JP7488324B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置に関し、より詳細には、発光素子が漏れ電流により発光することを最小化できる表示装置に関する。

現在、本格的な情報化時代に入るに伴い、電気的情報信号を視覚的に表示する表示装置分野が急速に発展しており、様々な表示装置に対して、薄型化、軽量化及び低消費電力化等の性能を開発させるための研究が続いている。

このような多様な表示装置のうち、有機発光表示装置は、自体発光型表示装置であって、液晶表示装置とは異なり別途の光源が不要であり、軽量薄型に製造可能である。また、有機発光表示装置は、低電圧駆動により消費電力の側面で有利であるだけではなく、色相具現、応答速度、視野角、明暗対比比にも優れており、次世代のディスプレイとして適用されている。

本発明が解決しようとする課題は、向上した効率及び寿命特性を具現するために複数の発光部の積層を利用するマルチスタック（ｍｕｌｔｉ ｓｔａｃｋ）構造を適用した表示装置を提供することである。

本発明が解決しようとする他の課題は、共通層を有する複数の発光素子のうち一部の発光素子が漏れ電流により発光することを最小化した表示装置を提供することである。

本発明が解決しようとするまた他の課題は、安定して有機層の断絶構造を確保できる表示装置を提供することである。

本発明の課題は、以上において言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の課題は、下記の記載から当業者に明確に理解され得るだろう。

本発明の一実施例に係る表示装置は、発光領域と非発光領域とを有し、複数のサブ画素が定義された基板、前記複数のサブ画素それぞれに配置される複数の第１電極、前記複数のサブ画素の間の前記非発光領域に配置され、開口部を通して前記第１電極を露出させるバンク、前記非発光領域は、前記バンクの上部表面が平らな第１非発光領域及び前記バンクの上部表面が傾斜した第２非発光領域に区分され、前記第２非発光領域に少なくとも一部が配置される突出部、前記複数の第１電極上に配置される有機層、及び前記有機層上に配置される第２電極を含むことができる。

本発明の他の実施例に係る表示装置は、複数のサブ画素それぞれに配置される複数の第１電極、前記第１電極の縁の一部を覆うように配置され、上部表面が平らな第１領域及び前記上部表面が傾斜した第２領域を含むバンク、前記バンク上に配置される突出部、前記第１電極上に配置される有機層、及び前記有機層上に配置される第２電極を含み、前記突出部は、前記第２領域に配置され、前記有機層及び前記第２電極は、前記突出部の側面で隣り合うサブ画素間で互いに断絶され得る。
その他の実施例の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に含まれている。

本発明は、マルチスタック構造の有機発光素子を適用することで高い効率を示すことができ、低電流駆動が可能で有機発光素子の寿命が向上し得る。

本発明は、複数の発光素子の共通層を通して電流が漏れることを改善することができる。

本発明は、マルチスタック構造の表示装置の駆動時、意図しない発光素子の発光を最小化して、色再現率を向上させることができる。

本発明は、安定して有機層の断絶構造を確保することができ、収率及び工程性が向上し得る。

本発明に係る効果は、以上において例示された内容により制限されず、さらに多様な効果が本発明内に含まれている。

本発明の第１実施例に係る表示装置の概略的な構成図である。 本発明の第１実施例に係る表示装置のサブ画素回路図である。 本発明の第１実施例に係るサブ画素の拡大平面図である。 図３ａのＩＩＩ－ＩＩＩ’線に沿った断面図である。 本発明の第１実施例に係るサブ画素の断面図である。 本発明の突出部の角度範囲を説明するための図である。 本発明の第２実施例に係るサブ画素の拡大平面図である。 図６ａのＶＩ－ＶＩ’線に沿った断面図である。 本発明の第３実施例に係るサブ画素の拡大平面図である。 図７ａのＶＩＩａ－ＶＩＩａ’線に沿った断面図である。 図７ａのＶＩＩｂ－ＶＩＩｂ’線に沿った断面図である。 本発明の第４実施例に係るサブ画素の断面図である。 本発明の第５実施例に係るサブ画素の断面図である。 本発明の第６実施例のサブ画素の断面図である。 本発明の第６実施例のサブ画素の断面図である。 本発明の第７実施例のサブ画素の断面図である。 本発明の第７実施例のサブ画素の断面図である。 本発明の第８実施例に係るサブ画素の拡大平面図である。 図１２ａのＸＩＩ－ＸＩＩ’線に沿った断面図である。 本発明の第３実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第３実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第３実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第３実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第６実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第６実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第６実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第６実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第３実施例に係る表示装置の一部の他の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第３実施例に係る表示装置の一部の他の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第３実施例に係る表示装置の一部の他の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第３実施例に係る表示装置の一部の他の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第３実施例に係る表示装置の一部のまた他の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第３実施例に係る表示装置の一部のまた他の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第３実施例に係る表示装置の一部のまた他の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第３実施例に係る表示装置の一部のまた他の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第３実施例に係る表示装置の一部のまた他の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第３実施例に係る表示装置の一部のまた他の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第６実施例に係る表示装置の一部の他の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第６実施例に係る表示装置の一部の他の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第６実施例に係る表示装置の一部の他の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第６実施例に係る表示装置の一部の他の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第６実施例に係る表示装置の一部の他の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第６実施例に係る表示装置の一部の他の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第９実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第９実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第９実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第１０実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第１０実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第１０実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第１１実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第１１実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第１１実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第１２実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第１２実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第１２実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。 本発明の第９実施例に係るサブ画素の一部の断面図である。 本発明の第１３実施例に係るサブ画素の一部の断面図である。 本発明の一実施例に係る表示装置の平面図である。 本発明の他の実施例に係る表示装置の平面図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。

本発明の利点及び特徴、そして、それらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すると、明確になるだろう。しかし、本発明は、以下において開示される実施例に制限されるものではなく、互いに異なる多様な形状に具現され、単に、本実施例は、本発明の開示が完全なものとなるようにし、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範疇により定義されるだけである。

本発明の実施例を説明するための図面に開示された形状、面積、比率、角度、個数等は、例示的なものであるので、本発明は、図示された事項に制限されるものではない。明細書全体にわたって、同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。また、本発明を説明するにあたって、関連した公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不要に濁す恐れがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本発明上において言及された「含む」、「有する」、「なされる」等が使用される場合、「～だけ」が使用されない以上、他の部分が加えられ得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。

構成要素を解釈するにあたって、別途の明示的な記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈する。

位置関係についての説明である場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～隣に」等と二部分の位置関係が説明される場合、「すぐ」または「直接」が使用されない以上、二部分の間に一つ以上の他の部分が位置してもよい。

素子または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」と称されるものは、他の素子のすぐ上または中間に他の層または他の素子を介在した場合をいずれも含む。

また、第１、第２等が多様な構成要素を述べるために使用されるが、これらの構成要素は、これらの用語により制限されない。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。従って、以下において言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であってもよい。

明細書全体にわたって、同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。
図面で示された各構成の面積及び厚さは、説明の便宜のために示されたものであり、本発明は、示された構成の面積及び厚さに必ずしも限定されるものではない。

本発明の様々な実施例のそれぞれの特徴は、部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に多様な連動及び駆動が可能であり、各実施例が互いに対して独立して実施可能であってもよく、関連関係で共に実施してもよい。

以下においては、添付の図面を参照して、本発明の多様な実施例を詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施例に係る表示装置の概略的な構成図である。
図１においては、説明の便宜のために、表示装置１００の多様な構成要素の中で表示パネルＰＮ、ゲートドライバ（Ｇａｔｅ Ｄｒｉｖｅｒ）ＧＤ、データドライバ（Ｄａｔａ Ｄｒｉｖｅｒ）ＤＤ及びタイミングコントローラ（Ｔｉｍｉｎｇ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）ＴＣだけを示している。ただし、本発明は、これに制限されるものではない。

図１を参照すると、表示装置１００は、複数のサブ画素ＳＰを含む表示パネルＰＮ、表示パネルＰＮに各種の信号を供給するゲートドライバＧＤ及びデータドライバＤＤ、及びゲートドライバＧＤとデータドライバＤＤを制御するタイミングコントローラＴＣを含むことができる。

ゲートドライバＧＤは、タイミングコントローラＴＣから提供された複数のゲート制御信号ＧＣＳによって複数のスキャン配線ＳＬに複数のスキャン信号を供給できる。複数のスキャン信号は、第１スキャン信号ＳＣＡＮ１及び第２スキャン信号ＳＣＡＮ２を含むことができる。図１においては、一つのゲートドライバＧＤが表示パネルＰＮの一側に離隔されて配置されたものと示したが、これに制限されるものではない。

ゲートドライバＧＤは、ＧＩＰ（Ｇａｔｅ Ｉｎ Ｐａｎｅｌ）方式で配置されてもよく、本発明は、ゲートドライバＧＤの個数及び配置に制限されない。

データドライバＤＤは、タイミングコントローラＴＣから提供された複数のデータ制御信号ＤＣＳによってタイミングコントローラＴＣから入力される映像データＲＧＢを基準ガンマ電圧を利用してデータ信号に変換できる。そして、データドライバＤＤは、変換されたデータ信号を複数のデータ配線ＤＬに供給できる。

タイミングコントローラＴＣは、外部から入力された映像データＲＧＢを整列してデータドライバＤＤに供給できる。

タイミングコントローラＴＣは、外部から入力される同期信号ＳＹＮＣ、例えば、ドットクロック信号、データイネーブル信号、水平／垂直同期信号を利用してゲート制御信号ＧＣＳ及びデータ制御信号ＤＣＳを生成することができる。そして、タイミングコントローラＴＣは、生成されたゲート制御信号ＧＣＳ及びデータ制御信号ＤＣＳをゲートドライバＧＤ及びデータドライバＤＤに供給してゲートドライバＧＤ及びデータドライバＤＤをそれぞれ制御することができる。

表示パネルＰＮは、ユーザに映像を表示するための構成であり、複数のサブ画素ＳＰを含むことができる。表示パネルＰＮで複数のスキャン配線ＳＬ及び複数のデータ配線ＤＬが互いに交差し、複数のサブ画素ＳＰそれぞれは、スキャン配線ＳＬ及びデータ配線ＤＬに連結され得る。この他にも、図面に示されてはいないが、複数のサブ画素ＳＰそれぞれは、高電位電源配線、低電位電源配線、初期化信号配線、発光制御信号配線等に連結され得る。

サブ画素ＳＰは、画面を構成する最小単位であり、複数のサブ画素ＳＰそれぞれは、発光素子及びそれを駆動するための画素回路を含むことができる。複数の発光素子は、表示パネルＰＮの種類によって異なるように定義され得、例えば、表示パネルＰＮが有機発光表示パネルである場合、発光素子は、アノード、発光部及びカソードを含む有機発光素子であってよい。以下においては、発光素子が有機発光素子であると仮定して説明するが、発光素子の種類は、これに制限されることはない。

画素回路は、発光素子の駆動を制御するための回路である。画素回路は、例えば、複数のトランジスタ及びキャパシタを含んで構成され得るが、これに制限されるものではない。

以下においては、図２を参照して、サブ画素ＳＰの画素回路についてより詳細に説明する。
図２は、本発明の第１実施例に係る表示装置のサブ画素回路図である。
図２を参照すると、複数のサブ画素ＳＰそれぞれの画素回路は、第１～第６トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６及びキャパシタＣｓｔを含むことができる。

第１トランジスタＴ１は、第２スキャン配線と連結され、第２スキャン配線を通して供給される第２スキャン信号ＳＣＡＮ２により制御され得る。第１トランジスタＴ１は、データ信号Ｖｄａｔａを供給するデータ配線とキャパシタＣｓｔとの間に電気的に連結され得る。第１トランジスタＴ１は、第２スキャン配線を通してターン－オンレベルの第２スキャン信号ＳＣＡＮ２が印加されると、データ配線からのデータ信号ＶｄａｔａをキャパシタＣｓｔに伝達できる。このような第１トランジスタＴ１は、キャパシタＣｓｔにデータ信号Ｖｄａｔａが印加されるタイミングを制御するスイッチングトランジスタと称され得る。

第２トランジスタＴ２は、高電位電源信号ＥＶＤＤが供給される高電位電源配線と第５トランジスタＴ５との間に電気的に連結され得る。そして、第２トランジスタＴ２のゲート電極は、キャパシタＣｓｔと電気的に連結され得る。第２トランジスタＴ２は、ゲート電極に印加された電圧によって発光素子１３０に流れる電流を制御して発光素子１３０の輝度を制御する駆動トランジスタと称され得る。

また、第３トランジスタＴ３は、第１スキャン配線を通して供給される第１スキャン信号ＳＣＡＮ１により制御され得る。第３トランジスタＴ３は、第３トランジスタＴ３のタイプによって、第２トランジスタＴ２のゲート電極とドレイン電極との間またはゲート電極とソース電極との間に電気的に連結され得る。

一方、駆動トランジスタである第２トランジスタＴ２は、サブ画素ＳＰに印加されるデータ信号Ｖｄａｔａによって発光素子１３０に流れる電流を制御しなければならないが、サブ画素ＳＰ毎に配置された第２トランジスタＴ２の閾値電圧偏差によってサブ画素ＳＰそれぞれに配置された発光素子１３０の輝度偏差が発生し得る。

このとき、第３トランジスタＴ３を配置して第２トランジスタＴ２の閾値電圧を補償することができ、第３トランジスタＴ３は、補償トランジスタと称され得る。例えば、第３トランジスタＴ３をターン－オンさせる第１スキャン信号ＳＣＡＮ１が印加された場合、高電位電源信号ＥＶＤＤで第２トランジスタＴ２の閾値電圧が減じられた電圧が第２トランジスタＴ２のゲート電極に印加され得る。第２トランジスタＴ２のゲート電極に閾値電圧が減じられた高電位電源信号ＥＶＤＤが印加された状態でキャパシタＣｓｔにデータ信号Ｖｄａｔａが印加されるようにして、第２トランジスタＴ２の閾値電圧を補償することができる。

第３トランジスタＴ３は、第１トランジスタＴ１と互いに異なるスキャン配線から互いに異なるスキャン信号ＳＣＡＮ１、ＳＣＡＮ２の伝達を受けるものと示したが、第３トランジスタＴ３と第１トランジスタＴ１は、同じスキャン配線に連結されて同じスキャン信号ＳＣＡＮ１、ＳＣＡＮ２の伝達を受けてもよく、これに制限されない。

第４トランジスタＴ４は、キャパシタＣｓｔと初期化信号Ｖｉｎｉが供給される初期化信号配線に電気的に連結され得る。そして、第４トランジスタＴ４は、発光制御信号配線を通して供給される発光制御信号ＥＭにより制御され得る。第４トランジスタＴ４は、発光制御信号配線を通してターン－オンレベルの発光制御信号ＥＭが印加されると、キャパシタＣｓｔの電圧を初期化するか、キャパシタＣｓｔに印加されたデータ信号Ｖｄａｔａを徐々に放電させてデータ信号Ｖｄａｔａによる電流が発光素子１３０に流れるようにすることができる。

第５トランジスタＴ５は、第２トランジスタＴ２と発光素子１３０との間に電気的に連結され、発光制御信号配線を通して供給される発光制御信号ＥＭにより制御され得る。第５トランジスタＴ５は、キャパシタＣｓｔにデータ信号Ｖｄａｔａが印加され、第２トランジスタＴ２のゲート電極に閾値電圧が補償された高電位電源信号ＥＶＤＤが印加された状態で、ターン－オンレベルの発光制御信号ＥＭが印加されると、ターンオンされて低電位電力信号ＥＶＳＳに接続さ発光素子１３０に電流が流れるようにすることができる。

第６トランジスタＴ６は、初期化信号Ｖｉｎｉが供給される初期化信号配線と発光素子１３０のアノードとの間に電気的に連結され、第１スキャン配線を通して供給される第１スキャン信号ＳＣＡＮ１により制御され得る。第６トランジスタＴ６は、第１スキャン配線を通してターン－オンレベルの第１スキャン信号ＳＣＡＮ１が印加されると、初期化信号Ｖｉｎｉで発光素子１３０のアノードや、第２トランジスタＴ２と第５トランジスタＴ５との間のノードを初期化することができる。

キャパシタＣｓｔは、駆動トランジスタである第２トランジスタＴ２のゲート電極に印加される電圧を貯蔵する貯蔵キャパシタＣｓｔであってよい。ここで、キャパシタＣｓｔは、第２トランジスタＴ２のゲート電極と発光素子１３０のアノードとの間に電気的に連結され得る。従って、キャパシタＣｓｔは、第２トランジスタＴ２のゲート電極の電圧と発光素子１３０のアノードに供給される電圧の差を貯蔵することができる。

以上においては、複数のサブ画素ＳＰそれぞれの画素回路が第１～第６トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６及びキャパシタＣｓｔを含んで構成される場合を例に説明しているが、前述したように、本発明は、これに制限されるものではない。

以下においては、図３ａと図３ｂ及び図４を参照して、本発明の第１実施例に係る表示装置１００のサブ画素ＳＰをより詳細に説明する。
図３ａは、本発明の第１実施例に係るサブ画素の拡大平面図である。
図３ｂは、図３ａのＩＩＩ－ＩＩＩ’線に沿った断面図である。
図４は、本発明の第１実施例に係るサブ画素の断面図である。

図３ａは、サブ画素の形態が六角形である場合を例に示しているが、本発明は、サブ画素の形態に制限されるものではない。図３ｂは、平坦化層１１３の下の下部構造を省略して示しており、図４は、図３ｂの断面図で任意のトランジスタ１２０を含む下部構造を例に示している。ただし、本発明は、図４の下部構造に制限されるものではない。

図３ａにおいては、説明の便宜のために、発光素子１３０の構成のうち第１電極１３１及びバンク１１４だけを示している。バンク１１４は、開口部ＯＰにより露出される領域を除く残りの領域に配置され得る。また、図４においては、説明の便宜のために、サブ画素の画素回路の複数のトランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６及びキャパシタＣｓｔのうち一つのトランジスタ１２０だけを示している。

図３ａと図３ｂ及び図４を参照すると、本発明の第１実施例に係る表示装置は、基板１１０、トランジスタ１２０、発光素子１３０、平坦化層１１３、バンク１１４及び封止部１５０を含むことができる。表示装置は、トップエミッション（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式の表示装置に具現され得るが、これに制限されるものではない。

複数のサブ画素は、光を発光する個別単位であり、複数のサブ画素それぞれに発光素子１３０が配置され得る。複数のサブ画素は、互いに異なる色相の光を発光する第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を含むことができる。例えば、第１サブ画素は青色サブ画素であり、第２サブ画素は緑色サブ画素であり、第３サブ画素は赤色サブ画素であってよい。ただし、本発明は、これに制限されるものではない。

複数のサブ画素は、バンク１１４により定義され得る。即ち、バンク１１４は、複数のサブ画素で平坦化層１１３及び発光素子１３０の第１電極１３１の一部を覆うように配置され得る。基板１１０は、発光領域ＥＡ及び非発光領域ＮＥＡに区分され得る。例えば、非発光領域ＮＥＡでバンク１１４は第１電極１３１上に配置され、非発光領域ＮＥＡでの光生成を遮断することができる。これに対して、発光領域ＥＡにはバンク１１４が配置されないので、第１電極１３１上に有機層１３２が直に位置して有機層１３２で光が生成され得る。

そして、非発光領域ＮＥＡは、第１非発光領域ＮＥＡ１及び第２非発光領域ＮＥＡ２に区分され得る。
第１非発光領域ＮＥＡ１は、バンク１１４の上部表面が平らな領域であり、第２非発光領域ＮＥＡ２は、バンク１１４の上部表面が傾斜した側面領域であってよい。第２非発光領域ＮＥＡ２は、第１非発光領域ＮＥＡ１と発光領域ＥＡとの間に位置し得る。

一方、本発明は、第２非発光領域ＮＥＡ２に少なくとも一つの突出部１４０が配置されたことを特徴とする。図３ａと図３ｂ及び図４は、バンク１１４の一側面（即ち、第２非発光領域ＮＥＡ２）に一つの突出部１４０が配置された場合を例に示しているが、これに制限されるものではない。本発明の突出部１４０は、バンク１１４の両側面（即ち、第２非発光領域ＮＥＡ２）に配置されてもよく、バンク１１４の少なくとも一側面に二つ以上の突出部１４０が配置されてもよい。

図３ａに示されたように、突出部１４０は、サブ画素の第１電極１３１の一部を囲む形態に配置され得る。また、突出部１４０は、サブ画素の開口部ＯＰの形態に沿って第１電極１３１の縁に配置され得るが、これに制限されるものではない。図３ａは、突出部１４０がサブ画素の第１電極１３１の一部の縁にのみ配置された場合を例に示しているが、これに制限されるものではない。ただし、本発明の突出部１４０は、隣り合うサブ画素の間の第２電極１３３の接続のために、サブ画素の第１電極１３１の縁の一部には配置されなくてよい。または、本発明の突出部１４０は、少なくとも一部は、第２非発光領域ＮＥＡ２でない第１非発光領域ＮＥＡ１に配置され得る。あるいは、本開示の突起１４０は、開口部ＯＰの縁に沿って配置され得、少なくとも１つの部分は、第１の非放出領域ＮＥＡ１に配置され、他の部分は、第２の非放出領域ＮＥＡ２に配置され、 第２の非放出領域ＮＥＡ２に配置された他の部分は、第１の非放出領域ＮＥＡ１に配置された突起の少なくとも一部よりも長さが長い。

突出部１４０は、複数に分離されてもよい。即ち、突出部１４０は、第１電極１３１の縁の一部で切れて複数に分離され得る。ただし、本発明は、これに制限されるものではない。

また、突出部１４０は、その下部の第１電極１３１と一部重畳し得るが、これに制限されるものではない。

本発明の突出部１４０は、その断面が略台形状を有し得るが、これに制限されるものではない。この場合、下の辺、即ち、下底の両底角θ１、θ２は、所定範囲の鋭角や鈍角を有し得る。本発明の突出部１４０は、その断面が三角形、四角形等の多角形または鐘形等、多様な形態を有し得る。

本発明の突出部１４０は、例えば、マルチスタック（ｍｕｌｔｉ ｓｔａｃｋ）構造で発生する側面漏れ電流を遮断する役割を果たすことができる。即ち、本発明の突出部１４０構造によって隣り合うサブ画素の間の有機層１３２及びカソード１３３が互いに断絶され得る。ただし、本発明は、マルチスタック構造にのみ限定されるものではなく、一般的な有機発光表示装置で側面漏れ電流が発生する場合には効果的に適用され得る。

本発明は、特に、有機発光表示装置の工程特性上、共通層の使用により発生する漏れ電流、主に低階調領域で電流パス（ｐａｔｈ）が強く形成されて発生する漏れ電流の効果を低減するために電流パスの経路を増加させるか、または断線（または、断絶）させる方法の中で断絶させる方法により効果的である。

特に、本発明は、突出部１４０をバンク１１４の傾斜した側面、即ち、第２非発光領域ＮＥＡ２に配置することで、テーパ角度が大きな鈍角だけではなく、９０度以下の鋭角でも有機層１３２の断絶が可能であることを特徴とする。ここで、テーパ角度（または、接線角度）は、第２非発光領域ＮＥＡ２で突出部１４０が配置されるバンク１１４の上部表面の接線と基板１１０との間の角度を意味する。

また、本発明の突出部１４０は、バンク１１４とは異なる材料で構成されてもよいが、これに制限されるものではない。本発明の突出部１４０は、バンク１１４と同じ材料で構成されてもよく、この場合、同一工程で形成され得る。
突出部１４０は、バンク１１４と共にパターニングされてもよい。

このように、本発明の電流パスの断絶方法は、食刻比（ｅｔｃｈ ｒａｔｅ）偏差を利用した以前の方式に比して工程条件が単純であり、材料の選択が自由な利点がある。

図３ｂ及び図４を参照すると、基板１１０は、表示装置の他の構成要素を支持するための支持部材であり、絶縁物質からなり得る。

例えば、基板１１０は、ガラスまたは樹脂等からなり得る。また、基板１１０は、高分子またはポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）等のプラスチックを含んでなってもよく、フレキシビリティ（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）を有する物質からなってもよい。

基板１１０上にバッファ層１１１が配置され得る。バッファ層１１１は、基板１１０を通した水分または不純物の浸透を低減できる。バッファ層１１１は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複層に構成され得るが、これに制限されない。ただし、バッファ層１１１は、基板１１０の種類やトランジスタの種類によって省略されてもよく、これに制限されない。

バッファ層１１１上にトランジスタ１２０が配置され得る。トランジスタ１２０は、ゲート電極１２１、アクティブ層１２２、ソース電極１２３及びドレイン電極１２４を含むことができる。

図４に示されたトランジスタ１２０は、ゲート電極１２１上にアクティブ層１２２が配置され、アクティブ層１２２上にソース電極１２３及びドレイン電極１２４が配置された構造であり、ゲート電極１２１が最も下部に配置されたボトムゲート（ｂｏｔｔｏｍ ｇａｔｅ）構造のトランジスタであるが、本発明は、これに制限されるものではない。

バッファ層１１１上にゲート電極１２１が配置され得る。
ゲート電極１２１は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。
ゲート電極１２１上にゲート絶縁層１１２が配置され得る。
ゲート絶縁層１１２は、アクティブ層１２２とゲート電極１２１を絶縁させるための絶縁層であり、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複層に構成され得るが、これに制限されない。

ゲート絶縁層１１２上にアクティブ層１２２が配置され得る。
アクティブ層１２２は、酸化物半導体、非晶質シリコンまたはポリシリコン等のような半導体物質からなり得るが、これに制限されない。例えば、アクティブ層１２２が酸化物半導体で形成された場合、アクティブ層１２２は、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域からなり、ソース領域及びドレイン領域は、導体化された領域であってよいが、これに制限されない。

アクティブ層１２２上にエッチストッパー（ｅｔｃｈ ｓｔｏｐｐｅｒ）１１７が配置され得る。エッチストッパー１１７は、エッチング方法でソース電極１２３及びドレイン電極１２４をパターニングして形成する場合、アクティブ層１２２の表面がプラズマ（ｐｌａｓｍａ）によって損傷することを防止するためにさらに形成され得る。エッチストッパー１１７の一端はソース電極１２３と重畳し、他端はドレイン電極１２４と重畳し得る。しかし、エッチストッパー１１７は、省略されてもよい。

アクティブ層１２２及びエッチストッパー１１７上にソース電極１２３及びドレイン電極１２４が配置され得る。互いに離隔されて配置されたソース電極１２３及びドレイン電極１２４は、アクティブ層１２２と電気的に接続され得る。ソース電極１２３及びドレイン電極１２４は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。

トランジスタ１２０上に平坦化層１１３が配置され得る。平坦化層１１３は、基板１１０の上部を平坦化する絶縁層である。平坦化層１１３は、有機物質で構成され得、例えば、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）またはフォトアクリル（Ｐｈｏｔｏ Ａｃｒｙｌ）の単一層または複層に構成され得るが、これに制限されない。

平坦化層１１３上に複数のサブ画素には複数の発光素子１３０が配置され得る。発光素子１３０は、第１電極１３１、有機層１３２及び第２電極１３３を含むことができる。図示しないが、有機層１３２は、発光領域ＥＡに配置された発光層と発光領域ＥＡと非発光領域ＮＥＡを含んで基板１１０の前面に配置された共通層で構成され得る。

平坦化層１１３上に第１電極１３１が配置され得る。
第１電極１３１は、トランジスタ１２０と電気的に接続され、画素回路の駆動電流の供給を受けることができる。第１電極１３１は、発光層に正孔を供給するので、仕事関数の高い導電性物質からなり得る。第１電極１３１は、例えば、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）等のような透明導電性物質で形成され得るが、これに制限されない。

表示装置は、トップエミッション（Ｔｏｐ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）またはボトムエミッション（Ｂｏｔｔｏｍ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式に具現され得る。トップエミッション方式である場合、発光層から発光された光が第１電極１３１に反射して上部方向、即ち、第２電極１３３方向に向かうように、第１電極１３１の下部に反射効率に優れた金属物質、例えば、アルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）のような物質からなる反射層が加えられ得る。逆に、表示装置がボトムエミッション方式である場合、第１電極１３１は、透明導電性物質のみからなり得る。以下においては、本発明の表示装置がトップエミッション方式であると仮定して説明する。

第１電極１３１は、例えば、反射層を含む２層以上の積層構造になされ得る。
有機層１３２は、第１電極１３１と第２電極１３３との間に配置され得る。
有機層１３２は、第１電極１３１及び第２電極１３３から供給された電子と正孔の結合により光が発光する領域である。
一方、有機発光表示装置の品質及び生産性向上のために有機発光素子の効率、寿命向上及び消費電力低減等のための多様な有機発光素子構造が提案されている。

これによって、一つのスタック（ｓｔａｃｋ）、即ち、一つの発光ユニット（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｕｎｉｔ：ＥＬ ｕｎｉｔ）を適用する有機発光素子だけではなく、向上した効率及び寿命特性を具現するために複数のスタック、即ち、複数の発光ユニットの積層を利用するタンデム（Ｔａｎｄｅｍ）構造の有機発光素子１３０が提案されている。ただし、本発明は、タンデム構造に制限されるものではなく、以下においては、説明の便宜上、タンデム構造を例に説明しようとする。

タンデム構造、即ち、第１発光ユニットと第２発光ユニットの積層を利用した２スタック構造の有機発光素子１３０は、電子と正孔の再結合（ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）を通して発光が起こる発光領域が第１発光ユニットと第２発光ユニットそれぞれに位置し、第１発光ユニットの第１発光層と第２発光ユニットの第２発光層でそれぞれ発光する光が補強干渉を起こしながら単一スタック構造の有機発光素子１３０に対比して高い輝度を提供できる。

スタック構造は、例えば、第１電極１３１と第２電極１３３との間に配置された電荷生成層、電荷生成層と第１電極１３１との間に配置された第１スタック、及び第２電極１３３と電荷生成層との間に配置された第２スタックを含むことができる。電荷生成層は、第１スタックと第２スタックとの間に配置されて電荷を発生させることができる。電荷生成層は、ｐ型電荷生成層とｎ型電荷生成層が積層された構造に形成され得る。即ち、電荷生成層は、正電荷と負電荷を両方向に発生するｐ型電荷生成層とｎ型電荷生成層で構成され得、実質的に電極の役割を果たすことができる。

第１スタックと第２スタックそれぞれは、少なくとも一つ以上の発光層を含み、それぞれの発光層を挟んで、その上部及び下部に共通層を含むことができる。

また、有機発光素子１３０において一つの画素を構成する複数のサブ画素間の距離は、有機発光表示装置が高解像度へ行くほど小さくなるが、発光層（ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＥＭＬ）を除く正孔注入層（ＥＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電荷生成層（ＣＧＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）等のような補助有機層は、共通マスク（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍａｓｋ）を利用して複数個のサブ画素全てに対応するように蒸着されて共通層（ｃｏｍｍｏｎ ｌａｙｅｒ）に形成され、それぞれ異なる波長の光を発生させる複数のサブ画素内の発光層は、ファインメタルマスク（ｆｉｎｅ ｍｅｔａｌ ｍａｓｋ）を利用してそれぞれのサブ画素に対応するように個別的に蒸着されて形成され得る。

前記のような有機発光素子１３０の場合、第１電極１３１と第２電極１３３との間に電圧が印加されるとき、前記のように有機発光素子１３０内に形成された共通層を通して有機発光素子１３０の水平方向への水平漏れ電流（ｌａｔｅｒａｌ ｌｅａｋａｇｅ ｃｕｒｒｅｎｔ）が発生しながら、発光が要求されるサブ画素だけではなく隣接して位置した所望しないサブ画素が発光しながら現れる混色不良が発生している。

前記のような混色不良は、単一スタック構造の有機発光素子に対比して光の補強干渉を利用する第１発光ユニットと第２発光ユニットの積層を利用した２スタック構造の有機発光素子１３０においてさらに激しく現れ得る。

そこで、本発明においては、図３ａと図３ｂ及び図４に示されたように、バンク１１４の傾斜した第２非発光領域ＮＥＡ２に突出部１４０を形成して隣り合うサブ画素間の有機層１３２及び第２電極１３３を一部断絶させることで、特にマルチスタック構造の表示装置の駆動時、漏れ電流を最小化することを特徴とする。

また図３ｂ及び図４を参照すると、第１電極１３１及び平坦化層１１３上にバンク１１４が配置され得る。バンク１１４は、複数のサブ画素を区分するために、複数のサブ画素の間に配置された絶縁層である。

バンク１１４は、第１電極１３１の一部を露出させる開口部ＯＰを含むことができる。バンク１１４は、第１電極１３１のエッジまたは縁部分を覆うように配置された有機絶縁物質であってよい。バンク１１４は、例えば、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、アクリル（ａｃｒｙｌ）またはベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ：ＢＣＢ）系樹脂からなり得るが、これに制限されるものではない。

第１非発光領域ＮＥＡ１のバンク１１４上に複数のスペーサーが配置され得る。即ち、スペーサーは、上面が平らな第１非発光領域ＮＥＡ１のバンク１１４上に配置され得る。スペーサーは、発光素子１３０を形成するとき、蒸着マスクと一定の距離を維持するために第１非発光領域ＮＥＡ１のバンク１１４上に配置され得る。スペーサーにより蒸着マスクとスペーサーの下のバンク１１４及び第１電極１３１は蒸着マスクと一定の距離を維持でき、接触による損傷を防止することができる。このとき、複数のスペーサーは、蒸着マスクと接触する面積を最小化するように、上部へ行くほど幅が狭くなる形態、例えば、テーパ形状になされ得る。

第１電極１３１上に有機層１３２が配置され得る。有機層１３２は、複数のサブ画素それぞれに配置される発光層及び複数のサブ画素に共通して配置される共通層を含むことができる。発光層は、特定色相の光を発光するための有機層であり、第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素それぞれに互いに異なる発光層が配置され得る。ただし、本発明は、これに限定されるものではなく、全てのサブ画素それぞれに複数の発光層を備えて白色を発光してもよい。

共通層は、発光層の発光効率を改善するために配置される有機層である。共通層は、複数のサブ画素にわたって一つの層に形成され得る。即ち、複数のサブ画素それぞれの共通層は、互いに連結されて一体になされ得る。共通層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷生成層等を含むことができるが、これに制限されるものではない。

有機層１３２上に第２電極１３３が配置され得る。
第２電極１３３は、本発明の第１実施例に係る有機発光素子１３０に電子を供給する電極である。第２電極１３３は、仕事関数の低い物質からなり得る。第２電極１３３は、透明導電性物質を含むことができる。例えば、第２電極１３３は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等からなり得る。または、第２電極１３３は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、マグネシウム（Ｍｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）等のような金属物質またはこれらの合金からなる群のうちのいずれか一つを含むことができる。例えば、第２電極１３３は、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金（Ｍｇ：Ａｇ）からなり得る。または、第２電極１３３は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）のような透明導電性物質からなる層と、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、マグネシウム（Ｍｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）等のような金属物質またはこれらの合金からなる層が積層されて構成され得、これに制限されない。

一方、図面に示されてはいないが、第２電極１３３は、低電位電源配線と電気的に連結されて低電位電源信号の供給を受けることができる。

このとき、第２電極１３３上に封止部１５０が配置され得る。封止部１５０は、バンク１１４及び発光素子１３０の上部に配置され得る。封止部１５０は、外部から表示装置の内部に浸透する酸素と水分を遮断することができる。例えば、表示装置が水分や酸素に露出されると、発光領域ＥＡが縮小されるピクセル収縮現象が現れるか、発光領域ＥＡ内に黒点が生じる問題が発生し得る。そこで、封止部１５０は、酸素と水分を遮断して表示装置を保護することができる。

封止部１５０は、第１封止層、第２封止層、及び第３封止層を含むことができる。

第１封止層は、第２電極１３３上に配置され、水分や酸素の浸透を抑制することができる。第１封止層は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＮｘＯｙ）または酸化アルミニウム（ＡｌｙＯｚ）等の無機物からなり得るが、これに制限されるものではない。

第２封止層は、第１封止層上に配置され、表面を平坦化できる。また、第２封止層は、表示装置の製造工程上発生し得る異物またはパーティクルをカバーできる。第２封止層は、有機物、例えば、シリコンオキシカーボン（ＳｉＯｘＣｚ）、アクリルまたはエポキシ系列のレジン（Ｒｅｓｉｎ）等からなり得るが、これに制限されるものではない。

第３封止層は、第２封止層上に配置され、第１封止層のように水分や酸素の浸透を抑制することができる。第３封止層は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＮｘＯｙ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）または酸化アルミニウム（ＡｌｙＯｚ）等の無機物からなり得るが、これに制限されるものではない。

一方、前述したように、複数の発光素子１３０の共通層は、複数のサブ画素全体にわたって一つの層に形成され得る。このとき、複数のサブ画素の発光素子１３０が共通層を共有する構造に形成されることで、特定サブ画素の発光素子１３０を発光させるとき、隣り合うサブ画素の発光素子１３０に電流が流れる現象、即ち、電流漏れ現象が発生し得る。電流漏れ現象は、意図しない他のサブ画素の発光素子１３０が発光するようになって、複数のサブ画素間の混色を誘発し、消費電力を増加させ得る。また、漏れ電流により色異常及び斑等が視認されて表示品質が低下し得る。例えば、複数のサブ画素のうち第１サブ画素のみが発光する場合、第１サブ画素の発光素子１３０を駆動するために供給された電流のうち一部が共通層を通して隣接した第２サブ画素および／または第３サブ画素に漏れ得る。

そこで、本発明の表示装置においては、前述したように、バンク１１４の傾斜した側面である第２非発光領域ＮＥＡ２に突出部１４０を形成することで発光素子１３０の共通層を通した漏れ電流を最小化することを特徴とする。まず、バンク１１４の傾斜した側面に突出部１４０が形成され、突出部１４０上に有機層１３２及び第２電極１３３が蒸着されるので、漏れ電流が流れる経路の長さを増加させることができる。側面漏れ電流の経路となる有機層１３２の共通層がバンク１１４から突出した突出部１４０上を通るので、有機層１３２の断絶の有無と関係なく漏れ電流の経路が長くなり得る。そこで、漏れ電流が隣接したサブ画素の発光素子１３０に流れることを低減させることができる。有機層１３２は、開口部ＯＰに配置される第１有機層及びバンク１１４の第１非発光領域ＮＥＡ１から突出部１４０の上部まで配置される第２有機層に区分され得、このとき、第２有機層の末端は、突出部１４０の一側面で第１有機層と離隔され得る。

また、本発明の表示装置は、突出部１４０がバンク１１４の傾斜した側面である第２非発光領域ＮＥＡ２に配置されることで隣り合うサブ画素の間の有機層１３２及び第２電極１３３が少なくとも一部で互いに断絶され得る。従って、隣り合うサブ画素に流れる漏れ電流が最小化され得る。

図３ｂ及び図４においては、突出部１４０の右側、即ち、発光領域ＥＡと第２非発光領域ＮＥＡ２との間で有機層１３２及び第２電極１３３が互いに断絶される場合を例に示しているが、本発明は、これに制限されるものではない。突出部１４０の下底の左側底角θ２の大きさによって右側だけではなく左側でも有機層１３２及び第２電極１３３が互いに断絶され得る。

このような有機層１３２と第２電極１３３の断絶構造は、突出部１４０の少なくとも一側面で発生し得るが、突出部１４０がバンク１１４の傾斜した側面である第２非発光領域ＮＥＡ２に配置されることで実質的に水平面に対する突出部１４０の下底の右側底角θ１の大きさが大きくなる効果を得ることができ、図５を参照して詳細に説明する。

図５は、本発明の突出部の角度範囲を説明するための図である。
図５は、図３ｂに示された本発明の第１実施例に係る突出部１４０を、例えば、本発明の突出部１４０の角度範囲を説明するための図である。

図５を参照すると、断絶構造のために本発明の突出部１４０は、下底の右側底角θ１の大きさが９０゜－αより大きな鋭角を有し得る。また、突出部１４０の下底の左側底角θ２もまた鋭角を有し得る。

この場合、突出部１４０は、有機物または無機物で構成され得る。
また、突出部１４０は、金属材料で構成され得、金属で構成される場合、初期タイミング（ｉｎｉｔｉａｌ ｔｉｍｉｎｇ）区間に放電（ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）（または、グラウンド）で側面漏れ電流を根本的に封鎖できる利点がある。

ここで、αは、突出部１４０が配置されるバンク１１４の上部表面と水平線との間の角度を意味する。即ち、αは、突出部１４０が配置される第２非発光領域ＮＥＡ２でのバンク１１４の上部表面の接線と基板１１０との間の角度を意味する。このとき、水平線は、有機層１３２の蒸着方向と一致し得る。

そして、βは、突出部１４０が配置されるバンク１１４の上部表面と垂直線との間の角度を意味する。

γ１、γ２は、突出部１４０の下底の右側底角θ１の例を示している。
また、突出部１４０の下底の右側底角θ１が垂直（９０゜）に近い値であるほど、バンク１１４のテーパ角度と独立して断絶構造に有利である。ただし、本発明は、これに制限されるものではなく、突出部１４０の下底の右側底角θ１は、９０゜を有してもよい。

αは、９０゜－βの値を有するので、突出部１４０の下底の右側底角θ１は、βより大きな鋭角を有しなければならない。仮に、突出部１４０の下底の右側底角θ１が水平線となす角に一致するようになると、有機層１３２とカソード１３３が突出部１４０の側面にも蒸着され得るためである。ただし、有機層１３２の蒸着時、回折及び干渉マージンを考慮すると、突出部１４０の下底の右側底角θ１は、βより非常に大きな鋭角を有しなければならない。

また、本発明の突出部１４０は、下底の右側底角θ１の大きさが１２０゜より小さな鈍角を有し得る。仮に、下底の右側底角θ１の大きさが１２０゜以上であれば、上底と下底の大きさの差が大きくて突出部１４０が崩れることもあり得るが、本発明は、これに制限されるものではない。鈍角の範囲は、突出部１４０の高さやＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）によって変わり得る。また、突出部１４０の下底の左側底角θ２もまた鈍角を有し得る。

この場合、突出部１４０は、架橋剤（ｃｒｏｓｓ ｌｉｎｋｅｒ）を形成するＣＡＲ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ Ｒｅｓｉｓｔ）系列のネガティブＰＲ（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｉｓｔ）の有機物で構成され得る。

一方、本発明の突出部１４０は、下底の底角θ１、θ２が鋭角を有する場合に、一部でも第２非発光領域ＮＥＡ２に配置されると断絶構造を形成することができ、鈍角を有する場合は、領域に関係なく断絶構造を形成することができる。

また、本発明の突出部１４０が第２非発光領域ＮＥＡ２に配置される場合にも、バンク１１４のテーパの接線角度が４５゜以下である領域では、接線角度が４５゜から９０゜の間である領域より、安定して工程性を確保することができる。

一方、前述したように、本発明の突出部は、バンクの両側面に配置され得、これを本発明の第２実施例を通して詳細に説明する。

図６ａは、本発明の第２実施例に係るサブ画素の拡大平面図である。
図６ｂは、図６ａのＶＩ－ＶＩ’線に沿った断面図である。
図６ａ及び図６ｂに示された本発明の第２実施例は、突出部２４０ａ、２４０ｂがバンク１１４の両側面に、即ち、開口部ＯＰの両側縁に配置され、それによって、有機層２３２とカソード２３３が開口部ＯＰの両側縁で断絶される点を除いては、本発明の第１実施例と実質的に同じ構成となっている。従って、同じ構成については、重複した説明は省略する。

図６ａは、サブ画素の形態が六角形である場合を例に示しているが、本発明は、サブ画素の形態に制限されるものではない。図６ｂは、便宜上、平坦化層１１３の下の下部構造を省略して示している。

図６ａにおいては、説明の便宜のために、発光素子２３０の構成のうち第１電極２３１及びバンク１１４だけを示している。バンク１１４は、開口部ＯＰにより露出される領域を除く残りの領域に配置され得る。

図６ａと図６ｂを参照すると、本発明の第２実施例に係る表示装置は、バンク１１４の両側面（即ち、開口部ＯＰの両側縁）に突出部２４０ａ、２４０ｂが配置され得る。

バンク１１４の両側面に二つ以上の突出部２４０ａ、２４０ｂが配置されてもよい。

図６ａに示されたように、突出部２４０ａ、２４０ｂは、サブ画素の第１電極２３１の一部を囲む形態に配置され得る。また、突出部２４０ａ、２４０ｂは、サブ画素の開口部ＯＰの形態に沿って第１電極２３１の縁に配置され得るが、これに制限されるものではない。

突出部２４０ａ、２４０ｂは、第１突出部２４０ａと第２突出部２４０ｂとに分離されるが、本発明は、これに制限されるものではない。第１突出部２４０ａと第２突出部２４０ｂは、上部や下部で互いに接続するように延びてもよい。ただし、隣り合うサブ画素の間の第２電極２３３の接続のために、サブ画素の第１電極２３１の縁の一部には配置されなくてよい。または、本発明の突出部２４０ａ、２４０ｂは、少なくとも一部は、第２非発光領域でない第１非発光領域に配置され得る。

また、突出部２４０ａ、２４０ｂは、その下部の第１電極２３１と一部重畳し得るが、これに制限されるものではない。

本発明の突出部２４０ａ、２４０ｂは、その断面が略台形状を有し得るが、これに制限されるものではない。この場合、下底の両底角は、所定範囲の鋭角や鈍角を有し得る。本発明の突出部２４０ａ、２４０ｂは、その断面が三角形、四角形等の多角形または鐘形等、多様な形態を有し得る。

また、本発明の突出部２４０ａ、２４０ｂは、バンク１１４とは異なる材料で構成されてもよいが、これに制限されるものではない。本発明の突出部２４０ａ、２４０ｂは、バンク１１４と同じ材料で構成されてもよく、この場合、同一工程で形成され得る。

突出部２４０ａ、２４０ｂは、バンク１１４と共にパターニングされてもよい。

一方、本発明の第２実施例の場合は、バンク１１４の傾斜した両側面に突出部２４０ａ、２４０ｂを形成することで、第１電極２３１上に蒸着される有機層２３２及び第２電極２３３がバンク１１４の傾斜した両側面で互いに断絶され得る。そこで、前述した本発明の第１実施例に比してより効果的に漏れ電流を最小化できるようになる。また、開口部ＯＰの縁の左右に突出部２４０ａ、２４０ｂが対称となって配置される場合、視野角が向上する利点がある。

次に、前述したように、本発明の突出部は、サブ画素の第１電極を囲む形態に配置され、少なくとも一部は、第２非発光領域でない第１非発光領域に配置され得、これを本発明の第３実施例を通して詳細に説明する。

図７ａは、本発明の第３実施例に係るサブ画素の拡大平面図である。
図７ｂは、図７ａのＶＩＩａ－ＶＩＩａ’線に沿った断面図である。
図７ｃは、図７ａのＶＩＩｂ－ＶＩＩｂ’線に沿った断面図である。

図７ａ乃至図７ｃの本発明の第２実施例は、突出部３４０がサブ画素の第１電極２３１を囲む形態に配置され、少なくとも一部は、第２非発光領域ＮＥＡ２でない第１非発光領域ＮＥＡ１に配置される点を除いては、本発明の第１実施例と実質的に同じ構成となっている。従って、同じ構成については、重複した説明は省略する。

図７ｂは、サブ画素の左右、即ち、図７ａのＶＩＩａ－ＶＩＩａ’線に沿った断面図であり、図７ｃは、サブ画素の下部、即ち、図７ａのＶＩＩｂ－ＶＩＩｂ’線に沿った断面図である。

図７ｂは、第２非発光領域ＮＥＡ２と発光領域ＥＡの断面を例に示しており、図７ｃは、第１、第２非発光領域ＮＥＡ１、ＮＥＡ２と発光領域ＥＡの断面を例に示している。

図７ａは、サブ画素の形態が六角形である場合を例に示しているが、本発明は、サブ画素の形態に制限されるものではない。図７ｂ及び図７ｃは、便宜上、平坦化層１１３の下の下部構造を省略して示している。

図７ａにおいては、説明の便宜のために、発光素子２３０の構成の中でアノード２３１及びバンク１１４だけを示している。バンク１１４は、開口部ＯＰにより露出される領域を除く残りの領域に配置され得る。

図７ａと図７ｂを参照すると、本発明の第３実施例に係る表示装置は、バンク１１４の開口部ＯＰの縁に突出部３４０が配置され得る。

このとき、突出部３４０は、サブ画素の第１電極２３１全体を囲む形態に配置され得る。また、突出部３４０は、サブ画素の開口部ＯＰの形態に沿って第１電極２３１の縁に配置され得るが、これに制限されるものではない。

このように、本発明の第３実施例の場合は、突出部３４０がサブ画素の第１電極２３１全体を囲む形態に配置されることで、第１電極２３１上に蒸着される有機層２３２及び第２電極２３３が少なくとも開口部ＯＰの上部及び左右の縁で互いに断絶され得る。そこで、前述した本発明の第１、第２実施例に比してより効果的に漏れ電流を最小化できるようになる。

また、突出部３４０は、その下部の第１電極２３１と一部重畳し得るが、これに制限されるものではない。

本発明の突出部３４０は、その断面が略台形状を有し得るが、これに制限されるものではない。この場合、下底の両底角は、所定範囲の鋭角や鈍角を有し得る。本発明の突出部３４０は、その断面が三角形、四角形等の多角形または鐘形等、多様な形態を有し得る。

また、本発明の突出部３４０は、バンク１１４とは異なる材料で構成されてもよいが、これに制限されるものではない。本発明の突出部３４０は、バンク１１４と同じ材料で構成されてもよく、この場合、同一工程で形成され得る。

突出部３４０は、バンク１１４と共にパターニングされてもよい。
図７ａと図７ｃを参照すると、本発明の突出部３４０は、隣り合うサブ画素の間の第２電極２３３の接続のために、少なくとも一部は、第２非発光領域ＮＥＡ２でない第１非発光領域ＮＥＡ１に配置され得る。

第１非発光領域ＮＥＡ１に配置された突出部３４０は、バンク１１４の傾斜した側面、即ち、第２非発光領域ＮＥＡ２に配置された突出部３４０に比して、下底の底角が水平線に対してより小さな角度を有することで有機層２３２及びカソード２３３が突出部３４０を挟んで断絶なしに連続的に蒸着がなされ得るようになる。

一方、透湿防止及び支持のために基板を二重に構成してもよく、これを本発明の第４実施例を通して詳細に説明する。

図８は、本発明の第４実施例に係るサブ画素の断面図である。
図８に示された本発明の第４実施例は、基板４１０ａ、４１０ｂが二重に構成された点を除いては、本発明の第１実施例と実質的に同じ構成となっている。従って、同じ構成については、重複した説明は省略する。

図８は、下部構造を例に示しているが、これに制限されるものではない。
また、図８においては、説明の便宜のために、サブ画素の画素回路の複数のトランジスタ及びキャパシタのうち一つのトランジスタ１２０だけを示している。

図８を参照すると、本発明の第４実施例に係る表示装置は、第１、第２基板４１０ａ、４１０ｂ、トランジスタ１２０、発光素子１３０、平坦化層１１３、バンク１１４及び封止部１５０を含むことができる。表示装置は、トップエミッション（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式の表示装置に具現され得るが、これに制限されるものではない。

即ち、本発明の第４実施例に係る表示装置は、第１基板４１０ａと第２基板４１０ｂを含み、第１基板４１０ａと第２基板４１０ｂとの間にバッファ層４１５をさらに含むことができる。

第１基板４１０ａと第２基板４１０ｂは、表示装置の他の構成要素を支持するための支持部材であり、絶縁物質からなり得る。例えば、第１基板４１０ａと第２基板４１０ｂは、高分子またはポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）等のようなプラスチックを含んでなってもよく、フレキシビリティ（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）を有する物質からなってもよい。また、バッファ層４１５は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複層に構成され得るが、これに制限されない。

図８に示されたトランジスタ１２０は、ゲート電極１２１上にアクティブ層１２２が配置され、アクティブ層１２２上にソース電極１２３及びドレイン電極１２４が配置された構造であり、ゲート電極１２１が最も下部に配置されたボトムゲート（ｂｏｔｔｏｍ ｇａｔｅ）構造のトランジスタであるが、本発明は、これに制限されるものではない。

図８は、バンク１１４の一側面（即ち、第２非発光領域ＮＥＡ２）に一つの突出部１４０が配置された場合を例に示しているが、これに制限されるものではない。本発明の突出部１４０は、バンク１１４の両側面（即ち、第２非発光領域ＮＥＡ２）に配置されてもよく、バンク１１４の少なくとも一側面に二つ以上の突出部１４０が配置されてもよい。

また、本発明の突出部１４０は、サブ画素の第１電極１３１の縁の一部を除くサブ画素の第１電極１３１を囲む形態に配置されてもよい。または、本発明の突出部１４０は、少なくとも一部は、第２非発光領域ＮＥＡ２でない第１非発光領域ＮＥＡ１に配置され得る。

また、本発明の突出部１４０は、サブ画素の開口部の形態に沿って第１電極１３１の少なくとも一部の縁に二以上の個数が配置され得る。

一方、画素回路を構成する複数のトランジスタそれぞれの機能を考慮してアクティブ層を互いに異なる物質で構成でき、これを本発明の第５実施例を通して詳細に説明する。

図９は、本発明の第５実施例に係るサブ画素の断面図である。
図９に示された本発明の第５実施例は、図８の表示装置と比較してトランジスタ５２０ａ、５２０ｂのみが異なるだけで、他の構成は実質的に同一である。従って、同じ構成については、重複した説明は省略する。

図９は、下部構造を例に示しているが、これに制限されるものではない。
また、図９においては、説明の便宜のために、サブ画素の画素回路の複数のトランジスタのうち任意の第１、第２トランジスタ５２０ａ、５２０ｂだけを示している。

図９を参照すると、本発明の第５実施例に係る表示装置は、第１、第２基板３１０ａ、３１０ｂ、第１、第２トランジスタ５２０ａ、５２０ｂ、発光素子１３０、平坦化層１１３、バンク１１４及び封止部１５０を含むことができる。

即ち、本発明の第５実施例に係る表示装置は、第１基板３１０ａと第２基板３１０ｂを含み、第１基板３１０ａと第２基板３１０ｂとの間にバッファ層３１５をさらに含むことができる。

このとき、図９は、バンク１１４の一側面（即ち、第２非発光領域ＮＥＡ２）に一つの突出部１４０が配置された場合を例に示しているが、これに制限されるものではない。本発明の突出部１４０は、バンク１１４の両側面（即ち、第２非発光領域ＮＥＡ２）に配置されてもよく、バンク１１４の少なくとも一側面に二つ以上の突出部１４０が配置されてもよい。

また、本発明の突出部１４０は、サブ画素の第１電極１３１の縁の一部を除くサブ画素の第１電極１３１を囲む形態に配置されてもよい。または、本発明の突出部１４０は、少なくとも一部は、第２非発光領域ＮＥＡ２でない第１非発光領域ＮＥＡ１に配置され得る。

第１基板３１０ａと第２基板３１０ｂは、表示装置の他の構成要素を支持するための支持部材であり、絶縁物質からなり得る。例えば、第１基板３１０ａと第２基板３１０ｂは、高分子またはポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）等のようなプラスチックを含んでなってもよく、フレキシビリティ（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）を有する物質からなってもよい。また、バッファ層４１５は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複層に構成され得るが、これに制限されない。

第１基板３１０ａ上に他のバッファ層３１１ａが配置され得る。
他のバッファ層３１１ａは、第１基板３１０ａを通した水分または不純物の浸透を低減できる。他のバッファ層３１１ａは、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複層に構成され得るが、これに制限されない。

図示しないが、他のバッファ層３１１ａ上にまた他のバッファ層が配置され得る。

また他のバッファ層は、第１トランジスタ５２０ａの結晶化過程で発生するイオンまたは不純物の浸透を防止できる。

他のバッファ層３１１ａ上に第１、第２トランジスタ５２０ａ、５２０ｂが配置され得る。

第１トランジスタ５２０ａは、第１アクティブ層５２２ａ、第１ゲート電極５２１ａ、第１ソース電極５２３ａ及び第１ドレイン電極５２４ａを含むことができる。

第２トランジスタ５２０ｂは、第２アクティブ層５２２ｂ、第２ゲート電極５２１ｂ、第２ソース電極５２３ｂ及び第２ドレイン電極５２４ｂを含むことができる。

他のバッファ層３１１ａ上に第１アクティブ層５２２ａが配置され得る。
例えば、第１アクティブ層５２２ａは、低温ポリシリコン（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ－Ｓｉｌｉｃｏｎ、ＬＴＰＳ）からなり得る。ポリシリコンの場合、移動度が高くてエネルギー消費電力が低く、信頼性に優れて、駆動トランジスタ等に適用され得る。

第１アクティブ層５２２ａ上にゲート絶縁層３１２が配置され得る。
ゲート絶縁層３１２上に第１ゲート電極５２１ａが配置され得る。

ゲート絶縁層３１２上に第１ストレージ電極ＳＴ１及び遮光層５２５ｂが配置され得る。

遮光層５２５ｂは、第２トランジスタ５２０ｂの第２アクティブ層５２２ｂに重畳するように配置され、外部から流入した光または外部から流入した水分から第２トランジスタ５２０ｂを保護して、第２トランジスタ５２０ｂの素子特性が変動することを最小化できる。図９においては、遮光層５２５ｂがフローティング（ｆｌｏａｔｉｎｇ）されたものと示されているが、遮光層５２５ｂは、他の構成、一例として複数の配線等に電気的に接続され得、これに制限されない。

第１ゲート電極５２１ａ、第１ストレージ電極ＳＴ１及び遮光層５２５ｂ上に層間絶縁層３１３が配置され得る。

層間絶縁層３１３上に第１ストレージ電極ＳＴ１の一部と重畳するように第２ストレージ電極ＳＴ２が配置され得る。

第２ストレージ電極ＳＴ２上に第１、第２パッシベーション層３１４ａ、３１４ｂが配置され得る。第１、第２パッシベーション層３１４ａ、３１４ｂには、第１ソース電極５２３ａ及び第１ドレイン電極５２４ａそれぞれが第１アクティブ層５２２ａに接続するためのコンタクトホールが形成され得る。また、第２パッシベーション層３１４ｂには、第２ソース電極５２３ｂ及び第２ドレイン電極５２４ｂそれぞれが第２アクティブ層５２２ｂに接続するためのコンタクトホールが形成され得る。

第１パッシベーション層３１４ａ上に第２アクティブ層５２２ｂが配置され得る。

第２アクティブ層５２２ｂは、酸化物半導体物質からなり得る。酸化物半導体物質は、シリコンよりバンドギャップがさらに大きな物質であり、オフ（ｏｆｆ）状態で電子がバンドギャップを越えることができず、オフ－電流（ｏｆｆ－ｃｕｒｒｅｎｔ）が低い。従って、酸化物半導体物質からなるトランジスタの場合、オン（ｏｎ）時間が短く、オフ（ｏｆｆ）時間を長く維持するスイッチングトランジスタに適用され得る。

第２アクティブ層５２２ｂ上にゲート絶縁層が配置され、ゲート絶縁層上に第２ゲート電極５２１ｂが配置され得る。

ゲート絶縁層は、第２ゲート電極５２１ｂと同一にパターニングされ得る。
そして、第２パッシベーション層３１４ｂ上に第１ソース電極５２３ａ及び第１ドレイン電極５２４ａが配置され得る。互いに離隔されて配置された第１ソース電極５２３ａ及び第１ドレイン電極５２４ａは、第１アクティブ層５２２ａと電気的に接続され得る。また、第２パッシベーション層３１４ｂ上に第２ソース電極５２３ｂ及び第２ドレイン電極５２４ｂが配置され得る。互いに離隔されて配置された第２ソース電極５２３ｂ及び第２ドレイン電極５２４ｂは、第２アクティブ層５２２ｂと電気的に接続され得る。

第２パッシベーション層３１４ｂ上に平坦化層１１３が配置され得る。
図９においては、第１トランジスタ５２０ａの第１アクティブ層５２２ａが低温ポリシリコンで構成され、第２トランジスタ５２０ｂの第２アクティブ層５２２ｂが酸化物半導体物質で構成された場合を例に挙げて説明しているが、第１アクティブ層５２２ａが酸化物半導体物質で構成されるか、第２アクティブ層５２２ｂが低温ポリシリコンで構成されてもよく、これに制限されない。

本発明の第５実施例に係る表示装置においては、画素回路の複数のトランジスタ５２０ａ、５２０ｂを互いに異なるタイプに構成して画素回路の性能を向上させることができる。画素回路は、複数のトランジスタ５２０ａ、５２０ｂ及びキャパシタを含み、複数のトランジスタ５２０ａ、５２０ｂは、互いに異なるタイプのトランジスタになされ得る。例えば、複数のトランジスタ５２０ａ、５２０ｂのうち一部の第１トランジスタ５２０ａは、第１アクティブ層５２２ａが低温ポリシリコンで構成され、他の一部の第２トランジスタ５２０ｂは、第２アクティブ層５２２ｂが酸化物半導体物質で構成され得る。低温ポリシリコンを含む第１トランジスタ５２０ａの場合、移動度が高く、消費電力が低くて駆動トランジスタに適用され得る。酸化物半導体物質を含む第２トランジスタ５２０ｂの場合、オン時間が短く、オフ時間を長く維持することができてスイッチングトランジスタに適用され得る。従って、本発明の第５実施例に係る表示装置においては、画素回路を構成する複数のトランジスタ５２０ａ、５２０ｂそれぞれの機能を考慮して第１、第２アクティブ層５２２ａ、５２２ｂを互いに異なる物質で構成でき、画素回路の性能を向上させることができる。
次に、前述したように、本発明の突出部は、下底の底角が鈍角を有してもよく、これを本発明の第６実施例を通して詳細に説明する。

図１０ａ及び図１０ｂは、本発明の第６実施例のサブ画素の断面図である。
図１０ａ及び図１０ｂの本発明の第６実施例は、突出部６４０の下底の両底角θ１、θ２が鈍角を有する点を除いては、前述した本発明の第１実施例と実質的に同じ構成となっている。従って、同じ構成について、重複した説明は省略する。

図１０ｂは、図１０ａにおいて便宜上、平坦化層１１３の下の下部構造を省略し、残りの構成を拡大して示している。

図１０ａ及び図１０ｂを参照すると、本発明の第６実施例に係る表示装置は、バンク１１４の一側面（即ち、開口部ＯＰの一側縁）に突出部６４０が配置され得る。ただし、前述したように、本発明は、これに制限されるものではなく、バンク１１４の両側面に突出部６４０が配置されてもよい。

また、バンク１１４の少なくとも一側面に二つ以上の突出部６４０が配置され得る。

突出部６４０は、サブ画素の第１電極１３１の少なくとも一部を囲む形態に配置され得る。また、突出部６４０は、サブ画素の開口部ＯＰの形態に沿って第１電極１３１の縁に配置され得るが、これに制限されるものではない。

突出部６４０は、複数に分離されてもよいが、本発明は、これに制限されるものではない。即ち、突出部６４０は、第１電極１３１の縁の一部で切れて複数に分離され得る。ただし、隣り合うサブ画素の間の第２電極１３３の接続のために、サブ画素の第１電極１３１の縁の一部には配置されなくてよい。または、本発明の突出部６４０は、少なくとも一部は、第２非発光領域ＮＥＡ２でない第１非発光領域ＮＥＡ１に配置され得る。

また、突出部６４０は、その下部の第１電極１３１と一部重畳してもよいが、これに制限されるものではない。

本発明の突出部６４０は、その断面が略台形状を有し得るが、これに制限されるものではない。この場合、下底の両底角θ１、θ２は、所定範囲の鈍角を有し得る。本発明の突出部６４０は、その断面が三角形、四角形等の多角形または鐘形等、多様な形態を有し得る。

また、本発明の突出部６４０は、バンク１１４とは異なる材料で構成されてもよいが、これに制限されるものではない。本発明の突出部６４０は、バンク１１４と同じ材料で構成されてもよく、この場合、同一工程で形成され得る。
突出部６４０は、バンク１１４と共にパターニングされてもよい。

本発明の第６実施例に係る突出部６４０は、下底の右側底角θ１の大きさが１２０゜より小さな鈍角を有し得る。仮に、下底の右側底角θ１の大きさが１２０゜以上であれば、上底と下底の大きさの差が大きくて突出部６４０が崩れ得るが、本発明は、これに制限されるものではない。鈍角の範囲は、突出部６４０の高さやＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）によって変わることもある。また、突出部６４０の下底の左側底角θ２もまた鈍角を有し得る。

この場合、突出部６４０は、架橋剤（ｃｒｏｓｓ ｌｉｎｋｅｒ）を形成するＣＡＲ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ Ｒｅｓｉｓｔ）系列のネガティブＰＲ（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｉｓｔ）の有機物で構成され得る。

次に、本発明の突出部は、バンクと同じ材質でバンクと共にパターニングされ得、これを本発明の第７実施例を通して詳細に説明する。

図１１ａ及び図１１ｂは、本発明の第７実施例のサブ画素の断面図である。
図１１ａ及び図１１ｂの本発明の第７実施例は、突出部７１４ａがバンク７１４と同じ材質でバンク７１４と共にパターニングされる点を除いては、前述した本発明の第１実施例と実質的に同じ構成となっている。従って、同じ構成については、重複した説明は省略する。

図１１ｂは、図１１ａにおいて便宜上、平坦化層１１３の下の下部構造を省略し、残りの構成を拡大して示している。

図１１ａ及び図１１ｂを参照すると、本発明の第７実施例に係る表示装置は、バンク７１４の一側面（即ち、開口部ＯＰの一側縁）に突出部７１４ａが配置され得る。ただし、本発明は、これに制限されるものではなく、バンク７１４の両側面に突出部７１４ａが配置されてもよい。

また、バンク７１４の少なくとも一側面に二つ以上の突出部７１４ａが配置され得る。

突出部７１４ａは、サブ画素の第１電極１３１の少なくとも一部を囲む形態に配置され得る。また、突出部７１４ａは、サブ画素の開口部ＯＰの形態に沿って第１電極１３１の縁に配置され得るが、これに制限されるものではない。

突出部７１４ａは、複数に分離されてもよいが、本発明は、これに制限されるものではない。即ち、突出部７１４ａは、第１電極１３１の縁の一部で切れて複数に分離され得る。ただし、隣り合うサブ画素の間の第２電極１３３の接続のために、サブ画素の第１電極１３１の縁の一部には配置されなくてよい。または、本発明の突出部７１４ａは、少なくとも一部は、第２非発光領域ＮＥＡ２でない第１非発光領域ＮＥＡ１に配置され得る。

また、突出部７１４ａは、その下部の第１電極１３１と一部重畳し得るが、これに制限されるものではない。

本発明の突出部７１４ａは、その断面が略台形状を有し得るが、これに制限されるものではない。下底の両底角は、所定範囲の鋭角や鈍角を有し得る。本発明の突出部７１４ａは、その断面が三角形、四角形等の多角形または鐘形等、多様な形態を有し得る。

本発明の突出部７１４ａは、バンク７１４と同じ材料で構成され得、この場合、同一工程で形成され得る。

バンク７１４と突出部７１４ａは、有機物からなり得る。例えば、バンク７１４と突出部７１４ａは、ポリイミド、アクリルまたはベンゾシクロブテン系樹脂等の有機物からなり得るが、これに制限されるものではない。

例えば、バンク７１４と突出部７１４ａにポリイミドが使用される場合に、バンク７１４と突出部７１４ａの屈折率は、約１．６程度であり得る。

突出部７１４ａは、バンク７１４と共にパターニングされ得る。この場合に、ハーフ－トーンマスク（ｈａｌｆ－ｔｏｎｅ ｍａｓｋ）やトリプル－トーン（ｔｒｉｐｌｅ－ｔｏｎｅ）マスク、またはマルチ－トーン（ｍｕｌｔｉ－ｔｏｎｅ）マスクを利用できる。また、この場合、スペーサーも突出部７１４ａと共に形成することもできる。

特に、本発明の第７実施例の場合は、バンク７１４と突出部７１４ａとの間のアラインが不要であり、工程的に利点がある。

一方、前述したように、バンクの少なくとも一側面に二つ以上の突出部が配置されてもよく、これを本発明の第８実施例を通して詳細に説明する。

図１２ａは、本発明の第８実施例に係るサブ画素の拡大平面図である。
図１２ｂは、図１２ａのＸＩＩ－ＸＩＩ’線に沿った断面図である。

図１２ａ及び図１２ｂに示された本発明の第８実施例は、二つの第１、第２突出部８４０ａ、８４０ｂがバンク１１４の一側面に配置される点を除いては、前述した本発明の第１実施例と実質的に同じ構成となっている。従って、同じ構成については、重複した説明は省略する。

図１２ａは、サブ画素の形態が六角形である場合を例に示しているが、本発明は、サブ画素の形態に制限されるものではない。図１２ｂは、説明の便宜上、平坦化層１１３の下の下部構造を省略して示している。

図１２ａにおいて、説明の便宜のために、発光素子１３０の構成のうち第１電極１３１及びバンク１１４だけを示している。バンク１１４は、開口部ＯＰにより露出される領域を除く残りの領域に配置され得る。

図１２ａと図１２ｂを参照すると、本発明の第８実施例に係る表示装置は、バンク１１４の一側面（即ち、開口部ＯＰの一側縁）に第１、第２突出部８４０ａ、８４０ｂが配置され得る。

また、バンク１１４の両側面に二つの第１、第２突出部８４０ａ、８４０ｂが配置されてもよい。即ち、バンク１１４の少なくとも一側面に二つ以上の第１、第２突出部８４０ａ、８４０ｂが配置されてもよい。

図１２ａに示されたように、第１、第２突出部８４０ａ、８４０ｂは、サブ画素の第１電極１３１の一部を囲む形態に配置され得る。第１、第２突出部８４０ａ、８４０ｂは、サブ画素の開口部ＯＰの形態に沿って第１電極１３１の縁に配置され得るが、これに制限されるものではない。

第１、第２突出部８４０ａ、８４０ｂは、互いに分離され得るが、本発明は、これに制限されるものではない。第１突出部８４０ａと第２突出部８４０ｂは、下底が互いに連結されてもよい。

また、第１、第２突出部８４０ａ、８４０ｂは、隣り合うサブ画素の間の第２電極１３３の接続のために、サブ画素の第１電極１３１の縁の一部には配置されなくてよい。または、本発明の第１、第２突出部８４０ａ、８４０ｂは、少なくとも一部は、第２非発光領域でない第１非発光領域に配置され得る。

また、第１、第２突出部８４０ａ、８４０ｂは、その下部の第１電極１３１と一部重畳し得るが、これに制限されるものではない。

本発明の第１、第２突出部８４０ａ、８４０ｂそれぞれは、断面が略台形状を有し得るが、これに制限されるものではない。この場合、下底の両底角は、所定範囲の鋭角や鈍角を有し得る。本発明の第１、第２突出部８４０ａ、８４０ｂそれぞれは、その断面が三角形、四角形等の多角形または鐘形等、多様な形態を有し得る。

本発明の第１、第２突出部８４０ａ、８４０ｂは、バンク１１４とは異なる材料で構成されてもよいが、これに制限されるものではない。また、本発明の第１、第２突出部８４０ａ、８４０ｂは、バンク１１４と同じ材料で構成されてもよく、この場合、同一工程で形成され得る。

第１、第２突出部８４０ａ、８４０ｂは、バンク１１４と共にパターニングされてもよい。
第１突出部８４０ａと第２突出部８４０ｂは、互いに異なる大きさを有し得る。
第１突出部８４０ａと第２突出部８４０ｂは、互いに異なる高さを有し得る。
第１突出部８４０ａと第２突出部８４０ｂは、互いに異なる位置に配置されてもよい。

本発明の第８実施例の場合は、バンク１１４の少なくとも一側面に少なくとも二つの第１、第２突出部８４０ａ、８４０ｂを形成することで、電流パスの経路が増加し得る。また、第１、第２突出部８４０ａ、８４０ｂの下底の底角を調節する場合に、第２突出部８４０ｂの一側面だけではなく第１突出部８４０ａの一側面、即ち、第１突出部８４０ａと第２突出部８４０ｂとの間でも有機層１３２及び第２電極１３３が断絶され得、前述した本発明の第１実施例に比してより効果的に漏れ電流を最小化できるようになる。

本発明の断絶構造は、さらなるマスク工程を通して形成することもでき、既存のバンクやスペーサーを形成するマスク工程を通しても形成することができ、これを図面を参照して詳細に説明する。

図１３ａ乃至図１３ｄは、本発明の第３実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。
説明の便宜上、平坦化層１１３の下の下部構造を省略して説明する。
図１３ａを参照すると、複数のトランジスタとキャパシタを含む基板上に平坦化層１１３を形成する。

平坦化層１１３は、基板の上部を平坦化する絶縁層である。平坦化層１１３は、有機物質で構成され得、例えば、ポリイミドまたはフォトアクリルの単一層または複層に構成され得るが、これに制限されない。

平坦化層１１３は、約２μｍの厚さに形成することができるが、これに制限されるものではない。

平坦化層１１３上に複数のサブ画素には、複数の発光素子が配置され得る。発光素子は、第１電極２３１、有機層及び第２電極を含むことができる。

まず、平坦化層１１３上に第１電極２３１を形成する。
第１電極２３１は、トランジスタと電気的に接続され、画素回路の駆動電流の供給を受けることができる。第１電極２３１は、発光層に正孔を供給するので、仕事関数の高い導電性物質からなり得る。第１電極２３１は、例えば、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）等のような透明導電性物質で形成され得るが、これに制限されない。

表示装置は、トップエミッション（Ｔｏｐ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）またはボトムエミッション（Ｂｏｔｔｏｍ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式に具現され得る。トップエミッション方式である場合、第１電極２３１の下部に反射効率に優れた金属物質、例えば、アルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）のような物質からなる反射層が加えられ得る。逆に、表示装置がボトムエミッション方式である場合、第１電極２３１は、透明導電性物質のみからなり得る。以下においては、本発明の表示装置がトップエミッション方式であると仮定して説明する。

第１電極２３１は、例えば、反射層を含む２層以上の積層構造になされ得る。
第１電極２３１は、約０．１μｍの厚さに形成することができるが、これに制限されるものではない。

以後、図１３ｂを参照すると、第１電極２３１が形成された基板上にバンク１１４とスペーサー３６０を形成する。

バンク１１４とスペーサー３６０は、同一マスク工程で形成することもでき、または異なるマスク工程で形成することもできる。

バンク１１４は、第１電極２３１の一部を露出させる開口部ＯＰを含むことができる。バンク１１４は、第１電極２３１のエッジまたは縁部分を覆うように配置された有機絶縁物質であってよい。バンク１１４は、例えば、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、アクリル（ａｃｒｙｌ）またはベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ：ＢＣＢ）系樹脂からなり得るが、これに制限されるものではない。

スペーサー３６０は、バンク１１４の平らな上部表面、即ち、第１非発光領域上に形成され得る。スペーサー３６０は、発光素子を形成するとき、蒸着マスクと一定の距離を維持するためにバンク１１４上に配置され得る。スペーサー３６０により蒸着マスクとスペーサー３６０の下のバンク１１４及び第１電極２３１は蒸着マスクと一定の距離を維持でき、接触による損傷を防止することができる。このとき、複数のスペーサー３６０は、蒸着マスクと接触する面積を最小化するように、上部へ行くほど幅が狭くなる形態、例えば、テーパ形状になされ得る。

バンク１１４及びスペーサー３６０は、それぞれ１～２μｍ及び１．５～２．５μｍの厚さに形成することができるが、これに制限されるものではない。

次に、図１３ｃを参照すると、基板の前面に光反応性有機物をコーティングする。

光反応性有機物は、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｉｓｔ；ＰＲ）を含むことができる。

このとき、ポジティブタイプのフォトレジストを利用でき、この場合、正テーパを有する突出部が形成され得る。

フォトレジストは、０．５μｍ以下の厚さにコーティングされ得るが、これに制限されるものではない。

次いで、所定のマスク３９０を通して露光及び現像を進行してバンク１１４の側面、即ち、第２非発光領域に突出部３４０を形成することができる。

このとき、ポジティブタイプのフォトレジストを利用することでマスク３９０の遮断領域は形成される突出部３４０に対応して位置し得る。

突出部３４０は、その断面が略台形状を有し得るが、これに制限されるものではない。本発明の突出部３４０は、その断面が三角形、四角形等の多角形または鐘形等、多様な形態を有し得る。

突出部３４０は正テーパ、即ち、下底の底角が鋭角を有し得る。
次に、図１３ｄを参照すると、熱処理を通して突出部３４０を硬化させることができる。硬化工程は、有機物からなる突出部３４０がテーパによってずり落ちることを防止する役割を果たすことができる。

このとき、形成された突出部３４０は、スペーサー３６０より低い高さを有し得る。

次いで、有機層とカソードを形成することができ、前述したように、有機層とカソードは、開口部ＯＰの両側縁で断絶され得る。有機層以降の工程は、既存と実質的に同一であり、説明を省略する。

図１４ａ乃至図１４ｄは、本発明の第６実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。

図１４ａ乃至図１４ｄに示された本発明の第６実施例に係る表示装置の製造過程は、有機物としてネガティブタイプのフォトレジストを利用する点を除いては、前述した図１３ａ乃至図１３ｄの製造過程と実質的に同一であり、従って、同じ構成及び製造過程については、重複した説明は省略する。

図１４ａを参照すると、複数のトランジスタとキャパシタを含む基板上に平坦化層１１３を形成する。

そして、平坦化層１１３上に第１電極２３１を形成する。
以後、図１４ｂを参照すると、第１電極２３１が形成された基板上にバンク１１４とスペーサー３６０を形成する。

次に、図１４ｃを参照すると、基板の前面に光反応性有機物をコーティングする。

光反応性有機物は、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｉｓｔ；ＰＲ）を含むことができる。

このとき、ネガティブタイプのフォトレジストを利用でき、この場合、逆テーパを有する突出部が形成され得る。

フォトレジストは、約１．５μｍの厚さにコーティングされ得るが、これに制限されるものではない。

次いで、所定のマスク６９０を通して露光及び現像を進行してバンク１１４の側面、即ち、第２非発光領域に突出部６４０を形成することができる。

このとき、ネガティブタイプのフォトレジストを利用することでマスク６９０の透過領域は形成される突出部６４０に対応して位置し得る。

突出部６４０は、その断面が略台形状を有し得るが、これに制限されるものではない。本発明の突出部６４０は、その断面が三角形、四角形等の多角形または鐘形等、多様な形態を有し得る。

突出部６４０は、逆テーパ、即ち、下底の底角が鈍角を有し得る。この場合、逆テーパによって安定した断絶構造が形成され得る。

次に、図１４ｄを参照すると、熱処理を通して突出部６４０を硬化させることができる。

このとき、形成された突出部６４０は、スペーサー３６０より低い高さを有し得る。

一方、追加マスク工程で突出部３４０、６４０を形成する場合に、前述した有機物以外に無機物も利用でき、無機物を利用する場合、突出部３４０、６４０のテーパ及び高さの制御が容易な利点がある。

図１５ａ乃至図１５ｄは、本発明の第３実施例に係る表示装置の一部の他の製造過程を順次に示す断面図である。

図１５ａ乃至図１５ｄに示された本発明の第３実施例に係る表示装置の他の製造過程は、ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ ｍｅｔａｌ ｍａｓｋ）を利用して無機物で突出部を形成する点を除いては、前述した図１３ａ乃至図１３ｄの製造過程と実質的に同一であり、同じ構成及び製造過程については、重複した説明は省略する。

図１５ａを参照すると、複数のトランジスタとキャパシタを含む基板上に平坦化層１１３を形成する。

そして、平坦化層１１３上に第１電極２３１を形成する。
以後、図１５ｂを参照すると、第１電極２３１が形成された基板上にバンク１１４とスペーサー３６０を形成する。

以後、図１５ｃ及び図１５ｄを参照すると、基板の上部に蒸着マスク３９０’であるＦＭＭを配置する。

次いで、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）の無機物を蒸着マスク３９０’を通して基板上に蒸着し、バンク１１４の側面、即ち、第２非発光領域に突出部３４０’を形成する。

この場合、正テーパを有する突出部３４０’が蒸着され得る。
突出部３４０’は、約０．７～１．５μｍの厚さに形成され得るが、これに制限されるものではない。

次いで、ＢＯＥ（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ Ｏｘｉｄｅ Ｅｔｃｈ）を利用した食刻を進行してもよい。

蒸着マスク３９０’を利用して突出部３４０’を形成する場合は、露出される領域に対する露光及び現像による損傷が防止される利点がある。

図１６ａ乃至図１６ｆは、本発明の第３実施例に係る表示装置の一部のまた他の製造過程を順次に示す断面図である。

図１６ａ乃至図１６ｆに示された本発明の第３実施例に係る表示装置のまた他の製造過程は、突出部として無機物や、金属を利用する点を除いては、図１３ａ乃至図１３ｄの製造過程と実質的に同一であり、同じ構成及び製造過程については、重複した説明は省略する。

図１６ａを参照すると、複数のトランジスタとキャパシタを含む基板上に平坦化層１１３を形成する。

そして、平坦化層１１３上に第１電極２３１を形成する。
以後、図１６ｂを参照すると、第１電極２３１が形成された基板上にバンク１１４とスペーサー３６０を形成する。

次に、図１６ｃを参照すると、基板の前面に第１層３７０及び第２層３８０を形成する。

第１層３７０は、突出部を形成するための層であり、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の無機物や、モリブデンまたは銅の伝導性のある金属で形成することができる。

無機物は、化学気相蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）で形成することができ、金属は、スパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒ）で形成することができる。

第２層３８０は、フォトレジストの光反応性有機物で形成することができる。
このとき、ポジティブタイプのフォトレジストを利用でき、この場合、正テーパを有する突出部が形成され得る。

次に、図１６ｄを参照すると、第１層３７０及び第２層３８０が形成された基板の上部に所定のマスク３９０を配置できる。

以後、マスク３９０を通して第２層を選択的に露光（ｅｘｐｏｓｕｒｅ）して第２層からなる第１フォトレジストパターン３８０’及び第２フォトレジストパターン３８０’’を形成する。

露光された第１フォトレジストパターン３８０’は、現像液により除去され得る。

次に、図１６ｅを参照すると、現像液により除去されずに残っている第２フォトレジストパターン３８０’’をマスクでその下部の第１層を選択的に食刻してバンク１１４の側面、即ち、第２非発光領域に突出部３４０を形成する。

このとき、第１層に無機物を適用する場合、食刻液としてＢＯＥを利用できる。

突出部３４０は、その断面が略台形状を有し得るが、これに制限されるものではない。本発明の突出部３４０は、その断面が三角形、四角形等の多角形または鐘形等、多様な形態を有し得る。

突出部３４０は、正テーパ、即ち、下底の底角が鋭角を有し得る。
次に、図１６ｆを参照すると、残っている第２フォトレジストパターン３８０’’をストリップ（ｓｔｒｉｐ）を通して除去する。

図１７ａ乃至図１７ｆは、本発明の第６実施例に係る表示装置の一部の他の製造過程を順次に示す断面図である。

図１７ａ乃至図１７ｆに示された本発明の第６実施例に係る表示装置の他の製造過程は、ネガティブタイプのフォトレジストを利用する点を除いては、図１６ａ乃至図１６ｆの製造過程と実質的に同一であり、同じ構成及び製造過程については、重複した説明は省略する。

図１７ａを参照すると、複数のトランジスタとキャパシタを含む基板上に平坦化層１１３を形成する。

そして、平坦化層１１３上に第１電極２３１を形成する。
以後、図１７ｂを参照すると、第１電極２３１が形成された基板上にバンク１１４とスペーサー６６０を形成する。

次に、図１７ｃを参照すると、基板の前面に第１層６７０及び第２層６８０を形成する。

第１層６７０は、突出部を形成するための層であり、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の無機物や、モリブデンまたは銅の伝導性のある金属で形成することができる。

第２層６８０は、フォトレジストの光反応性有機物で形成することができる。
このとき、ネガティブタイプのフォトレジストを利用でき、この場合、逆テーパを有する突出部が形成され得る。

次に、図１７ｄを参照すると、第１層６７０及び第２層６８０が形成された基板の上部に所定のマスク６９０を配置できる。

以後、マスク６９０を通して第２層を選択的に露光（ｅｘｐｏｓｕｒｅ）して第２層からなる第１フォトレジストパターン６８０’及び第２フォトレジストパターン６８０’’を形成する。

ネガティブタイプのフォトレジストを利用することで露光（ｅｘｐｏｓｕｒｅ）されていない第１フォトレジストパターン６８０’は現像液により除去され得る。

次に、図１７ｅを参照すると、現像液により除去されずに残っている第２フォトレジストパターン６８０’’をマスクでその下部の第１層を選択的に食刻してバンク１１４の側面、即ち、第２非発光領域に突出部６４０を形成する。

突出部６４０は、その断面が略台形状を有し得るが、これに制限されるものではない。本発明の突出部６４０は、その断面が三角形、四角形等の多角形または鐘形等、多様な形態を有し得る。

突出部６４０は、逆テーパ、即ち、下底の底角が鈍角を有し得る。ただし、本発明は、これに制限されるものではなく、工程条件によって正テーパを有してもよい。

次に、図１７ｆを参照すると、残っている第２フォトレジストパターン６８０’’をストリップ（ｓｔｒｉｐ）を通して除去する。

一方、無機物で突出部３４０、６４０を形成する場合は、急な（ｓｔｅｅｐ）テーパ等、パターン形成が容易であり、ずり落ちる現象が減る利点がある。

また、ネガティブタイプのフォトレジストを利用する場合は、露出される領域が最小化されることで露光及び現像による損傷が最小化される利点がある。特に、第１電極２３１とバンク１１４及びスペーサー６６０が工程に露出されなくて済む。

図１８ａ乃至図１８ｃは、本発明の第９実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。

図１８ａ乃至図１８ｃに示された本発明の第９実施例に係る表示装置の製造過程は、ハーフ－トーンマスク（ｈａｌｆ－ｔｏｎｅ ｍａｓｋ）を利用してバンク９１４とスペーサー９６０及び突出部９４０を一度のマスク工程を通して形成することを特徴とする。同じ構成及び製造過程については、重複した説明は省略する。

図１８ａを参照すると、複数のトランジスタとキャパシタを含む基板上に平坦化層１１３を形成する。

そして、平坦化層１１３上に第１電極２３１を形成する。
次に、図１８ｂを参照すると、第１電極２３１が形成された基板上に第１層及び第２層を形成する。

図示しないが、第１層は、バンク９１４を構成するために有機物で形成され得、第２層は、スペーサー９６０及び突出部９４０を構成するために光反応性有機物で形成することができる。

光反応性有機物は、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｉｓｔ；ＰＲ）を含むことができる。

以後、第１層及び第２層が形成された基板上にハーフ－トーンマスク９９０を配置する。

ハーフ－トーンマスク９９０は、バンクフォトマスク部分９９０ａとスペーサーフォトマスク部分９９０ｂを含むことができる。

以後、ハーフ－トーンマスク９９０を通して露光及び現像を進行してバンク９１４とスペーサー９６０及び突出部９４０を形成する。

バンク９１４とスペーサー９６０及び突出部９４０のテーパ角度は、類似してよい。

スペーサー９６０及び突出部９４０は、図示された台形（ｔｒａｐｅｚｏｉｄ）状の代わりにドーム（ｄｏｍｅ）状も可能であるが、台形状が構造形成に有利である。スペーサー９６０及び突出部９４０は、正テーパ、即ち、下底の底角が鋭角を有し得る。ただし、本発明は、これに制限されるものではない。

以後、図１８ｃを参照すると、熱処理を通してスペーサー９６０及び突出部９４０を硬化させることができる。

このとき、形成された突出部９４０は、スペーサー９６０と同じ高さを有し得る。

図１９ａ乃至図１９ｃは、本発明の第１０実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。

図１９ａ乃至図１９ｃに示された本発明の第１０実施例に係る表示装置の製造過程は、スペーサー１０６０及び突出部１０４０がドーム状に形成される点を除き、前述した本発明の第９実施例と実質的に同一である。従って、同じ構成及び製造過程については、重複した説明は省略する。

図１９ａを参照すると、複数のトランジスタとキャパシタを含む基板上に平坦化層１１３を形成する。

そして、平坦化層１１３上に第１電極２３１を形成する。
次に、図１９ｂを参照すると、第１電極２３１が形成された基板上に第１層及び第２層を形成する。

図示しないが、第１層は、バンク１０１４を構成するために有機物で形成され得、第２層は、スペーサー１０６０及び突出部１０４０を構成するために光反応性有機物で形成することができる。

光反応性有機物は、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｉｓｔ；ＰＲ）を含むことができる。

以後、第１層及び第２層が形成された基板上にハーフ－トーンマスク１０９０を配置する。

ハーフ－トーンマスク１０９０は、バンクフォトマスク部分１０９０ａとスペーサーフォトマスク部分１０９０ｂを含むことができる。

以後、ハーフ－トーンマスク１０９０を通して露光及び現像を進行してバンク１０１４、スペーサー１０６０及び突出部１０４０を形成する。

バンク１０１４とスペーサー１０６０及び突出部１０４０のテーパ角度は、類似してよい。

スペーサー１０６０及び突出部１０４０は、ドーム（ｄｏｍｅ）状を有し得る。

突出部１０４０は、二重傾斜を有し得、上部の傾斜に比して下部の傾斜がさらに急であってよいが、これに制限されない。

以後、図１９ｃを参照すると、熱処理を通してスペーサー１０６０と突出部１０４０を硬化させることができる。

図２０ａ乃至図２０ｃは、本発明の第１１実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。

図２０ａ乃至図２０ｃに示された本発明の第１１実施例に係る表示装置の製造過程は、トリプル－トーン（ｔｒｉｐｌｅ－ｔｏｎｅ）マスクを利用してバンク１１１４とスペーサー１１６０及び突出部１１４０を一度のマスク工程を通して形成する点を除いては、前述した本発明の第９実施例と実質的に同一である。そこで、同じ構成及び製造過程については、重複した説明は省略する。

図２０ａを参照すると、複数のトランジスタとキャパシタを含む基板上に平坦化層１１３を形成する。

そして、平坦化層１１３上に第１電極２３１を形成する。
次に、図２０ｂを参照すると、第１電極２３１が形成された基板上に第１層及び第２層を形成する。

図示しないが、第１層は、バンク１１１４を構成するために有機物で形成され得、第２層は、スペーサー１１６０及び突出部１１４０を構成するために光反応性有機物で形成することができる。

光反応性有機物は、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｉｓｔ；ＰＲ）を含むことができる。

以後、第１層及び第２層が形成された基板上にトリプル－トーンマスク１１９０を配置する。

トリプル－トーンマスク１１９０は、バンクフォトマスク部分１１９０ａとスペーサーフォトマスク部分１１９０ｂ及び突出部フォトマスク部分１１９０ｃを含むことができる。

次に、トリプル－トーンマスク１１９０を通して露光及び現像工程を進行してバンク１１１４とスペーサー１１６０及び突出部１１４０を形成する。

バンク１１１４とスペーサー１１６０及び突出部１１４０のテーパ角度は、類似してよい。

スペーサー１１６０及び突出部１１４０は、台形状を有し得る。
以後、図２０ｃを参照すると、熱処理を通してスペーサー１１６０と突出部１１４０を硬化させることができる。

図２１ａ乃至図２１ｃは、本発明の第１２実施例に係る表示装置の一部の製造過程を順次に示す断面図である。

図２１ａ乃至図２１ｃに示された本発明の第１２実施例に係る表示装置の製造過程は、スペーサー１２６０及び突出部１２４０がドーム状に形成される点を除き、前述した本発明の第１１実施例と実質的に同一である。従って、同じ構成及び製造過程については、重複した説明は省略する。

図２１ａを参照すると、複数のトランジスタとキャパシタを含む基板上に平坦化層１１３を形成する。

そして、平坦化層１１３上に第１電極２３１を形成する。
次に、図２１ｂを参照すると、第１電極２３１が形成された基板上に第１層及び第２層を形成する。

図示しないが、第１層は、バンク１２１４を構成するために有機物で形成され得、第２層は、スペーサー１２６０及び突出部１２４０を構成するために光反応性有機物で形成することができる。

光反応性有機物は、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｉｓｔ；ＰＲ）を含むことができる。

以後、第１層及び第２層が形成された基板上にトリプル－トーンマスク１２９０を配置する。

トリプル－トーンマスク１２９０は、バンクフォトマスク部分１２９０ａとスペーサーフォトマスク部分１２９０ｂ及び突出部フォトマスク部分１２９０ｃを含むことができる。

次に、トリプル－トーンマスク１２９０を通して露光及び現像工程を進行してバンク１２１４とスペーサー１２６０及び突出部１２４０を形成する。

バンク１２１４とスペーサー１２６０及び突出部１２４０のテーパ角度は、類似してよい。

スペーサー１２６０及び突出部１２４０は、ドーム状を有し得る。
一方、トリプル－トーンマスク１１９０、１２９０を利用する場合、スペーサー１１６０、１２６０及び突出部１１４０、１２４０は、互いに異なる高さを有し得る。

図２２は、本発明の第９実施例に係るサブ画素の一部の断面図である。
図２３は、本発明の第１３実施例に係るサブ画素の一部の断面図である。

図２２は、一般的なマスク９９０のレイアウト（ｌａｙｏｕｔ）及びこれによって形成されたサブ画素の一部の断面図を例に示している。

図２３は、マルチ－トーンマスク１３９０のレイアウト及びこれによって形成されたサブ画素の一部の断面図を例に示している。

ここで、説明の便宜上、突出部は省略して示している。
図２２及び図２３を参照すると、マルチ－トーンマスク１３９０を利用してバンク１３１４及びスペーサー１３６０を形成する場合、一般的なマスク９９０に比してフォト露光領域が増加し、バンク１３１４のテーパ領域が増加することが分かる。

即ち、マルチ－トーンマスク１３９０を利用する場合に、第２非発光領域ＮＥＡ２がさらに増加し、バンク１３１４のテーパ角度が低くなることが分かる。

図示しないが、マルチ－トーンマスク１３９０を利用する場合に、バンク１３１４とスペーサー１３６０及び突出部のテーパ角度もまた類似してよい。

スペーサー１３６０及び突出部は、図示された台形状以外にドーム状も可能であるが、台形状が構造形成に有利である。

このように形成された本発明の突出部は、ペンタイル（ｐｅｎｔｉｌｅ）構造やリアル（ｒｅａｌ）構造のサブ画素に適用され得、これを次の図面を参照して詳細に説明する。

図２４は、本発明の一実施例に係る表示装置の平面図である。
図２５は、本発明の他の実施例に係る表示装置の平面図である。
図２６は、本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。
図２７は、本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。
図２８は、本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。
図２９は、本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。
図３０は、本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。

図２４乃至図３０は、第１、第２及び第３サブ画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３がダイヤモンド状に配列されたダイヤモンドペンタイル画素配列構造を例に示しており、この場合、認知画質に優れるものと知られている。ただし、本発明は、画素構造に制限されるものではない。

図２４乃至図３０を参照すると、サブ画素ＳＰは、第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３を含むことができる。

複数の第１サブ画素ＳＰ１と複数の第３サブ画素ＳＰ３は、同じ列または同じ行で交互に配置され得る。例えば、同じ列で第１サブ画素ＳＰ１と第３サブ画素ＳＰ３は交互に配置され、同じ行で第１サブ画素ＳＰ１と第３サブ画素ＳＰ３は交互に配置され得る。

複数の第２サブ画素ＳＰ２は、複数の第１サブ画素ＳＰ１及び複数の第３サブ画素ＳＰ３とは異なる列及び異なる行に配置され得る。例えば、一つの行に複数の第２サブ画素ＳＰ２が配置され、一つの行に隣り合う行に複数の第１サブ画素ＳＰ１と複数の第３サブ画素ＳＰ３が交互に配置され得る。一つの列に複数の第２サブ画素ＳＰ２が配置され、一つの列に隣り合う列に複数の第１サブ画素ＳＰ１と複数の第３サブ画素ＳＰ３が交互に配置され得る。また、複数の第１サブ画素ＳＰ１と第２サブ画素ＳＰ２は、対角線方向に向かい合い、複数の第３サブ画素ＳＰ３と第２サブ画素ＳＰ２もまた対角線方向に向かい合い得る。従って、複数のサブ画素ＳＰは、格子状に配置され得る。

図２４乃至図３０においては、複数の第１サブ画素ＳＰ１及び複数の第３サブ画素ＳＰ３が同一列及び同一行に配置され、複数の第２サブ画素ＳＰ２は、複数の第１サブ画素ＳＰ１及び複数の第３サブ画素ＳＰ３とは異なる列及び異なる行に配置されたものと示したが、複数のサブ画素ＳＰの配置は、これに制限されない。

一方、複数の第２サブ画素ＳＰ２の形態は互いに異なるが、これに制限されない。

図２４乃至図２９を参照すると、突出部３４０がそれぞれのサブ画素ＳＰの第１電極２３１を囲む形態に配置され得る。突出部３４０は、サブ画素ＳＰの開口部ＯＰの形態に沿って第１電極２３１の縁に配置され得るが、これに制限されるものではない。

また、本発明の突出部３４０は、前述した図７ａ乃至図７ｃのように、少なくとも一部は、第２非発光領域ＮＥＡ２でない第１非発光領域ＮＥＡ１に配置され得る。即ち、突出部３４０の少なくとも一部は、第１非発光領域ＮＥＡ１に配置されることで隣り合うサブ画素ＳＰの間で第２電極が互いに接続され得る。

図２４乃至図２９（及び図３０）においては、第１非発光領域ＮＥＡ１に配置される突出部３４０が他の部分に比して外部にさらに突出して連結部ＣＰを形成する場合を例に示しているが、これに制限されない。

また、突出部３４０は、その下部の第１電極２３１と一部重畳し得るが、これに制限されるものではない。

本発明の突出部３４０は、その断面が略台形状を有し得るが、これに制限されるものではない。この場合、突出部３４０の下底の底角は、所定範囲の鋭角や鈍角を有し得る。本発明の突出部３４０は、その断面が三角形、四角形等の多角形または鐘形等、多様な形態を有し得る。

本発明の突出部３４０は、マルチスタック（ｍｕｌｔｉ ｓｔａｃｋ）構造で発生する側面漏れ電流を遮断する役割を果たすことができる。即ち、本発明の突出部３４０の構造によって一部の領域で隣り合うサブ画素ＳＰの間の有機層及びカソードが互いに断絶され得る。

本発明の突出部３４０は、有機物や無機物で構成され得る。
本発明の突出部３４０は、バンク１１４とは異なる材料で構成されてもよいが、これに制限されるものではない。本発明の突出部３４０は、バンク１１４と同じ材料で構成されてもよく、この場合、同一工程で形成され得る。
突出部３４０は、バンク１１４と共にパターニングされてもよい。

図２４乃至図２６は、突出部３４０の形態を多様な例に示しており、図２４は、全てのサブ画素ＳＰで同じ位置に連結部ＣＰが位置した場合を例に示している。即ち、例えば、サブ画素ＳＰの左側上部角に突出部３４０の連結部ＣＰが位置し得る。突出部３４０の連結部ＣＰは、第１サブ画素ＳＰ１と第２サブ画素ＳＰ２との間及び第２サブ画素ＳＰ２と第３サブ画素ＳＰ３との間に位置し得る。

また、図２５及び図２６は、第１サブ画素ＳＰ１が第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３とは異なる位置に突出部３４０の連結部ＣＰが位置した場合を例に示している。

図２７及び図２８は、前述した図２４の実施例において、サブ画素ＳＰの間にダミーパターン１４４０、１４４０ａ、１４４０ｂを形成した点を除いては、実質的に同じ構成となっている。

図２７及び図２８は、サブ画素ＳＰの間に対角線状にダミーパターン１４４０、１４４０ａ、１４４０ｂが配置された場合を例に示しているが、これに制限されない。

ダミーパターン１４４０、１４４０ａ、１４４０ｂは、隣り合うサブ画素ＳＰの間の電流パスの経路を増加させる役割を果たすことができる。

図２８は、第１ダミーパターン１４４０ａと第２ダミーパターン１４４０ｂで構成される例を示しており、ダミーパターンの個数には制限がない。

ダミーパターン１４４０、１４４０ａ、１４４０ｂは、突出部３４０と同じ材料で構成され得るが、これに制限されない。

一方、図２９は、突出部３４０とダミーパターン１４４０が金属で構成される例を示しており、この場合は、連結パターン１４４５を利用して突出部３４０とダミーパターン１４４０が互いに接続され得る。

ダミーパターン１４４０には、初期信号や接地信号が印加され得、初期区間に電圧を放電させる役割を果たすことができる。

図３０は、突出部１５４０ａ、１５４０ｂが二重に構成された例を示しており、以外の構成は、前述した図２４の実施例と実質的に同一である。このように、本発明は、突出部１５４０ａ、１５４０ｂの個数に制限がない。

図３１は、本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。
図３２は、本発明のまた他の実施例に係る表示装置の平面図である。
図３１及び図３２は、リアル構造のサブ画素を例に示している。

図３１及び図３２を参照すると、サブ画素ＳＰは、第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３を含むことができる。

複数の第１サブ画素ＳＰ１と複数の第３サブ画素ＳＰ３は、同じ列または同じ行で交互に配置され得る。例えば、同じ列で第１サブ画素ＳＰ１と第３サブ画素ＳＰ３は交互に配置され得る。

複数の第２サブ画素ＳＰ２は、複数の第１サブ画素ＳＰ１及び複数の第３サブ画素ＳＰ３とは異なる列または異なる行に配置され得る。例えば、一つの列に複数の第２サブ画素ＳＰ２が配置され、一つの列に隣り合う列に複数の第１サブ画素ＳＰ１と複数の第３サブ画素ＳＰ３が交互に配置され得る。

図３１及び図３２においては、複数の第１サブ画素ＳＰ１及び複数の第３サブ画素ＳＰ３が同一列に配置され、複数の第２サブ画素ＳＰ２は、複数の第１サブ画素ＳＰ１及び複数の第３サブ画素ＳＰ３とは異なる列に配置された場合を例に示したが、複数のサブ画素ＳＰの配置は、これに制限されない。
一方、サブ画素ＳＰの形態は互いに異なるが、これに制限されない。

図３１及び図３２を参照すると、突出部１６４０、１７４０がそれぞれのサブ画素ＳＰの第１電極２３１を囲む形態に配置され得る。突出部１６４０、１７４０は、サブ画素ＳＰの開口部ＯＰの形態に沿って第１電極２３１の縁に配置され得るが、これに制限されるものではない。

また、本発明の突出部１６４０は、前述した図７ａ乃至図７ｃのように、少なくとも一部は、第２非発光領域ＮＥＡ２でない第１非発光領域ＮＥＡ１に配置され得る。即ち、突出部１６４０の少なくとも一部は、第１非発光領域ＮＥＡ１に配置されることで隣り合うサブ画素ＳＰの間で第２電極が互いに接続され得る。

ただし、本発明は、これに制限されるものではなく、図３２を参照すると、本発明の突出部１７４０は、少なくとも一部では配置されなくてもよい。

本発明の実施例に係る表示装置は、下記のように説明され得る。
本発明の一実施例に係る表示装置は、発光領域と非発光領域とを有し、複数のサブ画素が定義された基板、前記複数のサブ画素それぞれに配置される複数の第１電極、前記複数のサブ画素の間の前記非発光領域に配置され、開口部を通して前記第１電極を露出させるバンク、前記非発光領域は、前記バンクの上部表面が平らな第１非発光領域及び前記バンクの上部表面が傾斜した第２非発光領域に区分され、前記第２非発光領域に少なくとも一部が配置される突出部、前記複数の第１電極上に配置される有機層、及び前記有機層上に配置される第２電極を含むことができる。

本発明の他の特徴によれば、前記有機層は、前記複数のサブ画素それぞれに配置される発光層及び前記複数のサブ画素に共通して配置される共通層を含み、前記共通層及び前記第２電極は、前記突出部で隣り合うサブ画素の間で互いに断絶され得る。

本発明のまた他の特徴によれば、前記突出部は、前記サブ画素の開口部の形態に沿って前記第１電極の少なくとも一部の縁に配置され、前記突出部は、前記第１電極の他の一部の縁には配置されなくてよい。

本発明のまた他の特徴によれば、前記突出部は、前記開口部の縁に沿って配置され、少なくとも一部は、前記第１非発光領域に配置され、他の部分は、前記第２非発光領域に配置され、前記第２非発光領域に配置される前記他の部分の突出部の長さは、前記第１非発光領域に配置される前記少なくとも一部の突出部の長さより長くてよい。

本発明のまた他の特徴によれば、前記突出部は、前記第１電極の縁の一部で切れて複数に分離され得る。

本発明のまた他の特徴によれば、前記突出部は、前記第１電極と一部重畳し得る。

本発明のまた他の特徴によれば、前記突出部は、前記バンクと異なる材料で構成され得る。

本発明のまた他の特徴によれば、前記突出部は、前記バンクと同じ材料で構成され得る。

本発明のまた他の特徴によれば、前記突出部は、前記バンクの一部を構成できる。

本発明のまた他の特徴によれば、前記有機層は、前記開口部に配置される第１有機層及び前記バンクの第１非発光領域から前記突出部の上部まで配置される第２有機層を含み、前記第２有機層の末端は、前記突出部の一側面で前記第１有機層と離隔され得る。

本発明のまた他の特徴によれば、前記第１非発光領域のバンク上に配置されるスペーサーをさらに含むことができる。

本発明のまた他の特徴によれば、前記突出部は、前記スペーサーと同じ材料で構成され得る。

本発明のまた他の特徴によれば、前記突出部は、その断面が四角形、または台形の多角形や、ドーム形または鐘形の形態を有し得る。

本発明のまた他の特徴によれば、前記突出部の断面が台形の形態を有するとき、下底の底角は、鋭角や鈍角を有し得る。
本発明のまた他の特徴によれば、前記下底の底角は、９０゜－αより大きな鋭角を有し、前記αは、前記突出部が配置される前記バンクの上部表面の接線と前記基板との間の角度を意味し得る。

本発明のまた他の特徴によれば、前記下底の底角は、１２０゜より小さな鈍角を有し得る。

本発明のまた他の特徴によれば、前記突出部は、前記サブ画素の開口部の形態に沿って前記第１電極の少なくとも一部の縁に二以上の個数が配置され得る。

本発明のまた他の特徴によれば、前記サブ画素は、第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を含み、複数の前記第１サブ画素及び複数の前記第３サブ画素は、同じ列または同じ行で交互に配置され、複数の前記第２サブ画素は、前記複数の第１サブ画素及び前記複数の第３サブ画素とは異なる列及び異なる行に配置され得る。

本発明のまた他の特徴によれば、前記第１非発光領域に配置される前記突出部は、他の部分に比して外部にさらに突出して連結部を構成し、前記有機層及び前記第２電極は、前記連結部で隣り合うサブ画素の間で互いに断絶され得る。

本発明のまた他の特徴によれば、前記サブ画素の間に対角線状に配置されるダミーパターンをさらに含み、前記ダミーパターンは、前記突出部と同じ層に同じ材料で構成され得る。

本発明のまた他の特徴によれば、前記突出部と前記ダミーパターンは、金属で構成され、前記突出部と前記ダミーパターンは、連結パターンを通して互いに接続され得る。

本発明の他の実施例に係る表示装置は、複数のサブ画素それぞれに配置される複数の第１電極、前記第１電極の縁の一部を覆うように配置され、上部表面が平らな第１領域及び前記上部表面が傾斜した第２領域を含むバンク、前記バンク上に配置される突出部、前記第１電極上に配置される有機層、及び前記有機層上に配置される第２電極を含み、前記突出部は、前記第２領域に配置され、前記有機層及び前記第２電極は、前記突出部の側面で隣り合うサブ画素間で互いに断絶され得る。

以上、添付の図面を参照して、本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想を外れない範囲内で多様に変形実施され得る。従って、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を制限するためのものではなく、説明するためのものであり、このような実施例によって本発明の技術思想の範囲が制限されるものではない。それゆえ、以上において記述した実施例は、全ての面で例示的なものであり、制限的ではないものと理解すべきである。本発明の保護範囲は、下記の請求の範囲によって解釈されるべきであり、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。

Claims (20)

1. 発光領域と非発光領域とを有し、複数のサブ画素が定義された基板；
   前記複数のサブ画素それぞれに配置される複数の第１電極；
   前記複数のサブ画素の間の前記非発光領域に配置され、開口部を通して前記第１電極を露出させるバンク；
   前記バンクの上部表面が平らな第１非発光領域及び前記バンクの上部表面が傾斜した第２非発光領域に区分されている前記非発光領域の、前記第２非発光領域にのみ配置される突出部；
   前記複数の第１電極上に配置される有機層；
   前記基板の前記非発光領域に配置され、複数の前記第１電極に電気的に接続された複数のトランジスタ；及び
   前記有機層上に配置される第２電極を含み、
   前記突出部の断面が台形の形態を有し、
   前記突出部は、前記サブ画素の前記開口部の形態に沿って前記第１電極の少なくとも一部の縁に配置される、表示装置。
2. 前記有機層は、前記複数のサブ画素それぞれに配置される発光層及び前記複数のサブ画素に共通して配置される共通層を含み、
   前記共通層及び前記第２電極は、前記突出部で隣り合うサブ画素の間で互いに断絶される、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記突出部は、前記第１電極の他の一部の縁には配置されない、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記突出部は、前記開口部の縁に沿って配置され、少なくとも一部は、前記第１非発光領域に配置され、他の部分は、前記第２非発光領域に配置され、
   前記第２非発光領域に配置される前記他の部分の突出部の長さは、前記第１非発光領域に配置される前記少なくとも一部の突出部の長さより長い、請求項１に記載の表示装置。
5. 前記突出部は、前記第１電極の縁の一部で切れて、複数の部分に分離される、請求項３に記載の表示装置。
6. 前記突出部は、前記第１電極と一部重畳する、請求項１に記載の表示装置。
7. 前記突出部は、前記バンクと異なる材料で構成される、請求項１に記載の表示装置。
8. 前記突出部は、前記バンクと同じ材料で構成されて前記バンクの一部を構成する、請求項１に記載の表示装置。
9. 前記有機層は、
   前記開口部に配置される第１有機層；及び
   前記バンクの第１非発光領域から前記突出部の上部まで配置される第２有機層を含み、
   前記第２有機層の末端は、前記突出部の一側面で前記第１有機層と離隔される、請求項１に記載の表示装置。
10. 前記第１非発光領域の前記バンク上に配置されるスペーサーをさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
11. 前記突出部は、前記スペーサーと同じ材料で構成される、請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記突出部の下底の底角は、９０゜－αより大きな鋭角を有し、
    前記αは、前記突出部が配置される前記バンクの上部表面の接線と前記基板との間の角度を意味する、請求項１に記載の表示装置。
13. 前記突出部の下底の底角は、１２０゜より小さな鈍角を有する、請求項１に記載の表示装置。
14. 前記サブ画素の開口部の形態に沿って前記第１電極の少なくとも一部の縁に、二以上の前記突出部が配置される、請求項１に記載の表示装置。
15. 前記サブ画素は、第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を含み、
    複数の前記第１サブ画素及び複数の前記第３サブ画素は、同じ列または同じ行で交互に配置され、
    複数の前記第２サブ画素は、前記複数の第１サブ画素及び前記複数の第３サブ画素とは異なる列及び異なる行に配置される、請求項１に記載の表示装置。
16. 前記第１非発光領域に配置される前記突出部は、他の部分に比して外部にさらに突出し、
    前記有機層及び前記第２電極は、前記突出部で隣り合うサブ画素の間で互いに断絶される、請求項１５に記載の表示装置。
17. 発光領域と非発光領域とを有し、複数のサブ画素が定義された基板；
    前記複数のサブ画素それぞれに配置される複数の第１電極；
    前記複数のサブ画素の間の前記非発光領域に配置され、開口部を通して前記第１電極を露出させるバンク；
    前記バンクの上部表面が平らな第１非発光領域及び前記バンクの上部表面が傾斜した第２非発光領域に区分されている前記非発光領域の、前記第２非発光領域に少なくとも一部が配置される突出部；
    前記複数の第１電極上に配置される有機層；
    前記有機層上に配置される第２電極；及び
    前記サブ画素の間に配置されるダミーパターンを含み、
    前記突出部は、前記サブ画素の前記開口部の形態に沿って前記第１電極の少なくとも一部の縁に配置され、
    前記ダミーパターンは、前記突出部と同じ層に同じ材料で構成されている、表示装置。
18. 前記突出部と前記ダミーパターンは、金属で構成され、
    前記突出部と前記ダミーパターンは、連結パターンを通して互いに接続される、請求項１７に記載の表示装置。
19. 前記ダミーパターンが、前記サブ画素の間に対角線状に配置される、請求項１７に記載の表示装置。
20. 発光領域と非発光領域とを有し、複数のサブ画素が定義された基板；
    前記複数のサブ画素それぞれに配置される複数の第１電極；
    前記複数のサブ画素の間の前記非発光領域に配置され、開口部を通して前記第１電極を露出させるバンク；
    前記バンクの上部表面が平らな第１非発光領域及び前記バンクの上部表面が傾斜した第２非発光領域に区分されている前記非発光領域の、前記第２非発光領域にのみ配置される突出部；
    前記複数の第１電極上に配置される有機層；及び
    前記有機層上に配置される第２電極を含み、
    前記突出部は、前記サブ画素の前記開口部の形態に沿って前記第１電極の少なくとも一部の縁に配置され、
    前記突出部の断面が台形の形態を有する、表示装置。

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