JP2001249627A - アクティブ駆動型有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 - Google Patents
アクティブ駆動型有機ｅｌ表示装置およびその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機ＥＬ素子の下部電極と、ＴＦＴのドレイ
ン領域との間を容易に電気接続することができるアクテ
ィブ駆動型有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供
する。 【解決手段】有機ＥＬ素子と、ＴＦＴと、を具備したア
クティブ駆動型有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素
子の下部電極と、ＴＦＴとの間に、非結晶性導電酸化物
からなる電気接続部材を設ける。
ン領域との間を容易に電気接続することができるアクテ
ィブ駆動型有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供
する。 【解決手段】有機ＥＬ素子と、ＴＦＴと、を具備したア
クティブ駆動型有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素
子の下部電極と、ＴＦＴとの間に、非結晶性導電酸化物
からなる電気接続部材を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、アクティブ駆動
型有機ＥＬ表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置と称する
場合がある。）、およびその製造方法に関する。さらに
詳しくは、発光制御用の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦ
Ｔと称する場合がある。）を備えたアクティブ駆動型有
機ＥＬ表示装置、およびその製造方法に関する。なお、
本願明細書の特許請求の範囲等に記載している「ＥＬ」
は、「エレクトロルミネッセンス」を省略表記したもの
である。
型有機ＥＬ表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置と称する
場合がある。）、およびその製造方法に関する。さらに
詳しくは、発光制御用の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦ
Ｔと称する場合がある。）を備えたアクティブ駆動型有
機ＥＬ表示装置、およびその製造方法に関する。なお、
本願明細書の特許請求の範囲等に記載している「ＥＬ」
は、「エレクトロルミネッセンス」を省略表記したもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、陽極層および陰極層の間に有機発
光層を挟持して構成した有機ＥＬ素子を、ＸＹマトリッ
クス状に配置した電極構造により駆動させる単純駆動型
アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置が知られており、例
えば、特開平２−３７３８５号公報や、特開平３−２３
３８９１号公報に開示されている。このような単純駆動
型有機ＥＬ表示装置では、いわゆる線順次駆動を行うの
で、走査線数が数百本ある場合には、要求される瞬間輝
度が、観察輝度の数百倍となり、結果として、以下のよ
うな問題が生じていた。 （１）駆動電圧が、直流定常電圧の場合の２〜３倍以上
と高くなるため、発光効率が低下したり、消費電力が大
きくなる。 （２）瞬間的に流れる電流量が数百倍となるため、有機
発光層が劣化しやすい。 （３）（２）と同様に、電流量が非常に大きいため、電
極配線における電圧降下が大きくなる。
光層を挟持して構成した有機ＥＬ素子を、ＸＹマトリッ
クス状に配置した電極構造により駆動させる単純駆動型
アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置が知られており、例
えば、特開平２−３７３８５号公報や、特開平３−２３
３８９１号公報に開示されている。このような単純駆動
型有機ＥＬ表示装置では、いわゆる線順次駆動を行うの
で、走査線数が数百本ある場合には、要求される瞬間輝
度が、観察輝度の数百倍となり、結果として、以下のよ
うな問題が生じていた。 （１）駆動電圧が、直流定常電圧の場合の２〜３倍以上
と高くなるため、発光効率が低下したり、消費電力が大
きくなる。 （２）瞬間的に流れる電流量が数百倍となるため、有機
発光層が劣化しやすい。 （３）（２）と同様に、電流量が非常に大きいため、電
極配線における電圧降下が大きくなる。
【０００３】そのため、単純駆動型有機ＥＬ表示装置の
有する問題点を解決すべく、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ，thin film transistor）を備えて、有機ＥＬ素子を
駆動させる各種のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置が
提案されている。このようなアクティブ駆動型有機ＥＬ
表示装置の構造例を図１８に示すが、単純駆動型有機Ｅ
Ｌ表示装置と比較して、駆動電圧が大幅に低電圧化し、
発光効率が向上し、しかも、消費電力が低減できる等の
効果を得ることができる。しかしながら、このようなア
クティブ駆動型有機ＥＬ表示装置２０４においても、有
機ＥＬ素子２０２と、ＴＦＴ２００との間を電気接続し
ようとしても、接続信頼性や耐湿性等に乏しいという問
題が見られた。例えば、電気接続部材として、アルミニ
ウムやクロム等の金属薄膜を用いて電気接続することが
提案されているが、有機ＥＬ素子２０２の透明電極２０
９と、電気接続部材との間で容易に剥離したり、あるい
は、周囲の水分により電気接続部材が腐食したり、さら
には、マイグレーションが生じてリーク電流が発生する
などの問題が見られた。なお、図１８上、透明電極２０
９と、電気接続部材とを一体的に表示してある。
有する問題点を解決すべく、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ，thin film transistor）を備えて、有機ＥＬ素子を
駆動させる各種のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置が
提案されている。このようなアクティブ駆動型有機ＥＬ
表示装置の構造例を図１８に示すが、単純駆動型有機Ｅ
Ｌ表示装置と比較して、駆動電圧が大幅に低電圧化し、
発光効率が向上し、しかも、消費電力が低減できる等の
効果を得ることができる。しかしながら、このようなア
クティブ駆動型有機ＥＬ表示装置２０４においても、有
機ＥＬ素子２０２と、ＴＦＴ２００との間を電気接続し
ようとしても、接続信頼性や耐湿性等に乏しいという問
題が見られた。例えば、電気接続部材として、アルミニ
ウムやクロム等の金属薄膜を用いて電気接続することが
提案されているが、有機ＥＬ素子２０２の透明電極２０
９と、電気接続部材との間で容易に剥離したり、あるい
は、周囲の水分により電気接続部材が腐食したり、さら
には、マイグレーションが生じてリーク電流が発生する
などの問題が見られた。なお、図１８上、透明電極２０
９と、電気接続部材とを一体的に表示してある。
【０００４】また、特開平８−３３０６００号公報や、
特開平１０−２５４３８３号公報には、図１９に示すよ
うに、有機ＥＬ素子１２６と、ＴＦＴ１３７とを具備す
るとともに、これらの部材１２６、１３７を電気接続す
るための複合材料からなる電気接続部材１２８を有する
アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置１００が開示されて
いる。すなわち、複合材料からなる電気接続部材１２８
として、下層１５０の低抵抗材料からなる金属薄膜と、
上層１５１の耐食性に優れた窒化チタン薄膜とから構成
された電気接続部材１２８が開示されており、アルミニ
ウム／窒化チタン、タングステン／窒化チタン、または
モリブテン／窒化チタン等からなるバリアメタルが使用
されている。
特開平１０−２５４３８３号公報には、図１９に示すよ
うに、有機ＥＬ素子１２６と、ＴＦＴ１３７とを具備す
るとともに、これらの部材１２６、１３７を電気接続す
るための複合材料からなる電気接続部材１２８を有する
アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置１００が開示されて
いる。すなわち、複合材料からなる電気接続部材１２８
として、下層１５０の低抵抗材料からなる金属薄膜と、
上層１５１の耐食性に優れた窒化チタン薄膜とから構成
された電気接続部材１２８が開示されており、アルミニ
ウム／窒化チタン、タングステン／窒化チタン、または
モリブテン／窒化チタン等からなるバリアメタルが使用
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
８−３３０６００号公報や、特開平１０−２５４３８３
号公報に開示された電気接続部材１２８は、下層１５０
の金属薄膜と、上層１５１の窒化チタン薄膜とを正確に
重ね合わせて形成しなければならず、エッチング精度が
乏しくなったり、製造工程数が多くなるなどの製造上の
問題が見られた。また、電気接続部材１２８として、金
属薄膜および窒化チタン薄膜からなるバリアメタルを用
いたとしても、当該バリアメタルの、有機ＥＬ素子１２
６の透明電極１２２に対する接続信頼性が、未だ乏しい
という問題も見られた。
８−３３０６００号公報や、特開平１０−２５４３８３
号公報に開示された電気接続部材１２８は、下層１５０
の金属薄膜と、上層１５１の窒化チタン薄膜とを正確に
重ね合わせて形成しなければならず、エッチング精度が
乏しくなったり、製造工程数が多くなるなどの製造上の
問題が見られた。また、電気接続部材１２８として、金
属薄膜および窒化チタン薄膜からなるバリアメタルを用
いたとしても、当該バリアメタルの、有機ＥＬ素子１２
６の透明電極１２２に対する接続信頼性が、未だ乏しい
という問題も見られた。
【０００６】そこで、本発明の発明者らは上記問題を鋭
意検討したところ、有機ＥＬ素子と、ＴＦＴとの間の電
気接続部材を、特定の酸化物から構成することにより、
上述した問題を解決できることを見出した。すなわち、
本発明は、有機ＥＬ素子とＴＦＴとの間の電気接続部材
を非結晶性導電酸化物から構成することにより、製造が
容易であり、しかも有機ＥＬ素子の透明電極との接続信
頼性に優れたアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置、およ
びこのようなアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置が効率
的に得られる製造方法を提供することを目的とする。
意検討したところ、有機ＥＬ素子と、ＴＦＴとの間の電
気接続部材を、特定の酸化物から構成することにより、
上述した問題を解決できることを見出した。すなわち、
本発明は、有機ＥＬ素子とＴＦＴとの間の電気接続部材
を非結晶性導電酸化物から構成することにより、製造が
容易であり、しかも有機ＥＬ素子の透明電極との接続信
頼性に優れたアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置、およ
びこのようなアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置が効率
的に得られる製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上部電
極および下部電極の間に有機発光媒体を挟持して構成し
た有機ＥＬ素子と、当該有機ＥＬ素子の発光制御用のＴ
ＦＴと、を具備したアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置
であり、有機ＥＬ素子と、薄膜トランジスタとの間に、
非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材を設けたアク
ティブ駆動型有機ＥＬ表示装置が提供される。このよう
に有機ＥＬ表示装置を構成することにより、非結晶性導
電酸化物が有する良好な耐湿性や耐熱性の特性を生かし
て、有機ＥＬ素子と、ＴＦＴとの間で、良好な接続信頼
性を得ることができる。また、非結晶性導電酸化物は、
エッチング特性に優れるとともに、有機酸等を用いても
エッチングが可能であることから、高精細の電気接続部
材を容易に設けることができる。
極および下部電極の間に有機発光媒体を挟持して構成し
た有機ＥＬ素子と、当該有機ＥＬ素子の発光制御用のＴ
ＦＴと、を具備したアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置
であり、有機ＥＬ素子と、薄膜トランジスタとの間に、
非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材を設けたアク
ティブ駆動型有機ＥＬ表示装置が提供される。このよう
に有機ＥＬ表示装置を構成することにより、非結晶性導
電酸化物が有する良好な耐湿性や耐熱性の特性を生かし
て、有機ＥＬ素子と、ＴＦＴとの間で、良好な接続信頼
性を得ることができる。また、非結晶性導電酸化物は、
エッチング特性に優れるとともに、有機酸等を用いても
エッチングが可能であることから、高精細の電気接続部
材を容易に設けることができる。
【０００８】また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ
表示装置を構成するにあたり、上部電極および下部電極
のいずれか一方の電極が、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺ
Ｏ）あるいはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）から構成
してあることが好ましい。このように構成すると、上部
電極あるいは下部電極と、非結晶性導電酸化物、例え
ば、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）からなる電気接続
部材との電気接続性がより良好となる。
表示装置を構成するにあたり、上部電極および下部電極
のいずれか一方の電極が、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺ
Ｏ）あるいはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）から構成
してあることが好ましい。このように構成すると、上部
電極あるいは下部電極と、非結晶性導電酸化物、例え
ば、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）からなる電気接続
部材との電気接続性がより良好となる。
【０００９】また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ
表示装置を構成するにあたり、非結晶性導電酸化物の比
抵抗を１×１０-3Ω・ｃｍ以下の値とすることが好まし
い。このように構成すると、電気接続部材に使用可能な
構成材料の種類が過度に制限されることもなく、また、
抵抗損失も少なくなる。
表示装置を構成するにあたり、非結晶性導電酸化物の比
抵抗を１×１０-3Ω・ｃｍ以下の値とすることが好まし
い。このように構成すると、電気接続部材に使用可能な
構成材料の種類が過度に制限されることもなく、また、
抵抗損失も少なくなる。
【００１０】また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ
表示装置を構成するにあたり、非結晶性導電酸化物が、
ドーパントを含むことが好ましい。このように構成する
ことにより、電気接続部材の導電率の調整がより容易に
なる。
表示装置を構成するにあたり、非結晶性導電酸化物が、
ドーパントを含むことが好ましい。このように構成する
ことにより、電気接続部材の導電率の調整がより容易に
なる。
【００１１】また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ
表示装置を構成するにあたり、上部電極および下部電極
あるいは陰極層のいずれか一方と、電気接続部材とが、
非結晶性導電酸化物、例えば、インジウム亜鉛酸化物
（ＩＺＯ）により一体的に形成してあることが好まし
い。このように構成すると、より優れた電気接続性が得
られ、しかも形成が容易となるばかりか、電気接続箇所
の数を減少することができる。
表示装置を構成するにあたり、上部電極および下部電極
あるいは陰極層のいずれか一方と、電気接続部材とが、
非結晶性導電酸化物、例えば、インジウム亜鉛酸化物
（ＩＺＯ）により一体的に形成してあることが好まし
い。このように構成すると、より優れた電気接続性が得
られ、しかも形成が容易となるばかりか、電気接続箇所
の数を減少することができる。
【００１２】また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ
表示装置を構成するにあたり、電気接続部材の少なくと
も一部に、メタライズ部が設けてあることが好ましい。
このように構成すると、有機ＥＬ素子、およびＴＦＴに
おけるそれぞれの電気接続部材での接続抵抗を、より低
抵抗化することができる。
表示装置を構成するにあたり、電気接続部材の少なくと
も一部に、メタライズ部が設けてあることが好ましい。
このように構成すると、有機ＥＬ素子、およびＴＦＴに
おけるそれぞれの電気接続部材での接続抵抗を、より低
抵抗化することができる。
【００１３】また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ
表示装置を構成するにあたり、電気接続部材の厚さを
０．０１〜１００μｍの範囲内の値とすることが好まし
い。このように構成すると電気接続部材での抵抗損失を
少なくできるとともに、所定の耐久性や均一な成膜性を
得ることができる。
表示装置を構成するにあたり、電気接続部材の厚さを
０．０１〜１００μｍの範囲内の値とすることが好まし
い。このように構成すると電気接続部材での抵抗損失を
少なくできるとともに、所定の耐久性や均一な成膜性を
得ることができる。
【００１４】また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ
表示装置を構成するにあたり、有機ＥＬ素子のＥＬ発光
側に、蛍光媒体およびカラーフィルタ、あるいはいずれ
か一方の色変換媒体を有することが好ましい。このよう
に構成することにより、外部に取り出した発光をカラー
フィルター又は蛍光媒体で色変換して、フルカラー表示
を行うことができる。
表示装置を構成するにあたり、有機ＥＬ素子のＥＬ発光
側に、蛍光媒体およびカラーフィルタ、あるいはいずれ
か一方の色変換媒体を有することが好ましい。このよう
に構成することにより、外部に取り出した発光をカラー
フィルター又は蛍光媒体で色変換して、フルカラー表示
を行うことができる。
【００１５】また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ
表示装置を構成するにあたり、色変換媒体が、支持基板
内に埋設してあることが好ましい。このように構成する
と、色変換媒体の固定が容易となるばかりか、ＴＦＴの
接続箇所と、有機ＥＬ素子との接続箇所との段差を少な
くすることができるため、より優れた電気接続性を得る
ことができる。
表示装置を構成するにあたり、色変換媒体が、支持基板
内に埋設してあることが好ましい。このように構成する
と、色変換媒体の固定が容易となるばかりか、ＴＦＴの
接続箇所と、有機ＥＬ素子との接続箇所との段差を少な
くすることができるため、より優れた電気接続性を得る
ことができる。
【００１６】また、本発明の別の態様は、上部電極およ
び下部電極の間に有機発光媒体を挟持して構成した有機
ＥＬ素子と、この有機ＥＬ素子の発光制御用のＴＦＴ
と、これらの有機ＥＬ素子およびＴＦＴの間を電気接続
するための電気接続部材と、を具備したアクティブ駆動
型有機ＥＬ表示装置の製造方法であり、ＴＦＴを形成す
る工程と、非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材を
形成する工程と、有機ＥＬ素子を形成する工程と、を含
むことを特徴としている。このように実施すると、有機
ＥＬ表示装置において、良好な接続信頼性を有し、か
つ、精度に優れた電気接続部材を形成することができ
る。
び下部電極の間に有機発光媒体を挟持して構成した有機
ＥＬ素子と、この有機ＥＬ素子の発光制御用のＴＦＴ
と、これらの有機ＥＬ素子およびＴＦＴの間を電気接続
するための電気接続部材と、を具備したアクティブ駆動
型有機ＥＬ表示装置の製造方法であり、ＴＦＴを形成す
る工程と、非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材を
形成する工程と、有機ＥＬ素子を形成する工程と、を含
むことを特徴としている。このように実施すると、有機
ＥＬ表示装置において、良好な接続信頼性を有し、か
つ、精度に優れた電気接続部材を形成することができ
る。
【００１７】また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ
表示装置の製造方法を実施するにあたり、下部電極と、
電気接続部材とを、非結晶性導電酸化物を用いて一体的
に形成することが好ましい。このように実施すると、電
気接続部材を容易かつ短時間で形成することができると
ともに、電気接続箇所を減少させることができる。
表示装置の製造方法を実施するにあたり、下部電極と、
電気接続部材とを、非結晶性導電酸化物を用いて一体的
に形成することが好ましい。このように実施すると、電
気接続部材を容易かつ短時間で形成することができると
ともに、電気接続箇所を減少させることができる。
【００１８】また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ
表示装置の製造方法を実施するにあたり、電気接続部材
を、スパッタリング法により形成することが好ましい。
このように実施することにより、非結晶性導電酸化物か
らなる電気接続部材を容易かつ精度良く形成することが
できる。
表示装置の製造方法を実施するにあたり、電気接続部材
を、スパッタリング法により形成することが好ましい。
このように実施することにより、非結晶性導電酸化物か
らなる電気接続部材を容易かつ精度良く形成することが
できる。
【００１９】また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ
表示装置の製造方法を実施するにあたり、電気接続部材
を、ゾル−ゲル法により形成することが好ましい。この
ように実施することにより、非結晶性導電酸化物からな
る電気接続部材を塗布および比較的低温加熱により容易
に形成することができる。
表示装置の製造方法を実施するにあたり、電気接続部材
を、ゾル−ゲル法により形成することが好ましい。この
ように実施することにより、非結晶性導電酸化物からな
る電気接続部材を塗布および比較的低温加熱により容易
に形成することができる。
【００２０】また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ
表示装置の製造方法を実施するにあたり、電気接続部材
を、有機酸によりエッチングして形成することが好まし
い。このように実施することにより、ＴＦＴや有機ＥＬ
素子の一部にＡｌやＣｒを使用している場合であって
も、当該ＡｌやＣｒを侵すことなく、非結晶性導電酸化
物のみをエッチングすることができる。
表示装置の製造方法を実施するにあたり、電気接続部材
を、有機酸によりエッチングして形成することが好まし
い。このように実施することにより、ＴＦＴや有機ＥＬ
素子の一部にＡｌやＣｒを使用している場合であって
も、当該ＡｌやＣｒを侵すことなく、非結晶性導電酸化
物のみをエッチングすることができる。
【００２１】また、本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ
表示装置の製造方法を実施するにあたり、電気接続部材
の少なくとも一部を、メタライズ化する工程を含むこと
が好ましい。このように実施することにより、電気接続
箇所でのさらなる低抵抗化や、優れた接続信頼性を有す
るアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を効率的に得るこ
とができる。
表示装置の製造方法を実施するにあたり、電気接続部材
の少なくとも一部を、メタライズ化する工程を含むこと
が好ましい。このように実施することにより、電気接続
箇所でのさらなる低抵抗化や、優れた接続信頼性を有す
るアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を効率的に得るこ
とができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について具体的に説明する。なお、参照する
図面は、この発明が理解できる程度に各構成成分の大き
さ、形状および配置関係を概略的に示してあるに過ぎな
い。したがって、この発明は図示例にのみ限定されるも
のではない。また、図面では、断面を表すハッチングを
省略する場合がある。
実施の形態について具体的に説明する。なお、参照する
図面は、この発明が理解できる程度に各構成成分の大き
さ、形状および配置関係を概略的に示してあるに過ぎな
い。したがって、この発明は図示例にのみ限定されるも
のではない。また、図面では、断面を表すハッチングを
省略する場合がある。
【００２３】［第１の実施形態］第１の実施形態の有機
ＥＬ表示装置は、図１に示すように、支持基板１０と、
この支持基板１０上の電気絶縁膜１２（ゲート絶縁膜を
兼ねる。）に埋設されたＴＦＴ１４と、このＴＦＴ１４
上に形成された層間絶縁膜（平坦化膜）１３と、この層
間絶縁膜１３上に形成された有機ＥＬ素子２６と、この
有機ＥＬ素子２６の発光面側に設けられた色変換媒体６
０と、さらに、これらのＴＦＴ１４および有機ＥＬ素子
２６を電気接続するための非結晶性導電酸化物からなる
電気接続部材２８と、を備えた有機ＥＬ表示装置３０で
ある。以下、第１の実施形態において、図１等を適宜参
照しながら、その構成要素等について説明する。
ＥＬ表示装置は、図１に示すように、支持基板１０と、
この支持基板１０上の電気絶縁膜１２（ゲート絶縁膜を
兼ねる。）に埋設されたＴＦＴ１４と、このＴＦＴ１４
上に形成された層間絶縁膜（平坦化膜）１３と、この層
間絶縁膜１３上に形成された有機ＥＬ素子２６と、この
有機ＥＬ素子２６の発光面側に設けられた色変換媒体６
０と、さらに、これらのＴＦＴ１４および有機ＥＬ素子
２６を電気接続するための非結晶性導電酸化物からなる
電気接続部材２８と、を備えた有機ＥＬ表示装置３０で
ある。以下、第１の実施形態において、図１等を適宜参
照しながら、その構成要素等について説明する。
【００２４】１．支持基板 有機ＥＬ表示装置における支持基板（以下、基板と称す
る場合がある。）は、有機ＥＬ素子や、ＴＦＴ等を支持
するための部材であり、そのため機械的強度や、寸法安
定性に優れていることが好ましい。このような基板とし
ては、具体的には、ガラス板、金属板、セラミックス
板、あるいはプラスチック板（ポリカーボネート樹脂、
アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレンテレフタ
レート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂
等）等を挙げることができる。
る場合がある。）は、有機ＥＬ素子や、ＴＦＴ等を支持
するための部材であり、そのため機械的強度や、寸法安
定性に優れていることが好ましい。このような基板とし
ては、具体的には、ガラス板、金属板、セラミックス
板、あるいはプラスチック板（ポリカーボネート樹脂、
アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレンテレフタ
レート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂
等）等を挙げることができる。
【００２５】また、これらの材料からなる基板は、有機
ＥＬ表示装置内への水分の侵入を避けるために、さらに
無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布することによ
り、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好まし
い。特に、有機発光媒体への水分の侵入を避けるため
に、基板における含水率およびガス透過係数を小さくす
ることが好ましい。具体的に、支持基板の含水率を０．
０００１重量％以下の値およびガス透過係数を１×１０
-13ｃｃ・ｃｍ／ｃｍ2・ｓｅｃ．ｃｍＨｇ以下の値とす
ることがそれぞれ好ましい。なお、第１の実施形態で
は、基板と反対側、すなわち、上部電極側からＥＬ発光
を取り出すため、基板は必ずしも透明性を有する必要は
ない。
ＥＬ表示装置内への水分の侵入を避けるために、さらに
無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布することによ
り、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好まし
い。特に、有機発光媒体への水分の侵入を避けるため
に、基板における含水率およびガス透過係数を小さくす
ることが好ましい。具体的に、支持基板の含水率を０．
０００１重量％以下の値およびガス透過係数を１×１０
-13ｃｃ・ｃｍ／ｃｍ2・ｓｅｃ．ｃｍＨｇ以下の値とす
ることがそれぞれ好ましい。なお、第１の実施形態で
は、基板と反対側、すなわち、上部電極側からＥＬ発光
を取り出すため、基板は必ずしも透明性を有する必要は
ない。
【００２６】２．有機ＥＬ素子 （１）有機発光媒体 有機発光媒体は、電子と正孔とが再結合して、ＥＬ発光
が可能な有機発光層を含む媒体と定義することができ
る。かかる有機発光媒体は、例えば、下部電極上に、以
下の各層を積層して構成することができる。 有機発光層 正孔注入層／有機発光層 有機発光層／電子注入層 正孔注入層／有機発光層／電子注入層 有機半導体層／有機発光層 有機半導体層／電子障壁層／有機発光層 正孔注入層／有機発光層／付着改善層 これらの中で、の構成が、より高い発光輝度が得ら
れ、耐久性にも優れていることから通常好ましく用いら
れる。
が可能な有機発光層を含む媒体と定義することができ
る。かかる有機発光媒体は、例えば、下部電極上に、以
下の各層を積層して構成することができる。 有機発光層 正孔注入層／有機発光層 有機発光層／電子注入層 正孔注入層／有機発光層／電子注入層 有機半導体層／有機発光層 有機半導体層／電子障壁層／有機発光層 正孔注入層／有機発光層／付着改善層 これらの中で、の構成が、より高い発光輝度が得ら
れ、耐久性にも優れていることから通常好ましく用いら
れる。
【００２７】構成材料 有機発光媒体における発光材料としては、例えば、ｐ−
クオーターフェニル誘導体、ｐ−クィンクフェニル誘導
体、ベンゾチアゾール系化合物、ベンゾイミダゾール系
化合物、ベンゾオキサゾール系化合物、金属キレート化
オキシノイド化合物、オキサジアゾール系化合物、スチ
リルベンゼン系化合物、ジスチリルピラジン誘導体、ブ
タジエン系化合物、ナフタルイミド化合物、ペリレン誘
導体、アルダジン誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペ
ンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、スチリルア
ミン誘導体、クマリン系化合物、芳香族ジメチリディン
系化合物、８−キノリノール誘導体を配位子とする金属
錯体、ポリフェニル系化合物等の１種単独または２種以
上の組み合わせが挙げられる。
クオーターフェニル誘導体、ｐ−クィンクフェニル誘導
体、ベンゾチアゾール系化合物、ベンゾイミダゾール系
化合物、ベンゾオキサゾール系化合物、金属キレート化
オキシノイド化合物、オキサジアゾール系化合物、スチ
リルベンゼン系化合物、ジスチリルピラジン誘導体、ブ
タジエン系化合物、ナフタルイミド化合物、ペリレン誘
導体、アルダジン誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペ
ンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、スチリルア
ミン誘導体、クマリン系化合物、芳香族ジメチリディン
系化合物、８−キノリノール誘導体を配位子とする金属
錯体、ポリフェニル系化合物等の１種単独または２種以
上の組み合わせが挙げられる。
【００２８】また、これらの有機発光材料のうち、芳香
族ジメチリディン系化合物としての、４，４´−ビス
（２，２−ジ−ｔ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル
（ＤＴＢＰＢＢｉと略記する。）や、４，４´−ビス
（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ
と略記する。）、およびこれらの誘導体がより好まし
い。さらに、ジスチリルアリーレン骨格等を有する有機
発光材料をホスト材料とし、当該ホスト材料に、ドーパ
ントとしての青色から赤色までの強い蛍光色素、例えば
クマリン系材料、あるいはホストと同様の蛍光色素をド
ープした材料を併用することも好適である。より具体的
には、ホスト材料として、上述したＤＰＶＢｉ等を用
い、ドーパントとして、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノベン
ゼン（ＤＰＡＶＢと略記する。）等を用いることが好ま
しい。
族ジメチリディン系化合物としての、４，４´−ビス
（２，２−ジ−ｔ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル
（ＤＴＢＰＢＢｉと略記する。）や、４，４´−ビス
（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ
と略記する。）、およびこれらの誘導体がより好まし
い。さらに、ジスチリルアリーレン骨格等を有する有機
発光材料をホスト材料とし、当該ホスト材料に、ドーパ
ントとしての青色から赤色までの強い蛍光色素、例えば
クマリン系材料、あるいはホストと同様の蛍光色素をド
ープした材料を併用することも好適である。より具体的
には、ホスト材料として、上述したＤＰＶＢｉ等を用
い、ドーパントとして、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノベン
ゼン（ＤＰＡＶＢと略記する。）等を用いることが好ま
しい。
【００２９】厚さ また、有機発光媒体の厚さについては特に制限はない
が、例えば、厚さを５ｎｍ〜５μｍの範囲内の値とする
ことが好ましい。この理由は、有機発光媒体の厚さが５
ｎｍ未満となると、発光輝度や耐久性が低下する場合が
あり、一方、有機発光媒体の厚さが５μｍを超えると、
印加電圧の値が高くなる場合があるためである。したが
って、有機発光媒体の厚さを１０ｎｍ〜３μｍの範囲内
の値とすることがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍの範
囲内の値とすることがさらに好ましい。
が、例えば、厚さを５ｎｍ〜５μｍの範囲内の値とする
ことが好ましい。この理由は、有機発光媒体の厚さが５
ｎｍ未満となると、発光輝度や耐久性が低下する場合が
あり、一方、有機発光媒体の厚さが５μｍを超えると、
印加電圧の値が高くなる場合があるためである。したが
って、有機発光媒体の厚さを１０ｎｍ〜３μｍの範囲内
の値とすることがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍの範
囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００３０】（２）電極 以下、上部電極および下部電極について説明する。ただ
し、有機ＥＬ素子の構成に対応して、これらの上部電極
および下部電極が、陽極層および陰極層に該当したり、
あるいは、陰極層および陽極層に該当する場合がある。
し、有機ＥＬ素子の構成に対応して、これらの上部電極
および下部電極が、陽極層および陰極層に該当したり、
あるいは、陰極層および陽極層に該当する場合がある。
【００３１】下部電極 下部電極は、有機ＥＬ表示装置の構成に応じて陽極層あ
るいは陰極層に該当するが、例えば、陽極層に該当する
場合には、仕事関数の大きい（例えば、４．０ｅＶ以
上）金属、合金、電気電導性化合物またはこれらの混合
物を使用することが好ましい。具体的に、インジウムス
ズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺ
Ｏ）、ヨウ化銅（ＣｕＩ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸
化亜鉛（ＺｎＯ）、金、白金、パラジウム等の電極材料
を単独で使用するか、あるいはこれらの電極材料を２種
以上組み合わせて使用することが好ましい。これらの電
極材料を使用することにより、真空蒸着法、スパッタリ
ング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法、
ＣＶＤ法(Chemical Vapor Deposition）、ＭＯＣＶＤ法
(Metal Oxide Chemical Vapor Deposition）、プラズマ
ＣＶＤ法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Depositio
n）等の乾燥状態での成膜が可能な方法を用いて、均一
な厚さを有する下部電極を形成することができる。な
お、下部電極側からＥＬ発光を取り出す場合には、当該
下部電極を透明電極とする必要がある。その場合、例え
ば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＣｕＩｎ、ＳｎＯ2，ＺｎＯ等の
透明導電性材料を使用して、ＥＬ発光の透過率を７０％
以上の値とすることが好ましい。
るいは陰極層に該当するが、例えば、陽極層に該当する
場合には、仕事関数の大きい（例えば、４．０ｅＶ以
上）金属、合金、電気電導性化合物またはこれらの混合
物を使用することが好ましい。具体的に、インジウムス
ズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺ
Ｏ）、ヨウ化銅（ＣｕＩ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸
化亜鉛（ＺｎＯ）、金、白金、パラジウム等の電極材料
を単独で使用するか、あるいはこれらの電極材料を２種
以上組み合わせて使用することが好ましい。これらの電
極材料を使用することにより、真空蒸着法、スパッタリ
ング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法、
ＣＶＤ法(Chemical Vapor Deposition）、ＭＯＣＶＤ法
(Metal Oxide Chemical Vapor Deposition）、プラズマ
ＣＶＤ法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Depositio
n）等の乾燥状態での成膜が可能な方法を用いて、均一
な厚さを有する下部電極を形成することができる。な
お、下部電極側からＥＬ発光を取り出す場合には、当該
下部電極を透明電極とする必要がある。その場合、例え
ば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＣｕＩｎ、ＳｎＯ2，ＺｎＯ等の
透明導電性材料を使用して、ＥＬ発光の透過率を７０％
以上の値とすることが好ましい。
【００３２】また、下部電極の膜厚も特に制限されるも
のではないが、例えば、１０〜１０００ｎｍの範囲内の
値とするのが好ましく、１０〜２００ｎｍの範囲内の値
とするのがより好ましい。この理由は、下部電極の膜厚
をこのような範囲内の値とすることにより、例えば、導
電性があり、かつ、７０％以上のＥＬ発光の透過率を得
ることができるためである。
のではないが、例えば、１０〜１０００ｎｍの範囲内の
値とするのが好ましく、１０〜２００ｎｍの範囲内の値
とするのがより好ましい。この理由は、下部電極の膜厚
をこのような範囲内の値とすることにより、例えば、導
電性があり、かつ、７０％以上のＥＬ発光の透過率を得
ることができるためである。
【００３３】上部電極 一方、上部電極についても、有機ＥＬ表示装置の構成に
対応して陽極層あるいは陰極層に該当するが、例えば、
陰極層に該当する場合には、陽極層と比較して、仕事関
数の小さい（例えば、４．０ｅＶ未満）金属、合金、電
気電導性化合物またはこれらの混合物あるいは含有物を
使用することが好ましい。具体的には、ナトリウム、ナ
トリウム−カリウム合金、セシウム、マグネシウム、リ
チウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム、酸化ア
ルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、インジウ
ム、希土類金属、これらの金属と有機発光媒体材料との
混合物、およびこれらの金属と電子注入層材料との混合
物等からなる電極材料を単独で使用するか、あるいはこ
れらの電極材料を２種以上組み合わせて使用することが
好ましい。
対応して陽極層あるいは陰極層に該当するが、例えば、
陰極層に該当する場合には、陽極層と比較して、仕事関
数の小さい（例えば、４．０ｅＶ未満）金属、合金、電
気電導性化合物またはこれらの混合物あるいは含有物を
使用することが好ましい。具体的には、ナトリウム、ナ
トリウム−カリウム合金、セシウム、マグネシウム、リ
チウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム、酸化ア
ルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、インジウ
ム、希土類金属、これらの金属と有機発光媒体材料との
混合物、およびこれらの金属と電子注入層材料との混合
物等からなる電極材料を単独で使用するか、あるいはこ
れらの電極材料を２種以上組み合わせて使用することが
好ましい。
【００３４】また、上部電極の膜厚についても、特に制
限されるものではないが、具体的に１０〜１，０００ｎ
ｍの範囲内の値とするのが好ましく、１０〜２００ｎｍ
の範囲内の値とするのがより好ましい。この理由は、上
部電極の膜厚をこのような範囲内の値とすることによ
り、導電性があり、かつ、１０％以上のＥＬ発光の透過
率を得ることができ、より好ましくは７０％以上のＥＬ
発光の透過率を得ることができるためである。
限されるものではないが、具体的に１０〜１，０００ｎ
ｍの範囲内の値とするのが好ましく、１０〜２００ｎｍ
の範囲内の値とするのがより好ましい。この理由は、上
部電極の膜厚をこのような範囲内の値とすることによ
り、導電性があり、かつ、１０％以上のＥＬ発光の透過
率を得ることができ、より好ましくは７０％以上のＥＬ
発光の透過率を得ることができるためである。
【００３５】構造１ また、下部電極２２の構造を、図２（ａ）、および
（ｂ）に示すように、先端部２９を分岐させたり、穴開
き円形としたり、あるいは、図２（ｃ）、および（ｄ）
に示すように、先端部２９に垂直方向の窪みや、凹凸構
造を設けることが好ましい。このように構成すると、下
部電極に対する電気接続部材２８の密着性を向上させる
ことができるとともに、電気接続部材の接触面積が大き
くなり、接続抵抗を有効に低下させることができる。な
お、図２（ａ）〜（ｄ）において、電気接続部材の接続
位置が理解可能なように、点線で電気接続部材２８を示
してある。また、この接続構造は、この場合の逆の構
造、すなわち、図２において、電気接続部材の先端を実
線部分とし、下部電極を点線で示す部分としてもよい。
その他、図示はしないが、下部電極と、電気接続部材と
の間の接続抵抗をさらに低下するために、下部電極の一
部にメタライズ部やバンプを設けることも好ましい。
（ｂ）に示すように、先端部２９を分岐させたり、穴開
き円形としたり、あるいは、図２（ｃ）、および（ｄ）
に示すように、先端部２９に垂直方向の窪みや、凹凸構
造を設けることが好ましい。このように構成すると、下
部電極に対する電気接続部材２８の密着性を向上させる
ことができるとともに、電気接続部材の接触面積が大き
くなり、接続抵抗を有効に低下させることができる。な
お、図２（ａ）〜（ｄ）において、電気接続部材の接続
位置が理解可能なように、点線で電気接続部材２８を示
してある。また、この接続構造は、この場合の逆の構
造、すなわち、図２において、電気接続部材の先端を実
線部分とし、下部電極を点線で示す部分としてもよい。
その他、図示はしないが、下部電極と、電気接続部材と
の間の接続抵抗をさらに低下するために、下部電極の一
部にメタライズ部やバンプを設けることも好ましい。
【００３６】構造２ 一方、上部電極２０は、図１に示すように、透明性導電
材料からなる主電極１６と、低抵抗材料からなる補助電
極１８とから構成することが好ましい。このように構成
することにより、上部電極２０側からＥＬ発光を取り出
した場合であっても、補助電極１８により上部電極２０
の面抵抗を低下させることができる。また、上部電極２
０側からＥＬ発光を取り出すことができるため、ＴＦＴ
を設けた場合であっても開口率を大きくすることができ
る。さらには、このように構成することにより、ＴＦＴ
の配置が容易になるため、有機発光媒体に流れる電流密
度が低減でき、結果として、有機発光媒体の寿命を著し
く伸ばすことができる。
材料からなる主電極１６と、低抵抗材料からなる補助電
極１８とから構成することが好ましい。このように構成
することにより、上部電極２０側からＥＬ発光を取り出
した場合であっても、補助電極１８により上部電極２０
の面抵抗を低下させることができる。また、上部電極２
０側からＥＬ発光を取り出すことができるため、ＴＦＴ
を設けた場合であっても開口率を大きくすることができ
る。さらには、このように構成することにより、ＴＦＴ
の配置が容易になるため、有機発光媒体に流れる電流密
度が低減でき、結果として、有機発光媒体の寿命を著し
く伸ばすことができる。
【００３７】（３）層間絶縁膜 第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置における層間絶縁膜
は、有機ＥＬ素子およびＴＦＴの近傍または周辺に存在
し、主に、蛍光媒体またはカラーフィルタの凹凸を平坦
化して、有機ＥＬ素子の下部電極を形成する際の平坦化
された下地として使用される。また、層間絶縁膜は、高
精細な配線材料を形成するための電気絶縁、有機ＥＬ素
子の下部電極と上部電極との間の電気絶縁（短絡防
止）、ＴＦＴの電気絶縁や機械的保護、さらには、ＴＦ
Ｔと有機ＥＬ素子との間の電気絶縁等を目的として用い
られる。したがって、第１の実施形態において、層間絶
縁膜は、必要に応じて、平坦化膜、電気絶縁膜、隔壁、
スぺーサー、斜行部材等の名称で呼ぶ場合があり、本発
明では、いずれをも包含するものである。
は、有機ＥＬ素子およびＴＦＴの近傍または周辺に存在
し、主に、蛍光媒体またはカラーフィルタの凹凸を平坦
化して、有機ＥＬ素子の下部電極を形成する際の平坦化
された下地として使用される。また、層間絶縁膜は、高
精細な配線材料を形成するための電気絶縁、有機ＥＬ素
子の下部電極と上部電極との間の電気絶縁（短絡防
止）、ＴＦＴの電気絶縁や機械的保護、さらには、ＴＦ
Ｔと有機ＥＬ素子との間の電気絶縁等を目的として用い
られる。したがって、第１の実施形態において、層間絶
縁膜は、必要に応じて、平坦化膜、電気絶縁膜、隔壁、
スぺーサー、斜行部材等の名称で呼ぶ場合があり、本発
明では、いずれをも包含するものである。
【００３８】構成材料 層間絶縁膜に用いられる構成材料としては、通常、アク
リル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、フ
ッ素化ポリイミド樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、メラミ
ン樹脂、環状ポリオレフィン、ノボラック樹脂、ポリケ
イ皮酸ビニル、環化ゴム、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリス
チレン、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹
脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸
樹脂、ポリアミド樹脂等が挙げられる。
リル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、フ
ッ素化ポリイミド樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、メラミ
ン樹脂、環状ポリオレフィン、ノボラック樹脂、ポリケ
イ皮酸ビニル、環化ゴム、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリス
チレン、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹
脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸
樹脂、ポリアミド樹脂等が挙げられる。
【００３９】また、層間絶縁膜を無機酸化物から構成す
る場合、好ましい無機酸化物として、酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ2またはＳｉＯx）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3また
はＡｌＯx）酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化イットリウム
（Ｙ2Ｏ3またはＹＯx）、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2ま
たはＧｅＯx）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯまたはＭｇＯx）、酸化カルシウム（Ｃａ
Ｏ）、ほう酸（Ｂ2Ｏ3）、酸化ストロンチウム（Ｓｒ
Ｏ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化鉛（ＰｂＯ）、ジ
ルコニア（ＺｒＯ2）、酸化ナトリウム（Ｎａ2Ｏ）、酸
化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ2Ｏ）等を挙
げることができる。なお、無機酸化物を表す構造式中の
ｘは、１〜３の範囲内の値である。また、特に耐熱性が
要求される場合には、これらの層間絶縁膜の構成材料の
うち、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素化ポリイ
ミド、環状ポリオレフィン、エポキシ樹脂、無機酸化物
を使用することが好ましい。なお、これらの層間絶縁膜
は、感光性基を導入してフォトリソグラフィー法で所望
のパターンに加工するか、印刷手法にて所望のパターン
に形成することが好ましい。
る場合、好ましい無機酸化物として、酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ2またはＳｉＯx）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3また
はＡｌＯx）酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化イットリウム
（Ｙ2Ｏ3またはＹＯx）、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2ま
たはＧｅＯx）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯまたはＭｇＯx）、酸化カルシウム（Ｃａ
Ｏ）、ほう酸（Ｂ2Ｏ3）、酸化ストロンチウム（Ｓｒ
Ｏ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化鉛（ＰｂＯ）、ジ
ルコニア（ＺｒＯ2）、酸化ナトリウム（Ｎａ2Ｏ）、酸
化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ2Ｏ）等を挙
げることができる。なお、無機酸化物を表す構造式中の
ｘは、１〜３の範囲内の値である。また、特に耐熱性が
要求される場合には、これらの層間絶縁膜の構成材料の
うち、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素化ポリイ
ミド、環状ポリオレフィン、エポキシ樹脂、無機酸化物
を使用することが好ましい。なお、これらの層間絶縁膜
は、感光性基を導入してフォトリソグラフィー法で所望
のパターンに加工するか、印刷手法にて所望のパターン
に形成することが好ましい。
【００４０】層間絶縁膜の厚さ等 層間絶縁膜の厚さは、表示の精細度、有機ＥＬ素子と組
み合わせられる蛍光媒体またはカラーフィルタの凹凸に
もよるが、好ましくは１０ｎｍ〜１ｍｍの範囲内の値と
することが好ましい。この理由は、このように構成する
ことにより、蛍光媒体またはカラーフィルタの凹凸を十
分に平坦化できるとともに、高精細表示の視野角依存性
を低減することができるためである。したがって、層間
絶縁膜の厚さを１００ｎｍ〜１００μｍの範囲内の値と
することがより好ましく、１００ｎｍ〜１０μｍの範囲
内の値とすることがさらに好ましい。
み合わせられる蛍光媒体またはカラーフィルタの凹凸に
もよるが、好ましくは１０ｎｍ〜１ｍｍの範囲内の値と
することが好ましい。この理由は、このように構成する
ことにより、蛍光媒体またはカラーフィルタの凹凸を十
分に平坦化できるとともに、高精細表示の視野角依存性
を低減することができるためである。したがって、層間
絶縁膜の厚さを１００ｎｍ〜１００μｍの範囲内の値と
することがより好ましく、１００ｎｍ〜１０μｍの範囲
内の値とすることがさらに好ましい。
【００４１】形成方法 層間絶縁膜の形成方法は特に制限されるものではない
が、例えば、スピンコート法、キャスト法、スクリーン
印刷法等の方法を用いて成膜するか、あるいは、スパッ
タリング法、蒸着法、化学蒸着法（ＣＶＤ法）、イオン
プレーティング法等の方法で成膜することが好ましい。
が、例えば、スピンコート法、キャスト法、スクリーン
印刷法等の方法を用いて成膜するか、あるいは、スパッ
タリング法、蒸着法、化学蒸着法（ＣＶＤ法）、イオン
プレーティング法等の方法で成膜することが好ましい。
【００４２】３．薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） （１）構成 第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の実施形態
（変形例を含む。）は、図１および図３〜図５に示すよ
うに、基板１０上に、少なくとも一つのＴＦＴ１４と、
このＴＦＴ１４により駆動される有機ＥＬ素子２６とを
有している。また、このＴＦＴ１４と、有機ＥＬ素子２
６の下部電極２２との間には、平坦化された層間絶縁膜
１３が配設してあり、かつＴＦＴ１４のドレイン４７
と、有機ＥＬ素子２６の下部電極２２とが、層間絶縁膜
１３に設けられた非結晶性導電無機酸化物からなるコン
タクトホール５４を介して電気的に接続されている。
（変形例を含む。）は、図１および図３〜図５に示すよ
うに、基板１０上に、少なくとも一つのＴＦＴ１４と、
このＴＦＴ１４により駆動される有機ＥＬ素子２６とを
有している。また、このＴＦＴ１４と、有機ＥＬ素子２
６の下部電極２２との間には、平坦化された層間絶縁膜
１３が配設してあり、かつＴＦＴ１４のドレイン４７
と、有機ＥＬ素子２６の下部電極２２とが、層間絶縁膜
１３に設けられた非結晶性導電無機酸化物からなるコン
タクトホール５４を介して電気的に接続されている。
【００４３】また、図４の回路図が示すように、ＴＦＴ
１４には、ＸＹマトリックス状に配設された複数（ｎ
本、ｎは、例えば１〜１、０００の範囲内の値）の走査
電極線（Ｙj〜Ｙj+n）５０と信号電極線（Ｘi〜Ｘi+n）
５１が電気接続されており、さらに、この信号電極線５
１に対して平行に設けられた共通電極線（Ｃi〜Ｃi+n）
５２が、ＴＦＴ１４に電気接続してある。そして、これ
らの電極線５０、５１、５２が、ＴＦＴ１４に電気接続
されており、コンデンサー５７とともに、有機ＥＬ素子
２６を駆動させるための電気スイッチを構成しているこ
とが好ましい。すなわち、かかる電気スイッチは、走査
電極線５０および信号電極線５１等に電気接続されてい
るとともに、例えば、１個以上の第１のトランジスタ
（以下、Ｔｒ１と称する場合がある。）５５と、第２の
トランジスタ（以下、Ｔｒ２と称する場合がある。）５
６と、コンデンサー５７とから構成してあることが好ま
しい。なお、第１のトランジスタ５５は、発光画素を選
択する機能を有し、第２のトランジスタ５６は、有機Ｅ
Ｌ素子を駆動する機能を有していることが好ましい。
１４には、ＸＹマトリックス状に配設された複数（ｎ
本、ｎは、例えば１〜１、０００の範囲内の値）の走査
電極線（Ｙj〜Ｙj+n）５０と信号電極線（Ｘi〜Ｘi+n）
５１が電気接続されており、さらに、この信号電極線５
１に対して平行に設けられた共通電極線（Ｃi〜Ｃi+n）
５２が、ＴＦＴ１４に電気接続してある。そして、これ
らの電極線５０、５１、５２が、ＴＦＴ１４に電気接続
されており、コンデンサー５７とともに、有機ＥＬ素子
２６を駆動させるための電気スイッチを構成しているこ
とが好ましい。すなわち、かかる電気スイッチは、走査
電極線５０および信号電極線５１等に電気接続されてい
るとともに、例えば、１個以上の第１のトランジスタ
（以下、Ｔｒ１と称する場合がある。）５５と、第２の
トランジスタ（以下、Ｔｒ２と称する場合がある。）５
６と、コンデンサー５７とから構成してあることが好ま
しい。なお、第１のトランジスタ５５は、発光画素を選
択する機能を有し、第２のトランジスタ５６は、有機Ｅ
Ｌ素子を駆動する機能を有していることが好ましい。
【００４４】また、図３に示すように、第１のトランジ
スタ（Ｔｒ１）５５および第２のトランジスタ（Ｔｒ
２）５６の活性層４４は、ｎ型にドーピングされた半導
体領域４５、４７、およびドーピングされていない半導
体領域４６から構成されており、ｎ+／ｉ／ｎ+と表すこ
とができる。そして、ｎ型にドーピングされた半導体領
域が、それぞれソース４５およびドレイン４７となり、
ドーピングされていない半導体領域の上方にゲート酸化
膜１２を介して設けられたゲート４３とともに、全体と
して、トランジスタ５５、５６を構成することになる。
スタ（Ｔｒ１）５５および第２のトランジスタ（Ｔｒ
２）５６の活性層４４は、ｎ型にドーピングされた半導
体領域４５、４７、およびドーピングされていない半導
体領域４６から構成されており、ｎ+／ｉ／ｎ+と表すこ
とができる。そして、ｎ型にドーピングされた半導体領
域が、それぞれソース４５およびドレイン４７となり、
ドーピングされていない半導体領域の上方にゲート酸化
膜１２を介して設けられたゲート４３とともに、全体と
して、トランジスタ５５、５６を構成することになる。
【００４５】なお、活性層４４において、ｎ型にドーピ
ングされた半導体領域４５、４７を、ｎ型の代わりにｐ
型にドーピングして、ｐ+／ｉ／ｐ+とした構成であって
も良い。また、第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５およ
び第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６の活性層４４は、
ポリシリコン等の無機半導体や、チオフェンオリゴマ
ー、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）等の有機半導体か
ら構成してあることが好ましい。特に、ポリシリコン
は、アモルファスＳｉ（α−Ｓｉ）に比べて、通電に対
し充分な安定性を示すことから、好ましい材料である。
ングされた半導体領域４５、４７を、ｎ型の代わりにｐ
型にドーピングして、ｐ+／ｉ／ｐ+とした構成であって
も良い。また、第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５およ
び第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６の活性層４４は、
ポリシリコン等の無機半導体や、チオフェンオリゴマ
ー、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）等の有機半導体か
ら構成してあることが好ましい。特に、ポリシリコン
は、アモルファスＳｉ（α−Ｓｉ）に比べて、通電に対
し充分な安定性を示すことから、好ましい材料である。
【００４６】（２）駆動方法 次ぎに、ＴＦＴによる有機ＥＬ素子の駆動方法につき説
明する。ＴＦＴは、図４に示す回路図のように、第１の
トランジスタ（Ｔｒ１）５５および第２のトランジスタ
（Ｔｒ２）５６を含んでいるととともに、電気スイッチ
を構成していることが好ましい。すなわち、このように
電気スイッチを構成することにより、ＸＹマトリックス
の電極を介して走査信号パルスおよび信号パルスを入力
し、スイッチ動作を行わせることにより、有機ＥＬ素子
２６を駆動させることができる。より具体的に言えば、
電気スイッチにより、有機ＥＬ素子２６を発光させた
り、あるいは発光を停止させることにより、画像表示を
行うことが可能である。
明する。ＴＦＴは、図４に示す回路図のように、第１の
トランジスタ（Ｔｒ１）５５および第２のトランジスタ
（Ｔｒ２）５６を含んでいるととともに、電気スイッチ
を構成していることが好ましい。すなわち、このように
電気スイッチを構成することにより、ＸＹマトリックス
の電極を介して走査信号パルスおよび信号パルスを入力
し、スイッチ動作を行わせることにより、有機ＥＬ素子
２６を駆動させることができる。より具体的に言えば、
電気スイッチにより、有機ＥＬ素子２６を発光させた
り、あるいは発光を停止させることにより、画像表示を
行うことが可能である。
【００４７】このように電気スイッチによって有機ＥＬ
素子２６を駆動させるに際し、走査電極線（ゲート線と
称する場合がある。）（Ｙj〜Ｙj+n）５０を介して伝達
される走査パルスと、信号電極線（Ｘi〜Ｘi+n）５１を
介して伝達される走査パルスによって、所望の第１のト
ランジスタ（Ｔｒ１）５５が選択され、共通電極線（Ｃ
i〜Ｃi+n ）５２と第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５
のソース４５との間に形成してあるコンデンサー５７に
所定の電荷が充電されることになる。これにより第２の
トランジスタ（Ｔｒ２）５６のゲート電圧が一定値とな
り、第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６はＯＮ状態とな
る。そして、このＯＮ状態において、次にゲートパルス
が伝達されるまでゲート電圧がホールドされるため、第
２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６のドレイン４７に接続
されている有機ＥＬ素子２６の下部電極２２に電流を供
給しつづけることになる。したがって、供給された電流
により、有機ＥＬ素子２６を駆動することが可能にな
り、有機ＥＬ素子２６の駆動電圧を大幅に低下させると
ともに、発光効率が向上し、しかも、消費電力を低減す
ることができるようになる。
素子２６を駆動させるに際し、走査電極線（ゲート線と
称する場合がある。）（Ｙj〜Ｙj+n）５０を介して伝達
される走査パルスと、信号電極線（Ｘi〜Ｘi+n）５１を
介して伝達される走査パルスによって、所望の第１のト
ランジスタ（Ｔｒ１）５５が選択され、共通電極線（Ｃ
i〜Ｃi+n ）５２と第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５
のソース４５との間に形成してあるコンデンサー５７に
所定の電荷が充電されることになる。これにより第２の
トランジスタ（Ｔｒ２）５６のゲート電圧が一定値とな
り、第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６はＯＮ状態とな
る。そして、このＯＮ状態において、次にゲートパルス
が伝達されるまでゲート電圧がホールドされるため、第
２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６のドレイン４７に接続
されている有機ＥＬ素子２６の下部電極２２に電流を供
給しつづけることになる。したがって、供給された電流
により、有機ＥＬ素子２６を駆動することが可能にな
り、有機ＥＬ素子２６の駆動電圧を大幅に低下させると
ともに、発光効率が向上し、しかも、消費電力を低減す
ることができるようになる。
【００４８】４．電気接続部材 （１）構成材料 種類１ 第１の実施形態では、電気接続部材を非結晶性導電酸化
物から構成することを特徴としている。すなわち、緻密
な非結晶性導電酸化物が有する優れた耐湿性や、耐熱性
等の特性をいかして、有機ＥＬ素子と、ＴＦＴとの間の
良好な電気接続を得ることができる。また、非結晶性導
電酸化物が有する優れたエッチング特性をいかして、優
れた精度を有する電気接続部材を容易に形成することが
できる。
物から構成することを特徴としている。すなわち、緻密
な非結晶性導電酸化物が有する優れた耐湿性や、耐熱性
等の特性をいかして、有機ＥＬ素子と、ＴＦＴとの間の
良好な電気接続を得ることができる。また、非結晶性導
電酸化物が有する優れたエッチング特性をいかして、優
れた精度を有する電気接続部材を容易に形成することが
できる。
【００４９】また、第１の実施形態では、電気接続部材
の構成材料の結晶構造をアモルファス（非結晶）とする
ことが必要である。この理由は、かかる構成材料を非結
晶とすることにより、エッチング特性が飛躍的に向上
し、高精細な電極ピッチを形成することができるためで
ある。ただし、電気接続部材の構成材料の全体量を１０
０重量％としたときに、一部結晶構造を含むことも可能
であるが、その場合であっても結晶構造の含有量を３重
量％以下の値とすることが好ましく、１重量％以下の値
とすることがより好ましく、０．５重量％以下の値とす
ることがさらに好ましい。また、電気接続部材の構成材
料における非結晶性は、後述する真空蒸着法やスパッタ
リング法の条件（ターゲットの種類を含む。）、あるい
は、添加するドーパントの種類や添加量を調整すること
により、容易に制御することができる。そして、かかる
構成材料の非結晶性は、Ｘ線回折構造を測定することに
より確認することができる。例えば、図６に、インジウ
ム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のＸ線回折チャート例を示す
が、このように２θが５°〜６０°において結晶ピーク
が観察されないことから、電気接続部材の構成材料が非
結晶であることが確認できる。
の構成材料の結晶構造をアモルファス（非結晶）とする
ことが必要である。この理由は、かかる構成材料を非結
晶とすることにより、エッチング特性が飛躍的に向上
し、高精細な電極ピッチを形成することができるためで
ある。ただし、電気接続部材の構成材料の全体量を１０
０重量％としたときに、一部結晶構造を含むことも可能
であるが、その場合であっても結晶構造の含有量を３重
量％以下の値とすることが好ましく、１重量％以下の値
とすることがより好ましく、０．５重量％以下の値とす
ることがさらに好ましい。また、電気接続部材の構成材
料における非結晶性は、後述する真空蒸着法やスパッタ
リング法の条件（ターゲットの種類を含む。）、あるい
は、添加するドーパントの種類や添加量を調整すること
により、容易に制御することができる。そして、かかる
構成材料の非結晶性は、Ｘ線回折構造を測定することに
より確認することができる。例えば、図６に、インジウ
ム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のＸ線回折チャート例を示す
が、このように２θが５°〜６０°において結晶ピーク
が観察されないことから、電気接続部材の構成材料が非
結晶であることが確認できる。
【００５０】種類２ また、好ましい非結晶性導電酸化物の具体例としては、
インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）やインジウムスズ酸化
物（ＩＴＯ）等が挙げられる。これらのうち、特に幅広
い焼結温度、例えば１００〜７００℃の焼結温度におい
て、非結晶性とすることができるとともに、得られた薄
膜の耐湿性が優れていることから、インジウム亜鉛酸化
物であることが好ましい。また、このような非結晶性導
電酸化物をゾル−ゲル法で作製する場合には、酢酸イン
ジウム、酢酸亜鉛等のカルボン酸塩、塩化インジウム、
塩化亜鉛等の塩化物、インジウムエトキシド、亜鉛エト
キシド等のアルコキシ化合物を原料化合物とすることが
好ましい。なお、これらの非結晶性導電酸化物の原料化
合物において、優れた保存安定性を得るとともに、より
均一な薄膜が得られることから、アルカノールアミン等
の有機溶媒を使用することが好ましい。
インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）やインジウムスズ酸化
物（ＩＴＯ）等が挙げられる。これらのうち、特に幅広
い焼結温度、例えば１００〜７００℃の焼結温度におい
て、非結晶性とすることができるとともに、得られた薄
膜の耐湿性が優れていることから、インジウム亜鉛酸化
物であることが好ましい。また、このような非結晶性導
電酸化物をゾル−ゲル法で作製する場合には、酢酸イン
ジウム、酢酸亜鉛等のカルボン酸塩、塩化インジウム、
塩化亜鉛等の塩化物、インジウムエトキシド、亜鉛エト
キシド等のアルコキシ化合物を原料化合物とすることが
好ましい。なお、これらの非結晶性導電酸化物の原料化
合物において、優れた保存安定性を得るとともに、より
均一な薄膜が得られることから、アルカノールアミン等
の有機溶媒を使用することが好ましい。
【００５１】種類３ また、非結晶性導電酸化物が、インジウム亜鉛酸化物
（ＩＺＯ）であり、インジウムのモル比をＩｎ／（Ｉｎ
＋Ｚｎ）で表した場合に、当該モル比を０．５〜０．９
５の範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、か
かるインジウムのモル比が、０．５未満となると透明性
や導電率が低下する場合があるためであり、一方、かか
るインジウムのモル比が、０．９５を超えると、結晶し
やすくなる場合があるためである。したがって、かかる
インジウムのモル比（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ））を０．７
５〜０．９０の範囲内の値とすることがより好ましく、
０．８〜０．９０の範囲内の値とすることがさらに好ま
しい。なお、かかるインジウムのモル比は、ＩＣＰ分析
（Inductively Coupled Plasma）により、測定すること
ができる。
（ＩＺＯ）であり、インジウムのモル比をＩｎ／（Ｉｎ
＋Ｚｎ）で表した場合に、当該モル比を０．５〜０．９
５の範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、か
かるインジウムのモル比が、０．５未満となると透明性
や導電率が低下する場合があるためであり、一方、かか
るインジウムのモル比が、０．９５を超えると、結晶し
やすくなる場合があるためである。したがって、かかる
インジウムのモル比（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ））を０．７
５〜０．９０の範囲内の値とすることがより好ましく、
０．８〜０．９０の範囲内の値とすることがさらに好ま
しい。なお、かかるインジウムのモル比は、ＩＣＰ分析
（Inductively Coupled Plasma）により、測定すること
ができる。
【００５２】種類４ また、非結晶性導電酸化物中に、ドーパントを含むこと
が好ましい。このようにドーパントを含むことにより、
非結晶性導電酸化物の導電率の調整がより容易となる。
ここで、好ましいドーパントとしては、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｇ
ａ、Ｇｅ等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙
げられる。なお、このようなドーパントは、スパッタ法
の場合には、予めスパッタリングターゲットに混合し
て、そのスパッタリングターゲットを用いてスパッタリ
ングすることが好ましく、一方、ゾル−ゲル法の場合に
はゾル状態で均一に添加することができることから、ジ
メトキシスズ、トリメトキシアンチモン、トリエトキシ
ガリウム、テトラメトキシゲルマニウム等のアルコキシ
化合物や、塩化スズ、塩化アンチモン、塩化ガリウム、
塩化ゲルマニウム等の塩化物として添加することが好ま
しい。
が好ましい。このようにドーパントを含むことにより、
非結晶性導電酸化物の導電率の調整がより容易となる。
ここで、好ましいドーパントとしては、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｇ
ａ、Ｇｅ等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙
げられる。なお、このようなドーパントは、スパッタ法
の場合には、予めスパッタリングターゲットに混合し
て、そのスパッタリングターゲットを用いてスパッタリ
ングすることが好ましく、一方、ゾル−ゲル法の場合に
はゾル状態で均一に添加することができることから、ジ
メトキシスズ、トリメトキシアンチモン、トリエトキシ
ガリウム、テトラメトキシゲルマニウム等のアルコキシ
化合物や、塩化スズ、塩化アンチモン、塩化ガリウム、
塩化ゲルマニウム等の塩化物として添加することが好ま
しい。
【００５３】また、ドーパントの添加量を、全体量に対
して、０．１〜５０重量％の範囲内の値とすることが好
ましい。この理由は、かかるドーパントの添加量が０．
１重量％未満となると、添加効果が発現しない場合があ
るためであり、一方、かかるドーパントの添加量が５０
重量％を超えると、耐熱性や耐湿性が低下する場合があ
るためである。したがって、ドーパントの添加量を、全
体量に対して、１〜３０重量％の範囲内の値とすること
がより好ましく、１０〜２０重量％の範囲内の値とする
ことがさらに好ましい。
して、０．１〜５０重量％の範囲内の値とすることが好
ましい。この理由は、かかるドーパントの添加量が０．
１重量％未満となると、添加効果が発現しない場合があ
るためであり、一方、かかるドーパントの添加量が５０
重量％を超えると、耐熱性や耐湿性が低下する場合があ
るためである。したがって、ドーパントの添加量を、全
体量に対して、１〜３０重量％の範囲内の値とすること
がより好ましく、１０〜２０重量％の範囲内の値とする
ことがさらに好ましい。
【００５４】比抵抗 また、電気接続部材における構成材料の比抵抗を１×１
０-3Ω・ｃｍ以下の値とすることが好ましい。この理由
は、かかる比抵抗が１×１０-3Ω・ｃｍを超えると、抵
抗損失が過度に大きくなり、ＴＦＴのスイッチ動作に支
障を来す場合があるためである。したがって、電気接続
部材における構成材料の比抵抗を５×１０-4Ω・ｃｍ以
下の値とすることがより好ましく、１×１０-4Ω・ｃｍ
以下の値とすることがさらに好ましい。
０-3Ω・ｃｍ以下の値とすることが好ましい。この理由
は、かかる比抵抗が１×１０-3Ω・ｃｍを超えると、抵
抗損失が過度に大きくなり、ＴＦＴのスイッチ動作に支
障を来す場合があるためである。したがって、電気接続
部材における構成材料の比抵抗を５×１０-4Ω・ｃｍ以
下の値とすることがより好ましく、１×１０-4Ω・ｃｍ
以下の値とすることがさらに好ましい。
【００５５】面抵抗 また、電気接続部材の面抵抗を０．０１〜１００Ω／□
の範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、かか
る面抵抗が０．０１Ω／□未満となると、使用可能な構
成材料の種類が過度に制限される場合があるとともに、
ＩＴＯやＩＺＯ等からなる下部電極（透明電極）との電
気接続性が低下する場合があるためである。一方、かか
る面抵抗が１００Ω／□を超えると、抵抗損失が過度に
大きくなり、ＴＦＴのスイッチ動作に支障を来す場合が
あるためである。したがって、電気接続部材の面抵抗を
０．１〜２０Ω／□の範囲内の値とすることがより好ま
しく、０．１〜１０Ω／□の範囲内の値とすることがさ
らに好ましい。
の範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、かか
る面抵抗が０．０１Ω／□未満となると、使用可能な構
成材料の種類が過度に制限される場合があるとともに、
ＩＴＯやＩＺＯ等からなる下部電極（透明電極）との電
気接続性が低下する場合があるためである。一方、かか
る面抵抗が１００Ω／□を超えると、抵抗損失が過度に
大きくなり、ＴＦＴのスイッチ動作に支障を来す場合が
あるためである。したがって、電気接続部材の面抵抗を
０．１〜２０Ω／□の範囲内の値とすることがより好ま
しく、０．１〜１０Ω／□の範囲内の値とすることがさ
らに好ましい。
【００５６】（２）構成２ また、図７に示すように、電気接続部材が、層間絶縁膜
１３内に形成したビアホール４０であることも好まし
い。このように電気接続部材がビアホールであれば、接
触面積を大きくすることができるため、良好な電気接続
性が得られるためである。また、ビアホールの口径を
０．１〜１００μｍの範囲内の値とすることが好まし
い。この理由は、ビアホールの口径が０．１μｍ未満と
なると、形成するのが困難となったり、接続信頼性が低
下する場合があるためである。一方、ビアホールの口径
が１００μｍを超えると、逆に形成するのが困難となっ
たり、隣接するビアホール間でショートが発生しやすく
なる場合があるためである。なお、このようなビアホー
ルは、例えば、フォトエッチング法や、機械的切削によ
り形成することが好ましい。
１３内に形成したビアホール４０であることも好まし
い。このように電気接続部材がビアホールであれば、接
触面積を大きくすることができるため、良好な電気接続
性が得られるためである。また、ビアホールの口径を
０．１〜１００μｍの範囲内の値とすることが好まし
い。この理由は、ビアホールの口径が０．１μｍ未満と
なると、形成するのが困難となったり、接続信頼性が低
下する場合があるためである。一方、ビアホールの口径
が１００μｍを超えると、逆に形成するのが困難となっ
たり、隣接するビアホール間でショートが発生しやすく
なる場合があるためである。なお、このようなビアホー
ルは、例えば、フォトエッチング法や、機械的切削によ
り形成することが好ましい。
【００５７】（３）構成３ また、図８に示すように、電気接続部材２８を非結晶性
導電酸化物から構成するとともに、当該電気接続部材２
８の一部または全面にメタライズ部３１および３５が設
けてあることが好ましい。このように構成すると、電気
接続部材２８と、有機ＥＬ素子２６の下部電極２２との
間、およびＴＦＴ１４との間におけるそれぞれの電気接
続箇所での接続抵抗を、より低抵抗化することができ
る。ここで、メタライズ部３１および３５は同一の形成
材料から構成されていてもよく、あるいは、それぞれが
異なる形成材料から構成されていてもよい。また、メタ
ライズ部の好ましい形成材料としては、例えば、アルミ
ニウム、白金、金、銀、銅、ニッケル、クロム、タンタ
ル、タングステン、ＴｉＮ、ＴａＮ等の１種単独または
２種以上の組み合わせが挙げられる。これらの金属であ
れば、接続端部での接続抵抗を、確実に低抵抗化するこ
とができるためである。また、特にメタライズ部３１で
はアルミニウムを、またメタライズ部３５ではクロムや
タングステンをそれぞれ用いて形成することが好まし
い。このように構成すると、上部電極側でも、下部電極
側でも、接続端部での接続抵抗をより低抗化することが
できるとともに、上部電極側の耐腐食性も向上させるこ
とができる。さらに、メタライズ部の形成方法について
も特に制限されるものではないが、例えば、メッキ法、
蒸着法、あるいは、スパッタリング法を採ることが好ま
しい。
導電酸化物から構成するとともに、当該電気接続部材２
８の一部または全面にメタライズ部３１および３５が設
けてあることが好ましい。このように構成すると、電気
接続部材２８と、有機ＥＬ素子２６の下部電極２２との
間、およびＴＦＴ１４との間におけるそれぞれの電気接
続箇所での接続抵抗を、より低抵抗化することができ
る。ここで、メタライズ部３１および３５は同一の形成
材料から構成されていてもよく、あるいは、それぞれが
異なる形成材料から構成されていてもよい。また、メタ
ライズ部の好ましい形成材料としては、例えば、アルミ
ニウム、白金、金、銀、銅、ニッケル、クロム、タンタ
ル、タングステン、ＴｉＮ、ＴａＮ等の１種単独または
２種以上の組み合わせが挙げられる。これらの金属であ
れば、接続端部での接続抵抗を、確実に低抵抗化するこ
とができるためである。また、特にメタライズ部３１で
はアルミニウムを、またメタライズ部３５ではクロムや
タングステンをそれぞれ用いて形成することが好まし
い。このように構成すると、上部電極側でも、下部電極
側でも、接続端部での接続抵抗をより低抗化することが
できるとともに、上部電極側の耐腐食性も向上させるこ
とができる。さらに、メタライズ部の形成方法について
も特に制限されるものではないが、例えば、メッキ法、
蒸着法、あるいは、スパッタリング法を採ることが好ま
しい。
【００５８】なお、メタライズ部の厚さは、電気接続箇
所での接続抵抗の値を考慮して定めることが好ましい
が、具体的に、０．０１〜５０μｍの範囲内の値とする
ことが好ましい。この理由は、メタライズ部の厚さが
０．０１μｍ未満の値となると、電気接続箇所での接続
抵抗の値が低下しない場合があるためであり、一方、５
０μｍを超えると、メタライズ部の形成に時間がかかる
場合があるためである。したがって、メタライズ部の厚
さを０．０１〜３０μｍの範囲内の値とすることがより
好ましく、０．０３〜１０μｍの範囲内の値とすること
がさらに好ましい。
所での接続抵抗の値を考慮して定めることが好ましい
が、具体的に、０．０１〜５０μｍの範囲内の値とする
ことが好ましい。この理由は、メタライズ部の厚さが
０．０１μｍ未満の値となると、電気接続箇所での接続
抵抗の値が低下しない場合があるためであり、一方、５
０μｍを超えると、メタライズ部の形成に時間がかかる
場合があるためである。したがって、メタライズ部の厚
さを０．０１〜３０μｍの範囲内の値とすることがより
好ましく、０．０３〜１０μｍの範囲内の値とすること
がさらに好ましい。
【００５９】（４）構成４ また、図１に示すように、電気接続部材２８の厚さを
０．０１〜１００μｍの範囲内の値とすることが好まし
い。この理由は、電気接続部材の厚さが０．０１μｍ未
満となると、耐久性が乏しくなったり、抵抗損失が著し
く大きくなる場合があるためであり、一方、かかる厚さ
が１００μｍを超えると、形成するのに過度に時間がか
かったり、脆くなる場合があるためである。したがっ
て、電気接続部材の厚さを０．０１〜８０μｍの範囲内
の値とすることがより好ましく、０．０３〜５０μｍの
範囲内の値とすることがさらに好ましい。
０．０１〜１００μｍの範囲内の値とすることが好まし
い。この理由は、電気接続部材の厚さが０．０１μｍ未
満となると、耐久性が乏しくなったり、抵抗損失が著し
く大きくなる場合があるためであり、一方、かかる厚さ
が１００μｍを超えると、形成するのに過度に時間がか
かったり、脆くなる場合があるためである。したがっ
て、電気接続部材の厚さを０．０１〜８０μｍの範囲内
の値とすることがより好ましく、０．０３〜５０μｍの
範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００６０】５．色変換媒体 色変換媒体としては、カラーフィルタや、ＥＬ発光とは
異なる色を発光するための蛍光膜があるが、これらの組
合わせも含むものである。
異なる色を発光するための蛍光膜があるが、これらの組
合わせも含むものである。
【００６１】（１）カラーフィルタ 構成 カラーフィルタは、光を分解またはカットして色調整ま
たはコントラストを向上するために設けられ、色素のみ
からなる色素層、または色素をバインダー樹脂中に溶解
または分散させて構成した層状物として構成される。ま
た、カラーフィルタの構成として、青色、緑色、赤色の
色素を含むことが好適である。このようなカラーフィル
タと、白色発光の有機ＥＬ素子とを組み合わせることに
より、青色、緑色、赤色の光の三原色が得られ、フルカ
ラー表示が可能であるためである。なお、カラーフィル
タは、蛍光媒体と同様に、印刷法や、フォトリソグラフ
ィ法を用いてパターニングすることが好ましい
たはコントラストを向上するために設けられ、色素のみ
からなる色素層、または色素をバインダー樹脂中に溶解
または分散させて構成した層状物として構成される。ま
た、カラーフィルタの構成として、青色、緑色、赤色の
色素を含むことが好適である。このようなカラーフィル
タと、白色発光の有機ＥＬ素子とを組み合わせることに
より、青色、緑色、赤色の光の三原色が得られ、フルカ
ラー表示が可能であるためである。なお、カラーフィル
タは、蛍光媒体と同様に、印刷法や、フォトリソグラフ
ィ法を用いてパターニングすることが好ましい
【００６２】厚さ カラーフィルタの厚さは、有機ＥＬ素子の発光を十分に
受光（吸収）するとともに、色変換機能を妨げるもので
なければ、特に制限されるものではないが、例えば、１
０ｎｍ〜１ｍｍの範囲内の値とすることが好ましく、
０．５μｍ〜１ｍｍの範囲内の値とすることがより好ま
しく、１μｍ〜１００μｍの範囲内の値とすることがさ
らに好ましい。なお、カラーフィルタの厚さが５μｍ以
上の値になると、その上に設けてある下部電極の高さ位
置が高くなって、当該下部電極と、ＴＦＴとの電気接続
の信頼性が低下することが判明している。したがって、
本発明の傾斜した電気接続部材は、カラーフィルタの厚
さが５μｍ以上の値の場合に、その効果をより発揮する
ことができると言える。
受光（吸収）するとともに、色変換機能を妨げるもので
なければ、特に制限されるものではないが、例えば、１
０ｎｍ〜１ｍｍの範囲内の値とすることが好ましく、
０．５μｍ〜１ｍｍの範囲内の値とすることがより好ま
しく、１μｍ〜１００μｍの範囲内の値とすることがさ
らに好ましい。なお、カラーフィルタの厚さが５μｍ以
上の値になると、その上に設けてある下部電極の高さ位
置が高くなって、当該下部電極と、ＴＦＴとの電気接続
の信頼性が低下することが判明している。したがって、
本発明の傾斜した電気接続部材は、カラーフィルタの厚
さが５μｍ以上の値の場合に、その効果をより発揮する
ことができると言える。
【００６３】（２）蛍光媒体 構成 アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置における蛍光媒体
は、有機ＥＬ素子の発光を吸収して、より長波長の蛍光
を発光する機能を有しており、平面的に分離配置された
層状物として構成されている。各蛍光媒体は、有機ＥＬ
素子の発光領域、例えば下部電極と上部電極との交差部
分の位置に対応して配置してあることが好ましい。この
ように構成することにより、下部電極と上部電極との交
差部分における有機発光層が発光した場合に、その光を
各蛍光媒体が受光して、異なる色（波長）の発光を外部
に取り出すことが可能になる。特に、有機ＥＬ素子が青
色発光するとともに、蛍光媒体によって、緑色、赤色発
光に変換可能な構成とすると、一つの有機ＥＬ素子であ
っても、青色、緑色、赤色の光の三原色が得られ、フル
カラー表示が可能であることから好適である。
は、有機ＥＬ素子の発光を吸収して、より長波長の蛍光
を発光する機能を有しており、平面的に分離配置された
層状物として構成されている。各蛍光媒体は、有機ＥＬ
素子の発光領域、例えば下部電極と上部電極との交差部
分の位置に対応して配置してあることが好ましい。この
ように構成することにより、下部電極と上部電極との交
差部分における有機発光層が発光した場合に、その光を
各蛍光媒体が受光して、異なる色（波長）の発光を外部
に取り出すことが可能になる。特に、有機ＥＬ素子が青
色発光するとともに、蛍光媒体によって、緑色、赤色発
光に変換可能な構成とすると、一つの有機ＥＬ素子であ
っても、青色、緑色、赤色の光の三原色が得られ、フル
カラー表示が可能であることから好適である。
【００６４】また、各蛍光媒体間に、有機ＥＬ素子の発
光及び各蛍光媒体からの光を遮断して、コントラストを
向上させ、視野角依存性を低減するための遮光層（ブラ
ックマトリックス）を配置することも好ましい。なお、
蛍光媒体は、外光によるコントラストの低下を防止する
ため、上述したカラーフィルタと組み合せて構成しても
よい。
光及び各蛍光媒体からの光を遮断して、コントラストを
向上させ、視野角依存性を低減するための遮光層（ブラ
ックマトリックス）を配置することも好ましい。なお、
蛍光媒体は、外光によるコントラストの低下を防止する
ため、上述したカラーフィルタと組み合せて構成しても
よい。
【００６５】形成方法 蛍光媒体が、主に蛍光色素からなる場合は、所望の蛍光
媒体のパターンが得られるマスクを介して、真空蒸着ま
たはスパッタリング法で成膜することが好ましい。一
方、蛍光媒体が、蛍光色素と樹脂からなる場合は、蛍光
色素と樹脂と適当な溶剤とを混合、分散または可溶化さ
せて液状物とし、当該液状物を、スピンコート、ロール
コート、キャスト法等の方法で成膜し、その後、フォト
リソグラフィー法で所望の蛍光媒体のパターンにパター
ニングしたり、スクリーン印刷等の方法で所望のパター
ンにパターニングして、蛍光媒体を形成するのが好まし
い。
媒体のパターンが得られるマスクを介して、真空蒸着ま
たはスパッタリング法で成膜することが好ましい。一
方、蛍光媒体が、蛍光色素と樹脂からなる場合は、蛍光
色素と樹脂と適当な溶剤とを混合、分散または可溶化さ
せて液状物とし、当該液状物を、スピンコート、ロール
コート、キャスト法等の方法で成膜し、その後、フォト
リソグラフィー法で所望の蛍光媒体のパターンにパター
ニングしたり、スクリーン印刷等の方法で所望のパター
ンにパターニングして、蛍光媒体を形成するのが好まし
い。
【００６６】厚さ 蛍光媒体の厚さは、有機ＥＬ素子の発光を十分に受光
（吸収）するとともに、蛍光の発生機能を妨げるもので
なければ、特に制限されるものではないが、例えば、１
０ｎｍ〜１ｍｍの範囲内の値とすることが好ましく、
０．５μｍ〜１ｍｍの範囲内の値とすることがより好ま
しく、１μｍ〜１００μｍの範囲内の値とすることがさ
らに好ましい。なお、蛍光媒体の厚さが５μｍ以上の値
になると、下部電極と、ＴＦＴとの電気接続の信頼性が
低下することは、カラーフィルタの場合と同様である。
したがって、本発明の傾斜した電気接続部材は、蛍光媒
体を設けた場合であっても、その厚さが５μｍ以上の場
合に、その効果をより発揮することができると言える。
（吸収）するとともに、蛍光の発生機能を妨げるもので
なければ、特に制限されるものではないが、例えば、１
０ｎｍ〜１ｍｍの範囲内の値とすることが好ましく、
０．５μｍ〜１ｍｍの範囲内の値とすることがより好ま
しく、１μｍ〜１００μｍの範囲内の値とすることがさ
らに好ましい。なお、蛍光媒体の厚さが５μｍ以上の値
になると、下部電極と、ＴＦＴとの電気接続の信頼性が
低下することは、カラーフィルタの場合と同様である。
したがって、本発明の傾斜した電気接続部材は、蛍光媒
体を設けた場合であっても、その厚さが５μｍ以上の場
合に、その効果をより発揮することができると言える。
【００６７】［第２の実施形態］第２の実施形態の有機
ＥＬ表示装置は、図９に示すように、支持基板１０と、
この支持基板１０上に形成されたＴＦＴ１４および色変
換媒体６０と、この色変換媒体６０の側端６１に設けら
れた斜面６２上に形成された非結晶性導電酸化物からな
る電気接続部材２８と、色変換媒体６０上に形成された
有機ＥＬ素子２６と、を備えたアクティブ駆動型有機Ｅ
Ｌ表示装置３４である。このように電気接続部材２８を
色変換媒体６０の斜面に沿って設けることにより、電気
接続部材２８が色変換媒体６０の熱膨張等に追随しやす
くなるので、ＴＦＴ１４と有機ＥＬ素子２６との間で、
より優れた接続信頼性を得ることができる。以下、第２
の実施形態において、図９および図１０を適宜参照しな
がら、特徴点について説明する。
ＥＬ表示装置は、図９に示すように、支持基板１０と、
この支持基板１０上に形成されたＴＦＴ１４および色変
換媒体６０と、この色変換媒体６０の側端６１に設けら
れた斜面６２上に形成された非結晶性導電酸化物からな
る電気接続部材２８と、色変換媒体６０上に形成された
有機ＥＬ素子２６と、を備えたアクティブ駆動型有機Ｅ
Ｌ表示装置３４である。このように電気接続部材２８を
色変換媒体６０の斜面に沿って設けることにより、電気
接続部材２８が色変換媒体６０の熱膨張等に追随しやす
くなるので、ＴＦＴ１４と有機ＥＬ素子２６との間で、
より優れた接続信頼性を得ることができる。以下、第２
の実施形態において、図９および図１０を適宜参照しな
がら、特徴点について説明する。
【００６８】（１）構成１ 図９に示すように、電気接続部材２８を傾斜させて設け
ることが好ましい。このように構成すると、電気接続部
材２８の形成が容易となり、しかも、有機ＥＬ素子２６
と、ＴＦＴ１４との間で、電気接続部材２８がバネ的な
動作をするため、良好な接続信頼性を得ることができ
る。また、電気接続部材２８を傾斜させる場合に、図９
に示す電気接続部材２８の傾斜角度（θ）を１０°〜８
０°の範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、
かかる傾斜角度が８０°を超えると、電気接続部材の形
成が困難となる場合があるためであり、一方、かかる傾
斜角度が１０°未満となると、開口率が低下する場合が
あるためである。したがって、電気接続部材の傾斜角度
を２０°〜７０°の範囲内の値とすることがより好まし
く、３０°〜６０°の範囲内の値とすることがさらに好
ましい。
ることが好ましい。このように構成すると、電気接続部
材２８の形成が容易となり、しかも、有機ＥＬ素子２６
と、ＴＦＴ１４との間で、電気接続部材２８がバネ的な
動作をするため、良好な接続信頼性を得ることができ
る。また、電気接続部材２８を傾斜させる場合に、図９
に示す電気接続部材２８の傾斜角度（θ）を１０°〜８
０°の範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、
かかる傾斜角度が８０°を超えると、電気接続部材の形
成が困難となる場合があるためであり、一方、かかる傾
斜角度が１０°未満となると、開口率が低下する場合が
あるためである。したがって、電気接続部材の傾斜角度
を２０°〜７０°の範囲内の値とすることがより好まし
く、３０°〜６０°の範囲内の値とすることがさらに好
ましい。
【００６９】（２）構成２ また、図９に示すように、色変換媒体６０自体の側端６
１を斜面６２としてあるとともに、当該斜面６２に沿っ
て、電気接続部材２８が設けてあることが好ましい。こ
のように構成すると、色変換媒体６０の側端６１を電気
接続部材２８の支持部として利用することができ、傾斜
した電気接続部材２８を容易に設けることができる。ま
た、このように構成すると、色変換媒体６０が加熱され
て熱膨張した場合であっても、電気接続部材２８が容易
に追随することができるので、優れた接続信頼性を得る
ことができる。例えば、色変換媒体６０の側端６１を傾
斜角度１０°〜８０°の斜面６２としておき、スパッタ
リング法等を用いて、金属薄膜を積層するだけで、傾斜
した電気接続部材２８を容易に設けることができる。
１を斜面６２としてあるとともに、当該斜面６２に沿っ
て、電気接続部材２８が設けてあることが好ましい。こ
のように構成すると、色変換媒体６０の側端６１を電気
接続部材２８の支持部として利用することができ、傾斜
した電気接続部材２８を容易に設けることができる。ま
た、このように構成すると、色変換媒体６０が加熱され
て熱膨張した場合であっても、電気接続部材２８が容易
に追随することができるので、優れた接続信頼性を得る
ことができる。例えば、色変換媒体６０の側端６１を傾
斜角度１０°〜８０°の斜面６２としておき、スパッタ
リング法等を用いて、金属薄膜を積層するだけで、傾斜
した電気接続部材２８を容易に設けることができる。
【００７０】（３）構成３ また、図１０に示すように、電気絶縁性材料を用いて、
色変換媒体６０の側端６１に斜行部材６３を設けること
も好ましい。このように斜行部材６３を設けることによ
り、色変換媒体６０が熱膨張等した場合であっても、当
該斜行部材６３が緩衝材となって、電気接続部材２８を
介して、優れた接続信頼性を得ることができる。なお、
この斜行部材は、色変換媒体上の平坦化膜として形成し
てもよい。また、斜行部材６３の構成材料としては、層
間絶縁膜と同様の電気絶縁性材料を使用することが好ま
しい。したがって、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド
樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹
脂、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2
Ｏ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2）等を使用することが好ま
しい。なお、斜行部材６３の形態についても一部に斜面
が設けてあれば特に制限されるものではないが、概ね三
角形であることが好ましい。
色変換媒体６０の側端６１に斜行部材６３を設けること
も好ましい。このように斜行部材６３を設けることによ
り、色変換媒体６０が熱膨張等した場合であっても、当
該斜行部材６３が緩衝材となって、電気接続部材２８を
介して、優れた接続信頼性を得ることができる。なお、
この斜行部材は、色変換媒体上の平坦化膜として形成し
てもよい。また、斜行部材６３の構成材料としては、層
間絶縁膜と同様の電気絶縁性材料を使用することが好ま
しい。したがって、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド
樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹
脂、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2
Ｏ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2）等を使用することが好ま
しい。なお、斜行部材６３の形態についても一部に斜面
が設けてあれば特に制限されるものではないが、概ね三
角形であることが好ましい。
【００７１】［第３の実施形態］第３の実施形態の有機
ＥＬ表示装置は、図１１に示すように、支持基板１０
と、この上に形成されたＴＦＴ１４および色変換媒体６
０と、この色変換媒体６０上に形成された有機ＥＬ素子
２６と、このＴＦＴ１４および有機ＥＬ素子２６の下部
電極２２を電気接続するための非結晶性導電酸化物から
なる電気接続部材２８と、有機ＥＬ素子２６の周囲を覆
う封止部材５８と、を備えたアクティブ駆動型有機ＥＬ
表示装置３６である。そして、第３の実施形態では、色
変換媒体６０の一部を層間絶縁膜１２内に埋設してある
ことを特徴としている。以下、第３の実施形態におい
て、図１１を適宜参照しながら、特徴点について説明す
る。
ＥＬ表示装置は、図１１に示すように、支持基板１０
と、この上に形成されたＴＦＴ１４および色変換媒体６
０と、この色変換媒体６０上に形成された有機ＥＬ素子
２６と、このＴＦＴ１４および有機ＥＬ素子２６の下部
電極２２を電気接続するための非結晶性導電酸化物から
なる電気接続部材２８と、有機ＥＬ素子２６の周囲を覆
う封止部材５８と、を備えたアクティブ駆動型有機ＥＬ
表示装置３６である。そして、第３の実施形態では、色
変換媒体６０の一部を層間絶縁膜１２内に埋設してある
ことを特徴としている。以下、第３の実施形態におい
て、図１１を適宜参照しながら、特徴点について説明す
る。
【００７２】（１）埋設構造 有機ＥＬ表示装置３６において、色変換媒体６０の一部
または全部を、層間絶縁膜１２内、または支持基板１０
内に埋設することが好ましい。このように構成すること
により、特別な固定手段を用いることなく、色変換媒体
を強固に固定することができるとともに、その上に形成
する下部電極２２の位置を低下させることができる。し
たがって、色変換媒体の取り扱いが容易になるばかり
か、ＴＦＴにおける電気接続箇所（ドレイン電極）の位
置と、下部電極における電気接続箇所の位置との段差を
小さくすることができる。よって、電気接続部材の長さ
を短くすることができ、電気接続部材における電気接続
が容易になるばかりか、抵抗損失を小さくすることがで
きることから、有機ＥＬ素子の駆動が良好となる。
または全部を、層間絶縁膜１２内、または支持基板１０
内に埋設することが好ましい。このように構成すること
により、特別な固定手段を用いることなく、色変換媒体
を強固に固定することができるとともに、その上に形成
する下部電極２２の位置を低下させることができる。し
たがって、色変換媒体の取り扱いが容易になるばかり
か、ＴＦＴにおける電気接続箇所（ドレイン電極）の位
置と、下部電極における電気接続箇所の位置との段差を
小さくすることができる。よって、電気接続部材の長さ
を短くすることができ、電気接続部材における電気接続
が容易になるばかりか、抵抗損失を小さくすることがで
きることから、有機ＥＬ素子の駆動が良好となる。
【００７３】また、色変換媒体をどの程度埋設するか
は、ＴＦＴと、下部電極との間の電気接続の容易性や接
続信頼性を考慮して定めることが好ましいが、具体的
に、色変換媒体の埋設量を０．１〜５μｍの範囲内の値
とすることが好ましい。この理由は、かかる埋設量が
０．１μｍ未満になると、厚手の色変換媒体において
は、電気接続部材２８の長さがほとんど短縮されない場
合があるためであり、一方、かかる埋設量が５μｍを超
えると、色変換媒体を埋設するのが困難となる場合があ
るためである。したがって、かかる埋設量を０．２〜４
μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、０．３〜
３μｍの範囲内の値とすることがよりさらに好ましい。
なお、色変換媒体を支持基板内に埋設する方法について
も特に制限されるものではないが、例えば、支持基板の
該当箇所を切削することによって、色変換媒体の一部を
埋設することが好ましい。
は、ＴＦＴと、下部電極との間の電気接続の容易性や接
続信頼性を考慮して定めることが好ましいが、具体的
に、色変換媒体の埋設量を０．１〜５μｍの範囲内の値
とすることが好ましい。この理由は、かかる埋設量が
０．１μｍ未満になると、厚手の色変換媒体において
は、電気接続部材２８の長さがほとんど短縮されない場
合があるためであり、一方、かかる埋設量が５μｍを超
えると、色変換媒体を埋設するのが困難となる場合があ
るためである。したがって、かかる埋設量を０．２〜４
μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、０．３〜
３μｍの範囲内の値とすることがよりさらに好ましい。
なお、色変換媒体を支持基板内に埋設する方法について
も特に制限されるものではないが、例えば、支持基板の
該当箇所を切削することによって、色変換媒体の一部を
埋設することが好ましい。
【００７４】（２）位置調節層 また、第３の実施形態において、図１２に示すように、
ＴＦＴの位置調節層３３を設けることも好ましい。この
ように構成することにより、位置調節層３３の厚さを変
えるだけで、その上に形成するＴＦＴ１４における接続
箇所の位置を高くすることができる。したがって、ＴＦ
Ｔ１４における電気接続箇所（ドレイン電極）の位置
と、下部電極２２における電気接続箇所の位置との段差
を小さくすることができ、電気接続部材２８の長さを短
くしたり、電気接続部材２８における抵抗損失を小さく
することができる。
ＴＦＴの位置調節層３３を設けることも好ましい。この
ように構成することにより、位置調節層３３の厚さを変
えるだけで、その上に形成するＴＦＴ１４における接続
箇所の位置を高くすることができる。したがって、ＴＦ
Ｔ１４における電気接続箇所（ドレイン電極）の位置
と、下部電極２２における電気接続箇所の位置との段差
を小さくすることができ、電気接続部材２８の長さを短
くしたり、電気接続部材２８における抵抗損失を小さく
することができる。
【００７５】また、位置調節層の厚さは、ＴＦＴと、下
部電極との間の電気接続の容易性や接続信頼性を考慮し
て定めることが好ましいが、具体的に、位置調節層の厚
さを０．１〜５μｍの範囲内の値とすることが好まし
い。この理由は、位置調節層の厚さが０．１μｍ未満に
なると、厚手の色変換媒体においては、電気接続部材２
８の長さがほとんど短縮されない場合があるためであ
り、一方、かかる位置調節層の厚さが５μｍを超える
と、形成するのが困難となる場合があるためである。し
たがって、位置調節層の厚さを０．２〜４μｍの範囲内
の値とすることがより好ましく、０．３〜３μｍの範囲
内の値とすることがよりさらに好ましい。
部電極との間の電気接続の容易性や接続信頼性を考慮し
て定めることが好ましいが、具体的に、位置調節層の厚
さを０．１〜５μｍの範囲内の値とすることが好まし
い。この理由は、位置調節層の厚さが０．１μｍ未満に
なると、厚手の色変換媒体においては、電気接続部材２
８の長さがほとんど短縮されない場合があるためであ
り、一方、かかる位置調節層の厚さが５μｍを超える
と、形成するのが困難となる場合があるためである。し
たがって、位置調節層の厚さを０．２〜４μｍの範囲内
の値とすることがより好ましく、０．３〜３μｍの範囲
内の値とすることがよりさらに好ましい。
【００７６】また、位置調節層の構成材料についても、
特に制限されるものではないが、層間絶縁膜と同様の電
気絶縁性材料を使用することが好ましい。したがって、
例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、
ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化チタン
（ＴｉＯ2）等を使用することが好ましい。なお、位置
調節層の形成方法についても特に制限されるものではな
いが、例えば、蒸着法や光硬化性樹脂を用いた光硬化法
を用いて形成することが好ましい。
特に制限されるものではないが、層間絶縁膜と同様の電
気絶縁性材料を使用することが好ましい。したがって、
例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、
ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化チタン
（ＴｉＯ2）等を使用することが好ましい。なお、位置
調節層の形成方法についても特に制限されるものではな
いが、例えば、蒸着法や光硬化性樹脂を用いた光硬化法
を用いて形成することが好ましい。
【００７７】（３）封止用部材 有機ＥＬ表示装置における封止用部材は、内部への水分
侵入を防止するために当該アクティブ駆動型有機ＥＬ表
示装置の周囲に設けるか、さらには、このように設けた
封止用部材と、有機ＥＬ表示装置との間に、公知の封止
媒体、例えば、乾燥剤、ドライガス、フッ化炭化水素等
の不活性液体を封入することが好ましい。また、かかる
封止用部材は、蛍光媒体や、カラーフィルターを上部電
極の外部に設ける場合の、支持基板としても使用するこ
とができる。このような封止用部材としては、支持基板
と同種の材料、例えば、ガラス板を用いることができ
る。また、封止用部材の形態についても、特に制限され
るものでなく、例えば、板状やキャップ状とすることが
好ましい。そして、例えば、板状とした場合、その厚さ
を、０．０１〜５ｍｍの範囲内の値とすることが好まし
い。さらに、封止用部材は、有機ＥＬ表示装置の所定場
所に溝等を設けておき、それに圧入して固定することも
好ましいし、あるいは、光硬化型の接着剤等を用いて、
有機ＥＬ表示装置の所定場所に固定することも好まし
い。
侵入を防止するために当該アクティブ駆動型有機ＥＬ表
示装置の周囲に設けるか、さらには、このように設けた
封止用部材と、有機ＥＬ表示装置との間に、公知の封止
媒体、例えば、乾燥剤、ドライガス、フッ化炭化水素等
の不活性液体を封入することが好ましい。また、かかる
封止用部材は、蛍光媒体や、カラーフィルターを上部電
極の外部に設ける場合の、支持基板としても使用するこ
とができる。このような封止用部材としては、支持基板
と同種の材料、例えば、ガラス板を用いることができ
る。また、封止用部材の形態についても、特に制限され
るものでなく、例えば、板状やキャップ状とすることが
好ましい。そして、例えば、板状とした場合、その厚さ
を、０．０１〜５ｍｍの範囲内の値とすることが好まし
い。さらに、封止用部材は、有機ＥＬ表示装置の所定場
所に溝等を設けておき、それに圧入して固定することも
好ましいし、あるいは、光硬化型の接着剤等を用いて、
有機ＥＬ表示装置の所定場所に固定することも好まし
い。
【００７８】［第４の実施形態］第４の実施形態は、図
１に示す第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０の製造
方法であって、具体的に、支持基板１０上に、電気絶縁
膜１２に埋設されたＴＦＴ１４と、上部電極２０および
下部電極２２の間に有機発光媒体２４を含んでなる有機
ＥＬ素子２６と、これらのＴＦＴ１４と有機ＥＬ素子２
６とを電気接続するための電気接続部材２８と、を備え
たアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置３０の製造方法で
ある。そして、第４の実施形態では、図１３、図１４、
および図１５に示すように、ＴＦＴ１４を形成する工程
と、非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材２８を形
成する工程と、有機ＥＬ素子２６を形成する工程と、を
含むことを特徴としている。以下、第４実施形態におい
て、図１３、図１４および図１５等を適宜参照しなが
ら、その特徴部分等について説明する。
１に示す第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０の製造
方法であって、具体的に、支持基板１０上に、電気絶縁
膜１２に埋設されたＴＦＴ１４と、上部電極２０および
下部電極２２の間に有機発光媒体２４を含んでなる有機
ＥＬ素子２６と、これらのＴＦＴ１４と有機ＥＬ素子２
６とを電気接続するための電気接続部材２８と、を備え
たアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置３０の製造方法で
ある。そして、第４の実施形態では、図１３、図１４、
および図１５に示すように、ＴＦＴ１４を形成する工程
と、非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材２８を形
成する工程と、有機ＥＬ素子２６を形成する工程と、を
含むことを特徴としている。以下、第４実施形態におい
て、図１３、図１４および図１５等を適宜参照しなが
ら、その特徴部分等について説明する。
【００７９】（１）薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の形成
工程 ＴＦＴの形成工程（アクティブマトリックス基板の作製
工程）について、図１３（ａ）〜（ｉ）を参照しなが
ら、説明する。
工程 ＴＦＴの形成工程（アクティブマトリックス基板の作製
工程）について、図１３（ａ）〜（ｉ）を参照しなが
ら、説明する。
【００８０】活性層の形成 まず、図１３（ａ）に示すように、支持基板１０上に、
減圧ＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vapor Depositio
n,ＬＰＣＶＤ）等の手法により、α−Ｓｉ層７０を積層
する。この時、α−Ｓｉ層７０の厚さを、４０〜２００
ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。また、用いら
れる基板１０は、水晶のような結晶材料が好ましいが、
より好ましくは、低膨張ガラスである。なお、低膨張ガ
ラス基板を用いる場合には、製造工程全体において、溶
融したり、歪みが発生するのを回避し、さらには、能動
領域内にドーパントの外側拡散（out-diffusion）を回
避するために低温プロセス温度、例えば、１，０００℃
以下、より好ましくは６００℃以下で実施するのが好ま
しい。
減圧ＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vapor Depositio
n,ＬＰＣＶＤ）等の手法により、α−Ｓｉ層７０を積層
する。この時、α−Ｓｉ層７０の厚さを、４０〜２００
ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。また、用いら
れる基板１０は、水晶のような結晶材料が好ましいが、
より好ましくは、低膨張ガラスである。なお、低膨張ガ
ラス基板を用いる場合には、製造工程全体において、溶
融したり、歪みが発生するのを回避し、さらには、能動
領域内にドーパントの外側拡散（out-diffusion）を回
避するために低温プロセス温度、例えば、１，０００℃
以下、より好ましくは６００℃以下で実施するのが好ま
しい。
【００８１】次いで、図１３（ｂ）に示すように、Ｋｒ
Ｆ（２４８ｎｍ）レーザーなどのエキシマーレーザーを
α−Ｓｉ層７０に照射して、アニール結晶化を行い、ポ
リシリコンとする（SID´96、Digest of technical pap
ers p１７〜２８参照）。このエキシマレーザーを用い
たアニーリング条件として、基板温度を１００〜３００
℃の範囲内の値、およびエキシマレーザー光のエネルギ
ー量を１００〜３００ｍＪ／ｃｍ2の範囲内の値とする
のが好ましい。
Ｆ（２４８ｎｍ）レーザーなどのエキシマーレーザーを
α−Ｓｉ層７０に照射して、アニール結晶化を行い、ポ
リシリコンとする（SID´96、Digest of technical pap
ers p１７〜２８参照）。このエキシマレーザーを用い
たアニーリング条件として、基板温度を１００〜３００
℃の範囲内の値、およびエキシマレーザー光のエネルギ
ー量を１００〜３００ｍＪ／ｃｍ2の範囲内の値とする
のが好ましい。
【００８２】次いで、図１３（ｃ）に示すように、アニ
ール処理して結晶化されたポリシリコンを、フォトリソ
グラフィによりアイランド状にパターン化する。なお、
エッチングガスとしては、優れた解像度が得られること
からＣＦ4ガスを用いることが好ましい。次いで、図１
３（ｄ）に示すように、得られたアイランド化ポリシリ
コン７１および基板１０の表面に、絶縁ゲート材料７２
を化学蒸着（ＣＶＤ）等により積層して、ゲート酸化物
絶縁層７２とする。このゲート酸化物絶縁層７２は、好
ましくはプラズマ増強ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、または減
圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）のような化学蒸着（ＣＶＤ）が
適用可能なように二酸化シリコンから構成することが好
ましい。また、ゲート酸化物絶縁層７２の厚さを、１０
０〜２００ｎｍの範囲内の値とするのが好ましい。さら
に、基板温度としては２５０〜４００℃が好ましく、さ
らに高品質の絶縁ゲート材料を得るためには、アニール
を３００〜６００℃で、１〜３時間程度施すのが好まし
い。
ール処理して結晶化されたポリシリコンを、フォトリソ
グラフィによりアイランド状にパターン化する。なお、
エッチングガスとしては、優れた解像度が得られること
からＣＦ4ガスを用いることが好ましい。次いで、図１
３（ｄ）に示すように、得られたアイランド化ポリシリ
コン７１および基板１０の表面に、絶縁ゲート材料７２
を化学蒸着（ＣＶＤ）等により積層して、ゲート酸化物
絶縁層７２とする。このゲート酸化物絶縁層７２は、好
ましくはプラズマ増強ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、または減
圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）のような化学蒸着（ＣＶＤ）が
適用可能なように二酸化シリコンから構成することが好
ましい。また、ゲート酸化物絶縁層７２の厚さを、１０
０〜２００ｎｍの範囲内の値とするのが好ましい。さら
に、基板温度としては２５０〜４００℃が好ましく、さ
らに高品質の絶縁ゲート材料を得るためには、アニール
を３００〜６００℃で、１〜３時間程度施すのが好まし
い。
【００８３】次いで、図１３（ｅ）に示すように、ゲー
ト電極７３を、蒸着またはスパッタリングで成膜して形
成する。なお、ゲート電極７３の好ましい構成材料とし
ては、ＴａＮ等が挙げられ、その厚さを、２００〜５０
０ｎｍの範囲内の値とするのが好ましい。次いで、図１
３（ｆ）〜（ｈ）に示すように、ゲート電極７３をパタ
ーニングするとともに、陽極酸化を行う。また、Ａｌゲ
ートを使用するときは、図１３（ｆ）〜（ｈ）に示すよ
うに、電気絶縁するために陽極酸化を２回にわたり行う
のが好ましい。なお、陽極酸化の詳細に関しては、特公
平８−１５１２０号公報に詳細に開示されている。次い
で、図１３（ｉ）に示すように、イオンドーピング（イ
オン注入）により、ｎ+またはｐ+のドーピング領域を形
成し、活性層を形成して、ソースおよびドレインとす
る。なお、イオンドーピングを有効に行うことができる
ように、イオンドーピング中に、窒素ガスを導入すると
ともに、３００℃、３時間程度の条件で加熱処理をする
ことが好ましい。
ト電極７３を、蒸着またはスパッタリングで成膜して形
成する。なお、ゲート電極７３の好ましい構成材料とし
ては、ＴａＮ等が挙げられ、その厚さを、２００〜５０
０ｎｍの範囲内の値とするのが好ましい。次いで、図１
３（ｆ）〜（ｈ）に示すように、ゲート電極７３をパタ
ーニングするとともに、陽極酸化を行う。また、Ａｌゲ
ートを使用するときは、図１３（ｆ）〜（ｈ）に示すよ
うに、電気絶縁するために陽極酸化を２回にわたり行う
のが好ましい。なお、陽極酸化の詳細に関しては、特公
平８−１５１２０号公報に詳細に開示されている。次い
で、図１３（ｉ）に示すように、イオンドーピング（イ
オン注入）により、ｎ+またはｐ+のドーピング領域を形
成し、活性層を形成して、ソースおよびドレインとす
る。なお、イオンドーピングを有効に行うことができる
ように、イオンドーピング中に、窒素ガスを導入すると
ともに、３００℃、３時間程度の条件で加熱処理をする
ことが好ましい。
【００８４】一方、ゲート電極７３として、α−シリコ
ンから形成されたポリシリコンを用いることも好まし
い。すなわち、ポリシリコンゲート電極７３を、ゲート
絶縁層上に形成した後、砒素等のｎ型ドーパントをイオ
ンインプラントし、さらにその後に、ソース領域とドレ
イン領域を、それぞれポリシリコン領域内に形成可能な
ように、ポリシリコンアイランド上にフォトリソグラフ
ィすることによりパターン化して形成することができ
る。なお、ポリシリコンからなるゲート電極７３は、コ
ンデンサーの底部電極として供することができる。
ンから形成されたポリシリコンを用いることも好まし
い。すなわち、ポリシリコンゲート電極７３を、ゲート
絶縁層上に形成した後、砒素等のｎ型ドーパントをイオ
ンインプラントし、さらにその後に、ソース領域とドレ
イン領域を、それぞれポリシリコン領域内に形成可能な
ように、ポリシリコンアイランド上にフォトリソグラフ
ィすることによりパターン化して形成することができ
る。なお、ポリシリコンからなるゲート電極７３は、コ
ンデンサーの底部電極として供することができる。
【００８５】信号電極線および走査電極線の形成 次に、図示はしないが、得られた活性層上に電気絶縁
層、例えばＳｉＯ層をＥＣＲＣＶＤ法（Electron Cyclo
tron Resonance Chemical Vapor Deposition）により設
けた後、信号電極線および走査電極線（配線電極と称す
る場合もある。）等の形成および連結をする。具体的
に、信号電極線および走査電極線の形成、およびコンデ
ンサーの上部電極の形成、第２のトランジスタ（Ｔｒ
２）５６のソースと走査電極線との連結、第１のトラン
ジスタ（Ｔｒ１）５５のソースと信号電極線との連結等
を行う。その際、Ａｌ合金、Ａｌ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏなど
の金属線を、フォトリソグラフィ法により形成するとと
もに、第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５および第２の
トランジスタ（Ｔｒ２）５６のドレイン、ソースなどの
コンタクトは、これらの表面側に設けた電気絶縁層の開
口部を傾斜した状態で設けておき、蒸着法等を用いて形
成することが好ましい。
層、例えばＳｉＯ層をＥＣＲＣＶＤ法（Electron Cyclo
tron Resonance Chemical Vapor Deposition）により設
けた後、信号電極線および走査電極線（配線電極と称す
る場合もある。）等の形成および連結をする。具体的
に、信号電極線および走査電極線の形成、およびコンデ
ンサーの上部電極の形成、第２のトランジスタ（Ｔｒ
２）５６のソースと走査電極線との連結、第１のトラン
ジスタ（Ｔｒ１）５５のソースと信号電極線との連結等
を行う。その際、Ａｌ合金、Ａｌ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏなど
の金属線を、フォトリソグラフィ法により形成するとと
もに、第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５および第２の
トランジスタ（Ｔｒ２）５６のドレイン、ソースなどの
コンタクトは、これらの表面側に設けた電気絶縁層の開
口部を傾斜した状態で設けておき、蒸着法等を用いて形
成することが好ましい。
【００８６】層間絶縁膜の形成 次の段階では、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）、チッ化シ
リコン、ポリイミドなどで構成される層間絶縁膜を、活
性層およびその上の電気絶縁層全体にわたり適用する。
なお、二酸化シリコンからなる絶縁膜は、ＰＥＣＶＤ法
により、例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）ガス
を供給して、基板温度２５０〜４００℃の条件で得るこ
とができる。また、層間絶縁膜は、ＥＣＲＣＶＤ法によ
り、基板温度を１００〜３００℃の範囲内の温度条件と
しても得ることができる。ただし、これらの無機絶縁膜
では平坦化するのに、一般に時間がかかるため、有機物
からなる層間絶縁膜を形成することがより好ましい。
リコン、ポリイミドなどで構成される層間絶縁膜を、活
性層およびその上の電気絶縁層全体にわたり適用する。
なお、二酸化シリコンからなる絶縁膜は、ＰＥＣＶＤ法
により、例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）ガス
を供給して、基板温度２５０〜４００℃の条件で得るこ
とができる。また、層間絶縁膜は、ＥＣＲＣＶＤ法によ
り、基板温度を１００〜３００℃の範囲内の温度条件と
しても得ることができる。ただし、これらの無機絶縁膜
では平坦化するのに、一般に時間がかかるため、有機物
からなる層間絶縁膜を形成することがより好ましい。
【００８７】（２）電気接続部材の形成工程 形成方法１ また、非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材の形成
方法として、真空蒸着法およびスパッタリング法あるい
はいずれか一方の薄膜形成法を採用することが好まし
い。このような薄膜形成方法を使用することにより、電
気接続部材を傾斜させて形成した場合であっても、均一
な厚さを有する電気接続部材を容易に得ることができる
ためである。また、このようにして形成した薄膜からな
る電気接続部材は、耐久性に優れており、加熱したり、
振動等を与えても優れた接続信頼性が得られるためであ
る。なお、真空蒸着法およびスパッタリング法条件につ
いては、特に制限されるものではないが、例えば、ＩＺ
Ｏを用いて、ＤＣスパッタリング法により電気接続部材
を形成する場合、スパッタガス圧を０．１〜５Ｐａの範
囲内の値とし、電力を０．１〜１０Ｗ／ｃｍ2の範囲内
の値とし、成膜速度を５〜１００ｎｍ／分の範囲内の値
とし、およびスパッタ面の温度を５０〜２００℃の範囲
内の値とすることが好ましい。
方法として、真空蒸着法およびスパッタリング法あるい
はいずれか一方の薄膜形成法を採用することが好まし
い。このような薄膜形成方法を使用することにより、電
気接続部材を傾斜させて形成した場合であっても、均一
な厚さを有する電気接続部材を容易に得ることができる
ためである。また、このようにして形成した薄膜からな
る電気接続部材は、耐久性に優れており、加熱したり、
振動等を与えても優れた接続信頼性が得られるためであ
る。なお、真空蒸着法およびスパッタリング法条件につ
いては、特に制限されるものではないが、例えば、ＩＺ
Ｏを用いて、ＤＣスパッタリング法により電気接続部材
を形成する場合、スパッタガス圧を０．１〜５Ｐａの範
囲内の値とし、電力を０．１〜１０Ｗ／ｃｍ2の範囲内
の値とし、成膜速度を５〜１００ｎｍ／分の範囲内の値
とし、およびスパッタ面の温度を５０〜２００℃の範囲
内の値とすることが好ましい。
【００８８】形成方法２ また、図１６に示すように、非結晶性導電酸化物からな
る電気接続部材２８と、下部電極２２とを一体的に形成
することが好ましい。図１６上、電気接続部材２８と、
下部電極２２との間に繋ぎ目が無いのはこのことを示し
ている。このように製造することにより、電気接続箇所
の数を減少することができるばかりか、さらに良好な接
続信頼性を有する電気接続部材となる。なお、電気接続
部材と下部電極とを一体的に形成するには、スパッタリ
ング法を採用することが好ましいが、無機酸化物を用い
て、後述するゾル−ゲル法を採用することも好ましい。
る電気接続部材２８と、下部電極２２とを一体的に形成
することが好ましい。図１６上、電気接続部材２８と、
下部電極２２との間に繋ぎ目が無いのはこのことを示し
ている。このように製造することにより、電気接続箇所
の数を減少することができるばかりか、さらに良好な接
続信頼性を有する電気接続部材となる。なお、電気接続
部材と下部電極とを一体的に形成するには、スパッタリ
ング法を採用することが好ましいが、無機酸化物を用い
て、後述するゾル−ゲル法を採用することも好ましい。
【００８９】形成方法３ また、非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材を、い
わゆるゾル−ゲル法により形成することも好ましい。具
体的には、例えば、非結晶性導電酸化物原料溶液を塗布
したのち、加熱することによりゲル化させて、電気接続
部材の構成材料とするものである。次いで、フォトリソ
グラフィ法を用いて、パターニングすることにより、電
気接続部材とするものである。このようにゾル−ゲル法
を用いることにより、特殊な形成装置を必要とすること
なく、所定位置に原料溶液を塗布して、加熱（焼結）お
よび還元するだけで非結晶性導電酸化物からなる電気接
続部材を容易に形成することができる。また、焼結温度
や還元温度が比較的低温であるため、他の構成部品に熱
損傷を与えることが少なくなる。したがって、電気接続
部材を形成する前に、有機ＥＬ素子を形成することも可
能となる。
わゆるゾル−ゲル法により形成することも好ましい。具
体的には、例えば、非結晶性導電酸化物原料溶液を塗布
したのち、加熱することによりゲル化させて、電気接続
部材の構成材料とするものである。次いで、フォトリソ
グラフィ法を用いて、パターニングすることにより、電
気接続部材とするものである。このようにゾル−ゲル法
を用いることにより、特殊な形成装置を必要とすること
なく、所定位置に原料溶液を塗布して、加熱（焼結）お
よび還元するだけで非結晶性導電酸化物からなる電気接
続部材を容易に形成することができる。また、焼結温度
や還元温度が比較的低温であるため、他の構成部品に熱
損傷を与えることが少なくなる。したがって、電気接続
部材を形成する前に、有機ＥＬ素子を形成することも可
能となる。
【００９０】また、ゲル化させるための加熱（焼結）条
件についても特に制限されるものではないが、例えば、
１００〜７００℃、５分〜２０時間の加熱条件とするこ
とが好ましく、２５０〜５００℃、５分〜２０時間の加
熱条件とすることがより好ましい。この理由は、加熱温
度が１００℃未満となると、ゲル化が不十分となる場合
があるためであり、一方、加熱温度が７００℃を超える
と、結晶部分が形成しやすくなるためである。さらに、
還元条件についても特に制限されるものではないが、例
えば、水素、窒素、アルゴン等の還元ガスを用いて、１
００〜７００℃、５分〜２０時間の加熱条件とすること
が好ましく、２５０〜５００℃、５分〜２０時間の加熱
条件とすることがより好ましい。
件についても特に制限されるものではないが、例えば、
１００〜７００℃、５分〜２０時間の加熱条件とするこ
とが好ましく、２５０〜５００℃、５分〜２０時間の加
熱条件とすることがより好ましい。この理由は、加熱温
度が１００℃未満となると、ゲル化が不十分となる場合
があるためであり、一方、加熱温度が７００℃を超える
と、結晶部分が形成しやすくなるためである。さらに、
還元条件についても特に制限されるものではないが、例
えば、水素、窒素、アルゴン等の還元ガスを用いて、１
００〜７００℃、５分〜２０時間の加熱条件とすること
が好ましく、２５０〜５００℃、５分〜２０時間の加熱
条件とすることがより好ましい。
【００９１】形成方法４ また、電気接続部材を形成する際に、図８に示すよう
に、電気接続部材２８の一部にメタライズ部３１および
３５を設ける工程を含むことが好ましい。この例では、
電気接続部材２８のＴＦＴ１４側と、上部電極２２側
に、それぞれメタライズ部３１および３５が設けてあ
る。このように構成すると、有機ＥＬ素子の下部電極、
およびＴＦＴにおけるそれぞれの電気接続箇所での接続
抵抗を、より低抵抗化することができる。また、メタラ
イズ部の形成方法については、特に制限されるものでは
ないが、例えば、メッキ法、蒸着法、スパッタリング法
を採ることが好ましい。なお、メタライズ部の構成につ
いては、第１の実施形態と同様の内容とすることができ
る。
に、電気接続部材２８の一部にメタライズ部３１および
３５を設ける工程を含むことが好ましい。この例では、
電気接続部材２８のＴＦＴ１４側と、上部電極２２側
に、それぞれメタライズ部３１および３５が設けてあ
る。このように構成すると、有機ＥＬ素子の下部電極、
およびＴＦＴにおけるそれぞれの電気接続箇所での接続
抵抗を、より低抵抗化することができる。また、メタラ
イズ部の形成方法については、特に制限されるものでは
ないが、例えば、メッキ法、蒸着法、スパッタリング法
を採ることが好ましい。なお、メタライズ部の構成につ
いては、第１の実施形態と同様の内容とすることができ
る。
【００９２】形成方法５ また、非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材を、有
機酸によりエッチングして、パターニングすることが好
ましい。具体的には、図１７（ａ）〜（ｇ）に示すよう
に、フォトリソグラフィ法を用い、非結晶性導電酸化物
２８に対してレジスト膜８０を形成した後、フォトマス
ク８２を介して、露光８１、現像して、結晶性導電酸化
物の一部２８´を露出させた後、有機酸によりエッチン
グすることにより、パターニングして、電気接続部材２
８を形成することができる。このように有機酸により電
気接続部材２８をエッチングすることにより、ＴＦＴや
有機ＥＬ素子の一部にＡｌやＣｒ等の金属材料を使用し
ている場合であっても、これらの金属材料を侵すことな
く、非結晶性導電酸化物のみをエッチングすることがで
きる。よって、電気接続部材２８を精度良く形成するこ
とができるとともに、金属マイグレーション等を容易に
防止することができる。なお、電気接続部材を非結晶性
導電酸化物から構成した場合であっても、エッチング速
度を高めるために、有機酸以外に、リン酸系のエッチャ
ントや、塩酸系エッチャントを使用することも好まし
い。
機酸によりエッチングして、パターニングすることが好
ましい。具体的には、図１７（ａ）〜（ｇ）に示すよう
に、フォトリソグラフィ法を用い、非結晶性導電酸化物
２８に対してレジスト膜８０を形成した後、フォトマス
ク８２を介して、露光８１、現像して、結晶性導電酸化
物の一部２８´を露出させた後、有機酸によりエッチン
グすることにより、パターニングして、電気接続部材２
８を形成することができる。このように有機酸により電
気接続部材２８をエッチングすることにより、ＴＦＴや
有機ＥＬ素子の一部にＡｌやＣｒ等の金属材料を使用し
ている場合であっても、これらの金属材料を侵すことな
く、非結晶性導電酸化物のみをエッチングすることがで
きる。よって、電気接続部材２８を精度良く形成するこ
とができるとともに、金属マイグレーション等を容易に
防止することができる。なお、電気接続部材を非結晶性
導電酸化物から構成した場合であっても、エッチング速
度を高めるために、有機酸以外に、リン酸系のエッチャ
ントや、塩酸系エッチャントを使用することも好まし
い。
【００９３】ここで、好ましい有機酸としては、蓚酸、
酢酸、クエン酸等が挙げられるが、特に非結晶性導電酸
化物に対するエッチング精度が優れていることから、蓚
酸、および酢酸を使用することが好ましく、さらに好ま
しいのは蓚酸である。また、有機酸を水やアルコール系
溶媒、あるいは他の極性溶媒等に溶解させた上で、エッ
チング液として使用することが好ましい。このように溶
媒を使用することにより、非結晶性導電酸化物に対する
エッチング精度をさらに向上させることができる。その
場合、有機酸濃度を０．１〜５０重量％の範囲内の値と
することが好ましい。この理由は、有機酸濃度が０．１
重量％未満となると、非結晶性導電酸化物に対するエッ
チング速度が著しく低下する場合があるためであり、一
方、有機酸濃度が５０重量％を超えると、ＡｌやＣｒ等
の金属材料を腐食させる場合があるためである。したが
って、有機酸濃度を１〜２０重量％の範囲内の値とする
ことがより好ましく、２〜１０重量％の範囲内の値とす
ることがさらに好ましい。
酢酸、クエン酸等が挙げられるが、特に非結晶性導電酸
化物に対するエッチング精度が優れていることから、蓚
酸、および酢酸を使用することが好ましく、さらに好ま
しいのは蓚酸である。また、有機酸を水やアルコール系
溶媒、あるいは他の極性溶媒等に溶解させた上で、エッ
チング液として使用することが好ましい。このように溶
媒を使用することにより、非結晶性導電酸化物に対する
エッチング精度をさらに向上させることができる。その
場合、有機酸濃度を０．１〜５０重量％の範囲内の値と
することが好ましい。この理由は、有機酸濃度が０．１
重量％未満となると、非結晶性導電酸化物に対するエッ
チング速度が著しく低下する場合があるためであり、一
方、有機酸濃度が５０重量％を超えると、ＡｌやＣｒ等
の金属材料を腐食させる場合があるためである。したが
って、有機酸濃度を１〜２０重量％の範囲内の値とする
ことがより好ましく、２〜１０重量％の範囲内の値とす
ることがさらに好ましい。
【００９４】また、エッチング温度についても特に制限
されるものではないが、２０〜１００℃の範囲内の温度
とすることが好ましい。この理由は、エッチング温度が
２０℃未満となると、非結晶性導電酸化物に対するエッ
チング速度が著しく低下する場合があるためであり、一
方、エッチング温度が１００℃を超えると、ＡｌやＣｒ
等の金属材料を腐食させる場合があるためである。した
がって、エッチング温度を２０〜８０℃の範囲内の温度
とすることがより好ましく、２０〜４０℃の範囲内の温
度とすることがさらに好ましい。
されるものではないが、２０〜１００℃の範囲内の温度
とすることが好ましい。この理由は、エッチング温度が
２０℃未満となると、非結晶性導電酸化物に対するエッ
チング速度が著しく低下する場合があるためであり、一
方、エッチング温度が１００℃を超えると、ＡｌやＣｒ
等の金属材料を腐食させる場合があるためである。した
がって、エッチング温度を２０〜８０℃の範囲内の温度
とすることがより好ましく、２０〜４０℃の範囲内の温
度とすることがさらに好ましい。
【００９５】（３）有機ＥＬ素子の形成工程 図１４および図１５に示すように、ＴＦＴ１４や、層間
絶縁膜（斜行部材）６３を形成した後、色変換媒体６０
や、下部電極（陽極）２２、有機発光媒体２４（有機発
光層、正孔注入層、電子注入層等）を順次に形成し、さ
らに上部電極（陰極）２０を形成することにより、有機
ＥＬ素子を作製することができる。ここで、色変換媒体
６０については、真空蒸着法、スパッタリング法、スピ
ンコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、ミ
セル電解法等の方法を用いて形成することが好ましい。
また、下部電極２２や上部電極２０については、真空蒸
着法や、スパッタリング法等の乾燥状態での成膜が可能
な方法を用いて形成することが好ましい。さらに、有機
発光媒体２４については、真空蒸着法、スパッタリング
法、スピンコート法、ラングミュアーブロジェット法
（ＬＢ法、Langumuir-Blodgett法）、インクジェット
法、ミセル電解法等の方法を用いて形成することが好ま
しい。
絶縁膜（斜行部材）６３を形成した後、色変換媒体６０
や、下部電極（陽極）２２、有機発光媒体２４（有機発
光層、正孔注入層、電子注入層等）を順次に形成し、さ
らに上部電極（陰極）２０を形成することにより、有機
ＥＬ素子を作製することができる。ここで、色変換媒体
６０については、真空蒸着法、スパッタリング法、スピ
ンコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、ミ
セル電解法等の方法を用いて形成することが好ましい。
また、下部電極２２や上部電極２０については、真空蒸
着法や、スパッタリング法等の乾燥状態での成膜が可能
な方法を用いて形成することが好ましい。さらに、有機
発光媒体２４については、真空蒸着法、スパッタリング
法、スピンコート法、ラングミュアーブロジェット法
（ＬＢ法、Langumuir-Blodgett法）、インクジェット
法、ミセル電解法等の方法を用いて形成することが好ま
しい。
【００９６】（４）封止工程等 さらに、封止工程については、有機ＥＬ素子を形成し、
ＴＦＴと電気接続後、封止部材で、これらの周囲を覆う
ようにして固定することが好ましい。また、封止部材
と、有機ＥＬ素子等との間に、封止ガスをさらに封入す
ることが好ましい。さらに、封止した後に、有機発光媒
体や、層間絶縁膜や、ゲート絶縁膜等に含まれる水分
が、有機ＥＬ素子におけるダークスポット等の発生を誘
発する場合があるため、これらの有機材料の含水率を
０．０５重量％以下の値とすることが好ましい。なお、
有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合、透明電極を
＋、電極を−の極性にして、５〜４０Ｖの電圧を印加す
ると、発光が観測できるので、封止工程前に駆動させ
て、有機ＥＬ素子の成膜の良し悪しを判断することも好
ましい。
ＴＦＴと電気接続後、封止部材で、これらの周囲を覆う
ようにして固定することが好ましい。また、封止部材
と、有機ＥＬ素子等との間に、封止ガスをさらに封入す
ることが好ましい。さらに、封止した後に、有機発光媒
体や、層間絶縁膜や、ゲート絶縁膜等に含まれる水分
が、有機ＥＬ素子におけるダークスポット等の発生を誘
発する場合があるため、これらの有機材料の含水率を
０．０５重量％以下の値とすることが好ましい。なお、
有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合、透明電極を
＋、電極を−の極性にして、５〜４０Ｖの電圧を印加す
ると、発光が観測できるので、封止工程前に駆動させ
て、有機ＥＬ素子の成膜の良し悪しを判断することも好
ましい。
【００９７】
【発明の効果】本発明のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示
装置によれば、電気接続部材を非結晶性導電酸化物から
構成することにより、有機ＥＬ素子の下部電極と、ＴＦ
Ｔのドレイン領域との間を容易に、しかも高い接続信頼
性で電気接続することが可能になった。また、本発明の
アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の製造方法によれ
ば、このようなアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を効
率的に得ることができるようになった。
装置によれば、電気接続部材を非結晶性導電酸化物から
構成することにより、有機ＥＬ素子の下部電極と、ＴＦ
Ｔのドレイン領域との間を容易に、しかも高い接続信頼
性で電気接続することが可能になった。また、本発明の
アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の製造方法によれ
ば、このようなアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を効
率的に得ることができるようになった。
【図１】第１の実施形態におけるアクティブ駆動型有機
ＥＬ表示装置の断面図である。
ＥＬ表示装置の断面図である。
【図２】下部電極の構造例を示す図である。
【図３】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の構造を説明する
ために供する図である。
ために供する図である。
【図４】ＴＦＴを含む電気スイッチ接続構造を示す回路
図である。
図である。
【図５】ＴＦＴを含む電気スイッチ接続構造を示す平面
透視図である。
透視図である。
【図６】インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のＸ線回折チ
ャートの一例を示す図である。
ャートの一例を示す図である。
【図７】電気接続部材の変形例（ビアホール）を示す図
である。
である。
【図８】電気接続部材の変形例（メタライズ）を示す図
である。
である。
【図９】第２の実施形態におけるアクティブ駆動型有機
ＥＬ表示装置の断面図である。
ＥＬ表示装置の断面図である。
【図１０】斜行部材を説明するために供する図である。
【図１１】第３の実施形態におけるアクティブ駆動型有
機ＥＬ表示装置の断面図である。
機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図１２】ＴＦＴの位置調節層を説明するために供する
図である。
図である。
【図１３】ＴＦＴの形成工程の一部を示す図である。
【図１４】第４の実施形態におけるアクティブ駆動型有
機ＥＬ表示装置の製造工程図である（その１）。
機ＥＬ表示装置の製造工程図である（その１）。
【図１５】第４の実施形態におけるアクティブ駆動型有
機ＥＬ表示装置の製造工程図である（その２）。
機ＥＬ表示装置の製造工程図である（その２）。
【図１６】電気接続部材の変形例（一体成形）を示す図
である。
である。
【図１７】電気接続部材のエッチング工程を示す図であ
る。
る。
【図１８】従来のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の
断面図である（その１）。
断面図である（その１）。
【図１９】従来のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の
断面図である（その２）。
断面図である（その２）。
１０ 支持基板 １２ 層間絶縁膜（ゲート酸化膜） １３ 層間絶縁膜（平坦化膜） １４ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） １６ 主電極 １７ 電気絶縁体 １８ 補助電極 ２０ 上部電極 ２２ 下部電極 ２４ 有機発光媒体 ２６ 有機ＥＬ素子 ２８ 電気接続部材 ２９ 先端部 ３０，３２，３４，３６ アクティブ駆動型有機ＥＬ表
示装置 ３１，３５ メタライズ部 ４０ ビアホール ４３ ゲート ４４ 活性層 ４５ ソース ４６ ゲート ４７ ドレイン ５０ 走査電極線 ５１ 信号電極線 ５２ 共通電極線 ５４ コンタクトホール ５５ 第１のトランジスタ ５６ 第２のトランジスタ ５７ コンデンサー ５８ 封止部材 ６０ 色変換媒体 ６１ 側端 ６２ 斜面 ６３ 斜行部材
示装置 ３１，３５ メタライズ部 ４０ ビアホール ４３ ゲート ４４ 活性層 ４５ ソース ４６ ゲート ４７ ドレイン ５０ 走査電極線 ５１ 信号電極線 ５２ 共通電極線 ５４ コンタクトホール ５５ 第１のトランジスタ ５６ 第２のトランジスタ ５７ コンデンサー ５８ 封止部材 ６０ 色変換媒体 ６１ 側端 ６２ 斜面 ６３ 斜行部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB05 AB18 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 5C094 AA07 AA08 AA31 AA42 AA43 AA54 BA03 BA27 BA32 CA19 CA24 DA13 DB01 DB04 DB10 EA04 EA05 EB02 EC03 ED03 ED15 ED20 FA01 FA02 FA03 FB01 FB02 FB12 GB10 JA05 JA08 5F110 AA16 AA26 BB01 CC02 DD01 DD02 DD06 EE01 EE03 EE09 EE34 EE43 EE44 FF02 FF29 FF30 FF32 FF36 GG02 GG05 GG13 GG24 GG25 GG47 HJ13 HJ23 HL01 HL02 HL03 HL04 HL07 HL14 HL22 HL23 HL24 NN04 NN22 NN23 NN27 NN33 NN34 NN35 NN36 PP03 QQ11
Claims (16)
- 【請求項１】 上部電極および下部電極の間に有機発光
媒体を挟持して構成した有機ＥＬ素子と、当該有機ＥＬ
素子の発光制御用の薄膜トランジスタと、を具備したア
クティブ駆動型有機ＥＬ表示装置において、 前記有機ＥＬ素子と、前記薄膜トランジスタとの間に、
非結晶性導電酸化物からなる電気接続部材を設けたこ
と、 を特徴とするアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項２】 前記非結晶性導電酸化物が、インジウム
亜鉛酸化物であることを特徴とする請求項１に記載のア
クティブ駆動型有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項３】 前記非結晶性導電酸化物の比抵抗を１×
１０-3Ω・ｃｍ以下の値とすることを特徴とする請求項
１または２に記載のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装
置。 - 【請求項４】 前記非結晶性導電酸化物が、ドーパント
を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に
記載のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項５】 前記上部電極および下部電極、あるいは
いずれか一方の電極を、インジウム亜鉛酸化物あるいは
インジウムスズ酸化物から構成してあることを特徴とす
る請求項１〜４のいずれか一項に記載のアクティブ駆動
型有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項６】 前記下部電極と、前記電気接続部材と
が、非結晶性導電酸化物を用いて一体的に形成してある
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の
アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項７】 前記電気接続部材の一部に、メタライズ
部が設けてあることを特徴とする請求項１〜６のいずれ
か一項に記載のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項８】 前記電気接続部材の厚さを０．０１〜１
００μｍの範囲内の値とすることを特徴とする請求項１
〜７のいずれか一項に記載のアクティブ駆動型有機ＥＬ
表示装置。 - 【請求項９】 前記有機ＥＬ素子における発光面側に、
蛍光媒体およびカラーフィルタ、あるいはいずれか一方
の色変換媒体が設けてあることを特徴とする請求項１〜
８のいずれか一項に記載のアクティブ駆動型有機ＥＬ表
示装置。 - 【請求項１０】 前記色変換媒体が、前記支持基板内に
埋設してあることを特徴とする請求項９に記載のアクテ
ィブ駆動型有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項１１】 上部電極および下部電極の間に有機発
光媒体を挟持して構成した有機ＥＬ素子と、当該有機Ｅ
Ｌ素子の発光制御用の薄膜トランジスタと、これらの有
機ＥＬ素子および薄膜トランジスタの間を電気接続する
ための電気接続部材と、を具備したアクティブ駆動型有
機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記薄膜トランジ
スタを形成する工程と、 前記電気接続部材を形成する工程と、 前記有機ＥＬ素子を形成する工程と、 を含むことを特徴とするアクティブ駆動型有機ＥＬ表示
装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記下部電極と、前記電気接続部材と
を、非結晶性導電酸化物を用いて一体的に形成すること
を特徴とする請求項１１に記載のアクティブ駆動型有機
ＥＬ表示装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記電気接続部材を、スパッタリング
法により形成することを特徴とする請求項１１または１
２に記載のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の製造方
法。 - 【請求項１４】 前記電気接続部材を、ゾル−ゲル法に
より形成することを特徴とする請求項１１または１２に
記載のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 【請求項１５】 前記電気接続部材を、有機酸によりエ
ッチングしてパターン化する工程を含むことを特徴とす
る請求項１１〜１４のいずれか一項に記載のアクティブ
駆動型有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 【請求項１６】 前記電気接続部材の一部を、メタライ
ズ化する工程を含むことを特徴とする請求項１１〜１５
のいずれか一項に記載のアクティブ駆動型有機ＥＬ表示
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000061505A JP4542659B2 (ja) | 2000-03-07 | 2000-03-07 | アクティブ駆動型有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000061505A JP4542659B2 (ja) | 2000-03-07 | 2000-03-07 | アクティブ駆動型有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2010113121A Division JP4783858B2 (ja) | 2010-05-17 | 2010-05-17 | アクティブ駆動型有機ｅｌ表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001249627A true JP2001249627A (ja) | 2001-09-14 |
| JP4542659B2 JP4542659B2 (ja) | 2010-09-15 |
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ID=18581636
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000061505A Expired - Lifetime JP4542659B2 (ja) | 2000-03-07 | 2000-03-07 | アクティブ駆動型有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
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|---|---|
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Cited By (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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