JP2007005173A - 表示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 91
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 96
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 46
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 21
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 21
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical class C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000434 metal complex dye Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- G09G3/06—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of a single character by selection from a plurality of characters, or by composing the character by combination of individual elements, e.g. segments using a combination of such display devices for composing words, rows or the like, in a frame with fixed character positions using controlled light sources
- G09G3/10—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of a single character by selection from a plurality of characters, or by composing the character by combination of individual elements, e.g. segments using a combination of such display devices for composing words, rows or the like, in a frame with fixed character positions using controlled light sources using gas tubes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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Abstract
【課題】表示品位の良好な表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 第1屈折率を有する支持基板100上に配置され第1屈折率とは異なる第2屈折率を有する第1絶縁層111と、第1絶縁層111上に配置され第2屈折率とは異なる第3屈折率を有する第2絶縁層120と、第2絶縁層120上に配置され異なる波長の光を発生する第2屈折率と略同等の屈折率を有する複数種類の色画素PX(R、G、B)と、を備え、少なくとも1種類の色画素PXBは、第2絶縁層120を貫通する開口部OPを介して第1絶縁層111にコンタクトしたことを特徴とする。
【選択図】 図2
【解決手段】 第1屈折率を有する支持基板100上に配置され第1屈折率とは異なる第2屈折率を有する第1絶縁層111と、第1絶縁層111上に配置され第2屈折率とは異なる第3屈折率を有する第2絶縁層120と、第2絶縁層120上に配置され異なる波長の光を発生する第2屈折率と略同等の屈折率を有する複数種類の色画素PX(R、G、B)と、を備え、少なくとも1種類の色画素PXBは、第2絶縁層120を貫通する開口部OPを介して第1絶縁層111にコンタクトしたことを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
この発明は、表示装置に係り、特に、複数の自発光性素子によって構成された表示装置に関する。
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置が注目されている。この有機EL表示装置は、自発光性素子であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
これらの特徴から、有機EL表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機EL表示装置は、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を挟持した有機EL素子をマトリックス状に配置することにより構成されている。
このような表示装置においては、波長λをピークとする光を発する有機EL素子を挟むように配置された第1反射膜及び第2反射膜を備え、第1反射膜及び第2反射膜に挟まれた有機EL素子の光路長が、λ・m/2(mは1以上の整数)に設定されたものが提案されている。この構成によれば、第1反射膜及び第2反射膜間で生じる干渉によって選択波長の光が減衰することを抑制できる(例えば、特許文献1参照。)。
特開2003−151761号公報
カラー表示可能な有機EL表示装置を実現するための代表的な方法として、赤(R)、緑(G)、青(B)の3色にそれぞれ発光する複数種類の色画素を配置する方法が挙げられる。しかしながら、赤(R)、緑(G)、青(B)の波長が異なるため、各色画素において、それぞれ干渉条件を最適化するためには、それぞれ異なる光路長に設定する必要がある。つまり、各色画素について、異なる膜厚に設定する必要がある。
しかしながら、各色画素を構成する薄膜の大部分は共通であり、各薄膜の膜厚を調整することによってそれぞれの色画素で最適な光路長を得ることは極めて困難なことである。また、赤(R)、緑(G)、青(B)の各色画素における光路長の最適化条件が異なるため、例えば、ある色における光取出効率と、他の色における色純度とを両立することが困難である。したがって、高輝度化及び高色純度化の両立が困難であるといった課題がある。
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、表示品位の良好な表示装置を提供することにある。
この発明の態様による表示装置は、
第1屈折率を有する基板上に配置され、前記第1屈折率とは異なる第2屈折率を有する第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に配置され、前記第2屈折率とは異なる第3屈折率を有する第2絶縁層と、
前記第2絶縁層上に配置され、異なる波長の光を発生する前記第2屈折率と略同等の屈折率を有する複数種類の表示素子と、を備え、
少なくとも1種類の表示素子は、前記第2絶縁層を貫通する開口部を介して前記第1絶縁層にコンタクトしたことを特徴とする。
第1屈折率を有する基板上に配置され、前記第1屈折率とは異なる第2屈折率を有する第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に配置され、前記第2屈折率とは異なる第3屈折率を有する第2絶縁層と、
前記第2絶縁層上に配置され、異なる波長の光を発生する前記第2屈折率と略同等の屈折率を有する複数種類の表示素子と、を備え、
少なくとも1種類の表示素子は、前記第2絶縁層を貫通する開口部を介して前記第1絶縁層にコンタクトしたことを特徴とする。
この発明によれば、表示品位の良好な表示装置を提供することができる。
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置を例にして説明する。
図1に示すように、この実施の形態に係る有機EL表示装置は、単位画素が少なくとも4つのトランジスタならびに自発光性の表示素子である有機EL(OLED)素子により形成されている。図1に示したレイアウト構成においては、第1走査線GL1をアクティブとすることにより、第1トランジスタMDRのゲートとドレインとの間を短絡するように第2トランジスタMSHが開くと共に、第1トランジスタMDR及び第3トランジスタMWRを通して、映像信号に対応した値の映像信号電流を流す。続いて、第1走査線GL1を非アクティブにし、第2トランジスタMSH及び第3トランジスタMWRをオフ状態にし、第1トランジスタMDRのゲートとソースとの間に接続されたコンデンサCSに、映像信号電流に応じた第1トランジスタMDRのゲート-ソース間電圧を記憶した後に、第3走査線GL3をアクティブとして、映像信号電流を第4トランジスタMCHを介してOLED素子に流すように画素回路を構成する。
この画素回路についてより詳細に説明する。すなわち、第1トランジスタMDRのソースは、コンタクトホールCWを介してアノード電源(電圧源)Pに接続され、第1トランジスタMDRのゲートは、第2トランジスタMSHのソースに接続されている。第2トランジスタMSHのゲートは、第1走査線GL1に接続され、また、第2トランジスタMSHのドレインは、第1トランジスタMDRのドレイン、第3トランジスタMWRのソース及び第4トランジスタMCHのソースに接続されている。第3トランジスタMWRのドレインは、信号線DATAに接続され、第3トランジスタMWRのゲートは第2走査線GL2に接続されている。第4トランジスタMCHのゲートは、第3走査線GL3に接続され、第4トランジスタMCHのドレインは、コンタクトホールPCを介してOLED素子を構成するアノードに接続されている。
これらのトランジスタは、4つとも同じPチャネル型またはNチャネル型のトランジスタであってもよいし、違う型のトランジスタであってもよいが、本実施の形態では、すべてPチャネルのトランジスタとした。また、本実施の形態では、トランジスタは、低温ポリシリコンの薄膜トランジスタ(TFTとも称する)を用いた。但し、トランジスタは、低温ポリシリコンの薄膜トランジスタに限ったものではなく、シリコンウエハ上の単結晶トランジスタを用いても良いし、連続粒界シリコン(CGS)や石英基板上に作成する高温ポリシリコンのトランジスタ、またはアモルファスシリコンのトランジスタでもあっても良い。
また、トランジスタの断面構造は、本実施の形態では、トップゲートのプレーナー型のTFTを用いたが、ボトムゲート型でも良く、また、スタガー型でも、逆スタガー型でも良い。更に、セルフアライン方式を用いて不純物領域(ソース、ドレイン)が形成されたものでも、非セルフアライン方式によるものでも良い。
更に、画素回路は、本実施の形態では、4つのトランジスタを用いたが、これに限ったものではなくても良い。これらはすべて本発明の範疇である。
信号線DATAは、映像信号電流を伝えるための配線である。走査線GL1〜GL3は、画素のトランジスタをアクティブ/非アクティブにするための制御信号を伝えるための配線である。電源線Pは、アノードに、アノード電圧を供給するための配線である。それぞれの配線は抵抗が低い方が好ましく、その配線は、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)または窒化チタン(TiN)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、タングステン(W)、銅(Cu)、ネオジウム(Nd)、ジルコニウム(Zr)等のいずれか1種または2種以上を含有する金属を単層または2層以上の積層構造にして形成される。但し、本発明においてはこの材料に限られるものではない。
また、第1トランジスタMDRのゲート-ソース間電圧を保持するコンデンサCSは、隣接する画素間の非表示領域におおむね形成する。低分子のOLED素子でカラー表示パネルを作成する場合、OLED素子を構成する光活性層をメタルマスクによるマスク蒸着で形成するため、隣接する画素間の非表示領域の幅は約10〜20μmになる。この部分は発光に寄与しない部分となるため、コンデンサCSをこの領域に形成することは、トランジスタを形成した支持基板(例えばガラス基板)側から光を取り出す下面発光方式の場合、開口率を向上するための有効な手段となる。
次に、OLED素子の構造について、以下に、述べる。
本実施の形態の有機EL表示装置の構成例を図2に示す。本実施の形態では、下面発光方式を採用している。すなわち、支持基板100としては、比較的低屈折率(第1屈折率;n=1.4〜1.6)の絶縁体、例えばガラス基板を適用する。この支持基板100上には、所望の形状のトランジスタアレイ110が配置されている。このトランジスタアレイ110は、支持基板100上に配置された、窒化シリコン(SiN)及び酸化シリコン(SiO)によって形成されたアンダーコート膜、ポリシリコン膜、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、それぞれを絶縁するための層間絶縁膜、及び、それらを保護するための保護膜で構成される。ゲート絶縁膜、層間絶縁膜、及び、保護膜は、アンダーコート膜と同様に比較的高屈折率(第2屈折率;n=1.8〜2.2)の無機系材料、例えば窒化シリコン(SiN)及び酸化シリコン(SiO)によって形成されている。
トランジスタアレイ110上には、平坦化膜120が配置されている。この平坦化膜120は、OLED素子のアノードとトランジスタアレイ110におけるトランジスタと電気的に接続するためのコンタクトホールを有している。この平坦化膜120は、比較的低屈折率(第3屈折率;n=1.3〜1.7)の材料として、フォトレジスト、ポリイミド、アクリル樹脂などの樹脂系材料の塗膜など、絶縁性を有するもので形成されており、より厚く平らにできる有機膜を用いることが望ましい。
平坦化膜120上には、OLED素子130が配置されている。本実施の形態では、OLED素子130は、光透過性を有する第1電極(例えば、アノードとして機能するホール注入電極)131と、1種以上の光活性層133と、第2電極(カソードとして機能する電子注入電極)132とを有している。光活性層133は、少なくとも1層のホール輸送層及び発光層を有し、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を順次有している。なお、本発明のOLED素子130の光活性層133は、種々の構成とすることができ、電子注入・輸送層を省略したり、あるいは発光層と一体としたり、ホール注入輸送層と発光層とを混合してもよい。光活性層133において、発光層133A以外は共通層であり、図2に示した例では、第1電極131側に配置されたホール側共通層133Hは、ホール注入層及びホール輸送層を含み、また、第2電極132側に配置された電子側共通層133Eは、電子輸送層及び電子注入層を含み、発光層133Aは、これらのホール側共通層133Hと電子側共通層133Eとの間に配置されている。第2電極132は、蒸着、スパッタ法等、好ましくは蒸着法で成膜される仕事関数の小さい金属、化合物または合金などで形成されている。
下面発光方式を採用した構成では、第1電極131は、例えば、ITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウム)、ZnO(酸化亜鉛)、SnO2(酸化錫)、In2O3(酸化インジウム)などの光透過性を有する導電材料によって形成され、特にITO、IZOを用いて形成することが好ましい。第1電極131の厚さは、ホール注入を行うのに十分な一定以上の厚さを有していれば良い。また、第1電極131は、蒸着法等によっても形成できるが、スパッタ法により形成することが好ましい。スパッタガスとしては、特に制限するものではなく、アルゴン(Ar)、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)、クリプトン(Kr)、キセノン(Xe)等の不活性ガス、あるいはこれらの混合ガスを用いればよい。このようにして形成された第1電極131は、比較的高い屈折率(n=1.8〜2.2)を有している。
第2電極132は、蒸着、スパッタ法等、好ましくは蒸着法で成膜される仕事関数の小さい金属、化合物または合金によって形成されている。下面発光方式を採用した構成では、この第2電極132は、光反射性を有する導電材料を用いて形成され、例えば、カリウム(K)、リチウム(Li)、ナトリウム(Na)、マグネシウム(Mg)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、インジウム(In)、錫(Sn)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)等の金属元素単体、または安定性を向上させるためにそれらを含む2成分あるいは3成分の合金系を用いて形成することが好ましい。合金系材料としては、例えばAg・Mg(Ag:1〜20at%)、Al・Li(Li:0.3〜14at%)、In・Mg(Mg:50〜80at%)、Al・Ca(Ca:5〜20at%)等が好ましい。第2電極132の厚さは、電子注入を行うのに十分な一定以上の厚さを有していれば良い。
ホール側共通層133Hにおいて、ホール注入層は、第1電極131からのホールの注入を容易にする機能を有し、ホール輸送層は、ホールを輸送する機能及び電子を妨げる機能を有している。
電子側共通層133Eにおいて、電子注入層及び電子輸送層は、発光層133Aに用いる化合物の電子注入機能及び電子輸送機能がさほど高くないときなどに設けられ、第2電極132からの電子の注入を容易にする機能、電子を輸送する機能及びホールを妨げる機能を有している。これらのホール注入層、ホール輸送層、電子注入層及び電子輸送層は、発光層133Aへ注入されるホールや電子を増大・閉じ込めさせ、再結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。なお、電子側共通層133Eは、電子注入機能を持つ層と電子輸送機能を持つ層とを別個に設けてもよいし、機能的に複合した層であっても良い。
本発明のOLED素子130の発光層133Aは、発光機能を有する化合物である蛍光性物質を含有している。この蛍光性物質としては、例えば、特開昭63−264692号公報等に開示されているようなトリス(8−キノリノラト)アルミニウム〔Alq3〕等の金属錯体色素、特開平6−110569号公報(フェニルアントラセン誘導体)、特開平6−114456号公報(テトラアリールエテン誘導体)、特開平6−100857号公報、特開平2−247278号公報等に開示されているような青緑色発光材料などが挙げられる。このようにして形成された発光層133Aは、比較的高い屈折率(n=1.8〜2.2)を有している。
また、ホール側共通層133Hを構成するホール注入層及びホール輸送層としては、例えば、特開昭63−295695号公報、特開平2−191694号公報、特開平3−792号公報、特開平5-234681号公報、特開平5−239455号公報、特開平5−299174号公報、特開平7−126225号公報、特開平7−126226号公報、特開平8−100172号公報、EP0650955A1等に記載されている各種有機化合物を用いることができる。このようにして形成されたホール側共通層133Hは、比較的高い屈折率(n=1.8〜2.2)を有している。また、電子側共通層133Eも同様に、比較的高い屈折率(n=1.8〜2.2)を有している。このように、OLED素子130を構成する各薄膜は、第1屈折率及び第3屈折率より高い屈折率の材料からなり、それらの屈折率は第2屈折率と略同等である。
ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子注入層及び電子輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから真空蒸着法を用いることが好ましい。
このような有機EL表示装置は、OLED素子130、特に光活性層133に水分が侵入しないように封止材40により封止されている。本実施の形態では、封止材40としてシール材を用いてガラスを張り合わせ、その間の空間には、乾燥剤を備えている方法を適用しているが、他の方法として、メタル薄膜と有機膜との積層構造で封止する方法や、メタルキャップで封止する方法を適用しても良く、それら全ては本発明の範疇である。
カラー化の手法としては、例えば、白色に発光するOLED素子と赤、緑、青にそれぞれ着色されたカラーフィルタとを組み合わせる方法や、青色に発光するOLED素子と波長変換層とを組み合わせる方法などが提案されているが、本実施の形態では、それぞれ異なる波長(例えば、青色波長、緑色波長、及び、赤色波長)の発光ピークを持つ複数種類の発光材料を塗り分けることによって実現した。すなわち、本実施の形態に係る有機EL表示装置は、主に赤色波長の光を発生する赤色画素PXR、主に緑色波長の光を発生する緑色画素PXG、及び、主に青色波長の光を発生する青色画素PXBを備えている。これらの色画素PX(R、G、B)は、格子状またはストライプ状の隔壁50によって区画されている。
ところで、先に説明したように、トランジスタアレイ110とOLED素子130(第1電極131)との間には、トランジスタアレイ110の凹凸によるOLED素子130のショートを防止するため、平坦化膜120が配置されている。
この平坦化膜120は、屈折率nが1.3〜1.7程度と小さいのに対して、ITOによって形成した第1電極131や光活性層133を構成する各薄膜は、屈折率nが1.8〜2.2と高い。このため、光活性層133で発生した光の一部は、第1電極131と平坦化膜120との界面で反射され、その界面と反射電極である第2電極132との間の光路で干渉する。この干渉効果は、光取出効率や色純度に大きな影響を及ぼす。
すなわち、図3は、実質的な光路長に対する各色画素PX(R、G、B)での規格化した発光輝度の関係の一例を示している。図3に示した例のように、各色画素PX(R、G、B)において、発光輝度が最大となる光路長が同一(あるいは略同一)であるとは限らない。図3に示した例において、発光輝度が最大となる光路長は、赤色画素PXRについては230nm付近であり、青色画素PXBについては200nm付近であり、緑色画素PXGについては220nm付近である。つまり、各色画素での干渉条件を最適化して最大の発光輝度を得るためには、色画素毎に最適な光路長に設定することが要求される。
一方、色純度について、図4Aは実質的な光路長に対する緑色画素PXGで発生した光の色度図上の座標値(CIEx及びCIEy)の関係の一例を示し、図4Bは実質的な光路長に対する青色画素PXBで発生した光の色度図上の座標値(CIEx及びCIEy)の関係の一例を示し、図4Cは実質的な光路長に対する赤色画素PXRで発生した光の色度図上の座標値(CIEx及びCIEy)の関係の一例を示している。
緑色の光については、色度図上において実質的にCIEyの値が大きいほど色純度が高い(濃い)ことに対応する。青色の光については、色度図上において実質的にCIEyの値が小さいほど色純度が高い(濃い)ことに対応する。赤色の光については、色度図上において実質的にCIExの値が大きいほど色純度が高い(濃い)ことに対応する。
図4A乃至図4Cに示した例のように、各色画素PX(R、G、B)において、色度が最良となる光路長が同一(あるいは略同一)であるとは限らず、また、青色画素PXBのように光路長に対する色度変化が大きいものもあれば、赤色画素PXRのように光路長に対する色度変化が小さいものもある。例えば、青色画素PXBについては、図4Bに示した例では、色度が最良となる光路長は270nm付近である。つまり、各色画素での干渉条件を最適化して最良の色度を得るためには、色画素毎に最適な光路長に設定することが要求される。
なお、OLED素子130を平坦化膜120上に配置する場合、図3、及び、図4A乃至図4Cでの光路長とは、実質的に第1電極131及び光活性層133の膜厚に相当する。つまり、各色画素での干渉条件を最適化するためには、色画素毎に異なる膜厚設定にすることが望ましい。
しかしながら、先に説明したように、発光層133A以外は全て共通層であり、発光層133Aの膜厚は、キャリアバランスへの影響もあるので、大きく異ならせることは、困難である。例えば、赤色画素PXRについては発光輝度の最も高くなる条件を選択して230nm付近の膜厚に設定し、青色画素PXBについては色度の最も良くなる条件を選択して270nm付近の膜厚に設定し、緑色画素PXGについては発光輝度の最も高くなる条件を選択して220nm付近の膜厚に設定しようとしても、最大で50nmの膜厚差がある。このような大きな膜厚差は、発光層133Aの膜厚のみで形成するのは困難である。したがって、各色画素で選択される条件(発光輝度または色度が最良となる条件)を同時に成り立たせることは極めて困難である。
また、緑色の光については、図3に示した例のような光路長に対する発光輝度の関係と図4Aに示した例のような光路長に対する色度(CIEy)の関係とが略一致するため、干渉効果を最適化(すなわち最適な条件の光路長を選択)することにより、発光輝度を向上するのと同時に色度も向上できる。つまり、緑色の光は、白色の輝度への寄与度が高いので、発光輝度を向上する条件の光路長を選択すると、その結果、色度も向上される。
これに対して、青色の光については、図3に示した例のような光路長に対する発光輝度の関係と図4Bに示した例のような光路長に対する色度(CIEy)の関係とが相反する。つまり、発光輝度を向上するための最適化条件と色度を向上するための最適化条件とがトレードオフの関係にある。このため、青色の光については、干渉効果を最適化するというよりはむしろ干渉効果による発光輝度及び色度の変化がない方が好ましい。
そこで、本実施の形態では、図1及び図2に示したように、青色画素PXBについては、平坦化膜120を貫通する開口部OPを介してトランジスタアレイ110にコンタクトさせている。すなわち、トランジスタアレイ110の保護膜、層間絶縁膜、ゲート絶縁膜、アンダーコート膜は、窒化シリコン(SiN)によって形成されており、OLED素子130の第1電極131を形成するITOや光活性層133を形成する有機材料と同等の屈折率(1.8〜2.2)を有し、かつ、それらのトータルの膜厚は、500nm〜1500nmと厚い。
平坦化膜120は、本来トランジスタアレイ110の凹凸によるOLED素子130のショートを防止するために設けられているため、平坦化膜120を貫通する開口部OPは、トランジスタアレイ110において、ポリシリコン膜や、各種電極及び各種配線とは重ならない比較的平坦な部分に対応して形成される。つまり、開口部OPによって露出する部分のトランジスタアレイ110は、アンダーコート膜110A、ゲート絶縁膜110B、層間絶縁膜110C、保護膜110Dといった同等の屈折率を有する光透過性の絶縁膜が積層した第1絶縁層111に相当する。
青色画素PXBは、この第1絶縁層111に直接コンタクトしており(つまり、青色画素PXB用のOLED素子130を構成する第1電極131と、この第1電極131と同等の屈折率の第1絶縁層111とがコンタクトしている)、また、赤色画素PXR及び緑色画素PXGは第1絶縁層111に積層した第2絶縁層に相当する平坦化膜120上に配置されている。
このため、青色画素PXBについては、第1電極131と第1絶縁層111との界面では反射が起こらず、干渉条件の光路長は、平坦化膜120を介する赤色画素PXR及び緑色画素PXGの100nm〜400nmと比較して、600nm〜1800nmと大幅に長くなる。これにより、波長の最も短い青色は、干渉効果を受けにくくなり、OLED素子130の膜厚(実質的な光路長)による発光輝度の変化及び色度の変化を受けにくくなる。
より詳細に説明すると、本発明では、干渉効果による発光輝度及び色度の変化は光路長が長くなるほど小さくなることに着目している。つまり、図3及び図4A乃至図4Cに示したような低次の干渉条件では、光路長に対する発光輝度及び色度の変化は極めて大きいのに対して、図5に示すように、高次の干渉条件では、光路長に対する発光輝度及び色度の変化は小さくなる(このような現象は、青色に限らず、他の色の光に関しても同様の傾向を示す)。したがって、この実施の形態では、発光輝度を向上するための最適化条件と色度を向上するための最適化条件とがトレードオフの関係にある青色の光については、高次の干渉条件を利用して実質的に発光輝度及び色度の変化がない条件(光路長が十分に長いすなわち膜厚が十分に厚い条件)を選択する。このような構成を選択することにより、青色画素PXBについては、十分な発光輝度及び色度を同時に得ることが可能となる。
一方、OLED素子130のホール側共通層133Hおよび電子側共通層133Eの干渉条件は、緑色画素PXG及び赤色画素PXRの2つについて最適化すれば良く、どちらも220〜230nm付近の光路長(膜厚)を選択することによって最適条件となる。この程度の小さな膜厚差であれば、発光層133Aの膜厚のみで十分に調整は可能である。したがって、本実施の形態では、第2電極132を除くOLED素子130の厚み(すなわち光活性層133の膜厚と第1電極131の膜厚との総和)を、緑色画素PXGで220nmに設定し、赤色画素PXRで230nmに設定した。これにより、緑色画素PXG及び赤色画素PXRについて、ともに最大の発光輝度を得ることができ、緑色画素PXGについては、最良の色度を得ることも可能となる。
本実施の形態のように、青色画素PXBについて、平坦化膜120に形成した開口部OPを介してOLED素子130と、OLED素子130を構成する薄膜の屈折率と略同等の屈折率を有する第1絶縁層111(厳密には、トランジスタアレイ110の最もOLED素子130側に位置する保護膜110D)とを直接接触させることにより、干渉効果を受けにくくなり、緑色画素PXG及び赤色画素PXRについて、必要な特性を得る(例えば最大輝度を得る)ための条件で光路長(膜厚)を設定することができる。その結果、高輝度で高色再現性の表示品位に優れた有機EL表示装置を得ることができた。また、青色画素PXBの干渉効果による色度の視野角依存性も解消することができた。さらに、平坦化膜120を構成する材料の特性として、特定波長の光の吸収率が高い場合がある。この実施の形態で適用した平坦化膜120は、特に、青色波長の光の吸収率が高い。このため、青色画素PXBについて、平坦化膜120に形成した開口部OPを介してOLED素子130と、第1絶縁層111とを直接接触させる構成とすることにより、OLED素子130からの青色出射光が平坦化膜120に吸収されず、外部に取り出される青色光の取出効率を改善することができる。
なお、上述した平坦化膜120は、例えばポジティブタイプの樹脂系材料を用いて形成される。すなわち、樹脂系材料を第1絶縁層111上に成膜した後、青色画素PXBに対応して開口パターンを有するフォトマスクを介して樹脂系材料を露光し、その後、樹脂系材料を現像する。これにより、青色画素PXBに対応した開口部を有する平坦化膜120が形成される。その後、第1電極131、光活性層133、及び、第2電極132を順次形成することにより、第1絶縁層111にコンタクトした青色用OLED素子、平坦化膜120上に配置された赤色用OLED素子及び緑色用OLED素子130がそれぞれ形成される。
平坦化膜120をネガティブタイプの樹脂系材料を用いて形成する場合には、青色画素PXBに対応して遮光パターンを有するフォトマスクを介して樹脂系材料を露光し、現像することで、同様の開口部OPを有する平坦化膜120を形成可能である。
次に、他の実施の形態について説明する。
ここでは、図6に示すように、青色画素PXBと同様に赤色画素PXRについても、平坦化膜120を貫通する開口部OPを介してトランジスタアレイ110にコンタクトさせている。これにより、OLED素子130の最適膜厚が、白色の輝度への寄与度が高い緑色画素PXGのみで最適化することが可能となる。これにより、赤色画素との干渉条件のマッチングも不必要となり、200nm付近の膜厚だけでなく、350nm付近の膜厚も選択することができた。これにより、全体の膜厚を厚くすることができ、OLED素子130内への異物の混入によるショート不良(黒点)の発生を抑制することができた。
さらに他の実施の形態としては、図7に示すように、青色画素PXBと同様に赤色画素PXRのみならず緑色画素PXGについても、平坦化膜120を貫通する開口部OPを介してトランジスタアレイ110にコンタクトさせている。これにより、すべての色画素に関して干渉条件のマッチングが不必要となる。また、他の実施形態と同様に、全体の膜厚を厚くすることができ、OLED素子130内への異物の混入によるショート不良(黒点)の発生を抑制することができた。加えて、各色画素のOLED素子130が平坦化膜120に残存する水分の影響を受けにくく、寿命劣化を抑制することができる。さらに、平坦化膜120の膜厚にばらつきが生じても特性の変動を抑制することができる。
以上説明したように、発光輝度や色度が最良となる実質的な光路長は、カラー表示に利用される複数種類の色画素の発光波長を考慮すると、各色画素について必ずしも同一となるとは限らない。したがって、色画素毎に必要な特性を得るための条件で光路長すなわち膜厚を設定する必要がある。そこで、最適条件の光路長が他の色と著しく異なる色画素、あるいは、必要とする2以上の特性(例えば発光輝度及び色度)を向上するための最適化条件とがトレードオフの関係にある色画素については、光路長の影響を受けにくい高次の干渉条件を適用する。高次の干渉条件を利用するためには、光路長を拡大すればよい。そのため、OLED素子をそれと同等の屈折率を有する絶縁層とコンタクトさせ、実質的な光路長を拡大している。これにより、光路長が拡大された色画素については、光路長の影響を受けることなく必要な特性を得ることが可能となる。上述した実施の形態では、青色画素用のOLED素子をそれと同等の屈折率を有する絶縁層とコンタクトさせたが、この例に限らず、他の色画素についても同様の構成を適用可能であり、また、2種類以上の色画素に適用しても良い。
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
PXR…赤色画素、PXG…緑色画素、PXB…青色画素、OP…開口部、100…支持基板、110…トランジスタアレイ、110A…アンダーコート膜、110B…ゲート絶縁膜、110C…層間絶縁膜、110D…保護膜、111…絶縁層、120…平坦化膜、130…OLED素子、131…第1電極、132…第2電極、133…光活性層、133A…発光層、133H…ホール側共通層、133E…電子側共通層
Claims (6)
- 第1屈折率を有する基板上に配置され、前記第1屈折率とは異なる第2屈折率を有する第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に配置され、前記第2屈折率とは異なる第3屈折率を有する第2絶縁層と、
前記第2絶縁層上に配置され、異なる波長の光を発生する前記第2屈折率と略同等の屈折率を有する複数種類の表示素子と、を備え、
少なくとも1種類の表示素子は、前記第2絶縁層を貫通する開口部を介して前記第1絶縁層にコンタクトしたことを特徴とする表示装置。 - 前記第1絶縁層にコンタクトした表示素子は、青色波長の光を発生することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記第2屈折率は、前記第1屈折率及び前記第3屈折率より高いことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1絶縁層は、窒化シリコン膜を含む多層膜によって形成されたことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記表示素子は、独立島状に形成された光透過性を有する第1電極と、前記第1電極に対向して配置された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に保持された光活性層と、を備えたことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記表示装置は、前記第1屈折率を有する基板上に形成された複数の薄膜トランジスタを備えたこと特徴とする請求項1に記載の表示装置
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005185149A JP2007005173A (ja) | 2005-06-24 | 2005-06-24 | 表示装置 |
US11/424,746 US7268490B2 (en) | 2005-06-24 | 2006-06-16 | Wiring substrate and display device |
TW095122517A TWI302388B (en) | 2005-06-24 | 2006-06-22 | Wiring substrate and display device |
KR1020060056340A KR100782639B1 (ko) | 2005-06-24 | 2006-06-22 | 배선 기판 및 디스플레이 장치 |
CNB2006100959108A CN100466872C (zh) | 2005-06-24 | 2006-06-23 | 配线基底和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005185149A JP2007005173A (ja) | 2005-06-24 | 2005-06-24 | 表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007005173A true JP2007005173A (ja) | 2007-01-11 |
Family
ID=37566519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005185149A Pending JP2007005173A (ja) | 2005-06-24 | 2005-06-24 | 表示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7268490B2 (ja) |
JP (1) | JP2007005173A (ja) |
KR (1) | KR100782639B1 (ja) |
CN (1) | CN100466872C (ja) |
TW (1) | TWI302388B (ja) |
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- 2006-06-22 TW TW095122517A patent/TWI302388B/zh active
- 2006-06-23 CN CNB2006100959108A patent/CN100466872C/zh active Active
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---|---|
CN1886014A (zh) | 2006-12-27 |
KR20060135524A (ko) | 2006-12-29 |
US20060290274A1 (en) | 2006-12-28 |
US7268490B2 (en) | 2007-09-11 |
CN100466872C (zh) | 2009-03-04 |
KR100782639B1 (ko) | 2007-12-06 |
TWI302388B (en) | 2008-10-21 |
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JP2009070621A (ja) | 表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080610 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100202 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100601 |