JP2007311235A - デバイス、膜形成方法、及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】隔壁の表面における液体材料のピニングポイントを制御し、均一な薄膜を形成することができるデバイスを提供する。
【解決手段】本発明のデバイスは、隔壁Bと、前記隔壁Bによって区画された領域に設けられた膜F1〜F3と、前記隔壁Bの表面に設けられ、前記膜側に突出する無機材料からなる親液性の凸状部Pと、を有する。膜F1〜F3は、液体材料Lを隔壁Bによって区画された領域に配置することにより形成されており、凸状部Pの表面の一部は、膜F1〜F3によって覆われている。
【選択図】図1
【解決手段】本発明のデバイスは、隔壁Bと、前記隔壁Bによって区画された領域に設けられた膜F1〜F3と、前記隔壁Bの表面に設けられ、前記膜側に突出する無機材料からなる親液性の凸状部Pと、を有する。膜F1〜F3は、液体材料Lを隔壁Bによって区画された領域に配置することにより形成されており、凸状部Pの表面の一部は、膜F1〜F3によって覆われている。
【選択図】図1
Description
本発明は、デバイス、膜形成方法、及びデバイスの製造方法に関するものである。
近年、電子デバイスの製造方法として液相法を用いたデバイスの開発が進められている。例えば、特許文献1〜4では、有機EL装置の形成材料(正孔注入材料、発光材料)を液滴吐出法により基体上に配置する技術が開示されている。
図21は、液滴吐出法を用いた膜形成方法を説明するための説明図である。図21に示すように、従来の膜形成方法では、まず、膜F1を形成する領域の周囲に隔壁Bを形成する(図21(a))。そして、この隔壁Bの表面をCF4プラズマ処理等により撥液性に加工した後、隔壁Bによって区画された領域に、機能性材料を含む液体材料Lを吐出する。そして、これを乾燥することにより、機能性材料の膜を析出させる(図21(b))。
特開2002−237383号公報
特開2002−124381号公報
特開2004−111166号公報
特開2005−78911号公報
しかしながら、隔壁Bによって区画された領域に液体材料Lを配置する場合、液体材料Lの乾燥が開始する点は隔壁Bの表面において毎回同じ位置ではなく、乾燥が開始する位置がばらつく傾向がある。このため、乾燥開始位置のばらつきにより、隔壁表面に堆積する膜F2,F3の膜厚がばらつき、その影響で、中央部の膜F1においても膜中央部と膜周縁部とで膜厚が異なってしまい、均一な膜厚のパターンを形成することができないという問題があった。また、このような乾燥開始位置のばらつきは画素毎に不均一に発生するため、画素毎に均一な膜を形成することが困難になり、その結果、有機EL装置等の発光デバイスに適用した場合に、発光むらや暗点等の表示不良が生じる場合があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、隔壁の表面における液体材料の乾燥開始位置を制御し、均一な膜を形成することができるデバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するため、本発明のデバイスは、隔壁と、前記隔壁によって区画された領域に設けられた膜と、前記隔壁の表面に設けられ、前記膜側に突出する無機材料からなる凸状部と、を有することを特徴とする。
一般に、液相法で膜を形成する場合、基体上に配置された液体は縁(エッジ)において乾燥の進行が速い。液体の乾燥過程において、液体の縁における溶質濃度が飽和濃度に達すると、その縁において溶質が局所的に析出する。すると、その析出した溶質によって液体の縁がピン止めされたような状態となり、それ以降の乾燥に伴う液体の収縮(外径の収縮)が抑制される。以後、この現象、すなわち、縁で析出した溶質によって乾燥に伴う液体の収縮が抑制される現象を「ピニング」と呼び、このピニングが生じる位置を「ピニングポイント」と呼ぶ。
本発明は、隔壁に無機材料からなる親液性の凸状部を設けることで、液体材料のピニングポイント、すなわち液体材料の乾燥の開始される位置を制御するものである。すなわち、本発明においては、隔壁の表面に親液性を有する凸状部が形成されているので、液体材料を乾燥させる際に、液体材料の液面の位置を常に凸状部の形成された位置に固定(ピニング)することができる。このため、液体材料の乾燥過程においては、凸状部が乾燥の開始点となって液体材料の乾燥が行なわれ、従来のように乾燥開始位置がばらつくことによって膜の厚みが不均一になる等の問題は生じない。
本発明においては、前記凸状部は、前記液体材料を配置する領域を囲むように環状に形成されることが望ましい。ここで、前記凸状部は、前記液体材料を配置する領域を囲む環状の突起からなるものとすることができる。また、前記凸状部は、前記液体材料を配置する領域を囲むように配置された概略点状の複数の突起からなるものとすることができる。
この構成によれば、液体材料のピニングポイントを上記環状の凸状部に沿って配置することができる。これにより、液体材料を隔壁によって区画された領域内に均一に満たして均一な膜厚のパターンを形成することができる。
この構成によれば、液体材料のピニングポイントを上記環状の凸状部に沿って配置することができる。これにより、液体材料を隔壁によって区画された領域内に均一に満たして均一な膜厚のパターンを形成することができる。
本発明においては、前記凸状部は、前記隔壁の厚み方向に複数形成されることが望ましい。
この構成によれば、液体材料のピニングポイントを確実に制御することができる。
この構成によれば、液体材料のピニングポイントを確実に制御することができる。
本発明においては、前記膜は発光材料によって形成されるものとすることができる。この場合、前記凸状部は、光反射性の金属材料若しくは前記発光材料とは屈折率の異なる透光性材料によって形成されることが望ましい。
この構成によれば、膜パターンとして発光層が形成される。発光層で生じた光は等方的に放射されるので、発光層から取り出される光は発光層の膜厚方向に射出される光が中心となり、発光層の面方向に伝搬する光成分はほとんど取り出すことができない。しかし、本発明のように隔壁の表面に発光層側に突出する凸状部が設けられていると、前記面方向に伝搬する光成分の伝搬方向を凸状部で反射又は屈折させて変化させることができるので、当該光成分が外部に取り出し易くなる。また、凸状部を透光性の材料によって形成した場合、発光層で生じた光が凸状部によって遮光されることがないので、有機EL装置等のデバイスに適用した場合に開口率の低下が生じず、高輝度な発光デバイスが提供される。
この構成によれば、膜パターンとして発光層が形成される。発光層で生じた光は等方的に放射されるので、発光層から取り出される光は発光層の膜厚方向に射出される光が中心となり、発光層の面方向に伝搬する光成分はほとんど取り出すことができない。しかし、本発明のように隔壁の表面に発光層側に突出する凸状部が設けられていると、前記面方向に伝搬する光成分の伝搬方向を凸状部で反射又は屈折させて変化させることができるので、当該光成分が外部に取り出し易くなる。また、凸状部を透光性の材料によって形成した場合、発光層で生じた光が凸状部によって遮光されることがないので、有機EL装置等のデバイスに適用した場合に開口率の低下が生じず、高輝度な発光デバイスが提供される。
本発明の膜形成方法は、隔壁によって区画された領域に液体材料を配置して膜を形成する膜形成方法であって、前記隔壁の表面に前記液体材料に対して親液性を有する凸状部を形成する工程と、前記隔壁によって区画された領域に機能性材料を含む液体材料を配置する工程と、前記液体材料を乾燥して前記凸状部を覆う前記機能性材料の膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
この方法によれば、隔壁の表面に親液性を有する凸状部が形成されているので、液体材料を乾燥させる際に、液体材料の液面の位置を常に凸状部の形成された位置に固定(ピニング)することができる。このため、液体材料の乾燥過程においては、凸状部が乾燥の開始点となって液体材料の乾燥が行なわれ、従来のように乾燥開始位置がばらつくことによって膜の厚みが不均一になる等の問題は生じない。
なお、本明細書において「親液性」とは、隔壁によって区画される領域に配置される液体材料に対して親和性を示す特性をいい、「撥液性」とは、液体材料に対して非親和性を示す特性をいう。本発明において、凸状部の表面は、該凸状部が形成されない隔壁の表面に比べて相対的に親液性の高い状態に形成されていればよい。隔壁の表面は撥液性を有することが望ましいが、親液性を有していても相対的に凸状部よりも親液性の小さい状態に形成されていれば、液体材料の液面は凸状部の形成された位置に固定することができる。
また、本明細書において「機能性材料」とは、電気・電子的機能(導電性、絶縁性、圧電性、焦電性、誘電性等)、光学的機能(光選択吸収、反射性、偏光性、光選択透過性、非線形光学性、蛍光あるいはリン光等のルミネッセンス、フォトクロミック性等)、磁気的機能(硬磁性、軟磁性、非磁性、透磁性等)、化学的機能(吸着性、脱着性、触媒性、吸水性、イオン伝導性、酸化還元性、電気化学特性、エレクトロクロミック性等)、機械的機能(耐摩耗性等)、熱的機能(伝熱性、断熱性、赤外線放射性等)、生体的機能(生体適合性、抗血栓性等)等の種々の機能を持った材料をいう。また、機能性材料を含む液体材料とは、液体材料中に含まれる固形成分を膜化することによって、上述の機能を有する膜(機能膜)を形成し得るものをいう。例えば、発光装置における発光層を形成する場合には、機能性材料として蛍光あるいはリン光を有する材料を用いればよく、カラーフィルタを形成する場合には、顔料等の微粒子着色材料を用いればよい。また、液晶装置の透明画素電極を形成する場合には、インジウム錫酸化物(ITO)等の微粒子導電材料を用いればよい。
本発明においては、前記液体材料は発光材料を含むものとすることができる。
この方法によれば、膜パターンとして発光層が形成される。発光層から取り出される光は発光層の膜厚方向に射出される光が中心となり、発光層の面方向に伝搬する光成分はほとんど取り出すことができない。しかし、本発明のように隔壁の表面に発光層側に突出する凸状部が設けられていると、前記面方向に伝搬する光成分の伝搬方向を凸状部で反射又は屈折させて変化させることができるので、当該光成分が外部に取り出し易くなる。
この方法によれば、膜パターンとして発光層が形成される。発光層から取り出される光は発光層の膜厚方向に射出される光が中心となり、発光層の面方向に伝搬する光成分はほとんど取り出すことができない。しかし、本発明のように隔壁の表面に発光層側に突出する凸状部が設けられていると、前記面方向に伝搬する光成分の伝搬方向を凸状部で反射又は屈折させて変化させることができるので、当該光成分が外部に取り出し易くなる。
本発明のデバイスの製造方法は、隔壁によって区画された領域に液体材料を配置して膜を形成する工程を有するデバイスの製造方法であって、前記膜を形成する工程が、前述した本発明の膜形成方法により行なわれることを特徴とする。
この方法によれば、液体材料のピニングポイントを制御することにより均一な膜を形成することができるので、得られるデバイスも均一な特性を有するものとなる。
この方法によれば、液体材料のピニングポイントを制御することにより均一な膜を形成することができるので、得られるデバイスも均一な特性を有するものとなる。
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。なお、以下の図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材に縮尺は実際のものとは異なるように表している。
[膜形成方法]
図1は、本発明の膜形成方法を概念的に示す図である。本発明の膜形成方法は、基体上に液体材料を配置することにより膜を形成する膜形成方法であって、基体上に前記液体材料Lを配置する領域を区画する隔壁Bを形成する工程と、前記隔壁Bによって区画された領域に機能性材料を含む液体材料Lを配置する工程(図1(a))と、前記液体材料Lを乾燥して前記機能性材料からなる膜F1を形成する工程(図1(b))と、を有する。また、前記液体材料Lを配置するに際し、前記隔壁Bの表面に前記液体材料Lに対して親液性を有する凸状部Pを形成する工程を含み(図1(a))、前記凸状部Pによって液体材料Lの乾燥開始位置を制御し、それにより、形成される膜の偏り(膜F1〜F3の範囲、厚み、平坦性等)を制御することを特徴とする。
図1は、本発明の膜形成方法を概念的に示す図である。本発明の膜形成方法は、基体上に液体材料を配置することにより膜を形成する膜形成方法であって、基体上に前記液体材料Lを配置する領域を区画する隔壁Bを形成する工程と、前記隔壁Bによって区画された領域に機能性材料を含む液体材料Lを配置する工程(図1(a))と、前記液体材料Lを乾燥して前記機能性材料からなる膜F1を形成する工程(図1(b))と、を有する。また、前記液体材料Lを配置するに際し、前記隔壁Bの表面に前記液体材料Lに対して親液性を有する凸状部Pを形成する工程を含み(図1(a))、前記凸状部Pによって液体材料Lの乾燥開始位置を制御し、それにより、形成される膜の偏り(膜F1〜F3の範囲、厚み、平坦性等)を制御することを特徴とする。
隔壁Bは、基体上に設けられており、例えば、樹脂等の有機物あるいは無機物からなる。凸状部Pは、例えば、液体材料Lを配置する領域を囲むように環状に設けられている。凸状部Pは、例えば、液体材料Lを配置する領域を囲む環状の突起、又は液体材料Lを配置する領域を囲むように配置された概略点状の複数の突起として形成されている。この凸状部Pは、隔壁Bの表面に沿ってその厚み方向に複数形成されることが望ましい。また、液体材料Lとしては、水系及び有機系のいずれも適用される。
隔壁Bの表面は、例えば、CF4プラズマ処理等の撥液化処理により液体材料Lに対して撥液性に加工されている。凸状部Pは、このような撥液化処理された隔壁Bの表面に比べて相対的に高い親液性を有する領域である。このため、液体材料Lの乾燥過程においては、液体材料Lの液面が凸状部Pに固定(ピニング)された状態で乾燥が進む。すなわち、液体材料Lの乾燥開始位置(ピニングポイント)は凸状部Pが形成された領域に確実に固定されるようになり、従来のように乾燥開始位置がばらつくことによって、隔壁表面の膜F2,F3の膜厚が不均一になったり、隔壁底部に形成される膜F1の中央部と周縁部の膜厚が不均一になる等の問題は生じない。なお、隔壁Bの表面は撥液性を有することが望ましいが、親液性を有していても相対的に凸状部Pよりも親液性の小さい状態に形成されていれば、液体材料Lの液面は凸状部Pの形成された位置に固定することができる。
図2は、凸状部Pの他の構成を示す図である。図2では、凸状部Pは、隔壁Bの開口領域の平坦部に設けられている。隔壁Bの撥液性を強い場合には、隔壁Bの側壁面、すなわち非平坦部に凸状部Pを形成しても、凸状部Pがピニングポイントとして十分に機能しない場合がある。このため、このような場合には、隔壁の平坦部に凸状部Pを形成することで、凸状部Pをピニングポイントとして十分に機能させることができ、膜F1の均一性も高めることができる。
ここで、上記膜形成方法における液体材料の配置技術、すなわち、隔壁Bによる窪みの内部に液体材料Lを配置する技術としては、液滴吐出法(いわゆるインクジェット法)、ディスペンスコート法、あるいはスピンコート法など、各種コート法の適用が可能である。上記コート法のうち、液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。
液滴吐出技術(インクジェット法)としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式(ピエゾ方式)は、ピエゾ素子(圧電素子)がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル(泡)を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。
[デバイスの構成]
図3は、本発明のデバイスの一実施形態であるアクティブマトリクス型の表示装置(有機EL装置)を示す部分斜視図である。この表示装置1は、上記本発明の膜形成方法を用いて作製される有機EL素子を発光素子として備える。また、この表示装置1は、薄膜トランジスタを用いたアクティブ型の駆動方式を採用している。
図3は、本発明のデバイスの一実施形態であるアクティブマトリクス型の表示装置(有機EL装置)を示す部分斜視図である。この表示装置1は、上記本発明の膜形成方法を用いて作製される有機EL素子を発光素子として備える。また、この表示装置1は、薄膜トランジスタを用いたアクティブ型の駆動方式を採用している。
表示装置1は、基体2上に、回路素子としての薄膜トランジスタを含む回路素子部14、陽極である画素電極111、発光層を含む発光部11、陰極である対向電極12、及び封止部3等を備えている。
基体2としては、例えば、ガラス基板が用いられる。本発明における基板としては、ガラス基板の他に、シリコン基板、石英基板、セラミックス基板、金属基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム基板等、電気光学装置や回路基板に用いられる公知の様々な基板が適用される。
基体2上には、発光領域としての複数の画素領域Aがマトリクス状に配列されており、カラー表示を行う場合、例えば、赤(Red)、緑(Green)、青(Blue)の各色に対応する画素領域Aが所定の配列で並ぶ。各画素領域Aには、画素電極111が配置され、その近傍には信号線102、共通給電線103、走査線101及び図示しない他の画素電極用の走査線等が配置されている。画素領域Aの平面形状は、図に示す矩形の他に、円形、長円形など任意の形状が適用可能である。
封止部3は、水や酸素の侵入を防いで対向電極12あるいは発光部11の酸化を防止するものであり、基体2に塗布される封止樹脂、及び基体2に貼り合わされる封止基板(又は封止缶)604等を含む。封止樹脂の材料としては、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の1種であるエポキシ樹脂が好ましく用いられる。封止基板604は、ガラスや金属等からなり、基体2と封止基板604とはシール剤を介して貼り合わされている。基体2の内側には乾燥剤が配置されており、基板間に形成された空間には不活性ガスを充填した不活性ガス充填層605が形成されている。
画素領域Aには、走査線101を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の第1の薄膜トランジスタ122と、この薄膜トランジスタ122を介して信号線102から供給される画像信号を保持する保持容量capと、保持容量capによって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用の第2の薄膜トランジスタ123と、この薄膜トランジスタ123を介して共通給電線103に電気的に接続したときに共通給電線103から駆動電流が流れ込む画素電極111と、画素電極111と対向電極12との間に挟み込まれる発光部11とが設けられている。発光部11は、発光層としての有機EL層を含む層(機能層)を含み、発光素子である有機EL素子10は、画素電極111、対向電極12、及び発光部11等を含んで構成される。
画素領域Aでは、走査線101が駆動されて第1の薄膜トランジスタ122がオンになると、そのときの信号線102の電位が保持容量capに保持され、この保持容量capの状態に応じて、第2の薄膜トランジスタ123の導通状態が決まる。また、第2の薄膜トランジスタ123のチャネルを介して共通給電線103から画素電極111に電流が流れ、さらに発光部11を通じて対向電極12に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて、発光部11が発光する。
表示装置1においては、発光部11から基体2側に発した光が、回路素子部14及び基体2を透過して基体2の下側(観測者側)に出射されるとともに、発光部11から基体2の反対側に発した光が対向電極12により反射されて、その光が回路素子部14及び基体2を透過して基体2の下側(観測者側)に出射される(ボトムエミッション型)。なお、対向電極12として、透明な材料を用いることにより対向電極側から発光する光を出射させることもできる(トップエミッション型)。この場合、対向電極用の透明な材料としては、ITO、Pt、Ir、Ni、もしくはPdを用いることができる。
ここで、図4に示す平面構造をみると、画素領域Aは、平面視略矩形状の画素電極111の四辺が、上述した信号線102、共通給電線103、走査線101によって囲まれた配置となっている。画素領域Aの四辺は、隔壁112によって囲まれている。隔壁112は、画素電極111の形成領域に対応した平面視略矩形状の開口部112gを有しており、この開口部112gに有機EL素子が形成されている。開口部112gは、下部開口部112cと上部開口部112dによって構成されており、下部開口部112cから上部開口部112dにわたってテーパ状の側壁面が形成されている。また、下部開口部112c近傍には平坦部112eが設けられている。
第2隔壁層112bの平坦部112e及びこれに連なるテーパ状の側壁面には、概略点状の複数の突起112pからなる凸状部Pが設けられている。突起112pの表面は、隔壁112の他の面と比較して相対的に親液性の高い面とされている。突起112pは平面視千鳥状態に配置されており、かかる突起112pが画素電極111の四辺に沿って環状に配置されて環状の親液領域が形成されている。なお、突起112pは図4(b)に示したような概略点状のものに限らず、図5(a)のようなストライプ状のもの(環状の突起)や、図5(b)のような格子状のもの(格子状の突起)とすることも可能である。
突起112pとしては、酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁材料及びアルミニウム、チタン、クロム、タングステン等の金属材料のいずれも適用される。例えば、突起112pを有機EL素子(発光層)と屈折率の異なる透光性の材料、又はアルミニウム等の光反射性の材料で形成した場合、有機EL素子で生じた光のうち基体2に平行に伝播する光成分の伝播方向を突起112pによって屈折又は反射させて変化させることができるので、当該光成分を表示光として取り出しやすくなる。
図6は、上記表示装置1における画素領域A近傍の断面構造を拡大した図である。図6には、3つの画素領域Aが示されている。図6に示すように、基体2上には、シリコン酸化膜からなる下地保護膜2cが形成され、この下地保護膜2c上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜141が形成されている。半導体膜141には、ソース領域141b及びドレイン領域141aが高濃度Pイオン打ち込みにより形成され、Pが導入されなかった部分がチャネル領域141cとなっている。さらに、下地保護膜2c及び半導体膜141を覆う透明なゲート絶縁膜142が形成され、ゲート絶縁膜142上にAl、Mo、Ta、Ti、W等からなるゲート電極143(走査線)が形成され、ゲート電極143及びゲート絶縁膜142上に透明な第1層間絶縁膜144aと第2層間絶縁膜144bが形成されている。ゲート電極143は半導体膜141のチャネル領域141cに対応する位置に設けられている。また、第1、第2層間絶縁膜144a、144bを貫通して、半導体膜141のソース、ドレイン領域141b、141aにそれぞれ接続されるコンタクトホール146、145が形成されている。なお、下地保護膜2cから第2層間絶縁膜144bまでの層によって回路素子部14が形成されている。
第2層間絶縁膜144b上には、ITO等からなる透明な画素電極111が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール145がこの画素電極111に接続されている。また、もう一方のコンタクトホール146が共通給電線103に接続されている。このように、回路素子部14には、各画素電極111に接続された駆動用の薄膜トランジスタ123が形成されている。なお、回路素子部14には、前述した保持容量cap及びスイッチング用の薄膜トランジスタ122も形成されているが、図6ではこれらの図示を省略している。
発光部11は、複数の画素電極111…上の各々の上に積層された機能層110と、各画素電極111及び機能層110の間に備えられて各機能層110を区画する隔壁112とを主体に構成されている。また、機能層110上には対向電極12が配置されている。発光素子である有機EL素子10は、画素電極111、対向電極12、及び機能層110等を含んで構成される。ここで、画素電極111は、例えばITOにより形成されており、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極111の厚さは、50〜200nmの範囲が好ましく、150nm程度がよい。また、各画素電極111…の間には、隔壁112が備えられている。
図7は、隔壁112の平面構造の形態例を示している。隔壁112は、複数の画素領域Aの境界に位置し、複数の画素領域Aの配列に対応して開口を有して形成されている。図7(a)の例では、隔壁112は、マトリクス状に配列される複数の画素領域Aに対応して格子状に設けられている。また、図7(b)の例では、隔壁112は、ストライプ状に配列される複数の画素領域Aに対応してストライプ状に設けられている。なお、画素領域Aの配列及び隔壁112の平面形状はこれに限定されず、例えば一列ごとにずれた配列となるいわゆるデルタ配列の画素領域とそれに応じた隔壁形状としてもよい。本例では、隔壁112は図7(a)に示す格子状の平面構造からなる。
図6に戻り、隔壁112は、基体2側から順に、第1隔壁層112a及び第2隔壁層112bを備えている。第1隔壁層112aは、画素電極111の周縁部上に乗上げるように形成されている。平面的には、画素電極111の周囲と第1隔壁層112aとが平面的に重なるように配置された構造となっている。
第1隔壁層112a及び第2隔壁層112bは、画素電極111上に開口部を有しており、これらが連通して隔壁112の開口部112gを形成している。第2隔壁層112bは、その底面側から上面112f側にかけてテーパ状の開口部を有しており、上面側の開口部である上部開口部112dは下面側の開口部である下部開口部よりも広くなっている。第2隔壁層112bの下部開口部は第1隔壁層112aの開口部と面一に形成されており、これらが連通して隔壁112の下部開口部112cを形成している。第2隔壁層112bにおいて下部開口部112cの近傍には平坦部112eが形成されている。平坦部112e及びこれに連なるテーパ状の側壁面には、親液領域としての突起112pが形成されている。
第1隔壁層112aは、例えば、酸化シリコン等の無機材料からなる。第1隔壁層112aの厚さ(高さ)は、例えば、50〜200nmの範囲に設定される。また、第2隔壁層112bは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のある有機材料からなる。第2隔壁層112bの厚さ(高さ)は、例えば、0.1〜3.5μm程度に設定される。なお、上記隔壁の厚さは一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。
なお、隔壁112は上述した2層構造のものに限らず、有機物層若しくは無機物層からなる単層構造のものを用いてもよい。この場合、有機物層としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性の高い材料が用いられる。また、無機物層としては、ポリシラザン、ポリシロキサン等が用いられる。また、ポリシロキサン等を含有した有機・無機ハイブリッド材料を用いることもできる。
第1隔壁層112aの表面は親液性に加工されている。また、第2隔壁層112bの表面は撥液性に加工されている。撥液性を示す領域は、4フッ化メタン、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭素を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理(撥液性に処理)されている。
機能層110は、画素電極111上に積層された正孔注入/輸送層110aと、正孔注入/輸送層110a上に隣接して形成された発光層110bとから構成されている。なお、発光層110bに隣接してその他の機能を有する他の機能層をさらに形成してもよい。例えば、電子輸送層を形成してもよい。
正孔注入/輸送層110aは、正孔を発光層110bに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入/輸送層110aの内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入/輸送層110aを画素電極111と発光層110bの間に設けることにより、発光層110bの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層110bでは、正孔注入/輸送層110aから注入された正孔と、対向電極12から注入される電子が再結合し、発光が得られる。
発光層110bは、赤色(R)に発光する赤色発光層110b1、緑色(G)に発光する緑色発光層110b2、及び青色(B)に発光する青色発光層110b3、の3種類を有し、各発光層110b1〜290b3がストライプ状に配置されている。
正孔注入/輸送層110aの形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、この他にも、特に限定されることなく公知の様々な材料が使用可能であり、例えばピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等が挙げられる。さらに、正孔注入/輸送層の形成材料として、銅フタロシアニン(CuPc)や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、1,1−ビス−(4−N,N−ジトリルアミノフェニル)シクロヘキサン、トリス(8−ヒドロキシキノリノール)アルミニウム等も適用される。
また、発光層110bの材料としては、例えば、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、ペリレン、9,10-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等をドープして用いることができる。
対向電極12は、発光部11の全面に形成されており、画素電極111と対になって機能層110に電流を流す役割を果たす。この対向電極12は、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。
このとき、発光層に近い側の対向電極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層110bに直接に接して発光層110bに電子を注入する役割を果たす。また、フッ化リチウムは発光層の材料によっては効率よく発光させるために、発光層110bと対向電極12との間にフッ化リチウムを形成する場合もある。なお、赤色及び緑色の発光層110b1、110b2にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用いてもよい。従ってこの場合は青色(B)発光層110b3のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層110b1、110b3にはフッ化リチウム以外のものを積層してもよい。また、赤色及び緑色の発光層110b1、110b2上にはフッ化リチウムを形成せず、カルシウムのみを形成してもよい。この場合、フッ化リチウムの厚さは、例えば2〜5nmの範囲が好ましく、特に2nm程度がよい。またカルシウムの厚さは、例えば2〜50nmの範囲が好ましい。
また、対向電極12を形成するアルミニウムは、発光層110bから発した光を基体2側に反射させるもので、アルミニウムの他、銀、又はアルミニウムと銀の積層膜等からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば100〜1000nmの範囲が好ましく、特に200nm程度がよい。さらにアルミニウム上に酸化シリコン、窒化シリコン等からなる酸化防止用の保護層を設けてもよい。
[デバイスの製造方法]
次に、本発明のデバイスの製造方法の一実施形態として、上記表示装置1の製造方法を説明する。ここでは、(1)隔壁形成工程、(2)凸状部形成工程、(3)プラズマ処理工程、(4)正孔注入/輸送層形成工程、(5)発光層形成工程、(6)対向電極形成工程を中心に説明する。
次に、本発明のデバイスの製造方法の一実施形態として、上記表示装置1の製造方法を説明する。ここでは、(1)隔壁形成工程、(2)凸状部形成工程、(3)プラズマ処理工程、(4)正孔注入/輸送層形成工程、(5)発光層形成工程、(6)対向電極形成工程を中心に説明する。
(1)隔壁形成工程
まず、図8に示すように、公知の手法を用いて、基体2上に回路素子部14及び画素電極111を形成し、この回路素子部14上に第1隔壁層112a及び第2隔壁層112bからなる隔壁112を形成する。第1隔壁層112a及び第2隔壁層112bは下部開口部112cにおいて面一に形成される。例えば、酸化シリコン等の無機絶縁膜を画素電極111を含む第2層間絶縁膜144b上の全面に成膜し、該無機絶縁膜上の全面に有機絶縁膜を形成した後、該有機絶縁膜に開口部を形成する。そして、この開口部を形成した有機絶縁膜をマスクとして無機絶縁膜をエッチング処理する。この処理により、有機絶縁膜からなる第2隔壁層11bと無機絶縁膜からなる第1隔壁層112aが形成される。なお、第2隔壁層112bは下部開口部112cにおいて平坦面112eが形成される。
まず、図8に示すように、公知の手法を用いて、基体2上に回路素子部14及び画素電極111を形成し、この回路素子部14上に第1隔壁層112a及び第2隔壁層112bからなる隔壁112を形成する。第1隔壁層112a及び第2隔壁層112bは下部開口部112cにおいて面一に形成される。例えば、酸化シリコン等の無機絶縁膜を画素電極111を含む第2層間絶縁膜144b上の全面に成膜し、該無機絶縁膜上の全面に有機絶縁膜を形成した後、該有機絶縁膜に開口部を形成する。そして、この開口部を形成した有機絶縁膜をマスクとして無機絶縁膜をエッチング処理する。この処理により、有機絶縁膜からなる第2隔壁層11bと無機絶縁膜からなる第1隔壁層112aが形成される。なお、第2隔壁層112bは下部開口部112cにおいて平坦面112eが形成される。
(2)凸状部形成工程
次に、図9に示すように、第2隔壁層112bの表面に概略点状の複数の突起112pからなる凸状部を形成する。この突起112pは、画素電極111の外周に沿って環状に形成される。例えば、酸化シリコン等の親液性の高い無機膜を隔壁112及び画素電極111を含む第2層間絶縁膜144b上の全面に成膜し、該無機膜を画素電極111の外周に沿って環状にパターニングすることにより環状の突起112pが形成される。別の方法として、ポリシロキサン,ポリシラザン等を用いてインクジェット法で所定の位置に凸形状に成膜しても良い。図9では、隔壁112の平坦部112e上及び隔壁112の側壁面上に、それぞれ複数の突起112pからなる環状の凸状部が形成されている。凸状部は隔壁112の表面に沿って隔壁112の厚み方向に複数形成されている。
次に、図9に示すように、第2隔壁層112bの表面に概略点状の複数の突起112pからなる凸状部を形成する。この突起112pは、画素電極111の外周に沿って環状に形成される。例えば、酸化シリコン等の親液性の高い無機膜を隔壁112及び画素電極111を含む第2層間絶縁膜144b上の全面に成膜し、該無機膜を画素電極111の外周に沿って環状にパターニングすることにより環状の突起112pが形成される。別の方法として、ポリシロキサン,ポリシラザン等を用いてインクジェット法で所定の位置に凸形状に成膜しても良い。図9では、隔壁112の平坦部112e上及び隔壁112の側壁面上に、それぞれ複数の突起112pからなる環状の凸状部が形成されている。凸状部は隔壁112の表面に沿って隔壁112の厚み方向に複数形成されている。
(3)プラズマ処理工程
次に、基体2に対してプラズマ処理を施す。プラズマ処理工程は、画素電極111の表面を活性化すること、隔壁12の表面を表面処理することなどを目的としている。プラズマ処理工程は、(3−1)活性化工程、(3−2)撥液処理工程を含む。
(3−1)活性化工程
まず、図10に示すように、基体2に対して、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとしてプラズマ処理(O2プラズマ処理)を行う。O2プラズマ処理は、画素電極の仕事関数の調整及び制御、画素電極表面の洗浄、及び画素電極表面の親液化などを目的としている。また、O2プラズマ処理により、画素電極とともに隔壁表面が親液化され、次の撥液化工程において、隔壁の撥液化が促進される。O2プラズマ処理により、画素電極111の電極面111a、隔壁112の壁面、平坦部112e、上面112f、突起112pの表面が親液処理される。つまり、これらの各面に水酸基が導入されて親液性が付与される。図10では、親液処理された部分を一点鎖線で示している。なお、このO2プラズマ処理により、上述した画素電極111の洗浄、仕事関数の調整も行われる。
次に、基体2に対してプラズマ処理を施す。プラズマ処理工程は、画素電極111の表面を活性化すること、隔壁12の表面を表面処理することなどを目的としている。プラズマ処理工程は、(3−1)活性化工程、(3−2)撥液処理工程を含む。
(3−1)活性化工程
まず、図10に示すように、基体2に対して、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとしてプラズマ処理(O2プラズマ処理)を行う。O2プラズマ処理は、画素電極の仕事関数の調整及び制御、画素電極表面の洗浄、及び画素電極表面の親液化などを目的としている。また、O2プラズマ処理により、画素電極とともに隔壁表面が親液化され、次の撥液化工程において、隔壁の撥液化が促進される。O2プラズマ処理により、画素電極111の電極面111a、隔壁112の壁面、平坦部112e、上面112f、突起112pの表面が親液処理される。つまり、これらの各面に水酸基が導入されて親液性が付与される。図10では、親液処理された部分を一点鎖線で示している。なお、このO2プラズマ処理により、上述した画素電極111の洗浄、仕事関数の調整も行われる。
(3−2)撥液処理工程
次に、図11に示すように、基体2に対して、大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理(CF4プラズマ処理)を行う。なお、処理ガスは、テトラフルオロメタン(四フッ化炭素)に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いてもよい。また、処理雰囲気は、大気雰囲気に限らず、例えば真空下としてもよい。CF4プラズマ処理により、第2隔壁層112bの壁面、平坦部112e、上面112fが撥液処理される。つまり、これらの各面にフッ素基が導入されて撥液性が付与される。図11では、撥液性を示す領域を二点鎖線で示している。なお、画素電極111の電極面111aもこのCF4プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ性に影響を与える事は少ない。
次に、図11に示すように、基体2に対して、大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理(CF4プラズマ処理)を行う。なお、処理ガスは、テトラフルオロメタン(四フッ化炭素)に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いてもよい。また、処理雰囲気は、大気雰囲気に限らず、例えば真空下としてもよい。CF4プラズマ処理により、第2隔壁層112bの壁面、平坦部112e、上面112fが撥液処理される。つまり、これらの各面にフッ素基が導入されて撥液性が付与される。図11では、撥液性を示す領域を二点鎖線で示している。なお、画素電極111の電極面111aもこのCF4プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ性に影響を与える事は少ない。
(4)正孔注入/輸送層形成工程
次に、図12に示すように、液滴吐出法(インクジェット法)を用いて、正孔注入/輸送層の形成材料を含む第1組成物(液体材料)110cを画素電極111上に吐出する。第1組成物110cの吐出は、インクジェットヘッドH1の吐出ノズルH2を隔壁112の開口位置に配置し、インクジェットヘッドH1と基体2とを相対的に移動させながら行なう。
次に、図12に示すように、液滴吐出法(インクジェット法)を用いて、正孔注入/輸送層の形成材料を含む第1組成物(液体材料)110cを画素電極111上に吐出する。第1組成物110cの吐出は、インクジェットヘッドH1の吐出ノズルH2を隔壁112の開口位置に配置し、インクジェットヘッドH1と基体2とを相対的に移動させながら行なう。
第1組成物110cとしては、前述した正孔注入/輸送層形成材料を極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール(IPA)、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン(NMP)、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。なお、第1組成物110cの組成は上記例に限定されるものではない。また、正孔注入/輸送層の形成材料として、赤(R)、緑(G)、青(B)の各発光層に対して同じ材料を用いてもよく、各発光層ごとに変えてもよい。
第1組成物110cの吐出量は、隔壁112による窪み(開口)の大きさ、形成しようとする正孔注入/輸送層の厚さ、第1組成物中の正孔注入/輸送層形成材料の濃度等により決定される。また、第1組成物を一度に隔壁間に配置してもよく、数回に分けて配置してもよい。この場合、各回における第1組成物の量は同一でもよく、各回ごとにその量を変えてもよい。さらに、ある画素電極に対して毎回同じ位置から第1組成物を吐出してもよく、各回ごとに位置をずらしながら吐出してもよい。
吐出された第1組成物110cの液滴は、親液処理された画素電極111の電極面上に広がり、隔壁112間に充填される。隔壁112表面(上面112f)が撥液性に加工されているので、仮に、第1組成物110cが所定の吐出位置から外れて隔壁112の上面112fに吐出されたとしても、その上面112fで第1組成物110cの液滴がはじかれ、隔壁112の開口部112gに転がり込む。
続いて、図13に示すように、画素電極111上に配置された第1組成物110cを乾燥し、画素電極111上に正孔注入/輸送層の膜を形成する。この正孔注入/輸送層形成工程を含めこれ以降の工程は、水、酸素の無い雰囲気とするのが好ましい。例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
第1組成物110cは、その乾燥過程において図13に示すようにその液面が徐々に低下し、最終的に第1組成物中の溶質(正孔注入/輸送層の形成材料)のみが析出して正孔注入/輸送層を形成する。このとき、乾燥初期には隔壁112の開口部112g内で断面凸形の液面を成しているが、液量が少なくなるにつれて隔壁112の内壁に引っ張られるように断面凹形の液面形状となっていく。これは隔壁112表面に撥液処理が施されているとはいえ表面張力があるため、この表面張力によって液面が引っ張られるためであるが、このとき液面とともに第1組成物110cの内部でも隔壁112側へ向かって液体が流動し、溶質(正孔注入/輸送層形成材料)が隔壁112側へ移動する。
ここで、突起112pが設けられていないとすると、第1組成物110cの乾燥の開始点が特定されないため、溶質の乾燥、析出が隔壁112の開口部112g内で不均一に発生する。また、隔壁表面に不均一に堆積した膜の影響によって、隔壁112の下部開口部112cに堆積する溶質の膜(正孔注入/輸送層)も画素電極111上のいずれかに偏在したものとなり、平坦性の悪いものとなる。一方、突起112pが設けられていると、突起112pの配置された部分に第1組成物110cの液面が固定(ピニング)されるため、この突起112pが乾燥の開始点となって溶質の堆積が隔壁表面及び隔壁112の開口領域内に均一に行なわれ、その結果、得られる正孔注入/輸送層も膜厚、膜質が均一であり、その表面の平坦性にも優れたものとなる。
図14は、正孔注入/輸送層110aを形成した状態を示す図である。図14において、隔壁112の平坦部112e上及び隔壁112の側壁面上に、突起112pを覆って正孔注入/輸送層形成材料からなる周縁部110a2が形成されている。この周縁部110a2は、上部開口部112dの壁面全周にわたって均一に形成されている。このため、この周縁部110a2の影響によって、下部開口部112c内に形成される正孔注入/輸送層110a1の膜厚も均一なものとなっている。なお、正孔注入/輸送層110a1と周縁部110a2との間には撥液性を有する第2隔壁層112b(112e)が設けられているため、これらの間は膜が途切れた状態となっている。したがって、正孔注入/輸送層110a1から周縁部110a2への正孔の注入/輸送は行なわれず、周縁部110a2が表示に悪影響を及ぼすことはない。
(5)発光層形成工程
次に、図15に示すように、上記正孔注入/輸送層形成工程と同様に、液滴吐出法(インクジェット法)を用いることにより、各色(例えばここでは青色(B))の発光層の形成材料を含む第2組成物(液体材料)110eを正孔注入/輸送層110a上に吐出する。第2組成物110eの吐出は、インクジェットヘッドH3の吐出ノズルH4を隔壁112の開口位置に配置し、インクジェットヘッドH3と基体2とを相対的に移動させながら行なう。
次に、図15に示すように、上記正孔注入/輸送層形成工程と同様に、液滴吐出法(インクジェット法)を用いることにより、各色(例えばここでは青色(B))の発光層の形成材料を含む第2組成物(液体材料)110eを正孔注入/輸送層110a上に吐出する。第2組成物110eの吐出は、インクジェットヘッドH3の吐出ノズルH4を隔壁112の開口位置に配置し、インクジェットヘッドH3と基体2とを相対的に移動させながら行なう。
第2組成物110eとしては、前述した発光層形成材料を非極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。非極性溶媒としては、正孔注入/輸送層110aに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。
第2組成物110eの吐出量は、隔壁による窪み(開口)の大きさ、形成しようとする発光層の厚さ、第2組成物中の発光層形成材料の濃度等により決定される。また、第2組成物を一度に隔壁間に配置してもよく、数回に分けて配置してもよい。この場合、各回における第2組成物の量は同一でもよく、各回ごとにその量を変えてもよい。さらに、ある画素電極に対して毎回同じ位置から第2組成物を吐出してもよく、各回ごとに位置をずらしながら吐出してもよい。
続いて、図16に示すように、画素電極111上に配置された第2組成物110eを乾燥し、正孔注入/輸送層110a上に発光層の膜を形成する。
第2組成物110eは、その乾燥過程において図16に示すようにその液面が徐々に低下し、最終的に第2組成物中の溶質(発光層の形成材料)のみが析出して発光層を形成する。このとき、隔壁表面に設けられた突起112p及びその表面に配置される正孔注入/輸送層形成材料からなる周縁部110a2が乾燥の開始点となり、溶質の堆積が隔壁表面及び隔壁112の開口領域内に均一に行なわれ、その結果、得られる発光層も膜厚、膜質が均一であり、その表面の平坦性にも優れたものとなる。
図17は、発光層110b(青色(B)の発光層110b3)を形成した状態を示す図である。図17において、発光層110bは周縁部110a2上において突起112p及び周縁部110a2を覆って形成されている。この部分の発光層は断面凹形の膜形状を成しているが、正孔注入/輸送層110a1が配置された部分においては概ね平坦な膜形状を成している。断面凹形に形成された部分は、前述したように正孔が注入されないため、発光に寄与せず、したがって表示に悪影響を及ぼすことはない。
続いて、図18に示すように、正孔注入/輸送層110a上に、赤色(R)、緑色(G)の発光層110b1、110b2を形成する。これらの形成方法は、青色の発光層110b3の場合と同様である。
(6)対向電極形成工程
次に、図19に示すように、発光層110b及び隔壁112の全面に対向電極12を形成する。対向電極12は複数の材料を積層して形成してもよい。例えば、発光層に近い側には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、例えばCa、Ba等を用いることが可能であり、また材料によっては下層にLiF等を薄く形成した方がよい場合もある。また、上部側(封止側)には下部側よりも仕事関数が高い材料、例えばAlを用いる事もできる。また、対向電極12上に、酸化防止のために酸化シリコン、窒化シリコン等の保護層を設けてもよい。
次に、図19に示すように、発光層110b及び隔壁112の全面に対向電極12を形成する。対向電極12は複数の材料を積層して形成してもよい。例えば、発光層に近い側には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、例えばCa、Ba等を用いることが可能であり、また材料によっては下層にLiF等を薄く形成した方がよい場合もある。また、上部側(封止側)には下部側よりも仕事関数が高い材料、例えばAlを用いる事もできる。また、対向電極12上に、酸化防止のために酸化シリコン、窒化シリコン等の保護層を設けてもよい。
以上の工程により、基体2上に発光部11が形成され、有機EL素子10が形成される。この後、有機EL素子が形成された基体2を封止し、基体2の配線に対向電極12を接続するとともに、基体2上あるいは外部に設けられる駆動IC(駆動回路)に回路素子部14の配線を接続することにより、表示装置1が完成する。
[電子機器]
図20は、上記表示装置を備えた電子機器の一例を示す斜視構成図である。
図20に示す映像モニタ1200は、先の実施形態の表示装置を備えた表示部1201と、筐体1202と、スピーカ1203等を備えて構成されている。そして、この映像モニタ1200は、先の表示装置により高画質で、均一な明るさの表示が可能である。特に大型のパネルでは画素が大型であるため、発光部である有機機能層を均一に形成するのが困難になるが、本発明に係る表示装置では、任意の大きさの有機機能層を均一に形成できるため、大型のパネルに用いて好適な表示装置となっている。
図20は、上記表示装置を備えた電子機器の一例を示す斜視構成図である。
図20に示す映像モニタ1200は、先の実施形態の表示装置を備えた表示部1201と、筐体1202と、スピーカ1203等を備えて構成されている。そして、この映像モニタ1200は、先の表示装置により高画質で、均一な明るさの表示が可能である。特に大型のパネルでは画素が大型であるため、発光部である有機機能層を均一に形成するのが困難になるが、本発明に係る表示装置では、任意の大きさの有機機能層を均一に形成できるため、大型のパネルに用いて好適な表示装置となっている。
上記各実施の形態の表示装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの機器においても、高画質表示が可能になっている。
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
1…表示装置(デバイス)、110a…正孔注入/輸送層、110b…発光層、110c…第1組成物(液体材料)、110e…第2組成物(液体材料)、112…隔壁、112g…開口部(隔壁によって区画された領域)、112p…凸状部(突起)、B…隔壁、F1,F2,F3…膜、L…液体材料、P…凸状部
Claims (11)
- 隔壁と、前記隔壁によって区画された領域に設けられた膜と、前記隔壁の表面に設けられ、前記膜側に突出する無機材料からなる凸状部とを有することを特徴とするデバイス。
- 前記凸状部は、前記膜が形成される領域を囲むように環状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記凸状部は、前記膜が形成される領域を囲む環状の突起からなることを特徴とする請求項2に記載のデバイス。
- 前記凸状部は、前記膜が形成される領域を囲むように配置された概略点状の複数の突起からなることを特徴とする請求項2に記載のデバイス。
- 前記凸状部は、前記隔壁の厚み方向に複数形成されることを特徴とする請求項2〜4のいずれかの項に記載のデバイス。
- 前記膜は発光材料によって形成されることを特徴とする請求項1〜5のいずれかの項に記載のデバイス。
- 前記凸状部は光反射性の金属材料によって形成されることを特徴とする請求項6に記載のデバイス。
- 前記凸状部は前記発光材料とは屈折率の異なる透光性材料によって形成されることを特徴とする請求項6に記載のデバイス。
- 隔壁によって区画された領域に液体材料を配置して膜を形成する膜形成方法であって、
前記隔壁の表面に前記液体材料に対して親液性を有する凸状部を形成する工程と、
前記隔壁によって区画された領域に機能性材料を含む液体材料を配置する工程と、
前記液体材料を乾燥して前記凸状部を覆う前記機能性材料の膜を形成する工程と、を有することを特徴とする膜形成方法。 - 前記液体材料は発光材料を含むことを特徴とする請求項9に記載の膜形成方法。
- 隔壁によって区画された領域に液体材料を配置して膜を形成する工程を有するデバイスの製造方法であって、
前記膜を形成する工程が、請求項9又は10に記載の膜形成方法により行なわれることを特徴とするデバイスの製造方法。
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