくつかの非限定的な例では、第１のグループ１３４１の放射領域１３１０の側方面１７１０は、実質的にダイヤモンド形状の構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１のグループ１３４１の放射領域１３１０は、ＰＤＬ１２１０が先行及び後続する第１の行のパターンにあり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のグループ１３４１の放射領域１３１０の側方面１７１０は、同じ行中のＰＤＬ１２１０を含む先の及び後続の非放射領域１５２０の側方面１７２０、並びに第２の行の先の及び後続のパターン中のＰＤＬ１２１０を含む隣接する非放射領域１５２０の側方面１７２０とわずかに重なってもよい。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０の第２のグループ１３４２は、第２の波長でＥＭ放射を放出するサブピクセル１３４ｘに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第２のグループ１３４２のサブピクセル１３４ｘは、Ｇ（緑）サブピクセル１３４２に対応することができる。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ１３４２の放射領域１３１０の側方面１７１０は、実質的に楕円形の構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ１３４１の放射領域１３１０は、ＰＤＬ１２１０が先の及び後続の、第２の行のパターンにあり得る。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ１３４２の放射領域１３１０の側方面１７１０のうちのいくつかの長軸は、第１の角度にあり得、いくつかの非限定的な例では、第２の行の軸に対して４５°であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ１３４２の放射領域１３１０の側方面１７１０のうちの他のものの長軸は、第２の角度にあり得、いくつかの非限定的な例では、これは、第１の角度に対して実質的に垂直であり得る。いくつかの非限定的な例では、その側方面１７１０が第１の角度の長軸を有し得る第２のグループ１３４２の放射領域１３１０は、その側方面１７１０が第２の角度の長軸を有し得る第２のグループ１３４２の放射領域１３１０と交互になり得る。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０の第３のグループ１３４３は、第３の波長でＥＭ放射を放出するサブピクセル１３４ｘに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第３のグループ１３４３のサブピクセル１３４ｘは、Ｂ（青）サブピクセル１３４３に対応することができる。いくつかの非限定的な例では、第３のグループ１３４３の放射領域１３１０の側方面１７１０は、実質的にダイヤモンド形状の構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第３のグループ１３４３の放射領域１３１０は、ＰＤＬ１２１０が先の及び後続の第１の行のパターンにあり得る。いくつかの非限定的な例では、第３のグループ１３４３の放射領域１３１０の側方面１７１０は、同じ行中のＰＤＬ１２１０を含む先の及び後続の非放射領域１５２０の側方面１７２０、並びに第２の行の先の及び後続のパターン中のＰＤＬ１２１０を含む隣接する非放射領域１５２０の側方面１７２０とわずかに重なってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の行のパターンは、第１のグループ１３４１の放射領域１３１０と、第３のグループ１３４３の交互の放射領域１３１０とを含み得、各々の前後にＰＤＬ１２１０が続く。
ここで図２３Ｂに目を向けると、図２３Ａの線２３Ｂ－２３Ｂに沿ったデバイス２３００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２３００は、基板１０と、その露出層表面１１上に形成された第１の電極１２２０の複数の要素とを含むものとして示され得る。基板１０は、ベース基板１２１２（解説を簡略にするために図示せず）、及び／又は、各サブピクセル１３４ｘに対応し、それを駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１（解説を簡略にするために図示せず）を含み得る。ＰＤＬ１２１０は、第１の電極１２２０の要素間の基板１０の上に形成され、ＰＤＬ１２１０を含む非放射領域１５２０によって分離される、第１の電極１２２０の各要素の上の放射領域１３１０を画定し得る。図では、放射領域１３１０は全て、第２のグループ１３４２に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０が、周囲のＰＤＬ１２１０間で、第１の電極１２２０の各要素上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では共通カソードであり得る第２の電極１２４０が、いくつかの非限定的な例では、そのＧ（緑）サブピクセル１３４２を形成するように、第２のグループ１３４２の放射領域１３１０にわたって、かつ周囲のＰＤＬ１２１０にわたって堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、Ｇ（緑）サブピクセル１３４２の第２のグループ１３４２の放射領域１３１０の側方面１７１０にわたって第２の電極１２４０の上に選択的に堆積されて、パターニング被膜１３０を実質的に欠き得る第２の電極１２４０の部分の上に、すなわちＰＤＬ１２１０を含む非放射領域１５２０の側方面１７２０にわたって、堆積層１４０の選択的堆積を可能にし得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、ＰＤＬ１２１０の実質的に平坦な部分に沿って蓄積する傾向があり得、堆積層１４０は、ＰＤＬ１２１０の傾き部上に残留しない傾向があり得るが、パターニング被膜１３０で被膜され得る、かかる傾き部のベースに下降する傾向があり得る。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０の実質的に平坦な部分上の堆積層１４０は、第２の電極１２４０と電気的に結合され得る少なくとも１つの補助電極２１５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２３００は、ＣＰＬ１２１５及び／又はアウトカップリング層を含み得る。非限定的な例として、かかるＣＰＬ１２１５及び／又はアウトカップリング層は、第２の電極１２４０の表面及び／又はパターニング被膜１３０の表面上に直接設けられ得る。いくつかの非限定的な例では、かかるＣＰＬ１２１５及び／又はアウトカップリング層は、（サブ）２８１０／１３４ｘに対応する少なくとも１つの放射領域１３１０の側方面にわたって設けられ得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０はまた、屈折率整合被膜として機能し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０はまた、アウトカップリング層として機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２３００は、封止層２０５０を含み得る。かかる封止層２０５０の非限定的な例としては、デバイス２３００を封止するために提供される、ガラスキャップ、バリア膜、バリア接着剤、バリア被膜２０５０、及び／又は図中に破線の輪郭で示されるようなＴＦＥ層が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＥ層２０５０は、バリア被膜２０５０の一種とみなされ得る。
いくつかの非限定的な例では、封止層２０５０は、第２の電極１２４０及び／又はパターニング被膜１３０のうちの少なくとも１つの上方に配置され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス２３００は、限定されないが、偏光子、カラーフィルタ、反射防止被膜、防眩被膜、カバーガラス、及び／又は光学的に透明な接着剤（optically clear adhesive、ＯＣＡ）を含む、付加的光学及び／又は構造層、被膜、並びに構成要素を含み得る。
ここで図２３Ｃに目を向けると、図２３Ａの線２３Ｃ－２３Ｃに沿ったデバイス２３００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２３００は、基板１０と、その露出層表面１１上に形成された第１の電極１２２０の複数の要素とを含むものとして示され得る。ＰＤＬ１２１０は、第１の電極１２２０の要素間の基板１０の上に形成され、ＰＤＬ１２１０を含む非放射領域１５２０によって分離される、第１の電極１２２０の各要素の上の放射領域１３１０を画定し得る。図では、放射領域１３１０は、交互に第１のグループ１３４１及び第３のグループ１３４３に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０が、周囲のＰＤＬ１２１０間で、第１の電極１２２０の各要素上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では共通カソードであり得る第２の電極１２４０が、第１のグループ１３４１の放射領域１３１０の上に堆積されてそのＲ（赤）サブピクセル１３４１を形成し、第３のグループ１３４３の放射領域１３１０の上に堆積されてそのＢ（青）サブピクセル１３４３を形成し、周囲のＰＤＬ１２１０の上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、Ｒ（赤）サブピクセル１３４１の第１のグループ１３４１及びＢ（青）サブピクセル１３４３の第３のグループ１３４３の放射領域１３１０の側方面１７１０にわたって、第２の電極１２４０の上に選択的に堆積されており、パターニング被膜１３０を実質的に欠き得る第２の電極１２４０の部分の上に、すなわち、ＰＤＬ１２１０を含む非放射領域１５２０の側方面１７２０にわたって、堆積層１４０の選択的堆積を可能にし得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、ＰＤＬ１２１０の実質的に平坦な部分に沿って蓄積する傾向があり得、堆積層１４０は、ＰＤＬ１２１０の傾き部上に残留しない傾向があり得るが、パターニング被膜１３０で被膜されたかかる傾き部のベースに下降する傾向があり得る。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０の実質的に平坦な部分上の堆積層１４０は、第２の電極１２４０と電気的に結合され得る少なくとも１つの補助電極２１５０を形成し得る。
ここで図２４に目を向けると、図１７の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本明細書に説明される付加的堆積ステップを伴う、デバイス１６００の例示的バージョン２４００が示され得る。
デバイス２４００は、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０に実質的に対応する、デバイス２４００の第１の部分１０１内で、第１の部分１０１の周囲の非放射領域１５２０の側方面１７２０に実質的に対応する、デバイス２４００の第２の部分１０２内ではなく、下地層の露出層表面１１、図では第２の電極１２４０、の上に選択的に堆積されたパターニング被膜１３０を示し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、シャドウマスク４１５を使用して選択的に堆積され得る。
パターニング被膜１３０は、第１の部分１０１内に、補助電極２１５０を形成するために堆積層１４０としてその後に堆積される堆積材料５３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を有する露出層表面１１を提供し得る。
パターニング被膜１３０の選択的堆積後、堆積材料５３１は、デバイス２４００の上に堆積され得るが、実質的に、いかなるパターニング被膜１３０も実質的に欠き得る第２の部分１０２内のみに残留し、補助電極２１５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極２１５０は、図示のように、任意のパターニング被膜１３０を実質的に欠き得る第２の部分にわたって、第２の電極１２４０の上方にあり、それと物理的に接触することを含む、第２の電極１２４０のシート抵抗を低減させるように、第２の電極１２４０と電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、第２の部分１０２における堆積材料５３１の堆積に抗する高い初期付着確率を確実にするために、第２の電極１２４０と実質的に同じ材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、実質的に純粋なＭｇ、及び／又はＭｇと、Ａｇを非限定的に含む別の金属との合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ：Ａｇ合金組成は、体積で約１：９～９：１の範囲であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、非限定的にＩＴＯ及び／若しくはＩＺＯなどの三元金属酸化物を非限定的に含む金属酸化物、並びに／又は金属及び／若しくは金属酸化物の組み合わせを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０を形成するために使用される堆積層１４０は、実質的に純粋なＭｇを含み得る。
ここで図２５に目を向けると、図１７の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本明細書に説明される付加的堆積ステップを伴う、デバイス１６００の例示的バージョン２５００が示され得る。
デバイス２５００は、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０の一部に実質的に対応するデバイス２５００の第１の部分１０１内であって、第２の部分１０２内ではない、下地層の露出層表面１１、図では、第２の電極１２４０の上に選択的に堆積されたパターニング被膜１３０を示し得る。図では、第１の部分１０１は、放射領域１３１０を画定するＰＤＬ１２１０の傾き部の程度に沿って部分的に延在することができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、シャドウマスク４１５を使用して選択的に堆積され得る。
パターニング被膜１３０は、第１の部分１０１内に、補助電極２１５０を形成するために堆積層１４０としてその後に堆積される堆積材料５３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を有する露出層表面１１を提供し得る。
パターニング被膜１３０の選択的堆積後、堆積材料５３１は、デバイス２５００の上に堆積されてもよいが、実質的に、パターニング被膜１３０も実質的に欠き得る第２の部分１０２内のみに残留し、補助電極２１５０を形成し得る。したがって、デバイス２５００では、補助電極２１５０は、放射領域１３１０を画定するＰＤＬ１２１０の傾き部を部分的にわたって延在することができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極２１５０は、図示のように、パターニング被膜１３０を実質的に欠き得る第２の部分１０２にわたって、第２の電極１２４０の上方にあり、それと物理的に接触することを含む、第２の電極１２４０のシート抵抗を低減させるように、第２の電極１２４０と電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０を構成し得る材料は、堆積材料５３１の堆積に抗する高い初期付着確率を有さなくてもよい。
図２６は、かかるシナリオを解説し得、図１７の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本明細書で説明する付加的堆積ステップを伴う、デバイス１６００の例示的なバージョン２６００が示され得る。
デバイス２６００は、下地層、図では第２の電極１２４０の露出層表面１１の上に堆積されたＮＰＣ７２０を示し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ７２０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
その後、パターニング被膜１３０は、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０の一部に実質的に対応するデバイス２６００の第１の部分１０１内で、かつ第１の部分１０１を囲む非放射領域１５２０の側方面１７２０に実質的に対応するデバイス２６００の第２の部分１０２内ではなく、下地層の露出層表面１１、図ではＮＰＣ７２０の上に選択的に堆積されて堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、シャドウマスク４１５を使用して選択的に堆積され得る。
パターニング被膜１３０は、第１の部分１０１内に、補助電極２１５０を形成するために堆積層１４０としてその後に堆積される堆積材料５３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を有する露出層表面１１を提供し得る。
パターニング被膜１３０の選択的堆積後、堆積材料５３１は、デバイス２６００の上に堆積されてもよいが、実質的に、パターニング被膜１３０も実質的に欠き得る第２の部分１０２内のみに残留し、補助電極２１５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極２１５０は、第２の電極１２４０と電気的に連結されてそのシート抵抗を減少し得る。示されるように、補助電極２１５０は、第２の電極１２４０の上方に、かつそれと物理的に接触していなくてもよいが、当業者は、それにもかかわらず、補助電極２１５０が、複数の周知のメカニズムによって、第２の電極１２４０と電気的に結合され得ることを理解するであろう。非限定的な例として、パターニング被膜１３０の比較的に薄い膜（いくつかの非限定的な例では、最大約５０ｎｍ）の存在は、依然として、電流がそれを通過することを可能にし、それにより、第２の電極１２４０のシート抵抗が低減されることを可能にし得る。
ここで図２７に目を向けると、図１７の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本明細書に説明される付加的堆積ステップを伴う、デバイス１６００の例示的バージョン２７００が示され得る。
デバイス２７００は、下地層、図では第２の電極１２４０、の露出層表面１１上に堆積されたパターニング被膜１３０を示し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
パターニング被膜１３０は、補助電極２１５０を形成するために堆積層１４０としてその後に堆積される堆積材料５３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を有する露出層表面１１を提供することができる。
パターニング被膜１３０の堆積後、ＮＰＣ７２０は、下地層の露出層表面１１の上に選択的に堆積されてもよく、図では、パターニング被膜１３０は、非放射領域１５２０の側方面１７２０の一部に実質的に対応し、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０に実質的に対応するデバイス２７００の第２の部分１０２を取り囲む。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ７２０は、シャドウマスク４１５を使用して選択的に堆積され得る。
ＮＰＣ７２０は、第１の部分１０１内に、補助電極２１５０を形成するために堆積層１４０としてその後堆積される堆積材料５３１の堆積に抗する比較的高い初期付着確率を有する露出層表面１１を提供することができる。
ＮＰＣ７２０の選択的な堆積の後、堆積材料５３１は、デバイス２７００の上に堆積されてもよいが、補助電極２１５０を形成するために、パターニング被膜１３０がＮＰＣ７２０で覆われた場所に実質的に残留していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極２１５０は、第２の電極１２４０と電気的に連結されて第２の電極１２４０のシート抵抗を減少させることができる。
透明ＯＬＥＤ
ＯＬＥＤデバイス１６００は、第１の電極１２２０（下面放射型及び／又は両面放射型デバイスの場合）並びに基板１０及び／又は第２の電極１２４０（上面放射型及び／又は両面放射型デバイスの場合）のいずれか又は両方を通してＥＭ放射線を放射することができるので、第１の電極１２２０及び／又は第２の電極１２４０のいずれか又は両方を、いくつかの非限定的な例では、少なくともデバイス１６００の放射領域１３１０の側方面の実質的な一部にわたって、実質的にＥＭ放射線（又は光）透過性（「透過性」）にすることを目的とし得る。本開示では、限定ではないが、電極１２２０、１２４０、かかる要素が形成され得る材料、及び／又はその特性を含む、かかる透過性要素は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの波長範囲において、実質的に透過性（「透明」）である、かつ／又はいくつかの非限定的な例では、部分的に透過性（「半透明」）である、要素、材料、及び／又はその特性を含んでもよい。
デバイス１６００の放射領域１３１０の側方面の少なくとも実質的な一部にわたって、そこに透過特性を付与するために、様々なメカニズムを取り入れることができる。
デバイス１６００が下面放射型デバイス及び／又は両面放射デバイスである場合を非限定的に含むいくつかの非限定的な例では、周囲の基板１０の透過率を少なくとも部分的に低減し得る、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０と関連付けられた駆動回路のＴＦＴ構造１２０１は、放射領域１３１０の側方面１７２０内の基板１０の透過特性に影響を及ぼすことを回避するために、周囲の非放射領域１５２０の側方面１７１０内に位置することができる。
デバイス１６００が両面放射デバイスであるいくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０に関して、電極１２２０、１２４０のうちの第１のものは、例えば、非限定的に、本明細書で開示するメカニズムのうちの少なくとも１つによって実質的に透過性となり得、隣接する及び／又は隣り合う（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの側方面１７１０に関して、電極１２２０、１２４０のうちの第２のものは、例えば、非限定的に、本明細書で開示するメカニズムのうちの少なくとも１つによって実質的に透過性となり得る。したがって、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの第１の放射領域１３１０の側方面１７１０は、実質的に上面発光にされてもよく、隣接する（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの第２の放射領域１３１０の側方面１７１０は、実質的に底面発光にされてもよく、交互の（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘシーケンスにおいて、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘのサブセットは、実質的に上面発光であってもよく、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘのサブセットは、実質的に底面発光であってもよく、一方、各（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの単一の電極１２２０、１２４０のみが、実質的に透過にされてもよい。
いくつかの非限定的な例では、電極１２２０、１２４０、下面放射型デバイス及び／又は両面放射型デバイスの場合には第１の電極１２２０、並びに／若しくは上面放射型デバイス及び／又は両面放射型デバイスの場合には第２の電極１２４０を透過性にするためのメカニズムは、透過性薄膜のかかる電極１２２０、１２４０を形成するためのものであり得る。
いくつかの非限定的な例では、Ａｇ、Ａｌを非限定的に含む金属の薄い導電性膜層を堆積させることによって、かつ／又はＭｇ：Ａｇ合金、及び／若しくはＹｂ：Ａｇ合金を非限定的に含む金属の薄層を堆積させることによって形成されたものを非限定的に含む、薄膜の導電性堆積層１４０は、透過特性を示し得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、体積比で約１：９～９：１の範囲の組成を含み得る。いくつかの非限定的な例では、電極１２２０、１２４０は、堆積層１４０の任意の組み合わせの複数の薄い導電性膜層から形成されてもよく、それらのうちの任意の少なくとも１つは、ＴＣＯ、薄い金属膜、薄い金属合金膜、及び／又はこれらのいずれかの任意の組み合わせを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、特に、かかる薄い導電性膜の場合、比較的に薄い層厚は、ＯＬＥＤデバイス１６００における使用のために、高められた透過品質だけではなく、好ましい光学特性（限定ではないが、減少したマイクロキャビティ効果を含む）にも寄与するように、実質的に数十ｎｍまでであり得る。
いくつかの非限定的な例では、透過品質を促進するための電極１２２０、１２４０の厚さの低減は、電極１２２０、１２４０のシート抵抗の増加を伴う場合がある。
いくつかの非限定的な例では、高いシート抵抗を有する少なくとも１つの電極１２２０、１２４０を有するデバイス１６００は、動作中に電源１６０５と結合されたときに、大きな電流抵抗（current resistance、ＩＲ）降下が創出され得る。いくつかの非限定的な例では、かかるＩＲ降下は、電源１６０５のレベルを増加させることによって、ある程度まで補償することができる。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘについて、高いシート抵抗によるＩＲ降下を補償するために電源１６０５のレベルを増加させることで、デバイス１６００の有効な動作を維持するために他の構成要素に供給される電圧のレベルを増加させることが必要となり得る。
いくつかの非限定的な例では、（ＴＣＯ、薄い金属膜、及び／又は薄い金属合金膜の任意の組み合わせの少なくとも１つの薄膜層を採用することによって）電極１２２０、１２４０を実質的に透過性にする能力に有意に影響を及ぼすことなく、デバイス１６００の電力供給需要を低減させるために、補助電極２１５０が、デバイス１６００上に形成され、電流が、デバイス１６００の様々な放射領域１３１０により効果的に搬送されることを可能にし、一方、同時に、シート抵抗及びその関連付けられた透過性電極１２２０、１２４０のＩＲ降下を低減させることができる。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイデバイス１６００の共通電極１２２０、１２４０のシート抵抗の仕様は、限定ではないが、デバイス１６００の（パネル）サイズ、及び／又はデバイス１６００にわたる電圧変動の公差を含む、複数のパラメータに従って変化し得る。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗の仕様は、パネルサイズが増加するにつれて増加し得る（すなわち、より低いシート抵抗が指定される）。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗の仕様は、電圧変動に対する許容範囲が減少するにつれて増加し得る。
いくつかの非限定的な例では、シート抵抗の仕様を使用して、様々なパネルサイズのためのかかる仕様に準拠するように、補助電極２１５０の例示的な厚さを導出することができる。
非限定的な例として、上面放射型デバイスの場合、第２の電極１２４０を透過性にすることができる。一方、いくつかの非限定的な例では、かかる補助電極２１５０は、実質的に透過性でなくてもよいが、第２の電極１２４０の有効シート抵抗を低減するために、例えば、非限定的に、それらの間の導電性堆積層１４０の堆積により、第２の電極１２４０と電気的に結合されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、かかる補助電極２１５０は、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面からの光子の放射に干渉しないように、側方面及び／又は断面のいずれか又は両方において位置決め及び／又は成形することができる。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０及び／又は第２の電極１２４０を製作するメカニズムは、その放射領域１３１０の側方面の少なくとも一部にわたって、かつ／又はいくつかの非限定的な例では、それらを取り囲む非放射領域１５２０の側方面１７２０の少なくとも一部にわたって、あるパターンでかかる電極１２２０、１２４０を形成することであり得る。いくつかの非限定的な例では、かかるメカニズムは、上で考察されたように、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０からのＥＭ放射線の放射に干渉しないように、側方面及び／又は断面のいずれか又は両方における位置及び／又は形状に補助電極２１５０を形成するために採用することができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００は、デバイス１６００によって放射されたＥＭ放射線の光路内に導電性酸化物材料を実質的に欠き得るように構成され得る。非限定的な例として、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する少なくとも１つの放射領域１３１０の側方面１７１０において、少なくとも１つの半導体層１２３０の後に堆積される層及び／又は被膜のうちの少なくとも１つ（第２の電極１２４０、パターニング被膜１３０、及び／又は任意の他の層、及び／又はその上に堆積される被膜を含むが、これらに限定されない）は、任意の導電性酸化物材料を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、任意の導電性酸化物材料を実質的に欠いていることにより、デバイス１６００によって放射されるＥＭ放射線の吸収及び／又は反射を低減することができる。非限定的な例として、限定ではないが、ＩＴＯ及び／又はＩＺＯを含む、導電性酸化物材料は、概して、デバイス１６００の効率及び／又は性能を低減させ得る、可視スペクトルの少なくともＢ（青）領域におけるＥＭ放射線を吸収することができる。
いくつかの非限定的な例では、これらのメカニズム及び／又は他のメカニズムの組み合わせが採用され得る。
追加的に、いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０、第２の電極１２４０、及び／又は補助電極２１５０のうちの少なくとも１つを、デバイス１６００の（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０の少なくとも相当の部分にわたって実質的に透過性にして、ＥＭ放射線がその側方面１７１０にわたって実質的に放射されることを可能にすることに加えて、デバイス１６００をその外面に入射するＥＭ放射線に対して実質的に透過性にするために、デバイス１６００の周囲の非放射領域１５２０の側方面１７２０のうちの少なくとも１つを下方向と上方向との両方に実質的に透過性にして、本明細書で開示するデバイス１６００内で内部的に発生したＥＭ放射線の放射（上面放射、下面放射、及び／又は両面放射）に加えて、かかる外部入射ＥＭ放射線の実質的な一部がデバイス１６００を透過することができるようにすることを目的とし得る。
ここで図２８Ａに目を向けると、概して２８００で示される、デバイス１６００の透過（透明）バージョンの例示的な平面での図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス２８００は、複数のピクセル又はピクセル領域２８１０と複数の透過領域１３２０とを有するアクティブマトリックスＯＬＥＤ（active matrix OLED、ＡＭＯＬＥＤ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２１５０が、ピクセル領域２８１０及び／又は透過領域１３２０間の下地層の露出層表面１１上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、各ピクセル領域２８１０は、各々がサブピクセル１３４ｘに対応する複数の放射領域１３１０を備え得る。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル１３４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル１３４１、Ｇ（緑）サブピクセル１３４２、及び／又はＢ（青）サブピクセル１３４３に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、各透過領域１３２０は、実質的に透明であり、ＥＭ放射線がその断面の全体を通って通過することを可能にし得る。
次に図２８Ｂに目を向けると、図２８Ａの線２８Ｂ－２８Ｂに沿ったデバイス１６００のバージョン２８００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２８００は、基板１０と、ＴＦＴ絶縁層１２０９と、ＴＦＴ絶縁層１２０９の露出層表面１１上に形成された第１の電極１２２０と、を含むものとして示され得る。いくつかの非限定的な例では、基板１０は、ベース基板１２１２（解説を簡略にするために図示せず）、及び／又は、少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１を含み得、このＴＦＴ構造１２０１は、実質的にその下に位置決めされ、その第１の電極１２２０と電気的に結合された各サブピクセル１３４ｘに対応し、それを駆動するためのものである。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０は、基板１０上の非放射領域１５２０内に形成され、それに対応する第１の電極１２２０上に、各サブピクセル１３４ｘにも対応する放射領域１３１０を画定してもよい。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０は、第１の電極１２２０の縁部を被覆することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０が、第１の電極１２２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、周囲のＰＤＬ１２１０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０が、そのサブピクセル１３４ｘを形成するように、ピクセル領域２８１０の上方を含む、少なくとも１つの半導体層１２３０の上方に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、透過領域１３２０内の周囲のＰＤＬ１２１０の少なくとも部分的上方に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、ピクセル領域２８１０及び透過領域１３２０の両方を含むが、その第２の部分１０２を含む補助電極２１５０に対応する第２の電極１２４０の領域を含まない、デバイス２８００の第１の部分１０１の上に選択的に堆積させることができる。
いくつかの非限定的な例では、次いで、デバイス２８００の露出層表面１１全体が、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２に曝露され得る。堆積層１４０は、第２の電極１２４０の被膜されていない部分と電気的に結合され、いくつかの非限定的な例では、それと物理的に接触し得る、補助電極２１５０を形成するように、パターニング被膜１３０を実質的に欠き得る第２の電極１２４０の第２の部分１０２の上に選択的に堆積させることができる。
同時に、デバイス２８００の透過領域１３２０は、それを通るＥＭ放射線の透過に実質的に影響を及ぼし得る任意の材料を実質的に欠いて残留し得る。具体的には、図に示されるように、ＴＦＴ構造１２０１及び第１の電極１２２０は、断面において、それに対応するサブピクセル１３４ｘの下に位置決めされてもよく、補助電極２１５０と共に、透過領域１３２０を越えてあり得る。その結果、これらの構成要素は、ＥＭ放射線が透過領域１３２０を通して透過されることを減衰又は妨害しない可能性がある。いくつかの非限定的な例では、かかる配置は、全ての（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘが放射していないとき、いくつかの非限定的な例では、典型的な視認距離からデバイス２８００を視認する視認者がデバイス２８００を通して見ることを可能にし、それにより、透明デバイス２８００を創出することができる。
図には示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２８００は、補助電極２１５０と第２の電極１２４０との間に配設されたＮＰＣ７２０を更に含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ７２０はまた、パターニング被膜１３０と第２の電極１２４０との間に配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、少なくとも１つの半導体層１２３０と同時に形成され得る。非限定的な例として、パターニング被膜１３０を形成するために使用される少なくとも１つの材料はまた、少なくとも１つの半導体層１２３０を形成するために使用され得る。かかる非限定的な例では、デバイス２８００を作製するための複数の段階を削減することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０及び／又は第２の電極１２４０を形成するものを含むがこれらに限定されない様々な他の層及び／又は被膜が、特にかかる層及び／又は被膜が実質的に透明である場合に、透過領域１３２０の一部を被覆することができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０は、例えば、非限定的に、透過領域１３２０を通るＥＭ放射線の透過を更に容易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域１３１０のために画定されたウェルと同様であり得るウェルをその中に形成することにより、減少した厚さを有し得る。
当業者は、図２８Ａ及び図２８Ｂに示される配列以外の（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘ配列が、いくつかの非限定的な例では、採用されてもよいことを理解するであろう。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、図２８Ａ及び図２８Ｂに示される配置以外の補助電極２１５０の配置が採用され得ることを理解するであろう。非限定的な例として、補助電極２１５０は、ピクセル領域２８１０と透過領域１３２０との間に配設され得る。非限定的な例として、補助電極２１５０は、ピクセル領域２８１０内のサブピクセル１３４ｘ間に配設され得る。
ここで図２９Ａに目を向けると、概して２９００で示される、デバイス１６００の透明バージョンの例示的な平面図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００は、複数のピクセル領域２８１０と複数の透過領域１３２０とを有するＡＭＯＬＥＤデバイスであり得る。デバイス２９００は、ピクセル領域２８１０及び／又は透過領域１３２０の間に補助電極２１５０がないという点で、デバイス２８００とは異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、各ピクセル領域２８１０は、各々がサブピクセル１３４ｘに対応する複数の放射領域１３１０を備え得る。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル１３４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル１３４１、Ｇ（緑）サブピクセル１３４２、及び／又はＢ（青）サブピクセル１３４３に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、各透過領域１３２０は、実質的に透明であり得、光がその断面の全体を通って通過することを可能にし得る。
ここで図２９Ｂに目を向けると、図２９Ａの線２９－２９に沿ったデバイス２９００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２９００は、基板１０と、ＴＦＴ絶縁層１２０９と、ＴＦＴ絶縁層１２０９の表面上に形成された第１の電極１２２０と、を含むものとして示され得る。基板１０は、ベース基板１２１２（解説を簡略にするために図示せず）、及び／又は、少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１を含み得、このＴＦＴ構造１２０１は、実質的にその下に位置決めされ、その第１の電極１２２０と電気的に結合された各サブピクセル１３４ｘに対応し、それを駆動するためのものである。ＰＤＬ１２１０は、基板１０上の非放射領域１５２０内に形成され、それに対応する第１の電極１２２０上に、各サブピクセル１３４ｘにも対応する放射領域１３１０を画定してもよい。ＰＤＬ１２１０は、第１の電極１２２０の縁部を被覆する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０が、第１の電極１２２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、周囲のＰＤＬ１２１０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａは、そのサブピクセル１３４ｘを形成するためのピクセル領域２８１０の上、及び透過領域１３２０内の周囲のＰＤＬ１２１０の上を含む、少なくとも１つの半導体層１２３０の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａの平均層厚は、透過領域１３２０にわたる第１の堆積層１４０ａの存在が、それを通るＥＭ放射線の透過を実質的に減衰させないように、比較的薄くてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、透過領域１３２０を含むデバイス２９００の第１の部分１０１の上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、次いで、デバイス２９００の露出層表面１１全体が、いくつかの非限定的な例では、Ｍｇであり得る、堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２に曝露され、第２の堆積層１４０ｂが、第１の堆積層１４０ａの被膜されていない部分と電気的に結合され、いくつかの非限定的な例では、物理的に接触し、第２の電極１２４０を形成し得るように、いくつかの例では、ピクセル領域２８１０である、パターニング被膜１３０を実質的に欠き得る第１の堆積層１４０ａの第２の部分１０２にわたって、第２の堆積層１４０ｂを選択的に堆積させてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａの平均層厚は、第２の堆積層１４０ｂの平均層厚以下であり得る。このようにして、第１の堆積層１４０ａのみが延在し得る透過領域１３２０において比較的高い透過率が維持され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａの平均層厚は、約３０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、約２０ｎｍ以下、約１５ｎｍ以下、約１０ｎｍ以下、約８ｎｍ以下、又は約５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１４０ｂの平均層厚は、約３０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、約２０ｎｍ以下、約１５ｎｍ以下、約１０ｎｍ以下、又は約８ｎｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
したがって、いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０の平均層厚は、約４０ｎｍ以下であってもよく、かつ／又はいくつかの非限定的な例では、約５～３０ｎｍ、約１０～２５ｎｍ、又は約１５～２５ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａの平均層厚は、第２の堆積層１４０ｂの平均層厚を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａの平均層厚及び第２の堆積層１４０ｂの平均層厚は、実質的に同じであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａを形成するために使用される少なくとも１つの堆積材料５３１は、第２の堆積層１４０ｂを形成するために使用される少なくとも１つの堆積材料５３１と実質的に同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの堆積材料５３１は、実質的に、第１の電極１２２０、第２の電極１２４０、補助電極２１５０、及び／又はそれらの堆積層１４０に関して本明細書で説明されるようなものであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａは、ピクセル領域２８１０において、ＥＩＬ１６３９の機能を少なくとも部分的に提供することができる。第１の堆積層１４０ａを形成するための堆積材料５３１の非限定的な例は、Ｙｂを含み、これは、例えば、約１～３ｎｍの厚さであり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００の透過領域１３２０は、ＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルを含むがこれらに限定されないＥＭ信号を含むがこれらに限定されないＥＭ放射線の透過を実質的に阻害し得る任意の材料を実質的に欠いて残留し得る。具体的には、示されるように、ＴＦＴ構造１２０９及び／又は第１の電極１２２０は、それに対応するサブピクセル１３４ｘの下部であって、透過領域１３２０を越えた断面に位置決めされ得る。その結果、これらの構成要素は、ＥＭ放射線が透過領域１３２０を通して透過されることを減衰又は妨害しない可能性がある。いくつかの非限定的な例では、かかる配置は、典型的視認距離からデバイス２９００を視認する視認者が、いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘが放射していないとき、デバイス２９００を通して見ることを可能にし、それにより、透明ＡＭＯＬＥＤデバイス２９００を創出し得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる配置はまた、ＩＲエミッタ１３６０ｔ及び／又はＩＲ検出器１３６０ｒがＡＭＯＬＥＤデバイス２９００の背後に配置されることを可能にし得、それによって、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルを非限定的に含むＥＭ信号が、かかるアンダーディスプレイ構成要素１３６０によってＡＭＯＬＥＤデバイス２９００を通して交換される。
図には示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００は、第２の堆積層１４０ｂと第１の堆積層１４０ａとの間に配設されたＮＰＣ７２０を更に含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ７２０はまた、パターニング被膜１３０と第１の堆積層１４０ａとの間に配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、少なくとも１つの半導体層１２３０と同時に形成され得る。非限定的な例として、パターニング被膜１３０を形成するために使用される少なくとも１つの材料はまた、少なくとも１つの半導体層１２３０を形成するために使用され得る。かかる非限定的な例では、デバイス２９００を作製するための複数の段階を削減することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０及び／又は第１の堆積層１４０ａを形成するものを含むがこれらに限定されない様々な他の層及び／又は被膜が、特にかかる層及び／又は被膜が実質的に透明である場合に、透過領域１３２０の一部を被覆することができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０は、例えば、非限定的に、透過領域１３２０を通るＥＭ放射線の透過を更に容易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域１３１０のために画定されたウェルと同様であり得るウェルをその中に形成することにより、減少した厚さを有し得る。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、図２９Ａ及び図２９Ｂに示される配置以外の（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘ配置が採用され得ることを理解するであろう。
ここで図２９Ｃに目を向けると、図２９Ａの線２９－２９に沿った、デバイス１６００の異なるバージョン２９１０の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２９１０は、基板１０と、ＴＦＴ絶縁層１２０９と、ＴＦＴ絶縁層１２０９の表面上に形成された第１の電極１２２０と、を含むものとして示され得る。基板１０は、ベース基板１２１２（解説を簡略にするために図示せず）、及び／又は、少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１を含み得、このＴＦＴ構造１２０１は、実質的にその下に位置決めされ、その第１の電極１２２０と電気的に結合された各サブピクセル１３４ｘに対応し、それを駆動するためのものである。ＰＤＬ１２１０は、基板１０上の非放射領域１５２０内に形成され、それに対応する第１の電極１２２０上に、各サブピクセル１３４ｘにも対応する放射領域１３１０を画定してもよい。ＰＤＬ１２１０は、第１の電極１２２０の縁部を被覆することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０が、第１の電極１２２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、周囲のＰＤＬ１２１０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、透過領域１３２０を含むデバイス２９１０の第１の部分１０１の上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、ピクセル領域２８１０の上を含む少なくとも１つの半導体層１２３０の上に堆積されて、そのサブピクセル１３４ｘを形成することができるが、透過領域１３２０内の周囲のＰＤＬ１２１０の上には堆積されない。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる堆積は、堆積層１４０が少なくとも１つの半導体層１２３０上に堆積されて第２の電極１２４０を形成し得るように、パターニング被膜１３０を実質的に欠いている少なくとも１つの半導体層１２３０の第２の部分１０２、いくつかの非限定的な例ではピクセル領域２８１０の上に堆積層１４０を選択的に堆積させるために、デバイス２９１０の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２に曝露させることによって果たされ得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２９１０の透過領域１３２０は、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルを含むがこれらに限定されないＥＭ信号を含むがこれらに限定されないＥＭ放射線の透過に実質的に影響を及ぼし得る任意の材料を実質的に欠いて残留し得る。具体的には、示されるように、ＴＦＴ構造１２０１及び／又は第１の電極１２２０は、それに対応するサブピクセル１３４ｘの下部、及び透過領域１３２０を越えた断面に位置決めされ得る。その結果、これらの構成要素は、ＥＭ放射線が透過領域１３２０を通して透過されることを減衰又は妨害しない可能性がある。いくつかの非限定的な例では、かかる配置は、典型的視認距離からデバイス２９１０を視認する視認者が、いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘが放射していないとき、デバイス２９１０を通して見ることを可能にし、それにより、透明ＡＭＯＬＥＤデバイス２９１０を創出し得る。
堆積層１４０がない、かつ／又は実質的に欠き得る透過領域１３２０を提供することによって、かかる領域１３２０の透過率は、いくつかの非限定的な例では、非限定的な例として、図２９Ｂのデバイス２９００と比較して、有利に高めることができる。
図には示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２９１０は、堆積層１４０と少なくとも１つの半導体層１２３０との間に配設されたＮＰＣ７２０を更に含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ７２０はまた、パターニング被膜１３０とＰＤＬ１２１０との間に配設され得る。
簡略化のために図２９Ｂ及び図２９Ｃには示されていないが、当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルの少なくとも一部の波長を有するＥＭ信号３４６１が透過領域１３２０においてデバイスを通して交換されることを可能にしながら、可視スペクトルの少なくとも一部において透過領域１３２０におけるＥＭ放射線の吸収を容易にするために、少なくとも１つの粒子構造１６０がその上に配設され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、少なくとも１つの半導体層１２３０と同時に形成され得る。非限定的な例として、パターニング被膜１３０を形成するために使用される少なくとも１つの材料はまた、少なくとも１つの半導体層１２３０を形成するために使用され得る。かかる非限定的な例では、デバイス２９１０を作製するための複数の段階を削減することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０の少なくとも１つの層を透過領域１３２０内に堆積させて、パターニング被膜１３０を提供することができる。非限定的な例として、少なくとも１つの半導体層１２３０のＥＴＬ１６３７は、少なくとも１つの半導体層１２３０の堆積中に放射領域１３１０及び透過領域１３２０の両方に堆積され得るパターニング被膜１３０であり得る。次に、透過領域１３２０内のＥＴＬ１６３７の露出層表面１１がＥＩＬ１６３９を実質的に欠くように、ＥＴＬ１６３７の上の放射領域１３１０内にＥＩＬ１６３９を選択的に堆積させることができる。次に、放射領域１３１０内のＥＩＬ１６３９の露出層表面１１及びパターニング被膜１３０として機能するＥＴＬ１６３７の露出層表面を堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２に曝露して、放射領域１３１０内のＥＩＬ１６３９上に堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０と、透過領域１３２０内のＥＩＬ１６３９上に堆積層１４０の不連続層１７０と、を形成することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０及び／又は堆積層１４０を形成するものを含むがこれらに限定されない様々な他の層及び／又は被膜が、特にかかる層及び／又は被膜が実質的に透明である場合に、透過領域１３２０の一部を被覆することができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０は、例えば、非限定的に、透過領域１３２０を通るＥＭ放射線の透過を更に容易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域１３１０のために画定されたウェルと同様であり得るウェルをその中に形成することにより、減少した厚さを有し得る。
当業者は、図２９Ａ及び図２９Ｃに示される配列以外の（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘ配列が、いくつかの非限定的な例では、採用されてもよいことを理解するであろう。
放射領域上の電極厚さを変調するための選択的堆積
上で考察されたように、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０内及びそれにわたる電極１２２０、１２４０、２１５０の厚さを変調することは、観測可能なマイクロキャビティ効果に影響を及ぼし得る。いくつかの非限定的な例では、限定ではないが、ピクセル領域２８１０内の異なるサブピクセル１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０内のＮＩＣ及び／又はＮＰＣ７２０を含む、少なくとも１つのパターニング被膜１３０の堆積を通した少なくとも１つの堆積層１４０の選択的堆積により、限定ではないが、放射スペクトル、光度、及び／又は輝度の角度依存性、及び／又は放射された光の色シフトを含む、サブピクセル１３４ｘベースで望ましい光学マイクロキャビティ効果を最適化するように、各放射領域１３１０内の光学マイクロキャビティ効果が制御及び／又は変調されることが可能となり得る。
かかる効果は、サブピクセル１３４ｘの各放射領域１３１０内に配設された堆積層１４０の平均層厚及び／又は数を独立して変調することによって制御することができる。非限定的な例として、Ｂ（青）サブピクセル１３４３の上に配設された第２の電極１２４０の平均層厚は、Ｇ（赤）サブピクセル１３４２の上に配設された第２の電極１２４０の平均層厚よりも小さくてもよく、Ｇ（赤）サブピクセル１３４２の上に配設された第２の電極１２４０の平均層厚は、Ｒ（赤）サブピクセル１３４１の上に配設された第２の電極１２４０の平均層厚よりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、かかる効果は、サブピクセル１３４ｘの各放射領域１３１０の一部内に堆積される、堆積層１４０だけではなく、パターニング被膜１３０及び／又はＮＰＣ７２０の平均層厚及び／又は数を独立して変調することによって、更により大きい程度まで制御されてもよい。
図３０に非限定的な例として示されるように、いくつかの非限定的な例では、異なる放射スペクトルを有するＯＬＥＤディスプレイデバイス１６００のバージョン３０００において、サブピクセル１３４ｘに対応する放射領域１３１０のために選択的に堆積された様々な平均層厚の堆積層１４０が存在し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の放射領域１３１０ａは、第１の波長及び／若しくは発光スペクトルのＥＭ放射線を放出するように構成されたサブピクセル１３４ｘに対応し得、及び／又は、いくつかの非限定的な例では、第２の放射領域１３１０ｂは、第２の波長及び／若しくは発光スペクトルのＥＭ放射線を放出するように構成されたサブピクセル１３４ｘに対応し得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス３０００は、第３の波長及び／又は発光スペクトルのＥＭ放射線を放出するように構成されたサブピクセル１３４ｘに対応し得る第３の放射領域１３１０ｃを備え得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の波長は、第２の波長及び／又は第３の波長のうちの少なくとも１つ未満、それ超、かつ／又はそれと等しくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の波長は、第１の波長及び／又は第３の波長のうちの少なくとも１つ未満、それ超、かつ／又はそれと等しくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の波長は、第１の波長及び／又は第２の波長のうちの少なくとも１つ未満、それ超、かつ／又はそれと等しくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス３０００はまた、いくつかの非限定的な例では、第１の放射領域１３１０ａ、第２の放射領域１３１０ｂ、及び／又は第３の放射領域１３１０ｃのうちの少なくとも１つと実質的に同一である波長及び／又は放射スペクトルを有するＥＭ放射線を放射するように構成され得る、少なくとも１つの追加の放射領域１３１０（図示せず）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、第１の放射領域１３１０ａの少なくとも１つの半導体層１２３０を堆積させるためにも使用され得るシャドウマスク４１５を使用して選択的に堆積させることができる。いくつかの非限定的な例では、シャドウマスク４１５のかかる共有された使用により、光マイクロキャビティ効果が費用効果的な様式で各サブピクセル１３４ｘに対して調整されることが可能となり得る。
デバイス３０００は、基板１０と、ＴＦＴ絶縁層１２０９と、ＴＦＴ絶縁層１２０９の露出層表面１１上に形成された複数の第１の電極１２２０とを含むものとして示され得る。
いくつかの非限定的な例では、基板１０は、ベース基板１２１２（解説を簡略にするために図示せず）、及び／又は対応する放射領域１３１０に対応し、それを駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１を含むことができ、各ＴＦＴ構造は、実質的にその下に位置決めされ、その関連する第１の電極１２２０に電気的に結合された対応するサブピクセル１３４ｘを有する。ＰＤＬ１２１０を基板１０の上に形成して、放射領域１３１０を画定することができる。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０は、それらのそれぞれの第１の電極１２２０の縁部を被覆することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０が、それらのそれぞれの第１の電極１２２０の露出された領域、及びいくつかの非限定的な例では、周囲のＰＤＬ１２１０の少なくとも一部の上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０の上に第１の堆積層１４０ａを堆積させることができる。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる堆積は、デバイス３０００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２に曝露して、第１の堆積層１４０ａを少なくとも１つの半導体層１２３０の上に堆積させて、いくつかの非限定的な例では少なくとも第１の放射領域１３１０ａのための共通電極であり得る第２の電極１２４０ａ（図示せず）の第１の層を形成することによって果たされ得る。かかる共通電極は、第１の放射領域１３１０ａにおいて第１の厚さｔｃ１を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１は、第１の堆積層１４０ａの厚さに対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のパターニング被膜１３０ａは、第１の放射領域１３１０ａを備える、デバイス３０００の第１の部分１０１の上に選択的に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１４０ｂがデバイス３０００の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１４０ｂは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス３０００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２に曝露して、第２の堆積層１４０ｂを、第１のパターニング被膜１３０ａ、いくつかの例では、第２及び第３の放射領域１３１０ｂ、１３１０ｃ、並びに／又はＰＤＬ１２１０が存在する非放射領域１５２０の少なくとも一部を実質的に含まないことがある、第１の堆積層１４０ａの上に堆積させて、第２の堆積層１４０ｂを、非限定的な例では、少なくとも第２の放射領域１３１０ｂのための共通電極であり得る、第２の電極１２４０ｂ（図示せず）の第２の層を形成するために、第１のパターニング被膜１３０ａを実質的に含まない、第１の堆積層１４０ａの第２の部分１０２上に堆積させてもよい。いくつかの非限定的な例では、かかる共通電極は、第２の放射領域１３１０ｂにおいて第２の厚さｔｃ２を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第２の厚さｔｃ２は、第１の堆積層１４０ａ及び第２の堆積層１４０ｂの合成平均層厚に対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２のパターニング被膜１３０ｂは、第２の放射領域１３１０ｂを含むデバイス３０００の更なる第１の部分１０１の上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第３の堆積層１４０ｃが、デバイス３０００の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第３の堆積層１４０ｃは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる堆積は、デバイス３０００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例では、Ｍｇであり得る、堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２に曝露し、第３の堆積層１４０ｃを、第１のパターニング被膜１３０ａ又は第２のパターニング被膜１３０ｂのいずれかを実質的に欠き得る第２の堆積層１４０ｂ、いくつかの例では、第３の放射領域１３１０ｃ、及び／又はＰＤＬ１２１０がある非放射領域１５２０の少なくとも一部の上に堆積させ、第３の堆積層１４０ｃが、第２のパターニング被膜１３０ｂを実質的に欠いている、第２の堆積層１４０ｂの更なる第２の部分１０２上に堆積されており、いくつかの非限定的な例では、少なくとも第３の放射領域１３１０ｃのための共通電極であり得る、第２の電極１２４０ｃ（図示せず）の第３の層を形成し得るように果たされてもよい。いくつかの非限定的な例では、かかる共通電極は、第３の放射領域１３１０ｃにおいて第３の厚さｔｃ３を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第３の厚さｔｃ３は、第１の堆積層１４０ａ、第２の堆積層１４０ｂ、及び第３の堆積層１４０ｃの合成厚さに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１及び第２の厚さｔｃ２のいずれか又は両方を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第３のパターニング被膜１３０ｃを、第３の放射領域１３１０ｃを含むデバイス３０００の追加の第１の部分１０１の上に選択的に堆積させることができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２１５０が、デバイス３０００の非放射領域１５２０内でその隣り合う放射領域１３１０間に、いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０の上に配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２１５０を堆積するために使用される堆積層１４０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、かかる堆積は、デバイス３０００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであってもよい、堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２に曝露して、第１のパターニング被膜１３０ａ、第２のパターニング被膜１３０ｂ、及び／又は第３のパターニング被膜１３０ｃのいずれかを実質的に欠いていてもよい第１の堆積層１４０ａ、第２の堆積層１４０ｂ、及び／又は第３の堆積層１４０ｃの露出部分上に堆積層１４０を堆積させて、それにより、堆積層１４０が、第１のパターニング被膜１３０ａ、第２のパターニング被膜１３０ｂ、及び／又は第３のパターニング被膜１３０ｃのいずれかを実質的に欠いていてもよい第１の堆積層１４０ａ、第２の堆積層１４０ｂ、及び／又は第３の堆積層１４０ｃの露出部を含む追加の第２の部分１０２上に堆積されて、少なくとも１つの補助電極２１５０を形成することによって果たされてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２１５０の各々は、第２の電極１２４０のそれぞれの１つと電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２１５０の各々は、かかる第２の電極１２４０と物理的に接触していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の放射領域１３１０ａ、第２の放射領域１３１０ｂ、及び第３の放射領域１３１０ｃは、少なくとも１つの補助電極２１５０を形成するために使用される堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０を実質的に欠いていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａ、第２の堆積層１４０ｂ、及び／又は第３の堆積層１４０ｃのうちの少なくとも１つは、可視スペクトルの少なくとも一部において透過性及び／又は実質的に透明であり得る。したがって、いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１４０ｂ及び／又は第３の堆積層１４０ｃ（及び／又は任意の付加的堆積層１４０）は、第１の堆積層１４０ａの上部に配設されており、可視スペクトルの少なくとも一部において透過性及び／又は実質的に透明でもあり得る、マルチ被膜電極１２２０、１２４０、２１５０を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａ、第２の堆積層１４０ｂ、第３の堆積層１４０ｃ、任意の付加的堆積層１４０、及び／又はマルチ被膜電極１２２０、１２４０、２１５０のうちの少なくとも１つのうちのいずれかの透過率は、可視スペクトルの少なくとも一部において、約３０％、約４０％、約４５％、約５０％、約６０％、約７０％、約７５％、又は約８０％のうちの少なくとも１つを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａ、第２の堆積層１４０ｂ、及び／又は第３の堆積層１４０ｃの平均層厚は、比較的高い透過率を維持するために比較的薄くすることができる。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａの平均層厚は、約５～３０ｎｍ、約８～２５ｎｍ、又は約１０～２０ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１４０ｂの平均層厚は、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、又は約３～６ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、第３の堆積層１４０ｃの平均層厚は、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、又は約３～６ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａ、第２の堆積層１４０ｂ、第３の堆積層１４０ｃ、及び／又は任意の付加的堆積層１４０の組み合わせによって形成されたマルチ被膜電極の厚さは、約６～３５ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、約１０～２５ｎｍ、又は約１２～１８ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２１５０の厚さは、第１の堆積層１４０ａ、第２の堆積層１４０ｂ、第３の堆積層１４０ｃ、及び／又は共通電極の平均層厚を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２１５０の厚さは、約５０ｎｍ、約８０ｎｍ、約１００ｎｍ、約１５０ｎｍ、約２００ｎｍ、約３００ｎｍ、約４００ｎｍ、約５００ｎｍ、約７００ｎｍ、約８００ｎｍ、約１μｍ、約１．２μｍ、約１．５μｍ、約２μｍ、約２．５μｍ、又は約３μｍのうちの少なくとも１つを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２１５０は、実質的に非透明及び／又は不透明であり得る。しかしながら、少なくとも１つの補助電極２１５０は、いくつかの非限定的な例では、デバイス３０００の非放射領域１５２０内に提供され得るため、少なくとも１つの補助電極２１５０は、有意な光学干渉を引き起こさないか、又はそれに寄与しない場合がある。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２１５０の透過率は、可視スペクトルの少なくとも一部において、約５０％以下、約７０％以下、約８０％以下、約８５％以下、約９０％以下、又は約９５％以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２１５０は、可視スペクトルの少なくとも一部のＥＭ放射線を吸収することができる。
いくつかの非限定的な例では、第１の放射領域１３１０ａ、第２の放射領域１３１０ｂ、及び／又は第３の放射領域１３１０ｃにそれぞれ配設された第１のパターニング被膜１３０ａ、第２のパターニング被膜１３０ｂ、及び／又は第３のパターニング被膜１３０ｃの平均層厚は、各放射領域１３１０によって放射されるＥＭ放射線の色及び／又は放射スペクトルに従って変化し得る。いくつかの非限定的な例では、第１のパターニング被膜１３０ａは、第１のパターニング被膜厚ｔｎ１を有してもよく、第２のパターニング被膜１３０ｂは、第２のパターニング被膜厚ｔｎ２を有してもよく、かつ／又は第３のパターニング被膜１３０ｃは、第３のパターニング被膜厚ｔｎ３を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のパターニング被膜厚ｔｎ１、第２のパターニング被膜厚ｔｎ２、及び／又は第３のパターニング被膜厚ｔｎ３は、実質的に同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のパターニング被膜厚ｔｎ１、第２のパターニング被膜厚ｔｎ２、及び／又は第３のパターニング被膜厚ｔｎ３は、互いに異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス３０００はまた、任意の数の放射領域１３１０ａ～１３１０ｃ及び／又はその（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘを備えてもよい。いくつかの非限定的な例では、デバイスは、複数のピクセル２８１０を備えてもよく、各ピクセル２８１０は、２つ、３つ以上のサブピクセル１３４ｘを備え得る。
当業者であれば、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの特定の配置は、デバイス設計に応じて変化し得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル１３４ｘは、ＲＧＢサイドバイサイド、ダイヤモンド、及び／又はペンタイル（登録商標）を非限定的に含む、知られている配置方式に従って配置することができる。
電極を補助電極に電気的に結合するための導電性被膜
図３１に目を向けると、デバイス１６００の例示的なバージョン３１００の断面図が示され得る。デバイス３１００は、側方面において、放射領域１３１０及び隣接する非放射領域１５２０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０は、デバイス３１００のサブピクセル１３４ｘに対応し得る。放射領域１３１０は、基板１０と、第１の電極１２２０と、第２の電極１２４０と、それらの間に配置された少なくとも１つの半導体層１２３０とを有し得る。
第１の電極１２２０は、基板１０の露出層表面１１上に配設され得る。基板１０は、第１の電極１２２０と電気的に結合され得るＴＦＴ構造１２０１を含み得る。第１の電極１２２０の縁部及び／又は外周は、概して、少なくとも１つのＰＤＬ１２１０によって被覆され得る。
非放射領域１５２０は、補助電極２１５０を有してもよく、非放射領域１５２０の第１の部は、補助電極２１５０の側方面にわたって突出し、それに重なるように配置される突出構造３１６０を有してもよい。突出構造３１６０は、側方に延在して、遮蔽領域３１６５を提供することができる。非限定的な例として、突出構造３１６０は、遮蔽領域３１６５を提供するために、少なくとも１つの側部上の補助電極２１５０において、かつ／又はその近くで凹んでいてもよい。示されるように、遮蔽領域３１６５は、いくつかの非限定的な例では、突出構造３１６０の側方突出部と重なり得るＰＤＬ１２１０の表面上の領域に対応し得る。非放射領域１５２０は、遮蔽領域３１６５内に配設された堆積層１４０を更に含み得る。堆積層１４０は、補助電極２１５０を第２の電極１２４０と電気的に結合し得る。
パターニング被膜１３０ａは、第２の電極１２４０の露出層表面１１の上に、放射領域１３１０内に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、突出構造３１６０の露出層表面１１は、第２の電極１２４０を形成するために、薄い導電性膜の堆積からの残存する薄い導電性膜で被膜され得る。いくつかの非限定的な例では、残存する薄い導電性膜の露出層表面１１は、パターニング被膜１３０の堆積からの残存するパターニング被膜１３０ｂで被膜され得る。
しかしながら、遮蔽領域３１６５上の突出構造３１６０の側方突出部に起因して、遮蔽領域３１６５は、パターニング被膜１３０を実質的に欠き得る。したがって、パターニング被膜１３０の堆積後に、堆積層１４０がデバイス３１００上に堆積され得るとき、堆積層１４０は、補助電極２１５０を第２の電極１２４０に結合するように、遮蔽領域３１６５上に堆積されており、及び／又はそこに移動することができる。
当業者は、非限定的な例が図３１に示されており、様々な修正が明らかであり得ることを理解するであろう。非限定的な例として、突出構造３１６０は、その側部の少なくとも２つに沿って遮蔽領域３１６５を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、突出構造３１６０は省略されてもよく、補助電極２１５０は、遮蔽領域３１６５を画定し得る凹部を含み得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０及び堆積層１４０は、ＰＤＬ１２１０の代わりに、基板１０の表面上に直接配設することができる。
光学被膜の選択的堆積
いくつかの非限定的な例では、デバイス（図示せず）は、いくつかの非限定的な例では光電子デバイス１２００であってもよく、基板１０と、パターニング被膜１３０と、光学被膜とを含み得る。パターニング被膜１３０は、側方面では、基板１０の第１の側方部分１０１を被覆し得る。光学被膜は、側方面では、基板１０の第２の側方部分１０２を被覆し得る。パターニング被膜１３０の少なくとも一部は、光学被膜の閉鎖被膜１５０を実質的に欠いていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、光学被膜は、限定ではないが、プラズモンモードを含む、デバイスによって伝送、放射、及び／又は吸収されるＥＭ放射線の光学特性を変調するために使用されてもよい。非限定的な例として、光学被膜は、光学フィルタ、屈折率整合被膜、光取り出し被膜、散乱層、回折格子、及び／又はそれらの一部として使用されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、光学被膜は、限定はしないが、総光路長及び／又はその屈折率を調整することによって、デバイス１２００内の少なくとも１つの光マイクロキャビティ効果を変調するために使用されてもよい。デバイス１２００の少なくとも１つの光学特性は、強度の角度依存性、及び／又は波長シフトを非限定的に含む、出力ＥＭ放射線を非限定的に含む、少なくとも１つの光マイクロキャビティ効果を変調することによって影響され得る。いくつかの非限定的な例では、光学被膜は、非電気部品であってもよく、すなわち、光学被膜は、通常のデバイス動作中、電流を伝導及び／又は伝送するように構成されなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、光学被膜は、任意の堆積材料５３１から形成されてもよく、かつ／又は本明細書に説明されるような堆積層１４０を堆積させる任意のメカニズムを採用してもよい。
隔壁及び凹部
図３２に目を向けると、デバイス１６００の例示的なバージョン３２００の断面図が示され得る。デバイス３２００は、露出層表面１１を有する基板１０を含み得る。基板１０は、少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１を含み得る。非限定的な例として、少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１は、本明細書で説明するように、いくつかの非限定的な例では、基板１０を作製するときに一連の薄膜を堆積させ、パターニングすることによって形成され得る。
デバイス３２００は、側方面において、関連する側方面１７２０を有する放射領域１３１０と、各々が関連する側方面１７１０を有する少なくとも１つの隣接する非放射領域１５２０とを含み得る。放射領域１３１０内の基板１０の露出層表面１１には、少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１と電気的に結合することができる第１の電極１２２０を設けることができる。ＰＤＬ１２１０は、ＰＤＬ１２１０が露出層表面１１並びに第１の電極１２２０の少なくとも１つの縁部及び／又は外周を被覆するように、露出層表面１１上に設けることができる。ＰＤＬ１２１０は、いくつかの非限定的な例では、非放射領域１５２０の側方面１７２０中に設けることができる。ＰＤＬ１２１０は、中を通して第１の電極１２２０の層表面が露出され得る、放射領域１３１０の側方面１７１０に略対応し得る、開口部を提供し得る、谷形状構成を画定することができる。いくつかの非限定的な例では、デバイス３２００は、ＰＤＬ１２１０によって画定された複数のかかる開口部を含み得、その各々は、デバイス３２００の（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘ領域に対応し得る。
示されるように、いくつかの非限定的な例では、隔壁３２２１が、非放射領域１５２０の側方面１７２０内の露出層表面１１上に提供されてもよく、本明細書に説明されるように、凹部３２２２などの遮蔽領域３１６５を画定してもよい。いくつかの非限定的な例では、凹部３２２２は、凹部３２２２に重なる、かつ／又はそれを越えて突出し得る隔壁３２２１の上側セクションの縁部に対して凹んでいる、互い違いに配置されている、かつ／又はオフセットされている隔壁３２２１の下側セクションの縁部によって形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０の側方面１７１０は、第１の電極１２２０の上に配設された少なくとも１つの半導体層１２３０と、少なくとも１つの半導体層１２３０の上に配設された第２の電極１２４０と、第２の電極１２４０の上に配設されたパターニング被膜１３０と、を含み得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０、第２の電極１２４０、及びパターニング被膜１３０は、少なくとも１つの隣接する非放射領域１５２０の一部の少なくとも側方面１７２０を被覆するように側方に延在することができる。いくつかの非限定的な例では、示されるように、少なくとも１つの半導体層１２３０、第２の電極１２４０、及びパターニング被膜１３０は、少なくとも１つのＰＤＬ１２１０の少なくとも一部及び隔壁３２２１の少なくとも一部上に配設され得る。したがって、示されるように、放射領域１３１０の側方面１７１０、少なくとも１つの隣接する非放射領域１５２０の一部の側方面１７２０、少なくとも１つのＰＤＬ１２１０の一部、及び隔壁３２２１の少なくとも一部は、第２の電極１２４０がパターニング被膜１３０と少なくとも１つの半導体層１２３０との間にあり得る、第１の部分１０１を一緒に構成することができる。
補助電極２１５０は、凹部３２２２に近接して、かつ／又はその中に配設されてもよく、堆積層１４０は、補助電極２１５０を第２の電極１２４０と電気的に結合するように配置されてもよい。したがって、図示のように、いくつかの非限定的な例では、凹部３２２２は、堆積層１４０が露出層表面１１上に配設される、第２の部分１０２を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０を堆積させる際に、堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２の少なくとも一部は、露出層表面１１の側方平面に対して垂直でない角度で向けられ得る。非限定的な例として、蒸気フラックス５３２の少なくとも一部は、露出層表面１１のかかる側方平面に対して、ゼロではない、すなわち約９０°以下、約８５°以下、約８０°以下、約７５°以下、約７０°以下、約６０°以下、又は約５０°以下のうちの少なくとも１つの入射角でデバイス３２００に入射し得る。垂直でない角度で入射するその少なくとも一部を含む、堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２を向けることによって、凹部３２２２で、及び／又はその中の少なくとも１つの露出層表面１１は、かかる蒸気フラックス５３２に曝露され得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる蒸気フラックス５３２の少なくとも一部が、垂直でない入射角で流れることができるので、かかる蒸気フラックス５３２が、隔壁３２２１の存在により、凹部３２２２の、かつ／又はその内の少なくとも１つの露出層表面１１上に入射することを妨げられる可能性を低減することができる。
いくつかの非限定的な例では、かかる蒸気フラックス５３２の少なくとも一部は、コリメートされなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、かかる蒸気フラックス５３２の少なくとも一部は、点源、線形源、及び／又は表面源である蒸発源によって発生し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス３２００は、堆積層１４０の堆積中に変位され得る。非限定的な例として、デバイス３２００、及び／又はその基板１０、及び／又はその上に堆積される任意の層は、側方面において、かつ／又は断面と実質的に平行な面において、角度である変位に供され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス３２００は、蒸気フラックス５３２に供されている間に、露出層表面１１の側方平面に実質的に垂直な軸を中心に回転させることができる。
いくつかの非限定的な例では、かかる蒸気フラックス５３２の少なくとも一部は、露出層表面１１の側方平面に対して実質的に垂直な方向に、デバイス３２００の露出層表面１１に向かって向けられ得る。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、それにもかかわらず、堆積材料５３１は、パターニング被膜１３０の露出層表面１１上に吸着された吸着原子の側方移動及び／又は脱着に起因して、凹部３２２２内に堆積され得ると仮定することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の露出層表面１１上に吸着された任意の吸着原子は、安定した核を形成するための露出層表面１１の好ましくない熱力学的特性に起因して、かかる露出層表面１１から移動及び／又は脱着する傾向があり得ると仮定することができる。いくつかの非限定的な例では、かかる露出層表面１１から移動及び／又は脱着する吸着原子の少なくともいくつかは、凹部３２２２内の表面上に再堆積して堆積層１４０を形成することができると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、堆積層１４０が補助電極２１５０と第２の電極１２４０の両方と電気的に結合され得るように形成され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、補助電極２１５０及び／又は第２の電極１２４０のうちの少なくとも１つと物理的に接触していてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０と補助電極２１５０及び／又は第２の電極１２４０のうちの少なくとも１つとの間に中間層が存在してもよい。しかしながら、かかる例では、かかる中間層は、堆積層１４０が補助電極２１５０及び／又は第２の電極１２４０のうちの少なくとも１つと電気的に結合されることを実質的に妨げないことがある。いくつかの非限定的な例では、かかる中間層は、比較的薄く、それを通る電気的結合を可能にするようなものであり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０のシート抵抗は、第２の電極１２４０のシート抵抗以下であり得る。
図３２に示すように、凹部３２２２は、第２の電極１２４０を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０の堆積中、第２の電極１２４０を形成するための堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２が、凹部３２２２の、かつ／又はその中の少なくとも１つの露出層表面１１上に入射するのを実質的に妨げることができるように、凹部３２２２を隔壁３２２１によってマスキングし得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０を形成するための堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２の少なくとも一部は、第２の電極１２４０が凹部３２２２の少なくとも一部を被覆するように延在することができるように、凹部３２２２の、かつ／又はその内の少なくとも１つの露出層表面１１上に入射することができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０、堆積層１４０、及び／又は隔壁３２２１は、ディスプレイパネル１３４０の特定の領域中に選択的に設けられ得る。いくつかの非限定的な例では、これらの特徴のうちのいずれかは、限定ではないが、第２の電極１２４０を含む、フロントプレーン１６１０の少なくとも１つの要素をバックプレーン１６１５の少なくとも１つの要素に電気的に結合するために、かかるディスプレイパネル１３４０の少なくとも１つの縁部に、かつ／又はそれに近接して提供されてもよい。いくつかの非限定的な例では、かかる特徴をかかる縁部に、かつ／又はそれに近接して提供することにより、電流をかかる縁部に、かつ／又はそれに近接して位置する補助電極２１５０から第２の電極１２４０に供給及び分配することが容易になり得る。いくつかの非限定的な例では、かかる構成により、ディスプレイパネル１３４０のベゼルサイズを低減することが容易になり得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０、堆積層１４０、及び／又は隔壁３２２１は、かかるディスプレイパネル１３４０の特定の領域から省略され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる特徴は、限定ではないが、その少なくとも１つの縁部以外、及び／又はそれに近接して、比較的高いピクセル密度が提供され得る場合を含む、ディスプレイパネル１３４０の部分から省略することができる。
非放射領域の開口
ここで図３３Ａに目を向けると、デバイス１６００の例示的なバージョン３３００ａの断面図が示され得る。デバイス３３００ａは、非放射領域１５２０内の一対の隔壁３２２１が、それらの間に開口３３２２などの遮蔽領域３１６５を画定するように対向配置で配設され得るという点で、デバイス３２００とは異なり得る。示されるように、いくつかの非限定的な例では、隔壁３２２１のうちの少なくとも１つは、第１の電極１２２０の少なくとも縁部を被覆し、少なくとも１つの放射領域１３１０を画定する、ＰＤＬ１２１０として機能することができる。いくつかの非限定的な例では、隔壁３２２１のうちの少なくとも１つは、ＰＤＬ１２１０とは別々に設けることができる。
凹部３２２２などの遮蔽領域３１６５は、隔壁３２２１のうちの少なくとも１つによって画定することができる。いくつかの非限定的な例では、凹部３２２２は、基板１０に近接する開口３３２２の一部に設けることができる。いくつかの非限定的な例では、開口３３２２は、平面でみたときに実質的に楕円形であり得る。いくつかの非限定的な例では、凹部３２２２は、平面でみたときに実質的に環状であり、開口３３２２を取り囲むことができる。
いくつかの非限定的な例では、凹部３２２２は、デバイススタック３３１０の層及び／又は残存デバイススタック３３１１の層の各々を形成するための材料を実質的に欠き得る。
これらの図では、少なくとも１つの半導体層１２３０と、第２の電極１２４０と、隔壁３２２１の上側セクションに堆積されたパターニング被膜１３０と、を含むデバイススタック３３１０を示すことができる。
これらの図では、少なくとも１つの半導体層１２３０と、第２の電極１２４０と、隔壁３２２１及び凹部３２２２を越えて基板１０上に堆積されたパターニング被膜１３０と、を含む残存デバイススタック３３１１を示すことができる。図３２との比較から、残存デバイススタック３３１１は、いくつかの非限定的な例では、隔壁３２２１のリップにおける、かつ／又はそれに近接する凹部３２２２に近づくにつれて、半導体層１２３０、第２の電極１２４０、及びパターニング被膜１３０に対応し得ることが理解され得る。いくつかの非限定的な例では、残存デバイススタック３３１１は、デバイススタック３３１０の様々な材料を堆積させるためにオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスが使用されるときに形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、残存デバイススタック３３１１は、開口３３２２内に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイススタック３３１０の層の各々を形成するための蒸発した材料が、開口３３２２内に堆積されて、その中に残存デバイススタック３３１１を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０は、その少なくとも一部が凹部３２２２内に配設されるように配置することができる。示されるように、いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０は、残存デバイススタック３３１１が補助電極２１５０の表面上に堆積されるように、開口３３２２内に配置され得る。
第２の電極１２４０を補助電極２１５０と電気的に結合するために、堆積層１４０が開口３３２２内に配設され得る。非限定的な例として、堆積層１４０の少なくとも一部は、凹部３２２２内に配設され得る。
ここで図３３Ｂに目を向けると、デバイス３３００ｂの更なる例の断面図が示され得る。図示のように、補助電極２１５０は、隔壁３２２１の側部の少なくとも一部を形成するように配置され得る。これにより、補助電極２１５０は、平面図でみたとき、実質的に環状であってもよく、開口３３２２を取り囲んでもよい。示されるように、いくつかの非限定的な例では、残存デバイススタック３３１１は、基板１０の露出層表面１１上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、隔壁３２２１は、ＮＰＣ７２０を含んでもよく、かつ／又はそれによって形成されてもよい。非限定的な例として、補助電極２１５０は、ＮＰＣ７２０として機能することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ７２０は、第２の電極１２４０、及び／又はその一部、層、及び／又は材料によって提供されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、側方に延在して、遮蔽領域３１６５内に配置された露出層表面１１を被覆することができる。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、その下側層と、その第２の層とを含んでもよく、その第２の層は、その下側層上に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０の下側層は、酸化物、例えば、非限定的に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、又はＺｎＯを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０の上側層は、金属、例えば、非限定的に、Ａｇ、Ｍｇ、Ｍｇ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ、他のアルカリ金属、及び／又は他のアルカリ土類金属のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０の下側層は、ＮＰＣ７２０を形成するように、遮蔽領域３１６５の表面を被覆するように側方に延在し得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ７２０を形成するために、遮蔽領域３１６５を画定する少なくとも１つの表面を処理され得る。いくつかの非限定的な例では、かかるＮＰＣ７２０は、遮蔽領域３１６５の表面をプラズマ、ＵＶ、及び／又はＵＶオゾン処理に供することを非限定的に含む、化学的及び／又は物理的処理によって形成され得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、かかる処理は、かかる表面を化学的及び／又は物理的に変化させて、その少なくとも１つの特性を修正し得ると仮定することができる。非限定的な例として、表面のかかる処理は、かかる表面上のＣ－Ｏ及び／又はＣ－ＯＨ結合の濃度を増加させ得、かかる表面の粗さを増加させ得、かつ／若しくは、限定されないが、ハロゲン、Ｎ含有官能基、及び／又は酸素含有官能基を含む、特定の種及び／又は官能基の濃度を増加させて、その後ＮＰＣ７２０として機能し得る。
ディスプレイパネル
ここで図３４に目を向けると、ディスプレイパネル１３４０の断面図が示される。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル１３４０は、その面３４０１を形成する最外層で完結する、光電子デバイス１２００を含むがこれに限定されない層状半導体デバイス１００のバージョンであり得る。
ディスプレイパネル１３４０の面３４０１は、側方軸によって画定される平面に実質的に沿って、その側方面にわたって延在し得る。
ユーザデバイス
いくつかの非限定的な例では、面３４０１、実際にはディスプレイパネル全体１３４０は、少なくとも１つのＥＭ信号３４６１が面３４０１の平面に対してゼロでない角度でそれを通して交換され得るユーザデバイス１３００の面として機能し得る。いくつかの非限定的な例では、ユーザデバイス１３００は、コンピューティングデバイス、例えば、非限定的に、スマートフォン、タブレット、ラップトップ、及び／若しくは電子リーダ、並びに／又は何らかの他の電子デバイス、例えば、非限定的に、自動車ディスプレイ及び／若しくはフロントガラス、家庭用電気器具、及び／若しくは医療、商業、及び／若しくは産業用デバイスを含む、モニタ、テレビジョンセット、及び／若しくはスマートデバイスであり得る。
いくつかの非限定的な例では、面３４０１は、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素１３６０が収容され得る本体１３５０及び／又はその中の開口部３４５１に対応し、かつ／又はそれと嵌合し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素１３６０は、面３４０１の反対側のその表面上のディスプレイパネル１３４０と一体的に、又は組み立てられたモジュールとして形成され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素１３６０は、面３４０１の反対側のディスプレイパネル１３４０の基板１０の露出層表面１１上に形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの開口３４４１が、ディスプレイパネル１３４０内に形成されて、側方軸によって画定される平面、又は付随して、ディスプレイパネル１３４０の面３４０１を非限定的に含むディスプレイパネル１３４０の層に対してゼロでない角度で、ディスプレイパネル１３４０の面３４０１を通る少なくとも１つのＥＭ信号３４６１の交換を可能にし得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの開口３４４１は、別様にはディスプレイパネル１３４０にわたって配設される実質的に不透明な被膜の厚さ及び／又は不透明度の欠如及び／又は減少を含むものと理解され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの開口３４４１は、本明細書で説明されるような信号透過領域１３２０として具現化され得る。
しかしながら、少なくとも１つの開口３４４１が具現化される場合、少なくとも１つのＥＭ信号３４６１は、面３４０１を通って通過するようにそれを通過し得る。その結果、少なくとも１つのＥＭ信号３４６１は、ディスプレイパネル１３４０にわたって側方に少なくとも１つの粒子構造１６０にわたって伝導され得る任意の電流を非限定的に含む、側方軸によって画定された平面に沿って延在し得る任意のＥＭ放射を除外するとみなされ得る。
更に、当業者は、少なくとも１つのＥＭ信号３４６１が、単独で、又は他のＥＭ信号３４６１と併せて、少なくとも１つのＥＭ信号３４６１を他のＥＭ信号３４６１から区別され得る識別子を含むがこれに限定されない何らかの情報内容を伝達することができるという点で、少なくとも１つのＥＭ信号３４６１を、電流及び／又はそれによって発生する電界を含むがこれに限定されないＥＭ放射線自体と区別することができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、情報コンテンツは、少なくとも１つのＥＭ信号３４６１の波長、周波数、位相、タイミング、帯域幅、抵抗、キャパシタンス、インピーダンス、コンダクタンス、及び／又は他の特質のうちの少なくとも１つを指定すること、変更すること、及び／又は変調することによって伝達され得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル１３４０の少なくとも１つの開口３４４１を通って通過する少なくとも１つのＥＭ信号３４６１は、少なくとも１つの光子を含み得、いくつかの非限定的な例では、限定はしないが、可視スペクトル、ＩＲスペクトル、及び／又はＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つの範囲内にある波長スペクトルを有し得る。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル１３４０の少なくとも１つの開口３４４１を通って通過する少なくとも１つのＥＭ信号３４６１は、限定はしないが、ＩＲ及び／又はＮＲスペクトル内にある波長を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル１３４０の少なくとも１つの開口３４４１を通って通過する少なくとも１つのＥＭ信号３４６１は、その上に入射する周辺光を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル１３４０の少なくとも１つの開口３４４１を通して交換される少なくとも１つのＥＭ信号３４６１は、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素１３６０によって伝送及び／又は受信され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素１３６０は、単一の信号透過領域１３２０よりも大きいサイズを有し得るが、複数だけでなく、それらの間に延在する少なくとも１つの放射領域１３１０の下にもあり得る。同様に、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素１３６０は、少なくとも１つの開口３４４１のうちの単一のものよりも大きいサイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素１３６０は、ユーザデバイス１３００を越えてから少なくとも１つの開口３４４１を通って通過する少なくとも１つの受信ＥＭ信号３４６１ｒを受信及び処理するように適合された受信器１３６０ｒを含み得る。かかる受信器１３６０ｒの非限定的な例として、アンダーディスプレイカメラ（under-display camera、ＵＤＣ）、並びに／又はＩＲセンサ、ＮＩＲセンサ、ＬＩＤＡＲ検知モジュール、指紋検知モジュール、光検知モジュール、ＩＲ（近接）検知モジュール、虹彩認識検知モジュール、及び／若しくは顔認識検知モジュールを非限定的に含むセンサが挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素１３６０は、ユーザデバイス１３００を越えて少なくとも１つの開口３４４１を通過する少なくとも１つの透過ＥＭ信号３４６１ｔを放射するように適合された送信器１３６０ｔを含み得る。かかる送信器１３６０ｔの非限定的な例として、内蔵フラッシュ、懐中電灯、ＩＲエミッタ、及び／若しくはＮＩＲエミッタ、並びに／又はＬＩＤＡＲ検知モジュール、指紋検知モジュール、光検知モジュール、ＩＲ（近接）検知モジュール、虹彩認識検知モジュール、及び／若しくは顔認識検知モジュール及び／又はそれらの部分を非限定的に含むＥＭ放射線源が挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの受信ＥＭ信号３４６１ｒは、少なくとも１つの透過ＥＭ信号３４６１ｔの少なくとも断片を含み、これは、ユーザデバイス１３００の外面から反射されるか、又は他の方法で外面によって戻される。
いくつかの非限定的な例では、ユーザデバイス１３００を越えてディスプレイパネル１３４０の少なくとも１つの開口３４４１を通って通過する少なくとも１つのＥＭ信号３４６１には、送信器１３６０ｔを含み得る少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素１３６０によって放射される透過ＥＭ信号３４６１ｔが非限定的に含まれ、ディスプレイパネル１３４０から発して、ディスプレイパネル１３４０の少なくとも１つの開口３４４１を通して、放射ＥＭ信号３４６１ｒとして受信器１３６０ｒを含み得る少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素１３６０に戻り得る。
いくつかの非限定的な例では、アンダーディスプレイ構成要素１３６０は、ＩＲエミッタ及びＩＲセンサを含み得る。非限定的な例として、かかるアンダーディスプレイ構成要素１３６０は、その一部、構成要素又はモジュールとして、ドットマトリックスプロジェクタ、直接ＴｏＦ及び／又は間接ＴｏＦセンサとして動作し得る飛行時間（time－of－flight、ＴｏＦ）センサモジュール、垂直共振器面発光レーザ（vertical cavity surface-emitting laser、ＶＣＳＥＬ）、投光照明器、ＮＩＲ撮像器、折り返し光学系、又は回折格子を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ユーザデバイス１３００内に複数のアンダーディスプレイ構成要素１３６０があり得、そのうちの第１のものは、ユーザデバイス１３００を越えて、少なくとも１つの開口３４４１を通って通過するために少なくとも１つの透過ＥＭ信号３４６１ｔを放射するための送信器１３６０ｔを含み得、そのうちの第２のものは、少なくとも１つの受信ＥＭ信号３４６１ｒを受信するための受信器１３６０ｒを含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる送信器１３６０ｔ及び受信器１３６０ｒは、単一の共通のアンダーディスプレイ構成要素１３６０において具現化され得る。
これは、図３５Ａにおける非限定的な例として分かり得、ユーザデバイス１３００のバージョンは、その側方面（図では垂直に示されている）において、少なくとも１つの信号交換ディスプレイ部３５１６に隣接し、いくつかの非限定的な例では、それによって分離された少なくとも１つのディスプレイ部３５１５を含み得るディスプレイパネル１３４０を有するものとして示されている。ユーザデバイス１３００は、いくつかの非限定的な例では、面３４０１を越えた第１の信号交換ディスプレイ部３５１６に実質的に対応する、少なくとも１つの透過ＥＭ信号３４６１ｔを少なくとも１つの第１の信号透過領域１３２０を通して透過するための少なくとも１つの送信器１３６０ｔ、並びにいくつかの非限定的な例では第２の信号交換ディスプレイ部３５１６に実質的に対応する、少なくとも１つの第２の信号透過領域１３２０を通して、少なくとも１つの受信ＥＭ信号３４６１ｒを受信する受信器１３６０ｒを収容する。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第１及び第２の信号交換ディスプレイ部３５１６は同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの受信ＥＭ信号３４６１ｒは、ユーザ１１００を非限定的に含む外面から反射された、例えば、非限定的に、そのバイオメトリック認証のための、少なくとも１つの送信ＥＭ信号３４６１ｔであり得る。
図３５Ｂは、デバイス１３００の面を画定するディスプレイパネル１３４０を含む、非限定的な例によるユーザデバイス１３００のバージョンを平面で示す。デバイス１３００は、面３４０１を越えて配置された少なくとも１つの送信器１３６０ｔ及び少なくとも１つの受信器１３６０ｒを収容する。図３５Ｃは、デバイス１３００の線３５Ｃ－３５Ｃに沿った断面図である。
ディスプレイパネル１３４０は、ディスプレイ部３５１５と信号交換ディスプレイ部３５１６とを含む。ディスプレイ部３５１５は、複数の放射領域１３１０（図示せず）を含む。信号交換ディスプレイ部３５１６は、複数の放射領域１３１０（図示せず）と、複数の信号透過領域１３２０とを含む。ディスプレイ部３５１５及び信号交換ディスプレイ部３５１６における複数の放射領域１３１０は、ディスプレイパネル１３４０のサブピクセル１３４ｘに対応してもよい。信号交換ディスプレイ部３５１６内の複数の信号透過領域１３２０は、ＩＲスペクトルに対応する波長（範囲）を有するＥＭ信号がその断面の全体を通って通過することを可能にするように構成され得る。少なくとも１つの送信器１３６０ｔ及び少なくとも１つの受信器１３６０ｒは、ＩＲ信号がパネル１３４０の信号交換ディスプレイ部３５１６を通って通過することによってそれぞれ放射及び受信され得るように、対応する信号交換ディスプレイ部３５１６の背後に配置され得る。解説される非限定的な例では、少なくとも１つの送信器１３６０ｔ及び少なくとも１つの受信器１３６０ｒの各々は、信号透過の経路に配設された対応する信号交換ディスプレイ部３５１６を有するものとして示されている。
図３５Ｄは、非限定的な例によるユーザデバイス１３００のバージョンを平面で示し、少なくとも１つの送信器１３６０ｔ及び少なくとも１つの受信器１３６０ｒは両方とも、共通の信号交換ディスプレイ部３５１６の背後に配置される。非限定的な例として、信号交換ディスプレイ部３５１６は、送信器１３６０ｔ及び受信器１３６０ｒの両方にわたって延在するように、平面図において少なくとも１つの構成軸に沿って細長くてもよい。図３５Ｅは、図３５Ｄの線３５Ｅ－３５Ｅに沿った断面図を示す。
図３５Ｆは、非限定的な例によるユーザデバイス１３００のバージョンを平面で示し、ディスプレイパネル１３４０は、非ディスプレイ部３５５１を更に含む。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル１３４０は、少なくとも１つの送信器１３６０ｔ及び少なくとも１つの受信器１３６０ｒを含み得、それらの各々は、対応する信号交換ディスプレイ部３５１６の背後に配置され得る。非ディスプレイ部３５５１は、平面において、２つの信号交換ディスプレイ部３５１６に隣接して、かつそれらの間に配置され得る。非ディスプレイ部３５５１には、放射領域１３１０を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、ユーザデバイス１３００は、非ディスプレイ部３５５１に配置されたカメラ１３６０ｃを収容し得る。いくつかの非限定的な例では、非ディスプレイ部３５５１は、カメラ１３６０ｃと重なるように配置され得るスルーホール部３５５２を含み得る。いくつかの非限定的な例では、スルーホール部３５５２内のパネル１３４０は、ディスプレイ部３５１５及び／又は信号交換ディスプレイ部３５１６内に存在し得る任意の層、被膜、及び／又は構成要素を実質的に欠き得る。非限定的な例として、スルーホール部３５５２内のパネル１３４０は、バックプレーン構成要素及び／又はフロントプレーン構成要素を実質的に欠き得、そうでなければ、バックプレーン構成要素及び／又はフロントプレーン構成要素の存在が、カメラ１３６０ｃによって取り込まれた画像に干渉し得る。いくつかの非限定的な例では、パネル１３４０のカバーガラスは、ディスプレイ部３５１５、信号交換ディスプレイ部３５１６、及びスルーホール部３５５２にわたって実質的に延在し得、パネル１３４０の前述の部分の全てに存在し得る。いくつかの非限定的な例では、パネル１３４０は、偏光子（図示せず）を更に含むことができ、偏光子は、パネル１３４０の前述の部分の全てに存在し得るように、ディスプレイ部３５１５、信号交換ディスプレイ部３５１６、及びスルーホール部３５５２にわたって実質的に延在し得る。いくつかの非限定的な例では、スルーホール部３５５２は、パネル１３４０のかかる部分を通るＥＭ放射線の透過を高めるために、偏光子を実質的に欠き得る。
いくつかの非限定的な例では、パネル１３４０の非ディスプレイ部３５５１は、非スルーホール部３５５３を更に含み得る。非限定的な例として、非スルーホール部３５５３は、側方面内でスルーホール部３５５２と信号交換ディスプレイ部３５１６との間に配置され得る。いくつかの非限定的な例では、非スルーホール部３５５３は、スルーホール部３５５２の周囲の少なくとも一部又は全部を囲み得る。具体的には示されていないが、ユーザデバイス１３００は、ディスプレイパネル１３４０の非スルーホール部３５５３に対応するユーザデバイス１３００の部分に追加のモジュール、構成要素、及び／又はセンサを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、信号交換ディスプレイ部３５１６は、そうでなければ信号交換ディスプレイ部３５１６を通るＥＭ放射線の透過を妨げるか又は低減するバックプレーン構成要素の数を減らし得、又はバックプレーン構成要素を実質的に欠き得る。非限定的な例として、信号交換ディスプレイ部３５１６は、限定されないが、金属トレースライン、キャパシタ、及び／又は他の不透明又は光吸収要素を含むＴＦＴ構造１２０１を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、信号交換ディスプレイ部３５１６内の放射領域１３１０は、非ディスプレイ部３５５１の非スルーホール部３５５３内に位置する１つ以上のＴＦＴ構造１２０１と電気的に結合され得る。具体的には、信号交換ディスプレイ部３５１６内のサブピクセル１３４ｘを作動させるためのＴＦＴ構造１２０１は、信号交換ディスプレイ部３５１６内の非放射領域１５２０（図示せず）を通る、少なくともＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトル内のＥＭ放射線の比較的高い透過率に到達し得るように、信号交換ディスプレイ部３５１６の外側であってパネル１３４０の非スルーホール部３５５３内に再配置され得る。非限定的な例として、非スルーホール部３５５３内のＴＦＴ構造１２０１は、導電性トレースを介して信号交換ディスプレイ部３５１６内のサブピクセル１３４ｘと電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、送信器１３６０ｔ及び受信器１３６０ｒは、電流がＴＦＴ構造１２０１とサブピクセル１３４ｘとの間を進む距離が低減され得るように、側方面に非スルーホール部３５５３に隣接して、及び／又は近接して配置される。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０は、その開口率及びピクセル密度のうちの少なくとも１つが、ディスプレイ部３５１５及び信号交換ディスプレイ部３５１６の両方内で同じであり得るように構成され得る。いくつかの非限定的な例では、ピクセル密度は、少なくとも約３００ｐｐｉ、約３５０ｐｐｉ、約４００ｐｐｉ、約４５０ｐｐｉ、約５００ｐｐｉ、約５５０ｐｐｉ、又は約６００ｐｐｉのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、開口率値は、少なくとも約２５％、約２７％、約３０％、約３３％、約３５％、又は約４０％のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、パネル１３４０の放射領域１３１０又はピクセル１３４ｘは、実質的に同一に成形され、ディスプレイ部３５１５と信号交換ディスプレイ部３５１６との間に配置されて、ユーザ１１００がパネル１３４０のディスプレイ部３５１５と信号交換ディスプレイ部３５１６との間の視覚的差異を検出する可能性を低減し得る。
図３５Ｈは、非限定的な例による、平面でパネル１３４０の部分の部分的に切り取られた拡大図を示す。具体的には、ディスプレイ部３５１５及び信号交換ディスプレイ部３５１６内の、サブピクセル１３４ｘとして表される放射領域１３１０の構成及びレイアウトが示されている。各部において、複数の放射領域１３１０が提供され得、各々がサブピクセル１３４ｘに対応する。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル１３４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル１３４１、Ｇ（緑）サブピクセル１３４２、及び／又はＢ（青）サブピクセル１３４３に対応し得る。信号交換ディスプレイ部３５１６内では、隣接するサブピクセル１３４ｘの間に複数の信号透過領域１３２０が設けられ得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル１３４０は、ディスプレイ部３５１５と信号交換ディスプレイ部３５１６との間に遷移領域（図示せず）を更に含み得、放射領域１３１０及び／又は信号透過領域１３２０の構成は、隣接するディスプレイ部３５１５及び／又は信号交換ディスプレイ部３５１６の構成と異なり得る。いくつかの非限定的な例では、かかる遷移領域の存在は、放射領域１３１０がディスプレイ部３５１５及び信号交換ディスプレイ部３５１６にわたって実質的に連続した繰り返しパターンで設けられるように省略され得る。
被覆層
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層１３３０は、アウトカップリング層、ＣＰＬ１２１５、ＴＦＥの層、偏光層、又は製造プロセスの一部としてディスプレイパネル１３４０上に堆積され得る他の物理層及び／又は被膜を非限定的に含む、ディスプレイパネル１３４０のアウトカップリング及び／又は封止被膜の少なくとも１つの層の形態で提供され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層１３３０は、ＬｉＦを含み得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの上層１３３０は、上層１８０として機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＣＰＬ１２１５は、デバイス１００の露出層表面１１全体にわたって堆積され得る。ＣＰＬ１２１５の機能は、概して、デバイス１００によって放射された光のアウトカップリングを高め、したがって外部量子効率（external quantum efficiency、ＥＱＥ）を高めることであり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層１３３０は、面３４０１の側方範囲にわたって少なくとも部分的に堆積され得、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内の少なくとも１つの粒子構造１６０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔを少なくとも部分的に被覆し、その露出層表面１１において粒子構造パターニング被膜１３０ｐとの界面を形成する。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層１３３０はまた、第２の部分１０２において第２の電極１２４０を少なくとも部分的に被覆し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層１３３０は、高い屈折率を有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層１３３０は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの屈折率を上回る屈折率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル１３４０は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１との界面に、製造中、製造後、及び／又は動作中のいずれであっても、空気間隙及び／又は空気界面が設けられ得る。したがって、いくつかの非限定的な例では、かかる空気間隙及び／又は空気界面は、少なくとも１つの被覆層１３３０とみなされ得る。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル１３４０には、ＣＰＬ１２１５及び空気間隙の両方が設けられ得、少なくとも１つの粒子構造１６０は、ＣＰＬ１２１５によって被覆され得、空気間隙は、ＣＰＬ１２１５の上又はその上方に配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０ｔのうちの少なくとも１つは、少なくとも１つの被覆層１３３０と物理的に接触し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０ｔの実質的に全てが、少なくとも１つの被覆層１３３０と物理的に接触し得る。
当業者は、図示されていない製造の様々な段階で導入される追加の層が存在し得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、低い屈折率を有する粒子構造パターニング材料４１１を含むパターニング層３２３ｐと、高い屈折率を有し得る材料を含むこれに限定されないがＣＰＬ１２１５を含む少なくとも１つの被覆層１３３０との間の界面における、第１の部分１０１内の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔは、その層に対してゼロではない角度でデバイス１３００の信号透過領域１３２０を通って通過する少なくとも１つのＥＭ信号３４６１のアウトカップリングを高め得る。
回折の減少
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号透過領域１３２０を通って通過する少なくとも１つのＥＭ信号３４６１は、少なくとも１つの信号透過領域１３２０の形状によって課される回折パターンの回折特質によって影響され得ることが発見されている。
少なくともいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＥＭ信号３４６１に、別個の不均一な回折パターンを呈するように成形された少なくとも１つの信号透過領域１３２０を通過させるディスプレイパネル１３４０は、それによって表される画像及び／又はＥＭ放射線パターンの捕捉に干渉する場合がある。
非限定的な例として、かかる回折パターンは、かかる回折パターンによる干渉を軽減することを容易にする能力、すなわち、光学後処理技術の適用を伴っても、アンダーディスプレイ構成要素１３６０がかかる画像又はパターンを正確に受信及び処理することを可能にすること、又はかかるディスプレイパネル１３４０を通してかかる画像及び／又はパターンの視認者がその中に含有される情報を判別することを可能にすることに干渉する場合がある。
いくつかの非限定的な例では、別個の及び／又は不均一な回折パターンは、回折パターンにおいて別個の及び／又は角度的に分離された回折スパイクを引き起こし得る少なくとも１つの信号透過領域１３２０の形状からもたらし得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の回折スパイクは、完全な角回転に沿った回折スパイクの総数が計数され得るように、単純な観察によって第２の近接する回折スパイクから区別され得る。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、特に、回折スパイクの数が多い場合、個々の回折スパイクを識別することがより困難な場合がある。かかる状況では、結果として生じる回折パターンの歪み効果は、実際には、それによって引き起こされる干渉の軽減を容易にすることができるが、これは、歪み効果は、ぼやける傾向があり、かつ／又はより均一に分散される傾向があるためである。かかるぼやけ及び／又は歪み効果のより一様な分布は、いくつかの非限定的な例では、元の画像及び／又はその中に含まれる情報を復元するために、例えば、非限定的に、光学後処理技術によって、より軽減しやすいことがある。
いくつかの非限定的な例では、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を容易にする能力は、回折スパイクの数が増加するにつれて増加し得る。
いくつかの非限定的な例では、別個の不均一な回折パターンは、回折パターンのパターン円周の関数として、高強度のＥＭ放射線の領域と低強度のＥＭ放射線の領域との間の回折パターン内のパターン境界の長さを増加させる、かつ／又はそのパターン境界の長さに対するパターン円周の比を減少させる、少なくとも１つの信号透過領域１３２０の形状からもたらし得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、多角形である信号透過領域１３２０の閉じた境界を有するディスプレイパネル１３４０は、非多角形である対応する信号透過領域１３２０によって画定された光透過領域１３２０の閉じた境界を有するディスプレイパネル１３４０に対して、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を容易にする能力に悪影響を及ぼし得る特有の不均一な回折パターンを示し得ると仮定され得る。
本開示では、「多角形」という用語は、概して、有限数の線形及び／又は直線セグメントによって形成された形状、図、閉じた境界、及び／又は外周を指すことができ、「非多角形」という用語は、概して、多角形ではない形状、図、閉じた境界、及び／又は外周を指すことができる。非限定的な例として、有限数の線形セグメント及び少なくとも１つの非線形又は湾曲セグメントによって形成された閉じた境界は、非多角形とみなすことができる。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、光透過領域１３２０の閉鎖境界が少なくとも１つの非線形及び／又は湾曲セグメントを含み得る場合、その上に入射し、それを通って透過されるＥＭ信号は、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を容易にするあまり特徴的でない及び／又はより均一な回折パターンを呈することができると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、実質的に楕円形及び／又は円形である光透過領域１３２０の閉鎖境界を有するディスプレイパネル１３４０は、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を更に容易にすることができる。
いくつかの非限定的な例では、信号透過領域１３２０は、有限の複数の凸状の丸みを帯びたセグメントによって画定され得る。いくつかの非限定的な例では、これらのセグメントの少なくともいくつかは、凹状のノッチ又はピークで一致する。
選択的被膜の除去
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、堆積層１４０の堆積後に除去されてもよく、それにより、パターニング被膜１３０によって被覆された下地層の予め露出層表面１１の少なくとも一部が再び露出されてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、パターニング被膜１３０をエッチング及び／又は溶解することによって、かつ／又は堆積層１４０に実質的に影響を及ぼさない、若しくは腐食させないプラズマ及び／又は溶媒処理技術を採用することによって、選択的に除去され得る。
ここで図３６Ａに目を向けると、パターニング被膜１３０が下地層の露出層表面１１の第１の部分１０１上に選択的に堆積され得る堆積段階３６００ａにおける、デバイス１６００の例示的なバージョン３６００の例示的な断面図が示され得る。図において、下地層は、基板１０であり得る。
図３６Ｂにおいて、デバイス３６００は、堆積段階３６００ｂで示され得、ここで、堆積層１４０は、下地層の露出層表面１１上に、すなわち、段階３６００ａ中にパターニング被膜１３０が堆積されている場合があるパターニング被膜１３０の露出層表面１１、及び段階３６００ａ中にパターニング被膜１３０が堆積されていない場合がある基板１０の露出層表面１１の両方の上に堆積させることができる。パターニング被膜１３０が配設され得る第１の部分１０１の核形成阻害特性に起因して、その上に配設された堆積層１４０は、残留しない傾向があり得、第２の部分１０２に対応し得る堆積層１４０の選択的堆積のパターンをもたらし、堆積層１４０を実質的に欠いている第１の部分１０１を残すことができる。
図３６Ｃにおいて、デバイス３６００は、堆積段階３６００ｃで示され得、ここで、パターニング被膜１３０は、基板１０の露出層表面１１の第１の部分１０１から除去されている場合があり、それにより、段階３６００ｂ中に堆積された堆積層１４０は、基板１０上に残留し得、パターニング被膜１３０が段階３６００ａ中に堆積されている場合がある基板１０の領域は、ここで、露出されるか又は被覆され得ない。
いくつかの非限定的な例では、段階３６００ｃにおけるパターニング被膜１３０の除去は、堆積層１４０に実質的に影響を及ぼすことなく、パターニング被膜１３０と反応し、かつ／又はそれをエッチング除去する、溶媒及び／又はプラズマにデバイス３６００を曝露することによって果たされ得る。
薄膜形成
下地層の露出層表面１１上への堆積中の薄膜の形成は、核形成及び成長のプロセスを含み得る。
膜形成の初期段階中、十分な数の蒸気モノマー（いくつかの非限定的な例では、蒸気形態５３２の堆積材料５３１の分子及び／又は原子であり得る）は、典型的には、気相から凝縮して、下地層に存在する露出層表面１１上に初期核を形成し得る。蒸気モノマーがそのような表面に衝突し得るので、これらの初期核の特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度が増大して、小粒子構造１６０を形成し得る。かかる特徴的なサイズが指す寸法の非限定的な例には、かかる粒子構造１６０の高さ、幅、長さ、及び／又は直径が含まれ得る。
飽和アイランド密度に達した後、隣接する粒子構造１６０は、典型的には、合着し始め、かかる粒子構造１６０の平均特徴的なサイズを増加させる一方、その堆積密度を減少させることができる。
モノマーの堆積を継続すると、隣接する粒子構造１６０の合着は、実質的な閉鎖被膜１５０が下地層の露出層表面１１上に最終的に堆積され得るまで継続することができる。かかる閉鎖被膜１５０の、それによって引き起こされる光学的効果を含む挙動は、概して、比較的均一であり、一貫しており、驚くべきことではない可能性がある。
閉鎖被膜１５０に至る薄膜の形成には、いくつかの非限定的な例では、１）アイランド成長（Ｖｏｌｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ）、２）レイヤーバイレイヤー成長（Ｆｒａｎｋ－ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ）、及び３）Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖ成長という、少なくとも３つの基本的な成長モードが存在し得る。
アイランド成長は、典型的には、モノマーの古いクラスタが露出層表面１１上で核形成し、成長して離散のアイランドを形成するときに生じ得る。この成長モードは、モノマー間の相互作用がモノマーと表面との間の相互作用よりも強い場合に生じ得る。
核形成速度は、所与のサイズの核（自由エネルギーがかかる核のクラスタを押して成長又は収縮させない場合）（「臨界核」）が単位時間当たりどれだけ表面上に形成され得るかを説明し得る。膜形成の初期段階中、核の堆積密度は低く、したがって核は表面の比較的小さい小部分を被覆することができる（例えば、隣接する核の間に大きい間隙／空間がある）ので、核が表面上のモノマーの直接衝突から成長する可能性は低い。したがって、臨界核が成長し得る速度は、典型的には、表面上の吸着原子（例えば、吸着モノマー）が移動し、近くの核に付着する速度に依存し得る。
下地層の露出層表面１１上に吸着された吸着原子のエネルギープロファイルの一例を図３７に解説する。具体的には、図３７は、局所的な低エネルギーサイトから脱出する吸着原子（３７１０）、露出層表面１１上への吸着原子の拡散（３７２０）、及び吸着原子の脱着（３７３０）に対応する例示的な定性的エネルギープロファイルを解説し得る。
３７１０において、局所的な低エネルギー部位は、吸着原子がより低いエネルギーにある、下地層の露出層表面１１上の任意の部位であり得る。典型的には、核形成部位は、レッジ、ステップ状縁部、化学的不純物、結合部位、及び／又はキンク（「不均一性」）を非限定的に含む、露出層表面１１上の欠陥及び／又は異常を含み得る。
基板不均一性の部位は、表面から吸着原子を脱着させるのに伴うエネルギーＥｄｅｓ３７３１を増加させることができ、かかる部位で観察される核のより高い堆積密度をもたらす。また、表面上の不純物又は汚染もまた、Ｅｄｅｓ３７３１を増加させ、核のより高い堆積密度をもたらし得る。高真空条件下で行われる堆積プロセスに関して、表面上の汚染物質のタイプ及び堆積密度は、真空圧及びその圧力を構成する残存ガスの組成によって影響を受ける場合がある。
吸着原子が局所的な低エネルギー部位で捕捉されると、典型的には、いくつかの非限定的な例では、表面拡散が起こる前にエネルギー障壁が存在し得る。かかるエネルギー障壁は、図３７においてΔＥ３７１１として表すことができる。いくつかの非限定的な例では、局所的な低エネルギー部位を逃れるためのエネルギー障壁ΔＥ３７１１が十分に大きい場合、その部位は核形成部位として機能し得る。
３７２０において、吸着原子は、露出層表面１１上に拡散することができる。非限定的な例として、局在化された吸収体の場合、吸着原子は、表面電位の最小値付近で振動し、吸着原子が脱着されるか、及び／又は吸着原子のクラスタによって形成される成長アイランド１６０及び／又は成長膜に組み込まれるまで、様々な隣接部位に移動する傾向があり得る。図３７では、吸着原子の表面拡散と関連する活性化エネルギーは、Ｅｓ３７１１として表すことができる。
３７３０において、表面からの吸着原子の脱着と関連する活性化エネルギーは、Ｅｄｅｓ３７３１として表すことができる。当業者であれば、脱着されない吸着原子が露出層表面１１上に残留し得ることを理解するであろう。非限定的な例として、かかる吸着原子は、露出層表面１１上に拡散し、露出層表面１１上にアイランド１６０を形成する吸着原子のクラスタの一部となり、及び／又は成長する膜及び／又は被膜の一部として組み込まれ得る。
吸着原子が表面に吸着した後、吸着原子は、表面から脱着することができ、あるいは表面をある距離だけ移動してから、脱着するか、他の吸着原子と相互機能して小さなクラスタを形成するか、又は成長する核に付着することができる。吸着原子が最初の吸着後に表面上に残留し得る時間の平均量は、以下の式で与えられる。
上記の式において、
νは、表面の吸着原子の振動周波数であり、
ｋはボッツマン定数であり、
Ｔは温度である。
式ＴＦ１から、Ｅｄｅｓ３８３１の値が低いほど、吸着原子が表面から脱着することが容易になり、したがって吸着原子が表面に残留し得る時間が短くなることに留意されたい。吸着原子が拡散することができる平均距離は、以下の式で与えられる。
式中、
α０は格子定数である。
Ｅｄｅｓ３７３１の低い値、及び／又はＥｓ３７２１の高い値の場合、吸着原子は、脱着前により短い距離を拡散することができ、したがって、成長中の核に付着するか、又は別の吸着原子若しくは吸着原子のクラスタと相互作用する可能性が低くなり得る。
粒子構造１６０の堆積層の形成の初期段階中、吸着された吸着原子は、相互作用して粒子構造１６０を形成することができ、単位面積当たりの粒子構造１６０の臨界濃度は、以下の式で与えられる。
式中、
Ｅｉは、ｉ吸着原子を含有する臨界クラスタを別々の吸着原子に解離するのに伴うエネルギーであり、
ｎ０は吸着サイトの総堆積密度であり、
Ｎ１は、次式で与えられるモノマー堆積密度である。
式中、
は蒸気衝突率である。
典型的には、ｉは、堆積される材料の結晶構造に依存し得、安定した核を形成するための粒子構造１６０の臨界サイズを決定することができる。
粒子構造１６０を成長させるための臨界モノマー供給速度は、蒸気衝突の速度と、吸着原子が脱着する前に拡散することができる平均面積とによって与えられ得る。
したがって、臨界核形成速度は、上記の式の組み合わせによって与えられ得る。
上記の式から、吸着された吸着原子に対して低い脱着エネルギーを有し、吸着原子の拡散に対して高い活性化エネルギーを有し、高温であり、かつ／又は蒸気衝突速度に供される表面に対して、臨界核形成速度が抑制され得ることに留意されたい。
高真空条件下では、表面に衝突し得る分子のフラックス５３２（ｃｍ２－秒当たり）は、以下の式で与えられる。
式中、
Ｐは圧力であり、
Ｍは分子量である。
したがって、Ｈ２Ｏなどの反応性ガスのより高い分圧は、堆積中の表面上の汚染物質のより高い堆積密度をもたらし、Ｅｄｅｓ３７３１の増加、したがって核のより高い堆積密度をもたらし得る。
本開示では、「核形成阻害」は、表面上の堆積材料５３１の堆積が阻害され得るように、約０．３未満を含むが、それに限定されない、０に近くてもよいその上への堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率を呈する表面を有し得る、被膜、材料、及び／又はその層を指すことができる。
本開示では、「核形成促進」は、その上に堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率を呈する表面を有する被膜、材料、及び／又はその層を指すことができ、初期付着確率は、１に近くてもよく、例えば、非限定的に、少なくとも約０．７であり、それにより、かかる表面上の堆積材料５３１の堆積が容易になり得る。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、かかる核の形状及びサイズ、並びにかかる核のアイランド１６０へのその後の成長、及びその後の薄膜への成長は、蒸気、表面、及び／又は凝縮された膜核の間の界面張力を非限定的に含む様々な要因に依存し得ると仮定され得る。
表面の核形成阻害及び／又は核形成促進特性の１つの尺度は、所与の堆積材料５３１の堆積に抗する表面の初期付着確率とすることができる。
いくつかの非限定的な例では、付着確率Ｓは、以下の式で与えられ得る。
式中、
Ｎａｄｓは、露出層表面１１に残留する（すなわち、膜中に組み込まれる）吸着原子の数であり、
Ｎｔｏｔａｌは、表面に衝突するモノマーの総数である。
１に等しい付着確率Ｓは、表面に衝突する全てのモノマーが吸着され、続いて成長膜に組み込まれることを指し示し得る。０に等しい付着確率Ｓは、表面に衝突する全てのモノマーが脱着され、その後、表面上に膜が形成され得ないことを指し示し得る。
様々な表面上の堆積材料５３１の付着確率Ｓは、Ｗａｌｋｅｒ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｃ２００７，１１１，７６５（２００６）によって記載されているようなデュアル水晶振動子マイクロバランス（quartz crystal microbalance、ＱＣＭ）技術を含むがこれに限定されない、付着確率Ｓを測定する様々な技術を使用して評価し得る。
堆積材料５３１の堆積密度が増加するにつれて（例えば、平均膜厚の増加）、付着確率Ｓは変化し得る。
したがって、初期付着確率Ｓ０は、相当数の臨界核が形成される前の表面の付着確率Ｓとして指定することができる。初期付着確率Ｓ０の１つの尺度は、その堆積の初期段階中の堆積材料５３１の堆積に抗する表面の付着確率Ｓを伴い得、表面にわたる堆積材料５３１の平均膜厚は、閾値以下である。いくつかの非限定的な例の説明において、初期付着確率の閾値は、非限定的な例として、１ｎｍとして指定され得る。平均付着確率
は、以下の式で与えられ得る。
式中、
Ｓｎｕｃは、粒子構造１６０で被覆された領域の付着確率Ｓであり、
Ａｎｕｃは、粒子構造１６０によって被覆された基板表面の面積のパーセンテージである。
非限定的な例として、低い初期付着確率は、平均膜厚の増加と共に増加し得る。これは、粒子構造１６０を有しない露出層表面１１の領域、非限定的な例として、ベア基板１０と、高い堆積密度を有する領域との間の付着確率の差に基づいて理解することができる。非限定的な例として、粒子構造１６０の表面に衝突し得るモノマーは、１に近づき得る付着確率を有し得る。
図３７に示すエネルギープロファイル３７１０、３７２０、３７３０に基づいて、脱着のための比較的低い活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ３７３１）、及び／又は表面拡散のための比較的高い活性化エネルギー（Ｅｓ３７２１）を呈する材料が、パターニング被膜１３０として堆積され得、様々な用途での使用に好適であり得ることが仮定され得る。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、核形成及び成長中に存在する様々な界面張力間の関係は、毛管現象理論におけるヤングの式に従って決定され得ると仮定することができる。
γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆｃｏｓθ （ＴＦ１０）
式中、
γｓｖ（図３８）は、基板１０と蒸気５３２との間の界面張力に対応し、
γｆｓ（図３８）は、堆積材料５３１と基板１０との間の界面張力に対応し、
γｖｆ（図３８）は、蒸気５３２と膜との間の界面張力に対応し、
θは膜核接触角である。
図３８は、この式で表される様々なパラメータ間の関係を解説し得る。
ヤングの式（式（ＴＦ１０））に基づいて、アイランド成長の場合、膜核接触角は０を上回ってもよく、したがって、γｓｖ＜γｆｓ＋γｖｆとなることが導出され得る。
堆積材料５３１が基板１０を「濡らす」層成長の場合、核接触角θは０に等しくてもよく、したがって、γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆとなる。
Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖ成長の場合、膜過成長の単位面積当たりの歪みエネルギーは、蒸気５３２と堆積材料５３１との間の界面張力に対して大きくなり得、γｓｖ＞γｆｓ＋γｖｆとなる。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、パターニング被膜１３０と基板１０の露出層表面１１との間の界面における堆積材料５３１の核形成及び成長モードは、θ＞０であるアイランド成長モデルに従い得ると仮定することができる。
特に、パターニング被膜１３０が、堆積材料５３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率（いくつかの非限定的な例では、Ｗａｌｋｅｒらによって説明される二重ＱＣＭ技術において識別される条件下）を示し得る場合、堆積材料５３１の比較的高い薄膜接触角が存在し得る。
反対に、堆積材料５３１が、パターニング被膜１３０を使用せずに、非限定的な例として、シャドウマスク４１５を採用することによって、露出層表面１１上に選択的に堆積され得るとき、かかる堆積材料５３１の核形成及び成長モードは異なり得る。具体的には、シャドウマスク４１５のパターニングプロセスを使用して形成された被膜は、少なくともいくつかの非限定的な例では、約１０°未満の比較的低い薄膜接触角を呈し得ることが観察された。
ここで、少し驚くべきことに、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０（及び／又はそれを構成するパターニング材料４１１）は、比較的低い臨界表面張力を示し得ることが見出されている。
当業者は、被膜、層、並びに／又はかかる被膜及び／若しくは層を構成する材料の「表面エネルギー」が、概して、被膜、層、及び／又は材料の臨界表面張力に対応し得ることを理解するであろう。表面エネルギーのいくつかのモデルによれば、表面の臨界表面張力は、かかる表面の表面エネルギーに実質的に対応し得る。
概して、低い表面エネルギーを有する材料は、低い分子間力を呈し得る。概して、低い分子間力を有する材料は、高い分子間力を有する別の材料と比較して、より低い温度で容易に結晶化し得るか、又は他の相転移を受ける場合がある。少なくともいくつかの用途では、比較的低い温度で容易に結晶化し得るか、又は他の相転移を受け得る材料は、デバイスの長期性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命に有害であり得る。
特定の理論に束縛されるものではないが、特定の低エネルギー表面は、比較的低い初期付着確率を呈し得るため、パターニング被膜１３０を形成するのに好適であり得ると仮定することができる。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、特に低表面エネルギー表面に関して、臨界表面張力は、表面エネルギーと正に相関し得ると仮定することができる。非限定的な例として、比較的低い臨界表面張力を示す表面はまた、比較的低い表面エネルギーを示してもよく、比較的高い臨界表面張力を示す表面はまた、比較的高い表面エネルギーを示してもよい。
ヤングの式（式（ＴＦ１０））を参照すると、より低い表面エネルギーは、より大きい接触角をもたらし得る一方で、γｓｖも低下させるため、かかる表面が、堆積材料５３１に対して低い濡れ性及び低い初期付着確率を有する可能性を高める。
臨界表面張力値は、様々な非限定的な例では、本明細書では、ほぼ常温常圧（normal temperature and pressure、ＮＴＰ）で測定されたかかる値に対応し得、いくつかの非限定的な例では、２０℃の温度、及び１ａｔｍの絶対圧力に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、表面の臨界表面張力は、Ｚｉｓｍａｎ，Ｗ．Ａ．，「Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ」４３（１９６４），ｐ．１－５１に更に詳述されるように、Ｚｉｓｍａｎ法に従って決定され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の露出層表面１１は、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、又は約１１ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つの臨界表面張力を呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の露出層表面１１は、少なくとも約６ダイン／ｃｍ、約７ダイン／ｃｍ、約８ダイン／ｃｍ、約９ダイン／ｃｍ、及び約１０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの臨界表面張力を呈し得る。
当業者は、固体の表面エネルギーを決定するための様々な方法及び理論が既知であり得ることを理解する。非限定的な例として、表面エネルギーは、液体－蒸気界面と表面との間の接触角を測定するために、様々な液体が固体の表面と接触する接触角の一連の測定に基づいて計算及び／又は導出され得る。いくつかの非限定的な例では、固体表面の表面エネルギーは、表面を完全に濡らす最も高い表面張力を有する液体の表面張力に等しくてもよい。非限定的な例として、Ｚｉｓｍａｎプロットが、表面との０°の接触角をもたらす最高表面張力値を決定するために使用されてもよい。表面エネルギーのいくつかの理論によれば、固体表面と液体との間の様々なタイプの相互作用が、固体の表面エネルギーを決定する際に考慮され得る。非限定的な例として、Ｏｗｅｎｓ／Ｗｅｎｄｔ理論及び／又はＦｏｗｋｅｓ理論を含むがこれらに限定されないいくつかの理論によれば、表面エネルギーは、分散成分及び非分散成分又は「極性」成分を含み得る。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１の被膜の接触角は、堆積材料５３１が堆積されるパターニング被膜１３０の特性（初期付着確率を非限定的に含む）に少なくとも部分的に基づいて決定され得ると仮定することができる。したがって、比較的高い接触角を呈する堆積材料５３１ １６３１の選択的堆積を可能にするパターニング材料４１１は、いくつかの利点を提供することができる。
当業者は、接触角θを測定するために、静的及び／又は動的な液滴法及びペンダントドロップ法を含むがこれらに限定されない様々な方法が使用され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、脱着のための活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ３８３１）（いくつかの非限定的な例では、約３００Ｋの温度Ｔにおいて）は、熱エネルギーの約２倍以下、約１．５倍以下、約１．３倍以下、約１．２倍以下、約１．０倍以下、約０．８倍以下、又は約０．５倍以下のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、表面拡散のための活性化エネルギー（Ｅｓ３８２１）（いくつかの非限定的な例では、約３００Ｋの温度で）は、熱エネルギーの約１．０倍、約１．５倍、約１．８倍、約２倍、約３倍、約５倍、約７倍、又は約１０倍のうちの少なくとも１つを上回ってもよい。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、下地層の露出層表面１１とパターニング被膜１３０との間の界面における、かつ／又は界面近傍での堆積材料５３１の薄膜核形成及び成長中に、パターニング被膜１３０による堆積材料５３１の固体表面の核形成の阻害に起因して、堆積材料５３１の縁部と下地層との間に比較的高い接触角が観察され得ると仮定することができる。かかる核形成阻害特性は、下地層、薄膜蒸気とパターニング被膜１３０との間の表面エネルギーの最小化によって推進され得る。
表面の核形成阻害及び／又は核形成促進特性の１つの尺度は、基準表面上の同じ堆積材料５３１の初期堆積速度に対する、表面上の所与の（導電性）堆積材料５３１の初期堆積速度であり得、両方の表面は、堆積材料５３１の蒸気フラックスに供され、かつ／又は曝露される。
定義
いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスは、エレクトロルミネセントデバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、電子デバイスの一部であり得る。非限定的な例として、エレクトロルミネセントデバイスは、ＯＬＥＤ照明パネル若しくはモジュール、並びに／又は、スマートフォン、タブレット、ラップトップ、ｅリーダなどのコンピューティングデバイスの、並びに／又は、モニタ及び／若しくはテレビセットなどの何らかの他の電子デバイスのＯＬＥＤディスプレイ若しくはモジュールであり得る。
いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスは、光子を電気に変換する有機光起電力（organic photo-voltaic、ＯＰＶ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な例において、光電子デバイスは、エレクトロルミネセント量子ドット（quantum dot、ＱＤ）デバイスであり得る。
本開示では、反対のことが具体的に示されない限り、ＯＬＥＤデバイスが参照されるが、かかる開示は、いくつかの例では、当業者に明らかな様式で、ＯＰＶ及び／又はＱＤデバイスを非限定的に含む他の光電子デバイス１２００に等しく適用可能にされ得ることを理解されたい。
かかるデバイスの構造は、２つの側面の各々から、すなわち、断面側面から、及び／又は側方（平面図）側面から説明され得る。
本開示では、基板がデバイスの「底部」であってもよく、層が基板の「上部」に配設されてもよい、上述の側方面に実質的に垂直に延在する方向の慣例に従ってもよい。かかる慣例に従って、第２の電極は、（少なくとも１つの層が堆積プロセスによって導入され得る製造プロセス中を含むがこれに限定されないいくつかの例の場合のように）基板が物理的に反転され得る場合であっても、示したデバイスの上部にあり得、それにより、層のうちの１つ（例えば、第１の電極であるがこれに限定されない）が配設され得る上面は、基板の物理的に下にあり得、堆積材料（図示せず）が上方に移動し、その上面上に薄膜として堆積されることを可能にする。
本明細書に断面側面を導入する文脈では、かかるデバイスの構成要素は、実質的に平面の側方層で示され得る。当業者であれば、かかる実質的に平面の表現は、解説のみを目的とするものであり得、かかるデバイスの側方範囲にわたって、異なる厚さ及び寸法の局所的な実質的に平面の層が存在してもよくいくつかの非限定的な例では、層が実質的に完全に存在しなくてもよく、かつ／又は非平面遷移領域（側方間隙及び更には不連続性を含む）によって分離された層を含むことを理解するであろう。したがって、解説目的のために、デバイスは、実質的に階層化された構造としてその断面側面で以下に示され得るが、以下で考察される平面図側面では、かかるデバイスは、特徴を画定するための多様なトポグラフィを解説し得、その各々は、断面側面で考察される階層化されたプロファイルを実質的に示し得る。
本開示では、「層（layer）」及び「層（strata）」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用され得る。
図に示される各層の厚さは、解説的なものにすぎず、必ずしも別の層に対する厚さを表すものではない。
説明を簡略にするために、本開示では、単一の層内の複数の要素の組み合わせをコロン「：」で表示する場合があり、一方、多層被膜内の複数の層を備える複数の要素（の組み合わせ）は、スラッシュ「／」によって２つのかかる層を分離することによって表示され得る。いくつかの非限定的な例では、スラッシュの後の層は、スラッシュに先行する層の後及び／又は上に堆積されてもよい。
解説の目的のために、被膜、層、及び／又は材料が堆積され得る、下地層の露出層表面は、堆積時に、その上に被膜、層、及び／又は材料を堆積するために提示され得る、かかる下地層の表面であると理解され得る。
当業者は、構成要素、層、領域、及び／又はその一部が「形成される」、「配設される」、及び／又は「堆積される」と言及されるとき、及び／又は別の下地層、構成要素、層、領域、及び／又は部分の上に、かかる形成、配設、及び／又は堆積は、かかる下地層、構成要素、層、領域、及び／又は部分の（かかる形成、配設、及び／又は堆積の時点で）露出層表面上に直接的及び／又は間接的であってもよく、それらの間に介在する材料、構成要素、層、領域、及び／又は部分の場合があることを理解するであろう。
本開示では、「重なる」及び／又は「重なっている」という用語は、概して、複数の層及び／又は構造が配置され得る表面から実質的に垂直に離れるように延在する断面軸と交差するように配設された複数の層及び／又は構造を指すことができる。
本開示は、気相堆積に関して、少なくとも１つの層又は被膜を参照して、薄膜形成について考察するが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、デバイスの様々な構成要素が、限定ではないが、蒸着（限定ではないが、熱蒸着、及び／又は電子ビーム蒸着を含む）、フォトリソグラフィ、印刷（限定ではないが、インクジェット、及び／又は蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、及び／又はマイクロコンタクト転写印刷を含む）、ＰＶＤ（限定ではないが、スパッタリングを含む）、化学気相堆積（chemical vapor deposition、ＣＶＤ）（限定ではないが、プラズマ強化ＣＶＤ（plasma-enhanced CVD、ＰＥＣＶＤ）、及び／又は有機気相堆積（organic vapor phase deposition、ＯＶＰＤ）を含む）、レーザアニーリング、レーザ誘起熱撮像（laser-induced thermal imaging、ＬＩＴＩ）パターニング、原子層堆積（atomic-layer deposition、ＡＬＤ）、被膜（限定ではないが、スピン被膜、ダイ被膜、ライン被膜、及び／又はスプレー被膜を含む）、及び／又はそれらの組み合わせ（集合的に「堆積プロセス」）を含む、多種多様な技術を使用して選択的に堆積され得ることを理解するであろう。
いくつかのプロセスは、シャドウマスクと組み合わせて使用されてもよく、シャドウマスクは、いくつかの非限定的な例では、様々な層及び／又は被膜のいずれかの堆積中に、オープンマスク及び／又はファインメタルマスク（ＦＭＭ）であってもよく、それに対して露出された下地層の表面の特定の部分への堆積材料５３１の堆積をマスキング及び／又は妨げることによって様々なパターンを達成する。
本開示では、「蒸発」及び／又は「昇華」という用語は、概して、ソース材料が、例えば、非限定的に、加熱によって、蒸気に変換されて、非限定的に固体状態で、ターゲット表面上に堆積される、堆積プロセスを指すために互換的に使用され得る。理解されるように、蒸発堆積プロセスは、少なくとも１つのソース材料が低圧（真空を含むがこれに限定されない）環境下で蒸発及び／又は昇華されて蒸気モノマーを形成し、少なくとも１つの蒸発したソース材料の逆昇華によってターゲット表面上に堆積されるＰＶＤプロセスの一種であり得る。ソース材料を加熱するために様々な異なる蒸発源を使用することができ、したがって、ソース材料を様々な方式で加熱することができることが、当業者によって理解されよう。非限定的な例として、ソース材料は、電気フィラメント、電子ビーム、誘導加熱、及び／又は抵抗加熱によって加熱されてもよい。いくつかの非限定的な例では、ソース材料は、加熱されたるつぼ、加熱されたボート、クヌーセンセル（エフュージョン蒸発器源であり得る）、及び／又は任意の他のタイプの蒸発源に装填することができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積ソース材料は混合物であり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積ソース材料の混合物の少なくとも１つの成分は、堆積プロセス中に堆積されなくてもよい（又は、いくつかの非限定的な例では、かかる混合物の他の成分と比較して比較的少量で堆積されてもよい）。
本開示では、材料の層厚、膜厚、及び／又は平均層、及び／又は膜厚への言及は、その堆積のメカニズムにかかわらず、ターゲット露出層表面上に堆積される材料の量を指すことができ、これは、言及される層厚を有する材料の均一な厚さの層でターゲット表面を被覆するための材料の量に対応する。非限定的な例として、１０ｎｍの材料の層厚を堆積させることは、表面上に堆積される材料の量が、１０ｎｍの厚さであり得る材料の均一な厚さの層を形成するための材料の量に対応し得ることを示し得る。非限定的な例として、上で考察された薄膜が形成されるメカニズムを考慮すると、モノマーの可能な積層又はクラスタ化に起因して、堆積材料の実際の厚さは不均一であり得ることが理解されよう。非限定的な例として、１０ｎｍの層厚を堆積させることは、１０ｎｍより大きい実際の厚さを有する堆積材料のいくつかの部分、又は１０ｎｍ以下の実際の厚さを有する堆積材料の他の部分をもたらし得る。したがって、表面上に堆積された材料の特定の層厚は、いくつかの非限定的な例では、ターゲット表面にわたって堆積材料の平均厚さに対応し得る。
本開示では、基準層厚への言及は、高い初期付着確率又は初期付着係数を示す基準表面（すなわち、約１．０及び／又はそれに近い初期付着確率を有する表面）上に堆積され得る、堆積材料（Ｍｇなど）の層厚を指すことができる。基準層厚は、ターゲット表面（限定ではないが、パターニング被膜の表面など）上に堆積された堆積材料の実際の厚さを示さなくてもよい。むしろ、基準層厚さは、ターゲット表面及び基準表面を同じ堆積期間にわたって堆積材料の同一の蒸気フラックスに供したときに、堆積速度及び基準層厚さを監視するために堆積チャンバ内に位置決めされた基準表面、一部の非限定的な例では、石英結晶の表面上に堆積される堆積材料の層厚さを指すことができる。当業者であれば、ターゲット表面及び基準表面が堆積中に同時に同一の蒸気フラックスに供されない場合には、適切なツーリングファクタを使用して、基準層の厚さを決定及び／又は監視することができることを理解するであろう。
本開示では、基準堆積速度は、堆積材料３１の層が、堆積チャンバ内で試料表面と同一に位置決めされ、構成された場合に、基準表面上で成長するであろう速度を指し得る。
本開示では、ある数Ｘの材料の単層を堆積させることへの言及は、例えば、非限定的に、閉鎖被膜で、材料の構成モノマーのＸ単層で露出層表面の所与の面積を被覆する量の材料を堆積させることを指すことができる。
本開示では、材料の単層の一部を堆積させることへの言及は、露出層表面の所与の面積のかかる一部を材料の構成モノマーの単層で被覆する量の材料を堆積させることを指すことができる。当業者は、非限定的な例として、モノマーの可能なスタッキング及び／又はクラスタリングに起因して、表面の所与の領域にわたる堆積材料の実際の局所的な厚さが不均一であり得ることを理解するであろう。非限定的な例として、材料の１つの単分子層を堆積させることは、材料によって被覆されていない表面の所与のエリアのいくつかの局所領域をもたらし得るが、表面の所与のエリアの他の局所領域は、その上に堆積された複数の原子層及び／又は分子層を有し得る。
本開示では、ターゲット表面（及び／又はそのターゲット領域）は、任意の好適な決定メカニズムによって決定されるように、ターゲット表面上に材料が実質的に不在であり得る場合、材料を「実質的に欠いている」、「実質的に含まない」、及び／又は「実質的に被覆されていない」とみなされ得る。
本開示では、「付着確率」及び「付着係数」という用語は、互換的に使用され得る。
本開示では、「核形成」という用語は、気相中のモノマーが表面上に凝縮して核を形成する、薄膜形成プロセスの核形成段階を指し得る。
本開示では、いくつかの非限定的な例では、文脈が示すように、「パターニング被膜」及び「パターニング材料」という用語は、同様の概念を指すために交換可能に使用されてもよく、堆積層をパターニングするために選択的に堆積される文脈での本明細書のパターニング被膜への言及は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料及び／又は電極被膜材料をパターニングするためのその選択的堆積の文脈でのパターニング材料に適用可能であってもよい。
同様に、いくつかの非限定的な例では、文脈が示すように、「パターニング被膜」及び「パターニング材料」という用語は、同様の概念を指すために交換可能に使用されてもよく、堆積層をパターニングするために選択的に堆積される文脈での本明細書のＮＰＣへの言及は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料及び／又は電極被膜をパターニングするためのその選択的堆積の文脈でのＮＰＣに適用可能であってもよい。
パターニング材料は、核形成阻害又は核形成促進のいずれかであり得るが、本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を除き、本明細書におけるパターニング材料への言及は、ＮＩＣへの言及であることが意図される。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜への言及は、本明細書に記載される特定の組成物を有する被膜を意味し得る。
本開示では、「堆積層」、「導電性被膜」、及び「電極被膜」という用語は、パターニング被膜の選択的堆積によってパターニングされるという文脈において、本明細書の堆積層と同様の概念及び言及を指すために交換可能に使用され得、及び／又はＮＰＣは、いくつかの非限定的な例では、パターニング材料の選択的堆積によってパターニングされるという文脈において、堆積層に適用可能であり得る。いくつかの非限定的な例では、電極被膜への言及は、本明細書に記載されるような特定の組成を有する被膜を意味し得る。同様に、本開示では、「堆積層材料」、「堆積材料」、「導電性被膜材料」、及び「電極被膜材料」という用語は、本明細書の堆積材料に対する同様の概念及び言及を指すために交換可能に使用され得る。
本開示では、有機材料は、限定されるものではないが、多種多様な有機分子及び／又は有機ポリマーを含み得ることが当業者に理解されよう。更に、元素及び／又は無機化合物を非限定的に含む様々な無機物質でドープされた有機材料が、依然として有機材料とみなされ得ることが、当業者によって理解されよう。なお更に、様々な有機材料が使用され得ること、及び本明細書中に記載されるプロセスは、概して、かかる有機材料の全範囲に適用可能であることが、当業者によって理解されよう。なお更に、金属及び／又は他の有機元素を含有する有機材料も有機材料とみなすことができることは、当業者によって理解されよう。なお更に、様々な有機材料が分子、オリゴマー、及び／又はポリマーであり得ることが、当業者によって理解されよう。
本明細書で使用されるように、有機－無機ハイブリッド材料は、概して、有機成分及び無機成分の両方を含み得る材料を指し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる有機－無機ハイブリッド材料は、有機部分及び無機部分を含み得る有機－無機ハイブリッド化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、有機－無機ハイブリッド材料は、複数の有機部分及び複数の無機部分を含む。いくつかの非限定的な例では、複数の無機部分が一緒に結合して骨格を形成してもよく、複数の有機部分が骨格に結合してもよい。かかる有機－無機ハイブリッド化合物の非限定的な例としては、無機足場が少なくとも１つの有機官能基で官能化されているものが挙げられる。そのような有機－無機ハイブリッド材料の非限定的な例としては、シロキサン基、シルセスキオキサン基、多面体オリゴマーシルセスキオキサン（polyhedral oligomeric silsesquioxane、ＰＯＳＳ）基、及びホスファゼン基のうちの少なくとも１つを含むものが挙げられる。
本開示では、半導体材料は、概してバンド間隙を示す材料として説明され得る。いくつかの非限定的な例では、バンド間隙は、半導体材料の最高被占分子軌道（highest occupied molecular orbital、ＨＯＭＯ）と最低空分子軌道（lowest unoccupied molecular orbital、ＬＵＭＯ）との間に形成され得る。したがって、半導体材料は、概して、導電性材料（金属を非限定的に含む）の導電率以下であるが、絶縁材料（ガラスを非限定的に含む）の導電率よりも大きい導電率を示す。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は、有機半導体材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は、無機半導体材料を含み得る。
本明細書で使用されるように、オリゴマーは、概して、少なくとも２つのモノマー単位又はモノマーを含む材料を指し得る。当業者によって理解されるように、オリゴマーは、限定されないが、（１）その中に含有されるモノマー単位の数、（２）分子量、及び（３）他の材料特性及び／又は特徴を含む少なくとも１つの態様において、ポリマーとは異なり得る。非限定的な例として、ポリマー及びオリゴマーの更なる説明は、Ｎａｋａ Ｋ．（２０１４）Ｍｏｎｏｍｅｒｓ，Ｏｌｉｇｏｍｅｒｓ，Ｐｏｌｙｍｅｒｓ，ａｎｄ Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ（Ｏｖｅｒｖｉｅｗ），ａｎｄ ｉｎ Ｋｏｂａｙａｓｈｉ Ｓ．，Ｍｕｌｌｅｎ Ｋ．（ｅｄｓ．）Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｎａｎｏｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｓｐｒｉｎｇｅｒ，Ｂｅｒｌｉｎ，Ｈｅｉｄｅｌｂｅｒｇにおいて見出され得る。本明細書で使用される場合、ポリマーは、概して、少なくとも２０個の繰り返しモノマー単位が中に含まれる材料を指し得、オリゴマーは、概して、２０個以下の繰り返しモノマー単位が中に含まれる材料を指し得る。いくつかの非限定的な例では、ポリマーは、モノマー単位の除去又は付加が、材料の少なくとも１つの特性に重大な影響を及ぼさない材料であると考えられ得るが、オリゴマーでは、モノマー単位の除去又は付加が、材料の少なくとも１つの特性に著しい影響を及ぼし得る。
オリゴマー又はポリマーは、概して、一緒に化学的に結合して分子を形成し得るモノマー単位を含み得る。かかるモノマー単位は、分子が繰り返しモノマー単位によって主に形成されるように、互いに実質的に同一であってもよく、又は分子は、複数の異なるモノマー単位を含み得る。追加的に、分子は、分子のモノマー単位とは異なり得る少なくとも１つの末端単位を含み得る。オリゴマー又はポリマーは、直鎖状、分岐状、環状、シクロ直鎖状、及び／又は架橋されていてもよい。オリゴマー又はポリマーは、繰り返しパターンで、かつ／又は異なるモノマー単位の交互ブロックで配置された複数の異なるモノマー単位を含み得る。
本開示では、ＯＬＥＤデバイス中の層は、いくつかの非限定的な例では、有機半導体材料を含み得るので、「半導体層」という用語は、「有機層」と互換的に使用され得る。
本発明では、無機物は、無機材料を主成分とする物質を指し得る。本開示では、無機材料は、限定されないが、金属、ガラス、及び／又は鉱物を含む、有機材料であるとはみなされない任意の材料を含み得る。
本開示では、「ＥＭ放射線」、「光子」、及び「光」という用語は、同様の概念を指すために交換可能に使用され得る。本開示では、ＥＭ放射線は、可視スペクトル内、赤外線（infrared、ＩＲ）領域（ＩＲスペクトル）では、近赤外領域（ＮＩＲスペクトル）、紫外（ultraviolet、ＵＶ）領域（ＵＶスペクトル）、及び／又はそのＵＶＡ領域（ＵＶＡスペクトル）（約３１５～４００ｎｍの波長範囲に対応し得る）、及び／又はそのＵＶＢ領域（ＵＶＢスペクトル）（約２８０～３１５ｎｍの波長に対応し得る）内にある波長を有し得る。
本開示では、本明細書で使用される「可視スペクトル」という用語は、概して、ＥＭスペクトルの可視部における少なくとも１つの波長を指す。
当業者によって理解されるように、かかる可視部は、約３８０～７４０ｎｍの任意の波長に対応し得る。概して、エレクトロルミネセントデバイスは、約４２５～７２５ｎｍの範囲の波長を有するＥＭ放射線、より具体的には、いくつかの非限定的な例では、それぞれ、Ｂ（青）、Ｇ（緑）、及びＲ（赤）サブピクセルに対応する、４５６ｎｍ、５２８ｎｍ、及び６２４ｎｍのピーク放射波長を有するＥＭ放射線を放射及び／又は透過するように構成され得る。したがって、かかるエレクトロルミネセントデバイスの文脈では、可視部は、約４２５～７２５ｎｍ、又は約４５６～６２４ｎｍの任意の波長を指し得る。可視スペクトル内の波長を有するＥＭ放射線は、いくつかの非限定的な例では、本明細書では「可視光」と称されることもある。
本開示において、本明細書で使用される「発光スペクトル」という用語は、概して、光電子デバイスによって放出される光のエレクトロルミネセンススペクトルを指す。非限定的な例として、発光スペクトルは、非限定的な例として、ある波長範囲にわたるＥＭ放射線の強度を測定することができる分光光度計などの光学機器を使用して検出することができる。本開示では、本明細書で使用される「開始波長」という用語は、概して、発光スペクトル内で発光が検出される最も低い波長を指すことができる。
本開示では、「ピーク波長」という用語は、概して放射スペクトル内で最大光度が検出される波長を指し得る。
いくつかの非限定的な例では、開始波長は、ピーク波長未満であり得る。いくつかの非限定的な例では、開始波長λｏｎｓｅｔは、光度が、ピーク波長における光度の約１０％以下、約５％以下、約３％以下、約１％以下、約０．５％以下、約０．１％以下、又は約０．０１％以下のうちの少なくとも１つである波長に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、可視スペクトルのＲ（赤）部分に存在する放射スペクトルは、約６００～６４０ｎｍの波長範囲に存在し得るピーク波長によって特徴付けられ得、いくつかの非限定的な例では、実質的に約６２０ｎｍであり得る。
いくつかの非限定的な例では、可視スペクトルのＧ（緑）部分に存在する放射スペクトルは、約５１０～５４０ｎｍの波長範囲に存在し得るピーク波長によって特徴付けられ得、いくつかの非限定的な例では、実質的に約５３０ｎｍであり得る。
いくつかの非限定的な例では、可視スペクトルのＢ（青）部分にある放射スペクトルは、約４５０～４６０ｎｍの波長範囲にあり得るピーク波長λｍａｘによって特徴付けられ得、いくつかの非限定的な例では、実質的に約４５５ｎｍであり得る。
本開示では、本明細書で使用される「ＩＲ信号」という用語は、概して、ＥＭスペクトルのＩＲサブセット（ＩＲスペクトル）内の波長を有するＥＭ放射線を指し得る。ＩＲ信号は、いくつかの非限定的な例では、その近赤外（near-infrared、ＮＩＲ）サブセット（ＮＩＲスペクトル）に対応する波長を有し得る。非限定的な例として、ＮＩＲ信号は、約７５０～１４００ｎｍ、約７５０～１３００ｎｍ、約８００～１３００ｎｍ、約８００～１２００ｎｍ、約８５０～１３００ｎｍ、又は約９００～１３００ｎｍのうちの少なくとも１つの波長を有することができる。
本開示では、「吸収スペクトル」という用語は、本明細書で使用される場合、概して、吸収が集中し得るＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲を指し得る。
本開示では、本明細書で使用される「吸収端」、「吸収不連続性」、及び／又は「吸収限界」という用語は、概して、物質の吸収スペクトルにおける鋭い不連続性を指し得る。いくつかの非限定的な例では、吸収端は、吸収されたＥＭ放射線のエネルギーが電子遷移及び／又はイオン化ポテンシャルに対応し得る波長で生じる傾向があり得る。
本開示では、本明細書で使用される「吸光係数」という用語は、概して、ＥＭ係数が材料を通って伝搬するときに減衰され得る程度を指し得る。いくつかの非限定的な例では、吸光係数は、複素屈折率の虚数成分ｋに対応すると理解され得る。いくつかの非限定的な例では、材料の吸光係数は、偏光解析法を非限定的に含む様々な方法によって測定することができる。
本開示では、媒体を説明するために本明細書で使用される「屈折率（refractive index）」及び／又は「屈折率（index）」という用語は、真空中の光の速度に対するかかる媒体中の光の速度の比から計算される値を指し得る。本開示では、特に、薄膜層及び／又は被膜を非限定的に含む実質的に透明な材料の特性を説明するために使用される場合、これらの用語は、式Ｎ＝ｎ＋ｉｋにおける実数部ｎに対応し得、式中、Ｎは、複素屈折率を表し得、ｋは、吸光係数を表し得る。
当業者によって理解されるように、限定ではないが、薄膜層及び／又は被膜を含む、実質的に透明な材料は、概して、可視スペクトル内で比較的低い吸光係数値を示し得るため、式の虚数成分は、複素屈折率にほとんど寄与しない場合がある。一方、例えば、金属薄膜によって形成された光透過性電極は、可視スペクトルにおいて比較的低い屈折率値及び比較的高い吸光係数値を示し得る。したがって、かかる薄膜の複素屈折率Ｎは、主にその虚数成分ｋによって決定され得る。
本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を除き、屈折率への特定性を伴わない言及は、複素屈折率Ｎの実数部ｎへの言及であることが意図され得る。
いくつかの非限定的な例では、屈折率と透過率との間には概して正の相関があり得、又は換言すれば、屈折率と吸収との間には概して負の相関があり得る。いくつかの非限定的な例では、物質の吸収端は、吸光係数が０に近づく波長に対応し得る。
本明細書に記載される屈折率及び／又は吸光係数の値は、可視スペクトルの波長で測定されるかかる値に対応し得ることが理解されよう。いくつかの非限定的な例では、屈折率及び／又は吸光係数値は、Ｂ（青）サブピクセルのピーク放射波長に対応し得る約４５６ｎｍ、Ｇ（緑）サブピクセルのピーク放射波長に対応し得る約５２８ｎｍ、及び／又はＲ（赤）サブピクセルのピーク放射波長に対応し得る約６２４ｎｍの波長で測定された値に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、本明細書に記載される屈折率及び／又は吸光係数値は、フラウンホーファーＤ線にほぼ対応し得る約５８９ｎｍの波長で測定された値に対応し得る。
本開示では、ピクセルの概念は、その少なくとも１つのサブピクセルの概念と併せて考察され得る。単に説明を簡略にするために、かかる複合概念は、本明細書では「（サブ）ピクセル」と称されることがあり、かかる用語は、文脈上別段の指示がない限り、ピクセル及び／又はその少なくとも１つのサブピクセルのいずれか又は両方を示唆するものと理解され得る。
いくつかの非限定的な例では、表面上の材料の量の１つの尺度は、かかる材料による表面の被覆率であり得る。いくつかの非限定的な例では、表面被覆率は、ＴＥＭ、ＡＦＭ、及び／又はＳＥＭを含むがこれらに限定されない様々な撮像技術を使用して評価することができる。
本開示では、「粒子」、「アイランド」、及び「クラスタ」という用語は、類似の概念を指すために交換可能に使用され得る。
本開示では、説明を簡略にするために、本明細書で使用される「被膜」、「閉鎖被膜」、及び／又は「閉鎖膜」という用語は、薄膜構造、及び／又は堆積層に使用される堆積材料の被膜を指すことができ、表面の関連する部分は、それによって実質的に被膜されてもよく、したがって、かかる表面は、その上に堆積された被膜によって、又はそれを通して実質的に露出されない場合がある。
本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を除き、薄膜への特定性のない言及は、実質的な閉鎖被膜への言及であることが意図され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層及び／又は堆積材料の閉鎖被膜は、いくつかの非限定的な例では、下地層の一部を被覆するように配設されてもよく、かかる部分内で、その中の下地層の約４０％以下、約３０％以下、約２５％以下、約２０％以下、約１５％以下、約１０％以下、約５％以下、約３％以下、又は約１％以下のうちの少なくとも１つが、閉鎖被膜によって、又は閉鎖被膜を通して露出されてもよい。
当業者であれば、限定されるものではないが、本明細書に記載されるものを含む様々な技術及びプロセスを使用して閉鎖被膜をパターニングして、閉鎖被膜の堆積後に露出されるべき下地層の露出層表面の一部を意図的に残すことができることを理解するであろう。本開示では、かかるパターニングされた膜は、それにもかかわらず、非限定的な例として、かかるパターニングの文脈内で、下地層の露出層表面のかかる故意に露出された部分の間に堆積される薄膜及び／又は被膜が、それ自体実質的な閉鎖被膜を含み得る場合、閉鎖被膜を構成するとみなすことができる。
当業者であれば、堆積プロセスにおける固有の変動性、及びいくつかの非限定的な例では、堆積材料、いくつかの非限定的な例では、堆積材料、及び下地層の露出層表面のいずれか又は両方における不純物の存在に起因して、本明細書に記載されるものを非限定的に含む様々な技術及びプロセスを使用した薄膜の堆積は、それにもかかわらず、ピンホール、開裂、及び／又はクラックを非限定的に含む小さな開口の形成をもたらし得ることを理解するであろう。本開示では、非限定的な例として、堆積される薄膜及び／又は被膜が、実質的な閉鎖被膜を含み、かかる開口の存在にもかかわらず、記載される任意の特定の被覆率基準を満たす場合、かかる薄膜は、それにもかかわらず、閉鎖被膜を構成するとみなすことができる。
本開示では、説明を簡略にするために、本明細書で使用される「不連続層」という用語は、堆積層に使用される材料の薄膜構造及び／又は被膜を指すことができ、それによって被膜された表面の関連部分は、かかる材料を実質的に欠いていてもよく、その閉鎖被膜を形成することもない。いくつかの非限定的な例では、堆積材料の不連続層は、かかる表面上に配設された複数の離散したアイランドとして現れ得る。
本開示では、説明を簡略にするために、閉鎖被膜が形成された段階に（まだ）達していない、下地層の露出層表面上への蒸気モノマーの堆積の結果は、「中間段階層」と称され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる中間段階層は、堆積プロセスが完了していないことを反映してもよく、かかる中間段階層は、閉鎖被膜の形成の中間段階とみなすことができる。いくつかの非限定的な例では、中間段階層は、完了した堆積プロセスの結果であってもよく、したがって、それ自体で形成の最終段階を構成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、中間段階層は、不連続層よりも薄膜に酷似し得るが、少なくとも１つの樹枝状突起及び／又は少なくとも１つの樹枝状凹部を含むがこれらに限定されない開口及び／又は間隙を表面被覆において有し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる中間段階層は、閉鎖被膜を形成しないように、堆積材料の単一の単層の一部を備え得る。
本開示では、説明を簡略にするために、堆積層を非限定的に含む被膜に関して、「樹枝状（dendritic）」という用語は、側方面から見たときに分岐構造に似た特徴を指し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層は、樹枝状突起及び／又は樹枝状凹部を含み得る。いくつかの非限定的な例では、樹枝状突起は、物理的に接続され、実質的に外側に延在する複数の短い突起を含む分岐構造を示す堆積層の一部に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、樹枝状凹部は、物理的に接続され、実質的に外向きに延在する堆積層の間隙、開口部、及び／又は被覆されていない部分の分岐構造に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、樹枝状凹部は、樹枝状突起のパターンに対する鏡像及び／又は逆パターンを含むがこれらに限定されないパターンに対応し得る。いくつかの非限定的な例では、樹枝状突起及び／又は樹枝状凹部は、フラクタルパターン、メッシュ、ウェブ、及び／又は交互嵌合構造を示す、かつ／又は模倣する構成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、シート抵抗は、かかる構成要素、層、及び／又は部品を通過する電流の特性を変更し得る、構成要素、層、及び／又は部品の特性であり得る。いくつかの非限定的な例では、被膜のシート抵抗は、概して、デバイスの他の構成要素、層、及び／又は部品から分離して測定及び／又は決定される、被膜の特徴的シート抵抗に対応し得る。
本開示では、堆積密度は、いくつかの非限定的な例では、その中の堆積材料の面積及び／又は体積を備え得る、領域内の分布を指し得る。当業者は、かかる堆積密度が、かかる堆積材料を含み得る粒子構造自体内の質量又は材料の密度と無関係であり得ることを理解するであろう。本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を除き、堆積密度及び／又は密度への言及は、エリア内の少なくとも１つの粒子を非限定的に含む、かかる堆積材料の分布への言及であることが意図され得る。
いくつかの非限定的な例では、金属の結合解離エネルギーは、金属の２つの同一の原子によって形成される二原子分子の結合の破壊から２９８Ｋで測定される標準状態エンタルピー変化に対応し得る。結合解離エネルギーは、非限定的な例として、Ｌｕｏ，Ｙｕ－Ｒａｎ，「Ｂｏｎｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ」（２０１０）を含むがこれらに限定されない既知の文献に基づいて決定され得る。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、ＮＰＣを提供することにより、特定の表面上への堆積層の堆積が容易になり得ると仮定される。
ＮＰＣを形成するのに好適な材料の非限定的な例は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、及び／又はポスト遷移金属、金属フッ化物、金属酸化物、及び／又はフラーレンを含むがこれらに限定されない少なくとも１つの金属を含み得るが、これらに限定されない。
かかる材料の非限定的な例は、Ｃａ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｙｂ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＹｂＦ３、ＭｇＦ２、及び／又はＣｓＦを含み得る。
本開示では、「フラーレン」という用語は、概して、炭素分子を含む材料を指し得る。フラーレン分子の非限定的な例としては、閉じたシェルを形成する複数の炭素原子を含み、かつ限定はしないが、球形及び／又は半球形の形状であり得る、三次元骨格を非限定的に含む炭素ケージ分子が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、フラーレン分子は、Ｃｎとして指定されてもよく、ｎは、フラーレン分子の炭素骨格に含まれる複数の炭素原子に対応する整数であり得る。フラーレン分子の非限定的な例としては、Ｃｎが挙げられ、式中、ｎは、５０～２５０の範囲であり得、例えば、限定されないが、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７２、Ｃ７４、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８０、Ｃ８２、及びＣ８４などである。フラーレン分子の更なる非限定的な例としては、単壁カーボンナノチューブ及び／又は多壁カーボンナノチューブを含むがこれらに限定されない、チューブ状及び／又は円筒形状の炭素分子が挙げられる。
発見及び実験的観察に基づいて、本明細書で更に考察されるように、フラーレン、Ａｇ及び／若しくはＹｂを非限定的に含む金属、並びに／又はＩＴＯ及び／若しくはＩＺＯを非限定的に含む金属酸化物を非限定的に含む核形成促進材料が、堆積材料の堆積のための核形成部位として機能し得ると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣを形成するための使用に好適な材料として、少なくとも約０．４、約０．５、約０．６、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．９、約０．９３、約０．９５、約０．９８、若しくは約０．９９のうちの少なくとも１つの堆積層の材料の初期付着確率を示すか、又はそれを有するものとして特徴付けられるものが挙げられる。
非限定的な例として、限定されないが、フラーレン処理された表面上での蒸発プロセスを使用してＭｇが堆積されるシナリオでは、いくつかの非限定的な例では、フラーレン分子は、堆積材料のための安定した核の形成を促進し得る核形成部位として機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、フラーレンを含むがこれに限定されないＮＰＣの単分子層以下が、堆積材料の堆積のための核形成部位として機能するように、処理された表面上に提供され得る。
いくつかの非限定的な例では、その上にＮＰＣの複数の単層を堆積させることによって表面を処理することは、より多数の核形成部位、したがって、より高い初期付着確率をもたらし得る。
当業者であれば、表面上に堆積されるフラーレンを含むがこれに限定されない材料の量は、１つの単層よりも多くても少なくてもよいことを理解するであろう。非限定的な例として、かかる表面は、核形成助長材料及び／又は核形成阻害材料の約０．１、１、１０、又はそれを上回る単層のうちの少なくとも１つを堆積させることによって処理することができる。
いくつかの非限定的な例では、下地層の露出層表面上に堆積されたＮＰＣの平均層厚は、約１～５ｎｍ、又は約１～３ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る。
本開示の特徴又は態様がマーカッシュグループに関して記載され得る場合、本開示はまた、それによって、かかるマーカッシュグループのメンバーのサブグループの任意の個々のメンバーに関して記載され得ることが、当業者によって理解されよう。
用語
単数形での言及は、別段の記載がない限り、複数形を含むことができ、逆もまた同様である。
本明細書で使用されるように、「第１の」及び「第２の」などの関係用語、並びに「ａ」、「ｂ」などの番号付けデバイスは、かかるエンティティ又は要素間の任意の物理的又は論理的関係あるいは順序を必ずしも要求又は暗示することなく、１つのエンティティ又は要素を別のエンティティ又は要素から区別するためだけに使用され得る。
「含む（including）」及び「備える（comprising）」という用語は、拡張的かつ非限定的に使用されてもよく、したがって、「含むが、それに限定されない」を意味すると解釈されるべきである。「例（example）」及び「例示的（exemplary）」という用語は、単に、解説目的で事例を識別するために使用され得、本発明の範囲を述べられた事例に限定するものと解釈されるべきではない。具体的には、「例示的」という用語は、設計、性能、又はその他の点に関してであれ、それが使用される表現に対して、任意の寛大な、有益な、又は他の品質を表示するか、又は付与するものと解釈されるべきではない。
更に、「臨界」という用語は、特に「臨界核」、「臨界核形成速度」、「臨界濃度」、「臨界クラスタ」、「臨界モノマー」、「臨界粒子構造サイズ」、及び／又は「臨界表面張力」という表現で使用される場合、当業者に精通される用語であってもよく、ある品質、特性又は現象が明確な変化を受ける測定値若しくは点に関連するか、又はその状態にあることを含む。したがって、「臨界」という用語は、設計、性能、又はその他の点に関してであれ、それが使用される表現に対して何らかの重要性若しくは重要性を表示するか又は与えるものと解釈されるべきではない。
任意の形態の「結合する」及び「通信する」という用語は、光学的、電気的、機械的、化学的、又はその他にかかわらず、何らかのインターフェース、デバイス、中間構成要素、又は接続を介した直接接続若しくは間接接続のいずれかを意味することが意図され得る。
別の構成要素に対する第１の構成要素、及び／又は別の構成要素を「被覆する（covering）」若しくは「被覆する（covers）」に関して使用される場合の「上（on）」又は「上（over）」という用語は、第１の構成要素が他の構成要素の直接上にある（それと物理的に接触していることを非限定的に含む）状況、並びに少なくとも１つの介在構成要素が第１の構成要素と他の構成要素との間に位置決めされている場合を包含し得る。
「上方（upward）」、「下方（downward）」、「左（left）」及び「右（right）」などの方向を示す用語は、別段の記載がない限り、参照される図面における方向を指すために使用され得る。同様に、「内向き（inward）」及び「外向き（outward）」などの単語は、それぞれ、デバイス、面積、若しくは体積、又はそれらの指定された部分の幾何学的中心に向かう方向、及びそれから離れる方向を指すために使用され得る。更に、本明細書に記載される全ての寸法は、単に特定の例を解説する目的の一例であることが意図されてもよく、本開示の範囲を、指定され得るような寸法から逸脱し得る任意の例に限定することが意図されなくてもよい。
本明細書で使用されるように、「実質的に」、「実質的な」、「およそ」、及び／又は「約」という用語は、小さい変動を表示し、説明するために使用され得る。事象又は状況と併せて使用される場合、かかる用語は、事象又は状況が正確に発生する事例、並びに事象又は状況が非常に近似して発生する事例を指し得る。非限定的な例として、数値と併せて使用される場合、かかる用語は、約±５％以下、約±４％以下、約±３％以下、約±２％以下、約±１％以下、約±０．５％以下、約±０．１％以下、又は約±０．０５％以下のうちの少なくとも１つなど、かかる数値の約±１０％以下の変動の範囲を指し得る。
本明細書で使用される場合、「から実質的に構成される（consisting substantially of）」という語句は、具体的に列挙された要素、及び記載された技術の基本的かつ新規な特徴に実質的に影響を及ぼさない任意の追加の要素を含むと理解されてもよく、一方、いかなる修飾語も使用しない「から構成される（consisting of）」という語句は、具体的に列挙されていない任意の要素を除外してもよい。
当業者によって理解されるように、任意の及び全ての目的のために、特に書面による説明を提供することに関して、本明細書に開示される全ての範囲はまた、任意の及び全ての可能なサブ範囲、及び／又はそのサブ範囲の組み合わせを包含し得る。任意の列挙された範囲は、十分に説明するものとして、かつ／又は同じ範囲が、半分、３分の１、４分の１、５分の１、１０分の１などを非限定的に含む、少なくともその等しい分数に分割されることを十分に説明及び／又は可能にするものとして容易に認識され得る。非限定的な例として、本明細書で考察される各範囲は、下３分の１、中央３分の１、及び／又は上３分の１などに容易に分割され得る。
当業者によって理解されるように、任意の及び全ての目的のために、特に書面による説明を提供することに関して、少なくとも１つの１０進値に関して説明される、本明細書に開示される全ての値及び／又は範囲は、そのような１０進値によって表される有効数字の数に基づいて決定される、当業者によって理解されるような丸め誤差を含む値及び／又は範囲を包含するものとして解釈されるべきである。念のため、任意の追加の１０進値の存在及び／又は不在は、本開示、第１の１０進値よりも大きい又は小さい数の有効数字を有し得る第１の１０進値と同じ段落又は同じ文であっても、そのような第１の１０進値によって包含される値及び／又は範囲を、それによって表される有効数字に基づく丸め誤差を含む１未満の値及び／又は範囲に限定する任意の方式で、そのような第１の１０進値によって包含される値及び／又は範囲を限定するために使用されるべきではない。
また、当業者によって理解されるように、「最大」、「少なくとも」、「より大きい」、「以下」、「未満」などの全ての言語及び／又は用語は、列挙された範囲を含み、及び／又はそれらを指してもよく、本明細書で考察されるように、その後サブ範囲に分割され得る範囲を指してもよい。
当業者によって理解されるように、範囲は、列挙された範囲の各個々のメンバーを含み得る。
一般事項
要約の目的は、関連する特許庁又は一般公衆、具体的には、特許又は法律の用語又は語法に精通していない当業者が、大まかな調査から、技術的開示の性質を迅速に判断することを可能にすることである。要約は、本開示の範囲を定義することを意図するものではなく、また、本開示の範囲を限定することを意図するものでもない。
本開示の一例の構造、製造、及び使用は、上で考察されている。考察される特定の例は、本明細書で開示される概念を作成及び使用するための特定の方法の単なる解説にすぎず、本開示の範囲を限定するものではない。むしろ、本明細書に記載された一般的な原理は、本開示の範囲の単なる解説にすぎない。
本明細書に具体的に開示されているか否かにかかわらず、特許請求の範囲によって説明され、提供される実装形態の詳細によって説明されず、変更、省略、追加若しくは置換によって、並びに／又は任意の要素及び／若しくは限定がない場合に代替形態及び／若しくは同等の機能要素を用いて修正され得る本開示は、当業者には明らかであり、本明細書に開示される例に対して行われ得、本開示から逸脱することなく、多種多様な特定の状況において具現化され得る多くの適用可能な発明概念を提供し得ることを理解されたい。
具体的には、上述の例のうちの少なくとも１つにおいて記載及び解説された特徴、技術、システム、サブシステム、及び方法は、個別又は別個として記載及び解説されているか否かにかかわらず、本開示の範囲から逸脱することなく別のシステムにおいて組み合わせるか又は統合して、明示的に上述されていない場合がある特徴の組み合わせ又は部分的組み合わせから構成される代替的な例を創出することができ、又は特定の特徴を省略するか又は実装しないことが可能である。かかる組み合わせ及び部分的組み合わせに好適な特徴は、本出願を全体として検討すれば、当業者には容易に明らかになるであろう。変更、置換、及び修正の他の例は、容易に確認可能であり、本明細書に開示される趣旨及び範囲から逸脱することなく行うことができる。
本開示の原理、態様、及び例、並びにそれらの特定の例を列挙する本明細書の全ての記述は、それらの構造的均等物と機能的均等物の両方を包含し、技術における全ての好適な変更を網羅し、包含することが意図される。追加的に、かかる均等物は、現在知られている均等物、並びに将来開発される均等物、すなわち、構造にかかわらず同じ機能を実行する開発された任意の要素の両方を含むことが意図される。
付記
本開示は、限定されないが、以下の付記を含む。
パターニング被膜は、パターニング材料４１１を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜の堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率は、露出層表面の堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率以下である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、堆積材料５３１の閉鎖被膜を実質的に欠いている、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約０．９以下、約０．３以下、約０．２以下、約０．１５以下、約０．１以下、約０．０８以下、約０．０５以下、約０．０３以下、約０．０２以下、約０．０１以下、約０．００８以下、約０．００５以下、約０．００３以下、約０．００１以下、約０．０００８以下、約０．０００５以下、約０．０００３以下、及び約０．０００１以下のうちの少なくとも１つである、堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約０．９以下、約０．３以下、約０．２以下、約０．１５以下、約０．１以下、約０．０８以下、約０．０５以下、約０．０３以下、約０．０２以下、約０．０１以下、約０．００８以下、約０．００５以下、約０．００３以下、約０．００１以下、約０．０００８以下、約０．０００５以下、約０．０００３以下、及び約０．０００１以下のうちの少なくとも１つである、銀（Ａｇ）及びマグネシウム（Ｍｇ）のうちの少なくとも一方の堆積に抗する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約０．１５～０．０００１、約０．１～０．０００３、約０．０８～０．０００５、約０．０８～０．０００８、約０．０５～０．００１、約０．０３～０．０００１、約０．０３～０．０００３、約０．０３～０．０００５、約０．０３～０．０００８、約０．０３～０．００１、約０．０３～０．００５、約０．０３～０．００８、約０．０３～０．０１、約０．０２～０．０００１、約０．０２～０．０００３、約０．０２～０．０００５、約０．０２～０．０００８、約０．０２～０．００１、約０．０２～０．００５、約０．０２～０．００８、約０．０２～０．０１、約０．０１～０．０００１、約０．０１～０．０００３、約０．０１～０．０００５、約０．０１～０．０００８、約０．０１～０．００１、約０．０１～０．００５、約０．０１～０．００８、約０．００８～－０．０００１、約０．００８～０．０００３、約０．００８～０．０００５、約０．００８～０．０００８、約０．００８～０．００１、約０．００８～０．００５、約０．００５～０．０００１、約０．００５～０．０００３、約０．００５～０．０００５、約０．００５～０．０００８、及び約０．００５～０．００１のうちの少なくとも１つの、堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約０．３、０．２、０．１８、０．１５、０．１３、０．１、０．０８、０．０５、０．０３、０．０２、０．０１、０．００８、０．００５、０．００３、及び０．００１のうちの少なくとも１つである閾値以下である、堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、Ａｇ、Ｍｇ、イッテルビウム（Ｙｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、及び亜鉛（Ｚｎ）のうちの少なくとも１つの堆積に抗する、閾値以下である初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
閾値は、第１の堆積材料５３１の堆積に抗する第１の閾値と、第２の堆積材料５３１の堆積に抗する第２の閾値とを有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
第１の堆積材料５３１はＡｇであり、第２の堆積材料５３１はＭｇである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
第１の堆積材料５３１はＡｇであり、第２の堆積材料５３１はＹｂである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
第１の堆積材料５３１はＹｂであり、第２の堆積材料５３１がＭｇである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
第１の閾値は、第２の閾値を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、堆積材料５３１の蒸気フラックス１８３２に供された後に、少なくとも閾値透過率値のＥＭ放射線に対する透過率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
閾値透過率値は、可視スペクトル内の波長で測定される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
閾値透過率値は、デバイスを透過する入射ＥＭパワーの少なくとも約６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、及び９０％のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約２４ダイン／ｃｍ以下、約２２ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、及び約１１ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つの表面エネルギーを有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、少なくとも約６ダイン／ｃｍ、７ダイン／ｃｍ、及び８ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つである表面エネルギーを有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約１０～２０ダイン／ｃｍ、及び１３～１９ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つである表面エネルギーを有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約１．５５以下、約１．５以下、約１．４５以下、約１．４３以下、約１．４以下、約１．３９以下、約１．３７以下、約１．３５以下、約１．３２以下、及び約１．３以下のうちの少なくとも１つである、５５０ｎｍの波長のＥＭ放射に対する屈折率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、約６００ｎｍ、５００ｎｍ、４６０ｎｍ、４２０ｎｍ、及び４１０ｎｍのうちの少なくとも１つを上回る波長の光子に対して約０．０１以下である吸光係数を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、少なくとも約４００ｎｍ、約３９０ｎｍ、約３８０ｎｍ、及び約３７０ｎｍのうちの少なくとも１つよりも短い波長のＥＭ放射に対して、少なくとも約０．０５、約０．１、約０．２、約０．５のうちの少なくとも１つである吸光係数を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、（ｉ）少なくとも約３００℃、約１５０℃、約１３０℃、約１２０℃、及び約１００℃のうちの少なくとも１つ、並びに（ｉｉ）約３０℃以下、約０℃以下、約－３０℃以下、及び約－５０℃以下のうちの少なくとも１つ、のうちの少なくとも１つであるガラス転移温度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング材料４１１は、約１００～３２０℃、１２０～３００℃、１４０～２８０℃、及び１５０～２５０℃のうちの少なくとも１つの昇華温度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、フッ素原子及びケイ素原子のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、フッ素及び炭素を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
フッ素を炭素で除算した商の原子比は、約１、１．５、及び２のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、オリゴマーを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、主鎖と、主鎖に結合した少なくとも１つの官能基とを含有する分子構造を有する化合物を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
化合物は、シロキサン基、シルセスキオキサン基、アリール基、ヘテロアリール基、フルオロアルキル基、炭化水素基、ホスファゼン基、フルオロポリマー、及び金属錯体のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
化合物の分子量は、約５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約４，５００ｇ／ｍｏｌ以下、約４，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約３，８００ｇ／ｍｏｌ以下、及び約３，５００ｇ／ｍｏｌ以下のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
分子量は、少なくとも約１，５００ｇ／ｍｏｌ、１，７００ｇ／ｍｏｌ、２，０００ｇ／ｍｏｌ、２，２００ｇ／ｍｏｌ、及び２，５００ｇ／ｍｏｌである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
分子量は、約１，５００～５，０００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，２００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、及び約２，５００～３，８００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
フッ素原子の存在に起因する化合物のモル重量の割合は、約４０～９０％、約４５～８５％、約５０～８０％、約５５～７５％、及び約６０～７５％のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
フッ素原子は、化合物のモル重量の大部分を構成する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング材料４１１は、有機－無機ハイブリッド材料を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、堆積材料５３１のための少なくとも１つの核形成部位を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、堆積材料５３１のための核形成部位として機能するシード材料で補完される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
シード材料は、核形成促進被膜（ＮＰＣ）材料、有機材料、多環式芳香族化合物、並びに酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、窒素（Ｎ）、及び炭素（Ｃ）のうちの少なくとも１つから選択される非金属元素を含む材料のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜が光学被膜として機能する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、デバイスによって放射されるＥＭ放射の特性及び特徴のうちの少なくとも１つを修正する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、結晶性材料を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、非晶質材料として堆積されており、堆積後に結晶化される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、堆積材料５３１を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びイットリウム（Ｙ）のうちの少なくとも１つから選択される元素を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、純金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、純粋なＡｇ及び実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
実質的に純粋なＡｇは、少なくとも約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、及び約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、純粋なＭｇ及び実質的に純粋なＭｇのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、又は約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、及びＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
ＡｇＭｇ含有合金は、体積で１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲である合金組成を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、Ａｇ以外の少なくとも１つの金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、Ａｇと少なくとも１つの金属との合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの金属は、Ｍｇ及びＹｂの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
合金は、約５～９５体積％のＡｇの組成を有する二元合金である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
合金は、体積で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、Ａｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、少なくとも１つの追加の元素を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの追加の元素は、非金属元素である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非金属元素は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非金属元素の濃度は、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、Ｏ及びＣの合計が約１０％以下、約５％以下、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下の少なくとも１つである組成を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非金属元素は、ＮＩＣ上に堆積材料５３１の核形成部位として機能する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１及び下地層は、共通金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、堆積材料５３１の複数の層を備える、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
複数の層のうちの第１のものの堆積材料５３１は、複数の層のうちの第２のものの堆積材料５３１とは異なる、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、多層被膜を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
多層被膜は、Ｙｂ／Ａｇ、Ｙｂ／Ｍｇ、Ｙｂ／Ｍｇ：Ａｇ、Ｙｂ／Ｙｂ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ／Ｍｇ、及びＹｂ／Ｍｇ／Ａｇのうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、約３００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約２００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１６５ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１５０ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約５０ｋＪ／ｍｏｌ以下、及び約２０ｋＪ／ｍｏｌ以下の少なくとも１つの結合解離エネルギーを有する金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料５３１は、約１．４以下、約１．３以下、及び約１．２以下の少なくとも１つの電気陰性度を有する金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層のシート抵抗は、約１０Ω／□以下、５Ω／□以下、約１Ω／□以下、約０．５Ω／□以下、約０．２Ω／□以下、及び約０．１Ω／□以下の少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、その閉鎖被膜を実質的に欠いている少なくとも１つの領域によって画定されるパターンで配設される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの領域は、堆積層をその複数の個別の断片に分離する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも２つの個別の断片は、電気的に結合される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、パターニング被膜縁部によって画定される境界を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、少なくとも１つのパターニング被膜遷移領域と、パターニング被膜非遷移部とを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つのパターニング被膜遷移領域は、最大厚さから減少した厚さに遷移する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つのパターニング被膜遷移領域は、パターニング被膜非遷移部とパターニング被膜縁部との間を延在する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。パターニング被膜は、パターニング被膜非遷移部において、約１～１００ｎｍ、約２～５０ｎｍ、約３～３０ｎｍ、約４～２０ｎｍ、約５～１５ｎｍ、約５～１０ｎｍ、及び約１～１０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲内にある平均膜厚を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜非遷移部におけるパターニング被膜の厚さは、ＮＩＣの平均膜厚の約９５％及び約９０％のうちの少なくとも１つ内である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、約８０ｎｍ以下、約６０ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約４０ｎｍ以下、約３０ｎｍ以下、約２０ｎｍ以下、約１５ｎｍ以下、及び約１０ｎｍのうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、約３ｎｍ、約５ｎｍ、及び約８ｎｍのうちの少なくとも１つを上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、約１０ｎｍ以下である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、パターニング被膜遷移領域内で最大から最小に減少するパターニング被膜厚を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最大値は、パターニング被膜遷移領域とパターニング被膜非遷移部との間の境界に近接している、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最大値は、約１００％、約９５％、及び約９０％のうちの少なくとも１つである平均膜厚の割合である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最小値は、パターニング被膜の縁部に近接している、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲内である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜の厚さのプロファイルは、傾斜している、テーパ形状である、かつ勾配によって画定される、のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
テーパプロファイルは、線形、非線形、放物線、及び指数関数的に減衰するプロファイルのうちの少なくとも１つに従う、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜非遷移領域の側方軸に沿った非遷移幅は、パターニング被膜遷移領域の軸に沿った遷移幅を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非遷移幅を遷移幅で除算した商は、少なくとも約５、約１０、約２０、約５０、約１００、約５００、約１，０００、約１，５００、約５，０００、約１０，０００、約５０，０００、又は約１００，０００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非遷移幅及び遷移幅のうちの少なくとも１つは、下地層の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非遷移幅及び遷移幅のうちの少なくとも１つは、パターニング被膜の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
下地層の平均膜厚は、パターニング被膜の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、堆積層縁部によって画定された境界を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、少なくとも１つの堆積層遷移領域と、堆積層非遷移部とを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの堆積層遷移領域は、最大厚さから減少した厚さに遷移する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの堆積層遷移領域は、堆積層非遷移部と堆積層縁部との間に延在する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、約１～５００ｎｍ、約５～２００ｎｍ、約５～４０ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、及び約１０～１００ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲内にある堆積層非遷移部の平均膜厚を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、約１０ｎｍ、約５０ｎｍ、及び約１００ｎｍのうちの少なくとも１つを上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、その全体にわたって実質的に一定である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、下地層の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
下地層の平均膜厚による堆積層の平均膜厚の商は、少なくとも約１．５、約２、約５、約１０、約２０、約５０、及び約１００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
商は、約０．１～１０、及び約０．２～４０のうちの少なくとも１つの範囲内にある、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層の平均膜厚は、パターニング被膜の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜の平均膜厚による堆積層の平均膜厚の商は、少なくとも約１．５、約２、約５、約１０、約２０、約５０、及び約１００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
商は、約０．２～１０、及び約０．５～４０のうちの少なくとも１つの範囲内にある、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層非遷移部の側方軸に沿った堆積層非遷移幅は、パターニング被膜非遷移部の軸に沿ったパターニング被膜非遷移幅を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜非遷移幅を堆積層非遷移幅で除算した商は、約０．１～１０、約０．２～５、約０．３～３、及び約０．４～２のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層の非遷移幅をパターニング被膜の非遷移幅で除算した商は、少なくとも１、２、３、及び４のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層非遷移幅は、堆積層の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層の非遷移幅を平均膜厚で除算した商は、少なくとも約１０、約５０、約１００、及び約５００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
商は、約１００，０００以下である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。堆積層は、堆積層遷移領域内で最大から最小まで減少する堆積層厚を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最大値は、堆積層遷移領域と堆積層非遷移部との間の境界に近接している、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最大値は、平均膜厚である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最小値は、堆積層の縁部に近接している、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲内である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最小値は、平均膜厚である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層の厚さのプロファイルは、傾斜している、テーパプロファイルである、かつ勾配によって画定される、のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
テーパプロファイルは、線形、非線形、放物線、及び指数関数的に減衰するプロファイルのうちの少なくとも１つに従う、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、堆積層遷移領域の少なくとも一部に不連続層を備える、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、重なり部分においてパターニング被膜と重なる、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、重なり部分において堆積層に重なる、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
下地層の露出層表面上に配設された少なくとも１つの粒子構造を更に含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
下地層は、パターニング被膜である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、粒子材料を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、堆積材料５３１と同じである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料、堆積材料５３１、及び下地層を構成する材料のうちの少なくとも２つは、共通金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びイットリウム（Ｙ）のうちの少なくとも１つから選択される元素を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、純金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、純粋なＡｇ及び実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
実質的に純粋なＡｇは、少なくとも約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、及び約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、純粋なＭｇ及び実質的に純粋なＭｇのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、又は約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、及びＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
ＡｇＭｇ含有合金は、体積で１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲である合金組成を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇ以外の少なくとも１つの金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇと少なくとも１つの金属との合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの金属は、Ｍｇ及びＹｂの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
合金は、約５～９５体積％のＡｇの組成を有する二元合金である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
合金は、体積で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、少なくとも１つの追加の要素を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの追加の元素は、非金属元素である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非金属元素は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非金属元素の濃度は、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、Ｏ及びＣの合計量が約１０％以下、約５％以下、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下の少なくとも１つである組成を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子は、デバイス内のパターニング被膜と少なくとも１つの被覆層との間の界面に配設される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子は、パターニング被膜の露出層表面と物理的に接触している、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、デバイスの少なくとも１つの光学特性に影響を及ぼす、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの光学特性は、特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び組成のうちの少なくとも１つから選択される少なくとも１つの粒子構造の少なくとも１つの特性の選択によって制御される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造の少なくとも１つの特性は、パターニング材料４１１の少なくとも１つの特性、パターニング被膜の平均膜厚、パターニング被膜における少なくとも１つの不均一性、並びに温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び堆積プロセスのうちの少なくとも１つから選択されるパターニング被膜の堆積環境のうちの少なくとも１つの選択によって制御される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造の少なくとも１つの特性は、粒子材料の少なくとも１つの特質、パターニング被膜が粒子材料の堆積のために曝露される程度、不連続層の厚さ、並びに温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び堆積プロセスのうちの少なくとも１つから選択される粒子材料の堆積環境のうちの少なくとも１つの選択によって制御される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、互いに分離されている、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、不連続層を形成する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
不連続層は、少なくとも１つの粒子構造を実質的に欠いているその中の少なくとも１つの領域によって画定されるパターンで配設される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
不連続層の特性は、特性サイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、構成、表面被覆率、堆積分布、分散度、凝集インスタンスの存在、及びかかる凝集インスタンスの程度のうちの少なくとも１つから選択される少なくとも１つの基準による評価によって決定される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
評価は、電子顕微鏡法、原子間力顕微鏡法、及び走査電子顕微鏡法のうちの少なくとも１つから選択される適用された撮像技術によって不連続層の少なくとも１つの属性を決定することによって行われる、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
評価は、少なくとも１つの観察窓によって画定される範囲にわたって行われる、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの観察窓は、側方面の外周、内部位置、及びグリッド座標のうちの少なくとも１つに位置する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
観察窓は、適用される撮像技術の視野に対応する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
観察窓は、２．００μｍ、１．００μｍ、５００ｎｍ、及び２００ｎｍのうちの少なくとも１つから選択された倍率レベルに対応する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
評価は、手動計数、曲線フィッティング、多角形フィッティング、形状フィッティング、及び推定技術のうちの少なくとも１つを組み込む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
評価は、平均、中央値、モード、最大、最小、確率的、統計的、及びデータ計算のうちの少なくとも１つから選択される操作を組み込む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
特徴的なサイズは、少なくとも１つの粒子構造の質量、体積、直径、外周、長軸、及び短軸のうちの少なくとも１つから決定される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
分散度は、
式中、
ｎは、試料領域内の粒子の数であり、
Ｓｉは、ｉ番目の粒子の（面積）サイズであり、
は粒子（面積）サイズの数平均であり、
は、粒子（面積）サイズの（面積）サイズ平均である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
したがって、本明細書に開示される明細書及び例は、単なる解説であるとみなされるべきであり、本開示の真の範囲は、以下の番号付けされた特許請求の範囲によって開示される。
（関連出願の相互参照）
本出願は、２０２１年２月８日に出願された米国特許仮出願第６３／１４６，９７０号、２０２１年３月８日に出願された米国特許仮出願第６３／１５８，１８５号、及び２０２１年１２月１４日に出願された米国特許仮出願第６３／２８９，５９９号の優先権の利益を主張し、これらの各々の内容は、参照によりそれらの全体が本明細書に援用される。
（発明の分野）
本開示は、層状半導体デバイスに関し、具体的には、パターニング被膜であって、デバイス製造プロセス中に堆積され得るような少なくとも１つの導電性堆積材料をパターニングするための核形成抑制被膜（nucleation-inhibiting coating、ＮＩＣ）として作用してもよく及び／又はＮＩＣであってもよく、具体的には、パターニング被膜を使用してパターニングされた光電子デバイス用の製造プロセスにおいて、核形成抑制被膜（ＮＩＣ）及び／若しくはそのようなＮＩＣとして作用してもよく、並びに／又は核形成抑制被膜（ＮＩＣ）及び／若しくはそのようなＮＩＣであってもよい、パターニング被膜に関する。
有機発光ダイオード（organic light emitting diode、ＯＬＥＤ）などの光電子デバイスでは、少なくとも１つの半導体層が、アノード及びカソードなどの一対の電極間に配設されている。アノード及びカソードは、電源と電気的に結合され、それぞれ、少なくとも１つの半導体層を通って互いに向かって移動する正孔及び電子を生成する。一対の正孔と電子が結合すると、光子が放射され得る。
ＯＬＥＤディスプレイパネルは、複数の（サブ）ピクセルを含むことができ、各（サブ）ピクセルは、関連する一対の電極と、それらの間の少なくとも１つの半導体層とを有する。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセルは、導電性金属線によって電気的に結合された複数の薄膜トランジスタ（thin-film transistor、ＴＦＴ）構造を含む駆動回路によって、いくつかの非限定的な例では、電極及び少なくとも１つの半導体層が堆積される基板内で、選択的に駆動され得る。かかるパネルの様々な層及び被膜は、典型的には、真空ベースの堆積技術によって形成される。
そのようなディスプレイパネルは、非限定的な例として、携帯電話などの電子デバイスにおいて使用され得る。
いくつかの用途では、ＯＬＥＤ製造プロセス中に、導電性堆積材料を選択的に堆積させて、デバイス特徴、例えば、非限定的に、それに電気的に結合された電極及び／又は導電素子を形成することによって、パネルの各（サブ）ピクセルに対して、その側方面及び断面のいずれか又は両方にわたってパターンで導電性堆積層を提供することが目的であり得る。
そのための１つの方法は、いくつかの非限定的な用途において、電極材料及び／又はそれと電気的に結合される導電素子の堆積中にファインメタルマスク（fine metal mask、ＦＭＭ）を介在させることを伴う。しかしながら、電極として使用される材料は、典型的には、比較的に高い蒸発温度を有し、これは、ＦＭＭを再使用する能力及び／又は達成され得るパターンの正確度に影響を及ぼし、付随して、コスト、労力、及び複雑性が増加する。
そのための１つの方法は、いくつかの非限定的な例では、電極材料を堆積することと、その後、パターンを形成するために、その不要な領域を除去する（レーザ穿孔プロセスによることを含む）こととを伴う。しかしながら、除去プロセスは、多くの場合、残骸の創出及び／又は存在を伴い、これは、製造プロセスの収率に影響を及ぼし得る。
更に、そのような方法は、いくつかの用途における適用性、及び／又はある特定のトポグラフィ的特徴を含むいくつかのデバイスへの適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な用途では、光学特性、性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命に関してデバイスの性能に影響を及ぼし得る、光電子デバイス内の金属ＮＰの薄い分散層を堆積させるためのメカニズムを提供することが目的であり得る。
そのような方法及びメカニズムは、パターニング被膜の選択的堆積によって、達成されてもよく、このパターニング被膜は、その閉鎖被膜として、又はその少なくとも１つの粒子構造の不連続層として、その上に堆積される導電性堆積材料の能力に影響を及ぼし得る材料特性の特定の組み合わせを、その露出表面上に提供するパターニング材料を含む。
材料特性の組み合わせは各々、様々な材料特性を含むことができる。
そのような材料特性は複雑な相互関係を有し、所与の組み合わせが、単一のパターニング材料では達成できない場合がある。
被膜の特性を調整するため、例えば、非限定的に、発光層及び／又は電荷輸送層としてのその性能を変更するために、被膜において複数の材料を組み合わせて使用することが知られている。
非限定的な例として、有機ホスト材料（Ａｌｑ３）にドープされた有機蛍光色素（Ｃ５４５Ｔ）、有機ホスト材料（ＣＢＰ）にドープされたリン光金属有機錯体（Ｉｒ（ｐｐｈ）３）、有機ホスト材料にドープされた有機熱活性化遅延蛍光（thermally activated delayed fluorescence、ＴＡＤＦ）材料、又は有機ホスト材料にドープされたハイパー蛍光エミッタを含むがこれらに限定されない複数の材料で構成されるＯＬＥＤデバイス中の放射層は、発光に関して相当な性能を呈することができる。
非限定的な例として、有機ホスト材料（それぞれ、ＭｅＯ－ＴＢＤ、Ａｌｑ３）にドープされた有機ｐ－ｎ型ドーパント若しくはｎ型ドーパント（Ｆ４－ＴＣＮＱ、ＬｉＱ）、又は有機ホスト材料（それぞれ、Ａｌｑ３、ＮＰＢ）中の無機ｐ型ドーパント若しくはｎ型ドーパント（Ｌｉ、ＭｏＯ３）を含むがこれらに限定されない複数の材料で構成されるＯＬＥＤデバイス中の正孔輸送層（hole transport layer、ＨＴＬ）及び電子輸送層（electron transport layer、ＥＴＬ）を含むがこれらに限定されない輸送層は、十分な導電率を呈し得る。
非限定的な例として、無機材料若しくは無機元素（ＮＰＢ）と混合された有機材料（Ｃ６０）、又は一緒に混合された２つの有機材料を含むがこれらに限定されない複数の材料で構成されるＯＬＥＤデバイス中のＨＴＬ又はＥＴＬを含むがこれらに限定されない輸送層は、十分な熱安定性を呈し得る。
非限定的な例として、正孔輸送有機材料及び電子輸送有機材料を含むがこれらに限定されない複数の材料で構成されるＯＬＥＤデバイス中のＨＴＬ若しくはＥＴＬ又は発光ホスト層を含むがこれらに限定されない輸送層は、十分な荷電平衡を達成し得る。
非限定的な例として、２つの無機材料（ＬｉＦ、Ｙｂ）、又は有機材料（Ａｌｑ３）と混合された無機材料（ＬｉＦ）を含むがこれらに限定されない複数の材料で構成されるＯＬＥＤデバイス中の正孔注入層（hole injection layer、ＨＩＬ）又は電子注入層（electron injection layer、ＥＩＬ）を含むがこれらに限定されない電荷注入層は、十分なデバイス性能を呈し得る。
非限定的な例として、ポリマーと混合されたジアリールエテン（diarylethene、ＤＡＥ）分子は、使用されるＤＡＥ分子の量を低減しながら、Ｍｇを選択的にパターニングするために使用され得る。
様々な材料特性の所与の組み合わせを含むがこれらに限定されない被膜の特性を調整するように選択された複数の材料を含むパターニング被膜を提供することが有益と考えられる。
ここで、本開示の例を以下の図を参照して説明するが、異なる図における同一の参照番号は、同一の、及び／又はいくつかの非限定的な例では、類同の、及び／又は対応する要素を示す。
本開示の一例による、配向層の堆積、側方面の第１の部分におけるその上へのパターニング被膜の選択的堆積、続いて、その第２の部分における堆積材料の閉鎖被膜の堆積によって形成される、側方面に複数の層を有する、例示的デバイスの断面からの簡略ブロック図である。 様々な実験例の波長の関数としてのフォトルミネセンス強度のプロットである。 様々な実験例の波長の関数としての透過率低下率のプロットである。 本開示の一例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける下地層の露出層表面上にパターンでパターニング被膜を堆積させるための例示的プロセスを示す概略図である。 パターニング被膜が核形成抑制被膜（ＮＩＣ）である、図１のパターニング被膜の堆積パターンを含む露出層表面上の第２の部分に堆積材料５３１を堆積する例示的なプロセスを示す概略図である。 図１のデバイスの例示的なバージョンを断面図で解説する概略図である。 図６Ａのデバイスを補足的な平面図で解説する概略図である。 図１のデバイスの例示的なバージョンを断面図で解説する概略図である。 図６Ｃのデバイスを補足的な平面図で解説する概略図である。 図１のデバイスの一例を断面図で解説する概略図である。 図１のデバイスの一例を断面図で解説する概略図である。 図１のデバイスの一例を断面図で解説する概略図である。 本開示の様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターニング被膜の様々な可能な挙動を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターニング被膜の様々な可能な挙動を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターニング被膜の様々な可能な挙動を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターニング被膜の様々な可能な挙動を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターニング被膜の様々な可能な挙動を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターニング被膜の様々な可能な挙動を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターニング被膜の様々な可能な挙動を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターニング被膜の様々な可能な挙動を示す概略図である。 本開示の様々な例による、図１のデバイスの例示的バージョンにおける堆積層との堆積界面におけるパターニング被膜の様々な可能な挙動を示す概略図である。 各々が、本開示の一例による例示的な試料の複数のＳＥＭ画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットと共に示す。 各々が、本開示の一例による例示的な試料の複数のＳＥＭ画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットと共に示す。 各々が、本開示の一例による例示的な試料の複数のＳＥＭ画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットと共に示す。 各々が、本開示の一例による例示的な試料の複数のＳＥＭ画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットと共に示す。 各々が、本開示の一例による例示的な試料の複数のＳＥＭ画像を、その中の様々な特徴的なサイズのいくつかの粒子の分布のプロットと共に示す。 本開示の例による、粒子構造パターニング被膜と粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図１のデバイスの例示的バージョンの断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の例による、粒子構造パターニング被膜と粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図１のデバイスの例示的バージョンの断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の例による、粒子構造パターニング被膜と粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図１のデバイスの例示的バージョンの断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の例による、粒子構造パターニング被膜と粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図１のデバイスの例示的バージョンの断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の例による、粒子構造パターニング被膜と粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図１のデバイスの例示的バージョンの断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の例による、粒子構造パターニング被膜と粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図１のデバイスの例示的バージョンの断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の例による、粒子構造パターニング被膜と粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図１のデバイスの例示的バージョンの断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の例による、粒子構造パターニング被膜と粒子構造との間の可能な相互作用の様々な例を示す、図１のデバイスの例示的バージョンの断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の一例による、少なくとも１つの粒子構造の下にある粒子構造パターニング被膜と、その上に堆積された上層とを含む図１のデバイスを、部分切り取り平面図で解説する例示的な概略図である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 図１１Ａ～図１１Ｅの顕微鏡写真の分析に基づく、特徴的な粒径の関数として粒子構造のヒストグラム分布をプロットしたヒストグラムである。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 図１１Ｇ～図１１Ｊの顕微鏡写真の分析に基づく、特徴的な粒径の関数として粒子構造のヒストグラム分布をプロットしたヒストグラムである。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 図１１Ｌ～図１１Ｏの顕微鏡写真の分析に基づく、特徴的な粒径の関数として粒子構造のヒストグラム分布をプロットしたヒストグラムである。 本開示の一例による、構造を形成するための複数のシードの堆積に続くパターニング被膜の堆積によって形成された、図１のデバイスの放射領域に近接する図１の少なくとも１つの粒子構造を示す概略図である。 本開示の一例による、複数のシードの堆積前にパターニング被膜を堆積することによって形成された、図１２Ａの少なくとも１つの粒子構造のバージョンを示す概略図である。 本開示の一例による、本体を被覆するためのディスプレイパネル、及びそれを通してディスプレイパネルの層にゼロではない角度でＥＭ信号を交換するためにその中に収容された少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素を有する、例示的なユーザデバイスの様々な例の、断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の一例による、本体を被覆するためのディスプレイパネル、及びそれを通してディスプレイパネルの層にゼロではない角度でＥＭ信号を交換するためにその中に収容された少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素を有する、例示的なユーザデバイスの様々な例の、断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の一例による、本体を被覆するためのディスプレイパネル、及びそれを通してディスプレイパネルの層にゼロではない角度でＥＭ信号を交換するためにその中に収容された少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素を有する、例示的なユーザデバイスの様々な例の、断面面からの簡略ブロック図である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 本開示の例で作製された試料のＳＥＭ顕微鏡写真である。 図１４Ａ～図１４Ｂの顕微鏡写真の分析に基づく、平均直径のチャートである。 本開示の一例による例示的な光電子デバイスの断面からの簡略ブロック図である。 本開示の一例による、例示的なエレクトロルミネセントデバイスの断面からのブロック図である。 図１６のデバイスの断面図である。 本開示の一例による、図１６のデバイスのバージョンで使用するのに好適な例示的なパターニングされた電極を平面図で解説する概略図である。 線１９－１９に沿った図１８のデバイスの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、図１６のデバイスの例示的なバージョンでの使用に好適な電極の複数の例示的なパターンを平面図で解説する概略図である。 線２０Ｂ－２０Ｂに沿った図２０Ａのデバイスの中間段階における例示的な断面図を解説する概略図である。 線２０Ｃ－２０Ｃに沿った図２０Ａのデバイスの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、例示的なパターニングされた補助電極を有する、図１６のデバイスの例示的バージョンの断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、少なくとも１つの放射領域及び少なくとも１つの非放射領域に重なる補助電極の例示的なパターンを平面図で解説する概略図である。 本開示の一例による、ダイヤモンド構成の放射領域の複数のグループを有する図１６のデバイスの例示的バージョンの例示的なパターンを平面図で解説する概略図である。 線２３Ｂ－２３Ｂに沿った図２３Ａのデバイスの例示的な断面図を解説する概略図である。 線２３Ｃ－２３Ｃに沿って取られた図２３Ａのデバイスの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、追加の例示的な堆積ステップを有する図１７のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、追加の例示的な堆積ステップを有する図１７のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、追加の例示的な堆積ステップを有する図１７のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、追加の例示的な堆積ステップを有する図１７のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、少なくとも１つの補助電極を有する、少なくとも１つの例示的なピクセル領域と少なくとも１つの例示的な光透過領域とを含む図１６のデバイスの透明バージョンの一例を平面図で解説する概略図である。 線２８Ｂ－２８Ｂに沿った図２８Ａのデバイスの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、少なくとも１つの例示的なピクセル領域と少なくとも１つの例示的な光透過領域とを含む図１６のデバイスの透明バージョンの一例を平面図で解説する概略図である。 線２９－２９に沿った図２９Ａのデバイスの例示的な断面図を解説する概略図である。 線２９－２９に沿った図２９Ａのデバイスの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、異なる厚さの第２の電極を有するサブピクセル領域を有する図１７のデバイスの例示的バージョンを製造するための例示的プロセスの例示的段階を示し得る概略図である。 本開示の一例による、第２の電極が補助電極と結合される、図１６のデバイスの例示的バージョンの例示的断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、非放射領域に隔壁と凹部などの遮蔽領域とを有する図１６のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の様々な例による、非放射領域に隔壁と開口などの遮蔽領域とを有する図１６のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の様々な例による、非放射領域に隔壁と開口などの遮蔽領域とを有する図１６のデバイスの例示的なバージョンの例示的な断面図を示す概略図である。 本開示の一例による、内部に少なくとも１つの開口を含む、複数の層を有するディスプレイパネルを有する例示的なユーザデバイスの例示的な断面図を解説する概略図である。 本開示の一例による、少なくとも１つの開口が少なくとも１つの信号透過領域によって具現化され、ユーザの生態認証の目的のために、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルのＥＭ放射線を交換する、図３４のユーザデバイスの使用を解説する概略図である。 本開示の一例による、ディスプレイパネルを含む図３４のユーザデバイスの平面図である。 図３５Ｂに示されるデバイスの線３５Ｃ－３５Ｃに沿った断面図である。 本開示の一例による、ディスプレイパネルを含む図３４のユーザデバイスの平面図である。 図３５Ｄに示されるデバイスの線３５Ｅ－３５Ｅに沿った断面図である。 本開示の一例による、ディスプレイパネルを含む図３４のユーザデバイスの平面図である。 図３５Ｆに示されるデバイスの線３５Ｇ－３５Ｇに沿った断面図である。 本開示の一例による、パネルの一部の拡大平面図である。 本開示の一例による、選択的堆積及びその後の除去プロセスによって、図１６のデバイスの例示的バージョンの露出層表面上に、あるパターンで堆積層を堆積するための例示的プロセスの例示的段階を示す概略図である。 本開示の一例による、表面上に吸収された吸着原子の相対エネルギー状態を解説する例示的なエネルギープロファイルである。 本開示の一例による、膜核の形成を解説する概略図である。
本開示では、少なくとも１つの数値（添え字を非限定的に含む）及び／又は小文字のアルファベット文字（小文字を非限定的に含む）が添付された参照番号は、その参照番号によって説明される要素又は特徴の特定のインスタンス及び／又はそのサブセットを指すとみなされ得る。添付の値及び／又は文字を参照せずに参照番号を参照することは、文脈が指示するように、概して、参照番号によって説明される要素又は特徴、及び／又はそれによって説明される全てのインスタンスのセットを指すことができる。同様に、参照番号は、数字の代わりに文字「ｘ」を有していてもよい。かかる参照番号への言及は、文脈が指示するように、概して、文字「ｘ」が数字で置き換えられた参照番号によって説明される要素又は特徴、及び／又はそれによって説明される全てのインスタンスのセットを指すことができる。
本開示では、限定ではなく説明のために、特定のアーキテクチャ、インターフェース、及び／又は技術を非限定的に含む特定の詳細が、本開示の完全な理解を与えるために記載される。いくつかの例では、周知のシステム、技術、構成要素、デバイス、回路、方法、及びアプリケーションの詳細な説明は、不必要な詳細で本開示の説明を不明瞭にしないように省略される。
更に、本明細書で再現されるブロック図は、本技術の原理を具現化する解説用の構成要素の概念図を表すことができることが理解されよう。
したがって、システム及び方法の構成要素は、本明細書の説明の利益を有する当業者に容易に明らかになる詳細によって本開示が不明瞭とならないように、図面において従来の記号によって必要に応じて表されており、本開示の例を理解することに関係するそれらの特定の詳細のみが示されている。
本明細書に提供される任意の図面は、一定の縮尺で描かれていない場合があり、決して本開示を限定するものとみなされない場合がある。
破線の輪郭で示される任意の特徴又は動作は、いくつかの例では、オプションとみなされ得る。
本開示の目的は、従来技術の少なくとも１つの欠点を除去又は軽減することである。
本開示は、側面の第１の部分において下地層の露出層表面上に堆積され、その上に凝縮される堆積材料の蒸気フラックスの傾向に影響を与えるように適合されたパターニング被膜を含む層状半導体デバイスを開示し、パターニング被膜は、それぞれの第１の少なくとも１つの材料特性及び第２の少なくとも１つの材料特性を呈する、第１の材料及び第２の材料を含む。パターニング被膜は、第１の少なくとも１つの材料特性及び第２の少なくとも１つの材料特性のうちの少なくとも１つとはそれらの組み合わせ及び値のうちの少なくとも１つに関して異なる、第３の少なくとも１つの材料特性を呈する。第３の少なくとも１つの材料特性は、下地層の露出層表面を、パターニング被膜の露出層表面と区別する。
広い態様によれば、層状半導体デバイスであって、デバイスの側方面の第１の部分において下地層の露出層表面上に堆積され、その上に凝縮される堆積材料の蒸気フラックスの傾向に影響を与えるように適合されたパターニング被膜であって、第１の材料及び第２の材料を含むパターニング被膜を含み、第１の材料は、第１の少なくとも１つの材料特性を呈し、第２の材料は、第２の少なくとも１つの材料特性を呈し、パターニング被膜は、第１の少なくとも１つの材料特性及び第２の少なくとも１つの材料特性のうちの少なくとも１つとはそれらの組み合わせ及び値のうちの少なくとも１つに関して異なる、第３の少なくとも１つの材料特性を呈し、第３の少なくとも１つの材料特性は、下地層の露出層表面を、パターニング被膜の露出層表面と区別する、デバイスを開示する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの材料特性は、初期付着確率、透過率、堆積コントラスト、表面エネルギー、ガラス転移温度、融点、昇華温度、蒸発温度、凝集エネルギー、光学間隙、フォトルミネセンス、屈折率、吸光係数、吸収又は他の光学効果、平均層厚、分子量、及び組成のうちの少なくとも１つから選択され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料は、金属及び金属合金のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、金属は、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）及びマグネシウム（Ｍｇ）のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、金属合金は、銀（Ａｇ）含有物質及びマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、パターニング被膜の少なくとも約９９％、約９５％、約９０％、約８０％、約７０％、及び約５０％のうちの少なくとも１つの濃度でホストを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、核形成抑制被膜（ＮＩＣ）として機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、実質的に高い堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の材料は、パターニング被膜の約１％以下、約５％以下、約１０％以下、約２０％以下、約３０％以下、及び約５０％以下のうちの少なくとも１つの濃度でドーパントを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、核形成抑制被膜（ＮＩＣ）として機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に高い堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に核形成抑制被膜（ＮＩＣ）以外のものとして機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に低い堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、核形成促進被膜（nucleation-promoting coating、ＮＰＣ）として機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に低い堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの表面エネルギーは、実質的に少なくともドーパントの表面エネルギーであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、約５～２０ダイン／ｃｍの表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの融点が、実質的に少なくともドーパントの融点であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、少なくとも約１００℃、約１１０℃、約１２０℃、及び約１３０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、オリゴマーであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つの組み合わせ及び少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つの値のうちの少なくとも１つが、ドーパントとホストとでは異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つの組み合わせ及び少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つの値のうちの少なくとも１つが、パターニング被膜と、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方とでは異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントは、値及び値の範囲のうちの少なくとも１つの範囲内で、同等性、類似性、及び近接性のうちの少なくとも１つに関して実質的に類似している少なくとも１つの材料特性によって特徴付けられ得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、パターニング材料であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々の特性表面エネルギーは、約２５ダイン／ｃｍ以下、約２４ダイン／ｃｍ以下、約２２ダイン／ｃｍ以下、約２１ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、約１１ダイン／ｃｍ以下、及び約１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーとドーパントの特性表面エネルギーとの間の差の絶対値は、約１ダイン／ｃｍ以下、約２ダイン／ｃｍ以下、約３ダイン／ｃｍ以下、約４ダイン／ｃｍ以下、約５ダイン／ｃｍ以下、約７ダイン／ｃｍ以下、及び約１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、少なくとも約１００℃、約１１０℃、約１２０℃、及び約１３０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの昇華温度とドーパントの昇華温度との間の差の絶対値が、約５℃以下、約１０℃以下、約１５℃以下、約２０℃以下、約３０℃以下、約４０℃以下、及び約５０℃以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、実質的に同様の蒸発温度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、約５５０ｎｍの波長のＥＭ放射線に対して、約１．５５以下、約１．５以下、約１．４５以下、約１．４４以下、約１．４３以下、約１．４２以下、約１．４１以下、約１．４以下、約１．３９以下、約１．３７以下、約１．３５以下、約１．３２以下、及び約１．３以下のうちの少なくとも１つである屈折率を呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々の分子量が、少なくとも約７５０ｇ／ｍｏｌ以上、１，０００ｇ／ｍｏｌ、１，５００ｇ／ｍｏｌ、２，０００ｇ／ｍｏｌ、２，５００ｇ／ｍｏｌ及び３，０００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストとドーパントとの間のＴａｎｉｍｏｔｏ係数は、少なくとも約０．６５、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．８５、約０．９、及び約０．９５のうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、パターニング材料であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、オリゴマーであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、少なくとも１つの共通のモノマーを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、少なくとも１つの共通のモノマー骨格単位を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、リン（Ｐ）及び窒素（Ｎ）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、ホスファゼン部分を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々の分子構造の一部は、式（ＶＩ）によって表され得、
（ＮＰ－（Ｌ－Ｒｘ）ｙ）ｎ （ＶＩ）
式中、ＮＰは、ホスファゼンモノマー骨格単位を表し、Ｌは、リンカー基を表し、Ｒは、官能基を表し、ｘは、１～４の整数であり、ｙは、１～３の整数であり、ｎは、少なくとも２の整数であり、
ホストのｎの値は、ドーパントのｎの値とは異なる。
いくつかの非限定的な例では、ホストのｎの値とドーパントのｎの値との間の差の絶対値が１であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方のｎの値が３であってもよく、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方とは別の方のｎの値が４であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々の分子構造の一部は、式（ＶＩＩ）によって表され得、
（ＮＰ（ＯＲｆ）２）ｎ （ＶＩＩ）
式中、Ｒｆは、フルオロアルキル基を表し、ｎは、３～７の整数であり、
ホストのｎの値は、ドーパントのｎの値とは異なる。
いくつかの非限定的な例では、ホストのｎの値とドーパントのｎの値との間の差の絶対値が１であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方のｎの値が３であってもよく、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方とは別の方のｎの値が４であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストのモノマーは、フッ素（Ｆ）を含む少なくとも１つの官能基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、官能基のうちの少なくとも１つは、全フッ素置換されていなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、官能基のうちのどれも全フッ素置換されていなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントは、値及び値の範囲のうちの少なくとも１つの範囲による差に関して実質的に異なる、少なくとも１つの材料特性によって特徴付けられ得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ホストの堆積コントラストと少なくとも同じ大きさの堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に低い堆積コントラストを呈し得、ホストの濃度は、ドーパントの濃度を実質的に上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーは、ドーパントの特性表面エネルギーを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１５～２３ダイン／ｃｍ、及び約１８～２２ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの特性表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、約６～２２ダイン／ｃｍ、約８～２０ダイン／ｃｍ、約１０～１８ダイン／ｃｍ、及び約１０～１５ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの特性表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーとドーパントの特性表面エネルギーとの間の差の絶対値は、約１～１３．５ダイン／ｃｍ、約２～１２ダイン／ｃｍ、約３～１１ダイン／ｃｍ、及び約５～１０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーは、約１６～２２ダイン／ｃｍであってもよく、ドーパントの特性表面エネルギーは、約１０～１５ダイン／ｃｍであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーとドーパントの特性表面エネルギーとの間の差の絶対値は、少なくとも３ダイン／ｃｍであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーとドーパントの特性表面エネルギーとの間の差の絶対値は、約３～８ダイン／ｃｍ、及び約３～５ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの融点は、ドーパントの融点を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、少なくとも約８０℃、約１００℃、約１１０℃、約１２０℃、及び約１３０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、少なくとも約１３０℃、約１５０℃、約２００℃、及び約２５０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１００～３５０℃、約１３０～３２０℃、約１５０～３００℃、及び約１８０～２８０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、約１５０℃以下、約１４０℃以下、約１３０℃以下、約１２０℃以下、及び約１１０℃以下のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、約５０～１５０℃、約８０～１５０℃、約６５～１３０℃、及び約８０～１１０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの融点とドーパントの融点との間の差の絶対値は、約１０～２００℃、約２０～２００℃、約５０～１８０℃、約８０～１５０℃、及び約１００～１２０℃のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１５０～３００℃、約１８０～２８０℃、約２００～２６０℃、及び約２２０～２５０℃のうちの少なくとも１つの融点を有し得、ドーパントは、約１００～１５０℃、約１００～１３０℃、及び約１００～１２０℃のうちの少なくとも１つの融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの融点とドーパントの融点との間の差の絶対値は、約５０～１２０℃、約７０～１００℃、及び約８０～１００℃のうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストの蒸発温度とドーパントの蒸発温度との間の差の絶対値は、約５℃以下、約１０℃以下、約１５℃以下、約２０℃以下、約３０℃以下、約４０℃以下、及び約５０℃以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、約１００～３５０℃の蒸発温度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、実質的に同様の蒸発温度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、少なくとも約３．４ｅＶ、約３．５ｅＶ、約４．１ｅＶ、約５ｅＶ、及び約６．２ｅＶのうちの少なくとも１つの光学間隙を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、少なくとも可視スペクトル周辺、ＮＩＲスペクトル周辺、約３６５ｎｍ、及び約４６０ｎｍのうちの少なくとも１つの波長範囲において実質的に吸収を呈しなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、ケージ構造、環状構造、及び有機－無機ハイブリッド構造のうちの少なくとも１つを含む分子構造を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、フッ素（Ｆ）及びケイ素（Ｓｉ）のうちの少なくとも一方を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、多面体オリゴマーシルセスキオキサン（polyhedral oligomeric silsesquioxane、ＰＯＳＳ）基を含み得、ドーパントは、シクロホスファゼン基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、化合物の分子量の百分率により、２５～７５％、２５～７０％、３０～７０％、３５～５０％、３５～４５％、及び３５～４０％のうちの少なくとも１つの割合でＦを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、化合物の分子量の百分率により、２５～７５％、２５～７０％、３０～７０％、５０～７０％、５５～７０％、及び６０～７０％のうちの少なくとも１つの割合でＦを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントの化合物の分子量の百分率によるＦの割合は、ホストのものを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、化合物の分子量の百分率により約３５～４５％の割合でＦを含み得、ドーパントは、化合物の分子量の百分率により約６０～７０％の割合でＦを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々が、６以下、４以下、３以下、２以下、及び１以下のうちの少なくとも１つである連続フッ素化炭素鎖を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストはＳｉを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、Ｓｉを含むモノマー骨格単位を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、多面体オリゴマーシルセスキオキサン（ＰＯＳＳ）基及びＰＯＳＳ誘導体化合物のうちの少なくとも一方を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＰＯＳＳ誘導体化合物は、Ｆを含む官能基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、オリゴマーであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、非ポリマー材料であり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、オリゴマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、ブロックオリゴマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、官能基末端単位を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、官能基末端単位は、ＣＦ３及びＣＨ２ＣＦ３のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの各官能基は、単一フッ素化炭素部分だけを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの官能基は、いずれのｓｐ２混成炭素（Ｃ）原子も実質的に欠き得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントのモノマーは、フッ素（Ｆ）を含む官能基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ホスファゼン、シクロホスファゼン及びシクロホスファゼン誘導基のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、シクロホスファゼンを含むモノマー骨格単位を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、シクロホスファゼン誘導基は、フッ素（Ｆ）を含む官能基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、非ポリマー材料であり得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、オリゴマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ブロックオリゴマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜中のドーパントの濃度は、約５０％以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、濃度は、約４０％以下、約３０％以下、約２５％以下、約２０％以下、約１５％以下、約１０％以下、及び約５％以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、濃度は、ホストとドーパントとの混合物の共融点に対応する濃度以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、濃度は、少なくとも約１％、約３％、約５％、約７％、及び約１０％のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、フッ素（Ｆ）と、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属のうちの少なくとも１つと、を含む金属フッ化物であり得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム及びフッ化イッテルビウムのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１６～２０ダイン／ｃｍの特性表面エネルギー及び約１５０～３００℃の融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、少なくとも約８ダイン／ｃｍであるが、ホストの特性表面エネルギーよりも低い特性表面エネルギーと、少なくとも約１００℃であるが、ホストの融点よりも低い融点と、の両方を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、少なくとも約８ダイン／ｃｍであるが、ホストの特性表面エネルギーより少なくとも３ダイン／ｃｍだけ低い特性表面エネルギーと、少なくとも約１００℃であるが、ホストの融点より、約５０～１２０℃、約７０～１１０℃、及び約８０～１００℃のうちの少なくとも１つだけ低い融点と、の両方を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントの特性表面エネルギーは、約３～８ダイン／ｃｍ及び約３～５ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つだけホストの特性表面エネルギーよりも低い。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、フォトルミネセンス応答を呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、フォトルミネセンスを実質的に呈しなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜は、ドーパントの約５重量％以下、約３重量％以下、約２重量％以下、約１重量％以下、約０．５重量％以下、及び約０．１重量％以下のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、少なくとも１つの不均一性を創出し、その上への少なくとも１つのナノ粒子構造の形成を容易にすることができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの不均一性は、金属元素を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの不均一性は、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、窒素（Ｎ）、及び炭素（Ｃ）のうちの少なくとも１つから選択された非金属元素を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの不均一性は、核形成抑制被膜（ＮＰＣ）である。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜は、第１の材料及び第２の材料を含む混合物を提供し、そのような混合物を、第１の部分における下地層の露出層表面上に堆積させることによって、堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、混合物は、第１の材料及び第２の材料の一方から選択された供給パターニング材料を供給し、それに処理を施して、第１の材料及び第２の材料の他方を含む生成パターニング材料を生成することによって、提供され得る。
いくつかの非限定的な例では、処理は、供給パターニング材料を加熱することを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜は、第１の材料及び第２の材料を共蒸着させることによって、堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料は、共通の蒸発源から蒸発され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、第１の蒸発源から蒸発され得、第２の材料は、第２の蒸発源から蒸発され得る。
広い態様によれば、層状半導体デバイスであって、デバイスの側方面の第１の部分に設けられ、その上に凝縮される堆積材料の蒸気フラックスの傾向に影響を与えるように適合されたパターニング被膜であって、ホスト及びドーパントを含むパターニング被膜と、デバイスの側方面の第２の部分に設けられた堆積層であって、堆積材料を含む堆積層と、を含む、デバイスを開示する。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１５～２２ダイン／ｃｍの特性表面エネルギーを有し得、ドーパントは、ホストの特性表面エネルギーより小さい特性表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、１３０～３００℃の融点を有し得、ドーパントは、ホストの融点よりも低い融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、複数のモノマーを含むオリゴマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストのオリゴマー及びドーパントのオリゴマーは、少なくとも１つの共通のモノマーを含み得る。
広い態様によれば、層状半導体デバイスであって、第１の電極及び第２の電極と、デバイスの横方向面において第１の電極と第２の電極との間に延在し、第１の層表面を画定する半導体層であって、第１の層表面が、デバイスの側方面において第１の部分及び第２の部分にわたって延在する、半導体層と、デバイスの側方面の第１の部分における第１の層表面上に堆積されたパターニング被膜であって、ホスト及びドーパントを含むパターニング被膜と、デバイスの側方面の第２の部分における第１の層表面上に配設された第２の電極と、を含む、デバイスを開示する。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１５～２２ダイン／ｃｍの特性表面エネルギーを有し得、ドーパントは、ホストの特性表面エネルギーより小さい特性表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、１３０～３００℃の融点を有し得、ドーパントは、ホストの融点よりも低い融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、複数のモノマーを含むオリゴマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストのオリゴマー及びドーパントのオリゴマーは、少なくとも１つの共通のモノマーを含み得る。
説明
層状デバイス
本開示は、概して、層状半導体デバイス１００に関し、より具体的には、光電子デバイス１２００（図１２Ａ）に関する。光電子デバイス１２００は、概して、電気信号を光子に、又はその逆に変換する任意のデバイスを包含し得る。いくつかの非限定的な例では、光電子デバイス１２００を含むがこれに限定されない層状半導体デバイスは、ディスプレイパネル１３４０（図１３Ａ）を含むがこれに限定されない、ユーザデバイス１３００（図１３Ａ）の面３４０１（図３４）として役立ち得る。
当業者は、本開示が光電子デバイス１２００を対象としているが、その原理は、薄膜を含む導電性堆積材料５３１（図５）の少なくとも１つの層を非限定的に含み、かついくつかの非限定的な例では、電磁（ＥＭ）信号が、層のうちの少なくとも１つの平面に対してゼロでない角度で、全体的又は部分的に中を通過し得る、複数の層を有する任意のパネルに適用可能であり得ることを理解するであろう。
ここで図１に目を向けると、例示的な層状半導体デバイス１００の断面図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、図１６により詳細に示すように、デバイス１００は、基板１０上に堆積された複数の層を含み得る。
Ｘ軸として識別される側方軸は、Ｚ軸として識別される長手方向軸と共に示され得る。Ｙ軸として識別される第２の側方軸は、Ｘ軸及びＺ軸の両方を実質的に横断するものとして示され得る。側方軸のうちの少なくとも１つは、デバイス１００の側方面を画定することができる。長手方向軸は、デバイス１００の横方向面を画定することができる。
デバイス１００の層は、側方軸によって画定される平面に実質的に平行に、側方面に延在し得る。当業者は、図１に示される実質的に平面的な表現が、いくつかの非限定的な例では、解説のため抽象化されている場合があることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の側方範囲にわたって、異なる厚さ及び寸法の局所化された実質的に平面の層が存在してもよく、いくつかの非限定的な例では、層が実質的に完全に存在しなくてもよく、かつ／又は非平面遷移領域（側方間隙及び更に不連続性を含む）によって分離される層を含んでもよい。
したがって、解説目的のために、デバイス１００は、実質的に平行な平面層の実質的に階層化された構造としてその断面面で示され得るが、かかるデバイスは、特徴を画定するための多様なトポグラフィを局所的に解説することができ、その各々は、断面面において考察された階層化されたプロファイルを実質的に呈し得る。
図１に示すように、デバイス１００の層は、基板１０と、その側方面の少なくとも一部分の露出層表面１１上に配設されたパターニング被膜１３０と、を含む。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、その側方範囲が第１の部分１０１に限定されてもよく、堆積層１４０は、その側方面の第２の部分１０２においてデバイス１００の露出層表面１１上に閉鎖被膜１５０として配設され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２は、第１の部分１０１を越えて、デバイスの下地層の露出層表面１１の部分を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、パターニング被膜１３０の露出層表面１１上に不連続層１７０として配設され得る。いくつかの非限定的な例では、基板１０とパターニング被膜１３０との間に少なくとも１つの介在層１１０があり得る。いくつかの非限定的な例では、介在層１１０のうちの少なくとも１つは、配向層１２０及び有機支持層１１５（集合的に、「下地層」）のうちの少なくとも１つであってもよく、及び／又はそれらと連結していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０、堆積層１４０、及び／又は少なくとも１つの粒子構造１６０は、少なくとも１つの上層１８０によって被覆され得る。
パターン二ング
パターニング被膜１３０は、いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の下地層の露出層表面１１上に閉鎖被膜１５０として配設され、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１を含むがこれに限定されないファインメタルマスク（ＦＭＭ）などのシャドウマスク４１５（図４）を使用することを含むがこれに限定されない選択的堆積によって側方範囲が制限される。したがって、いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の第２の部分１０２において、デバイス１００の下地層の露出層表面１１は、パターニング被膜１３０の閉鎖被膜１５０を実質的に欠いていてもよい。
パターニング被膜
パターニング被膜１３０の属性に起因して、パターニング被膜１３０を含む第１の部分１０１は、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０を実質的に欠いていてもよい。
しかしながら、堆積材料５３１の蒸気フラックスへのデバイス１００の曝露は、いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２における堆積材料５３１の堆積層１３０の閉鎖被膜１５０の形成をもたらし得、下地層の露出層表面１１は、パターニング被膜１３０を実質的に欠いている（被膜されていない）。
したがって、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、堆積材料５３１の後続の堆積に対して高い堆積（又はパターニング）コントラストを提供する核形成抑制被膜（ＮＩＣ）であってもよく、その結果、堆積材料５３１は、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０が堆積された閉鎖被膜１５０として堆積されない傾向がある。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、パターニング材料４１１を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、ＮＩＣ材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、パターニング材料４１１の閉鎖被膜１５０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１におけるパターニング被膜１３０が、堆積材料５３１の蒸気フラックスに供されると、少なくとも１つの粒子構造１６０の不連続層１７０の形成を引き起こすためのパターニング被膜１３０を提供することを必要とするシナリオが存在し得る。少なくともいくつかの用途では、パターニング被膜１３０の属性は、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０がパターニング被膜１３０を実質的に欠いていてもよい第２の部分１０２に形成され得る一方で、少なくとも１つの特質を有する少なくとも１つの粒子構造１６０の不連続層１７０のみが、パターニング被膜１３０上の第１の部分１０１に形成され得るようなものであり得る。
考察を簡略にするために、本開示では、パターニング被膜１３０が堆積されて、その上に少なくとも１つの粒子構造１６０を堆積させるためのベースとして機能する限り、そのようなパターニング被膜１３０は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐと称され得る。対照的に、パターニング被膜１３０が第１の部分１０１に堆積されて、堆積層１４０の閉鎖被膜１５０のそのような第１の部分１０１における形成を実質的に妨げ、したがって、堆積層１４０の閉鎖被膜１５０の堆積を第２の部分１０２に制限する限り、そのようなパターニング被膜１３０は、非粒子構造パターニング被膜１３０ｎとして指定され得る。当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐ及び非粒子構造パターニング被膜１３０ｎの両方として機能し得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、例えば、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つの厚さを有する堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０を堆積させながら、第２の部分１０２において、非限定的な例として、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属又は金属合金（金属／合金）であり得る堆積材料５３１の少なくとも１つの粒子構造１６０の不連続層１７０を形成することを必要とするシナリオが存在し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内の少なくとも１つの粒子構造１６０の不連続層１７０として堆積された堆積材料５３１の相対量は、第２の部分１０２内の閉鎖被膜１５０として堆積された堆積材料５３１の量の約１～５０％、約２～２５％、約５～２０％、及び約７～１０％のうちの少なくとも１つに対応し得、非限定的な例として、約１００ｎｍ以下、約７５ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つの厚さに対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、パターニング被膜１３０の閉鎖被膜１５０を実質的に欠き得る、その中の少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配設され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの領域により、パターニング被膜１３０をその複数の個別の断片に分離し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の複数の個別の断片は、その側方面において互いに物理的に離隔され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の複数の個別の断片は、限定ではないが、アレイ又はマトリックスを含む規則的構造で配置されてもよく、その結果、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の個別の断片は反復パターンで構成され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の複数の個別の断片のうちの少なくとも１つは、各々、放射領域１３１０に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０の開口率は、約５０％以下、約４０％以下、約３０％以下、及び約２０％以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、単一のモノリシック被膜として形成され得る。
パターニング被膜及び／又はパターニング材料の属性
初期付着確率
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、堆積材料５３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率（いくつかの非限定的な例では、Ｗａｌｋｅｒらによって記載されたデュアルＱＣＭ技術で特定された条件下で）を有する露出層表面１１を提供することができ、この初期付着確率は、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０が堆積されたデバイス１００の下地層の露出層表面１１の堆積材料５３１の堆積に対する初期付着確率よりも実質的に低くすることができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１の初期付着確率は、下地層の表面上への堆積時に、下地層との分子間相互作用の程度に対する任意の影響を軽減又は低減するのに十分な厚さを有する、デバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積と同様の環境下で、そのような材料を膜として堆積させること、及び／又は被膜することによって決定され得る。非限定的な例として、初期付着確率は、少なくとも約２０ｎｍ、約２５ｎｍ、約３０ｎｍ、約５０ｎｍ、約６０ｎｍ、及び約１００ｎｍのうちの少なくとも１つの厚さを有する膜又は被膜上で測定され得る。
パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１の低い初期付着確率に起因して、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は形態内の被膜として堆積されると、デバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積と同様の状況下で、堆積材料５３１の堆積に抗する、例えば非限定的に第１の部分１０１内の、パターニング被膜１３０の露出層表面１１は、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０を実質的に欠いていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１の初期付着確率の間には、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、堆積材料５３１の堆積及びその上の堆積材料５３１の平均層厚に対して正の相関があり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約０．９以下、約０．３以下、約０．２以下、約０．１５以下、約０．１以下、約０．０８以下、約０．０５以下、約０．０３以下、約０．０２以下、約０．０１以下、約０．００８以下、約０．００５以下、約０．００３、約０．００１以下、約０．０００８以下、約０．０００５以下、約０．０００３以下、及び約０．０００１以下のうちの少なくとも１つである、堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約０．９以下、約０．３以下、約０．２以下、約０．１５以下、約０．１以下、約０．０８以下、約０．０５以下、約０．０３以下、約０．０２以下、約０．０１以下、約０．００８以下、約０．００５以下、約０．００３以下、約０．００１以下、約０．０００８以下、約０．０００５以下、約０．０００３以下、及び約０．０００１以下のうちの少なくとも１つである、銀（Ａｇ）及びマグネシウム（Ｍｇ）のうちの少なくとも１つの堆積に抗する初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、閾値以下である、Ａｇ、Ｍｇ、イッテルビウム（Ｙｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含むがこれらに限定されない、これらのうちの少なくとも１つから選択された、複数の堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率を有し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる閾値は、約０．９、約０．３、約０．２、約０．１５、約０．１、約０．０８、約０．０５、約０．０３、約０．０２、約０．０１、約０．００８、約０．００５、約０．００３、約０．００１、約０．０００８、約０．０００５、約０．０００３、及び約０．０００１のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの更なる非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂのうちの少なくとも１つから選択される複数の堆積材料５３１の堆積に抗する、かかる閾値以下の初期付着確率を呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約０．１５～０．０００１、約０．１～０．０００３、約０．０８～約０．０００５、約０．０８～０．０００８、約０．０５～０．００１、約０．０３～０．０００１、約０．０３～０．０００３、約０．０３～０．０００５、約０．０３～０．０００８、約０．０３～０．００１、約０．０３～０．００５、約０．０３～０．００８、約０．０３～０．０１、約０．０２～０．０００１、約０．０２～０．０００３、約０．０２～０．０００５、約０．０２～０．０００８、約０．０２～０．００１、約０．０２～０．００５、約０．０２～０．００８、約０．０２～０．０１、約０．０１～０．０００１、約０．０１～０．０００３、約０．０１～０．０００５、約０．０１～０．０００８、約０．０１～０．００１、約０．０１～０．００５、約０．０１～０．００８、約０．００８～０．０００１、約０．００８～０．０００３、約０．００８～０．０００５、約０．００８～０．０００８、約０．００８～０．００１、約０．００８～０．００５、約０．００５～０．０００１、約０．００５～０．０００３、約０．００５～０．０００５、約０．００５～０．０００８、及び約０．００５～０．００１のうちの少なくとも１つの堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、第１の閾値以下の第１の堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率と、第２の閾値以下の第２の堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率とを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積材料５３１はＡｇであり得、第２の堆積材料５３１はＭｇであり得る。いくつかの他の非限定的な例では、第１の堆積材料５３１はＡｇであり得、第２の堆積材料５３１はＹｂであり得る。いくつかの他の非限定的な例では、第１の堆積材料５３１はＹｂであり得、第２の堆積材料５３１はＭｇであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の閾値は、第２の閾値を上回ってもよい。
透過率
当業者であれば、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれらに限定されない、堆積材料５３１が比較的少ない及び／又は存在しない試料は、実質的に透明であり得るが、一方、閉鎖被膜１５０を含むがこれに限定されない実質的な量の金属／合金が堆積された試料は、いくつかの非限定的な例では、実質的に低減された透過率を呈し得ることを理解するであろう。したがって、パターニング被膜１３０としての様々な例示的な被膜の相対的な性能は、試料を通る透過率を測定することによって評価することができ、この透過率は、閉鎖被膜１５０として形成された場合を含むがこれに限定されない金属薄膜がＥＭ放射線の高い吸収度を呈し得るので、その上に堆積されているＹｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つの形態を含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない、堆積材料５３１の量及び／又は平均層厚に正に相関し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターン二ング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として堆積されたとき、またデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積と同様の状況下で、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料５３１の蒸気フラックスにさらされた後に、少なくとも閾値透過率値のＥＭ放射線に対する透過率を有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、かかる透過率は、非限定的な例として、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスのカソードであり得る、光電子デバイスの電極を堆積させるために使用され得る、典型的条件下で、薄膜として形成される、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１の露出層表面１１を、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１の蒸気フラックスに曝露した後に測定され得る。
いくつかの非限定的な例では、露出層表面１１を、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１の蒸気フラックスに供するための条件は、以下の通りであってもよい：（ｉ）真空圧を、約１０－４Ｔｏｒｒ又は１０－５Ｔｏｒｒを含むがこれに限定されない基準圧力に維持すること、（ｉｉ）Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１の蒸気フラックスが、約１オングストローム（Å）／秒を含むがこれに限定されない基準堆積速度と実質的に一致しており、非限定的な例として、ＱＣＭを用いて監視及び／又は測定することができること、（ｉｉｉ）堆積材料５３１の蒸気フラックスが、露出層表面１１の平面に対して実質的に直角に近い角度で、露出層表面１１に向かって向けられていること、（ｉｖ）露出層表面１１が、約１５ｎｍを含むがこれに限定されない基準平均層厚に達するまで、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１の蒸気フラックスに供されること、及び（ｖ）そのような基準平均層厚に到達すると、露出層表面１１が、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１の蒸気フラックスに更に供されないこと。
いくつかの非限定的な例では、Ａｇを含むがこれに限定されない堆積材料５３１の蒸気フラックスに供される露出層表面１１は、実質的に室温（例えば、約２５℃）であり得る。いくつかの非限定的な例では、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１の蒸気フラックスに供されている露出層表面１１は、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１が蒸発する蒸発源から、約６５ｃｍ離れて位置決めされ得る。
いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、可視スペクトルの波長で測定され得る。非限定的な例として、閾値透過率値は、少なくとも約４６０ｎｍ、約５００ｎｍ、約５５０ｎｍ、及び約６００ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る可視スペクトル内の波長で測定され得る。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、ＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルの波長で測定され得る。非限定的な例として、閾値透過率値は、約７００ｎｍ、約９００ｎｍ、及び約１０００ｎｍのうちの少なくとも１つの波長で測定され得る。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、試料を透過し得る入射ＥＭパワーの割合として表すことができる。いくつかの非限定的な例では、閾値透過率値は、少なくとも約６０％、約６５％、約７０％、約７５％、約８０％、約８５％、及び約９０％のうちの少なくとも１つであり得る。
実施例
例示的な材料の透過率を測定すると共に、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０が、Ａｇの形態で、そのような例示的な材料の露出層表面１１上に形成されたか否かを視覚的に観察するために、一連の試料を作製した。各試料は、ガラス基板１０上に、例示的な材料の約５０ｎｍ厚の被膜を堆積させ、次いで、被膜の露出層表面１１を、約１５ｎｍの基準層厚に達するまで、Ａｇの形態で、約１Å／秒の速度で堆積材料５３１の蒸気フラックスに供することによって作製した。
本明細書の試料に使用される例示的な材料の分子構造を表１に述べる。
次いで、各試料を視覚的に分析し、各試料を通る透過率を測定した。
当業者であれば、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれらに限定されない、堆積材料５３１が比較的少ない及び／又は存在しない試料は、実質的に透明であり得るが、一方、閉鎖被膜１５０を含むがこれに限定されない実質的な量の金属／合金が堆積された試料は、いくつかの非限定的な例では、実質的に低減された透過率を呈し得ることを理解するであろう。したがって、パターニング被膜１３０としての様々な例示的な被膜の相対的な性能は、試料を通る透過率を測定することによって評価することができ、この透過率は、閉鎖被膜１５０として形成された場合を含むがこれに限定されない金属薄膜がＥＭ放射線の高い吸収度を呈し得るので、その上に堆積されているＹｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つの形態を含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない、堆積材料５３１の量及び／又は平均層厚に正に相関し得る。
堆積材料５３１の実質的な閉鎖被膜１５０が、Ａｇの形態で形成された試料を視覚的に識別し、これらの試料中のかかる閉鎖被膜１５０の存在を、それらを通る透過率の測定によって更に確認したところ、約４６０ｎｍの波長で約５０％以下の透過率を示した。
加えて、Ａｇの形態の堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０の形成がないことが識別された試料について、これらの試料におけるそのような閉鎖被膜１５０の不在は、それを通るＥＭ透過率の測定によって更に確認され、少なくとも約７０％の（約４６０ｎｍの波長でのＥＭ放射線の）透過率を示した。
結果を以下の表２にまとめる。
上記に基づいて、表１及び表２の最初の７つの試料（ＨＴ２１１～ＥＭ－２）、並びに試料ＥＭ－９及びＥＭ－１５で使用される材料は、いくつかのシナリオでは、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及び／又はＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない、その上への堆積材料５３１の堆積を抑制するための適用性を低下させた場合があることが見出された。
一方、ＥＭ－９を除く試料ＥＭ－４～ＥＭ－１４で使用される材料は、いくつかのシナリオでは、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない、その上への堆積材料５３１の堆積を抑制するためのパターニング被膜１３０として機能する適用性を有し得ることが見出された。
堆積コントラスト
いくつかの非限定的な例では、基板１０が核形成促進被膜（ＮＰＣ）７２０として機能する傾向があり、その一部分が、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１の堆積に対してＮＩＣとして機能する傾向があり得るパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料で被膜される場合、被膜された部分（第１の部分１０１）及び被膜されていない部分（第２の部分１０２）は、その上に堆積された堆積材料５３１が異なる平均膜厚を有する傾向があり得るように、異なる初期付着確率及び／又は核形成速度を有する傾向があり得る。
本明細書で使用される場合、そのようなシナリオでは、第２の部分１０２に堆積された堆積材料５３１の平均膜厚を第１の部分１０１における堆積材料の平均膜厚で割った商は、概して、堆積（又はパターニング）コントラストと称され得る。したがって、堆積コントラストが実質的に高い場合、第２の部分１０２における堆積材料５３１の平均膜厚は、第１の部分１０１における堆積材料５３１の平均膜厚よりも実質的に大きくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、所与の堆積材料５３１用のＮＩＣとして機能し得るパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、基板１０上に堆積されたときに、実質的に高い堆積コントラストを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１の初期付着確率の間には、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、堆積材料５３１の堆積及びその堆積コントラストに対して負の相関があり得、換言すれば、低い初期付着確率は高い堆積コントラストと高度に相関し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積コントラストが実質的に高い場合、第２の部分１０２において堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０を形成するのに十分な堆積材料５３１の堆積があるとき、第１の部分１０１において堆積される堆積材料５３１はほとんどないか全くない可能性がある。
いくつかの非限定的な例では、堆積コントラストが実質的に低い場合、第２の部分１０２において閉鎖被膜１５０を形成するのに十分な堆積材料５３１の堆積があるとき、第１の部分１０１に堆積された堆積材料５３１の少なくとも１つの粒子構造１６０の不連続層１７０があり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１の堆積に対して実質的に高い堆積コントラストを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、低減された堆積コントラストを必要とするいくつかのシナリオでは、第１の部分１０１における堆積材料５３１の平均層厚が実質的に小さく、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されないいくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２における堆積材料５３１の少なくとも１つの粒子構造１６０の不連続被膜１７０の堆積を必要とするいくつかのシナリオを含むがこれらに限定されないシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１における堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０の平均層厚が実質的に小さく、ナノ粒子（nanoparticle、ＮＰ）によるＥＭ放射線の吸収が、約４６０ｎｍ以下の波長を有するＥＭ放射線から下地層を保護することを含むがこれに限定されないために必要とされる、第２の部分１０２におけるそのようなＮＰの形成を含むがこれに限定されない、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されない場合に、第２の部分１０２において、堆積材料５３１の少なくとも１つの粒子構造１６０の不連続層１７０の形成を必要とするシナリオが存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、そのようなシナリオでは、約２～１００、約４～５０、５～２０、及び約１０～１５のうちの少なくとも１つの堆積コントラストに対する適用性があり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１の堆積に対して実質的に低い堆積コントラストを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、第１の部分１０１における堆積材料５３１の平均層厚が大きく、少なくとも約９５ｎｍ、約４５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１０ｎｍ、及び約８ｎｍのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない場合、実質的に高い堆積コントラストを必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１の堆積に対して実質的に低い堆積コントラストを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、第１の部分１０１における堆積材料５３１の平均層厚が大きく、少なくとも約９５ｎｍ、約４５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１０ｎｍ、及び約８ｎｍのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない場合、第１の部分１０１における粒子構造１６０の閉鎖被膜１５０の実質的な不在、又は高密度を必要とするシナリオを含むがこれに限定されない実質的に高い堆積コントラストを必要とするいくつかのシナリオでは、少なくとも約４６０ｎｍである波長を有するＥＭ放射線に対する増加した透明性を必要とするシナリオを含むがこれに限定されない、可視スペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおけるＥＭ放射線の吸収の実質的な不在を必要とするいくつかのシナリオを含むがこれらに限定されないシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１の堆積に対するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、第２の部分１０２における堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０の平均層厚が実質的に高く、少なくとも約９５ｎｍ、約４５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１０ｎｍ、及び約８ｎｍのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない場合、第１の部分１０１における堆積材料５３１の粒子構造１６０の不連続層１７０又は低密度を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。非限定的な例として、約２～１００、約４～５０、約５～２０、及び約１０～１５のうちの少なくとも１つの堆積コントラストは、第２の部分１０２内の堆積材料５３１の平均層厚が実質的に高く、少なくとも約９５ｎｍ、約４５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１０ｎｍ、及び約８ｎｍのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない場合のいくつかのシナリオでは適用性を有し得る。
表面エネルギー
特性表面エネルギーは、特に材料に関して本明細書で使用される場合、概して、かかる材料から決定される表面エネルギーを指し得る。
非限定的な例として、特徴的な表面エネルギーは、薄膜形態で堆積及び／又は被膜された材料によって形成された表面から測定され得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ、Ａｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１用のＮＩＣとして機能する傾向があり得るパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、露出層表面１１上に薄膜又は被膜として堆積されたときに実質的に低い表面エネルギーを呈する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約２３ダイン／ｃｍ以下、約２２ダイン／ｃｍ以下、約２１ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、約１１ダイン／ｃｍ以下、及び約１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つの表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、約１０～２２ダイン／ｃｍを含むがこれに限定されない過度に低くない実質的に低い表面エネルギーを有するパターニング材料４１１を必要とするシナリオが存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有する、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有材料のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれらに限定されない堆積材料５３１用のＮＩＣとして機能し得るパターニング材料４１１を含むがこれらに限定されない材料は、第２の部分１０２における堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０の平均層厚が実質的に高く、少なくとも約９５ｎｍ、約４５ｎｍ、約２０ｎｍ、約１０ｎｍ、及び約８ｎｍのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない場合、第１の部分１０１における堆積材料５３１の粒子構造１６０の不連続層１７０又は低密度を必要とするいくつかのシナリオでは、適用可能性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低いが過度に低くない表面エネルギーを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、可撓性基板１０上に製造されたデバイスを含むがこれに限定されない、せん断応力及び曲げ応力のうちの少なくとも１つの下で十分な信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用可能性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、少なくとも約６ダイン／ｃｍ、約７ダイン／ｃｍ、約８ダイン／ｃｍ、約９ダイン／ｃｍ、約１０ダイン／ｃｍ、約１２ダイン／ｃｍ、及び約１３ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約１０～２２ダイン／ｃｍ、約１３～２２ダイン／ｃｍ、約１５～２０ダイン／ｃｍ、及び約１７～２０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に高い表面エネルギーを有する、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれらに限定されない堆積材料５３１のためのＮＩＣとして機能し得るパターニング材料４１１を含むがこれらに限定されない材料は、第２の部分１０２における堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０の平均層厚が実質的に低く、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない場合、第１の部分１０１における堆積材料５３１の少なくとも１つの粒子構造１６０の不連続層１７０又は低密度を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、実質的に高い表面エネルギーを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料が、実質的に高い温度信頼性を必要とするいくつかのシナリオに対して適用性を有し得ることが仮定され得る。
固体の表面エネルギーを決定するための様々な方法及び理論が知られている。
非限定的な例として、表面エネルギーは、液体－蒸気界面と表面との間の接触角を測定するために、様々な液体が固体の表面と接触し得るようになる接触角の一連の測定に基づいて計算及び／又は導出され得る。いくつかの非限定的な例では、固体表面の表面エネルギーは、表面を完全に濡らす最も高い表面張力を有する液体の表面張力に等しくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０を含むがこれに限定されない被膜におけるパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料の特性表面エネルギーは、基板１０上に実質的に単一の分子成分の被膜として材料を堆積させ、その接触角を好適な一連のプローブ液体で測定することによって決定され得る。
非限定的な例として、Ｚｉｓｍａｎプロットが、表面との完全な湿潤（すなわち、０°の接触角θｃ）をもたらす表面張力の値を決定するために使用され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、テトラデカンを含むがこれに限定されない無極性溶媒に対して、少なくとも約４０°、約４５°、約５０°、約５５°、約６０°、約６５°、及び約７０°のうちの少なくとも１つである接触角を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、水を含むがこれに限定されない極性溶媒に対して、約１５°以下、約１０°以下、約８°以下、及び約５°以下のうちの少なくとも１つの接触角を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、表面の臨界表面張力は、Ｚｉｓｍａｎ法に従って決定され得る。
実施例
非限定的な例として、様々な材料によって形成された表面の臨界表面張力を測定するために、一連の試料を作製した。測定結果を表３にまとめる。
表３における臨界表面張力の上述の測定及びＡｇの形態の堆積材料５３１の実質的な閉鎖被膜１５０の存在又は不在に関する以前の観察に基づいて、パターニング被膜１３０を含むがこれに限定されない被膜として堆積されたときに実質的に低い表面エネルギー表面を形成する材料は、非限定的な例として、約１２～２２ダイン／ｃｍの臨界表面張力を有する材料であり得、パターニング被膜１３０を形成して、その上への、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない堆積材料５３１の堆積を阻害するのに好適であり得ることが見出された。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、ここで、薄膜として堆積されたときに比較的高い表面エネルギーを呈するパターニング材料４１１を含有するパターニング被膜１３０は、いくつかの非限定的な例では、限定することなく含まれるが、閉鎖被膜１５０の厚さが、非限定的な例として、約１００ｎｍ以下、約７５ｎｍ、約５０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、及び約１５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つである場合、第１の部分１０１における堆積材料５３１の少なくとも１つの粒子構造１６０の不連続層１７０と、第２の部分１０２における堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０と、を形成し得ることが見出されている。
熱特性
ガラス転移温度
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、（ｉ）少なくとも約３００℃、約２００℃、約１７０℃、約１５０℃、約１３０℃、約１２０℃、約１１０℃、及び約１００℃のうちの少なくとも１つ、並びに（ｉｉ）約２０℃以下、約０℃以下、約－２０℃以下、約－３０℃以下、及び約－５０℃以下のうちの少なくとも１つ、のうちの１つであるガラス転移温度を有し得る。
非限定的な例として、消費者向け電子デバイスについて約２５℃～８０℃であり得る典型的な動作温度範囲でのガラス転移を受けないパターニング材料４１１は、そのようなデバイスの安定性の向上に寄与し得るような用途での使用に望ましい場合があると仮定される。
融点
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い分子間力を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に低い融点を呈する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、少なくとも約１００℃、約１２０℃、約１４０℃、約１６０℃、約１８０℃、及び約２００℃のうちの少なくとも１つの、大気圧での融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い融点を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、いくつかの非限定的な例では、融点に近づく動作温度におけるそのような材料の物理的特性の変化に起因して、約６０℃以下、約８０℃以下、及び約１００℃以下のうちの少なくとも１つの温度に対する十分な温度信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、約１２０℃の融点を有する材料は、少なくとも約１００℃を含むがこれに限定されない実質的に高い温度信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、実質的に高い融点を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に高い温度信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
実施例
非限定的な例として、選択された実施例の材料の融点は、示差走査熱量測定を使用して測定された。具体的には、１０℃／分の加熱速度での第２の加熱サイクル中に、各試料に対する融点を決定した。測定結果を表４にまとめる。
昇華温度
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い分子間力を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に低い昇華温度を呈する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、低い昇華温度を有する材料は、材料の堆積膜の層厚に対する実質的に高い度合の制御を必要とする製造プロセスに対する適用性を低下させた場合がある。非限定的な例として、約１４０℃以下、約１２０℃以下、約１１０℃以下、約１００℃以下、及び約９０℃以下のうちの少なくとも１つの昇華温度を有する材料については、真空熱蒸着を含むがこれに限定されない蒸着法を使用して堆積される膜の堆積速度及び層厚を制御する際に制約が課され得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に高い昇華温度を有する材料は、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０の平均層厚に対する実質的に高い度合の制御を必要とするいくつかのシナリオでは、用途を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い昇華温度を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０の平均層厚の実質的に正確な制御を必要とし得る製造プロセスに対する適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、約１４０℃以下、約１２０℃以下、約１１０℃以下、約１００℃以下、及び約９０℃以下のうちの少なくとも１つである昇華温度を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、真空熱蒸着を含むがこれに限定されない既知の蒸着法を使用して堆積され得るそのような材料を含む膜の堆積速度及び平均層厚のうちの少なくとも１つへの制約に遭遇する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に高い昇華温度を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、そのような材料を含む膜の平均層厚の制御において実質的に高い精度を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、約３５０℃以下、約４００℃以下、及び約５００℃以下のうちの少なくとも１つである昇華温度を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に高い昇華温度に起因する、非限定的な例として、特定のツール構成において真空熱蒸着を使用して薄膜として堆積させるためにそのような材料を処理する能力への制約に遭遇する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、約１００～３２０℃、約１２０～３００℃、約１４０～２８０℃、又は約１５０～２５０℃のうちの少なくとも１つの、高真空下での昇華温度を有し得る。いくつかの非限定的な例では、そのような昇華温度は、パターニング材料４１１がＰＶＤを使用して被膜として実質的に容易に堆積されることを可能にし得る。
パターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料の昇華温度は、当業者に明らかな様々な方法を使用して決定され得、これらの方法としては、非限定的な例として、約１０－４Ｔｏｒｒの実質的に高真空下蒸発源において、るつぼを含むがこれに限定されない中で材料を加熱すること、並びに、
・るつぼから一定の距離に取り付けられたＱＣＭ上の露出層表面１１上への材料の堆積の始まりを観察すること、
・るつぼから一定の距離に取り付けられたＱＣＭ上の露出層表面１１上への特定の堆積速度、非限定的な例として、０．１Å／秒、を観察すること、及び／又は
・非限定的な例として、約１０－４又は１０－５Ｔｏｒｒの材料の閾値蒸気圧に達すること、を行うために達成され得る温度を決定することを含むが、これらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、ＱＣＭは、昇華温度を決定する目的で、るつぼから約６５ｃｍ離して取り付けることができる。
凝集エネルギー
ヤングの式によれば、材料の凝集エネルギー（又は、破壊靭性若しくは凝集強度）は、その表面エネルギーに比例する傾向があり得る（Ｙｏｕｎｇ，Ｔｈｏｍａｓ（１８０５）「Ａｎ ｅｓｓａｙ ｏｎ ｔｈｅ ｃｏｈｅｓｉｏｎ ｏｆ ｆｌｕｉｄｓ」Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｒｏｙａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｌｏｎｄｏｎ，９５：６５－８７を参照）。
リンデマンの基準によれば、材料の凝集エネルギーは、その溶融温度に比例する傾向があり得る（Ｎａｎｄａ，Ｋ．Ｋ．，Ｓａｈｕ，Ｓ．Ｎ，ａｎｄ Ｂｅｈｅｒａ，Ｓ．Ｎ（２００２）「Ｌｉｑｕｉｄ－ｄｒｏｐ ｍｏｄｅｌ ｆｏｒ ｔｈｅ ｓｉｚｅ－ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ｍｅｌｔｉｎｇ ｏｆ ｌｏｗ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｓｙｓｔｅｍｓ」Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ａ．６６（１）：０１３２０８を参照）。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い分子間力を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に低い凝集エネルギーを呈する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い凝集エネルギーを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、製造及び使用のうちの少なくとも１つの間に、せん断応力及び曲げ応力のうちの少なくとも１つを受ける傾向があり得るデバイスを含むがこれに限定されないものにおいて、十分な破壊靱性を必要とするいくつかのシナリオでは適用性を低下させた場合があり、したがって、そのようなシナリオでは、材料が亀裂又は破壊する傾向があり得る。非限定的な例として、約３０ダイン／ｃｍ以下の凝集エネルギーを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、可撓性基板１０上に製造されたデバイスにおけるいくつかのシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、実質的に高い凝集エネルギーを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、可撓性基板１０上に製造されたデバイスを含むがこれに限定されない、せん断応力及び曲げ応力のうちの少なくとも１つの下で実質的に高い信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
実施例
非限定的な例として、一連の試料を作製して、その剥離又は層間剥離時の破損点を決定した。具体的には、各試料は、ガラス基板１０上に、パターニング被膜１３０として機能する例示的な各材料の約５０ｎｍ厚の層、続いてキャッピング層（capping layer、ＣＰＬ）として一般的に使用される有機材料の約５０ｎｍ厚の層を堆積させることによって作製された。次いで、各試料のＣＰＬの露出層表面１１に接着テープを適用した。接着テープを剥がして各試料の層間剥離（凝集破壊）を生じさせ、剥がした接着テープ及び層間剥離した試料を分析して、どの層（又は、その隣接層との界面）で破壊が生じたかを決定した。パターニング被膜１３０内で、又はパターニング被膜１３０と隣接層との間の界面で破壊が生じた試料は、層間剥離試験に不合格であると識別され、ＣＰＬ内で破壊（すなわち、ＣＰＬ内の凝集破壊）が生じた試料は、層間剥離試験に合格したと識別された。表５は、そのような分析の結果をまとめる。
層間剥離試験の上述の分析、並びに例示的な材料の融点及び臨界表面張力に関する以前の観察に基づいて、（ＥＭ－１０及びＥＭ－１１の両方よりも大きい融点及び臨界表面張力の両方を呈した）パターニング材料４１１としてＥＭ－８を含むパターニング被膜１３０を用いて作製された試料は、ＣＰＬが分離して新しい表面を形成するという点でＣＰＬ内で発生する破壊を示したが、一方、パターニング材料４１１としてそれぞれＥＭ－１０及びＥＭ－１１を含むパターニング被膜１３０を用いて作製された試料は、パターニング被膜１３０が分離して新しい表面を形成するという点でパターニング被膜１３０内で発生する破壊を示したことが見出された。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、これは、パターニング材料４１１がＥＭ－８を含む場合、パターニング被膜１３０の凝集エネルギーと、パターニング被膜１３０とＣＰＬとの間の界面における接着エネルギーと、の両方よりも低いＣＰＬの凝集エネルギーによるものであると仮定され得る。逆に、ＥＭ－４、ＥＭ－１０、ＥＭ－１１、ＥＭ－１２、ＥＭ－１３、及びＥＭ－１４のうちの１つを含むパターニング材料４１１によって形成された各パターニング被膜１３０は、そのような試料について、ＣＰＬの凝集エネルギーと、パターニング被膜１３０とＣＰＬとの間の界面における接着エネルギーと、の両方よりも低い凝集エネルギーを呈し、その結果、凝集破壊による層間剥離が、両方の試料のパターニング被膜１３０内で生じた。
光学間隙又はバンド間隙
本開示では、半導体材料は、概してバンド間隙を呈する材料として説明され得る。いくつかの非限定的な例では、バンド間隙は、半導体材料の最高被占分子軌道（highest occupied molecular orbital、ＨＯＭＯ）と最低空分子軌道（lowest unoccupied molecular orbital、ＬＵＭＯ）との間に形成され得る。したがって、半導体材料は、実質的に（金属／合金を含むがこれに限定されない）導電性材料の導電率以下であるが、実質的に（ガラスを含むがこれに限定されない）絶縁材料と少なくとも同じ大きさの導電率を呈する傾向があり得る。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は有機半導体材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は、無機半導体材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料の光学間隙は、材料のＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙に対応する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に大きい又は広い光学間隙（及び／又は、ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙）を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、可視スペクトルの深いＢ（青）領域、近ＵＶスペクトル、可視スペクトル、及び／又はＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおいて、実質的に弱いフォトルミネセンスを呈するか、又は実質的にフォトルミネセンスを呈しない傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に小さいＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙を有する材料は、光学技術を使用して材料の膜を検出するシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１の光学間隙は、パターニング材料４１１が、そのようなＥＭ放射線に供されたときに光励起を受けないように、源によって放射されるＥＭ放射線の光子エネルギーよりも広くあり得る。
フォトルミネセンス
非限定的な例として、被膜及び／又は材料のフォトルミネセンスは、光励起プロセスを通して観察され得る。光励起プロセスでは、被膜及び／又は材料は、ＵＶランプなどのＥＭ源によって放出される放射線に供され得る。
ＥＭ源によって放出された放射線が被膜及び／又は材料によって吸収されると、被膜及び／又は材料内の電子が一時的に励起され得る。励起に続いて、蛍光及びリン光を含むがこれらに限定されない１つ以上の緩和プロセスが生じ得、これにより、被膜及び／又は材料によってＥＭ放射線が放出される。かかるプロセス中に被膜及び／又は材料によって放射されるＥＭ放射線は、被膜及び／又は材料のフォトルミネセンス特性を特徴付けるために、例えば光検出器によって検出され得る。
本明細書で使用される場合、被膜及び／又は材料に関するフォトルミネセンスの波長は、概して、励起状態からの電子の緩和の結果としてかかる被膜及び／又は材料によって放射されるＥＭ放射線の波長を指すことができる。当業者は、光励起プロセスの結果として被膜及び／又は材料によって放出されるＥＭ放射線の波長は、概して、光励起を開始するために使用されるＥＭ放射線の波長よりも長くてもよいことを理解するであろう。フォトルミネセンスは、蛍光顕微鏡法を含むがこれに限定されない光学検出技法を含むがこれに限定されない、当技術分野で既知の様々な技法を使用して検出及び／又は特徴付けられ得る。
いくつかの非限定的な例では、様々な被膜及び／又は材料の光学間隙は、光励起プロセス中にＥＭ放射線が吸収又は放射される被膜及び／又は材料のエネルギー間隙に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、非限定的な例として、ＵＶＡ又はＵＶＢなどのＵＶスペクトルに対応する波長を有するＥＭ放射線に被膜及び／又は材料を供することによって、検出及び／又は特徴付けられ得る。いくつかの非限定的な例では、光励起を引き起こすためのＥＭ放射線は、約３６５ｎｍの波長を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも約３６５ｎｍ、及び約４６０ｎｍのうちの少なくとも１つの波長範囲において実質的に弱いフォトルミネセンス又は吸収を有するか、又は実質的に有しないパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料から構成されたパターニング被膜１３０を含むがこれに限定されない被膜は、フォトルミネセンス被膜又は吸収被膜のいずれとしても機能しない傾向があり得、可視スペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおいて実質的に高い透明性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
蛍光顕微鏡法で使用される放射線源の一般的な波長は、約３６５ｎｍである。したがって、特に非限定的な例として薄膜として堆積されたときに、少なくとも約３６５ｎｍの波長において実質的に弱いフォトルミネセンス又は吸収を有するか、又は実質的に有しないパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料の存在は、蛍光顕微鏡法を含むがこれに限定されない典型的な光学検出技術を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。これは、材料の堆積に続いて、かかる材料が存在する部分を決定するいくつかのシナリオがあり得るため、基板１０の部分の上に、例えばＦＭＭを通して、材料が選択的に堆積されるいくつかのシナリオにおいて制約を課し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、可視スペクトルに対応する任意の波長でフォトルミネセンスを実質的に呈しなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、少なくとも約３００ｎｍ、約３２０ｎｍ、約３５０ｎｍ、及び約３６５以上のうちの少なくとも１つの波長を有するＥＭ放射線に供されたときにフォトルミネセンスを呈しなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、そのようなＥＭ放射線に供されたときにわずかな、及び／又は検出可能な吸収を呈しない場合がある。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも約３６５ｎｍ、及び約４６０ｎｍのうちの少なくとも１つである波長において実質的に低いフォトルミネセンスを呈するか、又は実質的にフォトルミネセンスを呈しない材料は、可視スペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおいて実質的に高い透明性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、
フォトルミネセンスを呈する材料を含むことを含むがこれに限定されないことにより、ＵＶスペクトル及び／又は可視スペクトルに対応する波長でフォトルミネセンスを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、約３１５～４００ｎｍの波長に対応し得るＵＶＡ、及び／又は約２８０～３１５ｎｍの波長に対応し得るＵＶＢを含むがこれらに限定されない、ＵＶスペクトルに対応する波長であり得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、約３８０～７４０ｎｍの波長に対応し得る可視スペクトルに対応する波長であり得る。いくつかの非限定的な例では、フォトルミネセンスは、深いＢ（青）に対応する波長であり得る。
いくつかの非限定的な例では、そのようなパターニング被膜１３０の存在は、パターニング被膜１３０の堆積時に蛍光顕微鏡法などの日常的な特徴付け技法を使用して検出及び／又は観察され得る。
屈折率
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、低い屈折率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の屈折率は、少なくとも約１．３５、約１．３２、約１．３、及び約１．２５のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約１．５５以下、約１．５以下、約１．４５以下、約１．４３以下、約１．４以下、約１．３９以下、約１．３７以下、約１．３５以下、約１．３２以下、及び約１．３以下のうちの少なくとも１つであり得る、５５０ｎｍの波長におけるＥＭ放射線に対する屈折率を有し得る。
実施例
非限定的な例として、様々な例示的な材料のうちの一部によって形成された被膜の５５０ｎｍの波長における屈折率を測定するために、一連の試料を作製した。測定結果を表６にまとめる。
表６における屈折率の前述の測定、及び表２におけるＡｇの形態の堆積材料５３１の実質的な閉鎖被膜１５０の存在又は不在に関する以前の観察に基づいて、実質的に低い屈折率の被膜を形成する材料は、非限定的な例として、約１．４以下又は約１．３８以下のうちの少なくとも１つ以下の屈折率を有する材料であり得、パターニング被膜１３０を形成し、その上への、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれらに限定されない堆積材料５３１の堆積を実質的に阻害することを必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得ることが見出された。
吸光係数
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、少なくとも約６００ｎｍ、約５００ｎｍ、約４６０ｎｍ、約４２０ｎｍ、及び約４１０ｎｍのうちの少なくとも１つである波長におけるＥＭ放射線に対して、約０．０１以下であり得る吸光係数を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、約４００ｎｍ以下、約３９０ｎｍ以下、約３８０ｎｍ以下、及び約３７０ｎｍ以下のうちの少なくとも１つである波長におけるＥＭ放射線に対して、少なくとも約０．０５、約０．１、約０．２、及び約０．５のうちの少なくとも１つであり得る吸光係数を有し得る。このようにして、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、デバイス１００上に入射するＵＶＡスペクトル内のＥＭ放射線を吸収し、それによって、ＵＶＡスペクトル内のＥＭ放射線が、デバイス性能、デバイス安定性、デバイス信頼性、及び／又はデバイス寿命に関して制約を付与し得る可能性を低減させ得る。
吸収及び他の光学効果
いくつかの非限定的な例では、少なくとも約３６５ｎｍ、及び約４６０ｎｍのうちの少なくとも１つである波長において実質的に低い吸収を有するか、又は実質的に吸収を有さない材料は、可視スペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおいて実質的に高い透明性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又はある形態の被膜として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、少なくとも可視スペクトルにおいて、それを通過するＥＭ放射線を実質的に減衰させない場合がある。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、少なくともＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルにおいて、それを通過するＥＭ放射線を実質的に減衰させない場合がある。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、光学被膜として機能することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、デバイス１００によって放射されるＥＭ放射線の少なくとも１つの特性及び／又は特質を修正することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、ある度合のヘイズを呈し、放射されたＥＭ放射線を散乱させることができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、それを透過したＥＭ放射線を散乱させるための結晶性材料を含み得る。ＥＭ放射線のかかる散乱は、いくつかの非限定的な例では、デバイス１００からのＥＭ放射線のアウトカップリングの強化を容易にすることができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、最初に、限定ではないが、実質的に非晶質を含む、実質的に非結晶性の被膜として堆積されてもよく、その上で、その堆積後、パターニング被膜１３０は、結晶化され、その後、光学結合として役立ち得る。
平均層厚
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の平均層厚は、約１０ｎｍ以下、約８ｎｍ以下、約７ｎｍ以下、約６ｎｍ以下、及び約５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
重量
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのパターニング材料４１１の化合物の分子量は、約６，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約５，５００ｇ／ｍｏｌ以下、約５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約４，５００ｇ／ｍｏｌ以下、約４，３００ｇ／ｍｏｌ以下、及び約４，０００ｇ／ｍｏｌ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１の化合物の分子量は、少なくとも約１，０００ｇ／ｍｏｌ、約１，２００ｇ／ｍｏｌ、約１，３００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，２００ｇ／ｍｏｌ、及び約２，５００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであり得る。
組成
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１の化合物は、有機－無機ハイブリッド材料であり得るか、又は有機－無機ハイブリッド材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、複数のモノマーを含むオリゴマー及びポリマーのうちの少なくとも１つであり得るか、又はそれらを含み得る。
フッ素及びケイ素
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１は、フッ素（Ｆ）原子及び／又はケイ素（Ｓｉ）原子のうちの少なくとも１つを含んでもよい。非限定的な例として、パターニング被膜１３０を形成するためのパターニング材料４１１は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含み得る化合物であり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、Ｆを含む化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、Ｆ及び炭素（Ｃ）原子を含み得る化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、少なくとも約０．６、約０．８、約０．９、約１、約１．３、約１．５、約１．７、及び約２のうちの少なくとも１つの商Ｆ／Ｃに対応する原子比でＦ及びＣを含み得る化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆ対Ｃの原子比は、化合物構造中に存在するＦ原子の全てを計数し、Ｃ原子については、化合物構造中に存在するｓｐ３混成Ｃ原子のみを計数することによって決定することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、その分子部分構造の一部として、約０．６以上、約０．８以上、約０．９以上、約１以上、約１．３以上、約１．５以上、約１．７以上、及び約２以上のうちの少なくとも１つの商Ｆ／Ｃに対応する原子比でＦ及びＣを含む部分を含み得る化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、その分子部分構造の一部として、約３以下、約２．８以下、約２．５以下、及び約２．３以下のうちの少なくとも１つの商Ｆ／Ｃに対応する原子比でＦ及びＣを含む部分を含み得る化合物を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、化合物はフルオロポリマーであり得る。いくつかの非限定的な例では、化合物はＦを含むブロックコポリマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、化合物はオリゴマーであり得る。いくつかの非限定的な例では、オリゴマーはフルオロオリゴマーであり得る。いくつかの非限定的な例では、化合物は、Ｆを含むブロックオリゴマーであり得る。フルオロポリマーの非限定的な例は、ＥＭ－３、ＥＭ－５、ＥＭ－６、ＥＭ－７、及び／又はＥＭ－９の分子構造を有するものである。
部分
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、複数の部分を含む分子構造を有する化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１の分子構造の第１の部分は、パターニング材料４１１の分子構造の少なくとも１つの第２の部分に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１の分子の第１の部分は、パターニング材料４１１の分子の少なくとも１つの第２の部分に直接結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分及び第２の部分は、第３の部分によって互いに結合及び／又は接合され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１の分子構造の少なくとも一部は、式（Ｉ）によって表され得、
（Ｍｏｎ）ｎ （Ｉ）
式中、
Ｍｏｎは、モノマーを表し、
ｎは、少なくとも２の整数である。
いくつかの非限定的な例では、ｎは、約２～１００、約２～５０、約３～２０、約３～１５、約３～１０、約３～７、及び約３～４のうちの少なくとも１つの整数であり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、式（Ｉ）のオリゴマーであってもよく、式中、ｎは、約２～２０、約２～１５、約２～１０、約３～８、及び約３～６のうちの少なくとも１つの整数である。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、モノマー骨格及び少なくとも１つの官能基を含み得る。いくつかの非限定的な例では、官能基は、直接又はリンカー基を介してモノマー骨格に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、リンカー基を含んでいてもよく、リンカー基は、モノマー骨格及び官能基に結合し得る。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、複数の官能基を含んでいてもよく、これらは互いに同じであっても異なっていてもよい。かかる例では、各官能基は、直接又はリンカー基を介してモノマー骨格に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、複数の官能基が存在する場合、複数のリンカー基も存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、モノマー骨格を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の部分は、官能基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格は無機部分であってもよく、少なくとも１つの官能基は有機部分であり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１の分子構造は、複数の異なるモノマーを含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる分子構造は、異なる分子組成及び／又は分子構造を有するモノマー種を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、骨格と骨格に結合された少なくとも１つの官能基とを含有する分子構造を有する化合物であってもよく、又はそれを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は無機部分であってもよく、少なくとも１つの官能基は有機部分であり得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような化合物は、シロキサン基を含む分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な例では、シロキサン基は、直鎖、分岐、又は環状シロキサン基であり得る。いくつかの非限定的な例では、骨格は、シロキサン基であってもよく、又はシロキサン基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は、シロキサン基及びＦを含有する少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であり得る。かかる化合物の非限定的な例としては、フルオロシロキサンが挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、化合物は、シルセスキオキサン基を含む分子構造を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、シルセスキオキサン基は、多面体オリゴマーシルセスキオキサン（ＰＯＳＳ）であってもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は、シルセスキオキサン基であってもよく、又はそれを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は、シルセスキオキサン基及びＦを含む少なくとも１つの官能基であってもよく、又はこれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であり得る。かかる化合物の非限定的な例としては、フルオロ－シルセスキオキサン及び／又はフルオロ－ＰＯＳＳが挙げられる。かかる化合物の非限定的な例は、ＥＭ－８である。
いくつかの非限定的な例では、化合物は、置換若しくは非置換アリール基、及び／又は置換若しくは非置換ヘテロアリール基を含む分子構造を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、アリール基は、フェニル又はナフチルであり得る。いくつかの非限定的な例では、アリール基の少なくとも１つのＣ原子は、ヘテロ原子（非限定的な例として、Ｏ、Ｎ、及びＳのうちの少なくとも１つであり得る）によって置換されて、ヘテロアリール基を誘導し得る。いくつかの非限定的な例では、骨格は、置換若しくは非置換アリール基、及び／又は置換若しくは非置換ヘテロアリール基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は、置換若しくは非置換アリール基、及び／又は置換若しくは非置換ヘテロアリール基、並びにＦを含む少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であり得る。
いくつかの非限定的な例では、化合物は、置換又は非置換の、直鎖状、分岐状、又は環状の炭化水素基を含む分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な例では、炭化水素基の１以上のＣ原子は、ヘテロ原子によって置換されていてもよく、ヘテロ原子は、非限定的な例として、Ｏ、Ｎ、及びＳのうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、化合物は、ホスファゼン基を含む分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ホスファゼン基は、直鎖、分岐、又は環状ホスファゼン基であり得る。いくつかの非限定的な例では、骨格は、ホスファゼン基であってもよく、又はそれを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、骨格は、ホスファゼン基及びＦを含む少なくとも１つの官能基であってもよく、又はそれらを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの官能基は、フルオロアルキル基であり得る。かかる化合物の非限定的な例としては、フルオロホスファゼンが挙げられる。そのような化合物の非限定的な例は、ＥＭ－４、ＥＭ－１０、ＥＭ－１１、ＥＭ－１２、ＥＭ－１３、及びＥＭ－１４である。
いくつかの非限定的な例では、化合物は金属錯体であり得る。いくつかの非限定的な例では、金属錯体は、有機金属錯体であり得る。いくつかの非限定的な例では、有機金属錯体は、Ｆを含み得る。いくつかの非限定的な例では、有機金属錯体は、Ｆを含む少なくとも１つの配位子を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆを含む少なくとも１つの配位子は、フルオロアルキル基であるか、又はフルオロアルキル基を含み得る。
当業者によって理解されるように、Ｆ、ｓｐ２炭素、ｓｐ３炭素、芳香族炭化水素部分、及び／又は他の官能基若しくは部分のうちの少なくとも１つを含み得る被膜中の材料の存在は、非限定的な例として、Ｘ線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy、ＸＰＳ）を含む、当技術分野で既知の様々な方法を使用して検出され得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＦ２及びＣＦ２Ｈ部分のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＦ２及びＣＦ３部分のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＨ２ＣＦ３部分を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、Ｃ及びＯのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、フルオロカーボンモノマーを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、フッ化ビニル部分、フッ化ビニリデン部分、テトラフルオロエチレン部分、クロロトリフルオロエチレン部分、ヘキサフルオロプロピレン部分、又はフッ素化１，３－ジオキソール部分のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、アリール基、ヘテロアリール基、共役結合、及びホスファゼン基のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、環状構造、環状芳香族構造、芳香族構造、かご型構造、多面体構造、及び架橋構造のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、剛性構造を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、ベンゼン部分、ナフタレン部分、ピレン部分、及びアントラセン部分のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、シクロトリホスファゼン部分及びシクロテトラホスファゼン部分のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、親水性部分であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の部分は、置換フルオロアルキル基及び非置換フルオロアルキル基のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の部分は、Ｃ１～Ｃ１２直鎖フッ素化アルキル、Ｃ１～Ｃ１２直鎖フッ素化アルコキシ、Ｃ３～Ｃ１２分岐フッ素化環状アルキル、Ｃ３～Ｃ１２フッ素化環状アルキル、及びＣ３～Ｃ１２フッ素化環状アルコキシのうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分は、飽和炭化水素基を含み、任意の不飽和炭化水素基の存在を実質的に省略してもよい。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、第２の部分における少なくとも１つの飽和炭化水素基の存在は、飽和炭化水素基の低い剛性度に起因して、その少なくとも１つの第２の部分の末端基がパターニング被膜１３０の露出層表面１１に近接するように第２の部分が配向されることを容易にし得ると仮定され得る。いくつかの非限定的な例では、不飽和炭化水素基の存在が、分子がそのような配向をとることを阻害し得ると仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、全てのＦ原子がｓｐ３炭素原子に結合している化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆ対Ｃの原子比は、化合物構造中に存在するＦ原子の全てを計数し、Ｃ原子については、化合物構造中に存在するｓｐ３混成Ｃ原子のみを計数することによって決定することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、第２の部分又はその一部として、少なくとも約１．５、約１．７、約２、約２．１、約２．３、及び２．５の商Ｆ／Ｃに対応する原子比でＦ及びＣを含む部分を含み得る化合物を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分は、シロキサン基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、複数の第２の部分の各部分は、第１の部分及び第３の部分のうちの少なくとも１つに結合された近位基と、近位基の遠位に配置された末端基とを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、末端基は、ＣＦ２Ｈ基を含み得る。いくつかの非限定的な例では、末端基は、ＣＦ３を含み得る。いくつかの非限定的な例では、末端基は、ＣＨ２ＣＦ３基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、複数の第２の部分の各々は、直鎖フルオロアルキル基及び直鎖フルオロアルコキシ基のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第２の部分は、疎水性部分を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第３の部分は、リンカー基を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第３の部分は、単結合、Ｏ、Ｎ、ＮＨ、Ｃ、ＣＨ、ＣＨ２、及びＳのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、式（Ｃ－２）及び（Ｃ－３）のうちの少なくとも１つによって表されるシクロホスファゼン誘導体を含み得、
式中、
Ｒは、それぞれ独立して、第２の部分を表す、及び／又は含む。
いくつかの非限定的な例では、Ｒは、フルオロアルキル基を含み得る。いくつかの非限定的な例では、フルオロアルキル基は、Ｃ１～Ｃ１８フルオロアルキルであり得る。いくつかの非限定的な例では、フルオロアルキル基は、式（ＩＩ）によって表され得、
式中、
ｔは、１～３の整数を表し、
ｕは、５～１２の整数を表し、
Ｚは、Ｈ、重陽子（Ｄ）、及びＦのうちの少なくとも１つを表す。
いくつかの非限定的な例では、Ｒは、末端基を含んでいてもよく、末端基は、Ｒが結合している対応するＰ原子に対して遠位に配置されている。
いくつかの非限定的な例では、Ｒは、第２の部分に結合した第３の部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、各Ｒの第３の部分は、式（Ｃ－２）及び（Ｃ－３）のうちの少なくとも１つにおける対応するＰ原子に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第３の部分は、酸素原子である。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分は、第２の部分から離隔され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１３０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造は、複数の異なるモノマーを含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる分子構造は、異なる分子組成及び／又は分子構造を有するモノマー種を含み得る。かかる分子構造の非限定的な例としては、式（ＩＩＩ）及び式（ＩＶ）によって表されるものが挙げられ、
（ＭｏｎＡ）ｋ（ＭｏｎＢ）ｍ （ＩＩＩ）
（ＭｏｎＡ）ｋ（ＭｏｎＡ）ｍ（ＭｏｎＣ）ｏ （ＩＶ）
式中、
ＭｏｎＡ、ＭｏｎＢ、及びＭｏｎＣは、各々モノマー種を表し、
ｋ、ｍ、及びｏは、各々少なくとも２の整数を表す。
いくつかの非限定的な例ではｋ、ｍ、及びｏは、各々約２～１００、約２～５０、約３～２０、約３～１５、約３～１０、又は約３～７のうちの少なくとも１つの整数を表す。当業者は、モノマーＭｏｎに関する様々な非限定的な例及び説明がＭｏｎＡ、ＭｏｎＢ、及びＭｏｎＣの各々に関して適用可能であり得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、式（Ｖ）によって表され得、
Ｍ－（Ｌ－Ｒｘ）ｙ （Ｖ）
式中、
Ｍは、モノマー骨格単位を表し、
Ｌは、リンカー基を表し、
Ｒは、官能基を表し、
ｘは、１～４の整数であり、
ｙは、１～３の整数である。
いくつかの非限定的な例では、リンカー基は、単結合、Ｏ、Ｎ、ＮＨ、Ｃ、ＣＨ、ＣＨ２、及びＳのうちの少なくとも１つによって表され得る。いくつかの非限定的な例では、リンカー基は、官能基がモノマー骨格に直接結合されるように省略され得る。
本明細書に記載されている官能基の様々な非限定的な例は、式（Ｖ）のＲに関して適用することができる。いくつかの非限定的な例では、官能基Ｒはオリゴマー単位を含んでもよく、オリゴマー単位は、複数の官能基モノマー単位を更に含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、官能基モノマー単位は、ＣＨ２及びＣＦ２のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、官能基は、ＣＨ２ＣＦ３部分を含み得る。非限定的な例として、かかる官能基モノマー単位は、一緒に結合して、アルキル又はフルオロアルキルオリゴマー単位のうちの少なくとも１つを形成することができる。いくつかの非限定的な例では、オリゴマー単位は、官能基末端単位を更に含み得る。いくつかの非限定的な例では、官能基末端単位は、オリゴマー単位の末端に配置され、官能基モノマー単位に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、官能基末端単位が配置され得る末端は、モノマー骨格単位に対して遠位であり得る官能基の一部に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、官能基末端単位は、ＣＦ２Ｈ及びＣＦ３のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位Ｍは、高い表面張力を有し得る。いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、それに結合している官能基Ｒのうちの少なくとも１つと実質的に少なくとも同じ表面張力を有し得る。いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、それに結合している任意の官能基Ｒと実質的に少なくとも同じ表面張力を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、これに限定されないがホスファゼンを含むリン（Ｐ）及び窒素（Ｎ）を含んでいてもよく、ＰとＮとの間に二重結合が存在し、「ＮＰ」又は「Ｎ＝Ｐ」と表され得る。いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、非限定的な例として、ＳｉＯ３／２として表され得るシルセスキオキサンの一部を形成し得るシロキサン（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ）部分を含むがこれに限定されないＳｉ及びＯを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１３０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、式（ＶＩ）によって表され得、
（ＮＰ－（Ｌ－Ｒｘ）ｙ）ｎ （ＶＩ）
式中、
ＮＰは、ホスファゼンモノマー骨格単位を表し、
Ｌは、リンカー基を表し、
Ｒは、官能基を表し、
ｘは、１～４の整数であり、
ｙは、１～３の整数であり、
ｎは、少なくとも２の整数である。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び／又は第２の材料の分子構造は、式（ＶＩ）によって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料の少なくとも１つは、シクロホスファゼンであり得る。いくつかの非限定的な例において、シクロホスファゼンの分子構造は、式（ＶＩ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例ではＬは、酸素を表してもよく、ｘは、１であってもよく、及びＲは、フルオロアルキル基を表してもよい。いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１３０の少なくとも１つの材料の分子構造の少なくとも一部は、式（ＶＩＩ）によって表され得、
（ＮＰ（ＯＲｆ）２）ｎ （ＶＩＩ）
式中、
Ｒｆは、フルオロアルキル基を表し、
ｎは、３～７の整数である。
いくつかの非限定的な例では、フルオロアルキル基は、ＣＦ２基、ＣＦ２Ｈ基、ＣＨ２ＣＦ３基、及びＣＦ３基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、フルオロアルキル基は、式（ＶＩＩＩ）によって表され得、
式中、
ｐは、１～５の整数であり、
ｑは、３～２０の整数であり、
Ｚは、水素又はＦを表す。
いくつかの非限定的な例ではｐは、１であってもよく、ｑは、６～２０の整数であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、式（ＶＩＩ）中のフルオロアルキル基Ｒｆは、式（ＶＩＩＩ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１３０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、式（ＩＸ）によって表され得、
（ＳｉＯ３／２－（Ｌ－Ｒ））ｎ （ＩＸ）
式中、
Ｌは、リンカー基を表し、
Ｒは、官能基を表し、
ｎは、６～１２の整数である。
いくつかの非限定的な実施形態では、Ｌは、単結合、Ｏ、置換アルキル、又は非置換アルキルのうちの少なくとも１つの存在を表し得る。いくつかの非限定的な例ではｎは、８、１０、又は１２であってもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、低い表面張力を有する官能基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、Ｆ含有基及びＳｉ含有基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例ではＲは、フルオロカーボン基及びシロキサン含有基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例ではＲは、ＣＦ２基及びＣＦ２Ｈ基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、ＣＦ２及びＣＦ３基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒは、ＣＨ２ＣＦ３基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、式（ＩＸ）によって表される材料は、ＰＯＳＳであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１３０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、式（Ｘ）によって表され得、
（ＳｉＯ３／２－Ｒｆ）ｎ （Ｘ）
式中、
ｎは、６～１２の整数であり、
Ｒｆは、フルオロアルキル基を表す。
いくつかの非限定的な例ではｎは、８、１０、又は１２であってもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、低い表面張力を有する官能基を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＦ２部分及びＣＦ２Ｈ部分のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＦ２部分及びＣＦ３部分のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｒｆは、ＣＨ２ＣＦ３部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、式（Ｘ）によって表される材料は、ＰＯＳＳであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、式（Ｘ）中のフルオロアルキル基Ｒｆは、式（ＶＩＩＩ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、例えば第１の材料及び／又は第２の材料であり得るパターニング被膜１３０の材料のうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、式（ＸＩ）によって表され得、
（ＳｉＯ３／２－（ＣＨ２）ｘ（ＣＦ３））ｎ （ＸＩ）
式中、
ｘは、１～５の整数であり、
ｎは、６～１２の整数である。
いくつかの非限定的な例ではｎは、８、１０、又は１２であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、式（ＸＩ）によって表される化合物は、ＰＯＳＳであってもよい。
いくつかの非限定的な例において、官能基Ｒ及び／又はフルオロアルキル基Ｒｆは、前述の式のいずれかにおけるかかる基の各出現時に独立して選択されてもよい。前述の式のいずれかが化合物の下位構造を表してもよく、上記の式に明示的に示されていない追加の基又は部分が存在してもよいことも理解されるであろう。本出願において提供される様々な式は、直鎖状、分岐状、環状、環状－直鎖状、及び／又は架橋構造を表し得ることも理解されるであろう。
パターニング被膜属性間の相互関係
初期付着確率及び透過率
Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質を含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１に対して低い初期付着確率を呈する露出層表面１１は、高い透過率を呈し得ることが仮定され得る。一方、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質を含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１に対して高い付着確率を呈する露出層表面１１は、低い透過率を呈し得る。
初期付着確率及び堆積コントラスト
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料５３１の堆積に対するそのような材料の初期付着確率が実質的に高い場合、実質的に低い堆積コントラストを有する傾向があり得る。
初期付着確率及び表面エネルギー
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、材料が実質的に高い表面エネルギーを有する場合、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない堆積材料の堆積に対して実質的に高い初期付着確率を有する傾向があり得る。
透過率及び屈折率
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、実質的に低い屈折率を有するパターニング被膜１３０を提供することは、少なくともいくつかのデバイス１００において、その第２の部分１０２を通る外部ＥＭ放射線の透過率を高め得ることが観察されている。非限定的な例として、パターニング被膜１３０の近傍又は隣接して配置され得る、その中に空気間隙を含むデバイス１００は、パターニング被膜１３０が実質的に低い屈折率を有するとき、かかる低い屈折率パターニング被膜１３０が提供されなかった同様に構成されたデバイス１００と比較して実質的に高い透過率を呈し得る。
表面エネルギー及び融点
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギー及び実質的に高い融点を有するパターニング被膜１３０は、高い温度信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。いくつかの非限定的な例では、低い表面エネルギーを有する単一の材料が低い融点を呈する傾向があり得ることを考慮すると、いくつかの非限定的な例では、そのような組み合わせを単一の材料から達成する際に課題が存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、過度に低くない実質的に低い表面張力を有するパターニング材料４１１は、約１５～２２ダイン／ｃｍを含むがこれに限定されない実質的に高い融点を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、いくつかの非限定的な例では、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、及び約１５ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つの表面エネルギーを有する露出層表面１１を形成する材料は、かかる材料が、かかる材料を取り囲む層に対して実質的に低い接着性を呈し得、実質的に低い融点を呈し得、及び／又は実質的に低い昇華温度を呈するため、特定のいくつかのシナリオではパターニング材料４１１としての適用性を低下させた場合があると仮定され得る。
表面エネルギー及び昇華温度
いくつかの非限定的な例では、実質的に低いが過度に低くない表面張力を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、約１５～２２ダイン／ｃｍを含むがこれに限定されない実質的に高い昇華温度を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギー及び実質的に高い昇華温度を有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料から構成されたパターニング被膜１３０を含むがこれに限定されない被膜は、そのような材料を含む膜の平均層厚の制御において実質的に高い精度を必要とするいくつかのシナリオでは、用途を有し得る。
いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、いくつかの非限定的な例では、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、及び約１５ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つの表面エネルギーを有する露出層表面１１を形成する材料は、かかる材料が、かかる材料を取り囲む層に対して実質的に低い接着性を呈し得、実質的に低い融点を呈し得、及び／又は実質的に低い昇華温度を呈するため、特定のいくつかのシナリオではパターニング材料４１１としての適用性を低下させた場合があると仮定され得る。
いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、非限定的な例として、約１３ダイン／ｃｍ、約１５ダイン／ｃｍ、及び約１７ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つよりも低い表面エネルギーを有する表面を形成する材料は、かかる材料が、かかる材料を取り囲む層に対して比較的低い接着性を呈し得、比較的低い凝集強度を呈し得、低い融点を呈し得、及び／又は低い昇華温度を呈し得るため、特定の非限定的な例におけるパターニング材料４１１として好適に低下された場合があると仮定され得る。
表面エネルギー及び凝集エネルギー
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギー及び実質的に高い凝集エネルギーを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、せん断応力及び曲げ応力のうちの少なくとも１つの下で実質的に高い信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有する単一の材料から実質的に形成された薄膜が、実質的に低い凝集エネルギーを呈する傾向があり得ることを考慮すると、いくつかの非限定的な例では、そのような組み合わせを単一の材料から達成する際に課題が存在し得る。
表面エネルギー、融点、及び凝集エネルギー
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギー、実質的に高い融点、及び実質的に高い凝集エネルギーを有するパターニング被膜１３０を含むがこれらに限定されない被膜は、様々な条件下で実質的に高い信頼性を必要とするいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有する単一の材料から実質的に形成された薄膜が、実質的に低い凝集エネルギー、及び実質的に低い融点を呈する傾向があり得ることを考慮すると、いくつかの非限定的な例では、そのような組み合わせを単一の材料から達成する際に課題が存在し得る。
表面エネルギー、融点、昇華温度、及び凝集エネルギー
いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、非限定的な例として、約１３ダイン／ｃｍ、約１５ダイン／ｃｍ、及び約１７ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つよりも低い表面エネルギーを有する表面を形成する材料は、かかる材料が、かかる材料を取り囲む層に対して比較的低い接着性を呈し得、比較的低い凝集強度を呈し得、低い融点を呈し得、及び／又は低い昇華温度を呈し得るため、特定の非限定的な例におけるパターニング材料４１１として好適に低下された場合があると仮定され得る。
表面エネルギー及び光学間隙
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に大きい又は広い光学間隙を呈する傾向があり得る。
表面エネルギー及びフォトルミネセンス
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、少なくとも約３６５ｎｍ、及び約４６０ｎｍのうちの少なくとも１つである波長範囲において、弱いフォトルミネセンス又は吸収を必要とするか、又は実質的にフォトルミネセンス又は吸収を必要としないいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
表面エネルギー、融点、昇華温度、及び分子量
いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、実質的に低い表面エネルギーを有し、約１，０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量も有する化合物は、以下の特性：（ｉ）約１００℃以下を含むがこれに限定されない低い昇華温度、並びに（ｉｉ）約１００℃以下、及び約８０℃以下のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない実質的に低い融点、のうちの少なくとも１つを呈し得ることが観察されており、その結果、そのような化合物は、特定のシナリオでは適用性を低下させた場合がある。
表面エネルギー、融点、及び凝集エネルギー
いくつかの非限定的な例では、実質的に低い表面エネルギーを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、実質的に低い分子間力を呈する傾向があり得、これは、パターニング材料４１１が、それに隣接する層に対して実質的に低い融点、凝集強度、及び接着強度のうちの少なくとも１つを有する可能性を増加させ得る。
表面エネルギー及び分子量（及び融点）
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、実質的に低い表面エネルギーを有する表面を形成するように適合された化合物では、少なくともいくつかの用途において、かかる化合物の分子量が、約１，２００～６，０００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００～５，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００～５，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約２，３００～４，３００ｇ／ｍｏｌ、約２，５００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，２００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、及び約２，５００～３，８００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであることを必要とするシナリオが存在し得ると仮定することができる。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、かかる化合物は、（ｉ）非限定的な例として、少なくとも１００℃の実質的に高い融点、（ｉｉ）実質的に低い表面エネルギー、及び（ｉｉｉ）非限定的な例として、真空ベースの熱蒸着プロセスを使用して堆積させたときに実質的に非晶質の構造のうちの少なくとも１つを有する被膜及び／又は層を形成するためのいくつかのシナリオでは適用性を有し得る少なくとも１つの特性を呈し得ると仮定することができる。
表面エネルギー及び組成
第１の部分、第２の部分、モノマー、モノマー骨格単位、リンカー基、又は官能基を含むがこれに限定されない分子構造の一部に起因する表面張力は、当技術分野で既知の様々な方法を使用して決定され得る。かかる方法の非限定的な例は、非限定的な例として、「Ｃｏｎｃｅｐｔｉｏｎ ａｎｄ Ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ Ｐａｒａｃｈｏｒ」、Ｎａｔｕｒｅ１９６：８９０－８９１に更に記載され得るような、Ｐａｒａｃｈｏｒの使用を含む。いくつかの非限定的な例では、そのような方法は、式（１）に従って部分の臨界表面張力を決定することを含み得る：
式中、
γは、部分の臨界表面張力を表し、
Ｐは、部分のパラコールを表し、
Ｖｍは、部分のモル体積を表す。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格は、それに結合している官能基のうちの少なくとも１つよりも高い表面張力を有し得る。いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、それに結合しているいずれの官能基よりも高い表面張力を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、少なくとも約２５ダイン／ｃｍ、約３０ダイン／ｃｍ、約４０ダイン／ｃｍ、約５０ダイン／ｃｍ、約７５ダイン／ｃｍ、約１００ダイン／ｃｍ、約１５０ダイン／ｃｍ、約２００ダイン／ｃｍ、約２５０ダイン／ｃｍ、約５００ダイン／ｃｍ、約１，０００ダイン／ｃｍ、約１，５００ダイン／ｃｍ、及び約２，０００ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの表面張力を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマーの少なくとも１つの官能基は、約２５ダイン／ｃｍ以下、約２１ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、約１１ダイン／ｃｍ以下、及び約１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つの表面張力を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１の分子の第１の部分は、第１の部分が（より）高い臨界表面張力成分を含み、第２の部分が（より）低い臨界表面張力成分を含み得るように、第２の部分の臨界表面張力を上回る臨界表面張力を有し、第２の部分に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分の臨界表面張力を第２の部分の臨界表面張力で除算した商が、少なくとも約５、約７、約８、約９、約１０、約１２、約１５、約１８、約２０、約３０、約５０、約６０、約８０、及び約１００のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分の臨界表面張力は、少なくとも１つの第２の部分の臨界表面張力より、少なくとも約５０ダイン／ｃｍ、約７０ダイン／ｃｍ、約８０ダイン／ｃｍ、約１００ダイン／ｃｍ、約１５０ダイン／ｃｍ、約２００ダイン／ｃｍ、約２５０ダイン／ｃｍ、約３００ダイン／ｃｍ、約３５０ダイン／ｃｍ、及び約５００ダイン／ｃｍだけ上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分の臨界表面張力は、少なくとも約５０ダイン／ｃｍ、約７０ダイン／ｃｍ、約８０ダイン／ｃｍ、約１００ダイン／ｃｍ、約１５０ダイン／ｃｍ、約１８０ダイン／ｃｍ、約２００ダイン／ｃｍ、約２５０ダイン／ｃｍ、及び約３００ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分の臨界表面張力は、約２５ダイン／ｃｍ以下、約２１ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、１３ダイン／ｃｍ以下、１２ダイン／ｃｍ以下、１１ダイン／ｃｍ以下、及び１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
光学間隙及びフォトルミネセンス
いくつかの非限定的な例では、比較的大きなＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙を有する材料は、少なくとも約３６５ｎｍ、及び約４６０ｎｍのうちの少なくとも１つの波長範囲において、弱いフォトルミネセンス又は吸収を必要とするか、又は実質的にフォトルミネセンス又は吸収を必要としないいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
分子量及び組成
いくつかの非限定的な例では、Ｆ原子の存在に起因し得るかかる化合物のモル重量の割合は、約４０～９０％、約４５～８５％、約５０～８０％、約５５～７５％、及び約６０～７５％のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆ原子は、かかる化合物のモル重量の大部分を構成し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分に起因する分子量は、少なくとも約５０ｇ／ｍｏｌ、約６０ｇ／ｍｏｌ、約７０ｇ／ｍｏｌ、約８０ｇ／ｍｏｌ、約１００ｇ／ｍｏｌ、約１２０ｇ／ｍｏｌ、約１５０ｇ／ｍｏｌ、及び約２００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分に起因する分子量は、約５００ｇ／ｍｏｌ以下、約４００ｇ／ｍｏｌ以下、約３５０ｇ／ｍｏｌ以下、約３００ｇ／ｍｏｌ以下、約２５０ｇ／ｍｏｌ以下、約２００ｇ／ｍｏｌ以下、約１８０ｇ／ｍｏｌ以下、及び約１５０ｇ／ｍｏｌ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、化合物構造中の少なくとも１つの第２の部分の各々の分子量の合計は、少なくとも約１，２００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，５００ｇ／ｍｏｌ、及び約３，０００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであり得る。
複数のパターニング材料
いくつかの非限定的な例では、初期付着確率、透過率、堆積コントラスト、表面エネルギー、ガラス転移温度、融点、昇華温度、蒸発温度、凝集エネルギー、光学間隙、フォトルミネセンス、屈折率、吸光係数、吸収又は他の光学効果、平均層厚、分子量、及び組成のうちの少なくとも１つから選択された少なくとも１つの材料特性の制約を満たす、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない所与の金属／合金を含むがこれに限定されない、堆積材料５３１の堆積に対して単一のパターニング材料４１１のパターニング被膜１３０を形成することは、所与のシナリオについて、様々な材料特性間の比較的複雑な相互関係を考慮すると、課題を課すことがある。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、複数のパターニング材料４１１を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、複数のパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、薄膜として堆積されたときにＮＩＣとして役立ち得る。いくつかの非限定的な例では、複数のパターニング材料４１１のうちの２つ以上は、薄膜として堆積されたときにＮＩＣとして機能し得る。いくつかの非限定的な例では、複数のパターニング材料４１１のうちの少なくとも１つは、ＮＩＣとして機能しなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣとして機能しない複数のパターニング材料４１１のうちのそのような少なくとも１つは、薄膜として堆積されたときにＮＰＣ７２０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、第１の材料及び第２の材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料及び第２の材料のうちの少なくとも１つは、ケージ構造、環状構造、及び有機－無機ハイブリッド構造のうちの少なくとも１つを含む分子を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、完全に凝縮されたオリゴマーを含み得る。換言すれば、ホストの分子構造は、凝縮されていない部分又は部分的に凝縮された部分を全く含まない。
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、薄膜として堆積されたときにＮＰＣ７２０を形成し得、第２の材料は、薄膜として堆積されたときにＮＩＣを形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの材料特性の制約の異なる組み合わせを各々が満たす複数のパターニング材料４１１を採用することにより、以下のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、パターニング被膜１３０の特性の所望の組み合わせの達成を容易にすることができる：
・高いパターニングコントラスト、
・薄膜形態に結晶化する傾向の低さ、
・薄膜形態での凝集破壊及び／又は層間剥離のリスクの低さ、
・フォトルミネセンス応答を呈するパターニング被膜１３０、及び
・パターニング被膜１３０の露出層表面１１上への少なくとも１つの粒子構造１６０の形成。
ホスト及びドーパント
いくつかの非限定的な例では、第１の材料は、ホスト材料（ホスト）であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の材料は、ドーパント材料（ドーパント）であり得る。
本明細書で使用される場合、パターニング被膜１３０に関連して使用される場合を含むがこれに限定されないホストは、概して、パターニング被膜１３０全体の大部分を構成し得る材料成分を指すことができる。いくつかの非限定的な例では、ホストは、重量及び体積のうちの少なくとも１つで測定した場合を含むがこれに限定されない場合に、パターニング被膜１３０の全体の少なくとも約９９％、約９５％、約９０％、約８０％、約７０％、及び約５０％のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、互いに異なる少なくとも３つの材料を含み得る。そのような非限定的な例では、重量及び体積のうちの少なくとも１つで、パターニング被膜の最大部分を構成する材料は、ホストであると考えられ得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、２つ以上のホストを含有することができる。
本明細書で使用される場合、パターニング被膜１３０に関連して使用される場合を含むがこれに限定されないドーパントは、概して、材料全体の大部分未満を構成し得る材料成分を指すことができる。いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、重量及び体積のうちの少なくとも１つで測定した場合を含むがこれに限定されない場合に、材料の全体の約１％以下、約５％以下、約１０％以下、約２０％以下、約３０％以下、及び約５０％以下のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーは、実質的に少なくともドーパントの特性表面エネルギーであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、約５～２５ダイン／ｃｍの間の特性表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、薄膜として堆積されたときに低い表面エネルギーを有する表面を形成するように適合され得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの融点が、実質的に少なくともドーパントの融点であってもよい。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、少なくとも約１００℃、約１１０℃、約１２０℃、及び約１３０℃のうちの少なくとも１つの融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、オリゴマーであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つの組み合わせ及び少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つの値のうちの少なくとも１つが、ドーパントとホストとでは異なり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つの組み合わせ及び少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つの値のうちの少なくとも１つが、パターニング被膜１３０と、ホスト及びドーパントのいずれか又は両方とでは異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントを含むパターニング被膜１３０は、以下を含むがこれらに限定されない複数のカテゴリーのうちの１つに分類することができる。
・カテゴリー１では、初期付着確率、透過率、堆積コントラスト、表面エネルギー、ガラス転移温度、融点、昇華温度、蒸発温度、凝集エネルギー、光学間隙、フォトルミネセンス、屈折率、吸光係数、吸収又は他の光学効果、平均層厚、分子量、及び組成を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの実質的に同様の材料特性によってホスト及びドーパントが特徴付けられ、
・カテゴリー２では、初期付着確率、透過率、堆積コントラスト、表面エネルギー、ガラス転位温度、融点、昇華温度、蒸発温度、凝集エネルギー、光学間隙、フォトルミネセンス、屈折率、吸光係数、吸収又は他の光学効果、平均層厚、分子量、及び組成を含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの実質的に異なる材料特性によってホスト及びドーパントが特徴付けられ、
・カテゴリー３では、ドーパントがフォトルミネセンス応答を呈し、
・カテゴリー４では、ドーパントを導入して少なくとも１つの不均一性を創出し、その上への少なくとも１つの粒子構造１６０の形成を容易にする。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、複数のそのようなカテゴリーに含まれ得るホスト及びドーパントの特定の組み合わせが存在し得ることを理解するであろう。
当業者は、ホストとドーパントとの間の少なくとも１つの材料特性の類似性は、値及び／若しくは値の範囲内の同等性、又は類似性及び／若しくは近接性を含み得るが、これらに限定されないことを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの両方の材料特性が類似性を呈する値の範囲は、範囲が適用される材料特性、値及び／又は範囲が適用される材料特性以外の少なくとも１つの材料特性のタイプ、数、並びに／又は類似性及び／若しくは非類似性、並びにパターニング被膜１３０が適用される用途を含むがこれらに限定されないその文脈に応じて変化し得る。
当業者は、ホストとドーパントとの間の少なくとも１つの材料特性の非類似性は、ある値及び／又は少なくともある範囲の値による差を含み得るが、これらに限定されないことを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの材料特性が異なり非類似性を呈する値の範囲は、範囲が適用される材料特性、値及び／又は範囲が適用される材料特性以外の少なくとも１つの材料特性の種類、数、並びに／又は類似性及び／若しくは非類似性、並びにパターニング被膜１３０が適用される用途を含むがこれらに限定されないその文脈に応じて変化し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、非ポリマー材料であり得る。いくつかの非限定的な例では、ホストとしてポリマーを用いることで、少なくとも特定のシナリオにおいて適用性を低下させた場合があることが見出されている。いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、ポリマーは、オリゴマー及び小分子と比較する場合を含むがこれに限定されない場合に比較的低い自由体積を有するので、少なくともいくつかのシナリオにおいて、パターニング被膜１３０におけるホストとしての適用性が一般的に低い可能性があると仮定することができる。ポリマーの低い自由体積は、実質的に低い表面エネルギー及び実質的に高い凝集エネルギーのうちの少なくとも１つを呈するパターニング被膜１３０を提供する構成をとるパターニング被膜１３０の材料に制約を導入し得る。ポリマーはまた、ポリマーが、典型的には、一般的な溶媒中で実質的に低い溶解度を呈し、かつ、典型的には、ＯＬＥＤを含むがこれに限定されない半導体デバイス用の真空ベースの堆積プロセスを含むがこれに限定されない製造プロセスにおいて使用される典型的な条件下で昇華しない傾向があるという点で、少なくともいくつかのシナリオでは適用性も低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、ホストは親水性材料である。いくつかの非限定的な例では、ホストは、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜の形態として、かつデバイス１００内のパターニング被膜１３０の堆積に同様の状況下で堆積されると、水を含むがこれに限定されない極性溶媒に対して、約１５°以下、約１０°以下、約８°以下、及び約５°以下のうちの少なくとも１つの接触角を有し得る。いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、親水性ホストは、少なくともいくつかの用途での使用に望ましい場合があると仮定される。
パターニング被膜の堆積
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、複数の材料を含む混合物を提供し、そのような混合物をその上に堆積させてパターニング被膜１３０をその上に形成することによって、下地層の露出層表面１１の第１の部分１０１に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、混合物は、ホスト及びドーパントを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントは、下地層の露出層表面１１の第１の部分１０１に堆積されて、その上にパターニング被膜１３０を形成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、混合物は、ＰＶＤプロセスによって下地層の露出層表面１１の第１の部分１０１に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜は、共通の蒸発源から混合物を蒸発させ、下地層の露出層表面１１の第１の部分１０１に混合物を堆積させることによって形成されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントを含むがこれらに限定されない混合物は、その蒸発温度に達するか又はそれを超えるまで真空下で加熱される共通のるつぼ若しくは蒸発源に配置されてもよく、その上で、そこから生成された蒸気フラックスが、第１の部分１０１内の下地層の露出層表面１１に向けられて、その上及びその中にパターニング被膜１３０の堆積を引き起こしてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、ホスト及びドーパントの共蒸着によって堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、混合物が気相で形成され、第１の部分１０１内の下地層の露出層表面１１上に共堆積されて、その上にパターニング被膜１３０を提供するように、ホストを第１のるつぼ又は蒸発源から蒸発させることができ、ドーパントを第２のるつぼ又は蒸発源から蒸発させることができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、その堆積の前に、下地表面の露出層表面１１上に、ホスト及びドーパントのうちの一方を含むがこれに限定されない単一のパターニング材料４１１（供給パターニング材料）を提供することによって堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、供給パターニング材料を提供した後、ホスト及びドーパントのうちの他方を含むがこれに限定されない生成パターニング材料が、供給パターニング材料の処理によって生成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積パターニング材料４１１から生成されたパターニング材料を生成した後、供給パターニング材料及び生成パターニング材料は、パターニング被膜１３０を形成するために、下地表面の露出層表面１１上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の材料は、第１の材料を加熱することによって、第１の材料から生成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、真空及び／又は他の環境を含むがこれらに限定されない環境下で第１の材料を加熱することにより、第１の材料の一部が化学反応を受け、第２の材料の形成がもたらされ得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の材料は、真空中で第１の材料を加熱し、その後、ＰＶＤプロセスによってホスト及びドーパントを堆積させて、下地表面の露出層表面１１上にパターニング被膜１３０を形成することによって、その場で生成することができる。
いくつかの非限定的な例では、そのような真空は、第２の材料の生成とパターニング被膜１３０の堆積との間で中断されなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、第３の材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、そのような第３の材料は、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方を処理することによって生成され得る。
カテゴリー１：ホスト及びドーパントが類似している
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、類似の材料特性を有するホスト及びドーパントからパターニング被膜１３０を創出することは、いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントが相互に混和性である可能性が高く、異なる相に分離する可能性が低いので、いくつかのシナリオでは適用性を有し得ると仮定することができる。いくつかの非限定的な例では、これは、ドーパントの材料特性が、ホストにおける結晶構造の形成を乱す傾向があり得るという点で、パターニング被膜１３０が結晶化に抵抗することを必要とするシナリオでは、適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパント両方の類似の材料特性は、表面エネルギー、融点、昇華温度、屈折率、分子量、並びにホスト及びドーパントの分子構造の一部の組成を含むがこれらに限定されない組成のうちの少なくとも１つであってもよい。
堆積コントラスト
いくつかの非限定的な例では、ホストは、実質的に高い堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に高い堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に低い堆積コントラストを呈し得る。
表面エネルギー
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方の特性表面エネルギーは、約２５ダイン／ｃｍ以下、約２４ダイン／ｃｍ以下、約２２ダイン／ｃｍ以下、約２１ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、約１１ダイン／ｃｍ以下、及び約１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々の特性表面エネルギーは、約２５ダイン／ｃｍ以下、約２４ダイン／ｃｍ以下、約２２ダイン／ｃｍ以下、約２１ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、約１１ダイン／ｃｍ以下、及び約１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方の特性表面エネルギーは、少なくとも約６ダイン／ｃｍ、約７ダイン／ｃｍ、約８ダイン／ｃｍ、約９ダイン／ｃｍ、約１０ダイン／ｃｍ、約１２ダイン／ｃｍ、及び約１３ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方の特性表面エネルギーは、少なくとも約１０～２２ダイン／ｃｍ、約１３～２２ダイン／ｃｍ、約１５～２０ダイン／ｃｍ、及び約１７～２０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーとドーパントの特性表面エネルギーとの差の絶対値は、約１ダイン／ｃｍ以下、約２ダイン／ｃｍ以下、約３ダイン／ｃｍ以下、約４ダイン／ｃｍ以下、約５ダイン／ｃｍ以下、約７ダイン／ｃｍ以下、及び約１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、特性表面エネルギー間の差が実質的に小さい複数のパターニング材料４１１を選択することは、そのようなパターニング材料が相互に混和性である可能性が高く、異なる相に分離する可能性が低いので、いくつかのシナリオでは適用性を有し得ると仮定することができる。
ガラス転移温度
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、（ｉ）少なくとも約３００℃、約１５０℃、及び約１３０℃のうちの少なくとも１つ、並びに（ｉｉ）約２０℃以下、約０℃以下、約－３０℃以下、及び約－５０℃以下のうちの少なくとも１つ、のうちの少なくとも１つであるガラス転移温度を有し得る。
融点
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、少なくとも約１００℃、約１１０℃、約１２０℃、及び約１３０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、少なくとも約１００℃、約１１０℃、約１２０℃、及び約１３０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの融点とドーパントの融点との差の絶対値は、約５０℃以下、約４０℃以下、約３５℃以下、約３０℃以下、約２０℃以下のうちの少なくとも１つであり得る。
昇華温度
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、約１００～３００℃、約１２０～３００℃、約１４０～２８０℃、及び約１５０～２５０℃のうちの少なくとも１つである昇華温度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの昇華温度とドーパントの昇華温度との間の差の絶対値が、約５℃以下、約１０℃以下、約１５℃以下、約２０℃以下、約３０℃以下、約４０℃以下、及び約５０℃以下のうちの少なくとも１つであり得る。
蒸発温度
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントは、実質的に同様であり得る蒸発温度を有し得る。いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、そのような類似性は、ホスト及びドーパントを共堆積することが企図され得るシナリオでは適用性を有し得ると仮定することができる。
フォトルミネセンス
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方を含むがこれらに限定されないパターニング材料４１１は、少なくとも約３６５ｎｍ、及び約４６０ｎｍのうちの少なくとも１つの波長範囲において、実質的に弱いフォトルミネセンス又は吸収を呈するか、又は実質的にフォトルミネセンス又は吸収を呈しない場合があり、したがって、フォトルミネセンス被膜又は吸収被膜のいずれとしても機能しない傾向があり得、可視スペクトル及びＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つにおいて実質的に高い透明性を必要とするいくつかのシナリオでは適用性を有し得る。
屈折率
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、約５５０ｎｍの波長のＥＭ放射線に対して、約１．５５以下、約１．５以下、約１．４５以下、約１．４４以下、約１．４３以下、約１．４２以下、約１．４１以下、約１．４以下、約１．３９以下、約１．３７以下、約１．３５以下、約１．３２以下、及び約１．３以下のうちの少なくとも１つであり得る屈折率を呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの両方は、約５５０ｎｍの波長のＥＭ放射線に対して、約１．５５以下、約１．５以下、約１．４５以下、約１．４４以下、約１．４３以下、約１．４２以下、約１．４１以下、約１．４以下、約１．３９以下、約１．３７以下、約１．３５以下、約１．３２以下、及び約１．３以下のうちの少なくとも１つであり得る屈折率を呈し得る。
吸光係数
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、少なくとも約６００ｎｍ、約５００ｎｍ、約４６０ｎｍ、約４２０ｎｍ、及び約４１０ｎｍのうちの少なくとも１つである波長のＥＭ放射線に対して約０．０１以下であり得る吸光係数を呈し得る。
重量
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントを含むがこれらに限定されないパターニング被膜１３０の複数の材料の各々の分子量は、少なくとも約７５０ｇ／ｍｏｌ、１，０００ｇ／ｍｏｌ、１，５００ｇ／ｍｏｌ、２，０００ｇ／ｍｏｌ、２，５００ｇ／ｍｏｌ、及び３，０００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方を含むがこれらに限定されない少なくとも１つのパターニング材料４１１の化合物の分子量は、約５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約４，５００ｇ／ｍｏｌ以下、約４，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約３，８００ｇ／ｍｏｌ以下、及び約３，５００ｇ／ｍｏｌ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方を含むがこれらに限定されない少なくとも１つのパターニング材料４１１の化合物の分子量は、少なくとも約１，０００ｇ／ｍｏｌ、約１，２００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，２００ｇ／ｍｏｌ、及び約２，５００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方を含むがこれらに限定されない少なくとも１つのパターニング材料４１１の化合物の分子量は、約１，５００～５，０００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，２００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、及び約２，５００～３，８００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであり得る。
Ｔａｎｉｍｏｔｏ係数
いくつかの非限定的な例では、ホストとドーパントとの間のＴａｎｉｍｏｔｏ係数は、少なくとも約０．６５、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．８５、約０．９、及び約０．９５のうちの少なくとも１つであってもよい。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、非限定的な例として、Ｔａｎｉｍｏｔｏ係数によって決定され得る比較的高い度合の類似性を有するホスト及びドーパントの組み合わせは、ホスト及びドーパントのそのような組み合わせを含むパターニング被膜１３０を形成するために材料を処理する改善された能力に起因するいくつかのシナリオでは、適用性を有し得ると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、ホストとドーパントとの間のＴａｎｉｍｏｔｏ係数は１であってもよい。非限定的な例として、同一のモノマーから構成されるが、異なる数のモノマー単位を有する特定のオリゴマーは、それらが含まれるモノマー単位の数の違いにもかかわらず、１のＴａｎｉｍｏｔｏ係数を有し得る。
組成
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの両方は、パターニング材料４１１であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０のホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、オリゴマーであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、オリゴマーであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストは第１のオリゴマーを含み得、ドーパントは第２のオリゴマーを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーの各々は、少なくとも１つの共通のモノマーを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、少なくとも１つの共通の官能基を含み得る。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、少なくとも１つの共通のモノマー骨格単位を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーは、少なくとも１つの共通のモノマー骨格単位を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのモノマー骨格単位は、少なくとも１つの共通元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの共通元素は、ホスファゼン誘導体化合物であるホスト及びドーパントについて、Ｐ及びＮのうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの共通元素は、シルセスキオキサン誘導体化合物であるホスト及びドーパントについて、Ｓｉ及びＯのうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例ではて、ホスト及びドーパントの官能基は、少なくとも１つの共通元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの共通元素は、Ｆ、Ｃ、及びＯのうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの官能基は、少なくとも１つの共通部分を含み得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの共通部分は、ＣＨ２及びＣＦ２のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの官能基は、実質的に同一であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの官能基は、フルオロアルキル部分を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストのフルオロアルキル部分は、約６個の炭素単位、約５個の炭素単位、約３個の炭素単位、約２個の炭素単位、及び約１個の炭素単位のうちの少なくとも１つ以下だけ、ドーパントのフルオロアルキル部分と異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、金属元素を実質的に欠いている分子構造を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような化合物の分子構造は、任意の金属配位錯体及び有機金属構造を実質的に欠いていてもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストは、その中に金属元素を実質的に欠いている分子構造を有してもよい。いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、非限定的な例としてＥＭ－１５などの金属含有化合物は、比較的低い堆積コントラストを呈し得、したがって、少なくとも特定のシナリオでは適用性を低下させた場合があると仮定することができる。
そのようなパターニング被膜１３０のホスト－ドーパントの組み合わせの非限定的な例としては、（ｉ）ＥＭ－４、ＥＭ－１０、ＥＭ－１１、ＥＭ－１２、ＥＭ－１３、及びＥＭ－１４の任意の組み合わせ、並びに（ｉｉ）ＥＭ－８、及び他のＰＯＳＳ誘導体化合物の任意の組み合わせが挙げられ、他のＰＯＳＳ誘導体化合物は、ＥＭ－８と同一のモノマーを有し、ＥＭ－８とは異なる数（例えば、非限定的な例として８又は１０）のモノマーを有するものを含むがこれに限定されない。
Ｐ及びＮを含むモノマー骨格
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、ホスファゼン部分を含むがこれに限定されないＰ及びＮを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び／又は第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、式（ＶＩ）によって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つは、式（ＶＩ）によって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つは、シクロホスファゼンであり得る。いくつかの非限定的な例において、シクロホスファゼンの分子構造は、式（ＶＩ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマーの式（ＶＩ）におけるｎの値は、第２のオリゴマーの式（ＶＩ）におけるｎの値と異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマーの式（ＶＩ）におけるｎの値と第２のオリゴマーの式（ＶＩ）におけるｎの値との間の差の絶対値は１であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの一方の分子構造は、式（ＶＩ）によって表され得、式中、ｎは４であり、四量体である。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの他方の分子構造は、式（ＶＩ）によって表され得、式中、ｎは３であり、三量体である。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び／又は第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、式（ＶＩＩ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマーの式（ＶＩＩ）におけるｎの値は、第２のオリゴマーの式（ＶＩＩ）におけるｎの値と異なり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの一方の分子構造は、式（ＶＩＩ）によって表され得、式中、ｎは４であり、四量体である。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの他方の分子構造は、式（ＶＩＩ）によって表され得、式中、ｎは３であり、三量体である。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つは、式（ＶＩＩＩ）によって表されるフルオロアルキル基を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び／又は第２のオリゴマーの分子構造は、それぞれ独立して、式（ＶＩＩＩ）によって表されるフルオロアルキル基を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマーのフルオロアルキル基は、第２のオリゴマーのフルオロアルキル基と同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマーのフルオロアルキル基は、第２のオリゴマーのフルオロアルキル基と異なり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマーのフルオロアルキル基は、第２のオリゴマーのフルオロアルキル基とは異なるｐ及びｑのうちの少なくとも１つの値を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマーは、式（ＶＩＩＩ）のフルオロアルキル基を含み得、式中、フルオロアルキル基がＣＦ２Ｈの末端基を有するように、ＺはＨである。いくつかの非限定的な例では、第２のオリゴマーは、式（ＶＩＩＩ）のフルオロアルキル基を含み得、式中、ＺはＨである。いくつかの非限定的な例では、第２のオリゴマーは、式（ＶＩＩＩ）のフルオロアルキル基を含み得、式中、ＺはＦである。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、ＣＦ２Ｈ末端基を有するホスファゼン誘導体化合物を含むホストは、ＣＦ３末端基を含む類似のホスファゼン誘導体化合物と比較して、いくつかのシナリオでは適用性を有し得ると仮定することができる。いくつかの非限定的な例では、少し驚くべきことに、そのようなホストを用いることで、以下のうちの少なくとも１つを提供し得ることが見出されている：実質的に高い堆積コントラスト、パターニング被膜１３０が結晶化を受ける傾向が実質的に低いこと、及びパターニング被膜１３０が凝集破壊又は層間剥離を受ける傾向が実質的に低いこと。いくつかの非限定的な例では、ホストは、ＣＦ３基を実質的に欠いているホスファゼン誘導体化合物であってもよい。いくつかの非限定的な例では、ドーパントはまた、ＣＦ３基を実質的に欠いているホスファゼン誘導体化合物であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストのモノマーは、Ｆを含む官能基を含んでいてもよく、全フッ素置換されていない少なくとも１つを含むがこれに限定されず、そのいずれも全フッ素置換されていないものを含むがこれに限定されない。
Ｓｉ及びＯを含むモノマー骨格
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、いくつかの非限定的な例ではシルセスキオキサンの一部を形成し得るシロキサン部分を含むがこれに限定されないＳｉ及びＯを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び／又は第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、式（ＩＸ）、式（Ｘ）、及び式（ＸＩ）のうちの少なくとも１つによって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つは、式（ＩＸ）、式（Ｘ）、及び式（ＸＩ）のうちの少なくとも１つによって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つは、シルセスキオキサン誘導体であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマーの式（ＩＸ）、式（Ｘ）、及び式（ＸＩ）のうちの少なくとも１つにおけるｎの値は、第２のオリゴマーの式（ＩＸ）、式（Ｘ）、及び式（ＸＩ）のうちの少なくとも１つにおけるｎの値と異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマーのｎの値と第２のオリゴマーのｎの値との間の差の絶対値は、２、４、及び６のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの一方の分子構造は、式（ＩＸ）、式（Ｘ）、及び式（ＸＩ）のうちの少なくとも１つによって表され得、式中、ｎは１２である。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの他方の分子構造は、式（ＩＸ）、式（Ｘ）、及び式（ＸＩ）のうちの少なくとも１つによって表され得、式中、ｎは１０又は８である。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、式（ＩＸ）、式（Ｘ）、及び式（ＸＩ）のうちの少なくとも１つによれば、シルセスキオキサン誘導体であり得、ＣＨ２ＣＦ３である官能基末端単位を含み得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、ＣＨ２ＣＦ３末端基を含むシルセスキオキサン誘導化合物であるホストは、ＣＨ２ＣＦ２Ｈ末端基、ＣＦ２ＣＦ３末端基、ＣＦ２ＣＦ２Ｈ末端基、及びＣＦ２ＣＦ３末端基のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない他のフルオロアルキル末端基を含む類似のシルセスキオキサン誘導化合物と比較して、少なくともいくつかのシナリオでは適用性を有し得ると仮定することができる。いくつかの非限定的な例では、少し驚くべきことに、ＣＨ２ＣＦ－３－末端基を含むシルセスキオキサン誘導化合物であるホストを使用することで、以下のうちの少なくとも１つを必要とするシナリオでは適用性を有し得ることが見出されている：実質的に高い堆積コントラスト、パターニング層が結晶化を受ける傾向が実質的に低いこと、及びパターニング層が凝集破壊又は層間剥離を受ける傾向が実質的に低いこと。
ホストとドーパントの違い
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントは、オリゴマー単位を含むがこれらに限定されない、一方及び／又は他方における、繰り返しモノマーの数、又は存在を含むがこれらに限定されない組成を含むがこれに限定されない少なくとも１つの他の材料特性が異なり得る。
実施例
実質的に高い度合の類似性を有するホスト及びドーパントを含むがこれらに限定されない複数の材料を含むパターニング被膜１３０の性能を、単一のパターニング材料４１１を含むパターニング被膜１３０の性能と比較するために、以下の実験を行った。
様々な組成を有するパターニング被膜１３０を真空中で堆積させることによって、一連の試料を作製した。次いで、各試料について、それによって形成されたパターニング被膜１３０の露出層表面１１を、約３０ｎｍの基準厚さが達成されるまで、約１Å／ｓの平均堆積速度で、Ａｇを含む堆積材料５３１のオープンマスク堆積に供した。試料が作製されると、ＥＭ透過率の測定を行って、パターニング被膜１３０の露出層表面１１上に堆積されたＡｇの相対量を決定した。
当業者であれば、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれらに限定されない、堆積材料５３１が比較的少ない及び／又は存在しない試料は、実質的に透明であり得るが、一方、閉鎖被膜１５０を含むがこれに限定されない実質的な量の金属／合金が堆積された試料は、いくつかの非限定的な例では、実質的に低減された透過率を呈し得ることを理解するであろう。したがって、パターニング被膜１３０としての様々な例示的な被膜の相対的な性能は、試料を通る透過率を測定することによって評価することができ、この透過率は、閉鎖被膜１５０として形成された場合を含むがこれに限定されない金属薄膜がＥＭ放射線の高い吸収度を呈し得るので、その上に堆積されているＹｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つの形態を含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない、堆積材料５３１の量及び／又は平均層厚に正に相関し得る。
各試料をＡｇの蒸気フラックスに供した後の４６０ｎｍの波長での透過率の低下を測定し、表７にまとめた。
表７の各試料の透過率低下（％）は、Ａｇの蒸気フラックスへの曝露の前後に試料を通るＥＭ透過率を測定し、透過率の低下をパーセンテージとして表すことによって決定した。
ＥＭ－１１及びＥＭ－１２を様々な割合で含んだ試料は、ＥＭ－１１及びＥＭ－１２のうちの少なくとも１つのみを実質的に含む両方の試料に対する、増加した堆積コントラストに対応する、より低い透過率低下（％）を呈したことが理解され得る。当業者は、より低い透過率低下（％）を呈する試料が、少なくともいくつかのシナリオでは、高い堆積コントラスト及び低い初期付着確率のうちの少なくとも１つを有するＮＩＣ材料としての適用性を有し得ることを理解するであろう。
Ｙｂ、Ｍｇ、Ｃｕ、及びＭｇＡｇ（体積比１：９～９：１）を含むがこれらに限定されない堆積材料５３１としてＡｇ以外の金属材料を使用して同様の実験を行ったところ、これらの各々は、同様に、高い堆積コントラスト及び低い初期付着確率のうちの少なくとも１つを呈した。
カテゴリー２：ホスト及びドーパントが異なる
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの所与の材料特性を有するドーパントを、そのような所与の材料特性を呈しないホストに混合することにより、ドーパントの所与の材料特性を呈することができる一方で、ホストの他の材料特性を呈し続けるパターニング被膜１３０をもたらし得ると仮定することができる。この能力は、ホストが、層間剥離を引き起こす傾向の減少、凝集破壊の傾向の減少、及び結晶化の傾向の減少のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない特定の材料特性を呈する一方で、ドーパントが、低表面エネルギー及び低融点のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない改善された堆積コントラストを提供するのにつながる材料特性を含むがこれらに限定されない特定の他の材料特性を呈する、いくつかのシナリオでは適用性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの異なる材料特性は、いくつかの非限定的な例ではある範囲内の表面エネルギー、融点、並びにホスト及びドーパントの分子構造の一部の組成を含むがこれらに限定されない組成のうちの少なくとも１つであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントは、昇華温度、フォトルミネセンス、又はそれらの実質的な不在、及び分子量を含むがこれらに限定されない少なくとも１つの他の材料特性において類似性を呈し得る。
堆積コントラスト
いくつかの非限定的な例では、ホストは、実質的に高い堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ホストよりも高い堆積コントラストを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、ホストは、ドーパントよりも高い堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に高い堆積コントラストを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ホストの堆積コントラストと少なくとも同じ大きさの堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に低い堆積コントラストを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントが実質的に低い堆積コントラストを呈する場合、パターニング被膜１３０中のホストの濃度は、その中のドーパントの濃度を実質的に上回ってもよい。
表面エネルギー
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーは、ドーパントの特性表面エネルギーを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１５～２３ダイン／ｃｍ、及び約１８～２２ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの特性表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、約６～２２ダイン／ｃｍ、約８～２０ダイン／ｃｍ、約１０～１８ダイン／ｃｍ、及び約１０～１５ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの特性表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーとドーパントの特性表面エネルギーとの間の差の絶対値は、約１～１３．５ダイン／ｃｍ、約２～１２ダイン／ｃｍ、約３～１１ダイン／ｃｍ、及び約５～１０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーは、約１６～２２ダイン／ｃｍであってもよく、一方、ドーパントの特性表面エネルギーは、約１０～１５ダイン／ｃｍであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーとドーパントの特性表面エネルギーとの間の差の絶対値は、少なくとも３ダイン／ｃｍであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの特性表面エネルギーとドーパントの特性表面エネルギーとの間の差の絶対値は、約３～８ダイン／ｃｍ、及び約３～５ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つであり得る。
融点
いくつかの非限定的な例では、ホストの融点は、ドーパントの融点を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの両方は、少なくとも約８０℃、約１００℃、約１１０℃、約１２０℃、及び約１３０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、少なくとも約１３０℃、約１５０℃、約２００℃、及び約２５０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１００～３５０℃、約１３０～３２０℃、約１５０～３００℃、及び約１８０～２８０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、約１５０℃以下、約１４０℃以下、約１３０℃以下、約１２０℃以下、及び約１１０℃以下のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、約５０～１５０℃、約８０～１５０℃、約６５～１３０℃、及び約８０～１１０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの融点とドーパントの融点との間の差の絶対値は、約１０～２００℃、約２０～２００℃、約５０～１８０℃、約８０～１５０℃、及び約１００～１２０℃のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１５０～３００℃、約１８０～２８０℃、約２００～２６０℃、及び約２２０～２５０℃のうちの少なくとも１つの融点を有し得、ドーパントは、約１００～１５０℃、約１００～１３０℃、及び約１００～１２０℃のうちの少なくとも１つの融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの融点とドーパントの融点との間の差の絶対値は、約５０～１２０℃、約７０～１００℃、及び約８０～１００℃のうちの少なくとも１つであってもよい。
蒸発温度
いくつかの非限定的な例では、ホストの蒸発温度とドーパントの蒸発温度との間の差の絶対値は、約５℃以下、約１０℃以下、約１５℃以下、約２０℃以下、約３０℃以下、約４０℃以下、及び約５０℃以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの両方は、約１００～３５０℃の蒸発温度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントは、別々の蒸発源及び単一の蒸発源のうちの少なくとも１つからホスト及びドーパントを共蒸発させることが可能であり得るように、実質的に類似している蒸発温度を有し得る。
光学間隙又はバンド間隙
いくつかの非限定的な例では、ホストは、実質的に大きな光学間隙を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ホストは、少なくとも約３．４ｅＶ、約３．５ｅＶ、約４．１ｅＶ、約５ｅＶ、及び約６．２ｅＶのうちの少なくとも１つの光学間隙を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、光学間隙は、ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙に対応してもよい。
吸収及び他の光学効果
いくつかの非限定的な例では、ホストは、少なくとも可視スペクトル周辺、ＮＩＲスペクトル周辺、約３６５ｎｍ、及び約４６０ｎｍのうちの少なくとも１つの波長範囲において実質的に吸収を呈しなくてもよい。
重量
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１，２００～６，０００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００～５，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００～５，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約２，３００～４，３００ｇ／ｍｏｌ、及び約２，５００～４，０００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つの分子量を有する化合物であってもよい。
組成
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、ケージ構造、環状構造、及び有機－無機ハイブリッド構造のうちの少なくとも１つを含む分子を含み得る。そのような化合物の非限定的な例としては、ＰＯＳＳ誘導体及びシクロホスファゼン誘導体が挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、ケージ構造、環状構造、及び有機－無機ハイブリッド構造のうちの少なくとも１つを含む分子構造を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含み得、ドーパントは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含み得る。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの両方がＦを含み得る。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの両方がＳｉを含み得る。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストはＰＯＳＳであってもよく、ドーパントはシクロホスファゼンであってもよい。
いくつかの非限定的な例では、フッ素化度は、中に含まれるＦ原子に起因する化合物の分子量の割合によって測定され得る。いくつかの非限定的な例では、ホストは、化合物の分子量の百分率により、２５～７５％、２５～７０％、３０～７０％、３５～５０％、３５～４５％、及び３５～４０％のうちの少なくとも１つの割合でＦを含み得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、化合物の分子量の百分率により、２５～７５％、２５～７０％、３０～７０％、５０～７０％、５５～７０％、及び６０～７０％のうちの少なくとも１つの割合でＦを含み得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ドーパントの化合物の分子量の百分率によるＦの割合がホストのものを上回り得るように選択され得る。非限定的な例として、ホストは、化合物の分子量の百分率により約３５～４５％の割合でＦを含み得、ドーパントは、化合物の分子量の百分率により約６０～７０％の割合でＦを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの分子構造は、約０．７～２．５、約０．７～２、約０．８～１．８５、約０．７～１．３、及び約０．７５～１．１のうちの少なくとも１つの商Ｆ／Ｃに対応する原子比でＦ及びＣを含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｆ対Ｃの原子比は、化合物構造中に存在するＦ原子の全てを計数し、Ｃ原子については、化合物構造中に存在するｓｐ３混成Ｃ原子のみを計数することによって決定することができる。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、実質的に少数のｓｐ２混成Ｃ原子を含有し得る。非限定的な例として、ホストは、ｓｐ２混成Ｃ原子を、化合物の分子量の百分率により、約１０％以下、約８％以下、約５％以下、約３％以下、約２％以下、及び約１％以下のうちの少なくとも１つの割合で含有し得る。いくつかの非限定的な例では、ホストは、ｓｐ２混成Ｃ原子を、化合物に含まれるＣ原子の総数の百分率により、約１５％以下、約１３％以下、約１０％以下、約８％以下、約５％以下、約３％以下、約２％以下、及び約１％以下のうちの少なくとも１つの割合で含有し得る。いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、ｓｐ２混成Ｃ原子の割合が実質的に低いホストは、以下のうちの少なくとも１つに起因して、ｓｐ２混成Ｃ原子の割合が実質的に高い類似の化合物と比較して、少なくともいくつかのシナリオでは用途を有し得ると仮定することができる：実質的に高い堆積コントラスト、パターニング層が結晶化を受ける傾向が実質的に低いこと、及びパターニング層が凝集破壊又は層間剥離を受ける傾向が実質的に低いこと。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方が、６以下、４以下、３以下、２以下、及び１以下のうちの少なくとも１つである連続フッ素化炭素鎖を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、オリゴマーであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストはＳｉを含み得る。いくつかの非限定的な例では、ホストは、Ｓｉ及びＯを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストのＳｉ原子の実質的に全ては、ホストのシロキサン部分及びシルセスキオキサン部分のうちの少なくとも１つの一部を形成してもよい。いかなる特定の理論によっても限定されることを望むものではないが、反応性ケイ素部位を実質的に欠いているホストは、実質的に高い融点及び実質的に高い堆積コントラストのうちの少なくとも１つを必要とするシナリオでは適用性を有し得ると仮定することができる。いくつかの非限定的な例では、反応性Ｓｉ部位を含有する材料は、いくつかの非限定的な例では、シラン部分、トリクロロシラン部分、及びアルコキシシラン部分のうちの少なくとも１つの形態であってもよく、そのような反応性Ｓｉ部位の存在に起因して、実質的に低い融点、実質的に低い堆積コントラスト、及び堆積材料５３１に対する実質的に高い初期付着確率のうちの少なくとも１つを呈する傾向があり得ることが見出されている。反応性Ｓｉ部位の他の非限定的な例としては、ＳｉがＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩのうちの少なくとも１つに結合しているものが挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、完全に凝縮されたシルセスキオキサン部分を含んでもよく、すなわち、ホストの分子構造は、任意の凝縮されていない又は部分的に凝縮されたシロキサン及び／又はＳｉ－Ｏ部分を実質的に欠いていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストはモノマーを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストのモノマーは、ＰＯＳＳ及びＰＯＳＳ誘導体化合物の少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、Ｓｉを含むモノマー骨格単位を含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＰＯＳＳ誘導体化合物は、Ｆを含む官能基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、オリゴマーであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストは第１のオリゴマーを含み得、ドーパントは第２のオリゴマーを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、ブロックオリゴマーを含むがこれに限定されないオリゴマーを含むがこれに限定されない非ポリマー材料であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストの官能基モノマー単位は、ＣＨ２及びＣＦ２のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、ホストの官能基は、ＣＨ２ＣＦ３部分を含み得る。非限定的な例として、かかる官能基モノマー単位は、一緒に結合して、アルキル又はフルオロアルキルオリゴマー単位のうちの少なくとも１つを形成することができる。いくつかの非限定的な例では、ホストのモノマー単位は、官能基末端単位を更に含み得る。いくつかの非限定的な例では、ホストの官能基末端単位は、モノマー単位の末端に配置され、その官能基モノマー単位に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、ホストの官能基末端単位が配置され得る末端は、モノマー骨格単位に対して遠位であり得る官能基の一部に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、ホストの官能基末端単位は、ＣＦ３及びＣＨ２ＣＦ３のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの各官能基は、式（ＸＩ）によって表される化合物を含むがこれに限定されない、単一フッ素化炭素部分だけを含み得る。いくつかの非限定的な例では、ホストの官能基の単一フッ素化炭素部分は、ＣＦ３部分を含むがこれに限定されない末端部分に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストの官能基は、いずれのｓｐ２混成Ｃ原子も実質的に欠き得、すなわち、ホストの官能基は、ｓｐ２混成Ｃ原子が必要とする二重結合及び／又は芳香族炭化水素部分を実質的に欠いていてもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストの官能基に含まれるいずれのＣ原子も、ｓｐ３混成Ｃ原子であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、中に任意の芳香族構造を実質的に欠いていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントはモノマーを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントのモノマーは、Ｆを含む官能基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントの官能基モノマー単位は、ＣＨ２及びＣＦ２のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントの官能基は、ＣＦ２ＣＦ３、及びＣＦ２ＣＦ３部分のうちの少なくとも１つを含み得る。非限定的な例として、かかる官能基モノマー単位は、一緒に結合して、アルキル又はフルオロアルキルオリゴマー単位のうちの少なくとも１つを形成することができる。いくつかの非限定的な例では、ドーパントのモノマー単位は、官能基末端単位を更に含み得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントの官能基末端単位は、モノマー単位の末端に配置され、その官能基モノマー単位に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントの官能基末端単位が配置され得る末端は、モノマー骨格単位に対して遠位であり得る官能基の一部に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントの官能基末端単位は、ＣＦ２ＣＦ３及びＣＦ２ＣＦ３のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、リン（Ｐ）及び窒素（Ｎ）を含み得、シクロホスファゼン（そのモノマー骨格単位の一部として含むがこれに限定されない）、及びシクロホスファゼン誘導体化合物のうちの少なくとも１つを含むがこれに限定されない、ＰとＮとの間に二重結合が存在し、「ＮＰ」又は「Ｎ＝Ｐ」として表され得るホスファゼンを含むがこれに限定されない。いくつかの非限定的な例では、シクロホスファゼン誘導体化合物は、Ｆを含む官能基を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、Ｆを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ホストよりも高いフッ素化度を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ブロックオリゴマーを含むがこれに限定されないオリゴマーを含むがこれに限定されない非ポリマー材料であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０中のドーパントの濃度は、約４０％以下、約３０％以下、約２５％以下、約２０％以下、約１５％以下、約１０％以下、及び約５％以下のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない約５０％以下であり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０中のドーパントの濃度は、パターニング被膜１３０がホストとドーパントとの亜共晶混合物であり得るように、混合物の共融点に対応する濃度以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０中のドーパントの濃度は、少なくとも約１％、約３％、約５％、約７％、及び約１０％のうちの少なくとも１つであり得る。いかなる特定の理論によっても限定されることを望むものではないが、約５～３０％、約５～２０％、及び約５～１５％のうちの少なくとも１つのドーパント濃度は、ホストとドーパントとの混合物によって形成されたパターニング被膜１３０の少なくとも１つの特性を向上させることを必要とする少なくともいくつかのシナリオでは、適用性を有し得ると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、金属配位錯体及び有機金属構造のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、金属元素を実質的に欠いている分子構造を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ホストは、その中に金属元素を実質的に欠いている分子構造を有してもよい。
そのようなパターニング被膜１３０のホスト－ドーパントの組み合わせの非限定的な例としては、ＥＭ－８であるホスト、及びＥＭ－４、ＥＭ－１０、ＥＭ－１１、ＥＭ－１２、ＥＭ－１３、及びＥＭ－１４のうちの少なくとも１つから選択されるドーパントが挙げられる。
金属フッ化物ドーパント
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、Ｆと、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類金属のうちの少なくとも１つとを含む、フッ化セシウム、フッ化リチウム、フッ化カリウム、フッ化ルビジウム、フッ化ナトリウム、フッ化ベリリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、フッ化スカンジウム、フッ化ネオジム、フッ化イッテルビウム、フッ化イットリウム、フッ化エルビウム、フッ化ランタン、フッ化サマリウム、フッ化テルビウム、及びフッ化ツリウムを含むがこれらに限定されない金属フッ化物であってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム及びフッ化イッテルビウムのうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、フッ化リチウム（lithium fluoride、ＬｉＦ）を含み得る。
そのようなパターニング被膜１３０のホストの非限定的な例としては、ＥＭ－４、ＥＭ－８、ＥＭ－１０、ＥＭ－１１、ＥＭ－１２、ＥＭ－１３、及びＥＭ－１４が挙げられる。
表面エネルギー及び融点
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１６～２０ダイン／ｃｍの特性表面エネルギー及び約１５０～３００℃の融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、少なくとも約８ダイン／ｃｍであるが、約３～８ダイン／ｃｍ、及び約３～５ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない少なくとも３ダイン／ｃｍだけ、ホストの特性表面エネルギーより低い特性表面エネルギーと、少なくとも約１００℃であるが、約５０～１２０℃、約７０～１１０℃、及び約８０～１００℃のうちの少なくとも１つだけ、ホストの融点より低い融点と、を有し得る。
堆積コントラスト、表面エネルギー及び凝集エネルギー
ここで、いくつかの非限定的な例では、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、及び約１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない比較的低い特性表面エネルギーを有する特定のパターニング材料４１１によって形成されたパターニング被膜１３０は、実質的に高い堆積コントラストを呈し得る、隣接層に対して実質的に低い凝集エネルギー及び／又は接着エネルギーも呈し得ることが見出されている。そのようなパターニング材料４１１によって達成され得る実質的に高い堆積コントラストは、いくつかのシナリオでは適用性を有し得る、一方、実質的に低い凝集エネルギー及び／又は接着エネルギーは、デバイスの故障を引き起こし、信頼性の問題を導入する可能性を有するので、いくつかのシナリオでは、適用性を低下させた場合がある。
いくつかの非限定的な例では、約１５～２５ダイン／ｃｍ、約１６～２２ダイン／ｃｍ、及び約１７～２０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない特性表面エネルギーを有する特定のパターニング材料４１１によって形成されたパターニング被膜１３０は、いくつかのシナリオでは適用性を有し得る堆積コントラストを呈し得、一方、ＣＰＬなどの隣接層に対して実質的に高い凝集エネルギー及び／又は接着エネルギーも呈し得ることも見出されている。これらの層間の実質的に高い凝集エネルギー及び／又は接着は、いくつかのシナリオでは適用性を有し得、一方、そのようなパターニング材料４１１によって達成可能なパターニングコントラストは、実質的に低い特性表面エネルギーを有するパターニング材料４１１によって達成可能なパターニングコントラストと比較して実質的に低くなり得、したがって、そのような材料が使用され得るいくつかのシナリオでは、それらの適用性を低下させる可能性がある。
ここで、少し驚くべきことに、いくつかの非限定的な例では、実質的に低い堆積コントラストを有するホストを、実質的に高い堆積コントラストを有するドーパントと混合又はドープすることによって形成されたパターニング被膜１３０は、いくつかの非限定的な例では、第２の材料自体と実質的に少なくとも同じ大きさの堆積コントラストを呈し得、一方、第１の材料自体によって呈されるものと実質的に同様の程度の凝集エネルギー及び／又は接着エネルギーを隣接層に対して呈することが見出されている。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、実質的に高い特性表面エネルギーを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に低い特性表面エネルギーを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、ホストは、実質的に少なくともドーパントと同じ大きさである特性表面エネルギーを呈し得る。
実施例
実質的に低い度合の類似性を有するホスト及びドーパントを含むがこれらに限定されない複数の材料を含むパターニング被膜１３０の性能を、単一のパターニング材料４１１を含むパターニング被膜１３０の性能と比較するために、以下の実験を行った。
いくつかの非限定的な例ではＨＴＬ材料であり得る有機材料の約２０ｎｍ厚の層を真空中で堆積させ、続いてその上に、様々な組成を有するパターニング被膜１３０を堆積させることによって、一連の試料を作製した。
次いで、各試料について、それによって形成されたパターニング被膜１３０の露出層表面１１を、約１５ｎｍの基準厚さが達成されるまで、約１Å／ｓの平均堆積速度で、Ａｇを含む堆積材料５３１のオープンマスク堆積に供した。試料が作製されると、ＥＭ透過率の測定を行って、パターニング被膜１３０の露出層表面１１上に堆積されたＡｇの相対量を決定した。
上述したように、ＥＭ透過率の低下は、概して、パターニング被膜１３０上に凝縮された堆積材料の量と正に相関する。
各試料をＡｇの蒸気フラックスに供した後の４６０ｎｍの波長での透過率の低下を測定し、表面をＡｇ蒸気フラックスに曝露する前に各パターニング被膜から測定した臨界表面張力と共に表８にまとめた。
表８の各試料の透過率低下（％）は、Ａｇの蒸気フラックスへの曝露の前後に試料を通るＥＭ透過率を測定し、透過率の低下をパーセンテージとして表すことによって決定した。
実質的にＥＭ－８のみを含む試料は９．７％の透過率低下を呈したが、一方、ＥＭ－８と比較してより高い堆積コントラストを呈するドーパントでＥＭ－８をドープすることによってパターニング被膜１３０が形成された他の試料は、実質的により低い透過率低下を呈するそのようなパターニング層をもたらしたことが理解され得る。例えば、ＥＭ－１１：ＥＭ－８（体積比１：９）、ＥＭ－１２：ＥＭ－８（体積比１：１９）、ＥＭ－１３：ＥＭ－８（体積比１：１９）、ＥＭ－１３：ＥＭ－８（体積比１：９）、及びＥＭ－４：ＥＭ－８（体積比１：９）によって形成されたパターニング層は、各々、ＥＭ－８のみを含むパターニング被膜１３０と比較して実質的に低い透過率低下を呈し、これらのドーパントが比較的少量であっても、堆積コントラストを実質的に改善し得ることを示唆した。
対照的に、ＥＭ－１４は、パターニング被膜１３０として単独で堆積された場合、又は様々な濃度のＥＭ－１１でドープされた場合、実質的に低い堆積コントラストを呈することが見出された。上記に基づいて、少なくともいくつかのシナリオでは、ホストとしてＥＭ－１４を使用するための適用性が低減され得ることが観察され得る。
Ｙｂ、Ｍｇ、Ｃｕ、及びＭｇＡｇ（体積比１：９～９：１）を含むがこれらに限定されない堆積材料５３１としてＡｇ以外の金属材料を使用して同様の実験を行ったところ、これらの各々は、同様に、高い堆積コントラスト及び低い初期付着確率のうちの少なくとも１つを呈した。
結晶化／凝集の制約を満たしながらパターニングコントラストを向上させる
ここで、少し驚くべきことに、実質的に低い堆積コントラストを有するホストを、実質的に高い堆積コントラストを有するドーパントと混合及び／又はドープすることによって形成されたパターニング被膜１３０は、いくつかの非限定的な例では、単独で使用された場合のドーパントの堆積コントラストに匹敵し得る堆積コントラストを呈し得、一方、単独で使用された場合のホストのものと実質的に同様の程度の凝集エネルギー及び／又は接着エネルギーも隣接層に対して呈することが見出されている。
パターニング被膜が結晶化を受ける傾向を評価するために、厚さ約２０ｎｍのＬｉｑ層を真空中で堆積させ、続いてその上に、様々な組成を有するパターニング被膜１３０を堆積させることによって、一連の試料を作製した。同じ構造を有する追加の試料を作製し、有機材料及びＬｉＦの追加の層をパターニング被膜１３０の露出層表面１１上に堆積させて、ＣＰＬとして機能させた。次いで、試料を１００℃で２４０時間焼成し、視覚的に、及びＥＭ透過率測定を使用することによって分析し、パターニング被膜１３０が焼成中に結晶化したかどうかを判定した。結晶化の徴候をほとんど又は全く示さない試料を、結晶化試験に合格したと識別し、結晶化の徴候を示す試料を、結晶化試験に不合格であったと識別した。
パターニング被膜１３０が層間剥離又は凝集破壊を受ける傾向を評価するために、一連の試料を作製して、その剥離及び／又は層間剥離時の破損点を決定した。具体的には、各試料は、ガラス基板１０上に、パターニング被膜１３０として機能する例示的な各材料の約５０ｎｍ厚の層、続いてＣＰＬを堆積させる際に一般的に使用される有機材料の約５０ｎｍ厚の層を堆積させることによって作製された。次いで、各試料のＣＰＬの露出層表面１１に接着テープを適用した。接着テープを剥がして各試料の層間剥離を生じさせ、剥がした接着テープ及び層間剥離した試料を分析して、どの層（又は、その下地層との界面）で破壊が生じたかを決定した。パターニング層内で、又はパターニング層と隣接層との間の界面で破壊が生じた試料は、層間剥離試験に不合格であると識別され、ＣＰＬ内で破壊（すなわち、ＣＰＬ内の凝集破壊）が生じた試料は、層間剥離試験に合格したと識別された。
表９は、結晶化試験及び層間剥離試験の結果をまとめる。
表８及び９の結果から分かるように、ＥＭ－８を含むホストにドーパントを混合することによって形成されたパターニング被膜１３０は、ホストの結晶化特性及び剥離特性を保持しながら、その堆積コントラストを向上させたことが観察された。具体的には、パターニング層がＥＭ－８によって形成された試料、並びにＥＭ－１１：ＥＭ－８（体積比１：９）、ＥＭ－１２：ＥＭ－８（体積比１：１９）、ＥＭ－１２：ＥＭ－８（体積比１：９）、ＥＭ－１３：ＥＭ－８（体積比１：１９）、及びＥＭ－１３：ＥＭ－８（体積比１：９）のうちの少なくとも１つによって形成された試料は、結晶化試験及び層間剥離試験の両方に合格したことが分かった。
対照的に、ＥＭ－１４によって形成されたパターニング被膜１３０は、結晶化試験に合格したが、パターニング被膜１３０における凝集破壊が原因で、層間剥離試験に不合格であったことが分かった。ＥＭ－１１をＥＭ－１４内にドープすることによって形成されたパターニング被膜１３０もまた、結晶化試験に合格したが、層間剥離試験に不合格であったことが分かった。表８及び表９の結果に基づいて、ＥＭ－１４は、実質的に高い堆積コントラスト及び高い凝集強度を必要とする少なくともいくつかのシナリオについて、ホスト材料としての適用性を低下させ得たことが観察された。
いくつかの非限定的な例ではＨＴＬ材料であり得る有機材料の約２０ｎｍ厚の層を真空中で堆積させ、続いてその上に、様々な組成を有するパターニング被膜１３０を堆積させることによって、一連の試料を作製した。次いで、各試料について、それによって形成されたパターニング被膜１３０の露出層表面１１を、約１５ｎｍの基準厚さが達成されるまで、約１Å／ｓの平均堆積速度で、Ａｇを含む堆積材料５３１のオープンマスク堆積に供した。試料が作製されると、ＥＭ透過率の測定を行って、パターニング被膜１３０の露出層表面１１上に堆積されたＡｇの相対量を決定した。上述したように、透過率の低下は、概して、パターニング被膜１３０上に凝縮された堆積材料５３１の量と正に相関する。
パターニング被膜１３０が結晶化を受ける傾向を評価するために、同じパターニング被膜１３０組成物を有する別の一連の試料を作製した。厚さ約２０ｎｍのＬｉｑ層を真空中で堆積させ、続いてその上に、様々な組成を有するパターニング被膜１３０を堆積させることによって、これらの試料を作製した。同じ構造を有する追加の試料を作製し、有機材料及びＬｉＦの追加の層をパターニング被膜表面上に堆積させて、ＣＰＬとして機能させた。次いで、試料を１００℃で２４０時間焼成し、視覚的に、及びＥＭ透過率測定を使用することによって分析し、パターニング被膜１３０が焼成中に結晶化したかどうかを判定した。結晶化の徴候をほとんど又は全く示さない試料を、結晶化試験に合格したと識別し、結晶化の徴候を示す試料を、結晶化試験に不合格であったと識別した。
各試料をＡｇの蒸気フラックスに供した後の４６０ｎｍの波長での透過率の低下を測定し、結晶化試験の結果と共に表１０にまとめた。
実質的にＥＭ－１１のみを含む試料は、１．４％の透過率低下を呈したが、結晶化試験にも不合格であり、したがって、そのような材料自体は、パターニング被膜１３０が結晶化する傾向の低下を必要とするシナリオでは、適用性を低下させた場合があることが理解され得る。ＥＭ－１１を含むホスト内へのＬｉＦのドーピングは、より高い透過率低下をもたらしたが、そのようなパターニング被膜１３０が結晶化を受ける傾向も実質的に低減した。非限定的な例として、ＥＭ－１１中の約５％のＬｉＦという実質的に低いドーパント濃度であっても、パターニング被膜１３０の結晶化特性は、透過率低下のわずかな増加で改善されることが見出された。
Ｙｂ、Ｍｇ、Ｃｕ、及びＭｇＡｇ（体積比１：９～９：１）を含むがこれらに限定されない堆積材料５３１としてＡｇ以外の金属材料を使用して同様の実験を行ったところ、これらの各々は、同様に、高い堆積コントラスト及び低い初期付着確率のうちの少なくとも１つを呈した。
上記の表には示されていないが、ホストとしてＥＭ－１１の代わりにＥＭ－３を使用したことを除いて、表８、表９、及び表１０の結果を得るために使用したものと同様の構造を有する試料も作製し、試験した。ドーパントについては、ＥＭ－１１をドーパントとして様々な濃度で使用した。結果に基づくと、ホスト単独よりも高い堆積コントラストを呈するドーパントの混合は、ホストとしてＥＭ－３、及びドーパントとしてＥＭ－１１を含有する、結果として生じるパターニング層の堆積コントラストを有意に向上させるようには見えなかった。
カテゴリー３：ドーパントがフォトルミネセンス応答を呈する
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントは、少なくとも１つの実質的に同様の材料特性、及び／又は少なくとも１つの実質的に異なる材料特性のうちの少なくとも１つによって特徴付けられ得、材料特性は、初期付着確率、透過率、堆積コントラスト、表面エネルギー、融点、昇華温度、凝集エネルギー、光学間隙、屈折率、吸光係数、吸収又は他の光学効果、平均層厚、分子量、及び組成を含んでもよいがこれらに限定されない。
堆積コントラスト
いくつかの非限定的な例では、ホストは、実質的に高い堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に高い堆積コントラストを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、実質的に低い堆積コントラストを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ＮＰＣとして機能し得る。
表面エネルギー
いくつかの非限定的な例では、ホストの表面エネルギーは、約２５ダイン／ｃｍ以下、約２１ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、及び１３ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストのモノマー骨格単位は、少なくとも約２５ダイン／ｃｍ、約３０ダイン／ｃｍ、約４０ダイン／ｃｍ、約５０ダイン／ｃｍ、約７５ダイン／ｃｍ、約１００ダイン／ｃｍ、約１５０ダイン／ｃｍ、約２００ダイン／ｃｍ、約２５０ダイン／ｃｍ、約５００ダイン／ｃｍ、約１，０００ダイン／ｃｍ、約１，５００ダイン／ｃｍ、及び約２，０００ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの表面張力を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストのモノマーの少なくとも１つの官能基は、低い表面張力を有し得る。いくつかの非限定的な例では、モノマーの少なくとも１つの官能基は、約２５ダイン／ｃｍ以下、約２１ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、約１１ダイン／ｃｍ以下、及び約１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つの表面張力を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ホストよりも高い特性表面エネルギーを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ホストの特性表面エネルギーよりも、少なくとも約５ダイン／ｃｍ、約１０ダイン／ｃｍ、約１５ダイン／ｃｍ、約２０ダイン／ｃｍ、約３０ダイン／ｃｍ、及び約５０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つだけ大きい特性表面エネルギーを呈し得る。いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、少なくとも約２５ダイン／ｃｍ、約３０ダイン／ｃｍ、約３５ダイン／ｃｍ、約４０ダイン／ｃｍ、及び約５０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つである特性表面エネルギーを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に高い表面エネルギーを有するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されない材料は、光学技術を使用してそのような材料の膜を検出するためのいくつかのシナリオでは、適用性を有し得る。
熱特性
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、同様の熱特性を呈する複数の材料を含んでもよく、材料のうちの少なくとも１つは、フォトルミネセンスを呈する。
融点
いくつかの非限定的な例では、ホストは、少なくとも約１３０℃、約１５０℃、約２００℃、及び約２５０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ホストは、約１００～３５０℃、約１３０～３２０℃、約１５０～３００℃、及び約１８０～２８０℃のうちの少なくとも１つである融点を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの融点の差の絶対値を含むがこれに限定されないパターニング被膜１３０の複数の材料の融点の差は、約５℃以下、約１０℃以下、約１５℃以下、約２０℃以下、約３０℃以下、約４０℃以下、及び約５０℃以下のうちの少なくとも１つであってもよい。
昇華温度
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの昇華温度の差の絶対値を含むがこれに限定されないパターニング被膜１３０の複数の材料の昇華温度の差は、約５℃以下、約１０℃以下、約１５℃以下、約２０℃以下、約３０℃以下、約４０℃以下、及び約５０℃以下のうちの少なくとも１つであってもよい。
光学間隙又はバンド間隙
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは第１の光学間隙を有してもよく、ホストは第２の光学間隙を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の光学間隙は、少なくとも第１の光学間隙であってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の光学間隙と第２の光学間隙との間の差の絶対値は、少なくとも約０．３ｅＶ、約０．５ｅＶ、約０．７ｅＶ、約１ｅＶ、約１．３ｅＶ、約１．５ｅＶ、約１．７ｅＶ、約２ｅＶ、約２．５ｅＶ、及び約３ｅＶうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の光学間隙は、約４．１ｅＶ以下、約３．５ｅＶ以下、及び約３．４ｅＶ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の光学間隙は、少なくとも約３．４ｅＶ、約３．５ｅＶ、約４．１ｅＶ、約５ｅＶ、及び約６．２ｅＶのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の光学間隙及び第２の光学間隙のうちの少なくとも一方は、ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ間隙に対応してもよい。
フォトルミネセンス
いくつかの非限定的な例では、ドーパントは、ＵＶスペクトル及び可視スペクトルのうちの少なくとも１つに対応する波長でフォトルミネセンスを呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、可視スペクトルに対応する任意の波長を含むがこれに限定されない波長でフォトルミネセンスを実質的に呈しなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、ホストは、約３００ｎｍ、約３２０ｎｍ、約３５０ｎｍ、及び約３６５ｎｍのうちの少なくとも１つの波長、又はそれらよりも長い波長を有するＥＭ放射線に供されたときに、フォトルミネセンスを実質的に呈しなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストは、そのようなＥＭ放射線に供されたときにわずかな、及び／又は実質的に検出可能な吸収を呈しない場合がある。
いくつかの非限定的な例では、ホストの光学間隙は、ホストが、そのような放射線に供されたときに光励起を受けないように、ＥＭ源によって放射されるＥＭ放射線の光子エネルギーを上回り得る。しかしながら、ホスト及びドーパントを含むパターニング被膜１３０は、それにもかかわらず、そのような放射線に供されると、発光を呈するドーパントに起因して、フォトルミネセンスを呈し得る。このようにして、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の存在は、パターニング被膜１３０の堆積時の、並びに／又はその側方及び長手方向の範囲を確認するための蛍光顕微鏡法を含むがこれに限定されない日常的な特徴付け技術を使用して、容易に検出及び／若しくは観察することができる。
屈折率
いくつかの非限定的な例では、約４６０ｎｍ及び約５００ｎｍのうちの少なくとも１つの波長におけるホストの屈折率は、約１．５以下、約１．４５以下、約１．４４以下、約１．４３以下、約１．４２以下、及び約１．４１以下のうちの少なくとも１つであり得る。
重量
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントを含むがこれらに限定されないパターニング被膜１３０の複数の材料の各々の分子量は、少なくとも約７５０ｇ／ｍｏｌ、約１，０００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，５００ｇ／ｍｏｌ、及び約３，０００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントを含むがこれらに限定されないパターニング被膜の複数の材料の各々の分子量は、約５，０００ｇ／ｍｏｌ以下であってもよい。
組成
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０中のドーパントの、非限定的な例として、重量による濃度は、ホストのものよりも低くてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、ドーパントの少なくとも約０．１重量％、約０．２重量％、約０．５重量％、約０．８重量％、約１重量％、約３重量％、約５重量％、約８重量％、約１０重量％、約１５重量％、及び約２０重量％のうちの少なくとも１つを含有し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、ドーパントの約５０重量％以下、約４０重量％以下、約３０重量％以下、約２５重量％以下、約２０重量％以下、約１５重量％以下、約１０重量％以下、約８重量％以下、約５重量％以下、約３重量％以下、又は約１重量％以下のうちの少なくとも１つを含有し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の残りは、実質的にホストを含み得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、フォトルミネセンス応答を呈するドーパントは、そのようなドーパントをホストに混合することによって形成されたパターニング被膜１３０によって呈される堆積コントラストを低減する傾向があり得る高表面エネルギー部分を含む傾向があり得ると仮定することができる。したがって、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、ドーパントの約５重量％以下、約３重量％以下、約２重量％以下、約１重量％以下、約０．５重量％以下、及び約０．１重量％以下のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホスト及び／又はドーパントを含み得るパターニング被膜１３０の材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ原子及びＳｉ原子のうちの少なくとも一方を含み得る。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含み得る。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの両方がＦを含み得る。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの両方がＳｉを含み得る。いくつかの非限定的な例では、ホスト及びドーパントの各々は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０のホスト及びドーパントのうちの少なくとも一方は、オリゴマーであってもよい。いくつかの非限定的な例では、ホストは第１のオリゴマーを含み得、ドーパントは第２のオリゴマーを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーの各々は、複数のモノマーを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ホストは実質的に第１のオリゴマーを含み得、ドーパントは実質的に第２のオリゴマーを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、ホスト及びドーパントの両方とは異なる第３の材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第３の材料は、第３のオリゴマーを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第３の材料は、実質的に第３のオリゴマーを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー、第２のオリゴマー、及び第３のオリゴマーの各々は、少なくとも１つの共通のモノマーを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーは、少なくとも１つの共通のモノマーを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーは、少なくとも１つの共通のモノマー骨格単位を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーの分子構造のうちの少なくとも１つの少なくとも一部は、式（Ｉ）によって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーの各々は、独立して式（Ｉ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、官能基を含み得る。いくつかの非限定的な例において、モノマーの少なくとも１つの官能基は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含み得る。そのような官能基の非限定的な例としては、フルオロカーボン基及びシロキサン基が挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＦ２基及びＣＦ２Ｈ基のうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、ＣＦ２基及びＣＦ３基のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、モノマーは、Ｃ及びＯのうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つの分子構造は、複数の異なるモノマーを含んでもよく、すなわち、そのような分子構造は、式（ＩＩＩ）及び式（ＩＶ）のうちの少なくとも１つによって表されるものを含むがこれらに限定されない、異なる分子組成及び分子構造のうちの少なくとも１つを有するモノマー種を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、モノマーは、式（Ｖ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、モノマー骨格単位は、Ｐ及びＮのうちの少なくとも１つを含み得る。そのようなモノマー骨格単位の非限定的な例は、ホスファゼンである。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び／又は第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、式（ＶＩ）によって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つは、シクロホスファゼンである。いくつかの非限定的な例において、シクロホスファゼンの分子構造は、式（ＶＩ）によって表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び／又は第２のオリゴマーのうちの少なくとも１つの分子構造の少なくとも一部は、式（ＶＩＩ）によって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマーの分子構造は、式（ＶＩＩ）によって表され得、式中、ｎは４であり、四量体である。いくつかの非限定的な例では、第２のオリゴマーの分子構造は、式（ＶＩＩ）によって表され得、式中、ｎは３であり、三量体である。いくつかの非限定的な例では、式（ＶＩＩ）による分子構造は、シクロホスファゼンである。
いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーのフルオロアルキル基Ｒｆは同じである。いくつかの非限定的な例では、式（ＶＩＩ）中のフルオロアルキル基Ｒｆは、式（ＶＩＩＩ）によって表すことができる。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーを表す分子式は、同じｑの値、及び異なるｎの値を有する。いくつかの非限定的な例では、第１のオリゴマー及び第２のオリゴマーを表す分子式は、同じｎの値、及び異なるｑの値を有する。
ホスト及びドーパントに関していくつかの非限定的な例が本明細書に記載されているが、パターニング被膜１３０は、少なくとも１つの追加の材料を更に含み得ることが理解されよう。いくつかの非限定的な例では、ホスト、ドーパント、第１のオリゴマー、及び第２のオリゴマーの分子構造及び任意の他の特性のうちの少なくとも１つの説明は、パターニング被膜１３０の少なくとも１つのそのような追加の材料に適用可能であり得る。
熱特性、フォトルミネセンス及び／又は組成
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、同様の熱特性を呈する複数の材料を含んでもよく、材料のうちの少なくとも１つは、フォトルミネセンスを呈する。いくつかの非限定的な例では、そのような材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、同様の熱特性を呈する複数の材料を含み得、材料の少なくとも１つは、約３６５ｎｍの励起波長を有するＥＭ放射線によって励起されたときに少なくとも約３６５ｎｍである波長でフォトルミネセンスを呈し、材料の少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含んでもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、少なくとも１つの共通元素及び少なくとも１つの共通の部分構造のうちの少なくとも１つを有する複数の材料を含むことができ、材料のうちの少なくとも１つは、約３６５ｎｍの励起波長を有するＥＭ放射線によって呈されるとき、少なくとも約３６５ｎｍである波長でフォトルミネセンスを呈する。いくつかの非限定的な例では、そのような材料のうちの少なくとも１つは、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの共通元素は、Ｆ及びＳｉのうちの少なくとも一方を含み得るがこれに限定されない。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの共通の部分構造は、フルオロカーボン及び／又はシロキシルのうちの少なくとも１つを含んでもよい。
実施例
特定の例示的なパターニング被膜１３０の特性を評価するために、ＨＴＬ材料として使用され得る有機材料の約２０ｎｍ厚の層を真空中で堆積させ、続いて、表１１に要約されるような様々な組成を有するパターニング被膜１３０を有機材料層の上に堆積させることによって、一連の試料を作製した。
本実施例では、ＥＭ－１０は、薄膜として堆積されたとき、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない堆積材料５３１の堆積に対して低い初期付着確率を呈し得るように選択された。
本実施例では、ＰＬ材料１及びＰＬ材料２は、薄膜として堆積されたときに、それらの各々が、蛍光顕微鏡法を含むがこれに限定されない標準的な光学測定技術によって検出可能なフォトルミネセンスを明示し得るように選択された。
表１１では、試料１１は、ＥＭ－１０のみを含む比較試料であり、試料１４及び試料１５は、それぞれＰＬ材料１及びＰＬ材料２のみを含む比較試料であり、試料１６は、パターニング被膜１３０が有機材料の層の上に堆積されなかった比較試料である。試料１２及び試料１３は、パターニング被膜１３０が、ホストとしてのＥＭ－１０をそれぞれＰＬ材料１及びＰＬ材料２と共堆積させて、ＰＬ材料がドーパントとして０．５体積％の濃度で存在する被膜を形成することによって形成された例示的な試料である。
試料１１、試料１２、試料１３、及び試料１６の各々のフォトルミネセンス応答を測定し、図２に示すようにプロットした。試料１１のフォトルミネセンス強度は、試料１６のそれと同一であることが観察され、ＥＭ－１０は、検出された波長範囲においてフォトルミネセンスを呈しないことを示唆した。解説を簡略にするために、かつ、この結果を考慮して、試料１６のフォトルミネセンス強度は図２に示されていない。試料１２及び試料１３の各々について、フォトルミネセンスは、約５００～６００ｎｍの波長において検出された。
次いで、試料１１～試料１６の各々を、表１３に記載の対応する材料から形成されたこれらの試料のパターニング被膜１３０の表面を、約１ｎｍの基準厚さに達するまでＹｂの蒸気フラックスに表面を曝露することによりＹｂのオープンマスク堆積に供することによって、Ｙｂ、続いてＡｇを含む堆積材料５３１のオープンマスク堆積に供し、続いて、約１２ｎｍの基準厚さに達するまでＡｇの蒸気フラックスに表面を曝露することによって、Ａｇのオープンマスク堆積に供した。
試料が作製されると、光透過率測定を行って、パターニング被膜１３０の表面上に堆積されたＹｂ及びＡｇのうちの少なくとも１つの形態の堆積材料５３１の相対量を決定した。
当業者であれば、Ｙｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれらに限定されない、堆積材料５３１が比較的少ない及び／又は存在しない試料は、実質的に透明であり得るが、一方、閉鎖被膜１５０を含むがこれに限定されない実質的な量の金属／合金が堆積された試料は、いくつかの非限定的な例では、実質的に低減された透過率を呈し得ることを理解するであろう。したがって、パターニング被膜１３０としての様々な例示的な被膜の相対的な性能は、試料を通る透過率を測定することによって評価することができ、この透過率は、閉鎖被膜１５０として形成された場合を含むがこれに限定されない金属薄膜がＥＭ放射線の高い吸収度を呈し得るので、その上に堆積されているＹｂ、Ａｇ、Ｍｇ、及びＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質のうちの少なくとも１つの形態を含むがこれらに限定されない金属／合金を含むがこれに限定されない、堆積材料５３１の量及び／又は平均層厚に正に相関し得る。
上記で開示したように各試料を調製した後、約４６０ｎｍの波長における透過率低下（％）を測定し、表１２にまとめた。
表１２に記載の各試料の透過率低下（％）は、Ｙｂ、続いてＡｇの形態の堆積材料５３１の蒸気フラックスに曝露する前後に試料を通る透過率を測定し、透過率の低下を百分率として表すことによって決定された。
試料１１（３１０）、試料１２（３２０）、試料１３（３３０）、試料１４（３４０）、試料１５（３５０）、及び試料１６（３６０）の各々の波長の関数としての透過率低下（％）を測定し、図３に示すようにプロットした。
試料１１、試料１２、及び試料１３は各々、比較的低い透過率低下を呈した。したがって、これらの試料に適用されたパターニング被膜１３０は、実質的に高い堆積コントラストを呈する傾向があると推測され得る。
これに対して、試料１４、試料１５、及び試料１６は各々、５０％に近い実質的な透過率低下を呈した。したがって、これらの試料に適用されたパターニング被膜１３０は、ＮＩＣとして機能しない傾向があると推測され得る。いくつかの非限定的な例では、これらの試料に適用されたパターニング被膜１３０は、ＮＰＣとして機能することを含むがこれに限定されない、実質的に低い堆積コントラストを呈する傾向があったことが推測され得る。
追加的に、試料１１、試料１２、及び試料１３の各々を、Ｙｂ、続いてＡｇの形態の堆積材料５３１の蒸気フラックスに曝露した後のフォトルミネセンス応答について評価した。パターニング被膜１３０が実質的にＥＭ－１０のみを含む試料１１は、実質的なフォトルミネセンス応答を呈しないことが発見された。しかしながら、試料１２及び試料１３の両方が、実質的なフォトルミネセンス応答を呈することが分かった。
したがって、いくつかの非限定的な例では、ＮＩＣとして機能する傾向があるが、いかなる実質的なフォトルミネセンス応答も呈しないホストと、ＮＩＣとして機能する傾向がないが、実質的なフォトルミネセンス応答を呈するドーパントとを含むパターニング被膜１３０を提供することで、実質的なフォトルミネセンス応答と同時にＮＩＣとして機能する傾向を、両方提供し得ると結論することができる。
カテゴリー４：ドーパントが不均一性を形成してＮＰを創出する
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、使用されるパターニング材料４１１及び／又は堆積環境に起因して、堆積材料５３１がその上に少なくとも１つのＮＰを形成するための少なくとも１つの核形成部位を含むがこれに限定されないものを有する及び／又は提供するために、シード又は不均一性として機能し得る別の材料でドープされ、被覆され及び／又は補完されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、かかる他の材料は、非限定的な例として、金属元素、又は非金属元素、例えば、非限定的に、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つを含む材料を含んでもよく、それらの存在は、別様には、ソース材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境内の微量の汚染物質となり得る。
したがって、いくつかの非限定的な例では、元素材料を含むがこれに限定されないそのような他の材料は、ドーパントであると考えられ得、それがドーピングされたパターニング被膜１３０は、ホストであると考えられ得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる他の材料は、その閉鎖被膜１５０を形成することを回避するために、単層の小部分である層厚で堆積され得る。むしろ、そのような他の材料の堆積は、堆積材料５３１のための別個の核形成部位を形成するように、側面に離隔される傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる他の材料又はドーパントはＮＰＣ７２０を含み得る。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１上に少なくとも１つのＮＰを形成するための少なくとも１つの核形成部位の形成を容易にするためのシード又は不均一性として機能し得る材料として本カテゴリーに入るドーパントは、前述のカテゴリーのうちの１つに等しく入り得ることを理解するであろう。
堆積層
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の側方範囲が第１の部分１０１に制限される場合、デバイス１００の側方面の第２の部分１０２において、堆積材料５３１を含む堆積層１４０は、下地層の露出層表面１１上に閉鎖被膜１５０として配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０の平均層厚は、少なくとも約２ｎｍ、約５ｎｍ、約８ｎｍ、約１０ｎｍ、約１５ｎｍ、約２０ｎｍ、約３０ｎｍ、約４０ｎｍ、約５０ｎｍ、約６０ｎｍ、約７０ｎｍ、約８０ｎｍ、約９０ｎｍ、及び約１００ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、堆積材料５３１を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、下地層と同じであってもよく、及び／又は下地層と少なくとも１つの共通金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｎ、及びＹのうちの少なくとも１つから選択される元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、及びＭｇのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、及びＡｕのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＣｕであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｌであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、及びＹｂのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、及びＬｉのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、及びＹｂのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ及びＡｇのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｇであり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、純金属であってもよく、及び／又は純金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、純Ａｇ及び実質的に純Ａｇのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＡｇは、少なくとも約９５％、９９％、９９．９％、９９．９９％、９９．９９９％、及び９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、純Ｍｇ及び実質的に純Ｍｇのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、９９％、９９．９％、９９．９９％、９９．９９９％、及び９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、及びＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、ＡｇＭｇ含有合金は、体積で約１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲であり得る合金組成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、Ａｇの代わりに、及び／又はＡｇと組み合わせて、他の金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、Ａｇと少なくとも１つの他の金属との合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、Ａｇと、Ｍｇ及びＹｂのうちの少なくとも１つとの合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる合金は、約５～９５体積％のＡｇの組成を有し、残りが他の金属である二元合金であり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、Ａｇ及びＭｇを含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、体積で約１：１０～１０：１の組成を有するＡｇ：Ｍｇ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、Ａｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、体積で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、Ｍｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、Ａｇ、Ｍｇ、及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０はＡｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、少なくとも１つの追加の元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は非金属元素であり得る。いくつかの非限定的な例では、非金属元素は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は、ソース材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境におけるかかる追加の元素の存在に起因して、汚染物質として堆積層１４０に組み込まれ得ることが、当業者によって理解されよう。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素の濃度は、閾値濃度未満であるように制限され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は、堆積層１４０の他の元素と共に化合物を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１中の非金属元素の濃度は、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、その中のＯ及びＣの合計量が、約１０％以下、約５％以下、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下のうちの少なくとも１つであり得る組成を有することができる。
ここで、特に堆積層１４０が実質的に金属及び／又は金属合金から構成され得る場合に、堆積層１４０中の特定の非金属元素の濃度を低減することにより、堆積層１４０の選択的堆積が容易となり得ることが、少し驚くべきことに見出されている。いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、非限定的な例として、Ｏ及びＣのうちの少なくとも１つなどの特定の非金属元素は、堆積層１４０の蒸気フラックス５３２中、及び／又は堆積チャンバ中、及び／又は環境中に存在するとき、パターニング被膜１３０の表面上に堆積されて、堆積層１４０の金属元素のための核形成部位として機能し得ると仮定され得る。核形成部位として機能し得るかかる非金属元素の濃度を低減することは、パターニング被膜１３０の露出層表面１１上に堆積される堆積材料５３１の量を低減することを容易にし得ると仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の露出層表面１１上に堆積される堆積材料５３１は、いくつかの非限定的な例では、概して少なくとも１つの粒子構造１６０による、又はいくつかの非限定的な例では、可視スペクトル、及び／又は特定の色に対応するが、これに限定されないものを含む、そのサブ範囲及び／又は波長を含むがこれに限定されない、ＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲における、ＥＭ放射線の吸収を促進及び／又は増加させるために選択された誘電率特性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、堆積材料５３１の複数の層を含み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の層のうちの第１の層の堆積材料５３１は、複数の層のうちの第２の層の堆積材料５３１とは異なり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、多層被膜を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる多層被膜は、Ｙｂ／Ａｇ、Ｙｂ／Ｍｇ、Ｙｂ／Ｍｇ：Ａｇ、Ｙｂ／Ｙｂ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ／Ｍｇ、及びＹｂ／Ｍｇ／Ａｇのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、約３００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約２００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１６５ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１５０ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約５０ｋＪ／ｍｏｌ以下、及び約２０ｋＪ／ｍｏｌ以下のうちの少なくとも１つの結合解離エネルギーを有する金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、約１．４以下、約１．３以下、及び約１．２以下のうちの少なくとも１つである電気陰性度を有する金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０のシート抵抗は、概して、デバイス１００の他の構成要素、層、及び／又は部分から分離して測定又は決定された堆積層１４０のシート抵抗に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、薄膜として形成され得る。したがって、いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０の特徴的なシート抵抗は、かかる薄膜の組成、厚さ、かつ／若しくは形態に基づいて決定及び／又は計算され得る。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗は、約１０Ω／□以下、約５Ω／□以下、約１Ω／□以下、約０．５Ω／□以下、約０．２Ω／□以下、及び約０．１Ω／□以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、堆積層１４０の閉鎖被膜１５０を実質的に欠いている少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配設され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの領域は、堆積層１４０をその複数の個別の断片に分離し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０の各個別の断片は、別個の第２の部分１０２であり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０の複数の個別の断片は、その側方面において互いに物理的に離隔され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０のかかる複数の個別の断片のうちの少なくとも２つは、電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０のかかる複数の個別の断片のうちの少なくとも２つは、それらの間の電流の流れを可能にするために、下地層を非限定的に含む共通の導電層又は被膜と各電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０のかかる複数の個別の断片のうちの少なくとも２つは、互いに電気的に絶縁され得る。
パターニング被膜を用いた選択的堆積
図４は、下地層の露出層表面１１の第１の部分１０１上にパターニング被膜１３０を選択的に堆積させるための、チャンバ４１０内の、概して４００で示される蒸着堆積プロセスの非限定的な例を解説する例示的な概略図である。
プロセス４００では、ある量のパターニング材料４１１を真空下で加熱して、パターニング材料４１１を蒸発及び／又は昇華させることができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、全体的に、かつ／又は実質的に、パターニング被膜１３０を形成するために使用される材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる材料は有機材料を含み得る。
パターニング材料４１１の蒸気フラックス４１２は、矢印４１によって指し示される方向を含めて、露出層表面１１に向かってチャンバ４１０を通して流れ得る。蒸気フラックス４１２が下地表面の露出層表面１１に入射すると、その上にパターニング被膜１３０が形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、プロセス４００の図に示すように、パターニング被膜１３０は、蒸気フラックス４１２と下地表面の露出層表面１１との間に、いくつかの非限定的な例ではＦＭＭであり得るシャドウマスク４１５を介在させることによって、露出層表面１１の一部、解説される例では下地表面の第１の部分１０１、のみに選択的に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、かかるシャドウマスク４１５は、いくつかの非限定的な例では、約数十ミクロン以下の形状サイズを有する比較的小さい形状を形成するために使用され得る。
シャドウマスク４１５は、蒸気フラックス４１２の一部が開口４１６を通過し、露出層表面１１に入射してパターニング被膜１３０を形成し得るように、中を通して延在する少なくとも１つの開口４１６を有してもよい。蒸気フラックス４１２が開口４１６を通過せずにシャドウマスク４１５の表面４１７に入射する場合、露出層表面１１上に配設されてパターニング被膜１３０を形成することが妨げられる。いくつかの非限定的な例では、シャドウマスク４１５は、開口４１６を通って通過する蒸気フラックス４１２が第１の部分１０１に入射し得るが、第２の部分１０２には入射し得ないように構成され得る。したがって、下地層の露出層表面１１の第２の部分１０２は、パターニング被膜１３０を実質的に欠く場合がある。いくつかの非限定的な例（図示せず）では、シャドウマスク４１５上に入射するパターニング材料４１１は、その表面４１７上に堆積され得る。
したがって、パターニング被膜１３０の堆積が完了すると、パターニングされた表面が生成され得る。
図５は、図４の蒸発プロセス４００によるものを含むがこれに限定されない、第１の部分１０１上に選択的に堆積されたパターニング被膜１３０を実質的に欠いている下地層の露出層表面１１の第２の部分１０２上に堆積層１４０の閉鎖被膜１５０を選択的に堆積するための、チャンバ４１０内の５００ａで概して示される蒸発プロセスの結果の非限定的な例を解説する例示的な概略図である。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、いくつかの非限定的な例では少なくとも１つの金属を含む堆積材料５３１を含み得る。典型的には、有機材料の気化温度は、堆積材料５３１として採用され得るような金属の気化温度に比べて低いことが、当業者によって理解されよう。
したがって、いくつかの非限定的な例では、かかるシャドウマスク４１５を使用して堆積層１４０を直接パターニングすることと比較して、パターニング被膜１３０をあるパターンで選択的に堆積させるためにシャドウマスク４１５を用いる際、より少ない制約が存在し得る。
パターニング被膜１３０が下地表面の露出層表面１１の第１の部分１０１上に堆積されると、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０が、パターニング被膜１３０を実質的に欠く下地層の露出層表面１１の第２の部分１０２上に堆積層１４０として堆積され得る。
プロセス５００ａでは、ある量の堆積材料５３１を真空下で加熱して、堆積材料５３１を蒸発及び／又は昇華させることができる。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、堆積層１４０を形成するために使用される材料を完全に、かつ／又は実質的に含み得る。
堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２は、第１の部分１０１及び第２の部分１０２の露出層表面１１に向かって、矢印５１によって指し示される方向を含む、チャンバ４１０の内側に向けられ得る。蒸気フラックス５３２が露出層表面１１の第２の部分１０２に入射すると、その上に堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０が堆積層１４０として形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１の堆積は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して実行されてもよい。
シャドウマスク４１５とは対照的に、オープンマスクの形状サイズは、製造されるデバイス１００のサイズにほぼ匹敵し得ることが、当業者によって理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、オープンマスクの使用が省略され得ることが、当業者によって理解されよう。いくつかの非限定的な例では、本明細書で説明されるオープンマスク堆積プロセスは、代替的に、ターゲット露出層表面１１全体が露出され得るように、オープンマスクを使用せずに行われてもよい。
実際、図５に示されるように、蒸気フラックス５３２は、第１の部分１０１にわたるパターニング被膜１３０の露出層表面１１と、パターニング被膜１３０を実質的に欠く第２の部分１０２にわたる下地層の露出層表面１１との両方に入射し得る。
第１の部分１０１におけるパターニング被膜１３０の露出層表面１１は、第２の部分１０２における下地層の露出層表面１１に対して、堆積材料５３１の堆積に対して比較的低い初期付着確率を呈し得るので、堆積層１４０は、実質的にパターニング被膜１３０を欠く第２の部分１０２における下地層の露出層表面１１上にのみ実質的に選択的に堆積され得る。対照的に、第１の部分１０１にわたってパターニング被膜１３０の露出層表面１１に入射する蒸気フラックス５３２は、（５３３に示すように）堆積されない傾向があり得、第１の部分１０１にわたってパターニング被膜１３０の露出層表面１１は、堆積層１４０の閉鎖被膜１５０を実質的に欠き得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２における下地層の露出層表面１１上の蒸気フラックス５３２の初期堆積速度は、第１の部分１０１におけるパターニング被膜１３０の露出層表面１１上の蒸気フラックス５３２の初期堆積速度の約２００倍、約５５０倍、約９００倍、約１，０００倍、約１，５００倍、約１，９００倍、及び約２，０００倍のうちの少なくとも１つを上回ってもよい。
したがって、シャドウマスク４１５及びオープンマスクを使用する図４におけるパターン二ング被膜１３０の選択的堆積及び／又は堆積材料５３１のマスクフリー堆積の組み合わせは、図５に示されるデバイス１００のバージョン５００ａをもたらし得る。
第１の部分１０１にわたるパターニング被膜１３０の選択的堆積の後、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０は、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、堆積層１４０としてデバイス１００の上に堆積され得るが、パターニング被膜１３０が実質的にない第２の部分１０２内にのみ実質的に残り得る。
パターニング被膜１３０は、第１の部分１０１内で、第２の部分１０２内のデバイス１００の下地層の露出層表面１１の、堆積材料５３１の堆積に対する、実質的に初期付着確率以下である、堆積材料５３１の堆積に対する、比較的低い初期付着確率を有する露出層表面１１を提供し得る。
したがって、第１の部分１０１は、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０を実質的に欠き得る。
本開示は、シャドウマスク４１５を伴う堆積プロセスによるパターニング被膜１３０のパターニングされた堆積を企図しているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、これが、限定ではないが、マイクロコンタクト印刷プロセスを含む、任意の好適な堆積プロセスによって達成され得ることを理解するであろう。
本開示は、パターニング被膜１３０がＮＩＣであることを企図しているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０がＮＰＣ７２０であり得ることを理解するであろう。かかる例では、ＮＰＣ７２０が堆積された部分（例えば、非限定的に、第１の部分１０１）は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０を有してもよく、一方、他の部分（例えば、非限定的に、第２の部分１０２）は、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０を実質的に欠き得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０及びその後に堆積される堆積層１４０の平均層厚は、限定されないが、所与の用途及び所与の性能特質を含む、様々なパラメータに従って変化し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の平均層厚は、その後に堆積される堆積層１４０の平均層厚と同等であってもよく、かつ／又は実質的にそれ以下であり得る。堆積層１４０の選択的パターニングを達成するために比較的薄いパターニング被膜１３０を使用することは、可撓性のデバイス１００を提供するために好適であり得る。いくつかの非限定的な例では、比較的薄いパターニング被膜１３０は、バリア被膜又は他の薄膜封止（thin film encapsulation、ＴＦＥ）層２３５０（図２３Ｂ）が堆積され得る比較的平坦な表面を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、かかるバリア被膜２０５０の適用のためにかかる比較的平坦な表面を提供することにより、かかる表面へのその接着を増加させることができる。
縁部効果
パターニング被膜遷移領域
図６Ａに目を向けると、図１のデバイス１００のバージョン６００ａを示すことができ、第１の部分１０１のパターニング被膜１３０と第２の部分１０２の堆積層１４０との間の界面を誇張した形態で示すことができる。図６Ｂは、デバイス６００ａを平面で示し得る。
図６Ｂでより分かり得るように、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内のパターニング被膜１３０は、第２の部分１０２内の堆積層１４０によって全ての側部で取り囲まれてもよく、それにより、第１の部分１０１は、各側方軸に沿った側方面におけるパターニング被膜１３０の更なる程度又は縁部６１５によって画定される境界を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、側方面におけるパターニング被膜縁部６１５は、かかる面における第１の部分１０１の外周によって画定されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１は、側方面では、少なくとも１つのパターニング被膜遷移領域１０１ｔを含んでもよく、パターニング被膜１３０の厚さは、最大厚さから減少した厚さに遷移してもよい。かかる遷移を呈しない第１の部分１０１の程度は、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎとして識別され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおいて実質的な閉鎖被膜１５０を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔは、側方面において、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎとパターニング被膜縁部６１５との間に延在することができる。
いくつかの非限定的な例では、平面で、パターニング被膜遷移領域１０１ｔは、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎを取り囲み、かつ／又はその外周に沿って延在することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの側方軸に沿って、パターニング被膜非遷移部１０１ｎは、第１の部分１０１の全体を占有してもよく、それにより、パターニング被膜遷移領域１０１ｔは、それと第２の部分１０２との間に存在しない。
図６Ａに解説するように、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、約１～１００ｎｍ、約２～５０ｎｍ、約３～３０ｎｍ、約４～２０ｎｍ、約５～１５ｎｍ、約５～１０ｎｍ、又は約１～１０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲内であり得る、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおける平均膜厚ｄ２を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおけるパターニング被膜１３０の平均膜厚ｄ２は、それにわたって実質的に同じ又は一定であり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の平均層厚ｄ２は、パターニング被膜非遷移部１０１ｎ内で、パターニング被膜１３０の平均膜厚ｄ２の約９５％又は約９０％のうちの少なくとも１つ内に残留し得る。
いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ２は、約１～１００ｎｍであり得る。いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ２は、約８０ｎｍ以下、約６０ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約４０ｎｍ以下、約３０ｎｍ以下、約２０ｎｍ以下、約１５ｎｍ以下、又は約１０ｎｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の平均膜厚ｄ２は、約３ｎｍ、約５ｎｍ、又は約８ｎｍのうちの少なくとも１つを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおけるパターニング被膜１３０の平均膜厚ｄ２は、約１０ｎｍ以下であり得る。いかなる特定の理論にも束縛されることを望まないが、少し驚くべきことに、ゼロではなく、約１０ｎｍ以下であるパターニング被膜１３０の平均膜厚ｄ２は、少なくともいくつかの非限定的な例では、１０ｎｍより大きい第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおける平均膜厚ｄ２を有するパターニング被膜１３０に対して、非限定的な例として、堆積層１４０の高められたパターニングコントラストを達成するための特定の利点を提供し得ることが見出されている。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔ内で最大から最小まで減少するパターニング被膜厚を有し得る。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第１の部分１０１のパターニング被膜遷移領域１０１ｔとパターニング被膜非遷移部１０１ｎとの間の境界にあり、かつ／又はそれに近接してもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、パターニング被膜縁部６１５にあり、及び／又はそれに近接してもよい。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおける平均膜厚ｄ２であり得る。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎにおける平均膜厚ｄ２の約９５％以下又は約９０％以下のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲内であり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔにおけるパターニング被膜厚のプロファイルは、傾斜してもよく、及び／又は勾配に従ってもよい。いくつかの非限定的な例では、かかるプロファイルはテーパ状であり得る。いくつかの非限定的な例では、テーパは、線形、非線形、放物線形、及び／又は指数関数的減衰プロファイルに従ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔ内の下地層を完全に被覆し得る。いくつかの非限定的な例では、下地層の少なくとも一部は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔ内のパターニング被膜１３０によって被覆されていないままであり得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部及び／又はパターニング被膜非遷移領域１０１ｎの少なくとも一部に実質的な閉鎖被膜１５０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部及び／又はパターニング被膜非遷移部１０１ｎの少なくとも一部に不連続層１７０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内のパターニング被膜１３０の少なくとも一部は、堆積層１４０の閉鎖被膜１５０を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１の露出層表面１１の少なくとも一部は、堆積層１４０又は堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０を実質的に欠き得る。
いくつかの非限定的な例では、限定されないがＸ軸を含む少なくとも１つの側方軸に沿って、パターニング被膜非遷移部１０１ｎは、ｗ１の幅を有してもよく、パターニング被膜遷移領域１０１ｔは、ｗ２の幅を有し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜非遷移部１０１ｎは、いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ２に幅ｗ１を乗算することによって近似され得る断面積を有し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔは、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔにわたる平均膜厚に幅ｗ１を乗算することによって近似され得る断面積を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ｗ１は、ｗ２を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、商ｗ１／ｗ２は、少なくとも約５、約１０、約２０、約５０、約１００、約５００、約１，０００、約１，５００、約５，０００、約１０，０００、約５０，０００、又は約１００，０００のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２のうちの少なくとも１つは、下地表面の平均膜厚ｄ１を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２のうちの少なくとも１つは、ｄ２を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２の両方が、ｄ２を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ１及びｗ２は両方ともｄ１を上回ってもよく、ｄ１はｄ２を上回ってもよい。
堆積層遷移領域
図６Ｂでより良く見られるように、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内のパターニング被膜１３０は、第２の部分１０２が、各側方軸に沿った側方面における堆積層１４０の更なる範囲又は縁部６３５によって画定される境界を有するように、第２の部分１０２内の堆積層１４０によって取り囲まれ得る。いくつかの非限定的な例では、側方面における堆積層縁部６３５は、かかる面における第２の部分１０２の外周によって画定され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２は、側方面において、少なくとも１つの堆積層遷移領域１０２ｔを含むことができ、堆積層１４０の厚さは、最大厚さから減少した厚さに遷移し得る。かかる遷移を示さない第２の部分１０２の範囲は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎとして識別され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎに実質的な閉鎖被膜１５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、平面で、堆積層遷移領域１０２ｔは、側方面において、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎと堆積層縁部６３５との間に延在し得る。
いくつかの非限定的な例では、平面で、堆積層遷移領域１０２ｔは、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎを取り囲み、及び／又はその外周に沿って延在し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの側方軸に沿って、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎは、それと第１の部分１０１との間に堆積層遷移領域１０２ｔが存在しないように、第２の部分１０２の全体を占有し得る。
図６Ａに解説するように、いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、約１～５００ｎｍ、約５～２００ｎｍ、約５～４０ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、又は約１０～１００ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲内であり得る、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎにおける平均膜厚ｄ３を有し得る。いくつかの非限定的な例では、ｄ３は、約１０ｎｍ、５０ｎｍ、又は１００ｎｍのうちの少なくとも１つを上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｔにおける堆積層１４０の平均膜厚ｄ３は、全体にわたって実質的に同じであるか又は一定であり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｄ３は、下地表面の平均膜厚ｄ１を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ１は、少なくとも約１．５、約２、５、１０約、約２０、約５０、又は約１００のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ１は、約０．１～１０又は約０．２～４０のうちの少なくとも１つの範囲内であり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｄ３は、パターニング被膜１３０の平均膜厚ｄ２を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ２は、少なくとも約１．５、約２、５、１０約、約２０、約５０、又は約１００のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、商ｄ３／ｄ２は、約０．２～１０又は約０．５～４０のうちの少なくとも１つの範囲内であり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｄ３はｄ２を上回ってもよく、ｄ２はｄ１を上回ってもよい。いくつかの他の非限定的な例では、ｄ３はｄ１を上回ってもよく、ｄ１はｄ２を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｄ２／ｄ１は、約０．２～３、又は約０．１～５のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、Ｘ軸を含むがこれに限定されない少なくとも１つの側方軸に沿って、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎは、ｗ３の幅を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎは、いくつかの非限定的な例では、平均膜厚ｄ３に幅ｗ３を乗算することによって近似されてもよい断面積を有してもよい。
いくつかの非限定的な例では、ｗ３は、パターニング被膜非遷移部１０１ｎの幅ｗ１を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、ｗ１は、ｗ３を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｗ１／ｗ３は、約０．１～１０、約０．２～５、０．３～３、又は約０．４～２のうちの少なくとも１つの範囲内であり得る。いくつかの非限定的な例では、商ｗ３／ｗ１は、少なくとも約１、約２、約３、又は約４のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、ｗ３は、堆積層１４０の平均膜厚ｄ３を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、商ｗ３／ｄ３は、少なくとも約１０、約５０、約１００、又は約５００のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、商ｗ３／ｄ３は、約１００，０００以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、堆積層遷移領域１０２ｔ内で最大から最小まで減少する厚さを有し得る。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第２の部分１０２の堆積層遷移領域１０２ｔと堆積層非遷移部１０２ｎとの間の境界にあり、かつ／又はそれに近接してもよい。いくつかの非限定的な例では、最小値は、堆積層縁部６３５にあり、かつ／又はそれに近接してもよい。いくつかの非限定的な例では、最大値は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎにおける平均膜厚ｄ３であり得る。いくつかの非限定的な例では、最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲内であり得る。いくつかの非限定的な例では、最小値は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎにおける平均膜厚ｄ３であり得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層遷移領域１０２ｔ内の厚さのプロファイルは、傾斜してもよく、かつ／又は勾配に従ってもよい。いくつかの非限定的な例では、かかるプロファイルはテーパ状であり得る。いくつかの非限定的な例では、テーパは、線形、非線形、放物線形、及び／又は指数関数的減衰プロファイルに従ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の図６Ｅの例示的バージョン６００ｅにおける非限定的な例として示されるように、堆積層１４０は、堆積層遷移領域１０２ｔにおいて下地層を完全に被覆し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部に実質的な閉鎖被膜１５０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、下地層の少なくとも一部は、堆積層遷移領域１０２ｔにおいて堆積層１４０によって被覆されていなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部に不連続層１７０を含み得る。
当業者は、明示的に解説されていないが、パターニング材料４１１が、堆積層１４０と下地層との間の界面にある程度まで存在し得ることを理解するであろう。かかる材料は、堆積されたパターンがマスクのパターンと同一ではないシャドウイング効果の結果として堆積されることがあり、いくつかの非限定的な例では、ターゲット露出層表面１１のマスクされた部上に堆積されているいくつかの蒸発したパターニング材料４１１をもたらし得る。非限定的な例として、かかる材料は、粒子構造１６０として、かつ／又は実質的にパターニング被膜１３０の平均厚さ以下であり得る厚さを有するは薄膜として形成され得る。
重なり
いくつかの非限定的な例では、堆積層縁部６３５は、側方面において、第１の部分１０１と第２の部分１０２との間で重なりが生じないように、側方面において、第１の部分１０１のパターニング被膜遷移領域１０１ｔから離隔させることができる。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１の少なくとも一部及び第２の部分１０２の少なくとも一部は、側方面において重なってもよい。かかる重なりは、非限定的な例として図６Ａに示し得るような重なり部分６０３によって識別することができ、この場合、第２の部分１０２の少なくとも一部が第１の部分１０１の少なくとも一部と重なる。
いくつかの非限定的な例では、図６Ｆに非限定的な例として示されるように、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部の上に配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部は、堆積層１４０及び／又は堆積材料５３１を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部の露出層表面１１上に不連続層１７０を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、図６Ｇに非限定的な例として示されるように、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部は、第１の部分１０１のパターニング被膜非遷移部１０１ｎの少なくとも一部の上に配設され得る。
示されていないが、いくつかの非限定的な例では、重なり部分６０３は、第１の部分１０１の少なくとも一部が第２の部分１０２の少なくとも一部に重なるシナリオを反映し得ることを、当業者は理解されよう。
したがって、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部は、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部の上に配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部は、パターニング被膜１３０及び／又はパターニング材料４１１を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１は、堆積層遷移領域１０２ｔの少なくとも一部の露出層表面上に不連続層１７０を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜遷移領域１０１ｔの少なくとも一部は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎの少なくとも一部の上に配設されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜縁部６１５は、側方面において、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎから離隔されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、第２の部分１０２の堆積層非遷移部１０２ｎ及び堆積層遷移領域１０２ｔの両方にわたる単一のモノリシック被膜として形成されてもよい。
パターニング被膜及び堆積層の縁部効果
図７Ａ～図７Ｉは、堆積層１４０との堆積界面におけるパターニング被膜１３０の様々な可能な挙動を説明する。
図７Ａに目を向けると、パターニング被膜堆積境界におけるデバイス１００の例示的バージョン７００の一部の第１の例が示され得る。デバイス７００は、露出層表面１１を有する基板１０を含み得る。パターニング被膜１３０は、下地表面の露出層表面１１の第１の部分１０１の上に堆積され得る。堆積層１４０は、下地層の露出層表面１１の第２の部分１０２の上に堆積され得る。図示のように、非限定的な例として、第１の部分１０１及び第２の部分１０２は、露出層表面１１の別個の重ならない部分であり得る。
堆積層１４０は、第１の部分１４０１及び第２の部分１４０２を含み得る。図示のように、非限定的な例として、堆積層１４０の第１の部分１４０１は、第２の部分１０２を実質的に被覆し得、堆積層１４０の第２の部分１４０２は、パターニング被膜１３０の第１の部分の上に部分的に突出し、かつ／又は重なり得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、その露出層表面１１が堆積材料５３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を呈するように形成され得るので、堆積層１４０の突出した及び／又は重なる第２の部分１４０２とパターニング被膜１３０の露出層表面１１との間に間隙７２９が形成され得る。その結果、第２の部分１４０２は、パターニング被膜１３０と物理的に接触していなくてもよいが、断面において間隙７２９によってそこから離隔されていてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０の第１の部分１４０１は、第１の部分１０１と第２の部分１０２との間の界面及び／又は境界においてパターニング被膜１３０と物理的に接触していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０の突出した及び／又は重なる第２の部分１４０２は、堆積層１４０の第１の部分１４０１の平均層厚ｄａと同等の程度だけパターニング被膜１３０の上に側方に延在することができる。非限定的な例として、図示のように、第２の部分１４０２の幅ｗｂは、第１の部分１４０１の平均層厚ｄａと同等であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１４０２の幅ｗｂと第１の部分１４０１の平均層厚ｄａとの比は、約１：１～１：３、約１：１～１：１．５、又は約１：１～１：２のうちの少なくとも１つの範囲内であり得る。平均層厚ｄａは、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１４０１にわたって比較的均一であり得るが、いくつかの非限定的な例では、第２の部分１４０２が突出し得る、かつ／又はパターニング被膜１３０と重なり得る程度（すなわち、ｗｂ）は、露出層表面１１の異なる部分にわたってある程度まで変動し得る。
ここで図７Ｂに目を向けると、堆積層１４０は、第２の部分１４０２とパターニング被膜１３０との間に配設された第３の部分１４０３を含むように示され得る。図示のように、堆積層１４０の第２の部分１４０２は、堆積層１４０の第３の部分１４０３の上に側方に延在しており、そこから長手軸方向に離隔されてもよく、第３の部分１４０３は、パターニング被膜１３０の露出層表面１１と物理的に接触してもよい。堆積層１４０の第３の部分１４０３の平均層厚ｄｃは、その第１の部分１４０１の平均層厚ｄａ以下であってもよく、いくつかの非限定的な例では、実質的にそれより小さくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１４０３の幅ｗｃは、第２の部分１４０２の幅ｗｂを上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１４０３は、第２の部分１４０２よりも大きい程度までパターニング被膜１３０に重なるように側方に延在することができる。いくつかの非限定的な例では、第３の部分１４０３の幅ｗｃと第１の部分１４０１の平均層厚ｄａとの比は、約１：２～３：１、又は約１：１．２～２．５：１のうちの少なくとも１つの範囲内であり得る。平均層厚ｄａは、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１４０１にわたって比較的均一であり得るが、いくつかの非限定的な例では、第３の部分１４０３が突出し得る、かつ／又はパターニング被膜１３０と重なり得る程度（すなわち、ｗｃ）は、露出層表面１１の異なる部分にわたってある程度まで変動し得る。
いくつかの非限定的な例では、第３の部分１４０３の平均層厚ｄｃは、第１の部分１４０１の平均層厚ｄａの約５％を上回らなくてもよい。非限定的な例として、ｄｃは、ｄａの約４％以下、約３％以下、約２％以下、約１％以下、又は約０．５％以下のうちの少なくとも１つであり得る。示されるように、第３の部分１４０３が薄膜として形成される代わりに、かつ／又はそれに加えて、堆積層１４０の堆積材料５３１は、パターニング被膜１３０の一部の上に粒子構造１６０（図示せず）として形成され得る。非限定的な例として、かかる粒子構造１６０は、それらが連続層を形成しないように、互いに物理的に分離された特徴を含み得る。
ここで図７Ｃに目を向けると、ＮＰＣ７２０が、基板１０と堆積層１４０との間に配設され得る。ＮＰＣ７２０は、堆積層１４０の第１の部分１４０１と下地層の露出層表面１１の第２の部分１０２との間に配置され得る。ＮＰＣ７２０は、パターニング被膜１３０が堆積された第１の部分１０１上ではなく、第２の部分１０２上に配設されているように解説されている。ＮＰＣ７２０は、ＮＰＣ７２０と堆積層１４０との間の界面及び／又は境界において、ＮＰＣ７２０の表面が堆積材料５３１の堆積に抗する比較的高い初期付着確率を呈し得るように形成されてもよい。したがって、ＮＰＣ７２０が存在することにより、堆積中に堆積層１４０の形成及び／又は成長を促進することができる。
ここで図７Ｄに目を向けると、ＮＰＣ７２０は、基板１０の第１の部分１０１及び第２の部分１０２の両方の上に配設され得、下地層は、第１の部分１０１上に配設されたＮＰＣ７２０の一部を被覆し得る。ＮＰＣ７２０の別の部分は、下地層及びパターニング被膜１３０を実質的に欠いていてもよく、堆積層１４０は、ＮＰＣ７２０のかかる部分を被覆していてもよい。
ここで図７Ｅに目を向けると、堆積層１４０は、基板１０の第３の部分７０３においてパターニング被膜１３０の一部と部分的に重なるように示され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の部分１４０１及び第２の部分１４０２に加えて、堆積層１４０は、第４の部分１４０４を更に含み得る。図示のように、堆積層１４０の第４の部分１４０４は、堆積層１４０の第１の部分１４０１と第２の部分１４０２との間に配設することができ、第４の部分１４０４は、パターニング被膜１３０の露出層表面１１と物理的に接触することができる。いくつかの非限定的な例では、第３の部分７０３における重なりは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセス中の堆積層１４０の側方成長の結果として形成され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の露出層表面１１は、堆積材料５３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を呈することができ、したがって、露出層表面１１上で材料が核形成する確率は低くなり得るが、堆積層１４０の厚さが成長するにつれて、堆積層１４０は側方にも成長することができ、図示のようにパターニング被膜１３０のサブセットを被覆することができる。
ここで図７Ｆに目を向けると、基板１０の第１の部分１０１はパターニング被膜１３０で被膜されてもよく、それに隣接する第２の部分１０２は堆積層１４０で被膜されてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０のオープンマスク堆積及び／又はマスクフリー堆積を行うことにより、堆積層１４０が、堆積層１４０とパターニング被膜１３０との間の界面及び／又はその付近でテーパ状の断面プロファイルを呈し得ることが観察されている。
いくつかの非限定的な例では、界面における、かつ／又はその付近の堆積層１４０の平均層厚は、堆積層１４０の平均層厚ｄ３未満であり得る。かかるテーパ状プロファイルは、いくつかの非限定的な例では、湾曲及び／又はアーチ状として示され得るが、プロファイルは、いくつかの非限定的な例では、実質的に線形及び／又は非線形であってもよい。非限定的な例として、堆積層１４０の平均層厚ｄ３は、限定はしないが、界面に近接した領域において実質的に線形、指数関数的、及び／又は二次関数的に減少し得る。
堆積層１４０とパターニング被膜１３０との間の界面における、かつ／又はその付近の堆積層１４０の接触角θｃは、相対的な初期付着確率などのパターニング被膜１３０の特性に応じて変動し得ることが観察されている。核の接触角θｃは、いくつかの非限定的な例では、堆積によって形成された堆積層１４０の薄膜接触角を決定し得ることを更に仮定することができる。非限定的な例として図７Ｆを参照すると、接触角θｃは、堆積層１４０とパターニング被膜１３０との間の界面及び／又はその付近における堆積層１４０の接線の傾斜を測定することによって決定され得る。堆積層１４０の断面テーパプロファイルが実質的に線形であり得るいくつかの非限定的な例では、接触角θｃは、界面における、かつ／又はその付近の堆積層１４０の傾斜を測定することによって決定され得る。当業者によって理解されるように、接触角θｃは、概して、下地層のゼロではない角度に対して測定され得る。本開示では、解説を簡略にするために、パターニング被膜１３０及び堆積層１４０は、平坦な表面上に堆積されて示され得る。しかしながら、当業者は、パターニング被膜１３０及び堆積層１４０が非平面表面上に堆積され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０の接触角θｃは、約９０°を上回ってもよい。ここで図７Ｇを参照すると、非限定的な例として、堆積層１４０は、パターニング被膜１３０と堆積層１４０との間の界面を越えて延在する部分を含むものとして示されてもよく、間隙７２９によってパターニング被膜１３０から離隔され得る。かかる非限定的なシナリオでは、接触角θｃは、いくつかの非限定的な例では、９０°を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、比較的高い接触角θｃを呈する堆積層１４０を形成することが有利であり得る。非限定的な例として、接触角θｃは、約１０°、約１５°、約２０°、約２５°、約３０°、約３５°、約４０°、約５０°、約７０°、約７５°、又は約８０°のうちの少なくとも１つを上回ってもよい。非限定的な例として、比較的高い接触角θｃを有する堆積層１４０は、比較的高いアスペクト比を維持しながら、微細にパターニングされた特徴の創出を可能にし得る。非限定的な例として、約９０°より大きい接触角θｃを示す堆積層１４０を形成する目的が存在し得る。非限定的な例として、接触角θｃは、約９０°、約９５°、約１００°、約１０５°、約１１０°、約１２０°、約１３０°、約１３５°、約１４０°、約１４５°、約１５０°、又は約１７０°のうちの少なくとも１つを上回ってもよい。
ここで図７Ｈ～図７Ｉに目を向けると、堆積層１４０は、基板１０の第１の部分１０１と第２の部分１０２との間に配設することができる、基板１０の第３の部分７０３内のパターニング被膜１３０の一部に部分的に重なり得る。図示のように、パターニング被膜１３０のサブセットに部分的に重なる堆積層１４０のサブセットは、その露出層表面１１と物理的に接触し得る。いくつかの非限定的な例では、第３の部分７０３における重なりは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセス中の堆積層１４０の側方成長に起因して形成され得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の露出層表面１１は、堆積材料５３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を呈することができ、したがって、露出層表面１１上で材料が核形成する確率は低いが、堆積層１４０の厚さが成長するにつれて、堆積層１４０は側方にも成長することができ、パターニング被膜１３０のサブセットを被覆することができる。
図７Ｈ～図７Ｉの場合、堆積層１４０の接触角θｃは、図示のように、それとパターニング被膜１３０との間の界面付近のその縁部で測定され得る。図７Ｉにおいて、接触角θｃは、約９０°を上回ってもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０のサブセットが間隙７２９によってパターニング被膜１３０から離隔されることをもたらし得る。
粒子構造
ＮＰは、その主な特徴的なサイズはナノメートル（ｎｍ）スケールであり、概して約１～３００ｎｍであると理解される物質の粒子である。ｎｍスケールでは、所与の材料のＮＰは、バルク形態の同じ材料に対して、異なる波長（範囲）でそのようなＮＰによって示されるＥＭ放射線の吸収量を含むがこれに限定されない固有の特性（光学的、化学的、物理的、及び／又は電気的特性を含むがこれに限定されない）を有し得る。
これらの特性は、複数のＮＰが、層状半導体デバイス１００の層に形成されたときに、その性能を改善するために利用され得る。
しかしながら、ＮＰのかかる層をデバイスに導入するための現在のメカニズムには、いくつかの欠点がある。
第一に、典型的には、かかるＮＰは、かかるデバイスの最密充填層に形成され、かつ／又はマトリックス材料内に分散される。その結果、かかるＮＰ層の厚さは、典型的には、ＮＰ自体の特徴的なサイズよりもはるかに厚くなる。かかるＮＰ層の厚さは、デバイス性能、デバイス安定性、デバイス信頼性、及び／又はデバイス寿命に関して望ましくない特性を付与する場合があり、それにより、ＮＰの固有の特性によって提供される任意の認識される利点が低減され、又は更には取り除かれる場合がある。
第二に、かかるデバイスにおいて、かつかかるデバイスで使用するためにＮＰを合成する技術により、様々なメカニズムによって大量の炭素（Ｃ）、酸素（Ｏ）、及び／又はＳが導入される場合がある。
非限定的な例として、湿式化学法は、典型的には、精密に制御された特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成を有するＮＰを光電子デバイス１２００に導入するために使用される。しかしながら、かかる方法は、典型的には、ＮＰを安定化させるために有機キャッピング基（クエン酸塩でキャッピングされたＡｇ ＮＰの合成など）を用いるが、かかる有機キャッピング基は、合成されたＮＰにＣ、Ｏ、及び／又はＳを導入する。
なお更に、溶液から堆積されたＮＰ層は、典型的には、堆積中に使用される溶媒に起因して、Ｃ、Ｏ、及び／又はＳを含む。
追加的に、これらの元素は、湿式化学プロセス及び／又はＮＰ層の堆積中に汚染物質として導入される場合がある。
ただし、導入されると、かかるデバイスのＮＰ層中の大量のＣ、Ｏ、及び／又はＳの存在により、かかるデバイスの性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命が低下する場合がある。
第三に、溶液からＮＰ層を堆積させたときに、使用される溶媒が乾燥するにつれて、ＮＰ層は、ＮＰ層にわたって、及び／又はかかる層の異なるパターニングされた領域間で、不均一な特性を有する傾向があり得る。いくつかの非限定的な例では、所与の層の縁部は、かかる層の内部領域よりも非常に厚いか、又は薄くなることがあり、その不均衡により、デバイス性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命に悪影響を及ぼす場合がある。
第四に、湿式化学合成及び溶液堆積プロセスに加えて、ＮＰを合成及び／又は堆積させる他の方法及び／又はプロセス（限定されないが、真空ベースのプロセス（例えば、限定されないが、ＰＶＤ）が挙げられる）が存在しているが、かかる方法では、それによって堆積されるＮＰの特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成が十分に制御されない傾向がある。非限定的な例として、ＰＶＤプロセスでは、ＮＰは、そのサイズが増加するにつれて、最密充填膜を形成する傾向がある。結果として、ＰＶＤなどの方法は、概して、表面被覆率が低い大きな分散ＮＰの層を形成するのにあまり適していない。むしろ、かかる方法によって付与される、特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度の、分散度、及び／又は組成の不十分な制御は、不十分なデバイス性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命をもたらす場合がある。
いくつかの非限定的な例では、ＯＬＥＤディスプレイパネル１３４０は、複数の側方に分散された（サブ）ピクセル１３４ｘ（図２３Ａ）を備えてもよく、その各々は、アノード及びカソードとして機能する関連付けられた電極対１２２０、１２４０（図１２Ａ）と、それらの間の少なくとも１つの半導体層１２３０（図１２Ａ）とを有する。アノード及びカソードは、電源１６０５（図１６）と電気的に結合され、それぞれ、少なくとも１つの半導体層１２３０を通して互いに向かって移動する正孔及び電子を発生させる。一対の正孔と電子が結合すると、光子が放射され得る。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル１３４ｘは、導電性金属線によって電気的に結合された複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造１２０１（図１２Ａ）を含む駆動回路によって、いくつかの非限定的な例では、電極１２２０、１２４０及び少なくとも１つの半導体層１２３０が堆積される基板内で、選択的に駆動され得る。かかるパネル１３４０の様々な層及び被膜は、典型的には、真空ベースの堆積プロセスによって形成される。
いくつかの非限定的な例では、各々が異なる波長（範囲）のＥＭ放射線に対応し、それを放出する複数のサブピクセル１３４ｘは、集合的にピクセル２８１０を形成し得る（図２８Ａ）。ピクセル２８１０の第１のサブピクセル１３４ｘによって放出される第１の波長（範囲）のＥＭ放射線は、含まれる異なる波長（範囲）に起因して、その第２のサブピクセル１３４ｘによって放出される第２の波長（範囲）のＥＭ放射線とは異なって機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の波長範囲にわたる第１の所与の特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成の金属ＮＰの層によって示される吸収スペクトルは、第１の波長範囲にわたる第２の所与の特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成の金属ＮＰの層によって示される吸収スペクトル、及び／又は第２の波長範囲にわたる第１の所与の特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成の金属ＮＰの層によって示される吸収スペクトルとは異なり得る。
限定されないが、不連続層１７０としての粒子構造１６０は、プラズモニクスを利用するものであり、プラズモニクスとは、ＥＭ放射と金属との共鳴相互作用を研究するナノフォトニクスの一分野である。
当業者であれば、特定の金属ＮＰは、表面プラズモン（surface plasmon、ＳＰ）励起及び／又は自由電子のコヒーレント振動を呈することができ、それにより、かかるＮＰは、可視スペクトル及び／又はそのサブ範囲を含むがこれに限定されないＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲の光を吸収及び／又は散乱することができることを理解するであろう。かかる局所的なＳＰ（localized SP、ＬＳＰ）励起及び／又はコヒーレント振動の、吸収が集中し得るＥＭスペクトルの（サブ）範囲（吸収スペクトル）、屈折率及び／又は吸光係数を含むがこれらに限定されない光学応答は、ナノ構造及び／又はそれに近接する媒体の特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、並びに／又は材料及び／若しくは凝集度合を含むがこれらに限定されない特性のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、かかるＮＰの特性を変動させることによって調整することができる。
かかる光学応答は、粒子構造１６０に関して、その上に入射するＥＭ放射線の吸収を含み得、それによって、その反射を低減し、及び／又は、可視スペクトル及び／又はそのサブ範囲を非限定的に含むＥＭスペクトルのより低い又はより高い波長（（サブ）範囲）へ偏移する。
したがって、図１に示すように、いくつかの非限定的な例では、層状半導体デバイス１００は、いくつかの非限定的な例では不連続層１７０であり得る層として、デバイス１００の下地層の露出層表面１１上及び／又はその上方に制御可能に配設された、ナノ粒子（ＮＰ）、アイランド、プレート、分離クラスタ、及び／又はネットワークを含むがこれらに限定されない少なくとも１つの粒子（集合的に粒子構造１６０）を含み得る。
当業者は、必ずしも不連続層１７０を形成することなく、層内に少なくとも１つの粒子構造１６０が存在し得ることを理解するであろう。しかしながら、層内の少なくとも１つの粒子構造１６０の形成が、典型的には不連続層１７０の形成をもたらし得ることを考慮すると、単に説明を簡略にする目的で、本明細書における少なくとも１つの粒子構造１６０の形成への言及は、たとえ述べられていなくても、いくつかの非限定的な例では、そのような粒子構造１６０が不連続層１７０を含み得ることを意味する。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０の少なくともいくつかは、互いに切断され得る。換言すれば、いくつかの非限定的な例では、不連続層１７０は、少なくとも１つの粒子構造１６０が閉鎖被膜１５０を形成しないように、互いに物理的に分離され得る粒子構造１６０を含む特徴を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の複数の層のうちの少なくとも１つの上層１８０は、粒子構造１６０の露出層表面１１上、及びそれらの間の下地層の露出層表面１１上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの上層１８０は、ＣＰＬであり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、ＥＭ放射線が、複数の側方軸によって画定される下地層の平面に対してゼロではない角度で、矢印ＯＣによって指し示される第１の方向の光路に実質的に平行なデバイス１００の露出層表面１１に係合することを実質的に可能にするように構成され得る。
本開示では、矢印ＯＣによって示されるようなものを含むがこれに限定されない所与の方向への一時的なＥＭ放射線の伝搬は、第１の層が光路（におけるＥＭ放射線の伝搬の方向）において第２の層の「前方（anterior）」、「前方（ahead of）」、及び／又は「前（before）」にあると言われ得る方向規則を生じさせる。
光路は、デバイス１００によって放射されたＥＭ放射線がそこから抽出され得る方向（図中の矢印ＯＣの向きによって示されるような）、及びＥＭ放射線がデバイス１００の露出層表面１１に入射し、それを通して少なくとも部分的に伝播する方向のうちの少なくとも１つであり得る方向に一致し得、ＥＭ放射線は、様々な層及び／又は被膜が堆積された表面とは反対の基板１０の露出層表面１１に入射し、基板１０及び様々な層及び／又は被膜（図示せず）を少なくとも部分的に透過し得る。
当業者であれば、ＥＭ放射線がデバイス１００によって放射され、同時に、ＥＭ放射線がデバイス１００の露出層表面１１に入射し、それを通って少なくとも部分的に透過するシナリオが存在し得ることを理解するであろう。そのようなシナリオでは、光路の方向は、文脈が反対のことを示さない限り、デバイス１００によって放射されるＥＭ放射線が抽出され得る方向によって決定される。いくつかの非限定的な例では、デバイス１００を完全に透過したＥＭ放射線は、同じ又は同様の方向に伝搬され得る。それにもかかわらず、本開示におけるいずれも、デバイス１００を完全に通るＥＭ放射線の伝搬を、デバイス１００によって放射されるＥＭ放射線の伝搬の方向と同じ又は類似の方向に限定するものとして解釈されるべきではない。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、ＥＭ放射線（光及び／又は光子の形態を含むが、これらに限定されない）がデバイス１００によって少なくとも第１の方向に放射される上部放射型光電子デバイス２１００であり得る。
示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス１００は、様々な層及び／又は被膜が堆積された基板１０の露出層表面１１に入射するＥＭ放射線が、基板１０及び様々な層及び／又は被膜を、このようなシナリオでは、図の矢印ＯＣで示される方向と反対である少なくとも第１の方向に透過し得る少なくとも１つの光透過領域１３２０（図２８Ａ）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の様々な層内の少なくとも１つの粒子構造１６０の位置（すなわち、デバイス１００の様々な層のうちのどれが、粒子構造１６０が堆積され得る下地層として機能するかの選択的識別）は、そのような位置に配置されたときに粒子構造１６０によって示される光学応答に関連する効果を達成するように制御可能に選択され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０は、粒子構造１６０によって示される光学応答に関連する効果の達成をデバイス１００の側方面のそのような部分１０１、１０２に選択的に制限するために、デバイス１００の側方面の部分１０１、１０２（デバイス１００の放射領域１３１０（図２２）に対応することを含むが、これに限定されない）に限定されるように制御可能に選択され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０は、粒子構造１６０によって呈される光学応答に関連する効果を達成するために、特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成を有するように制御可能に選択され得る。
当業者は、材料が堆積されるメカニズムを考慮すると、モノマー及び／又は原子の可能なスタッキング及び／又はクラスタリングにより、少なくとも１つの粒子構造１６０の実際のサイズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔は、いくつかの非限定的な例では、実質的に不均一であり得ることを理解するであろう。追加的に、少なくとも１つの粒子構造１６０は、所与のプロファイルを有するものとして解説されているが、これは、解説のみを意図しており、そのサイズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔を決定するものではない。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、約２００ｎｍ以下の特徴的な寸法を有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、約１～２００ｎｍ、約１～１６０ｎｍ、約１～１００ｎｍ、約１～５０ｎｍ、又は約１～３０ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る特徴的な直径を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、離散金属プラズモニックアイランド又はクラスタであり得る、及び／又は離散金属プラズモニックアイランド又はクラスタを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、粒子材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、堆積材料５３１と同じであり得る、及び／又は少なくとも１つの共通金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、下地層の金属材料と同じであってもよく、及び／又は少なくとも１つの共通金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、下地層と同じであってもよく、及び／又は下地層と少なくとも１つの共通金属を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる粒子構造１６０は、いくつかの非限定的な例では、下地層の露出層表面１１上の、数オングストロームの数分の１ほどの粒子材料であり得る層の平均層厚を有する、わずかな量を堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、露出層表面１１は、ＮＰＣ７２０であり得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇ、Ｙｂ、及び／又はＭｇのうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｎ、又はＹのうちの少なくとも１つから選択される元素を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、又はＭｇのうちの少なくとも１つを含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｃｕ、Ａｇ、又はＡｕのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＣｕであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｌであり得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、又はＹｂのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｙｂ、又はＬｉのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ、Ａｇ、又はＹｂのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素は、Ｍｇ又はＡｇのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの非限定的な例では、元素はＡｇであり得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、純金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、純金属であり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、純粋なＡｇ又は実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＡｇは、少なくとも約９５％、９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、又は約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、純Ｍｇ又は実質的に純Ｍｇのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、又は約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、又はＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、ＡｇＭｇ含有合金は、体積で約１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲であり得る合金組成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇの代わりに、又はＡｇと組み合わせて他の金属を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇと少なくとも１つの他の金属との合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇと、Ｍｇ又はＹｂのうちの少なくとも１つとの合金を含んでもよい。いくつかの非限定的な例では、かかる合金は、約５～９５体積％のＡｇと、残りが他の金属である組成を有する二元合金であり得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇ及びＭｇを含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、体積で約１：１０～１０：１の組成を有するＡｇ：Ｍｇ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ａｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、体積で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｍｇ及びＹｂを含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、粒子材料はＡｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、少なくとも１つの追加の元素を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は非金属元素であり得る。いくつかの非限定的な例では、非金属材料は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、又はＣのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は、ソース材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境におけるかかる追加の元素の存在に起因して、汚染物質として少なくとも１つの粒子構造１６０に組み込まれ得ることが、当業者によって理解されよう。いくつかの非限定的な例では、かかる追加の元素は、少なくとも１つの粒子構造１６０の他の要素と共に化合物を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、粒子材料中の非金属元素の濃度は、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、又は約０．００００００１％以下のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、その中のＯ及びＣの合計が、約１０％以下、約５％以下、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、又は約０．００００００１％以下のうちの少なくとも１つである組成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０の特性は、いくつかの非限定的な例では、下地層の露出層表面１１の一部の上に形成された粒子材料の特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、構成、表面被覆率、堆積分布、分散度、及び／又は凝集インスタンスの存在及び／又は程度を含むがこれらに限定されない複数の基準のうちの少なくとも１つに従って評価することができる。
いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの基準による少なくとも１つの粒子構造１６０の評価は、透過電子顕微鏡法（transmission electron microscopy、ＴＥＭ）、原子間力顕微鏡法（atomic force microscopy、ＡＦＭ）、及び／又は走査電子顕微鏡法（scanning electron microscopy、ＳＥＭ）のうちの少なくとも１つを非限定的に含む様々な撮像技術を使用して、少なくとも１つの粒子構造１６０の少なくとも１つの属性を測定及び／又は計算することを非限定的に含むことによって行われ得る。
当業者であれば、少なくとも１つの粒子構造１６０のかかる評価は、いくつかの非限定的な例ではその面積及び／又は領域を含み得る、検討中の露出層表面１１の範囲によって、多かれ少なかれ程度に依存し得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、下地層の露出層表面１１の第１の側方面及び／又はそれを実質的に横断する第２の側方面において、全範囲にわたって評価され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、少なくとも１つの粒子構造１６０（の一部）に対して適用される少なくとも１つの観察窓を含み得る範囲にわたって評価され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの観察窓は、露出層表面１１の側方面の外周、内部位置、及び／又はグリッド座標のうちの少なくとも１つに位置してもよい。いくつかの非限定的な例では、複数の少なくとも１つの観測窓が、少なくとも１つの粒子構造１６０を評価する際に使用され得る。
いくつかの非限定的な例では、観察窓は、ＴＥＭ、ＡＦＭ、及び／又はＳＥＭのうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、少なくとも１つの粒子構造１６０を評価するために適用される撮像技術の視野に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、観察窓は、限定ではないが、２．００μｍ、１．００μｍ、５００ｎｍ、又は２００ｎｍのうちの少なくとも１つを含む、所与のレベルの倍率に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、その露出層表面１１の、使用される少なくとも１つの観察窓を含むがこれに限定されない少なくとも１つの粒子構造１６０の評価は、手動計数、及び／又は既知の推定技術を非限定的に含む任意の数のメカニズムによって、計算及び／又は測定することを伴い得、いくつかの非限定的な例では、曲線、多角形、及び／又は形状適合技術を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、使用される少なくとも１つの観察窓を含むがこれに限定されない露出層表面１１の少なくとも１つの粒子構造１６０の評価は、計算及び／又は測定の値の平均、中央値、モード、最大、最小、及び／又は他の確率的、統計的、及び／又はデータ操作を計算及び／又は測定することを伴い得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの粒子構造１６０が評価され得る少なくとも１つの基準のうちの１つは、かかる少なくとも１つの粒子構造１６０（の一部）上の粒子材料の表面被覆率であり得る。いくつかの非限定的な例では、表面被覆率は、少なくとも１つの粒子構造１６０のかかる（一部）のかかる粒子材料による（ゼロではない）被覆率によって表され得る。いくつかの非限定的な例では、被覆率は、最大閾値被覆率と比較され得る。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、表面被覆率は、粒径及び堆積密度の一方又は両方を包含すると理解され得ることを理解するであろう。したがって、いくつかの非限定的な例では、複数のこれらの３つの基準は、正に相関され得る。実際に、いくつかの非限定的な例では、低い表面被覆率の基準は、低い堆積密度の基準と低い粒径の基準との何らかの組み合わせを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの粒子構造１６０が評価され得る少なくとも１つの基準のうちの１つは、その特徴的なサイズであり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、最大閾値サイズ以下である特徴的なサイズを有し得る。特徴的なサイズの非限定的な例は、高さ、幅、長さ、及び／又は直径のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０の実質的に全てが、指定された範囲内にある特徴的なサイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる特徴的なサイズは、いくつかの非限定的な例では、特徴的なサイズの最大値とみなされ得る特徴的な長さによって特徴付けられ得る。いくつかの非限定的な例では、かかる最大値は、粒子構造１６０の長軸に沿って延在し得る。いくつかの非限定的な例では、長軸は、複数の側方軸によって画定される平面内に延在する第１の次元であると理解され得る。いくつかの非限定的な例では、特徴的な幅は、粒子構造１６０の短軸に沿って延在し得る粒子構造１６０の特徴的なサイズの値として識別され得る。いくつかの非限定的な例では、短軸は、同じ平面内に延在するが、長軸を実質的に横断する第２の次元であると理解され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の次元に沿った少なくとも１つの粒子構造１６０の特徴的な長さは、最大閾値サイズ以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の次元に沿った少なくとも１つの粒子構造１６０の特徴的な幅は、最大閾値サイズ以下であり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０のサイズは、質量、体積、直径の長さ、外周、長軸、及び／又は短軸を含むがこれらに限定されない、特徴的なサイズを計算及び／又は測定することによって評価され得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの粒子構造１６０が評価され得る少なくとも１つの基準のうちの１つは、その堆積密度であり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０の特徴的なサイズは、最大閾値サイズと比較され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０の堆積密度は、最大閾値堆積密度と比較され得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる基準のうちの少なくとも１つは、数値指標によって定量化され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる指標は、粒子構造１６０の粒子（面積）サイズの分布を記述する分散度Ｄの計算であり得る。
ｎは、試料領域内の粒子構造１６０の数であり、
Ｓｉは、ｉ番目の粒子構造１６０の（面積）サイズであり、
は、粒子（面積）サイズの数平均であり、
は、粒子（面積）サイズの（面積）サイズ平均である。
当業者であれば、分散度は、多分散指数（polydispersity index、ＰＤＩ）にほぼ類同しており、これらの平均は、有機化学においてよく知られている数平均分子量及び重量平均分子量の概念にほぼ類同しているが、試料粒子構造１６０の分子量とは対照的に、（面積）サイズに適用されることを理解するであろう。
当業者はまた、分散度の概念は、いくつかの非限定的な例では、三次元体積概念とみなされ得るが、いくつかの非限定的な例では、分散度は、二次元概念であるとみなされ得ることを理解するであろう。したがって、分散度の概念は、ＴＥＭ、ＡＦＭ、及び／又はＳＥＭのうちの少なくとも１つを含むが、それらに限定されない、様々な撮像技術を使用することによって取得され得るような、少なくとも１つの粒子構造１６０の二次元画像を視認及び分析することに関連して使用されてもよい。上記の式が定義されるのは、かかる二次元の状況においてである。
いくつかの非限定的な例では、分散度及び／又は粒子（面積）サイズの数平均及び粒子（面積）サイズの（面積）サイズ平均は、粒子直径の数平均及び粒子直径の（面積）サイズ平均のうちの少なくとも１つの計算を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、マスクフリー及び／又はオープンマスク堆積プロセスによって堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、実質的に丸い形状を有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、実質的に球形の形状を有し得る。
簡略にするために、いくつかの非限定的な例では、各粒子構造１６０の（面積）サイズが一対の側方軸に沿った二次元の面積被覆率として表され得るように、かかる粒子構造１６０の長手方向の範囲が実質的に同じであり得る（かつ、いずれにしても、ＳＥＭ画像から直接測定され得ない）と仮定され得る。本開示では、（面積）サイズへの言及は、かかる二次元概念を指すと理解され、線形次元などの一次元概念を指すと理解され得る（プレフィックス「面積」なしの）サイズとは区別され得る。
実際に、いくつかの初期の研究では、いくつかの非限定的な例では、かかる粒子構造１６０の長手方向軸に沿った長手方向範囲は、その長手方向範囲の体積寄与がかかる側方範囲の体積寄与よりもはるかに小さくなり得るように、（側方軸の少なくとも１つに沿った）側方範囲に対して小さい傾向があり得ると思われる。いくつかの非限定的な例では、これは、１以下であり得るアスペクト比（側方範囲に対する長手方向方向の範囲の比）によって表され得る。いくつかの非限定的な例では、かかるアスペクト比は、約０．１：１０以下、約１：２０以下、約１：５０以下、約１：７５以下、又は約１：３００のうちの少なくとも１つであり得る。
この点に関して、少なくとも１つの粒子構造１６０を二次元の面積被覆率として表すための上記の仮定（長手方向範囲は実質的に同じであり、無視することができる）が適切であり得る。
当業者であれば、特に下地層の露出層表面１１上の欠陥及び／又は異常、例えば、非限定的に、その上のステップ状縁部、化学的不純物、結合部位、キンク、及び／又は汚染物質、及びその結果としてのその上の粒子構造１６０の形成のうちの少なくとも１つ、堆積プロセスが続くにつれたその合着の不均一性の存在下での堆積プロセスの非決定的性質に関して、また観察窓のサイズ及び／又は位置の不確実性、並びにそれらの特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、組成、凝集の度合などの計算及び／又は測定において固有である複雑さ及び変動性を考慮すると、観察窓内の特徴及び／又はトポロジーに関して相当の変動があり得ることを理解するであろう。
本開示では、解説を簡略にするために、層の厚さプロファイル及び／又は縁部プロファイルを含むがこれに限定されない粒子材料の特定の詳細が省略されている。
いくつかの非限定的な例では、（使用される観察窓内の）粒子構造１６０の特徴的なサイズは、統計的分布を反映し得る。
いくつかの非限定的な例では、吸収スペクトル強度が、その特徴的なサイズの特定の分布について、少なくとも１つの粒子構造１６０の堆積密度に比例する傾向があり得る。
いくつかの非限定的な例では、（使用される観察窓内の）粒子構造１６０ｔの特徴的なサイズは、単一の値の周りに、及び／又は比較的狭い範囲内に集中し得る。
いくつかの非限定的な例では、（使用される観察窓内の）粒子構造１６０ｔの特徴的なサイズは、複数の値の周りに、及び／又は複数の比較的狭い範囲内に集中し得る。非限定的な例として、少なくとも１つの粒子構造１６０は、（使用される観察窓内の）粒子構造１６０の特徴的なサイズが周りに集中し得る複数の異なる値及び／又は範囲が存在するようなマルチモーダル挙動を示し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、特徴的なサイズの第１の範囲を有する第１の少なくとも１つの粒子構造１６０１と、特徴的なサイズの第２の範囲を有する第２の少なくとも１つの粒子構造１６０２と、を含み得る。いくつかの非限定的な例では、特徴的なサイズの第１の範囲は、約５０ｎｍ以下のサイズに対応し得、特徴的なサイズの第２の範囲は、少なくとも５０ｎｍのサイズに対応し得る。非限定的な例として、特徴的なサイズの第１の範囲は、約１～４９ｎｍのサイズに対応し得、特徴的なサイズの第２の範囲は、約５０～３００ｎｍのサイズに対応し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の粒子構造１６０１の大部分は、約１０～４０ｎｍ、約５～３０ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、約１５～３５ｎｍ、約２０～３５ｎｍ、又は約２５～３５ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲の特徴的なサイズを有し得る。いくつかの非限定的な例では、第２の粒子構造１６０２の大部分は、約５０～２５０ｎｍ、約５０～２００ｎｍ、約６０～１５０ｎｍ、約６０～１００ｎｍ、又は約６０～９０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲の特徴的なサイズを有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の粒子構造１６０１及び第２の粒子構造１６０２は、互いに散在し得る。
かかるマルチモーダル粒子構造１６０の形成を研究するために、一連の５つの試料が作製された。各試料は、ガラス基板上に、厚さ約２０ｎｍの有機半導体層１２３０、続いて厚さ約３４ｎｍのＡｇ層、続いて厚さ約３０ｎｍのパターニング被膜１３０を堆積させ、次いでパターニング被膜１３０の表面をＡｇの蒸気フラックス５３２に供することによって調製された。各試料のＳＥＭ画像を様々な倍率で撮影した。
図８Ａは、第１の試料のＳＥＭ画像８００と、拡大された更なるＳＥＭ画像８０５とを示している。画像８００から分かり得るように、第１の小さい特徴的なサイズの付近に集中する傾向があり得る多数の第１の粒子構造１６０１と、第２のより大きい特徴的なサイズの付近に集中する傾向があり得るより少数の第２の粒子構造１６０２とがある。特徴的粒径の関数としての粒子構造１６０ｔの計数のプロット８１０は、第１の粒子構造１６０１の大部分が約３０ｎｍ付近に集中し得ることを示し得る。分析は、約５０ｎｍ以下である特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１６０１の画像８００の観察窓の表面被覆率が約３８％であったのに対して、少なくとも約５０ｎｍである特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１６０２の画像８００の観察窓の表面被覆率が約１％であったことを示す。
図８Ｂは、第２の試料のＳＥＭ画像８２０と、拡大された更なるＳＥＭ画像８２５とを示している。画像８２０から分かり得るように、第１の特徴的なサイズ付近に集中する傾向があり得る多数の第１の粒子構造１６０１が存在し続ける一方で、第２の特徴的なサイズ付近に集中する傾向があり得る多数の第２の粒子構造１６０２はより多くなり得る。更に、かかる第２の粒子構造１６０２は、より目立つ傾向があり得る。特徴的な粒径の関数としての粒子構造１６０ｔの計数のプロット８３０は、２つの識別可能なピーク、すなわち、約３０ｎｍ付近に集中した第１の粒子構造１６０１の大きいピークと、約７５ｎｍ付近に集中した第２の粒子構造１６０２の小さいピークと、を示し得る。分析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１６０１の画像８２０の観察窓の表面被覆率が約２３％であったのに対して、少なくとも約５０ｎｍである特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１６０２の画像８２０の観察窓の表面被覆率が約１０％であったことを示す。
図８Ｃは、第３の試料のＳＥＭ画像８４０と、拡大された更なるＳＥＭ画像８４５とを示している。画像８４０から分かるように、第１の特徴的なサイズ付近に集中する傾向があり得る多数の第１の粒子構造１６０１が引き続き存在する一方で、第２の特徴的なサイズ付近に集中する傾向があり得る多数の第２の粒子構造１６０２は更に多い可能性があり、第２の試料Ａプロット８５０において、特徴的な粒径の関数としての粒子構造１６０ｔの計数は、約３０ｎｍ付近に集中する第１の粒子構造１６０１の大きなピークと、約７５ｎｍ付近に集中する第２の粒子構造１６０２のより小さい（しかし、プロット８３０に示されるよりも大きい）ピークの２つの識別可能なピークを示し得る。分析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１６０１の画像８４０の観察窓の表面被覆率が約１９％であったのに対して、少なくとも約５０ｎｍである特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１６０２の画像８４０の観察窓の表面被覆率が約２１％であったことを示す。
図８Ｄは、第４の試料のＳＥＭ画像８６０と、拡大された更なるＳＥＭ画像８６５とを示している。画像８６０から分かり得るように、第１の特徴的なサイズ付近に集中する傾向があり得る多数の第１の粒子構造１６０１が存在し続ける一方で、第２の特徴的なサイズ付近に集中する傾向があり得る多数の第２の粒子構造１６０２はより多くなり得る。特徴的な粒径の関数としての粒子構造１６０ｔの計数のプロット８７０は、２つの識別可能なピーク、すなわち、約２０ｎｍ付近に集中した第１の粒子構造１６０１の大きいピークと、約８５ｎｍ付近に集中した第２の粒子構造１６０２の小さいピークと、を示し得る。分析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１６０１の画像８６０の観察窓の表面被覆率が約１４％であったのに対して、少なくとも約５０ｎｍである特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１６０２の画像８６０の観察窓の表面被覆率が約３４％であったことを示す。
図８Ｅは、第５の試料のＳＥＭ画像８８０と、拡大された更なるＳＥＭ画像８８５とを示している。画像８８０から分かり得るように、第１の特徴的なサイズ付近に集中する傾向があり得る多数の第１の粒子構造１６０１が存在し続ける一方で、第２の特徴的なサイズ付近に集中する傾向があり得る多数の第２の粒子構造１６０２はより多くなり得る。実際に、第２の粒子構造１６０２が優勢になる傾向があり得る。特徴的な粒径の関数としての粒子構造１６０ｔの計数のプロット８９０は、２つの識別可能なピークを示し、第１の粒子構造１６０１の大きなピークは約１５ｎｍ付近に集中し、第２の粒子構造１６０２の小さなピークは約８５ｎｍ付近に集中している。分析は、約５０ｎｍ以下の特徴的なサイズを有する第１の粒子構造１６０１の画像８８０の観察窓の表面被覆率が約３％であったのに対して、少なくとも約５０ｎｍである特徴的なサイズを有する第２の粒子構造１６０２の画像８８０の観察窓の表面被覆率が約５５％であったことを示す。
いかなる特定の理論にも限定されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０のかかるマルチモーダル挙動は、かかる核形成部位として機能し得るシード又は不均一性として機能し得る別の材料でパターニング材料４１１をドープ、被覆、及び／又は補足することによることを非限定的に含む、粒子構造のための複数の核形成部位を導入することによって生成され得ると仮定され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の特徴的なサイズの第１の粒子構造１６０１は、かかる核形成部位が実質的に存在しない可能性がある粒子構造パターニング被膜１３０ｐ上に形成される傾向がある可能性があり、第２の特徴的なサイズの第２の粒子構造１６０２は、かかる核形成部位の位置に形成される傾向がある可能性があると仮定され得る。
当業者は、かかるマルチモーダル挙動が生成され得ることによる他のメカニズムが存在し得ることを理解するであろう。
当業者であれば、特に下地層の露出層表面１１上の欠陥及び／又は異常、例えば、非限定的に、その上のステップ状縁部、化学的不純物、結合部位、キンク、及び／又は汚染物質、及びその結果としてのその上の粒子構造１６０の形成のうちの少なくとも１つ、堆積プロセスが続くにつれたその合着の不均一性の存在下での堆積プロセスの非決定的性質に関して、また観察窓のサイズ及び／又は位置の不確実性、並びにそれらの特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、組成、凝集の度合などの計算及び／又は測定において固有である複雑さ及び変動性を考慮すると、観察窓内の特徴及び／又はトポロジーに関して相当の変動があり得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の層内の層（又はレベル）、デバイス１００の側方面の部分１０１、１０２、及び／又はその中又は上に堆積された粒子構造１６０の特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成は、少なくとも部分的に、粒子材料を、その特性が粒子構造１６０の形成に影響を及ぼし得る接触材料と接触させることによって、制御可能に選択され得る。そのような接触材料は、シード材料、パターニング材料４１１、及び共堆積された誘電体材料を含むが、これらに限定されない。
いくつかの非限定的な例では、使用される接触材料は、粒子材料が接触材料とどのように接触し得るか、及びそれによって粒子構造１６０の形成に与えられる影響を決定し得る。いくつかの非限定的な例では、複数の異なる接触材料及び付随する様々なメカニズムが採用され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、少なくとも１つの粒子構造１６０を実質的に欠いているその中の少なくとも１つの領域によって画定され得るパターンで配設することができる。
本開示では、解説を簡略にするために、層の厚さプロファイル及び／又は縁部プロファイルを含むがこれに限定されない粒子材料の特定の詳細は省略されている。
シード
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０の位置、サイズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔は、多かれ少なかれ、シード材料をテンプレート層内の適切な位置及び／又は適切な密度及び／又は堆積段階で堆積することによって指定され得る。いくつかの非限定的な例では、かかるシード材料は、シード１６１又は不均一部として機能し、粒子材料が各シード１６１の周りに合着して粒子構造１６０を形成する傾向があり得るように、核形成部位として機能し得る。
したがって、図１において破線の輪郭で示される挿入領域に示されるように、粒子材料は、シード材料と物理的に接触していてもよく、実際に、それを完全に取り囲み、かつ／又は封入してもよい。
いくつかの非限定的な例では、シード材料は、限定されないが、Ｙｂ又はＡｇを含む金属を含み得る。いくつかの非限定的な例では、シード材料は、その上に堆積されて合着する粒子材料に対して高い湿潤特性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、シード１６１は、いくつかの非限定的な例では、シード材料のオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、デバイス１００の下地層の露出層表面１１にわたってテンプレート層に堆積され得る。
誘電体材料との共堆積
示されていないが、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、例えば、限定することなく、粒子材料を共堆積誘電体材料と共堆積させることによって、シード１６１を使用せずに形成され得る。
したがって、粒子材料は、共堆積された誘電体材料と物理的に接触していてもよく、実際には、それと混ざり合っていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料と共堆積誘電体材料との比は、約５０：１～５：１、約３０：１～５：１、又は約２０：１～１０：１のうちの少なくとも１つの範囲であり得る。いくつかの非限定的な例では、比率は、約５０：１、約４５：１、約４０：１、約３５：１、約３０：１、約２５：１、約２０：１、約１９：１、約１５：１、約１２．５：１、約１０：１、約７．５：１、又は約５：１のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料は、共堆積され得る粒子材料の堆積に抗する、１未満であり得る初期付着確率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料に対する粒子材料の比は、粒子材料の堆積に抗する共堆積誘電体材料の初期付着確率に応じて変動し得る。
いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料は、有機材料であり得る。いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料は、半導体であり得る。いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料は、有機半導体であり得る。
いくつかの非限定的な例では、共堆積誘電体材料と共に粒子材料を共堆積することにより、シード１６１を含むテンプレート層がない場合に、少なくとも１つの粒子構造１６０の形成を容易にし得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料を共堆積された誘電体材料と共堆積することは、少なくとも１つの粒子構造１６０による、概して、又はいくつかの非限定的な例では、特定の色に対応するが、可視スペクトル及び／又はそのサブ範囲及び／又は波長を含むがこれに限定されない、ＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲における、ＥＭ放射線の吸収を促進及び／又は増加させることができる。
粒子構造パターニング被膜
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、マスクフリー及び／又はオープンマスク堆積プロセスを使用することを含むがこれに限定されない少なくとも１つの粒子構造１６０ｔを堆積させる目的のために、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上に堆積された少なくとも１つの粒子構造１６０ｔを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０ｔのうちの少なくとも１つは、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１と物理的に接触し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０ｔの実質的に全てが、パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１と物理的に接触し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔは、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの側方範囲にわたるパターンで堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔは、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上の不連続層１７０に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、不連続層１７０は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの実質的に側方範囲全体にわたって延在する。
いくつかの非限定的な例では、不連続層１７０の少なくとも中央部における粒子構造１６０ｔは、サイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、材料、凝集度、又は他の特性のうちの少なくとも１つから選択される少なくとも１つの共通の特性を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、不連続層１７０のそのような中央部を越える粒子構造１６０ｔは、堆積層１４０の近接性、そのような中央部を越えるピンホール、裂け目、及び／又は亀裂を含むがそれらに限定されない小さな開口の存在の増加、又はそのような中央部を越える粒子構造パターニング被膜１３０ｐの厚さの減少を含むがそれらに限定されない、エッジ効果に関する少なくとも１つの共通の特性とは異なり得る特性を呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの堆積は、下地層の露出層表面１１と粒子構造パターニング被膜１３０ｐが含まれ得るパターニング材料４１１との間にシャドウマスク４１５を介在させることによって、デバイス１００の側方面の第１の部分１０１に限定され得る。
第１の部分１０１における粒子構造パターニング被膜１３０ｐの選択的堆積の後、粒子材料は、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１、及び粒子構造パターニング被膜１３０ｐを実質的に欠いている第２の部分１０２の両方にわたって、第１の部分１０１における粒子構造１６０ｔとして、及び／又はそれを形成するために、いくつかの非限定的な例では、粒子構造パターニング被膜１３０ｐによって覆われていない、もしあれば、それぞれのシード１６１の周りに合着することを含むが、これに限定されない、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、デバイス１００の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２は、任意の粒子構造１６０ｔを実質的に欠いていてもよい。
当業者であれば、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔが粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上に堆積されるため、粒子構造パターニング被膜１３０ｐ自体が下地層であると考えることができることを理解するであろう。しかしながら、説明を簡略にするために、下地層上への粒子構造パターニング被膜１３０ｐの事前の堆積が、本明細書に記載されるように、その上への少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの制御可能な堆積を容易にし得ることを考慮すると、本開示では、そのような粒子構造パターニング被膜１３０ｐは、下地層ではなく、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの形成の補助物とみなされる。
粒子構造パターニング被膜１３０ｐは、粒子材料の堆積に抗する、デバイス１００の下地層の露出層表面１１の粒子材料の堆積に抗する初期付着確率よりも実質的に小さい可能性がある比較的低い初期付着確率を有する表面を提供し得る。
したがって、下地層の露出層表面１１は、第１の部分１０１又は第２の部分１０２のいずれかにおいて、粒子材料の閉鎖被膜１５０を実質的に欠いていてもよく、一方で、粒子構造パターニング被膜１３０ｐによって覆われていないシード１６１の周りで合着することを含むがこれに限定されず、第１の部分１０１における下地層の露出層表面１１上に少なくとも１つの粒子構造１６０ｔを形成する。
このように、粒子構造パターニング被膜１３０ｐは、シャドウマスク４１５を使用することを含むがこれに限定されない、選択的に堆積されて、限定することなく含まれるが、それぞれのシード１６１の周りに合着することにより、粒子構造１６０ｔとして形成するために、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、粒子材料が堆積されることを可能にし得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造パターニング被膜１３０ｐは、シード材料及び／又は粒子材料に対して比較的低い初期付着確率を呈するパターニング材料４１１を含み得、その結果、かかる粒子構造パターニング被膜１３０ｐの表面が、粒子材料（及び／又はシード材料）を、いくつかの例では、非粒子構造パターニング被膜１３０ｎ及び／又はそれらが構成され得るパターニング材料４１１に対して、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの形成以外に、本明細書で考察される用途が含まれる粒子材料の閉鎖被膜１５０の堆積を抑制する目的で使用される、粒子構造１６０ｔとして堆積させる傾向の増加を呈し得る。
いかなる特定の理論にも限定されることを望むものではないが、粒子材料のその上の閉鎖被膜１５０の形成は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐによって、かつ／又はその上で、実質的に阻害され得るが、一方、いくつかの非限定的な例では、粒子構造パターニング被膜１３０ｐがその上の粒子材料の堆積に曝露されるとき、粒子材料のいくつかの蒸気モノマーは、最終的に、その上に粒子材料の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔを形成し得ると仮定され得る。
したがって、そのような少なくとも１つの粒子構造１６０ｔは、いくつかの非限定的な例では、粒子構造パターニング被膜１３０ｐと上層１８０との間の界面に、及びその界面の側方範囲に実質的にわたって挿入された粒子材料の薄い分散層を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では、膜として堆積されたとき及び／又はある形態で被膜されたとき、及びデバイス１００内の粒子構造パターニング被膜１３０ｐの堆積と同様の状況下で、粒子構造パターニング被膜１３０ｐ、及び／又はパターニング材料４１１は、いくつかの非限定的な例では、膜及び／又は被膜として堆積されたとき、及びデバイス１００内の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの堆積と同様の状況下で、粒子材料の第２の表面エネルギー以下の第１の表面エネルギーを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の表面エネルギー／第１の表面エネルギーの商は、少なくとも約１、約５、約１０、約又は約２０のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、その上に堆積された少なくとも１つの粒子構造１６０ｔによる粒子構造パターニング被膜１３０ｐの領域の表面被覆率は、最大閾値被覆率以下であり得る。
図９Ａ～図９Ｈは、粒子構造パターニング被膜１３０ｐと、それに接触する少なくとも１つの粒子構造１６０ｔとの間の可能な相互作用の非限定的な例を解説する。
したがって、図９Ａ～図９Ｈに示すように、粒子材料は、パターニング材料４１１と物理的に接触してもよく、様々な図に示すように、その上に堆積される、及び／又はそれによって実質的に取り囲まれることを含むが、これらに限定されない。
図９Ａでは、粒子材料は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐがその上に堆積されるという点で、粒子構造パターニング被膜と物理的に接触し得る。
図９Ｂでは、粒子材料は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐによって実質的に取り囲まれ得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの側方及び長手方向の範囲のうちの少なくとも１つにわたって分布し得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造パターニング被膜１３０ｐ全体にわたる少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの分布は、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔが粒子構造パターニング被膜１３０ｐ内に浸透及び／又は定着する傾向があり得るように、粒子構造パターニング被膜１３０ｐをその上への粒子材料の堆積時に堆積させ、及び／又は比較的粘性状態のままにすることによって達成され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの粘性状態は、パターニング材料４１１の堆積環境の時間、温度、及び／又は圧力を含むがこれらに限定されないパターニング材料４１１の堆積中の条件、パターニング材料４１１の組成、融点、凍結温度、昇華温度、粘度、又は表面エネルギーを含むがこれらに限定されないパターニング材料４１１の特性、粒子材料の堆積環境の時間、温度、及び／又は圧力を含むがこれらに限定されない粒子材料の堆積中の条件、粒子材料の組成、又は融点、凍結温度、昇華温度、粘度、又は表面エネルギーを含むがこれらに限定されない粒子材料の特性を含むがこれらに限定されないいくつかの様式で達成され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造パターニング被膜１３０ｐ全体にわたる少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの分布は、その中のピンホール、裂け目、及び／又は亀裂を含むがこれらに限定されない小さな開口の存在によって達成され得る。当業者であれば、堆積プロセスにおける固有の変動性に起因して、またいくつかの非限定的な例では、粒子材料及びパターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１のうちの少なくとも１つにおける不純物の存在に起因して、本明細書に記載されているものを含むがこれらに限定されない様々な技術及びプロセスを使用して、パターニング材料４１１の薄膜の堆積中にそのような開口を形成することができることを理解するであろう。
図９Ｃでは、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔを構成することができる粒子材料は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの底部に沈降し、その結果、下地層１１の露出層表面１１上に効果的に配置され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの底部における少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの分布は、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔが粒子構造パターニング被膜１３０ｐの底部に定着する傾向があり得るように、粒子構造パターニング被膜１３０ｐを堆積させ、及び／又は粒子材料の堆積時に比較的粘性のある状態のままにすることによって達成され得る。いくつかの非限定的な例では、図９Ｃで使用されるパターニング材料４１１の粘度は、図９Ｂで使用されるパターニング材料４１１の粘度よりも低くてもよく、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔが粒子構造パターニング被膜１３０ｐ内で更に沈降し、最終的にその底部に下降することを可能にする。
図９Ｄ～図９Ｆにおいて、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの形状は、図９Ｂの少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの形状に対して長手方向に細長いものとして示されている。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの長手方向に細長い形状は、パターニング材料４１１の堆積環境の時間、温度、及び／又は圧力を含むがこれらに限定されないパターニング材料４１１の堆積中の条件、パターニング材料４１１の組成、融点、凍結温度、昇華温度、粘度、又は表面エネルギーを含むがこれらに限定されないパターニング材料４１１の特性、粒子材料の堆積環境の時間、温度、及び／又は圧力を含むがこれらに限定されない粒子材料の堆積中の条件、粒子材料の組成、又はそのような長手方向に細長い粒子構造１６０ｔの堆積を容易にする傾向があり得る融点、凍結温度、昇華温度、粘度、又は表面エネルギーを含むがこれらに限定されない粒子材料の特性を含むがこれらに限定されないいくつかの様式で達成され得る。
図９Ｄにおいて、長手方向に細長い粒子構造１６０ｔは、粒子構造パターニング被膜１３０ｐ内に実質的に完全に残っているように示されている。対照的に、図９Ｅでは、長手方向に細長い粒子構造１６０ｔのうちの少なくとも１つは、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１を少なくとも部分的に越えて突出するように示され得る。更に、図９Ｆにおいて、長手方向に細長い粒子構造１６０ｔの少なくとも１つは、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１を実質的に越えて突出するように示されてもよく、そのような突出する粒子構造１６０ｔは、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上に実質的に堆積され始めると考えられ得る。
したがって、図９Ｇに示されるように、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔが、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上に堆積され得、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔが、粒子構造パターニング被膜１３０ｐ内に浸透及び／又は定着し得るシナリオが存在し得る。粒子構造パターニング被膜１３０ｐ内に示される少なくとも１つの粒子構造１６０ｔは、図９Ｂに示されるような形状を有するものとして示されているが、当業者であれば、図示されていないが、そのような粒子構造１６０ｔは、図９Ｄ～図９Ｆに示されるような長手方向に細長い形状を有し得ることを理解するであろう。
更に、図９Ｈは、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔが粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上に堆積され得、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔが粒子構造パターニング被膜１３０ｐ内に浸透及び／又は定着し得、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔが粒子構造パターニング被膜１３０ｐの底部に定着し得るシナリオを示す。
図１０は、デバイス１００の第１の部分１０１の平面における簡略部分切り取り図である。デバイス１００のいくつかの部分は、解説を簡略にするために図１０から省略されているが、それに関して説明される様々な特徴は、その中に提供される非限定的な例の特徴と組み合わせられ得ることが理解されよう。
図では、いくつかの非限定的な例では、互いに対して実質的に横断し得る、それぞれＸ軸及びＹ軸として識別される一対の側方軸が示され得る。これらの側方軸のうちの少なくとも１つは、デバイス１００の側方面を画定することができる。
図１０において、上層１８０は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔにわたって実質的に延在し得る。少なくとも１つの粒子構造１６０ｔが配置される粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１の任意の部分が、非限定的な例として、少なくとも１つの粒子構造１６０ｔ間の間隙を含む粒子材料を実質的に欠いている限り、上層１８０は、そのような粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１にわたって実質的に延在し、その上に配置され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造パターニング被膜１３０ｐは、複数の材料を含み得、その少なくとも１つの材料が、上で考察されたように粒子材料及び／又はシード材料に対してかかる比較的低い初期付着確率を呈するパターニング材料４１１を含むがこれに限定されないパターニング材料４１１である。
いくつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第１の材料は、粒子材料及び／又はシード材料の堆積に対して第１の初期付着確率を有するパターニング材料４１１であってもよく、複数の材料のうちの第２の材料は、粒子材料及び／又はシード材料の堆積に対して第２の初期付着確率を有するパターニング材料４１１であってもよく、第２の初期付着確率は、第１の初期付着確率を上回る。
いくつかの非限定的な例では、第１の初期付着確率及び第２の初期付着確率は、実質的に同一の条件及びパラメータを使用して測定することができる。
いくつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第１のものは、複数の材料のうちの第２の材料でドープされ、被覆され、及び／又は補完されてもよく、それにより、第２のものは、シード又は不均一性として機能し、粒子材料及び／又はシード材料のための核形成部位として機能してもよい。
いくつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第２のものは、ＮＰＣ７２０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第２のものは、多環式芳香族化合物を非限定的に含む有機材料、及び／又はＯ、Ｓ、Ｎ、若しくはＣを非限定的に含む非金属元素を含む材料を含んでもよく、これらの存在は、別様には、ソース材料、堆積に使用される機器、及び／又は真空チャンバ環境内の汚染物質であるとみなされ得る。いくつかの非限定的な例では、複数の材料のうちの第２のものは、その閉鎖被膜１５０を形成することを回避するために、単層の小部分である層厚で堆積され得る。むしろ、かかる材料のモノマーは、粒子材料及び／又はシード材料のための個別の核形成部位を形成するように、側方面において離隔される傾向があり得る。
第１のパターニング材料４１１１と第２のパターニング材料４１１２との混合物を含む粒子構造パターニング被膜１３０ｐによって形成された少なくとも１つの粒子構造１６０の適合性を評価するために、一連の試料を作製した。全ての試料において、第１のパターニング材料４１１１は、粒子材料としてのＡｇの堆積に抗する実質的に低い初期付着確率を有するＮＩＣであった。３つの例示的な材料が、第２のパターニング材料４１１２、すなわち、材料としてのＡｇの堆積に抗する比較的高い初期付着確率を有する傾向があり、いくつかの非限定的な例ではＮＰＣ７２０として好適であり得る、ＥＴＬ１６３７材料、Ｌｉｑ、及びＬｉＦとして評価された。
ＥＴＬ１６３７材料については、第１のパターニング材料４１１１及びＥＴＬ１６３７材料を様々な比率でＩＴＯ基板１０上に２０ｎｍの平均層厚まで共堆積させ、その後、その露出層表面１１を１５ｎｍの基準層厚までＡｇの蒸気フラックス５３２に曝露することによって、いくつかの試料を調製した。
ＥＴＬ１６３７材料と第１のパターニング材料４１１１との体積％比がそれぞれ１：９９（ＥＴＬ試料Ａ）、２：９８（ＥＴＬ試料Ｂ）、５：９５（ＥＴＬ試料Ｃ）、１０：９０（ＥＴＬ試料Ｄ）、２０：８０（ＥＴＬ試料Ｅ）、及び４０：６０（ＥＴＬ試料Ｆ）である６つの試料を調製した。追加的に、ＥＴＬ１６３７材料と第１のパターニング材料４１１１との体積％比がそれぞれ０：１００（比較試料１）及び１００：０（比較試料２）である２つの比較試料を調製した。
ＥＴＬ試料Ｂは、１５．１５６％の全表面被覆率、１３．６２９２ｎｍの平均特徴的なサイズ、２．０４６２の分散度、１４．５３９９ｎｍの粒子直径の数平均、及び２０．７９８９ｎｍの粒子直径のサイズ平均を明示した。
ＥＴＬ試料Ｃは、２２．０８３％の全表面被覆率、１６．６９８５ｎｍの平均特徴的サイズ、１．６８１３の分散度、１７．８３７２ｎｍの粒子直径の数平均、及び２３．１２８３ｎｍの粒子直径のサイズ平均を明示した。
ＥＴＬ試料Ｄは、２７．０６２６％の全表面被覆率、１９．４５１８ｎｍの平均特徴的サイズ、１．５５２１の分散度、２０．７４８７ｎｍの粒子直径の数平均、及び２５．８４９３ｎｍの粒子直径のサイズ平均を明示した。
ＥＴＬ試料Ｅは、３５．５３７６％の全表面被覆率、２４．２０９２ｎｍの平均特徴的サイズ、１．６３１１の分散度、２５．８５８ｎｍの粒子直径の数平均、及び３２．９８５８ｎｍの粒子直径のサイズ平均を明示した。
図１１Ａ～図１１Ｅはそれぞれ、比較試料１、ＥＴＬ試料Ｂ、ＥＴＬ試料Ｃ、ＥＴＬ試料Ｄ、及びＥＴＬ試料ＥのＳＥＭ顕微鏡写真である。
図１１Ｆは、ＥＴＬ試料Ｂ１１０５、ＥＴＬ試料Ｃ１１１０、ＥＴＬ試料Ｄ１１１５、及びＥＴＬ試料Ｅ１１２０について、特徴的な粒径の関数として粒子構造１６０のヒストグラム分布をプロットしたヒストグラムであり、それぞれの曲線は、ヒストグラム１１０６、１１１１、１１１６、１１２１に適合する。
本開示では、層状試料の透過率低減率への言及は、任意の基板１０を含む試料中の金属（Ａｇを含むが、これに限定されない）をその上に堆積させる前の層の透過率を差し引いたときに得られる値を指す。当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、ある程度の計算の厳密さを犠牲にして、簡略化された仮定が便宜上行われ得ることを理解するであろう。非限定的な例として、１つの簡略化された仮定は、広範囲の波長にわたるガラスの透過率が実質的に０．９２であるということであり得る。非限定的な例として、１つの簡略化された仮定は、基板１０と金属との間の層の透過率が無視できるということであり得る。非限定的な例として、１つの簡略化された仮定は、基板１０がガラスであるということであり得る。したがって、いくつかの非限定的な例では、任意の基板１０を含む試料中の金属（Ａｇを含むが、これに限定されない）をその上に堆積する前の層の透過率の減算は、測定された透過率値を０．９２で割ることによって計算することができる。
表１３は、様々な波長での様々な試料について測定された透過率低下率の低減値を示す。
分かり得るように、第２のパターニング材料４１１２としてのＥＴＬ材料の濃度が比較的低い場合、ほとんどの波長にわたって透過率の低下は最小限であった。しかしながら、ＥＴＬ材料濃度が約５体積％を上回ると、ＩＲスペクトルの７００ｎｍ及びＮＩＲスペクトルの８５０ｎｍの波長における透過率の有意な低下なしに、可視スペクトルの４５０ｎｍ及び５５０ｎｍの波長において実質的な低下（＞１０％）が観察された。
Ｌｉｑに関しては、第１のパターニング材料４１１１とＬｉｑとを様々な比率で、２０ｎｍの平均層厚までＩＴＯ基板１０上に共堆積させ、その後、その露出層表面１１を１５ｎｍの基準層厚までＡｇの蒸気フラックス５３２に曝露することによって、いくつかの試料を調製した。
Ｌｉｑと第１のパターニング材料４１１１との体積％比が、それぞれ２：９８（Ｌｉｑ試料Ａ）、５：９５（Ｌｉｑ試料Ｂ）、１０：９０（Ｌｉｑ試料Ｃ）、２０：８０（Ｌｉｑ試料Ｄ）である４つの試料を調製した。
Ｌｉｑ試料Ａは、１１．１１１７％の全表面被覆率、１３．２７３５ｎｍの平均特徴的サイズ、１．６５１の分散度、１３．９６１９ｎｍの粒径の数平均、及び１７．９３９８ｎｍの粒径のサイズ平均を明示した。
Ｌｉｑ試料Ｂは、１７．２６１６％の全表面被覆率、１５．２６６７ｎｍの平均特徴的サイズ、１．７９１４の分散度、１６．３９３３ｎｍの粒径の数平均、及び２１．９４１ｎｍの粒径のサイズ平均を明示した。
液体試料Ｃは、３２．２０９３％の全表面被覆率、２３．６２０９ｎｍの平均特徴的サイズ、１．６４２８の分散度、２５．３０３８ｎｍの粒径の数平均、及び３２．４３２２ｎｍの粒径のサイズ平均を明示した。
図１１Ｇ～図１１Ｊは、それぞれ、Ｌｉｑ試料Ａ、Ｌｉｑ試料Ｂ、Ｌｉｑ試料Ｃ、及びＬｉｑ試料ＤのＳＥＭ顕微鏡写真である。
図１１Ｋは、Ｌｉｑ試料Ｂ１１２５、Ｌｉｑ試料Ａ１１３０、及びＬｉｑ試料Ｃ１１３５について、特徴的な粒径の関数として粒子構造１６０のヒストグラム分布をプロットするヒストグラムであり、それぞれの曲線は、ヒストグラム１１２６、１１３１、１１３６に適合する。
表１４は、様々な波長での様々な試料について測定された透過率低下率の低減値を示す。
分かり得るように、第２のパターニング材料４１１２としてのＬｉｑの濃度が比較的低い場合、ほとんどの波長にわたって透過率の低下は最小限であった。しかしながら、Ｌｉｑ濃度が約５体積％を上回ると、可視スペクトルの４５０ｎｍ及び５５０ｎｍの波長で実質的な減少（＞１０％）が観察され、ＩＲスペクトルの７００ｎｍ並びにＮＩＲスペクトルの８５０ｎｍ及び１，０００ｎｍの波長での透過率の有意な減少はなかった。
ＬｉＦについては、最初にＥＴＬ材料をＩＴＯ基板１０上に２０ｎｍの平均層厚まで堆積させ、次に第１のパターニング材料４１１１及びＬｉＦを様々な比でＥＴＬ材料の露出層表面１１上に２０ｎｍの平均層厚まで共堆積させ、その後、その露出層表面１１を１５ｎｍの基準層厚までＡｇの蒸気フラックス５３２に曝露することによって、いくつかの試料を調製した。
ＬｉＦと第１のパターニング材料４１１１との体積％比が、それぞれ２：９８（ＬｉＦ試料Ａ）、５：９５（ＬｉＦ試料Ｂ）、１０：９０（ＬｉＦ試料Ｃ）、２０：８０（ＬｉＦ試料Ｄ）である４つの試料を調製した。
図１１Ｌ～図１１Ｏはそれぞれ、ＬｉＦ試料Ａ、ＬｉＦ試料Ｂ、ＬｉＦ試料Ｃ、及びＬｉＦ試料ＤのＳＥＭ顕微鏡写真である。
図１１Ｐは、ＬｉＦ試料Ａ１１４０、ＬｉＦ試料Ｂ１１４５、及びＬｉＦ試料Ｄ１１５０について、特徴的な粒径の関数として粒子構造１６０のヒストグラム分布をプロットしたヒストグラムであり、それぞれの曲線はヒストグラム１１４１、１１４６、１１５１にする。
表１５は、様々な波長での様々な試料について測定された透過率低下率の低減値を示す。
分かり得るように、第２のパターニング材料４１１２として比較的低濃度のＬｉＦの場合、ほとんどの波長にわたって透過率の低下が最小限であった。しかしながら、ＬｉＦ濃度が約１０体積％を上回ると、可視スペクトルの４５０ｎｍの波長で顕著な減少（８％）が観察され、ＩＲスペクトルの７００ｎｍ並びにＮＩＲスペクトルの８５０ｎｍ及び１，０００ｎｍの波長での透過率は有意に減少しなかった。
追加的に、２０体積％までのＬｉＦの濃度に対して、７００ｎｍ以上の波長で透過率の低下が実質的にないことが観察された。
表１６は、様々な波長での上記の試料で使用された材料の測定された屈折率を示す。
２つ以上の材料を共堆積させることによって形成される層又は被膜について、そのような層又は被膜の屈折率は、非限定的な例として、そのような層又は被膜を構成する各材料について、材料の濃度と材料の屈折率との積が計算され、そのような層又は被膜を構成する材料について計算された積の全ての和が計算されるレバーの法則を使用して推定され得ることが理解されるであろう。
粒子構造の層の光学的効果
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、幾分驚くべきことに、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上の、限定されないが少なくとも１つの金属粒子構造１６０を含む少なくとも１つの粒子構造１６０の薄い分散層の存在は、本明細書で考察されるように、デバイス１００の光学的効果及び特性を含むがこれらに限定されない、１つ以上の変化した特徴及び付随して変化した挙動を示し得ることが見出されている。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０を非限定的に含む、粒子材料のかかる不連続層１７０の存在は、高められたデバイスのＥＭ放射線の抽出、性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命に寄与することができる。
いくつかの非限定的な例では、かかる効果及び特性は、粒子構造１６０の特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、及び／又は分散度のうちの少なくとも１つの賢明な選択によって、ある程度まで制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成のうちの少なくとも１つの形成は、いくつかの非限定的な例では、パターニング材料４１１の少なくとも１つの特性、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの平均膜厚、粒子構造パターニング被膜１３０ｐにおける不均一性の導入、及び／又は粒子構造パターニング被膜１３０ｐのパターニング材料４１１の温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び／又は堆積プロセスを限定することなく含む堆積環境のうちの少なくとも１つの賢明な選択によって制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成のうちの少なくとも１つの形成は、いくつかの非限定的な例では、粒子材料の少なくとも１つの特性、粒子構造パターニング被膜１３０ｐが粒子材料の堆積に曝露され得る程度（これは、いくつかの非限定的な例では、対応する不連続層１７０の厚さに関して指定され得る）、及び／又は粒子材料の堆積の温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び／又は方法を限定することなく含む堆積環境のうちの少なくとも１つの賢明な選択によって制御され得る。
いくつかの非限定的な例では、実質的に最大閾値被覆率以下の表面被覆率を有する少なくとも１つの粒子構造１６０（の一部）は、実質的に最大閾値被覆率を上回る表面被覆率を有する少なくとも１つの粒子構造１６０の一部を通過するＥＭ放射線と比較して、デバイス１００を完全に透過するか、及び／又はそれによって放射されるかにかかわらず、少なくとも１つの粒子構造１６０のかかる一部によって、そこを通過するＥＭ放射線に付与され得る異なる光学特質の発現をもたらし得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０の特徴的な寸法を含む少なくとも１つの寸法は、少なくとも１つの粒子構造１６０の吸収スペクトルがデバイス１００によって放射される、及び／又はそれを通して少なくとも部分的に透過されるＥＭ放射線のＥＭスペクトルの波長範囲と実質的に重ならない波長範囲に対応し得る。
少なくとも１つの粒子構造１６０は、層状半導体デバイス１００を越えてそこに入射するＥＭ放射線を吸収し、したがって反射を低減することができるが、当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０が、デバイス１００によって放射され、そこに入射するＥＭ放射線を吸収し得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、層状デバイス１００において、パターニング被膜１３０の露出層表面１１上の、及び／又はそれに近接する、及び／又は、いくつかの非限定的な例では、上層１８０を有するかかるパターニング被膜１３０の界面に近接する、少なくとも１つの粒子構造１６０の存在は、デバイスによって放射される、及び／又はそれを通して伝送される光子を含むが、それらに限定されないＥＭ放射線に光学効果を付与し得る。
いくつかの非限定的な例では、光学効果は、波長範囲及び／又はそのピーク強度を含む、透過及び／又は吸収波長スペクトルに対するその影響に関して説明され得る。
追加的に、提示されるモデルは、かかる少なくとも１つの粒子構造１６０を通って通過するＥＭ放射線の透過及び／又は吸収に対して付与される特定の効果を示唆し得るが、いくつかの非限定的な例では、かかる効果は、広範かつ観察可能な基準では反映され得ない局所効果を反映し得る。
上記はまた、簡略化された仮定として、各粒子構造１６０をモデル化するＮＰが完全な球形を有し得ることを仮定する。典型的には、少なくとも１つの粒子構造１６０の（使用される観察窓内の）粒子構造１６０ｔの形状は、堆積プロセスに大きく依存し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０ｔの形状は、それによって呈されるＳＰ励起に対して、例えば、非限定的に、共鳴帯域の幅、波長範囲、及び／又は強度、並びに付随して、その吸収帯域に対して、有意な影響を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、（粒子構造１６０ｔがその露出層表面１１上に堆積され得るように）その下にあるか、又はその後、少なくとも１つの粒子構造１６０の露出層表面１１上に配設されるかにかかわらず、少なくとも１つの粒子構造１６０を囲む材料は、ＥＭ放射線及び／又はＥＭ信号３４６１の放射及び／又は少なくとも１つの粒子構造１６０を通る透過によって発生する光学効果に影響を与え得る。
粒子構造１６０ｔを含有する少なくとも１つの粒子構造１６０を、低い屈折率を有する材料を含み得る粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上に、及び／又は物理的に接触して、及び／又は近接して配設することは、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０の吸収スペクトルを偏移し得ると仮定され得る。
いくつかの非限定的な例では、吸収内の変化及び／又は偏移は、可視スペクトル、及び／又はそのサブ範囲を非限定的に含む、ＥＭスペクトルの（サブ）範囲である吸収スペクトルに集中され得る。
少なくとも１つの粒子構造１６０は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐ上に、及び／又は物理的に接触し、及び／又は近接するように配置され得るので、デバイス１００は、かかる吸収スペクトルが、可視スペクトル、ＵＶスペクトル、及び／又はＩＲスペクトルが含まれるが、これらに限定されないＥＭスペクトルの少なくとも波長（サブ）範囲と実質的に重なり得る及び／又は重なり得ないようにすることを限定することなく含む、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの存在により、少なくとも１つの粒子構造１６０の吸収スペクトルが調整及び／又は修正され得るように構成され得る。
いくつかの非限定的な例では、表面上のある量の導電性材料の表面被覆率の１つの尺度は、（ＥＭ放射線）透過率であり得るが、これは、いくつかの非限定的な例では、Ａｇ、Ｍｇ、又はＹｂを含むがこれらに限定されない金属を含むがこれらに限定されない導電性材料は、ＥＭ放射線を減衰及び／又は吸収するためである。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１００の層に対してゼロではない角度でのＥＭ信号３４６１の透過を高めるための少なくとも１つの粒子構造１６０ｔによって与えられた共鳴は、粒子構造１６０ｔの特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、分散度、及び／又は材料のうちの少なくとも１つの賢明な選択によって調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共鳴は、粒子材料の堆積厚さを変動させることによって調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共鳴は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの平均膜厚を変化させることによって調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共鳴は、上層１８０の堆積厚さを変動させることによって調整され得る。いくつかの非限定的な例では、上層１８０の厚さは、０ｎｍ（上層１８０が存在しないことに対応する）から堆積された粒子構造１６０ｔの特徴的なサイズを上回る値までの範囲内であり得る。
いくつかの非限定的な例では、特定の屈折率及び／又は特定の吸光係数を有するように、上層１８０として堆積される材料を選択及び／又は修正することによって共鳴を調整し得る。非限定的な例として、典型的な有機ＣＰＬ材料は、約１．７～２．０の範囲の屈折率を有し得るが、ＴＦＥ材料として典型的に使用される材料であるＳｉＯＮｘは、約２．４を上回り得る屈折率を有し得る。付随して、ＳｉＯＮｘは、所望の共鳴特性に影響を与え得る高い吸光係数を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子材料中の金属の組成を変更して、堆積粒子構造１６０ｔの誘電率を変更することによって、共鳴が調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共鳴は、異なる組成を有する有機材料でパターニング材料４１１をドープすることによって調整され得る。
いくつかの非限定的な例では、共鳴は、特定の屈折率及び／又は特定の抽出係数を有するようにパターニング材料４１１を選択及び／又は修正することによって調整され得る。
当業者は、デバイス１００の層に対してゼロではない角度でのＥＭ信号３４６１の透過を可能にする、及び／又は非限定的な例として、デバイス１００に入射する可視光であり得るＥＭ放射線の吸収を高めるために、追加のパラメータ及び／又は値、及び／又はその範囲は、少なくとも１つの粒子構造１６０によって与えられる共鳴を調整するのに好適であると明らかになり得ることを理解するであろう。
当業者は、これらのパラメータの特定の値及び／又は範囲は、デバイス１００の層に対してゼロではない角度で通過するＥＭ信号３４６１の透過を高めるために、少なくとも１つの粒子構造１６０によって与えられる共鳴を調整するのに好適であり得る一方、かかるパラメータの他の値及び／又は範囲は、ＥＭ信号３４６１の透過の強化を超えて、デバイス１００の性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命の向上、を含む他の目的に適し得、及びいくつかの非限定的な例では、好適な第２の電極１２４０（図１２Ａ）をデバイス１００の光電子バージョンの放射領域１３１０における第２の部分１０２に堆積させ、それによってＥＭ放射線の放射を促進することを理解するであろう。
追加的に、当業者は、かかる他の目的に好適であり得る追加のパラメータ及び／又は値及び／又は範囲が存在し得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、層状半導体デバイス１００の一部として少なくとも１つの粒子構造１６０を採用することにより、その中の偏光子への依存を低減し得る。
当業者は、光学効果の簡略化されたモデルが本明細書に提示されるが、他のモデル及び／又は説明が適用可能であり得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０の存在は、パターニング被膜１３０及び／又は上層１８０を含むがこれに限定されない、長手方向の面において隣接して配設された薄膜層及び／又は被膜の結晶化を低減及び／又は軽減し、それによって、それに隣接して配設された薄膜の特性を安定させ、いくつかの非限定的な例では、散乱を低減することができる。いくつかの非限定的な例では、かかる薄膜は、限定されないが、キャッピング層（capping layer、ＣＰＬ）を含む、デバイス１００の外部結合及び／又は封止被膜２３５０（図２３Ｃ）の少なくとも１つの層であり得、及び／又はそれを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０の存在は、ＵＶスペクトルの少なくとも一部の高められた吸収を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０の特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、粒子材料、及び屈折率のうちの少なくとも１つを含むがこれらに限定されない、かかる粒子構造１６０の特性を制御することにより、ＵＶスペクトルを含む吸収スペクトルの吸収度合、波長範囲、及びピーク波長の制御を容易にし得る。ＵＶスペクトルの少なくとも一部におけるＥＭ放射線の高められた吸収は、例えば、デバイス性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命を改善するために有利であり得る。
いくつかの非限定的な例では、光学効果は、波長範囲及び／又はそのピーク強度を含む、透過及び／又は吸収波長スペクトルに対するその影響に関して説明され得る。
追加的に、提示されるモデルは、かかる少なくとも１つの粒子構造１６０を通って通過するＥＭ放射線の透過及び／又は吸収に対して付与される特定の効果を示唆し得るが、いくつかの非限定的な例では、かかる効果は、広範かつ観察可能な基準では反映され得ない局所効果を反映し得る。
比較的低い屈折率を有する媒体の近くに特定の金属ＮＰを配置することは、かかるＮＰの吸収スペクトルをより低い波長（部分）範囲に偏移させ得る（青色偏移）ことも報告されている。
したがって、いくつかの非限定的な例では、粒子材料を、少なくとも１つの粒子構造１６０が下地層と物理的に接触するように、下地層の露出層表面１１上の少なくとも１つの粒子構造１６０の不連続層１７０として配設することは、いくつかの非限定的な例では、デバイス１００によって放射される、及び／又はそれを通して少なくとも部分的に透過されるＥＭ放射線のＥＭスペクトルの波長範囲と実質的に重ならないように、青方偏移を非限定的に含む、粒子材料の吸収スペクトルを有利に偏移し得ると更に仮定し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０のピーク吸収波長は、デバイス１００を通して放射されている、及び／又はそれを通して少なくとも部分的に透過されるＥＭ放射線のピーク波長未満であり得る。非限定的な例として、粒子材料は、約４７０ｎｍ以下、約４６０ｎｍ、約４５５ｎｍ以下、約４５０ｎｍ以下、約４４５ｎｍ以下、約４４０ｎｍ以下、約４３０ｎｍ以下、約４２０ｎｍ以下、又は約４００ｎｍ以下のうちの少なくとも１つである波長でピーク吸収を呈し得る。
ここで、少し驚くべきことに、限定されないが、金属から構成されるものを含む、少なくとも１つの粒子構造１６０の形態を含むが、これらに限定されない形態での粒子材料を提供することが、デバイス１００を通じて、少なくとも１つの粒子構造１６０から、及び／又はそれらを通して第１の方向に通過し、可視スペクトル、及び／又はそのサブ範囲を含むが、これらに限定されない、ＥＭスペクトルの少なくとも１つの波長（サブ）範囲の、限定することなく含む、第１の方向に通過するＥＭ放射線の吸収及び／又は透過に更に影響を与え得ることが見出されている。
いくつかの非限定的な例では、吸収は、低減され得、及び／又は透過は、限定されないが可視スペクトル、及び／又はそのサブ範囲を含む、少なくともＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲に集中され得る。
いくつかの非限定的な例では、吸収は、可視スペクトル、及び／又はそのサブ範囲を非限定的に含む、ＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲である吸収スペクトルに集中され得る。
いくつかの非限定的な例では、吸収スペクトルは、青方偏移及び／又は可視スペクトル、及び／又は限定されないがそのサブ範囲を含む、限定されないがＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲を含むより高い波長（サブ）範囲に、及び／又は少なくとも部分的に可視スペクトルを超えたＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲に、偏移（赤方偏移）され得る。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、複数の粒子構造１６０が、デバイス１００の追加の層によって分離されているか否かにかかわらず、様々な側方面を有し、異なる吸収スペクトルを有して、互いの上に配設することができることを理解するであろう。このようにして、デバイス１００の特定の層及び／又は部分１０１、１０２の光学応答は、１つ以上の基準に従って調整され得る。
放射領域の周囲の吸収
いくつかの非限定的な例では、層状半導体デバイス１００は、少なくとも１つの放射領域１３１０（図１３Ａ）を含むＯＬＥＤなどの光電子デバイス１２００ａ（図１２Ａ）であり得る。いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０は、いくつかの非限定的な例では、アノードであり得る第１の電極１２２０（図１２Ａ）と、いくつかの非限定的な例では、カソードであり得る第２の電極１２４０との間に配置される、少なくとも１つの半導体層１２３０（図１２Ａ）に対応してもよい。アノード及びカソードは、電源１６０５（図１６）と電気的に結合され、それぞれ、少なくとも１つの半導体層１２３０を通して互いに向かって移動する正孔及び電子を発生させることができる。一対の正孔と電子が結合すると、光子の形態でＥＭ放射線が放射され得る。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０の少なくとも一部において、少なくとも１つの半導体層１２３０は、いくつかの非限定的な例では第１の電極１２２０を含むデバイス１２００の露出層表面１１の上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０を含み得るデバイス１００の露出層表面１１は、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１にパターニング被膜１３０を形成するために、限定するものではないが、シャドウマスク４１５を使用して、パターニング材料４１１の蒸発したフラックス４１２に曝露され得る。シャドウマスク４１５が採用されるか否かにかかわらず、パターニング被膜１３０は、その側方面において、実質的に信号透過領域１３２０に限定され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１２００の露出層表面１１は、堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２に曝露されてもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを含むがこれに限定されない粒子材料と同様の材料であってもよく、及び／又は同様の材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号透過領域１３２０の側方面内の面３４０１の露出層表面１１は、パターニング被膜１３０を含み得る。したがって、少なくとも１つの信号透過領域１３２０の側方面内で、いくつかの非限定的な例では粒子材料と同様の材料であってもよく、及び／又は粒子材料と同様の材料を含み得る堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２は、露出層表面１１に入射して、パターニング被膜１３０の露出層表面１１上に少なくとも１つの粒子構造１６０ｔを形成し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０中の表面被覆率は、約７０％以下、約６０％以下、５０％以下、４０％以下、３０％以下、２５％以下、２０％以下、１５％以下、又は１０％以下のうちの少なくとも１つであり得る。
同時に、パターニング被膜１３０は、その側方面において、実質的に非放射領域１５２０に制限されているので、いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０の側方面１７１０内の面３４０１の露出層表面１１は、少なくとも１つの半導体層１２３０を含み得る。したがって、少なくとも１つの放射領域１３１０の側方面１７１０の第２の部分１０２内で、露出層表面１１に入射する堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２は、第２の電極１２４０として堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０を形成し得る。
したがって、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、二重の目的、すなわち、第１の部分１０１における少なくとも１つの粒子構造１６０の堆積のためのベースを提供するための粒子構造パターニング被膜１３０ｐとして、及び堆積材料５３１の堆積中にシャドウマスク４１５を採用することなく、第２の部分１０２への第２の電極１２４０としての堆積材料５３１の堆積の側方範囲を制限するための非粒子構造パターニング被膜１３０ｎとして役立ち得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０の平均膜厚は、少なくとも約５ｎｍ、約６ｎｍ、又は約８ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、ＭｇＡｇを含むがこれに限定されないＡｇ含有物質を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、第２の電極１２４０の露出層表面１１上に、及び／又はその上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１２００の露出層表面１１の側方面は、第１の部分１０１及び第２の部分１０２を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、省略されてもよく、又は第１の部分１０１の上に延在しなくてもよく、むしろ第２の部分１０２の上にのみ延在し得る。いくつかの非限定的な例では、図１２Ａに非限定的な例として示されるように、第２の部分１０２は、多かれ少なかれ、デバイス１００のバージョン１２００ａの少なくとも１つの非放射領域１５２０（図１５）の側方面１７２０（図２２）に対応し得、シード１６１は、非粒子構造パターニング被膜１３０ｎの堆積前に堆積され得る。
かかる非限定的な構成は、デバイス１００の露出層表面１１に入射する外部ＥＭ放射線の反射を低減しながら、少なくとも１つの放射領域１３１０から放射されるＥＭ放射線の透過率を可能にし、かつ／又は最大化するのに適切であり得る。
したがって、図１２Ａに示すように、かかるシナリオでは、非粒子構造パターニング被膜１３０ｎが、少なくとも１つの粒子構造１６０を堆積する目的ではなく、その側方範囲を制限するために堆積され得る場合、かかる非粒子構造パターニング被膜１３０ｎを構成し得るパターニング材料４１１は、上で考察されたように粒子材料及び／又はシード材料に対してかかる比較的低い初期付着確率を呈しなくてもよい。
当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０は、デバイス１２００の放射領域１３１０以外の、かつ／又はそれに加えて、デバイス１２００の領域から省略されてもよく、第２の部分１０２は、いくつかの例では、かかる他の領域に対応し、かつ／又はそれを含み得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、図１２Ａに示されるように、非粒子構造パターニング被膜１３０ｎは、存在する場合、テンプレート層にシード１６１を堆積させた後、露出層表面１１上に堆積させ得、その結果、シード１６１は、第１の部分１０１と第２の部分１０２の両方にわたって堆積され得、かつ非粒子構造パターニング被膜１３０ｎは、第１の部分１０１にわたって堆積されたシード１６１を覆い得る。
いくつかの非限定的な例では、非粒子構造パターニング被膜１３０ｎは、粒子材料だけでなくシード材料の堆積にも抗する比較的小さい初期付着確率を有する表面を提供し得る。図１２Ｂのデバイス１００の例示的バージョン１２００ｂに示すかかる例では、非粒子構造パターニング被膜１３０ｎは、シード材料の任意の堆積の後ではなく前に堆積され得る。
第１の部分１０１にわたる非粒子構造パターニング被膜１３０ｎの選択的堆積の後、導電性粒子材料は、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、デバイス１２００ｂ上に堆積され得るが、非粒子構造パターニング被膜１３０ｎによって被覆されていないそれぞれのシード１６１、存在する場合、の周りに、限定することなく含まれるが、合着することにより粒子構造１６０ｔとして、及び／又はそれを形成するために、パターニング被膜１３０を実質的に欠き得る実質的に第２の部分１０２内のみに残留し得る。
第１の部分１０１にわたる非粒子構造パターニング被膜１３０ｎの選択的堆積の後、シード材料は、堆積される場合、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、デバイス１２００ｂの露出層表面１１をわたってテンプレート層に堆積され得るが、シード１６１は、非粒子構造パターニング被膜１３０ｎを実質的に欠き得る第２の部分１０２内にのみ実質的に残留し得る。
更に、粒子材料は、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、デバイス１２００の露出層表面１１にわたって堆積され得るが、粒子材料は、非粒子構造パターニング被膜１３０ｎを実質的に欠き得る粒子構造１６０ｔとして、及び／又はその中にそれを形成するために、それぞれのシード１６１の周りに合着することを含むが、これらに限定されない第２の部分１０２内にのみ実質的に残留し得る。
非粒子構造パターニング被膜１３０ｎは、第１の部分１０１内に、第２の部分１０２内のデバイス１２００ｂの下地層の露出層表面１１の粒子材料及び／又は、存在する場合、シード材料の堆積に抗する初期付着確率よりも実質的に小さい可能性がある粒子材料及び／又はシード材料（存在する場合）の堆積に抗する初期付着確率が比較的低い表面を提供し得る。
したがって、第１の部分１０１は、シード１６１の閉鎖被膜１５０及び／又は粒子構造１６０ｔを、限定することなく含むが、シード１６１の周りに合着することにより形成するために第２の部分１０２内に堆積され得る粒子材料を実質的に欠き得る。
当業者であれば、粒子材料の一部及び／又はシード材料の一部が第１の部分１０１内に残留していても、第１の部分１０１内の任意のかかる粒子材料及び／又はシード材料から形成されたシード１６１の量は、第２の部分１０２内よりも実質的に少ない場合があり、第１の部分１０１内の任意のかかる粒子材料は、粒子構造１６０を実質的に欠き得る不連続層１７０を形成する傾向があり得ることを理解するであろう。第１の部分１０１内のかかる粒子材料の一部がシード材料から形成されたシード１６１の周りを含むが、これに限定されない粒子構造１６０ｄを形成したとしても、それにもかかわらず、かかる粒子構造１６０ｄのサイズ、高さ、重量、厚さ、形状、プロファイル、及び／又は間隔は、第１の部分１０１での特定の色に対応するが、これに限定されないものを含む、可視スペクトル、及び／又はそのサブ範囲及び／又は波長を含むがこれに限定されない、ＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲における、ＥＭ放射線の吸収が、第２の部分１０２での吸収より実質的に少なくあり得る第２の部分１０２の粒子構造１６０ｔのものとは十分に異なり得る。
このように、粒子構造パターニング被膜１３０ｎは、シャドウマスク４１５を使用することを含むがこれに限定されない、選択的に堆積されて、限定することなく含まれるが、それぞれのシード１６１の周りに合着することにより、粒子構造１６０ｔとして形成するために、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、粒子材料が堆積されることを可能にし得る。
当業者は、比較的低い反射率を示す構造が、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０を提供するために好適であり得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の露出層表面１１上の、例えば非限定的に不連続層１７０内の、ＮＰを非限定的に含む、少なくとも１つの粒子構造１６０の存在は、デバイス１２００のいくつかの光学特性に影響を及ぼし得る。
いかなる特定の理論にも限定されることを望むものではないが、粒子材料の閉鎖被膜１５０の形成は、パターニング被膜１３０によって、及び／又はその上で、実質的に阻害され得るが、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０がその上の粒子材料の堆積に曝露されるとき、粒子材料のいくつかの蒸気モノマーは、最終的に、その上に粒子材料の少なくとも１つの粒子構造１６０を形成し得ると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０の少なくともいくつかは、互いに切断され得る。換言すれば、いくつかの非限定的な例では、不連続層１７０は、粒子構造１６０が閉鎖被膜１５０を形成しないように、互いに物理的に分離され得る粒子構造１６０を含む特徴を含み得る。したがって、かかる不連続層１７０は、いくつかの非限定的な例では、したがって、デバイス１２００内のパターニング被膜１３０と上層１８０との間の界面に、及び／又は実質的にその側方範囲にわたって挿入される、粒子構造１６０として形成される粒子材料の薄い分散層を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０のうちの少なくとも１つは、パターニング被膜１３０の露出層表面１１と物理的に接触し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０の実質的に全てが、パターニング被膜１３０の露出層表面１１と物理的に接触し得る。
ここで、ユーザデバイス１３００の例示的なバージョン１３００ａの簡略ブロック図である図１３Ａに目を向けると、図示されていないが、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号透過領域１３２０内の、いくつかの非限定的な例では、少なくとも隣り合う放射領域１３１０から側方に離隔された領域内の、及びいくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層１２０９のピクセル定義層（pixel definition layer、ＰＤＬ）１２１０の厚さは、いくつかの非限定的な例では、層状半導体デバイス１００であり得るユーザデバイス１３００のディスプレイパネル１３４０ａの層に対する及びそれを通る透過率及び／又は透過率角度を高めるために低減され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの放射領域１３１０の側方面１７１０（図１７）は、データ線及び／又は走査線（図示せず）に沿って放射領域１３１０を駆動するために、それと関連付けられた少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１にわたって延在し得、かつそれを含み得、いくつかの非限定的な例では、Ｃｕ及び／又はＴＣＯから形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層１３３０は、デバイス１３１０の側方範囲にわたって少なくとも部分的に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２内の第２の電極１２４０を被覆し、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０を少なくとも部分的に被覆し、第１の部分１０１内のその露出層表面１１においてパターニング被膜１３０との界面を形成する。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２内の面３４０１の露出層表面１１に入射する粒子材料の蒸気フラックス５３２は、（すなわち、面３４０１の露出層表面１１が粒子構造パターニング被膜１３０ｐである第１の部分１０１の側方面を越えて）、粒子構造パターニング被膜１３０ｐがない場合でも、粒子材料の閉鎖被膜１５０を形成しない可能性がある場合、ある比率で及び／又は期間の間であり得る。かかるシナリオでは、第２の部分１０２の側方面内の露出層表面１１上の粒子材料の蒸気フラックス５３２はまた、図１３Ｂに示されるように、限定することなく含まれるが、不連続層１７０として、少なくとも１つの粒子構造１６０ｄをその上に形成し得る。
図１３Ｂは、ユーザデバイス１３００の例示的バージョン１３００ｂの簡略ブロック図である。そのディスプレイパネル１３４０ｂで、粒子材料の蒸気フラックス５３２が露出層表面１１に入射するとき、第２の部分１０２の第２の電極１２４０として閉鎖被膜１５０を形成するのではなく、面３４０１のように、少なくとも１つの粒子構造１６０ｄを含む、第２の部分１０２に不連続層１７０が形成され得る。少なくとも１つの粒子構造１６０ｄが電気的に結合される場合、不連続層１７０は、第２の電極１２４０として役立ち得る。
いくつかの非限定的な例では、特徴的なサイズ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、及び／又は第１の部分１０１の少なくとも１つの粒子構造１６０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの分散度は、第２の部分１０２で第２の電極１２４０を形成する不連続層１７０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｄのそれとは異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内の少なくとも１つの粒子構造１６０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの特徴的なサイズは、第２の部分１０２内の第２の電極１２４０を形成する不連続層１７０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｄの特徴的なサイズを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内の少なくとも１つの粒子構造１６０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの表面被覆率は、第２の部分１０２内の第２の電極１２４０を形成する不連続層１７０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｄの表面被覆率を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１の少なくとも１つの粒子構造１６０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの堆積密度は、第２の部分１０２内の第２の電極１２４０を形成する不連続層１７０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｄの堆積密度を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２内の第２の電極１２４０を形成する不連続層１７０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｄの特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び／又は組成は、それらが電気的に結合されることを可能にするようなものであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２内の第２の電極１２４０を形成する不連続層１７０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｄの特徴的なサイズは、第１の部分１０１内の少なくとも１つの粒子構造１６０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの特徴的なサイズを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２内の第２の電極１２４０を形成する不連続層１７０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｄの表面被覆率は、第１の部分１０１内の少なくとも１つの粒子構造１６０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの表面被覆率を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２における第２の電極１２４０を形成する不連続層１７０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｄの堆積密度は、第１の部分１０１における少なくとも１つの粒子構造１６０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔの堆積密度を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、遷移領域１３１５においてパターニング被膜１３０の上に部分的に延在し得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０を形成する不連続層１７０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｄは、遷移領域１３１５内の粒子構造パターニング被膜１３０ｐの上に部分的に延在し得る。
図１３Ｃは、ユーザデバイス１３００の例示的バージョン１３００ｃの簡略ブロック図である。図１３Ｂのディスプレイパネル１３４０ｂは、ディスプレイパネル１３４０ｂの側方面の第２の部分１０２内の放射領域１３１０を駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１は、ディスプレイパネル１３４０ｂの側方面の第２の部分１０２内の放射領域１３１０と同じ場所に設置されてもよく、第１の電極１２２０は、ＴＦＴ絶縁層１２０９を通して延在して、かかる少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１を組み込む少なくとも１つの駆動回路を通して電源１６０５の端子及び／又は接地に電気的に結合されてもよい。
対照的に、図１３Ｃのディスプレイパネル１３４０ｃでは、面３４０１の側方面の第２の部分１０２内に、それが駆動する放射領域１３１０と同じ場所に設置されたＴＦＴ構造１２０１はない。したがって、ディスプレイパネル１３４０ｃの第１の電極１２２０は、ＴＦＴ絶縁層１２０９を通して延在していない。
むしろ、ディスプレイパネル１３４０ｃの側方面の第２の部分１０２における放射領域１３１０を駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１は、その側方面内の他の場所に位置し（図示せず）、導電性チャネル１３２５は、ディスプレイパネル１３４０ｃの側方面内で、その第２の部分１０２を越えて、ディスプレイパネル１３４０ｃの露出層表面１１上に延在してもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層１２０９であり得る。いくつかの非限定的な例では、導電性チャネル１３２５は、ディスプレイパネル１３４０ｃの側方面の第１の部分１０１の少なくとも一部にわたって延在してもよい。いくつかの非限定的な例では、導電性チャネル１３２５は、それを通して面３４０１の層に対してゼロでない角度で通過するＥＭ信号３４６１の透過率を最大化するような平均膜厚を有し得る。いくつかの非限定的な例では、導電性チャネル１３２５は、Ｃｕ及び／又はＴＣＯから形成され得る。
粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上に形成された少なくとも１つの粒子構造１６０の特徴を分析するために、かかる露出層表面１１をＡｇの蒸気フラックス５３２に曝露した後に、一連の試料を作製した。
試料は、有機材料を堆積させて、ケイ素（Ｓｉ）基板１０上に粒子構造パターニング被膜１３０ｐを設けることによって作製された。次いで、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１は、８ｎｍの基準厚さに達するまでＡｇの蒸気フラックス５３２に供された。粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１の蒸気フラックス５３２への曝露に続いて、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上のＡｇの離散粒子構造１６０ｔの形態の不連続層１７０の形成が観察された。
かかる不連続層１７０の特徴は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上に堆積されたＡｇの離散粒子構造１６０ｔのサイズを測定するためにＳＥＭによって特徴付けられた。具体的には、各離散粒子構造１６０ｔの平均直径は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１を平面で視認されたときにそれによって占有される表面積を測定し、各粒子構造１６０ｔによって占有される面積を等価面積を有する円に当てはめて平均直径を計算することによって計算した。試料のＳＥＭ写真を図１４Ａに示し、図１４Ｃは、この分析によって得られた平均直径１４１０の分布を示す。比較のために、８ｎｍのＡｇをＳｉ基板１０上に直接堆積させた基準試料を調製した。かかる基準試料のＳＥＭ顕微鏡写真を図１４Ｂに示し、この顕微鏡写真の分析１４２０も図１４Ｃに反映されている。
分かり得るように、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１上の離散Ａｇ粒子構造１６０ｔの中央値サイズは、約１３ｎｍであることが見出された一方で、基準試料においてＳｉ基板１０上に堆積されたＡｇ膜の中央値粒径は、約２８ｎｍであることが見出された。試料の分析された部分における不連続層１７０の離散Ａｇ粒子構造１６０ｔによって被覆された粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１の面積パーセンテージは、約２２．５％であることが見出され、一方、基準試料におけるＡｇ粒子によって被覆されたＳｉ基板１０の露出層表面１１のパーセンテージは、約４８．５％であることが見出された。
追加的に、粒子構造パターニング被膜１３０ｐ及びＡｇ粒子構造１６０ｔの不連続層１７０をガラス基板１０上に堆積させることによって、実質的に同一のプロセスを使用してガラス試料を調製し、試料を通る透過率に対する不連続層１７０の影響を決定するために、この試料（試料Ｂ）を分析した。比較ガラス試料は、ガラス基板１０上に粒子構造パターニング被膜１３０ｐを堆積させることによって（比較試料Ａ）、及びガラス基板１０上に厚さ８ｎｍのＡｇ被膜を直接堆積させることによって（比較試料Ｃ）作製された。ＥＭ放射線が各試料を通って通過する際に検出されるＥＭ放射線の強度のパーセンテージとして表されるＥＭ放射線の透過率を、各試料について様々な波長で測定し、表１７にまとめた。
分かり得るように、試料Ｂは、ＮＩＲスペクトルにおける８５０ｎｍの波長で約８８％の比較的高いＥＭ放射線透過率を呈しながら、少なくとも１つの粒子構造１６０の存在によって引き起こされるＥＭ放射線吸収に起因して、可視スペクトルにおける４５０ｎｍの波長で約５４％の比較的低いＥＭ放射線透過率を呈した。比較試料Ａは、８５０ｎｍの波長で約９０％の透過率を呈したので、少なくとも１つの粒子構造１６０の存在は、かかる波長でのＥＭ信号３４６１を含むがこれに限定されないＥＭ放射線の透過を実質的に減衰させなかったことが理解されるであろう。比較試料Ｃは、試料Ｂと比較して、可視スペクトルにおいて３０～４０％の比較的低い透過率を示し、ＮＩＲスペクトルにおいて８５０ｎｍの波長でより低い透過率を明示した。
上述の分析の目的で、５００ｎｍスケールで約１０ｎｍ２以下、及び２００ｎｍスケールで約２．５ｎｍ２以下の閾値領域を下回る小さい粒子構造１６０ｔは、これらが画像の解像度に近づいたため無視された。
放射領域内の粒子
いくつかの非限定的な例では、ピクセル２８１０は、複数の隣接するサブピクセル１３４ｘを含むことができ、各サブピクセル１３４ｘは、異なる波長範囲に対応する放出スペクトルを有するＥＭ放射線を放出する。隣接するサブピクセル１３４ｘ間の波長スペクトルの差に起因して、それらに対応する放射領域１３１０の物理的構造が同一である場合、それらの光学性能は異なり得る。いくつかの非限定的な例では、１つの波長範囲のサブピクセル１３４ｘｉの物理的構造は、サブピクセル１３４ｘｉ、１３４ｘｊの光学性能をそれらの関連する波長範囲に調整するように、別の波長範囲のサブピクセル１３４ｘｊの物理的構造から変更されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような調整は、異なる波長範囲のサブピクセル１３４ｘ間で比較的一貫した光学性能を提供することであり得る。いくつかの非限定的な例では、そのような調整は、所与の波長範囲のサブピクセルの光学性能を強調することであり得る。
所与の波長範囲のサブピクセル１３４ｘの光学性能を調整する１つのメカニズムは、粒子構造１６０を含むがこれに限定されない粒子材料の薄い分散層の形成及び／又は属性を制御する能力を利用し得、いくつかの非限定的な例では、そのようなサブピクセル１３４ｘと関連付けられたＥＭスペクトルの波長範囲におけるＥＭ放射線の放出及び／又はアウトカップリングを強化することを含むがこれに限定されない。
ここで図１５に目を向けると、光電子デバイス１２００の例示的なバージョン１５１０が示されている。デバイス１５１０において、共通ピクセル２８１０に対応する複数のサブピクセル１３４ｘｉ、１３４ｘｊが示されている。当業者であれば、２つのサブピクセル１３４ｘＩ、１３４ｘｊが示されているが、いくつかの非限定的な例では、ピクセル２８１０は、それと関連付けられた３つ以上のサブピクセル１３４ｘを有し得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル１３４ｘｉ、１３４ｘｊの一方は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、又はＷ（白）波長範囲に対応し、サブピクセル１３４ｘｉ、１３４ｘｊの他方は、異なる波長範囲に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、サブピクセル１３４ｘｉ及び１３４ｘｊは、対応する放射領域１３１０ｉ、１３１０ｊを有する。いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０ｉは、少なくとも１つの非放射領域１５２０ａ、１５２０ｂによって囲まれてもよく、放射領域１３１０ｊは、少なくとも１つの非放射領域１５２０ｂ、１５２０ｃによって囲まれてもよい。
いくつかの非限定的な例では、サブピクセル１３４ｘｉに対応する第１の電極１２２０ｉ及びサブピクセル１３４ｘｊに対応する第１の電極１２２０ｊは、デバイス１５１０の露出層表面１１の上に配置されてもよく、いくつかの非限定的な例では、対応する放射領域１３１０ｉ、１３１０ｊの側方面の少なくとも一部の中に配置されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも放射領域１３１０ｉ、１３１０ｊの側方面内で、露出層表面１１は、対応する放射領域１３１０ｉ、１３１０ｊの駆動回路を構成する様々なＴＦＴ構造１２０１ｉ、１２０１ｊのＴＦＴ絶縁層１２０９を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０ｉ、１２２０ｊは、対応する少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１ｉ、１２０１ｊを組み込むそれぞれの少なくとも１つの駆動回路を介して電源１６０５の端子及び／又は接地に電気的に結合されるように、ＴＦＴ絶縁層１２０９を通って延在し得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる放射領域１３１０ｉ、１３１０ｊの側方面の少なくとも一部において、少なくとも１つの半導体層１２３０は、いくつかの非限定的な例ではそれぞれの第１の電極１２２０ｉ、１２２０ｊを含むデバイス１５１０の露出層表面の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０は、放射領域１３１０ｉ、１３１０ｊの側方面を越えて、周囲の非放射領域１５２０ａ、１５２０ｂ、１５２０ｃのうちの少なくとも１つの側方面内に少なくとも部分的に延在し得る。いくつかの非限定的な例では、非放射領域１５２０の側方面におけるデバイス１５１０の露出層表面１１は、それに対応するＰＤＬ１２１０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１５１０の露出層表面１１の側方面は、第１の部分１０１及び第２の部分１０２を含むことができ、第１の部分１０１は、放射領域１３１０ｉの側方面に実質的にわたって延在し、第２の部分１０２は、少なくとも放射領域１３１０ｊ及び非放射領域１５２０の側方面に実質的にわたって延在する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０の露出層表面１１は、実質的に放射領域１３１０ｉの側方面、すなわち、第１の部分１０１のみにわたってパターニング被膜１３０をパターニング被膜１３０として形成するために、シャドウマスク４１５の使用を含むがこれに限定されないパターニング材料４１１の蒸気フラックス４１２に曝露され得る。しかしながら、第２の部分１０２では、デバイス１５１０の露出層表面１１は、パターニング被膜１３０を実質的に欠いていてもよい。
第１の部分１０１にわたるパターニング被膜１３０の選択的堆積の後、デバイス１５１０の露出層表面１１は、堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２に曝露されてもよく、これは、いくつかの非限定的な例では、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを含むがこれらに限定されない、粒子材料と同様の材料であってもよく、及び／又は同様の材料を含み得る。
したがって、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０を含む不連続層１７０は、実質的に放射領域１３１０ｉの側方面のみにわたって、第１の部分１０１内のパターニング被膜１３０の露出層表面１１上に形成され、それに限定され得る。
いくつかの非限定的な例では、不連続層１７０は、第２の電極１２４０ｉを含み得る。
デバイス１５１０の露出層表面１１がパターニング被膜１３０を実質的に欠いていてもよい場合、堆積材料５３１は、非限定的な例として、放射領域１３１０ｊ内の対応するサブピクセル１３４ｘｊの第２の電極１２４０ｊとして機能し得る、閉鎖被膜１５０である堆積層１４０として、第２の部分１０２に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の部分１０２内の第２の電極１２４０ｊの平均膜厚は、第１の部分１０１内の粒子構造１６０の特徴的なサイズよりも大きくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０を形成するための堆積材料５３１は、デバイス１５１０の層に対してゼロでない角度でその非放射領域１５２０を通過するＥＭ放射線の放出及び／又はアウトカップリングを向上させるという状況において、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、又はＡｌのうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０は、デバイス１５１０の層に対してゼロでない角度でその非放射領域１５２０を通過するＥＭ放射線の放出及び／又はアウトカップリングを増強する文脈において、約１～５００ｎｍ、約１０～５００ｎｍ、約５０～３００ｎｍ、約５０～５００ｎｍ、約１００～３００ｎｍ、約１～２５０ｎｍ、約１～２００ｎｍ、約１～１８０ｎｍ、約１～１５０ｎｍ、約１～１００ｎｍ、約５～１５０ｎｍ、約５～１３０ｎｍ、約５～１００ｎｍ、又は約５～８０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲にある特徴的なサイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０は、デバイス１５１０の層に対してゼロでない角度でその非放射領域１５２０を通過するＥＭ放射線の放出及び／又はアウトカップリングを増強するという状況において、約１０～５００ｎｍ、約５０～３００ｎｍ、約５０～５００ｎｍ、約１００～３００ｎｍ、約５～１３０ｎｍ、約１０～１００ｎｍ、約１０～９０ｎｍ、約１５～９０ｎｍ、約２０～８０ｎｍ、約２０～７０ｎｍ、又は約２０～６０ｎｍのうちの少なくとも１つの平均及び／又は中央特徴サイズを有し得る。非限定的な例として、そのような平均及び／又は中央寸法は、粒子構造１６０の平均直径及び／又は中央直径に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０の大部分は、デバイス１５１０の層に対してゼロでない角度でその非放射領域１５２０を通過するＥＭ放射線の放出及び／又はアウトカップリングを向上させるという状況において、約５００ｎｍ、約３００ｎｍ、約２００ｎｍ、約１３０ｎｍ、約１００ｎｍ、約９０ｎｍ、約８０ｎｍ、約６０ｎｍ、又は約５０ｎｍのうちの少なくとも１つの最大特徴サイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、そのような最大特徴サイズを有する粒子構造１６０の割合は、デバイス１５１０の層に対してゼロでない角度でその非放射領域１５２０を通過するＥＭ放射線の放出及び／又はアウトカップリングを向上させるという状況において、約５０％、約６０％、約７５％、約８０％、約９０％、又は約９５％のうちの少なくとも１つを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、最大閾値被覆率は、デバイス１５１０の層に対してゼロでない角度でその非放射領域１５２０を通過するＥＭ放射線の放出及び／又はアウトカップリングを向上させるという状況において、不連続層１７０の面積の約７５％、約６０％、約５０％、約３５％、約３０％、約２５％、約２０％、約１５％、又は約１０％のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層１３３０は、デバイス１３１０の側方範囲にわたって少なくとも部分的に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの粒子構造１６０を少なくとも部分的に被覆し、放射領域１３１０ｉ内のその露出層表面１１においてパターニング被膜１３０との界面を形成し、いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０ｊ内の第２の電極１２４０及び非放射領域１５２０を被覆する。
更に、少なくとも１つの粒子構造１６０は、低屈折率パターニング材料４１１を含むパターニング被膜１３０と、高屈折率材料を含む少なくとも１つの被覆層１３３０との間の界面において、少なくとも１つの被覆層１３３０を通じて放射領域１３１０ｉによって放出されるＥＭ放射線のアウトカップリングを強化し得る。
光電子デバイス
図１６は、本開示による例示的なエレクトロルミネセントデバイス１６００の断面からの簡略ブロック図である。いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００はＯＬＥＤである。
デバイス１６００は、基板１０を含むことができ、それぞれ、その上に、複数の層を含むフロントプレーン１６１０、第１の電極１２２０、少なくとも１つの半導体層１２３０、及び第２の電極１２４０が配設される。いくつかの非限定的な例では、フロントプレーン１６１０は、光子放射、及び／又は放射された光子の操作のためのメカニズムを提供することができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０及び下地層は、デバイス１６００の第１の電極１２２０及び第２の電極１２４０のうちの少なくとも１つの少なくとも一部を一緒に形成することができる。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０及びその下の下地層は、デバイス１６００のカソードの少なくとも一部を一緒に形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００は、電源１６０５と電気的に結合され得る。そのように結合されると、デバイス１６００は、本明細書に説明されるように光子を放射することができる。
基板
いくつかの例では、基板１０は、ベース基板１２１２を含み得る。いくつかの例では、ベース基板１２１２は、Ｓｉ、ガラス、金属（金属箔を非限定的に含む）、サファイア、及び／若しくは他の無機材料を非限定的に含む無機材料、並びに／又はポリイミド、及び／若しくはＳｉベースのポリマーを非限定的に含むポリマーを非限定的に含む有機材料を含む、その使用に好適な材料から形成され得る。いくつかの例では、ベース基板１２１２は、剛性又は可撓性であり得る。いくつかの例では、基板１０は、少なくとも１つの平面によって画定され得る。いくつかの非限定的な例では、基板１０は、第１の電極１２２０、少なくとも１つの半導体層１２３０、及び／又は第２の電極１２４０を非限定的に含む、デバイス１６００の残りのフロントプレーン１６１０の構成要素を支持する少なくとも１つの表面を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる表面は、有機表面及び／又は無機表面であり得る。
いくつかの例では、基板１０は、ベース基板１２１２に加えて、ベース基板１２１２の露出層表面１１上に支持された少なくとも１つの追加の有機及び／又は無機層（図示せず、又は本明細書に具体的に記載されていない）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる追加の層は、少なくとも１つの半導体層１２３０のうちの少なくとも１つを含み、置換し、かつ／又は補足することができる少なくとも１つの有機層を含み、かつ／又は形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、かかる追加の層は、少なくとも１つの電極を含み、かつ／又は形成し得る、少なくとも１つの無機層を含んでもよく、いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０及び／又は第２の電極１２４０を含み、置換し、かつ／又は補完してもよい。
いくつかの非限定的な例では、かかる追加の層は、バックプレーン１６１５を含み、かつ／又はそれから形成され、かつ／又はそれとして形成され得る。いくつかの非限定的な例では、バックプレーン１６１５は、低圧（真空を含むが、これに限定されない）環境下で提供されなくてもよく、及び／又はその導入前に提供されてもよいフォトリソグラフィプロセスによって形成され得る、限定されないが電子ＴＦＴ構造１２０１及び／又はその構成要素を含むデバイス１６００を駆動するための電源回路及び／又はスイッチング素子を収容することができる。
バックプレーン及びその中に具現化されたＴＦＴ構造
いくつかの非限定的な例では、基板１０のバックプレーン１６１５は、アクティブマトリックスデバイス及び／又はパッシブマトリックスデバイスとして機能するデバイス１６００をサポートし得るような、トランジスタ、抵抗器、及び／又はキャパシタを非限定的に含む、少なくとも１つの電子部品及び／又は光電子部品を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる構造は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造１２０１であり得る。
ＴＦＴ構造１２０１の非限定的な例として、トップゲート、ボトムゲート、ｎ型及び／又はｐ型ＴＦＴ構造１２０１が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ構造１２０１は、非晶質Ｓｉ（amorphous Si、ａ－Ｓｉ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（indium gallium zinc oxide、ＩＧＺＯ）、及び／又は低温多結晶Ｓｉ（low-temperature polycrystalline Si、ＬＴＰＳ）のうちの任意の少なくとも１つを組み込み得る。
第１の電極
第１の電極１２２０は、基板１０上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０は、電源１６０５の端子及び／又は接地に電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０は、いくつかの非限定的な例では、基板１０のバックプレーン１６１５内に少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１を組み込み得る、少なくとも１つの駆動回路を通してそのように結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０は、アノード及び／又はカソードを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０はアノードであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０は、基板１０（の一部）の上に少なくとも１つの薄い導電性膜を堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、基板１０の側方面上に空間的配置で配設された複数の第１の電極１２２０が存在し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの第１の電極１２２０のうちの少なくとも１つは、空間的配置において側方面で配設されたＴＦＴ絶縁層１２０９（の一部）の上に堆積され得る。その場合、いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの第１の電極１２２０のうちの少なくとも１つは、対応するＴＦＴ絶縁層１２０９の開口部を通して延在しており、バックプレーン１６１５内のＴＦＴ構造１２０１の電極と電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第１の電極１２２０及び／又はその少なくとも１つの薄膜は、Ｍｇ、Ａｌ、カルシウム（Ｃａ）、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｂａ、若しくはＹｂ、又はかかる材料のいずれかを含有する合金を非限定的に含む、それらの任意の複数の組み合わせを非限定的に含む、少なくとも１つの金属材料、非限定的にＦＴＯ、ＩＺＯ、又はＩＴＯなどの三元組成物を非限定的に含む、ＴＣＯを非限定的に含む、少なくとも１つの金属酸化物、又はそれらのうちの任意の複数の、又は様々な割合での組み合わせ、又は少なくとも１つの層（そのうちの少なくとも１つの層は、非限定的に薄膜であってもよい）におけるそれらの任意の複数の組み合わせを含み得る。
第２の電極
第２の電極１２４０は、少なくとも１つの半導体層１２３０の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、電源１６０５の端子及び／又は接地と電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、いくつかの非限定的な例では、基板１０のバックプレーン１６１５内に少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１を組み込み得る、少なくとも１つの駆動回路を通してそのように結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、アノード及び／又はカソードを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０はカソードであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、堆積層１４０を、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの薄膜として、少なくとも１つの半導体層１２３０（の一部）の上に堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０の側方面上に空間的配置で配設された複数の第２の電極１２４０が存在し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第２の電極１２４０は、限定ではないが、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｂａ、若しくはＹｂ、又は限定ではないが、かかる材料のいずれかを含有する合金を含む、任意の複数のそれらの組み合わせを含む、限定ではないが、少なくとも１つの金属材料、限定ではないが、ＦＴＯ、ＩＺＯ、若しくはＩＴＯ、又は限定ではないが、任意の複数のそれらの組み合わせなどの三元組成物を含む、限定ではないが、ＴＣＯを含む、少なくとも１つの金属酸化物、それらの任意の複数の、又は様々な割合の組み合わせ、又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）、又はＩｎを含む他の酸化物、又はＺｎ、又は少なくとも１つの層におけるそれらの任意の複数の組み合わせ、及び／又は限定ではないが薄い導電性膜であり得る少なくとも１つの任意の少なくとも１つの非金属材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ：Ａｇ合金について、かかる合金組成は、体積で約１：９～９：１の範囲であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０の堆積は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して実行され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、複数のかかる層及び／又は被膜を含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる層及び／又は被膜は、互いの上に配設された別個の層及び／又は被膜であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、Ｙｂ／Ａｇ二重層被膜を含み得る。非限定的な例として、かかる二層被膜は、Ｙｂ被膜、続いてＡｇ被膜を堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、かかるＡｇ被膜の厚さは、Ｙｂ被膜の厚さを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、少なくとも１つの金属層及び／又は少なくとも１つの酸化物層を含む多層電極１２４０であり得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、フラーレン及びＭｇを含み得る。
非限定的な例として、かかる被膜は、フラーレン被膜、続いてＭｇ被膜を堆積させることによって形成することができる。いくつかの非限定的な例では、フラーレンをＭｇ被膜内に分散させて、フラーレン含有Ｍｇ合金被膜を形成することができる。このようなコーティングの非限定的な例は、２０１５年１０月８日に公開された米国特許出願公開第２０１５／０２８７８４６号、及び／又は２０１７年８月１５日に出願され、２０１８年２月２２日に国際公開第２０１８／０３３８６０号として公開された国際出願第ＩＢ２０１７／０５４９７０号に記載されている。
半導体層
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０は、複数の層１６３１、１６３３、１６３５、１６３７、１６３９を含んでもよく、そのうちのいずれかは、積層構成で配設されてもよく、いくつかの非限定的な例では、薄膜内に、限定ではないが、正孔注入層（hole injection layer、ＨＩＬ）１６３１、ＨＴＬ１６３３、放射層（emissive layer、ＥＭＬ）１６３５、ＥＴＬ１６３７、及び／又は電子注入層（electron injection layer、ＥＩＬ）１６３９のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０は、複数のＥＭＬ１６３５を含む「タンデム」構造を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、かかるタンデム構造はまた、少なくとも１つの電荷発生層（charge generation layer、ＣＧＬ）を含み得る。
当業者は、デバイス１６００の構造が、半導体層１６３１、１６３３、１６３５、１６３７、１６３９のうちの少なくとも１つを省略すること、及び／又は組み合わせることによって変更され得ることを容易に理解するであろう。
更に、少なくとも１つの半導体層１２３０の層１６３１、１６３３、１６３５、１６３７、１６３９のいずれも、任意の数の部分層を含み得る。なお更に、かかる層１６３１、１６３３、１６３５、１６３７、１６３９、及び／又はそれらのサブ層のいずれかは、様々な混合物、及び／又は組成勾配を含み得る。加えて、当業者は、デバイス１６００が、無機及び／又は有機金属材料を含む少なくとも１つの層を含んでもよく、必ずしも、有機材料のみから構成されるデバイスに限定されなくてもよいことを理解するであろう。非限定的な例として、デバイス１６００は、少なくとも１つのＱＤを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＨＩＬ１６３１は、アノードから正孔の注入を容易にし得る正孔注入材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＨＴＬ１６３３は、いくつかの非限定的な例では、高い正孔移動度を呈し得る正孔輸送材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＴＬ１６３７は、いくつかの非限定的な例では、高い電子移動度を呈し得る電子輸送材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＩＬ１６３９は、陰極からの電子注入を容易にし得る電子注入材料を使用して形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＥＭＬ１６３５は、非限定的な例として、ホスト材料を少なくとも１つのエミッタ材料でドープすることによって形成されてもよい。いくつかの非限定的な例では、エミッタ材料は、蛍光エミッタ、リン光エミッタ、熱活性化遅延蛍光（thermally activated delayed fluorescence、ＴＡＤＦ）エミッタ、及び／又はこれらの複数の任意の組み合わせであり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００は、少なくとも１つの半導体層１２３０が、導電性薄膜電極１２２０、１２４０の間に挿入された少なくとも１つのＥＭＬ１６３５を含み得、それによって、電位差がそれらにわたって印加されると、正孔がアノードを通して少なくとも１つの半導体層１２３０に注入され得、電子がカソードを通して少なくとも１つの半導体層１２３０に注入され得、ＥＭＬ１６３５に向かって移動し、結合して光子の形態でＥＭ放射線を放出する、ＯＬＥＤであり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００は、少なくとも１つの半導体層１２３０が少なくとも１つのＱＤを含む活性層を含み得るエレクトロルミネセントＱＤデバイスであり得る。電源１６０５によって第１の電極１２２０及び第２の電極１２４０に電流が供給され得るとき、限定することなく、光子の形態を含むＥＭ放射線が、間に少なくとも１つの半導体層１２３０を含む活性層から放射され得る。
当業者であれば、デバイス１６００の構造は、少なくとも１つの半導体層１２３０スタック内の適切な位置に、これらに限定されないが正孔阻止層（hole blocking layer、ＨＢＬ）（図示せず）、電子阻止層（electron blocking layer、ＥＢＬ）（図示せず）、追加の電荷輸送層（charge transport layer、ＣＴＬ）（図示せず）、及び／又は追加の電荷注入層（charge injection layer、ＣＩＬ）（図示せず）を含む、少なくとも１つの追加の層（図示せず）を導入することによって変化させ得ることを容易に理解するであろう。
ＯＬＥＤデバイス１６００が照明パネルを含む場合を含み得るいくつかの非限定的な例では、デバイス１６００の側方面全体が単一の放射素子に対応し得る。したがって、図１６に示される実質的に平坦な断面プロファイルは、ＥＭ放射線がデバイス１６００から実質的にその側方範囲の全体に沿って放射されるように、デバイス１６００の側方面の全体に実質的に沿って延在することができる。いくつかの非限定的な例では、かかる単一の放射素子は、デバイス１６００の単一の駆動回路によって駆動され得る。
ＯＬＥＤデバイス１６００がディスプレイモジュールを含み得る場合を含む、いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００の側方面は、デバイス１６００の複数の放射領域１３１０に細分されてもよく、放射領域１３１０の各々内のデバイス構造１６００の断面は、通電されると、そこからＥＭ放射線を放射させてもよい。
放射領域
非限定的な例として図１７に示され得るようないくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０の活性領域１７３０は、横方向面では、第１の電極１２２０及び第２の電極１２４０によって境界を定められ、側方面では、第１の電極１２２０及び第２の電極１２４０によって画定された放射領域１３１０に限定されるように画定され得る。当業者は、放射領域１３１０の側方面１７１０、したがって、活性領域１７３０の側方境界が、第１の電極１２２０及び第２の電極１２４０のいずれか又は両方の側方面全体に対応しないことがあることを理解されよう。むしろ、放射領域１３１０の側方面１７１０は、実質的に、第１の電極１２２０及び第２の電極１２４０のいずれかの側方範囲以下であり得る。非限定的な例として、第１の電極１２２０の一部は、ＰＤＬ１２１０によって被覆されてもよく、かつ／又は第２の電極１２４０の一部は、少なくとも１つの半導体層１２３０上に配設されなくてもよく、いずれか又は両方のシナリオにおいて、放射領域１３１０が側方に制約され得るという結果をもたらす。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００の個々の放射領域１３１０は、側方パターンでレイアウトされ得る。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１の側方方向に沿って延在することができる。いくつかの非限定的な例では、パターンはまた、第２の側方方向に沿って延在してもよく、いくつかの非限定的な例では、第１の側方方向に実質的に垂直であってもよい。いくつかの非限定的な例では、パターンは、かかるパターン内に複数の要素を有してもよく、各要素は、その放射領域１３１０によって放射されるＥＭ放射線の波長、かかる放射領域１３１０の形状、（第１及び／又は第２の側方方向のいずれか又は両方に沿った）寸法、（第１及び／又は第２の側方方向のいずれか及び／又は両方に対する）配向、及び／又はパターン内の前の要素からの（第１及び／又は第２の側方方向のいずれか又は両方に対する）間隔を含むが、それらに限定されない、その少なくとも１つの特徴によって特徴付けられる。いくつかの非限定的な例では、パターンは、第１及び／又は第２の側方方向のいずれか又は両方で繰り返されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００の各個々の放射領域１３１０は、関連する放射領域１３１０のためのＯＬＥＤ構造を駆動するために、デバイス１６００のバックプレーン１６１５内の対応する駆動回路と関連付けられ、それによって駆動され得る。放射領域１３１０が第１の（行）側方方向と第２の（列）側方方向の両方に延在する規則的なパターンでレイアウトされ得る場合を非限定的に含む、いくつかの非限定的な例では、第１の側方方向に延在する放射領域１３１０の各行に対応する、バックプレーン１６１５内の信号線と、第２の側方方向に延在する放射領域１３１０の各列に対応する信号線と、が存在し得る。かかる非限定的な構成では、行選択線上の信号は、それと電気的に結合されたスイッチングＴＦＴ構造１２０１のそれぞれのゲートに通電することができ、データ線上の信号は、それと電気的に結合されたスイッチングＴＦＴ構造１２０１のそれぞれの源に通電することができ、それにより、行選択線／データ線対上の信号は、電源１６０５の正端子によって、かかる対と関連する放射領域１３１０のＯＬＥＤ構造のアノードに電気的に結合して通電し、そこから光子を放射させることができ、そのカソードは、電源１６０５の負端子と電気的に結合される。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００の各放射領域１３１０は、単一のディスプレイピクセル２８１０に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、各ピクセル２８１０は、所与の波長スペクトルで光を放射することができる。いくつかの非限定的な例では、波長スペクトルは、限定はしないが、可視スペクトル中の色に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００の各放射領域１３１０は、ディスプレイピクセル２８１０のサブピクセル１３４ｘに対応し得る。いくつかの非限定的な例では、複数のサブピクセル１３４ｘを組み合わせて、単一のディスプレイピクセル２８１０を形成するか、又は表すことができる。
いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイピクセル２８１０は、３つのサブピクセル１３４ｘによって表され得る。いくつかの非限定的な例では、３つのサブピクセル１３４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル１３４１、Ｇ（緑）サブピクセル１３４２、及び／又はＢ（青）サブピクセル１３４３として示され得る。いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイピクセル２８１０は、４つのサブピクセル１３４ｘによって表され得、かかるサブピクセル１３４ｘのうちの３つは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、及びＢ（青）サブピクセル１３４ｘとして示され得、第４のサブピクセル１３４ｘは、Ｗ（白）サブピクセル１３４ｘとして示され得る。いくつかの非限定的な例では、所与のサブピクセル１３４ｘによって放出されるＥＭ放射の放出スペクトルは、サブピクセル１３４ｘが示される色に対応することができる。いくつかの非限定的な例では、ＥＭ放射線の波長は、かかる色に対応しない場合があるが、波長をそのように対応する波長に変換するために、当業者に明らかな様式で、更なる処理が実行され得る。
異なる色のサブピクセル１３４ｘの波長は異なり得るので、特に、実質的に均一な厚さプロファイルを有する共通電極１２２０、１２４０が異なる色のサブピクセル１３４ｘに対して用いられ得る場合、かかるサブピクセル１３４ｘの光学特性は異なり得る。
実質的に均一な厚さを有する共通電極１２２０、１２４０が、デバイス１６００内の第２の電極１２４０として設けられ得るとき、デバイス１６００の光学性能は、各（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘと関連付けられた放射スペクトルに従って容易に微調整されない場合がある。かかるＯＬＥＤデバイス１６００で使用される第２の電極１２４０は、いくつかの非限定的な例では、複数の（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘをコーティングする共通電極１２２０、１２４０であり得る。非限定的な例として、かかる共通電極１２２０、１２４０は、デバイス１６００にわたって実質的に均一な厚さを有する比較的薄い導電性膜であり得る。いくつかの非限定的な例では、異なる（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘ内に配設される有機層の厚さを変動させることによって、各（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘ色と関連付けられる光学マイクロキャビティ効果を調整するための試みがなされてきたが、かかるアプローチは、いくつかの非限定的な例では、少なくとも一部の場合、光学マイクロキャビティ効果の相当の程度の調整を提供することができる。加えて、いくつかの非限定的な例では、かかるアプローチは、ＯＬＥＤディスプレイ生産環境で実装することが困難な場合がある。
その結果、いくつかの非限定的な例では、ＯＬＥＤデバイス１６００を非限定的に含む光電子デバイス１２００を構築するために使用され得るような、異なる屈折率を有する多数の薄膜層及び被膜によって創出される光学界面の存在により、異なる色のサブピクセル１３４ｘに対して異なる光学マイクロキャビティ効果を創出することができる。
デバイス１６００において観察されるマイクロキャビティ効果に影響を及ぼし得るいくつかの要因としては、非限定的に、総経路長（いくつかの非限定的な例では、そこから放射されたＥＭ放射線がアウトカップリングされる前に進むデバイス１６００の（長手方向の面における）総厚に対応し得る）、並びに様々な層及び被膜の屈折率が挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０の中及びそれにわたって電極１２２０、１２４０の厚さを変調することは、観察可能なマイクロキャビティ効果に影響を及ぼし得る。いくつかの非限定的な例では、かかる影響は、総光路長の変化に起因し得る。
いくつかの非限定的な例では、電極１２２０、１２４０の厚さの変化はまた、いくつかの非限定的な例では、総光路長の変化に加えて、それを通過するＥＭ放射線の屈折率を変化させ得る。いくつかの非限定的な例では、これは特に、電極１２２０、１２４０が少なくとも１つの堆積層１４０から形成され得る場合であり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００の光学特性、及び／又はいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの光学マイクロキャビティ効果を変調することによって変動され得る（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０にわたる光学特性は、限定ではないが、放射スペクトル、強度（限定ではないが、光度を含む）、及び／又は限定ではないが、輝度の角度依存性を含む、放射されたＥＭ放射線の角度分布、及び／又は放射されたＥＭ放射線の色偏移を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、サブピクセル１３４ｘは、第１のディスプレイピクセル２８１０を表すために他のサブピクセル１３４ｘの第１のセットと関連付けられ得、また、第２のディスプレイピクセル２８１０を表すために他のサブピクセル１３４ｘの第２のセットと関連付けられ得、それにより、第１及び第２のディスプレイピクセル２８１０は、それらと関連付けられた同じサブピクセル１３４ｘを有し得る。
サブピクセル１３４ｘのディスプレイピクセル２８１０へのパターン及び／又は構成は、発展し続けている。全ての現在及び将来のパターン、及び／又は構成は、本開示の範囲内に入ると考えられる。
非放射領域
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００の様々な放射領域１３１０は、少なくとも１つの側方方向において、少なくとも１つの非放射領域１５２０によって実質的に取り囲まれ、分離されてもよく、ここで、図１６に非限定的に示されるデバイス構造１６００の断面に沿った構造及び／又は構成は、そこから放射されるＥＭ放射線を実質的に抑制するように変化してもよい。いくつかの非限定的な例では、非放射領域１５２０は、放射領域１３１０を実質的に欠いている、側方面におけるそれらの領域を含み得る。
したがって、図１７の断面図に示すように、少なくとも１つの半導体層１２３０の様々な層の側方トポロジーは、少なくとも１つの非放射領域１５２０によって（少なくとも１つの側方方向に）取り囲まれた少なくとも１つの放射領域１３１０を画定するように変化させることができる。
いくつかの非限定的な例では、単一のディスプレイ（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０は、側方面１７１０を有する少なくとも１つの非放射領域１５２０によって少なくとも１つの側方方向において取り囲まれた側方面１７２０を有するものと理解され得る。
次に、ＯＬＥＤディスプレイ１６００の単一のディスプレイ（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０に適用されるようなデバイス１６００の断面の実装形態の非限定的な例について説明する。かかる実装形態の特徴は放射領域１３１０に固有であるように示されているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、２つ以上の放射領域１３１０が共通の特徴を包含し得ることを理解されよう。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０は、デバイス１６００の露出層表面１１の上に配設されてもよく、いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０の側方面１７１０の少なくとも一部内に配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０内で、露出層表面１１は、第１の電極１２２０の堆積時に、単一のディスプレイ（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０のための駆動回路を構成する様々なＴＦＴ構造１２０１のＴＦＴ絶縁層１２０９を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＴＦＴ絶縁層１２０９は、中を通して延在する開口部を伴って形成され、第１の電極１２２０が、限定ではないが、図１７に示すように、ＴＦＴドレイン電極１２０８を含む、ＴＦＴ電極１２０５、１２０７、１２０８のうちの１つと電気的に結合されることを可能にし得る。
当業者は、駆動回路が複数のＴＦＴ構造１２０１を含み得ることを理解するであろう。図１７では、解説を簡略にするために、１つのＴＦＴ構造１２０１のみが示され得るが、かかるＴＦＴ構造１２０１は、駆動回路を構成するかかる複数の及び／又はその少なくとも１つの構成要素を表し得ることが、当業者によって理解されよう。
断面面では、各放射領域１３１０の構成は、いくつかの非限定的な例では、周囲の非放射領域１５２０の側方面１７２０の実質的に全体にわたって少なくとも１つのＰＤＬ１２１０を導入することによって画定され得る。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０は、絶縁性有機及び／又は無機材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０は、実質的にＴＦＴ絶縁層１２０９の上に堆積され得るが、図示のように、いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０はまた、堆積された第１の電極１２２０の少なくとも一部、及び／又はその外側縁部の上に延在することができる。
いくつかの非限定的な例では、図１７に示すように、ＰＤＬ１２１０の断面厚さ及び／又はプロファイルは、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する、周囲の非放射領域１５２０の側方面１７２０と周囲の放射領域１３１０の側方面との境界に沿った増加した厚さの領域によって、実質的に谷形状構成を各（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０に付与することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０のプロファイルは、周囲の非放射領域１５２０の側方面１７２０と周囲の放射領域１３１０の側方面１７１０との間の境界から離れて、いくつかの非限定的な例では、実質的に十分にかかる非放射領域１５２０の側方面１７２０内で、を非限定的に含む、かかる谷形状構成以後、減少した厚さを有し得る。
ＰＤＬ１２１０は、概して、谷形状構成（それによって囲まれた放射領域１３１０を画定する）を形成するように、線形に傾斜した表面を有するものとして解説されているが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、かかるＰＤＬ１２１０の形状、縦横比、厚さ、幅、及び／又は構成のうちの少なくとも１つは、変化し得ることを理解するであろう。非限定的な例として、ＰＤＬ１２１０は、より急勾配又はより緩やかに傾斜した一部を有して形成され得る。いくつかの非限定的な例では、かかるＰＤＬ１２１０は、第１の電極１２２０の少なくとも１つの縁部を被覆し得る、それが堆積される表面から実質的に垂直に離れて延在するように構成され得る。いくつかの非限定的な例では、かかるＰＤＬ１２１０は、限定ではないが、インクジェット印刷を含む、限定ではないが印刷によるものを含む、溶液処理技術によって、その上に少なくとも１つの半導体層１２３０を堆積させるように構成され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０は、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘのかかる放射領域１３１０の側方面１７１０の少なくとも一部を含む、デバイス１６００の露出層表面１１の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０内で、かかる露出層表面１１は、少なくとも１つの半導体層１２３０（及び／又はその層１６３１、１６３３、１６３５、１６３７、１６３９）の堆積時に、第１の電極１２２０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０はまた、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０を越えて、周囲の非放射領域１５２０の側方面１７２０内に少なくとも部分的に延在することができる。いくつかの非限定的な例では、かかる周囲の非放射領域１５２０のかかる露出層表面１１は、少なくとも１つの半導体層１２３０の堆積時に、ＰＤＬ１２１０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０の少なくとも一部を含む、デバイス１６００の露出層表面１１の上に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面内で、かかる露出層表面１１は、第２の電極１２２０の堆積時に、少なくとも１つの半導体層１２３０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０はまた、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０を越えて、周囲の非放射領域１５２０の側方面１７２０内に少なくとも部分的に延在することができる。いくつかの非限定的な例では、かかる周囲の非放射領域１５２０のかかる露出層表面１１は、第２の電極１２４０の堆積時に、ＰＤＬ１２１０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、周囲の非放射領域１５２０の側方面１７２０の実質的に全て又は実質的な一部にわたって延在することができる。
パターニングされた電極の選択的堆積
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の事前の選択的堆積によるオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスにおいて堆積材料５３１の選択的堆積を達成する能力は、ＯＬＥＤデバイス１６００及び／又はそれと電気的に結合された導電素子を含むがこれらに限定されない、光電子デバイスのパターニングされた電極１２２０、１２４０、２１５０及び／又はその少なくとも１つの層の選択的堆積を達成するために使用され得る。
このようにして、シャドウマスク４１５を使用する図１７におけるパターニング被膜１３０の選択的堆積と、堆積材料５３１のオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積とを組み合わせて、少なくとも１つの堆積層１４０の選択的堆積を果たし、堆積層１４０を形成するための堆積プロセス内でシャドウマスク４１５を採用せずに、図１６に示すデバイス１６００内に、パターニングされた電極１２２０、１２４０、２１５０、及び／又はその少なくとも１つの層、及び／又はそれと電気的に結合された導電素子を含むがこれらに限定されないデバイス特徴を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、かかるパターニングにより、デバイス１６００の透過率を可能にし、かつ／又は高めることができる。
次に、かかるデバイス１６００に様々な構造的能力及び／又は性能的能力を付与するための、かかるパターニングされた電極１２２０、１２４０、２１５０、及び／又はそれらの少なくとも１つの層、及び／又はそれらと電気的に結合された導電素子のいくつかの非限定的な例について説明する。
上記の結果として、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０、及び／又は放射領域１３１０を取り囲む非放射領域１５２０の側方面１７２０にわたって、第１の電極１２２０、第２の電極１２４０、補助電極２１５０、及び／又はそれらと電気的に結合された導電素子のうちの少なくとも１つを非限定的に含むデバイス特徴を、デバイス１６００のフロントプレーン１６１０の露出層表面１１上にパターンで選択的に堆積させることを目的とし得る。いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０、第２の電極１２４０、及び／又は補助電極２１５０は、複数の堆積層１４０のうちの少なくとも１つの中に堆積され得る。
図１８は、例示的なパターニングされた電極１８００を平面で示すことができ、図では、第２の電極１２４０は、デバイス１６００の例示的なバージョン１９００（図１９）で使用するのに好適である。電極１８００は、その中にパターニングされた複数の開口１８２０を有する、又は画定する、単一の連続構造を含み得る、パターン１８１０で形成されてもよく、開口１８２０は、カソードが存在しないデバイス１９００の領域に対応してもよい。
図では、非限定的な例として、パターン１８１０は、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０と、かかる放射領域１３１０を取り囲む非放射領域１５２０の側方面１７２０との間の区別を伴わずに、デバイス１９００の側方範囲全体にわたって配設され得る。したがって、解説された例は、その外面に入射するＥＭ放射線に対して実質的に透過性であり得るデバイス１９００に対応し得、それにより、かかる外部入射ＥＭ放射線の相当の部分が、本明細書で開示されるようなデバイス１９００内で内部的に発生したＥＭ放射線の放射（上面放射、下面放射、及び／又は両面放射）に加えて、デバイス１９００を透過することができる。
デバイス１９００の透過率は、限定ではないが、開口１８２０の平均サイズ、及び／又は間隔、及び／又は開口１８２０の密度を含む、採用されるパターン１８１０を改変することによって調整及び／又は修正することができる。
ここで図１９に目を向けると、図１８の線１９－１９に沿ったデバイス１９００の断面図が示され得る。図において、デバイス１９００は、基板１０と、第１の電極１２２０と、少なくとも１つの半導体層１２３０とを含むものとして示され得る。
パターニング被膜１３０は、下地層の露出層表面１１上のパターン１８１０に実質的に対応するパターンで選択的に配設され得る。
図では第２の電極１２４０であるパターニングされた電極１８００を形成するのに好適な堆積層１４０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下地層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配設され得る。下地層は、パターン１８１０内に配設されたパターニング被膜１３０の領域と、パターニング被膜１３０が堆積されていないパターン１８１０内の少なくとも１つの半導体層１２３０の領域と、の両方を含み得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の領域は、パターン１８１０に示される開口１８２０を含む第１の部分１０１に実質的に対応し得る。
パターニング被膜１３０が配設されたパターン１８１０のそれらの領域（開口１８２０に対応する）の核形成阻害特性に起因して、かかる領域上に配設された堆積材料５３１は、残留しない傾向があり得、パターン１８１０の残りに実質的に対応し得る堆積層１４０の選択的堆積のパターンをもたらし、開口１８２０に対応するパターン１８１０の第１の部分１０１のそれらの領域は、堆積層１４０の閉鎖被膜１５０を実質的に欠いている。
換言すれば、カソードを形成することになる堆積層１４０は、パターン１８１０内の開口１８２０を取り囲むが占有しない少なくとも１つの半導体層１２３０の領域を含む第２の部分１０２上にのみ実質的に選択的に堆積させることができる。
図２０Ａは、電極１２２０、１２４０、２１５０の複数のパターン２０１０、２０２０を示す概略図を平面で示すことができる。
いくつかの非限定的な例では、第１のパターン２０１０は、第１の側方方向に延在する複数の細長い離隔した領域を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のパターン２０１０は、複数の第１の電極１２２０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第１のパターン２０１０を含む複数の領域が電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２のパターン２０２０は、第２の側方方向に延在する複数の細長い離隔した領域を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の側方方向は、第１の側方方向に対して実質的に垂直であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２のパターン２０２０は、複数の第２の電極１２４０を含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２のパターン２０２０を含む複数の領域は、電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のパターン２０１０及び第２のパターン２０２０は、デバイス１６００の、概して２０００で示す例示的なバージョンの一部を形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０は、第１のパターン２０１０が第２のパターン２０２０に重なる場所に形成され得る。いくつかの非限定的な例では、非放射領域１５２０の側方面１７２０は、側方面１７１０以外の任意の側方面に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、電源１６０５の第１の端子（いくつかの非限定的な例では、正の端子であり得る）は、第１のパターン２０１０の少なくとも１つの電極１２２０、１２４０、２１５０と電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の端子は、少なくとも１つの駆動回路を通して第１のパターン２０１０の少なくとも１つの電極１２２０、１２４０、２１５０と結合され得る。いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では、負の端子であり得る電源１６０５の第２の端子は、第２のパターン２０２０の少なくとも１つの電極１２２０、１２４０、２１５０と電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の端子は、少なくとも１つの駆動回路を通して第２のパターン２０２０の少なくとも１つの電極１２２０、１２４０、２１５０と結合され得る。
ここで図２０Ｂに目を向けると、図２０Ａの線２０Ｂ－２０Ｂに沿った、堆積段階２０００ｂにおけるデバイス２０００の断面図が示され得る。図では、段階２０００ｂにおけるデバイス２０００は、基板１０を含むものとして示され得る。
パターニング被膜１３０は、図に示すように、基板１０であってもよい、下地層の露出層表面１１上の第１のパターン２０１０の反転に実質的に対応するパターンで選択的に配設され得る。
図では第１の電極１２２０である、電極１２２０、１２４０、２１５０の第１のパターン２０１０を形成するのに好適な堆積層１４０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下地層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配設され得る。下地層は、第１のパターン２０１０の逆に配設されたパターニング被膜１３０の領域と、パターニング被膜１３０が堆積されていない第１のパターン２０１０に配設された基板１０の領域との両方を含み得る。いくつかの非限定的な例では、基板１０の領域は、第１のパターン２０１０の細長い離隔した領域に実質的に対応してもよく、一方で、パターニング被膜１３０の領域は、その間に間隙を含む第１の部分１０１に実質的に対応してもよい。
パターニング被膜１３０が配設された第１のパターン２０１０のそれらの領域（それらの間の間隙に対応する）の核形成阻害特性に起因して、かかる領域上に配設される堆積材料５３１は、残留しない傾向があり得、第１のパターン２０１０の細長い離隔した領域に実質的に対応し得る、堆積層１４０の選択的堆積のパターンをもたらし、堆積層１４０の閉鎖被膜１５０を実質的に欠いているそれらの間の間隙を含む第１の部分１０１を残すことができる。
換言すれば、電極１２２０、１２４０、２１５０の第１のパターン２０１０を形成し得る堆積層１４０は、第１のパターン２０１０の細長い離隔した領域を画定する基板１０のそれらの領域を含む第２の部分１０２上にのみ実質的に選択的に堆積させることができる。
ここで図２０Ｃに目を向けると、図２０Ａの線２０Ｃ－２０Ｃに沿ったデバイス２０００の断面図２０００ｃが示され得る。図において、デバイス２０００は、基板１０と、図２０Ｂに示されるように堆積された電極１２２０の第１のパターン２０１０と、少なくとも１つの半導体層１２３０とを含むものとして示され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０は、デバイス２０００の側方面の実質的に全てにわたる共通層として設けられ得る。
パターニング被膜１３０は、図に示されるように少なくとも１つの半導体層１２３０である下地層の露出層表面１１上の第２のパターン２０２０に実質的に対応するパターンで選択的に配設され得る。
図では第２の電極１２４０である、電極１２２０、１２４０、２１５０の第２のパターン２０２０を形成するのに好適な堆積層１４０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下地層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配設され得る。下地層は、第２のパターン２０２０の逆に配設されたパターニング被膜１３０の領域と、パターニング被膜１３０が堆積されていない第２のパターン２０２０内の少なくとも１つの半導体層１２３０の領域との両方を含み得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０の領域は、第２のパターン２０２０の細長い離隔した領域を含む第１の部分１０１に実質的に対応してもよく、一方、パターニング被膜１３０の領域は、それらの間の間隙に実質的に対応してもよい。
パターニング被膜１３０が配設された第２のパターン２０２０のそれらの領域（それらの間の間隙に対応する）の核形成阻害特性に起因して、かかる領域上に配設された堆積層１４０は、残留しない傾向があり得、第２のパターン２０２０の細長い離隔した領域に実質的に対応し得る、堆積層１４０の選択的堆積のパターンをもたらし、堆積層１４０の閉鎖被膜１５０を実質的に欠いているそれらの間の間隙を含む第１の部分１０１を残すことができる。
換言すれば、電極１２２０、１２４０、２１５０の第２のパターン２０２０を形成し得る堆積層１４０は、第２のパターン２０２０の細長い離隔した領域を画定する少なくとも１つの半導体層１２３０の領域を含む第２の部分１０２上にのみ実質的に選択的に堆積させることができる。
いくつかの非限定的な例では、電極１２２０、１２４０の第１のパターン２０１０及び／又は第２のパターン２０２０のいずれか又は両方を形成するために、パターニング被膜１３０及びその後に堆積される堆積層１４０の平均層厚は、限定ではないが、所与の用途及び所与の性能特質を含む、様々なパラメータに従って変動してもよい。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の平均層厚は、その後に堆積される堆積層１４０の平均層厚と同等であってもよく、かつ／又はそれよりも実質的に小さくてもよい。比較的薄いパターニング被膜１３０を使用して、その後に堆積される堆積層１４０の選択的パターニングを達成することは、可撓性のデバイス１６００を提供するために好適であり得る。いくつかの非限定的な例では、比較的薄いパターニング被膜１３０は、バリア被膜２０５０が堆積され得る比較的平坦な表面を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、バリア被膜２０５０の適用のためにかかる比較的平坦な表面を提供することにより、かかる表面へのバリア被膜２０５０の接着を増加させることができる。
電極１２２０、１２４０、２１５０の第１のパターン２０１０のうちの少なくとも１つ及び電極１２２０、１２４０、２１５０の第２のパターン２０２０のうちの少なくとも１つは、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０からのＥＭ放射線放射を制御するために、直接的に、かつ／又は、いくつかの非限定的な例では、それらのそれぞれの駆動回路を通して、電源１６０５と電気的に結合することができる。
補助電極
当業者は、図２０Ａ～図２０Ｃに示される第２のパターン２０２０に第２の電極１２４０を形成するプロセスが、いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００のための補助電極２１５０を形成するために同様の方式で使用され得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、その第２の電極１２４０は、共通電極を含んでもよく、補助電極２１５０は、第２のパターン２０２０内に堆積されており、いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０の上方、又はいくつかの非限定的な例では下方に堆積されており、それと電気的に結合されてもよい。いくつかの非限定的な例では、かかる補助電極２１５０のための第２のパターン２０２０は、第２のパターン２０２０の細長い離隔された領域が、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０を取り囲む非放射領域１５２０の側方面１７２０内に実質的にあるようなものであり得る。いくつかの非限定的な例では、かかる補助電極２１５０のための第２のパターン２０２０は、第２のパターン２０２０の細長い離隔された領域が、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０、及び／又はそれらを取り囲む非放射領域１５２０の側方面１７２０内に実質的にあるようなものであり得る。
図２１は、それと実質的に同様であるが、第２の電極１２４０の上方にパターンで配設されており、それと電気的に結合される（図示せず）、少なくとも１つの補助電極２１５０を更に含み得る、デバイス１６００の例示的バージョン２１００の例示的な断面図を示し得る。
補助電極２１５０は、導電性であり得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０は、少なくとも１つの金属及び／又は金属酸化物によって形成され得る。かかる金属の非限定的な例としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、又はＡｇが挙げられる。非限定的な例として、補助電極２１５０は、限定ではないが、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏによって形成されるものを含む、多層金属構造を含み得る。かかる金属酸化物の非限定的な例としては、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯ、又はＩｎ若しくはＺｎを含有する他の酸化物が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０は、Ａｇ／ＩＴＯ、Ｍｏ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、又はＩＴＯ／Ｍｏ／ＩＴＯを非限定的に含む、少なくとも１つの金属と少なくとも１つの金属酸化物との組み合わせによって形成された多層構造を含み得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０は、複数のかかる導電性材料を含み得る。
デバイス２１００は、基板１０、第１の電極１２２０、及び少なくとも１つの半導体層１２３０を含むものとして示され得る。
第２の電極１２４０は、少なくとも１つの半導体層１２３０の露出層表面１１の実質的に全ての上に配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、特に、上面放射デバイス２１００では、第２の電極１２４０は、非限定的な例として、第２の電極１２４０の存在に関連する光学干渉（限定ではないが、減衰、反射、及び／又は拡散を含む）を低減させるために、比較的に薄い導電性膜層（図示せず）を堆積させることによって形成され得る。いくつかの非限定的な例では、他の場所で考察されるように、第２の電極１２４０の減少した厚さは、概して、第２の電極１２４０のシート抵抗を増加させ得、これは、いくつかの非限定的な例では、デバイス２１００の性能及び／又は効率を低減させる場合がある。第２の電極１２４０と電気的に結合され得る補助電極２１５０を設けることによって、いくつかの非限定的な例では、シート抵抗、したがって、第２の電極１２４０と関連するＩＲ降下を低減させることができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２１００は、下面放射及び／又は両面放射デバイス２１００であり得る。かかる例では、第２の電極１２４０は、かかるデバイス２１００の光学特性に実質的に影響を及ぼすことなく、比較的厚い導電層として形成され得る。それにもかかわらず、かかるシナリオであっても、第２の電極１２４０は、非限定的な例として、比較的薄い導電性膜層（図示せず）として形成することができ、したがって、デバイス２１００は、その外面に入射するＥＭ放射線に対して実質的に透過性とすることができ、したがって、かかる外部入射ＥＭ放射線の実質的な一部は、本明細書で開示するデバイス２１００内で内部的に発生したＥＭ放射線の放射に加えて、デバイス２１００を透過することができる。
パターニング被膜１３０は、図に示すように、第２の電極１２４０であり得る下地層の露出層表面１１上にパターンで選択的に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、図に示すように、パターニング被膜１３０は、非放射領域１５２０の側方面１７２０に対応し得る一連の平行な行２１２０として、パターンの第１の部分１０１に配設され得る。
パターニングされた補助電極２１５０を形成するのに好適な堆積層１４０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して、下地層の露出層表面１１の実質的に全ての上に配設され得る。下地層は、行２１２０のパターンに配設されたパターニング被膜１３０の領域と、パターニング被膜１３０が堆積されていない第２の電極１２４０の領域との両方を含み得る。
パターニング被膜１３０が配設されたそれらの行２１２０の核形成阻害特性に起因して、かかる行２１２０上に配設された堆積材料５３１は、残留しない傾向があり得、パターンの少なくとも１つの第２の部分１０２に実質的に対応し得る堆積層１４０の選択的堆積のパターンをもたらし、堆積層１４０の閉鎖被膜１５０を実質的に欠く行２１２０を含む第１の部分１０１を残し得る。
換言すれば、補助電極２１５０を形成し得る堆積層１４０は、行２１２０を取り囲むが占有しない少なくとも１つの半導体層１２３０のそれらの領域を含む第２の部分１０２上にのみ実質的に選択的に堆積させることができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０を選択的に堆積させ、デバイス２１００の側方面の特定の行２１２０のみを被覆し、一方、その他の領域が被覆されないで残留することにより、補助電極２１５０の存在に関連する光学干渉を制御及び／又は低減させ得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０は、典型的視認距離から裸眼によって容易に検出され得ないパターンで選択的に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０は、ＯＬＥＤデバイス以外のデバイス内に形成されてもよく、かかるデバイスの電極の有効抵抗を減少させるためのものを含む。
図５に描写されるプロセスを含むがこれに限定されないパターニング被膜１３０を採用することによって、高温堆積層１４０の堆積プロセス中にシャドウマスク４１５を採用することなく、第２の電極１２４０及び／又は補助電極２１５０を含むがこれに限定されない電極１２２０、１２４０、２１５０をパターニングする能力により、補助電極２１５０の多数の構成が展開されることが可能となり得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０は、隣り合う放射領域１３１０の間に配設されており、第２の電極１２４０と電気的に結合され得る。非限定的な例では、補助電極２１５０の幅は、隣り合う放射領域１３１０間の分離距離よりも小さくてもよい。その結果、補助電極２１５０の各側の少なくとも１つの非放射領域１５２０内に間隙が存在し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる配置は、補助電極２１５０が、いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０のうちの少なくとも１つからのデバイス２１００の光出力に干渉する可能性を低減することができる。いくつかの非限定的な例では、かかる配置は、補助電極２１５０が比較的厚い（いくつかの非限定的な例では、厚さが数百ｎｍよりも大きい、及び／又は数ミクロン程度である）場合に適切であり得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０のアスペクト比は約０．０５を上回ってもよく、例えば、少なくとも約０．１、約０．２、約０．５、約０．８、約１、又は約２のうちの少なくとも１つである。非限定的な例として、補助電極２１５０の高さ（厚さ）は約５０ｎｍを上回ってもよく、例えば、少なくとも約８０ｎｍ、約１００ｎｍ、約２００ｎｍ、約５００ｎｍ、約７００ｎｍ、約１，０００ｎｍ、約１，５００ｎｍ、約１，７００ｎｍ、又は約２，０００ｎｍのうちの少なくとも１つである。
図２２は、デバイス１６００の例示的なバージョン２２００の（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応し得る放射領域１３１０の側方面１７１０と、放射領域１３１０を取り囲む非放射領域１５２０の側方面１７２０との両方の上に重ねられ得るグリッドとして形成された補助電極２１５０のパターン２１５０の例を示す概略図を平面図で示し得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極パターン２１５０は、放射領域１３１０の側方面１７２０のいずれも実質的に被覆しないように、非放射領域１５２０の側方面１７１０の全てではなく実質的に一部のみの上に延在することができる。
図では、補助電極２１５０のパターン２１５０は、その全ての要素が、互いに物理的に接続され、電気的に結合され、いくつかの非限定的な例では第１の電極１２２０及び／又は第２の電極１２４０であり得る少なくとも１つの電極１２２０、１２４０、２１５０と電気的に結合されるように、連続構造として形成されるものとして示され得るが、いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０のパターン２１５０は、互いに電気的に結合されて残留するが、互いに物理的に接続されなくてもよい、補助電極２１５０のパターン２１５０の複数の個別の要素として提供され得ることを、当業者は理解されよう。そうであっても、補助電極２１５０のパターン２１５０のかかる個別の要素は、依然として、それらが電気的に結合される少なくとも１つの電極１２２０、１２４０、２１５０のシート抵抗、したがって、デバイス２２００のシート抵抗を実質的に低下させ、その光学特質に実質的に干渉することなく、デバイス２２００の効率を増加させることができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０は、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの様々な配置を伴うデバイス２２００内で採用され得る。いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘ配置は、実質的にダイヤモンド形状であり得る。
非限定的な例として、図２３Ａは、デバイス１６００の例示的なバージョン２３００において、ダイヤモンド構成のＰＤＬ１２１０を含む複数の非放射領域１５２０の側方面によって取り囲まれた、各々がサブピクセル１３４ｘに対応する放射領域１３１０の複数のグループ１３４１～１３４３を平面で示し得る。いくつかの非限定的な例では、構成は、第１の行と第２の行との交互パターンでの放射領域１３１０及びＰＤＬ１２１０のパターン１３４１～１３４３によって画定され得る。
いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０を含む非放射領域１５２０の側方面１７２０は、実質的に楕円形であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の行中の非放射領域１５２０の側方面１７２０の長軸は、第２の行中の非放射領域１５２０の側方面１７２０の長軸に整合され、実質的に垂直であり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の行中の非放射領域１５２０の側方面１７２０の長軸は、第１の行の軸に実質的に平行であり得る。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０の第１のグループ１３４１は、第１の波長でＥＭ放射を放出するサブピクセル１３４ｘに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第１のグループ１３４１のサブピクセル１３４ｘは、Ｒ（赤）サブピクセル１３４１に対応することができる。いくつかの非限定的な例では、第１のグループ１３４１の放射領域１３１０の側方面１７１０は、実質的にダイヤモンド形状の構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１のグループ１３４１の放射領域１３１０は、ＰＤＬ１２１０が先行及び後続する第１の行のパターンにあり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のグループ１３４１の放射領域１３１０の側方面１７１０は、同じ行中のＰＤＬ１２１０を含む先の及び後続の非放射領域１５２０の側方面１７２０、並びに第２の行の先の及び後続のパターン中のＰＤＬ１２１０を含む隣接する非放射領域１５２０の側方面１７２０とわずかに重なってもよい。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０の第２のグループ１３４２は、第２の波長でＥＭ放射を放出するサブピクセル１３４ｘに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第２のグループ１３４２のサブピクセル１３４ｘは、Ｇ（緑）サブピクセル１３４２に対応することができる。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ１３４２の放射領域１３１０の側方面１７１０は、実質的に楕円形の構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ１３４１の放射領域１３１０は、ＰＤＬ１２１０が先の及び後続の、第２の行のパターンにあり得る。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ１３４２の放射領域１３１０の側方面１７１０のうちのいくつかの長軸は、第１の角度にあり得、いくつかの非限定的な例では、第２の行の軸に対して４５°であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２のグループ１３４２の放射領域１３１０の側方面１７１０のうちの他のものの長軸は、第２の角度にあり得、いくつかの非限定的な例では、これは、第１の角度に対して実質的に垂直であり得る。いくつかの非限定的な例では、その側方面１７１０が第１の角度の長軸を有し得る第２のグループ１３４２の放射領域１３１０は、その側方面１７１０が第２の角度の長軸を有し得る第２のグループ１３４２の放射領域１３１０と交互になり得る。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０の第３のグループ１３４３は、第３の波長でＥＭ放射を放出するサブピクセル１３４ｘに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第３のグループ１３４３のサブピクセル１３４ｘは、Ｂ（青）サブピクセル１３４３に対応することができる。いくつかの非限定的な例では、第３のグループ１３４３の放射領域１３１０の側方面１７１０は、実質的にダイヤモンド形状の構成を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第３のグループ１３４３の放射領域１３１０は、ＰＤＬ１２１０が先の及び後続の第１の行のパターンにあり得る。いくつかの非限定的な例では、第３のグループ１３４３の放射領域１３１０の側方面１７１０は、同じ行中のＰＤＬ１２１０を含む先の及び後続の非放射領域１５２０の側方面１７２０、並びに第２の行の先の及び後続のパターン中のＰＤＬ１２１０を含む隣接する非放射領域１５２０の側方面１７２０とわずかに重なってもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の行のパターンは、第１のグループ１３４１の放射領域１３１０と、第３のグループ１３４３の交互の放射領域１３１０とを含み得、各々の前後にＰＤＬ１２１０が続く。
ここで図２３Ｂに目を向けると、図２３Ａの線２３Ｂ－２３Ｂに沿ったデバイス２３００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２３００は、基板１０と、その露出層表面１１上に形成された第１の電極１２２０の複数の要素とを含むものとして示され得る。基板１０は、ベース基板１２１２（解説を簡略にするために図示せず）、及び／又は、各サブピクセル１３４ｘに対応し、それを駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１（解説を簡略にするために図示せず）を含み得る。ＰＤＬ１２１０は、第１の電極１２２０の要素間の基板１０の上に形成され、ＰＤＬ１２１０を含む非放射領域１５２０によって分離される、第１の電極１２２０の各要素の上の放射領域１３１０を画定し得る。図では、放射領域１３１０は全て、第２のグループ１３４２に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０が、周囲のＰＤＬ１２１０間で、第１の電極１２２０の各要素上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では共通カソードであり得る第２の電極１２４０が、いくつかの非限定的な例では、そのＧ（緑）サブピクセル１３４２を形成するように、第２のグループ１３４２の放射領域１３１０にわたって、かつ周囲のＰＤＬ１２１０にわたって堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、Ｇ（緑）サブピクセル１３４２の第２のグループ１３４２の放射領域１３１０の側方面１７１０にわたって第２の電極１２４０の上に選択的に堆積されて、パターニング被膜１３０を実質的に欠き得る第２の電極１２４０の部分の上に、すなわちＰＤＬ１２１０を含む非放射領域１５２０の側方面１７２０にわたって、堆積層１４０の選択的堆積を可能にし得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、ＰＤＬ１２１０の実質的に平坦な部分に沿って蓄積する傾向があり得、堆積層１４０は、ＰＤＬ１２１０の傾き部上に残留しない傾向があり得るが、パターニング被膜１３０で被膜され得る、かかる傾き部のベースに下降する傾向があり得る。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０の実質的に平坦な部分上の堆積層１４０は、第２の電極１２４０と電気的に結合され得る少なくとも１つの補助電極２１５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２３００は、ＣＰＬ及び／又はアウトカップリング層を含み得る。非限定的な例として、かかるＣＰＬ及び／又はアウトカップリング層は、第２の電極１２４０の表面及び／又はパターニング被膜１３０の表面上に直接設けられ得る。いくつかの非限定的な例では、かかるＣＰＬ及び／又はアウトカップリング層は、（サブ）２８１０／１３４ｘに対応する少なくとも１つの放射領域１３１０の側方面にわたって設けられ得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０はまた、屈折率整合被膜として機能し得る。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０はまた、アウトカップリング層として機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２３００は、封止層２３５０を含み得る。かかる封止層２３５０の非限定的な例としては、デバイス２３００を封止するために提供される、ガラスキャップ、バリア膜、バリア接着剤、バリア被膜２０５０、及び／又は図中に破線の輪郭で示されるようなＴＦＥ層が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、ＴＦＥ層２３５０は、バリア被膜２０５０の一種とみなされ得る。
いくつかの非限定的な例では、封止層２３５０は、第２の電極１２４０及び／又はパターニング被膜１３０のうちの少なくとも１つの上方に配置され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス２３００は、限定されないが、偏光子、カラーフィルタ、反射防止被膜、防眩被膜、カバーガラス、及び／又は光学的に透明な接着剤（optically clear adhesive、ＯＣＡ）を含む、付加的光学及び／又は構造層、被膜、並びに構成要素を含み得る。
ここで図２３Ｃに目を向けると、図２３Ａの線２３Ｃ－２３Ｃに沿ったデバイス２３００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２３００は、基板１０と、その露出層表面１１上に形成された第１の電極１２２０の複数の要素とを含むものとして示され得る。ＰＤＬ１２１０は、第１の電極１２２０の要素間の基板１０の上に形成され、ＰＤＬ１２１０を含む非放射領域１５２０によって分離される、第１の電極１２２０の各要素の上の放射領域１３１０を画定し得る。図では、放射領域１３１０は、交互に第１のグループ１３４１及び第３のグループ１３４３に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０が、周囲のＰＤＬ１２１０間で、第１の電極１２２０の各要素上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、いくつかの非限定的な例では共通カソードであり得る第２の電極１２４０が、第１のグループ１３４１の放射領域１３１０の上に堆積されてそのＲ（赤）サブピクセル１３４１を形成し、第３のグループ１３４３の放射領域１３１０の上に堆積されてそのＢ（青）サブピクセル１３４３を形成し、周囲のＰＤＬ１２１０の上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、Ｒ（赤）サブピクセル１３４１の第１のグループ１３４１及びＢ（青）サブピクセル１３４３の第３のグループ１３４３の放射領域１３１０の側方面１７１０にわたって、第２の電極１２４０の上に選択的に堆積されており、パターニング被膜１３０を実質的に欠き得る第２の電極１２４０の部分の上に、すなわち、ＰＤＬ１２１０を含む非放射領域１５２０の側方面１７２０にわたって、堆積層１４０の選択的堆積を可能にし得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、ＰＤＬ１２１０の実質的に平坦な部分に沿って蓄積する傾向があり得、堆積層１４０は、ＰＤＬ１２１０の傾き部上に残留しない傾向があり得るが、パターニング被膜１３０で被膜されたかかる傾き部のベースに下降する傾向があり得る。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０の実質的に平坦な部分上の堆積層１４０は、第２の電極１２４０と電気的に結合され得る少なくとも１つの補助電極２１５０を形成し得る。
ここで図２４に目を向けると、図１７の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本明細書に説明される付加的堆積ステップを伴う、デバイス１６００の例示的バージョン２４００が示され得る。
デバイス２４００は、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０に実質的に対応する、デバイス２４００の第１の部分１０１内で、第１の部分１０１の周囲の非放射領域１５２０の側方面１７２０に実質的に対応する、デバイス２４００の第２の部分１０２内ではなく、下地層の露出層表面１１、図では第２の電極１２４０、の上に選択的に堆積されたパターニング被膜１３０を示し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、シャドウマスク４１５を使用して選択的に堆積され得る。
パターニング被膜１３０は、第１の部分１０１内に、補助電極２１５０を形成するために堆積層１４０としてその後に堆積される堆積材料５３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を有する露出層表面１１を提供し得る。
パターニング被膜１３０の選択的堆積後、堆積材料５３１は、デバイス２４００の上に堆積され得るが、実質的に、いかなるパターニング被膜１３０も実質的に欠き得る第２の部分１０２内のみに残留し、補助電極２１５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極２１５０は、図示のように、任意のパターニング被膜１３０を実質的に欠き得る第２の部分にわたって、第２の電極１２４０の上方にあり、それと物理的に接触することを含む、第２の電極１２４０のシート抵抗を低減させるように、第２の電極１２４０と電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、第２の部分１０２における堆積材料５３１の堆積に抗する高い初期付着確率を確実にするために、第２の電極１２４０と実質的に同じ材料を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、実質的に純粋なＭｇ、及び／又はＭｇと、Ａｇを非限定的に含む別の金属との合金を含み得る。いくつかの非限定的な例では、Ｍｇ：Ａｇ合金組成は、体積で約１：９～９：１の範囲であり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、非限定的にＩＴＯ及び／若しくはＩＺＯなどの三元金属酸化物を非限定的に含む金属酸化物、並びに／又は金属及び／若しくは金属酸化物の組み合わせを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０を形成するために使用される堆積層１４０は、実質的に純粋なＭｇを含み得る。
ここで図２５に目を向けると、図１７の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本明細書に説明される付加的堆積ステップを伴う、デバイス１６００の例示的バージョン２５００が示され得る。
デバイス２５００は、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０の一部に実質的に対応するデバイス２５００の第１の部分１０１内であって、第２の部分１０２内ではない、下地層の露出層表面１１、図では、第２の電極１２４０の上に選択的に堆積されたパターニング被膜１３０を示し得る。図では、第１の部分１０１は、放射領域１３１０を画定するＰＤＬ１２１０の傾き部の程度に沿って部分的に延在することができる。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、シャドウマスク４１５を使用して選択的に堆積され得る。
パターニング被膜１３０は、第１の部分１０１内に、補助電極２１５０を形成するために堆積層１４０としてその後に堆積される堆積材料５３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を有する露出層表面１１を提供し得る。
パターニング被膜１３０の選択的堆積後、堆積材料５３１は、デバイス２５００の上に堆積されてもよいが、実質的に、パターニング被膜１３０も実質的に欠き得る第２の部分１０２内のみに残留し、補助電極２１５０を形成し得る。したがって、デバイス２５００では、補助電極２１５０は、放射領域１３１０を画定するＰＤＬ１２１０の傾き部を部分的にわたって延在することができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極２１５０は、図示のように、パターニング被膜１３０を実質的に欠き得る第２の部分１０２にわたって、第２の電極１２４０の上方にあり、それと物理的に接触することを含む、第２の電極１２４０のシート抵抗を低減させるように、第２の電極１２４０と電気的に結合され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０を構成し得る材料は、堆積材料５３１の堆積に抗する高い初期付着確率を有さなくてもよい。
図２６は、かかるシナリオを解説し得、図１７の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本明細書で説明する付加的堆積ステップを伴う、デバイス１６００の例示的なバージョン２６００が示され得る。
デバイス２６００は、下地層、図では第２の電極１２４０の露出層表面１１の上に堆積されたＮＰＣ７２０を示し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ７２０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
その後、パターニング被膜１３０は、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０の一部に実質的に対応するデバイス２６００の第１の部分１０１内で、かつ第１の部分１０１を囲む非放射領域１５２０の側方面１７２０に実質的に対応するデバイス２６００の第２の部分１０２内ではなく、下地層の露出層表面１１、図ではＮＰＣ７２０の上に選択的に堆積されて堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、シャドウマスク４１５を使用して選択的に堆積され得る。
パターニング被膜１３０は、第１の部分１０１内に、補助電極２１５０を形成するために堆積層１４０としてその後に堆積される堆積材料５３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を有する露出層表面１１を提供し得る。
パターニング被膜１３０の選択的堆積後、堆積材料５３１は、デバイス２６００の上に堆積されてもよいが、実質的に、パターニング被膜１３０も実質的に欠き得る第２の部分１０２内のみに残留し、補助電極２１５０を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極２１５０は、第２の電極１２４０と電気的に連結されてそのシート抵抗を減少し得る。示されるように、補助電極２１５０は、第２の電極１２４０の上方に、かつそれと物理的に接触していなくてもよいが、当業者は、それにもかかわらず、補助電極２１５０が、複数の周知のメカニズムによって、第２の電極１２４０と電気的に結合され得ることを理解するであろう。非限定的な例として、パターニング被膜１３０の比較的に薄い膜（いくつかの非限定的な例では、最大約５０ｎｍ）の存在は、依然として、電流がそれを通過することを可能にし、それにより、第２の電極１２４０のシート抵抗が低減されることを可能にし得る。
ここで図２７に目を向けると、図１７の断面図に示されるデバイスを包含し得るが、本明細書に説明される付加的堆積ステップを伴う、デバイス１６００の例示的バージョン２７００が示され得る。
デバイス２７００は、下地層、図では第２の電極１２４０、の露出層表面１１上に堆積されたパターニング被膜１３０を示し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
パターニング被膜１３０は、補助電極２１５０を形成するために堆積層１４０としてその後に堆積される堆積材料５３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率を有する露出層表面１１を提供することができる。
パターニング被膜１３０の堆積後、ＮＰＣ７２０は、下地層の露出層表面１１の上に選択的に堆積されてもよく、図では、パターニング被膜１３０は、非放射領域１５２０の側方面１７２０の一部に実質的に対応し、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０に実質的に対応するデバイス２７００の第２の部分１０２を取り囲む。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ７２０は、シャドウマスク４１５を使用して選択的に堆積され得る。
ＮＰＣ７２０は、第１の部分１０１内に、補助電極２１５０を形成するために堆積層１４０としてその後堆積される堆積材料５３１の堆積に抗する比較的高い初期付着確率を有する露出層表面１１を提供することができる。
ＮＰＣ７２０の選択的な堆積の後、堆積材料５３１は、デバイス２７００の上に堆積されてもよいが、補助電極２１５０を形成するために、パターニング被膜１３０がＮＰＣ７２０で覆われた場所に実質的に残留していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
補助電極２１５０は、第２の電極１２４０と電気的に連結されて第２の電極１２４０のシート抵抗を減少させることができる。
透明ＯＬＥＤ
ＯＬＥＤデバイス１６００は、第１の電極１２２０（下面放射型及び／又は両面放射型デバイスの場合）並びに基板１０及び／又は第２の電極１２４０（上面放射型及び／又は両面放射型デバイスの場合）のいずれか又は両方を通してＥＭ放射線を放射することができるので、第１の電極１２２０及び／又は第２の電極１２４０のいずれか又は両方を、いくつかの非限定的な例では、少なくともデバイス１６００の放射領域１３１０の側方面の実質的な一部にわたって、実質的にＥＭ放射線（又は光）透過性（「透過性」）にすることを目的とし得る。本開示では、限定ではないが、電極１２２０、１２４０、かかる要素が形成され得る材料、及び／又はその特性を含む、かかる透過性要素は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの波長範囲において、実質的に透過性（「透明」）である、かつ／又はいくつかの非限定的な例では、部分的に透過性（「半透明」）である、要素、材料、及び／又はその特性を含んでもよい。
デバイス１６００の放射領域１３１０の側方面の少なくとも実質的な一部にわたって、そこに透過特性を付与するために、様々なメカニズムを取り入れることができる。
デバイス１６００が下面放射型デバイス及び／又は両面放射デバイスである場合を非限定的に含むいくつかの非限定的な例では、周囲の基板１０の透過率を少なくとも部分的に低減し得る、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０と関連付けられた駆動回路のＴＦＴ構造１２０１は、放射領域１３１０の側方面１７２０内の基板１０の透過特性に影響を及ぼすことを回避するために、周囲の非放射領域１５２０の側方面１７１０内に位置することができる。
デバイス１６００が両面放射デバイスであるいくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０に関して、電極１２２０、１２４０のうちの第１のものは、例えば、非限定的に、本明細書で開示するメカニズムのうちの少なくとも１つによって実質的に透過性となり得、隣接する及び／又は隣り合う（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの側方面１７１０に関して、電極１２２０、１２４０のうちの第２のものは、例えば、非限定的に、本明細書で開示するメカニズムのうちの少なくとも１つによって実質的に透過性となり得る。したがって、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの第１の放射領域１３１０の側方面１７１０は、実質的に上面発光にされてもよく、隣接する（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの第２の放射領域１３１０の側方面１７１０は、実質的に底面発光にされてもよく、交互の（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘシーケンスにおいて、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘのサブセットは、実質的に上面発光であってもよく、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘのサブセットは、実質的に底面発光であってもよく、一方、各（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの単一の電極１２２０、１２４０のみが、実質的に透過にされてもよい。
いくつかの非限定的な例では、電極１２２０、１２４０、下面放射型デバイス及び／又は両面放射型デバイスの場合には第１の電極１２２０、並びに／若しくは上面放射型デバイス及び／又は両面放射型デバイスの場合には第２の電極１２４０を透過性にするためのメカニズムは、透過性薄膜のかかる電極１２２０、１２４０を形成するためのものであり得る。
いくつかの非限定的な例では、Ａｇ、Ａｌを非限定的に含む金属の薄い導電性膜層を堆積させることによって、かつ／又はＭｇ：Ａｇ合金、及び／若しくはＹｂ：Ａｇ合金を非限定的に含む金属の薄層を堆積させることによって形成されたものを非限定的に含む、薄膜の導電性堆積層１４０は、透過特性を示し得る。いくつかの非限定的な例では、合金は、体積比で約１：９～９：１の範囲の組成を含み得る。いくつかの非限定的な例では、電極１２２０、１２４０は、堆積層１４０の任意の組み合わせの複数の薄い導電性膜層から形成されてもよく、それらのうちの任意の少なくとも１つは、ＴＣＯ、薄い金属膜、薄い金属合金膜、及び／又はこれらのいずれかの任意の組み合わせを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、特に、かかる薄い導電性膜の場合、比較的に薄い層厚は、ＯＬＥＤデバイス１６００における使用のために、高められた透過品質だけではなく、好ましい光学特性（限定ではないが、減少したマイクロキャビティ効果を含む）にも寄与するように、実質的に数十ｎｍまでであり得る。
いくつかの非限定的な例では、透過品質を促進するための電極１２２０、１２４０の厚さの低減は、電極１２２０、１２４０のシート抵抗の増加を伴う場合がある。
いくつかの非限定的な例では、高いシート抵抗を有する少なくとも１つの電極１２２０、１２４０を有するデバイス１６００は、動作中に電源１６０５と結合されたときに、大きな電流抵抗（current resistance、ＩＲ）降下が創出され得る。いくつかの非限定的な例では、かかるＩＲ降下は、電源１６０５のレベルを増加させることによって、ある程度まで補償することができる。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘについて、高いシート抵抗によるＩＲ降下を補償するために電源１６０５のレベルを増加させることで、デバイス１６００の有効な動作を維持するために他の構成要素に供給される電圧のレベルを増加させることが必要となり得る。
いくつかの非限定的な例では、（ＴＣＯ、薄い金属膜、及び／又は薄い金属合金膜の任意の組み合わせの少なくとも１つの薄膜層を採用することによって）電極１２２０、１２４０を実質的に透過性にする能力に有意に影響を及ぼすことなく、デバイス１６００の電力供給需要を低減させるために、補助電極２１５０が、デバイス１６００上に形成され、電流が、デバイス１６００の様々な放射領域１３１０により効果的に搬送されることを可能にし、一方、同時に、シート抵抗及びその関連付けられた透過性電極１２２０、１２４０のＩＲ降下を低減させることができる。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイデバイス１６００の共通電極１２２０、１２４０のシート抵抗の仕様は、限定ではないが、デバイス１６００の（パネル）サイズ、及び／又はデバイス１６００にわたる電圧変動の公差を含む、複数のパラメータに従って変化し得る。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗の仕様は、パネルサイズが増加するにつれて増加し得る（すなわち、より低いシート抵抗が指定される）。いくつかの非限定的な例では、シート抵抗の仕様は、電圧変動に対する許容範囲が減少するにつれて増加し得る。
いくつかの非限定的な例では、シート抵抗の仕様を使用して、様々なパネルサイズのためのかかる仕様に準拠するように、補助電極２１５０の例示的な厚さを導出することができる。
非限定的な例として、上面放射型デバイスの場合、第２の電極１２４０を透過性にすることができる。一方、いくつかの非限定的な例では、かかる補助電極２１５０は、実質的に透過性でなくてもよいが、第２の電極１２４０の有効シート抵抗を低減するために、例えば、非限定的に、それらの間の導電性堆積層１４０の堆積により、第２の電極１２４０と電気的に結合されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、かかる補助電極２１５０は、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面からの光子の放射に干渉しないように、側方面及び／又は断面のいずれか又は両方において位置決め及び／又は成形することができる。
いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０及び／又は第２の電極１２４０を製作するメカニズムは、その放射領域１３１０の側方面の少なくとも一部にわたって、かつ／又はいくつかの非限定的な例では、それらを取り囲む非放射領域１５２０の側方面１７２０の少なくとも一部にわたって、あるパターンでかかる電極１２２０、１２４０を形成することであり得る。いくつかの非限定的な例では、かかるメカニズムは、上で考察されたように、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０からのＥＭ放射線の放射に干渉しないように、側方面及び／又は断面のいずれか又は両方における位置及び／又は形状に補助電極２１５０を形成するために採用することができる。
いくつかの非限定的な例では、デバイス１６００は、デバイス１６００によって放射されたＥＭ放射線の光路内に導電性酸化物材料を実質的に欠き得るように構成され得る。非限定的な例として、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する少なくとも１つの放射領域１３１０の側方面１７１０において、少なくとも１つの半導体層１２３０の後に堆積される層及び／又は被膜のうちの少なくとも１つ（第２の電極１２４０、パターニング被膜１３０、及び／又は任意の他の層、及び／又はその上に堆積される被膜を含むが、これらに限定されない）は、任意の導電性酸化物材料を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、任意の導電性酸化物材料を実質的に欠いていることにより、デバイス１６００によって放射されるＥＭ放射線の吸収及び／又は反射を低減することができる。非限定的な例として、限定ではないが、ＩＴＯ及び／又はＩＺＯを含む、導電性酸化物材料は、概して、デバイス１６００の効率及び／又は性能を低減させ得る、可視スペクトルの少なくともＢ（青）領域におけるＥＭ放射線を吸収することができる。
いくつかの非限定的な例では、これらのメカニズム及び／又は他のメカニズムの組み合わせが採用され得る。
追加的に、いくつかの非限定的な例では、第１の電極１２２０、第２の電極１２４０、及び／又は補助電極２１５０のうちの少なくとも１つを、デバイス１６００の（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０の少なくとも相当の部分にわたって実質的に透過性にして、ＥＭ放射線がその側方面１７１０にわたって実質的に放射されることを可能にすることに加えて、デバイス１６００をその外面に入射するＥＭ放射線に対して実質的に透過性にするために、デバイス１６００の周囲の非放射領域１５２０の側方面１７２０のうちの少なくとも１つを下方向と上方向との両方に実質的に透過性にして、本明細書で開示するデバイス１６００内で内部的に発生したＥＭ放射線の放射（上面放射、下面放射、及び／又は両面放射）に加えて、かかる外部入射ＥＭ放射線の実質的な一部がデバイス１６００を透過することができるようにすることを目的とし得る。
ここで図２８Ａに目を向けると、概して２８００で示される、デバイス１６００の透過（透明）バージョンの例示的な平面での図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス２８００は、複数のピクセル又はピクセル領域２８１０と複数の透過領域１３２０とを有するアクティブマトリックスＯＬＥＤ（active matrix OLED、ＡＭＯＬＥＤ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２１５０が、ピクセル領域２８１０及び／又は透過領域１３２０間の下地層の露出層表面１１上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、各ピクセル領域２８１０は、各々がサブピクセル１３４ｘに対応する複数の放射領域１３１０を備え得る。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル１３４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル１３４１、Ｇ（緑）サブピクセル１３４２、及び／又はＢ（青）サブピクセル１３４３に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、各透過領域１３２０は、実質的に透明であり、ＥＭ放射線がその断面の全体を通って通過することを可能にし得る。
次に図２８Ｂに目を向けると、図２８Ａの線２８Ｂ－２８Ｂに沿ったデバイス１６００のバージョン２８００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２８００は、基板１０と、ＴＦＴ絶縁層１２０９と、ＴＦＴ絶縁層１２０９の露出層表面１１上に形成された第１の電極１２２０と、を含むものとして示され得る。いくつかの非限定的な例では、基板１０は、ベース基板１２１２（解説を簡略にするために図示せず）、及び／又は、少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１を含み得、このＴＦＴ構造１２０１は、実質的にその下に位置決めされ、その第１の電極１２２０と電気的に結合された各サブピクセル１３４ｘに対応し、それを駆動するためのものである。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０は、基板１０上の非放射領域１５２０内に形成され、それに対応する第１の電極１２２０上に、各サブピクセル１３４ｘにも対応する放射領域１３１０を画定してもよい。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０は、第１の電極１２２０の縁部を被覆することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０が、第１の電極１２２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、周囲のＰＤＬ１２１０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０が、そのサブピクセル１３４ｘを形成するように、ピクセル領域２８１０の上方を含む、少なくとも１つの半導体層１２３０の上方に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、透過領域１３２０内の周囲のＰＤＬ１２１０の少なくとも部分的上方に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、ピクセル領域２８１０及び透過領域１３２０の両方を含むが、その第２の部分１０２を含む補助電極２１５０に対応する第２の電極１２４０の領域を含まない、デバイス２８００の第１の部分１０１の上に選択的に堆積させることができる。
いくつかの非限定的な例では、次いで、デバイス２８００の露出層表面１１全体が、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２に曝露され得る。堆積層１４０は、第２の電極１２４０の被膜されていない部分と電気的に結合され、いくつかの非限定的な例では、それと物理的に接触し得る、補助電極２１５０を形成するように、パターニング被膜１３０を実質的に欠き得る第２の電極１２４０の第２の部分１０２の上に選択的に堆積させることができる。
同時に、デバイス２８００の透過領域１３２０は、それを通るＥＭ放射線の透過に実質的に影響を及ぼし得る任意の材料を実質的に欠いて残留し得る。具体的には、図に示されるように、ＴＦＴ構造１２０１及び第１の電極１２２０は、断面において、それに対応するサブピクセル１３４ｘの下に位置決めされてもよく、補助電極２１５０と共に、透過領域１３２０を越えてあり得る。その結果、これらの構成要素は、ＥＭ放射線が透過領域１３２０を通して透過されることを減衰又は妨害しない可能性がある。いくつかの非限定的な例では、かかる配置は、全ての（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘが放射していないとき、いくつかの非限定的な例では、典型的な視認距離からデバイス２８００を視認する視認者がデバイス２８００を通して見ることを可能にし、それにより、透明デバイス２８００を創出することができる。
図には示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２８００は、補助電極２１５０と第２の電極１２４０との間に配設されたＮＰＣ７２０を更に含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ７２０はまた、パターニング被膜１３０と第２の電極１２４０との間に配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、少なくとも１つの半導体層１２３０と同時に形成され得る。非限定的な例として、パターニング被膜１３０を形成するために使用される少なくとも１つの材料はまた、少なくとも１つの半導体層１２３０を形成するために使用され得る。かかる非限定的な例では、デバイス２８００を作製するための複数の段階を削減することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０及び／又は第２の電極１２４０を形成するものを含むがこれらに限定されない様々な他の層及び／又は被膜が、特にかかる層及び／又は被膜が実質的に透明である場合に、透過領域１３２０の一部を被覆することができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０は、例えば、非限定的に、透過領域１３２０を通るＥＭ放射線の透過を更に容易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域１３１０のために画定されたウェルと同様であり得るウェルをその中に形成することにより、減少した厚さを有し得る。
当業者は、図２８Ａ及び図２８Ｂに示される配列以外の（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘ配列が、いくつかの非限定的な例では、採用されてもよいことを理解するであろう。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、図２８Ａ及び図２８Ｂに示される配置以外の補助電極２１５０の配置が採用され得ることを理解するであろう。非限定的な例として、補助電極２１５０は、ピクセル領域２８１０と透過領域１３２０との間に配設され得る。非限定的な例として、補助電極２１５０は、ピクセル領域２８１０内のサブピクセル１３４ｘ間に配設され得る。
ここで図２９Ａに目を向けると、概して２９００で示される、デバイス１６００の透明バージョンの例示的な平面図が示され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００は、複数のピクセル領域２８１０と複数の透過領域１３２０とを有するＡＭＯＬＥＤデバイスであり得る。デバイス２９００は、ピクセル領域２８１０及び／又は透過領域１３２０の間に補助電極２１５０がないという点で、デバイス２８００とは異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、各ピクセル領域２８１０は、各々がサブピクセル１３４ｘに対応する複数の放射領域１３１０を備え得る。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル１３４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル１３４１、Ｇ（緑）サブピクセル１３４２、及び／又はＢ（青）サブピクセル１３４３に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、各透過領域１３２０は、実質的に透明であり得、光がその断面の全体を通って通過することを可能にし得る。
ここで図２９Ｂに目を向けると、図２９Ａの線２９－２９に沿ったデバイス２９００の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２９００は、基板１０と、ＴＦＴ絶縁層１２０９と、ＴＦＴ絶縁層１２０９の表面上に形成された第１の電極１２２０と、を含むものとして示され得る。基板１０は、ベース基板１２１２（解説を簡略にするために図示せず）、及び／又は、少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１を含み得、このＴＦＴ構造１２０１は、実質的にその下に位置決めされ、その第１の電極１２２０と電気的に結合された各サブピクセル１３４ｘに対応し、それを駆動するためのものである。ＰＤＬ１２１０は、基板１０上の非放射領域１５２０内に形成され、それに対応する第１の電極１２２０上に、各サブピクセル１３４ｘにも対応する放射領域１３１０を画定してもよい。ＰＤＬ１２１０は、第１の電極１２２０の縁部を被覆する。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０が、第１の電極１２２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、周囲のＰＤＬ１２１０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａは、そのサブピクセル１３４ｘを形成するためのピクセル領域２８１０の上、及び透過領域１３２０内の周囲のＰＤＬ１２１０の上を含む、少なくとも１つの半導体層１２３０の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａの平均層厚は、透過領域１３２０にわたる第１の堆積層１４０ａの存在が、それを通るＥＭ放射線の透過を実質的に減衰させないように、比較的薄くてもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、透過領域１３２０を含むデバイス２９００の第１の部分１０１の上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、次いで、デバイス２９００の露出層表面１１全体が、いくつかの非限定的な例では、Ｍｇであり得る、堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２に曝露され、第２の堆積層１４０ｂが、第１の堆積層１４０ａの被膜されていない部分と電気的に結合され、いくつかの非限定的な例では、物理的に接触し、第２の電極１２４０を形成し得るように、いくつかの例では、ピクセル領域２８１０である、パターニング被膜１３０を実質的に欠き得る第１の堆積層１４０ａの第２の部分１０２にわたって、第２の堆積層１４０ｂを選択的に堆積させてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａの平均層厚は、第２の堆積層１４０ｂの平均層厚以下であり得る。このようにして、第１の堆積層１４０ａのみが延在し得る透過領域１３２０において比較的高い透過率が維持され得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａの平均層厚は、約３０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、約２０ｎｍ以下、約１５ｎｍ以下、約１０ｎｍ以下、約８ｎｍ以下、又は約５ｎｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１４０ｂの平均層厚は、約３０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、約２０ｎｍ以下、約１５ｎｍ以下、約１０ｎｍ以下、又は約８ｎｍ以下のうちの少なくとも１つであり得る。
したがって、いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０の平均層厚は、約４０ｎｍ以下であってもよく、かつ／又はいくつかの非限定的な例では、約５～３０ｎｍ、約１０～２５ｎｍ、又は約１５～２５ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａの平均層厚は、第２の堆積層１４０ｂの平均層厚を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａの平均層厚及び第２の堆積層１４０ｂの平均層厚は、実質的に同じであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａを形成するために使用される少なくとも１つの堆積材料５３１は、第２の堆積層１４０ｂを形成するために使用される少なくとも１つの堆積材料５３１と実質的に同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、かかる少なくとも１つの堆積材料５３１は、実質的に、第１の電極１２２０、第２の電極１２４０、補助電極２１５０、及び／又はそれらの堆積層１４０に関して本明細書で説明されるようなものであり得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａは、ピクセル領域２８１０において、ＥＩＬ１６３９の機能を少なくとも部分的に提供することができる。第１の堆積層１４０ａを形成するための堆積材料５３１の非限定的な例は、Ｙｂを含み、これは、例えば、約１～３ｎｍの厚さであり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００の透過領域１３２０は、ＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトルを含むがこれらに限定されないＥＭ信号を含むがこれらに限定されないＥＭ放射線の透過を実質的に阻害し得る任意の材料を実質的に欠いて残留し得る。具体的には、示されるように、ＴＦＴ構造１２０９及び／又は第１の電極１２２０は、それに対応するサブピクセル１３４ｘの下部であって、透過領域１３２０を越えた断面に位置決めされ得る。その結果、これらの構成要素は、ＥＭ放射線が透過領域１３２０を通して透過されることを減衰又は妨害しない可能性がある。いくつかの非限定的な例では、かかる配置は、典型的視認距離からデバイス２９００を視認する視認者が、いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘが放射していないとき、デバイス２９００を通して見ることを可能にし、それにより、透明ＡＭＯＬＥＤデバイス２９００を創出し得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる配置はまた、ＩＲエミッタ１３６０ｔ及び／又はＩＲ検出器１３６０ｒがＡＭＯＬＥＤデバイス２９００の背後に配置されることを可能にし得、それによって、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルを非限定的に含むＥＭ信号が、かかるアンダーディスプレイ構成要素１３６０によってＡＭＯＬＥＤデバイス２９００を通して交換される。
図には示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２９００は、第２の堆積層１４０ｂと第１の堆積層１４０ａとの間に配設されたＮＰＣ７２０を更に含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ７２０はまた、パターニング被膜１３０と第１の堆積層１４０ａとの間に配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、少なくとも１つの半導体層１２３０と同時に形成され得る。非限定的な例として、パターニング被膜１３０を形成するために使用される少なくとも１つの材料はまた、少なくとも１つの半導体層１２３０を形成するために使用され得る。かかる非限定的な例では、デバイス２９００を作製するための複数の段階を削減することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０及び／又は第１の堆積層１４０ａを形成するものを含むがこれらに限定されない様々な他の層及び／又は被膜が、特にかかる層及び／又は被膜が実質的に透明である場合に、透過領域１３２０の一部を被覆することができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０は、例えば、非限定的に、透過領域１３２０を通るＥＭ放射線の透過を更に容易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域１３１０のために画定されたウェルと同様であり得るウェルをその中に形成することにより、減少した厚さを有し得る。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、図２９Ａ及び図２９Ｂに示される配置以外の（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘ配置が採用され得ることを理解するであろう。
ここで図２９Ｃに目を向けると、図２９Ａの線２９－２９に沿った、デバイス１６００の異なるバージョン２９１０の例示的な断面図が示され得る。図において、デバイス２９１０は、基板１０と、ＴＦＴ絶縁層１２０９と、ＴＦＴ絶縁層１２０９の表面上に形成された第１の電極１２２０と、を含むものとして示され得る。基板１０は、ベース基板１２１２（解説を簡略にするために図示せず）、及び／又は、少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１を含み得、このＴＦＴ構造１２０１は、実質的にその下に位置決めされ、その第１の電極１２２０と電気的に結合された各サブピクセル１３４ｘに対応し、それを駆動するためのものである。ＰＤＬ１２１０は、基板１０上の非放射領域１５２０内に形成され、それに対応する第１の電極１２２０上に、各サブピクセル１３４ｘにも対応する放射領域１３１０を画定してもよい。ＰＤＬ１２１０は、第１の電極１２２０の縁部を被覆することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０が、第１の電極１２２０の露出領域の上に堆積されてもよく、いくつかの非限定的な例では、周囲のＰＤＬ１２１０の少なくとも一部の上に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、透過領域１３２０を含むデバイス２９１０の第１の部分１０１の上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、ピクセル領域２８１０の上を含む少なくとも１つの半導体層１２３０の上に堆積されて、そのサブピクセル１３４ｘを形成することができるが、透過領域１３２０内の周囲のＰＤＬ１２１０の上には堆積されない。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる堆積は、堆積層１４０が少なくとも１つの半導体層１２３０上に堆積されて第２の電極１２４０を形成し得るように、パターニング被膜１３０を実質的に欠いている少なくとも１つの半導体層１２３０の第２の部分１０２、いくつかの非限定的な例ではピクセル領域２８１０の上に堆積層１４０を選択的に堆積させるために、デバイス２９１０の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２に曝露させることによって果たされ得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス２９１０の透過領域１３２０は、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルを含むがこれらに限定されないＥＭ信号を含むがこれらに限定されないＥＭ放射線の透過に実質的に影響を及ぼし得る任意の材料を実質的に欠いて残留し得る。具体的には、示されるように、ＴＦＴ構造１２０１及び／又は第１の電極１２２０は、それに対応するサブピクセル１３４ｘの下部、及び透過領域１３２０を越えた断面に位置決めされ得る。その結果、これらの構成要素は、ＥＭ放射線が透過領域１３２０を通して透過されることを減衰又は妨害しない可能性がある。いくつかの非限定的な例では、かかる配置は、典型的視認距離からデバイス２９１０を視認する視認者が、いくつかの非限定的な例では、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘが放射していないとき、デバイス２９１０を通して見ることを可能にし、それにより、透明ＡＭＯＬＥＤデバイス２９１０を創出し得る。
堆積層１４０がない、かつ／又は実質的に欠き得る透過領域１３２０を提供することによって、かかる領域１３２０の透過率は、いくつかの非限定的な例では、非限定的な例として、図２９Ｂのデバイス２９００と比較して、有利に高めることができる。
図には示されていないが、いくつかの非限定的な例では、デバイス２９１０は、堆積層１４０と少なくとも１つの半導体層１２３０との間に配設されたＮＰＣ７２０を更に含み得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ７２０はまた、パターニング被膜１３０とＰＤＬ１２１０との間に配設され得る。
簡略化のために図２９Ｂ及び図２９Ｃには示されていないが、当業者であれば、いくつかの非限定的な例では、ＩＲ及び／又はＮＩＲスペクトルの少なくとも一部の波長を有するＥＭ信号３４６１が透過領域１３２０においてデバイスを通して交換されることを可能にしながら、可視スペクトルの少なくとも一部において透過領域１３２０におけるＥＭ放射線の吸収を容易にするために、少なくとも１つの粒子構造１６０がその上に配設され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、少なくとも１つの半導体層１２３０と同時に形成され得る。非限定的な例として、パターニング被膜１３０を形成するために使用される少なくとも１つの材料はまた、少なくとも１つの半導体層１２３０を形成するために使用され得る。かかる非限定的な例では、デバイス２９１０を作製するための複数の段階を削減することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０の少なくとも１つの層を透過領域１３２０内に堆積させて、パターニング被膜１３０を提供することができる。非限定的な例として、少なくとも１つの半導体層１２３０のＥＴＬ１６３７は、少なくとも１つの半導体層１２３０の堆積中に放射領域１３１０及び透過領域１３２０の両方に堆積され得るパターニング被膜１３０であり得る。次に、透過領域１３２０内のＥＴＬ１６３７の露出層表面１１がＥＩＬ１６３９を実質的に欠くように、ＥＴＬ１６３７の上の放射領域１３１０内にＥＩＬ１６３９を選択的に堆積させることができる。次に、放射領域１３１０内のＥＩＬ１６３９の露出層表面１１及びパターニング被膜１３０として機能するＥＴＬ１６３７の露出層表面を堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２に曝露して、放射領域１３１０内のＥＩＬ１６３９上に堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０と、透過領域１３２０内のＥＩＬ１６３９上に堆積層１４０の不連続層１７０と、を形成することができる。
当業者は、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０及び／又は堆積層１４０を形成するものを含むがこれらに限定されない様々な他の層及び／又は被膜が、特にかかる層及び／又は被膜が実質的に透明である場合に、透過領域１３２０の一部を被覆することができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０は、例えば、非限定的に、透過領域１３２０を通るＥＭ放射線の透過を更に容易にするために、いくつかの非限定的な例では放射領域１３１０のために画定されたウェルと同様であり得るウェルをその中に形成することにより、減少した厚さを有し得る。
当業者は、図２９Ａ及び図２９Ｃに示される配列以外の（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘ配列が、いくつかの非限定的な例では、採用されてもよいことを理解するであろう。
放射領域上の電極厚さを変調するための選択的堆積
上で考察されたように、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの放射領域１３１０の側方面１７１０内及びそれにわたる電極１２２０、１２４０、２１５０の厚さを変調することは、観測可能なマイクロキャビティ効果に影響を及ぼし得る。いくつかの非限定的な例では、限定ではないが、ピクセル領域２８１０内の異なるサブピクセル１３４ｘに対応する放射領域１３１０の側方面１７１０内のＮＩＣ及び／又はＮＰＣ７２０を含む、少なくとも１つのパターニング被膜１３０の堆積を通した少なくとも１つの堆積層１４０の選択的堆積により、限定ではないが、放射スペクトル、光度、及び／又は輝度の角度依存性、及び／又は放射された光の色シフトを含む、サブピクセル１３４ｘベースで望ましい光学マイクロキャビティ効果を最適化するように、各放射領域１３１０内の光学マイクロキャビティ効果が制御及び／又は変調されることが可能となり得る。
かかる効果は、サブピクセル１３４ｘの各放射領域１３１０内に配設された堆積層１４０の平均層厚及び／又は数を独立して変調することによって制御することができる。非限定的な例として、Ｂ（青）サブピクセル１３４３の上に配設された第２の電極１２４０の平均層厚は、Ｇ（赤）サブピクセル１３４２の上に配設された第２の電極１２４０の平均層厚よりも小さくてもよく、Ｇ（赤）サブピクセル１３４２の上に配設された第２の電極１２４０の平均層厚は、Ｒ（赤）サブピクセル１３４１の上に配設された第２の電極１２４０の平均層厚よりも小さくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、かかる効果は、サブピクセル１３４ｘの各放射領域１３１０の一部内に堆積される、堆積層１４０だけではなく、パターニング被膜１３０及び／又はＮＰＣ７２０の平均層厚及び／又は数を独立して変調することによって、更により大きい程度まで制御されてもよい。
図３０に非限定的な例として示されるように、いくつかの非限定的な例では、異なる放射スペクトルを有するＯＬＥＤディスプレイデバイス１６００のバージョン３０００において、サブピクセル１３４ｘに対応する放射領域１３１０のために選択的に堆積された様々な平均層厚の堆積層１４０が存在し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の放射領域１３１０ａは、第１の波長及び／若しくは発光スペクトルのＥＭ放射線を放出するように構成されたサブピクセル１３４ｘに対応し得、及び／又は、いくつかの非限定的な例では、第２の放射領域１３１０ｂは、第２の波長及び／若しくは発光スペクトルのＥＭ放射線を放出するように構成されたサブピクセル１３４ｘに対応し得る。いくつかの非限定的な例では、デバイス３０００は、第３の波長及び／又は発光スペクトルのＥＭ放射線を放出するように構成されたサブピクセル１３４ｘに対応し得る第３の放射領域１３１０ｃを備え得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の波長は、第２の波長及び／又は第３の波長のうちの少なくとも１つ未満、それ超、かつ／又はそれと等しくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の波長は、第１の波長及び／又は第３の波長のうちの少なくとも１つ未満、それ超、かつ／又はそれと等しくてもよい。いくつかの非限定的な例では、第３の波長は、第１の波長及び／又は第２の波長のうちの少なくとも１つ未満、それ超、かつ／又はそれと等しくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、デバイス３０００はまた、いくつかの非限定的な例では、第１の放射領域１３１０ａ、第２の放射領域１３１０ｂ、及び／又は第３の放射領域１３１０ｃのうちの少なくとも１つと実質的に同一である波長及び／又は放射スペクトルを有するＥＭ放射線を放射するように構成され得る、少なくとも１つの追加の放射領域１３１０（図示せず）を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、第１の放射領域１３１０ａの少なくとも１つの半導体層１２３０を堆積させるためにも使用され得るシャドウマスク４１５を使用して選択的に堆積させることができる。いくつかの非限定的な例では、シャドウマスク４１５のかかる共有された使用により、光マイクロキャビティ効果が費用効果的な様式で各サブピクセル１３４ｘに対して調整されることが可能となり得る。
デバイス３０００は、基板１０と、ＴＦＴ絶縁層１２０９と、ＴＦＴ絶縁層１２０９の露出層表面１１上に形成された複数の第１の電極１２２０とを含むものとして示され得る。
いくつかの非限定的な例では、基板１０は、ベース基板１２１２（解説を簡略にするために図示せず）、及び／又は対応する放射領域１３１０に対応し、それを駆動するための少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１を含むことができ、各ＴＦＴ構造は、実質的にその下に位置決めされ、その関連する第１の電極１２２０に電気的に結合された対応するサブピクセル１３４ｘを有する。ＰＤＬ１２１０を基板１０の上に形成して、放射領域１３１０を画定することができる。いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０は、それらのそれぞれの第１の電極１２２０の縁部を被覆することができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０が、それらのそれぞれの第１の電極１２２０の露出された領域、及びいくつかの非限定的な例では、周囲のＰＤＬ１２１０の少なくとも一部の上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０の上に第１の堆積層１４０ａを堆積させることができる。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる堆積は、デバイス３０００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２に曝露して、第１の堆積層１４０ａを少なくとも１つの半導体層１２３０の上に堆積させて、いくつかの非限定的な例では少なくとも第１の放射領域１３１０ａのための共通電極であり得る第２の電極１２４０ａ（図示せず）の第１の層を形成することによって果たされ得る。かかる共通電極は、第１の放射領域１３１０ａにおいて第１の厚さｔｃ１を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１は、第１の堆積層１４０ａの厚さに対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、第１のパターニング被膜１３０ａは、第１の放射領域１３１０ａを備える、デバイス３０００の第１の部分１０１の上に選択的に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１４０ｂがデバイス３０００の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１４０ｂは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、そのような堆積は、デバイス３０００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであり得る堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２に曝露して、第２の堆積層１４０ｂを、第１のパターニング被膜１３０ａ、いくつかの例では、第２及び第３の放射領域１３１０ｂ、１３１０ｃ、並びに／又はＰＤＬ１２１０が存在する非放射領域１５２０の少なくとも一部を実質的に含まないことがある、第１の堆積層１４０ａの上に堆積させて、第２の堆積層１４０ｂを、非限定的な例では、少なくとも第２の放射領域１３１０ｂのための共通電極であり得る、第２の電極１２４０ｂ（図示せず）の第２の層を形成するために、第１のパターニング被膜１３０ａを実質的に含まない、第１の堆積層１４０ａの第２の部分１０２上に堆積させてもよい。いくつかの非限定的な例では、かかる共通電極は、第２の放射領域１３１０ｂにおいて第２の厚さｔｃ２を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第２の厚さｔｃ２は、第１の堆積層１４０ａ及び第２の堆積層１４０ｂの合成平均層厚に対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第２のパターニング被膜１３０ｂは、第２の放射領域１３１０ｂを含むデバイス３０００の更なる第１の部分１０１の上に選択的に堆積されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第３の堆積層１４０ｃが、デバイス３０００の上に堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、第３の堆積層１４０ｃは、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる堆積は、デバイス３０００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例では、Ｍｇであり得る、堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２に曝露し、第３の堆積層１４０ｃを、第１のパターニング被膜１３０ａ又は第２のパターニング被膜１３０ｂのいずれかを実質的に欠き得る第２の堆積層１４０ｂ、いくつかの例では、第３の放射領域１３１０ｃ、及び／又はＰＤＬ１２１０がある非放射領域１５２０の少なくとも一部の上に堆積させ、第３の堆積層１４０ｃが、第２のパターニング被膜１３０ｂを実質的に欠いている、第２の堆積層１４０ｂの更なる第２の部分１０２上に堆積されており、いくつかの非限定的な例では、少なくとも第３の放射領域１３１０ｃのための共通電極であり得る、第２の電極１２４０ｃ（図示せず）の第３の層を形成し得るように果たされてもよい。いくつかの非限定的な例では、かかる共通電極は、第３の放射領域１３１０ｃにおいて第３の厚さｔｃ３を有し得る。いくつかの非限定的な例では、第３の厚さｔｃ３は、第１の堆積層１４０ａ、第２の堆積層１４０ｂ、及び第３の堆積層１４０ｃの合成厚さに対応することができ、いくつかの非限定的な例では、第１の厚さｔｃ１及び第２の厚さｔｃ２のいずれか又は両方を上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第３のパターニング被膜１３０ｃを、第３の放射領域１３１０ｃを含むデバイス３０００の追加の第１の部分１０１の上に選択的に堆積させることができる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２１５０が、デバイス３０００の非放射領域１５２０内でその隣り合う放射領域１３１０間に、いくつかの非限定的な例では、ＰＤＬ１２１０の上に配設されてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２１５０を堆積するために使用される堆積層１４０は、オープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、かかる堆積は、デバイス３０００の露出層表面１１全体を、いくつかの非限定的な例ではＭｇであってもよい、堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２に曝露して、第１のパターニング被膜１３０ａ、第２のパターニング被膜１３０ｂ、及び／又は第３のパターニング被膜１３０ｃのいずれかを実質的に欠いていてもよい第１の堆積層１４０ａ、第２の堆積層１４０ｂ、及び／又は第３の堆積層１４０ｃの露出部分上に堆積層１４０を堆積させて、それにより、堆積層１４０が、第１のパターニング被膜１３０ａ、第２のパターニング被膜１３０ｂ、及び／又は第３のパターニング被膜１３０ｃのいずれかを実質的に欠いていてもよい第１の堆積層１４０ａ、第２の堆積層１４０ｂ、及び／又は第３の堆積層１４０ｃの露出部を含む追加の第２の部分１０２上に堆積されて、少なくとも１つの補助電極２１５０を形成することによって果たされてもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２１５０の各々は、第２の電極１２４０のそれぞれの１つと電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２１５０の各々は、かかる第２の電極１２４０と物理的に接触していてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の放射領域１３１０ａ、第２の放射領域１３１０ｂ、及び第３の放射領域１３１０ｃは、少なくとも１つの補助電極２１５０を形成するために使用される堆積材料５３１の閉鎖被膜１５０を実質的に欠いていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａ、第２の堆積層１４０ｂ、及び／又は第３の堆積層１４０ｃのうちの少なくとも１つは、可視スペクトルの少なくとも一部において透過性及び／又は実質的に透明であり得る。したがって、いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１４０ｂ及び／又は第３の堆積層１４０ｃ（及び／又は任意の付加的堆積層１４０）は、第１の堆積層１４０ａの上部に配設されており、可視スペクトルの少なくとも一部において透過性及び／又は実質的に透明でもあり得る、マルチ被膜電極１２２０、１２４０、２１５０を形成することができる。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａ、第２の堆積層１４０ｂ、第３の堆積層１４０ｃ、任意の付加的堆積層１４０、及び／又はマルチ被膜電極１２２０、１２４０、２１５０のうちの少なくとも１つのうちのいずれかの透過率は、可視スペクトルの少なくとも一部において、約３０％、約４０％、約４５％、約５０％、約６０％、約７０％、約７５％、又は約８０％のうちの少なくとも１つを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａ、第２の堆積層１４０ｂ、及び／又は第３の堆積層１４０ｃの平均層厚は、比較的高い透過率を維持するために比較的薄くすることができる。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａの平均層厚は、約５～３０ｎｍ、約８～２５ｎｍ、又は約１０～２０ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、第２の堆積層１４０ｂの平均層厚は、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、又は約３～６ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、第３の堆積層１４０ｃの平均層厚は、約１～２５ｎｍ、約１～２０ｎｍ、約１～１５ｎｍ、約１～１０ｎｍ、又は約３～６ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１の堆積層１４０ａ、第２の堆積層１４０ｂ、第３の堆積層１４０ｃ、及び／又は任意の付加的堆積層１４０の組み合わせによって形成されたマルチ被膜電極の厚さは、約６～３５ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、約１０～２５ｎｍ、又は約１２～１８ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２１５０の厚さは、第１の堆積層１４０ａ、第２の堆積層１４０ｂ、第３の堆積層１４０ｃ、及び／又は共通電極の平均層厚を上回ってもよい。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２１５０の厚さは、約５０ｎｍ、約８０ｎｍ、約１００ｎｍ、約１５０ｎｍ、約２００ｎｍ、約３００ｎｍ、約４００ｎｍ、約５００ｎｍ、約７００ｎｍ、約８００ｎｍ、約１μｍ、約１．２μｍ、約１．５μｍ、約２μｍ、約２．５μｍ、又は約３μｍのうちの少なくとも１つを上回ってもよい。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２１５０は、実質的に非透明及び／又は不透明であり得る。しかしながら、少なくとも１つの補助電極２１５０は、いくつかの非限定的な例では、デバイス３０００の非放射領域１５２０内に提供され得るため、少なくとも１つの補助電極２１５０は、有意な光学干渉を引き起こさないか、又はそれに寄与しない場合がある。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２１５０の透過率は、可視スペクトルの少なくとも一部において、約５０％以下、約７０％以下、約８０％以下、約８５％以下、約９０％以下、又は約９５％以下のうちの少なくとも１つであり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの補助電極２１５０は、可視スペクトルの少なくとも一部のＥＭ放射線を吸収することができる。
いくつかの非限定的な例では、第１の放射領域１３１０ａ、第２の放射領域１３１０ｂ、及び／又は第３の放射領域１３１０ｃにそれぞれ配設された第１のパターニング被膜１３０ａ、第２のパターニング被膜１３０ｂ、及び／又は第３のパターニング被膜１３０ｃの平均層厚は、各放射領域１３１０によって放射されるＥＭ放射線の色及び／又は放射スペクトルに従って変化し得る。いくつかの非限定的な例では、第１のパターニング被膜１３０ａは、第１のパターニング被膜厚ｔｎ１を有してもよく、第２のパターニング被膜１３０ｂは、第２のパターニング被膜厚ｔｎ２を有してもよく、かつ／又は第３のパターニング被膜１３０ｃは、第３のパターニング被膜厚ｔｎ３を有してもよい。いくつかの非限定的な例では、第１のパターニング被膜厚ｔｎ１、第２のパターニング被膜厚ｔｎ２、及び／又は第３のパターニング被膜厚ｔｎ３は、実質的に同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、第１のパターニング被膜厚ｔｎ１、第２のパターニング被膜厚ｔｎ２、及び／又は第３のパターニング被膜厚ｔｎ３は、互いに異なり得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス３０００はまた、任意の数の放射領域１３１０ａ～１３１０ｃ及び／又はその（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘを備えてもよい。いくつかの非限定的な例では、デバイスは、複数のピクセル２８１０を備えてもよく、各ピクセル２８１０は、２つ、３つ以上のサブピクセル１３４ｘを備え得る。
当業者であれば、（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘの特定の配置は、デバイス設計に応じて変化し得ることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル１３４ｘは、ＲＧＢサイドバイサイド、ダイヤモンド、及び／又はペンタイル（登録商標）を非限定的に含む、知られている配置方式に従って配置することができる。
電極を補助電極に電気的に結合するための導電性被膜
図３１に目を向けると、デバイス１６００の例示的なバージョン３１００の断面図が示され得る。デバイス３１００は、側方面において、放射領域１３１０及び隣接する非放射領域１５２０を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０は、デバイス３１００のサブピクセル１３４ｘに対応し得る。放射領域１３１０は、基板１０と、第１の電極１２２０と、第２の電極１２４０と、それらの間に配置された少なくとも１つの半導体層１２３０とを有し得る。
第１の電極１２２０は、基板１０の露出層表面１１上に配設され得る。基板１０は、第１の電極１２２０と電気的に結合され得るＴＦＴ構造１２０１を含み得る。第１の電極１２２０の縁部及び／又は外周は、概して、少なくとも１つのＰＤＬ１２１０によって被覆され得る。
非放射領域１５２０は、補助電極２１５０を有してもよく、非放射領域１５２０の第１の部は、補助電極２１５０の側方面にわたって突出し、それに重なるように配置される突出構造３１６０を有してもよい。突出構造３１６０は、側方に延在して、遮蔽領域３１６５を提供することができる。非限定的な例として、突出構造３１６０は、遮蔽領域３１６５を提供するために、少なくとも１つの側部上の補助電極２１５０において、かつ／又はその近くで凹んでいてもよい。示されるように、遮蔽領域３１６５は、いくつかの非限定的な例では、突出構造３１６０の側方突出部と重なり得るＰＤＬ１２１０の表面上の領域に対応し得る。非放射領域１５２０は、遮蔽領域３１６５内に配設された堆積層１４０を更に含み得る。堆積層１４０は、補助電極２１５０を第２の電極１２４０と電気的に結合し得る。
パターニング被膜１３０ａは、第２の電極１２４０の露出層表面１１の上に、放射領域１３１０内に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、突出構造３１６０の露出層表面１１は、第２の電極１２４０を形成するために、薄い導電性膜の堆積からの残存する薄い導電性膜で被膜され得る。いくつかの非限定的な例では、残存する薄い導電性膜の露出層表面１１は、パターニング被膜１３０の堆積からの残存するパターニング被膜１３０ｂで被膜され得る。
しかしながら、遮蔽領域３１６５上の突出構造３１６０の側方突出部に起因して、遮蔽領域３１６５は、パターニング被膜１３０を実質的に欠き得る。したがって、パターニング被膜１３０の堆積後に、堆積層１４０がデバイス３１００上に堆積され得るとき、堆積層１４０は、補助電極２１５０を第２の電極１２４０に結合するように、遮蔽領域３１６５上に堆積されており、及び／又はそこに移動することができる。
当業者は、非限定的な例が図３１に示されており、様々な修正が明らかであり得ることを理解するであろう。非限定的な例として、突出構造３１６０は、その側部の少なくとも２つに沿って遮蔽領域３１６５を提供し得る。いくつかの非限定的な例では、突出構造３１６０は省略されてもよく、補助電極２１５０は、遮蔽領域３１６５を画定し得る凹部を含み得る。いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０及び堆積層１４０は、ＰＤＬ１２１０の代わりに、基板１０の表面上に直接配設することができる。
光学被膜の選択的堆積
いくつかの非限定的な例では、デバイス（図示せず）は、いくつかの非限定的な例では光電子デバイス１２００であってもよく、基板１０と、パターニング被膜１３０と、光学被膜とを含み得る。パターニング被膜１３０は、側方面では、基板１０の第１の側方部分１０１を被覆し得る。光学被膜は、側方面では、基板１０の第２の側方部分１０２を被覆し得る。パターニング被膜１３０の少なくとも一部は、光学被膜の閉鎖被膜１５０を実質的に欠いていてもよい。
いくつかの非限定的な例では、光学被膜は、限定ではないが、プラズモンモードを含む、デバイスによって伝送、放射、及び／又は吸収されるＥＭ放射線の光学特性を変調するために使用されてもよい。非限定的な例として、光学被膜は、光学フィルタ、屈折率整合被膜、光取り出し被膜、散乱層、回折格子、及び／又はそれらの一部として使用されてもよい。
いくつかの非限定的な例では、光学被膜は、限定はしないが、総光路長及び／又はその屈折率を調整することによって、デバイス１２００内の少なくとも１つの光マイクロキャビティ効果を変調するために使用されてもよい。デバイス１２００の少なくとも１つの光学特性は、強度の角度依存性、及び／又は波長シフトを非限定的に含む、出力ＥＭ放射線を非限定的に含む、少なくとも１つの光マイクロキャビティ効果を変調することによって影響され得る。いくつかの非限定的な例では、光学被膜は、非電気部品であってもよく、すなわち、光学被膜は、通常のデバイス動作中、電流を伝導及び／又は伝送するように構成されなくてもよい。
いくつかの非限定的な例では、光学被膜は、任意の堆積材料５３１から形成されてもよく、かつ／又は本明細書に説明されるような堆積層１４０を堆積させる任意のメカニズムを採用してもよい。
隔壁及び凹部
図３２に目を向けると、デバイス１６００の例示的なバージョン３２００の断面図が示され得る。デバイス３２００は、露出層表面１１を有する基板１０を含み得る。基板１０は、少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１を含み得る。非限定的な例として、少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１は、本明細書で説明するように、いくつかの非限定的な例では、基板１０を作製するときに一連の薄膜を堆積させ、パターニングすることによって形成され得る。
デバイス３２００は、側方面において、関連する側方面１７２０を有する放射領域１３１０と、各々が関連する側方面１７１０を有する少なくとも１つの隣接する非放射領域１５２０とを含み得る。放射領域１３１０内の基板１０の露出層表面１１には、少なくとも１つのＴＦＴ構造１２０１と電気的に結合することができる第１の電極１２２０を設けることができる。ＰＤＬ１２１０は、ＰＤＬ１２１０が露出層表面１１並びに第１の電極１２２０の少なくとも１つの縁部及び／又は外周を被覆するように、露出層表面１１上に設けることができる。ＰＤＬ１２１０は、いくつかの非限定的な例では、非放射領域１５２０の側方面１７２０中に設けることができる。ＰＤＬ１２１０は、中を通して第１の電極１２２０の層表面が露出され得る、放射領域１３１０の側方面１７１０に略対応し得る、開口部を提供し得る、谷形状構成を画定することができる。いくつかの非限定的な例では、デバイス３２００は、ＰＤＬ１２１０によって画定された複数のかかる開口部を含み得、その各々は、デバイス３２００の（サブ）ピクセル２８１０／１３４ｘ領域に対応し得る。
示されるように、いくつかの非限定的な例では、隔壁３２２１が、非放射領域１５２０の側方面１７２０内の露出層表面１１上に提供されてもよく、本明細書に説明されるように、凹部３２２２などの遮蔽領域３１６５を画定してもよい。いくつかの非限定的な例では、凹部３２２２は、凹部３２２２に重なる、かつ／又はそれを越えて突出し得る隔壁３２２１の上側セクションの縁部に対して凹んでいる、互い違いに配置されている、かつ／又はオフセットされている隔壁３２２１の下側セクションの縁部によって形成することができる。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０の側方面１７１０は、第１の電極１２２０の上に配設された少なくとも１つの半導体層１２３０と、少なくとも１つの半導体層１２３０の上に配設された第２の電極１２４０と、第２の電極１２４０の上に配設されたパターニング被膜１３０と、を含み得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの半導体層１２３０、第２の電極１２４０、及びパターニング被膜１３０は、少なくとも１つの隣接する非放射領域１５２０の一部の少なくとも側方面１７２０を被覆するように側方に延在することができる。いくつかの非限定的な例では、示されるように、少なくとも１つの半導体層１２３０、第２の電極１２４０、及びパターニング被膜１３０は、少なくとも１つのＰＤＬ１２１０の少なくとも一部及び隔壁３２２１の少なくとも一部上に配設され得る。したがって、示されるように、放射領域１３１０の側方面１７１０、少なくとも１つの隣接する非放射領域１５２０の一部の側方面１７２０、少なくとも１つのＰＤＬ１２１０の一部、及び隔壁３２２１の少なくとも一部は、第２の電極１２４０がパターニング被膜１３０と少なくとも１つの半導体層１２３０との間にあり得る、第１の部分１０１を一緒に構成することができる。
補助電極２１５０は、凹部３２２２に近接して、かつ／又はその中に配設されてもよく、堆積層１４０は、補助電極２１５０を第２の電極１２４０と電気的に結合するように配置されてもよい。したがって、図示のように、いくつかの非限定的な例では、凹部３２２２は、堆積層１４０が露出層表面１１上に配設される、第２の部分１０２を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０を堆積させる際に、堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２の少なくとも一部は、露出層表面１１の側方平面に対して垂直でない角度で向けられ得る。非限定的な例として、蒸気フラックス５３２の少なくとも一部は、露出層表面１１のかかる側方平面に対して、ゼロではない、すなわち約９０°以下、約８５°以下、約８０°以下、約７５°以下、約７０°以下、約６０°以下、又は約５０°以下のうちの少なくとも１つの入射角でデバイス３２００に入射し得る。垂直でない角度で入射するその少なくとも一部を含む、堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２を向けることによって、凹部３２２２で、及び／又はその中の少なくとも１つの露出層表面１１は、かかる蒸気フラックス５３２に曝露され得る。
いくつかの非限定的な例では、かかる蒸気フラックス５３２の少なくとも一部が、垂直でない入射角で流れることができるので、かかる蒸気フラックス５３２が、隔壁３２２１の存在により、凹部３２２２の、かつ／又はその内の少なくとも１つの露出層表面１１上に入射することを妨げられる可能性を低減することができる。
いくつかの非限定的な例では、かかる蒸気フラックス５３２の少なくとも一部は、コリメートされなくてもよい。いくつかの非限定的な例では、かかる蒸気フラックス５３２の少なくとも一部は、点源、線形源、及び／又は表面源である蒸発源によって発生し得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス３２００は、堆積層１４０の堆積中に変位され得る。非限定的な例として、デバイス３２００、及び／又はその基板１０、及び／又はその上に堆積される任意の層は、側方面において、かつ／又は断面と実質的に平行な面において、角度である変位に供され得る。
いくつかの非限定的な例では、デバイス３２００は、蒸気フラックス５３２に供されている間に、露出層表面１１の側方平面に実質的に垂直な軸を中心に回転させることができる。
いくつかの非限定的な例では、かかる蒸気フラックス５３２の少なくとも一部は、露出層表面１１の側方平面に対して実質的に垂直な方向に、デバイス３２００の露出層表面１１に向かって向けられ得る。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、それにもかかわらず、堆積材料５３１は、パターニング被膜１３０の露出層表面１１上に吸着された吸着原子の側方移動及び／又は脱着に起因して、凹部３２２２内に堆積され得ると仮定することができる。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の露出層表面１１上に吸着された任意の吸着原子は、安定した核を形成するための露出層表面１１の好ましくない熱力学的特性に起因して、かかる露出層表面１１から移動及び／又は脱着する傾向があり得ると仮定することができる。いくつかの非限定的な例では、かかる露出層表面１１から移動及び／又は脱着する吸着原子の少なくともいくつかは、凹部３２２２内の表面上に再堆積して堆積層１４０を形成することができると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、堆積層１４０が補助電極２１５０と第２の電極１２４０の両方と電気的に結合され得るように形成され得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０は、補助電極２１５０及び／又は第２の電極１２４０のうちの少なくとも１つと物理的に接触していてもよい。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０と補助電極２１５０及び／又は第２の電極１２４０のうちの少なくとも１つとの間に中間層が存在してもよい。しかしながら、かかる例では、かかる中間層は、堆積層１４０が補助電極２１５０及び／又は第２の電極１２４０のうちの少なくとも１つと電気的に結合されることを実質的に妨げないことがある。いくつかの非限定的な例では、かかる中間層は、比較的薄く、それを通る電気的結合を可能にするようなものであり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層１４０のシート抵抗は、第２の電極１２４０のシート抵抗以下であり得る。
図３２に示すように、凹部３２２２は、第２の電極１２４０を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０の堆積中、第２の電極１２４０を形成するための堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２が、凹部３２２２の、かつ／又はその中の少なくとも１つの露出層表面１１上に入射するのを実質的に妨げることができるように、凹部３２２２を隔壁３２２１によってマスキングし得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０を形成するための堆積材料５３１の蒸気フラックス５３２の少なくとも一部は、第２の電極１２４０が凹部３２２２の少なくとも一部を被覆するように延在することができるように、凹部３２２２の、かつ／又はその内の少なくとも１つの露出層表面１１上に入射することができる。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０、堆積層１４０、及び／又は隔壁３２２１は、ディスプレイパネル１３４０の特定の領域中に選択的に設けられ得る。いくつかの非限定的な例では、これらの特徴のうちのいずれかは、限定ではないが、第２の電極１２４０を含む、フロントプレーン１６１０の少なくとも１つの要素をバックプレーン１６１５の少なくとも１つの要素に電気的に結合するために、かかるディスプレイパネル１３４０の少なくとも１つの縁部に、かつ／又はそれに近接して提供されてもよい。いくつかの非限定的な例では、かかる特徴をかかる縁部に、かつ／又はそれに近接して提供することにより、電流をかかる縁部に、かつ／又はそれに近接して位置する補助電極２１５０から第２の電極１２４０に供給及び分配することが容易になり得る。いくつかの非限定的な例では、かかる構成により、ディスプレイパネル１３４０のベゼルサイズを低減することが容易になり得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０、堆積層１４０、及び／又は隔壁３２２１は、かかるディスプレイパネル１３４０の特定の領域から省略され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる特徴は、限定ではないが、その少なくとも１つの縁部以外、及び／又はそれに近接して、比較的高いピクセル密度が提供され得る場合を含む、ディスプレイパネル１３４０の部分から省略することができる。
非放射領域の開口
ここで図３３Ａに目を向けると、デバイス１６００の例示的なバージョン３３００ａの断面図が示され得る。デバイス３３００ａは、非放射領域１５２０内の一対の隔壁３２２１が、それらの間に開口３３２２などの遮蔽領域３１６５を画定するように対向配置で配設され得るという点で、デバイス３２００とは異なり得る。示されるように、いくつかの非限定的な例では、隔壁３２２１のうちの少なくとも１つは、第１の電極１２２０の少なくとも縁部を被覆し、少なくとも１つの放射領域１３１０を画定する、ＰＤＬ１２１０として機能することができる。いくつかの非限定的な例では、隔壁３２２１のうちの少なくとも１つは、ＰＤＬ１２１０とは別々に設けることができる。
凹部３２２２などの遮蔽領域３１６５は、隔壁３２２１のうちの少なくとも１つによって画定することができる。いくつかの非限定的な例では、凹部３２２２は、基板１０に近接する開口３３２２の一部に設けることができる。いくつかの非限定的な例では、開口３３２２は、平面でみたときに実質的に楕円形であり得る。いくつかの非限定的な例では、凹部３２２２は、平面でみたときに実質的に環状であり、開口３３２２を取り囲むことができる。
いくつかの非限定的な例では、凹部３２２２は、デバイススタック３３１０の層及び／又は残存デバイススタック３３１１の層の各々を形成するための材料を実質的に欠き得る。
これらの図では、少なくとも１つの半導体層１２３０と、第２の電極１２４０と、隔壁３２２１の上側セクションに堆積されたパターニング被膜１３０と、を含むデバイススタック３３１０を示すことができる。
これらの図では、少なくとも１つの半導体層１２３０と、第２の電極１２４０と、隔壁３２２１及び凹部３２２２を越えて基板１０上に堆積されたパターニング被膜１３０と、を含む残存デバイススタック３３１１を示すことができる。図３２との比較から、残存デバイススタック３３１１は、いくつかの非限定的な例では、隔壁３２２１のリップにおける、かつ／又はそれに近接する凹部３２２２に近づくにつれて、半導体層１２３０、第２の電極１２４０、及びパターニング被膜１３０に対応し得ることが理解され得る。いくつかの非限定的な例では、残存デバイススタック３３１１は、デバイススタック３３１０の様々な材料を堆積させるためにオープンマスク及び／又はマスクフリー堆積プロセスが使用されるときに形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、残存デバイススタック３３１１は、開口３３２２内に配設され得る。いくつかの非限定的な例では、デバイススタック３３１０の層の各々を形成するための蒸発した材料が、開口３３２２内に堆積されて、その中に残存デバイススタック３３１１を形成し得る。
いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０は、その少なくとも一部が凹部３２２２内に配設されるように配置することができる。示されるように、いくつかの非限定的な例では、補助電極２１５０は、残存デバイススタック３３１１が補助電極２１５０の表面上に堆積されるように、開口３３２２内に配置され得る。
第２の電極１２４０を補助電極２１５０と電気的に結合するために、堆積層１４０が開口３３２２内に配設され得る。非限定的な例として、堆積層１４０の少なくとも一部は、凹部３２２２内に配設され得る。
ここで図３３Ｂに目を向けると、デバイス３３００ｂの更なる例の断面図が示され得る。図示のように、補助電極２１５０は、隔壁３２２１の側部の少なくとも一部を形成するように配置され得る。これにより、補助電極２１５０は、平面図でみたとき、実質的に環状であってもよく、開口３３２２を取り囲んでもよい。示されるように、いくつかの非限定的な例では、残存デバイススタック３３１１は、基板１０の露出層表面１１上に堆積され得る。
いくつかの非限定的な例では、隔壁３２２１は、ＮＰＣ７２０を含んでもよく、かつ／又はそれによって形成されてもよい。非限定的な例として、補助電極２１５０は、ＮＰＣ７２０として機能することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ７２０は、第２の電極１２４０、及び／又はその一部、層、及び／又は材料によって提供されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、側方に延在して、遮蔽領域３１６５内に配置された露出層表面１１を被覆することができる。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０は、その下側層と、その第２の層とを含んでもよく、その第２の層は、その下側層上に堆積されてもよい。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０の下側層は、酸化物、例えば、非限定的に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、又はＺｎＯを含み得る。いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０の上側層は、金属、例えば、非限定的に、Ａｇ、Ｍｇ、Ｍｇ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ、他のアルカリ金属、及び／又は他のアルカリ土類金属のうちの少なくとも１つを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、第２の電極１２４０の下側層は、ＮＰＣ７２０を形成するように、遮蔽領域３１６５の表面を被覆するように側方に延在し得る。いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣ７２０を形成するために、遮蔽領域３１６５を画定する少なくとも１つの表面を処理され得る。いくつかの非限定的な例では、かかるＮＰＣ７２０は、遮蔽領域３１６５の表面をプラズマ、ＵＶ、及び／又はＵＶオゾン処理に供することを非限定的に含む、化学的及び／又は物理的処理によって形成され得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、かかる処理は、かかる表面を化学的及び／又は物理的に変化させて、その少なくとも１つの特性を修正し得ると仮定することができる。非限定的な例として、表面のかかる処理は、かかる表面上のＣ－Ｏ及び／又はＣ－ＯＨ結合の濃度を増加させ得、かかる表面の粗さを増加させ得、かつ／若しくは、限定されないが、ハロゲン、Ｎ含有官能基、及び／又は酸素含有官能基を含む、特定の種及び／又は官能基の濃度を増加させて、その後ＮＰＣ７２０として機能し得る。
ディスプレイパネル
ここで図３４に目を向けると、ディスプレイパネル１３４０の断面図が示される。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル１３４０は、その面３４０１を形成する最外層で完結する、光電子デバイス１２００を含むがこれに限定されない層状半導体デバイス１００のバージョンであり得る。
ディスプレイパネル１３４０の面３４０１は、側方軸によって画定される平面に実質的に沿って、その側方面にわたって延在し得る。
ユーザデバイス
いくつかの非限定的な例では、面３４０１、実際にはディスプレイパネル全体１３４０は、少なくとも１つのＥＭ信号３４６１が面３４０１の平面に対してゼロでない角度でそれを通して交換され得るユーザデバイス１３００の面として機能し得る。いくつかの非限定的な例では、ユーザデバイス１３００は、コンピューティングデバイス、例えば、非限定的に、スマートフォン、タブレット、ラップトップ、及び／若しくは電子リーダ、並びに／又は何らかの他の電子デバイス、例えば、非限定的に、自動車ディスプレイ及び／若しくはフロントガラス、家庭用電気器具、及び／若しくは医療、商業、及び／若しくは産業用デバイスを含む、モニタ、テレビジョンセット、及び／若しくはスマートデバイスであり得る。
いくつかの非限定的な例では、面３４０１は、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素１３６０が収容され得る本体１３５０及び／又はその中の開口部３４５１に対応し、かつ／又はそれと嵌合し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素１３６０は、面３４０１の反対側のその表面上のディスプレイパネル１３４０と一体的に、又は組み立てられたモジュールとして形成され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素１３６０は、面３４０１の反対側のディスプレイパネル１３４０の基板１０の露出層表面１１上に形成され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの開口３４４１が、ディスプレイパネル１３４０内に形成されて、側方軸によって画定される平面、又は付随して、ディスプレイパネル１３４０の面３４０１を非限定的に含むディスプレイパネル１３４０の層に対してゼロでない角度で、ディスプレイパネル１３４０の面３４０１を通る少なくとも１つのＥＭ信号３４６１の交換を可能にし得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの開口３４４１は、別様にはディスプレイパネル１３４０にわたって配設される実質的に不透明な被膜の厚さ及び／又は不透明度の欠如及び／又は減少を含むものと理解され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの開口３４４１は、本明細書で説明されるような信号透過領域１３２０として具現化され得る。
しかしながら、少なくとも１つの開口３４４１が具現化される場合、少なくとも１つのＥＭ信号３４６１は、面３４０１を通って通過するようにそれを通過し得る。その結果、少なくとも１つのＥＭ信号３４６１は、ディスプレイパネル１３４０にわたって側方に少なくとも１つの粒子構造１６０にわたって伝導され得る任意の電流を非限定的に含む、側方軸によって画定された平面に沿って延在し得る任意のＥＭ放射を除外するとみなされ得る。
更に、当業者は、少なくとも１つのＥＭ信号３４６１が、単独で、又は他のＥＭ信号３４６１と併せて、少なくとも１つのＥＭ信号３４６１を他のＥＭ信号３４６１から区別され得る識別子を含むがこれに限定されない何らかの情報内容を伝達することができるという点で、少なくとも１つのＥＭ信号３４６１を、電流及び／又はそれによって発生する電界を含むがこれに限定されないＥＭ放射線自体と区別することができることを理解するであろう。いくつかの非限定的な例では、情報コンテンツは、少なくとも１つのＥＭ信号３４６１の波長、周波数、位相、タイミング、帯域幅、抵抗、キャパシタンス、インピーダンス、コンダクタンス、及び／又は他の特質のうちの少なくとも１つを指定すること、変更すること、及び／又は変調することによって伝達され得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル１３４０の少なくとも１つの開口３４４１を通って通過する少なくとも１つのＥＭ信号３４６１は、少なくとも１つの光子を含み得、いくつかの非限定的な例では、限定はしないが、可視スペクトル、ＩＲスペクトル、及び／又はＮＩＲスペクトルのうちの少なくとも１つの範囲内にある波長スペクトルを有し得る。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル１３４０の少なくとも１つの開口３４４１を通って通過する少なくとも１つのＥＭ信号３４６１は、限定はしないが、ＩＲ及び／又はＮＲスペクトル内にある波長を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル１３４０の少なくとも１つの開口３４４１を通って通過する少なくとも１つのＥＭ信号３４６１は、その上に入射する周辺光を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル１３４０の少なくとも１つの開口３４４１を通して交換される少なくとも１つのＥＭ信号３４６１は、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素１３６０によって伝送及び／又は受信され得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素１３６０は、単一の信号透過領域１３２０よりも大きいサイズを有し得るが、複数だけでなく、それらの間に延在する少なくとも１つの放射領域１３１０の下にもあり得る。同様に、いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素１３６０は、少なくとも１つの開口３４４１のうちの単一のものよりも大きいサイズを有し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素１３６０は、ユーザデバイス１３００を越えてから少なくとも１つの開口３４４１を通って通過する少なくとも１つの受信ＥＭ信号３４６１ｒを受信及び処理するように適合された受信器１３６０ｒを含み得る。かかる受信器１３６０ｒの非限定的な例として、アンダーディスプレイカメラ（under-display camera、ＵＤＣ）、並びに／又はＩＲセンサ、ＮＩＲセンサ、ＬＩＤＡＲ検知モジュール、指紋検知モジュール、光検知モジュール、ＩＲ（近接）検知モジュール、虹彩認識検知モジュール、及び／若しくは顔認識検知モジュールを非限定的に含むセンサが挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素１３６０は、ユーザデバイス１３００を越えて少なくとも１つの開口３４４１を通過する少なくとも１つの透過ＥＭ信号３４６１ｔを放射するように適合された送信器１３６０ｔを含み得る。かかる送信器１３６０ｔの非限定的な例として、内蔵フラッシュ、懐中電灯、ＩＲエミッタ、及び／若しくはＮＩＲエミッタ、並びに／又はＬＩＤＡＲ検知モジュール、指紋検知モジュール、光検知モジュール、ＩＲ（近接）検知モジュール、虹彩認識検知モジュール、及び／若しくは顔認識検知モジュール及び／又はそれらの部分を非限定的に含むＥＭ放射線源が挙げられる。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの受信ＥＭ信号３４６１ｒは、少なくとも１つの透過ＥＭ信号３４６１ｔの少なくとも断片を含み、これは、ユーザデバイス１３００の外面から反射されるか、又は他の方法で外面によって戻される。
いくつかの非限定的な例では、ユーザデバイス１３００を越えてディスプレイパネル１３４０の少なくとも１つの開口３４４１を通って通過する少なくとも１つのＥＭ信号３４６１には、送信器１３６０ｔを含み得る少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素１３６０によって放射される透過ＥＭ信号３４６１ｔが非限定的に含まれ、ディスプレイパネル１３４０から発して、ディスプレイパネル１３４０の少なくとも１つの開口３４４１を通して、放射ＥＭ信号３４６１ｒとして受信器１３６０ｒを含み得る少なくとも１つのアンダーディスプレイ構成要素１３６０に戻り得る。
いくつかの非限定的な例では、アンダーディスプレイ構成要素１３６０は、ＩＲエミッタ及びＩＲセンサを含み得る。非限定的な例として、かかるアンダーディスプレイ構成要素１３６０は、その一部、構成要素又はモジュールとして、ドットマトリックスプロジェクタ、直接ＴｏＦ及び／又は間接ＴｏＦセンサとして動作し得る飛行時間（time－of－flight、ＴｏＦ）センサモジュール、垂直共振器面発光レーザ（vertical cavity surface-emitting laser、ＶＣＳＥＬ）、投光照明器、ＮＩＲ撮像器、折り返し光学系、又は回折格子を含み得る。
いくつかの非限定的な例では、ユーザデバイス１３００内に複数のアンダーディスプレイ構成要素１３６０があり得、そのうちの第１のものは、ユーザデバイス１３００を越えて、少なくとも１つの開口３４４１を通って通過するために少なくとも１つの透過ＥＭ信号３４６１ｔを放射するための送信器１３６０ｔを含み得、そのうちの第２のものは、少なくとも１つの受信ＥＭ信号３４６１ｒを受信するための受信器１３６０ｒを含み得る。いくつかの非限定的な例では、かかる送信器１３６０ｔ及び受信器１３６０ｒは、単一の共通のアンダーディスプレイ構成要素１３６０において具現化され得る。
これは、図３５Ａにおける非限定的な例として分かり得、ユーザデバイス１３００のバージョンは、その側方面（図では垂直に示されている）において、少なくとも１つの信号交換ディスプレイ部３５１６に隣接し、いくつかの非限定的な例では、それによって分離された少なくとも１つのディスプレイ部３５１５を含み得るディスプレイパネル１３４０を有するものとして示されている。ユーザデバイス１３００は、いくつかの非限定的な例では、面３４０１を越えた第１の信号交換ディスプレイ部３５１６に実質的に対応する、少なくとも１つの透過ＥＭ信号３４６１ｔを少なくとも１つの第１の信号透過領域１３２０を通して透過するための少なくとも１つの送信器１３６０ｔ、並びにいくつかの非限定的な例では第２の信号交換ディスプレイ部３５１６に実質的に対応する、少なくとも１つの第２の信号透過領域１３２０を通して、少なくとも１つの受信ＥＭ信号３４６１ｒを受信する受信器１３６０ｒを収容する。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの第１及び第２の信号交換ディスプレイ部３５１６は同じであり得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの受信ＥＭ信号３４６１ｒは、ユーザ３５００を非限定的に含む外面から反射された、例えば、非限定的に、そのバイオメトリック認証のための、少なくとも１つの送信ＥＭ信号３４６１ｔであり得る。
図３５Ｂは、デバイス１３００の面を画定するディスプレイパネル１３４０を含む、非限定的な例によるユーザデバイス１３００のバージョンを平面で示す。デバイス１３００は、面３４０１を越えて配置された少なくとも１つの送信器１３６０ｔ及び少なくとも１つの受信器１３６０ｒを収容する。図３５Ｃは、デバイス１３００の線３５Ｃ－３５Ｃに沿った断面図である。
ディスプレイパネル１３４０は、ディスプレイ部３５１５と信号交換ディスプレイ部３５１６とを含む。ディスプレイ部３５１５は、複数の放射領域１３１０（図示せず）を含む。信号交換ディスプレイ部３５１６は、複数の放射領域１３１０（図示せず）と、複数の信号透過領域１３２０とを含む。ディスプレイ部３５１５及び信号交換ディスプレイ部３５１６における複数の放射領域１３１０は、ディスプレイパネル１３４０のサブピクセル１３４ｘに対応してもよい。信号交換ディスプレイ部３５１６内の複数の信号透過領域１３２０は、ＩＲスペクトルに対応する波長（範囲）を有するＥＭ信号がその断面の全体を通って通過することを可能にするように構成され得る。少なくとも１つの送信器１３６０ｔ及び少なくとも１つの受信器１３６０ｒは、ＩＲ信号がパネル１３４０の信号交換ディスプレイ部３５１６を通って通過することによってそれぞれ放射及び受信され得るように、対応する信号交換ディスプレイ部３５１６の背後に配置され得る。解説される非限定的な例では、少なくとも１つの送信器１３６０ｔ及び少なくとも１つの受信器１３６０ｒの各々は、信号透過の経路に配設された対応する信号交換ディスプレイ部３５１６を有するものとして示されている。
図３５Ｄは、非限定的な例によるユーザデバイス１３００のバージョンを平面で示し、少なくとも１つの送信器１３６０ｔ及び少なくとも１つの受信器１３６０ｒは両方とも、共通の信号交換ディスプレイ部３５１６の背後に配置される。非限定的な例として、信号交換ディスプレイ部３５１６は、送信器１３６０ｔ及び受信器１３６０ｒの両方にわたって延在するように、平面図において少なくとも１つの構成軸に沿って細長くてもよい。図３５Ｅは、図３５Ｄの線３５Ｅ－３５Ｅに沿った断面図を示す。
図３５Ｆは、非限定的な例によるユーザデバイス１３００のバージョンを平面で示し、ディスプレイパネル１３４０は、非ディスプレイ部３５５１を更に含む。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル１３４０は、少なくとも１つの送信器１３６０ｔ及び少なくとも１つの受信器１３６０ｒを含み得、それらの各々は、対応する信号交換ディスプレイ部３５１６の背後に配置され得る。非ディスプレイ部３５５１は、平面において、２つの信号交換ディスプレイ部３５１６に隣接して、かつそれらの間に配置され得る。非ディスプレイ部３５５１には、放射領域１３１０を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、ユーザデバイス１３００は、非ディスプレイ部３５５１に配置されたカメラ１３６０ｃを収容し得る。いくつかの非限定的な例では、非ディスプレイ部３５５１は、カメラ１３６０ｃと重なるように配置され得るスルーホール部３５５２を含み得る。いくつかの非限定的な例では、スルーホール部３５５２内のパネル１３４０は、ディスプレイ部３５１５及び／又は信号交換ディスプレイ部３５１６内に存在し得る任意の層、被膜、及び／又は構成要素を実質的に欠き得る。非限定的な例として、スルーホール部３５５２内のパネル１３４０は、バックプレーン構成要素及び／又はフロントプレーン構成要素を実質的に欠き得、そうでなければ、バックプレーン構成要素及び／又はフロントプレーン構成要素の存在が、カメラ１３６０ｃによって取り込まれた画像に干渉し得る。いくつかの非限定的な例では、パネル１３４０のカバーガラスは、ディスプレイ部３５１５、信号交換ディスプレイ部３５１６、及びスルーホール部３５５２にわたって実質的に延在し得、パネル１３４０の前述の部分の全てに存在し得る。いくつかの非限定的な例では、パネル１３４０は、偏光子（図示せず）を更に含むことができ、偏光子は、パネル１３４０の前述の部分の全てに存在し得るように、ディスプレイ部３５１５、信号交換ディスプレイ部３５１６、及びスルーホール部３５５２にわたって実質的に延在し得る。いくつかの非限定的な例では、スルーホール部３５５２は、パネル１３４０のかかる部分を通るＥＭ放射線の透過を高めるために、偏光子を実質的に欠き得る。
いくつかの非限定的な例では、パネル１３４０の非ディスプレイ部３５５１は、非スルーホール部３５５３を更に含み得る。非限定的な例として、非スルーホール部３５５３は、側方面内でスルーホール部３５５２と信号交換ディスプレイ部３５１６との間に配置され得る。いくつかの非限定的な例では、非スルーホール部３５５３は、スルーホール部３５５２の周囲の少なくとも一部又は全部を囲み得る。具体的には示されていないが、ユーザデバイス１３００は、ディスプレイパネル１３４０の非スルーホール部３５５３に対応するユーザデバイス１３００の部分に追加のモジュール、構成要素、及び／又はセンサを含み得る。
いくつかの非限定的な例では、信号交換ディスプレイ部３５１６は、そうでなければ信号交換ディスプレイ部３５１６を通るＥＭ放射線の透過を妨げるか又は低減するバックプレーン構成要素の数を減らし得、又はバックプレーン構成要素を実質的に欠き得る。非限定的な例として、信号交換ディスプレイ部３５１６は、限定されないが、金属トレースライン、キャパシタ、及び／又は他の不透明又は光吸収要素を含むＴＦＴ構造１２０１を実質的に欠き得る。いくつかの非限定的な例では、信号交換ディスプレイ部３５１６内の放射領域１３１０は、非ディスプレイ部３５５１の非スルーホール部３５５３内に位置する１つ以上のＴＦＴ構造１２０１と電気的に結合され得る。具体的には、信号交換ディスプレイ部３５１６内のサブピクセル１３４ｘを作動させるためのＴＦＴ構造１２０１は、信号交換ディスプレイ部３５１６内の非放射領域１５２０（図示せず）を通る、少なくともＩＲスペクトル及び／又はＮＩＲスペクトル内のＥＭ放射線の比較的高い透過率に到達し得るように、信号交換ディスプレイ部３５１６の外側であってパネル１３４０の非スルーホール部３５５３内に再配置され得る。非限定的な例として、非スルーホール部３５５３内のＴＦＴ構造１２０１は、導電性トレースを介して信号交換ディスプレイ部３５１６内のサブピクセル１３４ｘと電気的に結合され得る。いくつかの非限定的な例では、送信器１３６０ｔ及び受信器１３６０ｒは、電流がＴＦＴ構造１２０１とサブピクセル１３４ｘとの間を進む距離が低減され得るように、側方面に非スルーホール部３５５３に隣接して、及び／又は近接して配置される。
いくつかの非限定的な例では、放射領域１３１０は、その開口率及びピクセル密度のうちの少なくとも１つが、ディスプレイ部３５１５及び信号交換ディスプレイ部３５１６の両方内で同じであり得るように構成され得る。いくつかの非限定的な例では、ピクセル密度は、少なくとも約３００ｐｐｉ、約３５０ｐｐｉ、約４００ｐｐｉ、約４５０ｐｐｉ、約５００ｐｐｉ、約５５０ｐｐｉ、又は約６００ｐｐｉのうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、開口率値は、少なくとも約２５％、約２７％、約３０％、約３３％、約３５％、又は約４０％のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、パネル１３４０の放射領域１３１０又はサブピクセル１３４ｘは、実質的に同一に成形され、ディスプレイ部３５１５と信号交換ディスプレイ部３５１６との間に配置されて、ユーザ３５００がパネル１３４０のディスプレイ部３５１５と信号交換ディスプレイ部３５１６との間の視覚的差異を検出する可能性を低減し得る。
図３５Ｈは、非限定的な例による、平面でパネル１３４０の部分の部分的に切り取られた拡大図を示す。具体的には、ディスプレイ部３５１５及び信号交換ディスプレイ部３５１６内の、サブピクセル１３４ｘとして表される放射領域１３１０の構成及びレイアウトが示されている。各部において、複数の放射領域１３１０が提供され得、各々がサブピクセル１３４ｘに対応する。いくつかの非限定的な例では、サブピクセル１３４ｘは、それぞれ、Ｒ（赤）サブピクセル１３４１、Ｇ（緑）サブピクセル１３４２、及び／又はＢ（青）サブピクセル１３４３に対応し得る。信号交換ディスプレイ部３５１６内では、隣接するサブピクセル１３４ｘの間に複数の信号透過領域１３２０が設けられ得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル１３４０は、ディスプレイ部３５１５と信号交換ディスプレイ部３５１６との間に遷移領域（図示せず）を更に含み得、放射領域１３１０及び／又は信号透過領域１３２０の構成は、隣接するディスプレイ部３５１５及び／又は信号交換ディスプレイ部３５１６の構成と異なり得る。いくつかの非限定的な例では、かかる遷移領域の存在は、放射領域１３１０がディスプレイ部３５１５及び信号交換ディスプレイ部３５１６にわたって実質的に連続した繰り返しパターンで設けられるように省略され得る。
被覆層
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層１３３０は、アウトカップリング層、ＣＰＬ、ＴＦＥの層、偏光層、又は製造プロセスの一部としてディスプレイパネル１３４０上に堆積され得る他の物理層及び／又は被膜を非限定的に含む、ディスプレイパネル１３４０のアウトカップリング及び／又は封止被膜の少なくとも１つの層の形態で提供され得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層１３３０は、ＬｉＦを含み得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの上層１３３０は、上層１８０として機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、ＣＰＬは、デバイス１００の露出層表面１１全体にわたって堆積され得る。ＣＰＬの機能は、概して、デバイス１００によって放射された光のアウトカップリングを高め、したがって外部量子効率（external quantum efficiency、ＥＱＥ）を高めることであり得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層１３３０は、面３４０１の側方範囲にわたって少なくとも部分的に堆積され得、いくつかの非限定的な例では、第１の部分１０１内の少なくとも１つの粒子構造１６０の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔを少なくとも部分的に被覆し、その露出層表面１１において粒子構造パターニング被膜１３０ｐとの界面を形成する。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層１３３０はまた、第２の部分１０２において第２の電極１２４０を少なくとも部分的に被覆し得る。
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層１３３０は、高い屈折率を有し得る。いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの被覆層１３３０は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの屈折率を上回る屈折率を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル１３４０は、粒子構造パターニング被膜１３０ｐの露出層表面１１との界面に、製造中、製造後、及び／又は動作中のいずれであっても、空気間隙及び／又は空気界面が設けられ得る。したがって、いくつかの非限定的な例では、かかる空気間隙及び／又は空気界面は、少なくとも１つの被覆層１３３０とみなされ得る。いくつかの非限定的な例では、ディスプレイパネル１３４０には、ＣＰＬ及び空気間隙の両方が設けられ得、少なくとも１つの粒子構造１６０は、ＣＰＬによって被覆され得、空気間隙は、ＣＰＬの上又はその上方に配設され得る。
いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０ｔのうちの少なくとも１つは、少なくとも１つの被覆層１３３０と物理的に接触し得る。いくつかの非限定的な例では、粒子構造１６０ｔの実質的に全てが、少なくとも１つの被覆層１３３０と物理的に接触し得る。
当業者は、図示されていない製造の様々な段階で導入される追加の層が存在し得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、低い屈折率を有する粒子構造パターニング材料４１１を含むパターニング層３２３ｐと、高い屈折率を有し得る材料を含むこれに限定されないがＣＰＬを含む少なくとも１つの被覆層１３３０との間の界面における、第１の部分１０１内の少なくとも１つの粒子構造１６０ｔは、その層に対してゼロではない角度でデバイス１３００の信号透過領域１３２０を通って通過する少なくとも１つのＥＭ信号３４６１のアウトカップリングを高め得る。
回折の減少
いくつかの非限定的な例では、少なくとも１つの信号透過領域１３２０を通って通過する少なくとも１つのＥＭ信号３４６１は、少なくとも１つの信号透過領域１３２０の形状によって課される回折パターンの回折特質によって影響され得ることが発見されている。
少なくともいくつかの非限定的な例では、少なくとも１つのＥＭ信号３４６１に、別個の不均一な回折パターンを呈するように成形された少なくとも１つの信号透過領域１３２０を通過させるディスプレイパネル１３４０は、それによって表される画像及び／又はＥＭ放射線パターンの捕捉に干渉する場合がある。
非限定的な例として、かかる回折パターンは、かかる回折パターンによる干渉を軽減することを容易にする能力、すなわち、光学後処理技術の適用を伴っても、アンダーディスプレイ構成要素１３６０がかかる画像又はパターンを正確に受信及び処理することを可能にすること、又はかかるディスプレイパネル１３４０を通してかかる画像及び／又はパターンの視認者がその中に含有される情報を判別することを可能にすることに干渉する場合がある。
いくつかの非限定的な例では、別個の及び／又は不均一な回折パターンは、回折パターンにおいて別個の及び／又は角度的に分離された回折スパイクを引き起こし得る少なくとも１つの信号透過領域１３２０の形状からもたらし得る。
いくつかの非限定的な例では、第１の回折スパイクは、完全な角回転に沿った回折スパイクの総数が計数され得るように、単純な観察によって第２の近接する回折スパイクから区別され得る。しかしながら、いくつかの非限定的な例では、特に、回折スパイクの数が多い場合、個々の回折スパイクを識別することがより困難な場合がある。かかる状況では、結果として生じる回折パターンの歪み効果は、実際には、それによって引き起こされる干渉の軽減を容易にすることができるが、これは、歪み効果は、ぼやける傾向があり、かつ／又はより均一に分散される傾向があるためである。かかるぼやけ及び／又は歪み効果のより一様な分布は、いくつかの非限定的な例では、元の画像及び／又はその中に含まれる情報を復元するために、例えば、非限定的に、光学後処理技術によって、より軽減しやすいことがある。
いくつかの非限定的な例では、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を容易にする能力は、回折スパイクの数が増加するにつれて増加し得る。
いくつかの非限定的な例では、別個の不均一な回折パターンは、回折パターンのパターン円周の関数として、高強度のＥＭ放射線の領域と低強度のＥＭ放射線の領域との間の回折パターン内のパターン境界の長さを増加させる、かつ／又はそのパターン境界の長さに対するパターン円周の比を減少させる、少なくとも１つの信号透過領域１３２０の形状からもたらし得る。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、多角形である信号透過領域１３２０の閉じた境界を有するディスプレイパネル１３４０は、非多角形である対応する信号透過領域１３２０によって画定された光透過領域１３２０の閉じた境界を有するディスプレイパネル１３４０に対して、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を容易にする能力に悪影響を及ぼし得る特有の不均一な回折パターンを示し得ると仮定され得る。
本開示では、「多角形」という用語は、概して、有限数の線形及び／又は直線セグメントによって形成された形状、図、閉じた境界、及び／又は外周を指すことができ、「非多角形」という用語は、概して、多角形ではない形状、図、閉じた境界、及び／又は外周を指すことができる。非限定的な例として、有限数の線形セグメント及び少なくとも１つの非線形又は湾曲セグメントによって形成された閉じた境界は、非多角形とみなすことができる。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、光透過領域１３２０の閉鎖境界が少なくとも１つの非線形及び／又は湾曲セグメントを含み得る場合、その上に入射し、それを通って透過されるＥＭ信号は、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を容易にするあまり特徴的でない及び／又はより均一な回折パターンを呈することができると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、実質的に楕円形及び／又は円形である光透過領域１３２０の閉鎖境界を有するディスプレイパネル１３４０は、回折パターンによって引き起こされる干渉の軽減を更に容易にすることができる。
いくつかの非限定的な例では、信号透過領域１３２０は、有限の複数の凸状の丸みを帯びたセグメントによって画定され得る。いくつかの非限定的な例では、これらのセグメントの少なくともいくつかは、凹状のノッチ又はピークで一致する。
選択的被膜の除去
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、堆積層１４０の堆積後に除去されてもよく、それにより、パターニング被膜１３０によって被覆された下地層の予め露出層表面１１の少なくとも一部が再び露出されてもよい。いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０は、パターニング被膜１３０をエッチング及び／又は溶解することによって、かつ／又は堆積層１４０に実質的に影響を及ぼさない、若しくは腐食させないプラズマ及び／又は溶媒処理技術を採用することによって、選択的に除去され得る。
ここで図３６Ａに目を向けると、パターニング被膜１３０が下地層の露出層表面１１の第１の部分１０１上に選択的に堆積され得る堆積段階３６００ａにおける、デバイス１６００の例示的なバージョン３６００の例示的な断面図が示され得る。図において、下地層は、基板１０であり得る。
図３６Ｂにおいて、デバイス３６００は、堆積段階３６００ｂで示され得、ここで、堆積層１４０は、下地層の露出層表面１１上に、すなわち、段階３６００ａ中にパターニング被膜１３０が堆積されている場合があるパターニング被膜１３０の露出層表面１１、及び段階３６００ａ中にパターニング被膜１３０が堆積されていない場合がある基板１０の露出層表面１１の両方の上に堆積させることができる。パターニング被膜１３０が配設され得る第１の部分１０１の核形成阻害特性に起因して、その上に配設された堆積層１４０は、残留しない傾向があり得、第２の部分１０２に対応し得る堆積層１４０の選択的堆積のパターンをもたらし、堆積層１４０を実質的に欠いている第１の部分１０１を残すことができる。
図３６Ｃにおいて、デバイス３６００は、堆積段階３６００ｃで示され得、ここで、パターニング被膜１３０は、基板１０の露出層表面１１の第１の部分１０１から除去されている場合があり、それにより、段階３６００ｂ中に堆積された堆積層１４０は、基板１０上に残留し得、パターニング被膜１３０が段階３６００ａ中に堆積されている場合がある基板１０の領域は、ここで、露出されるか又は被覆され得ない。
いくつかの非限定的な例では、段階３６００ｃにおけるパターニング被膜１３０の除去は、堆積層１４０に実質的に影響を及ぼすことなく、パターニング被膜１３０と反応し、かつ／又はそれをエッチング除去する、溶媒及び／又はプラズマにデバイス３６００を曝露することによって果たされ得る。
薄膜形成
下地層の露出層表面１１上への堆積中の薄膜の形成は、核形成及び成長のプロセスを含み得る。
膜形成の初期段階中、十分な数の蒸気モノマー（いくつかの非限定的な例では、蒸気形態５３２の堆積材料５３１の分子及び／又は原子であり得る）は、典型的には、気相から凝縮して、下地層に存在する露出層表面１１上に初期核を形成し得る。蒸気モノマーがそのような表面に衝突し得るので、これらの初期核の特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度が増大して、小粒子構造１６０を形成し得る。かかる特徴的なサイズが指す寸法の非限定的な例には、かかる粒子構造１６０の高さ、幅、長さ、及び／又は直径が含まれ得る。
飽和アイランド密度に達した後、隣接する粒子構造１６０は、典型的には、合着し始め、かかる粒子構造１６０の平均特徴的なサイズを増加させる一方、その堆積密度を減少させることができる。
モノマーの堆積を継続すると、隣接する粒子構造１６０の合着は、実質的な閉鎖被膜１５０が下地層の露出層表面１１上に最終的に堆積され得るまで継続することができる。かかる閉鎖被膜１５０の、それによって引き起こされる光学的効果を含む挙動は、概して、比較的均一であり、一貫しており、驚くべきことではない可能性がある。
閉鎖被膜１５０に至る薄膜の形成には、いくつかの非限定的な例では、１）アイランド成長（Ｖｏｌｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ）、２）レイヤーバイレイヤー成長（Ｆｒａｎｋ－ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ）、及び３）Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖ成長という、少なくとも３つの基本的な成長モードが存在し得る。
アイランド成長は、典型的には、モノマーの古いクラスタが露出層表面１１上で核形成し、成長して離散のアイランドを形成するときに生じ得る。この成長モードは、モノマー間の相互作用がモノマーと表面との間の相互作用よりも強い場合に生じ得る。
核形成速度は、所与のサイズの核（自由エネルギーがかかる核のクラスタを押して成長又は収縮させない場合）（「臨界核」）が単位時間当たりどれだけ表面上に形成され得るかを説明し得る。膜形成の初期段階中、核の堆積密度は低く、したがって核は表面の比較的小さい小部分を被覆することができる（例えば、隣接する核の間に大きい間隙／空間がある）ので、核が表面上のモノマーの直接衝突から成長する可能性は低い。したがって、臨界核が成長し得る速度は、典型的には、表面上の吸着原子（例えば、吸着モノマー）が移動し、近くの核に付着する速度に依存し得る。
下地層の露出層表面１１上に吸着された吸着原子のエネルギープロファイルの一例を図３７に解説する。具体的には、図３７は、局所的な低エネルギーサイトから脱出する吸着原子（３７１０）、露出層表面１１上への吸着原子の拡散（３７２０）、及び吸着原子の脱着（３７３０）に対応する例示的な定性的エネルギープロファイルを解説し得る。
３７１０において、局所的な低エネルギー部位は、吸着原子がより低いエネルギーにある、下地層の露出層表面１１上の任意の部位であり得る。典型的には、核形成部位は、レッジ、ステップ状縁部、化学的不純物、結合部位、及び／又はキンク（「不均一性」）を非限定的に含む、露出層表面１１上の欠陥及び／又は異常を含み得る。
基板不均一性の部位は、表面から吸着原子を脱着させるのに伴うエネルギーＥｄｅｓ３７３１を増加させることができ、かかる部位で観察される核のより高い堆積密度をもたらす。また、表面上の不純物又は汚染もまた、Ｅｄｅｓ３７３１を増加させ、核のより高い堆積密度をもたらし得る。高真空条件下で行われる堆積プロセスに関して、表面上の汚染物質のタイプ及び堆積密度は、真空圧及びその圧力を構成する残存ガスの組成によって影響を受ける場合がある。
吸着原子が局所的な低エネルギー部位で捕捉されると、典型的には、いくつかの非限定的な例では、表面拡散が起こる前にエネルギー障壁が存在し得る。かかるエネルギー障壁は、図３７においてΔＥ３７１１として表すことができる。いくつかの非限定的な例では、局所的な低エネルギー部位を逃れるためのエネルギー障壁ΔＥ３７１１が十分に大きい場合、その部位は核形成部位として機能し得る。
３７２０において、吸着原子は、露出層表面１１上に拡散することができる。非限定的な例として、局在化された吸収体の場合、吸着原子は、表面電位の最小値付近で振動し、吸着原子が脱着されるか、及び／又は吸着原子のクラスタによって形成される成長アイランド１６０及び／又は成長膜に組み込まれるまで、様々な隣接部位に移動する傾向があり得る。図３７では、吸着原子の表面拡散と関連する活性化エネルギーは、Ｅｓ３７２１として表すことができる。
３７３０において、表面からの吸着原子の脱着と関連する活性化エネルギーは、Ｅｄｅｓ３７３１として表すことができる。当業者であれば、脱着されない吸着原子が露出層表面１１上に残留し得ることを理解するであろう。非限定的な例として、かかる吸着原子は、露出層表面１１上に拡散し、露出層表面１１上にアイランド１６０を形成する吸着原子のクラスタの一部となり、及び／又は成長する膜及び／又は被膜の一部として組み込まれ得る。
吸着原子が表面に吸着した後、吸着原子は、表面から脱着することができ、あるいは表面をある距離だけ移動してから、脱着するか、他の吸着原子と相互機能して小さなクラスタを形成するか、又は成長する核に付着することができる。吸着原子が最初の吸着後に表面上に残留し得る時間の平均量は、以下の式で与えられる。
上記の式において、
νは、表面の吸着原子の振動周波数であり、
ｋはボッツマン定数であり、
Ｔは温度である。
式ＴＦ１から、Ｅｄｅｓ３８３１の値が低いほど、吸着原子が表面から脱着することが容易になり、したがって吸着原子が表面に残留し得る時間が短くなることに留意されたい。吸着原子が拡散することができる平均距離は、以下の式で与えられる。
式中、
α０は格子定数である。
Ｅｄｅｓ３７３１の低い値、及び／又はＥｓ３７２１の高い値の場合、吸着原子は、脱着前により短い距離を拡散することができ、したがって、成長中の核に付着するか、又は別の吸着原子若しくは吸着原子のクラスタと相互作用する可能性が低くなり得る。
粒子構造１６０の堆積層の形成の初期段階中、吸着された吸着原子は、相互作用して粒子構造１６０を形成することができ、単位面積当たりの粒子構造１６０の臨界濃度は、以下の式で与えられる。
式中、
Ｅｉは、ｉ吸着原子を含有する臨界クラスタを別々の吸着原子に解離するのに伴うエネルギーであり、
ｎ０は吸着サイトの総堆積密度であり、
Ｎ１は、次式で与えられるモノマー堆積密度である。
式中、
は蒸気衝突率である。
典型的には、ｉは、堆積される材料の結晶構造に依存し得、安定した核を形成するための粒子構造１６０の臨界サイズを決定することができる。
粒子構造１６０を成長させるための臨界モノマー供給速度は、蒸気衝突の速度と、吸着原子が脱着する前に拡散することができる平均面積とによって与えられ得る。
したがって、臨界核形成速度は、上記の式の組み合わせによって与えられ得る。
上記の式から、吸着された吸着原子に対して低い脱着エネルギーを有し、吸着原子の拡散に対して高い活性化エネルギーを有し、高温であり、かつ／又は蒸気衝突速度に供される表面に対して、臨界核形成速度が抑制され得ることに留意されたい。
高真空条件下では、表面に衝突し得る分子のフラックス５３２（ｃｍ２－秒当たり）は、以下の式で与えられる。
式中、
Ｐは圧力であり、
Ｍは分子量である。
したがって、Ｈ２Ｏなどの反応性ガスのより高い分圧は、堆積中の表面上の汚染物質のより高い堆積密度をもたらし、Ｅｄｅｓ３７３１の増加、したがって核のより高い堆積密度をもたらし得る。
本開示では、「核形成阻害」は、表面上の堆積材料５３１の堆積が阻害され得るように、約０．３未満を含むが、それに限定されない、０に近くてもよいその上への堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率を呈する表面を有し得る、被膜、材料、及び／又はその層を指すことができる。
本開示では、「核形成促進」は、その上に堆積材料５３１の堆積に抗する初期付着確率を呈する表面を有する被膜、材料、及び／又はその層を指すことができ、初期付着確率は、１に近くてもよく、例えば、非限定的に、少なくとも約０．７であり、それにより、かかる表面上の堆積材料５３１の堆積が容易になり得る。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、かかる核の形状及びサイズ、並びにかかる核のアイランド１６０へのその後の成長、及びその後の薄膜への成長は、蒸気、表面、及び／又は凝縮された膜核の間の界面張力を非限定的に含む様々な要因に依存し得ると仮定され得る。
表面の核形成阻害及び／又は核形成促進特性の１つの尺度は、所与の堆積材料５３１の堆積に抗する表面の初期付着確率とすることができる。
いくつかの非限定的な例では、付着確率Ｓは、以下の式で与えられ得る。
式中、
Ｎａｄｓは、露出層表面１１に残留する（すなわち、膜中に組み込まれる）吸着原子の数であり、
Ｎｔｏｔａｌは、表面に衝突するモノマーの総数である。
１に等しい付着確率Ｓは、表面に衝突する全てのモノマーが吸着され、続いて成長膜に組み込まれることを指し示し得る。０に等しい付着確率Ｓは、表面に衝突する全てのモノマーが脱着され、その後、表面上に膜が形成され得ないことを指し示し得る。
様々な表面上の堆積材料５３１の付着確率Ｓは、Ｗａｌｋｅｒ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｃ２００７，１１１，７６５（２００６）によって記載されているようなデュアル水晶振動子マイクロバランス（quartz crystal microbalance、ＱＣＭ）技術を含むがこれに限定されない、付着確率Ｓを測定する様々な技術を使用して評価し得る。
堆積材料５３１の堆積密度が増加するにつれて（例えば、平均膜厚の増加）、付着確率Ｓは変化し得る。
したがって、初期付着確率Ｓ０は、相当数の臨界核が形成される前の表面の付着確率Ｓとして指定することができる。初期付着確率Ｓ０の１つの尺度は、その堆積の初期段階中の堆積材料５３１の堆積に抗する表面の付着確率Ｓを伴い得、表面にわたる堆積材料５３１の平均膜厚は、閾値以下である。いくつかの非限定的な例の説明において、初期付着確率の閾値は、非限定的な例として、１ｎｍとして指定され得る。平均付着確率
は、以下の式で与えられ得る。
式中、
Ｓｎｕｃは、粒子構造１６０で被覆された領域の付着確率Ｓであり、
Ａｎｕｃは、粒子構造１６０によって被覆された基板表面の面積のパーセンテージである。
非限定的な例として、低い初期付着確率は、平均膜厚の増加と共に増加し得る。これは、粒子構造１６０を有しない露出層表面１１の領域、非限定的な例として、ベア基板１０と、高い堆積密度を有する領域との間の付着確率の差に基づいて理解することができる。非限定的な例として、粒子構造１６０の表面に衝突し得るモノマーは、１に近づき得る付着確率を有し得る。
図３７に示すエネルギープロファイル３７１０、３７２０、３７３０に基づいて、脱着のための比較的低い活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ３７３１）、及び／又は表面拡散のための比較的高い活性化エネルギー（Ｅｓ３７２１）を呈する材料が、パターニング被膜１３０として堆積され得、様々な用途での使用に好適であり得ることが仮定され得る。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、核形成及び成長中に存在する様々な界面張力間の関係は、毛管現象理論におけるヤングの式に従って決定され得ると仮定することができる。
γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆｃｏｓθ （ＴＦ１０）
式中、
γｓｖ（図３８）は、基板１０と蒸気５３２との間の界面張力に対応し、
γｆｓ（図３８）は、堆積材料５３１と基板１０との間の界面張力に対応し、
γｖｆ（図３８）は、蒸気５３２と膜との間の界面張力に対応し、
θは膜核接触角である。
図３８は、この式で表される様々なパラメータ間の関係を解説し得る。
ヤングの式（式（ＴＦ１０））に基づいて、アイランド成長の場合、膜核接触角は０を上回ってもよく、したがって、γｓｖ＜γｆｓ＋γｖｆとなることが導出され得る。
堆積材料５３１が基板１０を「濡らす」層成長の場合、核接触角θは０に等しくてもよく、したがって、γｓｖ＝γｆｓ＋γｖｆとなる。
Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖ成長の場合、膜過成長の単位面積当たりの歪みエネルギーは、蒸気５３２と堆積材料５３１との間の界面張力に対して大きくなり得、γｓｖ＞γｆｓ＋γｖｆとなる。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、パターニング被膜１３０と基板１０の露出層表面１１との間の界面における堆積材料５３１の核形成及び成長モードは、θ＞０であるアイランド成長モデルに従い得ると仮定することができる。
特に、パターニング被膜１３０が、堆積材料５３１の堆積に抗する比較的小さい初期付着確率（いくつかの非限定的な例では、Ｗａｌｋｅｒらによって説明される二重ＱＣＭ技術において識別される条件下）を示し得る場合、堆積材料５３１の比較的高い薄膜接触角が存在し得る。
反対に、堆積材料５３１が、パターニング被膜１３０を使用せずに、非限定的な例として、シャドウマスク４１５を採用することによって、露出層表面１１上に選択的に堆積され得るとき、かかる堆積材料５３１の核形成及び成長モードは異なり得る。具体的には、シャドウマスク４１５のパターニングプロセスを使用して形成された被膜は、少なくともいくつかの非限定的な例では、約１０°未満の比較的低い薄膜接触角を呈し得ることが観察された。
ここで、少し驚くべきことに、いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０（及び／又はそれを構成するパターニング材料４１１）は、比較的低い臨界表面張力を示し得ることが見出されている。
当業者は、被膜、層、並びに／又はかかる被膜及び／若しくは層を構成する材料の「表面エネルギー」が、概して、被膜、層、及び／又は材料の臨界表面張力に対応し得ることを理解するであろう。表面エネルギーのいくつかのモデルによれば、表面の臨界表面張力は、かかる表面の表面エネルギーに実質的に対応し得る。
概して、低い表面エネルギーを有する材料は、低い分子間力を呈し得る。概して、低い分子間力を有する材料は、高い分子間力を有する別の材料と比較して、より低い温度で容易に結晶化し得るか、又は他の相転移を受ける場合がある。少なくともいくつかの用途では、比較的低い温度で容易に結晶化し得るか、又は他の相転移を受け得る材料は、デバイスの長期性能、安定性、信頼性、及び／又は寿命に有害であり得る。
特定の理論に束縛されるものではないが、特定の低エネルギー表面は、比較的低い初期付着確率を呈し得るため、パターニング被膜１３０を形成するのに好適であり得ると仮定することができる。
いかなる特定の理論にも束縛されることを望むものではないが、特に低表面エネルギー表面に関して、臨界表面張力は、表面エネルギーと正に相関し得ると仮定することができる。非限定的な例として、比較的低い臨界表面張力を示す表面はまた、比較的低い表面エネルギーを示してもよく、比較的高い臨界表面張力を示す表面はまた、比較的高い表面エネルギーを示してもよい。
ヤングの式（式（ＴＦ１０））を参照すると、より低い表面エネルギーは、より大きい接触角をもたらし得る一方で、γｓｖも低下させるため、かかる表面が、堆積材料５３１に対して低い濡れ性及び低い初期付着確率を有する可能性を高める。
臨界表面張力値は、様々な非限定的な例では、本明細書では、ほぼ常温常圧（normal temperature and pressure、ＮＴＰ）で測定されたかかる値に対応し得、いくつかの非限定的な例では、２０℃の温度、及び１ａｔｍの絶対圧力に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、表面の臨界表面張力は、Ｚｉｓｍａｎ，Ｗ．Ａ．，「Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ」４３（１９６４），ｐ．１－５１に更に詳述されるように、Ｚｉｓｍａｎ法に従って決定され得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の露出層表面１１は、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、又は約１１ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つの臨界表面張力を呈し得る。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜１３０の露出層表面１１は、少なくとも約６ダイン／ｃｍ、約７ダイン／ｃｍ、約８ダイン／ｃｍ、約９ダイン／ｃｍ、及び約１０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの臨界表面張力を呈し得る。
当業者は、固体の表面エネルギーを決定するための様々な方法及び理論が既知であり得ることを理解する。非限定的な例として、表面エネルギーは、液体－蒸気界面と表面との間の接触角を測定するために、様々な液体が固体の表面と接触する接触角の一連の測定に基づいて計算及び／又は導出され得る。いくつかの非限定的な例では、固体表面の表面エネルギーは、表面を完全に濡らす最も高い表面張力を有する液体の表面張力に等しくてもよい。非限定的な例として、Ｚｉｓｍａｎプロットが、表面との０°の接触角をもたらす最高表面張力値を決定するために使用されてもよい。表面エネルギーのいくつかの理論によれば、固体表面と液体との間の様々なタイプの相互作用が、固体の表面エネルギーを決定する際に考慮され得る。非限定的な例として、Ｏｗｅｎｓ／Ｗｅｎｄｔ理論及び／又はＦｏｗｋｅｓ理論を含むがこれらに限定されないいくつかの理論によれば、表面エネルギーは、分散成分及び非分散成分又は「極性」成分を含み得る。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、いくつかの非限定的な例では、堆積材料５３１の被膜の接触角は、堆積材料５３１が堆積されるパターニング被膜１３０の特性（初期付着確率を非限定的に含む）に少なくとも部分的に基づいて決定され得ると仮定することができる。したがって、比較的高い接触角を呈する堆積材料５３１ １６３１の選択的堆積を可能にするパターニング材料４１１は、いくつかの利点を提供することができる。
当業者は、接触角θを測定するために、静的及び／又は動的な液滴法及びペンダントドロップ法を含むがこれらに限定されない様々な方法が使用され得ることを理解するであろう。
いくつかの非限定的な例では、脱着のための活性化エネルギー（Ｅｄｅｓ３８３１）（いくつかの非限定的な例では、約３００Ｋの温度Ｔにおいて）は、熱エネルギーの約２倍以下、約１．５倍以下、約１．３倍以下、約１．２倍以下、約１．０倍以下、約０．８倍以下、又は約０．５倍以下のうちの少なくとも１つであり得る。いくつかの非限定的な例では、表面拡散のための活性化エネルギー（Ｅｓ３８２１）（いくつかの非限定的な例では、約３００Ｋの温度で）は、熱エネルギーの約１．０倍、約１．５倍、約１．８倍、約２倍、約３倍、約５倍、約７倍、又は約１０倍のうちの少なくとも１つを上回ってもよい。
特定の理論に束縛されることを望むものではないが、下地層の露出層表面１１とパターニング被膜１３０との間の界面における、かつ／又は界面近傍での堆積材料５３１の薄膜核形成及び成長中に、パターニング被膜１３０による堆積材料５３１の固体表面の核形成の阻害に起因して、堆積材料５３１の縁部と下地層との間に比較的高い接触角が観察され得ると仮定することができる。かかる核形成阻害特性は、下地層、薄膜蒸気とパターニング被膜１３０との間の表面エネルギーの最小化によって推進され得る。
表面の核形成阻害及び／又は核形成促進特性の１つの尺度は、基準表面上の同じ堆積材料５３１の初期堆積速度に対する、表面上の所与の（導電性）堆積材料５３１の初期堆積速度であり得、両方の表面は、堆積材料５３１の蒸気フラックスに供され、かつ／又は曝露される。
定義
いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスは、エレクトロルミネセントデバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な例では、エレクトロルミネセントデバイスは、電子デバイスの一部であり得る。非限定的な例として、エレクトロルミネセントデバイスは、ＯＬＥＤ照明パネル若しくはモジュール、並びに／又は、スマートフォン、タブレット、ラップトップ、ｅリーダなどのコンピューティングデバイスの、並びに／又は、モニタ及び／若しくはテレビセットなどの何らかの他の電子デバイスのＯＬＥＤディスプレイ若しくはモジュールであり得る。
いくつかの非限定的な例では、光電子デバイスは、光子を電気に変換する有機光起電力（organic photo-voltaic、ＯＰＶ）デバイスであり得る。いくつかの非限定的な例において、光電子デバイスは、エレクトロルミネセント量子ドット（quantum dot、ＱＤ）デバイスであり得る。
本開示では、反対のことが具体的に示されない限り、ＯＬＥＤデバイスが参照されるが、かかる開示は、いくつかの例では、当業者に明らかな様式で、ＯＰＶ及び／又はＱＤデバイスを非限定的に含む他の光電子デバイス１２００に等しく適用可能にされ得ることを理解されたい。
かかるデバイスの構造は、２つの側面の各々から、すなわち、断面側面から、及び／又は側方（平面図）側面から説明され得る。
本開示では、基板がデバイスの「底部」であってもよく、層が基板の「上部」に配設されてもよい、上述の側方面に実質的に垂直に延在する方向の慣例に従ってもよい。かかる慣例に従って、第２の電極は、（少なくとも１つの層が堆積プロセスによって導入され得る製造プロセス中を含むがこれに限定されないいくつかの例の場合のように）基板が物理的に反転され得る場合であっても、示したデバイスの上部にあり得、それにより、層のうちの１つ（例えば、第１の電極であるがこれに限定されない）が配設され得る上面は、基板の物理的に下にあり得、堆積材料（図示せず）が上方に移動し、その上面上に薄膜として堆積されることを可能にする。
本明細書に断面側面を導入する文脈では、かかるデバイスの構成要素は、実質的に平面の側方層で示され得る。当業者であれば、かかる実質的に平面の表現は、解説のみを目的とするものであり得、かかるデバイスの側方範囲にわたって、異なる厚さ及び寸法の局所的な実質的に平面の層が存在してもよくいくつかの非限定的な例では、層が実質的に完全に存在しなくてもよく、かつ／又は非平面遷移領域（側方間隙及び更には不連続性を含む）によって分離された層を含むことを理解するであろう。したがって、解説目的のために、デバイスは、実質的に階層化された構造としてその断面側面で以下に示され得るが、以下で考察される平面図側面では、かかるデバイスは、特徴を画定するための多様なトポグラフィを解説し得、その各々は、断面側面で考察される階層化されたプロファイルを実質的に示し得る。
本開示では、「層（layer）」及び「層（strata）」という用語は、同様の概念を指すために互換的に使用され得る。
図に示される各層の厚さは、解説的なものにすぎず、必ずしも別の層に対する厚さを表すものではない。
説明を簡略にするために、本開示では、単一の層内の複数の要素の組み合わせをコロン「：」で表示する場合があり、一方、多層被膜内の複数の層を備える複数の要素（の組み合わせ）は、スラッシュ「／」によって２つのかかる層を分離することによって表示され得る。いくつかの非限定的な例では、スラッシュの後の層は、スラッシュに先行する層の後及び／又は上に堆積されてもよい。
解説の目的のために、被膜、層、及び／又は材料が堆積され得る、下地層の露出層表面は、堆積時に、その上に被膜、層、及び／又は材料を堆積するために提示され得る、かかる下地層の表面であると理解され得る。
当業者は、構成要素、層、領域、及び／又はその一部が「形成される」、「配設される」、及び／又は「堆積される」と言及されるとき、及び／又は別の下地層、構成要素、層、領域、及び／又は部分の上に、かかる形成、配設、及び／又は堆積は、かかる下地層、構成要素、層、領域、及び／又は部分の（かかる形成、配設、及び／又は堆積の時点で）露出層表面上に直接的及び／又は間接的であってもよく、それらの間に介在する材料、構成要素、層、領域、及び／又は部分の場合があることを理解するであろう。
本開示では、「重なる」及び／又は「重なっている」という用語は、概して、複数の層及び／又は構造が配置され得る表面から実質的に垂直に離れるように延在する断面軸と交差するように配設された複数の層及び／又は構造を指すことができる。
本開示は、気相堆積に関して、少なくとも１つの層又は被膜を参照して、薄膜形成について考察するが、当業者は、いくつかの非限定的な例では、デバイスの様々な構成要素が、限定ではないが、蒸着（限定ではないが、熱蒸着、及び／又は電子ビーム蒸着を含む）、フォトリソグラフィ、印刷（限定ではないが、インクジェット、及び／又は蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、及び／又はマイクロコンタクト転写印刷を含む）、ＰＶＤ（限定ではないが、スパッタリングを含む）、化学気相堆積（chemical vapor deposition、ＣＶＤ）（限定ではないが、プラズマ強化ＣＶＤ（plasma-enhanced CVD、ＰＥＣＶＤ）、及び／又は有機気相堆積（organic vapor phase deposition、ＯＶＰＤ）を含む）、レーザアニーリング、レーザ誘起熱撮像（laser-induced thermal imaging、ＬＩＴＩ）パターニング、原子層堆積（atomic-layer deposition、ＡＬＤ）、被膜（限定ではないが、スピン被膜、ダイ被膜、ライン被膜、及び／又はスプレー被膜を含む）、及び／又はそれらの組み合わせ（集合的に「堆積プロセス」）を含む、多種多様な技術を使用して選択的に堆積され得ることを理解するであろう。
いくつかのプロセスは、シャドウマスクと組み合わせて使用されてもよく、シャドウマスクは、いくつかの非限定的な例では、様々な層及び／又は被膜のいずれかの堆積中に、オープンマスク及び／又はファインメタルマスク（ＦＭＭ）であってもよく、それに対して露出された下地層の表面の特定の部分への堆積材料の堆積をマスキング及び／又は妨げることによって様々なパターンを達成する。
本開示では、「蒸発」及び／又は「昇華」という用語は、概して、ソース材料が、例えば、非限定的に、加熱によって、蒸気に変換されて、非限定的に固体状態で、ターゲット表面上に堆積される、堆積プロセスを指すために互換的に使用され得る。理解されるように、蒸発堆積プロセスは、少なくとも１つのソース材料が低圧（真空を含むがこれに限定されない）環境下で蒸発及び／又は昇華されて蒸気モノマーを形成し、少なくとも１つの蒸発したソース材料の逆昇華によってターゲット表面上に堆積されるＰＶＤプロセスの一種であり得る。ソース材料を加熱するために様々な異なる蒸発源を使用することができ、したがって、ソース材料を様々な方式で加熱することができることが、当業者によって理解されよう。非限定的な例として、ソース材料は、電気フィラメント、電子ビーム、誘導加熱、及び／又は抵抗加熱によって加熱されてもよい。いくつかの非限定的な例では、ソース材料は、加熱されたるつぼ、加熱されたボート、クヌーセンセル（エフュージョン蒸発器源であり得る）、及び／又は任意の他のタイプの蒸発源に装填することができる。
いくつかの非限定的な例では、堆積ソース材料は混合物であり得る。いくつかの非限定的な例では、堆積ソース材料の混合物の少なくとも１つの成分は、堆積プロセス中に堆積されなくてもよい（又は、いくつかの非限定的な例では、かかる混合物の他の成分と比較して比較的少量で堆積されてもよい）。
本開示では、材料の層厚、膜厚、及び／又は平均層、及び／又は膜厚への言及は、その堆積のメカニズムにかかわらず、ターゲット露出層表面上に堆積される材料の量を指すことができ、これは、言及される層厚を有する材料の均一な厚さの層でターゲット表面を被覆するための材料の量に対応する。非限定的な例として、１０ｎｍの材料の層厚を堆積させることは、表面上に堆積される材料の量が、１０ｎｍの厚さであり得る材料の均一な厚さの層を形成するための材料の量に対応し得ることを示し得る。非限定的な例として、上で考察された薄膜が形成されるメカニズムを考慮すると、モノマーの可能な積層又はクラスタ化に起因して、堆積材料の実際の厚さは不均一であり得ることが理解されよう。非限定的な例として、１０ｎｍの層厚を堆積させることは、１０ｎｍより大きい実際の厚さを有する堆積材料のいくつかの部分、又は１０ｎｍ以下の実際の厚さを有する堆積材料の他の部分をもたらし得る。したがって、表面上に堆積された材料の特定の層厚は、いくつかの非限定的な例では、ターゲット表面にわたって堆積材料の平均厚さに対応し得る。
本開示では、基準層厚への言及は、高い初期付着確率又は初期付着係数を示す基準表面（すなわち、約１．０及び／又はそれに近い初期付着確率を有する表面）上に堆積され得る、堆積材料（Ｍｇなど）の層厚を指すことができる。基準層厚は、ターゲット表面（限定ではないが、パターニング被膜の表面など）上に堆積された堆積材料の実際の厚さを示さなくてもよい。むしろ、基準層厚さは、ターゲット表面及び基準表面を同じ堆積期間にわたって堆積材料の同一の蒸気フラックスに供したときに、堆積速度及び基準層厚さを監視するために堆積チャンバ内に位置決めされた基準表面、一部の非限定的な例では、石英結晶の表面上に堆積される堆積材料の層厚さを指すことができる。当業者であれば、ターゲット表面及び基準表面が堆積中に同時に同一の蒸気フラックスに供されない場合には、適切なツーリングファクタを使用して、基準層の厚さを決定及び／又は監視することができることを理解するであろう。
本開示では、基準堆積速度は、堆積材料３１の層が、堆積チャンバ内で試料表面と同一に位置決めされ、構成された場合に、基準表面上で成長するであろう速度を指し得る。
本開示では、ある数Ｘの材料の単層を堆積させることへの言及は、例えば、非限定的に、閉鎖被膜で、材料の構成モノマーのＸ単層で露出層表面の所与の面積を被覆する量の材料を堆積させることを指すことができる。
本開示では、材料の単層の一部を堆積させることへの言及は、露出層表面の所与の面積のかかる一部を材料の構成モノマーの単層で被覆する量の材料を堆積させることを指すことができる。当業者は、非限定的な例として、モノマーの可能なスタッキング及び／又はクラスタリングに起因して、表面の所与の領域にわたる堆積材料の実際の局所的な厚さが不均一であり得ることを理解するであろう。非限定的な例として、材料の１つの単分子層を堆積させることは、材料によって被覆されていない表面の所与のエリアのいくつかの局所領域をもたらし得るが、表面の所与のエリアの他の局所領域は、その上に堆積された複数の原子層及び／又は分子層を有し得る。
本開示では、ターゲット表面（及び／又はそのターゲット領域）は、任意の好適な決定メカニズムによって決定されるように、ターゲット表面上に材料が実質的に不在であり得る場合、材料を「実質的に欠いている」、「実質的に含まない」、及び／又は「実質的に被覆されていない」とみなされ得る。
本開示では、「付着確率」及び「付着係数」という用語は、互換的に使用され得る。
本開示では、「核形成」という用語は、気相中のモノマーが表面上に凝縮して核を形成する、薄膜形成プロセスの核形成段階を指し得る。
本開示では、いくつかの非限定的な例では、文脈が示すように、「パターニング被膜」及び「パターニング材料」という用語は、同様の概念を指すために交換可能に使用されてもよく、堆積層をパターニングするために選択的に堆積される文脈での本明細書のパターニング被膜への言及は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料及び／又は電極被膜材料をパターニングするためのその選択的堆積の文脈でのパターニング材料に適用可能であってもよい。
同様に、いくつかの非限定的な例では、文脈が示すように、「パターニング被膜」及び「パターニング材料」という用語は、同様の概念を指すために交換可能に使用されてもよく、堆積層をパターニングするために選択的に堆積される文脈での本明細書のＮＰＣへの言及は、いくつかの非限定的な例では、堆積材料及び／又は電極被膜をパターニングするためのその選択的堆積の文脈でのＮＰＣに適用可能であってもよい。
パターニング材料は、核形成阻害又は核形成促進のいずれかであり得るが、本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を除き、本明細書におけるパターニング材料への言及は、ＮＩＣへの言及であることが意図される。
いくつかの非限定的な例では、パターニング被膜への言及は、本明細書に記載される特定の組成物を有する被膜を意味し得る。
本開示では、「堆積層」、「導電性被膜」、及び「電極被膜」という用語は、パターニング被膜の選択的堆積によってパターニングされるという文脈において、本明細書の堆積層と同様の概念及び言及を指すために交換可能に使用され得、及び／又はＮＰＣは、いくつかの非限定的な例では、パターニング材料の選択的堆積によってパターニングされるという文脈において、堆積層に適用可能であり得る。いくつかの非限定的な例では、電極被膜への言及は、本明細書に記載されるような特定の組成を有する被膜を意味し得る。同様に、本開示では、「堆積層材料」、「堆積材料」、「導電性被膜材料」、及び「電極被膜材料」という用語は、本明細書の堆積材料に対する同様の概念及び言及を指すために交換可能に使用され得る。
本開示では、有機材料は、限定されるものではないが、多種多様な有機分子及び／又は有機ポリマーを含み得ることが当業者に理解されよう。更に、元素及び／又は無機化合物を非限定的に含む様々な無機物質でドープされた有機材料が、依然として有機材料とみなされ得ることが、当業者によって理解されよう。なお更に、様々な有機材料が使用され得ること、及び本明細書中に記載されるプロセスは、概して、かかる有機材料の全範囲に適用可能であることが、当業者によって理解されよう。なお更に、金属及び／又は他の有機元素を含有する有機材料も有機材料とみなすことができることは、当業者によって理解されよう。なお更に、様々な有機材料が分子、オリゴマー、及び／又はポリマーであり得ることが、当業者によって理解されよう。
本明細書で使用されるように、有機－無機ハイブリッド材料は、概して、有機成分及び無機成分の両方を含み得る材料を指し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる有機－無機ハイブリッド材料は、有機部分及び無機部分を含み得る有機－無機ハイブリッド化合物を含み得る。いくつかの非限定的な例では、有機－無機ハイブリッド材料は、複数の有機部分及び複数の無機部分を含む。いくつかの非限定的な例では、複数の無機部分が一緒に結合して骨格を形成してもよく、複数の有機部分が骨格に結合してもよい。かかる有機－無機ハイブリッド化合物の非限定的な例としては、無機足場が少なくとも１つの有機官能基で官能化されているものが挙げられる。そのような有機－無機ハイブリッド材料の非限定的な例としては、シロキサン基、シルセスキオキサン基、多面体オリゴマーシルセスキオキサン（polyhedral oligomeric silsesquioxane、ＰＯＳＳ）基、及びホスファゼン基のうちの少なくとも１つを含むものが挙げられる。
本開示では、半導体材料は、概してバンド間隙を示す材料として説明され得る。いくつかの非限定的な例では、バンド間隙は、半導体材料の最高被占分子軌道（highest occupied molecular orbital、ＨＯＭＯ）と最低空分子軌道（lowest unoccupied molecular orbital、ＬＵＭＯ）との間に形成され得る。したがって、半導体材料は、概して、導電性材料（金属を非限定的に含む）の導電率以下であるが、絶縁材料（ガラスを非限定的に含む）の導電率よりも大きい導電率を示す。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は、有機半導体材料を含み得る。いくつかの非限定的な例では、半導体材料は、無機半導体材料を含み得る。
本明細書で使用されるように、オリゴマーは、概して、少なくとも２つのモノマー単位又はモノマーを含む材料を指し得る。当業者によって理解されるように、オリゴマーは、限定されないが、（１）その中に含有されるモノマー単位の数、（２）分子量、及び（３）他の材料特性及び／又は特徴を含む少なくとも１つの態様において、ポリマーとは異なり得る。非限定的な例として、ポリマー及びオリゴマーの更なる説明は、Ｎａｋａ Ｋ．（２０１４）Ｍｏｎｏｍｅｒｓ，Ｏｌｉｇｏｍｅｒｓ，Ｐｏｌｙｍｅｒｓ，ａｎｄ Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ（Ｏｖｅｒｖｉｅｗ），ａｎｄ ｉｎ Ｋｏｂａｙａｓｈｉ Ｓ．，Ｍｕｌｌｅｎ Ｋ．（ｅｄｓ．）Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｎａｎｏｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｓｐｒｉｎｇｅｒ，Ｂｅｒｌｉｎ，Ｈｅｉｄｅｌｂｅｒｇにおいて見出され得る。本明細書で使用される場合、ポリマーは、概して、少なくとも２０個の繰り返しモノマー単位が中に含まれる材料を指し得、オリゴマーは、概して、２０個以下の繰り返しモノマー単位が中に含まれる材料を指し得る。いくつかの非限定的な例では、ポリマーは、モノマー単位の除去又は付加が、材料の少なくとも１つの特性に重大な影響を及ぼさない材料であると考えられ得るが、オリゴマーでは、モノマー単位の除去又は付加が、材料の少なくとも１つの特性に著しい影響を及ぼし得る。
オリゴマー又はポリマーは、概して、一緒に化学的に結合して分子を形成し得るモノマー単位を含み得る。かかるモノマー単位は、分子が繰り返しモノマー単位によって主に形成されるように、互いに実質的に同一であってもよく、又は分子は、複数の異なるモノマー単位を含み得る。追加的に、分子は、分子のモノマー単位とは異なり得る少なくとも１つの末端単位を含み得る。オリゴマー又はポリマーは、直鎖状、分岐状、環状、シクロ直鎖状、及び／又は架橋されていてもよい。オリゴマー又はポリマーは、繰り返しパターンで、かつ／又は異なるモノマー単位の交互ブロックで配置された複数の異なるモノマー単位を含み得る。
本開示では、ＯＬＥＤデバイス中の層は、いくつかの非限定的な例では、有機半導体材料を含み得るので、「半導体層」という用語は、「有機層」と互換的に使用され得る。
本発明では、無機物は、無機材料を主成分とする物質を指し得る。本開示では、無機材料は、限定されないが、金属、ガラス、及び／又は鉱物を含む、有機材料であるとはみなされない任意の材料を含み得る。
本開示では、「ＥＭ放射線」、「光子」、及び「光」という用語は、同様の概念を指すために交換可能に使用され得る。本開示では、ＥＭ放射線は、可視スペクトル内、赤外線（infrared、ＩＲ）領域（ＩＲスペクトル）では、近赤外領域（ＮＩＲスペクトル）、紫外（ultraviolet、ＵＶ）領域（ＵＶスペクトル）、及び／又はそのＵＶＡ領域（ＵＶＡスペクトル）（約３１５～４００ｎｍの波長範囲に対応し得る）、及び／又はそのＵＶＢ領域（ＵＶＢスペクトル）（約２８０～３１５ｎｍの波長に対応し得る）内にある波長を有し得る。
本開示では、本明細書で使用される「可視スペクトル」という用語は、概して、ＥＭスペクトルの可視部における少なくとも１つの波長を指す。
当業者によって理解されるように、かかる可視部は、約３８０～７４０ｎｍの任意の波長に対応し得る。概して、エレクトロルミネセントデバイスは、約４２５～７２５ｎｍの範囲の波長を有するＥＭ放射線、より具体的には、いくつかの非限定的な例では、それぞれ、Ｂ（青）、Ｇ（緑）、及びＲ（赤）サブピクセルに対応する、４５６ｎｍ、５２８ｎｍ、及び６２４ｎｍのピーク放射波長を有するＥＭ放射線を放射及び／又は透過するように構成され得る。したがって、かかるエレクトロルミネセントデバイスの文脈では、可視部は、約４２５～７２５ｎｍ、又は約４５６～６２４ｎｍの任意の波長を指し得る。可視スペクトル内の波長を有するＥＭ放射線は、いくつかの非限定的な例では、本明細書では「可視光」と称されることもある。
本開示において、本明細書で使用される「発光スペクトル」という用語は、概して、光電子デバイスによって放出される光のエレクトロルミネセンススペクトルを指す。非限定的な例として、発光スペクトルは、非限定的な例として、ある波長範囲にわたるＥＭ放射線の強度を測定することができる分光光度計などの光学機器を使用して検出することができる。本開示では、本明細書で使用される「開始波長」という用語は、概して、発光スペクトル内で発光が検出される最も低い波長を指すことができる。
本開示では、「ピーク波長」という用語は、概して放射スペクトル内で最大光度が検出される波長を指し得る。
いくつかの非限定的な例では、開始波長は、ピーク波長未満であり得る。いくつかの非限定的な例では、開始波長λｏｎｓｅｔは、光度が、ピーク波長における光度の約１０％以下、約５％以下、約３％以下、約１％以下、約０．５％以下、約０．１％以下、又は約０．０１％以下のうちの少なくとも１つである波長に対応し得る。
いくつかの非限定的な例では、可視スペクトルのＲ（赤）部分に存在する放射スペクトルは、約６００～６４０ｎｍの波長範囲に存在し得るピーク波長によって特徴付けられ得、いくつかの非限定的な例では、実質的に約６２０ｎｍであり得る。
いくつかの非限定的な例では、可視スペクトルのＧ（緑）部分に存在する放射スペクトルは、約５１０～５４０ｎｍの波長範囲に存在し得るピーク波長によって特徴付けられ得、いくつかの非限定的な例では、実質的に約５３０ｎｍであり得る。
いくつかの非限定的な例では、可視スペクトルのＢ（青）部分にある放射スペクトルは、約４５０～４６０ｎｍの波長範囲にあり得るピーク波長λｍａｘによって特徴付けられ得、いくつかの非限定的な例では、実質的に約４５５ｎｍであり得る。
本開示では、本明細書で使用される「ＩＲ信号」という用語は、概して、ＥＭスペクトルのＩＲサブセット（ＩＲスペクトル）内の波長を有するＥＭ放射線を指し得る。ＩＲ信号は、いくつかの非限定的な例では、その近赤外（near-infrared、ＮＩＲ）サブセット（ＮＩＲスペクトル）に対応する波長を有し得る。非限定的な例として、ＮＩＲ信号は、約７５０～１４００ｎｍ、約７５０～１３００ｎｍ、約８００～１３００ｎｍ、約８００～１２００ｎｍ、約８５０～１３００ｎｍ、又は約９００～１３００ｎｍのうちの少なくとも１つの波長を有することができる。
本開示では、「吸収スペクトル」という用語は、本明細書で使用される場合、概して、吸収が集中し得るＥＭスペクトルの波長（サブ）範囲を指し得る。
本開示では、本明細書で使用される「吸収端」、「吸収不連続性」、及び／又は「吸収限界」という用語は、概して、物質の吸収スペクトルにおける鋭い不連続性を指し得る。いくつかの非限定的な例では、吸収端は、吸収されたＥＭ放射線のエネルギーが電子遷移及び／又はイオン化ポテンシャルに対応し得る波長で生じる傾向があり得る。
本開示では、本明細書で使用される「吸光係数」という用語は、概して、ＥＭ係数が材料を通って伝搬するときに減衰され得る程度を指し得る。いくつかの非限定的な例では、吸光係数は、複素屈折率の虚数成分ｋに対応すると理解され得る。いくつかの非限定的な例では、材料の吸光係数は、偏光解析法を非限定的に含む様々な方法によって測定することができる。
本開示では、媒体を説明するために本明細書で使用される「屈折率（refractive index）」及び／又は「屈折率（index）」という用語は、真空中の光の速度に対するかかる媒体中の光の速度の比から計算される値を指し得る。本開示では、特に、薄膜層及び／又は被膜を非限定的に含む実質的に透明な材料の特性を説明するために使用される場合、これらの用語は、式Ｎ＝ｎ＋ｉｋにおける実数部ｎに対応し得、式中、Ｎは、複素屈折率を表し得、ｋは、吸光係数を表し得る。
当業者によって理解されるように、限定ではないが、薄膜層及び／又は被膜を含む、実質的に透明な材料は、概して、可視スペクトル内で比較的低い吸光係数値を示し得るため、式の虚数成分は、複素屈折率にほとんど寄与しない場合がある。一方、例えば、金属薄膜によって形成された光透過性電極は、可視スペクトルにおいて比較的低い屈折率値及び比較的高い吸光係数値を示し得る。したがって、かかる薄膜の複素屈折率Ｎは、主にその虚数成分ｋによって決定され得る。
本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を除き、屈折率への特定性を伴わない言及は、複素屈折率Ｎの実数部ｎへの言及であることが意図され得る。
いくつかの非限定的な例では、屈折率と透過率との間には概して正の相関があり得、又は換言すれば、屈折率と吸収との間には概して負の相関があり得る。いくつかの非限定的な例では、物質の吸収端は、吸光係数が０に近づく波長に対応し得る。
本明細書に記載される屈折率及び／又は吸光係数の値は、可視スペクトルの波長で測定されるかかる値に対応し得ることが理解されよう。いくつかの非限定的な例では、屈折率及び／又は吸光係数値は、Ｂ（青）サブピクセルのピーク放射波長に対応し得る約４５６ｎｍ、Ｇ（緑）サブピクセルのピーク放射波長に対応し得る約５２８ｎｍ、及び／又はＲ（赤）サブピクセルのピーク放射波長に対応し得る約６２４ｎｍの波長で測定された値に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、本明細書に記載される屈折率及び／又は吸光係数値は、フラウンホーファーＤ線にほぼ対応し得る約５８９ｎｍの波長で測定された値に対応し得る。
本開示では、ピクセルの概念は、その少なくとも１つのサブピクセルの概念と併せて考察され得る。単に説明を簡略にするために、かかる複合概念は、本明細書では「（サブ）ピクセル」と称されることがあり、かかる用語は、文脈上別段の指示がない限り、ピクセル及び／又はその少なくとも１つのサブピクセルのいずれか又は両方を示唆するものと理解され得る。
いくつかの非限定的な例では、表面上の材料の量の１つの尺度は、かかる材料による表面の被覆率であり得る。いくつかの非限定的な例では、表面被覆率は、ＴＥＭ、ＡＦＭ、及び／又はＳＥＭを含むがこれらに限定されない様々な撮像技術を使用して評価することができる。
本開示では、「粒子」、「アイランド」、及び「クラスタ」という用語は、類似の概念を指すために交換可能に使用され得る。
本開示では、説明を簡略にするために、本明細書で使用される「被膜」、「閉鎖被膜」、及び／又は「閉鎖膜」という用語は、薄膜構造、及び／又は堆積層に使用される堆積材料の被膜を指すことができ、表面の関連する部分は、それによって実質的に被膜されてもよく、したがって、かかる表面は、その上に堆積された被膜によって、又はそれを通して実質的に露出されない場合がある。
本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を除き、薄膜への特定性のない言及は、実質的な閉鎖被膜への言及であることが意図され得る。
いくつかの非限定的な例では、堆積層及び／又は堆積材料の閉鎖被膜は、いくつかの非限定的な例では、下地層の一部を被覆するように配設されてもよく、かかる部分内で、その中の下地層の約４０％以下、約３０％以下、約２５％以下、約２０％以下、約１５％以下、約１０％以下、約５％以下、約３％以下、又は約１％以下のうちの少なくとも１つが、閉鎖被膜によって、又は閉鎖被膜を通して露出されてもよい。
当業者であれば、限定されるものではないが、本明細書に記載されるものを含む様々な技術及びプロセスを使用して閉鎖被膜をパターニングして、閉鎖被膜の堆積後に露出されるべき下地層の露出層表面の一部を意図的に残すことができることを理解するであろう。本開示では、かかるパターニングされた膜は、それにもかかわらず、非限定的な例として、かかるパターニングの文脈内で、下地層の露出層表面のかかる故意に露出された部分の間に堆積される薄膜及び／又は被膜が、それ自体実質的な閉鎖被膜を含み得る場合、閉鎖被膜を構成するとみなすことができる。
当業者であれば、堆積プロセスにおける固有の変動性、及びいくつかの非限定的な例では、堆積材料、いくつかの非限定的な例では、堆積材料、及び下地層の露出層表面のいずれか又は両方における不純物の存在に起因して、本明細書に記載されるものを非限定的に含む様々な技術及びプロセスを使用した薄膜の堆積は、それにもかかわらず、ピンホール、開裂、及び／又はクラックを非限定的に含む小さな開口の形成をもたらし得ることを理解するであろう。本開示では、非限定的な例として、堆積される薄膜及び／又は被膜が、実質的な閉鎖被膜を含み、かかる開口の存在にもかかわらず、記載される任意の特定の被覆率基準を満たす場合、かかる薄膜は、それにもかかわらず、閉鎖被膜を構成するとみなすことができる。
本開示では、説明を簡略にするために、本明細書で使用される「不連続層」という用語は、堆積層に使用される材料の薄膜構造及び／又は被膜を指すことができ、それによって被膜された表面の関連部分は、かかる材料を実質的に欠いていてもよく、その閉鎖被膜を形成することもない。いくつかの非限定的な例では、堆積材料の不連続層は、かかる表面上に配設された複数の離散したアイランドとして現れ得る。
本開示では、説明を簡略にするために、閉鎖被膜が形成された段階に（まだ）達していない、下地層の露出層表面上への蒸気モノマーの堆積の結果は、「中間段階層」と称され得る。いくつかの非限定的な例では、かかる中間段階層は、堆積プロセスが完了していないことを反映してもよく、かかる中間段階層は、閉鎖被膜の形成の中間段階とみなすことができる。いくつかの非限定的な例では、中間段階層は、完了した堆積プロセスの結果であってもよく、したがって、それ自体で形成の最終段階を構成してもよい。
いくつかの非限定的な例では、中間段階層は、不連続層よりも薄膜に酷似し得るが、少なくとも１つの樹枝状突起及び／又は少なくとも１つの樹枝状凹部を含むがこれらに限定されない開口及び／又は間隙を表面被覆において有し得る。いくつかの非限定的な例では、かかる中間段階層は、閉鎖被膜を形成しないように、堆積材料の単一の単層の一部を備え得る。
本開示では、説明を簡略にするために、堆積層を非限定的に含む被膜に関して、「樹枝状（dendritic）」という用語は、側方面から見たときに分岐構造に似た特徴を指し得る。いくつかの非限定的な例では、堆積層は、樹枝状突起及び／又は樹枝状凹部を含み得る。いくつかの非限定的な例では、樹枝状突起は、物理的に接続され、実質的に外側に延在する複数の短い突起を含む分岐構造を示す堆積層の一部に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、樹枝状凹部は、物理的に接続され、実質的に外向きに延在する堆積層の間隙、開口部、及び／又は被覆されていない部分の分岐構造に対応し得る。いくつかの非限定的な例では、樹枝状凹部は、樹枝状突起のパターンに対する鏡像及び／又は逆パターンを含むがこれらに限定されないパターンに対応し得る。いくつかの非限定的な例では、樹枝状突起及び／又は樹枝状凹部は、フラクタルパターン、メッシュ、ウェブ、及び／又は交互嵌合構造を示す、かつ／又は模倣する構成を有し得る。
いくつかの非限定的な例では、シート抵抗は、かかる構成要素、層、及び／又は部品を通過する電流の特性を変更し得る、構成要素、層、及び／又は部品の特性であり得る。いくつかの非限定的な例では、被膜のシート抵抗は、概して、デバイスの他の構成要素、層、及び／又は部品から分離して測定及び／又は決定される、被膜の特徴的シート抵抗に対応し得る。
本開示では、堆積密度は、いくつかの非限定的な例では、その中の堆積材料の面積及び／又は体積を備え得る、領域内の分布を指し得る。当業者は、かかる堆積密度が、かかる堆積材料を含み得る粒子構造自体内の質量又は材料の密度と無関係であり得ることを理解するであろう。本開示では、文脈上他の意味に解すべき場合を除き、堆積密度及び／又は密度への言及は、エリア内の少なくとも１つの粒子を非限定的に含む、かかる堆積材料の分布への言及であることが意図され得る。
いくつかの非限定的な例では、金属の結合解離エネルギーは、金属の２つの同一の原子によって形成される二原子分子の結合の破壊から２９８Ｋで測定される標準状態エンタルピー変化に対応し得る。結合解離エネルギーは、非限定的な例として、Ｌｕｏ，Ｙｕ－Ｒａｎ，「Ｂｏｎｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ」（２０１０）を含むがこれらに限定されない既知の文献に基づいて決定され得る。
特定の理論に拘束されることを望むものではないが、ＮＰＣを提供することにより、特定の表面上への堆積層の堆積が容易になり得ると仮定される。
ＮＰＣを形成するのに好適な材料の非限定的な例は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、及び／又はポスト遷移金属、金属フッ化物、金属酸化物、及び／又はフラーレンを含むがこれらに限定されない少なくとも１つの金属を含み得るが、これらに限定されない。
かかる材料の非限定的な例は、Ｃａ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｙｂ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＹｂＦ３、ＭｇＦ２、及び／又はＣｓＦを含み得る。
本開示では、「フラーレン」という用語は、概して、炭素分子を含む材料を指し得る。フラーレン分子の非限定的な例としては、閉じたシェルを形成する複数の炭素原子を含み、かつ限定はしないが、球形及び／又は半球形の形状であり得る、三次元骨格を非限定的に含む炭素ケージ分子が挙げられる。いくつかの非限定的な例では、フラーレン分子は、Ｃｎとして指定されてもよく、ｎは、フラーレン分子の炭素骨格に含まれる複数の炭素原子に対応する整数であり得る。フラーレン分子の非限定的な例としては、Ｃｎが挙げられ、式中、ｎは、５０～２５０の範囲であり得、例えば、限定されないが、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７２、Ｃ７４、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８０、Ｃ８２、及びＣ８４などである。フラーレン分子の更なる非限定的な例としては、単壁カーボンナノチューブ及び／又は多壁カーボンナノチューブを含むがこれらに限定されない、チューブ状及び／又は円筒形状の炭素分子が挙げられる。
発見及び実験的観察に基づいて、本明細書で更に考察されるように、フラーレン、Ａｇ及び／若しくはＹｂを非限定的に含む金属、並びに／又はＩＴＯ及び／若しくはＩＺＯを非限定的に含む金属酸化物を非限定的に含む核形成促進材料が、堆積材料の堆積のための核形成部位として機能し得ると仮定することができる。
いくつかの非限定的な例では、ＮＰＣを形成するための使用に好適な材料として、少なくとも約０．４、約０．５、約０．６、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．９、約０．９３、約０．９５、約０．９８、若しくは約０．９９のうちの少なくとも１つの堆積層の材料の初期付着確率を示すか、又はそれを有するものとして特徴付けられるものが挙げられる。
非限定的な例として、限定されないが、フラーレン処理された表面上での蒸発プロセスを使用してＭｇが堆積されるシナリオでは、いくつかの非限定的な例では、フラーレン分子は、堆積材料のための安定した核の形成を促進し得る核形成部位として機能し得る。
いくつかの非限定的な例では、フラーレンを含むがこれに限定されないＮＰＣの単分子層以下が、堆積材料の堆積のための核形成部位として機能するように、処理された表面上に提供され得る。
いくつかの非限定的な例では、その上にＮＰＣの複数の単層を堆積させることによって表面を処理することは、より多数の核形成部位、したがって、より高い初期付着確率をもたらし得る。
当業者であれば、表面上に堆積されるフラーレンを含むがこれに限定されない材料の量は、１つの単層よりも多くても少なくてもよいことを理解するであろう。非限定的な例として、かかる表面は、核形成助長材料及び／又は核形成阻害材料の約０．１、１、１０、又はそれを上回る単層のうちの少なくとも１つを堆積させることによって処理することができる。
いくつかの非限定的な例では、下地層の露出層表面上に堆積されたＮＰＣの平均層厚は、約１～５ｎｍ、又は約１～３ｎｍのうちの少なくとも１つであり得る。
本開示の特徴又は態様がマーカッシュグループに関して記載され得る場合、本開示はまた、それによって、かかるマーカッシュグループのメンバーのサブグループの任意の個々のメンバーに関して記載され得ることが、当業者によって理解されよう。
用語
単数形での言及は、別段の記載がない限り、複数形を含むことができ、逆もまた同様である。
本明細書で使用されるように、「第１の」及び「第２の」などの関係用語、並びに「ａ」、「ｂ」などの番号付けデバイスは、かかるエンティティ又は要素間の任意の物理的又は論理的関係あるいは順序を必ずしも要求又は暗示することなく、１つのエンティティ又は要素を別のエンティティ又は要素から区別するためだけに使用され得る。
「含む（including）」及び「備える（comprising）」という用語は、拡張的かつ非限定的に使用されてもよく、したがって、「含むが、それに限定されない」を意味すると解釈されるべきである。「例（example）」及び「例示的（exemplary）」という用語は、単に、解説目的で事例を識別するために使用され得、本発明の範囲を述べられた事例に限定するものと解釈されるべきではない。具体的には、「例示的」という用語は、設計、性能、又はその他の点に関してであれ、それが使用される表現に対して、任意の寛大な、有益な、又は他の品質を表示するか、又は付与するものと解釈されるべきではない。
更に、「臨界」という用語は、特に「臨界核」、「臨界核形成速度」、「臨界濃度」、「臨界クラスタ」、「臨界モノマー」、「臨界粒子構造サイズ」、及び／又は「臨界表面張力」という表現で使用される場合、当業者に精通される用語であってもよく、ある品質、特性又は現象が明確な変化を受ける測定値若しくは点に関連するか、又はその状態にあることを含む。したがって、「臨界」という用語は、設計、性能、又はその他の点に関してであれ、それが使用される表現に対して何らかの重要性若しくは重要性を表示するか又は与えるものと解釈されるべきではない。
任意の形態の「結合する」及び「通信する」という用語は、光学的、電気的、機械的、化学的、又はその他にかかわらず、何らかのインターフェース、デバイス、中間構成要素、又は接続を介した直接接続若しくは間接接続のいずれかを意味することが意図され得る。
別の構成要素に対する第１の構成要素、及び／又は別の構成要素を「被覆する（covering）」若しくは「被覆する（covers）」に関して使用される場合の「上（on）」又は「上（over）」という用語は、第１の構成要素が他の構成要素の直接上にある（それと物理的に接触していることを非限定的に含む）状況、並びに少なくとも１つの介在構成要素が第１の構成要素と他の構成要素との間に位置決めされている場合を包含し得る。
「上方（upward）」、「下方（downward）」、「左（left）」及び「右（right）」などの方向を示す用語は、別段の記載がない限り、参照される図面における方向を指すために使用され得る。同様に、「内向き（inward）」及び「外向き（outward）」などの単語は、それぞれ、デバイス、面積、若しくは体積、又はそれらの指定された部分の幾何学的中心に向かう方向、及びそれから離れる方向を指すために使用され得る。更に、本明細書に記載される全ての寸法は、単に特定の例を解説する目的の一例であることが意図されてもよく、本開示の範囲を、指定され得るような寸法から逸脱し得る任意の例に限定することが意図されなくてもよい。
本明細書で使用されるように、「実質的に」、「実質的な」、「およそ」、及び／又は「約」という用語は、小さい変動を表示し、説明するために使用され得る。事象又は状況と併せて使用される場合、かかる用語は、事象又は状況が正確に発生する事例、並びに事象又は状況が非常に近似して発生する事例を指し得る。非限定的な例として、数値と併せて使用される場合、かかる用語は、約±５％以下、約±４％以下、約±３％以下、約±２％以下、約±１％以下、約±０．５％以下、約±０．１％以下、又は約±０．０５％以下のうちの少なくとも１つなど、かかる数値の約±１０％以下の変動の範囲を指し得る。
本明細書で使用される場合、「から実質的に構成される（consisting substantially of）」という語句は、具体的に列挙された要素、及び記載された技術の基本的かつ新規な特徴に実質的に影響を及ぼさない任意の追加の要素を含むと理解されてもよく、一方、いかなる修飾語も使用しない「から構成される（consisting of）」という語句は、具体的に列挙されていない任意の要素を除外してもよい。
当業者によって理解されるように、任意の及び全ての目的のために、特に書面による説明を提供することに関して、本明細書に開示される全ての範囲はまた、任意の及び全ての可能なサブ範囲、及び／又はそのサブ範囲の組み合わせを包含し得る。任意の列挙された範囲は、十分に説明するものとして、かつ／又は同じ範囲が、半分、３分の１、４分の１、５分の１、１０分の１などを非限定的に含む、少なくともその等しい分数に分割されることを十分に説明及び／又は可能にするものとして容易に認識され得る。非限定的な例として、本明細書で考察される各範囲は、下３分の１、中央３分の１、及び／又は上３分の１などに容易に分割され得る。
当業者によって理解されるように、任意の及び全ての目的のために、特に書面による説明を提供することに関して、少なくとも１つの１０進値に関して説明される、本明細書に開示される全ての値及び／又は範囲は、そのような１０進値によって表される有効数字の数に基づいて決定される、当業者によって理解されるような丸め誤差を含む値及び／又は範囲を包含するものとして解釈されるべきである。念のため、任意の追加の１０進値の存在及び／又は不在は、本開示、第１の１０進値よりも大きい又は小さい数の有効数字を有し得る第１の１０進値と同じ段落又は同じ文であっても、そのような第１の１０進値によって包含される値及び／又は範囲を、それによって表される有効数字に基づく丸め誤差を含む１未満の値及び／又は範囲に限定する任意の方式で、そのような第１の１０進値によって包含される値及び／又は範囲を限定するために使用されるべきではない。
また、当業者によって理解されるように、「最大」、「少なくとも」、「より大きい」、「以下」、「未満」などの全ての言語及び／又は用語は、列挙された範囲を含み、及び／又はそれらを指してもよく、本明細書で考察されるように、その後サブ範囲に分割され得る範囲を指してもよい。
当業者によって理解されるように、範囲は、列挙された範囲の各個々のメンバーを含み得る。
一般事項
要約の目的は、関連する特許庁又は一般公衆、具体的には、特許又は法律の用語又は語法に精通していない当業者が、大まかな調査から、技術的開示の性質を迅速に判断することを可能にすることである。要約は、本開示の範囲を定義することを意図するものではなく、また、本開示の範囲を限定することを意図するものでもない。
本開示の一例の構造、製造、及び使用は、上で考察されている。考察される特定の例は、本明細書で開示される概念を作成及び使用するための特定の方法の単なる解説にすぎず、本開示の範囲を限定するものではない。むしろ、本明細書に記載された一般的な原理は、本開示の範囲の単なる解説にすぎない。
本明細書に具体的に開示されているか否かにかかわらず、特許請求の範囲によって説明され、提供される実装形態の詳細によって説明されず、変更、省略、追加若しくは置換によって、並びに／又は任意の要素及び／若しくは限定がない場合に代替形態及び／若しくは同等の機能要素を用いて修正され得る本開示は、当業者には明らかであり、本明細書に開示される例に対して行われ得、本開示から逸脱することなく、多種多様な特定の状況において具現化され得る多くの適用可能な発明概念を提供し得ることを理解されたい。
具体的には、上述の例のうちの少なくとも１つにおいて記載及び解説された特徴、技術、システム、サブシステム、及び方法は、個別又は別個として記載及び解説されているか否かにかかわらず、本開示の範囲から逸脱することなく別のシステムにおいて組み合わせるか又は統合して、明示的に上述されていない場合がある特徴の組み合わせ又は部分的組み合わせから構成される代替的な例を創出することができ、又は特定の特徴を省略するか又は実装しないことが可能である。かかる組み合わせ及び部分的組み合わせに好適な特徴は、本出願を全体として検討すれば、当業者には容易に明らかになるであろう。変更、置換、及び修正の他の例は、容易に確認可能であり、本明細書に開示される趣旨及び範囲から逸脱することなく行うことができる。
本開示の原理、態様、及び例、並びにそれらの特定の例を列挙する本明細書の全ての記述は、それらの構造的均等物と機能的均等物の両方を包含し、技術における全ての好適な変更を網羅し、包含することが意図される。追加的に、かかる均等物は、現在知られている均等物、並びに将来開発される均等物、すなわち、構造にかかわらず同じ機能を実行する開発された任意の要素の両方を含むことが意図される。
付記
本開示は、限定されないが、以下の付記を含む。
パターニング被膜は、パターニング材料を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜の堆積材料の堆積に抗する初期付着確率は、露出層表面の堆積材料の堆積に抗する初期付着確率以下である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、堆積材料の閉鎖被膜を実質的に欠いている、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料のうちの少なくとも１つは、約０．９以下、約０．３以下、約０．２以下、約０．１５以下、約０．１以下、約０．０８以下、約０．０５以下、約０．０３以下、約０．０２以下、約０．０１以下、約０．００８以下、約０．００５以下、約０．００３以下、約０．００１以下、約０．０００８以下、約０．０００５以下、約０．０００３以下、及び約０．０００１以下のうちの少なくとも１つである、堆積材料の堆積に抗する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料のうちの少なくとも１つは、約０．９以下、約０．３以下、約０．２以下、約０．１５以下、約０．１以下、約０．０８以下、約０．０５以下、約０．０３以下、約０．０２以下、約０．０１以下、約０．００８以下、約０．００５以下、約０．００３以下、約０．００１以下、約０．０００８以下、約０．０００５以下、約０．０００３以下、及び約０．０００１以下のうちの少なくとも１つである、銀（Ａｇ）及びマグネシウム（Ｍｇ）のうちの少なくとも一方の堆積に抗する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料のうちの少なくとも１つは、約０．１５～０．０００１、約０．１～０．０００３、約０．０８～０．０００５、約０．０８～０．０００８、約０．０５～０．００１、約０．０３～０．０００１、約０．０３～０．０００３、約０．０３～０．０００５、約０．０３～０．０００８、約０．０３～０．００１、約０．０３～０．００５、約０．０３～０．００８、約０．０３～０．０１、約０．０２～０．０００１、約０．０２～０．０００３、約０．０２～０．０００５、約０．０２～０．０００８、約０．０２～０．００１、約０．０２～０．００５、約０．０２～０．００８、約０．０２～０．０１、約０．０１～０．０００１、約０．０１～０．０００３、約０．０１～０．０００５、約０．０１～０．０００８、約０．０１～０．００１、約０．０１～０．００５、約０．０１～０．００８、約０．００８～－０．０００１、約０．００８～０．０００３、約０．００８～０．０００５、約０．００８～０．０００８、約０．００８～０．００１、約０．００８～０．００５、約０．００５～０．０００１、約０．００５～０．０００３、約０．００５～０．０００５、約０．００５～０．０００８、及び約０．００５～０．００１のうちの少なくとも１つの、堆積材料の堆積に抗する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料のうちの少なくとも１つは、約０．３、０．２、０．１８、０．１５、０．１３、０．１、０．０８、０．０５、０．０３、０．０２、０．０１、０．００８、０．００５、０．００３、及び０．００１のうちの少なくとも１つである閾値以下である、堆積材料の堆積に抗する初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料のうちの少なくとも１つは、Ａｇ、Ｍｇ、イッテルビウム（Ｙｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、及び亜鉛（Ｚｎ）のうちの少なくとも１つの堆積に抗する、閾値以下である初期付着確率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
閾値は、第１の堆積材料の堆積に抗する第１の閾値と、第２の堆積材料の堆積に抗する第２の閾値とを有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
第１の堆積材料はＡｇであり、第２の堆積材料はＭｇである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
第１の堆積材料はＡｇであり、第２の堆積材料はＹｂである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
第１の堆積材料はＹｂであり、第２の堆積材料がＭｇである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
第１の閾値は、第２の閾値を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料のうちの少なくとも１つは、堆積材料の蒸気フラックスに供された後に、少なくとも閾値透過率値のＥＭ放射線に対する透過率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
閾値透過率値は、可視スペクトル内の波長で測定される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
閾値透過率値は、デバイスを透過する入射ＥＭパワーの少なくとも約６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、及び９０％のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料のうちの少なくとも１つは、約２４ダイン／ｃｍ以下、約２２ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、及び約１１ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つの表面エネルギーを有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料のうちの少なくとも１つは、少なくとも約６ダイン／ｃｍ、７ダイン／ｃｍ、及び８ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つである表面エネルギーを有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料のうちの少なくとも１つは、約１０～２０ダイン／ｃｍ、及び１３～１９ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つである表面エネルギーを有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料のうちの少なくとも１つは、約１．５５以下、約１．５以下、約１．４５以下、約１．４３以下、約１．４以下、約１．３９以下、約１．３７以下、約１．３５以下、約１．３２以下、及び約１．３以下のうちの少なくとも１つである、５５０ｎｍの波長のＥＭ放射に対する屈折率を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料のうちの少なくとも１つは、約６００ｎｍ、５００ｎｍ、４６０ｎｍ、４２０ｎｍ、及び４１０ｎｍのうちの少なくとも１つを上回る波長の光子に対して約０．０１以下である吸光係数を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料のうちの少なくとも１つは、少なくとも約４００ｎｍ、約３９０ｎｍ、約３８０ｎｍ、及び約３７０ｎｍのうちの少なくとも１つよりも短い波長のＥＭ放射に対して、少なくとも約０．０５、約０．１、約０．２、約０．５のうちの少なくとも１つである吸光係数を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料のうちの少なくとも１つは、（ｉ）少なくとも約３００℃、約１５０℃、約１３０℃、約１２０℃、及び約１００℃のうちの少なくとも１つ、並びに（ｉｉ）約３０℃以下、約０℃以下、約－３０℃以下、及び約－５０℃以下のうちの少なくとも１つ、のうちの少なくとも１つであるガラス転移温度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング材料は、約１００～３２０℃、１２０～３００℃、１４０～２８０℃、及び１５０～２５０℃のうちの少なくとも１つの昇華温度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜及びパターニング材料のうちの少なくとも１つは、フッ素原子及びケイ素原子のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、フッ素及び炭素を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
フッ素を炭素で除算した商の原子比は、約１、１．５、及び２のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、オリゴマーを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、主鎖と、主鎖に結合した少なくとも１つの官能基とを含有する分子構造を有する化合物を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
化合物は、シロキサン基、シルセスキオキサン基、アリール基、ヘテロアリール基、フルオロアルキル基、炭化水素基、ホスファゼン基、フルオロポリマー、及び金属錯体のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
化合物の分子量は、約５，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約４，５００ｇ／ｍｏｌ以下、約４，０００ｇ／ｍｏｌ以下、約３，８００ｇ／ｍｏｌ以下、及び約３，５００ｇ／ｍｏｌ以下のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
分子量は、少なくとも約１，５００ｇ／ｍｏｌ、１，７００ｇ／ｍｏｌ、２，０００ｇ／ｍｏｌ、２，２００ｇ／ｍｏｌ、及び２，５００ｇ／ｍｏｌである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
分子量は、約１，５００～５，０００ｇ／ｍｏｌ、約１，５００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約１，７００～４，５００ｇ／ｍｏｌ、約２，０００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、約２，２００～４，０００ｇ／ｍｏｌ、及び約２，５００～３，８００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
フッ素原子の存在に起因する化合物のモル重量の割合は、約４０～９０％、約４５～８５％、約５０～８０％、約５５～７５％、及び約６０～７５％のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
フッ素原子は、化合物のモル重量の大部分を構成する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング材料は、有機－無機ハイブリッド材料を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、堆積材料のための少なくとも１つの核形成部位を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、堆積材料のための核形成部位として機能するシード材料で補完される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
シード材料は、核形成促進被膜（ＮＰＣ）材料、有機材料、多環式芳香族化合物、並びに酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、窒素（Ｎ）、及び炭素（Ｃ）のうちの少なくとも１つから選択される非金属元素を含む材料のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜が光学被膜として機能する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、デバイスによって放射されるＥＭ放射の特性及び特徴のうちの少なくとも１つを修正する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、結晶性材料を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、非晶質材料として堆積されており、堆積後に結晶化される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、堆積材料を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料は、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びイットリウム（Ｙ）のうちの少なくとも１つから選択される元素を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料は、純金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料は、純粋なＡｇ及び実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
実質的に純粋なＡｇは、少なくとも約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、及び約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料は、純粋なＭｇ及び実質的に純粋なＭｇのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、又は約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料は、合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、及びＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
ＡｇＭｇ含有合金は、体積で１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲である合金組成を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料は、Ａｇ以外の少なくとも１つの金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料は、Ａｇと少なくとも１つの金属との合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの金属は、Ｍｇ及びＹｂの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
合金は、約５～９５体積％のＡｇの組成を有する二元合金である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
合金は、体積で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料は、Ａｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、少なくとも１つの追加の元素を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの追加の元素は、非金属元素である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非金属元素は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非金属元素の濃度は、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、Ｏ及びＣの合計が約１０％以下、約５％以下、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下の少なくとも１つである組成を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非金属元素は、ＮＩＣ上に堆積材料の核形成部位として機能する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料及び下地層は、共通金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、堆積材料の複数の層を備える、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
複数の層のうちの第１のものの堆積材料は、複数の層のうちの第２のものの堆積材料とは異なる、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、多層被膜を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
多層被膜は、Ｙｂ／Ａｇ、Ｙｂ／Ｍｇ、Ｙｂ／Ｍｇ：Ａｇ、Ｙｂ／Ｙｂ：Ａｇ、Ｙｂ／Ａｇ／Ｍｇ、及びＹｂ／Ｍｇ／Ａｇのうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料は、約３００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約２００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１６５ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１５０ｋＪ／ｍｏｌ以下、約１００ｋＪ／ｍｏｌ以下、約５０ｋＪ／ｍｏｌ以下、及び約２０ｋＪ／ｍｏｌ以下の少なくとも１つの結合解離エネルギーを有する金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積材料は、約１．４以下、約１．３以下、及び約１．２以下の少なくとも１つの電気陰性度を有する金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層のシート抵抗は、約１０Ω／□以下、５Ω／□以下、約１Ω／□以下、約０．５Ω／□以下、約０．２Ω／□以下、及び約０．１Ω／□以下の少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、その閉鎖被膜を実質的に欠いている少なくとも１つの領域によって画定されるパターンで配設される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの領域は、堆積層をその複数の個別の断片に分離する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも２つの個別の断片は、電気的に結合される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、パターニング被膜縁部によって画定される境界を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、少なくとも１つのパターニング被膜遷移領域と、パターニング被膜非遷移部とを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つのパターニング被膜遷移領域は、最大厚さから減少した厚さに遷移する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つのパターニング被膜遷移領域は、パターニング被膜非遷移部とパターニング被膜縁部との間を延在する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。パターニング被膜は、パターニング被膜非遷移部において、約１～１００ｎｍ、約２～５０ｎｍ、約３～３０ｎｍ、約４～２０ｎｍ、約５～１５ｎｍ、約５～１０ｎｍ、及び約１～１０ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲内にある平均膜厚を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜非遷移部におけるパターニング被膜の厚さは、ＮＩＣの平均膜厚の約９５％及び約９０％のうちの少なくとも１つ内である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、約８０ｎｍ以下、約６０ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約４０ｎｍ以下、約３０ｎｍ以下、約２０ｎｍ以下、約１５ｎｍ以下、及び約１０ｎｍのうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、約３ｎｍ、約５ｎｍ、及び約８ｎｍのうちの少なくとも１つを上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、約１０ｎｍ以下である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、パターニング被膜遷移領域内で最大から最小に減少するパターニング被膜厚を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最大値は、パターニング被膜遷移領域とパターニング被膜非遷移部との間の境界に近接している、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最大値は、約１００％、約９５％、及び約９０％のうちの少なくとも１つである平均膜厚の割合である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最小値は、パターニング被膜の縁部に近接している、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲内である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜の厚さのプロファイルは、傾斜している、テーパ形状である、かつ勾配によって画定される、のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
テーパプロファイルは、線形、非線形、放物線、及び指数関数的に減衰するプロファイルのうちの少なくとも１つに従う、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜非遷移領域の側方軸に沿った非遷移幅は、パターニング被膜遷移領域の軸に沿った遷移幅を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非遷移幅を遷移幅で除算した商は、少なくとも約５、約１０、約２０、約５０、約１００、約５００、約１，０００、約１，５００、約５，０００、約１０，０００、約５０，０００、又は約１００，０００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非遷移幅及び遷移幅のうちの少なくとも１つは、下地層の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非遷移幅及び遷移幅のうちの少なくとも１つは、パターニング被膜の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
下地層の平均膜厚は、パターニング被膜の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、堆積層縁部によって画定された境界を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、少なくとも１つの堆積層遷移領域と、堆積層非遷移部とを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの堆積層遷移領域は、最大厚さから減少した厚さに遷移する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの堆積層遷移領域は、堆積層非遷移部と堆積層縁部との間に延在する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、約１～５００ｎｍ、約５～２００ｎｍ、約５～４０ｎｍ、約１０～３０ｎｍ、及び約１０～１００ｎｍのうちの少なくとも１つの範囲内にある堆積層非遷移部の平均膜厚を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、約１０ｎｍ、約５０ｎｍ、及び約１００ｎｍのうちの少なくとも１つを上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、その全体にわたって実質的に一定である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
平均膜厚は、下地層の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
下地層の平均膜厚による堆積層の平均膜厚の商は、少なくとも約１．５、約２、約５、約１０、約２０、約５０、及び約１００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
商は、約０．１～１０、及び約０．２～４０のうちの少なくとも１つの範囲内にある、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層の平均膜厚は、パターニング被膜の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜の平均膜厚による堆積層の平均膜厚の商は、少なくとも約１．５、約２、約５、約１０、約２０、約５０、及び約１００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
商は、約０．２～１０、及び約０．５～４０のうちの少なくとも１つの範囲内にある、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層非遷移部の側方軸に沿った堆積層非遷移幅は、パターニング被膜非遷移部の軸に沿ったパターニング被膜非遷移幅を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜非遷移幅を堆積層非遷移幅で除算した商は、約０．１～１０、約０．２～５、約０．３～３、及び約０．４～２のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層の非遷移幅をパターニング被膜の非遷移幅で除算した商は、少なくとも１、２、３、及び４のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層非遷移幅は、堆積層の平均膜厚を上回る、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層の非遷移幅を平均膜厚で除算した商は、少なくとも約１０、約５０、約１００、及び約５００のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
商は、約１００，０００以下である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。堆積層は、堆積層遷移領域内で最大から最小まで減少する堆積層厚を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最大値は、堆積層遷移領域と堆積層非遷移部との間の境界に近接している、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最大値は、平均膜厚である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最小値は、堆積層の縁部に近接している、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最小値は、約０～０．１ｎｍの範囲内である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
最小値は、平均膜厚である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層の厚さのプロファイルは、傾斜している、テーパプロファイルである、かつ勾配によって画定される、のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
テーパプロファイルは、線形、非線形、放物線、及び指数関数的に減衰するプロファイルのうちの少なくとも１つに従う、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、堆積層遷移領域の少なくとも一部に不連続層を備える、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
堆積層は、重なり部分においてパターニング被膜と重なる、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
パターニング被膜は、重なり部分において堆積層に重なる、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
下地層の露出層表面上に配設された少なくとも１つの粒子構造を更に含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
下地層は、パターニング被膜である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、粒子材料を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、堆積材料と同じである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料、堆積材料、及び下地層を構成する材料のうちの少なくとも２つは、共通金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、セシウム（Ｃｓ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びイットリウム（Ｙ）のうちの少なくとも１つから選択される元素を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、純金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、純粋なＡｇ及び実質的に純粋なＡｇのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
実質的に純粋なＡｇは、少なくとも約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、及び約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、純粋なＭｇ及び実質的に純粋なＭｇのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
実質的に純粋なＭｇは、少なくとも約９５％、約９９％、約９９．９％、約９９．９９％、約９９．９９９％、又は約９９．９９９５％のうちの少なくとも１つの純度を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇ含有合金、Ｍｇ含有合金、及びＡｇＭｇ含有合金のうちの少なくとも１つを含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
ＡｇＭｇ含有合金は、体積で１：１０（Ａｇ：Ｍｇ）～約１０：１の範囲である合金組成を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇ以外の少なくとも１つの金属を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇと少なくとも１つの金属との合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの金属は、Ｍｇ及びＹｂの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
合金は、約５～９５体積％のＡｇの組成を有する二元合金である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
合金は、体積で約１：２０～１０：１の組成を有するＹｂ：Ａｇ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
粒子材料は、Ａｇ：Ｍｇ：Ｙｂ合金を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、少なくとも１つの追加の要素を含む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの追加の元素は、非金属元素である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非金属元素は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、及びＣのうちの少なくとも１つから選択される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
非金属元素の濃度は、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下のうちの少なくとも１つである、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、Ｏ及びＣの合計量が約１０％以下、約５％以下、約１％以下、約０．１％以下、約０．０１％以下、約０．００１％以下、約０．０００１％以下、約０．００００１％以下、約０．０００００１％以下、及び約０．００００００１％以下の少なくとも１つである組成を有する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子は、デバイス内のパターニング被膜と少なくとも１つの被覆層との間の界面に配設される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子は、パターニング被膜の露出層表面と物理的に接触している、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、デバイスの少なくとも１つの光学特性に影響を及ぼす、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの光学特性は、特徴的なサイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、表面被覆率、構成、堆積密度、分散度、及び組成のうちの少なくとも１つから選択される少なくとも１つの粒子構造の少なくとも１つの特性の選択によって制御される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造の少なくとも１つの特性は、パターニング材料の少なくとも１つの特性、パターニング被膜の平均膜厚、パターニング被膜における少なくとも１つの不均一性、並びに温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び堆積プロセスのうちの少なくとも１つから選択されるパターニング被膜の堆積環境のうちの少なくとも１つの選択によって制御される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造の少なくとも１つの特性は、粒子材料の少なくとも１つの特質、パターニング被膜が粒子材料の堆積のために曝露される程度、不連続層の厚さ、並びに温度、圧力、持続時間、堆積速度、及び堆積プロセスのうちの少なくとも１つから選択される粒子材料の堆積環境のうちの少なくとも１つの選択によって制御される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、互いに分離されている、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの粒子構造は、不連続層を形成する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
不連続層は、少なくとも１つの粒子構造を実質的に欠いているその中の少なくとも１つの領域によって画定されるパターンで配設される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
不連続層の特性は、特性サイズ、長さ、幅、直径、高さ、サイズ分布、形状、構成、表面被覆率、堆積分布、分散度、凝集インスタンスの存在、及びかかる凝集インスタンスの程度のうちの少なくとも１つから選択される少なくとも１つの基準による評価によって決定される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
評価は、電子顕微鏡法、原子間力顕微鏡法、及び走査電子顕微鏡法のうちの少なくとも１つから選択される適用された撮像技術によって不連続層の少なくとも１つの属性を決定することによって行われる、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
評価は、少なくとも１つの観察窓によって画定される範囲にわたって行われる、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
少なくとも１つの観察窓は、側方面の外周、内部位置、及びグリッド座標のうちの少なくとも１つに位置する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
観察窓は、適用される撮像技術の視野に対応する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
観察窓は、２．００μｍ、１．００μｍ、５００ｎｍ、及び２００ｎｍのうちの少なくとも１つから選択された倍率レベルに対応する、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
評価は、手動計数、曲線フィッティング、多角形フィッティング、形状フィッティング、及び推定技術のうちの少なくとも１つを組み込む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
評価は、平均、中央値、モード、最大、最小、確率的、統計的、及びデータ計算のうちの少なくとも１つから選択される操作を組み込む、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
特徴的なサイズは、少なくとも１つの粒子構造の質量、体積、直径、外周、長軸、及び短軸のうちの少なくとも１つから決定される、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
分散度は、
式中、
ｎは、試料領域内の粒子の数であり、
Ｓｉは、ｉ番目の粒子の（面積）サイズであり、
は粒子（面積）サイズの数平均であり、
は、粒子（面積）サイズの（面積）サイズ平均である、本明細書の少なくとも１つの付記に記載のデバイス。
したがって、本明細書に開示される明細書及び例は、単なる解説であるとみなされるべきであり、本開示の真の範囲は、以下の番号付けされた特許請求の範囲によって開示される。

Claims (127)

  1. 層状半導体デバイスであって、
    前記デバイスの側方面の第１の部分において下地層の露出層表面上に堆積され、その上に凝縮される堆積材料の蒸気フラックスの傾向に影響を与えるように適合されたパターニング被膜であって、第１の材料及び第２の材料を含むパターニング被膜を含み、
    前記第１の材料が、第１の少なくとも１つの材料特性を呈し、
    前記第２の材料が、第２の少なくとも１つの材料特性を呈し、
    前記パターニング被膜が、前記第１の少なくとも１つの材料特性及び前記第２の少なくとも１つの材料特性のうちの少なくとも１つとはそれらの組み合わせ及び値のうちの少なくとも１つに関して異なる、第３の少なくとも１つの材料特性を呈し、
    前記第３の少なくとも１つの材料特性が、前記下地層の前記露出層表面を、前記パターニング被膜の前記露出層表面と区別する、層状半導体デバイス。
  2. 前記少なくとも１つの材料特性が、初期付着確率、透過率、堆積コントラスト、表面エネルギー、ガラス転移温度、融点、昇華温度、蒸発温度、凝集エネルギー、光学間隙、フォトルミネセンス、屈折率、吸光係数、吸収又は他の光学効果、平均層厚、分子量、及び組成のうちの少なくとも１つから選択される、請求項１に記載のデバイス。
  3. 前記堆積材料が、金属及び金属合金のうちの少なくとも１つを含む、請求項１又は２に記載のデバイス。
  4. 前記金属が、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、及びマグネシウム（Ｍｇ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項３に記載のデバイス。
  5. 前記金属合金が、銀（Ａｇ）含有物質及びマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項３又は４に記載のデバイス。
  6. 前記第１の材料が、前記パターニング被膜の少なくとも約９９％、約９５％、約９０％、約８０％、約７０％、及び約５０％のうちの少なくとも１つの濃度でホストを含む、請求項１～５のいずれか一項に記載のデバイス。
  7. 前記ホストが、核形成抑制被膜（ＮＩＣ）として機能する、請求項１～６のいずれか一項に記載のデバイス。
  8. 前記ホストが、実質的に高い堆積コントラストを呈する、請求項１～７のいずれか一項に記載のデバイス。
  9. 前記第２の材料が、前記パターニング被膜の約１％以下、約５％以下、約１０％以下、約２０％以下、約３０％以下、及び約５０％以下のうちの少なくとも１つの濃度でドーパントを含む、請求項１～８のいずれか一項に記載のデバイス。
  10. 前記ドーパントが、核形成抑制被膜（ＮＩＣ）として機能する、請求項１～９のいずれか一項に記載のデバイス。
  11. 前記ドーパントが、実質的に高い堆積コントラストを呈する、請求項１～１０のいずれか一項に記載のデバイス。
  12. 前記ドーパントが、実質的に核形成抑制被膜（ＮＩＣ）以外のものとして機能する、請求項１～１０のいずれか一項に記載のデバイス。
  13. 前記ドーパントが、実質的に低い堆積コントラストを呈する、請求項１～１２のいずれか一項に記載のデバイス。
  14. 前記ドーパントが、核形成促進被膜（ＮＰＣ）として機能する、請求項１～１３のいずれか一項に記載のデバイス。
  15. 前記ドーパントが、実質的に低い堆積コントラストを呈する、請求項１～１４のいずれか一項に記載のデバイス。
  16. 前記ホストの表面エネルギーが、実質的に少なくとも前記ドーパントの表面エネルギーである、請求項１～１５のいずれか一項に記載のデバイス。
  17. 前記ホスト及び前記ドーパントの各々が、約５～２０ダイン／ｃｍの表面エネルギーを有する、請求項１～１６のいずれか一項に記載のデバイス。
  18. 前記ホストの融点が、実質的に少なくとも前記ドーパントの融点である、請求項１～１７のいずれか一項に記載のデバイス。
  19. 前記ホスト及び前記ドーパントの各々が、少なくとも約１００℃、約１１０℃、約１２０℃、及び約１３０℃のうちの少なくとも１つである融点を有する、請求項１～１８のいずれか一項に記載のデバイス。
  20. 前記ホスト及び前記ドーパントのうちの少なくとも一方が、オリゴマーである、請求項１～１９のいずれか一項に記載のデバイス。
  21. 前記少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つの組み合わせ及び前記少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つの値のうちの少なくとも１つが、前記ドーパントと前記ホストとでは異なる、請求項１～２０のいずれか一項に記載のデバイス。
  22. 前記少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つの組み合わせ及び前記少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つの値のうちの少なくとも１つが、前記パターニング被膜と、前記ホスト及び前記ドーパントのうちの少なくとも一方とでは異なる、請求項１～２１のいずれか一項に記載のデバイス。
  23. 前記ホスト及び前記ドーパントが、値及び値の範囲のうちの少なくとも１つの範囲内で、同等性、類似性、及び近接性のうちの少なくとも１つに関して実質的に類似している少なくとも１つの材料特性によって特徴付けられている、請求項１～２２のいずれか一項に記載のデバイス。
  24. 前記ホスト及び前記ドーパントの各々が、パターニング材料である、請求項２３に記載のデバイス。
  25. 前記ホスト及び前記ドーパントの各々の特性表面エネルギーが、約２５ダイン／ｃｍ以下、約２４ダイン／ｃｍ以下、約２２ダイン／ｃｍ以下、約２１ダイン／ｃｍ以下、約２０ダイン／ｃｍ以下、約１９ダイン／ｃｍ以下、約１８ダイン／ｃｍ以下、約１７ダイン／ｃｍ以下、約１６ダイン／ｃｍ以下、約１５ダイン／ｃｍ以下、約１４ダイン／ｃｍ以下、約１３ダイン／ｃｍ以下、約１２ダイン／ｃｍ以下、約１１ダイン／ｃｍ以下、及び約１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つである、請求項２２又は２３に記載のデバイス。
  26. 前記ホストの特性表面エネルギーと前記ドーパントの特性表面エネルギーとの間の差の絶対値が、約１ダイン／ｃｍ以下、約２ダイン／ｃｍ以下、約３ダイン／ｃｍ以下、約４ダイン／ｃｍ以下、約５ダイン／ｃｍ以下、約７ダイン／ｃｍ以下、及び約１０ダイン／ｃｍ以下のうちの少なくとも１つである、請求項２２～２５のいずれか一項に記載のデバイス。
  27. 前記ホスト及び前記ドーパントの各々が、少なくとも約１００℃、約１１０℃、約１２０℃、及び約１３０℃のうちの少なくとも１つである融点を有する、請求項２２～２６のいずれか一項に記載のデバイス。
  28. 前記ホストの昇華温度と前記ドーパントの昇華温度との間の差の絶対値が、約５℃以下、約１０℃以下、約１５℃以下、約２０℃以下、約３０℃以下、約４０℃以下、及び約５０℃以下のうちの少なくとも１つである、請求項２２～２７のいずれか一項に記載のデバイス。
  29. 前記ホスト及び前記ドーパントの各々が、実質的に同様の蒸発温度を有する、請求項２２～２８のいずれか一項に記載のデバイス。
  30. 前記ホスト及び前記ドーパントの各々が、約５５０ｎｍの波長のＥＭ放射線に対して、約１．５５以下、約１．５以下、約１．４５以下、約１．４４以下、約１．４３以下、約１．４２以下、約１．４１以下、約１．４以下、約１．３９以下、約１．３７以下、約１．３５以下、約１．３２以下、及び約１．３以下のうちの少なくとも１つである屈折率を呈する、請求項２２～２９のいずれか一項に記載のデバイス。
  31. 前記ホスト及び前記ドーパントの各々の分子量が、少なくとも約７５０ｇ／ｍｏｌ以上、１，０００ｇ／ｍｏｌ、１，５００ｇ／ｍｏｌ、２，０００ｇ／ｍｏｌ、２，５００ｇ／ｍｏｌ、及び３，０００ｇ／ｍｏｌのうちの少なくとも１つである、請求項２２～３０のいずれか一項に記載のデバイス。
  32. 前記ホストと前記ドーパントとの間のＴａｎｉｍｏｔｏ係数が、少なくとも約０．６５、約０．７、約０．７５、約０．８、約０．８５、約０．９、及び約０．９５のうちの少なくとも１つである、請求項２２～３１のいずれか一項に記載のデバイス。
  33. 前記ホスト及び前記ドーパントの各々が、パターニング材料である、請求項２２～３２のいずれか一項に記載のデバイス。
  34. 前記ホスト及び前記ドーパントの各々が、オリゴマーである、請求項２２～３３のいずれか一項に記載のデバイス。
  35. 前記ホスト及び前記ドーパントの各々が、少なくとも１つの共通のモノマーを含む、請求項２２～３４のいずれか一項に記載のデバイス。
  36. 前記ホスト及び前記ドーパントの各々が、少なくとも１つの共通のモノマー骨格単位を含む、請求項２２～３５のいずれか一項に記載のデバイス。
  37. 前記モノマー骨格単位が、リン（Ｐ）及び窒素（Ｎ）を含む、請求項３６に記載のデバイス。
  38. 前記モノマー骨格単位が、ホスファゼン部分を含む、請求項３７に記載のデバイス。
  39. 前記ホスト及び前記ドーパントの各々の分子構造の一部が、式（ＶＩ）によって表され、
    （ＮＰ－（Ｌ－Ｒｘ）ｙ）ｎ （ＶＩ）
    式中、ＮＰが、ホスファゼンモノマー骨格単位を表し、Ｌが、リンカー基を表し、Ｒが、官能基を表し、ｘが、１～４の整数であり、ｙが、１～３の整数であり、ｎが、少なくとも２の整数であり、
    前記ホストのｎの値が、前記ドーパントのｎの値とは異なる、請求項２２～３８のいずれか一項に記載のデバイス。
  40. 前記ホストのｎの値と前記ドーパントのｎの値との間の差の絶対値が１である、請求項３９に記載のデバイス。
  41. 前記ホスト及び前記ドーパントのうちの少なくとも一方のｎの値が３であり、前記ホスト及び前記ドーパントのうちの前記少なくとも一方とは別の方のｎの値が４である、請求項３９又は４０に記載のデバイス。
  42. 前記ホスト及び前記ドーパントの各々の分子構造の一部が、式（ＶＩＩ）によって表され、
    （ＮＰ（ＯＲｆ）２）ｎ （ＶＩＩ）
    式中、Ｒｆが、フルオロアルキル基を表し、ｎが、３～７の整数であり、
    前記ホストのｎの値が、前記ドーパントのｎの値とは異なる、請求項２２～４１のいずれか一項に記載のデバイス。
  43. 前記ホストのｎの値と前記ドーパントのｎの値との間の差の絶対値が１である、請求項４２に記載のデバイス。
  44. 前記ホスト及び前記ドーパントのうちの少なくとも一方のｎの値が３であり、前記ホスト及び前記ドーパントのうちの前記少なくとも一方とは別の方のｎの値が４である、請求項４２又は４３に記載のデバイス。
  45. 前記ホストの前記モノマーが、フッ素（Ｆ）を含む少なくとも１つの官能基を含む、請求項２２～４４のいずれか一項に記載のデバイス。
  46. 前記官能基のうちの少なくとも１つが、全フッ素置換されていない、請求項４５に記載のデバイス。
  47. 前記官能基のうちのどれも全フッ素置換されていない、請求項４５又は４６に記載のデバイス。
  48. 前記ホスト及び前記ドーパントが、値及び値の範囲のうちの少なくとも１つの範囲による差に関して実質的に異なる、少なくとも１つの材料特性によって特徴付けられている、請求項１～４７のいずれか一項に記載のデバイス。
  49. 前記ドーパントが、前記ホストの堆積コントラストと少なくとも同じ大きさである堆積コントラストを呈する、請求項４８に記載のデバイス。
  50. 前記ドーパントが、実質的に低い堆積コントラストを呈し、前記ホストの濃度が、前記ドーパントの濃度を実質的に上回る、請求項４８又は４９に記載のデバイス。
  51. 前記ホストの特性表面エネルギーが、前記ドーパントの特性表面エネルギーを上回る、請求項４８～５０のいずれか一項に記載のデバイス。
  52. 前記ホストが、約１５～２３ダイン／ｃｍ、及び約１８～２２ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの特性表面エネルギーを有する、請求項４８～５１のいずれか一項に記載のデバイス。
  53. 前記ドーパントが、約６～２２ダイン／ｃｍ、約８～２０ダイン／ｃｍ、約１０～１８ダイン／ｃｍ、及び約１０～１５ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つの特性表面エネルギーを有する、請求項４８～５２のいずれか一項に記載のデバイス。
  54. 前記ホストの特性表面エネルギーと前記ドーパントの特性表面エネルギーとの間の差の絶対値が、約１～１３．５ダイン／ｃｍ、約２～１２ダイン／ｃｍ、約３～１１ダイン／ｃｍ、及び約５～１０ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つである、請求項４８～５３のいずれか一項に記載のデバイス。
  55. 前記ホストの特性表面エネルギーが、約１６～２２ダイン／ｃｍであり、前記ドーパントの特性表面エネルギーが、約１０～１５ダイン／ｃｍである、請求項４８～５４のいずれか一項に記載のデバイス。
  56. 前記ホストの特性表面エネルギーと前記ドーパントの特性表面エネルギーとの間の差の絶対値が、少なくとも３ダイン／ｃｍである、請求項４８～５５のいずれか一項に記載のデバイス。
  57. 前記ホストの特性表面エネルギーと前記ドーパントの特性表面エネルギーとの間の差の絶対値が、約３～８ダイン／ｃｍ、及び約３～５ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つである、請求項４８～５６のいずれか一項に記載のデバイス。
  58. 前記ホストの融点が、前記ドーパントの融点を上回る、請求項４８～５７のいずれか一項に記載のデバイス。
  59. 前記ホスト及び前記ドーパントの各々が、少なくとも約８０℃、約１００℃、約１１０℃、約１２０℃、及び約１３０℃のうちの少なくとも１つである融点を有する、請求項４８～５８のいずれか一項に記載のデバイス。
  60. 前記ホストが、少なくとも約１３０℃、約１５０℃、約２００℃、及び約２５０℃のうちの少なくとも１つである融点を有する、請求項４８～５９のいずれか一項に記載のデバイス。
  61. 前記ホストが、約１００～３５０℃、約１３０～３２０℃、約１５０～３００℃、及び約１８０～２８０℃のうちの少なくとも１つである融点を有する、請求項４８～６０のいずれか一項に記載のデバイス。
  62. 前記ドーパントが、約１５０℃以下、約１４０℃以下、約１３０℃以下、約１２０℃以下、及び約１１０℃以下のうちの少なくとも１つである融点を有する、請求項４８～６１のいずれか一項に記載のデバイス。
  63. 前記ドーパントが、約５０～１５０℃、約８０～１５０℃、約６５～１３０℃、及び約８０～１１０℃のうちの少なくとも１つである融点を有する、請求項４８～６２のいずれか一項に記載のデバイス。
  64. 前記ホストの融点と前記ドーパントの融点との間の差の絶対値が、約１０～２００℃、約２０～２００℃、約５０～１８０℃、約８０～１５０℃、及び約１００～１２０℃のうちの少なくとも１つである、請求項４８～６３のいずれか一項に記載のデバイス。
  65. 前記ホストが、約１５０～３００℃、約１８０～２８０℃、約２００～２６０℃、及び約２２０～２５０℃のうちの少なくとも１つの融点を有し、前記ドーパントが、約１００～１５０℃、約１００～１３０℃、及び約１００～１２０℃のうちの少なくとも１つの融点を有する、請求項４８～６４のいずれか一項に記載のデバイス。
  66. 前記ホストの融点と前記ドーパントの融点との間の差の絶対値が、約５０～１２０℃、約７０～１００℃、及び約８０～１００℃のうちの少なくとも１つである、請求項４８～６５のいずれか一項に記載のデバイス。
  67. 前記ホストの蒸発温度と前記ドーパントの蒸発温度との間の差の絶対値が、約５℃以下、約１０℃以下、約１５℃以下、約２０℃以下、約３０℃以下、約４０℃以下、及び約５０℃以下のうちの少なくとも１つである、請求項４８～６６のいずれか一項に記載のデバイス。
  68. 前記ホスト及び前記ドーパントの各々が、約１００～３５０℃の蒸発温度を有する、請求項４８～６７のいずれか一項に記載のデバイス。
  69. 前記ホスト及び前記ドーパントの各々が、実質的に同様の蒸発温度を有する、請求項４８～６８のいずれか一項に記載のデバイス。
  70. 前記ホストが、少なくとも約３．４ｅＶ、約３．５ｅＶ、約４．１ｅＶ、約５ｅＶ、及び約６．２ｅＶのうちの少なくとも１つの光学間隙を有する、請求項４８～６９のいずれか一項に記載のデバイス。
  71. 前記ホストが、少なくとも可視スペクトル周辺、ＮＩＲスペクトル周辺、約３６５ｎｍ、及び約４６０ｎｍのうちの少なくとも１つの波長範囲において実質的に吸収を呈しない、請求項４８～７０のいずれか一項に記載のデバイス。
  72. 前記ホストが、ケージ構造、環状構造、及び有機－無機ハイブリッド構造のうちの少なくとも１つを含む分子構造を有する、請求項４８～７１のいずれか一項に記載のデバイス。
  73. 前記ホスト及び前記ドーパントの各々が、フッ素（Ｆ）及びケイ素（Ｓｉ）のうちの少なくとも一方を含む、請求項４８～７２のいずれか一項に記載のデバイス。
  74. 前記ホストが、多面体オリゴマーシルセスキオキサン（ＰＯＳＳ）基を含み、前記ドーパントが、シクロホスファゼン基を含む、請求項７３に記載のデバイス。
  75. 前記ホストが、前記化合物の分子量の百分率により、２５～７５％、２５～７０％、３０～７０％、３５～５０％、３５～４５％、及び３５～４０％のうちの少なくとも１つの割合でＦを含む、請求項７３又は７４に記載のデバイス。
  76. 前記ドーパントが、前記化合物の分子量の百分率により、２５～７５％、２５～７０％、３０～７０％、５０～７０％、５５～７０％、及び６０～７０％のうちの少なくとも１つの割合でＦを含む、請求項７３～７５のいずれか一項に記載のデバイス。
  77. 前記ドーパントの前記化合物の分子量の百分率によるＦの割合が、前記ホストのものを上回る、請求項７３～７６のいずれか一項に記載のデバイス。
  78. 前記ホストが、前記化合物の分子量の百分率により約３５～４５％の割合でＦを含み、前記ドーパントが、前記化合物の分子量の百分率により約６０～７０％の割合でＦを含む、請求項７３～７７のいずれか一項に記載のデバイス。
  79. 前記ホスト及びドーパントの各々が、６以下、４以下、３以下、２以下、及び１以下のうちの少なくとも１つである連続フッ素化炭素鎖を含む、請求項７３～７８のいずれか一項に記載のデバイス。
  80. 前記ホストが、Ｓｉを含む、請求項７３～７９のいずれか一項に記載のデバイス。
  81. 前記ホストが、Ｓｉを含むモノマー骨格単位を含む、請求項ｘに記載のデバイス。
  82. 前記ホストが、多面体オリゴマーシルセスキオキサン（ＰＯＳＳ）基及びＰＯＳＳ誘導体化合物のうちの少なくとも一方を含む、請求項７３～８１のいずれか一項に記載のデバイス。
  83. 前記ＰＯＳＳ誘導体化合物が、Ｆを含む官能基を含む、請求項７３～８２のいずれか一項に記載のデバイス。
  84. 前記ホスト及び前記ドーパントの各々が、オリゴマーである、請求項４８～８３のいずれか一項に記載のデバイス。
  85. 前記ホストが、非ポリマー材料である、請求項４８～８４のいずれか一項に記載のデバイス。
  86. 前記ホストが、オリゴマーである、請求項４８～８５のいずれか一項に記載のデバイス。
  87. 前記ホストが、ブロックオリゴマーである、請求項４８～８６のいずれか一項に記載のデバイス。
  88. 前記ホストが、官能基末端単位を含む、請求項４８～８７のいずれか一項に記載のデバイス。
  89. 前記官能基末端単位が、ＣＦ３及びＣＨ２ＣＦ３のうちの少なくとも１つを含む、請求項４８～８８のいずれか一項に記載のデバイス。
  90. 前記ホストの各官能基が、単一フッ素化炭素部分だけを含む、請求項４８～８９のいずれか一項に記載のデバイス。
  91. 前記ホストの前記官能基が、いずれのｓｐ２混成炭素（Ｃ）原子も実質的に欠いている、請求項４８～９０のいずれか一項に記載のデバイス。
  92. 前記ドーパントのモノマーが、フッ素（Ｆ）を含む官能基を含む、請求項４８～９１のいずれか一項に記載のデバイス。
  93. 前記ドーパントが、ホスファゼン、シクロホスファゼン、及びシクロホスファゼン誘導基のうちの少なくとも１つを含む、請求項４８～９２のいずれか一項に記載のデバイス。
  94. 前記ドーパントが、シクロホスファゼンを含むモノマー骨格単位を含む、請求項９３に記載のデバイス。
  95. 前記シクロホスファゼン誘導基が、フッ素（Ｆ）を含む官能基を含む、請求項９３又は９４に記載のデバイス。
  96. 前記ドーパントが、非ポリマー材料である、請求項４８～９５のいずれか一項に記載のデバイス。
  97. 前記ドーパントが、オリゴマーである、請求項４８～９６のいずれか一項に記載のデバイス。
  98. 前記ドーパントが、ブロックオリゴマーである、請求項４８～９７のいずれか一項に記載のデバイス。
  99. 前記パターニング被膜中の前記ドーパントの濃度が、約５０％以下である、請求項４８～９８のいずれか一項に記載のデバイス。
  100. 前記濃度が、約４０％以下、約３０％以下、約２５％以下、約２０％以下、約１５％以下、約１０％以下、及び約５％以下のうちの少なくとも１つである、請求項９９に記載のデバイス。
  101. 前記濃度が、前記ホストと前記ドーパントとの混合物の共融点に対応する濃度以下である、請求項９９又は１００に記載のデバイス。
  102. 前記濃度が、少なくとも約１％、約３％、約５％、約７％、及び約１０％のうちの少なくとも１つである、請求項９９～１０１のいずれか一項に記載のデバイス。
  103. 前記ドーパントが、フッ素（Ｆ）と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類金属のうちの少なくとも１つと、を含む金属フッ化物である、請求項４８～１０２のいずれか一項に記載のデバイス。
  104. 前記ドーパントが、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、及びフッ化イッテルビウムのうちの少なくとも１つである、請求項１０３に記載のデバイス。
  105. 前記ホストが、約１６～２０ダイン／ｃｍの特性表面エネルギー及び約１５０～３００℃の融点を有する、請求項４８～１０４のいずれか一項に記載のデバイス。
  106. 前記ドーパントが、少なくとも約８ダイン／ｃｍであるが、前記ホストの特性表面エネルギーよりも低い特性表面エネルギーと、少なくとも約１００℃であるが、前記ホストの融点よりも低い融点と、の両方を有する、請求項４８～１０５のいずれか一項に記載のデバイス。
  107. 前記ドーパントが、少なくとも約８ダイン／ｃｍであるが、前記ホストの特性表面エネルギーより少なくとも３ダイン／ｃｍだけ低い特性表面エネルギーと、少なくとも約１００℃であるが、前記ホストの融点より、約５０～１２０℃、約７０～１１０℃、及び約８０～１００℃のうちの少なくとも１つだけ低い融点と、の両方を有する、請求項１０６に記載のデバイス。
  108. 前記ドーパントの前記特性表面エネルギーが、約３～８ダイン／ｃｍ及び約３～５ダイン／ｃｍのうちの少なくとも１つだけ前記ホストの前記特性表面エネルギーよりも低い、請求項１０６又は１０７に記載のデバイス。
  109. 前記ドーパントが、フォトルミネセンス応答を呈する、請求項１～１０８のいずれか一項に記載のデバイス。
  110. 前記ホストが、実質的にフォトルミネセンスを呈しない、請求項１０９に記載のデバイス。
  111. 前記パターニング被膜が、前記ドーパントの約５重量％以下、約３重量％以下、約２重量％以下、約１重量％以下、約０．５重量％以下、及び約０．１重量％以下のうちの少なくとも１つを含む、請求項１０９又は１１０に記載のデバイス。
  112. 前記ドーパントが、少なくとも１つの不均一性を創出し、その上への少なくとも１つのナノ粒子構造の形成を容易にする、請求項１～１１１のいずれか一項に記載のデバイス。
  113. 前記少なくとも１つの不均一性が、金属元素を含む、請求項１１２に記載のデバイス。
  114. 前記少なくとも１つの不均一性が、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、窒素（Ｎ）、及び炭素（Ｃ）のうちの少なくとも１つから選択された非金属元素を含む、請求項１１２又は１１３に記載のデバイス。
  115. 前記少なくとも１つの不均一性が、核形成促進被膜（ＮＰＣ）を含む、請求項１１２～１１４のいずれか一項に記載のデバイス。
  116. 前記パターニング被膜が、前記第１の材料及び前記第２の材料を含む混合物を提供し、そのような混合物を、前記第１の部分における前記下地層の前記露出層表面上に堆積させることによって、堆積される、請求項１～１１５のいずれか一項に記載のデバイス。
  117. 前記混合物が、前記第１の材料及び前記第２の材料の一方から選択された供給パターニング材料を供給し、それに処理を施して、前記第１の材料及び前記第２の材料の他方を含む生成パターニング材料を生成することによって、提供される、請求項１１６に記載のデバイス。
  118. 前記処理が、前記供給パターニング材料を加熱することを含む、請求項１１７に記載のデバイス。
  119. 前記パターニング被膜が、前記第１の材料及び前記第２の材料を共蒸着させることによって堆積される、請求項１～１１８のいずれか一項に記載のデバイス。
  120. 前記第１の材料及び前記第２の材料が、共通の蒸発源から蒸発される、請求項１～１１９のいずれか一項に記載のデバイス。
  121. 前記第１の材料が、第１の蒸発源から蒸発され、前記第２の材料が、第２の蒸発源から蒸発される、請求項１～１２０のいずれか一項に記載のデバイス。
  122. 層状半導体デバイスであって、
    前記デバイスの側方面の第１の部分に設けられ、その上に凝縮される堆積材料の蒸気フラックスの傾向に影響を与えるように適合されたパターニング被膜であって、ホスト及びドーパントを含むパターニング被膜と、
    前記デバイスの前記側方面の第２の部分に設けられた堆積層であって、前記堆積材料を含む堆積層と、を含む、層状半導体デバイス。
  123. 層状半導体デバイスであって、
    第１の電極及び第２の電極と、
    前記デバイスの横方向面において前記第１の電極と前記第２の電極との間に延在し、第１の層表面を画定する半導体層であって、前記第１の層表面が、前記デバイスの側方面において第１の部分及び第２の部分にわたって延在する、半導体層と、
    前記デバイスの前記側方面の前記第１の部分における前記第１の層表面上に堆積されたパターニング被膜であって、ホスト及びドーパントを含むパターニング被膜と、
    前記デバイスの前記側方面の前記第２の部分における前記第１の層表面上に配設された前記第２の電極と、を含む、層状半導体デバイス。
  124. 前記ホストが、約１５～２２ダイン／ｃｍの特性表面エネルギーを有し、前記ドーパントが、前記ホストの前記特性表面エネルギーより小さい特性表面エネルギーを有する、請求項１２２又は１２３に記載のデバイス。
  125. 前記ホストが、１３０～３００℃の融点を有し、前記ドーパントが、前記ホストの前記融点より低い融点を有する、請求項１２２～１２４のいずれか一項に記載のデバイス。
  126. 前記ホスト及び前記ドーパントの各々が、複数のモノマーを含むオリゴマーである、請求項１２２又は１２５に記載のデバイス。
  127. 前記ホストの前記オリゴマー及び前記ドーパントの前記オリゴマーが、少なくとも１つの共通のモノマーを含む、請求項１２６に記載のデバイス。
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