JP5573616B2

JP5573616B2 - 表示装置

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Publication number: JP5573616B2
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Authority: JP
Inventors: 優梶谷
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2010-11-12
Filing date: 2010-11-12
Publication date: 2014-08-20
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Description

本発明は表示装置およびその製造方法に関する。

表示装置にはその構成や原理を異にする種々の装置がある。そのひとつとして現在、画素の光源に有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を利用した表示装置が実用化されつつある。

上記表示装置には、画素に対応する多数の有機ＥＬ素子が所定の基台上に整列して配置されている。なお基台上には所定の区画を画成するための隔壁が設けられており、多数の有機ＥＬ素子は、それぞれ隔壁によって区画された領域に整列して配置されている。

各有機ＥＬ素子は、第１電極、有機層、第２電極を基台側からこの順で積層することにより形成される。

上述の有機層はたとえば塗布法によって形成することができる。図８を参照して有機層の形成方法について説明する。図８（１）に示すようにまず第１電極１６および隔壁１３が予め形成された基台１２を用意する。つぎにこの基台１２において隔壁１３に囲まれた領域１５に有機層１８となる材料を含むインキ１７を供給する。供給されたインキ１７は隔壁１３に囲まれた領域（凹部）１５に収容される（図８（２）参照）。そしてインキ１７の溶媒が気化することによって有機層１８が形成される（図８（３）参照）。

なお隔壁１３がインキ１７に対して親液性を示す場合、供給されたインキが、隔壁１３表面を伝って隣の凹部にまで流出することがある。このようなインキの流出を防ぐために、通常は、ある程度撥液性を示す隔壁１３が基台１２上に設けられている。

しかしながら隔壁１３が撥液性を示す場合、凹部１５に供給されたインキは、隔壁１３に弾かれつつ気化し、薄膜化するため、膜厚が不均一な発光層が形成されることがある。たとえば有機層１８の隔壁１３に接する部位（すなわち有機層１８の周縁部）が、中央部の膜厚に比べて薄くなることがある。そのため有機層の周縁部の電気抵抗が中央部に比べて低くなり、有機ＥＬ素子を駆動するさいに、周縁部に電流が集中して流れ、中央部が周縁部に比べて暗くなることがある。また逆に、発光層１８の周縁部に所望の膜厚の層が形成されないため、発光層１８の周縁部が意図したとおりには発光しないこともある。

上記問題を解決するために、従来の技術では、隔壁１３と第１電極１６との間にスペーサ１９を設け、隔壁の端部と第１電極との間に微細な間隙を設けている（図９参照）。間隙が設けられた基台上にインキを供給すると、毛管現象によってインキが間隙に吸い込まれつつ、薄膜化する。このように、インキは隔壁の端部によって弾かれることなく薄膜化するため、意図した膜厚の有機層を形成することができる。

特開２００９−５０６４９０号公報

しかしながら上述の従来の技術では間隙を形成するために、スペーサが必要となるので、表示装置の構成が複雑化するという問題がある。

したがって本発明の目的は、隔壁に囲まれた領域に、膜厚が均一な有機層を形成することが可能な、簡易な構造を有する表示装置を提供することにある。

本発明は、基台と、この基台上において予め設定される区画を画成する隔壁と、この隔壁によって画成される区画にそれぞれ設けられる複数の有機ＥＬ素子とを含む表示装置であって、
各有機ＥＬ素子は、第１電極、有機層、第２電極が、前記基台側からこの順で積層されて構成され、
前記隔壁は、その端部が、前記第１電極上に接して設けられ、
前記第１電極は、前記基台の厚み方向の一方からみて、前記隔壁の端部に覆われる部位を除く残余の部位、およびこの残余の部位の周縁部に、前記隔壁の端部と前記第１電極との界面よりも基台側に凹む窪みが形成されている、表示装置に関する。

また本発明は、前記窪みの深さが、２０ｎｍ〜３００ｎｍである、表示装置に関する。

また本発明は、基台と、この基台上において予め設定される区画を画成する隔壁と、この隔壁によって画成される区画にそれぞれ設けられる複数の有機ＥＬ素子とを含む表示装置であって、各有機ＥＬ素子は、第１電極、有機層、第２電極が、基台側からこの順で積層されて構成される表示装置の製造方法であって、
前記第１電極がそのうえに設けられた基台を準備する工程と、
その端部が前記第１電極上に接するように、前記隔壁をパターン形成する工程と、
前記第１電極のうち、前記隔壁の端部に覆われる部位を除く残余の部位とこの残余の部位の周縁部との表面に窪みを形成する工程と、
前記第１電極上に有機層を形成する工程と、
前記有機層上に前記第２電極を形成する工程とを含む、表示装置の製造方法に関する。

また本発明は、ウエットエッチング法によって、前記第１電極に前記窪みを形成する、表示装置の製造方法に関する。

表示装置１の一部を拡大して模式的に示す断面図である。本実施形態の表示装置１の一部を拡大して模式的に示す平面図である。表示装置の製造方法を説明するための図である。表示装置の製造方法を説明するための図である。表示装置の製造方法を説明するための図である。本実施形態の表示装置１の一部を拡大して模式的に示す平面図である。表示装置１の一部を拡大して模式的に示す断面図である。表示装置の製造方法を説明するための図である。表示装置の製造方法を説明するための図である。

本発明の表示装置は、基台と、この基台上において予め設定される区画を画成する隔壁と、この隔壁によって画成される区画にそれぞれ設けられる複数の有機ＥＬ素子とを含む表示装置であって、各有機ＥＬ素子は、第１電極、有機層、第２電極が、前記基台側からこの順で積層されて構成され、前記隔壁は、その端部が、前記第１電極上に接して設けられ、前記第１電極は、前記基台の厚み方向の一方からみて、前記隔壁の端部に覆われる部位を除く残余の部位、およびこの残余の部位の周縁部に、前記隔壁の端部と前記第１電極との界面よりも基台側に凹む窪みが形成されている。

表示装置には主にアクティブマトリクス駆動型の装置と、パッシブマトリクス駆動型の装置とがある。本発明は両方の型の表示装置に適用可能であるが、本実施形態では一例としてアクティブマトリクス駆動型の表示装置に適用される表示装置について説明する。

＜表示装置の構成＞
まず表示装置の構成について説明する。図１は本実施形態の表示装置１の一部を拡大して模式的に示す断面図である。図２は本実施形態の表示装置１の一部を拡大して模式的に示す平面図である。表示装置１は主に、基台２と、この基台２上において予め設定される区画を画成する隔壁３と、隔壁３によって画成される区画に設けられる複数の有機ＥＬ素子４とを含んで構成される。

隔壁３は基台２上においてたとえば格子状またはストライプ状に形成される。なお図２では実施の一形態として格子状の隔壁３が設けられた表示装置１を示している。同図中、ハッチングが施された領域が隔壁３に相当する。

基台２上には、隔壁３と基台２とによって規定される複数の凹部５が設定される。この凹部５が、隔壁３によって画成される区画に相当する。

本実施形態の隔壁３は格子状に設けられる。そのため基台２の厚み方向Ｚの一方から見て（以下、「平面視で」ということがある。）、複数の凹部５がマトリクス状に配置されている。すなわち凹部５は行方向Ｘに所定の間隔をあけるとともに、列方向Ｙにも所定の間隔をあけて整列して設けられている。各凹部５の平面視における形状はとくに限定されない。たとえば凹部５は、平面視で略矩形状、略楕円状または小判形状などの形状に形成される。本実施形態では平面視で略矩形状の凹部５が設けられている。なお本明細書において上記の行方向Ｘおよび列方向Ｙは、それぞれ基台の厚み方向Ｚに垂直な方向であって、かつ互いに垂直な方向を意味する。

本実施形態の隔壁３はいわゆる順テーパ形状である。すなわち基台２から離間するにしたがって先細状に形成されている。たとえば、列方向Ｙに延在する隔壁を、その延在方向（列方向Ｙ）に垂直な平面で切断したときの断面形状は、隔壁３の端部３ａを除いて、基台から離間するにしたがって先細状に形成されている。図１では、略等脚台形形状の隔壁が示されており、上底と、基台側の下底とを比べると、下底の方が上底よりも幅広である。なお実際に形成される隔壁の断面は必ずしも台形形状とはならず、台形形状の直線部分および角が丸みを帯び、いわゆるかまぼこ状（ドーム状）に形成されることもある。

隔壁３は、本実施形態では主に有機ＥＬ素子が設けられる領域を除く領域に設けられる。なお隔壁３は主に、後述する第１電極６が設けられる領域を除く領域に設けられるが、その端部３ａが、第１電極６に重なるように、第１電極６の周縁部上にも形成される。さらに、隔壁３の端部３ａと第１電極６との間には所定の間隙３１が形成されている。なお隔壁３の端部３ａは、第１電極６の全周縁部を覆うように形成する必要はない。たとえば後述するストライプ状の隔壁３を形成する場合には、第１電極６の４辺のうちの対向する２辺を隔壁の端部が覆うように隔壁を形成してもよい。本実施形態では隔壁３の端部３は、第１電極６の全周縁部を覆うように形成される。

有機ＥＬ素子４は隔壁３によって画成される区画（すなわち凹部５）に設けられる。本実施形態のように格子状の隔壁３が設けられる場合、各有機ＥＬ素子４はそれぞれ各凹部５に設けられる。そのため有機ＥＬ素子４は、各凹部５と同様にマトリクス状に配置され、基台２上において、行方向Ｘに所定の間隔をあけるとともに、列方向Ｙにも所定の間隔をあけて整列して設けられている。

本実施形態では３種類の有機ＥＬ素子４が設けられる。すなわち（１）赤色の光を出射する赤色有機ＥＬ素子４Ｒ、（２）緑色の光を出射する緑色有機ＥＬ素子４Ｇ、および（３）青色の光を出射する青色有機ＥＬ素子４Ｂが設けられる。これら３種類の有機ＥＬ素子４Ｒ，４Ｇ，４Ｂは、たとえば以下の（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）の行を、列方向Ｙにこの順で繰り返し配置することによって、それぞれ整列して配置される（図２参照）。
（Ｉ）赤色有機ＥＬ素子４Ｒが行方向Ｘにそれぞれ所定の間隔をあけて配置される行。
（ＩＩ）緑色有機ＥＬ素子４Ｇが行方向Ｘにそれぞれ所定の間隔をあけて配置される行。
（ＩＩＩ）青色有機ＥＬ素子４Ｂが行方向Ｘにそれぞれ所定の間隔をあけて配置される行。

なお他の実施の形態として、上記３種類の有機ＥＬ素子に加えて、たとえば白色の光を出射する有機ＥＬ素子がさらに設けられてもよい。また１種類のみの有機ＥＬ素子を設けることによって、モノクロ表示装置を実現してもよい。

有機ＥＬ素子４は、第１電極、有機層、第２電極が、基台２側からこの順で積層されて構成される。本明細書では第１電極６と第２電極１０との間に設けられる層のうち、有機物を含む層を有機層という。有機ＥＬ素子４は有機層として少なくとも１層の発光層を備える。なお有機ＥＬ素子は、１層の発光層に加えて、必要に応じて発光層とは異なる有機層や無機層をさらに備えることもある。たとえば第１電極６と第２電極１０との間には、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、電子輸送層、および電子注入層などが設けられる。また第１電極６と第２電極１０との間には２層以上の発光層が設けられることもある。

有機ＥＬ素子４は、陽極および陰極からなる一対の電極として、第１電極６と第２電極１０とを備える。第１電極６および第２電極１０のうちの一方の電極は陽極として設けられ、他方の電極は陰極として設けられる。

本実施形態では一例として、陽極として機能する第１電極６、正孔注入層として機能する第１の有機層７、発光層として機能する第２の有機層９、陰極として機能する第２電極１０がこの順で基台２上に積層されて構成される有機ＥＬ素子４について説明する。

本実施形態では３種類の有機ＥＬ素子が設けられるが、これらは第２の有機層（本実施形態では発光層）９の構成がそれぞれ異なる。赤色有機ＥＬ素子４Ｒは赤色の光を放射する赤色発光層９を備え、緑色有機ＥＬ素子４Ｇは緑色の光を放射する緑色発光層９を備え、青色有機ＥＬ素子４Ｂは青色の光を放射する青色発光層９を備える。

本実施形態では第１電極６は有機ＥＬ素子４ごとに設けられる。すなわち有機ＥＬ素子４と同数の第１電極６が基台２上に設けられる。第１電極６は有機ＥＬ素子４の配置に対応して設けられ、有機ＥＬ素子４と同様にマトリクス状に配置される。なお本実施形態の隔壁３は、主に第１電極６を除く領域に格子状に形成されるが、さらにその端部３ａが第１電極６の周縁部を覆うように形成されている（図１参照）。

第１電極６は、基台２の厚み方向の一方からみて、前記隔壁の端部に覆われる部位を除く残余の部位、およびこの残余の部位の周縁部に、前記隔壁の端部３ａと前記第１電極６との界面１１よりも基台側に凹む窪みが形成されている。このような窪みが形成されることによって、隔壁３の端部３ａと、第１電極６との間に所定の間隙３１が形成される。

正孔注入層に相当する第１の有機層７は、凹部５において第１電極６上にそれぞれ設けられる。この第１の有機層７は、必要に応じて、有機ＥＬ素子の種類ごとにその材料または膜厚を異ならせて設けられる。なお第１の有機層７の形成工程の簡易さの観点から、同じ材料、同じ膜厚で全ての第１の有機層７を形成してもよい。この第１の有機層７は、その端部が、隔壁３と第１電極６との間の間隙３１に充填されるように形成される。

発光層として機能する第２の有機層９は、凹部５において第１の有機層７上に設けられる。上述したように発光層は有機ＥＬ素子の種類に応じて設けられる。そのため赤色発光層９は赤色有機ＥＬ素子４Ｒが設けられる凹部５に設けられ、緑色発光層９は緑色有機ＥＬ素子４Ｇが設けられる凹部５に設けられ、青色発光層９は青色有機ＥＬ素子４Ｂが設けられる凹部５に設けられる。

なお第２の有機層９は、その端部が、隔壁３と第１電極６との間の間隙３１に充填されるように形成される。

第２電極１０は有機ＥＬ素子４が設けられる表示領域において全面に形成される。すなわち第２電極１０は、第２の有機層９上だけでなく、隔壁３上にも形成され、複数の有機ＥＬ素子にわたって連続して形成され、全ての有機ＥＬ素子４に共通の電極として設けられる。

以下、図３〜図５を参照しつつ表示装置の製造方法について説明する。

（基台を用意する工程）
本工程では基台２上に第１電極６を形成する（図３（１）参照）。なお本工程では第１電極６がそのうえに予め形成された基台を市場から入手することによって、第１電極６が予め形成された基台２を用意してもよい。

アクティブマトリクス型の表示装置の場合、複数の有機ＥＬ素子を個別に駆動するための回路が予め形成された基板を、基台２として用いることができる。たとえばＴＦＴ（Thin Film Transistor）およびキャパシタなどが予め形成された基板を基台として用いることができる。

まず基台２上に複数の第１電極６をマトリクス状に形成する。第１電極６は、たとえば基台２上の一面に導電性薄膜を形成し、これをフォトリソグラフィー法によってマトリクス状にパターニングすることによってパターン形成される。またたとえば所定の部位に開口が形成されたマスクを基台２上に配置し、このマスクを介して基台２上の所定の部位に導電性材料を選択的に堆積することにより第１電極６をパターン形成してもよい。第１電極６の材料については後述する。

（隔壁を形成する工程）
本工程では、その端部が前記第１電極上に接するように、前記隔壁をパターン形成する。本実施形態ではまず感光性樹脂を含むインキを前記基台上に隔壁形成用膜８を形成する。インキの塗布方法としては、たとえばスピンコート法やスリットコート法などをあげることができる。

感光性樹脂を含むインキを前記基台上に塗布成膜した後、通常はプリベークを行う。たとえば８０℃〜１１０℃の温度で、６０秒〜１８０秒間、基台２を加熱することによってプリベークを行い、溶媒を除去する（図３（２）参照）。

つぎに所定のパターンの光を遮光するフォトマスク２１を基台２上に配置し、このフォトマスク２１を介して、隔壁形成用膜８を露光する。感光性樹脂には、ポジ型およびネガ型の樹脂があるが、本工程ではいずれの樹脂を用いてもよい。ポジ型の感光性樹脂を使用した場合には、隔壁形成用膜８のうち主に隔壁３が形成されるべき部位を除く残余の部位に光を照射する。またネガ型の感光性樹脂を使用した場合には、隔壁形成用膜８のうち主に隔壁３が形成されるべき部位に光を照射する。本工程ではネガ型の感光性樹脂を使用した場合について、図３（３）を参照して説明する。図３（３）に示すように、基板上にフォトマスク２１を配置し、このフォトマスク２１を介して光を照射することによって、隔壁形成用膜８のうちで主に隔壁３が形成されるべき部位に光を照射する。なお図３（３）では隔壁形成用膜８に照射する光を模式的に矢印記号で示している。

つぎに現像をおこなう。これによって隔壁３がパターン形成される（図４（１）参照）。現像後、必要に応じてポストベークをおこなう。たとえば２００℃〜２３０℃の温度で、１５分〜６０分間、基板を加熱することによってポストベークを行い、隔壁３を硬化する。

隔壁の形成に使用される感光性樹脂にはネガ型のものとポジ型のものがある。
ネガ型の感光性樹脂は、光が照射された部位が、現像液に対して不溶化し、残存するものである。

感光性樹脂を含むインキには一般にバインダー樹脂、架橋材、光反応開始材、溶媒、およびその他の添加剤を配合したものが使用される。

バインダー樹脂は、予め重合されたものである。その例としては、自ら重合性を有しない非重合性バインダー樹脂、重合性を有する置換基が導入された重合性バインダー樹脂が挙げられる。バインダー樹脂は、ポリスチレンを標準としてゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で求められる重量平均分子量が５，０００〜４００，０００の範囲にある。

バインダー樹脂としては、たとえばフェノール樹脂、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂などが挙げられる。バインダー樹脂としては、単量体はそれぞれ単独または２種以上を組み合わせた共重合体を使用することもできる。バインダー樹脂は、上記感光性樹脂を含むインキの全固形分に対して、質量分率で通常５％〜９０％である。

架橋材としては、光を照射することによって光重合開始剤から発生した活性ラジカル、酸などによって重合し得る化合物であって、たとえば、重合性炭素−炭素不飽和結合を有する化合物が挙げられる。架橋材は、分子内に重合性炭素−炭素不飽和結合を１個有する単官能の化合物であってもよいし、重合性炭素−炭素不飽和結合を２個またはそれ以上有する２官能または３官能以上の多官能の化合物であってもよい。上記感光性樹脂を含むインキにおいて、架橋材は、バインダー樹脂と架橋材との合計量を１００質量部とすると、通常０．１質量部以上７０質量部以下である。また上記感光性樹脂を含むインキにおいて光反応開始材は、バインダー樹脂と架橋材との合計量を１００質量部とすると、通常１質量部以上３０質量部以下である。

一方、ポジ型感光性樹脂は、光の照射部分が現像液に対して、可溶化するものであり一般的には樹脂と光反応で親水化する化合物を複合化することで構成される。

ポジ型感光性樹脂は、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、ポリイミドなどの耐薬品性と密着性を有する樹脂と光分解性化合物と組み合わせたものを使用するができる。

また上記で使用される撥液性を付与する材料としては、フッ素含有化合物、シリコーン含有化合物などを挙げることができる。好ましくは、有機溶剤に対しても優れた撥液性を示すフッ素含有化合物である。

フッ素化含有化合物としては、たとえば炭素鎖数C１〜C８の直鎖状や分岐状のフルオロアルキル基やフルオロポリエーテル基を有する化合物が例示される。フッ素含有化合物としては、架橋性基を有するポリマーが好ましく、更に好ましくは、炭素鎖数C４〜C6のフルオロアルキル基やフルオロポリエーテル基を有し、かつ架橋性基を有するポリマーである。または現像液に対して可溶性機能を有していることが好ましい。フッ素含有化合物はポリマーに限られず、低分子化合物であっても、現像後の隔壁形成後にも隔壁表面を撥液性を付与する機能を有すものであればよい。

架橋性基は、フッ素含有化合物に架橋性の機能を付与するものであり、エチレン性不飽和結合基や、エポキシ基、水酸基などが例示される。隔壁の形成に使用される感光性樹脂と架橋する機能を有していれば、架橋性基の種類は上記に限定するものではない。

具体的にはメガファックＲＳ−１０１、ＲＳ−１０２、ＲＳ−１０５、ＲＳ−４０１、ＲＳ−４０２、ＲＳ−５０１、ＲＳ−５０２、ＲＳ−７１８（以上、ＤＩＣ社製）、オプツールＤＡＣ、オプトエース HPシリーズ（以上ダイキン工業社製）、パーフルオロ（メタ）アクリレート、パーフルオロジ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。

上記の撥液剤は、１種を単独で用いてもよく、また２種類以上を組み合わせて用いてもよい。撥液剤は、上記感光性樹脂を含むインキの全固形分に対して、質量分率で通常０．１質量部以上３質量部以下である。

現像に使用される現像液としては、たとえば塩化カリウム水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム（TMAH）水溶液などを挙げることができる。

隔壁３の形状およびその配置は、画素数および解像度などの表示装置の仕様や製造の容易さなどに応じて適宜設定される。たとえば隔壁３の行方向Ｘまたは列方向Ｙの幅は、５μｍ〜５０μｍ程度であり、隔壁３の高さは０．５μｍ〜５μｍ程度であり、行方向Ｘまたは列方向Ｙに隣り合う隔壁３間の間隔、すなわち凹部５の行方向Ｘまたは列方向Ｙの幅は、１０μｍ〜２００μｍ程度である。また第１電極６の行方向Ｘまたは列方向Ｙの幅はそれぞれ１０μｍ〜２００μｍ程度である。

（第１電極に窪みを形成する工程）
本工程では、前記第１電極のうち、前記隔壁の端部に覆われる部位を除く残余の部位とこの残余の部位の周縁部との表面に窪みを形成する（図４（２）参照）。

具体的には第１電極６上の隔壁３をマスクとして利用し、第１電極６に等方性エッチングを施すことによって第１電極６の表面に窪みを形成するとともに、マスクとして利用される隔壁３の直下をアンダーカットすることができる。

エッチングにはウエットエッチング法およびドライエッチング法があるが、ウエットエッチング法が好ましい。ドライエッチング法では、隔壁３もエッチングされてしまったり、表面に反応生成物が堆積したりすることもあるが、ウエットエッチング法では、隔壁３よりも第１電極６を選択的にエッチングすることが容易にできるため、前記残余の部位の周縁部上の隔壁３を削ることなく、前記残余の部位の周縁部に窪みを形成することができるからである。このようにエッチングをおこなうことにより、隔壁３の端部３ａの下をいわゆるアンダーカットすることができる。

ウエットエッチング法によってたとえばＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）薄膜をエッチングする場合、塩酸と塩化第２鉄溶液の混合溶液や、塩酸と硝酸の混合溶液を用いてエッチングすることができる。またたとえばＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）をエッチングする場合、リン酸と硝酸と酢酸との混合溶液を用いてエッチングすることができる。

ドライエッチング法としては、たとえば反応ガス中に材料を曝す方法（反応性ガスエッチング）や、プラズマによりガスをイオン化・ラジカル化してエッチングする反応性イオンエッチングなどがあげられる。ドライエッチング法に使用するフッ素系のガスとしては、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、ＣＨ_２Ｆ_２、Ｃ_３Ｆ_８、Ｃ_４Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_８などがあげられる。

このようにエッチングを施すことにより、第１電極６において、前記隔壁の端部に覆われる部位を除く残余の部位とこの残余の部位の周縁部との表面に窪みを形成することができる。

なお隔壁形成用膜８のポストベークを２回にわけて行い、第１回目のポストベークと第２回目のポストベークとの間に、上記エッチングをおこなってもよい。

この場合、第１回目のポストベークをおこなう第１の温度と、第２回目のポストベークをおこなう第２の温度とを異ならせることが好ましい。具体的には第１の温度は第２の温度よりも低い方が好ましい。なお第２の温度は、隔壁３を確実に硬化することができる温度であり、第１の温度は、隔壁３を確実に硬化することができる温度よりも低い温度である。たとえば１１０℃で３分間加熱することによって第１のポストベークをおこなう。このような条件で第１回目のポストベークをおこなうと、第１電極６との密着性の弱い隔壁３が形成される。第１電極６と隔壁３との密着性が弱い状態で上記エッチングを施すと、第１電極６と隔壁３との界面にエッチング液が浸透し易くなり、等方性エッチングであっても隔壁３の下では横方向にエッチングが進みやすくなり、より幅を持ったアンダーカットを形成することができる。

このように第１の温度でポストベークをおこなう場合には、エッチング後に通常のポストベークの条件で、すなわち第２の温度でポストベークをおこなうことにより、隔壁３を確実に硬化させることができる。これによって基台および第１電極との密着性の強い隔壁３を形成することができる。

第１回目のポストベークの条件は、第１の温度が１００℃〜１２０℃、加熱時間が２分〜１０分であることが好ましく、第２回目のポストベークの条件は、第２の温度が２００℃〜２３０℃、加熱時間が１５分〜６０分間であることが好ましい。

窪みの深さＬＤ（図４（２）参照）は、２０ｎｍ〜３００ｎｍが好ましい。また平面視における第１電極６の窪みの、前記周縁部の幅は通常２０ｎｍ〜２μｍであり、２０ｎｍ〜1μｍが好ましい。

（有機層を形成する工程）
本工程では少なくとも１層の有機層を塗布法によって形成する。本実施形態では、第１の有機層７および第２の有機層９を塗布法によって形成する。

まず第１の有機層７となる材料を含むインキ２２を隔壁３に囲まれた領域（凹部５）に供給する（図４（３）参照）。インキは、隔壁３の形状、成膜工程の簡易さ、および成膜性などを勘案して適宜最適な方法によって供給される。インキはたとえばインクジェットプリント法、ノズルコート法、凸版印刷法、および凹版印刷法などによって供給される。

つぎに、供給されたインキ２２を固化することによって第１の有機層７を形成する（図５（１）参照）。インキの固化は、たとえば自然乾燥、加熱乾燥、真空乾燥によっておこなうことができる。またインキが、エネルギーを加えることによって重合する材料を含む場合、インキを供給した後に、薄膜を加熱したり、薄膜に光を照射したりすることによって、有機層を構成する材料を重合してもよい。このように有機層を構成する材料を重合することによって、この有機層上に有機層を形成するさいに使用されるインキに対して、有機層を難溶化することができる。

隔壁３に囲まれた領域（凹部５）に供給されたインキ２２は、毛管現象によって、隔壁３の端部３ａと第１電極６との間の間隙３１に吸い込まれつつ、溶媒が気化し、薄膜化する。このように、毛管現象によってインキが隔壁３に弾かれることを防ぐことができるため、たとえ隔壁３が撥液性を有していたとしても、隔壁３近傍の第１の有機層７が中央部に比べて薄膜化することを防ぐことができる。これによって平坦な第１の有機層７を形成することができる。

つぎに、発光層として機能する第２の有機層９を形成する。第２の有機層９は第１の有機層７と同様に形成することができる。すなわち赤色発光層９、緑色発光層９、青色発光層９となる材料を含む３種類のインキを、隔壁３に囲まれた領域にそれぞれ供給し、さらにこれを固化することによって各発光層９を形成することができる。

前述の第１の有機層７と同様に、隔壁３の端部３ａと第１電極６との間の間隙３１に由来する毛管現象によって、たとえ隔壁３が撥液性を有していたとしても、平坦な第２の有機層９を形成することができる。

（第２電極を形成する工程）
本工程では有機層上に第２電極を形成する。本実施形態では第２電極１０は、有機ＥＬ素子４が設けられる表示領域において全面に形成する。すなわち第２電極１０は、第２の有機層９上だけでなく、隔壁３上にも形成し、複数の有機ＥＬ素子にわたって連続して形成する。このように第２電極を形成することにより、全ての有機ＥＬ素子４に共通の電極として機能する第２電極１０が設けられる。

以上説明したように、第１電極６に窪みを形成し、隔壁３の端部３と第１電極６との間に間隙３１を設けることによって、平坦な有機層を形成することができる。従来の技術では、スペーサを設けることによって隔壁３の端部３と第１電極６との間に間隙３１を設けていたが、本実施形態では、第１電極６に窪みを形成するだけで隔壁３の端部３と第１電極６との間に間隙を形成することができ、装置構成を追加することなく、簡易な装置構成で、平坦な有機層を形成することが可能となる。

以上では格子状の隔壁を設けた形態の表示装置について説明したが、上述したように基台上にはストライプ状の隔壁を設けてもよい。図６は、ストライプ状の隔壁が設けられた本実施形態の表示装置の一部を拡大して模式的に示す平面図である。同図中、ハッチングが施された領域が隔壁３に相当する。図７は、行方向Ｘに垂直な平面で表示装置を切断した表示装置の断面形状を示す。なお表示装置を列方向Ｙに垂直な平面で切断した表示装置の断面形状は、図１と同じである。なお本実施形態の表示装置は前述の実施形態の表示装置と構成がほぼ共通するため、以下では相違する部分についてのみ説明し、対応する部分については同一の参照符号を付して、重複する説明を省略することがある。

ストライプ状の隔壁が設けられる場合、隔壁は、たとえば列方向Ｙに延在する複数本の隔壁部材から構成される。この隔壁部材は行方向Ｘに所定の間隔をあけて配置される。ストライプ状の隔壁が設けられた形態では、ストライプ状の隔壁と基台とによって、ストライプ状の凹部が規定される。

ストライプ状の隔壁が設けられる場合、有機ＥＬ素子４は、列方向Ｙに延在する各凹部において、列方向Ｙにそれぞれ所定の間隔をあけて配置される。

第１電極６は、上述の実施形態と同様にマトリクス状に配置される。隔壁３は、その端部３ａが、第１電極６の行方向Ｘの一方の端部と、他方の端部とを覆うように形成される（図１参照）。なお図７に示すように、本実施形態では、第１電極６の列方向Ｙの端部は、隔壁によって覆われていない。

本実施形態では第１の有機層７および第２の有機層９は、それぞれ、列方向Ｙに延在する各凹部に延在して形成され、複数の有機ＥＬ素子にまたがって連なるように形成される。

図１に示すように本実施形態では、前述の実施形態と同様に、第１電極６は、基台２の厚み方向の一方からみて、前記隔壁の端部に覆われる部位を除く残余の部位、およびこの残余の部位の周縁部に、前記隔壁の端部３ａと前記第１電極６との界面１１よりも基台側に凹む窪みが形成されている。このような窪みが形成されることによって、隔壁３の端部３ａと、第１電極６との間に所定の間隙３１が形成される。これによって前述の実施形態と同様に、平坦な有機層を形成することができる。

＜有機ＥＬ素子の構成＞
以下では有機ＥＬ素子の構成についてさらに詳しく説明する。有機ＥＬ素子は、有機層として少なくとも１層の発光層を有するが、上述したように一対の電極間にたとえば正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、および電子注入層などを有する。

本実施形態の有機ＥＬ素子のとりうる層構成の一例を以下に示す。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
ｃ）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
ｄ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｅ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｆ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｇ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｈ）陽極／発光層／電子注入層／陰極
ｉ）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。
以下同じ。）
本実施形態の有機ＥＬ素子は２層以上の発光層を有していてもよい。上記ａ）〜ｉ）の層構成のうちのいずれか１つにおいて、陽極と陰極とに挟持された積層体を「構造単位Ａ」とすると、２層の発光層を有する有機ＥＬ素子の構成として、以下のｊ）に示す層構成をあげることができる。なお２つある（構造単位Ａ）の層構成は互いに同じでも、異なっていてもよい。
ｊ）陽極／（構造単位Ａ）／電荷発生層／（構造単位Ａ）／陰極
ここで電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子を発生する層である。
電荷発生層としては、たとえば酸化バナジウム、インジウムスズ酸化物（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、酸化モリブデンなどから成る薄膜をあげることができる。

また「（構造単位Ａ）／電荷発生層」を「構造単位Ｂ」とすると、３層以上の発光層を有する有機ＥＬ素子の構成として、以下のｋ）に示す層構成をあげることができる。
ｋ）陽極／（構造単位Ｂ）ｘ／（構造単位Ａ）／陰極
なお記号「ｘ」は、２以上の整数を表し、（構造単位Ｂ）ｘは、構造単位Ｂがｘ段積層された積層体を表す。また複数ある（構造単位Ｂ）の層構成は同じでも、異なっていてもよい。

なお電荷発生層を設けずに、複数の発光層を直接積層させた有機ＥＬ素子を構成してもよい。

＜基台＞
基台には、有機ＥＬ素子を製造する工程において化学的に変化しないものが好適に用いられ、たとえばガラス、プラスチック、高分子フィルム、およびシリコン板、並びにこれらを積層したものなどが用いられる。

＜陽極＞
発光層から放射される光が陽極を通って外界に出射する構成の有機ＥＬ素子の場合、陽極には光透過性を示す電極が用いられる。光透過性を示す電極としては、金属酸化物、金属硫化物および金属などの薄膜を用いることができ、電気伝導度および光透過率の高いものが好適に用いられる。具体的には酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、および銅などから成る薄膜が用いられ、これらの中でもＩＴＯ、ＩＺＯ、または酸化スズから成る薄膜が好適に用いられる。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などを挙げることができる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。

＜陰極＞
陰極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。また陽極側から光を取出す構成の有機ＥＬ素子では、発光層から放射される光を陰極で陽極側に反射するために、陰極の材料としては可視光に対する反射率の高い材料が好ましい。陰極には、たとえばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属および周期表の１３族金属などを用いることができる。陰極の材料としては、たとえばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、前記金属のうちの２種以上の合金、前記金属のうちの１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの１種以上との合金、またはグラファイト若しくはグラファイト層間化合物などが用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などを挙げることができる。また陰極としては導電性金属酸化物および導電性有機物などから成る透明導電性電極を用いることができる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、およびＩＺＯを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などを挙げることができる。なお陰極は、２層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお電子注入層が陰極として用いられることもある。

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、イオンプレーティング法などを挙げることができる。

陽極または陰極の膜厚は、求められる特性や成膜工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、たとえば１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

＜正孔注入層＞
正孔注入層を構成する正孔注入材料としては、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、および酸化アルミニウムなどの酸化物や、フェニルアミン系化合物、スターバースト型アミン系化合物、フタロシアニン系、アモルファスカーボン、ポリアニリン、およびポリチオフェン誘導体などを挙げることができる。

正孔注入層の成膜方法としては、たとえば正孔注入材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。たとえば正孔注入材料を含む溶液を所定の塗布法によって塗布成膜し、さらにこれを固化することによって正孔注入層を形成することができる。

正孔注入層の膜厚は、求められる特性および工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、たとえば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

＜正孔輸送層＞
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体などを挙げることができる。

正孔輸送層の膜厚は、求められる特性および成膜工程の簡易さなどを考慮して設定され、たとえば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

＜発光層＞
発光層は、通常、主として蛍光及び／又はりん光を発光する有機物、または該有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは、たとえば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。なお発光層を構成する有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよく、塗布法によって発光層を形成する場合には、発光層は高分子化合物を含むことが好ましい。発光層を構成する高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量はたとえば１０^３〜１０^８程度である。発光層を構成する発光材料としては、たとえば以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料を挙げることができる。

（色素系材料）
色素系材料としては、たとえば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などを挙げることができる。

（金属錯体系材料）
金属錯体系材料としては、たとえばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属、またはＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｉｒ、Ｐｔなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体を挙げることができ、たとえばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などを挙げることができる。

（高分子系材料）
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどを挙げることができる。

発光層の厚さは、通常約２ｎｍ〜２００ｎｍである。

＜電子輸送層＞
電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、公知のものを使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。

電子輸送層の膜厚は、求められる特性や成膜工程の簡易さなどを考慮して適宜設定され、たとえば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

＜電子注入層＞
電子注入層を構成する材料としては、発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの１種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、およびこれらの物質の混合物などを挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸塩の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、２層以上を積層した積層体で構成されてもよく、たとえばＬｉＦ／Ｃａなどを挙げることができる。

電子注入層の膜厚としては、１ｎｍ〜１μｍ程度が好ましい。

上述の各有機層は、たとえばノズルプリンティング法、インクジェットプリンティング法、凸版印刷法、凹版印刷法などの塗布法や、真空蒸着法などによって形成することができる。

なお塗布法では、各有機層となる有機ＥＬ材料を含むインキを塗布成膜し、さらにこれを固化することによって有機層を形成するが、その際に使用されるインキの溶媒には、たとえばクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒、および水などが用いられる。

まず膜厚が２００ｎｍのＩＴＯ薄膜からなる第１電極が形成されたＴＦＴ基板を用意する（図３（１）参照）。このＴＦＴ基板の表面に、感光性樹脂溶液（東レ株式会社製フォトニースSL-1904）をスピンコータにより塗布し、ホットプレート上で１１０℃で１２０秒間加熱し、プリベークをおこなう。このプリベークによって感光性樹脂溶液の溶媒を蒸発させ、感光性樹脂薄膜を形成する（図３（２）参照）。

つぎにプロキシミティ露光機を用い、所定のマスクを介して感光性樹脂薄膜を露光する（図３（３）参照）。その露光量は１００ｍＪ／ｃｍ^２とする。つぎに現像液（株式会社トクヤマ製SD-1 （TMAH2.38wt％）溶液）で９０秒間現像し、順テーパ形状のバンク（隔壁）を形成する（図４（１）参照）。このバンクを２３０℃で２０分間加熱し、樹脂を硬化させる。このポストベークにより膜厚が１．０μｍの隔壁を形成する。

塩酸と塩化第二鉄との混合溶液を４０℃に保ち、この混合溶液に、隔壁が形成された基板を浸漬し、膜厚が２００ｎｍの第１電極（ＩＴＯ）の表面を９０ｎｍエッチングし、隔壁の先端部の下側に、第１電極（ＩＴＯ）にアンダーカットを形成する（図４（２）参照）。

つぎに真空チャンバに基板を導入し、ＣＦ４プラズマ表面処理を行い、隔壁表面に撥液性を付与する。

つぎにインクジェット装置（ULVAC社製 Litlex142P）を用いて、隔壁に囲まれた画素内にインキを塗布する。インキには（固形分濃度1.5% ポリ（エチレンジオキシチオフェン）（PEDOT）/ポリスチレンスルホン酸（PSS）水分散液（バイエル社製ＡＩ4083））を使用する。インキは、撥液性が付与された接触角の高い隔壁表面に弾かれ、隔壁に囲まれた画素内に充填されるとともに、隔壁の端部の下にアンダーカットが形成された部位に吸い込まれるように充填され、隔壁に囲まれた画素内の隅々に均一に広がる（図４（３）参照）。この基板を２００℃で焼成し、膜厚が５０ｎｍの均一な膜厚の正孔注入層を形成する（図５（１）参照）。

つぎに３種類の発光層を形成する。まず赤色の光を放射する高分子発光材料を、その濃度が０．８ｗｔ％となるように有機溶媒に混合して、赤インキを調整する。同様に、緑色の光を放射する高分子発光材料を、その濃度が０．８ｗｔ％となるように有機溶媒に混合して、緑インキを調整する。さらに青色の光を放射する高分子発光材料を、その濃度が０．８ｗｔ％となるように有機溶媒に混合して、青インキを調整する。これら赤、緑、青インキをそれぞれインクジェット装置（ULVAC社製 Litrex142P）を用いて所定の画素内に塗布する（図５（２）参照）。インキは、接触角の高いバンクによって弾かれるため、この頂面を伝わって隣の領域に溢れ出ることが防がれ、画素内に収容される。他方、画素内に収容されたインキは、隔壁の端部の下にアンダーカットが形成された部位に吸い込まれるように充填され、隔壁に囲まれた画素内の隅々に均一に広がる。この基板を１３０℃で焼成することにより、均一な膜厚の発光層（膜厚６０ｎｍ）を形成する。

さらに、真空蒸着法により膜厚２０ｎｍのＣａ層、膜厚１５０ｎｍのＡｌ層を順次形成し、第２電極（陰極）を形成する。そして、有機ＥＬ素子が形成された基板と、封止用のガラス基板とを貼り合せて封止し、表示装置を作製する。このようにして作製される有機ＥＬ素子は表示領域ないにおいて均一に発光するとともに、各画素内においても均一に発光する。

１表示装置
２基台
３隔壁
３ａ端部
４有機ＥＬ素子
５凹部
６第１電極
７第１の有機層（正孔注入層）
８隔壁形成用膜
９第２の有機層（発光層）
１０第２電極
１２基台
１３隔壁
１５凹部
１６第１電極
１７インキ
１８有機層
１９スペーサ
２１フォトマスク
２２インキ
３１間隙

Claims

基台と、この基台上において予め設定される区画を画成する一層の隔壁と、この隔壁によって画成される区画にそれぞれ設けられる複数の有機ＥＬ素子とを含む表示装置であって、
各有機ＥＬ素子は、第１電極、有機層、第２電極が、前記基台側からこの順で積層されて構成され、
前記隔壁は、その端部が、前記第１電極上に接して設けられ、
前記第１電極は、前記基台の厚み方向の一方からみて、前記隔壁の端部に覆われる部位を除く残余の部位、およびこの残余の部位の周縁部に、前記隔壁の端部と前記第１電極との界面よりも基台側に凹む窪みが形成されている、表示装置。
前記窪みの深さが、２０ｎｍ〜３００ｎｍである、請求項１記載の表示装置。
基台と、この基台上において予め設定される区画を画成する隔壁と、この隔壁によって画成される区画にそれぞれ設けられる複数の有機ＥＬ素子とを含む表示装置であって、各有機ＥＬ素子は、第１電極、有機層、第２電極が、基台側からこの順で積層されて構成される表示装置の製造方法であって、
前記第１電極がそのうえに設けられた基台を準備する工程と、
その端部が前記第１電極上に接するように、前記隔壁をパターン形成する工程と、
パターン形成された前記隔壁をマスクとして用い、前記第１電極のうち、前記隔壁の端部に覆われる部位を除く残余の部位とこの残余の部位の周縁部との表面に窪みを形成する工程と、
前記第１電極上に有機層を形成する工程と、
前記有機層上に前記第２電極を形成する工程とを含む、表示装置の製造方法。
ウエットエッチング法によって、前記第１電極に前記窪みを形成する、請求項３記載の表示装置の製造方法。