JP2008108737A - アクティブマトリクス基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】電気光学装置の大型化や高精細化を可能にするべく、対向電極の低抵抗化を図ったアクティブマトリクス基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】アクティブ素子を有する基体上に、絶縁性材料からなる隔壁１５０により隔てられた複数の画素電極１４１と、画素電極１４１上に配置された発光層１４０Ｂを含む積層体と、積層体上に配置された対向電極１５４と、を備えた電気光学装置である。隔壁１５０上には、画素電極１４１とは絶縁された導電部１５１が配置されている。この導電部１５１は対向電極１５４と接続されている。
【選択図】図５

Description

本発明は、アクティブマトリクス基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。

近年、液晶ディスプレイに替わる自発発光型ディスプレイとして、発光層に有機物を用いた電気光学装置が提供されている。このような電気光学装置としては、現在のところスイッチング素子となるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成するＴＦＴ基板に透明基板が用いられ、発光層で発光された光がこの透明基板を透過することにより、外部に光を出射させるものが一般的である。

ところで、前記の光が透明基板を透過するタイプの電気光学装置では、ＴＦＴ基板上にスイッチング素子となるＴＦＴが形成されていることから、このＴＦＴ部分に光を透過させることができず、したがって開口率が低いことにより、これを用いたディスプレイの大型化（大画面化）が困難であるといった課題がある。
すなわち、大型化した場合には、各配線、例えば走査線や信号線などの抵抗を下げるため配線幅を広げる必要があるが、そのようにすると開口率がより低くなってしまい、所望する良好な画質が得られにくくなってしまうからである。

そこで、このような課題を解決してディスプレイの大型化（大画面化）を可能にするべく、光が透明基板を透過するタイプでなく、ＴＦＴ基板と反対の側に光を出射させるタイプのものの、実用化が図られている。

基板と反対の側に光を出射させるタイプのものでは、発光層からの光が出射する側の電極、すなわち対向電極を、透明な導電材料によって形成する必要がある。
しかしながら、透明な導電材料で、かつ実用に耐えられものとしては、十分に低抵抗な材料がなく、したがって基板と反対の側に光を出射させるタイプの電気光学装置においても、その大画面化、さらにはその高精細化が困難であるといった課題がある。

すなわち、例えば有機ＥＬ素子からなる電気光学装置は、その駆動方式が電流によるものであることから、例えば電圧による駆動方式の液晶素子に比べて、画素間で均一な表示を行わせ、これにより面内均一性を確保するためには、各画素に流れる電流がより均一になるような制御を行う必要がある。

しかしながら、有機ＥＬ素子からなる電気光学装置では、前述したようにこれを大型化（大画面化）する場合、配線の末端側にまで電流が流れにくくなることから、配線抵抗を十分に下げ、これにより配線末端側にまで電流が均一に流れるようにする必要がある。また、高精細化する場合にも、走査のための選択時間を短くする必要上、やはり配線抵抗を十分に下げる必要がある。しかして、前述したように現状では、透明な導電材料でかつ実用に耐えられものとして十分に低抵抗な材料がなく、したがって大型化や高精細化を達成し得ないのである。

本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、電気光学装置の大型化や高精細化を可能にするべく、対向電極の低抵抗化を図ったアクティブマトリクス基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供することにある。

前記目的を達成するため本発明のアクティブマトリクス基板では、アクティブ素子を有する基体上に、絶縁性材料からなる隔壁により隔てられた複数の画素電極を備えたアクティブマトリクス基板であって、前記隔壁上の前記画素電極とは絶縁された位置に導電材料が配置されていることを特徴としている。

このアクティブマトリクス基板によれば、隔壁上に導電材料が配置されているので、例えばこれを対向電極とは別に形成し、かつ該対向電極に接続した状態に設けておくことにより、対向電極に導電材料が合わされた実質的な対向電極の抵抗が低下し、これにより配線末端までの電流の均一化が可能となる。

また、前記アクティブマトリクス基板においては、前記アクティブ素子が薄膜トランジスタであるのが好ましい。
このようにすれば、アクティブマトリクス基板の薄厚化、小型化が可能になる。

また、前記アクティブマトリクス基板においては、前記導電材料がストライプ状あるいは格子状に形成されてなることを特徴としている。
このようにすれば、各画素に対してほぼ均等に影響するように、対向電極を低抵抗化することができることから、画素間で均一な表示を行わせ、これにより面内均一性を確保するのに有利となる。

また、前記アクティブマトリクス基板においては、前記隔壁の上面に凹部が形成され、この凹部内に前記導電材料が設けられているのが好ましい。
このようにすれば、例えばインクジェット法によって導電材料を前記凹部内に吐出し塗布した場合に、導電材料が隔壁上面から流れ落ちて、画素電極と導通してしまうといった不都合を防止することができる。
本発明の他のアクティブマトリクス基板はアクティブ素子の上方に平坦化膜が形成され、前記平坦化膜上に複数の画素電極が配置されていることを特徴とする。
このアクティブマトリクス基板において、前記複数の画素電極は、絶縁性材料からなる隔壁により隔てられてもよい。さらに、前記隔壁上に導電材料が配置されていてもよい。このアクティブマトリクス基板上に電気光学素子として、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子を配置し、電気光学装置とすることもできる。この電気光学装置は画素電極が平坦化膜が設けられているので、有機エレクトロルミネッセンス素子から発した光が散乱など散逸することなく取り出すことができる。特にアクティブマトリクス基板と反対側に光を取り出す場合には特に効果がある。

本発明の電気光学装置では、アクティブ素子を有する基体上に、絶縁性材料からなる隔壁により隔てられた複数の画素電極と、前記画素電極上に配置された発光層を含む積層体と、前記積層体上に配置された対向電極と、を備えてなり、前記隔壁上には、前記画素電極とは絶縁された導電部が配置され、該導電部は前記対向電極と接続されていることを特徴としている。

この電気光学装置によれば、隔壁上に導電部を配置しているので、対向電極に導電部が合わされた実質的な対向電極の抵抗が低下し、これにより配線末端までの電流の均一化を可能にし、例えば電気光学装置としてのディスプレイの大型化（大画面化）、高精細化を図ることができる。

また、前記電気光学装置においては、前記アクティブ素子が薄膜トランジスタであるのが好ましい。
このようにすれば、装置の薄厚化、小型化が可能になる。

また、前記電気光学装置においては、前記導電部がストライプ状あるいは格子状に形成されているのが好ましい。
このようにすれば、各画素に対してほぼ均等に影響するように、対向電極を低抵抗化することができることから、画素間で均一な表示を行わせ、これにより面内均一性を確保するのに有利となる。

また、前記電気光学装置においては、前記発光層は有機エレクトロルミネッセンス材料であるのが好ましい。
このようにすれば、電気光学装置が有機エレクトロルミネッセンス素子からなるものとなる。

また、前記電気光学装置においては、前記導電部の形成材料が、前記対向電極の形成材料より導電性が高い材料であるのが好ましい。
このようにすれば、導電部による対向電極の実質的な抵抗低下の度合いを高めることができる。

また、前記電気光学装置においては、前記隔壁の上面に凹部が形成され、この凹部内に前記導電部が形成されてなるのが好ましい。
このようにすれば、例えばインクジェット法によって導電材料を前記凹部内に吐出し塗布した場合に、導電材料が隔壁上面から流れ落ちて、配置される画素電極と導通してしまうといった不都合を防止することができる。

また、前記電気光学装置においては、前記発光層の、前記画素電極と対向電極のうちの陽極として機能する電極側に、正孔注入層又は正孔輸送層が設けられてなるのが好ましい。
このようにすれば、正孔注入層又は正孔輸送層によって発光層の発光能が高くなり、より良好な発光特性が得られる。

また、前記電気光学装置においては、前記発光層からの光が対向電極側を経由して取り出されるのが好ましい。
このようにすれば、基体と反対の側から光が出射することにより、基体として透明でないものを用いることができる。

また、前記電気光学装置においては、前記画素電極がアクティブ素子上に配置されているのが好ましく、さらには、前記アクティブ素子上に平坦化膜が形成され、この平坦化膜上に画素電極が配置されているのが好ましい。
このようにすれば、アクティブ素子に影響されることなく画素電極を形成することが可能になり、特に平坦化膜上に画素電極が配置されている場合、デザインルールの限界まで画素電極を大きくすることが可能になる。

また、前記電気光学装置においては、前記発光層からの光が画素電極側を経由して取り出されるのが好ましい。
このようにすれば、基体側から光が出射することにより、対向電極として透明でないものを用いることができる。

本発明の電気光学装置の製造方法では、請求項６記載の電気光学装置を製造するに際し、基体上に画素電極と画素間を隔てる隔壁と該隔壁上の導電部とを形成した後、前記隔壁により区画された領域に発光層を形成することを特徴としている。

この電気光学装置の製造方法によれば、導電部を形成した後、発光層を形成するので、発光層に影響を与えることなく、導電部の形成プロセスを行うことができる。また、導電部を形成することにより、実質的な対向電極の抵抗を低下させることができることから、配線末端までの電流の均一化を可能にし、例えば電気光学装置としてのディスプレイの大型化（大画面化）、高精細化を図ることができる。

また、前記電気光学装置の製造方法においては、前記隔壁により区画された領域発光層を構成する材料をインクジェット法で塗布することにより、前記発光層を形成することができる。このようにすれば、発光層の材料を選択的に吐出し塗布することができ、したがって、例えば赤、緑、青の各色を発光する材料を打ち分けることにより、フルカラー表示の電気光学装置を容易に製造することができる。
インクジェット法の代わりにスピンコート法やディップコート法、あるいは蒸着法なども使用することもできる。

また、前記電気光学装置の製造方法においては、前記隔壁の上面に凹部を形成し、この凹部内に導電部の材料をインクジェット法で塗布することにより、前記導電部を形成するができる。
このようにすれば、導電材料が隔壁上面から流れ落ちて、画素電極と導通してしまうといった不都合を防止することができる。
インクジェット法の代わりにスピンコート法やディップコート法、あるいは蒸着法なども使用することもできる。

また、前記電気光学装置の製造方法においては、前記隔壁の上面を親液処理するとともに側面を撥液処理しておき、液状に調製した導電部の材料に前記隔壁の上面部を浸して該隔壁の上面に導電材料を付着させ、その後この導電材料を硬化させて導電部とするのが好ましい。
このようにすれば、隔壁上への導電部の形成を比較的容易に行うことができる。

また、前記電気光学装置の製造方法においては、隔壁と該隔壁上の導電部とを形成するに際して、隔壁形成材料を成膜し、次に該隔壁形成材料からなる膜の上に導電材料を成膜し、次いで導電材料からなる膜をパターニングして導電部を形成し、その後得られた導電部をマスクにして隔壁形成材料からなる膜をパターニングし、隔壁を形成するのが好ましい。
このようにすれば、例えばフォトリソグラフィー工程によってパターニングを行う場合に、このフォトリソグラフィー工程を隔壁形成と導電部の形成とでそれぞれに行うことなく、１度ですませることができ、したがって工程の簡略化を図ることができる。

また、前記電気光学装置の製造方法においては、前記隔壁により区画された領域に対して、前記画素電極と対向電極のうちの陽極として機能する電極側に、正孔注入層又は正孔輸送層の材料をインクジェット法で塗布することにより、正孔注入層又は正孔輸送層を形成するのが好ましい。
このようにすれば、隔壁により区画された領域に正孔注入層又は正孔輸送層の材料を選択的に吐出し塗布することができる。また、このようにして正孔注入層又は正孔輸送層を形成することにより、発光層の発光能を高くすることができ、したがってより良好な発光特性を得ることができる。

本発明の電子機器は、前記電気光学装置、あるいは前記製造方法によって得られた電気光学装置を用いてなることを特徴としている。
この電子機器によれば、隔壁上に導電部が形成されていることにより、実質的な対向電極の抵抗が低下した電気光学装置を用いたものであるから、配線末端までの電流の均一化が可能となっていることにより、その大型化（大画面化）、高精細化が可能となる。

また、前記の電子機器においては、前記電気光学装置の光出射側に反射防止フィルムが設けられているのが好ましい。
このようにすれば、隔壁上に形成した導電部での反射に起因する表示性能の低下を防止することができる。

以下、本発明を詳しく説明する。
まず、本発明の電気光学装置について、その概略構成を説明する。
図１、図２は本発明のアクティブマトリクス基板およびこれを用いた電気光学装置を、アクティブマトリクス型のディスプレイに適用した場合の一例を示すもので、これらの図において符号１はディスプレイである。

このディスプレイ１は、回路図である図１に示すように基板（図示せず）上に、複数の走査線１３１と、これら走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３２と、これら信号線１３２に並列に延びる複数の共通給電線１３３とがそれぞれ配線されたもので、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に、画素（画素領域素）１Ａが設けられて構成されたものである。

信号線１３２に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ側駆動回路３が設けられている。
一方、走査線１３１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路４が設けられている。また、画素領域１Ａの各々には、走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給される第１の薄膜トランジスタ１４２と、この第１の薄膜トランジスタ１４２を介して信号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２の薄膜トランジスタ１４３と、この第２の薄膜トランジスタ１４３を介して共通給電線１３３に電気的に接続したときに共通給電線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極１４１と、この画素電極１４１と反射電極１５４との間に挟み込まれる発光部１４０と、が設けられている。

このような構成のもとに、走査線１３１が駆動されて第１の薄膜トランジスタ１４２がオンになると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、第２の薄膜トランジスタ１４３の導通状態が決まる。そして、第２の薄膜トランジスタ１４３のチャネルを介して共通給電線１３３から画素電極１４１に電流が流れ、さらに発光部１４０を通じて反射電極１５４に電流が流れることにより、発光部１４０は、これを流れる電流量に応じて発光するようになる。

ここで、各画素１Ａの平面構造は、図２（ａ）に示すように平面形状が長方形の画素電極１４１の四辺が、信号線１３２、共通給電線１３３、走査線１３１及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。なお、図２（ａ）では対向電極や隔壁を取り除いた状態で示している。また、画素１Ａ近傍の内部構造は、図２（ａ）における、画素１Ａ近傍でのＡ−Ａ線矢視断面図である図２（ｂ）に示すように、第２の薄膜トランジスタ１４３の上方に隔壁１５０が形成され、この隔壁１５０上に導電部１５１が形成され、さらにこれら隔壁１５０および導電部１５１を覆って反射電極１５４と封止層１６０が形成された構造となっている。なお、図２（ｂ）において符号１４３は薄膜トランジスタ、１７０はゲート絶縁膜、１４０Ａは正孔注入層、１４０Ｂは発光層、１４０Ｃは電子輸送層である。

次に、このようなディスプレイ１の製造方法について、図３〜図５を用いて説明する。なお、図３〜図５では、説明を簡略化するべく、単一の画素１Ａについてのみ図示する。
まず、基板を用意する。ここで、本発明のディスプレイ１は、後述する発光層による発光光を、基板（ＴＦＴ基板）と反対の側、すなわち対向電極側から取り出すタイプに構成されるものであり、したがって発光光を基板側から取り出す場合と異なり、基板材料として透明ないし半透明なものを用いる必要がない。ただし、透明材料であっても、例えば安価なソーダガラスなどを用いてもよい。その場合に、これにシリカコートを施すのが、酸アルカリに弱いソーダガラスを保護する効果を有し、さらに基板の平坦性をよくする効果も有するため好ましい。
また、基板として不透明なものを用いる場合、アルミナ等のセラミックスや、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。

本例では、基板として図３（ａ）に示すようにソーダガラス等からなる基板（ＴＦＴ基板）１２１を用意する。そして、これに対し、必要に応じてＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成する。

次に、基板１２１の温度を約３５０℃に設定して、下地保護膜の表面にプラズマＣＶＤ法により厚さ約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコン膜からなる半導体膜２００を形成する。次いで、この半導体膜２００に対してレーザアニールまたは固相成長法などの結晶化工程を行い、半導体膜２００をポリシリコン膜に結晶化する。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は例えば２００ｍＪ／ｃｍ²とする。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。

次いで、図３（ｂ）に示すように、半導体膜（ポリシリコン膜）２００をパターニングして島状の半導体膜２１０とし、その表面に対して、ＴＥＯＳや酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約６０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁膜２２０を形成する。なお、半導体膜２１０は、図２に示した第２の薄膜トランジスタ１４３のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となるものであるが、異なる断面位置においては第１の薄膜トランジスタ１４２のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となる半導体膜も形成されている。つまり、図３〜図５に示す製造工程では二種類のトランジスタ１４２、１４３が同時に作られるのであるが、同じ手順で作られるため、以下の説明ではトランジスタに関しては、第２の薄膜トランジスタ１４３についてのみ説明し、第１の薄膜トランジスタ１４２についてはその説明を省略する。

次いで、図３（ｃ）に示すように、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属膜からなる導電膜をスパッタ法により形成した後、これをパターニングし、ゲート電極１４３Ａを形成する。
次いで、この状態で高濃度のリンイオンを打ち込み、半導体膜２１０に、ゲート電極１４３Ａに対して自己整合的にソース・ドレイン領域１４３ａ、１４３ｂを形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域１４３ｃとなる。

次いで、図３（ｄ）に示すように、層間絶縁膜２３０を形成した後、コンタクトホール２３２、２３４を形成し、これらコンタクトホール２３２、２３４内に中継電極２３６、２３８を埋め込む。
次いで、図３（ｅ）に示すように、層間絶縁膜２３０上に、信号線１３２、共通給電線１３３及び走査線（図３に示さず）を形成する。ここで、中継電極２３８と各配線とは、同一工程で形成されていてもよい。

そして、各配線の上面をも覆うように層間絶縁膜２４０を形成し、中継電極２３６に対応する位置にコンタクトホール（図示せず）を形成し、そのコンタクトホール内にも埋め込まれるように例えばアルミニウム等の金属からなる反射膜を蒸着法等によって形成する。そして、この上にＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）膜を形成し、さらにこれら反射膜及びＩＴＯ膜をパターニングして、信号線１３２、共通給電線１３３及び走査線（図示せず）に囲まれた所定位置に、ソース・ドレイン領域１４３ａに電気的に接続する画素電極１４１を形成する。この画素電極１４１は陽極として機能するもので、ＩＴＯからなる透明電極１４１ａと、アルミニウム等からなる反射電極１４１ｂとによって構成されたものとなる。
ここで、画素電極１４１の表面側にＩＴＯからなる透明電極１４１ａを用いているのは、これの上に形成される正孔注入層または正孔輸送層に対して、ＩＴＯは十分に正孔を供給できるエネルギー準位にある材料となっているからである。また、信号線１３２及び共通給電線１３３、さらには走査線（図示せず）に挟まれた部分が、後述するように正孔注入層（又は正孔輸送層）や発光層の形成場所となっている。

次いで、図４（ａ）に示すように、前記の形成場所を囲むように隔壁１５０を形成する。この隔壁１５０は仕切部材として機能するもので、例えばポリイミド等の感光性の絶縁性有機材料を成膜し、露光、現像後にキュア（焼成）することにより形成される。隔壁１５０の膜厚については、例えば１〜２μｍの高さとなるように形成する。このような隔壁１５０により、正孔注入層（又は正孔輸送層）や発光層の形成場所、すなわちこれらの形成材料の塗布位置とその周囲の隔壁１５０との間には、十分な高さの段差１１１が形成されるようになる。

次いで、形成した隔壁１５０の上面を覆った状態にアルミニウム等の金属による導電材料を蒸着法等によって形成し、続いてこの導電膜を例えばホトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより、図４（ｂ）に示すように隔壁１５０上に導電部１５１を形成し、本発明のアクティブマトリクス基板の一例を得る。ここで、導電部１５１を形成するための導電材料としては、後述する対向電極の形成材料より導電性の高い材料が用いられる。また、この導電部１５１は、本例では隔壁１５０の平面視した状態での形状（隔壁１５０の平面形状）に沿って格子状に形成される。ただし、本発明はこれに限ることなく、例えばストライプ状に形成してもよい。

次いで、図４（ｃ）に示すように、基板１２１の上面を上に向けた状態で、インクジェットヘッド法によって正孔注入層の形成材料をインクジェットヘッド１０より、前記隔壁１５０に囲まれた塗布位置に選択的に塗布する。
ここで、インクジェットヘッド１０は、図６（ａ）に示すように例えばステンレス製のノズルプレート１２と振動板１３とを備え、両者を仕切部材（リザーバプレート）１４を介して接合したものである。ノズルプレート１２と振動板１３との間には、仕切部材１４によって複数の空間１５と液溜まり１６とが形成されている。各空間１５と液溜まり１６の内部はインクで満たされており、各空間１５と液溜まり１６とは供給口１７を介して連通したものとなっている。また、ノズルプレート１２には、空間１５からインクを噴射するためのノズル孔１８が一列に配列された状態で複数形成されている。一方、振動板１３には、液溜まり１６にインクを供給するための孔１９が形成されている。

また、振動板１３の空間１５に対向する面と反対側の面上には、図６（ｂ）に示すように圧電素子（ピエゾ素子）２０が接合されている。この圧電素子２０は、一対の電極２１の間に位置し、通電するとこれが外側に突出するようにして撓曲するよう構成されたものである。そして、このような構成のもとに圧電素子２０が接合されている振動板１３は、圧電素子２０と一体になって同時に外側へ撓曲するようになっており、これによって空間１５の容積が増大するようになっている。したがって、空間１５内に増大した容積分に相当するインクが、液溜まり１６から供給口１７を介して流入する。また、このような状態から圧電素子２０への通電を解除すると、圧電素子２０と振動板１３はともに元の形状に戻る。したがって、空間１５も元の容積に戻ることから、空間１５内部のインクの圧力が上昇し、ノズル孔１８から基板に向けてインクの液滴２２が吐出される。
なお、インクジェットヘッド１０のインクジェット方式としては、前記の圧電素子２０を用いたピエゾジェットタイプ以外の、公知の方式のものを採用してもよい。

このような構成のインクジェットヘッド１０を用いて、本例では図４（ｃ）に示したように隔壁１５０内に正孔注入層の形成材料をインクとして塗布する。
正孔注入層の形成材料としては、ポリマー前駆体がポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム等が挙げられる。なお、正孔注入層に代えて正孔輸送層を形成するようにしてもよく、その場合に、正孔輸送層の形成材料としては、例えばピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等が用いられる。また、これら正孔注入層あるいは正孔輸送層の形成材料として、ポリエチレンジオキシチオフェン、またはポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物等の高分子系材料も使用可能である。
このようにしてインクジェットヘッド１０を用いて形成材料１１Ａを塗布すると、液状の形成材料１１４Ａは流動性が高いため、水平方向に広がろうとするものの、塗布された位置を囲んで隔壁１５０が形成されていることにより、隔壁１５０を越えてその外側に広がることが防止される。

次いで、図５（ａ）に示すように加熱あるいは光照射により液状の形成材料１１４Ａ中の溶媒を蒸発させて、画素電極１４１上に、固形の正孔注入層（又は正孔輸送層）１４０Ａを形成する。
次いで、正孔注入層（又は正孔輸送層）１４０Ａの形成の場合と同様にして、インクジェットヘッド１０よりインクとして発光層の形成材料（発光材料）を前記隔壁１５０内の正孔注入層（又は正孔輸送層）１４０Ａ上に選択的に塗布する。

発光層の形成材料としては、例えば共役系高分子有機化合物の前駆体と、得られる発光層の発光特性を変化させるための蛍光色素とを含んでなるものが好適に用いられる。
共役系高分子有機化合物の前駆体は、蛍光色素等とともにインクジェットヘッド１０から吐出されて薄膜に成形された後、例えば以下の式（Ｉ）に示すように加熱硬化されることによって共役系高分子有機ＥＬ層となる発光層を生成し得るものをいい、例えば前駆体のスルホニウム塩の場合、加熱処理されることによりスルホニウム基が脱離し、共役系高分子有機化合物となるもの等である。

このような共役系高分子有機化合物は固体で強い蛍光を持ち、均質な固体超薄膜を形成することができる。また、このような化合物の前駆体は、硬化した後には強固な共役系高分子膜を形成することから、加熱硬化前においては前駆体溶液を後述するインクジェットパターニングに適用可能な所望の粘度に調整することができ、簡便かつ短時間で最適条件の膜形成を行うことができる。

このような前駆体としては、例えばＰＰＶ（ポリ（パラ−フェニレンビニレン））またはその誘導体の前駆体が好ましい。ＰＰＶまたはその誘導体の前駆体は、水あるいは有機溶媒に可溶であり、また、ポリマー化が可能であるため光学的にも高品質の薄膜を得ることができる。さらに、ＰＰＶは強い蛍光を持ち、また二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化している導電性高分子でもあるため、高性能の有機ＥＬ素子を得ることができる。

このようなＰＰＶまたはＰＰＶ誘導体の前駆体として、例えば化学式（ＩＩ）に示すような、ＰＰＶ（ポリ（パラ−フェニレンビニレン））前駆体、ＭＯ−ＰＰＶ（ポリ（２，５−ジメトキシ−１，４−フェニレンビニレン））前駆体、ＣＮ−ＰＰＶ（ポリ（２，５−ビスヘキシルオキシ−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）））前駆体、ＭＥＨ−ＰＰＶ（ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）］−パラ−フェニレンビニレン）前駆体等が挙げられる。

ＰＰＶまたはＰＰＶ誘導体の前駆体は、前述したように水に可溶であり、成膜後の加熱により高分子化してＰＰＶ層を形成する。前記ＰＰＶ前駆体に代表される前駆体の含有量は、組成物全体に対して０．０１〜１０．０ｗｔ％が好ましく、０．１〜５．０ｗｔ％がさらに好ましい。前駆体の添加量が少な過ぎると共役系高分子膜を形成するのに不十分であり、多過ぎると組成物の粘度が高くなり、インクジェット法による精度の高いパターニングに適さない場合がある。

さらに、発光層の形成材料としては、少なくとも１種の蛍光色素を含むのが好ましい。これにより、発光層の発光特性を変化させることができ、例えば、発光層の発光効率の向上、または光吸収極大波長（発光色）を変えるための手段としても有効である。すなわち、蛍光色素は単に発光層材料としてではなく、発光機能そのものを担う色素材料として利用することができる。例えば、共役系高分子有機化合物分子上のキャリア再結合で生成したエキシトンのエネルギーをほとんど蛍光色素分子上に移すことができる。この場合、発光は蛍光量子効率が高い蛍光色素分子からのみ起こるため、発光層の電流量子効率も増加する。したがって、発光層の形成材料中に蛍光色素を加えることにより、同時に発光層の発光スペクトルも蛍光分子のものとなるので、発光色を変えるための手段としても有効となる。

なお、ここでいう電流量子効率とは、発光機能に基づいて発光性能を考察するための尺度であって、下記式により定義される。
ηＥ＝放出されるフォトンのエネルギー／入力電気エネルギー
そして、蛍光色素のドープによる光吸収極大波長の変換によって、例えば赤、青、緑の３原色を発光させることができ、その結果フルカラー表示体を得ることが可能となる。
さらに蛍光色素をドーピングすることにより、ＥＬ素子の発光効率を大幅に向上させることができる。

蛍光色素としては、赤色の発色光を発光する発光層を形成する場合、赤色の発色光を有するローダミンまたはローダミン誘導体を用いるのが好ましい。これらの蛍光色素はＰＰＶと相溶性がよく、均一で安定した発光層の形成が容易である。このような蛍光色素として具体的には、ローダミンＢ、ローダミンＢベース、ローダミン６Ｇ、ローダミン１０１過塩素酸塩等が挙げられ、これらを２種以上混合したものであってもよい。

また、緑色の発色光を発光する発光層を形成する場合、緑色の発色光を有するキナクリドンおよびその誘導体を用いるのが好ましい。これらの蛍光色素もＰＰＶと相溶性がよく発光層の形成が容易である。

さらに、青色の発色光を発光する発光層を形成する場合、青色の発色光を有するジスチリルビフェニルおよびその誘導体を用いるのが好ましい。これらの蛍光色素は水・アルコール混合溶液に可溶であり、またＰＰＶと相溶性がよく発光層の形成が容易である。

また、青色の発色光を有する他の蛍光色素としては、クマリンおよびその誘導体を挙げることができる。これらの蛍光色素はＰＰＶと相溶性がよく発光層の形成が容易である。このような蛍光色素として具体的には、クマリン、クマリン−１、クマリン−６、クマリン−７、クマリン１２０、クマリン１３８、クマリン１５２、クマリン１５３、クマリン３１１、クマリン３１４、クマリン３３４、クマリン３３７、クマリン３４３等が挙げられる。

さらに、別の青色の発色光を有する蛍光色素としては、テトラフェニルブタジエン（ＴＰＢ）またはＴＰＢ誘導体を挙げることができる。これらの蛍光色素はＰＰＶと相溶性がよく発光層の形成が容易である。
以上の蛍光色素については、各色ともに１種のみを用いてもよく、また２種以上を混合して用いてもよい。

これらの蛍光色素については、前記共役系高分子有機化合物の前駆体固型分に対し、０．５〜１０ｗｔ％添加するのが好ましく、１．０〜５．０ｗｔ％添加するのがより好ましい。蛍光色素の添加量が多過ぎると発光層の耐候性および耐久性の維持が困難となり、一方、添加量が少な過ぎると、前述したような蛍光色素を加えることによる効果が十分に得られないからである。

また、前記前駆体および蛍光色素については、極性溶媒に溶解または分散させてインクとし、このインクをインクジェットヘッド１０から吐出するのが好ましい。極性溶媒は、前記前駆体、発光色素等を容易に溶解または均一に分散させることができるため、インクジェットヘッド１０のノズル孔１８での発光層形成材料中の固型分が付着したり目詰りを起こすのを防止することができる。

このような極性溶媒として具体的には、水、メタノール、エタノール等の水と相溶性のあるアルコール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルイミダゾリン（ＤＭＩ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等の有機溶媒または無機溶媒が挙げられ、これらの溶媒を２種以上適宜混合したものであってもよい。

さらに、前記形成材料中に湿潤剤を添加しておくのが好ましい。これにより、形成材料がインクジェットヘッド１０のノズル孔１８で乾燥・凝固することを有効に防止することができる。かかる湿潤剤としては、例えばグリセリン、ジエチレングリコール等の多価アルコールが挙げられ、これらを２種以上混合したものであってもよい。この湿潤剤の添加量としては、形成材料の全体量に対し、５〜２０ｗｔ％程度とするのが好ましい。
なお、その他の添加剤、被膜安定化材料を添加してもよく、例えば、安定剤、粘度調整剤、老化防止剤、ｐＨ調整剤、防腐剤、樹脂エマルジョン、レベリング剤等を用いることができる。

このような発光層の形成材料をインクジェットヘッド１０のノズル孔１８から吐出すると、この形成材料は隔壁１５０内の正孔注入層１４０Ａ上に塗布される。
ここで、形成材料の吐出による発光層の形成は、赤色の発色光を発光する発光層の形成材料、緑色の発色光を発光する発光層の形成材料、青色の発色光を発光する発光層の形成材料を、それぞれ対応する画素１Ａに吐出し塗布することによって行う。なお、各色に対応する画素１Ａは、これらが規則的な配置となるように予め決められている。

このようにして各色の発光層形成材料を吐出し塗布したら、発光層形成材料中の溶媒を蒸発させることにより、図５（ｂ）に示すように正孔注入層１４０Ａ上に固形の発光層１４０Ｂを形成し、これにより正孔注入層１４０Ａと発光層１４０Ｂとからなる発光部１４０、すなわち本発明における積層体を得る。ここで、発光層形成材料１１４Ｂ中の溶媒の蒸発については、必要に応じて加熱あるいは減圧等の処理を行うが、発光層の形成材料は通常乾燥性が良好で速乾性であることから、特にこのような処理を行うことなく、したがって各色の発光層形成材料を順次吐出塗布することにより、その塗布順に各色の発光層１４０Ｂを形成することができる。
なお、本例では積層体となる発光部１４０を、正孔注入層１４０Ａ（あるいは正孔輸送層）と発光層１４０Ｂとから形成したが、さらに発光層１４０Ｂ上に電子輸送層を形成し、三層構造としてもよい。

その後、図５（ｃ）に示すように、基板１２１の表面全体に透明導電材料を蒸着法等によって成膜し、陰極として機能する対向電極１５４を前記導電部１５１と接した状態に形成する。透明導電材料としては、特に限定されることなく種々のものが採用可能であるが、例えばカルシウムが用いられる。なお、カルシウムを用いた場合、透明性を確保するうえで、これを厚さ数十ｎｍ程度の薄膜に形成するのが好ましい。また、このようにカルシウムを薄膜に形成した場合、さらにこれの上にアルミニウムや金等の材料で保護膜（図示せず）を形成するのが好ましい。保護膜として用いるアルミニウムや金等については、やはりその厚さを透明性が損なわれない程度に十分薄い厚さ、例えば数十ｎｍ程度とする必要がある。また、この保護膜については、単一の材料からでなく、複数の材料を積層することによる、複合膜としてもよい。
そして、さらにこの対向電極１５４上を公知の封止材料によって封止することにより、本発明の電気光学装置の一実施形態例となるディスプレイを得る。

このように、本例の電気光学装置（ディスプレイ１）にあっては、隔壁１５０上に、例えばカルシウムからなる対向電極１５４より導電性の高い材料（例えばアルミニウム）による導電部１５１を、該対向電極１５４に接した状態で設けたので、導電部１５１と対向電極１５４とを合わした実質的な対向電極の抵抗が低下して配線末端までの電流が均一化し、よってディスプレイ１の大型化（大画面化）、高精細化が可能になる。

また、正孔注入層（又は正孔輸送層）１４０Ａを設けているので、該正孔注入層（又は正孔輸送層）１４０Ａによって発光層１４０Ｂの発光能を高くすることができ、したがってより良好な発光特性を得ることができる。
また、前記画素電極１４１を、ＩＴＯからなる透明電極１４１ａとこれの基板（ＴＦＴ基板）１２１側に形成した反射電極１４１ｂとから構成しているので、反射電極１４１ｂによって発光層１４０Ｂからの光を反射することにより、基板１２１と反対側に出射する光の量を増大させることができる。また、反射電極１４１ｂを金属で形成することにより、透明電極１４１ａが比較的高抵抗であるＩＴＯによって形成されているにもかかわらず、画素電極１４１全体の抵抗を低くすることができる。また、正孔注入層（又は正孔輸送層）１４０Ａに対し十分に正孔を供給できるエネルギー準位にあるＩＴＯにより、透明電極１４１ａを形成しているので、正孔注入層（又は正孔輸送層）１４０Ａの機能を高めて発光層１４０Ｂによる発光特性を良好にすることができる。

また、前記電気光学装置を形成するためのアクティブマトリクス基板にあっては、前述したように隔壁１５０上に導電部１５１を設けたので、導電部１５１と対向電極１５４とを合わした実質的な対向電極の抵抗が低下して配線末端までの電流が均一化し、これによりこれを用いてなる電気光学装置（ディスプレイ１）の大型化（大画面化）、高精細化を可能にすることができる。

また、前記電気光学装置の製造方法にあっては、基板１２１上に画素電極１４１と画素間を隔てる隔壁１５０と該隔壁１５０上の導電部１５１とを形成した後、隔壁１５０内に正孔注入層（又は正孔輸送層）１４０Ａ、発光層１４０Ｂを形成しているので、有機材料からなる正孔注入層（又は正孔輸送層）１４０Ａや発光層１４０Ｂに影響を与えることなく、導電部１５１の形成プロセスを行うことができる。

また、隔壁１５０内に正孔注入層（又は正孔輸送層）１４０Ａ、発光層１４０Ｂの形成材料をそれぞれインクジェット法で塗布しているので、隔壁１５０内にこれら材料を選択的に吐出し塗布することができ、したがって、各材料、例えば発光層材料として赤、緑、青の各色に対応する材料を打ち分けることにより、フルカラー表示の有機ＥＬ素子を容易に製造することができる。

なお、本発明の有機ＥＬ素子及びその製造方法については、前記例に限定されることなく、例えば図７に示すように隔壁１５０の上面に凹部１５０ａを形成し、この凹部１５０ａ内に導電部の材料をインクジェット法で塗布することにより、導電部１５１を形成するようにしてもよい。
すなわち、隔壁１５０の形成時において、隔壁１５０の上面に該隔壁１５０の形状に沿ってその中央部に凹部が形成されるようにレジストパターン（図示せず）を形成し、これを用いてエッチングすることにより、図７に示したように隔壁１５０上に凹部１５０ａを形成する。そして、この凹部１５０ａ内に導電部１５１の材料をインクジェット法で塗布することにより、導電部１５１を形成する。

このようなインクジェット法による塗布が可能な導電材料としては、例えば銀コロイド分散液や金コロイド分散液を用いることができる。このようなコロイド液を図６（ａ）、（ｂ）に示したインクジェットヘッド１０より吐出し、凹部１５０ａ内に塗布した後、これを加熱等の処理を施すことにより、図７に示したように導電部１５１を形成することができる。
このようにして導電部１５１を形成すれば、導電材料が隔壁１５０上面から流れ落ちて隔壁１５０内に至り、画素電極１４１と導通してしまうといった不都合を防止することができる。

また、導電部１５１の形成については、このようなインクジェット法に代えてドブ漬け法を採用することもできる。すなわち、図４（ａ）に示したように隔壁１５０を形成した後、この隔壁の上面を親液処理するとともにその側面を撥液処理しておく。そして、この隔壁１５０の上面部を液状に調製した導電材料（例えば前記の銀コロイド分散液や金コロイド分散液）に浸し、該隔壁１５０の上面に導電材料を付着させる。その後、加熱処理等によってこの導電材料を硬化させ、導電部１５１とする。ここで、隔壁１５０の側面に撥液性を発現させるためには、例えば隔壁１５０の表面（側面）にＣＦ₄、ＳＦ₅、ＣＨＦ₃などのフッ素系化合物を塗布し、さらにこれをプラズマ処理するといった手法が採用される。また、隔壁１５０の上面に親液性を発現させるためには、先に撥液処理した面（上面）に対しＵＶ照射処理するといった手法が採用される。

このようにして隔壁１５０の上面を親液処理し、側面を撥液処理した後、この隔壁１５０の上面部を液状に調製した導電部の材料に浸すと、この液状の材料が隔壁１５０の側面に付着することなく、上面にのみ選択的に付着するようになる。したがって、このような処理により、隔壁上への導電部の形成を比較的容易に行うことができる。

また、導電部１５１の形成については、特に正孔注入層（又は正孔輸送層）や発光層の形成に先立って行うのであればいつでもよく、例えば隔壁１５０の形成材料を成膜した後、導電部の形成材料を続けて成膜し、その後、これらの膜を同じレジストパターンを用いてエッチングし、導電部１５１、隔壁１５０を形成するようにしてもよく、また、先に形成される導電部１５１をマスクにして隔壁形成材料からなる膜をエッチングし、これをパターニングして隔壁１５０を形成するようにしてもよい。
このようにして導電部１５１および隔壁１５０の形成を行えば、フォトリソグラフィー工程によってパターニングを行う場合に、このフォトリソグラフィー工程を隔壁形成と導電部の形成とでそれぞれに行うことなく、１度の工程ですませることができ、したがって工程の簡略化を図ることができる。

また、画素電極１４１の形成に先立って隔壁１５０を形成しておき、その状態から例えばアルミニウムを全面に成膜し、その後、このアルミニウム膜をパターニングすることにより、画素電極１４１における反射電極１４１ａと導電部１５１とを同時に形成するようにしてもよい。

また、前記実施形態例では、画素電極１４１を陽極として、対向電極１５４を陰極としてそれぞれ機能させるよう構成したが、逆に、画素電極１４１を陰極として、対向電極１５４を陽極としてそれぞれ機能させるように構成することもできる。その場合、正孔注入層（又は正孔輸送層）１４０Ａについては、陽極として機能する電極側、すなわち対向電極側に設けることになる。また、このように構成する場合には、画素電極１４１を、例えばその内面側（発光層側）にカルシウム等からなる電極を配置するとともに、外側（基板側）に保護膜としても機能するアルミニウム等の反射電極を配置することによって形成し、一方、対向電極１５４を、透明導電材料であるＩＴＯによって形成するようにすればよい。

また、本発明の電気光学装置にあっては、図２（ａ）、（ｂ）に示した形態に代えて、例えば図８（ａ）、（ｂ）に示すような形態にしてもよい。図８（ａ）、（ｂ）に示した電気光学装置が図２（ａ）、（ｂ）に示したものと異なるところは、主に第１の薄膜トランジスタ（図示せず）、第２の薄膜トランジスタ１４３の上に平坦化膜１８０を形成し、この平坦化膜１８０上に画素電極１４１を配置した点にある。
すなわち、第２の薄膜トランジスタ１４３上に層間絶縁膜（図示せず）を介して平坦化膜１８０を形成し、この平坦化膜１８０上に隔壁１５０および画素電極１４１を形成し、以下、図２（ｂ）に示した例と同様にして、各構成要素を形成している。なお、図８（ａ）において符号１８２は平坦化膜１８０中に形成した中継電極である。

このように構成すれば、薄膜トランジスタ１４３に影響されることなく画素電極１４１を形成することができるようになり、また、特に平坦化膜１８０上に画素電極１４１を形成配置することにより、デザインルールの限界まで画素電極１４１を大きくすることが可能になる。
なお、図８（ａ）、（ｂ）に示した例においても、画素電極１４１を陽極、対向電極１５４を陰極としてそれぞれ機能させてもよく、また、逆に、画素電極１４１を陰極、対向電極１５４を陽極としてそれぞれ機能させるように構成することもできる。その場合、先の例と同様に、正孔注入層（又は正孔輸送層）１４０Ａについては、陽極として機能する電極側、すなわち対向電極側に設けることになる。

また、前記実施形態例では、発光層による発光光を、基板と反対の側、すなわち対向電極を経由させて取り出すタイプに構成したが、このような場合、光の取り出し効率を向上させるためには、画素電極を平坦化膜上に設けることが好ましい。もちろん、本発明はこれに限定されることなく、画素電極側を経由させて取り出すタイプに構成してもよい。その場合には、基板および画素電極としてそれぞれ透明性のものを用いる必要があるものの、対向電極については非透明のものを用いることができる。

次に、前記例のディスプレイとなる電気光学装置が備えられた電子機器の具体例について説明する。
図９（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図９（ａ）において、５００は携帯電話本体を示し、５０１は図１、図２、あるいは図８に示したディスプレイ（電気光学装置）を備えたＥＬ表示部（表示手段）を示している。
図９（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図９（ｂ）において、６００は情報処理装置、６０１はキーボードなどの入力部、６０３は情報処理本体、６０２は前記の図１、図２、あるいは図８に示したディスプレイ（電気光学装置）を備えたＥＬ表示部（表示手段）を示している。
図９（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図９（ｃ）において、７００は時計本体を示し、７０１は前記の図１、図２、あるいは図８に示したディスプレイ（電気光学装置）を備えたＥＬ表示部（表示手段）を示している。
図９（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、前記ディスプレイ（電気光学装置）が備えられたものであるので、優れた表示品質が得られる表示手段を備えた電子機器となる。
なお、電子機器に用いられる電気光学装置については、特にその光出射側に例えば偏光板と（λ／４）板とからなる反射防止フィルムを設けるのが好ましく、このようにすれば、隔壁１５０上に形成した導電部１５１での反射に起因する表示性能の低下を防止することができる。

以上説明したように本発明のアクティブマトリクス基板は、隔壁上に導電材料が配置されたものであるから、例えばこれを対向電極とは別に形成し、かつ該対向電極に接続した状態に設けておくことにより、対向電極に導電材料が合わされた実質的な対向電極の抵抗を低下させ、これにより配線末端までの電流の均一化を図ることができる。

本発明の電気光学装置は、隔壁上に導電部を配置したものであるから、対向電極に導電部が合わされた実質的な対向電極の抵抗が低下し、これにより配線末端までの電流の均一化が図られたものとなる。したがって、このように電流の均一化が可能となることにより、この有機ＥＬ素子を備えてなるディスプレイの大型化（大画面化）、高精細化を図ることができる。

本発明の電気光学装置の製造方法は、導電部を形成した後、発光層を形成する方法であるから、発光層に影響を与えることなく、導電部の形成プロセスを行うことができる。また、導電部を形成することにより、実質的な対向電極の抵抗を低下させることができることから、配線末端までの電流の均一化を可能にし、例えば電気光学装置としてのディスプレイの大型化（大画面化）、高精細化を図ることができる。

本発明の電子機器は、隔壁上に導電部が形成されていることにより、実質的な対向電極の抵抗が低下した電気光学装置を用いたものであるから、配線末端までの電流の均一化が可能となっていることにより、その大型化（大画面化）、高精細化が可能となる。

本発明のディスプレイの配置部を示す回路図である。 （ａ）は画素部の平面構造を示す拡大平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視要部断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は本発明の有機ＥＬ素子の製造方法を工程順に説明するための要部側断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は図３に続く工程を順に説明するための要部側断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は図４に続く工程を順に説明するための要部側断面図である。 インクジェットヘッドの概略構成を説明するための図であり、（ａ）は要部斜視図、（ｂ）は要部側断面図である。 隔壁及び導電部についての、別の製造例を説明するための要部側断面図である。 （ａ）は画素部の平面構造を示す拡大平面図、（ｂ）は（ａ）の要部断面図である。 ディスプレイが備えられた電子機器の具体例を示す図であり、（ａ）は携帯電話に適用した場合の一例を示す斜視図、（ｂ）は情報処理装置に適用した場合の一例を示す斜視図、（ｃ）は腕時計型電子機器に適用した場合の一例を示す斜視図である。

符号の説明

１…ディスプレイ、１Ａ…画素、１０…インクジェットヘッド、１２１…基板（ＴＦＴ基板）、１４０…発光部（積層体）、１４０Ａ…正孔注入層（又は正孔輸送層）、１４０Ｂ…発光層、１４１…画素電極、１５０…隔壁、凹部、１５０ａ，１５１…導電部、１５４…対向電極。

Claims (28)

1. アクティブ素子を有する基体上に、絶縁性材料からなる隔壁により隔てられた複数の画素電極を備えたアクティブマトリクス基板であって、
   前記隔壁上の前記画素電極とは絶縁された位置に導電材料が配置されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
2. 前記アクティブ素子が薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
3. 前記導電材料がストライプ状あるいは格子状に形成されてなることを特徴とする請求項１又は２記載のアクティブマトリクス基板。
4. 前記隔壁の上面に凹部が形成され、この凹部内に前記導電材料が設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
5. アクティブ素子の上方に平坦化膜が形成され、前記平坦化膜上に複数の画素電極が配置されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
6. 請求項５に記載のアクティブマトリクス基板において、前記複数の画素電極は、絶縁性材料からなる隔壁により隔てられていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
7. 請求項６に記載のアクティブマトリクス基板において、前記隔壁上に導電材料が配置されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
8. 請求項１〜７のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板上に電気光学材料が配置されたことを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項５乃至７のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板上に有機エレクトロルミネッセンス材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子が配置され、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の発した光が前記アクティブマトリクス基板とは反対側から取り出されることを特徴とする電気光学装置。
10. アクティブ素子を有する基体上に、絶縁性材料からなる隔壁により隔てられた複数の画素電極と、前記画素電極上に配置された発光層を含む積層体と、前記積層体上に配置された対向電極と、を備えた電気光学装置であって、
    前記隔壁上には、前記画素電極とは絶縁された導電部が配置され、該導電部は前記対向電極と接続されていることを特徴とする電気光学装置。
11. 前記アクティブ素子が薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１０記載の電気光学装置。
12. 前記導電部がストライプ状あるいは格子状に形成されてなることを特徴とする請求項１０又は１１記載の電気光学装置。
13. 前記発光層は有機エレクトロルミネッセンス材料であることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の電気光学装置。
14. 前記導電部の形成材料は、前記対向電極の形成材料より導電性が高い材料であることを特徴とする請求項１０〜１３のいずれかに記載の電気光学装置。
15. 前記隔壁の上面に凹部が形成され、この凹部内に前記導電部が形成されてなることを特徴とする請求項１０〜１４のいずれかに記載の電気光学装置。
16. 前記発光層の、前記画素電極と対向電極のうちの陽極として機能する電極側に、正孔注入層又は正孔輸送層が設けられてなることを特徴とする請求項１０〜１５のいずれかに記載の電気光学装置。
17. 前記発光層からの光は対向電極側を経由して取り出されることを特徴とする請求項１０〜１６のいずれかに記載の電気光学装置。
18. 前記画素電極がアクティブ素子上に配置されていることを特徴とする請求項１７記載の電気光学装置。
19. 前記アクティブ素子上に平坦化膜が形成され、この平坦化膜上に画素電極が配置されていることを特徴とする請求項１８記載の電気光学装置。
20. 前記発光層からの光は画素電極側を経由して取り出されることを特徴とする請求項１０〜１９のいずれかに記載の電気光学装置。
21. 請求項１０記載の電気光学装置を製造するに際し、
    基体上に画素電極と画素間を隔てる隔壁と該隔壁上の導電部とを形成した後、前記隔壁により区画された領域に発光層を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
22. 発光層の材料をインクジェット法で塗布することにより、前記発光層を形成することを特徴とする請求項２１記載の電気光学装置の製造方法。
23. 前記隔壁の上面に凹部を形成し、この凹部内に導電部の材料をインクジェット法で塗布することにより、前記導電部を形成することを特徴とする請求項２１又は２２記載の電気光学装置の製造方法。
24. 前記隔壁の上面を親液処理するとともに側面を撥液処理しておき、液状に調製した導電部の材料に前記隔壁の上面部を浸して該隔壁の上面に導電材料を付着させ、その後この導電材料を硬化させて導電部とすることを特徴とする請求項２１又は２２記載の電気光学装置の製造方法。
25. 隔壁と該隔壁上の導電部とを形成するに際して、隔壁形成材料を成膜し、次に該隔壁形成材料からなる膜の上に導電材料を成膜し、次いで導電材料からなる膜をパターニングして導電部を形成し、その後得られた導電部をマスクにして隔壁形成材料からなる膜をパターニングし、隔壁を形成することを特徴とする請求項２１又は２２記載の電気光学装置の製造方法。
26. 前記発光層となる位置に対して、前記画素電極と対向電極のうちの陽極として機能する電極側に、正孔注入層又は正孔輸送層の材料をインクジェット法で塗布することにより、正孔注入層又は正孔輸送層を形成することを特徴とする請求項２１〜２５のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
27. 請求項８〜２０のいずかに記載の電気光学装置、あるいは請求項２１〜２６のいずれかに記載の製造方法によって得られた電気光学装置を用いてなる電子機器。
28. 前記電気光学装置の光出射側に反射防止フィルムが設けられていることを特徴とする請求項２７記載の電子機器。

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