KR20230058240A - 표시 패널 및 표시 패널의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널은 발광 영역 및 발광 영역에 인접하는 비발광 영역을 포함하는 표시 패널에 있어서, 표시 패널은 제1 전극, 제1 전극 상에 배치된 발광층, 및 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 발광소자, 제1 전극을 노출시키는 제1 개구부가 정의된 화소 정의막, 및 제2 전극 상에 배치되고, 발광소자에 중첩하는 제1 봉지층을 포함하고, 제1 봉지층은 제2 전극 상에 배치되는 제1 무기층, 및 제1 무기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함하고, 제2 전극의 상면은 적어도 하나의 제1 단차부를 포함하고, 제2 무기층의 하면은 제1 무기층의 상면과 접촉하고, 제1 무기층의 상면 및 제2 무기층의 상면 중 적어도 하나는 평탄면이다.

Description

표시 패널 및 표시 패널의 제조 방법 {DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME}
본 발명은 표시 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
영상 정보를 제공하기 위하여 다양한 형태의 표시 장치가 사용되고 있으며, 유기 전계 발광 재료 또는 양자점 발광 재료 등을 사용한 자발광의 표시 장치에 대한 개발이 진행되고 있다.
자발광의 표시 장치는 발광소자를 포함하며, 발광소자는 산소 및 수분 등의 외부 환경에 취약한 특징을 가지고 있어, 발광소자를 밀봉하기 위한 다양한 기술들을 필요로 한다. 그 중 발광소자 위에 봉지층을 배치시켜 공기 및 수분 등의 침투 경로를 차단하는 봉지층에 대한 개발이 진행되고 있다.
본 발명은 내투습성이 우수하고, 광학 특성이 개선된 봉지층을 포함하는 표시 패널 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널은 발광 영역 및 상기 발광 영역에 인접하는 비발광 영역을 포함하는 표시 패널에 있어서, 상기 표시 패널은 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 발광층, 및 상기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 발광소자, 상기 제1 전극을 노출시키는 제1 개구부가 정의된 화소 정의막, 및 상기 제2 전극 상에 배치되고, 상기 발광소자에 중첩하는 제1 봉지층을 포함하고, 상기 제1 봉지층은 상기 제2 전극 상에 배치되는 제1 무기층, 및 상기 제1 무기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함하고, 상기 제2 전극의 상면은 적어도 하나의 제1 단차부를 포함하고, 상기 제2 무기층의 하면은 상기 제1 무기층의 상면과 접촉하고, 상기 제1 무기층의 상기 상면 및 상기 제2 무기층의 상면 중 적어도 하나는 평탄면이다.
상기 제1 봉지층의 두께는 1.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 이하일 수 있다.
상기 제1 무기층은 상기 제1 단차부를 커버하고, 상기 발광 영역에서 상기 제1 무기층의 상기 상면은 평탄면일 수 있다.
상기 발광 영역에서 상기 제1 전극의 하면으로부터 상기 제1 무기층의 상기 상면까지의 높이는 상기 비발광 영역에서 상기 화소 정의막의 하면으로부터 상기 제1 무기층의 상기 상면까지의 높이와 동일할 수 있다.
상기 제1 무기층의 상기 상면은 상기 제1 단차부에 대응하는 제2 단차부를 포함할 수 있다.
상기 제2 무기층은 상기 제2 단차부를 커버하고, 상기 발광 영역에서 상기 제2 무기층의 상기 상면은 평탄면일 수 있다.
상기 제1 무기층의 상기 상면의 산술 평균 거칠기는 상기 제2 무기층의 상기 상면의 산술 평균 거칠기보다 클 수 있다.
상기 제1 봉지층은 상기 제2 무기층 상에 배치되는 제3 무기층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 봉지층 상에 배치되고, 상기 제1 개구부에 대응하는 제2 개구부가 정의된 분할 격벽, 상기 제2 개구부의 내측에 배치된 광 제어패턴, 상기 분할 격벽 상에 배치되고, 상기 광 제어패턴에 중첩하는 제2 봉지층, 및 상기 제2 봉지층 상에 배치되고, 상기 광 제어패턴에 중첩하는 컬러필터를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 봉지층의 두께는 1.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 이하일 수 있다.
상기 제2 봉지층은 상기 분할 격벽 상에 배치되는 제1 봉지 무기층, 및 상기 제1 봉지 무기층 상에 배치되는 제2 봉지 무기층을 포함하고, 상기 제2 봉지 무기층의 하면은 상기 제1 봉지 무기층의 상면과 접촉할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널은 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 발광층, 및 상기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 발광소자, 상기 제1 전극을 노출시키는 제1 개구부가 정의된 화소 정의막, 및 상기 제2 전극 상에 배치되고, 상기 발광소자에 중첩하는 제1 봉지층을 포함하고, 상기 제1 봉지층은 상기 제2 전극 상에 배치되는 제1 무기층, 및 상기 제1 무기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함하고, 상기 제1 봉지층의 두께는 1.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 이하이다.
상기 제1 무기층의 상면 및 상기 제2 무기층의 상면 중 적어도 하나는 평탄면일 수 있다.
상기 제1 봉지층은 상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층 사이에 배치되는 유기층을 더 포함하고, 상기 유기층의 두께는 0.1 ㎛ 이상 2.0 ㎛ 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법은 발광소자를 준비하는 단계, 및 상기 발광소자 상에 제1 봉지층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 봉지층을 형성하는 단계는 상기 발광소자 상에 제1 무기층을 형성하는 단계, 및 상기 제1 무기층 상에 제2 무기층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 봉지층을 형성하는 단계에서, 상기 제1 무기층의 상면 및 상기 제2 무기층의 상면 중 적어도 하나는 연마 공정을 통해 평탄화된다.
상기 연마 공정은 화학 기계적 연마 공정을 포함할 수 있다.
상기 제1 무기층을 형성하는 단계는 상기 발광소자 상에 제1 예비 무기층을 형성하는 단계, 및 상기 제1 예비 무기층의 상면을 연마하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 예비 무기층의 상면을 연마하는 단계에서, 상기 제1 예비 무기층이 제거되는 두께는 3.0㎛ 이하일 수 있다.
상기 제2 무기층을 형성하는 단계는 상기 제1 무기층 상에 제2 예비 무기층을 형성하는 단계, 및 상기 제2 예비 무기층의 상면을 연마하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 봉지층을 형성하는 단계는 상기 제2 무기층을 형성하는 단계 이후에 상기 제2 무기층 상에 제3 무기층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광소자 상에 봉지층을 구비하는 표시 패널에 있어서, 봉지층에 포함되는 적어도 하나의 무기층을 연마 공정을 통해 평탄화함으로써, 발광소자의 출광 효율을 향상시킬 뿐 아니라, 내투습성을 개선할 수 있으므로 우수한 발광 효율 및 신뢰성을 가지는 표시 패널을 구현할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 사시도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 사시도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 제조하는 방법을 나타낸 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 무기층을 형성하는 단계를 세분화한 순서도이다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 제조하는 단계를 개략적으로 나타낸 도면들이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 무기층을 형성하는 단계를 세분화한 순서도이다.
도 7a 내지 도 7f는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 제조하는 단계를 개략적으로 나타낸 도면들이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합 된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서, "직접 배치"된다는 것은 층, 막, 영역, 판 등의 부분과 다른 부분 사이에 추가되는 층, 막, 영역, 판 등이 없는 것을 의미하는 것일 수 있다. 예를 들어, "직접 배치"된다는 것은 두 개의 층 또는 두 개의 부재들 사이에 접착 부재 등의 추가 부재를 사용하지 않고 배치하는 것을 의미하는 것일 수 있다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안 된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)의 사시도이다. 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)의 단면도이다. 도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 1a 및 도 1b에 도시된 표시 패널(DP)은 발광형 표시 패널로써, 무기 발광 표시 패널(inorganic light emitting display panel) 또는 유기 발광 표시 패널(organic light emitting display panel) 중 어느 하나 일 수 있고, 특별히 제한되지 않는다.
도 1a에 도시된 것과 같이, 표시 패널(DP)은 표시면(DP-IS)을 통해 이미지를 표시할 수 있다. 표시면(DP-IS)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)이 정의하는 면과 평행한다.
표시 패널(DP)의 최상측에 배치된 부재의 상면이 표시면(DP-IS)으로 정의될 수 있다. 도 1b에 도시된 광 제어부재(OSL)의 상면이 도 1a의 표시면(DP-IS)으로 정의될 수 있다. 표시면(DP-IS)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 표시면(DP-IS)의 법선 방향, 즉 표시 패널(DP)의 두께 방향은 제3 방향(DR3)이 지시한다. 이하에서 설명되는 각 층들 또는 유닛들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향(DR3)에 의해 구분된다. 그러나, 본 실시예에서 도시된 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2, DR3)은 예시에 불과하다.
표시 패널(DP)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)에는 화소(PX)가 배치되고, 비표시 영역(NDA)에는 화소(PX)가 미-배치된다. 비표시 영역(NDA)은 표시면(DP-IS)의 테두리를 따라 정의된다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 에워쌀 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 비표시 영역(NDA)은 생략되거나 표시 영역(DA)의 일측에만 배치될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에서 평면형 표시면(DP-IS)을 구비한 표시 패널(DP)을 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 표시 패널(DP)는 곡면형 표시면 또는 입체형 표시면을 포함할 수도 있다. 입체형 표시면은 서로 다른 방향을 지시하는 복수 개의 표시 영역들을 포함할 수도 있다.
또한, 표시 패널(DP)은 롤러블 표시 패널 또는 폴더블 표시 패널 또는 슬라이더블 표시 패널일 수 있다. 표시 패널(DP)은 플렉서블한 성질을 갖고, 표시 장치에 설치되어 접히거나, 말릴 수 있다.
도 1b에 도시된 것과 같이, 표시 패널(DP)은 베이스 기판(BS), 베이스 기판(BS) 상에 배치된 회로 소자층(DP-CL), 표시 소자층(DP-OLED), 제1 봉지층(TFE1) 및 광 제어부재(OSL)를 포함한다. 베이스 기판(BS)은 유리기판, 플라스틱기판, 또는 유/무기 복합기판을 포함할 수 있다. 회로 소자층(DP-CL)은 화소(PX)의 구동회로 또는 신호라인을 포함한다. 표시 소자층(DP-OLED)은 화소(PX)마다 배치된 발광소자를 포함한다. 제1 봉지층(TFE1)은 발광소자를 밀봉하는 적어도 하나의 무기층을 포함한다. 광 제어부재(OSL)는 발광소자에서 생성된 소스광의 광학성질을 변환시킨다.
도 1c를 참조하면, 표시 패널(DP)에는 복수의 발광 영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 및 복수의 발광 영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 인접한 비발광 영역(NPXA)이 정의될 수 있다. 도 1c에 도시된 복수의 발광 영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 도 1a에 표시된 표시 패널(DP)을 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)이 정의하는 평면상에서 바라본 상태로 도시되었다.
복수의 발광 영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 제1 발광 영역(PXA-R), 제2 발광 영역(PXA-G), 및 제3 발광 영역(PXA-B)을 포함할 수 있다. 주변 영역(NPXA)은 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 경계를 설정하며, 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이의 혼색을 방지할 수 있다.
복수의 발광 영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 제1 색광(예컨대, 레드 광)을 제공하는 제1 발광 영역(PXA-R), 제2 색광(예컨대, 그린 광)을 제공하는 제2 발광 영역(PXA-G), 및 제3 색광(예컨대, 블루 광)을 제공하는 제3 발광 영역(PXA-B)을 포함할 수 있다. 주요 3 색은 다른 조합으로 변경될 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다. 이후 설명되는 발광 영역(PXA)은 레드 광을 제공하는 제1 발광 영역으로 설명된다.
제1 발광 영역(PXA-R), 제2 발광 영역(PXA-G), 및 제3 발광 영역(PXA-B)의 단면상 구조는 실질적으로 동일한 바, 제1 발광 영역(PXA-R)을 중심으로 설명한다. 제1 발광 영역(PXA-R), 제2 발광 영역(PXA-G), 및 제3 발광 영역(PXA-B)의 차이점은 이하에서 명시되고, 명시된 구성 이외의 구성은 동일한 것으로 볼 수 있다.
제1 발광 영역(PXA-R), 제2 발광 영역(PXA-G), 및 제3 발광 영역(PXA-B)은 제1 방향(DR1)으로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 발광 영역(PXA-R), 제2 발광 영역(PXA-G), 및 제3 발광 영역(PXA-B)은 제1 방향(DR1)을 따라 교번하게 반복되어 배치될 수 있다.
하나의 제1 발광 영역(PXA-R), 하나의 제2 발광 영역(PXA-G), 및 하나의 제3 발광 영역(PXA-B)은 하나의 유닛 영역(PXA-U)을 구성할 수 있다. 복수의 유닛 영역들(PXA-U)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 나열될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 하나의 제1 발광 영역(PXA-R), 두 개의 제2 발광 영역(PXA-G), 및 하나의 제3 발광 영역(PXA-B)이 하나의 유닛 영역(PXA-U)을 구성할 수도 있다.
제1 발광 영역(PXA-R), 제2 발광 영역(PXA-G), 및 제3 발광 영역(PXA-B)의 면적은 서로 동일하거나, 다를 수 있으며 특별히 제한되지 않는다. 한편, 도 1c에서는 제1 내지 제3 화소 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 배열 관계를 예시적으로 도시하였으나, 상기 배열 관계가 특별히 제한되는 것은 아니다.
이하, 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 일 실시예의 표시 패널(DP)에 대해 상세히 설명한다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다. 도 2a에서는 도 1c의 I-I'을 절단한 표시 장치의 단면도를 도시하였다.
표시 영역(DA, 도 1a)은 발광 영역(PXA), 및 발광 영역(PXA)에 인접한 비발광 영역(NPXA)를 포함한다. 비발광 영역(NPXA)은 복수의 발광 영역(PXA)의 경계를 설정하며, 발광 영역들(PXA) 사이의 혼색을 방지한다. 본 실시예에서, 발광 영역(PXA)은 후술하는 제2 개구부(OP2)에 대응하게 정의된다. 비발광 영역(NPXA)은 분할 격벽(BW)이 배치된 영역으로 정의된다.
도 2a를 참조하면, 구동 트랜지스터(T-D)와 발광소자(OLED)에 대응하는 화소(PX)의 단면을 예시적으로 도시하였다. 표시 패널(DP)은 복수의 절연층 및 반도체 패턴, 도전 패턴, 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 공정을 통해 절연층, 반도체층 및 도전층을 형성한다. 이후, 포토리소그래피 및 식각 공정을 통해 절연층, 반도체층 및 도전층을 선택적으로 패터닝할 수 있다. 이러한 방식으로 회로 소자층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-OLED)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 신호 라인 등을 형성한다.
본 실시예에서 회로 소자층(DP-CL)은 버퍼막(BFL), 제1 절연층(10), 제2 절연층(20), 제3 절연층(30)을 포함할 수 있다. 예컨대, 버퍼막(BFL), 제1 절연층(10), 및 제2 절연층(20)은 무기층이고, 제3 절연층(30)은 유기층일 수 있다.
도 2a에는 구동 트랜지스터(T-D)를 구성하는 액티브(A-D), 소오스(S-D), 드레인(D-D), 게이트(G-D)의 배치관계가 예시적으로 도시되었다. 액티브(A-D), 소오스(S-D), 드레인(D-D)은 반도체 패턴의 도핑 농도 또는 전도성에 따라 구분되는 영역일 수 있다.
표시 소자층(DP-OLED)은 발광소자(OLED)를 포함한다. 발광소자(OLED)는 소스광을 생성할 수 있다. 발광소자(OLED)는 제1 전극(AE), 제2 전극(CE), 및 제1 전극(AE)과 제2 전극(CE) 사이에 배치된 발광층(EML)을 포함한다. 본 실시예에서 표시 소자층(DP-OLED)은 발광소자로써 유기발광 다이오드를 포함할 수 있다. 표시 소자층(DP-OLED)은 화소 정의막(PDL)을 포함한다. 예컨대, 화소 정의막(PDL)은 유기층일 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 통상의 블랙 성분((black coloring agent)을 포함할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 베이스 수지에 혼합된 블랙 염료, 블랙 안료를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 블랙 성분은 카본 블랙을 포함하거나, 크롬과 같은 금속 또는 이들의 산화물을 포함할 수 있다.
제3 절연층(30) 상에 제1 전극(AE)이 배치된다. 제1 전극(AE)은 구동 트랜지스터(T-D)와 직접 또는 간접적으로 연결된다. 도 2a에서 제1 전극(AE)과 구동 트랜지스터(T-D)의 연결구조는 미-도시되었다. 화소 정의막(PDL)에는 제1 개구부(OP1)가 정의된다. 제1 개구부(OP1)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다.
정공 제어층(HCL), 발광층(EML), 전자 제어층(ECL)은 발광 영역(PXA)과 비발광 영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층(HCL), 발광층(EML), 전자 제어층(ECL)은 복수의 발광 영역에 공통적으로 배치될 수 있다. 복수의 발광 영역의 발광층(EML)은 일체의 형상을 가질 수 있다. 제1 발광 영역의 발광층, 제2 발광 영역의 발광층, 및 제3 발광 영역의 발광층은 일체의 형상을 가질 수 있고, 이러한 발광층은 영역에 무관하게 동일한 색의 소스광을 생성할 수 있다.
정공 제어층(HCL)은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 소스광으로써 블루광을 생성할 수 있다. 블루광은 410 nm 내지 480 nm 파장을 포함할 수 있다. 블루광의 발광 스펙트럼은 440 nm 내지 460 nm 범위의 속하는 피크 파장을 가질 수 있다. 전자 제어층(ECL)은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다.
도 2a에서는 화소 정의막(PDL)에 정의된 제1 개구부(OP1) 내에 발광소자(OLED)의 정공 제어층(HCL), 발광층(EML), 및 전자 제어층(ECL)이 발광 영역(PXA) 및 비발광 영역(NPXA)에서 공통층으로 제공되는 실시예를 도시하였다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 도 2a에 도시된 것과 달리 일 실시예에서 정공 제어층(HCL), 발광층(EML), 및 전자 제어층(ECL)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 제1 개구부(OP1) 내부에 패터닝되어 제공되는 것일 수 있다. 또는, 발광소자(OLED)의 발광층(EML)은 제1 개구부(OP1) 내에 패터닝되고, 정공 제어층(HCL), 및 전자 제어층(ECL)은 발광 영역(PXA) 및 비발광 영역(NPXA)에서 공통층으로 제공될 수도 있다.
제2 전극(CE)은 전자 제어층(ECL) 상에 배치된다. 제2 전극(CE)은 복수의 발광 영역에 공통적으로 배치될 수 있다. 복수의 발광 영역은 일체의 형상의 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다.
제2 전극(CE)의 상면(CE-UF)은 적어도 하나의 제1 단차부(CE-SP)를 포함할 수 있다. 제1 단차부(CE-SP)는 발광 영역(PXA)에 중첩하고 비발광 영역(NPXA)에는 비중첩할 수 있다. 제1 단차부(CE-SP)는 소정의 단차만큼 오목하게 패인 홈 형상을 가질 수 있다. 제1 단차부(CE-SP)는 화소 정의막(PDL)에 정의된 제1 개구부(OP1)에 의해 형성된 것일 수 있다. 발광소자(OLED)의 일부가 제1 개구부(OP1) 내에 배치됨에 따라 제2 전극(CE)의 상면(CE-UF)에 제1 단차부(CE-SP)가 형성될 수 있다.
제2 전극(CE)의 제1 단차부(CE-SP)는 제1 단차(h1)를 가질 수 있다. 제1 단차(h1)는 화소 정의막(PDL)에 중첩하는 부분의 제2 전극(CE)의 상면(CE-UF)과, 제1 개구부(OP1)에 중첩하도록 위치한 제1 단차부(CE-SP) 간의 높이 차이로 정의될 수 있다. 제1 단차부(CE-SP)는 발광 영역들(PXA) 마다 동일한 높이의 단차를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 영역(PXA-R, 도 1c), 제2 발광 영역(PXA-G, 도 1c), 및 제3 발광 영역(PXA-B, 도 1c)에 중첩하는 제2 전극(CE)의 제1 단차부(CE-SP)는 모두 제1 단차(h1)를 가질 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 제1 단차부(CE-SP)의 단차는 발광 영역들(PXA) 마다 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 영역(PXA-R, 도 1c), 제2 발광 영역(PXA-G, 도 1c), 및 제3 발광 영역(PXA-B, 도 1c) 각각에 중첩하는 제2 전극(CE)의 제1 단차부(CE-SP)는 서로 상이한 단차를 가질 수도 있다.
발광소자(OLED) 상에는 제1 봉지층(TFE1)이 배치될 수 있으며, 제1 봉지층(TFE1)은 제2 전극(CE) 상에 배치되는 것일 수 있다. 제1 봉지층(TFE1)은 제2 전극(CE) 상에 직접 배치되는 것일 수 있다. 제1 봉지층(TFE1)은 적어도 하나의 무기층 을 포함할 수 있다. 제1 봉지층(TFE1)은 박막 봉지층일 수 있다. 제1 봉지층(TFE1)은 발광소자(OLED)를 수분 및 산소로부터 보호하는 역할을 할 수 있다. 제1 봉지층(TFE1)은 발광소자(OLED)를 커버하는 것일 수 있다. 발광소자(OLED)는 제1 봉지층(TFE1)에 의해 밀봉되는 것일 수 있다. 미-도시되었으나, 표시 패널(DP)은 제1 봉지층(TFE1)의 상측에 출광 효율을 향상시키기 위한 굴절률 제어층을 더 포함할 수도 있다.
일 실시예에서, 제1 봉지층(TFE1)은 제1 무기층(IOL1) 및 제1 무기층(IOL1) 상에 배치된 제2 무기층(IOL2)을 포함할 수 있다. 제2 무기층(IOL2)은 제1 무기층(IOL1) 상에 직접 배치될 수 있다. 즉, 제2 무기층(IOL2)의 하면은 제1 무기층(IOL1)의 상면과 접촉할 수 있다.
제1 무기층(IOL1)은 제2 전극(CE) 상에 배치될 수 있다. 제1 무기층(IOL1)은 제2 전극(CE)의 제1 단차부(CE-SP)를 커버할 수 있다. 예컨대, 제1 무기층(IOL1)은 제2 전극(CE)의 제1 단차부(CE-SP)의 단차를 소거하여 평탄화시킬 수 있다. 제1 무기층(IOL1)이 제2 전극(CE)의 제1 단차부(CE-SP)를 커버함에 따라 제1 무기층(IOL1)의 하면에는 제1 단차부(CE-SP)에 대응하는 적어도 하나의 단차가 정의될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 무기층(IOL1) 및 제2 무기층(IOL2) 중 적어도 하나는 연마 공정을 통해 평탄화될 수 있다. 예컨대, 제1 무기층(IOL1)의 상면(IOL1-UF) 및 제2 무기층(IOL2)의 상면(IOL2-UF) 중 적어도 하나는 연마 공정을 통해 평탄화될 수 있다. 무기 물질을 포함하는 무기층(IOL1, IOL2)의 경우 얇고 밀도가 치밀하여 수분과 산소에 대한 배리어 특성을 가지나, 거친 표면 및 파티클 등에 의해 핀홀(pinhole)이 형성되어 배리어 특성이 저하되는 단점이 있다. 본 발명에 따르면, 연마 공정을 통해 제1 무기층(IOL1)의 상면(IOL1-UF) 및 제2 무기층(IOL2)의 상면(IOL2-UF) 중 적어도 하나가 평탄화됨에 따라 표면 거칠기가 감소되고, 표면 파티클이 제거되어 핀홀 형성을 억제시킬 수 있다. 이에 따라, 제1 봉지층(TFE1)의 배리어 특성이 더욱 향상될 수 있다. 또한, 별도의 평탄화 층을 도입하지 않고도 표시 소자층(DP-OLED)에 형성된 단차가 제거될 수 있어 표시 장치의 생산성이 향상될 수 있다. 한편, 본 명세서에서, "표면 거칠기"는 산술 평균 거칠기(Ra)를 의미할 수 있다.
일 실시예에서, 적어도 표시 영역(DA, 도 1a) 내에 배치된 제1 무기층(IOL1)의 상면(IOL1-UF)은 평탄면일 수 있다. 표시 영역(DA, 도 1a)의 발광 영역(PXA) 및 비발광 영역(NPXA)에 배치된 제1 무기층(IOL1)의 상면(IOL1-UF)은 평탄면일 수 있다. 예컨대, 발광 영역(PXA)에서 제1 전극(AE)의 하면으로부터 제1 무기층(IOL1)의 상면(IOL1-UF)까지의 높이는 비발광 영역(NPXA)에서 화소 정의막(PDL)의 하면으로부터 제1 무기층(IOL1)의 상면(IOL1-UF)까지의 높이와 동일할 수 있다. 이에 따라, 발광 영역(PXA)에서 제1 단차부(CE-SP)에 중첩하는 제1 무기층(IOL1)의 상면(IOL1-UF)은 평탄할 수 있다.
제1 무기층(IOL1) 및 제2 무기층(IOL2) 각각은 다양한 방법으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 무기층(IOL1) 및 제2 무기층(IOL2) 각각은 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마 향상 화학 기상증착(PECVD), 스퍼터(sputter), 원자층 증착(ALD), 또는 열증착(thermal evaporation) 등의 방법으로 형성할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 무기층(IOL1) 및 제2 무기층(IOL2) 각각은 금속 산화물 및/또는 금속 질화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 무기층(IOL1) 및 제2 무기층(IOL2) 각각은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화 질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산화 질화물, 티타늄 산화물, 티타늄 질화물, 탄탈륨 산화물, 탄탈륨 질화물, 하프늄 산화물, 하프늄 질화물, 지르코늄 산화물, 지르코늄 질화물, 세륨 산화물, 세륨 질화물, 주석 산화물, 주석 질화물, 및 마그네슘 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 무기층(IOL1) 및 제2 무기층(IOL2) 각각은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 및 실리콘 산화 질화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 봉지층(TFE1)의 두께(d1)는 1.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 이하일 수 있다. 제1 봉지층(TFE1)의 두께(d1)가 1.0 ㎛ 미만인 경우 막질이 저하하여 수분과 산소에 대한 배리어 특성이 저하되고, 박막이 얇아 표시 소자층(DP-OLED)에 형성된 단차를 평탄화하기 어려울 수 있다. 또한, 제1 봉지층(TFE1)의 두께(d1)가 5.0 ㎛ 초과인 경우, 외부 스트레스에 의한 기계적 특성이 저하되어 박막에 크랙 등 손상이 발생될 수 있다. 제1 봉지층(TFE1)의 두께(d1)가 전술한 범위를 만족하는 경우 증착 과정에서 상대적으로 치밀한 막질 형성으로 인해 배리어 특성이 향상되면서도 외부 스트레스에 인한 기계적 특성이 향상될 수 있으므로 표시 장치의 내구성 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
종래 표시 장치의 봉지 기술은 박막 형태로 발광소자 상에 무기층과 유기층을 차례로 적층하는 유-무기 다층 박막 봉지 기술이 사용되어 왔다. 이러한 유-무기 다층 박막 구조의 경우 투습율을 감소시키는데 효과적일 수 있으나, 두꺼운 유기층 도입으로 인해 가시광선 영역에서의 광 투과율이 낮아 발광소자의 출광 효율을 저하시키는 문제가 야기될 수 있다. 또한, 잉크젯 공정을 통해 무기층 상에 유기층을 형성하는 과정에서 잉크의 뭉침 현상이 발생되거나, 유기층 표면이 물결치는 엠보 현상이 발현되는 문제가 있을 수 있다. 이러한 뭉침 현상 및 엠보 현상이 발생한 지점에서는 광이 제대로 통과할 수 없어 표시 장치의 시인성이 저하될 수 있다.
본 발명에서는 제1 봉지층(TFE1)에 포함된 적어도 하나의 무기층의 상면이 연마 공정을 통해 평탄화됨으로써 표면 평탄화를 위해 별도의 유기층이 요구되지 않을 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 봉지층(TFE1)의 제1 무기층(IOL1)의 상면(IOL1-UF) 및 제2 무기층(IOL2)의 상면(IOL2-UF) 중 적어도 하나는 연마 공정에 의해 평탄화될 수 있다. 이에 따라, 제1 무기층(IOL1) 및 제2 무기층(IOL2) 중 적어도 하나는 제1 개구부(OP1)에 의해 형성된 단차를 제거하여 평탄화하는 역할을 할 수 있으므로 별도의 유기층이 요구되지 않아 공정의 간소화 및 공정시간(tact time)의 단축을 실현할 수 있다. 또한, 기존 유기층 형성을 위한 잉크젯 공정에서 발생되는 뭉침 현상이나 엠보 현상을 방지할 수 있으므로 표시 장치의 시인성이 향상될 수 있다. 더하여, 기존 두꺼운 유기층에 의한 광 투과도 저하를 방지할 수 있으므로 발광소자의 출광 효율이 향상될 수 있다.
다시 도 2a를 참조하면, 제1 봉지층(TFE1) 상에 광 제어부재(OSL)가 배치될 수 있다. 광 제어부재(OSL)는 광 제어층(CCL), 제2 봉지층(TFE2), 컬러필터(CF-R), 및 보호층(OC)를 포함할 수 있다. 광 제어층(CCL)은 분할 격벽(BW) 및 광 제어패턴(CCF-R)을 포함할 수 있다.
분할 격벽(BW)은 광 투과성이 높은 베이스 수지 및 첨가제를 포함할 수 있다. 베이스 수지는 일반적으로 바인더로 지칭될 수 있는 다양한 수지 조성물로 이루어질 수 있다. 첨가제는 커플링제 및/또는 광개시제를 포함할 수 있다. 첨가제는 분산제를 더 포함할 수 있다.
분할 격벽(BW)은 광 차단을 위해 블랙 성분(black coloring agent)를 포함할 수 있다. 분할 격벽(BW)은 베이스 수지에 혼합된 블랙 염료, 블랙 안료를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 블랙 성분은 카본 블랙을 포함하거나, 크롬과 같은 금속 또는 이들의 산화물을 포함할 수 있다.
분할 격벽(BW)은 제1 개구부(OP1)에 대응하는 제2 개구부(OP2)를 포함할 수 있다. 평면상에서, 제2 개구부(OP2)는 제1 개구부(OP1)에 중첩하고, 제1 개구부(OP1) 보다 큰 면적을 가질 수 있다.
제2 개구부(OP2) 내측에 광 제어패턴(CCF-R)이 배치될 수 있다. 광 제어패턴(CCF-R)은 소스광의 광학 성질을 변화시킬 수 있다. 제1 발광 영역과 제2 발광 영역의 광 제어패턴(CCF-R)은 소스광의 색을 변환시킬 수 있는 색 변환패턴일 수 있다. 제1 발광 영역의 색 변환패턴은 블루광의 소스광을 레드광으로 변환시키고, 제2 발광 영역의 색 변환패턴은 블루광의 소스광을 그린광으로 변환시킬 수 있다. 제3 발광 영역의 색 변환패턴은 투과패턴일 수 있다. 제3 발광 영역의 색 변환패턴은 산란입자를 포함하여 수신된 블루광을 산란 후 출사할 수 있다. 광 제어패턴(CCF-R)은 입사광 대비 출사광의 휘도를 향상시킬 수 있다.
색 변환패턴은 베이스 수지 및 베이스 수지에 혼합된(또는 분산된) 양자점들을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 색 변환패턴은 양자점을 포함할 수 있고, 이러한 의미에서 양자점패턴으로 정의될 수도 있으며, 제1 화소영역과 제2 화소영역의 색 변환패턴은 서로 다른 양자점을 포함한다. 베이스 수지는 양자점들이 분산되는 매질로서, 일반적으로 바인더로 지칭될 수 있는 다양한 수지 조성물로 이루어질 수 있다. 다만, 그에 제한되는 것은 아니며, 본 명세서에서 양자점들을 분산 배치시킬 수 있는 매질이면 그 명칭, 추가적인 다른 기능, 구성 물질 등에 상관없이 베이스 수지로 지칭될 수 있다. 베이스 수지는 고분자 수지일 수 있다. 예를 들어, 베이스 수지는 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 등일 수 있다. 베이스 수지는 투명 수지일 수 있다.
광 제어패턴(CCF-R)은 잉크젯 공정에 의해 형성될 수 있다. 액상의 조성물이 제2 개구부(OP2) 내에 제공될 수 있다. 열 경화공정 또는 광 경화공정에 의해 중합되는 조성물은 경화 후 부피가 감소될 수 있다.
색 변환패턴은 상술한 투과패턴처럼 베이스 수지에 혼합된 산란입자를 더 포함할 수 있다. 산란입자는 티타늄옥사이드(TiO2) 또는 실리카계 나노 입자 등일 수 있다.
양자점들은 입사되는 광의 파장을 변환하는 입자일 수 있다. 양자점들은 수 나노미터 크기의 결정 구조를 가진 물질로, 수백에서 수천 개 정도의 원자로 구성되며, 작은 크기로 인해 에너지 밴드 갭(band gap)이 커지는 양자 구속(quantum confinement) 효과를 나타낸다. 양자점들에 밴드 갭보다 에너지가 높은 파장의 빛이 입사하는 경우, 양자점들은 그 빛을 흡수하여 들뜬 상태로 되고, 특정 파장의 광을 방출하면서 바닥 상태로 떨어진다. 방출된 광의 에너지는 밴드 갭에 해당되는 값을 갖는다. 양자점들은 그 크기와 조성 등을 조절하면 양자 구속 효과에 의한 발광 특성을 조절할 수 있다.
양자점들은 II-VI족 화합물, III-VI족 화합물, I-III-VI족 화합물, III-V족 화합물, III-II-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, CdS, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-VI족 화합물은 In2S3, In2Se3 등과 같은 이원소 화합물, InGaS3, InGaSe3 등과 같은 삼원소 화합물, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
I-III-VI족 화합물은 AgInS, AgInS2, CuInS, CuInS2, AgGaS2, CuGaS2 CuGaO2, AgGaO2, AgAlO2 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 또는 AgInGaS2, CuInGaS2 등의 사원소 화합물로부터 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InAlP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 한편, III-V족 화합물은 II족 금속을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, III-II-V족 화합물로 InZnP 등이 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어/쉘 구조에서, 쉘에 존재하는 원소의 농도가 코어로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다. 양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절 할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다.
광 제어층(CCL)의 상면은 분할 격벽(BW)의 상면(BW-UF) 및 광 제어패턴(CCF-R)의 상면(CCF-UF)으로 정의될 수 있다. 광 제어층(CCL)의 상면에는 제3 단차(h3)가 형성될 수 있다. 제3 단차(h3)는 분할 격벽(BW)의 상면(CCF-UF)과 광 제어패턴(CCF-R)의 상면(CCF-UF) 사이의 높이 차이로 정의될 수 있다. 제3 단차(h3)는 2 ㎛ 이상 3 ㎛ 이하일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 광 제어패턴(CCF-R)의 상면(CCF-UF)은 제3 단차부로 지칭될 수 있다.
광 제어층(CCL) 상에는 제2 봉지층(TFE2)이 배치될 수 있다. 제2 봉지층(TFE2)은 적어도 하나의 봉지 무기층을 포함할 수 있다. 제2 봉지층(TFE2)은 제1 봉지 무기층(IOL10), 및 제1 봉지 무기층(IOL10) 상에 배치된 제2 봉지 무기층(IOL20)을 포함할 수 있다. 제1 봉지 무기층(IOL10) 및 제2 봉지 무기층(IOL20)은 외부 습기로부터 광 제어패턴(CCF-R)을 보호하고, 분할 격벽(BW)의 상면(BW-UF)과 광 제어패턴(CCF-R)의 상면(CCF-UF)에 의해 정의된 단차들을 제거하여 광 제어층(CCL) 상측에 배치될 부재에 평탄한 베이스면을 제공할 수 있다.
제1 봉지 무기층(IOL10)은 광 제어층(CCL) 상에 배치되고, 광 제어층(CCL)의 상면에 형성된 제3 단차부(CCL-UF)를 커버할 수 있다. 예컨대, 제1 봉지 무기층(IOL10)은 제3 단차부(CCF-UF)의 단차를 소거하여 평탄화시킬 수 있다. 제1 봉지 무기층(IOL10)이 광 제어층(CCL)의 제3 단차부(CCL-UF)를 커버함에 따라 제1 봉지 무기층(IOL10)의 하면에는 제3 단차부(CCL-UF)에 대응하는 적어도 하나의 단차가 정의될 수 있다. 제2 봉지 무기층(IOL20)은 제1 봉지 무기층(IOL10) 상에 직접 배치될 수 있다. 즉, 제2 봉지 무기층(IOL20)의 하면은 제1 봉지 무기층(IOL10)의 상면(IOL10-UF)과 접촉할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 봉지 무기층(IOL10) 및 제2 봉지 무기층(IOL20) 중 적어도 하나는 연마 공정을 통해 평탄화될 수 있다. 예컨대, 제1 봉지 무기층(IOL10)의 상면(IOL10-UF) 및 제2 봉지 무기층(IOL20)의 상면(IOL20-UF) 중 적어도 하나는 연마 공정을 통해 평탄화될 수 있다. 도 2a에서와 같이 제1 봉지 무기층(IOL10)의 상면(IOL10-UF)이 평탄면을 가질 경우, 제1 봉지 무기층(IOL10)의 상면(IOL10-UF)이 연마 공정을 통해 평탄화 된 것일 수 있다.
일 실시예에서, 적어도 표시 영역(DA, 도 1a) 내에 배치된 제1 봉지 무기층(IOL10)의 상면(IOL10-UF)은 평탄면일 수 있다. 표시 영역(DA, 도 1a)의 발광 영역(PXA) 및 비발광 영역(NPXA)에 배치된 제1 봉지 무기층(IOL10)의 상면(IOL10-UF)은 평탄면일 수 있다. 예컨대, 발광 영역(PXA)에서 광 제어패턴(CCF-R)의 하면으로부터 제1 봉지 무기층(IOL10)의 상면(IOL10-UF)까지의 높이는 비발광 영역(NPXA)에서 분할 격벽(BW)의 하면으로부터 제1 봉지 무기층(IOL10)의 상면(IOL10-UF)까지의 높이와 동일할 수 있다. 이에 따라, 발광 영역(PXA)에서 제3 단차부(CCL-UF)에 중첩하는 제1 봉지 무기층(IOL10)의 상면(IOL10-UF)은 평탄할 수 있다.
제1 봉지 무기층(IOL10) 및 제2 봉지 무기층(IOL20) 각각은 금속 산화물 및/또는 금속 질화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지 무기층(IOL10) 및 제2 봉지 무기층(IOL20) 각각은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화 질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산화 질화물, 티타늄 산화물, 티타늄 질화물, 탄탈륨 산화물, 탄탈륨 질화물, 하프늄 산화물, 하프늄 질화물, 지르코늄 산화물, 지르코늄 질화물, 세륨 산화물, 세륨 질화물, 주석 산화물, 주석 질화물, 및 마그네슘 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 봉지 무기층(IOL10) 및 제2 봉지 무기층(IOL20) 각각은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 및 실리콘 산화 질화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제2 봉지층(TFE2)의 두께(d2)는 1.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 이하일 수 있다. 제2 봉지층(TFE2)의 두께(d2)가 1.0 ㎛ 미만인 경우 막질이 저하하여 수분과 산소에 대한 배리어 특성이 저하되고, 박막이 얇아 광 제어층(CCL)의 상면에 형성된 단차를 평탄화하기 어려울 수 있다. 제2 봉지층(TFE2)의 두께(d2)가 5.0 ㎛ 초과인 경우 외부 스트레스에 의한 기계적 특성이 저하되어 박막에 크랙 등 손상이 발생될 수 있다. 제2 봉지층(TFE2)의 두께(d2)가 전술한 범위를 만족하는 경우 증착 과정에서 상대적으로 치밀한 막질 형성으로 인해 배리어 특성이 향상되면서도 외부 스트레스에 인한 기계적 특성이 향상될 수 있으므로 표시 장치의 내구성 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
제2 봉지층(TFE2) 상에 컬러필터(CF-R)가 배치된다. 컬러필터(CF-R)는 특정한 파장범위의 광을 투과시키고, 해당 파장범위 외의 광은 차단시킨다. 제1 발광 영역의 컬러필터(CF-R)는 레드광을 투과시킬 수 있다. 제2 발광 영역의 컬러필터는 그린광을 투과시킬 수 있다. 제3 발광 영역의 컬러필터는 블루광을 투과시킬 수 있다.
컬러필터(CF-R)는 베이스 수지 및 베이스 수지에 분산된 염료 및/또는 안료를 포함한다. 베이스 수지는 염료 및/또는 안료가 분산되는 매질로서, 일반적으로 바인더로 지칭될 수 있는 다양한 수지 조성물로 이루어질 수 있다.
제2 봉지층(TFE2)에 의해 단차가 제거되어 평탄면 상에 배치된 컬러필터(CF-R)는 발광 영역(PXA) 내에서 균일한 두께를 가질 수 있다. 색 변환패턴(CCF-R)에서 생성된 레드광은 발광 영역(PXA) 내에서 균일한 휘도로 외부에 제공될 수 있다.
컬러필터(CF-R) 상에 보호층(OC)이 배치된다. 보호층(OC)은 컬러필터(CF-R)를 보호하는 유기층일 수 있다. 보호층(OC)은 광 경화성 유기물질 또는 열 경화성 유기물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 보호층(OC) 상에 보호용 유리기판이 더 배치될 수 있다. 보호층(OC)과 유리기판 사이에 접착층이 배치될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 보호층(OC)은 무기물질을 포함할 수도 있다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)의 단면도이다. 이하, 도 2b를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)을 설명함에 있어, 도 2a에서 앞서 설명한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 자세한 설명은 생략한다.
도 2b를 참조하면, 제2 전극(CE) 상에 제1 봉지층(TFE1-1)이 배치될 수 있다. 제1 봉지층(TFE1-1)은 적어도 하나의 무기층을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 봉지층(TFE1-1)은 제1 무기층(IOL1-1), 및 제1 무기층(IOL1-1) 상에 배치된 제2 무기층(IOL2-1)을 포함할 수 있다. 제2 무기층(IOL2-1)은 제1 무기층(IOL1-1) 상에 직접 배치될 수 있다. 즉, 제2 무기층(IOL2-1)의 하면은 제1 무기층(IOL1-1)의 상면과 접촉할 수 있다.
제1 무기층(IOL1-1)은 제2 전극(CE) 상에 배치될 수 있다. 제1 무기층(IOL1-1)은 제2 전극(CE)의 상면(CE-UF)에 형성된 제1 단차부(CE-SP)를 커버할 수 있다. 제1 무기층(IOL1-1)의 상면(IOL1-1-UF)은 제1 단차부(CE-SP)에 대응하는 적어도 하나의 제2 단차부(IOL1-1-SP)를 포함할 수 있다. 제2 단차부(IOL1-1-SP)는 발광 영역(PXA)에 중첩하고, 비발광 영역(NPXA)에는 비중첩할 수 있다. 제2 단차부(IOL1-1-SP)는 제1 단차부(CE-SP)와 동일하게 화소 정의막(PDL)에 정의된 제1 개구부(OP1)에 의해 형성된 것일 수 있다. 발광소자(OLED)의 일부가 제1 개구부(OP1) 내에 배치됨에 따라 제1 무기층(IOL1-1)의 상면(IOL1-1-UF)에 제2 단차부(IOL1-1-SP)가 형성될 수 있다.
제1 무기층(IOL1-1)의 제2 단차부(IOL1-1-SP)는 제2 단차(h2)를 가질 수 있다. 제2 단차(h2)는 화소 정의막(PDL)에 중첩하는 부분의 제1 무기층(IOL1-1)의 상면(IOL1-1-UF)과, 제1 개구부(OP1)에 중첩하도록 위치한 제2 단차부(IOL1-1-SP) 간의 높이 차이로 정의될 수 있다. 제2 단차부(IOL1-1-SP)는 발광 영역들(PXA) 마다 동일한 높이의 단차를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 영역(PXA-R, 도 1c), 제2 발광 영역(PXA-G, 도 1c), 및 제3 발광 영역(PXA-B, 도 1c)에 중첩하는 제1 무기층(IOL1-1)의 제2 단차부(IOL1-1-SP)는 모두 제2 단차(h2)를 가질 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 제2 단차부(IOL1-1-SP)의 단차는 발광 영역들(PXA) 마다 상이할 수도 있다. 예를 들어, 제1 발광 영역(PXA-R, 도 1c), 제2 발광 영역(PXA-G, 도 1c), 및 제3 발광 영역(PXA-B, 도 1c) 각각에 중첩하는 제1 무기층(IOL1-1)의 제2 단차부(IOL1-1-SP)는 서로 상이한 단차를 가질 수도 있다.
제2 무기층(IOL2-1)은 제1 무기층(IOL1-1) 상에 배치될 수 있다. 제2 무기층(IOL2-1)은 제1 무기층(IOL1-1)의 제2 단차부(IOL1-1-SP)를 커버할 수 있다. 예컨대, 제2 무기층(IOL2-1)은 제1 무기층(IOL1-1)의 제2 단차부(IOL1-1-SP)의 단차를 소거하여 평탄화시킬 수 있다. 제2 무기층(IOL2-1)이 제1 무기층(IOL1-1)의 제2 단차부(IOL1-1-SP)를 커버함에 따라 제2 무기층(IOL2-1)의 하면에는 제2 단차부(IOL1-1-SP)에 대응하는 적어도 하나의 단차가 정의될 수 있다.
일 실시예에서, 제2 무기층(IOL2-1)은 연마 공정을 통해 평탄화될 수 있다. 제2 무기층(IOL2-1)이 연마 공정을 통해 평탄화됨에 따라, 제2 무기층(IOL2-1)의 상면(IOL2-1-UF)의 표면 거칠기가 감소되고, 파티클 등이 제거되어 수분 및 산소에 대한 배리어 특성이 개선될 수 있다. 또한, 제1 무기층(IOL1-1)에 형성된 단차가 제거되어 박막이 평탄화될 수 있으며, 제1 무기층(IOL1-1)의 상면(IOL1-1-UF)에 파티클 등에 의한 요철이 존재하더라도 이를 평탄하게 덮을 수 있다.
일 실시예에서, 적어도 표시 영역(DA) 내에 배치된 제2 무기층(IOL2-1)의 상면(IOL2-1-UF)은 평탄면일 수 있다. 표시 영역(DA)의 발광 영역(PXA) 및 비발광 영역(NPXA)에 배치된 제2 무기층(IOL2-1)의 상면(IOL2-1-UF)은 평탄면일 수 있다. 발광 영역(PXA)에서 제1 전극(AE)의 하면으로부터 제2 무기층(IOL2-1)의 상면(IOL2-1-UF)까지의 높이는 비발광 영역(NPXA)에서 화소 정의막(PDL)의 하면으로부터 제2 무기층(IOL2-1)의 상면(IOL2-1-UF)까지의 높이와 동일할 수 있다. 이에 따라, 발광 영역(PXA)에서 제2 단차부(IOL1-1-SP)에 중첩하는 제2 무기층(IOL2-1)의 상면(IOL2-1-UF)은 평탄할 수 있다.
제2 무기층(IOL2-1)의 상면(IOL2-1-UF)의 표면 거칠기는 제1 무기층(IOL1-1)의 상면(IOL1-1-UF)의 표면 거칠기와 상이할 수 있다. 제2 무기층(IOL2-1)의 상면(IOL2-1-UF)이 연마 공정을 통해 평탄화됨에 따라 제2 무기층(IOL2-1)의 상면(IOL2-1-UF)의 표면 거칠기는 제1 무기층(IOL1-1)의 상면(IOL1-1-UF)의 표면 거칠기 보다 작게 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 연마 공정을 거친 제2 무기층(IOL2-1)의 표면 거칠기는 0 nm 이상 2 nm 이하 일 수 있다.
도시하지 않았으나, 제1 봉지층(TFE1-1)은 제2 무기층(IOL2-1) 상에 배치되는 적어도 하나의 무기층을 더 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제1 봉지층(TFE1-1)은 제2 무기층(IOL2-1) 상에 배치되는 제3 무기층을 더 포함할 수 있다.
도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)의 단면도이다. 이하, 도 2c를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)를 설명함에 있어, 도 2a에서 앞서 설명한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 자세한 설명은 생략한다.
도 2c를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)은 도 2a에 도시된 표시 패널(DP)과 비교하여, 제1 봉지층(TFE1-2)이 유기층(OL)을 더 포함할 수 있다. 제2 전극(CE) 상에 발광소자(OLED)를 밀봉하는 제1 봉지층(TFE1-2)이 배치될 수 있다. 제1 봉지층(TFE1-2)은 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지층(TFE1-2)은 두 개의 무기층, 및 두 개의 무기층 사이에 배치된 유기층을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예의 표시 패널(DP)은 제1 무기층(IOL1-2) 및 제2 무기층(IOL2-2) 사이에 배치된 유기층(OL)을 더 포함할 수 있다. 제1 무기층(IOL1-2)은 제2 전극(CE) 상에 배치될 수 있다. 제1 무기층(IOL1-2)은 제2 전극(CE)의 제1 단차부(CE-SP)를 커버할 수 있다. 예컨대, 제1 무기층(IOL1-2)은 제2 전극(CE)의 상면(CE-UF)에 형성된 제1 단차부(CE-SP)의 단차를 소거하여 평탄화시킬 수 있다. 제1 무기층(IOL1-2)이 제1 단차부(CE-SP)를 커버함에 따라 제1 무기층(IOL1-2)의 하면에는 제1 단차부(CE-SP)에 대응하는 적어도 하나의 단차가 정의될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 무기층(IOL1-2)은 연마 공정을 통해 평탄화될 수 있다. 유기층(OL)이 제1 무기층(IOL1-2) 상에 형성되기 전에 제1 무기층(IOL1-2)의 상면(IOL1-2-UF)은 연마 공정을 통해 평탄화될 수 있다. 제1 무기층(IOL1-2)이 연마 공정을 통해 평탄화됨에 따라, 표시 소자층(DP-OLED)에 형성된 단차가 제거되어 박막이 평탄화될 수 있고, 제1 무기층(IOL1-2)의 상면(IOL1-2-UF)의 표면 거칠기가 감소되고, 파티클이 제거될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)은 제1 무기층(IOL1-2)의 상면(IOL1-2-UF)이 연마 공정을 통해 평탄화되는 공정을 포함하여 유기층(OL) 형성을 위한 유기액이 제1 무기층(IOL1-2) 상에 제공될 때 균일하게 도포될 수 있는 이점이 있다. 이에 따라, 일 실시예의 표시 패널(DP)은 제1 무기층(IOL1-2) 상에 잉크젯 공정을 통해 유기층(OL)을 형성하더라도 잉크 뭉침 현상 및 엠보 현상 등이 발현되는 것을 방지될 수 있으므로 표시 장치의 시인성이 향상될 수 있다.
유기층(OL)은 제1 무기층(IOL1-2) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 유기층(OL)은 제1 무기층(IOL1-2) 및 제2 무기층(IOL2-2) 사이에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1 무기층(IOL1-2) 및 제2 무기층(IOL2-2) 내에 형성된 핀홀을 디커플링(decoupling) 하고, 이를 통해 수분 및 산소의 투과를 지연시켜 배리어 특성을 크게 개선할 수 있다.
일반적으로 무기층(IOL1-2, IOL2-2)의 수분 및 산소 투과 특성을 결정하는 요인은 박막에 형성된 핀홀에 기인할 수 있다. 이러한 핀홀은 무기 박막의 높은 표면 거칠기 혹은 파티클 등에 기인한 것으로 알려져 있다. 유기층(OL)은 제1 무기층(IOL1-2) 및 제2 무기층(IOL2-2)에 형성된 핀홀을 디커플링하여 제1 봉지층(TFE1-2)의 배리어 특성을 더욱 향상시키는 역할을 할 수 있다. 제1 무기층(IOL1-2) 및 제2 무기층(IOL2-2) 사이에 유기층(OL)이 배치됨에 따라 제1 무기층(IOL1-2) 및 제2 무기층(IOL2-2) 사이의 수분 및 산소의 투과 경로가 길어질 수 있어 제1 봉지층(TFE1-2)의 배리어 특성이 더욱 향상될 수 있다.
한편, 무기층(IOL1-2, IOL2-2) 사이에 유기층(OL)이 도입되는 경우 배리어 특성이 향상될 수 있으나, 두꺼운 유기층(OL)으로 인해 제1 봉지층(TFE1-2)의 광 투과도가 감소하여 발광소자(OLED)의 출광 효율이 저하될 수 있다. 본 발명에서는, 유기층(OL)을 일정 두께 이하로 제어함으로써 유기층(OL)에 기인한 광 투과도 감소를 억제할 수 있다. 이에 따라, 발광소자(OLED)의 출광 효율이 증가될 수 있어 표시 장치의 시인성이 향상될 수 있다.
일 실시예에서, 유기층(OL)의 두께는 0.1㎛ 이상 2.0㎛ 이하일 수 있다. 유기층(OL)의 두께가 0.1㎛ 미만인 경우, 무기층들(IOL1-2, IOL2-2) 사이의 수분 투과 지연 효과가 저하될 수 있고, 유기층(OL)의 두께가 2.0㎛ 초과인 경우, 두꺼운 두께로 인해 발광소자(OLED)로부터 출사되는 광의 투과도가 감소되어 표시 장치의 시인성이 저하될 수 있다. 유기층(OL)의 두께가 전술한 범위를 만족하는 경우, 우수한 수분 투과 지연 효과를 기대할 수 있으며, 발광소자(OLED)로부터 제1 봉지층(TFE1-2)을 통과하는 광의 투과도가 향상될 수 있어 광 추출 효과가 증대될 수 있다.
제1 봉지층(TFE1-2)이 유기층(OL)을 더 포함함에 따라 제1 봉지층(TFE1-2)의 두께(d1-1)는 도 2a에 도시된 제1 봉지층(TFE1)의 두께(d1) 보다 클 수 있다. 일 실시예에서, 제1 봉지층(TFE1-2)의 두께(d1-1)는 1.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 이하일 수 있다. 제1 봉지층(TFE1-2)의 두께(d1-1)가 1.0 ㎛ 미만인 경우 막질이 저하하여 수분과 산소에 대한 배리어 특성이 저하되고, 박막이 얇아 광 제어층(CCL)의 상면에 형성된 단차를 평탄화하기 어려울 수 있다. 제1 봉지층(TFE1-2)의 두께(d1-1)가 5.0 ㎛ 초과인 경우 외부 스트레스에 의한 기계적 특성이 저하되어 박막에 크랙 등에 손상이 발생될 수 있다. 제1 봉지층(TFE1-2)의 두께(d1-1)가 전술한 범위를 만족하는 경우 증착 과정에서 상대적으로 치밀한 막질 형성으로 인해 배리어 특성이 향상되면서도 외부 스트레스에 인한 기계적 특성이 향상될 수 있으므로 표시 장치의 내구성 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
도시하지는 않았으나, 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)에서 제2 봉지층(TFE2) 또한 유기층을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 봉지층(TFE2)은 제1 봉지 무기층(IOL10) 및 제2 봉지 무기층(IOL20) 사이에 배치된 봉지 유기층을 더 포함할 수 있다. 또한, 제1 봉지층(TFE1-2)의 유기층(OL)에 대해 전술된 내용은 제2 봉지층(TFE2)의 유기 봉지층에 동일하게 적용될 수 있다.
이하, 도 3, 도 4, 도 5a 내지 도 5f, 도 6, 및 도 7a 내지 도 7f를 참조하여 일 실시예의 표시 패널의 제조 방법을 설명한다. 일 실시예의 표시 패널의 제조 방법에 대한 설명에 있어서 표시 패널은 상술한 일 실시예의 표시 패널에 대한 설명이 적용될 수 있다. 이하 일 실시예의 표시 패널의 제조 방법에 대한 설명에 있어서 상술한 일 실시예의 표시 패널에 대한 설명과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며 차이점을 위주로 설명한다. 한편, 도 5a 내지 도 5f, 및 도 7a 내지 도 7f에서는 제1 봉지층이 형성되는 단계를 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고, 제2 봉지층을 형성하는 단계 또한 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법에 의해 수행될 수 있다.
일 실시예의 표시 패널의 제조 방법은 도 2a 내지 도 2c에서 설명한 일 실시예의 표시 패널을 제조하는 방법을 나타낸 것일 수 있다. 일 실시예는 표시 패널(DP)에 적용되는 제1 봉지층(TFE1)을 포함하는 표시 패널의 제조 방법을 제공한다.
도 3은 일 실시예의 표시 패널의 제조 방법을 나타낸 순서도이다. 도 4는 일 실시예에 따른 제1 봉지층을 형성하는 단계(S200)을 세분화한 순서도이다.
도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 패널을 제조하는 방법은 발광소자를 준비하는 단계(S100), 발광소자 상에 제1 봉지층을 형성하는 단계(S200)을 포함한다. 일 실시예에서, 발광소자 상에 제1 봉지층을 형성하는 단계(S200)는 발광소자 상에 제1 무기층을 형성하는 단계(S201), 및 제1 무기층 상에 제2 무기층을 형성하는 단계(S202)를 포함한다.
도 4는 도 3에 도시된 일 실시예에 따른 제1 봉지층을 형성하는 단계(S200) 중 제1 무기층을 형성하는 단계(S201)를 세분화한 순서도이다. 도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 제1 무기층을 형성하는 단계(S201)는 발광소자 상에 제1 예비 무기층을 형성하는 단계(S201a), 및 제1 예비 무기층의 상면을 연마하여 제1 무기층을 형성하는 단계(S201b)를 포함할 수 있다.
도 5a 내지 도 5f는 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)을 제작하는 단계를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 5a는 발광소자(OLED)를 제공하는 단계를 나타낸 것이고, 도 5b는 제2 전극(CE) 상에 제1 예비 무기층(PIOL1)을 제공하는 단계를 나타낸 것이고, 도 5c는 도 5b의 AA1 영역을 확대 도시한 단면도이고, 도 5d는 제1 예비 무기층(PIOL1)의 상면을 연마하여 제1 무기층(IOL1)을 형성하는 단계를 나타낸 것이고, 도 5e는 도 5d의 AA2 영역을 확대 도시한 단면도이고, 도 5f는 제1 무기층(IOL1) 상에 제2 무기층(IOL2)을 형성하는 단계를 나타낸 것이다.
도 5a를 참조하면, 제1 봉지층을 형성하기 전에 발광소자(OLED)가 제공될 수 있다. 발광소자(OLED)의 제2 전극(CE)의 상면(CE-UF)은 적어도 하나의 제1 단차부(CE-SP)를 포함할 수 있다. 제1 단차부(CE-SP)는 제1 개구부(OP1) 내에 발광소자(OLED)의 일부가 배치됨에 따라 형성될 수 있다. 제1 단차부(CE-SP)는 제1 단차(h1)를 가질 수 있다. 제1 단차(h1)는 화소 정의막(PDL)에 중첩하는 부분의 제2 전극(CE)의 상면(CE-UF)과, 제1 개구부(OP1)에 중첩하도록 위치한 제1 단차부(CE-SP)의 높이 차이로 정의될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 제2 전극(CE) 상에 제1 예비 무기층(PIOL1)이 제공될 수 있다. 제2 전극(CE)의 상면(CE-UF)이 적어도 하나의 제1 단차부(CE-SP)를 포함함에 따라 제1 예비 무기층(PIOL1)의 상면(PIOL1-UF)에는 제1 단차부(CE-SP)에 대응하는 제1 예비 단차부(PIOL1-SP)가 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 예비 무기층(PIOL1)의 상면(PIOL1-UF)은 평탄하지 않을 수 있다. 본 실시예에서, 제1 예비 단차부(PIOL1-SP)는 제1 예비 무기층(PIOL1)을 연마하는 단계에서 제거될 수 있다.
제1 예비 무기층(PIOL1)의 두께는 제1 예비 단차부(PIOL1-SP)의 두께 및 목적하는 제1 무기층(IOL1)의 두께를 고려하여 적절하게 조절될 수 있다. 예컨대, 제1 예비 무기층(PIOL1)의 두께는 연마 공정 이후에 제1 무기층(IOL1)이 제2 전극(CE) 상에 일정 두께로 형성되고 제1 예비 단차부(PIOL1-SP)가 완전히 제거되어 제1 무기층(IOL1)의 상면(IOL1-UF)이 평탄면이 될 수 있도록 적절하게 조절될 수 있다. 예를 들어, 제1 예비 무기층(PIOL1)의 두께는 3.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 이하일 수 있다.
일 실시예에서, 제1 예비 무기층(PIOL1)의 두께는 표시 소자층(DP-OLED) 상부에 형성된 단차의 약 두 배 이상일 수 있다. 예를 들어, 제1 예비 무기층(PIOL1)의 두께는 제2 전극(CE)의 상면(CE-UF)에 형성된 제1 단차부(CE-SP)의 제1 단차(h1)의 약 두 배 이상일 수 있다. 예컨대, 제1 예비 무기층(PIOL1)은 두께 방향인 제3 방향(DR3)으로 제1 단차(h1)의 두 배 이상이 되도록 제2 전극(CE) 상에 제공될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 예비 무기층(PIOL1)은 다양항 방법으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 제1 예비 무기층(PIOL1)은 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마 향상 화학 기상증착(PECVD), 스퍼터(sputter), 원자층 증착(ALD), 또는 열증착(thermal evaporation) 등의 방법으로 형성할 수 있다.
도 5c를 참조하면, 제1 예비 무기층(PIOL1)의 상면(PIOL1-UF)에는 미세한 크기의 요철이 형성될 수 있다. 제1 예비 무기층(PIOL1)을 형성할 때, 표면에 존재하는 파티클 등에 의해 제1 예비 무기층(PIOL1)의 상면(PIOL1-UF)에는 요철이 형성될 수 있다. 이러한 요철은 이후 연마 공정을 통해 제거될 수 있다.
도 5b 및 5d를 참조하면, 제1 예비 무기층(PIOL1)의 상면(PIOL1-UF)을 연마하는 단계가 수행될 수 있다. 도 5d에서, 제1 예비 무기층(PIOL1)의 상면(PIOL1-UF)을 연마함에 따라 제거되는 부분은 점선으로 표시하였다. 제1 예비 무기층(PIOL1)의 상면(PIOL1-UF)를 연마하여 제1 무기층(IOL1)이 형성될 수 있다. 연마하는 단계에서, 제1 예비 무기층(PIOL1)의 상면(PIOL1-UF)에 형성된 제1 예비 단차부(PIOL1-SP)의 단차가 제거되고 평탄화될 수 있다.
제1 예비 무기층(PIOL1)의 상면(PIOL1-UF)을 연마하는 단계는 다양한 방법으로 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 예비 무기층(PIOL1)의 상면(PIOL1-UF)을 연마하는 단계는 화학 기계적 연마 공정을 통해 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 5b 내지 도 5e를 참조하면, 연마 공정에서 제1 예비 무기층(PIOL1)은 두께 방향인 제3 방향(DR3)을 기준으로 3.0 ㎛ 이하로 제거될 수 있다. 즉, 연마 공정에서 제1 예비 무기층(PIOL1)이 제거되는 두께(dPIOL1)는 3.0 ㎛ 이하일 수 있다. 제1 예비 무기층(PIOL1)이 3.0 ㎛ 초과로 제거되는 경우, 제거되는 제1 예비 무기층(PIOL1)의 총량이 증가하여 표시 패널(DP)의 생산성이 저하될 수 있고, 최종적으로 형성되는 제1 무기층(IOL1)의 두께가 감소되어 수분과 산소에 대한 배리어 특성이 저하될 수 있다.
연마 공정을 거친 제1 무기층(IOL1)의 상면(IOL1-UF)은 평탄할 수 있다. 또한, 제1 예비 무기층(PIOL1)의 상면(PIOL1-UF)에 형성된 요철이 연마 공정을 통해 제거될 수 있다. 예컨대, 연마 공정에 의해 제1 예비 무기층(PIOL1)의 상면(PIOL1-UF)에 존재하는 파티클 등의 결함이 제거될 수 있으므로 박막을 통한 수분 투과도가 감소될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 무기층(IOL1)의 상면(IOL1-UF)의 표면 거칠기는 제1 예비 무기층(PIOL1)의 상면(PIOL1-UF)의 표면 거칠기보다 작을 수 있다. 일 실시예에서, 연마 공정을 통해 평탄화된 제1 무기층(IOL1)의 상면(IOL-UF)의 표면 거칠기는 0 nm 이상 2 nm 이하일 수 있다.
도 5f를 참조하면, 제1 무기층(IOL1) 상에 제2 무기층(IOL2)이 제공될 수 있다. 제1 무기층(IOL1)의 상면(IOL1-UF)이 연마 공정을 통해 평탄화됨에 따라 제2 무기층(IOL2)은 제1 무기층(IOL1) 상에 균일하게 증착될 수 있다. 이에 따라, 제1 봉지층(TFE1)의 막질이 향상될 수 있다. 도시하지는 않았으나, 제2 무기층(IOL2)도 제1 무기층(IOL1)과 동일하게 연마 공정을 통해 평탄화될 수도 있다. 예를 들어, 제1 무기층(IOL1) 상에 제2 예비 무기층을 형성하고, 제2 예비 무기층의 상면을 연마하는 단계가 수행될 수도 있다.
한편, 도시하지는 않았으나, 제2 무기층(IOL2)을 형성하는 단계 이전에 제1 무기층(IOL1) 상에 유기층(OL, 도 2c)이 먼저 형성될 수도 있다. 제1 무기층(IOL1) 상에 유기층(OL, 도 2c)이 형성되고, 이후 유기층(OL, 도 2c) 상에 제2 무기층(IOL2)이 형성될 수도 있다. 이에 따라, 도 2c에 도시된 바와 같이, 제1 무기층(IOL1) 및 제2 무기층(IOL2) 사이에 유기층(OL, 도 2c)이 배치될 수 있다.
도 6은 도 3에 도시된 일 실시예에 따른 제1 봉지층을 형성하는 단계(S200) 중 제2 무기층을 형성하는 단계(S202)를 세분화한 순서도이다. 도 7a 내지 도 7f는 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)을 제작하는 단계를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 7a는 발광소자(OLED) 상에 제1 무기층(IOL1-1)을 제공하는 단계를 나타낸 것이고, 도 7b는 제1 무기층(IOL1-1) 상에 제2 예비 무기층(PIOL2-1)을 제공하는 단계를 나타낸 것이고, 도 7c는 도 7b의 AA3 영역을 확대 도시한 단면도이고, 도 7d는 제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 상면(PIOL2-1-UF)을 연마하여 제2 무기층(IOL2-1)을 형성하는 단계를 나타낸 것이고, 도 7e는 도 7d의 AA4 영역을 확대 도시한 단면도이고, 도 7f는 제2 무기층(IOL2-1) 상에 제3 무기층(IOL3)을 형성하는 단계를 나타낸 것이다.
이하, 도 6 및 도 7a 내지 도 7f를 참조하여, 일 실시예에 따른 제1 봉지층(TFE1)의 형성 방법에 대해 상세히 설명한다. 도 4 및 도 5a 내지 도 5f를 참조하여 설명한 내용과 동일한 내용에 대해서는 다시 설명하지 않고, 차이점을 위주로 설명한다.
도 6, 및 도 7a 내지 도 7f에 도시된 제1 봉지층을 형성하는 단계(S200, 도 3)는 도 4, 및 도 5a 내지 도 5f를 참조하여 설명한 제1 봉지층을 형성하는 단계(S200, 도 3)와 달리 제2 무기층이 연마 공정을 통해 평탄화 되는 점에서 차이가 있다. 연마 공정은 제1 무기층이 아닌 제2 무기층을 형성하는 단계에서 수행될 수 있다. 즉, 일 실시예의 제1 봉지층을 형성하는 단계(S200, 도 3)에서 제2 무기층을 형성하는 단계(S202)는 제1 무기층 상에 제2 예비 무기층을 형성하는 단계(S202a), 및 제2 예비 무기층의 상면을 연마하여 제2 무기층을 형성하는 단계(S202b)를 포함할 수 있다.
도 7a를 참조하면, 발광소자(OLED)의 제2 전극(CE) 상에 제1 무기층(IOL1-1)이 제공될 수 있다. 제2 전극(CE)의 상면(CE-UF)이 적어도 하나의 제1 단차부(CE-SP)를 포함함에 따라 제1 무기층(IOL1-1)의 상면(IOL1-1-UF)에는 제1 단차부(CE-SP)에 대응하는 제2 단차부(IOL1-1-SP)가 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 무기층(IOL1-1)의 상면(IOL1-1-UF)은 평탄하지 않을 수 있다. 제2 단차부(IOL1-1-SP)는 제2 단차(h2)를 가질 수 있다. 제2 단차(h2)는 제1 무기층(IOL1-1)의 상면(IOL1-1-UF)과 제2 단차부(IOL1-1-SP)의 높이 차이로 정의될 수 있다.
도 7b를 참조하면, 제1 무기층(IOL1-1) 상에 제2 예비 무기층(PIOL2-1)이 제공될 수 있다. 제1 무기층(IOL1-1)의 상면(IOL1-1-UF)이 적어도 하나의 제2 단차부(IOL1-1-SP)를 포함함에 따라 제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 상면(PIOL2-1-UF)에는 제2 단차부(IOL1-1-SP)에 대응하는 제2 예비 단차부(PIOL2-1-SP)가 형성될 수 있다. 예컨대, 제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 상면(PIOL2-1-UF)은 평탄하지 않을 수 있다. 본 실시예에서, 제2 예비 단차부(PIOL2-1-SP)는 제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 상면(PIOL2-1-UF)을 연마하는 단계에서 제거될 수 있다.
제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 두께는 제2 예비 단차부(PIOL2-1-SP)의 두께 및 목적하는 제2 무기층(IOL2-1)의 두께를 고려하여 적절하게 조절될 수 있다. 예컨대, 제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 두께는 연마 공정 이후에 제2 무기층(IOL2-1)이 제1 무기층(IOL1-1) 상에 일정 두께로 형성되고, 제2 예비 단차부(PIOL2-1-SP)가 완전히 제거되어 제2 무기층(IOL2-1)의 상면(IOL2-1-UF)이 평탄면이 될 수 있도록 적절하게 조절될 수 있다.
일 실시예에서, 제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 두께는 제1 무기층(IOL1-1) 상부에 형성된 단차의 약 두 배 이상일 수 있다. 예를 들어, 제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 두께는 제1 무기층(IOL1-1)의 상면(IOL1-1-UF)에 형성된 제2 단차부(IOL1-1-SP)의 제2 단차(h2)의 약 두 배 이상일 수 있다. 예컨대, 제2 예비 무기층(PIOL2-1)은 두께 방향인 제3 방향(DR3)으로 제2 단차(h2)의 두 배 이상이 되도록 제1 무기층(IOL1-1) 상에 제공될 수 있다. 예를 들어, 제2 예비 무기층(PIOL2)의 두께는 3.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 이하일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 예비 무기층(PIOL2-1)은 다양항 방법으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 제2 예비 무기층(PIOL2-1)은 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마 향상 화학 기상증착(PECVD), 스퍼터(sputter), 원자층 증착(ALD), 또는 열증착(thermal evaporation) 등의 방법으로 형성할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 무기층(IOL1-1)을 형성하는 단계와 제2 예비 무기층(PIOL2-1)을 형성하는 단계는 연속적으로 수행될 수 있다. 제1 무기층(IOL1-1)을 형성하는 단계와 제2 예비 무기층(PIOL2-1)을 형성하는 단계는 동일한 반응기에서 수행될 수 있다. 이에 따라, 제1 봉지층 형성을 위한 공정 시간을 단축시킬 수 있으므로 표시 장치의 생산성 측면에서 유리할 수 있다.
도 7c를 참조하면, 제1 무기층(IOL1-1)의 상면(IOL1-1-UF) 및 제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 상면(PIOL2-1-UF) 각각에는 미세한 크기의 요철이 형성될 수 있다. 제1 무기층(IOL1-1)을 형성하는 단계에서 제1 무기층(IOL1-1)의 표면에 존재하는 파티클 등에 의해 제1 무기층(IOL1-1)의 상면(IOL1-1-UF)에는 요철이 형성될 수 있다. 또한, 제2 예비 무기층(PIOL2-1)을 형성하는 단계에서 제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 표면에 존재하는 파티클 등에 의해 제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 상면(PIOL2-1-UF)에는 요철이 형성될 수 있다. 제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 상면(PIOL2-1-UF)에 형성된 요철은 연마 공정을 통해 제거될 수 있다.
도 7b 및 도 7d를 참조하면, 제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 상면(PIOL2-1-UF)을 연마하는 단계가 수행될 수 있다. 도 7d에서, 제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 상면(PIOL2-1-UF)을 연마함에 따라 제거되는 부분은 점선으로 표시하였다. 제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 상면(PIOL2-1-UF)을 연하마여 제2 무기층(IOL2-1)이 형성될 수 있다. 제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 상면(PIOL2-1-UF)을 연마하는 단계에서 도 7b에 도시된 제2 예비 단차부(PIOL2-1-SP)의 단차가 제거되고 평탄화될 수 있다. 제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 상면(PIOL2-1-UF)을 연마하는 단계는 다양한 방법으로 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 상면(PIOL2-1-UF)을 연마하는 단계는 화학 기계적 연마 공정을 통해 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 7b 내지 도 7e를 참조하면, 연마 공정에서 제2 예비 무기층(PIOL2-1)은 두께 방향인 제3 방향(DR3)을 기준으로 3.0 ㎛ 이하로 제거될 수 있다. 즉, 연마 공정에서 제2 예비 무기층(PIOL2-1)이 제거되는 두께(dPIOL2)는 3.0 ㎛ 이하일 수 있다. 제2 예비 무기층(PIOL2-1)이 3.0 ㎛ 초과로 제거되는 경우, 제거되는 제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 총량이 증가하여 표시 패널(DP)의 생산성이 저하될 수 있고, 최종적으로 형성되는 제2 무기층(IOL2-1)의 두께가 감소되어 수분 및 산소에 대한 배리어 특성이 저하될 수 있다.
연마 공정을 거친 제2 무기층(IOL2-1)의 상면(IOL2-1-UF)은 평탄할 수 있다. 또한, 제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 상면(PIOL2-1-UF)에 형성된 요철이 연마 공정을 통해 제거될 수 있다. 예컨대, 연마 공정에 의해 제2 예비 무기층(PIOL2-1)의 상면(PIOL2-1-UF)에 존재하는 파티클 등의 결함이 제거될 수 있으므로 박막을 통한 수분 투과도가 감소될 수 있다. 또한, 제2 무기층(IOL2-1)의 상면(IOL2-1-UF)이 연마 공정을 통해 평탄화됨에 따라, 제1 무기층(IOL1-1)의 상면(IOL1-1-UF)에 요철이 존재하더라도 제2 무기층(IOL2-1)에 의해 커버되므로 최종적으로 제1 봉지층(TFE1)의 막질이 향상될 수 있다.
일 실시예에서, 제2 무기층(IOL2-1)의 상면(IOL2-1-UF)의 표면 거칠기는 제1 무기층(IOL1-1)의 상면(IOL1-1-UF)에 표면 거칠기보다 작을 수 있다. 연마 공정을 통해 평탄화된 제2 무기층(IOL2-1)의 상면(IOL2-1-UF)의 표면 거칠기는 0 nm 이상 2 nm 이하일 수 있다.
도 7f를 참조하면, 일 실시예에 제1 봉지층을 형성하는 단계(S200, 도 3)는 제2 무기층(IOL2-1)을 형성하는 단계 이후에 제2 무기층(IOL2-1) 상에 제3 무기층(IOL3)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 제3 무기층(IOL3)은 제2 무기층(IOL2-1) 상에 제공될 수 있다. 제2 무기층(IOL2-1)의 상면(IOL2-1-UF)이 연마 공정을 통해 평탄화됨에 따라 제3 무기층(IOL3)은 제2 무기층(IOL2-1) 상에 균일하게 증착될 수 있다. 이에 따라, 최종적으로 형성되는 제1 봉지층(TFE1-1)의 막질이 향상되어 배리어 특성 및 광 투과도 특성이 더욱 개선될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DP: 표시 패널 DA: 표시 영역
NDA: 비표시 영역 AE: 제1 전극
EML: 발광층 CE: 제2 전극
OLED: 발광소자 OP1: 제1 개구부
TFE1: 제1 봉지층 OP2: 제2 개구부
BW: 분할 격벽 CCF-R: 광 제어패턴
CF-R: 컬러필터 TFE2: 제2 봉지층
IOL10: 제1 봉지 무기층 IOL20: 제2 봉지 무기층

Claims (20)

  1. 발광 영역 및 상기 발광 영역에 인접하는 비발광 영역을 포함하는 표시 패널에 있어서,
    상기 표시 패널은
    제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 발광층, 및 상기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 발광소자;
    상기 제1 전극을 노출시키는 제1 개구부가 정의된 화소 정의막; 및
    상기 제2 전극 상에 배치되고, 상기 발광소자에 중첩하는 제1 봉지층을 포함하고,
    상기 제1 봉지층은
    상기 제2 전극 상에 배치되는 제1 무기층; 및
    상기 제1 무기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함하고,
    상기 제2 전극의 상면은 적어도 하나의 제1 단차부를 포함하고,
    상기 제2 무기층의 하면은 상기 제1 무기층의 상면과 접촉하고, 상기 제1 무기층의 상기 상면 및 상기 제2 무기층의 상면 중 적어도 하나는 평탄면인 표시 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 봉지층의 두께는 1.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 이하인 표시 패널.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 무기층은 상기 제1 단차부를 커버하고,
    상기 발광 영역에서 상기 제1 무기층의 상기 상면은 평탄면인 표시 패널.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 발광 영역에서 상기 제1 전극의 하면으로부터 상기 제1 무기층의 상기 상면까지의 높이는 상기 비발광 영역에서 상기 화소 정의막의 하면으로부터 상기 제1 무기층의 상기 상면까지의 높이와 동일한 표시 패널.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 무기층의 상기 상면은 상기 제1 단차부에 대응하는 제2 단차부를 포함하는 표시 패널.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 무기층은 상기 제2 단차부를 커버하고,
    상기 발광 영역에서 상기 제2 무기층의 상기 상면은 평탄면인 표시 패널.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 무기층의 상기 상면의 산술 평균 거칠기는 상기 제2 무기층의 상기 상면의 산술 평균 거칠기보다 큰 표시 패널.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 봉지층은 상기 제2 무기층 상에 배치되는 제3 무기층을 더 포함하는 표시 패널.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 봉지층 상에 배치되고, 상기 제1 개구부에 대응하는 제2 개구부가 정의된 분할 격벽;
    상기 제2 개구부의 내측에 배치된 광 제어패턴;
    상기 분할 격벽 상에 배치되고, 상기 광 제어패턴에 중첩하는 제2 봉지층; 및
    상기 제2 봉지층 상에 배치되고, 상기 광 제어패턴에 중첩하는 컬러필터를 더 포함하는 표시 패널.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2 봉지층의 두께는 1.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 이하인 표시 패널.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제2 봉지층은
    상기 분할 격벽 상에 배치되는 제1 봉지 무기층; 및
    상기 제1 봉지 무기층 상에 배치되는 제2 봉지 무기층을 포함하고,
    상기 제2 봉지 무기층의 하면은 상기 제1 봉지 무기층의 상면과 접촉하는 표시 패널.
  12. 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 발광층, 및 상기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 발광소자;
    상기 제1 전극을 노출시키는 제1 개구부가 정의된 화소 정의막; 및
    상기 제2 전극 상에 배치되고, 상기 발광소자에 중첩하는 제1 봉지층을 포함하고,
    상기 제1 봉지층은
    상기 제2 전극 상에 배치되는 제1 무기층; 및
    상기 제1 무기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함하고,
    상기 제1 봉지층의 두께는 1.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 이하인 표시 패널.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 무기층의 상면 및 상기 제2 무기층의 상면 중 적어도 하나는 평탄면인 표시 패널.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1 봉지층은
    상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층 사이에 배치되는 유기층을 더 포함하고,
    상기 유기층의 두께는 0.1 ㎛ 이상 2.0 ㎛ 이하인 표시 패널.
  15. 발광소자를 준비하는 단계; 및
    상기 발광소자 상에 제1 봉지층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 봉지층을 형성하는 단계는
    상기 발광소자 상에 제1 무기층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 무기층 상에 제2 무기층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 봉지층을 형성하는 단계에서, 상기 제1 무기층의 상면 및 상기 제2 무기층의 상면 중 적어도 하나는 연마 공정을 통해 평탄화되는 표시 패널의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 연마 공정은 화학 기계적 연마 공정을 포함하는 표시 패널의 제조 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제1 무기층을 형성하는 단계는
    상기 발광소자 상에 제1 예비 무기층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 예비 무기층의 상면을 연마하는 단계를 포함하는 표시 패널의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 예비 무기층의 상면을 연마하는 단계에서,
    상기 제1 예비 무기층이 제거되는 두께는 3.0㎛ 이하인 표시 패널의 제조 방법.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 제2 무기층을 형성하는 단계는
    상기 제1 무기층 상에 제2 예비 무기층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 예비 무기층의 상면을 연마하는 단계를 포함하는 표시 패널의 제조 방법.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 제1 봉지층을 형성하는 단계는
    상기 제2 무기층을 형성하는 단계 이후에 상기 제2 무기층 상에 제3 무기층을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 패널의 제조 방법.
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