CN111834414A - 颜色控制构件和采用其的显示装置 - Google Patents

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吴旻贞
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Abstract

本申请公开了颜色控制构件和采用其的显示装置。该颜色控制构件包括：包括第一像素区域和第二像素区域的基板；第一颜色转换层，该第一颜色转换层将第一颜色转换层上的入射光转换为第一颜色的光，第一颜色的光从第一颜色转换层发射并通过第一像素区域；第二颜色转换层，该第二颜色转换层将第二颜色转换层上的入射光转换为第二颜色的光，第二颜色的光从第二颜色转换层发射并通过第二像素区域；以及设置在第一颜色转换层与第二颜色转换层之间以与基板的阻光区域对应的隔壁，其中阻止了从第一颜色转换层或第二颜色转换层发射的光发射到另一个。

Description

颜色控制构件和采用其的显示装置
技术领域
一个或多个实施方式涉及颜色控制构件和采用其的显示装置，并且更具体地，涉及这样的颜色控制构件，该颜色控制构件能够防止显示装置的像素区域之间的颜色混合以及优化来自像素区域的光的透射。
背景技术
随着对显示装置的需求增加，对可用于各种目的的显示装置的需要也增加。随着这种趋势，显示装置逐渐变大并且显示装置的厚度随着这样的尺寸变化而变薄，图像的准确且清晰的颜色的显示变得越来越重要和令人期望。
发明内容
一个或多个实施方式包括具有改进的颜色再现性和改进的光效率的显示装置。然而，应理解，本文中描述的实施方式应仅在描述性意义上考虑而非限制本公开。
根据一个或多个实施方式，颜色控制构件可以包括：包括多个像素区域的基板，该多个像素区域包括第一像素区域和第二像素区域；第一颜色转换层，该第一颜色转换层将第一颜色转换层上的入射光转换为第一颜色的光，第一颜色的光从第一颜色转换层发射并通过第一像素区域；第二颜色转换层，该第二颜色转换层将第二颜色转换层上的入射光转换为第二颜色的光，第二颜色的光从第二颜色转换层发射并通过第二像素区域；以及隔壁，该隔壁设置在基板的阻光区域中，在第一颜色转换层与第二颜色转换层之间并且限定与基板的阻光区域对应的气隙(air gap)。
隔壁可以进一步包括包含第一部分和第二部分的界面层，第一部分相对于基板倾斜预定角度，并且第二部分连接到第一部分并且在垂直方向上与基板间隔预定间距。
界面层可以进一步包括第三部分，该第三部分设置在基板的多个像素区域中，并且连接到第一部分，该连接与第二部分到第一部分的连接相对。
界面层的第二部分可以包括通孔。
隔壁可以进一步包括设置在界面层的第一部分和第二部分中的至少一个上的反射层。
界面层的第二部分可以包括第一通孔，并且反射层可以包括设置成与界面层的第一通孔重叠的第二通孔。
颜色控制构件可以进一步包括设置在基板与隔壁之间并且在气隙中的阻光构件。
颜色控制构件可以进一步包括：第一滤色器层，该第一滤色器层设置在基板与第一颜色转换层之间，并且选择性地透射从第一颜色转换层发射的第一颜色的光；以及第二滤色器层，该第二滤色器层设置在基板与第二颜色转换层之间，并且选择性地透射从第二颜色转换层发射的第二颜色的光。
颜色控制构件可以进一步包括透射层，该透射层设置在与第一像素区域和第二像素区域隔开的第三像素区域中，并且透射该透射层上的入射光。
隔壁可以设置在透射层与第一颜色转换层之间以及在透射层与第二颜色转换层之间。
根据一个或多个实施方式，显示装置可以包括：包括多个像素区域的第一基板，该多个像素区域包括第一像素区域和第二像素区域；第一颜色转换层，该第一颜色转换层将第一颜色转换层上的入射光转换为第一颜色的光，第一颜色的光从第一颜色转换层发射并通过第一像素区域；第二颜色转换层，该第二颜色转换层将第二颜色转换层上的入射光转换为第二颜色的光，第二颜色的光从第二颜色转换层发射并通过第二像素区域；隔壁，该隔壁设置在基板的阻光区域中，在第一颜色转换层与第二颜色转换层之间并且限定位于与第一基板的阻光区域对应的气隙；面向第一基板的第二基板；以及多个显示元件，该多个显示元件设置在第二基板上并且包括分别在第一颜色转换层和第二颜色转换层上发射入射光的第一显示元件和第二显示元件。
隔壁可以包括包含第一部分和第二部分的界面层，第一部分相对于第一基板倾斜预定角度，并且第二部分连接到第一部分并且在垂直方向上与第一基板间隔预定间距。
界面层可以进一步包括第三部分，该第三部分设置在第一基板的多个像素区域中，并且连接到第一部分，该连接与第二部分到第一部分的连接相对。
界面层的第二部分可以包括通孔。
隔壁可以进一步包括设置在界面层的第一部分和第二部分中的至少一个上的反射层。
界面层的第二部分可以包括第一通孔，并且反射层可以包括设置成与界面层的第一通孔重叠的第二通孔。
显示装置可以进一步包括设置在第一基板与隔壁之间并且在气隙中的阻光构件。
显示装置可以进一步包括：第一滤色器层，该第一滤色器层设置在第一颜色转换层上并且选择性地透射从第一颜色转换层发射的第一颜色的光；以及第二滤色器层，该第二滤色器层设置在第二颜色转换层上并且选择性地透射从第二颜色转换层发射的第二颜色的光。
根据一个或多个实施方式，显示装置可以包括：基板；设置在基板上并且各自发射光的第一显示元件和第二显示元件；设置在基板上并且围绕第一显示元件和第二显示元件的像素限定层；第一颜色转换层，该第一颜色转换层设置在第一显示元件上并且将从第一显示元件发射的光转换为第一颜色的光，第一颜色的光从第一颜色转换层发射；第二颜色转换层，该第二颜色转换层设置在第二显示元件上并且将从第二显示元件发射的光转换为第二颜色的光，第二颜色的光从第二颜色转换层发射；以及隔壁，该隔壁设置在像素限定层上，在第一颜色转换层与第二颜色转换层之间，并且限定位于像素限定层上的气隙。
隔壁可以包括包含第一部分和第二部分的界面层，第一部分相对于第二基板倾斜预定角度，并且第二部分连接到第一部分并且在垂直方向上与基板间隔预定间距。
界面层可以进一步包括第三部分，该第三部分设置在第一显示元件和第二显示元件中的至少一个上，并且连接到第一部分，该连接与第二部分到第一部分的连接相对。
界面层的第二部分可以包括通孔。
隔壁可以进一步包括设置在界面层的第一部分和第二部分中的至少一个上的反射层。
界面层的第二部分可以包括第一通孔，并且反射层可以包括设置成与界面层的第一通孔重叠的第二通孔。
显示装置可以进一步包括：第一滤色器层，该第一滤色器层设置在第一颜色转换层上，并且选择性地透射从第一颜色转换层发射的第一颜色的光；以及第二滤色器层，该第二滤色器层设置在第二颜色转换层上，并且选择性地透射从第二颜色转换层发射的第二颜色的光。
显示装置可以进一步包括：封装构件，该封装构件设置在多个显示元件中的第一显示元件和第二显示元件与第一颜色转换层和第二颜色转换层之间，并且设置成至少覆盖多个显示元件中的第一显示元件和第二显示元件以及像素限定层；以及阻光构件，该阻光构件设置在封装构件与隔壁之间并且在气隙中。
显示装置可以进一步包括：设置成覆盖第一滤色器层和第二滤色器层的封装构件；以及设置在封装构件上并且设置成与气隙重叠的阻光构件。
附图说明
当参考附图时，这些和/或其他方面将从实施方式的以下描述中变得显而易见以及更容易理解，其中：
图1是根据实施方式的显示装置的透视图；
图2是根据实施方式的沿着图1的线I-I'截取的显示装置的示意性横截面图；
图3A是图2的颜色控制构件的平面图；图3B是图3A的颜色控制构件的一部分的透视图；图3C是沿着图3B的线II-II'截取的显示装置的示意性横截面图；
图4是根据另一实施方式的沿着图1的线I-I'截取的颜色控制构件的示意性横截面图；
图5A是图4的颜色控制构件的一部分的透视图；图5B是沿着图5A的线III-III'截取的颜色控制构件的示意性横截面图；
图6是根据实施方式的颜色控制构件的第一颜色转换层和第二颜色转换层以及透射层的放大的示意性横截面图；
图7A是图2的像素层的一部分的平面图；图7B是沿着图7A的线IV-IV'截取的像素层的示意性横截面图；
图8A至图8J是用于解释根据实施方式的制造颜色控制构件的工艺的示意性横截面图；
图9是根据实施方式的在颜色控制构件与底部基板之间进行耦接的示意性横截面图；
图10和图11是根据另一实施方式的沿着图1的线I-I'截取的显示装置的示意性横截面图；
图12A至图12J是用于解释根据实施方式的制造颜色控制构件的工艺的示意性横截面图；
图13和图14是根据另一实施方式的沿着图1的线I-I'截取的显示装置的示意性横截面图；并且
图15A至图15H是用于解释根据实施方式的制造颜色控制构件的工艺的示意性横截面图。
具体实施方式
现在将详细参考实施方式，在附图中示出这些实施方式的示例，其中相同的附图标记始终指相同的元件。就此而言，实施方式可以具有不同的形式并且不应解释为限于本文中陈述的描述。因此，下面通过参考图仅描述实施方式以用于解释描述的各方面。如本文中使用的，术语“和/或”包括所关联的列出项目中的一个或多个的任意和全部组合。诸如“……中的至少一个”的表达在组件列表之前时，修饰整个列表的组件而不修饰列表中的个别组件。
由于本公开允许各种改变和许多实施方式，因此可在附图中示出并且在书面描述中详细描述实施方式。当结合附图参考详细描述的以下实施方式时，本公开的效果和特征以及实现本公开的效果和特征的方法将是显而易见的。然而，本公开不限于本文中阐述的实施方式，并且可以以各种形式来实施。
在下文中，参考附图详细描述本公开的实施方式。为了清楚地描述本公开，省略了与描述无关的部分。当参考附图进行描述时，相同的附图标记用于相同或对应的元件，并且省略其重复描述。
将理解，当层、区或组件被称为“形成在”另一层、区或组件“上”时，其可以直接或间接形成在另一层、区或组件上。即，例如，可以存在中间层、区或组件。为便于解释，可以夸大附图中组件的尺寸。例如，因为为了便于描述已经任意选择了附图中所显示的每个组件的尺寸和厚度，所以本公开不限于所显示的构造。
将理解，当层、区或组件被称为“连接”到另一层、区或组件时，其可以“直接连接”到另一层、区或组件，或者可以“间接连接”到另一层、区或组件，它们之间插有其他层、区或组件。例如，将理解，当层、区或组件被称为“电连接”到另一层、区或组件时，其可以“直接电连接”到另一层、区或组件，或者可以“间接电连接”到另一层、区或组件，它们之间插有其他层、区或组件。
当某一实施方式可以被不同地实施时，特定工艺顺序可以以不同于所描述的顺序进行。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时进行，或以与所描述的顺序相反的顺序进行。
将理解，虽然本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但这些组件不应受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个组件与另一组件。如本文中使用的，单数形式“一个(a)”、“一种(an)”和“所述(the)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。将理解，当某一元件“包括”另一元件时，除非另外指示，否则不排除另一元件，并且其可以进一步包括其他元件。
将理解，术语“在平面图上”指定当从上方观察对象部件时，并且术语“在示意性横截面图上”指定当从侧面观察对象部件的垂直横截面时。将理解，术语“重叠”包括在平面图上重叠和在横截面图上重叠。此外，将理解，术语“重叠”或“重叠的”意指第一对象可以在第二对象的上面或下面或一侧，并且反之亦然。
图1是根据实施方式的显示装置1的透视图。
参考图1，根据实施方式的显示装置1可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。非显示区域NDA可以布置在显示区域DA外部以包围显示区域DA。各种布线和驱动电路单元可以位于非显示区域NDA中，各种布线和驱动电路单元将电信号传递到显示区域DA。显示装置1可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个像素发射的光显示预定图像。尽管未显示，但显示装置1可以在非显示区域NDA的部分区域中包括弯曲区域，弯曲区域是弯曲的。
显示装置1可以包括量子点发光显示器。显示装置1可以被实施为各种电子装置，诸如移动电话、笔记本计算机和智能手表。
图2是根据实施方式的沿着图1的线I-I'截取的显示装置1的示意性横截面图。图3A是图2的颜色控制构件的平面图，图3B是图3A的颜色控制构件的一部分的透视图，并且图3C是沿着图3B的线II-II'截取的显示装置1的示意性横截面图。
参考图2，显示装置1可以包括在第三方向(即，z方向)上顺序地堆叠的基板410、封装构件300和颜色控制构件100a，封装构件300密封基板410，并且颜色控制构件100a在封装构件300上方。
颜色控制构件100a的基板110可以包括像素区域PA和阻光区域BA，阻光区域BA对应于下面讨论的隔壁和/或阻光构件的效果。像素区域PA发射光，并且可以被阻光区域BA包围。根据发射的光的颜色，像素区域PA可以被划分为第一像素区域PA1、第二像素区域PA2和第三像素区域PA3。例如，第一像素区域PA1可以是发射第一颜色的光Lr的区域，第二像素区域PA2可以是发射第二颜色的光Lg的区域，并且第三像素区域PA3是发射第三颜色的光Lb的区域。阻光区域BA可以是不发射光的区域，并且可以以网状构造布置在第一至第三像素区域PA1、PA2和PA3之间。
像素层450可以布置在基板410上。发射光的显示元件可以布置在像素层450中，显示元件与颜色控制构件100a的像素区域PA对应。封装构件300可以布置在像素层450上。
颜色控制构件100a可以与基板410上的像素层450分开地形成，并且然后耦接到基板410。填充层200可以布置在颜色控制构件100a与封装构件300之间。阻光构件350可以进一步布置在封装构件300与填充层200之间。阻光构件350可以设置成与颜色控制构件100a的阻光区域BA对应。阻光构件350可以具有包括黑色或白色的各种颜色。在阻光构件350是黑色的情况下，阻光构件350可以包括黑矩阵。在阻光构件350是白色的情况下，阻光构件350可以包括诸如白色树脂的有机绝缘材料。阻光构件350可以包括诸如CrOx或MoOx的不透明无机绝缘材料或包括诸如黑色树脂的不透明有机绝缘材料。
阻光构件350可以防止从显示元件发射的光的一部分入射到相邻像素区域的颜色转换层或透射层。因此，根据实施方式，因为防止了像素区域之间的颜色混合，所以改进了颜色一致性和颜色再现性并且改进了光效率，并且因此，可以减少功耗。
参考图3A至图3C描述颜色控制构件100a。颜色控制构件100a可以接收入射光Lib并发射第一颜色的光Lr、第二颜色的光Lg、第三颜色的光Lb。颜色控制构件100a可以包括基板110、滤色器层120、第一颜色转换层160a和第二颜色转换层160b。
基板110可以包括彼此隔开的第一像素区域PA1和第二像素区域PA2以及在第一像素区域PA1与第二像素区域PA2之间的阻光区域BA。第一颜色转换层160a可以布置在第一像素区域PA1中，并且将入射光Lib转换为第一颜色的光Lr。第二颜色转换层160b可以布置在第二像素区域PA2中，并且将入射光Lib转换为第二颜色的光Lg。
颜色控制构件100a可以进一步包括透射层170。基板110可以进一步包括与第一像素区域PA1和第二像素区域PA2隔开的第三像素区域PA3。透射层170可以布置在第三像素区域PA3中，并且可以透射入射光Lib。
图3A中所显示的相应像素区域PA1、PA2和PA3的布置被提供为示例，并且实施方式不限于此。第一至第三像素区域PA1、PA2和PA3可以以各种构造布置，第一至第三像素区域PA1、PA2和PA3对应于显示装置1的像素的布置。
第一颜色的光Lr可以是红光，第二颜色的光Lg可以是绿光，并且第三颜色的光Lb可以是蓝光。红光可以是具有约580nm或更大且小于约750nm的峰值波长的光。绿光可以是具有约495nm或更大且小于约580nm的峰值波长的光。蓝光可以是具有约400nm或更大且小于约495nm的峰值波长的光。入射光Lib可以是第三颜色的光。
基板110可以是透明的基板，其中可以通过第一像素区域PA1和第二像素区域PA2发射分别第一颜色和第二颜色的光Lr和光Lg，光Lr和光Lg分别从第一颜色转换层160a和第二颜色转换层160b发射。第三颜色的光Lb可以通过基板110的第三像素区域PA3发射。
基板110的一个或多个性能可以没有特别限制。例如，基板110可以包括诸如玻璃、塑料和晶体的绝缘材料。可以通过考虑机械强度、热稳定性、透明度、表面平坦度、处理便利性、防水性能等来选择基板110。
滤色器层120可以包括包含染料或颜料的有机材料图案。滤色器层120可以包括第一滤色器层120a、第二滤色器层120b和第三滤色器层120c。第一滤色器层120a可以至少布置在第一像素区域PA1中，第二滤色器层120b可以至少布置在第二像素区域PA2中，并且第三滤色器层120c可以至少布置在第三像素区域PA3中。第一滤色器层120a可以选择性地仅透射第一颜色的光Lr，第二滤色器层120b可以选择性地仅透射第二颜色的光Lg，并且第三滤色器层120c可以选择性地仅透射第三颜色的光Lb。
第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170各自可以通过使用喷墨方法形成在由隔壁180界定的凹形空间中。
第一颜色转换层160a与第一像素区域PA1中的第一滤色器层120a重叠，将入射光Lib转换为第一颜色的光Lr，并且朝向基板110发射光Lr。第一颜色转换层160a可以包括第一量子点，第一量子点被入射光Lib激发并且发射具有大于入射光Lib的波长的波长的第一颜色的光Lr。
第二颜色转换层160b可以与第二像素区域PA2中的第二滤色器层120b重叠，将入射光Lib转换为第二颜色的光Lg，并且朝向基板110发射光Lg。第二颜色转换层160b可以包括第二量子点，第二量子点被入射光Lib激发并且发射具有大于入射光Lib的波长的波长的第二颜色的光Lg。
透射层170可以与第三像素区域PA3中的第三滤色器层120c重叠，透射第三颜色的光Lb，并且朝向基板110发射光Lb。
隔壁180可以至少被提供在阻光区域BA中。隔壁180可以围绕第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170的外周或包围第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170。隔壁180可以设置在第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170之间。隔壁180可以包括界面层130，并且通过隔壁180限定气隙AG。气隙AG可以是腔。气隙AG可以被界面层130覆盖或包围。气隙AG可以在隔壁180中形成为内腔。隔壁180可以由界面层130界定。隔壁180在横截面图中可以具有梯形形状。隔壁180可以在z方向上逐渐缩小。隔壁180在横截面图中可以具有正向锥形形状，使得隔壁180的宽度随着远离基板110而减小。例如，隔壁180可以形成为设置在相邻的第一颜色转换层160a与第二颜色转换层160b之间的界面层130的相对部分。
界面层130可以提供用于形成隔壁180的支撑结构，并且可以形成隔壁180的侧表面和顶表面以界定隔壁180。界面层130可以包括第一部分131和第二部分132，第一部分131是隔壁180的侧表面，并且第二部分132是隔壁180的顶表面。第一部分131可以具有相对于基板110倾斜预定角度的形状。第一部分131可以具有倒锥形的横截面形状，该倒锥形具有远离基板110而增加的宽度。第一部分131与基板110之间的角度可以小于约90°。第一部分131可以设置在阻光区域BA中，并且在第一颜色转换层160a与第二颜色转换层160b之间、在第二颜色转换层160b与透射层170之间以及在透射层170与第一颜色转换层160a之间。气隙AG形成在阻光区域BA中面向彼此的一对第一部分131之间。第二部分132可以设置在阻光区域BA中，并且在第三方向(即，z方向)上与基板110间隔预定间距。第二部分132可以从第一部分131的远离基板110的一侧延伸，并且可以连接到第一部分131。第二部分132可以包括通孔TH。
界面层130可以进一步包括布置在像素区域PA中的第三部分133。第三部分133可以设置在滤色器层120与第一颜色转换层160a之间、在滤色器层120与第二颜色转换层160b之间以及在滤色器层120与透射层170之间。第一部分131可以将第二部分132连接到第三部分133。第一至第三部分131、132和133可以连续地延伸以构成界面层130。
界面层130可以包括包含诸如硅氮化物(SiNx)和/或硅氧化物(SiOx)的无机材料的单个无机层。
隔壁180可以进一步包括反射层140。反射层140可以被提供在界面层130上。反射层140可以防止从显示元件430(如图7B所示)发射的颜色光入射到相邻像素区域的颜色转换层或透射层。反射层140可以防止从第一颜色转换层160a发射的第一颜色的光Lr照射到第二颜色转换层160b或透射层170，防止从第二颜色转换层160b发射的第二颜色的光Lg照射到第一颜色转换层160a或透射层170，或者防止从透射层170发射的第三颜色的光Lb照射到第一颜色转换层160a或第二颜色转换层160b。
反射层140可以包括包含具有高光反射率的金属的单个金属层。金属层可以包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、它们的合金以及它们的化合物中的至少一种。例如，反射层140可以包括Ag。在另一实施方式中，反射层140可以具有其中多个层连续地堆叠的多层结构。连续地堆叠的层中的至少一个可以包括金属层。例如，反射层140可以包括连续地堆叠的金属氧化物层和金属层。金属氧化物层可以包括AlOx、CrOx、MoOx、TiOx、AlNdOx、CuMoOx、MoTaOx和MoTiOx中的至少一种。
反射层140可以包括第一部分141和第二部分142，第一部分141被提供在界面层130的第一部分131上，并且第二部分142被提供在界面层130的第二部分132上。即，第一部分141可以具有相对于基板110倾斜预定角度的形状。第一部分141可以具有倒锥形的横截面形状，该倒锥形具有远离基板110而增加的宽度。第二部分142可以位于阻光区域BA中，并且可以在第三方向(即，z方向)上与基板110隔开预定间距。第二部分142可以从第一部分141的远离基板110的一侧延伸，并且可以连接到第一部分141。第二部分142可以包括通孔TH。反射层140的通孔TH可以与界面层130的通孔TH重叠。界面层130的通孔TH和反射层140的通孔TH可以被提供为在第二方向(即，y方向)上相对于彼此具有预定间距的孔。反射层140的第一部分141的一部分可以在界面层130的第三部分133上延伸。在另一实施方式中，反射层140的第一部分141可以不在界面层130的第三部分133上延伸。
图3B显示了在彼此不同的像素区域(例如，在图3A中的第一方向(x方向)上的像素区域)之间的隔壁180、界面层130的通孔TH以及反射层140的通孔TH。尽管未显示，但相同的像素区域(例如，在图3A中的第二方向(即，y方向)上的像素区域)之间的隔壁、界面层和反射层也可以具有与上述隔壁180、界面层130和反射层140的构造相同的构造。
第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170可以形成在作为由隔壁180限定的凹形空间的沟槽TC内部。
颜色控制构件100a可以进一步包括布置在第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170上并且提供平坦的顶表面的平坦化层190。平坦化层190可以布置在基板110上方，以便覆盖第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170。平坦化层190可以是透明的，使得多束入射光Lib照射到第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170。平坦化层190可以包括包含诸如硅氮化物(SiNx)和/或硅氧化物(SiOx)的无机材料的单层或多层。在另一实施方式中，平坦化层190可以包括诸如聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂和抗蚀剂材料的透明有机材料。平坦化层190可以通过诸如狭缝涂布法和旋转涂布法的湿法工艺以及诸如化学气相沉积和真空沉积的干法工艺形成。其他材料和形成方法也可以实施。可以省略平坦化层190。
图4是根据另一实施方式的沿着图1的线I-I'截取的颜色控制构件100a'的示意性横截面图。图5A是图4的颜色控制构件100a'的一部分的透视图，并且图5B是沿着图5A的线III-III'截取的颜色控制构件100a'的示意性横截面图。
根据图4中所显示的实施方式的颜色控制构件100a'与图2中所显示的颜色控制部件100a的不同之处在于，颜色控制构件100a'进一步包括阻光构件150。
参考图4、图5A和图5B，颜色控制构件100a'可以进一步包括在气隙AG内部的阻光构件150。阻光构件150可以布置在阻光区域BA中，并且布置在界面层130与基板110之间，即，在界面层130与滤色器层120之间。阻光构件150可以直接接触滤色器层120。
当光通过阻光区域BA发射时，在显示装置1中可能发生漏光。阻光构件150可以防止光通过阻光区域BA发射到外部，并且因此防止漏光发生。阻光构件150可以具有包括黑色或白色的各种颜色。在阻光构件150是黑色的情况下，阻光构件150可以包括黑矩阵。在阻光构件150是白色的情况下，阻光构件150可以包括诸如白色树脂的有机绝缘材料。阻光构件150可以包括诸如CrOx或MoOx的不透明无机绝缘材料或包括诸如黑色树脂的不透明有机绝缘材料。
图6是根据实施方式的颜色控制构件的第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170的放大的示意性横截面图。
参考图6，第一颜色转换层160a可以将蓝色入射光Lib转换为第一颜色的光Lr。第一颜色转换层160a可以包括其中分散有第一量子点162a和第一散射颗粒163a的第一光敏聚合物161a。
第一量子点162a可以被蓝色入射光Lib激发，并且可以以各向同性的方式发射具有大于蓝光的波长的波长的第一颜色的光Lr。第一光敏聚合物161a可以包括具有光透射性能的有机材料。第一散射颗粒163a可以散射未被第一量子点162a吸收的蓝色入射光Lib，并且允许更多的第一量子点162a被激发，从而增加第一颜色转换层160a的颜色转换效率。第一散射颗粒163a可以包括例如氧化钛(TiO2)或金属颗粒。第一量子点162a的核可以包括第II-VI族化合物、第III-V族化合物、第IV-VI族化合物、第IV族元素、第IV族化合物或它们的组合。
第二颜色转换层160b可以将蓝色入射光Lib转换为第二颜色的光Lg。第二颜色转换层160b可以包括其中分散有第二量子点162b和第二散射颗粒163b的第二光敏聚合物161b。
第二量子点162b可以被蓝色入射光Lib激发，并且可以以各向同性的方式发射具有大于蓝光的波长的波长的第二颜色的光Lg。第二光敏聚合物161b可以包括具有光透射性能的有机材料，并且包括与第一光敏聚合物161a的材料相同的材料。第二散射颗粒163b可以散射未被第二量子点162b吸收的蓝色入射光Lib，并且允许更多的第二量子点162b被激发，从而增加第二颜色转换层160b的颜色转换效率。第二散射颗粒163b可以包括例如氧化钛(TiO2)或金属颗粒，并且包括与第一散射颗粒163a的材料相同的材料。第二量子点162b的核可以包括第II-VI族化合物、第III-V族化合物、第IV-VI族化合物、第IV族元素、第IV族化合物或它们的组合。第二量子点162b可以包括与第一量子点162a的材料相同的材料。在这种情况下，第二量子点162b的尺寸可以小于第一量子点162a的尺寸。
透射层170可以透射蓝色入射光Lib并且向基板110的方向发射蓝色入射光Lib。透射层170可以包括其中分散有第三散射颗粒173的第三光敏聚合物171。第三光敏聚合物171可以包括具有光透射性能的有机材料，例如硅树脂和环氧树脂，并且包括与第一光敏聚合物161a和第二光敏聚合物161b的材料相同的材料。第三散射颗粒173可以散射蓝色入射光Lib并且发射蓝色入射光Lib，并且可以包括与第一散射颗粒163a和第二散射颗粒163b的材料相同的材料。
第II-VI族化合物可以包括下述中的一种：包括CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS以及它们的混合物的二元素化合物；包括AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS以及它们的混合物的三元素化合物；以及包括HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe以及它们的混合物的四元素化合物。
第III-V族化合物可以包括下述中的一种：包括GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb以及它们的混合物的二元素化合物；包括GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb以及它们的混合物的三元素化合物；以及包括GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、GaAlNP以及它们的混合物的四元素化合物。
第IV-VI族化合物可以包括下述中的一种：包括SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe以及它们的混合物的二元素化合物；包括SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe以及它们的混合物的三元素化合物；以及包括SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe以及它们的混合物的四元素化合物。第IV族元素可以包括Si、Ge以及它们的混合物中的一种。第IV族化合物可以包括包含SiC、SiGe以及它们的混合物中的一种的二元素化合物。
二元素化合物、三元素化合物或四元素化合物可以以均匀的浓度在颗粒内部，也可以被划分为其浓度分布部分地不同且存在于相同颗粒内部的状态。此外，量子点可以包括其中一个量子点包围另一量子点的核/壳结构。核与壳之间的界面可以具有其中壳中的元素的浓度朝向界面的中心减少的浓度梯度。
在实施方式中，量子点可以包括核-壳结构，该核-壳结构包括包含纳米晶体的核以及包围核的壳。量子点的壳可以用作用于通过防止核的化学变性来保持半导体特性的保护层和/或用作用于给予量子点电泳特性的充电层。壳可以具有单层或多层。核与壳之间的界面可以具有其中壳中的元素的浓度朝向界面的(同上)中心减少的浓度梯度。量子点的壳的示例可以包括金属或非金属的氧化物、半导体化合物或它们的组合。
例如，尽管金属或非金属的氧化物可以包括诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和NiO的二元素化合物或诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和CoMn2O4的三元素化合物，但实施方式不限于此。
此外，半导体化合物可以包括例如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP和AlSb，实施方式不限于此。
量子点可以具有约45nm或更小，优选地约40nm或更小，更优选地约30nm或更小的光发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)，并且在该范围内可以改进颜色饱和度或颜色再现性。此外，因为通过该量子点发射的光在所有方向上发射，所以可以改进宽视角。此外，量子点的形状可以是相关领域中通常使用的形状，并且没有特别限制。具体地，作为量子点的形状，可以使用球形量子点、锥体形量子点、多臂形量子点或立方纳米颗粒、纳米管形量子点、纳米线形量子点、纳米纤维形量子点和纳米板形颗粒。量子点可以根据其颗粒的尺寸来调节发射的光的颜色。因此，量子点可以具有诸如蓝色、红色和绿色的各种发光颜色。
图7A是图2的像素层的一部分的平面图，并且图7B是沿着图7A的线IV-IV'截取的像素层的横截面图。在下文中，参考图7A和图7B描述像素层450。
基板410上的像素层450可以布置在显示装置1的显示区域DA中。多个像素可以在第一方向(x方向，行方向)和第二方向(y方向，列方向)上以预定图案布置在像素层450中。多个像素可以包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的尺寸或面积可以彼此不同。
图7A中所显示的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的布置被提供为示例，并且实施方式不限于此。例如，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以以Z字形的形式布置。
基板410可以包括诸如玻璃材料、金属材料和有机材料的材料。例如，基板410可以包括含有SiO2作为主要组分的玻璃材料，或者包括各种柔性或可弯曲材料，例如诸如增强塑料的树脂。尽管未显示，但基板410可以包括非显示区域NDA的一部分中的弯曲区域，基板410是弯曲的。
第一像素PX1可以包括显示元件430以及控制显示元件430的第一像素电路420a。第二像素PX2可以包括显示元件430以及控制显示元件430的第二像素电路420b。第三像素PX3可以包括显示元件430以及控制显示元件430的第三像素电路420c。
第一至第三像素PX1、PX2和PX3分别的第一至第三像素电路420a、420b和420c可以布置在像素电路层420中。第一至第三像素PX1、PX2和PX3各自可以包括多个薄膜晶体管和至少一个电容器。除了第一至第三像素电路420a、420b和420c之外，信号线和电力线可以布置在像素电路层420中，信号线和电力线传递施加到第一至第三像素PX1、PX2和PX3的信号和驱动电力。薄膜晶体管各自可以包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极。半导体层可以包括非晶硅或多晶硅。半导体层可以包括氧化物半导体。半导体层可以包括源区、漏区以及源区与漏区之间的沟道区。显示元件430可以被提供在像素电路层420上。
显示元件430可以包括有机发光二极管OLED。显示元件430可以发射第三颜色的光，例如蓝光，该光具有由第一至第三像素电路420a、420b和420c控制的光的量。第一至第三像素电路420a、420b和420c各自可以布置在作为显示元件430下方的下层的像素电路层420中，并且可以与显示元件430部分地重叠或部分地不重叠。
显示元件430可以布置成与颜色控制构件100a或100a'的像素区域PA对应。第一像素PX1的显示元件430可以布置成与颜色控制构件100a或100a'的第一像素区域PA1对应。第二像素PX2的显示元件430可以布置成与颜色控制构件100a或100a'的第二像素区域PA2对应。第三像素PX3的显示元件430可以布置成与颜色控制构件100a或100a'的第三像素区域PA3对应。
至少一个绝缘层可以布置在第一至第三像素电路420a、420b和420c与显示元件430之间。显示元件430可以包括像素电极431、中间层433和对电极435。
像素电极431可以连接到薄膜晶体管的源电极或漏电极。像素电极431的一部分可以通过像素限定层437的开口被暴露，并且像素电极431的边缘可以被像素限定层437覆盖。像素限定层437可以布置成与颜色控制构件100a或100a'的阻光区域BA对应。像素限定层437可以包围第一至第三像素PX1、PX2和PX3，并且可以位于显示元件430之间。即，与颜色控制构件100a或100a'的像素区域PA和阻光区域BA对应的区可以分别是基板410的像素区域和阻光区域。
中间层433可以布置在像素电极431的由像素限定层437暴露的一部分上。中间层433可以包括有机发射层，该有机发射层包括低分子量有机材料或聚合物有机材料。中间层433可以选择性地进一步包括诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的功能层。
对电极435可以覆盖中间层433和像素限定层437。对电极435可以包括透明或半透明电极。例如，对电极435可以包括具有小的功函数的金属薄层。对电极435可以包括透明导电氧化物(TCO)。
封装构件300可以布置在显示元件430上。封装构件300可以覆盖对电极435，并且可以布置在基板410的整个表面上方。封装构件300可以包括薄膜封装层。薄膜封装层可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施方式中，薄膜封装层可以具有其中第一无机封装层/有机封装层/第二无机封装层堆叠的结构。
图8A至图8J是用于解释根据实施方式的制造颜色控制构件100a'的工艺的示意性横截面图。图8A至图8J显示了与图4中所显示的颜色控制构件100a'对应的横截面。
参考图8A，滤色器层120可以布置在其中限定有像素区域PA和阻光区域BA的基板110上。滤色器层120可以包括各自选择性地仅透射具有预定波长的光的第一至第三滤色器层120a、120b和120c。
滤色器层120可以通过重复地进行下述工艺来形成：在基板110上涂布颜色光刻胶并且然后通过选择性地刻蚀颜色光刻胶来图案化颜色光刻胶。例如，第一滤色器层120a可以通过涂布第一颜色光刻胶并且然后刻蚀第一颜色光刻胶来形成，第二滤色器层120b可以通过涂布第二颜色光刻胶并且然后刻蚀第二颜色光刻胶来形成，并且第三滤色器层120c可以通过涂布第三颜色光刻胶并且然后刻蚀第三颜色光刻胶来形成。形成第一至第三滤色器层120a、120b和120c的顺序没有限制。
参考图8B，牺牲图案115可以形成在滤色器层120上。牺牲图案115可以包括光敏有机材料。例如，牺牲图案115可以通过使用诸如狭缝涂布法和旋转涂布法的方法在基板110的整个表面上涂布光敏有机材料并且然后通过光刻工艺形成开口OP来形成。牺牲图案115可以形成在基板110的阻光区域BA中，并且像素区域PA中的滤色器层120可以通过开口OP被暴露。
牺牲图案115的侧壁可以是倾斜的。牺牲图案115的横截面可以具有锥形形状，该锥形形状具有远离基板110而减少的宽度。开口OP可以具有远离基板110而增加的宽度。
参考图8C，第一材料层130'和第二材料层140'可以顺序地形成在基板110上方，第一材料层130'和第二材料层140'覆盖牺牲图案115。第一材料层130'可以包括硅氮化物(SiNx)和/或硅氧化物(SiOx)。第二材料层140'可以包括具有反光特性的材料，例如金属。
参考图8D，第二材料层140'的一部分被移除，并且可以形成反射层140。反射层140可以通过在第二材料层140'上涂布光敏有机材料并且然后进行光刻工艺来形成。第一材料层130'的与像素区域PA对应的一部分可以通过反射层140被暴露。通孔TH可以形成在反射层140中，通孔TH暴露牺牲图案115上的第一材料层130'的一部分。第二材料层140'的一部分可以通过湿法刻蚀或干法刻蚀被移除。
参考图8E，第一材料层130'的一部分可以被移除，并且可以形成包括通孔TH的界面层130。第一材料层130'的被反射层140的通孔TH暴露的一部分可以通过使用反射层140作为掩模被移除。界面层130的通孔TH可以与反射层140的通孔TH对齐。
牺牲图案115可以通过界面层130和反射层140的通孔TH暴露于外部。牺牲图案115可以通过界面层130和反射层140的通孔TH被移除。界面层130和滤色器层120可以形成由界面层130和滤色器层120的表面限定的空间。该空间可以是隔壁180的气隙AG。
反射层140上的光敏有机材料的光敏图案，以及牺牲图案115可以被顺序地移除。光敏图案和牺牲图案115可以通过剥离方法被移除。
界面层130和反射层140可以被提供在开口OP内部。界面层130可以覆盖开口OP的底表面和侧表面，并且反射层140可以覆盖开口OP的侧表面。因此，可以形成与像素区域PA对应的沟槽TC，沟槽TC由界面层130和反射层140界定。如图8E中所显示，沟槽TC可以具有远离基板110而增加的宽度。
尽管在图8E中显示了界面层130包括与像素区域PA对应的第三部分133，但在另一实施方式中，如图8F中所显示，界面层130的与像素区域PA对应的第三部分133可以被移除，并且因此界面层130和反射层140可以具有相同的图案。在图8F中所显示的结构中，暴露滤色器层120并且包括通孔TH的界面层130可以通过使用反射层140作为掩模移除第一材料层130'的一部分来形成。
参考图8G，阻光材料层150'可以形成在基板110上方。阻光材料层150'可以通过界面层130和反射层140的通孔TH填充气隙AG，并且可以覆盖反射层140和沟槽TC。阻光材料层150'可以包括溶解在随后的显影工艺期间使用的显影溶液中的材料。
参考图8H，阻光构件150可以通过仅将阻光材料层150'的一部分留在气隙AG的内部并移除阻光材料层150'的其余部分而形成在阻光区域BA中。因为阻光材料层150'的材料通过界面层130和反射层140的通孔TH提供，所以隔壁180外部的阻光材料层150'可以被移除，并且气隙AG内部的阻光材料层150'的一部分可以保留。实施方式可以通过使用显影溶液而不使用使用掩模的光刻工艺选择性地移除阻光材料层150'的一部分。阻光构件150可以具有约0.5μm至约0.7μm的范围的厚度。
在另一实施方式中，光敏有机材料被涂布在阻光材料层150'上，并且然后可以通过进行光刻工艺仅移除隔壁180外部的阻光材料层150'。因为气隙AG内部的阻光材料层150'未被移除并且可以保留，所以阻光构件150可以填充气隙AG的大部分，并且可以形成预定空间使得在液滴可以被涂布在沟槽TC内部的同时允许液滴溢流到通孔TH中，以便形成第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170。
阻光构件150可以设置在滤色器层120与隔壁180之间。如图2中所显示，当制造不包括阻光构件150的颜色控制构件100a时，可以省略图8G和图8H的工艺。
参考图8I及其常规喷墨涂布工艺的描绘，第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170可以形成为与沟槽TC重叠。第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170可以通过喷墨涂布法来形成。通过喷墨涂布法涂布在沟槽TC内部的液滴可以被涂布到隔壁180的高度T或更高。因此，在常规工艺中，这种液滴可以流溢到代表其他颜色的像素区域，并且因此可能发生颜色混合。相反，根据实施方式，因为流溢到隔壁180的上部分的液滴可以通过界面层130和反射层140的通孔TH流到气隙AG中，所以液滴可以不流到相邻的沟槽TC。因此，可以防止当液滴流溢到代表其他颜色的像素区域时发生的颜色混合。如图8J中所显示，可以将沟槽TC内部的液滴干燥并且形成到与从滤色器层120的顶表面到反射层140的顶表面的高度T'基本相同的高度。
第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170可以根据预先确定的顺序形成在预先确定的位置处。因为第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170可以通过喷墨涂布法来形成，所以不需要光学工艺。因此，在使用喷墨涂布法的情况下可以减少制造成本。
参考图8J，平坦化层190可以进一步形成在基板110上方。平坦化层190可以形成在第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b、透射层170和反射层140上。平坦化层190可以包括具有高粘度的有机材料，使得平坦化层190可以不通过通孔TH流到气隙AG中。
如图9中所显示，颜色控制构件100a'可以耦接在其上布置有阻光构件350的封装构件300上方。填充层200可以形成在颜色控制构件100a'与封装构件300之间。填充层200可以包括例如光固化环氧类材料和丙烯酸酯类材料中的至少一种，并且实施方式不限于此。图9是根据实施方式的在颜色控制构件100a'与底部基板410之间进行耦接的示意性横截面图。
图10和图11是根据另一实施方式的沿着图1的线I-I'截取的显示装置的示意性横截面图。图10和图11的实施方式与图2和图4的实施方式的不同之处在于，封装构件300形成在基板410上方，并且随后，颜色控制构件100b或100b'形成在封装构件300上。
参考图10，显示装置1可以包括在第三方向(即，z方向)上顺序地堆叠的基板410、封装构件300以及封装构件300上的颜色控制构件100b。封装构件300可以密封基板410的表面。
像素层450可以布置在基板410上。如图7A和图7B中所显示，像素可以以预定图案布置在像素层450中。像素可以对应于颜色控制构件100b的像素区域PA。像素可以包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。封装构件300可以布置在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3上方。封装构件300可以覆盖第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3，并且可以布置在基板410的整个表面上方。封装构件300可以包括薄膜封装层。颜色控制构件100b可以布置在封装构件300上。
颜色控制构件100b可以接收来自第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的入射光Lib，并且可以发射第一颜色的光Lr、第二颜色的光Lg和第三颜色的光Lb。入射光Lib可以包括第三颜色的光Lb。
如图3A中所显示，颜色控制构件100b可以被划分为像素区域PA和阻光区域BA。像素区域PA可以被划分为第一像素区域PA1、第二像素区域PA2和第三像素区域PA3。
颜色控制构件100b可以包括第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170。第一颜色转换层160a可以布置在第一像素区域PA1中，将入射光Lib转换为第一颜色的光Lr，并且朝向滤色器层120发射光Lr。第二颜色转换层160b可以布置在第二像素区域PA2中，将入射光Lib转换为第二颜色的光Lg，并且朝向滤色器层120发射光Lg。透射层170可以布置在第三像素区域PA3中，透射第三颜色的光Lb，并且朝向滤色器层120发射光Lb。
如图3B和图3C中所显示，隔壁180可以设置在第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170之间。隔壁180可以至少被提供在阻光区域BA中并且可以包括气隙AG。气隙AG可以被界面层130包围并且可以是隔壁180的内腔。界面层130可以提供用于形成隔壁180的支撑结构，并且可以形成隔壁180的侧表面和顶表面以界定隔壁180。气隙AG可以是由封装构件300和界面层130形成的空的空间。
界面层130可以包括第一部分131和第二部分132，第一部分131是隔壁180的侧表面，并且第二部分132是隔壁180的顶表面。第一部分131可以设置在阻光区域BA中，并且在第一颜色转换层160a与第二颜色转换层160b之间、在第二颜色转换层160b与透射层170之间以及在透射层170与第一颜色转换层160a之间。第二部分132可以设置在阻光区域BA中，并且在第三方向(即，z方向)上与基板410间隔预定间距。第二部分132可以从第一部分131的远离基板410的一侧延伸，并且可以连接到第一部分131。第二部分132可以包括通孔TH。
界面层130可以进一步包括布置在像素区域PA中的第三部分133。第三部分133可以设置在封装构件300与第一颜色转换层160a之间、在封装构件300与第二颜色转换层160b之间以及在封装构件300与透射层170之间。第一部分131可以将第二部分132连接到第三部分133。第一至第三部分131、132和133可以连续地延伸以构成界面层130。
反射层140可以进一步被提供在界面层130上。反射层140可以包括第一部分141和第二部分142，第一部分141被提供在界面层130的第一部分131上，并且第二部分142被提供在界面层130的第二部分132上。第二部分142可以从第一部分141的远离基板410的一侧延伸，并且可以连接到第一部分141。第二部分142可以包括通孔TH。反射层140的通孔TH可以与界面层130的通孔TH重叠。界面层130的通孔TH和反射层140的通孔TH可以被提供为在第二方向(即，y方向)上相对于彼此具有预定间距的孔。反射层140的第一部分141的一部分可以在界面层130的第三部分133上延伸。在另一实施方式中，反射层140的第一部分141可以不在界面层130的第三部分133上延伸。
颜色控制构件100b可以进一步包括第一颜色转换层160a上的第一滤色器层120a、第二颜色转换层160b上的第二滤色器层120b以及透射层170上的第三滤色器层120c。颜色控制构件100b可以进一步包括布置在滤色器层120上的平坦化层190。
在另一实施方式中，如图11中所显示，颜色控制构件100b'可以进一步包括气隙AG内部的阻光构件150。阻光构件150可以设置在阻光区域BA中，并且位于隔壁180与封装构件300之间。阻光构件150可以直接接触封装构件300。
图12A至图12J是用于解释根据实施方式的制造颜色控制构件的工艺的示意性横截面图。图12A至图12J是用于解释制造图11中所显示的颜色控制构件的工艺的示意性横截面图。
参考图12A，牺牲图案115可以形成在封装构件300上。牺牲图案115可以包括光敏有机材料。例如，牺牲图案115可以通过使用诸如狭缝涂布法和旋转涂布法的方法在封装构件300的整个表面上涂布光敏有机材料并且然后通过光刻工艺形成开口OP来形成。牺牲图案115可以形成在阻光区域BA中，并且像素区域PA中的封装构件300可以通过开口OP被暴露。
牺牲图案115的侧壁可以是倾斜的。当在横截面中观察时，牺牲图案115的形状可以具有锥形，该锥形具有远离封装构件300而减少的宽度。开口OP的宽度可以远离封装构件300而增加。
像素层450可以布置在基板410与封装构件300之间。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以布置在像素层450中。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3分别的第一至第三像素电路420a、420b和420c可以布置在像素电路层420中。显示元件430可以被提供在像素电路层420上。显示元件430可以包括有机发光二极管OLED。显示元件430可以发射第三颜色的光，例如蓝光，该光具有由第一至第三像素电路420a、420b和420c控制的光的量。第一至第三像素电路420a、420b和420c各自可以与显示元件430部分地重叠或部分地不重叠。
显示元件430可以布置成与颜色控制构件100b'的像素区域PA对应。显示元件430可以包括像素电极431、中间层433和对电极435。像素电极431的一部分可以通过像素限定层437的开口被暴露，并且像素电极431的边缘可以被像素限定层437覆盖。像素限定层437可以布置成与颜色控制构件100b'的阻光区域BA对应。封装构件300可以布置在显示元件430上。封装构件300可以包括薄膜封装层。
参考图12B，第一材料层130'和第二材料层140'可以顺序地形成在封装构件300上。第一材料层130'和第二材料层140'可以覆盖牺牲图案115。
参考图12C，第二材料层140'的一部分可以被移除，并且可以形成反射层140。反射层140可以暴露像素区域PA中的第一材料层130'。通孔TH可以形成在反射层140中。通孔TH可以暴露牺牲图案115上的第一材料层130'的一部分。
参考图12D，第一材料层130'的一部分可以被移除，并且可以形成包括通孔TH的界面层130。第一材料层130'的被反射层140的通孔TH暴露的一部分可以通过使用反射层140作为掩模被移除。界面层130的通孔TH可以与反射层140的通孔TH对齐。
牺牲图案115可以通过界面层130和反射层140的通孔TH暴露于外部。牺牲图案115可以通过界面层130和反射层140的通孔TH被移除。界面层130和封装构件300可以形成由界面层130和封装构件300的表面限定的空间。该空间可以是隔壁180的气隙AG。
反射层140上的光敏有机材料的光敏图案，以及牺牲图案115可以被顺序地移除。光敏图案和牺牲图案115可以通过剥离方法被移除。
界面层130和反射层140可以被提供在开口OP内部，界面层130覆盖开口OP的底表面和侧表面，并且反射层140覆盖开口OP的侧表面。因此，可以形成与像素区域PA对应的沟槽TC，沟槽TC由界面层130和反射层140界定。如图12D中所显示，沟槽TC可以具有远离基板410而增加的宽度。
在另一实施方式中，如图12E中所显示，界面层130的与像素区域PA对应的第三部分133可以被移除，并且因此界面层130和反射层140可以具有相同的图案。在图12C中所显示的结构中，界面层130可以通过通孔TH暴露封装构件300，并且可以通过使用反射层140作为掩模移除第一材料层130'的一部分来形成。
参考图12F，阻光材料层150'可以形成在基板410上方。阻光材料层150'可以通过界面层130和反射层140的通孔TH填充气隙AG，并且可以覆盖反射层140和沟槽TC。
参考图12G，阻光构件150可以通过仅将阻光材料层150'的一部分留在气隙AG中并移除阻光材料层150'的其余部分而形成在阻光区域BA中。因为阻光材料层150'的材料可以通过界面层130和反射层140的通孔TH提供，所以隔壁180外部的阻光材料层150'可以被移除，并且气隙AG内部的阻光材料层150'的一部分可以保留。
阻光构件150可以设置在封装构件300与隔壁180之间。如图10中所显示，当制造不包括阻光构件150的颜色控制构件100b时，可以省略图12F和图12G的工艺。
参考图12H，可以形成各自掩埋沟槽TC的第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170。第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170可以通过喷墨涂布法来形成。因为液滴可能由于喷墨涂布法而流溢到隔壁180的上部分并且可以通过通孔TH流到气隙AG中，所以液滴可以不流到相邻的沟槽TC。如图12I中所显示，将沟槽TC内部的液滴可以被干燥并且形成到与反射层140的顶表面基本相同的水平处。
参考图12I，可以进一步形成第一颜色转换层160a上的第一滤色器层120a、第二颜色转换层160b上的第二滤色器层120b以及透射层170上的第三滤色器层120c。滤色器层120可以通过重复地进行下述工艺来形成：在基板410上涂布颜色光刻胶并且然后通过选择性地刻蚀颜色光刻胶来图案化颜色光刻胶。
参考图12J，平坦化层190可以进一步形成在滤色器层120上。
图13和图14是根据另一实施方式的沿着图1的线I-I'截取的显示装置的示意性横截面图。图13和图14的实施方式与图2和图4的实施方式的不同之处在于，颜色控制构件100c或100c'形成在基板410上的像素层450上，并且然后形成封装构件300。
参考图13，显示装置1可以包括在第三方向(即，z方向)上顺序地堆叠的基板410、颜色控制构件100c以及颜色控制构件100c上的封装构件300。
像素层450可以布置在基板410上。如图7A和图7B中所显示，像素可以以预定图案布置在像素层450中，并且可以对应于颜色控制构件100c的像素区域PA。像素可以包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。颜色控制构件100c可以布置在像素层450上。
颜色控制构件100c可以接收来自第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的入射光Lib，并且可以发射第一颜色的光Lr、第二颜色的光Lg和第三颜色的光Lb。入射光Lib可以包括第三颜色的光Lb。
如图3A中所显示，颜色控制构件100c可以被划分为像素区域PA和阻光区域BA。像素区域PA可以被划分为第一像素区域PA1、第二像素区域PA2和第三像素区域PA3。
颜色控制构件100c可以包括第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170。第一颜色转换层160a可以布置在第一像素区域PA1中，将入射光Lib转换为第一颜色的光Lr，并且朝向滤色器层120发射光Lr。第二颜色转换层160b可以布置在第二像素区域PA2中，将入射光Lib转换为第二颜色的光Lg，并且朝向滤色器层120发射光Lg。透射层170可以布置在第三像素区域PA3中，透射第三颜色的光Lb，并且朝向滤色器层120发射光Lb。
如图3B和图3C中所显示，隔壁180可以设置在第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170之间。隔壁180可以至少被提供在阻光区域BA中并且可以包括气隙AG。气隙AG可以被界面层130包围并且可以是隔壁180的内腔。界面层130可以提供用于形成隔壁180的支撑结构，并且可以形成隔壁180的侧表面和顶表面以界定隔壁180。气隙AG可以是由对电极435(参见图15D)和界面层130形成的空的空间。
界面层130可以包括第一部分131和第二部分132，第一部分131是隔壁180的侧表面，并且第二部分132是隔壁180的顶表面。第一部分131可以设置在阻光区域BA中，并且在第一颜色转换层160a与第二颜色转换层160b之间、在第二颜色转换层160b与透射层170之间以及在透射层170与第一颜色转换层160a之间。第二部分132可以位于阻光区域BA中，并且在第三方向(z方向)上与像素层450隔开预定间距。第二部分132可以从第一部分131的远离基板410的一侧延伸，并且可以连接到第一部分131。第二部分132可以包括通孔TH。
反射层140可以进一步设置在界面层130上。界面层130可以具有与反射层140的图案相同的图案。反射层140可以包括第一部分141和第二部分142，第一部分141被提供在界面层130的第一部分131上，并且第二部分142被提供在界面层130的第二部分132上。第二部分142可以包括通孔TH。反射层140的通孔TH可以与界面层130的通孔TH重叠。界面层130的通孔TH和反射层140的通孔TH可以被提供为在第二方向(即，y方向)上它们之间具有预定间距的孔。
界面层130的第一部分131的一部分和反射层140的第一部分141的一部分可以在对电极435上延伸，并且因此界面层130的延伸部分可以直接接触对电极435。在另一实施方式中，界面层130的第一部分131和反射层140的第一部分141可以不在对电极435上延伸。
颜色控制构件100c可以进一步包括第一颜色转换层160a上的第一滤色器层120a、第二颜色转换层160b上的第二滤色器层120b以及透射层170上的第三滤色器层120c。
颜色控制构件100c可以进一步包括布置在滤色器层120上的平坦化层190。封装构件300可以布置在平坦化层190上。封装构件300可以覆盖颜色控制构件100c，并且可以布置在基板410的整个表面上。封装构件300可以包括薄膜封装层。在另一实施方式中，可以省略平坦化层190，并且封装构件300可以直接布置在滤色器层120上。
在另一实施方式中，如图14中所显示，颜色控制构件100c'可以进一步包括封装构件300上的阻光构件350。阻光构件350可以位于阻光区域BA中。阻光构件350可以直接接触封装构件300。
图15A至图15H是用于解释根据实施方式的制造颜色控制构件的工艺的横截面图。图15A至图15H是用于解释制造图14中所显示的颜色控制构件的工艺的示意性横截面图。
参考图15A，牺牲图案115可以形成在基板410上方的像素限定层437上方。牺牲图案115可以包括光敏有机材料。例如，牺牲图案115可以通过使用诸如狭缝涂布法和旋转涂布法的方法在对电极435的整个表面上涂布光敏有机材料并且然后通过光刻工艺形成开口OP来形成。牺牲图案115可以形成在阻光区域BA中，并且显示元件430(即，对电极435)的上部分可以通过开口OP被暴露。
牺牲图案115的侧壁可以是倾斜的。当在横截面中观察时，牺牲图案115可以具有锥形形状，并且可以具有远离像素限定层437而减少的宽度。开口OP的宽度可以远离像素限定层437而增加。
第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以布置在像素层450中。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3分别的第一至第三像素电路420a、420b和420c可以布置在像素电路层420中。显示元件430可以被提供在像素电路层420上。显示元件430可以包括有机发光二极管OLED。显示元件430可以发射第三颜色的光，例如蓝光，该光具有由第一至第三像素电路420a、420b和420c控制的光的量。第一至第三像素电路420a、420b和420c各自可以与显示元件430部分地重叠或部分地不重叠。
显示元件430可以布置成与颜色控制构件100c'的像素区域PA对应。显示元件430可以包括像素电极431、中间层433和对电极435。像素电极431的一部分可以通过像素限定层437的开口被暴露，并且像素电极431的边缘可以被像素限定层437覆盖。像素限定层437可以布置成与颜色控制构件100c'的阻光区域BA对应。
参考图15B，第一材料层130'和第二材料层140'可以顺序地形成在对电极435上。第一材料层130'和第二材料层140'可以覆盖牺牲图案115。
参考图15C，第二材料层140'的一部分可以被移除，并且可以形成反射层140。反射层140可以暴露像素区域PA中的第一材料层130'。通孔TH可以形成在反射层140中。通孔TH可以暴露牺牲图案115上的第一材料层130'的一部分。
参考图15D，第一材料层130'的一部分可以被移除，并且可以形成包括通孔TH的界面层130。界面层130可以暴露像素区域PA中的对电极435。界面层130可以通过使用反射层140作为掩模移除第一材料层130'的一部分来形成。界面层130的通孔TH可以与反射层140的通孔TH对齐。
牺牲图案115可以通过界面层130和反射层140的通孔TH暴露于外部。牺牲图案115可以通过界面层130和反射层140的通孔TH被移除。界面层130和对电极435可以形成由界面层130和对电极435的表面限定的空间。该空间可以是隔壁180的气隙AG。
因为形成了界面层130和反射层140，所以可以形成开口OP2，开口OP2暴露像素区域PA中的显示元件430的上部分，即，对电极435的上部分。如图15D中所显示，开口OP2的宽度可以远离基板410而增加。
参考图15E，可以形成各自掩埋开口OP2的第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170。第一颜色转换层160a、第二颜色转换层160b和透射层170可以通过喷墨涂布法来形成。在这种情况下，因为由于喷墨涂布法而溢流到隔壁180的上部分的液滴可以通过通孔TH流到气隙AG中，所以液滴可以不流到相邻的开口OP2。如图15F中所显示，开口OP2内部的液滴可以被干燥并且形成到与反射层140的顶表面基本相同的水平处。
参考图15F，可以进一步形成第一颜色转换层160a上的第一滤色器层120a、第二颜色转换层160b上的第二滤色器层120b以及透射层170上的第三滤色器层120c。滤色器层120可以通过重复地进行下述工艺来形成：在基板410上涂布颜色光刻胶并且然后通过选择性地刻蚀颜色光刻胶来图案化颜色光刻胶。
参考图15G，平坦化层190可以进一步形成在滤色器层120上。
参考图15H，封装构件300可以布置在平坦化层190上。封装构件300可以覆盖颜色控制构件100c'，并且可以布置在基板410的整个表面上。封装构件300可以包括薄膜封装层。
阻光构件350可以设置在封装构件300上。通过在封装构件300上形成阻光材料层，然后仅留下阻光材料层的一部分并移除阻光材料层的其余部分，阻光构件350可以形成在阻光区域BA中。
当隔壁包括有机材料时，需要用于硬化有机材料的高温工艺。根据实施方式的显示装置包括隔壁，该隔壁将气隙限定为隔壁的腔。隔壁的气隙位于颜色控制构件的颜色转换层与透射层之间。因此，因为由于使用隔壁及其气隙，可以省略诸如硬化有机材料的工艺的高温工艺，所以可以防止由于这样的高温工艺导致的对颜色控制构件下面的层(例如滤色器层、显示元件等)的损坏。
根据实施方式的显示装置包括界定隔壁的界面层中的通孔。因此隔壁可以阻挡从相邻的像素区域流溢的颜色转换材料的流入，从而防止相邻的像素区域之间的颜色混合。此外，因为反射层在光透射的方向上设置有界面层，所以可以防止在光透射的方向上光的逃逸和光的颜色的混合。
根据各种实施方式，因为通过相邻的颜色转换层之间的隔壁防止了相邻像素之间的颜色混合，所以可以增加颜色一致率、颜色再现率以及从显示装置发射的光的效率。
应理解，本文中描述的实施方式应仅在描述性意义上考虑而非用于限制的目的。每个实施方式中特征或方面的描述应典型地被认为可用于其他实施方式中其他相似特征或方面。
尽管已经参考图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，可以在不背离如由以下权利要求限定的精神和范围的情况下，对其进行形式和细节上的各种改变。

Claims (27)

1.一种颜色控制构件，包括：
包括多个像素区域的基板，所述多个像素区域包括第一像素区域和第二像素区域；
第一颜色转换层，所述第一颜色转换层将所述第一颜色转换层上的入射光转换为第一颜色的光，所述第一颜色的所述光从所述第一颜色转换层发射并通过所述第一像素区域；
第二颜色转换层，所述第二颜色转换层将所述第二颜色转换层上的入射光转换为第二颜色的光，所述第二颜色的所述光从所述第二颜色转换层发射并通过所述第二像素区域；以及
隔壁，所述隔壁设置在所述基板的阻光区域中，在所述第一颜色转换层与所述第二颜色转换层之间并且限定与所述基板的所述阻光区域对应的气隙。
2.根据权利要求1所述的颜色控制构件，其中，所述隔壁包括包含第一部分和第二部分的界面层，所述第一部分相对于所述基板倾斜预定角度，并且所述第二部分连接到所述第一部分并且在垂直方向上与所述基板间隔预定间距。
3.根据权利要求2所述的颜色控制构件，其中，所述界面层进一步包括：第三部分，所述第三部分设置在所述基板的所述多个像素区域中，并且连接到所述第一部分，所述连接与所述第二部分到所述第一部分的连接相对。
4.根据权利要求2所述的颜色控制构件，其中，所述界面层的所述第二部分包括通孔。
5.根据权利要求2所述的颜色控制构件，其中，所述隔壁进一步包括设置在所述界面层的所述第一部分和所述第二部分中的至少一个上的反射层。
6.根据权利要求5所述的颜色控制构件，其中，所述界面层的所述第二部分包括第一通孔，并且
所述反射层包括设置成与所述界面层的所述第一通孔重叠的第二通孔。
7.根据权利要求1所述的颜色控制构件，进一步包括：
设置在所述基板与所述隔壁之间并且在所述气隙中的阻光构件。
8.根据权利要求1所述的颜色控制构件，进一步包括：
第一滤色器层，所述第一滤色器层设置在所述基板与所述第一颜色转换层之间，并且选择性地透射从所述第一颜色转换层发射的所述第一颜色的所述光；以及
第二滤色器层，所述第二滤色器层设置在所述基板与所述第二颜色转换层之间，并且选择性地透射从所述第二颜色转换层发射的所述第二颜色的所述光。
9.根据权利要求1所述的颜色控制构件，进一步包括：
透射层，所述透射层设置在与所述第一像素区域和所述第二像素区域隔开的第三像素区域中，并且透射所述透射层上的入射光。
10.根据权利要求9所述的颜色控制构件，其中，所述隔壁设置在所述透射层与所述第一颜色转换层之间以及在所述透射层与所述第二颜色转换层之间。
11.一种显示装置，包括：
包括多个像素区域的第一基板，所述多个像素区域包括含第一像素区域和第二像素区域；
第一颜色转换层，所述第一颜色转换层将所述第一颜色转换层上的入射光转换为第一颜色的光，所述第一颜色的所述光从所述第一颜色转换层发射并通过所述第一像素区域；
第二颜色转换层，所述第二颜色转换层将所述第二颜色转换层上的入射光转换为第二颜色的光，所述第二颜色的所述光从所述第二颜色转换层发射并通过所述第二像素区域；
隔壁，所述隔壁设置在所述基板的阻光区域中，在所述第一颜色转换层与所述第二颜色转换层之间并且限定与所述第一基板的所述阻光区域对应的气隙；
面向所述第一基板的第二基板；以及
多个显示元件，所述多个显示元件设置在所述第二基板上，并且包括分别在所述第一颜色转换层和所述第二颜色转换层上发射所述入射光的第一显示元件和第二显示元件。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述隔壁包括包含第一部分和第二部分的界面层，所述第一部分相对于所述第一基板倾斜预定角度，并且所述第二部分连接到所述第一部分并且在垂直方向上与所述第一基板间隔预定间距。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述界面层进一步包括：第三部分，所述第三部分设置在所述第一基板的所述多个像素区域中，并且连接到所述第一部分，所述连接与所述第二部分到所述第一部分的连接相对。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述界面层的所述第二部分包括通孔。
15.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述隔壁进一步包括设置在所述界面层的所述第一部分和所述第二部分中的至少一个上的反射层。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述界面层的所述第二部分包括第一通孔，并且
所述反射层包括设置成与所述界面层的所述第一通孔重叠的第二通孔。
17.根据权利要求11所述的显示装置，进一步包括：
设置在所述第一基板与所述隔壁之间并且在所述气隙中的阻光构件。
18.根据权利要求11所述的显示装置，进一步包括：
第一滤色器层，所述第一滤色器层设置在所述第一颜色转换层上，并且选择性地透射从所述第一颜色转换层发射的所述第一颜色的所述光；以及
第二滤色器层，所述第二滤色器层设置在所述第二颜色转换层上，并且选择性地透射从所述第二颜色转换层发射的所述第二颜色的所述光。
19.一种显示装置，包括：
基板；
设置在所述基板上并且各自发射光的第一显示元件和第二显示元件；
设置在所述基板上并且围绕所述第一显示元件和所述第二显示元件的像素限定层；
第一颜色转换层，所述第一颜色转换层设置在所述第一显示元件上，并且将从所述第一显示元件发射的光转换为第一颜色的光，所述第一颜色的所述光从所述第一颜色转换层发射；
第二颜色转换层，所述第二颜色转换层设置在所述第二显示元件上，并且将从所述第二显示元件发射的光转换为第二颜色的光，所述第二颜色的所述光从所述第二颜色转换层发射；以及
隔壁，所述隔壁设置在所述像素限定层上，在所述第一颜色转换层与所述第二颜色转换层之间并且限定位于所述像素限定层上的气隙。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述隔壁包括包含第一部分和第二部分的界面层，所述第一部分相对于所述基板倾斜预定角度，并且所述第二部分连接到所述第一部分并且在垂直方向上与所述基板间隔预定间距。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述界面层进一步包括：第三部分，所述第三部分设置在所述第一显示元件和所述第二显示元件中的至少一个上，并且连接到所述第一部分，所述连接与所述第二部分到所述第一部分的连接相对。
22.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述界面层的所述第二部分包括通孔。
23.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述隔壁进一步包括设置在所述界面层的所述第一部分和所述第二部分中的至少一个上的反射层。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中，所述界面层的所述第二部分包括第一通孔，并且
所述反射层包括设置成与所述界面层的所述第一通孔重叠的第二通孔。
25.根据权利要求19所述的显示装置，进一步包括：
第一滤色器层，所述第一滤色器层设置在所述第一颜色转换层上，并且选择性地透射从所述第一颜色转换层发射的所述第一颜色的所述光；以及
第二滤色器层，所述第二滤色器层设置在所述第二颜色转换层上，并且选择性地透射从所述第二颜色转换层发射的所述第二颜色的所述光。
26.根据权利要求25所述的显示装置，进一步包括：
封装构件，所述封装构件设置在多个显示元件中的所述第一显示元件和所述第二显示元件与所述第一颜色转换层和所述第二颜色转换层之间，并且设置成至少覆盖所述多个显示元件中的所述第一显示元件和所述第二显示元件以及所述像素限定层；以及
设置在所述封装构件与所述隔壁之间并且在所述气隙中的阻光构件。
27.根据权利要求25所述的显示装置，进一步包括：
设置成覆盖所述第一滤色器层和所述第二滤色器层的封装构件；以及
设置在所述封装构件上并且设置成与所述气隙重叠的阻光构件。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3086100B1 (fr) * 2018-09-13 2022-08-12 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un dispositif optoelectronique comprenant une pluralite de diodes
JP7321832B2 (ja) * 2019-08-23 2023-08-07 株式会社ジャパンディスプレイ 照明装置及び表示装置
CN110707235B (zh) * 2019-09-19 2021-04-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
KR20210124583A (ko) * 2020-04-06 2021-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시패널
KR20210142031A (ko) * 2020-05-14 2021-11-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112038378B (zh) * 2020-09-07 2023-02-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 彩膜基板及其制作方法、显示面板
CN112382733A (zh) * 2020-11-16 2021-02-19 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、柔性显示装置以及制作方法
KR20220110409A (ko) 2021-01-29 2022-08-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220144458A (ko) * 2021-04-19 2022-10-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치의 제조방법
KR20230092067A (ko) * 2021-12-16 2023-06-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2024101353A1 (ja) * 2022-11-08 2024-05-16 Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 波長変換基板及び表示装置
KR20240110128A (ko) * 2022-12-30 2024-07-15 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4317113B2 (ja) 2003-10-30 2009-08-19 三星モバイルディスプレイ株式會社 平板表示装置の製造方法
DE10351195B4 (de) 2003-10-30 2013-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Substrat zum Tintenstrahldrucken und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2009031571A1 (ja) 2007-09-06 2009-03-12 Sony Corporation 光抽出素子、光抽出素子の製造方法および表示装置
TW201101478A (en) * 2009-03-25 2011-01-01 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescence device, method for manufacturing the same, image display device, and method for manufacturing the same
JP5573616B2 (ja) 2010-11-12 2014-08-20 住友化学株式会社 表示装置
JP2015148638A (ja) 2012-05-28 2015-08-20 シャープ株式会社 色変換基板および液晶表示装置
JPWO2014049902A1 (ja) 2012-09-25 2016-08-22 株式会社Ｊｏｌｅｄ Ｅｌ表示装置の製造方法、ｅｌ表示装置の製造に用いられる転写基板、ｅｌ表示装置の製造に用いられる転写基板の製造方法
KR20140074495A (ko) 2012-12-10 2014-06-18 삼성디스플레이 주식회사 포토루미네선트 패널, 이를 갖는 포토루미네선트 액정표시장치 및 이의 제조방법
KR101427593B1 (ko) * 2013-04-26 2014-08-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102223421B1 (ko) 2014-08-05 2021-03-08 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102390960B1 (ko) 2015-06-05 2022-04-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10712614B2 (en) * 2015-09-30 2020-07-14 Samsung Display Co., Ltd. Color conversion panel and display device including the same
CN105242449B (zh) 2015-11-13 2018-05-25 深圳市华星光电技术有限公司 量子点彩膜基板的制备方法及量子点彩膜基板
KR102581401B1 (ko) 2016-03-16 2023-09-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20180024113A (ko) * 2016-08-26 2018-03-08 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 모듈, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102671039B1 (ko) 2016-09-28 2024-06-03 삼성디스플레이 주식회사 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102062587B1 (ko) 2017-02-08 2020-01-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102507122B1 (ko) * 2017-11-03 2023-03-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 이용한 제조 방법
JP7130411B2 (ja) * 2018-04-03 2022-09-05 キヤノン株式会社 発光装置、表示装置および撮像装置
KR102572718B1 (ko) * 2018-09-14 2023-08-31 삼성디스플레이 주식회사 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치

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Publication number Publication date
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