CN219698377U - 显示装置 - Google Patents
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 36
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 22
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 248
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 66
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 66
- JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N n-(3-hydroxy-2-methyl-3,4-diphenylbutyl)-n-methylpropanamide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)(C(C)CN(C)C(=O)CC)CC1=CC=CC=C1 JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 102100027668 Carboxy-terminal domain RNA polymerase II polypeptide A small phosphatase 1 Human genes 0.000 description 35
- 101710134395 Carboxy-terminal domain RNA polymerase II polypeptide A small phosphatase 1 Proteins 0.000 description 35
- 101710155594 Coiled-coil domain-containing protein 115 Proteins 0.000 description 35
- 102100035027 Cytosolic carboxypeptidase 1 Human genes 0.000 description 35
- PUPNJSIFIXXJCH-UHFFFAOYSA-N n-(4-hydroxyphenyl)-2-(1,1,3-trioxo-1,2-benzothiazol-2-yl)acetamide Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1NC(=O)CN1S(=O)(=O)C2=CC=CC=C2C1=O PUPNJSIFIXXJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 34
- 102100025721 Cytosolic carboxypeptidase 2 Human genes 0.000 description 30
- 101000932634 Homo sapiens Cytosolic carboxypeptidase 2 Proteins 0.000 description 30
- 101001033011 Mus musculus Granzyme C Proteins 0.000 description 30
- 102100027667 Carboxy-terminal domain RNA polymerase II polypeptide A small phosphatase 2 Human genes 0.000 description 29
- 101710134389 Carboxy-terminal domain RNA polymerase II polypeptide A small phosphatase 2 Proteins 0.000 description 29
- 102100027674 CTD small phosphatase-like protein Human genes 0.000 description 22
- 101710156847 CTD small phosphatase-like protein Proteins 0.000 description 22
- 102100025707 Cytosolic carboxypeptidase 3 Human genes 0.000 description 22
- 101000932588 Homo sapiens Cytosolic carboxypeptidase 3 Proteins 0.000 description 22
- 101001033009 Mus musculus Granzyme E Proteins 0.000 description 22
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 101710185445 Cytochrome c peroxidase, mitochondrial Proteins 0.000 description 11
- 102400000112 Katacalcin Human genes 0.000 description 11
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 11
- UCNQNZOSHKDAKL-UHFFFAOYSA-N 10-[5,6-dihexyl-2-[8-(16-methylheptadecanoyloxy)octyl]cyclohex-3-en-1-yl]dec-9-enyl 16-methylheptadecanoate Chemical compound CCCCCCC1C=CC(CCCCCCCCOC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC(C)C)C(C=CCCCCCCCCOC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC(C)C)C1CCCCCC UCNQNZOSHKDAKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 108010059574 C5a peptidase Proteins 0.000 description 8
- 102100036280 Sugar transporter SWEET1 Human genes 0.000 description 8
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 101100273664 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) ccp-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002521 CoMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 MgAl 2 O 4 Chemical class 0.000 description 1
- 101000726252 Mus musculus Cysteine-rich secretory protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 101000726081 Mus musculus Cysteine-rich secretory protein 3 Proteins 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000006116 anti-fingerprint coating Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000001045 blue dye Substances 0.000 description 1
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001046 green dye Substances 0.000 description 1
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002064 nanoplatelet Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
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- H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
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- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
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Abstract
根据实施例的显示装置包括:电路层;发光元件层,设置在电路层上方;无机封装膜,设置在发光元件层上方;子光控制层,设置在无机封装膜上方并且包括在垂直于厚度方向的方向上彼此间隔开的第一、第二和第三子光控制部分;以及光控制层,设置在子光控制层上方并且包括堤、第一、第二和第三光控制部分,第一至第三光控制部分在所述方向上彼此间隔开,堤设置在第一、第二和第三光控制部分之间,发光元件层包括:像素限定膜,具有限定在像素限定膜中的像素开口;第一电极,暴露在像素开口中;第二电极,设置在第一电极上方;以及发光层,设置在第一电极和第二电极之间,并且子光控制层和光控制层中的每一者包括量子点。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年3月21日提交的第10-2022-0034511号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于本文。
技术领域
本文中的公开涉及一种包括含有量子点的子光控制部分的显示装置。
背景技术
已经开发了用于在诸如电视机、移动电话、平板计算机、导航单元和游戏机的多媒体设备中提供图像信息的各种显示装置。特别地,包括液晶显示元件和有机电致发光显示元件等的显示装置采用了量子点来改善显示质量。正在研究用于提高含有量子点的显示装置的光效率的方法。
将理解的是,该背景技术部分地旨在提供用于理解该技术的有用背景。然而,该背景技术部分也可以包括在本文中所公开的主题的相应有效申请日期之前,不属于相关技术人员所已知或领会的部分的想法、构思或认知。
实用新型内容
本公开提供了一种显示装置,所述显示装置具有改善的光效率和色域,而不包括填充层。
本公开的实施例提供一种显示装置,所述显示装置可以包括:电路层;发光元件层,设置在所述电路层上方;无机封装膜,设置在所述发光元件层上方;子光控制层,设置在所述无机封装膜上方并且包括在垂直于厚度方向的方向上彼此间隔开的第一子光控制部分、第二子光控制部分和第三子光控制部分;以及光控制层,设置在所述子光控制层上方并且包括堤、第一光控制部分、第二光控制部分和第三光控制部分,所述第一光控制部分至所述第三光控制部分在所述方向上彼此间隔开。所述堤可以设置在所述第一光控制部分、所述第二光控制部分和所述第三光控制部分之间。所述发光元件层可以包括:像素限定膜,具有限定在所述像素限定膜中的像素开口;第一电极,暴露在所述像素开口中;第二电极,设置在所述第一电极上方;以及发光层,设置在所述第一电极和所述第二电极之间,并且所述子光控制层和所述光控制层中的每一者包括量子点。
在实施例中,所述显示装置还可以包括:覆盖层,设置在所述光控制层上方并且覆盖所述光控制层;以及滤色器层,设置在所述覆盖层上方并且包括第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器。
在实施例中,所述像素限定膜可以设置在所述第一子光控制部分、所述第二子光控制部分和所述第三子光控制部分之间。
在实施例中,所述堤的上表面可以在所述厚度方向上与所述覆盖层的下表面接触。
在实施例中,所述显示装置还可以包括:子无机膜,直接设置在所述子光控制层和所述光控制层之间。
在实施例中,所述像素限定膜可以是光学透明的,并且在截面图中,所述像素限定膜在所述方向上的最小宽度可以大于所述堤在所述方向上的最大宽度。
在实施例中,所述像素限定膜和所述堤可以被集成以形成分隔墙,并且所述第一子光控制部分至所述第三子光控制部分和所述第一光控制部分至所述第三光控制部分可以各自设置在限定在所述分隔墙中的分隔墙开口中。
在实施例中,在截面图中,所述第一子光控制部分在所述方向上的最小宽度可以等于所述第一光控制部分在所述方向上的最小宽度,所述第二子光控制部分在所述方向上的最小宽度可以等于所述第二光控制部分在所述方向上的最小宽度,并且所述第三子光控制部分在所述方向上的最小宽度可以等于所述第三光控制部分在所述方向上的最小宽度。
在实施例中,所述分隔墙可以是光学透明的,并且所述滤色器层还可以包括在所述厚度方向上与所述分隔墙重叠的光阻挡部分。
在实施例中,所述第一光控制部分和所述第一子光控制部分可以被集成以形成第一光控制单元,所述第二光控制部分和所述第二子光控制部分可以被集成以形成第二光控制单元,所述第三光控制部分和所述第三子光控制部分可以被集成以形成第三光控制单元,所述第一光控制单元至所述第三光控制单元可以彼此间隔开,并且所述分隔墙可以设置在所述第一光控制单元、所述第二光控制单元和所述第三光控制单元之间。
本公开的实施例提供一种显示装置,所述显示装置可以包括:电路层;发光元件层,设置在所述电路层上方;无机封装膜,设置在所述发光元件层上方;子光控制层,设置在所述无机封装膜上方并且包括在垂直于厚度方向的方向上彼此间隔开的第一子光控制部分、第二子光控制部分和第三子光控制部分;光控制层,设置在所述子光控制层上方并且包括堤、第一光控制部分、第二光控制部分和第三光控制部分,所述第一光控制部分至所述第三光控制部分在所述方向上彼此间隔开;覆盖层,设置在所述光控制层上方并且覆盖所述光控制层;以及滤色器层,设置在所述覆盖层上方并且包括第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器。所述堤可以设置在所述第一光控制部分、所述第二光控制部分和所述第三光控制部分之间。所述发光元件层可以包括:像素限定膜,具有限定在所述像素限定膜中的像素开口;第一电极,暴露在所述像素开口中;第二电极,设置在所述第一电极上方;以及发光层,设置在所述第一电极和所述第二电极之间。所述子光控制层和所述光控制层中的每一者可以包括量子点。
在实施例中,所述像素限定膜可以设置在所述第一子光控制部分、所述第二子光控制部分和所述第三子光控制部分之间。
在实施例中,所述堤的上表面可以在所述厚度方向上与所述覆盖层的下表面接触。
在实施例中,所述显示装置还可以包括:子无机膜,直接设置在所述子光控制层和所述光控制层之间。
在实施例中,所述像素限定膜可以是光学透明的,并且所述堤可以包括黑色颜料和黑色染料中的至少一种。
在实施例中,在截面图中,所述像素限定膜在所述方向上的最小宽度可以大于所述堤在所述方向上的最大宽度。
在实施例中,在截面图中,所述第一子光控制部分至所述第三子光控制部分中的每一者在所述方向上的最小宽度可以小于所述第一光控制部分至所述第三光控制部分中的每一者在所述方向上的最小宽度。
在实施例中,所述像素限定膜和所述堤可以被集成以形成分隔墙,并且所述第一子光控制部分至所述第三子光控制部分和所述第一光控制部分至所述第三光控制部分各自设置在限定在所述分隔墙中的分隔墙开口中。
在实施例中,所述显示装置还可以包括:子无机膜,直接设置在所述第一子光控制部分至所述第三子光控制部分和所述第一光控制部分至所述第三光控制部分之间。
在实施例中,在截面图中,所述第一子光控制部分在所述方向上的最小宽度可以基本上等于所述第一光控制部分在所述方向上的最小宽度,所述第二子光控制部分在所述方向上的最小宽度可以基本上等于所述第二光控制部分在所述方向上的最小宽度,并且所述第三子光控制部分在所述方向上的最小宽度可以基本上等于所述第三光控制部分在所述方向上的最小宽度。
在实施例中,在截面图中,所述分隔墙的第一高度可以大于所述第一子光控制部分至所述第三子光控制部分中的每一者的第二高度,并且所述第一高度和所述第二高度中的每一者可以被限定为在所述厚度方向上距所述电路层的表面的最大高度。
在实施例中,所述分隔墙可以是光学透明的,并且所述滤色器层还可以包括在所述厚度方向上与所述分隔墙重叠的光阻挡部分。
在实施例中,所述第一光控制部分和所述第一子光控制部分可以被集成以形成第一光控制单元,所述第二光控制部分和所述第二子光控制部分可以被集成以形成第二光控制单元;所述第三光控制部分和所述第三子光控制部分可以被集成以形成第三光控制单元;所述第一光控制单元至所述第三光控制单元可以彼此间隔开,并且所述分隔墙可以设置在所述第一光控制单元、所述第二光控制单元和所述第三光控制单元之间。
在实施例中,所述子光控制部分和所述光控制部分中的每一者还可以包括散射体。
在本公开的实施例中,一种显示装置可以包括:发光区和非发光区、发光元件层;无机封装膜,设置在所述发光元件层上方;子光控制层,设置在所述无机封装膜上方并且包括在垂直于厚度方向的方向上彼此间隔开的第一子光控制部分、第二子光控制部分和第三子光控制部分;光控制层,设置在所述子光控制层上方并且包括堤、第一光控制部分、第二光控制部分和第三光控制部分,所述第一光控制部分至所述第三光控制部分在所述方向上彼此间隔开;子无机膜,设置在所述子光控制层和所述光控制层之间;覆盖层,设置在所述光控制层上方并且覆盖所述光控制层;以及滤色器层,设置在所述覆盖层上方并且包括第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器。所述堤可以设置在所述第一光控制部分、所述第二光控制部分和所述第三光控制部分之间,所述子光控制层和所述光控制层中的每一者可以包括量子点,所述第一光控制部分至所述第三光控制部分中的每一者的至少一部分可以在所述厚度方向上与所述非发光区重叠,并且所述第一子光控制部分至所述第三子光控制部分可以在所述厚度方向上不与所述非发光区重叠。
在实施例中,在所述发光区中所述子无机膜可以设置在所述子光控制层和所述光控制层之间,并且在所述非发光区中所述子无机膜可以设置在所述无机封装膜和所述光控制层之间。
在实施例中,所述发光元件层可以包括:像素限定膜,像素开口限定在所述像素限定膜中;第一电极,暴露在所述像素开口中;第二电极,设置在所述第一电极上方;以及发光层,设置在所述第一电极和所述第二电极之间。在截面图中,所述像素限定膜在所述方向上的最小宽度可以大于所述堤在所述方向上的最大宽度。
在本公开的实施例中,一种显示装置可以包括:发光区和非发光区、发光元件层;无机封装膜,设置在所述发光元件层上方;子光控制层,设置在所述无机封装膜上方并且包括在垂直于厚度方向的方向上彼此间隔开的第一子光控制部分、第二子光控制部分和第三子光控制部分;光控制层,设置在所述子光控制层上方并且包括在所述方向上彼此间隔开的第一光控制部分、第二光控制部分和第三光控制部分;子无机膜,设置在所述子光控制层和所述光控制层之间;覆盖层,设置在所述光控制层上方并且覆盖所述光控制层;滤色器层,设置在所述覆盖层上方并且包括第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器;以及分隔墙。所述发光元件层可以包括:第一电极;第二电极,设置在所述第一电极上方;以及发光层,设置在所述第一电极和所述第二电极之间。所述子光控制层和所述光控制层中的每一者可以包括量子点。所述分隔墙可以设置在所述第一子光控制部分、所述第二子光控制部分和所述第三子光控制部分之间。所述分隔墙可以设置在所述第一光控制部分、所述第二光控制部分和所述第三光控制部分之间。
在实施例中,在所述发光区中所述子无机膜可以设置在所述第一子光控制部分和所述第一光控制部分之间、所述第二子光控制部分和所述第二光控制部分之间、以及所述第三子光控制部分和所述第三光控制部分之间,并且在所述非发光区中所述子无机膜可以设置在所述分隔墙和所述覆盖层之间。
在实施例中,所述第一子光控制部分至所述第三子光控制部分和所述第一光控制部分至所述第三光控制部分在所述厚度方向上可以不与所述非发光区重叠。
将理解的是,上述实施例仅在通用和解释性意义上进行描述,并且不是为了限制的目的,并且本公开不限于上述实施例。
附图说明
附图被包括以提供对本公开的进一步理解,并且被纳入本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图示出了本公开的实施例,并且与描述一起用于解释本公开的原理。在附图中:
图1是示出根据实施例的显示装置的透视图;
图2是示出根据实施例的显示装置的一部分的放大平面图;
图3是沿着图2的线I-I'截取的示意性截面图;
图4是示出图3的区XX'的放大的示意性截面图;
图5是示出根据实施例的显示装置的示意性截面图;
图6是示出图5的区YY'的放大的示意性截面图;
图7是示出根据实施例的显示装置的示意性截面图;以及
图8是示出根据实施例的显示装置的示意性截面图。
具体实施方式
本公开可以以各种修改来实现并且具有各种形式,并且在附图中示出了具体的实施例并且在本文中进行了详细描述。然而,将理解的是,本公开并不意图限于所公开的特定形式,而是相反,意图涵盖落入本公开的精神和范围内的所有修改、等同和替代。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时,所述元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接耦接到所述另一元件或层,或者可以存在居间元件或层。然而,当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时,不存在居间元件或层。为此,术语“连接”可以表示具有或不具有居间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。
另外,当元件被称为与另一元件“接触”或“接触”另一元件等时,所述元件可以与另一元件“电接触”或“物理接触”;或者所述元件可以与另一元件“间接接触”或“直接接触”。
相同的附图标记或符号始终表示相同的元件。另外,在附图中,为了技术内容的有效描述,夸大了元件的厚度、比例和尺寸。如本文中使用的,术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。
尽管可以使用术语第一、第二等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如,在不脱离本公开的范围的情况下,第一元件可以被称为第二元件,并且类似地,第二元件也可以被称为第一元件。除非上下文另有明确指示,否则单数形式也可以包括复数形式。
为了描述的目的,在本文中可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下/下部”、“在……上方”、“上/上部”、“在……之上”、“较高的”和“侧”(例如,如在“侧壁”中)等空间相对术语,并且从而来描述如附图中所示的一个元件与另一个元件/另一些元件的关系。除了附图中描绘的方位之外,空间相对术语还旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如,如果附图中的设备被翻转,则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将定向“在”其他元件或特征“上方”。因此,例如,术语“在……下方”可以涵盖在……上方和在……下方两种方位。此外,设备可以以其他方式定向(例如,旋转90度或在其他方位处),并且如此,相应地解释本文中使用的空间相对术语。
本文中使用的术语“在……上方”、“顶/顶部”和“顶表面”表示相对于显示装置的向上方向(即,第三方向(即,厚度方向)DR3)。本文中使用的术语“在……下方”、“底/底部”和“底表面”表示相对于显示装置的向下方向(即,与第三方向(即,厚度方向)DR3相反的方向)。此外,术语“左”、“右”、“上”和“下”分别指示在显示装置的表面上的相应的方向。例如,术语“左”指示与第一方向DR1相反的方向,术语“右”指示第一方向DR1,术语“上”指示第二方向DR2,并且术语“下”指示与第二方向DR2相反的方向。
本文中使用的术语是为了描述特定实施例的目的,并且不旨在进行限制。除非上下文另有明确指示,否则如本文中使用的,“一个(一)”、“一种(者)”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。此外,当在本说明书中使用术语“包括(comprises和/或comprising)”或“包含(includes和/或including)”时,说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组,但是不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在说明书和权利要求中,短语“……中的至少一个(种/者)”为了其含义和解释的目的,旨在包括“选自……组中的至少一个(种/者)”的含义。例如,“A和B中的至少一个(种/者)”可以理解为“A、B,或者A和B”。
考虑到讨论中的测量和与特定数量的测量相关的误差(例如,测量系统的局限性),如本文中使用的术语“大约(约)”或“近似(大概)”包括所述值,并且表示在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差的范围内。例如,“大约”可以表示在一个或多个标准偏差内,或者在所述值的±30%、±20%、±10%或±5%内。
除非另有定义,否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。另外,除非本文中明确地如此限定,否则术语(诸如在通用词典中限定的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义相一致的含义,并且不应以理想化的或过于形式化的含义来解释。
在下文中,将参照附图描述根据本公开的实施例的显示装置。图1是示出根据实施例的显示装置的透视图。
实施例的显示装置DD可以响应于电信号被激活。例如,显示装置DD可以是电视机、外部广告牌、便携式电子装置、平板计算机、车辆导航单元、游戏机、个人计算机、笔记本计算机或可穿戴装置,但是本公开不限于此。
显示装置DD可以通过显示表面DD-IS显示图像。显示表面DD-IS可以平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。显示表面DD-IS可以包括显示区DA和非显示区NDA。
像素PX可以设置在显示区DA中,并且像素PX可以不设置在非显示区NDA中。非显示区NDA可以沿着显示表面DD-IS的边缘限定。非显示区NDA可以围绕显示区DA。然而,本公开不限于此,并且非显示区NDA可以只与显示区DA的一侧相邻设置,或者被省略。
图1示出了具有平坦显示表面DD-IS的显示装置DD,但是本公开不限于此。显示装置DD可以包括弯曲的显示表面或立体的显示表面。立体的显示表面可以包括指示彼此不同方向的多个显示区。
显示装置DD的厚度方向可以平行于作为由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的法线方向的第三方向(即,厚度方向)DR3。本说明书中示出的由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向(即,厚度方向)DR3指示的方向可以具有相对概念,并且因此可以改变为其他方向。由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向(即,厚度方向)DR3指示的方向可以被称为第一方向、第二方向和第三方向,并且因此表示为相同的附图标记或符号。
在本说明书中,可以基于第三方向(即,厚度方向)DR3限定构成显示装置DD的每个构件的顶表面(或前表面)和底表面(或后表面)。例如,在一个构件中面向第三方向(即,厚度方向)DR3的两个表面之中,与显示表面DD-IS相对相邻的表面可以被限定为前表面(或顶表面),并且与显示表面DD-IS相对间隔开的表面可以被限定为后表面(或底表面)。另外,在本说明书中,可以基于第三方向(即,厚度方向)DR3限定“在……上方”和“在……下方”,可以基于较靠近显示表面DD-IS的方向限定“在……上方”,并且可以基于远离显示表面DD-IS的方向限定“在……下方”。
图2是示出根据实施例的显示装置DD的一部分的放大平面图。图2示出了包括三个发光区PXA-R、PXA-B和PXA-G以及与三个发光区PXA-R、PXA-B和PXA-G相邻的两个堤阱区BWA的平面。图2中示出的三个发光区PXA-R、PXA-B和PXA-G可以是与像素PX(参见图1)相对应的区,并且可以在整个显示区DA(参见图1)中重复设置。发光区可以包括第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B。
非发光区NPXA可以与第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B相邻设置。非发光区NPXA可以在第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B之间设定边界。非发光区NPXA可以围绕第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B。在非发光区NPXA中,可以设置防止第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B之间颜色混合的结构,例如,像素限定膜PDL(参见图3)、堤(或第一堤)BK(参见图3)或者分隔墙(或第二堤)PAT(参见图8)。
在图2中,第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B在平面图中具有相同的形状并且在平面图中具有不同的面积,但是本公开不限于此。第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B中的至少两个区的面积可以彼此相等。第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B的面积可以根据发射光的颜色来设定。在发射原色光之中的红光的发光区的面积可以是最大的,并且发射蓝光的发光区的面积可以是最小的。
在图2中,第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B中的每一者在平面图中被示出为具有矩形形状。在另一实施例中,第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B中的每一者可以具有包括诸如菱形或五边形的多边形形状的不同形状。第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B可以具有带有倒圆角的矩形形状。
图2示出了第二发光区PXA-G设置在第一行中,并且第一发光区PXA-R和第三发光区PXA-B设置在第二行中。然而,本公开不限于此,并且第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B的布置可以被不同地改变。例如,第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B可以布置在同一行中。
第一发光区PXA-R、第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B中的一者可以发射第一颜色光,另一者可以发射不同于第一颜色光的第二颜色光,并且再一者可以发射不同于第一颜色光和第二颜色光的第三颜色光。例如,第一发光区PXA-R可以发射红光,第二发光区PXA-G可以发射绿光,并且第三发光区PXA-B可以发射蓝光。
堤阱区BWA可以限定在显示区DA(参见图1)中。堤阱区BWA可以是用于防止在使包括在将稍后描述的光控制层CCL(参见图3)中的多个光控制部分CCP1、CCP2和CCP3(参见图3)图案化的工艺中由于错误的沉积而导致的缺陷的区。堤阱区BWA可以通过去除堤BK(参见图3)的一部分形成。图2示出了两个堤阱区BWA被限定为与第二发光区PXA-G相邻,但是本公开不限于此,并且堤阱区BWA的形状和布置可以被不同地改变。
图3是沿着图2的线I-I'截取的示意性截面图。参照图3,显示装置DD可以包括基体基底BS、设置在基体基底BS上方的电路层DP-CL、设置在电路层DP-CL上方的发光元件层DP-ED、设置在发光元件层DP-ED上方的无机封装膜TFM、设置在无机封装膜TFM上方的子光控制层SCL、设置在子光控制层SCL上方的光控制层CCL、设置在光控制层CCL上方的覆盖层QCPL以及设置在覆盖层QCPL上方的滤色器层CFL。显示装置DD还可以包括设置在滤色器层CFL上方的外涂层OC和设置在外涂层OC上方的保护构件PF。
基体基底BS可以是用于提供基体表面的构件,电路层DP-CL设置在基体表面上。基体基底BS可以包括单层或多层。例如,基体基底BS可以具有聚合物树脂层、粘合剂层和聚合物树脂层的三层结构。例如,聚合物树脂层可以包括聚酰亚胺基树脂。聚合物树脂层可以包括丙烯酸酯基树脂、甲基丙烯酸酯基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰胺基树脂和苝基树脂中的至少一种。
在本说明书中,聚酰亚胺基树脂可以表示含有聚酰亚胺官能团的树脂。这可以类似地适用于描述丙烯酸酯基树脂、甲基丙烯酸酯基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰胺基树脂和苝基树脂。
电路层DP-CL可以包括设置在基体基底BS上方的下缓冲层BFL、设置在下缓冲层BFL上方的第一绝缘层10、设置在第一绝缘层10上方的第二绝缘层20以及设置在第二绝缘层20上方的第三绝缘层30。例如,下缓冲层BFL、第一绝缘层10和第二绝缘层20可以是无机层,并且第三绝缘层30可以是有机层。
电路层DP-CL可以包括多个晶体管TRS。多个晶体管TRS可以各自包括有源区A-T、源极S-T、漏极D-T和栅极G-T。有源区A-T、源极S-T、漏极D-T和栅极G-T可以是基于半导体图案的掺杂浓度或导电性划分的区。有源区A-T、源极S-T和漏极D-T可以设置在下缓冲层BFL上方,并且栅极G-T可以设置在第一绝缘层10上方。例如,晶体管TRS可以是开关晶体管或用于驱动发光元件层DP-ED的发光元件ED的驱动晶体管。然而,这仅是示例,并且晶体管TRS不限于此。
发光元件层DP-ED可以包括具有限定在其中的像素开口OH的像素限定膜PDL以及发光元件ED。发光元件ED可以包括暴露在像素开口OH中的第一电极EL1、面对第一电极EL1的第二电极EL2以及设置在第一电极EL1和第二电极EL2之间的发光层OEL。尽管未示出,但是发光元件ED还可以包括设置在第一电极EL1和发光层OEL之间的空穴传输区和设置在发光层OEL和第二电极EL2之间的电子传输区。空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一者。电子传输区可包括电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的至少一者。
第一电极EL1可以是阳极或阴极。第一电极EL1可以是像素电极。第一电极EL1可以是透射电极、半透反射式(transflective)电极或反射电极。第二电极EL2可以是公共电极。第二电极EL2可以是阴极或阳极,但是本公开不限于此。例如,在第一电极EL1是阳极的情况下,第二电极EL2可以是阴极;并且在第一电极EL1是阴极的情况下,第二电极EL2可以是阳极。第二电极EL2可以是透射电极、半透反射式电极或反射电极。
发光层OEL可以发射第一颜色光。例如,发光层OEL可以发射蓝光。发光层OEL可以发射波长在大约410nm至大约480nm的范围内的光。尽管图3示出了包括一个发光层OEL的发光元件ED,但是发光元件ED可以包括多个发光层。例如,发光元件ED可以是具有串联结构的发光元件。
发光层OEL可以包括荧光或磷光材料。例如,发光层OEL可以包括蒽衍生物、芘衍生物、荧蒽衍生物、芘衍生物、二氢苯蒽衍生物或三亚苯衍生物。发光层OEL可以包括作为发光材料的金属有机络合物。
图3示出了发光层OEL被提供为公共层并且与发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B以及非发光区NPXA重叠(或遍及发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B以及非发光区NPXA延伸),但是本公开不限于此。发光层OEL可以被图案化在像素开口OH中,并且被提供为与发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每一者重叠,并且不与非发光区NPXA重叠。
像素限定膜PDL的像素开口OH可以暴露第一电极EL1的至少一部分。像素限定膜PDL可以与非发光区NPXA重叠,并且可以不与发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B重叠。像素限定膜PDL可以包括有机材料。例如,像素限定膜PDL可以是光学透明的。像素限定膜PDL对于具有大约380nm至大约780nm的波长的光可以具有大约85%或更高的透射率。
在本说明书中,两个组件的“重叠”这一术语不限于在平面图中具有相同面积和相同形状,并且包括两个组件具有不同面积和/或不同形状的情况。
无机封装膜TFM可以保护发光元件层DP-ED免受湿气和氧气的影响。无机封装膜TFM可以包括无机材料。例如,无机封装膜TFM可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝等中的至少一种,但是不特别限于此。
子光控制层SCL可以包括将从发光元件ED提供的第一颜色光转换为第二颜色光的第一子光控制部分SCP1、将第一颜色光转换为第三颜色光的第二子光控制部分SCP2以及传输第一颜色光的第三子光控制部分SCP3。第一子光控制部分SCP1可以提供作为第二颜色光的红光,第二子光控制部分SCP2可以提供作为第三颜色光的绿光,并且第三子光控制部分SCP3可以传输并提供作为从发光元件ED提供的第一颜色光的蓝光。
第一子光控制部分SCP1可以包括第一基体树脂BR1_S、分散在第一基体树脂BR1_S中的第一量子点QD1_S和分散在第一基体树脂BR1_S中的散射体SP_S。第二子光控制部分SCP2可以包括第二基体树脂BR2_S、分散在第二基体树脂BR2_S中的第二量子点QD2_S以及分散在第二基体树脂BR2_S中的散射体SP_S。第三子光控制部分SCP3可以包括第三基体树脂BR3_S和分散在第三基体树脂BR3_S中的散射体SP_S。
第一基体树脂BR1_S、第二基体树脂BR2_S和第三基体树脂BR3_S可以是量子点QD1_S和QD2_S以及散射体SP_S分散在其中的介质,并且可以由通常可以称为粘结剂的各种树脂组合物组成。例如,第一基体树脂BR1_S、第二基体树脂BR2_S和第三基体树脂BR3_S可以是丙烯酸树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、硅基树脂或环氧基树脂。第一基体树脂BR1_S、第二基体树脂BR2_S和第三基体树脂BR3_S可以是透明树脂。第一基体树脂BR1_S、第二基体树脂BR2_S和第三基体树脂BR3_S可以彼此相同或不同。
散射体SP_S可以是无机颗粒。例如,散射体SP_S可以包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和空心二氧化硅中的至少一种。散射体SP_S可以包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和空心二氧化硅中的任何一种,或者可以包括选自由TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和空心二氧化硅构成的组中的两种或更多种材料的混合物。
例如,第一量子点QD1_S可以是红色量子点,并且第二量子点QD2_S可以是绿色量子点。量子点QD1_S和QD2_S中的每一者的核可以选自由II-VI族化合物、III-VI族化合物、I-III-VI族化合物、III-V族化合物、III-II-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物以及它们的组合构成的组。
II-VI族化合物可以选自由以下成分构成的组:选自由CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及它们的混合物构成的组的二元化合物;选自由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及它们的混合物构成的组的三元化合物;以及选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及它们的混合物构成的组的四元化合物。
III-VI族化合物可以包括诸如In2S3和In2Se3的二元化合物、诸如InGaS3和InGaSe3的三元化合物或它们的任意组合。
I-III-VI族化合物可以包括诸如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、AgGaS2、CuGaS2、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2及它们的混合物的三元化合物,或者诸如AgInGaS2和CuInGaS2的四元化合物。
III-V族化合物可以选自由以下成分构成的组:选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及它们的混合物构成的组的二元化合物;选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及它们的混合物构成的组的三元化合物;以及选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及它们的混合物构成的组的四元化合物。III-V族化合物也可以包括II族金属。例如,InZnP等可以被选为III-II-V族化合物。
IV-VI族化合物可以选自由以下成分构成的组:选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及它们的混合物构成的组的二元化合物;选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及它们的混合物构成的组的三元化合物;以及选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及它们的混合物构成的组的四元化合物。IV族元素可以选自由Si、Ge及它们的混合物构成的组。IV族化合物可以是选自由SiC、SiGe及它们的混合物构成的组的二元化合物。
在此,二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以一致的浓度形成为颗粒,或者可以以部分地不同的浓度分布形成为颗粒。量子点可以具有其中一个量子点围绕着另一量子点的核/壳结构。核/壳结构可以具有其中壳中的元素的浓度向核递减的浓度梯度。
在一些实施例中,量子点QD1_S和QD2_S可以各自具有包括具有上述纳米晶体的核和围绕核的壳的核/壳结构。量子点QD1_S和QD2_S中的每一者的壳可以作为用于通过防止核的化学修饰来保持半导体特性的保护层和/或作为用于将电泳特性赋予量子点的充电层。壳可以是单层或多层。量子点QD1_S和QD2_S的壳可以包括金属或非金属氧化物、半导体化合物或其组合。
例如,金属或非金属氧化物可以是诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和NiO的二元化合物或者诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和CoMn2O4的三元化合物,但是本公开不限于此。
半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP和AlSb等,但是本公开不限于此。
量子点QD1_S和QD2_S可以具有大约45nm或更小、大约40nm或更小或者大约30nm或更小的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM),并且在此范围内,可以改善颜色纯度或颜色再现性。通过这种量子点QD1_S和QD2_S发射的光可以在所有方向上发射,使得可以改善广视角特性。
量子点QD1_S和QD2_S的形状不特别限于本领域中常用的形状。量子点可以具有诸如球形形状、金字塔形状、多臂形状、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维和纳米片颗粒的形状。量子点QD1_S和QD2_S可以基于颗粒大小控制发射光的颜色,并且相应地,量子点可以具有诸如蓝色、红色和绿色的各种发射颜色。
第一子光控制部分SCP1、第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3可以在垂直于厚度方向DR3的方向上彼此间隔开。第一子光控制部分SCP1、第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3可以彼此间隔开,且像素限定膜PDL在第一子光控制部分SCP1、第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3之间。第一子光控制部分SCP1、第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3可以设置在像素限定膜PDL的像素开口OH中。
第一子光控制部分SCP1、第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3可以不与非发光区NPXA重叠。第一子光控制部分SCP1、第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3可以与发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B重叠。第一子光控制部分SCP1可以与第一发光区PXA-R重叠,第二子光控制部分SCP2可以与第二发光区PXA-G重叠,并且第三子光控制部分SCP3可以与第三发光区PXA-B重叠。
在实施例中,第一子光控制部分SCP1、第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3可以与发光层OEL相邻设置。第一子光控制部分SCP1、第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3可以与发光元件层DP-ED间隔开,且无机封装膜TFM在第一子光控制部分SCP1、第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3与发光元件层DP-ED之间。包括第一子光控制部分SCP1、第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3的子光控制层SCL可以与无机封装膜TFM接触。发光元件层DP-ED可以与无机封装膜TFM接触。子光控制层SCL可以与发射光的发光层OEL相邻设置,并且改善显示装置DD的光输出效率。
在典型的显示装置中,多个构件(例如,无机封装层、有机封装层、填充层等)设置在含量子点的构件(例如,光控制层)和发光元件层之间。由于在包括发光层的发光元件层中发射的光通过构件发射,因此显示装置的光效率劣化。
根据实施例的子光控制层SCL可以取代典型的显示装置中的设置在两个无机封装膜之间的有机封装膜。在根据实施例的显示装置DD中,由于包含量子点QD1_S和QD2_S的子光控制层SCL与发光层OEL相邻设置,因此可以减少在发光元件层DP-ED中发射的光必须通过其直至光到达包含量子点QD1_S和QD2_S的子光控制层SCL为止的构件。例如,在发光元件层DP-ED中发射的光直至到达子光控制层SCL的光的路径可以缩短。因此,在实施例中,包括与发光层OEL相邻并包含量子点QD1_S和QD2_S的子光控制层SCL的显示装置DD可以表现出改善的光效率。
光控制层CCL可以包括堤BK、第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3。第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3可以彼此间隔开,且堤BK在第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3之间。第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3可以在垂直于厚度方向DR3的方向上彼此间隔开。
第一光控制部分CCP1可以将从发光元件ED提供的第一颜色光转换为第四颜色光,并且第二光控制部分CCP2可以将第一颜色光转换为第五颜色光。第三光控制部分CCP3可以传输第一颜色光。例如,第一光控制部分CCP1可以提供作为第四颜色光的红光,第二光控制部分CCP2可以提供作为第五颜色光的绿光,并且第三光控制部分CCP3可以传输并提供作为从发光元件ED提供的第一颜色光的蓝光。第一光控制部分CCP1和第一子光控制部分SCP1可以重叠。第二光控制部分CCP2和第二子光控制部分SCP2可以重叠。第三光控制部分CCP3可以与第三子光控制部分SCP3重叠。
由第一光控制部分CCP1提供的第四颜色光和由第一子光控制部分SCP1提供的第二颜色光可以具有相同的波长范围。由第二光控制部分CCP2提供的第五颜色光和由第二子光控制部分SCP2提供的第三颜色光可以具有相同的波长范围。
第一光控制部分CCP1可以包括第四基体树脂BR1、分散在第四基体树脂BR1中的第四量子点QD1以及分散在第四基体树脂BR1中的散射体SP。第二光控制部分CCP2可以包括第五基体树脂BR2、分散在第五基体树脂BR2中的第五量子点QD2以及分散在第五基体树脂BR2中的散射体SP。第三光控制部分CCP3可以包括第六基体树脂BR3和分散在第六基体树脂BR3中的散射体SP。
第四基体树脂BR1、第五基体树脂BR2至第六基体树脂BR3可以各自是量子点QD1和QD2以及散射体SP在其中分散的介质,并且可以由通常可以称为粘结剂的各种树脂组合物组成。例如,第四基体树脂BR1、第五基体树脂BR2和第六基体树脂BR3可以是丙烯酸树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、硅基树脂或环氧基树脂。第四基体树脂BR1、第五基体树脂BR2和第六基体树脂BR3可以是透明树脂。第四基体树脂BR1、第五基体树脂BR2和第六基体树脂BR3可以彼此相同或不同。
第一子光控制部分SCP1的第一基体树脂BR1_S和第一光控制部分CCP1的第四基体树脂BR1可以彼此相同或不同。第二子光控制部分SCP2的第二基体树脂BR2_S和第二光控制部分CCP2的第五基体树脂BR2可以彼此相同或不同。第三子光控制部分SCP3的第三基体树脂BR3_S和第三光控制部分CCP3的第六基体树脂BR3可以彼此相同或不同。
第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3的散射体SP可以是无机颗粒。例如,散射体SP可以包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和空心二氧化硅中的至少一种。散射体SP可以包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和空心二氧化硅中的任何一种,或者可以包括选自由TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和空心二氧化硅构成的组中的两种或更多种材料的混合物。第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3的散射体SP可以与第一子光控制部分SCP1、第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3的散射体SP_S相同或不同。
第一光控制部分CCP1的第四量子点QD1可以是红色量子点,并且第二光控制部分CCP2的第五量子点QD2可以是绿色量子点。对于第四量子点QD1和第五量子点QD2,可以类似地应用上面已经作出的关于量子点的描述。
第一光控制部分CCP1的第四量子点QD1和第一子光控制部分SCP1的第一量子点QD1_S可以将第一颜色光转换为具有相同波长范围的光。第一光控制部分CCP1的第四量子点QD1可以与第一子光控制部分SCP1的第一量子点QD1_S相同或不同。
第二光控制部分CCP2的第五量子点QD2和第二子光控制部分SCP2的第二量子点QD2_S可以将第一颜色光转换为具有相同波长范围的光。第二光控制部分CCP2的第五量子点QD2可以与第二子光控制部分SCP2的第二量子点QD2_S相同或不同。
在实施例中,第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3中的每一者的至少一部分可以与非发光区NPXA重叠。在平行于第三方向(即,厚度方向)DR3的截面图中,第一光控制部分CCP1的一侧和另一侧可以设置在非发光区NPXA中,第二光控制部分CCP2的一侧和另一侧可以设置在非发光区NPXA中,并且第三光控制部分CCP3的一侧和另一侧可以设置在非发光区NPXA中。第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3中的每一者的一侧和另一侧可以在垂直于厚度方向DR3的方向上彼此间隔开。
参照图3,在第一发光区PXA-R和第二发光区PXA-G之间的非发光区NPXA中,第一光控制部分CCP1的另一侧和第二光控制部分CCP2的一侧可以彼此间隔开,且堤BK在第一光控制部分CCP1的另一侧和第二光控制部分CCP2的一侧之间。在第二发光区PXA-G和第三发光区PXA-B之间的非发光区NPXA中,第二光控制部分CCP2的另一侧和第三光控制部分CCP3的一侧可以彼此间隔开,且堤BK在第二光控制部分CCP2的另一侧和第三光控制部分CCP3的一侧之间。尽管未示出,但是在第三发光区PXA-B和相邻像素的第一发光区PXA-R之间的非发光区NPXA中,第三光控制部分CCP3的另一侧和相邻像素的第一光控制部分CCP1的一侧可以彼此间隔开,且堤BK在第三光控制部分CCP3的另一侧和相邻像素的第一光控制部分CCP1的一侧之间。
堤BK可以是黑色矩阵。在实施例中,第一堤BK可以包括包含黑色颜料或黑色染料的有机光阻挡材料或无机光阻挡材料。堤BK可以与非发光区NPXA重叠,并且可以不与发光区PXA-R、PXA-G、和PXA-B重叠。
覆盖层QCPL可以覆盖光控制层CCL。例如,覆盖层QCPL可以覆盖第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3。覆盖层QCPL可以是光学透明的。
滤色器层CFL可以包括第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。第一滤色器CF1可以传输第二颜色光,第二滤色器CF2可以传输第三颜色光,并且第三滤色器CF3可以传输第一颜色光。例如,第一滤色器CF1可以是红色滤色器,第二滤色器CF2可以是绿色滤色器,并且第三滤色器CF3可以是蓝色滤色器。第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每一者可以包括聚合物光敏树脂和颜料或染料。第一滤色器CF1可以包括红色颜料或染料,第二滤色器CF2可以包括绿色颜料或染料,并且第三滤色器CF3可以包括蓝色颜料或染料。然而,本公开并不限于此,并且第三滤色器CF3可以不包括颜料或染料。第三滤色器CF3可以包括聚合物光敏树脂,并且可以不包括颜料或染料。第三滤色器CF3可以是透明的。第三滤色器CF3可以由透明光敏树脂形成。
第一滤色器CF1和第二滤色器CF2可以是黄色滤色器。第一滤色器CF1和第二滤色器CF2不是彼此分开的,并且可以彼此集成。
参照图3,第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的至少两个滤色器可以在非发光区NPXA中重叠。然而,这仅是示例,并且第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3在非发光区NPXA中的布置不限于此。
外涂层OC可以是平坦化层。外涂层OC可以提供有非均匀的厚度。外涂层OC的上表面可以是平坦的表面,并且可以是与覆盖层QCPL间隔开并且与保护构件PF相邻的表面。
保护构件PF可以设置为保护设置在其下面的组件。例如,保护构件PF可以包括窗。保护构件PF可以包括诸如防指纹涂层、防反射涂层和/或硬涂层的功能层。然而,这仅是示例,并且保护构件PF的配置不限于任何一个实施例。
根据实施例的显示装置DD还可以包括直接设置在子光控制层SCL和光控制层CCL之间的子无机膜TFM-S。子无机膜TFM-S可以包括无机材料。例如,子无机膜TFM-S可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝等,但是不特别限于此。
第一子光控制部分SCP1、第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3可以设置在无机封装膜TFM和子无机膜TFM-S之间。在发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B中子无机膜TFM-S可以设置在子光控制层SCL和光控制层CCL之间,并且在非发光区NPXA中子无机膜TFM-S可以设置在无机封装膜TFM和光控制层CCL之间。例如,在发光区PXA-R、PXA-G和PXA-B中,子无机膜TFM-S可以与第一子光控制部分SCP1、第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3以及第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3接触。在非发光区NPXA中,子无机膜TFM-S可以与无机封装膜TFM和堤BK接触。在非发光区NPXA中,子无机膜TFM-S可以与彼此间隔开的第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3中的每一者的边缘和另一边缘接触,且堤BK在这些边缘之间。
在非发光区NPXA中,堤BK可以与像素限定膜PDL重叠。在非发光区NPXA中,在平面图中堤BK的面积可以小于的像素限定膜PDL的面积。因此,彼此间隔开的第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3的至少一部分可以与非发光区NPXA重叠,堤BK在第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3之间。彼此间隔开的第一子光控制部分SCP1、第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3可以不与非发光区NPXA重叠,且像素限定膜PDL在第一子光控制部分SCP1、第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3之间。
图4是示出图3的区XX'的放大的示意性截面图。参照图3和图4,堤BK可以包括在厚度方向DR3上平行的、间隔开的上表面BK-UF和下表面BK-DF。堤BK的上表面BK-UF可以与覆盖层QCPL接触。例如,堤BK的上表面BK-UF可以与覆盖层QCPL的下表面QCPL-DF接触。堤BK的下表面BK-DF可以与子无机膜TFM-S接触。堤BK可以设置在子无机膜TFM-S和覆盖层QCPL之间。
在平行于第三方向(即,厚度方向)DR3的截面图中,堤BK可以在堤BK的与无机封装膜TFM相邻的表面(例如,下表面BK-DF)上具有最大宽度W2。堤BK的最大宽度W2可以平行于与厚度方向DR3垂直的方向被测量。
在平行于第三方向(即,厚度方向)DR3的截面图中,像素限定膜PDL可以在像素限定膜PDL的与无机封装膜TFM相邻的表面PDL-UF上具有最小宽度W1。像素限定膜PDL的最小宽度W1可以平行于与厚度方向DR3垂直的方向被测量。发光层OEL可以设置在像素限定膜PDL的表面PDL-UF上。
在平行于第三方向(即,厚度方向)DR3的截面图中,像素限定膜PDL的最小宽度W1可以大于堤BK的最大宽度W2。像素限定膜PDL的最小宽度W1和堤BK的最大宽度W2可以平行于一个方向,并且该方向可以垂直于厚度方向DR3。因此,在平面图中,堤BK的面积可以小于像素限定膜PDL的面积。在平行于厚度方向DR3的截面图中,第一子光控制部分SCP1、第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3可以不与非发光区NPXA重叠,并且第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3中的每一者的至少一部分可以与非发光区NPXA重叠。
在平行于厚度方向DR3的截面图中,第一子光控制部分SCP1、第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3中的每一者的最小宽度WT2可以小于第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3中的每一者的最小宽度WT1。尽管图4示出了第一子光控制部分SCP1的最小宽度WT2和第一光控制部分CCP1的最小宽度WT1,但是相同的描述可以应用于第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3中的每一者的最小宽度以及第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3中的每一者的最小宽度。
在平行于厚度方向DR3的截面图中,第一子光控制部分SCP1的最小宽度WT2可以小于第一光控制部分CCP1的最小宽度WT1。第一子光控制部分SCP1的最小宽度WT2和第一光控制部分CCP1的最小宽度WT1可以平行于与厚度方向DR3垂直的方向。第一子光控制部分SCP1的最小宽度WT2可以是第一子光控制部分SCP1的与无机封装膜TFM接触的底表面上的宽度。第一光控制部分CCP1的最小宽度WT1可以是第一光控制部分CCP1的与子无机膜TFM-S接触的表面上的宽度。由于第一子光控制部分SCP1不与非发光区NPXA重叠,并且第一光控制部分CCP1至少部分地与非发光区NPXA重叠,因此第一子光控制部分SCP1的最小宽度WT2可以小于第一光控制部分CCP1的最小宽度WT1。
在实施例中,设置在发光元件层DP-ED上方的无机封装膜TFM、子光控制层SCL和光控制层CCL等可以通过连续工艺形成。因此,根据实施例的显示装置DD可以不包括在发光元件层DP-ED和光控制层CCL之间的填充层。
无机封装膜TFM可以通过直接提供用于将无机封装膜TFM形成到发光元件层DP-ED上的材料来形成。子光控制层SCL可以通过直接提供用于将子光控制层SCL形成到无机封装膜TFM上的材料来形成。光控制层CCL可以通过直接提供用于将光控制层CCL形成到子光控制层SCL上的材料来形成。例如,子光控制层SCL和光控制层CCL中的每一者可以通过喷墨打印方法或光刻胶方法形成。然而,这仅是示例,并且用于形成子光控制层SCL和光控制层CCL的方法不限于此。
根据实施例的显示装置DD可以包括发光元件层DP-ED、设置在发光元件层DP-ED上方的无机封装膜TFM以及设置在无机封装膜TFM上方的子光控制层SCL。子光控制层SCL可以包括彼此间隔开的第一子光控制部分SCP1、第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3,且像素限定膜PDL在第一子光控制部分SCP1、第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3之间。第一子光控制部分SCP1、第二子光控制部分SCP2和第三子光控制部分SCP3可以包括至少一个量子点QD1_S和QD2_S,并且可以与发射光的发光元件层DP-ED相邻设置,从而改善显示装置DD的光效率。
图5、图7和图8是示出根据实施例的显示装置的示意性截面图。图6是示出图5的区YY'的放大的示意性截面图。在下文中,在图5至图8的描述中,与参照图1至图4描述的内容重复的内容不再描述,并且描述将集中在差异上。
与参照图3描述的显示装置DD相比,图5中示出的显示装置DD-1可以包括分隔墙PAT。像素限定膜PDL-Z和堤BK-Z可以被集成以形成分隔墙PAT。因此,在用于制造显示装置DD-1的工艺中,像素限定膜PDL-Z的形成和堤BK-Z的形成可以被集成到分隔墙PAT的形成中,从而改善制造效率。
分隔墙PAT可以由含有黑色颜料或黑色染料的有机光阻挡材料或无机光阻挡材料形成。在另一实施例中,分隔墙PAT可以由光学透明材料形成。分隔墙PAT可以与非发光区NPXA重叠。在非发光区NPXA中,发光层OEL、第二电极EL2、无机封装膜TFM、子无机膜TFM-S和覆盖层QCPL可以顺序地设置在分隔墙PAT上方。
分隔墙PAT可以具有限定在其中的分隔墙开口OH-P。发光元件ED的第一电极EL1可以暴露在分隔墙开口OH-P中。第一子光控制部分SCP1-Z、第二子光控制部分SCP2-Z和第三子光控制部分SCP3-Z可以设置在分隔墙开口OH-P中。第一光控制部分CCP1-Z、第二光控制部分CCP2-Z和第三光控制部分CCP3-Z可以设置在分隔墙开口OH-P中。
参照图5,第一子光控制部分SCP1-Z、第二子光控制部分SCP2-Z和第三子光控制部分SCP3-Z可以彼此间隔开,且分隔墙PAT在第一子光控制部分SCP1-Z、第二子光控制部分SCP2-Z和第三子光控制部分SCP3-Z之间。第一光控制部分CCP1-Z、第二光控制部分CCP2-Z和第三光控制部分CCP3-Z可以彼此间隔开,且分隔墙PAT在第一光控制部分CCP1-Z、第二光控制部分CCP2-Z和第三光控制部分CCP3-Z之间。
彼此间隔开的第一子光控制部分SCP1-Z、第二子光控制部分SCP2-Z和第三子光控制部分SCP3-Z可以不与非发光区NPXA重叠,且分隔墙PAT在第一子光控制部分SCP1-Z、第二子光控制部分SCP2-Z和第三子光控制部分SCP3-Z之间。彼此间隔开的第一光控制部分CCP1-Z、第二光控制部分CCP2-Z和第三光控制部分CCP3-Z可以不与非发光区NPXA重叠,且分隔墙PAT在第一光控制部分CCP1-Z、第二光控制部分CCP2-Z和第三光控制部分CCP3-Z之间。第一子光控制部分SCP1-Z和第一光控制部分CCP1-Z可以与第一发光区PXA-R重叠。第二子光控制部分SCP2-Z和第二光控制部分CCP2-Z可以与第二发光区PXA-G重叠。第三子光控制部分SCP3-Z和第三光控制部分CCP3-Z可以与第三发光区PXA-B重叠。
子无机膜TFM-S可以分别设置在第一子光控制部分SCP1-Z和第一光控制部分CCP1-Z之间、第二子光控制部分SCP2-Z和第二光控制部分CCP2-Z之间、以及第三子光控制部分SCP3-Z和第三光控制部分CCP3-Z之间。例如,子无机膜TFM-S可以在第一发光区PXA-R中与第一子光控制部分SCP1-Z和第一光控制部分CCP1-Z接触。子无机膜TFM-S可以在第二发光区PXA-G中与第二子光控制部分SCP2-Z和第二光控制部分CCP2-Z接触。子无机膜TFM-S可以在第三发光区PXA-B中与第三子光控制部分SCP3-Z和第三光控制部分CCP3-Z接触。
在非发光区NPXA中,子无机膜TFM-S可以设置在分隔墙PAT和覆盖层QCPL之间。例如,在非发光区NPXA中,子无机膜TFM-S可以与无机封装膜TFM和覆盖层QCPL接触。
根据本公开,在平行于厚度方向DR3的截面图中,第一子光控制部分SCP1-Z的最小宽度可以基本上等于第一光控制部分CCP1-Z的最小宽度,第二子光控制部分SCP2-Z的最小宽度可以基本上等于第二光控制部分CCP2-Z的最小宽度,并且第三子光控制部分SCP3-Z的最小宽度可以基本上等于第三光控制部分CCP3-Z的最小宽度。在本说明书中,“两个宽度基本上相等”的措辞表示两个宽度之间的差异为大约10%或更少,大约5%或更少或者大约3%或更少。例如,第一光控制部分CCP1-Z、第二光控制部分CCP2-Z和第三光控制部分CCP3-Z中的每一者的最小宽度可以是第一子光控制部分SCP1-Z、第二子光控制部分SCP2-Z和第三子光控制部分SCP3-Z中的每一者的最小宽度的大约0.9倍、大约0.95倍、大约0.97倍或大约1.0倍。在另一实施例中,第一光控制部分CCP1-Z、第二光控制部分CCP2-Z和第三光控制部分CCP3-Z中的每一者的最小宽度与第一子光控制部分SCP1-Z、第二子光控制部分SCP2-Z和第三子光控制部分SCP3-Z中的每一者的最小宽度之间的差异可以在容差范围内。
参照图6,第一子光控制部分SCP1-Z的最小宽度WH2可以与第一光控制部分CCP1-Z的最小宽度WH1相同(例如,大约1.0倍)。尽管图6示出了第一子光控制部分SCP1-Z的最小宽度WH2和第一光控制部分CCP1-Z的最小宽度WH1,但是相同的描述可以适用于第二子光控制部分SCP2-Z和第三子光控制部分SCP3-Z中的每一者的最小宽度以及第二光控制部分CCP2-Z和第三光控制部分CCP3-Z中的每一者的最小宽度。
参照图6,分隔墙PAT可以具有平行于厚度方向DR3的第一高度HT1,并且第一高度HT1可以是距电路层DP-CL(参见图5)的在其上设置第一电极EL1的表面CL-UF的最大高度。第一子光控制部分SCP1-Z可以具有平行于厚度方向DR3的第二高度HT2,并且第二高度HT2可以是距电路层DP-CL(参见图5)的在其上设置第一电极EL1的表面CL-UF的最大高度。电路层DP-CL(参见图5)的表面CL-UF可以是第三绝缘层30的上表面。
分隔墙PAT的第一高度HT1可以大于第一子光控制部分SCP1-Z、第二子光控制部分SCP2-Z和第三子光控制部分SCP3-Z中的每一者的第二高度HT2。尽管图6示出了分隔墙PAT的第一高度HT1和第一子光控制部分SCP1-Z的第二高度HT2,但是相同的描述可以应用于第二子光控制部分SCP2-Z和第三子光控制部分SCP3-Z。
与参照图5描述的显示装置DD-1相比,图7中示出的显示装置DD-2还可以包括滤色器层CFL-X中的光阻挡部分BM。在滤色器层CFL-X包括光阻挡部分BM的情况下,分隔墙PAT可以由光学透明材料形成。
光阻挡部分BM可以是黑色矩阵。光阻挡部分BM可以由包含黑色颜料或黑色染料的有机光阻挡材料或无机光阻挡材料形成。光阻挡部分BM可以防止漏光现象,并且可以在相邻的滤色器CF1、CF2和CF3之间限定边界。第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以彼此间隔开,且光阻挡部分BM在第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3之间。
与参照图5描述的显示装置DD-1相比,图8中示出的显示装置DD-3可以包括第一光控制单元CCU1、第二光控制单元CCU2和第三光控制单元CCU3。图8中示出的显示装置DD-3可以不包括子无机膜TFM-S(例如,参见图5)。
第一子光控制部分SCP1-Z、第二子光控制部分SCP2-Z和第三子光控制部分SCP3-Z以及第一光控制部分CCP1-Z、第二光控制部分CCP2-Z和第三光控制部分CCP3-Z可以分别被集成以形成第一光控制单元CCU1、第二光控制单元CCU2和第三光控制单元CCU3。例如,第一子光控制部分SCP1-Z和第一光控制部分CCP1-Z可以被集成以形成第一光控制单元CCU1。第二子光控制部分SCP2-Z和第二光控制部分CCP2-Z可以被集成以形成第二光控制单元CCU2。第三子光控制部分SCP3-Z和第三光控制单元CCU3可以被集成以形成第三光控制单元CCU3。
第一光控制单元CCU1、第二光控制单元CCU2和第三光控制单元CCU3可以彼此间隔开,且分隔墙PAT在第一光控制单元CCU1、第二光控制单元CCU2和第三光控制单元CCU3之间。第一光控制单元CCU1、第二光控制单元CCU2和第三光控制单元CCU3可以不与非发光区NPXA重叠。第一光控制单元CCU1、第二光控制单元CCU2和第三光控制单元CCU3可以设置在无机封装膜TFM和覆盖层QCPL之间。
在下文中,将参照示例(或实验示例)和比较示例详细描述根据本公开的显示装置。以下实施示例仅作为示例提供,以帮助理解本公开,并且本公开的范围不限于此。
下面的表1示出了在比较示例和实验示例的各自包括填充层的显示装置中根据填充层的厚度对光效率和色域的评估结果。除了填充层的厚度之外,比较示例1和实验示例1至实验示例3的显示装置具有相同的配置。比较示例1和实验示例1至实验示例3的中的每一者不包括子光控制部分并且包括设置在无机封装膜和光控制层之间的填充层。比较示例1的显示装置包括具有大约4μm的厚度的填充层,实验示例1的显示装置包括具有大约1μm的厚度的填充层,实验示例2的显示装置包括具有大约2μm的厚度的填充层,并且实验示例3的显示装置包括具有大约3μm的厚度的填充层。
在表1中,光效率和色域是在比较示例1的显示装置中测量的值为100%的情况下的相对值。光效率可以通过评估针对红光、绿光、蓝光和白光的效率而获得。色域可以基于BT2020(用于显示器的色域的标准)进行评估。表1中的结果是使用CAS-140CT(仪器系统公司(Instrument Systems Corporation))、SR-UL2(拓普康公司(TOPCON Corporation))和CM-2600D(柯尼卡美能达公司(KONICA MINOLTA Inc.))进行评估的。
[表1]
参照表1,可以理解的是,与比较示例1中的光效率和色域相比,实验示例1至3中的光效率和色域被改善。可以理解的是,在比较示例1和实验示例1至实验示例3中,在填料的厚度减少大约1μm的情况下,白光的效率增加大约2%或更多。由于在发光元件层中发射的光的发射路径减少,可以理解的是光效率被改善。因此,认为根据实施例的不包括填充层并且包括与发光层相邻的子光控制部分的显示装置将表现出改善的光效率。
下面的表2示出了比较示例1和实验示例4的显示装置中的光效率和色域的评估结果。表2中的比较示例1的显示装置与表1中所描述的显示装置是相同的,并且实验示例4的显示装置是不包括在无机封装膜和光控制层之间的填充层的显示装置。在表2中,光效率和色域是在比较示例1的显示装置中测量的值为100%的情况下的相对值。光效率可以通过评估针对红光、绿光、蓝光和白光的效率而获得。色域可以基于BT2020(用于显示器的色域的标准)进行评估。表2中的结果是使用CAS-140CT(仪器系统公司)、SR-UL2(拓普康公司)和CM-2600D(柯尼卡美能达公司)进行评估的。
[表2]
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参照表2,可以理解的是,与比较示例1的显示装置相比,实验示例4的显示装置具有改善的光效率和色域。实验示例4的显示装置不包括填充层。因此,认为根据实施例的不包括填充层并且包括与发光层相邻的子光控制部分的显示装置将表现出改善的光效率和色域。
根据实施例的显示装置可以包括发光元件层、设置在发光元件层上方的无机封装膜、设置在无机封装膜上方且包含量子点的子光控制层、设置在子光控制层上方且包含量子点的光控制层以及设置在光控制层上方的覆盖层。子光控制层可以包括彼此间隔开的第一子光控制部分至第三子光控制部分,并且光控制层可以包括彼此间隔开的第一光控制部分至第三光控制部分。根据实施例的显示装置还可以包括子无机膜和分隔墙中的至少一者。子无机膜可以设置在第一子光控制部分和第一光控制部分之间、第二子光控制部分和第二光控制部分之间、以及第三子光控制部分和第三光控制部分之间。可以配置分隔墙使得发光元件层的像素限定膜和光控制层的堤被集成。根据实施例的包括与发光元件层的发光层相邻设置的第一子光控制部分至第三子光控制部分的显示装置可以表现出改善的光效率和色域。
根据实施例的显示装置可以包括与发射光的发光层相邻的子光控制部分,从而表现出改善的光效率和色域。
上述描述是本公开的技术特征的示例,并且本公开所属领域的技术人员将能够进行各种修改和变化。因此,上文描述的本公开的实施例可以单独实施或彼此结合。
因此,本公开中所公开的实施例并不意图限制本公开的技术精神,而是为了描述本公开的技术精神,并且本公开的技术精神的范围不受这些实施例的限制。本公开的保护范围应由所附权利要求解释,并且应解释为在等同范围内的所有技术精神都包括在本公开的范围内。
Claims (10)
1.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:
电路层;
发光元件层,设置在所述电路层上方;
无机封装膜,设置在所述发光元件层上方;
子光控制层,设置在所述无机封装膜上方并且包括在垂直于厚度方向的方向上彼此间隔开的第一子光控制部分、第二子光控制部分和第三子光控制部分;以及
光控制层,设置在所述子光控制层上方并且包括堤、第一光控制部分、第二光控制部分和第三光控制部分,所述第一光控制部分至所述第三光控制部分在所述方向上彼此间隔开,
所述堤设置在所述第一光控制部分、所述第二光控制部分和所述第三光控制部分之间,
所述发光元件层包括:
像素限定膜,具有限定在所述像素限定膜中的像素开口;
第一电极,暴露在所述像素开口中;
第二电极,设置在所述第一电极上方;以及
发光层,设置在所述第一电极和所述第二电极之间,并且所述子光控制层和所述光控制层中的每一者包括量子点。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括:
覆盖层,设置在所述光控制层上方并且覆盖所述光控制层;以及
滤色器层,设置在所述覆盖层上方并且包括第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于,所述像素限定膜设置在所述第一子光控制部分、所述第二子光控制部分和所述第三子光控制部分之间。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述堤的上表面在所述厚度方向上与所述覆盖层的下表面接触。
5.根据权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括:
子无机膜,直接设置在所述子光控制层和所述光控制层之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,
所述像素限定膜是光学透明的,并且
在截面图中,所述像素限定膜在所述方向上的最小宽度大于所述堤在所述方向上的最大宽度。
7.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,
所述像素限定膜和所述堤被集成以形成分隔墙,并且
所述第一子光控制部分至所述第三子光控制部分和所述第一光控制部分至所述第三光控制部分各自设置在限定在所述分隔墙中的分隔墙开口中。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,在截面图中,所述第一子光控制部分在所述方向上的最小宽度等于所述第一光控制部分在所述方向上的最小宽度,所述第二子光控制部分在所述方向上的最小宽度等于所述第二光控制部分在所述方向上的最小宽度,并且所述第三子光控制部分在所述方向上的最小宽度等于所述第三光控制部分在所述方向上的最小宽度。
9.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,
所述分隔墙是光学透明的,并且
所述滤色器层还包括在所述厚度方向上与所述分隔墙重叠的光阻挡部分。
10.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,
所述第一光控制部分和所述第一子光控制部分被集成以形成第一光控制单元,
所述第二光控制部分和所述第二子光控制部分被集成以形成第二光控制单元,
所述第三光控制部分和所述第三子光控制部分被集成以形成第三光控制单元,
所述第一光控制单元至所述第三光控制单元彼此间隔开,并且
所述分隔墙设置在所述第一光控制单元、所述第二光控制单元和所述第三光控制单元之间。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2022-0034511 | 2022-03-21 | ||
KR1020220034511A KR20230137515A (ko) | 2022-03-21 | 2022-03-21 | 표시 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN219698377U true CN219698377U (zh) | 2023-09-15 |
Family
ID=87963890
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202320521633.1U Active CN219698377U (zh) | 2022-03-21 | 2023-03-17 | 显示装置 |
CN202310259530.7A Pending CN116801655A (zh) | 2022-03-21 | 2023-03-17 | 显示装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310259530.7A Pending CN116801655A (zh) | 2022-03-21 | 2023-03-17 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230329064A1 (zh) |
KR (1) | KR20230137515A (zh) |
CN (2) | CN219698377U (zh) |
-
2022
- 2022-03-21 KR KR1020220034511A patent/KR20230137515A/ko unknown
-
2023
- 2023-01-26 US US18/101,809 patent/US20230329064A1/en active Pending
- 2023-03-17 CN CN202320521633.1U patent/CN219698377U/zh active Active
- 2023-03-17 CN CN202310259530.7A patent/CN116801655A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230137515A (ko) | 2023-10-05 |
US20230329064A1 (en) | 2023-10-12 |
CN116801655A (zh) | 2023-09-22 |
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---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |