JPH11339968A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH11339968A JPH11339968A JP10143033A JP14303398A JPH11339968A JP H11339968 A JPH11339968 A JP H11339968A JP 10143033 A JP10143033 A JP 10143033A JP 14303398 A JP14303398 A JP 14303398A JP H11339968 A JPH11339968 A JP H11339968A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
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-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 一般的にカラーフィルターはガラス基板と
ＴＦＴの間に形成する必要があるが、ＴＦＴの製造には
高温プロセスが必要であり、有機材料で構成されている
カラーフィルター上にＴＦＴを形成すると、カラーフィ
ルターが熱による損傷を受けるという問題点があった。 【解決手段】 有機エレクトロルミネッセンス素子
は、基板上に形成された薄膜トランジスタ上に、有機キ
ャリア輸送層、有機発光層、及び電子注入電極が積層形
成された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記電子注入電極の可視光の透過率を１０〜１００％に
することを特徴とする。
ＴＦＴの間に形成する必要があるが、ＴＦＴの製造には
高温プロセスが必要であり、有機材料で構成されている
カラーフィルター上にＴＦＴを形成すると、カラーフィ
ルターが熱による損傷を受けるという問題点があった。 【解決手段】 有機エレクトロルミネッセンス素子
は、基板上に形成された薄膜トランジスタ上に、有機キ
ャリア輸送層、有機発光層、及び電子注入電極が積層形
成された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記電子注入電極の可視光の透過率を１０〜１００％に
することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示手段に用いら
れる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
れる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）
素子は、新しい自己発光型素子として、期待されてい
る。有機ＥＬ素子は、図４に示すように２層構造、即ち
ホール注入電極と電子注入電極との間に、ホール輸送
層、及び発光層が形成された構造（ＳＨ−Ａ構造）、ま
たはホール注入電極と電子注入電極との間に発光層、及
び電子輸送層が形成された構造（ＳＨ−Ｂ構造）、或い
は図５に示すように３層構造、即ちホール注入電極と電
子注入電極との間に、ホール輸送層、発光層、及び電子
輸送層が形成された構造（ＤＨ構造）のような素子構造
を有している。前述のホール注入電極としては、金やＩ
ＴＯ（インジウム−スズ酸化物）のような仕事関数の大
きな電極材料を用い、電子注入電極としては、Ｍｇのよ
うな仕事関数の小さな電極材料を用いている。
素子は、新しい自己発光型素子として、期待されてい
る。有機ＥＬ素子は、図４に示すように２層構造、即ち
ホール注入電極と電子注入電極との間に、ホール輸送
層、及び発光層が形成された構造（ＳＨ−Ａ構造）、ま
たはホール注入電極と電子注入電極との間に発光層、及
び電子輸送層が形成された構造（ＳＨ−Ｂ構造）、或い
は図５に示すように３層構造、即ちホール注入電極と電
子注入電極との間に、ホール輸送層、発光層、及び電子
輸送層が形成された構造（ＤＨ構造）のような素子構造
を有している。前述のホール注入電極としては、金やＩ
ＴＯ（インジウム−スズ酸化物）のような仕事関数の大
きな電極材料を用い、電子注入電極としては、Ｍｇのよ
うな仕事関数の小さな電極材料を用いている。
【０００３】また、ホール輸送層、発光層、電子輸送層
には有機材料が用いられ、ホール輸送層はｐ型半導体の
性質、電子輸送層はｎ型半導体の性質を有する材料が用
いられる。
には有機材料が用いられ、ホール輸送層はｐ型半導体の
性質、電子輸送層はｎ型半導体の性質を有する材料が用
いられる。
【０００４】発光層は、ＳＨ−Ａ構造ではｎ型半導体の
性質、ＳＨ−Ｂ構造ではｐ型半導体の性質、ＤＨ構造で
は中性に近い性質を有する材料が用いられる。有機ＥＬ
素子の発光機構は、いずれにしてもホール注入電極から
注入されたホールと電子注入電極から注入された電子
が、発光層とホール（または電子）輸送層の界面、及び
発光層内で再結合して発光するという原理に基づいてい
る。
性質、ＳＨ−Ｂ構造ではｐ型半導体の性質、ＤＨ構造で
は中性に近い性質を有する材料が用いられる。有機ＥＬ
素子の発光機構は、いずれにしてもホール注入電極から
注入されたホールと電子注入電極から注入された電子
が、発光層とホール（または電子）輸送層の界面、及び
発光層内で再結合して発光するという原理に基づいてい
る。
【０００５】従って、発光機構が「衝突励起型発光」で
ある無機ＥＬ素子と比べて、有機ＥＬ素子は低電圧で発
光が可能という特徴を有している。
ある無機ＥＬ素子と比べて、有機ＥＬ素子は低電圧で発
光が可能という特徴を有している。
【０００６】前述の有機ＥＬ素子でマトリクスディスプ
レイを作製する場合、その駆動方法により、パッシブマ
トリクスとアクティブマトリクスに分類することができ
る。特に、アクティブマトリクスはＴＦＴ（Thin Film
Transistor）との組み合わせにより、動画を実現する
ことができ、壁掛けテレビジョンへの応用が期待されて
いる。このアクティブマトリクスの場合、基本的にはＴ
ＦＴの上に有機層（発光層、及びキャリア輸送層）、及
び電子注入電極を均一形成（ベタ付け）することによっ
て実現することができる。
レイを作製する場合、その駆動方法により、パッシブマ
トリクスとアクティブマトリクスに分類することができ
る。特に、アクティブマトリクスはＴＦＴ（Thin Film
Transistor）との組み合わせにより、動画を実現する
ことができ、壁掛けテレビジョンへの応用が期待されて
いる。このアクティブマトリクスの場合、基本的にはＴ
ＦＴの上に有機層（発光層、及びキャリア輸送層）、及
び電子注入電極を均一形成（ベタ付け）することによっ
て実現することができる。
【０００７】従来の素子の場合、電子注入電極に仕事関
数の小さいマグネシウム合金などの金属電極を用いてい
たため、電子注入電極側から、光を取り出すことができ
ず、ＴＦＴ側から光を取り出していた。
数の小さいマグネシウム合金などの金属電極を用いてい
たため、電子注入電極側から、光を取り出すことができ
ず、ＴＦＴ側から光を取り出していた。
【０００８】モノカラーの場合、このままで使うことが
可能であるが、フルカラー化を行う場合には、カラーフ
ィルタを用いなければならない。
可能であるが、フルカラー化を行う場合には、カラーフ
ィルタを用いなければならない。
【０００９】ここで使用可能なカラーフィルターは２種
類ある。１種類は有機ＥＬ素子を白色発光させて、その
白色発光をカラーフィルターの光吸収により、光の３原
色に分割する通常の方法である。
類ある。１種類は有機ＥＬ素子を白色発光させて、その
白色発光をカラーフィルターの光吸収により、光の３原
色に分割する通常の方法である。
【００１０】また、もう１つのカラーフィルタは有機Ｅ
Ｌ素子を青色発光させて、その光により、カラーフィル
ターを構成する蛍光色素が光の３原色を発光させる色変
換カラーフィルターであるが、いずれにしても、カラー
フィルターを用いる必要があった。
Ｌ素子を青色発光させて、その光により、カラーフィル
ターを構成する蛍光色素が光の３原色を発光させる色変
換カラーフィルターであるが、いずれにしても、カラー
フィルターを用いる必要があった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のＴＦ
Ｔ駆動有機ＥＬ素子の場合、このカラーフィルターを形
成する個所を決めるのが困難であった。従来の場合、発
光をＴＦＴ側から取り出すため、必然的にカラーフィル
ターもＴＦＴ側に設置しなければならない。
Ｔ駆動有機ＥＬ素子の場合、このカラーフィルターを形
成する個所を決めるのが困難であった。従来の場合、発
光をＴＦＴ側から取り出すため、必然的にカラーフィル
ターもＴＦＴ側に設置しなければならない。
【００１２】そのためには、カラーフィルターはガラス
基板とＴＦＴの間に形成する必要が出てくるが、ＴＦＴ
の製造には高温プロセスが必要であり、有機材料で構成
されているカラーフィルター上にＴＦＴを形成すると、
カラーフィルターが熱による損傷を受けるという問題点
があった。
基板とＴＦＴの間に形成する必要が出てくるが、ＴＦＴ
の製造には高温プロセスが必要であり、有機材料で構成
されているカラーフィルター上にＴＦＴを形成すると、
カラーフィルターが熱による損傷を受けるという問題点
があった。
【００１３】また、ガラス基板の裏側（ＴＦＴ形成部の
反対側）にカラーフィルターを形成する場合、素子の外
部であるため、傷がつきやすいという問題と、有機ＥＬ
素子とカラーフィルターがガラスを隔てて約１ｍｍ前後
離れているため、光がガラス板中での散乱により、色の
視野角依存性やにじみなどの問題点があった。
反対側）にカラーフィルターを形成する場合、素子の外
部であるため、傷がつきやすいという問題と、有機ＥＬ
素子とカラーフィルターがガラスを隔てて約１ｍｍ前後
離れているため、光がガラス板中での散乱により、色の
視野角依存性やにじみなどの問題点があった。
【００１４】
【課題を解決するための手段】有機エレクトロルミネッ
センス素子は、基板上に形成された薄膜トランジスタ上
に、有機キャリア輸送層、及び有機発光層からなる有機
層、並びに電子注入電極が積層形成された有機エレクト
ロルミネッセンス素子において、前記電子注入電極にお
ける可視光の透過率を１０〜１００％にしたことを特徴
とする。
センス素子は、基板上に形成された薄膜トランジスタ上
に、有機キャリア輸送層、及び有機発光層からなる有機
層、並びに電子注入電極が積層形成された有機エレクト
ロルミネッセンス素子において、前記電子注入電極にお
ける可視光の透過率を１０〜１００％にしたことを特徴
とする。
【００１５】前記電子注入電極上にカラーフィルターを
積層形成することを特徴とする。
積層形成することを特徴とする。
【００１６】前記電子注入電極として、前記有機層に接
する側にハロゲン化アルカリ金属塩、酸化アルカリ金
属、ハロゲン化アルカリ土類金属塩、又は酸化アルカリ
土類金属の薄膜を用いることを特徴とする。
する側にハロゲン化アルカリ金属塩、酸化アルカリ金
属、ハロゲン化アルカリ土類金属塩、又は酸化アルカリ
土類金属の薄膜を用いることを特徴とする。
【００１７】前記薄膜上に可視光が１０％〜１００％の
範囲で透過する透明導電膜から構成されていることを特
徴とする。
範囲で透過する透明導電膜から構成されていることを特
徴とする。
【００１８】前記カラーフィルターが光の３原色を示す
蛍光色素より構成され、前記有機エレクトロルミネッセ
ンス素子から発せられる青色光により、カラーフィルタ
ーの３原色を発光させてフルカラー化を実現することを
特徴とする。
蛍光色素より構成され、前記有機エレクトロルミネッセ
ンス素子から発せられる青色光により、カラーフィルタ
ーの３原色を発光させてフルカラー化を実現することを
特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１乃至図
３、並びに化１乃至化６に基づいて説明する。 ＜実施の形態１＞図１は、低温プロセスｐ−Ｓｉ型ＴＦ
Ｔの製造プロセスを示したものである(松本正一編著、
「液晶ディスプレイ技術 ―アクティブマトリクスＬＣＤ
−」産業図書、ｐ１１７)。
３、並びに化１乃至化６に基づいて説明する。 ＜実施の形態１＞図１は、低温プロセスｐ−Ｓｉ型ＴＦ
Ｔの製造プロセスを示したものである(松本正一編著、
「液晶ディスプレイ技術 ―アクティブマトリクスＬＣＤ
−」産業図書、ｐ１１７)。
【００２０】図１を用いてこの製造プロセスを説明す
る。
る。
【００２１】図１におけるステップ（ａ）では、まず、
a-Si膜をガラス基板（１）上に堆積させた後、全面をレ
ーザアニールして良質なp-Si膜（２）を得る。これに
は、ＸｅＣｌ（波長３０８nm）やＫｒＦ（波長２４８n
m）など、 Si膜の吸収の大きい紫外光のエキシマレーザ
が用いられる。
a-Si膜をガラス基板（１）上に堆積させた後、全面をレ
ーザアニールして良質なp-Si膜（２）を得る。これに
は、ＸｅＣｌ（波長３０８nm）やＫｒＦ（波長２４８n
m）など、 Si膜の吸収の大きい紫外光のエキシマレーザ
が用いられる。
【００２２】ステップ（ｂ）では、パターニング後、Ｃ
ＶＤ法でゲート絶縁膜（３）を形成する。ステップ
（ｃ）では、ゲート電極（４）を形成した後、イオンド
ーピング法で不純物を注入し、ソース・ドレインを自己
整合的に形成する。
ＶＤ法でゲート絶縁膜（３）を形成する。ステップ
（ｃ）では、ゲート電極（４）を形成した後、イオンド
ーピング法で不純物を注入し、ソース・ドレインを自己
整合的に形成する。
【００２３】ステップ（ｄ）では、層間絶縁膜（７）を
堆積し、コンタクトホールを開口した後、透明である画
素電極のＩＴＯ（８）とデータ配線のＡｌ（９）を形成
する。
堆積し、コンタクトホールを開口した後、透明である画
素電極のＩＴＯ（８）とデータ配線のＡｌ（９）を形成
する。
【００２４】ステップ（ｅ）では、最後にパッシベーシ
ョン膜（１０）を設けて、必要部分を開口してＴＦＴ素
子基板は完成する。
ョン膜（１０）を設けて、必要部分を開口してＴＦＴ素
子基板は完成する。
【００２５】この低温プロセスｐ−Ｓｉ型ＴＦＴの上に
有機ＥＬ素子を形成する。図２は本発明のＴＦＴを用い
た有機ＥＬ素子の断面図である。同図において、有機層
（１１）と電子注入電極（１２）はＴＦＴ上に均一膜と
して積層形成した。有機層（１１）は、ホール注入層
（１１ａ）、ホール輸送層（１１ｂ）、発光層（１１
ｃ）、及び電子輸送層（１１ｄ）から構成されている。
有機ＥＬ素子を形成する。図２は本発明のＴＦＴを用い
た有機ＥＬ素子の断面図である。同図において、有機層
（１１）と電子注入電極（１２）はＴＦＴ上に均一膜と
して積層形成した。有機層（１１）は、ホール注入層
（１１ａ）、ホール輸送層（１１ｂ）、発光層（１１
ｃ）、及び電子輸送層（１１ｄ）から構成されている。
【００２６】具体的には、ホール注入層（１１ａ）（層
厚５００Å）にＭＴＤＡＴＡ（化１）、ホール輸送層
（１１ｂ）（層厚１５０Å）にＴＰＤ（化２）、発光層
（１１ｃ）（層厚２００Å）に１ＡＺＭ−Ｈｅｘ（ホス
ト材料）（化３）、及びペリレン（化４）（ドーパン
ト、添加濃度３％）で構成され、電子輸送層（１１ｄ）
（層厚３００Å）にＡｌｑ３（化５）をＴＦＴ側から順
次積層形成した。
厚５００Å）にＭＴＤＡＴＡ（化１）、ホール輸送層
（１１ｂ）（層厚１５０Å）にＴＰＤ（化２）、発光層
（１１ｃ）（層厚２００Å）に１ＡＺＭ−Ｈｅｘ（ホス
ト材料）（化３）、及びペリレン（化４）（ドーパン
ト、添加濃度３％）で構成され、電子輸送層（１１ｄ）
（層厚３００Å）にＡｌｑ３（化５）をＴＦＴ側から順
次積層形成した。
【００２７】
【化１】
【００２８】
【化２】
【００２９】
【化３】
【００３０】
【化４】
【００３１】
【化５】
【００３２】有機層（１１）は、真空度５×１０-6 Tor
r、基板温度制御無しの条件で真空蒸着法にて行った。
r、基板温度制御無しの条件で真空蒸着法にて行った。
【００３３】更に、その上にＬｉＦ膜（層厚５Å）を蒸
着、その上にインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）をスパ
ッタ法により製膜して、透明な電子注入電極（１２）を
形成した。
着、その上にインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）をスパ
ッタ法により製膜して、透明な電子注入電極（１２）を
形成した。
【００３４】この素子構造では、印加電圧９Ｖで輝度１
０,０００ｃｄ／ｍ2の高輝度青色発光を得ることができ
た。
０,０００ｃｄ／ｍ2の高輝度青色発光を得ることができ
た。
【００３５】ここでＬｉＦを用いるのは、有機層（１
１）への電子の注入を向上させるためである。また、Ｌ
ｉＦを用いることにより、その上に仕事関数の大きなＩ
ＴＯを用いることが可能となった。
１）への電子の注入を向上させるためである。また、Ｌ
ｉＦを用いることにより、その上に仕事関数の大きなＩ
ＴＯを用いることが可能となった。
【００３６】従来、電子注入電極としては、ＬｉＦとＡ
ｌの組み合わせ（L.S.Hung, et al,Appl. Phys. Lett.
Vol.70, 152 (1997)）、及び半透明ＭｇＡｇ合金膜とＩ
ＴＯとの組み合わせ（G. Gu, et al, Appl. Phys. Let
t. Vol.68, 2606 (1996)）が報告されていた。
ｌの組み合わせ（L.S.Hung, et al,Appl. Phys. Lett.
Vol.70, 152 (1997)）、及び半透明ＭｇＡｇ合金膜とＩ
ＴＯとの組み合わせ（G. Gu, et al, Appl. Phys. Let
t. Vol.68, 2606 (1996)）が報告されていた。
【００３７】しかし、前者はＡｌを用いているため、電
子注入電極は透明ではなく、この発明には用いることが
できない。また、後者は半透明ＭｇＡｇ合金膜を用いて
いるため、ＬｉＦを用いた場合に比べて、電子の注入効
率が低下し、発光効率が低くなるため、本発明に用いる
ことができない。
子注入電極は透明ではなく、この発明には用いることが
できない。また、後者は半透明ＭｇＡｇ合金膜を用いて
いるため、ＬｉＦを用いた場合に比べて、電子の注入効
率が低下し、発光効率が低くなるため、本発明に用いる
ことができない。
【００３８】そこで、本発明においては、ハロゲン化ア
ルカリ金属塩、酸化アルカリ金属、ハロゲン化アルカリ
土類金属塩、又は酸化アルカリ土類金属の薄膜と透明導
電性膜の組み合わせの電子注入電極を用いることによ
り、可視光が１０％〜１００％の範囲で透過することが
可能となった。これにより、従来技術では不可能であっ
た電子注入電極から発光を取り出すことができ、電子注
入電極側にカラーフィルターを設置することができ、素
子のフルカラー化が可能となる。
ルカリ金属塩、酸化アルカリ金属、ハロゲン化アルカリ
土類金属塩、又は酸化アルカリ土類金属の薄膜と透明導
電性膜の組み合わせの電子注入電極を用いることによ
り、可視光が１０％〜１００％の範囲で透過することが
可能となった。これにより、従来技術では不可能であっ
た電子注入電極から発光を取り出すことができ、電子注
入電極側にカラーフィルターを設置することができ、素
子のフルカラー化が可能となる。
【００３９】尚、前述のハロゲン化アルカリ金属塩とし
ては、NaF、KF、NaCl、KCl等が該当し、また酸化アルカ
リ金属としては、Li2O等が該当し、更にハロゲン化アル
カリ土類金属塩としては、BeF2、MgF2、CaF2、SrF2、Ba
F2、BeCl2、MgCl2、SrCl2、BaCl2等が該当し、また酸化
アルカリ土類金属としては、MgO、CaO、SrO等が該当す
る。
ては、NaF、KF、NaCl、KCl等が該当し、また酸化アルカ
リ金属としては、Li2O等が該当し、更にハロゲン化アル
カリ土類金属塩としては、BeF2、MgF2、CaF2、SrF2、Ba
F2、BeCl2、MgCl2、SrCl2、BaCl2等が該当し、また酸化
アルカリ土類金属としては、MgO、CaO、SrO等が該当す
る。
【００４０】ハロゲン化アルカリ金属塩、酸化アルカリ
金属、ハロゲン化アルカリ土類金属塩、又は酸化アルカ
リ土類金属の薄膜層の膜厚を１Å〜１００Åにすること
により、有機層への電子の注入効率が向上するととも
に、可視光の透過率１０％〜１００％の範囲で可能とな
る。
金属、ハロゲン化アルカリ土類金属塩、又は酸化アルカ
リ土類金属の薄膜層の膜厚を１Å〜１００Åにすること
により、有機層への電子の注入効率が向上するととも
に、可視光の透過率１０％〜１００％の範囲で可能とな
る。
【００４１】また、電子の注入はハロゲン化アルカリ金
属塩、酸化アルカリ金属、ハロゲン化アルカリ土類金属
塩、又は酸化アルカリ土類金属の薄膜側から行われるた
め、透明導電膜の仕事関数の大小は特に問題にならな
い。
属塩、酸化アルカリ金属、ハロゲン化アルカリ土類金属
塩、又は酸化アルカリ土類金属の薄膜側から行われるた
め、透明導電膜の仕事関数の大小は特に問題にならな
い。
【００４２】尚、前述の透明導電膜としてITO膜以外
に、IDIXO（出光興産製、酸化インジウムと酸化亜鉛の
複合酸化物）、或いはＳｎＯ2などを用いることが可能
である。
に、IDIXO（出光興産製、酸化インジウムと酸化亜鉛の
複合酸化物）、或いはＳｎＯ2などを用いることが可能
である。
【００４３】ところで、前述の有機ＥＬ素子に赤、緑、
及び青の光の３原色を発光する３種類の蛍光色素から作
製された光変換カラーフィルター付ガラス基板を、ＴＦ
Ｔにより形成された画素構成と一致し、且つカラーフィ
ルターとＴＦＴが対向する向きに貼り合わせる。この場
合、カラーフィルターのガラス基板（１）が封止用のカ
バーガラスとしての役割も果たす。
及び青の光の３原色を発光する３種類の蛍光色素から作
製された光変換カラーフィルター付ガラス基板を、ＴＦ
Ｔにより形成された画素構成と一致し、且つカラーフィ
ルターとＴＦＴが対向する向きに貼り合わせる。この場
合、カラーフィルターのガラス基板（１）が封止用のカ
バーガラスとしての役割も果たす。
【００４４】この素子をＴＦＴ駆動回路に接続すると、
良好なフルカラー動画を得ることを確認することができ
た。 ＜実施の形態２＞実施の形態２では、有機層（１１）と
して、ホール注入層（１１ａ）（層厚５００Å）にＭＴ
ＤＡＴＡ、ホール輸送層（１１ｂ）（層厚２００Å）に
ＴＰＤ、発光層（１１ｃ）（層厚４００Å）にＺｎ(Ｂ
ＴＺ)2（化６）をＴＦＴ側から順次積層させる。
良好なフルカラー動画を得ることを確認することができ
た。 ＜実施の形態２＞実施の形態２では、有機層（１１）と
して、ホール注入層（１１ａ）（層厚５００Å）にＭＴ
ＤＡＴＡ、ホール輸送層（１１ｂ）（層厚２００Å）に
ＴＰＤ、発光層（１１ｃ）（層厚４００Å）にＺｎ(Ｂ
ＴＺ)2（化６）をＴＦＴ側から順次積層させる。
【００４５】
【化６】
【００４６】電子注入電極（１２）は酸化リチウム（層
厚５Å）であり、他の層の材料は実施の形態１と同じ材
料である。この素子は８Ｖで１０,１９０ｃｄ／ｍ2の高
輝度な緑白色(色度座標ｘ＝０．２４６、ｙ＝０．３６
３)の輝度を示した。
厚５Å）であり、他の層の材料は実施の形態１と同じ材
料である。この素子は８Ｖで１０,１９０ｃｄ／ｍ2の高
輝度な緑白色(色度座標ｘ＝０．２４６、ｙ＝０．３６
３)の輝度を示した。
【００４７】この素子に実施の形態１と同様、カラーフ
ィルターを張合わせた。但し、この場合のカラーフィル
ターは蛍光を持たない色素で構成され、光の３原色で構
成されている。
ィルターを張合わせた。但し、この場合のカラーフィル
ターは蛍光を持たない色素で構成され、光の３原色で構
成されている。
【００４８】この素子をＴＦＴ駆動回路に接続すると、
良好なフルカラー動画を得ることを確認することができ
た。
良好なフルカラー動画を得ることを確認することができ
た。
【００４９】以上、実施の形態１、２において、フルカ
ラー化ＴＦＴ有機ＥＬ素子について、具体的に示した
が、これらの素子は素子の表裏どちらからも動画を見る
ことができる。このとき、使用目的によっては、ガラス
基板（１）上に遮光膜（１３）、例えば金属膜を形成し
たり、また遮光処理することにより、ガラス基板（１）
の反対側に設置されたガラス基板（１a）のカラーフィ
ルター（１４）側からのみ光を取り出すことが可能であ
る。
ラー化ＴＦＴ有機ＥＬ素子について、具体的に示した
が、これらの素子は素子の表裏どちらからも動画を見る
ことができる。このとき、使用目的によっては、ガラス
基板（１）上に遮光膜（１３）、例えば金属膜を形成し
たり、また遮光処理することにより、ガラス基板（１）
の反対側に設置されたガラス基板（１a）のカラーフィ
ルター（１４）側からのみ光を取り出すことが可能であ
る。
【００５０】具体的には、図３に示すように、ガラス基
板（１）に形成された遮光膜（１３）上に、順次TFT、
有機層（１１）、及び電子注入電極（１２）を形成し、
その電子注入電極（１２）とカラーフィルター（１４）
間に封止剤（１５）によって不活性ガス（１６）を閉じ
込めることにより目的を達成することができる。
板（１）に形成された遮光膜（１３）上に、順次TFT、
有機層（１１）、及び電子注入電極（１２）を形成し、
その電子注入電極（１２）とカラーフィルター（１４）
間に封止剤（１５）によって不活性ガス（１６）を閉じ
込めることにより目的を達成することができる。
【００５１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、有機層上に形成された電子注入電極として、
ハロゲン化アルカリ金属塩、酸化アルカリ金属、ハロゲ
ン化アルカリ土類金属塩、又は酸化アルカリ土類金属の
薄膜を用いるので、その薄膜を透明にすることができ、
カラーフィルター上にＴＦＴを形成することがなくなる
結果、カラーフィルターが熱による損傷を受けることが
なくなる効果を奏する。
によれば、有機層上に形成された電子注入電極として、
ハロゲン化アルカリ金属塩、酸化アルカリ金属、ハロゲ
ン化アルカリ土類金属塩、又は酸化アルカリ土類金属の
薄膜を用いるので、その薄膜を透明にすることができ、
カラーフィルター上にＴＦＴを形成することがなくなる
結果、カラーフィルターが熱による損傷を受けることが
なくなる効果を奏する。
【図１】低温プロセスｐ−Ｓｉ形ＴＦＴの製造プロセス
を示す図である。
を示す図である。
【図２】ＴＦＴ駆動有機ＥＬ素子の断面図である。
【図３】ＴＦＴ駆動有機ＥＬ素子にカラーフィルターを
設置した概略断面図である。
設置した概略断面図である。
【図４】２層構造の有機ＥＬ素子の概略構成図である。
【図５】３層構造の有機ＥＬ素子の概略構成図である。
１…基板 ２…ｐ−Ｓｉ膜 ３…ゲート絶縁膜 ４…ゲート ５…ソース ６…ドレイン ７…層間絶縁膜 ８…画素電極 ９…データ線 10…パッシベーション膜 11…有機層 12…電子注入電極
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に形成された薄膜トランジスタ
上に、有機キャリア輸送層、及び有機発光層からなる有
機層、並びに電子注入電極が積層形成された有機エレク
トロルミネッセンス素子において、前記電子注入電極に
おける可視光の透過率を１０〜１００％にしたことを特
徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項２】 前記電子注入電極上にカラーフィルタ
ーを積層形成することを特徴とする請求項１記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項３】 前記電子注入電極として、前記有機層
に接する側にハロゲン化アルカリ金属塩、酸化アルカリ
金属、ハロゲン化アルカリ土類金属塩、又は酸化アルカ
リ土類金属の薄膜を用いることを特徴とする請求項１、
又は２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項４】 前記薄膜上に可視光が１０％〜１００
％の範囲で透過する透明導電膜から構成されていること
を特徴とする請求項３記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。 - 【請求項５】 前記カラーフィルターが光の３原色を
示す蛍光色素より構成され、前記有機エレクトロルミネ
ッセンス素子から発せられる青色光により、カラーフィ
ルターの３原色を発光させてフルカラー化を実現するこ
とを特徴とする請求項２記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10143033A JPH11339968A (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10143033A JPH11339968A (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11339968A true JPH11339968A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15329356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10143033A Pending JPH11339968A (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11339968A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001249627A (ja) * | 2000-03-07 | 2001-09-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | アクティブ駆動型有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
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| JP2002008850A (ja) * | 2000-04-21 | 2002-01-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 自発光装置及びそれを用いた電気器具 |
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-
1998
- 1998-05-25 JP JP10143033A patent/JPH11339968A/ja active Pending
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| EP2262349A1 (en) | 2000-02-16 | 2010-12-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Active organic EL device and method of manufacture thereof |
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