CN116033790A - 显示面板 - Google Patents

Abstract

在本发明的一实施例涉及的包括发光区域以及与发光区域相邻的不发光区域的显示面板中，显示面板包括：发光元件，包括第一电极、配置在第一电极上的发光层以及配置在发光层上的第二电极；像素定义膜，定义有使第一电极露出的第一开口部；以及第一封装层，配置在第二电极上且与发光元件重叠，第一封装层包括配置在第二电极上的第一无机层以及配置在第一无机层上的第二无机层，第二电极的上表面包括至少一个第一高低差部，第二无机层的下表面与第一无机层的上表面接触，第一无机层的上表面和第二无机层的上表面之中的至少一个是平坦面。

Description

显示面板

技术领域

本发明涉及显示面板及其制造方法。

背景技术

为了提供图像信息，正在使用各种形态的显示装置，正在进行对使用了有机电致发光材料或量子点发光材料等的自发光的显示装置的开发。

自发光的显示装置的显示面板包括发光元件，发光元件具有易受氧和水分等外部环境的影响的特征，因此需要用于密封发光元件的各种技术。其中，正在进行对在发光元件上配置封装层来阻断空气和水分等的渗透路径的封装层的开发。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种包括耐透湿性出色且改善了光学特性的封装层的显示面板及其制造方法。

在本发明的一实施例涉及的包括发光区域以及与所述发光区域相邻的不发光区域的显示面板中，所述显示面板包括：发光元件，包括第一电极、配置在所述第一电极上的发光层以及配置在所述发光层上的第二电极；像素定义膜，定义有使所述第一电极露出的第一开口部；以及第一封装层，配置在所述第二电极上且与所述发光元件重叠，所述第一封装层包括配置在所述第二电极上的第一无机层以及配置在所述第一无机层上的第二无机层，所述第二电极的上表面包括至少一个第一高低差部，所述第二无机层的下表面与所述第一无机层的上表面接触，所述第一无机层的所述上表面和所述第二无机层的上表面之中的至少一个是平坦面。

可以是，所述第一封装层的厚度在1.0μm以上且5.0μm以下。

可以是，所述第一无机层覆盖所述第一高低差部，在所述发光区域中所述第一无机层的所述上表面是平坦面。

可以是，所述发光区域中的从所述第一电极的下表面到所述第一无机层的所述上表面为止的高度和所述不发光区域中的从所述像素定义膜的下表面至所述第一无机层的所述上表面为止的高度相同。

可以是，所述第一无机层的所述上表面包括与所述第一高低差部对应的第二高低差部。

可以是，所述第二无机层覆盖所述第二高低差部，在所述发光区域中所述第二无机层的所述上表面是平坦面。

可以是，所述第一无机层的所述上表面的算术平均粗糙度大于所述第二无机层的所述上表面的算术平均粗糙度。

可以是，所述第一封装层还包括配置在所述第二无机层上的第三无机层。

可以是，所述显示面板还包括：分隔壁，配置在所述第一封装层上且定义有与所述第一开口部对应的第二开口部；光控制图案，配置在所述第二开口部的内侧；第二封装层，配置在所述分隔壁上且与所述光控制图案重叠；以及滤色器，配置在所述第二封装层上且与所述光控制图案重叠。

可以是，所述第二封装层的厚度在1.0μm以上且5.0μm以下。

可以是，所述第二封装层包括配置在所述分隔壁上的第一封装无机层以及配置在所述第一封装无机层上的第二封装无机层，所述第二封装无机层的下表面与所述第一封装无机层的上表面接触。

本发明的一实施例涉及的显示面板包括：发光元件，包括第一电极、配置在所述第一电极上的发光层以及配置在所述发光层上的第二电极；像素定义膜，定义有使所述第一电极露出的第一开口部；以及第一封装层，配置在所述第二电极上且与所述发光元件重叠，所述第一封装层包括配置在所述第二电极上的第一无机层以及配置在所述第一无机层上的第二无机层，所述第一封装层的厚度在1.0μm以上且5.0μm以下。

可以是，所述第一无机层的上表面和所述第二无机层的上表面之中的至少一个是平坦面。

可以是，所述第一封装层还包括配置在所述第一无机层与所述第二无机层之间的有机层，所述有机层的厚度在0.1μm以上且2.0μm以下。

可以是，本发明的一实施例涉及的显示面板的制造方法包括：准备发光元件的步骤；以及在所述发光元件上形成第一封装层的步骤，形成所述第一封装层的步骤包括：在所述发光元件上形成第一无机层的步骤；以及在所述第一无机层上形成第二无机层的步骤，在形成所述第一封装层的步骤中，通过研磨工序，所述第一无机层的上表面和所述第二无机层的上表面之中的至少一个实现平坦化。

可以是，所述研磨工序包括化学机械研磨工序。

可以是，形成所述第一无机层的步骤包括：在所述发光元件上形成第一预备无机层的步骤；以及对所述第一预备无机层的上表面进行研磨的步骤。

可以是，在研磨所述第一预备无机层的上表面的步骤中，所述第一预备无机层被去除的厚度在3.0μm以下。

可以是，形成所述第二无机层的步骤包括：在所述第一无机层上形成第二预备无机层的步骤；以及对所述第二预备无机层的上表面进行研磨的步骤。

可以是，形成所述第一封装层的步骤在形成所述第二无机层的步骤之后还包括：在所述第二无机层上形成第三无机层的步骤。

(发明效果)

根据本发明的一实施例，在发光元件上具备封装层的显示面板中，通过研磨工序来平坦化封装层所包括的至少一个无机层，从而不仅可以提高发光元件的出光效率，还可以改善耐透湿性，因此可以实现具有出色的发光效率和可靠性的显示面板。

附图说明

图1a是本发明的一实施例涉及的显示面板的立体图。

图1b是本发明的一实施例涉及的显示面板的立体图。

图1c是本发明的一实施例涉及的显示面板的平面图。

图2a至图2c是本发明的一实施例涉及的显示面板的剖视图。

图3是表示本发明的一实施例涉及的制造显示面板的方法的顺序图。

图4是细分化了图3所示的一实施例涉及的形成第一无机层的步骤的顺序图。

图5a至图5f是示意性表示本发明的一实施例涉及的制造显示面板的步骤的图。

图6是细分化了图3所示的一实施例涉及的形成第二无机层的步骤的顺序图。

图7a至图7f是示意性表示本发明的一实施例涉及的制造显示面板的步骤的图。

符号说明：

DP：显示面板；DA：显示区域；NDA：非显示区域；AE：第一电极；EML：发光层；CE：第二电极；OLED：发光元件；OP1：第一开口部；TFE1：第一封装层；OP2：第二开口部；BW：分隔壁；CCF-R：光控制图案；CF-R：滤色器；TFE2：第二封装层；IOL10：第一封装无机层；IOL20：第二封装无机层。

具体实施方式

在本说明书中，在提及某一构成要素(或者区域、层、部分等)位于其他构成要素上、与其连接或者结合的情况下，表示可以直接连接/结合在其他构成要素上，或者在其间还可以配置有第三构成要素。

相同的符号指代相同的构成要素。此外，在各附图中，各构成要素的厚度、比率以及尺寸为了技术内容的有效说明而有所夸张。“和/或”包括所有可以定义相关的构成要素的一个以上的组合。

第一、第二等用语可以用于说明各种构成要素，但所述的构成要素不应限于所述的用语。所述的用语仅用作使一个构成要素区别于其他构成要素的目的。例如，在不超出本发明的权利范围的情况下，第一构成要素可以被命名为第二构成要素，类似地，第二构成要素也可以被命名为第一构成要素。单数的表述在文中没有明确相反意思时包括多个的表述。

此外，“在下方”、“在下侧”、“在上方”、“在上侧”等用语为了说明图示的各构成要素的连接关系而使用。所述的用语是相对的概念，以图示的方向为基准进行说明。

“包括”或者“具有”等用语应理解为是指代说明书上记载的特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或者它们的组合的存在，并不是事先排除一个或者其以上的其他特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或者它们的组合的存在或附加可能性。

在本说明书中，“直接配置”可以表示层、膜、区域、板等部分与其他部分之间不存在追加的层、膜、区域、板等。例如，“直接配置”可以表示在两个层或两个部分之间不使用粘接部件等追加部件来配置的情况。

只要没有不同的定义，在本说明书中使用的所有用语(包括技术用语以及科学用语)具有与本领域技术人员通常所理解的意思相同的意思。此外，如在通常使用的字典中定义的用语这样的用语应解释为具有与相关技术脉络上的含义一致的含义，并且除非在本申请中明确定义，否则不应解释为过于理想化或过于形式化的含义。

以下，参照附图说明本发明的实施例。

图1a是本发明的一实施例涉及的显示面板DP的立体图。图1b是本发明的一实施例涉及的显示面板DP的剖视图。图1c是本发明的一实施例涉及的显示面板DP的平面图。

图1a和图1b所示的显示面板DP是发光型显示面板，可以是无机发光显示面板(inorganic light emitting display panel)或有机发光显示面板(organic lightemitting display panel)中的任一种，并没有特别限制。

如图1a所示，显示面板DP可以通过显示面DP-IS显示图像。显示面DP-IS平行于第一方向DR1和第二方向DR2所定义的面。

配置在显示面板DP的最上侧的部件的上表面可以被定义为显示面DP-IS。图1b所示的光控制部件OSL的上表面可以被定义为图1a的显示面DP-IS。显示面DP-IS平行于第一方向DR1和第二方向DR2所定义的面。显示面DP-IS的法线方向(即，显示面板DP的厚度方向)指代第三方向DR3。在以下说明的各层或单元的前表面(或上表面)和背面(或下表面)通过第三方向DR3来划分。但是，在本实施例中，图示的第一方向DR1至第三方向DR3仅仅是例示。

显示面板DP可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。在显示区域DA中配置像素PX，在非显示区域NDA中不配置像素PX。根据显示面DP-IS的边缘来定义非显示区域NDA。非显示区域NDA可以包围显示区域DA。在本发明的一实施例中，也可以省略非显示区域NDA或者仅在显示区域DA的一侧配置非显示区域NDA。

在本发明的一实施例中，示出了具备平面型显示面DP-IS的显示面板DP，但是并不限于此。显示面板DP也可以包括曲面型显示面或者立体型显示面。立体型显示面也可以包括指向彼此不同的方向的多个显示区域。

此外，显示面板DP可以是可卷曲显示面板、可折叠显示面板或可滑动显示面板。显示面板DP可以具有柔软的性质，可以将其设置在显示装置中而进行折叠或卷曲。

如图1b所示，显示面板DP包括基底基板BS、配置在基底基板BS上的电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED、第一封装层TFE1以及光控制部件OSL。基底基板BS可以包括玻璃基板、塑料基板或有机/无机复合基板。电路元件层DP-CL包括像素PX的驱动电路或信号线。显示元件层DP-OLED包括在每一像素PX中配置的发光元件。第一封装层TFE1包括密封发光元件的至少一个无机层。光控制部件OSL变换由发光元件生成的源光的光学性质。

参照图1c，在显示面板DP中可以定义多个发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B以及与多个发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B相邻的不发光区域NPXA。以在第一方向DR1和第二方向DR2所定义的平面上观察图1a所表示的显示面板DP的状态示出了图1c所示的多个发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B。

多个发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B可以包括第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B。不发光区域NPXA可以设定第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B的边界，可以防止第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B之间的混色。

多个发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B可以包括提供第一颜色光(例如，红色光)的第一发光区域PXA-R、提供第二颜色光(例如，绿色光)的第二发光区域PXA-G和提供第三颜色光(例如，蓝色光)的第三发光区域PXA-B。主要三色可以变更为其他组合，并没有特别限制。以提供红色光的第一发光区域PXA-R说明之后说明的发光区域PXA。

第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B的截面上的结构实质上相同，因此以第一发光区域PXA-R为中心进行说明。第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B的差异点将在以下进行明示，除了明示的构成以外的构成可以认为是相同的。

第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B可以被配置成在第一方向DR1上间隔开。可以将第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B配置成沿着第一方向DR1使它们交替地反复。

一个第一发光区域PXA-R、一个第二发光区域PXA-G和一个第三发光区域PXA-B可以构成一个单元区域PXA-U。可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2排列多个单元区域PXA-U。但是，并不限于此，也可以是一个第一发光区域PXA-R、两个第二发光区域PXA-G和一个第三发光区域PXA-B构成一个单元区域PXA-U。

第一发光区域PXA-R、第二发光区域PXA-G和第三发光区域PXA-B的面积可以彼此相同或不同，没有特别限制。另一方面，在图1c中例示性地示出了第一发光区域PXA-R至第三发光区域PXA-B的排列关系，但是所述排列关系并不限于此。

以下，参照图2a至图2c，详细说明一实施例的显示面板DP。

图2a是本发明的一实施例涉及的显示面板DP的剖视图。在图2a中示出了截取图1c的I-I′的显示面板DP的剖视图。

显示区域DA(图1a)包括发光区域PXA以及与发光区域PXA相邻的不发光区域NPXA。不发光区域NPXA设定多个发光区域PXA的边界，防止发光区域PXA之间的混色。在本实施例中，与后述的第二开口部OP2对应地定义发光区域PXA。不发光区域NPXA被定义为配置有分隔壁BW的区域。

参照图2a，例示性地示出了与驱动晶体管T-D及发光元件OLED对应的像素PX的截面。显示面板DP可以包括多个绝缘层以及半导体图案、导电图案、信号线等。通过涂布、沉积等工序形成绝缘层、半导体层以及导电层。然后，可以通过光刻和蚀刻工序，选择性地图案化出绝缘层、半导体层和导电层。通过这种方式形成包括于电路元件层DP-CL和显示元件层DP-OLED中的半导体图案、导电图案、信号线等。

在本实施例中，电路元件层DP-CL可以包括缓冲膜BFL、第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30。例如，缓冲膜BFL、第一绝缘层10和第二绝缘层20可以是无机层，第三绝缘层30可以是有机层。

在图2a中例示性地示出了构成驱动晶体管T-D的有源区A-D、源极S-D、漏极D-D和栅极G-D的配置关系。有源区A-D、源极S-D和漏极D-D可以是根据半导体图案的掺杂浓度或传导性区分的区域。

显示元件层DP-OLED包括发光元件OLED。发光元件OLED可以生成源光。发光元件OLED包括第一电极AE、第二电极CE以及配置在第一电极AE与第二电极CE之间的发光层EML。在本实施例中，显示元件层DP-OLED可以包括有机发光二极管作为发光元件OLED。显示元件层DP-OLED包括像素定义膜PDL。例如，像素定义膜PDL可以是有机层。像素定义膜PDL可以包括通常的黑色成分((black coloring agent)。像素定义膜PDL可以包括混合在基底树脂中的黑色染料和/或黑色颜料。在一实施例中，黑色成分可以包括碳黑或者包括如铬这样的金属或它们的氧化物。

在第三绝缘层30上配置第一电极AE。第一电极AE与驱动晶体管T-D直接或间接地连接。在图2a中，未图示第一电极AE与驱动晶体管T-D的连接结构。在像素定义膜PDL中定义第一开口部OP1。第一开口部OP1使第一电极AE的至少一部分露出。

空穴控制层HCL、发光层EML和电子控制层ECL可以共同配置在发光区域PXA和不发光区域NPXA中。空穴控制层HCL、发光层EML和电子控制层ECL可以共同配置在多个发光区域PXA中。多个发光区域PXA的发光层EML可以具有一体的形状。第一发光区域PXA-R(图1c)的发光层EML、第二发光区域PXA-G(图1c)的发光层EML和第三发光区域PXA-B(图1c)的发光层EML可以具有一体的形状，这些发光层EML可以与区域无关地生成相同颜色的源光。

空穴控制层HCL可以包括空穴传输层，还可以包括空穴注入层。发光层EML可以生成蓝色光作为源光。蓝色光可以包括410nm至480nm的波长。蓝色光的发光光谱可以具有属于440nm至460nm的范围的峰值波长。电子控制层ECL可以包括电子传输层，还可以包括电子注入层。

在图2a中，示出了在定义于像素定义膜PDL中的第一开口部OP1内，在发光区域PXA和不发光区域NPXA中共同地提供发光元件OLED的空穴控制层HCL、发光层EML和电子控制层ECL的实施例。但是，实施例并不限于此，不同于图2a所示的情况，在一实施例中，可以在定义于像素定义膜PDL中的第一开口部OP1的内部进行图案化来提供空穴控制层HCL、发光层EML和电子控制层ECL。或者，也可以在第一开口部OP1内图案化出发光元件OLED的发光层EML，在发光区域PXA和不发光区域NPXA中共同地提供空穴控制层HCL和电子控制层ECL。

第二电极CE配置在电子控制层ECL上。第二电极CE可以共同配置在多个发光区域PXA中。多个发光区域PXA可以包括一体的形状的第二电极CE。

第二电极CE的上表面CE-UF可以包括至少一个第一高低差部CE-SP。第一高低差部CE-SP可以与发光区域PXA重叠并且不与不发光区域NPXA重叠。第一高低差部CE-SP可以具有凹陷了与预定的高低差相应的量的槽形状。第一高低差部CE-SP可以是因在像素定义膜PDL中定义的第一开口部OP1形成的。发光元件OLED的一部分配置在第一开口部OP1内，从而可以在第二电极CE的上表面CE-UF形成第一高低差部CE-SP。

第二电极CE的第一高低差部CE-SP可以具有第一高低差h1。第一高低差h1可以被定义为与像素定义膜PDL重叠的部分的第二电极CE的上表面CE-UF和被设置成与第一开口部OP1重叠的第一高低差部CE-SP之间的高度差异。第一高低差部CE-SP可以在每个发光区域PXA中具有相同高度的高低差。例如，与第一发光区域PXA-R(图1c)、第二发光区域PXA-G(图1c)及第三发光区域PXA-B(图1c)重叠的第二电极CE的第一高低差部CE-SP可以都具有第一高低差h1。但是，并不限于此，第一高低差部CE-SP的高低差可以在每个发光区域PXA中不同。例如，分别与第一发光区域PXA-R(图1c)、第二发光区域PXA-G(图1c)及第三发光区域PXA-B(图1c)重叠的第二电极CE的第一高低差部CE-SP也可以具有彼此不同的高低差。

在发光元件OLED上可以配置第一封装层TFE1，第一封装层TFE1可以配置在第二电极CE上。第一封装层TFE1可以直接配置在第二电极CE上。第一封装层TFE1可以包括至少一个无机层。第一封装层TFE1可以是薄膜封装层。第一封装层TFE1可以起到保护发光元件OLED免受水分和氧的影响的作用。第一封装层TFE1可以覆盖发光元件OLED。发光元件OLED可以被第一封装层TFE1密封。虽然未图示，但是显示面板DP还可以在第一封装层TFE1的上侧进一步包括用于提高出光效率的折射率控制层。

在一实施例中，第一封装层TFE1可以包括第一无机层IOL1以及配置在第一无机层IOL1上的第二无机层IOL2。第二无机层IOL2可以直接配置在第一无机层IOL1上。即，第二无机层IOL2的下表面可以与第一无机层IOL1的上表面接触。

第一无机层IOL1可以配置在第二电极CE上。第一无机层IOL1可以覆盖第二电极CE的第一高低差部CE-SP。例如，第一无机层IOL1可以消除第二电极CE的第一高低差部CE-SP的高低差来实现平坦化。第一无机层IOL1覆盖第二电极CE的第一高低差部CE-SP，从而在第一无机层IOL1的下表面可以定义与第一高低差部CE-SP对应的至少一个高低差。

在一实施例中，第一无机层IOL1和第二无机层IOL2之中的至少一个可以通过研磨工序来实现平坦化。例如，第一无机层IOL1的上表面IOL1-UF和第二无机层IOL2的上表面IOL2-UF之中的至少一个可以通过研磨工序来实现平坦化。包括无机物质的第一无机层IOL1和第二无机层IOL2的情况下薄且密度致密，从而对水分和氧具有阻挡特性，但是因粗糙的表面和微粒等而形成有针孔(pinhole)，因此具有阻挡特性下降的缺点。根据本发明，通过研磨工序，使得第一无机层IOL1的上表面IOL1-UF和第二无机层IOL2的上表面IOL2-UF之中的至少一个实现平坦化，从而表面粗糙度减小，去除了表面微粒，从而可以抑制针孔的形成。由此，可以进一步提高第一封装层TFE1的阻挡特性。此外，即使不引入单独的平坦化层，也可以去除在显示元件层DP-OLED中形成的高低差，从而可以提高显示面板DP的生产性。另一方面，在本说明书中，“表面粗糙度”可以表示算术平均粗糙度(Ra)。

在一实施例中，至少配置在显示区域DA(图1a)内的第一无机层IOL1的上表面IOL1-UF可以是平坦面。配置在显示区域DA(图1a)的发光区域PXA和不发光区域NPXA中的第一无机层IOL1的上表面IOL1-UF可以是平坦面。例如，发光区域PXA中的从第一电极AE的下表面到第一无机层IOL1的上表面IOL1-UF为止的高度可以与不发光区域NPXA中的从像素定义膜PDL的下表面到第一无机层IOL1的上表面IOL1-UF为止的高度相同。由此，在发光区域PXA中与第一高低差部CE-SP重叠的第一无机层IOL1的上表面IOL1-UF可以平坦。

第一无机层IOL1和第二无机层IOL2分别可以通过各种方法形成。例如，第一无机层IOL1和第二无机层IOL2分别可以通过化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、溅射(sputter)、原子层沉积(ALD)或热沉积(thermal evaporation)等方法来形成。但是，并不限于此。

第一无机层IOL1和第二无机层IOL2分别可以包括金属氧化物和/或金属氮化物。例如，第一无机层IOL1和第二无机层IOL2分别可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铝氧化物、铝氮化物、铝氮氧化物、钛氧化物、钛氮化物、钽氧化物、钽氮化物、铪氧化物、铪氮化物、锆氧化物、锆氮化物、铈氧化物、铈氮化物、锡氧化物、锡氮化物和镁氧化物之中的至少一种。在一实施例中，第一无机层IOL1和第二无机层IOL2分别可以包括硅氧化物、硅氮化物和硅氮氧化物之中的至少任一种。

在一实施例中，第一封装层TFE1的厚度d1可以在1.0μm以上且5.0μm以下。在第一封装层TFE1的厚度d1小于1.0μm的情况下，膜质量会下降，从而对水分和氧的阻挡特性会下降，薄膜变薄，从而可能很难平坦化在显示元件层DP-OLED中形成的高低差。此外，在第一封装层TFE1的厚度d1超过5.0μm的情况下，对外部压力的机械特性会下降，从而可能会在薄膜中产生裂纹等损伤。在第一封装层TFE1的厚度d1满足前述的范围的情况下，在沉积过程中可以形成相对致密的膜质量，由此可以提高阻挡特性的同时还可以提高对外部压力的机械特性，因此可以提高显示面板DP的耐久性和可靠性。

在现有技术中，显示面板的封装技术使用了以薄膜形态在发光元件上依次层叠无机层和有机层的有机-无机多层薄膜封装技术。这种有机-无机多层薄膜结构的情况下，对于减小透湿率可以是有效的，但是由于引入了厚的有机层，因此可见光区域中的透光度低，从而可能会引发使发光元件的出光效率下降的问题。此外，在通过喷墨工序在无机层上形成有机层的过程中，可能会产生墨液的成团现象，或者可能会存在出现有机层表面起伏的凹凸现象的问题。在产生了这种成团现象和凹凸现象的地点处，光无法正常通过，从而显示面板的识别性可能会下降。

在本发明中，包括于第一封装层TFE1的至少一个无机层的上表面通过研磨工序实现平坦化，从而无需为了表面平坦化而引入单独的有机层。更具体而言，第一封装层TFE1的第一无机层IOL1的上表面IOL1-UF和第二无机层IOL2的上表面IOL2-UF之中的至少一个可以通过研磨工序实现平坦化。由此，第一无机层IOL1和第二无机层IOL2之中的至少一个可以起到去除因第一开口部OP1形成的高低差来实现平坦化的作用，因此无需单独的有机层，从而可以实现工序的简化和工序时间(tact time)的缩短。此外，可以防止在现有技术中在用于形成有机层的喷墨工序中产生的成团现象或凹凸现象，因此可以提高显示面板DP的识别性。进一步地，可以防止现有技术中因厚的有机层引起的透光度的下降，因此可以提高发光元件OLED的出光效率。

再次参照图2a，可以在第一封装层TFE1上形成光控制部件OSL。光控制部件OSL可以包括光控制层CCL、第二封装层TFE2、滤色器CF-R以及保护层OC。光控制层CCL可以包括分隔壁BW和光控制图案CCF-R。

分隔壁BW可以包括透光性高的基底树脂和添加剂。基底树脂通常可以由可被称为粘合剂的各种树脂组成物形成。添加剂可以包括偶联剂和/或光引发剂。添加剂还可以包括分散剂。

分隔壁BW可以为了光阻断而包括黑色成分(black coloring agent)。分隔壁BW可以包括混合在基底树脂中的黑色染料和/或黑色颜料。在一实施例中，黑色成分可以包括碳黑或者包括如铬这样的金属或它们的氧化物。

分隔壁BW可以包括与第一开口部OP1对应的第二开口部OP2。在平面上，第二开口部OP2可以与第一开口部OP1重叠，并且具有比第一开口部OP1大的面积。

在第二开口部OP2的内侧可以配置光控制图案CCF-R。光控制图案CCF-R可以变换源光的光学性质。第一发光区域PXA-R(图1c)和第二发光区域PXA-G(图1c)的光控制图案CCF-R可以是可变换源光的颜色的色变换图案。第一发光区域PXA-R(图1c)的色变换图案可以将蓝色光的源光变换成红色光，第二发光区域PXA-G(图1c)的色变换图案可以将蓝色光的源光变换位绿色光。第三发光区域PXA-B(图1c)的色变换图案可以是透过图案。第三发光区域PXA-B(图1c)的色变换图案可以包括散射粒子，从而将接收到的蓝色光的源光散射之后射出。光控制图案CCF-R可以相对于入射光提高出射光的亮度。

色变换图案可以包括基底树脂以及混合(或分散)在基底树脂中的量子点。在本实施例中，色变换图案可以包括量子点，在该情况下色变换图案也可以被定义为量子点图案，第一发光区域PXA-R(图1c)和第二发光区域PXA-G(图1c)的色变换图案包括彼此不同的量子点。基底树脂是使量子点分散的媒介，通常可以由可被称为粘合剂的各种树脂组成物形成。但是，并不限于此，在本说明书中只要是可以分散配置量子点的媒介就可以与其名称、追加的其他性能、构成物质等无关地称为基底树脂。基底树脂可以是高分子树脂。例如，基底树脂可以是丙烯酸系树脂、氨基甲酸乙酯系树脂、硅系树脂、环氧系树脂等。基底树脂可以是透明树脂。

光控制图案CCF-R可以通过喷墨工序形成。可以在第二开口部OP2内提供液状的组成物。通过热固化工序或光固化工序聚合的组成物可以在固化后体积变小。

色变换图案可以如上述的透过图案那样还包括混合在基底树脂中的散射粒子。散射粒子可以是钛氧化物(TiO₂)或氧化硅系纳米粒子等。

量子点可以是变换入射的光的波长的粒子。量子点是具有数纳米大小的结晶结构的物质，由数百至数千个左右的原子构成，通过小的尺寸，表现出能带隙(band gap)变大的量子限制(quantum confinement)效应。在向量子点入射能量比带隙高的波长的光的情况下，量子点吸收该光而处于激发态，射出特定波长的光的同时跃迁至基态。射出的光的能量具有与带隙相当的值。若调节量子点的大小和组成等，则可以调节基于量子限制效应的发光特性。

量子点可以选自II-VI族化合物、III-VI族化合物、I-III-VI族化合物、III-V族化合物、III-II-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物和它们的组合中。

II-VI族化合物可以选自由二元化合物、三元化合物和四元化合物形成的组中，其中，二元化合物选自由CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和它们的混合物形成的组中，三元化合物选自由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和它们的混合物形成的组中，四元化合物选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和它们的混合物形成的组中。

III-VI族化合物可以包括如In₂S₃、In₂Se₃等这样的二元化合物、InGaS₃、InGaSe₃等这样的三元化合物或者它们的任意的组合。

I-III-VI族化合物可以从三元化合物或AgInGaS₂、CuInGaS₂等四元化合物中选择，其中，三元化合物选自由AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、AgGaS₂、CuGaS₂、CuGaO₂、AgGaO₂、AgAlO₂和它们的混合物形成的组中。

III-V族化合物可以选自由二元化合物、三元化合物和四元化合物形成的组中，其中，二元化合物选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和它们的混合物形成的组中，三元化合物可以选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和它们的混合物形成的组中，四元化合物可以选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和它们的混合物形成的组中。

另一方面，III-V族化合物还可以包括II族金属。例如，作为III-II-V族化合物可以选择InZnP等。

IV-VI族化合物可以选自由二元化合物、三元化合物和四元化合物形成的组中，其中，二元化合物选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和它们的混合物形成的组中，三元化合物可以选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和它们的混合物形成的组中，四元化合物可以选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和它们的混合物形成的组中。

作为IV族元素可以选自由Si、Ge和它们的混合物形成的组中。

作为IV族化合物可以是选自由SiC、SiGe和它们的混合物形成的组中的二元化合物。

此时，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于粒子内、或者分成浓度分布部分不同的状态而存在于同一粒子内。此外，也可以具有一个量子点包围其他量子点的芯体/壳体结构。在芯体/壳体结构中，存在于壳体中的元素的浓度可以具有越朝向芯体变得越低的浓度梯度(gradient)。

在一些实施例中，量子点可以具有芯体-壳体结构，该芯体-壳体结构包括芯体以及包围所述芯体的壳体，所述芯体包括前述的纳米结晶。所述量子点的所述壳体可以防止所述芯体的化学变性来执行用于维持半导体特性的保护层的作用和/或用于向量子点赋予电泳特性的充电层(charging layer)的作用。所述壳体可以是单层或多层。作为所述量子点的所述壳体的例可以列举金属或非金属的氧化物、半导体化合物或它们的组合等。

例如，所述金属或非金属的氧化物可以例示SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄、NiO等二元化合物、或者MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄、CoMn₂O₄等三元化合物，但是本发明并不限于此。

此外，所述半导体化合物可以例示CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但是本发明并不限于此。

量子点可以具有约在45nm以下、优选约在40nm以下、更优选约在30nm以下的发光波长光谱的半值全宽(full width of half maximum，FWHM)，在该范围中可以提高色纯度或色再现性。此外，由这种量子点发出的光朝向所有方向被射出，因此可以提高光视角。

此外，量子点的形态是在本领域中通常使用的形态，没有特别限制，更具体而言，可以使用球形、金字塔形、多枝形(multi-arm)或立方体(cubic)的纳米粒子、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板状粒子等形态。量子点可以根据粒子大小来调节射出的光的颜色，由此量子点可以具有蓝色、红色、绿色等各种发光颜色。

光控制层CCL的上表面可以被定义为分隔壁BW的上表面BW-UF和光控制图案CCF-R的上表面CCF-UF。在光控制层CCL的上表面可以形成第三高低差h3。第三高低差h3可以被定义为分隔壁BW的上表面BW-UF与光控制图案CCF-R的上表面CCF-UF之间的高度差异。第三高低差h3可以在2μm以上且3μm以下。另一方面，在本说明书中，光控制图案CCF-R的上表面CCF-UF可以被称为第三高低差部。

在光控制层CCL上可以配置第二封装层TFE2。第二封装层TFE2可以包括至少一个封装无机层。第二封装层TFE2可以包括第一封装无机层IOL10以及配置在第一封装无机层IOL10上的第二封装无机层IOL20。第一封装无机层IOL10和第二封装无机层IOL20可以保护光控制图案CCF-R免受外部湿气的影响，去除由分隔壁BW的上表面BW-UF和光控制图案CCF-R的上表面CCF-UF定义的高低差，从而可以向要配置在光控制层CCL的上侧的部件提供平坦的基础面。

第一封装无机层IOL10可以配置在光控制层CCL上，覆盖形成在光控制层CCL的上表面的第三高低差部CCF-UF。例如，第一封装无机层IOL10可以消除第三高低差部CCF-UF的高低差来实现平坦化。第一封装无机层IOL10覆盖光控制层CCL的第三高低差部CCF-UF，从而可以在第一封装无机层IOL10的下表面定义与第三高低差部CCF-UF对应的至少一个高低差。第二封装无机层IOL20可以直接配置在第一封装无机层IOL10上。即，第二封装无机层IOL20的下表面可以与第一封装无机层IOL10的上表面IOL10-UF接触。

在一实施例中，第一封装无机层IOL10和第二封装无机层IOL20之中的至少一个可以通过研磨工序实现平坦化。例如，第一封装无机层IOL10的上表面IOL10-UF和第二封装无机层IOL20的上表面IOL20-UF之中的至少一个可以通过研磨工序实现平坦化。如图2a所示，在第一封装无机层IOL10的上表面IOL10-UF具有平坦面的情况下，第一封装无机层IOL10的上表面IOL10-UF可以是通过研磨工序实现了平坦化。

在一实施例中，至少配置在显示区域DA(图1a)内的第一封装无机层IOL10的上表面IOL10-UF可以是平坦面。配置在显示区域DA(图1a)的发光区域PXA和不发光区域NPXA中的第一封装无机层IOL10的上表面IOL10-UF可以是平坦面。例如，发光区域PXA中的从光控制图案CCF-R的下表面到第一封装无机层IOL10的上表面IOL10-UF为止的高度可以与不发光区域NPXA中的从分隔壁BW的下表面到第一封装无机层IOL10的上表面IOL10-UF为止的高度相同。由此，在发光区域PXA中与第三高低差部CCF-UF重叠的第一封装无机层IOL10的上表面IOL10-UF可以是平坦的。

第一封装无机层IOL10和第二封装无机层IOL20分别可以包括金属氧化物和/或金属氮化物。例如，第一封装无机层IOL10和第二封装无机层IOL20分别可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铝氧化物、铝氮化物、铝氮氧化物、钛氧化物、钛氮化物、钽氧化物、钽氮化物、铪氧化物、铪氮化物、锆氧化物、锆氮化物、铈氧化物、铈氮化物、锡氧化物、锡氮化物和镁氧化物之中的至少一种。在一实施例中，第一封装无机层IOL10和第二封装无机层IOL20分别可以包括硅氧化物、硅氮化物和硅氮氧化物之中的至少任一种。

第二封装层TFE2的厚度d2可以在1.0μm以上且5.0μm以下。在第二封装层TFE2的厚度d2小于1.0μm的情况下，膜质量会下降，对水分和氧的阻挡特性会下降，薄膜会变薄，从而可能很难平坦化形成在光控制层CCL的上表面的高低差。在第二封装层TFE2的厚度d2大于5.0μm的情况下，对外部压力的机械特性会下降，从而可能会在薄膜中产生裂纹等损伤。在第二封装层TFE2的厚度d2满足前述的范围的情况下，在沉积过程中形成相对致密的膜质量，从而可以提高阻挡特性的同时可以提高对外部压力的机械特性，因此可以提高显示面板DP的耐久性和可靠性。

在第二封装层TFE2上配置滤色器CF-R。滤色器CF-R使特定波长范围的光透过，并且阻断相应波长范围以外的光。第一发光区域PXA-R(图1c)的滤色器CF-R可以使红色光透过。第二发光区域PXA-G(图1c)的滤色器CF-R可以使绿色光透过。第三发光区域PXA-B(图1c)的滤色器CF-R可以使蓝色光透过。

滤色器CF-R包括基底树脂以及分散在基底树脂中的染料和/或颜料。基底树脂是使染料和/或颜料分散的媒介，通常可以由可被称为粘合剂的各种树脂组成物形成。

通过第二封装层TFE2去除了高低差而配置在平坦面上的滤色器CF-R可以在发光区域PXA内具有均匀的厚度。由色变换图案(即，光控制图案CCF-R)生成的红色光可以从发光区域PXA内以均匀的亮度被提供到外部。

在滤色器CF-R上配置保护层OC。保护层OC可以是保护滤色器CF-R的有机层。保护层OC可以包括光固性有机物质或热固性有机物质。

根据本发明的一实施例，在保护层OC上还可以配置保护用玻璃基板。在保护层OC与玻璃基板之间可以配置粘接层。在本发明的一实施例中，保护层OC也可以包括无机物质。

图2b是本发明的一实施例涉及的显示面板DP的剖视图。以下，在参照图2b说明本发明的一实施例涉及的显示面板DP时，对于在图2a中已经说明过的构成赋予同一符号，并省略详细的说明。

参照图2b，在第二电极CE上可以配置第一封装层TFE1-1。第一封装层TFE1-1可以包括至少一个无机层。在一实施例中，第一封装层TFE1-1可以包括第一无机层IOL1-1以及配置在第一无机层IOL1-1上的第二无机层IOL2-1。第二无机层IOL2-1可以直接配置在第一无机层IOL1-1上。即，第二无机层IOL2-1的下表面可以与第一无机层IOL1-1的上表面接触。

第一无机层IOL1-1可以配置在第二电极CE上。第一无机层IOL1-1可以覆盖形成在第二电极CE的上表面CE-UF的第一高低差部CE-SP。第一无机层IOL1-1的上表面IOL1-1-UF可以包括与第一高低差部CE-SP对应的至少一个第二高低差部IOL1-1-SP。第二高低差部IOL1-1-SP可以与发光区域PXA重叠且不与不发光区域NPXA重叠。第二高低差部IOL1-1-SP可以与第一高低差部CE-SP同样地通过在像素定义膜PDL中定义的第一开口部OP1来形成。发光元件OLED的一部分配置在第一开口部OP1内，从而可以在第一无机层IOL1-1的上表面IOL1-1-UF形成第二高低差部IOL1-1-SP。

第一无机层IOL1-1的第二高低差部IOL1-1-SP可以具有第二高低差h2。第二高低差h2可以被定义为与像素定义膜PDL重叠的部分的第一无机层IOL1-1的上表面IOL1-1-UF和与第一开口部OP1重叠地设置的第二高低差部IOL1-1-SP之间的高度差异。第二高低差部IOL1-1-SP可以在每个发光区域PXA中具有相同高度的高低差。例如，与第一发光区域PXA-R(图1c)、第二发光区域PXA-G(图1c)及第三发光区域PXA-B(图1c)重叠的第一无机层IOL1-1的第二高低差部IOL1-1-SP可以都具有第二高低差h2。但是，并不限于此，第二高低差部IOL1-1-SP的高低差也可以在每个发光区域PXA中不同。例如，分别与第一发光区域PXA-R(图1c)、第二发光区域PXA-G(图1c)及第三发光区域PXA-B(图1c)重叠的第一无机层IOL1-1的第二高低差部IOL1-1-SP也可以具有彼此不同的高低差。

第二无机层IOL2-1可以配置在第一无机层IOL1-1上。第二无机层IOL2-1可以覆盖第一无机层IOL1-1的第二高低差部IOL1-1-SP。例如，第二无机层IOL2-1可以消除第一无机层IOL1-1的第二高低差部IOL1-1-SP的高低差来实现平坦化。第二无机层IOL2-1覆盖第一无机层IOL1-1的第二高低差部IOL1-1-SP，从而可以在第二无机层IOL2-1的下表面定义与第二高低差部IOL1-1-SP对应的至少一个高低差。

在一实施例中，第二无机层IOL2-1可以通过研磨工序实现平坦化。随着第二无机层IOL2-1通过研磨工序实现平坦化，第二无机层IOL2-1的上表面IOL2-1-UF的表面粗糙度可以减小，可以去除微粒等，从而可以改善对水分和氧的阻挡特性。此外，薄膜可以去除在第一无机层IOL1-1中形成的高低差来实现平坦化，即使在第一无机层IOL1-1的上表面IOL1-1-UF存在因微粒等引起的凹凸，也可以平坦地覆盖这种凹凸。

在一实施例中，至少配置在显示区域DA内的第二无机层IOL2-1的上表面IOL2-1-UF可以是平坦面。配置在显示区域DA的发光区域PXA和不发光区域NPXA中的第二无机层IOL2-1的上表面IOL2-1-UF可以是平坦面。发光区域PXA中的从第一电极AE的下表面到第二无机层IOL2-1的上表面IOL2-1-UF为止的高度可以与不发光区域NPXA中的从像素定义膜PDL的下表面到第二无机层IOL2-1的上表面IOL2-1-UF为止的高度相同。由此，在发光区域PXA中与第二高低差部IOL1-1-SP重叠的第二无机层IOL2-1的上表面IOL2-1-UF可以是平坦的。

第二无机层IOL2-1的上表面IOL2-1-UF的表面粗糙度可以不同于第一无机层IOL1-1的上表面IOL1-1-UF的表面粗糙度。随着第二无机层IOL2-1的上表面IOL2-1-UF通过研磨工序实现平坦化，第二无机层IOL2-1的上表面IOL2-1-UF的表面粗糙度可以形成为比第一无机层IOL1-1的上表面IOL1-1-UF的表面粗糙度小。在一实施例中，经过了研磨工序的第二无机层IOL2-1的表面粗糙度可以在0nm以上且2nm以下。

虽然未图示，但是第一封装层TFE1-1还可以包括配置在第二无机层IOL2-1上的至少一个无机层。例如，第一封装层TFE1-1还可以包括配置在第二无机层IOL2-1上的第三无机层(可以参照图7f的“IOL3”)。

图2c是本发明的一实施例涉及的显示面板DP的剖视图。以下，在参照图2c说明本发明的一实施例涉及的显示面板DP时，对于在图2a中已经说明过的构成赋予同一符号，并省略详细的说明。

参照图2c，一实施例涉及的显示面板DP与图2a所示的显示面板DP相比，第一封装层TFE1-2还可以包括有机层OL。在第二电极CE上可以配置密封发光元件OLED的第一封装层TFE1-2。第一封装层TFE1-2可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。例如，第一封装层TFE1-2可以包括两个无机层以及配置在两个无机层之间的有机层。

一实施例的显示面板DP还可以包括配置在第一无机层IOL1-2与第二无机层IOL2-2之间的有机层OL。第一无机层IOL1-2可以配置在第二电极CE上。第一无机层IOL1-2可以覆盖第二电极CE的第一高低差部CE-SP。例如，第一无机层IOL1-2可以消除形成在第二电极CE的上表面CE-UF的第一高低差部CE-SP的高低差来实现平坦化。随着第一无机层IOL1-2覆盖第一高低差部CE-SP，可以在第一无机层IOL1-2的下表面定义与第一高低差部CE-SP对应的至少一个高低差。

在一实施例中，第一无机层IOL1-2可以通过研磨工序实现平坦化。在有机层OL形成在第一无机层IOL1-2上之前，第一无机层IOL1-2的上表面IOL1-2-UF可以通过研磨工序实现平坦化。随着第一无机层IOL1-2通过研磨工序实现平坦化，可以消除形成在显示元件层DP-OLED中的高低差而实现薄膜平坦化，第一无机层IOL1-2的上表面IOL1-2-UF的表面粗糙度可以减小，可以去除微粒。此外，本发明的一实施例涉及的显示面板DP的制造过程包括第一无机层IOL1-2的上表面IOL1-2-UF通过研磨工序实现平坦化的工序，从而具有用于形成有机层OL的有机液被提供到第一无机层IOL1-2上时可以均匀涂布有机液的优点。由此，一实施例的显示面板DP即使通过喷墨工序在第一无机层IOL1-2上形成有机层OL，也可以防止出现墨液成团现象和凹凸现象等，因此可以提高显示面板DP的识别性。

有机层OL可以配置在第一无机层IOL1-2上。具体而言，有机层OL可以配置在第一无机层IOL1-2与第二无机层IOL2-2之间。由此，可以对形成在第一无机层IOL1-2和第二无机层IOL2-2内的针孔进行去耦(decoupling)，由此可以延迟水分和氧的透过，从而可以大幅改善阻挡特性。

通常，决定第一无机层IOL1-2和第二无机层IOL2-2的水分和氧的透过特性的主要原因可以是由形成在薄膜中的针孔引起的。公知这种针孔是因无机薄膜的高的表面粗糙度或者微粒等引起的。有机层OL可以对形成在第一无机层IOL1-2和第二无机层IOL2-2中的针孔进行去耦，从而可以起到进一步提高第一封装层TFE1-2的阻挡特性的作用。通过在第一无机层IOL1-2与第二无机层IOL2-2之间配置有机层OL，第一无机层IOL1-2与第二无机层IOL2-2之间的水分和氧的透过路径可以变长，从而可以进一步提高第一封装层TFE1-2的阻挡特性。

另一方面，在第一无机层IOL1-2和第二无机层IOL2-2之间引入有机层OL的情况下，虽然可以提高阻挡特性，但是因厚的有机层OL，第一封装层TFE1-2的透光度会减小，从而发光元件OLED的出光效率可能会下降。在本发明中，通过将有机层OL控制在一定厚度以下，可以抑制由有机层OL引起的透光度的减小。由此，发光元件OLED的出光效率可以增加，从而可以提高显示面板DP的识别性。

在一实施例中，有机层OL的厚度可以在0.1μm以上且2.0μm以下。在有机层OL的厚度小于0.1μm的情况下，第一无机层IOL1-2和第二无机层IOL2-2之间的水分透过延迟效果可能会下降，在有机层OL的厚度大于2.0μm的情况下，由于厚度厚，从发光元件OLED射出的光的透过度会减小，从而显示面板DP的识别性可能会下降。在有机层OL的厚度满足前述的范围的情况下，可以期待出色的水分透过延迟效果，可以提高从发光元件OLED通过第一封装层TFE1-2的光的透过度，从而可以增大光提取效果。

随着第一封装层TFE1-2还包括有机层OL，第一封装层TFE1-2的厚度d1-1可以大于图2a所示的第一封装层TFE1的厚度d1。在一实施例中，第一封装层TFE1-2的厚度d1-1可以在1.0μm以上且5.0μm以下。在第一封装层TFE1-2的厚度d1-1小于1.0μm的情况下，膜质量会下降，从而对水分和氧的阻挡特性会下降，薄膜变薄，由此很难平坦化形成在光控制层CCL的上表面的高低差。在第一封装层TFE1-2的厚度d1-1超过5.0μm的情况下，对外部压力的机械特性会下降，从而可能会在薄膜中产生裂纹等损伤。在第一封装层TFE1-2的厚度d1-1满足前述的范围的情况下，可以在沉积过程中形成相对致密的膜质量，由此可以提高阻挡特性的同时提高对外部压力的机械特性，因此可以提高显示面板DP的耐久性和可靠性。

虽然未图示，但是在一实施例涉及的显示面板DP中，除了第二封装层TFE2以外还可以包括有机层。例如，第二封装层TFE2还可以包括配置在第一封装无机层IOL10与第二封装无机层IOL20之间的封装有机层。此外，对于第一封装层TFE1-2的有机层OL前述的内容同样适用于第二封装层TFE2的有机封装层。

以下，参照图3、图4、图5a至图5f、图6以及图7a至图7f，说明一实施例的显示面板的制造方法。在对于一实施例的显示面板的制造方法的说明中，对显示面板可以适用针对上述的一实施例的显示面板的说明。以下，在对于一实施例的显示面板的制造方法的说明中，不再说明与对于上述的一实施例的显示面板的说明重复的内容，主要说明差异点。另一方面，在图5a至图5f以及图7a至图7f中例示性地示出了形成第一封装层的步骤，但是并不限于此，形成第二封装层的步骤也可以通过本发明的一实施例涉及的制造方法来执行。

一实施例的显示面板的制造方法可以表示制造在图2a至图2c中说明的一实施例的显示面板的方法。一实施例提供包括适用于显示面板DP的第一封装层TFE1的显示面板的制造方法。

图3是表示一实施例的显示面板的制造方法的顺序图。图4是细分化了一实施例涉及的形成第一封装层的步骤S200的顺序图。

参照图3，一实施例涉及的制造显示面板的方法包括：准备发光元件的步骤S100；以及在发光元件上形成第一封装层的步骤S200。在一实施例中，在发光元件上形成第一封装层的步骤S200包括：在发光元件上形成第一无机层的步骤S201；以及在第一无机层上形成第二无机层的步骤S202。

图4是细分化了图3所示的一实施例涉及的形成第一封装层的步骤S200之中的形成第一无机层的步骤S201的顺序图。参照图4，一实施例涉及的形成第一无机层的步骤S201可以包括：在发光元件上形成第一预备无机层的步骤S201a；以及研磨第一预备无机层的上表面来形成第一无机层的步骤S201b。

图5a至图5f是示意性表示一实施例涉及的制作显示面板DP的步骤的图。图5a表示提供发光元件OLED的步骤S100，图5b表示在第二电极CE上提供第一预备无机层PIOL1的步骤S201a，图5c是放大表示图5b的AA1区域的剖视图，图5d表示研磨第一预备无机层PIOL1的上表面来形成第一无机层IOL1的步骤S201b，图5e是放大表示图5d的AA2区域的剖视图，图5f表示在第一无机层IOL1上形成第二无机层IOL2的步骤S202。

参照图5a，在形成第一封装层TFE1之前可以提供发光元件OLED。发光元件OLED的第二电极CE的上表面CE-UF可以包括至少一个第一高低差部CE-SP。第一高低差部CE-SP可以通过发光元件OLED的一部分配置在第一开口部OP1内而形成。第一高低差部CE-SP可以具有第一高低差h1。第一高低差h1可以被定义为与像素定义膜PDL重叠的部分的第二电极CE的上表面CE-UF和与第一开口部OP1重叠地设置的第一高低差部CE-SP的高度差异。

参照图5b，在第二电极CE上可以提供第一预备无机层PIOL1。第二电极CE的上表面CE-UF包括至少一个第一高低差部CE-SP，从而可以在第一预备无机层PIOL1的上表面PIOL1-UF形成与第一高低差部CE-SP对应的第一预备高低差部PIOL1-SP。例如，第一预备无机层PIOL1的上表面PIOL1-UF可以不平坦。在本实施例中，第一预备高低差部PIOL1-SP可以在研磨第一预备无机层PIOL1的上表面PIOL1-UF的步骤S201b中被去除。

第一预备无机层PIOL1的厚度可以考虑第一预备高低差部PIOL1-SP的厚度以及期望的第一无机层IOL1的厚度来适当调节。例如，将第一预备无机层PIOL1的厚度可以适当调节成在研磨工序之后在第二电极CE上以一定厚度形成第一无机层IOL1且完全去除了第一预备高低差部PIOL1-SP使得第一无机层IOL1的上表面IOL1-UF变成平坦面。例如，第一预备无机层PIOL1的厚度可以在3.0μm以上且5.0μm以下。

在一实施例中，第一预备无机层PIOL1的厚度可以在形成于显示元件层DP-OLED的上部的高低差的约两倍以上。例如，第一预备无机层PIOL1的厚度可以在形成于第二电极CE的上表面CE-UF的第一高低差部CE-SP的第一高低差h1的约两倍以上。例如，第一预备无机层PIOL1可以在作为厚度方向的第三方向DR3上以第一预备无机层PIOL1为第一高低差h1的两倍以上的方式被设置在第二电极CE上。但是，并不限于此。

可以通过各种方法提供第一预备无机层PIOL1。例如，可以通过化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、溅射(sputter)、原子层沉积(ALD)或热沉积(thermal evaporation)等方法来形成第一预备无机层PIOL1。

参照图5c，在第一预备无机层PIOL1的上表面PIOL1-UF可以形成有微细大小的凹凸。在形成第一预备无机层PIOL1时，因存在于表面的微粒等，在第一预备无机层PIOL1的上表面PIOL1-UF可能会形成有凹凸。这种凹凸可以后续通过研磨工序来去除。

参照图5b和图5d，可以执行研磨第一预备无机层PIOL1的上表面PIOL1-UF的步骤S201b。在图5d中，用虚线表示了研磨第一预备无机层PIOL1的上表面PIOL1-UF而被去除的部分。可以研磨第一预备无机层PIOL1的上表面PIOL1-UF来形成第一无机层IOL1。在进行研磨的步骤中，可以去除形成在第一预备无机层PIOL1的上表面PIOL1-UF的第一预备高低差部PIOL1-SP的高低差来实现平坦化。

可以通过各种方法执行研磨第一预备无机层PIOL1的上表面PIOL1-UF的步骤S201b。在一实施例中，研磨第一预备无机层PIOL1的上表面PIOL1-UF的步骤S201b可以通过化学机械研磨工序来执行，但是并不限于此。

参照图5b至图5e，在研磨工序中，第一预备无机层PIOL1可以以作为厚度方向的第三方向DR3为基准被去除3.0μm以下。即，在研磨工序中，第一预备无机层PIOL1被去除的厚度d_PIOL1可以在3.0μm以下。在第一预备无机层PIOL1被去除的厚度大于3.0μm的情况下，被去除的第一预备无机层PIOL1的总量增加，从而显示面板DP的生产性可能会下降，最终形成的第一无机层IOL1的厚度可能会减小，从而对水分和氧的阻挡特性可能会下降。

经过了研磨工序的第一无机层IOL1的上表面IOL1-UF可以是平坦的。此外，通过研磨工序，可以去除形成在第一预备无机层PIOL1的上表面PIOL1-UF的凹凸。例如，通过研磨工序，可以去除存在于第一预备无机层PIOL1的上表面PIOL1-UF的微粒等缺陷，因此通过了薄膜的水分透过度可以减小。

在一实施例中，第一无机层IOL1的上表面IOL1-UF的表面粗糙度可以小于第一预备无机层PIOL1的上表面PIOL1-UF的表面粗糙度。在一实施例中，通过研磨工序实现了平坦化的第一无机层IOL1的上表面IOL1-UF的表面粗糙度可以在0nm以上且2nm以下。

参照图5f，可以在第一无机层IOL1上提供第二无机层IOL2。第一无机层IOL1的上表面IOL1-UF通过研磨工序实现平坦化，从而第二无机层IOL2可以均匀地沉积在第一无机层IOL1上。由此，可以提高第一封装层TFE1的膜质量。虽然未图示，但是第二无机层IOL2也可以与第一无机层IOL1同样地通过研磨工序实现平坦化。例如，也可以在第一无机层IOL1上形成第二预备无机层，执行研磨第二预备无机层的上表面的步骤。

另一方面，虽然未图示，但是在形成第二无机层IOL2的步骤之前，也可以先在第一无机层IOL1上形成有机层OL(图2c)。也可以在第一无机层IOL1上形成有机层OL(图2c)之后，在有机层OL(图2c)上形成第二无机层IOL2。由此，如图2c所示，可以在第一无机层IOL1与第二无机层IOL2之间配置有机层OL(图2c)。

图6是细分化了图3所示的一实施例涉及的形成第一封装层的步骤S200之中的形成第二无机层的步骤S202的顺序图。图7a至图7f是示意性表示一实施例涉及的制作显示面板DP的步骤的图。图7a表示在发光元件OLED上提供第一无机层IOL1-1的步骤，图7b表示在第一无机层IOL1-1上提供第二预备无机层PIOL2-1的步骤，图7c放大表示了图7b的AA3区域的剖视图，图7d表示研磨第二预备无机层PIOL2-1的上表面PIOL2-1-UF来形成第二无机层IOL2-1的步骤，图7e是放大表示了图7d的AA4区域的剖视图，图7f表示在第二无机层IOL2-1上形成第三无机层IOL3的步骤。

以下，参照图6和图7a至图7f，详细说明一实施例涉及的第一封装层TFE1-1的形成方法。不再说明与参照图4和图5a至图5f说明的内容相同的内容，主要说明差异点。

图6以及图7a至图7f所示的形成第一封装层的步骤S200(图3)不同于参照图4以及图5a至图5f说明的形成第一封装层的步骤S200(图3)，差异点在于第二无机层通过研磨工序来实现平坦化。研磨工序可以在形成第二无机层的步骤中执行而不是在形成第一无机层的步骤中执行。即，在形成一实施例的第一封装层步骤S200(图3)中，形成第二无机层的步骤S202可以包括：在第一无机层上形成第二预备无机层的步骤S202a；以及研磨第二预备无机层的上表面来形成第二无机层的步骤S202b。

参照图7a，可以在发光元件OLED的第二电极CE上提供第一无机层IOL1-1。第二电极CE的上表面CE-UF包括至少一个第一高低差部CE-SP，从而可以在第一无机层IOL1-1的上表面IOL1-1-UF形成与第一高低差部CE-SP对应的第二高低差部IOL1-1-SP。例如，第一无机层IOL1-1的上表面IOL1-1-UF可以不平坦。第二高低差部IOL1-1-SP可以具有第二高低差h2。第二高低差h2可以被定义为第一无机层IOL1-1的上表面IOL1-1-UF与第二高低差部IOL1-1-SP的高度差异。

参照图7b，可以在第一无机层IOL1-1上提供第二预备无机层PIOL2-1。第一无机层IOL1-1的上表面IOL1-1-UF包括至少一个第二高低差部IOL1-1-SP，从而可以在第二预备无机层PIOL2-1的上表面PIOL2-1-UF形成与第二高低差部IOL1-1-SP对应的第二预备高低差部PIOL2-1-SP。例如，第二预备无机层PIOL2-1的上表面PIOL2-1-UF可以不平坦。在本实施例中，第二预备高低差部PIOL2-1-SP可以在研磨第二预备无机层PIOL2-1的上表面PIOL2-1-UF的步骤S202b中被去除。

第二预备无机层PIOL2-1的厚度可以考虑第二预备高低差部PIOL2-1-SP的厚度以及期望的第二无机层IOL2-1的厚度来适当调节。例如，第二预备无机层PIOL2-1的厚度可以被适当调节成在研磨工序之后第二无机层IOL2-1以一定厚度形成在第一无机层IOL1-1上，可以完全去除第二预备高低差部PIOL2-1-SP来使第二无机层IOL2-1的上表面IOL2-1-UF变成平坦面。

在一实施例中，第二预备无机层PIOL2-1的厚度可以在形成于第一无机层IOL1-1的上部的高低差的约两倍以上。例如，第二预备无机层PIOL2-1的厚度可以在形成于第一无机层IOL1-1的上表面IOL1-1-UF的第二高低差部IOL1-1-SP的第二高低差h2的约两倍以上。例如，第二预备无机层PIOL2-1可以在作为厚度方向的第三方向DR3上以变成第二高低差h2的两倍以上的方式被提供到第一无机层IOL1-1上。例如，第二预备无机层PIOL2的厚度可以在3.0μm以上且5.0μm以下。但是，并不限于此。

可以通过各种方法提供第二预备无机层PIOL2-1。例如，第二预备无机层PIOL2-1可以通过化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、溅射(sputter)、原子层沉积(ALD)或热沉积(thermal evaporation)等方法形成。

在一实施例中，可以连续地执行形成第一无机层IOL1-1的步骤和形成第二预备无机层PIOL2-1的步骤S202a。形成第一无机层IOL1-1的步骤和形成第二预备无机层PIOL2-1的步骤可以在同一反应器中执行。由此，可以缩短用于形成第一封装层TFE1-1的工序时间，因此在显示面板DP的生产性方面是有利的。

参照图7c，在第一无机层IOL1-1的上表面IOL1-1-UF和第二预备无机层PIOL2-1的上表面PIOL2-1-UF可以分别形成有微细大小的凹凸。在形成第一无机层IOL1-1的步骤中，由于存在于第一无机层IOL1-1的表面的微粒等，在第一无机层IOL1-1的上表面IOL1-1-UF可能会形成凹凸。此外，在形成第二预备无机层PIOL2-1的步骤S202a中，由于存在于第二预备无机层PIOL2-1的表面的微粒等，在第二预备无机层PIOL2-1的上表面PIOL2-1-UF可能会形成凹凸。形成在第二预备无机层PIOL2-1的上表面PIOL2-1-UF的凹凸可以通过研磨工序来去除。

参照图7b和图7d，可以执行研磨第二预备无机层PIOL2-1的上表面PIOL2-1-UF的步骤S202b。在图7d中，利用虚线表示了通过研磨第二预备无机层PIOL2-1的上表面PIOL2-1-UF而被去除的部分。可以研磨第二预备无机层PIOL2-1的上表面PIOL2-1-UF来形成第二无机层IOL2-1。在研磨第二预备无机层PIOL2-1的上表面PIOL2-1-UF的步骤S202b中，可以去除图7b所示的第二预备高低差部PIOL2-1-SP的高低差来实现平坦化。研磨第二预备无机层PIOL2-1的上表面PIOL2-1-UF的步骤S202b可以通过各种方法执行。在一实施例中，研磨第二预备无机层PIOL2-1的上表面PIOL2-1-UF的步骤S202b可以通过化学机械研磨工序来执行，但是并不限于此。

参照图7b至图7e，在研磨工序中，第二预备无机层PIOL2-1可以以作为厚度方向的第三方向DR3为基准被去除3.0μm以下。即，在研磨工序中第二预备无机层PIOL2-1被去除的厚度d_PIOL2可以在3.0μm以下。在第二预备无机层PIOL2-1被去除的厚度大于3.0μm的情况下，被去除的第二预备无机层PIOL2-1的总量增加，从而显示面板DP的生产性可能会下降，最终形成的第二无机层IOL2-1的厚度可能会减小，从而对水分和氧的阻挡特性可能会下降。

经过了研磨工序的第二无机层IOL2-1的上表面IOL2-1-UF可以是平坦的。此外，可以通过研磨工序去除形成在第二预备无机层PIOL2-1的上表面PIOL2-1-UF的凹凸。例如，可以通过研磨工序去除存在于第二预备无机层PIOL2-1的上表面PIOL2-1-UF的微粒等缺陷，因此通过了薄膜的水分透过度可以减小。此外，第二无机层IOL2-1的上表面IOL2-1-UF通过研磨工序实现平坦化，从而即使在第一无机层IOL1-1的上表面IOL1-1-UF存在凹凸，由于第一无机层IOL1-1被第二无机层IOL2-1覆盖，因此最终可以提高第一封装层TFE1-1的膜质量。

在一实施例中，第二无机层IOL2-1的上表面IOL2-1-UF的表面粗糙度可以小于第一无机层IOL1-1的上表面IOL1-1-UF的表面粗糙度。通过研磨工序实现了平坦化的第二无机层IOL2-1的上表面IOL2-1-UF的表面粗糙度可以在0nm以上且2nm以下。

参照图7f，在一实施例中，形成第一封装层的步骤S200(图3)在形成第二无机层IOL2-1的步骤S202b之后还可以包括在第二无机层IOL2-1上形成第三无机层IOL3的步骤。可以在第二无机层IOL2-1上提供第三无机层IOL3。第二无机层IOL2-1的上表面IOL2-1-UF通过研磨工序实现了平坦化，从而第三无机层IOL3可以均匀地沉积在第二无机层IOL2-1上。由此，可以提高最终形成的第一封装层TFE1-1的膜质量，从而可以进一步改善阻挡特性和透光度特性。

以上，说明了本发明的优选实施例，但是本领域普通技术人员或本领域熟练技术人员应当能够理解在不超出权利要求书所记载的本发明的思想和技术领域的范围内可以对本发明进行各种修正以及变更。因此，本发明的技术范围并不限于说明书的详细说明中记载的内容，应仅通过权利要求书来确定。

Claims (14)

1.一种显示面板，包括发光区域以及与所述发光区域相邻的不发光区域，所述显示面板包括：

发光元件，包括第一电极、配置在所述第一电极上的发光层以及配置在所述发光层上的第二电极；

像素定义膜，定义有使所述第一电极露出的第一开口部；以及

第一封装层，配置在所述第二电极上且与所述发光元件重叠，

所述第一封装层包括：

第一无机层，配置在所述第二电极上；以及

第二无机层，配置在所述第一无机层上，

所述第二电极的上表面包括至少一个第一高低差部，

所述第二无机层的下表面与所述第一无机层的上表面接触，所述第一无机层的所述上表面和所述第二无机层的上表面之中的至少一个是平坦面。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，

所述第一封装层的厚度在1.0μm以上且5.0μm以下。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，

所述第一无机层覆盖所述第一高低差部，

在所述发光区域中所述第一无机层的所述上表面是平坦面。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，

所述发光区域中的从所述第一电极的下表面到所述第一无机层的所述上表面为止的高度和所述不发光区域中的从所述像素定义膜的下表面至所述第一无机层的所述上表面为止的高度相同。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，

所述第一无机层的所述上表面包括与所述第一高低差部对应的第二高低差部。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，

所述第二无机层覆盖所述第二高低差部，

在所述发光区域中所述第二无机层的所述上表面是平坦面。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其中，

所述第一无机层的所述上表面的算术平均粗糙度大于所述第二无机层的所述上表面的算术平均粗糙度。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其中，

所述第一封装层还包括配置在所述第二无机层上的第三无机层。

9.根据权利要求1所述的显示面板，还包括：

分隔壁，配置在所述第一封装层上且定义有与所述第一开口部对应的第二开口部；

光控制图案，配置在所述第二开口部的内侧；

第二封装层，配置在所述分隔壁上且与所述光控制图案重叠；以及

滤色器，配置在所述第二封装层上且与所述光控制图案重叠。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其中，

所述第二封装层的厚度在1.0μm以上且5.0μm以下。

11.根据权利要求9所述的显示面板，其中，

所述第二封装层包括：

第一封装无机层，配置在所述分隔壁上；以及

第二封装无机层，配置在所述第一封装无机层上，

所述第二封装无机层的下表面与所述第一封装无机层的上表面接触。

12.一种显示面板，包括：

发光元件，包括第一电极、配置在所述第一电极上的发光层以及配置在所述发光层上的第二电极；

像素定义膜，定义有使所述第一电极露出的第一开口部；以及

第一封装层，配置在所述第二电极上且与所述发光元件重叠，

所述第一封装层包括：

第一无机层，配置在所述第二电极上；以及

第二无机层，配置在所述第一无机层上，

所述第一封装层的厚度在1.0μm以上且5.0μm以下。

13.根据权利要求12所述的显示面板，其中，

所述第一无机层的上表面和所述第二无机层的上表面之中的至少一个是平坦面。

14.根据权利要求12所述的显示面板，其中，

所述第一封装层还包括配置在所述第一无机层与所述第二无机层之间的有机层，

所述有机层的厚度在0.1μm以上且2.0μm以下。

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