JPH10208875A - 有機ｅｌ素子とその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子とその製造方法Info
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- JPH10208875A JPH10208875A JP9028436A JP2843697A JPH10208875A JP H10208875 A JPH10208875 A JP H10208875A JP 9028436 A JP9028436 A JP 9028436A JP 2843697 A JP2843697 A JP 2843697A JP H10208875 A JPH10208875 A JP H10208875A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成で、発光面積が広く、高品位な発
光表示が可能な有機ＥＬ素子とその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 ガラスや石英、樹脂等の透明な基板１０
の表面にＩＴＯ等の透明な電極材料による透明電極１２
が形成され、この透明電極１２に対向して背面電極２０
が形成されている。透明電極１２と背面電極２０間に、
ホール輸送材料１６及び電子輸送材料１７その他発光材
料による有機ＥＬ材料からなる発光層１８が積層され、
透明電極１２が形成された面は、各発光層１８の発光単
位とこの発光層１８への導電部１４とが、絶縁部１５を
介して複数列形成され、発光単位毎に透明な基板１０が
凸状に形成されている。
光表示が可能な有機ＥＬ素子とその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 ガラスや石英、樹脂等の透明な基板１０
の表面にＩＴＯ等の透明な電極材料による透明電極１２
が形成され、この透明電極１２に対向して背面電極２０
が形成されている。透明電極１２と背面電極２０間に、
ホール輸送材料１６及び電子輸送材料１７その他発光材
料による有機ＥＬ材料からなる発光層１８が積層され、
透明電極１２が形成された面は、各発光層１８の発光単
位とこの発光層１８への導電部１４とが、絶縁部１５を
介して複数列形成され、発光単位毎に透明な基板１０が
凸状に形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディ
スプレイ、その他所定のパターンの発光表示に用いられ
る有機ＥＬ素子とその製造方法に関する。
スプレイ、その他所定のパターンの発光表示に用いられ
る有機ＥＬ素子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばドットマトリクス発光させ
る有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子は、ガラ
ス基板に透光性のＩＴＯ膜を一面に形成し、このＩＴＯ
膜をストライプ状にエッチングして透明電極を形成し、
その表面にトリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等のホ
ール輸送材料を設け、その上に発光材料であるアルミキ
レート錯体（Ａｌｑ3）等の電子輸送材料を積層してい
る。そしてその表面に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ
等の背面電極を、上記透明電極のパターンと直交する方
向にストライプ状に蒸着等で付着して形成している。こ
の有機有機ＥＬ素子は、透明電極と背面電極の交点に所
定の電流を流し、発光させるものである。そして、この
有機ＥＬ素子の製造は、ガラス基板上に順次上記電極材
料及びＥＬ材料を真空蒸着により形成するものである。
る有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子は、ガラ
ス基板に透光性のＩＴＯ膜を一面に形成し、このＩＴＯ
膜をストライプ状にエッチングして透明電極を形成し、
その表面にトリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等のホ
ール輸送材料を設け、その上に発光材料であるアルミキ
レート錯体（Ａｌｑ3）等の電子輸送材料を積層してい
る。そしてその表面に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ
等の背面電極を、上記透明電極のパターンと直交する方
向にストライプ状に蒸着等で付着して形成している。こ
の有機有機ＥＬ素子は、透明電極と背面電極の交点に所
定の電流を流し、発光させるものである。そして、この
有機ＥＬ素子の製造は、ガラス基板上に順次上記電極材
料及びＥＬ材料を真空蒸着により形成するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、有機ＥＬ素子
は電流が流れる素子であり、導体経路長の差による抵抗
値の差から、発光量が異なってしまうのをできるだけ防
止するために、導体経路の抵抗値をできるだけ抑える必
要があった。従って、そのためにはＩＴＯ膜の厚さは、
１μｍ程度必要であり、導体経路の幅もある程度必要で
あった。一方、発光層の材料は、厚いと電流が流れない
ため、上記ＴＰＤ、Ａｌｑ3ともに５００Å程度の薄い
層に形成されている。
は電流が流れる素子であり、導体経路長の差による抵抗
値の差から、発光量が異なってしまうのをできるだけ防
止するために、導体経路の抵抗値をできるだけ抑える必
要があった。従って、そのためにはＩＴＯ膜の厚さは、
１μｍ程度必要であり、導体経路の幅もある程度必要で
あった。一方、発光層の材料は、厚いと電流が流れない
ため、上記ＴＰＤ、Ａｌｑ3ともに５００Å程度の薄い
層に形成されている。
【０００４】従って、発光面のうち発光に寄与しない面
積が、導体経路のためにかなり多いものとなっていた。
さらに、この透明電極と発光層の厚さの差がきわめて大
きいために、透明電極の角部や側面部に、ＥＬ材料の薄
い部分や存在しない部分が生じ、背面電極と透明電極と
の間に短絡が生じる場合があった。さらに、ストライプ
状の透明電極とこれに直交するストライプ状の背面電極
との交点で発光させる場合、発光層の有機ＥＬ材料が半
導体特性を有するので、上記クロスポイントに隣接する
箇所へも透明電極からの電子または正孔が流出してしま
い、その部分のＥＬ材料がわずかながら発光してしまう
という問題点があった。従って、表示体の表示品質も低
くなるものであった。
積が、導体経路のためにかなり多いものとなっていた。
さらに、この透明電極と発光層の厚さの差がきわめて大
きいために、透明電極の角部や側面部に、ＥＬ材料の薄
い部分や存在しない部分が生じ、背面電極と透明電極と
の間に短絡が生じる場合があった。さらに、ストライプ
状の透明電極とこれに直交するストライプ状の背面電極
との交点で発光させる場合、発光層の有機ＥＬ材料が半
導体特性を有するので、上記クロスポイントに隣接する
箇所へも透明電極からの電子または正孔が流出してしま
い、その部分のＥＬ材料がわずかながら発光してしまう
という問題点があった。従って、表示体の表示品質も低
くなるものであった。
【０００５】この発明は、上記従来の技術に鑑みてなさ
れたもので、簡単な構成で、発光面積が広く、高品位な
発光表示が可能な有機ＥＬ素子とその製造方法を提供す
ることを目的とする。
れたもので、簡単な構成で、発光面積が広く、高品位な
発光表示が可能な有機ＥＬ素子とその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、ガラスや石
英、樹脂等の透明な基板表面にＩＴＯ等の透明な電極材
料による透明電極が形成され、この透明電極に対向して
背面電極が形成され、上記透明電極と背面電極間に、ホ
ール輸送材料及び電子輸送材料その他発光材料による有
機ＥＬ材料からなる発光層が積層され、上記透明な電極
が形成された面は、各発光層の発光単位とこの発光層へ
の導電部とが絶縁部を介して複数列形成され、上記発光
単位毎に上記透明基板が凸状に形成されている有機ＥＬ
素子である。そして、上記基板の上記発光層の形成部分
とは反対側の面も、上記発光単位毎に上記導電部と対面
する箇所から凸状に形成されているものである。
英、樹脂等の透明な基板表面にＩＴＯ等の透明な電極材
料による透明電極が形成され、この透明電極に対向して
背面電極が形成され、上記透明電極と背面電極間に、ホ
ール輸送材料及び電子輸送材料その他発光材料による有
機ＥＬ材料からなる発光層が積層され、上記透明な電極
が形成された面は、各発光層の発光単位とこの発光層へ
の導電部とが絶縁部を介して複数列形成され、上記発光
単位毎に上記透明基板が凸状に形成されている有機ＥＬ
素子である。そして、上記基板の上記発光層の形成部分
とは反対側の面も、上記発光単位毎に上記導電部と対面
する箇所から凸状に形成されているものである。
【０００７】またこの発明は、溶剤により除去可能な樹
脂等の第一の基板を設け、この第一の基板に所定ピッチ
で凹部を形成し、その凹部が形成された面に一面にＡｌ
等の下地層及びＩＴＯ等の透明な電極材料による透明電
極を真空薄膜形成技術により形成し、この下地層及び透
明電極材料をエッチングにより各発光単位毎に分離して
独立に形成し、その後上記各発光単位毎に対応して凹部
が形成された成形型を上記第一の基板に対面させて固定
し、上記第一の基板と上記成形型との間に透明樹脂等を
注入し、硬化させて第二の基板を形成し、この後上記第
一の基板を溶剤により除去し、さらに、上記透明電極に
積層された下地層のうち上記第一の基板の凹部により形
成された凸状部分を除去し、上記透明電極が露出した側
の面に、ホール輸送材料及び電子輸送材料その他発光材
料による有機ＥＬ材料からなる発光層を真空薄膜形成技
術により積層し、さらに背面電極を同様に形成する有機
ＥＬ素子の製造方法である。
脂等の第一の基板を設け、この第一の基板に所定ピッチ
で凹部を形成し、その凹部が形成された面に一面にＡｌ
等の下地層及びＩＴＯ等の透明な電極材料による透明電
極を真空薄膜形成技術により形成し、この下地層及び透
明電極材料をエッチングにより各発光単位毎に分離して
独立に形成し、その後上記各発光単位毎に対応して凹部
が形成された成形型を上記第一の基板に対面させて固定
し、上記第一の基板と上記成形型との間に透明樹脂等を
注入し、硬化させて第二の基板を形成し、この後上記第
一の基板を溶剤により除去し、さらに、上記透明電極に
積層された下地層のうち上記第一の基板の凹部により形
成された凸状部分を除去し、上記透明電極が露出した側
の面に、ホール輸送材料及び電子輸送材料その他発光材
料による有機ＥＬ材料からなる発光層を真空薄膜形成技
術により積層し、さらに背面電極を同様に形成する有機
ＥＬ素子の製造方法である。
【０００８】また、溶剤により除去可能な樹脂等の第一
の基板を設け、この第一の基板に所定ピッチで凹部を形
成し、その凹部が形成された面に一面にＡｌ等の下地層
及びＩＴＯ等の透明な電極材料による透明電極を真空薄
膜形成技術により形成し、この下地層及び透明電極材料
をエッチングにより各発光単位毎に分離して独立に形成
し、その後上記各発光単位毎に対応して凸状に形成され
た透明な第二の基板を上記第一の基板に接合し、この後
上記第一の基板を溶剤により除去し、さらに、上記透明
電極に積層された下地層のうち上記第一の基板の凹部に
より形成された凸状部分を除去し、上記透明電極が露出
した側の面に、ホール輸送材料及び電子輸送材料その他
発光材料による有機ＥＬ材料からなる発光層を真空薄膜
形成技術により積層し、さらに背面電極を同様に形成す
る有機ＥＬ素子の製造方法である。
の基板を設け、この第一の基板に所定ピッチで凹部を形
成し、その凹部が形成された面に一面にＡｌ等の下地層
及びＩＴＯ等の透明な電極材料による透明電極を真空薄
膜形成技術により形成し、この下地層及び透明電極材料
をエッチングにより各発光単位毎に分離して独立に形成
し、その後上記各発光単位毎に対応して凸状に形成され
た透明な第二の基板を上記第一の基板に接合し、この後
上記第一の基板を溶剤により除去し、さらに、上記透明
電極に積層された下地層のうち上記第一の基板の凹部に
より形成された凸状部分を除去し、上記透明電極が露出
した側の面に、ホール輸送材料及び電子輸送材料その他
発光材料による有機ＥＬ材料からなる発光層を真空薄膜
形成技術により積層し、さらに背面電極を同様に形成す
る有機ＥＬ素子の製造方法である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を基にして説明する。図１〜図３はこの発明の
有機ＥＬ素子の第一実施形態を示すもので、この実施形
態の有機ＥＬ素子は、図３に示すように、一定のピッチ
で凸状部分である凸部が形成された透明樹脂等の透明な
基板１０の一方の側に、ＩＴＯ等の透明な電極材料によ
る透明電極１２が形成されている。透明な基板１０は、
透明電極１２が形成された側の凸部は平坦部と凸部とが
交互に形成され、その反対側は、平坦部と対面する部分
から突部が連続して形成されている。この基板１０の両
面の各凸部は、互いに中心線が一致し、凸レンズ状また
は円筒レンズ状の何れでも良い。この透明電極１２と基
板１０とは一体に接合されている。平端部の透明電極１
２には、Ａｌ等によるストライプ状の導電部１４が形成
されている。そして、各透明電極１２は発光単位として
の各凸部毎に、絶縁部１５により絶縁されている。
いて図面を基にして説明する。図１〜図３はこの発明の
有機ＥＬ素子の第一実施形態を示すもので、この実施形
態の有機ＥＬ素子は、図３に示すように、一定のピッチ
で凸状部分である凸部が形成された透明樹脂等の透明な
基板１０の一方の側に、ＩＴＯ等の透明な電極材料によ
る透明電極１２が形成されている。透明な基板１０は、
透明電極１２が形成された側の凸部は平坦部と凸部とが
交互に形成され、その反対側は、平坦部と対面する部分
から突部が連続して形成されている。この基板１０の両
面の各凸部は、互いに中心線が一致し、凸レンズ状また
は円筒レンズ状の何れでも良い。この透明電極１２と基
板１０とは一体に接合されている。平端部の透明電極１
２には、Ａｌ等によるストライプ状の導電部１４が形成
されている。そして、各透明電極１２は発光単位として
の各凸部毎に、絶縁部１５により絶縁されている。
【００１０】透明電極１２の表面には、５００Å程度の
ホール輸送材料１６、及び５００Å程度の電子輸送材料
１７その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる発光層
１８が積層されている。そして、発光層１８の電子輸送
材料１７の表面には、例えばＬｉを０．０１〜０．０５
％程度含む純度９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合金の背面電極
２０が、適宜の５００Å〜１０００Å程度の厚さで、透
明電極１２と対面して形成されている。背面電極２０は
全面に、または導電部１４と直交するようにストライプ
状に形成されている。
ホール輸送材料１６、及び５００Å程度の電子輸送材料
１７その他発光材料による有機ＥＬ材料からなる発光層
１８が積層されている。そして、発光層１８の電子輸送
材料１７の表面には、例えばＬｉを０．０１〜０．０５
％程度含む純度９９％程度のＡｌ−Ｌｉ合金の背面電極
２０が、適宜の５００Å〜１０００Å程度の厚さで、透
明電極１２と対面して形成されている。背面電極２０は
全面に、または導電部１４と直交するようにストライプ
状に形成されている。
【００１１】さらに、この背面電極２０の表面には、適
宜９９．９９９％以上の純度のＡｌ等によるによる図示
しない導電層が、導電部１４と直交するようにストライ
プ状に形成されている。背面電極の表面には、さらに、
図示しない保護層が積層されている。保護層は、Ａｇ、
Ａｌ等の金属薄膜や、フェノール、エポキシ等の樹脂
や、導電性塗料により形成され、背面電極２０及び発光
層１８を外気から遮断するものである。
宜９９．９９９％以上の純度のＡｌ等によるによる図示
しない導電層が、導電部１４と直交するようにストライ
プ状に形成されている。背面電極の表面には、さらに、
図示しない保護層が積層されている。保護層は、Ａｇ、
Ａｌ等の金属薄膜や、フェノール、エポキシ等の樹脂
や、導電性塗料により形成され、背面電極２０及び発光
層１８を外気から遮断するものである。
【００１２】発光層１８は、母体材料のうちホール輸送
材料１６としては、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰ
Ｄ）、ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘導体等があ
る。また、電子輸送材料１７としては、アルミキレート
錯体（Ａｌｑ3）、ジスチリルビフェニル誘導体（ＤＰ
ＶＢｉ）、オキサジアゾール誘導体、ビスチリルアント
ラセン誘導体、ベンゾオキサゾールチオフェン誘導体、
ペリレン類、チアゾール類等を用いる。さらに、適宜の
発光材料を混合しても良く、ホール輸送材料１６と電子
輸送材料１７を混合した発光層１８を形成しても良く、
その場合、ホール輸送材料１６と電子輸送材料１７の比
は、１０：９０乃至９０：１０の範囲で適宜変更可能で
ある。
材料１６としては、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰ
Ｄ）、ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘導体等があ
る。また、電子輸送材料１７としては、アルミキレート
錯体（Ａｌｑ3）、ジスチリルビフェニル誘導体（ＤＰ
ＶＢｉ）、オキサジアゾール誘導体、ビスチリルアント
ラセン誘導体、ベンゾオキサゾールチオフェン誘導体、
ペリレン類、チアゾール類等を用いる。さらに、適宜の
発光材料を混合しても良く、ホール輸送材料１６と電子
輸送材料１７を混合した発光層１８を形成しても良く、
その場合、ホール輸送材料１６と電子輸送材料１７の比
は、１０：９０乃至９０：１０の範囲で適宜変更可能で
ある。
【００１３】この実施形態のＥＬ素子の製造方法は、エ
ッチングレジスト等に用いられる樹脂であって有機溶剤
に溶ける第一の基板３０を設け、図１に示すようにその
表面に先ず、Ａｌの下地層３２を約０．５μｍ程度の厚
さで全面に真空蒸着等の真空薄膜形成技術により形成す
る。その後ＩＴＯ等の透明電極１２の電極材料を、真空
薄膜形成技術により全面に形成する。透明電極１２は、
その抵抗率が、１０Ω／□程度の抵抗率になるように約
１μｍ程度の厚さに形成する。また、より薄くして、２
０Ω／□程度の抵抗率でも良く、適宜厚さを調整して使
用可能である。
ッチングレジスト等に用いられる樹脂であって有機溶剤
に溶ける第一の基板３０を設け、図１に示すようにその
表面に先ず、Ａｌの下地層３２を約０．５μｍ程度の厚
さで全面に真空蒸着等の真空薄膜形成技術により形成す
る。その後ＩＴＯ等の透明電極１２の電極材料を、真空
薄膜形成技術により全面に形成する。透明電極１２は、
その抵抗率が、１０Ω／□程度の抵抗率になるように約
１μｍ程度の厚さに形成する。また、より薄くして、２
０Ω／□程度の抵抗率でも良く、適宜厚さを調整して使
用可能である。
【００１４】そして、この下地層３２及び透明電極１２
を、各発光単位毎に独立した状態になるように、各平端
部でストライプ状にエッチングを行ない、透明電極１２
が第一の基板３０の凹部毎に絶縁された状態で残る。そ
して、図２に示すように、各発光単位毎に対応して凹部
が形成された成形型３４を第一の基板３０に対面させて
固定し、第一の基板３０と成形型３４との間に透明樹脂
を注入し、硬化させる。これにより、第二の基板である
透明な基板１０を形成し、絶縁部１４も形成される。エ
ッチングによりストライプを形成するのは、正確にエッ
チングが可能であり、後に清浄な面が得やすいためであ
る。
を、各発光単位毎に独立した状態になるように、各平端
部でストライプ状にエッチングを行ない、透明電極１２
が第一の基板３０の凹部毎に絶縁された状態で残る。そ
して、図２に示すように、各発光単位毎に対応して凹部
が形成された成形型３４を第一の基板３０に対面させて
固定し、第一の基板３０と成形型３４との間に透明樹脂
を注入し、硬化させる。これにより、第二の基板である
透明な基板１０を形成し、絶縁部１４も形成される。エ
ッチングによりストライプを形成するのは、正確にエッ
チングが可能であり、後に清浄な面が得やすいためであ
る。
【００１５】この後、図３に示すように、基体３０を有
機溶剤により溶解させて除去し、さらに、透明電極１２
に積層された下地層３２の平端部を残して凸状の部分を
酸により除去する。これにより、透明電極１２に接続さ
れた平端部のＡｌの下地層３２が、導電部１４として残
る。そして、この透明電極１２が露出した側の面に、ホ
ール輸送材料１６及び発光材料を含む電子輸送材料１７
を、真空薄膜形成技術により一面に積層する。さらに、
Ｌｉを０．０１〜０．０５％程度含む純度９９％程度の
Ａｌ−Ｌｉ合金による背面電極２０の材料を、適宜の５
００Å〜１０００Å程度の厚さに真空薄膜形成技術によ
り一面に形成する。
機溶剤により溶解させて除去し、さらに、透明電極１２
に積層された下地層３２の平端部を残して凸状の部分を
酸により除去する。これにより、透明電極１２に接続さ
れた平端部のＡｌの下地層３２が、導電部１４として残
る。そして、この透明電極１２が露出した側の面に、ホ
ール輸送材料１６及び発光材料を含む電子輸送材料１７
を、真空薄膜形成技術により一面に積層する。さらに、
Ｌｉを０．０１〜０．０５％程度含む純度９９％程度の
Ａｌ−Ｌｉ合金による背面電極２０の材料を、適宜の５
００Å〜１０００Å程度の厚さに真空薄膜形成技術によ
り一面に形成する。
【００１６】背面電極２０の表面には、例えばマスク蒸
着により、導電部１４と直角方向にＡｌ等によるによる
導電パターンを形成する。また、Ａｌを全面に蒸着後、
エッチングによりストライプパターンを形成しても良
い。そして、適宜保護層を積層する。保護層は、Ａｇ、
Ａｌ等の金属薄膜や、フェノール、エポキシ等の樹脂
や、導電性塗料により形成され、背面電極２０及び発光
層１８を外気から遮断するものである。
着により、導電部１４と直角方向にＡｌ等によるによる
導電パターンを形成する。また、Ａｌを全面に蒸着後、
エッチングによりストライプパターンを形成しても良
い。そして、適宜保護層を積層する。保護層は、Ａｇ、
Ａｌ等の金属薄膜や、フェノール、エポキシ等の樹脂
や、導電性塗料により形成され、背面電極２０及び発光
層１８を外気から遮断するものである。
【００１７】ここで蒸着条件は、例えば、真空度が６×
１０-6Ｔｏｒｒで、ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃの蒸
着速度で成膜させる。また、発光層１８をフラッシュ蒸
着により形成しても良い。フラッシュ蒸着法は、予め所
定の比率で混合した有機ＥＬ材料を、３００〜６００℃
好ましくは、４００〜５００℃に加熱した蒸着源に落下
させ、有機ＥＬ材料を一気に蒸発させるものである。ま
た、その有機ＥＬ材料を容器中に収容し、急速にその容
器を加熱し、一気に蒸着させるものでも良い。
１０-6Ｔｏｒｒで、ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃの蒸
着速度で成膜させる。また、発光層１８をフラッシュ蒸
着により形成しても良い。フラッシュ蒸着法は、予め所
定の比率で混合した有機ＥＬ材料を、３００〜６００℃
好ましくは、４００〜５００℃に加熱した蒸着源に落下
させ、有機ＥＬ材料を一気に蒸発させるものである。ま
た、その有機ＥＬ材料を容器中に収容し、急速にその容
器を加熱し、一気に蒸着させるものでも良い。
【００１８】この発明のＥＬ素子は、発光層１８から出
射した光は凸部の内側へ向かって進行し、凹面から出射
された状態となり所定の焦点に向かって収束する。従っ
て、導体部へ向く光が少なく、効率よく発光する。さら
に、透明な基板１０の凸部により、凸レンズの作用で、
所定の方向に向けられる。さらに、この凸レンズの作用
により、外部からは導体部１４が見えず、全面が発光し
ているように見える。
射した光は凸部の内側へ向かって進行し、凹面から出射
された状態となり所定の焦点に向かって収束する。従っ
て、導体部へ向く光が少なく、効率よく発光する。さら
に、透明な基板１０の凸部により、凸レンズの作用で、
所定の方向に向けられる。さらに、この凸レンズの作用
により、外部からは導体部１４が見えず、全面が発光し
ているように見える。
【００１９】次にこの発明の第二実施形態について、図
４をもとにして説明する。この実施形態のＥＬ素子は、
上記実施形態の第一の基板３０の凹部に下地層３２及び
透明電極１２を形成し、この後、別工程で成形された第
二の基板４０を透明な接着剤４２により接合するもので
ある。第二の基板４０も第一の基板３０の凹部に対応し
た凸部が形成されている。そして、この凸部も、第一の
基板３０の凹部及び平坦部に対面して連続的に生成され
ている。そして、上記実施形態と同様に、第一の基板３
０を溶剤により除去し、下地層３２も導電部１４を残し
て除去し、上記実施形態と同様に、発光層１８等を形成
する。また、第二の基板４０の透明電極１２の平端部に
対応する箇所には、導電性ペーストまたはＡｌ等によ
り、ストライプ状に導電部４４が形成されている。
４をもとにして説明する。この実施形態のＥＬ素子は、
上記実施形態の第一の基板３０の凹部に下地層３２及び
透明電極１２を形成し、この後、別工程で成形された第
二の基板４０を透明な接着剤４２により接合するもので
ある。第二の基板４０も第一の基板３０の凹部に対応し
た凸部が形成されている。そして、この凸部も、第一の
基板３０の凹部及び平坦部に対面して連続的に生成され
ている。そして、上記実施形態と同様に、第一の基板３
０を溶剤により除去し、下地層３２も導電部１４を残し
て除去し、上記実施形態と同様に、発光層１８等を形成
する。また、第二の基板４０の透明電極１２の平端部に
対応する箇所には、導電性ペーストまたはＡｌ等によ
り、ストライプ状に導電部４４が形成されている。
【００２０】なお、この発明の有機ＥＬ素子の透明な基
板の凸部は、凸レンズ状または円筒レンズ状の任意の形
態に形成可能であり、レンズ面の形状も球面レンズまた
は非球面レンズでも良い。
板の凸部は、凸レンズ状または円筒レンズ状の任意の形
態に形成可能であり、レンズ面の形状も球面レンズまた
は非球面レンズでも良い。
【００２１】
【発明の効果】この発明の有機ＥＬ素子及びその製造方
法は、各発光単位毎の境界の導電部からも、透明な基板
の凸状の部分により広く放射され、発光面積を増大させ
ることができるものである。
法は、各発光単位毎の境界の導電部からも、透明な基板
の凸状の部分により広く放射され、発光面積を増大させ
ることができるものである。
【図１】この発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程の第一の基板の断面図である。
工程の第一の基板の断面図である。
【図２】この発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子の製造
工程の一断面図である。
工程の一断面図である。
【図３】この発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子の一断
面図である。
面図である。
【図４】この発明の第二実施形態の有機ＥＬ素子の製造
途中の断面図である。
途中の断面図である。
１０ 基板 １２ 透明電極 １４ 導電部 １６ ホール輸送材料 １７ 電子輸送材料 １８ 発光層 ２０ 背面電極
Claims (4)
- 【請求項１】 透明な基板表面に透明な電極材料による
透明電極が形成され、この透明電極に対向して背面電極
が形成され、上記透明電極と背面電極間に、ホール輸送
材料及び電子輸送材料その他発光材料による有機ＥＬ材
料からなる発光層が積層され、上記透明な基板の上記透
明電極が形成された面は、各発光層の発光単位とこの発
光層への導電部とが絶縁部を介して複数列形成され、上
記発光単位毎に上記透明基板が凸状に形成されている有
機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 上記基板の上記発光層の形成部分とは反
対側の面も、上記発光単位毎に上記導電部と対面する箇
所から連続して凸部が形成されている請求項１記載の有
機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 溶剤により除去可能な第一の基板を設
け、この第一の基板に所定ピッチで凹部を形成し、その
凹部が形成された面に一面に透明な電極材料による透明
電極を真空薄膜形成技術により形成し、この透明電極材
料をエッチングにより各発光単位毎に分離して独立に形
成し、その後上記各発光単位毎に対応して凹部が形成さ
れた成形型を上記第一の基板に対面させて固定し、上記
第一の基板と上記成形型との間に透明樹脂等を注入し、
硬化させて第二の基板を形成し、この後上記第一の基板
を溶剤により除去し、上記透明電極が露出した側の面
に、ホール輸送材料及び電子輸送材料その他発光材料に
よる有機ＥＬ材料からなる発光層を真空薄膜形成技術に
より積層し、さらに背面電極を形成する有機ＥＬ素子の
製造方法。 - 【請求項４】 溶剤により除去可能な第一の基板を設
け、この第一の基板に所定ピッチで凹部を形成し、その
凹部が形成された面に一面に透明な電極材料による透明
電極を真空薄膜形成技術により形成し、この透明電極材
料をエッチングにより各発光単位毎に分離して独立に形
成し、その後上記各発光単位毎に対応して凸状に形成さ
れた透明な第二の基板を上記第一の基板に接合し、この
後上記第一の基板を溶剤により除去し、上記透明電極が
露出した側の面に、ホール輸送材料及び電子輸送材料そ
の他発光材料による有機ＥＬ材料からなる発光層を真空
薄膜形成技術により積層し、さらに背面電極を形成する
有機ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9028436A JPH10208875A (ja) | 1997-01-27 | 1997-01-27 | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9028436A JPH10208875A (ja) | 1997-01-27 | 1997-01-27 | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10208875A true JPH10208875A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=12248625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9028436A Pending JPH10208875A (ja) | 1997-01-27 | 1997-01-27 | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10208875A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184567A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Canon Inc | 有機発光素子及びその製造方法 |
| JP2005107348A (ja) * | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プロジェクター |
| US7427223B2 (en) | 2001-01-29 | 2008-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light-emitting device, personal computer using the same, and portable telephone using the same |
| US7812345B2 (en) | 2008-02-28 | 2010-10-12 | Panasonic Corporation | Organic EL display panel |
| WO2011027754A1 (ja) | 2009-09-01 | 2011-03-10 | パナソニック電工株式会社 | 有機発光素子 |
| WO2014091197A1 (en) * | 2012-12-12 | 2014-06-19 | The University Of Warwick | Manufacturing method |
| JP2015082473A (ja) * | 2013-10-24 | 2015-04-27 | リコー光学株式会社 | 有機ｅｌ光源及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-01-27 JP JP9028436A patent/JPH10208875A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184567A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Canon Inc | 有機発光素子及びその製造方法 |
| JP4717200B2 (ja) * | 2000-12-15 | 2011-07-06 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子 |
| US7427223B2 (en) | 2001-01-29 | 2008-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light-emitting device, personal computer using the same, and portable telephone using the same |
| US7973471B2 (en) | 2001-01-29 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising transparent protrusion, first and second electrodes and organic layer |
| US8614547B2 (en) | 2001-01-29 | 2013-12-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| JP2005107348A (ja) * | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プロジェクター |
| US7812345B2 (en) | 2008-02-28 | 2010-10-12 | Panasonic Corporation | Organic EL display panel |
| WO2011027754A1 (ja) | 2009-09-01 | 2011-03-10 | パナソニック電工株式会社 | 有機発光素子 |
| JP2011054407A (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機発光素子 |
| US8519610B2 (en) | 2009-09-01 | 2013-08-27 | Panasonic Corporation | Organic luminescent element |
| WO2014091197A1 (en) * | 2012-12-12 | 2014-06-19 | The University Of Warwick | Manufacturing method |
| JP2015082473A (ja) * | 2013-10-24 | 2015-04-27 | リコー光学株式会社 | 有機ｅｌ光源及びその製造方法 |
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