JP2021197370A - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021197370A JP2021197370A JP2021100405A JP2021100405A JP2021197370A JP 2021197370 A JP2021197370 A JP 2021197370A JP 2021100405 A JP2021100405 A JP 2021100405A JP 2021100405 A JP2021100405 A JP 2021100405A JP 2021197370 A JP2021197370 A JP 2021197370A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sub
- protrusion
- display device
- electrode
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 261
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 35
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 65
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 42
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 39
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 14
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 13
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 13
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 208000033361 autosomal recessive with axonal neuropathy 2 spinocerebellar ataxia Diseases 0.000 description 5
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000750042 Vini Species 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 241000136406 Comones Species 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000001149 cognitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 235000012054 meals Nutrition 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
その他の実施例の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に含まれている。
図面で示された各構成の面積及び厚さは、説明の便宜のために示されたものであり、本発明は、示された構成の面積及び厚さに必ずしも限定されるものではない。
図1は、本発明の第1実施例に係る表示装置の概略的な構成図である。
図1においては、説明の便宜のために、表示装置100の多様な構成要素の中で表示パネルPN、ゲートドライバ(Gate Driver)GD、データドライバ(Data Driver)DD及びタイミングコントローラ(Timing Controller)TCだけを示している。ただし、本発明は、これに制限されるものではない。
図2は、本発明の第1実施例に係る表示装置のサブ画素回路図である。
図2を参照すると、複数のサブ画素SPそれぞれの画素回路は、第1〜第6トランジスタT1、T2、T3、T4、T5、T6及びキャパシタCstを含むことができる。
図3aは、本発明の第1実施例に係るサブ画素の拡大平面図である。
図3bは、図3aのIII−III’線に沿った断面図である。
図4は、本発明の第1実施例に係るサブ画素の断面図である。
第1非発光領域NEA1は、バンク114の上部表面が平らな領域であり、第2非発光領域NEA2は、バンク114の上部表面が傾斜した側面領域であってよい。第2非発光領域NEA2は、第1非発光領域NEA1と発光領域EAとの間に位置し得る。
突出部140は、バンク114と共にパターニングされてもよい。
ゲート電極121は、導電性物質、例えば、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、クロム(Cr)またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。
ゲート電極121上にゲート絶縁層112が配置され得る。
ゲート絶縁層112は、アクティブ層122とゲート電極121を絶縁させるための絶縁層であり、シリコン酸化物(SiOx)またはシリコン窒化物(SiNx)の単一層または複層に構成され得るが、これに制限されない。
アクティブ層122は、酸化物半導体、非晶質シリコンまたはポリシリコン等のような半導体物質からなり得るが、これに制限されない。例えば、アクティブ層122が酸化物半導体で形成された場合、アクティブ層122は、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域からなり、ソース領域及びドレイン領域は、導体化された領域であってよいが、これに制限されない。
第1電極131は、トランジスタ120と電気的に接続され、画素回路の駆動電流の供給を受けることができる。第1電極131は、発光層に正孔を供給するので、仕事関数の高い導電性物質からなり得る。第1電極131は、例えば、インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide、ITO)、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide、IZO)等のような透明導電性物質で形成され得るが、これに制限されない。
有機層132は、第1電極131と第2電極133との間に配置され得る。
有機層132は、第1電極131及び第2電極133から供給された電子と正孔の結合により光が発光する領域である。
一方、有機発光表示装置の品質及び生産性向上のために有機発光素子の効率、寿命向上及び消費電力低減等のための多様な有機発光素子構造が提案されている。
第2電極133は、本発明の第1実施例に係る有機発光素子130に電子を供給する電極である。第2電極133は、仕事関数の低い物質からなり得る。第2電極133は、透明導電性物質を含むことができる。例えば、第2電極133は、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)等からなり得る。または、第2電極133は、金(Au)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、マグネシウム(Mg)、パラジウム(Pd)、銅(Cu)等のような金属物質またはこれらの合金からなる群のうちのいずれか一つを含むことができる。例えば、第2電極133は、マグネシウム(Mg)と銀(Ag)の合金(Mg:Ag)からなり得る。または、第2電極133は、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)のような透明導電性物質からなる層と、金(Au)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、マグネシウム(Mg)、パラジウム(Pd)、銅(Cu)等のような金属物質またはこれらの合金からなる層が積層されて構成され得、これに制限されない。
図5は、図3bに示された本発明の第1実施例に係る突出部140を、例えば、本発明の突出部140の角度範囲を説明するための図である。
また、突出部140は、金属材料で構成され得、金属で構成される場合、初期タイミング(initial timing)区間に放電(discharge)(または、グラウンド)で側面漏れ電流を根本的に封鎖できる利点がある。
また、突出部140の下底の右側底角θ1が垂直(90゜)に近い値であるほど、バンク114のテーパ角度と独立して断絶構造に有利である。ただし、本発明は、これに制限されるものではなく、突出部140の下底の右側底角θ1は、90゜を有してもよい。
図6bは、図6aのVI−VI’線に沿った断面図である。
図6a及び図6bに示された本発明の第2実施例は、突出部240a、240bがバンク114の両側面に、即ち、開口部OPの両側縁に配置され、それによって、有機層232とカソード233が開口部OPの両側縁で断絶される点を除いては、本発明の第1実施例と実質的に同じ構成となっている。従って、同じ構成については、重複した説明は省略する。
図7bは、図7aのVIIa−VIIa’線に沿った断面図である。
図7cは、図7aのVIIb−VIIb’線に沿った断面図である。
図7aと図7cを参照すると、本発明の突出部340は、隣り合うサブ画素の間の第2電極233の接続のために、少なくとも一部は、第2非発光領域NEA2でない第1非発光領域NEA1に配置され得る。
図8に示された本発明の第4実施例は、基板410a、410bが二重に構成された点を除いては、本発明の第1実施例と実質的に同じ構成となっている。従って、同じ構成については、重複した説明は省略する。
また、図8においては、説明の便宜のために、サブ画素の画素回路の複数のトランジスタ及びキャパシタのうち一つのトランジスタ120だけを示している。
図9に示された本発明の第5実施例は、図8の表示装置と比較してトランジスタ520a、520bのみが異なるだけで、他の構成は実質的に同一である。従って、同じ構成については、重複した説明は省略する。
また、図9においては、説明の便宜のために、サブ画素の画素回路の複数のトランジスタのうち任意の第1、第2トランジスタ520a、520bだけを示している。
他のバッファ層311aは、第1基板310aを通した水分または不純物の浸透を低減できる。他のバッファ層311aは、例えば、シリコン酸化物(SiOx)またはシリコン窒化物(SiNx)の単一層または複層に構成され得るが、これに制限されない。
例えば、第1アクティブ層522aは、低温ポリシリコン(Low Temperature Poly−Silicon、LTPS)からなり得る。ポリシリコンの場合、移動度が高くてエネルギー消費電力が低く、信頼性に優れて、駆動トランジスタ等に適用され得る。
ゲート絶縁層312上に第1ゲート電極521aが配置され得る。
そして、第2パッシベーション層314b上に第1ソース電極523a及び第1ドレイン電極524aが配置され得る。互いに離隔されて配置された第1ソース電極523a及び第1ドレイン電極524aは、第1アクティブ層522aと電気的に接続され得る。また、第2パッシベーション層314b上に第2ソース電極523b及び第2ドレイン電極524bが配置され得る。互いに離隔されて配置された第2ソース電極523b及び第2ドレイン電極524bは、第2アクティブ層522bと電気的に接続され得る。
図9においては、第1トランジスタ520aの第1アクティブ層522aが低温ポリシリコンで構成され、第2トランジスタ520bの第2アクティブ層522bが酸化物半導体物質で構成された場合を例に挙げて説明しているが、第1アクティブ層522aが酸化物半導体物質で構成されるか、第2アクティブ層522bが低温ポリシリコンで構成されてもよく、これに制限されない。
次に、前述したように、本発明の突出部は、下底の底角が鈍角を有してもよく、これを本発明の第6実施例を通して詳細に説明する。
図10a及び図10bの本発明の第6実施例は、突出部640の下底の両底角θ1、θ2が鈍角を有する点を除いては、前述した本発明の第1実施例と実質的に同じ構成となっている。従って、同じ構成について、重複した説明は省略する。
突出部640は、バンク114と共にパターニングされてもよい。
図11a及び図11bの本発明の第7実施例は、突出部714aがバンク714と同じ材質でバンク714と共にパターニングされる点を除いては、前述した本発明の第1実施例と実質的に同じ構成となっている。従って、同じ構成については、重複した説明は省略する。
図12bは、図12aのXII−XII’線に沿った断面図である。
第1突出部840aと第2突出部840bは、互いに異なる大きさを有し得る。
第1突出部840aと第2突出部840bは、互いに異なる高さを有し得る。
第1突出部840aと第2突出部840bは、互いに異なる位置に配置されてもよい。
説明の便宜上、平坦化層113の下の下部構造を省略して説明する。
図13aを参照すると、複数のトランジスタとキャパシタを含む基板上に平坦化層113を形成する。
第1電極231は、トランジスタと電気的に接続され、画素回路の駆動電流の供給を受けることができる。第1電極231は、発光層に正孔を供給するので、仕事関数の高い導電性物質からなり得る。第1電極231は、例えば、インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide、ITO)、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide、IZO)等のような透明導電性物質で形成され得るが、これに制限されない。
第1電極231は、約0.1μmの厚さに形成することができるが、これに制限されるものではない。
次に、図13dを参照すると、熱処理を通して突出部340を硬化させることができる。硬化工程は、有機物からなる突出部340がテーパによってずり落ちることを防止する役割を果たすことができる。
以後、図14bを参照すると、第1電極231が形成された基板上にバンク114とスペーサー360を形成する。
以後、図15bを参照すると、第1電極231が形成された基板上にバンク114とスペーサー360を形成する。
突出部340’は、約0.7〜1.5μmの厚さに形成され得るが、これに制限されるものではない。
以後、図16bを参照すると、第1電極231が形成された基板上にバンク114とスペーサー360を形成する。
このとき、ポジティブタイプのフォトレジストを利用でき、この場合、正テーパを有する突出部が形成され得る。
次に、図16fを参照すると、残っている第2フォトレジストパターン380’’をストリップ(strip)を通して除去する。
以後、図17bを参照すると、第1電極231が形成された基板上にバンク114とスペーサー660を形成する。
このとき、ネガティブタイプのフォトレジストを利用でき、この場合、逆テーパを有する突出部が形成され得る。
次に、図18bを参照すると、第1電極231が形成された基板上に第1層及び第2層を形成する。
次に、図19bを参照すると、第1電極231が形成された基板上に第1層及び第2層を形成する。
次に、図20bを参照すると、第1電極231が形成された基板上に第1層及び第2層を形成する。
以後、図20cを参照すると、熱処理を通してスペーサー1160と突出部1140を硬化させることができる。
次に、図21bを参照すると、第1電極231が形成された基板上に第1層及び第2層を形成する。
一方、トリプル−トーンマスク1190、1290を利用する場合、スペーサー1160、1260及び突出部1140、1240は、互いに異なる高さを有し得る。
図23は、本発明の第13実施例に係るサブ画素の一部の断面図である。
図22及び図23を参照すると、マルチ−トーンマスク1390を利用してバンク1314及びスペーサー1360を形成する場合、一般的なマスク990に比してフォト露光領域が増加し、バンク1314のテーパ領域が増加することが分かる。
図25は、本発明の他の実施例に係る表示装置の平面図である。
図26は、本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。
図27は、本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。
図28は、本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。
図29は、本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。
図30は、本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。
本発明の突出部340は、バンク114とは異なる材料で構成されてもよいが、これに制限されるものではない。本発明の突出部340は、バンク114と同じ材料で構成されてもよく、この場合、同一工程で形成され得る。
突出部340は、バンク114と共にパターニングされてもよい。
図32は、本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。
図31及び図32は、リアル構造のサブ画素を例に示している。
一方、サブ画素SPの形態は互いに異なるが、これに制限されない。
本発明の一実施例に係る表示装置は、発光領域と非発光領域とを有し、複数のサブ画素が定義された基板、前記複数のサブ画素それぞれに配置される複数の第1電極、前記複数のサブ画素の間の前記非発光領域に配置され、開口部を通して前記第1電極を露出させるバンク、前記非発光領域は、前記バンクの上部表面が平らな第1非発光領域及び前記バンクの上部表面が傾斜した第2非発光領域に区分され、前記第2非発光領域に少なくとも一部が配置される突出部、前記複数の第1電極上に配置される有機層、及び前記有機層上に配置される第2電極を含むことができる。
本発明のまた他の特徴によれば、前記下底の底角は、90゜−αより大きな鋭角を有し、前記αは、前記突出部が配置される前記バンクの上部表面の接線と前記基板との間の角度を意味し得る。
Claims (20)
- 発光領域と非発光領域とを有し、複数のサブ画素が定義された基板;
前記複数のサブ画素それぞれに配置される複数の第1電極;
前記複数のサブ画素の間の前記非発光領域に配置され、開口部を通して前記第1電極を露出させるバンク;
前記非発光領域は、前記バンクの上部表面が平らな第1非発光領域及び前記バンクの上部表面が傾斜した第2非発光領域に区分され、前記第2非発光領域に少なくとも一部が配置される突出部;
前記複数の第1電極上に配置される有機層;及び
前記有機層上に配置される第2電極を含む、表示装置。 - 前記有機層は、前記複数のサブ画素それぞれに配置される発光層及び前記複数のサブ画素に共通して配置される共通層を含み、
前記共通層及び前記第2電極は、前記突出部で隣り合うサブ画素の間で互いに断絶される、請求項1に記載の表示装置。 - 前記突出部は、前記サブ画素の開口部の形態に沿って前記第1電極の少なくとも一部の縁に配置され、
前記突出部は、前記第1電極の他の一部の縁には配置されない、請求項1に記載の表示装置。 - 前記突出部は、前記開口部の縁に沿って配置され、少なくとも一部は、前記第1非発光領域に配置され、他の部分は、前記第2非発光領域に配置され、
前記第2非発光領域に配置される前記他の部分の突出部の長さは、前記第1非発光領域に配置される前記少なくとも一部の突出部の長さより長い、請求項1に記載の表示装置。 - 前記突出部は、前記第1電極の縁の一部で切れて複数に分離される、請求項3に記載の表示装置。
- 前記突出部は、前記第1電極と一部重畳する、請求項1に記載の表示装置。
- 前記突出部は、前記バンクと異なる材料で構成される、請求項1に記載の表示装置。
- 前記突出部は、前記バンクと同じ材料で構成されて前記バンクの一部を構成する、請求項1に記載の表示装置。
- 前記有機層は、
前記開口部に配置される第1有機層;及び
前記バンクの第1非発光領域から前記突出部の上部まで配置される第2有機層を含み、
前記第2有機層の末端は、前記突出部の一側面で前記第1有機層と離隔される、請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1非発光領域のバンク上に配置されるスペーサーをさらに含む、請求項1に記載の表示装置。
- 前記突出部は、前記スペーサーと同じ材料で構成される、請求項10に記載の表示装置。
- 前記突出部は、その断面が四角形、または台形の多角形や、ドーム形または鐘形の形態を有する、請求項1に記載の表示装置。
- 前記突出部の断面が台形の形態を有するとき、
前記突出部の下底の底角は、90゜−αより大きな鋭角を有し、
前記αは、前記突出部が配置される前記バンクの上部表面の接線と前記基板との間の角度を意味する、請求項12に記載の表示装置。 - 前記突出部の断面が台形の形態を有するとき、
前記突出部の下底の底角は、120゜より小さな鈍角を有する、請求項12に記載の表示装置。 - 前記突出部は、前記サブ画素の開口部の形態に沿って前記第1電極の少なくとも一部の縁に二以上の個数が配置される、請求項1に記載の表示装置。
- 前記サブ画素は、第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素を含み、
複数の前記第1サブ画素及び複数の前記第3サブ画素は、同じ列または同じ行で交互に配置され、
複数の前記第2サブ画素は、前記複数の第1サブ画素及び前記複数の第3サブ画素とは異なる列及び異なる行に配置される、請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1非発光領域に配置される前記突出部は、他の部分に比して外部にさらに突出して連結部を構成し、
前記有機層及び前記第2電極は、前記連結部で隣り合うサブ画素の間で互いに断絶される、請求項16に記載の表示装置。 - 前記サブ画素の間に対角線状に配置されるダミーパターンをさらに含み、
前記ダミーパターンは、前記突出部と同じ層に同じ材料で構成される、請求項16に記載の表示装置。 - 前記突出部と前記ダミーパターンは、金属で構成され、
前記突出部と前記ダミーパターンは、連結パターンを通して互いに接続される、請求項18に記載の表示装置。 - 複数のサブ画素それぞれに配置される複数の第1電極;
前記第1電極の縁の一部を覆うように配置され、上部表面が平らな第1領域及び前記上部表面が傾斜した第2領域を含むバンク;
前記バンク上に配置される突出部;
前記第1電極上に配置される有機層;及び
前記有機層上に配置される第2電極を含み、
前記突出部は、前記第2領域に配置され、
前記有機層及び前記第2電極は、前記突出部の側面で隣り合うサブ画素間で互いに断絶される、表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022196478A JP7488324B2 (ja) | 2020-06-16 | 2022-12-08 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2020-0073199 | 2020-06-16 | ||
KR1020200073199A KR20210155674A (ko) | 2020-06-16 | 2020-06-16 | 표시 장치 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022196478A Division JP7488324B2 (ja) | 2020-06-16 | 2022-12-08 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021197370A true JP2021197370A (ja) | 2021-12-27 |
JP7193579B2 JP7193579B2 (ja) | 2022-12-20 |
Family
ID=78718991
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021100405A Active JP7193579B2 (ja) | 2020-06-16 | 2021-06-16 | 表示装置 |
JP2022196478A Active JP7488324B2 (ja) | 2020-06-16 | 2022-12-08 | 表示装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022196478A Active JP7488324B2 (ja) | 2020-06-16 | 2022-12-08 | 表示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11925069B2 (ja) |
JP (2) | JP7193579B2 (ja) |
KR (1) | KR20210155674A (ja) |
CN (1) | CN113809131A (ja) |
DE (1) | DE102021114876A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210155674A (ko) | 2020-06-16 | 2021-12-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US20230345766A1 (en) * | 2022-04-25 | 2023-10-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08315981A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-11-29 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
JP2003229267A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Toyota Industries Corp | 有機el表示装置 |
JP2011216267A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子,有機el画像表示装置の製造方法 |
JP2012216324A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子及びその製造方法 |
JP2014082133A (ja) * | 2012-10-17 | 2014-05-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2015064391A (ja) * | 2012-01-23 | 2015-04-09 | シャープ株式会社 | 蛍光体基板、表示装置および電子機器 |
JP2015170416A (ja) * | 2014-03-05 | 2015-09-28 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ基板の製造方法、薄膜トランジスタ基板 |
JP2016110942A (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-20 | 凸版印刷株式会社 | ナノ撥液構造を有する隔壁、その隔壁を用いた有機el素子、およびそれらの製造方法 |
JP2020057599A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-09 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 表示装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3826076B2 (ja) | 2002-07-01 | 2006-09-27 | 光磊科技股▲ふん▼有限公司 | 有機エレクトロルミネッセント装置 |
JP5199772B2 (ja) | 2008-07-30 | 2013-05-15 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2011154797A (ja) | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Seiko Epson Corp | 有機el装置及び電子機器 |
KR101881852B1 (ko) | 2011-06-09 | 2018-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102030799B1 (ko) * | 2013-03-11 | 2019-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
JP2014235862A (ja) | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
KR102080008B1 (ko) | 2013-07-12 | 2020-02-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR20160104804A (ko) * | 2015-02-26 | 2016-09-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102656232B1 (ko) | 2016-08-31 | 2024-04-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 어레이 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 |
KR102430808B1 (ko) | 2017-09-12 | 2022-08-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 패널 |
KR102450068B1 (ko) | 2017-11-20 | 2022-09-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉시블 전계발광 표시장치 |
KR102461360B1 (ko) | 2017-12-15 | 2022-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR20200028567A (ko) | 2018-09-06 | 2020-03-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US11864426B2 (en) * | 2019-05-14 | 2024-01-02 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | OLED with photospacers having protrusions |
KR20210155674A (ko) | 2020-06-16 | 2021-12-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2020
- 2020-06-16 KR KR1020200073199A patent/KR20210155674A/ko active Search and Examination
-
2021
- 2021-06-01 US US17/336,253 patent/US11925069B2/en active Active
- 2021-06-09 DE DE102021114876.6A patent/DE102021114876A1/de active Pending
- 2021-06-11 CN CN202110655428.XA patent/CN113809131A/zh active Pending
- 2021-06-16 JP JP2021100405A patent/JP7193579B2/ja active Active
-
2022
- 2022-12-08 JP JP2022196478A patent/JP7488324B2/ja active Active
-
2023
- 2023-12-14 US US18/540,249 patent/US20240130169A1/en active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08315981A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-11-29 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
JP2003229267A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Toyota Industries Corp | 有機el表示装置 |
JP2011216267A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子,有機el画像表示装置の製造方法 |
JP2012216324A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子及びその製造方法 |
JP2015064391A (ja) * | 2012-01-23 | 2015-04-09 | シャープ株式会社 | 蛍光体基板、表示装置および電子機器 |
JP2014082133A (ja) * | 2012-10-17 | 2014-05-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2015170416A (ja) * | 2014-03-05 | 2015-09-28 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ基板の製造方法、薄膜トランジスタ基板 |
JP2016110942A (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-20 | 凸版印刷株式会社 | ナノ撥液構造を有する隔壁、その隔壁を用いた有機el素子、およびそれらの製造方法 |
JP2020057599A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-09 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7193579B2 (ja) | 2022-12-20 |
DE102021114876A1 (de) | 2021-12-16 |
JP2023022307A (ja) | 2023-02-14 |
US20240130169A1 (en) | 2024-04-18 |
JP7488324B2 (ja) | 2024-05-21 |
US11925069B2 (en) | 2024-03-05 |
CN113809131A (zh) | 2021-12-17 |
US20210391397A1 (en) | 2021-12-16 |
KR20210155674A (ko) | 2021-12-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10431768B2 (en) | Organic light-emitting display device including auxiliary electrode | |
US10651258B2 (en) | Organic light emitting display device with improved aperture ratio | |
US10998395B2 (en) | Organic light-emitting display device | |
JP7488324B2 (ja) | 表示装置 | |
KR20210145907A (ko) | 표시 장치 | |
KR102613734B1 (ko) | 유기발광 표시장치 | |
KR102401432B1 (ko) | 표시장치 | |
KR102545527B1 (ko) | 투명표시장치 | |
KR20200032594A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR102624878B1 (ko) | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20170026900A (ko) | 유기발광 표시장치 | |
KR20160042679A (ko) | 유기전계 발광소자 | |
KR20230100156A (ko) | 발광 표시 장치 및 이의 제조방법 | |
US11296153B2 (en) | OLED pixel structure and OLED display panel | |
US20240186307A1 (en) | Light Emitting Display Device | |
US20240138232A1 (en) | Light Emitting Display Device | |
KR20200044520A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
TWI843320B (zh) | 發光顯示裝置及製造其的方法 | |
JP7493577B2 (ja) | 発光表示装置およびその製造方法 | |
WO2023283768A1 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
WO2023023908A1 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
KR20170015830A (ko) | 투명표시장치 및 이의 제조방법 | |
CN118159081A (zh) | 发光显示装置 | |
KR20240061857A (ko) | 표시 장치 | |
KR20210086240A (ko) | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210617 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220621 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220921 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221208 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7193579 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |