JPH10223368A - 有機ｅｌ素子とその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子とその製造方法Info
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- JPH10223368A JPH10223368A JP9033364A JP3336497A JPH10223368A JP H10223368 A JPH10223368 A JP H10223368A JP 9033364 A JP9033364 A JP 9033364A JP 3336497 A JP3336497 A JP 3336497A JP H10223368 A JPH10223368 A JP H10223368A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成で、エレクトロルミネッセンスに
より発光する光を無駄なく効率よく発光面で発光させ、
発光効率及び発光強度を高くする。 【解決手段】 絶縁性の基板１０の表面に所定間隔で半
球状または部分球面、非球面状に凹部１２を形成し、こ
の凹部１２にＡｌ−Ｌｉ等により背面電極１４を形成
し、この各背面電極１４を複数列の導電部１５で各々接
続する。背面電極１４の上に、電子輸送材料１６その他
発光材料及びホール輸送材料１８による有機ＥＬ材料か
らなる発光層２０を積層する。この発光層２０の上に、
ＩＴＯ等の透明な電極材料２１による透明電極２２を形
成し、凹部１２の周縁部に位置した発光層２０の端面
が、基板１０の表面側に向けられ、その端面をＳｉＯ2
等の透明絶縁体２４が覆っている。
より発光する光を無駄なく効率よく発光面で発光させ、
発光効率及び発光強度を高くする。 【解決手段】 絶縁性の基板１０の表面に所定間隔で半
球状または部分球面、非球面状に凹部１２を形成し、こ
の凹部１２にＡｌ−Ｌｉ等により背面電極１４を形成
し、この各背面電極１４を複数列の導電部１５で各々接
続する。背面電極１４の上に、電子輸送材料１６その他
発光材料及びホール輸送材料１８による有機ＥＬ材料か
らなる発光層２０を積層する。この発光層２０の上に、
ＩＴＯ等の透明な電極材料２１による透明電極２２を形
成し、凹部１２の周縁部に位置した発光層２０の端面
が、基板１０の表面側に向けられ、その端面をＳｉＯ2
等の透明絶縁体２４が覆っている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディ
スプレイ、その他所定のパターンの発光表示に用いられ
る有機ＥＬ素子とその製造方法に関する。
スプレイ、その他所定のパターンの発光表示に用いられ
る有機ＥＬ素子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばドットマトリクス発光させ
る有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子は、ガラ
ス基板に透光導電性のＩＴＯ膜を一面に形成し、このＩ
ＴＯ膜をストライプ状にエッチングして透明電極を形成
し、その表面にトリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等
のホール輸送材料を設け、その上に発光材料であるアル
ミキレート錯体（Ａｌｑ3）等の電子輸送材料を積層し
ている。そしてその表面に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，
Ｉｎ等の背面電極を、上記透明電極のパターンと直交す
る方向にストライプ状に蒸着等で付着して形成してい
る。この有機有機ＥＬ素子は、透明電極と背面電極の所
定のラインに電流を流しその交点で発光させるものであ
る。そして、この有機ＥＬ素子の製造は、ガラス基板上
に順次上記電極材料及びＥＬ材料を真空蒸着により形成
するものである。
る有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子は、ガラ
ス基板に透光導電性のＩＴＯ膜を一面に形成し、このＩ
ＴＯ膜をストライプ状にエッチングして透明電極を形成
し、その表面にトリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等
のホール輸送材料を設け、その上に発光材料であるアル
ミキレート錯体（Ａｌｑ3）等の電子輸送材料を積層し
ている。そしてその表面に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，
Ｉｎ等の背面電極を、上記透明電極のパターンと直交す
る方向にストライプ状に蒸着等で付着して形成してい
る。この有機有機ＥＬ素子は、透明電極と背面電極の所
定のラインに電流を流しその交点で発光させるものであ
る。そして、この有機ＥＬ素子の製造は、ガラス基板上
に順次上記電極材料及びＥＬ材料を真空蒸着により形成
するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】有機ＥＬ素子の発光
は、上記ＴＰＤとＡｌｑ3との界面付近で多く発生し、
その多くは界面方向に発散する。従って、この有機ＥＬ
素子の発光面であるガラス面へ直接出射される光及び背
面電極で反射して出射される光は、全発光量の２０％前
後であり、その発光効率は良くないものであった。
は、上記ＴＰＤとＡｌｑ3との界面付近で多く発生し、
その多くは界面方向に発散する。従って、この有機ＥＬ
素子の発光面であるガラス面へ直接出射される光及び背
面電極で反射して出射される光は、全発光量の２０％前
後であり、その発光効率は良くないものであった。
【０００４】この発明は、上記従来の技術に鑑みてなさ
れたもので、簡単な構成で、エレクトロルミネッセンス
により発光する光を無駄なく効率よく発光面で発光さ
せ、発光効率及び発光強度の高い有機ＥＬ素子とその製
造方法を提供することを目的とする。
れたもので、簡単な構成で、エレクトロルミネッセンス
により発光する光を無駄なく効率よく発光面で発光さ
せ、発光効率及び発光強度の高い有機ＥＬ素子とその製
造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、絶縁性の基
板表面に所定間隔で半球状または部分球面、非球面状に
凹部を形成し、この凹部にＡｌ−Ｌｉ等により背面電極
を形成し、この各背面電極を複数列の導電部で各々接続
し、上記背面電極の上にホール輸送材料及び電子輸送材
料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる発光層を
積層し、この発光層の上にＩＴＯ等の透明な電極材料に
よる透明電極を形成し、上記凹部周縁部に位置した上記
発光層の端面が上記基板表面側に向けられ、その端面を
ＳｉＯ2等の透明絶縁体で覆っている有機ＥＬ素子であ
る。また、上記導電部は上記凹部に沿って所定の方向に
複数列形成され、上記透明電極が、上記導電部と直角方
向に複数列のＩＴＯ等の透明な電極材料の導電体で接続
されている。また、上記凹部に積層した発光層の上記凹
部周縁部に位置した端面が、上記基板表面に対して突出
し、所定角度で斜めに位置しているものである。
板表面に所定間隔で半球状または部分球面、非球面状に
凹部を形成し、この凹部にＡｌ−Ｌｉ等により背面電極
を形成し、この各背面電極を複数列の導電部で各々接続
し、上記背面電極の上にホール輸送材料及び電子輸送材
料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる発光層を
積層し、この発光層の上にＩＴＯ等の透明な電極材料に
よる透明電極を形成し、上記凹部周縁部に位置した上記
発光層の端面が上記基板表面側に向けられ、その端面を
ＳｉＯ2等の透明絶縁体で覆っている有機ＥＬ素子であ
る。また、上記導電部は上記凹部に沿って所定の方向に
複数列形成され、上記透明電極が、上記導電部と直角方
向に複数列のＩＴＯ等の透明な電極材料の導電体で接続
されている。また、上記凹部に積層した発光層の上記凹
部周縁部に位置した端面が、上記基板表面に対して突出
し、所定角度で斜めに位置しているものである。
【０００６】またこの発明は、絶縁性の基板表面に所定
間隔で半球状または部分球面、非球面状に凹部を形成
し、上記基板表面及びその凹部にＡｌ−Ｌｉ等により背
面電極を、蒸着等の真空薄膜形成技術により一面に形成
し、上記背面電極の上にホール輸送材料及び電子輸送材
料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる発光層を
蒸着等の真空薄膜形成技術により一面に積層し、この発
光層の上にＩＴＯ等の透明な電極材料による透明電極を
蒸着等の真空薄膜形成技術により一面に形成し、この
後、上記凹部内の各層を残して上記基板表面の上記透明
電極材料、発光層、背面電極を除去し、上記凹部周縁部
に位置した上記発光層の端面及び上記基板表面をＳｉＯ
2等の透明絶縁体で覆う有機ＥＬ素子の製造方法であ
る。さらに、上記基板に、所定の方向に複数列の導電部
を形成し、上記背面電極を上記導電部に接続し、上記透
明電極の上に、上記導電部と直角方向に複数列の導電体
を真空薄膜形成技術により形成するものである。
間隔で半球状または部分球面、非球面状に凹部を形成
し、上記基板表面及びその凹部にＡｌ−Ｌｉ等により背
面電極を、蒸着等の真空薄膜形成技術により一面に形成
し、上記背面電極の上にホール輸送材料及び電子輸送材
料その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる発光層を
蒸着等の真空薄膜形成技術により一面に積層し、この発
光層の上にＩＴＯ等の透明な電極材料による透明電極を
蒸着等の真空薄膜形成技術により一面に形成し、この
後、上記凹部内の各層を残して上記基板表面の上記透明
電極材料、発光層、背面電極を除去し、上記凹部周縁部
に位置した上記発光層の端面及び上記基板表面をＳｉＯ
2等の透明絶縁体で覆う有機ＥＬ素子の製造方法であ
る。さらに、上記基板に、所定の方向に複数列の導電部
を形成し、上記背面電極を上記導電部に接続し、上記透
明電極の上に、上記導電部と直角方向に複数列の導電体
を真空薄膜形成技術により形成するものである。
【０００７】この発明の有機ＥＬ素子とその製造方法
は、凹面で発光させるとともに、発光面の端面を基板表
面側に位置させているので、発光層の界面方向に出射さ
れた光を効果的に基板表面側へ導き、ＥＬ発光の光を無
駄なく基板表面側から発光させ、しかも発光面の視野も
広いものにすることができるものである。
は、凹面で発光させるとともに、発光面の端面を基板表
面側に位置させているので、発光層の界面方向に出射さ
れた光を効果的に基板表面側へ導き、ＥＬ発光の光を無
駄なく基板表面側から発光させ、しかも発光面の視野も
広いものにすることができるものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を基にして説明する。図１〜図７はこの発明の
有機ＥＬ素子の第一実施形態を示すもので、この実施形
態の有機ＥＬ素子は、図７に示すように、絶縁性の基板
１０の表面側に、一定のピッチ例えば１．５ｍｍピッチ
で、直径１ｍｍ程度の半球状の凹部１２が縦横にマトリ
クス状に形成されている。凹部１２の底部には、底部に
開口したＡｌ等の導電部１５が、凹部１２の縦横のマト
リクスの一方の方向に平行にストライプ状に形成されて
いる。この凹部１２内には、各々Ｌｉを０．０５％含有
したＡｌ合金が約３μｍ程度の厚さに形成された背面電
極１４が設けられている。背面電極１４の表面には、発
光材料を含有した５００Å程度の電子輸送材料１６と、
５００Å程度のホール輸送材料１８が順に積層されて、
有機ＥＬ材料からなる発光層２０が形成されている。そ
して、発光層２０のホール輸送材料１８の表面には、Ｉ
ＴＯ等の透明な電極材料２１による透明電極２２が形成
されている。そして、背面電極１４、発光層２０及び透
明電極２２は凹部１２の曲面に沿って半球状に形成さ
れ、その凹部１２の周縁部に位置した発光層２０の端面
は、基板１０の表面側に向けられ基板１０表面と面一に
形成されている。凹部１２の周縁部の発光層２０の端面
は、基板１０の表面を覆ったＳｉＯ2等の透明絶縁体２
４で覆われてる。さらに、透明電極２２の表面には、Ｉ
ＴＯ等の透明な電極材料２１による透明電極２６がスト
ライプ状に形成されている。透明電極２６は、導電部１
５の方向とは直角方向に、凹部１２の透明電極２２を１
列毎に連結するものである。
いて図面を基にして説明する。図１〜図７はこの発明の
有機ＥＬ素子の第一実施形態を示すもので、この実施形
態の有機ＥＬ素子は、図７に示すように、絶縁性の基板
１０の表面側に、一定のピッチ例えば１．５ｍｍピッチ
で、直径１ｍｍ程度の半球状の凹部１２が縦横にマトリ
クス状に形成されている。凹部１２の底部には、底部に
開口したＡｌ等の導電部１５が、凹部１２の縦横のマト
リクスの一方の方向に平行にストライプ状に形成されて
いる。この凹部１２内には、各々Ｌｉを０．０５％含有
したＡｌ合金が約３μｍ程度の厚さに形成された背面電
極１４が設けられている。背面電極１４の表面には、発
光材料を含有した５００Å程度の電子輸送材料１６と、
５００Å程度のホール輸送材料１８が順に積層されて、
有機ＥＬ材料からなる発光層２０が形成されている。そ
して、発光層２０のホール輸送材料１８の表面には、Ｉ
ＴＯ等の透明な電極材料２１による透明電極２２が形成
されている。そして、背面電極１４、発光層２０及び透
明電極２２は凹部１２の曲面に沿って半球状に形成さ
れ、その凹部１２の周縁部に位置した発光層２０の端面
は、基板１０の表面側に向けられ基板１０表面と面一に
形成されている。凹部１２の周縁部の発光層２０の端面
は、基板１０の表面を覆ったＳｉＯ2等の透明絶縁体２
４で覆われてる。さらに、透明電極２２の表面には、Ｉ
ＴＯ等の透明な電極材料２１による透明電極２６がスト
ライプ状に形成されている。透明電極２６は、導電部１
５の方向とは直角方向に、凹部１２の透明電極２２を１
列毎に連結するものである。
【０００９】発光層２０は、母体材料のうちホール輸送
材料１８としては、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰ
Ｄ）、ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘導体等があ
る。また、電子輸送材料１６としては、アルミキレート
錯体（Ａｌｑ3）、ジスチリルビフェニル誘導体（ＤＰ
ＶＢｉ）、オキサジアゾール誘導体、ビスチリルアント
ラセン誘導体、ベンゾオキサゾールチオフェン誘導体、
ペリレン類、チアゾール類等を用いる。さらに、適宜の
発光材料を混合しても良く、ホール輸送材料１８と電子
輸送材料１６を混合した発光層２０を形成しても良く、
その場合、ホール輸送材料１８と電子輸送材料１６の比
は、１０：９０乃至９０：１０の範囲で適宜変更可能で
ある。
材料１８としては、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰ
Ｄ）、ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘導体等があ
る。また、電子輸送材料１６としては、アルミキレート
錯体（Ａｌｑ3）、ジスチリルビフェニル誘導体（ＤＰ
ＶＢｉ）、オキサジアゾール誘導体、ビスチリルアント
ラセン誘導体、ベンゾオキサゾールチオフェン誘導体、
ペリレン類、チアゾール類等を用いる。さらに、適宜の
発光材料を混合しても良く、ホール輸送材料１８と電子
輸送材料１６を混合した発光層２０を形成しても良く、
その場合、ホール輸送材料１８と電子輸送材料１６の比
は、１０：９０乃至９０：１０の範囲で適宜変更可能で
ある。
【００１０】この実施形態のＥＬ素子の製造方法は、図
１に示すように、絶縁性の基板１０の表面に所定間隔で
半球状に凹部１２を形成する。この凹部１２の形成は、
先ず鏡面研磨された金型を用いて、セラミックスまたは
樹脂により基板１０と一体に形成する。また基板１０に
は予め、凹部１２の底部に露出し基板１０の背面にも露
出した導電部１５を、Ａｌまたは他の金属や、銀ペース
ト等の導電性ペーストにより形成する。次に、図２に示
すように、基板１０の表面及びその凹部１２に、Ａｌ−
Ｌｉ合金の背面電極１４の材料を、蒸着やスパッタリン
グ等の真空薄膜形成技術により一面に形成する。さら
に、電子輸送材料１６、ホール輸送材料１８を、各々５
００Å程度の厚さに蒸着やスパッタリング等の真空薄膜
形成技術により一面に積層し、有機ＥＬ材料からなる発
光層２０を形成する。そして、図３に示すように、発光
層２０のホール輸送材料１８の表面に、ＩＴＯ等の透明
な電極材料２１を蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形
成技術により一面に形成する。
１に示すように、絶縁性の基板１０の表面に所定間隔で
半球状に凹部１２を形成する。この凹部１２の形成は、
先ず鏡面研磨された金型を用いて、セラミックスまたは
樹脂により基板１０と一体に形成する。また基板１０に
は予め、凹部１２の底部に露出し基板１０の背面にも露
出した導電部１５を、Ａｌまたは他の金属や、銀ペース
ト等の導電性ペーストにより形成する。次に、図２に示
すように、基板１０の表面及びその凹部１２に、Ａｌ−
Ｌｉ合金の背面電極１４の材料を、蒸着やスパッタリン
グ等の真空薄膜形成技術により一面に形成する。さら
に、電子輸送材料１６、ホール輸送材料１８を、各々５
００Å程度の厚さに蒸着やスパッタリング等の真空薄膜
形成技術により一面に積層し、有機ＥＬ材料からなる発
光層２０を形成する。そして、図３に示すように、発光
層２０のホール輸送材料１８の表面に、ＩＴＯ等の透明
な電極材料２１を蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形
成技術により一面に形成する。
【００１１】この後、図４に示すように、凹部１２の曲
面に沿って半球状に形成された部分を残して、基板１０
の表面の背面電極１４、発光層２０及び透明電極材料２
１を研磨して除去する。これにより、凹部１２の周縁部
に位置した発光層２０の端面が、基板１０表面と面一に
形成される。次に、図５に示すように、ＳｉＯ2等の透
明絶縁体２４を、１μｍ程度の厚さに蒸着やスパッタリ
ング等の真空薄膜形成技術により一面に形成する。そし
て、図６に示すように、凹部１２内の絶縁体２４のみを
エッチングにより除去し、透明電極２２を露出させる。
そして、透明電極２２の表面に、さらに、ＩＴＯ等の透
明な電極材料２１による透明電極２６を、ストライプ状
に形成する。ストライプ状に形成する方法は、蒸着やス
パッタリング等の真空薄膜形成技術により一面に形成し
た後、導電部１５と直角方向に凹部１２に沿ったストラ
イプ以外の部分をエッチングしても良く、蒸着等の際
に、マスクを用いてこのストライプ状に形成しても良
い。
面に沿って半球状に形成された部分を残して、基板１０
の表面の背面電極１４、発光層２０及び透明電極材料２
１を研磨して除去する。これにより、凹部１２の周縁部
に位置した発光層２０の端面が、基板１０表面と面一に
形成される。次に、図５に示すように、ＳｉＯ2等の透
明絶縁体２４を、１μｍ程度の厚さに蒸着やスパッタリ
ング等の真空薄膜形成技術により一面に形成する。そし
て、図６に示すように、凹部１２内の絶縁体２４のみを
エッチングにより除去し、透明電極２２を露出させる。
そして、透明電極２２の表面に、さらに、ＩＴＯ等の透
明な電極材料２１による透明電極２６を、ストライプ状
に形成する。ストライプ状に形成する方法は、蒸着やス
パッタリング等の真空薄膜形成技術により一面に形成し
た後、導電部１５と直角方向に凹部１２に沿ったストラ
イプ以外の部分をエッチングしても良く、蒸着等の際
に、マスクを用いてこのストライプ状に形成しても良
い。
【００１２】ここで蒸着条件は、例えば、真空度が６×
１０-6Ｔｏｒｒで、ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃの蒸
着速度で成膜させる。また、発光層２０は、フラッシュ
蒸着により形成しても良い。フラッシュ蒸着法は、予め
所定の比率で混合した有機ＥＬ材料を、３００〜６００
℃好ましくは、４００〜５００℃に加熱した蒸着源に落
下させ、有機ＥＬ材料を一気に蒸発させるものである。
また、その有機ＥＬ材料を容器中に収容し、急速にその
容器を加熱し、一気に蒸着させるものでも良い。
１０-6Ｔｏｒｒで、ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃの蒸
着速度で成膜させる。また、発光層２０は、フラッシュ
蒸着により形成しても良い。フラッシュ蒸着法は、予め
所定の比率で混合した有機ＥＬ材料を、３００〜６００
℃好ましくは、４００〜５００℃に加熱した蒸着源に落
下させ、有機ＥＬ材料を一気に蒸発させるものである。
また、その有機ＥＬ材料を容器中に収容し、急速にその
容器を加熱し、一気に蒸着させるものでも良い。
【００１３】この実施形態の有機ＥＬ素子によれば、凹
部１２の凹面で発光層２０を発光させ、発光面の端面を
基板１０の表面側に位置させているので、発光層２０の
電子輸送材料１６とホール輸送材料１８の界面方向に出
た光が、基板表面側に出射される。従って、発光層２０
の面及び界面の両方から出たＥＬ発光の光が、基板１０
の表面から無駄なく発光される。
部１２の凹面で発光層２０を発光させ、発光面の端面を
基板１０の表面側に位置させているので、発光層２０の
電子輸送材料１６とホール輸送材料１８の界面方向に出
た光が、基板表面側に出射される。従って、発光層２０
の面及び界面の両方から出たＥＬ発光の光が、基板１０
の表面から無駄なく発光される。
【００１４】次にこの発明の第二実施形態について、図
８〜図１０をもとにして説明する。ここで、上述の実施
形態と同様の部材は同一符号を付して説明を省略する。
この実施形態のＥＬ素子は、上記実施形態の凹部１２が
半球状ではなく半球よりも浅い凹面状に形成されてい
る。そして、基板１０の表面から発光層２０が突出し、
発光層２０の端面が基板１０の表面に対して斜めに位置
している。この発光層２０の端面も絶縁層２６により覆
われている。
８〜図１０をもとにして説明する。ここで、上述の実施
形態と同様の部材は同一符号を付して説明を省略する。
この実施形態のＥＬ素子は、上記実施形態の凹部１２が
半球状ではなく半球よりも浅い凹面状に形成されてい
る。そして、基板１０の表面から発光層２０が突出し、
発光層２０の端面が基板１０の表面に対して斜めに位置
している。この発光層２０の端面も絶縁層２６により覆
われている。
【００１５】この実施形態のＥＬ素子の製造方法も、図
８に示すように、絶縁性の基板１０の表面に所定間隔で
浅い球面状の凹部１２を形成し、凹部１２の底部に露出
した導電部１５を、Ａｌまたは他の金属や、銀ペースト
等の導電性ペーストにより形成する。次に、基板１０の
表面及びその凹部１２に、Ａｌ−Ｌｉ合金の背面電極１
４の材料を、蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成技
術により一面に形成する。さらに、電子輸送材料１６、
ホール輸送材料１８を、各々５００Å程度の厚さに蒸着
やスパッタリング等の真空薄膜形成技術により一面に積
層し、有機ＥＬ材料からなる発光層２０を形成する。そ
して、発光層２０のホール輸送材料１８の表面に、ＩＴ
Ｏ等の透明な電極材料２１を蒸着やスパッタリング等の
真空薄膜形成技術により一面に形成する。
８に示すように、絶縁性の基板１０の表面に所定間隔で
浅い球面状の凹部１２を形成し、凹部１２の底部に露出
した導電部１５を、Ａｌまたは他の金属や、銀ペースト
等の導電性ペーストにより形成する。次に、基板１０の
表面及びその凹部１２に、Ａｌ−Ｌｉ合金の背面電極１
４の材料を、蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成技
術により一面に形成する。さらに、電子輸送材料１６、
ホール輸送材料１８を、各々５００Å程度の厚さに蒸着
やスパッタリング等の真空薄膜形成技術により一面に積
層し、有機ＥＬ材料からなる発光層２０を形成する。そ
して、発光層２０のホール輸送材料１８の表面に、ＩＴ
Ｏ等の透明な電極材料２１を蒸着やスパッタリング等の
真空薄膜形成技術により一面に形成する。
【００１６】この後、図９に示すように、凹部１２の曲
面に沿って球面状に形成された部分を残して、基板１０
の表面の背面電極１４、発光層２０及び透明電極材料２
１を除去する。このとき、発光層２０の端面は基板１０
の表面から突出した状態で残るようにする。残し方は、
エッチングや研磨、または、予め基板１０の表面に、凹
部１２を除いてレジストを予め形成し、透明電極２２の
形成後このレジストともに、基板１０の表面上の透明電
極２２等の積層体を除去しても良い。これにより、凹部
１２の周縁部に位置した発光層２０の端面が、基板１０
表面から突出した状態で残る。次に、図１０に示すよう
に、ＳｉＯ2等の透明絶縁体２４を、１μｍ程度の厚さ
に蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成技術により一
面に形成し、凹部１２内の絶縁体２４のみをエッチング
により除去し、透明電極２２を露出させる。そして、透
明電極２２の表面に、さらに、ＩＴＯ等の透明な電極材
料２１による透明電極を、ストライプ状に形成する。
面に沿って球面状に形成された部分を残して、基板１０
の表面の背面電極１４、発光層２０及び透明電極材料２
１を除去する。このとき、発光層２０の端面は基板１０
の表面から突出した状態で残るようにする。残し方は、
エッチングや研磨、または、予め基板１０の表面に、凹
部１２を除いてレジストを予め形成し、透明電極２２の
形成後このレジストともに、基板１０の表面上の透明電
極２２等の積層体を除去しても良い。これにより、凹部
１２の周縁部に位置した発光層２０の端面が、基板１０
表面から突出した状態で残る。次に、図１０に示すよう
に、ＳｉＯ2等の透明絶縁体２４を、１μｍ程度の厚さ
に蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成技術により一
面に形成し、凹部１２内の絶縁体２４のみをエッチング
により除去し、透明電極２２を露出させる。そして、透
明電極２２の表面に、さらに、ＩＴＯ等の透明な電極材
料２１による透明電極を、ストライプ状に形成する。
【００１７】この実施形態の有機ＥＬ素子によれば、発
光層２０の端面が基板１０の表面から突出して形成さ
れ、その端面は、基板１０表面に対して斜め方向に位置
し、上記実施形態と同様の効果に加えて発光の視野角を
広くするものである。従って、発光層２０の端面の角度
は基板１０の表面に対して交差する角度であれば良く、
垂直から水平の間に任意の角度に設定可能である。
光層２０の端面が基板１０の表面から突出して形成さ
れ、その端面は、基板１０表面に対して斜め方向に位置
し、上記実施形態と同様の効果に加えて発光の視野角を
広くするものである。従って、発光層２０の端面の角度
は基板１０の表面に対して交差する角度であれば良く、
垂直から水平の間に任意の角度に設定可能である。
【００１８】なお、この発明の有機ＥＬ素子の凹部は、
球面以外に非球面や、浅い湾曲面、円筒面状でも良く、
円筒面が並列に並んだものでも良い。さらに、基板を黒
色または暗色にしても良く、これにより、発光部とのコ
ントラストを高めることができる。また、真空薄膜形成
技術も蒸着以外の薄膜形成方法を用いても良い。
球面以外に非球面や、浅い湾曲面、円筒面状でも良く、
円筒面が並列に並んだものでも良い。さらに、基板を黒
色または暗色にしても良く、これにより、発光部とのコ
ントラストを高めることができる。また、真空薄膜形成
技術も蒸着以外の薄膜形成方法を用いても良い。
【００１９】
【発明の効果】この発明の有機ＥＬ素子とその製造方法
は、発光層から出たＥＬ光を、無駄なく効率よく外部へ
出射可能にしたものであり、高い発光効率を得ることが
できる。また、発光面の視野角も広くすることができ
る。
は、発光層から出たＥＬ光を、無駄なく効率よく外部へ
出射可能にしたものであり、高い発光効率を得ることが
できる。また、発光面の視野角も広くすることができ
る。
【図１】この発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図２】この発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図３】この発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図４】この発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図５】この発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図６】この発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図７】この発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子の断面
図である。
図である。
【図８】この発明の第二実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図９】この発明の第二実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図１０】この発明の第二実施形態の有機ＥＬ素子の断
面図である。
面図である。
１０ 基板 １２ 凹部 １４ 背面電極 １５ 導電部 １６ 電子輸送材料 １８ ホール輸送材料 ２０ 発光層 ２２，２６ 透明電極 ２４ 絶縁体
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁性の基板表面に所定間隔で凹部を形
成し、この凹部に背面電極を形成し、この各背面電極を
導電部で接続し、上記背面電極の上に有機ＥＬ材料から
なる発光層を積層し、この発光層の上に透明な電極材料
による透明電極を形成し、上記凹部周縁部に位置した上
記発光層の端面が上記基板表面側に向けられ、その端面
が透明絶縁体で覆われている有機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 上記凹部に積層した発光層の上記凹部周
縁部に位置した端面が、上記基板表面に対して突出し所
定角度で斜めに位置している請求項１記載の有機ＥＬ素
子。 - 【請求項３】 上記導電部は上記凹部に沿って所定の方
向に複数列形成され、上記透明電極は、上記導電部と直
角方向に複数列の導電体で接続されている請求項１また
は２記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項４】 絶縁性の基板表面に所定間隔で凹部を形
成し、上記基板表面及びその凹部に背面電極を真空薄膜
形成技術により一面に形成し、上記背面電極の上に発光
層を真空薄膜形成技術により一面に積層し、この発光層
の上に透明な電極材料による透明電極を真空薄膜形成技
術により一面に形成し、この後、上記凹部内の各層を残
して上記基板表面の上記透明電極材料、発光層、背面電
極を除去し、上記凹部周縁部に位置した上記発光層の端
面を透明絶縁体で覆う有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項５】 上記背面電極を所定の方向に複数列の導
電部により接続し、上記透明電極の上に、上記導電部と
直角方向に複数列の導電体を真空薄膜形成技術により形
成する請求項４記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9033364A JPH10223368A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9033364A JPH10223368A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223368A true JPH10223368A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12384537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9033364A Pending JPH10223368A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10223368A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198167A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Seiko Epson Corp | 照明装置及びその製造方法、表示装置、並びに電子機器 |
| US6542207B1 (en) | 1999-06-24 | 2003-04-01 | Nec Corporation | Liquid crystal display |
| JP2004047383A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Rohm Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイ素子及びその製造方法 |
| JP2005174914A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Chi Mei Optoelectronics Corp | 有機ｅｌ装置 |
| JP2005174717A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
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| JP2008084638A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 発光体 |
| JP2008186808A (ja) * | 2008-03-03 | 2008-08-14 | Samsung Sdi Co Ltd | 発光体、発光素子、及び発光表示装置 |
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| US7812345B2 (en) | 2008-02-28 | 2010-10-12 | Panasonic Corporation | Organic EL display panel |
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| US20120119236A1 (en) * | 2008-08-11 | 2012-05-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Light-Emitting Diodes on Concave Texture Substrate |
| US8410687B2 (en) | 2001-02-05 | 2013-04-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device including covered lower electrode |
-
1997
- 1997-01-31 JP JP9033364A patent/JPH10223368A/ja active Pending
Cited By (20)
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| US8591277B2 (en) | 2002-12-24 | 2013-11-26 | Otb Group B.V. | Method for manufacturing an organic electroluminescent display device, substrate to be used with such a method and an organic electroluminescent display device obtained with the method |
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