JP2020057599A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光層の損傷を最小限に抑えることができる表示装置を提供する。【解決手段】第１サブ画素、第２サブ画素、および第３サブ画素を備えた基板、基板上で第１〜第３サブ画素にそれぞれ備えられた第１電極２００、第１電極２００間に備えられた第１バンク２４２、第１バンク２４２上に備えられ第１バンク２４２よりも小さい幅を有する第２バンク２４４、第１電極２００、第１バンク２４２および第２バンク２４４上に備えられた発光層３００、および発光層３００上に備えられた第２電極４００を含む。第２バンク２４４上に形成された発光層３００と第２バンク２４４が形成されない第１バンク２４２上に形成された発光層３００が離隔したことを特徴とする表示装置。【選択図】図３
Description
本発明は、映像を表示する表示装置に関するものである。
情報化社会が発展するにつれて、映像を表示するための表示装置への要求が様々な形で高まっている。これにより、最近では液晶表示装置（ＬＣＤ、Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ、Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）など複数の表示装置が活用されている。
表示装置の中で、有機発光表示装置は、自己発光型であって、液晶表示装置（ＬＣＤ）に比べて視野角、コントラスト比などに優れており、別途のバックライトを必要としないため軽量薄型が可能であり、消費電力において有利であるという長所がある。また、有機発光表示装置は、直流低電圧駆動が可能であり、応答速度が速く、特に製造コストが安価な長所がある。
このような有機発光表示装置は、フォト工程（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）を用いて、サブ画素ごとに発光層をパターン形成する。ここで、有機発光表示装置は、フォト工程で発光層が損傷され寿命および効率が低下するという問題が発生する。
本発明は、発光層の損傷を最小限に抑えることができる表示装置を提供することを技術的課題とする。
本発明の第１実施例に係る表示装置は、第１サブ画素、第２サブ画素、および第３サブ画素を備えた基板、基板上の第１〜第３サブ画素にそれぞれ備えられた第１電極、第１電極間に備えられた第１バンク、第１バンク上に備えられ、第１バンクよりも小さい幅を有する第２バンク、第１電極、第１バンクおよび第２バンク上に備えられた発光層、および発光層上に備えられた第２電極を含む。発光層は、第２バンク上に形成された発光層と第２バンクが形成されない第１バンク上に形成された発光層が離隔したことを特徴とする。
本発明の第２実施例に係る表示装置は、第１サブ画素、第２サブ画素、および第３サブ画素を含む複数の画素を備えた基板、基板上の第１〜第３サブ画素にそれぞれ備えられた第１電極、第１電極の間に備えられた第１バンク、第１バンク上に備えられた第２バンク、第１電極、第１バンクおよび第２バンク上に備えられた発光層、および発光層上に備えられた第２電極を含む。複数の画素のそれぞれに含まれた第１サブ画素、第２サブ画素、および第３サブ画素が互いに異なる形状を有することを特徴とする。
本発明によると、第１バンク上に第２バンクを形成することにより、第２バンク上に形成された発光層と第２バンクが形成されない第１バンク上に形成された発光層を断絶させることができる。これにより、本発明に係る表示装置は、フォト工程時、発光層の損傷を低減することができる。
また、本発明は、一つのサブ画素が、他のいずれかのサブ画素を囲む形状を有するように形成することにより、複数のフォト工程が進行される過程で、サブ画素のそれぞれに形成された発光層が露出する回数を減らすことができる。これにより、本発明に係る表示装置は、フォト工程時、発光層の損傷を最小限に抑えることができる。
上述した本発明の効果に以外に、本発明の他の特徴および利点は、以下に記述した内容および、そのような記述と説明から、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解され得るであろう。
本発明の利点と特徴、そしてそれらを達成する方法は添付の図と共に詳細に後述する実施例を参照すれば明確になるだろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施例に限定されるものではなく、異なる多様な形態で具現されるものであり、単に本実施例は本発明の開示が完全になるようにし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らしめるために提供するものであり、本発明は、請求項の範疇によって定義されるだけである。
本発明の実施例を説明するために図で開示した形状、大きさ、比率、角度、数などは例示的なものなので、本発明は、図に示した事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一参照符号は同一の構成要素を指すことができる。また、本発明を説明するにおいて、関連する公知技術に対する詳細な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断される場合、その詳細な説明は省略する。
構成要素を解釈するに当たり、別途の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むものと解釈する。
位置関係の説明である場合には、例えば、「〜の上に」、「〜の上部に」、「〜の下部に」、「〜の隣に」など２つの部分の位置関係が説明されている場合は、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り、二つの部分の間に一つ以上の他の部分が位置することもできる。
第１、第２などが多様な構成要素を記述するために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は、ただ一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下に記載されている第１の構成要素は、本発明の技術的思想内で第２の構成要素であることも可能である。
本発明の構成要素を説明するにあたって、第１、第２などの用語を使用することができる。これらの用語は、その構成要素を他の構成要素と区別するためのもので、その用語によって、その構成要素の本質、順序、順番または個数などが限定されない。一構成要素が他の構成要素に「連結」、「結合」または「接続」すると記載されている場合、その構成要素は、その他の構成要素に直接に連結したり、または接続することができるが、各構成要素の間に他の構成要素が「介在」したり、各構成要素が他の構成要素を介して、「連結」、「結合」または「接続」することができると理解されなければならない。
本発明のいくつかの例のそれぞれの特徴が、部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能で、技術的に多様な連動およびと駆動が可能であり、それぞれの例が互いに独立して実施可能であり得、関連した関係で一緒に実施することもできる。
以下では、本発明に係る表示装置の例を添付した図を参照して詳細に説明する。各図の構成要素に参照符号を付加するにおいて、同一の構成要素に対しては、たとえ他の図上に表示されていても、可能な限り同一の符号を有することができる。
第１実施例
図１は、本発明の一実施例に係る表示装置を概略的に示す斜視図であり、図２は、本発明の第１実施例に係るサブ画素を概略的に示す平面図であり、図３は、図２のＩ−Ｉの一例を示す断面図である。図４は図３のＡ領域の一例を示す拡大図であり、図５は、図３のＡ領域の他の例を示す拡大図であり、図６は、図３のＡ領域の別の例を示す拡大図ある。
図１は、本発明の一実施例に係る表示装置を概略的に示す斜視図であり、図２は、本発明の第１実施例に係るサブ画素を概略的に示す平面図であり、図３は、図２のＩ−Ｉの一例を示す断面図である。図４は図３のＡ領域の一例を示す拡大図であり、図５は、図３のＡ領域の他の例を示す拡大図であり、図６は、図３のＡ領域の別の例を示す拡大図ある。
図１、図２および図３を参照すると、本発明の一実施例に係る表示装置は、第１基板１００、駆動薄膜トランジスタ１１０、絶縁膜１２０、第１電極２００、バンク２４０、発光層３００、第２電極４００、封止膜５００および第２基板６００を含む。
第１基板１００は、ガラスまたはプラスチックからなり得るが、必ずしもそれに限定されるものではなく、シリコンウエハのような半導体物質からなることもできる。第１基板１００は、透明な材料からなることもでき、不透明な材料からなることもできる。第１基板１００上に第１サブ画素（ＳＰ１）、第２サブ画素（ＳＰ２）、および第３サブ画素（ＳＰ３）が備えられる。第１サブ画素（ＳＰ１）は、赤色光を放出し、第２サブ画素（ＳＰ２）は、緑色光を放出し、第３サブ画素（ＳＰ３）は、青色光を放出するように備えることができるが、必ずしもそれに限定されるのではない。第１基板１００上に白色（Ｗ）の光を発光する第４画素が備えられ得る。また、それぞれのサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）の配列順序は多様に変更することができる。
本発明の一実施例に係る表示装置は、発光した光が上部に向かって放出される、いわゆる上部発光（Ｔｏｐ ｅｍｉｓｉｓｏｎ）方式からなり、したがって、第１基板１００の材料としては、透明な材料だけでなく、不透明な材料を用いることができる。
第１基板１００上に各種の信号ライン、薄膜トランジスタ、およびコンデンサなどを含む回路素子がサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）別に形成される。前記信号ラインは、ゲートライン、データライン、電源ライン、および基準ラインを含んでなり得、前記薄膜トランジスタは、スイッチング薄膜トランジスタ、駆動薄膜トランジスタ１１０およびセンシング薄膜トランジスタを含んでなり得る。
前記スイッチング薄膜トランジスタは、前記ゲートラインに供給されるゲート信号によってスイッチングされ、前記データラインから供給されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスタに供給する役割をする。
駆動薄膜トランジスタ１１０は、前記スイッチング薄膜トランジスタから供給されるデータ電圧によってスイッチングされ、前記電源ラインから供給される電源からのデータ電流を生成して、第１電極２１０、２２０、２３０に供給する役割をする。
前記センシング薄膜トランジスタは、画質劣化の原因となる前記駆動薄膜トランジスタの閾値電圧の偏差をセンシングする役割をするものであり、前記ゲートラインまたは別途のセンシングラインから供給されるセンシング制御信号に応答して前記駆動薄膜トランジスタの電流を前記基準ラインに供給する。
前記コンデンサは、駆動薄膜トランジスタ１１０に供給されるデータ電圧を一フレームの間維持させる役割をするもので、駆動薄膜トランジスタ１１０のゲート端子とソース端子にそれぞれ接続する。
絶縁膜１２０は、駆動薄膜トランジスタ１１０を含む回路素子上に形成される。絶縁膜１２０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはそれらの多重膜で形成することができる。
絶縁膜１２０には、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）ごとにコンタクトホール（ＣＨ）が備えられており、コンタクトホール（ＣＨ）を介して駆動薄膜トランジスタ１１０のソース端子またはドレイン端子が露出する。コンタクトホール（ＣＨ）は、図に示したように、バンク２４０とオーバーラップする非発光領域に備えることができるが、必ずしもそれに限定されるものではなくバンク２４０とオーバーラップしない発光領域に備えられ得る。
第１電極２００は、絶縁膜１２０上でサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）ごとにパターン形成される。第１サブ画素（ＳＰ１）に一つの第１電極２１０が形成され、第２サブ画素（ＳＰ２）に、もう一つの第１電極２２０が形成され、第３サブ画素（ＳＰ３）に、またもう一つの第１電極２３０が形成される。
第１電極２１０、２２０、２３０は、駆動薄膜トランジスタ１１０と接続する。詳細には、第１電極２１０、２２０、２３０は、絶縁膜１２０に備えられたコンタクトホール（ＣＨ）を介して駆動薄膜トランジスタ１１０のソース端子またはドレイン端子と接続する。
このような第１電極２１０、２２０、２３０は、銀（Ａｇ）のように反射率の高い金属物質で形成することができ、アルミニウムとチタンの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、ＡＰＣ合金、およびＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）のような反射率の高い金属物質を含んで形成することもできる。ＡＰＣ合金は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｂ）、および銅（Ｃｕ）の合金である。
発光層３００は、第１電極２１０、２２０、２３０上に形成される。発光層３００は、バンク２４０上にも形成することができる。つまり、発光層３００は、それぞれのサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）およびそれらの間の境界領域にも形成される。
発光層３００は、正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、発光層（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、および電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を含むことができる。この場合、第１電極２１０、２２０、２３０と第２電極４００に電圧が印加されると正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を介して発光層に移動するようになり、発光層で互いに結合して発光することになる。
発光層３００は、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）ごとにパターン形成された第１発光層３１０、第２発光層３２０および第３発光層３３０を含む。第１サブ画素（ＳＰ１）に第１色の光を放出する第１発光層３１０がパターン形成され、第２サブ画素（ＳＰ２）に、第２色の光を放出する第２発光層３２０がパターン形成され、第３サブ画素（ＳＰ３）に第３色の光を放出する第３発光層３３０がパターン形成される。ここで、第１色の光は、赤色光であり、第２色の光は、緑色光であり、第３色の光は、青色光であり得るが、必ずしもそれに限定されるものではない。また、発光層３００は、第４サブ画素（未図示）に白色光を放出する第４発光層（未図示）をさらに含むことができる。
第２電極４００は、発光層３００上に形成される。第２電極４００は、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）に共通して形成される共通層であり得る。このような第２電極４００は、光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（ＴＣＯ，Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）、またはマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、またはマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金のような半透過金属物質（Ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）で形成することができる。
バンク２４０は、絶縁膜１２０上に形成される。バンク２４０は、複数の画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間の境界にマトリックス構造で形成されて、複数の画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）それぞれに発光領域を定義する。つまり、それぞれのサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）にバンク２４０が形成されず、露出した第１電極２１０、２２０、２３０の露出領域が発光領域となる。
バンク２４０は、第１バンク２４２および第２バンク２４４を含む。
第１バンク２４２は、第１電極２１０、２２０、２３０間に形成される。ここで、第１バンク２４２は、第１電極２１０、２２０、２３０それぞれの端を覆うように形成される。これにより、第１電極２１０、２２０、２３０の端に電流が集中して発光効率が低下する問題を回避することができる。
このような第１バンク２４２は、無機物質、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはそれらの多重膜で形成することができるが、必ずしもこれに限定されない。第１バンク２４２は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）などの有機物質で形成することもできる。
ただし、第１バンク２４２は、製造工程中に損傷しないために無機膜で形成することが好ましい。詳細には、表示装置は、バンク２４０が形成された後、発光層３００が形成される。ここで、発光層３００は、フォト工程（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）を用いて、サブ画素ごとにパターン形成される。フォト工程は、シールド層を形成する工程、フォトレジストを塗布する工程、露光工程、現像工程、エッチング工程、除去工程を含む。このようなフォト工程が行われるとき、第１バンク２４２の一部が露出し得、露出した第１バンク２４２が破損し得る。本発明の一実施例に係る表示装置は、第１バンク２４２を無機物質で形成することにより、第１バンク２４２の損傷を最小限に抑えることができる。
第２バンク２４４は、第１バンク２４２上に形成される。本発明の一実施例に係る表示装置は、発光層３００を形成するためのフォト工程時、第２バンク２４４を用いて、発光層３１０、３２０、３３０の損傷を最小限に抑える。
より詳細には、第２バンク２４４は、発光層３１０、３２０、３３０が蒸着される第２バンク２４４上に形成される発光層３１０、３２０、３３０と第２バンク２４４が形成されない第１バンク２４２上に形成される発光層３１０、３２０、３３０が断絶し得るように、十分な高さを有する。例えば、第２バンク２４４の高さ（Ｈ）は、３０００Åと同じかそれ以上であり得る。
また、第２バンク２４４は、第１バンク２４２と接する下面と側面がなす角度（θ）が９０と同じか、それ以上であり得る。すなわち、第２バンク２４４は、直角のテーパー構造または逆テーパー構造を有することができる。
このような第２バンク２４４は、図２に示すように、第１サブ画素（ＳＰ１）、第２サブ画素（ＳＰ２）および第３サブ画素（ＳＰ３）のそれぞれを囲むように形成される。
本発明の一実施例に係る表示装置は、上述したように形成された第２バンク２４４により、第２バンク２４４上に形成された発光層３１０、３２０、３３０と第２バンク２４４が形成されない第１バンク２４２上に形成される発光層３１０、３２０、３３０が断絶し得る。
第１発光層３１０は、図４に示すように、第１電極２１０および第２電極４００の間に備えられて発光する発光領域を含む発光部３１０ａおよび第２バンク２４４上に備えられて発光しない第１非発光部３１０ｂを含むことができる。ここで、第１発光層３１０は、第２バンク２４４により発光部３１０ａと、第１非発光部３１０ｂが離隔して形成される。
第１発光層３１０を形成するための第１フォト工程は、第１発光層３１０が損傷することを防止するために、第１発光層３１０上にシールド層を塗布した後、フォトレジストを塗布することができる。このように、第１発光層３１０上にシールド層を塗布しても、第１発光層３１０の上面は、シールド層によって覆われるが、第１発光層３１０の側面、特に、第１非発光部３１０ｂの側面は露出するしかない。フォト工程が進むにつれて、露出した第１非発光部３１０ｂの側面は、破損し得る。本発明の一実施例に係る表示装置は、第１発光層３１０の発光部３１０ａと第１非発光部３１０ｂが離隔しているので、第１非発光部３１０ｂが破損しても、発光部３１０ａまで損傷が拡散し得ない。
一方、第１発光層３１０は、図５に示すように、第１電極２１０および第２電極４００の間に備えられて発光する発光領域を含む発光部３１０ａ、第２バンク２４４上に備えられて発光しない第１非発光部３１０ｂ、および第２バンク２４４が形成されない第１バンク２４２上に備えられて発光しない第２非発光部３１０ｃを含むこともできる。ここで、第１発光層３１０は、第２バンク２４４により発光部３１０ａと、第１非発光部３１０ｂの間、および第１非発光部３１０ｂと第２非発光部３１０ｃ間のいずれか一方が離隔して形成される。
フォト工程が行われるとき、第１発光層３１０は、第２非発光部３１０ｃの側面が露出し、露出した第２非発光部３１０ｃの側面が破損し得る。本発明の一実施例に係る表示装置は、第１発光層３１０の発光部３１０ａと第１非発光部３１０ｂの間、および第１非発光部３１０ｂと第２非発光部３１０ｃ間のいずれか一方が離隔して形成されているので、第２非発光部３１０ｃが破損しても、発光部３１０ａまで損傷が拡散し得ない。
結果的に、本発明の一実施例に係る表示装置は、フォト工程による第１発光層３１０の損傷を最小限に抑えることができる。
第２発光層３２０は、図４に示すように、第１電極２２０および第２電極４００の間に備えられて発光する発光領域を含む発光部３２０ａおよび第２バンク２４４上に備えられて発光しない第１非発光部３２０ｂを含むことができる。ここで、第２発光層３２０は、第２バンク２４４によって発光部３２０ａと、第１非発光部３２０ｂが離隔して形成される。
第２発光層３２０を形成するためのフォト工程は、第２発光層３２０が損傷することを防止するために、第２発光層３２０上にシールド層を塗布した後、フォトレジストを塗布することができる。このように、第２発光層３２０上にシールド層を塗布しても、第２発光層３２０の上面は、シールド層によって覆われるが、第２発光層３２０の側面は、特に、第１非発光部３２０ｂの側面は露出するしかない。フォト工程が進むにつれて、露出した第１非発光部３２０ｂの側面は、破損し得る。本発明の一実施例に係る表示装置は、第２発光層３２０の発光部３２０ａと第１非発光部３２０ｂが離隔して形成されているので、第１非発光部３２０ｂが破損しても、発光部３２０ａまで損傷が拡散し得ない。
一方、第２発光層３２０は、図５に示すように、第１電極２２０および第２電極４００の間に備えられて発光する発光領域を含む発光部３２０ａ、第２バンク２４４上に備えられて発光しない第１非発光部３２０ｂ、および第２バンク２４４が形成されない第１バンク２４２上に備えられて発光しない第２非発光部３２０ｃを含むこともできる。ここで、第２発光層３２０は、第２バンク２４４により発光部３２０ａと第１非発光部３２０ｂの間、および第１非発光部３２０ｂと第２非発光部３２０ｃの間のいずれか一方が離隔して形成される。
フォト工程が行われるとき、第２発光層３２０は、第２非発光部３２０ｃの側面が露出し、露出した第２非発光部３２０ｃの側面が破損し得る。本発明の一実施例に係る表示装置は、第２発光層３２０の発光部３２０ａと、第１非発光部３２０ｂの間、および第１非発光部３２０ｂと第２非発光部３２０ｃの間のいずれか一方が離隔して形成されているので、第２非発光部３２０ｃが破損しても、発光部３２０ａまで損傷が拡散し得ない。
結果的に、本発明の一実施例に係る表示装置は、フォト工程による第２発光層３２０の損傷を最小限に抑えることができる。
第３発光層３３０は、第１電極２１０および第２電極４００の間に備えられて発光する発光領域を含む発光部３３０ａおよび第２バンク２４４上に備えられて発光しない第１非発光部３３０ｂを含むことができる。ここで、第３発光層３３０は、第２バンク２４４により発光部３３０ａと第１非発光部３３０ｂが離隔して形成される。
第３発光層３３０を形成するためのフォト工程は、第３発光層３３０が損傷されることを防止するために、第３発光層３３０上にシールド層を塗布した後、フォトレジストを塗布することができる。このように、第３発光層３３０上にシールド層を塗布しても、第３発光層３３０の上面は、シールド層によって覆われるが、第３発光層３３０の側面、特に、第１非発光部３３０ｂの側面は露出するしかない。フォト工程が進むにつれて、露出した第１非発光部３３０ｂの側面は、破損し得る。本発明の一実施例に係る表示装置は、第３発光層３３０の発光部３３０ａと第１非発光部３３０ｂが離隔して形成されているので、第１非発光部３３０ｂが破損しても、発光部３３０ａまで損傷が拡散し得ない。結果的に、本発明の一実施例に係る表示装置は、フォト工程による第３発光層３３０の損傷を最小限に抑えることができる。
一方、第３発光層３３０は、第１電極２３０および第２電極４００の間に備えられて発光する発光領域を含む発光部３３０ａ、第２バンク２４４上に備えられて発光しない第１非発光部３３０ｂ、および第２バンク２４４が形成されない第１バンク２４２上に備えられて発光しない第２非発光部３３０ｃを含むこともできる。ここで、第３発光層３３０は、第２バンク２４４によって、発光部３３０ａと第１非発光部３３０ｂの間、および第１非発光部３３０ｂと第２非発光部３３０ｃの間のいずれか一方が離隔して形成される。
フォト工程が行われるとき、第３発光層３３０は、第２非発光部３３０ｃの側面が露出し、露出した第２非発光部３３０ｃの側面が破損し得る。本発明の一実施例に係る表示装置は、第３発光層３３０の発光部３３０ａと第１非発光部３３０ｂの間、および第１非発光部３３０ｂと第２非発光部３３０ｃの間のいずれか一方が離隔して形成されているので、第２非発光部３３０ｃが破損しても、発光部３３０ａまで損傷が拡散し得ない。
結果的に、本発明の一実施例に係る表示装置は、フォト工程による第３発光層３３０の損傷を最小限に抑えることができる。
本発明の一実施例に係る表示装置は、第２バンク２４４の幅（Ｗ２）を第１バンク２４２の幅（Ｗ１）より小さく形成することができる。第２バンク２４４が、小さな幅（Ｗ２）でパターン形成されているので、フォト工程でシールド層が第２バンク２４４を覆うようになる。シールド層は、第２バンク２４４により形成された位置に固定され、第１基板１００が移動しても押されたり移動し得ない。
このような第２バンク２４４は、金属物質または無機物質で形成することができる。第２バンク２４４を金属物質で形成する場合、現像工程、エッチング工程を含むフォト工程で第２バンク２４４の損傷を最小限に抑えることができる。ただし、金属物質は、十分な高さを有するように形成することが困難である。
一方、第２バンク２４４を無機物質、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはそれらの多重膜で形成する場合には、第２バンク２４４は、金属物質と比較して、比較的高い高さを有することができる。ただし、無機物質で形成された第２バンク２４４は、金属物質と比較してエッチング工程で、比較的多くの損傷が発生し得る。
上述した点に照らして、第２バンク２４４は、図６に示すように無機バンク２４４ａと金属バンク２４４ｂで形成することができる。無機バンク２４４ａは、第１バンク２４２上に備えられ、無機物質からなり得る。金属バンク２４４ｂは、無機バンク２４４ａ上に備えられ、金属物質からなり得る。金属バンク２４４ｂは、無機バンク２４４ａの上面はもちろん、側面にも形成することができる。このような第２バンク２４４は、無機バンク２４４ａによって十分な高さを有することができ、金属バンク２４４ｂによって損傷を最小限に抑えることができる。
封止膜５００は、第２電極４００を覆うように形成することができる。封止膜５００は、発光層３００と第２電極４００に酸素または水分が浸透することを防止する役割をする。このため、封止膜５００は、少なくとも一つの無機膜と少なくとも一つの有機膜を含むことができる。
詳細には、封止膜５００は、第１無機膜および有機膜を含むことができる。一実施例において、封止膜５００は、第２無機膜をさらに含むことができる。
第１無機膜は、第２電極４００を覆うように形成される。有機膜は、第１無機膜上に形成され、異物（ｐａｒｔｉｃｌｅｓ）が第１無機膜を突き抜けて発光層３００と第２電極４００に投入されることを防止するために十分な長さで形成することが好ましい。第２無機膜は、有機膜を覆うように形成される。
第１および第２無機膜のそれぞれは、シリコン窒化物、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはチタン酸化物で形成することができる。第１および第２無機膜は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法またはＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で蒸着することができるが、これらに限定されるものではない。
有機膜は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）またはポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）で形成することができる。有機膜は、有機物を使用する蒸着（ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、印刷（ｐｒｉｎｔｉｎｇ）、スリットコーティング（ｓｌｉｔ ｃｏａｔｉｎｇ）技法で形成することができるが、これらに限定されず、有機膜は、インクジェット（ｉｎｋ−ｊｅｔ）工程で形成することもできる。
第２基板６００は、プラスチックフィルム（ｐｌａｓｔｉｃ ｆｉｌｍ）またはガラス基板（ｇｌａｓｓ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）であり得る。第２基板６００は、透明な材料からなり得、不透明な材料からなることもある。
本発明の一実施例に係る表示装置は、発光した光が下部に向かって放出される、いわゆる下部発光（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式で形成することができる。このような場合、第２基板６００は、不透明な材料を用いることができる。一方、本発明の一実施例に係る表示装置は、発光した光が上部に向かって放出される、いわゆる上部発光（Ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式で形成することもできる。このような場合、第２基板６００は、透明な材料を用いることができる。
第２基板６００は、接着層（未図示）を用いて、封止膜５００が形成された第１基板１００と合着することができる。
第２実施例
図７は本発明の第２実施例に係るサブ画素を概略的に示す平面図であり、図８は、図７のＩＩ−ＩＩの一例を示す断面図である。図９は図８のＢ領域の一例を示す拡大図である。
図７は本発明の第２実施例に係るサブ画素を概略的に示す平面図であり、図８は、図７のＩＩ−ＩＩの一例を示す断面図である。図９は図８のＢ領域の一例を示す拡大図である。
図７、図８および図９を参照すると、本発明の第２実施例に係る表示装置は、第１基板１００、駆動薄膜トランジスタ１１０、絶縁膜１２０、第１電極２００、バンク２４０、発光層３００、第２電極４００、封止膜５００および第２基板６００を含む。
図７、図８および図９に示した第１基板１００、駆動薄膜トランジスタ１１０、絶縁膜１２０、第１電極２００、第２電極４００、封止膜５００および第２基板６００は、図１〜図５に示した第１基板１００、駆動薄膜トランジスタ１１０、絶縁膜１２０、第１電極２００、第２電極４００、封止膜５００および第２基板６００と実質的に同じなので、これに対する詳細な説明は省略する。
また、図７、図８および図９に示した表示装置は、第２バンク２４４が複数のバンクパターンで形成された点で、図１〜図５に示した第２バンク２４４と差がある。以下では、重複する説明を省略し、前記相違点を中心に説明する。
本発明の第２実施例に係るバンク２４０は、絶縁膜１２０上に形成される。バンク２４０は、複数の画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間の境界にマトリックス構造で形成され、複数の画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）それぞれに発光領域を定義する。つまり、それぞれのサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）でバンク２４０が形成されずに、露出した第１電極２１０、２２０、２３０の露出領域が発光領域となる。
バンク２４０は、第１バンク２４２および第２バンク２４４を含む。
第１バンク２４２は、第１電極２１０、２２０、２３０間に形成される。ここで、第１バンク２４２は、第１電極２１０、２２０、２３０それぞれの端を覆うように形成される。これにより、第１電極２１０、２２０、２３０の端に電流が集中して発光効率が低下する問題を回避することができる。
このような第１バンク２４２は、無機物質、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはそれらの多重膜で形成することができるが、必ずしもこれに限定されない。第１バンク２４２は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）などの有機物質で形成することもできる。
ただし、第１バンク２４２は、製造工程中に破損されないために無機膜で形成することが好ましい。詳細には、表示装置は、バンク２４０が形成された後、発光層３００が形成される。ここで、発光層３００は、フォト工程（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）を用いて、サブ画素ごとにパターン形成される。フォト工程は、シールド層を形成する工程、フォトレジストを塗布する工程、露光工程、現像工程、エッチング工程、除去工程を含む。このようなフォト工程が行われるとき、第１バンク２４２の一部が露出し得、露出した第１バンク２４２が破損し得る。本発明の一実施例に係る表示装置は、第１バンク２４２を無機物質で形成することにより、第１バンク２４２の損傷を最小限に抑えることができる。
第２バンク２４４は、第１バンク２４２上に形成される。本発明の第２実施例に係る表示装置は、第２バンク２４４が、隣接する２つのサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間に複数のバンクパターンで形成されていることを特徴とする。本発明の第２実施例に係る表示装置は、第２バンク２４４を複数のバンクパターンで形成することにより、発光層３００の損傷をより効果的に低減することができる。また、フォト工程では、シールド層が押されたり移動することをより効果的に防止することができる。
ただし、第１バンク２４２上に複数のバンクパターンを形成するために、第１バンク２４２は、幅（Ｗ１）が大きくなる。これにより、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）は、開口率が小さくなり得る。
一方、先に説明した本発明の一実施例に係る表示装置は、第２バンク２４４が、隣接する２つのサブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）間に一つのバンクパターンで形成される。第１バンク２４２上に一つのバンクパターンのみを形成するので、第１バンク２４２は、幅（Ｗ１）を第２バンク２４４の幅（Ｗ２）の分だけ減らすことができる。これにより、サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）は、開口率が大きくなり得る。
したがって、本発明の第２実施例に係る表示装置は、ＴＶのような大面積を有する製品に適用することが好ましい。一方、本発明の一実施例に係る表示装置は、ヘッドマウントディスプレイ（Ｈｅａｄ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｄｉｓｐｌａｙ，ＨＭＤ）のように超高解像度を必要とする製品に適用することが好ましい。
第２バンク２４４は、発光層３１０、３２０、３３０が蒸着される第２バンク２４４上に形成される発光層３１０、３２０、３３０と第２バンク２４４が形成されない第１バンク２４２上に形成される発光層３１０、３２０、３３０が断絶するように、十分な高さを有する。例えば、第２バンク２４４の高さ（Ｈ）は、３０００Åと同じか、それ以上であり得る。
また、第２バンク２４４は、第１バンク２４２と接する下面と側面がなす角度（θ）が９０と同じか、それ以上であり得る。すなわち、第２バンク２４４は、直角のテーパー構造または逆テーパー構造を有することができる。
このような第２バンク２４４は、図７に示すように、第１サブ画素（ＳＰ１）、第２サブ画素（ＳＰ２）および第３サブ画素（ＳＰ３）のそれぞれを囲むように形成される。
本発明の第２実施例に係る表示装置は、上述したように形成された第２バンク２４４により、第２バンク２４４上に形成された発光層３１０、３２０、３３０と第２バンク２４４が形成されない第１バンク２４２上に形成される発光層３１０、３２０、３３０が断絶し得る。
第１発光層３１０は、図９に示すように、第１電極２１０および第２電極４００の間に備えられて発光する発光領域を含む発光部３１０ａは、少なくとも一つのバンクパターン上に備えられて発光しない第１非発光部３１０ｂ、および第２バンク２４４が形成されない第１バンク２４２上に備えられて発光しない第２非発光部３１０ｃを含むこともできる。ここで、少なくとも一つのバンクパターンは、複数のバンクパターンの中で、第１サブ画素（ＳＰ１）に隣接して配置された少なくとも一つのバンクパターンを示す。
図８および図９には、隣接する第１サブ画素（ＳＰ１）と第２サブ画素（ＳＰ２）の間に２つのバンクパターンが形成されている例を示しているが、必ずしもこれに限定されない。隣接する第１サブ画素（ＳＰ１）と第２サブ画素（ＳＰ２）の間には、３つまたはそれ以上のバンクパターンを形成することもできる。このような場合、第１発光層３１０は、複数のバンクパターンのうち、第１サブ画素（ＳＰ１）に隣接して配置された少なくとも一つのバンクパターン上に形成することができる。
第１発光層３１０は、第２バンク２４４により発光部３１０ａと第１非発光部３１０ｂの間、および第１非発光部３１０ｂと第２非発光部３１０ｃの間のいずれか一方が離隔して形成される。
フォト工程が行われるとき、第１発光層３１０は、第２非発光部３１０ｃの側面が露出し、露出した第２非発光部３１０ｃの側面が破損し得る。本発明の第２実施例に係る表示装置は、第１発光層３１０の発光部３１０ａと第１非発光部３１０ｂの間、および第１非発光部３１０ｂと第２非発光部３１０ｃ間のいずれか一方が離隔して形成されているので、第２非発光部３１０ｃが破損しても、発光部３１０ａまで損傷が拡散し得ない。
結果的に、本発明の一実施例に係る表示装置は、フォト工程による第１発光層３１０の損傷を最小限に抑えることができる。
第２発光層３２０は、図９に示すように、第１電極２１０および第２電極４００の間に備えられて発光する発光領域を含む発光部３２０ａ、少なくとも一つのバンクパターン上に備えられて発光しない第１非発光部３２０ｂ、および第２バンク２４４が形成されない第１バンク２４２上に備えられて発光しない第２非発光部３２０ｃを含むこともできる。ここで、少なくとも一つのバンクパターンは、複数のバンクパターンのうちの第２サブ画素（ＳＰ２）に隣接して配置された少なくとも一つのバンクパターンを示す。
図８および図９には、隣接する第１サブ画素（ＳＰ１）と第２サブ画素（ＳＰ２）の間、および第２サブ画素（ＳＰ２）と第３サブ画素（ＳＰ３）の間に２つのバンクのパターンが形成されることを示しているが、必ずしもこれに限定されない。隣接する第１サブ画素（ＳＰ１）と第２サブ画素（ＳＰ２）の間、および第２サブ画素（ＳＰ２）と第３サブ画素（ＳＰ３）の間には、３つまたはそれ以上のバンクパターンを形成することもできる。このような場合、第２発光層３２０は、複数のバンクパターンのうちの第２サブ画素（ＳＰ２）に隣接して配置された少なくとも一つのバンクパターン上に形成することができる。
ここで、第２発光層３２０は、第２バンク２４４によって発光部３２０ａと第１非発光部３２０ｂの間、および第１非発光部３２０ｂと第２非発光部３２０ｃの間のいずれか一方が離隔して形成される。
フォト工程が行われるとき、第２発光層３２０は、第２非発光部３２０ｃの側面が露出し、露出した第２非発光部３２０ｃの側面が破損し得る。本発明の一実施例に係る表示装置は、第２発光層３２０の発光部３２０ａと第１非発光部３２０ｂの間、および第１非発光部３２０ｂと第２非発光部３２０ｃの間のいずれか一方が離隔して形成されているので、第２非発光部３２０ｃが破損しても、発光部３２０ａまで損傷が拡散し得ない。
結果的に、本発明の一実施例に係る表示装置は、フォト工程による第２発光層３２０の損傷を最小限に抑えることができる。
第３発光層３３０は、第１電極２１０および第２電極４００の間に備えられて発光する発光領域を含む発光部３３０ａ、少なくとも一つのバンクパターン上に備えられて発光しない第１非発光部３３０ｂ、および第２バンク２４４が形成されない第１バンク２４２上に備えられて発光しない第２非発光部３３０ｃを含むこともできる。ここで、少なくとも一つのバンクパターンは、複数のバンクパターンのうち、第３サブ画素（ＳＰ３）に隣接して配置された少なくとも一つのバンクパターンを示す。
ここで、第３発光層３３０は、第２バンク２４４によって発光部３３０ａと第１非発光部３３０ｂの間、および第１非発光部３３０ｂと第２非発光部３３０ｃの間のいずれか一方が離隔して形成される。
フォト工程が行われるとき、第３発光層３３０は、第２非発光部３３０ｃの側面が露出し、露出した第２非発光部３３０ｃの側面が破損し得る。本発明の一実施例に係る表示装置は、第３発光層３３０の発光部３３０ａと第１非発光部３３０ｂの間、および第１非発光部３３０ｂと第２非発光部３３０ｃの間のいずれか一方が離隔して形成されているので、第２非発光部３３０ｃが破損しても、発光部３３０ａまで損傷が拡散し得ない。
結果的に、本発明の一実施例に係る表示装置は、フォト工程による第３発光層３３０の損傷を最小限に抑えることができる。
本発明の第２実施例に係る表示装置は、第２バンク２４４が、第１バンク２４２よりも小さい幅を有し複数個でパターン形成することができる。第２バンク２４４が、小さな幅（Ｗ２）で複数個がパターン形成されているので、フォト工程でシールド層が少なくとも一つのバンクパターンを覆うようになる。シールド層は、少なくとも一つのバンクパターンによって形成された位置に固定されて、第１基板１００が移動しても押されたり移動し得ない。
このような第２バンク２４４は、金属物質または無機物質で形成することができる。第２バンク２４４を金属物質で形成する場合、現像工程、エッチング工程を含むフォト工程で第２バンク２４４の損傷を最小限に抑えることができる。ただし、金属物質は、十分な高さを有するように形成することが困難である。
一方、第２バンク２４４を無機物質、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはそれらの多重膜で形成する場合、第２バンク２４４は、金属物質と比較して、比較的高い高さを有することができる。ただし、無機物質で形成された第２バンク２４４は、金属物質と比較してエッチング工程で比較的多くの損傷が発生し得る。
上述した点に照らして、第２バンク２４４は、図６に示すように無機バンク２４４ａと金属バンク２４４ｂで形成することができる。無機バンク２４４ａは、第１バンク２４２上に備えられ、無機物質からなり得る。金属バンク２４４ｂは、無機バンク２４４ａ上に備えられ、金属物質からなり得る。金属バンク２４４ｂは、無機バンク２４４ａの上面はもちろん、側面にも形成することができる。このような第２バンク２４４は、無機バンク２４４ａによって十分な高さを有することができ、金属バンク２４４ｂによって損傷を最小限に抑えることができる。
図２および図７に示した第１〜第３サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）は、同じ形状を有する例を示しているが、必ずしもこれに限定されない。本発明の他の実施例において、第１〜第３サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）は、異なる形状を有することができる。以下では、図１０および図１１を参照して説明する。
図１０は、本発明の第３実施例に係るサブ画素を示す平面図である。
図１０を参照すると、本発明の第３実施例に係る表示装置は、第１色の光を放出する第１発光層が形成された第１サブ画素（ＳＰ１）、第２色の光を放出する第２発光層が形成された第２サブ画素（ＳＰ２）、および第３色の光を放出する第３発光層が形成された第３サブ画素（ＳＰ３）を含む。
第１〜第３サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）は、異なる形状を有する。詳細には、第１サブ画素（ＳＰ１）は、四角形の形状を有する。第２サブ画素（ＳＰ２）は、所定の幅を有し第１サブ画素（ＳＰ１）を囲む形状を有する。第３サブ画素（ＳＰ３）は、所定の幅を有する第２サブ画素（ＳＰ２）を囲む形状を有する。
図１０は、第１サブ画素（ＳＰ１）が四角形の形状を有する例を示しているが、必ずしもこれに限定されない。第１サブ画素（ＳＰ１）は、円形、多角形のように、設計によって様々な形状を有することができる。
第１サブ画素（ＳＰ１）と第２サブ画素（ＳＰ２）の間に、第１バンク２４２および第１バンク２４２よりも小さい幅を有する第２バンク２４４が形成される。ここで、第１バンク２４２および第２バンク２４４は、第１サブ画素（ＳＰ１）を囲むように形成される。
また、第２サブ画素（ＳＰ２）と第３サブ画素（ＳＰ３）の間に第１バンク２４２および第１バンク２４２よりも小さい幅を有する第２バンク２４４が形成される。ここで、第１バンク２４２および第２バンク２４４は、第２サブ画素（ＳＰ２）を取り囲むように形成される。
また、第１バンク２４２と、第１バンク２４２よりも小さい幅を有する第２バンク２４４は、第３サブ画素（ＳＰ３）を囲むように形成される。
図１０に示した第１〜第３サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）を含む表示装置は、図２または図７に示した第１〜第３サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）を含む表示装置と比較して発光層３００の損傷を軽減することができる。
より詳細には、第１フォト工程を介して第１サブ画素（ＳＰ１）に第１発光層３１０をパターン形成し、その後、第２フォト工程を介して第２サブ画素（ＳＰ２）に第２発光層３２０をパターン形成し、その後、第３フォト工程を介して第３サブ画素（ＳＰ３）に第３発光層３３０をパターン形成すると仮定する。
図２または図７に示した第１〜第３サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）を含む表示装置は、第１フォト工程時、第１発光層３１０の側面が損傷する。図２または図７に示した第１〜第３サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）を含む表示装置は、第２フォト工程時、第２発光層３２０の側面および第１発光層３１０の側面が損傷する。図２または図７に示した第１〜第３サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）を含む表示装置は、第３フォト工程時、第３発光層３３０の側面、第２発光層３２０の側面および第１発光層３１０の側面が損傷する。
結果的に、第１発光層３１０は、３回のフォト工程で側面の損傷が３回発生することになる。第２発光層３２０は、３回のフォト工程で側面の損傷が２回発生することになる。第３発光層３３０は、３回のフォト工程で側面の損傷が１回発生することになる。
一方、図１０に示した第１〜第３サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）を含む表示装置は、第１フォト工程時、第１発光層３１０の側面が損傷する。図１０に示した第１〜第３サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）を含む表示装置は、第２フォト工程時、第２発光層３２０の側面のみが損傷する。これは、第１発光層３１０が第２発光層３２０によって囲まれているからである。図１０に示した第１〜第３サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）を含む表示装置は、第３フォト工程時、第３発光層３３０の側面のみが損傷する。これは第２発光層３２０が第３発光層３３０によって囲まれているからである。
結果的に、第１発光層３１０は、３回のフォト工程で側面の損傷が１回発生することになる。第２発光層３２０は、３回のフォト工程で側面の損傷が１回発生することになる。第３発光層３３０は、３回のフォト工程で側面の損傷が１回発生することになる。
図１１は、本発明の第４の実施例に係るサブ画素を示す平面図である。
図１１を参照すると、複数の画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）のそれぞれは、第１色の光を放出する第１発光層が形成された第１サブ画素（ＳＰ１）、第２色の光を放出する第２発光層が形成された第２サブ画素（ＳＰ２）、および第３色の光を放出する第３発光層が形成された第３サブ画素（ＳＰ３）を含む。
複数の画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）のそれぞれに含まれた第１〜第３サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）が互いに異なる形状を有する。
詳細には、第１画素（Ｐ１）は、第１〜第３サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）を含む。第１画素（Ｐ１）の第１サブ画素（ＳＰ１）は、四角形の形状を有する。第１画素（Ｐ１）の第２サブ画素（ＳＰ２）は、所定の幅を有し第１サブ画素（ＳＰ１）を囲む形状を有する。第１画素（Ｐ１）の第３サブ画素（ＳＰ３）は、所定の幅を有する第２サブ画素（ＳＰ２）を囲む形状を有する。
図１１は、第１画素（Ｐ１）の第１サブ画素（ＳＰ１）が四角形の形状を有する例を示しているが、必ずしもこれに限定されない。第１画素（Ｐ１）の第１サブ画素（ＳＰ１）は、円形、多角形のように、設計によって様々な形状を有することができる。
第１画素（Ｐ１）の第１サブ画素（ＳＰ１）と第１画素（Ｐ１）の第２サブ画素（ＳＰ２）の間に、第１バンク２４２および第２バンク２４４が形成される。ここで、第１バンク２４２および第２バンク２４４は、第１画素（Ｐ１）の第１サブ画素（ＳＰ１）を囲むように形成される。
また、第１画素（Ｐ１）の第２サブ画素（ＳＰ２）と第１画素（Ｐ１）の第３サブ画素（ＳＰ３）の間に第１バンク２４２および第２バンク２４４が形成される。ここで、第１バンク２４２および第２バンク２４４は、第１画素（Ｐ１）の第２サブ画素（ＳＰ２）を取り囲むように形成される。
また、第１画素（Ｐ１）の第３サブ画素（ＳＰ３）と第２画素（Ｐ２）の第１サブ画素（ＳＰ１）の間に、第１バンク２４２および第２バンク２４４が形成される。ここで、第１バンク２４２および第２バンク２４４は、第１画素（Ｐ１）の第３サブ画素（ＳＰ３）を囲むように形成される。
第２画素（Ｐ２）は、第１画素（Ｐ１）に第１方向に隣接して配置され、第１〜第３サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）を含む。第２画素（Ｐ２）の第２サブ画素（ＳＰ２）は、四角形の形状を有する。第２画素（Ｐ２）の第３サブ画素（ＳＰ３）は、所定の幅を有し第２サブ画素（ＳＰ２）を囲む形状を有する。第２画素（Ｐ２）の第１サブ画素（ＳＰ３）は、所定の幅を有する第３サブ画素（ＳＰ３）を囲む形状を有する。
図１１は、第２画素（Ｐ２）の第２サブ画素（ＳＰ２）が四角形の形状を有する例を示しているが、必ずしもこれに限定されない。第２画素（Ｐ２）の第２サブ画素（ＳＰ２）は、円形、多角形のように、設計によって様々な形状を有することができる。
第２画素（Ｐ２）の第２サブ画素（ＳＰ２）と第２画素（Ｐ２）の第３サブ画素（ＳＰ３）の間に第１バンク２４２および第２バンク２４４が形成される。ここで、第１バンク２４２および第２バンク２４４は、第２画素（Ｐ２）の第２サブ画素（ＳＰ２）を取り囲むように形成される。
また、第２画素（Ｐ２）の第３サブ画素（ＳＰ３）と第２画素（Ｐ２）の第１サブ画素（ＳＰ１）の間に、第１バンク２４２および第２バンク２４４が形成される。ここで、第１バンク２４２および第２バンク２４４は、第２画素（Ｐ２）の第３サブ画素（ＳＰ３）を囲むように形成される。
また、第２画素（Ｐ２）の第１サブ画素（ＳＰ１）と第３画素（Ｐ３）の第２サブ画素（ＳＰ２）の間に、第１バンク２４２および第２バンク２４４が形成される。ここで、第１バンク２４２および第２バンク２４４は、第２画素（Ｐ２）の第１サブ画素（ＳＰ１）を囲むように形成される。
第３画素（Ｐ３）は、第２画素（Ｐ２）に第１方向に隣接して配置され、第１〜第３サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）を含む。第３画素（Ｐ３）の第３サブ画素（ＳＰ３）は、四角形の形状を有する。第３画素（Ｐ３）の第１サブ画素（ＳＰ１）は、所定の幅を有する第３サブ画素（ＳＰ３）を囲む形状を有する。第３画素（Ｐ３）の第２サブ画素（ＳＰ２）は、所定の幅を有し第１サブ画素（ＳＰ１）を囲む形状を有する。
図１１は、第３画素（Ｐ３）の第３サブ画素（ＳＰ３）が四角形の形状を有する例を示しているが、必ずしもこれに限定されない。第３画素（Ｐ３）の第３サブ画素（ＳＰ３）は、円形、多角形のように、設計によって様々な形状を有することができる。
第３画素（Ｐ３）の第３サブ画素（ＳＰ３）と第３画素（Ｐ３）の第１サブ画素（ＳＰ１）の間に、第１バンク２４２および第２バンク２４４が形成される。ここで、第１バンク２４２および第２バンク２４４は、第３画素（Ｐ３）の第３サブ画素（ＳＰ３）を囲むように形成される。
また、第３画素（Ｐ３）の第１サブ画素（ＳＰ１）と第３画素（Ｐ３）の第２サブ画素（ＳＰ２）の間に、第１バンク２４２および第２バンク２４４が形成される。ここで、第１バンク２４２および第２バンク２４４は、第３画素（Ｐ３）の第１サブ画素（ＳＰ１）を囲むように形成される。
また、第１バンク２４２および第２バンク２４４は、第３画素（Ｐ３）の第２サブ画素（ＳＰ２）を取り囲むように形成される。
図１１に示すような画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）は、第１〜第３サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）それぞれの総面積が同一であることを特徴とする。詳細には、第１〜第３画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）のそれぞれに含まれた第１サブ画素（ＳＰ１）の総面積は、第１〜第３画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）のそれぞれに含まれている第２サブ画素（ＳＰ２）の総面積は、および第１〜第３画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）のそれぞれに含まれた第３サブ画素（ＳＰ３）の総面積が同一である。
これにより、図１１に示した第１〜第３サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）を含む表示装置は、第１色の光が放出される面積、第２色の光が放出される面積および第３色光が放出される面積が等しくなるので、均一な画質を提供することができる。
また、図１１に示した第１〜第３サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）を含む表示装置は、図２または図７に示した第１〜第３サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）を含む表示装置と比較して発光層３００の損傷を軽減することができる。
図１２は、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートであり、図１３ａ〜図１３ｈは、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
まず、第１基板１００上に第１電極２００を形成する（Ｓ１２０１）。
より詳細には、図１３ａに示すように、基板１００上に駆動薄膜トランジスタ１１０を形成する。
そして、駆動薄膜トランジスタ１１０上に絶縁膜１２０を形成する。絶縁膜１２０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはそれらの多重膜で形成することができる。
そして、絶縁膜１２０を貫通して駆動薄膜トランジスタ１１０に接続するコンタクトホール（ＣＨ）を形成する。
そして、絶縁膜１２０上に第１電極２１０、２２０、２３０を形成する。より詳細には、絶縁膜１２０上に下部電極膜を形成する。下部電極膜は、アルミニウムとチタンの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、ＡＰＣ合金、およびＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）などの反射率の高い金属物質を含んで形成することができる。ＡＰＣ合金は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｂ）、および銅（Ｃｕ）の合金である。
そして、下部電極膜上にフォトレジストパターンを形成する。フォトレジストパターンは、第１、第２および第３サブ画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３）が形成される位置に形成することができる。フォトレジストパターンによって覆われない下部電極膜をドライエッチングして図１３ａのように、第１電極２１０、２２０、２３０を形成し、フォトレジストパターンを除去する。
次に、バンク２４０を形成する（Ｓ１２０２）。
図１３ｂに示すように、第１電極２１０、２２０、２３０それぞれの端を覆うようにバンク２４０を形成する。より詳細には、第１バンク２４２および第２バンク２４４を形成する。第１バンク２４２は、無機物質からなり得、第２バンク２４４は、金属物質または無機物質からなり得る。第１バンク２４２および第２バンク２４４は、様々な製造方法よって形成することができる。
一例として、第１電極２１０、２２０、２３０上に無機膜を蒸着する。そして、無機膜上に金属膜を蒸着する。金属膜上にフォトレジストパターンを形成する。フォトレジストパターンは、第２バンク２４４が形成される位置に形成することができる。フォトレジストパターンによって覆われない金属膜をドライエッチングして図１３ｂに示すように、複数のバンクパターンを含む第２バンク２４４を形成し、フォトレジストパターンを除去する。そして、エッチング工程を実施して第１バンク２４２を形成する。ここで、第１バンク２４２は無機物質からなり、第２バンク２４４は金属物質からなる。
他の例として、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法またはＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて、第１電極２１０、２２０、２３０それぞれの端を覆うように、第１バンク２４２をパターン形成することができる。そして、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法またはＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて、第１バンク２４２上に第２バンク２４４をパターン形成することができる。ここで、第１バンク２４２および第２バンク２４４は、無機物質からなる。
次に、第１発光層３１０をパターン形成する（Ｓ１２０３）。
より詳細には、図１３ｃに示すように、第１電極２１０上に第１発光層３１０を形成する。第１電極２１０、２２０、２３０およびバンク２４０上に第１発光物質を蒸着する。第１発光物質上に、第１シールド層を形成する。第１シールド層上にフォトレジストパターンを形成する。ここで、フォトレジストパターンは、第１サブ画素（ＳＰ１）が形成される位置に形成することができる。フォトレジストパターンによって覆われない第１シールド層をドライエッチングして図１３ｃのように、第１シールドパターン３５０および第１発光層３１０を形成し、フォトレジストパターンを除去する。
次に、第２発光層３２０をパターン形成する（Ｓ１２０４）。
より詳細には、図１３ｄに示すように、第１電極２２０上に第２発光層３２０を形成する。第１電極２１０、２２０、２３０およびバンク２４０上に第２発光物質を蒸着する。第２発光物質上に第２シールド層を形成する。第２シールド層上にフォトレジストパターンを形成する。ここで、フォトレジストパターンは、第１サブ画素（ＳＰ１）および第２サブ画素（ＳＰ２）が形成される位置に形成することができる。フォトレジストパターンによって覆われない第２シールド層をドライエッチングして図１３ｄのように、第２シールドパターン３６０および第２発光層３２０を形成し、フォトレジストパターンを除去する。
次に、第３発光層３３０をパターン形成する（Ｓ１２０５）。
より詳細には、図１３ｅに示すように、第１電極２３０上に第３発光層３３０を形成する。第１電極２１０、２２０、２３０およびバンク２４０上に第３発光物質を蒸着する。そして、第１および第２シールドパターン３５０、３６０を除去する。
次に、第２電極４００を形成する（Ｓ１２０６）。
より詳細には、図１３ｆに示すように、第１〜第３発光層３１０、３２０、３３０上に第２電極４００を形成する。第２電極４００は、ＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（ＴＣＯ、Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）、またはマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、またはマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金のような半透過金属物質（Ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）で形成することができる。第２電極４００は、スパッタリング法（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）のような物理的な気相蒸着法（ｐｈｙｓｉｃｓ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で形成することができる。
次に、封止膜５００を形成する（Ｓ１２０７）。
より詳細には、図１３ｇに示すように、第２電極４００上に封止膜５００を形成する。封止膜５００は、第１無機膜、有機膜、第２無機膜を含むことができる。
第２電極４００上に第１無機膜を形成する。第１無機膜は、シリコン窒化物、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはチタン酸化物で形成することができる。第１無機膜は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法またはＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で蒸着することができるが、これらに限定されるものではない。
そして、第１無機膜上に有機膜を形成する。有機膜は、有機物質、例えば、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）またはポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）で形成することができる。
そして、有機膜上に第２無機膜を形成する。第２無機膜は、シリコン窒化物、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはチタン酸化物で形成することができる。第２無機膜は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法またはＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で蒸着することができるが、これらに限定されるものではない。
次に、第１基板１００と第２基板６００を合着する（Ｓ１２０８）。
図１４ａ〜図１４ｃは、本発明のまた他の実施例に係る表示装置に関するものであり、これはヘッドマウント表示（ＨＭＤ）装置に関するものである。図１４ａは概略的な斜視図であり、図１４ｂは、ＶＲ（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）構造の概略的な平面図であり、図１４ｃは、ＡＲ（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）構造の概略的な断面図である。
図１４ａから分かるように、本発明に係るヘッドマウント表示装置は、収納ケース１０、およびヘッド装着バンド３０を含んでなる。
収納ケース１０は、その内部に表示装置、レンズアレイ、および接眼レンズなどの構成を収納している。
ヘッド装着バンド３０は、収納ケース１０に固定される。ヘッド装着バンド３０は、使用者の頭の上面と両側面を囲むように形成された例を示したが、これに限定されない。ヘッド装着バンド３０は、使用者の頭にヘッドマウントディスプレイを固定するためのものであり、メガネフレーム形態やヘルメット形態の構造物に代替することができる。
図１４ｂから分かるように、本発明に係るＶＲ（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）構造のヘッドマウントディスプレイは、左眼用表示装置１２と右眼用表示装置１１、レンズアレイ１３、および左眼接眼レンズ２０ａと右眼接眼レンズ２０ｂを含んでなる。
左眼用表示装置１２と右眼用表示装置１１、レンズアレイ１３、および左眼接眼レンズ２０ａと右眼接眼レンズ２０ｂは、前述した収納ケース１０に収納される。
左眼用表示装置１２と右眼用表示装置１１は、同じ映像を表示することができ、この場合、使用者は、２Ｄ映像を視聴することができる。または、左眼用表示装置１２は左眼映像を表示して、右眼用表示装置１１は右眼映像を表示することができ、この場合、使用者は、立体映像を視聴することができる。左眼用表示装置１２と右眼用表示装置１１のそれぞれは、前述した図１〜図１１による表示装置からなり得る。ここで、図１〜図１１で画像が表示される面に該当する上側の部分、例として、封止膜５００が、前記レンズアレイ１３と向き合うことになる。
レンズアレイ１３は、左眼接眼レンズ２０ａと左眼用表示装置１２のそれぞれと離隔しながら、左眼接眼レンズ２０ａと左眼用表示装置１２の間に備えることができる。つまり、レンズアレイ１３は、左眼接眼レンズ２０ａの前方および左眼用表示装置１２の後方に位置することができる。また、レンズアレイ１３は、右眼接眼レンズ２０ｂと右眼用表示装置１１のそれぞれと離隔し、右眼接眼レンズ２０ｂと右眼用表示装置１１の間に備えることができる。つまり、レンズアレイ１３は、右眼接眼レンズ２０ｂの前方および右眼用表示装置１１の後方に位置することができる。
レンズアレイ１３は、マイクロレンズアレイ（Ｍｉｃｒｏ Ｌｅｎｓ Ａｒｒａｙ）であり得る。レンズアレイ１３は、ピンホールアレイ（Ｐｉｎ Ｈｏｌｅ Ａｒｒａｙ）に代替することができる。レンズアレイ１３によって左眼用表示装置１２または右眼用表示装置１１に表示される映像は、使用者に拡大して見え得る。
左眼接眼レンズ２０ａには、使用者の左眼（ＬＥ）が位置し、右眼接眼レンズ２０ｂには、使用者の右眼（ＲＥ）が位置することができる。
図１４ｃから分かるように、本発明に係るＡＲ（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）構造のヘッドマウントディスプレイは、左眼用表示装置１２、レンズアレイ１３、左眼接眼レンズ２０ａ、透過反射部１４ 、および透過窓１５を含んでなる。図１４ｃには、便宜上、左内側の構成だけを示し、右内側の構成も左内側の構成と同じである。
左眼用表示装置１２、レンズアレイ１３、左眼接眼レンズ２０ａ、透過反射部１４、および透過窓１５は、前述した収納ケース１０に収納される。
左眼用表示装置１２は、透過窓１５を覆わずに透過反射部１４の一側、例として上側に配置することができる。これにより、左眼用表示装置１２が透過窓１５を介して見える外部の背景を遮らずに透過反射部１４に映像を提供することができる。
左眼用表示装置１２は、前述した図１〜図１１による表示装置で構成することができる。ここで、図１〜図１１で画像が表示される面に該当する上側の部分、例として、封止膜５００が透過反射部１４と向き合うことになる。
レンズアレイ１３は、左眼接眼レンズ２０ａと透過反射部１４の間に備えることができる。
左眼接眼レンズ２０ａには、使用者の左眼が位置する。
透過反射部１４は、レンズアレイ１３と透過窓１５の間に配置される。透過反射部１４は、光の一部を透過させ、光の他の一部を反射させる反射面１４ａを含むことができる。反射面１４ａは、左眼用表示装置１２に示される映像が、レンズアレイ１３に進むように形成される。したがって、使用者は透過窓１５を介して、外部の背景と左眼用表示装置１２によって表示される映像の両方を見ることができる。つまり、使用者は現実の背景と仮想の映像を重ねて一つの映像として見ることができ、拡張現実（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ、ＡＲ）を具現することができる。
透過窓１５は、透過反射部１４の前方に配置されている。
以上、添付した図を参照して、本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこのような実施例で限定されるわけではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で多様に変形実施することができる。したがって、本発明に開示した実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく説明するためのものであり、このような実施例により、本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。従って、以上で記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり限定的ではないと理解されなければならない。本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって解釈されなければならず、それと同等の範囲内にあるすべての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
１００：第１基板
１１０：駆動薄膜トランジスタ
１２０：絶縁膜
２００：第１電極
３００：発光層
４００：第２電極
２４０：バンク
５００：封止膜
６００：第２基板
１１０：駆動薄膜トランジスタ
１２０：絶縁膜
２００：第１電極
３００：発光層
４００：第２電極
２４０：バンク
５００：封止膜
６００：第２基板
Claims (22)
- 第１サブ画素、第２サブ画素、および第３サブ画素を備えた基板、
前記基板上で前記第１〜第３サブ画素にそれぞれ備えられた第１電極、
前記第１電極の間に備えられた第１バンク、
前記第１バンク上に備えられ、前記第１バンクよりも小さい幅を有する第２バンク、
前記第１電極、前記第１バンクおよび前記第２バンク上に備えられた発光層、および
前記発光層上に備えられた第２電極を含み、
前記第２バンク上に形成された発光層と前記第２バンクが形成されない前記第１バンク上に形成された発光層とが離隔したことを特徴とする表示装置。 - 前記第２バンクは、前記第１バンクと接する下面と側面とがなす角度が９０度と同じか、 大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記第２バンクが、前記第１〜第３サブ画素それぞれを囲むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記第２バンクの高さが、３０００Åよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記第２バンクが、隣接する２つのサブ画素間に備えられた少なくとも一つのバンクパターンを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記バンクパターンが、複数個あり、互いに離隔していることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
- 前記第１バンクが、無機物質からなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記第２バンクが、金属物質からなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記第２バンクが、無機物質からなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記第２バンク上に備えられ、金属物質からなる第３バンクをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
- 前記発光層が、
前記第１サブ画素に備えられ、第１色で発光する第１発光層、
前記第２サブ画素に備えられ、第２色で発光する第２発光層、および
前記第３サブ画素に備えられ、第３色で発光する第３発光層を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 前記第１発光層、第２発光層、および前記第３発光層のそれぞれが、
前記第１電極と前記第２電極の間に備えられ、かつ発光する発光領域を含む発光部と、前記第２バンク上に備えられ、かつ発光しない第１非発光部と、および前記第２バンクが形成されない前記第１バンク上に備えられて発光しない第２非発光部とを含み、
前記第１非発光部と前記第２非発光部が離隔していることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。 - 前記発光部と前記第１非発光部が離隔していることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
- 第１サブ画素、第２サブ画素、および第３サブ画素をそれぞれが含む複数の画素を備えた基板、
前記基板上で前記第１〜第３サブ画素にそれぞれ備えられた第１電極、
前記第１電極の間に備えられた第１バンク、
前記第１バンク上に備えられた第２バンク、
前記第１電極、前記第１バンクおよび前記第２バンク上に備えられた発光層、並びに
前記発光層上に備えられた第２電極を含み、
前記複数の画素のそれぞれに含まれた前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、および前記第３サブ画素が互いに異なる形状を有することを特徴とする表示装置。 - 前記第２バンクが、前記第１バンクよりも小さい幅を有することを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
- 前記第２バンクは、前記第１バンクと接する下面と側面とがなす角度が９０度と同じか、大きいことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
- 前記第２バンクが、前記第１〜第３サブ画素それぞれを囲むことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
- 前記発光層が、前記第１電極と前記第２電極の間に備えられ、かつ発光する発光領域を含む発光部と、前記第２バンク上に備えられ、かつ発光しない第１非発光部、および前記第２バンクが形成されない第１バンク上に備えられ、かつ発光しない第２非発光部を含み、
前記発光部と前記第１非発光部との間および前記第１非発光部と前記第２非発光部との間のうち少なくとも一方は、離隔していることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。 - 前記第２サブ画素が、第１幅で前記第１サブ画素を囲む形状を有し、前記第３サブ画素は、第２幅で前記第２サブ画素を囲む形状を有することを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
- 前記複数の画素が、第１画素、前記第１画素に第１方向で隣接する第２画素、および前記第２画素に前記第１方向で隣接する第３画素を含み、
前記第１画素、第２画素および前記第３画素それぞれに含まれた前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、および前記第３サブ画素は、形状が互いに異なることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。 - 前記第１画素が、前記第２サブ画素が第１幅で前記第１サブ画素を囲む形状を有し、第３サブ画素が第２幅で前記第２サブ画素を囲む形状を有し、
前記第２画素は、前記第３サブ画素が、前記第１幅で前記第２サブ画素を囲む形状を有し、前記第１サブ画素が前記第２幅で前記第３サブ画素を囲む形状を有し、
前記第３画素は、前記第１サブ画素が前記第１幅で前記第３サブ画素を囲む形状を有し、 前記第２サブ画素が前記第２幅で前記第１サブ画素を囲む形状を有することを特徴とする請求項２０に記載の表示装置。 - 前記第１画素、第２画素および前記第３画素に含まれた第１サブ画素の総面積、前記第１画素、第２画素および前記第３画素に含まれた第２サブ画素の合計面積、および前記第１画素、第２画素および前記第３画素のそれぞれに含まれた第３サブ画素の総面積が同じであることを特徴とする請求項２０に記載の表示装置。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
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| KR20240043892A (ko) * | 2022-09-27 | 2024-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004127933A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| JP2004253383A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Barco Nv | マルチカラーｏｌｅｄ画素構造、画素構造のアレイ、受動または能動マトリックスｏｌｅｄディスプレイ、およびマルチカラーｏｌｅｄ画素構造製造方法 |
| JP2005197228A (ja) * | 2003-12-30 | 2005-07-21 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機電界発光素子とその製造方法 |
| JP2014044938A (ja) * | 2012-08-01 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2014082133A (ja) * | 2012-10-17 | 2014-05-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2016039029A (ja) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100507963B1 (ko) * | 2001-06-01 | 2005-08-18 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 컬러 필터 및 전기 광학 장치 |
| JP4252297B2 (ja) * | 2002-12-12 | 2009-04-08 | 株式会社日立製作所 | 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置 |
| JP4415971B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2010-02-17 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
| US7834543B2 (en) * | 2007-07-03 | 2010-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic EL display apparatus and method of manufacturing the same |
| KR100918403B1 (ko) * | 2008-02-12 | 2009-09-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR101073561B1 (ko) * | 2009-02-05 | 2011-10-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법 |
| KR102150080B1 (ko) * | 2013-09-12 | 2020-09-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR20150141338A (ko) * | 2014-06-10 | 2015-12-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
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| KR20180013601A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2018045873A (ja) * | 2016-09-14 | 2018-03-22 | 株式会社デンソー | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| KR20180061903A (ko) * | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 두 개의 전극들 사이에 위치하는 다수의 절연막들을 포함하는 디스플레이 장치 |
| KR20180078812A (ko) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102432663B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2022-08-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시장치 |
| KR102601880B1 (ko) * | 2018-07-27 | 2023-11-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 |
| KR102650273B1 (ko) * | 2018-07-31 | 2024-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004127933A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| JP2004253383A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Barco Nv | マルチカラーｏｌｅｄ画素構造、画素構造のアレイ、受動または能動マトリックスｏｌｅｄディスプレイ、およびマルチカラーｏｌｅｄ画素構造製造方法 |
| JP2005197228A (ja) * | 2003-12-30 | 2005-07-21 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機電界発光素子とその製造方法 |
| JP2014044938A (ja) * | 2012-08-01 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2014082133A (ja) * | 2012-10-17 | 2014-05-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2016039029A (ja) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021197370A (ja) * | 2020-06-16 | 2021-12-27 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 表示装置 |
| JP7193579B2 (ja) | 2020-06-16 | 2022-12-20 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 表示装置 |
| US11925069B2 (en) | 2020-06-16 | 2024-03-05 | Lg Display Co., Ltd. | Display device having a protrusion in a non-emission area to reduce leakage current |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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