JP4645064B2 - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents
電気光学装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4645064B2 JP4645064B2 JP2004149166A JP2004149166A JP4645064B2 JP 4645064 B2 JP4645064 B2 JP 4645064B2 JP 2004149166 A JP2004149166 A JP 2004149166A JP 2004149166 A JP2004149166 A JP 2004149166A JP 4645064 B2 JP4645064 B2 JP 4645064B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- layer
- liquid
- organic
- bank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 50
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 151
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 72
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 39
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 32
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 11
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 107
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 21
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 18
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 17
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 8
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- HBEDSQVIWPRPAY-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrobenzofuran Chemical compound C1=CC=C2OCCC2=C1 HBEDSQVIWPRPAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YWKSINPSASCIMZ-UHFFFAOYSA-N 4,5-dimethyl-4,5-dihydro-1h-imidazole Chemical compound CC1NC=NC1C YWKSINPSASCIMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- YJUUZFWMKJBVFJ-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethylimidazolidin-4-one Chemical compound CN1CN(C)C(=O)C1 YJUUZFWMKJBVFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 1-(2-phenylethenyl)-4-[4-(2-phenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZNJMLVCIZGWSC-UHFFFAOYSA-N 3',6'-bis(diethylamino)spiro[2-benzofuran-3,9'-xanthene]-1-one Chemical compound O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(N(CC)CC)C=C1OC1=CC(N(CC)CC)=CC=C21 DZNJMLVCIZGWSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N chembl402140 Chemical compound Cl.C1=2C=C(C)C(NCC)=CC=2OC2=C\C(=N/CC)C(C)=CC2=C1C1=CC=CC=C1C(=O)OCC VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011437 continuous method Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- DJWWHVKRLDNDJK-UHFFFAOYSA-N rhodamine 640 perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.OC(=O)C1=CC=CC=C1C(C1=CC=2CCCN3CCCC(C=23)=C1O1)=C2C1=C(CCC1)C3=[N+]1CCCC3=C2 DJWWHVKRLDNDJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043267 rhodamine b Drugs 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium group Chemical group [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
Description
そこで、特許文献1では、画素の領域内に凹凸を設けることで光の取り出し効率を高めることが提案されている。また特許文献2では、画素周辺部の反射電極をエッチングする際に反射壁面を形成することで光の取り出し効率を高めることが提案されている。
この構成によれば、凹面状の反射面を具備した反射層上に機能層が配されているので、機能層で発光して等方的に散乱する光のうち、基体の面方向に散乱する成分を、機能層の背面側(基体側)に設けられた反射層によって反射させて取り出し、機能層の層厚方向に散乱する光とともに表示に寄与する光として利用することができる。これにより、明るい表示を得られる電気光学装置とすることができる。また光取り出し効率の向上により、従来と同等の明るさをより小さい電力で得られるようになり、電気光学装置の低消費電力化にも寄与する。
また、本構成では、機能層及び反射面はなだらかな曲面形状の凹面状であるため、画素電極の周縁部にテーパー部を設けた構成のようにテーパー角度の精密な管理が不要であり、また膜の付き回りが良好であるため、製造の容易性に優れ、かつ点欠陥等の生じ難い高信頼性の電気光学装置となる。
この製造方法によれば、上記凹面形状を有する反射層及び機能層を容易に形成することができる。また、絶縁膜表面をなだらかな曲面形状の凹面状に加工するので、その上層に形成される反射層や機能層の膜の付き回りや膜厚の均一性が損なわれることが無く、高歩留まりかつ高効率に信頼性に優れた電気光学装置を製造することができる。
係る製造方法によっても上記絶縁膜表面の凹面形状は良好に形成することができる。すなわち、露光装置の焦点深度以上の膜厚を有する絶縁膜であれば、通常の露光処理によっても絶縁膜はハーフ露光された状態となり、容易かつ高精度に凹面状の加工を施すことができる。
(電気光学装置)
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。以下では、本発明の電気光学装置の一実施の形態として、有機EL素子を画素として基体上に配列してなる有機EL装置(有機エレクトロルミネッセンス装置)を例示して説明する。この有機EL装置は、例えば電子機器等の表示手段として好適に用いることができるものである。
よび透光性を有する基板201上に、スイッチング用TFT(図示せず)に接続された画
素電極が基板201上にマトリクス状に配置されてなる平面視略矩形の画素部3(図2中
の一点鎖線枠内)を具備して構成される。画素部3は、中央部分の表示領域4(図2中、
画素部3の内側の一点鎖線枠内)と、表示領域4の周囲に配置されたダミー領域5とに区
画されている。表示領域4には、それぞれ画素電極を有する3色の表示ドットR、G、B
が、紙面の縦方向および横方向にそれぞれ離間してマトリクス状に配置されている。また
、図2における表示領域4の左右には走査線駆動回路73が配置される一方、図2におけ
る表示領域4の上下にはデータ線駆動回路72が配置されている。これら走査線駆動回路
73、データ線駆動回路72はダミー領域5の周縁部に配置されている。
図3は、図2の表示領域4に設けられた画素領域71の断面構成図である。有機EL装置70の画素領域71には、ガラス等の透光性を有する基板201上に、駆動用TFT143が設けられており、駆動用TFT143を覆って形成された複数の絶縁膜を介した基板201上に、有機EL素子200が形成されている。有機EL素子200は、基板201上に立設されたバンク(隔壁部材)150に囲まれる区画領域151内に設けられた有機機能層140を主体としてなり、この有機機能層140を画素電極(第1電極)141と共通電極(第2電極)154との間に挟持した構成を備える。
また、平坦化絶縁膜240の凹部240aに倣って画素電極141にも凹面形状が付与され、さらに画素電極141の凹面形状に倣って有機機能層140も基板201上で凹面状を成している。
共通電極154は、有機機能層140とバンク150の上面、さらにはバンク150の側面部を形成する壁面を覆った状態で基板201上に形成される。この共通電極154を形成するための材料としては透光性導電材料が用いられる。係る透光性導電材料としてはITOが好適であるが、他の透光性導電材料であっても構わない。
有機機能層140に含まれる発光層において生じる光は、発光位置から等方的に散乱するため、従来構成の如く反射層及び有機機能層が平面形状である場合には、基板201の法線方向(図示上方向)に散乱する光は、直接又は反射層で反射した後に表示光として取り出すことが可能であるが、基板201の面方向(図示左右方向)に散乱する光は、そのまま画素外へ放射されてしまうため、表示に寄与する光として取り出すことができなかった。また先の特許文献2に記載の技術では、画素の周縁部にテーパー部を形成し、上記面方向に散乱する光を取り出すようになっているが、テーパー角度の管理が困難である等の製造上の課題を有していた。
また、有機機能層140は全体が曲面形状を成しているため、基板面方向に散乱され、反射面141rで反射されて取り出される光L2は、その発光位置の近傍で反射され、表示光として取り出される。すなわち、有機機能層140の外周部に反射層のテーパー部を設けて光を取り出す構造に比して反射されるまでの経路が短くなっているので、経路中の吸収、散乱等が生じ難く、より大きな光取り出し効率を得ることができる。
なお、有機機能層140の層厚が変更された場合にも、反射面141rの凹面深さdを変更することで良好な光取り出し効率を容易に得ることができる。
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態として、先の実施形態の有機EL装置70を製造する方法について説明する。本実施形態では、液滴吐出ヘッドから所定の液体材料を吐出し、基板上に選択的に配置する液滴吐出法を用いて有機機能層140を形成する場合を挙げて説明する。
まず、有機EL装置70の具体的な製造方法の説明に先立ち、液滴吐出法に用いられる吐出ヘッドの一例について説明する。図5(a)、(b)に示すように吐出ヘッド34は、例えばステンレス製のノズルプレート12と振動板13とを備え、両者を仕切部材(リザーバプレート)14を介して接合したものである。ノズルプレート12と振動板13との間には、仕切部材14によって複数のキャビティ15…とリザーバ16とが形成されており、これらキャビティ15…とリザーバ16とは流路17を介して連通している。
そして、このような状態から圧電素子20への通電を解除すると、圧電素子20と振動板13はともに元の形状に戻る。よって、キャビティ15も元の容積に戻ることから、キャビティ15内部の液体材料の圧力が上昇し、ノズル18から所定量の液体材料の液滴22が吐出される。
次に、上述した液滴吐出ヘッドを用いた有機EL装置(有機エレクトロルミネッセンス装置)の製造方法について説明するが、以下に示す手順や液体材料の材料構成は一例であってこれに限定されるものではない。
まず、基板201に対し、必要に応じてTEOS(テトラエトキシシラン)や酸素ガスなどを原料としてプラズマCVD法により厚さ約200〜500nmのシリコン酸化膜からなる下地絶縁膜215を形成しておく。その後、基板温度を350℃程度に設定して基板201の表面にプラズマCVD法により厚さ約30〜70nmのアモルファスシリコン膜を形成し、公知のフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることで半導体層210を形成する。そしてこの半導体層210を、レーザアニールまたは固相成長法などによる結晶化工程に供することで結晶化してポリシリコン膜とする。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザであってビームの長寸が400mmのラインビームを用いることができ、その出力強度は例えば200mJ/cm2である。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の90%に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。
図8(a)に示すように、画素電極141上に形成される正孔注入層140Aは、画素電極141の表面形状に倣う凹面状に形成される。本実施形態のように凹部内に液体材料を配して乾燥固化させる場合、凹んだ部分に液体材料が溜まり易くなるが、同時に液体材料114aには、画素電極141を取り囲む無機バンク149及びバンク150による表面張力も作用し、画素電極141の周縁部側へ液体材料が引き寄せられる。その結果、得られる正孔注入層140Aは概略均一な膜厚を有して画素電極141上に形成され、画素電極141の表面形状に倣う凹面状を成すこととなる。
また、前記前駆体および蛍光色素については、極性溶媒に溶解または分散させて液体材料とし、この液体材料を液滴吐出ヘッド34から吐出するのが好ましい。極性溶媒は、前記前駆体、蛍光色素等を容易に溶解または均一に分散させることができるため、液滴吐出ヘッド34のノズル孔での発光層形成材料中の固型分が付着したり目詰りを起こすのを防止することができる。
このように本実施形態の製造方法によれば、上記反射層141及び有機機能層140の形状によって高効率に光を取り出すことができ、明るい表示を得ることができ、かつ信頼性にも優れた有機EL装置を容易に製造することができる。
上記実施の形態では、感光性樹脂材料を用いて形成した平坦化絶縁膜240をハーフ露光することにより凹部240aを形成する場合について説明したが、上記凹部240aの形成方法は、先の実施形態に限定されず、例えば図9にその工程を示す方法によっても形成できる。
図9は、係る凹部240aの形成方法を示す断面工程図である。本実施形態の場合、図9(a)に示すように、所定の凹部400x及び貫通孔400yが形成されたマスク材400を用いて平坦化絶縁膜240のエッチングを行う。すなわち、いわゆるグレーマスクを用いて平坦化絶縁膜240をパターニングし、図9(b)に示すような凹部240aとコンタクトホール240bとを形成する。
また、この他のグレーマスクを使った実施形態としては、図9のマスク材400を透過光量に濃淡(グラデーション)のあるパターンとして、一括露光することによっても同一の凹部240aとコンタクトホール240bを形成することができる。更には、マスクの一部を回折格子状にすることによって、感光性樹脂である平坦化絶縁膜240に照射する光量を調整し、エッチングによって凹部240aを形成することも可能である。
図10は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視構成図である。
図10に示す映像モニタ1200は、先の実施形態の有機EL装置を備えた表示部1201と、筐体1202と、スピーカ1203等を備えて構成されている。そして、この映像モニタ1200は、先の有機EL装置70により高画質でムラの少ない表示が可能である。
Claims (3)
- 基体上のうち無機絶縁材料からなる無機バンク及び有機絶縁材料によって形成される有機バンクを含むバンク部によって囲まれた複数の所定領域上に、第1電極と、正孔注入層及び発光層を含む機能層と、透光性を有する第2電極とが順に積層されてなる発光素子がそれぞれ設けられた電気光学装置の製造方法であって、
前記基体上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の表面のうちそれぞれの前記所定領域上を部分的に除去し、該絶縁膜表面のそれぞれの前記所定領域について当該所定領域の全体に亘って湾曲する一の湾曲面を有する凹部を形成する工程と、
前記絶縁膜のうち前記凹部上に、当該凹部に倣って湾曲された形状となるように、前記発光層で生じる光を反射させる反射電極層を形成する工程と、
前記反射電極層上に、前記反射電極層に倣って湾曲された形状となるように、前記第1電極の一部を構成する透明電極層を、無機材料によって形成する工程と、
前記透明電極層の湾曲された前記表面を部分的に開口させるように当該透明電極層の周縁部を覆い、かつ、前記所定領域上を囲うように、前記基体上に前記無機バンクをパターニングすることと、前記無機バンクに形成される開口部に対して壁面が外側に配置されるように前記発光素子の仕切部材としての前記有機バンクを形成することと、によって前記バンク部を形成する工程と、
前記透明電極層のうち前記バンク部によって囲われた領域であって前記反射電極層とは反対側の湾曲された表面が、前記有機バンクに比べて、前記正孔注入層を構成する材料を含む液状体及び前記発光層を構成する材料を含む第二液状体に対して親液性となるように、前記有機バンクの前記壁面と前記透明電極層の前記表面とを含む前記基体上の一面側全体に対してフッ素系化合物を用いて前記液状体及び前記第二液状体に対する撥液処理を行う工程と、
前記透明電極層のうち前記撥液処理によって前記液状体に対して前記有機バンクに比べて親液性となるように改質された部分、及び、前記撥液処理によって前記液状体に対して撥液性となるように改質された前記有機バンクの前記壁面、に亘って前記液状体が溜まるように当該液状体を滴下し、溜まった前記液状体が、前記有機バンクの前記壁面で生じる撥液作用によって前記壁面側から前記透明電極層の外周側に引き寄せられるように、かつ、前記液状体が前記バンク部に残らないように前記液状体を乾燥させ、前記正孔注入層を構成する材料を前記透明電極層の表面全体に定着させることで、前記透明電極層に倣って湾曲された形状の前記正孔注入層を形成する工程と、
前記第二液状体が前記正孔注入層のうち湾曲された表面上の部分、及び、前記撥液処理によって前記第二液状体に対して撥液性となるように改質された前記有機バンクの壁面に亘って溜まるように当該第二液状体を滴下し、溜まった前記第二液状体が、前記有機バンクの前記壁面で生じる前記第二液状体に対する撥液作用によって前記壁面側から前記正孔注入層上の外周側に引き寄せされるように、かつ、前記第二液状体が前記バンク部に残らないように前記第二液状体を乾燥させ、前記発光層を構成する材料を前記正孔注入層の表面全体に定着させることで、前記正孔注入層に習って湾曲された形状の前記発光層を、前記正孔注入層の湾曲部分に形成する工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 前記基体上に絶縁膜を形成する工程は、前記絶縁膜として感光性樹脂材料からなる絶縁膜を形成することを含み、
前記凹部を形成する工程は、前記感光性樹脂材料からなる前記絶縁膜をハーフ露光し、その後現像することで該絶縁膜表面を部分的に除去し、該絶縁膜表面を凹面状に加工することを含む
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記絶縁膜表面を部分的に除去するに際して、
前記絶縁膜上にグレーマスクを形成し、該グレーマスクを介したエッチング処理により該絶縁膜表面を凹面状に加工することを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004149166A JP4645064B2 (ja) | 2004-05-19 | 2004-05-19 | 電気光学装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004149166A JP4645064B2 (ja) | 2004-05-19 | 2004-05-19 | 電気光学装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005331665A JP2005331665A (ja) | 2005-12-02 |
JP2005331665A5 JP2005331665A5 (ja) | 2007-05-10 |
JP4645064B2 true JP4645064B2 (ja) | 2011-03-09 |
Family
ID=35486379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004149166A Expired - Fee Related JP4645064B2 (ja) | 2004-05-19 | 2004-05-19 | 電気光学装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4645064B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108780622A (zh) * | 2016-03-31 | 2018-11-09 | 索尼公司 | 显示装置和电子设备 |
CN109148727A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及制备方法、显示装置 |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100782458B1 (ko) | 2006-03-27 | 2007-12-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
JP4864520B2 (ja) * | 2006-04-12 | 2012-02-01 | 三菱電機株式会社 | 有機el表示装置および有機el表示装置の製造方法 |
KR101480005B1 (ko) | 2008-02-25 | 2015-01-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100959466B1 (ko) * | 2008-02-28 | 2010-05-25 | 파나소닉 주식회사 | 유기 el 디스플레이 패널 |
WO2010092797A1 (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-19 | パナソニック株式会社 | 発光素子、表示装置、および発光素子の製造方法 |
CN102308671B (zh) * | 2009-02-10 | 2015-01-21 | 松下电器产业株式会社 | 发光元件的制造方法和发光元件、以及发光装置的制造方法和发光装置 |
JP5357194B2 (ja) | 2009-02-10 | 2013-12-04 | パナソニック株式会社 | 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法 |
JP2011009017A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Panasonic Corp | 有機elディスプレイパネル |
JP5437736B2 (ja) | 2009-08-19 | 2014-03-12 | パナソニック株式会社 | 有機el素子 |
KR101213491B1 (ko) | 2009-11-27 | 2012-12-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치 |
KR101156434B1 (ko) * | 2010-01-05 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101156435B1 (ko) | 2010-01-08 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101084189B1 (ko) * | 2010-01-21 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP5720006B2 (ja) | 2010-06-24 | 2015-05-20 | 株式会社Joled | 有機el素子、表示装置および発光装置 |
WO2011161727A1 (ja) | 2010-06-24 | 2011-12-29 | パナソニック株式会社 | 有機el素子の製造方法、表示装置、発光装置および紫外光照射装置 |
WO2012014256A1 (ja) | 2010-07-30 | 2012-02-02 | パナソニック株式会社 | 有機el素子 |
WO2012017490A1 (ja) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 有機el素子、表示装置および発光装置 |
JP5620494B2 (ja) | 2010-08-06 | 2014-11-05 | パナソニック株式会社 | 発光素子、表示装置、および発光素子の製造方法 |
JP5612692B2 (ja) | 2010-08-06 | 2014-10-22 | パナソニック株式会社 | 有機el素子およびその製造方法 |
JP5612693B2 (ja) | 2010-08-06 | 2014-10-22 | パナソニック株式会社 | 有機el素子およびその製造方法 |
JP5620495B2 (ja) | 2010-08-06 | 2014-11-05 | パナソニック株式会社 | 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法 |
JP5677436B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-02-25 | パナソニック株式会社 | 有機el素子 |
JP5543599B2 (ja) | 2010-08-06 | 2014-07-09 | パナソニック株式会社 | 発光素子の製造方法 |
CN103053040B (zh) | 2010-08-06 | 2015-09-02 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el元件 |
JP5677432B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-02-25 | パナソニック株式会社 | 有機el素子、表示装置および発光装置 |
JP5658256B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-01-21 | パナソニック株式会社 | 発光素子とその製造方法、および発光装置 |
JP5612691B2 (ja) | 2010-08-06 | 2014-10-22 | パナソニック株式会社 | 有機el素子およびその製造方法 |
WO2012017491A1 (ja) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法 |
CN103053041B (zh) | 2010-08-06 | 2015-11-25 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el元件 |
WO2012017485A1 (ja) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 有機el素子、表示装置および発光装置 |
JP5574456B2 (ja) | 2010-08-06 | 2014-08-20 | パナソニック株式会社 | 発光素子とその製造方法、および発光装置 |
CN102960065B (zh) | 2010-08-25 | 2016-03-16 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机发光元件及其制造方法以及有机显示面板和有机显示装置 |
JP5276222B2 (ja) | 2010-08-25 | 2013-08-28 | パナソニック株式会社 | 有機発光素子とその製造方法、および有機表示パネルと有機表示装置 |
JP5573616B2 (ja) * | 2010-11-12 | 2014-08-20 | 住友化学株式会社 | 表示装置 |
US8884281B2 (en) | 2011-01-21 | 2014-11-11 | Panasonic Corporation | Organic EL element |
WO2012114648A1 (ja) | 2011-02-23 | 2012-08-30 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネルおよび有機el表示装置 |
JP5809234B2 (ja) | 2011-02-25 | 2015-11-10 | 株式会社Joled | 有機el表示パネルおよび有機el表示装置 |
JPWO2012153445A1 (ja) | 2011-05-11 | 2014-07-28 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネルおよび有機el表示装置 |
CN103928626A (zh) * | 2014-04-17 | 2014-07-16 | 上海和辉光电有限公司 | Oled发光装置及其制造方法 |
CN104103673B (zh) | 2014-07-09 | 2017-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示器及其制备方法 |
WO2016043175A1 (ja) * | 2014-09-18 | 2016-03-24 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
WO2016080310A1 (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-26 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
US10283574B2 (en) * | 2016-03-25 | 2019-05-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus with bending area capable of minimizing manufacturing defects |
CN107403811A (zh) * | 2017-09-07 | 2017-11-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法和显示装置 |
WO2019180878A1 (ja) * | 2018-03-22 | 2019-09-26 | シャープ株式会社 | 表示デバイス、及び表示デバイスの製造方法 |
DE112019001693T5 (de) | 2018-03-30 | 2020-12-10 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Displayeinrichtung, verfahren zum herstellen einer displayeinrichtung und elektronikvorrichtung |
CN110148685B (zh) * | 2019-05-07 | 2021-01-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN111799384B (zh) * | 2020-07-20 | 2023-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
US20220328578A1 (en) * | 2020-09-24 | 2022-10-13 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, display panel, manufacturing method thereof and display device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10223368A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-21 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 有機el素子とその製造方法 |
JP2001135477A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機el表示素子 |
JP2002198167A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Seiko Epson Corp | 照明装置及びその製造方法、表示装置、並びに電子機器 |
JP2003017273A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JP2003133057A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-09 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
JP2003317971A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
-
2004
- 2004-05-19 JP JP2004149166A patent/JP4645064B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10223368A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-21 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 有機el素子とその製造方法 |
JP2001135477A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機el表示素子 |
JP2002198167A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Seiko Epson Corp | 照明装置及びその製造方法、表示装置、並びに電子機器 |
JP2003017273A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JP2003133057A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-09 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
JP2003317971A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108780622A (zh) * | 2016-03-31 | 2018-11-09 | 索尼公司 | 显示装置和电子设备 |
US11107372B2 (en) | 2016-03-31 | 2021-08-31 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus |
CN108780622B (zh) * | 2016-03-31 | 2022-03-04 | 索尼公司 | 显示装置和电子设备 |
CN109148727A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及制备方法、显示装置 |
US11233214B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-01-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, display device and method of fabricating display substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005331665A (ja) | 2005-12-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4645064B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
JP3915810B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法、及び電子機器 | |
JP4211804B2 (ja) | デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法 | |
JP5256863B2 (ja) | 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置 | |
JP4251331B2 (ja) | 表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法 | |
US7777411B2 (en) | Light-emitting device, method of producing light-emitting device, exposure unit, and electronic device | |
JP4918752B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 | |
JP4497185B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
JP2004095290A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、電子機器 | |
JP2007311235A (ja) | デバイス、膜形成方法、及びデバイスの製造方法 | |
JP2005340011A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2007311236A (ja) | デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法 | |
JP2003186420A (ja) | アクティブマトリクス基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 | |
JP4497156B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 | |
JP2005197027A (ja) | 有機el装置の製造方法、有機el装置、及び電子機器 | |
JP2007280866A (ja) | 薄膜デバイス、有機el装置および液晶表示装置、電子機器、薄膜デバイスの製造方法、有機el装置の製造方法および液晶表示装置の製造方法 | |
JP2006310106A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
JP2005158583A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器 | |
JP2006134624A (ja) | 電気光学装置、及び、それを用いた電子機器 | |
JP2004158815A (ja) | 成膜方法、光学素子、半導体素子および電子機器、電気光学装置の製造方法、カラーフィルターの製造方法 | |
JP2005116313A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2005276479A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2007103033A (ja) | 発光装置、及び発光装置の製造方法 | |
JP2003317960A (ja) | エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器 | |
JP2007115563A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070316 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070316 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070403 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100511 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100525 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20100525 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100713 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20101005 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101109 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101122 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131217 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4645064 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees | ||
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |