KR102665230B1

KR102665230B1 - 표시장치

Info

Publication number: KR102665230B1
Application number: KR1020180162392A
Authority: KR
Inventors: 최호원
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2018-12-14
Filing date: 2018-12-14
Publication date: 2024-05-09
Also published as: KR20200073805A

Abstract

본 발명은 화소의 개구율을 증가시킬 수 있는 표시장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소를 구비한 기판, 기판 상에 구비되고 하면의 폭이 상면의 폭 보다 작은 언더컷 구조를 가진 뱅크, 기판 및 뱅크 상에 구비되고 뱅크의 언터컷 구조에 의하여 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소 사이에서 단절된 제1 전극, 제1 전극 상에 구비된 발광층, 및 발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함한다.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}

본 발명은 영상을 표시하는 표시장치에 관한 것이다.

정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD, Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP, Plasma Display Panel), 퀀텀닷발광 표시장치 (QLED: Quantum dot Light Emitting Display), 유기발광 표시장치(OLED, Organic Light Emitting Display)와 같은 여러 가지 표시장치가 활용되고 있다.

표시장치들 중에서 유기발광 표시장치는 자체발광형으로서, 액정표시장치(LCD)에 비해 시야각, 대조비 등이 우수하며, 별도의 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능하며, 소비전력이 유리한 장점이 있다. 또한, 유기발광 표시장치는 직류저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 특히 제조비용이 저렴한 장점이 있다.

최근에는 이와 같은 유기발광 표시장치를 포함한 헤드 장착형 디스플레이(head mounted display)가 개발되고 있다. 헤드 장착형 디스플레이(Head Mounted Display, HMD)는 안경이나 헬멧 형태로 착용하여 사용자의 눈앞 가까운 거리에 초점이 형성되는 가상현실(Virtual Reality, VR) 또는 증강현실(Augmented Reality)의 안경형 모니터 장치이다. 하지만, 초고해상도의 헤드 장착형 디스플레이의 경우 조밀한 화소 간격으로 인해 개구율이 작아지고, 이로 인하여, 광효율이 떨어지는 문제가 있다.

본 발명은 화소의 개구율을 증가시킬 수 있는 표시장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소를 구비한 기판, 기판 상에 구비되고 하면의 폭이 상면의 폭 보다 작은 언더컷 구조를 가진 뱅크, 기판 및 뱅크 상에 구비되고 뱅크의 언터컷 구조에 의하여 제1 서브 화소 및 제2 서브 화소 사이에서 단절된 제1 전극, 제1 전극 상에 구비된 발광층, 및 발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함한다.

본 발명에 따르면, 언더컷 구조를 가진 뱅크를 이용하여 제1 전극을 서브 화소들 사이에서 단절시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 별도의 패턴 공정없이 제1 전극을 서브 화소 별로 형성할 수 있다.

또한, 본 발명은 뱅크의 제1 측 및 제2 측 각각에 이격거리가 상이한 언더컷 구조를 형성할 수 있다. 본 발명은 상대적으로 작은 이격거리를 가진 언더컷 구조에서 제1 전극이 단절되지 않고 연결될 수 있다. 본 발명은 뱅크가 형성되지 않은 영역뿐만 아니라 뱅크가 형성된 영역까지 모두 발광 영역이 될 수 있으므로, 서브 화소들 각각의 개구율을 최대로 확보할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 광 효율을 크게 향상시킬 수 있다.

또한, 본 발명은 단락 방지층을 형성함으로써 발광층이 뱅크의 언더컷 구조로 인하여 단절되거나 심이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 더 나아가, 본 발명은 발광층이 제1 전극을 완전히 덮도록 하여, 제2 전극과 제1 전극이 단락되는 것을 방지할 수 있다.

위에서 언급된 본 발명의 효과 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시예 따른 표시장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 I-I의 제1 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 A 영역의 일 예를 보여주는 확대도이다.
도 4은 도 1의 I-I의 제2 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 B영역의 일 예를 보여주는 확대도이다.
도 6은 도 1의 I-I의 제3 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6의 C 영역의 일 예를 보여주는 확대도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여주는 흐름도이다.
도 9a 내지 도 9k는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여주는 단면도들이다.
도 10a내지 도 10c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 발명의 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.

제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.

본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.

본 발명의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.

이하에서는 본 발명에 따른 표시장치의 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다.

제1 실시예

도 1은 본 발명의 일 실시예 따른 표시장치를 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 I-I의 제1 실시예를 보여주는 단면도이며, 도 3은 도 2의 A 영역의 일 예를 보여주는 확대도이다.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 기판(110), 구동 박막 트랜지스터(TFT), 층간 절연막(112), 제1 전극(120), 발광층(130), 제2 전극(140), 봉지막(150), 컬러필터(160), 뱅크(220) 및 단락 방지층(230)을 포함한다.

기판(110)은 플라스틱 필름(plastic film), 유리 기판(glass substrate), 또는 반도체 공정을 이용하여 형성된 실리콘 웨이퍼 기판일 수 있다. 기판(110)은 투명한 재료로 이루어질 수도 있고 불투명한 재료로 이루어질 수도 있다.

기판(110) 상에는 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2) 및 제3 서브 화소(P3)가 구비될 수 있다. 제1 서브 화소(P1)는 적색 광을 방출하고, 제2 서브 화소(P2)는 녹색 광을 방출하고, 제3 서브 화소(P3)는 청색 광을 방출하도록 구비될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 기판(110) 상에는 백색(W)의 광을 발광하는 제4 서브 화소가 더 구비될 수 있다. 또한, 각각의 서브 화소(P1, P2, P3)의 배열 순서는 다양하게 변경될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 발광된 광이 상부쪽으로 방출되는 소위 상부 발광(Top emisison) 방식으로 이루어지고, 따라서, 기판(110)의 재료로는 투명한 재료뿐만 아니라 불투명한 재료가 이용될 수 있다.

기판(110) 상에는 각종 신호 배선들, 박막 트랜지스터, 및 커패시터 등을 포함하는 회로 소자가 화소(P1, P2, P3) 별로 형성된다. 상기 신호 배선들은 게이트 배선, 데이터 배선, 전원 배선, 및 기준 배선을 포함하여 이루어질 수 있고, 상기 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터(TFT) 및 센싱 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어질 수 있다.

상기 스위칭 박막 트랜지스터는 상기 게이트 배선에 공급되는 게이트 신호에 따라 스위칭되어 상기 데이터 배선으로부터 공급되는 데이터 전압을 상기 구동 박막 트랜지스터에 공급하는 역할을 한다.

구동 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 스위칭 박막 트랜지스터로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 스위칭되어 상기 전원 배선에서 공급되는 전원으로부터 데이터 전류를 생성하여 제1 전극(120)에 공급하는 역할을 한다.

상기 센싱 박막 트랜지스터는 화질 저하의 원인이 되는 상기 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압 편차를 센싱하는 역할을 하는 것으로서, 상기 게이트 배선 또는 별도의 센싱 배선에서 공급되는 센싱 제어 신호에 응답하여 상기 구동 박막 트랜지스터의 전류를 상기 기준 배선으로 공급한다.

상기 커패시터는 구동 박막 트랜지스터(TFT)에 공급되는 데이터 전압을 한 프레임 동안 유지시키는 역할을 하는 것으로서, 구동 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 단자 및 소스 단자에 각각 연결된다.

층간 절연막(112)은 구동 박막 트랜지스터(TFT)를 포함한 회로 소자 상에 형성된다. 층간 절연막(112)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 층간 절연막(112)은 유기막, 예를 들어 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등으로 형성될 수도 있다. 또는 층간 절연막(112)은 적어도 하나의 무기막 및 적어도 하나의 유기막으로 구성된 다중막으로 형성될 수도 있다.

뱅크(220)는 층간 절연막(112) 상에 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 패턴 형성된다. 제1 서브 화소(P1)의 가장자리 영역에 하나의 뱅크(220)가 형성되고, 제2 서브 화소(P2)의 가장자리 영역에 다른 하나의 뱅크(220)가 형성되고, 제3 서브 화소(P3)의 가장자리 영역에 또 다른 하나의 뱅크(220)가 형성된다.

뱅크(220)는 상부층(221) 및 하부층(222)을 포함한다.

하부층(222)은 층간 절연막(112) 상에 구비되어 제1 폭(W1)을 가진다. 하부층(222)은 제1 층(211) 및 제2 층(212)으로 이루어질 수 있다. 제1 층(211)은 층간 절연막(112) 상에 구비되어 제1 폭(W1)을 가진다. 제2 층(212)은 제1 층(211)의 일부 상에 구비되어 제3 폭(W3)을 가진다. 이때, 제3 폭(W3)은 제1 폭(W1) 보다 작다. 즉, 제2 층(212)은 제1 층(211) 보다 작은 폭으로 형성되어, 제1 층(211)의 일부가 노출될 수 있다.

제2 층(212)은 제1 층(211) 상에서 한쪽으로 치우친다. 보다 구체적으로, 상부층(221)은 제1 측(220a)에 형성된 제1 끝단 및 제2 측(220b)에 형성된 제2 끝단을 포함한다. 제2 층(212)은 제1 측(220a)에 형성된 제3 끝단 및 제2 측(220b)에 형성된 제4 끝단을 형성한다. 제2 층(212)의 제4 끝단과 상부층(221)의 제2 끝단 간의 거리는 제2 층(212)의 제3 끝단과 상부층(221)의 제1 끝단 간의 거리 보다 작게 형성된다. 즉, 제2 층(212)은 제1 측(220a) 보다 제2 측(220b)에 가깝게 형성될 수 있다. 여기서, 제1 측(220a)은 뱅크(220)가 배치된 해당 서브 화소를 바라보는 측을 나타내고, 제2 측(220b)은 해당 서브 화소에 인접한 서브 화소를 바라보는 측을 나타낼 수 있다.

이에 따라, 뱅크(220)의 하부층(222)은 제1 측(220a)에서 보다 제2 측(220b)에서 두껍게 형성될 수 있다. 구체적으로, 뱅크(220)의 하부층(222)은 제1 측(220a)에서 제1 층(211)의 두께(T1)를 가지고, 제2 측(220b)에서 제1 층(211)의 두께(T1)와 제2 층(212)의 두께(T2)를 합한 두께를 가질 수 있다.

이러한 하부층(222)은 무기막, 예를 들어 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물 등으로 형성될 수 있다.

상부층(221)은 하부층(222) 상에 구비되어 제1 폭(W1) 보다 큰 제2 폭(W2)을 가진다. 상부층(221)은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 상면(221a)이 봉지막(150) 쪽으로 볼록한 형상을 가질 수 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다.

이러한 상부층(221)은 하부층(222)과 달리 유기막, 예를 들어 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등으로 형성될 수 있다.

뱅크(220)는 상부층(221)이 하부층(222) 보다 큰 폭을 가짐으로써, 언더컷 구조(UC1, UC2)를 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 뱅크(220)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 제1 측(220a)에 제1 언더컷 구조(UC1)를 가지고, 제1 측(220a)과 마주보는 제2 측(220b)에 제2 언더컷 구조(UC2)를 가질 수 있다.

뱅크(220)의 제1 언더컷 구조(UC1)는 상부층(221)이 제1 측(220a)에서 하부층(222) 보다 크게 형성됨으로써 형성될 수 있다. 뱅크(220)의 제1 언더컷 구조(UC1)는 하부층(222)이 형성되지 않은 영역에서 층간 절연막(112)과 상부층(221)의 하면(221b) 사이에 공간이 형성될 수 있다.

제1 언더컷 구조(UC1)는 층간 절연막(112)과 상부층(221)의 하면(221b) 사이에 제1 이격 거리(S1)를 가질 수 있다. 이때, 제1 이격 거리(S1)는 하부층(222)의 제1 층(211)의 두께(T1)에 상응할 수 있다. 하부층(222)은 제1 측(220a)에서 제1 층(211)만 형성되어 있기 때문이다.

뱅크(220)의 제2 언더컷 구조(UC2)는 상부층(221)이 제2 측(220b)에서 하부층(222) 보다 크게 형성됨으로써 형성될 수 있다. 뱅크(220)의 제2 언더컷 구조(UC2)는 하부층(222)이 형성되지 않은 영역에서 층간 절연막(112)과 상부층(221)의 하면(221b) 사이에 공간이 형성될 수 있다.

제2 언더컷 구조(UC2)는 층간 절연막(112)과 상부층(221)의 하면(221b) 사이에 제2 이격 거리(S2)를 가질 수 있다. 이때, 제2 이격 거리(S2)는 하부층(222)의 제1 층(211)의 두께(T1)와 제2 층(212)의 두께(T2)를 합한 두께에 상응할 수 있다. 하부층(222)은 제2 측(220b)에서 제1 측(220a)과 달리 제1 층(211) 및 제2 층(212)이 형성되어 있기 때문이다.

즉, 제2 언더컷 구조(UC2)는 제1 언더컷 구조(UC1) 보다 층간 절연막(112)과 상부층(221)의 하면(221b) 사이에 큰 이격 거리를 가지며, 층간 절연막(112)과 상부층(221)의 하면(221b) 사이에 큰 공간이 형성될 수 있다.

제1 전극(120)은 층간 절연막(112) 및 뱅크(220) 상에서 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 패턴 형성된다. 제1 서브 화소(P1)에 하나의 제1 전극(120)이 형성되고, 제2 서브 화소(P2)에 다른 하나의 제1 전극(120)이 형성되고, 제3 서브 화소(P3)에 또 다른 하나의 제1 전극(120)이 형성된다.

제1 전극(120)은 층간 절연막(112)을 관통하는 컨택홀(CH)을 통해 구동 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 단자 또는 드레인 단자에 접속되어, 광을 발광시키기 위한 전압이 인가된다.

본 발명의 일 실시예에 따른 제1 전극(120)은 뱅크(220) 상에도 형성될 수 있다. 제1 전극(120)은 뱅크(220)의 언더컷 구조, 특히, 제2 언더컷 구조(UC2)에 의하여 서브 화소(P1, P2, P3)들 사이에서 단절될 수 있다.

보다 구체적으로, 제1 전극(120)은 뱅크(220)가 형성된 기판(110) 상에 전면 증착함으로써 형성될 수 있다. 제1 전극(120a)은 뱅크(220)가 형성되지 않고 노출된 층간 절연막(112) 상에 형성될 수 있다. 그리고, 제1 전극(120b)은 뱅크(220) 상에 형성될 수도 있다. 이때, 뱅크(220) 상에 형성된 제1 전극(120b)은 제1 측(220a)에서 층간 절연막(112) 상에 형성된 제1 전극(120a)과 연결될 수 있다. 뱅크(220)의 제1 언더컷 구조(UC1)는 층간 절연막(112)과 상부층(221)의 하면(221b) 사이에 상대적으로 작은 제1 이격 거리(S1)를 가진다. 뱅크(220) 상에 형성된 제1 전극(120b)은 제1 언더컷 구조(UC1)가 작은 제1 이격 거리(S1)를 가지므로, 단절되지 않고 층간 절연막(112) 상에 형성된 제1 전극(120a)과 연결될 수 있다.

이에 따라, 서브 화소(P1, P2, P3)들 각각은 뱅크(220)가 형성되지 않은 영역(NBA)뿐만 아니라 뱅크(220)가 형성된 영역(BA)까지 모두 발광 영역(EA)이 될 수 있다.

제1 전극(120)은 서브 화소(P1, P2, P3)들 각각에 발광 영역(EA)을 정의할 수 있다. 즉, 각각의 서브 화소(P1, P2, P3)에서 제1 전극(120)이 형성된 영역이 발광 영역(EA)이 될 수 있다.

이와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 서브 화소(P1, P2, P3)들 각각의 개구율을 최대로 확보할 수 있으며, 이로 인하여, 광 효율을 크게 향상시킬 수 있다.

한편, 뱅크(220) 상에 형성된 제1 전극(120b)은 제2 측(220b)에서 층간 절연막(112) 상에 형성된 제1 전극(120a)과 단절될 수 있다. 뱅크(220)의 제2 언더컷 구조(UC2)는 층간 절연막(112)과 상부층(221)의 하면(221b) 사이에 상대적으로 큰 제2 이격 거리(S2)를 가진다. 뱅크(220) 상에 형성된 제1 전극(120b)은 제2 언더컷 구조(UC2)가 큰 제2 이격 거리(S2)를 가지므로, 층간 절연막(112) 상에 형성된 제1 전극(120a)과 연결되지 못하고 단절될 수 있다. 이에 따라, 인접한 서브 화소(P1, P2, P3)들 각각에 형성된 제1 전극(120)이 서로 전기적으로 연결되지 않을 수 있다.

이와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 별도의 패턴 공정 없이 제1 전극(120)을 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 형성할 수 있다.

이러한 제1 전극(120)은 투명한 금속물질, 반투과 금속물질 또는 반사율이 높은 금속물질로 이루어질 수 있다. 표시장치(100)가 상부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제1 전극(120)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), Ag 합금, 및 Ag 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/Ag 합금/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. Ag 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu) 등의 합금일 수 있다. 표시장치(100)가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제1 전극(120)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 이러한 제1 전극(120)은 애노드 전극일 수 있다.

단락 방지층(230)은 뱅크(220)의 제2 측(220b)에 형성된다. 보다 구체적으로, 단락 방지층(230)은 뱅크(220)의 제2 측(220b)에서 층간 절연막(112) 및 상부층(221)의 하면(221b) 사이에 형성된다.

뱅크(220)는 제2 측(220b)에서 제2 언더컷 구조(UC2)를 가진다. 제1 전극(120)을 증착한 후 제1 전극(120) 상에 발광층(130)을 증착하게 되면, 발광층(130)은 제2 언더컷 구조(UC2)에 의하여 단절되거나 심(seam)이 발생할 수 있다. 이때, 발광층(130)은 제1 전극(120)을 완전히 덮지 못하고, 일부를 노출시킬 수 있다.

그리고 나서, 발광층(130) 상에 제2 전극(140)을 증착하게 되면, 제2 전극(140)은 발광층(130)은 물론 노출된 제1 전극(120) 상에 증착될 수 있다. 이러한 경우, 제2 전극(140)과 제1 전극(120)이 단락되어, 컨택 불량이 발생하게 된다.

이를 방지하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)는 뱅크(220)의 제2 측(220b)에서 층간 절연막(112) 및 상부층(221)의 하면(221b) 사이에 단락 방지층(230)을 추가로 형성할 수 있다. 단락 방지층(230)은 제2 언더컷 구조(UC2)로 인해 형성된 층간 절연막(112) 및 상부층(221)의 하면(221b) 사이의 공간을 채우도록 형성된다.

이에 따라, 단락 방지층(230)은 발광층(130)이 제2 언더컷 구조(UC2) 상에 증착되지 않도록 하여, 발광층(130)이 단절되거나 심이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 더 나아가, 단락 방지층(230)은 발광층(130)이 제1 전극(120)을 완전히 덮도록 함으로써, 제2 전극(140)과 제1 전극(120)이 단락되는 것을 방지할 수 있다.

이러한 단락 방지층(230)은 유기막, 예를 들어 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등으로 형성될 수 있다.

발광층(130)은 제1 전극(120) 상에 형성된다. 발광층(130)은 정공 수송층(hole transporting layer), 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 전극(120)과 제2 전극(140)에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되며, 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.

발광층(130)은 백색 광을 발광하는 백색 발광층일 수 있다. 이 경우, 발광층(130)은 서브 화소(P1, P2, P3)들에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다.

발광층(130)이 백색 발광층인 경우, 2 스택(stack) 이상의 탠덤 구조로 형성될 수 있다. 스택들 각각은 정공 수송층(hole transporting layer), 적어도 하나의 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다.

또한, 스택들 사이에는 전하 생성층이 형성될 수 있다. 전하 생성층은 하부 스택과 인접하게 위치하는 n형 전하 생성층과 n형 전하 생성층 상에 형성되어 상부 스택과 인접하게 위치하는 p형 전하 생성층을 포함할 수 있다. n형 전하 생성층은 하부 스택으로 전자(electron)를 주입해주고, p형 전하 생성층은 상부 스택으로 정공(hole)을 주입해준다. n형 전하 생성층은 Li, Na, K, 또는 Cs와 같은 알칼리 금속, 또는 Mg, Sr, Ba, 또는 Ra와 같은 알칼리 토금속으로 도핑된 유기층으로 이루어질 수 있다. p형 전하 생성층은 정공수송능력이 있는 유기물질에 도펀트가 도핑되어 이루어질 수 있다.

한편, 도 2에서는 발광층(130)이 복수의 서브 화소(P1, P2, P3)들에 공통으로 형성되는 공통층으로 도시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 발광층(130)은 적색 광을 발광하는 적색 발광층, 녹색 광을 발광하는 녹색 발광층, 및 청색 광을 발광하는 청색 발광층으로 이루어질 수도 있다. 이러한 경우, 발광층(130)은 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 패턴 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 서브 화소(P1)에는 적색 발광층이 패턴 형성되고, 제2 서브 화소(P2)에는 녹색 발광층이 패턴 형성되며, 제3 서브 화소(P3)에는 청색 발광층이 패턴 형성될 수 있다.

제2 전극(140)은 발광층(130) 상에 형성된다. 제2 전극(140)은 서브 화소(P1, P2, P3)들에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다.

이러한 제2 전극(140)은 투명한 금속물질, 반투과 금속물질 또는 반사율이 높은 금속물질로 이루어질 수 있다. 표시장치(100)가 상부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제2 전극(140)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 표시장치(100)가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제2 전극(140)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), Ag 합금, 및 Ag 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/Ag 합금/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. Ag 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu) 등의 합금일 수 있다. 이러한 제2 전극(140)은 캐소드 전극일 수 있다.

봉지막(150)은 제2 전극(140)을 덮도록 형성될 수 있다. 봉지막(150)은 발광층(130)과 제2 전극(140)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위하여, 봉지막(150)은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다.

구체적으로, 봉지막(150)은 제1 무기막(151) 및 유기막(152)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 봉지막(150)은 제2 무기막(153)을 더 포함할 수 있다.

제1 무기막(151)은 제2 전극(140)을 덮도록 형성된다. 유기막(152)은 제1 무기막(151) 상에 형성되고, 이물들(particles)이 제1 무기막(151)을 뚫고 발광층(130)과 제2 전극(140)에 투입되는 것을 방지하기 위해 충분한 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 제2 무기막(153)은 유기막(152)을 덮도록 형성된다. 제2 무기막(153)은 생략될 수 있다.

제1 및 제2 무기막들(151, 153) 각각은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다. 제1 및 제2 무기막들(151, 153)은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 기법 또는 ALD(Atomic Layer Deposition) 기법으로 증착될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

유기막(152)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin)로 형성될 수 있다. 유기막(152)는 유기물을 사용하는 기상 증착(vapour deposition), 프린팅(printing), 슬릿 코팅(slit coating) 기법으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, 유기막(152)는 잉크젯(ink-jet) 공정으로 형성될 수도 있다.

컬러필터(160)는 봉지막(150) 상에 형성된다. 컬러필터(160)는 서브 화소(P1, P2, P3)들 각각에 대응되도록 배치된 제1 컬러필터(CF1), 제2 컬러필터(CF2) 및 제3 컬러필터(CF3)를 포함한다. 제1 컬러필터(CF1)는 적색 광을 투과시키는 적색 컬러필터일 수 있고, 제2 컬러필터(CF2)는 녹색 광을 투과시키는 녹색 컬러필터일 수 있으며, 제3 컬러필터(CF3)는 청색 광을 투과시키는 청색 컬러필터일 수 있다.

제2 실시예

도 4은 도 1의 I-I의 제2 실시예를 보여주는 단면도이고, 도 5는 도 4의 B영역의 일 예를 보여주는 확대도이다.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치(100)는 기판(110), 구동 박막 트랜지스터(TFT), 층간 절연막(112), 제1 전극(120), 발광층(130), 제2 전극(140), 봉지막(150), 컬러필터(160), 뱅크(220) 및 단락 방지층(230)을 포함한다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치(100)는 단락 방지층(230)을 제외한 구성들이 도 2 및 도 3에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)의 구성들과 실질적으로 동일하다.

이하에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치(100)의 기판(110), 구동 기판(110), 구동 박막 트랜지스터(TFT), 층간 절연막(112), 제1 전극(120), 발광층(130), 제2 전극(140), 봉지막(150), 컬러필터(160) 및 뱅크(220)에 대한 구체적인 설명은 생략하도록 한다.

단락 방지층(230)은 뱅크(220)의 제2 측(220b)에 형성된다. 보다 구체적으로, 단락 방지층(230)은 뱅크(220)의 제2 측(220b)에서 층간 절연막(112) 및 상부층(221)의 하면(221b) 사이에 형성되고, 제1 전극(120)의 끝단을 가리도록 형성된다.

이를 방지하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치(100)는 뱅크(220)의 제2 측(220b)에서 층간 절연막(112) 및 상부층(221)의 하면(221b) 사이에 단락 방지층(230)을 추가로 형성할 수 있다. 단락 방지층(230)은 제2 언더컷 구조(UC2)로 인해 형성된 층간 절연막(112) 및 상부층(221)의 하면(221b) 사이의 공간을 채우도록 형성된다. 또한, 단락 방지층(230)은 제1 전극(120)의 끝단을 가리도록 형성된다.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)와 달리, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치(100)는 단락 방지층(230)이 서브 화소(P1, P2, P3)들 각각에 발광 영역(EA)을 정의할 수 있다. 즉, 각각의 서브 화소(P1, P2, P3)에서 단락 방지층(230)가 형성되지 않고 제1 전극(120)이 노출된 영역이 발광 영역(EA)이 될 수 있다. 반면, 발광 영역(EA)을 제외한 영역은 비발광 영역이 될 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치(100)는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)와 비교하여 발광 영역(EA)이 다소 줄어들고 있으나, 단락 방지층(230)으로 제1 전극(120)의 끝단을 덮음으로써, 제1 전극(120)의 끝단에 전류가 집중되어 발광효율이 저하되는 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다.

제3 실시예

도 6은 도 1의 I-I의 제3 실시예를 보여주는 단면도이고, 도 7은 도 6의 C 영역의 일 예를 보여주는 확대도이다.

도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판(110), 구동 박막 트랜지스터(TFT), 층간 절연막(112), 제1 전극(120), 발광층(130), 제2 전극(140), 봉지막(150), 컬러필터(160), 뱅크(220) 및 단락 방지층(230)을 포함한다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치(100)는 뱅크(220)를 제외한 구성들이 도 2 및 도 3에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100)의 구성들과 실질적으로 동일하다.

이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치(100)의 기판(110), 기판(110), 구동 박막 트랜지스터(TFT), 층간 절연막(112), 제1 전극(120), 발광층(130), 제2 전극(140), 봉지막(150), 컬러필터(160) 및 단락 방지층(230)에 대한 구체적인 설명은 생략하도록 한다.

뱅크(220)는 상부층(221) 및 하부층(222)을 포함한다.

하부층(222)은 층간 절연막(112) 상에 구비되어 제3 폭(W3)을 가진다. 하부층(222)은 제2 층(212)으로 이루어질 수 있다. 제2 층(212)은 기판(110) 상에 형성된다. 제2 층(212)은 제1 측(220a) 보다 제2 측(220b)에 치우치도록 형성될 수 있다. 제1 측(220a)은 뱅크(220)가 배치된 해당 서브 화소를 바라보는 측을 나타내고, 제2 측(220b)은 해당 서브 화소에 인접한 서브 화소를 바라보는 측을 나타낼 수 있다.

이에 따라, 뱅크(220)의 하부층(222)은 제2 측(220b)에서만 소정의 두께를 가질 수 있다. 구체적으로, 뱅크(220)의 하부층(222)은 제2 측(220b)에서 제2 층(212)의 두께(T3)를 가질 수 있다.

상부층(221)은 하부층(222) 상에 구비되어 제3 폭(W3) 보다 큰 제2 폭(W2)을 가진다. 상부층(221)은 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 상면(221a)이 봉지막(150) 쪽으로 볼록한 형상을 가질 수 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다.

이러한 상부층(221)은 하부층(222)과 달리 유기막, 예를 들어 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등으로 형성될 수도 있다.

뱅크(220)는 상부층(221)이 하부층(222) 보다 큰 폭을 가짐으로써, 언더컷 구조(UC1, UC2)를 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 뱅크(220)는 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 제1 측(220a)과 마주보는 제2 측(220b)에 제2 언더컷 구조(UC2)를 가질 수 있다.

뱅크(220)는 제1 측(220a)에서 층간 절연막(112) 상에 상부층(221)이 형성된다. 즉, 뱅크(220)는 제1 측(220a)에서 층간 절연막(112)과 상부층(221)의 하면(221b) 사이에 공간이 형성되지 않는다. 하부층(222)이 제1 측(220a)에 형성되어 있지 않기 때문에다.

제2 언더컷 구조(UC2)는 층간 절연막(112)과 상부층(221)의 하면(221b) 사이에 제2 이격 거리(S2)를 가질 수 있다. 이때, 제2 이격 거리(S2)는 하부층(222)의 제2 층(212)의 두께(T3)에 상응할 수 있다. 하부층(222)은 제2 측(220b)에서 제1 측(220a)과 달리 제2 층(212)이 형성되어 있기 때문이다.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여주는 흐름도이고, 도 9a 내지 도 9k는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여주는 단면도들이다.

먼저, 기판(110) 상에 회로 소자 및 층간 절연막(112)을 형성한다(S801).

보다 구체적으로, 도 9a와 같이 기판(110) 상에 구동 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다.

그리고 나서, 구동 박막 트랜지스터(TFT) 상에 층간 절연막(112)을 형성한다. 층간 절연막(112)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 층간 절연막(112)은 유기막, 예를 들어 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등으로 형성될 수도 있다. 또는 층간 절연막(112)은 적어도 하나의 무기막 및 적어도 하나의 유기막으로 구성된 다중막으로 형성될 수도 있다.

다음, 뱅크(220)를 형성한다(S802).

보다 구체적으로, 도 9b와 같이 층간 절연막(112) 상에 제1 층(211)을 전면에 형성한다. 제1 층(211)은 무기막, 예를 들어 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물 등으로 형성될 수 있다.

그리고 나서, 도 9c와 같이 제1 층(211) 상에 제2 층(212)을 패턴 형성한다. 제2 층(212)은 제1 층(211)의 일부가 노출되도록 제1 층(211) 상에 패턴 형성된다. 제2 층(212)은 무기막, 예를 들어 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물 등으로 형성될 수 있다.

제2 층(212)은 제1 층(211)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 한편, 제1 층(211) 및 제2 층(212)은 층간 절연막(112)과 다른 물질로 이루어질 수 있다.

그리고 나서, 도 9d와 같이 제1 층(211) 및 제2 층(212) 상에 상부층(221)을 패턴 형성한다. 상부층(221)은 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 패턴 형성된다. 제1 서브 화소(P1)의 가장자리 영역에 하나의 상부층(221)이 형성되고, 제2 서브 화소(P2)의 가장자리 영역에 다른 하나의 상부층(221)이 형성되고, 제3 서브 화소(P3)의 가장자리 영역에 또 다른 하나의 상부층(221)이 형성된다.

상부층(221)은 제1 층(211) 및 제2 층(212)과 달리 유기막, 예를 들어 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등으로 형성될 수도 있다.

그리고 나서, 도 9e와 같이 식각 공정을 실시하여 언더컷 구조를 가진 뱅크(220)를 형성한다. 이때, 식각 공정은 습식 식각(wet etch) 공정일 수 있으며, 하부층(222)의 제1 층(211) 및 제2 층(212)을 식각할 수 있으나, 상부층(221)을 식각할 수 없는 식각액을 이용할 수 있다. 또한, 식각액은 층간 절연막(112)을 식각할 수 없어야 한다. 이에 따라, 상부층(221) 및 층간 절연막(112)은 식각되지 않고, 노출된 제1 층(211) 및 제2 층(212)만 식각되면서 제1 언더컷 구조(UC1) 및 제2 언더컷 구조(UC2)를 가진 뱅크(220)가 형성될 수 있다.

다음, 제1 전극(120)을 형성한다(S803).

보다 구체적으로, 도 9f와 같이 층간 절연막(112) 및 뱅크(220) 상에서 제1 전극(120)을 형성한다. 뱅크(220)가 형성된 기판(110) 상에 제1 전극(120)을 전면에 증착한다. 제1 전극(120a)은 뱅크(220)가 형성되지 않고 노출된 층간 절연막(112) 상에 형성된다. 그리고, 제1 전극(120b)은 뱅크(220) 상에도 형성된다. 이때, 뱅크(220) 상에 형성된 제1 전극(120b)은 제1 측에서 층간 절연막(112) 상에 형성된 제1 전극(120a)과 연결된다.

한편, 뱅크(220) 상에 형성된 제1 전극(120b)은 제1 측과 마주보는 제2 측에서 제2 언더컷 구조(UC2)에 의하여 층간 절연막(112) 상에 형성된 제1 전극(120a)과 단절된다. 이에 따라, 인접한 서브 화소(P1, P2, P3)들 각각에 형성된 제1 전극(120)이 서로 전기적으로 연결되지 않는다.

제1 전극(120)은 컨택홀(CH)을 통해 구동 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 단자 또는 드레인 단자에 접속된다.

제1 전극(120)은 투명한 금속물질, 반투과 금속물질 또는 반사율이 높은 금속물질로 이루어질 수 있다. 표시장치(100)가 상부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제1 전극(120)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), Ag 합금, 및 Ag 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/Ag 합금/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. Ag 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu) 등의 합금일 수 있다. 표시장치(100)가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제1 전극(120)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 이러한 제1 전극(120)은 애노드 전극일 수 있다.

다음, 단락 방지층(230)를 형성한다(S804).

보다 구체적으로, 도 9g와 같이 뱅크(220)의 제2 측에 단락 방지층(230)을 형성한다. 보다 구체적으로, 단락 방지층(230)은 뱅크(220)의 제2 언더컷 구조(UC2)로 인해 형성된 층간 절연막(112) 및 상부층(221)의 하면(221b) 사이의 공간을 채우도록 형성된다.

다음, 발광층(130)을 형성한다(S805).

보다 구체적으로, 도 9h와 같이 제1 전극(120) 상에 발광층(130)을 형성한다. 발광층(130)은 증착 공정 또는 용액 공정으로 형성될 수 있다. 발광층(130)이 증착 공정으로 형성되는 경우, 증발 증착법(Evaporation)을 이용하여 형성될 수 있다.

한편, 9h에서는 발광층(130)이 복수의 서브 화소(P1, P2, P3)들에 공통으로 형성되는 공통층으로 도시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 발광층(130)은 적색 광을 발광하는 적색 발광층, 녹색 광을 발광하는 녹색 발광층, 및 청색 광을 발광하는 청색 발광층으로 이루어질 수도 있다. 이러한 경우, 발광층(130)은 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 패턴 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 서브 화소(P1)에는 적색 발광층이 패턴 형성되고, 제2 서브 화소(P2)에는 녹색 발광층이 패턴 형성되며, 제3 서브 화소(P3)에는 청색 발광층이 패턴 형성될 수 있다.

다음, 제2 전극(140)을 형성한다(S806).

보다 구체적으로, 도 9i와 같이 발광층(130) 상에 제2 전극(140)을 형성한다. 제2 전극(140)은 스퍼터링법(sputtering)과 같은 물리적 기상 증착법(physics vapor deposition)으로 형성될 수 있다. 또는 제2 전극(140)은 증발 증착법(Evaporation)을 이용하여 형성될 수도 있다.

제2 전극(140)은 투명한 금속물질, 반투과 금속물질 또는 반사율이 높은 금속물질로 이루어질 수 있다. 표시장치(100)가 상부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제2 전극(140)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 표시장치(100)가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제2 전극(140)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), Ag 합금, 및 Ag 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/Ag 합금/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. Ag 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu) 등의 합금일 수 있다. 이러한 제2 전극(140)은 캐소드 전극일 수 있다.

다음, 봉지막(150)을 형성한다(S807).

보다 구체적으로, 도 9j와 같이 제2 전극(140) 상에 봉지막(150)을 형성한다.

봉지막(150)은 제1 무기막(151) 및 유기막(152)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 봉지막(150)은 제2 무기막(153)을 더 포함할 수 있다.

다음, 컬러필터(160)를 형성한다(S808).

보다 구체적으로, 도 9k와 같이 제2 무기막(153) 상에 컬러필터(160)를 형성한다. 컬러필터(160)는 제1 서브 화소(P1)에 대응되도록 배치된 제1 컬러필터(CF1), 제2 서브 화소(P2)에 대응되도록 배치된 제2 컬러필터(CF2) 및 제3 서브 화소(P3)에 대응되도록 배치된 제3 컬러필터(CF3)를 포함할 수 있다. 제1 컬러필터(CF1)는 적색 광을 투과시키는 적색 컬러필터일 수 있고, 제2 컬러필터(CF2)는 녹색 광을 투과시키는 녹색 컬러필터일 수 있으며, 제3 컬러필터(CF3)는 청색 광을 투과시키는 청색 컬러필터일 수 있다.

도 10a내지 도 10c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다. 도 10a는 개략적인 사시도이고, 도 10b는 VR(Virtual Reality) 구조의 개략적인 평면도이고, 도 10c는 AR(Augmented Reality) 구조의 개략적인 단면도이다.

도 10a에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 헤드 장착형 표시 장치는 수납 케이스(10), 및 헤드 장착 밴드(30)를 포함하여 이루어진다.

수납 케이스(10)는 그 내부에 표시 장치, 렌즈 어레이, 및 접안 렌즈 등의 구성을 수납하고 있다.

헤드 장착 밴드(30)는 수납 케이스(10)에 고정된다. 헤드 장착밴드(30)는 사용자의 머리 상면과 양 측면들을 둘러쌀 수 있도록 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 헤드 장착 밴드(30)는 사용자의 머리에 헤드 장착형 디스플레이를 고정하기 위한 것으로, 안경테 형태 또는 헬멧 형태의 구조물로 대체될 수 있다.

도 10b에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 VR(Virtual Reality) 구조의 헤드 장착형 표시 장치는 좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11), 렌즈 어레이(13), 및 좌안 접안 렌즈(20a)와 우안 접안 렌즈(20b)를 포함하여 이루어진다.

좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11), 렌즈 어레이(13), 및 좌안 접안 렌즈(20a)와 우안 접안 렌즈(20b)는 전술한 수납 케이스(10)에 수납된다.

좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11)는 동일한 영상을 표시할 수 있으며, 이 경우 사용자는 2D 영상을 시청할 수 있다. 또는, 좌안용 표시 장치(12)는 좌안 영상을 표시하고 우안용 표시장치(11)는 우안 영상을 표시할 수 있으며, 이 경우 사용자는 입체 영상을 시청할 수 있다. 좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11) 각각은 전술한 도 1 내지 도 7에 따른 표시 장치로 이루어질 수 있다. 이때, 도 1 내지 도 7에서 화상이 표시되는 면에 해당하는 상측 부분, 예로서 컬러필터(160)이 상기 렌즈 어레이(13)와 마주하게 된다.

렌즈 어레이(13)는 좌안 접안 렌즈(20a)와 좌안용 표시 장치(12) 각각과 이격되면서 좌안 접안 렌즈(20a)와 좌안용 표시 장치(12) 사이에 구비될 수 있다. 즉, 렌즈 어레이(13)는 좌안 접안 렌즈(20a)의 전방 및 좌안용 표시 장치(12)의 후방에 위치할 수 있다. 또한, 렌즈 어레이(13)는 우안 접안 렌즈(20b)와 우안용 표시 장치(11) 각각과 이격되면서 우안 접안 렌즈(20b)와 우안용 표시 장치(11) 사이에 구비될 수 있다. 즉, 렌즈 어레이(13)는 우안 접안 렌즈(20b)의 전방 및 우안용 표시 장치(11)의 후방에 위치할 수 있다.

렌즈 어레이(13)는 마이크로 렌즈 어레이(Micro Lens Array)일 수 있다. 렌즈 어레이(13)는 핀홀 어레이(Pin Hole Array)로 대체될 수 있다. 렌즈 어레이(13)로 인해 좌안용 표시장치(12) 또는 우안용 표시장치(11)에 표시되는 영상은 사용자에게 확대되어 보일 수 있다.

좌안 접안 렌즈(20a)에는 사용자의 좌안(LE)이 위치하고, 우안 접안 렌즈(20b)에는 사용자의 우안(RE)이 위치할 수 있다.

도 10c에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 AR(Augmented Reality) 구조의 헤드 장착형 표시 장치는 좌안용 표시 장치(12), 렌즈 어레이(13), 좌안 접안 렌즈(20a), 투과 반사부(14), 및 투과창(15)을 포함하여 이루어진다. 도 10c에는 편의상 좌안쪽 구성만을 도시하였으며, 우안쪽 구성도 좌안쪽 구성과 동일하다.

좌안용 표시 장치(12), 렌즈 어레이(13), 좌안 접안 렌즈(20a), 투과 반사부(14), 및 투과창(15)은 전술한 수납 케이스(10)에 수납된다.

좌안용 표시 장치(12)는 투과창(15)을 가리지 않으면서 투과 반사부(14)의 일측, 예로서 상측에 배치될 수 있다. 이에 따라서, 좌안용 표시 장치(12)가 투과창(15)을 통해 보이는 외부 배경을 가리지 않으면서 투과 반사부(14)에 영상을 제공할 수 있다.

좌안용 표시 장치(12)는 전술한 도 1 내지 도 7에 따른 표시 장치로 이루어질 수 있다. 이때, 도 1 내지 도 7에서 화상이 표시되는 면에 해당하는 상측 부분, 예로서 컬러필터(160)이 투과 반사부(14)와 마주하게 된다.

렌즈 어레이(13)는 좌안 접안 렌즈(20a)와 투과반사부(14) 사이에 구비될 수 있다.

좌안 접안 렌즈(20a)에는 사용자의 좌안이 위치한다.

투과 반사부(14)는 렌즈 어레이(13)와 투과창(15) 사이에 배치된다. 투과 반사부(14)는 광의 일부를 투과시키고, 광의 다른 일부를 반사시키는 반사면(14a)을 포함할 수 있다. 반사면(14a)은 좌안용 표시 장치(12)에 표시된 영상이 렌즈 어레이(13)로 진행하도록 형성된다. 따라서, 사용자는 투과층(15)을 통해서 외부의 배경과 좌안용 표시 장치(12)에 의해 표시되는 영상을 모두 볼 수 있다. 즉, 사용자는 현실의 배경과 가상의 영상을 겹쳐 하나의 영상으로 볼수 있으므로, 증강현실(Augmented Reality, AR)이 구현될 수 있다.

투과층(15)은 투과 반사부(14)의 전방에 배치되어 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

100: 표시장치
110: 기판 TFT: 구동 박막 트랜지스터
112: 층간 절연막 120: 제1 전극
130: 발광층 140: 제2 전극
150: 봉지막 151: 제1 무기막
152: 유기막 153: 제2 무기막
160: 컬러필터 220: 뱅크
230: 단락 방지층

Claims

제1 서브 화소 및 제2 서브 화소를 구비한 기판;
상기 기판 상에 구비되고, 하면의 폭이 상면의 폭 보다 작은 언더컷 구조를 가진 뱅크;
상기 기판 및 상기 뱅크 상에 구비되고, 상기 뱅크의 언더컷 구조에 의하여 상기 제1 서브 화소 및 상기 제2 서브 화소 사이에서 단절된 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 구비된 발광층; 및
상기 발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함하고,
상기 뱅크 상에 형성된 제1 전극은 제1 측에서 상기 뱅크가 형성되지 않은 영역에 형성된 제1 전극과 연결되고, 상기 제1 측과 마주보는 제2 측에서 상기 뱅크가 형성되지 않은 영역에 형성된 제1 전극과 단절되는 표시장치.
제1항에 있어서,
상기 뱅크는 상기 제1 측 및 상기 제2 측에 언더컷 구조를 가지는 표시장치.
삭제
제1항에 있어서,
상기 뱅크는,
상기 기판 상에 구비되고, 제1 폭을 가진 하부층; 및
상기 하부층 상에 구비되고, 상기 제1 폭 보다 큰 제2 폭을 가진 상부층을 포함하는 표시장치.
제4항에 있어서,
상기 하부층은 무기 물질로 이루어지고, 상기 상부층은 유기 물질로 이루어진 표시장치.
제4항에 있어서,
상기 상부층은 상면이 볼록한 둥근 형상을 가진 표시장치.
제4항에 있어서,
상기 하부층은,
상기 기판 상에 구비되고, 상기 제1 폭을 가진 제1 층; 및
상기 제1 층 상에 구비되고, 상기 제1 폭 보다 작은 제3 폭을 가진 제2 층을 포함하는 표시장치.
제7항에 있어서,
상기 상부층은 상기 제1 측에 형성된 제1 끝단 및 상기 제2 측에 형성된 제2 끝단을 포함하고, 상기 제2 층은 상기 제1 측에 형성된 제3 끝단 및 상기 제2 측에 형성된 제4 끝단을 형성하고,
상기 제2 층의 제4 끝단과 상기 상부층의 제2 끝단 간의 거리가 상기 제2 층의 제3 끝단과 상기 상부층의 제1 끝단 간의 거리 보다 작은표시장치.
제4항에 있어서,
상기 뱅크는 상기 제2 측에 언더컷 구조를 가지는 표시장치.
제9항에 있어서,
상기 하부층은,
상기 기판 상에 구비되고, 상기 제1 폭을 가진 제1 층을 포함하고,
상기 상부층은 상기 제1 측에 형성된 제1 끝단 및 상기 제2 측에 형성된 제2 끝단을 포함하고, 상기 제1 층은 상기 제1 측에 형성된 제5 끝단 및 상기 제2 측에 형성된 제6 끝단을 포함하고,
상기 제1 층의 제6 끝단과 상기 상부층의 제2 끝단 간의 거리가 상기 제1 층의 제5 끝단과 상기 상부층의 제1 끝단 간의 거리 보다 작은 표시장치.
제4항에 있어서,
상기 뱅크의 제2 측에 구비된 단락 방지층을 더 포함하는 표시장치.
제11항에 있어서,
상기 단락 방지층은 상기 뱅크의 제2 측에서 상기 기판 및 상기 상부층의 하면 사이의 공간을 채우도록 형성된 표시장치.
제12항에 있어서,
상기 단락 방지층은 상기 제1 전극의 끝단을 덮는 표시장치.
제4항에 있어서,
상기 뱅크는 상기 제1 측에서 상기 기판 및 상기 상부층의 하면 사이에 제1 이격 거리를 가지고, 상기 제2 측에서 상기 기판 및 상기 상부층의 하면 사이에 제2 이격 거리를 가지고,
상기 제1 이격 거리 및 상기 제2 이격 거리가 상이한 표시장치.