JP2015064391A - 蛍光体基板、表示装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】励起光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射することを抑制することが可能な蛍光体基板を提供する。
【解決手段】本発明の蛍光体基板１０は、基板１と、基板１上に設けられ、入射された励起光Ｌ１により蛍光Ｌ２を発する蛍光体層３と、蛍光体層３の側面を囲む隔壁５と、を含み、隔壁５の少なくとも基板１と離れた側の形状は、基板１の一面に平行な平面で切断したときの断面積が基板１と離れた側で小さく、基板１に向かうにつれて漸次大きくなる形状であることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、蛍光体基板、表示装置および電子機器に関するものである。

近年、テレビ、パーソナルコンピューター、情報端末機器などに搭載されるディスプレイの高性能化の要求が高まっている。ブラウン管ディスプレイ、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイなど様々なタイプの表示装置の研究開発が進められている。中でも液晶ディスプレイは薄型軽量であるため、現在ディスプレイ市場の主流を占めている。しかしながら、液晶ディスプレイは、従来のブラウン管ディスプレイに比べて、視野角が狭く、斜め方向からの画像認識性が悪いという問題がある。

この問題に対して、例えば特許文献１、２では、液晶表示装置において視野角特性向上を実現する方法として、液晶表示装置の前面に蛍光体層を配置し、光源から射出された青色光の一部を青表示に用い、残りの一部を蛍光体で赤色光と緑色光とに色変換してフルカラー表示を行う方法が開示されている。

一方、有機ＥＬディスプレイは、コントラスト、視野角、応答速度に優れた表示特性を有する。しかしながら、有機ＥＬディスプレイは、フルカラー表示を実現するためにマスク蒸着を用いたＲＧＢ各色の発光層のパターニングが必要であり、高精細化、大型化を図ることが難しいという問題がある。

この問題に対して、例えば特許文献３、４では、単色の有機ＥＬ素子を励起光源としてＲＧＢ各色の蛍光体層を発光させる方法が開示されている。

特開２０００−１３１６８３号公報 特開昭６２−１９４２２７号公報 特開平３−１５２８９７号公報 特開２０１０−２８２９１６号公報

ところで、蛍光体層を備えた基板（蛍光体基板）の背面から照射された励起光を効率良く所望の画素のみに入射させるための技術の要求が高まっている。例えば、この要求に応えるための技術としては、励起光に指向性を持たせ、かつ、励起光源と蛍光体基板の距離が小さくなるよう表示装置を薄型化することが考えられる。しかしながら、これらを双方ともに実現することは設計上非常に難しい。また、励起光の指向性が不十分であると、励起光が本来入射すべき画素に隣接する画素にも入射してしまう。そのため、所望外の蛍光体層が発光することによって色滲みが起こるという問題がある。

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、励起光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射することを抑制することが可能な蛍光体基板、表示装置および電子機器を提供することを目的とする。また、この他にも、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを抑制することが可能な蛍光体基板、表示装置および電子機器を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の蛍光体基板は、基板と、前記基板上に設けられ、入射された励起光により蛍光を発する蛍光体層と、前記蛍光体層の側面を囲む隔壁と、を含み、前記隔壁の少なくとも前記基板と離れた側の形状は、前記基板の一面に平行な平面で切断したときの断面積が前記基板と離れた側で小さく、前記基板に向かうにつれて漸次大きくなる形状であることを特徴とする。

本発明の蛍光体基板は、前記隔壁が、光散乱性または光反射性を有していることを特徴とする。

本発明の蛍光体基板において、前記隔壁は、光散乱性を有する光散乱層と、前記基板と前記光散乱層との間に配置され、光吸収性を有する光吸収層と、を含み、前記光吸収層の前記基板側の部分は、前記基板の一面に平行な平面で切断したときの断面積が前記光散乱層を前記基板の一面に平行な平面で切断したときの断面積よりも大きいことを特徴とする。

本発明の蛍光体基板は、前記光散乱層の少なくとも前記蛍光体層と接する部分が樹脂と光散乱性粒子とを含む材料で形成されていることを特徴とする。

本発明の蛍光体基板は、前記光散乱層の少なくとも前記蛍光体層と接する部分が白色であることを特徴とする。

本発明の蛍光体基板は、前記光散乱層の少なくとも前記蛍光体層と接する部分が凹凸形状であることを特徴とする。

本発明の蛍光体基板は、前記隔壁の少なくとも前記基板と離れた側の側面の形状は、前記基板の一面に直交する平面で切断したときの断面形状が凹をなす曲線形状であることを特徴とする。

本発明の蛍光体基板は、前記隔壁の少なくとも前記基板と離れた側の側面の形状は、前記基板の一面に直交する平面で切断したときの断面形状が凸をなす曲線形状であることを特徴とする。

本発明の蛍光体基板は、前記基板と前記蛍光体層との間に、前記基板の屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率層が設けられたことを特徴とする。

本発明の蛍光体基板は、前記励起光が青色光であるときに、前記蛍光体層の前記励起光の入射側に、青色領域の光を透過し、緑色から近赤外領域までの光を反射するバンドパスフィルターが設けられたことを特徴とする。

本発明の蛍光体基板は、前記励起光が紫外光であるときに、前記蛍光体層の前記励起光の入射側に、紫外領域の光を透過し、緑色から近赤外領域までの光を反射するバンドパスフィルターが設けられたことを特徴とする。

本発明の表示装置は、前記本発明の蛍光体基板と、前記蛍光体層に照射する励起光を射出する光源と、を備えたことを特徴とする。

本発明の表示装置は、赤色光による表示を行う赤色サブ画素と、緑色光による表示を行う緑色サブ画素と、青色光による表示を行う青色サブ画素と、を少なくとも含む複数の画素が備えられ、前記光源から前記励起光としての青色光が射出され、前記蛍光体層として、前記赤色サブ画素に前記青色光を前記励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記緑色サブ画素に前記青色光を前記励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層が設けられ、前記青色サブ画素には前記青色光を散乱させる散乱層が設けられたことを特徴とする。

本発明の表示装置は、前記光源から前記励起光として青色光が射出され、前記光源と前記蛍光体基板との間に、青色領域の光を透過し、緑色から近赤外領域までの光を反射するバンドパスフィルターが設けられたことを特徴とする。

本発明の表示装置は、赤色光による表示を行う赤色サブ画素と、緑色光による表示を行う緑色サブ画素と、青色光による表示を行う青色サブ画素と、を少なくとも含む複数の画素が備えられ、前記光源から前記励起光としての紫外光が射出され、前記蛍光体層として、前記赤色サブ画素に前記紫外光を前記励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記緑色サブ画素に前記紫外光を前記励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層が設けられ、前記青色サブ画素に前記紫外光を前記励起光として青色光を発する青色蛍光体層が設けられたことを特徴とする。

本発明の表示装置は、前記光源から前記励起光として紫外光が射出され、前記光源と前記蛍光体基板との間に、紫外領域の光を透過し、緑色から近赤外領域までの光を反射するバンドパスフィルターが設けられたことを特徴とする。

本発明の表示装置は、前記光源は、前記複数の画素に対応して設けられた複数の発光素子と、前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する複数の駆動素子と、を備えたアクティブマトリクス駆動方式の光源であることを特徴とする。

本発明の表示装置は、前記光源が、発光ダイオード、有機エレクトロルミネセンス素子、無機エレクトロルミネセンス素子のいずれかであることを特徴とする。

本発明の表示装置は、前記光源が、光射出面から光を射出する面状光源であり、前記面状光源と前記蛍光体基板との間に、前記画素毎に前記面状光源から射出された光の透過率を制御可能な液晶素子が設けられたことを特徴とする。

本発明の表示装置は、前記光源が、指向性を有していることを特徴とする。

本発明の表示装置は、前記光源と前記蛍光体基板との間に、波長４３５ｎｍ以上４８０ｎｍ以下における消光比が１００００以上である偏光板が設けられていることを特徴とする。

本発明の表示装置は、前記蛍光体層の上面または下面のいずれか一方にカラーフィルターが設けられたことを特徴とする。

本発明の表示装置は、前記隔壁に囲まれた領域の前記蛍光体層は、前記基板の一面と直交する平面で切断したときの断面形状が凹型形状であり、少なくとも周辺部が前記隔壁の側面に沿って配置されていることを特徴とする。

本発明の電子機器は、前記本発明の表示装置を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、励起光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射することを抑制することが可能な蛍光体基板、表示装置および電子機器を提供することができる。また、この他にも、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを抑制することが可能な蛍光体基板、表示装置および電子機器を提供することができる。

本発明の第１実施形態の表示装置の断面模式図である。 （Ａ）同、蛍光体基板の断面図、（Ｂ）同、蛍光体基板の平面図である。 同、隔壁の作用を説明するための模式図である。 本発明の第２実施形態の蛍光体基板の断面模式図である。 本発明の第３実施形態の蛍光体基板の断面模式図である。 本発明の第４実施形態の表示装置の断面模式図である。 同、隔壁の作用を説明するための模式図である。 本発明の第５実施形態の表示装置の断面模式図である。 本発明の第６実施形態の表示装置の断面模式図である。 本発明の蛍光体基板における隔壁の変形例を示す断面模式図である。 同、隔壁の変形例を示す断面模式図である。 発光素子の一例であるＬＥＤの断面模式図である。 発光素子の一例である有機ＥＬ素子の断面模式図である。 発光素子の一例であるアクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ素子の断面模式図である。 表示装置の平面模式図である。 表示装置の１画素（サブ画素）の等価回路である。 発光素子の一例である無機ＥＬ素子の断面模式図である。 本発明の第７実施形態の表示装置の断面模式図である。 電子機器の一例を示す模式図である。 電子機器の一例を示す模式図である。 電子機器の一例を示す模式図である。 比較例の蛍光体基板の製造方法を示す断面模式図である。 比較例の表示装置の断面模式図である。 実施例１の蛍光体基板の製造方法を示す断面模式図である。 実施例１の表示装置の断面模式図である。 実施例２の蛍光体基板の製造方法を示す断面模式図である。 実施例２の表示装置の断面模式図である。

以下に実施形態及び実施例を挙げ、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態及び実施例に限定されるものではない。
なお、以下の全ての図面においては、各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。

[第１実施形態]
図１は、本発明の第１実施形態の表示装置１００の断面模式図である。ここで、図１の断面は表示装置１００を基板１の上面に直交する平面で切断したときの断面である。以下、表示装置を基板１の上面に直交する平面で切断したときの断面の模式図を、表示装置の断面図ということがある。

本実施形態に係る表示装置１００は、蛍光体基板１０と、蛍光体基板１０上に接着剤層１４を介して貼り合わされた光源基板１１と、を備えている。蛍光体基板１０は、赤色、緑色および青色の表示をそれぞれ行う３つのサブ画素により画像を構成する最小単位である１つの画素が構成されている。以下の説明では、赤色の表示を行うサブ画素を赤色サブ画素ＰＲ、緑色の表示を行うサブ画素を緑色サブ画素ＰＧ、青色の表示を行うサブ画素を青色サブ画素ＰＢと称する。

光源基板１１は、基板９と、基板９の蛍光体基板１０の側に配置された光源２と、を備えている。光源２からは励起光Ｌ１として例えば紫外光が射出される。蛍光体基板１０では、光源２から射出された励起光Ｌ１を受けて、赤色サブ画素ＰＲにおいて赤色の蛍光Ｌ２が生じ、緑色サブ画素ＰＧにおいて緑色の蛍光Ｌ２が生じ、青色サブ画素ＰＢにおいて青色の蛍光Ｌ２が生じる。そして、これら赤色、緑色および青色の３つの色光によってフルカラー表示が行われる。

（蛍光体基板）
図２は、第１実施形態に係る蛍光体基板１０の模式図である。図２（Ａ）は本実施形態に係る蛍光体基板１０の断面模式図である。図２（Ｂ）は本実施形態に係る蛍光体基板１０の平面模式図である。ここで、図２（Ａ）の断面は蛍光体基板１０を基板１の上面に直交する平面で切断したときの断面である。以下、蛍光体基板を基板１の上面に直交する平面で切断したときの断面の模式図を、蛍光体基板の断面図ということがある。

図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示すように、本実施形態に係る蛍光体基板１０は、基板１と、蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂと、隔壁５と、カラーフィルター４Ｒ，４Ｇ，４Ｂと、を備えている。蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂは、基板１上に設けられ、基板１の上方から入射した励起光Ｌ１により蛍光Ｌ２を生じる。隔壁５は、蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの側面を囲む。

蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの励起光Ｌ１が入射する励起光入射面３ａは、隔壁５の開口部から露出している。すなわち、励起光入射面３ａは、光源２の光源２から射出された励起光Ｌ１が入射可能な面である。励起光Ｌ１は蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂにおいて蛍光Ｌ２に変換され、蛍光Ｌ２は蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの射出面３ｂから射出される。

蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂは、サブ画素毎に分割された複数の蛍光体層からなり、複数の蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂはサブ画素によって異なる色の色光を発光するために異なる蛍光体材料で構成されている。なお、これら複数の蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを構成する蛍光体材料は、互いにその屈折率が異なっていてもよい。

蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの励起光入射面３ａの外面側に、励起光Ｌ１を透過し、蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂから放射された蛍光Ｌ２を反射する波長選択透過反射部材（バンドパスフィルター）が形成されていてもよい。なお、「励起光を透過する」とは、励起光のピーク波長にあたる光を少なくとも透過することを意味する。また、「蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂで生じた蛍光を反射する」とは、蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂからのそれぞれの発光ピーク波長にあたる光を少なくとも反射することを意味する。

隔壁５は、図２（Ａ）に示すように、基板１の側から、光吸収性を有する光吸収層６と光散乱性を有する光散乱層７との積層構造を有している。

光吸収層６の断面形状は、基板１と接する側の辺（下底）が基板１と離れた側の辺（上底）よりも長い台形形状となっている。光散乱層７の断面形状は、光吸収層６と接する側の辺（下底）が光吸収層６と離れた側の辺（上底）よりも長い台形形状となっている。

ここで、隔壁５（光吸収層６、光散乱層７）の断面形状は、隔壁５（光吸収層６、光散乱層７）を基板１の上面に直交する平面で切断したときの断面形状である。以下、隔壁（光吸収層、光散乱層）を基板１の上面に直交する平面で切断したときの断面形状を、隔壁（光吸収層、光散乱層）の側断面形状ということがある。

光散乱層７の下面（基板１と光散乱層７との間）には光吸収層６が設けられている。隔壁５の側断面形状において、光散乱層７の光吸収層６と接する側の辺（下底）は、光吸収層６の基板１と離れた側の辺（上底）よりも短くなっている。つまり、光吸収層６の幅が光散乱層７の幅よりも大きくなっている。これにより、画面を見た時に光散乱層７が光吸収層６によって隠れ、外光の一部が光吸収層６で吸収されるため、コントラストを高くすることができる。

なお、光吸収層６の厚みは光散乱層７の厚みよりも薄くなっている。例えば、光吸収層６の厚みは、０．０１μｍ〜３μｍ程度となっている。

図２（Ｂ）に示すように、光吸収層６の基板１と接する側の部分の面積は、光散乱層７の面積よりも大きい。ここで、光吸収層６、光散乱層７の面積は、光吸収層６、光散乱層７を基板１の上面に平行な平面で切断したときの断面積である。以下、光吸収層６、光散乱層７を基板１の上面に平行な平面で切断したときの断面積を、光吸収層、光散乱層の平断面積ということがある。

図２（Ａ）に戻り、隔壁５は、基板１と離れた側の開口部が基板１と接する側の開口部よりも広くなるようなテーパー形状となっている。

なお、基板１と隔壁５との密着性を十分に高めるためには、隔壁５の基板１側の端部の横幅に対する隔壁５の高さの比率（アスペクト比）が１０以下であることが望ましい。

また、隔壁５は、蛍光体層３で生じた蛍光を反射する材料によって形成されていてもよい。これにより、蛍光体層３から側方に逃げる蛍光成分を反射させることができる。また、隔壁５の表面が反射材料で覆われた構成であってもよい。このような反射材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−ネオジウム合金、アルミニウム−シリコン合金等の反射性金属等が挙げられる。

また、このような隔壁５の形状としては、格子状、ストライプ状など、蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの周囲を囲む各種の形状を採用することができる。

本実施形態の表示装置１００において、基板１と赤色蛍光体層３Ｒとの間には赤色カラーフィルター４Ｒが設けられている。基板１と緑色蛍光体層３Ｇとの間には緑色カラーフィルター４Ｇが設けられている。基板１と青色蛍光体層３Ｂとの間には青色カラーフィルター４Ｂが設けられている。これにより、色度を向上させることができる。

光吸収層６とカラーフィルター４の膜厚に関しては、カラーフィルター４の膜厚が光吸収層６の膜厚よりも厚いことが望ましい。カラーフィルター４の膜厚の方が光吸収層６の膜厚に比べて薄い場合には、蛍光体層３の側面と光吸収層６とが接することになる。これにより、蛍光体層３からの発光が光吸収層６に吸収されてしまい、光取出し効率が低下してしまうという問題が生じるからである。

図３は、第１実施形態に係る表示装置１００の隔壁５の作用を説明するための模式図である。図３（Ａ）は従来の蛍光体基板１０Ｘを示す断面図であり、図３（Ｂ）は本実施形態に係る蛍光体基板１０を示す断面図である。なお、図３（Ａ）、図３（Ｂ）においては、便宜上、光吸収層及びカラーフィルターの図示を省略している。

図３（Ａ）、図３（Ｂ）に示すように、励起光Ｌ１の指向性が不十分であり、かつ、光源（図示略）と蛍光体基板との距離が離れていると、光源から射出された励起光Ｌがある程度の広がりをもって蛍光体基板に入射することとなる。

従来の蛍光体基板１０Ｘは、図３（Ａ）に示すように、蛍光体層３Ｘの周囲に、側断面形状が矩形形状の隔壁５Ｘが形成されている。このため、光源から射出されてバンドパスフィルター１２Ｘを透過した励起光Ｌ１の一部は所望の画素に入射するものの、残りの一部は隔壁５Ｘの上面で反射する。隔壁５Ｘの上面で反射した励起光Ｌ１の一部は、バンドパスフィルター１２Ｘで反射し、所望の画素に隣接する画素に入射する。そのため、所望の色光を取り出すことができない。

これに対し、本実施形態の蛍光体基板１０は、図３（Ｂ）に示すように、隔壁５を基板１の側断面形状が、基板１と接する側の辺（下底）が基板１と離れた側の辺（上底）より長い台形形状となっている。このため、光源から射出されてバンドパスフィルター１２Ｘを透過した励起光Ｌ１の一部は所望の画素に直接入射する。一方、残りの一部は隔壁５の側面で反射して所望の画素に入射する。従来の蛍光体基板１０Ｘでは、励起光Ｌ１の一部が基板１Ｘとは反対側に向けて反射するのに対し、本実施形態の蛍光体基板１０では、励起光Ｌ１の一部が基板１に向けて反射する。つまり、本実施形態の蛍光体基板１０のように、隔壁５の基板１と離れた側の部分の大きさ（基板１の上面の面積）が小さい場合は、隔壁５Ｘの基板１Ｘと離れた側の部分の大きさ（基板１Ｘの上面の面積）が大きい場合に比べて、光源から射出された励起光Ｌ１が所望の画素の隣接画素に入射することが抑制される。よって、光源から射出された励起光Ｌ１を極力損失なく所望の蛍光体層へと入射させることができる。したがって、励起光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射することを抑制し、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを抑制することができる。

また、本実施形態の蛍光体基板１０は、隔壁５が基板１の側から光吸収層６と光散乱層７との積層構造を有しているため、光吸収層６の面積を比較的広くとることができる。よって、外光反射を抑制し、コントラストを向上させることができる。

以下、本実施形態に係る蛍光体基板１０の構成部材及びその形成方法について具体的に説明するが、蛍光体基板１０の構成部材およびその形成方法は、これに限定されるものではない。

「基板」
本実施形態で用いられる蛍光体基板１０用の基板１は、蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂからの蛍光Ｌ２を外部に取り出す必要がある事から、蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの発光領域で、蛍光Ｌ２を透過する必要がある。そのため、蛍光体基板１０用の基板１としては、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板等を用いることができる。ただし、蛍光体基板１０用の基板１はこれらの基板に限定されるものではない。

「蛍光体層」
本実施形態の蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂは、紫外発光有機ＥＬ素子、青色発光有機ＥＬ素子、紫外発光ＬＥＤ、青色ＬＥＤ等の光源２からの励起光Ｌ１を吸収し、赤色、緑色、青色に発光する赤色蛍光体層３Ｒ、緑色蛍光体層３Ｇ、青色蛍光体層３Ｂから構成されている。ただし、光源２として青色発光を適用する場合、青色蛍光体層３Ｂは設けず、青色励起光Ｌ１を青色サブ画素ＰＢからの発光としてもよい。また、光源２として指向性を有する青色発光を適用する場合は、青色蛍光体層３Ｂは設けず、当該指向性を有する励起光Ｌ１を散乱し、等方発光にして外部へ取り出すことができるような光散乱層を適用してもよい。

また、必要に応じて、シアン光、イエロー光に発光する蛍光体層を画素に加える事が好ましい。ここで、シアン光、イエロー光に発光する画素のそれぞれの色純度を、色度図上での赤色、緑色、青色に発光する画素の色純度の点で結ばれる三角形より外側にすることで、赤色、緑色、青色の３原色を発光する画素を使用する表示装置より色再現範囲を更に広げる事が可能となる。

蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂは、以下に例示する蛍光体材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤等を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）又は無機材料中に分散された構成であってもよい。

本実施形態の蛍光体材料としては、公知の蛍光体材料を用いることができる。このような蛍光体材料は、有機系蛍光体材料と無機系蛍光体材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、蛍光体材料はこれらの材料に限定されるものではない。また、これら複数の蛍光体材料を組み合わせて使用してもよい。

有機系蛍光体材料としては、青色蛍光色素として、スチルベンゼン系色素：１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、トランス−４，４‘−ジフェニルスチルベンゼン、クマリン系色素：７−ヒドロキシ−４−メチルクマリン等が挙げられる。また、緑色蛍光色素として、クマリン系色素：２，３，５，６−１Ｈ、４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフロメチルキノリジン（９，９ａ、１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）、３−（２′−ベンゾチアゾリル）―７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２′−ベンゾイミダゾリル）―７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、ナフタルイミド系色素：ベーシックイエロー５１、ソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６等が挙げられる。また、赤色蛍光色素としては、シアニン系色素：４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリル）−４Ｈ−ピラン、ピリジン系色素：１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル］−ピリジニウム−パークロレート、及びローダミン系色素：ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、ベーシックバイオレット１１、スルホローダミン１０１等が挙げられる。

また、無機系蛍光体材料としては、青色蛍光体として、Ｓｒ₂Ｐ₂Ｏ₇：Ｓｎ⁴⁺、Ｓｒ₄Ａｌ₁₄Ｏ₂₅：Ｅｕ²⁺、ＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ²⁺、ＳｒＧａ₂Ｓ₄：Ｃｅ³⁺、ＣａＧａ₂Ｓ₄：Ｃｅ³⁺、（Ｂａ、Ｓｒ）（Ｍｇ、Ｍｎ）Ａｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ²⁺、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ₂、0 Ｍｇ）₁₀（ＰＯ₄）₆Ｃｌ₂：Ｅｕ²⁺、ＢａＡｌ₂ＳｉＯ₈：Ｅｕ²⁺、Ｓｒ₂Ｐ₂Ｏ₇：Ｅｕ²⁺、Ｓｒ₅（ＰＯ₄）₃Ｃｌ：Ｅｕ²⁺、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）₅（ＰＯ₄）₃Ｃｌ：Ｅｕ²⁺、ＢａＭｇ₂Ａｌ₁₆Ｏ₂₇：Ｅｕ²⁺、（Ｂａ，Ｃａ）₅（ＰＯ₄）₃Ｃｌ：Ｅｕ²⁺、Ｂａ₃ＭｇＳｉ₂Ｏ₈：Ｅｕ²⁺、Ｓｒ₃ＭｇＳｉ₂Ｏ₈：Ｅｕ²⁺等が挙げられる。また、緑色蛍光体として、（ＢａＭｇ）Ａｌ₁₆Ｏ₂₇：Ｅｕ²⁺，Ｍｎ²⁺、Ｓｒ₄Ａｌ₁₄Ｏ₂₅：Ｅｕ²⁺、（ＳｒＢａ）Ａl₁₂Ｓｉ₂Ｏ₈：Ｅｕ²⁺、（ＢａＭｇ）₂ＳｉＯ₄：Ｅｕ²⁺、Ｙ₂ＳｉＯ₅：Ｃｅ³⁺，Ｔｂ³⁺、Ｓｒ₂Ｐ₂Ｏ₇−Ｓｒ₂Ｂ₂Ｏ₅：Ｅｕ2+、（ＢａＣａＭｇ）₅（ＰＯ₄）₃Ｃｌ：Ｅｕ²⁺、Ｓｒ₂Ｓｉ₃Ｏ₈−２ＳｒＣｌ₂：Ｅｕ²⁺、Ｚｒ₂ＳｉＯ₄、ＭｇＡｌ₁₁Ｏ₁₉：Ｃｅ³⁺，Ｔｂ³⁺、Ｂａ₂ＳｉＯ₄：Ｅｕ²⁺、Ｓｒ₂ＳｉＯ₄：Ｅｕ²⁺、（ＢａＳｒ）ＳｉＯ₄：Ｅｕ²⁺等が挙げられる。また、赤色蛍光体としては、Ｙ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ³⁺、ＹＡｌＯ₃：Ｅｕ³⁺、Ｃａ₂Ｙ₂（ＳｉＯ₄）₆：Ｅｕ³⁺、ＬｉＹ₉（ＳｉＯ₄）₆Ｏ₂：Ｅｕ³⁺、ＹＶＯ₄：Ｅｕ³⁺、ＣａＳ：Ｅｕ³⁺、Ｇｄ₂Ｏ₃：Ｅｕ³⁺、Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ³⁺、Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ₄：Ｅｕ³⁺、Ｍｇ₄ＧｅＯ_5.5Ｆ：Ｍｎ⁴⁺、Ｍｇ₄ＧｅＯ⁶：Ｍｎ⁴⁺、Ｋ₅Ｅｕ_2.5（ＷＯ₄）_6.25、Ｎａ₅Ｅｕ_2.5（ＷＯ₄）_6.25、Ｋ₅Ｅｕ_2.5（ＭｏＯ₄）_6.25、Ｎａ₅Ｅｕ_2.5（ＭｏＯ₄）_6.25等が挙げられる。

また、上記無機系蛍光体は、必要に応じて表面改質処理を施してもよく、その方法としてはシランカップリング剤等の化学的処理によるものや、サブミクロンオーダーの微粒子等の添加による物理的処理によるもの、更にそれらの併用によるもの等が挙げられる。励起光による劣化、発光による劣化等の安定性を考慮すると、無機材料を使用する方が好ましい。更に無機材料を用いる場合には、平均粒径（ｄ_５０）が、０．５〜５０μｍであることが好ましい。平均粒径が１μｍ以下であると、蛍光体の発光効率が急激に低下する。また、５０μｍ以上であると、高解像度にパターニングすることが困難になる。

また、蛍光体層は、上記の蛍光体材料と樹脂材料を溶剤に溶解、分散させた蛍光体層形成用塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウエットプロセス、上記の材料を抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等の公知のドライプロセス、又は、レーザー転写法等により形成することができる。

上記の蛍光体層の膜厚は、通常１００ｎｍ〜１００μｍ程度であるが、１μｍ〜１００μｍが好ましい。膜厚が１００ｎｍ未満であると、光源からの励起光を十分吸収することが不可能である為、発光効率の低下、必要とされる色に励起光の透過光が混じる事による色純度の悪化といった問題が生じる。更に、光源からの励起光の吸収を高め、色純度の悪影響を及ぼさない程度に励起光の透過光を低減する為には、膜厚として、１μｍ以上とする事が好ましい。また、膜厚が１００μｍを超えると光源からの励起光を既に十分吸収する事から、効率の上昇には繋がらず、材料を消費するだけに留まり、材料コストのアップに繋がる。

一方、青色蛍光体層３Ｂの代わりとして光散乱層を適用する場合、光散乱粒子は、有機材料により構成されていてもよいし、無機材料により構成されていてもよいが、無機材料により構成されていることが好ましい。これにより、光源２からの指向性を有する光を、より等方的に効果的に拡散または散乱させることが可能となる。また、無機材料を使用することにより、光および熱に安定な光散乱層を提供することが可能となる。また、光散乱粒子としては、透明度が高いものであることが好ましい。また、光散乱粒子としては、低屈折率の母材中に母材よりも高屈折率の微粒子を分散するものであることが好ましい。また、青色光が光散乱層によって効果的に散乱するためには、光散乱性粒子の粒径がミー散乱の領域にあることが必要であるので、光散乱性粒子の粒径として１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度が好ましい。

光散乱粒子として、無機材料を用いる場合には、例えば、ケイ素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、インジウム、亜鉛、錫、およびアンチモンからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物を主成分とした粒子（微粒子）等が挙げられる。

また、光散乱粒子として、無機材料により構成された粒子（無機微粒子）を用いる場合には、例えば、シリカビーズ（屈折率：１．４４）、アルミナビーズ（屈折率：１．６３）、酸化チタンビーズ（屈折率 アナタース型：２．５０、ルチル型：２．７０）、酸化ジルコニアビーズ（屈折率：２．０５）、酸化亜鉛ビーズ（屈折率：２．００）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）（屈折率：２.４）等が挙げられる。

光散乱粒子として、有機材料により構成された粒子（有機微粒子）を用いる場合には、例えば、ポリメチルメタクリレートビーズ（屈折率：１．４９）、アクリルビーズ（屈折率：１．５０）、アクリル−スチレン共重合体ビーズ（屈折率：１．５４）、メラミンビーズ（屈折率：１．５７）、高屈折率メラミンビーズ（屈折率：１．６５）、ポリカーボネートビーズ（屈折率：１．５７）、スチレンビーズ（屈折率：１．６０）、架橋ポリスチレンビーズ（屈折率：１．６１）、ポリ塩化ビニルビーズ（屈折率：１．６０）、ベンゾグアナミン−メラミンホルムアルデヒドビーズ（屈折率：１．６８）、シリコーンビーズ（屈折率：１．５０）等が挙げられる。

上述した光散乱粒子と混合して用いる樹脂材料としては、透光性の樹脂であることが好ましい。また、樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂（屈折率：１．４９）、メラミン樹脂（屈折率：１．５７）、ナイロン（屈折率：１．５３）、ポリスチレン（屈折率：１．６０）、メラミンビーズ（屈折率：１．５７）、ポリカーボネート（屈折率：１．５７）、ポリ塩化ビニル（屈折率：１．６０）、ポリ塩化ビニリデン（屈折率：１．６１）、ポリ酢酸ビニル（屈折率：１．４６）、ポリエチレン（屈折率：１．５３）、ポリメタクリル酸メチル（屈折率：１．４９）、ポリＭＢＳ（屈折率：１．５４）、中密度ポリエチレン（屈折率：１．５３）、高密度ポリエチレン（屈折率：１．５４）、テトラフルオロエチレン（屈折率：１．３５）、ポリ三フッ化塩化エチレン（屈折率：１．４２）、ポリテトラフルオロエチレン（屈折率：１．３５）等が挙げられる。

「隔壁」
隔壁の材料としては、従来のディスプレイの隔壁として使用されているブラックマトリックスや金属を使用することができるが、出射側への光取出し効率を向上させるためには、低屈折率の樹脂中に樹脂よりも高屈折率の光散乱性粒子を分散させた光散乱性材料で形成された光散乱性の隔壁とすることが望ましい。より好ましくは、高コントラストと高光取出し効率を両立させるために、基板上に０．０１μmから３μm程度の光吸収層を形成した後に、光吸収層の基板への接地面積よりも小さい接地面積で光吸収層に接地するような膜厚１μmから１００μm程度の光散乱層を形成する。但し、光散乱層の膜厚は光吸収層の膜厚に比べて十分に厚くないと、光散乱効果による光取出し効率の向上は望めない。

また、青色光が光散乱性隔壁によって効果的に散乱するためには、光散乱性粒子の粒径がミー散乱の領域にあることが必要であるので、光散乱性粒子の粒径として１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度が好ましい。ＣＩＥ１９７６Ｌ*ａ*ｂ表示系において８０％以上の反射率を有することが好ましい。

樹脂としては、例えば段落[００７６]に挙げたような樹脂材料を用いることができる。また、光散乱性粒子としては、例えば段落[００７３]、[００７４]、[００７５]に挙げたような光散乱性粒子を用いることができる。

隔壁の形成方法としては、フォトリソグラフィー法、スクリーン印刷法、蒸着法、サンドブラスト法、転写法などの方法が挙げられるが、高精細、高アスペクト比を有する隔壁を低コストで形成できる点からフォトリソグラフィー法による形成が望ましい。隔壁材料の構成樹脂としてアルカリ可溶性樹脂を選択し、光重合性モノマー、光重合開始剤、溶剤を添加することによって隔壁材料をネガ型フォトレジスト化したり、光重合性モノマーや光重合開始剤の代わりにジアゾナフトキノンなどの感光剤を添加することによってポジ型フォトレジスト化したりすることが可能であり、フォトリソグラフィーによってパターニングすることができる。

なお、隔壁５の開口部（蛍光体層一区画）の縦横サイズは、２０μｍ×２０μｍ程度〜５００μｍ×５００μｍ程度が好ましい。

また、光散乱層７の光取出し方向側に光散乱層７に比べて薄い光吸収層６を配置することに加えて、更に、ある画素に進入するように設計された励起光が隣接画素に漏れて混色がおきるのを防止するために、隣接画素に進入しようとする光を吸収する目的で、光散乱層７の光取出し方向とは反対側に０．０１μｍから３μｍ程度の光散乱層７に比べて薄い黒色層を挿入しても良い。

「隔壁への撥液性の付与」
蛍光体層をディスペンサー法、インクジェット法などによってパターニングする場合、隔壁より蛍光体溶液が溢れ出て隣接画素間での混色を防止するために隔壁に撥液性を付与することが必須である。隔壁に撥液性を付与する方法としては例えば以下のような方法がある。
（１）フッ素プラズマ処理
例えば、特開２０００−７６９７９号公報に開示されているように、隔壁を形成した基板に対して導入ガスをフッ素系とした条件下でプラズマ処理を行うことによって隔壁に撥液性を付与することができる。
（２）フッ素系表面改質剤の添加
光散乱性隔壁の材料にフッ素系表面改質剤を添加することによって隔壁に撥液性を付与することができる。フッ素系表面改質剤としては、例えばUV硬化型表面改質剤ディフェンサ（ＤＩＣ株式会社製）やメガファックなどが使用できる。

「カラーフィルター」
本実施形態の蛍光体基板１０において、光取り出し側の基板１と蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂとの間に設けられたカラーフィルターとしては、従来のカラーフィルターを用いることが可能である。ここで、カラーフィルターを設けることによって、赤色サブ画素ＰＲ、緑色サブ画素ＰＧ、青色サブ画素ＰＢの色純度を高める事が可能となり、表示装置１００の色再現範囲を拡大する事ができる。

赤色蛍光体層３Ｒと対向する赤色カラーフィルター４Ｒは、外光の赤色蛍光体層３Ｒを励起する励起光を吸収する。このため、外光による赤色蛍光体層３Ｒの発光を低減・防止することが可能となり、コントラストの低下を低減・防止する事が出来る。また、赤色カラーフィルター４Ｒにより、赤色蛍光体層３Ｒにより吸収されず、透過してしまう励起光Ｌ１が外部に漏れ出す事を防止できる。このため、赤色蛍光体層３Ｒからの発光と励起光Ｌ１による混色による発光の色純度の低下を防止する事が可能となる。

同様に、緑色蛍光体層３Ｇと対向する緑色カラーフィルター４Ｇは、外光の緑色蛍光体層３Ｇを励起する励起光を吸収する。このため、外光による緑色蛍光体層３Ｇの発光を低減・防止することが可能となり、コントラストの低下を低減・防止する事が出来る。また、緑色カラーフィルター４Ｇにより、緑色蛍光体層３Ｇにより吸収されず、透過してしまう励起光Ｌ１が外部に漏れ出す事を防止できる。このため、緑色蛍光体層３Ｇからの発光と励起光Ｌ１による混色による発光の色純度の低下を防止する事が可能となる。

同様に、青色蛍光体層３Ｂと対向する青色カラーフィルター４Ｂは、外光の青色蛍光体層３Ｂを励起する励起光を吸収する。このため、外光による青色蛍光体層３Ｂの発光を低減・防止することが可能となり、コントラストの低下を低減・防止する事が出来る。また、青色カラーフィルター４Ｂ、により、青色蛍光体層３Ｂにより吸収されず、透過してしまう励起光Ｌ１が外部に漏れ出す事を防止できる。このため、青色蛍光体層３Ｂからの発光と励起光Ｌ１による混色による発光の色純度の低下を防止する事が可能となる。

[第２実施形態]
以下、本発明の第２実施形態の蛍光体基板１０Ａについて、図４を参照して説明する。
図４は、第２実施形態の蛍光体基板１０Ａの断面図である。
本実施形態の蛍光体基板１０Ａの基本構成は第１実施形態と同様であり、隔壁５に囲まれた領域に設けられた蛍光体層３ＲＡ，３ＧＡ，３ＢＡの形状のみが第１実施形態と異なる。
図４において、第１実施形態の図２（Ａ）と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

図４に示すように、本実施形態の蛍光体基板１０Ａにおいて、隔壁５に囲まれた領域の蛍光体層３ＲＡ，３ＧＡ，３ＢＡの側断面形状は凹型形状であり、蛍光体層３ＲＡ，３ＧＡ，３ＢＡの周辺部が隔壁５の側面に沿って配置されている。蛍光体層３ＲＡ，３ＧＡ，３ＢＡは、蛍光体層３ＲＡ，３ＧＡ，３ＢＡの中央部の上面が平坦となっている。蛍光体層３ＲＡ，３ＧＡ，３ＢＡの中央部の上面の高さは、隔壁５の高さの略半分の高さとなっている。一方、蛍光体層３ＲＡ，３ＧＡ，３ＢＡの周辺部の高さは、隔壁５の高さの略同じ高さとなっている。

本実施形態の構成によれば、光源から画素に向かう励起光が隔壁５に吸収されたり、隔壁５を透過したりすることが抑制される。よって、光取出し効率を向上させることができる。

[第３実施形態]
以下、本発明の第３実施形態の蛍光体基板１０Ｂについて、図５を参照して説明する。
図５は、第３実施形態の蛍光体基板１０Ｂの断面図である。
本実施形態の蛍光体基板１０Ｂの基本構成は第２実施形態と同様であり、基板１の屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率層１６を備えている点が第２実施形態と異なる。
図５において、第２実施形態の図５と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

図５に示すように、本実施形態の蛍光体基板１０Ｂにおいて、低屈折率層１６は、蛍光体層３ＲＡとカラーフィルター４Ｒとの間、蛍光体層３ＧＡとカラーフィルター４Ｇとの間、蛍光体層３ＢＡとカラーフィルター４Ｂとの間、にそれぞれ設けられている。低屈折率層１６は、蛍光体層３ＲＡ，３ＧＡ，３ＢＡから等方的に発光した蛍光のうち、カラーフィルター４Ｒ，４Ｇ，４Ｂに入射する蛍光の入射角を小さくする性質を有する層である。

なお、低屈折率層１６は、蛍光体層３とカラーフィルター４との間に配置されることに限らず、カラーフィルター４と基板１と間に配置されていてもよい。すなわち、低屈折率層１６は、蛍光体層と基板１との間に配置されていればよい。

低屈折率層１６の屈折率は、低屈折率層１６を透過してカラーフィルター４から基板１に入射する入射光の出射角（屈折角）が、少なくとも基板から外部に出射可能な入射光の臨界角よりも小さくなるような値であることが好ましい。蛍光体層３ＲＡ，３ＧＡ，３ＢＡから等方的に発光する蛍光が、低屈折率層１６を透過することによって、基板１に入射した光を外部に確実に取り出すことが可能となり、非常に効率よく蛍光を外部に取り出すことが可能となる。

なお、低屈折率層１６の屈折率は、１．０〜１．４の範囲であることが好ましい。低屈折率層１６の屈折率が１．４よりも大きくなると、基板１と低屈折率層１６との屈折率差が小さくなり、低屈折率層１６から基板１に入射した光の大半が、基板１と外部との界面で反射されてしまい、外部に取り出すことができなくなる。例えば、発光デバイスが、所定の領域に分割された複数の蛍光体層を有する場合、基板と外部との界面で反射された光が、少なくとも隣り合う２つの蛍光体層に進入し、表示滲みやぼやけが発生する懸念がある。

また、低屈折率層１６の屈折率は低いほど望ましい。低屈折率層１６の材料としては、例えば、屈折率１．３５〜１．４程度のフッ素樹脂、屈折率１．００３〜１．３程度のシリカエアロゲル、屈折率１．２〜１．３程度の多孔質シリカや中空シリカ等の透明材料が挙げられるが、本実施形態は、これらの材料に限定されるものではない。上記複数材料の組み合わせでも良い。

また、低屈折率層１６の膜厚は、１０ｎｍ〜５０μｍの範囲であることが好ましい。低屈折率層１６の膜厚が５０μｍよりも厚くなると、特に、蛍光体層３ＲＡ，３ＧＡ，３ＢＡから斜め方向に低屈折率層１６に入射した光が、低屈折率層１６と基板１の界面に達するまでに、基板１に対して水平方向（基板１の厚さ方向と垂直な方向）への進行距離が長くなる。これにより、基板１から外部に取り出される蛍光の発光領域が、蛍光体層自体の発光領域に対して拡大されるため、特に高精細を目的とする表示装置等に対しては好ましくない。また、製造プロセスに与える影響も懸念されることから、低屈折率層１６は、薄膜であることがより好ましい。

また、低屈折率層１６は、気体からなることが好ましい。上述したように、低屈折率層１６の屈折率は低いほど望ましいが、固体、液体、ゲル等の材料により低屈折率層１６を形成した場合、米国特許第４４０２８２７号公報、特許第４２７９９７１号、特開２００１−２０２８２７等に記載されているように、その屈折率の下限値は１．００３程度が限界である。これに対して、低屈折率層１６を、例えば、空気や窒素等の気体からなる気体層とすれば、屈折率を１．０とすることが可能となり、蛍光体層３ＲＡ，３ＧＡ，３ＢＡから等方的に発光する蛍光が、その気体層（低屈折率層）を透過して、基板に入射した光を外部に確実に取り出すことが可能となり、非常に効率よく蛍光を外部に取り出すことが可能となる。

[第４実施形態]
以下、本発明の第４実施形態の表示装置１００Ｃについて、図６、図７を参照して説明する。
図６は、第４実施形態の表示装置１００Ｃの断面図である。
本実施形態の表示装置１００Ｃの基本構成は第１実施形態と同様であり、隔壁５Ｃの構成が第１実施形態と異なるのみである。したがって、本実施形態では、表示装置１００Ｃの基本構成の説明は省略し、隔壁５Ｃについてのみ説明する。

第１実施形態では、隔壁５の蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂと接する部分（隔壁５の側面）は平坦面であった。これに対して、本実施形態の隔壁５Ｃは、図５に示すように、隔壁５Ｃの蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂと接する部分（隔壁５Ｃの側面）が凹凸形状である。その他の構成は第１実施形態と同様である。

なお、本実施形態においては、隔壁５Ｃの側面のみが凹凸形状であるが、これに限らない。例えば、隔壁５Ｃの表面全体（隔壁５Ｃの側面に加えて隔壁５Ｃの上面）が凹凸形状であってもよい。すなわち、隔壁５Ｃの少なくとも蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂと接する部分が凹凸形状を有していればよい。

図７は、第４実施形態に係る表示装置１００Ｃの隔壁５Ｃの作用を説明するための模式図である。

本実施形態では、図７に示すように、蛍光体層３の側面が凹凸形状であるため、蛍光体層３で生じた蛍光Ｌ２が隔壁５Ｃと接する部分の凹凸形状で散乱し、蛍光Ｌ２が隔壁５Ｃに吸収されにくい。このため、蛍光体層３で生じた蛍光Ｌ２が隔壁５Ｃに吸収されることによる蛍光Ｌ２のロスを少なくすることができ、外部に蛍光Ｌ２を十分に取り出すことが可能となる。

なお、隔壁５Ｃは白色であってもよい。具体的には、隔壁５Ｃは白色レジストを含んで形成されていてもよい。なお、隔壁５Ｃ全体が白色レジストを含んで形成されていてもよいし、隔壁５Ｃの蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂと接する部分のみが白色レジストを含んで形成されていてもよい。すなわち、隔壁５Ｃの少なくとも蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂと接する部分が白色であればよい。これにより、隔壁が黒色である場合に比べて、蛍光が隔壁５Ｃに吸収されにくくすることができる。

[第５実施形態]
以下、本発明の第５実施形態の表示装置１００Ｄについて、図８を参照して説明する。
図８は、第５実施形態の表示装置１００Ｄの断面図である。
本実施形態の表示装置１００Ｄの基本構成は第１実施形態と同様であり、隔壁５Ｄの構成が第１実施形態と異なるのみである。したがって、本実施形態では、表示装置１００Ｄの基本構成の説明は省略し、隔壁５Ｄについてのみ説明する。

本実施形態の表示装置１００Ｄにおいて、光散乱層７の上面には黒色層８が設けられている。これにより、光源２から射出された励起光の一部が黒色層８で吸収されるため、隣接画素への光漏れを抑制して混色が生じることを回避することができる。なお、黒色層８の厚みは光散乱層７の厚みよりも薄くなっている。例えば、黒色層８の厚みは０．０１μｍ〜３μｍ程度となっている。また、黒色層８の幅は光散乱層７の上面の幅と同等の幅となっている。

なお、本実施形態においては、光散乱層７の上面に黒色層８が設けられ、光散乱層７の下面に光吸収層６が設けられているが、これに限らない。例えば、黒色層８が光散乱層７の上面のみに設けられ、光散乱層７の下面に光吸収層６が設けられていなくてもよい。

[第６実施形態]
以下、本発明の第６実施形態の表示装置１００Ｅについて、図９を参照して説明する。
図９は、第６実施形態の表示装置１００Ｅの断面図である。
本実施形態の表示装置１００Ｅの基本構成は第５実施形態と同様であり、平坦化層１３の上面にバンドパスフィルター１２が設けられた点が第５実施形態と異なる。したがって、本実施形態では、表示装置１００Ｅの基本構成の説明は省略する。

本実施形態の表示装置１００Ｅにおいて、蛍光体基板１０Ｅの各蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの上面には、平坦化層１３が形成されている。平坦化層１３および隔壁５Ｄの上面には、バンドパスフィルター１２が設けられている。

光源２から励起光として青色光が射出される場合において、バンドパスフィルター１２は、青色領域の光（波長４３５〜４８０ｎｍの範囲内の光）を透過し、緑色から近赤外領域までの光（前記青色領域の波長の範囲外の光）を反射する機能を有する。バンドパスフィルター１２は、例えば金や銀等の薄膜、あるいは誘電体多層膜によって構成される。これにより、光源２から射出された青色光はバンドパスフィルター１２を透過し、蛍光体層３で波長変換して、緑色光や赤色光を発光させることができる。さらに、バンドパスフィルター１２は、当該バンドパスフィルター１２に向かう緑色光や赤色光を再び蛍光体層側に反射させるので、緑色光や赤色光を効率的に利用することができる。

なお、本実施形態においては、平坦化層１３の上面にバンドパスフィルター１２が設けられているが、これに限らない。例えば、平坦化層１３を設けずに、バンドパスフィルター１２を隔壁５の開口部に形成された各蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの上面に設けられていてもよい。すなわち、バンドパスフィルター１２は、光源基板１１と蛍光体基板１０との間に設けられていればよい。

また、光源２から励起光として紫外光が射出される場合、バンドパスフィルター１２は、紫外領域の光（波長３６０〜４１０ｎｍの範囲内の光）を透過し、緑色から近赤外領域までの光（前記紫外領域の波長の範囲外の光）を反射する機能を有していてもよい。これにより、光源２から射出された紫外光はバンドパスフィルター１２を透過し、蛍光体層３で波長変換して、緑色光や赤色光を発光させることができる。さらに、バンドパスフィルター１２は、当該バンドパスフィルター１２に向かう緑色光や赤色光を再び蛍光体層側に反射させるので、緑色光や赤色光を効率的に利用することができる。

（隔壁の変形例）
以下、上記実施形態の蛍光体基板における隔壁の変形例について、図１０を参照して説明する。

（第１変形例）
図１０（Ａ）は、隔壁の第１変形例を示す断面図である。
第１実施形態では、隔壁５は、基板１の側から光吸収層６と光散乱層７との積層構造を有していた。これに対して、本変形例の隔壁１５は、図１０（Ａ）に示すように、光散乱層（光反射層）の単層構造である。隔壁１５の側断面形状は、基板１と接する側の辺（下底）が基板１と離れた側の辺（上底）よりも長い台形形状となっている。

本変形例の構成においても、励起光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射することを抑制し、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを抑制することができる。

（第２変形例）
図１０（Ｂ）は、隔壁の第２変形例を示す断面図である。
本変形例の隔壁１５Ａにおいても、図１０（Ｂ）に示すように、光散乱層（光反射層）の単層構造である。隔壁１５Ａの側断面形状は、基板１と接する側に底辺を有する三角形形状となっている。本変形例においては、隔壁１５Ａの側断面形状は、底辺に隣接する２辺の長さが互いに等しい二等辺三角形形状となっている。

本変形例の構成においては、隔壁１５Ａの基板１と離れた側の部分が尖っているため、隔壁の基板１と離れた側の部分が平らである構成に比べて、隔壁１５Ａの基板１と離れた側の開口部が広くなる。よって、励起光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射することをより確実に抑制し、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを十分に抑制することができる。

（第３変形例）
図１０（Ｃ）は、隔壁の第３変形例を示す断面図である。
本変形例の隔壁１５Ｂにおいても、図１０（Ｃ）に示すように、光散乱層（光反射層）の単層構造である。隔壁１５Ｂの面積は、基板１と離れた側で小さく、基板１に向かうにつれて漸次大きくなっている。ここで、隔壁１５Ｂの面積は、隔壁１５Ｂを基板１の上面に平行な平面で切断したときの断面積である。以下、隔壁を基板１の上面に平行な平面で切断したときの断面積を、隔壁の平断面積ということがある。

また、隔壁１５Ｂの基板１と離れた側の側面の形状は、側断面形状が凸をなす曲線形状となっている。つまり、隔壁１５Ｂの先端が丸くなっている。

ところで、側断面形状が三角形形状である場合、隔壁の基板１と離れた側の部分が尖ることとなる。隔壁の基板１と離れた側の部分が尖りすぎると、隔壁の基板１と離れた側の部分において励起光の入射方向に対して局所的に横幅が小さくなる部分が生じる。そのため、励起光が隔壁の基板１と離れた側の部分に入射した場合、励起光が隔壁の基板１と離れた側の部分を透過し、本来入射すべき画素の隣接画素に入射してしまう懸念がある。

これに対して、本変形例の構成においては、隔壁１５Ｂの基板１と離れた側の部分が丸みを帯びており、励起光の入射方向に対してある程度の横幅を有している。よって、励起光が隔壁１５Ｂの基板１と離れた側の部分に入射した場合でも、励起光が隔壁の基板１と離れた側の部分を透過することを抑制することができる。

（第４変形例）
図１０（Ｄ）は、隔壁の第４変形例を示す断面図である。
本変形例の隔壁１５Ｃにおいても、図１０（Ｄ）に示すように、光散乱層（光反射層）の単層構造である。隔壁１５Ｃの形状は、平断面積が基板１と離れた側で小さく、基板１に向かうにつれて漸次大きくなる形状となっている。隔壁１５Ｃの基板１と離れた側の部分は尖っている。隔壁１５Ｃの側面の形状は、側断面形状が凹をなす曲線形状となっている。

本変形例の構成においては、隔壁１５Ｃの側面の側断面形状が凹をなす曲線形状であるため、側断面形状が凸をなす曲線形状の場合に比べて、励起光が隔壁１５Ｃの開口部の奥（基板１の側）まで入り込みやすくなる。よって、励起光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射することをより確実に抑制し、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを十分に抑制することができる。

（第５変形例）
図１０（Ｅ）は、隔壁の第５変形例を示す断面図である。
本変形例の隔壁１５Ｄにおいても、図１０（Ｅ）に示すように、光散乱層（光反射層）の単層構造である。隔壁１５Ｄの高さ方向中央部の側面の形状は、側断面形状が凸をなす曲線形状となっている。隔壁１５Ｄの高さ方向中央部よりも上部の形状は、平断面積が基板１と離れた側で小さく、基板１に向かうにつれて漸次大きくなる形状となっている。隔壁１５Ｄの基板１と離れた側の部分は尖っている。隔壁１５Ｄの高さ方向中央部よりも上部の側面の形状は、側断面形状が凹をなす曲線形状となっている。

本変形例の構成においても、励起光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射することを抑制し、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを抑制することができる。

（第６変形例）
図１０（Ｆ）は、隔壁の第６変形例を示す断面図である。
本変形例の隔壁１５Ｅにおいても、図１０（Ｆ）に示すように、光散乱層（光反射層）の単層構造である。隔壁１５Ｅの形状は、平断面積が基板１と離れた側で小さく、基板１に向かうにつれて漸次大きくなる形状となっている。隔壁１５Ｅの基板１と離れた側の部分は平らになっている。隔壁１５Ｅの側面の形状は、側断面形状が凹をなす曲線形状となっている。

本変形例の構成においては、隔壁１５Ｅの側面の側断面形状が凹をなす曲線形状であるため、側断面形状が凸をなす曲線形状の場合に比べて、励起光が隔壁１５Ｅの開口部の奥（基板１の側）まで入り込みやすくなる。よって、励起光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射することをより確実に抑制し、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを十分に抑制することができる。

（第７変形例）
図１０（Ｇ）は、隔壁の第７変形例を示す断面図である。
本変形例の隔壁１５Ｆにおいても、図１０（Ｇ）に示すように、光散乱層（光反射層）の単層構造である。隔壁１５Ｆの形状は、平断面積が基板１と離れた側で小さく、基板１に向かうにつれて漸次大きくなる形状となっている。隔壁１５Ｆの基板１と離れた側の側面の形状は、側断面形状が凸をなす曲線形状となっている。つまり、隔壁１５Ｆの先端が丸くなっている。一方、隔壁１５Ｆの形状は、基板１と近い側においては平断面積が略同じになる形状となっている。

本変形例の構成においては、隔壁１５Ｆの基板１と離れた側の部分が丸みを帯びており、励起光の入射方向に対してある程度の横幅を有している。よって、励起光が隔壁１５Ｆの基板１と離れた側の部分に入射した場合でも、励起光が隔壁１５Ｆの基板１と離れた側の部分を透過することを抑制することができる。

（第８変形例）
図１０（Ｈ）は、隔壁の第８変形例を示す断面図である。
本変形例の隔壁１５Ｇにおいても、図１０（Ｈ）に示すように、光散乱層（光反射層）の単層構造である。本変形例の隔壁１５Ｇは、図１０（Ｂ）に示す側断面形状に対して、隔壁１５Ｇの側面の傾斜角度が途中で変わっている形状となっている。また、隔壁１５Ｇの形状は、基板１と近い側においては平断面積が略同じになる形状となっている。

本変形例の構成においては、隔壁１５Ｇの基板１と離れた側の部分が尖っているため、隔壁の基板１と離れた側の部分が平らである構成に比べて、隔壁１５Ｇの基板１と離れた側の開口部が広くなる。よって、励起光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射することをより確実に抑制し、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを十分に抑制することができる。

（第９変形例）
図１０（Ｉ）は、隔壁の第９変形例を示す断面図である。
本変形例の隔壁１５Ｈにおいても、図１０（Ｉ）に示すように、光散乱層（光反射層）の単層構造である。本変形例の隔壁１５Ｈは、図１０（Ｂ）に示す側断面形状に対して、隔壁１５Ｈの側面の傾斜角度が途中で変わっている形状となっている。また、隔壁１５Ｈの形状は、平断面積が基板１と離れた側で小さく、基板１に向かうにつれて漸次大きくなる形状となっている。隔壁１５Ｈの形状は、隔壁１５Ｈの先端側では側面の傾斜角度が緩やかであり、隔壁１５Ｈの基端側では側面の傾斜角度が急である形状となっている。

本変形例の構成においても、隔壁１５Ｈの基板１と離れた側の部分が尖っているため、隔壁の基板１と離れた側の部分が平らである構成に比べて、隔壁１５Ｈの基板１と離れた側の開口部が広くなる。よって、励起光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射することをより確実に抑制し、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを十分に抑制することができる。

（第１０変形例）
図１０（Ｊ）は、隔壁の第１０変形例を示す断面図である。
本変形例の隔壁１５Ｉにおいても、図１０（Ｊ）に示すように、光散乱層（光反射層）の単層構造である。隔壁１５Ｉの形状は、平断面積が基板１と離れた側で小さく、基板１に向かうにつれて漸次大きくなる形状となっている。隔壁１５Ｉの基板１と離れた側の部分は尖っている。隔壁１５Ｉの側面の形状は、側断面形状が凸をなす曲線形状となっている。

本変形例の構成においては、隔壁１５Ｉの基板１と離れた側の部分が尖っているものの、隔壁１５Ｉの側面の側断面形状が凸をなす曲線形状であるため、励起光の入射方向に対してある程度の厚みを有している。よって、励起光が隔壁１５Ｉの基板１と離れた側の部分に入射した場合でも、励起光が隔壁１５Ｉの基板１と離れた側の部分を透過することを抑制することができる。

（第１１変形例）
図１０（Ｋ）は、隔壁の第１１変形例を示す断面図である。
第１実施形態では、隔壁５は、基板１の側から光吸収層６と光散乱層７との２層の積層構造を有していた。これに対して、本変形例の隔壁１５Ｊは、図１０（Ｋ）に示すように、光吸収層１５Ｊａ、第１光散乱層１５Ｊｂ、第２光散乱層１５Ｊｃの３層の積層構造となっている。

光吸収層１５Ｊａは、側断面形状が基板１と接する側の辺（下底）が基板１と離れた側の辺（上底）よりも長い台形形状となっている。第１光散乱層１５Ｊｂは、側断面形状が光吸収層１５Ｊａと接する側の辺（下底）が光吸収層１５Ｊａと離れた側の辺（上底）よりも長い台形形状となっている。第２光散乱層１５Ｊｃは、側断面形状が第１光散乱層１５Ｊｂと接する側の辺（下底）が第１光散乱層１５Ｊｂと離れた側の辺（上底）よりも長い台形形状となっている。

側断面形状において、第１光散乱層１５Ｊｂの光吸収層１５Ｊａと接する側の辺（下底）は、光吸収層１５Ｊａの基板１と離れた側の辺（上底）よりも短くなっている。第２光散乱層１５Ｊｃの第１光散乱層１５Ｊｂと接する側の辺（下底）は、第１光散乱層１５Ｊｂの光吸収層１５Ｊａと離れた側の辺（上底）よりも短くなっている。

本変形例の構成においても、励起光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射することを抑制し、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを抑制することができる。

なお、本変形例においては、隔壁１５Ｊが、光吸収層１５Ｊａ、第１光散乱層１５Ｊｂ、第２光散乱層１５Ｊｃの３層の積層構造を有している例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、隔壁が４層以上の積層構造を有していてもよい。また、隔壁の基板側の層（第１層）が光吸収層である例を挙げて説明したが、第１層が光散乱層でもよい。また、隔壁において積層構造を構成する層がすべて光散乱層であってもよい。

また、隔壁の形状は、上記実施形態や上記変形例においては、隔壁の少なくとも基板１と離れた側の形状が、平断面積が基板１と離れた側で小さく、基板１に向かうにつれて漸次大きくなる形状を挙げて説明したが、上記実施形態や上記変形例で示した形状に限らず、種々の形状を採用することができる。

上記実施形態の蛍光体基板における隔壁のその他の変形例について、図１１を参照して説明する。

（第１２変形例）
図１１（Ａ）は、隔壁の第１２変形例を示す断面図である。
本変形例の隔壁１５Ｋは、図１１（Ａ）に示すように、光散乱層（光反射層）の単層構造である。本変形例の隔壁１５Ｋは、隔壁１５Ｋの平断面積が途中で変わっている形状となっている。隔壁１５Ｋの形状は、平断面積が基板１と離れた側の部分で小さく、基板１に接する側の部分で大きい形状となっている。隔壁１５Ｋの形状は、基板１に接する側の部分と基板１と離れた側の部分とのそれぞれにおいて平断面積が略同じになる形状（基板１に対して垂直な形状を含む構成）となっている。

本変形例の構成においては、隔壁１５Ｋの側断面形状が、基板１と離れた側の部分が基板１と接する側の部分よりも幅が小さい矩形形状となっているため、隔壁の側断面形状が基板１と離れた側の部分と基板１と接する側の部分とで幅が等しい形状である構成（矩形形状）に比べて、隔壁１５Ｋの基板１と離れた側の開口部が広くなる。よって、本変形例の構成においても、励起光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射することを抑制し、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを抑制することができる。

（第１３変形例）
図１１（Ｂ）は、隔壁の第１３変形例を示す断面図である。
本変形例の隔壁１５Ｌにおいても、図１１（Ｂ）に示すように、光散乱層（光反射層）の単層構造である。本変形例の隔壁１５Ｌも、隔壁１５Ｌの平断面積が途中で変わっている形状となっている。隔壁１５Ｌの形状は、平断面積が基板１と離れた側の部分で小さく、基板１に接する側の部分で大きい形状となっている。隔壁１５Ｌの形状は、基板１と離れた側の部分において平断面積が略同じになる形状（基板１に対して垂直な形状を含む構成）となっている。これに対し、基板１に接する側の部分においては平断面積が基板１に向かうにつれて漸次小さくなる形状となっている。

本変形例の構成においては、隔壁１５Ｌの基板１に接する側の部分においては平断面積が基板１に向かうにつれて漸次小さくなっているものの、隔壁１５Ｌの側断面形状は基板１と離れた側の部分が基板１と接する側の部分よりも幅が小さい形状となっている。このため、隔壁の側断面形状が基板１と離れた側の部分と基板１と接する側の部分とで幅が等しい形状である構成（矩形形状）に比べて、隔壁１５Ｌの基板１と離れた側の開口部が広くなる。よって、本変形例の構成においても、励起光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射することを抑制し、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを抑制することができる。

（第１４変形例）
図１１（Ｃ）は、隔壁の第１４変形例を示す断面図である。
本変形例の隔壁１５Ｍにおいても、図１１（Ｃ）に示すように、光散乱層（光反射層）の単層構造である。本変形例の隔壁１５Ｍも、隔壁１５Ｍの平断面積が途中で変わっている形状となっている。隔壁１５Ｍの形状は、平断面積が基板１と離れた側の部分で小さく、基板１に接する側の部分で大きい形状となっている。隔壁１５Ｍの形状は、基板１に接する側の部分において平断面積が略同じになる形状（基板１に対して垂直な形状を含む構成）となっている。これに対し、基板１と離れた側の部分においては平断面積が基板１に向かうにつれて漸次小さくなる形状となっている。

本変形例の構成においては、隔壁１５Ｌの基板１と離れた側の部分においては平断面積が基板１に向かうにつれて漸次小さくなっているものの、隔壁１５Ｍの側断面形状は基板１と離れた側の部分が基板１と接する側の部分よりも幅が小さい形状となっている。このため、隔壁の側断面形状が基板１と離れた側の部分と基板１と接する側の部分とで幅が等しい形状である構成（矩形形状）に比べて、隔壁１５Ｍの基板１と離れた側の開口部が広くなる。よって、本変形例の構成においても、励起光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射することを抑制し、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを抑制することができる。

（第１５変形例）
図１１（Ｄ）は、隔壁の第１５変形例を示す断面図である。
本変形例の隔壁１５Ｎにおいても、図１１（Ｄ）に示すように、光散乱層（光反射層）の単層構造である。本変形例の隔壁１５Ｎも、隔壁１５Ｎの平断面積が途中で変わっている形状となっている。隔壁１５Ｎの形状は、平断面積が基板１と離れた側の部分で小さく、基板１に接する側の部分で大きい形状となっている。隔壁１５Ｎの形状は、基板１に接する側の部分と基板１と離れた側の部分とのそれぞれにおいて平断面積が基板１に向かうにつれて漸次小さくなる形状となっている。

本変形例の構成においては、基板１に接する側の部分と基板１と離れた側の部分とのそれぞれにおいて平断面積が基板１に向かうにつれて漸次小さくなっているものの、隔壁１５Ｎの側断面形状は基板１と離れた側の部分が基板１と接する側の部分よりも幅が小さい形状となっている。このため、隔壁の側断面形状が基板１と離れた側の部分と基板１と接する側の部分とで幅が等しい形状である構成（矩形形状）に比べて、隔壁１５Ｎの基板１と離れた側の開口部が広くなる。よって、本変形例の構成においても、励起光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射することを抑制し、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを抑制することができる。

（第１６変形例）
図１１（Ｅ）は、隔壁の第１６変形例を示す断面図である。
本変形例の隔壁１５Ｏは、図１１（Ｅ）に示すように、光吸収層１５Ｏａ、光散乱層１５Ｏｂの２層の積層構造となっている。
本変形例の隔壁１５Ｏは、側断面形状が矩形形状である光吸収層１５Ｏａと、側断面形状が光吸収層１５Ｏａの幅よりも小さい矩形形状である光散乱層１５Ｏｂと、を備えている。

本変形例の構成においては、隔壁１５Ｏの側断面形状が、基板１と離れた側の光散乱層１５Ｏｂが基板１と接する側の光吸収層１５Ｏａよりも幅が小さい矩形形状となっているため、隔壁の側断面形状が光散乱層と光吸収層とで幅が等しい形状である構成（矩形形状）に比べて、隔壁１５Ｏの基板１と離れた側の開口部が広くなる。よって、本変形例の構成においても、励起光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射することを抑制し、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを抑制することができる。

（第１７変形例）
図１１（Ｆ）は、隔壁の第１７変形例を示す断面図である。
本変形例の隔壁１５Ｐにおいても、図１１（Ｆ）に示すように、光吸収層１５Ｐａ、光散乱層１５Ｐｂの２層の積層構造となっている。
光吸収層１５Ｐａは、側断面形状が基板１と接する側の辺（下底）が基板１と離れた側の辺（上底）よりも短い台形形状となっている。光散乱層１５Ｐｂは、側断面形状が光吸収層１５Ｐａと接する側の辺（下辺）が光吸収層１５Ｐａの基板１と離れた側の辺（上底）よりも短い矩形形状となっている。

本変形例の構成においては、光吸収層１５Ｐａにおいては平断面積が基板１に向かうにつれて漸次小さくなっているものの、隔壁１５Ｐの側断面形状は基板１と離れた側の光散乱層１５Ｐｂが基板１と接する側の光吸収層１５Ｐａよりも幅が小さい形状となっている。このため、隔壁の側断面形状が光散乱層と光吸収層とで幅が等しい形状である構成（矩形形状）に比べて、隔壁１５Ｐの基板１と離れた側の開口部が広くなる。よって、本変形例の構成においても、励起光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射することを抑制し、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを抑制することができる。

（第１８変形例）
図１１（Ｇ）は、隔壁の第１８変形例を示す断面図である。
本変形例の隔壁１５Ｑにおいても、図１１（Ｇ）に示すように、光吸収層１５Ｑａ、光散乱層１５Ｑｂの２層の積層構造となっている。
光吸収層１５Ｑａは、側断面形状が矩形形状となっている。光散乱層１５Ｑｂは、側断面形状が光吸収層１５Ｑａと接する側の辺（下底）が基板１と離れた側の辺（上底）よりも短い台形形状となっている。光散乱層１５Ｑｂは、側断面形状が光吸収層１５Ｑａと接する側の辺（下底）が光吸収層１５Ｑａの基板１と離れた側の辺（上底）よりも短くなっている。

本変形例の構成においては、光散乱層１５Ｑｂにおいては平断面積が基板１に向かうにつれて漸次小さくなっているものの、隔壁１５Ｑの側断面形状は基板１と離れた側の光散乱層１５Ｑｂが基板１と接する側の光吸収層１５Ｑａよりも幅が小さい形状となっている。このため、隔壁の側断面形状が光散乱層と光吸収層とで幅が等しい形状である構成（矩形形状）に比べて、隔壁１５Ｑの基板１と離れた側の開口部が広くなる。よって、本変形例の構成においても、励起光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射することを抑制し、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを抑制することができる。

（第１９変形例）
図１１（Ｈ）は、隔壁の第１９変形例を示す断面図である。
本変形例の隔壁１５Ｒにおいても、図１１（Ｈ）に示すように、光吸収層１５Ｒａ、光散乱層１５Ｒｂの２層の積層構造となっている。
光吸収層１５Ｒａは、側断面形状が基板１と接する側の辺（下底）が基板１と離れた側の辺（上底）よりも短い台形形状となっている。光散乱層１５Ｒｂは、側断面形状が光吸収層１５Ｒａと接する側の辺（下底）が基板１と離れた側の辺（上底）よりも短い台形形状となっている。光散乱層１５Ｒｂは、側断面形状が光吸収層１５Ｒａと接する側の辺（下底）が光吸収層１５Ｒａの基板１と離れた側の辺（上底）よりも短くなっている。

本変形例の構成においては、光吸収層１５Ｒａと光散乱層１５Ｒｂとのそれぞれにおいて平断面積が基板１に向かうにつれて漸次小さくなっているものの、隔壁１５Ｒの側断面形状は、基板１と離れた側の光散乱層１５Ｒｂが基板１と接する側の光吸収層１５Ｒａよりも幅が小さい形状となっている。このため、隔壁の側断面形状が光散乱層と光吸収層とで幅が等しい形状である構成（矩形形状）に比べて、隔壁１５Ｒの基板１と離れた側の開口部が広くなる。よって、本変形例の構成においても、励起光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射することを抑制し、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを抑制することができる。

なお、隔壁の形状は、上記第１２変形例ないし第１９変形例においては、隔壁の少なくとも一部において、基板１に対して垂直な形状を含む構成、平断面積が基板１に向かうにつれて漸次小さくなる形状を含む構成、を挙げて説明したが、上記変形例で示した形状に限らず、種々の形状を採用することができる。

（光源）
次に、上記実施形態に係る光源２について説明する。
蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを励起する光源２としては、紫外光、青色光が好ましく、例えば、紫外ＬＥＤ、青色ＬＥＤ、紫外発光無機ＥＬ、青色発光無機ＥＬ、紫外発光有機ＥＬ、青色発光有機ＥＬ等が挙げられるが、本実施形態はこれらの光源に限定されるものではない。また、これらの光源２を直接スイッチングする事で、画像を表示する為の、発光のＯＮ／ＯＦＦをコントロールする事が可能である。また、蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂと光源２との間に、液晶の様なシャッター機能を有する層を配置し、それを、コントロールする事で発光のＯＮ／ＯＦＦをコントロールする事も可能である。また、液晶の様なシャッター機能を有する層と光源２とを両方共ＯＮ／ＯＦＦをコントロールする事も可能である。

光源２としては、公知の紫外ＬＥＤ、青色ＬＥＤ、紫外発光無機ＥＬ、青色発光無機ＥＬ、紫外発光有機ＥＬ、青色発光有機ＥＬ等が使用可能であり、特に限定されるものではなく、公知の材料、公知の製造方法で作製する事が可能である。ここで、紫外光としては、主発光ピークが３６０ｎｍ〜４１０ｎｍの発光が好ましく、青色光としては、主発光ピークが４３５ｎｍ〜４８０ｎｍの発光が好ましい。光源２は、指向性を有していることが望ましい。指向性とは、光の強度が方向によって異なる性質をいう。指向性は、光が蛍光体層に入射する時点で有していればよい。光源２は、平行光を蛍光体層に入射させることが望ましい。

光源２の指向性の程度としては半値幅±３０度以下、より好ましくは±１０度以下が良い。半値幅３０度よりも大きい場合、バックライトから射出された光が所望の画素以外に入射して所望外の蛍光体を励起することにより色純度やコントラストを低下させるためである。

以下、光源２に好適に利用可能な光源２Ａについて説明する。

「ＬＥＤ」
図１２に示すように、ＬＥＤ（発光ダイオード）を光源２Ａとして用いることができる。ＬＥＤとしては、公知のＬＥＤを用いる事が可能で、例えば、紫外発光無機ＬＥＤ、青色発光無機ＬＥＤが好適である。これらのＬＥＤは、例えば、基板９の一面に第１のバッファ層２３、ｎ型コンタクト層２４、第２のｎ型クラッド層２５、第１のｎ型クラッド層２６、活性層２７、第１のｐ型クラッド層２８、第２のｐ型クラッド層２９、第２のバッファ層３０が順次積層され、ｎ型コンタクト層２４上に陰極２２が形成され、第２のバッファ層３０上に陽極２１が形成された構成の光源２Ａである。なお、ＬＥＤの具体的な構成は前記のものに限ることはない。

活性層２７は、電子と正孔の再結合より発光を行う層であり、活性層材料としては、ＬＥＤ用の公知の活性層材料を用いることができる。このような活性層材料としては、例えば、紫外活性層材料としては、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、Ｉｎ_aＡｌ_bＧａ_1-a-bＮ（０≦a、０≦b、a＋b≦１）、青色活性層材料としては、Ｉｎ_z Ｇａ_1-z N（０＜ｚ＜１）等が挙げられるが、活性層材料はこれらに限定されるものではない。

活性層２７としては、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造のものが利用できる。量子井戸構造の活性層はｎ型、ｐ型のいずれでもよいが、特にノンドープ（不純物無添加）とすることによりバンド間発光により発光波長の半値幅が狭くなり、色純度のよい発光が得られるため好ましい。

活性層２７にドナー不純物、アクセプター不純物の少なくとも一方をドープしてもよい。不純物をドープした活性層の結晶性がノンドープと同じであれば、ドナー不純物をドープすると、ノンドープのものに比べてバンド間発光強度をさらに強くすることができる。アクセプター不純物をドープするとバンド間発光のピーク波長よりも約０．５ｅＶ低エネルギー側にピーク波長をシフトさせることができるが、半値幅は広くなる。アクセプター不純物とドナー不純物との両者をドープすると、アクセプター不純物のみをドープした活性層の発光強度に比べその発光強度をさらに大きくすることができる。特に、アクセプター不純物をドープした活性層を形成する場合、活性層の導電型はＳｉ等のドナー不純物をもドープしてｎ型とすることが好ましい。

ｎ型クラッド層２５，２６としては、ＬＥＤ用の公知のｎ型クラッド層材料を用いることができる。図３の例では、ｎ型クラッド層を第１のｎ型クラッド層２６と第２のｎ型クラッド層２５の２層で構成しているが、ｎ型クラッド層は、１層でもよいし、３層以上の多層でも良い。活性層２７よりバンドギャップエネルギーが大きいｎ型半導体で形成される材料によりｎ型クラッド層を構成する事で、ｎ型クラッド層と活性層２７の間には正孔に対する電位隔壁ができ、正孔を活性層に閉じ込める事が可能となる。例えば、ｎ型Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ＜１）によりｎ型クラッド層を２５，２６形成する事が可能であるが、ｎ型クラッド層は２５，２６は、これらに限定されるものではない。

ｐ型クラッド層２８，２９としては、ＬＥＤ用の公知のｐ型クラッド層材料を用いることができる。図３の例では、ｐ型クラッド層を第１のｐ型クラッド層２８と第２のｐ型クラッド層２９の２層で構成しているが、ｐ型クラッド層は、１層でもよいし、３層以上の多層でも良い。活性層２７よりバンドギャップエネルギーが大きいｐ型半導体で形成される材料によりｐ型クラッド層を構成する事で、ｐ型クラッド層と活性層２７の間には電子に対する電位隔壁ができ、電子は活性層２７に閉じ込める事が可能となる。例えば、Ａｌy Ｇａ1-y Ｎ（０≦ｙ≦１）でｐ型クラッド層２８，２９を形成する事が可能であるが、ｐ型クラッド層２８，２９は、これらに限定されるものではない。

ｎ型コンタクト層２４としては、ＬＥＤ用の公知のコンタクト層材料を用いることができる。例えば、ｎ型クラッド層に接して電極（陰極２２）を形成する層としてｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層を形成することが可能である。また、ｐ型クラッド層に接して電極（陽極２１）を形成する層としてｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を形成することも可能である。但し、このコンタクト層は、第２のｎ型クラッド層２５、第２のｐ型クラッド層２９をＧａＮで形成されていれば、特に形成する必要はなく、第２のｎ型およびｐ型クラッド層をコンタクト層とすることも可能である。

上記各層は、ＬＥＤ用の公知の成膜プロセスを用いる事が可能であるが、成膜プロセスは特にこれらに限定されるものではない。例えば、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＭＢＥ（分子線気相成長法）、ＨＤＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）等の気相成長法を用いて、例えばサファイア（Ｃ面、Ａ面、Ｒ面を含む）、ＳｉＣ（６Ｈ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣも含む）、スピネル（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４、特にその（１１１）面）、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、あるいは他の酸化物単結晶基板（ＮＧＯ等）等の基板上に上記各層を形成することが可能である。

「有機ＥＬ素子」
図１３に示すように、有機ＥＬ素子を光源２Ｂとして用いることができる。本実施形態で用いられる有機ＥＬ素子は、公知の有機ＥＬを用いる事が可能である。有機ＥＬ素子２Ｂは、例えば、基板９の一面に陽極４１、正孔注入層４３、正孔輸送層４４、発光層４５、正孔防止層４６、電子輸送層４７、電子注入層４８、陰極４９が順次積層された構成の光源２Ｂである。陽極４１の端面を覆うようにエッジカバー４２が形成されている。有機ＥＬ素子２Ｂとしては、陽極４１と陰極４９との間に少なくとも有機発光材料からなる発光層（有機発光層）４５を含む有機ＥＬ層を含んでいればよく、具体的な構成は前記のものに限ることはない。なお、以下の説明では、正孔注入層４３から電子注入層４８までの層を有機ＥＬ層と称することがある。

有機ＥＬ素子２Ｂは、図１に示した赤色サブ画素ＰＲ、緑色サブ画素ＰＧ、青色サブ画素ＰＢの各々に対応してマトリクス状に設けられ、個別にオン／オフが制御されるようになっている。
複数の有機ＥＬ素子２Ｂの駆動方法は、アクティブマトリクス駆動でもよいし、パッシブマトリクス駆動でもよい。アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ素子を用いた構成例は、後の説明で詳述する。

以下、有機ＥＬ素子２Ｂの各構成要素について詳細に説明する。

「基板」
本実施形態で用いられる基板９としては、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスティック基板、アルミナ等からなるセラミックス基板等の絶縁性基板、又は、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）等からなる金属基板、または、前記基板上に酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、有機絶縁材料等からなる絶縁物を表面にコーティングした基板、Ａｌ等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等が挙げられる。さらに、前記プラスティック基板に無機材料をコートした基板、前記金属基板に無機絶縁材料をコートした基板が更に好ましい。これにより、プラスティック基板を有機ＥＬの基板として用いた場合の最大の問題となる水分の透過による有機ＥＬの劣化（有機ＥＬは、特に低量の水分に対しても劣化が起こることが知られている。）を解消する事が可能となる。また、金属基板を有機ＥＬの基板として用いた場合の最大の問題となる金属基板の突起によるリーク（ショート）（有機ＥＬの膜厚は、１００〜２００ｎｍ程度と非常に薄いため、突起による画素部での電流にリーク（ショート）が、顕著に起こることが知られている。）を解消する事が可能となる。

また、有機ＥＬ素子をアクティブマトリックス駆動するためのＴＦＴを形成する場合には、５００℃以下の温度で融解せず、歪みも生じない基板を用いることが好ましい。また、一般的な金属基板は、ガラスと熱膨張率が異なるため、従来の生産装置で金属基板上にＴＦＴを形成することが困難であるが、線膨張係数が１×１０^−５／ ℃ 以下の鉄−ニッケル系合金である金属基板を用いて、線膨張係数をガラスに合わせ込む事で金属基板上にＴＦＴを従来の生産装置を用いて安価に形成する事が可能となる。また、プラスティック基板の場合には、耐熱温度が非常に低いため、ガラス基板上にＴＦＴを形成した後、プラスティック基板にＴＦＴを転写する事で、プラスティック基板上にＴＦＴを転写形成する事が可能である。

更に、有機ＥＬ層からの発光を基板と反対側から取り出す場合には、基板としての制約はないが、有機ＥＬ層からの発光を基板側から取り出す場合には、用いる基板として有機ＥＬ層からの発光を外部に取り出す為に、透明又は半透明の基板を用いる必要がある。

「陽極」及び「陰極」
本実施形態で用いられる陽極４１及び陰極４９は、有機ＥＬ層に電流を供給する第１電極及び第２電極として機能する。図１３では、第１電極である陽極４１を有機ＥＬ層を挟んで基板９側に配置し、第２電極である陰極４９を有機ＥＬ層を挟んで基板９とは反対側に配置しているが、この関係は逆にしてもよい。つまり、第１電極である陽極４１を有機ＥＬ層を挟んで基板９とは反対側に配置し、第２電極である陰極４９を有機ＥＬ層を挟んで基板９側に配置してもよい。以下に、具体的な化合物及び形成方法を例示するが、化合物及び形成方法はこのようなものに限定されるものではない。

陽極４１及び陰極４９を形成する電極材料としては公知の電極材料を用いることができる。陽極を形成する電極材料としては、有機ＥＬ層への正孔の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以上の金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属、及び、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）からなる酸化物（ＩＴＯ）、錫（Ｓｎ）の酸化物（ＳｎＯ_２）インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）からなる酸化物（ＩＺＯ）等が透明電極材料として挙げられる。また、陰極４９を形成する電極材料としては、有機ＥＬ層への電子の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以下のリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、又は、これらの金属を含有するＭｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等の合金が挙げられる。

陽極４１及び陰極４９は、上記の材料を用いてＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、陽極及び陰極の形成方法はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフフィー法、レーザー剥離法により、形成した電極をパターン化することもでき、シャドーマスクと組み合わせることで直接パターン化した電極を形成することもできる。その膜厚は、５０ｎｍ以上が好ましい。膜厚が５０ｎｍ未満の場合には、配線抵抗が高くなることから、駆動電圧の上昇が生じるおそれがある。

色純度の向上、発光効率の向上、正面輝度の向上等の目的でマイクロキャビティ効果を用いる場合には、有機ＥＬ層からの発光を陽極４１側から取り出す場合には、陽極４１として半透明電極を用いることが好ましい。ここで用いる材料として、金属の半透明電極単体、もしくは、金属の半透明電極と透明電極材料の組み合わせを用いる事が可能であるが、半透明電極材料としては、反射率・透過率の観点から、銀が好ましい。半透明電極の膜厚は、５〜３０ｎｍが好ましい。膜厚が５ｎｍ未満の場合には、光の反射が十分行えず、干渉の効果を十分得るとこができない。また、膜厚が３０ｎｍを超える場合には、光の透過率が急激に低下することから輝度、効率が低下するおそれがある。また、陰極４９として光を反射する反射率の高い電極を用いることが好ましい。この際に用いる電極材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−ネオジウム合金、アルミニウム−シリコン合金等の反射性金属電極、透明電極と前記反射性金属電極（反射電極）を組み合わせた電極等が挙げられる。

有機ＥＬ層からの発光を陰極４９側から取り出す場合には、上記とは逆に、陽極４１を反射率の高い電極で形成し、陰極４９を半透明電極とすればよい。

「有機ＥＬ層」
本実施形態で用いられる有機ＥＬ層は、有機発光層の単層構造でも、有機発光層と電荷輸送層の多層構造でもよく、具体的には、下記の構成が挙げられるが、有機ＥＬ層の構成はこれらにより限定されるものではない。図１３の例では、下記（８）の構成が用いられている。なお、以下の説明では、正孔および電子を電荷と称し、陽極４１又は陰極４９から発光層４５に向けて電荷を注入する層（正孔注入層又は電子注入層）を電荷注入層と称し、電荷注入層によって陽極４１又は陰極４９から注入された電荷を発光層４５に向けて輸送する層（正孔輸送層、電子輸送層）を電荷輸送層と称し、電荷注入層と電荷輸送層を総称して電荷注入輸送層と称することがある。

（１）有機発光層
（２）正孔輸送層／有機発光層
（３）有機発光層／電子輸送層
（４）正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
（５）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
（６）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層
（７）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／正孔防止層／電子輸送層
（８）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／正孔防止層／電子輸送層／電子注入層
（９）正孔注入層／正孔輸送層／電子防止層／有機発光層／正孔防止層／電子輸送層／電子注入層

有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層及び電子注入層の各層は、単層構造でも多層構造でもよい。

有機発光層４５は、以下に例示する有機発光材料のみから構成されていてもよく、発光性のドーパントとホスト材料の組み合わせから構成されていてもよく、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよく、また、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）又は無機材料中に分散された構成であってもよい。発光効率・寿命の観点からは、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。

有機発光材料としては、有機ＥＬ用の公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料は、低分子発光材料、高分子発光材料等に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、有機発光材料はこれらの材料に限定されるものではない。また、上記発光材料は、蛍光材料、燐光材料等に分類されるものでもよく、低消費電力化の観点で、発光効率の高い燐光材料を用いる事が好ましい。

ここで、具体的な化合物を以下に例示するが、有機発光材料はこれらの材料に限定されるものではない。

発光層に任意に含まれる発光性のドーパントとしては、有機ＥＬ用の公知のドーパント材料を用いることができる。このようなドーパント材料としては、例えば、紫外発光材料としては、ｐ−クォーターフェニル、３，５，３,５テトラ-ｔ-ブチルセクシフェニル、３，５，３,５テトラ-ｔ-ブチル-ｐ−クィンクフェニル等の蛍光発光材料等が挙げられる。青色発光材料として、スチリル誘導体等の蛍光発光材料、ビス［（４，６−ジフルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２‘］ピコリネート イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）、ビス（４’,６‘−ジフルオロフェニルポリジナト）テトラキス（１−ピラゾイル）ボレート イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒ６）等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。

また、ドーパントを用いる時のホスト材料としては、有機ＥＬ用の公知のホスト材料を用いることができる。このようなホスト材料としては、上述した低分子発光材料、高分子発光材料、４，４‘−ビス（カルバゾール）ビフェニル、９，９−ジ（４−ジカルバゾール−ベンジル）フルオレン（ＣＰＦ）、３，６−ビス（トリフェニルシリル）カルバゾール（ｍＣＰ）、（ＰＣＦ）等のカルバゾール誘導体、４−（ジフェニルフォスフォイル）−Ｎ，Ｎ-ジフェニルアニリン（ＨＭ−Ａ１）等のアニリン誘導体、１，３−ビス（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンゼン（ｍＤＰＦＢ）、１，４−ビス（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンゼン（ｐＤＰＦＢ）等のフルオレン誘導体等が挙げられる。

電荷注入輸送層は、電荷（正孔、電子）の電極からの注入と発光層への輸送（注入）をより効率よく行う目的で、電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と電荷輸送層（正孔輸送層、電子輸送層）に分類される。電荷注入輸送層は、以下に例示する電荷注入輸送材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）又は無機材料中に分散された構成であってもよい。

電荷注入輸送材料としては、有機ＥＬ用、有機光導電体用の公知の電荷輸送材料を用いることができる。このような電荷注入輸送材料は、正孔注入輸送材料及び電子注入輸送材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、電荷注入輸送材料はこれらの材料に限定されるものではない。

正孔注入・正孔輸送材料としては、例えば、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_２）等の酸化物、無機ｐ型半導体材料、ポルフィリン化合物、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＤ）等の芳香族第三級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子材料、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、ポリアニリン−樟脳スルホン酸（ＰＡＮＩ−ＣＳＡ）、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネイト（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリ（トリフェニルアミン）誘導体（Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（ｐ−ナフタレンビニレン）（ＰＮＶ）等の高分子材料等が挙げられる。

また、陽極４１からの正孔の注入・輸送をより効率よく行う点で、正孔注入層４３として用いる材料としては、正孔輸送層４４に使用する正孔注入輸送材料より最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位が低い材料を用いることが好ましく、正孔輸送層４４としては、正孔注入層４３に使用する正孔注入輸送材料より正孔の移動度が高い材料を用いることが好ましい。

また、より正孔の注入・輸送性を向上させるため、前記正孔注入・輸送材料にアクセプターをドープする事が好ましい。アクセプターとしては、有機ＥＬ用の公知のアクセプター材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、アクセプター材料はこれらの材料に限定されるものではない。

アクセプター材料としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ，Ｉｒ、ＰＯＣｌ₃ 、ＡｓＦ₆ 、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_２）等の無機材料、ＴＣＮＱ（７，７，８，８，−テトラシアノキノジメタン）、ＴＣＮＱＦ₄ （テトラフルオロテトラシアノキノジメタン）、ＴＣＮＥ（テトラシアノエチレン）、ＨＣＮＢ（ヘキサシアノブタジエン）、ＤＤＱ（ジシクロジシアノベンゾキノン）等のシアノ基を有する化合物、ＴＮＦ（トリニトロフルオレノン）、ＤＮＦ（ジニトロフルオレノン）等のニトロ基を有する化合物、フルオラニル、クロラニル、ブロマニル等の有機材料が挙げられる。この内、ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱＦ₄ 、ＴＣＮＥ、ＨＣＮＢ、ＤＤＱ等のシアノ基を有する化合物がよりキャリア濃度を効果的に増加させることが可能であるためより好ましい。

電子注入・電子輸送材料としては、例えば、ｎ型半導体である無機材料、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾジフラン誘導体等の低分子材料；ポリ（オキサジアゾール）（Ｐｏｌｙ−ＯＸＺ）、ポリスチレン誘導体（ＰＳＳ）等の高分子材料が挙げられる。特に、電子注入材料としては、特にフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化バリウム（ＢａＦ_２）等のフッ化物、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）等の酸化物等が挙げられる。

電子の陰極４９からの注入・輸送をより効率よく行う点で、電子注入層４８として用いる材料としては、電子輸送層４７に使用する電子注入輸送材料より最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位が高い材料を用いることが好ましく、電子輸送層４７として用いる材料としては、電子注入層４８に使用する電子注入輸送材料より電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。

また、より電子の注入・輸送性を向上させるため、前記電子注入・輸送材料にドナーをドープする事が好ましい。ドナーとしては、有機ＥＬ用の公知のドナー材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、ドナー材料はこれらの材料に限定されるものではない。

ドナー材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎ等の無機材料、アニリン類、フェニレンジアミン類、ベンジジン類（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）−ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン等）、トリフェニルアミン類（トリフェニルアミン、４，４’４''−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン、４，４’４''−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン、４，４’４''−トリス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン等）、トリフェニルジアミン類（Ｎ，Ｎ’−ジ−（４−メチル−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−フェニレンジアミン）等の芳香族３級アミンを骨格にもつ化合物、フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン等の縮合多環化合物（ただし、縮合多環化合物は置換基を有してもよい）、ＴＴＦ（テトラチアフルバレン）類、ジベンゾフラン、フェノチアジン、カルバゾール等の有機材料がある。
この内特に、芳香族３級アミンを骨格にもつ化合物、縮合多環化合物、アルカリ金属がよりキャリア濃度を効果的に増加させることが可能であるためより好ましい。

発光層４５、正孔輸送層４４、電子輸送層４７、正孔注入層４３及び電子注入層４８等の有機ＥＬ層は、上記の材料を溶剤に溶解、分散させた有機ＥＬ層形成用塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウエットプロセス、上記の材料を抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等の公知のドライプロセス、又は、レーザー転写法等により形成することができる。なお、ウエットプロセスにより有機ＥＬ層を形成する場合には、有機ＥＬ層形成用塗液は、レベリング剤、粘度調整剤等の塗液の物性を調整するための添加剤を含んでいてもよい。

上記の各有機ＥＬ層の膜厚は、通常１ｎｍ〜１０００ｎｍ程度であるが、１０ｎｍ〜２００ｎｍが好ましい。膜厚が１０ｎｍ未満であると、本来必要とされる物性（電荷の注入特性、輸送特性、閉じ込め特性）が得なれない。また、ゴミ等の異物による画素欠陥が生じるおそれがある。また、膜厚が２００ｎｍを超えると有機ＥＬ層の抵抗成分により駆動電圧の上昇が生じ、消費電力の上昇に繋がる。

「エッジカバー」
図１３の例では、基板９側に形成された陽極４１のエッジ部で、陽極４１と陰極４９との間でリークを起こす事を防止する目的でエッジカバー４２が設けられている。ここで、エッジカバー４２は、絶縁材料を用いてＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができ、公知のドライ及びウエット法のフォトリソグラフィー法によりパターン化をすることができるが、エッジカバー４２の形成方法はこれらの形成方法に限定されるものではない。

また、エッジカバー４２を構成する材料は、公知の材料を使用することができ、本実施形態では特に限定されないが、光を透過する必要がある場合には、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯＣ、ＳｉＣ、ＨｆＳｉＯＮ、ＺｒＯ、ＨｆＯ、ＬａＯ等が挙げられる。また、膜厚としては、１００ｎｍ〜２０００ｎｍが好ましい。１００ｎｍ以下であると、絶縁性が十分ではなく、陽極４１と陰極４９との間でリークが起こり、消費電力の上昇、非発光の原因となる。また、２０００ｎｍ以上であると、成膜プロセスに時間が係り生産性の悪化、エッジカバー４２での電極の断線の原因となる。

有機ＥＬ素子２Ｂは、陽極４１及び陰極４９として用いられる反射電極と半透明電極との干渉効果による、もしくは、誘電体多層膜によるマイクロキャビティ構造（光微小共振器構造）を有する事が好ましい。これにより、有機ＥＬ素子２Ｂの発光を正面方向に集光する（指向性を持たせる）事が可能とり、周囲に逃げる発光ロスを低減する事が可能となり、正面での発光効率を高める事が、可能となる。これにより、より効率良く有機ＥＬ素子２Ｂの発光層４５中で生じる発光エネルギーを蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂへ伝搬する事が可能となる。また、干渉効果により、発光スペクトルの調整も可能となり、所望の発光ピーク波長、半値幅に調整する事により発光スペクトルの調整が可能となる。これにより、蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂをより効果的に励起することが可能なスペクトルに制御する事ができる。

有機ＥＬ素子２Ｂは、外部駆動回路に電気的に接続される。この場合、有機ＥＬ素子２Ｂは直接外部駆動回路に接続され、駆動されてもよいし、ＴＦＴ等のスイッチング回路を画素内に配置し、ＴＦＴ等が接続される配線に外部駆動回路（走査線電極回路（ソースドライバ）、データ信号電極回路（ゲートドライバ）、電源回路）が電気的に接続されてもよい。

「アクティブマトリクス駆動型有機ＥＬ素子」
図１４は、アクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬ素子２Ｂを用いた有機ＥＬ素子基板７０（光源）の断面図である。

本実施形態の有機ＥＬ素子基板７０は、基板９の一面にＴＦＴ（駆動素子）５１が形成されている。すなわち、ゲート電極５２およびゲート線５３が形成され、これらゲート電極５２およびゲート線５３を覆うように基板９上にゲート絶縁膜５４が形成されている。ゲート絶縁膜５４上には活性層（図示略）が形成され、活性層上にソース電極５５、ドレイン電極５６およびデータ線５７が形成され、これらソース電極５５、ドレイン電極５６およびデータ線５７を覆うように平坦化膜５８が形成されている。

なお、この平坦化膜５８は単層構造でなくてもよく、他の層間絶縁膜と平坦化膜を組み合わせた構成としてもよい。また、平坦化膜もしくは層間絶縁膜を貫通してドレイン電極５６に達するコンタクトホール５９が形成され、平坦化膜５８上にコンタクトホール５９を介してドレイン電極５６と電気的に接続された有機ＥＬ素子２Ｂの陽極４１が形成されている。有機ＥＬ素子２Ｂ自体の構成は前述したものと同様である。

ＴＦＴ５１は、有機ＥＬ素子２Ｂを形成する前に基板９上に形成され、画素スイッチング用素子および有機ＥＬ素子駆動用素子として機能する。本実施形態で用いられるＴＦＴ５１としては、公知のＴＦＴが挙げられ、公知の材料、構造および形成方法を用いて形成することができる。また、本実施形態では、ＴＦＴ５１の代わりに、金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）ダイオードを用いることもできる。

ＴＦＴ５１の活性層の材料としては、例えば、非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコン（ポリシリコン）、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、酸化亜鉛、酸化インジウム−酸化ガリウム−酸化亜鉛等の酸化物半導体材料、またはポリチオフェン誘導体、チオフェンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェリレンビニレン）誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料などが挙げられる。また、ＴＦＴ５１の構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型などが挙げられる。

ＴＦＴ５１を構成する活性層の形成方法としては、（１）プラズマ誘起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法により成膜したアモルファスシリコンに不純物をイオンドーピングする方法、（２）シラン（ＳｉＨ_４）ガスを用いた減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、（３）Ｓｉ_２Ｈ_６ガスを用いたＬＰＣＶＤ法またはＳｉＨ_４ガスを用いたＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピングを行う方法（低温プロセス）、（４）ＬＰＣＶＤ法またはＰＥＣＶＤ法によりポリシリコン層を形成し、１０００℃以上で熱酸化することによりゲート絶縁膜を形成し、その上に、ｎ^＋ポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオンドーピングを行う方法（高温プロセス）、（５）有機半導体材料をインクジェット法等により形成する方法、（６）有機半導体材料の単結晶膜を得る方法等が挙げられる。

本実施形態で用いられるＴＦＴ５１のゲート絶縁膜５４は、公知の材料を用いて形成することができる。例えば、ＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等により形成されたＳｉＯ_２またはポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ_２等が挙げられる。また、本実施形態で用いられるＴＦＴ５１のデータ線５７、ゲート線５３、ソース電極５５およびドレイン電極５６は、公知の導電性材料を用いて形成することができ、例えばタンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等が挙げられる。本実施形態に係るＴＦＴ５１は、前記のような構成とすることができるが、これらの材料、構造および形成方法に限定されるものではない。

本実施形態に用いられる層間絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮ、または、Ｓｉ_３Ｎ_４）、酸化タンタル（ＴａＯ、または、Ｔａ_２Ｏ_５）等の無機材料、または、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。また、その形成方法としては、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。また、必要に応じて、フォトリソグラフィー法等によりパターニングすることもできる。

その他、有機ＥＬ素子２Ｂからの光を基板９の反対側から取り出す場合には、基板９上に形成されたＴＦＴ５１に外光が入射し、ＴＦＴ５１の電気的特性に変化が生じることを防ぐ目的で、遮光性を兼ね備えた遮光性絶縁膜を用いることが好ましい。また、前記の層間絶縁膜と遮光性絶縁膜を組み合わせて用いることもできる。遮光性絶縁膜としては、フタロシアニン、キナクリドン等の顔料または染料をポリイミド等の高分子樹脂に分散したもの、カラーレジスト、ブラックマトリクス材料、Ｎｉ_ｘＺｎ_ｙＦｅ_２Ｏ_４等の無機絶縁材料等が挙げられる。しかしながら、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。

本実施形態においては、基板９上に形成したＴＦＴ５１や各種配線、電極により、その表面に凸凹が形成され、この凸凹によって有機ＥＬ素子２Ｂの欠陥（例えば、陽極４１や陰極４９の欠損や断線、有機ＥＬ層の欠損、陽極４１と陰極４９との短絡、耐圧の低下等）が発生するおそれがある。よって、これらの欠陥を防止する目的で層間絶縁膜上に平坦化膜５８を設けることが望ましい。本実施形態で用いられる平坦化膜５８は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。平坦化膜５８の形成方法としては、ＣＶＤ法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられるが、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。また、平坦化膜５８は、単層構造でも多層構造でもよい。

図１５は、上記有機ＥＬ素子基板７０を備えた表示装置２００の概略構成図である。

表示装置２００は、有機ＥＬ素子基板７０と、有機ＥＬ素子基板７０と対向配置された蛍光体基板１０と、有機ＥＬ素子基板７０と蛍光体基板１０とが対向する領域に設けられた画素部７１と、画素部７１に駆動信号を供給するゲート信号側駆動回路７２、データ信号側駆動回路７３、信号配線７４および電流供給線７５と、有機ＥＬ素子基板７０に接続されたフレキシブルプリント配線板７６（ＦＰＣ）と、外部駆動回路７７とを備えている。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子基板７０は、図１４に示した有機ＥＬ素子２Ｂを駆動するために走査線電極回路、データ信号電極回路、電源回路等を含む外部駆動回路７７に、ＦＰＣ７６を介して電気的に接続されている。本実施形態の場合、図１４に示したＴＦＴ５１等のスイッチング回路が画素部７１内に配置され、ＴＦＴ５１等が接続されるデータ線５７、ゲート線５３等の配線に有機ＥＬ素子２Ｂを駆動するためのデータ信号側駆動回路７３、ゲート信号側駆動回路７２がそれぞれ接続され、これら駆動回路に信号配線７４を介して外部駆動回路７７が接続されている。画素部７１内には、複数のゲート線５３および複数のデータ線５７が配置され、ゲート線５３とデータ線５７との交差部にＴＦＴ５１が配置されている。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子は、図１６に示すように、電圧駆動デジタル階調方式によって駆動が行われ、画素毎にスイッチング用ＴＦＴおよび駆動用ＴＦＴの２つのＴＦＴが配置され、駆動用ＴＦＴと発光部（有機ＥＬ素子２Ｂ）の陽極とが、図１４に示した平坦化膜５８に形成されるコンタクトホール５９を介して電気的に接続されている。また、一つの画素内には駆動用ＴＦＴのゲート電位を定電位にするためのコンデンサーが、駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続されるように配置されている。しかし、本実施形態では、特にこれらに限定されるものではなく、駆動方式は、前述した電圧駆動デジタル階調方式でも良く、電流駆動アナログ階調方式でもよい。また、ＴＦＴの数も特に限定されるものではなく、前述した２つのＴＦＴにより有機ＥＬ素子を駆動しても良いし、ＴＦＴの特性（移動度、閾値電圧）バラツキを防止する目的で、画素内に補償回路を内蔵した２個以上のＴＦＴを用いて有機ＥＬ素子を駆動してもよい。

「無機ＥＬ素子」
図１７に示すように、無機ＥＬ素子を光源２Ｃとして用いることができる。無機ＥＬ素子としては、公知の無機ＥＬ素子を用いる事が可能で、例えば、紫外発光無機ＥＬ素子、青色発光無機ＥＬ素子が好適である。これらの無機ＥＬ素子は、例えば、基板９の一面に第１電極８１、第１誘電体層８２、発光層８３、第２誘電体層８４、および第２電極８５が順次積層された構成の光源２Ｃである。なお、無機ＥＬ素子の具体的な構成は前記のものに限定されるものではない。

以下、無機ＥＬ素子２Ｃの各構成要素について詳細に説明する。

「第１電極」および「第２電極」
本実施形態で用いられる第１電極８１及び第２電極８５としては、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属、及び、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）からなる酸化物（ＩＴＯ）、錫（Ｓｎ）の酸化物（ＳｎＯ_２）インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）からなる酸化物（ＩＺＯ）等が透明電極材料として挙げられるが、電極材料はこれらの材料に限定されるものではない。しかし、光を取り出す方向には、ＩＴＯ等の透明電極が良く。光を取り出す方向と反対側には、アルミニウム等の反射膜を用いる事が好ましい。

第１電極８１及び第２電極８５は、上記の材料を用いてＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、電極の形成方法はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフフィー法、レーザー剥離法により、形成した電極をパターン化することもでき、シャドーマスクと組み合わせることで直接パターン化した電極を形成することもできる。その膜厚は、５０ｎｍ以上が好ましい。膜厚が５０ｎｍ未満の場合には、配線抵抗が高くなることから、駆動電圧の上昇が生じるおそれがある。

「誘電体層」
本実施形態で用いられる第１誘電体層８２及び第２誘電体層８４としては、無機ＥＬ用の公知の誘電体材料を用いることができる。このような誘電体材料としては、例えば、五酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）、酸化珪素（ＳｉＯ_２）、窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、チタン酸アルミニウム（ＡｌＴｉＯ_３）チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）およびチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）等が挙げられるが、誘電体材料はこれらに限定されるものではない。また、本実施形態の第１誘電体層８２及び第２誘電体層８４は上記の誘電体材料のうちから選んだ１種類でも、２種類以上の材料を積層した構成でも良い。また、第１誘電体層８２及び第２誘電体層８４の膜厚は、２００ｎｍ〜５００ｎｍ程度が、好ましい。

「発光層」
本実施形態で用いられる発光層８３としては、無機ＥＬ素子用の公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料としては、例えば、紫外発光材料としては、ＺｎＦ₂：Ｇｄ、青色発光材料としては、ＢａＡｌ₂Ｓ₄：Ｅｕ、ＣａＡｌ₂Ｓ₄：Ｅｕ、ＺｎＡｌ₂Ｓ₄：Ｅｕ、Ｂａ₂ＳｉＳ₄：Ｃｅ、ＺｎＳ：Ｔｍ、ＳｒＳ：Ｃｅ、ＳｒＳ：Ｃｕ、ＣａＳ：Ｐｂ、（Ｂａ，Ｍｇ）Ａｌ_２Ｓ_４：Ｅｕ等が挙げられるが、発光材料はこれらに限定されるものではない。また、発光層８３の膜厚は、３００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度が、好ましい。

上述のように、上記実施形態の表示装置に係る光源２としては、ＬＥＤ、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子などを好適に用いることができる。これらの構成例において、ＬＥＤ、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等の発光素子を封止する封止膜または封止基板を設けることが好ましい。封止膜および封止基板は、公知の封止材料および封止方法により形成することができる。具体的には、光源を構成する基板本体と逆側の表面上にスピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法を用いて樹脂を塗布することによって封止膜とすることもできる。もしくは、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、スパッタ法等により、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等の無機膜を形成した後、さらに、スピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法を用いて樹脂を塗布する、または、貼り合わせることによって封止膜とすることもできる。

このような封止膜や封止基板により、外部からの光源２内への酸素や水分の混入を防止することができ、光源２の寿命が向上する。また、光源２を備えた光源基板１１と蛍光体基板１０とを接合するときは、一般の紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等の接着剤層１４で接着させることが可能である。また、蛍光体基板１０上に光源２を直接形成した場合には、例えば窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスをガラス板、金属板等で封止する方法が挙げられる。さらに、封入した不活性ガス中に酸化バリウム等の吸湿剤等を混入すると、水分による有機ＥＬの劣化をより効果的に低減できるため、好ましい。ただし、上記実施形態は、これらの部材や形成方法に限定されるものではない。また、基板１と反対側から光を取り出す場合は、封止膜、封止基板ともに光透過性の材料を使用する必要がある。

また、図１の表示装置１００には、光取り出し側に偏光板を設けてもよい。偏光板としては、従来の直線偏光板とλ／４板とを組み合わせたものを用いることが可能である。ここで、偏光板を設けることによって、表示装置１００の電極からの外光反射、基板１，９もしくは封止基板の表面での外光反射を防止する事が可能であり、表示装置１００のコントラストを向上させることができる。

［第７実施形態］
図１８は、第７実施形態の表示装置３００の断面模式図である。表示装置３００は、蛍光体基板１０Ｆと光源基板１１Ｆとの間に、光学部材である液晶素子９０を装入した構成例である。図１８において、第１実施形態の表示装置１００と共通する構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。

本実施形態の表示装置３００は、蛍光体基板１０Ｆと、有機ＥＬ素子基板１１Ｆ（光源基板）と、液晶素子９０と、を備えている。蛍光体基板１０Ｆの基本構成は第１実施形態と同様であり、隔壁１５Ａの構成が第１実施形態と異なるのみである。本実施形態の隔壁１５Ａは、図１０（Ｂ）に示した第２変形例の隔壁と同様であり、隔壁１５Ａの側断面形状は、基板１と接する側に底辺を有する三角形形状となっている。

有機ＥＬ素子基板１１Ｆの積層構造は、上記実施形態において図１３に示したものと同様である。しかし、上記実施形態では、各画素に対応する有機ＥＬ素子に個別に駆動信号が供給され、各有機ＥＬ素子が独立して発光、非発光が制御されていたのに対し、本実施形態では、有機ＥＬ素子２Ｂは、画素毎に分割されておらず、全ての画素に共通の面状光源として機能する。また、液晶素子９０は、一対の電極９３，９４を用いて液晶層９８に印加する電圧を画素毎に制御可能な構成とされ、有機ＥＬ素子２Ｂの全面から射出された光の透過率を画素毎に制御する。すなわち、液晶素子９０は、有機ＥＬ素子基板１１Ｆからの光を画素毎に選択的に透過させる光シャッターとしての機能を有するようになっている。

本実施形態の液晶素子９０は、公知の液晶素子を用いることが可能であり、例えば一対の偏光板９１，９２と、電極９３，９４と、配向膜９５，９６と、基板９７と、を有し、配向膜９５，９６間に液晶層９８が挟持されている。さらに、液晶セルと一方の偏光板９１，９２との間に光学異方性層が１枚配置されるか、または、液晶セルと双方の偏光板９１，９２との間に光学異方性層が２枚配置されることもある。 液晶セルの種類としては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばＴＮモード、ＶＡモード、ＯＣＢモード、ＩＰＳモード、ＥＣＢモードなどが挙げられる。また、液晶素子９０は、パッシブ駆動でも良いし、ＴＦＴ等のスイッチング素子を用いたアクティブ駆動でもよい。

蛍光体基板１０Ｆと液晶素子９０と有機ＥＬ素子基板１１Ｆとは、接着剤層１４を介して接合され、一体化されている。すなわち、蛍光体基板１０Ｆの蛍光体層３Ｒ，３Ｇ，３Ｂが形成された面と液晶素子９０の偏光板９１とが接着剤層１４を介して貼り合わされ、有機ＥＬ素子基板１１Ｆの有機ＥＬ素子２Ｂが形成された面と液晶素子９０の偏光板９２とが接着剤層１４を介して貼り合わされている。

偏光板９１，９２としては、少なくとも一方が、波長４３５ｎｍ以上４８０ｎｍ以下における消光比が１００００以上であることが好ましい。消光比は、例えばグラントムソンプリズムを用いた回転検光子法によって測定することができる。消光比とは、偏光板９１と偏光板９２のそれぞれに固有の性能として表され、以下のように定義される。
消光比＝（偏光板透過軸方向の偏光透過率）／（偏光板吸収軸方向の偏光透過率）
なお、偏光透過率とは、グラントムソンプリズムを用いて、理想的な偏光光を入射したときの透過率を指す。

ところで、従来の液晶では、コントラストや透過率は主に５５０ｎｍの領域に対して最適設計することが一般的であり、従来の液晶で使われているヨウ素偏光板の４９０ｎｍ以下の短波長領域における消光比は２０００〜３０００程度となっている（緑色領域、赤色領域での消光比は１００００程度）。これに対して、本実施形態に係る青色光バックライトを使用する青色励起方式ディスプレイ用の偏光板では、青色領域に対して最適設計をすることができるため、青色領域での消光比を１００００以上である偏光板を使用する。

このように、消光比が高い偏光板を使用することによって、パネルのコントラストを高めることができる。また、消光比の高い偏光板では透過率が高いため、バックライトの光利用効率を高めることができ、低消費電力化を図ることができる。

［電子機器の例］
前記実施形態の表示装置を備えた電子機器の例として、図１９（Ａ）に示す携帯電話機、図１９（Ｂ）に示すテレビ受信装置などが挙げられる。
図１９（Ａ）に示す携帯電話機１０００は、本体１００１、表示部１００２、音声入力部１００３、音声出力部１００４、アンテナ１００５、操作スイッチ１００６等を備えており、表示部１００２に前記実施形態の表示装置が用いられている。
図１９（Ｂ）に示すテレビ受信装置１１００は、本体キャビネット１１０１、表示部１１０２、スピーカー１１０３、スタンド１１０４等を備えており、表示部１１０２に前記実施形態の表示装置が用いられている。
このような電子機器においては、前記実施形態の表示装置が用いられているため、表示品位に優れた電子機器を実現することができる。

また、本発明の一実施形態に係る表示装置は、例えば、図２０（Ａ）に示す携帯型ゲーム機に適用できる。図２０（Ａ）に示す携帯型ゲーム機１２００は、操作ボタン１２０１、ＬＥＤランプ１２０２、筐体１２０３、表示部１２０４、赤外線ポート１２０５等を備えている。そして、表示部１２０４として本発明の表示装置が好適に適用できる。本発明の一実施形態に係る表示装置を携帯型ゲーム機１２００の表示部１２０４に適用することによって、少ない消費電力で高いコントラストの映像を表示することができる。

また、本発明の一実施形態に係る表示装置は、例えば、図２０（Ｂ）に示すノートパソコンに適用できる。図２０（Ｂ）に示すノートパソコン１３００は、キーボード１３０１、ポインティングデバイス１３０２、筐体１３０３、表示部１３０４、カメラ１３０５、外部接続ポート１３０６、電源スイッチ１３０７等を備えている。そして、このノートパソコン１３００の表示部１３０４として本発明の表示装置が好適に適用できる。本発明の一実施形態に係る表示装置をノートパソコン１３００の表示部１３０４に適用することによって、高いコントラストの映像を表示することが可能なノートパソコン１３００を実現できる。

また、本発明の一実施形態に係る表示装置は、例えば、図２１（Ａ）に示すシーリングライトに適用できる。図２１（Ａ）に示すシーリングライト１４００は、照明部１４０１、吊具１４０２、及び電源コード１４０３等を備えている。そして、照明部１４０１として本発明の表示装置が好適に適用できる。本発明の一実施形態に係る表示装置をシーリングライト１４００の照明部１４０１に適用することによって、自在な色調の照明光を得ることができ、光演出性の高い照明器具を実現することができる。また、均一な照度で色純度の高い面発光が可能な照明器具を実現することができる。

また、本発明の一実施形態に係る表示装置は、例えば、図２１（Ｂ）に示す照明スタンドに適用できる。図２１（Ｂ）に示す照明スタンド１５００は、照明部１５０１、スタンド１５０２、電源スイッチ１５０３、及び電源コード１５０４等を備えている。そして、照明部１５０１として本発明の表示装置が好適に適用できる。本発明の一実施形態に係る表示装置を照明スタンド１５００の照明部１５０１に適用することによって、自在な色調の照明光を得ることができ、光演出性の高い照明器具を実現することができる。また、均一な照度で色純度の高い面発光が可能な照明器具を実現することができる。

以下、実施例および比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。

（比較例１）
図２２は、比較例の蛍光体基板４１０Ｘの製造方法を示す断面図である。
図２２（Ａ）に示すように、基板１０１Ｘとして、０．７ｍｍのガラスを用いた。これを水洗後、純水超音波洗浄１０分、アセトン超音波洗浄１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄５分を行い、１００℃にて１時間乾燥させた。

まず、黒色層材料として、東京応化製ＢＫレジストをスピンコーターを用いて塗布した。その後、７０℃で１５分間プリベークして膜厚１μｍの塗膜を形成した。この塗膜に所望の画像パターンが形成できるようなマスク（画素ピッチ５００μｍ、線幅７０μｍ）を被せてｉ線（１００ｍＪ／ｃｍ^２）を照射し、露光した。次いで、現像液として炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像し、純水でリンス処理を行い、パターン状の構造物１０８Ｘを得た。

次に、隔壁１０４Ｘの材料として、エポキシ系樹脂（屈折率：１．５９）、アクリル系樹脂（屈折率：１．４９）、ルチル型酸化チタン（屈折率：２．７１、粒径２５０ｎｍ）、光重合開始剤、芳香族系溶剤からなる白色感光性組成物を攪拌混合してネガ型レジストとした。基板１０１Ｘ上に、このネガ型レジストをスピンコーターを用いて塗布した。画素ピッチ５００μｍ、線幅６０μｍでパターン形成し、サブ画素を仕切る矩形状の膜厚５０μｍの隔壁１０４Ｘを作製した（図２２（Ａ））。

次に、図２２（Ｂ）に示すように、隔壁１０４Ｘによって区画された領域に、赤色カラーフィルター１０９ＸＲ、緑色カラーフィルター１０９ＸＧ、青色カラーフィルター１０９ＸＢをパターン形成した。

次に、図２２（Ｃ）ないし図２２（Ｅ）に示すように、隔壁１０４Ｘによって区画された領域に、赤色蛍光体層１２１Ｘ、緑色蛍光体層１２２Ｘ、青色光散乱層１２３Ｘをパターン形成した。

赤色蛍光体層１２１Ｘの形成工程においては、まず、平均粒径４μｍの赤色蛍光体ＣａＳ：Ｅｕ２０ｇに、１０ｗｔ％ポリビニルアルコール水溶液３０ｇを加え、分散機により攪拌した赤色蛍光体形成用塗液を作製した。

次に、作製した赤色蛍光体形成用塗液を、ディスペンサー手法で、隔壁１０４Ｘで区画された領域にパターン塗布した。引き続き真空オーブン（２００℃、１０ｍｍＨｇの条件）で４時間加熱乾燥し、屈折率１．６の赤色蛍光体層１２１を膜厚２５μｍでパターン形成した（図２２（Ｃ））。

緑色蛍光体層１２２Ｘの形成工程においては、まず、平均粒径４μｍの緑色蛍光体Ｇａ２ＳｒＳ４：Ｅｕ２０ｇに、１０ｗｔ％ポリビニルアルコール水溶液３０ｇを加え、分散機により攪拌した緑色蛍光体形成用塗液を作製した。

次に、作製した緑色蛍光体形成用塗液を、ディスペンサー手法で、隔壁１０４Ｘで区画された領域にパターン塗布した。引き続き真空オーブン（２００℃、１０ｍｍＨｇの条件）で４時間加熱乾燥し、屈折率１．６の緑色蛍光体層１２２Ｘを膜厚２５μｍでパターン形成した（図２２（Ｄ））。

青色光散乱層１２３Ｘの形成工程においては、１．５μｍのシリカ粒子（屈折率：１．６５）２０ｇに、１０ｗｔ％ポリビニルアルコール水溶液３０ｇを加え、分散機により攪拌した青色散乱体層形成用塗液を作製した。

その後、作製した青色散乱体層形成用塗液を、ディスペンサー手法で、隔壁１０４Ｘで区画された領域にパターン塗布した。引き続き真空オーブン（２００℃、１０ｍｍＨｇの条件）で４時間加熱乾燥し、屈折率１．６の青色光散乱層１２３Ｘを膜厚５０μｍで形成した（図２２（Ｅ））。
以上により蛍光体基板４１０Ｘを完成させた。

続いて、所望の画素のみに励起光を照射するために、図２３に示すバックライト４１２と蛍光体基板４１０Ｘの間に挿入する液晶基板４９０を形成した。

図２３は、比較例の表示装置４００Ｘの断面図である。
図２３において、符号ｈＸは隔壁１０４Ｘの基板１０１Ｘ側の面と液晶基板４９０側の面との間の距離である。言い換えると、符号ｈＸは隔壁１０４Ｘの高さである。例えばｈＸ＝５０μｍである。
符号ｓＸは第２接着剤層４２２の隔壁１０４Ｘ側の面とバンドパスフィルター４１５側の面との間の距離である。言い換えると、符号ｓＸは隔壁１０４Ｘの液晶基板４９０側の面とバンドパスフィルター４１５の蛍光体基板４１０Ｘ側の面との間における第２接着剤層４２２の厚みである。例えばｓＸ＝１０μｍである。
符号ｄ１はバンドパスフィルター４１５の第２接着剤層４２２側の面と第１接着剤層４２１側の面との間の距離である。言い換えると、符号ｄ１はバンドパスフィルター４１５の厚みである。例えばｄ１＝３０μｍである。
符号ｄ２は第１接着剤層４２１のバンドパスフィルター４１５側の面と第１偏光板４９１側の面との間の距離である。言い換えると符号ｄ２は第１接着剤層４２１の厚みである。例えばｄ２＝１０μｍである。
符号ｄ３は第１偏光板４９１の第１接着剤層４２１側の面と第１基板４９３側の面との間の距離である。言い換えると、符号ｄ３は第１偏光板４９１の厚みである。例えばｄ３＝５０μｍである。
符号ｄ４は第１基板４９３の第１偏光板４９１側の面と液晶層４９８側の面との間の距離である。言い換えると、符号ｄ４は第１基板４９３の厚みである。例えばｄ４＝１５０μｍである。
符号ｄＸは、これら６層の層のうち隔壁１０４Ｘの高さｈＸを除いた５層の層の厚みｓＸ，ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４を足し合わせた厚みである。言い換えると、符号ｄＸは隔壁１０４Ｘの液晶基板４９０側の面と第１基板４９３の液晶層４９８側の面との間の厚みである。例えばｄＸ＝２５０μｍである。

符号ｗＸは隔壁１０４Ｘの一方の側面（図中右側の側面）と他方の側面（図中左側の側面）との間の距離である。言い換えると、符号ｗＸは隔壁１０４Ｘの横幅である。例えばｗＸ＝６０μｍである。
符号ｗ１はブラックマトリクス４９５の一方の側面（図中右側の側面）と他方の側面（図中左側の側面）との間の距離である。言い換えると、符号ｗ１はブラックマトリクス４９５の横幅である。例えばｗ１＝９０μｍである。
符号ｖＸは隔壁１０４Ｘの一方の側面とブラックマトリクス４９５の一方の側面との間の距離である。例えばｖＸ＝１５μｍである。

符号ＮＬはブラックマトリクス４９５の第１基板４９３側の面の一方の側端縁（図中右側の側端縁）を通りかつ第１基板４９３Ｘの液晶層４９８側の面の法線と平行な線である。
符号ＭＬＸはブラックマトリクス４９５の第１基板４９３側の面の一方の側端縁と隔壁１０４Ｘの液晶基板４９０側の面の一方の側端縁（図中右側の側端縁）とを結ぶ線である。
符号θＸは線ＮＬと線ＭＬＸとのなす角である。例えばθＸ＝３．４°である。

図２３に示すように、バックライト４１２は、光源４１３と、導光板４１４と、を備えている。光源４１３としては青色ＬＥＤを用いた。

液晶基板４９０は、第１偏光板４９１と、第１基板４９３と、液晶層４９８と、第２基板４９４と、第２偏光板４９２と、を備えている。第１偏光板４９１及び第２偏光板４９２は、波長４３５ｎｍ以上４８０ｎｍ以下における消光比が１２０００である。液晶の駆動は、ＴＦＴを用いたアクティブマトリクス駆動方式である。液晶基板４９０の画素は、ブラックマトリクス４９５によって区画されている。

また、青色領域の光を透過し、緑色から近赤外領域までの光を反射するバンドパスフィルター４１５を、第１接着剤層４２１を介して第１編光板４９１に貼り合わせた。

更に、上記方法で作成した蛍光体基板４１０Ｘを、第２接着剤層４２２を介してバンドパスフィルター４１５を設けた液晶基板４９０に貼り合わせた。第１接着剤層４２１、第２接着剤層４２２としては、熱硬化性透明エラストマーを用いた。

例えば、バックライト４１２として指向性を有する光源４１３（青色ＬＥＤ４１３、ピーク波長４５０ｎｍ）を有する指向性バックライトを用いる場合、当該バックライト４１２からはある範囲の指向性を持った光（所定の配光特性を有する光）が射出される。

本願発明者は、鋭意研究の結果、前記バックライト４１２を用いた場合に、表示装置４００Ｘにおいて色滲みが生じるときのバックライト４１２からの光の出射角度と、前記線ＮＬと線ＭＬＸとのなす角θＸとの間には、一定の関係があることを見出した。

ここで、バックライト４１２からの光の出射角度は、バックライト４１２からの指向性を持った光が液晶基板４９０に対して入射する光の方向のうち液晶基板４９０に対して垂直に入射する光の方向と液晶基板４９０に対して広角に入射する光の方向とのなす角度である。

例えば、バックライト４１２からの光の出射角度は、バックライト４１２から液晶基板４９０に対して垂直に入射する光の方向を基準とし（０°）、バックライト４１２から液晶基板４９０に対して斜めに入射する光の方向のうち基準方向よりも図中右側を＋側、基準方向よりも図中左側を−側とする。この場合、バックライト４１２からの光の出射角度は、−側から＋側まで所定の角度を有する。

前記バックライト４１２を用いた場合に表示装置４００Ｘにおいて色滲みが生じるか否かは、バックライト４１２から液晶基板４９０Ｘに向けて青色光を照射し、蛍光体層１２１Ｘからの発光を、分光輝度光度計を用いて評価した。

その結果、バックライト４１２からの光の出射角度が±３°の時には所望の画素のみが発光し、色滲みのない良好な画像が得られた。

しかしながら、バックライト４１２からの光の出射角度が±５°の時には、所望外の画素へ漏れた励起光により隣接画素も発光してしまい、色滲みが観察された。

（実施例１）
図２４（Ａ）に示すように、比較例１と同様に、基板洗浄、黒色層の形成を行った。
次に、隔壁１０４の材料として、エポキシ系樹脂（屈折率：１．５９）、アクリル系樹脂（屈折率：１．４９）、ルチル型酸化チタン（屈折率：２．７１、粒径２５０ｎｍ）、ジアゾナフトキノン、芳香族系溶剤からなる白色感光性組成物を攪拌混合してネガ型レジストとした。

次に、基板１０１上に、ポジ型レジストをスピンコーターを用いて塗布した。その後、８０℃で１０分間プリベークして膜厚５０μｍの塗膜を形成した。この塗膜に所望の画像パターンが形成できるようなマスク（画素ピッチ５００μｍ、線幅６０μｍ）を被せてｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ^２）を照射し、露光した。次いで、アルカリ現像液を用いて現像して画素パターン状の構造物を得た。引き続き、熱風循環式乾燥炉を用い、１４０℃で６０分間ポストベークしてサブ画素を仕切る隔壁１０４を作製した。ＳＥＭで観察したところ、図２４（Ａ）に示すように、側断面形状が台形形状の隔壁１０４が形成できた。

次に、図２４（Ｂ）に示すように、比較例１と同様に、隔壁１０４によって区画された領域に、赤色カラーフィルター１０９Ｒ、緑色カラーフィルター１０９Ｇ、青色カラーフィルター１０９Ｂをパターン形成した。

次に、図２４（Ｃ）ないし図２４（Ｅ）に示すように、比較例１と同様に、隔壁１０４によって区画された領域に、赤色蛍光体層１２１、緑色蛍光体層１２２、青色光散乱層１２３をパターン形成した。
以上により蛍光体基板４１０を完成させた。

続いて、所望の画素のみに励起光を照射するために、比較例１と同様に、図２５に示すバックライト４１２と蛍光体基板４１０の間に挿入する液晶基板４９０を形成した。

図２５は、実施例１の表示装置４００の断面図である。
図２５において、符号ｈは隔壁１０４の基板１０１側の面と液晶基板４９０側の面との間の距離である。言い換えると、符号ｈは隔壁１０４の高さである。例えばｈ＝５０μｍである。
符号ｓは第２接着剤層４２２の隔壁１０４側の面とバンドパスフィルター４１５側の面との間の距離である。言い換えると、符号ｓは隔壁１０４の液晶基板４９０側の面とバンドパスフィルター４１５の蛍光体基板４１０側の面との間における第２接着剤層４２２の厚みである。例えばｓ＝１０μｍである。
符号ｄ１はバンドパスフィルター４１５の厚みである。例えばｄ１＝３０μｍである。
符号ｄ２は第１接着剤層４２１の厚みである。例えばｄ２＝１０μｍである。
符号ｄ３は第１偏光板４９１の厚みである。例えばｄ３＝５０μｍである。
符号ｄ４は第１基板４９３の厚みである。例えばｄ４＝１５０μｍである。
符号ｄは、これら６層の層のうち隔壁１０４の高さｈを除いた５層の層の厚みｓ，ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４を足し合わせた厚みである。言い換えると、符号ｄは隔壁１０４の液晶基板４９０側の面と第１基板４９３の液晶層４９８側の面との間の厚みである。例えばｄ＝２５０μｍである。

符号ｗは隔壁１０４の基板１０１と離れた側の面の一方の側端縁（図中右側の側端縁）と他方の側端縁（図中左側の側端縁）との間の距離である。言い換えると、符号ｗは隔壁１０４の基板１０１と離れた側の面の横幅である。例えばｗ＝４０μｍである。
符号ｗ１はブラックマトリクス４９５の横幅である。例えばｗ１＝９０μｍである。
符号ｖは隔壁１０４の基板１０１と離れた面の一方の端縁とブラックマトリクス４９５の一方の側面との間の距離である。例えばｖ＝２５μｍである。

符号ＮＬはブラックマトリクス４９５の第１基板４９３側の面の一方の側端縁（図中右側の側端縁）を通りかつ第１基板４９３Ｘの液晶層４９８側の面の法線と平行な線である。
符号ＭＬはブラックマトリクス４９５の第１基板４９３側の面の一方の側端縁と隔壁１０４の基板１０１と離れた側の面の一方の側端縁（図中右側の側端縁）とを結ぶ線である。
符号θは線ＮＬと線ＭＬとのなす角である。例えばθ＝５．７°である。

図２５に示すように、比較例１と同様に、バックライト４１２は、光源４１３と、導光板４１４と、を備えている。光源４１３としては青色ＬＥＤを用いた。

そして、上記方法で作成した蛍光体基板４１０を、第２接着剤層４２２を介してバンドパスフィルター４１５を設けた液晶基板４９０に貼り合わせた。

前記バックライト４１２を用いた場合に表示装置４００において色滲みが生じるか否かは、バックライト４１２から液晶基板４９０に向けて青色光を照射し、蛍光体層１２１からの発光を、分光輝度光度計を用いて評価した。

その結果、バックライト４１２からの光の出射角度が±５°の時には所望の画素のみが発光し、色滲みのない良好な画像が得られた。これにより、バックライト４１２からの光の出射角度が比較例に対して１．６７倍の時においても、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを抑制可能であることが分かった。

（実施例２）
図２６（Ａ）に示すように、比較例１と同様に、基板洗浄、黒色層の形成を行った。
次に、隔壁１０４Ａの材料として、エポキシ系樹脂（屈折率：１．５９）、アクリル系樹脂（屈折率：１．４９）、ルチル型酸化チタン（屈折率：２．７１、粒径２５０ｎｍ）、ジアゾナフトキノン、芳香族系溶剤からなる白色感光性組成物を攪拌混合してポジ型レジストとした。

次に、基板１０１上に、ポジ型レジストをスピンコーターを用いて塗布した。その後、８０℃で１０分間プリベークして膜厚５０μｍの塗膜を形成した。この塗膜に所望の画像パターンが形成できるようなマスク（画素ピッチ５００μｍ、線幅６０μｍ）を被せてｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ^２）を照射し、露光した。次いで、アルカリ現像液を用いて現像して画素パターン状の構造物を得た。引き続き、熱風循環式乾燥炉を用い、１４０℃で６０分間ポストベークしてサブ画素を仕切る隔壁１０４Ａを作製した。ＳＥＭで観察したところ、図２６（Ａ）に示すような側断面形状が三角形形状の隔壁１０４Ａが形成できた。

次に、図２６（Ｂ）に示すように、比較例１と同様に、隔壁１０４Ａによって区画された領域に、赤色カラーフィルター１０９Ｒ、緑色カラーフィルター１０９Ｇ、青色カラーフィルター１０９Ｂをパターン形成した。

次に、図２６（Ｃ）ないし図２６（Ｅ）に示すように、比較例１と同様に、隔壁１０４Ａによって区画された領域に、赤色蛍光体層１２１、緑色蛍光体層１２２、青色光散乱層１２３をパターン形成した。
以上により蛍光体基板４１０Ａを完成させた。

続いて、所望の画素のみに励起光を照射するために、比較例１と同様に、図２７に示すバックライト４１２と蛍光体基板４１０Ａの間に挿入する液晶基板４９０を形成した。

図２７は、実施例２の表示装置４００Ａの断面図である。
図２７において、符号ｈＡは隔壁１０４Ａの基板１０１と離れた側の頂点と液晶基板４９０側の面との間の距離である。言い換えると、符号ｈＡは隔壁１０４Ａの高さである。例えばｈＡ＝５０μｍである。
符号ｓＡは隔壁１０４Ａの基板１０１と離れた側の頂点とバンドパスフィルター４１５の蛍光体基板４１０側の面との間における第２接着剤層４２２の厚みである。例えばｓＡ＝１０μｍである。
符号ｄ１はバンドパスフィルター４１５の厚みである。例えばｄ１＝３０μｍである。
符号ｄ２は第１接着剤層４２１の厚みである。例えばｄ２＝１０μｍである。
符号ｄ３は第１偏光板４９１の厚みである。例えばｄ３＝５０μｍである。
符号ｄ４は第１基板４９３の厚みである。例えばｄ４＝１５０μｍである。
符号ｄＡは、これら６層の層のうち隔壁１０４Ａの高さｈＡを除いた５層の層の厚みｓＡ，ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４を足し合わせた厚みである。言い換えると、符号ｄＡは隔壁１０４Ａの基板１０１と離れた側の頂点と第１基板４９３の液晶層４９８側の面との間の距離である。例えばｄＡ＝２５０μｍである。

符号ｗ１はブラックマトリクス４９５の横幅である。例えばｗ１＝９０μｍである。
符号ｖＡは隔壁１０４Ａの基板１０１と離れた側の頂点とブラックマトリクス４９５の一方の側面との間の距離である。例えばｖＡ＝４５μｍである。

符号ＮＬはブラックマトリクス４９５の第１基板４９３側の面の一方の側端縁（図中右側の側端縁）を通りかつ第１基板４９３Ｘの液晶層４９８側の面の法線と平行な線である。
符号ＭＬＡはブラックマトリクス４９５の第１基板４９３側の面の一方の側端縁と隔壁１０４Ａの基板１０１と離れた側の頂点とを結ぶ線である。
符号θＡは線ＮＬと線ＭＬＡとのなす角である。例えばθＡ＝１０．２°である。

図２７に示すように、比較例１と同様に、バックライト４１２は、光源４１３と、導光板４１４と、を備えている。光源４１３としては青色ＬＥＤを用いた。

そして、上記方法で作成した蛍光体基板４１０Ａを、第２接着剤層４２２を介してバンドパスフィルター４１５を設けた液晶基板４９０に貼り合わせた。

前記バックライト４１２を用いた場合に表示装置４００Ａにおいて色滲みが生じるか否かは、バックライト４１２から液晶基板４９０に向けて青色光を照射し、蛍光体層１２１からの発光を、分光輝度光度計を用いて評価した。

その結果、バックライト４１２からの光の出射角度が±１０°の時には所望の画素のみが発光し、色滲みのない良好な画像が得られた。これにより、バックライト４１２からの光の出射角度が比較例１に対して３．３３倍の時においても、所望外の蛍光体層が発光して色滲みが生じることを抑制可能であることが分かった。

本発明は、蛍光体基板、表示装置及び電子機器の分野に利用することができる。

１…基板、２…光源、３…蛍光体層、３Ｒ…赤色蛍光体層、３Ｇ…緑色蛍光体層、３Ｂ…青色蛍光体層、４…カラーフィルター、４Ｒ…赤色カラーフィルター、４Ｇ…緑色カラーフィルター、４Ｂ…青色カラーフィルター、５，５Ｃ，５Ｄ，１５，１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆ，１５Ｇ，１５Ｈ，１５Ｉ，１５Ｊ，１５Ｋ，１５Ｌ，１５Ｍ，１５Ｎ，１５Ｏ，１５Ｐ，１５Ｑ，１５Ｒ…隔壁、６，１５Ｊａ，１５Ｏａ，１５Ｐａ，１５Ｑａ，１５Ｒａ…光吸収層、７，１５Ｊｂ，１５Ｊｃ，１５Ｏｂ，１５Ｐｂ，１５Ｑｂ，１５Ｒｂ…光散乱層、８…黒色層、９…基板、１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ…蛍光体基板、１１…光源基板、１２…バンドパスフィルター、５１…ＴＦＴ（駆動素子）、７０…有機ＥＬ素子基板（光源）、９０…液晶素子、９１，９２…偏光板、１００，１００Ａ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ，２００，３００…表示装置、１０００…携帯電話機（電子機器）、１１００…テレビ受信装置（電子機器）、１２００…携帯型ゲーム機（電子機器）、１３００…ノートパソコン（電子機器）、１４００…シーリングライト（電子機器）、１５００…照明スタンド（電子機器）、Ｌ１…励起光、Ｌ２…蛍光、ＰＲ…赤色サブ画素、ＰＧ…緑色サブ画素、ＰＢ…青色サブ画素

Claims (24)

1. 基板と、
   前記基板上に設けられ、入射された励起光により蛍光を発する蛍光体層と、
   前記蛍光体層の側面を囲む隔壁と、を含み、
   前記隔壁の少なくとも前記基板と離れた側の形状は、前記基板の一面に平行な平面で切断したときの断面積が前記基板と離れた側で小さく、前記基板に向かうにつれて漸次大きくなる形状であることを特徴とする蛍光体基板。
2. 前記隔壁が、光散乱性または光反射性を有していることを特徴とする請求項１に記載の蛍光体基板。
3. 前記隔壁は、
   光散乱性を有する光散乱層と、
   前記基板と前記光散乱層との間に配置され、光吸収性を有する光吸収層と、を含み、
   前記光吸収層の前記基板側の部分は、前記基板の一面に平行な平面で切断したときの断面積が前記光散乱層を前記基板の一面に平行な平面で切断したときの断面積よりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の蛍光体基板。
4. 前記光散乱層の少なくとも前記蛍光体層と接する部分が樹脂と光散乱性粒子とを含む材料で形成されていることを特徴とする請求項３に記載の蛍光体基板。
5. 前記光散乱層の少なくとも前記蛍光体層と接する部分が白色であることを特徴とする請求項３または４に記載の蛍光体基板。
6. 前記光散乱層の少なくとも前記蛍光体層と接する部分が凹凸形状であることを特徴とする請求項３ないし５のいずれか一項に記載の蛍光体基板。
7. 前記隔壁の少なくとも前記基板と離れた側の側面の形状は、前記基板の一面に直交する平面で切断したときの断面形状が凹をなす曲線形状であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の蛍光体基板。
8. 前記隔壁の少なくとも前記基板と離れた側の側面の形状は、前記基板の一面に直交する平面で切断したときの断面形状が凸をなす曲線形状であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の蛍光体基板。
9. 前記基板と前記蛍光体層との間に、前記基板の屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率層が設けられたことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一項に記載の蛍光体基板。
10. 前記励起光が青色光であるときに、
    前記蛍光体層の前記励起光の入射側に、青色領域の光を透過し、緑色から近赤外領域までの光を反射するバンドパスフィルターが設けられたことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項に記載の蛍光体基板。
11. 前記励起光が紫外光であるときに、
    前記蛍光体層の前記励起光の入射側に、紫外領域の光を透過し、緑色から近赤外領域までの光を反射するバンドパスフィルターが設けられたことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項に記載の蛍光体基板。
12. 請求項１ないし９のいずれか一項に記載の蛍光体基板と、前記蛍光体層に照射する励起光を射出する光源と、を備えたことを特徴とする表示装置。
13. 赤色光による表示を行う赤色サブ画素と、緑色光による表示を行う緑色サブ画素と、青色光による表示を行う青色サブ画素と、を少なくとも含む複数の画素が備えられ、
    前記光源から前記励起光としての青色光が射出され、
    前記蛍光体層として、前記赤色サブ画素に前記青色光を前記励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記緑色サブ画素に前記青色光を前記励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層が設けられ、
    前記青色サブ画素には前記青色光を散乱させる散乱層が設けられたことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
14. 前記光源から前記励起光として青色光が射出され、
    前記光源と前記蛍光体基板との間に、青色領域の光を透過し、緑色から近赤外領域までの光を反射するバンドパスフィルターが設けられたことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
15. 赤色光による表示を行う赤色サブ画素と、緑色光による表示を行う緑色サブ画素と、青色光による表示を行う青色サブ画素と、を少なくとも含む複数の画素が備えられ、
    前記光源から前記励起光としての紫外光が射出され、
    前記蛍光体層として、前記赤色サブ画素に前記紫外光を前記励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記緑色サブ画素に前記紫外光を前記励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層が設けられ、前記青色サブ画素に前記紫外光を前記励起光として青色光を発する青色蛍光体層が設けられたことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
16. 前記光源から前記励起光として紫外光が射出され、
    前記光源と前記蛍光体基板との間に、紫外領域の光を透過し、緑色から近赤外領域までの光を反射するバンドパスフィルターが設けられたことを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
17. 前記光源は、前記複数の画素に対応して設けられた複数の発光素子と、前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する複数の駆動素子と、を備えたアクティブマトリクス駆動方式の光源であることを特徴とする請求項１３ないし１６のいずれか一項に記載の表示装置。
18. 前記光源が、発光ダイオード、有機エレクトロルミネセンス素子、無機エレクトロルミネセンス素子のいずれかであることを特徴とする請求項１２ないし１７のいずれか一項に記載の表示装置。
19. 前記光源が、光射出面から光を射出する面状光源であり、
    前記面状光源と前記蛍光体基板との間に、前記画素毎に前記面状光源から射出された光の透過率を制御可能な液晶素子が設けられたことを特徴とする請求項１２ないし１８のいずれか一項に記載の表示装置。
20. 前記光源が、指向性を有していることを特徴とする請求項１２ないし１９のいずれか一項に記載の表示装置。
21. 前記光源と前記蛍光体基板との間に、波長４３５ｎｍ以上４８０ｎｍ以下における消光比が１００００以上である偏光板が設けられていることを特徴とする請求項１２ないし２０のいずれか一項に記載の表示装置。
22. 前記蛍光体層の上面または下面のいずれか一方にカラーフィルターが設けられたことを特徴とする請求項１２ないし２１のいずれか一項に記載の表示装置。
23. 前記隔壁に囲まれた領域の前記蛍光体層は、前記基板の一面と直交する平面で切断したときの断面形状が凹型形状であり、少なくとも周辺部が前記隔壁の側面に沿って配置されていることを特徴とする請求項１２ないし２２のいずれか一項に記載の表示装置。
24. 請求項１２ないし２３のいずれか一項に記載の表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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