KR20200042058A - 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 Download PDF

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Abstract

표시 장치는 베이스층, 상기 베이스층의 일면에 배치된 복수의 파장 변환부들, 상기 복수의 파장 변환부들 중 서로 인접한 파장 변환부들 사이에 배치되며 제1 굴절률을 갖는 격벽부, 상기 복수의 파장 변환부들을 커버하며, 상기 제1 굴절률보다 높은 제2 굴절률을 갖는 커버부, 및 상기 격벽부 및 상기 커버부에 의해 제공된 평탄면에 배치된 영상 표시부를 포함할 수 있다.

Description

표시 장치 및 표시 장치 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 화질 및 광 효율이 향상된 표시 장치 및 그 표시 장치 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 색을 표현하기 위해 파장 변환 부재를 포함할 수 있다. 파장 변환 부재는 소정의 색을 포함하는 안료 입자 또는 소정의 색을 발광하는 발광체를 포함할 수 있다. 화소 영역으로부터 제공되는 광이 인접한 파장 변환부로 제공되는 경우, 상기 화소 영역과 대응하는 파장 변환부가 아닌 인접한 파장 변환부도 광을 제공하여, 혼색 문제가 발생될 수 있다.
본 발명은 표시 화질 및 광 효율이 향상된 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 베이스층, 상기 베이스층의 일면에 배치된 복수의 파장 변환부들, 상기 복수의 파장 변환부들 중 서로 인접한 파장 변환부들 사이에 배치되며 제1 굴절률을 갖는 격벽부, 상기 복수의 파장 변환부들을 커버하며, 상기 제1 굴절률보다 높은 제2 굴절률을 갖는 커버부, 및 상기 격벽부 및 상기 커버부에 의해 제공된 평탄면에 배치된 영상 표시부를 포함할 수 있다.
상기 영상 표시부는 상기 격벽부 및 상기 커버부와 접촉할 수 있다.
상기 영상 표시부는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 위에 배치된 회로층, 상기 회로층 위에 배치된 발광 소자층, 및 상기 발광 소자층 및 상기 회로층을 커버하는 봉지층을 포함하고, 상기 봉지층은 상기 격벽부 및 상기 커버부와 직접 접촉할 수 있다.
단면 상에서 상기 격벽부는 사각형상일 수 있다.
단면 상에서 상기 격벽부는 사다리꼴 형상일 수 있다.
단면 상에서 상기 격벽부의 최외곽 면은 곡률을 가질 수 있다.
상기 격벽부의 폭은 상기 베이스층으로부터 상기 영상 표시부와 가까워질수록 커질 수 있다.
상기 격벽부의 폭은 상기 베이스층으로부터 상기 영상 표시부와 가까워질수록 작아질 수 있다.
상기 베이스층과 상기 격벽부 사이에 배치된 차광층을 더 포함할 수 있다.
상기 차광층의 두께 및 상기 격벽부의 두께의 제1 합은 상기 베이스층 및 상기 영상 표시부 사이의 거리와 실질적으로 동일하고, 상기 제1 합은 상기 복수의 파장 변환부들 중 어느 하나의 파장 변환부의 두께 및 상기 파장 변환부 위에 배치된 상기 커버부의 두께의 제2 합과 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 복수의 파장 변환부들은 제1 파장 변환부들 및 제2 파장 변환부들을 포함하고, 상기 제1 파장 변환부들은 제1 방향을 따라 배열되고, 상기 제2 파장 변환부들은 제1 방향을 따라 배열되고, 상기 제1 파장 변환부들과 상기 제2 파장 변환부들은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 교대로 배열될 수 있다.
상기 격벽부는 복수로 제공되고, 상기 복수의 격벽부들 각각은 상기 제1 방향을 따라 연장하며, 상기 복수의 격벽부들은 상기 제2 방향으로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 격벽부는 복수로 제공되고, 상기 복수의 격벽부들 각각은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향을 따라 배열될 수 있다.
상기 제1 굴절률 및 상기 제2 굴절률의 차이는 0.5 이상일 수 있다.
상기 격벽부는 폴리테트라플루오르에틸렌, 플루오린화 마그네슘, 및 폴리비닐리덴 플루오라이드 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 베이스 층, 베이스 층 위에 배치되며 복수의 개구부들이 정의된 차광층, 상기 복수의 개구부들과 일대일 대응하여, 상기 복수의 개구부들을 커버하는 파장 변환부들, 평면 상에서 상기 파장 변환부들 사이에 배치되며, 상기 차광층 위에 배치되며 제1 굴절률을 갖는 격벽부, 및 상기 파장 변환부들을 커버하며, 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 갖는 커버부를 포함하고, 상기 격벽부는 폴리테트라플루오르에틸렌, 플루오린화 마그네슘, 및 폴리비닐리덴 플루오라이드 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법은 베이스층을 형성하는 단계, 상기 베이스층의 일면에 복수의 파장 변환부들을 형성하는 단계, 영상 표시부를 형성하는 단계, 상기 베이스층 또는 상기 영상 표시부에 격벽부들을 형성하는 단계, 상기 격벽부들 사이에 커버 물질을 제공하는 단계, 및 상기 격벽부들와 상기 커버 물질을 사이에 두고, 상기 영상 표시부와 상기 베이스층을 합착하는 단계를 포함하고, 평면 상에서 상기 격벽부들은 상기 복수의 파장 변환부들과 인접한 영역과 중첩되도록 상기 영상 표시부와 상기 베이스층을 합착할 수 있다.
상기 격벽부들은 상기 베이스층 상에 형성되고, 상기 파장 변환부들을 형성한 후에 상기 격벽부들을 형성할 수 있다.
상기 격벽부들은 상기 베이스층 상에 형성되고, 상기 격벽부들을 형성한 후에 상기 파장 변환부들을 형성할 수 있다.
상기 격벽부들을 형성하는 단계는 포토 공정, 또는 프린팅 공정을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 화소 영역으로부터 방출된 광 중 상기 화소 영역과 대응하는 파장 변환부와 인접한 파장 변환부로 향하는 광은 격벽부에 의해 전반사되어, 화소 영역과 대응하는 파장 변환부로 입사될 수 있다. 따라서, 격벽부에 의해 인접 화소와 혼색되는 현상이 방지되어, 표시 화질이 향상될 수 있다. 또한, 전반사된 광은 대응하는 화소 영역과 대응하는 파장 변환부로 입사되기 때문에 광 손실이 방지되고, 광 효율이 개선될 수 있다. 또한, 격벽부는 스페이서 역할을 할 수 있다. 따라서, 영상 표시부와 파장 변환부가 형성된 베이스층 사이의 간격이 일정하게 유지될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 영상 표시부의 단면도이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자의 단면도이다.
도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자의 단면도이다.
도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 영상 표시부의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 영상 표시부의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 13a 내지 도 13e는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 14a 및 도 14b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 15a 내지 도 15e는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 도시한 도면들이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의됩니다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(DD)는 표시 영역(DA)을 통해 이미지를 표시 할 수 있다. 도 1에서는 표시 영역(DA)이 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)이 정의하는 면에 제공된 것을 예시적으로 도시하였다. 하지만, 본 발명의 다른 실시예에서 표시 장치의 표시 영역은 휘어진 면에 제공될 수 있다.
표시 장치(DD)의 두께 방향은 제3 방향(DR3)이 지시한다. 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 본 명세서 내에서 "평면 상에서 보았을 때"의 의미는 제3 방향(DR3)에서 바라보는 경우를 의미할 수 있다. 또한, "두께 방향"은 제3 방향(DR3)을 의미할 수 있다.
도 1에서는 표시 장치(DD)가 텔레비전인 것을 예시적으로 도시하였다. 하지만, 표시 장치(DD)는 모니터, 또는 외부 광고판과 같은 대형 전자장치를 비롯하여, 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 개인 디지털 단말기, 자동차 내비게이션 유닛, 게임기, 스마트폰, 태블릿, 및 카메라와 같은 중소형 전자 장치 등에 사용될 수도 있다. 또한, 이것들은 단지 실시예로서 제시된 것들로서, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않은 이상 다른 전자 기기에도 채용될 수 있음은 물론이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(DD)는 베이스층(BS), 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3), 차광층(BM), 격벽부(BR), 커버부(CP), 및 영상 표시부(IDP)를 포함할 수 있다.
베이스층(BS)은 실리콘 기판, 플라스틱 기판, 유리 기판, 절연 필름, 또는 복수의 절연층들을 포함하는 적층 구조체일 수 있다.
베이스층(BS)의 일면(BSs)에는 차광층(BM)가 배치될 수 있다. 차광층(BM)은 차광 물질을 포함할 수 있다. 상기 차광 물질은 예를 들어, 블랙 안료 또는 블랙 염료일 수 있다. 차광층(BM)에는 복수의 개구부들(OPAR, OPAG, OPAB)이 정의될 수 있다. 복수의 개구부들(OPAR, OPAG, OPAB)은 광이 투과하는 영역으로, 화소 영역들과 일대일 대응될 수 있다.
복수의 개구부들(OPAR, OPAG, OPAB)은 제1 개구부(OPAR), 제2 개구부(OPAG), 및 제3 개구부(OPAB)를 포함할 수 있다. 제1 개구부(OPAR), 제2 개구부(OPAG), 및 제3 개구부(OPAB)를 통과하는 광의 파장은 서로 상이할 수 있다.
파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3)은 베이스층(BS)의 일면(BSs)에 배치될 수 있다. 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3)은 제1 파장 변환부(CCF1), 제2 파장 변환부(CCF2) 및 제3 파장 변환부(CCF3)를 포함할 수 있다.
제1 파장 변환부(CCF1)는 제1 개구부(OPAR)를 커버하고, 제2 파장 변환부(CCF2)는 제2 개구부(OPAG)를 커버하고, 제3 파장 변환부(CCF3)는 제3 개구부(OPAB)를 커버할 수 있다.
제1 파장 변환부(CCF1)는 제1 컬러 필터층(CF1) 및 제1 파장 변환층(EF1)을 포함할 수 있고, 제2 파장 변환부(CCF2)는 제2 컬러 필터층(CF2) 및 제2 파장 변환층(EF2)을 포함할 수 있다. 제1 파장 변환층(EF1)은 제1 베이스(BN1) 및 제1 발광체(EP1)를 포함하고, 제2 파장 변환층(EF2)는 제2 베이스(BN2) 및 제2 발광체(EP2)를 포함할 수 있다.
제3 파장 변환부(CCF3)는 제3 컬러 필터층(CF3) 및 투광층(EF3)을 포함할 수 있고, 투광층(EF3)은 제3 베이스(BN3) 및 산란 입자(SP)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 산란 입자(SP)는 TiO2　또는 실리카계 나노　입자　등일 수 있다. 제3 파장 변환부(CCF3)는 청색광을 산란시켜 제3 컬러 필터층(CF3)으로 제공할 수 있다. 하지만, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 본 발명의 다른 일 실시예에서, 제3 파장 변환부(CCF3)는 청색 컬러필터를 포함하지 않을 수도 있고, 투광층(EF3)은 제3 발광체를 더 포함할 수도 있다.
도시되지 않았으나, 제1 컬러 필터층(CF1)과 제1 파장 변환층(EF1) 사이, 제2 컬러 필터층(CF2)과 제2 파장 변환층(EF2) 사이, 및 제3 컬러 필터층(CF3)과 투광층(EF3) 사이에 배치된 보호막이 더 배치될 수 있다. 상기 보호막은 제1 컬러 필터층(CF1), 제2 컬러 필터층(CF2), 제3 컬러 필터층(CF3)을 커버할 수 있다. 상기 보호막은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 또는 실리콘 옥시 나이트라이드 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 베이스(BN1, BN2, BN3)는 고분자 수지일 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 베이스(BN1, BN2, BN3)는 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 또는 에폭시계 수지 등일 수 있다.
제1 발광체(EP1) 및 제2 발광체(EP2)는 소정의 광을 흡수하여 파장을 변환시켜 방출하는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 발광체(EP1) 및 제2 발광체(EP2)는 양자점(Quantum Dot)일 수 있다. 제1 발광체(EP1)는 광을 흡수하여, 제1 컬러 광, 예를 들어, 적색 광을 방출할 수 있다. 제2 발광체(EP2)는 광을 흡수하여, 제2 컬러 광, 예를 들어, 녹색 광을 방출할 수 있다.
양자점은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다. 이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다.
양자점은 코어(core)와 코어를 둘러싸는 쉘(shell)을 포함하는 코어쉘 구조일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
양자점은 나노미터 스케일의 크기를 갖는 입자일 수 있다. 또한, 양자점의 형태는 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노 와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태일 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 이에 제한되는 것은 아니다. 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향(360도)으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상이 변화될 수 있다. 따라서, 제1 발광체(EP1)의 입자 크기 및 제2 발광체(EP2)의 입자 크기는 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 발광체(EP1)의 입자 크기는 제2 발광체(EP2)의 입자 크기 보다 큰 것일 수 있다. 이 경우, 제1 발광체(EP1)는 제2 발광체(EP2)보다 장파장의 광을 방출하는 것일 수 있다.
제1 컬러 필터층(CF1)은 제1 파장 변환층(EF1)를 통과한 광들 중 제1 발광체(EP1)에 의해 변환되지 않은 광을 흡수할 수 있고, 제2 컬러 필터층(CF2)은 제2 파장 변환층(EF2)를 통과한 광들 중 제2 발광체(EP2)에 의해 변환되지 않은 광을 흡수할 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 컬러 필터층(CF1, CF2, CF3)은 외광이 제1 파장 변환층(EF1), 제2 파장 변환층(EF2), 및 투광층(EF3)으로 입사되는 것을 방지하는 기능도 할 수 있다. 제1 컬러 필터층(CF1)은 적색의 컬러 필터층일 수 있고, 제2 컬러 필터층(CF2)은 녹색의 컬러 필터층일 수 있고, 제3 컬러 필터층(CF3)은 청색의 컬러 필터층일 수 있다. 본 발명의 다른 일 실시예에서, 제1 컬러 필터층(CF1) 및 제2 컬러 필터층(CF2)은 황색 컬러 필터층일 수도 있다. 본 발명의 다른 일 실시예에서, 제1 내지 제3 컬러 필터층(CF1, CF2, CF3) 중 적어도 하나는 생략될 수도 있다.
격벽부(BR)는 제1 내지 제3 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3) 중 서로 인접한 파장 변환부들 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 격벽부(BR)는 제1 파장 변환부(CCF1)와 제2 파장 변환부(CCF2) 사이 및 제2 파장 변환부(CCF2)와 제3 파장 변환부(CCF3) 사이에 배치될 수 있다. 단면 상에서 격벽부(BR)는 사각형상일 수 있다. 예를 들어, 격벽부(BR)는 직사각형상일 수 있다. 상기 단면은 제2 방향(DR2) 및 제3 방향(DR3)에 나란한 평면일 수 있다.
제1 내지 제3 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3)은 커버부(CP)에 의해 커버될 수 있다. 커버부(CP)는 제1 내지 제3 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3)과 격벽부(BR) 사이의 공간을 충진하여 제공될 수 있다.
격벽부(BR)는 제1 굴절률을 갖고, 커버부(CP)는 제2 굴절률을 가질 수 있다. 상기 제1 굴절률은 상기 제2 굴절률보다 낮을 수 있다.
굴절률의 차이에 따라 격벽부(BR)로 입사하는 광의 임계각이 변경될 수 있다. 임계각 이상으로 입사하는 광은 커버부(CP)와 격벽부(BR)의 경계에서 전반사될 수 있다. 상기 제1 굴절률과 상기 제2 굴절률의 차가 0.7일 때 임계각은 36도이고, 상기 제1 굴절률과 상기 제2 굴절률의 차가 0.6일 때 임계각은 40.3도이고, 상기 제1 굴절률과 상기 제2 굴절률의 차가 0.5일 때 임계각은 44.9도이고, 상기 제1 굴절률과 상기 제2 굴절률의 차가 0.4일 때 임계각은 49.9도이고, 상기 제1 굴절률과 상기 제2 굴절률의 차가 0.3일 때 임계각은 55.4도이고, 상기 제1 굴절률과 상기 제2 굴절률의 차가 0.2일 때 임계각은 61.9도이고, 상기 제1 굴절률과 상기 제2 굴절률의 차가 0.1일 때 임계각은 70.3도로 측정되었다. 상기 측정된 임계각들은 커버부(CP)의 굴절률이 1.7일 때, 격벽부(BR)의 굴절률의 변화에 따라 측정된 임계각이다.
상기 제1 굴절률과 상기 제2 굴절률의 차이는 0.1 이상 2.0 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 차이는 0.1 이상 0.7 이하일 수 있으며, 0.5 이상 0.7 이하일 수 있다.
제2 개구부(OPAG)와 중첩하는 영역으로 입사된 광 중 일부의 광(LT)은 격벽부(BR)를 향하는 방향으로 진행할 수 있다. 상기 제1 굴절률과 상기 제2 굴절률의 차이가 0.5인 경우를 예로 들어 설명하면, 광(LT)의 입사각(AG)이 44.9도 이상인 경우, 광(LT)은 전반사 되어 제2 파장 변환부(CCF2)로 입사될 수 있다. 따라서, 격벽부에 의해 인접한 화소와 혼색되는 현상이 방지될 수 있고, 그에 따라 표시 화질이 향상될 수 있다. 또한, 인접 화소와 혼색되는 현상이 격벽부에 의해 방지되기 때문에, 차광층(BM)의 폭(WDT)을 축소시킬 수 있고, 개구율을 증가시킬 수 있다. 또한, 격벽부(BR)에 의해 전반사된 광은 해당 파장 변환부로 재입사되기 때문에 광 손실이 방지되고, 광 효율이 개선될 수 있다.
격벽부(BR)는 1.0 초과 1.6 이하의 굴절률을 갖는 물질일 수 있다. 예를 들어, 격벽부(BR)는 폴리테트라플루오르에틸렌(poly(tetrafluoroethylene)), 플루오린화 마그네슘(Magnesium fluoride), 및 폴리비닐리덴 플루오라이드(Polyvinylidene fluoride) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 언급한 물질 외에, 격벽부(BR)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate,PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리메타크릴산 메틸(Poly(methyl methacrylate),　PMMA), 실리콘 오일(Silicone oil), 에틸렌테트라플루오르에틸렌(Ethylene tetrafluoroethylene), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 및 폴리락트산(Polylactic acid) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수도 있다.
커버부(CP)는 격벽부(BR)보다 높은 굴절률을 갖는 물질이라면 특별히 한정되는 것은 아니다. 커버부(CP)는 수지일 수 있고, 예를 들어, 실리콘계 폴리머, 에폭시계 수지, 또는 아크릴계 수지일 수 있다. 또한, 격벽부(BR)가 폴리테트라플루오르에틸렌을 포함하는 경우, 커버부(CP)는 격벽부(BR)의 물질로 예를 든 물질 중, 폴리테트라플루오르에틸렌보다 굴절률이 높은 폴리카보네이트 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트를 포함할 수도 있다.
격벽부(BR)와 커버부(CP)는 평탄면(PS)을 제공할 수 있다. 격벽부(BR)와 커버부(CP)에 의해 제공된 평탄면(PS)에는 영상 표시부(IDP)가 배치될 수 있다. 평탄면(PS)과 영상 표시부(IDP)는 직접 접촉할 수 있다. 예를 들어, 영상 표시부(IDP)는 격벽부(BR) 및 커버부(CP) 각각과 접촉할 수 있다.
영상 표시부(IDP)는 복수의 화소들(미도시)을 포함할 수 있다. 복수의 화소들(미도시)은 복수의 개구부들(OPAR, OPAG, OPAB)에 일대일 대응될 수 있다.
격벽부(BR)는 영상 표시부(IDP)와 베이스층(BS) 사이에 배치되어 스페이서 역할을 할 수 있다. 영상 표시부(IDP)와 베이스층(BS) 사이의 거리가 균일하지 않은 경우, 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3)과 영상 표시부(IDP) 사이의 거리가 균일하지 않을 수 있고, 위치에 따라 표시되는 휘도가 상이하거나 색좌표가 틀어지는 현상이 발생할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 격벽부(BR)가 영상 표시부(IDP)와 베이스층(BS) 사이의 거리를 균일하게 유지할 수 있다. 따라서, 표시 장치(DD, 도 1 참조) 내의 위치에 따라 휘도가 상이하거나, 색좌표가 틀어지는 현상이 방지될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 차광층(BM)의 두께(Tk1) 및 격벽부(BR)의 두께(Tk2)의 제1 합은 베이스층(BS)과 영상 표시부(IDP) 사이의 거리(DST)와 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 상기 제1 합은 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3) 중 예를 들어 제1 파장 변환부(CCF1)의 두께(Tk3)와 커버부(CP)의 두께(Tk4)의 제2 합과 실질적으로 동일할 수 있다. 여기서, 커버부(CP)의 두께(Tk4)는 제1 파장 변환부(CCF1)와 평면 상에서 중첩하는 영역에서의 두께일 수 있다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 영상 표시부의 단면도이다.
도 3a를 참조하면, 영상 표시부(IDP)는 유기 발광 표시 패널일 수 있다. 영상 표시부(IDP)는 베이스 기판(BP), 회로층(ML), 발광 소자층(OEL) 및 봉지층(ENCL)을 포함할 수 있다.
베이스 기판(BP)은 실리콘 기판, 플라스틱 기판, 유리 기판, 절연 필름, 또는 복수의 절연층들을 포함하는 적층 구조체일 수 있다.
베이스 기판(BP) 위에는 버퍼층(BFL)이 배치될 수 있다. 버퍼층(BFL) 위에는 회로층(ML)이 배치될 수 있다. 회로층(ML)은 트랜지스터(TR) 및 절연층들(L1, L2, L3, L4)을 포함할 수 있다.
버퍼층(BFL) 위에는 트랜지스터(TR)가 배치될 수 있다. 트랜지스터(TR)는 제어 전극(CE), 입력 전극(IE), 출력 전극(OE), 및 반도체 패턴(SCP)을 포함할 수 있다.
반도체 패턴(SCP)은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 버퍼층(BFL)은 반도체 패턴(SCP)에 개질된 표면을 제공할 수 있다. 이 경우, 반도체 패턴(SCP)이 베이스 기판(BP)에 직접 형성될 때보다 버퍼층(BFL)에 대해 높은 접착력을 가질 수 있다. 또는, 버퍼층(BFL)은 반도체 패턴(SCP)의 하면을 보호하는 배리어층일 수 있다. 이 경우, 버퍼층(BFL)은 베이스 기판(BP) 또는 베이스 기판(BP)을 통해 유입되는 오염이나 습기 등이 반도체 패턴(SCP)으로 침투되는 것을 차단할 수 있다.
제1 절연층(L1)은 버퍼층(BFL) 위에 배치되며, 반도체 패턴(SCP)을 커버할 수 있다. 제1 절연층(L1)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 상기 무기 물질은 예를 들어 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 티타늄옥사이드, 또는 알루미늄옥사이드 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 절연층(L1) 위에는 제어 전극(CE)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(L2)은 제1 절연층(L1) 위에 배치되며, 제어 전극(CE)을 커버할 수 있다. 제2 절연층(L2)은 무기 물질을 포함할 수 있다.
제3 절연층(L3)은 제2 절연층(L2) 위에 배치될 수 있다. 입력 전극(IE), 및 출력 전극(OE)은 제3 절연층(L3) 위에 배치될 수 있다. 입력 전극(IE) 및 출력 전극(OE)은 제1 내지 제3 절연층들(L1, L2, L3)을 관통하는 관통홀들을 통해 반도체 패턴(SCP)과 연결될 수 있다.
제4 절연층(L4)은 제3 절연층(L3) 위에 배치되며, 입력 전극(IE), 및 출력 전극(OE)을 커버할 수 있다. 제4 절연층(L4)은 단일의 층 또는 복수의 층일 수 있고, 제4 절연층(L4)은 유기 물질 및/또는 무기 물질을 포함할 수 있다.
제4 절연층(L4) 위에는 발광 소자층(OEL, 이하 유기발광소자)이 배치될 수 있다. 유기발광소자(OEL)는 제1 전극층(EL1), 발광 유닛(LU) 및 제2 전극층(EL2)을 포함할 수 있다.
제1 전극층(EL1)은 제4 절연층(L4)위에 배치되며, 제4 절연층(L4)을 관통하는 관통홀을 통과하여 출력 전극(OE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극층(EL1)은 화소 전극층 또는 애노드 전극층일 수 있다. 제1 전극층(EL1)은 정공 주입이 용이하도록 높은 일함수를 가진 물질로 구성될 수 있다.
제4 절연층(L4) 및 제1 전극층(EL1) 위에는 화소 정의막(PDL)이 배치된다. 화소 정의막(PDL)은 제1 전극층(EL1)의 일부를 노출시킨다. 제1 전극층(EL1)의 노출된 영역은 화소 영역(PXA)으로 정의될 수 있다. 화소 영역(PXA)은 앞서 도 2에서 설명된 복수의 개구부들(OPAR, OPAG, OPAB) 중 하나와 대응될 수 있다.
영상 표시층(IDP)은 복수의 화소들(미도시)을 포함할 수 있고, 상기 복수의 화소들 각각은 화소 회로 및 화소 전극을 포함할 수 있다. 화소 회로는 복수의 트랜지스터 및 커패시터를 포함할 수 있고, 복수의 트랜지스터 중 하나의 트랜지스터(TR)는 도 3a에 도시되었다. 상기 화소 전극은 제1 전극층(EL1)일 수 있다.
제2 전극층(EL2)은 제1 전극층(EL1) 상에 배치된다. 제2 전극층(EL2)은 공통 전극층 또는 캐소드 전극층일 수 있다. 제2 전극층(EL2)은 제1 전극층(EL1)과 대향한다. 예를 들어, 제1 전극층(EL1)이 애노드 전극층일 경우, 제2 전극층(EL2)은 캐소드 전극층일 수 있다. 제2 전극층(EL2)은 전자 주입이 용이하도록 낮은 일함수를 가진 물질로 구성될 수 있다.
발광 유닛(LU)은 제1 전극층(EL1)과 제2 전극층(EL2) 사이에 배치되며 청색광을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광 유닛(LU)은 복수의 개구부들(OPAR, OPAG, OPAB, 도 2 참조)을 향해 청색광을 제공할 수 있다.
제1 파장 변환층(EF1)은 청색광을 적색광으로 변환시켜 제1 컬러 필터층(CF1)으로 제공할 수 있고, 제2 파장 변환층(EF2)은 청색광을 녹색광으로 변환시켜 제2 컬러 필터층(CF2)으로 제공할 수 있다. 투광층(EF3)은 청색광을 산란시켜 제3 컬러 필터층(CF3)으로 제공할 수 있다.
제1 컬러 필터층(CF1)은 적색광의 파장 범위의 광을 투과시키고, 그 외의 광은 흡수할 수 있다. 제2 컬러 필터층(CF2)은 녹색광의 파장 범위의 광을 투과시키고, 그 외의 광은 흡수할 수 있다. 제3 컬러 필터층(CF3)은 청색광의 파장 범위의 광을 투과시키고, 그 외의 광은 흡수할 수 있다. 발광 유닛(LU)은 텐덤 구조를 갖거나 단층 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에서, 발광 유닛(LU)은 화이트 컬러의 광을 생성하거나, 적색 컬러의 광을 생성하거나, 녹색 컬러의 광을 생성할 수 있다. 다만, 본 발명의 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다.
봉지층(ENCL)은 유기발광소자(OEL) 위에 배치되며, 유기발광소자(OEL) 및 회로층(ML)을 커버할 수 있다. 봉지층(ENCL)은 유기발광소자(OEL)를 밀봉하는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 봉지층(ENCL)은 수분/산소 또는 먼지 입자와 같은 이물질로부터 유기발광소자(OEL)를 보호할 수 있다. 봉지층(ENCL)은 적층 구조물 또는 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 적층 구조물은 교대로 적층된 적어도 하나의 유기 봉지층 및 적어도 하나의 무기 봉지층을 포함할 수 있다. 상기 기판은 글라스 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다.
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자의 단면도이다.
도 3b를 참조하면, 유기발광소자(OEL)는 제1 전극층(EL1), 발광 유닛(LU) 및 제2 전극층(EL2)을 포함할 수 있다. 발광 유닛(LU)은 정공 제어층(HCL), 발광층(EML) 및 전자 제어층(ECL)을 포함할 수 있다. 정공 제어층(HCL)은 발광층(EML)과 제1 전극층(EL1) 사이에 배치되고, 전자 제어층(ECL)은 발광층(EML)과 제2 전극층(EL2) 사이에 배치될 수 있다.
정공 제어층(HCL)은 정공 주입 영역, 정공 수송 영역, 버퍼 영역, 및 전자 저지 영역들 중 적어도 어느 하나의 영역으로 구분될 수 있다. 정공 제어층(HCL)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층, 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 정공 제어층(HCL)은 정공 주입 물질 및 정공 수송 물질 중 적어도 어느 하나로 구성될 수 있다. 정공 주입 물질 및 정공 수송 물질은 각각 공지된 물질들일 수 있다.
전자 제어층(ECL)은 전자 주입 영역, 전자 수송 영역, 및 정공 차단 영역 중 적어도 어느 하나의 영역으로 구분될 수 있다. 전자 제어층들(ECL)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층, 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 전자 제어층(ECL)은 전자 수송 물질 및 전자 주입 물질 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 전자 주입 물질 및 전자 수송 물질은 각각 공지된 물질들일 수 있다.
발광층(EML)은 호스트 물질(host material) 및 도펀트 물질(dopant material)를 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 호스트 물질에 인광 또는 형광 발광 물질을 도펀트로 사용하여 형성될 수 있다. 발광층(EML)은 소정의 색의 광을 발광할 수 있다. 예를 들어, 발광층(EML)은 청색광을 발광할 수 있다.
도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자의 단면도이다.
도 3c를 참조하면, 유기발광소자(OEL-1)는 제1 전극층(EL1), 발광 유닛(LU-1) 및 제2 전극층(EL2)을 포함할 수 있다. 발광 유닛(LU-1)은 제1 정공 제어층(HCL1), 제1 발광층(EML1), 제1 전자 제어층(ECL1), 전하 발생층(CGL), 제2 정공 제어층(HCL2), 제2 발광층(EML2), 및 제2 전자 제어층(ECL2)을 포함할 수 있다.
전하 발생층(CGL)은 제1 및 제2 발광층들(EML1, EML2) 사이에 배치될 수 있다. 전하 발생층(CGL)에 전압이 인가되면, 산화-환원 반응이 발생하여 착체를 형성함으로써 전하를 생성한다.
전하 발생층(CGL)에서 생성된 전자는 제1 전자 제어층(ECL1)을 경유하여 제1 발광층(EML1)에 도달한다. 전하 발생층(CGL)에서 생성된 정공은 제2 정공 제어층(HCL2)을 경유하여 제2 발광층(EML2)에 도달한다.
본 실시예에서, 제1 발광층(EML1)과 제2 발광층(EML2)은 각각은 청색 광 파장 대역의 광을 각각 생성할 수 있다. 제1 발광층(EML1)과 제2 발광층(EML2)은 서로 동일한 물질을 포함할 수도 있고, 서로 다른 물질을 포함할 수도 있다.
제1 발광층(EML1)은 제1 광을 생성한다. 제2 발광층(EML2)은 제2 광을 생성한다. 상기 제1 광과 상기 제2 광 각각은 청색 광 파장 대역의 광일 수 있다. 상기 제1 광과 상기 제2 광의 스펙트럼은 동일할 수도 있고, 서로 상이할 수도 있다. 예를 들어, 상기 제1 광은 짙은 청색 광(deep blue light), 옅은 청색 광(light blue light), 및 청색광(blue light) 중 어느 하나일 수 있고, 상기 제2 광은 짙은 청색 광(deep blue light), 옅은 청색 광(light blue light), 및 청색광(blue light) 중 어느 하나일 수 있다.
한편, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 및 제2 발광층들(EML1, EML2)은 다양한 컬러의 광들을 생성하도록 설계될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자의 단면도이다.
도 3d를 참조하면, 유기발광소자(OEL-2)는 제1 전극층(EL1), 발광 유닛(LU-2), 및 제2 전극층(EL2)을 포함할 수 있다. 발광 유닛(LU-2)은 제1 정공 제어층(HCL1), 제1 발광층(EML1), 제1 전자 제어층(ECL1), 제1 전하 발생층(CGL1), 제2 정공 제어층(HCL2), 제2 발광층(EML2), 제2 전자 제어층(ECL2), 제2 전하 발생층(CGL2), 제3 정공 제어층(HCL3), 제3 발광층(EML3), 및 제3 전자 제어층(ECL3)을 포함할 수 있다.
제3 발광층(EML3)은 제1 발광층(EML1) 및 제2 발광층(EML2) 사이에 배치될 수 있다. 제1 발광층(EML1) 및 제2 발광층(EML2)은 도 3c에 도시된 제1 및 제2 발광층들 각각에 대응될 수 있다. 제3 발광층(EML3)은 제1 발광층(EML1) 및 제2 발광층(EML2)과 다른 물질을 포함할 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 제3 발광층(EML3)은 제1 발광층(EML1) 및 제2 발광층(EML2) 중 적어도 어느 하나와 동일한 물질을 포함할 수도 있다.
제3 발광층(EML3)이 생성하는 제3 광은 청색 광 파장 대역의 광일 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 광은 짙은 청색 광(deep blue light), 옅은 청색 광(light blue light), 및 청색광(blue light) 중 어느 하나일수 있다.
한편, 이는 예시적으로 기재한 것이고, 제3 발광층(EML3)은 다양한 컬러의 광들을 생성하도록 설계될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제1 전하 발생층(CGL1)은 제1 발광층(EML1) 및 제3 발광층(EML3) 사이에 배치된다. 제1 전하 발생층(CGL1)에서 생성된 전자는 제1 전자 제어층(ECL1)을 경유하여 제1 발광층(EML1)에 도달하고, 제1 전하 발생층(CGL1)에서 생성된 정공은 제3 정공 제어층(HCL3)을 경유하여 제3 발광층(EML3)에 도달한다.
제2 전하 발생층(CGL2)은 제2 발광층(EML2) 및 제3 발광층(EML3) 사이에 배치된다. 제2 전하 발생층(CGL2)에서 생성된 정공은 제2 정공 제어층(HCL1)을 경유하여 제2 발광층(EML2)에 도달하고, 제2 전하 발생층(CGL2)에서 생성된 전자는 제3 전자 제어층(ECL3)을 경유하여 제3 발광층(EML3)에 도달한다. 이하 상세한 설명은 도 3c에서 설명한 층들에 대응되므로 생략하기로 한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 영상 표시부의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 영상 표시부(IDP-1)는 마이크로 엘이디 표시 패널일 수 있다. 영상 표시부(IDP-1)는 베이스 기판(BP), 회로층(ML), 및 발광 소자(ED)를 포함할 수 있다. 도 3a에서 설명된 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 표기하고, 이에 대한 설명은 생략된다.
제4 절연층(L4) 위에는 연결 전극(CNE)이 배치될 수 있다. 연결 전극(CNE)은 출력 전극(OE)과 연결될 수 있다.
제5 절연층(L5)은 제4 절연층(L4) 위에 배치되며, 연결 전극(CNE)을 커버할 수 있다. 제5 절연층(L5)은 유기물을 포함할 수 있다. 제5 절연층(L5)은 아래에 배치된 회로층(ML)를 커버하며, 평탄면을 제공할 수 있다.
제5 절연층(L5) 위에는 제1 격벽(BR1) 및 제2 격벽(BR2)이 배치된다. 제1 격벽(BR1) 및 제2 격벽(BR2) 각각은 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있다. 제2 격벽(BR2)는 제1 격벽(BR1)로부터 제2 방향(DR2)으로 이격될 수 있다.
제1 전극(E1)은 제1 격벽(BR1) 위에 배치되고, 제2 전극(E2)은 제2 격벽(BR2) 위에 배치될 수 있다. 제1 전극(E1)은 제1 방향(DR1)으로 연장되며, 제1 격벽(BR1)을 커버하고, 제2 전극(E2)은 제1 방향(DR1)으로 연장되며, 제2 격벽(BR2)을 커버할 수 있다. 즉, 제1 전극(E1)과 제5 절연층(L5) 사이에는 제1 격벽(BR1)이 배치되고, 제2 전극(E2)과 제5 절연층(L5) 사이에는 제2 격벽(BR2)이 배치될 수 있다.
제5 절연층(L5)에는 관통홀이 제공되고, 상기 관통홀에 의해 연결 전극(CNE)이 노출될 수 있다. 제1 전극(E1)은 노출된 연결 전극(CNE)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전극(E2)은 전원 라인에 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 전극(E2)에는 전원 전압이 제공될 수 있다.
제1 전극(E1)은 제1 반사 전극(RFE1) 및 제1 캡핑 전극(CPE1)을 포함할 수 있고, 제2 전극(E2)은 제2 반사 전극(RFE2) 및 제2 캡핑 전극(CPE2)을 포함할 수 있다.
제1 반사 전극(RFE1) 및 제2 반사 전극(RFE2) 각각은 반사성 물질을 포함할 수 있다. 제1 반사 전극(RFE1) 및 제2 반사 전극(RFE2) 각각은 단층 구조를 가질 수도 있고, 복수의 적층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들어, 제1 반사 전극(RFE1) 및 제2 반사 전극(RFE2) 각각은 인듐주석 산화물(ITO), 은(Ag), 및 인듐주석 산화물(ITO)이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다.
제1 캡핑 전극(CPE1)은 제1 반사 전극(RFE1)을 캡핑하고, 제2 캡핑 전극(CPE2)은 제2 반사 전극(RFE2)을 캡핑할 수 있다. 예를 들어, 제1 캡핑 전극(CPE1) 및 제2 캡핑 전극(CPE2) 각각은 인듐아연 산화물(IZO), 인듐주석 산화물(ITO), 인듐갈륨 산화물(IGO), 인듐아연갈륨 산화물(IGZO), 및 이들의 혼합물/화합물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제5 절연층(L5) 위에는 발광 소자(ED)가 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)는 복수로 제공될 수 있고, 복수로 제공된 발광 소자들은 병렬로 연결될 수 있다. 발광 소자(ED)는 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
발광 소자(ED)는 초소형 엘이디 소자일 수 있다. 초소형 엘이디 소자는 수 나노 미터 내지 수백 마이크로 미터 사이의 길이를 갖는 엘이디 소자일 수 있다. 다만, 초소형 엘이디 소자의 길이는 일 예로 기재한 것일 뿐, 초소형 엘이디 소자의 길이가 상기 수치 범위에 한정되는 것은 아니다.
발광 소자(ED)에서 방출된 광은 제1 및 제2 격벽(BR1, BR2)을 커버하는 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2)으로부터 반사되어 영상 표시부(IDP-1) 외부로 방출될 수 있다. 화소 영역(PXA)은 제1 격벽(BR1)와 제2 격벽(BR2) 각각의 일 단에 대응하여 정의될 수 있다. 화소 영역(PXA)은 앞서 도 2에서 설명된 복수의 개구부들(OPAR, OPAG, OPAB) 중 하나와 대응될 수 있다.
발광 소자(ED) 위에는 제6 절연층(L6, 또는 절연 패턴)이 배치될 수 있다. 제6 절연층(L6)은 발광 소자(ED)의 상면의 적어도 일부를 커버할 수 있다.
발광 소자(ED)는 제1 연결 전극(CNE1)을 통해 제1 전극(E1)과 전기적으로 연결되고, 제2 연결 전극(CNE2)을 통해 제2 전극(E2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 연결 전극(CNE2)은 발광 소자(ED) 및 제2 전극(E2) 위에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2) 위에는 제7 절연층(L7)이 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 발광 소자(ED) 및 제1 전극(E1) 위에 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)의 길이가 수백 마이크로 미터 이하이더라도, 제2 연결 전극(CNE2)과 제1 연결 전극(CNE1)은 제7 절연층(L7)에 의해 서로 직접 접촉되지 않을 수 있다. 다만, 이는 본 발명의 일 실시예일뿐, 본 발명의 다른 일 실시예에서, 제1 연결 전극(CNE1)과 제2 연결 전극(CNE2)은 동일한 공정을 통해 동시에 형성될 수도 있다. 이 실시예에서, 제7 절연층(L7)은 생략될 수 있다.
제1 연결 전극(CNE1) 및 제2 연결 전극(CNE2)은 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 도전 물질은 인듐아연 산화물(IZO), 인듐주석 산화물(ITO), 인듐갈륨 산화물(IGO), 인듐아연갈륨 산화물(IGZO), 및 이들의 혼합물/화합물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 하지만, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 도전 물질은 금속 물질일 수 있고, 상기 금속 물질은 예컨대, 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
제1 연결 전극(CNE1) 및 제7 절연층(L7) 위에는 제8 절연층(L8)이 배치될 수 있다. 제8 절연층(L8)은 봉지층일 수 있다. 제8 절연층(L8) 위에는 제9 절연층(L9)이 배치될 수 있다. 제9 절연층(L9)은 평탄층일 수 있다. 제9 절연층(L9)의 상면은 도 2에 도시된 평탄면(PS)과 접하는 면일 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 영상 표시부의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 영상 표시부(IDP-2)는 액정 표시 패널일 수 있다. 영상 표시부(IDP-2)는 제1 베이스 기판(BP1), 제2 베이스 기판(BP2), 회로층(ML), 액정층(LCL), 화소 전극(PE) 및 공통 전극(CME)을 포함할 수 있다. 도 3a에서 설명된 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 표기하고, 이에 대한 설명은 생략된다.
제1 베이스 기판(BP1) 및 제2 베이스 기판(BP2)은 실리콘 기판, 플라스틱 기판, 유리 기판, 절연 필름, 또는 복수의 절연층들을 포함하는 적층 구조체일 수 있다. 제2 베이스 기판(BP2)의 상면은 도 2에 도시된 평탄면(PS)과 접하는 면일 수 있다.
제4 절연층(L4) 위에는 화소 전극(PE)이 배치될 수 있다. 화소 전극(PE)은 출력 전극(OE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 화소 전극(PE) 위에는 액정층(LCL)이 배치될 수 있다. 액정층(LCL) 위에는 공통 전극(CME)이 배치될 수 있다. 공통 전극(CME)은 제2 베이스 기판(BS2)의 일면에 형성될 수 있다.
화소 전극(PE)이 배치된 영역은 화소 영역(PXA)으로 정의될 수 있다. 화소 영역(PXA)은 앞서 도 2에서 설명된 복수의 개구부들(OPAR, OPAG, OPAB) 중 하나와 대응될 수 있다.
도 5에서는 액정층(LCL)이 공통 전극(CME)과 화소 전극(PE) 사이에 배치된 것을 예로 들어 도시하였으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 본 발명의 다른 일 실시예에서, 액정층(LCL)은 공통 전극(CME)과 화소 전극(PE) 위에 배치될 수 도 있다. 이 경우, 공통 전극(CME)과 화소 전극(PE)은 제1 베이스 기판(BS1) 위에 형성될 수 있다.
액정층(LCL)은 복수의 액정 분자들(LC)을 포함할 수 있다. 액정 분자들(LC)은 공통 전극(CME)과 화소 전극(PE) 사이에 형성된 전계에 따라 배열이 변화될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6에 도시된 표시 장치(DD-1)는 도 2의 표시 장치(DD)와 비교하였을 때, 격벽부(BR-1)의 형상에 차이가 있다. 예를 들어, 단면 상에서, 격벽부(BR-1)는 사다리꼴 형상일 수 있다.
격벽부(BR-1)의 폭(WDT-1)은 베이스층(BS)으로부터 영상 표시부(IDP)와 가까워질수록 커질 수 있다. 따라서, 격벽부(BR-1)는 영상 표시부(IDP)에 대해 기울어진 최외곽 면을 가질 수 있다. 격벽부(BR-1)의 폭(WDT-1)은 제2 방향(DR2)의 폭을 의미한다.
도 6에서는 화소 영역을 통해 제공된 광(LT-1)을 도시하였다. 광(LT-1)은 영상 표시부(IDP)로부터 도 2에 도시된 광(LT)과 동일한 방향으로 출사된 광일 수 있다. 따라서, 광(LT)과 영상 표시부(IDP)의 상면 사이의 각도는 광(LT-1)과 영상 표시부(IDP)의 상면 사이의 각도와 동일할 수 있다.
격벽부(BR-1)로 입사되는 광(LT-1)의 입사각(AG-1)은 도 2의 광(LT)의 입사각(AG)보다 클 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 격벽부(BR-1)가 사다리꼴 형상을 가짐으로 써, 격벽부(BR-1)로 입사된 광이 전반사될 확률이 증가할 수 있다. 따라서, 인접 화소와 혼색되는 현상은 격벽부(BR-1)에 의해 방지될 수 있다. 또한, 커버부(CP)와 격벽부(BR-1)의 경계에서 전반사된 광은 해당 파장 변환부, 예를 들어, 제2 파장 변환부(CCF2)로 재입사되기 때문에 광 손실이 방지되고, 광 효율이 개선될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7을 참조하면, 표시 장치(DD-2)는 도 2의 표시 장치(DD)와 비교하였을 때, 격벽부(BR-2)의 형상에 차이가 있다. 예를 들어, 단면 상에서, 격벽부(BR-2)는 역사다리꼴 형상일 수 있다.
격벽부(BR-2)의 폭(WDT-2)은 베이스층(BS)으로부터 영상 표시부(IDP)와 가까워질수록 작아질 수 있다. 따라서, 격벽부(BR-2)는 영상 표시부(IDP)에 대해 기울어진 최외곽 면을 가질 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 8을 참조하면, 표시 장치(DD-3)는 도 2의 표시 장치(DD)와 비교하였을 때, 격벽부(BR-3)의 형상에 차이가 있다. 예를 들어, 단면 상에서, 격벽부(BR-3)의 최외곽 면은 곡률을 가질 수 있다. 격벽부(BR-3)의 폭(WDT-3)은 베이스층(BS)으로부터 영상 표시부(IDP)와 가까워질수록 작아질 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 9를 참조하면, 표시 장치(DD-4)는 도 2의 표시 장치(DD)와 비교하였을 때, 격벽부(BR-4)의 형상에 차이가 있다. 예를 들어, 단면 상에서, 격벽부(BR-4)의 최외곽 면은 곡률을 가질 수 있다. 격벽부(BR-4)의 폭(WDT-4)은 베이스층(BS)으로부터 영상 표시부(IDP)와 가까워질수록 커질 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 10을 참조하면, 제1 내지 제3 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3), 제1 내지 제3 개구부들(OPAR, OPAG, OPAB), 및 제1 내지 제3 격벽부들(BRA, BRB, BRC)을 도시하였다.
제1 내지 제3 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3) 각각은 복수로 제공될 수 있다. 복수의 제1 내지 제3 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. 예를 들어, 제1 파장 변환부들(CCF1)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열되고, 제2 파장 변환부들(CCF2)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열되고, 제3 파장 변환부들(CCF3)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. 제1 내지 제3 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3)은 제2 방향(DR2)을 따라 교대로 배열될 수 있다.
제1 내지 제3 격벽부들(BRA, BRB, BRC) 각각의 단면의 형상은 도 2, 도 6, 도 7, 도 8 및 도 9에서 설명된 격벽부들(BR, BR-1, BR-2, BR-3, BR-4) 중 하나의 단면의 형상과 동일할 수 있다.
제1 내지 제3 격벽부들(BRA, BRB, BRC) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 연장하며, 제2 방향(DR2)으로 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 격벽부(BRA)는 제1 파장 변환부들(CCF1)과 제2 파장 변환부들(CCF2) 사이에 배치되고, 제2 격벽부(BRB)는 제2 파장 변환부들(CCF2)과 제3 파장 변환부들(CCF3) 사이에 배치되고, 제3 격벽부(BRC)는 제3 파장 변환부들(CCF3)과 제1 파장 변환부들(CCF1) 사이에 배치될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일 실시예에서, 표시 장치는 제2 방향(DR2)으로 연장하는 추가 격벽부들(미도시)을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 추가 격벽부들은 제1 파장 변환부들(CCF1) 사이, 제2 파장 변환부들(CCF2) 사이 및 제3 파장 변환부들(CCF3) 사이에 배치될 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 11을 참조하면, 격벽부들(BR-11, BR-12, BR-13, BR-21, BR-31) 각각의 단면의 형상은 도 2, 도 6, 도 7, 도 8 및 도 9에서 설명된 격벽부들(BR, BR-1, BR-2, BR-3, BR-4) 중 하나의 단면의 형상과 동일할 수 있다.
격벽부들(BR-11, BR-12, BR-13, BR-21, BR-31)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 격벽부들(BR-11, BR-12, BR-13, BR-21, BR-31) 각각은 제1 방향(DR1)으로 연장할 수 있다.
격벽부들(BR-11, BR-12, BR-13, BR-21, BR-31) 각각의 제1 방향(DR1)의 길이는 도 10의 제1 내지 제3 격벽부들(BRA, BRB, BRC) 각각의 제1 방향(DR1)의 길이보다 짧을 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 12의 제1 내지 제3 개구부들(OPARa, OPAGa, OPABa)는 펜타일 구조로 배열될 수 있다.
제1 개구부들(OPARa)과 중첩하는 제1 파장 변환부들(CCF1a) 및 제3 개구부들(OPABa)과 중첩하는 제3 파장 변환부들(CCF3a)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 번갈아 배열될 수 있다.
제2 개구부들(OPAGa)과 중첩하는 제2 파장 변환부들(CCF2a)은 제1 파장 변환부들(CCF1a)로부터 제4 방향(DR4) 또는 제5 방향(DR5)으로 이격되어 배치될 수 있다. 제4 방향(DR4)은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2) 사이의 방향으로 정의되고, 제5 방향(DR5)은 제4 방향(DR4)에 대해 교차하는 방향으로 정의될 수 있다.
제1 내지 제3 개구부들(OPARa, OPAGa, OPABa) 각각의 면적은 서로 상이할 수 있다. 상기 면적은 평면 상에서 보았을 때의 면적을 의미할 수 있다. 예를 들어, 청색의 광을 제공하는 제3 개구부들(OPABa)의 면적이 가장 크고, 그 다음으로 적색의 광을 제공하는 제1 개구부들(OPARa)의 면적이 2 번째로 클 수 있다. 녹색 광을 제공하는 제2 개구부들(OPAGa)의 면적이 가장 작을 수 있다.
격벽부들(BRm1, BRm2)은 제1 내지 제3 파장 변환부들(CCF1a, CCF2a, CCF3a)과 평면 상에서 비중첩할 수 있다. 예를 들어, 격벽부들(BRm1, BRm2)은 제1 내지 제3 파장 변환부들(CCF1a, CCF2a, CCF3a)이 배치된 영역과 인접한 영역에 중첩하여 배치될 수 있다.
격벽부들(BRm1)은 제5 방향(DR5)을 따라 연장하며, 제4 방향(DR4)으로 이격되어 배치되고, 격벽부들(BRm2)은 제4 방향(DR4)을 따라 연장하며, 제5 방향(DR5)으로 이격되어 배치될 수 있다. 격벽부들(BRm1, BRm2) 각각의 단면의 형상은 도 2, 도 6, 도 7, 도 8 및 도 9에서 설명된 격벽부들(BR, BR-1, BR-2, BR-3, BR-4) 중 하나의 단면의 형상과 동일할 수 있다.
도 13a 내지 도 13e는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 13a를 참조하면, 베이스층(BS)을 형성한다. 별도로 도시되지 않았으나, 제조 공정에 있어서 베이스층(BS)은 작업 기판(미도시) 상에 배치될 수 있다. 표시 장치가 제조된 이후 작업 기판은 제거될 수 있다.
도 13b를 참조하면, 베이스층(BS)의 일면(BSs) 상에 차광층(BM)을 형성한다. 차광층(BM)에는 제1 내지 제3 개구부들(OPAR, OPAG, OPAB)이 형성될 수 있다.
베이스층(BS)의 일면(BSs)에 제1 내지 제3 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3)을 형성한다. 제1 내지 제3 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3)은 제1 내지 제3 개구부들(OPAR, OPAG, OPAB)과 일대일 대응하며, 제1 내지 제3 개구부들(OPAR, OPAG, OPAB)을 커버할 수 있다.
도 13c를 참조하면, 베이스층(BS)의 일면(BSs) 상에 격벽부들(BRs)을 형성한다. 격벽부들(BRs)은 제1 내지 제3 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3) 사이의 영역에 배치될 수 있다. 예를 들어, 격벽부들(BRs)은 차광층(BM) 위에 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 제1 내지 제3 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3)이 형성된 후에 격벽부들(BRs)이 형성될 수 있다.
격벽부들(BRs)은 포토 공정 또는 프린팅 공정을 이용하여 형성할 수 있다. 포토 공정을 예로 들면, 격벽부들(BRs)은 감광성 물질을 포함할 수 있다. 감광성 물질을 도포한 후, 노광 공정 및 현상 공정을 통해 격벽부들(BRs)을 형성할 수 있다. 프린팅 공정은 예로 들어, 잉크젯 프린팅 공정, 스크린 프린팅 공정, 임프린트 프린팅 공정, 또는 디스펜서 프린팅 공정을 포함할 수 있다.
도 13d를 참조하면, 격벽부들(BRs) 사이에 커버 물질(CPM)를 제공한다. 격벽부들(BRs)은 댐의 기능을 할 수 있다. 커버 물질(CPM)은 격벽부들(BRs)보다 높은 굴절률을 갖는 물질일 수 있다.
도 13e를 참조하면, 격벽부들(BRs)과 커버 물질(CPM)을 사이에 두고, 영상 표시부(IDP)와 베이스층(BS)을 합착한다. 합착한 후, 커버 물질(CPM)은 경화되어 커버부(CP)를 형성할 수 있다. 격벽부(BR)는 영상 표시부(IDP)와 베이스층(BS) 사이에 배치되어 스페이서 역할을 할 수 있다. 격벽부(BR)는 영상 표시부(IDP)와 베이스층(BS) 사이의 거리를 균일하게 유지할 수 있다. 따라서, 표시 장치(DD, 도 1 참조) 내부의 위치에 따라 휘도가 상이하거나, 색좌표가 틀어지는 현상이 방지될 수 있다.
도 14a 및 도 14b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 14a 및 도 14b를 참조하면, 차광층(BM) 위에 격벽부들(BRs)을 형성한다. 격벽부들(BRs)을 형성한 후에 격벽부들(BRs) 사이에 제1 내지 제3 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3)을 형성한다. 앞서 도 13a 내지 도 13e를 참조하여 설명한 표시 장치의 제조 방법과 비교하였을 때, 격벽부들(BRs)과 제1 내지 제3 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3) 사이의 형성 순서에 차이가 있다.
격벽부들(BRs)을 먼저 형성하는 경우, 격벽부들(BRs)은 제1 내지 제3 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3)이 형성될 영역을 정의하는 역할을 할 수 있다. 또한, 격벽부들(BRs)을 형성할 때, 제1 내지 제3 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3)이 손상될 가능성을 제거할 수 있다.
도 15a 내지 도 15e는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 15a 및 도 15b를 참조하면, 영상 표시부(IDP)를 형성한다. 영상 표시부(IDP) 위에 격벽부들(BRs)을 형성한다.
도 15c를 참조하면, 격벽부들(BRs) 사이에 커버 물질(CPM)를 제공한다. 커버 물질(CPM)은 유동성을 가질 수 있다. 커버 물질(CPM)의 양은 제1 내지 제3 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3)의 부피를 고려하여 조절될 수 있다. 예를 들어, 격벽부들(BRs)의 높이 보다 커버 물질(CPM)의 높이가 더 낮을 수 있다.
도 15d를 참조하면, 차광층(BM) 및 제1 내지 제3 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3)이 형성된 베이스층(BS)을 영상 표시부(IDP) 위에 정렬한다. 예를 들어, 격벽부들(BRs)이 제1 내지 제3 파장 변환부들(CCF1, CCF2, CCF3)과 인접한 영역과 중첩되도록 베이스층(BS)과 영상 표시부(IDP)를 정렬할 수 있다.
도 15e를 참조하면, 격벽부들(BRs)과 커버 물질(CPM)을 사이에 두고, 영상 표시부(IDP)와 베이스층(BS)을 합착한다. 합착한 후, 커버 물질(CPM)은 경화되어 커버부(CP)를 형성할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DD: 표시 장치 BS: 베이스층
CCF1: 제1 파장 변환부 CCF2: 제2 파장 변환부
CCF3: 제3 파장 변환부 BR: 격벽부
CP: 커버부 IDP: 영상 표시부

Claims (20)

  1. 베이스층;
    상기 베이스층의 일면에 배치된 복수의 파장 변환부들;
    상기 복수의 파장 변환부들 중 서로 인접한 파장 변환부들 사이에 배치되며 제1 굴절률을 갖는 격벽부;
    상기 복수의 파장 변환부들을 커버하며, 상기 제1 굴절률보다 높은 제2 굴절률을 갖는 커버부; 및
    상기 격벽부 및 상기 커버부에 의해 제공된 평탄면에 배치된 영상 표시부를 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 영상 표시부는 상기 격벽부 및 상기 커버부와 접촉하는 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 영상 표시부는,
    베이스 기판;
    상기 베이스 기판 위에 배치된 회로층;
    상기 회로층 위에 배치된 발광 소자층; 및
    상기 발광 소자층 및 상기 회로층을 커버하는 봉지층을 포함하고,
    상기 봉지층은 상기 격벽부 및 상기 커버부와 직접 접촉하는 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    단면 상에서 상기 격벽부는 사각형상인 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    단면 상에서 상기 격벽부는 사다리꼴 형상인 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    단면 상에서 상기 격벽부의 최외곽 면은 곡률을 갖는 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 격벽부의 폭은 상기 베이스층으로부터 상기 영상 표시부와 가까워질수록 커지는 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 격벽부의 폭은 상기 베이스층으로부터 상기 영상 표시부와 가까워질수록 작아지는 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 베이스층과 상기 격벽부 사이에 배치된 차광층을 더 포함하는 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 차광층의 두께 및 상기 격벽부의 두께의 제1 합은 상기 베이스층 및 상기 영상 표시부 사이의 거리와 실질적으로 동일하고, 상기 제1 합은 상기 복수의 파장 변환부들 중 어느 하나의 파장 변환부의 두께 및 상기 파장 변환부 위에 배치된 상기 커버부의 두께의 제2 합과 실질적으로 동일한 표시 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 파장 변환부들은 제1 파장 변환부들 및 제2 파장 변환부들을 포함하고, 상기 제1 파장 변환부들은 제1 방향을 따라 배열되고, 상기 제2 파장 변환부들은 제1 방향을 따라 배열되고, 상기 제1 파장 변환부들과 상기 제2 파장 변환부들은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 교대로 배열되는 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 격벽부는 복수로 제공되고, 상기 복수의 격벽부들 각각은 상기 제1 방향을 따라 연장하며, 상기 복수의 격벽부들은 상기 제2 방향으로 이격되어 배치되는 표시 장치.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 격벽부는 복수로 제공되고, 상기 복수의 격벽부들 각각은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향을 따라 배열되는 표시 장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 굴절률 및 상기 제2 굴절률의 차이는 0.5 이상인 표시 장치.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 격벽부는 폴리테트라플루오르에틸렌, 플루오린화 마그네슘, 또는 폴리비닐리덴 플루오라이드 중 어느 하나를 포함하는 표시 장치.
  16. 베이스 층;
    베이스 층 위에 배치되며 복수의 개구부들이 정의된 차광층;
    상기 복수의 개구부들과 일대일 대응하여, 상기 복수의 개구부들을 커버하는 파장 변환부들;
    평면 상에서 상기 파장 변환부들 사이에 배치되며, 상기 차광층 위에 배치되며 제1 굴절률을 갖는 격벽부; 및
    상기 파장 변환부들을 커버하며, 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 갖는 커버부를 포함하고, 상기 격벽부는 폴리테트라플루오르에틸렌, 플루오린화 마그네슘, 및 폴리비닐리덴 플루오라이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 표시 장치.
  17. 베이스층을 형성하는 단계;
    상기 베이스층의 일면에 복수의 파장 변환부들을 형성하는 단계;
    영상 표시부를 형성하는 단계;
    상기 베이스층 또는 상기 영상 표시부에 격벽부들을 형성하는 단계;
    상기 격벽부들 사이에 커버 물질을 제공하는 단계; 및
    상기 격벽부들와 상기 커버 물질을 사이에 두고, 상기 영상 표시부와 상기 베이스층을 합착하는 단계를 포함하고, 평면 상에서 상기 격벽부들은 상기 복수의 파장 변환부들과 인접한 영역과 중첩되도록 상기 영상 표시부와 상기 베이스층을 합착하는 표시 장치 제조 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 격벽부들은 상기 베이스층 상에 형성되고, 상기 파장 변환부들을 형성한 후에 상기 격벽부들을 형성하는 표시 장치 제조 방법.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 격벽부들은 상기 베이스층 상에 형성되고, 상기 격벽부들을 형성한 후에 상기 파장 변환부들을 형성하는 표시 장치 제조 방법.
  20. 제17 항에 있어서,
    상기 격벽부들을 형성하는 단계는 포토 공정, 또는 프린팅 공정을 포함하는 표시 장치 제조 방법.
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