JP2003186420A

JP2003186420A - アクティブマトリクス基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器

Info

Publication number: JP2003186420A
Application number: JP2001389671A
Authority: JP
Inventors: Yojiro Matsueda; 洋二郎松枝
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2001-12-21
Filing date: 2001-12-21
Publication date: 2003-07-04

Abstract

(57)【要約】【課題】電気光学装置の大型化や高精細化を可能にす
るべく、対向電極の低抵抗化を図ったアクティブマトリ
クス基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及
び電子機器を提供する。【解決手段】アクティブ素子を有する基体上に、絶縁
性材料からなる隔壁１５０により隔てられた複数の画素
電極１４１と、画素電極１４１上に配置された発光層１
４０Ｂを含む積層体と、積層体上に配置された対向電極
１５４と、を備えた電気光学装置である。隔壁１５０上
には、画素電極１４１とは絶縁された導電部１５１が配
置されている。この導電部１５１は対向電極１５４と接
続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及
び電子機器に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶ディスプレイに替わる自発発
光型ディスプレイとして、発光層に有機物を用いた電気
光学装置が提供されている。このような電気光学装置と
しては、現在のところスイッチング素子となるＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）を形成するＴＦＴ基板に透明基板
が用いられ、発光層で発光された光がこの透明基板を透
過することにより、外部に光を出射させるものが一般的
である。

【０００３】ところで、前記の光が透明基板を透過する
タイプの電気光学装置では、ＴＦＴ基板上にスイッチン
グ素子となるＴＦＴが形成されていることから、このＴ
ＦＴ部分に光を透過させることができず、したがって開
口率が低いことにより、これを用いたディスプレイの大
型化（大画面化）が困難であるといった課題がある。す
なわち、大型化した場合には、各配線、例えば走査線や
信号線などの抵抗を下げるため配線幅を広げる必要があ
るが、そのようにすると開口率がより低くなってしま
い、所望する良好な画質が得られにくくなってしまうか
らである。

【０００４】そこで、このような課題を解決してディス
プレイの大型化（大画面化）を可能にするべく、光が透
明基板を透過するタイプでなく、ＴＦＴ基板と反対の側
に光を出射させるタイプのものの、実用化が図られてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】基板と反対の側に光を
出射させるタイプのものでは、発光層からの光が出射す
る側の電極、すなわち対向電極を、透明な導電材料によ
って形成する必要がある。しかしながら、透明な導電材
料で、かつ実用に耐えられものとしては、十分に低抵抗
な材料がなく、したがって基板と反対の側に光を出射さ
せるタイプの電気光学装置においても、その大画面化、
さらにはその高精細化が困難であるといった課題があ
る。

【０００６】すなわち、例えば有機ＥＬ素子からなる電
気光学装置は、その駆動方式が電流によるものであるこ
とから、例えば電圧による駆動方式の液晶素子に比べ
て、画素間で均一な表示を行わせ、これにより面内均一
性を確保するためには、各画素に流れる電流がより均一
になるような制御を行う必要がある。

【０００７】しかしながら、有機ＥＬ素子からなる電気
光学装置では、前述したようにこれを大型化（大画面
化）する場合、配線の末端側にまで電流が流れにくくな
ることから、配線抵抗を十分に下げ、これにより配線末
端側にまで電流が均一に流れるようにする必要がある。
また、高精細化する場合にも、走査のための選択時間を
短くする必要上、やはり配線抵抗を十分に下げる必要が
ある。しかして、前述したように現状では、透明な導電
材料でかつ実用に耐えられものとして十分に低抵抗な材
料がなく、したがって大型化や高精細化を達成し得ない
のである。

【０００８】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、電気光学装置の大型化や
高精細化を可能にするべく、対向電極の低抵抗化を図っ
たアクティブマトリクス基板、電気光学装置、電気光学
装置の製造方法、及び電子機器を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明のアクティブマトリクス基板では、アクティブ素
子を有する基体上に、絶縁性材料からなる隔壁により隔
てられた複数の画素電極を備えたアクティブマトリクス
基板であって、前記隔壁上の前記画素電極とは絶縁され
た位置に導電材料が配置されていることを特徴としてい
る。

【００１０】このアクティブマトリクス基板によれば、
隔壁上に導電材料が配置されているので、例えばこれを
対向電極とは別に形成し、かつ該対向電極に接続した状
態に設けておくことにより、対向電極に導電材料が合わ
された実質的な対向電極の抵抗が低下し、これにより配
線末端までの電流の均一化が可能となる。

【００１１】また、前記アクティブマトリクス基板にお
いては、前記アクティブ素子が薄膜トランジスタである
のが好ましい。このようにすれば、アクティブマトリク
ス基板の薄厚化、小型化が可能になる。

【００１２】また、前記アクティブマトリクス基板にお
いては、前記導電材料がストライプ状あるいは格子状に
形成されてなることを特徴としている。このようにすれ
ば、各画素に対してほぼ均等に影響するように、対向電
極を低抵抗化することができることから、画素間で均一
な表示を行わせ、これにより面内均一性を確保するのに
有利となる。

【００１３】また、前記アクティブマトリクス基板にお
いては、前記隔壁の上面に凹部が形成され、この凹部内
に前記導電材料が設けられているのが好ましい。このよ
うにすれば、例えばインクジェット法によって導電材料
を前記凹部内に吐出し塗布した場合に、導電材料が隔壁
上面から流れ落ちて、画素電極と導通してしまうといっ
た不都合を防止することができる。本発明の他のアクテ
ィブマトリクス基板はアクティブ素子の上方に平坦化膜
が形成され、前記平坦化膜上に複数の画素電極が配置さ
れていることを特徴とする。このアクティブマトリクス
基板において、前記複数の画素電極は、絶縁性材料から
なる隔壁により隔てられてもよい。さらに、前記隔壁上
に導電材料が配置されていてもよい。このアクティブマ
トリクス基板上に電気光学素子として、例えば有機エレ
クトロルミネッセンス素子を配置し、電気光学装置とす
ることもできる。この電気光学装置は画素電極が平坦化
膜が設けられているので、有機エレクトロルミネッセン
ス素子から発した光が散乱など散逸することなく取り出
すことができる。特にアクティブマトリクス基板と反対
側に光を取り出す場合には特に効果がある。

【００１４】本発明の電気光学装置では、アクティブ素
子を有する基体上に、絶縁性材料からなる隔壁により隔
てられた複数の画素電極と、前記画素電極上に配置され
た発光層を含む積層体と、前記積層体上に配置された対
向電極と、を備えてなり、前記隔壁上には、前記画素電
極とは絶縁された導電部が配置され、該導電部は前記対
向電極と接続されていることを特徴としている。

【００１５】この電気光学装置によれば、隔壁上に導電
部を配置しているので、対向電極に導電部が合わされた
実質的な対向電極の抵抗が低下し、これにより配線末端
までの電流の均一化を可能にし、例えば電気光学装置と
してのディスプレイの大型化（大画面化）、高精細化を
図ることができる。

【００１６】また、前記電気光学装置においては、前記
アクティブ素子が薄膜トランジスタであるのが好まし
い。このようにすれば、装置の薄厚化、小型化が可能に
なる。

【００１７】また、前記電気光学装置においては、前記
導電部がストライプ状あるいは格子状に形成されている
のが好ましい。このようにすれば、各画素に対してほぼ
均等に影響するように、対向電極を低抵抗化することが
できることから、画素間で均一な表示を行わせ、これに
より面内均一性を確保するのに有利となる。

【００１８】また、前記電気光学装置においては、前記
発光層は有機エレクトロルミネッセンス材料であるのが
好ましい。このようにすれば、電気光学装置が有機エレ
クトロルミネッセンス素子からなるものとなる。

【００１９】また、前記電気光学装置においては、前記
導電部の形成材料が、前記対向電極の形成材料より導電
性が高い材料であるのが好ましい。このようにすれば、
導電部による対向電極の実質的な抵抗低下の度合いを高
めることができる。

【００２０】また、前記電気光学装置においては、前記
隔壁の上面に凹部が形成され、この凹部内に前記導電部
が形成されてなるのが好ましい。このようにすれば、例
えばインクジェット法によって導電材料を前記凹部内に
吐出し塗布した場合に、導電材料が隔壁上面から流れ落
ちて、配置される画素電極と導通してしまうといった不
都合を防止することができる。

【００２１】また、前記電気光学装置においては、前記
発光層の、前記画素電極と対向電極のうちの陽極として
機能する電極側に、正孔注入層又は正孔輸送層が設けら
れてなるのが好ましい。このようにすれば、正孔注入層
又は正孔輸送層によって発光層の発光能が高くなり、よ
り良好な発光特性が得られる。

【００２２】また、前記電気光学装置においては、前記
発光層からの光が対向電極側を経由して取り出されるの
が好ましい。このようにすれば、基体と反対の側から光
が出射することにより、基体として透明でないものを用
いることができる。

【００２３】また、前記電気光学装置においては、前記
画素電極がアクティブ素子上に配置されているのが好ま
しく、さらには、前記アクティブ素子上に平坦化膜が形
成され、この平坦化膜上に画素電極が配置されているの
が好ましい。このようにすれば、アクティブ素子に影響
されることなく画素電極を形成することが可能になり、
特に平坦化膜上に画素電極が配置されている場合、デザ
インルールの限界まで画素電極を大きくすることが可能
になる。

【００２４】また、前記電気光学装置においては、前記
発光層からの光が画素電極側を経由して取り出されるの
が好ましい。このようにすれば、基体側から光が出射す
ることにより、対向電極として透明でないものを用いる
ことができる。

【００２５】本発明の電気光学装置の製造方法では、請
求項６記載の電気光学装置を製造するに際し、基体上に
画素電極と画素間を隔てる隔壁と該隔壁上の導電部とを
形成した後、前記隔壁により区画された領域に発光層を
形成することを特徴としている。

【００２６】この電気光学装置の製造方法によれば、導
電部を形成した後、発光層を形成するので、発光層に影
響を与えることなく、導電部の形成プロセスを行うこと
ができる。また、導電部を形成することにより、実質的
な対向電極の抵抗を低下させることができることから、
配線末端までの電流の均一化を可能にし、例えば電気光
学装置としてのディスプレイの大型化（大画面化）、高
精細化を図ることができる。

【００２７】また、前記電気光学装置の製造方法におい
ては、前記隔壁により区画された領域発光層を構成する
材料をインクジェット法で塗布することにより、前記発
光層を形成することができる。このようにすれば、発光
層の材料を選択的に吐出し塗布することができ、したが
って、例えば赤、緑、青の各色を発光する材料を打ち分
けることにより、フルカラー表示の電気光学装置を容易
に製造することができる。インクジェット法の代わりに
スピンコート法やディップコート法、あるいは蒸着法な
ども使用することもできる。

【００２８】また、前記電気光学装置の製造方法におい
ては、前記隔壁の上面に凹部を形成し、この凹部内に導
電部の材料をインクジェット法で塗布することにより、
前記導電部を形成するができる。このようにすれば、導
電材料が隔壁上面から流れ落ちて、画素電極と導通して
しまうといった不都合を防止することができる。インク
ジェット法の代わりにスピンコート法やディップコート
法、あるいは蒸着法なども使用することもできる。

【００２９】また、前記電気光学装置の製造方法におい
ては、前記隔壁の上面を親液処理するとともに側面を撥
液処理しておき、液状に調製した導電部の材料に前記隔
壁の上面部を浸して該隔壁の上面に導電材料を付着さ
せ、その後この導電材料を硬化させて導電部とするのが
好ましい。このようにすれば、隔壁上への導電部の形成
を比較的容易に行うことができる。

【００３０】また、前記電気光学装置の製造方法におい
ては、隔壁と該隔壁上の導電部とを形成するに際して、
隔壁形成材料を成膜し、次に該隔壁形成材料からなる膜
の上に導電材料を成膜し、次いで導電材料からなる膜を
パターニングして導電部を形成し、その後得られた導電
部をマスクにして隔壁形成材料からなる膜をパターニン
グし、隔壁を形成するのが好ましい。このようにすれ
ば、例えばフォトリソグラフィー工程によってパターニ
ングを行う場合に、このフォトリソグラフィー工程を隔
壁形成と導電部の形成とでそれぞれに行うことなく、１
度ですませることができ、したがって工程の簡略化を図
ることができる。

【００３１】また、前記電気光学装置の製造方法におい
ては、前記隔壁により区画された領域に対して、前記画
素電極と対向電極のうちの陽極として機能する電極側
に、正孔注入層又は正孔輸送層の材料をインクジェット
法で塗布することにより、正孔注入層又は正孔輸送層を
形成するのが好ましい。このようにすれば、隔壁により
区画された領域に正孔注入層又は正孔輸送層の材料を選
択的に吐出し塗布することができる。また、このように
して正孔注入層又は正孔輸送層を形成することにより、
発光層の発光能を高くすることができ、したがってより
良好な発光特性を得ることができる。

【００３２】本発明の電子機器は、前記電気光学装置、
あるいは前記製造方法によって得られた電気光学装置を
用いてなることを特徴としている。この電子機器によれ
ば、隔壁上に導電部が形成されていることにより、実質
的な対向電極の抵抗が低下した電気光学装置を用いたも
のであるから、配線末端までの電流の均一化が可能とな
っていることにより、その大型化（大画面化）、高精細
化が可能となる。

【００３３】また、前記の電子機器においては、前記電
気光学装置の光出射側に反射防止フィルムが設けられて
いるのが好ましい。このようにすれば、隔壁上に形成し
た導電部での反射に起因する表示性能の低下を防止する
ことができる。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
まず、本発明の電気光学装置について、その概略構成を
説明する。図１、図２は本発明のアクティブマトリクス
基板およびこれを用いた電気光学装置を、アクティブマ
トリクス型のディスプレイに適用した場合の一例を示す
もので、これらの図において符号１はディスプレイであ
る。

【００３５】このディスプレイ１は、回路図である図１
に示すように基板（図示せず）上に、複数の走査線１３
１と、これら走査線１３１に対して交差する方向に延び
る複数の信号線１３２と、これら信号線１３２に並列に
延びる複数の共通給電線１３３とがそれぞれ配線された
もので、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に、
画素（画素領域素）１Ａが設けられて構成されたもので
ある。

【００３６】信号線１３２に対しては、シフトレジス
タ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを
備えるデータ側駆動回路３が設けられている。一方、走
査線１３１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフ
タを備える走査側駆動回路４が設けられている。また、
画素領域１Ａの各々には、走査線１３１を介して走査信
号がゲート電極に供給される第１の薄膜トランジスタ１
４２と、この第１の薄膜トランジスタ１４２を介して信
号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量
ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号
がゲート電極に供給される第２の薄膜トランジスタ１４
３と、この第２の薄膜トランジスタ１４３を介して共通
給電線１３３に電気的に接続したときに共通給電線１３
３から駆動電流が流れ込む画素電極１４１と、この画素
電極１４１と反射電極１５４との間に挟み込まれる発光
部１４０と、が設けられている。

【００３７】このような構成のもとに、走査線１３１が
駆動されて第１の薄膜トランジスタ１４２がオンになる
と、そのときの信号線１３２の電位が保持容量ｃａｐに
保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、第２の薄
膜トランジスタ１４３の導通状態が決まる。そして、第
２の薄膜トランジスタ１４３のチャネルを介して共通給
電線１３３から画素電極１４１に電流が流れ、さらに発
光部１４０を通じて反射電極１５４に電流が流れること
により、発光部１４０は、これを流れる電流量に応じて
発光するようになる。

【００３８】ここで、各画素１Ａの平面構造は、図２
（ａ）に示すように平面形状が長方形の画素電極１４１
の四辺が、信号線１３２、共通給電線１３３、走査線１
３１及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲
まれた配置となっている。なお、図２（ａ）では対向電
極や隔壁を取り除いた状態で示している。また、画素１
Ａ近傍の内部構造は、図２（ａ）における、画素１Ａ近
傍でのＡ−Ａ線矢視断面図である図２（ｂ）に示すよう
に、第２の薄膜トランジスタ１４３の上方に隔壁１５０
が形成され、この隔壁１５０上に導電部１５１が形成さ
れ、さらにこれら隔壁１５０および導電部１５１を覆っ
て反射電極１５４と封止層１６０が形成された構造とな
っている。なお、図２（ｂ）において符号１４３は薄膜
トランジスタ、１７０はゲート絶縁膜、１４０Ａは正孔
注入層、１４０Ｂは発光層、１４０Ｃは電子輸送層であ
る。

【００３９】次に、このようなディスプレイ１の製造方
法について、図３〜図５を用いて説明する。なお、図３
〜図５では、説明を簡略化するべく、単一の画素１Ａに
ついてのみ図示する。まず、基板を用意する。ここで、
本発明のディスプレイ１は、後述する発光層による発光
光を、基板（ＴＦＴ基板）と反対の側、すなわち対向電
極側から取り出すタイプに構成されるものであり、した
がって発光光を基板側から取り出す場合と異なり、基板
材料として透明ないし半透明なものを用いる必要がな
い。ただし、透明材料であっても、例えば安価なソーダ
ガラスなどを用いてもよい。その場合に、これにシリカ
コートを施すのが、酸アルカリに弱いソーダガラスを保
護する効果を有し、さらに基板の平坦性をよくする効果
も有するため好ましい。また、基板として不透明なもの
を用いる場合、アルミナ等のセラミックスや、ステンレ
ス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したも
の、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることがで
きる。

【００４０】本例では、基板として図３（ａ）に示すよ
うにソーダガラス等からなる基板（ＴＦＴ基板）１２１
を用意する。そして、これに対し、必要に応じてＴＥＯ
Ｓ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料とし
てプラズマＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍの
シリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成
する。

【００４１】次に、基板１２１の温度を約３５０℃に設
定して、下地保護膜の表面にプラズマＣＶＤ法により厚
さ約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコン膜からなる
半導体膜２００を形成する。次いで、この半導体膜２０
０に対してレーザアニールまたは固相成長法などの結晶
化工程を行い、半導体膜２００をポリシリコン膜に結晶
化する。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザ
でビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、そ
の出力強度は例えば２００ｍＪ／ｃｍ² とする。ライン
ビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度の
ピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるよ
うにラインビームを走査する。

【００４２】次いで、図３（ｂ）に示すように、半導体
膜（ポリシリコン膜）２００をパターニングして島状の
半導体膜２１０とし、その表面に対して、ＴＥＯＳや酸
素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約
６０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜または窒化膜からな
るゲート絶縁膜２２０を形成する。なお、半導体膜２１
０は、図２に示した第２の薄膜トランジスタ１４３のチ
ャネル領域及びソース・ドレイン領域となるものである
が、異なる断面位置においては第１の薄膜トランジスタ
１４２のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となる
半導体膜も形成されている。つまり、図３〜図５に示す
製造工程では二種類のトランジスタ１４２、１４３が同
時に作られるのであるが、同じ手順で作られるため、以
下の説明ではトランジスタに関しては、第２の薄膜トラ
ンジスタ１４３についてのみ説明し、第１の薄膜トラン
ジスタ１４２についてはその説明を省略する。

【００４３】次いで、図３（ｃ）に示すように、アルミ
ニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステン
などの金属膜からなる導電膜をスパッタ法により形成し
た後、これをパターニングし、ゲート電極１４３Ａを形
成する。次いで、この状態で高濃度のリンイオンを打ち
込み、半導体膜２１０に、ゲート電極１４３Ａに対して
自己整合的にソース・ドレイン領域１４３ａ、１４３ｂ
を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチ
ャネル領域１４３ｃとなる。

【００４４】次いで、図３（ｄ）に示すように、層間絶
縁膜２３０を形成した後、コンタクトホール２３２、２
３４を形成し、これらコンタクトホール２３２、２３４
内に中継電極２３６、２３８を埋め込む。次いで、図３
（ｅ）に示すように、層間絶縁膜２３０上に、信号線１
３２、共通給電線１３３及び走査線（図３に示さず）を
形成する。ここで、中継電極２３８と各配線とは、同一
工程で形成されていてもよい。

【００４５】そして、各配線の上面をも覆うように層間
絶縁膜２４０を形成し、中継電極２３６に対応する位置
にコンタクトホール（図示せず）を形成し、そのコンタ
クトホール内にも埋め込まれるように例えばアルミニウ
ム等の金属からなる反射膜を蒸着法等によって形成す
る。そして、この上にＩＴＯ（インジウム・スズ酸化
物）膜を形成し、さらにこれら反射膜及びＩＴＯ膜をパ
ターニングして、信号線１３２、共通給電線１３３及び
走査線（図示せず）に囲まれた所定位置に、ソース・ド
レイン領域１４３ａに電気的に接続する画素電極１４１
を形成する。この画素電極１４１は陽極として機能する
もので、ＩＴＯからなる透明電極１４１ａと、アルミニ
ウム等からなる反射電極１４１ｂとによって構成された
ものとなる。ここで、画素電極１４１の表面側にＩＴＯ
からなる透明電極１４１ａを用いているのは、これの上
に形成される正孔注入層または正孔輸送層に対して、Ｉ
ＴＯは十分に正孔を供給できるエネルギー準位にある材
料となっているからである。また、信号線１３２及び共
通給電線１３３、さらには走査線（図示せず）に挟まれ
た部分が、後述するように正孔注入層（又は正孔輸送
層）や発光層の形成場所となっている。

【００４６】次いで、図４（ａ）に示すように、前記の
形成場所を囲むように隔壁１５０を形成する。この隔壁
１５０は仕切部材として機能するもので、例えばポリイ
ミド等の感光性の絶縁性有機材料を成膜し、露光、現像
後にキュア（焼成）することにより形成される。隔壁１
５０の膜厚については、例えば１〜２μｍの高さとなる
ように形成する。このような隔壁１５０により、正孔注
入層（又は正孔輸送層）や発光層の形成場所、すなわち
これらの形成材料の塗布位置とその周囲の隔壁１５０と
の間には、十分な高さの段差１１１が形成されるように
なる。

【００４７】次いで、形成した隔壁１５０の上面を覆っ
た状態にアルミニウム等の金属による導電材料を蒸着法
等によって形成し、続いてこの導電膜を例えばホトリソ
グラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニ
ングすることにより、図４（ｂ）に示すように隔壁１５
０上に導電部１５１を形成し、本発明のアクティブマト
リクス基板の一例を得る。ここで、導電部１５１を形成
するための導電材料としては、後述する対向電極の形成
材料より導電性の高い材料が用いられる。また、この導
電部１５１は、本例では隔壁１５０の平面視した状態で
の形状（隔壁１５０の平面形状）に沿って格子状に形成
される。ただし、本発明はこれに限ることなく、例えば
ストライプ状に形成してもよい。

【００４８】次いで、図４（ｃ）に示すように、基板１
２１の上面を上に向けた状態で、インクジェットヘッド
法によって正孔注入層の形成材料をインクジェットヘッ
ド１０より、前記隔壁１５０に囲まれた塗布位置に選択
的に塗布する。ここで、インクジェットヘッド１０は、
図６（ａ）に示すように例えばステンレス製のノズルプ
レート１２と振動板１３とを備え、両者を仕切部材（リ
ザーバプレート）１４を介して接合したものである。ノ
ズルプレート１２と振動板１３との間には、仕切部材１
４によって複数の空間１５と液溜まり１６とが形成され
ている。各空間１５と液溜まり１６の内部はインクで満
たされており、各空間１５と液溜まり１６とは供給口１
７を介して連通したものとなっている。また、ノズルプ
レート１２には、空間１５からインクを噴射するための
ノズル孔１８が一列に配列された状態で複数形成されて
いる。一方、振動板１３には、液溜まり１６にインクを
供給するための孔１９が形成されている。

【００４９】また、振動板１３の空間１５に対向する面
と反対側の面上には、図６（ｂ）に示すように圧電素子
（ピエゾ素子）２０が接合されている。この圧電素子２
０は、一対の電極２１の間に位置し、通電するとこれが
外側に突出するようにして撓曲するよう構成されたもの
である。そして、このような構成のもとに圧電素子２０
が接合されている振動板１３は、圧電素子２０と一体に
なって同時に外側へ撓曲するようになっており、これに
よって空間１５の容積が増大するようになっている。し
たがって、空間１５内に増大した容積分に相当するイン
クが、液溜まり１６から供給口１７を介して流入する。
また、このような状態から圧電素子２０への通電を解除
すると、圧電素子２０と振動板１３はともに元の形状に
戻る。したがって、空間１５も元の容積に戻ることか
ら、空間１５内部のインクの圧力が上昇し、ノズル孔１
８から基板に向けてインクの液滴２２が吐出される。な
お、インクジェットヘッド１０のインクジェット方式と
しては、前記の圧電素子２０を用いたピエゾジェットタ
イプ以外の、公知の方式のものを採用してもよい。

【００５０】このような構成のインクジェットヘッド１
０を用いて、本例では図４（ｃ）に示したように隔壁１
５０内に正孔注入層の形成材料をインクとして塗布す
る。正孔注入層の形成材料としては、ポリマー前駆体が
ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフ
ェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジト
リルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒ
ドロキシキノリノール）アルミニウム等が挙げられる。
なお、正孔注入層に代えて正孔輸送層を形成するように
してもよく、その場合に、正孔輸送層の形成材料として
は、例えばピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、
スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等が用
いられる。また、これら正孔注入層あるいは正孔輸送層
の形成材料として、ポリエチレンジオキシチオフェン、
またはポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレン
スルホン酸との混合物等の高分子系材料も使用可能であ
る。このようにしてインクジェットヘッド１０を用いて
形成材料１１Ａを塗布すると、液状の形成材料１１４Ａ
は流動性が高いため、水平方向に広がろうとするもの
の、塗布された位置を囲んで隔壁１５０が形成されてい
ることにより、隔壁１５０を越えてその外側に広がるこ
とが防止される。

【００５１】次いで、図５（ａ）に示すように加熱ある
いは光照射により液状の形成材料１１４Ａ中の溶媒を蒸
発させて、画素電極１４１上に、固形の正孔注入層（又
は正孔輸送層）１４０Ａを形成する。次いで、正孔注入
層（又は正孔輸送層）１４０Ａの形成の場合と同様にし
て、インクジェットヘッド１０よりインクとして発光層
の形成材料（発光材料）を前記隔壁１５０内の正孔注入
層（又は正孔輸送層）１４０Ａ上に選択的に塗布する。

【００５２】発光層の形成材料としては、例えば共役系
高分子有機化合物の前駆体と、得られる発光層の発光特
性を変化させるための蛍光色素とを含んでなるものが好
適に用いられる。共役系高分子有機化合物の前駆体は、
蛍光色素等とともにインクジェットヘッド１０から吐出
されて薄膜に成形された後、例えば以下の式（Ｉ）に示
すように加熱硬化されることによって共役系高分子有機
ＥＬ層となる発光層を生成し得るものをいい、例えば前
駆体のスルホニウム塩の場合、加熱処理されることによ
りスルホニウム基が脱離し、共役系高分子有機化合物と
なるもの等である。

【００５３】

【化１】

【００５４】このような共役系高分子有機化合物は固体
で強い蛍光を持ち、均質な固体超薄膜を形成することが
できる。また、このような化合物の前駆体は、硬化した
後には強固な共役系高分子膜を形成することから、加熱
硬化前においては前駆体溶液を後述するインクジェット
パターニングに適用可能な所望の粘度に調整することが
でき、簡便かつ短時間で最適条件の膜形成を行うことが
できる。

【００５５】このような前駆体としては、例えばＰＰＶ
（ポリ（パラ−フェニレンビニレン））またはその誘導
体の前駆体が好ましい。ＰＰＶまたはその誘導体の前駆
体は、水あるいは有機溶媒に可溶であり、また、ポリマ
ー化が可能であるため光学的にも高品質の薄膜を得るこ
とができる。さらに、ＰＰＶは強い蛍光を持ち、また二
重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化している導電
性高分子でもあるため、高性能の有機ＥＬ素子を得るこ
とができる。

【００５６】このようなＰＰＶまたはＰＰＶ誘導体の前
駆体として、例えば化学式（ＩＩ）に示すような、ＰＰ
Ｖ（ポリ（パラ−フェニレンビニレン））前駆体、ＭＯ
−ＰＰＶ（ポリ（２，５−ジメトキシ−１，４−フェニ
レンビニレン））前駆体、ＣＮ−ＰＰＶ（ポリ（２，５
−ビスヘキシルオキシ−１，４−フェニレン−（１−シ
アノビニレン）））前駆体、ＭＥＨ−ＰＰＶ（ポリ［２
−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）］−
パラ−フェニレンビニレン）前駆体等が挙げられる。

【００５７】

【化２】

【００５８】ＰＰＶまたはＰＰＶ誘導体の前駆体は、前
述したように水に可溶であり、成膜後の加熱により高分
子化してＰＰＶ層を形成する。前記ＰＰＶ前駆体に代表
される前駆体の含有量は、組成物全体に対して０．０１
〜１０．０ｗｔ％が好ましく、０．１〜５．０ｗｔ％が
さらに好ましい。前駆体の添加量が少な過ぎると共役系
高分子膜を形成するのに不十分であり、多過ぎると組成
物の粘度が高くなり、インクジェット法による精度の高
いパターニングに適さない場合がある。

【００５９】さらに、発光層の形成材料としては、少な
くとも１種の蛍光色素を含むのが好ましい。これによ
り、発光層の発光特性を変化させることができ、例え
ば、発光層の発光効率の向上、または光吸収極大波長
（発光色）を変えるための手段としても有効である。す
なわち、蛍光色素は単に発光層材料としてではなく、発
光機能そのものを担う色素材料として利用することがで
きる。例えば、共役系高分子有機化合物分子上のキャリ
ア再結合で生成したエキシトンのエネルギーをほとんど
蛍光色素分子上に移すことができる。この場合、発光は
蛍光量子効率が高い蛍光色素分子からのみ起こるため、
発光層の電流量子効率も増加する。したがって、発光層
の形成材料中に蛍光色素を加えることにより、同時に発
光層の発光スペクトルも蛍光分子のものとなるので、発
光色を変えるための手段としても有効となる。

【００６０】なお、ここでいう電流量子効率とは、発光
機能に基づいて発光性能を考察するための尺度であっ
て、下記式により定義される。 ηE ＝放出されるフォトンのエネルギー／入力電気エネ
ルギーそして、蛍光色素のドープによる光吸収極大波長の変換
によって、例えば赤、青、緑の３原色を発光させること
ができ、その結果フルカラー表示体を得ることが可能と
なる。さらに蛍光色素をドーピングすることにより、Ｅ
Ｌ素子の発光効率を大幅に向上させることができる。

【００６１】蛍光色素としては、赤色の発色光を発光す
る発光層を形成する場合、赤色の発色光を有するローダ
ミンまたはローダミン誘導体を用いるのが好ましい。こ
れらの蛍光色素はＰＰＶと相溶性がよく、均一で安定し
た発光層の形成が容易である。このような蛍光色素とし
て具体的には、ローダミンＢ、ローダミンＢベース、ロ
ーダミン６Ｇ、ローダミン１０１過塩素酸塩等が挙げら
れ、これらを２種以上混合したものであってもよい。

【００６２】また、緑色の発色光を発光する発光層を形
成する場合、緑色の発色光を有するキナクリドンおよび
その誘導体を用いるのが好ましい。これらの蛍光色素も
ＰＰＶと相溶性がよく発光層の形成が容易である。

【００６３】さらに、青色の発色光を発光する発光層を
形成する場合、青色の発色光を有するジスチリルビフェ
ニルおよびその誘導体を用いるのが好ましい。これらの
蛍光色素は水・アルコール混合溶液に可溶であり、また
ＰＰＶと相溶性がよく発光層の形成が容易である。

【００６４】また、青色の発色光を有する他の蛍光色素
としては、クマリンおよびその誘導体を挙げることがで
きる。これらの蛍光色素はＰＰＶと相溶性がよく発光層
の形成が容易である。このような蛍光色素として具体的
には、クマリン、クマリン−１、クマリン−６、クマリ
ン−７、クマリン１２０、クマリン１３８、クマリン１
５２、クマリン１５３、クマリン３１１、クマリン３１
４、クマリン３３４、クマリン３３７、クマリン３４３
等が挙げられる。

【００６５】さらに、別の青色の発色光を有する蛍光色
素としては、テトラフェニルブタジエン（ＴＰＢ）また
はＴＰＢ誘導体を挙げることができる。これらの蛍光色
素はＰＰＶと相溶性がよく発光層の形成が容易である。
以上の蛍光色素については、各色ともに１種のみを用い
てもよく、また２種以上を混合して用いてもよい。

【００６６】これらの蛍光色素については、前記共役系
高分子有機化合物の前駆体固型分に対し、０．５〜１０
ｗｔ％添加するのが好ましく、１．０〜５．０ｗｔ％添
加するのがより好ましい。蛍光色素の添加量が多過ぎる
と発光層の耐候性および耐久性の維持が困難となり、一
方、添加量が少な過ぎると、前述したような蛍光色素を
加えることによる効果が十分に得られないからである。

【００６７】また、前記前駆体および蛍光色素について
は、極性溶媒に溶解または分散させてインクとし、この
インクをインクジェットヘッド１０から吐出するのが好
ましい。極性溶媒は、前記前駆体、発光色素等を容易に
溶解または均一に分散させることができるため、インク
ジェットヘッド１０のノズル孔１８での発光層形成材料
中の固型分が付着したり目詰りを起こすのを防止するこ
とができる。

【００６８】このような極性溶媒として具体的には、
水、メタノール、エタノール等の水と相溶性のあるアル
コール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ
−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルイミダゾリン
（ＤＭＩ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等の有
機溶媒または無機溶媒が挙げられ、これらの溶媒を２種
以上適宜混合したものであってもよい。

【００６９】さらに、前記形成材料中に湿潤剤を添加し
ておくのが好ましい。これにより、形成材料がインクジ
ェットヘッド１０のノズル孔１８で乾燥・凝固すること
を有効に防止することができる。かかる湿潤剤として
は、例えばグリセリン、ジエチレングリコール等の多価
アルコールが挙げられ、これらを２種以上混合したもの
であってもよい。この湿潤剤の添加量としては、形成材
料の全体量に対し、５〜２０ｗｔ％程度とするのが好ま
しい。なお、その他の添加剤、被膜安定化材料を添加し
てもよく、例えば、安定剤、粘度調整剤、老化防止剤、
ｐＨ調整剤、防腐剤、樹脂エマルジョン、レベリング剤
等を用いることができる。

【００７０】このような発光層の形成材料をインクジェ
ットヘッド１０のノズル孔１８から吐出すると、この形
成材料は隔壁１５０内の正孔注入層１４０Ａ上に塗布さ
れる。ここで、形成材料の吐出による発光層の形成は、
赤色の発色光を発光する発光層の形成材料、緑色の発色
光を発光する発光層の形成材料、青色の発色光を発光す
る発光層の形成材料を、それぞれ対応する画素１Ａに吐
出し塗布することによって行う。なお、各色に対応する
画素１Ａは、これらが規則的な配置となるように予め決
められている。

【００７１】このようにして各色の発光層形成材料を吐
出し塗布したら、発光層形成材料中の溶媒を蒸発させる
ことにより、図５（ｂ）に示すように正孔注入層１４０
Ａ上に固形の発光層１４０Ｂを形成し、これにより正孔
注入層１４０Ａと発光層１４０Ｂとからなる発光部１４
０、すなわち本発明における積層体を得る。ここで、発
光層形成材料１１４Ｂ中の溶媒の蒸発については、必要
に応じて加熱あるいは減圧等の処理を行うが、発光層の
形成材料は通常乾燥性が良好で速乾性であることから、
特にこのような処理を行うことなく、したがって各色の
発光層形成材料を順次吐出塗布することにより、その塗
布順に各色の発光層１４０Ｂを形成することができる。
なお、本例では積層体となる発光部１４０を、正孔注入
層１４０Ａ（あるいは正孔輸送層）と発光層１４０Ｂと
から形成したが、さらに発光層１４０Ｂ上に電子輸送層
を形成し、三層構造としてもよい。

【００７２】その後、図５（ｃ）に示すように、基板１
２１の表面全体に透明導電材料を蒸着法等によって成膜
し、陰極として機能する対向電極１５４を前記導電部１
５１と接した状態に形成する。透明導電材料としては、
特に限定されることなく種々のものが採用可能である
が、例えばカルシウムが用いられる。なお、カルシウム
を用いた場合、透明性を確保するうえで、これを厚さ数
十ｎｍ程度の薄膜に形成するのが好ましい。また、この
ようにカルシウムを薄膜に形成した場合、さらにこれの
上にアルミニウムや金等の材料で保護膜（図示せず）を
形成するのが好ましい。保護膜として用いるアルミニウ
ムや金等については、やはりその厚さを透明性が損なわ
れない程度に十分薄い厚さ、例えば数十ｎｍ程度とする
必要がある。また、この保護膜については、単一の材料
からでなく、複数の材料を積層することによる、複合膜
としてもよい。そして、さらにこの対向電極１５４上を
公知の封止材料によって封止することにより、本発明の
電気光学装置の一実施形態例となるディスプレイを得
る。

【００７３】このように、本例の電気光学装置（ディス
プレイ１）にあっては、隔壁１５０上に、例えばカルシ
ウムからなる対向電極１５４より導電性の高い材料（例
えばアルミニウム）による導電部１５１を、該対向電極
１５４に接した状態で設けたので、導電部１５１と対向
電極１５４とを合わした実質的な対向電極の抵抗が低下
して配線末端までの電流が均一化し、よってディスプレ
イ１の大型化（大画面化）、高精細化が可能になる。

【００７４】また、正孔注入層（又は正孔輸送層）１４
０Ａを設けているので、該正孔注入層（又は正孔輸送
層）１４０Ａによって発光層１４０Ｂの発光能を高くす
ることができ、したがってより良好な発光特性を得るこ
とができる。また、前記画素電極１４１を、ＩＴＯから
なる透明電極１４１ａとこれの基板（ＴＦＴ基板）１２
１側に形成した反射電極１４１ｂとから構成しているの
で、反射電極１４１ｂによって発光層１４０Ｂからの光
を反射することにより、基板１２１と反対側に出射する
光の量を増大させることができる。また、反射電極１４
１ｂを金属で形成することにより、透明電極１４１ａが
比較的高抵抗であるＩＴＯによって形成されているにも
かかわらず、画素電極１４１全体の抵抗を低くすること
ができる。また、正孔注入層（又は正孔輸送層）１４０
Ａに対し十分に正孔を供給できるエネルギー準位にある
ＩＴＯにより、透明電極１４１ａを形成しているので、
正孔注入層（又は正孔輸送層）１４０Ａの機能を高めて
発光層１４０Ｂによる発光特性を良好にすることができ
る。

【００７５】また、前記電気光学装置を形成するための
アクティブマトリクス基板にあっては、前述したように
隔壁１５０上に導電部１５１を設けたので、導電部１５
１と対向電極１５４とを合わした実質的な対向電極の抵
抗が低下して配線末端までの電流が均一化し、これによ
りこれを用いてなる電気光学装置（ディスプレイ１）の
大型化（大画面化）、高精細化を可能にすることができ
る。

【００７６】また、前記電気光学装置の製造方法にあっ
ては、基板１２１上に画素電極１４１と画素間を隔てる
隔壁１５０と該隔壁１５０上の導電部１５１とを形成し
た後、隔壁１５０内に正孔注入層（又は正孔輸送層）１
４０Ａ、発光層１４０Ｂを形成しているので、有機材料
からなる正孔注入層（又は正孔輸送層）１４０Ａや発光
層１４０Ｂに影響を与えることなく、導電部１５１の形
成プロセスを行うことができる。

【００７７】また、隔壁１５０内に正孔注入層（又は正
孔輸送層）１４０Ａ、発光層１４０Ｂの形成材料をそれ
ぞれインクジェット法で塗布しているので、隔壁１５０
内にこれら材料を選択的に吐出し塗布することができ、
したがって、各材料、例えば発光層材料として赤、緑、
青の各色に対応する材料を打ち分けることにより、フル
カラー表示の有機ＥＬ素子を容易に製造することができ
る。

【００７８】なお、本発明の有機ＥＬ素子及びその製造
方法については、前記例に限定されることなく、例えば
図７に示すように隔壁１５０の上面に凹部１５０ａを形
成し、この凹部１５０ａ内に導電部の材料をインクジェ
ット法で塗布することにより、導電部１５１を形成する
ようにしてもよい。すなわち、隔壁１５０の形成時にお
いて、隔壁１５０の上面に該隔壁１５０の形状に沿って
その中央部に凹部が形成されるようにレジストパターン
（図示せず）を形成し、これを用いてエッチングするこ
とにより、図７に示したように隔壁１５０上に凹部１５
０ａを形成する。そして、この凹部１５０ａ内に導電部
１５１の材料をインクジェット法で塗布することによ
り、導電部１５１を形成する。

【００７９】このようなインクジェット法による塗布が
可能な導電材料としては、例えば銀コロイド分散液や金
コロイド分散液を用いることができる。このようなコロ
イド液を図６（ａ）、（ｂ）に示したインクジェットヘ
ッド１０より吐出し、凹部１５０ａ内に塗布した後、こ
れを加熱等の処理を施すことにより、図７に示したよう
に導電部１５１を形成することができる。このようにし
て導電部１５１を形成すれば、導電材料が隔壁１５０上
面から流れ落ちて隔壁１５０内に至り、画素電極１４１
と導通してしまうといった不都合を防止することができ
る。

【００８０】また、導電部１５１の形成については、こ
のようなインクジェット法に代えてドブ漬け法を採用す
ることもできる。すなわち、図４（ａ）に示したように
隔壁１５０を形成した後、この隔壁の上面を親液処理す
るとともにその側面を撥液処理しておく。そして、この
隔壁１５０の上面部を液状に調製した導電材料（例えば
前記の銀コロイド分散液や金コロイド分散液）に浸し、
該隔壁１５０の上面に導電材料を付着させる。その後、
加熱処理等によってこの導電材料を硬化させ、導電部１
５１とする。ここで、隔壁１５０の側面に撥液性を発現
させるためには、例えば隔壁１５０の表面（側面）にＣ
Ｆ₄ 、ＳＦ₅ 、ＣＨＦ₃ などのフッ素系化合物を塗布
し、さらにこれをプラズマ処理するといった手法が採用
される。また、隔壁１５０の上面に親液性を発現させる
ためには、先に撥液処理した面（上面）に対しＵＶ照射
処理するといった手法が採用される。

【００８１】このようにして隔壁１５０の上面を親液処
理し、側面を撥液処理した後、この隔壁１５０の上面部
を液状に調製した導電部の材料に浸すと、この液状の材
料が隔壁１５０の側面に付着することなく、上面にのみ
選択的に付着するようになる。したがって、このような
処理により、隔壁上への導電部の形成を比較的容易に行
うことができる。

【００８２】また、導電部１５１の形成については、特
に正孔注入層（又は正孔輸送層）や発光層の形成に先立
って行うのであればいつでもよく、例えば隔壁１５０の
形成材料を成膜した後、導電部の形成材料を続けて成膜
し、その後、これらの膜を同じレジストパターンを用い
てエッチングし、導電部１５１、隔壁１５０を形成する
ようにしてもよく、また、先に形成される導電部１５１
をマスクにして隔壁形成材料からなる膜をエッチング
し、これをパターニングして隔壁１５０を形成するよう
にしてもよい。このようにして導電部１５１および隔壁
１５０の形成を行えば、フォトリソグラフィー工程によ
ってパターニングを行う場合に、このフォトリソグラフ
ィー工程を隔壁形成と導電部の形成とでそれぞれに行う
ことなく、１度の工程ですませることができ、したがっ
て工程の簡略化を図ることができる。

【００８３】また、画素電極１４１の形成に先立って隔
壁１５０を形成しておき、その状態から例えばアルミニ
ウムを全面に成膜し、その後、このアルミニウム膜をパ
ターニングすることにより、画素電極１４１における反
射電極１４１ａと導電部１５１とを同時に形成するよう
にしてもよい。

【００８４】また、前記実施形態例では、画素電極１４
１を陽極として、対向電極１５４を陰極としてそれぞれ
機能させるよう構成したが、逆に、画素電極１４１を陰
極として、対向電極１５４を陽極としてそれぞれ機能さ
せるように構成することもできる。その場合、正孔注入
層（又は正孔輸送層）１４０Ａについては、陽極として
機能する電極側、すなわち対向電極側に設けることにな
る。また、このように構成する場合には、画素電極１４
１を、例えばその内面側（発光層側）にカルシウム等か
らなる電極を配置するとともに、外側（基板側）に保護
膜としても機能するアルミニウム等の反射電極を配置す
ることによって形成し、一方、対向電極１５４を、透明
導電材料であるＩＴＯによって形成するようにすればよ
い。

【００８５】また、本発明の電気光学装置にあっては、
図２（ａ）、（ｂ）に示した形態に代えて、例えば図８
（ａ）、（ｂ）に示すような形態にしてもよい。図８
（ａ）、（ｂ）に示した電気光学装置が図２（ａ）、
（ｂ）に示したものと異なるところは、主に第１の薄膜
トランジスタ（図示せず）、第２の薄膜トランジスタ１
４３の上に平坦化膜１８０を形成し、この平坦化膜１８
０上に画素電極１４１を配置した点にある。すなわち、
第２の薄膜トランジスタ１４３上に層間絶縁膜（図示せ
ず）を介して平坦化膜１８０を形成し、この平坦化膜１
８０上に隔壁１５０および画素電極１４１を形成し、以
下、図２（ｂ）に示した例と同様にして、各構成要素を
形成している。なお、図８（ａ）において符号１８２は
平坦化膜１８０中に形成した中継電極である。

【００８６】このように構成すれば、薄膜トランジスタ
１４３に影響されることなく画素電極１４１を形成する
ことができるようになり、また、特に平坦化膜１８０上
に画素電極１４１を形成配置することにより、デザイン
ルールの限界まで画素電極１４１を大きくすることが可
能になる。なお、図８（ａ）、（ｂ）に示した例におい
ても、画素電極１４１を陽極、対向電極１５４を陰極と
してそれぞれ機能させてもよく、また、逆に、画素電極
１４１を陰極、対向電極１５４を陽極としてそれぞれ機
能させるように構成することもできる。その場合、先の
例と同様に、正孔注入層（又は正孔輸送層）１４０Ａに
ついては、陽極として機能する電極側、すなわち対向電
極側に設けることになる。

【００８７】また、前記実施形態例では、発光層による
発光光を、基板と反対の側、すなわち対向電極を経由さ
せて取り出すタイプに構成したが、このような場合、光
の取り出し効率を向上させるためには、画素電極を平坦
化膜上に設けることが好ましい。もちろん、本発明はこ
れに限定されることなく、画素電極側を経由させて取り
出すタイプに構成してもよい。その場合には、基板およ
び画素電極としてそれぞれ透明性のものを用いる必要が
あるものの、対向電極については非透明のものを用いる
ことができる。

【００８８】次に、前記例のディスプレイとなる電気光
学装置が備えられた電子機器の具体例について説明す
る。図９（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図であ
る。図９（ａ）において、５００は携帯電話本体を示
し、５０１は図１、図２、あるいは図８に示したディス
プレイ（電気光学装置）を備えたＥＬ表示部（表示手
段）を示している。図９（ｂ）は、ワープロ、パソコン
などの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図であ
る。図９（ｂ）において、６００は情報処理装置、６０
１はキーボードなどの入力部、６０３は情報処理本体、
６０２は前記の図１、図２、あるいは図８に示したディ
スプレイ（電気光学装置）を備えたＥＬ表示部（表示手
段）を示している。図９（ｃ）は、腕時計型電子機器の
一例を示した斜視図である。図９（ｃ）において、７０
０は時計本体を示し、７０１は前記の図１、図２、ある
いは図８に示したディスプレイ（電気光学装置）を備え
たＥＬ表示部（表示手段）を示している。図９（ａ）〜
（ｃ）に示す電子機器は、前記ディスプレイ（電気光学
装置）が備えられたものであるので、優れた表示品質が
得られる表示手段を備えた電子機器となる。なお、電子
機器に用いられる電気光学装置については、特にその光
出射側に例えば偏光板と（λ／４）板とからなる反射防
止フィルムを設けるのが好ましく、このようにすれば、
隔壁１５０上に形成した導電部１５１での反射に起因す
る表示性能の低下を防止することができる。

【００８９】

【発明の効果】以上説明したように本発明のアクティブ
マトリクス基板は、隔壁上に導電材料が配置されたもの
であるから、例えばこれを対向電極とは別に形成し、か
つ該対向電極に接続した状態に設けておくことにより、
対向電極に導電材料が合わされた実質的な対向電極の抵
抗を低下させ、これにより配線末端までの電流の均一化
を図ることができる。

【００９０】本発明の電気光学装置は、隔壁上に導電部
を配置したものであるから、対向電極に導電部が合わさ
れた実質的な対向電極の抵抗が低下し、これにより配線
末端までの電流の均一化が図られたものとなる。したが
って、このように電流の均一化が可能となることによ
り、この有機ＥＬ素子を備えてなるディスプレイの大型
化（大画面化）、高精細化を図ることができる。

【００９１】本発明の電気光学装置の製造方法は、導電
部を形成した後、発光層を形成する方法であるから、発
光層に影響を与えることなく、導電部の形成プロセスを
行うことができる。また、導電部を形成することによ
り、実質的な対向電極の抵抗を低下させることができる
ことから、配線末端までの電流の均一化を可能にし、例
えば電気光学装置としてのディスプレイの大型化（大画
面化）、高精細化を図ることができる。

【００９２】本発明の電子機器は、隔壁上に導電部が形
成されていることにより、実質的な対向電極の抵抗が低
下した電気光学装置を用いたものであるから、配線末端
までの電流の均一化が可能となっていることにより、そ
の大型化（大画面化）、高精細化が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のディスプレイの配置部を示す回路図
である。

【図２】（ａ）は画素部の平面構造を示す拡大平面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視要部断面図である。

【図３】（ａ）〜（ｅ）は本発明の有機ＥＬ素子の製
造方法を工程順に説明するための要部側断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は図３に続く工程を順に説明
するための要部側断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は図４に続く工程を順に説明
するための要部側断面図である。

【図６】インクジェットヘッドの概略構成を説明する
ための図であり、（ａ）は要部斜視図、（ｂ）は要部側
断面図である。

【図７】隔壁及び導電部についての、別の製造例を説
明するための要部側断面図である。

【図８】（ａ）は画素部の平面構造を示す拡大平面
図、（ｂ）は（ａ）の要部断面図である。

【図９】ディスプレイが備えられた電子機器の具体例
を示す図であり、（ａ）は携帯電話に適用した場合の一
例を示す斜視図、（ｂ）は情報処理装置に適用した場合
の一例を示す斜視図、（ｃ）は腕時計型電子機器に適用
した場合の一例を示す斜視図である。

【符号の説明】

１…ディスプレイ１Ａ…画素１０…インクジェットヘッド１２１…基板（ＴＦＴ基板）１４０…発光部（積層体）１４０Ａ…正孔注入層（又は正孔輸送層）１４０Ｂ…発光層１４１…画素電極１５０…隔壁、凹部１５０ａ、１５１…導電部１５４…対向電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｂ 33/10 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ 33/12 33/22 Ｚ 33/14 33/26 Ｚ 33/22 Ｂ４１Ｊ 3/04 １０１Ｚ 33/26 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２ＣＦターム(参考） 2C056 EA24 FB01 3K007 AB04 AB05 AB17 AB18 BA06 BB06 BB07 CB01 DB03 FA01 GA04 5C094 AA05 AA15 AA21 AA53 BA03 BA27 CA19 CA24 DA09 DA13 DB01 EA04 EB02 FB01 FB16 GB10 HA03 HA08 5F110 AA03 BB01 CC02 DD02 DD13 EE03 EE04 EE44 FF02 FF03 FF30 GG02 GG13 GG25 GG45 HJ01 HJ13 NN02 NN71 PP03 PP05 PP06 QQ11 5G435 AA16 AA18 BB05 CC09 HH12 HH14 HH16 KK05 LL07 LL08 LL10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】アクティブ素子を有する基体上に、絶縁
性材料からなる隔壁により隔てられた複数の画素電極を
備えたアクティブマトリクス基板であって、前記隔壁上の前記画素電極とは絶縁された位置に導電材
料が配置されていることを特徴とするアクティブマトリ
クス基板。
【請求項２】前記アクティブ素子が薄膜トランジスタ
であることを特徴とする請求項１記載のアクティブマト
リクス基板。
【請求項３】前記導電材料がストライプ状あるいは格
子状に形成されてなることを特徴とする請求項１又は２
記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項４】前記隔壁の上面に凹部が形成され、この
凹部内に前記導電材料が設けられていることを特徴とす
る請求項１〜３のいずれかに記載のアクティブマトリク
ス基板。
【請求項５】アクティブ素子の上方に平坦化膜が形成さ
れ、前記平坦化膜上に複数の画素電極が配置されている
ことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項６】請求項５に記載のアクティブマトリクス基
板において、前記複数の画素電極は、絶縁性材料からな
る隔壁により隔てられていることを特徴とするアクティ
ブマトリクス基板。
【請求項７】請求項６に記載のアクティブマトリクス基
板において、前記隔壁上に導電材料が配置されているこ
とを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項８】請求項１〜７のいずれかに記載のアクテ
ィブマトリクス基板上に電気光学材料が配置されたこと
を特徴とする電気光学装置。
【請求項９】請求項５乃至７のいずれかに記載のアクテ
ィブマトリクス基板上に有機エレクトロルミネッセンス
材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子が配置さ
れ、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の発した光
が前記アクティブマトリクス基板とは反対側から取り出
されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】アクティブ素子を有する基体上に、絶
縁性材料からなる隔壁により隔てられた複数の画素電極
と、前記画素電極上に配置された発光層を含む積層体
と、前記積層体上に配置された対向電極と、を備えた電
気光学装置であって、前記隔壁上には、前記画素電極とは絶縁された導電部が
配置され、該導電部は前記対向電極と接続されているこ
とを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】前記アクティブ素子が薄膜トランジス
タであることを特徴とする請求項１０記載の電気光学装
置。
【請求項１２】前記導電部がストライプ状あるいは格
子状に形成されてなることを特徴とする請求項１０又は
１１記載の電気光学装置。
【請求項１３】前記発光層は有機エレクトロルミネッ
センス材料であることを特徴とする請求項１０〜１２の
いずれかに記載の電気光学装置。
【請求項１４】前記導電部の形成材料は、前記対向電
極の形成材料より導電性が高い材料であることを特徴と
する請求項１０〜１３のいずれかに記載の電気光学装
置。
【請求項１５】前記隔壁の上面に凹部が形成され、こ
の凹部内に前記導電部が形成されてなることを特徴とす
る請求項１０〜１４のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項１６】前記発光層の、前記画素電極と対向電
極のうちの陽極として機能する電極側に、正孔注入層又
は正孔輸送層が設けられてなることを特徴とする請求項
１０〜１５のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項１７】前記発光層からの光は対向電極側を経
由して取り出されることを特徴とする請求項１０〜１６
のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項１８】前記画素電極がアクティブ素子上に配
置されていることを特徴とする請求項１７記載の電気光
学装置。
【請求項１９】前記アクティブ素子上に平坦化膜が形
成され、この平坦化膜上に画素電極が配置されているこ
とを特徴とする請求項１８記載の電気光学装置。
【請求項２０】前記発光層からの光は画素電極側を経
由して取り出されることを特徴とする請求項１０〜１９
のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項２１】請求項１０記載の電気光学装置を製造
するに際し、基体上に画素電極と画素間を隔てる隔壁と該隔壁上の導
電部とを形成した後、前記隔壁により区画された領域に
発光層を形成することを特徴とする電気光学装置の製造
方法。
【請求項２２】発光層の材料をインクジェット法で塗
布することにより、前記発光層を形成することを特徴と
する請求項２１記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２３】前記隔壁の上面に凹部を形成し、この
凹部内に導電部の材料をインクジェット法で塗布するこ
とにより、前記導電部を形成することを特徴とする請求
項２１又は２２記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２４】前記隔壁の上面を親液処理するととも
に側面を撥液処理しておき、液状に調製した導電部の材
料に前記隔壁の上面部を浸して該隔壁の上面に導電材料
を付着させ、その後この導電材料を硬化させて導電部と
することを特徴とする請求項２１又は２２記載の電気光
学装置の製造方法。
【請求項２５】隔壁と該隔壁上の導電部とを形成する
に際して、隔壁形成材料を成膜し、次に該隔壁形成材料
からなる膜の上に導電材料を成膜し、次いで導電材料か
らなる膜をパターニングして導電部を形成し、その後得
られた導電部をマスクにして隔壁形成材料からなる膜を
パターニングし、隔壁を形成することを特徴とする請求
項２１又は２２記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２６】前記発光層となる位置に対して、前記
画素電極と対向電極のうちの陽極として機能する電極側
に、正孔注入層又は正孔輸送層の材料をインクジェット
法で塗布することにより、正孔注入層又は正孔輸送層を
形成することを特徴とする請求項２１〜２５のいずれか
に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２７】請求項８〜２０のいずかに記載の電気
光学装置、あるいは請求項２１〜２６のいずれかに記載
の製造方法によって得られた電気光学装置を用いてなる
電子機器。
【請求項２８】前記電気光学装置の光出射側に反射防
止フィルムが設けられていることを特徴とする請求項２
７記載の電子機器。