JP5199772B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5199772B2 JP5199772B2 JP2008196961A JP2008196961A JP5199772B2 JP 5199772 B2 JP5199772 B2 JP 5199772B2 JP 2008196961 A JP2008196961 A JP 2008196961A JP 2008196961 A JP2008196961 A JP 2008196961A JP 5199772 B2 JP5199772 B2 JP 5199772B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- layer
- light emitting
- emitting layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 121
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 41
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 552
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 112
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 91
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 83
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 83
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 70
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 41
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 36
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 27
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 claims description 9
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 34
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 32
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 23
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 22
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 15
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 6
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 5
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 5
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 4
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 4
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 description 3
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)-2-morpholin-4-ylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(=O)C(C)(C)N1CCOCC1 LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011365 complex material Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 2
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M rubidium fluoride Chemical compound [F-].[Rb+] AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylbut-2-enedinitrile Chemical group C=1C=CC=CC=1C(C#N)=C(C#N)C1=CC=CC=C1 VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N1 DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 Chemical class C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 Chemical class C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N Ipazine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(Cl)=NC(NC(C)C)=N1 OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ca] Chemical compound [AlH3].[Ca] ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- LMGZGXSXHCMSAA-UHFFFAOYSA-N cyclodecane Chemical group C1CCCCCCCCC1 LMGZGXSXHCMSAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-1,3-diene Chemical group C1CC=CC=C1 MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004113 cyclononanyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- ICPMUWPXCAVOOQ-UHFFFAOYSA-N cycloocta-1,3,5-triene Chemical group C1CC=CC=CC=C1 ICPMUWPXCAVOOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N cyclopentamine Chemical class CNC(C)CC1CCCC1 HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N decacyclene Chemical compound C12=C([C]34)C=CC=C4C=CC=C3C2=C2C(=C34)C=C[CH]C4=CC=CC3=C2C2=C1C1=CC=CC3=CC=CC2=C31 CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical compound C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N phenoxazone Natural products C1=CC=C2OC3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910001952 rubidium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CWBWCLMMHLCMAM-UHFFFAOYSA-M rubidium(1+);hydroxide Chemical compound [OH-].[Rb+].[Rb+] CWBWCLMMHLCMAM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003176 water-insoluble polymer Polymers 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
従来、有機蛍光体層(発光層)を形成する際に、各画素領域にそれぞれ設けられる有機蛍光体層の厚みがばらついてしまうという問題があった。このばらつきの発生を抑制することなどを目的として、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS)を含む溶液を基板上にスピンコーティングし、さらに乾燥させることによって有機下地層(正孔注入層)を形成した後、該有機下地層上に隔壁を設ける工程を経て作製された有機EL素子が開示されている(例えば、特許文献1)。
前記基板の主面上に設けられた第1電極層と、
前記第1電極層の主面上に設けられ、水に不溶性の有機材料により構成された有機下地層と、
前記有機下地層の主面上に設けられ、画素領域を囲むように配置された隔壁と、
前記画素領域に設けられた有機発光層と、
前記有機発光層を基準にして第1電極層とは反対側に設けられた第2電極層と、
前記第1電極層および前記第2電極層の間において、前記第1電極層および前記有機下地層の間に介在する層と前記隔壁との間の境界領域に設けられたリーク電流ブロック層とを備え、
前記基板の厚み方向における前記リーク電流ブロック層の電気抵抗が、前記基板の厚み方向における前記有機発光層の電気抵抗よりも高い、
有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔2〕前記リーク電流ブロック層の電気抵抗率が、106Ωcm以上である、上記〔1〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔3〕前記リーク電流ブロック層が、熱または光により架橋した高分子樹脂層である、上記〔1〕または〔2〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔4〕前記有機下地層が正孔注入層である、上記〔1〕から〔3〕のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔5〕前記有機下地層が、正孔注入層と、該正孔注入層の第2電極層側の主面に積層されて成るインターレイヤーとから成る、上記〔1〕から〔3〕のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔6〕前記有機下地層の電気抵抗率が1010Ωcm以上である、上記〔1〕から〔5〕のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔7〕前記水に不溶性の有機材料が、架橋した高分子化合物である、上記〔1〕から〔6〕のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔8〕前記基板の厚み方向から見た前記境界領域の平面形状が、略平行に相対する略直線状の二つの直線部を含む略長円形状をなし、前記リーク電流ブロック層が、境界領域のうちの前記二つの直線部を除く湾曲部に設けられている、上記〔1〕から〔7〕のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔9〕基板の主面上に第1電極層が設けられた基板を用意する工程と、
前記第1電極層の主面上に、水に対して不溶性の有機材料により構成される有機下地層を設ける工程と、
前記有機下地層の主面上に、画素領域を囲む隔壁を設ける工程と、
前記画素領域に有機発光層を設ける工程と、
前記画素領域に臨む前記隔壁の表面に沿うように、前記有機発光層よりも電気抵抗が高い材料を用いて、リーク電流ブロック層を形成する工程と、
前記リーク電流ブロック層を形成した後、前記有機発光層を基準にして前記第1電極層とは反対側に第2電極層を設ける工程とを含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
〔10〕前記隔壁を撥液性を有する材料で形成し、前記隔壁内に設ける層を、インクジェット法により形成する、上記〔9〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
1.基板
本発明に用いる基板としては、有機EL素子に用いられる各種の基板を採用することができる。本明細書では、有機EL素子の層の構成に関する記載においては、特に断らない限り「上」「下」及び「水平」方向は、基板を水平に置き、その上方に有機発光層および他の層を設けた場合の位置関係を示す。
本発明の有機EL素子は、電極として、基板上に設けられる第1電極層、及び有機下地層及び有機発光層の上に設けられる第2電極層を含む。これらの一方を陽極、他方を陰極とする。第1電極層を陽極とすることが多いがこれに限られず第2電極層を陽極とすることもできる。
本発明の有機EL素子において、有機下地層は、前記第1電極層の面の少なくとも一部の領域上に設けられる。
有機下地層が第1電極層の「少なくとも一部の領域上」に設けられるとは、第1電極層の上側の面上の少なくとも一部の領域に有機下地層が存在している領域があることをいう。従って、第1電極層の上面の全てを有機下地層が覆っていてもよく、第1電極層の上面の一部のみを有機下地層が覆っていてもよい。ただし、通常、第1電極層のうち、後述する画素領域に属する部分は、その全面を有機下地層が覆うよう構成される。また、基板の主面上の、前記第1電極層で覆われていない部分については、有機下地層で覆われていてもよく、覆われていなくてもよい。
本発明において、隔壁は、有機下地層上に設けられ、有機下地層のそれぞれの上に複数の画素領域を規定する。ここで、有機下地層の「それぞれの上に複数の」画素領域を規定するとは、基板上に有機下地層が複数枚存在する場合は、それぞれの上に複数の画素領域が規定されることを意味する。基板上に有機下地層が一枚存在する場合は、勿論その上に全ての画素領域が規定される。このような構成とすることにより、本発明の有機EL素子においては、隣接する複数の画素における有機下地層が一体に形成されることとなる。即ち、基板表面上の隣接する複数の画素、好ましくは基板表面上の全ての画素の存在する一領域において、有機下地層が別個の層ではなく連続して一体となった層となる。
本発明において、有機発光層は、隔壁によって規定された画素領域に設けられる。そして、このように設けられた有機発光層の上にさらに、上に述べた第2電極層を形成することにより有機EL素子を構成することができる。
本発明の有機EL素子においては、第1電極層と第2電極層の間であり、かつ、隔壁と、第1電極層および有機下地層の間に介在する層との境界領域にリーク電流ブロック層が設けられる。リーク電流ブロック層は、境界領域全体に設けて設けてもよいし、必要に応じて一部分に設けてもよい。リーク電流ブロック層は、第1電極層と第2電極層の間で電流のリークが生じないように、第1電極層と第2電極層との不適切な近接又は直接的な接触を遮断するように設けられる。
図3は、図1の断面図の一部を拡大した図である。図3に示されるように、本実施形態では、隔壁4と有機発光層5とが隣り合う境界領域R2に設けられている。リーク電流ブロック層6は、隔壁4の側面に沿って形成されており、隔壁4の上面部近くの上端部6aから、隔壁4の下端部、そして有機発光層5に一部重なる端部6bまでを覆っている。このような位置にリーク電流ブロック層を設けることにより、隔壁近傍で生じやすいリーク電流を抑制し得る。
本発明の有機EL素子はさらに、前記各層を挟んで基板とは反対側に、封止のための部材を有することができる。例えば、図2に示す全画素領域を内包する領域(マトリクス領域12)の周辺を囲う領域1Sに設けられた枠状の接着層を介して、封止部材を基板1に貼り合わせることにより、各有機EL素子を構成する各層を封止することができる。
本発明の有機EL素子は、上記構成要素に加えて、さらに他の構成要素を有することができる。具体的には例えば、隔壁により規定される画素領域に、有機発光層に加えてさらに1層以上の他の層を有機EL素子は有していてもよい。例えば、第1電極層と第2電極層との間に介在する層として、有機下地層及び有機発光層に加えて、さらに他の層を設けた複数層で積層体を構成してもよい。他の層としては、電荷注入層(正孔注入層または電子注入層)、電荷輸送層(正孔輸送層または電子輸送層)、その他のインターレイヤー(ブロック層、保護層など)が挙げられる。また、各層は、一層で構成されてもよいし、複数層によって構成されてもよい。
ここで「繰返し単位A」は、電極−正孔注入層−(正孔輸送層及び/又はインターレイヤー)−有機発光層−(電子輸送層及び/又はインターレイヤー)−電子注入層の層構成の単位を示す。
e)陽極−<正孔輸送層>−有機発光層−陰極
f)陽極−<インターレイヤー>−有機発光層−陰極
g)陽極−<正孔注入層−正孔輸送層>−有機発光層−陰極
h)陽極−<正孔注入層−インターレイヤー>−有機発光層−陰極
i)陽極−<正孔注入層>−正孔輸送層−インターレイヤー−有機発光層−陰極
j)陽極−<正孔輸送層>−インターレイヤー−有機発光層−陰極
k)陽極−<正孔注入層−正孔輸送層>−インターレイヤー−有機発光層−陰極
d2)〜k2) 上記d)〜k)において、有機発光層と陰極との間に、さらに電子注入層を有するもの。
d3)〜k3) 上記d)〜k)において、有機発光層と陰極との間に、さらにインターレイヤー−電子輸送層を有するもの。
d4)〜k4) 上記d2)〜k2)において、有機発光層と電子注入層との間に、さらにインターレイヤー−電子輸送層を有するもの。
なお、上記の例示に示されるとおり、インターレイヤーが存在する場合は、インターレイヤーは有機発光層に隣接することが好ましい。
積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。
次に、本発明の有機EL素子を構成する各層の材料及び形成方法について、より具体的に説明する。
本発明の有機EL素子を構成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板、これらを積層したものなどが用いられる。前記基板としては、市販のものが入手可能であり、又は公知の方法により製造することができる。
本発明の有機EL素子の陽極としては、光透過性(透明又は半透明)の電極を用いることが、陽極を通して発光する素子を構成しうるため好ましい。かかる光透過性の電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物や金属の薄膜を用いることができ、透過率が高いものが好適に利用でき、用いる有機層により適宜、選択して用いる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、金、白金、銀、銅等が用いられ、ITO、IZOが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
正孔注入層は、陽極と正孔輸送層との間、または陽極と有機発光層との間に設けることができる。
正孔輸送層を構成する材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体などが例示される。
インターレイヤーを構成する材料としては、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などが例示される。
隔壁は、例えば、感光性ポリイミドなどの感光性樹脂を材料として用い、いわゆるフォトリソグラフィ法などによって形成することができる。隔壁は、下部電極を実質的に包囲するように形成される。隔壁の上下方向の厚みとしては、0.1〜5μm程度がよい。隔壁の材料としては、加熱による変化が少ない、即ち耐熱性に優れた有機材料を用いるのが望ましく、ポリイミドの他に、アクリル系(メタクリル系)やノボラック系の樹脂材料を用いてもよい。これらの樹脂材料には、パターニングを容易にするため、感光性が付加されていることが望ましい。感光性を有する有機材料を用いると、材料の塗布、プリベーク、露光、現像、ポストベークという一連のフォトリソグラフィ法で、隔壁を形成できる。露光光としてはUV光のg、h、i線の混合光であってもよく、g,h,i線の単波長であってもよい。現像液としては、有機、無機アルカリの水溶液を使用できる。
本発明においては、発光層は有機化合物を含む層であり、通常、主として蛍光またはりん光を発光する有機物(低分子化合物および高分子化合物)を有する。なお、さらにドーパント材料を含んでいてもよい。本発明において用いることができる有機発光層を形成する材料としては、例えば以下のものが挙げられる。
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどが挙げられる。
金属錯体系材料としては、例えば、イリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体など、中心金属に、Al、Zn、BeなどまたはTb、Eu、Dyなどの希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体などを挙げることができる。
高分子系材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。
上記発光性材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、およびそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体やポリフルオレン誘導体などが好ましい。
また、緑色に発光する材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
また、赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることが出来る。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
有機発光層中に発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的で、ドーパントを添加することができる。このようなドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。なお、このような有機発光層の厚さは、通常約20〜2000Åである。
有機物を含む発光層の成膜方法としては、発光材料を含む溶液を基体の上又は上方に塗布する方法、真空蒸着法、転写法などを用いることができる。溶液からの成膜に用いる溶媒の具体例としては、前述の溶液から正孔輸送層を成膜する際に正孔輸送材料を溶解させる溶媒と同様の溶媒があげられる。
発光材料を含む溶液を隔壁によって囲まれる画素領域に供給する方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法などのコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の色分けが容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。また、昇華性の低分子化合物の場合は、真空蒸着法を用いることができる。さらには、レーザーによる転写や熱転写により、所望のところのみに有機発光層を形成する方法も用いることができる。
電子輸送層を構成する材料としては、公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体等が例示される。
電子注入層は、電子輸送層と陰極との間、または有機発光層と陰極との間に設けられる。電子注入層としては、有機発光層の種類に応じて、アルカリ金属やアルカリ土類金属、或いは前記金属を1種類以上含む合金、或いは前記金属の酸化物、ハロゲン化物及び炭酸化物、或いは前記物質の混合物などが挙げられる。アルカリ金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム等が挙げられる。また、アルカリ土類金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウム等が挙げられる。電子注入層は、2層以上を積層したものであってもよい。具体的には、LiF/Caなどが挙げられる。電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法等により形成される。電子注入層の膜厚としては、1nm〜1μm程度が好ましい。
本発明の有機EL素子で用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さく有機発光層への電子注入が容易な材料が好ましく、また電気伝導度が高く、及び/又は可視光反射率の高い材料が好ましい。金属では、アルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属やIII−B族金属を用いることができる。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、又は上記金属のうち2つ以上の合金、又はそれらのうち1つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち1つ以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。また、陰極として透明導電性電極を用いることができ、例えば導電性金属酸化物や導電性有機物などを用いることができる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、およびIZO、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。なお、陰極を2層以上の積層構造としてもよい。なお、電子注入層が陰極として用いられる場合もある。
本発明の有機EL素子が任意に有しうる、膜厚2nm以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚2nm以下の絶縁層を設けた有機EL素子としては、陰極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けたもの、陽極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けたものが挙げられる。
本発明の有機EL素子の製造方法は、少なくとも次の(i)〜(vi)の工程を含む。
(i)基板の主面上に第1電極層が設けられた基板を用意する工程
(ii)第1電極層の主面上に、水に対して不溶性の有機材料により構成される有機下地層を設ける工程
(iii)有機下地層の主面上に、画素領域を囲む隔壁を設ける工程
(iv)画素領域に有機発光層を設ける工程
(v)画素領域に臨む前記隔壁の表面に沿うように、有機発光層よりも電気抵抗が高い材料を用いて、リーク電流ブロック層を形成する工程
(vi)リーク電流ブロック層を形成した後、有機発光層を基準にして第1電極層とは反対側に第2電極層を設ける工程
(1−1:有機下地層の形成)
正孔注入材料である水に不溶性の高分子材料1、架橋剤であるジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、重合開始剤であるイルガキュアー360(チバガイギー社製)を重量比で1:0.25:0.01の割合で混合し、混合物を得た。有機溶剤に、前記混合物を1質量%の割合で溶解し、有機下地層形成用インクを得た。
陽極としてのITOパターンを有する平板状のガラス基板の、当該パターンを有する側の面全面に、前記インクをスピンコートし、約60nmの厚さの塗膜を作製した。その後、基板周辺部の封止エリア及び取り出し電極部分等の表示素子を作製しない領域の塗膜を拭き取り、ホットプレート上で200℃、10分間熱処理・乾燥して不溶化し、正孔注入層として機能する有機下地層を得た。本有機下地層は、水に不溶性の架橋高分子化合物からなる。有機下地層の抵抗率は2×1014Ωcm以上であった。
上記(1−1)で得た有機下地層の上に、フォトレジスト(東京応化製TELR−P003)を、回転数1000rpmでスピンコートし、フォトレジスト層を得た。この層に、所望のパターンが形成されているフォトマスクを介して、露光機(大日本スクリーン製、MA−1200)を用いて露光処理を施し、続いてKOH 1質量%水溶液で現像することで、所望のパターンを得た。得られた膜を230℃×20分間オーブンで乾燥し、隔壁を得た。得られた隔壁は、厚さが1.5μmであった。また、隔壁を上面から観察すると、有機下地層が露出している素子領域の開口が、70×210μmの矩形であり、隣接する素子領域との距離が20μmであった。
上記(1−2)で得た陽極、有機下地層及び隔壁を有する基板の上に、赤色発光有機EL材料(Lumation RP158(Sumation社製))のキシレン溶液(溶液における赤色発光有機EL材料の割合が1質量%)を、スピンコートし、その後、キシレンを浸した布で基板周辺部、及び隔壁頂部上などの不要部分を拭き取った後、減圧下80℃で1時間乾燥し、厚さ80nmの有機発光層を隔壁内の画素領域に形成した。
(1−3)で得た陽極、有機下地層、隔壁及び有機発光層を有する基板の上に、厚さ約5nmのバリウムと、その上の厚さ約100nmのアルミニウムの2層からなる陰極を、蒸着法により形成した。陰極の形状は、シャドーマスクを用いて規定し、平面視において、有機発光層上でITO陽極と直交する形状とし、陽極と陰極とでパッシブマトリクス型の電極を構成した。
封止用ガラス基板の主面の周辺部に、UV硬化性封止材(ナガセケムテックス社製XNR5516Z)を、ディスペンサーを用いて塗布した。この塗布面を下側として、(1−4)で得た積層構造を有する基板と位置合わせして、減圧下(−25KPa)で貼り合わせた。その後大気圧に戻し、UV光を照射して封止材を硬化することにより(1−1)〜(1−4)で得た層を封止し、有機EL素子を得た。
(1−5)で得られた素子の電極に電源を接続し駆動させたところ、単色(赤色)の画像が表示されることが確認された。画素中の発光は均一であった。
発光層ポリマー(Lumation G1302(Sumation社製))を、有機下地層用インクと同じ有機溶媒に0.8質量%の割合で溶解し、粘度8cPのインクを調製した。
インクの塗布は、Litrex社製インクジェット装置120Lを用い、隔壁により規定された画素領域のそれぞれに7滴ずつ吐出した。
(1−1:有機下地層の形成)
有機下地層形成用インクとして、水溶性であるポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホネート(略称PEDOT/PSS、バイエル社製、商品名;Baytron P CH 8000)を含む水溶液を用いた他は、作製例1の工程(1−1)と同様にして、ITO陽極及び有機下地層を有する基板を得た。
得られた有機下地層上に、作製例1の工程(1−2)と同様に隔壁を形成しようとしたところ、隔壁形成のフォトリソグラフィの過程で有機下地層の厚さが不均一となった。
本作製例では、全周にわたって画素の周辺部にリーク電流ブロック層が備えられた有機EL素子を作製した。
[基板前処理]
ガラス基板上にITO電極パターンが形成され、その上に住友化学製フォトレジスト(M302R)をパターニングして隔壁形成した基板を使用した。隔壁サイズは170μm×50μm、画素ピッチ237μmであった。基板洗浄後、リアクティブイオンエッチング装置(サムコ社製RIE−200L)により基板の表面処理を行った。表面処理条件はO2プラズマ処理(圧力5Pa、出力30W、O2流量40sccm、時間10分)を行い、続けてCF4プラズマ処理(圧力5Pa、出力5W、CF4流量7sccm、時間5分)を行った。
正孔注入層としてPEDOT(H.C、Stark社製CH8000LVW185)に2−ブトキシエタノールを2wt%混合し、0.45μmフィルタにてろ過したものを使用した。そして、Litrex社製80Lを用い、インクジェット塗布を行った。このとき、等間隔に液滴を塗布し、一画素あたりの液滴数は4滴であった。塗布後、真空乾燥を行った。
熱/光硬化性の絶縁性高分子1を有機溶剤に溶かしたインクを使用し、Litrex社製120Lを用いて、インクジェット塗布を行った。インク添加剤として、DPHA(ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、日本化薬社製)、イルガキュア907(チバスペシャリティケミカルズ社製)を重量比で、絶縁性高分子1:DPHA:イルガキュア907=1:0.25:0.01の割合で配合し、絶縁性高分子1が0.4wt%になるようインクを作製した。このとき、1μmフィルタでろ過を行い、粘度を3cPとした。隔壁内全体に塗布する場合には一画素あたり3〜5滴程度を隔壁内に等間隔に塗布した。塗布後、真空中で約200℃、20分加熱処理を行い、絶縁性高分子を硬化させた。
加熱処理によって隔壁の撥液効果が消失してしまうため、CF4プラズマ処理(圧力5Pa、出力5W、CF4流量7sccm、時間1分)を行った。また、硬化した絶縁性高分子1上の撥水性を低減するため、UV/O3処理を1分行った。
発光層インクの溶媒として絶縁性高分子1と同じ有機溶媒を使用した。発光層ポリマーとして、GP1302(サメイション社製)を使用し、インク濃度を0.8wt%とし、粘度を8cPとした。このとき、1μmフィルタにてろ過して使用した。その後、Litrex社製120Lを用いて、インクジェット塗布を行った。一画素あたり7滴ずつ吐出した。塗布後、真空中で約100℃で、60分間の加熱処理を行った。
加熱処理後、大気にさらさずに蒸着工程へ移行させて、100ÅのBa膜、200ÅのAl膜の順で発光層上に蒸着し陰極を形成した。その後、ガラス封止を行った。
以上の方法にて有機EL素子を作製すると、リーク電流が抑制された良好な動作をする有機EL素子を得ることができた。
本作製例は、画素の湾曲部のみにリーク電流ブロック層を形成する有機EL素子を作製した。
[画素の湾曲部のみにリーク電流ブロック層を形成]
作製例3のリーク電流ブロック層の形成工程において、絶縁性高分子1のインクを画素周辺部全体に形成するのではなく、画素の湾曲部のみに形成することを除いては作製例3と同様にして素子作製を行った。ただし、この場合には、画素の湾曲部分にのみ(1画素につき2箇所に)1滴ずつ吐出した。本作製例4の有機EL素子は、作製例3のものと比較してインクの量を削減することができた。
1S 基板平面の周辺部
2 第1電極層
3 有機下地層
4 隔壁
5 有機発光層
6、6B リーク電流ブロック層
6a、6b リーク電流ブロック層の端部
7 第2電極層
12 マトリクス領域
60 有機EL装置
P4 フォトレジスト層
R1 画素領域
R2 境界領域
110、120 従来の有機EL素子の一例
Claims (10)
- 基板と、
前記基板の主面上に設けられた第1電極層と、
前記第1電極層の主面上に設けられ、水に不溶性の有機材料により構成された有機下地層と、
前記有機下地層の主面上に設けられ、画素領域を囲むように配置された隔壁と、
前記画素領域に設けられた有機発光層と、
前記有機発光層を基準にして第1電極層とは反対側に設けられた第2電極層と、
前記第1電極層および前記第2電極層の間において、前記有機発光層と前記隔壁との間の境界領域に設けられたリーク電流ブロック層とを備え、
前記リーク電流ブロック層は、有機発光層に一部重なるように、前記有機発光層が形成された後に形成され、
前記基板の厚み方向における前記リーク電流ブロック層の電気抵抗が、前記基板の厚み方向における前記有機発光層の電気抵抗よりも高い、
有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記リーク電流ブロック層の電気抵抗率が、106Ωcm以上である、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記リーク電流ブロック層が、熱または光により架橋した高分子樹脂層である、請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記有機下地層が正孔注入層である、請求項1から3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記有機下地層が、正孔注入層と、該正孔注入層の第2電極層側の主面に積層されて成るインターレイヤーとから成る、請求項1から3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記有機下地層の電気抵抗率が1010Ωcm以上である、請求項1から5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記水に不溶性の有機材料が、架橋した高分子化合物である請求項1から6のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記基板の厚み方向から見た前記境界領域の平面形状が、略平行に相対する略直線状の二つの直線部を含む略長円形状をなし、前記リーク電流ブロック層が、境界領域のうちの前記二つの直線部を除く湾曲部に設けられている、請求項1から7のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 基板の主面上に第1電極層が設けられた基板を用意する工程と、
前記第1電極層の主面上に、水に対して不溶性の有機材料により構成される有機下地層
を設ける工程と、
前記有機下地層の主面上に、画素領域を囲む隔壁を設ける工程と、
前記画素領域に有機発光層を設ける工程と、
有機発光層を設ける工程の後に、前記画素領域に臨む前記隔壁の表面に沿うように、前記有機発光層よりも電気抵抗が高い材料を用いて、リーク電流ブロック層を形成する工程と、
前記リーク電流ブロック層を形成した後、前記有機発光層を基準にして前記第1電極層とは反対側に第2電極層を設ける工程とを含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記隔壁を撥液性を有する材料で形成し、前記隔壁内に設ける層を、インクジェット法により形成する、請求項9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008196961A JP5199772B2 (ja) | 2008-07-30 | 2008-07-30 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008196961A JP5199772B2 (ja) | 2008-07-30 | 2008-07-30 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010033971A JP2010033971A (ja) | 2010-02-12 |
JP5199772B2 true JP5199772B2 (ja) | 2013-05-15 |
Family
ID=41738193
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008196961A Expired - Fee Related JP5199772B2 (ja) | 2008-07-30 | 2008-07-30 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5199772B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109410760A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-03-01 | 云谷(固安)科技有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5479145B2 (ja) | 2010-02-18 | 2014-04-23 | 三菱重工業株式会社 | 結合分離装置、結合分離システム、及び結合分離方法 |
WO2012011456A1 (ja) * | 2010-07-21 | 2012-01-26 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置 |
JPWO2013035143A1 (ja) * | 2011-09-05 | 2015-03-23 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
WO2013035143A1 (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-14 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
KR102615115B1 (ko) * | 2018-05-11 | 2023-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN110828683B (zh) * | 2019-10-28 | 2021-07-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled器件及其制备方法 |
KR20210155674A (ko) | 2020-06-16 | 2021-12-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
WO2023012577A1 (ja) * | 2021-08-05 | 2023-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003045668A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Toyota Industries Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル |
JP2003332055A (ja) * | 2002-05-16 | 2003-11-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置とその製造方法及び電子機器 |
JP2004235128A (ja) * | 2002-12-04 | 2004-08-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機el素子およびその製造方法 |
EP1688020B1 (en) * | 2003-11-21 | 2013-04-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display panel |
-
2008
- 2008-07-30 JP JP2008196961A patent/JP5199772B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109410760A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-03-01 | 云谷(固安)科技有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置 |
CN109410760B (zh) * | 2018-09-30 | 2021-09-28 | 广州国显科技有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010033971A (ja) | 2010-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5192828B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法 | |
JP5199772B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
JP5417732B2 (ja) | 親液撥液パターンの形成方法および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP5572942B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP2009135053A (ja) | 電子デバイス、表示装置および電子デバイスの製造方法 | |
JP2011159406A (ja) | 発光装置 | |
JP5314385B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP4849175B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
WO2010035643A1 (ja) | パターン塗布用基板および有機el素子 | |
JP4788828B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP4983940B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
WO2011122445A1 (ja) | 発光装置 | |
WO2009122870A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 | |
JP5185007B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2010160945A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
JP2010160946A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
JP4893839B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
KR20110000734A (ko) | 유기 전계발광 소자의 제조 방법, 유기 전계발광 소자 및 표시 장치 | |
WO2013133090A1 (ja) | 表示装置 | |
WO2011065288A1 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2013157171A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2013157170A (ja) | 発光装置 | |
JP4946841B2 (ja) | 装置の製造方法および装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110414 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130208 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5199772 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |