JP2016039029A - 有機エレクトロルミネセンス表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】共通画素電極の抵抗が表示品質に影響するのを防ぐために補助配線を設けつつも、画素の高精細化に適用可能な構成を提供することを目的とする。【解決手段】画素ごとに設けられた個別画素電極と、複数の画素の間に設けられ個別画素電極の周縁部を覆うバンクと、バンク上に設けられた補助配線と、個別画素電極、前記バンク及び前記補助配線の上面側に設けられた有機エレクトロルミネセンス層と、有機エレクトロルミネセンス層の上面側に設けられた共通画素電極とを備え、バンクは、個別画素電極と接する第１のバンクと、第１のバンク上において段差部を形成する第２のバンクとを有し、補助配線は第２のバンク上に設けられ、段差部において有機エレクトロルミネセンス層が分断され、共通画素電極が補助配線の側面部で電気的に接続されるようにする。【選択図】図３

Description

本発明は、有機エレクトロルミネセンス素子等の発光素子で画素が形成される有機エレクトロルミネセンス表示装置における画素部の構成に関する。

有機エレクトロルミネセンス（以下、「有機ＥＬ」ともいう）表示装置は、各画素に有機ＥＬ素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。有機ＥＬ素子は、一方をアノード電極、他方をカソード電極として区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「有機ＥＬ層」ともいう）を挟んだ構造を有している。有機ＥＬ表示装置は、一方の電極が画素ごとに個別画素電極として設けられ、他方の電極は複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通画素電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通画素電極の電位に対し、個別画素電極の電位を画素ごとに印加することで、画素の発光を制御している。

有機ＥＬ素子では、少なくとも有機ＥＬ層で発光した光を出射する側の電極は、透光性を有している必要がある。透光性の電極としては、極薄膜で形成した金属の半透過膜を用いる場合もあるが、多くの場合はＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）に代表される透明導電膜材料が用いて形成される。例えば、有機ＥＬ表示装置において、画素における有機ＥＬ素子の発光を共通電極側から出射させる場合には、個別画素電極に金属の反射面を設け、共通画素電極を透明電極材料によって形成している。

透明導電膜材料は金属酸化物であり、アルミニウム等の金属材料と比べて抵抗率が高いことが問題となる。有機ＥＬ表示装置において、共通画素電極は画素部の略全面に渡って一体の電極として形成されるため、画素部の面積、すなわち画面サイズが大きくなると透明導電膜材料で形成される共通画素電極の抵抗の影響を無視することができなくなる。共通画素電極の抵抗の影響があると、シェーディングと呼ばれる画質不良が生じる。シェーディングとは、電極抵抗の増大による電圧降下が無視できなくなると、表示面内で輝度ムラが発生して表示品質を低下させてしまう現象である。シェーディングが起こると、画面の外側領域に比べ中央領域の輝度が低下してしまうなどの不具合が視認されるようになる。

このような問題に対し、共通画素電極の抵抗値を下げるために、画素部に補助配線を設けることが提案されている。補助配線によって共通画素電極の抵抗を見かけ上低下させるためには、画素部の領域内で補助配線と共通画素電極を接続する必要がある。この場合、有機ＥＬ層を形成した後に、フォトリソグラフィー工程を伴って補助配線を形成することは、有機ＥＬ層の劣化を生じさせるため困難であることから、通常は補助配線を先に形成しておくことが好ましいと考えられる。

このため、共通画素電極と補助配線との接続は、共通画素電極とその下層に設けられた補助配線とをコンタクトホールを介して接続する方式、共通画素電極と補助配線との間に有機ＥＬ層が介在する場合に、有機ＥＬ層を物理的に削除してコンタクトを形成する方式などが提案されている。

例えば、個別画素電極を囲むバンク上に、予め補助配線を形成しておき、当該バンク上で補助配線と共通画素電極を接続する構造が開示されている（特許文献１）。特許文献１で開示される接続構造は、補助配線を下層、中層及び上層の三層構造として、上層が中層よりもせり出すようにして、下層が上層による庇の下に隠れる構造としている。三層構造の補助配線が形成された後に有機ＥＬ層を蒸着しても、上層による庇の影響で下層には有機ＥＬ層が堆積しない。有機ＥＬ層の上に共通画素電極をスパッタリング法で形成するとき、補助配線の下層に被膜が回り込むようにすると、コンタクトホールを形成しなくても、共通画素電極と補助配線の接続を図ることができる。

共通画素電極と補助配線を接続する他の一例としては、バンクの上面に金属膜を形成し、これを共通画素電極の補助配線として用いる有機ＥＬ装置が開示されている（特許文献２参照）。特許文献２では、Ｔ字型又は逆テーパ型の断面形状を有するバンクをマスクとして陽極保護層なる金属膜を陽極上に形成するときに、同時にバンク上に形成される金属層を補助配線として用いている。金属層はバンクの形状に起因して下層に堆積する金属層と分離されるため、これを共通画素電極の補助配線として用いている。

特開２００８−１３５３２５号公報 特開２００５−２６８０２４号公報

しかしながら、特許文献１や特許文献２に記載された補助配線は、いずれも共通画素電極と平面上で接触させるため、画素部の領域内で一定の面積を占めるようになる。そのため、画素として使用できる面積が縮小されてしまい、開口率が低下することが問題となる。

画素の高精細化を図ろうとすると画素ピッチを縮小し、単位面積当たりの画素数を増大させる必要がある。このときバンク上に補助配線を設けるには微細加工が必要であり、補助配線を微細化できたとしても共通画素電極と接触させる面積を確保することが困難となる。

そこで本発明は、共通画素電極の抵抗が表示品質に影響するのを防ぐために補助配線を設けつつも、画素の高精細化に適用可能な構成を提供することを目的とする。

本発明の一実施形態によれば、複数の画素が配列する画素部において、画素ごとに設けられた個別画素電極と、複数の画素の間に設けられ、個別画素電極の周縁部を覆うバンクと、バンク上に設けられた補助配線と、個別画素電極、バンク及び補助配線の上面側に設けられた有機エレクトロルミネセンス層と、複数の画素に跨がって、有機エレクトロルミネセンス層の上面側に設けられた共通画素電極と、を備え、バンクは、個別画素電極と接する第１のバンクと、第１のバンク上において段差部を形成する第２のバンクとを有し、補助配線は前記第２のバンク上に設けられ、段差部において有機エレクトロルミネセンス層が分断され、共通画素電極が補助配線の側面部で電気的に接続されている有機ＥＬ表示装置が提供される。

この有機ＥＬ表示装置において、第１のバンクの側面部は、個別画素電極と重なる端部から内側に向けて膜厚が増加する傾斜面を有し、第２のバンクによる段差部は傾斜面の角度よりも急峻な角度で立設されていてもよい。

本発明の一実施形態によれば、複数の画素が配列する画素部において、画素ごとに設けられた個別画素電極と、複数の画素の間に設けられ、個別画素電極の周縁部を覆うバンクと、バンク上に設けられた補助配線と、個別画素電極、バンク及び補助配線の上面側に設けられた有機エレクトロルミネセンス層と、複数の画素に跨がって、有機エレクトロルミネセンス層の上面側に設けられた共通画素電極と、を備え、補助配線は、バンクの上面に端部が位置することにより段差部を形成し、段差部において有機エレクトロルミネセンス層が分断され、共通画素電極が補助配線の側面部で電気的に接続されている有機ＥＬ表示装置が提供される。

この有機ＥＬ表示装置において、バンクは、個別画素電極と接する第１のバンクと、第１のバンク上において段差部より内側に端部が位置する第２のバンクを有し、第２のバンクは補助配線の下層側に設けられていてもよい。また、第２のバンクは傾斜面を有し、前記補助配線が少なくとも前記傾斜面に沿って設けられていることにより反射面を形成するように設けられていてもよい。

本発明の一実施形態によれば、複数の画素が配列する画素部において、画素ごとに設けられた個別画素電極と、複数の画素の間に設けられ、個別画素電極の周縁部を覆うバンクと、バンク上に設けられた補助配線と、個別画素電極、バンク及び補助配線の上面側に設けられた有機エレクトロルミネセンス層と、複数の画素に跨がって、有機エレクトロルミネセンス層の上面側に設けられた共通画素電極と、を備え、バンクは、個別画素電極上で段差部を形成し、段差部において有機エレクトロルミネセンス層が分断され、共通画素電極が補助配線の側面部で電気的に接続されている有機ＥＬ表示装置が提供される。

この有機ＥＬ表示装置において、バンクは、個別画素電極と接する第１のバンクと、第１のバンク上において前記段差部より内側に端部が位置する第２のバンクを有し、第１のバンクによって前記段差部が形成され、第２のバンクは、補助配線の下層側に設けられていてもよい。また、第２のバンクは傾斜面を有し、補助配線が少なくとも傾斜面に沿って設けられていることにより反射面を形成するように設けられていてもよい。

上記の有機ＥＬ表示装置において、第２のバンクの端部は、第１のバンクの端部よりも内側に位置していてもよい。第２のバンクの高さは有機エレクトロルミネセンス層の膜厚よりも大きいことが好ましい。有機エレクトロルミネセンス層は正孔注入層、発光層及び電子注入層を含む場合において、第２のバンクの高さが正孔注入層及び発光層の合計膜厚よりも大きいことが好ましい。

本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示す図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素部の構成を示す図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素の断面構造を示す図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素における共通画素電極と補助配線の接続を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素部の製造方法を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素の断面構造を示す図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素における共通画素電極と補助配線の接続を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素の断面構造を示す図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素における共通画素電極と補助配線の接続を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素部の製造方法を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素の断面構造を示す図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素における共通画素電極と補助配線の接続を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素の断面構造を示す図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素部の製造方法を説明する図である。

以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

本明細書において、ある部材又は領域が、他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく、他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。

［第１の実施形態］
＜有機ＥＬ表示装置について＞
図１は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００の構成を示す。有機ＥＬ表示装置１００は、基板１０２上に表示画面を形成する画素部１０４が設けられている。基板１０２上には、他の要素として画素部１０４に信号を入力する垂直走査回路１０６、水平回路１０８、ドライバＩＣ１１０等がさらに付加されていてもよい。

図２（Ａ）は、画素部１０４における画素１１４の配列と、画素１１４を囲むバンク１１６、およびバンク１１６上に設けられる補助配線１２０を示す。画素部１０４には複数の画素１１４が配列している。図２では画素１１４がストライプ配列された画素部１０４の例を示すが、画素１１４の配列はデルタ配列やベイヤー配列、若しくはペンタイル構造を実現する配列であってもよい。

画素１１４はバンク１１６と呼ばれる隔壁で囲まれており、これにより隣接する画素と区画されている。補助配線１２０はバンク１１６の上面に設けられている。図２（Ａ）は、補助配線１２０が画素の配列に沿って一方向（例えば、Ｙ方向）に伸長するように設けられている形態を示す。図２（Ｂ）は補助配線１２０の他の形態を示し、当該一方向に加え、それと交差する方向（例えば、Ｘ方向）にも伸長するように設けられている他の一例を示す。図２（Ａ）及び（Ｂ）に示すいずれの場合であっても、補助配線１２０は画素部の略全体をカバーするように設けられている。

＜画素の構造＞
図２（Ａ）において示すＡ１−Ａ２線に沿った画素の断面構造を図３に示す。図３は、２つの画素１１４ａが隣接して配置する態様を示す。画素１１４ａには有機ＥＬ素子１１２が設けられている。有機ＥＬ素子１１２は、個別画素電極１２６とこれに対向して配置される共通画素電極１３０とで有機ＥＬ層１２８を挟んだ構造を有している。個別画素電極１２６は画素ごとに独立しており、それぞれトランジスタ等で構成される駆動素子１２５と接続される。

隣接する２つの画素の間には、バンク１１６ａが設けられている。バンク１１６ａは、端部が個別画素電極１２６の周縁部を覆うように設けられている。バンク１１６ａを断面構造で見ると、個別画素電極１２６と重なる端部から内側領域に向かって徐々に厚さが増加するような傾斜面（若しくは、テーパー部）を有している。バンク１１６ａには、この傾斜面を含む端部領域よりも内側の領域で、上面に突出する段差部１２１を有している。すなわち、バンク１１６ａは個別画素電極１２６と重なる端部領域から厚さが徐々に増加する第１の領域と、この第１の領域の上面部から厚さが急激に増加して段差部１２１を形成する第２の領域を含んでいる。本実施形態では、便宜上この第１の領域に相当する部分を第１のバンク１１７ａと呼び、第２の領域に相当する部分を第２のバンク１１８ａと呼ぶものとする。

バンク１１６ａの上部には補助配線１２０が設けられている。具体的には、補助配線１２０は第２のバンク１１８ａの上部に設けられている。補助配線１２０は導電性の高い金属材料で形成されていることが好ましく、例えばアルミニウムや銀等で形成されていることが好ましい。なお、補助配線１２０は、金属に限定されず、共通画素電極１３０の抵抗を見かけ上低減できるものであれば、金属材料に限定されず他に材料を用いてもよい。例えば、導電性の金属酸化物材料を用いて補助配線１２０を形成しても良い。導電性の金属酸化物材料としては、ＩＴＯ（酸化スズを添加した酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等、透明電極に用いられるものを適用することができる。金属酸化物材料で補助配線１２０を形成した場合でも、共通画素電極１３０よりも厚膜に形成すれば補助配線自体の抵抗は低減するので、共通画素電極１３０の面抵抗を低減することができる。

なお、バンク１１６ａは、個別画素電極１２６の端部で有機ＥＬ層１２８が十分に被覆されず、共通画素電極１３０と短絡するのを防ぎ、隣接する画素間を絶縁するものであるので、絶縁材料で形成されることが好ましい。例えば、バンク１１６ａを形成するには、ポリイミドやアクリル等の有機材料、若しくは酸化シリコン等の無機材料を用いることが好ましい。

本実施形態で示す有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子１１２で発光した光を共通画素電極１３０側に出射する、いわゆるトップエミッション型の構造を有している。個別画素電極１２６は、有機ＥＬ層１２８で発光した光を、共通画素電極１３０側に反射するため、反射率の高い金属膜で形成されていることが好ましい。或いは、個別画素電極１２６を金属膜と透明導電膜との積層構造とし、光反射面が含まれる構造としてもよい。一方、共通画素電極１３０は、有機ＥＬ層１２８で発光した光を透過させるため、透光性を有しかつ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。または、共通画素電極１３０として、出射光が透過できる程度の膜厚で金属層を形成しても良い。なお、図示はされていないが、共通画素電極１３０の上部に保護膜を設けておくことが好ましい。保護膜は水分の浸入を遮断できる絶縁膜であればよく、例えば窒化シリコン膜等を用いることができる。

有機ＥＬ層１２８は、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、有機ＥＬ層１２８は発光性の有機材料を含む発光層に加え、当該発光層を挟むように正孔注入層や電子注入層、さらに正孔輸送層や電子輸送層等含んで構成される。有機ＥＬ層１２８に含まれる発光層は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色を発光するものであってもよいし、いわゆる白色発光を呈するものであってもよい。

有機ＥＬ層１２８及び共通画素電極１３０は、個別画素電極１２６、バンク１１６ａ及び補助配線１２０が設けられた状態で、これらを覆うように形成される。有機ＥＬ層１２８は１００ｎｍ程度の厚さで形成されるものなので、バンク１１６ａにある段差部１２１、または段差部１２１に加え補助配線１２０を加えた差領域を覆うことができず分断されてしまう。別言すれば、有機ＥＬ層１２８は、個別画素電極１２６から第１のバンク１１７ａの上面及び補助配線１２０の上面を覆うように設けられるものの、段差部１２１で分断され補助配線１２０の側面部を十分に覆うことはできないものとなる。

なお、有機ＥＬ素子１１２における有機ＥＬ層１２８が、一つの発光層を含む発光ユニットを複数段縦積みにしたタンデム型の構造を有する場合、上下の発光ユニットの間に設けられる中間導電層が、隣接する画素と導通することが問題となる。しかし、段差部１２１により有機ＥＬ層１２８が分断されると、タンデム型の構造において特有に発生する中間導電層のリークを防止することができる。

一方、共通画素電極１３０は、有機ＥＬ層１２８よりも十分に厚く、バンク１１６ａにおける段差部１２１のみならず補助配線１２０の側面部を十分に覆うことのできる厚さに設けられる。共通画素電極１３０として、出射光が透過できる程度の膜厚を有する金属層を用いた場合には、さらにこの金属層に透明導電膜等を積層して、段差部１２１を覆うに十分な膜厚とすればよい。例えば、共通画素電極１３０の膜厚は、有機ＥＬ層１２８の１．５倍乃至５倍の厚さを有するようにすることが好ましく、段差部１２１の影響を受けずに補助配線１２０の側面部を覆うことができる。それにより、共通画素電極１３０は、少なくとも補助配線１２０とその側面部において接触し電気的な導通を得ることができる。例えば、有機ＥＬ層１２８の膜厚が１００ｎｍである場合、段差部１２１の高さは２００ｎｍ乃至１０００ｎｍとすればよい。

図３に示すような共通画素電極１３０と補助配線１２０との接続構造を製造方法の観点から説明すると、バンク１１６ａ及び補助配線１２０が設けられた被成膜面に対し、有機ＥＬ層１２８は比較的段差被覆性の悪い成膜法で形成し、共通画素電極１３０は段差被覆性の良い成膜法で形成されることが好ましい態様となる。例えば、有機ＥＬ層１２８を指向性のある成膜法で形成し、共通画素電極１３０を指向性が低く回り込みの良い成膜法で形成することが好ましい。具体例としては、有機ＥＬ層１２８を真空蒸着法で形成し、共通画素電極１３０を真空蒸着法に比べ段差部にまで被膜が回り込むスパッタリング法や気相成長法で形成することが好ましい。

また、積層順から見ると、補助配線１２０を形成した後に有機ＥＬ層１２８が形成されるため、補助配線１２０の上面部には有機ＥＬ層１２８が付着することになる。有機ＥＬ層１２８は比較的薄いものの抵抗率が高い層を含むため、この上に共通画素電極１３０が形成されても補助配線１２０と電気的な導通をとることができない。しかしながら、有機ＥＬ層１２８が段差部１２１によって分断され、補助配線１２０の側面部が露出していると、この部分で共通画素電極１３０と補助配線１２０とを電気的に接続することができる。別言すれば、複数の画素に跨がって共通画素電極１３０が形成されることにより、段差部１２１上で露出する補助配線１２０の側面部で、当該共通画素電極１３０は補助配線１２０と電気的に接続されることとなる。これにより、共通画素電極１３０は補助配線１２０によって実質的に面抵抗を低減することができ、表示不良を抑制することができる。

＜共通画素電極と補助配線との接続＞
本実施形態で示すように、第１のバンク１１７ａ上に第２のバンク１１８ａを設け、さらに第２のバンク１１８ａ上に補助配線１２０を設けた場合の構造模式図を図４に示す。第１のバンク１１７ａの上部には、第２のバンク１１８ａによって段差部１２１が設けられる。有機ＥＬ層１２８の膜厚が段差部１２１の高さよりも小さいとき、有機ＥＬ層１２８は段差部１２１を完全に被覆することは困難となる。

ここで、図４において、有機ＥＬ層１２８の膜厚をｄ１、第２のバンク１１８ａの高さをｄ２、有機ＥＬ層１２８と共通画素電極１３０の合計厚さをｄ３とする。また、有機ＥＬ層１２８に含まれる正孔注入層１３２、発光層１３３、電子注入層１３４の膜厚をそれぞれｄ_ＨＩＬ、ｄ_ＥＭ、ｄ_ＥＩＬとする。

第２のバンク１１８ａの高さｄ２が有機ＥＬ層１２８の膜厚ｄ１よりも大きく（ｄ１＜ｄ２）、有機ＥＬ層１２８の回り込みの影響がないものとすると、有機ＥＬ層１２８は補助配線１２０の側面部を埋め込むことは、ほぼ出来ない。一方、この条件を満たしつつ有機ＥＬ層１２８と、その上に設けられる共通画素電極１３０の合計膜厚が第２のバンク１１８ａの高さより厚い場合には、共通画素電極１３０が補助配線１２０の側面部で接触することが可能となる。

また、図４で示す場合において、有機ＥＬ層１２８の膜厚ｄ１が第２のバンク１１８ａの高さｄ２よりも大きい場合であっても、少なくとも抵抗が比較的高い正孔注入層１３２と発光層１３３の合計膜厚（ｄ_ＨＩＬ＋ｄ_ＥＭ）が、第２のバンク１１８ａの高さｄ２よりも小さい条件を満たしていれば（（ｄ_ＨＩＬ＋ｄ_ＥＭ）＜ｄ２）、補助配線１２０により共通画素電極１３０の抵抗を低減することが可能となる。この場合、補助配線１２０と電子注入層１３４とが接触し、電子注入層１３４の抵抗が十分低ければ、それを介して共通画素電極１３０が補助配線１２０と電気的に接続することが可能となる。

いずれの場合であっても、共通画素電極１３０は補助配線１２０の側面部で接続されることになるので、隣接する画素間の間隔が狭くなっても補助配線１２０の厚さが維持されていれば、接続部の面積が縮小することはない。よって、画素部の高精細化を図る場合でも、補助配線１２０により共通画素電極１３０の低抵抗化を図ることができる。

＜製造方法＞
図５（Ａ）乃至（Ｃ）を参照して、共通画素電極１３０を補助配線１２０に接続するための工程を説明する。

図５（Ａ）において、絶縁層１２４の上に個別画素電極１２６を形成し、その周縁部を覆うようにバンク１１６ａを形成する。バンク１１６ａはポリイミドやアクリル等の有機材料で形成することが好ましく、その他に酸化シリコン等の無機材料を用いて形成してもよい。バンク１１６ａは、第１のバンク１１７ａに相当する部分が、個別画素電極１２６と重なる端部から内側に向けて徐々に膜厚が増加するように形成することが好ましい。バンク１１６ａの上面部に設ける補助配線は、アルミニウムや銀等の金属材料で形成すればよく、この金属層の上下を挟むように、チタン、モリブデン、タングステン若しくはこれらから選ばれた金属の合金（例えば、モリブデン・タングステン合金）によって良好なオーミック接続をとるための層を設けてもよい。

図５（Ｂ）で示すように、補助配線１２０をエッチングにより形成するときに、補助配線１２０をマスクとしてバンク１１６ａの上面をエッチングして、段差部１２１を設ける。これにより、バンク１１６ａは厚さの異なる領域が含まれることになり、補助配線１２０の外側領域に第１のバンク１１７ａ、補助配線１２０と重なる領域に第２のバンク１１８ａを形成することができる。段差部１２１は、このようなエッチング加工に代えて、第１のバンク１１７ａを形成した後、その上面に第２のバンク１１８ａを形成、さらにバンク１１８ａ上に補助配線１２０を形成することで実現するようにしてもよい。

図５（Ｃ）は、有機ＥＬ層１２８、共通画素電極１３０を形成する段階を示す。図４を参照して説明したように、バンク１１６ａにおける段差部１２１の高さを有機ＥＬ層１２８の膜厚よりも高くすると、有機ＥＬ層１２８はこの段差部１２１を被覆することができず、補助配線１２０の側面部が露出する。この状態で補助配線１２０の側面部を被覆するように共通画素電極１３０を形成する。これにより共通画素電極１３０と補助配線１２０との電気的な接続を得ることができる。

本実施形態によれば、バンク１１６ａの上面部に段差部１２１を設け、当該段差部１２１に合わせて補助配線１２０を設け、共通画素電極１３０が補助配線１２０の側面部と電気的に接続することで、共通画素電極１３０の面抵抗を低減することができる。このため、有機ＥＬ表示装置で問題となるシェーディングを低減することができる。本実施形態では、共通画素電極１３０と補助配線１２０との接続部を当該補助配線１２０の側面部に設けることで、接続に必要な基板平面に対する投影面積を縮小することができる。すなわち、共通画素電極１３０が補助配線１２０の側面部で電気的に接続されることで、画素を高精細化して、画素の間隔（画素ピッチ）が狭くなった場合でも、十分な接触面積を確保することができる。

本実施形態では、有機ＥＬ層１２８を真空蒸着法で形成する場合に、段差被覆性が悪い特性を利用することで、自己整合的に共通画素電極１３０と補助配線１２０との電気的な接続構造を形成することを可能としている。この場合において、バンク１１６ａに段差部１２１を設けることにより、補助配線１２０の厚さを必要以上に厚くする必要がなく、画素部の高精細化に伴って補助配線１２０を微細化するときにも有利である。

本実施形態によれば、共通画素電極１３０をバンク１１６ａの上に設けた補助配線１２０の側面部と接続することで、当該共通画素電極１３０の面抵抗を低減することができる。それにより、有機ＥＬ表示装置の画質の劣化を抑制することができる。また、補助配線１２０を設けることにより、共通画素電極１３０の膜厚を薄くすることができるので透過率が向上し、有機ＥＬ素子１１２が発光した光の取り出し効率の向上を図ることができる。

［第２の実施形態］
＜画素の構造＞
図６は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素部における画素１１４ｂの構造を示す。画素１１４ｂにおけるバンク１１６ｂは、少なくとも個別画素電極１２６と重なる領域に傾斜部（テーパー部）を有する第１のバンク１１７ｂと、当該バンクよりも幅が狭い第２のバンク１１８ｂが設けられた構造を有している。

第２のバンク１１８ｂは、第１のバンク１１７ｂの上面部にあって側面が傾斜面となっていることが好ましい。補助配線１２０は、第２のバンク１１８ｂの一部（好ましくは側面部）又は全面を覆うように設けられている。有機ＥＬ層１２８は、第１のバンク１１７ｂ及び第２のバンク１１８ｂの上（補助配線１２０の上）に設けられるが、段差部１２２で分断される。

これは、補助配線１２０の膜厚が有機ＥＬ層１２８の膜厚よりも厚くなるように設けられているためであり、補助配線１２０により形成される段差部１２２で、有機ＥＬ層１２８は分断される。それにより、補助配線１２０の端部側面の少なくとも一部は、有機ＥＬ層１２８に覆われず露出することとなる。このような形態を得るために、補助配線１２０の膜厚は、有機ＥＬ層１２８の膜厚の２倍乃至１０倍程度の膜厚を有することが好ましい。例えば、有機ＥＬ層１２８の膜厚が１００ｎｍである場合、補助配線１２０の膜厚は２００ｎｍ乃至１０００ｎｍ、例えば５００ｎｍの膜厚を有するようにすればよい。

このような状態で有機ＥＬ層１２８の上面に、段差部１２２を覆うように共通画素電極１３０が設けられると、共通画素電極１３０は補助配線１２０の端部側面で接触する。その結果、共通画素電極１３０は補助配線１２０と電気的に接続されることになる。

なお、図６で示す断面構造は、図２で示すＡ１−Ａ２線に対応する構造を示すので、補助配線１２０は画素部の領域内において少なくとも一方向に伸長するように設けられている。また、図示はされていないが、共通画素電極１３０の上部に保護膜を設けておくことが好ましい。保護膜は水分の浸入を遮断できる絶縁膜であればよく、例えば窒化シリコン膜等を用いることができる。

本実施形態で示すように、補助配線１２０の膜厚を厚くして有機ＥＬ層１２８を分断する段差部１２２を設けることにより、補助配線１２０の端部側面を共通画素電極１３０との接続領域として用いることができる。共通画素電極１３０と補助配線１２０が電気的に接続されることにより、共通画素電極１３０の面抵抗を実質的に低減することが可能となる。

本実施形態において、第１のバンク１１７ｂの上部において第２のバンク１１８ｂが突出するように設けられていると、この構造を利用して有機ＥＬ素子１１２が発光した光の取り出し効率を高めることができる。

例えば、第２のバンク１１８ｂの側面を、図６で示すように光の出射方向に対して開く傾斜面とし、その傾斜面に沿って補助配線１２０を設けることで、当該傾斜面を光の反射面１３６とすることができる。この反射面１３６は、図６の中で、矢印で示すように有機ＥＬ素子１１２で発光した光のうち、斜め方向に出射される光をこの反射面１３６で反射させ、画素１１４ｂからの有効出射光として利用することができる。なお、補助配線１２０は、第１の実施形態で説明したように、アルミニウムや銀等の金属材料で形成されるものなので、反射面１３６は高反射を期待することができる。

画素１１４ｂから斜め横方向に出射した光が隣接する画素へ入射すると、色混合や輪郭ぼけとなって画質を劣化させる原因となる。これに対し、本実施形態のように、第２のバンク１１８ｂと補助配線１２０により画素１１４ｂに隣接して反射面１３６を設けることで、画質の劣化を抑制することができる。

＜共通画素電極と補助配線との接続＞
本実施形態で示す共通画素電極１３０と補助配線１２０との電気的な接続の態様を、図７を参照して説明する。

本実施形態では、第１のバンク１１７ｂの上面部に補助配線１２０の端部側面が位置している。この補助配線１２０の端部側面が段差部１２２となる。有機ＥＬ層１２８の膜厚が段差部１２２の高さよりも小さいとき、有機ＥＬ層１２８は段差部１２２を完全に被覆することができないため、補助配線１２０の端部側面は少なくとも一部が露出する。

有機ＥＬ層１２８の上面に設けられる共通画素電極１３０は、補助配線１２０による段差部１２２も埋設されるように設けられる。その結果、共通画素電極１３０は段差部１２２により、補助配線１２０の端部側面で電気的に接続される。

図７において、有機ＥＬ層１２８の膜厚をｄ１、補助配線１２０の厚さをｄ４、有機ＥＬ層１２８と共通画素電極１３０の合計膜厚をｄ３とする。また、有機ＥＬ層１２８に含まれる正孔注入層１３２、発光層１３３、電子注入層１３４の膜厚をそれぞれｄ_ＨＩＬ、ｄ_ＥＭ、ｄ_ＥＩＬとする。

このとき、補助配線１２０の厚さｄ４が有機ＥＬ層１２８の厚さｄ１よりも高く（ｄ１＜ｄ４）、有機ＥＬ層１２８の回り込みの影響がないものとすると、有機ＥＬ層１２８は補助配線１２０による段差部１２２を埋め込むことはできない。一方、この条件を満たしつつ有機ＥＬ層１２８と、その上に設けられる共通画素電極１３０の合計膜厚が第２のバンク１１８ｂの高さより厚い場合には、共通画素電極１３０が補助配線１２０の端部側面で接触するものとなる。

また、図７で示す場合において、有機ＥＬ層１２８の膜厚ｄ１が補助配線１２０の膜厚ｄ４よりも大きい場合であっても、少なくとも抵抗が比較的高い正孔注入層１３２と発光層１３３の合計膜厚（ｄ_ＨＩＬ＋ｄ_ＥＭ）が、補助配線１２０の膜厚ｄ４よりも小さい条件を満たしていればよい（（ｄ_ＨＩＬ＋ｄ_ＥＭ）＜ｄ４）。この場合、補助配線１２０と電子注入層１３４とが接触する。電子注入層１３４の抵抗が十分低ければ、電子注入層１３４を介して共通画素電極１３０が補助配線１２０と電気的に接続されることとなる。

本実施形態によれば、第１のバンク１１７ｂの上面部に補助配線１２０によって段差部１２２を形成することで、共通画素電極１３０と補助配線１２０とを電気的に接続することができる。それにより、共通画素電極１３０の面抵抗を低下させることができる。そして、有機ＥＬ表示装置で問題となるシェーディングを低減することができる。

さらに、第１のバンク１１７ｂの上部に第２のバンク１１８ｂを設け、この第２のバンク１１８ｂの側面に沿って補助配線１２０を設けることで、この側面部を反射面１３６として用いることができる。すなわち、画素１１４において有機ＥＬ素子１１２が発光した光のうち斜め出射光をこの反射面１３６で反射させることで、光の取り出し効率を高めることができる。また、第２のバンク１１８ｂと補助配線１２０により画素１１４に隣接して反射面１３６を設けることにより、隣接画素への光漏れを防ぐことができるので、画質の劣化を抑制することができる。また、補助配線１２０を設けることにより、共通画素電極１３０の膜厚を薄くすることができるので透過率が向上し、有機ＥＬ素子１１２が発光した光の取り出し効率の向上を図ることができる。

［第３の実施形態］
＜画素の構造＞
図８は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素部における画素１１４ｃの構造を示す。画素１１４ｃは、画素間に有機ＥＬ素子１１２の個別画素電極１２６の周縁部を覆うバンク１１６ｃを有している。補助配線１２０はバンク１１６ｃの略全面に設けられている。バンク１１６ｃの端部は、個別画素電極１２６の上面部に位置することで段差部１２３を形成する。有機ＥＬ層１２８は、個別画素電極１２６及び補助配線１２０上に設けられるが、段差部１２３によりこの部分で分断されている。共通画素電極１３０は、この段差部１２３を覆うように設けられており、補助配線１２０の側面端部と接触することにより、電気的に接続されている。

有機ＥＬ層１２８が段差部１２３を完全に覆わないようにするには、段差部１２３の高さを有機ＥＬ層１２８の膜厚の２倍乃至１０倍の高さとなるようにすることが好ましい。バンク１１６ｃの端部と補助配線１２０の端部とは略一致していることが好ましく、段差部１２３の上で補助配線１２０の厚さが加味されることにより、有機ＥＬ層１２８をこの部分で確実に分断することができる。別の見方をすれば、段差部１２３がバンク１１６ｃと補助配線１２０によって形成されるものとみなせば、バンク１１６ｃの厚さを必要以上に厚くする必要はなく、材料コストの削減、並びに封止基板を設ける際に狭ギャップ化を図ることができる。なお、図示はされていないが、共通画素電極１３０の上部に保護膜を設けておくことが好ましい。保護膜は水分の浸入を遮断できる絶縁膜であればよく、例えば窒化シリコン膜等を用いることができる。

このように、バンク１１６ｃにより形成される段差部１２３によって、有機ＥＬ層１２８がこの段差部を覆わないようにすることで、補助配線１２０と共通画素電極１３０との導通をとることができる。

＜共通画素電極と補助配線との接続＞
図９に、本実施形態における共通画素電極１３０と補助配線１２０との接続を説明する概念図を示す。図９は、個別画素電極１２６の上に有機ＥＬ層１２８とバンク１１６ｃが設けられている態様を示す。バンク１１６ｃの上部には補助配線１２０が設けられており、好ましい態様として両者の端部が略一致している。バンク１１６ｃによる段差部１２３の高さが、有機ＥＬ層１２８の膜厚よりも大きいとき、有機ＥＬ層１２８は段差部１２３を被覆しないため、補助配線１２０の側面端部は有機ＥＬ層１２８で覆われない構造となる。

図９において、有機ＥＬ層１２８の膜厚をｄ１、バンク１１６ｃの高さをｄ５、有機ＥＬ層１２８と共通画素電極１３０の合計厚さをｄ３とする。また、有機ＥＬ層１２８に含まれる正孔注入層１３２、発光層１３３、電子注入層１３４の膜厚をそれぞれｄ_ＨＩＬ、ｄ_ＥＭ、ｄ_ＥＩＬとする。

バンク１１６ｃの高さｄ５が有機ＥＬ層１２８の厚さｄ１よりも高く（ｄ１＜ｄ５）、段差部１２３において有機ＥＬ層１２８が分断されていると、有機ＥＬ層１２８は補助配線１２０の側面端部を完全に覆うことはできない。一方、この条件を満たしつつ有機ＥＬ層１２８と、その上に設けられる補助配線１２０の合計膜厚がバンク１１６ｃの高さｄ５より厚い場合には、共通画素電極１３０が補助配線１２０の側面端部で接触する。

また、仮に有機ＥＬ層１２８の膜厚ｄ１がバンク１１６ｃの高さｄ５よりも大きい場合であっても、少なくとも抵抗が比較的高い正孔注入層１３２と発光層１３３の合計膜厚（ｄ_ＨＩＬ＋ｄ_ＥＭ）がバンク１１６ｃの高さｄ５よりも小さい条件を満たしていればよい（（ｄ_ＨＩＬ＋ｄ_ＥＭ）＜ｄ５）。抵抗率が比較的小さい電子注入層１３４が補助配線１２０と接触していれば、電子注入層１３４を介して共通画素電極１３０が補助配線１２０と電気的に接続されることとなる。

バンク１１６ｃによる段差部１２３が有機ＥＬ層１２８で覆われず、補助配線１２０の少なくとも一部の側面部を露出させるには、段差部１２３が有機ＥＬ層１２８の膜厚に対して、概略２倍乃至１０倍の高さを有するようにすることが好ましい。
＜製造方法＞
図１０（Ａ）乃至（Ｃ）を参照して本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する。

図１０（Ａ）で示すように、個別画素電極１２６を埋設するようにバンクを形成するための絶縁膜１３８を形成する。絶縁膜１３８上には補助配線を形成するための金属膜１４０を形成する。

図１０（Ｂ）で示すように、金属膜１４０をエッチングして補助配線１２０を形成する。金属膜１４０の加工はフォトリソグラフィー工程によって行うことができる。このとき、金属膜１４０に対するエッチングのマスクパターン、または作製された補助配線１２０を用いてバンク１１６ｃを形成することができる。バンク１１６ｃの端部が個別画素電極１２６の上面に位置し、この部分に段差部１２３が形成される。上記のように、補助配線１２０のエッチングマスク又は補助配線１２０を用いて絶縁膜１３８をエッチングすれば、補助配線１２０とバンク１１６ｃの端部を略一致させることができる。段差部１２３の高さは、絶縁膜１３８の膜厚と等しくなる。段差部１２３の高さは前述のように有機ＥＬ層１２８の膜厚に対して２倍乃至１０倍となるように形成することが好ましい。

図１０（Ｃ）で示すように、個別画素電極１２６及び段差部１２３を覆うように有機ＥＬ層１２８と共通画素電極１３０を形成する。有機ＥＬ層１２８は、段差部１２３の高さが有機ＥＬ層１２８の膜厚以上であるため分断される。このため補助配線１２０の側面端部は有機ＥＬ層１２８で被覆されず、少なくとも一部は露出する。この状態で共通画素電極１３０を、段差部１２３が埋設されるように形成する。補助配線１２０の側面端部の少なくとも一部が露出していることにより、共通画素電極１３０と補助配線１２０とが電気的に接続する構造を形成することができる。

なお、段差部１２３は、バンク１１６ｃと補助配線１２０の両者によって形成されるものとみなすこともでき、かかる場合段差部１２３について必要な高さを得るためにはバンク１１６ｃと補助配線１２０の双方の膜厚を考慮すればよい。すなわち、バンク１１６ｃと補助配線１２０の一方の膜厚のみを厚くする必要がなく、画素部の微細化を図る上でもメリットがある。また、補助配線１２０とバンク１１６ｃを同じマスクプロセスで作製することができるので工程の簡略化を図ることができる。

＜変形例＞
図１１は、バンク１１６ｃの高さが、有機ＥＬ層１２８と共通画素電極１３０の合計膜厚よりも高い場合の一例を示す。段差部１２３の高さが有機ＥＬ層１２８と共通画素電極１３０の合計膜厚を超える場合であっても、バンク１１６ｃと補助配線１２０の形態を工夫することで、共通画素電極１３０と補助配線１２０の電気的な接続を図ることができる。

この場合、バンク１１６ｃのエッチング加工時に、オーバーエッチングをして補助配線１２０の下面が露出するように加工する。そして、共通画素電極１３０が補助配線１２０の下面部に回り込むように形成する。例えば、スパッタリング法、気相成長法又は斜め蒸着法によって、バンク１１６ｃがオーバーエッチングされたことにより露出された補助配線１２０の下面部に共通画素電極１３０が回り込むように形成する。

このような接続構造を、図１２を参照して説明する。バンク１１６ｃの膜厚ｄ５は、有機ＥＬ層１２８の膜厚と共通画素電極１３０の合計膜厚ｄ３よりも大きい（ｄ５＞ｄ３）。補助配線１２０は、端部がバンク１１６ｃの外側に突出するように設けられている。すなわち、バンク１１６ｃの上部において補助配線１２０は端部側面のみならず下面部の一部が露出した構造を有している。

共通画素電極１３０が段差部１２３によって分断されてしまう場合でも、バンク１１６ｃの側壁に沿うようにして補助配線１２０の下面部と接触させる。これにより共通画素電極１３０と補助配線１２０との電気的な接続を形成することができる。

本実施形態によれば、バンク１１６ｃにより形成される段差部１２３を用いて、補助配線１２０と共通画素電極１３０とを電気的に接続することができる。それにより、共通画素電極１３０の面抵抗を低下させることができ、有機ＥＬ表示装置で問題となるシェーディングを低減することができる。バンク１１６ｃによる段差部１２３を用いることで、補助配線１２０の膜厚を必要以上に厚くする必要はない。別言すれば、バンク１１６ｃの上に略端部が一致するように補助配線１２０を設けることで、バンク１１６ｃの膜厚を必要以上に厚くする必要はない。

製造上の利点としては、バンク１１６ｃを補助配線１２０のパターンを用いて形成することができるので、工程の簡略化を図ることができる。

［第４の実施形態］
＜画素の構造＞
図１３は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の画素部の構造を示す。図１３は隣接する画素の間にバンク１１６ｄが設けられている。バンク１１６ｄの上部には補助配線１２０が設けられている。バンク１１６ｄは、第１のバンク１１７ｄと第２のバンク１１８ｄとを含んでいる。

第２のバンク１１８ｄは、第１のバンク１１７ｄの上部に設けられている。第２のバンク１１８ｄの側面は傾斜面となっていることが好ましい。補助配線１２０は、第２のバンク１１８ｄの一部（好ましくは側面部）又は全面を覆うように設けられている。有機ＥＬ層１２８は第１のバンク１１７ｄの傾斜部から上面部、および第２のバンク１１８ｄを覆う補助配線１２０の上に設けられる。

図１３で示す断面構造は、図２で示すＡ１−Ａ２線に対応する構造を示すので、補助配線１２０は画素部の領域内において少なくとも一方向に伸長するように設けられている。また、図示はされていないが、共通画素電極１３０の上部に保護膜を設けておくことが好ましい。保護膜は水分の浸入を遮断できる絶縁膜であればよく、例えば窒化シリコン膜等を用いることができる。

第１のバンク１１７ｄは個別画素電極１２６の周縁部を覆うように設けられている。第１のバンク１１７ｄの端部は、補助配線１２０の端部と略一致している。第１のバンク１１７ｄの高さは、有機ＥＬ層１２８の膜厚よりも大きくなるように設けられている。有機ＥＬ層１２８は個別画素電極１２６及び補助配線１２０の上に形成されるが、第１のバンク１１７ｄによる段差部１２３の影響で、この部分で分断されている。この段差部１２３によって有機ＥＬ層１２８が分断されることで、少なくとも補助配線１２０の側面端部は露出する。

有機ＥＬ層１２８の上部に設けされる共通画素電極１３０がこの段差部１２３を覆うように設けられていることで、共通画素電極１３０は補助配線１２０の側面部と接触し、電気的に接続される。

本実施形態において、第１のバンク１１７ｄの上部で第２のバンク１１８ｄが突出するように設けられている。この構造を利用して有機ＥＬ素子１１２が発光した光の取り出し効率を高めることができる。

例えば、第２のバンク１１８ｄを、図１３で示すように光の出射方向に対して開く傾斜面とし、その傾斜面に沿って補助配線１２０を設けることで、当該傾斜面を光の反射面１３６とすることができる。図１３の中の矢印で示すように、反射面１３６は有機ＥＬ素子１１２で発光した光のうち、斜め方向に出射される光を反射する。これにより、画素１１４ｄからの有効出射光として利用することができる。第１の実施形態で説明したように、補助配線１２０はアルミニウムや銀等の金属材料で形成されるので、反射面１３６の反射率はこの金属の反射率を有するものとなる。

画素から斜め横方向に出射した光が隣接する画素へ入射すると、色混合や輪郭ぼけとなって画質を劣化させる原因となる。これに対し、本実施形態のように、第２のバンク１１８ｂと補助配線１２０により画素１１４ｄに隣接して反射面１３６を設けることで、画質の劣化を抑制することができる。

＜製造方法＞
図１４（Ａ）乃至（Ｃ）を参照して本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する。

図１４（Ａ）で示すように、個別画素電極１２６を埋設するように絶縁膜１３８を形成する。この絶縁膜１３８の上に第２のバンク１１８ｄを形成し、さらに補助配線を形成する金属膜１４０を全面に形成する。絶縁膜１３８はポリイミドやアクリル等の有機材料又は酸化シリコン等の無機材料で形成する。第２のバンク１１８ｄも同様の材料で形成する。金属膜１４０は、アルミニウムや銀等の金属材料で形成すればよく、この金属膜の上下を挟むように、チタン、モリブデン、タングステン若しくはこれらから選ばれた金属の合金（例えば、モリブデン・タングステン合金）によって良好なオーミック接続をとるための層を設けてもよい。

図１４（Ｂ）で示すように、金属膜１４０をエッチングして補助配線１２０を形成する。金属膜１４０の加工はフォトリソグラフィー工程によって行うことができる。このとき、金属膜１４０に対するエッチングのマスクパターン、または作製された補助配線１２０のパターンを用いて第１のバンク１１７ｄを形成する。第１のバンク１１７ｄの端部が個別画素電極１２６の上面に位置し、この部分に段差部１２３が形成される。補助配線１２０と第１のバンク１１７ｄの端部は略一致させることができる。段差部１２３の高さは、絶縁層１２４の膜厚と等しいものとなるが、この高さは前述のように有機ＥＬ層１２８の膜厚に対して２倍乃至１０倍の高さとなるようにすることが好ましい。

図１４（Ｃ）で示すように、個別画素電極１２６及び段差部１２３を覆うように有機ＥＬ層１２８と共通画素電極１３０を形成する。有機ＥＬ層１２８は、段差部１２３の高さが有機ＥＬ層１２８の膜厚以上であるため、段差部１２３で分断される。このため補助配線１２０の側面端部は有機ＥＬ層１２８で被覆されず、少なくとも一部は露出する。この状態で共通画素電極１３０を、段差部１２３を埋設するように形成する。補助配線１２０の側面端部の少なくとも一部が露出していることにより、共通画素電極１３０と補助配線１２０とが電気的に接続する構造を形成することができる。この場合において、バンク１１６ｄに段差部１２３を設けることにより、補助配線１２０の厚さを必要以上に厚くする必要がないため、補助配線１２０の微細化にも有利である。

本実施形態によれば、第１のバンク１１７ｄにより形成される段差を利用しても補助配線１２０と共通画素電極１３０とを電気的に接続することができる。第１のバンク１１７ｄによる段差を用いることで、補助配線１２０の膜厚を必要以上に厚くする必要はない。

そして、第１のバンク１１７ｄによって段差部１２３を設けることで、共通画素電極１３０と補助配線１２０とを電気的に接続することができる。共通画素電極１３０が透明導電膜材料で形成されるとき、補助配線１２０によって面抵抗を低下させることができる。それにより、有機ＥＬ表示装置で問題となるシェーディングを低減することができる。

第１のバンク１１７ｄの上部に第２のバンク１１８ｄを設け、この第２のバンク１１８ｄの側面に沿って補助配線１２０を設けることで、この側面部を反射面１３６として用いることができる。すなわち、画素１１４ｄにおいて有機ＥＬ素子１１２の発光のうち斜め出射光を、この反射面１３６で反射させることで、光の取り出し効率を高めることができる。第２のバンク１１８ｄと補助配線１２０により画素１１４ｄに隣接して反射面１３６を設けることにより、隣接画素への光漏れを防ぐことができるので、画質の劣化を抑制することができる。また、補助配線１２０を設けることにより、共通画素電極１３０の膜厚を薄くすることができるので透過率が向上し、有機ＥＬ素子１１２が発光した光の取り出し効率の向上を図ることができる。

１００・・・有機ＥＬ表示装置、１０２・・・基板、１０４・・・画素部、１０６・・・垂直走査回路、１０８・・・水平回路、１１０・・・ドライバＩＣ、１１２・・・有機ＥＬ素子、１１４・・・画素、１１６・・・バンク、１１７・・・第１のバンク、１１８・・・第２のバンク、１２０・・・補助配線、１２１・・・段差部、１２２・・・段差部、１２３・・・段差部、１２４・・・絶縁層、１２５・・・駆動素子、１２６・・・個別画素電極、１２８・・・有機ＥＬ層、１３０・・・共通画素電極、１３２・・・正孔注入層、１３３・・・発光層、１３４・・・電子注入層、１３６・・・反射面、１３８・・・絶縁膜、１４０・・・金属膜。

Claims (15)

1. 複数の画素が配列する画素部において、前記画素ごとに設けられた個別画素電極と、
   前記複数の画素の間に設けられ、前記個別画素電極の周縁部を覆うバンクと、
   前記バンク上に設けられた補助配線と、
   前記個別画素電極、前記バンク及び前記補助配線の上面側に設けられた有機エレクトロルミネセンス層と、
   前記複数の画素に跨がって、前記有機エレクトロルミネセンス層の上面側に設けられた共通画素電極と、を備え、
   前記バンクは、前記個別画素電極と接する第１のバンクと、前記第１のバンク上において段差部を形成する第２のバンクとを有し、
   前記補助配線は前記第２のバンク上に設けられ、
   前記段差部において前記有機エレクトロルミネセンス層が分断され、前記共通画素電極が前記補助配線の側面部で電気的に接続されていることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置。
2. 前記第２のバンクの端部は、前記第１のバンクの端部よりも内側に位置していることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
3. 前記第２のバンクの高さが前記有機エレクトロルミネセンス層の膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
4. 前記有機エレクトロルミネセンス層は正孔注入層、発光層及び電子注入層を含み、前記第２のバンクの高さが前記正孔注入層及び前記発光層の合計膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
5. 前記第１のバンクの側面部は、前記個別画素電極と重なる端部から内側に向けて膜厚が増加する傾斜面を有し、前記第２のバンクによる前記段差部は前記傾斜面の角度よりも急峻な角度で立設されていることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
6. 複数の画素が配列する画素部において、前記画素ごとに設けられた個別画素電極と、
   前記複数の画素の間に設けられ、前記個別画素電極の周縁部を覆うバンクと、
   前記バンク上に設けられた補助配線と、
   前記個別画素電極、前記バンク及び前記補助配線の上面側に設けられた有機エレクトロルミネセンス層と、
   前記複数の画素に跨がって、前記有機エレクトロルミネセンス層の上面側に設けられた共通画素電極と、を備え、
   前記補助配線は、前記バンクの上面に端部が位置することにより段差部を形成し、
   前記段差部において前記有機エレクトロルミネセンス層が分断され、前記共通画素電極が前記補助配線の側面部で電気的に接続されていることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置。
7. 前記段差部の高さが前記有機エレクトロルミネセンス層の膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
8. 前記有機エレクトロルミネセンス層は正孔注入層、発光層及び電子注入層を含み、前記段差部の高さが前記正孔注入層及び前記発光層の合計膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
9. 前記バンクは、前記個別画素電極と接する第１のバンクと、前記第１のバンク上において前記段差部より内側に端部が位置する第２のバンクを有し、前記第２のバンクは、前記補助配線の下層側に設けられていることを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
10. 前記第２のバンクは傾斜面を有し、前記補助配線が少なくとも前記傾斜面に沿って設けられていることにより反射面を形成することを特徴とする請求項９に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
11. 複数の画素が配列する画素部において、前記画素ごとに設けられた個別画素電極と、
    前記複数の画素の間に設けられ、前記個別画素電極の周縁部を覆うバンクと、
    前記バンク上に設けられた補助配線と、
    前記個別画素電極、前記バンク及び前記補助配線の上面側に設けられた有機エレクトロルミネセンス層と、
    前記複数の画素に跨がって、前記有機エレクトロルミネセンス層の上面側に設けられた共通画素電極と、を備え、
    前記バンクは、前記個別画素電極上で段差部を形成し、
    前記段差部において前記有機エレクトロルミネセンス層が分断され、前記共通画素電極が前記補助配線の側面部で電気的に接続されていることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置。
12. 前記段差部の高さが前記有機エレクトロルミネセンス層の膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項１１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
13. 前記有機エレクトロルミネセンス層は正孔注入層、発光層及び電子注入層を含み、前記段差部の高さが前記正孔注入層及び前記発光層の合計膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項１１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
14. 前記バンクは、前記個別画素電極と接する第１のバンクと、前記第１のバンク上において前記段差部より内側に端部が位置する第２のバンクを有し、
    前記第１のバンクによって前記段差部が形成され、
    前記第２のバンクは、前記補助配線の下層側に設けられていることを特徴とする請求項１１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
15. 前記第２のバンクは傾斜面を有し、前記補助配線が少なくとも前記傾斜面に沿って設けられていることにより反射面を形成することを特徴とする請求項１４に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
    

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